KR20140110392A - Apparatus for treating substrate adn method for controlling plasma - Google Patents

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김인준
안종환
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세메스 주식회사
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    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32009—Arrangements for generation of plasma specially adapted for examination or treatment of objects, e.g. plasma sources
    • H01J37/32082—Radio frequency generated discharge
    • H01J37/32137—Radio frequency generated discharge controlling of the discharge by modulation of energy
    • H01J37/32146—Amplitude modulation, includes pulsing

Abstract

The present invention relates to a substrate treatment device and a plasma control method. The substrate treatment device according to an embodiment of the present invention may include a chamber having a treatment space inside; a substrate support assembly which is disposed inside the chamber and supports a substrate; a gas supply unit which supplies gas to the chamber; an RF power source which applies power through a pulse signal to generate plasma from the gas supplied to the chamber; and a controller which controls the impedance of the chamber by synchronizing the impedance of the chamber with the pulse signal.

Description

기판 처리 장치 및 플라즈마 제어 방법{APPARATUS FOR TREATING SUBSTRATE ADN METHOD FOR CONTROLLING PLASMA}BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention [0001] The present invention relates to a substrate processing apparatus and a plasma control method,

본 발명은 기판 처리 장치 및 플라즈마 제어 방법에 관한 것이다.The present invention relates to a substrate processing apparatus and a plasma control method.

반도체 제조 공정은 플라즈마를 이용하여 기판을 처리하는 공정을 포함할 수 있다. 예를 들어, 반도체 제조 공정 중 에칭 또는 애싱 공정을 위해 플라즈마를 생성하는 챔버가 사용될 수 있으며, 기판은 상기 플라즈마를 이용하여 에칭 또는 애싱 처리될 수 있다.The semiconductor manufacturing process may include processing the substrate using plasma. For example, a chamber that produces a plasma for an etching or ashing process during a semiconductor manufacturing process may be used, and the substrate may be etched or ashed using the plasma.

챔버 내에 플라즈마를 생성하는 방법으로, 펄스 신호를 통해 플라즈마 생성을 위한 고주파 전력을 공급하는 방식이 있다. 하지만, 이와 같이 펄스 신호를 이용하여 플라즈마를 생성하는 방식은, 펄스 신호의 온 또는 오프에 따라 챔버 내 플라즈마 밀도가 불균일하게 분포될 수 있으며, 그 결과 기판에 걸쳐 에칭 또는 애싱이 불균일하게 수행되어 기판의 수율이 낮아지는 문제가 발생할 수 있다.As a method of generating plasma in the chamber, there is a method of supplying high-frequency power for plasma generation through a pulse signal. However, in the plasma generating method using the pulse signal, the plasma density in the chamber may be non-uniformly distributed depending on the ON or OFF of the pulse signal. As a result, the etching or the ashing is performed irregularly across the substrate, The yield may be lowered.

본 발명의 일 실시예는, 챔버 내 플라즈마 밀도의 균일성을 향상시키는 기판 처리 장치 및 플라즈마 제어 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.It is an object of the present invention to provide a substrate processing apparatus and a plasma control method for improving uniformity of a plasma density in a chamber.

본 발명의 일 실시예는, 플라즈마를 이용하여 처리되는 기판의 수율을 향상시키는 기판 처리 장치 및 플라즈마 제어 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.It is an object of the present invention to provide a substrate processing apparatus and a plasma control method for improving the yield of a substrate processed using plasma.

본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 장치는, 내부에 처리 공간을 갖는 챔버; 상기 챔버 내에 위치하고, 기판을 지지하는 기판 지지 어셈블리; 상기 챔버로 가스를 공급하는 가스 공급 유닛; 상기 챔버로 공급되는 가스로부터 플라즈마를 발생시키기 위한 전력을 펄스 신호를 통해 인가하는 RF 전원; 및 상기 챔버의 임피던스를 상기 펄스 신호에 동기시켜 변경하는 제어기;를 포함할 수 있다.A substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention includes: a chamber having a processing space therein; A substrate support assembly positioned within the chamber and supporting the substrate; A gas supply unit for supplying gas to the chamber; An RF power source for applying power for generating a plasma from a gas supplied to the chamber through a pulse signal; And a controller for changing the impedance of the chamber in synchronization with the pulse signal.

상기 RF 전원은: 각기 서로 다른 주파수의 펄스 신호를 생성하는 다수의 서브전원을 포함할 수 있다.The RF power source may include a plurality of sub power sources for generating pulse signals of different frequencies.

상기 기판 지지 어셈블리는: 상기 RF 전원으로부터 상기 펄스 신호를 수신하는 전극을 포함할 수 있다.The substrate support assembly may include: an electrode for receiving the pulse signal from the RF power source.

상기 챔버는: 인덕터 및 커패시터를 포함하여 구성된 LC 유닛을 통해 접지에 연결되는 전극을 포함할 수 있다.The chamber may comprise an electrode connected to ground through an LC unit comprising an inductor and a capacitor.

상기 제어기는: 상기 펄스 신호가 온이면 상기 LC 유닛의 임피던스를 증가시키고, 상기 펄스 신호가 오프이면 상기 LC 유닛의 임피던스를 감소시키도록 제어할 수 있다.The controller may control to increase the impedance of the LC unit when the pulse signal is on and to reduce the impedance of the LC unit when the pulse signal is off.

상기 제어기는: 상기 커패시터의 커패시턴스를 조절함으로써 상기 LC 유닛의 임피던스를 변경할 수 있다.The controller may: change the impedance of the LC unit by adjusting the capacitance of the capacitor.

상기 챔버는: 스위치의 개폐 동작에 의해, 부하를 거쳐 접지에 연결되거나, 접지에 직접 연결되는 전극을 포함할 수 있다.The chamber may comprise: an electrode connected to the ground via a load by an opening and closing operation of the switch, or an electrode connected directly to the ground.

상기 제어기는: 상기 펄스 신호가 온이면 상기 전극이 상기 부하를 거쳐 접지에 연결되고, 상기 펄스 신호가 오프이면 상기 전극이 접지에 직접 연결되도록, 상기 스위치의 개폐를 제어할 수 있다.The controller can control the opening and closing of the switch so that the electrode is connected to the ground via the load when the pulse signal is on and the electrode is directly connected to the ground when the pulse signal is off.

상기 제어기는: 상기 다수의 서브전원이 출력하는 펄스 신호 중 가장 높은 주파수의 펄스 신호에 동기시켜 상기 임피던스를 변경할 수 있다.The controller may change the impedance in synchronization with a pulse signal of the highest frequency among the pulse signals output from the plurality of sub power supplies.

본 발명의 일 실시예에 따른 플라즈마 제어 방법은, RF 전원이 생성하는 펄스 신호의 정보를 획득하는 단계; 및 상기 펄스 신호의 정보를 기반으로 상기 펄스 신호에 동기시켜 챔버의 임피던스를 변경하는 단계;를 포함할 수 있다.According to an embodiment of the present invention, there is provided a plasma control method comprising: obtaining information of a pulse signal generated by an RF power source; And changing the impedance of the chamber in synchronization with the pulse signal based on the information of the pulse signal.

상기 임피던스를 변경하는 단계는: 상기 펄스 신호가 온이면 상기 임피던스를 증가시키는 단계; 및 상기 펄스 신호가 오프이면 상기 임피던스를 감소시키는 단계;를 포함할 수 있다.Wherein the step of changing the impedance comprises: increasing the impedance when the pulse signal is on; And decreasing the impedance when the pulse signal is off.

상기 임피던스를 변경하는 단계는: 상기 펄스 신호에 동기시켜 상기 챔버와 접지 사이에 연결된 LC 유닛의 커패시터의 커패시턴스를 조절하는 단계를 포함할 수 있다.The step of varying the impedance may comprise: adjusting the capacitance of a capacitor of the LC unit connected between the chamber and ground in synchronism with the pulse signal.

상기 임피던스를 변경하는 단계는: 상기 펄스 신호에 동기시켜 상기 챔버와 접지 사이에 부하를 개재시키는 스위치를 개폐하는 단계를 포함할 수 있다.The step of changing the impedance may include: opening and closing a switch for interposing a load between the chamber and ground in synchronism with the pulse signal.

본 발명의 일 실시예에 따르면, 챔버 내에 플라즈마를 균일하게 생성할 수 있다.According to one embodiment of the present invention, a plasma can be uniformly generated in the chamber.

본 발명의 일 실시예에 따르면, 플라즈마를 이용하여 처리되는 기판의 수율을 향상시킬 수 있다.According to one embodiment of the present invention, the yield of the substrate to be processed using plasma can be improved.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 장치를 나타내는 예시적인 도면이다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 장치의 동작을 설명하기 위한 예시적인 도면이다.
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 LC 유닛을 예시적으로 나타내는 회로도이다.
도 4는 본 발명의 일 실시예에 따라 펄스 신호에 동기시켜 LC 유닛의 임피던스를 조절하는 과정을 설명하는 예시적인 그래프이다.
도 5는 본 발명의 다른 실시예에 따른 기판 처리 장치의 동작을 설명하기 위한 예시적인 도면이다.
도 6은 본 발명의 다른 실시예에 따라 펄스 신호에 동기시켜 스위치의 개폐 동작을 제어하는 과정을 설명하는 예시적인 그래프이다.
도 7은 본 발명의 일 실시예에 따른 플라즈마 제어 방법을 설명하는 예시적인 도면이다.1 is an exemplary diagram showing a substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention.
2 is an exemplary diagram for explaining the operation of the substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention.
3 is a circuit diagram exemplarily showing an LC unit according to an embodiment of the present invention.
4 is an exemplary graph illustrating a process of adjusting the impedance of an LC unit in synchronization with a pulse signal according to an embodiment of the present invention.
5 is an exemplary diagram for explaining the operation of the substrate processing apparatus according to another embodiment of the present invention.
6 is an exemplary graph illustrating a process of controlling the opening and closing operations of a switch in synchronization with a pulse signal according to another embodiment of the present invention.
7 is an exemplary diagram illustrating a plasma control method according to an embodiment of the present invention.

본 발명의 다른 이점 및 특징, 그리고 그것들을 달성하는 방법은 첨부되는 도면과 함께 상세하게 후술 되는 실시 예를 참조하면 명확해질 것이다. 그러나 본 발명은 이하에서 개시되는 실시 예에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 구현될 수 있으며, 단지 본 실시 예는 본 발명의 개시가 완전하도록 하고, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공되는 것이며, 본 발명은 청구항의 범주에 의해 정의될 뿐이다.Other advantages and features of the present invention and methods of achieving them will become apparent with reference to the embodiments described below in detail with reference to the accompanying drawings. The present invention may, however, be embodied in many different forms and should not be construed as being limited to the embodiments set forth herein. Rather, these embodiments are provided so that this disclosure will be thorough and complete, and will fully convey the concept of the invention to those skilled in the art. Is provided to fully convey the scope of the invention to those skilled in the art, and the invention is only defined by the scope of the claims.

만일 정의되지 않더라도, 여기서 사용되는 모든 용어들(기술 혹은 과학 용어들을 포함)은 이 발명이 속한 종래 기술에서 보편적 기술에 의해 일반적으로 수용되는 것과 동일한 의미를 가진다. 일반적인 사전들에 의해 정의된 용어들은 관련된 기술 그리고/혹은 본 출원의 본문에 의미하는 것과 동일한 의미를 갖는 것으로 해석될 수 있고, 그리고 여기서 명확하게 정의된 표현이 아니더라도 개념화되거나 혹은 과도하게 형식적으로 해석되지 않을 것이다.Unless defined otherwise, all terms (including technical or scientific terms) used herein have the same meaning as commonly accepted by the generic art in the prior art to which this invention belongs. Terms defined by generic dictionaries may be interpreted to have the same meaning as in the related art and / or in the text of this application, and may be conceptualized or overly formalized, even if not expressly defined herein I will not.

본 명세서에서 사용된 용어는 실시 예들을 설명하기 위한 것이며 본 발명을 제한하고자 하는 것은 아니다. 본 명세서에서, 단수형은 문구에서 특별히 언급하지 않는 한 복수형도 포함한다. 명세서에서 사용되는 '포함한다' 및/또는 이 동사의 다양한 활용형들 예를 들어, '포함', '포함하는', '포함하고', '포함하며' 등은 언급된 조성, 성분, 구성요소, 단계, 동작 및/또는 소자는 하나 이상의 다른 조성, 성분, 구성요소, 단계, 동작 및/또는 소자의 존재 또는 추가를 배제하지 않는다. 본 명세서에서 '및/또는' 이라는 용어는 나열된 구성들 각각 또는 이들의 다양한 조합을 가리킨다.The terminology used herein is for the purpose of illustrating embodiments and is not intended to be limiting of the present invention. In the present specification, the singular form includes plural forms unless otherwise specified in the specification. As used herein, the terms' comprise 'and / or various forms of use of the verb include, for example,' including, '' including, '' including, '' including, Steps, operations, and / or elements do not preclude the presence or addition of one or more other compositions, components, components, steps, operations, and / or components. The term 'and / or' as used herein refers to each of the listed configurations or various combinations thereof.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 장치의 단면도이다.1 is a cross-sectional view of a substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention.

도 1을 참조하면, 기판 처리 장치(10)는 플라즈마를 이용하여 기판(W)을 처리한다. 예를 들어, 기판 처리 장치(10)는 기판(W)에 대하여 식각 공정을 수행할 수 있다. 기판 처리 장치(10)는 챔버(100), 기판 지지 어셈블리(200), 샤워 헤드(300), 가스 공급 유닛(400), 플라즈마 소스, 그리고 배플 유닛(500)을 포함할 수 있다.Referring to Fig. 1, a substrate processing apparatus 10 processes a substrate W using a plasma. For example, the substrate processing apparatus 10 may perform an etching process on the substrate W. [ The substrate processing apparatus 10 may include a chamber 100, a substrate support assembly 200, a showerhead 300, a gas supply unit 400, a plasma source, and a baffle unit 500.

챔버(100)는 내부에 기판 처리 공정이 수행되는 처리 공간을 제공할 수 있다. 챔버(100)는 내부에 처리 공간을 가지며, 밀폐된 형상으로 제공될 수 있다. 챔버(100)는 금속 재질로 제공될 수 있다. 일 실시예에 따르면, 챔버(100)는 알루미늄 재질로 제공될 수 있다. 챔버(100)는 접지될 수 있다. 챔버(100)의 바닥면에는 배기홀(102)이 형성될 수 있다. 배기홀(102)은 배기 라인(151)과 연결될 수 있다. 공정 과정에서 발생한 반응 부산물 및 챔버의 내부 공간에 머무르는 가스는 배기 라인(151)을 통해 외부로 배출될 수 있다. 배기 과정에 의해 챔버(100)의 내부는 소정 압력으로 감압될 수 있다. The chamber 100 may provide a processing space in which a substrate processing process is performed. The chamber 100 has a processing space therein and can be provided in a closed configuration. The chamber 100 may be made of a metal material. According to one embodiment, the chamber 100 may be provided with an aluminum material. The chamber 100 may be grounded. An exhaust hole 102 may be formed in the bottom surface of the chamber 100. The exhaust hole 102 may be connected to the exhaust line 151. The reaction byproducts generated in the process and the gas staying in the inner space of the chamber can be discharged to the outside through the exhaust line 151. The interior of the chamber 100 may be depressurized to a predetermined pressure by an evacuation process.

일 예에 의하면, 챔버(100) 내부에는 라이너(130)가 제공될 수 있다. 라이너(130)는 상면 및 하면이 개방된 원통 형상을 가질 수 있다. 라이너(130)는 챔버(100)의 내측면과 접촉하도록 제공될 수 있다. 라이너(130)는 챔버(100)의 내측벽을 보호하여 챔버(100)의 내측벽이 아크 방전으로 손상되는 것을 방지할 수 있다. 또한, 기판 처리 공정 중에 발생한 불순물이 챔버(100)의 내측벽에 증착되는 것을 방지할 수 있다. 선택적으로, 라이너(130)는 제공되지 않을 수도 있다.According to one example, a liner 130 may be provided within the chamber 100. The liner 130 may have a cylindrical shape with open top and bottom surfaces. The liner 130 may be provided to contact the inner surface of the chamber 100. The liner 130 protects the inner wall of the chamber 100 to prevent the inner wall of the chamber 100 from being damaged by the arc discharge. It is also possible to prevent impurities generated during the substrate processing step from being deposited on the inner wall of the chamber 100. Optionally, the liner 130 may not be provided.

챔버(100)의 내부에는 기판 지지 어셈블리(200)가 위치할 수 있다. 기판 지지 어셈블리(200)는 기판(W)을 지지할 수 있다. 기판 지지 어셈블리(200)는 정전기력을 이용하여 기판(W)을 흡착하는 정전척(210)을 포함할 수 있다. 이와 달리, 기판 지지 어셈블리(200)는 기계적 클램핑과 같은 다양한 방식으로 기판(W)을 지지할 수도 있다. 이하에서는 정전척(210)을 포함하는 기판 지지 어셈블리(200)에 대하여 설명한다.The substrate support assembly 200 may be located within the chamber 100. The substrate support assembly 200 can support the substrate W. [ The substrate support assembly 200 may include an electrostatic chuck 210 for attracting a substrate W using an electrostatic force. Alternatively, the substrate support assembly 200 may support the substrate W in a variety of ways, such as mechanical clamping. Hereinafter, the substrate support assembly 200 including the electrostatic chuck 210 will be described.

기판 지지 어셈블리(200)는 정전척(210), 하부 커버(250) 그리고 플레이트(270)를 포함할 수 있다. 기판 지지 어셈블리(200)는 챔버(100) 내부에서 챔버(100)의 바닥면으로부터 상부로 이격되어 위치한다. The substrate support assembly 200 may include an electrostatic chuck 210, a bottom cover 250 and a plate 270. The substrate support assembly 200 is spaced upwardly from the bottom surface of the chamber 100 within the chamber 100.

정전척(210)은 유전판(220), 몸체(230) 그리고 포커스 링(240)을 포함할 수 있다. 정전척(210)은 기판(W)을 지지할 수 있다.The electrostatic chuck 210 may include a dielectric plate 220, a body 230, and a focus ring 240. The electrostatic chuck 210 can support the substrate W. [

유전판(220)은 정전척(210)의 상단에 위치할 수 있다. 유전판(220)은 원판 형상의 유전체(dielectric substance)로 제공될 수 있다. 유전판(220)의 상면에는 기판(W)이 놓일 수 있다. 유전판(220)의 상면은 기판(W)보다 작은 반경을 가질 수 있다. 기판(W) 가장자리 영역은 유전판(220)의 외측에 위치할 수 있다. The dielectric plate 220 may be positioned at the top of the electrostatic chuck 210. The dielectric plate 220 may be provided as a disk-shaped dielectric substance. The substrate W may be placed on the upper surface of the dielectric plate 220. The upper surface of the dielectric plate 220 may have a smaller radius than the substrate W. [ The edge region of the substrate W may be located outside the dielectric plate 220.

유전판(220)은 내부에 제 1 전극(223), 히터(225) 그리고 제 1 공급 유로(221)를 포함할 수 있다. 제 1 공급 유로(221)는 유전판(210)의 상면으로부터 저면으로 제공될 수 있다. 제 1 공급 유로(221)는 서로 이격하여 복수 개 형성될 수 있으며, 기판(W)의 저면으로 열전달 매체가 공급되는 통로로 제공될 수 있다.The dielectric plate 220 may include a first electrode 223, a heater 225, and a first supply path 221 therein. The first supply passage 221 may be provided from the upper surface to the lower surface of the dielectric plate 210. A plurality of the first supply passages 221 may be spaced apart from each other and may be provided as a passage through which the heat transfer medium is supplied to the bottom surface of the substrate W.

제 1 전극(223)은 제 1 전원(223a)과 전기적으로 연결될 수 있다. 제 1 전원(223a)은 직류 전원을 포함할 수 있다. 제 1 전극(223)과 제 1 전원(223a) 사이에는 스위치(223b)가 설치될 수 있다. 제 1 전극(223)은 스위치(223b)의 온/오프(ON/OFF)에 의해 제 1 전원(223a)과 전기적으로 연결될 수 있다. 스위치(223b)가 온(ON)되면, 제 1 전극(223)에는 직류 전류가 인가될 수 있다. 제 1 전극(223)에 인가된 전류에 의해 제 1 전극(223)과 기판(W) 사이에는 정전기력이 작용하며, 정전기력에 의해 기판(W)은 유전판(220)에 흡착될 수 있다.The first electrode 223 may be electrically connected to the first power source 223a. The first power source 223a may include a DC power source. A switch 223b may be provided between the first electrode 223 and the first power source 223a. The first electrode 223 may be electrically connected to the first power source 223a by turning on / off the switch 223b. When the switch 223b is turned on, a direct current can be applied to the first electrode 223. An electrostatic force acts between the first electrode 223 and the substrate W by the current applied to the first electrode 223 and the substrate W can be attracted to the dielectric plate 220 by the electrostatic force.

히터(225)는 제 1 전극(223)의 하부에 위치할 수 있다. 히터(225)는 제 2 전원(225a)과 전기적으로 연결될 수 있다. 히터(225)는 제 2 전원(225a)에서 인가된 전류에 저항함으로써 열을 발생시킬 수 있다. 발생된 열은 유전판(220)을 통해 기판(W)으로 전달될 수 있다. 히터(225)에서 발생된 열에 의해 기판(W)은 소정 온도로 유지될 수 있다. 히터(225)는 나선 형상의 코일을 포함할 수 있다. The heater 225 may be positioned below the first electrode 223. The heater 225 may be electrically connected to the second power source 225a. The heater 225 can generate heat by resisting the current applied from the second power source 225a. The generated heat can be transferred to the substrate W through the dielectric plate 220. The substrate W can be maintained at a predetermined temperature by the heat generated in the heater 225. The heater 225 may include a helical coil.

유전판(220)의 하부에는 몸체(230)가 위치할 수 있다. 유전판(220)의 저면과 몸체(230)의 상면은 본딩 유닛(236)에 의해 접착될 수 있다. 몸체(230)는 알루미늄 재질로 제공될 수 있다. 몸체(230)의 상면은 중심 영역이 가장자리 영역보다 높게 위치되도록 단차질 수 있다. 몸체(230)의 상면 중심 영역은 유전판(220)의 저면에 상응하는 면적을 가질 수 있으며, 유전판(220)의 저면과 접착될 수 있다. 몸체(230)는 내부에 제 1 순환 유로(231), 제 2 순환 유로(232) 그리고 제 2 공급 유로(233)가 형성될 수 있다.The body 230 may be positioned below the dielectric plate 220. The bottom surface of the dielectric plate 220 and the top surface of the body 230 may be bonded together by a bonding unit 236. The body 230 may be made of aluminum. The upper surface of the body 230 may be stepped so that the central region is located higher than the edge region. The top center region of the body 230 may have an area corresponding to the bottom surface of the dielectric plate 220 and be adhered to the bottom surface of the dielectric plate 220. The body 230 may have a first circulation channel 231, a second circulation channel 232, and a second supply channel 233 formed therein.

제 1 순환 유로(231)는 열전달 매체가 순환하는 통로로 제공될 수 있다. 제 1 순환 유로(231)는 몸체(230) 내부에 나선 형상으로 형성될 수 있다. 또는, 제 1 순환 유로(231)는 서로 상이한 반경을 갖는 링 형상의 유로들이 동일한 중심을 갖도록 배치될 수 있다. 각각의 제 1 순환 유로(231)는 서로 연통될 수 있다. 제 1 순환 유로(231)들은 동일한 높이에 형성될 수 있다.The first circulation channel 231 may be provided as a passage through which the heat transfer medium circulates. The first circulation flow path 231 may be formed in a spiral shape inside the body 230. Alternatively, the first circulation flow path 231 may be arranged so that the ring-shaped flow paths having different radii have the same center. Each of the first circulation flow paths 231 can communicate with each other. The first circulation flow paths 231 may be formed at the same height.

제 2 순환 유로(232)는 냉각 유체가 순환하는 통로로 제공될 수 있다. 제 2 순환 유로(232)는 몸체(230) 내부에 나선 형상으로 형성될 수 있다. 또는, 제 2 순환 유로(232)는 서로 상이한 반경을 갖는 링 형상의 유로들이 동일한 중심을 갖도록 배치될 수 있다. 각각의 제 2 순환 유로(232)는 서로 연통될 수 있다. 제 2 순환 유로(232)는 제 1 순환 유로(231)보다 큰 단면적을 가질 수 있다. 제 2 순환 유로(232)들은 동일한 높이에 형성될 수 있다. 제 2 순환 유로(232)는 제 1 순환 유로(231)의 하부에 위치될 수 있다.The second circulation flow passage 232 may be provided as a passage through which the cooling fluid circulates. The second circulation flow path 232 may be formed in a spiral shape inside the body 230. Alternatively, the second circulation flow path 232 may be arranged so that the ring-shaped flow paths having different radii have the same center. Each of the second circulation flow paths 232 can communicate with each other. The second circulation channel 232 may have a larger cross-sectional area than the first circulation channel 231. The second circulation flow paths 232 may be formed at the same height. The second circulation flow passage 232 may be positioned below the first circulation flow passage 231.

제 2 공급 유로(233)는 제 1 순환 유로(231)부터 상부로 연장될 수 있으며, 몸체(230)의 상면으로 제공될 수 있다. 제 2 공급 유로(243)는 제 1 공급 유로(221)에 대응하는 개수로 제공될 수 있으며, 제 1 순환 유로(231)와 제 1 공급 유로(221)를 연결할 수 있다.The second supply passage 233 may extend upward from the first circulation passage 231 and may be provided on the upper surface of the body 230. The second supply passage 243 may be provided in a number corresponding to the first supply passage 221 and may be connected to the first circulation passage 231 and the first supply passage 221.

제 1 순환 유로(231)는 열전달 매체 공급라인(231b)을 통해 열전달 매체 저장부(231a)와 연결될 수 있다. 열전달 매체 저장부(231a)에는 열전달 매체가 저장될 수 있다. 열전달 매체는 불활성 가스를 포함할 수 있다. 실시예에 의하면, 열전달 매체는 헬륨(He) 가스를 포함할 수 있다. 헬륨 가스는 공급 라인(231b)을 통해 제 1 순환 유로(231)에 공급될 수 있으며, 제 2 공급 유로(233)와 제 1 공급 유로(221)를 순차적으로 거쳐 기판(W) 저면으로 공급될 수 있다. 헬륨 가스는 플라즈마에서 기판(W)으로 전달된 열을 정전척(210)으로 전달시키는 매질 역할을 한다.The first circulation channel 231 may be connected to the heat transfer medium storage unit 231a through the heat transfer medium supply line 231b. The heat transfer medium storage unit 231a may store the heat transfer medium. The heat transfer medium may include an inert gas. According to an embodiment, the heat transfer medium may comprise helium (He) gas. Helium gas can be supplied to the first circulation channel 231 through the supply line 231b and supplied to the bottom surface of the substrate W through the second supply channel 233 and the first supply channel 221 in order . The helium gas serves as a medium for transferring the heat transferred from the plasma to the substrate W to the electrostatic chuck 210.

제 2 순환 유로(232)는 냉각 유체 공급 라인(232c)을 통해 냉각 유체 저장부(232a)와 연결될 수 있다. 냉각 유체 저장부(232a)에는 냉각 유체가 저장될 수 있다. 냉각 유체 저장부(232a) 내에는 냉각기(232b)가 제공될 수 있다. 냉각기(232b)는 냉각 유체를 소정 온도로 냉각시킬 수 있다. 이와 달리, 냉각기(232b)는 냉각 유체 공급 라인(232c) 상에 설치될 수 있다. 냉각 유체 공급 라인(232c)을 통해 제 2 순환 유로(232)에 공급된 냉각 유체는 제 2 순환 유로(232)를 따라 순환하며 몸체(230)를 냉각할 수 있다. 몸체(230)는 냉각되면서 유전판(220)과 기판(W)을 함께 냉각시켜 기판(W)을 소정 온도로 유지시킬 수 있다.The second circulation channel 232 may be connected to the cooling fluid storage 232a through the cooling fluid supply line 232c. The cooling fluid may be stored in the cooling fluid storage portion 232a. A cooler 232b may be provided in the cooling fluid storage portion 232a. The cooler 232b may cool the cooling fluid to a predetermined temperature. Alternatively, the cooler 232b may be installed on the cooling fluid supply line 232c. The cooling fluid supplied to the second circulation channel 232 through the cooling fluid supply line 232c circulates along the second circulation channel 232 and can cool the body 230. [ The body 230 is cooled and the dielectric plate 220 and the substrate W are cooled together to maintain the substrate W at a predetermined temperature.

몸체(230)는 금속판을 포함할 수 있다. 일 예에 의하면, 몸체(230) 전체가 금속판으로 제공될 수 있다. 몸체(230)는 제 3 전원(235a)과 전기적으로 연결될 수 있다. 제 3 전원(235a)은 고주파 전력을 발생시키는 고주파 전원으로 제공될 수 있다. 고주파 전원은 RF 전원으로 제공될 수 있다. 상기 RF 전원은 펄스 신호를 출력함으로써 플라즈마 생성을 위한 고주파 전력을 제공할 수 있다. 몸체(230)는 제 3 전원(235a)으로부터 고주파 전력을 인가받을 수 있다. 이로 인하여 몸체(230)는 전극으로서 기능할 수 있다.The body 230 may include a metal plate. According to one example, the entire body 230 may be provided as a metal plate. The body 230 may be electrically connected to the third power source 235a. The third power source 235a may be provided as a high frequency power source for generating high frequency power. The high frequency power source can be provided by an RF power source. The RF power source can provide a high frequency power for plasma generation by outputting a pulse signal. The body 230 can receive high frequency power from the third power source 235a. This allows the body 230 to function as an electrode.

본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 장치(10)는 제어기를 포함할 수 있다. 상기 제어기는 상기 챔버(100)의 임피던스를 상기 RF 전원이 출력하는 펄스 신호에 동기시켜 변경할 수 있다.The substrate processing apparatus 10 according to an embodiment of the present invention may include a controller. The controller can change the impedance of the chamber 100 in synchronization with the pulse signal output from the RF power source.

일 실시예에 따르면, 상기 제어기는 상기 펄스 신호가 온이면 상기 챔버(100)의 임피던스를 증가시키고, 상기 펄스 신호가 오프이면 상기 챔버(100)의 임피던스를 감소시킬 수 있다.According to one embodiment, the controller may increase the impedance of the chamber 100 when the pulse signal is on, and reduce the impedance of the chamber 100 when the pulse signal is off.

도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 장치(10)의 동작을 설명하기 위한 예시적인 도면이다.2 is an exemplary diagram for explaining the operation of the substrate processing apparatus 10 according to an embodiment of the present invention.

상기 기판 처리 장치(10)는 펄스 신호를 생성함으로써 플라즈마를 발생시키기 위한 전력을 공급하는 RF 전원(600)을 포함할 수 있다.The substrate processing apparatus 10 may include an RF power source 600 that supplies power for generating a plasma by generating a pulse signal.

도 2에 도시된 바와 같이, 본 발명의 일 실시예에 따른 RF 전원(600)은 다수의 서브전원(6001, 6002, 6003)을 포함할 수 있다. 상기 다수의 서브전원(6001, 6002, 6003)은 각기 서로 다른 주파수의 펄스 신호를 생성할 수 있다.2, the RF power source 600 according to an exemplary embodiment of the present invention may include a plurality of sub power sources 6001, 6002, 6003. The plurality of sub power sources 6001, 6002, and 6003 may generate pulse signals having different frequencies.

예를 들어, 제 1 서브전원(6001)은 40.69 MHz 내지 160 MHz의 고주파수 펄스 신호를 생성하여 출력할 수 있으며, 제 2 서브전원(6002)은 13.56 MHz 내지 27.12 MHz의 중간주파수 펄스 신호를 생성하여 출력할 수 있으며, 제 3 서브전원(6003)은 300 KHz 내지 4 MHz의 저주파수 펄스 신호를 생성하여 출력할 수 있다.For example, the first sub power source 6001 may generate and output a high frequency pulse signal of 40.69 MHz to 160 MHz, and the second sub power source 6002 may generate an intermediate frequency pulse signal of 13.56 MHz to 27.12 MHz And the third sub power source 6003 can generate and output a low frequency pulse signal of 300 KHz to 4 MHz.

도 2에 도시된 RF 전원(600)은 세 개의 서브전원을 포함하지만, 상기 RF 전원(600)을 구성하는 서브전원의 개수는 이에 제한되지 않으며, 실시예에 따라 하나, 둘 또는 넷 이상의 서브전원으로 구성될 수도 있다. 또한, 서브전원이 출력하는 펄스 신호의 주파수는 전술한 실시예로 제한되지 않으며, 실시예에 따라 다양하게 설정될 수 있다.Although the RF power source 600 shown in FIG. 2 includes three sub power sources, the number of sub power sources constituting the RF power source 600 is not limited thereto, and one, two, or more sub power sources . In addition, the frequency of the pulse signal output by the sub power source is not limited to the above-described embodiment, and may be variously set according to the embodiment.

상기 기판 처리 장치(10)는 챔버(100) 내에서 기판을 지지하는 기판 지지 어셈블리(200)를 포함할 수 있으며, 일 실시예에 따르면 상기 기판 지지 어셈블리(200)는 상기 RF 전원(600)으로부터 펄스 신호를 수신하는 전극(2001)을 포함할 수 있다. 설명의 편의를 위해, 도 2에 도시된 실시예는 기판 지지 어셈블리 중 전극(2001)만을 도시하였다.The substrate processing apparatus 10 may include a substrate support assembly 200 that supports a substrate within the chamber 100. The substrate support assembly 200 may include an RF power source And an electrode 2001 for receiving a pulse signal. For ease of illustration, the embodiment shown in Figure 2 shows only the electrode 2001 of the substrate support assembly.

본 발명의 일 실시예에 따르면, 상기 챔버(100)는 전극(1001)을 포함할 수 있다. 도 2에 도시된 바와 같이, 상기 전극(1001)은 챔버(100)의 상면과 측면에 걸쳐 형성될 수 있으나, 실시예에 따라 상기 전극(1001)은 챔버(100)의 상면에 형성될 수도 있으며, 측면에 형성될 수도 있으며, 상면 일부 또는 측면 일부에 형성될 수도 있다.According to one embodiment of the present invention, the chamber 100 may include an electrode 1001. 2, the electrode 1001 may be formed on the upper surface and the side surface of the chamber 100, but the electrode 1001 may be formed on the upper surface of the chamber 100 according to an embodiment of the present invention , Or may be formed on a part of the upper surface or a part of the side surface.

상기 전극(1001)은 접지에 연결될 수 있다. 도 2에 도시된 바와 같이, 본 발명의 일 실시예에 따르면, 상기 전극(1001)은 LC 유닛(1002)을 통해 접지에 연결될 수 있다. 상기 LC 유닛(1002)은 인덕터 및 커패시터를 포함하여 구성되며, 소정의 임피던스 Z를 가질 수 있다.The electrode 1001 may be connected to ground. 2, according to an embodiment of the present invention, the electrode 1001 may be connected to the ground via an LC unit 1002. [ The LC unit 1002 includes an inductor and a capacitor, and may have a predetermined impedance Z.

도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 LC 유닛(1002)을 예시적으로 나타내는 회로도이다.3 is a circuit diagram exemplarily showing an LC unit 1002 according to an embodiment of the present invention.

도 3에 도시된 바와 같이, 상기 LC 유닛(1002)은 인덕터와 커패시터로 구성될 수 있다. 도 3은 하나의 인덕터와 하나의 커패시터로 구성된 LC 유닛의 일 예를 나타낼 뿐이며, 실시예에 따라 상기 LC 유닛은 소정의 임피던스를 갖도록 다수의 인덕터 또는 다수의 커패시터를 포함하여 구성될 수도 있다.As shown in FIG. 3, the LC unit 1002 may be composed of an inductor and a capacitor. FIG. 3 shows an example of an LC unit composed of one inductor and one capacitor. According to an embodiment, the LC unit may include a plurality of inductors or a plurality of capacitors so as to have a predetermined impedance.

상기 LC 유닛(1002)에 포함된 커패시터는 가변 커패시터일 수 있다. 이 경우, 상기 제어기(700)는 상기 가변 커패시터의 커패시턴스를 조절함으로써 LC 유닛(1002)의 임피던스 Z를 변경할 수 있다.The capacitor included in the LC unit 1002 may be a variable capacitor. In this case, the controller 700 can change the impedance Z of the LC unit 1002 by adjusting the capacitance of the variable capacitor.

본 발명의 일 실시예에 따르면, 상기 제어기(700)는 펄스 신호가 온이면 LC 유닛(1002)의 임피던스 Z가 증가하도록 제어하고, 펄스 신호가 오프이면 LC 유닛(1002)의 임피던스 Z가 감소하도록 제어할 수 있다.According to an embodiment of the present invention, when the pulse signal is on, the controller 700 controls the impedance Z of the LC unit 1002 to increase, and when the pulse signal is off, the impedance Z of the LC unit 1002 decreases Can be controlled.

도 4는 본 발명의 일 실시예에 따라 펄스 신호에 동기시켜 LC 유닛의 임피던스를 조절하는 과정을 설명하는 예시적인 그래프이다.4 is an exemplary graph illustrating a process of adjusting the impedance of an LC unit in synchronization with a pulse signal according to an embodiment of the present invention.

상기 제어기(700)는 RF 전원(600)으로부터 출력되는 펄스 신호에 동기시켜 LC 유닛(1002)의 임피던스 Z가 변경되도록 제어할 수 있다.The controller 700 may control the impedance Z of the LC unit 1002 to be changed in synchronization with the pulse signal output from the RF power source 600.

예를 들어, 도 4에 도시된 바와 같이, 펄스 신호가 온이면 LC 유닛(1002)의 임피던스 Z는 증가하여 Zhigh가 될 수 있으며, 펄스 신호가 오프이면 LC 유닛(1002)의 임피던스 Z는 감소하여 Zlow가 될 수 있다. Zhigh 및 Zlow는 기 설정된 값일 수 있으며, 상기 제어기(700)는 LC 유닛(1002)에 포함된 커패시터의 커패시턴스를 조절함으로써 임피던스 Z를 변경할 수 있다.4, when the pulse signal is on, the impedance Z of the LC unit 1002 may increase to Z high . If the pulse signal is off, the impedance Z of the LC unit 1002 decreases Z can be low . Z high and Z low may be predetermined values and the controller 700 may change the impedance Z by adjusting the capacitance of the capacitors included in the LC unit 1002. [

도 5는 본 발명의 다른 실시예에 따른 기판 처리 장치(10)의 동작을 설명하기 위한 예시적인 도면이다.5 is an exemplary diagram for explaining the operation of the substrate processing apparatus 10 according to another embodiment of the present invention.

본 발명의 다른 실시예에 따르면, 상기 챔버(100)는 전극(1001)을 포함할 수 있다. 그리고, 도 5에 도시된 바와 같이, 본 발명의 다른 실시예에 따르면, 상기 전극(1001)은 스위치(1003)의 개폐 동작에 의해, 부하를 거쳐 접지에 연결되거나, 접지에 직접 연결될 수 있다.According to another embodiment of the present invention, the chamber 100 may include an electrode 1001. 5, according to another embodiment of the present invention, the electrode 1001 may be connected to a ground via a load or directly connected to a ground by an opening / closing operation of the switch 1003.

도 5에 도시된 실시예에 따르면, 상기 제어기(700)는 RF 전원(600)으로부터 출력되는 펄스 신호가 온이면 상기 전극(1001)이 부하를 거쳐 접지에 연결되도록 상기 스위치(1003)를 개방시킬 수 있다. 또한, 상기 제어기(700)는 펄스 신호가 오프이면 상기 전극(1001)이 접지에 직접 연결되도록 상기 스위치(1003)를 닫을 수 있다.5, when the pulse signal output from the RF power source 600 is on, the controller 700 opens the switch 1003 so that the electrode 1001 is connected to the ground via the load . Also, the controller 700 may close the switch 1003 so that the electrode 1001 is directly connected to the ground when the pulse signal is off.

도 6은 본 발명의 다른 실시예에 따라 펄스 신호에 동기시켜 스위치(1003)의 개폐 동작을 제어하는 과정을 설명하는 예시적인 그래프이다.6 is an exemplary graph illustrating a process of controlling the opening and closing operations of the switch 1003 in synchronization with a pulse signal according to another embodiment of the present invention.

도 6에 도시된 바와 같이, 상기 제어기(700)는 펄스 신호가 온이면 상기 스위치(1003)가 열리도록 제어하여 전극(1001)이 부하를 거쳐 접지에 연결되도록 할 수 있다. 또한, 상기 제어기(700)는 펄스 신호가 오프이면 상기 스위치(1003)가 닫히도록 제어하여 전극(1001)이 접지에 직접 연결되도록 할 수 있다.As shown in FIG. 6, the controller 700 controls the switch 1003 to be opened when the pulse signal is on, so that the electrode 1001 is connected to the ground through the load. Also, the controller 700 controls the switch 1003 to close when the pulse signal is off, so that the electrode 1001 is directly connected to the ground.

이와 같이, 본 발명의 다른 실시예에 따르면, 상기 제어기(700)는 전극(1001)과 접지 사이에 연결된 스위치(1003)의 개폐 동작을 제어함으로써, 펄스 신호에 동기시켜 챔버(100)의 임피던스를 변경할 수 있다.In this way, according to another embodiment of the present invention, the controller 700 controls the opening / closing operation of the switch 1003 connected between the electrode 1001 and the ground, thereby adjusting the impedance of the chamber 100 in synchronization with the pulse signal Can be changed.

도 2 및 도 5에 도시된 실시예와 같이, 상기 RF 전원(600)이 다수의 서브전원(601, 602, 603)을 포함하는 경우, 상기 제어기(700)는 다수의 서브전원(601, 602, 603)이 출력하는 펄스 신호 중 가장 높은 주파수의 펄스 신호에 동기시켜 챔버(100)의 임피던스를 변경할 수 있다.2 and 5, when the RF power source 600 includes a plurality of sub power sources 601, 602, and 603, the controller 700 includes a plurality of sub power sources 601 and 602 And 603, the impedance of the chamber 100 can be changed in synchronization with the pulse signal of the highest frequency.

상기 제어기(700)는 상기 RF 전원(600)의 위상을 더 제어할 수 있다. 다시 말해, 상기 제어기(700)는 챔버(100)의 임피던스를 제어하는 임피던스 제어 기능 외에 RF 전원(600)의 위상을 제어하는 위상 제어 기능을 함께 수행할 수 있다.The controller 700 may further control the phase of the RF power source 600. In other words, the controller 700 may perform a phase control function for controlling the phase of the RF power source 600 in addition to the impedance control function for controlling the impedance of the chamber 100.

도 7은 본 발명의 일 실시예에 따른 플라즈마 제어 방법을 설명하는 예시적인 도면이다.7 is an exemplary diagram illustrating a plasma control method according to an embodiment of the present invention.

도 7에 도시된 바와 같이, 상기 플라즈마 제어 방법(20)은 RF 전원(600)이 생성하는 펄스 신호의 정보를 획득하는 단계(S201), 및 상기 펄스 신호의 정보를 기반으로 상기 펄스 신호에 동기시켜 챔버(100)의 임피던스를 변경하는 단계(S202)를 포함할 수 있다.7, the plasma control method 20 includes a step S201 of obtaining information on a pulse signal generated by the RF power source 600, and a step of synchronizing the pulse signal with the pulse signal And changing the impedance of the chamber 100 (S202).

본 발명의 일 실시예에 따르면, 상기 펄스 신호의 정보를 획득하는 단계(S201)는, 상기 RF 전원(600)이 생성하여 출력하는 펄스 신호의 주파수, 위상, 듀티비(duty ratio), 듀티사이클(duty cycle) 중 적어도 하나에 관한 정보를 획득하는 단계를 포함할 수 있다.According to an exemplary embodiment of the present invention, the step of acquiring information on the pulse signal (S201) may include calculating a frequency, a phase, a duty ratio, a duty cycle, and a duty cycle of a pulse signal generated and output by the RF power source and acquiring information regarding at least one of a duty cycle and a duty cycle.

본 발명의 일 실시예에 따르면, 상기 임피던스를 변경하는 단계(S202)는, 상기 펄스 신호가 온이면 챔버(100)의 임피던스를 증가시키는 단계, 및 상기 펄스 신호가 오프이면 챔버(100)의 임피던스를 감소시키는 단계를 포함할 수 있다.According to an embodiment of the present invention, the step of changing the impedance (S202) comprises the steps of increasing the impedance of the chamber 100 when the pulse signal is on, and increasing the impedance of the chamber 100 when the pulse signal is off .

상기 챔버(100)의 임피던스 변경은, 챔버(100)와 접지 사이에 연결된 LC 유닛(1002)의 임피던스 Z를 변경함으로써 수행될 수 있다.The impedance change of the chamber 100 can be performed by changing the impedance Z of the LC unit 1002 connected between the chamber 100 and the ground.

예를 들어, 상기 임피던스를 변경하는 단계(S202)는, 펄스 신호에 동기시켜 상기 챔버(100)와 접지 사이에 연결된 LC 유닛(1002)의 커패시터의 커패시턴스를 조절하는 단계를 포함할 수 있다.For example, the step of changing the impedance (S202) may include adjusting the capacitance of the capacitor of the LC unit 1002 connected between the chamber 100 and the ground in synchronism with the pulse signal.

도 2에 도시된 실시예를 참조하여 설명하면, 상기 임피던스를 변경하는 단계(S202)는, 펄스 신호가 온이면 상기 LC 유닛(1002)의 임피던스를 증가시키는 단계, 및 펄스 신호가 오프이면 상기 LC 유닛(1002)의 임피던스를 감소시키는 단계를 포함할 수 있다.2, the step of changing the impedance (S202) includes a step of increasing the impedance of the LC unit 1002 when the pulse signal is on, and a step of increasing the impedance of the LC unit 1002 when the pulse signal is off. And reducing the impedance of the unit 1002.

상기 챔버(100)의 임피던스 변경은, 챔버(100)와 접지 사이에 연결된 스위치(1003)를 제어함으로써 수행될 수도 있다.The impedance change of the chamber 100 may be performed by controlling the switch 1003 connected between the chamber 100 and the ground.

예를 들어, 상기 임피던스를 변경하는 단계(S202)는, 펄스 신호에 동기시켜 상기 챔버(100)와 접지 사이에 부하를 개재시키는 스위치(1003)를 개폐하는 단계를 포함할 수 있다.For example, the step of changing the impedance (S202) may include opening and closing a switch 1003 for interposing a load between the chamber 100 and ground in synchronism with a pulse signal.

도 5에 도시된 실시예를 참조하여 설명하면, 상기 임피던스를 변경하는 단계(S202)는, 펄스 신호가 온이면 상기 스위치(1003)를 개방시키는 단계, 및 펄스 신호가 오프이면 상기 스위치(1003)를 닫는 단계를 포함할 수 있다.5, the step of changing the impedance (S202) includes a step of opening the switch 1003 when the pulse signal is on, a step of opening the switch 1003 when the pulse signal is off, As shown in FIG.

전술한 본 발명의 일 실시예에 따른 플라즈마 제어 방법(20)은 컴퓨터에서 실행되기 위한 프로그램으로 제작되어 컴퓨터가 읽을 수 있는 기록 매체에 저장될 수 있다. 상기 컴퓨터가 읽을 수 있는 기록 매체는 컴퓨터 시스템에 의하여 읽혀질 수 있는 데이터가 저장되는 모든 종류의 저장 장치를 포함한다. 컴퓨터가 읽을 수 있는 기록 매체의 예로는 ROM, RAM, CD-ROM, 자기 테이프, 플로피디스크, 광 데이터 저장장치 등이 있다.The plasma control method 20 according to an embodiment of the present invention may be stored in a computer readable recording medium. The computer-readable recording medium includes all kinds of storage devices in which data that can be read by a computer system is stored. Examples of the computer-readable recording medium include ROM, RAM, CD-ROM, magnetic tape, floppy disk, optical data storage, and the like.

이상, RF 전원으로부터 출력되는 펄스 신호에 동기시켜 챔버의 임피던스를 변경하는 기판 처리 장치 및 플라즈마 제어 방법이 설명되었다.The substrate processing apparatus and the plasma control method for changing the impedance of the chamber in synchronization with the pulse signal output from the RF power supply have been described above.

본 발명의 일 실시예에 따르면, 펄스 신호가 온인 경우 챔버의 임피던스가 커져, 챔버의 벽에 생성되는 플라즈마의 밀도가 증가할 수 있으며, 펄스 신호가 오프인 경우 챔버의 임피던스가 작아져, 챔버의 중심에 생성되는 플라즈마의 밀도가 증가할 수 있다. 그 결과, 챔버 전체에 걸쳐 플라즈마가 균일하게 생성될 수 있으며, 플라즈마로 처리되는 기판의 수율이 향상될 수 있다.According to an embodiment of the present invention, when the pulse signal is ON, the impedance of the chamber is increased, the density of plasma generated in the wall of the chamber may increase, and when the pulse signal is OFF, the impedance of the chamber is decreased, The density of the plasma generated at the center can be increased. As a result, the plasma can be uniformly generated throughout the chamber, and the yield of the substrate treated with plasma can be improved.

10: 기판 처리 장치
100: 챔버
200: 기판 지지 어셈블리
400: 가스 공급 유닛
600: RF 전원
700: 제어기10: substrate processing apparatus
100: chamber
200: substrate support assembly
400: gas supply unit
600: RF power supply
700: controller

Claims (2)

내부에 처리 공간을 갖는 챔버;
상기 챔버 내에 위치하고, 기판을 지지하는 기판 지지 어셈블리;
상기 챔버로 가스를 공급하는 가스 공급 유닛;
상기 챔버로 공급되는 가스로부터 플라즈마를 발생시키기 위한 전력을 펄스 신호를 통해 인가하는 RF 전원; 및
상기 챔버의 임피던스를 상기 펄스 신호에 동기시켜 변경하는 제어기;
를 포함하는 기판 처리 장치.A chamber having a processing space therein;
A substrate support assembly positioned within the chamber and supporting the substrate;
A gas supply unit for supplying gas to the chamber;
An RF power source for applying power for generating a plasma from a gas supplied to the chamber through a pulse signal; And
A controller for changing the impedance of the chamber in synchronization with the pulse signal;
And the substrate processing apparatus. 제 1 항에 있어서,
상기 RF 전원은:
각기 서로 다른 주파수의 펄스 신호를 생성하는 다수의 서브전원을 포함하는 기판 처리 장치.The method according to claim 1,
The RF power source comprises:
And a plurality of sub power supplies for generating pulse signals of different frequencies, respectively.
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