KR20140110369A - 연질 무기물-형광체 복합체 및 이를 포함하는 발광소자 - Google Patents
연질 무기물-형광체 복합체 및 이를 포함하는 발광소자 Download PDFInfo
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Abstract
발광소자가 개시된다. 이 발공소자는 기판과; 상기 기판 상에 실장되는 LED칩과; 상기 LED칩으로부터의 광이 통과하는 위치에 배치되는 연질 무기물-형광체 복합체를 포함한다. 상기 연질 무기물-형광체 복합체는 상기 LED칩으로부터 광에 의해 여기되어 다른 파장의 빛을 발하는 1종 이상의 형광체 5~50wt%와 상기 형광체를 담지하는 연질 무기물 담지체 95~50wt%를 포함한다.
Description
본 발명은 발광소자에 관한 것으로서, 더 상세하게는, 발광소자 내에서 형광체를 담는 담지체 기술에 관한 것이다.
발광다이오드(Light Emitting Diode, LED)는 디스플레이의 백라이트 광원, 표시소자, 조명장치 등에 사용되고 있다. 백색 발광소자는 빛의 3원색의 조합으로 백색광을 구현하며, 청색 LED칩과 황색 형광체의 조합을 이용하는 방식과, UV LED칩과 적색, 녹색 그리고 청색의 3가지 형광체를 조합하는 방식이 보편적이다. 통상 형광체는 분말 형태로 에폭시 또는 실리콘 담지체에 혼합되어 LED칩 상부에 도포된 형태로 이용되고 있다.
조명용 백색 발광소자는 고휘도, 고출력이 요구되며, 따라서, LED칩 주변온도가 200℃ 이상으로 상승할 경우, 형광체 분말의 담지체로 이용되는 에폭시 또는 실리콘이 변성되는 현상, 즉, 황변 또는 갈변 등의 현상이 발생한다.
에폭시 또는 실리콘 등과 같은 유기 담지체는 LED칩 및 형광체의 변성온도에 비해 낮은 변성온도를 갖는다. 유기 담지체의 변성은 백색 발광소자의 광출력을 저하시키며, 백색 발광소자 전체의 수명을 감소시키는 원인이 되고 있다. 게다가, 에폭시 수지는 자외선에 노출될 경우에도 황변 현상이 일어나며, 따라서, 수명이 짧고 야외 조명용 발광소자로의 적용에 부적합하다.
최근에는 LED칩 위에 형광체를 담은 층을 두는 방법이 더 효과적이라는 연구결과가 있었다(논문참조 Luo, H. et al., Applied Physics Letters 86, no. 24 (Jun 13 2005)). 그리고 위와 같은 연구는 1종의 형광체(황색 형광체) 또는 2종의 형광체(녹색 형광체 및 적색 형광체) 적용으로 백색광의 구현이 가능한, 청색 LED칩을 포함하는 백색 발광소자에서 제한적으로 이루어지고 있다.
유리 재료를 형광체의 담지체로 이용할 경우, 에폭시 수지 또는 실리콘 수지 등 유기물을 형광체의 담지체로 이용하는 기존 기술과 비교할 때, 우수한 기계적 강도와 고온 및 자외선 노출 환경에서의 화학적 안정성을 나타내며, 또한 대면적화가 용이하다. 하지만 유리 재료는 에폭시 또는 실리콘 수지 등 유기물 재료와 비교할 때 과도하게 높은 성형 온도를 가지며, 따라서, 유리 담지체와 형광체를 포함하는 복합체를 제조할 때, 형광체가 열화하여 발광소자의 발광 효율을 저하시킬 우려가 높다. 또한 위와 같은 복합체 제조에 소결을 이용할 경우, 일반적인 소결온도보다 상대적으로 낮은 소결온도로 진행해야 하므로, 불완전 소결로 인한 결함과 그로 인한 발광소자의 빛 손실이 우려된다.
본 발명이 해결하고자 하는 과제는, 공정 온도에 의한 형광체의 효율 저하 없이, 우수한 기계적 강도와 고온 및 자외선 노출 환경에서의 화학적 안정성이 우수한 발광소자용 담지체-형광체 복합체를 제조하는 기술을 제공하는 것이다.
본 발명의 일측면에 따른 발광소자는, 기판과, 상기 기판 상에 실장되는 LED칩과, 상기 LED칩으로부터의 광이 통과하는 위치에 배치되는 연질 무기물-형광체 복합체를 포함하며, 상기 연질 무기물-형광체 복합체는 상기 LED칩으로부터 광에 의해 여기되어 다른 파장의 빛을 발하는 1종 이상의 형광체 5~50wt%와 상기 형광체를 담지하는 연질 무기물 담지체 95~50wt%를 포함한다.
본 명세서에서, 용어 "연질 무기물"은 유리 재료가 아니면서 일반 유리의 성형 온도보다 낮은 성형 온도 온도를 갖는 무기물 재료로 정의한다.
일 실시예에 따라, 상기 LED칩은 UV LED칩 또는 청색 LED칩인 것이 바람직하다.
일 실시예에 따라, 상기 형광체는 도핑된 가닛(garnet), 알루미네이트, 나이트라이드, 실리케이트, 설파이드, 옥시-설파이드, 옥시-나이트라이드, 포스페이트, 클로-포스페이트, 보레이트, 텅스테이트 형광체 또는 양자점 형광체를 포함할 수 있다. 이때, 상기 도핑된 가닛 형광체는 YAG:Ce 또는 (Y,Gd)AG:Ce를 포함하고, 상기 알루미네이트 형광체는 BaMg2Al16O27:Eu,Mn, Sr2Al14O25:Eu 또는 BAM:Eu를 포함하고, 상기 나이트라이드 형광체는 CaAlSiN3:Eu, Ca(Sr)AlSiN3:Eu 또는 AESi2O2N2:Eu를 포함하고, 상기 실리케이트 형광체는 SrBaSiO:Eu를 포함하고, 상기 설파이드 형광체는 ZnS:Ag, CaS:Eu 또는 SrGa2S4:Eu를 포함하고, 옥시-나이트라이드 형광체는 β-SiAlON:Eu를 포함하고, 상기 클로-포스페이트 형광체는 Sr5(PO4)3Cl:Eu를 포함하고, 상기 텅스테이트 형광체는 CaWO4를 포함하고, 상기 양자점 형광체 Si, Ge, CdS, CdSe, CdTe, ZnS, ZnSe, ZnTe, PbS, PbSe, PbTe, InN, InP, InAs, AlN, AlP, AlAs, GaN, GaP 또는 GaAs를 포함한다.
일 실시예에 따라, 상기 연질 무기물 담지체는 400nm~700nm 파장영역에서 투명한 연질 무기물 재료를 포함한다.
일 실시예에 따라, 상기 연질 무기물 담지체는 전형 원소 또는 전이 금속의 염화물, 브롬화물, 요오드화물 또는 불화물을 포함한다.
일 실시예에 따라, 상기 연질 무기물 담지체는 Sn, Pb, 또는 K의 염화물, 브롬화물, 요오드화물 또는 불화물을 포함한다.
본 발명의 다른 측면에 따라, 연질 무기물 담지체에 1종 이상의 형광체가 담지된 발광소자용 무기물-형광체를 소결법으로 제조하는 방법이 제공되며, 상기 방법은. 연질 무기물과 형광체를 분말 상태로 혼합하는 혼합 단계와; 상기 연질 무기물과 형광체의 혼합 분말을 몰드에 넣고 프레스 압력을 가하는 성형 단계를 포함한다. 상기 혼합 단계는 형광체 분말 5~50wt%와 연질 무기물 분말 95~50wt%를 혼합한다. 상기 성형 단계에서는 400℃ 이내 온도를 가한다.
본 발명에 따르면. 연질 무기물-형광체 복합체가 LED칩 동작시 발생하는 열 및 광에 의한 열화, 즉 갈변이나 황변 현상을 억제하는 장점을 갖는다. 또한, 본 발명은 형광체의 열화 감소로 인한 효율 저하를 막하 효율을 높일 수 있으며, 그와 동시에, 유리에 비해 성형 온도가 낮은 연질 무기물 재료를 담지체로 이용함으로써, 유리 담지체를 포함하는 복합체에 비해 상대적으로 쉬운 소결방법으로 연질 유기물-형광체의 제조가 가능하다는 이점을 제공한다.
도 1은 본 발명에 따른 발광소자의 일 예를 도시한 단면도이고,
도 2는 본 발명에 따른 발광소자의 다른 예를 도시한 단면도이고,
도 3은 연질 무기물-형광체의 성형 방식으로 설명하기 위한 도면이고,
도 4 실시예1, 실시예2 및 실시예3에 따라 만들어진 연질 무기물-형광체 복합체를 도 1에 도시된 것과 같은 백색 발광소자에 적용하여 색좌표를 측정한 결과를 보여주는 CIE 1931 색좌표 다이아그램이고,
도 5의 (a), (b) 및 (c)는 실시예1, 실시예2 및 실시예3에 따라 만들어진 연질 무기물 형광체 복합체를 도 1에 도시된 것과 같은 백색 발광소자에 적용한 후의 발광사진들이며,
도 6은 실시예 1, 실시예 2 및 실시예 3에 따라 만들어진 연질 무기물 형광체 복합체를 도 1에 도시된 것과 같은 백색 발광소자에 적용한 후의 발광 스펙트럼을 보여주는 그래프이다.
도 7a 및 도 7b는 본 발명에 따른 발광소자의 또 다른 예들을 설명하기 위한 단면도들이다.
도 2는 본 발명에 따른 발광소자의 다른 예를 도시한 단면도이고,
도 3은 연질 무기물-형광체의 성형 방식으로 설명하기 위한 도면이고,
도 4 실시예1, 실시예2 및 실시예3에 따라 만들어진 연질 무기물-형광체 복합체를 도 1에 도시된 것과 같은 백색 발광소자에 적용하여 색좌표를 측정한 결과를 보여주는 CIE 1931 색좌표 다이아그램이고,
도 5의 (a), (b) 및 (c)는 실시예1, 실시예2 및 실시예3에 따라 만들어진 연질 무기물 형광체 복합체를 도 1에 도시된 것과 같은 백색 발광소자에 적용한 후의 발광사진들이며,
도 6은 실시예 1, 실시예 2 및 실시예 3에 따라 만들어진 연질 무기물 형광체 복합체를 도 1에 도시된 것과 같은 백색 발광소자에 적용한 후의 발광 스펙트럼을 보여주는 그래프이다.
도 7a 및 도 7b는 본 발명에 따른 발광소자의 또 다른 예들을 설명하기 위한 단면도들이다.
이하 첨부한 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예들을 상세히 설명하기로 한다. 다음에 소개되는 실시예들은 당업자에게 본 발명의 사상이 충분히 전달될 수 있도록 하기 위한 예로서 제공되는 것이다. 따라서 본 발명은 이하 설명되는 실시예들에 한정되지 않고 다른 형태로 구체화될 수도 있다. 그리고 도면에 있어서, 구성요소의 폭, 길이, 두께 등은 편의를 위해 과장되어 표현될 수 있다.
도 1은 본 발명에 따른 백색 발광소자를 도시한 단면도이다. 도 1을 참조하면, 상기 백색 발광소자(1)는 기판(2)과, 상기 기판(2) 상에 실장된 LED칩(4)과 상기 LED칩(4)의 상부면에 부착된 연질 무기물-형광체 복합체(6)와, 상기 LED칩(4) 및 상기 연질 무기물-형광체 복합체(6)를 덮도록 형성된 실란트(sealant; 8)를 포함한다. 상기 실란트(8)는 투광성을 갖는 수지, 예컨대, 에폭시 또는 실리콘 등으로 형성될 수 있다.
본 명세서에서, 용어 "백색광" 또는 "백색 발광"은 백색으로 인지되는 2000K 내지 10,000K의 상관색온도(Correlated Color Temperature, CCT) 범위를 가지는 광 또는 그러한 광의 방출을 의미한다.
상기 기판(2)은 상기 LED칩(4)과 전기적으로 연결되는 도전성 전극 패턴을 구비한 PCB(Print Circuit Board)일 수 있다. 대안적으로, 상기 기판(2)은 도 2에 도시된 것과 같이, 상기 LED칩(4)을 수용하는 캐비티(21)를 구비하고 상기 캐비티(21)의 내벽면에 반사면이 형성된 리플렉터 구조를 가질 수 있다.
상기 LED칩(4)은 대략 200nm~420nm 범위 파장의 UV 광을 발하는 UV LED칩일 수 있다. 상기 연질 무기물-형광체 복합체(6)는 디스크 형태를 가지며, LED칩(4)으로부터의 UV광 함께 백색광을 만드는 3종 이상의 형광체(62R, 62G, 62B)를 포함할 수 있다. 상기 형광체(62R, 62G, 62B)는 연질 무기물 담지체(61)에 분산된 형태로 담지된다.
UV LED칩 대신에 다른 색을 광을 발하는 LED칩, 예컨대, 420nm~480nm 범위의 파장의 청색광을 발하는 청색 LED칩이 적용될 수 있으며, 이 경우, 상기 연질 무기물-형광체 복합체(6)는 청색광에 의해 여기되어 황색광을 발하는 황색 형광체를 포함하거나, 또는 청색광에 의해 여기되어 적색광을 발하는 적색 형광체와 녹색광을 발하는 적색 형광체를 포함할 수 있다. 또한, 800nm~1000nm 범위의 파장을 갖는 IR LED칩이 적용될 수도 있다.
상기 연질 무기물-형광체 복합체(6)는 이하 자세히 설명되는 바와 같이 5-50wt% 형광체와 95-50wt%의 연질 무기물이 균일하게 혼합되어 형성될 수 있다.
이제 전술한 유리-형광체 복합체를 구성하는 요소들인 형광체 및 연질 무기물 및 이들 요소들을 이용하여 연질 무기물-형광체 복합체를 만드는 방법에 대하여 보다 구제적으로 설명한다.
[형광체]
앞에서 언급한 바와 같이, 상기 연질 무기물-형광체 복합체는 3종 이상의 형광체를 포함할 수 있으며, 3종 이상의 형광체는 일반적으로 UV LED칩과 함께 백색광을 구현하는 적색, 녹색 및 청색의 3가지 형광체를 포함할 수 있다. 두 가지 색을 발하는 형광체(예컨대, Mn과 Eu 등 전이금속과 희토류 등 두가지 원소를 동시에 포함한 형광체)의 경우, 앞에서 언급한 3가지 형광체 중 두 가지 형광체를 대체할 수 있다.
또한 앞에서 언급된 적색, 녹색 그리고 청색 이외에 다른 색을 포함할 수 있다. 형광체는 형광 물질로 이루어지며, 형광 물질은 무기 입자, 유기 입자 또는 유기 분자 또는 그 조합일 수 있다.
적합한 무기 입자는 도핑된 가닛(garnet)(예를 들어, YAG:Ce 및 (Y,Gd)AG:Ce), 알루미네이트(예를 들어, BaMg2Al16O27:Eu,Mn, Sr2Al14O25:Eu, 및 BAM:Eu), 나이트라이드(예를 들어, CaAlSiN3:Eu, Ca(Sr)AlSiN3:Eu 및 AESi2O2N2:Eu), 실리케이트(예를 들어, SrBaSiO:Eu), 설파이드(예를 들어, ZnS:Ag, CaS:Eu, 및 SrGa2S4:Eu), 옥시-설파이드, 옥시-나이트라이드(예를 들어, β-SiAlON:Eu), 포스페이트, 클로-포스페이트(예를 들어, Sr5(PO4)3Cl:Eu), 보레이트 및 텅스테이트(예를 들어,CaWO4)를 포함한다. 이들 물질은 통상적인 형광체 분말 또는 나노입자형 형광체 분말의 형태일 수도 있다. 적합한 무기 입자의 다른 부류로는 Si, Ge, CdS, CdSe, CdTe, ZnS, ZnSe, ZnTe, PbS, PbSe, PbTe, InN, InP,InAs, AlN, AlP, AlAs, GaN, GaP, GaAs 및 그 조합을 포함하는 반도체 나노입자로 만들어진 소위 양자점 형광체(quantum dot phosphor)가 있다.
[연질 무기물]
본 명세서에서, 연질 무기물은 유리 재료가 아니며, 일반 유리의 성형 온도보다 낮은 성형 온도 온도를 갖는 재료를 의미한다. 연질 무기물은 연질 무기물-형광체 복합체에서 형광체를 담는 담지체의 역할을 한다. 대표적인 연질 무기물 재료로는 KBr이 있다. KBr은, 적외선 분광 시험법의 하나인 KBr법에서 FT-IR 측정시 시료의 담지체로 사용되는 것으로 잘 알려진 재료로서, 0.25 ~ 25μm 파장에 대하여 투명하여 발광소자의 형광체 담지체로 적합하다. 또한 다른 연질 무기물인 KCl은 210nm ~ 20 μm 파장에 대하여 투과성을 갖는다. 형광체의 담지체로 사용되기 위해, 연질 무기물은 가시 영역의 파장 범위, 특히, 400nm~700nm 파장 범위에서 불투명하지 않아야 하며, 빛의 손실을 줄이기 위해, 색이 없어야 한다.
또한, 본 발명에 있어서, 형광체의 담지채로 이용되는 연질 무기물은 F, CL, Br 또는 I 를 포함하는 화합물, 예컨대, KBr, KCl, PbCl, PbBr, SnCl일 수 있다.
[연질 무기물-형광체 복합체의 제조]
일반적으로 유리-형광체 복합체를 제조하기 위해서는 진공상태에서 프레스압력 및 온도를 가하는 소결공정을 통해 제조된다. 연질 무기물-형광체 복합체의 경우, 유리보다 무른 특성을 이용하여, 프레스 압력(20kg/cm2-100kg/cm2범위)과 경우에 따라 약간의 온도(400℃이내)의 온도를 가하는 일종의 소결공정으로 제조가 가능하다.
이하 자세히 설명되는 실시예를 통해서 제조된 연질 무기물-형광체 복합체는 도 1 및 도 2에 도시된 것과 같이 발광소자에 적용될 수 있다. 또한 연질 무기물-형광체 복합체는 도 1 및 도 2에서와 같이 3종의 형광체가 포함된 경우뿐만 아니라, 1종 이상의 형광체를 포함할 수 있음에 유의하다.
연질 무기물인 KCl을 적절히 칭량한 후, 알루미나 막자사발을 이용하여 미분화한다. 이를 통해 얻어진 연질 무기물 파우더가 연질 무기물-형광체 복합체에서 형광체를 담는 담지체로 이용된다.
형광체는 적색 CaAlSiN3:Eu,녹색 BaMg2Al16O27:Eu,Mn,청색 Sr5(PO4)3Cl:Eu을 이용하였고, 연질 무기물 담지체와 형광체 총량의 비율에 따라서 RGB 비율이 정해진다.
아래의 [표 1]에서와 같이 연질 무기물 담지체인 KCl과 형광체의 비율을 달리하여 실시예1, 실시예2 및 실시예3의 연질 무기물-형광체 복합체를 제조하였다.
위의 [표 1]과 같이, 실시예1에 따라, 연질 무기물 담지체의 양을 90wt%, 총 형광체양을 10wt%로 할 경우, 형광체간 무게비율은 적색 12, 녹색 100, 청색 4 으로 맞추어 연질 무기물-형광체 복합체를 제조하였고, 실시예2에 따라, 연질 무기물 담지체의 양을 70wt%, 총 형광체양을 30wt%로 할 경우, 적색 7, 녹색 100, 청색 39 으로 형광체간 무게비율을 맞추어 연질 무기물-형광체 복합체를 제조하였으며, 실시예 3에 따라, 연질 무기물 담지체의 양을 50wt%, 총 형광체양을 50wt%로 할 경우, 적색 3, 녹색 100, 청색 58 으로 형광체간 무게비율을 맞추어 연질 무기물-형광체 복합체를 제조하였다. 이때, 형광체는 연질 무기물 담지체에 균일하게 분산되어 있도록 하였다.
연질 무기물과 형광체가 분말 상태로 균일하게 혼합된 혼합 분말(6')을 도 3에 도시된 것과 같은 몰드에 넣은 후, 2분 동안 60kg/cm2 압력의 프레스 과정을 통하여 디스크형태로 제조한다. 이러한 과정을 통해서 디스크 형태의 연질 무기물-형광체 복합체를 얻을 수 있다.
[실험예]
도 4는 전술한 실시예1, 실시예2 및 실시예3에 따라 만들어진 연질 무기물-형광체 복합체를 도 1에 도시된 것과 같은 백색 발광소자에 적용하여 색좌표를 측정한 결과를 보여주는 CIE 1931 색좌표 다이아그램이고, 도 5의 (a), (b) 및 (c)는 실시예1, 실시예2 및 실시예3에 따라 만들어진 연질 무기물 형광체 복합체를 도 1에 도시된 것과 같은 백색 발광소자에 적용한 후의 발광사진들이며, 도 6은 실시예 1, 실시예 2 및 실시예 3에 따라 만들어진 연질 무기물 형광체 복합체를 도 1에 도시된 것과 같은 백색 발광소자에 적용한 후의 발광 스펙트럼을 보여주는 그래프이다. 도 4 내지 도 6에 도시한 실험 결과로부터, 연질 무기물-형광체 복합체가 LED칩, 특히, UV LED칩과 함께 백색 발광소자에 적용되어 색재현성이 좋은 백생광을 구현할 수 있음을 알 수 있었고, 또한, 연질 무기물 담지체에 담기는 여러 형광체의 총량 및/또는 그 형광체 총량에서 차지하는 형광체들의 무게 비율을 달리함으로써 색좌표 등 발광 특성을 용이하게 조절할 수 있다는 것을 알 수 있었다. 실시예 1의 경우, 색좌표는 x=0.3140 y=0.3142, 실시예 2의 경우, 색좌표는 x=0.3282 y=0.3362, 실시예 3의 경우, 색좌표는 x=0.3334 y=0.3426로 나타났다.
도 7a 및 도 7는 본 발명의 또 다른 예에 따른 발광소자들을 도시한 단면도들로서, 도 7a 및 도 7b를 참조하면, 백색 발광소자(1)는, 도 1 및 도 2에 도시된 발광소자와 마찬가지로, 기판(2)과, 상기 기판(2) 상에 실장된 LED칩(4)과 상기 LED칩(4)의 상부면에 부착된 연질 무기물-형광체 복합체(6)와, 상기 LED칩(4) 및 상기 연질 무기물-형광체 복합체(6)를 덮도록 형성된 실란트(sealant; 8)를 포함하되, 단일 판 형태의 연질 무기물-형광체 복합체를 이용하는 도 1 및 도 2에 도시된 백색 발광소자와 달리, 3개의 단위 유리-형광체 복합체들(6R, 6G, 6B)이 적층되어 하나의 유리-형광체 복합체(6)를 구성한다. 그리고, 각 단위 유리-형광체 복합체(6R, 6G 또는 6B)는 디스크 형태를 갖는 유리 담지체 각각이 형광체(62R, 62G 또는 62B)를 담지하는 구조로 이루어진다.
Claims (14)
- 기판;
상기 기판 상에 실장되는 LED칩; 및
상기 LED칩으로부터의 광이 통과하는 위치에 배치되는 연질 무기물-형광체 복합체를 포함하며,
상기 연질 무기물-형광체 복합체는 상기 LED칩으로부터 광에 의해 여기되어 다른 파장의 빛을 발하는 1종 이상의 형광체 5~50wt%와 상기 형광체를 담지하는 연질 무기물 담지체 95~50wt%를 포함하는 것을 특징으로 하는 발광소자. - 청구항 1에 있어서, 상기 LED칩은 UV LED칩 또는 청색 LED칩인 것을 특징으로 하는 발광소자.
- 청구항 1에 있어서, 상기 형광체는 도핑된 가닛(garnet), 알루미네이트, 나이트라이드, 실리케이트, 설파이드, 옥시-설파이드, 옥시-나이트라이드, 포스페이트, 클로-포스페이트, 보레이트, 텅스테이트 형광체 또는 양자점 형광체를 포함하는 것을 특징으로 하는 발광소자.
- 청구항 3에 있어서, 상기 도핑된 가닛 형광체는 YAG:Ce 또는 (Y,Gd)AG:Ce를 포함하고, 상기 알루미네이트 형광체는 BaMg2Al16O27:Eu,Mn, Sr2Al14O25:Eu 또는 BAM:Eu를 포함하고, 상기 나이트라이드 형광체는 CaAlSiN3:Eu, Ca(Sr)AlSiN3:Eu 또는 AESi2O2N2:Eu를 포함하고, 상기 실리케이트 형광체는 SrBaSiO:Eu를 포함하고, 상기 설파이드 형광체는 ZnS:Ag, CaS:Eu 또는 SrGa2S4:Eu를 포함하고, 옥시-나이트라이드 형광체는 β-SiAlON:Eu를 포함하고, 상기 클로-포스페이트 형광체는 Sr5(PO4)3Cl:Eu를 포함하고, 상기 텅스테이트 형광체는 CaWO4를 포함하고, 상기 양자점 형광체 Si, Ge, CdS, CdSe, CdTe, ZnS, ZnSe, ZnTe, PbS, PbSe, PbTe, InN, InP, InAs, AlN, AlP, AlAs, GaN, GaP 또는 GaAs를 포함하는 것을 특징으로 하는 발광소자.
- 청구항 1에 있어서, 상기 연질 무기물 담지체는 400nm~700nm 파장영역에서 투명한 연질 무기물 재료를 포함하는 것을 특징으로 하는 발광소자.
- 청구항 1에 있어서, 상기 연질 무기물 담지체는 전형 원소 또는 전이 금속의 염화물, 브롬화물, 요오드화물 또는 불화물을 포함하는 것을 특징으로 하는 발광소자.
- 청구항 1에 있어서, 상기 연질 무기물 담지체는 Sn, Pb, 또는 K의 염화물, 브롬화물, 요오드화물 또는 불화물을 포함하는 것을 특징으로 하는 발광소자.
- 연질 무기물 담지체에 1종 이상의 형광체가 담지된 발광소자용 무기물-형광체를 소결법으로 제조하는 방법으로서,
연질 무기물과 형광체를 분말 상태로 혼합하는 혼합 단계와;
상기 연질 무기물과 형광체의 혼합 분말을 몰드에 넣고 프레스 압력을 가하는 성형 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 발광소자용 연질 무기물-형광체 복합체의 제조방법. - 청구항 8에 있어서, 상기 혼합 단계는 형광체 분말 5~50wt%와 연질 무기물 분말 95~50wt%를 혼합하는 것을 특징으로 하는 발광소자용 연질 무기물-형광체 복합체의 제조방법.
- 청구항 8에 있어서, 상기 연질 무기물은 전형 원소 또는 전이 금속의 염화물, 브롬화물, 요오드화물 또는 불화물을 포함하는 것을 특징으로 하는 발광소자용 연질 무기물-형광체 복합체의 제조방법.
- 청구항 8에 있어서, 상기 연질 무기물은 Sn, Pb, 또는 K의 염화물, 브롬화물, 요오드화물 또는 불화물을 포함하는 것을 특징으로 하는 발광소자용 연질 무기물-형광체 복합체의 제조방법.
- 청구항 8에 있어서, 상기 성형 단계에서 400℃ 이내 온도를 가하는 것을 특징으로 하는 발광소자용 연질 무기물-형광체 복합체의 제조방법.
- 청구항 8에 있어서, 상기 형광체는 도핑된 가닛(garnet), 알루미네이트, 나이트라이드, 실리케이트, 설파이드, 옥시-설파이드, 옥시-나이트라이드, 포스페이트, 클로-포스페이트, 보레이트, 텅스테이트 형광체 또는 양자점 형광체를 포함하는 것을 특징으로 하는 발광소자용 연질 무기물-형광체 복합체의 제조방법.
- 청구항 13에 있어서, 상기 도핑된 가닛 형광체는 YAG:Ce 또는 (Y,Gd)AG:Ce를 포함하고, 상기 알루미네이트 형광체는 BaMg2Al16O27:Eu,Mn, Sr2Al14O25:Eu 또는 BAM:Eu를 포함하고, 상기 나이트라이드 형광체는 CaAlSiN3:Eu, Ca(Sr)AlSiN3:Eu 또는 AESi2O2N2:Eu를 포함하고, 상기 실리케이트 형광체는 SrBaSiO:Eu를 포함하고, 상기 설파이드 형광체는 ZnS:Ag, CaS:Eu 또는 SrGa2S4:Eu를 포함하고, 옥시-나이트라이드 형광체는 β-SiAlON:Eu를 포함하고, 상기 클로-포스페이트 형광체는 Sr5(PO4)3Cl:Eu를 포함하고, 상기 텅스테이트 형광체는 CaWO4를 포함하고, 상기 양자점 형광체 Si, Ge, CdS, CdSe, CdTe, ZnS, ZnSe, ZnTe, PbS, PbSe, PbTe, InN, InP, InAs, AlN, AlP, AlAs, GaN, GaP 또는 GaAs를 포함하는 것을 특징으로 하는 발광소자용 연질 무기물-형광체 복합체의 제조방법.
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|---|---|---|---|---|
| US10044413B2 (en) | 2015-09-21 | 2018-08-07 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Radio-frequency communication device having a near field communication function, and method of operating the same |
-
2013
- 2013-03-07 KR KR1020130024575A patent/KR20140110369A/ko not_active Application Discontinuation
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