KR20140118747A - Solder powder and solder paste using the powder - Google Patents

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류지 우에스기
간지 구바
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미쓰비시 마테리알 가부시키가이샤
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Abstract

The present invention provides solder powder and solder paste using the same. The solder powder is rarely molten again and bonding strength is also rarely decreased after a reflow process. Especially, the solder powder is proper to be used for installing electrical parts, exposed to an environment at high temperatures. The soldering powder (10) is composed of a core (11) and a cover layer (12), which covers the core (11). The core (11) is made of silver and a compound of silver and tin. The cover layer (12) is made of tin. An average diameter of a solder powder particle is 30 μm or smaller. The solder powder (10) includes more than 10 wt% and 70 wt% or less of silver with respect to 100 wt% of the total weight of the solder powder (10).

Description

땜납 분말 및 이 분말을 사용한 땜납용 페이스트{SOLDER POWDER AND SOLDER PASTE USING THE POWDER}BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention [0001] The present invention relates to solder powder and solder paste using the solder powder,

본 발명은, 전자 부품 등의 실장에 사용되는 땜납 분말 및 이 분말을 사용한 땜납용 페이스트에 관한 것이다. 더욱 상세하게는, 리플로우 후 재용융 및 접합 강도의 저하가 잘 일어나지 않고, 특히 고온 분위기에 노출되는 전자 부품 등의 실장에 바람직한 땜납 분말 및 이 분말을 사용한 땜납용 페이스트에 관한 것이다.The present invention relates to a solder powder used for mounting electronic components and the like and a solder paste using the powder. More particularly, the present invention relates to a solder powder suitable for mounting electronic parts or the like which does not cause a reduction in re-melting and bonding strength after reflow, and which is particularly exposed to a high-temperature atmosphere, and a solder paste using the powder.

전자 부품 등의 접합에 사용되는 땜납은 환경면에서 납프리화가 진행되고 있어, 현재에는 주석을 주성분으로 한 땜납 분말이 채용되고 있다. 땜납 분말과 같은 미세한 금속 분말을 얻는 방법으로는, 가스 아토마이즈법이나 회전 디스크법 등의 아토마이즈법 외에, 멜트 스피닝법, 회전 전극법, 기계적 프로세스, 화학적 프로세스 등이 알려져 있다. 가스 아토마이즈법은, 유도로나 가스로에서 금속을 용융시킨 후, 턴디쉬의 바닥의 노즐로부터 용융 금속을 유하시키고, 그 주위로부터 고압 가스를 분사하여 분말화하는 방법 등이 알려져 있다. 또, 회전 디스크법은 원심력 아토마이즈법이라고도 불리며, 용융된 금속을 고속으로 회전하는 디스크 상에 낙하시키고, 접선 방향으로 전단력을 가하여 파단시켜 미세 분말을 만드는 방법이다.BACKGROUND ART [0002] Solder used for joining electronic components and the like is lead-free in terms of the environment, and currently solder powder mainly comprising tin is employed. As a method for obtaining a fine metal powder such as a solder powder, a melt spinning method, a rotating electrode method, a mechanical process, a chemical process, and the like are known in addition to the atomization method such as the gas atomization method and the rotary disk method. In the gas atomization method, a method is known in which a metal is melted in an induction furnace or a gas furnace, a molten metal is flowed from a nozzle at the bottom of the tundish, and a high-pressure gas is sprayed therefrom to pulverize the molten metal. The rotary disk method is also referred to as a centrifugal atomization method. The molten metal is dropped onto a disk rotating at a high speed, and a shear force is applied in a tangential direction to break it to form a fine powder.

땜납에는, 상기 서술한 환경면에 있어서의 특성 이외에, 실장되는 전자 부품의 용도 등에 따라 여러 가지 특성이 요구된다. 예를 들어, 휴대 전화나 PC 등의 정보 전자 기기에서는 휴대성을 중시시킨 박형화, 경량화가 요구되고 있고, 이들의 제조에 사용되는 전자 부품의 소형화나 접합 부품의 파인 피치화가 진행되고 있어, 보다 미세한 입경의 땜납 분말이 요구된다.The solder is required to have various characteristics in addition to the above-described characteristics in the environmental surface, depending on the use of the electronic component to be mounted. For example, information electronic appliances such as cellular phones and PCs are required to be thinner and lighter in weight, which is important in portability. Further, miniaturization of electronic parts used in the manufacture of these electronic parts and fine pitches of joint parts are progressing, A solder powder having a particle diameter is required.

한편, 차재 용도 등에 있어서 고온하에서 사용되는 전자 부품에서는, 실장 후의 땜납이 고온 분위기에 노출됨으로써 재용융되고, 접합 강도가 저하되는 것을 방지할 필요가 있는 점에서, 리플로우 후의 높은 내열성이 요구된다. 가장 일반적인 Sn-Pb 계의 공정 (共晶) 땜납 (조성비 Sn : Pb = 63 : 37 질량%) 의 경우 융점은 약 187 ℃ 이고, 또, 일반적인 Sn-Ag-Cu 계 땜납에서는 약 217 ℃ 정도이다. 이에 반해, 내열성이 있는 고온 땜납으로서 알려진 Au-Sn 계의 고온 땜납 (조성비 Sn : Au = 20 : 80 질량%) 에서는 리플로우 후의 융점이 약 280 ℃ 이고, Sn-Pb 계의 고온 땜납 (조성비 Sn : Pb = 5 : 95 질량%) 에서는 약 310 ∼ 315 ℃ 정도의 높은 융점을 나타낸다.On the other hand, in an electronic component used under high temperature in a vehicle application or the like, since the solder after mounting is remelted by being exposed to a high-temperature atmosphere, it is necessary to prevent the bonding strength from lowering, and high heat resistance after reflow is required. The melting point is about 187 ° C in the case of the most common Sn-Pb type eutectic solder (composition ratio Sn: Pb = 63: 37 mass%), and about 217 ° C in general Sn-Ag- . On the other hand, in a high temperature solder of Au-Sn type (composition ratio Sn: Au = 20: 80 mass%) known as heat-resistant high-temperature solder, a melting point after reflow is about 280 ° C and a high temperature solder of Sn- : Pb = 5: 95 mass%) exhibits a high melting point of about 310 to 315 ° C.

그러나, 상기 Au-Sn 계 땜납에서는 매우 고가의 Au 를 사용하고 있는 점에서 제조 비용이 상승해 버린다는 문제가 있다. 또, Sn-Pb 계의 고온 땜납은, 높은 내열성을 나타내지만, 납을 사용하고 있기 때문에 상기 서술한 환경면의 문제가 남는다. 이와 같은 문제를 해소하기 위해, 납이나 금을 함유하지 않는 저융점, 또한 저비용의 재료 분말에, 융점이 높은 다른 재료 분말을 혼합하여 내열성이나 접합 강도 등을 향상시키는 기술이 알려져 있다 (예를 들어, 특허문헌 1 ∼ 6 참조).However, in the Au-Sn-based solder, there is a problem that the manufacturing cost is increased because a very expensive Au is used. Although the Sn-Pb-based high-temperature solder exhibits high heat resistance, since the lead is used, the above-described environmental problem remains. In order to solve such a problem, there is known a technique for improving heat resistance, bonding strength, and the like by mixing another material powder having a high melting point with a low melting point and low cost material powder not containing lead or gold (for example, , And Patent Documents 1 to 6).

특허문헌 1 에는, 세라믹스 부재와 금속부재의 접합에, 금속 Cu 분말, 금속 Sn 분말 및 Ag-Cu-Ti 합금 분말을 혼합시킨 금속 재료를 사용한 접합 방법이 개시되어 있다. 또, 특허문헌 2 에는, 납을 함유하지 않고, 종래의 주석납 공정 합금보다 융점이 낮은 Sn-Bi 등의 합금 분말에, 종래의 주석납 공정 합금보다 융점이 높은 Sn-Ag 등의 합금 분말을 혼합한 혼합 분말을 함유하는 땜납 페이스트가 개시되어 있다. 또, 특허문헌 3 에는, 공정 땜납 이외에, 그 공정 땜납보다 융점이 높은 Ag, Sn, Cu 등의 금속 입자를 혼합시킨 크림 땜납이 개시되어 있다. 또, 특허문헌 4 에는, 납을 함유하지 않고, Sn 등의 제 1 금속 성분에, 400 ℃ 이상의 융점을 갖는 Ag, Cu 등의 제 2 금속 성분을 혼합시킨 납땜용 조성물이 개시되어 있다. 또, 특허문헌 5 에는, 분말상을 이루는 제 1 금속 성분과 제 2 금속 성분을 함유하고, 제 1 금속 성분이 Sn-Cu 계 합금, Sn-Cu-Sb 계 합금 중 어느 것, 혹은 이들 중 어느 것에 Ag, In, Bi, Zn 또는 Ni 중 1 종 이상을 첨가한 것이고, 제 2 금속 성분은 Cu, Sn, Sb, Ag, Zn, Ni 중 1 종 이상의 금속 혹은 이들 금속 중 2 종 이상의 합금인 고온 크림 땜납용 조성물이 개시되어 있다. 또, 특허문헌 6 에는, 납을 함유하지 않고, 주석을 주성분으로서 함유하는 제 1 금속 분말과, 제 1 금속 분말보다 높은 융점을 갖고, 구리를 주로 함유하는 제 2 금속 분말을 함유시킨 땜납용 조성물이 개시되어 있다.Patent Document 1 discloses a joining method using a metal material in which a metal Cu powder, a metal Sn powder, and an Ag-Cu-Ti alloy powder are mixed to bond the ceramics member and the metal member. Patent Document 2 discloses an alloy powder of Sn-Ag or the like having a melting point higher than that of a conventional tin lead-based alloy in an alloy powder containing no lead and having a melting point lower than that of a conventional tin lead- A solder paste containing a mixed powder mixed is disclosed. Patent Document 3 discloses a cream solder in which metal particles such as Ag, Sn, Cu and the like having a melting point higher than that of the process solder are mixed in addition to the process solder. Patent Document 4 discloses a composition for soldering which contains no lead and a first metal component such as Sn and a second metal component such as Ag or Cu having a melting point of 400 캜 or higher. Patent Document 5 discloses a method of manufacturing a semiconductor device that includes a first metal component and a second metal component that form a powder phase and the first metal component is any one of Sn-Cu alloy and Sn-Cu-Sb alloy, Ag, In, Bi, Zn or Ni, and the second metal component is at least one of Cu, Sn, Sb, Ag, Zn and Ni, A composition for a solder is disclosed. Patent Document 6 discloses a solder composition containing no lead and containing a first metal powder containing tin as a main component and a second metal powder having a melting point higher than that of the first metal powder and mainly containing copper .

일본 공개특허공보 평5-24943호 (청구항 2, 단락 [0015])Japanese Patent Application Laid-Open No. 5-24943 (Claim 2, paragraph [0015]) 일본 공개특허공보 평11-186712호 (청구항 2, 단락 [0018], 단락 [0023])Japanese Patent Application Laid-Open No. 11-186712 (Claim 2, paragraph [0018], paragraph [0023]) 일본 공개특허공보 2000-176678호 (청구항 1, 3, 단락 [0010])Japanese Patent Application Laid-Open No. 2000-176678 (claims 1 and 3, paragraph [0010]) 일본 공개특허공보 2002-254195호 (청구항 1 ∼ 5, 단락 [0011] ∼ 단락 [0013])Japanese Patent Application Laid-Open No. 2002-254195 (claims 1 to 5, paragraph [0011] to paragraph [0013]) 일본 공개특허공보 2003-154485호 (청구항 1, 단락 [0009])Japanese Laid-Open Patent Publication No. 2003-154485 (Claim 1, Paragraph [0009]) 일본 특허공보 제3782743호 (청구항 1 ∼ 4, 단락 [0005])Japanese Patent Publication No. 3782743 (Claims 1 to 4, paragraph [0005])

상기 종래의 특허문헌 1 ∼ 6 에서는, 모두 납이나 금 등을 함유하지 않는 저융점의 금속 분말과, 고융점을 갖는 금속 분말을 혼합하여 얻어진 땜납 분말을 사용하고 있지만, 이와 같이 융점이나 조성 등이 상이한 2 또는 그 이상의 분말끼리를 혼합하여 얻어지는 땜납 분말에서는, 분말의 섞임 정도에 불균일함이 생기기 쉽다. 불균일함이 생기면, 리플로우시에 부분적인 용융 편차나 조성 어긋남이 발생하고, 이로 인해 접합 부위에 있어서 충분한 강도가 얻어지지 않는다는 문제가 생긴다.In the above-mentioned conventional Patent Documents 1 to 6, all of the solder powder obtained by mixing the metal powder having a low melting point and the metal powder having a high melting point, which do not contain lead or gold, is used. In the solder powder obtained by mixing two or more different powders, the degree of mixing of the powders tends to be uneven. If unevenness occurs, a partial melting deviation or a compositional deviation occurs at the time of reflow, and there arises a problem that sufficient strength can not be obtained at the joint portion.

본 발명의 목적은, 리플로우 후 재용융 및 접합 강도의 저하가 잘 일어나지 않고, 특히 고온 분위기에 노출되는 전자 부품 등의 실장에 바람직한 땜납 분말 및 이 분말을 사용한 땜납용 페이스트를 제공하는 것에 있다.It is an object of the present invention to provide a solder powder which is suitable for mounting electronic parts or the like which does not cause a reduction in re-melting and bonding strength after reflow and is particularly exposed to a high-temperature atmosphere, and a solder paste using the powder.

본 발명의 제 1 관점은, 도 1 에 나타내는 바와 같이, 중심핵 (11) 과 중심핵 (11) 을 피복하는 피복층 (12) 으로 구성되고, 중심핵 (11) 이 은 및 은과 주석의 금속간 화합물로 이루어지고, 피복층 (12) 이 주석으로 이루어지는 땜납 분말 (10) 에 있어서, 땜납 분말 (10) 의 평균 입경이 30 ㎛ 이하이고, 땜납 분말 (10) 의 전체량 100 질량% 에 대해 은의 함유 비율이 10 질량% 를 초과하고 70 질량% 이하인 것을 특징으로 한다.A first aspect of the present invention is to provide a core layer 11 made of a core layer 11 and a coating layer 12 covering the core core 11 and having a core 11 made of silver and an intermetallic compound of silver and tin And the cover layer 12 is made of tin, the average particle diameter of the solder powder 10 is 30 占 퐉 or less and the content ratio of silver to the total amount of the solder powder 10 is 100 mass% Is 10% by mass or more and 70% by mass or less.

본 발명의 제 2 관점은, 제 1 관점에 기초하는 발명으로서, 추가로 은과 주석의 금속간 화합물이 Ag3Sn 및/또는 Ag4Sn 인 것을 특징으로 한다.A second aspect of the present invention is the invention based on the first aspect, further characterized in that the intermetallic compound of silver and tin is Ag 3 Sn and / or Ag 4 Sn.

본 발명의 제 3 관점은, 제 1 또는 제 2 관점의 땜납 분말과 땜납용 플럭스를 혼합하여 페이스트화함으로써 얻어진 땜납용 페이스트이다.A third aspect of the present invention is a solder paste obtained by mixing a solder powder of the first or second aspect with a flux for solder to make a paste.

본 발명의 제 4 관점은, 추가로, 제 3 관점의 땜납용 페이스트를 사용하여 전자 부품을 실장하는 방법인 것을 특징으로 한다.The fourth aspect of the present invention is further characterized in that the electronic component is mounted by using the solder paste of the third aspect.

본 발명의 제 1, 2 관점의 땜납 분말은, 중심핵과 중심핵을 피복하는 피복층으로 구성되고, 중심핵이 은 및 은과 주석의 금속간 화합물로 이루어지고, 피복층이 주석으로 이루어지는 땜납 분말에 있어서, 땜납 분말의 평균 입경이 30 ㎛ 이하이고, 땜납 분말의 전체량 100 질량% 에 대해 은의 함유 비율이 10 질량% 를 초과하고 70 질량% 이하이다. 이와 같이, 본 발명의 땜납 분말에서는, 분말 표면이 융점이 낮은 주석으로 구성됨으로써 리플로우시의 용융성 등이 우수한 한편, 리플로우 후에는, 상기 소정의 비율로 함유되는 은의 존재로 인해, 또 이미 존재하는 금속간 화합물로 인해, 융점이 높은 금속간 화합물을 형성한다. 예를 들어, ε 상 (Ag3Sn) 의 융점은 480 ℃, ζ 상 (Ag4Sn) 의 융점은 724 ℃ 로 매우 높기 때문에, 응고 개시 온도가 300 ∼ 640 ℃ 정도까지 상승함으로써 재용융이 일어나기 어렵다. 이 때문에, 본 발명의 땜납 분말은, 특히 고온 분위기에 노출되는 전자 부품 등의 실장에 사용되는 고온 땜납으로서 바람직하게 사용할 수 있다. 또, 분말을 구성하는 하나의 금속 입자 내에 있어서 은과 주석이 함유되기 때문에, 리플로우시의 용융 편차나 조성 어긋남에 의한 접합 강도의 저하를 방지할 수 있다.The solder powder of the first and second aspects of the present invention is a solder powder composed of a coating layer covering the core and the core, the core being made of silver and an intermetallic compound of silver and tin, and the covering layer being made of tin, The average particle size of the powder is 30 占 퐉 or less and the content of silver is 10% by mass or more and 70% by mass or less based on 100% by mass of the total amount of the solder powder. As described above, in the solder powder of the present invention, since the surface of the powder is composed of tin having a low melting point, the melting property at the time of reflowing is excellent. On the other hand, after reflow, due to the presence of silver contained in the above- Due to the presence of the intermetallic compound, an intermetallic compound having a high melting point is formed. For example, since the melting point of the ε phase (Ag 3 Sn) is 480 ° C. and the melting point of the ζ phase (Ag 4 Sn) is as high as 724 ° C., the coagulation starting temperature rises to about 300 to 640 ° C. it's difficult. For this reason, the solder powder of the present invention can be preferably used as a high-temperature solder used for mounting electronic components and the like exposed to a high-temperature atmosphere. In addition, since silver and tin are contained in one metal particle constituting the powder, it is possible to prevent a decrease in the joining strength due to a melting deviation and a composition shift at the time of reflow.

본 발명의 제 3 관점의 땜납용 페이스트는, 상기 본 발명의 땜납 분말을 사용하여 얻어진다. 그 때문에, 이 땜납용 페이스트는, 리플로우시의 용융이 빠르고 용융성이 우수한 한편, 리플로우 후에는, 용융되는 땜납 분말이 융점이 높은 금속간 화합물을 형성하여 내열성이 상승하기 때문에, 열에 의한 재용융이 일어나기 어렵다. 이 때문에, 본 발명의 땜납용 페이스트는, 특히 고온 분위기에 노출되는 전자 부품 등의 실장에 바람직하게 사용할 수 있다.The solder paste of the third aspect of the present invention is obtained by using the solder powder of the present invention. For this reason, the solder paste has a high melting property at the time of reflow and is excellent in melting property. On the other hand, after reflow, the solder powder to be melted forms an intermetallic compound having a high melting point, Melting is difficult to occur. For this reason, the solder paste of the present invention can be suitably used for mounting electronic parts or the like which are particularly exposed to a high-temperature atmosphere.

본 발명의 제 4 관점의 전자 부품을 실장하는 방법에서는, 상기 본 발명의 땜납용 페이스트를 사용하기 때문에, 리플로우시에는 땜납용 페이스트의 빠른 용융, 우수한 용융성에 의해, 간편하게 또한 높은 정밀도로 실장할 수 있음과 함께, 실장 후에 있어서 높은 내열성을 부여할 수 있다.In the method of mounting the electronic component according to the fourth aspect of the present invention, since the above-described solder paste of the present invention is used, the solder paste can be easily and highly precisely mounted And it is possible to impart high heat resistance after mounting.

도 1 은, 본 발명 실시형태의 땜납 분말의 단면 구조의 일례를 모식적으로 나타낸 도면이다.BRIEF DESCRIPTION OF DRAWINGS FIG. 1 is a diagram schematically showing an example of a cross-sectional structure of a solder powder according to an embodiment of the present invention. FIG.

다음으로 본 발명을 실시하기 위한 형태를 도면에 기초하여 설명한다.BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION Next, embodiments for carrying out the present invention will be described with reference to the drawings.

본 발명의 땜납 분말은, 도 1 에 나타내는 바와 같이, 중심핵 (11) 과 중심핵 (11) 을 피복하는 피복층 (12) 으로 구성되고, 중심핵 (11) 이 은 및 은과 주석의 금속간 화합물로 이루어지고, 피복층 (12) 이 주석으로 이루어지는 땜납 분말이다. 본 발명의 땜납 분말은, 이와 같이, 은 및 은과 주석의 금속간 화합물로 이루어지는 중심핵이, 융점이 낮은 주석으로 이루어지는 피복층으로 피복된 구조로 되어 있기 때문에 리플로우시의 용융성이 우수하다. 또, 상기 종래의 땜납 분말과 같이 융점 등이 상이한 2 이상의 금속 분말을 혼합한 분말이 아니라, 분말을 구성하는 하나의 금속 입자 내에 있어서 은과 주석이 함유되기 때문에, 리플로우시의 용융 편차나 조성 어긋남이 잘 일어나지 않고, 높은 접합 강도가 얻어진다. 또한, 중심핵의 일부가 리플로우 전에 이미 은과 주석의 금속간 화합물을 형성하고 있기 때문에, 예를 들어 은으로 이루어지는 중심핵을 주석으로 피복한 구조의 분말에 비해, 리플로우시의 용융 확산성이 양호하고, 땜납 범프 형성시의 조성 제어가 용이하며, 젖음성이 우수하다.As shown in Fig. 1, the solder powder of the present invention is composed of a core 12 and a coating layer 12 covering the core 11. The core 11 is made of silver and an intermetallic compound of silver and tin And the coating layer 12 is made of tin. The solder powder of the present invention is excellent in the melting property at the time of reflow since the core composed of silver and an intermetallic compound of silver and tin is covered with a coating layer composed of tin having a low melting point. Further, since silver and tin are contained in one metal particle constituting the powder instead of a powder obtained by mixing two or more metal powders different in melting point or the like as the conventional solder powder described above, The displacement does not occur well and a high bonding strength is obtained. In addition, since a part of the core nucleus forms an intermetallic compound of silver and tin before reflow, compared with a powder having a structure in which the core made of silver is coated with tin, the melting diffusion property upon reflow is good The composition control at the time of forming the solder bumps is easy, and the wettability is excellent.

그리고, 본 발명의 땜납 분말 (10) 은 평균 입경이 30 ㎛ 이하이다. 땜납 분말의 평균 입경을 30 ㎛ 이하로 한정한 것은, 30 ㎛ 를 초과하면 범프를 형성하는 경우에 있어서 범프의 코플래너리티가 저하된다는 문제를 발생시키고, 또 패턴 표면을 땜납으로 코트하는 경우에 도포 불균일이 생겨, 패턴 전체면을 균일하게 코트할 수 없다는 문제를 발생시키기 때문이다. 또한, 1 ㎛ 미만이 되면 비표면적이 높아지고, 분말의 표면 산화층의 영향에 의해 땜납의 용융성이 저하되는 경향이 보이기 때문에, 땜납 분말의 평균 입경은 1 ∼ 30 ㎛ 의 범위로 하는 것이 바람직하고, 3 ∼ 20 ㎛ 의 범위로 하는 것이 특히 바람직하다. 또한, 본 명세서에 있어서, 분말의 평균 입경이란, 레이저 회절 산란법을 사용한 입도 분포 측정 장치 (호리바 제작소사 제조, 레이저 회절/산란식 입자경 분포 측정 장치 LA-950) 로 측정한 체적 누적 중위경 (Median 직경, D50) 을 말한다.The solder powder 10 of the present invention has an average particle diameter of 30 mu m or less. The reason why the mean particle size of the solder powder is limited to 30 mu m or less is that when the thickness exceeds 30 mu m, the coplanarity of the bump is lowered when the bump is formed, and when the pattern surface is coated with solder, This is because unevenness occurs and a problem arises that the entire surface of the pattern can not be uniformly coated. When the average particle size is less than 1 mu m, the specific surface area increases and the melting property of the solder decreases due to the influence of the surface oxide layer of the powder. Therefore, the average particle diameter of the solder powder is preferably in the range of 1 to 30 mu m, And particularly preferably in the range of 3 to 20 mu m. In the present specification, the average particle diameter of the powder refers to the volume cumulative median diameter (measured by a laser diffraction / scattering type particle size distribution measuring apparatus LA-950 manufactured by Horiba Ltd.) using a laser diffraction scattering method Median diameter, D 50 ).

또, 본 발명의 땜납 분말 (10) 은, 분말의 전체량 100 질량% 에 대해 은의 함유 비율이 10 질량% 를 초과하고 70 질량% 이하이다. 종래의 땜납 분말에서는 Sn-Pb 계 공정 땜납 (조성비 Sn : Pb = 63 : 37 질량%) 의 대체로서 사용되기 때문에, 융점이 가깝고 공정 조성이 요구된다는 이유에서 은의 비율을 1.0 ∼ 3.5 질량% 정도로 비교적 적게 함유시켰다. 한편, 본 발명의 땜납 분말에서는, 은의 비율을 비교적 많은 편인 상기 범위로 함유시킴으로써, 리플로우 후에 300 ∼ 640 ℃ 정도의 높은 응고 개시 온도를 갖는 Sn-Ag 합금을 형성한다. 또한, 은의 함유 비율이 적더라도 리플로우 후에는 주석보다 응고 개시 온도가 높은 Sn-Ag 합금을 형성하는데, 은을 보다 많이 함유시킴으로써 응고 개시 온도가 더욱 상승하는 것은, 합금 중에 높은 융점을 갖는 금속간 화합물의 비율이 높아진다는 이유 때문이다. 이로써, 이 땜납 분말을 함유하는 땜납용 페이스트의 리플로우에 의해 형성되는 땜납 범프에서는, 내열성이 대폭 향상되고, 재용융 및 접합 강도의 저하를 방지할 수 있다. 이 때문에, 특히 고온 분위기에 노출되는 전자 부품 등의 실장에 사용되는 고온 땜납으로서 바람직하게 사용할 수 있다. 은의 함유 비율이 하한치 미만에서는 응고 개시 온도가 낮아지는 점에서, 리플로우 후에 형성되는 땜납 범프에 있어서 충분한 내열성이 얻어지지 않고, 고온 분위기에서의 사용시에 재용융이 일어나 고온 땜납으로서 사용할 수 없다. 한편, 상한치를 초과하면 응고 개시 온도가 지나치게 높아져 땜납이 충분히 용융되지 않기 때문에, 접합 불량이 발생한다는 문제가 생긴다. 이 중, 분말의 전체량 100 질량% 에서 차지하는 은의 함유 비율은 10 ∼ 70 질량% 로 하는 것이 바람직하다.The solder powder (10) of the present invention has a silver content of more than 10 mass% and not more than 70 mass% with respect to the total amount of 100 mass% of the powder. Since the conventional solder powder is used as a substitute for a Sn-Pb process solder (composition ratio Sn: Pb = 63: 37 mass%), the ratio of silver is 1.0 to 3.5 mass% Less. On the other hand, in the solder powder of the present invention, Sn-Ag alloy having a high solidification starting temperature of about 300 to 640 ° C after reflow is formed by containing silver in the above-mentioned range in a relatively large proportion. Further, even when the content of silver is small, an Sn-Ag alloy having a higher coagulation starting temperature than tin is formed after reflow, and the coagulation starting temperature is further increased by containing silver in a larger amount. The ratio of the compound is increased. As a result, in the solder bumps formed by reflowing the solder paste containing the solder powder, the heat resistance is greatly improved, and the reduction of the re-melting and the bonding strength can be prevented. Therefore, it can be preferably used as a high-temperature solder used for mounting electronic components or the like exposed to a high temperature atmosphere. When the content of silver is less than the lower limit, the coagulation starting temperature is lowered, so that sufficient heat resistance can not be obtained in the solder bumps formed after reflow, and re-melting occurs during use in a high temperature atmosphere and can not be used as high temperature solder. On the other hand, if the upper limit is exceeded, the solidification starting temperature becomes too high, and the solder does not sufficiently melt, resulting in a problem that bonding failure occurs. Among them, the content of silver in the total amount of 100 mass% of the powder is preferably 10 to 70 mass%.

또, 땜납 분말 중의 주석의 함유 비율은, 즉 분말 중의 상기 은 이외의 잔부가, 땜납 분말의 전체량 100 질량% 에 대해 30 ∼ 90 질량%, 바람직하게는 50 ∼ 90 질량% 이다. 주석의 함유 비율이 하한치 미만에서는, 리플로우시에 있어서 땜납 분말에 필요하게 되는 저융점을 나타내지 않기 때문이다. 또, 상한치를 초과하면, 결과적으로 은의 함유 비율이 적어져, 리플로우 후에 형성되는 땜납 범프의 내열성이 저하된다.The content of tin in the solder powder, that is, the remaining amount of the silver in the powder is 30 to 90% by mass, preferably 50 to 90% by mass based on 100% by mass of the total amount of the solder powder. If the content of tin is less than the lower limit, the low melting point required for the solder powder at reflow is not exhibited. On the other hand, if the upper limit is exceeded, the content ratio of silver is reduced, and the heat resistance of the solder bumps formed after reflow is lowered.

중심핵의 일부를 구성하는 은과 주석의 금속간 화합물로는 Ag3Sn 및/또는 Ag4Sn 을 들 수 있다.The intermetallic compounds of silver and tin that form part of the core include Ag 3 Sn and / or Ag 4 Sn.

계속해서, 상기 본 발명의 땜납 분말을 제조하는 방법에 대해 설명한다. 먼저, 용매에, 중심핵, 피복층을 구성하는 금속 원소를 함유하는 화합물, 즉 은을 함유하는 화합물 및 주석을 함유하는 화합물과, 분산제를 각각 첨가하여 혼합함으로써 용해액을 조제한다. 용해액 중에 있어서의 주석을 함유하는 화합물, 은을 함유하는 화합물의 비율은, 땜납 분말 제조 후에 각 금속 원소의 함유 비율이 상기 범위가 되도록 조정한다.Next, a method for producing the solder powder of the present invention will be described. First, a solution containing a compound containing a metal element constituting the core and a coating layer, that is, a compound containing silver and a compound containing tin, and a dispersant are added to the solvent and mixed to prepare a dissolution liquid. The proportion of the tin-containing compound and silver-containing compound in the solution is adjusted such that the content ratio of each metal element is in the above range after the solder powder is produced.

또, 상기 용해액에는, 상기 은을 함유하는 화합물 대신에 은 분말을 사용하여, 이 은 분말과 분산제를 용매에 첨가 혼합하여 은 분말의 분산액을 조제하고, 이것에 상기 주석을 함유하는 화합물을 직접 첨가 혼합하여 용해시켜 얻어지는, 은 분말이 분산되는 용해액을 사용할 수도 있다. 이 경우에 사용되는 은 분말, 주석을 함유하는 화합물의 비율은, 땜납 분말 제조 후에 각 금속 원소의 함유 비율이 상기 범위가 되도록 조정한다.In addition, for the above-mentioned dissolution solution, the silver powder and the dispersant are added to and mixed with a solvent by using silver powder instead of the silver-containing compound to prepare a silver powder dispersion, and the above tin- And a dissolving solution in which silver powder is dispersed may be used. The proportion of the silver powder and the tin-containing compound used in this case is adjusted so that the content ratio of each metal element is in the above range after the solder powder is produced.

용해액의 조제에 사용되는 은 화합물로는, 황산은 (Ⅰ), 염화은 (Ⅰ) 또는 질산은 (Ⅰ) 등을 들 수 있고, 주석 화합물로는, 염화주석 (Ⅱ), 황산주석 (Ⅱ), 아세트산주석 (Ⅱ), 옥살산주석 (Ⅱ) 등을 들 수 있다. 한편, 은 화합물 대신에 사용되는 은 분말로는, 평균 입경이 0.1 ∼ 2.0 ㎛ 이고, 환원 반응에 의한 화학적 수법으로 얻어진 은 분말 외에, 아토마이즈법과 같은 물리적 수법에 의해 얻어진 은 분말도 사용 가능하다. 이 중, 은을 함유하는 화합물, 주석을 함유하는 화합물이 용해되는 용해액을 사용하는 경우에는, 모두 질산염의 질산은 (Ⅰ), 질산주석 (Ⅱ) 를 사용하는 것이 특히 바람직하다.Examples of the silver compounds used for preparing the dissolving solution include silver (I) sulfate, silver chloride (I) and silver nitrate (I), and the tin compounds include tin chloride (II), tin sulfate Tin acetate (II), tin oxalate (II), and the like. On the other hand, as the silver powder to be used in place of the silver compound, a silver powder obtained by a physical method such as an atomization method can be used in addition to the silver powder obtained by a chemical method by an average particle diameter of 0.1 to 2.0 탆. Among them, when a solution containing a silver or a solution containing a tin-containing compound is used, it is particularly preferable to use silver (I) nitrate nitrate or tin (II) nitrate.

용매로는, 물, 알코올, 에테르, 케톤, 에스테르 등을 들 수 있다. 또, 분산제로는, 셀룰로오스계, 비닐계, 다가 알코올 등을 들 수 있고, 그 외에 젤라틴, 카세인 등을 사용할 수 있다. 조제한 용해액은 pH 조정한다. pH 는 생성된 땜납 분말의 재용해 등을 고려하여 0 ∼ 2.0 의 범위로 조정하는 것이 바람직하다. 또한, 용매에 상기 금속 화합물을 각각 첨가하여 용해시킨 후, 착화제를 첨가하여 각 금속 원소를 착물화한 후에 분산제를 첨가해도 된다. 착화제를 첨가함으로써 pH 가 알칼리측에서도 금속 이온이 침전되지 않고 넓은 범위에서의 합성이 가능해진다. 착화제로는, 숙신산, 타르타르산, 글리콜산, 락트산, 프탈산, 말산, 시트르산, 옥살산, 에틸렌디아민사아세트산, 이미노이아세트산, 니트릴로삼아세트산 또는 그 염 등을 들 수 있다.Examples of the solvent include water, alcohol, ether, ketone, ester and the like. Examples of the dispersing agent include cellulose-based, vinyl-based, polyhydric alcohol, and gelatin and casein. The pH of the prepared solution is adjusted. The pH is preferably adjusted in the range of 0 to 2.0 in consideration of redissolution of the resulting solder powder. Alternatively, a dispersant may be added after complexing each metal element by adding a complexing agent after adding and dissolving the metal compound in a solvent, respectively. The addition of the complexing agent makes it possible to synthesize the metal ion in a wide range without precipitating the metal ion even on the alkali side. Examples of the complexing agent include succinic acid, tartaric acid, glycolic acid, lactic acid, phthalic acid, malic acid, citric acid, oxalic acid, ethylenediamine acetic acid, iminoacetic acid and nitrilo triacetic acid or salts thereof.

다음으로, 환원제를 용해시킨 수용액을 조제하고, 이 수용액의 pH 를 상기 조제한 용해액과 동일한 정도로 조정한다. 환원제로는, 테트라하이드로붕산나트륨, 디메틸아민보란 등의 붕소수소화물, 하이드라진 등의 질소 화합물, 3 가의 티탄 이온이나 2 가의 크롬 이온 등의 금속 이온 등을 들 수 있다.Next, an aqueous solution in which a reducing agent is dissolved is prepared, and the pH of the aqueous solution is adjusted to the same level as the solution prepared above. Examples of the reducing agent include boron hydrides such as sodium tetrahydroborate and dimethylamine borane, nitrogen compounds such as hydrazine, and metal ions such as trivalent titanium ions and divalent chromium ions.

다음으로, 상기 용해액에 환원제 수용액을 첨가하여 혼합함으로써, 용해액 중의 각 금속 이온이 환원되어 액 중에 금속 분말이 분산된 분산액이 얻어진다. 이 환원 반응에서는, 상기 은을 함유하는 화합물, 주석을 함유하는 화합물이 용해되는 용해액을 사용한 경우에는, 먼저 주석보다 노블한 은이 환원되고, 마지막으로 주석이 환원된다. 이로써, 은으로 이루어지는 중심핵과 이 중심핵을 피복하는 주석으로 이루어지는 피복층으로 구성된, 평균 입경 30 ㎛ 이하의 금속 분말이 형성된다. 용해액과 환원제 수용액을 혼합하는 방법으로는, 용기 내의 용해액에 소정의 첨가 속도로 환원제 수용액을 적하하고 스터러 등으로 교반하는 방법이나, 소정의 직경을 갖는 반응 튜브를 사용하여 이 반응 튜브 내에 양 액을 소정의 유량으로 흘려 넣어 혼합시키는 방법 등을 들 수 있다.Next, by adding a reducing agent aqueous solution to the solution and mixing the solutions, each metal ion in the solution is reduced to obtain a dispersion in which the metal powder is dispersed in the solution. In this reduction reaction, when a solution containing a silver-containing compound or a solution containing a tin-containing compound is used, noble silver is first reduced to tin, and finally tin is reduced. Thereby, a metal powder having an average particle diameter of 30 mu m or less and consisting of a core composed of silver and a coating layer composed of tin covering the core is formed. As a method of mixing the dissolving solution and the aqueous solution of the reducing agent, there may be mentioned a method in which a reducing agent aqueous solution is added dropwise to the solution in the vessel at a predetermined addition rate and stirred with a stirrer or the like, And a method in which both liquids are poured at a predetermined flow rate and mixed.

이어서, 이 분산액을 데칸테이션 등에 의해 고액 분리하고, 회수한 고형분을 물 또는 pH 를 0.5 ∼ 2 로 조정한 염산 수용액, 질산 수용액, 황산 수용액, 혹은 메탄올, 에탄올, 아세톤 등으로 세정한다. 세정 후에는 다시 고액 분리하여 고형분을 회수한다. 세정부터 고액 분리까지의 공정을 바람직하게는 2 ∼ 5 회 반복한다.Then, the dispersion is subjected to solid-liquid separation by decantation or the like, and the recovered solid component is washed with an aqueous hydrochloric acid solution, an aqueous nitric acid solution, an aqueous sulfuric acid solution, or a methanol, ethanol, acetone or the like with water or a pH adjusted to 0.5 to 2. After washing, the solid content is recovered by solid-liquid separation again. The process from washing to solid-liquid separation is preferably repeated 2 to 5 times.

다음으로, 회수한 고형분에 비점이 100 ℃ 이상인 고비점 용매를 첨가하여 분산시키고, 불활성 가스 분위기하 소정의 온도에서 가열한다. 이 가열 처리를 실시함으로써, 상기 환원 반응에 의해 형성된 금속 분말의 은으로 이루어지는 중심핵, 중심핵을 피복하는 주석으로 이루어지는 피복층의 일부가 반응하여, 그 일부가 은과 주석의 금속간 화합물로 이루어지는 중심핵이 형성된다.Then, a high boiling point solvent having a boiling point of 100 ° C or higher is added to the recovered solid content and dispersed, and heated at a predetermined temperature in an inert gas atmosphere. By performing this heat treatment, a part of the coating layer made of silver and the coating of tin covering the core of the metal powder formed by the reduction reaction reacts to form a core part composed of an intermetallic compound of silver and tin do.

사용되는 고비점 용매로는 에틸렌글리콜, 디에틸렌글리콜, 트리에틸렌글리콜, 폴리에틸렌글리콜, 피마자유 등을 들 수 있다.Examples of the high-boiling solvent to be used include ethylene glycol, diethylene glycol, triethylene glycol, polyethylene glycol, castor oil and the like.

상기 가열 처리는 100 ∼ 130 ℃ 의 온도에서 20 분간 ∼ 1 시간 실시하는 것이 바람직하다. 처리 온도 또는 유지 시간이 하한치 미만에서는, 중심핵에 금속간 화합물이 형성되지 않는 경우가 있다. 또, 처리 온도가 상한치를 초과하면, 피복층의 주석이 산화되어 용융성이 저하되는 문제가 생긴다. 또한, 유지 시간을 상한치 이상으로 해도 그 효과는 변하지 않는다. 이 중 115 ∼ 125 ℃ 의 온도에서 30 ∼ 40 분간 실시하는 것이 특히 바람직하다.The heat treatment is preferably performed at a temperature of 100 to 130 DEG C for 20 minutes to 1 hour. When the treatment temperature or the holding time is less than the lower limit, an intermetallic compound may not be formed in the core. When the treatment temperature exceeds the upper limit value, tin in the coating layer is oxidized to lower the melting property. Even if the holding time exceeds the upper limit value, the effect does not change. It is particularly preferable to carry out the reaction at a temperature of 115 to 125 ° C for 30 to 40 minutes.

가열 후에는 다시 상기 세정부터 고액 분리까지의 공정을 바람직하게는 2 ∼ 5 회 반복한 후, 회수한 고형분을 진공 건조시킴으로써 본 발명의 땜납 분말을 얻을 수 있다.After the heating, the step from washing to solid-liquid separation is repeated preferably 2 to 5 times, and the recovered solid content is vacuum-dried to obtain the solder powder of the present invention.

이상의 공정에 의해 본 발명의 땜납 분말을 얻을 수 있다. 이 땜납 분말은, 땜납용 플럭스와 혼합하여 페이스트화하여 얻어지는 땜납용 페이스트의 재료로서 바람직하게 사용된다. 땜납용 페이스트의 조제는, 땜납 분말과 땜납용 플럭스를 소정의 비율로 혼합하여 페이스트화함으로써 실시된다. 땜납용 페이스트의 조제에 사용되는 땜납용 플럭스는 특별히 한정되지 않지만, 용제, 로진, 틱소트로피제 및 활성제 등의 각 성분을 혼합하여 조제된 플럭스를 사용할 수 있다.The solder powder of the present invention can be obtained by the above process. The solder powder is preferably used as a material for a solder paste obtained by mixing with a solder flux to make a paste. The preparation of the solder paste is carried out by mixing the solder powder and the solder flux at a predetermined ratio to form a paste. The flux for solder used for preparing the solder paste is not particularly limited, but a flux prepared by mixing each component such as solvent, rosin, thixotropic agent and activator can be used.

상기 땜납용 플럭스의 조제에 바람직한 용제로는, 디에틸렌글리콜모노헥실에테르, 디에틸렌글리콜모노부틸에테르, 디에틸렌글리콜모노부틸에테르아세테이트, 테트라에틸렌글리콜, 2-에틸-1,3-헥산디올, α-테르피네올 등의 비점이 180 ℃ 이상인 유기 용제를 들 수 있다. 또, 로진으로는, 검 로진, 수첨 로진, 중합 로진, 에스테르 로진 등을 들 수 있다.Preferred solvents for preparing the flux for solder include diethylene glycol monohexyl ether, diethylene glycol monobutyl ether, diethylene glycol monobutyl ether acetate, tetraethylene glycol, 2-ethyl-1,3-hexanediol, - terpineol, etc., having a boiling point of 180 ° C or higher. Examples of the rosin include gum rosin, hydrogenated rosin, polymerized rosin, and ester rosin.

또, 틱소트로피제로는, 경화 피마자유, 지방산 아마이드, 천연 유지, 합성 유지, N,N'-에틸렌비스-12-하이드록시스테아릴아미드, 12-하이드록시스테아르산, 1,2,3,4-디벤질리덴-D-소르비톨 및 그 유도체 등을 들 수 있다.Examples of thixotropic agents include hardened castor oil, fatty acid amide, natural fat, synthetic fat, N, N'-ethylene bis-12-hydroxystearyl amide, 12-hydroxystearic acid, -Dibenzylidene-D-sorbitol and derivatives thereof.

또, 활성제로는 할로겐화수소산아민염이 바람직하고, 구체적으로는 트리에탄올아민, 디페닐구아니딘, 에탄올아민, 부틸아민, 아미노프로판올, 폴리옥시에틸렌올레일아민, 폴리옥시에틸렌라우레르아민, 폴리옥시에틸렌스테아릴아민, 디에틸아민, 트리에틸아민, 메톡시프로필아민, 디메틸아미노프로필아민, 디부틸아미노프로필아민, 에틸헥실아민, 에톡시프로필아민, 에틸헥실옥시프로필아민, 비스프로필아민, 이소프로필아민, 디이소프로필아민, 피페리딘, 2,6-디메틸피페리딘, 아닐린, 메틸아민, 에틸아민, 3-아미노-1-프로펜, 디메틸헥실아민, 시클로헥실아민 등의 아민의 염화수소산염 또는 브롬화수소산염을 들 수 있다.As the activator, a hydrohalogenated amine salt is preferable, and specific examples thereof include triethanolamine, diphenylguanidine, ethanolamine, butylamine, aminopropanol, polyoxyethylene oleylamine, polyoxyethylene laurylamine, polyoxyethylene stearate Examples of the amines include allyl amine, diethylamine, triethylamine, methoxypropylamine, dimethylaminopropylamine, dibutylaminopropylamine, ethylhexylamine, ethoxypropylamine, ethylhexyloxypropylamine, bispropylamine, isopropylamine, There may be mentioned a hydrochloride or bromide of an amine such as diisopropylamine, piperidine, 2,6-dimethylpiperidine, aniline, methylamine, ethylamine, 3-amino-1-propene, dimethylhexylamine, cyclohexylamine, Hydrobromide.

땜납용 플럭스는 상기 각 성분을 소정의 비율로 혼합함으로써 얻어진다. 플럭스 전체량 100 질량% 중에서 차지하는 용제의 비율은 30 ∼ 60 질량%, 틱소트로피제의 비율은 1 ∼ 10 질량%, 활성제의 비율은 0.1 ∼ 10 질량% 로 하는 것이 바람직하다. 용제의 비율이 하한치 미만에서는 플럭스의 점도가 지나치게 높아지기 때문에, 이것을 사용한 땜납용 페이스트의 점도도 따라 높아지고, 땜납의 충전성 저하나 도포 불균일이 다발하는 등, 인쇄성이 저하되는 문제를 발생시키는 경우가 있다. 한편, 상한치를 초과하면 플럭스의 점도가 지나치게 낮아지기 때문에, 이것을 사용한 땜납용 페이스트의 점도도 따라 낮아지는 점에서, 땜납 분말과 플럭스 성분이 침강 분리되는 문제를 발생시키는 경우가 있다. 또, 틱소트로피제의 비율이 하한치 미만에서는 땜납용 페이스트의 점도가 지나치게 낮아지기 때문에, 땜납 분말과 플럭스 성분이 침강 분리된다는 문제를 발생시키는 경우가 있다. 한편, 상한치를 초과하면 땜납용 페이스트의 점도가 지나치게 높아지기 때문에, 땜납 충전성이나 도포 불균일 등의 인쇄성 저하라는 문제를 발생시키는 경우가 있다. 또, 활성제의 비율이 하한치 미만에서는 땜납 분말이 용융되지 않아, 충분한 접합 강도가 얻어지지 않는다는 문제를 발생시키는 경우가 있고, 한편 상한치를 초과하면 보관 중에 활성제가 땜납 분말과 반응하기 쉬워지기 때문에, 땜납용 페이스트의 보존 안정성이 저하된다는 문제를 발생시키는 경우가 있다. 이 외, 땜납용 플럭스에는 점도 안정제를 첨가해도 된다. 점도 안정제로는, 용제에 용해 가능한 폴리페놀류, 인산계 화합물, 황계 화합물, 토코페놀, 토코페놀의 유도체, 아르코르빈산, 아르코르빈산의 유도체 등을 들 수 있다. 점도 안정제는 지나치게 많으면 땜납 분말의 용융성이 저하되는 등의 문제가 발생하는 경우가 있기 때문에 10 질량% 이하로 하는 것이 바람직하다.The flux for solder is obtained by mixing the respective components at a predetermined ratio. It is preferable that the ratio of the solvent to the total flux of 100 mass% is 30 to 60 mass%, the ratio of the thixotropic agent is 1 to 10 mass%, and the ratio of the activator is 0.1 to 10 mass%. If the ratio of the solvent is less than the lower limit, the viscosity of the flux becomes excessively high. Therefore, the viscosity of the solder paste using the solder becomes too high, and the problem of lowering the filling property of the solder, have. On the other hand, if the upper limit value is exceeded, the viscosity of the flux becomes too low, and the viscosity of the solder paste using the solder paste is also lowered, so that the solder powder and the flux component may be separated by sedimentation. If the ratio of the thixotropic agent is less than the lower limit, the viscosity of the solder paste becomes excessively low, which may cause a problem that the solder powder and the flux component are separated by sedimentation. On the other hand, if the upper limit is exceeded, the viscosity of the solder paste becomes excessively high, which may cause problems such as poor solderability and non-uniformity in printing properties. If the proportion of the activator is less than the lower limit value, the solder powder is not melted and a sufficient bonding strength can not be obtained. On the other hand, if the ratio exceeds the upper limit, the activator tends to react with the solder powder during storage. There arises a problem that the storage stability of the paste for use is lowered. In addition, a viscosity stabilizer may be added to the solder flux. Examples of the viscosity stabilizer include polyphenols, phosphoric acid compounds, sulfur compounds, tocophenol, derivatives of tocopherol, arconvic acid and derivatives of arconvic acid, which are soluble in solvents. If the amount of the viscosity stabilizer is too large, there is a case that the meltability of the solder powder is lowered, and the like. Therefore, the viscosity stabilizer is preferably 10 mass% or less.

땜납용 페이스트를 조제할 때의 땜납용 플럭스의 혼합량은, 조제 후의 페이스트 100 질량% 중에서 차지하는 그 플럭스의 비율이 5 ∼ 30 질량% 가 되는 양으로 하는 것이 바람직하다. 하한치 미만에서는 플럭스 부족으로 인해 페이스트화가 곤란해지고, 한편 상한치를 초과하면 페이스트 중의 플럭스의 함유 비율이 지나치게 많아 금속의 함유 비율이 적어져 버려, 땜납 용융시에 원하는 사이즈의 땜납 범프를 얻는 것이 곤란해지기 때문이다.The mixing amount of the solder flux when preparing the solder paste is preferably such that the ratio of the flux occupying in 100 mass% of the paste after preparation is 5 to 30 mass%. When the content is less than the lower limit, it becomes difficult to form a paste due to the lack of flux. On the other hand, if the content exceeds the upper limit, the content of the flux in the paste becomes too large to contain a small proportion of the metal and it becomes difficult to obtain a solder bump of a desired size at the time of melting the solder Because.

이 땜납용 페이스트는, 상기 본 발명의 땜납 분말을 재료로 하고 있기 때문에, 리플로우시의 용융이 빠르고 용융성이 우수한 한편, 리플로우 후에는, 용융되는 땜납 분말이 융점이 높은 금속간 화합물을 형성하여 내열성이 상승하기 때문에, 열에 의한 재용융이 일어나기 어렵다. 이 때문에, 본 발명의 땜납용 페이스트는, 특히 고온 분위기에 노출되는 전자 부품 등의 실장에 바람직하게 사용할 수 있다.Since the solder paste of the present invention is made of the solder powder of the present invention as described above, the solder paste is excellent in fast melting property and excellent in melting property on reflowing. On the other hand, after reflowing, the solder powder to be melted forms an intermetallic compound having a high melting point So that the re-melting due to heat is unlikely to occur. For this reason, the solder paste of the present invention can be suitably used for mounting electronic parts or the like which are particularly exposed to a high-temperature atmosphere.

실시예Example

다음으로 본 발명의 실시예를 비교예와 함께 상세히 설명한다.EXAMPLES Next, examples of the present invention will be described in detail with reference to comparative examples.

<실시예 1>≪ Example 1 >

먼저, 물 50 ㎖ 에 황산은 (Ⅰ) 을 1.74 × 10-3 ㏖, 황산주석 (Ⅱ) 를 2.56 × 10-2 ㏖ 첨가하고, 스터러를 사용하여 회전 속도 300 rpm 으로 5 분간 교반하여 용해액을 조제하였다. 이 용해액을 황산으로 pH 를 0.5 로 조정한 후, 분산제로서 폴리비닐알코올 500 (평균 분자량이 500 인 폴리비닐알코올) 을 0.5 g 첨가하고, 다시 회전 속도 300 rpm 으로 10 분간 교반하였다. 이어서, 이 용해액에 pH 를 0.5 로 조정한 1.58 ㏖/ℓ 의 2 가 크롬 이온 수용액 50 ㎖ 를 첨가 속도 50 ㎖/sec 로 첨가하고, 회전 속도 500 rpm 으로 10 분간 교반하여 각 금속 이온을 환원시켜, 액 중에 금속 분말이 분산되는 분산액을 얻었다. 이 분산액을 60 분간 정치 (靜置) 하여 생성된 금속 분말을 침강시킨 후, 상청액을 버리고 여기에 물 100 ㎖ 를 첨가하여 회전 속도 300 rpm 으로 10 분간 교반하는 조작을 4 회 반복하여 세정을 실시하였다. 그 후, 에틸렌글리콜 100 ㎖ 를 첨가하여 분산시키고, 회전 속도 300 rpm 으로 교반하면서 120 ℃ 에서 30 분 가열을 실시하였다. 가열 후, 다시 분산액을 60 분간 정치하여 가열된 금속 분말을 침강시킨 후, 상청액을 버리고 여기에 물 100 ㎖ 를 첨가하여 회전 속도 300 rpm 으로 10 분간 교반하는 조작을 4 회 반복하여 세정을 실시하였다. 마지막으로 이것을 진공 건조기로 건조시킴으로써, Ag 및 금속간 화합물 Ag3Sn, Ag4Sn 을 중심핵, Sn 을 피복층으로 하는 땜납 분말을 얻었다.First, 1.74 × 10 -3 mol of sulfuric acid was added to 50 mL of water, and 2.56 × 10 -2 mol of tin (II) sulfate was added. The mixture was stirred for 5 minutes at a rotation speed of 300 rpm using a stirrer to obtain a solution Was prepared. After the pH of the solution was adjusted to 0.5 with sulfuric acid, 0.5 g of polyvinyl alcohol 500 (polyvinyl alcohol having an average molecular weight of 500) as a dispersant was added, and the mixture was further stirred at a rotation speed of 300 rpm for 10 minutes. Subsequently, 50 ml of a 1.58 mol / l aqueous solution of divalent chromium ion adjusted to pH 0.5 was added to this solution at an addition rate of 50 ml / sec and stirred at a rotation speed of 500 rpm for 10 minutes to reduce each metal ion To obtain a dispersion liquid in which the metal powder was dispersed in the liquid. The dispersion was allowed to stand for 60 minutes to precipitate the resulting metal powder. The supernatant was discarded, 100 ml of water was added thereto, and the operation of stirring at a rotation speed of 300 rpm for 10 minutes was repeated four times to perform cleaning . Thereafter, 100 ml of ethylene glycol was added and dispersed, and the mixture was heated at 120 DEG C for 30 minutes while stirring at a rotation speed of 300 rpm. After heating, the dispersion was again allowed to stand for 60 minutes to precipitate the heated metal powder. The supernatant was discarded, and 100 ml of water was added thereto. The operation of stirring for 10 minutes at a rotation speed of 300 rpm was repeated four times to perform cleaning. Finally, this was dried with a vacuum drier to obtain a solder powder containing Ag and intermetallic compounds Ag 3 Sn, Ag 4 Sn as a core and Sn as a coating layer.

<실시예 2 ∼ 7, 비교예 1, 2>≪ Examples 2 to 7, Comparative Examples 1 and 2 >

이하의 표 1 에 나타내는 바와 같이, 황산은 (Ⅰ) 의 첨가량을 조정함으로써, 땜납 분말 100 질량% 중에 함유되는 은의 비율을 변경한 것, 땜납 분말의 평균 입경을 소정의 입경으로 제어한 것 이외에는, 실시예 1 과 동일하게 하여 땜납 분말을 얻었다.As shown in the following Table 1, except that the ratio of silver contained in 100 mass% of the solder powder was changed by adjusting the addition amount of the sulfuric acid (I) and that the average particle diameter of the solder powder was controlled to a predetermined particle diameter, A solder powder was obtained in the same manner as in Example 1.

<비교 시험 및 평가><Comparative Test and Evaluation>

실시예 1 ∼ 7 및 비교예 1, 2 에서 얻어진 땜납 분말에 대해, 다음에 서술하는 방법에 의해, 분말을 구성하는 금속 입자의 구조, 분말의 평균 입경, 조성의 분석 또는 측정을 실시하였다. 또, 이들 땜납 분말을 사용하여 땜납 페이스트를 각각 조제하고, 접합 강도를 평가하였다. 이들의 결과를 이하의 표 1 에 나타낸다.For the solder powder obtained in Examples 1 to 7 and Comparative Examples 1 and 2, the structure of the metal particles constituting the powder, the average particle diameter of the powder and the composition thereof were analyzed or measured by the method described below. These solder powders were used to prepare solder pastes, respectively, and the bonding strength was evaluated. The results are shown in Table 1 below.

(1) 구조 분석 : 분말 X 선 회절 장치 (리가쿠사 제조 : RINT Ultima+/PC) 로 구조 분석을 실시하였다.(1) Structural analysis: Structural analysis was performed with a powder X-ray diffractometer (Rigaku Corporation: RINT Ultima + / PC).

(2) 평균 입경 : 레이저 회절 산란법을 사용한 입도 분포 측정 장치 (호리바 제작소사 제조, 레이저 회절/산란식 입자경 분포 측정 장치 LA-950) 로 입경 분포를 측정하고, 그 체적 누적 중위경 (Median 직경, D50) 을 땜납 분말의 평균 입경으로 하였다.(2) Average Particle Diameter: The particle size distribution was measured with a particle size distribution measuring apparatus (laser diffraction / scattering type particle size distribution measuring apparatus, LA-950 manufactured by Horiba Ltd.) using the laser diffraction scattering method. The volume cumulative median diameter , D 50 ) was defined as the average particle diameter of the solder powder.

(3) 조성 : 유도 결합 플라즈마 발광 분광 분석 (시마즈 제작소사 제조 ICP 발광 분석 장치 : ICPS-7510) 에 의해 금속 원소 함유량을 측정하였다.(3) Composition: The metal element content was measured by inductively coupled plasma emission spectrochemical analysis (ICP emission spectrometer: ICPS-7510 manufactured by Shimadzu Corporation).

(4) 접합 강도 : 용제로서 50 질량% 의 디에틸렌글리콜모노헥실에테르와, 로진으로서 46 질량% 의 중합 로진 (연화점 95 ℃) 과, 활성제로서 시클로헥실아민브롬화수소산염 1.0 질량% 와, 틱소트로피제로서 경화 피마자유 3.0 질량% 를 혼합하여 플럭스를 조제하였다. 다음으로, 이 플럭스와 실시예 1 ∼ 7 및 비교예 1 ∼ 2 에서 얻어진 땜납 분말을, 플럭스를 88 질량%, 땜납 분말을 12 질량% 의 비율로 혼합하여 땜납 페이스트를 각각 조제하였다.(4) Bond strength: 50% by mass of diethylene glycol monohexyl ether as a solvent, 46% by mass of a polymerization rosin (softening point: 95 占 폚) as a rosin, 1.0% by mass of cyclohexylamine hydrobromide as an activator, 3.0% by mass of hardened castor oil was mixed to prepare a flux. Next, the flux and solder powder obtained in Examples 1 to 7 and Comparative Examples 1 and 2 were mixed at a ratio of flux of 88 mass% and solder powder of 12 mass%, respectively, to prepare solder paste.

상기 조제한 페이스트를 핀 전사법으로 선단부 직경 100 ㎛ 의 핀을 사용하여 0.5 ㎜ 두께의 코바르 (Fe-Ni-Co 계 합금) 기판의 소정 위치에 전사하였다. 또한, 코바르 기판 상에는 Ni 도금, 추가로 그 위에 Au 플래시 도금을 실시하였다. 계속해서, 전사된 페이스트 상에 0.9 ㎜ × 0.9 ㎜ 의 LED 칩을 탑재하였다. 또한, 리플로우로 (SIKAMA 사 제조 Falcon8500) 에서 질소 분위기 중, 소정의 최대 유지 온도로 리플로우하여, LED 칩과 코바르 기판을 접합시킴으로써 접합 샘플을 얻었다. 또한, 상기 리플로우시의 최대 유지 온도를 250 ℃, 300 ℃, 350 ℃ 의 상이한 온도로 설정하여, 비교예 1 을 제외하고 실시예 또는 비교예마다 각각 3 개씩 접합 샘플을 얻었다.The prepared paste was transferred to a predetermined position of a 0.5 mm thick Kovar (Fe-Ni-Co-based alloy) substrate using a pin having a diameter of the front end of 100 mu m by a pin transfer method. On the Kobar substrate, Ni plating and Au flash plating were further performed thereon. Subsequently, 0.9 mm 0.9 mm LED chips were mounted on the transferred paste. In addition, a bonded sample was obtained by reflowing at a predetermined maximum holding temperature in a nitrogen atmosphere in reflow furnace (Falcon 8500 manufactured by SIKAMA), and joining the LED chip and the COBAR substrate. The maximum holding temperature at the time of reflow was set at a different temperature of 250 ° C, 300 ° C and 350 ° C, respectively, and three bonded samples were obtained for each of Examples and Comparative Examples except for Comparative Example 1.

상기 접합된 코바르 기판 및 LED 칩과의 접합 강도에 대해, JIS Z 3198-7 에 기재되어 있는 납프리 땜납 시험 방법-제7부의 「칩 부품에 있어서의 땜납 접합의 전단 강도 측정 방법」에 준거하여 실온 및 250 ℃ 의 조건하에서 접합 전단 강도를 각각 측정하고, 실온에 있어서의 전단 강도를 100 으로 하였을 때의 250 ℃ 에서의 상대적 전단 강도를 구하였다. 표 중, 「우수」는 상대적 전단 강도가 95 이상이었던 경우를 나타내고, 「양호」는 95 미만 내지 80 이상이었던 경우를 나타내고, 「가능」은 80 미만 내지 60 이상이었던 경우를 나타내고, 「불가능」은 60 미만이었던 경우를 나타낸다.The bonding strength between the bonded Kovar substrate and the LED chip was measured according to the method of measuring the shear strength of the solder joint in the chip component of the lead-free solder test method described in JIS Z 3198-7 Shear strength at room temperature and 250 ° C were measured respectively and the relative shear strength at 250 ° C when the shear strength at room temperature was 100 was determined. In the table, &quot; Excellent &quot; indicates a case where the relative shear strength was 95 or more, &quot; Good &quot; indicates a case where the value was less than 95 or more than 80, 60 &lt; / RTI &gt;

Figure pat00001
Figure pat00001

표 1 로부터 분명한 바와 같이, 실시예 1 ∼ 7 과 비교예 1, 2 를 비교하면, 은의 함유 비율이 10 질량% 에 못 미친 비교예 1 에서는, 응고 개시 온도가 지나치게 낮아졌기 때문에 땜납이 재용융되고, 상대적 전단 강도가 낮아진 점에서 접합 강도에 대한 평가의 판정이 모두 「불가능」이 되었다. 한편, 은의 함유 비율이 70 질량% 를 초과하는 비교예 2 에서는, 응고 개시 온도가 지나치게 높아졌기 때문에 리플로우시에 땜납 분말이 용융되지 않아, 충분한 접합이 얻어지지 않은 점에서 접합 전단 강도를 측정하지 못하여 접합 강도에 대한 평가의 판정이 모두 「불가능」이 되었다. 이에 반해, 실시예 1 ∼ 7 에서는, 은의 함유 비율이 증가하는 것에 수반하여 상대적 전단 강도가 향상되고, 고온 분위기에 있어서의 접합 강도에 대한 평가의 판정이 모두 「가능」이상으로 양호한 결과가 얻어졌다.As is apparent from Table 1, in Examples 1 to 7 and Comparative Examples 1 and 2, in Comparative Example 1 in which the content of silver was less than 10 mass%, the solidification starting temperature was too low, so that the solder remelted , And the evaluation of the evaluation of the bonding strength was all "impossible" in that the relative shear strength was lowered. On the other hand, in Comparative Example 2 in which the content of silver was more than 70% by mass, since the coagulation start temperature was too high, the solder powder did not melt at the time of reflow and sufficient bonding could not be obtained, All of the evaluations of the evaluation of the bonding strength became &quot; impossible &quot;. On the other hand, in Examples 1 to 7, the relative shear strength was improved with the increase of the content of silver, and all the evaluations of the evaluation of bond strength in a high-temperature atmosphere were both "possible" .

본 발명은, 전자 부품의 실장, 특히 고온 분위기에 노출되는 전자 부품의 실장에 바람직하게 이용할 수 있다.INDUSTRIAL APPLICABILITY The present invention can be suitably used for the mounting of electronic parts, particularly for mounting electronic parts exposed to a high temperature atmosphere.

10 : 땜납 분말
11 : 중심핵
12 : 피복층
10: solder powder
11: Core
12:

Claims (4)

중심핵과 상기 중심핵을 피복하는 피복층으로 구성되고, 상기 중심핵이 은 및 은과 주석의 금속간 화합물로 이루어지고, 상기 피복층이 주석으로 이루어지는 땜납 분말에 있어서,
상기 땜납 분말의 평균 입경이 30 ㎛ 이하이고,
상기 땜납 분말의 전체량 100 질량% 에 대해 은의 함유 비율이 10 질량% 를 초과하고 70 질량% 이하인 것을 특징으로 하는 땜납 분말.
A solder powder comprising a core and a coating layer covering the core, wherein the core is made of silver and an intermetallic compound of silver and tin, and the coating layer is tin,
Wherein the solder powder has an average particle diameter of 30 mu m or less,
Wherein a content of silver is more than 10 mass% and not more than 70 mass% with respect to 100 mass% of the total amount of the solder powder.
제 1 항에 있어서,
상기 은과 주석의 금속간 화합물이 Ag3Sn 및/또는 Ag4Sn 인 땜납 분말.
The method according to claim 1,
Wherein the intermetallic compound of silver and tin is Ag 3 Sn and / or Ag 4 Sn.
제 1 항 또는 제 2 항에 기재된 땜납 분말과 땜납용 플럭스를 혼합하여 페이스트화함으로써 얻어진 땜납용 페이스트.A solder paste obtained by mixing the solder powder according to claim 1 or 2 with a flux for solder to obtain a paste. 제 3 항에 기재된 땜납용 페이스트를 사용하여 전자 부품을 실장하는 방법.
A method for mounting an electronic component using the solder paste according to claim 3.
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