KR20140103839A - Nagative radiation-sensitive resin composition, cured film, forming method of the cured film, and display device - Google Patents
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Abstract
Description
본 발명은, 네거티브형 감방사선성 수지 조성물, 표시 소자용 경화막, 표시 소자용 경화막의 형성 방법 및 표시 소자에 관한 것이다.The present invention relates to a negative radiation-sensitive resin composition, a cured film for a display element, a method for forming a cured film for a display element, and a display element.
박막 트랜지스터형 액정 표시 소자 등의 전자 부품에는, 일반적으로 층 형상으로 배치되는 배선의 사이를 절연하기 위해 층간 절연막이 형성되어 있고, 유기 일렉트로루미네선스 소자에도 반도체 소자의 상부를 평탄화하고, 그 평탄화막 위에 전극과 발광층을 적층하기 위해 평탄화막이 형성되어 있다. In an electronic component such as a thin film transistor type liquid crystal display element, an interlayer insulating film is formed in order to insulate between wirings arranged in a generally layered form, and the upper part of the semiconductor element is also flattened in the organic electroluminescence element, A flattening film is formed on the film to laminate the electrode and the light emitting layer.
예를 들면, 박막 트랜지스터형 액정 표시 소자는, 층간 절연막 위에 투명 전극막을 형성하고, 또한 그 위에 액정 배향막을 형성하는 공정을 거쳐 제조된다. 그 때문에 층간 절연막에는, 투명 전극막의 형성 공정에 있어서 고온 조건에 노출되거나, 전극의 패턴 형성에 사용되는 레지스트의 박리액에 노출되게 되기 때문에, 이들에 대한 충분한 내열성 및 내용매성이 필요해진다. For example, a thin film transistor type liquid crystal display element is manufactured by forming a transparent electrode film on an interlayer insulating film and forming a liquid crystal alignment film thereon. Therefore, the interlayer insulating film is exposed to high-temperature conditions in the process of forming the transparent electrode film, or exposed to the stripping liquid of the resist used for forming the pattern of the electrode, so that sufficient heat resistance and solvent resistance are required for these.
종래의 액정 표시 소자용의 층간 절연막은, 패터닝 성능의 관점에서 나프토퀴논디아지드 등의 산발생제를 이용한 포지티브형 감방사선성 수지 조성물이 이용되고 있다(일본공개특허공보 2001-354822호 참조). In the conventional interlayer insulating film for a liquid crystal display element, a positive-tone radiation-sensitive resin composition using an acid generator such as naphthoquinone diazide is used from the viewpoint of patterning performance (see JP-A-2001-354822) .
최근, 나프토퀴논디아지드 등의 산발생제를 이용한 포지티브형 감방사선성 수지 조성물보다도 높은 감도로 표시 소자용의 경화막을 형성하는 것을 목적으로 하여, 예를 들면 일본공개특허공보 2004-4669호에는, 가교제, 산발생제 및, 그 자체는 알칼리 수용액에 불용 또는 난용이지만, 산의 작용에 의해 개열될 수 있는 보호기를 갖고, 당해 보호기가 개열된 후에는 알칼리 수용액에 가용성이 되는 수지를 함유하는 것을 특징으로 하는 포지티브형 화학 증폭 레지스트 조성물이 제안되고 있다. 또한 일본공개특허공보 2004-264623호나 일본공개특허공보 2008-304902호에는, 아세탈 구조 및/또는 케탈 구조 그리고 에폭시기를 함유하는 수지와 산발생제를 함유하는 것을 특징으로 하는 포지티브형 감방사선성 수지 조성물이 제안되고 있다. In recent years, for the purpose of forming a cured film for a display element with higher sensitivity than a positive-tone radiation-sensitive resin composition using an acid generator such as naphthoquinone diazide, for example, Japanese Unexamined Patent Application Publication No. 2004-4669 , A crosslinking agent, an acid generator, and a resin containing a resin which is insoluble or sparingly soluble in an aqueous alkali solution but has a protecting group which can be cleaved by the action of an acid and which becomes soluble in an aqueous alkali solution after cleavage of the protecting group A positive type chemically amplified resist composition is proposed. Japanese Unexamined Patent Application Publication No. 2004-264623 or Japanese Unexamined Patent Publication No. 2008-304902 discloses a positive radiation-sensitive resin composition comprising a resin containing an acetal structure and / or a ketal structure and an epoxy group and an acid generator Has been proposed.
상기 포지티브형 감방사선성 수지 조성물은, 표시 소자의 층간 절연막에 형성되는 홀 패턴 등은 고감도로 패턴 형성이 가능하지만, 예를 들면 라인 형상의 패턴 등의 경우는, 형상 불량(예를 들면, 패턴 하부가 과(過)현상됨으로써 형성되는 오버행(overhang) 형상 등)이 되어, ITO 전극 상에서의 밀착 불량을 일으키는 것이 문제시되고 있다. 최근, 표시 소자에는 더 한층의 대화면화, 고휘도화, 박형화 등이 요구되고 있으며, 공정 시간의 단축 및 비용 삭감의 관점에서, 네거티브형 감방사선성 수지 조성물의 고감도화 및 고해상도화가 요구된다. In the positive-tone radiation-sensitive resin composition, a hole pattern or the like formed on an interlayer insulating film of a display element can be patterned with high sensitivity. In the case of a line pattern, for example, An overhang shape formed by over-developing the lower portion), and it is problematic to cause poor adhesion on the ITO electrode. In recent years, display elements are required to have larger screen size, higher luminance, thinner shape and the like, and from the viewpoints of shortening the processing time and reducing the cost, higher sensitivity and higher resolution of the negative radiation sensitive resin composition are required.
이러한 상황으로부터, 충분한 해상도 및 감도를 갖는 네거티브형 감방사선성 수지 조성물, 그리고 ITO 기판에서의 밀착성 불량을 개선하여, 투과율, 내광성, 전압 보전율, 패턴의 열안정성이 우수한 표시 소자용 경화막의 개발이 요망되고 있다. From such a situation, development of a negative-type radiation-sensitive resin composition having sufficient resolution and sensitivity and a cured film for a display element which is excellent in the defective adhesiveness in an ITO substrate and excellent in transmittance, light resistance, voltage- .
본 발명은, 이상과 같은 사정에 기초하여 이루어진 것으로, 그 목적은 고해상도 및 고감도를 갖는 네거티브형 감방사선성 수지 조성물, 그리고 ITO 기판에서의 밀착성 불량을 개선하여, 투과율, 내광성, 전압 보전율, 패턴의 열안정성이 우수한 표시 소자용 경화막을 제공하는 것이다. The object of the present invention is to provide a negative radiation sensitive resin composition which has high resolution and high sensitivity and which improves poor adhesion in an ITO substrate and is excellent in transmittance, light resistance, voltage holding ratio, And a cured film for a display element excellent in thermal stability.
상기 과제를 해결하기 위해 이루어진 발명은, According to an aspect of the present invention,
[A] 동일 또는 상이한 중합체 중에, 페놀성 수산기를 포함하는 구성 단위 (Ⅰ)과 가교성기를 포함하는 구조 단위 (Ⅱ)와 카복실기를 포함하는 구성 단위 (Ⅲ)을 포함하는 중합체 성분,[A] a polymer component comprising a structural unit (I) containing a phenolic hydroxyl group, a structural unit (II) containing a crosslinkable group and a structural unit (III) containing a carboxyl group,
[B] 비(非)이온성 광산발생제, 그리고 [B] a non-ionic photoacid generator, and
[C] 산가교제를 함유하는 네거티브형 감방사선성 수지 조성물에 의해 달성된다. And a negative crosslinking agent containing an acid crosslinking agent [C].
당해 네거티브형 감방사선성 수지 조성물은, [A]의 가교성기를 포함하는 구조 단위 (Ⅱ)의 가교성기가, (메타)아크릴로일기, 비닐기, 옥시라닐기 및 옥세타닐기로 이루어지는 군으로부터 선택되는 적어도 1종인 네거티브형 감방사선성 수지 조성물이고, 또한 [B] 비이온성 산발생제가, 옥심술포네이트 구조를 갖는 화합물 및 나프탈이미드 구조를 갖는 화합물로부터 선택되는 적어도 1종인 네거티브형 감방사선성 수지 조성물이다. In the negative-tone radiation-sensitive resin composition, the crosslinkable group of the structural unit (II) containing a crosslinkable group of [A] is a group selected from the group consisting of (meth) acryloyl group, vinyl group, oxiranyl group and oxetanyl group Is at least one selected from the group consisting of a non-ionic acid generator, a compound having an oxime sulfonate structure and a compound having a naphthalimide structure, which is a negative-tone radiation-sensitive resin composition, Radiation-curable resin composition.
당해 네거티브형 감방사선성 수지 조성물은, 감방사선성을 이용한 노광·현상에 의해 용이하게 미세하고 또한 정교한 패턴을 형성할 수 있으며, 또한 충분한 해상도 및 감도를 갖는다. 또한, 당해 네거티브형 감방사선성 수지 조성물은, 비이온성 광산발생제로서, 옥심술포네이트 구조를 갖는 화합물 및 나프탈이미드 구조를 갖는 화합물로부터 선택되는 적어도 한쪽을 함유함으로써, 투과율, 내광성, 전압 보전율 등이 우수한 표시 소자용 경화막을 형성할 수 있다. The negative-tone radiation-sensitive resin composition can easily form fine and elaborate patterns by exposure and development using radiation-sensitive properties, and has sufficient resolution and sensitivity. Further, the negative-tone radiation-sensitive resin composition contains at least one selected from a compound having an oxime sulfonate structure and a compound having a naphthalimide structure as the nonionic photo acid generator, so that the transmittance, light resistance, It is possible to form a cured film for a display element having an excellent balance ratio and the like.
또한, 당해 네거티브형 감방사선성 수지 조성물은, [D] 산화 방지제를 함유함으로써, 내광성 및 내열성을 높인 표시 소자용 경화막을 형성할 수 있다.Further, the negative radiation-sensitive resin composition of the present invention can contain a [D] antioxidant to form a cured film for a display element having improved light resistance and heat resistance.
당해 네거티브형 감방사선성 수지 조성물은, 표시 소자용 경화막의 형성용으로서 바람직하다. 또한 본 발명에는 당해 네거티브형 감방사선성 수지 조성물로 형성되는 표시 소자용 경화막 및, 이 표시 소자용 경화막을 구비하는 표시 소자가 적합하게 포함된다. The negative-tone radiation-sensitive resin composition is preferable for forming a cured film for a display element. The present invention suitably includes a cured film for a display element formed of the negative radiation-sensitive resin composition and a display element having the cured film for a display element.
본 발명의 표시 소자용 경화막의 형성 방법은, The method for forming a cured film for a display element of the present invention is characterized in that,
(1) 당해 네거티브형 감방사선성 수지 조성물을 이용하여, 기판 상에 도막을 형성하는 공정, (1) a step of forming a coating film on a substrate using the negative radiation-sensitive resin composition,
(2) 상기 도막의 적어도 일부에 방사선을 조사하는 공정, (2) a step of irradiating at least a part of the coating film with radiation,
(3) 상기 방사선이 조사된 도막을 현상하는 공정 및, (3) a step of developing the coating film irradiated with the radiation, and
(4) 상기 현상된 도막을 가열하는 공정(4) a step of heating the developed coating film
을 갖는다. Respectively.
본 발명의 형성 방법에 의하면, 투과율, 내광성, 전압 보전율, 패턴의 열안정성 등이 우수한 표시 소자용 경화막을 형성할 수 있다. According to the forming method of the present invention, it is possible to form a cured film for a display element excellent in transmittance, light resistance, voltage holding ratio, pattern thermal stability, and the like.
또한, 본 명세서에서 말하는 「네거티브형 감방사선성 수지 조성물」의 「방사선」이란, 가시광선, 자외선, 원자외선, X선, 하전 입자선 등을 포함하는 개념이다. 「네거티브형 감방사선성 수지 조성물」로 형성된 도포막은, 방사선에 의해 조사된 부분이 알칼리 현상액에 대하여 불용화된다. 방사선에 의해 조사되지 않은 부분은, 알칼리 현상액에 대하여 가용화된다. 이에 따라 패턴 형성이 가능해진다.The term " radiation " in the " negative radiation-sensitive resin composition " in the present specification is a concept including visible light, ultraviolet light, far ultraviolet light, X-ray and charged particle light. The coating film formed from the " negative-tone radiation-sensitive resin composition " is insoluble in the alkali developing solution at the portion irradiated with the radiation. The portion not irradiated with the radiation is solubilized in the alkali developing solution. As a result, pattern formation becomes possible.
이상 설명한 바와 같이, 본 발명의 네거티브형 감방사선성 수지 조성물은, 용이하게 미세하고 또한 정교한 패턴을 형성할 수 있고, 충분한 해상도 및 감도를 갖는다. 또한, 당해 네거티브형 감방사선성 수지 조성물은, 투과율, 내광성, 전압 보전율 등이 우수한 표시 소자용 경화막을 형성할 수 있다. 따라서, 당해 네거티브형 감방사선성 수지 조성물은, 표시 소자용 컬러 필터의 보호막, 스페이서, 어레이용 층간 절연막, 고체 촬상 소자의 색 분해용 컬러 필터, 유기 일렉트로루미네선스 표시 소자용 컬러 필터, 전자 페이퍼 등의 플렉시블 디스플레이용 컬러 필터, 터치 패널용 보호막, 금속 배선이나 금속 범프의 형성, 기판의 가공 등에 이용되는 포토 퍼블리케이션용 레지스트 등에 적합하다. INDUSTRIAL APPLICABILITY As described above, the negative radiation-sensitive resin composition of the present invention can form a fine, precise pattern easily and has sufficient resolution and sensitivity. In addition, the negative-tone radiation-sensitive resin composition can form a cured film for a display element having excellent transmittance, light resistance, voltage holding ratio and the like. Therefore, the negative-tone radiation-sensitive resin composition can be used as a protective film for a color filter for a display element, a spacer, an interlayer insulating film for an array, a color filter for color separation of a solid-state image pickup element, a color filter for an organic electroluminescence display element, , A protective film for a touch panel, a photoresist for forming a metal wiring or a metal bump, a substrate, and the like.
(발명을 실시하기 위한 형태) (Mode for carrying out the invention)
<네거티브형 감방사선성 수지 조성물> ≪ Negative radiation sensitive resin composition >
본 발명의 네거티브형 감방사선성 수지 조성물은, [A] 동일 또는 상이한 중합체 중에, 페놀성 수산기를 포함하는 구성 단위 (Ⅰ)과 가교성기를 포함하는 구조 단위 (Ⅱ)와 카복실기를 포함하는 구성 단위 (Ⅲ)을 포함하는 중합체 성분, [B] 비이온성 산발생제, 그리고 [C] 산가교제를 함유한다. The negative-tone radiation-sensitive resin composition of the present invention is a negative-tone radiation-sensitive resin composition comprising a structural unit (I) containing a phenolic hydroxyl group, a structural unit (II) containing a crosslinkable group, and a structural unit (III), [B] a nonionic acid generator, and [C] an acid crosslinking agent.
또한, 당해 네거티브형 감방사선성 수지 조성물은, 적합 성분으로서 [D] 산화 방지제를 함유할 수 있다. 또한, 당해 네거티브형 감방사선성 수지 조성물은, 본 발명의 효과를 손상시키지 않는 한, 그 외의 임의 성분을 함유해도 좋다. 이하, 각 성분을 상세히 서술한다. Further, the negative-tone radiation-sensitive resin composition may contain [D] antioxidant as a suitable component. The negative radiation-sensitive resin composition may contain other optional components as long as the effect of the present invention is not impaired. Hereinafter, each component will be described in detail.
<[A] 중합체 성분> ≪ [A] Polymer Component >
[A] 동일 또는 상이한 중합체 중에, 페놀성 수산기를 포함하는 구성 단위 (Ⅰ)과 가교성기를 포함하는 구조 단위 (Ⅱ)와 카복실기를 포함하는 구성 단위 (Ⅲ)을 포함하는 중합체 성분을 갖는 성분이다. [A] 중합체 성분이 상기 구조 단위를 갖기 때문에, 당해 감방사선성 수지 조성물은, 감도가 우수함과 함께, 현상 공정 후나 포스트베이킹 공정 후에 있어서의 미(未)노광부의 막두께 변화를 억제할 수 있다. 또한, [A] 중합체 성분은, 본 발명의 효과를 손상시키지 않는 범위에서, 그 외의 구조 단위를 갖고 있어도 좋다. 또한, [A] 중합체 성분은, 각 구조 단위를 2종 이상 갖고 있어도 좋다. (A) a component having a polymer component comprising a constituent unit (I) containing a phenolic hydroxyl group and a constituent unit (II) containing a crosslinkable group and a constituent unit (III) containing a carboxyl group in the same or different polymers . Since the polymer component has the above-mentioned structural unit, the radiation-sensitive resin composition of the present invention has excellent sensitivity and can suppress the change in the film thickness of the unexposed portion after the development step and the post-baking step . Further, the polymer component [A] may have other structural units within the range not to impair the effects of the present invention. Further, the [A] polymer component may have two or more kinds of structural units.
[A] 중합체 성분의 태양(態樣)으로서는, 예를 들면, As the embodiment of the polymer component [A], for example,
(a) 동일한 중합체 분자 중에, 구조 단위 (Ⅰ)과 구조 단위 (Ⅱ)와 구조 단위 (Ⅲ)을 갖는 태양; (a) a structure having a structural unit (I), a structural unit (II) and a structural unit (III) in the same polymer molecule;
(b) 2종 이상의 중합체로서, 한쪽의 동일한 중합체 분자 중에, 구조 단위 (Ⅰ)과 구조 단위 (Ⅲ)을 갖고, 다른 한쪽의 상이한 중합체 분자 중에 구조 단위 (Ⅱ)를 갖는 태양; 등을 들 수 있다. 이하, 각 구조 단위에 대해서 상세히 서술한다. (b) a polymer having two or more kinds of structural units (I) and (III) in one of the same polymer molecules and a structural unit (II) in the other polymer molecule; And the like. Hereinafter, each structural unit will be described in detail.
[구조 단위 (Ⅰ)] [Structural unit (I)]
구조 단위 (Ⅰ)은, 페놀성 수산기를 포함하는 구성 단위를 갖는 구성 단위이다. [A] 중합체 성분이 구조 단위 (Ⅰ)을 가짐으로써, [C] 산가교제와 반응하는 부위가 됨과 함께, 당해 감방사선성 수지 조성물로 형성되는 경화막의 패턴을 고감도로 형성할 수 있다. The structural unit (I) is a structural unit having a structural unit containing a phenolic hydroxyl group. By having the polymer component [A] having the structural unit (I), a site that reacts with the [C] acid crosslinking agent becomes a site, and a pattern of the cured film formed of the radiation sensitive resin composition can be formed with high sensitivity.
구조 단위 (Ⅰ)은, 페놀성 수산기를 갖는 중합성 불포화 화합물(이하, 「페놀성 불포화 화합물」이라고 함)의 중합 단위 즉 중합성 불포화 결합이 개열된 단위를 함유하여 형성되는 구성 단위이다. 이 수지는, 바람직하게는 상기 페놀성 불포화 화합물의 중합 단위 외에, 비치환 또는 치환 스티렌계 화합물(이하, 단순히 「기타 스티렌계 화합물」이라고 함)의 중합 단위 즉 중합성 불포화 결합이 개열된 반복 단위를 갖는다. The structural unit (I) is a structural unit formed by containing a polymerized unit of a polymerizable unsaturated compound having a phenolic hydroxyl group (hereinafter referred to as a " phenolic unsaturated compound "), i.e., a unit in which a polymerizable unsaturated bond is cleaved. This resin is preferably a polymerized unit of an unsubstituted or substituted styrenic compound (hereinafter, simply referred to as " other styrenic compound "), that is, a polymeric unit of a phenolic unsaturated compound, .
페놀성 수산기를 갖는 중합성 불포화 화합물로서는, 예를 들면 o-비닐페놀, m-비닐페놀, p-비닐페놀, o-이소프로페닐페놀, m-이소프로페닐페놀 및 p-이소프로페닐페놀 등을 들 수 있다. 이들 페놀성 불포화 화합물은, 단독으로 또는 2종 이상을 조합하여 사용할 수 있다. Examples of the polymerizable unsaturated compound having a phenolic hydroxyl group include o-vinylphenol, m-vinylphenol, p-vinylphenol, o-isopropenylphenol, m-isopropenylphenol and p- . These phenolic unsaturated compounds may be used alone or in combination of two or more.
기타 스티렌계 화합물에 있어서의 치환기로서는, 예를 들면 메틸기, 에틸기, n-프로필기, i-프로필기, n-부틸기, i-부틸기, sec-부틸기, t-부틸기와 같은 탄소수 1∼4의 직쇄상 또는 분기상의 알킬기; 메톡시기, 에톡시기, n-프로폭시기, i-프로폭시기, n-부톡시기, i-부톡시기, sec-부톡시기, t-부톡시기와 같은 탄소수 1∼4의 직쇄상 또는 분기상의 알콕시기, 불소 원자, 염소 원자, 브롬 원자, 요오드 원자와 같은 할로겐 원자 등을 들 수 있다. Examples of the substituent in the other styrenic compound include a methyl group, an ethyl group, a n-propyl group, an i-propyl group, an n-butyl group, an i- A straight chain or branched alkyl group having from 1 to 4 carbon atoms; A linear or branched alkoxy group having 1 to 4 carbon atoms such as methoxy, ethoxy, n-propoxy, i-propoxy, n-butoxy, A halogen atom such as a fluorine atom, a chlorine atom, a bromine atom or an iodine atom.
이러한 스티렌계 화합물의 구체예로서는, 예를 들면 스티렌, α-메틸스티렌, o-메틸스티렌, m-메틸스티렌, p-메틸스티렌, p-t-부틸스티렌과 같은 알킬기로 치환된 스티렌 유도체류; p-메톡시스티렌, p-에톡시스티렌, p-n-프로폭시스티렌, p-i-프로폭시스티렌, p-n-부톡시스티렌, p-t-부톡시스티렌과 같은 알콕실기로 치환된 스티렌 유도체; p-플루오로스티렌, p-클로로스티렌, p-브로모스티렌과 같은 할로겐 원자로 치환된 스티렌 유도체류를 들 수 있다. 이들 기타 스티렌계 화합물은, 단독으로 또는 2종 이상을 조합하여 사용할 수 있다. Specific examples of such styrene compounds include styrene derivatives substituted with alkyl groups such as styrene,? -Methylstyrene, o-methylstyrene, m-methylstyrene, p-methylstyrene and p-t-butylstyrene; styrene derivatives substituted with alkoxyl groups such as p-methoxystyrene, p-ethoxystyrene, p-n-propoxystyrene, p-i-propoxystyrene, p-n-butoxystyrene and p-t-butoxystyrene; styrene derivatives substituted with halogen atoms such as p-fluorostyrene, p-chlorostyrene and p-bromostyrene. These other styrenic compounds may be used alone or in combination of two or more.
본 발명에 있어서의 구조 단위 (Ⅰ)은, 예를 들면,The structural unit (I) of the present invention is, for example,
하이드록시스티렌의 수산기를 보호한 모노머, 예를 들면, p-t-부톡시스티렌, p-아세톡시스티렌, p-테트라하이드로피라닐옥시스티렌 등과, 경우에 따라 기타 스티렌 화합물 및/또는 기타 불포화 화합물을, 라디칼, 음이온, 양이온 부가 중합시킨 후, 산촉매, 염기성 촉매를 작용시키고, 보호기를 가수분해 반응에 의해 이탈시키는 방법 등에 의해 생성할 수 있다. 사용되는 산촉매로서는, 예를 들면, 염산, 황산과 같은 무기산을 들 수 있다. It is possible to use a monomer which protects the hydroxyl group of hydroxystyrene, for example, pt-butoxystyrene, p-acetoxystyrene, p-tetrahydropyranyloxystyrene and the like, and optionally other styrene compound and / A radical, an anion, or a cationic addition polymerization, followed by an action of an acid catalyst or a basic catalyst, and the protecting group is removed by a hydrolysis reaction. Examples of the acid catalyst to be used include inorganic acids such as hydrochloric acid and sulfuric acid.
또한, 구조 단위 (Ⅰ)은, 식 (6)으로 나타나는 구성 단위에 의해서도 형성할 수 있다: The structural unit (I) can also be formed by a structural unit represented by the formula (6):
(식 (6) 중, X는 직접 결합, -COO- 또는 -CONH-이고, R3은 직접 결합, 메틸렌기, 탄소수 2 내지 6의 알킬렌기를 나타내고, R4는, 수소 원자, 탄소수 1 내지 6의 알킬기, 탄소수 1 내지 6의 플루오로알킬기, 탄소수 1 내지 6의 알콕시기, 할로겐을 나타내고; n은 1 내지 4의 정수임). (6), X is a direct bond, -COO- or -CONH-, R 3 is a direct bond, a methylene group or an alkylene group having 2 to 6 carbon atoms, R 4 is a hydrogen atom, An alkyl group having 1 to 6 carbon atoms, a fluoroalkyl group having 1 to 6 carbon atoms, an alkoxy group having 1 to 6 carbon atoms, or a halogen;
식 (6)으로 나타나는 구성 단위를 형성할 수 있는 단량체의 구체예로서는, N-(3,5-디메틸-4-하이드록시벤질)(메타)아크릴아미드, N-(4-하이드록시페닐)(메타)아크릴아미드, 4-하이드록시벤질(메타)아크릴레이트, 4-하이드록시페닐(메타)아크릴레이트, p-하이드록시스티렌, α-메틸-p-하이드록시스티렌 등을 들 수 있다. 이들 중, 다른 단량체 성분과의 공중합성의 관점에서, 4-하이드록시페닐(메타)아크릴레이트가 특히 바람직하다. 이들은, 단독으로 혹은 조합하여 이용된다. Specific examples of the monomer capable of forming the structural unit represented by the formula (6) include N- (3,5-dimethyl-4-hydroxybenzyl) (meth) acrylamide, N- Acrylamide, 4-hydroxybenzyl (meth) acrylate, 4-hydroxyphenyl (meth) acrylate, p-hydroxystyrene and? -Methyl-p-hydroxystyrene. Of these, 4-hydroxyphenyl (meth) acrylate is particularly preferable in view of copolymerization with other monomer components. These are used alone or in combination.
본 발명에 있어서의 구조 단위 (Ⅰ)의 함유율은, 바람직하게는, [A] 중합체 성분을 구성하는 전체 구조 단위에 대하여, 5∼80몰%, 보다 바람직하게는 10∼70몰%, 특히 바람직하게는 15∼50몰%이다. 이 경우, 페놀성 불포화 화합물에 유래하는 반복 단위의 함유율이 5몰% 미만에서는, 알칼리 현상액에 대한 용해 속도가 저하되어, 현상성, 해상도 등이 손상되는 경향이 있고, 한편 80몰%를 초과하면, 알칼리 현상액에 대한 팽윤이 일어나기 쉬워, 패턴 형상이 손상되거나, 패턴 결함이 발생할 우려가 있다. The content of the structural unit (I) in the present invention is preferably from 5 to 80 mol%, more preferably from 10 to 70 mol%, particularly preferably from 10 to 70 mol%, based on all structural units constituting the polymer component [A] Is from 15 to 50 mol%. In this case, when the content of the repeating unit derived from the phenolic unsaturated compound is less than 5 mol%, the dissolution rate with respect to the alkali developing solution is lowered and the developability and resolution tend to be impaired. On the other hand, when the content exceeds 80 mol% , Swelling of the alkali developing solution tends to occur, and the pattern shape may be damaged or pattern defects may occur.
[구조 단위 (Ⅱ)] [Structural unit (II)]
구조 단위 (Ⅱ)는, 가교성기를 포함하고 있다. [A] 중합체 성분이 가교성기를 포함하는 구조 단위 (Ⅱ)를 가짐으로써, 당해 감방사선성 수지 조성물은, [A] 중합체 성분을 구성하는 중합체끼리 또는 [A] 중합체 성분을 구성하는 중합체와의 가교에 의해, 형성되는 경화막의 강도를 높일 수 있다. The structural unit (II) contains a crosslinkable group. [A] The polymerizable component has a structural unit (II) containing a crosslinkable group, whereby the radiation-sensitive resin composition can be obtained by mixing the polymer constituting the polymer component [A] or the polymer constituting the polymer component [A] By the crosslinking, the strength of the cured film to be formed can be increased.
상기 가교성기로서는, 예를 들면, 중합성 탄소-탄소 2중 결합을 포함하는 기, 중합성 탄소-탄소 3중 결합을 포함하는 기, 옥시라닐기(1,2-에폭시 구조), 옥세타닐기(1,3-에폭시 구조), 알콕시메틸기, 포르밀기, 아세틸기, 디알킬아미노메틸기, 디메틸올아미노메틸기 등을 들 수 있다. Examples of the crosslinkable group include a group containing a polymerizable carbon-carbon double bond, a group containing a polymerizable carbon-carbon triple bond, an oxiranyl group (1,2-epoxy structure), an oxetanyl group (1,3-epoxy structure), alkoxymethyl group, formyl group, acetyl group, dialkylaminomethyl group, dimethylolaminomethyl group and the like.
상기 가교성기로서는, (메타)아크릴로일기, 비닐기, 옥시라닐기 및 옥세타닐기로 이루어지는 군으로부터 선택되는 적어도 1종인 것이 바람직하다. 이에 따라, 형성되는 경화막의 강도를 보다 높일 수 있다. The crosslinkable group is preferably at least one member selected from the group consisting of a (meth) acryloyl group, a vinyl group, an oxiranyl group and an oxetanyl group. This makes it possible to further increase the strength of the cured film to be formed.
구조 단위 (Ⅱ)로서는, 옥시라닐기를 갖는 구성 단위는, 옥시라닐기를 갖는 불포화 화합물을 중합함으로써 얻어지는 구성 단위를 나타낸다. As the structural unit (II), the structural unit having an oxiranyl group represents a structural unit obtained by polymerizing an unsaturated compound having an oxiranyl group.
옥시라닐기를 갖는 불포화 화합물의 구체예로서는, 예를 들면, 아크릴산 글리시딜, 메타크릴산 글리시딜, α-에틸아크릴산 글리시딜, α-n-프로필아크릴산 글리시딜, α-n-부틸아크릴산 글리시딜, 아크릴산-3,4-에폭시부틸, 메타크릴산-3,4-에폭시부틸, 아크릴산-6,7-에폭시헵틸, 메타크릴산-6,7-에폭시헵틸, 3,4-에폭시사이클로헥실메틸메타아크릴레이트, 3,4-에폭시트리사이클로[5.2.1.02.6]데실메타아크릴레이트, 3,4-에폭시사이클로헥실메틸아크릴레이트, 3,4-에폭시트리사이클로[5.2.1.02.6]데실아크릴레이트, α-에틸아크릴산-6,7-에폭시헵틸, o-비닐벤질글리시딜에테르, m-비닐벤질글리시딜에테르, p-비닐벤질글리시딜에테르, 3,4-에폭시사이클로헥실메타크릴레이트 등을 들 수 있다. Specific examples of the unsaturated compound having an oxiranyl group include glycidyl acrylate, glycidyl methacrylate, glycidyl α-ethyl acrylate, glycidyl α-n-propyl acrylate, α-n-butyl acrylate Glycidyl acrylate, 3,4-epoxybutyl acrylate, methacrylic acid-3,4-epoxybutyl acrylate, 6,7-epoxyhexyl acrylate, methacrylic acid-6,7-epoxyheptyl, 3,4- Epoxy tricyclo [5.2.1.0 2,6 ] decyl methacrylate, 3,4-epoxycyclohexylmethyl acrylate, 3,4-epoxy tricyclo [5.2.1.0 2.6 ] decyl acrylate, Vinylbenzyl glycidyl ether, p-vinylbenzyl glycidyl ether, 3,4-epoxycyclohexyl methacrylic acid, 3,4-epoxycyclohexyl methacrylic acid, And the like.
옥세타닐기를 갖는 구성 단위는, 옥세타닐기를 갖는 불포화 화합물을 중합함으로써 얻어지는 구성 단위를 나타낸다. 옥세타닐기를 갖는 불포화 화합물로서는, 예를 들면, 3-(아크릴로일옥시메틸)옥세탄, 3-(아크릴로일옥시메틸)-2-메틸옥세탄, 3-(아크릴로일옥시메틸)-3-에틸옥세탄, 3-(2-아크릴로일옥시에틸)옥세탄, 3-(2-아크릴로일옥시에틸)-2-에틸옥세탄, 3-(2-아크릴로일옥시에틸)-3-에틸옥세탄, 3-(2-아크릴로일옥시에틸)-2-페닐옥세탄; The constituent unit having an oxetanyl group is a constituent unit obtained by polymerizing an unsaturated compound having an oxetanyl group. Examples of the unsaturated compound having an oxetanyl group include 3- (acryloyloxymethyl) oxetane, 3- (acryloyloxymethyl) -2-methyloxetane, 3- (acryloyloxymethyl) 3- (2-acryloyloxyethyl) oxetane, 3- (2-acryloyloxyethyl) -2-ethyloxetane, 3- 3-ethyloxetane, 3- (2-acryloyloxyethyl) -2-phenyloxetane;
3-(메타크릴로일옥시메틸)옥세탄, 3-(메타크릴로일옥시메틸)-2-메틸옥세탄, 3-(메타크릴로일옥시메틸)-3-에틸옥세탄, 3-(메타크릴로일옥시메틸)-2-페닐옥세탄, 3-(2-메타크릴로일옥시에틸)옥세탄, 3-(2-메타크릴로일옥시에틸)-2-에틸옥세탄, 3-(2-메타크릴로일옥시에틸)-3-에틸옥세탄, 3-(2-메타크릴로일옥시에틸)-2-페닐옥세탄 등의 메타크릴산 에스테르 등을 들 수 있다. 3- (methacryloyloxymethyl) oxetane, 3- (methacryloyloxymethyl) oxetane, 3- (methacryloyloxymethyl) 3- (2-methacryloyloxyethyl) -2-ethyloxetane, 3- (2-methacryloyloxyethyl) oxetane, 3- (Methacryloyloxyethyl) -3-ethyloxetane, 3- (2-methacryloyloxyethyl) -2-phenyloxetane, and the like.
이들 옥시라닐기를 갖는 불포화 화합물, 옥세타닐기를 갖는 불포화 화합물 중, 메타크릴산 글리시딜, 메타크릴산 2-메틸글리시딜, 메타크릴산-6,7-에폭시헵틸, 3,4-에폭시사이클로헥실메틸메타아크릴레이트, 3,4-에폭시트리사이클로[5.2.1.02.6]데실아크릴레이트, 3-(메타크릴로일옥시메틸)-3-에틸옥세탄이 공중합 반응성 및 표시 소자용 경화막의 압축 성능, 내광성의 향상의 관점에서 바람직하다. Among these unsaturated compounds having an oxiranyl group and unsaturated compounds having an oxetanyl group, glycidyl methacrylate, 2-methylglycidyl methacrylate, methacrylic acid-6,7-epoxyheptyl, 3,4-epoxy Cyclohexylmethyl methacrylate, 3,4-epoxy tricyclo [5.2.1.0 2,6 ] decyl acrylate, 3- (methacryloyloxymethyl) -3-ethyl oxetane, and the compression of the cured film for a display element From the viewpoint of improvement in performance and light resistance.
(메타)아크릴로일기를 갖는 구성 단위는, 구조 단위 (Ⅱ) 중의 카복시기와, 전술한 옥시라닐기를 갖는 불포화 화합물이 반응하여, 에스테르 결합을 형성함으로써 얻어진다. 구체예를 들어 상세히 서술하면, 예를 들면, 구조 단위 (Ⅱ) 중의 카복시기를 갖는 중합체에, 메타크릴산 글리시딜, 메타크릴산 2-메틸글리시딜 등의 화합물을 반응시켜 형성할 수 있다. The structural unit having a (meth) acryloyl group is obtained by reacting a carboxy group in the structural unit (II) with an unsaturated compound having an oxiranyl group to form an ester bond. Specifically, for example, it can be formed in detail by, for example, reacting a polymer having a carboxyl group in the structural unit (II) with a compound such as glycidyl methacrylate or 2-methylglycidyl methacrylate .
또한, (메타)아크릴로일기를 갖는 구성 단위는, 수산기를 갖는 중합체에 불포화 이소시아네이트 화합물을 반응시킴으로써 얻을 수 있다. Further, the constituent unit having a (meth) acryloyl group can be obtained by reacting a polymer having a hydroxyl group with an unsaturated isocyanate compound.
상기 불포화 이소시아네이트 화합물로서는, 예를 들면(메타)아크릴산 유도체등을 들 수 있고, 그 구체예로서, 예를 들면 2-(메타)아크릴로일옥시에틸이소시아네이트, 4-(메타)아크릴로일옥시부틸이소시아네이트, (메타)아크릴산 2-(2-이소시아네이트에톡시)에틸 등을 들 수 있다. 이들의 시판품으로서는, 2-아크릴로일옥시에틸이소시아네이트의 시판품으로서 카렌즈(Karenz) AOI(쇼와덴코(주) 제조), 2-메타크릴로일옥시에틸이소시아네이트의 시판품으로서 카렌즈 MOI(쇼와덴코(주) 제), 메타크릴산 2-(2-이소시아네이트에톡시)에틸의 시판품으로서 카렌즈 MOI-EG(쇼와덴코(주) 제조)를, 각각 들 수 있다. Examples of the unsaturated isocyanate compound include (meth) acrylic acid derivatives, and specific examples thereof include 2- (meth) acryloyloxyethyl isocyanate, 4- (meth) acryloyloxybutyl Isocyanate, and 2- (2-isocyanatoethoxy) ethyl (meth) acrylate. As commercial products of these, commercial products of 2-acryloyloxyethyl isocyanate include Karenz AOI (manufactured by Showa Denko K.K.) and 2-methacryloyloxyethyl isocyanate commercially available as Car lens MOI (Manufactured by Showa Denko K.K.) as a commercially available product of 2- (2-isocyanatoethoxy) ethyl methacrylate.
이들 불포화 이소시아네이트 화합물 중, 수산기를 갖는 중합체와의 반응성의 점에서, 2-아크릴로일옥시에틸이소시아네이트, 2-메타크릴로일옥시에틸이소시아네이트, 4-메타크릴로일옥시부틸이소시아네이트 또는 메타크릴산 2-(2-이소시아네이트에톡시)에틸이 바람직하다. 불포화 이소시아네이트 화합물은, 단독으로 또는 2종 이상을 혼합하여 사용할 수 있다. Among these unsaturated isocyanate compounds, 2-acryloyloxyethyl isocyanate, 2-methacryloyloxyethyl isocyanate, 4-methacryloyloxybutyl isocyanate or methacrylic acid 2 is preferable from the viewpoint of reactivity with a polymer having a hydroxyl group. - (2-isocyanatoethoxy) ethyl is preferred. The unsaturated isocyanate compounds may be used alone or in combination of two or more.
수산기를 갖는 중합체와 불포화 이소시아네이트 화합물과의 반응은, 필요에 따라서 적당한 촉매의 존재하에서, 바람직하게는 중합 금지제를 포함하는 중합체의 용액에, 실온 또는 가온하에서, 교반하면서, 불포화 이소시아네이트 화합물을 투입함으로써 실시할 수 있다. 상기 촉매로서는, 예를 들면 디라우르산 디-n-부틸 주석(Ⅳ) 등을; 상기 중합 금지제로서는, 예를 들면 p-메톡시페놀 등을, 각각 들 수 있다. The reaction of the polymer having a hydroxyl group with the unsaturated isocyanate compound may be carried out by adding an unsaturated isocyanate compound to a solution of a polymer containing a polymerization inhibitor, preferably in the presence of a suitable catalyst, preferably at room temperature or under heating, . Examples of the catalyst include di-n-butyl tin dilaurate (IV) and the like; Examples of the polymerization inhibitor include p-methoxyphenol and the like.
구조 단위 (Ⅱ)를 부여하는 단량체로서는, (메타)아크릴로일기, 옥시라닐기, 옥세타닐기를 포함하는 단량체가 바람직하고, 옥시라닐기, 옥세타닐기를 포함하는 단량체가 보다 바람직하고, 메타크릴산 글리시딜, 3-메타크릴로일옥시메틸-3-에틸옥세탄이 바람직하다. As the monomer giving the structural unit (II), a monomer including a (meth) acryloyl group, an oxiranyl group and an oxetanyl group is preferable, a monomer containing an oxiranyl group and an oxetanyl group is more preferable, Glycidyl acrylate, and 3-methacryloyloxymethyl-3-ethyl oxetane are preferable.
구조 단위 (Ⅱ)의 함유 비율로서는, [A] 중합체 성분을 구성하는 전체 구조 단위에 대하여, 0.1몰% 이상 80몰% 이하가 바람직하고, 1몰% 이상 60몰% 이하가 보다 바람직하다. 구조 단위 (Ⅱ)의 함유 비율을 상기 범위로 함으로써, 형성되는 경화막의 강도를 효과적으로 높일 수 있다. The content of the structural unit (II) is preferably from 0.1 mol% to 80 mol%, more preferably from 1 mol% to 60 mol%, based on the total structural units constituting the polymer component [A]. By setting the content ratio of the structural unit (II) within the above range, the strength of the cured film to be formed can be effectively increased.
[구조 단위 (Ⅲ)] [Structural unit (III)]
구조 단위 (Ⅲ)은, 불포화 카본산에 유래하는 구조 단위 및 불포화 카본산 무수물에 유래하는 구조 단위로 이루어지는 군으로부터 선택되는 적어도 1종으로 형성되는 카복실기를 갖는 구조 단위이다. 구조 단위 (Ⅲ)을 부여하는 화합물로서는, 예를 들면, 불포화 모노카본산, 불포화 디카본산, 불포화 디카본산의 무수물, 다가 카본산의 모노[(메타)아크릴로일옥시알킬]에스테르, 양 말단에 카복시기와 수산기를 갖는 폴리머의 모노(메타)아크릴레이트, 카복시기를 갖는 불포화 다환식 화합물 및 그 무수물 등을 들 수 있다. The structural unit (III) is a structural unit having a carboxyl group formed of at least one kind selected from the group consisting of a structural unit derived from an unsaturated carboxylic acid and a structural unit derived from an unsaturated carbonic anhydride. Examples of the compound giving the structural unit (III) include unsaturated monocarboxylic acids, unsaturated dicarboxylic acids, anhydrides of unsaturated dicarboxylic acids, mono [(meth) acryloyloxyalkyl] esters of polyvalent carboxylic acids, Mono (meth) acrylate of a polymer having a carboxy group and a hydroxyl group, an unsaturated polycyclic compound having a carboxy group, and anhydrides thereof.
불포화 모노카본산으로서는, 예를 들면, 아크릴산, 메타크릴산, 크로톤산 등을 들 수 있다. 불포화 디카본산으로서는, 예를 들면, 말레산, 푸말산, 시트라콘산, 메사콘산, 이타콘산 등을 들 수 있다. 불포화 디카본산의 무수물로서는, 예를 들면, 상기 디카본산으로서 예시한 화합물의 무수물 등을 들 수 있다. 다가 카본산의 모노[(메타)아크릴로일옥시알킬]에스테르로서는, 예를 들면, 숙신산 모노[2-(메타)아크릴로일옥시에틸], 프탈산 모노[2-(메타)아크릴로일옥시에틸], 헥사하이드로프탈산 모노[2-(메타)아크릴로일옥시에틸] 등을 들 수 있다. 양 말단에 카복실기와 수산기를 갖는 폴리머의 모노(메타)아크릴레이트로서는, 예를 들면, ω-카복시폴리카프로락톤모노(메타)아크릴레이트 등을 들 수 있다. Examples of the unsaturated monocarboxylic acid include acrylic acid, methacrylic acid, and crotonic acid. Examples of the unsaturated dicarboxylic acid include maleic acid, fumaric acid, citraconic acid, mesaconic acid, itaconic acid, and the like. The anhydrides of the unsaturated dicarboxylic acids include, for example, anhydrides of the compounds exemplified as the dicarboxylic acids. Examples of mono [(meth) acryloyloxyalkyl] esters of polyvalent carboxylic acids include mono [2- (meth) acryloyloxyethyl] succinate, mono [2- (meth) acryloyloxyethyl ], Hexahydrophthalic acid mono [2- (meth) acryloyloxyethyl], and the like. Examples of the mono (meth) acrylate of a polymer having a carboxyl group and a hydroxyl group at both terminals include ω-carboxypolycaprolactone mono (meth) acrylate and the like.
이들 중, 모노카본산, 디카본산의 무수물이 바람직하고, (메타)아크릴산, 무수 말레산이, 공중합 반응성, 알칼리 수용액에 대한 용해성 및 입수의 용이성에서 보다 바람직하다. Among them, a monocarbonic acid and an anhydride of a dicarboxylic acid are preferable, and (meth) acrylic acid and maleic anhydride are more preferable in view of solubility and availability of an aqueous alkaline solution, copolymerization reactivity, and alkali aqueous solution.
구조 단위 (Ⅲ)의 함유 비율로서는, 전체 구조 단위에 대하여, 바람직하게는 5몰%∼30몰%, 보다 바람직하게는 10몰%∼25몰%이다. 구조 단위 (Ⅲ)의 함유 비율을 5몰%∼30몰%로 함으로써, 알칼리 수용액에 대한 용해성을 최적화하면서 방사선성 감도가 우수한 네거티브형 감방사선성 수지 조성물이 얻어진다. The content of the structural unit (III) is preferably from 5% by mole to 30% by mole, and more preferably from 10% by mole to 25% by mole, based on the total structural units. By setting the content of the structural unit (III) in the range of 5 mol% to 30 mol%, a negative radiation-sensitive radiation-sensitive resin composition excellent in radiation sensitivity while being optimized for solubility in an alkali aqueous solution can be obtained.
[기타 구조 단위] [Other structural units]
[A] 중합체 성분은, 구조 단위 (Ⅰ), 구조 단위 (Ⅱ), 구조 단위 (Ⅲ) 이외의 기타 구조 단위를 부여하는 화합물을 포함할 수 있다. 예를 들면, 수산기를 갖는 (메타)아크릴산 에스테르, (메타)아크릴산 쇄상 알킬에스테르, (메타)아크릴산 환상 알킬에스테르, (메타)아크릴산 아릴에스테르, 불포화 방향족 화합물, 공액 디엔, 테트라하이드로푸란 골격 등을 갖는 불포화 화합물을 들 수 있다. The polymer component [A] may include a compound imparting other structural units other than the structural unit (I), the structural unit (II) and the structural unit (III). (Meth) acrylic acid alkyl ester, (meth) acrylic acid cycloalkyl ester, (meth) acrylic acid aryl ester, unsaturated aromatic compound, conjugated diene, tetrahydrofuran skeleton, etc.) having a hydroxyl group Unsaturated compounds.
수산기를 갖는 (메타)아크릴산 에스테르로서는, 예를 들면, 아크릴산 2-하이드록시에틸, 아크릴산 3-하이드록시프로필, 아크릴산 4-하이드록시부틸, 아크릴산 5-하이드록시펜틸, 아크릴산 6-하이드록시헥실, 메타크릴산 2-하이드록시에틸, 메타크릴산 3-하이드록시프로필, 메타크릴산 4-하이드록시부틸, 메타크릴산 5-하이드록시펜틸, 메타크릴산 6-하이드록시헥실 등을 들 수 있다. Examples of the (meth) acrylic acid ester having a hydroxyl group include 2-hydroxyethyl acrylate, 3-hydroxypropyl acrylate, 4-hydroxybutyl acrylate, 5-hydroxypentyl acrylate, 6-hydroxyhexyl acrylate, 2-hydroxyethyl acrylate, 3-hydroxypropyl methacrylate, 4-hydroxybutyl methacrylate, 5-hydroxypentyl methacrylate, 6-hydroxyhexyl methacrylate and the like.
(메타)아크릴산 쇄상 알킬에스테르로서는, 예를 들면, 메타크릴산 메틸, 메타크릴산 에틸, 메타크릴산 n-부틸, 메타크릴산 sec-부틸, 메타크릴산 t-부틸, 메타크릴산 2-에틸헥실, 메타크릴산 이소데실, 메타크릴산 n-라우릴, 메타크릴산 트리데실, 메타크릴산 n-스테아릴, 아크릴산 메틸, 아크릴산 에틸, 아크릴산 n-부틸, 아크릴산 sec-부틸, 아크릴산 t-부틸, 아크릴산 2-에틸헥실, 아크릴산 이소데실, 아크릴산 n-라우릴, 아크릴산 트리데실, 아크릴산 n-스테아릴 등을 들 수 있다. Examples of the alkyl (meth) acrylate chain alkyl esters include methyl methacrylate, ethyl methacrylate, n-butyl methacrylate, sec-butyl methacrylate, t-butyl methacrylate, Hexyl acrylate, isodecyl methacrylate, n-lauryl methacrylate, tridecyl methacrylate, n-stearyl methacrylate, methyl acrylate, ethyl acrylate, n-butyl acrylate, sec- , 2-ethylhexyl acrylate, isodecyl acrylate, n-lauryl acrylate, tridecyl acrylate, and n-stearyl acrylate.
(메타)아크릴산 환상 알킬에스테르로서는, 예를 들면, 메타크릴산 사이클로헥실, 메타크릴산 2-메틸사이클로헥실, 메타크릴산 트리사이클로[5.2.1.02,6]데칸-8-일, 메타크릴산 트리사이클로[5.2.1.02,6]데칸-8-일옥시에틸, 메타크릴산 이소보르닐, 사이클로헥실아크릴레이트, 2-메틸사이클로헥실아크릴레이트, 트리사이클로[5.2.1.02,6]데칸-8-일아크릴레이트, 트리사이클로[5.2.1.02,6]데칸-8-일옥시에틸아크릴레이트, 이소보르닐아크릴레이트 등을 들 수 있다. Examples of the (meth) acrylic acid cyclic alkyl esters include cyclohexyl methacrylate, 2-methylcyclohexyl methacrylate, tricyclo [5.2.1.0 2,6 ] decane-8-methacrylic acid, Tricyclo [5.2.1.0 2,6 ] decane-8-yloxyethyl methacrylate, cyclohexyl acrylate, 2-methylcyclohexyl acrylate, tricyclo [5.2.1.0 2,6 ] decane- 8-yl acrylate, tricyclo [5.2.1.0 2,6 ] decan-8-yloxyethyl acrylate, and isobornyl acrylate.
(메타)아크릴산 아릴에스테르로서는, 예를 들면, 메타크릴산 페닐, 메타크릴산 벤질, 아크릴산 페닐, 아크릴산 벤질 등을 들 수 있다. Examples of the (meth) acrylic acid aryl esters include phenyl methacrylate, benzyl methacrylate, phenyl acrylate, and benzyl acrylate.
불포화 방향족 화합물로서는, 예를 들면, 스티렌, α-메틸스티렌, o-메틸스티렌, m-메틸스티렌, p-메틸스티렌, p-메톡시스티렌, N-페닐말레이미드, N-사이클로헥실말레이미드, N-톨릴말레이미드, N-나프틸말레이미드, N-에틸말레이미드, N-헥실말레이미드, N-벤질말레이미드 등을 들 수 있다. Examples of the unsaturated aromatic compound include styrene,? -Methylstyrene, o-methylstyrene, m-methylstyrene, p-methylstyrene, p-methoxystyrene, N-phenylmaleimide, N-cyclohexylmaleimide, N-tolyl maleimide, N-naphthyl maleimide, N-ethyl maleimide, N-hexyl maleimide and N-benzyl maleimide.
공액 디엔으로서는, 예를 들면 1,3-부타디엔, 이소프렌, 2,3-디메틸-1,3-부타디엔 등을 들 수 있다. Examples of the conjugated dienes include 1,3-butadiene, isoprene, 2,3-dimethyl-1,3-butadiene and the like.
테트라하이드로푸란 골격을 함유하는 불포화 화합물로서는, 예를 들면, 테트라하이드로푸르푸릴(메타)아크릴레이트, 2-메타크릴로일옥시-프로피온산 테트라하이드로푸르푸릴에스테르, 3-(메타)아크릴로일옥시테트라하이드로푸란-2-온 등을 들 수 있다. Examples of the unsaturated compound containing a tetrahydrofuran skeleton include tetrahydrofurfuryl (meth) acrylate, 2-methacryloyloxy-propionic acid tetrahydrofurfuryl ester, 3- (meth) acryloyloxytetra 2-one, and the like.
<[A] 중합체 성분의 합성 방법> <Method of synthesizing polymer component [A]
[A] 중합체 성분은, 예를 들면, 소정의 각 구조 단위에 대응하는 단량체를, 라디칼 중합 개시제를 사용하여, 적당한 용매 중에서 중합함으로써 제조할 수 있다. 예를 들면, 단량체 및 라디칼 개시제를 함유하는 용액을, 반응 용매 또는 단량체를 함유하는 용액에 적하하여 중합 반응시키는 방법, 단량체를 함유하는 용액과, 라디칼 개시제를 함유하는 용액을 각각 따로, 반응 용매 또는 단량체를 함유하는 용액에 적하하여 중합 반응시키는 방법, 각각의 단량체를 함유하는 복수종의 용액과, 라디칼 개시제를 함유하는 용액을 각각 따로, 반응 용매 또는 단량체를 함유하는 용액에 적하하여 중합 반응시키는 방법 등의 방법으로 합성하는 것이 바람직하다. [A] The polymer component can be produced, for example, by polymerizing a monomer corresponding to a given structural unit in a suitable solvent using a radical polymerization initiator. For example, a method in which a solution containing a monomer and a radical initiator is added dropwise to a solution containing a reaction solvent or a monomer to effect polymerization, a solution containing a monomer, and a solution containing a radical initiator, A method in which a solution containing a monomer and a solution containing a radical initiator are separately added dropwise to a solution containing a reaction solvent or a monomer to perform a polymerization reaction And the like.
[A] 중합체 성분의 중합 반응에 이용되는 용매로서는, 예를 들면, 후술하는 당해 감방사선성 수지 조성물의 조제의 항에서 예시하는 용매 등을 들 수 있다. Examples of the solvent used in the polymerization reaction of the polymer component [A] include solvents exemplified in the paragraph of the preparation of the radiation-sensitive resin composition to be described later.
중합 반응에 이용되는 중합 개시제로서는, 일반적으로 라디칼 중합 개시제로서 알려져 있는 것을 사용할 수 있지만, 예를 들면, 2,2'-아조비스이소부티로니트릴, 2,2'-아조비스(2,4-디메틸발레로니트릴), 2,2'-아조비스-(4-메톡시-2,4-디메틸발레로니트릴), 2,2'-아조비스(2-메틸프로피온산 메틸) 등의 아조 화합물; 벤조일퍼옥사이드, 라우로일퍼옥사이드 등의 유기 과산화물; 과산화수소 등을 들 수 있다. As the polymerization initiator used in the polymerization reaction, those known as radical polymerization initiators can be generally used, and examples thereof include 2,2'-azobisisobutyronitrile, 2,2'-azobis (2,4- Azo compounds such as 2,2'-azobis- (4-methoxy-2,4-dimethylvaleronitrile) and 2,2'-azobis (methyl 2-methylpropionate); Organic peroxides such as benzoyl peroxide and lauroyl peroxide; Hydrogen peroxide and the like.
[A] 중합체 성분의 중합 반응에 있어서는, 분자량을 조정하기 위해 분자량 조정제를 사용할 수도 있다. 분자량 조정제로서는, 예를 들면, 클로로포름, 4브롬화 탄소 등의 할로겐화 탄화 수소류; n-헥실메르캅탄, n-옥틸메르캅탄, n-도데실메르캅탄, t-도데실메르캅탄, 티오글리콜산 등의 메르캅탄류; 디메틸잔토겐술피드, 디이소프로필잔토겐술피드 등의 잔토겐류; 테르피놀렌, α-메틸스티렌 다이머 등을 들 수 있다. In the polymerization reaction of the polymer component [A], a molecular weight modifier may be used to adjust the molecular weight. Examples of the molecular weight regulator include halogenated hydrocarbon such as chloroform and carbon tetrabromide; mercaptans such as n-hexyl mercaptan, n-octyl mercaptan, n-dodecyl mercaptan, t-dodecyl mercaptan and thioglycolic acid; Residues of residues such as dimethylzothen sulfide, diisopropylzanto glyphosate and the like; Terpinolene, alpha -methylstyrene dimer, and the like.
[A] 중합체의 겔 투과 크로마토그래피(GPC)에 의한 폴리스티렌 환산 중량 평균 분자량(Mw)으로서는, 2.0×103 이상 1.0×105 이하가 바람직하고, 5.0×103 이상 5.0×104 이하가 보다 바람직하다. [A] 중합체 성분의 Mw를 상기 범위로 함으로써 당해 감방사선성 수지 조성물의 감도 및 알칼리 현상성을 높일 수 있다. The weight average molecular weight (Mw) of the polymer [A] in terms of polystyrene as determined by gel permeation chromatography (GPC) is preferably 2.0 x 10 3 or more and 1.0 x 10 5 or less, more preferably 5.0 x 10 3 or more and 5.0 x 10 4 or less desirable. By setting the Mw of the polymer component [A] within the above range, the sensitivity and alkali developability of the radiation sensitive resin composition can be increased.
[A] 중합체 성분의 GPC에 의한 폴리스티렌 환산 수평균 분자량(Mn)으로서는, 2.0×103 이상 1.0×105 이하가 바람직하고, 5.0×103 이상 5.0×104 이하가 보다 바람직하다. [A] 중합체의 Mn을 상기 범위로 함으로써, 당해 감방사선성 수지 조성물의 도막의 경화시의 경화 반응성을 향상시킬 수 있다. The polystyrene reduced number average molecular weight (Mn) of the polymer component [A] by GPC is preferably 2.0 x 10 3 or more and 1.0 x 10 5 or less, more preferably 5.0 x 10 3 or more and 5.0 x 10 4 or less. By setting the Mn of the polymer [A] within the above range, the curing reactivity at the time of curing the coating film of the radiation sensitive resin composition can be improved.
[A] 중합체 성분의 분자량 분포(Mw/Mn)로서는, 3.0 이하가 바람직하고, 2.6 이하가 보다 바람직하다. [A] 중합체 성분의 Mw/Mn을 3.0 이하로 함으로써, 얻어지는 경화막의 현상성을 높일 수 있다. The molecular weight distribution (Mw / Mn) of the polymer component [A] is preferably 3.0 or less, more preferably 2.6 or less. By making the Mw / Mn of the polymer component [A] 3.0 or less, the developability of the resulting cured film can be enhanced.
<[B] 비이온성 광산발생제> <[B] Nonionic photoacid generator>
[B] 비이온성 광산발생제는, 방사선의 조사에 의해 산을 발생시키는 화합물이다. 방사선으로서는, 예를 들면, 가시광선, 자외선, 원자외선, 전자선, X선 등을 사용할 수 있다. 당해 감방사선성 수지 조성물이 [B] 비이온성 광산발생제를 함유함으로써, 당해 감방사선성 수지 조성물은 네거티브형의 감방사선 특성을 발휘할 수 있고, 또한 양호한 감도를 가질 수 있다. [B] The nonionic photoacid generator is a compound which generates an acid upon irradiation with radiation. As the radiation, for example, visible light, ultraviolet light, far ultraviolet light, electron beam, X-ray and the like can be used. By containing the [B] nonionic photoacid generator in the radiation-sensitive resin composition, the radiation-sensitive resin composition of the present invention can exhibit negative radiation sensitivity characteristics and can have good sensitivity.
[B] 비이온성 광산발생제의 당해 감방사선성 수지 조성물에 있어서의 함유 형태로서는, 후술하는 바와 같은 화합물인 비이온성 광산발생제(이하, 적절히 「[B] 비이온성 광산발생제」라고도 함)의 형태라도, [A] 중합체 성분을 구성하는 중합체의 일부로서 조입된 광산발생기의 형태라도, 이들 양쪽의 형태라도 좋다.As the form of the nonionic photoacid generator in the radiation-sensitive resin composition of the present invention, a nonionic photoacid generator (hereinafter also referred to as "[B] nonionic photoacid generator (s)") May be in the form of a photoacid generator embedded as a part of the polymer constituting the polymer component [A], or both of them.
[B] 비이온성 광산발생제로서는, 옥심술포네이트 구조를 갖는 화합물, 나프탈이미드 구조를 갖는 화합물이 특히 바람직하다. 이들 [B] 비이온성 광산발생제는, 단독으로 또는 2종류 이상을 조합하여 이용해도 좋다. 이하에 옥심술포네이트 구조를 갖는 화합물, 나프탈이미드 구조를 갖는 화합물의 상세에 대해서 기재한다.As the [B] nonionic photoacid generator, a compound having an oxime sulfonate structure or a compound having a naphthalimide structure is particularly preferable. These [B] nonionic photoacid generators may be used alone or in combination of two or more. Details of a compound having an oxime sulfonate structure and a compound having a naphthalimide structure are described below.
[옥심술포네이트 구조를 갖는 화합물] [Compound having an oxime sulfonate structure]
옥심술포네이트 구조를 갖는 화합물로서는, 하기식 (1)로 나타나는 구조를 포함하는 화합물이 바람직하다. As the compound having an oxime sulfonate structure, a compound containing a structure represented by the following formula (1) is preferable.
상기식 (1) 중, R1은, 탄소수 1 내지 12의 알킬기, 탄소수 1 내지 12의 플루오로알킬기, 탄소수 4 내지 12의 지환식 탄화 수소기, 탄소수 6 내지 20의 아릴기, 또는 이들의 알킬기, 지환식 탄화 수소기 및 아릴기가 갖는 수소 원자의 일부 또는 전부가 치환기로 치환된 기이다. In the formula (1), R 1 represents an alkyl group having 1 to 12 carbon atoms, a fluoroalkyl group having 1 to 12 carbon atoms, an alicyclic hydrocarbon group having 4 to 12 carbon atoms, an aryl group having 6 to 20 carbon atoms, , A group in which a part or all of the hydrogen atoms contained in the alicyclic hydrocarbon group and the aryl group is substituted with a substituent.
상기 R1로 나타나는 알킬기로서는, 탄소수 1∼12의 직쇄상 또는 분기상의 알킬기가 바람직하다. 이 탄소수 1∼12의 직쇄상 또는 분기상의 알킬기는 치환기에 의해 치환되어 있어도 좋고, 상기 치환기로서는, 예를 들면, 탄소수 1∼10의 알콕시기, 7,7-디메틸-2-옥소노르보르닐기 등의 유교(有橋)식 지환기를 포함하는 지환식기 등을 들 수 있다. 탄소수 1 내지 12의 플루오로알킬기로서는, 트리플루오로메틸기, 펜타플루오로에틸기, 헵타플루오로프로필기 등을 들 수 있다. The alkyl group represented by R 1 is preferably a linear or branched alkyl group having 1 to 12 carbon atoms. The straight or branched alkyl group having 1 to 12 carbon atoms may be substituted by a substituent, and examples of the substituent include an alkoxy group having 1 to 10 carbon atoms, a 7,7-dimethyl-2-oxononorbornyl group and the like And an alicyclic group including a bridged alicyclic group. Examples of the fluoroalkyl group having 1 to 12 carbon atoms include a trifluoromethyl group, a pentafluoroethyl group, and a heptafluoropropyl group.
상기 R1로 나타나는 지환식 탄화 수소기로서는, 탄소수 4∼12의 지환식 탄화 수소기가 바람직하다. 이 탄소수 4∼12의 지환식 탄화 수소기는 치환기에 의해 치환되어 있어도 좋고, 상기 치환기로서는, 예를 들면, 탄소수 1∼5의 알킬기, 알콕시기, 할로겐 원자 등을 들 수 있다. The alicyclic hydrocarbon group represented by R 1 is preferably an alicyclic hydrocarbon group having 4 to 12 carbon atoms. The alicyclic hydrocarbon group having 4 to 12 carbon atoms may be substituted by a substituent. Examples of the substituent include an alkyl group having 1 to 5 carbon atoms, an alkoxy group, a halogen atom, and the like.
상기 R1로 나타나는 아릴기로서는, 탄소수 6∼20의 아릴기가 바람직하고, 페닐기, 나프틸기, 톨릴기, 자일릴기가 보다 바람직하다. 상기 아릴기는 치환기에 의해 치환되어 있어도 좋고, 상기 치환기로서는, 예를 들면, 탄소수 1∼5의 알킬기, 알콕시기, 할로겐 원자 등을 들 수 있다. The aryl group represented by R 1 is preferably an aryl group having 6 to 20 carbon atoms, and more preferably a phenyl group, a naphthyl group, a tolyl group or a xylyl group. The aryl group may be substituted with a substituent, and examples of the substituent include an alkyl group having 1 to 5 carbon atoms, an alkoxy group, and a halogen atom.
상기식 (1)로 나타나는 옥심술포네이트기를 함유하는 화합물로서는, 예를 들면, 하기식 (1-1), 식 (1-2), 식 (1-3)으로 나타나는 옥심술포네이트 화합물 등을 들 수 있다. Examples of the oximesulfonate group-containing compound represented by the above formula (1) include oximesulfonate compounds represented by the following formulas (1-1), (1-2) and (1-3) .
상기식 (1-1), (1-2), (1-3) 중, R1은, 상기식 (1)과 동일한 의미이다. 상기식 (1-1), (1-2) 중, R5는, 탄소수 1 내지 12의 알킬기, 탄소수 1 내지 12의 플루오로알킬기이다. In the formulas (1-1), (1-2) and (1-3), R 1 has the same meaning as in the formula (1). In the formulas (1-1) and (1-2), R 5 is an alkyl group having 1 to 12 carbon atoms or a fluoroalkyl group having 1 to 12 carbon atoms.
식 (1-3) 중, X는, 알킬기, 알콕시기, 또는 할로겐 원자이다. m은, 0∼3의 정수이다. 단, X가 복수인 경우, 복수의 X는 동일해도 상이해도 좋다. In the formula (1-3), X is an alkyl group, an alkoxy group, or a halogen atom. m is an integer of 0 to 3; Provided that when plural Xs are present, plural Xs may be the same or different.
상기 X로 나타나는 알킬기로서는, 탄소수 1∼4의 직쇄상 또는 분기상의 알킬기가 바람직하다. 상기 X로 나타나는 알콕시기로서는, 탄소수 1∼4의 직쇄상 또는 분기상의 알콕시기가 바람직하다. 상기 X로 나타나는 할로겐 원자로서는, 염소 원자, 불소 원자가 바람직하다. m으로서는, 0 또는 1이 바람직하다. 상기식 (1-3)에 있어서는, m이 1이고, X가 메틸기이고, X의 치환 위치가 오르토인 화합물이 바람직하다. The alkyl group represented by X is preferably a linear or branched alkyl group having 1 to 4 carbon atoms. The alkoxy group represented by X is preferably a linear or branched alkoxy group having 1 to 4 carbon atoms. The halogen atom represented by X is preferably a chlorine atom or a fluorine atom. As m, 0 or 1 is preferable. In the above formula (1-3), a compound wherein m is 1, X is a methyl group, and X is a substituted position is preferably a compound.
상기식 (1-3)으로 나타나는 옥심술포네이트 화합물로서는, 예를 들면, 하기식 (1-3-1)∼(1-3-5)로 나타나는 화합물 등을 들 수 있다. Examples of the oxime sulfonate compound represented by the above formula (1-3) include compounds represented by the following formulas (1-3-1) to (1-3-5).
상기식 (1-3-1)∼(1-3-5)로 나타나는 화합물은, 5-프로필술포닐옥시이미노-5H-티오펜-2-일리덴)-(2-메틸페닐)아세토니트릴, (5-옥틸술포닐옥시이미노-5H-티오펜-2-일리덴)-(2-메틸페닐)아세토니트릴, (캠퍼술포닐옥시이미노-5H-티오펜-2-일리덴)-(2-메틸페닐)아세토니트릴, (5-p-톨루엔술포닐옥시이미노-5H-티오펜-2-일리덴)-(2-메틸페닐)아세토니트릴, (2-(옥틸술포닐옥시이미노)-2-(4-메톡시페닐)아세토니트릴이고, 시판품으로서 입수할 수 있다. The compound represented by the above formulas (1-3-1) to (1-3-5) is preferably 5-propylsulfonyloxyimino-5H-thiophen-2-ylidene) - (2-methylphenyl) acetonitrile, 5-thiophen-2-ylidene) - (2-methylphenyl) acetonitrile, Acetonitrile, (5-p-toluenesulfonyloxyimino-5H-thiophen-2-ylidene) - (2- methylphenyl) acetonitrile, (2- (octylsulfonyloxyimino) -2- Methoxyphenyl) acetonitrile, which is commercially available.
[나프탈이미드 구조를 갖는 화합물] [Compound having a naphthalimide structure]
나프탈이미드 구조를 갖는 화합물은, 하기식으로 나타나는 화합물인 것이 바람직하다. The compound having a naphthalimide structure is preferably a compound represented by the following formula.
상기식 (2) 중, R18 및 R21∼R23은, 수소 원자이다. In the formula (2), R 18 and R 21 to R 23 are hydrogen atoms.
R19 및 R20의 한쪽은, 직쇄상 또는 분기상의 탄소수 4∼18의 알콕시기, 이 알콕시기의 산소 원자에 인접하지 않는 임의 위치의 메틸렌기가 -C(=O)-기로 치환된 기, 상기 알콕시기가 나프탈렌환에 가까운 쪽으로부터 -O-C(=O)- 결합 또는 -OC(=O)-NH- 결합으로 중단된 기, 탄소수 4∼18의 직쇄상 또는 분기상의 알킬티오기, 이 알킬티오기의 황 원자에 인접하지 않는 임의 위치의 메틸렌기가 -C(=O)-기로 치환된 기, 상기 알킬티오기가 나프탈렌환에 가까운 쪽으로부터 -O-C(=O)- 결합 또는 -OC(=O)-NH- 결합으로 중단된 기, 또는 하기식 (3)으로 나타나는 기이다. 단, R19 및 R20의 알콕시기 및 알킬티오기가 갖는 수소 원자의 일부 또는 전부는, 지환식 탄화 수소기, 복소환기 또는 할로겐 원자로 치환되어도 좋다. R19 및 R20의 다른 한쪽은, 수소 원자이다. One of R 19 and R 20 is a straight chain or branched chain alkoxy group having 4 to 18 carbon atoms, a group in which a methylene group at any position not adjacent to the oxygen atom of the alkoxy group is substituted with a -C (= O) - group, A group interrupted by an -OC (= O) - bond or -OC (= O) -NH- bond from the side nearest to the naphthalene ring, a straight or branched alkylthio group having 4 to 18 carbon atoms, (= O) - or -OC (= O) - group from the side nearer to the naphthalene ring, a group in which the methylene group at any arbitrary position not adjacent to the sulfur atom of the alkylthio group is substituted with a -C NH-bond, or a group represented by the following formula (3). Provided that a part or all of the hydrogen atoms of the alkoxy group and the alkylthio group of R 19 and R 20 may be substituted with an alicyclic hydrocarbon group, a heterocyclic group or a halogen atom. And the other of R 19 and R 20 is a hydrogen atom.
상기식 (3) 중, R25는, 탄소수 1∼12의 2가의 탄화 수소기이다. R26은, 탄소수 1∼4의 알칸디일기이다. R27은, 수소 원자, 직쇄상 또는 분기상의 탄소수 1∼4의 알킬기, 또는 탄소수 3∼10의 지환식 탄화 수소기 또는 복소환기이다. Y1은, 산소 원자 또는 황 원자이다. Y2는, 단결합 또는 탄소수 1∼4의 알칸디일기이다. g는, 0∼5의 정수이다. In the above formula (3), R 25 is a divalent hydrocarbon group of 1 to 12 carbon atoms. R 26 is an alkanediyl group having 1 to 4 carbon atoms. R 27 is a hydrogen atom, a linear or branched alkyl group having 1 to 4 carbon atoms, or an alicyclic hydrocarbon group having 3 to 10 carbon atoms or a heterocyclic group. Y 1 is an oxygen atom or a sulfur atom. Y 2 is a single bond or an alkanediyl group having 1 to 4 carbon atoms. g is an integer of 0 to 5;
상기식 (2) 중의 R24는, 할로겐 원자 및 탄소수 1∼18의 알킬티오기 중 적어도 한쪽으로 치환되어 있어도 좋은 탄소수 1∼18의 1가의 지방족 탄화 수소기, 할로겐 원자 및 지환식 탄화 수소기 중 적어도 한쪽으로 치환되어 있어도 좋은 탄소수 1∼18의 직쇄상 또는 분기상의 알킬기, 할로겐 원자로 치환되어 있어도 좋은 탄소수 3∼18의 1가의 지환식 탄화 수소기, 할로겐 원자 및 탄소수 1∼18의 알킬티오기 중 적어도 한쪽으로 치환되어 있어도 좋은 탄소수 6∼20의 아릴기, 할로겐 원자 및 탄소수 1∼18의 알킬티오기 중 적어도 한쪽으로 치환되어 있어도 좋은 탄소수 7∼20의 아릴알킬기, 할로겐 원자로 치환되어 있어도 좋은 탄소수 7∼20의 알킬아릴기, 아실기로 치환된 탄소수 7∼20의 아릴기, 10-캠퍼일기, 또는 하기식 (4)으로 나타나는 기이다. R 24 in the formula (2) represents a monovalent aliphatic hydrocarbon group having 1 to 18 carbon atoms which may be substituted with at least one of a halogen atom and an alkylthio group having 1 to 18 carbon atoms, a halogen atom and an alicyclic hydrocarbon group A linear or branched alkyl group having 1 to 18 carbon atoms which may be substituted on at least one side, a monovalent alicyclic hydrocarbon group having 3 to 18 carbon atoms which may be substituted with a halogen atom, a halogen atom and an alkylthio group having a carbon number of 1 to 18 An arylalkyl group having 7 to 20 carbon atoms which may be substituted with at least one of a halogen atom and an alkylthio group having 1 to 18 carbon atoms, an arylalkyl group having 7 to 20 carbon atoms which may be substituted with a halogen atom An aryl group having 7 to 20 carbon atoms substituted with an acyl group, a 10-camphoryl group, or a group represented by the following formula (4).
상기식 (4) 중, Y3은, 단결합 또는 탄소수 1∼4의 알칸디일기이다. In the formula (4), Y 3 is a single bond or an alkanediyl group having 1 to 4 carbon atoms.
R28은, 탄소수 2∼8의 알칸디일기, 탄소수 2∼8의 할로겐화 알칸디일기, 탄소수 6∼20의 아릴렌기 또는 탄소수 6∼20의 할로겐화 아릴렌기이다. R 28 is an alkanediyl group having 2 to 8 carbon atoms, a halogenated alkanediyl group having 2 to 8 carbon atoms, an arylene group having 6 to 20 carbon atoms, or a halogenated arylene group having 6 to 20 carbon atoms.
R29는, 단결합, 탄소수 2∼8의 알칸디일기, 탄소수 2∼8의 할로겐화 알칸디일기, 탄소수 6∼20의 아릴렌기 또는 탄소수 6∼20의 할로겐화 아릴렌기이다. R 29 is a single bond, an alkanediyl group having 2 to 8 carbon atoms, a halogenated alkanediyl group having 2 to 8 carbon atoms, an arylene group having 6 to 20 carbon atoms, or a halogenated arylene group having 6 to 20 carbon atoms.
R30은, 직쇄상 또는 분기상의 탄소수 1∼18의 알킬기, 직쇄상 또는 분기상의 탄소수 1∼18의 할로겐화 알킬기, 탄소수 3∼12의 지환식 탄화 수소기, 탄소수 6∼20의 아릴기, 탄소수 6∼20의 할로겐화 아릴기, 탄소수 7∼20의 아릴알킬기 또는 탄소수 7∼20의 할로겐화 아릴알킬기이다. h 및 i는, 한쪽이 1이고, 다른 한쪽이 0 또는 1이다. R 30 represents a linear or branched alkyl group having 1 to 18 carbon atoms, a linear or branched halogenated alkyl group having 1 to 18 carbon atoms, an alicyclic hydrocarbon group having 3 to 12 carbon atoms, an aryl group having 6 to 20 carbon atoms, A halogenated aryl group having 1 to 20 carbon atoms, an arylalkyl group having 7 to 20 carbon atoms, or a halogenated arylalkyl group having 7 to 20 carbon atoms. h and i are one of 1 and 0 or 1, respectively.
상기식 (2) 중의 R19 또는 R20으로 나타나는 탄소수 4∼18의 직쇄상 또는 분기상의 알콕시기로서는, 예를 들면, 부틸옥시기, sec-부틸옥시기, t-부틸옥시기, 이소부틸옥시기, 아밀옥시기, 이소아밀옥시기, t-아밀옥시기, 헥실옥시기, 헵틸옥시기, 이소헵틸옥시기, t-헵틸옥시기, 옥틸옥시기, 이소옥틸옥시기, t-옥틸옥시기, 2-에틸헥실옥시기, 노닐옥시기, 데실옥시기, 운데실옥시기, 도데실옥시기 등을 들 수 있다. Examples of the linear or branched alkoxy group having 4 to 18 carbon atoms represented by R 19 or R 20 in the formula (2) include a butyloxy group, a sec-butyloxy group, a t-butyloxy group, Amyloxy group, t-amyloxy group, hexyloxy group, heptyloxy group, isoheptyloxy group, t-heptyloxy group, octyloxy group, isooctyloxy group, t-octyloxy group, 2-ethylhexyloxy group, nonyloxy group, decyloxy group, undecyloxy group, dodecyloxy group and the like.
상기 R19 또는 R20으로 나타나는 탄소수 4∼18의 직쇄상 또는 분기상의 알킬티오기로서는, 예를 들면, 부틸티오기, sec-부틸티오기, t-부틸티오기, 이소부틸티오기, 아밀티오기, 이소아밀티오기, t-아밀티오기, 헥실티오기, 헵틸티오기, 이소헵틸티오기, t-헵틸티오기, 옥틸티오기, 이소옥틸티오기, t-옥틸티오기, 2-에틸헥실티오기, 노닐티오기, 데실티오기, 운데실티오기, 도데실티오기 등을 들 수 있다. Examples of the linear or branched alkylthio group having 4 to 18 carbon atoms represented by R 19 or R 20 include a methylthio group such as a butylthio group, a sec-butylthio group, a t-butylthio group, an isobutylthio group, Isoamylthio group, t-amylthio group, t-butylthio group, t-butylthio group, t-butylthio group, t-butylthio group, Siltygio, nonylthio, decylthio, undecylthio, dodecylthio, and the like.
상기식 (2) 중의 상기 탄소수 4∼18의 알콕시기의 산소 원자에 인접하지 않는 메틸렌기가 -C(=O)-기로 치환된 기로서는, 예를 들면, 2-케토부틸-1-옥시기, 2-케토펜틸-1-옥시기, 2-케토헥실-1-옥시기, 2-케토헵틸-1-옥시기, 2-케토옥틸-1-옥시기, 3-케토부틸-1-옥시기, 4-케토아밀-1-옥시기, 5-케토헥실-1-옥시기, 6-케토헵틸-1-옥시기, 7-케토옥틸-1-옥시기, 3-메틸-2-케토펜탄-4-옥시기, 2-케토-펜탄-4-옥시기, 2-메틸-2-케토펜탄-4-옥시기, 3-케토헵탄-5-옥시기, 2-아다만탄온-5-옥시기 등을 들 수 있다. Examples of the group in which the methylene group not adjacent to the oxygen atom of the above-mentioned alkoxy group having 4 to 18 carbon atoms in the formula (2) is substituted with a -C (= O) - group include a 2-ketobutyl- A 2-ketoheptyl-1-oxy group, a 2-ketooxyl-1-oxy group, a 3-ketobutyl- , A 4-ketoamyl-1-oxy group, a 5-ketohexyl-1-oxy group, a 6-ketoheptyl- 4-oxo group, 3-ketoheptan-5-oxy group, 2-adamantanone-5-ox Time and so on.
상기식 (2) 중의 상기 탄소수 4∼18의 알킬티오기의 황 원자에 인접하지 않는 메틸렌기가 -C(=O)-기로 치환된 기로서는, 예를 들면, 2-케토부틸-1-티오기, 2-케토펜틸-1-티오기, 2-케토헥실-1-티오기, 2-케토헵틸-1-티오기, 2-케토옥틸-1-티오기, 3-케토부틸-1-티오기, 4-케토아밀-1-티오기, 5-케토헥실-1-티오기, 6-케토헵틸-1-티오기, 7-케토옥틸-1-티오기 등을 들 수 있다. Examples of the group in which the methylene group not adjacent to the sulfur atom of the alkylthio group having 4 to 18 carbon atoms in the formula (2) is substituted with a -C (= O) - group include 2-ketobutyl- , 2-ketoheptyl-1-thio group, 2-ketoheptyl-1-thio group, 3-ketobutyl- 1-thio group, 4-ketoamyl-1-thio group, 5-ketohexyl-1-thio group, 6-ketoheptyl-1-thio group and 7-ketooxyl-1-thio group.
상기식 (2) 중의 상기 탄소수 4∼18의 알콕시기가 나프탈렌환에 가까운 쪽으로부터 -O-C(=O)- 결합 또는 -OC(=O)-NH- 결합으로 중단된 기 및, 상기 탄소수 4∼18의 알킬티오기가 나프탈렌환에 가까운 쪽으로부터 -O-C(=O)- 결합 또는 -OC(=O)-NH- 결합으로 중단된 기란, -Y5-Rf-O-C(=O)-Rg 또는 -Y5-RfOC(=O)-NH-Rg이다. Y5는, 산소 원자 또는 황 원자이다. Rf 및 Rg는, 상기식 (2)의 R19 및 R20을 형성할 수 있는 기이다. Rf는, 직쇄상 또는 분기상의 알킬렌기이다. 이 알킬렌기는, 지환식 탄화 수소기, 복소환기 또는 할로겐 원자로 치환되어 있어도 좋다. Rg는, 직쇄상 또는 분기상의 알킬기이다. 이 알킬기는, 지환식 탄화 수소기, 복소환기 또는 할로겐 원자로 치환되어 있어도 좋다. Rf 및 Rg의 합계 탄소수는, 4∼18이다. A group in which the alkoxy group of 4 to 18 carbon atoms in the formula (2) is interrupted by a -OC (= O) - bond or -OC (= O) -NH- bond from a side closer to the naphthalene ring, (= O) -R g or -Y 5 -R f -OC (= O) -R g wherein the alkylthio group of the alkylthio group of the alkylthio group is interrupted by a -OC (= O) -Y 5 -R f OC (= O) -NH-R g . Y 5 is an oxygen atom or a sulfur atom. R f and R g are groups capable of forming R 19 and R 20 in the formula (2). R f is a linear or branched alkylene group. The alkylene group may be substituted with an alicyclic hydrocarbon group, a heterocyclic group or a halogen atom. R g is a linear or branched alkyl group. The alkyl group may be substituted with an alicyclic hydrocarbon group, a heterocyclic group or a halogen atom. The total carbon number of R f and R g is 4 to 18.
상기 알콕시기 및 상기 알킬티오기는, 할로겐 원자, 지환식 탄화 수소기 또는 복소환기로 치환되어도 좋다. The alkoxy group and the alkylthio group may be substituted with a halogen atom, an alicyclic hydrocarbon group or a heterocyclic group.
할로겐 원자로서는, 예를 들면 불소, 염소, 브롬, 요오드 등을 들 수 있다.Examples of the halogen atom include fluorine, chlorine, bromine, and iodine.
지환식 탄화 수소기 및 복소환기는, 알콕시기 또는 알킬티오기 중의 메틸렌기와 치환되는 형태로 존재하고 있어도 좋고, 알콕시기 또는 알킬티오기 중의 메틸렌기의 프로톤과 치환되는 형태로 존재해도 좋고, 알콕시기 또는 알킬티오기 중의 말단에 존재하고 있어도 좋다. 상기 알콕시기 및 알킬티오기는, 지환식 탄화 수소기 또는 복소환기의 환구조를 구성하는 탄소 원자와, 산소 원자 또는 황 원자가 직접 결합하여 구성되는 기도 포함한다. The alicyclic hydrocarbon group and the heterocyclic group may be present in a form substituted with a methylene group in an alkoxy group or an alkylthio group, may be present in a form substituted with an alkoxy group or a proton of a methylene group in an alkylthio group, Or may be present at the end of the alkylthio group. The alkoxy group and the alkylthio group include a ring in which a carbon atom constituting the cyclic structure of an alicyclic hydrocarbon group or a heterocyclic group is directly bonded to an oxygen atom or a sulfur atom.
상기 지환식 탄화 수소기로서는, 예를 들면, 사이클로프로판, 사이클로부탄, 사이클로펜탄, 사이클로헥산, 사이클로헵탄, 사이클로옥탄, 사이클로데칸, 바이사이클로[2.1.1]헥산, 바이사이클로[2.2.1]헵탄, 바이사이클로[3.2.1]옥탄, 바이사이클로[2.2.2]옥탄, 아다만탄에 유래하는 기 등을 들 수 있다. Examples of the alicyclic hydrocarbon group include cyclopropane, cyclobutane, cyclopentane, cyclohexane, cycloheptane, cyclooctane, cyclodecane, bicyclo [2.1.1] hexane, bicyclo [2.2.1] heptane , Bicyclo [3.2.1] octane, bicyclo [2.2.2] octane, adamantane, and the like.
상기 복소환기로서는, 예를 들면, 피롤, 티오펜, 푸란, 피란, 티오피란, 이미다졸, 피라졸, 티아졸, 이소티아졸, 옥사졸, 이소옥사졸, 피리딘, 피라진, 피리미딘, 피리다진, 피롤리딘, 피라졸리딘, 이미다졸리딘, 이소옥사졸리딘, 이소티아졸리딘, 피페리딘, 피페라진, 모르폴린, 티오모르폴린, 크로만, 티오크로만, 이소크로만, 이소티오크로만, 인돌린, 벤조이미다졸, 벤조옥사졸, 벤조티아졸, 벤조티아디아졸, 벤조퓨록산, 나프토이미다졸, 벤조트리아졸, 테트라아자인덴, 상기 복소환 화합물 중에 존재하는 불포화 결합 또는 공액 결합에 수소 첨가된 포화 복소환(테트라하이드로푸란환 등) 화합물에 유래하는 기 등을 들 수 있다. Examples of the heterocyclic group include pyrrole, thiophene, furan, pyran, thiopyran, imidazole, pyrazole, thiazole, isothiazole, oxazole, isoxazole, pyridine, pyrazine, pyrimidine, pyridazine , Pyrrolidine, pyrazolidine, imidazolidine, isooxazolidine, isothiazolidine, piperidine, piperazine, morpholine, thiomorpholine, chroman, thiochroman, isochroman, iso Benzothiazole, benzothiadiazole, benzofuroxan, naphtoimidazole, benzotriazole, tetraazaindene, unsaturated compounds present in the above heterocyclic compounds, such as thioglycolic acid, thioclomer, indoline, benzoimidazole, benzoxazole, benzothiazole, A group derived from a saturated or unsaturated heterocyclic ring (such as a tetrahydrofuran ring) compound which is hydrogenated to a conjugated or conjugated bond, and the like.
상기 지환식 탄화 수소기로 치환된 알콕시기로서는, 예를 들면, 사이클로펜틸옥시기, 메틸사이클로펜틸옥시기, 사이클로헥실옥시기, 플루오로사이클로헥실옥시기, 클로로사이클로헥실옥시기, 사이클로헥실메틸옥시기, 메틸사이클로헥실옥시기, 노르보르닐옥시기, 에틸사이클로헥실옥시기, 사이클로헥실에틸옥시기, 디메틸사이클로헥실옥시기, 메틸사이클로헥실메틸옥시기, 노르보르닐메틸옥시기, 트리메틸사이클로헥실옥시기, 1-사이클로헥실부틸옥시기, 아다만틸옥시기, 멘틸옥시기, n-부틸사이클로헥실옥시기, t-부틸사이클로헥실옥시기, 보르닐옥시기, 이소보르닐옥시기, 메틸아다만틸옥시기, 아다만탄메틸옥시기, 4-아밀사이클로헥실옥시기, 사이클로헥실사이클로헥실옥시기, 아다만틸에틸옥시기, 디메틸아다만틸옥시기 등을 들 수 있다. Examples of the alkoxy group substituted with the alicyclic hydrocarbon group include a cyclopentyloxy group, a methylcyclopentyloxy group, a cyclohexyloxy group, a fluorocyclohexyloxy group, a chlorocyclohexyloxy group, a cyclohexylmethyloxy group , Methylcyclohexyloxy group, norbornyloxy group, ethylcyclohexyloxy group, cyclohexylethyloxy group, dimethylcyclohexyloxy group, methylcyclohexylmethyloxy group, norbornylmethyloxy group, trimethylcyclohexyloxy group, Cyclohexyloxy group, n-butylcyclohexyloxy group, boronyloxy group, isobornyloxy group, methyladamantyloxy group, adamanyloxy group, adamantyloxy group, Aminocyclohexyloxy group, cyclohexylcyclohexyloxy group, adamantylethyloxy group, dimethyladamantyloxy group, and the like.
상기 복소환기로 치환된 알콕시기로서는, 예를 들면, 테트라하이드로푸라닐옥시기, 푸르푸릴옥시기, 테트라하이드로푸르푸릴옥시기, 테트라하이드로피라닐옥시기, 부티로락틸옥시기, 부티로락틸메틸옥시기, 인돌옥시기를 들 수 있다. Examples of the alkoxy group substituted by the heterocyclic group include a tetrahydrofuranyloxy group, a furfuryloxy group, a tetrahydrofurfuryloxy group, a tetrahydropyranyloxy group, a butyrolactyloxy group, a butyrolactylmethyloxy group , And indoleoxy group.
상기 지환식 탄화 수소기로 치환된 알킬티오기로서는, 예를 들면, 사이클로펜틸티오기, 사이클로헥실티오기, 사이클로헥실메틸티오기, 노르보르닐티오기, 이소노르보르닐티오기 등을 들 수 있다. Examples of the alkylthio group substituted by the alicyclic hydrocarbon group include a cyclopentylthio group, a cyclohexylthio group, a cyclohexylmethylthio group, a norbornylthio group, and an isonorbornylthio group.
상기 복소환기로 치환된 알킬티오기로서는, 예를 들면, 푸르푸릴티오기, 테트라하이드로푸르푸릴티오기 등을 들 수 있다. Examples of the alkylthio group substituted by the heterocyclic group include a furfurylthio group, a tetrahydrofurfurylthio group, and the like.
상기식 (3) 중의 R25로 나타나는 탄소수 1∼12의 2가의 탄화 수소기로서는, 예를 들면, 알칸디일기, 알켄디일기, 알킨디일기 등의 지방족 탄화 수소기, 사이클로알칸디일기 등의 지환식 탄화 수소기, 지방족 탄화 수소기와 지환식 탄화 수소기가 결합한 기 등을 들 수 있다. 탄소수 1∼12의 탄화 수소기로서는, 구체적으로는, 메틸렌기, 에틸렌기, 프로판-1,3-디일기, 프로판-1,2-디일기, 부틸렌기, 부탄-1,3-디일기, 부탄-2,3-디일기, 부탄-1,2-디일기, 펜틸렌기, 헥실렌기, 사이클로헥실렌기, 사이클로헥실렌메틸기, 헵틸렌기, 옥틸렌기, 사이클로헥실렌에틸기, 메틸렌사이클로헥실렌메틸기, 노닐렌기, 데실렌기, 아다만틸렌기, 노르보르닐렌기, 이소노르보르닐렌기, 도데실렌기, 운데실렌기 등을 들 수 있다. Examples of the divalent hydrocarbon group having 1 to 12 carbon atoms represented by R 25 in the formula (3) include an aliphatic hydrocarbon group such as an alkanediyl group, an alkenediyl group and an alkynediyl group, and a cycloalkanediyl group Alicyclic hydrocarbon groups, groups in which aliphatic hydrocarbon groups and alicyclic hydrocarbon groups are bonded, and the like. Specific examples of the hydrocarbon group having 1 to 12 carbon atoms include a methylene group, an ethylene group, a propane-1,3-diyl group, a propane-1,2-diyl group, a butylene group, Butane-1,2-diyl group, pentylene group, hexylene group, cyclohexylene group, cyclohexylene methyl group, heptylene group, octylene group, cyclohexyleneethylene group, methylene cyclohexylene A methylene group, a nonylene group, a decylene group, an adamantylene group, a norbornylene group, an isonorbornylene group, a dodecylene group and an undecylene group.
상기식 (3) 중의 R26 및 Y2로 나타나는 탄소수 1∼4의 알칸디일기로서는, 예를 들면, 메틸렌기, 에틸렌기, 프로판-1,3-디일기, 프로판-1,2-디일기, 부틸렌기, 부탄-1,3-디일기, 부탄-2,3-디일기, 부탄-1,2-디일기 등을 들 수 있다. Examples of the alkanediyl group having 1 to 4 carbon atoms represented by R 26 and Y 2 in the formula (3) include a methylene group, an ethylene group, a propane-1,3-diyl group, a propane- , Butylene group, butane-1,3-diyl group, butane-2,3-diyl group, butane-1,2-diyl group and the like.
상기식 (3) 중의 R27로 나타나는 탄소수 1∼4의 직쇄상 또는 분기상의 알킬기로서는, 예를 들면, 메틸기, 에틸기, 프로필기, 이소프로필기, 부틸기, sec-부틸기, t-부틸기, 이소부틸기 등을 들 수 있다. Examples of the linear or branched alkyl group having 1 to 4 carbon atoms represented by R 27 in the formula (3) include a methyl group, an ethyl group, a propyl group, an isopropyl group, a butyl group, a sec- , Isobutyl group and the like.
상기식 (3) 중의 R27로 나타나는 탄소수 3∼10의 1가의 지환식 탄화 수소기로서는, 예를 들면, 사이클로프로필기, 사이클로부틸기, 사이클로펜틸기, 사이클로헥실기, 사이클로헵틸기, 사이클로옥틸기, 사이클로데실기, 바이사이클로[2.1.1]헥실기, 바이사이클로[2.2.1]헵틸기, 바이사이클로[3.2.1]옥틸기, 바이사이클로[2.2.2]옥틸기, 아다만틸기 등을 들 수 있다. Examples of the monovalent alicyclic hydrocarbon group having 3 to 10 carbon atoms represented by R 27 in the formula (3) include a cyclopropyl group, a cyclobutyl group, a cyclopentyl group, a cyclohexyl group, a cycloheptyl group, Cyclohexyl [2.2.1] heptyl group, bicyclo [2.2.1] heptyl group, bicyclo [3.2.1] octyl group, bicyclo [2.2.2] octyl group, adamantyl group, etc. .
상기식 (3) 중의 R27로 나타나는 탄소수 3∼10의 1가의 복소환기로서는, 예를 들면, 피롤, 티오펜, 푸란, 피란, 티오피란, 이미다졸, 피라졸, 티아졸, 이소티아졸, 옥사졸, 이소옥사졸, 피리딘, 피라진, 피리미딘, 피리다진, 피롤리딘, 피라졸리딘, 이미다졸리딘, 이소옥사졸리딘, 이소티아졸리딘, 피페리딘, 피페라진, 모르폴린, 티오모르폴린, 인돌리딘, 인돌, 인다졸, 푸린, 퀴놀리딘, 이소퀴놀린, 퀴놀린, 나프틸리딘, 프탈라진, 퀴녹살린, 퀴나졸린, 신놀린, 프테리딘(pteridin), 아크리딘, 페리미딘, 페난트롤린, 카르바졸, 티아디아졸, 옥사디아졸, 트리아진, 트리아졸, 테트라졸, 벤조이미다졸, 벤조옥사졸, 벤조티아졸, 벤조티아디아졸, 벤조퓨록산, 나프토이미다졸, 벤조트리아졸, 테트라아자인덴, 상기 복소환 화합물 중에 존재하는 불포화 결합 또는 공액 결합에 수소 첨가된 포화 복소환(테트라하이드로푸란환 등) 화합물 등으로부터 수소 원자를 제외한 1가의 기를 들 수 있다. Examples of the monovalent heterocyclic group having 3 to 10 carbon atoms represented by R 27 in the formula (3) include pyrrole, thiophene, furan, pyran, thiopyran, imidazole, pyrazole, thiazole, isothiazole, Wherein the substituents are selected from the group consisting of oxazole, isoxazole, pyridine, pyrazine, pyrimidine, pyridazine, pyrrolidine, pyrazolidine, imidazolidine, isoxazolidine, isothiazolidine, piperidine, piperazine, morpholine, The compounds of formula (I) are selected from thiomorpholine, indolidine, indole, indazole, purine, quinolidine, isoquinoline, quinoline, naphthyridine, phthalazine, quinoxaline, quinazoline, cinnoline, pteridin, Benzothiazole, benzothiadiazole, benzofuroxan, naphthol, thiadiazole, tetrazole, tetrazole, benzoimidazole, benzooxazole, benzothiazole, benzothiadiazole, Benzimidazole, toididazole, benzotriazole, tetraazaindene, unsaturated bonds or conjugates present in the heterocyclic compound From such hydrogenated saturated heterocyclic ring the sum (tetrahydrofuran ring, etc.) compound may be a monovalent group other than a hydrogen atom.
상기식 (2) 중의 R24에 있어서의 비치환의 탄소수 1∼18의 지방족 탄화 수소기로서는, 예를 들면, 알케닐기, 알킬기, 지환식 탄화 수소기, 알킬기 중의 메틸렌기가 지환식 탄화 수소기로 치환된 기, 알킬기 중의 메틸렌기의 수소 원자가 지환식 탄화 수소기로 치환된 기, 또는 알킬기의 말단에 지환식 탄화 수소가 존재하는 기 등을 들 수 있다. Examples of the unsubstituted aliphatic hydrocarbon group having 1 to 18 carbon atoms represented by R 24 in the formula (2) include an alkenyl group, an alkyl group, an alicyclic hydrocarbon group, an alicyclic hydrocarbon group in which the methylene group in the alkyl group is substituted with an alicyclic hydrocarbon group A group in which the hydrogen atom of the methylene group in the alkyl group is substituted with an alicyclic hydrocarbon group or a group in which an alicyclic hydrocarbon exists at the terminal of the alkyl group.
상기 알케닐기로서는, 예를 들면, 알릴기, 2-메틸-2-프로페닐기를 들 수 있다. 상기 알킬기로서는, 예를 들면, 메틸기, 에틸기, 프로필기, 이소프로필기, 부틸기, sec-부틸기, t-부틸기, 이소부틸기, 아밀기, 이소아밀기, t-아밀기, 헥실기, 2-헥실기, 3-헥실기, 헵틸기, 2-헵틸기, 3-헵틸기, 이소헵틸기, t-헵틸기, 옥틸기, 이소옥틸기, t-옥틸기, 2-에틸헥실기, 노닐기, 이소노닐기, 데실기, 도데실기, 트리데실기, 테트라데실기, 펜타데실기, 헥사데실기, 헵타데실기, 옥타데실기 등을 들 수 있다. 상기 지환식 탄화 수소기로서는, 예를 들면, 사이클로프로필기, 사이클로부틸기, 사이클로펜틸기, 사이클로헥실기, 사이클로헵틸기, 사이클로옥틸기, 사이클로데실기, 바이사이클로[2.1.1]헥실기, 바이사이클로[2.2.1]헵틸기, 바이사이클로[3.2.1]옥틸기, 바이사이클로[2.2.2]옥틸기, 아다만틸기 등을 들 수 있다. Examples of the alkenyl group include an allyl group and a 2-methyl-2-propenyl group. Examples of the alkyl group include a methyl group, an ethyl group, a propyl group, an isopropyl group, a butyl group, a sec-butyl group, a t-butyl group, an isobutyl group, an amyl group, an isoamyl group, , 2-hexyl, 3-hexyl, heptyl, 2-heptyl, 3-heptyl, isoheptyl, t-heptyl, octyl, isooctyl, A nonyl group, an isononyl group, a decyl group, a dodecyl group, a tridecyl group, a tetradecyl group, a pentadecyl group, a hexadecyl group, a heptadecyl group and an octadecyl group. The alicyclic hydrocarbon group includes, for example, cyclopropyl group, cyclobutyl group, cyclopentyl group, cyclohexyl group, cycloheptyl group, cyclooctyl group, cyclodecyl group, bicyclo [2.1.1] A bicyclo [2.2.1] heptyl group, a bicyclo [3.2.1] octyl group, a bicyclo [2.2.2] octyl group and an adamantyl group.
상기 탄소수 1∼18의 지방족 탄화 수소기를 치환하는 할로겐 원자로서는, 예를 들면, 염소 원자, 브롬 원자, 요오드 원자, 불소 원자 등을 들 수 있다. 상기 지방족 탄화 수소기를 치환하는 탄소수 1∼18의 알킬티오기로서는, 예를 들면, 메틸티오기, 에틸티오기, 프로필티오기, 이소프로필티오기, 부틸티오기, sec-부틸티오기, t-부틸티오기, 이소부틸티오기, 아밀티오기, 이소아밀티오기, t-아밀티오기, 헥실티오기, 헵틸티오기, 이소헵틸티오기, t-헵틸티오기, 옥틸티오기, 이소옥틸티오기, t-옥틸티오기, 2-에틸헥실티오기, 노닐티오기, 데실티오기, 운데실티오기, 도데실티오기 등을 들 수 있다. Examples of the halogen atom for substituting the aliphatic hydrocarbon group having 1 to 18 carbon atoms include a chlorine atom, a bromine atom, an iodine atom and a fluorine atom. Examples of the alkylthio group having 1 to 18 carbon atoms for substituting the aliphatic hydrocarbon group include methylthio group, ethylthio group, propylthio group, isopropylthio group, butylthio group, sec-butylthio group, t- Butylthio group, propylthio group, butylthio group, butylthio group, isobutylthio group, amylthio group, isoamylthio group, t-amylthio group, hexylthio group, heptylthio group, isoheptylthio group, , t-octylthio group, 2-ethylhexylthio group, nonylthio group, decylthio group, undecylthio group, dodecylthio group and the like.
할로겐 원자로 치환된 탄소수 1∼18의 지방족 탄화 수소기로서는, 예를 들면, 트리플루오로메틸기, 펜타플루오로에틸기, 2-클로로에틸기, 2-브로모에틸기, 헵타플루오로프로필기, 3-브로모프로필기, 노나플루오로부틸기, 트리데카플루오로헥실기, 헵타데카플루오로옥틸기, 2,2,2-트리플루오로에틸기, 1,1-디플루오로에틸기, 1,1-디플루오로프로필기, 1,1,2,2-테트라플루오로프로필기, 3,3,3-트리플루오로프로필기, 2,2,3,3,3-펜타플루오로프로필기, 노르보르닐-1,1-디플루오로에틸기, 노르보르닐테트라플루오로에틸기, 아다만탄-1,1,2,2-테트라플루오로프로필기 등의 할로겐화 알킬기를 들 수 있고, 알킬티오기로 치환된 탄소수 1∼18의 지방족 탄화 수소로서는, 2-메틸티오에틸기, 4-메틸티오부틸기, 4-부틸티오에틸기 등을 들 수 있고, 할로겐 원자 및 탄소수 1∼18의 알킬티오기로 치환된 탄소수 1∼18의 지방족 탄화 수소기로서는, 예를 들면, 1,1,2,2-테트라플루오로-3-메틸티오프로필기 등을 들 수 있다. Examples of the aliphatic hydrocarbon group having 1 to 18 carbon atoms substituted with a halogen atom include a trifluoromethyl group, a pentafluoroethyl group, a 2-chloroethyl group, a 2-bromoethyl group, a heptafluoropropyl group, a 3-bromo Propyl group, nonafluorobutyl group, tridecafluorohexyl group, heptadecafluorooctyl group, 2,2,2-trifluoroethyl group, 1,1-difluoroethyl group, 1,1-difluoro Propyl group, 1,1,2,2-tetrafluoropropyl group, 3,3,3-trifluoropropyl group, 2,2,3,3,3-pentafluoropropyl group, norbornyl-1 , Halogenated alkyl groups such as 1-difluoroethyl group, norbornyltetrafluoroethyl group, adamantane-1,1,2,2-tetrafluoropropyl group, etc., and the alkylthio group- Methylthioethyl group, 4-methylthiobutyl group and 4-butylthioethyl group, and examples of the aliphatic hydrocarbon group include a halogen atom and a C1-18 Kill alkylthio group Examples of aliphatic hydrocarbon groups having 1 to 18 carbon atoms substituted with, for example, there may be mentioned 1,1,2,2-tetrafluoro-3-methylthiopropyl groups.
상기식 (2) 중의 R24에 있어서의 비치환의 탄소수 1∼18의 직쇄상 또는 분기상의 알킬기로서는, 예를 들면, 메틸기, 에틸기, n-프로필기, n-부틸기, n-펜틸기, n-헥실기, n-옥틸기, i-프로필기, i-부틸기, t-부틸기, 네오펜틸기 등을 들 수 있다. Examples of the unsubstituted straight or branched alkyl group having 1 to 18 carbon atoms in R 24 in the formula (2) include a methyl group, an ethyl group, an n-propyl group, an n-butyl group, -Hexyl group, n-octyl group, i-propyl group, i-butyl group, t-butyl group and neopentyl group.
상기 탄소수 1∼18의 알킬기를 치환하는 할로겐 원자로서는, 탄소수 1∼18의 지방족 탄화 수소기를 치환하는 할로겐 원자와 동일한 것을 들 수 있다. 상기 알킬기를 치환하는 지환식 탄화 수소기로서는, 예를 들면, 사이클로프로판, 사이클로부탄, 사이클로펜탄, 사이클로헥산, 사이클로헵탄, 사이클로옥탄, 사이클로데칸, 바이사이클로[2.1.1]헥산, 바이사이클로[2.2.1]헵탄, 바이사이클로[3.2.1]옥탄, 바이사이클로[2.2.2]옥탄, 아다만탄에 유래하는 기 등을 들 수 있다. Examples of the halogen atom for substituting the alkyl group having 1 to 18 carbon atoms include the same halogen atoms as those for substituting the aliphatic hydrocarbon group having 1 to 18 carbon atoms. Examples of the alicyclic hydrocarbon group substituting the alkyl group include cyclopropane, cyclobutane, cyclopentane, cyclohexane, cycloheptane, cyclooctane, cyclodecane, bicyclo [2.1.1] hexane, bicyclo [2.2 .1] heptane, bicyclo [3.2.1] octane, bicyclo [2.2.2] octane, adamantane and the like.
상기식 (2) 중의 R24에 있어서의 비치환의 탄소수 3∼18의 지환식 탄화 수소기로서는, 예를 들면,Examples of the unsubstituted alicyclic hydrocarbon group having 3 to 18 carbon atoms in R 24 in the formula (2)
사이클로부틸기, 사이클로펜틸기, 사이클로헥실기, 사이클로헵틸기, 사이클로옥틸기, 사이클로데실기, 메틸사이클로헥실기, 에틸사이클로헥실기 등의 단환식 사이클로알킬기; A monocyclic cycloalkyl group such as a cyclobutyl group, a cyclopentyl group, a cyclohexyl group, a cycloheptyl group, a cyclooctyl group, a cyclodecyl group, a methylcyclohexyl group and an ethylcyclohexyl group;
사이클로부테닐기, 사이클로펜테닐기, 사이클로헥세닐기, 사이클로헵테닐기, 사이클로옥테닐기, 사이클로데세닐기, 사이클로펜타디에닐기, 사이클로헥사디에닐기, 사이클로옥타디에닐기, 사이클로데카디엔 등의 단환식 사이클로알케닐기; Monocyclic cycloalkanes such as cyclopentenyl, cyclobutenyl, cyclopentenyl, cyclohexenyl, cycloheptenyl, cyclooctenyl, cyclodecenyl, cyclopentadienyl, cyclohexadienyl, cyclooctadienyl and cyclodecadiene; Nil group;
바이사이클로[2.2.2]옥틸기, 트리사이클로[5.2.1.02,6]데실기, 테트라사이클로[6.2.1.13,6.02,7]도데실기, 노르보르닐기, 아다만틸기 등의 다환식 사이클로알킬기 등을 들 수 있다. A bicyclic [2.2.2] octyl group, a tricyclo [5.2.1.0 2,6 ] decyl group, a tetracyclo [6.2.1.1 3,6 .0 2,7 ] dodecyl group, a norbornyl group and an adamantyl group A polycyclic cycloalkyl group and the like.
상기 탄소수 3∼18의 지환식 탄화 수소기를 치환하는 할로겐 원자로서는, 탄소수 1∼18의 지방족 탄화 수소기를 치환하는 할로겐 원자와 동일한 것을 들 수 있다. Examples of the halogen atom for substituting the alicyclic hydrocarbon group having 3 to 18 carbon atoms include the same halogen atoms as those for substituting the aliphatic hydrocarbon group having 1 to 18 carbon atoms.
상기식 (2) 중의 R24에 있어서의 비치환의 탄소수 6∼20의 아릴기로서는, 예를 들면, 페닐기, 나프틸기, 4-비닐페닐기, 비페닐기 등을 들 수 있다. Examples of the unsubstituted aryl group having 6 to 20 carbon atoms in R 24 in the formula (2) include a phenyl group, a naphthyl group, a 4-vinylphenyl group, and a biphenyl group.
상기 탄소수 6∼20의 아릴기를 치환하는 할로겐 원자 및 탄소수 1∼18의 알킬티오기로서는, 상기 탄소수 1∼18의 지방족 탄화 수소기를 치환하는 할로겐 원자 및 탄소수 1∼18의 알킬티오기와 동일한 것을 들 수 있다. Examples of the halogen atom and the alkylthio group having 1 to 18 carbon atoms which substitute for the aryl group having 6 to 20 carbon atoms include the same groups as the halogen atom and the alkylthio group having 1 to 18 carbon atoms which substitute the aliphatic hydrocarbon group having 1 to 18 carbon atoms have.
할로겐 원자로 치환된 탄소수 6∼20의 아릴기로서는, 예를 들면, 펜타플루오로페닐기, 클로로페닐기, 디클로로페닐기, 트리클로로페닐기, 2,4-비스(트리플루오로메틸)페닐기, 브로모에틸페닐기 등을 들 수 있다. 탄소수 1∼18의 알킬티오기로 치환된 탄소수 6∼20의 아릴기로서는, 예를 들면, 4-메틸티오페닐기, 4-부틸티오페닐기, 4-옥틸티오페닐기, 4-도데실티오페닐기 등을 들 수 있다. 할로겐 원자 및 탄소수 1∼18의 알킬티오기로 치환된 탄소수 6∼20의 아릴기로서는, 예를 들면, 1,2,5,6-테트라플루오로-4-메틸티오페닐기, 1,2,5,6-테트라플루오로-4-부틸티오페닐기, 1,2,5,6-테트라플루오로-4-도데실티오페닐기 등을 들 수 있다. Examples of the aryl group having 6 to 20 carbon atoms substituted with a halogen atom include a pentafluorophenyl group, a chlorophenyl group, a dichlorophenyl group, a trichlorophenyl group, a 2,4-bis (trifluoromethyl) phenyl group, . Examples of the aryl group having 6 to 20 carbon atoms substituted with an alkylthio group having 1 to 18 carbon atoms include a 4-methylthiophenyl group, a 4-butylthiophenyl group, a 4-octylthiophenyl group, a 4-dodecylthiophenyl group, . Examples of the aryl group having 6 to 20 carbon atoms substituted with a halogen atom and an alkylthio group having 1 to 18 carbon atoms include 1,2,5,6-tetrafluoro-4-methylthiophenyl group, 6-tetrafluoro-4-butylthiophenyl group, and 1,2,5,6-tetrafluoro-4-dodecylthiophenyl group.
상기식 (2) 중의 R24에 있어서의 비치환의 탄소수 7∼20의 아릴알킬기로서는, 예를 들면, 벤질기, 페네틸기, 2-페닐프로판-2-일기, 디페닐메틸기, 트리페닐 메틸기, 스티릴기, 신나밀기 등을 들 수 있다. Examples of the unsubstituted arylalkyl group having 7 to 20 carbon atoms in R 24 in the formula (2) include a benzyl group, a phenethyl group, a 2-phenylpropan-2-yl group, a diphenylmethyl group, Reel, thinning, and the like.
상기 탄소수 7∼20의 아릴알킬기를 치환하는 할로겐 원자 및 탄소수 1∼18의 알킬티오기로서는, 상기 탄소수 1∼18의 지방족 탄화 수소기를 치환하는 할로겐 원자 및 탄소수 1∼18의 알킬티오기와 동일한 것을 들 수 있다. Examples of the halogen atom and the alkylthio group having 1 to 18 carbon atoms substituting the arylalkyl group having 7 to 20 carbon atoms include the same halogen atoms and alkylthio groups having 1 to 18 carbon atoms as the substituents for the aliphatic hydrocarbon group having 1 to 18 carbon atoms .
할로겐 원자로 치환된 아릴알킬기로서는, 예를 들면, 펜타플루오로페닐메틸기, 페닐디플루오로메틸기, 2-페닐-테트라플루오로에틸기, 2-(펜타플루오로페닐)에틸기 등을 들 수 있다. 탄소수 1∼18의 알킬티오기로 치환된 탄소수 7∼20의 아릴알킬기로서는, 예를 들면, p-메틸티오벤질기 등을 들 수 있다. 할로겐 원자 및 탄소수 1∼18의 알킬티오기로 치환된 아릴알킬기로서는, 예를 들면, 2,3,5,6-테트라플루오로-4-메틸티오페닐에틸기 등을 들 수 있다. Examples of the arylalkyl group substituted with a halogen atom include a pentafluorophenylmethyl group, a phenyldifluoromethyl group, a 2-phenyl-tetrafluoroethyl group, and a 2- (pentafluorophenyl) ethyl group. Examples of the arylalkyl group having 7 to 20 carbon atoms substituted with an alkylthio group having 1 to 18 carbon atoms include p-methylthiobenzyl group and the like. Examples of the arylalkyl group substituted by a halogen atom and an alkylthio group having 1 to 18 carbon atoms include 2,3,5,6-tetrafluoro-4-methylthiophenylethyl and the like.
상기식 (2) 중의 R24에 있어서의 비치환의 탄소수 7∼20의 알킬아릴기로서는, 예를 들면, 2-메틸페닐기, 3-메틸페닐기, 4-메틸페닐기, 3-이소프로필페닐기, 4-이소프로필페닐기, 4-부틸페닐기, 4-이소부틸페닐기, 4-t-부틸페닐기, 4-헥실페닐기, 4-사이클로헥실페닐기, 4-옥틸페닐기, 4-(2-에틸헥실)페닐기, 2,3-디메틸페닐기, 2,4-디메틸페닐기, 2,5-디메틸페닐기, 2,6-디메틸페닐기, 3,4-디메틸페닐기, 3,5-디메틸페닐, 2,4-디-t-부틸페닐, 2,5-디-t-부틸페닐, 2,6-디-t-부틸페닐기, 2,4-디-t-펜틸페닐기, 2,5-디-t-아밀페닐기, 2,5-디-t-옥틸페닐기, 사이클로헥실페닐기, 2,4,5-트리메틸페닐기, 2,4,6-트리메틸페닐기, 2,4,6-트리이소프로필페닐기 등을 들 수 있다. Examples of the unsubstituted alkylaryl group having 7 to 20 carbon atoms in R 24 in the formula (2) include a 2-methylphenyl group, a 3-methylphenyl group, a 4-methylphenyl group, 4-cyclohexylphenyl group, 4-octylphenyl group, 4- (2-ethylhexyl) phenyl group, 2-ethylhexylphenyl group, Dimethylphenyl, 2,4-dimethylphenyl, 2,5-dimethylphenyl, 2,6-dimethylphenyl, 3,4-dimethylphenyl, 3,5-dimethylphenyl, 2,4-di- Di-t-butylphenyl, 2,6-di-t-butylphenyl, 2,4-di-t-pentylphenyl, 2,5- a t-butylphenyl group, a t-octylphenyl group, a cyclohexylphenyl group, a 2,4,5-trimethylphenyl group, a 2,4,6-trimethylphenyl group and a 2,4,6-triisopropylphenyl group.
상기식 (2) 중의 R24에 있어서의 비치환의 탄소수 7∼20의 아릴기로서는, 예를 들면, 나프틸기, 비페닐기 등을 들 수 있다. Examples of the unsubstituted aryl group having 7 to 20 carbon atoms in R 24 in the formula (2) include a naphthyl group and a biphenyl group.
상기 탄소수 7∼20의 아릴기를 치환하는 아실기로서는, 예를 들면, 메타노일기, 에타노일기, 프로파노일기, 벤조일기, 프로페노일기 등을 들 수 있다. Examples of the acyl group for substituting the aryl group having 7 to 20 carbon atoms include a methanoyl group, an ethanoyl group, a propanoyl group, a benzoyl group, and a propenoyl group.
아실기로 치환된 탄소수 7∼20의 아릴기로서는, 예를 들면, 아세틸페닐기, 아세틸나프틸기, 벤조일페닐기, 1-안트라퀴놀릴기, 2-안트라퀴놀릴기 등을 들 수 있다. Examples of the aryl group having 7 to 20 carbon atoms substituted with an acyl group include an acetylphenyl group, an acetylnaphthyl group, a benzoylphenyl group, a 1-anthraquinolyl group and a 2-anthraquinolyl group.
상기식 (2) 중의 R24로 나타나는 10-캠퍼일기는, 하기식으로 나타나는 것이다. The 10-camphor diazo group represented by R 24 in the above formula (2) is represented by the following formula.
상기식 (4) 중의 Y3으로 나타나는 탄소수 1∼4의 알칸디일기로서는, 예를 들면, 메틸렌기, 에틸렌기, 프로판-1,3-디일기, 프로판-1,2-디일기, 부틸렌기, 부탄-1,3-디일기, 부탄-2,3-디일기, 부탄-1,2-디일기 등을 들 수 있다. Examples of the alkanediyl group having 1 to 4 carbon atoms represented by Y 3 in the formula (4) include a methylene group, an ethylene group, a propane-1,3-diyl group, a propane-1,2-diyl group, , Butane-1,3-diyl group, butane-2,3-diyl group, butane-1,2-diyl group and the like.
상기식 (4) 중의 R28 또는 R29로 나타나는 탄소수 2∼8의 알칸디일기로서는, 예를 들면, 에틸렌기, 트리메틸렌기, 테트라메틸렌기, 펜타메틸렌기, 헥사메틸렌기, 이소프로필렌기, 이소부틸렌기, 2-메틸트리메틸렌기, 이소펜틸렌기, 이소헥실렌기, 이소옥틸렌기, 2-에틸헥실렌기 등을 들 수 있다.Examples of the alkanediyl group having 2 to 8 carbon atoms represented by R 28 or R 29 in the formula (4) include an ethylene group, a trimethylene group, a tetramethylene group, a pentamethylene group, a hexamethylene group, an isopropylene group, Isobutylene group, 2-methyltrimethylene group, isopentylene group, isohexylene group, isooctylene group, 2-ethylhexylene group and the like.
상기 탄소수 2∼8의 알칸디일기 중의 적어도 1개의 수소 원자가 할로겐 원자로 치환된 기를 들 수 있다. 이 할로겐 원자로서는, 예를 들면, 염소 원자, 브롬 원자, 요오드 원자, 불소 원자 등을 들 수 있다. And a group in which at least one hydrogen atom in the alkanediyl group having 2 to 8 carbon atoms is substituted with a halogen atom. Examples of the halogen atom include a chlorine atom, a bromine atom, an iodine atom and a fluorine atom.
상기식 (4) 중의 R28 또는 R29로 나타나는 탄소수 2∼8의 할로겐화 알칸디일기로서는, 예를 들면, 테트라플루오로에틸렌기, 1,1-디플루오로에틸렌기, 1-플루오로에틸렌기, 1,2-디플루오로에틸렌기, 헥사플루오로프로판-1,3-디일기, 1,1,2,2-테트라플루오로프로판-1,3-디일기, 1,1,2,2-테트라플루오로펜탄-1,5-디일기 등을 들 수 있다. Examples of the halogenated alkanediyl group having 2 to 8 carbon atoms represented by R 28 or R 29 in the formula (4) include a tetrafluoroethylene group, a 1,1-difluoroethylene group, a 1-fluoroethylene group , 1,2-difluoroethylene group, hexafluoropropane-1,3-diyl group, 1,1,2,2-tetrafluoropropane-1,3-diyl group, 1,1,2,2 - tetrafluoropentane-1,5-diyl group and the like.
상기식 (4) 중의 R28 또는 R29로 나타나는 탄소수 6∼20의 아릴렌기로서는, 예를 들면, 1,2-페닐렌기, 1,3-페닐렌기, 1,4-페닐렌기, 2,5-디메틸-1,4-페닐렌기, 4,4'-비페닐렌기, 디페닐메탄-4,4'-디일기, 2,2-디페닐프로판-4,4'-디일기, 나프탈렌-1,2-디일기, 나프탈렌-1,3-디일기, 나프탈렌-1,4-디일기, 나프탈렌-1,5-디일기, 나프탈렌-1,6-디일기, 나프탈렌-1,7-디일, 나프탈렌-1,8-디일기, 나프탈렌-2,3-디일기, 나프탈렌-2,6-디일기, 나프탈렌-2,7-디일기 등을 들 수 있다. Examples of the arylene group having 6 to 20 carbon atoms represented by R 28 or R 29 in the formula (4) include 1,2-phenylene group, 1,3-phenylene group, 1,4-phenylene group, 2,5 -Dimethyl-1,4-phenylene group, 4,4'-biphenylene group, diphenylmethane-4,4'-diyl group, 2,2-diphenylpropane-4,4'-diyl group, naphthalene- A naphthalene-1,4-diyl group, a naphthalene-1,5-diyl group, a naphthalene-1,6-diyl group, a naphthalene-1,7-diyl group, A naphthalene-1,8-diyl group, a naphthalene-2,3-diyl group, a naphthalene-2,6-diyl group, and a naphthalene-2,7-diyl group.
상기식 (4) 중의 R28 또는 R29로 나타나는 탄소수 6∼20의 할로겐화 아릴렌기로서는, 상기 탄소수 6∼20의 아릴렌기 중의 적어도 1개의 수소 원자가 할로겐 원자로 치환된 기, 예를 들면, 테트라플루오로페닐렌기 등을 들 수 있다. Examples of the halogenated arylene group having 6 to 20 carbon atoms represented by R 28 or R 29 in the formula (4) include groups in which at least one hydrogen atom in the above-mentioned arylene group having 6 to 20 carbon atoms is substituted with a halogen atom, such as tetrafluoro And a phenylene group.
상기식 (4) 중의 R30으로 나타나는 탄소수 1∼18의 직쇄상 또는 분기상의 알킬기로서는, 예를 들면, 메틸기, 에틸기, 프로필기, 이소프로필기, 부틸기, sec-부틸기, t-부틸기, 이소부틸기, 아밀기, 이소아밀기, t-아밀기, 헥실기, 2-헥실기, 3-헥실기, 헵틸기, 2-헵틸기, 3-헵틸기, 이소헵틸기, t-헵틸기, 옥틸기, 이소옥틸기, t-옥틸기, 2-에틸헥실기, 노닐기, 이소노닐기, 데실기, 도데실기 등을 들 수 있다. Examples of the linear or branched alkyl group having 1 to 18 carbon atoms represented by R 30 in the formula (4) include a methyl group, an ethyl group, a propyl group, an isopropyl group, a butyl group, a sec- Heptyl group, 3-heptyl group, isoheptyl group, t-heptyl group, isoamyl group, isoamyl group, t-amyl group, hexyl group, 2-hexyl group, An octyl group, an iso-octyl group, a t-octyl group, a 2-ethylhexyl group, a nonyl group, an isononyl group, a decyl group and a dodecyl group.
상기식 (4) 중의 R30으로 나타나는 탄소수 1∼18의 직쇄상 또는 분기상의 할로겐화 알킬기로서는, 예를 들면, 상기 탄소수 1∼18의 알킬기 중의 적어도 1개 수소 원자가 할로겐 원자로 치환된 기를 들 수 있다. 이 할로겐 원자로서는, 예를 들면, 염소 원자, 브롬 원자, 요오드 원자, 불소 원자를 들 수 있다. 상기 탄소수 1∼18의 할로겐화 알킬기로서는, 예를 들면, 트리플루오로메틸기, 펜타플루오로에틸기, 헵타플루오로프로필기, 노나플루오로부틸기, 트리데카플루오로헥실기, 헵타데카플루오로옥틸기, 2,2,2-트리플루오로에틸기, 1,1-디플루오로에틸기, 1,1-디플루오로프로필기, 1,1,2,2-테트라플루오로프로필기, 3,3,3-트리플루오로프로필기, 2,2,3,3,3-펜타플루오로프로필기, 1,1,2,2-테트라플루오로테트라데실기 등을 들 수 있다. Examples of the linear or branched halogenated alkyl group having 1 to 18 carbon atoms represented by R 30 in the formula (4) include groups in which at least one of the alkyl groups having 1 to 18 carbon atoms is substituted with a halogen atom. Examples of the halogen atom include a chlorine atom, a bromine atom, an iodine atom and a fluorine atom. Examples of the halogenated alkyl group having 1 to 18 carbon atoms include a trifluoromethyl group, pentafluoroethyl group, heptafluoropropyl group, nonafluorobutyl group, tridecafluorohexyl group, heptadecafluorooctyl group, A 2,2,2-trifluoroethyl group, a 1,1-difluoroethyl group, a 1,1-difluoropropyl group, a 1,1,2,2-tetrafluoropropyl group, a 3,3,3- A trifluoropropyl group, a 2,2,3,3,3-pentafluoropropyl group, and a 1,1,2,2-tetrafluorotetradecyl group.
상기식 (4) 중의 R30으로 나타나는 탄소수 3∼12의 지환식 탄화 수소기로서는, 예를 들면, 사이클로프로필기, 사이클로부틸기, 사이클로펜틸기, 사이클로헥실기, 사이클로헵틸기, 사이클로옥틸기, 사이클로데실기, 바이사이클로[2.1.1]헥실기, 바이사이클로[2.2.1]헵틸기, 바이사이클로[3.2.1]옥틸기, 바이사이클로[2.2.2]옥틸기, 아다만틸기 등을 들 수 있다. Examples of the alicyclic hydrocarbon group having 3 to 12 carbon atoms represented by R 30 in the formula (4) include a cyclopropyl group, a cyclobutyl group, a cyclopentyl group, a cyclohexyl group, a cycloheptyl group, a cyclooctyl group, Cyclohexyl [2.2.1] hexyl group, bicyclo [2.2.1] heptyl group, bicyclo [3.2.1] octyl group, bicyclo [2.2.2] octyl group, .
상기식 (4) 중의 R30으로 나타나는 탄소수 6∼20의 아릴기, 탄소수 6∼20의 할로겐화 아릴기, 탄소수 7∼20의 아릴알킬기 및, 탄소수 7∼20의 할로겐화 아릴알킬기로서는, 상기식 (2) 중의 R24와 동일한 것을 들 수 있다. Examples of the aryl group having 6 to 20 carbon atoms, the halogenated aryl group having 6 to 20 carbon atoms, the arylalkyl group having 7 to 20 carbon atoms, and the halogenated arylalkyl group having 7 to 20 carbon atoms, represented by R 30 in the formula (4) And R < 24 >
[B] 비이온성 광산발생제의 함유량으로서는, [A] 중합체 성분 100질량부에 대하여, 0.1질량부∼10질량부가 바람직하고, 1질량부∼5질량부가 보다 바람직하다. [B] 비이온성 광산발생제의 함유량을 상기 범위로 함으로써, 당해 감방사선성 수지 조성물의 방사선 감도를 최적화하고, 투명성을 유지하면서 표면 경도가 높은 경화막을 형성할 수 있다. The content of the [B] nonionic photoacid generator is preferably 0.1 part by mass to 10 parts by mass, more preferably 1 part by mass to 5 parts by mass, per 100 parts by mass of the polymer component [A]. When the content of the [B] nonionic photoacid generator is within the above range, the radiation sensitivity of the radiation sensitive resin composition can be optimized, and a cured film having a high surface hardness can be formed while maintaining transparency.
[B] 비이온성 광산발생제의 함유량으로서는, [A] 중합체 성분 100질량부에 대하여, 0.1질량부∼10질량부가 바람직하고, 1질량부∼5질량부가 보다 바람직하다. [B] 비이온성 광산발생제의 함유량을 상기 범위로 함으로써, 당해 감방사선성 수지 조성물의 감도를 최적화하고, 투명성을 유지하면서 표면 경도가 높은 경화막을 형성할 수 있다. The content of the [B] nonionic photoacid generator is preferably 0.1 part by mass to 10 parts by mass, more preferably 1 part by mass to 5 parts by mass, per 100 parts by mass of the polymer component [A]. By setting the content of the [B] nonionic photoacid generator to the above range, the sensitivity of the radiation sensitive resin composition can be optimized, and a cured film having a high surface hardness can be formed while maintaining transparency.
<[C] 산가교제> ≪ [C] Acid crosslinking agent >
본 발명에 있어서의 [C] 산가교제는, 산 예를 들면 노광에 의해 발생한 산의 존재하에서, [A] 중합체 성분 중의 페놀성 수산기와 가교하여 알칼리 현상액에 대한 용해성을 억제할 수 있는 것이면 좋고, 그 종류는 특별히 한정되지 않는다.The acid crosslinking agent [C] in the present invention may be any as long as it can inhibit the solubility in an alkali developing solution by crosslinking with the phenolic hydroxyl group in the polymer component [A] in the presence of an acid such as an acid generated by exposure, The kind thereof is not particularly limited.
본 발명에 있어서의 [C] 산가교제로서는, 하기식 (5)로 나타나는 구조를 갖는 화합물이 바람직하다.As the [C] acid crosslinking agent in the present invention, a compound having a structure represented by the following formula (5) is preferable.
(식 (5) 중, R2는, 수소 원자, 탄소수 1 내지 6의 알킬기를 나타내고; m은, 1내지 3의 정수임).(In the formula (5), R 2 represents a hydrogen atom or an alkyl group having 1 to 6 carbon atoms; and m is an integer of 1 to 3).
상기식 (7)로 나타나는 구조를 갖는 화합물로서는, As the compound having the structure represented by the above formula (7)
예를 들면, 하기식 (7)로 나타나는 N-(알콕시메틸)글리콜우릴 화합물, For example, an N- (alkoxymethyl) glycoluril compound represented by the following formula (7)
하기식 (8)로 나타나는 N-(알콕시메틸)우레아 화합물, An N- (alkoxymethyl) urea compound represented by the following formula (8)
하기식 (9)로 나타나는 N-(알콕시메틸)멜라민 화합물,An N- (alkoxymethyl) melamine compound represented by the following formula (9)
하기식 (10)으로 나타나는 N-(알콕시메틸)에틸렌우레아 화합물 등의 N-(알콕시메틸)아미노 화합물 등을 들 수 있다. And N- (alkoxymethyl) amino compounds such as N- (alkoxymethyl) ethyleneurea compounds represented by the following formula (10).
식 (7)에 있어서, m과 R2는, 식 (5)과 동일한 정의이고, R2는, 독립적으로 탄소수 1 내지 6의 알킬기를 나타내고, m은 1 내지 3의 정수를 나타낸다. In the formula (7), m and R 2 have the same definitions as in the formula (5), R 2 independently represents an alkyl group having 1 to 6 carbon atoms, and m represents an integer of 1 to 3.
식 (7)로 나타나는 N-(알콕시메틸)글리콜우릴 화합물의 구체예로서는, N,N,N,N-테트라(메톡시메틸)글리콜우릴, N,N,N,N-테트라(에톡시메틸)글리콜우릴, N,N,N,N-테트라(n-프로폭시메틸)글리콜우릴, N,N,N,N-테트라(i-프로폭시메틸)글리콜우릴, N,N,N,N-테트라(n-부톡시메틸)글리콜우릴, N,N,N,N-테트라(t-부톡시메틸)글리콜우릴 등을 들 수 있다. Specific examples of the N- (alkoxymethyl) glycoluril compound represented by the formula (7) include N, N, N, N-tetra (methoxymethyl) glycoluril, N, N, N, N-tetra (ethoxymethyl) N, N, N, N-tetra (n-propoxymethyl) glycoluril, N, N, (n-butoxymethyl) glycoluril, N, N, N, N-tetra (t-butoxymethyl) glycoluril and the like.
식 (8)에 있어서, m과 R2는, 식 (5)와 동일한 정의이고, R2는, 독립적으로 탄소수 1 내지 6의 알킬기를 나타내고, m은 1 내지 3의 정수를 나타낸다. In formula (8), m and R 2 have the same definitions as in formula (5), R 2 independently represents an alkyl group having 1 to 6 carbon atoms, and m represents an integer of 1 to 3.
식 (8)로 나타나는 N-(알콕시메틸)우레아 화합물의 구체예로서는, N,N-디(메톡시메틸)우레아, N,N-디(에톡시메틸)우레아, N,N-디(n-프로폭시메틸)우레아, N,N-디(i-프로폭시메틸)우레아, N,N-디(n-부톡시메틸)우레아, N,N-디(t-부톡시메틸)우레아 등을 들 수 있다. Specific examples of the N- (alkoxymethyl) urea compound represented by the formula (8) include N, N-di (methoxymethyl) urea, N, N-di (ethoxymethyl) urea, (N-butoxymethyl) urea, N, N-di (t-butoxymethyl) urea, .
식 (9)에 있어서, m과 R2는, 식 (5)와 동일한 정의이고, R2는, 독립적으로 탄소수 1 내지 6의 알킬기를 나타내고, m은 1 내지 3의 정수를 나타낸다. In formula (9), m and R 2 have the same definitions as in formula (5), R 2 independently represents an alkyl group having 1 to 6 carbon atoms, and m represents an integer of 1 to 3.
식 (9)로 나타나는 N-(알콕시메틸)멜라민 화합물의 구체예로서는, N,N,N,N,N,N-헥사(메톡시메틸)멜라민, N,N,N,N,N,N-헥사(에톡시메틸)멜라민, N,N,N,N,N,N-헥사(n-프로폭시메틸)멜라민, N,N,N,N,N,N-헥사(i-프로폭시메틸)멜라민, N,N,N,N,N,N-헥사(n-부톡시메틸)멜라민, N,N,N,N,N,N-헥사(t-부톡시메틸)멜라민 등을 들 수 있다. Specific examples of the N- (alkoxymethyl) melamine compound represented by the formula (9) include N, N, N, N, N, N, N-hexa (methoxymethyl) melamine, N, N, N, N, N-hexa (ethoxymethyl) melamine, N, N, N, Melamine, N, N, N, N, N-hexa (t-butoxymethyl) melamine, .
식 (10)에 있어서, m과 R2는, 식 (5)와 동일한 정의이고, R2는, 독립적으로 탄소수 1 내지 6의 알킬기를 나타내고, m은 1 내지 3의 정수를 나타낸다. In the formula (10), m and R 2 have the same definitions as in the formula (5), R 2 independently represents an alkyl group having 1 to 6 carbon atoms, and m represents an integer of 1 to 3.
식 (10)으로 나타나는 N-(알콕시메틸)에틸렌우레아 화합물의 구체예로서는, N,N-디(메톡시메틸)-4,5-디(메톡시메틸)에틸렌우레아, N,N-디(에톡시메틸)-4,5-디(에톡시메틸)에틸렌우레아, N,N-디(n-프로폭시메틸)-4,5-디(n-프로폭시메틸)에틸렌우레아, N,N-디(i-프로폭시메틸)-4,5-디(i-프로폭시메틸메틸)에틸렌우레아, N,N-디(n-부톡시메틸)-4,5-디(n-부톡시메틸)에틸렌우레아, N,N-디(t-부톡시메틸)-4,5-디(t-부톡시메틸메틸)에틸렌우레아를 들 수 있다. Specific examples of the N- (alkoxymethyl) ethyleneurea compound represented by the formula (10) include N, N-di (methoxymethyl) -4,5-di (methoxymethyl) ethyleneurea, N, Di (ethoxymethyl) ethyleneurea, N, N-di (n-propoxymethyl) -4,5-di (n-butoxymethyl) -4,5-di (n-butoxymethyl) ethylene urea, N, Urea, and N, N-di (t-butoxymethyl) -4,5-di (t-butoxymethyl) urea.
본 발명에 있어서, [C] 산가교제는, 단독으로 또는 2종 이상 혼합하여 사용할 수 있다. 본 발명에 있어서, [C] 산가교제의 사용량은, 바람직하게는, [A] 중합체 성분의 100질량부당, 0.5∼50질량부, 보다 바람직하게는 1∼30질량부, 더욱 바람직하게는 2∼20질량부이다. [C] 산가교제의 배합량이 0.5질량부 미만에서는, [A] 중합체 성분의 알칼리 현상액에 대한 용해성의 억제 효과가 작고, 잔막률이 저하되거나, 패턴의 팽윤이나 사행(蛇行)을 일으키기 쉬워지는 경향이 있으며, 한편 50질량부를 초과하면, 경화막으로서의 내열성이 저하되는 경향이 있다. In the present invention, the [C] acid crosslinking agents may be used alone or in combination of two or more. In the present invention, the amount of the [C] acid crosslinking agent to be used is preferably 0.5 to 50 parts by mass, more preferably 1 to 30 parts by mass, further preferably 2 to 30 parts by mass, per 100 parts by mass of the [A] 20 parts by mass. When the blending amount of the acid crosslinking agent [C] is less than 0.5 parts by mass, the effect of suppressing the solubility of the polymer component in the alkali developer is lower, the residual film ratio is lowered, and the swelling or meandering of the pattern is liable to occur On the other hand, if it exceeds 50 parts by mass, heat resistance as a cured film tends to be lowered.
<[D] 산화 방지제> <[D] Antioxidant>
[D] 산화 방지제는, 노광 또는 가열에 의해 발생한 라디칼의 포착에 의해, 또는 산화에 의해 생성된 과산화물의 분해에 의해, 중합체 분자의 결합의 개열을 억제하는 성분이다. 당해 감방사선성 수지 조성물이 [D] 산화 방지제를 함유함으로써, 형성되는 경화막 중에 있어서의 중합체 분자의 개열 열화가 억제되고, 예를 들면, 내광성 등을 향상시킬 수 있다. 또한, [D] 산화 방지제는, 단독으로 또는 2종 이상을 조합하여 이용해도 좋다. [D] The antioxidant is a component that inhibits cleavage of polymer molecules due to trapping of radicals generated by exposure or heating, or decomposition of peroxides generated by oxidation. When the radiation-sensitive resin composition contains [D] an antioxidant, deterioration in clearing of the polymer molecules in the cured film to be formed is suppressed, and for example, light resistance and the like can be improved. Further, the [D] antioxidant may be used alone or in combination of two or more.
[D] 산화 방지제로서는, 예를 들면, 힌더드 페놀 구조를 갖는 화합물, 힌더드 아민 구조를 갖는 화합물, 알킬포스파이트 구조를 갖는 화합물, 티오에테르 구조를 갖는 화합물 등을 들 수 있다. 이들 중에서, [D] 산화 방지제는, 힌더드 페놀 구조를 갖는 것이 바람직하다. [D] 산화 방지제가 힌더드 페놀 구조를 가짐으로써, 형성되는 경화막 중에 있어서의 중합체 분자의 개열 열화를 보다 억제할 수 있다. [D] Examples of the antioxidant include a compound having a hindered phenol structure, a compound having a hindered amine structure, a compound having an alkyl phosphite structure, and a compound having a thioether structure. Among them, the [D] antioxidant preferably has a hindered phenol structure. [D] By having the hindered phenol structure of the antioxidant, deterioration of cleavage of the polymer molecules in the formed cured film can be further suppressed.
상기 힌더드 페놀 구조를 갖는 화합물로서는, 예를 들면, 펜타에리트리톨테트라키스[3-(3,5-디-tert-부틸-4-하이드록시페닐)프로피오네이트], 티오디에틸렌비스[3-(3,5-디-tert-부틸-4-하이드록시페닐)프로피오네이트], 옥타데실-3-(3,5-디-tert-부틸-4-하이드록시페닐)프로피오네이트, 트리스-(3,5-디-tert-부틸-4-하이드록시벤질)-이소시아누레이트, 1,3,5-트리메틸-2,4,6-트리스(3,5-디-tert-부틸-4-하이드록시벤질)벤젠, N,N'-헥산-1,6-디일비스[3-(3,5-디-tert-부틸-4-하이드록시페닐프로피온아미드), 3,3',3',5',5'-헥사-tert-부틸-a,a',a'-(메시틸렌-2,4,6-트리일)트리-p-크레졸, 4,6-비스(옥틸티오메틸)-o-크레졸, 4,6-비스(도데실티오메틸)-o-크레졸, 에틸렌비스(옥시에틸렌)비스[3-(5-tert-부틸-4-하이드록시-m-톨릴)프로피오네이트, 헥사메틸렌비스[3-(3,5-디-tert-부틸-4-하이드록시페닐)프로피오네이트], 1,3,5-트리스[(4-tert-부틸-3-하이드록시-2,6-자일릴)메틸]-1,3,5-트리아진-2,4,6(1H,3H,5H)-트리온, 2,6-디-tert-부틸-4-(4,6-비스(옥틸티오)-1,3,5-트리아진- 2-일아민)페놀 등을 들 수 있다. Examples of the compound having a hindered phenol structure include pentaerythritol tetrakis [3- (3,5-di-tert-butyl-4-hydroxyphenyl) propionate], thiodiethylenebis [3 (3,5-di-tert-butyl-4-hydroxyphenyl) propionate], octadecyl-3- (3,5-di-tert-butyl-4-hydroxybenzyl) -isocyanurate, 1,3,5-trimethyl-2,4,6- Hydroxybenzyl) benzene, N, N'-hexane-1,6-diylbis [3- (3,5-di-tert- butyl-4-hydroxyphenylpropionamide), 3,3 ' A ', a' - (mesitylene-2,4,6-triyl) tri-p-cresol, 4,6-bis (octylthiomethyl ) -cresol, 4,6-bis (dodecylthiomethyl) -o-cresol, ethylene bis (oxyethylene) bis [3- (5- Hexamethylene bis [3- (3,5-di-tert-butyl-4-hydroxyphenyl) propionate (4-tert-butyl-3-hydroxy-2,6-xylyl) methyl] -1,3,5-triazine- 3H, 5H) -thione, 2,6-di-tert-butyl-4- (4,6- have.
상기 힌더드 페놀 구조를 갖는 화합물의 시판품으로서는, 예를 들면, 아데카스타브(ADKSTAB) AO-20, 동(同) AO-30, 동 AO-40, 동 AO-50, 동 AO-60, 동 AO-70, 동 AO-80, 동 AO-330(이상, ADEKA 제조), sumilizer GM, 동 GS, 동 MDP-S, 동 BBM-S, 동 WX-R, 동 GA-80(이상, 스미토모카가쿠 제조), IRGANOX 1010, 동 1035, 동 1076, 동 1098, 동 1135, 동 1330, 동 1726, 동 1425WL, 동 1520L, 동 245, 동 259, 동 3114, 동 565, IRGAMOD 295(이상, BASF 제조) 등을 들 수 있다. Examples of commercially available products of the compound having a hindered phenol structure include ADKSTAB AO-20, AO-30, AO-40, AO-50, AO-60, Sumyer GM, copper GS, copper MDP-S, copper BBM-S, copper WX-R, copper GA-80 (above, Sumitomo Chemical Co., Manufactured by BASF), IRGAMOX 1010, 1035, 1076, 1098, 1135, 1330, 1726, 1425WL, 1520L, 245, 259, 3114, 565, IRGAMOD 295 ) And the like.
[D] 산화 방지제로서는, 힌더드 페놀 구조를 갖는 화합물 중에서도, 펜타에리트리톨테트라키스[3-(3,5-디-tert-부틸-4-하이드록시페닐)프로피오네이트], 트리스-(3,5-디-tert-부틸-4-하이드록시벤질)-이소시아누레이트가 보다 바람직하다. Among the compounds having a hindered phenol structure, pentaerythritol tetrakis [3- (3,5-di-tert-butyl-4-hydroxyphenyl) propionate], tris- (3 , 5-di-tert-butyl-4-hydroxybenzyl) -isocyanurate are more preferable.
[D] 산화 방지제의 함유량으로서는, [A] 중합체 성분 100질량부에 대하여, 0.1질량부 이상 10질량부 이하가 바람직하고, 0.2질량부 이상 5질량부 이하가 보다 바람직하다. [D] 산화 방지제의 함유량을 상기 범위로 함으로써, 형성되는 경화막의 개열 열화를 효과적으로 억제할 수 있다. The content of [D] antioxidant is preferably 0.1 parts by mass or more and 10 parts by mass or less, more preferably 0.2 parts by mass or more and 5 parts by mass or less, based on 100 parts by mass of the polymer component [A]. By setting the content of [D] antioxidant within the above range, deterioration in cleanness of the formed cured film can be effectively suppressed.
<그 외의 임의 성분> ≪ Other optional components >
당해 감방사선성 수지 조성물은, 상기 [A]∼[D] 성분에 더하여, 본 발명의 효과를 손상시키지 않는 범위에서, 필요에 따라서 [E] 염기성 화합물, [F] 계면활성제, [G] 밀착조제 등의 그 외의 임의 성분을 함유해도 좋다. 각 그 외의 임의 성분은, 각각 단독으로 또는 2종 이상을 조합하여 이용해도 좋다. 이하, 각 성분을 상세히 서술한다. The radiation sensitive resin composition may contain, in addition to the above components [A] to [D], a basic compound [F], a surfactant [F] And other optional components such as an auxiliary agent. Each of the other optional components may be used alone or in combination of two or more. Hereinafter, each component will be described in detail.
<[E] 염기성 화합물> ≪ [E] Basic compound >
[E] 염기성 화합물로서는, 화학 증폭 레지스트로 이용되는 것으로부터 임의로 선택하여 사용할 수 있고, 예를 들면, 지방족 아민, 방향족 아민, 복소환식 아민, 4급 암모늄하이드록사이드, 카본산 4급 암모늄염 등을 들 수 있다. 당해 감방사선성 수지 조성물이 [E] 염기성 화합물을 함유함으로써, 노광에 의해 [B] 비이온성 광산발생제로부터 발생한 산의 확산 길이를 적당히 제어할 수 있고, 패턴 현상성을 양호하게 할 수 있다. The [E] basic compound may be selected from those used as a chemically amplified resist, and examples thereof include aliphatic amines, aromatic amines, heterocyclic amines, quaternary ammonium hydroxides, carbonic acid quaternary ammonium salts, and the like. . When the radiation-sensitive resin composition contains the [E] basic compound, the diffusion length of the acid generated from the [B] nonionic photoacid generator by exposure can be appropriately controlled and the pattern developing property can be improved.
상기 지방족 아민으로서는, 예를 들면, 트리메틸아민, 디에틸아민, 트리에틸아민, 디-n-프로필아민, 트리-n-프로필아민, 디-n-펜틸아민, 트리-n-펜틸아민, 디에탄올아민, 트리에탄올아민, 디사이클로헥실아민, 디사이클로헥실메틸아민 등을 들 수 있다. Examples of the aliphatic amine include aliphatic amines such as trimethylamine, diethylamine, triethylamine, di-n-propylamine, tri-n-propylamine, di- Amine, triethanolamine, dicyclohexylamine, dicyclohexylmethylamine, and the like.
상기 방향족 아민으로서는, 예를 들면, 아닐린, 벤질아민, N,N-디메틸아닐린, 디페닐아민 등을 들 수 있다. Examples of the aromatic amine include aniline, benzylamine, N, N-dimethylaniline, diphenylamine and the like.
상기 복소환식 아민으로서는, 예를 들면, 피리딘, 2-메틸피리딘, 4-메틸피리딘, 2-에틸피리딘, 4-에틸피리딘, 2-페닐피리딘, 4-페닐피리딘, N-메틸-4-페닐피리딘, 4-디메틸아미노피리딘, 이미다졸, 벤즈이미다졸, 4-메틸이미다졸, 2-페닐벤즈 이미다졸, 2,4,5-트리페닐이미다졸, 니코틴, 니코틴산, 니코틴산 아미드, 퀴놀린, 8-옥시퀴놀린, 피라진, 피라졸, 피리다진, 푸린, 피롤리딘, 피페리딘, 피페라진, 모르폴린, 4-메틸모르폴린, 1,5-디아자바이사이클로[4,3,0]-5-노넨, 1,8-디아자바이사이클로[5,3,0]-7-운데센 등을 들 수 있다. Examples of the heterocyclic amines include pyridine, 2-methylpyridine, 4-methylpyridine, 2-ethylpyridine, 4-ethylpyridine, 2-phenylpyridine, 4-phenylpyridine, , 4-dimethylaminopyridine, imidazole, benzimidazole, 4-methylimidazole, 2-phenylbenzimidazole, 2,4,5-triphenylimidazole, nicotine, nicotinic acid, nicotinamide, quinoline, 8 Diazabicyclo [4.3.0] -5, 5-diazabicyclo [5.4.0.0] -5-oxoquinoline, pyrazine, pyrazole, pyridazine, purine, pyrrolidine, piperidine, piperazine, morpholine, -Nonene, 1,8-diazabicyclo [5,3,0] -7-undecene, and the like.
상기 4급 암모늄하이드록사이드로서는, 예를 들면, 테트라메틸암모늄하이드록사이드, 테트라에틸암모늄하이드록사이드, 테트라-n-부틸암모늄하이드록사이드, 테트라-n-헥실암모늄하이드록사이드 등을 들 수 있다. Examples of the quaternary ammonium hydroxide include tetramethylammonium hydroxide, tetraethylammonium hydroxide, tetra-n-butylammonium hydroxide and tetra-n-hexylammonium hydroxide. have.
상기 카본산 4급 암모늄염으로서는, 예를 들면, 테트라메틸암모늄아세테이트, 테트라메틸암모늄벤조에이트, 테트라-n-부틸암모늄아세테이트, 테트라-n-부틸암모늄벤조에이트 등을 들 수 있다. Examples of the carbonic acid quaternary ammonium salt include tetramethylammonium acetate, tetramethylammonium benzoate, tetra-n-butylammonium acetate and tetra-n-butylammonium benzoate.
이들 중에서, [E] 염기성 화합물로서는, 복소환식 아민이 바람직하고, 4-디메틸아미노피리딘, 4-메틸이미다졸, 1,5-디아자바이사이클로[4,3,0]-5-노넨, 디메틸n-도데실아민, 트리페닐술포늄살리실레이트, 2-페닐벤즈이미다졸 등이 보다 바람직하다. Among them, the [E] basic compound is preferably a heterocyclic amine and is preferably a 4-dimethylaminopyridine, 4-methylimidazole, 1,5-diazabicyclo [4,3,0] n-dodecylamine, triphenylsulfonium salicylate, 2-phenylbenzimidazole and the like are more preferable.
[E] 염기성 화합물의 함유량으로서는, [A] 중합체 성분 100질량부에 대하여, 0.001질량부 이상 1질량부 이하가 바람직하고, 0.005질량부 이상 0.2질량부 이하가 보다 바람직하다. [E] 염기성 화합물의 함유량을 상기 범위로 함으로써, 패턴 현상성이 보다 향상된다. The content of the [E] basic compound is preferably 0.001 parts by mass or more and 1 part by mass or less, more preferably 0.005 parts by mass or more and 0.2 parts by mass or less, based on 100 parts by mass of the polymer component [A]. When the content of the [E] basic compound is within the above range, the pattern developing property is further improved.
<[F] 계면활성제> <[F] Surfactant>
[F] 계면활성제는, 당해 감방사선성 수지 조성물의 도막 형성성을 높이는 성분이다. [F] 계면활성제로서는, 예를 들면, 불소계 계면활성제, 실리콘계 계면활성제 등을 들 수 있다. 당해 감방사선성 수지 조성물이 [F] 계면활성제를 함유함으로써, 도막의 표면 평활성을 향상할 수 있고, 그 결과, 형성되는 경화막의 막두께 균일성을 보다 향상할 수 있다. [F] Surfactant is a component for enhancing the film-forming property of the radiation-sensitive resin composition. Examples of the [F] surfactant include a fluorine-based surfactant and a silicone-based surfactant. By containing the [F] surfactant in the radiation sensitive resin composition, the surface smoothness of the coating film can be improved, and as a result, the uniformity of the film thickness of the formed cured film can be further improved.
상기 불소계 계면활성제로서는, 말단, 주쇄 및 측쇄 중 적어도 어느 하나의 부위에 플루오로알킬기 및/또는 플루오로알킬렌기를 갖는 화합물이 바람직하다. As the fluorine-based surfactant, a compound having a fluoroalkyl group and / or a fluoroalkylene group in at least one of a terminal, a main chain and a side chain is preferable.
상기 불소계 계면활성제의 시판품으로서는, 예를 들면, BM-1000, BM-1100(이상, BM CHEMIE 제조), 메가팩(Megaface) F142D, 동 F172, 동 F173, 동 F183, 동 F178, 동 F191, 동 F471, 동 F476(이상, 다이닛폰잉키카가쿠코교 제조), 플루오라드(FLUORAD) FC-170C, 동 FC-171, 동 FC-430, 동 FC-431(이상, 스미토모쓰리엠 제조), 프터젠트(FTERGENT) FT-100, 동 FT-110, 동 FT-140A, 동 FT-150, 동 FT-250, 동 FT-251, 동 FT-300, 동 FT-310, 동 FT-400S, 동 FTX-218, 동 FT-251(이상, 네오스 제조) 등을 들 수 있다. Examples of commercially available products of the above fluorinated surfactants include BM-1000, BM-1100 (manufactured by BM CHEMIE), Megaface F142D, Copper F172, Copper F173, Copper F183, Copper F178, Copper F191, Copper F471 and F476 (manufactured by Dainippon Ink and Chemicals, Incorporated), Fluorad FC-170C, FC-171, FC-430 and FC-431 (manufactured by Sumitomo 3M Limited) FT-100, FT-110, FT-140A, FT-150, FT-250, FT-251, FT-300, FT-310, FT-400S, FTX-218 , And FT-251 (manufactured by NEOS).
상기 실리콘계 계면활성제의 시판품으로서는, 예를 들면, 토레 실리콘(Toray Silicone) DC3PA, 동 DC7PA, 동 SH11PA, 동 SH21PA, 동 SH28PA, 동 SH29PA, 동 SH30PA, 동 SH-190, 동 SH-193, 동 SZ-6032, 동 SF-8428, 동 DC-57, 동 DC-190, 동 SH 8400 FLUID(이상, 토레 다우코닝 실리콘 제조) 등을 들 수 있다. Examples of commercially available products of the silicone surfactants include Toray Silicone DC3PA, Copper DC7PA, Copper SH11PA, Copper SH21PA, Copper SH28PA, Copper SH29PA, Copper SH30PA, Copper SH-190, Copper SH- -6032, SF-8428, DC-57, DC-190, and SH 8400 FLUID (manufactured by Toray Dow Corning Silicone).
[F] 계면활성제의 함유량으로서는, [A] 중합체 성분 100질량부에 대하여, 0.01질량부 이상 2질량부 이하가 바람직하고, 0.05질량부 이상 1질량부 이하가 보다 바람직하다. [F] 계면활성제의 함유량을 상기 범위로 함으로써, 형성되는 도막의 막두께 균일성을 보다 향상할 수 있다. The content of the [F] surfactant is preferably 0.01 parts by mass or more and 2 parts by mass or less, more preferably 0.05 parts by mass or more and 1 part by mass or less, based on 100 parts by mass of the polymer component [A]. When the content of the [F] surfactant is within the above range, the uniformity of the film thickness of the formed coating film can be further improved.
<[G] 밀착조제> <[G] Adhesion preparation>
[G] 밀착조제는, 기판이 되는 무기물, 예를 들면 실리콘, 산화 실리콘, 질화 실리콘 등의 실리콘 화합물, 금, 구리, 알루미늄 등의 금속과 경화막과의 접착성을 향상시키는 성분이다. [G] 밀착조제로서는, 관능성 실란 커플링제가 바람직하다. 상기 관능성 실란 커플링제로서는, 예를 들면, 카복시기, 메타크릴로일기, 이소시아네이트기, 에폭시기(바람직하게는 옥시라닐기), 티올기 등의 반응성 치환기를 갖는 실란 커플링제 등을 들 수 있다. [G] Adhesion assistant is a component that improves the adhesion between an inorganic substance serving as a substrate, for example, a silicon compound such as silicon, silicon oxide, or silicon nitride, or a metal such as gold, copper, or aluminum and the cured film. As the [G] adhesion aid, a functional silane coupling agent is preferred. Examples of the functional silane coupling agent include a silane coupling agent having a reactive substituent such as a carboxy group, a methacryloyl group, an isocyanate group, an epoxy group (preferably an oxiranyl group), and a thiol group.
상기 관능성 실란 커플링제로서는, 예를 들면, 트리메톡시실릴벤조산, γ-메타크릴옥시프로필트리메톡시실란, 비닐트리아세톡시실란, 비닐트리메톡시실란, γ-이소시아네이트프로필트리에톡시실란, γ-글리시독시프로필트리메톡시실란, γ-글리시독시프로필알킬디알콕시실란, γ-클로로프로필트리알콕시실란, γ-메르캅토프로필트리알콕시실란, β-(3,4-에폭시사이클로헥실)에틸트리메톡시실란 등을 들 수 있다. 이들 중에서, 관능성 실란 커플링제로서는, γ-글리시독시프로필트리메톡시실란, γ-글리시독시프로필알킬디알콕시실란, β-(3,4-에폭시사이클로헥실)에틸트리메톡시실란, γ-메타크릴옥시프로필트리메톡시실란이 바람직하다. Examples of the functional silane coupling agent include trimethoxysilylbenzoic acid,? -Methacryloxypropyltrimethoxysilane, vinyltriacetoxysilane, vinyltrimethoxysilane,? -Isocyanatepropyltriethoxysilane, ? -glycidoxypropyltrimethoxysilane,? -glycidoxypropylalkyldialkoxysilane,? -chloropropyltrialkoxysilane,? -mercaptopropyltrialkoxysilane,? - (3,4-epoxycyclohexyl) Ethyl trimethoxysilane and the like. Among them, examples of the functional silane coupling agent include? -Glycidoxypropyltrimethoxysilane,? -Glycidoxypropylalkyldialkoxysilane,? - (3,4-epoxycyclohexyl) ethyltrimethoxysilane,? - methacryloxypropyltrimethoxysilane is preferred.
[G] 밀착조제의 함유량으로서는, [A] 중합체 성분 100질량부에 대하여, 0.5질량부 이상 20질량부 이하가 바람직하고, 1질량부 이상 10질량부 이하가 보다 바람직하다. [G] 밀착조제의 함유량을 상기 범위로 함으로써, 형성되는 경화막과 기판과의 밀착성이 보다 개선된다. The content of the [G] adhesion aid is preferably 0.5 parts by mass or more and 20 parts by mass or less, more preferably 1 part by mass or more and 10 parts by mass or less, based on 100 parts by mass of the polymer component [A]. When the content of the [G] adhesion aid is within the above range, adhesion between the cured film formed and the substrate is further improved.
<감방사선성 수지 조성물의 조제 방법> ≪ Preparation method of radiation-sensitive resin composition >
당해 감방사선성 수지 조성물은, 용매에 [A] 중합체, [B] 비이온성 광산발생제, [C] 산가교제, 필요에 따라서 적합 성분, 그 외의 임의 성분을 혼합함으로써 용해 또는 분산시킨 상태로 조제된다. 예를 들면, 용매 중에서 각 성분을 소정의 비율로 혼합함으로써, 당해 감방사선성 수지 조성물을 조제할 수 있다. The radiation sensitive resin composition is prepared by dissolving or dispersing the [A] polymer, the [B] nonionic photoacid generator, the [C] acid crosslinking agent, a suitable component and other optional components in a solvent, do. For example, the radiation-sensitive resin composition can be prepared by mixing the respective components in a predetermined ratio in a solvent.
용매로서는, 각 성분을 균일하게 용해 또는 분산하고, 각 성분과 반응하지 않는 것이 적합하게 이용된다. 상기 용매로서는, 예를 들면, 알코올류, 에테르류, 글리콜에테르, 에틸렌글리콜알킬에테르아세테이트, 디에틸렌글리콜알킬에테르, 프로필렌글리콜모노알킬에테르, 프로필렌글리콜모노알킬에테르아세테이트, 프로필렌글리콜모노알킬에테르프로피오네이트, 방향족 탄화 수소류, 케톤류, 기타 에스테르류 등을 들 수 있다. As the solvent, those which uniformly dissolve or disperse each component and do not react with each component are suitably used. Examples of the solvent include alcohols, ethers, glycol ethers, ethylene glycol alkyl ether acetates, diethylene glycol alkyl ethers, propylene glycol monoalkyl ethers, propylene glycol monoalkyl ether acetates, propylene glycol monoalkyl ether propionates , Aromatic hydrocarbons, ketones, and other esters.
상기 알코올류로서는, 예를 들면, 메탄올, 에탄올, 벤질알코올, 2-페닐에틸알코올, 3-페닐-1-프로판올 등을 들 수 있다. Examples of the alcohols include methanol, ethanol, benzyl alcohol, 2-phenylethyl alcohol, 3-phenyl-1-propanol and the like.
상기 에테르류로서는, 예를 들면, 테트라하이드로푸란 등을 들 수 있다. The ethers include, for example, tetrahydrofuran.
상기 글리콜에테르로서, 예를 들면, 에틸렌글리콜모노메틸에테르, 에틸렌글리콜모노에틸에테르 등을 들 수 있다. As the glycol ether, for example, ethylene glycol monomethyl ether, ethylene glycol monoethyl ether and the like can be given.
상기 에틸렌글리콜알킬에테르아세테이트로서는, 예를 들면, 메틸셀로솔브아세테이트, 에틸셀로솔브아세테이트, 에틸렌글리콜모노부틸에테르아세테이트, 에틸렌글리콜모노에틸에테르아세테이트 등을 들 수 있다. Examples of the ethylene glycol alkyl ether acetate include methyl cellosolve acetate, ethyl cellosolve acetate, ethylene glycol monobutyl ether acetate, ethylene glycol monoethyl ether acetate and the like.
상기 디에틸렌글리콜알킬에테르로서는, 예를 들면, 디에틸렌글리콜모노메틸에테르, 디에틸렌글리콜모노에틸에테르, 디에틸렌글리콜디메틸에테르, 디에틸렌글리콜디에틸에테르, 디에틸렌글리콜에틸메틸에테르 등을 들 수 있다. Examples of the diethylene glycol alkyl ether include diethylene glycol monomethyl ether, diethylene glycol monoethyl ether, diethylene glycol dimethyl ether, diethylene glycol diethyl ether, diethylene glycol ethyl methyl ether and the like .
상기 프로필렌글리콜모노알킬에테르로서는, 예를 들면, 프로필렌글리콜모노메틸에테르, 프로필렌글리콜모노에틸에테르, 프로필렌글리콜모노프로필에테르, 프로필렌글리콜모노부틸에테르 등을 들 수 있다. Examples of the propylene glycol monoalkyl ether include propylene glycol monomethyl ether, propylene glycol monoethyl ether, propylene glycol monopropyl ether, propylene glycol monobutyl ether and the like.
상기 프로필렌글리콜모노알킬에테르아세테이트로서는, 예를 들면, 프로필렌글리콜모노메틸에테르아세테이트, 프로필렌글리콜모노에틸에테르아세테이트, 프로필렌글리콜모노프로필에테르아세테이트, 프로필렌글리콜모노부틸에테르아세테이트 등을 들 수 있다. Examples of the propylene glycol monoalkyl ether acetate include propylene glycol monomethyl ether acetate, propylene glycol monoethyl ether acetate, propylene glycol monopropyl ether acetate, propylene glycol monobutyl ether acetate and the like.
상기 프로필렌글리콜모노알킬에테르프로피오네이트로서는, 예를 들면, 프로필렌모노글리콜메틸에테르프로피오네이트, 프로필렌글리콜모노에틸에테르프로피오네이트, 프로필렌글리콜모노프로필에테르프로피오네이트, 프로필렌글리콜모노부틸에테르프로피오네이트 등을 들 수 있다. Examples of the propylene glycol monoalkyl ether propionate include propylene monoglycol methyl ether propionate, propylene glycol monoethyl ether propionate, propylene glycol monopropyl ether propionate, propylene glycol monobutyl ether propionate And the like.
상기 방향족 탄화 수소류로서는, 예를 들면, 톨루엔, 자일렌 등을 들 수 있다. As the aromatic hydrocarbon, for example, toluene, xylene and the like can be given.
상기 케톤류로서는, 예를 들면, 메틸에틸케톤, 사이클로헥산온, 4-하이드록시-4-메틸-2-펜탄온 등을 들 수 있다. Examples of the ketones include methyl ethyl ketone, cyclohexanone, and 4-hydroxy-4-methyl-2-pentanone.
상기 기타 에스테르류로서는, 예를 들면, 아세트산 부틸, 2-하이드록시프로피온산 에틸, 2-하이드록시-2-메틸프로피온산 메틸, 2-하이드록시-2-메틸프로피온산 에틸, 하이드록시아세트산 메틸, 하이드록시아세트산 에틸, 하이드록시아세트산 부틸, 락트산 메틸, 락트산 에틸, 락트산 프로필, 락트산 부틸, 3-하이드록시프로피온산 메틸, 3-하이드록시프로피온산 에틸, 3-하이드록시프로피온산 프로필, 3-하이드록시프로피온산 부틸, 2-하이드록시-3-메틸부탄산 메틸, 메톡시아세트산 메틸, 메톡시아세트산 에틸, 메톡시아세트산 프로필, 메톡시아세트산 부틸, 에톡시아세트산 메틸, 에톡시아세트산 에틸, 에톡시아세트산 프로필, 에톡시아세트산 부틸, 프로폭시아세트산 메틸, 프로폭시아세트산 에틸, 프로폭시아세트산 프로필, 프로폭시아세트산 부틸, 부톡시아세트산 메틸, 부톡시아세트산 에틸, 부톡시아세트산 프로필, 부톡시아세트산 부틸, 2-메톡시프로피온산 메틸, 2-메톡시프로피온산 에틸, 2-에톡시프로피온산 메틸, 2-에톡시프로피온산 에틸, 2-에톡시프로피온산 프로필, 2-에톡시프로피온산 부틸 등을 들 수 있다. Examples of the other esters include butyl acetate, ethyl 2-hydroxypropionate, methyl 2-hydroxy-2-methylpropionate, ethyl 2-hydroxy-2-methylpropionate, methyl hydroxyacetate, Ethyl lactate, methyl lactate, ethyl lactate, methyl lactate, ethyl lactate, butyl lactate, methyl 3-hydroxypropionate, ethyl 3-hydroxypropionate, propyl 3-hydroxypropionate, butyl 3-hydroxypropionate, Propyl methoxyacetate, propyl methoxyacetate, methyl ethoxyacetate, methyl ethoxyacetate, propyl methoxyacetate, methyl ethoxyacetate, methyl ethoxyacetate, ethyl ethoxyacetate, methyl ethoxyacetate, ethyl ethoxyacetate, Propoxyacetic acid methyl, propoxyacetic acid ethyl, propoxyacetic acid propyl, propoxyacetic acid butyl, butoxy Ethoxypropionate, methyl 2-ethoxypropionate, ethyl 2-ethoxypropionate, ethyl 2-ethoxypropionate, ethyl 2-ethoxypropionate, ethyl 2-ethoxypropionate, Propyl propionate, butyl 2-ethoxypropionate, and the like.
이들 용매 중에서, 에틸렌글리콜알킬에테르아세테이트, 디에틸렌글리콜알킬에테르, 프로필렌글리콜모노알킬에테르, 프로필렌글리콜모노알킬에테르아세테이트, 메톡시아세트산 부틸이 바람직하고, 디에틸렌글리콜디메틸에테르, 디에틸렌글리콜에틸메틸에테르, 프로필렌글리콜모노메틸에테르아세테이트, 프로필렌글리콜모노메틸에테르, 메톡시아세트산 부틸이 보다 바람직하고, 디에틸렌글리콜에틸메틸에테르가 더욱 바람직하다. Of these solvents, ethylene glycol alkyl ether acetate, diethylene glycol alkyl ether, propylene glycol monoalkyl ether, propylene glycol monoalkyl ether acetate and butyl methoxyacetate are preferable, and diethylene glycol dimethyl ether, diethylene glycol ethyl methyl ether, Propylene glycol monomethyl ether acetate, propylene glycol monomethyl ether and butyl methoxyacetate are more preferable, and diethylene glycol ethyl methyl ether is more preferable.
<경화막의 형성 방법> ≪ Method of forming a cured film &
당해 감방사선성 수지 조성물은, 경화막의 형성에 적합하게 이용할 수 있다. The radiation sensitive resin composition can be suitably used for forming a cured film.
본 발명의 경화막의 형성 방법은, The method for forming a cured film of the present invention is characterized in that,
(1) 당해 감방사선성 수지 조성물을 이용하여, 기판 상에 도막을 형성하는 공정, (1) a step of forming a coating film on a substrate using the radiation sensitive resin composition,
(2) 상기 도막의 적어도 일부에 방사선을 조사하는 공정, (2) a step of irradiating at least a part of the coating film with radiation,
(3) 상기 방사선이 조사된 도막을 현상하는 공정 및, (3) a step of developing the coating film irradiated with the radiation, and
(4) 상기 현상된 도막을 가열하는 공정(4) a step of heating the developed coating film
을 갖는다. Respectively.
당해 형성 방법에 의하면, 패턴 형상의 안정성이 높은 경화막을 형성할 수 있다. 또한, 미노광부의 막두께 변화량을 억제할 수 있는 점에서, 결과적으로 생산 프로세스 마진을 향상할 수 있어, 수율의 향상을 달성할 수 있다. 또한, 감광성을 이용한 노광, 현상, 가열에 의해 패턴을 형성함으로써, 용이하게 미세하고 또한 정교한 패턴을 갖는 경화막을 형성할 수 있다. According to this forming method, a cured film having high pattern stability can be formed. In addition, since the film thickness variation amount of the unexposed portion can be suppressed, the production process margin can be consequently improved, and the yield can be improved. Further, by forming a pattern by exposure, development and heating using photosensitivity, a cured film having a fine and precise pattern can be easily formed.
[공정 (1)] [Step (1)]
본 공정에서는, 당해 감방사선성 수지 조성물을 이용하여, 기판 상에 도포하여 도막을 형성한다. 바람직하게는 도포면을 프리베이킹함으로써 용매를 제거한다. In this step, the radiation-sensitive resin composition is applied to a substrate to form a coating film. Preferably, the solvent is removed by prebaking the application surface.
상기 기판으로서는, 예를 들면, 유리, 석영, 실리콘, 수지 등을 들 수 있다. 상기 수지로서는, 예를 들면, 폴리에틸렌테레프탈레이트, 폴리부틸렌테레프탈레이트, 폴리에테르술폰, 폴리카보네이트, 폴리이미드, 환상 올레핀의 개환 중합체 및 그의 수소 첨가물 등을 들 수 있다. 프리베이킹의 조건으로서는, 각 성분의 종류, 배합 비율 등에 따라서도 상이하지만, 70℃∼120℃, 1분∼10분간 정도로 할 수 있다. Examples of the substrate include glass, quartz, silicon, resin, and the like. Examples of the resin include a ring-opening polymer of polyethylene terephthalate, polybutylene terephthalate, polyether sulfone, polycarbonate, polyimide, cyclic olefin, and hydrogenated products thereof. The conditions for the prebaking may vary depending on the kind of each component, the mixing ratio, and the like, but may be about 70 to 120 캜 for about 1 to 10 minutes.
[공정 (2)] [Step (2)]
본 공정에서는, 상기 형성된 도막의 적어도 일부에 방사선을 조사하여 노광한다. 노광할 때에는, 통상 소정의 패턴을 갖는 포토 마스크를 개재하여 노광한다. 노광에 사용되는 방사선으로서는, 파장이 190㎚∼450㎚의 범위에 있는 방사선이 바람직하고, 365㎚의 자외선을 포함하는 방사선이 보다 바람직하다. 노광량으로서는, 방사선의 파장 365㎚에 있어서의 강도를, 조도계(OAI model 356, OAI Optical Associates 제조)에 의해 측정한 값으로, 500J/㎡∼6,000J/㎡가 바람직하고, 1,500J/㎡∼1,800J/㎡가 보다 바람직하다. In this step, at least a part of the formed coating film is exposed to radiation. When exposure is performed, exposure is usually performed through a photomask having a predetermined pattern. As the radiation used for exposure, radiation having a wavelength in the range of 190 nm to 450 nm is preferable, and radiation containing ultraviolet light of 365 nm is more preferable. The exposure dose is preferably 500 J / m 2 to 6,000 J / m 2, more preferably 1,500 J / m 2 to 1,800 (as measured by a light meter (OAI model 356, manufactured by OAI Optical Associates) J / m < 2 > is more preferable.
[공정 (3)] [Step (3)]
본 공정에서는, 상기 방사선이 조사된 도막을 현상한다. 노광 후의 도막을 현상함으로써, 불필요한 부분(방사선의 조사 부분)을 제거하여 소정의 패턴을 형성한다. 이 현상 공정에 사용되는 현상액으로서는, 알칼리성의 수용액이 바람직하다. 알칼리로서는, 예를 들면, 수산화 나트륨, 수산화 칼륨, 탄산 나트륨, 규산 나트륨, 메타규산 나트륨, 암모니아 등의 무기 알칼리; 테트라메틸암모늄하이드록사이드, 테트라에틸암모늄하이드록사이드 등의 4급 암모늄염, 케톤계 유기 용매, 알코올계 유기 용매 등을 들 수 있다. In this step, the coated film irradiated with the radiation is developed. By developing the coated film after exposure, unnecessary portions (irradiated portions of radiation) are removed to form a predetermined pattern. As the developing solution used in this developing step, an alkaline aqueous solution is preferable. Examples of the alkali include inorganic alkalis such as sodium hydroxide, potassium hydroxide, sodium carbonate, sodium silicate, sodium metasilicate and ammonia; Quaternary ammonium salts such as tetramethylammonium hydroxide and tetraethylammonium hydroxide, ketone-based organic solvents, and alcohol-based organic solvents.
알칼리 수용액에는, 메탄올, 에탄올 등의 수용성 유기 용매나 계면활성제를 적당량 첨가하여 사용할 수도 있다. 알칼리 수용액에 있어서의 알칼리 농도로서는, 적당한 현상성을 얻는 관점에서, 0.1질량% 이상 5질량% 이하가 바람직하다. 현상 방법으로서는, 예를 들면, 퍼들법, 디핑법, 요동 침지법, 샤워법 등을 들 수 있다. 현상 시간으로서는, 당해 감방사선성 수지 조성물의 조성에 따라 상이하지만, 10초∼180초간 정도이다. 이러한 현상 처리에 이어, 예를 들면 유수 세정을 30초∼90초간 행한 후, 예를 들면 압축 공기나 압축 질소로 풍건시킴으로써, 소망하는 패턴을 형성할 수 있다. To the aqueous alkali solution, a water-soluble organic solvent such as methanol or ethanol or a surfactant may be added in an appropriate amount. The alkali concentration in the alkali aqueous solution is preferably 0.1% by mass or more and 5% by mass or less from the viewpoint of achieving adequate developability. Examples of the developing method include a puddle method, a dipping method, a swing dipping method, a shower method, and the like. The development time varies depending on the composition of the radiation sensitive resin composition, but is about 10 seconds to 180 seconds. Following this developing treatment, for example, water washing is carried out for 30 seconds to 90 seconds, and then air is blown with, for example, compressed air or compressed nitrogen, whereby a desired pattern can be formed.
현상 전의 도막의 막두께 T0에 대한 현상 후의 막두께 T1의 막두께 변화율은, 90% 이상인 것이 바람직하다. 전술한 바와 같이, 당해 감방사선성 수지 조성물을 이용한 당해 형성 방법에 의하면, 현상 시간에 대한 미노광부의 막두께 변화량을 억제할 수 있고, 현상 후의 막두께는, 현상 전의 막두께의 90% 이상을 유지할 수 있다. It is preferable that the film thickness change rate of the film thickness T 1 after development relative to the film thickness T 0 of the coating film before development is 90% or more. As described above, according to the above-mentioned formation method using the radiation sensitive resin composition, the amount of change in the film thickness of the unexposed portion relative to the developing time can be suppressed, and the film thickness after development is 90% or more of the film thickness before development .
[공정 (4)] [Step (4)]
본 공정에서는, 상기 현상된 도막을 가열한다. 가열에는, 핫 플레이트, 오븐 등의 가열 장치를 이용하여, 패터닝된 박막을 가열함으로써, [A] 중합체 성분의 경화 반응을 촉진하여, 경화막을 형성할 수 있다. 가열 온도로서는, 예를 들면, 120℃∼250℃ 정도이다. 가열 시간으로서는, 가열 기기의 종류에 따라 상이하지만, 예를 들면, 핫 플레이트에서는 5분∼30분간 정도, 오븐에서는 30분∼90분간 정도이다. 또한, 2회 이상의 가열 공정을 행하는 스텝 베이킹법 등을 이용할 수도 있다. 이와 같이 하여, 목적으로 하는 경화막에 대응하는 패턴 형상 박막을 기판의 표면 상에 형성할 수 있다. 형성된 경화막의 막두께로서는, 0.1㎛∼8㎛가 바람직하고, 0.1㎛∼6㎛가 보다 바람직하다. In this step, the developed coating film is heated. For the heating, the patterned thin film is heated by using a heating device such as a hot plate or an oven to accelerate the curing reaction of the [A] polymer component to form a cured film. The heating temperature is, for example, about 120 ° C to 250 ° C. The heating time varies depending on the type of the heating apparatus, but is, for example, about 5 minutes to 30 minutes on a hot plate and about 30 minutes to 90 minutes in an oven. Further, a step baking method in which two or more heating steps are performed may be used. In this manner, a patterned thin film corresponding to the intended cured film can be formed on the surface of the substrate. The film thickness of the cured film formed is preferably from 0.1 mu m to 8 mu m, more preferably from 0.1 mu m to 6 mu m.
<경화막> <Cured film>
본 발명의 경화막은, 당해 감방사선성 수지 조성물로 형성된다. 당해 경화막은, 당해 감방사선성 수지 조성물로 형성되어 있기 때문에, 높은 표면 경도, 내열성 등을 갖고, 또한 막두께의 변화가 적다. 당해 경화막은, 상기 성질을 갖고 있기 때문에, 예를 들면, 표시 소자의 층간 절연막, 스페이서, 보호막, 컬러 필터용 착색 패턴 등으로서 적합하다. 또한, 당해 경화막의 형성 방법으로서는 특별히 한정되지 않지만, 전술한 당해 경화막의 형성 방법을 이용하는 것이 바람직하다. The cured film of the present invention is formed from the radiation sensitive resin composition. Since the cured film is formed of the radiation-sensitive resin composition, it has a high surface hardness, heat resistance and the like and also has a small change in film thickness. Since the cured film has the above properties, it is suitable as, for example, an interlayer insulating film of a display element, a spacer, a protective film, a coloring pattern for a color filter, and the like. The method of forming the cured film is not particularly limited, but it is preferable to use the method of forming the cured film described above.
<표시 소자> <Display element>
본 발명의 표시 소자는, 당해 경화막을 구비하고 있다. 당해 표시 소자는, 예를 들면, 후술하는 액정 셀, 편광판 등에 의해 구성되어 있다. 당해 표시 소자는, 당해 경화막을 구비하고 있기 때문에, 예를 들면, 내열성 등의 신뢰성이 우수하다. The display element of the present invention comprises the cured film. The display element is constituted by, for example, a liquid crystal cell, a polarizing plate or the like which will be described later. Since the display element is provided with the cured film, the display element is excellent in reliability such as heat resistance.
당해 표시 소자의 제조 방법으로서는, 우선 편면에 투명 도전막(전극)을 갖는 투명 기판을 한 쌍(2매) 준비하고, 그 중의 1매의 기판의 투명 도전막 상에, 당해 감방사선성 수지 조성물을 이용하여, 전술한 경화막의 형성 방법에 따라, 층간 절연막, 스페이서 또는 보호막 또는 그 쌍방을 형성한다. 이어서, 이들 기판의 투명 도전막 및 스페이서 또는 보호막 상에 액정 배향능을 갖는 배향막을 형성한다. 이들 기판을, 그 배향막이 형성된 측의 면을 내측으로 하여, 각각의 배향막의 액정 배향 방향이 직교 또는 역평행이 되도록 일정한 간극(셀 갭)을 개재하여 대향 배치하고, 기판의 표면(배향막) 및 스페이서에 의해 구획된 셀 갭 내에 액정을 충전하고, 충전구를 봉지하여 액정 셀을 구성한다. 그리고, 액정 셀의 양 외표면에, 편광판을, 그 편광 방향이 당해 기판의 일면에 형성된 배향막의 액정 배향 방향과 일치 또는 직교하도록 접합함으로써, 본 발명의 표시 소자가 얻어진다. As a production method of the display element, a pair (two sheets) of transparent substrates having a transparent conductive film (electrode) on one surface thereof are prepared, and a transparent conductive film of one of the substrates is provided with the radiation sensitive resin composition , An interlayer insulating film, a spacer, a protective film, or both are formed according to the above-described method of forming a cured film. Then, an alignment film having a liquid crystal aligning ability is formed on the transparent conductive film and the spacer or the protective film of these substrates. These substrates were placed face to face with a certain gap (cell gap) so that the liquid crystal alignment directions of the respective alignment films were orthogonal or anti-parallel with the side of the side on which the alignment film was formed as the inside, The liquid crystal is filled in the cell gap defined by the spacer, and the filling port is sealed to constitute the liquid crystal cell. The display device of the present invention is obtained by joining a polarizing plate on both outer surfaces of the liquid crystal cell so that the polarizing direction thereof coincides with or orthogonal to the liquid crystal alignment direction of the alignment film formed on one side of the substrate.
다른 표시 소자의 제조 방법으로서는, 상기 제조 방법과 동일하게 하여 투명 도전막과, 층간 절연막, 보호막 또는 스페이서 또는 그 쌍방과, 배향막을 형성한 한 쌍의 투명 기판을 준비한다. 그 후, 한쪽의 기판의 단부(端部)를 따라, 디스펜서를 이용하여 자외선 경화형 시일제를 도포하고, 이어서 디스펜서를 이용하여 미소 액적 상태로 액정을 적하하여, 진공하에서 양 기판의 접합을 행한다. 그리고, 상기의 시일제부에, 고압 수은 램프를 이용하여 자외선을 조사하여 양 기판을 봉지한다. 마지막으로, 액정 셀의 양 외표면에 편광판을 접합함으로써, 본 발명의 표시 소자가 얻어진다. As another manufacturing method of the display element, a pair of transparent substrates having a transparent conductive film, an interlayer insulating film, a protective film or a spacer, and an orientation film are prepared in the same manner as the above-mentioned manufacturing method. Subsequently, an ultraviolet curable sealant is applied using a dispenser along the edge of one of the substrates, and then the liquid crystal is dropped in a microdroplet state using a dispenser, and bonding of both substrates is performed under vacuum. Then, ultraviolet rays are irradiated to the seal portion using a high-pressure mercury lamp, and both substrates are sealed. Finally, the polarizing plate is bonded to both outer surfaces of the liquid crystal cell to obtain the display element of the present invention.
전술한 각 표시 소자의 제조 방법에 있어서 사용되는 액정으로서는, 예를 들면, 네마틱형 액정, 스멕틱형 액정 등을 들 수 있다. 또한, 액정 셀의 외측에 사용되는 편광판으로서는, 폴리비닐알코올을 연신 배향시키면서, 요오드를 흡수시킨 「H막」이라고 불리는 편광막을 아세트산 셀룰로오스 보호막으로 사이에 끼운 편광판, 또는 H막 그 자체로 이루어지는 편광판 등을 들 수 있다. Examples of the liquid crystal used in the above-described manufacturing method of each display element include a nematic liquid crystal and a smectic liquid crystal. As the polarizing plate used for the outside of the liquid crystal cell, there can be used a polarizing plate in which a polarizing film called " H film " in which iodine is absorbed while stretching polyvinyl alcohol in a stretched orientation is sandwiched by a cellulose acetate protective film or a polarizing plate .
유기 EL 표시 소자에 있어서는, 당해 감방사선성 수지 조성물로 형성되는 경화막은, TFT 소자 상에 형성되는 평탄화막, 발광 부위를 나누는 격벽 재료 등으로서 사용할 수 있다. In the organic EL display element, the cured film formed of the radiation sensitive resin composition can be used as a planarizing film formed on the TFT element, a partition wall material for dividing a light emitting portion, and the like.
(실시예) (Example)
이하, 본 발명을 실시예에 기초하여 구체적으로 설명하지만, 본 발명은, 이들 실시예에 한정되는 것은 아니다. 각 물성값의 측정 방법을 하기에 나타낸다. Hereinafter, the present invention will be described concretely with reference to Examples, but the present invention is not limited to these Examples. A method of measuring each property value is shown below.
[중량 평균 분자량(Mw) 및 수평균 분자량(Mn)] [Weight average molecular weight (Mw) and number average molecular weight (Mn)] [
하기 조건하, 겔 투과 크로마토그래피(GPC)에 의해 측정했다. 또한, 분산도(Mw/Mn)는, Mw 및 Mn의 측정 결과로부터 산출했다. Was measured by gel permeation chromatography (GPC) under the following conditions. The degree of dispersion (Mw / Mn) was calculated from the results of measurement of Mw and Mn.
장치: GPC-101(쇼와덴코 제조) Apparatus: GPC-101 (manufactured by Showa Denko Co., Ltd.)
칼럼: GPC-KF-801, GPC-KF-802, GPC-KF-803 및 GPC-KF-804를 결합 Column: GPC-KF-801, GPC-KF-802, GPC-KF-803 and GPC-KF-804
이동상: 테트라하이드로푸란 Mobile phase: tetrahydrofuran
칼럼 온도: 40℃ Column temperature: 40 DEG C
유속: 1.0mL/분 Flow rate: 1.0 mL / min
시료 농도: 1.0질량% Sample concentration: 1.0 mass%
시료 주입량: 100μL Sample injection amount: 100 μL
검출기: 시차(示差) 굴절계 Detector: Differential refractometer
표준 물질: 단분산 폴리스티렌 Standard material: monodisperse polystyrene
<[A] 성분의 합성> ≪ Synthesis of Component [A] >
[합성예 1] (중합체 (A-1)의 합성) [Synthesis Example 1] (Synthesis of polymer (A-1)
냉각관 및 교반기를 구비한 플라스크에, 2,2'-아조비스(2,4-디메틸발레로니트릴) 7질량부, 디에틸렌글리콜에틸메틸에테르 200질량부를 넣었다. 계속해서 메타크릴산 15질량부, p-하이드록시스티렌 35질량부, 스티렌 10질량부, 3-메타크릴로일옥시메틸-3-에틸옥세탄 40질량부를 넣고 질소 치환한 후, 온화하게 교반을 시작했다. 용액의 온도를 70℃로 상승시키고, 이 온도를 5시간 보존유지하여 중합체 (A-1)를 포함하는 중합체 용액을 얻었다. 중합체 (A-1)의 폴리스티렌 환산 중량 평균 분자량(Mw)은 8,500이었다. 또한, 여기에서 얻어진 중합체 용액의 고형분 농도는, 31.6질량%였다. A cooling tube and a stirrer, 7 parts by mass of 2,2'-azobis (2,4-dimethylvaleronitrile) and 200 parts by mass of diethylene glycol ethyl methyl ether were placed. Subsequently, 15 parts by mass of methacrylic acid, 35 parts by mass of p-hydroxystyrene, 10 parts by mass of styrene and 40 parts by mass of 3-methacryloyloxymethyl-3-ethyloxetane were purged with nitrogen and stirred gently it started. The temperature of the solution was raised to 70 캜, and this temperature was maintained for 5 hours to obtain a polymer solution containing the polymer (A-1). The polystyrene reduced weight average molecular weight (Mw) of the polymer (A-1) was 8,500. The solid concentration of the polymer solution obtained here was 31.6 mass%.
[합성예 2] (중합체 (A-2)의 합성) [Synthesis Example 2] (Synthesis of polymer (A-2)) [
냉각관 및 교반기를 구비한 플라스크에, 2,2'-아조비스(2,4-디메틸발레로니트릴) 7질량부, 디에틸렌글리콜에틸메틸에테르 200질량부를 넣었다. 계속해서 메타크릴산 15질량부, 4-하이드록시페닐메타아크릴레이트 40질량부, 메타크릴산 글리시딜 40질량부, 메타크릴산 하이드록시에틸 5질량부를 넣고 질소 치환한 후, 온화하게 교반을 시작했다. 용액의 온도를 70℃로 상승시키고, 이 온도를 5시간 보존유지하여 중합체 (A-2)를 포함하는 중합체 용액을 얻었다. 중합체 (A-2)의 폴리스티렌 환산 중량 평균 분자량(Mw)은 11,000이었다. 또한, 여기에서 얻어진 중합체 용액의 고형분 농도는, 32.7질량%였다. A cooling tube and a stirrer, 7 parts by mass of 2,2'-azobis (2,4-dimethylvaleronitrile) and 200 parts by mass of diethylene glycol ethyl methyl ether were placed. Subsequently, 15 parts by mass of methacrylic acid, 40 parts by mass of 4-hydroxyphenylmethacrylate, 40 parts by mass of glycidyl methacrylate, and 5 parts by mass of hydroxyethyl methacrylate were purged with nitrogen, and the mixture was gently stirred it started. The temperature of the solution was raised to 70 캜, and this temperature was maintained for 5 hours to obtain a polymer solution containing the polymer (A-2). The polystyrene reduced weight average molecular weight (Mw) of the polymer (A-2) was 11,000. The solid concentration of the polymer solution obtained here was 32.7% by mass.
[합성예 3] (중합체 (A-3)의 합성) [Synthesis Example 3] (Synthesis of polymer (A-3)
냉각관 및 교반기를 구비한 플라스크에, 2,2'-아조비스(2,4-디메틸발레로니트릴) 7질량부, 프로필렌글리콜모노메틸에테르아세테이트 200질량부를 넣었다. 계속해서 메타크릴산 15질량부, p-하이드록시스티렌 15질량부, 4-하이드록시페닐메타아크릴레이트 20질량부, 3,4-에폭시사이클로헥실메틸메타아크릴레이트 40질량부, 스티렌 10질량부를 넣고 질소 치환한 후, 온화하게 교반을 시작했다. 용액의 온도를 70℃로 상승시키고, 이 온도를 5시간 보존유지하여 중합체 (A-3)을 포함하는 중합체 용액을 얻었다. 중합체 (A-3)의 폴리스티렌 환산 중량 평균 분자량(Mw)은 11,500이었다. 또한, 여기에서 얻어진 중합체 용액의 고형분 농도는, 30.9질량%였다. A cooling tube and a stirrer, 7 parts by mass of 2,2'-azobis (2,4-dimethylvaleronitrile) and 200 parts by mass of propylene glycol monomethyl ether acetate were placed. Subsequently, 15 parts by mass of methacrylic acid, 15 parts by mass of p-hydroxystyrene, 20 parts by mass of 4-hydroxyphenylmethacrylate, 40 parts by mass of 3,4-epoxycyclohexylmethyl methacrylate, and 10 parts by mass of styrene After purging with nitrogen, stirring was started gently. The temperature of the solution was raised to 70 占 폚, and this temperature was maintained for 5 hours to obtain a polymer solution containing the polymer (A-3). The polystyrene reduced weight average molecular weight (Mw) of the polymer (A-3) was 11,500. The solid concentration of the polymer solution obtained here was 30.9 mass%.
[합성예 4] (중합체 (A-4)의 합성) [Synthesis Example 4] (Synthesis of polymer (A-4)
냉각관 및 교반기를 구비한 플라스크에, 2,2'-아조비스(2,4-디메틸발레로니트릴) 7질량부, 프로필렌글리콜모노메틸에테르아세테이트 200질량부를 넣었다. 계속해서 메타크릴산 10질량부, 4-하이드록시페닐메타아크릴레이트 40질량부, 3,4-에폭시트리사이클로[5.2.1.02.6]데실메타아크릴레이트 40질량부, 메타크릴산 하이드록시에틸 10질량부를 넣고 질소 치환한 후, 온화하게 교반을 시작했다. 용액의 온도를 70℃로 상승시키고, 이 온도를 5시간 보존유지하여 중합체 (A-4)를 포함하는 중합체 용액을 얻었다. 중합체 (A-4)의 폴리스티렌 환산 중량 평균 분자량(Mw)은 9,000이었다. 또한, 여기에서 얻어진 중합체 용액의 고형분 농도는, 33.0질량%였다. A cooling tube and a stirrer, 7 parts by mass of 2,2'-azobis (2,4-dimethylvaleronitrile) and 200 parts by mass of propylene glycol monomethyl ether acetate were placed. Subsequently, 10 parts by mass of methacrylic acid, 40 parts by mass of 4-hydroxyphenylmethacrylate, 40 parts by mass of 3,4-epoxytricyclo [5.2.1.0 2.6 ] decylmethacrylate, 10 parts by mass of hydroxyethyl methacrylate After replacing the parts with nitrogen, stirring was started gently. The temperature of the solution was raised to 70 캜, and this temperature was maintained for 5 hours to obtain a polymer solution containing the polymer (A-4). The polystyrene reduced weight average molecular weight (Mw) of the polymer (A-4) was 9,000. The solid concentration of the polymer solution obtained here was 33.0 mass%.
[합성예 5] (중합체 (CA-1)의 합성) [Synthesis Example 5] (Synthesis of polymer (CA-1)
냉각관 및 교반기를 구비한 플라스크에, 2,2'-아조비스(2,4-디메틸발레로니트릴) 7질량부, 디에틸렌글리콜에틸메틸에테르 200질량부를 넣었다. 계속해서 4-하이드록시페닐메타아크릴레이트 45질량부, 메타크릴산 벤질 35질량부, 메타크릴산 20질량부를 넣고 질소 치환한 후, 온화하게 교반을 시작했다. 용액의 온도를 70℃로 상승시키고, 이 온도를 5시간 보존유지하여 중합체 (CA-1)을 포함하는 중합체 용액을 얻었다. 중합체 (CA-1)의 폴리스티렌 환산 중량 평균 분자량(Mw)은 8,500이었다. 또한, 여기에서 얻어진 중합체 용액의 고형분 농도는, 31.6질량%였다. A cooling tube and a stirrer, 7 parts by mass of 2,2'-azobis (2,4-dimethylvaleronitrile) and 200 parts by mass of diethylene glycol ethyl methyl ether were placed. Subsequently, 45 parts by mass of 4-hydroxyphenylmethacrylate, 35 parts by mass of methacrylic acid benzyl, and 20 parts by mass of methacrylic acid were purged with nitrogen, followed by gentle agitation. The temperature of the solution was raised to 70 캜, and this temperature was maintained for 5 hours to obtain a polymer solution containing the polymer (CA-1). The polystyrene reduced weight average molecular weight (Mw) of the polymer (CA-1) was 8,500. The solid concentration of the polymer solution obtained here was 31.6 mass%.
[합성예 6] (중합체 (CA-2)의 합성) [Synthesis Example 6] (Synthesis of polymer (CA-2)
냉각관 및 교반기를 구비한 플라스크에, 2,2'-아조비스(2,4-디메틸발레로니트릴) 7질량부, 디에틸렌글리콜에틸메틸에테르 200질량부를 넣었다. 계속해서 메타크릴산 글리시딜 50질량부, 스티렌 10질량부, 메타크릴산 벤질 40질량부를 넣고 질소 치환한 후, 온화하게 교반을 시작했다. 용액의 온도를 70℃로 상승시키고, 이 온도를 5시간 보존유지하여 중합체 (CA-2)를 포함하는 중합체 용액을 얻었다. 중합체 (CA-2)의 폴리스티렌 환산 중량 평균 분자량(Mw)은 10,000이었다. 또한, 여기에서 얻어진 중합체 용액의 고형분 농도는, 31.0질량%였다. A cooling tube and a stirrer, 7 parts by mass of 2,2'-azobis (2,4-dimethylvaleronitrile) and 200 parts by mass of diethylene glycol ethyl methyl ether were placed. Subsequently, 50 parts by mass of glycidyl methacrylate, 10 parts by mass of styrene, and 40 parts by mass of benzyl methacrylate were purged with nitrogen and stirred gently. The temperature of the solution was raised to 70 캜, and this temperature was maintained for 5 hours to obtain a polymer solution containing the polymer (CA-2). The polystyrene reduced weight average molecular weight (Mw) of the polymer (CA-2) was 10,000. The solid concentration of the polymer solution obtained here was 31.0% by mass.
[합성예 7] (중합체 (CA-3)의 합성) [Synthesis Example 7] (Synthesis of polymer (CA-3)
냉각관 및 교반기를 구비한 플라스크에, 2,2'-아조비스(2,4-디메틸발레로니트릴) 7질량부, 디에틸렌글리콜에틸메틸에테르 200질량부를 넣었다. 계속해서 메타크릴산 20질량부, p-하이드록시스티렌 20질량부, 스티렌 10질량부, 4-하이드록시페닐메타아크릴레이트 20질량부, 메타크릴산 부틸 30질량부를 넣고 질소 치환한 후, 온화하게 교반을 시작했다. 용액의 온도를 70℃로 상승시키고, 이 온도를 5시간 보존유지하여 중합체 (CA-3)을 포함하는 중합체 용액을 얻었다. 중합체 (CA-3)의 폴리스티렌 환산 중량 평균 분자량(Mw)은 11,000이었다. 또한, 여기에서 얻어진 중합체 용액의 고형분 농도는, 30.0질량%였다. A cooling tube and a stirrer, 7 parts by mass of 2,2'-azobis (2,4-dimethylvaleronitrile) and 200 parts by mass of diethylene glycol ethyl methyl ether were placed. Subsequently, 20 parts by mass of methacrylic acid, 20 parts by mass of p-hydroxystyrene, 10 parts by mass of styrene, 20 parts by mass of 4-hydroxyphenyl methacrylate and 30 parts by mass of butyl methacrylate were purged with nitrogen, Stirring was started. The temperature of the solution was raised to 70 占 폚, and this temperature was maintained for 5 hours to obtain a polymer solution containing the polymer (CA-3). The polymer (CA-3) had a polystyrene reduced weight average molecular weight (Mw) of 11,000. The solid content concentration of the polymer solution obtained here was 30.0 mass%.
[합성예 8] (중합체 (CA-4)의 합성) [Synthesis Example 8] (Synthesis of polymer (CA-4)
냉각관 및 교반기를 구비한 플라스크에, 2,2'-아조비스(2,4-디메틸발레로니트릴) 7질량부, 디에틸렌글리콜에틸메틸에테르 200질량부를 넣었다. 계속해서 3,4-에폭시사이클로헥실메틸메타아크릴레이트 20질량부, 3-메타크릴로일옥시메틸-3-에틸옥세탄 30질량부, 스티렌 10질량부, 메타크릴산 벤질 40질량부를 넣고 질소 치환한 후, 온화하게 교반을 시작했다. 용액의 온도를 70℃로 상승시키고, 이 온도를 5시간 보존유지하여 중합체 (CA-4)를 포함하는 중합체 용액을 얻었다. 중합체 (CA-4)의 폴리스티렌 환산 중량 평균 분자량(Mw)은 11,500이었다. 또한, 여기에서 얻어진 중합체 용액의 고형분 농도는, 30.9질량%였다. A cooling tube and a stirrer, 7 parts by mass of 2,2'-azobis (2,4-dimethylvaleronitrile) and 200 parts by mass of diethylene glycol ethyl methyl ether were placed. Subsequently, 20 parts by mass of 3,4-epoxycyclohexylmethyl methacrylate, 30 parts by mass of 3-methacryloyloxymethyl-3-ethyloxetane, 10 parts by mass of styrene and 40 parts by mass of benzyl methacrylate were charged, After that, stirring was started gently. The temperature of the solution was raised to 70 캜, and this temperature was maintained for 5 hours to obtain a polymer solution containing the polymer (CA-4). The polystyrene reduced weight average molecular weight (Mw) of the polymer (CA-4) was 11,500. The solid concentration of the polymer solution obtained here was 30.9 mass%.
[합성예 9] (비교예의 중합체 (a-1)의 합성) [Synthesis Example 9] (Synthesis of Polymer (a-1) of Comparative Example)
냉각관 및 교반기를 구비한 플라스크에, 2,2'-아조비스(2,4-디메틸발레로니트릴) 7질량부, 디에틸렌글리콜에틸메틸에테르 200질량부를 넣었다. 계속해서 1-에톡시에틸메타크릴레이트 50질량부, 메타크릴산 글리시딜 40질량부, 메타크릴산 하이드록시에틸메타크릴레이트 10질량부를 넣고 질소 치환한 후, 온화하게 교반을 시작했다. 용액의 온도를 70℃로 상승시키고, 이 온도를 5시간 보존유지하여 중합체 (a-1)을 포함하는 중합체 용액을 얻었다. 중합체 (a-1)의 폴리스티렌 환산 중량 평균 분자량(Mw)은 8,500이었다. 또한, 여기에서 얻어진 중합체 용액의 고형분 농도는, 31.2질량%였다. A cooling tube and a stirrer, 7 parts by mass of 2,2'-azobis (2,4-dimethylvaleronitrile) and 200 parts by mass of diethylene glycol ethyl methyl ether were placed. Subsequently, 50 parts by mass of 1-ethoxyethyl methacrylate, 40 parts by mass of glycidyl methacrylate, and 10 parts by mass of hydroxyethyl methacrylate methacrylate were purged with nitrogen and stirred gently. The temperature of the solution was raised to 70 캜, and this temperature was maintained for 5 hours to obtain a polymer solution containing the polymer (a-1). The polystyrene reduced weight average molecular weight (Mw) of the polymer (a-1) was 8,500. The solid concentration of the polymer solution obtained here was 31.2 mass%.
<감방사선성 수지 조성물의 조제> ≪ Preparation of radiation-sensitive resin composition >
감방사선성 수지 조성물의 조제에 이용한 [B] 비이온성 광산발생제, [C] 화합물, [D] 화합물, [E] 화합물을 이하에 나타낸다. [B] nonionic photoacid generators, [C] compounds, [D] compounds and [E] compounds used in the preparation of the radiation sensitive resin composition are shown below.
[[B] 비이온성 광산발생제] [[B] nonionic photoacid generator]
B-1: 5-프로필술포닐옥시이미노-5H-티오펜-2-일리덴)-(2-메틸페닐)아세토니트릴(IRGACURE PAG 103, BASF 제조) Ylidene) - (2-methylphenyl) acetonitrile (IRGACURE PAG 103, manufactured by BASF)
B-2: (5-p-톨루엔술포닐옥시이미노-5H-티오펜-2-일리덴)-(2-메틸페닐)아세토니트릴(IRGACURE PAG 121, BASF 제조) B-2: (5-p-toluenesulfonyloxyimino-5H-thiophen-2-ylidene) - (2- methylphenyl) acetonitrile (IRGACURE PAG 121,
B-3: (5-옥틸술포닐옥시이미노)-(4-메톡시페닐)아세토니트릴(CGI-725, BASF 제조) B-3: (5-Octylsulfonyloxyimino) - (4-methoxyphenyl) acetonitrile (CGI-725, BASF)
B-4: 하기식으로 나타나는 옥심술포네이트 화합물(BASF사의 「IRGACURE PAG 203」) B-4: An oxime sulfonate compound ("IRGACURE PAG 203" manufactured by BASF) represented by the following formula:
B-5: 하기식으로 나타나는 나프탈이미드 구조를 갖는 화합물B-5: Compound having a naphthalimide structure represented by the following formula
B-6: 하기식으로 나타나는 나프탈이미드 구조를 갖는 화합물B-6: Compound having a naphthalimide structure represented by the following formula
[[C] 산가교제] [[C] acid crosslinking agent]
C-1: N,N,N,N-테트라(메톡시메틸)글리콜우릴 C-1: N, N, N, N-tetra (methoxymethyl) glycoluril
C-2: N,N,N,N,N,N-헥사(메톡시메틸)멜라민 C-2: N, N, N, N, N, N-hexa (methoxymethyl) melamine
C-3: N,N-디(메톡시메틸)우레아C-3: N, N-di (methoxymethyl) urea
C-4: N,N-디(메톡시메틸)-4,5-디(메톡시메틸)에틸렌우레아 C-4: N, N-di (methoxymethyl) -4,5-di (methoxymethyl) ethyleneurea
[[D] 산화 방지제] [[D] antioxidant]
D-1: 펜타에리트리톨테트라키스[3-(3,5-디-tert-부틸-4-하이드록시페닐)프로피오네이트](아데카스타브 AO-60, 아데카 제조) D-1: pentaerythritol tetrakis [3- (3,5-di-tert-butyl-4-hydroxyphenyl) propionate] (Adekastab AO-60,
D-2: 트리스-(3,5-디-tert-부틸-4-하이드록시벤질)-이소시아누레이트(아데카스타브 AO-20, 아데카 제조) D-2: Tris- (3,5-di-tert-butyl-4-hydroxybenzyl) -isocyanurate (Adecastab AO-20,
[[E] 염기성 화합물] [[E] basic compound]
E-1: 트리페닐술포늄살리실레이트 E-1: Triphenylsulfonium salicylate
E-2: 2-페닐벤즈이미다졸 E-2: 2-Phenylbenzimidazole
[실시예 1] [Example 1]
[A] 중합체 성분으로서의 (A-1)을 포함하는 중합체 용액((A-1) 100질량부(고형분)에 상당하는 양)에, [B] 비이온성 광산발생제로서의 (B-1) 3.0질량부, [C] 광가교제로서의 (C-1) 15질량부 및, [D] 산화 방지제로서의 (D-1) 1질량부, [E] 염기성 화합물로서 (E-1) 트리페닐술포늄살리실레이트 0.1질량부를 혼합하고, 공경(孔徑) 0.2㎛의 멤브레인 필터로 여과함으로써, 감방사선성 수지 조성물을 조제했다. 표 1에 나타낸다. (B-1) 3.0 as the [B] nonionic photoacid generator to the polymer solution (A-1) (100 parts by mass (solid content)) containing the polymer component (A- 15 parts by mass of (C-1) as the [C] photo-crosslinking agent and 1 part by mass of (D-1) as the antioxidant, [E] triphenylsulfonium salicylate And 0.1 part by mass of a silylate were mixed and filtered through a membrane filter having a pore diameter of 0.2 占 퐉 to prepare a radiation-sensitive resin composition. Table 1 shows the results.
[실시예 2∼5, 9 및 비교예 1∼2] [Examples 2 to 5, 9 and Comparative Examples 1 to 2]
하기표 1에 나타내는 종류 및 배합량의 각 성분을 이용한 이외에는, 실시예 1과 동일하게 조작하여, 각 감방사선성 수지 조성물을 조제했다. 또한, 표 1 중의 「-」은, 해당하는 성분을 배합하지 않은 것을 나타낸다. 표 1에 나타낸다. Each of the radiation sensitive resin compositions was prepared in the same manner as in Example 1, except that the components shown in Table 1 below were used. In Table 1, " - " indicates that the corresponding components are not blended. Table 1 shows the results.
비교예 1은, [A] 중합체 성분으로, [합성예 9]로 나타낸 비교예의 중합체 (a-1)을 이용하여, [B] 비이온성 광산발생제로서의 (B-1)을 3질량부, [E] 염기성 화합물로서 (E-2) 0.1질량부를 이용하여 실시예 1과 동일하게 하여 감방사선성 수지 조성물을 조제했다. 이 감방사선성 수지 조성물은, 네거티브형 감방사선성 수지 조성물이 된다. In Comparative Example 1, 3 parts by mass of (B-1) as the [B] nonionic photoacid generator was used as the polymer component (A-1) of the comparative example shown in [Synthesis Example 9] A radiation-sensitive resin composition was prepared in the same manner as in Example 1 except that 0.1 part by mass of [E] basic compound (E-2) was used. This radiation-sensitive resin composition becomes a negative radiation-sensitive resin composition.
비교예 2는, [A] 중합체 성분에, 중합체 (a-1)을 이용하고, [B] 비이온성 광산발생제로서의 (B-1)을 3질량부 이용하고, [C] 광가교제로서의 (C-2) 10질량부 및, [D] 산화 방지제로서의 (D-1) 1질량부, [E] 염기성 화합물로서 (E-2) 0.1질량부를 혼합하고, 비교예 1과 동일하게 하여 네거티브형 감방사선성 수지 조성물을 조제했다. 표 1에 나타낸다. In Comparative Example 2, 3 parts by mass of (B-1) as the nonionic photoacid generator (B) was used as the polymer component (A) 10 parts by mass of [D] an antioxidant (D-1) and 0.1 parts by mass of [E] basic compound (E-2) were mixed in the same manner as in Comparative Example 1, To prepare a radiation-sensitive resin composition. Table 1 shows the results.
[실시예 6] [Example 6]
(CA-1)을 포함하는 중합체 용액((CA-1) 50질량부(고형분)에 상당하는 양)과, (CA-2)를 포함하는 중합체 용액((CA-2) 50질량부(고형분)에 상당하는 양)을 혼합하여 [A] 중합체 성분으로 하고, 이것에 [B] 비이온성 광산발생제로서의 (B-3) 3질량부, [C] 화합물로서의 (C-1) 20질량부 및, [D] 산화 방지제로서의 (D-1) 1질량부, [E] 염기성 화합물로서 트리페닐술포늄살리실레이트 0.1질량부를 혼합하고, 이어서, 공경 0.2㎛의 멤브레인 필터로 여과함으로써, 감방사선성 수지 조성물을 조제했다. 표 1에 나타낸다. 50 parts by mass of a polymer solution (CA-2) containing (CA-1) (50 parts by mass (solid content)) of a polymer solution (CA- 3 parts by mass of [B] nonionic photoacid generator (B-3) and 20 parts by mass of (C-1) as the [C] , 1 part by mass of (D-1) as the antioxidant [D], and 0.1 part by mass of triphenylsulfonium salicylate as the [E] basic compound were mixed and then filtered through a membrane filter having a pore size of 0.2 탆, To prepare a resin composition. Table 1 shows the results.
[실시예 7∼8, 10] [Examples 7 to 8, 10]
하기표 1에 나타내는 종류 및 배합량의 각 성분을 이용한 이외에는, 실시예 5와 동일하게 조작하여, 각 감방사선성 수지 조성물을 조제했다. 표 1에 나타낸다.Each of the radiation sensitive resin compositions was prepared in the same manner as in Example 5, except that the components shown in the following Table 1 and the respective amounts were used. Table 1 shows the results.
<평가> <Evaluation>
조제한 각 감방사선성 수지 조성물을 이용하여, 하기의 평가를 실시했다. 결과를 표 2에 나타낸다. The following evaluations were carried out using each of the prepared radiation-sensitive resin compositions. The results are shown in Table 2.
[해상도(㎛)] [Resolution (탆)]
무알칼리 유리 기판 상에, 각 감방사선성 수지 조성물 용액을 스피너에 의해 도포한 후, 90℃의 핫 플레이트 상에서 2분간 프리베이킹함으로써 막두께 3.0㎛의 도막을 형성했다. 이어서, 얻어진 도막에 직경 8㎛∼20㎛의 범위의 상이한 크기의 복수의 환상(丸狀) 잔사 패턴을 갖는 포토마스크를 개재하고, 고압 수은 램프를 이용하여 노광량을 200J/㎡∼1,000J/㎡의 범위에서 변량하여 방사선 조사를 행했다. 그 후, 0.5질량%의 테트라메틸암모늄하이드록사이드 수용액을 현상액으로 하여, 현상압 1kgf/㎠, 노즐 지름 1㎜로 토출함으로써 샤워 현상을 행하고, 순수 세정을 1분간 행했다. 추가로 오븐 중 230℃에서 30분간 포스트베이킹함으로써, 패턴 형상 도막을 형성했다. 이때, 형성되는 최소의 패턴 사이즈를 해상도(㎛)로 했다. 12㎛ 이하의 포토마스크에 있어서, 10㎛ 이하의 사이즈의 패턴이 형성되어 있으면, 해상도가 양호라고 판단할 수 있다. Each radiation-sensitive resin composition solution was coated on a non-alkali glass substrate with a spinner and prebaked on a hot plate at 90 DEG C for 2 minutes to form a coating film having a thickness of 3.0 mu m. Subsequently, a photomask having a plurality of circular residue patterns having different diameters in a range of 8 mu m to 20 mu m in diameter was interposed between the obtained coating film and an exposure amount of 200 J / m < 2 > to 1,000 J / And irradiated with the radiation. Thereafter, shower development was carried out by using a 0.5 mass% aqueous solution of tetramethylammonium hydroxide as a developing solution at a developing pressure of 1 kgf / cm 2 and a nozzle diameter of 1 mm, followed by pure water cleaning for 1 minute. And further baked in an oven at 230 캜 for 30 minutes to form a pattern coating film. At this time, the minimum pattern size to be formed was defined as the resolution (占 퐉). If a pattern with a size of 10 mu m or less is formed in a photomask of 12 mu m or less, it can be judged that the resolution is good.
[감도(J/㎡)][Sensitivity (J / m 2)]
550mm×650㎜의 유리 기판에, 헥사메틸디실라잔(HMDS)을 도포하고, 60℃에서 1분간 가열했다. 이 HMDS 처리 후의 크롬 성막 유리 기판에, 각 조성물을 슬릿 다이 코터(TR632105-CL, 토쿄오카코교 제조)를 이용하여 도포하고, 도달 압력을 100Pa로 설정하여 진공하에서 용매를 제거한 후, 추가로 90℃에서 2분간 프리베이킹함으로써, 막두께 3.0㎛의 도막을 형성했다. 이어서, 노광기(MPA-600FA, ghi선 혼합, 캐논 제조)를 이용하여, 60㎛의 라인·앤드·스페이스(10대1)의 패턴을 갖는 마스크를 개재하고, 도막에 대하여 노광량을 변량으로 하여 방사선을 조사했다. 그 후, 0.5질량%의 테트라메틸암모늄하이드록사이드 수용액으로 25℃에서 80초간 퍼들법으로 현상했다. 이어서, 초순수로 1분간 유수 세정을 행하고, 그 후 건조함으로써, HMDS 처리 후의 크롬 성막 유리 기판 상에 패턴을 형성했다. 이때, 6㎛의 스페이스·패턴이 완전하게 용해하기 위해 필요한 노광량을 조사했다. 이 노광량의 값이 500(J/㎡) 이하인 경우, 감도는 양호라고 판단할 수 있다. Hexamethyldisilazane (HMDS) was applied to a glass substrate of 550 mm x 650 mm and heated at 60 占 폚 for 1 minute. Each composition was applied to the chromium-deposited glass substrate subjected to the HMDS treatment by using a slit die coater (TR632105-CL, manufactured by Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd.), the solvent was removed under a vacuum set at an ultimate pressure of 100 Pa, For 2 minutes to form a coating film having a film thickness of 3.0 탆. Subsequently, a mask having a pattern of line-and-space (10 to 1) of 60 mu m was interposed using an exposure machine (MPA-600FA, ghi line mixing, manufactured by Canon) . Thereafter, it was developed with a 0.5 mass% aqueous solution of tetramethylammonium hydroxide at 25 DEG C for 80 seconds by a puddle method. Subsequently, the substrate was subjected to water washing with ultra-pure water for 1 minute, and then dried to form a pattern on the chromium-deposited glass substrate after the HMDS treatment. At this time, the amount of exposure required for completely dissolving the space pattern of 6 mu m was examined. When the value of the exposure dose is 500 (J / m < 2 >) or less, it can be judged that the sensitivity is good.
[내광성의 평가] [Evaluation of light resistance]
실리콘 기판 상에, 각 감방사선성 수지 조성물 용액을 스피너를 이용하여 도포한 후, 90℃에서 2분간 핫 플레이트 상에서 프리베이킹하여 막두께 3.0㎛의 도막을 형성했다. 이 실리콘 기판을 클린 오븐 내에서 220℃에서 1시간 가열하여 경화막을 얻었다. 얻어진 각 경화막에, UV 조사 장치(우시오사 제조의 「UVX-02516S1JS01」)로 130mW의 조도로 800000J/㎡ 조사했다. 조사 전의 막두께에 비교하여, 조사 후의 막두께의 막감소량이 3% 이하이면 경화막의 내광성이 양호하다고 할 수 있다. Each of the radiation-sensitive resin composition solutions was coated on a silicon substrate using a spinner and prebaked on a hot plate at 90 占 폚 for 2 minutes to form a coating film having a film thickness of 3.0 占 퐉. This silicon substrate was heated in a clean oven at 220 占 폚 for 1 hour to obtain a cured film. Each of the obtained cured films was irradiated with 800,000 J / m 2 at an illuminance of 130 mW with a UV irradiation device ("UVX-02516S1JS01" manufactured by Ushio Inc.). Compared with the film thickness before irradiation, when the film reduction amount of the film thickness after irradiation is 3% or less, it can be said that the light resistance of the cured film is good.
또한, 내광성의 평가에 있어서는, 형성하는 경화막의 패터닝은 불필요하기 때문에, 현상 공정은 생략하고, 도막 형성 공정, 내광성 시험 및 가열 공정만 행하여 평가를 행했다. In the evaluation of the light resistance, since the patterning of the cured film to be formed is not necessary, the development step is omitted and evaluation is carried out by performing only the film forming step, the light resistance test and the heating step.
[투과율의 평가] [Evaluation of transmittance]
상기 내광성의 평가와 동일하게, 실리콘 기판 상에 도막을 형성했다. 이 실리콘 기판을 클린 오븐 내에서 220℃에서 1시간 가열하여 경화막을 형성했다. 얻어진 각 경화막에 대해서, 파장 400㎚에 있어서의 투과율을, 분광 광도계(히타치 제작소사 제조의 「150-20형 더블 빔」)를 이용하여 측정하여 평가했다. 이때, 90% 미만의 경우에 투명성이 불량이라고 할 수 있다. Similar to the evaluation of the light resistance, a coating film was formed on a silicon substrate. The silicon substrate was heated in a clean oven at 220 DEG C for 1 hour to form a cured film. For each cured film thus obtained, the transmittance at a wavelength of 400 nm was measured and evaluated using a spectrophotometer (" 150-20 type double beam " manufactured by Hitachi, Ltd.). In this case, when the content is less than 90%, the transparency may be inferior.
[전압 보전율(%)] [Voltage Conservation Rate (%)]
표면에 나트륨 이온의 용출을 방지하는 SiO2막이 형성되고, 추가로 ITO(인듐-산화 주석 합금) 전극을 소정 형상으로 증착한 소다 유리 기판 상에, 각 감방사선성 수지 조성물을, 스핀 코팅한 후, 90℃의 클린 오븐 내에서 10분간 프리베이킹을 행하여, 막두께 2.0㎛의 도막을 형성했다. 이어서, 포토마스크를 개재하지 않고, 도막에 500J/㎡의 노광량으로 노광했다. 그 후, 이 기판을 23℃의 0.04질량%의 수산화 칼륨 수용액으로 이루어지는 현상액에 1분간 침지하고, 현상한 후, 초순수로 세정하여 풍건하고, 추가로 230℃에서 30분간 포스트베이킹을 행하고, 도막을 경화시켜, 영구 경화막을 형성했다. 이어서, 이 화소를 형성한 기판과 ITO 전극을 소정 형상으로 증착하기만 했던 기판을, 0.8㎜의 유리 비드를 혼합한 시일제로 접합한 후, 메르크제 액정(MLC6608)을 주입하여, 액정 셀을 제작했다. 이어서, 액정 셀을 60℃의 항온조에 넣고, 액정 셀의 전압 보전율을 액정 전압 보전율 측정 시스템(VHR-1A형, 토요 테크니카사)에 의해 측정했다. 이때의 인가 전압은 5.5V의 방형파, 측정 주파수는 60㎐이다. 여기에서 전압 보전율이란, (16.7밀리초 후의 액정 셀 전위차/0밀리초로 인가한 전압)의 값이다. 액정 셀의 전압 보전율이 90% 이하이면, 액정 셀은 16.7밀리초의 시간, 인가 전압을 소정 레벨로 보존유지할 수 없어, 충분히 액정을 배향시킬 수 없는 것을 의미하며, 잔상 등의 「번인」을 일으킬 우려가 높다. Each of the radiation-sensitive resin compositions was spin-coated on a soda glass substrate on which an SiO 2 film was formed to prevent dissolution of sodium ions on the surface and an ITO (indium-tin oxide alloy) electrode was deposited in a predetermined shape , And then prebaked in a clean oven at 90 캜 for 10 minutes to form a coating film having a thickness of 2.0 탆. Subsequently, the coated film was exposed at an exposure amount of 500 J / m < 2 > without interposing a photomask. Thereafter, this substrate was immersed in a developer composed of 0.04 mass% aqueous solution of potassium hydroxide at 23 캜 for 1 minute, developed, washed with ultrapure water, air dried, post baked at 230 캜 for 30 minutes, And cured to form a permanent cured film. Subsequently, the substrate on which the pixel was formed and the substrate, which had just been deposited with the ITO electrode in a predetermined shape, were bonded to each other with a sealing material mixed with 0.8 mm glass beads, and then a liquid crystal cell (MLC6608) did. Subsequently, the liquid crystal cell was placed in a thermostatic chamber at 60 占 폚, and the voltage holding ratio of the liquid crystal cell was measured by a liquid crystal voltage preservation rate measuring system (Model VHR-1A, Toyo Technica Co., Ltd.). The applied voltage at this time is a square wave of 5.5 V, and the measurement frequency is 60 Hz. Here, the voltage holding ratio is a value of a voltage applied to the liquid crystal cell after 16.7 milliseconds / 0 milliseconds. If the voltage holding ratio of the liquid crystal cell is 90% or less, it means that the liquid crystal cell can not maintain the applied voltage at a predetermined level for 16.7 milliseconds and can not sufficiently orient the liquid crystal, Is high.
[패턴 형상의 열안정성의 평가 관찰] [Evaluation evaluation of thermal stability of pattern shape]
감도의 평가로 형성한 패턴이 형성된 기판을 클린 오븐 내에서 230℃에서 1시간 추가 가열하여, 형성한 패턴을 SEM(주사 전자 현미경)으로 형상을 관찰했다. 추가 가열에 의해, 패턴 형상이 사각 형상으로부터 돔 형상으로 멜트 플로우한 경우, 패턴 형상의 열안정성이 불량이라고 판단했다. 양호한 경우 「○」, 불량인 경우 「×」라고 표기했다. The substrate on which the pattern formed by the evaluation of sensitivity was formed was further heated in a clean oven at 230 DEG C for 1 hour, and the formed pattern was observed by SEM (scanning electron microscope). When the pattern shape was melt-flowed from the rectangular shape to the dome shape by the additional heating, it was judged that the thermal stability of the pattern shape was defective. &Quot; & cir & " in the case of good, and " x "
[패턴의 ITO 밀착성의 평가] [Evaluation of ITO adhesion of pattern]
내광성의 평가로 실리콘 기판을 대신하여 ITO 부착 기판을 이용한 이외에는, 상기와 동일한 조작에 의해 경화막을 형성하고, 프레셔 쿠커 시험(120℃, 습도 100%, 4시간)을 행했다. 그 후, 「JIS K-5400-1990의 8.5.3 부착성 크로스컷 테이프법」을 행하여, 크로스컷 100개 중에서 남은 크로스컷의 수를 구하여, 경화막의 ITO 밀착성을 평가했다. 크로스컷 100개 중에서 남은 크로스컷의 수가 80개 이하인 경우에, ITO 밀착성은 불량이라고 판단할 수 있다. 남은 크로스컷의 수를 표 2에 기재했다. A cured film was formed by the same operation as above except that the ITO-attached substrate was used in place of the silicon substrate in the evaluation of the light resistance, and a pressure cooker test (120 DEG C, 100% humidity, 4 hours) was performed. Thereafter, "8.5.3 Adhesive Cross-Cut Tape Method of JIS K-5400-1990" was carried out to determine the number of crosscuts remaining among the 100 cross cuts to evaluate the ITO adhesion of the cured film. When the number of remaining crosscuts among the 100 crosscuts is 80 or less, the ITO adhesion can be judged to be defective. The number of remaining crosscuts is shown in Table 2.
표 2의 결과로부터 명백해지듯이, 당해 네거티브형 감방사선성 수지 조성물은, 해상도, 감도로 패턴 형성이 가능하고, 경화막으로서 평가한 경우, 투과율, 내광성, 전압 보전율, 패턴 형상의 열안정성, ITO 밀착성을 갖는 것을 알 수 있었다. As apparent from the results of Table 2, the negative radiation-sensitive resin composition can form a pattern with resolution and sensitivity, and when evaluated as a cured film, the transmittance, the light resistance, the voltage holding ratio, the thermal stability of pattern shape, . ≪ / RTI >
Claims (9)
[B] 비(非)이온성 광산발생제, 그리고
[C] 산가교제
를 함유하는 네거티브형 감방사선성 수지 조성물.[A] a polymer component comprising a structural unit (I) containing a phenolic hydroxyl group, a structural unit (II) containing a crosslinkable group and a structural unit (III) containing a carboxyl group,
[B] a non-ionic photoacid generator, and
[C] Acid crosslinking agent
Wherein the negative radiation-sensitive resin composition is a negative radiation-sensitive resin composition.
상기 [A]의 가교성기를 포함하는 구조 단위 (Ⅱ)의 가교성기가, (메타)아크릴로일기, 비닐기, 옥시라닐기 및 옥세타닐기로 이루어지는 군으로부터 선택되는 적어도 1종인 네거티브형 감방사선성 수지 조성물.The method according to claim 1,
Wherein the crosslinkable group of the structural unit (II) comprising the crosslinkable group of the above [A] is at least one selected from the group consisting of (meth) acryloyl group, vinyl group, oxiranyl group and oxetanyl group, Resin composition.
[B] 비이온성 광산발생제가, 하기식 (1)로 나타나는 옥심술포네이트 구조를 갖는 화합물 및 하기식 (2)로 나타나는 나프탈이미드 구조를 갖는 화합물로부터 선택되는 적어도 1종인 네거티브형 감방사선성 수지 조성물:
(식 (1) 중, R1은, 알킬기, 지환식 탄화 수소기, 아릴기, 또는 이들 알킬기, 지환식 탄화 수소기 및 아릴기가 갖는 수소 원자의 일부 또는 전부가 치환기로 치환된 기임);
(식 (2) 중, R18 및 R21∼R23은, 수소 원자이고; R19 및 R20의 한쪽은, 직쇄상 또는 분기상의 탄소수 4∼18의 알콕시기, 이 알콕시기의 산소 원자에 인접하지 않는 임의 위치의 메틸렌기가 -C(=O)-기로 치환된 기, 상기 알콕시기가 나프탈렌환에 가까운 쪽으로부터 -O-C(=O)- 결합 또는 -OC(=O)-NH- 결합으로 중단된 기, 탄소수 4∼18의 직쇄상 또는 분기상의 알킬티오기, 이 알킬티오기의 황 원자에 인접하지 않는 임의 위치의 메틸렌기가 -C(=O)-기로 치환된 기, 상기 알킬티오기가 나프탈렌환에 가까운 쪽으로부터 -O-C(=O)- 결합 또는 -OC(=O)-NH- 결합으로 중단된 기, 또는 하기식 (3)으로 나타나는 기이고; 단, R19 및 R20의 알콕시기 및 알킬티오기가 갖는 수소 원자의 일부 또는 전부는, 지환식 탄화 수소기, 복소환기 또는 할로겐 원자로 치환되어도 좋고; R19 및 R20의 다른 한쪽은, 수소 원자이고; R24는, 할로겐 원자 및 탄소수 1∼18의 알킬티오기 중 적어도 한쪽으로 치환되어 있어도 좋은 탄소수 1∼18의 1가의 지방족 탄화 수소기, 할로겐 원자 및 지환식 탄화 수소기 중 적어도 한쪽으로 치환되어 있어도 좋은 탄소수 1∼18의 직쇄상 또는 분기상의 알킬기, 할로겐 원자로 치환되어 있어도 좋은 탄소수 3∼18의 1가의 지환식 탄화 수소기, 할로겐 원자 및 탄소수 1∼18의 알킬티오기 중 적어도 한쪽으로 치환되어 있어도 좋은 탄소수 6∼20의 아릴기, 할로겐 원자 및 탄소수 1∼18의 알킬티오기 중 적어도 한쪽으로 치환되어 있어도 좋은 탄소수 7∼20의 아릴알킬기, 할로겐 원자로 치환되어 있어도 좋은 탄소수 7∼20의 알킬아릴기, 아실기로 치환된 탄소수 7∼20의 아릴기, 10-캠퍼일기, 또는 하기식 (4)로 나타나는 기임);
(식 (3) 중, R25는, 탄소수 1∼12의 2가의 탄화 수소기이고; R26은, 탄소수 1∼4의 알칸디일기이고; R27은, 수소 원자, 탄소수 1∼4의 직쇄상 또는 분기상의 알킬기, 또는 탄소수 3∼10의 1가의 지환식 탄화 수소기 또는 1가의 복소환기이고; Y1은, 산소 원자 또는 황 원자이고; Y2는, 단결합 또는 탄소수 1∼4의 알칸디일기이고; g는, 0∼5의 정수임);
(식 (4) 중, R28은, 탄소수 2∼8의 알칸디일기, 탄소수 2∼8의 할로겐화 알칸디일기, 탄소수 6∼20의 아릴렌기, 또는 탄소수 6∼20의 할로겐화 아릴렌기이고; R29는, 단결합, 탄소수 2∼8의 알칸디일기, 탄소수 2∼8의 할로겐화 알칸디일기, 탄소수 6∼20의 아릴렌기, 또는 탄소수 6∼20의 할로겐화 아릴렌기이고; R30은, 직쇄상 또는 분기상의 탄소수 1∼18의 알킬기, 직쇄상 또는 분기상의 탄소수 1∼18의 할로겐화 알킬기, 탄소수 3∼12의 1가의 지환식 탄화 수소기, 탄소수 6∼20의 아릴기, 탄소수 6∼20의 할로겐화 아릴기, 탄소수 7∼20의 아릴알킬기, 또는 탄소수 7∼20의 할로겐화 아릴알킬기이고; Y3은, 단결합 또는 탄소수 1∼4의 알칸디일기이고; h 및 i는, 한쪽이 1이고, 다른 한쪽이 0 또는 1임).The method according to claim 1,
[B] the nonionic photoacid generator is at least one selected from the group consisting of a compound having an oxime sulfonate structure represented by the following formula (1) and a compound having a naphthalimide structure represented by the following formula (2) Resin resin composition:
(In the formula (1), R 1 represents an alkyl group, an alicyclic hydrocarbon group, an aryl group, or a group in which some or all of the hydrogen atoms of the alkyl group, alicyclic hydrocarbon group and aryl group are substituted with a substituent);
(In the formula (2), R 18 and R 21 to R 23 are each a hydrogen atom; one of R 19 and R 20 is a linear or branched alkoxy group having 4 to 18 carbon atoms, (= O) - bond or a -OC (= O) -NH- bond from the side nearest to the naphthalene ring, the group in which the methylene group at any arbitrary non-adjacent position is substituted with a -C A straight or branched alkylthio group having 4 to 18 carbon atoms, a group in which a methylene group at any position not adjacent to the sulfur atom of the alkylthio group is substituted with a -C (= O) - group, the alkylthio group is a naphthalene (= O) - bond or -OC (= O) -NH- bond from the side near the ring, or a group represented by the following formula (3): provided that the alkoxy group of R 19 and R 20 and part or all of the hydrogen atoms with alkyl thio groups, the alicyclic hydrocarbon group, heterocyclic group or may be substituted with a halogen atom; R 19 and R 20 of the other R 24 represents a monovalent aliphatic hydrocarbon group having 1 to 18 carbon atoms, which may be substituted with at least one of a halogen atom and an alkylthio group having 1 to 18 carbon atoms, a halogen atom and an alicyclic hydrocarbon group , A monovalent alicyclic hydrocarbon group having 3 to 18 carbon atoms which may be substituted with a halogen atom, a halogen atom and an alkylthio group having 1 to 18 carbon atoms, which may be substituted with at least one of , An arylalkyl group having 7 to 20 carbon atoms which may be substituted with at least one of a halogen atom and an alkylthio group having 1 to 18 carbon atoms, a carbon number which may be substituted with a halogen atom An alkylaryl group having 7 to 20 carbon atoms, an aryl group having 7 to 20 carbon atoms substituted with an acyl group, a 10-camphoryl group, or a group represented by the following formula (4));
(In the formula (3), R 25 is a divalent hydrocarbon group having 1 to 12 carbon atoms, R 26 is an alkanediyl group having 1 to 4 carbon atoms, R 27 is a hydrogen atom, Y 1 is an oxygen atom or a sulfur atom; Y 2 is a single bond or an alkyl group having 1 to 4 carbon atoms; R 1 is a hydrogen atom or an alkyl group having 1 to 4 carbon atoms; G is an integer of 0 to 5;
(In the formula (4), R 28 is an alkanediyl group having 2 to 8 carbon atoms, a halogenated alkanediyl group having 2 to 8 carbon atoms, an arylene group having 6 to 20 carbon atoms, or a halogenated arylene group having 6 to 20 carbon atoms; R 29 is a single bond, a carbon number of 2 to 8 alkanediyl group, halides of a carbon number of 2 to 8 alkanediyl group, of 6 to 20 carbon atoms an aryl group, or a halogenated arylene group of 6 to 20 carbon atoms, and; R 30 is a straight-chain Or branched alkyl groups having 1 to 18 carbon atoms, linear or branched halogenated alkyl groups having 1 to 18 carbon atoms, monovalent alicyclic hydrocarbon groups having 3 to 12 carbon atoms, aryl groups having 6 to 20 carbon atoms, halogenated An arylalkyl group having 7 to 20 carbon atoms or a halogenated arylalkyl group having 7 to 20 carbon atoms, Y 3 is a single bond or an alkanediyl group having 1 to 4 carbon atoms, h and i are each 1, One of which is 0 or 1).
[C] 산가교제가, 하기식 (5)로 나타나는 구조를 갖는 네거티브형 감방사선성 수지 조성물:
(식 (5) 중, R2는, 수소 원자, 탄소수 1 내지 6의 알킬기를 나타내고; m은, 1내지 3의 정수임).The method according to claim 1,
The negative-tone radiation-sensitive resin composition of [C] wherein the acid crosslinking agent has a structure represented by the following formula (5):
(In the formula (5), R 2 represents a hydrogen atom or an alkyl group having 1 to 6 carbon atoms; and m is an integer of 1 to 3).
상기 [A]의 페놀성 수산기를 포함하는 구성 단위 (Ⅰ)이, 하기식 (6)으로 나타나는 구성 단위인 네거티브형 감방사선성 수지 조성물:
(식 (6) 중, X는 직접 결합, -COO- 또는 -CONH-이고, R3은 직접 결합, 메틸렌기, 탄소수 2 내지 6의 알킬렌기를 나타내고, R4는, 수소 원자, 탄소수 1 내지 6의 알킬기, 탄소수 1 내지 6의 플루오로알킬기, 탄소수 1 내지 6의 알콕시기, 할로겐을 나타내고; n은 1 내지 4의 정수임).The method according to claim 1,
Wherein the constituent unit (I) containing a phenolic hydroxyl group of the above-mentioned [A] is a constituent unit represented by the following formula (6):
(6), X is a direct bond, -COO- or -CONH-, R 3 is a direct bond, a methylene group or an alkylene group having 2 to 6 carbon atoms, R 4 is a hydrogen atom, An alkyl group having 1 to 6 carbon atoms, a fluoroalkyl group having 1 to 6 carbon atoms, an alkoxy group having 1 to 6 carbon atoms, or a halogen;
[D] 산화 방지제를 추가로 함유하는 네거티브형 감방사선성 수지 조성물.The method according to claim 1,
[D] A negative-tone radiation-sensitive resin composition further comprising an antioxidant.
(2) 상기 도막의 적어도 일부에 방사선을 조사하는 공정,
(3) 상기 방사선이 조사된 도막을 현상하는 공정 및,
(4) 상기 현상된 도막을 가열하는 공정
을 갖는 경화막의 형성 방법.(1) a step of forming a coating film on a substrate by using the negative radiation-sensitive resin composition according to any one of claims 1 to 6,
(2) a step of irradiating at least a part of the coating film with radiation,
(3) a step of developing the coating film irradiated with the radiation, and
(4) a step of heating the developed coating film
To form a cured film.
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