KR20140141744A - 스퍼터링 장치 - Google Patents

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KR20140141744A
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박보환
박재범
강의정
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Abstract

본 발명은 스퍼터링 장치에 관한 것으로, 챔버, 상기 챔버 내에 위치하되, 기판 상에 형성되는 증착물질을 포함하는 타겟부, 및 상기 기판과 상기 챔버의 내벽 간에 위치하는 다수의 부쉴드부를 포함하는 쉴드부를 포함할 수 있고, 다수의 부쉴드부를 포함하는 쉴드부로써 챔버 내벽을 커버하여, 챔버 내벽에 증착물질이 성막되어 챔버 내부가 오염되는 현상을 방지하는 스퍼터링 장치를 제공한다.

Description

스퍼터링 장치{Sputtering Apparatus}
본 발명은 스퍼터링 장치에 관한 것이다.
최근 에너지 수요가 증가함에 따라서, 태양광 에너지를 전기에너지로 변환시키는 태양전지에 대한 수요가 증가되고 있다. 태양전지는 무한 에너지원인 태양으로부터 전기를 생산하며 공해를 유발시키지 않는 청정 에너지원으로 매년 큰폭의 산업 성장률을 보이며 세계 새로운 성장 동력으로 각광받고 있다.
이러한 태양전지는 기판으로서 유리기판이 사용되는데, 이러한 유리기판 상에는 전극층 등을 박막 형태로 증착하게 된다. 이러한 박막을 형성하는 방법에는 크게 화학 기상 증착법(Chemical vapor deposition; CVD)과 물리 기상 증착법(Physical vapor deposition; PVD)이 있다.
상기 박막을 증착하는 장치로서는 스퍼터링 장치가 사용되고 있다. 스퍼터링 장치는 플라즈마에 의해 가속된 이온으로 타겟으로부터 증착물질을 분리시켜 기판 상에 증착물질을 성막할 수 있다. 이러한 스퍼터링 장치는 비교적 간단한 구조로 짧은 시간에 박막을 형성할 수 있기 때문에 널리 이용되고 있다.
그러나, 스퍼터링 장치를 이용하는 경우 기판 외에 챔버 등에도 증착물질이 성막될 수 있는데, 이러한 증착물질은 챔버의 내부를 오염시키는바 이러한 오염 문제를 해결하기 위한 노력이 이루어지고 있다.
본 발명의 목적은 챔버 내벽에 증착물질이 성막되어 챔버 내부가 오염되는 현상을 방지하기 위한 것이다.
본 발명의 실시예에 따른 스퍼터링 장치는, 챔버, 상기 챔버 내에 위치하되, 기판 상에 형성되는 증착물질을 포함하는 타겟부, 및 상기 기판과 상기 챔버의 내벽 간에 위치하는 다수의 부쉴드부를 포함하는 쉴드부를 포함할 수 있다.
여기서, 상기 챔버의 양측으로부터 연장되어 상기 챔버와 연통된 보조챔버를 더 포함할 수 있다.
또한, 상기 쉴드부는, 상기 기판의 하부와 상기 챔버의 내벽 간에 위치하는 제1 부쉴드부, 상기 보조챔버와 상기 챔버 간에 이동가능한 제2 부쉴드부, 및 상기 제1 부쉴드부의 양측에 위치하되, 상기 제1 부쉴드부와 상기 챔버의 내벽 간 위치하는 제3 부쉴드부를 포함할 수 있다.
또한, 상기 제2 부쉴드부를 상기 보조챔버와 상기 챔버 간에서 이동시키는 제1 구동부를 더 포함할 수 있다.
또한, 상기 제2 부쉴드부가 상기 챔버 내에 위치할 때 상기 제3 부쉴드부는 상기 제2 부쉴드부의 하부에 위치할 수 있다.
또한, 상기 다수의 부쉴드부 중 적어도 하나의 부쉴드부는 절곡선을 따라 접힐 수 있다.
또한, 상기 다수의 부쉴드부는 상기 챔버의 내벽과 상기 기판 사이에 층상으로 위치될 수 있다.
또한, 상기 부쉴드부는 상기 기판보다 넓어 상기 기판 하부의 상기 챔버의 내벽을 커버할 수 있다.
또한, 상기 쉴드부는, 상기 절곡선을 따라 접히거나 펴질 수 있는 제4 부쉴드부, 및 상기 제4 부쉴드부와 상기 챔버의 내벽 간에 위치하는 제5 부쉴드부를 포함할 수 있다.
또한, 상기 제4 부쉴드부를 접거나 펴는 제2 구동부를 더 포함할 수 있다.
또한, 상기 다수의 부쉴드부 중 적어도 하나의 부쉴드부는 감길 수 있다.
또한, 다수의 상기 부쉴드부는 상기 챔버의 내벽과 상기 기판 사이에 층상으로 위치될 수 있다.
또한, 상기 부쉴드부는 상기 기판보다 넓어 상기 기판 하부의 상기 챔버의 내벽을 커버할 수 있다.
또한, 상기 쉴드부는, 감기거나 펴질 수 있는 제6 부쉴드부, 및 상기 제6 부쉴드부와 상기 챔버의 내벽 간에 위치하는 제7 부쉴드부를 포함할 수 있다.
또한, 상기 제6 부쉴드부를 감거나 펴는 제3 구동부를 더 포함할 수 있다.
또한, 상기 제6 부쉴드부는 메쉬 형상일 수 있다.
본 발명의 특징 및 이점들은 첨부도면에 의거한 다음의 상세한 설명으로부터 더욱 명백해질 것이다.
이에 앞서, 본 명세서 및 청구범위에 사용된 용어나 단어는 통상적이고 사전적인 의미로 해석되어서는 아니되며, 발명자가 그 자신의 발명을 가장 최선의 방법으로 설명하기 위해 용어의 개념을 적절하게 정의할 수 있다는 원칙에 입각하여 본 발명의 기술적 사상에 부합되는 의미와 개념으로 해석되어야만 한다.
본 발명의 스퍼터링 장치에 따르면 다수로 구성된 부쉴드부를 구비한 쉴드부로써 챔버의 내벽을 커버하는바, 챔버의 내벽에 증착물질이 성막되어 챔버의 내부가 오염되는 현상을 방지할 수 있다.
또한, 본 발명에 따르면, 제2 부쉴드부를 보조챔버와 챔버 간에 이동 가능한 서랍식으로 구현하여, 쉴드부의 사용수명을 연장함으로써 공정에 드는 비용, 시간을 절감할 수 있다.
또한, 본 발명에 따르면, 제4 부쉴드부를 접히거나 펴질 수 있게 구현하여, 쉴드부의 사용수명을 연장할 수 있다.
또한, 본 발명에 따르면, 제6 부쉴드부를 감기거나 펴질 수 있게 구현하여, 쉴드부의 사용수명을 연장할 수 있다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 스퍼터링 장치의 개략적인 도면이다.
도 2는 도 1에 도시한 스퍼터링 장치와 비교하기 위한 개략적인 도면이다.
도 3 및 도 4는 도 1에 도시한 스퍼터링 장치의 작동방식을 설명하기 위한 개략적인 도면이다.
도 5 및 도 6은 본 발명의 다른 실시예에 따른 스퍼터링 장치의 개략적인 도면이다.
도 7은 도 5에 도시한 스퍼터링 장치의 부쉴드부를 나타낸 사시도이다.
도 8 및 도 9는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 스퍼터링 장치의 개략적인 도면이다.
도 10은 도 8에 도시한 스퍼터링 장치의 부쉴드부를 나타낸 사시도이다.
본 발명의 목적, 특정한 장점들 및 신규한 특징들은 첨부된 도면들과 연관되어지는 이하의 상세한 설명과 실시예로부터 더욱 명백해질 것이다. 본 명세서에서 각 도면의 구성요소들에 참조번호를 부가함에 있어서, 동일한 구성 요소들에 한해서는 비록 다른 도면상에 표시되더라도 가능한 한 동일한 번호를 가지도록 하고 있음에 유의하여야 한다. 또한, 제1, 제2 등의 용어는 다양한 구성요소들을 설명하는데 사용될 수 있지만, 상기 구성요소들은 상기 용어들에 의해 한정되어서는 안 된다. 상기 용어들은 하나의 구성요소를 다른 구성요소로부터 구별하는 목적으로만 사용된다. 또한, 본 발명을 설명함에 있어서, 관련된 공지 기술에 대한 구체적인 설명이 본 발명의 요지를 불필요하게 흐릴 수 있다고 판단되는 경우 그 상세한 설명은 생략한다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예를 상세히 설명하기로 한다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 스퍼터링 장치(100a)의 개략적인 도면이다. 이하, 이를 참조하여 본 실시예에 따른 스퍼터링 장치(100a)에 대해 설명하기로 한다.
도 1에 도시한 바와 같이, 본 실시예에 따른 스퍼터링 장치(100a)는 챔버(110), 타겟부(120), 다수의 부쉴드부(131, 132, 133)를 구비한 쉴드부(130a)를 포함하고, 부쉴드부(131, 132, 133) 중 일부가 챔버(110)와 보조챔버(140) 간에서 이동 가능할 수 있다.
챔버(110)는 스퍼터링을 수행하는 공간이 되는 부분으로서, 내부에 타겟부(120), 쉴드부(130a), 기판(200)이 위치될 수 있다.
여기서, 챔버(110) 내는 스퍼터링 공정이 원활하게 진행될 수 있도록 진공 상태를 유지할 수 있다. 또한, 챔버(110)에는 예를 들어 가스 공급기, 및 진공 펌프가 열결될 수 있으며, 이에 따라 챔버(110) 내의 진공을 유지할 수 있다.
한편, 챔버(110) 외부에는 전원(111)이 연결될 수 있으며, 이에 따라 기판(200)과 타겟부(120) 사이에서 플라즈마(150)를 발생시킬 수 있다.
타겟부(120)는 스퍼터링 공정에 의해 기판(200) 표면에 형성되는 증착물질을 포함하는 부재이다.
여기서, 타겟부(120)는 챔버(110)의 상부에 위치될 수 있으며, 예를 들어 받침대 등에 의해 챔버(110)에 고정될 수 있다. 한편, 타겟부(120)는 전원(111)과 연결되어 음극성을 가질 수 있으며, 이에 따라 전자의 가속에 의해 발생되는 챔버(110) 내의 양이온과 충돌하여 타겟부(120) 표면의 증착물질을 이탈시킬 수 있다. 이러한 증착물질이 양극성을 띠는 기판(200) 표면에 박박 형태로 증착될 수 있다.
이때, 기판(200)은 챔버(110)의 하부에 위치될 수 있으며, 예를 들어 받침대 등에 의해 챔버(110)에 고정될 수 있다. 또한, 기판(200)은 접지되어 양극성을 가질 수 있으며, 이에 따라 타겟부(120)의 표면에서 이탈된 증착물질이 기판(200) 상에 증착될 수 있다.
한편, 이러한 스퍼터링된 증착물질은 양방향으로 운동하기 때문에 기판(200) 표면에 성막될 수도 있지만 노출된 챔버(110)의 내벽에도 성막될 수 있다. 이때, 챔버(110)의 내벽에 증착물질이 성막되는 경우 챔버(110) 내부가 오염될 수 있다. 구체적으로, 챔버(110)의 내벽에 성막된 증착물질은 점차 응력을 받아 박리될 수 있으며, 이에 따라 챔버(110) 내부에서 분진 형태로 날라다니면서 기판(200)의 원치않는 부분에 부착될 수 있다. 따라서, 챔버(110)의 내벽에 타겟부(120)의 증착물질이 성막되지 않도록 하는 수단은 매우 중요할 수 있다.
도 2는 도 1에 도시한 스퍼터링 장치(100a)와 비교하기 위한 개략적인 도면이고, 도 3 및 도 4는 도 1에 도시한 스퍼터링 장치(100a)의 작동방식을 설명하기 위한 개략적인 도면이다. 이하, 이를 참조하여 본 실시예에 따른 스퍼터링 장치(100a)에 대해 더욱 구체적으로 살펴보기로 한다.
도 2를 참조하면, 태양전지의 경우 기판(40)으로서 유리기판이 이용되며 타겟부(20)로부터 이탈된 증착물질은 자유 낙하 운동에 의해 상대적으로 챔버(10)의 하부에 많이 쌓이게 된다. 따라서, 도 2와 같이 챔버(10)의 내벽과 기판(40) 사이에 쉴드부(30)를 설치하는 것을 고려할 수 있다. 그러나, 도 2와 같은 형태의 쉴드부(30)는 일정기간을 사용하면 그 표면에 증착물질이 성막되어 세정을 해서 재활용을 하여야 한다. 이때, 쉴드부(30) 중 기판(40)의 하부에 위치한 제1 영역(31)의 경우 기판(40)이 제1 영역(31)을 커버하는 형태이기 때문에 상대적으로 증착물질의 성막량이 적지만, 외곽에 위치하는 제2 영역(32)의 경우 타겟부(20)와 직접적으로 대면하고 있기 때문에 증착물질의 성막량이 상대적으로 클 수 있다. 따라서, 특히 제2 영역(32)에 쌓이는 증착물질로 인하여 쉴드부(30)를 매우 자주 세정을 해야 하며, 이때 쉴드부(30)를 챔버(10)로부터 꺼내야하는바 챔버(10)의 진공상태를 자주 깨야하는 문제점이 발생할 수 있다. 챔버(10) 내의 진공상태를 깨고 쉴드부(30)를 세정한 후 다시 쉴드부(30)를 챔버(10) 내에 위치시키고 다시 챔버(10)의 진공상태를 유지하는 것에는 상대적으로 많은 노력, 시간, 및 비용이 소요될 수 있다.
그러나, 도 3 및 도 4에 도시된 바와 같은 스퍼터링 장치(100a)는 다수의 부쉴드부(131, 132, 133)를 구비하는 쉴드부(130a), 및 쉴드부(130a) 중 제2 부쉴드부(132)가 이동되는 공간을 마련하는 보조챔버(140)를 더 구비하는바, 상기와 같은 문제점을 해결할 수 있다.
쉴드부(130a)는 기판(200)과 챔버(110)의 내벽 간에 위치하는 다수의 부쉴드부(131, 132, 133)를 포함하며, 예를 들어 제1 부쉴드부(131), 제2 부쉴드부(132), 및 제3 부쉴드부(133)를 포함할 수 있다. 여기서, 제1 부쉴드부(131)는 기판(200)의 하부와 챔버(110)의 내벽 간에 위치될 수 있으며, 예를 들어 기판(200)의 면적과 동일하거나 그보다 더 작을 수 있다. 따라서, 제1 부쉴드부(131)에는 상대적으로 타겟부(120)에 의한 증착물질의 성막이 기판(200)의 커버로 인해 덜 할 수 있다. 또한, 제3 부쉴드부(133)는 제1 부쉴드부(131)의 양측 외곽, 즉 제1 부쉴드부(131)와 챔버(110)의 내벽 간에 위치할 수 있으며, 이로 인해 제1 부쉴드부(131)가 상대적으로 적은 면적에 의해 커버하지 못하는 챔버(110)의 내벽(특히 챔버(110)의 내벽 중 하부 외곽 벽)을 증착물질로부터 보호할 수 있다. 이때, 제3 부쉴드부(133)만 존재하는 경우 증착물질은 지속적으로 제3 부쉴드부(133) 상에 다량 성막될 수 있는데, 이를 방지할 수 있는 부재가 바로 제2 부쉴드부(132)일 수 있다.
이때, 제2 부쉴드부(132)는 챔버(110)의 양측에 연장 형성되어 챔버(110)와 연통되도록 구현되는 보조챔버(140)와 챔버(110) 간을 자유롭게 이동할 수 있다. 즉, 도 3과 같이 제2 부쉴드부(132)가 챔버(110) 내에 위치하다가 도 4와 같이 보조챔버(140)로 이동될 수 있다. 이때, 본 실시예에 따른 스퍼터링 장치(100a)는 도 3과 같이 초기에 제2 부쉴드부(132)를 챔버(110) 내에 위치시켜 제2 부쉴드부(132)로써 상대적으로 증착물질의 성막이 다량 이루어지는 챔버(110)의 하부 외곽 내벽을 보호할 수 있다. 그 후, 제2 부쉴드부(132)에 증착물질의 성막이 제2 부쉴드부(132)를 교체할 정도로 다량 이루어졌을 때, 도 4와 같이 제2 부쉴드부(132)를 보조챔버(140)로 이동시킨 후 제3 부쉴드부(133)로 챔버(110)의 증착물질로부터 하부 외곽 내벽을 보호할 수 있다. 즉, 제2 부쉴드부(132)를 서랍식으로 구현하여 쉴드부(130a)의 교체시기를 연장시킬 수 있다. 이때, 본 실시예에서는 제2 부쉴드부(132)가 하나의 층으로 이루어진 경우로 설명하였으나, 제2 부쉴드부(132)는 다수의 층으로 이루어질 수도 있으며 이러한 경우 제2 부쉴드부(132)의 개수가 늘어날수록 쉴드부(130a)의 교체시기를 더욱 연장시킬 수 있을 것이다.
한편, 제2 부쉴드부(132)가 보조챔버(140)로 이동하였을 때 제3 부쉴드부(133)가 챔버(110)의 내벽을 보호하기 위해서는 제2 부쉴드부(132)가 챔버(110)에 위치되었을 때에 대응되는 위치에 제3 부쉴드부(133)가 위치되는 것이 바람직하다. 즉, 제3 부쉴드부(133)는 제2 부쉴드부(132)가 도 3과 같이 챔버(110) 내에 위치할 때 제2 부쉴드부(132)의 하부에 위치하는 것이 바람직하다. 또한, 제2 부쉴드부(132)의 이동은 수작업에 의해 이루어질 수도 있으나, 예를 들어 모터와 같은 제1 구동부(161)의 구동력을 이용하여 자동으로 이루어지게 할 수도 있다.
도 5 및 도 6은 본 발명의 다른 실시예에 따른 스퍼터링 장치(100b)의 개략적인 도면이고, 도 7은 도 5에 도시한 스퍼터링 장치(100b)의 부쉴드부(134)를 나타낸 사시도이다. 이하, 이를 참조하여 본 실시예에 따른 스퍼터링 장치(100b)에 대해 설명하기로 한다.
본 실시예에 따른 스퍼터링 장치(100b)는 챔버(110), 타겟부(120), 및 다수의 부쉴드부(134, 135)를 포함하는 쉴드부(130b)를 포함하되, 다수의 부쉴드부(134, 135) 중 적어도 하나의 부쉴드부(134)가 절곡선(138)을 따라 접힐 수 있다.
구체적으로, 적어도 하나의 부쉴드부(134)에는 도 5 내지 도 7에 도시한 바와 같은 절곡선(138)이 형성될 수 있으며, 이에 따라 적어도 하나의 부쉴드부(134)는 절곡선(138)을 따라 아코디언과 같은 형태로 접힐 수 있다. 따라서, 부쉴드부(134)가 펼쳐진 상태에서는 챔버(110)의 내벽, 더욱 구체적으로는 챔버(110)의 하부 외곽 내벽을 커버할 수 있으며, 부쉴드부(134)가 접힌 상태에서는 챔버(110)의 내벽을 커버할 수 없을 수 있다. 이때, 각각의 부쉴드부(134, 135)는 기판(200)과 챔버(110)의 내벽 간에 층상으로 위치되며, 펼쳐졌을 때 챔버(110)의 내벽을 증착물질로부터 충분히 보호할 수 있도록 기판(200)보다 넓게 구현될 수 있다.
한편, 도 5 및 도 6을 참조하여 본 실시예에 따른 스퍼터링 장치(100a)의 작동방식을 살펴보면 다음과 같다. 먼저, 초기에는 도 5와 같이 상대적으로 높게 위치된 제4 부쉴드부(134)가 펼쳐진 상태일 수 있다. 이후, 제4 부쉴드부(134)에 증착물질이 다량 성막되어 제4 부쉴드부(134)를 교체할 수준이 되면, 도 6에 도시한 바와 같이 제4 부쉴드부(134)를 절곡선(138)을 따라 접어 제5 부쉴드부(135)로써 챔버(110)의 내벽을 보호할 수 있다. 따라서, 쉴드부(130b)의 교체시기를 연장시킬 수 있고 이에 따라 노력, 비용, 시간의 절감을 구현할 수 있다.
이때, 제5 부쉴드부(135)는 초기부터 펼쳐진 상태이거나, 또는 제4 부쉴드부(134)가 접힐 때 펼쳐질 수도 있다. 또한, 제5 부쉴드부(135)는 챔버(110)의 내벽에 가장 인접하게 위치된 쉴드부(130b)인바, 제5 부쉴드부(135)를 접는 경우가 없을 수 있으므로 제5 부쉴드부(135)는 반드시 접히도록 구현될 필요는 없을 수 있다. 한편, 도 5 및 도 6에서는 제4 부쉴드부(134)가 하나의 층으로 이루어진 것을 설명하였으나, 본 발명은 이에 한정되지 않고 제4 부쉴드부(134)가 다수의 층으로 구현된 것도 가능하고 이러한 경우 쉴드부(130b)의 교체시기를 더욱 연장시킬 수 있을 것이다.
또한, 제4 부쉴드부(134)는 수작업에 의해 접히거나 펴질 수 있고 또는 예를 들어 모터와 같은 별도의 제2 구동부(162)를 통해 접히거나 펴지는 것도 가능하다 할 것이다.
도 8 및 도 9는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 스퍼터링 장치(100c)의 개략적인 도면이고, 도 10은 도 8에 도시한 스퍼터링 장치(100c)의 부쉴드부(136)를 나타낸 사시도이다. 이하, 이를 참조하여 본 실시예에 따른 스퍼터링 장치(100c)에 대해 설명하기로 한다.
본 실시예에 따른 스퍼터링 장치(100c)는 챔버(110), 타겟부(120), 및 다수의 부쉴드부(136, 137)를 포함하는 쉴드부(130c)를 포함하되, 다수의 부쉴드부(130c) 중 적어도 하나의 부쉴드부(136)가 감길 수 있다.
구체적으로, 적어도 하나의 부쉴드부(136)는 도 8 내지 도 10에 도시한 바와 같이 예를 들어 플렉서블한 메쉬형태로 구현될 수 있으며, 이에 따라 일정한 심재(170)에 감길 수 있다. 따라서, 부쉴드부(136)가 펼쳐진 상태에서는 챔버(110)의 내벽을 커버할 수 있으며, 부쉴드부(136)가 감긴 상태에서는 챔버(110)의 내벽을 커버할 수 없을 수 있다. 이때, 각각의 부쉴드부(136, 137)는 기판(200)과 챔버(110)의 내벽 간에 층상으로 위치되며, 펼쳐졌을 때 챔버(110)의 내벽을 증착물질로부터 충분히 보호할 수 있도록 기판(200)보다 넓게 구현될 수 있다.
한편, 도 8 및 도 9를 참조하여 본 실시예에 따른 스퍼터링 장치(100c)의 작동방식을 살펴보면 다음과 같다. 먼저, 초기에는 도 8과 같이 상대적으로 높게 위치된 제6 부쉴드부(136)가 펼쳐진 상태일 수 있다. 이후, 제6 부쉴드부(136)에 증착물질이 다량 성막되어 제6 부쉴드부(136)를 교체할 수준이 되면, 도 9에 도시한 바와 같이 제6 부쉴드부(136)를 감아서 제7 부쉴드부(137)로써 챔버(110)의 내벽을 보호할 수 있다. 따라서, 쉴드부(130c)의 교체시기를 연장시킬 수 있고 이에 따라 노력, 비용, 시간의 절감을 구현할 수 있다.
이때, 제7 부쉴드부(137)는 초기부터 펼쳐진 상태이거나, 또는 제6 부쉴드부(136)가 감길 때 펼쳐질 수도 있다. 또한, 제7 부쉴드부(137)는 챔버(110)의 내벽에 가장 인접하게 위치된 쉴드부(130c)인바, 제7 부쉴드부(137)를 접는 경우가 없을 수 있으므로 제7 부쉴드부(137)는 반드시 감기도록 구현될 필요는 없을 수 있다. 한편, 도 8 및 도 9에서는 제6 부쉴드부(136)가 하나의 층으로 이루어진 것을 설명하였으나, 본 발명은 이에 한정되지 않고 제6 부쉴드부(136)가 다수의 층으로 구현된 것도 가능하고 이러한 경우 쉴드부(130c)의 교체시기를 더욱 연장시킬 수 있을 것이다.
또한, 제6 부쉴드부(136)는 수작업에 의해 접히거나 펴질 수 있고 또는 예를 들어 모터와 같은 별도의 제3 구동부(163)를 통해 접히거나 펴지는 것도 가능하다 할 것이다.
이상 본 발명을 구체적인 실시예를 통하여 상세히 설명하였으나, 이는 본 발명을 구체적으로 설명하기 위한 것으로, 본 발명에 따른 스퍼터링 장치는 이에 한정되지 않으며, 본 발명의 기술적 사상 내에서 당해 분야의 통상의 지식을 가진 자에 의해 그 변형이나 개량이 가능함은 명백하다고 할 것이다.
본 발명의 단순한 변형 내지 변경은 모두 본 발명의 영역에 속하는 것으로 본 발명의 구체적인 보호 범위는 첨부된 특허청구범위에 의하여 명확해질 것이다.
110 : 챔버 120 : 타겟부
130a, 130b, 130c : 쉴드부 131 : 제1 부쉴드부
132 : 제2 부쉴드부 133 : 제3 부쉴드부
134 : 제4 부쉴드부 135 : 제5 부쉴드부
136 : 제6 부쉴드부 137 : 제7 부쉴드부
140 : 보조챔버 150 : 플라즈마
161 : 제1 구동부 162 : 제2 구동부
163 : 제3 구동부 200 : 기판

Claims (16)

  1. 챔버;
    상기 챔버 내에 위치하되, 기판 상에 형성되는 증착물질을 포함하는 타겟부; 및
    상기 기판과 상기 챔버의 내벽 간에 위치하는 다수의 부쉴드부를 포함하는 쉴드부;
    를 포함하는 스퍼터링 장치.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 챔버의 양측으로부터 연장되어 상기 챔버와 연통된 보조챔버;
    를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 스퍼터링 장치.
  3. 제2항에 있어서,
    상기 쉴드부는,
    상기 기판의 하부와 상기 챔버의 내벽 간에 위치하는 제1 부쉴드부;
    상기 보조챔버와 상기 챔버 간에 이동가능한 제2 부쉴드부; 및
    상기 제1 부쉴드부의 양측에 위치하되, 상기 제1 부쉴드부와 상기 챔버의 내벽 간 위치하는 제3 부쉴드부;
    를 포함하는 것을 특징으로 하는 스퍼터링 장치.
  4. 제3항에 있어서,
    상기 제2 부쉴드부를 상기 보조챔버와 상기 챔버 간에서 이동시키는 제1 구동부;
    를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 스퍼터링 장치.
  5. 제3항에 있어서,
    상기 제2 부쉴드부가 상기 챔버 내에 위치할 때 상기 제3 부쉴드부는 상기 제2 부쉴드부의 하부에 위치하는 것을 특징으로 하는 스퍼터링 장치.
  6. 제1항에 있어서,
    상기 다수의 부쉴드부 중 적어도 하나의 부쉴드부는 절곡선을 따라 접힐 수 있는 것을 특징으로 하는 스퍼터링 장치.
  7. 제6항에 있어서,
    상기 다수의 부쉴드부는 상기 챔버의 내벽과 상기 기판 사이에 층상으로 위치되는 것을 특징으로 하는 스퍼터링 장치.
  8. 제6항에 있어서,
    상기 부쉴드부는 상기 기판보다 넓어 상기 기판 하부의 상기 챔버의 내벽을 커버하는 것을 특징으로 하는 스퍼터링 장치.
  9. 제6항에 있어서,
    상기 쉴드부는,
    상기 절곡선을 따라 접히거나 펴질 수 있는 제4 부쉴드부; 및
    상기 제4 부쉴드부와 상기 챔버의 내벽 간에 위치하는 제5 부쉴드부;
    를 포함하는 것을 특징으로 하는 스퍼터링 장치.
  10. 제9항에 있어서,
    상기 제4 부쉴드부를 접거나 펴는 제2 구동부;
    를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 스퍼터링 장치.
  11. 제1항에 있어서,
    상기 다수의 부쉴드부 중 적어도 하나의 부쉴드부는 감길 수 있는 것을 특징으로 스퍼터링 장치.
  12. 제11항에 있어서,
    다수의 상기 부쉴드부는 상기 챔버의 내벽과 상기 기판 사이에 층상으로 위치되는 것을 특징으로 하는 스퍼터링 장치.
  13. 제11항에 있어서,
    상기 부쉴드부는 상기 기판보다 넓어 상기 기판 하부의 상기 챔버의 내벽을 커버하는 것을 특징으로 하는 스퍼터링 장치.
  14. 제11항에 있어서,
    상기 쉴드부는,
    감기거나 펴질 수 있는 제6 부쉴드부; 및
    상기 제6 부쉴드부와 상기 챔버의 내벽 간에 위치하는 제7 부쉴드부;
    를 포함하는 것을 특징으로 하는 스퍼터링 장치.
  15. 제14항에 있어서,
    상기 제6 부쉴드부를 감거나 펴는 제3 구동부;
    를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 스퍼터링 장치.
  16. 제14항에 있어서,
    상기 제6 부쉴드부는 메쉬 형상인 것을 특징으로 하는 스퍼터링 장치.
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JP5563377B2 (ja) * 2009-12-22 2014-07-30 キヤノンアネルバ株式会社 スパッタリング装置
US9181619B2 (en) * 2010-02-26 2015-11-10 Fujifilm Corporation Physical vapor deposition with heat diffuser
CN102822378A (zh) * 2010-03-26 2012-12-12 佳能安内华股份有限公司 溅射设备和制造电子装置的方法

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