KR20140139919A - Recovery and purification system of used residual trimethyl indium - Google Patents
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Abstract
Description
본 발명은 LED와 같은 반도체 제조공정시 많이 이용되는 기상증착법에 있어서, 원료로서 사용되는 TMIn(trimethyl indium)이 모두 사용되지 못하고 사용 후 캐니스터(canister) 내에 일부가 잔류하는 문제를 해결하기 위한 사용 후 잔류 TMIn 회수 및 정제 시스템에 관한 것이다.
In order to solve the problem that TMIn (trimethyl indium) which is used as a raw material is not used in all but a part remains in a canister after use in a vapor deposition method widely used in a semiconductor manufacturing process such as an LED, Lt; RTI ID = 0.0 > TMIn < / RTI > recovery and purification system.
즉, 더 상세하게는, 본 발명은, TMIn이 충진된 캐니스터를 사용 후 각각의 캐니스터 내에 잔존하는 TMIn을 회수 및 정제하여 다시 새로운 캐니스터로서 재활용할 수 있도록 하기 위한 사용 후 잔류 TMIn 회수 및 정제 시스템에 관한 것이다.
More specifically, the present invention relates to a post-use residual TMIn recovery and purification system for recovering and purifying TMIn remaining in each canister after use of a canister filled with TMIn and recycling it as a new canister .
종래, LED와 같은 반도체 제조공정에 있어서는, 예를 들면, MOCVD(Metal-Organic Chemical Vapor Deposition)나 HVPE(Hydride Vapor Phase Epitaxy) 등과 같은 기상증착법(Chemical Vapor Deposition ; CVD)이 많이 사용되고 있다.
BACKGROUND ART Conventionally, in a semiconductor manufacturing process such as an LED, a chemical vapor deposition (CVD) method such as MOCVD (Metal-Organic Chemical Vapor Deposition) or HVPE (Hydride Vapor Phase Epitaxy) is widely used.
여기서, 상기한 바와 같은 TMIn 및 종래의 기상증착법을 이용한 LED 제조방법의 예로서는, 예를 들면, 한국 공개특허공보 제10-2012-0137171호(2012.12.20.)에 제시된 바와 같은 "발광 소자 및 그 제조방법"이 있다.
Here, as an example of the LED manufacturing method using TMIn and the conventional vapor deposition method as described above, there is a method of manufacturing a light emitting device and a light emitting device as disclosed in Korean Patent Laid-Open No. 10-2012-0137171 (2012.12.20.) Manufacturing method ".
더 상세하게는, 상기한 공개특허 제10-2012-0137171호의 발광 소자 및 그 제조방법은, LED 발광소자에 있어서 결정성 및 신뢰성을 향상하는 동시에, 발광효율을 향상시킬 수 있는 발광소자 및 그 제조방법에 관한 것이다.
More particularly, the light emitting device and the method of manufacturing the same disclosed in the above-mentioned Patent No. 10-2012-0137171 are capable of improving the crystallinity and reliability in the LED light emitting device, ≪ / RTI >
이를 위해, 상기한 공개특허 제10-2012-0137171호에 따르면, 제 1 도전형 반도체층, 상기 제 1 도전형 반도체층 상에 형성되는 활성층, 상기 활성층 상에 복수의 제 1 층 및 복수의 제 2 층이 교대로 반복 적층되는 전자 차단층 및 상기 전자 차단층 상에 형성되는 제 2 도전형 반도체층을 포함하고, 상기 복수의 제 1 층과 상기 복수의 제 2 층 사이의 계면에 트리메틸 인듐(TMIn) 처리되는 발광 소자가 제공된다.
To this end, according to the above-mentioned Japanese Patent Laid-Open No. 10-2012-0137171, there is provided a semiconductor light emitting device including a first conductive semiconductor layer, an active layer formed on the first conductive semiconductor layer, a plurality of first layers, And a second conductivity type semiconductor layer formed on the electron blocking layer, wherein the interface between the first layer and the plurality of second layers is composed of trimethyl indium ( TMIn) is provided.
또한, 상기한 바와 같은 종래기술의 다른 예로서는, 예를 들면, 미국 특허출원 US 12/712,314호(2010.02.25.)에 제시된 바와 같은 "CVD-지멘스 반응기 공정 수소 재활용 시스템"이 있다.
Further, another example of the above-described prior art as described above is the "CVD-Siemens reactor process hydrogen recycling system" as disclosed in, for example, US patent application US12 / 712,314 (Feb.
더 상세하게는, 상기한 미국 특허출원 US 12/712,314호는, 일반적으로, 지멘스 반응기로부터의 수소 흐름은 균질한 반응 먼지(reaction dust), 미전화된 반응 가스, 부산물과 관련된 가스 및 다른 불순물을 포함하므로, 수소 흐름을 직접 다시 순환시킬(re-circulated) 경우 수소 흐름이 다결정 실리콘 로드를 오염시킬 수 있어 공정에 재사용될 수 없는 문제를 해결하기 위해, 화학 기상 증착(CVD) 지멘스 공정 중 수소를 회수(recovery) 및 재활용(recycle) 하는 시스템을 제공하고자 하는 것이다.
More specifically, the above-mentioned U.S. patent application US 12 / 712,314 discloses that, in general, the flow of hydrogen from the Siemens reactor results in a homogeneous reaction dust, unreacted reaction gas, gases associated with by-products and other impurities In order to solve the problem that the hydrogen flow can contaminate the polycrystalline silicon rod and can not be reused in the process when the hydrogen flow is directly re-circulated, the hydrogen in the chemical vapor deposition (CVD) Siemens process And to provide a system for recovery and recycle.
아울러, 상기한 바와 같은 종래기술의 또 다른 예로서는, 예를 들면, 국제 공개특허공보 WO 2002/17369호(2002.02.28.)에 제시된 바와 같은 "3족 질화물 반도체 결정 제조 방법, 갈륨나이트라이드-기재 화합물 반도체 제조 방법, 갈륨나이트라이드-기재 화합물 반도체, 갈륨나이트라이드-기재 화합물 반도체 발광 소자, 및 반도체발광 소자를 이용한 광원"이 있다.
Further, as another example of the above-described prior art as described above, for example, a method of manufacturing a Group III nitride semiconductor crystal as disclosed in WO 2002/17369 (Feb. 22, 2002), a method of manufacturing a gallium nitride- A compound semiconductor manufacturing method, a gallium nitride-based compound semiconductor, a gallium nitride-based compound semiconductor light emitting device, and a light source using a semiconductor light emitting device.
더 상세하게는, 상기한 국제특허 WO 2002/17369호는, 제조 조건이 최적화되어야 하는 저온의 버퍼층을 이용하는 기존 방법 대신에, 고품질의 3족의 질화물 반도체 결정을 형성할 수 있는 3족의 질화물 반도체 결정의 단순화된 제조방법 및 그러한 단순화된 방법에 의해 고품질의 3족의 질화물 반도체 결정이 사파이어 기판상에 에피텍셜 성장될 수 있도록 하는 3족의 질화물 반도체 결정 제조방법을 제공하고자 하는 것이다.
More specifically, the above-mentioned International Patent Publication WO 2002/17369 discloses a method for manufacturing a nitride semiconductor of group III nitride semiconductor capable of forming a high quality Group III nitride semiconductor crystal, instead of an existing method using a low-temperature buffer layer, And to provide a method for manufacturing a Group III nitride semiconductor crystal by which a high quality Group III nitride semiconductor crystal can be epitaxially grown on a sapphire substrate by a simplified manufacturing method of crystals and such a simplified method.
이를 위해, 상기한 국제특허 WO 2002/17369호에 따르면, 질소 소스를 포함하지만 금속 물질은 포함하지 않는 분위기에서 기판 표면상에 금속 물질을 이용하여 3족의 금속 입자를 증착시는 단계 및 입자가 증착되는 기판 표면상에 3족의 질화물 반도체 결정을 성장시키는 단계를 포함하는 3족의 질화물 반도체 결정막의 제조 방법이 제시된다.
To this end, according to the above-mentioned International Patent Publication No. WO 2002/17369, there is a process for depositing a Group III metal particle on a substrate surface using a metal material in an atmosphere containing a nitrogen source but not containing a metal material, There is provided a method of manufacturing a Group III nitride semiconductor crystal film including a step of growing Group III nitride semiconductor crystals on a substrate surface to be deposited.
상기한 바와 같이, 종래, CVD법을 이용한 제조방법에 대하여 여러 가지 연구가 이루어진 바 있으나, 종래의 CVD를 이용한 방법들에는 다음과 같은 문제가 있는 것이었다.
As described above, there have been various studies on the manufacturing method using the CVD method in the related art, but the conventional methods using the CVD have the following problems.
더 상세하게는, 기상증착법(CVD)으로 LED를 제조하는 공정에 있어서는, 일반적으로, 원료로서 TMIn(trimethyl indium)이 많이 사용되며, 이때, TNIn은 캐니스터(canister)라 불리는 용기에 충진되어 CVD 장비에 장착되게 된다.
More specifically, TMIn (trimethyl indium) is often used as a raw material in a process of manufacturing an LED by vapor deposition (CVD). At this time, TNIn is filled in a container called a canister, Respectively.
그러나 일반적으로, CVD 공정 장비에 장착되는 캐니스터(canister)는, 사용 후에도 약 10%의 TMIn이 잔류하게 되며, 따라서 대부분의 경우, 이러한 잔류 TMIn은 사용되지 못하고 그대로 버려지게 되는 문제가 있었다.
However, in general, a canister mounted in a CVD process equipment has about 10% of TMIn remaining after use, and therefore, in most cases, such a residual TMIn is not used but discarded as it is.
즉, 상기한 바와 같이, 종래의 제조공정은, 이와 같이 원료의 낭비로 인한 제조비용 증가에 더하여, 미처 사용되지 못하고 버려지는 원료물질로 인해 환경오염의 문제도 있는 것이었다.
In other words, as described above, the conventional manufacturing process has a problem of environmental pollution due to raw materials that are not used yet and discarded, in addition to an increase in manufacturing cost due to wasted raw materials.
더욱이, 최근에는, LED 관련 산업이 점차 발전함에 따라 그 원료인 TMIn의 사용량 또한 증가하고 있으므로, 상기한 바와 같이 사용 후 캐니스터에 잔존하는 TMIn을 회수하여 재활용할 수 있다면 제조비용 감소 및 환경오염 방지에도 큰 도움이 될 것으로 기대된다.
In recent years, the use of TMIn as a raw material has also been increasing as the industry related to LEDs progresses. Therefore, if the TMIn remaining in the canister can be recovered and recycled as described above, It is expected to be a big help.
그러나, 종래, 상기한 바와 같이 사용 후 캐니스터에 잔존하는 TMIn을 회수하여 다시 새로운 캐니스터로서 재활용할 수 있도록 할 수 있는 장치나 방법은 제시된 바 없었다.
However, as described above, there has been no proposal of a device or a method capable of recovering TMIn remaining in the canister after use and reusing it as a new canister.
따라서 상기한 바와 같이, 사용 후 캐니스터에 약 10%의 TMIn이 잔류하여 사용되지 못함으로 인해 원료의 낭비로 인한 제조비용 증가에 더하여, 미처 사용되지 못하고 버려지는 원료물질로 인해 환경오염의 문제도 있었던 종래의 LED 제조공정의 문제점을 해결하기 위하여는, 사용 후 각각의 캐니스터 내에 잔류하는 TMIn 원료를 회수하여 다시 하나의 새로운 캐니스터에 모아서 재활용할 수 있도록 하는 사용 후 잔류 TMIn 회수 및 정제 시스템을 제공하는 것이 바람직하나, 아직까지 그러한 요구를 모두 만족시키는 장치나 방법은 제공되지 못하고 있는 실정이다.
Therefore, as described above, since about 10% of TMIn remains in the canister after use, the manufacturing cost is increased due to the waste of the raw material, and there is a problem of environmental pollution due to the raw material that is not used yet and is discarded In order to solve the problems of the conventional LED manufacturing process, there is a need to provide a post-use residual TMIn recovery and purification system that allows the TMIn raw materials remaining in each canister to be recovered and collected in a new canister for recycling However, a device or a method that satisfies all of these requirements has not yet been provided.
본 발명은 상기한 바와 같은 종래기술의 문제점을 해결하고자 하는 것으로, 따라서 본 발명의 목적은, LED와 같은 반도체 제조공정시 많이 이용되는 기상증착법에 있어서, 원료로서 사용되는 TMIn(trimethyl indium)이 모두 사용되지 못하고 사용 후 캐니스터(canister) 내에 일부가 잔류함으로써 원료의 낭비로 인한 제조비용 증가의 문제가 있었던 종래의 LED 제조공정의 문제점을 해결하기 위해, TMIn이 충진된 캐니스터를 사용 후 각각의 캐니스터 내에 잔존하는 TMIn을 회수 및 정제하여 다시 새로운 캐니스터로서 재활용할 수 있도록 하기 위한 사용 후 잔류 TMIn 회수 및 정제 시스템을 제공하고자 하는 것이다.
SUMMARY OF THE INVENTION It is an object of the present invention to solve the above problems of the prior art and to provide a method of manufacturing a semiconductor device, In order to solve the problem of the conventional LED manufacturing process which is not used and a part is left in the canister after the use, the manufacturing cost is increased due to the waste of the raw material. In order to solve the problem of the conventional LED manufacturing process, And to provide a post-use residual TMIn recovery and purification system for recovering and purifying residual TMIn and reusing it as a new canister.
또한, 본 발명의 다른 목적은, 상기한 바와 같이 사용 후 캐니스터에 약 10%의 TMIn이 잔류하여 사용되지 못함으로 인해 원료의 낭비로 인한 제조비용 증가에 더하여, 미처 사용되지 못하고 버려지는 원료물질로 인해 환경오염의 문제도 있었던 종래의 LED 제조공정의 문제점을 해결하기 위해, 사용 후 각각의 캐니스터 내에 잔류하는 TMIn 원료를 회수하여 다시 하나의 새로운 캐니스터에 모아서 재활용할 수 있도록 하는 사용 후 잔류 TMIn 회수 및 정제 시스템을 제공하고자 하는 것이다.
It is a further object of the present invention to provide a method of manufacturing a canister which is capable of using as much as 10% of TMIn remaining in the canister after use, In order to solve the problems of the conventional LED manufacturing process which has a problem of environmental pollution, after the use, residual TMIn raw materials remaining in each canister are recovered and collected in one new canister to be recycled, And to provide a purification system.
상기한 바와 같은 목적을 달성하기 위해, 본 발명에 따르면, 사용 후 잔류 TMIn 회수 및 정제 시스템에 있어서, 사용된 캐니스터로부터 남아있는 잔류 TMIn을 회수하기 위한 TMIn 회수부; 상기 TMIn 회수부에 TMIn의 회수를 위한 캐리어 가스(carrier gas)를 공급하기 위한 가스공급부; 상기 TMIn 회수부로부터 회수되는 TMIn을 수집하여 정제하기 위한 TMIn 정제부; 상기 TMIn 회수부 및 상기 TMIn 정제부의 TMIn 회수 및 정제 과정 후 상기 캐리어 가스를 처리하기 위한 배기가스 처리부; 및 상기 TMIn 회수부, 상기 가스공급부, 상기 TMIn 정제부 및 상기 배기가스 처리부를 각각 연결하기 위한 배관을 포함하여 구성되는 것을 특징으로 하는 사용 후 잔류 TMIn 회수 및 정제 시스템이 제공된다.
In order to achieve the above object, according to the present invention, there is provided a residual TMIn recovery and purification system after use, comprising: a TMIn recovery unit for recovering residual TMIn remaining from a used canister; A gas supply unit for supplying a carrier gas for recovery of TMIn to the TMIn recovery unit; A TMIn purification unit for collecting and purifying TMIn recovered from the TMIn recovery unit; An exhaust gas treatment unit for treating the carrier gas after the TMIn recovery unit and the TMIn recovery and purification process of the TMIn purification unit; And a piping for connecting the TMIn recovery unit, the gas supply unit, the TMIn purification unit, and the exhaust gas treatment unit, respectively, to the post-use residual TMIn recovery and purification system.
여기서, 상기 캐리어 가스는 N2 가스 또는 H2 가스 중 어느 하나를 이용하도록 구성되는 것을 특징으로 한다.
Here, the carrier gas is configured to use either N 2 gas or H 2 gas.
또한, 상기 TMIn 회수부는, 상기 잔류 TMIn을 회수하기 위한 사용후 캐니스터; 및 상기 사용 후 캐니스터를 가열하기 위한 가열용기를 포함하여 구성되는 것을 특징으로 한다.
The TMIn collecting unit may further include a post-use canister for collecting the residual TMIn; And a heating container for heating the post-use canister.
아울러, 상기 가스공급부는, 상기 사용후 캐니스터에 캐리어 가스를 공급하기 위한 가스탱크; 및 상기 캐리어 가스의 유량을 제어하기 위한 MFC(mass flow controller)를 포함하여 구성되는 것을 특징으로 한다.
The gas supply unit may include: a gas tank for supplying a carrier gas to the used canister; And a mass flow controller (MFC) for controlling the flow rate of the carrier gas.
더욱이, 상기 가스탱크는, N2 가스탱크 또는 H2 가스탱크이거나, 또는, N2 가스탱크와 H2 가스탱크를 모두 구비하고 밸브를 통해 한쪽을 선택하여 공급하도록 구성되는 것을 특징으로 한다.
Further, the gas tank may be an N 2 gas tank or an H 2 gas tank, or an N 2 gas tank and an H 2 gas tank, both of which are selectively supplied through a valve.
또한, 상기 TMIn 정제부는, 상기 TMIn 회수부의 사용후 캐니스터에서 기화된 상기 잔류 TMIn을 수집하기 위한 TMIn 수집용기; 및 상기 TMIn 수집용기를 냉각하여 기화된 상기 잔류 TMIn을 고체 상태로 복원하여(recover) 상기 TMIn 수집용기 내에 수집하기 위한 냉각용기를 포함하여 구성되는 것을 특징으로 한다.
The TMIn refining unit may further include a TMIn collecting container for collecting the residual TMIn vaporized in the canister after use of the TMIn collecting unit; And a cooling vessel for cooling the TMIn collection vessel to recover the vaporized residual TMIn into a solid state and collecting the recovered TMIn in the TMIn collection vessel.
아울러, 상기 배기가스 처리부는, 상기 TMIn 정제부로부터 배출되는 캐리어 가스에 잔류하는 TMIn을 회수하기 위한 2차 수집용기; TMIn이 모두 회수된 후 상기 캐리어 가스를 처리하기 위한 워터 트랩(water ter trap) 및 버너(burner); 상기 캐리어 가스를 상기 가스탱크로부터 상기 워터 트랩 및 상기 버너까지 이동시키기 위한 압력을 발생하는 진공펌프; 및 상기 진공펌프로부터의 압력을 조절하기 위한 진공 압력 컨트롤러(vacuum pressure contriller)를 포함하여 구성되는 것을 특징으로 한다.
The exhaust gas treatment unit may further include a secondary collection container for collecting the TMIn remaining in the carrier gas discharged from the TMIn purification unit; A water trap and a burner for treating the carrier gas after all TMIn is recovered; A vacuum pump for generating a pressure for moving the carrier gas from the gas tank to the water trap and the burner; And a vacuum pressure controller for adjusting a pressure from the vacuum pump.
더욱이, 상기 2차 수집용기는 상기 TMIn 수집용기 및 상기 냉각용기와 동일하게 구성되고, 상기 워터 트랩은 용기에 물을 채운 형태로 이루어지는 것을 특징으로 한다.
Further, the secondary collecting container is constructed in the same manner as the TMIn collecting container and the cooling container, and the water trap is characterized in that the container is filled with water.
또한, 상기한 사용 후 잔류 TMIn 회수 및 정제 시스템은, 상기 캐리어 가스로서 N2 가스를 이용하는 경우, 상기 2차 수집용기에 의해 상기 캐리어 가스와 함께 이동된 잔류 TMIn을 추가로 회수한 후, 상기 워터 트랩에 의해 상기 N2 가스를 처리하도록 구성되는 것을 특징으로 한다.
In addition, in the above-mentioned residual TMIn recovery and purification system after use, when N 2 gas is used as the carrier gas, the residual TMIn moved together with the carrier gas is further recovered by the secondary collection vessel, And is configured to treat the N 2 gas by a trap.
아울러, 상기한 사용 후 잔류 TMIn 회수 및 정제 시스템은, 상기 캐리어 가스로서 H2 가스를 사용하는 경우, 상기 2차 수집용기에 의해 상기 캐리어 가스와 함께 이동된 잔류 TMIn을 추가로 회수한 후, 상기 버너를 이용하여 상기 H2 가스를 연소시켜 배기하도록 구성되는 것을 특징으로 한다.
In addition, when the H 2 gas is used as the carrier gas, the residual TMIn recovery and purification system after use further recovers the residual TMIn moved together with the carrier gas by the secondary collection vessel, And exhausts the H 2 gas by burning using a burner.
더욱이, 상기한 사용 후 잔류 TMIn 회수 및 정제 시스템은, 기체화된 상기 잔류 TMIn 및 상기 캐리어 가스의 온도를 유지하여 상기 배관이 막히는 것을 방지하기 위해, 상기 TMIn 회수부의 사용후 캐니스터와 상기 TMIn 정제부의 TMIn 수집용기를 연결하는 배관 및 상기 TMIn 수집용기를 밀폐하기 위한 덮개 부분에 각각 설치되는 열선을 더 포함하여 구성되는 것을 특징으로 한다.
Further, the above-mentioned post-use residual TMIn recovery and purification system may further comprise a post-use canister and a TMIn purification unit for maintaining the temperature of the gasified post-use TMIn and the carrier gas, The TMIn collecting container, and a heat line provided respectively in a pipe for connecting the TMIn collecting container and a cover for sealing the TMIn collecting container.
또한, 상기한 사용 후 잔류 TMIn 회수 및 정제 시스템은, 사용후 캐니스터로부터 잔류 TMIn을 회수한 후, 회수된 TMIn에서 불순물을 분석하여 새로운 캐니스터에 충진하고, 다시 새로운 사용후 캐니스터로 교체하여 잔류 TMIn을 회수하는 과정을 반복함으로써, 사용되지 못하고 버려지는 잔류 TMIn을 회수하여 새로운 캐니스터로서 재활용할 수 있도록 구성되는 것을 특징으로 한다.
In addition, the remnant TMIn recovery and purification system after use recovers residual TMIn from the canister after use, analyzes the impurities in the recovered TMIn, fills the new canister, replaces it with a new used canister, By repeating the collecting process, the residual TMIn that is not used and discarded can be recovered and recycled as a new canister.
아울러, 본 발명에 따르면, 상기에 기재된 사용 후 잔류 TMIn 회수 및 정제 시스템을 이용하여, 사용후 캐니스터로부터 잔류 TMIn을 회수 및 정제하여 재활용하도록 구성되는 것을 특징으로 하는 사용 후 잔류 TMIn 회수 및 정제방법이 제공된다.
According to the present invention, there is also provided a method for recovering and purifying residual TMIn after use, characterized in that it is configured to recover and purify residual TMIn from the canister after use using the post-use residual TMIn recovery and purification system described above / RTI >
상기한 바와 같이, 본 발명에 따르면, TMIn이 충진된 캐니스터를 사용 후 각각의 캐니스터 내에 잔존하는 TMIn을 회수 및 정제하여 다시 새로운 캐니스터로서 재활용할 수 있도록 구성되는 사용 후 잔류 TMIn 회수 및 정제 시스템이 제공됨으로써, LED와 같은 반도체 제조공정시 많이 이용되는 기상증착법에서 원료로서 사용되는 TMIn(trimethyl indium)이 모두 사용되지 못하고 사용 후 캐니스터(canister) 내에 일부가 잔류함으로써 원료의 낭비로 인한 제조비용 증가의 문제가 있었던 종래의 LED 제조공정의 문제점을 해결할 수 있다.
As described above, according to the present invention, there is provided a post-use residual TMIn recovery and purification system configured to recover and purify TMIn remaining in each canister after using a canister filled with TMIn, and to recycle it as a new canister (Trimethyl indium) used as a raw material in the vapor deposition process, which is often used in a semiconductor manufacturing process such as LED, can not be used, and a part remains in the canister after use, It is possible to solve the problems of the conventional LED manufacturing process.
또한, 본 발명에 따르면, 상기한 바와 같이 사용 후 각각의 캐니스터 내에 잔류하는 TMIn 원료를 회수하여 다시 하나의 새로운 캐니스터에 모아서 재활용할 수 있도록 하는 사용 후 잔류 TMIn 회수 및 정제 시스템이 제공됨으로써, 사용 후 캐니스터에 약 10%의 TMIn이 잔류하여 사용되지 못함으로 인해 원료의 낭비로 인한 제조비용 증가에 더하여, 미처 사용되지 못하고 버려지는 원료물질로 인해 환경오염의 문제도 있었던 종래의 LED 제조공정의 문제점을 해결할 수 있다.
Further, according to the present invention, after the post-use residual TMIn recovery and purification system is provided, it is possible to recover the TMIn raw material remaining in each canister after use and collect it again in one new canister for recycling, In addition to the increase in manufacturing cost due to the waste of the raw material due to the fact that about 10% of TMIn remains in the canister, there is a problem in the conventional LED manufacturing process that there is a problem of environmental pollution due to raw materials that are not used and discarded Can be solved.
도 1은 본 발명의 실시예에 따른 사용 후 잔류 TMIn 회수 및 정제 시스템의 전체적인 구성을 개략적으로 나타내는 블록도이다.
도 2는 도 1에 나타낸 본 발명의 실시예에 따른 사용 후 잔류 TMIn 회수 및 정제 시스템의 구체적인 구성을 개략적으로 나타내는 도면이다. 1 is a block diagram schematically showing the overall configuration of a post-use residual TMIn recovery and purification system according to an embodiment of the present invention.
FIG. 2 is a diagram schematically showing a specific configuration of a residual TMIn recovery and purification system after use according to an embodiment of the present invention shown in FIG. 1. FIG.
이하, 첨부된 도면을 참조하여, 본 발명에 따른 사용 후 잔류 TMIn 회수 및 정제 시스템의 구체적인 실시예에 대하여 설명한다.
DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Hereinafter, with reference to the accompanying drawings, a specific embodiment of a residual TMIn recovery and purification system after use according to the present invention will be described.
여기서, 이하에 설명하는 내용은 본 발명을 실시하기 위한 하나의 실시예일 뿐이며, 본 발명은 이하에 설명하는 실시예의 내용으로만 한정되는 것은 아니라는 사실에 유념해야 한다.
Hereinafter, it is to be noted that the following description is only an embodiment for carrying out the present invention, and the present invention is not limited to the contents of the embodiments described below.
또한, 이하의 본 발명의 실시예에 대한 설명에 있어서, 종래기술의 내용과 동일 또는 유사하거나 당업자의 수준에서 용이하게 이해하고 실시할 수 있다고 판단되는 부분에 대하여는, 설명을 간략히 하기 위해 그 상세한 설명을 생략하였음에 유념해야 한다.
In the following description of the embodiments of the present invention, parts that are the same as or similar to those of the prior art, or which can be easily understood and practiced by a person skilled in the art, It is important to bear in mind that we omit.
즉, 본 발명은, 후술하는 바와 같이, LED와 같은 반도체 제조공정시 많이 이용되는 기상증착법에 있어서 원료로서 사용되는 TMIn(trimethyl indium)이 모두 사용되지 못하고 사용 후 캐니스터(canister) 내에 일부가 잔류함으로써 원료의 낭비로 인한 제조비용 증가의 문제가 있었던 종래의 LED 제조공정의 문제점을 해결하기 위해, TMIn이 충진된 캐니스터를 사용 후 각각의 캐니스터 내에 잔존하는 TMIn을 회수 및 정제하여 다시 새로운 캐니스터로서 재활용할 수 있도록 하기 위한 사용 후 잔류 TMIn 회수 및 정제 시스템에 관한 것이다.
That is, as described later, the TMIn (trimethyl indium) used as a raw material in the vapor deposition process widely used in semiconductor manufacturing processes such as LEDs is not used, and a part thereof remains in the canister after use In order to solve the problems of the conventional LED manufacturing process which has a problem of increase in manufacturing cost due to wasted raw material, TMIn remaining in the respective canisters is recovered and purified after using the TMIn filled canister, and then recycled as a new canister ≪ RTI ID = 0.0 > TMIn < / RTI > recovery and purification system.
또한, 본 발명은, 후술하는 바와 같이, 사용 후 캐니스터에 약 10%의 TMIn이 잔류하여 사용되지 못함으로 인해 원료의 낭비로 인한 제조비용 증가에 더하여, 미처 사용되지 못하고 버려지는 원료물질로 인해 환경오염의 문제도 있었던 종래의 LED 제조공정의 문제점을 해결하기 위해, 사용 후 각각의 캐니스터 내에 잔류하는 TMIn 원료를 회수하여 다시 하나의 새로운 캐니스터에 모아서 재활용할 수 있도록 하는 사용 후 잔류 TMIn 회수 및 정제 시스템에 관한 것이다.
Further, as described later, since the TMIn remains in about 10% of the canister after use, the manufacturing cost is increased due to the waste of the raw material. In addition, since the raw material that has not been used yet is discarded, In order to solve the problem of the conventional LED manufacturing process which has a problem of contamination, after use TMIn raw material remaining in each canister is recovered and collected in one new canister for recycling, .
계속해서, 첨부된 도면을 참조하여, 본 발명에 따른 사용 후 잔류 TMIn 회수 및 정제 시스템의 구체적인 실시예에 대하여 설명한다.
Next, with reference to the accompanying drawings, a specific embodiment of a residual TMIn recovery and purification system after use according to the present invention will be described.
즉, 도 1을 참조하면, 도 1은 본 발명의 실시예에 따른 사용 후 잔류 TMIn 회수 및 정제 시스템의 전체적인 구성을 개략적으로 나타내는 블록도이다.
That is, referring to FIG. 1, FIG. 1 is a block diagram schematically showing the overall configuration of a post-use residual TMIn recovery and purification system according to an embodiment of the present invention.
더 상세하게는, 도 1에 나타낸 바와 같이, 본 발명의 실시예에 따른 사용 후 잔류 TMIn 회수 및 정제 시스템(10)은, 크게 나누어, 사용된 캐니스터로부터 남아있는 잔류 TMIn을 회수하기 위한 TMIn 회수부(11), 상기 TMIn 회수부(11)에 TMIn 회수를 위한 캐리어 가스(carrier gas)를 공급하는 가스공급부(12), 상기 TMIn 회수부(11)로부터 회수되는 TMIn을 수집하여 정제하기 위한 TMIn 정제부(13) 및 상기한 TMIn 회수 및 정제 과정에서 발생하는 가스를 처리하기 위한 배기가스 처리부(14)를 포함하여 구성되어 있다.
More specifically, as shown in FIG. 1, the post-use residual TMIn recovery and
여기서, 상기한 TMIn 회수부(11), 가스공급부(12), TMIn 정제부(13) 및 배기가스 처리부(14)는 각각 배관을 통하여 연결된다.
Here, the TMIn
또한, 도 2를 참조하면, 도 2는 도 1에 나타낸 본 발명의 실시예에 따른 사용 후 잔류 TMIn 회수 및 정제 시스템의 구체적인 구성을 개략적으로 나타내는 도면이다.
Referring to FIG. 2, FIG. 2 is a view schematically showing a specific configuration of a residual TMIn recovery and purification system after use according to an embodiment of the present invention shown in FIG.
즉, 도 2에 나타낸 바와 같이, 상기한 TMIn 회수부(11)는, 사용후 캐니스터(21)를 가열하기 위한 가열용기(22)를 포함하여 이루어지며, 아울러, 상기한 가스공급부(12)는, TMIn 회수부(11)는, 사용후 캐니스터(21)에 캐리어 가스를 공급하기 위한 가스탱크(23) 및 가스의 유량을 제어하기 위한 MFC(mass flow controller)(24)를 포함하여 이루어진다.
2, the TMIn
여기서, 상기한 캐리어 가스는, 예를 들면, N2 가스 또는 H2 가스 중 어느 하나를 이용할 수 있으며, 따라서 상기한 가스탱크(23)는, N2 가스탱크 또는 H2 가스탱크이거나, 또는, N2 가스탱크와 H2 가스탱크를 모두 구비하고 밸브 등을 통해 한쪽을 선택하여 공급하도록 구성될 수도 있다.
Here, the carrier gas may be, for example, either N 2 gas or H 2 gas. Therefore, the
따라서 가스탱크(23)로부터 N2 가스 또는 H2 가스를 TMIn 회수부(11)에 공급하면서 가열용기(22)의 온도를 올려 사용후 캐니스터(21)를 가열하면, 사용후 캐니스터(21) 내의 잔류 TMIn이 기화하게 되고, 후술하는 바와 같이 하여 캐리어 가스와 함께 TMIn 정제부(13)로 이동하게 된다.
Therefore, if the temperature of the heating vessel 22 is raised while supplying the N 2 gas or H 2 gas from the
이때, 바람직하게는, 상기한 캐리어 가스는 5N 내외의 고순도 가스를 이용하여 최대 100℃로 가열하고 상기한 MFC(24)를 통하여 300 ~ 500 sccm으로 제어하며, 사용후 캐니스터(21)의 가열 온도는, 가열용기(22)에 물을 채우고 사용후 캐니스터(21)를 담그어 30℃로 가열한다.
At this time, preferably, the carrier gas is heated to a maximum of 100 DEG C by using a high purity gas of about 5N or more, and is controlled to 300 to 500 sccm through the
계속해서, 상기한 TMIn 정제부(13) 및 배기가스 처리부(14)에 대하여 설명하면, 먼저, TMIn 정제부(13)는, 도 2에 나타낸 바와 같이, 사용후 캐니스터(21)에서 기화된 잔류 TMIn을 수집하기 위한 TMIn 수집용기(25)와, TMIn 수집용기(25)를 냉각하여 TMIn을 고체화하기 위한 냉각용기(26)를 포함하여 구성된다.
2, the
또한, 상기한 배기가스 처리부(14)는, 도 2에 나타낸 바와 같이, TMIn 정제부(13)로부터 배출되는 캐리어 가스에 일부 잔류하는 TMIn을 회수하기 위한 2차 수집용기(27)와, TMIn이 모두 회수된 후의 캐리어 가스를 처리하기 위한 워터트랩(water ter trap)(28) 및 버너(burner)(29)와, 캐리어 가스를 가스탱크(23)로부터 워터 트랩(28) 및 버너(burner)(29)까지 끌어당기기 위한 압력을 발생하는 진공펌프(30) 및 압력을 조절하기 위한 진공 압력 컨트롤러(vacuum pressure contriller)(31)를 포함하여 구성되어 있다.
2, the above-described exhaust
여기서, 상기한 냉각용기(26)는, 예를 들면, 약 2L 용량의 표준(standard) 용기를 이용 가능하며, 즉, TMIn 정제부(13)는, 상기한 냉각용기(26) 내에 액화질소(LN2)를 채우고 TMIn 수집용기(25)를 담그어 약 -200℃로 냉각함으로써, 기체상태의 TMIn을 고체 상태로 복원하여(recover) TMIn 수집용기(25) 내에 수집하도록 구성된다.
In this case, the cooling
아울러, 상기한 진공 압력 컨트롤러(31)는, 1 ~ 100 Torr의 범위로 진공펌프(30)의 압력을 조절하여 상기한 캐리어 가스가 가스탱크(23)로부터 워터 트랩(28)까지 이동할 수 있도록 한다.
The
이때, 기체 상태의 TMIn과 고온의 캐리어 가스가 사용후 캐니스터(21)로부터 TMIn 수집용기(25)로 이동하는 동안 냉각되어 TMIn이 고체상태로 되면, 사용후 캐니스터(21)와 TMIn 수집용기(25)를 연결하는 배관이 막힐 우려가 있다.
At this time, when the gaseous TMIn and the high temperature carrier gas are cooled while being moved from the used
따라서 본 발명의 실시예에 따른 사용 후 잔류 TMIn 회수 및 정제 시스템(10)은, 이를 방지하기 위해, 도 2에 나타낸 바와 같이, 사용후 캐니스터(21)와 TMIn 수집용기(25)를 연결하는 배관 및 TMIn 수집용기(25)를 밀폐하기 위한 덮개 부분에는 열선(32)을 설치하여 온도를 유지하고 배관이 막히는 것을 방지할 수 있도록 구성된다.
Therefore, in order to prevent the post-use residual TMIn recovery and
계속해서, 상기한 바와 같이 하여 TMIn이 복원되고 남은 캐리어 가스는 진공펌프(30)의 압력에 의해 2차 수집용기(27) 및 워터 트랩(28)으로 이동하게 된다.
Subsequently, as described above, TMIn is restored and the remaining carrier gas is moved to the
여기서, 상기한 2차 수집용기(27)는, TMIn 수집용기(25) 냉각용기(26)와 동일하게 구성될 수 있으며, 또한, 상기한 워터 트랩(28)은, 도 2에 나타낸 바와 같이, 아크릴과 같은 용기에 물을 채운 워터 트랩(water trap)의 형태로 이루어진다.
Here, the
따라서 이와 같이 구성되는 2차 수집용기(27)에 의해 캐리어 가스와 함께 일부 남아 있는 TMIn을 추가로 회수하고, 그 후, 워터 트랩(28)에 의해 남아있는 캐리어 가스인 N2 가스를 처리한다.
Thus, the remaining TMIn remaining together with the carrier gas is further recovered by the
또한, 캐리어 가스로서 H2 가스를 사용하는 경우에는, H2 가스를 그대로 배출하면 폭발 등의 위험이 있으므로, 버너(29)를 이용하여 H2 가스를 연소시켜 배기하도록 구성된다.
Further, when H 2 gas is used as the carrier gas, there is a risk of explosion or the like when H 2 gas is discharged as it is. Therefore, H 2 gas is combusted and exhausted by using the
따라서 상기한 바와 같은 구성에 의해, 본 발명의 실시예에 따른 사용 후 잔류 TMIn 회수 및 정제 시스템(10)에 사용후 캐니스터(21)를 장착하여 TMIn을 수집용기(25, 27)에 회수한 후, 회수된 TMIn에서 불순물을 분석하여 새로운 캐니스터에 충진하고, 다시 새로운 사용후 캐니스터(21)로 교체하여 상기한 과정을 반복함으로써, 사용되지 못하고 버려지는 TMIn을 회수하여 새로운 캐니스터로서 재활용할 수 있게 된다.
Therefore, by using the above-described structure, the post-use residual TMIn recovery and
따라서 상기한 바와 같이 하여, 본 발명에 따른 사용 후 잔류 TMIn 회수 및 정제 시스템을 구현할 수 있다.
Thus, the residual TMIn recovery and purification system after use according to the present invention can be implemented as described above.
또한, 상기한 바와 같이 하여 본 발명에 따른 사용 후 잔류 TMIn 회수 및 정제 시스템을 구현하는 것에 의해, 본 발명에 따르면, TMIn이 충진된 캐니스터를 사용 후 각각의 캐니스터 내에 잔존하는 TMIn을 회수 및 정제하여 다시 새로운 캐니스터로서 재활용할 수 있도록 구성되는 사용 후 잔류 TMIn 회수 및 정제 시스템이 제공됨으로써, LED와 같은 반도체 제조공정시 많이 이용되는 기상증착법에서 원료로서 사용되는 TMIn(trimethyl indium)이 모두 사용되지 못하고 사용 후 캐니스터(canister) 내에 일부가 잔류함으로써 원료의 낭비로 인한 제조비용 증가의 문제가 있었던 종래의 LED 제조공정의 문제점을 해결할 수 있다.
Also, by implementing the residual TMIn recovery and purification system after use according to the present invention as described above, according to the present invention, after using the canister filled with TMIn, TMIn remaining in each canister is recovered and purified (TMIN), which is used as a raw material in a vapor deposition process widely used in a semiconductor manufacturing process such as LED, is not used, and the use of the remaining TMIn (trimethyl indium) It is possible to solve the problem of the conventional LED manufacturing process in which a part is left in the after-canister, thereby causing a problem of an increase in manufacturing cost due to waste of the raw material.
또한, 본 발명에 따르면, 상기한 바와 같이 사용 후 각각의 캐니스터 내에 잔류하는 TMIn 원료를 회수하여 다시 하나의 새로운 캐니스터에 모아서 재활용할 수 있도록 하는 사용 후 잔류 TMIn 회수 및 정제 시스템이 제공됨으로써, 사용 후 캐니스터에 약 10%의 TMIn이 잔류하여 사용되지 못함으로 인해 원료의 낭비로 인한 제조비용 증가에 더하여, 미처 사용되지 못하고 버려지는 원료물질로 인해 환경오염의 문제도 있었던 종래의 LED 제조공정의 문제점을 해결할 수 있다.
Further, according to the present invention, after the post-use residual TMIn recovery and purification system is provided, it is possible to recover the TMIn raw material remaining in each canister after use and collect it again in one new canister for recycling, In addition to the increase in manufacturing cost due to the waste of the raw material due to the fact that about 10% of TMIn remains in the canister, there is a problem in the conventional LED manufacturing process that there is a problem of environmental pollution due to raw materials that are not used and discarded Can be solved.
이상, 상기한 바와 같은 본 발명의 실시예를 통하여 본 발명에 따른 사용 후 잔류 TMIn 회수 및 정제 시스템의 상세한 내용에 대하여 설명하였으나, 본 발명은 상기한 실시예에 기재된 내용으로만 한정되는 것은 아니며, 본 발명은, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의해 설계상의 필요 및 기타 다양한 요인에 따라 여러 가지 수정, 변경, 결합 및 대체 등이 가능한 것임은 당연한 일이라 하겠다.
While the present invention has been particularly shown and described with reference to exemplary embodiments thereof, it is to be understood that the invention is not limited to the disclosed exemplary embodiments. It will be understood by those skilled in the art that various changes in form and details may be made therein without departing from the spirit and scope of the invention as defined by the appended claims.
10. 사용 후 잔류 TMIn 회수 및 정제 시스템
11. TMIn 회수부 12. 가스공급부
13. TMIn 정제부 14. 배기가스 처리부
21. 사용후 캐니스터 22. 가열용기
23. 가스탱크 24. MFC(mass flow controller)
25. TMIn 수집용기 26. 냉각용기
27. 2차 수집용기 28. 워터트랩
29. 버너 30. 진공펌프
31. 진공 압력 컨트롤러 32. 열선 10. Residual TMIn recovery and purification system after use
11.
13.
21. Canister after use 22. Heating vessel
23.
25.
27. Second collecting
29.
31.
Claims (13)
사용된 캐니스터로부터 남아있는 잔류 TMIn을 회수하기 위한 TMIn 회수부;
상기 TMIn 회수부에 TMIn의 회수를 위한 캐리어 가스(carrier gas)를 공급하기 위한 가스공급부;
상기 TMIn 회수부로부터 회수되는 TMIn을 수집하여 정제하기 위한 TMIn 정제부;
상기 TMIn 회수부 및 상기 TMIn 정제부의 TMIn 회수 및 정제 과정 후 상기 캐리어 가스를 처리하기 위한 배기가스 처리부; 및
상기 TMIn 회수부, 상기 가스공급부, 상기 TMIn 정제부 및 상기 배기가스 처리부를 각각 연결하기 위한 배관을 포함하여 구성되는 것을 특징으로 하는 사용 후 잔류 TMIn 회수 및 정제 시스템.
In the residual TMIn recovery and purification system after use,
A TMIn recovery unit for recovering residual TMIn remaining from the used canister;
A gas supply unit for supplying a carrier gas for recovery of TMIn to the TMIn recovery unit;
A TMIn purification unit for collecting and purifying TMIn recovered from the TMIn recovery unit;
An exhaust gas treatment unit for treating the carrier gas after the TMIn recovery unit and the TMIn recovery and purification process of the TMIn purification unit; And
And a piping for connecting the TMIn recovery unit, the gas supply unit, the TMIn purification unit, and the exhaust gas treatment unit, respectively.
상기 캐리어 가스는 N2 가스 또는 H2 가스 중 어느 하나를 이용하도록 구성되는 것을 특징으로 하는 사용 후 잔류 TMIn 회수 및 정제 시스템.
The method according to claim 1,
Wherein the carrier gas is configured to use either N 2 gas or H 2 gas.
상기 TMIn 회수부는,
상기 잔류 TMIn을 회수하기 위한 사용후 캐니스터; 및
상기 사용 후 캐니스터를 가열하기 위한 가열용기를 포함하여 구성되는 것을 특징으로 하는 사용 후 잔류 TMIn 회수 및 정제 시스템.
The method according to claim 1,
The TMIn collecting unit,
A post-use canister for recovering the residual TMIn; And
And a heating vessel for heating the post-use canister. ≪ Desc / Clms Page number 20 >
상기 가스공급부는,
상기 사용후 캐니스터에 캐리어 가스를 공급하기 위한 가스탱크; 및
상기 캐리어 가스의 유량을 제어하기 위한 MFC(mass flow controller)를 포함하여 구성되는 것을 특징으로 하는 사용 후 잔류 TMIn 회수 및 정제 시스템.
The method according to claim 1,
The gas-
A gas tank for supplying a carrier gas to the used canister; And
And a mass flow controller (MFC) for controlling the flow rate of the carrier gas.
상기 가스탱크는,
N2 가스탱크 또는 H2 가스탱크이거나, 또는, N2 가스탱크와 H2 가스탱크를 모두 구비하고 밸브를 통해 한쪽을 선택하여 공급하도록 구성되는 것을 특징으로 하는 사용 후 잔류 TMIn 회수 및 정제 시스템.
5. The method of claim 4,
Wherein the gas tank comprises:
An N 2 gas tank, an H 2 gas tank, or both an N 2 gas tank and an H 2 gas tank, and selectively supply one of the N 2 gas tank and the H 2 gas tank through the valve.
상기 TMIn 정제부는,
상기 TMIn 회수부의 사용후 캐니스터에서 기화된 상기 잔류 TMIn을 수집하기 위한 TMIn 수집용기; 및
상기 TMIn 수집용기를 냉각하여 기화된 상기 잔류 TMIn을 고체 상태로 복원하여(recover) 상기 TMIn 수집용기 내에 수집하기 위한 냉각용기를 포함하여 구성되는 것을 특징으로 하는 사용 후 잔류 TMIn 회수 및 정제 시스템.
The method according to claim 1,
Wherein the TMIn purification unit comprises:
A TMIn collecting vessel for collecting the residual TMIn vaporized in the canister after use of the TMIn collecting unit; And
And a cooling vessel for cooling the TMIn collection vessel to recover the vaporized residual TMIn into a solid state and collecting it in the TMIn collection vessel.
상기 배기가스 처리부는,
상기 TMIn 정제부로부터 배출되는 캐리어 가스에 잔류하는 TMIn을 회수하기 위한 2차 수집용기;
TMIn이 모두 회수된 후 상기 캐리어 가스를 처리하기 위한 워터 트랩(water ter trap) 및 버너(burner);
상기 캐리어 가스를 상기 가스탱크로부터 상기 워터 트랩 및 상기 버너까지 이동시키기 위한 압력을 발생하는 진공펌프; 및
상기 진공펌프로부터의 압력을 조절하기 위한 진공 압력 컨트롤러(vacuum pressure contriller)를 포함하여 구성되는 것을 특징으로 하는 사용 후 잔류 TMIn 회수 및 정제 시스템.
The method according to claim 1,
The exhaust gas processing unit includes:
A secondary collection container for collecting TMIn remaining in the carrier gas discharged from the TMIn refining part;
A water trap and a burner for treating the carrier gas after all TMIn is recovered;
A vacuum pump for generating a pressure for moving the carrier gas from the gas tank to the water trap and the burner; And
And a vacuum pressure controller for regulating the pressure from the vacuum pump. ≪ Desc / Clms Page number 19 >
상기 2차 수집용기는 상기 TMIn 수집용기 및 상기 냉각용기와 동일하게 구성되고,
상기 워터 트랩은 용기에 물을 채운 형태로 이루어지는 것을 특징으로 하는 사용 후 잔류 TMIn 회수 및 정제 시스템.
8. The method of claim 7,
Wherein the secondary collection vessel is configured identically to the TMIn collection vessel and the cooling vessel,
Wherein the water trap comprises a container filled with water.
상기 캐리어 가스로서 N2 가스를 이용하는 경우, 상기 2차 수집용기에 의해 상기 캐리어 가스와 함께 이동된 잔류 TMIn을 추가로 회수한 후, 상기 워터 트랩에 의해 상기 N2 가스를 처리하도록 구성되는 것을 특징으로 하는 사용 후 잔류 TMIn 회수 및 정제 시스템.
9. The method of claim 8,
Wherein when the N 2 gas is used as the carrier gas, the residual TMIn moved together with the carrier gas is further recovered by the secondary collection container, and then the N 2 gas is treated by the water trap And a residual TMIn recovery and purification system after use.
상기 캐리어 가스로서 H2 가스를 사용하는 경우, 상기 2차 수집용기에 의해 상기 캐리어 가스와 함께 이동된 잔류 TMIn을 추가로 회수한 후, 상기 버너를 이용하여 상기 H2 가스를 연소시켜 배기하도록 구성되는 것을 특징으로 하는 사용 후 잔류 TMIn 회수 및 정제 시스템.
9. The method of claim 8,
Wherein when the H 2 gas is used as the carrier gas, the remaining TMIn moved together with the carrier gas is further recovered by the secondary collecting container, and the H 2 gas is burned and exhausted using the burner Lt; RTI ID = 0.0 > TMIn < / RTI > recovery and purification system.
기체화된 상기 잔류 TMIn 및 상기 캐리어 가스의 온도를 유지하여 상기 배관이 막히는 것을 방지하기 위해, 상기 TMIn 회수부의 사용후 캐니스터와 상기 TMIn 정제부의 TMIn 수집용기를 연결하는 배관 및 상기 TMIn 수집용기를 밀폐하기 위한 덮개 부분에 각각 설치되는 열선을 더 포함하여 구성되는 것을 특징으로 하는 사용 후 잔류 TMIn 회수 및 정제 시스템.
The method according to claim 1,
A pipe connecting the cannister after use of the TMIn recovery unit and the TMIn collection vessel of the TMIn purification unit and a pipe connecting the TMIn collection vessel to the TMIn collection vessel to maintain the temperature of the gasified residual TMIn and the carrier gas to prevent clogging of the pipe, And further comprising a hot wire provided on the cover portion for performing the heat treatment.
사용후 캐니스터로부터 잔류 TMIn을 회수한 후, 회수된 TMIn에서 불순물을 분석하여 새로운 캐니스터에 충진하고, 다시 새로운 사용후 캐니스터로 교체하여 잔류 TMIn을 회수하는 과정을 반복함으로써, 사용되지 못하고 버려지는 잔류 TMIn을 회수하여 새로운 캐니스터로서 재활용할 수 있도록 구성되는 것을 특징으로 하는 사용 후 잔류 TMIn 회수 및 정제 시스템.
The method according to claim 1,
After the use, the residual TMIn is recovered from the canister, the impurities are analyzed in the TMIn recovered, the new canister is filled with the new TMIn, and the remaining TMIn is recovered by replacing with the new used canister. Is recovered and recycled as a new canister. ≪ Desc / Clms Page number 20 >
Recovering and purifying residual TMIn from the canister after use using the post-use residual TMIn recovery and purification system according to any one of claims 1 to 12 to recover and recycle residual TMIn after use. Way.
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|---|---|---|---|
| KR1020130060632A KR101518215B1 (en) | 2013-05-28 | 2013-05-28 | Recovery and purification system of used residual trimethyl indium |
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| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020130060632A KR101518215B1 (en) | 2013-05-28 | 2013-05-28 | Recovery and purification system of used residual trimethyl indium |
Publications (2)
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|---|---|
| KR20140139919A true KR20140139919A (en) | 2014-12-08 |
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