KR20140125615A - 단일 길버트셀을 이용한 위상 변화기 - Google Patents

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Abstract

단일 길버트셀을 이용한 위상 변화기가 개시된다. 단일 길버트셀을 이용한 위상 변화기는, 서로 교차 결합되는 두 쌍의 상부 트랜지스터 쌍, 및 상부 트랜지스터 쌍들 중 하나에 각각 결합하는 트랜지스터들의 쌍인 하부 트랜지스터 쌍을 포함하는 길버트셀을 이용한 위상 변화기로서, 두 쌍의 상부 트랜지스터 쌍들은 각각 결합된 하부 트랜지스터로부터 입력 신호를 서로 90도 위상각이 차이나도록 공급받고, 두 쌍의 상부 트랜지스터 쌍의 각 트랜지스터의 게이트 입력은 서로 독립적으로 입력받는다. 이와 같은 구성에 의하면, 하나의 길버트셀을 이용하여 위상 변화기를 구현할 수 있게 되므로, 소비 전력과 회로의 사이즈를 줄일 수 있고, 회로의 동작 특성이 개선된 벡터합 타입의 위상 변화기를 제공할 수 있게 된다.

Description

단일 길버트셀을 이용한 위상 변화기{Phase Shifter using Single Gilbert-Cell}
본 발명은 반도체 집적 회로에 관한 것이며, 더욱 상세하게는 벡터합 타입의 위상 변화기에 관한 것이다.
위상 변화기(Phase shifter)는 신호의 위상을 의도적으로 천이시키기 위해 사용하는 장치이다. 다중 배열 안테나를 이용, 빔포밍 기법을 구현하기 위하여 안테나와 결합된 위상 변화기가 필요하다.
위상 변화기를 구현하는 방식으로 스위칭타입, 반사타입, 벡터합타입 등의 여러 가지 구조가 있다. 높은 주파수 영역에서 위상 변화기를 구현하는데 있어, 각 방식의 장단점과 사용되는 소자의 한계 등을 고려한 설계가 필요하다. 스위칭타입과 반사타입의 경우 구현이 쉽고, 전력소모가 없으나 큰 삽입손실을 가지고 있고, 위상 상태별 삽입손실과 입출력 정합 특성이 달라지는 단점을 가지고 있다.
이러한 단점들을 피하기 위하여 사용되는 벡터합 타입의 위상 천이기의 경우, 일반적으로 두 개의 길버트셀(Gilbert-cell)로 구성된 가변 이득 증폭기 형태로 구성하여 삽입손실이 적거나 또는 이득을 가지도록 설계가 가능하다. 반면 회로의 크기가 크고, 사용되는 능동소자의 수가 많아 소모되는 전력이 크고, 입출력 정합이 어려운 단점을 가지고 있다.
도 1은 종래 벡터합 타입의 위상 변화기의 구조를 도시한 개략적인 회로도이다. 도 1에서, DC 바이어스 회로 및 입출력 정합회로는 생략되어 있다.
도 1에 도시된 바와 같이, 일반적으로 Single ended 형태의 안테나가 통신 시스템의 사이즈를 줄이기 위해 많이 사용되며, Single ended 입력으로 구성된 구조의 위상 변화기가 많이 사용된다.
도 1에서는 기존의 벡터합 위상 변화기(Single ended 입력)의 대표적 구조를 보이고 있는데, 발룬(20) 1개, 직교 위상 생성기(Quadrature generator; 30) 2개, VGA(도 1에서는 길버트셀(Gibert-cell; 10)) 2개를 포함하고 있다.
입력 쪽의 발룬(20)을 통해 차동(Differential) 신호가 생성되고, 후단의 두 직교 위상 생성기(Quadrature generator; 30)를 통하여 0, 90, 180, 270°의 90°씩 차이를 갖는 신호가 길버트셀(Gilbert-cell; 10)의 트랜지스터(M3~M6)의 게이트(Gate)로 인가된다. 이후 트랜지스터(M5~M12)의 게이트(Gate) 바이어스
Figure pat00001
를 조절하여 0~360°까지의 연속적인 위상 변화된 신호를 출력하게 된다.
그런데 이러한 종래의 벡터합 위상 변화기에 사용되는 발룬과 직교 위상 생성기(Quadrature generator)가 인덕터 또는 λ/4의 커플드 라인과 같은 대체적으로 사이즈가 큰 수동 소자로 구현되기 때문에, 전체적인 회로의 사이즈가 커진다는 단점을 가지고 있다.
또한, VGA를 일반적인 길버트셀(Gilbert-cell)로 구성하는 경우 사용되는 총 트랜지스터의 개수가 많아져(12개 이상), DC 전력의 소모가 크다. 특히 출력 쪽에서는 두 개의 길버트셀(Gilbert-cell; 10)이 서로 병렬로 결합되어야 하므로 하나의 Single-ended 출력 노드에 병렬로 연결되는 총 트랜지스터의 수가 4개나 된다.
따라서, 출력 임피던스가 낮아지고, 연결 구조의 복잡성으로 레이아웃(layout)이 어려울 뿐 아니라 레이아웃(layout)을 통해 발생되는 기생성분도 증가하여 출력 정합회로의 설계가 어렵게 된다. 이러한 단점은 동작 주파수가 증가할수록 더욱 심각해진다.
또한, 위상변화를 위하여 길버트셀(Gilbert-cell) CG구조의 트랜지스터(M3~M6)의 게이트 바이어스(Gate Bias)를 변화시키게 되면 각 위상 상태(state) 별 입력 임피던스와 노이즈(Noise) 특성이 달라지는 문제점이 존재한다.
본 발명은 상술한 종래의 문제점을 해결하기 위해 안출된 것으로서, 소비 전력과 회로의 사이즈를 줄일 수 있고, 회로의 동작 특성이 개선된 벡터합 타입의 위상 변화기를 제공하는 것을 목적으로 한다.
상기 목적을 달성하기 위해, 본 발명에 따른 단일 길버트셀을 이용한 위상 변화기는, 서로 교차 결합되는 두 쌍의 상부 트랜지스터 쌍, 및 상부 트랜지스터 쌍들 중 하나에 각각 결합하는 트랜지스터들의 쌍인 하부 트랜지스터 쌍을 포함하는 길버트셀을 이용한 위상 변화기로서, 두 쌍의 상부 트랜지스터 쌍들은 각각 결합된 하부 트랜지스터로부터 입력 신호를 서로 90도 위상각이 차이나도록 공급받고, 두 쌍의 상부 트랜지스터 쌍의 각 트랜지스터의 게이트 입력은 서로 독립적으로 입력받는다.
이와 같은 구성에 의하면, 하나의 길버트셀을 이용하여 위상 변화기를 구현할 수 있게 되므로, 소비 전력과 회로의 사이즈를 줄일 수 있고, 회로의 동작 특성이 개선된 벡터합 타입의 위상 변화기를 제공할 수 있게 된다.
이를 위해, 상부 트랜지스터 쌍들과 하부 트랜지스터 쌍 사이에 결합된 직교 위상 생성부를 더 포함할 수 있고, 하부 트랜지스터 쌍의 게이트들에 결합된 직교 위상 생성부를 더 포함할 수도 있다.
또한, 직교 위상 생성부는 전송 선로를 이용하여 상기 위상각 차이를 생성할 수 있다.
또한, 상부 트랜지스터 쌍들로부터의 출력에서 공통 모드 성분을 제거하는 공통 모드 제거부를 더 포함할 수 있다.
본 발명에 의하면, 하나의 길버트셀을 이용하여 위상 변화기를 구현할 수 있게 되므로, 소비 전력과 회로의 사이즈를 줄일 수 있고, 회로의 동작 특성이 개선된 벡터합 타입의 위상 변화기를 제공할 수 있게 된다.
도 1은 종래 벡터합 타입의 위상 변화기의 구조를 도시한 개략적인 회로도.
도 2는 본 발명에서 제안하는 단일 길버트셀(Gilbert-cell)로 구성된 벡터합 타입 위상천이기의 구조도.
도 3은 본 발명에 따른 위상 변화기의 개선 사항을 정리한 표.
도 4는 본 발명에 따른 위상 변화기의 벡터합 동작을 설명을 위한 벡터 다이아그램.
도 5는 본 발명에서 제안하는 또 다른 형태의 위상변화기 구조도.
도 6은 본 발명에서 제안하는 벡터합 타입의 위상변화기를 TowerJazz 180nm SiGe 공정을 통해 설계한 회로도.
도 7은 Towerjazz 180nm SiGe 공정을 통해 제작된 벡터합 위상기의 측정된 이득 특성을 도시한 도면.
도 8은 Towerjazz 180nm SiGe 공정을 통해 제작된 벡터합 위상기의 측정된 위상변화 특성을 도시한 도면.
도 9는 Towerjazz 180nm SiGe 공정을 통해 제작된 위상 변화기의 입출력 정합특성의 측정 결과를 도시한 도면.
도 10은 Towerjazz 180nm SiGe 공정을 통해 실제 제작된 칩 사진.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예를 설명한다.
도 2는 본 발명에서 제안하는 단일 길버트셀(Gilbert-cell)로 구성된 벡터합 타입 위상 천이기의 개략적인 구조도이다. 도 2에서도 DC 바이어스 회로 및 입출력 정합회로는 도시되지 않고 있다.
도 2에서 위상 변화기는, 서로 교차 결합되는 두 쌍의 상부 트랜지스터 쌍(100), 및 상부 트랜지스터 쌍들 중 하나에 각각 결합하는 트랜지스터들의 쌍인 하부 트랜지스터 쌍(200)을 포함하는 길버트셀, 상부 트랜지스터 쌍들과 하부 트랜지스터 쌍 사이에 결합된 직교 위상 생성부(300), 및 상부 트랜지스터 쌍들로부터의 출력에서 공통 모드 성분을 제거하는 공통 모드 제거부(400)를 포함하고 있다.
도 2에 도시된 바와 같이, 본 발명에서는 기존의 벡터합 타입의 구조를 단순화하여 단일 길버트셀(Gilbert-cell) 구조 내에 직교 위상 생성기(Quadrature generator; 300)가 위치한 형태로 벡터합 위상 변화기를 구현하였다.
특장점을 보자면, 첫째로 단일의 길버트셀(Gilbert-cell)을 사용하여 기존의 벡터합 위상 변화기보다 전력의 소모가 적다.
둘째, 단일 길버트셀(Gilbert-cell)을 이용하기 때문에서 출력단에서 결합(Combining)되는 트랜지스터의 수가 기존의 구조(도 1)에서보다 절반으로 줄어든다. 따라서, 출력단 임피던스가 지나치게 낮아지는 것을 방지하고, 또한 레이아웃 상의 어려움과 기생 임피던스의 생성을 최소화하여 출력 정합회로의 설계가 용이하다.
셋째, 사용되는 발룬과 직교 위상 생성기(Quadrature generator)의 수가 줄어 위상 변화기 회로 전체의 사이즈를 크게 줄일 수 있다.
넷째, 길버트셀(Gilbert-cell)의 바이어스 전류를 결정하는 트랜지스터[M1~M2]의 바이어스는 그대로 유지하고 출력 쪽의 트랜지스터[M3~M6]의 게이트(Gate) 바이어스를 조절하여 위상변화를 실현하기 때문에 서로 다른 위상 상태(state)별 입출력 정합특성과 노이즈 특성이 바뀌지 않는다.
도 3은 본 발명에 따른 위상 변화기의 개선 사항을 정리한 표이다. 도 3에서 기존의 벡터합 위상변화기와 본 발명에서 제안하는 벡터합 위상 변화기의 장단점을 요약하였다.
본 발명에서 고안한 벡터합 위상 변화기의 동작 원리는 다음과 같다. Single-ended 입력신호가 트랜지스터 M1, M2의 게이트(Gate)로 인가되고 후단의 직교 위상 생성기(Quadrature generator)를 통해 M3~M4에는 In-phase(0°)의 신호, M5~M6에는 Quadrature(90°)의 신호가 인가된다.
M3~M4와 M5~M6의 두 쌍으로부터 각각 출력되는 IQ 차동 신호는 일반 Gilbert-cell처럼 전류결합 (current combining)을 통해 결합된다. 이때 M3~M6의 Gate 바이어스인
Figure pat00002
를 각각 독립적으로 조절함으로써 IQ 출력신호의 벡터합이 결정되고 위상이 변화하게 된다.
도 4는 본 발명에 따른 위상 변화기의 벡터합 동작을 설명을 위한 벡터 다이아그램이다. 도 4를 통하여 설명하면,
Figure pat00003
만 켜있는 상황에서는 ①과 같이 0°,
Figure pat00004
만 켜져 있는 경우는 ②로 90°,
Figure pat00005
는 ③인 180°,
Figure pat00006
는 ④인 270°의 위상 상태(state)를 갖는다. 이때
Figure pat00007
의 바이어스를 아날로그적으로 조절하면, 0~360°의 연속적인 위상을 얻어낼 수 있다.
출력쪽 CMR(Common-Mode Rejection) 네트워크(Network)는 본 위상 변화기에서 선택적(Optional) 블록으로서, CMR 기능이 있는 어떤 종류의 회로로도 구현 가능하며 (예를 들어, 간단한 차동 증폭기 등), Single-ended 출력이 필요한 경우 전통적인 발룬으로도 구현 가능하다. 또한, 본 위상 변화기가 차동 시스템 내에서 사용되고 후단의 회로 블록이 CMR 기능을 포함하고 있다며, 별도의 CMR 네트워크(Network)가 필요하지 않을 수도 있다.
도 5는 본 발명에서 제안하는 또 다른 형태의 위상변화기 구조도이다. 회로의 동작원리 및 특장점은 전술했던 도 2에서의 회로와 유사하나, 직교 위상 생성기(Quadrature generator; 300)를 길버트셀(Gilbert-cell) 전단으로 위치시킨 것이 다르다. 직교 위상 생성기(Quadrature generator)의 위치는 설계하는 주파수 대역이나, 레이아웃의 편의성 등을 고려하여 결정될 수 있다.
도 6은 본 발명에서 제안하는 벡터합 타입의 위상변화기를 TowerJazz 180nm SiGe 공정을 통해 설계한 회로도이다. 종전의 두 개의 길버트셀(Gilbert-cell)을 갖는 위상변화기가 12개의 트랜지스터를 갖는 반면 고안한 위상변화기의 경우 하나의 길버트셀(Gilbert-cell) 만을 이용, 6개의 TR 만이 사용되어 1/2로 줄어든 전력소모와 사이즈, 간단해진 입출력 구조에 의해 향상된 입출력 정합 특성을 가지고 있다.
입력 신호는 TL1과 C1(DC블록 및 정합을 위해 사용됨)을 이용한 정합부를 통하여 트랜지스터(B1, B2)의 Gate로 인가된다. B1과 B2의 출력단에는 서로 TLdelay만큼 차이를 보이는 전송선로를 각각 연결함으로써 직교 위상 생성기(Quadrature generator)를 구현한다. 이로부터 생성된 IQ신호는 각각 B3~B4와 B5~B6로 인가된다.
(B3~B6)의 게이트 바이어스 전압(
Figure pat00008
)을 조절함으로써 0~360°까지의 연속적인 위상 변화 신호를 생성한다. 한편, B1과 B2의 게이트 바이어스 전압은 항상 일정하게 유지함으로써 위상 특성이 변하더라도 위상 변화기의 입출력 정합 특성과 잡음 특성의 변화를 최소화하였다.
위상 변화기 후단에는 추가 이득을 위해 캐스코드 증폭기를 연결하였으며, 마지막으로 CMR과 측정 용이성을 위해 발룬을 배치하였다. TL1과 C1은 입출력 정합을 위한 소자로 사용되었다. Cbias 및 Rbias는 DC 바이어스를 인가하기 위해 설계된 바이패스 캐패시터와 저항이다. TLdelay는 길버트셀(Gilbert-cell) 내부에서 직교 위상 신호를 생성하는 직교 위상 생성기(Quadrature generator)로서 사용되었다. Cblk는 DC성분을 블록 하기 위하여 사용된 캐패시터이다. TL2~TL3은 VCC를 회로에 인가하기 위한 RF choke 및 후단의 회로들과의 임피던스 정합을 위해 사용되었다.
도 7은 Towerjazz 180nm SiGe 공정을 통해 제작된 벡터합 위상기의 측정된 이득 특성을 도시한 도면이고, 도 8은 Towerjazz 180nm SiGe 공정을 통해 제작된 벡터합 위상기의 측정된 위상변화 특성을 도시한 도면이다. 도 8에서, 측정결과가 4개의 상태(state)만을 표시하고 있지만 0~360°까지의 연속적인 위상 변화된 신호를 출력할 수 있다.
도 9는 Towerjazz 180nm SiGe 공정을 통해 제작된 위상 변화기의 입출력 정합특성의 측정 결과를 도시한 도면이고, 도 10은 Towerjazz 180nm SiGe 공정을 통해 실제 제작된 칩 사진이다.
본 발명은 기존 벡터합 타입 위상변화기의 단점인, 전력소모, 사이즈, 입출력 정합 특성 등을 개선하기 위하여 고안된 것이다. 본 발명에서는 종래의 벡터합 타입의 위상 변화기가 가지고 있는 여러 단점들을 개선하는 새로운 벡터합 타입의 위상변화기 회로를 제안하였다.
종래 구조와는 달리 단일 직교 위상 생성기(Quadrature generator), 단일 길버트(Gilbert-cell)을 사용하여 구성되어, 소비되는 전력을 줄이고 회로의 사이즈도 줄여 초소형/ 저비용으로 집적화가 가능하도록 고안하였다.
본 발명에 따른 위상 변화기의 구체적인 특징은 다음과 같다.
- 단일 길버트셀(Gilbert-cell)과 단일 직교 위상 생성기(Quadrature generator)만을 이용하여 구성한 벡터합 타입의 위상변화기 구조.
- 단일 길버트셀(Gilbert-cell) 내부에 단일 직교 위상 생성기(Quadrature generator)가 삽입된 구조.
- 직교 위상 생성기(Quadrature generator)를 간단한 단일 지연선로 (전기적 길이 90° 이내)로 구성한 구조.
- 단일 길버트셀(Gilbert-cell) 전단에 단일 직교 위상 생성기(Quadrature generator)가 삽입된 구조.
- 단일 길버트셀(Gilbert-cell) 내 4개의 control 전압을 각각 독립적으로 조정하여 연속적인 360도의 위상변화를 구현하는 구조.
정리하면, 본 발명에서는 종래의 벡터합 타입의 위상 변화기 구조가 가지고 있는 장점(예를 들어 연속적인 위상변화가 용이하고, 삽입 이득을 가질 수 있다는 장점 등)은 살리고, 반면에 큰 전력소모와 큰 사이즈, 복잡한 구조 등의 단점을 극복한 새로운 벡터합 타입의 위상변화기를 제안하였다.
새로이 고안된 위상변화기 구조는 단일 길버트셀(Gilbert-cell) 단일 직교 위상 생성기(Quadrature generator)가 결합된 형태로 단순하게 구성되어, 소모되는 전력과 사이즈를 줄여 mm-wave 또는 테라헤르츠의 높은 주파수 대역에서 사용될 시 더 우수한 특성을 보인다.
본 발명이 비록 일부 바람직한 실시예에 의해 설명되었지만, 본 발명의 범위는 이에 의해 제한되어서는 아니 되고, 특허청구범위에 의해 뒷받침되는 상기 실시예의 변형이나 개량에도 미쳐야 할 것이다.
10: 길버트셀
20: 발룬
30: 직교 위상 생성기
100: 상부 트랜지스터 쌍
200: 하부 트랜지스터 쌍
300: 직교 위상 생성부
400: 공통 모드 제거부
TL1 , C1 :: 입출력 정합을 위한 소자
Cbias, Rbias: DC 바이어스를 인가하기 위해 설계된 바이패스 캐패시터와 저항
TLdelay: 길버트셀(Gilbert-cell) 내부에서 직교 위상 신호를 생성하는 직교 위상 생성기(Quadrature generator)로서 사용된 전송 선로
Cblk: DC성분을 블록 하기 위하여 사용된 캐패시터
TL2~TL3: VCC를 회로에 인가하기 위한 RF choke 및 후단의 회로들과의 임피던스 정합을 위해 사용된 전송 선로

Claims (5)

  1. 서로 교차 결합되는 두 쌍의 상부 트랜지스터 쌍, 및 상기 상부 트랜지스터 쌍들 중 하나에 각각 결합하는 트랜지스터들의 쌍인 하부 트랜지스터 쌍을 포함하는 길버트셀을 이용한 위상 변화기로서,
    상기 두 쌍의 상부 트랜지스터 쌍들은 각각 결합된 하부 트랜지스터로부터 입력 신호를 서로 90도 위상각이 차이나도록 공급받고, 상기 두 쌍의 상부 트랜지스터 쌍의 각 트랜지스터의 게이트 입력은 서로 독립적으로 입력받는 것을 특징으로 하는 단일 길버트셀을 이용한 단일 길버트셀을 이용한 위상 변화기.
  2. 제 1항에 있어서,
    상기 상부 트랜지스터 쌍들과 하부 트랜지스터 쌍 사이에 결합된 직교 위상 생성부를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 단일 길버트셀을 이용한 위상 변화기.
  3. 제 1항에 있어서,
    상기 하부 트랜지스터 쌍의 게이트들에 결합된 직교 위상 생성부를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 단일 길버트셀을 이용한 위상 변화기.
  4. 제 2 또는 3항에 있어서,
    상기 직교 위상 생성부는 전송 선로를 이용하여 상기 위상각 차이를 생성하는 것을 특징으로 하는 단일 길버트셀을 이용한 위상 변화기.
  5. 제 4항에 있어서,
    상기 상부 트랜지스터 쌍들로부터의 출력에서 공통 모드 성분을 제거하는 공통 모드 제거부를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 단일 길버트셀을 이용한 위상 변화기.
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN109586682A (zh) * 2018-09-30 2019-04-05 天津大学 一种毫米波有源正交信号发生器
US11290093B1 (en) 2021-04-13 2022-03-29 International Business Machines Corporation Compact delay lines and associated circuitry useful for wideband phased-array system

Family Cites Families (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5574755A (en) * 1994-01-25 1996-11-12 Philips Electronics North America Corporation I/Q quadraphase modulator circuit
JPH10247952A (ja) 1997-03-05 1998-09-14 Fujitsu Ltd 位相変調器
US7302011B1 (en) 2002-10-16 2007-11-27 Rf Micro Devices, Inc. Quadrature frequency doubling system

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN109586682A (zh) * 2018-09-30 2019-04-05 天津大学 一种毫米波有源正交信号发生器
US11290093B1 (en) 2021-04-13 2022-03-29 International Business Machines Corporation Compact delay lines and associated circuitry useful for wideband phased-array system

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