KR20150007735A - Light Emitting Diode Package - Google Patents

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Abstract

A light emitting diode package having electrical stability against thermal stress according to an embodiment includes a body having a cavity; a light emitting device which is arranged in a cavity and includes a first semiconductor layer, a second semiconductor layer, and an active layer located between the first semiconductor layer and the second semiconductor layer; a lead frame which is located in a region of the body, is connected to the light emitting device, and has a recess part in a region of an upper surface; and a wire which has one end arranged in the recess part to be connected to the lead frame and has the other end connected to the light emitting device; and a protection layer which is arranged to surround an end of the wire adjacent to the recess part.

Description

발광소자 패키지{Light Emitting Diode Package}[0001] Light Emitting Diode Package [0002]

발광소자 패키지{Light Emitting Diode Package} [0001] Light Emitting Diode Package [0002]

발광 다이오드(Light Emitting Diode, LED)는 화합물 반도체의 특성을 이용해 전기 신호를 광의 형태로 변환시키는 소자로, 가정용 가전제품, 리모컨, 전광판, 표시기, 각종 자동화 기기 등에 사용되고 있으며, 점차 사용 영역이 넓어지고 있는 추세이다.Light Emitting Diode (LED) is a device that converts electrical signals into light by using the characteristics of compound semiconductors. It is widely used in household appliances, remote control, electric signboard, display, and various automation devices. There is a trend.

발광소자는 순방향전압 인가시 n층의 전자(electron)와 p층의 정공(hole)이 결합하여 전도대(Conduction band)와 가전대(Valance band)의 에너지 갭에 해당하는 만큼의 에너지를 발산하는데, 주로 열이나 빛의 형태로 방출되며, 빛의 형태로 발산되면 LED가 되는 것이다.When a forward voltage is applied to the light emitting device, electrons in the n-layer and holes in the p-layer are coupled to emit energy corresponding to the energy gap between the conduction band and the valance band. It is mainly emitted in the form of heat or light, and when emitted in the form of light, it becomes an LED.

질화물 반도체는 높은 열적 안정성과 폭넓은 밴드갭 에너지에 의해 광소자 및 고출력 전자소자 개발분야에서 큰 관심을 받고 있다. 특히, 질화물 반도체를 이용한 청색(Blue) 발광소자, 녹색(Green) 발광소자, 자외선(UV) 발광소자 등은 상용화되어 널리 사용되고 있다.Nitride semiconductors have attracted great interest in the development of optical devices and high output electronic devices due to their high thermal stability and wide band gap energy. Particularly, blue light emitting devices, green light emitting devices, ultraviolet (UV) light emitting devices, and the like using nitride semiconductors have been commercialized and widely used.

발광소자 패키지는 발광소자를 기판 상에 제작하고, 절단(sawing)공정인 다이 분리(dieseparation)를 통해 발광소자 칩을 분리한 후, 발광소자 칩을 패키지 몸체(package body)에 다이 본딩(diebonding)하고 와이어 본딩(wire bonding), 몰딩(molding)을 진행 후 테스트를 진행할 수 있다.The light emitting device package is manufactured by manufacturing a light emitting device on a substrate, separating the light emitting device chip through dieseparation, which is a sawing process, and then diebonding the light emitting device chip to a package body. Wire bonding and molding can be performed, and the test can proceed.

발광소자 칩의 제조공정과 패키징 공정이 별도로 진행됨에 따라 여러 복잡한 공정 및 여러 기판 등이 소요되는 문제가 발생할 수 있다.As the fabrication process of the light emitting device chip and the packaging process are performed separately, various complex processes and various substrates may be required.

발광소자에서는 고온의 열이 발생될 수 있다. 따라서, 발광소자 패키지는 열팽창과 열수축이 발생하는 경우에도 전기적 안정성을 유지하는 것이 중요하다. 특히, 발광소자와 리드프레임을 전기적으로 연결하는 와이어가 열로 인한 팽창 또는 수축에도 안전하게 유지되는 것이 중요하다.In the light emitting device, heat of high temperature may be generated. Therefore, it is important that the light emitting device package maintain electrical stability even when thermal expansion and thermal shrinkage occur. Particularly, it is important that the wire electrically connecting the light emitting element and the lead frame is securely held against expansion or contraction due to heat.

실시예는 열적인 스트레스에도 전기적 안정성을 갖는 발광소자 패키지를 제공한다. The embodiment provides a light emitting device package having electrical stability against thermal stress.

실시예에 따른 발광소자 패키지는 캐비티를 형성하는 몸체; 캐비티에 배치되며, 제1 반도체층, 제2 반도체층 및 제1 반도체층 및 제2 반도체층의 사이에 위치하는 활성층을 포함하는 발광소자; 몸체의 일 영역에 위치하며, 발광소자와 연결되며, 상면의 일 영역에 함몰부가 형성되는 리드프레임; 일단이 함몰부에 배치되어 리드프레임과 연결되고, 타단이 발광소자와 연결되는 와이어; 및 함몰부와 인접하는 와이어의 일단을 감싸도록 배치되는 보호층;을 포함한다.A light emitting device package according to an embodiment includes a body forming a cavity; A light emitting element disposed in the cavity and including a first semiconductor layer, a second semiconductor layer, and an active layer positioned between the first semiconductor layer and the second semiconductor layer; A lead frame which is located in one region of the body and is connected to the light emitting element and in which a depression is formed in one region of the upper surface; A wire having one end disposed at the depression and connected to the lead frame and the other end connected to the light emitting element; And a protective layer disposed to surround one end of the wire adjacent to the depression.

실시예에 따른 발광소자 패키지는 보호층을 포함하여, 발광소자와 리드프레임을 전기적으로 연결하는 와이어를 보호할 수 있다.The light emitting device package according to the embodiment may include a protective layer to protect the wire electrically connecting the light emitting device and the lead frame.

실시예에 따른 발광소자 패키지는 와이어가 특히 결함이 많이 발생하는 부위인 리드프레임과의 연결부위를 보호층을 보호하여, 전기적 안정성을 극대화할 수 있다.The light emitting device package according to the embodiment can maximize the electrical stability by protecting the protection layer against the connection portion with the lead frame, in particular, where the wire generates a lot of defects.

실시예에 따른 발광소자 패키지는 리드프레임의 와이어와 연결되는 부분을 함몰하여, 함몰된 부위에 열적인 안정성이 뛰어난 메틸계 실리콘을 충진하여, 와이어와 리드프레임 사이의 연결부위의 안정성을 극대화할 수 있다.The light emitting device package according to the embodiment can maximize the stability of the connection portion between the wire and the lead frame by filling in the portion of the lead frame connected to the wire and filling the depressed portion with the methyl silicone excellent in thermal stability have.

도 1a 및 도 1b 는 각각의 실시예에 따른 발광소자 패키지의 단면을 나타낸 단면도,
도 2 는 실시예에 따른 발광소자 패키지를 나타내는 사시도,
도 3 은 실시예에 따른 발광소자 패키지의 단면을 나타낸 단면도,
도 4 는 실시예에 따른 발광소자 패키지의 단면을 나타낸 단면도,
도 5a 는 실시예에 따른 발광소자 패키지를 포함하는 조명장치를 도시한 사시도,
도 5b 는 실시예에 따른 발광소자 패키지를 포함하는 조명장치를 도시한 단면도,
도 6 은 실시예에 따른 발광소자 패키지를 포함한 백라이트 유닛을 나타낸 개념도,
도 7 은 실시예에 따른 발광소자 패키지를 포함한 백라이트 유닛을 나타낸 개념도이다.1A and 1B are cross-sectional views illustrating a light emitting device package according to each embodiment,
2 is a perspective view illustrating a light emitting device package according to an embodiment,
3 is a cross-sectional view of a light emitting device package according to an embodiment,
4 is a cross-sectional view of a light emitting device package according to an embodiment,
5A is a perspective view illustrating a lighting device including a light emitting device package according to an embodiment,
5B is a cross-sectional view illustrating a lighting device including a light emitting device package according to an embodiment,
6 is a conceptual diagram illustrating a backlight unit including a light emitting device package according to an embodiment,
7 is a conceptual diagram illustrating a backlight unit including a light emitting device package according to an embodiment.

본 발명의 이점 및 특징, 그리고 그것들을 달성하는 방법은 첨부되는 도면과 함께 상세하게 후술되어 있는 실시예들을 참조하면 명확해질 것이다. 그러나 본 발명은 이하에서 개시되는 실시예들에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 구현될 수 있으며, 단지 본 실시예들은 본 발명의 개시가 완전하도록 하고, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공되는 것이며, 본 발명은 청구항의 범주에 의해 정의될 뿐이다. 명세서 전체에 걸쳐 동일 참조 부호는 동일 구성 요소를 지칭한다.BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS The advantages and features of the present invention and the manner of achieving them will become apparent with reference to the embodiments described in detail below with reference to the accompanying drawings. The present invention may, however, be embodied in many different forms and should not be construed as limited to the embodiments set forth herein. Rather, these embodiments are provided so that this disclosure will be thorough and complete, and will fully convey the scope of the invention to those skilled in the art. To fully disclose the scope of the invention to those skilled in the art, and the invention is only defined by the scope of the claims. Like reference numerals refer to like elements throughout the specification.

공간적으로 상대적인 용어인 "아래(below)", "아래(beneath)", "하부(lower)", "위(above)", "상부(upper)" 등은 도면에 도시되어 있는 바와 같이 하나의 소자 또는 구성 요소들과 다른 소자 또는 구성 요소들과의 상관관계를 용이하게 기술하기 위해 사용될 수 있다. 공간적으로 상대적인 용어는 도면에 도시되어 있는 방향에 더하여 사용시 또는 동작시 소자의 서로 다른 방향을 포함하는 용어로 이해되어야 한다. 예를 들면, 도면에 도시되어 있는 소자를 뒤집을 경우, 다른 소자의 "아래(below)"또는 "아래(beneath)"로 기술된 소자는 다른 소자의 "위(above)"에 놓여질 수 있다. 따라서, 예시적인 용어인 "아래"는 아래와 위의 방향을 모두 포함할 수 있다. 소자는 다른 방향으로도 배향될 수 있고, 이에 따라 공간적으로 상대적인 용어들은 배향에 따라 해석될 수 있다.The terms spatially relative, "below", "beneath", "lower", "above", "upper" May be used to readily describe a device or a relationship of components to other devices or components. Spatially relative terms should be understood to include, in addition to the orientation shown in the drawings, terms that include different orientations of the device during use or operation. For example, when inverting an element shown in the figures, an element described as "below" or "beneath" of another element may be placed "above" another element. Thus, the exemplary term "below" can include both downward and upward directions. The elements can also be oriented in different directions, so that spatially relative terms can be interpreted according to orientation.

본 명세서에서 사용된 용어는 실시예들을 설명하기 위한 것이며 본 발명을 제한하고자 하는 것은 아니다. 본 명세서에서, 단수형은 문구에서 특별히 언급하지 않는 한 복수형도 포함한다. 명세서에서 사용되는 "포함한다(comprises)" 및/또는 "포함하는(comprising)"은 언급된 구성요소, 단계, 동작 및/또는 소자는 하나 이상의 다른 구성요소, 단계, 동작 및/또는 소자의 존재 또는 추가를 배제하지 않는다.The terminology used herein is for the purpose of illustrating embodiments and is not intended to be limiting of the present invention. In the present specification, the singular form includes plural forms unless otherwise specified in the specification. It is noted that the terms "comprises" and / or "comprising" used in the specification are intended to be inclusive in a manner similar to the components, steps, operations, and / Or additions.

다른 정의가 없다면, 본 명세서에서 사용되는 모든 용어(기술 및 과학적 용어를 포함)는 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 공통적으로 이해될 수 있는 의미로 사용될 수 있을 것이다. 또 일반적으로 사용되는 사전에 정의되어 있는 용어들은 명백하게 특별히 정의되어 있지 않은 한 이상적으로 또는 과도하게 해석되지 않는다.Unless defined otherwise, all terms (including technical and scientific terms) used herein may be used in a sense commonly understood by one of ordinary skill in the art to which this invention belongs. Also, commonly used predefined terms are not ideally or excessively interpreted unless explicitly defined otherwise.

도면에서 각층의 두께나 크기는 설명의 편의 및 명확성을 위하여 과장되거나 생략되거나 또는 개략적으로 도시되었다. 또한 각 구성요소의 크기와 면적은 실제크기나 면적을 전적으로 반영하는 것은 아니다. The thickness and size of each layer in the drawings are exaggerated, omitted, or schematically shown for convenience and clarity of explanation. Also, the size and area of each component do not entirely reflect actual size or area.

또한, 실시예에서 발광소자의 구조를 설명하는 과정에서 언급하는 각도와 방향은 도면에 기재된 것을 기준으로 한다. 명세서에서 발광소자를 이루는 구조에 대한 설명에서, 각도에 대한 기준점과 위치관계를 명확히 언급하지 않은 경우, 관련 도면을 참조하도록 한다.Further, the angle and direction mentioned in the description of the structure of the light emitting device in the embodiment are based on those shown in the drawings. In the description of the structure of the light emitting device in the specification, reference points and positional relationship with respect to angles are not explicitly referred to, refer to the related drawings.

이하에서는 도면을 참조하여 실시예를 보다 상세하게 설명한다.Hereinafter, embodiments will be described in detail with reference to the drawings.

도 1a 및 도 1b 는 일 실시예에 따른 발광소자 패키지의 단면을 나타낸 단면도이고, 도 2 는 일 실시예의 발광소자 패키지의 구조를 도시한 사시도이다.FIGS. 1A and 1B are cross-sectional views illustrating a light emitting device package according to an embodiment, and FIG. 2 is a perspective view illustrating a structure of a light emitting device package according to one embodiment.

도 1a, 도 1b 및 도 2 를 참조하면, 일 실시예에 따른 발광소자(100)는 캐비티를 형성하는 몸체(110), 캐비티에 배치되는 발광소자(120), 몸체(110)의 일 영역에 위치하며, 상면의 일 영역이 함몰된 함몰부(140)가 형성되는 리드프레임(130), 일단이 함몰부(140)에 배치되고, 타단이 발광소자(120)와 연결되는 와이어(150) 및 캐비티를 충진하는 봉지재(190)를 더 포함할 수 있다.1A, 1B and 2, a light emitting device 100 according to an embodiment includes a body 110 forming a cavity, a light emitting device 120 disposed in a cavity, A wire 150 having one end disposed on the depression 140 and the other end connected to the light emitting device 120, and a lead frame 130 having a depression 140 formed by depressing one region of the upper surface, And an encapsulating material 190 filling the cavity.

몸체(110)는 폴리프탈아미드(PPA:Polyphthalamide)와 같은 수지 재질, 실리콘(Si), 알루미늄(Al), 알루미늄 나이트라이드(AlN), 액정폴리머(PSG, photo sensitive glass), 폴리아미드9T(PA9T), 신지오택틱폴리스티렌(SPS), 금속 재질, 사파이어(Al2O3), 베릴륨 옥사이드(BeO), 인쇄회로기판(PCB, Printed Circuit Board), 세라믹 중 적어도 하나로 형성될 수 있다. 몸체(110)는 사출 성형, 에칭 공정 등에 의해 형성될 수 있으나, 이에 한정하지 아니한다.The body 110 may be made of a resin material such as polyphthalamide (PPA), silicon (Si), aluminum (Al), aluminum nitride (AlN), liquid crystal polymer (PSG), polyamide 9T ), new geo-isotactic polystyrene (SPS), metal materials, sapphire (Al 2 O 3), beryllium oxide (BeO), is a printed circuit board (PCB, printed circuit board), it may be formed of at least one of ceramic. The body 110 may be formed by injection molding, etching, or the like, but is not limited thereto.

몸체(110)는 상면이 함몰되어 형성된 내측면이 경사면을 가질 수 있으나, 이에 한정하지 아니하고, 실시예에 따라서는 몸체(110)의 내측면은 리드프레임과 수직하도록 형성될 수 있다. 몸체(110)의 내측면이 경사를 갖는 실시예의 경우, 상기 내측면의 경사의 각도에 따라 발광소자(120)에서 방출되는 광의 반사각이 달라질 수 있으며, 외부로 방출되는 광의 지향각을 조절할 수 있다.The inner surface of the body 110 may have an inclined surface. However, the inner surface of the body 110 may be formed to be perpendicular to the lead frame. In the embodiment where the inner surface of the body 110 has an inclination, the angle of reflection of the light emitted from the light emitting device 120 can be changed according to the angle of inclination of the inner surface, and the directivity angle of the light emitted to the outside can be adjusted .

캐비티는 몸체(110)의 일 영역이 함몰되어 형성될 수 있다. 캐비티는 몸체(110)가 함몰되어 리드프레임(130)의 일부가 노출되도록 할 수 있다. 캐비티는 발광소자(120)를 구비하여 발광소자(120)에서 발생된 빛을 외부로 발산시킬 수 있다.The cavity may be formed by recessing one region of the body 110. The cavity 110 may be recessed to expose a part of the lead frame 130. [ The cavity may include a light emitting device 120 to emit light generated in the light emitting device 120 to the outside.

캐비티의 테두리는 위에서 바라보면 원형, 사각형, 다각형, 타원형 등의 형상일 수 있으며, 특히 모서리가 곡선인 형상일 수도 있으나, 이에 한정되지 아니한다. 몸체(110)의 내측면은 반사층(미도시)을 구비할 수 있다. 몸체(110)는 내측면이 반사도 높은 물질로 도포될 수 있다. 반사층(미도시)은 은(Ag)와 같은 물질로 형성될 수 있으나, 이에 한정하지 아니한다. 반사층(미도시)은 발광소자(120)에서 발생된 빛을 반사시켜 발광소자 패키지(100) 외부로 발산시킬 수 있다.The rim of the cavity may be circular, square, polygonal, elliptical, or the like as viewed from above, and may be a curved shape, but is not limited thereto. The inner surface of the body 110 may have a reflective layer (not shown). The body 110 can be coated with a highly reflective material on the inner side. The reflective layer (not shown) may be formed of a material such as silver (Ag), but is not limited thereto. The reflection layer (not shown) reflects the light emitted from the light emitting device 120 and emits the light to the outside of the light emitting device package 100.

발광소자(120)는 몸체(110)가 형성하는 캐비티의 내부에 배치될 수 있다. 발광소자(120)는 몸체(110)가 형성하는 캐비티 내에 배치되어 리드프레임(130)과 연결될 수 있다. 발광소자(120)는 제1 리드프레임 및 제2 리드프레임과 와이어 본딩(wire bonding) 방식에 의해 전기적으로 연결될 수 있다.The light emitting device 120 may be disposed inside the cavity formed by the body 110. The light emitting device 120 may be disposed in the cavity formed by the body 110 and connected to the lead frame 130. The light emitting device 120 may be electrically connected to the first lead frame and the second lead frame by a wire bonding method.

발광소자(120)는 리드프레임(130) 상에 배치될 수 있으며, 예를 들어, 적색, 녹색, 청색, 백색 등의 빛을 방출하는 발광 소자 또는 자외선을 방출하는 UV(Ultra Violet) 발광 소자일 수 있으나, 이에 대해 한정하지는 않는다.The light emitting device 120 may be disposed on the lead frame 130 and may be a light emitting device that emits light such as red, green, blue, or white, or a UV (Ultra Violet) However, the present invention is not limited thereto.

발광소자(120)는 빛을 발생시킬 수 있다. 발광소자(120)는 빛을 몸체(110)의 캐비티를 형성하는 내측면 또는 바닥면에 조사(照射)할 수 있다. 발광소자(120)는 빛을 전후좌우로 발산시킬 수 있으나, 이에 한정하지 아니한다. 발광소자(120)는 빛을 캐비티를 형성하는 내측면과 리드프레임(130)에 조사하고, 그 반사된 광은 발광소자 패키지(100)의 상부로 방출될 수 있다.The light emitting device 120 can generate light. The light emitting device 120 may irradiate light to an inner surface or a bottom surface of the body 110 to form a cavity. The light emitting device 120 may emit light back and forth, right and left, but is not limited thereto. The light emitting device 120 irradiates light onto the inner surface of the cavity 130 and the lead frame 130, and the reflected light may be emitted to the upper portion of the light emitting device package 100.

발광소자(120)는 전기 단자들이 모두 상부 면에 형성된 수평형 타입(Horizontal type), 상하부 면에 형성된 수직형 타입(Vertical type), 또는 플립 칩 중의 하나일 수 있다.The light emitting device 120 may be one of a horizontal type in which electrical terminals are all formed on the upper surface, a vertical type formed in the upper and lower surfaces, or a flip chip.

발광소자(120)은 제1 반도체층(미도시), 활성층(미도시) 및 제2 반도체층(미도시)을 포함할 수 있고, 제1 반도체층(미도시)과 제2 반도체층(미도시) 사이에 활성층(미도시)이 개재되어 형성될 수 있다.The light emitting device 120 may include a first semiconductor layer (not shown), an active layer (not shown) and a second semiconductor layer (not shown), and may include a first semiconductor layer (not shown) And an active layer (not shown) interposed therebetween.

제1 반도체층(미도시) 및 제2 반도체층(미도시) 중 적어도 하나는 p형 도펀트가 도핑된 p형 반도체층으로 구현될 수 있으며, 다른 하나는 n 형 도펀트가 도핑된 n형 반도체층으로 구현될 수 있다. 제1 반도체층(미도시)이 p 형 반도체층일 경우 제2 반도체층(미도시)은 n 형 반도체층일 수 있으며, 그 역도 가능하다.At least one of the first semiconductor layer (not shown) and the second semiconductor layer (not shown) may be implemented as a p-type semiconductor layer doped with a p-type dopant, and the other may be an n-type semiconductor layer Lt; / RTI > When the first semiconductor layer (not shown) is a p-type semiconductor layer, the second semiconductor layer (not shown) may be an n-type semiconductor layer and vice versa.

p형 반도체층은 InxAlyGa1 -x- yN (0≤x≤1, 0≤y≤1, 0≤x+y≤1)의 조성식을 갖는 반도체 재료, 예를 들어 GaN(Gallium nitride), AlN(Aluminium nitride), AlGaN(Aluminium gallium nitride), InGaN(Indium gallium nitride), InN(Indium nitride), InAlGaN, AlInN 등에서 선택될 수 있으며, 마그네슘(Mg), 아연(Zn), 칼슘(Ca), 스트론튬(Sr), 바륨(Ba) 등의 p형 도펀트가 도핑될 수 있다.The p-type semiconductor layer is a semiconductor material having a composition formula of In x Al y Ga 1 -x- y N (0? x? 1, 0? y? 1, 0? x + y? 1) aluminum nitride, AlN, AlGaN, InGaN, indium nitride, InAlGaN, AlInN, and the like, and may be selected from the group consisting of Mg, Zn, Ca), strontium (Sr), barium (Ba), or the like can be doped.

n형 반도체층은 예컨데, InxAlyGa1 -x- yN (0≤x≤1, 0≤y≤1, 0≤x+y≤1)의 조성식을 갖는 반도체 재료, 예를 들어 GaN(Gallium nitride), AlN(Aluminium nitride), AlGaN(Aluminium gallium nitride), InGaN(Indium gallium nitride), InN(Indium nitride), InAlGaN, AlInN 등에서 선택될 수 있으며, 예를 들어, 규소(Si), 게르마늄(Ge), 주석(Sn), 셀레늄(Se), 텔루늄(Te)과 같은 n형 도펀트가 도핑될 수 있다.The n-type semiconductor layer may be a semiconductor material having a composition formula of In x Al y Ga 1 -x- y N (0? x? 1, 0? y? 1, 0? x + y? 1) (Al), aluminum nitride (AlN), aluminum gallium nitride (AlGaN), indium gallium nitride (InGaN), indium nitride (InN), InAlGaN, AlInN, and the like. An n-type dopant such as Ge, Sn, Se, or Te may be doped.

제1 반도체층(미도시)과 제2 반도체층(미도시) 사이에는 활성층(미도시)이 개재될 수 있다. 활성층(미도시)은 3족-5족 원소의 화합물 반도체 재료를 이용하여 단일 또는 다중 양자 우물 구조, 양자 선(Quantum-Wire) 구조, 또는 양자 점(Quantum Dot) 구조 등으로 형성될 수 있다.An active layer (not shown) may be interposed between the first semiconductor layer (not shown) and the second semiconductor layer (not shown). The active layer (not shown) may be formed of a single or multiple quantum well structure, a quantum-wire structure, a quantum dot structure, or the like using a compound semiconductor material of Group 3-V group elements.

활성층(미도시)이 양자우물구조로 형성된 경우, 예컨데, InxAlyGa1 -x- yN (0≤x≤1, 0≤y≤1, 0≤x+y≤1)의 조성식을 갖는 우물층과 InaAlbGa1 -a- bN (0≤a≤1, 0≤b≤1, 0≤a+b≤1)의 조성식을 갖는 장벽층을 갖는 단일 또는 양자우물구조를 갖을 수 있다. 우물층은 상기 장벽층의 밴드 갭보다 낮은 밴드 갭을 갖는 물질로 형성될 수 있다.When the active layer (not shown) is formed into a quantum well structure, for example, a composition formula of In x Al y Ga 1 -x- y N (0? X? 1, 0? Y? 1, 0? X + And a barrier layer having a composition formula of In a Al b Ga 1 -a b N (0? A? 1, 0? B ? 1, 0? A + b? 1) Lt; / RTI > The well layer may be formed of a material having a band gap lower than the band gap of the barrier layer.

활성층(미도시)의 위 또는/및 아래에는 도전성 클래드층(미도시)이 형성될 수 있다. 도전성 클래드층(미도시)은 AlGaN계 반도체로 형성될 수 있으며, 상기 활성층(미도시)의 밴드 갭보다는 큰 밴드 갭을 가질 수 있다.A conductive clad layer (not shown) may be formed on and / or below the active layer (not shown). The conductive clad layer (not shown) may be formed of an AlGaN-based semiconductor and may have a band gap larger than that of the active layer (not shown).

제1 반도체층과 연결되는 제1 전극(미도시), 제2 반도체층과 연결되는 제2 전극(미도시) 각각은, 전기적 극성이 상이한 두 개의 리드프레임(130) 각각과 전기적으로 연결될 수 있다.A first electrode (not shown) connected to the first semiconductor layer and a second electrode (not shown) connected to the second semiconductor layer may be electrically connected to each of the two lead frames 130 having different electrical polarities .

리드프레임(130)은 몸체(110)의 일 영역에 배치될 수 있다. 예를 들어, 몸체(110)는 리드프레임(130)의 일 영역을 감싸듯 형성되어 리드프레임(130)을 고정할 수 있다. 리드프레임(130)은 발광소자(120)와 와이어로 전기적으로 연결될 수 있다.The lead frame 130 may be disposed in one area of the body 110. For example, the body 110 may be formed to surround an area of the lead frame 130 to fix the lead frame 130. The lead frame 130 may be electrically connected to the light emitting device 120 through a wire.

리드프레임(130)는 제1 리드프레임 및 제2 리드프레임을 포함할 수 있다. 제1 리드프레임 및 제2 리드프레임은 전기적인 극성이 서로 다를 수 있다. 제1 리드프레임 및 제2 리드프레임은 발광소자(120)의 복수의 전극과 각각 연결될 수 있다. 제1 리드프레임 및 제2 리드프레임은 발광소자(120)에 전원을 공급할 수 있다. 제1 리드프레임 및 제2 리드프레임은 서로 이격되어 배치될 수 있다.The lead frame 130 may include a first lead frame and a second lead frame. The first lead frame and the second lead frame may have different electrical polarities. The first lead frame and the second lead frame may be connected to the plurality of electrodes of the light emitting device 120, respectively. The first lead frame and the second lead frame can supply power to the light emitting element 120. [ The first lead frame and the second lead frame may be disposed apart from each other.

리드프레임(130)은 발광소자(120)에서 발생된 빛을 반사시켜 광효율을 증가시킬 수 있다. 리드프레임(130)은 발광소자(120)에서 발생된 열을 흡수할 수 있다.The lead frame 130 may reflect light generated from the light emitting device 120 to increase the light efficiency. The lead frame 130 may absorb heat generated in the light emitting device 120. [

리드프레임(130)은 전기전도성이 있는 물질을 포함할 수 있다. 리드프레임(130)은 금속 재질, 예를 들어, 티타늄(Ti), 구리(Cu), 니켈(Ni), 금(Au), 크롬(Cr), 탄탈늄(Ta), 백금(Pt), 주석(Sn), 은(Ag), 인(P), 알루미늄(Al), 인듐(In), 팔라듐(Pd), 코발트(Co), 실리콘(Si), 게르마늄(Ge), 하프늄(Hf), 루테늄(Ru), 철(Fe) 중에서 하나 이상의 물질 또는 합금을 포함할 수 있다. 리드프레임(130)은 단층 또는 다층 구조를 가지도록 형성될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.The lead frame 130 may comprise an electrically conductive material. The lead frame 130 may be made of a metal material such as titanium, copper, nickel, gold, chromium, tantalum, platinum, tin, (Al), indium (In), palladium (Pd), cobalt (Co), silicon (Si), germanium (Ge), hafnium (Hf), ruthenium (Ru), and iron (Fe). The lead frame 130 may have a single-layer structure or a multi-layer structure, but the present invention is not limited thereto.

리드프레임(130)은 일 영역이 함몰되는 함몰부(140)가 형성될 수 있다. 리드프레임(130)은 와이어(150)와 연결되도록, 함몰부(140)에 배치되며, 금(Au)을 포함하는 연결부(160)를 더 포함할 수 있다. 리드프레임(130)은 발광소자(120)와 와이어로 연결될 수 있다.The lead frame 130 may have a depression 140 in which one region is recessed. The lead frame 130 may further include a connection portion 160 disposed on the depression 140 and connected to the wire 150 and including gold (Au). The lead frame 130 may be connected to the light emitting device 120 by a wire.

도 1b 를 참조하면, 리드프레임(130) 프레스장치로 함몰부(140)가 형성될 수 있다. 리드프레임(130)은 프레스장치로 함몰부(140)가 형성된 경우, 일 영역이 굴곡되어 함몰부(140)가 형성될 수 있다. 예를 들어, 함몰부(140)가 형성된 부분의 리드프레임(130)의 두께는 함몰부(140)가 형성되지 않은 부분의 리드프레임(130)의 두께와 유사할 수 있다.Referring to FIG. 1B, depressions 140 may be formed in the lead frame 130 press apparatus. When the depression 140 is formed by the press apparatus, the lead frame 130 may be bent to form a depression 140. For example, the thickness of the lead frame 130 at the portion where the depression 140 is formed may be similar to the thickness of the lead frame 130 at the portion where the depression 140 is not formed.

연결부(160)는 함몰부(140)에 배치될 수 있다. 연결부(160)는 와이어(150)와 연결될 수 있다. 리드프레임(130)은 은(Ag) 또는 알루미늄(Al)을 포함하는 부분과 함몰부(140)에 배치되는 연결부(160)를 포함할 수 있다. 연결부(160)는 금(Au)을 포함할 수 있다. 연결부(160)는 금을 포함하여, 와이어(150)와의 결합을 견고하게 하고, 발광소자(120)와 리드프레임(130)간의 전기적 연결을 안정화할 수 있다.The connection portion 160 may be disposed at the depression 140. The connection portion 160 may be connected to the wire 150. The lead frame 130 may include a portion including silver (Ag) or aluminum (Al), and a connection portion 160 disposed in the depression 140. The connection portion 160 may include gold (Au). The connection portion 160 may include gold to secure the connection with the wire 150 and stabilize the electrical connection between the light emitting element 120 and the lead frame 130.

함몰부(140)는 와이어(150)와 연결부(160)와의 연결부위가 리드프레임(130)의 상면보다 낮도록 할 수 있다. 함몰부(140)는 깊이(D)가 100nm 내지 150nm 일 수 있다. The depression 140 may be formed such that a connecting portion between the wire 150 and the connecting portion 160 is lower than an upper surface of the lead frame 130. [ The depression 140 may have a depth D of 100 nm to 150 nm.

함몰부(140)는 깊이(D)가 100nm 이하인 경우, 열팽창 및 열수축에 취약한 와이어(150)와 리드프레임(130) 사이의 연결부위가 리드프레임(130)의 상면 위로 노출되어, 발광소자 패키지(100)의 전기적 안정성을 떨어뜨릴 수 있고, 깊이가 150nm 이상인 경우, 리드프레임(130)의 일 영역의 두께가 얇아짐으로 인하여, 발광소자 패키지(100)의 물리적 내구성이 떨어질 수 있다.The concave portion 140 is exposed above the top surface of the lead frame 130 where the connection between the wire 150 and the lead frame 130 is susceptible to thermal expansion and heat shrinkage when the depth D is 100 nm or less, The thickness of one region of the lead frame 130 becomes thinner and the physical durability of the light emitting device package 100 may be deteriorated.

봉지재(190)는 캐비티에 충진될 수 있다. 봉지재(190)는 발광소자(120)를 감싸도록 몸체(110)가 형성하는 캐비티에 충진될 수 있다. 봉지재(190)는 광투과 에폭시 수지, 폴리이미드 수지, 요소수지, 아크릴 수지 또는 광투과 실리콘 수지 중에서 하나 또는 복수로 형성될 수 있다. 봉지재(190)는 캐비티 내에 충진된 후, 이를 자외선 또는 열 경화하는 방식으로 형성될 수 있다. 봉지재(190)는 형광체를 포함할 수 있다.The encapsulant 190 may be filled into the cavity. The encapsulant 190 may be filled in a cavity formed by the body 110 to surround the light emitting device 120. The sealing material 190 may be formed of one or a plurality of light-transmitting epoxy resin, polyimide resin, urea resin, acrylic resin or light-transmitting silicone resin. The encapsulant 190 may be formed in such a manner that the encapsulant 190 is filled in the cavity and then cured by ultraviolet rays or heat. The encapsulant 190 may comprise a phosphor.

형광체(미도시)는 발광소자(120)에서 방출되는 광의 파장에 따라 종류가 선택되어 발광소자 패키지가 백색광을 구현하도록 할 수 있다.The phosphor (not shown) may be selected according to the wavelength of the light emitted from the light emitting device 120 so that the light emitting device package can realize white light.

봉지재(190)에 포함되어 있는 형광체(미도시)는 발광소자(120)에서 방출되는 광의 파장에 따라 청색 발광 형광체, 청록색 발광 형광체, 녹색 발광 형광체, 황녹색 발광 형광체, 황색 발광 형광체, 황적색 발광 형광체, 오렌지색 발광 형광체, 및 적색 발광 형광체 중 하나 이상일 수 있다.The fluorescent material (not shown) included in the encapsulant 190 may be a blue light emitting phosphor, a blue light emitting fluorescent material, a green light emitting fluorescent material, a yellow green light emitting fluorescent material, a yellow light emitting fluorescent material, A phosphor, an orange light-emitting fluorescent substance, and a red light-emitting fluorescent substance.

형광체(미도시)는 발광소자(120)가 발출하는 제1 빛에 여기되어, 제2 빛을 생성할 수 있다. 예를 들어, 발광소자(120)가 발생시킨 빛이 형광체의 색과 혼색됨에 따라 발광소자 패키지는 백색 빛을 제공할 수 있다.The phosphor (not shown) may be excited by the first light emitted by the light emitting device 120 to generate the second light. For example, as the light generated by the light emitting device 120 is mixed with the color of the phosphor, the light emitting device package can provide white light.

발광소자(120)가 녹색 발광 다이오드인 경우는 magenta 형광체 또는 청색과 적색의 형광체(미도시)를 혼용하고, 발광소자(120)가 적색 발광 다이오드인 경우는 Cyan 형광체 또는 청색과 녹색 형광체를 혼용하여, 발광소자 패키지가 백색빛을 방출하도록 할 수 있다.When the light emitting element 120 is a green light emitting diode, the magenta phosphor or the blue and red phosphors (not shown) are mixed, and when the light emitting element 120 is a red light emitting diode, a cyan phosphor or a mixture of blue and green phosphors , So that the light emitting device package can emit white light.

형광체(미도시)는 YAG계, TAG계, 황화물계, 실리케이트계, 알루미네이트계, 질화물계, 카바이드계, 니트리도실리케이트계, 붕산염계, 불화물계, 인산염계 등의 공지된 것일 수 있다.The phosphor (not shown) may be a known one such as YAG, TAG, sulfide, silicate, aluminate, nitride, carbide, nitridosilicate, borate, fluoride or phosphate.

봉지재(190)는 페닐계 실리콘을 포함할 수 있다. 봉지재(190)는 물리적 내구성이 높은 페닐계 실리콘을 포함하여, 발광소자(120)를 물리적 충격으로부터 보호할 수 있다.The encapsulant 190 may comprise phenyl-based silicone. The encapsulant 190 includes phenyl-based silicone having high physical durability, so that the light emitting device 120 can be protected from physical impact.

도 3 및 도 4 는 실시예에 따른 발광소자 패키지의 단면을 나타낸 단면도이다.3 and 4 are cross-sectional views illustrating a light emitting device package according to an embodiment.

도 3 을 참조하면, 실시예에 따른 발광소자 패키지는 함몰부(140)와 인접하는 와이어(150)의 일단을 감싸도록 배치되는 보호층을 포함할 수 있다.Referring to FIG. 3, the light emitting device package according to the embodiment may include a protection layer disposed to surround one end of the wire 150 adjacent to the depression 140.

보호층(170)은 메틸계(Dimethyl) 실리콘을 포함할 수 있다. 보호층(170)은 열적안정성이 높은 메틸계 실리콘을 포함하여, 와이어(150)의 리드프레임(130)의 연결부위를 보호할 수 있다. 보호층(170)은 함몰부(140)가 형성하는 공간을 메울 수 있다.The protective layer 170 may include methyl silicon. The protective layer 170 may include methyl-based silicone having a high thermal stability to protect the connection portion of the lead frame 130 of the wire 150. The protective layer 170 may fill the space formed by the depressions 140.

도 4 를 참조하면, 몸체(110)는 함몰부(140)의 위에 배치될 수 있다. Referring to FIG. 4, the body 110 may be disposed on the depression 140.

몸체(110)는 함몰부(140)를 덮도록 배치되어 함몰부(140)에 배치되는 보호층(170)이 발광소자(120)에서 발생한 빛을 흡수하는 것을 차단할 수 있다. The body 110 may be disposed so as to cover the depression 140 so that the passivation layer 170 disposed in the depression 140 may block absorption of light generated in the light emitting device 120.

몸체(110)가 함몰부(140)를 덮도록 배치되는 일 실시예의 경우, 리드프레임(130)과 발광소자(120)를 와이어(150)로 연결한 이후에 몸체를 형성할 수 있으나, 그 공정순서에는 한정하지 아니한다. 몸체(110)는 와이어(150)의 일 부분을 감싸도록 형성될 수 있다. 몸체(110)는 와이어(150)와 리드프레임(130)의 연결부위에 인접하는 부분을 감싸도록 형성되어, 와이어(150)의 내구성을 유지하도록 할 수 있다.The body may be formed after the lead frame 130 and the light emitting device 120 are connected by the wire 150 in the embodiment where the body 110 is disposed to cover the depression 140. However, It is not limited to the order. The body 110 may be formed to surround a portion of the wire 150. The body 110 may be formed to surround a portion adjacent to the connection portion between the wire 150 and the lead frame 130 to maintain the durability of the wire 150.

봉지재(190)는 와이어(150)를 감싸며, 페닐계실리콘을 포함하는 제1층 및 형광체를 포함하는 제2층을 포함할 수 있다. 봉지재(190)는 페닐계 실리콘을 포함하는 제1층을 포함하여, 발광소자(120) 및 와이어(150)를 물리적 충격으로부터 보호할 수 있다. The encapsulant 190 may surround the wire 150, and may include a first layer comprising phenyl-based silicon and a second layer comprising a phosphor. The encapsulant 190 may include a first layer comprising phenyl-based silicon to protect the light emitting device 120 and the wire 150 from physical impact.

도 5a는 일 실시예에 따른 발광소자를 포함하는 조명 시스템(400)을 도시한 사시도이며, 도 5b는 도 5a의 조명 시스템의 D-D' 단면을 도시한 단면도이다.FIG. 5A is a perspective view showing an illumination system 400 including a light emitting device according to an embodiment, and FIG. 5B is a cross-sectional view showing a D-D 'cross-section of the illumination system of FIG. 5A.

즉, 도 5b 는 도 5a의 조명 시스템(400)을 길이방향(Z)과 높이방향(X)의 면으로 자르고, 수평방향(Y)으로 바라본 단면도이다.5B is a cross-sectional view of the illumination system 400 of FIG. 5A cut in the longitudinal direction Z and the height direction X and viewed in the horizontal direction Y. FIG.

도 5a 및 도 5b를 참조하면, 조명 시스템(400)은 몸체(410), 몸체(410)와 체결되는 커버(430) 및 몸체(410)의 양단에 위치하는 마감캡(450)을 포함할 수 있다.5A and 5B, the lighting system 400 may include a body 410, a cover 430 coupled to the body 410, and a finishing cap 450 positioned at opposite ends of the body 410 have.

몸체(410)의 하부면에는 발광소자 모듈(443)이 체결되며, 몸체(410)는 발광소자 패키지(444)에서 발생한 열이 몸체(410)의 상부면을 통해 외부로 방출할 수 있도록 전도성 및 열 발산 효과가 우수한 금속재질로 형성될 수 있고, 이에 한정하지 아니한다.The light emitting device module 443 is coupled to a lower surface of the body 410. The body 410 is electrically connected to the light emitting device package 444 through the upper surface of the body 410, And may be formed of a metal material having excellent heat dissipation effect, but is not limited thereto.

발광소자 패키지(444)는 발광소자(미도시)를 포함한다.The light emitting device package 444 includes a light emitting element (not shown).

발광소자 패키지(444)는 기판(442) 상에 다색, 다열로 실장되어 모듈을 이룰 수 있으며, 동일한 간격으로 실장되거나 또는 필요에 따라서 다양한 이격 거리를 가지고 실장될 수 있어 밝기 등을 조절할 수 있다. 기판(442)으로 MCPCB(Metal Core PCB) 또는 FR4 재질의 PCB 를 사용할 수 있다.The light emitting device package 444 may be mounted on the substrate 442 in a multi-color, multi-row manner to form a module. The light emitting device package 444 may be mounted at equal intervals or may be mounted with various spacings as needed. As the substrate 442, MCPCB (Metal Core PCB) or FR4 PCB can be used.

커버(430)는 몸체(410)의 하부면을 감싸도록 원형의 형태로 형성될 수 있으며, 이에 한정되지 않는다.The cover 430 may be formed in a circular shape so as to surround the lower surface of the body 410, but is not limited thereto.

커버(430)는 내부의 발광소자 모듈(443)을 외부의 이물질 등으로부터 보호할 수 있다. 커버(430)는 발광소자 패키지(444)에서 발생한 광의 눈부심을 방지하고, 외부로 광을 균일하게 방출할 수 있도록 확산입자를 포함할 수 있으며, 또한 커버(430)의 내면 및 외면 중 적어도 어느 한 면에는 프리즘 패턴 등이 형성될 수 있다. 또한 커버(430)의 내면 및 외면 중 적어도 어느 한 면에는 형광체가 도포될 수도 있다. The cover 430 can protect the internal light emitting element module 443 from foreign substances or the like. The cover 430 may include diffusion particles to prevent glare of light generated in the light emitting device package 444 and uniformly emit light to the outside, and may include at least one of an inner surface and an outer surface of the cover 430 A prism pattern or the like may be formed on the surface. Further, the phosphor may be coated on at least one of the inner surface and the outer surface of the cover 430.

발광소자 패키지(444)에서 발생하는 광은 커버(430)를 통해 외부로 방출되므로, 커버(430)는 광투과율이 우수하여야 하며, 발광소자 패키지(444)에서 발생하는 열에 견딜 수 있도록 충분한 내열성을 구비하고 있어야 하는바, 커버(430)는 폴리에틸렌테레프탈레이트 (Polyethylen?Terephthalate;?PET), 폴리카보네이트(Polycarbonate;?PC), 또는 폴리메틸 메타크릴레이트(Polymethyl Methacrylate; PMMA) 등을 포함하는 재질로 형성될 수 있다.The light generated from the light emitting device package 444 is emitted to the outside through the cover 430 so that the cover 430 should have excellent light transmittance and sufficient heat resistance to withstand the heat generated from the light emitting device package 444 The cover 430 may be made of a material including polyethylene terephthalate (PET), polycarbonate (PC), polymethyl methacrylate (PMMA), or the like .

마감캡(450)은 몸체(410)의 양단에 위치하며 전원장치(미도시)를 밀폐하는 용도로 사용될 수 있다. 마감캡(450)에는 전원 핀(452)이 형성되어 있어, 실시예에 따른 조명 시스템(400)은 기존의 형광등을 제거한 단자에 별도의 장치 없이 곧바로 사용할 수 있게 된다.The finishing cap 450 is located at both ends of the body 410 and can be used for sealing the power supply unit (not shown). The finishing cap 450 is formed with the power pin 452, so that the lighting system 400 according to the embodiment can be used immediately without a separate device on the terminal from which the conventional fluorescent lamp is removed.

도 6 은 일 실시예에 따른 발광소자를 포함하는 액정표시장치의 분해 사시도이다.6 is an exploded perspective view of a liquid crystal display device including a light emitting device according to an embodiment.

도 6 은 에지-라이트 방식으로, 액정 표시 장치(500)는 액정표시패널(510)과 액정표시패널(510)로 빛을 제공하기 위한 백라이트 유닛(570)을 포함할 수 있다.6, the liquid crystal display device 500 may include a backlight unit 570 for providing light to the liquid crystal display panel 510 and the liquid crystal display panel 510 in an edge-light manner.

액정표시패널(510)은 백라이트 유닛(570)으로부터 제공되는 광을 이용하여 화상을 표시할 수 있다. 액정표시패널(510)은 액정을 사이에 두고 서로 대향하는 컬러 필터 기판(512) 및 박막 트랜지스터 기판(514)을 포함할 수 있다.The liquid crystal display panel 510 can display an image using the light provided from the backlight unit 570. The liquid crystal display panel 510 may include a color filter substrate 512 and a thin film transistor substrate 514 facing each other with a liquid crystal therebetween.

컬러 필터 기판(512)은 액정표시패널(510)을 통해 디스플레이되는 화상의 색을 구현할 수 있다.The color filter substrate 512 can realize the color of an image to be displayed through the liquid crystal display panel 510.

박막 트랜지스터 기판(514)은 구동 필름(517)을 통해 다수의 회로부품이 실장되는 인쇄회로기판(518)과 전기적으로 접속되어 있다. 박막 트랜지스터 기판(514)은 인쇄회로기판(518)으로부터 제공되는 구동 신호에 응답하여 인쇄회로기판(518)으로부터 제공되는 구동 전압을 액정에 인가할 수 있다.The thin film transistor substrate 514 is electrically connected to a printed circuit board 518 on which a plurality of circuit components are mounted via a driving film 517. The thin film transistor substrate 514 may apply a driving voltage provided from the printed circuit board 518 to the liquid crystal in response to a driving signal provided from the printed circuit board 518. [

박막 트랜지스터 기판(514)은 유리나 플라스틱 등과 같은 투명한 재질의 다른 기판상에 박막으로 형성된 박막 트랜지스터 및 화소 전극을 포함할 수 있다. The thin film transistor substrate 514 may include a thin film transistor and a pixel electrode formed as a thin film on another substrate of a transparent material such as glass or plastic.

백라이트 유닛(570)은 빛을 출력하는 발광소자 모듈(520), 발광소자 모듈(520)로부터 제공되는 빛을 면광원 형태로 변경시켜 액정표시패널(510)로 제공하는 도광판(530), 도광판(530)으로부터 제공된 빛의 휘도 분포를 균일하게 하고 수직 입사성을 향상시키는 다수의 필름(550, 560, 564) 및 도광판(530)의 후방으로 방출되는 빛을 도광판(530)으로 반사시키는 반사 시트(540)로 구성된다.The backlight unit 570 includes a light emitting device module 520 for outputting light, a light guide plate 530 for changing the light provided from the light emitting module 520 into a surface light source to provide the light to the liquid crystal display panel 510, A plurality of films 550, 560, and 564 that uniformly distribute the luminance of light provided from the light guide plate 530 and improve vertical incidence, and a reflective sheet (not shown) that reflects light emitted to the rear of the light guide plate 530 to the light guide plate 530 540).

발광소자 모듈(520)은 복수의 발광소자 패키지(524)와 복수의 발광소자 패키지(524)가 실장되어 모듈을 이룰 수 있도록 PCB기판(522)을 포함할 수 있다.The light emitting device module 520 may include a PCB substrate 522 to mount a plurality of light emitting device packages 524 and a plurality of light emitting device packages 524 to form a module.

발광소자 패키지(524)는 발광소자(미도시)를 포함한다.The light emitting device package 524 includes a light emitting element (not shown).

백라이트유닛(570)은 도광판(530)으로부터 입사되는 빛을 액정 표시 패널(510) 방향으로 확산시키는 확산필름(566)과, 확산된 빛을 집광하여 수직 입사성을 향상시키는 프리즘필름(550)으로 구성될 수 있으며, 프리즘필름(550)를 보호하기 위한 보호필름(564)을 포함할 수 있다.The backlight unit 570 includes a diffusion film 566 for diffusing light incident from the light guide plate 530 toward the liquid crystal display panel 510 and a prism film 550 for enhancing vertical incidence by condensing the diffused light And may include a protective film 564 for protecting the prism film 550.

도 7 은 실시예에 따른 발광소자를 포함하는 액정표시장치의 분해 사시도이다. 다만, 도 6 에서 도시하고 설명한 부분에 대해서는 반복하여 상세히 설명하지 않는다.7 is an exploded perspective view of a liquid crystal display device including a light emitting device according to an embodiment. However, the parts shown and described in Fig. 6 are not repeatedly described in detail.

도 7 은 실시예에 따른 직하 방식의 액정 표시 장치(600)이다. 액정 표시 장치(600)는 액정표시패널(610)과 액정표시패널(610)로 빛을 제공하기 위한 백라이트 유닛(670)을 포함할 수 있다. 액정표시패널(610)은 도 6 에서 설명한 바와 동일하므로, 상세한 설명은 생략한다.7 is a direct-view liquid crystal display device 600 according to the embodiment. The liquid crystal display device 600 may include a liquid crystal display panel 610 and a backlight unit 670 for providing light to the liquid crystal display panel 610. Since the liquid crystal display panel 610 is the same as that described with reference to FIG. 6, detailed description is omitted.

백라이트 유닛(670)은 복수의 발광소자 모듈(623), 반사시트(624), 발광소자 모듈(623)과 반사시트(624)가 수납되는 하부 섀시(630), 발광소자 모듈(623)의 상부에 배치되는 확산판(640) 및 다수의 광학필름(660)을 포함할 수 있다.The backlight unit 670 includes a plurality of light emitting element modules 623, a reflective sheet 624, a lower chassis 630 in which the light emitting element module 623 and the reflective sheet 624 are accommodated, And a plurality of optical films 660 disposed on the diffuser plate 640.

발광소자 모듈(623)은 복수의 발광소자 패키지(622)와 복수의 발광소자 패키지(622)가 실장되어 모듈을 이룰 수 있도록 PCB기판(621)을 포함할 수 있다.The light emitting device module 623 may include a PCB substrate 621 to mount a plurality of light emitting device packages 622 and a plurality of light emitting device packages 622 to form a module.

발광소자 패키지(622)는 발광소자(미도시)를 포함한다.The light emitting device package 622 includes a light emitting element (not shown).

반사 시트(624)는 발광소자 패키지(622)에서 발생한 빛을 액정표시패널(610)이 위치한 방향으로 반사시켜 빛의 이용 효율을 향상시킨다.The reflective sheet 624 reflects light generated from the light emitting device package 622 in a direction in which the liquid crystal display panel 610 is positioned, thereby improving light utilization efficiency.

발광소자 모듈(623)에서 발생한 빛은 확산판(640)에 입사하며, 확산판(640)의 상부에는 광학 필름(660)이 배치된다. 광학 필름(660)은 확산 필름(666), 프리즘필름(650) 및 보호필름(664)를 포함하여 구성된다.The light emitted from the light emitting element module 623 is incident on the diffusion plate 640 and the optical film 660 is disposed on the diffusion plate 640. The optical film 660 is composed of a diffusion film 666, a prism film 650, and a protective film 664.

실시예에 따른 발광소자는 상기한 바와 같이 설명된 실시예들의 구성과 방법이 한정되게 적용될 수 있는 것이 아니라, 상기 실시예들은 다양한 변형이 이루어질 수 있도록 각 실시예들의 전부 또는 일부가 선택적으로 조합되어 구성될 수도 있다.The configuration and the method of the embodiments described above are not limitedly applied, but the embodiments may be modified so that all or some of the embodiments are selectively combined so that various modifications can be made. .

이상에서는 바람직한 실시예에 대하여 도시하고 설명하였지만, 본 발명은 상술한 특정의 실시예에 한정되지 아니하며, 청구범위에서 청구하는 본 발명의 요지를 벗어남이 없이 당해 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진자에 의해 다양한 변형실시가 가능한 것은 물론이고, 이러한 변형실시들은 본 발명의 기술적 사상이나 전망으로부터 개별적으로 이해되어져서는 안될 것이다
While the present invention has been particularly shown and described with reference to exemplary embodiments thereof, it is to be understood that the invention is not limited to the disclosed exemplary embodiments, but, on the contrary, It should be understood that various modifications may be made by those skilled in the art without departing from the spirit and scope of the present invention.

110 : 몸체
120 : 발광소자
130 : 리드프레임
140 : 함몰부
150 : 와이어
160 : 연결부
190 : 봉지재110: Body
120: Light emitting element
130: lead frame
140: depression
150: wire
160: Connection
190: Encapsulant

Claims (8)

캐비티를 형성하는 몸체;
상기 캐비티에 배치되며, 제1 반도체층, 제2 반도체층 및 상기 제1 반도체층 및 상기 제2 반도체층의 사이에 위치하는 활성층을 포함하는 발광소자;
상기 몸체의 일 영역에 위치하며, 상기 발광소자와 연결되며, 상면의 일 영역에 함몰부가 형성되는 리드프레임;
일단이 상기 함몰부에 배치되어 상기 리드프레임과 연결되고, 타단이 상기 발광소자와 연결되는 와이어; 및
상기 함몰부와 인접하는 상기 와이어의 일단을 감싸도록 배치되는 보호층;을 포함하는 발광소자 패키지.A body defining a cavity;
A light emitting element disposed in the cavity and including a first semiconductor layer, a second semiconductor layer, and an active layer disposed between the first semiconductor layer and the second semiconductor layer;
A lead frame which is located in one region of the body and is connected to the light emitting element and has a depression in one region of the upper surface;
A wire having one end connected to the lead frame and the other end connected to the light emitting element; And
And a protection layer disposed to surround one end of the wire adjacent to the depression. 제1항에 있어서,
상기 보호층은 메틸계(Dimethyl) 실리콘을 포함하는 발광소자 패키지.The method according to claim 1,
Wherein the protective layer comprises methyl silicon. 제1항에 있어서,
상기 리드프레임은 상기 와이어와 연결되도록, 상기 함몰부에 배치되며, 금(Au)을 포함하는 연결부를 더 포함하는 발광소자 패키지.The method according to claim 1,
The light emitting device package of claim 1, wherein the lead frame is connected to the wire. The light emitting device package of claim 1, further comprising a connection portion including gold. 제1항에 있어서,
상기 캐비티를 형성하는 상기 리드프레임의 상면은 은(Ag) 또는 알루미늄(Al)으로 형성되는 발광소자 패키지.The method according to claim 1,
And the upper surface of the lead frame forming the cavity is formed of silver (Ag) or aluminum (Al). 제1항에 있어서,
상기 몸체는 상기 함몰부의 위에 배치되는 발광소자 패키지.The method according to claim 1,
And the body is disposed on the depression. 제1항에 있어서,
상기 함몰부는 깊이가 100nm 내지 150nm 인 발광소자 패키지.The method according to claim 1,
Wherein the depression has a depth of 100 nm to 150 nm. 제1항에 있어서,
상기 캐비티에 충진되며, 페닐계 실리콘을 포함하는 봉지재를 포함하는 발광소자 패키지.The method according to claim 1,
And a sealing material filled in the cavity and containing phenyl-based silicone. 제7항에 있어서,
상기 봉지재는 상기 와이어를 감싸며, 상기 페닐계 실리콘을 포함하는 제1 층 및 형광체를 포함하는 제2층을 포함하는 발광소자 패키지.
8. The method of claim 7,
Wherein the encapsulant surrounds the wire and comprises a first layer comprising the phenyl-based silicone and a second layer comprising a phosphor.
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