KR20150001688A - 저-k 필름에 대해 감소된 손상으로 유기 마스크를 박리하는 방법 - Google Patents

저-k 필름에 대해 감소된 손상으로 유기 마스크를 박리하는 방법 Download PDF

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KR20150001688A
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Abstract

다공성 저-k 유전체 필름 위의 유기 마스크를 박리하는 방법이 제공된다. CO2 및 CH4를 포함하는 박리 가스의 정상 상태 유동이 제공된다. 박리 가스의 정상 상태 유동을 제공하는 구간 동안, 박리 가스는 플라즈마로 형성되며, 플라즈마는 유기 마스크의 적어도 절반을 박리하고, 다공성 저-k 유전체 필름을 보호한다.

Description

저-k 필름에 대해 감소된 손상으로 유기 마스크를 박리하는 방법 {METHOD OF STRIPPING ORGANIC MASK WITH REDUCED DAMAGE TO LOW-K FILM}
본 발명은 반도체-기반의 디바이스의 제조에 관한 것이다. 보다 상세하게는, 본 발명은 저-k 유전체 층들을 갖는 반도체-기반의 디바이스를 제조하기 위한 개선된 기술들에 관한 것이다.
반도체-기반의 디바이스 (예를 들어, 평판 디스플레이들의 집적 회로들) 제조 시에, 앞선 세대의 기술들에서 이용되는 알루미늄 기반의 물질들에서의 신호 전파 (propagation) 와 연관된 RC 지연들을 감소시키도록, 듀얼 다마신 구조물들은 구리 전도체 물질과 함께 이용될 수 있다. 듀얼 다마신에서, 전도체 물질을 에칭하는 대신에, 비아들 및 트렌치들이 유전체 물질 내로 에칭되고, 구리로 충진될 수 있다 (금속화로도 지칭됨). 신호 전달을 위해 비아들에 의해 연결되는 구리 라인들을 남기고, 초과 구리는 화학적 기계적 연마 (CMP) 에 의해 제거될 수 있다. RC 지연들을 더 감소시키기 위해, 다공성 저-k 유전 상수 물질들이 이용될 수 있다. 명세서 및 청구항에서, 저-k는 k<4.0로서 정의된다.
다공성 저 유전 상수 물질들은 유기-실리케이트 (organo-silicate) 글래스 (OSG) 물질들을 포함할 수 있으며, 이는 탄소-도핑된 실리케이트로도 지칭된다. OSG 물질들은 메틸기들 같은 유기 컴포넌트들로 도핑된 실리콘 이산화물일 수 있다. OSG 물질들은, 물질의 유전 상수를 저하시키는, 실리콘 이산화물 격자로 혼입된 탄소 및 수소 원자들을 가진다. 그러나, OSG 물질들은, 박리 (stripping) 플라즈마 내에서 유기 물질 또는 플루오르 (fluorine) 를 박리하기 위해 이용되는, O2, H2, N2, 및 NH3 가스들에 노출되는 경우 손상을 쉽게 입을 수 있다. 저-k 유전체로부터 탄소를 제거하는 것에 의해 이러한 손상이 유발될 수 있으며, 이는 유전 상수를 증가시키고, 상기 물질이 습기를 보유하도록 상기 물질을 더 친수성 (hydrophilic) 으로 만든다고 여겨진다. 습기의 보유는 금속 배리어 접착 문제들을 유발시키거나, 다른 배리어 문제들을 유발시킬 수 있다.
박리 플라즈마와 관련한 손상 효과들은, 비-다공성 (밀한) 물질들에 비해, 다공성 물질로 더 깊게 관여될 (penetrate) 수 있다. (k<~2.5를 갖는) 다공성 OSG 물질들은, 마스크 및/또는 측벽들을 박리하는데 이용되는 플라즈마에의 노출에 의한, 유기 함유물 (content) 의 제거로 인해 손상을 매우 쉽게 입을 수 있다. 예를 들어, 유기 마스크 애싱 (ashing) 또는 박리 프로세스는 이러한 다공성 저-k 유전체 층에 대한 가장 중요한 손상을 유발하는 프로세스 단계들 중 하나이며, 여기서 유기 마스크가 플라즈마 시스템들 하에서 박리된다. 플라즈마는 다공성 OSG 층의 기공 내로 확산될 수 있으며, OSG 층 내로 300 nm까지 손상을 유발할 수 있다. 플라즈마에 의해 유발되는 손상의 일부는 OSG가 더 높은 유전 상수를 가지는 실리콘 이산화물처럼 더 되도록 하는 손상된 영역으로부터의 탄소 및 수소의 제거이다. FTIR 분석으로부터 OSG 층의 SiC/SiO 비율에의 변화를 측정함으로써 손상은 계량화될 (quantified) 수 있다. 일반적인 트렌치 에칭 애플리케이션에서, 트렌치 측벽 내로의 OSG의 3-5 nm보다 많은 변형 (modification) 은 수용할 수 없다.
전술한 그리고 다른 목적들을 달성하기 위해, 그리고 본 발명의 목적에 따라, 다공성 저-k 필름 위의 유기 마스크를 박리하는 방법이 제공된다. CO2 및 CH4를 포함하는 박리 가스의 정상 상태 유동이 제공된다. 박리 가스의 정상 상태 유동을 제공하는 구간 동안, 박리 가스는 플라즈마로 형성되며, 플라즈마는 유기 마스크의 적어도 절반을 박리하고, 다공성 저-k 유전체 필름을 보호한다.
본 발명의 다른 현출에서, 에칭된 저-k 유전체 필름 위의 유기 마스크를 박리하는 방법이 제공된다. 박리 컴포넌트 및 탄화수소 또는 플루오로탄소를 포함하는 박리 가스의 정상 상태 유동이 제공된다. 박리 가스는 플라즈마로 형성되며, 플라즈마는 유기 마스크를 박리하고, 저-k 유전체 필름을 보호한다.
본 발명의 이러한 그리고 다른 특징들이, 아래에서, 이하의 도면들을 참고하여, 그리고 본 발명의 상세한 설명 내에서 더 상세하게 개시될 것이다.
본 발명은 제한 없이 첨부된 도면들의 모습들에서 예시적인 방법으로 도시되며, 여기서 유사한 도면 부호들은 유사한 구성요소를 지칭한다.
도 1은 본 발명의 일 실시예의 고 레벨 흐름도이다.
도 2는 유기 마스크의 박리 단계에 관한 보다 상세한 흐름도이다.
도 3a 내지 3c는 본 발명의 일 실시예에 따라 프로세싱된 스택의 개략적인 단면도들이다.
도 4는 본 발명의 일 실시예에서 이용될 수 있는 프로세스 챔버의 개략도이다.
도 5는 제어기로서 이용될 수 있는 컴퓨터 시스템의 개략도이다.
본 발명은 이제 첨부된 도면들에 도시된 바와 같은 본 발명의 바람직한 실시예들을 참고하여 더 상세하게 개시될 것이다. 이하의 설명에서, 수많은 구체적인 설명들이 본 발명의 충분한 이해를 제공하기 위해 이루어진다. 그러나, 본 기술분야의 숙련자에게, 본 발명은 이러한 구체적인 설명들의 전부 또는 일부 없이도 실행될 수 있음은 자명할 것이다. 다른 예들에서, 익히 공지된 프로세스 단계들 및/또는 구조들은 본 발명을 불필요하게 모호하게 만들지 않기 위해 상세하게 설명되지 않았다.
이론에 의해 얽매이지 않고, 저-k 유전체 층에 대한 손상의 대부분은 박리 동안 발생하는데, 이는 박리가 유기 레지스트 물질을 제거하고, 이러한 프로세스는 저-k 유전체 물질로부터 탄소를 제거하는 경향이 있기 때문이라고 여겨진다. 또한, 손상은 비아 박리보다 트렌치 박리의 결과로서 더 현저한데, 이는 트렌치들은 더 가깝게 이격되어 있고, 서로들 사이에서 더 큰 커패시턴스를 가지기 때문이라고 여겨진다. 또한, 이러한 손상은 큰 피쳐들보다 작은 피쳐들에서 더 큰 문제이고, 이러한 손상은 트렌치의 하부보다 트렌치의 측벽 상에서 더 큰 문제라고 여겨진다.
논의를 용이하게 하기 위한, 도 1은 본 발명의 일 실시예에서 이용되는 다공성 저-k 유전체 층을 포함하는 층들의 스택의 에칭 프로세스에 관한 고 레벨 흐름도이다. 다공성 저-k 유전체 층이 웨이퍼 상에 제공되고, 패터닝된 포토레지스트 마스크 또는 탄소 하드 마스크 같은 유기 마스크 아래에 배치된다 (단계 104). 유기 마스크는 피쳐들을 에칭하는데 이용된다 (단계 108). 유기 마스크는 박리된다 (단계 112). 도 2는 본 발명의 일 실시예에서 이용되는 유기 마스크의 박리에 관한 더 상세한 흐름도이며, 여기서 정상 상태 (steady state) 박리 프로세스가 이용된다. 박리 가스의 정상 상태 유동이 제공된다 (단계 204). 정상 상태 박리 가스는 박리 컴포넌트, 및 탄화수소 또는 플루오로탄소 (fluorocarbon) 를 포함한다. 수소화플루오로탄소 (hydrofluorocarbon) 는 탄화수소 또는 플루오로탄소로 고려된다. 박리 가스는 플라즈마로 형성된다 (단계 208).
본 발명의 일 실시예의 예에서, 패터닝된 유기 마스크는 웨이퍼의 상부에서, 다공성 저-k 유전체 층 상부에 형성된다 (단계 104). 도 3a는 패터닝된 유기 다공성 저-k 유전체 층 (308) 이 그 상부에 형성되고, 다공성 저-k 유전체 층 (308) 상부에 패터닝된 유기 마스크 (312) 가 형성되는, 웨이퍼 (304) 의 스택 (300) 의 개략적인 단면도이다. 바람직하게는, 다공성 저-k 유전체 층 (308) 은 유기-실리케이트 글래스 (OSG) 물질이다. 바람직하게는, 패터닝된 유기 마스크 (312) 는 비정질 탄소 같은, 탄소 하드 마스크이다. 바람직하게는, 웨이퍼 (304) 는 실리콘 웨이퍼이다. 하나 이상의 층들이 저-k 유전체 층 (308) 과 유기 마스크 (312) 사이에 배치될 수 있다. 이러한 예에서, TiN의 하드 마스크 층 (316) 이 저-k 유전체 층 (308) 과 유기 마스크 (312) 사이에 배치된다. 하나 이상의 층들이 저-k 유전체 층 (308) 과 웨이퍼 (304) 사이에 배치될 수 있다. 이러한 예에서, 저-k 유전체 층 (308) 과 웨이퍼 (304) 사이에는 중간 층들이 없다.
유기 마스크 (312) 가 피쳐들을 에칭하는데 이용된다 (단계 108). 이러한 예에서, 도 3b에 도시된 바와 같이, 유기 마스크 (312) 가 하드 마스크 층 (316) 으로 피쳐들을 에칭하기 위한 패턴으로 이용된다.
패터닝된 유기 마스크 (312) 가 박리된다 (단계 112). 이러한 예에서, 웨이퍼 (304) 가 박리 챔버 내에 배치된다. 도 4는 유기 마스크를 박리하는데 이용될 수 있는 플라즈마 프로세싱 챔버 (400) 의 개략도이다. 이러한 예에서, 챔버는 또한 다른 층들을 인-시츄 (in situ) 로 에칭/패터닝하기 위해 이용될 수 있다. 플라즈마 프로세싱 챔버 (400) 는 한정 (confinement) 링들 (402), 상부 전극 (404), 하부 전극 (408), 가스 소스 (410), 배기 펌프 (420) 를 포함한다. 플라즈마 프로세싱 챔버 (400) 내부에서, 웨이퍼 (304) 는 하부 전극 (408) 상에 위치된다. 하부 전극 (408) 은 웨이퍼 (304) 를 홀딩하기 위한, 적절한 기판 척킹 메커니즘 (예를 들어, 정전식, 기계식, 클램핑 등) 을 포함한다. 반응기 상부 (408) 는 하부 전극 (408) 의 바로 반대 편에 배치되는 상부 전극 (404) 을 포함한다. 상부 전극 (404), 하부 전극 (408) 및 한정 링들 (402) 은 한정된 플라즈마 볼륨 (440) 을 정의한다. 가스는, 가스 소스 (410) 에 의해 한정된 플라즈마 볼륨 (440) 으로 공급되고, 배기 펌프 (420) 에 의해 배기 포트 및 한정 링들 (402) 을 통해서 한정된 플라즈마 볼륨 (440) 으로부터 배기된다. 제1 RF 소스 (444) 는 상부 전극 (404) 에 전기적으로 연결된다. 제2 RF 소스 (448) 은 하부 전극 (408) 에 전기적으로 연결된다. 챔버 벽들 (452) 은 한정 링들 (402), 상부 전극 (404) 및 하부 전극 (408) 을 둘러싼다. 제1 RF 소스 (444) 및 제2 RF 소스 (448) 모두는 27 MHz 전력 소스, 60 MHz 전력 소스 및 2 MHz 전력 소스를 포함할 수 있다. 상부 및 하부 전극으로 상이한 주파수들의 RF 전력을 연결하기 위한 상이한 조합들도 가능하다. 제어기 (435) 는 제1 RF 소스 (444), 제2 RF 소스 (448), 배기 펌프 (420) 및 가스 소스 (410) 로 제어가능하게 연결된다. 제어기 (435) 는 다양한 가스들의 유속을 제어할 수 있다. 본 발명의 바람직한 실시예에서 이용될 수 있는, Fremont, California의 램 리서치 코포레이션에 의해 제조된, Exelan® Series 같은 램 리서치 코포레이션의 유전체 에칭 시스템 (Dielectric Etch Systems) 의 경우에, 60 MHz, 27 MHz 및 2 MHz 전력 소스들이 하부 전극 (408) 에 연결된 제2 RF 전력 소스 (448) 를 구성하고, 상부 전극 (404) 은 접지된다.
도 5는 본 발명의 실시예들에서 이용되는 제어기 (435) 를 구현하기에 적절한 컴퓨터 시스템 (500) 을 도시하는 고 레벨 블록도이다. 컴퓨터 시스템은 집적 회로, 인쇄 회로 기판, 및 작은 휴대용 디바이스에서 거대한 슈퍼 컴퓨터까지 범위의 많은 물리적 형태들을 가질 수 있다. 컴퓨터 시스템 (500) 은 하나 이상의 프로세스들 (502) 을 포함하며, 또한 (그래픽, 텍스트 및 다른 데이터를 표시하기 위한) 전자 디스플레이 디바이스 (504), 메인 메모리 (506; 예를 들어, 랜덤 엑세스 메모리 (RAM)), 저장 디바이스 (508; 예를 들어, 하드 디스크 드라이브), 이동식 저장 디바이스 (예를 들어, 광학 디스크 드라이브), 사용자 인터페이스 디바이스 (512; 예를 들어, 키보드들, 터치 스크린들, 키패드들, 마우스들 또는 다른 포인팅 디바이스들 등), 및 통신 인터페이스 (514; 무선 네트워크 인터페이스) 를 포함할 수 있다. 통신 인터페이스 (514) 는 소프트웨어 및 데이터가 링크 (link) 를 통해 컴퓨터 시스템 (500) 과 외부 디바이스들 사이에 전송되도록 한다. 시스템은 또한 통신 인프라스트럭처 (infrastructure; 516; 예를 들어, 통신 버스, 크로스-오버 바 또는 네트워크) 을 포함하며, 여기에는 전술한 디바이스들/모듈들이 연결된다.
통신 인터페이스 (514) 를 통해 전송되는 정보는, 신호를 전달하는 그리고 와이어 또는 케이블, 광섬유, 폰 라인, 핸드폰 링크, 무선 주파수 링크 및/또는 다른 통신 채널들을 이용하여 구현될 수 있는 통신 링크를 통해, 통신 인터페이스 (514) 에 의해 수신될 수 있는 전자, 전자기, 광학 또는 다른 신호 같은 신호의 형태일 수 있다. 이러한 통신 인터페이스를 이용하여, 하나 이상의 프로세서들 (502) 은 네트워크로부터 정보를 수신할 수 있고, 또는 앞서 설명된 방법 단계들을 수행하는 동안 네트워크로 정보를 출력할 수 있다. 또한, 본 발명의 방법 실시예들은 프로세스들 상에서 단독으로 실행될 수 있고, 또는 프로세싱의 일부를 공유하는 원격 프로세스들과 연계된 인터넷 같은 네트워크 상에서 실행될 수 있다.
용어 "비-일시적 컴퓨터 판독가능한 매체(non-transient computer readable medium)" 는, 일반적으로 메인 메모리, 2차 메모리, 이동가능한 저장 장치, 및 하드 디스크, 플래시 메모리, 디스크 드라이브 메모리, CD-ROM 및 다른 형태의 지속성 메모리 같은 저장 디바이스를 지칭하는데 이용될 수 있으며, 캐리어 웨이브들 또는 신호들 같은 일시적 개체 (subject matter) 를 커버하도록 구성되지 않아야 한다. 컴퓨터 코드의 예들은 컴파일러에 의해 산출되는 바와 같은 기계 코드, 및 판독기를 이용하여 컴퓨터에 의해 실행되는 고 레벨 코드를 포함하는 파일을 포함한다. 컴퓨터 판독가능한 매체는 또한 캐리어 웨이브로 구현되는 컴퓨터 데이터 신호에 의해 전송되는 그리고 프로세서에 의해 실행가능한 명령어의 시퀀스 (sequence) 를 나타내는 컴퓨터 코드일 수 있다.
이러한 예에서, 유기 마스크 (312) 는 하드 마스크 층 (316) 내로 피처들 (320) 을 에칭하여 패턴 하드 마스크를 형성하는데 이용된다. 여기서, 종래의 에칭 프로세스가 이용될 수 있다.
유기 마스크는 박리된다 (단계 112). 유기 마스크의 박리를 제공하기 위해, 박리 가스의 정상 상태 유동이 제공된다 (단계 204). 이러한 예에서, 박리 가스는 700 sccm CO2 및 40 sccm CH4를 포함한다. 40 mTorr의 압력이 유지되었다. 박리 가스는 플라즈마로 형성된다 (단계 208). 박리 가스를 플라즈마로 형성하기 위해, 600 와트의 RF가 60 MHz에서 제공된다. 이러한 예에서 더 낮은 RF 전력이 제공되지 않았기 때문에, 저 바이어스가 제공되거나 바이어스가 제공되지 않는다. 60 MHz RF가 바이어스가 없는 상태에서 또는 저 바이어스 상태에서 높은 플라즈마 밀도를 제공한다.
바람직하게는, 정상 상태 플라즈마 및 박리 가스의 정상 상태 유동이 유기 마스크의 적어도 절반이 박리될 때까지 제공된다. 더 바람직하게는, 정상 상태 플라즈마는 유기 마스크의 전부가 박리될 때까지 제공된다. 바람직하게는, 박리 가스의 정상 상태의 유동이 적어도 60초 동안 계속적으로 흐른다. 더 바람직하게는, 박리 가스의 정상 상태 유동이 적어도 80초 동안 흐른다. 도 3c는 유기 마스크가 박리된 이후의 웨이퍼 (304) 의 스택 (300) 의 개략적인 단면도이다.
하드 마스크 (316)를 통해 다공성 저-k 유전체 층 (308) 을 에칭하고, 이후에 하드 마스크 (316) 를 박리하는, 추가 단계들이 제공될 수 있다. 추가로, 하드 마스크 층 (316) 은 유기 마스크 층 (312) 이 형성되기 이전에 다공성 저-k 유전체 층 (308) 상에 형성될 것이다.
실험들에서, 정상 상태 박리 가스에 대한 메탄 (CH4) 첨가제를 가지는 레시피들이 가장 낮은 저-k 손상을 가져온다는 것이 발견되었다. 메탄은 저-k 유전체 필름에 대한 손상을 감소시키거나 제거함으로써, 저-k 유전체 필름을 보호한다는 것이 발견되었다. 박리 동안 저-k 유전체 필름에 대한 손상이 있는 경우, 이러한 손상은 메탄 첨가제가 없는 동일한 프로세스에 의해 유발되는 손상보다 더 적다는 것이 발견되었다.
CH4 첨가제는 다른 정상 상태 박리 가스 레시피들에 대한 박리 동안 저-k 손상을 감소시킬 수 있다. 다른 실시예들에서, 다른 탄화수소가 이용될 수 있다. 그러나, CH4가 일 실시예에서 바람직한데, 이는 CH4가 더 가벼운 탄소 함유 분자이며, 더 높은 박리 레이트를 제공한다고 알려져 있기 때문이다. 추가로, CH4 첨가는 박리 동안 하드 마스크의 에칭을 감소시킨다는 것이 예기치 않게 발견되었다. 하드 마스크의 에칭을 감소시킴으로써, 하드 마스크의 CD는 최소화된다. 다른 실시예들은, 손상을 감소시킬 수 있으나 박리 레이트를 감소시킬 수도 있는, 더 긴 탄화수소를 제공할 수 있다. 추가로, CH4 첨가는 다공성 저-k 유전체 층의 표면이 더 평탄하게 되도록 한다.
일부 실시예들에서, 박리 플라즈마는 다양한 파라미터들을 펄싱 (pulse) 할 수 있다. 그러나, 이러한 박리 프로세스들은 박리 가스의 정상 상태 유동을 여전히 이용한다. 탄화수소들은 플루오르 컴포넌트를 가질 수 있다. 그러나, 바람직한 실시예에서, 박리 가스는 플루오르를 가지지 않는다.
본 발명이 여러 바람직한 실시예들의 관점에서 설명되었으나, 본 발명의 목적 범위 내에 있는, 대안예, 변형예, 및 다양한 대체 등가물들이 있다. 또한, 본 발명의 방법들 및 장치들을 구현하는 많은 대안적인 방법들이 있다는 점에 대해 유의해야 한다. 따라서, 이하의 첨부된 청구항들은, 본 발명의 목적 범위 내에 있고 본 발명의 기본 개념을 포함하는, 위와 같은 모든 대안예, 변형예, 수정예 및 다양한 대체 등가물들을 포함하는 것으로 해석되어야 한다는 점에 대해 유의해야 한다.

Claims (18)

  1. 다공성 저-k 유전체 필름 위의 유기 마스크를 박리하는 방법으로서,
    CO2 및 CH4를 포함하는, 박리 가스의 정상 상태 (steady state) 유동을 제공하는 단계; 및
    상기 박리 가스를 플라즈마로 형성하는 단계를 포함하며,
    상기 박리 가스의 정상 상태 유동을 제공하는 구간 동안, 상기 플라즈마는 상기 유기 마스크의 적어도 절반을 박리하고, 상기 다공성 저-k 유전체 필름을 보호하는, 유기 마스크를 박리하는 방법.
  2. 제1 항에 있어서,
    상기 박리 가스는 플루오르 (fluorine) 를 포함하지 않는, 유기 마스크를 박리하는 방법.
  3. 에칭된 저-k 유전체 필름 위의 유기 마스크를 박리하는 방법으로서,
    박리 컴포넌트, 및 탄화수소 (hydrocarbon) 또는 플루오로탄소 (fluorocarbon) 를 포함하는 박리 가스의 정상 상태 유동을 제공하는 단계; 및
    상기 박리 가스를 플라즈마로 형성하는 단계를 포함하고,
    상기 플라즈마는 상기 유기 마스크를 박리하고, 상기 저-k 유전체 필름을 보호하는, 유기 마스크를 박리하는 방법.
  4. 제3 항에 있어서,
    상기 박리 가스의 정상 상태 유동의 구간 동안 상기 유기 마스크의 절반보다 많은 부분이 박리되는, 유기 마스크를 박리하는 방법.
  5. 제4 항에 있어서,
    상기 박리 컴포넌트는 산화 컴포넌트 또는 환원 컴포넌트를 포함하는, 유기 마스크를 박리하는 방법.
  6. 제5 항에 있어서,
    상기 탄화수소 또는 플루오로탄소는 탄화수소이고, 상기 박리 가스는 플루오르를 포함하지 않는, 유기 마스크를 박리하는 방법.
  7. 제6 항에 있어서,
    상기 탄화수소는 메탄 또는 에탄인, 유기 마스크를 박리하는 방법.
  8. 제7 항에 있어서,
    상기 박리 컴포넌트는 O2, CO2, H2 또는 N2 중 적어도 하나를 포함하는, 유기 마스크를 박리하는 방법.
  9. 제8 항에 있어서,
    상기 박리 컴포넌트는 산화 컴포넌트를 포함하는, 유기 마스크를 박리하는 방법.
  10. 제7 항에 있어서,
    상기 박리 컴포넌트는 CO2인, 유기 마스크를 박리하는 방법.
  11. 제10 항에 있어서,
    상기 에칭된 저-k 유전체 필름은 다공성인, 유기 마스크를 박리하는 방법.
  12. 제3 항에 있어서,
    상기 박리 컴포넌트는 산화 컴포넌트 또는 환원 컴포넌트를 포함하는, 유기 마스크를 박리하는 방법.
  13. 제3 항에 있어서,
    상기 탄화수소 또는 플루오로탄소는 탄화수소이고, 상기 박리 가스는 플루오르를 포함하지 않는, 유기 마스크를 박리하는 방법.
  14. 제13 항에 있어서,
    상기 탄화수소는 메탄 또는 에탄인, 유기 마스크를 박리하는 방법.
  15. 제3 항에 있어서,
    상기 박리 컴포넌트는 O2, CO2, H2 또는 N2 중 적어도 하나를 포함하는, 유기 마스크를 박리하는 방법.
  16. 제3 항에 있어서,
    상기 박리 컴포넌트는 산화 컴포넌트를 포함하는, 유기 마스크를 박리하는 방법.
  17. 제3 항에 있어서,
    상기 박리 컴포넌트는 CO2인, 유기 마스크를 박리하는 방법.
  18. 제3 항에 있어서,
    상기 에칭된 저-k 유전체 필름은 다공성인, 유기 마스크를 박리하는 방법.
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