KR20140114251A

KR20140114251A - Led스트링의 led쇼트 또는 led스트링 사이의 매칭성을 검측하는 방법 및 시스템

Info

Publication number: KR20140114251A
Application number: KR1020130068253A
Authority: KR
Inventors: 나이롱 왕; 관오우 양; 유웬 왕
Original assignee: 다이얼로그 세미컨덕터 인크.; 아이와트 인티그레이티드 서킷츠 테크놀로지 (텐진) 리미티드
Priority date: 2013-03-18
Filing date: 2013-06-14
Publication date: 2014-09-26
Also published as: US10545195B2; CN104062532B; US20140266217A1; TW201437652A; US20170307695A1; US9733314B2; CN104062532A

Abstract

본 발명은 복수개의 LED스트링에서 LED쇼트를 검측하거나 또는 복수개의 LED스트링 사이의 매칭성을 검측하는 시스템을 제공하며, 그 중 복수개의 LED스트링의 일단은 동일한 전원 출력단에 연결되고 타단은 대응하는 스위치에 각각 연결된다. 본 발명에 의하면, 우선, 전원 출력단의 제1 전압 출력 시, 각 LED스트링의 제1 전류를 획득한다. 다음, 각 LED스트링의 제1 전류 중 최소전류와 다른 전류간의 차이값을 각각 연산한다. 이어, 상기 차이값과 하나의 비교값을 비교한다. 마지막으로, 상기 비교값보다 큰 차이값을 갖는 다른 전류에 대응하는 LED스트링을 LED쇼트가 있거나 또는 최소전류에 대응하는 LED스트링과 매칭되지 않는 것으로 결정한다. 본 발명에 따르면, 제어칩 핀의 수 및 면적을 감소시킬 수 있다.

Description

LED스트링의 LED쇼트 또는 LED스트링 사이의 매칭성을 검측하는 방법 및 시스템{Method and System of detecting match characteristic between LED strings or LED short of LED strings}

본 발명의 실시방식은 LED구동분야에 속하는 것으로서, 구체적으로 복수개의 LED스트링에서 LED쇼트를 검측하거나 또는 복수개의 LED스트링 사이에 매칭성을 검측하는 방법 및 시스템에 관한 것이다.

발광 다이오드(Light Emitting Diode: LED)는 여러 가지 환경, 예를 들면 건축 조명, 자동차 전조등 및 브레이크등, PC와 HDTV를 포함하는 액정 디스플레이 장치의 백라이트 및 플래시 등에 광범위하게 사용된다. 백열등 및 형광등 같은 통상의 광원과 비교할 경우 LED는 효율이 높고, 방향성이 우수하며, 색채 안정성이 우수하고, 신뢰성이 높으며, 수명이 길고, 체적이 작고 또한 환경 안전 등 현저한 장점을 구비한다.

일반적으로, 복수개의 LED를 하나의 LED스트링으로 연결하며, 또한 아주 많은 환경, 예를 들면 PC 및 HDTV를 포함하는 액정 디스플레이 장치의 백라이트, 및 플래시에서는 복수개의 LED스트링을 병렬 연결하여 사용한다.

LED의 사용 과정에서 각 LED스트링에 상응하는 LED는 쇼트가 발생할 수 있다.

따라서, LED스트링 중 LED의 쇼트를 빠른 시간에 정확히 간편하게 검측 가능하도록 하는 것이 아주 간절히 원하는 이슈가 되고 있다.

도1은 종래기술에 따른 LED쇼트를 검측하는 예시도이다. 간단한 예시를 위하여 한 개의 LED스트링(101)만 도시하였다. 상기 종래기술에 있어서, LED스트링(101)의 온 또는 오프를 제어하는 스위치(102)인 MOSFET의 드레인 전압을 직접 검측하여, 이를 한 개의 비교값과 비교한다. 만약 드레인 전압이 비교값보다 높으면 LED스트링(101)에 LED쇼트가 발생한 것을 나타내고, 만약 드레인 전압이 비교값보다 낮으면 LED스트링(101)에 LED쇼트가 발생하지 않았음을 나타낸다.

그러나, MOSFET드레인은 고압 핀이기 때문에 경우에 따라 전압이 100V에 도달할 수도 있다. 따라서, 제어칩(103) 상에 LED스트링의 LED쇼트를 검측하기 위한 유닛을 집적하며, 이는 칩의 면적을 현저히 확대시킨다. 또한, 복수개의 LED스트링이 존재하고, 각각의 LED스트링에 대해 그 LED쇼트 여부를 검측해야 하므로, MOSFET 드레인 전압에 대한 검측에 대응하는 LED스트링에 LED쇼트가 존재하는지 여부를 검측할 경우, 제어칩(103)의 핀 수를 증가시키게 된다.

한편, LED사이의 제조 상 차이로 인해, 동일한 전류에 대한 LED스트링 사이의 전압 강하도 상당히 크게 차이난다. 즉, 동일한 전원 출력에 대하여 LED스트링 사이의 전류는 상당히 크게 차이가 날 수 있다. 이는 LED스트링에 LED쇼트가 존재하는지 여부를 검측함에 있어서, 오류를 발생시킬 수 있으며, 따라서 바람직하게는 LED스트링을 구체적인 환경에 사용하기 전에 각 LED스트링에 대해 매칭성 검측을 진행하여야 하며, 서로 매칭되는 것들, 즉 서로 전압 강하의 차이가 비교값보다 작은 LED스트링들을 동일한 환경에 사용하여야 한다.

본 발명은 복수개의 LED스트링에서 LED쇼트를 검측하거나 또는 복수개의 LED스트링 사이에 매칭성을 검측하는 방법 및 시스템을 제공하는 것을 목적으로 하며, 상기와 같은 종래기술에 존재하는 문제들을 해결할 수 있다.

본 발명의 일 측면에 따라 복수개의 LED스트링에서 LED쇼트를 검측하거나 또는 복수개의 LED스트링 사이의 매칭성을 검측하는 시스템을 제공하며, 그 중 복수개의 LED스트링의 일단은 동일한 전원 출력단에 연결되고 타단은 대응하는 스위치에 각각 연결되며, 상기 시스템은, 전원 출력단의 제1 전압 출력 시, 각 LED스트링의 제1 전류를 획득하는 복수개의 제1 전류 획득유닛; 각 LED 스트링의 제1 전류 중 최소전류와 다른 전류간의 차이값을 각각 연산하는 연산유닛; 상기 차이값과 하나의 비교값을 비교하는 비교유닛; 및 상기 비교값보다 큰 상기 차이값을 갖는 다른 전류에 대응하는 LED스트링을 LED쇼트가 있거나 또는 최소전류에 대응하는 LED스트링과 매칭되지 않는 것으로 결정하는 결정유닛;을 포함한다.

본 발명의 다른 측면에 따라 복수개의 LED스트링에서 LED쇼트를 검측하거나 또는 복수개의 LED스트링 사이의 매칭성을 검측하는 시스템을 제공하며, 그 중 복수개의 LED스트링의 일단은 동일한 전원 출력단에 연결되고 타단은 대응하는 스위치에 각각 연결되며, 상기 시스템은, 전원 출력단의 제1 전압 출력 시, 각 LED스트링의 제1 전류를 획득하는 복수개의 제1 전류 획득유닛; 상기 전원 출력단이 제2 전압을 출력하도록 변경하는 변경유닛; 전원 출력단의 제2 전압 출력 시, 각 LED스트링의 제2 전류를 획득하는 복수개의 제2 전류 획득유닛; 획득한 각 LED스트링의 제1 전류와 제2 전류에 의하여 각 LED스트링에 LED쇼트가 있는지 여부 또는 각 LED 스트링이 매칭되는지 여부를 결정하는 결정유닛;을 포함한다.

본 발명의 다른 측면에 따라 복수개의 LED스트링에서 LED쇼트를 검측하거나 또는 복수개의 LED스트링 사이의 매칭성을 검측하는 방법을 제공하며, 그 중 복수개의 LED스트링의 일단은 동일한 전원 출력단에 연결되고 타단은 대응하는 스위치에 각각 연결되며, 상기 방법은, 전원 출력단의 제1 전압 출력 시, 각 LED스트링의 제1 전류를 획득하는 단계; 각 LED스트링의 제1 전류 중 최소전류와 다른 전류간의 차이값을 각각 연산하는 단계; 상기 차이값과 하나의 비교값을 비교하는 단계; 및 상기 비교값보다 큰 상기 차이값을 갖는 다른 전류에 대응하는 LED스트링을 LED쇼트가 있거나 또는 최소전류에 대응하는 LED스트링과 매칭되지 않는 것으로 결정하는 단계;를 포함한다.

본 발명의 또 다른 측면에 따라 복수개의 LED스트링에서 LED쇼트를 검측하거나 또는 복수개의 LED스트링 사이에 매칭성을 검측하는 방법을 제공하며, 그 중 복수개의 LED스트링의 일단은 동일한 전원 출력단에 연결되고 타단은 대응하는 스위치에 각각 연결되며, 상기 방법은, 전원 출력단의 제1 전압 출력 시, 각 LED스트링의 제1 전류를 획득하는 단계; 상기 전원 출력단이 제2 전압을 출력하도록 변경하는 단계; 전원 출력단의 제2 전압 출력 시, 각 LED스트링의 제2 전류를 획득하는 단계; 획득한 각 LED스트링의 제1 전류와 제2 전류에 의하여 각 LED스트링에 LED쇼트가 있는지 여부 또는 각 LED스트링이 매칭되는지 여부를 결정하는 단계;를 포함한다.

본 발명의 또 다른 측면에 따라 복수개의 LED스트링에서 LED쇼트를 검측하거나 또는 복수개의 LED스트링 사이의 매칭성을 검측하는 시스템을 제공하며, 그 중 복수개의 LED스트링의 일단은 동일한 전원 출력단에 연결되고 타단은 대응하는 스위치에 각각 연결되며, 상기 시스템은, 각 LED스트링에서 모두 동일한 전류가 얻어질 경우, 대응하는 스위치의 제어단의 제1 전압을 획득하는 복수개의 제1 전압 획득유닛; 대응하는 스위치의 제어단의 제1 전압 중 최대전압과 다른 전압간의 차이값을 각각 연산하는 연산유닛; 상기 차이값과 하나의 비교값을 비교하는 비교유닛; 및 상기 비교값보다 큰 상기 차이값을 갖는 다른 전압에 대응하는 LED스트링을 LED쇼트가 있거나 또는 최대전압에 대응하는 LED스트링과 매칭되지 않는 것으로 결정하는 결정유닛;을 포함한다.

본 발명의 또 다른 측면에 따라 복수개의 LED스트링에서 LED쇼트를 검측하거나 또는 복수개의 LED스트링 사이의 매칭성을 검측하는 시스템을 제공하며, 그 중 복수개의 LED스트링의 일단은 동일한 전원 출력단에 연결되고 타단은 대응하는 스위치에 각각 연결되며, 상기 시스템은, 각 LED스트링에서 모두 동일한 전류가 얻어지고 또한 전원 출력단이 제1 전압을 출력할 경우, 대응하는 스위치의 제어단의 제1 전압을 획득하는 복수개의 제1 전압 획득유닛; 상기 전원 출력단이 제2 전압을 출력하도록 변경하는 변경유닛; 상기 전원 출력단이 제2 전압을 출력할 경우, 대응하는 스위치의 제어단의 제2 전압을 획득하는 복수개의 제2 전압 획득유닛; 및 획득된 대응하는 스위치의 제어단의 제1 전압과 제2 전압에 의하여 각 LED스트링에 LED쇼트가 있는지 여부 또는 각 LED스트링이 매칭되는지 여부를 결정하는 결정유닛;을 포함한다.

본 발명의 또 다른 측면에 따라 복수개의 LED스트링에서 LED쇼트를 검측하거나 또는 복수개의 LED스트링 사이의 매칭성을 검측하는 방법을 제공하며, 그 중 복수개의 LED스트링의 일단은 동일한 전원 출력단에 연결되고 타단은 대응하는 스위치에 각각 연결되며, 상기 방법은, 각 LED스트링에서 모두 동일한 전류가 얻어질 경우, 대응하는 스위치의 제어단의 제1 전압을 획득하는 단계; 대응하는 스위치의 제어단의 제1 전압 중 최대전압과 다른 전압간의 차이값을 각각 연산하는 단계; 상기 차이값과 하나의 비교값을 비교하는 단계; 및 상기 비교값보다 큰 상기 차이값을 갖는 다른 전압에 대응하는 LED스트링을 LED쇼트가 있거나 또는 최대전압에 대응하는 LED스트링과 매칭되지 않는 것으로 결정하는 단계;를 포함한다.

본 발명의 또 다른 측면에 따라 복수개의 LED스트링에서 LED쇼트를 검측하거나 또는 복수개의 LED스트링 사이의 매칭성을 검측하는 방법을 제공하며, 그 중 복수개의 LED스트링의 일단은 동일한 전원 출력단에 연결되고 타단은 대응하는 스위치에 각각 연결되며, 상기 방법은, 각 LED스트링에서 모두 동일한 전류가 얻어지고, 또한 전원 출력단이 제1 전압을 출력할 경우, 대응하는 스위치의 제어단의 제1 전압을 획득하는 단계; 상기 전원 출력단이 제2 전압을 출력하도록 변경하는 단계; 상기 전원 출력단이 제2 전압을 출력할 경우, 대응하는 스위치의 제어단의 제2 전압을 획득하는 단계; 및 획득된 대응하는 스위치의 제어단의 제1 전압과 제2 전압에 의하여 각 LED스트링에 LED쇼트가 있는지 여부 또는 각 LED 스트링이 매칭되는지 여부를 결정하는 단계;를 포함한다.

본 발명에 따르면, 제어칩의 핀 수 및 면적을 감소시킬 수 있으며, 통상 고전압으로 나타나는 스위치 단자의 전압을 검측하지 않기 때문에 그 스위치 단자가 만약 LED스트링에 LED쇼트가 존재하는지 여부를 검측하기 위한 것이 아니라면 제어칩에 연결할 필요가 없게 된다.

여기서 설명하는 첨부 도면은 본 발명을 더욱 쉽게 이해하기 위한 것으로서, 본 출원의 일부분을 형성하며, 본 발명의 예시적 실시예 및 그 설명은 본 발명을 해석하기 위한 것으로서, 본 발명에 대해 부적절한 한정을 하는 것은 아니다. 첨부 도면에 있어서,
도 1은 종래기술에 따른 LED쇼트를 검측하는 예시도이다.
도 2는 본 발명을 그 중에 실시 가능한 예시 환경을 보인 예시도이다.
도 3은 본 발명의 일 실시방식에 따른 복수개의 LED스트링에서 LED쇼트를 검측하거나 또는 복수개의 LED스트링 사이의 매칭성을 검측하는 시스템을 나타낸 블록도이다.
도 4는 본 발명의 일 실시방식에 따른 제1 전류 획득유닛을 나타낸 예시도이다.
도 5는 본 발명의 다른 실시방식에 따른 복수개의 LED스트링에서 LED쇼트를 검측하거나 또는 복수개의 LED스트링 사이의 매칭성을 검측하는 시스템을 나타낸 블록도이다.
도 6은 본 발명의 일 실시방식에 따른 복수개의 LED스트링에서 LED쇼트를 검측하거나 또는 복수개의 LED스트링 사이의 매칭성을 검측하는 방법을 나타낸 흐름도이다.
도 7은 본 발명의 다른 실시방식에 따른 복수개의 LED스트링에서 LED쇼트를 검측하거나 또는 복수개의 LED스트링 사이의 매칭성을 검측하는 방법을 나타낸 흐름도이다.
도 8은 본 발명의 또 다른 실시방식에 따른 복수개의 LED스트링에서 LED쇼트를 검측하거나 또는 복수개의 LED스트링 사이의 매칭성을 검측하는 시스템을 나타낸 블록도이다.
도 9는 본 발명의 일 실시방식에 따른 전류 설정 유닛을 나타낸 예시도이다.
도 10은 본 발명의 또 다른 실시방식에 따른 복수개의 LED스트링에서 LED쇼트를 검측하거나 또는 복수개의 LED스트링 사이의 매칭성을 검측하는 시스템을 나타낸 블록도이다.
도 11은 본 발명의 일 실시방식에 따른 복수개의 LED스트링에서 LED쇼트를 검측하거나 또는 복수개의 LED스트링 사이의 매칭성을 검측하는 방법을 나타낸 흐름도이다.
도 12는 본 발명의 다른 실시방식에 따른 복수개의 LED스트링에서 LED쇼트를 검측하거나 또는 복수개의 LED스트링 사이의 매칭성을 검측하는 방법을 나타낸 흐름도이다.
모든 첨부 도면에서 동일한 도면부호는 같거나 유사한 특징 또는 기능을 표시한다.
　

주지할 것은 서로 충돌되지 않는 상황에서 본 출원의 실시예 및 실시예 중의 특징들은 상호 조합이 가능한 것이다. 이하 첨부 도면을 참조하면서 실시예들을 결합하여 본 발명을 상세히 설명한다.

도 2는 본 발명을 그 중에 실시 가능한 예시 환경을 보인 예시도이다. 이하 이에 대해 상세히 설명한다.

상기 환경(200)은 전원(243), LED스트링(242-1, 242-2 및 242-3), 스위치(241-1, 241-2 및 241-3) 및 저항기(R1, R2 및 R3)를 포함한다.

전원(243)은 예를 들어 BOOST컨버터로서, LED스트링(242-1, 242-2 및 242-3)의 일단에 연결되어 LED스트링(242-1, 242-2 및 242-3)에 출력전압을 제공한다. 본 발명의 실시방식에서 전원(243)의 출력전압은 변환 가능한 바, 즉 상승될 수도 있고 강하될 수도 있다.

물론 해당 기술분야의 당업자들에 있어서, 전원(243)은 BUCK컨버터 또는 BUCK-BOOST컨버터일 수도 있음은 이해 가능한 것이다.

LED스트링(242-1, 242-2 및 242-3)의 타단은 대응하는 스위치(241-1, 241-2 및 241-3)에 각각 연결된다. 스위치(241-1, 241-2 및 241-3)는 MOSFET일 수도 있고 양극성 트랜지스터일 수도 있다. 여기서는 통상적으로 스위치(241-1, 241-2 및 241-3)를 MOSFET라고 가정한다.

더 구체적으로, LED스트링(242-1, 242-2 및 242-3)의 타단은 스위치(241-1, 241-2 및 241-3)의 드레인에 각각 연결된다. 스위치(241-1, 241-2 및 241-3)의 소스는 각각 저항기(R1, R2 및 R3)를 통하여 접지된다.

스위치(241-1, 241-2 및 241-3)의 게이트에 제어신호(도2에 미도시)를 각각 인가하는 것을 통하여 스위치(241-1, 241-2 및 241-3)의 온 및 오프를 제어함으로써 LED스트링(242-1, 242-2 및 242-3)의 온 및 오프를 제어할 수 있다.

이하 설명을 간단하게 하기 위해 LED스트링(242-1, 242-2 및 242-3)의 LED 수량이 동일하다고 가정한다.

주지할 것은, 본 발명은 LED스트링의 수량이 세 개인 상황에 제한되지 않는다. 본 발명은 LED스트링의 수량이 세 개보다 많거나 또는 세 개보다 적을 때에도 적용되며, 예를 들어 두 개 또는 네 개, 다섯 개, 여섯 개 등의 상황에 적용될 수 있다.

도 3은 본 발명의 일 실시방식에 따른 도2에 도시한 세 개의 LED스트링에서 LED쇼트를 검측하거나 또는 도2에 도시한 세 개의 LED스트링 사이의 매칭성을 검측하는 시스템의 블록도를 도시하였다.

도 3에 도시한 바와 같이, 상기 시스템(300)은, 전원(243)이 제1 전압을 출력할 때, 각 LED스트링(242-1, 242-2 및 242-3)의 제1 전류를 각각 획득하는 세 개의 제1 전류 획득유닛(301-1, 301-2 및 301-3);

각 LED스트링(242-1, 242-2 및 242-3)의 제1 전류 중 최소전류와 다른 전류간의 차이값을 각각 연산하는 연산유닛(302);

차이값과 하나의 비교값을 비교하는 비교유닛(303); 및

상기 비교값보다 큰 차이값을 갖는 상기 다른 전류에 대응하는 LED스트링을 LED쇼트가 있거나 또는 최소전류에 대응하는 LED스트링과 매칭되지 않는 것으로 결정하는 결정유닛(304);을 포함한다.

그 중, 상기 비교값의 크기는 검측하고자 하는 쇼트된 LED의 수량과 대응되거나 또는 비매칭 표준과 대응된다. 예를 들면, 상기 비교값은 한 개의 LED쇼트, 두 개의 LED쇼트 또는 세 개의 LED쇼트를 검측하기 위한 것으로 설정할 수 있다. 만약 상기 비교값을 세 개의 LED쇼트를 검측하기 위한 것으로 설정한다면, 한 개 또는 두 개의 LED쇼트의 상황에 대해서는 쇼트가 발생하지 않은 것으로 간주된다.

예를 들면, LED스트링(242-1)의 제1 전류는 110밀리 암페어, LED스트링(242-2)의 제1 전류는 120밀리 암페어, LED스트링(242-3)의 제1 전류는 130밀리 암페어라고 가정한 경우를 살펴보자.

제1 전류 중 최소전류에 대응하는 LED스트링, 즉 LED스트링(242-1)은 쇼트가 발생하지 않은 것으로 할 수 있으며, 아울러 각 LED스트링의 매칭성을 검측하는 기준으로 채택한다. 각 LED의 대략적인 전압전류 특성을 알고 있는 상황에서, 또한 각 LED스트링의 LED수량, 전원의 출력전압 등을 알고 있는 상황에서 상기 비교값을 설정할 수 있다. 예를 들면, 통상적으로 상기 비교값을 15밀리 암페어라고 한다.

이로 인하여, LED스트링(242-1)과 LED스트링(242-2)의 제1 전류간의 차이값은 10밀리 암페어로서 비교값 15밀리 암페어보다 작고, 따라서 LED스트링(242-2)의 LED에 쇼트가 발생하지 않은 것으로 판단하며, 아울러 LED스트링(242-1)과 LED스트링(242-2)은 매칭되는 것으로 판단한다. 반면 LED스트링(242-1)과 LED스트링(242-3)의 제1 전류간의 차이값은 20밀리 암페어로서 비교값 15밀리 암페어보다 크고, 따라서 LED스트링(242-3)의 LED에 쇼트가 발생한 것으로 판단하며, 아울러 LED스트링(242-1)과 LED스트링(242-3)은 매칭되지 않는 것으로 판단한다.

제1 전류 획득유닛(301-1, 301-2 및 301-3)은 대응하는 MOSFET의 게이트에 동일하거나 또는 거의 동일한 바이어스 전압이 인가되도록 하여 각 LED스트링의 제1 전류를 획득한다.

본 발명의 일 실시방식에 따르면, 각 LED스트링의 제1 전류를 획득하는 과정에서 상기 바이어스 전압은 변하지 않으며, 예를 들때 항상 5V를 유지하고, 상기 바이어스 전압 하에 대응하는 MOSFET는 완전히 온 되며, 또한 그 드레인과 소스간의 임피던스 값은 아주 낮아진다.

상기 실시방식에 있어서, 제1 전류 획득유닛(301-1, 301-2 및 301-3)은 MOSFET의 소스 전압을 샘플링함으로써 각 LED스트링의 제1 전류를 획득한다.

또한, 본 발명의 일 실시방식에 따르면, 시스템(300)은 A/D 컨버터(도3에 미도시)를 더 포함하여 상기 샘플링된 전압을 A/D 변환할 수 있다.

상기 샘플링된 전압이 비교적 작기 때문에(예를 들면 0-1V) 정확한 전류를 제공하기 위하여 상기 샘플링된 전압을 A/D 변환, 예를 들면 8비트로 전환하여 0-255밀리 암페어 중의 어느 한 값으로 대표할 수 있다.

본 발명의 일 실시예에 따르면, 각 LED스트링의 제1 전류를 획득하는 과정에서 상기 바이어스 전압은 제어를 통해 변화하며, 그 중 각 LED스트링의 전류를 설정을 통해 상기 바이어스 전압에 변화가 발생되며, 그 중 각 LED스트링의 제1 전류는 상기 바이어스 전압이 한 개의 바이어스 전압값 하에 있거나 또는 두 개의 바이어스 전압값 사이에 있는 것을 만족하도록 하는 설정 전류 중의 최대전류이다.

간단한 설명을 위해, 도 4는 상기와 같이 각 LED스트링의 제1 전류를 획득하는 과정에서 상기 바이어스 전압이 제어를 받아 변화하는 것을 실현하기 위한 제1 전류 획득유닛(301-1)을 도시하였다.

제1 전류 획득유닛(301-2 및 301-3)은 이와 구조적으로 유사하다.

구체적으로, 제1 전류 획득유닛(301-1)은, 반전 입력단이 스위치(241-1)의 게이트에 연결되고 비반전 입력단이 바이어스 전압값(예를 들면 4.5V)에 연결되는 제1 연산 증폭기(4122); 제1 연산 증폭기(4122)의 출력 제어를 받는 제1 전류 D/A 컨버터(4123); 및 비반전 입력단이 제1 전류 D/A 컨버터(4123)의 출력단에 연결되고 반전 입력단이 스위치(241-1)의 소스에 연결되며 출력단이 스위치(241-1)의 게이트에 연결되는 제2 연산 증폭기(4124);를 포함한다.

우선, 제1 전류 D/A 컨버터(4123)의 한 개의 값을 설정하는데, 그 중 LED스트링(242-1)의 전류와 상기 제1 전류 D/A 컨버터(4123)의 값은 대응하는 것이며, 제1 전류 D/A 컨버터(4123)의 출력을 설정하는 것은 LED스트링(242-1)의 전류를 설정하는 것에 대응되며, 또한 상기 값 하에 스위치(241-1)의 게이트 전압이 바이어스 전압값보다 큰지 여부를 판단한다(예를 들면, 제1 연산 증폭기(4122)를 이용하는데, 스위치(241-1)의 게이트 전압이 바이어스 전압값보다 큰 경우 제1 연산 증폭기(4122)는 0을 출력하고, 스위치(241-1)의 게이트 전압이 바이어스 전압값보다 작을 경우 제1 연산 증폭기(4122)는 1을 출력한다.). 만약 게이트 전압이 바이어스 전압값보다 크지 않으면, 제1 전류 D/A 컨버터(4123)의 출력값을 증가시키고(제1 전류 D/A 컨버터(4123)의 출력값을 증가시키면 스위치(241-1)의 게이트 전압이 증가 됨), 새로운 값 하에 스위치(241-1)의 게이트 전압이 바이어스 전압값보다 큰지 여부를 판단한다. 스위치(241-1)의 게이트 전압이 바이어스 전압값과 같거나 거의 같을 때까지 상기 과정을 계속 반복한다. 바이어스 전압이 한 개의 바이어스 전압값 하에 있도록 하는 설정전류 중의 최대전류를 취하여 각 LED스트링의 제1 전류로 한다.

또한, 비록 도 4에는 도시하지 않았으나, 해당 기술분야의 당업자들이 이해할 수 있는 것은, 제1 전류 획득유닛(301-1)은 또 다른 하나의 연산 증폭기를 포함할 수 있으며, 그 하나의 입력단은 스위치(241-1)의 게이트에 연결되고, 다른 하나의 입력단은 다른 하나의 바이어스 전압값, 예를 들면, 전술한 바이어스 전압값보다 약간 작은, 예를 들면 4V에 연결되며, 그 출력단은 상기 제1 전류 D/A 컨버터(4123)를 제어하여 제1 전류 D/A 컨버터(4123)의 출력을 설정한다. 이러한 실시방식에 있어서, 각 LED스트링의 제1 전류는 스위치의 게이트 바이어스 전압이 두 개의 바이어스 전압값 사이에 있는 것을 만족하도록 하는 설정전류 중의 최대전류이다.

주지 할 것은, 상기 실시방식은 오직 예시적으로 LED스트링(242-1)을 통과하는 전류를 획득할 수 있는 실시방식을 설명한 것일 뿐이며, 실제 응용에 있어서 이러한 기능 또는 효과를 실현 가능한 기타 실시방식은 모두 본 발명의 보호범위에 포함시켜야 한다.

비교값을 설정하지 못하는 상황에서, 예를 들면 각 LED의 대략적 전압전류 특성을 알지 못할 경우에, 상기 도 3을 결합하여 설명한 시스템(300)을 사용하여 복수개의 LED스트링의 LED쇼트를 검측하거나 또는 복수개의 LED스트링간의 매칭성을 검측할 수 없게 된다.

도 5는 본 발명의 일 실시방식에 따른 도 2에 도시한 세 개의 LED스트링에서 LED쇼트를 검측하거나 또는 도 2에 도시한 세 개의 LED스트링 사이의 매칭성을 검측하는 시스템의 블록도를 도시하였다. 상기 시스템(500)은 전술한 시스템(300)이 해결하지 못하는 문제를 해결할 수 있다.

도 5에 도시한 바와 같이, 상기 시스템(500)은, 전원(243)의 출력단이 제1 전압을 출력할 경우 각 LED스트링(242-1, 242-2 및 242-3)의 제1 전류를 획득하는 세 개의 제1 전류 획득유닛(501-1, 501-2 및 501-3); 상기 전원(243) 출력단이 제2 전압을 출력하도록 변경하는 변경유닛(502); 전원(243)의 출력단이 제2 전압을 출력할 경우 각 LED스트링(242-1, 242-2 및 242-3)의 제2 전류를 획득하는 세 개의 제2 전류 획득유닛(503-1, 503-2 및 503-3); 획득한 각 LED스트링(242-1, 242-2 및 242-3)의 제1 전류와 제2 전류에 의하여 각 LED스트링(242-1, 242-2 및 242-3)에 LED쇼트가 있는지 또는 각 LED스트링이 매칭되는지를 결정하는 결정유닛(504)을 포함한다.

제1 전류 획득유닛(501-1, 501-2 및 501-3)은 제2 전류 획득유닛(503-1, 503-2 및 503-3)과 동일할 수 있으며, 또한 전술한 제1 전류 획득유닛(301-1, 301-2 및 301-3)과 동일하다.

또한 주지 할 것은, 전술한 바와 같이 제1 전류를 획득하는 방법은 두 가지가 있으며, 따라서 제2 전류 획득 시 사용하는 방법과 제1 전류 획득 시 사용하는 방법은 바람직하게 대응되도록 한다.

상기 제2 전압은 상기 제1 전압보다 높을 수도 있고 상기 제1 전압보다 낮을 수도 있으며, 제2 전압과 제1 전압간의 차이값은 예를 들어 쇼트를 검측하고자 하는 LED의 수량 등과 관계 된다. 상기 제2 전압이 상기 제1 전압보다 높을 경우, 결정유닛(504)은 각 LED스트링의 제2 전류 중의 최소전류보다 큰 제1 전류를 구비하는 LED스트링을 LED쇼트가 있거나 또는 비매칭으로 결정한다.

예를 들면, 제1 전압이 60V일 경우 LED스트링(242-1)의 제1 전류는 100밀리 암페어, LED스트링(242-2)의 제1 전류는 120밀리 암페어, LED스트링(242-3)의 제1 전류는 150밀리 암페어이고, 제2 전압이 66V일 경우 LED스트링(242-1)의 제2 전류는 130밀리 암페어, LED스트링(242-2)의 제2 전류는 160밀리 암페어, LED스트링(242-3)의 제2 전류는 200밀리 암페어라고 가정한다. 이때 LED스트링(242-3)에 대해 LED쇼트가 있고 LED스트링(242-1 및 242-2)과 비매칭된다고 결정하게 되는데, 이는 보다 작은 제1 전압 하에서의 전류가 LED스트링(242-1)의 보다 큰 제2 전압 하에서의 전류보다도 크기 때문이며, 만약 LED에 쇼트가 발생하지 않았다면 이러한 상황은 기본적으로 불가능한 것이다.

마찬가지로, 상기 제2 전압이 상기 제1 전압보다 낮을 경우, 결정유닛(504)은 각 LED스트링의 제1 전류 중의 최소전류보다 큰 제2 전류를 구비하는 LED스트링을 LED쇼트가 있거나 또는 비매칭으로 결정한다.

예를 들면, 제1 전압이 60V일 경우 LED스트링(242-1)의 제1 전류는 100밀리 암페어, LED스트링(242-2)의 제1 전류는 120밀리 암페어, LED스트링(242-3)의 제1 전류는 150밀리 암페어이고, 제2 전압이 54V일 경우 LED스트링(242-1)의 제2 전류는 75밀리 암페어, LED스트링(242-2)의 제2 전류는 90밀리 암페어, LED스트링(242-3)의 제2 전류는 110밀리 암페어라고 가정한다. 이때 LED스트링(242-3)에 대하여 LED쇼트가 있거나 또는 LED스트링(242-1 및 242-3)과 비매칭된다고 결정하는데, 이는 보다 작은 제2 전압 하에서의 전류가 LED스트링(242-1)의 보다 큰 제1 전압 하에서의 전류보다도 크기 때문이며, 만약 LED에 쇼트가 발생하지 않았다면 이러한 상황은 거의 불가능한 것이다.

상기 시스템(300 및 500)은 하드웨어(예를 들면 제어칩)방식으로 실현할 수도 있고, 소프트웨어(예를 들면 컴퓨터 프로그램 코드)방식으로 실현할 수도 있으며, 나아가 소프트웨어와 하드웨어를 결합하는 방식으로 실현할 수도 있다.

도 6은 본 발명의 일 실시방식에 따른 복수개의 LED스트링에서 LED쇼트를 검측하거나 또는 복수개의 LED스트링 사이의 매칭성을 검측하는 방법을 나타낸 흐름도이며, 그 중 상기 복수개의 LED스트링의 일단은 동일한 전원의 출력단에 연결되고 타단은 대응하는 스위치에 각각 연결된다.

도 6에 도시한 바와 같이, 방법(600)은, 전원 출력단의 제1 전압 출력 시 각 LED스트링의 제1 전류를 획득하는 S610단계; 각 LED스트링의 제1 전류 중의 최소전류와 다른 전류간의 차이값을 각각 연산하는 S620단계; 상기 차이값을 하나의 비교값과 비교하는 S630단계; 및 상기 비교값보다 큰 차이값을 갖는 다른 전류에 대응하는 LED스트링을 LED쇼트가 있거나 또는 최소전류에 대응하는 LED스트링과 비매칭된다고 결정하는 S640단계;를 포함한다.

도 7은 본 발명의 다른 실시방식에 따른 복수개의 LED스트링에서 LED쇼트를 검측하거나 또는 복수개의 LED스트링 사이의 매칭성을 검측하는 방법을 나타낸 흐름도이며, 그 중 상기 복수개의 LED스트링의 일단은 동일한 전원의 출력단에 연결되고 타단은 대응하는 스위치에 각각 연결된다.

도 7에 도시한 바와 같이, 방법(700)은, 전원 출력단의 제1 전압 출력 시 각 LED스트링의 제1 전류를 획득하는 S710단계; 상기 전원 출력단이 제2 전압을 출력하도록 변경하는 S720단계; 전원 출력단의 제2 전압 출력 시 각 LED스트링의 제2 전류를 획득하는 S730단계; 및 획득한 각 LED스트링의 제1 전류와 제2 전류에 의하여 각 LED스트링에 LED쇼트가 있는지 여부 또는 각 LED스트링이 매칭되는지 여부를 결정하는 S740단계;를 포함한다.

설명을 간단하게 하기 위해, 상기 도 6 및 도 7이 설명하는 방법 중, 각 LED스트링의 LED수량이 동일하다고 가정한다.

본 발명의 일 실시방식에 따라, 상기 도 6 및 도 7이 설명하는 방법 중, 대응하는 스위치는 MOSFET/양극성 트랜지스터이며, 상기 타단은 대응하는 MOSFET의 드레인/양극성 트랜지스터의 컬렉터에 각각 연결된다.

본 발명의 일 실시방식에 따라, 상기 도 6 및 도 7이 설명하는 방법 중, 대응하는 MOSFET의 게이트/양극성 트랜지스터의 베이스가 하나의 동일한 바이어스 전압 하에 있도록 하는 것을 통하여 각 LED스트링의 제1 전류 및 제2 전류를 획득한다.

본 발명의 일 실시방식에 따라, 상기 도 6 및 도 7이 설명하는 방법 중, 각 LED스트링의 제1 전류 및 제2 전류를 획득하는 과정에서 상기 바이어스 전압은 변하지 않으며, 대응하는 MOSFET의 소스/양극성 트랜지스터의 에미터의 전압을 샘플링하는 것을 통하여 각 LED스트링의 제1 전류 및 제2 전류를 획득한다.

본 발명의 일 실시방식에 따라, 상기 도 6 및 도 7이 설명하는 방법 중, 상기 샘플링한 전압을 A/D변환하는 단계(미도시)를 더 포함한다.

본 발명의 일 실시방식에 따라, 상기 도 6 및 도 7이 설명하는 방법 중, 각 LED스트링의 제1 전류 및 제2 전류를 획득하는 과정에서 상기 바이어스 전압은 제어를 받아 변화되며, 그 중 각 LED스트링의 전류를 설정하는 것을 통하여 상기 바이어스 전압은 변화되고, 그 중 각 LED스트링의 제1 전류 및 제2 전류는 상기 바이어스 전압이 한 개의 바이어스 전압값 하에 있거나 또는 두 개의 바이어스 전압값 사이에 있는 것을 만족하도록 하는 설정전류 중의 최대전류이다.

본 발명의 일 실시방식에 따라, 상기 도 7이 설명하는 방법 중,

상기 제2 전압은 상기 제1 전압보다 높을 수도 있고 상기 제1 전압보다 낮을 수도 있으며, 상기 제2 전압이 상기 제1 전압보다 높을 경우, 각 LED스트링의 제2 전류 중의 최소전류보다 더 큰 제1 전류를 구비하는 LED스트링을 LED쇼트가 있거나 또는 비매칭된다고 결정하고, 상기 제2 전압이 상기 제1 전압보다 낮을 경우, 각 LED스트링의 제1 전류 중의 최소전류보다 더 큰 제2 전류를 구비하는 LED스트링을 LED쇼트가 있거나 또는 비매칭된다고 결정한다.

본 발명의 일 실시방식에 따라, 상기 도 6이 설명하는 방법 중, 상기 비교값의 크기는 검측하고자 하는 쇼트된 LED의 수량과 대응되거나 또는 비매칭 표준과 대응된다.

앞서 설명한 모든 실시방식에서, 각 스위치의 게이트의 바이어스 전압을 동일하게 하고, 각 LED스트링의 전류(제1 전류 또는 제1 및 제2 전류)를 측정함으로써, 각 LED스트링의 LED가 쇼트인지 여부 또는 각 LED스트링이 매칭되는지 여부를 결정한다.

이하 설명하는 실시방식에서, 각 LED스트링의 전류가 동일하게 하고, 각 LED스트링의 대응하는 MOSFET의 게이트의 전압(제1 전압 또는 제1 및 제2 전압)을 측정함으로써, 각 LED스트링의 LED가 쇼트인지 여부 또는 각 LED스트링이 매칭되는지 여부를 결정한다.

도 8은 본 발명의 일 실시방식에 따른 도 2에 도시한 세 개의 LED스트링에서 LED쇼트를 검측하거나 또는 도 2에 도시한 세 개의 LED스트링 사이의 매칭성을 검측하는 시스템의 블록도를 도시하였다.

도 8에 도시한 바와 같이, 상기 시스템(800)은, 각 LED스트링(242-1, 242-2 및242-3)에서 모두 동일한 전류가 얻어질 경우, 대응하는 스위치(241-1, 241-2 및 241-3)의 제어단의 제1 전압을 획득하는 세 개의 제1 전압 획득유닛(801-1, 801-2 및 801-3);

대응하는 스위치(241-1, 241-2 및 241-3)의 제어단의 제1 전압 중의 최대전압과 다른 전압간의 차이값을 각각 연산하는 연산유닛(802);

상기 차이값과 한 개의 비교값을 비교하는 비교유닛(803); 및

상기 비교값보다 큰 차이값을 갖는 다른 전압에 대응하는 LED스트링을 LED쇼트가 있거나 또는 최대전류에 대응하는 LED스트링과 매칭되지 않는다고 결정하는 결정유닛(804);를 포함한다.

그 중, 상기 비교값의 크기는 검측하고자 하는 쇼트된 LED의 수량과 대응되거나 또는 비매칭 표준과 대응된다. 예를 들면 상기 비교값은 한 개의 LED쇼트, 두 개의 LED쇼트 또는 세 개의 LED쇼트를 검측하기 위한 것으로 설정할 수 있다. 만약 상기 비교값을 세 개의 LED쇼트를 검측하기 위한 것으로 설정한다면, 한 개 또는 두 개의 LED쇼트의 상황에 대해서는 쇼트가 발생하지 않은 것으로 간주한다.

예를 들면, LED스트링(242-1)의 MOSFET(241-1)의 게이트의 제1 전압이 4.4V, LED스트링(242-2)의 MOSFET(241-2)의 게이트의 제1 전압이 4.2V, LED스트링(242-3)의 MOSFET(241-3)의 게이트의 제1 전압이 4.0V라고 가정한다.

게이트의 제1 전압 중 최대전압에 대응하는 LED스트링, 즉 LED스트링(242-1)에 쇼트가 발생하지 않았다고 간주할 수 있으며, 또한 LED스트링의 매칭성을 검측하는 기준으로 정할 수 있다. 각 LED스트링의 대략적 전압전류 특성을 알고 있는 상황 및 각 LED스트링의 LED수량, 전원 출력전압 등을 알고 있는 상황에서, 상기 비교값을 설정할 수 있다. 예를 들면, 통상적으로 상기 비교값은 0.3V이다.

이로 인하여, LED스트링(242-1)과 LED스트링(242-2)의 MOSFET 게이트 제1 전압간의 차이값은 0.2V이므로 비교값 0.3V보다 작으며, 따라서 LED스트링(242-2)의 LED에 쇼트가 발생하지 않은 것으로 판단하고, 아울러 LED스트링(242-1)과 LED스트링(242-2)은 매칭되는 것으로 판단한다. 반면 LED스트링(242-1)과 LED스트링(242-3)의 MOSFET 게이트 제1 전압간의 차이값은 0.4V이므로 비교값 0.3V보다 크며, 따라서 LED스트링(242-3)의 LED에 쇼트가 발생한 것으로 판단하고, 아울러 LED스트링(242-1)과 LED스트링(242-3)은 매칭되지 않는 것으로 판단한다.

제1 전압 획득유닛(801-1, 801-2 및 801-3)은 MOSFET(241-1, 241-2 및 241-3)의 게이트의 전압을 샘플링하는 것(예를 들면 A/D컨버터를 이용)을 통하여 대응하는 제1 전압을 획득할 수 있다.

또한, 각 LED스트링(242-1, 242-2 및242-3)에서 모두 동일한 제1 전류가 얻어지도록 하는 것은 도 9에 도시한 전류 설정유닛을 통하여 실현할 수 있다.

상기 전류 설정유닛(900)이 도 4에 도시한 제1 전류 획득유닛(301-1)과 비교되는 차이점은 제1 연산 증폭기(4122) 및 이에 관련된 배선이 제거되어 있다는 것이다.

비교값을 설정하지 못하는 경우, 예를 들면 각 LED의 대략적 전압전류 특성을 모른다면 상기 도 8을 결합하여 설명한 시스템(800)을 사용하여 복수개의 LED스트링의 LED쇼트를 검측하거나 또는 복수개의 LED스트링 간의 매칭성을 검측할 수 없게 된다.

도 10은 본 발명의 일 실시방식에 따른 도 2에 도시한 세 개의 LED스트링에서 LED쇼트를 검측하거나 또는 도 2에 도시한 세 개의 LED스트링 사이의 매칭성을 검측하는 시스템의 블록도를 도시하였다. 상기 시스템(1000)은 전술한 시스템(800)이 해결하지 못하는 문제를 해결할 수 있다.

도 10에 도시한 바와 같이, 상기 시스템(1000)은, 각 LED스트링에서 모두 동일한 전류가 얻어지고 또한 전원(243)의 출력단의 제1 전압 출력 시, 대응하는 MOSFET(241-1, 241-2, 및 241-3)의 게이트의 제1 전압을 획득하는 세 개의 제1 전압 획득유닛(1001-1, 1001-2 및 1001-3);

전원의 출력단이 제2 전압을 출력하도록 변경하는 변경유닛(1002);

전원(243)의 출력단의 제2 전압 출력 시 대응하는 MOSFET(241-1, 241-2, 및 241-3)의 게이트의 제2 전압을 획득하는 세 개의 제2 전압 획득유닛(1003-1, 1003-2 및 1003-3); 및

획득한 대응하는 MOSFET(241-1, 241-2, 및 241-3)의 게이트의 제1 전압과 제2 전압에 의하여 각 LED스트링에 LED쇼트가 있는지 여부 또는 각 LED스트링이 매칭되는지 여부를 결정하는 결정유닛(1004);을 포함한다.

제1 전압 획득유닛(1001-1, 1001-2 및 1001-3)은 제2 전압 획득유닛(1003-1, 1003-2 및 1003-3)과 동일할 수 있고, 또한 전술한 제1 전압 획득유닛(801-1, 801-2 및 801-3)과 동일하다.

상기 전원(243)의 출력단이 출력하는 제2 전압은 상기 전원(243)의 출력단이 출력하는 제1 전압보다 높을 수도 있고 상기 전원(243)의 출력단이 출력하는 제1 전압보다 낮을 수도 있으며, 전원(243)의 출력단이 출력하는 제2 전압과 전원(243)의 출력단이 출력하는 제1 전압간의 차이값은 예를 들어 쇼트를 검측하고자 하는 LED의 수량 등과 관계될 수 있다. 상기 전원(243)의 출력단이 출력하는 제2 전압이 상기 전원(243)의 출력단이 출력하는 제1 전압보다 낮을 경우, 결정유닛(1004)은, 그 스위치 제어단에, 대응하는 스위치의 제어단의 제1 전압 중의 최대전압보다 작은 제2 전압을 구비하는 LED스트링을 LED쇼트가 있거나 또는 비매칭으로 결정한다.

예를 들면, 전원(243)의 출력단이 출력하는 제1 전압이 66V일 경우, LED스트링(242-1)의 MOSFET(241-1) 게이트의 제1 전압은 4.5V, LED스트링(242-2)의 MOSFET(241-2) 게이트의 제1 전압은 4.3V, LED스트링(242-3)의 MOSFET(241-3) 게이트의 제1 전압은 4.1V이고, 전원(243)의 출력단이 출력하는 제2 전압이 60V일 경우, LED스트링(242-1)의 MOSFET(241-1) 게이트의 제2 전압은 4.8V, LED스트링(242-2)의 MOSFET(241-2) 게이트의 제2 전압은 4.6V, LED스트링(242-3)의 MOSFET(241-3) 게이트의 제2 전압은 4.4V라고 가정한다. 이때 LED스트링(242-3)에 대하여 LED쇼트가 있거나 또는 LED스트링(242-1 및 242-2)과 비매칭된다고 결정하는데, 이는 전원(243)의 출력단이 출력하는 더욱 작은 제2 전압 하에서의 그 MOSFET 게이트의 전압이, 전원(243)의 출력단이 출력하는 더욱 큰 제1 전압 하에서의 LED스트링(242-1)의 MOSFET 게이트의 전압보다도 작기 때문이며, 만약 LED에 쇼트가 발생하지 않았다면 이러한 상황은 거의 불가능한 것이다.

마찬가지로, 상기 전원(243)의 출력단이 출력하는 제2 전압이 상기 전원(243)의 출력단이 출력하는 제1 전압보다 높을 경우, 결정유닛(1004)은, 그 스위치 제어단에, 대응하는 스위치의 제2 전압 중의 최대전압보다 작은 제1 전압을 구비하는 LED스트링을 LED쇼트가 있거나 또는 비매칭으로 결정한다.

예를 들면, 전원(243)의 출력단이 출력하는 제1 전압이 66V일 경우, LED스트링(242-1)의 MOSFET(241-1) 게이트의 제1 전압은 4.8V, LED스트링(242-2)의 MOSFET(241-2) 게이트의 제1 전압은 4.6V, LED스트링(242-3)의 MOSFET(241-3) 게이트의 제1 전압은 4.4V이고, 전원(243)의 출력단이 출력하는 제2 전압이 72V일 경우, LED스트링(242-1)의 MOSFET(241-1) 게이트의 제2 전압은 4.5V, LED스트링(242-2)의 MOSFET(241-2) 게이트의 제2 전압은 4.3V, LED스트링(242-3)의 MOSFET(241-3) 게이트의 제2 전압은 4.1V라고 가정한다. 이때 LED스트링(242-3)에 대하여 LED쇼트가 있거나 또는 LED스트링(242-1 및 242-2)과 비매칭된다고 결정하는데, 이는 전원(243)의 출력단이 출력하는 더욱 작은 제1 전압 하에서의 그 스위치의 제어단의 전압이, 전원(243)의 출력단이 출력하는 더욱 큰 제2 전압 하에서의 LED스트링(242-1)의 스위치의 제어단의 전압보다도 작기 때문이며, 만약 LED에 쇼트가 발생하지 않았다면 이러한 상황은 거의 불가능한 것이다.

상기 시스템(800 및 1000)은 하드웨어(예를 들면 제어칩)방식으로 실현할 수도 있고, 소프트웨어(예를 들면 컴퓨터 프로그램 코드)방식으로 실현할 수도 있으며, 나아가 소프트웨어와 하드웨어를 결합하는 방식으로 실현할 수도 있다.

도 11은 본 발명의 일 실시방식에 따른 복수개의 LED스트링에서 LED쇼트를 검측하거나 또는 복수개의 LED스트링 사이의 매칭성을 검측하는 방법을 나타낸 흐름도이며, 그 중 상기 복수개의 LED스트링의 일단은 동일한 전원의 출력단에 연결되고 타단은 대응하는 스위치에 각각 연결된다.

도 11에 도시한 바와 같이, 상기 방법(1100)은, 각 LED스트링에서 모두 동일한 전류가 얻어질 경우 대응하는 스위치의 제어단의 제1 전압을 획득하는 S1110단계; 대응하는 스위치의 제어단의 제1 전압 중의 최대전압과 다른 전압간의 차이값을 각각 연산하는 S1120단계; 상기 차이값을 하나의 비교값과 비교하는 S1130단계; 및 상기 비교값보다 큰 차이값을 갖는 다른 전압에 대응하는 LED스트링을 LED쇼트가 있거나 또는 최대전압에 대응하는 LED스트링과 매칭되지 않는다고 결정하는 S1140단계;를 포함한다.

도 12는 본 발명의 다른 실시방식에 따른 복수개의 LED스트링에서 LED쇼트를 검측하거나 또는 복수개의 LED스트링 사이의 매칭성을 검측하는 방법을 나타낸 흐름도이며, 그 중 상기 복수개의 LED스트링의 일단은 동일한 전원의 출력단에 연결되고 타단은 대응하는 스위치에 각각 연결된다.

도 12에 도시한 바와 같이, 상기 방법(1200)은, 각 LED스트링에서 모두 동일한 전류가 얻어지고 또한 전원 출력단의 제1 전압 출력 시, 대응하는 스위치의 제어단의 제1 전압을 획득하는 S1210단계; 상기 전원의 출력단이 제2 전압을 출력하도록 변경하는 S1220단계; 전원 출력단의 제2 전압 출력 시, 대응하는 스위치의 제어단의 제2 전압을 획득하는 S1230단계; 및 획득된 대응하는 스위치의 제어단의 제1 전압과 제2 전압에 의하여 각 LED스트링에 LED쇼트가 있는지 여부 또는 각 LED스트링이 매칭되는지 여부를 결정하는 S1240단계;를 포함한다.

설명을 간단하게 하기 위해, 상기 도 11 및 도 12가 설명하는 방법 중, 각 LED스트링의 LED수량이 동일하다고 가정한다.

본 발명의 일 실시방식에 따라, 상기 도 11 및 도 12가 설명하는 방법 중, 대응하는 스위치는 MOSFET/양극성 트랜지스터이고, 상기 타단은 대응하는 MOSFET의 드레인/양극성 트랜지스터의 컬렉터에 각각 연결되며, 상기 제어단은 MOSFET의 게이트/양극성 트랜지스터의 베이스이다.

본 발명의 일 실시방식에 따라, 상기 도 12가 설명하는 방법 중, 상기 전원 출력단이 출력하는 제2 전압은 상기 전원 출력단이 출력하는 제1 전압보다 높을 수도 있고 상기 전원 출력단이 출력하는 제1 전압보다 낮을 수도 있으며, 상기 전원 출력단이 출력하는 제2 전압이 상기 전원 출력단이 출력하는 제1 전압보다 낮을 경우, 그 스위치의 제어단이, 대응하는 스위치의 제어단의 제1 전압 중의 최대전압보다 작은 제2 전압을 구비하는 LED스트링을 LED쇼트가 있거나 또는 비매칭된다고 결정하고, 상기 전원 출력단이 출력하는 제2 전압이 상기 전원 출력단이 출력하는 제1 전압보다 높을 경우, 그 스위치의 제어단이, 대응하는 스위치의 제2 전압 중의 최대전압보다 작은 제1 전압을 구비하는 LED스트링을 LED쇼트가 있거나 또는 비매칭된다고 결정한다.

본 발명의 일 실시방식에 따라, 상기 도 11이 설명하는 방법 중, 상기 비교값의 크기는 검측하고자 하는 쇼트된 LED의 수량과 대응되거나 또는 비매칭 표준과 대응된다.

이상은 본 발명의 바람직한 실시예일 뿐, 본 발명을 한정하는 것은 아니며, 해당 기술분야의 당업자에 있어서 본 발명은 여러가지 변경 및 변화가 있을 수 있다. 본 발명의 주지 및 원칙의 범위 내에서 행한 임의 수정, 균등치환, 개진 등은 모두 본 발명의 보호범위 내에 포함되어야 한다.

Claims

복수개의 LED스트링의 일단이 동일한 전원 출력단에 연결되고 타단이 대응하는 스위치에 각각 연결되는, 복수개의 LED스트링에서 LED쇼트를 검측하거나 또는 복수개의 LED스트링 사이의 매칭성을 검측하는 시스템에 있어서,
전원 출력단의 제1 전압 출력 시, 각 LED스트링의 제1 전류를 획득하는 복수개의 제1 전류 획득유닛;
각 LED스트링의 제1 전류 중 최소전류와 다른 전류간의 차이값을 각각 연산하는 연산유닛;
상기 차이값과 하나의 비교값을 비교하는 비교유닛; 및
상기 비교값보다 큰 상기 차이값을 갖는 상기 다른 전류에 대응하는 LED스트링을 LED쇼트가 있거나 또는 최소전류에 대응하는 LED스트링과 매칭되지 않는 것으로 결정하는 결정유닛;을 포함하는 시스템.
복수개의 LED스트링의 일단이 동일한 전원 출력단에 연결되고 타단이 대응하는 스위치에 각각 연결되는, 복수개의 LED스트링에서 LED쇼트를 검측하거나 또는 복수개의 LED스트링 사이의 매칭성을 검측하는 시스템에 있어서,
전원 출력단의 제1 전압 출력 시, 각 LED스트링의 제1 전류를 획득하는 복수개의 제1 전류 획득유닛;
상기 전원 출력단이 제2 전압을 출력하도록 변경하는 변경유닛;
전원 출력단의 제2 전압 출력 시, 각 LED스트링의 제2 전류를 획득하는 복수개의 제2 전류 획득유닛; 및
획득한 각 LED스트링의 제1 전류와 제2 전류에 의하여 각 LED스트링에 LED쇼트가 있는지 여부 또는 각 LED스트링이 매칭되는지 여부를 결정하는 결정유닛;을 포함하는 시스템.
제1 또는 제2항에 있어서,
대응하는 스위치는 MOSFET/양극성 트랜지스터이고, 상기 타단은 대응하는 MOSFET의 드레인/양극성 트랜지스터의 컬렉터에 각각 연결되는 시스템.
제3항에 있어서,
상기 복수개의 제1 전류 획득유닛 및 복수개의 제2 전류 획득유닛은, 대응하는 MOSFET의 게이트/양극성 트랜지스터의 베이스에 하나의 바이어스 전압이 인가되는 것을 통하여 각 LED스트링의 제1 전류 및 제2 전류를 획득하는 시스템.
제4항에 있어서,
각 LED스트링의 제1 전류 및 제2 전류를 획득하는 과정에서, 상기 바이어스 전압은 변하지 않으며, 대응하는 MOSFET의 소스/양극성 트랜지스터의 에미터의 전압을 샘플링하는 것을 통하여 각 LED스트링의 제1 전류 및 제2 전류를 획득하는 시스템.
제5항에 있어서,
상기 샘플링된 전압을 A/D변환하는 A/D컨버터를 더 포함하는 시스템.
제4항에 있어서,
각 LED스트링의 제1 전류 및 제2 전류를 획득하는 과정에서, 상기 바이어스 전압은 제어를 받아 변화하며, 상기 바이어스 전압은 각 LED스트링의 전류 설정에 의해 변화되고, 그 중 각 LED스트링의 제1 전류 및 제2 전류는, 상기 바이어스 전압이 하나의 바이어스 전압값 하에 있거나 또는 두 개의 바이어스 전압값 사이에 있도록 만족시키는 전류 중에서 최대전류인 시스템.
제2항에 있어서,
상기 제2 전압은 상기 제1 전압보다 높을 수도 있고 상기 제1 전압보다 낮을 수도 있으며, 상기 제2 전압이 상기 제1 전압보다 높을 경우, 결정유닛은 각 LED스트링의 제2 전류 중의 최소전류보다 더 큰 제1 전류를 구비하는 LED스트링을 LED쇼트가 있거나 또는 비매칭된다고 결정하고, 상기 제2 전압이 상기 제1 전압보다 낮을 경우, 결정유닛은 각 LED스트링의 제1 전류 중의 최소전류보다 더 큰 제2 전류를 구비하는 LED스트링을 LED쇼트가 있거나 또는 비매칭된다고 결정하는 시스템.
제1 또는 제2항에 있어서,
각 LED스트링의 LED수량은 동일한 시스템.
제1항에 있어서,
상기 비교값의 크기는 검측하고자 하는 쇼트된 LED의 수량과 대응하거나 또는 비매칭 표준과 대응하는 시스템.
제2항에 있어서,
상기 복수개의 제1 전류 획득유닛과 상기 복수개의 제2 전류 획득유닛은 동일한 유닛인 시스템.
복수개의 LED스트링의 일단이 동일한 전원 출력단에 연결되고 타단이 대응하는 스위치에 각각 연결되는, 복수개의 LED스트링에서 LED쇼트를 검측하거나 또는 복수개의 LED스트링 사이의 매칭성을 검측하는 방법에 있어서,
전원 출력단의 제1 전압 출력 시, 각 LED스트링의 제1 전류를 획득하는 단계;
각 LED스트링의 제1 전류 중 최소전류와 다른 전류간의 차이값을 각각 연산하는 단계;
상기 차이값과 하나의 비교값을 비교하는 단계; 및
상기 비교값보다 큰 상기 차이값을 갖는 다른 전류에 대응하는 LED스트링을 LED쇼트가 있거나 또는 최소전류에 대응하는 LED스트링과 매칭되지 않는 것으로 결정하는 단계;를 포함하는 방법.
복수개의 LED스트링의 일단이 동일한 전원 출력단에 연결되고 타단이 대응하는 스위치에 각각 연결되는, 복수개의 LED스트링에서 LED쇼트를 검측하거나 또는 복수개의 LED스트링 사이의 매칭성을 검측하는 방법에 있어서,
전원 출력단의 제1 전압 출력 시, 각 LED스트링의 제1 전류를 획득하는 단계;
상기 전원 출력단이 제2 전압을 출력하도록 변경하는 단계;
전원 출력단의 제2 전압 출력 시, 각 LED스트링의 제2 전류를 획득하는 단계; 및
획득한 각 LED스트링의 제1 전류와 제2 전류에 의하여 각 LED스트링에 LED쇼트가 있는지 여부 또는 각 LED스트링이 매칭되는지 여부를 결정하는 단계;를 포함하는 방법.
제12항 또는 제13항에 있어서,
대응하는 스위치는 MOSFET/양극성 트랜지스터이고, 상기 타단은 대응하는 MOSFET의 드레인/양극성 트랜지스터의 컬렉터에 각각 연결되는 방법.
제14항에 있어서,
대응하는 MOSFET의 게이트/양극성 트랜지스터의 베이스에 하나의 바이어스 전압이 인가되도록 하는 것을 통하여 각 LED스트링의 제1 전류 및 제2 전류를 획득하는 방법.
제15항에 있어서,
각 LED스트링의 제1 전류 및 제2 전류를 획득하는 과정에서, 상기 바이어스 전압은 변하지 않으며, 대응하는 MOSFET의 소스/양극성 트랜지스터의 에미터의 전압을 샘플링하는 것을 통하여 각 LED스트링의 제1 전류 및 제2 전류를 획득하는 방법.
제16항에 있어서,
상기 샘플링된 전압을 A/D변환하는 단계를 더 포함하는 방법.
제15항에 있어서,
각 LED스트링의 제1 전류 및 제2 전류를 획득하는 과정에서, 상기 바이어스 전압은 제어를 받아 변화하며, 그 중 각 LED스트링의 전류를 설정함으로써 상기 바이어스 전압이 변화되고, 그 중 각 LED스트링의 제1 전류 및 제2 전류는, 상기 바이어스 전압이 하나의 바이어스 전압값에 있거나 또는 두 개의 바이어스 전압값 사이에 있도록 만족시키는 전류 중에서 최대전류인 방법.
제13항에 있어서,
상기 제2 전압은 상기 제1 전압보다 높을 수도 있고 상기 제1 전압보다 낮을 수도 있으며, 상기 제2 전압이 상기 제1 전압보다 높을 경우, 각 LED스트링의 제2 전류 중의 최소전류보다 더 큰 제1 전류를 구비하는 LED스트링을 LED쇼트가 있거나 또는 비매칭된다고 결정하고, 상기 제2 전압이 상기 제1 전압보다 낮을 경우, 각 LED스트링의 제1 전류 중의 최소전류보다 더 큰 제2 전류를 구비하는 LED스트링을 LED쇼트가 있거나 또는 비매칭된다고 결정하는 방법.
제12 또는 제13항에 있어서,
각 LED스트링의 LED수량은 동일한 방법.
제12항에 있어서,
상기 비교값의 크기는 검측하고자 하는 쇼트된 LED의 수량과 대응하거나 또는 비매칭 표준과 대응하는 방법.
복수개의 LED스트링의 일단이 동일한 전원 출력단에 연결되고 타단이 대응하는 스위치에 각각 연결되는, 복수개의 LED스트링에서 LED쇼트를 검측하거나 또는 복수개의 LED스트링 사이의 매칭성을 검측하는 시스템에 있어서,
각 LED스트링에 모두 동일한 전류가 인가될 경우, 대응하는 스위치의 제어단의 제1 전압을 획득하는 복수개의 제1 전압 획득유닛;
대응하는 스위치의 제어단의 제1 전압 중 최대전압과 다른 전압간의 차이값을 각각 연산하는 연산유닛;
상기 차이값과 하나의 비교값을 비교하는 비교유닛; 및
상기 비교값보다 큰 상기 차이값을 갖는 다른 전압에 대응하는 LED스트링을 LED쇼트가 있거나 또는 최대전압에 대응하는 LED스트링과 매칭되지 않는 것으로 결정하는 결정유닛;을 포함하는 시스템.
복수개의 LED스트링의 일단이 동일한 전원 출력단에 연결되고 타단이 대응하는 스위치에 각각 연결되는, 복수개의 LED스트링에서 LED쇼트를 검측하거나 또는 복수개의 LED스트링 사이의 매칭성을 검측하는 시스템에 있어서,
각 LED스트링에 모두 동일한 전류가 인가되고 또한 전원 출력단이 제1 전압을 출력할 경우, 대응하는 스위치의 제어단의 제1 전압을 획득하는 복수개의 제1 전압 획득유닛;
상기 전원 출력단이 제2 전압을 출력하도록 변경하는 변경유닛;
상기 전원 출력단이 제2 전압을 출력할 경우, 대응하는 스위치의 제어단의 제2 전압을 획득하는 복수개의 제2 전압 획득유닛; 및
획득된 대응하는 스위치의 제어단의 제1 전압과 제2 전압에 의하여 각 LED스트링에 LED쇼트가 있는지 여부 또는 각 LED스트링이 매칭되는지 여부를 결정하는 결정유닛;을 포함하는 시스템.
제22 또는 제23항에 있어서,
대응하는 스위치는 MOSFET/양극성 트랜지스터이고, 상기 타단은 대응하는 MOSFET의 드레인/양극성 트랜지스터의 컬렉터에 각각 연결되며, 상기 제어단은 MOSFET의 게이트/양극성 트랜지스터의 베이스인 시스템.
제23항에 있어서,
상기 전원 출력단이 출력하는 제2 전압은 상기 전원 출력단이 출력하는 제1 전압보다 높을 수도 있고 상기 전원 출력단이 출력하는 제1 전압보다 낮을 수도 있으며, 상기 전원 출력단이 출력하는 제2 전압이 상기 전원 출력단이 출력하는 제1 전압보다 낮을 경우, 결정유닛은, 그 스위치의 제어단이, 대응하는 스위치의 제어단의 제1 전압 중의 최대전압보다 작은 제2 전압을 구비하는 LED스트링을 LED쇼트가 있거나 또는 비매칭된다고 결정하고, 상기 전원 출력단이 출력하는 제2 전압이 상기 전원 출력단이 출력하는 제1 전압보다 높을 경우, 결정유닛은, 그 스위치의 제어단이, 대응하는 스위치의 제2 전압 중의 최대전압보다 작은 제1 전압을 구비하는 LED스트링을 LED쇼트가 있거나 또는 비매칭된다고 결정하는 시스템.
제22 또는 제23항에 있어서,
각 LED스트링의 LED수량은 동일한 시스템.
제22항에 있어서,
상기 비교값의 크기는 검측하고자 하는 쇼트된 LED의 수량과 대응하거나 또는 비매칭 표준과 대응하는 시스템.
제23항에 있어서,
상기 복수개의 제1 전압 획득유닛과 상기 복수개의 제2 전압 획득유닛은 동일한 유닛인 시스템.
복수개의 LED스트링의 일단이 동일한 전원 출력단에 연결되고 타단이 대응하는 스위치에 각각 연결되는, 복수개의 LED스트링에서 LED쇼트를 검측하거나 또는 복수개의 LED스트링 사이의 매칭성을 검측하는 방법에 있어서,
각 LED스트링에 모두 동일한 전류가 인가될 경우, 대응하는 스위치의 제어단의 제1 전압을 획득하는 단계;
대응하는 스위치의 제어단의 제1 전압 중 최대전압과 다른 전압간의 차이값을 각각 연산하는 단계;
상기 차이값과 하나의 비교값을 비교하는 단계; 및
상기 비교값보다 큰 상기 차이값을 갖는 다른 전압에 대응하는 LED스트링을 LED쇼트가 있거나 또는 최대전압에 대응하는 LED스트링과 매칭되지 않는 것으로 결정하는 단계;를 포함하는 방법.
복수개의 LED스트링의 일단이 동일한 전원 출력단에 연결되고 타단이 대응하는 스위치에 각각 연결되는, 복수개의 LED스트링에서 LED쇼트를 검측하거나 또는 복수개의 LED스트링 사이의 매칭성을 검측하는 방법에 있어서,
각 LED스트링에 모두 동일한 전류가 인가되고 또한 전원 출력단이 제1 전압을 출력할 경우, 대응하는 스위치의 제어단의 제1 전압을 획득하는 단계;
상기 전원 출력단이 제2 전압을 출력하도록 변경하는 단계;
상기 전원 출력단이 제2 전압을 출력할 경우, 대응하는 스위치의 제어단의 제2 전압을 획득하는 단계; 및
획득된 대응하는 스위치의 제어단의 제1 전압과 제2 전압에 의하여 각 LED스트링에 LED쇼트가 있는지 여부 또는 각 LED스트링이 매칭되는지 여부를 결정하는 단계;를 포함하는 방법.
제29 또는 제30항에 있어서,
대응하는 스위치는 MOSFET/양극성 트랜지스터이고, 상기 타단은 대응하는 MOSFET의 드레인/양극성 트랜지스터의 컬렉터에 각각 연결되며, 상기 제어단은 MOSFET의 게이트/양극성 트랜지스터의 베이스인 방법.
제30항에 있어서,
상기 전원 출력단이 출력하는 제2 전압은 상기 전원 출력단이 출력하는 제1 전압보다 높을 수도 있고 상기 전원 출력단이 출력하는 제1 전압보다 낮을 수도 있으며, 상기 전원 출력단이 출력하는 제2 전압이 상기 전원 출력단이 출력하는 제1 전압보다 낮을 경우, 그 스위치의 제어단이, 대응하는 스위치의 제어단의 제1 전압 중의 최대전압보다 작은 제2 전압을 구비하는 LED스트링을 LED쇼트가 있거나 또는 비매칭된다고 결정하고, 상기 전원 출력단이 출력하는 제2 전압이 상기 전원 출력단이 출력하는 제1 전압보다 높을 경우, 그 스위치의 제어단이, 대응하는 스위치의 제2 전압 중의 최대전압보다 작은 제1 전압을 구비하는 LED스트링을 LED쇼트가 있거나 또는 비매칭된다고 결정하는 방법.
제29 또는 제30항에 있어서,
각 LED스트링의 LED수량은 동일한 방법.
제29항에 있어서,
상기 비교값의 크기는 검측하고자 하는 쇼트된 LED의 수량과 대응하거나 또는 비매칭 표준과 대응하는 방법.