KR20140145963A - Thermosetting resin composition for forming cured film, negative radiation-sensitive resin composition, positive radiation-sensitive resin composition, cured film, method for forming the same, semiconductor device and display device - Google Patents

Thermosetting resin composition for forming cured film, negative radiation-sensitive resin composition, positive radiation-sensitive resin composition, cured film, method for forming the same, semiconductor device and display device Download PDF

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Abstract

According to the present invention, a cured film, which has excellent hardness of the surface and has descent common properties such as sensitivity, development tightness, chemical resistance, heat resistance, transmittance, and a relative dielectric constant, can be formed. The present invention aims to provide: a thermosetting resin composition for forming a cured film having excellent storage stability; a negative radiation-sensitive resin composition; and a positive radiation-sensitive resin composition. The resin composition for forming a cured film includes a copolymer. The copolymer includes: a structure unit (I) including at least one selected from the group consisting of a group represented by chemical formula (1) and a group represented by chemical formula (2); and a structure unit including a cross-linking group (a1) represented by chemical formula (2).

Description

경화막 형성용 열경화성 수지 조성물, 네가티브형 감방사선성 수지 조성물, 포지티브형 감방사선성 수지 조성물, 경화막, 그의 형성 방법, 반도체 소자 및 표시 소자{THERMOSETTING RESIN COMPOSITION FOR FORMING CURED FILM, NEGATIVE RADIATION-SENSITIVE RESIN COMPOSITION, POSITIVE RADIATION-SENSITIVE RESIN COMPOSITION, CURED FILM, METHOD FOR FORMING THE SAME, SEMICONDUCTOR DEVICE AND DISPLAY DEVICE}TECHNICAL FIELD [0001] The present invention relates to a thermosetting resin composition for forming a cured film, a negative radiation-sensitive resin composition, a positive radiation-sensitive resin composition, a cured film, COMPOSITION, POSITIVE RADIATION-SENSITIVE RESIN COMPOSITION, CURED FILM, METHOD FOR FORMING THE SAME, SEMICONDUCTOR DEVICE AND DISPLAY DEVICE}

본 발명은 경화막 형성용 열경화성 수지 조성물, 네가티브형 감방사선성 수지 조성물, 포지티브형 감방사선성 수지 조성물, 경화막, 그의 형성 방법, 반도체 소자 및 표시 소자에 관한 것이다.The present invention relates to a thermosetting resin composition for forming a cured film, a negative radiation-sensitive resin composition, a positive radiation-sensitive resin composition, a cured film, a method of forming the same, a semiconductor device and a display device.

근년, 전자페이퍼 등의 플렉시블 디스플레이가 주목받으면서 플렉시블 디스플레이의 기판으로서, 폴리에틸렌테레프탈레이트 등을 이용한 플라스틱제의 기판이 검토되고 있다. 이 기판은 가열시에 신장 또는 수축을 일으키기 때문에, 제조 공정의 저온화가 검토되고 있으며, 그 중에서도 제조 공정상 가장 고온이 되는 층간 절연막 등의 경화막의 형성 공정에서의 소성 온도의 저온화가 요구되고 있다.2. Description of the Related Art In recent years, a plastic substrate such as a polyethylene terephthalate or the like has been studied as a substrate for a flexible display, with attention being paid to a flexible display such as an electronic paper. Since the substrate undergoes elongation or shrinkage upon heating, the lowering of the temperature of the production process is under investigation, and in particular, the lowering of the firing temperature in the process of forming a cured film such as an interlayer insulating film which becomes the highest temperature in the manufacturing process is required.

이러한 저온화가 가능한 경화막의 재료로서, 패턴 형성시의 공정수가 적고, 높은 표면 경도가 얻어지는 감방사선성 수지 조성물이 이용되고, 예를 들면 카르복시기 및 에폭시기를 포함하는 공중합체를 함유하는 감방사선성 수지 조성물이 알려져 있으며, 상기 카르복시기와 에폭시기가 반응함으로써 경화막으로서의 표면 경도가 얻어지도록 구성되어 있다(일본 특허 공개 제2001-354822호 공보 참조).As the material of the cured film capable of such a low temperature, a radiation-sensitive resin composition in which the number of processes at the time of pattern formation is small and high surface hardness is obtained is used, and for example, a radiation- sensitive resin composition containing a copolymer containing a carboxyl group and an epoxy group And the surface hardness of the cured film is obtained by reacting the carboxyl group and the epoxy group (see Japanese Patent Application Laid-Open No. 2001-354822).

그러나, 상술한 공중합체를 함유하는 감방사선성 수지 조성물에서는, 감방사선성 수지 조성물의 보존시에도 카르복시기와 에폭시기가 반응하여, 그 결과 증점되어 보존 안정성의 저하를 야기할 우려가 있다.However, in the radiation-sensitive resin composition containing the copolymer described above, there is a fear that the carboxyl group and the epoxy group react with each other even when the radiation-sensitive resin composition is stored, and as a result, the storage stability is lowered.

따라서, 우수한 표면 경도를 가짐과 동시에, 감도, 현상 밀착성, 내약품성, 내열성, 투과율 및 비유전율 등의 일반적 특성을 충분히 만족시킬 수 있는 경화막을 형성할 수 있고, 보존 안정성이 우수한 경화막 형성용 수지 조성물, 네가티브형 감방사선성 수지 조성물, 포지티브형 감방사선성 수지 조성물이 요구되고 있다.Therefore, it is possible to form a cured film which has satisfactory surface hardness and which can sufficiently satisfy general characteristics such as sensitivity, developing adhesion, chemical resistance, heat resistance, transmittance and relative dielectric constant, and is excellent in curing film forming resin A negative radiation-sensitive resin composition, and a positive radiation-sensitive resin composition.

일본 특허 공개 제2001-354822호 공보Japanese Patent Laid-Open No. 2001-354822

본 발명은 이상과 같은 사정에 기초하여 이루어진 것으로, 그 목적은 우수한 표면 경도를 가짐과 동시에, 감도, 현상 밀착성, 내약품성, 내열성, 투과율 및 비유전율 등의 일반적 특성을 충분히 만족시킬 수 있는 경화막을 형성할 수 있고, 보존 안정성이 우수한 경화막 형성용 수지 조성물, 네가티브형 감방사선성 수지 조성물, 포지티브형 감방사선성 수지 조성물을 제공하는 것이다.The object of the present invention is to provide a cured film which has excellent surface hardness and can sufficiently satisfy general characteristics such as sensitivity, developing adhesion, chemical resistance, heat resistance, transmittance and relative dielectric constant A negative radiation-sensitive resin composition, and a positive radiation-sensitive resin composition, which are excellent in storage stability and can be formed.

상기 과제를 해결하기 위해서 이루어진 발명은,In order to solve the above problems,

[A1] 하기 화학식 (1)로 표시되는 기 및 하기 화학식 (2)로 표시되는 기로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 1종을 포함하는 구조 단위(I)와, 가교성 기(a1)를 포함하는 구조 단위(II-1)를 갖는 중합체(이하, "[A1] 중합체"라고도 함)를 함유하는 경화막 형성용 열경화성 수지 조성물(이하, "경화막 형성용 수지 조성물(1)"이라고도 함)이다.[A1] A resin composition comprising a structural unit (I) comprising at least one member selected from the group consisting of a group represented by the following formula (1) and a group represented by the following formula (2) (Hereinafter also referred to as "cured film-forming resin composition (1)") containing a polymer having a unit (II-1)

Figure pat00001
Figure pat00001

(화학식 (1) 중, R1 및 R2는 각각 독립적으로 수소 원자, 탄소수 1 내지 4의 알킬기 또는 탄소수 1 내지 4의 불소화 알킬기이되, 단 R1 및 R2 중 적어도 어느 하나는 탄소수 1 내지 4의 불소화 알킬기이고,(In the formula (1), R 1 and R 2 are each independently a hydrogen atom, an alkyl group having 1 to 4 carbon atoms or a fluorinated alkyl group having 1 to 4 carbon atoms, provided that at least one of R 1 and R 2 has 1 to 4 carbon atoms Of fluorinated alkyl groups,

화학식 (2) 중, R3 및 R4는 각각 독립적으로 수소 원자, 할로겐 원자, 탄소수 1 내지 4의 알킬기 또는 탄소수 1 내지 4의 불소화 알킬기이되, 단 R3 및 R4 중 적어도 어느 하나는 할로겐 원자 또는 탄소수 1 내지 4의 불소화 알킬기임)In formula (2), R 3 and R 4 are each independently a hydrogen atom, a halogen atom, an alkyl group having 1 to 4 carbon atoms or a fluorinated alkyl group having 1 to 4 carbon atoms, provided that at least one of R 3 and R 4 is a halogen atom Or a fluorinated alkyl group having 1 to 4 carbon atoms)

또한, 상기 과제를 해결하기 위해서 이루어진 다른 발명은,According to another aspect of the present invention,

(1) 상기 경화막 형성용 수지 조성물(1)을 이용하여 기판 상에 도막을 형성하는 공정, 및(1) a step of forming a coating film on the substrate by using the resin composition (1) for forming a cured film, and

(2) 상기 도막을 가열하는 공정(2) a step of heating the coating film

을 갖는 경화막의 형성 방법(이하, "경화막의 형성 방법(1)"이라고도 함)이다.(Hereinafter also referred to as "cured film forming method (1)").

또한, 상기 과제를 해결하기 위해서 이루어진 다른 발명은,According to another aspect of the present invention,

[A2] 하기 화학식 (1)로 표시되는 기 및 하기 화학식 (2)로 표시되는 기로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 1종을 포함하는 구조 단위(I)와, 가교성 기(a2)를 포함하는 구조 단위(II-2)를 갖는 중합체(이하, "[A2] 중합체"라고도 함),[A2] A resin composition comprising a structural unit (I) comprising at least one member selected from the group consisting of a group represented by the following formula (1) and a group represented by the following formula (2) The polymer having the unit (II-2) (hereinafter also referred to as the "[A2] polymer"),

[B] 에틸렌성 불포화 결합을 갖는 중합성 화합물(이하, "[B] 중합성 화합물"이라고도 함), 및[B] a polymerizable compound having an ethylenically unsaturated bond (hereinafter also referred to as "[B] polymerizable compound"), and

[C] 감방사선성 중합 개시제[C] Radiation-sensitive polymerization initiator

를 함유하는 네가티브형 감방사선성 수지 조성물(이하, "네가티브형 감방사선성 수지 조성물(2)"이라고도 함)이다.(Hereinafter also referred to as "negative-tone radiation-sensitive resin composition (2)").

Figure pat00002
Figure pat00002

(화학식 (1) 중, R1 및 R2는 각각 독립적으로 수소 원자, 탄소수 1 내지 4의 알킬기 또는 탄소수 1 내지 4의 불소화 알킬기이되, 단 R1 및 R2 중 적어도 어느 하나는 탄소수 1 내지 4의 불소화 알킬기이고,(In the formula (1), R 1 and R 2 are each independently a hydrogen atom, an alkyl group having 1 to 4 carbon atoms or a fluorinated alkyl group having 1 to 4 carbon atoms, provided that at least one of R 1 and R 2 has 1 to 4 carbon atoms Of fluorinated alkyl groups,

화학식 (2) 중, R3 및 R4는 각각 독립적으로 수소 원자, 할로겐 원자, 탄소수 1 내지 4의 알킬기 또는 탄소수 1 내지 4의 불소화 알킬기이되, 단 R3 및 R4 중 적어도 어느 하나는 할로겐 원자 또는 탄소수 1 내지 4의 불소화 알킬기임)In formula (2), R 3 and R 4 are each independently a hydrogen atom, a halogen atom, an alkyl group having 1 to 4 carbon atoms or a fluorinated alkyl group having 1 to 4 carbon atoms, provided that at least one of R 3 and R 4 is a halogen atom Or a fluorinated alkyl group having 1 to 4 carbon atoms)

또한, 상기 과제를 해결하기 위해서 이루어진 다른 발명은,According to another aspect of the present invention,

(1) 상기 네가티브형 감방사선성 수지 조성물(2)을 이용하여 기판 상에 도막을 형성하는 공정,(1) a step of forming a coating film on the substrate by using the negative radiation-sensitive resin composition (2)

(2) 상기 도막의 일부에 방사선을 조사하는 공정,(2) a step of irradiating a part of the coating film with radiation,

(3) 상기 방사선이 조사된 도막을 현상하는 공정, 및(3) a step of developing the coating film irradiated with the radiation, and

(4) 상기 현상된 도막을 가열하는 공정(4) a step of heating the developed coating film

을 갖는 경화막의 형성 방법(이하, "경화막의 형성 방법(2)"이라고도 함)이다.(Hereinafter also referred to as "cured film forming method (2)").

또한, 상기 과제를 해결하기 위해서 이루어진 다른 발명은,According to another aspect of the present invention,

상기 경화막 형성용 수지 조성물(1)로부터 형성되는 경화막(이하, "경화막(1)"이라고도 함),(Hereinafter also referred to as "cured film (1)") formed from the resin composition for forming a cured film (1)

상기 네가티브형 감방사선성 수지 조성물(2)로부터 형성되는 경화막(이하, "경화막(2)"이라고도 함),(Hereinafter also referred to as "cured film (2)") formed from the negative radiation-sensitive resin composition (2)

상기 경화막을 구비하는 반도체 소자, 및A semiconductor element having the cured film, and

상기 반도체 소자를 구비하는 표시 소자The display element having the semiconductor element

를 포함한다..

또한, "가교성 기"란, 동일하거나 서로 다른 분자간에 공유 결합을 형성할 수 있는 기를 말한다.The term "crosslinkable group" refers to a group capable of forming a covalent bond between the same or different molecules.

상기 과제를 해결하기 위해서 이루어진 또 다른 발명은,According to another aspect of the present invention,

[A3] 하기 화학식 (1)로 표시되는 기 및 하기 화학식 (2)로 표시되는 기로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 1종을 포함하는 구조 단위(I)와, 환상 에테르 구조 또는 환상 카보네이트 구조를 포함하는 구조 단위(II-3)를 갖는 중합체(이하, "[A3] 중합체"라고도 함), 및[A3] A polymer comprising a structural unit (I) comprising at least one member selected from the group consisting of a group represented by the following formula (1) and a group represented by the following formula (2), and a cyclic ether structure or a cyclic carbonate structure , A polymer having a structural unit (II-3) (hereinafter, also referred to as "[A3] polymer"), and

[G] 산 발생체[G] acid generator

를 함유하는 포지티브형 감방사선성 수지 조성물이다.Sensitive resin composition.

Figure pat00003
Figure pat00003

(화학식 (1) 중, R1 및 R2는 각각 독립적으로 수소 원자, 탄소수 1 내지 4의 알킬기 또는 탄소수 1 내지 4의 불소화 알킬기이되, 단 R1 및 R2 중 적어도 어느 하나는 탄소수 1 내지 4의 불소화 알킬기이다.(In the formula (1), R 1 and R 2 are each independently a hydrogen atom, an alkyl group having 1 to 4 carbon atoms or a fluorinated alkyl group having 1 to 4 carbon atoms, provided that at least one of R 1 and R 2 has 1 to 4 carbon atoms Of fluorinated alkyl groups.

화학식 (2) 중, R3 및 R4는 각각 독립적으로 수소 원자, 할로겐 원자, 탄소수 1 내지 4의 알킬기 또는 탄소수 1 내지 4의 불소화 알킬기이되, 단 R3 및 R4 중 적어도 어느 하나는 할로겐 원자 또는 탄소수 1 내지 4의 불소화 알킬기임)In formula (2), R 3 and R 4 are each independently a hydrogen atom, a halogen atom, an alkyl group having 1 to 4 carbon atoms or a fluorinated alkyl group having 1 to 4 carbon atoms, provided that at least one of R 3 and R 4 is a halogen atom Or a fluorinated alkyl group having 1 to 4 carbon atoms)

또한, 상기 과제를 해결하기 위해서 이루어진 다른 발명은,According to another aspect of the present invention,

상기 포지티브형 감방사선성 수지 조성물로부터 형성되는 경화막(이하, "경화막(3)"이라고도 함),(Hereinafter also referred to as "cured film 3") formed from the above positive radiation-sensitive resin composition,

상기 경화막을 구비하는 반도체 소자, 및A semiconductor element having the cured film, and

상기 반도체 소자를 구비하는 표시 소자The display element having the semiconductor element

를 포함한다..

또한, 상기 과제를 해결하기 위해서 이루어진 다른 발명은,According to another aspect of the present invention,

(1) 상기 포지티브형 감방사선성 수지 조성물을 이용하여 기판 상에 도막을 형성하는 공정,(1) a step of forming a coating film on a substrate using the positive radiation-sensitive resin composition,

(2) 상기 도막의 일부에 방사선을 조사하는 공정,(2) a step of irradiating a part of the coating film with radiation,

(3) 상기 방사선이 조사된 도막을 현상하는 공정, 및(3) a step of developing the coating film irradiated with the radiation, and

(4) 상기 현상된 도막을 가열하는 공정(4) a step of heating the developed coating film

을 갖는 경화막의 형성 방법(이하, "경화막의 형성 방법(3)"이라고도 함)이다.(Hereinafter also referred to as "cured film forming method (3)").

본 발명은 우수한 표면 경도를 가짐과 동시에, 감도, 현상 밀착성, 내약품성, 내열성, 투과율 및 비유전율 등의 일반적 특성을 충분히 만족시킬 수 있는 경화막을 형성할 수 있고, 보존 안정성이 우수한 경화막 형성용 열경화성 수지 조성물, 네가티브형 감방사선성 수지 조성물, 포지티브형 감방사선성 수지 조성물을 제공할 수 있다. 따라서, 상기 경화막 형성용 열경화성 수지 조성물, 네가티브형 감방사선성 수지 조성물, 포지티브형 감방사선성 수지 조성물, 이 경화막 형성용 열경화성 수지 조성물, 네가티브형 감방사선성 수지 조성물, 포지티브형 감방사선성 수지 조성물로부터 형성되는 경화막, 반도체 소자 및 표시 소자, 및 상기 경화막의 형성 방법은, 플렉시블 디스플레이 등의 전자 디바이스 등의 제조 공정에 바람직하게 사용할 수 있다.The present invention can provide a cured film which has excellent surface hardness and can sufficiently satisfy general characteristics such as sensitivity, developing adhesion, chemical resistance, heat resistance, transmittance and relative dielectric constant, A thermosetting resin composition, a negative-tone radiation-sensitive resin composition, and a positive-tone radiation-sensitive resin composition. Therefore, it is possible to provide a thermosetting resin composition for forming a cured film, a negative radiation-sensitive resin composition, a positive radiation-sensitive resin composition, a thermosetting resin composition for forming the cured film, a negative radiation- The cured film, the semiconductor element, the display element, and the method of forming the cured film formed from the composition can be suitably used in a manufacturing process of an electronic device such as a flexible display.

<경화막 형성용 수지 조성물(1)>&Lt; Cured film-forming resin composition (1) >

본 발명의 경화막 형성용 수지 조성물(1)은, [A1] 중합체를 함유한다. 또한, 상기 경화막 형성용 수지 조성물(1)은 본 발명의 효과를 손상시키지 않는 범위에서, [A1] 중합체 이외의 그 밖의 성분을 함유할 수도 있다.The resin composition (1) for forming a cured film of the present invention contains a [A1] polymer. The resin composition for forming a cured film (1) may contain other components in addition to the polymer [A1], so long as the effect of the present invention is not impaired.

상기 경화막 형성용 수지 조성물(1)은 [A1] 중합체를 함유하고 있기 때문에, 가열에 의한 가교에 의해 경화되는 이른바 열경화성 수지 조성물이다. 이하, 각 성분에 대해서 상술한다.The cured film-forming resin composition (1) is a so-called thermosetting resin composition which is cured by crosslinking by heating because it contains the [A1] polymer. Each component will be described in detail below.

<[A1] 중합체><[A1] Polymer>

[A1] 중합체는 구조 단위(I) 및 구조 단위(II-1)를 갖는 중합체이다. 또한, [A1] 중합체는 본 발명의 효과를 손상시키지 않는 범위에서, 구조 단위(III) 및 구조 단위(IV)를 가질 수도 있다. [A1] 중합체가 구조 단위(I) 및 구조 단위(II-1)를 가짐으로써, 상기 경화막 형성용 수지 조성물(1)은 우수한 표면 경도를 가짐과 동시에 내약품성, 내열성, 투과율, 비유전율 등의 일반적 특성을 충분히 만족시킬 수 있는 경화막을 형성할 수 있고, 보존 안정성이 우수하다. 이것은 가열시에 있어서, 이 구조 단위(I)에 포함되는 화학식 (1) 및/또는 (2)로 표시되는 기에서의 수산기와, 구조 단위(II-1)에 포함되는 가교성 기(a1)가 반응하여, 강고한 가교 구조의 형성에 의해 경화막이 우수한 표면 경도를 얻을 수 있음과 동시에, 상기 반응이 상온에서는 진행되기 어려운 결과, 보존 중에 증점이 억제되어 양호한 보존 안정성이 얻어지기 때문이라고 추찰된다. 또한, [A1] 중합체는 각 구조 단위를 2종 이상 가질 수도 있다.[A1] The polymer is a polymer having the structural unit (I) and the structural unit (II-1). Further, the [A1] polymer may have the structural unit (III) and the structural unit (IV) within the range not to impair the effect of the present invention. By having the structural unit (I) and the structural unit (II-1) in the polymer [A1], the resin composition for forming a cured film (1) has excellent surface hardness and excellent resistance to chemicals, heat resistance, transmittance, The cured film can be sufficiently satisfied with the general characteristics of the film, and the storage stability is excellent. This is because the hydroxyl groups in the groups represented by the formulas (1) and / or (2) contained in the structural unit (I) and the crosslinkable group (a1) contained in the structural unit (II- , The cured film can obtain excellent surface hardness due to the formation of a strong crosslinked structure and at the same time the reaction is difficult to proceed at room temperature and the thickening is suppressed during storage and good storage stability is obtained . Further, the [A1] polymer may have two or more kinds of structural units.

[구조 단위(I)][Structural unit (I)]

구조 단위(I)는 상기 화학식 (1)로 표시되는 기 및 상기 화학식 (2)로 표시되는 기로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 1종을 포함하는 구조 단위이다.The structural unit (I) is a structural unit comprising at least one kind selected from the group consisting of the group represented by the above-mentioned formula (1) and the group represented by the above-mentioned formula (2).

상기 화학식 (1) 중, R1 및 R2는 각각 독립적으로 수소 원자, 탄소수 1 내지 4의 알킬기 또는 탄소수 1 내지 4의 불소화 알킬기이다. 단, R1 및 R2 중 적어도 어느 하나는 탄소수 1 내지 4의 불소화 알킬기이다.In the above formula (1), R 1 and R 2 are each independently a hydrogen atom, an alkyl group having 1 to 4 carbon atoms, or a fluorinated alkyl group having 1 to 4 carbon atoms. Provided that at least one of R 1 and R 2 is a fluorinated alkyl group having 1 to 4 carbon atoms.

상기 화학식 (2) 중, R3 및 R4는 각각 독립적으로 수소 원자, 할로겐 원자, 탄소수 1 내지 4의 알킬기 또는 탄소수 1 내지 4의 불소화 알킬기이다. 단, R3 및 R4 중 적어도 어느 하나는 할로겐 원자 또는 탄소수 1 내지 4의 불소화 알킬기이다.In the formula (2), R 3 and R 4 are each independently a hydrogen atom, a halogen atom, an alkyl group having 1 to 4 carbon atoms, or a fluorinated alkyl group having 1 to 4 carbon atoms. Provided that at least one of R 3 and R 4 is a halogen atom or a fluorinated alkyl group having 1 to 4 carbon atoms.

상기 R1 내지 R4로 표시되는 탄소수 1 내지 4의 알킬기로서는, 예를 들면 메틸기, 에틸기, n-프로필기, i-프로필기, n-부틸기, i-부틸기, sec-부틸기, t-부틸기 등을 들 수 있다.Examples of the alkyl group having 1 to 4 carbon atoms represented by R 1 to R 4 include a methyl group, ethyl group, n-propyl group, i-propyl group, n-butyl group, i- -Butyl group and the like.

상기 R1 내지 R4로 표시되는 탄소수 1 내지 4의 불소화 알킬기는, 탄소수 1 내지 4의 알킬기가 갖는 수소 원자의 일부 또는 전부가 불소 원자로 치환된 기이다. 상기 R1 내지 R4로 표시되는 탄소수 1 내지 4의 불소화 알킬기로서는, 예를 들면 디플루오로메틸기, 트리플루오로메틸기, 2,2-디플루오로에틸기, 2,2,2-트리플루오로에틸기, 퍼플루오로에틸기, 2,2,3,3-테트라플루오로프로필기, 퍼플루오로에틸메틸기, 퍼플루오로프로필기, 2,2,3,3,4,4-헥사플루오로부틸기, 퍼플루오로부틸기, 1,1-디메틸-2,2,3,3-테트라플루오로프로필기 등을 들 수 있다. 이들 중에서, 상기 탄소수 1 내지 4의 불소화 알킬기로서는 트리플루오로메틸기가 바람직하다.The fluorinated alkyl group having 1 to 4 carbon atoms represented by R 1 to R 4 is a group in which a part or all of the hydrogen atoms contained in the alkyl group having 1 to 4 carbon atoms is substituted with a fluorine atom. Examples of the fluorinated alkyl group having 1 to 4 carbon atoms represented by R 1 to R 4 include a fluoromethyl group, a trifluoromethyl group, a 2,2-difluoroethyl group, a 2,2,2-trifluoroethyl group , A perfluoroethyl group, a 2,2,3,3-tetrafluoropropyl group, a perfluoroethylmethyl group, a perfluoropropyl group, a 2,2,3,3,4,4-hexafluorobutyl group, A perfluorobutyl group, and a 1,1-dimethyl-2,2,3,3-tetrafluoropropyl group. Of these, the fluorinated alkyl group having 1 to 4 carbon atoms is preferably a trifluoromethyl group.

상기 R3 및 R4로 표시되는 할로겐 원자로서는, 예를 들면 불소 원자, 염소 원자, 브롬 원자, 요오드 원자 등을 들 수 있다. 이들 중에서, 상기 할로겐 원자로서는 불소 원자가 바람직하다.Examples of the halogen atom represented by R 3 and R 4 include a fluorine atom, a chlorine atom, a bromine atom and an iodine atom. Of these, the halogen atom is preferably a fluorine atom.

상기 화학식 (1)로 표시되는 기를 포함하는 구조 단위(I)로서는, 하기 화학식 (1a) 및 (1b)로 표시되는 구조 단위가 바람직하다.As the structural unit (I) containing a group represented by the above formula (1), structural units represented by the following formulas (1a) and (1b) are preferable.

Figure pat00004
Figure pat00004

상기 화학식 (1a) 및 (1b) 중, R은 각각 독립적으로 수소 원자, 메틸기, 히드록시메틸기, 시아노기 또는 트리플루오로메틸기이다. R1 및 R2는 상기 화학식 (1)과 동의이다. R5 및 R6은 각각 독립적으로 (n+1)가의 유기기이다. n은 각각 독립적으로 1 내지 5의 정수이다. n이 2 이상인 경우, 복수개의 R1 및 R2는 각각 동일할 수도 상이할 수도 있다.In the above formulas (1a) and (1b), each R is independently a hydrogen atom, a methyl group, a hydroxymethyl group, a cyano group or a trifluoromethyl group. R 1 and R 2 are as defined in the above formula (1). R 5 and R 6 are each independently (n + 1) -valent organic groups. n is independently an integer of 1 to 5; When n is 2 or more, a plurality of R 1 and R 2 may be the same or different from each other.

R5 및 R6으로 표시되는 (n+1)가의 유기기로서는, 예를 들면 탄소수 1 내지 20의 (n+1)가의 쇄상 탄화수소기, 탄소수 3 내지 20의 (n+1)가의 지환식 탄화수소기, 또는 탄소수 6 내지 20의 (n+1)가의 방향족 탄화수소기, 또는 탄소수 1 내지 20의 쇄상 탄화수소기, 탄소수 3 내지 20의 지환식 탄화수소기 및 탄소수 6 내지 20의 방향족 탄화수소기 중 2종 이상을 조합한 (n+1)가의 기 등을 들 수 있다. 단, 이들 기가 갖는 수소 원자의 일부 또는 전부는 치환되어 있을 수도 있다.R 5 and as the monovalent organic group (n + 1) represented by R 6, for example having 1 to 20 carbon atoms in the (n + 1) valent chain hydrocarbon group, having 3 to 20 (n + 1) valent alicyclic hydrocarbon (N + 1) -valent aromatic hydrocarbon group having 6 to 20 carbon atoms, a chain hydrocarbon group having 1 to 20 carbon atoms, an alicyclic hydrocarbon group having 3 to 20 carbon atoms, and an aromatic hydrocarbon group having 6 to 20 carbon atoms (N + 1) -valent groups obtained by combining the above-mentioned groups. However, some or all of the hydrogen atoms of these groups may be substituted.

상기 탄소수 1 내지 20의 (n+1)가의 쇄상 탄화수소기로서는, 예를 들면 탄소수 1 내지 20의 직쇄상 또는 분지상의 알킬기에서 수소 원자를 n개 제거한 기 등을 들 수 있다.Examples of the (n + 1) th chain hydrocarbon group having 1 to 20 carbon atoms include groups obtained by removing n hydrogen atoms from a linear or branched alkyl group having 1 to 20 carbon atoms.

상기 탄소수 1 내지 20의 직쇄상 또는 분지상의 알킬기로서는, 예를 들면 메틸기, 에틸기, n-프로필기, i-프로필기, n-부틸기, 2-메틸프로필기, 1-메틸프로필기, t-부틸기 등을 들 수 있다.Examples of the straight-chain or branched alkyl group having 1 to 20 carbon atoms include methyl, ethyl, n-propyl, i-propyl, n-butyl, -Butyl group and the like.

상기 탄소수 3 내지 20의 (n+1)가의 지환식 탄화수소기로서는, 예를 들면 탄소수 3 내지 20의 1가의 지환식 탄화수소기에서 수소 원자를 n개 제거한 기 등을 들 수 있다.Examples of the (n + 1) -valent alicyclic hydrocarbon group having 3 to 20 carbon atoms include a group obtained by removing n hydrogen atoms from a monovalent alicyclic hydrocarbon group having 3 to 20 carbon atoms.

상기 탄소수 3 내지 20의 1가의 지환식 탄화수소기로서는, 예를 들면 시클로프로필기, 시클로부틸기, 시클로펜틸기, 시클로헥실기, 노르보르닐기, 아다만틸기 등을 들 수 있다.Examples of the monovalent alicyclic hydrocarbon group having 3 to 20 carbon atoms include a cyclopropyl group, a cyclobutyl group, a cyclopentyl group, a cyclohexyl group, a norbornyl group and an adamantyl group.

상기 탄소수 6 내지 20의 (n+1)가의 방향족 탄화수소기로서는, 예를 들면 탄소수 6 내지 20의 1가의 방향족 탄화수소기에서 수소 원자를 n개 제거한 기 등을 들 수 있다.Examples of the (n + 1) -valent aromatic hydrocarbon group having 6 to 20 carbon atoms include a group obtained by removing n hydrogen atoms from a monovalent aromatic hydrocarbon group having 6 to 20 carbon atoms.

상기 탄소수 6 내지 20의 1가의 방향족 탄화수소기로서는, 예를 들면 페닐기, 톨릴기, 나프틸기 등을 들 수 있다.Examples of the monovalent aromatic hydrocarbon group having 6 to 20 carbon atoms include a phenyl group, a tolyl group and a naphthyl group.

상기 R5로서는, 메틸렌기, 에틸렌기, 1,3-프로필렌기 또는 1,2-프로필렌기 등의 프로필렌기, 테트라메틸렌기, 펜타메틸렌기, 헥사메틸렌기, 헵타메틸렌기, 옥타메틸렌기, 노나메틸렌기, 데카메틸렌기, 운데카메틸렌기, 도데카메틸렌기, 트리데카메틸렌기, 테트라데카메틸렌기, 펜타데카메틸렌기, 헥사데카메틸렌기, 헵타데카메틸렌기, 옥타데카메틸렌기, 노나데카메틸렌기, 인사렌기, 1-메틸-1,3-프로필렌기, 2-메틸-1,3-프로필렌기, 2-메틸-1,2-프로필렌기, 1-메틸-1,4-부틸렌기, 2-메틸-1,4-부틸렌기, 메틸리덴기, 에틸리덴기, 프로필리덴기, 2-프로필리덴기 등의 포화 쇄상 탄화수소기; 1,3-시클로부틸렌기 등의 시클로부틸렌기, 1,3-시클로펜틸렌기 등의 시클로펜틸렌기, 1,4-시클로헥실렌기 등의 시클로헥실렌기, 1,5-시클로옥틸렌기 등의 시클로옥틸렌기 등의 시클로알킬렌기 등의 단환식 탄화수소환기; 1,4-노르보르닐렌기, 2,5-노르보르닐렌기 또는 2,6-노르보르닐렌기 등의 노르보르닐렌기, 1,5-아다만틸렌기 또는 2,6-아다만틸렌기 등의 아다만틸렌기, 1,3,5-시클로헥산트리일기 등의 시클로헥산트리일기 등의 다환식 탄화수소기; 1,3-페닐렌기 또는 1,4-페닐렌기 등의 방향족 탄화수소기, 또는 이들을 조합한 기가 바람직하고, 에틸렌기, 1,2-프로필렌기, 2,5-노르보르닐렌기, 1,4-페닐렌기, 1,3,5-시클로헥산트리일기가 보다 바람직하다. 또한, 상기 R6으로서는, 1,3-페닐렌기 또는 1,4-페닐렌기 등의 2가의 방향족 탄화수소기가 바람직하고, 1,4-페닐렌기가 보다 바람직하다.Examples of R 5 include a propylene group such as a methylene group, an ethylene group, a 1,3-propylene group or a 1,2-propylene group, a tetramethylene group, a pentamethylene group, a hexamethylene group, a heptamethylene group, A methylene group, a decamethylene group, an undecamethylene group, a dodecamethylene group, a tridecamethylene group, a tetradecamethylene group, a pentadecamethylene group, a hexadecamethylene group, an heptadecamethylene group, an octadecamethylene group, Methylene-1,3-propylene group, 2-methyl-1,2-propylene group, 1-methyl-1,4-butylene group, 2 Saturated hydrocarbon groups such as methyl-1,4-butylene group, methylidene group, ethylidene group, propylidene group and 2-propylidene group; Cyclobutylene group such as 1,3-cyclobutylene group and the like, cyclopentylene group such as 1,3-cyclopentylene group and the like, cyclohexylene group such as 1,4-cyclohexylene group and 1,5-cyclooctylene group Monocyclic hydrocarbon ring group such as cycloalkylene group such as cyclooctylene group; A norbornylene group such as a 1,4-norbornylene group, a 2,5-norbornylene group or a 2,6-norbornylene group, a 1,5-adamantylene group or a 2,6-adamantylene group , Cyclohexanetriyl groups such as 1,3,5-cyclohexanetriyl group, and other polycyclic hydrocarbon groups such as cyclohexanetriyl group; An aromatic hydrocarbon group such as a 1,3-phenylene group or a 1,4-phenylene group, or a combination thereof is preferable, and an ethylene group, a 1,2-propylene group, a 2,5-norbornylene group, A phenylene group and a 1,3,5-cyclohexanetriyl group are more preferable. As R 6 , a bivalent aromatic hydrocarbon group such as a 1,3-phenylene group or a 1,4-phenylene group is preferable, and a 1,4-phenylene group is more preferable.

상기 화학식 (2)로 표시되는 기를 포함하는 구조 단위(I)로서는, 하기 화학식 (2a) 및 (2b)로 표시되는 구조 단위가 바람직하다.As the structural unit (I) containing a group represented by the general formula (2), structural units represented by the following general formulas (2a) and (2b) are preferable.

Figure pat00005
Figure pat00005

상기 화학식 (2a) 및 (2b) 중, R은 상기 화학식 (1a) 및 (1b)와 동의이다. R3 및 R4는 상기 화학식 (2)와 동의이다.In the above formulas (2a) and (2b), R is as defined in the above formulas (1a) and (1b). R 3 and R 4 are as defined in the above formula (2).

구조 단위(I)로서는, 예를 들면 하기 화학식 (I-1) 내지 (I-15)로 표시되는 구조 단위 등을 들 수 있다.Examples of the structural unit (I) include structural units represented by the following formulas (I-1) to (I-15).

Figure pat00006
Figure pat00006

상기 화학식 중, R은 상기 화학식 (1a), (1b), (2a) 및 (2b)와 동의이다. 이들 중에서, 구조 단위(I)로서는 화학식 (I-1) 내지 (I-6), (I-9) 및 (I-11) 내지 (I-13)으로 표시되는 구조 단위가 바람직하고, 알칼리 현상성 및/또는 열경화성의 관점에서, 화학식 (I-1) 내지 (I-6)으로 표시되는 구조 단위가 보다 바람직하다.In the above formulas, R is synonymous with the above formulas (1a), (1b), (2a) and (2b). Among them, the structural unit (I) is preferably a structural unit represented by any of formulas (I-1) to (I-6), (I-9) and (I-11) to (I- (I-1) to (I-6) are more preferred from the viewpoints of adhesion, heat resistance and / or thermosetting property.

구조 단위(I)의 함유 비율로서는, [A1] 중합체를 구성하는 전체 구조 단위에 대하여 10몰% 이상 90몰% 이하가 바람직하고, 20몰% 이상 80몰% 이하가 보다 바람직하고, 30몰% 이상 70몰% 이하가 더욱 바람직하다. 구조 단위(I)의 함유 비율을 상기 범위로 함으로써 효과적으로 보존 안정성 등을 향상시킬 수 있다.The content of the structural unit (I) is preferably from 10 to 90 mol%, more preferably from 20 to 80 mol%, and still more preferably from 30 to 30 mol%, based on the total structural units constituting the polymer (A1) Or more and 70 mol% or less. When the content ratio of the structural unit (I) is within the above range, storage stability and the like can be effectively improved.

[구조 단위(II-1)][Structural unit (II-1)]

구조 단위(II-1)는 가교성 기(a1)를 포함하는 구조 단위이다.The structural unit (II-1) is a structural unit containing a crosslinkable group (a1).

상기 가교성 기(a1)로서는, 예를 들면 옥시라닐기(1,2-에폭시 구조), 옥세타닐기(1,3-에폭시 구조), 환상 카보네이트기, (메트)아크릴로일기 등을 들 수 있다.Examples of the crosslinkable group (a1) include an oxiranyl group (1,2-epoxy structure), an oxetanyl group (1,3-epoxy structure), a cyclic carbonate group and a (meth) acryloyl group. have.

옥시라닐기를 포함하는 구조 단위(II-1)로서는, 예를 들면 하기 화학식 (II-1) 내지 (II-5)로 표시되는 구조 단위 등을 들 수 있다.Examples of the structural unit (II-1) containing an oxiranyl group include structural units represented by the following formulas (II-1) to (II-5).

옥세타닐기를 포함하는 구조 단위(II-1)로서는, 예를 들면 하기 화학식 (II-6) 내지 (II-9)로 표시되는 구조 단위 등을 들 수 있다.Examples of the structural unit (II-1) containing an oxetanyl group include structural units represented by the following formulas (II-6) to (II-9).

환상 카보네이트기를 포함하는 구조 단위(II-1)로서는, 예를 들면 하기 화학식 (II-10) 내지 (II-14)로 표시되는 구조 단위 등을 들 수 있다.Examples of the structural unit (II-1) containing a cyclic carbonate group include structural units represented by the following formulas (II-10) to (II-14).

Figure pat00007
Figure pat00007

상기 화학식 (II-1) 내지 (II-14) 중, R7은 수소 원자, 메틸기 또는 트리플루오로메틸기이다.In the formulas (II-1) to (II-14), R 7 is a hydrogen atom, a methyl group or a trifluoromethyl group.

또한, (메트)아크릴로일기를 포함하는 구조 단위(II-1)로서는, 예를 들면 에틸렌글리콜디(메트)아크릴레이트, 디에틸렌글리콜디(메트)아크릴레이트, 트리에틸렌글리콜디(메트)아크릴레이트, 프로필렌글리콜디(메트)아크릴레이트, 디프로필렌디(메트)아크릴레이트, 트리프로필렌디(메트)아크릴레이트, 1,3-부틸렌글리콜디(메트)아크릴레이트, 1,4-부탄디올디(메트)아크릴레이트, 1,6-헥산디올디(메트)아크릴레이트, 네오펜틸글리콜디(메트)아크릴레이트, 트리프로필렌글리콜디아크릴레이트 등의 디(메트)아크릴레이트 화합물; 트리스(2-히드록시에틸)이소시아누레이트트리(메트)아크릴레이트, 트리메틸올프로판트리(메트)아크릴레이트, 펜타에리트리톨트리(메트)아크릴레이트 등의 트리(메트)아크릴레이트 화합물; 펜타에리트리톨테트라(메트)아크릴레이트 등의 테트라(메트)아크릴레이트 화합물; 디펜타에리트리톨펜타(메트)아크릴레이트 등의 펜타(메트)아크릴레이트 화합물 등의 단량체 화합물에서 유래되는 구조 단위 등을 들 수 있다.Examples of the structural unit (II-1) containing a (meth) acryloyl group include ethylene glycol di (meth) acrylate, diethylene glycol di (meth) acrylate, triethylene glycol di Propylene glycol di (meth) acrylate, dipropylene di (meth) acrylate, tripropylene di (meth) acrylate, 1,3-butylene glycol di Di (meth) acrylate compounds such as 1,6-hexanediol di (meth) acrylate, neopentyl glycol di (meth) acrylate and tripropylene glycol diacrylate; Tri (meth) acrylate compounds such as tris (2-hydroxyethyl) isocyanurate tri (meth) acrylate, trimethylolpropane tri (meth) acrylate and pentaerythritol tri (meth) acrylate; Tetra (meth) acrylate compounds such as pentaerythritol tetra (meth) acrylate; And a penta (meth) acrylate compound such as dipentaerythritol penta (meth) acrylate.

이들 중에서, 가교성 기(a1)로서는 옥시라닐기 및 옥세타닐기로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 1종인 것이 바람직하다. 이에 따라, 형성되는 경화막의 내약품성을 보다 높일 수 있다.Among them, the crosslinkable group (a1) is preferably at least one selected from the group consisting of an oxiranyl group and an oxetanyl group. Thus, the chemical resistance of the formed cured film can be further enhanced.

구조 단위(II-1)의 함유 비율로서는, [A1] 중합체를 구성하는 전체 구조 단위에 대하여 1몰% 이상 70몰% 이하가 바람직하고, 5몰% 이상 50몰% 이하가 보다 바람직하고, 10몰% 이상 30몰% 이하가 더욱 바람직하다. 구조 단위(II-1)의 함유 비율을 상기 범위로 함으로써 효과적으로 보존 안정성 등을 향상시킬 수 있다.The content of the structural unit (II-1) is preferably from 1 mol% to 70 mol%, more preferably from 5 mol% to 50 mol%, and still more preferably from 10 mol% to 10 mol%, based on the total structural units constituting the [A1] Mol% or more and 30 mol% or less. When the content ratio of the structural unit (II-1) is within the above range, storage stability and the like can be effectively improved.

[구조 단위(III)][Structural unit (III)]

[A1] 중합체는 후술하는 구조 단위(III)를 가질 수도 있다. 구조 단위(III)의 함유 비율로서는, 본 발명의 효과를 손상시키지 않는 범위에서 적절하게 결정할 수 있다.[A1] The polymer may have a structural unit (III) described later. The content of the structural unit (III) can be suitably determined within a range that does not impair the effect of the present invention.

[구조 단위(IV)][Structural unit (IV)]

[A1] 중합체는 후술하는 구조 단위(IV)를 가질 수도 있다. [A1] 중합체가 구조 단위(IV)를 가짐으로써, 상기 경화막 형성용 수지 조성물(1)은 수지의 유리 전이 온도를 조정하여, 열경화시의 용융 흐름성(melt flow)이나 얻어지는 경화막의 기계적 강도, 내약품성을 향상시킬 수 있다.[A1] The polymer may have the structural unit (IV) described later. By having the structural unit (IV) of the polymer [A1], the resin composition for forming a cured film (1) can be prepared by adjusting the glass transition temperature of the resin and controlling the melt flow during thermal curing, Strength and chemical resistance can be improved.

구조 단위(IV)의 함유 비율로서는, [A1] 중합체를 구성하는 전체 구조 단위에 대하여 0몰% 이상 90몰% 이하가 바람직하고, 1몰% 이상 70몰% 이하가 보다 바람직하고, 3몰% 이상 60몰% 이하가 더욱 바람직하다. 구조 단위(IV)의 함유 비율을 상기 범위로 함으로써, 내약품성을 효과적으로 향상시킬 수 있다.The content of the structural unit (IV) is preferably from 0 mol% to 90 mol%, more preferably from 1 mol% to 70 mol%, still more preferably from 3 mol% to 70 mol% based on the total structural units constituting the [A1] Or more and 60 mol% or less. By setting the content ratio of the structural unit (IV) within the above range, the chemical resistance can be effectively improved.

<[A1] 중합체의 합성 방법><Method of synthesizing [A1] polymer>

[A1] 중합체는, 예를 들면 소정의 각 구조 단위에 대응하는 단량체를, 라디칼 개시제를 사용하여 적당한 용매 속에서 중합함으로써 제조할 수 있다. 예를 들면, 단량체 및 라디칼 개시제를 함유하는 용액을, 반응 용매 또는 단량체를 함유하는 용액에 적하하여 중합 반응시키는 방법, 단량체를 함유하는 용액과, 라디칼 개시제를 함유하는 용액을 각각 별도로, 반응 용매 또는 단량체를 함유하는 용액에 적하하여 중합 반응시키는 방법, 각각의 단량체를 함유하는 복수종의 용액과, 라디칼 개시제를 함유하는 용액을 각각 별도로, 반응 용매 또는 단량체를 함유하는 용액에 적하하여 중합 반응시키는 방법 등의 방법으로 합성하는 것이 바람직하다.The [A1] polymer can be produced by, for example, polymerizing a monomer corresponding to a given structural unit in a suitable solvent using a radical initiator. For example, a method in which a solution containing a monomer and a radical initiator is added dropwise to a solution containing a reaction solvent or a monomer to effect polymerization, a solution containing a monomer, and a solution containing a radical initiator, A method in which a solution containing a monomer and a solution containing a radical initiator are separately added dropwise into a reaction solvent or a solution containing a monomer to effect polymerization reaction And the like.

이들 방법에서의 반응 온도는 개시제종에 따라서 적절하게 결정하면 된다. 통상 30℃ 내지 180℃이고, 40℃ 내지 160℃가 바람직하고, 50℃ 내지 140℃가 보다 바람직하다. 적하 시간은 반응 온도, 개시제의 종류, 반응시키는 단량체 등의 조건에 따라서 다르지만, 통상 30분 내지 8시간이고, 45분 내지 6시간이 바람직하고, 1시간 내지 5시간이 보다 바람직하다. 또한, 적하 시간을 포함하는 전체 반응 시간도 적하 시간과 마찬가지로 조건에 따라 다르지만, 통상 30분 내지 8시간이고, 45분 내지 7시간이 바람직하고, 1시간 내지 6시간이 보다 바람직하다.The reaction temperature in these methods may be appropriately determined depending on the initiator species. But it is usually 30 to 180 ° C, preferably 40 to 160 ° C, and more preferably 50 to 140 ° C. The dropping time is usually from 30 minutes to 8 hours, preferably from 45 minutes to 6 hours, more preferably from 1 hour to 5 hours, although it depends on the conditions such as the reaction temperature, the kind of the initiator and the monomer to be reacted. The total reaction time including the dropping time also varies depending on the conditions like the dropping time, but is usually from 30 minutes to 8 hours, preferably from 45 minutes to 7 hours, more preferably from 1 hour to 6 hours.

상기 중합에 사용되는 라디칼 개시제로서는, 아조비스이소부티로니트릴(AIBN), 2,2'-아조비스(4-메톡시-2,4-디메틸발레로니트릴), 2,2'-아조비스(2-시클로프로필프로피오니트릴), 2,2'-아조비스(2,4-디메틸발레로니트릴), 2,2'-아조비스(2-메틸프로피오니트릴) 등을 들 수 있다. 이들 개시제는 단독으로 또는 2종 이상을 조합하여 이용할 수도 있다.Examples of the radical initiator used in the polymerization include azobisisobutyronitrile (AIBN), 2,2'-azobis (4-methoxy-2,4-dimethylvaleronitrile), 2,2'-azobis (2-cyclopropylpropionitrile), 2,2'-azobis (2,4-dimethylvaleronitrile) and 2,2'-azobis (2-methylpropionitrile). These initiators may be used alone or in combination of two or more.

중합 용매로서는, 중합을 저해하는 용매(중합 금지 효과를 갖는 니트로벤젠, 연쇄 이동 효과를 갖는 머캅토 화합물 등) 이외의 용매이며, 그 단량체를 용해 가능한 용매이면 한정되지 않는다. 중합 용매로서는, 예를 들면 알코올계 용매, 에테르계 용매, 케톤계 용매, 아미드계 용매, 에스테르·락톤계 용매, 니트릴계 용매 등을 들 수 있다. 이들 용매는 단독으로 또는 2종 이상을 조합하여 이용할 수도 있다.The polymerization solvent is not limited as long as it is a solvent other than the polymerization inhibiting solvent (nitrobenzene having polymerization inhibiting effect, mercapto compound having chain transfer effect, etc.), and a solvent in which the monomer is soluble. Examples of the polymerization solvent include alcohol solvents, ether solvents, ketone solvents, amide solvents, ester · lactone solvents and nitrile solvents. These solvents may be used alone or in combination of two or more.

중합 반응에 의해 얻어진 중합체는 재침전법에 의해 회수할 수 있다. 즉, 중합 반응 종료 후, 중합체 용액을 재침전 용매에 투입함으로써 목적으로 하는 중합체를 분체로서 회수한다. 재침전 용매로서는, 알코올류나 알칸류 등을 단독으로 또는 2종 이상을 혼합하여 사용할 수 있다. 재침전법 외에, 분액 조작이나 칼럼 조작, 한외 여과 조작 등에 의해, 단량체, 올리고머 등의 저분자 성분을 제거하여 중합체를 회수할 수도 있다. 또한, 중합 용매가 제조하는 경화막 형성용 수지 조성물(1)의 용매와 동일한 경우, 얻어진 중합체 용액을 그대로 이용하거나, 얻어진 중합체 용액에 용매를 추가함으로써, 경화막 형성용 수지 조성물(1)의 제조에 제공할 수도 있다.The polymer obtained by the polymerization reaction can be recovered by the reprecipitation method. That is, after completion of the polymerization reaction, the polymer solution is put into a re-precipitation solvent to recover the objective polymer as a powder. As the re-precipitation solvent, alcohols, alkanes, etc. may be used alone or in combination of two or more. In addition to the reprecipitation method, a polymer may be recovered by removing low-molecular components such as monomers and oligomers by a liquid separation operation, a column operation, an ultrafiltration operation or the like. When the polymerization solvent is the same as the solvent of the cured film-forming resin composition (1), the obtained polymer solution is used as it is or a solvent is added to the obtained polymer solution to prepare the cured film-forming resin composition (1) As shown in FIG.

[A1] 중합체를 제조하기 위한 중합 반응에서는, 분자량을 조정하기 위해서 분자량 조정제를 사용할 수 있다. 분자량 조정제로서는, 예를 들면 클로로포름, 사브롬화탄소 등의 할로겐화 탄화수소류; n-헥실머캅탄, n-옥틸머캅탄, n-도데실머캅탄, t-도데실머캅탄, 티오글리콜산 등의 머캅탄류; 디메틸크산토겐술피드, 디이소프로필크산토겐디술피드 등의 크산토겐류; 테르피놀렌, α-메틸스티렌 이량체 등을 들 수 있다.In the polymerization reaction for producing the [A1] polymer, a molecular weight adjuster may be used to adjust the molecular weight. Examples of the molecular weight regulator include halogenated hydrocarbons such as chloroform and carbon tetrabromide; mercaptans such as n-hexylmercaptan, n-octylmercaptan, n-dodecylmercaptan, t-dodecylmercaptan and thioglycolic acid; Xanthogens such as dimethylxanthogen sulfide and diisopropylxanthogen disulfide; Terpinolene,? -Methylstyrene dimer, and the like.

[A1] 중합체의 겔 투과 크로마토그래피(GPC)에 의한 폴리스티렌 환산 중량 평균 분자량(Mw)으로서는 특별히 한정되지 않지만, 1,000 이상 30,000 이하가 바람직하고, 5,000 이상 20,000 이하가 보다 바람직하다. 또한, [A1] 중합체의 Mw와 GPC에 의한 폴리스티렌 환산 수 평균 분자량(Mn)의 비(Mw/Mn)로서는, 1 이상 3 이하가 바람직하고, 1.5 이상 2.5 이하가 보다 바람직하다.The polystyrene reduced weight average molecular weight (Mw) of the [A1] polymer by gel permeation chromatography (GPC) is not particularly limited, but is preferably 1,000 or more and 30,000 or less, and more preferably 5,000 or more and 20,000 or less. The ratio (Mw / Mn) of the Mw of the polymer [A1] to the polystyrene reduced number average molecular weight (Mn) by GPC is preferably 1 or more and 3 or less, more preferably 1.5 or more and 2.5 or less.

<그 밖의 성분>&Lt; Other components >

상기 경화막 형성용 수지 조성물(1)이 함유할 수도 있는 그 밖의 성분으로서는, 예를 들면 후술하는 용매 외에, [D] 산화 방지제, [E] 계면 활성제, [F] 접착 보조제 등을 들 수 있다. 또한, 상기 경화막 형성용 수지 조성물(1)은, 상기 각 성분을 단독으로 또는 2종 이상을 조합하여 이용할 수도 있다.Examples of other components that may be contained in the resin composition for forming a cured film (1) include [D] an antioxidant, an [E] surfactant, and an [F] . The curable film-forming resin composition (1) may be used alone or in combination of two or more.

<[D] 산화 방지제><[D] Antioxidant>

[D] 산화 방지제는 노광 또는 가열에 의해 발생된 라디칼, 또는 산화에 의해서 생성된 과산화물을 분해하여, 중합체 분자의 결합의 해열(解裂)을 방지할 수 있는 성분이다. 그 결과, 얻어지는 경화막은 경시적인 산화 열화가 방지되어, 예를 들면 경화막의 막 두께 변화를 억제할 수 있다.[D] The antioxidant is a component capable of decomposing a radical generated by exposure or heating, or a peroxide generated by oxidation, and preventing the cleavage of polymer molecules. As a result, the obtained cured film is prevented from deterioration with time of oxidation, and for example, the change in film thickness of the cured film can be suppressed.

[D] 산화 방지제로서는, 예를 들면 힌더드페놀 구조를 갖는 화합물, 힌더드아민 구조를 갖는 화합물, 알킬포스파이트 구조를 갖는 화합물, 티오에테르 구조를 갖는 화합물 등을 들 수 있다. 이들 중에서, [D] 산화 방지제로서는 힌더드페놀 구조를 갖는 화합물이 바람직하다.[D] Examples of the antioxidant include a compound having a hindered phenol structure, a compound having a hindered amine structure, a compound having an alkyl phosphite structure, and a compound having a thioether structure. Among them, the [D] antioxidant is preferably a compound having a hindered phenol structure.

상기 힌더드페놀 구조를 갖는 화합물로서는, 예를 들면 펜타에리트리톨테트라키스[3-(3,5-디-tert-부틸-4-히드록시페닐)프로피오네이트], 티오디에틸렌비스[3-(3,5-디-tert-부틸-4-히드록시페닐)프로피오네이트], 옥타데실-3-(3,5-디-tert-부틸-4-히드록시페닐)프로피오네이트, 트리스-(3,5-디-t-부틸-4-히드록시벤질)-이소시아누레이트, 1,3,5-트리메틸-2,4,6-트리스(3,5-디-tert-부틸-4-히드록시벤질)벤젠, N,N'-헥산-1,6-디일비스[3-(3,5-디-tert-부틸-4-히드록시페닐프로피온아미드), 3,3',3',5',5'-헥사-tert-부틸-a,a',a'-(메시틸렌-2,4,6-트리일)트리-p-크레졸, 4,6-비스(옥틸티오메틸)-o-크레졸, 4,6-비스(도데실티오메틸)-o-크레졸, 에틸렌비스(옥시에틸렌)비스[3-(5-tert-부틸-4-히드록시-m-톨릴)프로피오네이트, 헥사메틸렌비스[3-(3,5-디-tert-부틸-4-히드록시페닐)프로피오네이트], 1,3,5-트리스[(4-tert-부틸-3-히드록시-2,6-크실릴)메틸]-1,3,5-트리아진-2,4,6(1H,3H,5H)-트리온, 2,6-디-tert-부틸-4-(4,6-비스(옥틸티오)-1,3,5-트리아진-2-일아민)페놀, 1,3,5-트리메틸-2,4,6-트리스(3,5-디-t-부틸-4-히드록시벤질)벤젠, 2,6-디-t-부틸-4-크레졸 등을 들 수 있다.Examples of the compound having a hindered phenol structure include pentaerythritol tetrakis [3- (3,5-di-tert-butyl-4-hydroxyphenyl) propionate], thiodiethylene bis [3- (3,5-di-tert-butyl-4-hydroxyphenyl) propionate], octadecyl-3- (3,5-di-t-butyl-4-hydroxybenzyl) -isocyanurate, 1,3,5-trimethyl-2,4,6-tris (3,5- -Hydroxybenzyl) benzene, N, N'-hexane-1,6-diylbis [3- (3,5- , 5 ', 5'-hexa-tert-butyl-a, a', a'- (mesitylene-2,4,6-triyl) tri-p-cresol, 4,6-bis (octylthiomethyl) -cresol, 4,6-bis (dodecylthiomethyl) -o-cresol, ethylene bis (oxyethylene) bis [3- (5-tert- butyl-4-hydroxy-m- tolyl) propionate , Hexamethylene bis [3- (3,5-di-tert-butyl-4-hydroxyphenyl) propionate], 1,3,5-tris [ Methyl-1,3,5-triazine-2,4,6 (1H, 3H, 5H) -triene, 2,6- Bis (octylthio) -1,3,5-triazin-2-ylamine) phenol, 1,3,5-trimethyl-2,4,6-tris (3,5-di-t-butyl-4-hydroxybenzyl) benzene, 2,6-di-t-butyl-4-cresol and the like.

상기 힌더드페놀 구조를 갖는 화합물의 시판품으로서는, 예를 들면 아데카스탭 AO-20, 동 AO-30, 동 AO-40, 동 AO-50, 동 AO-60, 동 AO-70, 동 AO-80, 동 AO-330(이상, ADEKA 제조), sumilizer GM, 동 GS, 동 MDP-S, 동 BBM-S, 동 WX-R, 동 GA-80(이상, 스미또모 가가꾸 제조), IRGANOX 1010, 동 1035, 동 1076, 동 1098, 동 1135, 동 1330, 동 1726, 동 1425WL, 동 1520L, 동 245, 동 259, 동 3114, 동 565, IRGAMOD 295(이상, BASF 제조), 요시녹스 BHT, 동 BB, 동 2246G, 동 425, 동 250, 동 930, 동 SS, 동 TT, 동 917, 동 314(이상, API 코포레이션 제조) 등을 들 수 있다.Examples of commercially available products of the hindered phenol structure include Adekastab AO-20, AO-30, AO-40, AO-50, AO-60, AO- 80, AO-330 (manufactured by ADEKA), sumilizer GM, copper GS, copper MDP-S, copper BBM-S copper WX-R copper GA- (Manufactured by BASF), Yoshinox BHT, and Yoshinox BHT were used in the same manner as in Example 1. The results are shown in Table 1. &lt; tb &gt; &lt; TABLE &gt; Dongbu Corp., Dongbu 2246G, Dongbu 425, Dongbu 250, Dongbu 930, Dongbu SS, Dong TT, Dongbu 917 and Dongbu 314 (manufactured by API Corporation).

이들 중에서, 힌더드페놀 구조를 갖는 화합물로서는, 펜타에리트리톨테트라키스[3-(3,5-디-tert-부틸-4-히드록시페닐)프로피오네이트], 1,3,5-트리메틸-2,4,6-트리스(3,5-디-t-부틸-4-히드록시벤질)벤젠, 2,6-디-t-부틸-4-크레졸이 보다 바람직하다.Of these, pentaerythritol tetrakis [3- (3,5-di-tert-butyl-4-hydroxyphenyl) propionate], 1,3,5-trimethyl- 2,4,6-tris (3,5-di-t-butyl-4-hydroxybenzyl) benzene and 2,6-di-t-butyl-4-cresol are more preferable.

[D] 산화 방지제의 함유량으로서는, [A1] 중합체 100질량부에 대하여 0.001질량부 이상 5질량부 이하가 바람직하고, 0.01질량부 이상 2질량부 이하가 보다 바람직하다. [D] 산화 방지제의 함유량을 상기 범위로 함으로써, 얻어지는 경화막의 경시적인 산화 열화를 효과적으로 방지할 수 있다.The content of [D] antioxidant is preferably 0.001 part by mass or more and 5 parts by mass or less, more preferably 0.01 parts by mass or more and 2 parts by mass or less, based on 100 parts by mass of the [A1] polymer. By setting the content of [D] antioxidant within the above range, it is possible to effectively prevent oxidation deterioration over time of the cured film obtained.

<[E] 계면 활성제><[E] Surfactant>

[E] 계면 활성제는 막 형성성을 향상시키는 성분이다. [E] 계면 활성제로서는, 예를 들면 불소계 계면 활성제, 실리콘계 계면 활성제, 및 그 밖의 계면 활성제를 들 수 있다.[E] Surfactant is a component that improves film formability. Examples of the [E] surfactant include a fluorine surfactant, a silicone surfactant, and other surfactants.

상기 불소계 계면 활성제로서는, 말단, 주쇄 및 측쇄 중 적어도 어느 하나의 부위에 플루오로알킬기 및/또는 플루오로알킬렌기를 갖는 화합물이 바람직하고, 예를 들면 1,1,2,2-테트라플루오로-n-옥틸(1,1,2,2-테트라플루오로-n-프로필)에테르, 1,1,2,2-테트라플루오로-n-옥틸(n-헥실)에테르, 헥사에틸렌글리콜디(1,1,2,2,3,3-헥사플루오로-n-펜틸)에테르, 옥타에틸렌글리콜디(1,1,2,2-테트라플루오로-n-부틸)에테르, 헥사프로필렌글리콜디(1,1,2,2,3,3-헥사플루오로-n-펜틸)에테르, 옥타프로필렌글리콜디(1,1,2,2-테트라플루오로-n-부틸)에테르, 퍼플루오로-n-도데칸술폰산나트륨, 1,1,2,2,3,3-헥사플루오로-n-데칸, 1,1,2,2,8,8,9,9,10,10-데카플루오로-n-도데칸이나, 플루오로알킬벤젠술폰산나트륨, 플루오로알킬인산나트륨, 플루오로알킬카르복실산나트륨, 디글리세린테트라키스(플루오로알킬폴리옥시에틸렌에테르), 플루오로알킬암모늄요오디드, 플루오로알킬베타인, 다른 플루오로알킬폴리옥시에틸렌에테르, 퍼플루오로알킬폴리옥시에탄올, 퍼플루오로알킬알콕시레이트, 카르복실산플루오로알킬에스테르 등을 들 수 있다.As the fluorine-based surfactant, a compound having a fluoroalkyl group and / or a fluoroalkylene group in at least one of a terminal, a main chain and a side chain is preferable, and for example, a 1,1,2,2-tetrafluoro- (1,1,2,2-tetrafluoro-n-propyl) ether, 1,1,2,2-tetrafluoro-n-octyl (n-hexyl) ether, hexaethylene glycol di (1,2,2,3,3-hexafluoro-n-pentyl) ether, octaethylene glycol di (1,1,2,2-tetrafluoro-n-butyl) ether, hexapropylene glycol di Hexafluoro-n-pentyl) ether, octapropylene glycol di (1,1,2,2-tetrafluoro-n-butyl) ether, perfluoro- Sodium dodecanesulfonate, 1,1,2,2,3,3-hexafluoro-n-decane, 1,1,2,2,8,8,9,9,10,10-decafluoro-n -Dodecane, sodium fluoroalkylbenzenesulfonate, sodium fluoroalkylphosphate, sodium fluoroalkylcarboxylate, diglycerin tetrakis Perfluoroalkylpolyoxyethylene, perfluoroalkylpolyoxyethylene, perfluoroalkylpolyoxyethylene, perfluoroalkylpolyoxyethylene, perfluoroalkylalkoxylate, carboxylic acid fluoro, and the like. Alkyl esters and the like.

상기 불소계 계면 활성제의 시판품으로서는, 예를 들면 BM-1000, BM-1100(이상, 비엠 케미(BM CHEMIE) 제조), 메가페이스 F142D, 동 F172, 동 F173, 동 F183, 동 F178, 동 F191, 동 F471, 동 F476(이상, 다이닛본 잉크 가가꾸 고교 제조), 플루오라드 FC-170C, 동-171, 동-430, 동-431(이상, 스미또모 쓰리엠 제조), 서플론 S-112, 동-113, 동-131, 동-141, 동-145, 동-382, 서플론 SC-101, 동-102, 동-103, 동-104, 동-105, 동-106(이상, 아사히 글래스 제조), 에프톱 EF301, 동 303, 동 352(이상, 신아키타 가세이 제조), 프터젠트 FT-100, 동-110, 동-140A, 동-150, 동-250, 동-251, 동-300, 동-310, 동-400S, FTX-218, 동-251(이상, 네오스 제조) 등을 들 수 있다.Examples of commercially available products of the above fluorinated surfactants include BM-1000, BM-1100 (manufactured by BM CHEMIE), Megaface F142D, Copper F172, Copper F173, Copper F183, Copper F178, Copper F191, Copper F471 and F476 (all manufactured by Dainippon Ink and Chemicals, Incorporated), Fluorad FC-170C, Copper-171, Copper-430, Copper-431 (manufactured by Sumitomo 3M Limited), Surplon S- SC-101, SC-102, SC-103, SC-104, SC-105, SC-101 (manufactured by Asahi Glass Co., Ltd.) (Manufactured by Shin-Akita Kasei Co., Ltd.), Fotogent FT-100, -110, -140A, -150, -250, -251, -300, and -352 -310, -400S, FTX-218, and -251 (manufactured by NEOS).

상기 실리콘계 계면 활성제의 시판품으로서는, 예를 들면 도레이 실리콘 DC3PA, 동 DC7PA, 동 SH11PA, 동 SH21PA, 동 SH28PA, 동 SH29PA, 동 SH30PA, 동 SH-190, 동 SH-193, 동 SZ-6032, 동 SF-8428, 동 DC-57, 동 DC-190(이상, 도레이·다우 코닝·실리콘 제조), TSF-4440, TSF-4300, TSF-4445, TSF-4446, TSF-4460, TSF-4452(이상, GE 도시바실리콘 제조), 오르가노실록산 중합체 KP341(신에쓰 가가꾸 고교 제조) 등을 들 수 있다.Examples of commercially available products of the silicone surfactants include TORAY Silicon DC3PA, Copper DC7PA, Copper SH11PA, Copper SH21PA, Copper SH28PA, Copper SH29PA, Copper SH30PA, Copper SH-190, Copper SH-193, Copper SZ- TSF-4440, TSF-4440, TSF-4445, TSF-4446, TSF-4460 and TSF-4452 GE Toshiba Silicones), and organosiloxane polymer KP341 (manufactured by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd.).

상기 그 밖의 계면 활성제로서는, 예를 들면 폴리옥시에틸렌라우릴에테르, 폴리옥시에틸렌스테아릴에테르, 폴리옥시에틸렌올레일에테르 등의 폴리옥시에틸렌알킬에테르; 폴리옥시에틸렌-n-옥틸페닐에테르, 폴리옥시에틸렌-n-노닐페닐에테르 등의 폴리옥시에틸렌아릴에테르; 폴리옥시에틸렌디라우레이트, 폴리옥시에틸렌디스테아레이트 등의 폴리옥시에틸렌디알킬에스테르 등의 비이온계 계면 활성제 등을 들 수 있다.Examples of the other surfactants include polyoxyethylene alkyl ethers such as polyoxyethylene lauryl ether, polyoxyethylene stearyl ether and polyoxyethylene oleyl ether; Polyoxyethylene aryl ethers such as polyoxyethylene-n-octylphenyl ether and polyoxyethylene-n-nonylphenyl ether; And nonionic surfactants such as polyoxyethylene dialkyl esters such as polyoxyethylene dilaurate and polyoxyethylene distearate.

상기 그 밖의 계면 활성제의 시판품으로서는, 예를 들면 (메트)아크릴산계 공중합체 폴리플로우 No.57, 동 No.95(이상, 교에이샤 가가꾸 제조) 등을 들 수 있다.Examples of commercially available products of the above other surfactants include (meth) acrylic acid type copolymer Polyflow No. 57 and No. 95 (manufactured by Kyoeisha Chemical Co., Ltd.).

[E] 계면 활성제의 함유량으로서는, [A1] 중합체 100질량부에 대하여 0.01질량부 이상 3질량부 이하가 바람직하고, 0.05질량부 이상 1질량부 이하가 보다 바람직하다. [E] 계면 활성제의 함유량을 상기 범위로 함으로써 효과적으로 막 형성성을 향상시킬 수 있다.The content of the [E] surfactant is preferably 0.01 parts by mass or more and 3 parts by mass or less, more preferably 0.05 parts by mass or more and 1 part by mass or less, based on 100 parts by mass of the polymer [A1]. When the content of the [E] surfactant is within the above range, the film formability can be effectively improved.

<[F] 접착 보조제><[F] Adhesion aid>

[F] 접착 보조제는, 얻어지는 경화막과 기판의 접착성을 향상시키는 성분이다. [F] 접착 보조제로서는, 카르복시기, 메타크릴로일기, 비닐기, 이소시아네이트기, 옥시라닐기 등의 반응성 관능기를 갖는 관능성 실란 커플링제가 바람직하다.[F] Adhesion-assisting agent is a component that improves the adhesion between the resulting cured film and the substrate. [F] As the adhesion assisting agent, a functional silane coupling agent having a reactive functional group such as a carboxyl group, a methacryloyl group, a vinyl group, an isocyanate group or an oxiranyl group is preferable.

상기 관능성 실란 커플링제로서는, 예를 들면 트리메톡시실릴벤조산, γ-메타크릴옥시프로필트리메톡시실란, 비닐트리아세톡시실란, 비닐트리메톡시실란, γ-이소시아네이트프로필트리에톡시실란, γ-글리시독시프로필트리메톡시실란, β-(3,4-에폭시시클로헥실)에틸트리메톡시실란 등을 들 수 있다.Examples of the functional silane coupling agent include trimethoxysilylbenzoic acid,? -Methacryloxypropyltrimethoxysilane, vinyltriacetoxysilane, vinyltrimethoxysilane,? -Isocyanatepropyltriethoxysilane,? -Glycidoxypropyltrimethoxysilane, and? - (3,4-epoxycyclohexyl) ethyltrimethoxysilane.

[F] 접착 보조제의 함유량으로서는, [A1] 중합체 100질량부에 대하여 0.01질량부 이상 20질량부 이하가 바람직하고, 0.1질량부 이상 15질량부 이하가 보다 바람직하다.[F] The content of the adhesion promoter is preferably 0.01 parts by mass or more and 20 parts by mass or less, more preferably 0.1 parts by mass or more and 15 parts by mass or less, based on 100 parts by mass of the polymer [A1].

<경화막 형성용 수지 조성물(1)의 제조 방법>&Lt; Process for producing cured film-forming resin composition (1)

본 발명의 경화막 형성용 수지 조성물(1)은, [A1] 중합체, 필요에 따라서 그 밖의 성분을 소정의 비율로 혼합하고, 바람직하게는 적당한 용매에 용해시켜 제조할 수 있다. 제조한 경화막 형성용 수지 조성물(1)은, 예를 들면 공경 0.2㎛ 정도의 필터로 여과하는 것이 바람직하다.The resin composition (1) for forming a cured film of the present invention can be prepared by mixing the [A1] polymer and, if necessary, other components at a predetermined ratio, preferably in a suitable solvent. The resin composition (1) for forming a cured film, which is produced, is preferably filtered, for example, with a filter having a pore size of about 0.2 탆.

상기 경화막 형성용 수지 조성물(1)의 제조에 이용되는 용매로서는, 상기 경화막 형성용 수지 조성물(1)이 함유하는 각 성분을 균일하게 용해 또는 분산시키며, 상기 각 성분과 반응하지 않는 것이 이용된다. 이러한 용매로서는, 예를 들면 알코올계 용매, 에테르계 용매, 케톤계 용매, 아미드계 용매, 에스테르계 용매, 탄화수소계 용매 등을 들 수 있다.As the solvent used in the production of the resin composition for forming a cured film (1), it is necessary to uniformly dissolve or disperse each component contained in the resin composition (1) for curing film formation, do. Examples of the solvent include an alcohol solvent, an ether solvent, a ketone solvent, an amide solvent, an ester solvent, a hydrocarbon solvent and the like.

상기 알코올계 용매로서는, 예를 들면As the alcohol-based solvent, for example,

모노 알코올계 용매로서, 메탄올, 에탄올, n-프로판올, i-프로판올, n-부탄올, i-부탄올, sec-부탄올, tert-부탄올, n-펜탄올, i-펜탄올, 2-메틸부탄올, sec-펜탄올, tert-펜탄올, 3-메톡시부탄올, n-헥산올, 2-메틸펜탄올, sec-헥산올, 2-에틸부탄올, sec-헵탄올, 3-헵탄올, n-옥탄올, 2-에틸헥산올, sec-옥탄올, n-노닐알코올, 2,6-디메틸-4-헵탄올, n-데칸올, sec-운데실알코올, 트리메틸노닐알코올, sec-테트라데실알코올, sec-헵타데실알코올, 푸르푸릴알코올, 페놀, 시클로헥산올, 메틸시클로헥산올, 3,3,5-트리메틸시클로헥산올, 벤질알코올, 디아세톤알코올 등;As the monoalcohol-based solvent, it is preferable to use at least one solvent selected from the group consisting of methanol, ethanol, n-propanol, i-propanol, n-butanol, i-butanol, sec-butanol, Heptanol, sec-heptanol, 3-heptanol, n-octanol, sec-hexanol, sec-hexanol, sec- Sec-octadecyl alcohol, sec-tetradecyl alcohol, sec-tetradecyl alcohol, sec-octadecanol, sec-octadecyl alcohol, Heptadecyl alcohol, furfuryl alcohol, phenol, cyclohexanol, methylcyclohexanol, 3,3,5-trimethylcyclohexanol, benzyl alcohol, diacetone alcohol and the like;

다가 알코올계 용매로서, 에틸렌글리콜, 1,2-프로필렌글리콜, 1,3-부틸렌글리콜, 2,4-펜탄디올, 2-메틸-2,4-펜탄디올, 2,5-헥산디올, 2,4-헵탄디올, 2-에틸-1,3-헥산디올, 디에틸렌글리콜, 디프로필렌글리콜, 트리에틸렌글리콜, 트리프로필렌글리콜 등;Examples of polyhydric alcohol solvents include polyhydric alcohols such as ethylene glycol, 1,2-propylene glycol, 1,3-butylene glycol, 2,4-pentanediol, 2-methyl- , 4-heptanediol, 2-ethyl-1,3-hexanediol, diethylene glycol, dipropylene glycol, triethylene glycol, tripropylene glycol and the like;

다가 알코올 부분 에테르계 용매로서, 에틸렌글리콜모노메틸에테르, 에틸렌글리콜모노에틸에테르, 에틸렌글리콜모노프로필에테르, 에틸렌글리콜모노부틸에테르, 에틸렌글리콜모노헥실에테르, 에틸렌글리콜모노페닐에테르, 에틸렌글리콜모노-2-에틸부틸에테르, 디에틸렌글리콜모노메틸에테르, 디에틸렌글리콜모노에틸에테르, 디에틸렌글리콜모노프로필에테르, 디에틸렌글리콜모노부틸에테르, 디에틸렌글리콜모노헥실에테르, 프로필렌글리콜모노메틸에테르, 프로필렌글리콜모노에틸에테르, 프로필렌글리콜모노프로필에테르, 프로필렌글리콜모노부틸에테르, 디프로필렌글리콜모노메틸에테르, 디프로필렌글리콜모노에틸에테르, 디프로필렌글리콜모노프로필에테르 등을 들 수 있다.Examples of the polyhydric alcohol partial ether solvent include ethylene glycol monomethyl ether, ethylene glycol monoethyl ether, ethylene glycol monopropyl ether, ethylene glycol monobutyl ether, ethylene glycol monohexyl ether, ethylene glycol monophenyl ether, ethylene glycol mono-2- Diethyleneglycol monoethyl ether, diethyleneglycol monopropyl ether, diethyleneglycol monobutyl ether, diethyleneglycol monohexyl ether, propyleneglycol monomethyl ether, propyleneglycol monoethyl ether, diethyleneglycol monomethylether, diethyleneglycol monomethylether, , Propylene glycol monopropyl ether, propylene glycol monobutyl ether, dipropylene glycol monomethyl ether, dipropylene glycol monoethyl ether, and dipropylene glycol monopropyl ether.

상기 에테르계 용매로서는, 예를 들면 디에틸에테르, 디프로필에테르, 디부틸에테르, 디페닐에테르, 디에틸렌글리콜디메틸에테르, 디에틸렌글리콜메틸에틸에테르, 디에틸렌글리콜디에틸에테르, 테트라히드로푸란 등을 들 수 있다.Examples of the ether solvent include diethyl ether, dipropyl ether, dibutyl ether, diphenyl ether, diethylene glycol dimethyl ether, diethylene glycol methyl ethyl ether, diethylene glycol diethyl ether, and tetrahydrofuran. .

상기 케톤계 용매로서는, 예를 들면 아세톤, 메틸에틸케톤, 메틸-n-프로필케톤, 메틸-n-부틸케톤, 디에틸케톤, 메틸-i-부틸케톤, 메틸-n-펜틸케톤, 에틸-n-부틸케톤, 메틸-n-헥실케톤, 디-i-부틸케톤, 트리메틸노나논, 시클로펜타논, 시클로헥사논, 시클로헵타논, 시클로옥타논, 메틸시클로헥사논, 2,4-펜탄디온, 아세토닐아세톤, 아세토페논 등을 들 수 있다.Examples of the ketone solvent include acetone, methyl ethyl ketone, methyl n-propyl ketone, methyl n-butyl ketone, diethyl ketone, methyl i-butyl ketone, methyl n-pentyl ketone, -Butyl ketone, methyl-n-hexyl ketone, di-i-butyl ketone, trimethylnonanone, cyclopentanone, cyclohexanone, cycloheptanone, cyclooctanone, methylcyclohexanone, Acetonyl acetone, acetophenone, and the like.

상기 아미드계 용매로서는, 예를 들면 N,N'-디메틸이미다졸리디논, N-메틸포름아미드, N,N-디메틸포름아미드, N,N-디에틸포름아미드, 아세트아미드, N-메틸아세트아미드, N,N-디메틸아세트아미드, N-메틸프로피온아미드, N-메틸피롤리돈 등을 들 수 있다.Examples of the amide solvent include N, N'-dimethylimidazolidinone, N-methylformamide, N, N-dimethylformamide, N, Amide, N, N-dimethylacetamide, N-methylpropionamide, N-methylpyrrolidone and the like.

상기 에스테르계 용매로서는, 예를 들면 아세트산메틸, 아세트산에틸, 아세트산 n-프로필, 아세트산 i-프로필, 아세트산 n-부틸, 아세트산 i-부틸, 아세트산 sec-부틸, 아세트산 n-펜틸, 아세트산 sec-펜틸, 아세트산 3-메톡시부틸, 아세트산 3-메틸-3-메톡시부틸, 아세트산메틸펜틸, 아세트산 2-에틸부틸, 아세트산 2-에틸헥실, 아세트산벤질, 아세트산시클로헥실, 아세트산메틸시클로헥실, 아세트산 n-노닐, 아세토아세트산메틸, 아세토아세트산에틸, 아세트산에틸렌글리콜모노메틸에테르, 아세트산에틸렌글리콜모노에틸에테르, 아세트산에틸렌글리콜모노-n-프로필에테르, 아세트산에틸렌글리콜모노-n-부틸에테르, 아세트산디에틸렌글리콜모노메틸에테르, 아세트산디에틸렌글리콜모노에틸에테르, 아세트산디에틸렌글리콜모노-n-프로필에테르, 아세트산디에틸렌글리콜모노-n-부틸에테르, 아세트산프로필렌글리콜모노메틸에테르, 아세트산프로필렌글리콜모노에틸에테르, 아세트산프로필렌글리콜모노프로필에테르, 아세트산프로필렌글리콜모노부틸에테르, 아세트산디프로필렌글리콜모노메틸에테르, 아세트산디프로필렌글리콜모노에틸에테르, 디아세트산글리콜, 아세트산메톡시트리글리콜, 프로피온산에틸, 프로피온산 n-부틸, 프로피온산 i-아밀, 옥살산디에틸, 옥살산디-n-부틸, 락트산메틸, 락트산에틸, 락트산 n-부틸, 락트산 n-아밀, 말론산디에틸, 프탈산디메틸, 프탈산디에틸 등을 들 수 있다.Examples of the ester solvents include methyl acetate, ethyl acetate, n-propyl acetate, i-propyl acetate, n-butyl acetate, i-butyl acetate, sec-butyl acetate, n-pentyl acetate, sec- 3-methoxybutyl acetate, methylpentyl acetate, 2-ethylbutyl acetate, 2-ethylhexyl acetate, benzyl acetate, cyclohexyl acetate, methylcyclohexyl acetate, n-nonyl acetate , Methyl acetoacetate, ethyl acetoacetate, acetic acid ethylene glycol monomethyl ether, acetic acid ethylene glycol monoethyl ether, acetic acid ethylene glycol mono-n-propyl ether, acetic acid ethylene glycol mono-n-butyl ether, acetic acid diethylene glycol monomethyl ether , Diethylene glycol monoethyl ether acetate, diethylene glycol mono-n-propyl ether acetate, di Propylene glycol monomethyl ether acetate, propylene glycol monopropyl ether acetate, propylene glycol monobutyl ether acetate, dipropylene glycol monomethyl ether acetate, dipropylene glycol monoacetate acetate, dipropylene glycol monomethyl ether acetate, dipropylene glycol monomethyl ether acetate, Ethyl lactate, ethyl lactate, ethyl lactate, n-butyl lactate, n-butyl lactate, n-butyl methacrylate, - amyl, diethyl malonate, dimethyl phthalate, diethyl phthalate and the like.

상기 탄화수소계 용매로서는, 예를 들면As the hydrocarbon-based solvent, for example,

지방족 탄화수소계 용매로서, n-펜탄, i-펜탄, n-헥산, i-헥산, n-헵탄, i-헵탄, 2,2,4-트리메틸펜탄, n-옥탄, i-옥탄, 시클로헥산, 메틸시클로헥산 등;Examples of the aliphatic hydrocarbon solvent include aliphatic hydrocarbons such as n-pentane, i-pentane, n-hexane, i-hexane, n-heptane, i-heptane, 2,2,4-trimethylpentane, Methylcyclohexane and the like;

방향족 탄화수소계 용매로서, 벤젠, 톨루엔, 크실렌, 메시틸렌, 에틸벤젠, 트리메틸벤젠, 메틸에틸벤젠, n-프로필벤젠, i-프로필벤젠, 디에틸벤젠, i-부틸벤젠, 트리에틸벤젠, 디-i-프로필벤젠, n-아밀나프탈렌 등을 들 수 있다.Examples of the aromatic hydrocarbon solvents include aliphatic hydrocarbon solvents such as benzene, toluene, xylene, mesitylene, ethylbenzene, trimethylbenzene, methylethylbenzene, n-propylbenzene, i-propylbenzene, diethylbenzene, i-propylbenzene, n-amylnaphthalene, and the like.

또한, 상기 용매는 카프로산, 카프릴산, 탄산에틸렌, 탄산프로필렌 등의 고비점 용매를 더 함유할 수도 있다.In addition, the solvent may further contain a high boiling solvent such as caproic acid, caprylic acid, ethylene carbonate, propylene carbonate and the like.

<경화막의 형성 방법(1)>&Lt; Method of forming a cured film (1) >

본 발명의 경화막의 형성 방법 (1)은,The method (1) for forming a cured film of the present invention comprises:

(1) 상기 경화막 형성용 수지 조성물(1)을 이용하여 기판 상에 도막을 형성하는 공정(이하, "공정 (A1)"이라고도 함), 및(1) a step of forming a coating film on the substrate (hereinafter also referred to as "step (A1)") using the resin composition for forming a cured film (1)

(2) 상기 도막을 가열하는 공정(이하, "공정 (A2)"라고도 함)(2) a step of heating the coating film (hereinafter also referred to as "step (A2)"),

을 갖는다.Respectively.

상기 경화막 형성용 수지 조성물(1)이 상기 성질을 갖고 있기 때문에, 본 발명의 경화막의 형성 방법 (1)에 따르면, 내열성, 내약품성, 투과율, 비유전율 등의 일반적 특성을 충분히 만족시키며, 우수한 표면 경도를 갖는 경화막을 형성할 수 있다. 이하, 각 공정에 대해서 상술한다.Since the cured film-forming resin composition (1) has the above properties, according to the method (1) for forming a cured film of the present invention, satisfactory general characteristics such as heat resistance, chemical resistance, transmittance, A cured film having a surface hardness can be formed. Each step will be described in detail below.

[공정 (A1)][Step (A1)]

본 공정에서는, 상기 경화막 형성용 수지 조성물(1)을 이용하여 기판 상에 도막을 형성한다. 구체적으로는, 상기 경화막 형성용 수지 조성물(1)의 용액을 기판 표면에 도포하고, 바람직하게는 프리베이킹을 행함으로써 용매를 제거하여 도막을 형성한다. 상기 기판으로서는, 예를 들면 유리 기판, 실리콘 기판, 플라스틱 기판, 및 이들의 표면에 각종 금속 박막이 형성된 기판 등을 들 수 있다. 상기 플라스틱 기판으로서는, 예를 들면 폴리에틸렌테레프탈레이트(PET), 폴리부틸렌테레프탈레이트(PBT), 폴리에테르술폰, 폴리카보네이트, 폴리이미드 등의 플라스틱을 포함하는 수지 기판을 들 수 있다.In this step, a coating film is formed on the substrate using the cured film-forming resin composition (1). Specifically, the solution of the cured film-forming resin composition (1) is applied to the surface of the substrate, preferably by prebaking to remove the solvent to form a coating film. Examples of the substrate include a glass substrate, a silicon substrate, a plastic substrate, and a substrate on which various metal thin films are formed. Examples of the plastic substrate include resin substrates containing plastics such as polyethylene terephthalate (PET), polybutylene terephthalate (PBT), polyethersulfone, polycarbonate, and polyimide.

도포 방법으로서는, 예를 들면 스프레이법, 롤 코팅법, 회전 도포법(스핀 코팅법), 슬릿다이 도포법, 바 도포법, 잉크젯법 등의 적절한 방법을 채용할 수 있다. 이들 중에서 도포 방법으로서는, 스핀 코팅법, 바 도포법, 슬릿다이 도포법이 바람직하다. 상기 프리베이킹의 조건으로서는, 각 성분의 종류, 사용 비율 등에 따라서도 다르지만, 예를 들면 60℃ 내지 130℃에서 30초간 내지 10분간 정도로 할 수 있다. 형성되는 도막의 막 두께는 프리베이킹 후의 값으로서 0.1㎛ 내지 8㎛가 바람직하고, 0.1㎛ 내지 6㎛가 보다 바람직하고, 0.1㎛ 내지 4㎛가 더욱 바람직하다.As a coating method, a suitable method such as a spraying method, a roll coating method, a spin coating method (spin coating method), a slit die coating method, a bar coating method, an ink jet method and the like can be adopted. Among these, spin coating method, bar coating method and slit die coating method are preferable. The conditions for the prebaking may vary depending on the kind of each component, the use ratio, and the like, and may be, for example, 60 to 130 DEG C for 30 seconds to 10 minutes. The film thickness of the formed coating film is preferably 0.1 占 퐉 to 8 占 퐉, more preferably 0.1 占 퐉 to 6 占 퐉, and still more preferably 0.1 占 퐉 to 4 占 퐉, as a value after pre-baking.

[공정 (A2)][Step (A2)]

본 공정에서는, 상기 도막을 가열에 의해 경화시킨다. 가열 방법으로서는 특별히 한정되지 않지만, 예를 들면 오븐이나 핫 플레이트 등의 가열 장치를 이용하여 가열할 수 있다. 본 공정에서의 가열 온도로서는 200℃ 이하가 바람직하다. 이와 같이 낮은 온도에서의 가열이 가능함으로써, 상기 경화막의 형성 방법 (1)은 플렉시블 디스플레이의 플라스틱 기판 상에서의 층간 절연막 등의 경화막 형성에 바람직하게 사용할 수 있다. 가열 온도로서는 120℃ 내지 180℃가 보다 바람직하고, 120℃ 내지 150℃가 더욱 바람직하다. 가열 시간으로서는 가열 기기의 종류에 따라 다르지만, 예를 들면 핫 플레이트 상에서 가열 처리를 행하는 경우에는 5분 내지 40분, 오븐 중에서 가열 처리를 행하는 경우에는 30분 내지 80분으로 할 수 있고, 보다 바람직하게는 핫 플레이트 상에서 가열 처리를 행하는 경우에는 30분간 이내, 오븐 중에서 가열 처리를 행하는 경우에는 60분간 이내이다. 이와 같이 하여, 목적으로 하는 층간 절연막 등의 경화막(1)을 기판 상에 형성할 수 있다.In this step, the coating film is cured by heating. The heating method is not particularly limited, but heating can be performed by using a heating device such as an oven or a hot plate. The heating temperature in this step is preferably 200 DEG C or less. Since the curable film can be heated at such a low temperature, the method (1) for forming a cured film can be preferably used for forming a cured film such as an interlayer insulating film on a plastic substrate of a flexible display. The heating temperature is more preferably 120 ° C to 180 ° C, and further preferably 120 ° C to 150 ° C. The heating time varies depending on the type of the heating apparatus. For example, the heating time may be 5 minutes to 40 minutes in the case of performing heat treatment on a hot plate, 30 minutes to 80 minutes in the case of performing heat treatment in an oven, Is within 30 minutes in the case of performing the heat treatment on the hot plate and within 60 minutes in the case of performing the heat treatment in the oven. In this way, a desired cured film 1 such as an interlayer insulating film can be formed on the substrate.

<경화막(1)>&Lt; Cured film (1) >

본 발명의 경화막(1)은, 상기 경화막 형성용 수지 조성물(1)로부터 형성된다. 상기 경화막(1)의 형성 방법으로서는 특별히 한정되지 않지만, 바람직하게는 상술한 상기 경화막의 형성 방법 (1)을 이용하여 형성할 수 있다. 상기 경화막(1)은 상기 경화막 형성용 수지 조성물(1)로부터 형성되어 있기 때문에, 우수한 표면 경도를 가짐과 동시에 내약품성, 내열성, 투과율 및 비유전율 등의 일반적 특성을 충분히 만족시킬 수 있다. 상기 경화막(1)은 상기 특성을 갖고 있기 때문에, 예를 들면 표시 소자의 층간 절연막, 스페이서, 보호막, 컬러 필터용 착색 패턴 등으로서 바람직하다.The cured film (1) of the present invention is formed from the cured film-forming resin composition (1). The method of forming the cured film 1 is not particularly limited, but it can be preferably formed using the method (1) for forming a cured film described above. Since the cured film 1 is formed from the resin composition 1 for forming a cured film, it can have satisfactory surface hardness and satisfactory general characteristics such as chemical resistance, heat resistance, transmittance and relative dielectric constant. Since the cured film 1 has the above characteristics, it is preferable as an interlayer insulating film, a spacer, a protective film, and a coloring pattern for a color filter of a display element, for example.

<네가티브형 감방사선성 수지 조성물(2)>&Lt; Negative-type radiation-sensitive resin composition (2) >

본 발명의 네가티브형 감방사선성 수지 조성물(2)은, [A2] 중합체, [B] 중합성 화합물 및 [C] 감방사선성 중합 개시제를 함유한다. 또한, 상기 네가티브형 감방사선성 수지 조성물(2)은, 적합 성분으로서 [D] 산화 방지제를 함유할 수도 있다. 또한, 상기 네가티브형 감방사선성 수지 조성물(2)은 본 발명의 효과를 손상시키지 않는 범위에서, [A] 성분 내지 [D] 성분 이외의 그 밖의 임의 성분을 함유할 수도 있다.The negative radiation-sensitive resin composition (2) of the present invention contains the [A2] polymer, the [B] polymerizable compound and the [C] radiation-sensitive polymerization initiator. The negative-tone radiation-sensitive resin composition (2) may also contain [D] an antioxidant as a suitable component. The negative radiation-sensitive resin composition (2) may contain other optional components other than the components [A] to [D] within the range not impairing the effects of the present invention.

상기 네가티브형 감방사선성 수지 조성물(2)은, [A2] 중합체, [B] 중합성 화합물 및 [C] 감방사선성 중합 개시제를 함유하고 있기 때문에, 방사선이 조사된 부위(노광부)가 중합에 의해 경화되어, 알칼리 현상액에 의한 현상에 의해 상기 노광부 이외의 부위(미노광부)가 용해 제거되어 패턴을 형성할 수 있는, 이른바 네가티브형의 특성을 갖는 네가티브형 감방사선성 수지 조성물이다. 그 때문에, 상기 네가티브형 감방사선성 수지 조성물(2)은 패턴상의 경화막을 형성할 수 있다. 이하, 각 성분에 대해서 상술한다.Since the negative radiation-sensitive resin composition (2) contains the [A2] polymer, the [B] polymerizable compound and the [C] radiation-sensitive polymerization initiator, the portion irradiated with the radiation Called negative radiation-sensitive resin composition having so-called negative type radiation-curable resin composition which is cured by an alkali developer to dissolve and remove a portion (unexposed portion) other than the exposed portion to form a pattern. Therefore, the negative-tone radiation-sensitive resin composition (2) can form a patterned cured film. Each component will be described in detail below.

<[A2] 중합체><[A2] Polymer>

[A2] 중합체는 구조 단위(I) 및 구조 단위(II-2)를 갖는 중합체이다. 또한, [A2] 중합체는 본 발명의 효과를 손상시키지 않는 범위에서, 구조 단위(III) 및 구조 단위(IV)를 가질 수도 있다. [A2] 중합체가 구조 단위(I) 및 구조 단위(II-2)를 가짐으로써, 상술한 경화막 형성용 수지 조성물(1)과 마찬가지로, 상기 네가티브형 감방사선성 수지 조성물(2)은 우수한 표면 경도를 가짐과 동시에, 감도, 현상 밀착성, 내약품성, 내열성, 투과율, 비유전율 등의 일반적 특성을 충분히 만족시킬 수 있는 경화막을 형성할 수 있고, 보존 안정성이 우수하다. 뿐만 아니라, 상기 네가티브형 감방사선성 수지 조성물(2)은, 화학식 (1)로 표시되는 기의 불소화 알킬기의 전자 흡인성에 의한 알코올성 수산기의 수소 원자 이탈 용이성, 및 화학식 (2)로 표시되는 기의 할로겐 원자 및/또는 불소화 알킬기의 전자 흡인성에 의한 페놀성 수산기의 수소 원자 이탈 용이성에 의해 산성을 나타내고, 그 결과 미노광부에서의 알칼리 현상액에 의한 현상 잔사를 감소시킬 수 있다. 또한, [A2] 중합체는 각 구조 단위를 2종 이상 가질 수도 있다.[A2] The polymer is a polymer having the structural unit (I) and the structural unit (II-2). Further, the [A2] polymer may have the structural unit (III) and the structural unit (IV) within the range not to impair the effect of the present invention. (A2) Since the polymer has the structural unit (I) and the structural unit (II-2), the negative radiation-sensitive resin composition (2) It is possible to form a cured film sufficiently satisfying general characteristics such as hardness, sensitivity, developing adhesion, chemical resistance, heat resistance, transmittance and relative dielectric constant, and is excellent in storage stability. In addition, the negative-tone radiation-sensitive resin composition (2) can be obtained by subjecting the negative-tone radiation-sensitive resin composition (2) to a method of easily separating hydrogen atoms from alcoholic hydroxyl groups due to electron withdrawing properties of fluorinated alkyl groups of the groups represented by the formula (1) It shows acidity due to the ease of leaving hydrogen atoms of the phenolic hydroxyl groups due to the electron attracting property of the halogen atom and / or the fluorinated alkyl group, and as a result, the development residue due to the alkali developing solution in the unexposed area can be reduced. Further, the [A2] polymer may have two or more kinds of structural units.

[구조 단위(I)][Structural unit (I)]

구조 단위(I)는, 상기 화학식 (1)로 표시되는 기 및 상기 화학식 (2)로 표시되는 기로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 1종을 포함하는 구조 단위이다.The structural unit (I) is a structural unit comprising at least one kind selected from the group consisting of the group represented by the above-mentioned formula (1) and the group represented by the above-mentioned formula (2).

이 구조 단위(I)는, 상술한 [A1] 중합체에서의 구조 단위(I)와 마찬가지이기 때문에, 그 상세한 설명은 생략한다.Since this structural unit (I) is the same as the structural unit (I) in the above-mentioned [A1] polymer, detailed description thereof will be omitted.

구조 단위(I)의 함유 비율로서는, [A2] 중합체를 구성하는 전체 구조 단위에 대하여 5몰% 이상 90몰% 이하가 바람직하고, 20몰% 이상 80몰% 이하가 보다 바람직하고, 30몰% 이상 70몰% 이하가 더욱 바람직하다. 구조 단위(I)의 함유 비율을 상기 범위로 함으로써 효과적으로 보존 안정성 등을 향상시킬 수 있다.The content of the structural unit (I) is preferably from 5 mol% to 90 mol%, more preferably from 20 mol% to 80 mol%, and still more preferably from 30 mol% to 80 mol% based on the total structural units constituting the polymer [A2] Or more and 70 mol% or less. When the content ratio of the structural unit (I) is within the above range, storage stability and the like can be effectively improved.

[구조 단위(II-2)][Structural unit (II-2)]

구조 단위(II-2)는 가교성 기(a2)를 포함하는 구조 단위이다.The structural unit (II-2) is a structural unit containing a crosslinkable group (a2).

구조 단위(II-2)로서는, 예를 들면 상술한 구조 단위(II-1)에서 예시한 구조 단위와 마찬가지의 구조 단위 등을 들 수 있다.Examples of the structural unit (II-2) include structural units similar to those exemplified above for structural unit (II-1).

상기 가교성 기(a2)로서는, 옥시라닐기, 옥세타닐기, 환상 카보네이트기 및 (메트)아크릴로일기로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 1종인 것이 바람직하다. 이에 따라, 형성되는 경화막의 내약품성을 보다 높일 수 있다.The crosslinkable group (a2) is preferably at least one member selected from the group consisting of an oxiranyl group, an oxetanyl group, a cyclic carbonate group and a (meth) acryloyl group. Thus, the chemical resistance of the formed cured film can be further enhanced.

구조 단위(II-2)의 함유 비율로서는, [A2] 중합체를 구성하는 전체 구조 단위에 대하여 1몰% 이상 70몰% 이하가 바람직하고, 5몰% 이상 50몰% 이하가 보다 바람직하고, 10몰% 이상 30몰% 이하가 더욱 바람직하다. 구조 단위(II-2)의 함유 비율을 상기 범위로 함으로써 효과적으로 보존 안정성 등을 향상시킬 수 있다.The content of the structural unit (II-2) is preferably from 1 mol% to 70 mol%, more preferably from 5 mol% to 50 mol%, and still more preferably from 10 mol% to 10 mol%, based on the total structural units constituting the polymer [A2] Mol% or more and 30 mol% or less. When the content ratio of the structural unit (II-2) is within the above range, storage stability and the like can be effectively improved.

[구조 단위(III)][Structural unit (III)]

구조 단위(III)는 구조 단위(I) 이외의 구조 단위이며, 수산기를 갖는 (메트)아크릴산에스테르 유래의 구조 단위, 또는 하기 화학식 (3)으로 표시되는 화합물 유래의 구조 단위이다. [A2] 중합체가 구조 단위(III)를 가짐으로써, 알칼리 현상성의 제어 및 잔사 억제를 도모할 수 있다.The structural unit (III) is a structural unit other than the structural unit (I), and is a structural unit derived from a (meth) acrylate ester having a hydroxyl group or a compound represented by the following formula (3). [A2] When the polymer has the structural unit (III), it is possible to control the alkali developing property and to suppress the residue.

Figure pat00008
Figure pat00008

상기 화학식 (3) 중, R'는 수소 원자, 또는 불소 원자로 치환되어 있을 수도 있는 탄소수 1 내지 4의 알킬기이다. RL1 내지 RL5는 각각 독립적으로 수소 원자, 수산기 또는 탄소수 1 내지 4의 알킬기이다. Y는 단결합, -COO- 또는 -CONH-이다. p는 0 내지 3의 정수이다. 단, RL1 내지 RL5 중 적어도 1개는 수산기이다.In the above formula (3), R 'is a hydrogen atom or an alkyl group having 1 to 4 carbon atoms which may be substituted with a fluorine atom. Each of R L1 to R L5 independently represents a hydrogen atom, a hydroxyl group or an alkyl group having 1 to 4 carbon atoms. Y is a single bond, -COO- or -CONH-. p is an integer of 0 to 3; Provided that at least one of R L1 to R L5 is a hydroxyl group.

상기 RL1 내지 RL5로 표시되는 탄소수 1 내지 4의 알킬기로서는, 예를 들면 상기 R1 내지 R4로 표시되는 탄소수 1 내지 4의 알킬기로서 예시한 기와 마찬가지의 기를 적용할 수 있다.Examples of the alkyl group having 1 to 4 carbon atoms represented by R L1 to R L5 include the same groups as those exemplified as the alkyl group having 1 to 4 carbon atoms represented by R 1 to R 4 above.

구조 단위(III)로서는, 예를 들면 하기 화학식 (III-1) 내지 (III-11)로 표시되는 구조 단위 등을 들 수 있다.Examples of the structural unit (III) include structural units represented by the following formulas (III-1) to (III-11).

Figure pat00009
Figure pat00009

상기 화학식 (III-1) 내지 (III-11) 중, R8은 수소 원자, 메틸기 또는 트리플루오로메틸기이다. p는 상기 화학식 (3)과 동의이다. 이들 중에서 구조 단위(III)로서는, 화학식 (III-1), (III-4) 및 (III-10)으로 표시되는 구조 단위가 바람직하다.In the formulas (III-1) to (III-11), R 8 is a hydrogen atom, a methyl group or a trifluoromethyl group. p is synonymous with the above formula (3). As the structural unit (III), structural units represented by the formulas (III-1), (III-4) and (III-10) are preferable.

구조 단위(III)를 제공하는 단량체 화합물로서는, 2-히드록시에틸메타크릴레이트, 4-히드록시페닐메타크릴레이트, o-히드록시스티렌, p-히드록시스티렌, α-메틸-p-히드록시스티렌이 바람직하고, 2-히드록시에틸메타크릴레이트, 4-히드록시페닐메타크릴레이트, α-메틸-p-히드록시스티렌이 보다 바람직하다.Examples of the monomer compound that provides the structural unit (III) include 2-hydroxyethyl methacrylate, 4-hydroxyphenyl methacrylate, o-hydroxystyrene, p- hydroxystyrene, Styrene is preferable, and 2-hydroxyethyl methacrylate, 4-hydroxyphenyl methacrylate and? -Methyl-p-hydroxystyrene are more preferable.

구조 단위(III)의 함유 비율로서는, [A2] 중합체를 구성하는 전체 구조 단위에 대하여 0몰% 이상 50몰% 이하가 바람직하고, 1몰% 이상 30몰% 이하가 보다 바람직하고, 3몰% 이상 20몰% 이하가 더욱 바람직하다.The content of the structural unit (III) is preferably from 0 mol% to 50 mol%, more preferably from 1 mol% to 30 mol%, still more preferably from 3 mol% to 30 mol% based on the total structural units constituting the polymer [A2] Or more and 20 mol% or less.

[구조 단위(IV)][Structural unit (IV)]

구조 단위(IV)는, 상기 구조 단위(I) 내지 (III) 이외의 구조 단위이다. 구조 단위(IV)로서는, 상기 구조 단위(I) 내지 (III) 이외의 구조 단위인 한 특별히 한정되지 않는다. [A2] 중합체가 구조 단위(IV)를 가짐으로써, 상기 네가티브형 감방사선성 수지 조성물(2)은 수지의 유리 전이 온도를 조정하여, 알칼리 현상성, 열경화시의 용융 흐름성이나 경화막의 기계적 강도, 내약품성을 향상시킬 수 있다.The structural unit (IV) is a structural unit other than the structural units (I) to (III). The structural unit (IV) is not particularly limited as long as it is a structural unit other than the structural units (I) to (III). The polymer [A2] has the structural unit (IV), whereby the negative radiation-sensitive resin composition (2) can be prepared by adjusting the glass transition temperature of the resin to improve the alkali developing property, the melt flowability upon thermal curing, Strength and chemical resistance can be improved.

구조 단위(IV)로서는, 예를 들면 하기 화학식 (IV-1) 내지 (IV-11)로 표시되는 구조 단위 등을 들 수 있다.Examples of the structural unit (IV) include structural units represented by the following formulas (IV-1) to (IV-11).

Figure pat00010
Figure pat00010

상기 화학식 (IV-1) 내지 (IV-11) 중, R9는 수소 원자, 메틸기 또는 트리플루오로메틸기이다. RM은 수소 원자 또는 메틸기이다. s는 1 내지 10의 정수이다. 이들 중에서 구조 단위(IV)로서는, 화학식 (IV-1), (IV-2), (IV-7) 내지 (IV-9), (IV-11)로 표시되는 구조 단위가 바람직하다.In the formulas (IV-1) to (IV-11), R 9 is a hydrogen atom, a methyl group or a trifluoromethyl group. R M is a hydrogen atom or a methyl group. s is an integer of 1 to 10; As the structural unit (IV), structural units represented by the formulas (IV-1), (IV-2), (IV-7) to (IV-9) and (IV-11) are preferable.

구조 단위(IV)를 제공하는 단량체 화합물로서는, 예를 들면 (메트)아크릴산, (메트)아크릴산 쇄상 알킬에스테르, (메트)아크릴산 환상 알킬에스테르, (메트)아크릴산아릴에스테르, 불포화 디카르복실산디에스테르, 비시클로 불포화 화합물, 말레이미드 화합물, 불포화 방향족 화합물 및 공액 디엔 화합물, 및 테트라히드로푸란 골격, 푸란 골격, 테트라히드로피란 골격, 피란 골격 또는 하기 화학식 (4)로 표시되는 골격을 갖는 불포화 화합물, 그 밖의 불포화 화합물 등에서 유래되는 구조 단위를 들 수 있다.Examples of the monomer compound that provides the structural unit (IV) include monomers such as (meth) acrylic acid, (meth) acrylic acid chain alkyl ester, (meth) acrylic acid cyclic alkyl ester, (meth) acrylic acid aryl ester, unsaturated dicarboxylic acid diester, Unsaturated aromatic compounds and conjugated diene compounds, and unsaturated compounds having a tetrahydrofuran skeleton, a furan skeleton, a tetrahydropyran skeleton, a pyrazene skeleton, or a skeleton represented by the following formula (4) And a structural unit derived from an unsaturated compound or the like.

Figure pat00011
Figure pat00011

상기 화학식 (4) 중, RM 및 s는 상기 화학식 (IV-1) 내지 (IV-11)과 동의이다.In the above formula (4), R M and s are as defined in the above formulas (IV-1) to (IV-11).

상기 (메트)아크릴산 쇄상 알킬에스테르로서는, 예를 들면 아크릴산메틸, 아크릴산에틸, 아크릴산 n-부틸, 아크릴산 sec-부틸, 아크릴산 t-부틸, 아크릴산 2-에틸헥실, 아크릴산이소데실, 아크릴산 n-라우릴, 아크릴산트리데실, 아크릴산 n-스테아릴 등의 아크릴산 쇄상 알킬에스테르; 메타크릴산메틸, 메타크릴산에틸, 메타크릴산 n-부틸, 메타크릴산 sec-부틸, 메타크릴산 t-부틸, 메타크릴산 2-에틸헥실, 메타크릴산이소데실, 메타크릴산 n-라우릴, 메타크릴산트리데실, 메타크릴산 n-스테아릴 등의 메타크릴산 쇄상 알킬에스테르 등을 들 수 있다.Examples of the (meth) acrylic acid chain alkyl ester include methyl acrylate, ethyl acrylate, n-butyl acrylate, sec-butyl acrylate, t-butyl acrylate, 2-ethylhexyl acrylate, isodecyl acrylate, Tridecyl acrylate, and n-stearyl acrylate; Methyl methacrylate, ethyl methacrylate, n-butyl methacrylate, sec-butyl methacrylate, t-butyl methacrylate, 2-ethylhexyl methacrylate, isodecyl methacrylate, n- Methacrylic acid chain alkyl esters such as lauryl, tridecyl methacrylate, n-stearyl methacrylate, and the like.

상기 (메트)아크릴산 환상 알킬에스테르로서는, 예를 들면 아크릴산시클로헥실, 아크릴산 2-메틸시클로헥실, 아크릴산트리시클로[5.2.1.02,6]데칸-8-일, 아크릴산트리시클로[5.2.1.02,6]데칸-8-일옥시에틸, 아크릴산이소보로닐 등의 아크릴산 환상 알킬에스테르; 메타크릴산시클로헥실, 메타크릴산 2-메틸시클로헥실, 메타크릴산트리시클로[5.2.1.02,6]데칸-8-일, 메타크릴산트리시클로[5.2.1.02,6]데칸-8-일옥시에틸, 메타크릴산이소보로닐 등의 메타크릴산 환상 알킬에스테르 등을 들 수 있다.Examples of the (meth) acrylic acid cyclic alkyl esters include cyclohexyl acrylate, 2-methylcyclohexyl acrylate, tricyclo [5.2.1.0 2,6 ] decan-8-yl acrylate, tricyclo [5.2.1.0 2 6 ] decane-8-yloxyethyl, acrylic acid cyclic alkyl esters such as isobornyl acrylate; 2-methylcyclohexyl methacrylate, tricyclohexyl methacrylate [5.2.1.0 2,6 ] decane-8-yl, methacrylic acid tricyclo [5.2.1.0 2,6 ] decane-8 Methacrylic acid cyclic alkyl esters such as monoethyl, monoethyl, monoethyl, monoethyl, monoethoxy and monoethoxy.

상기 (메트)아크릴산아릴에스테르로서는, 예를 들면 아크릴산페닐, 아크릴산벤질 등의 아크릴산아릴에스테르; 메타크릴산페닐, 메타크릴산벤질 등의 메타크릴산아릴에스테르 등을 들 수 있다.Examples of the (meth) acrylic acid aryl esters include acrylic acid aryl esters such as phenyl acrylate and benzyl acrylate; Methacrylic acid aryl esters such as phenyl methacrylate and benzyl methacrylate.

상기 불포화 디카르복실산디에스테르로서는, 예를 들면 말레산디에틸, 푸마르산디에틸, 이타콘산디에틸 등을 들 수 있다.Examples of the unsaturated dicarboxylic acid diester include diethyl maleate, diethyl fumarate, diethyl itaconate and the like.

상기 비시클로 불포화 화합물로서는, 예를 들면 비시클로[2.2.1]헵트-2-엔, 5-메틸비시클로[2.2.1]헵트-2-엔, 5-에틸비시클로[2.2.1]헵트-2-엔, 5-메톡시비시클로[2.2.1]헵트-2-엔, 5-에톡시비시클로[2.2.1]헵트-2-엔, 5,6-디메톡시비시클로[2.2.1]헵트-2-엔, 5,6-디에톡시비시클로[2.2.1]헵트-2-엔, 5-t-부톡시카르보닐비시클로[2.2.1]헵트-2-엔, 5-시클로헥실옥시카르보닐비시클로[2.2.1]헵트-2-엔, 5-페녹시카르보닐비시클로[2.2.1]헵트-2-엔, 5,6-디(t-부톡시카르보닐)비시클로[2.2.1]헵트-2-엔, 5,6-디(시클로헥실옥시카르보닐)비시클로[2.2.1]헵트-2-엔, 5-(2'-히드록시에틸)비시클로[2.2.1]헵트-2-엔, 5,6-디히드록시비시클로[2.2.1]헵트-2-엔, 5,6-디(히드록시메틸)비시클로[2.2.1]헵트-2-엔, 5,6-디(2'-히드록시에틸)비시클로[2.2.1]헵트-2-엔, 5-히드록시-5-메틸비시클로[2.2.1]헵트-2-엔, 5-히드록시-5-에틸비시클로[2.2.1]헵트-2-엔, 5-히드록시메틸-5-메틸비시클로[2.2.1]헵트-2-엔 등을 들 수 있다.Examples of the above-mentioned non-cyclic unsaturated compound include bicyclo [2.2.1] hept-2-ene, 5-methylbicyclo [2.2.1] hept- 2.2.1] hept-2-ene, 5,6-dimethoxybicyclo [2.2.1] hept-2-ene, 5-methoxybicyclo [ 2-ene, 5,6-diethoxybicyclo [2.2.1] hept-2-ene, 5-t-butoxycarbonylbicyclo [2.2.1] hept- 2-ene, 5-phenoxycarbonylbicyclo [2.2.1] hept-2-ene, 5,6-di (t-butoxycarbonyl) bicyclo [2.2.1] hept- 2.2.1] hept-2-ene, 5- (2'-hydroxyethyl) bicyclo [2.2 (Hydroxymethyl) bicyclo [2.2.1] hept-2-ene, 5,6-dihydroxycyclo [2.2.1] hept- Ene, 5,6-di (2'-hydroxyethyl) bicyclo [2.2.1] hept-2-ene, 5-hydroxy-5-methylbicyclo [2.2.1] hept- -Hydroxy-5-ethyl Bicyclo [2.2.1] hept-2-ene, and the like can be mentioned 5-hydroxy-5-methyl [2.2.1] hept-2-ene.

상기 말레이미드 화합물로서는, 예를 들면 N-페닐말레이미드, N-시클로헥실말레이미드, N-벤질말레이미드, N-(4-히드록시페닐)말레이미드, N-(4-히드록시벤질)말레이미드, N-숙신이미딜-3-말레이미드벤조에이트, N-숙신이미딜-4-말레이미드부티레이트, N-숙신이미딜-6-말레이미드카프로에이트, N-숙신이미딜-3-말레이미드프로피오네이트, N-(9-아크리디닐)말레이미드 등을 들 수 있다.Examples of the maleimide compound include N-phenylmaleimide, N-cyclohexylmaleimide, N-benzylmaleimide, N- (4-hydroxyphenyl) maleimide, N- (4-hydroxybenzyl) Maleimide benzoate, N-succinimidyl-4-maleimide butyrate, N-succinimidyl-6-maleimide caproate, N-succinimidyl-3-maleimide Propionate, N- (9-acridinyl) maleimide, and the like.

상기 불포화 방향족 화합물로서는, 예를 들면 스티렌, α-메틸스티렌, m-메틸스티렌, p-메틸스티렌, 비닐톨루엔, p-메톡시스티렌, α-메틸-p-히드록시스티렌 등을 들 수 있다.Examples of the unsaturated aromatic compound include styrene,? -Methylstyrene, m-methylstyrene, p-methylstyrene, vinyltoluene, p-methoxystyrene and? -Methyl-p-hydroxystyrene.

상기 공액 디엔 화합물로서는, 예를 들면 1,3-부타디엔, 이소프렌, 2,3-디메틸-1,3-부타디엔 등을 들 수 있다.Examples of the conjugated diene compound include 1,3-butadiene, isoprene, 2,3-dimethyl-1,3-butadiene, and the like.

상기 테트라히드로푸란 골격을 갖는 불포화 화합물로서는, 예를 들면 2-메타크릴로일옥시-프로피온산테트라히드로푸르푸릴에스테르, 3-(메트)아크릴로일옥시테트라히드로푸란-2-온, (메트)아크릴산테트라히드로푸르푸릴, 테트라히드로(메트)아크릴레이트 등을 들 수 있다.Examples of the unsaturated compound having a tetrahydrofuran skeleton include 2-methacryloyloxypropionic acid tetrahydrofurfuryl ester, 3- (meth) acryloyloxytetrahydrofuran-2-one, (meth) acrylic acid Tetrahydrofurfuryl, tetrahydro (meth) acrylate, and the like.

상기 푸란 골격을 갖는 불포화 화합물로서는, 예를 들면 2-메틸-5-(3-푸릴)-1-펜텐-3-온, (메트)아크릴산푸르푸릴, 1-푸란-2-부틸-3-엔-2-온, 1-푸란-2-부틸-3-메톡시-3-엔-2-온, 6-(2-푸릴)-2-메틸-1-헥센-3-온, 6-푸란-2-일-헥시-1-엔-3-온, 아크릴산-2-푸란-2-일-1-메틸-에틸에스테르, 6-(2-푸릴)-6-메틸-1-헵텐-3-온 등을 들 수 있다.Examples of the unsaturated compound having a furan skeleton include 2-methyl-5- (3-furyl) -1-penten-3-one, furfuryl (meth) acrylate, Methyl-1-hexen-3-one, 6-furan-2-one, Methyl-ethyl ester, 6- (2-furyl) -6-methyl-1-ene- And the like.

상기 테트라히드로피란 골격을 함유하는 불포화 화합물로서는, 예를 들면 (테트라히드로피란-2-일)메틸메타크릴레이트, 2,6-디메틸-8-(테트라히드로피란-2-일옥시)-옥트-1-엔-3-온, 2-메타크릴산테트라히드로피란-2-일에스테르, 1-(테트라히드로피란-2-옥시)-부틸-3-엔-2-온 등을 들 수 있다.Examples of the unsaturated compound containing the tetrahydropyran skeleton include (tetrahydropyran-2-yl) methyl methacrylate, 2,6-dimethyl-8- (tetrahydropyran- 1-en-3-one, 2-methacrylic acid tetrahydropyran-2-yl ester and 1- (tetrahydropyran-2-oxy) -butyl-3-en-2-one.

상기 피란 골격을 갖는 불포화 화합물로서는, 예를 들면 4-(1,4-디옥사-5-옥소-6-헵테닐)-6-메틸-2-피란, 4-(1,5-디옥사-6-옥소-7-옥테닐)-6-메틸-2-피란 등을 들 수 있다.Examples of the unsaturated compound having a pyran skeleton include 4- (1, 4-dioxa-5-oxo-6-heptenyl) -6- 6-oxo-7-octenyl) -6-methyl-2-pyran.

상기 화학식 (4)로 표시되는 골격을 갖는 불포화 화합물로서는, 예를 들면 에틸렌글리콜디(메트)아크릴레이트, 디에틸렌글리콜디(메트)아크릴레이트, 트리에틸렌글리콜디(메트)아크릴레이트, 프로필렌글리콜디(메트)아크릴레이트, 디프로필렌글리콜디(메트)아크릴레이트, 트리프로필렌글리콜디(메트)아크릴레이트 등을 들 수 있다.Examples of the unsaturated compound having a skeleton represented by the formula (4) include ethylene glycol di (meth) acrylate, diethylene glycol di (meth) acrylate, triethylene glycol di (meth) acrylate, propylene glycol di (Meth) acrylate, dipropylene glycol di (meth) acrylate, and tripropylene glycol di (meth) acrylate.

상기 그 밖의 불포화 화합물로서는, 예를 들면 (메트)아크릴로니트릴, 염화비닐, 염화비닐리덴, (메트)아크릴아미드, 아세트산비닐 등을 들 수 있다.Examples of the other unsaturated compounds include (meth) acrylonitrile, vinyl chloride, vinylidene chloride, (meth) acrylamide and vinyl acetate.

이들 중에서, 상기 구조 단위(IV)를 제공하는 단량체 화합물로서는, 메타크릴산 쇄상 알킬에스테르, 메타크릴산 환상 알킬에스테르, 말레이미드 화합물, 테트라히드로푸란 골격, 푸란 골격, 테트라히드로피란 골격, 피란 골격, 상기 화학식 (4)로 표시되는 골격을 갖는 불포화 화합물, 불포화 방향족 화합물, 아크릴산 환상 알킬에스테르가 바람직하고, 공중합 반응성 및 알칼리 수용액에 대한 용해성의 점에서, 스티렌, 메타크릴산, 메타크릴산메틸, 메타크릴산 t-부틸, 메타크릴산 n-라우릴, 메타크릴산트리시클로[5.2.1.02,6]데칸-8-일, p-메톡시스티렌, 아크릴산 2-메틸시클로헥실, N-페닐말레이미드, N-시클로헥실말레이미드, (메트)아크릴산테트라히드로푸르푸릴, 폴리에틸렌글리콜(n=2 내지 10)모노(메트)아크릴레이트, 3-(메트)아크릴로일옥시테트라히드로푸란-2-온이 보다 바람직하다.Among them, as the monomer compound providing the structural unit (IV), there may be mentioned a methacrylic acid chain alkyl ester, a methacrylic acid cyclic alkyl ester, a maleimide compound, a tetrahydrofuran skeleton, a furan skeleton, a tetrahydropyran skeleton, Unsaturated compounds, unsaturated aromatic compounds and acrylic acid cyclic alkyl esters having a skeleton represented by the above general formula (4) are preferable, and styrene, methacrylic acid, methyl methacrylate, methacrylic acid and methacrylic acid are preferable in terms of copolymerization reactivity and solubility in an aqueous alkali solution. Butyl acrylate, n-lauryl methacrylate, tricyclo [5.2.1.0 2,6 ] decane-8-methacrylate, p-methoxystyrene, 2-methylcyclohexyl acrylate, (Meth) acrylic acid tetrahydrofurfuryl, polyethylene glycol (n = 2 to 10) mono (meth) acrylate, 3- (meth) acryloyloxytetrahydro It is more preferably 2-one.

구조 단위(IV)의 함유 비율로서는, [A2] 중합체를 구성하는 전체 구조 단위에 대하여 0몰% 이상 90몰% 이하가 바람직하고, 1몰% 이상 70몰% 이하가 보다 바람직하고, 3몰% 이상 60몰% 이하가 더욱 바람직하다. 구조 단위(IV)의 함유 비율을 상기 범위로 함으로써 내약품성을 효과적으로 향상시킬 수 있다.The content of the structural unit (IV) is preferably from 0 mol% to 90 mol%, more preferably from 1 mol% to 70 mol%, still more preferably from 3 mol% to 70 mol%, based on the total structural units constituting the polymer [A2] Or more and 60 mol% or less. By setting the content ratio of the structural unit (IV) within the above range, the chemical resistance can be effectively improved.

<[A2] 중합체의 합성 방법><Method of synthesizing [A2] polymer>

[A2] 중합체의 합성 방법으로서는 특별히 한정되지 않지만, 예를 들면 상술한 [A1] 중합체의 합성 방법과 마찬가지의 방법 등을 적용할 수 있다.[A2] The method for synthesizing the polymer is not particularly limited, and for example, the same method as the synthesis method of the above-mentioned [A1] polymer can be applied.

[A2] 중합체의 겔 투과 크로마토그래피(GPC)에 의한 폴리스티렌 환산 중량 평균 분자량(Mw)으로서는, 1,000 이상 30,000 이하가 바람직하고, 5,000 이상 20,000 이하가 보다 바람직하다. [A2] 중합체의 Mw를 상기 범위로 함으로써 상기 네가티브형 감방사선성 수지 조성물(2)의 감도 및 현상성을 보다 높일 수 있다. 또한, [A2] 중합체의 Mw와 GPC에 의한 폴리스티렌 환산 수 평균 분자량(Mn)의 비(Mw/Mn)로서는, 1 이상 3 이하가 바람직하고, 1.5 이상 2.5 이하가 보다 바람직하다.The weight average molecular weight (Mw) of the polymer [A2] in terms of polystyrene determined by gel permeation chromatography (GPC) is preferably 1,000 or more and 30,000 or less, and more preferably 5,000 or more and 20,000 or less. By setting the Mw of the polymer [A2] within the above range, the sensitivity and developability of the negative radiation-sensitive resin composition (2) can be further improved. The ratio (Mw / Mn) of the Mw of the polymer [A2] to the polystyrene reduced number average molecular weight (Mn) by GPC is preferably 1 or more and 3 or less, more preferably 1.5 or more and 2.5 or less.

<[B] 중합성 화합물>&Lt; [B] Polymerizable compound >

[B] 중합성 화합물은 에틸렌성 불포화 결합을 갖는 화합물이다. 또한, [B] 중합성 화합물은 단독으로 또는 2종 이상을 조합하여 이용할 수도 있다.[B] The polymerizable compound is a compound having an ethylenic unsaturated bond. The [B] polymerizable compound may be used alone or in combination of two or more.

[B] 중합성 화합물로서는 에틸렌성 불포화 결합을 갖는 중합성 화합물이면 특별히 한정되지 않지만, 예를 들면 ω-카르복시폴리카프로락톤모노(메트)아크릴레이트, 2-(2'-비닐옥시에톡시)에틸(메트)아크릴레이트 등의 단관능 (메트)아크릴레이트 화합물; 에틸렌글리콜디(메트)아크릴레이트, 1,6-헥산디올디(메트)아크릴레이트, 1,9-노난디올디(메트)아크릴레이트, 테트라에틸렌글리콜디(메트)아크릴레이트, 폴리에틸렌글리콜디(메트)아크릴레이트, 폴리프로필렌글리콜디(메트)아크릴레이트, 비스페녹시에탄올플루오렌디(메트)아크릴레이트, 디메틸올트리시클로데칸디(메트)아크릴레이트, 2-히드록시-3-(메트)아크릴로일옥시프로필메타크릴레이트, 트리메틸올프로판트리(메트)아크릴레이트, 펜타에리트리톨트리(메트)아크릴레이트, 펜타에리트리톨테트라(메트)아크릴레이트, 디펜타에리트리톨펜타(메트)아크릴레이트, 디펜타에리트리톨헥사(메트)아크릴레이트, 트리(2-(메트)아크릴로일옥시에틸)포스페이트, 에틸렌옥시드 변성 디펜타에리트리톨헥사아크릴레이트, 숙신산 변성 펜타에리트리톨트리아크릴레이트, 직쇄 알킬렌기 및 지환식 구조를 가지며, 2개 이상의 이소시아네이트기를 갖는 화합물과, 분자 내에 1개 이상의 수산기를 가지며, 3개 내지 5개의 (메트)아크릴로일옥시기를 갖는 화합물을 반응시켜 얻어지는 우레탄(메트)아크릴레이트 화합물 등의 다관능 (메트)아크릴레이트 화합물 등을 들 수 있다.The polymerizable compound [B] is not particularly limited as long as it is a polymerizable compound having an ethylenically unsaturated bond, and examples thereof include ω-carboxypolycaprolactone mono (meth) acrylate, 2- (2'-vinyloxyethoxy) ethyl (Meth) acrylate; a monofunctional (meth) acrylate compound such as (meth) acrylate; (Meth) acrylate, 1,6-hexanediol di (meth) acrylate, 1,9-nonanediol di (meth) acrylate, tetraethylene glycol di (meth) acrylate, polyethylene glycol di (Meth) acrylate, dimethanol tricyclodecane di (meth) acrylate, dipropylene glycol di (meth) acrylate, bisphenoxyethanol fluorene di Acrylate, trimethylolpropane tri (meth) acrylate, pentaerythritol tri (meth) acrylate, pentaerythritol tetra (meth) acrylate, dipentaerythritol penta (meth) (Meth) acryloyloxyethyl) phosphate, ethylene oxide-modified dipentaerythritol hexaacrylate, succinic acid-modified pentaerythritol triacrylate (Meth) acryloyloxy group having at least one hydroxyl group in the molecule and a compound having at least two isocyanate groups and having at least one hydroxyl group in the molecule and a compound having three or more (Meth) acrylate compounds, and the like.

[B] 중합성 화합물의 시판품으로서는, 예를 들면As a commercially available product of the polymerizable compound [B], for example,

아로닉스 M-400, 동 M-402,동 M-405, 동 M-450, 동 M-1310, 동 M-1600, 동 M-1960, 동 M-7100, 동 M-8030, 동 M-8060, 동 M-8100, 동 M-8530, 동 M-8560, 동 M-9050, 아로닉스 TO-1450, 동 TO-1382(이상, 도아 고세이 제조);ARONIX M-400, M-402, M-405, M-450, M-1310, M-1600, M-1960, M-7100, M-8030, M-8060 , M-8100, M-8530, M-8560, M-9050, Aronix TO-1450 and TO-1382 (all manufactured by Toa Kosei);

KAYARAD DPHA, 동 DPCA-20, 동 DPCA-30, 동 DPCA-60, 동 DPCA-120, 동 MAX-3510(이상, 닛본 가야꾸 제조);KAYARAD DPHA, DPCA-20, DPCA-30, DPCA-60, DPCA-120 and MAX-3510 (manufactured by Nippon Kayaku Co., Ltd.);

비스코트 295, 동 300, 동 360, 동 GPT, 동 3PA, 동 400(이상, 오사카 유키 가가꾸 고교 제조);Viscoat 295, Copper 300, Copper 360, Copper GPT, Copper 3PA, Copper 400 (manufactured by Osaka Yuki Kagaku Kogyo Co., Ltd.);

우레탄아크릴레이트계 화합물로서, 뉴 프론티어 R-1150(다이이치 고교 세이야꾸 제조);As the urethane acrylate compound, New Frontier R-1150 (manufactured by Dai-ichi Kogyo Seiyaku Co., Ltd.);

KAYARAD DPHA-40H, UX-5000(이상, 닛본 가야꾸 제조);KAYARAD DPHA-40H, UX-5000 (manufactured by Nippon Kayaku Co., Ltd.);

UN-9000H(네가미 고교 제조);UN-9000H (manufactured by Negami Chemical Industry Co., Ltd.);

아로닉스 M-5300, 동 M-5600, 동 M-5700, M-210, 동 M-220, 동 M-240, 동 M-270, 동 M-6200, 동 M-305, 동 M-309, 동 M-310, 동 M-315(이상, 도아 고세이 제조);270, M-6200, M-305, M-309, M-309, M- Dong M-310, Dong M-315 (manufactured by Toagosei Co., Ltd.);

KAYARAD HDDA, KAYARAD HX-220, 동 HX-620, 동 R-526, 동 R-167, 동 R-604, 동 R-684, 동 R-551, 동 R-712, UX-2201, UX-2301, UX-3204, UX-3301, UX-4101, UX-6101, UX-7101, UX-8101, UX-0937, MU-2100, MU-4001(이상, 닛본 가야꾸 제조);KAYARAD HDDA, KAYARAD HX-220, HX-620, R-526, R-167, R-604, R-684, R-551, R-712, UX-2201 and UX-2301 , UX-3204, UX-3301, UX-4101, UX-6101, UX-7101, UX-8101, UX-0937, MU-2100, MU-4001 (manufactured by Nippon Kayaku Co., Ltd.);

아트레진 UN-9000PEP, 동 UN-9200A, 동 UN-7600, 동 UN-333, 동 UN-1003,동 UN-1255, 동 UN-6060PTM, 동 UN-6060P(이상, 네가미 고교 제조);Art Resin UN-9000PEP, UN-9200A, UN-7600, UN-333, UN-1003, UN-1255, UN-6060P, UN-6060P (manufactured by Negami Kogyo Co., Ltd.);

SH-500B 비스코트 260, 동 312, 동 335HP(이상, 오사카 유키 가가꾸 고교 제조) 등을 들 수 있다.SH-500B Viscoat 260, Copper 312, Copper 335HP (manufactured by Osaka Yuki Kagaku Kogyo) and the like.

[B] 중합성 화합물은, 동일 분자 내에 카르복시기를 적어도 1개 갖는 것이 바람직하다. 이에 따라, 가교성의 향상 및 미노광부에서의 현상 잔사의 감소를 도모할 수 있다. 동일 분자 내에 카르복시기를 적어도 1개 갖는 [B] 중합성 화합물로서는, ω-카르복시폴리카프로락톤모노(메트)아크릴레이트, 숙신산 변성 펜타에리트리톨트리아크릴레이트가 바람직하다.The [B] polymerizable compound preferably has at least one carboxyl group in the same molecule. As a result, it is possible to improve the crosslinking property and reduce the development residue in the unexposed area. As the [B] polymerizable compound having at least one carboxyl group in the same molecule, ω-carboxypolycaprolactone mono (meth) acrylate and succinic acid-modified pentaerythritol triacrylate are preferable.

[B] 중합성 화합물의 함유량으로서는, [A2] 중합체 100질량부에 대하여 20질량부 이상 200질량부 이하가 바람직하고, 40질량부 이상 160질량부 이하가 보다 바람직하다. [B] 중합성 화합물의 함유량을 상기 범위로 함으로써 상기 네가티브형 감방사선성 수지 조성물(2)은 밀착성이 우수하고, 저노광량에서도 충분한 표면 경도를 갖는 경화막을 형성할 수 있다.The content of the [B] polymerizable compound is preferably 20 parts by mass or more and 200 parts by mass or less, more preferably 40 parts by mass or more and 160 parts by mass or less, based on 100 parts by mass of the polymer [A2]. By setting the content of the polymerizable compound [B] within the above range, the negative radiation-sensitive resin composition (2) can form a cured film having excellent adhesiveness and sufficient surface hardness even at a low exposure dose.

<[C] 감방사선성 중합 개시제><[C] Radiation-induced Polymerization Initiator>

[C] 감방사선성 중합 개시제는, 방사선에 감응하여 [B] 중합성 화합물의 중합을 개시할 수 있는 활성종을 발생시키는 성분이다. [C] 감방사선성 중합 개시제로서는, 예를 들면 옥심에스테르 화합물, 아세토페논 화합물, 비이미다졸 화합물 등을 들 수 있다. 또한, [C] 감방사선성 중합 개시제는 단독으로 또는 2종 이상을 조합하여 이용할 수도 있다.[C] The radiation-sensitive radiation polymerization initiator is a component which generates an active species capable of initiating polymerization of the [B] polymerizable compound in response to radiation. Examples of the [C] radiation-sensitive polymerization initiator include oxime ester compounds, acetophenone compounds, and imidazole compounds. The [C] radiation-sensitive polymerization initiator may be used alone or in combination of two or more.

상기 옥심에스테르 화합물로서는, 예를 들면 에타논-1-〔9-에틸-6-(2-메틸벤조일)-9H-카르바졸-3-일〕-1-(O-아세틸옥심), 1,2-옥탄디온-1-[4-(페닐티오)-2-(O-벤조일옥심)], 1-〔9-에틸-6-벤조일-9H-카르바졸-3-일〕-옥탄-1-온옥심-O-아세테이트, 1-〔9-에틸-6-(2-메틸벤조일)-9H-카르바졸-3-일〕-에탄-1-온옥심-O-벤조에이트, 1-〔9-n-부틸-6-(2-에틸벤조일)-9H-카르바졸-3-일〕-에탄-1-온옥심-O-벤조에이트, 에타논-1-[9-에틸-6-(2-메틸-4-테트라히드로푸라닐벤조일)-9H-카르바졸-3-일]-1-(O-아세틸옥심), 에타논-1-〔9-에틸-6-(2-메틸-4-테트라히드로피라닐벤조일)-9H-카르바졸-3-일〕-1-(O-아세틸옥심), 에타논-1-〔9-에틸-6-(2-메틸-5-테트라히드로푸라닐벤조일)-9H-카르바졸-3-일〕-1-(O-아세틸옥심), 에타논-1-〔9-에틸-6-{2-메틸-4-(2,2-디메틸-1,3-디옥솔라닐)메톡시벤조일}-9H-카르바졸-3-일〕-1-(O-아세틸옥심) 등의 O-아실옥심 화합물 등을 들 수 있다. 이들 중에서 옥심에스테르 화합물로서는, 에타논-1-〔9-에틸-6-(2-메틸벤조일)-9H-카르바졸-3-일〕-1-(O-아세틸옥심), 1,2-옥탄디온-1-[4-(페닐티오)-2-(O-벤조일옥심)], 에타논-1-〔9-에틸-6-(2-메틸-4-테트라히드로푸라닐메톡시벤조일)-9H-카르바졸-3-일〕-1-(O-아세틸옥심), 에타논-1-〔9-에틸-6-{2-메틸-4-(2,2-디메틸-1,3-디옥솔라닐)메톡시벤조일}-9H-카르바졸-3-일〕-1-(O-아세틸옥심)이 바람직하다.Examples of the oxime ester compound include ethanone-1- [9-ethyl-6- (2-methylbenzoyl) -9H-carbazol- -9-ethyl-6-benzoyl-9H-carbazol-3-yl] -octan-1-one Oxal-O-acetate, 1- [9-ethyl-6- (2-methylbenzoyl) -9H-carbazol- Yl) -ethan-1-one oxime-O-benzoate, ethanone-1- [9-ethyl-6- (2-methyl Yl) -1- (O-acetyloxime), ethanone- 1- [9-ethyl-6- (2-methyl-4-tetrahydrobenzoyl) -9H- Ethyl-6- (2-methyl-5-tetrahydrofuranylbenzoyl) - 9H-carbazol-3-yl] -1- (O- acetyloxime) 3-yl] -1- (O-acetyloxime), ethanone- 1- [9-ethyl-6- {2-methyl- Solanyl) methoxybenzoyl} -9H-carbazol-3-yl] -1- (O- Butyl-oxime), and the like O- acyl oxime compounds such as. Of these, oxime ester compounds include ethanone-1- [9-ethyl-6- (2-methylbenzoyl) -9H-carbazol- (9-ethyl-6- (2-methyl-4-tetrahydrofuranylmethoxybenzoyl) -9H -Carbazol-3-yl] -1- (O-acetyloxime), ethanone- 1- [9-ethyl- 6- {2-methyl- 4- (2,2- Yl) methoxybenzoyl} -9H-carbazol-3-yl] -1- (O-acetyloxime) is preferred.

상기 아세토페논 화합물로서는, 예를 들면 α-아미노케톤 화합물, α-히드록시케톤 화합물을 들 수 있다.Examples of the acetophenone compound include an? -Amino ketone compound and? -Hydroxyketone compound.

상기 α-아미노케톤 화합물로서는, 예를 들면 2-벤질-2-디메틸아미노-1-(4-모르폴리노페닐)-부탄-1-온, 2-디메틸아미노-2-(4-메틸벤질)-1-(4-모르폴린-4-일-페닐)-부탄-1-온, 2-메틸-1-(4-메틸티오페닐)-2-모르폴리노프로판-1-온 등을 들 수 있다.Examples of the? -Amino ketone compound include 2-benzyl-2-dimethylamino-1- (4-morpholinophenyl) -butan-1-one, 2- -1- (4-morpholin-4-yl-phenyl) -butan-1-one and 2-methyl-1- (4-methylthiophenyl) have.

상기 α-히드록시케톤 화합물로서는, 예를 들면 1-페닐-2-히드록시-2-메틸프로판-1-온, 1-(4-i-프로필페닐)-2-히드록시-2-메틸프로판-1-온, 4-(2-히드록시에톡시)페닐-(2-히드록시-2-프로필)케톤, 1-히드록시시클로헥실페닐케톤 등을 들 수 있다.Examples of the? -Hydroxyketone compound include 1-phenyl-2-hydroxy-2-methylpropan-1-one, 1- (4-i-propylphenyl) 1-one, 4- (2-hydroxyethoxy) phenyl- (2-hydroxy-2-propyl) ketone and 1-hydroxycyclohexyl phenyl ketone.

상기 아세토페논 화합물로서는, α-아미노케톤 화합물이 바람직하고, 2-디메틸아미노-2-(4-메틸벤질)-1-(4-모르폴린-4-일-페닐)-부탄-1-온, 2-메틸-1-(4-메틸티오페닐)-2-모르폴리노프로판-1-온이 보다 바람직하다.As the acetophenone compound, an? -Amino ketone compound is preferable, and 2-dimethylamino-2- (4-methylbenzyl) -1- (4-morpholin- 2-methyl-1- (4-methylthiophenyl) -2-morpholinopropane-1-one is more preferred.

상기 비이미다졸 화합물로서는, 예를 들면 2,2'-비스(2-클로로페닐)-4,4', 5,5'-테트라키스(4-에톡시카르보닐페닐)-1,2'-비이미다졸, 2,2'-비스(2-클로로페닐)-4,4',5,5'-테트라페닐-1,2'-비이미다졸, 2,2'-비스(2,4-디클로로페닐)-4,4',5,5'-테트라페닐-1,2'-비이미다졸, 2,2'-비스(2,4,6-트리클로로페닐)-4,4',5,5'-테트라페닐-1,2'-비이미다졸 등을 들 수 있다. 이들 중에서, 2,2'-비스(2-클로로페닐)-4,4',5,5'-테트라페닐-1,2'-비이미다졸, 2,2'-비스(2,4-디클로로페닐)-4,4',5,5'-테트라페닐-1,2'-비이미다졸, 2,2'-비스(2,4,6-트리클로로페닐)-4,4',5,5'-테트라페닐-1,2'-비이미다졸이 바람직하고, 2,2'-비스(2,4-디클로로페닐)-4,4',5,5'-테트라페닐-1,2'-비이미다졸이 보다 바람직하다.Examples of the imidazole compound include 2,2'-bis (2-chlorophenyl) -4,4 ', 5,5'-tetrakis (4-ethoxycarbonylphenyl) Bisimidazole, 2,2'-bis (2-chlorophenyl) -4,4 ', 5,5'-tetraphenyl-1,2'-biimidazole, 2,2'- Dichlorophenyl) -4,4 ', 5,5'-tetraphenyl-1,2'-biimidazole, 2,2'-bis (2,4,6-trichlorophenyl) , 5'-tetraphenyl-1,2'-biimidazole, and the like. Among them, 2,2'-bis (2-chlorophenyl) -4,4 ', 5,5'-tetraphenyl-1,2'-biimidazole, 2,2'- Phenyl) -4,4 ', 5,5'-tetraphenyl-1,2'-biimidazole, 2,2'-bis (2,4,6-trichlorophenyl) (2,4-dichlorophenyl) -4,4 ', 5,5'-tetraphenyl-1,2', 5'-tetraphenyl- - nonimidazole is more preferred.

[C] 감방사선성 중합 개시제의 시판품으로서는, 예를 들면 2-메틸-1-(4-메틸티오페닐)-2-모르폴리노프로판-1-온(이르가큐어 907), 2-디메틸아미노-2-(4-메틸벤질)-1-(4-모르폴린-4-일-페닐)-부탄-1-온(이르가큐어 379), 1,2-옥탄디온-1-[4-(페닐티오)-2-(O-벤조일옥심)](이르가큐어 OXE01), 에타논-1-〔9-에틸-6-(2-메틸벤조일)-9H-카르바졸-3-일〕-1-(O-아세틸옥심)(이르가큐어 OXE02)(이상, 시바·스페셜티·케미컬즈 제조) 등을 들 수 있다.Examples of commercially available products of the [C] radiation-sensitive polymerization initiator include 2-methyl-1- (4-methylthiophenyl) -2-morpholinopropane-1-one (Irgacure 907) (Irgacure 379), 1,2-octanedione-l- [4- ((4-methylphenyl) (9-ethyl-6- (2-methylbenzoyl) -9H-carbazol-3-yl] -1 - (O-acetyloxime) (Irgacure OXE02) (manufactured by Ciba Specialty Chemicals), and the like.

[C] 감방사선성 중합 개시제의 함유량으로서는, [A2] 중합체 100질량부에 대하여 0.1질량부 이상 40질량부 이하가 바람직하고, 0.5질량부 이상 20질량부 이하가 보다 바람직하다. [C] 감방사선성 중합 개시제의 함유량을 상기 범위로 함으로써, 상기 네가티브형 감방사선성 수지 조성물(2)은 저노광량의 경우에도 충분한 표면 경도 및 밀착성을 갖는 경화막을 형성할 수 있다.The content of the [C] radiation-sensitive polymerization initiator is preferably 0.1 parts by mass or more and 40 parts by mass or less, more preferably 0.5 parts by mass or more and 20 parts by mass or less, based on 100 parts by mass of the polymer [A2]. By setting the content of the [C] radiation-sensitive polymerization initiator within the above range, the negative radiation-sensitive resin composition (2) can form a cured film having sufficient surface hardness and adhesion even at a low exposure dose.

또한, [C] 감방사선성 중합 개시제가 옥심에스테르 화합물이고, 이 옥심에스테르 화합물의 함유량이 [A2] 중합체 100질량부에 대하여 0.1질량부 이상 10질량부 이하인 것이 바람직하고, 1질량부 이상 5질량부 이하인 것이 보다 바람직하다. 이에 따라, 저노광량의 경우에도 충분한 표면 경도 및 밀착성을 갖는 경화막을 효율적으로 형성할 수 있다.The content of the oxime ester compound is preferably 0.1 part by mass or more and 10 parts by mass or less based on 100 parts by mass of the polymer [A2], more preferably 1 part by mass or more and 5 mass parts by mass Or less. This makes it possible to efficiently form a cured film having sufficient surface hardness and adhesion even in the case of a low exposure dose.

<[D] 산화 방지제><[D] Antioxidant>

[D] 산화 방지제는 노광 또는 가열에 의해 발생된 라디칼, 또는 산화에 의해서 생성된 과산화물을 분해하여, 중합체 분자의 결합의 해열을 방지할 수 있는 성분이다. [D] 산화 방지제로서는, 상술한 <경화막 형성용 수지 조성물(1)>의 항에서 설명한 산화 방지제를 적용할 수 있다. 상기 네가티브형 감방사선성 수지 조성물(2)은 [D] 산화 방지제를 함유함으로써, 얻어지는 경화막의 경시적인 산화 열화가 방지되어, 예를 들면 경화막의 막 두께 변화를 억제할 수 있다. 또한, [D] 산화 방지제는 단독으로 또는 2종 이상을 조합하여 이용할 수도 있다.[D] The antioxidant is a component capable of decomposing a radical generated by exposure or heating, or a peroxide generated by oxidation, and preventing the decomposition of bonding of polymer molecules. As the [D] antioxidant, the antioxidant described in the section of the above-mentioned &quot; resin composition for forming a cured film (1) &quot; The negative-tone radiation-sensitive resin composition (2) contains the [D] antioxidant to prevent the deterioration of the cured film with time over time, and can suppress the change in the thickness of the cured film, for example. The antioxidant [D] may be used alone or in combination of two or more.

[D] 산화 방지제의 함유량으로서는, [A2] 중합체 100질량부에 대하여 0질량부 이상 5질량부 이하가 바람직하고, 0.01질량부 이상 2질량부 이하가 보다 바람직하다. [D] 산화 방지제의 함유량을 상기 범위로 함으로써, 얻어지는 경화막의 경시적인 산화 열화를 효과적으로 방지할 수 있다.The content of [D] antioxidant is preferably 0 parts by mass or more and 5 parts by mass or less, more preferably 0.01 parts by mass or more and 2 parts by mass or less, based on 100 parts by mass of the polymer [A2]. By setting the content of [D] antioxidant within the above range, it is possible to effectively prevent oxidation deterioration over time of the cured film obtained.

<그 밖의 임의 성분><Other optional components>

상기 네가티브형 감방사선성 수지 조성물(2)이 함유할 수도 있는 그 밖의 임의 성분으로서는, 예를 들면 용매 외에, [E] 계면 활성제, [F] 접착 보조제 등을 들 수 있다. 또한, 각각의 그 밖의 임의 성분에 대해서는, 상술한 <경화막 형성용 수지 조성물(1)>의 항에서 설명한 것을 적용할 수 있다.Examples of other optional components that the negative-tone radiation-sensitive resin composition (2) may contain include [E] a surfactant, [F] an adhesion aid and the like in addition to a solvent. For each of the other optional components, those described in the section of the above-mentioned &quot; Resin composition for forming a cured film (1) &quot;

<네가티브형 감방사선성 수지 조성물(2)의 제조 방법>&Lt; Method for producing negative-tone radiation-sensitive resin composition (2)

본 발명의 네가티브형 감방사선성 수지 조성물(2)은, [A2] 중합체, 필요에 따라서 그 밖의 성분을 소정의 비율로 혼합하고, 바람직하게는 적당한 용매에 용해시켜서 제조할 수 있다. 네가티브형 감방사선성 수지 조성물(2)의 제조에 이용되는 용매로서는, 예를 들면 상술한 <경화막 형성용 수지 조성물(1)의 제조 방법>의 항에서 예시한 용매와 마찬가지의 용매 등을 적용할 수 있다. 제조한 네가티브형 감방사선성 수지 조성물(2)은, 예를 들면 공경 0.2㎛ 정도의 필터로 여과하는 것이 바람직하다.The negative-tone radiation-sensitive resin composition (2) of the present invention can be prepared by mixing the [A2] polymer and, if necessary, other components in a predetermined ratio, preferably in a suitable solvent. Examples of the solvent used in the production of the negative-tone radiation-sensitive resin composition (2) include a solvent similar to the solvent exemplified in the above-mentioned &quot; Process for producing a cured film-forming resin composition (1) can do. The negative-tone radiation-sensitive resin composition (2) thus prepared is preferably filtered with a filter having a pore size of about 0.2 m, for example.

<경화막의 형성 방법 (2)>&Lt; Method of forming a cured film (2) >

본 발명의 경화막의 형성 방법 (2)는,In the method (2) for forming a cured film of the present invention,

(1) 상기 네가티브형 감방사선성 수지 조성물(2)을 이용하여 기판 상에 도막을 형성하는 공정(이하, "공정 (B1)"이라고도 함),(1) a step of forming a coating film on the substrate (hereinafter also referred to as "step (B1)") using the negative radiation sensitive resin composition (2)

(2) 상기 도막의 일부에 방사선을 조사하는 공정(이하, "공정 (B2)"라고도 함),(2) a step of irradiating a part of the coating film with radiation (hereinafter also referred to as "step (B2)"),

(3) 상기 방사선이 조사된 도막을 현상하는 공정(이하, "공정 (B3)"이라고도 함), 및(3) a step of developing the coating film irradiated with the radiation (hereinafter also referred to as "step (B3)"), and

(4) 상기 현상된 도막을 가열하는 공정(이하, "공정 (B4)"라고도 함)(4) a step of heating the developed coating film (hereinafter also referred to as "step (B4)"),

을 갖는다.Respectively.

상기 네가티브형 감방사선성 수지 조성물(2)이 상기 성질을 갖고 있기 때문에, 본 발명의 경화막의 형성 방법(2)에 따르면, 내열성, 내약품성, 투과율, 비유전율 등의 일반적 특성을 충분히 만족시키고, 우수한 표면 경도를 갖는 경화막을 형성할 수 있다. 이하, 각 공정에 대해서 상술한다.According to the method (2) for forming a cured film of the present invention, since the negative type radiation sensitive resin composition (2) has the above properties, it is possible to satisfactorily satisfy general characteristics such as heat resistance, chemical resistance, transmittance, A cured film having excellent surface hardness can be formed. Each step will be described in detail below.

[공정 (B1)][Step (B1)]

본 공정에서는, 상기 네가티브형 감방사선성 수지 조성물(2)을 이용하여 기판 상에 도막을 형성한다. 구체적으로는, 상기 네가티브형 감방사선성 수지 조성물(2)의 용액을 기판 표면에 도포하고, 바람직하게는 프리베이킹을 행함으로써 용매를 제거하여 도막을 형성한다. 상기 기판으로서는, 예를 들면 유리 기판, 실리콘 웨이퍼, 플라스틱 기판, 및 이들의 표면에 각종 금속 박막이 형성된 기판 등을 들 수 있다. 상기 플라스틱 기판으로서는, 예를 들면 폴리에틸렌테레프탈레이트(PET), 폴리부틸렌테레프탈레이트(PBT), 폴리에테르술폰, 폴리카보네이트, 폴리이미드 등의 플라스틱을 포함하는 수지 기판을 들 수 있다.In this step, a coating film is formed on the substrate by using the negative radiation-sensitive resin composition (2). Specifically, the solution of the negative-tone radiation-sensitive resin composition (2) is coated on the surface of the substrate, preferably by prebaking to remove the solvent to form a coating film. Examples of the substrate include a glass substrate, a silicon wafer, a plastic substrate, and a substrate on which various metal thin films are formed. Examples of the plastic substrate include resin substrates containing plastics such as polyethylene terephthalate (PET), polybutylene terephthalate (PBT), polyethersulfone, polycarbonate, and polyimide.

도포 방법으로서는, 예를 들면 스프레이법, 롤 코팅법, 회전 도포법(스핀 코팅법), 슬릿다이 도포법, 바 도포법, 잉크젯법 등의 적절한 방법을 채용할 수 있다. 이들 중에서 도포 방법으로서는, 스핀 코팅법, 바 도포법, 슬릿다이 도포법이 바람직하다. 상기 프리베이킹의 조건으로서는, 각 성분의 종류, 사용 비율 등에 따라서도 다르지만, 예를 들면 60℃ 내지 130℃에서 30초간 내지 10분간 정도로 할 수 있다. 형성되는 도막의 막 두께는 프리베이킹 후의 값으로서 0.1㎛ 내지 8㎛가 바람직하고, 0.1㎛ 내지 6㎛가 보다 바람직하고, 0.1㎛ 내지 4㎛가 더욱 바람직하다.As a coating method, a suitable method such as a spraying method, a roll coating method, a spin coating method (spin coating method), a slit die coating method, a bar coating method, an ink jet method and the like can be adopted. Among these, spin coating method, bar coating method and slit die coating method are preferable. The conditions for the prebaking may vary depending on the kind of each component, the use ratio, and the like, and may be, for example, 60 to 130 DEG C for 30 seconds to 10 minutes. The film thickness of the formed coating film is preferably 0.1 占 퐉 to 8 占 퐉, more preferably 0.1 占 퐉 to 6 占 퐉, and still more preferably 0.1 占 퐉 to 4 占 퐉, as a value after pre-baking.

[공정 (B2)][Step (B2)]

본 공정에서는, 상기 도막의 일부에 방사선을 조사한다. 구체적으로는, 공정 (B1)에서 형성한 도막에 소정의 패턴을 갖는 마스크를 통해 방사선을 조사한다. 이때 이용되는 방사선으로서는, 예를 들면 자외선, 원자외선, X선, 하전 입자선 등을 들 수 있다.In this step, a part of the coating film is irradiated with radiation. Specifically, the coated film formed in the step (B1) is irradiated with a radiation through a mask having a predetermined pattern. Examples of the radiation used at this time include ultraviolet rays, deep ultraviolet rays, X-rays, charged particle rays, and the like.

상기 자외선으로서는, 예를 들면 g선(파장 436nm), i선(파장 365nm) 등을 들 수 있다. 원자외선으로서는, 예를 들면 KrF 엑시머 레이저광 등을 들 수 있다. X선으로서는, 예를 들면 싱크로트론 방사선 등을 들 수 있다. 하전 입자선으로서는, 예를 들면 전자선 등을 들 수 있다. 이들 방사선 중 자외선이 바람직하고, 자외선 중에서도 g선, h선 및/또는 i선을 포함하는 방사선이 보다 바람직하다. 방사선의 노광량으로서는, 0.1J/m2 내지 10,000J/m2가 바람직하다.Examples of the ultraviolet ray include g-line (wavelength: 436 nm) and i-line (wavelength: 365 nm). Examples of the far ultraviolet ray include KrF excimer laser light and the like. Examples of X-rays include synchrotron radiation. Examples of the charged particle beam include electron beams and the like. Of these radiation, ultraviolet rays are preferable, and among ultraviolet rays, radiation including g line, h line and / or i line is more preferable. Examples of radiation exposure dose, 0.1J / m 2 to 10,000J / m 2 is preferred.

[공정 (B3)][Step (B3)]

본 공정에서는, 상기 방사선이 조사된 도막을 현상한다. 구체적으로는, 공정 (B2)에서 방사선이 조사된 도막에 대하여 현상액에 의해 현상을 행하여 방사선의 조사 부분을 제거한다. 상기 현상액으로서는, 예를 들면 수산화나트륨, 수산화칼륨, 탄산나트륨, 규산나트륨, 메타규산나트륨, 암모니아, 에틸아민, n-프로필아민, 디에틸아민, 디에틸아미노에탄올, 디-n-프로필아민, 트리에틸아민, 메틸디에틸아민, 디메틸에탄올아민, 트리에탄올아민, 테트라메틸암모늄히드록시드(TMAH), 테트라에틸암모늄히드록시드, 피롤, 피페리딘, 1,8-디아자비시클로〔5,4,0〕-7-운데센, 1,5-디아자비시클로〔4,3,0〕-5-노난 등의 알칼리(염기성 화합물)의 수용액 등을 들 수 있다. 또한, 상기 알칼리의 수용액에 메탄올, 에탄올 등의 수용성 유기 용매나 계면 활성제를 적당량 첨가한 수용액, 또는 상기 네가티브형 감방사선성 수지 조성물(2)을 용해 가능한 각종 유기 용매를 소량 포함하는 알칼리 수용액을 현상액으로서 이용할 수도 있다.In this step, the coated film irradiated with the radiation is developed. Specifically, the coating film irradiated with the radiation in the step (B2) is developed with a developer to remove the irradiated portion of the radiation. Examples of the developer include aqueous solutions such as sodium hydroxide, potassium hydroxide, sodium carbonate, sodium silicate, sodium metasilicate, ammonia, ethylamine, n-propylamine, diethylamine, diethylaminoethanol, Amine, methyldiethylamine, dimethylethanolamine, triethanolamine, tetramethylammonium hydroxide (TMAH), tetraethylammonium hydroxide, pyrrole, piperidine, 1,8-diazabicyclo [5,4,0 ] -7-undecene, 1,5-diazabicyclo [4,3,0] -5-nonane, and the like. Further, an aqueous solution containing an appropriate amount of a water-soluble organic solvent such as methanol or ethanol, or a surfactant, or an aqueous alkali solution containing a small amount of various organic solvents capable of dissolving the negative-tone radiation-sensitive resin composition (2) .

현상 방법으로서는, 예를 들면 액고임법, 디핑법, 요동 침지법, 샤워법 등의 적절한 방법을 채용할 수 있다. 현상 시간으로서는, 상기 네가티브형 감방사선성 수지 조성물(2)의 조성에 따라서 다르지만, 예를 들면 30초 내지 120초로 할 수 있다. 또한, 현상 공정 후, 패터닝된 도막에 대하여 유수(流水) 세정에 의한 린스 처리를 행하고, 이어서 고압 수은등 등에 의한 방사선을 전체면에 조사(후 노광)함으로써, 도막 내에 잔존하는 [C] 감방사선성 중합 개시제의 분해 처리를 행하는 것이 바람직하다. 이 후 노광에서의 노광량으로서는, 2,000J/m2 내지 5,000J/m2가 바람직하다.As the developing method, a suitable method such as a liquid-solid method, a dipping method, a swing dipping method, a shower method and the like can be adopted. The development time varies depending on the composition of the negative radiation-sensitive resin composition (2), but may be, for example, 30 seconds to 120 seconds. Further, after the development process, the patterned coating film is subjected to a rinsing treatment by running water washing, and then irradiated (post-exposure) with radiation by a high-pressure mercury lamp or the like on the entire surface to remove the [C] radiation- It is preferable to carry out the decomposition treatment of the polymerization initiator. The exposure amount in the subsequent exposure is preferably 2,000 J / m 2 to 5,000 J / m 2 .

[공정 (B4)][Step (B4)]

본 공정에서는, 상기 현상된 도막을 가열한다. 구체적으로는, 공정 (B3)에서 현상된 도막을 가열하는 핫 플레이트, 오븐 등의 가열 장치를 이용하여, 이 도막을 가열 처리(포스트 베이킹)함으로써 도막의 경화를 행한다. 본 공정에서의 가열 온도로서는 200℃ 이하가 바람직하다. 감방사선성을 이용한 미세한 패턴 형성능 외에도, 이와 같이 낮은 온도에서의 가열이 가능함으로써, 상기 경화막의 형성 방법 (2)는 플렉시블 디스플레이의 플라스틱 기판 상에서의 층간 절연막 등의 경화막 형성에 바람직하게 사용할 수 있다. 가열 온도로서는 120℃ 내지 180℃가 보다 바람직하고, 120℃ 내지 150℃가 더욱 바람직하다. 가열 시간으로서는 가열 기기의 종류에 따라 다르지만, 예를 들면 핫 플레이트 상에서 가열 처리를 행하는 경우에는 5분 내지 40분, 오븐 중에서 가열 처리를 행하는 경우에는 30분 내지 80분으로 할 수 있고, 보다 바람직하게는 핫 플레이트 상에서 가열 처리를 행하는 경우에는 30분간 이내, 오븐 중에서 가열 처리를 행하는 경우에는 60분간 이내이다. 이와 같이 하여, 목적으로 하는 층간 절연막 등의 경화막에 대응하는 패턴상 도막을 기판 상에 형성할 수 있다.In this step, the developed coating film is heated. Specifically, the coating film is cured by heat treatment (post-baking) using a heating device such as a hot plate or oven for heating the developed coating film in step B3. The heating temperature in this step is preferably 200 DEG C or less. In addition to the ability to form fine patterns using the radiation-sensitive properties, the method (2) for forming the cured film can be suitably used for forming a cured film such as an interlayer insulating film on a plastic substrate of a flexible display . The heating temperature is more preferably 120 ° C to 180 ° C, and further preferably 120 ° C to 150 ° C. The heating time varies depending on the type of the heating apparatus. For example, the heating time may be 5 minutes to 40 minutes in the case of performing heat treatment on a hot plate, 30 minutes to 80 minutes in the case of performing heat treatment in an oven, Is within 30 minutes in the case of performing the heat treatment on the hot plate and within 60 minutes in the case of performing the heat treatment in the oven. In this way, a pattern-like coating film corresponding to a target cured film such as an interlayer insulating film can be formed on the substrate.

<경화막(2)>&Lt; Cured film (2) >

본 발명의 경화막(2)은, 상기 네가티브형 감방사선성 수지 조성물(2)로부터 형성된다. 상기 경화막(2)의 형성 방법으로서는 특별히 한정되지 않지만, 바람직하게는 상술한 상기 경화막의 형성 방법(2)을 이용하여 형성할 수 있다. 상기 경화막(2)은 상기 네가티브형 감방사선성 수지 조성물(2)로부터 형성되어 있기 때문에, 우수한 표면 경도를 가짐과 동시에 내약품성, 내열성, 투과율 및 비유전율 등의 일반적 특성을 충분히 만족시킬 수 있다. 상기 경화막(2)은 상기 특성을 갖고 있기 때문에, 예를 들면 표시 소자의 층간 절연막, 스페이서, 보호막, 컬러 필터용 착색 패턴 등으로서 바람직하다.The cured film (2) of the present invention is formed from the negative radiation-sensitive resin composition (2). The method of forming the cured film 2 is not particularly limited, but it can be preferably formed using the method (2) for forming a cured film described above. Since the cured film 2 is formed from the negative radiation-sensitive resin composition 2, it can have satisfactory surface hardness and satisfactory general characteristics such as chemical resistance, heat resistance, transmittance and relative dielectric constant . The cured film 2 is preferable as an interlayer insulating film of a display element, a spacer, a protective film, a coloring pattern for a color filter, and the like because it has the above characteristics.

<반도체 소자><Semiconductor device>

본 발명의 반도체 소자는 상기 경화막(상술한 경화막(1) 또는 경화막(2))을 구비하고 있다. 이 경화막은, 예를 들면 해당 반도체 소자 중의 배선 사이를 절연하는 층간 절연막 등으로서 이용된다. 상기 반도체 소자는 공지된 방법을 이용하여 형성할 수 있다. 상기 반도체 소자는 상기 경화막을 구비하고 있기 때문에, 표시 소자, LED, 태양 전지 등의 전자 디바이스에 바람직하게 사용할 수 있다.The semiconductor device of the present invention includes the cured film (the cured film (1) or the cured film (2) described above). This cured film is used, for example, as an interlayer insulating film or the like for insulating between wirings in the semiconductor element. The semiconductor device can be formed using a known method. Since the semiconductor device includes the cured film, it can be suitably used for electronic devices such as display devices, LEDs, and solar cells.

<표시 소자><Display element>

본 발명의 표시 소자는 상기 반도체 소자를 구비하고 있다. 상기 표시 소자는 상기 경화막을 갖는 반도체 소자를 구비하고 있기 때문에, 표시 소자로서 실용면에서 요구되는 일반적 특성을 만족시킨다. 상기 표시 소자로서는, 예를 들면 액정 표시 소자 등을 들 수 있다. 상기 액정 표시 소자는, 예를 들면 액정 배향막이 표면에 형성된 TFT 어레이 기판 2장이, TFT 어레이 기판의 주변부에 설치된 시일제를 통해 액정 배향막측에서 대향하여 배치되어 있고, 이들 2장의 TFT 어레이 기판사이에 액정이 충전되어 있다. 상기 TFT 어레이 기판은 층상으로 배치되는 배선을 갖고, 이 배선 사이를 층간 절연막으로서의 상기 경화막에 의해 절연하고 있는 것이다.The display element of the present invention comprises the above semiconductor element. Since the display element includes the semiconductor element having the cured film, general characteristics required for practical use as a display element are satisfied. Examples of the display element include a liquid crystal display element and the like. In the liquid crystal display element, for example, two TFT array substrates each having a liquid crystal alignment film formed on its surface are arranged opposite to each other on the liquid crystal alignment film side through a sealant provided in the peripheral portion of the TFT array substrate. The liquid crystal is filled. The TFT array substrate has wires arranged in layers, and the wires are insulated by the cured film as an interlayer insulating film.

<포지티브형 감방사선성 수지 조성물>&Lt; Positive-type radiation-sensitive resin composition >

본 발명의 포지티브형 감방사선성 수지 조성물은, [A3] 중합체 및 [G] 산 발생체를 함유한다. 또한, 상기 포지티브형 감방사선성 수지 조성물은 적합 성분으로서 [H] 용매를 함유할 수도 있다. 또한, 상기 포지티브형 감방사선성 수지 조성물은 본 발명의 효과를 손상시키지 않는 범위에서, 그 밖의 임의 성분을 함유할 수도 있다. 이하, 각 성분에 대해서 상술한다.The positive radiation-sensitive resin composition of the present invention contains the [A3] polymer and the [G] acid generator. In addition, the positive radiation-sensitive resin composition may contain a [H] solvent as a suitable component. The positive radiation-sensitive resin composition may contain other optional components as long as the effect of the present invention is not impaired. Each component will be described in detail below.

<[A3] 중합체><[A3] Polymer>

[A3] 중합체는 구조 단위(I) 및 (II-3)을 갖는 중합체이다. 또한, [A3] 중합체는 본 발명의 효과를 손상시키지 않는 범위에서, 구조 단위(III) 및 구조 단위(IV)를 가질 수도 있다. 또한, [A3] 중합체는 각 구조 단위를 2종 이상 가질 수도 있다.[A3] The polymer is a polymer having the structural units (I) and (II-3). Further, the [A3] polymer may have the structural unit (III) and the structural unit (IV) within the range not to impair the effect of the present invention. Further, the [A3] polymer may have two or more kinds of structural units.

[구조 단위(I)][Structural unit (I)]

구조 단위(I)는, 상기 화학식 (1)로 표시되는 기 및 상기 화학식 (2)로 표시되는 기로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 1종을 포함하는 구조 단위이다. [A3] 중합체가 구조 단위(I) 및 후술하는 구조 단위(II-3)를 가짐으로써, 상기 포지티브형 감방사선성 수지 조성물은 양호한 표면 경도를 유지하면서, 보존 안정성도 우수할 뿐 아니라, 감도, 현상 밀착성, 내열성, 내약품성, 투과율, 비유전율 등의 일반적 특성도 충분히 만족시킬 수 있는 경화막을 형성할 수 있다. 이것은, 이 구조 단위(I)에 포함되는 화학식 (1) 및/또는 (2)로 표시되는 기에서의 수산기와, 후술하는 구조 단위(II-3)에 포함되는 환상 에테르 및/또는 환상 카보네이트가 반응하여, 강고한 가교 구조의 형성에 의해 경화막의 표면 경도를 유지할 수 있음과 동시에, 상기 반응이 상온에서는 진행되기 어려운 결과, 보존 중에 증점이 억제되어 양호한 보존 안정성이 얻어지기 때문이라고 추찰된다.The structural unit (I) is a structural unit comprising at least one kind selected from the group consisting of the group represented by the above-mentioned formula (1) and the group represented by the above-mentioned formula (2). By having the structural unit (I) and the structural unit (II-3) described later, the positive-tone radiation-sensitive resin composition is excellent in storage stability while maintaining good surface hardness, It is possible to form a cured film which can sufficiently satisfy general characteristics such as adhesion, heat resistance, chemical resistance, transmittance and relative dielectric constant. This is because the hydroxyl groups in the groups represented by the formulas (1) and / or (2) contained in the structural unit (I) and the cyclic ether and / or cyclic carbonate contained in the structural unit (II- It is presumed that the surface hardness of the cured film can be maintained by the formation of a strong crosslinked structure and that the reaction does not proceed at room temperature and as a result the thickening is inhibited during storage and good storage stability is obtained.

상기 화학식 (1) 중, R1 및 R2는 각각 독립적으로 수소 원자, 탄소수 1 내지 4의 알킬기 또는 탄소수 1 내지 4의 불소화 알킬기이다. 단, R1 및 R2 중 적어도 어느 하나는 탄소수 1 내지 4의 불소화 알킬기이다.In the above formula (1), R 1 and R 2 are each independently a hydrogen atom, an alkyl group having 1 to 4 carbon atoms, or a fluorinated alkyl group having 1 to 4 carbon atoms. Provided that at least one of R 1 and R 2 is a fluorinated alkyl group having 1 to 4 carbon atoms.

상기 화학식 (2) 중, R3 및 R4는 각각 독립적으로 수소 원자, 할로겐 원자, 탄소수 1 내지 4의 알킬기 또는 탄소수 1 내지 4의 불소화 알킬기이다. 단, R3 및 R4 중 적어도 어느 하나는 할로겐 원자 또는 탄소수 1 내지 4의 불소화 알킬기이다.In the formula (2), R 3 and R 4 are each independently a hydrogen atom, a halogen atom, an alkyl group having 1 to 4 carbon atoms, or a fluorinated alkyl group having 1 to 4 carbon atoms. Provided that at least one of R 3 and R 4 is a halogen atom or a fluorinated alkyl group having 1 to 4 carbon atoms.

상기 R1 내지 R4로 표시되는 탄소수 1 내지 4의 알킬기로서는, 예를 들면 메틸기, 에틸기, n-프로필기, i-프로필기, n-부틸기, i-부틸기, sec-부틸기, t-부틸기 등을 들 수 있다.Examples of the alkyl group having 1 to 4 carbon atoms represented by R 1 to R 4 include a methyl group, ethyl group, n-propyl group, i-propyl group, n-butyl group, i- -Butyl group and the like.

상기 R1 내지 R4로 표시되는 탄소수 1 내지 4의 불소화 알킬기는, 탄소수 1 내지 4의 알킬기가 갖는 수소 원자의 일부 또는 전부가 불소 원자로 치환된 기이다. 상기 탄소수 1 내지 4의 알킬기로서는, 예를 들면 상기 R1 내지 R4로 표시되는 탄소수 1 내지 4의 알킬기로서 예시한 기와 마찬가지의 기를 적용할 수 있다.The fluorinated alkyl group having 1 to 4 carbon atoms represented by R 1 to R 4 is a group in which a part or all of the hydrogen atoms contained in the alkyl group having 1 to 4 carbon atoms is substituted with a fluorine atom. Examples of the alkyl group having 1 to 4 carbon atoms include the same groups as those exemplified as the alkyl group having 1 to 4 carbon atoms represented by R 1 to R 4 .

상기 할로겐 원자로서는, 예를 들면 불소 원자, 염소 원자, 브롬 원자, 요오드 원자 등을 들 수 있다.Examples of the halogen atom include a fluorine atom, a chlorine atom, a bromine atom, and an iodine atom.

상기 R1 내지 R4로서는, 탄소수 1 내지 4의 불소화 알킬기, 할로겐 원자가 바람직하다. 상기 탄소수 1 내지 4의 불소화 알킬기로서는, 탄소수 1 내지 4의 퍼플루오로알킬기가 보다 바람직하고, 트리플루오로메틸기가 더욱 바람직하다. 또한, 상기 할로겐 원자로서는, 불소 원자가 보다 바람직하다.As R 1 to R 4 , a fluorinated alkyl group having 1 to 4 carbon atoms and a halogen atom are preferable. As the fluorinated alkyl group having 1 to 4 carbon atoms, a perfluoroalkyl group having 1 to 4 carbon atoms is more preferable, and a trifluoromethyl group is more preferable. The halogen atom is more preferably a fluorine atom.

상기 화학식 (1)로 표시되는 기를 포함하는 구조 단위(I)로서는, 하기 화학식 (1a) 및 (1b)로 표시되는 구조 단위가 바람직하다.As the structural unit (I) containing a group represented by the above formula (1), structural units represented by the following formulas (1a) and (1b) are preferable.

Figure pat00012
Figure pat00012

상기 화학식 (1a) 및 (1b) 중, R은 각각 독립적으로 수소 원자, 메틸기, 히드록시메틸기, 시아노기 또는 트리플루오로메틸기이다. R1 및 R2는 상기 화학식 (1)과 동의이다. R5 및 R6은 각각 독립적으로 (n+1)가의 유기기이다. n은 각각 독립적으로 1 내지 5의 정수이다. n이 2 이상인 경우, 복수개의 R1 및 R2는 각각 동일할 수도 상이할 수도 있다.In the above formulas (1a) and (1b), each R is independently a hydrogen atom, a methyl group, a hydroxymethyl group, a cyano group or a trifluoromethyl group. R 1 and R 2 are as defined in the above formula (1). R 5 and R 6 are each independently (n + 1) -valent organic groups. n is independently an integer of 1 to 5; When n is 2 or more, a plurality of R 1 and R 2 may be the same or different from each other.

R5 및 R6으로 표시되는 (n+1)가의 유기기로서는, 예를 들면 탄소수 1 내지 20의 (n+1)가의 쇄상 탄화수소기, 탄소수 3 내지 20의 (n+1)가의 지환식 탄화수소기, 또는 탄소수 6 내지 20의 (n+1)가의 방향족 탄화수소기, 또는 탄소수 1 내지 20의 쇄상의 탄화수소기, 탄소수 3 내지 20의 지환식 탄화수소기 및 탄소수 6 내지 20의 방향족 탄화수소기 중 2종 이상을 조합한 (n+1)가의 기 등을 들 수 있다. 단, 이들 기가 갖는 수소 원자의 일부 또는 전부는 치환되어 있을 수도 있다.R 5 and as the monovalent organic group (n + 1) represented by R 6, for example having 1 to 20 carbon atoms in the (n + 1) valent chain hydrocarbon group, having 3 to 20 (n + 1) valent alicyclic hydrocarbon (N + 1) -valent aromatic hydrocarbon group having 6 to 20 carbon atoms, a linear hydrocarbon group having 1 to 20 carbon atoms, an alicyclic hydrocarbon group having 3 to 20 carbon atoms, and an aromatic hydrocarbon group having 6 to 20 carbon atoms (N + 1) -valent groups obtained by combining the above-mentioned groups. However, some or all of the hydrogen atoms of these groups may be substituted.

상기 탄소수 1 내지 20의 (n+1)가의 쇄상 탄화수소기로서는, 예를 들면 탄소수 1 내지 20의 직쇄상 또는 분지상의 알킬기에서 수소 원자를 n개 제거한 기 등을 들 수 있다.Examples of the (n + 1) th chain hydrocarbon group having 1 to 20 carbon atoms include groups obtained by removing n hydrogen atoms from a linear or branched alkyl group having 1 to 20 carbon atoms.

상기 탄소수 1 내지 20의 직쇄상 또는 분지상의 알킬기로서는, 예를 들면 메틸기, 에틸기, n-프로필기, i-프로필기, n-부틸기, 2-메틸프로필기, 1-메틸프로필기, t-부틸기 등을 들 수 있다.Examples of the straight-chain or branched alkyl group having 1 to 20 carbon atoms include methyl, ethyl, n-propyl, i-propyl, n-butyl, -Butyl group and the like.

상기 탄소수 3 내지 20의 (n+1)가의 지환식 탄화수소기로서는, 예를 들면 탄소수 3 내지 20의 1가의 지환식 탄화수소기에서 수소 원자를 n개 제거한 기 등을 들 수 있다.Examples of the (n + 1) -valent alicyclic hydrocarbon group having 3 to 20 carbon atoms include a group obtained by removing n hydrogen atoms from a monovalent alicyclic hydrocarbon group having 3 to 20 carbon atoms.

상기 탄소수 3 내지 20의 1가의 지환식 탄화수소기로서는, 예를 들면 시클로프로필기, 시클로부틸기, 시클로펜틸기, 시클로헥실기, 노르보르닐기, 아다만틸기 등을 들 수 있다.Examples of the monovalent alicyclic hydrocarbon group having 3 to 20 carbon atoms include a cyclopropyl group, a cyclobutyl group, a cyclopentyl group, a cyclohexyl group, a norbornyl group and an adamantyl group.

상기 탄소수 6 내지 20의 (n+1)가의 방향족 탄화수소기로서는, 예를 들면 탄소수 6 내지 20의 1가의 방향족 탄화수소기에서 수소 원자를 n개 제거한 기 등을 들 수 있다.Examples of the (n + 1) -valent aromatic hydrocarbon group having 6 to 20 carbon atoms include a group obtained by removing n hydrogen atoms from a monovalent aromatic hydrocarbon group having 6 to 20 carbon atoms.

상기 탄소수 6 내지 20의 1가의 방향족 탄화수소기로서는, 예를 들면 페닐기, 톨릴기, 나프틸기 등을 들 수 있다.Examples of the monovalent aromatic hydrocarbon group having 6 to 20 carbon atoms include a phenyl group, a tolyl group and a naphthyl group.

이들 중에서, R5로서는 쇄상의 탄화수소기, 지환식 탄화수소기 및 이들 기를 조합한 기가 바람직하고, 에틸렌기, 1,2-프로필렌기, 2,5-노르보르닐렌기, 2,6-노르보르닐렌기를 포함하는 탄화수소기가 보다 바람직하다. 또한, R6으로서는 2가의 방향족 탄화수소기가 바람직하고, 페닐렌기가 보다 바람직하다.Among them, R 5 is preferably a chain hydrocarbon group, an alicyclic hydrocarbon group, and a group combining these groups, and examples thereof include ethylene, 1,2-propylene, 2,5- Group is more preferable. As R 6 , a divalent aromatic hydrocarbon group is preferable, and a phenylene group is more preferable.

상기 화학식 (2)로 표시되는 기를 포함하는 구조 단위(I)로서는, 하기 화학식 (2a) 및 (2b)로 표시되는 구조 단위가 바람직하다.As the structural unit (I) containing a group represented by the general formula (2), structural units represented by the following general formulas (2a) and (2b) are preferable.

Figure pat00013
Figure pat00013

상기 화학식 (2a) 및 (2b) 중, R은 상기 화학식 (1a) 및 (1b)와 동의이다. R3 및 R4는 상기 화학식 (2)와 동의이다.In the above formulas (2a) and (2b), R is as defined in the above formulas (1a) and (1b). R 3 and R 4 are as defined in the above formula (2).

구조 단위(I)로서는, 예를 들면 하기 화학식 (I-1) 내지 (I-15)로 표시되는 구조 단위 등을 들 수 있다.Examples of the structural unit (I) include structural units represented by the following formulas (I-1) to (I-15).

Figure pat00014
Figure pat00014

상기 화학식 중, R은 상기 화학식 (1a), (1b), (2a) 및 (2b)와 동의이다. 이들 중에서 구조 단위(I)로서는, 화학식 (I-1) 내지 (I-6), (I-9) 및 (I-11) 내지 (I-13)으로 표시되는 구조 단위가 바람직하고, 알칼리 현상성 및 열경화성의 관점에서, 화학식 (I-1) 내지 (I-6)으로 표시되는 구조 단위가 보다 바람직하다.In the above formulas, R is synonymous with the above formulas (1a), (1b), (2a) and (2b). Among them, the structural unit represented by the formula (I-1) to (I-6), (I-9) and (I-11) to (I- (I-1) to (I-6) are more preferable from the viewpoints of heat resistance, heat resistance and heat and curability.

구조 단위(I)의 함유 비율로서는, [A3] 중합체를 구성하는 전체 구조 단위에 대하여 10몰% 이상 90몰% 이하가 바람직하고, 20몰% 이상 80몰% 이하가 보다 바람직하고, 30몰% 이상 70몰% 이하가 더욱 바람직하다. 구조 단위(I)의 함유 비율을 상기 범위로 함으로써, 효과적으로 보존 안정성 등을 향상시킬 수 있다.The content of the structural unit (I) is preferably from 10 to 90 mol%, more preferably from 20 to 80 mol%, and still more preferably from 30 to 30 mol%, based on the total structural units constituting the polymer [A3] Or more and 70 mol% or less. By setting the content ratio of the structural unit (I) within the above range, the storage stability and the like can be effectively improved.

[구조 단위(II-3)][Structural unit (II-3)]

구조 단위(II-3)는 환상 에테르 구조 또는 환상 카보네이트 구조를 포함하는 구조 단위이다.The structural unit (II-3) is a structural unit containing a cyclic ether structure or a cyclic carbonate structure.

상기 환상 에테르 구조로서는, 예를 들면 옥시란 구조(1,2-에폭시 구조), 옥세탄 구조(1,3-에폭시 구조) 및 테트라히드로푸란 구조 등을 들 수 있다.Examples of the cyclic ether structure include an oxirane structure (1,2-epoxy structure), an oxetane structure (1,3-epoxy structure), and a tetrahydrofuran structure.

구조 단위(II-3)로서는, 예를 들면,As the structural unit (II-3), for example,

옥시란 구조를 포함하는 것으로서, 하기 화학식 (II-1) 내지 (II-5)로 표시되는 구조 단위 등;Structural units represented by the following formulas (II-1) to (II-5), including oxirane structures;

옥세탄 구조를 포함하는 것으로서, 하기 화학식 (II-6) 내지 (II-9)로 표시되는 구조 단위 등;Structural units represented by the following formulas (II-6) to (II-9), including oxetane structures;

테트라히드로푸란 구조를 포함하는 것으로서, 하기 화학식 (II-10) 및 (II-11)로 표시되는 구조 단위 등;Structural units represented by the following formulas (II-10) and (II-11), including a tetrahydrofuran structure;

환상 카보네이트 구조를 포함하는 것으로서, 하기 화학식 (II-12) 내지 (II-16)으로 표시되는 구조 단위 등을 들 수 있다.Structural units represented by the following formulas (II-12) to (II-16), including cyclic carbonate structures, and the like.

Figure pat00015
Figure pat00015

상기 화학식 (II-1) 내지 (II-16) 중, R7은 수소 원자, 메틸기 또는 트리플루오로메틸기이다. 이들 중에서 구조 단위(II-3)로서는, 가교성 및 내약품성의 관점에서 화학식 (II-1) 내지 (II-9) 및 (II-12) 내지 (II-16)으로 표시되는 구조 단위가 바람직하고, 화학식 (II-1) 내지 (II-9)로 표시되는 구조 단위가 보다 바람직하고, 화학식 (II-1) 내지 (II-5)로 표시되는 구조 단위가 더욱 바람직하고, 화학식 (II-1) 내지 (II-3)으로 표시되는 구조 단위가 특히 바람직하다.In the formulas (II-1) to (II-16), R 7 is a hydrogen atom, a methyl group or a trifluoromethyl group. (II-1) to (II-9) and (II-12) to (II-16) are preferable from the viewpoints of the crosslinking property and the chemical resistance , More preferably a structural unit represented by any one of formulas (II-1) to (II-9), still more preferably a structural unit represented by formulas (II- 1) to (II-3) are particularly preferable.

구조 단위(II-3)의 함유 비율로서는, [A3] 중합체를 구성하는 전체 구조 단위에 대하여 1몰% 이상 70몰% 이하가 바람직하고, 5몰% 이상 50몰% 이하가 보다 바람직하고, 10몰% 이상 30몰% 이하가 더욱 바람직하다. 구조 단위(II-3)의 함유 비율을 상기 범위로 함으로써, 효과적으로 보존 안정성 등을 향상시킬 수 있다.The content of the structural unit (II-3) is preferably from 1 mol% to 70 mol%, more preferably from 5 mol% to 50 mol%, and still more preferably from 10 mol% to 10 mol%, based on the total structural units constituting the polymer [A3] Mol% or more and 30 mol% or less. By setting the content ratio of the structural unit (II-3) within the above range, the storage stability and the like can be effectively improved.

상기 구조 단위(II-3)는 환상 에테르 구조를 포함하고, 이 환상 에테르 구조가 옥시란 구조 및 옥세탄 구조 중 적어도 어느 하나인 것이 바람직하다. 상기 구조 단위(II-3)가 상기 구조를 포함함으로써 가교성을 향상시킬 수 있고, 그 결과 상기 포지티브형 감방사선성 수지 조성물은 표면 경도나 내열성 등을 높일 수 있다.It is preferable that the structural unit (II-3) includes a cyclic ether structure, and the cyclic ether structure is at least one of an oxirane structure and an oxetane structure. By including the above-mentioned structural unit (II-3), the crosslinking property can be improved, and as a result, the positive radiation-sensitive resin composition can improve the surface hardness, heat resistance and the like.

[구조 단위(III)][Structural unit (III)]

구조 단위(III)는, 수산기를 갖는 (메트)아크릴산에스테르 유래의 구조 단위, 또는 하기 화학식 (3)으로 표시되는 화합물 유래의 구조 단위이다. [A3] 중합체가 구조 단위(III)를 가짐으로써, 알칼리 현상성의 제어 및 잔사 억제를 도모할 수 있다.The structural unit (III) is a structural unit derived from a (meth) acrylate ester having a hydroxyl group or a structural unit derived from a compound represented by the following formula (3). [A3] By having the polymer having the structural unit (III), it is possible to control the alkali developing property and to suppress the residue.

Figure pat00016
Figure pat00016

상기 화학식 (3) 중, R'는 수소 원자, 또는 불소 원자로 치환되어 있을 수도 있는 탄소수 1 내지 4의 알킬이다. RL1 내지 RL5는 각각 독립적으로 수소 원자, 수산기 또는 탄소수 1 내지 4의 알킬기이다. Y는 단결합, -COO- 또는 -CONH-이다. p는 0 내지 3의 정수이다. 단, RL1 내지 RL5 중 적어도 1개는 수산기이다.In the above formula (3), R 'is a hydrogen atom or an alkyl having 1 to 4 carbon atoms which may be substituted with a fluorine atom. Each of R L1 to R L5 independently represents a hydrogen atom, a hydroxyl group or an alkyl group having 1 to 4 carbon atoms. Y is a single bond, -COO- or -CONH-. p is an integer of 0 to 3; Provided that at least one of R L1 to R L5 is a hydroxyl group.

상기 RL1 내지 RL5로 표시되는 탄소수 1 내지 4의 알킬기로서는, 예를 들면 상기 R1 내지 R4로 표시되는 탄소수 1 내지 4의 알킬기로서 예시한 기와 마찬가지의 기를 적용할 수 있다.Examples of the alkyl group having 1 to 4 carbon atoms represented by R L1 to R L5 include the same groups as those exemplified as the alkyl group having 1 to 4 carbon atoms represented by R 1 to R 4 above.

구조 단위(III)로서는, 예를 들면 하기 화학식 (III-1) 내지 (III-11)로 표시되는 구조 단위 등을 들 수 있다.Examples of the structural unit (III) include structural units represented by the following formulas (III-1) to (III-11).

Figure pat00017
Figure pat00017

상기 화학식 (III-1) 내지 (III-11) 중, R8은 수소 원자, 메틸기 또는 트리플루오로메틸기이다. p는 상기 화학식 (3)과 동의이다. 이들 중에서 구조 단위(III)로서는, 화학식 (III-1), (III-4) 및 (III-10)으로 표시되는 구조 단위가 바람직하다.In the formulas (III-1) to (III-11), R 8 is a hydrogen atom, a methyl group or a trifluoromethyl group. p is synonymous with the above formula (3). As the structural unit (III), structural units represented by the formulas (III-1), (III-4) and (III-10) are preferable.

구조 단위(III)를 제공하는 단량체 화합물로서는, 2-히드록시에틸메타크릴레이트, 4-히드록시페닐메타크릴레이트, o-히드록시스티렌, p-히드록시스티렌, α-메틸-p-히드록시스티렌이 바람직하고, 2-히드록시에틸메타크릴레이트, 4-히드록시페닐메타크릴레이트, α-메틸-p-히드록시스티렌이 보다 바람직하다.Examples of the monomer compound that provides the structural unit (III) include 2-hydroxyethyl methacrylate, 4-hydroxyphenyl methacrylate, o-hydroxystyrene, p- hydroxystyrene, Styrene is preferable, and 2-hydroxyethyl methacrylate, 4-hydroxyphenyl methacrylate and? -Methyl-p-hydroxystyrene are more preferable.

구조 단위(III)의 함유 비율로서는, [A3] 중합체를 구성하는 전체 구조 단위에 대하여 0몰% 이상 50몰% 이하가 바람직하고, 1몰% 이상 30몰% 이하가 보다 바람직하고, 3몰% 이상 20몰% 이하가 더욱 바람직하다.The content of the structural unit (III) is preferably from 0 mol% to 50 mol%, more preferably from 1 mol% to 30 mol%, still more preferably from 3 mol% to 30 mol% based on the total structural units constituting the polymer [A3] Or more and 20 mol% or less.

[구조 단위(IV)][Structural unit (IV)]

구조 단위(IV)는, 상기 구조 단위(I) 내지 (III) 이외의 구조 단위이다. 구조 단위(IV)로서는, 상기 구조 단위(I) 내지 (III) 이외의 구조 단위인 한 특별히 한정되지 않는다. [A3] 중합체가 구조 단위(IV)를 가짐으로써, 수지의 유리 전이온도를 조정하여, 알칼리 현상성, 열경화시의 용융 흐름성이나 경화막의 기계적 강도, 내약품성을 각각 향상시킬 수 있다.The structural unit (IV) is a structural unit other than the structural units (I) to (III). The structural unit (IV) is not particularly limited as long as it is a structural unit other than the structural units (I) to (III). [A3] By having the polymer having the structural unit (IV), the alkali transferability, the melt flowability upon thermal curing, the mechanical strength of the cured film, and the chemical resistance can be improved by adjusting the glass transition temperature of the resin.

구조 단위(IV)로서는, 예를 들면 하기 화학식 (IV-1) 내지 (IV-11)로 표시되는 구조 단위 등을 들 수 있다.Examples of the structural unit (IV) include structural units represented by the following formulas (IV-1) to (IV-11).

Figure pat00018
Figure pat00018

상기 화학식 (IV-1) 내지 (IV-11) 중, R9는 수소 원자, 메틸기 또는 트리플루오로메틸기이다. RM은 수소 원자 또는 메틸기이다. s는 1 내지 10의 정수이다. 이들 중에서 구조 단위(IV)로서는, 화학식 (IV-1), (IV-2), (IV-7) 내지 (IV-9), (IV-11)로 표시되는 구조 단위가 바람직하다.In the formulas (IV-1) to (IV-11), R 9 is a hydrogen atom, a methyl group or a trifluoromethyl group. R M is a hydrogen atom or a methyl group. s is an integer of 1 to 10; As the structural unit (IV), structural units represented by the formulas (IV-1), (IV-2), (IV-7) to (IV-9) and (IV-11) are preferable.

구조 단위(IV)를 제공하는 단량체 화합물로서는, 예를 들면 (메트)아크릴산, (메트)아크릴산 쇄상 알킬에스테르, (메트)아크릴산 환상 알킬에스테르, (메트)아크릴산아릴에스테르, 불포화 디카르복실산디에스테르, 비시클로 불포화 화합물, 말레이미드 화합물, 불포화 방향족 화합물 및 공액 디엔 화합물, 및 테트라히드로푸란 골격, 푸란 골격, 테트라히드로피란 골격, 피란 골격 또는 하기 화학식 (4)로 표시되는 골격을 갖는 불포화 화합물, 그 밖의 불포화 화합물 등에서 유래되는 구조 단위를 들 수 있다.Examples of the monomer compound that provides the structural unit (IV) include monomers such as (meth) acrylic acid, (meth) acrylic acid chain alkyl ester, (meth) acrylic acid cyclic alkyl ester, (meth) acrylic acid aryl ester, unsaturated dicarboxylic acid diester, Unsaturated aromatic compounds and conjugated diene compounds, and unsaturated compounds having a tetrahydrofuran skeleton, a furan skeleton, a tetrahydropyran skeleton, a pyrazene skeleton, or a skeleton represented by the following formula (4) And a structural unit derived from an unsaturated compound or the like.

Figure pat00019
Figure pat00019

상기 화학식 (4) 중, RM 및 s는 상기 화학식 (IV-1) 내지 (IV-11)과 동의이다.In the above formula (4), R M and s are as defined in the above formulas (IV-1) to (IV-11).

상기 (메트)아크릴산 쇄상 알킬에스테르로서는, 예를 들면 아크릴산메틸, 아크릴산에틸, 아크릴산 n-부틸, 아크릴산 sec-부틸, 아크릴산 t-부틸, 아크릴산 2-에틸헥실, 아크릴산이소데실, 아크릴산 n-라우릴, 아크릴산트리데실, 아크릴산 n-스테아릴 등의 아크릴산 쇄상 알킬에스테르; 메타크릴산메틸, 메타크릴산에틸, 메타크릴산 n-부틸, 메타크릴산 sec-부틸, 메타크릴산 t-부틸, 메타크릴산 2-에틸헥실, 메타크릴산이소데실, 메타크릴산 n-라우릴, 메타크릴산트리데실, 메타크릴산 n-스테아릴 등의 메타크릴산 쇄상 알킬에스테르 등을 들 수 있다.Examples of the (meth) acrylic acid chain alkyl ester include methyl acrylate, ethyl acrylate, n-butyl acrylate, sec-butyl acrylate, t-butyl acrylate, 2-ethylhexyl acrylate, isodecyl acrylate, Tridecyl acrylate, and n-stearyl acrylate; Methyl methacrylate, ethyl methacrylate, n-butyl methacrylate, sec-butyl methacrylate, t-butyl methacrylate, 2-ethylhexyl methacrylate, isodecyl methacrylate, n- Methacrylic acid chain alkyl esters such as lauryl, tridecyl methacrylate, n-stearyl methacrylate, and the like.

상기 (메트)아크릴산 환상 알킬에스테르로서는, 예를 들면 아크릴산시클로헥실, 아크릴산 2-메틸시클로헥실, 아크릴산트리시클로[5.2.1.02,6]데칸-8-일, 아크릴산트리시클로[5.2.1.02,6]데칸-8-일옥시에틸, 아크릴산이소보로닐 등의 아크릴산 환상 알킬에스테르; 메타크릴산시클로헥실, 메타크릴산 2-메틸시클로헥실, 메타크릴산트리시클로[5.2.1.02,6]데칸-8-일, 메타크릴산트리시클로[5.2.1.02,6]데칸-8-일옥시에틸, 메타크릴산이소보로닐 등의 메타크릴산 환상 알킬에스테르 등을 들 수 있다.Examples of the (meth) acrylic acid cyclic alkyl esters include cyclohexyl acrylate, 2-methylcyclohexyl acrylate, tricyclo [5.2.1.0 2,6 ] decan-8-yl acrylate, tricyclo [5.2.1.0 2 6 ] decane-8-yloxyethyl, acrylic acid cyclic alkyl esters such as isobornyl acrylate; 2-methylcyclohexyl methacrylate, tricyclohexyl methacrylate [5.2.1.0 2,6 ] decane-8-yl, methacrylic acid tricyclo [5.2.1.0 2,6 ] decane-8 Methacrylic acid cyclic alkyl esters such as monoethyl, monoethyl, monoethyl, monoethyl, monoethoxy and monoethoxy.

상기 (메트)아크릴산아릴에스테르로서는, 예를 들면 아크릴산페닐. 아크릴산벤질 등의 아크릴산아릴에스테르; 메타크릴산페닐, 메타크릴산벤질 등의 메타크릴산아릴에스테르 등을 들 수 있다.Examples of the (meth) acrylic acid aryl esters include phenyl acrylate. Acrylic acid aryl esters such as benzyl acrylate; Methacrylic acid aryl esters such as phenyl methacrylate and benzyl methacrylate.

상기 불포화 디카르복실산디에스테르로서는, 예를 들면 말레산디에틸, 푸마르산디에틸, 이타콘산디에틸 등을 들 수 있다.Examples of the unsaturated dicarboxylic acid diester include diethyl maleate, diethyl fumarate, diethyl itaconate and the like.

상기 비시클로 불포화 화합물로서는, 예를 들면 비시클로[2.2.1]헵트-2-엔, 5-메틸비시클로[2.2.1]헵트-2-엔, 5-에틸비시클로[2.2.1]헵트-2-엔, 5-메톡시비시클로[2.2.1]헵트-2-엔, 5-에톡시비시클로[2.2.1]헵트-2-엔, 5,6-디메톡시비시클로[2.2.1]헵트-2-엔, 5,6-디에톡시비시클로[2.2.1]헵트-2-엔, 5-t-부톡시카르보닐비시클로[2.2.1]헵트-2-엔, 5-시클로헥실옥시카르보닐비시클로[2.2.1]헵트-2-엔, 5-페녹시카르보닐비시클로[2.2.1]헵트-2-엔, 5,6-디(t-부톡시카르보닐)비시클로[2.2.1]헵트-2-엔, 5,6-디(시클로헥실옥시카르보닐)비시클로[2.2.1]헵트-2-엔, 5-(2'-히드록시에틸)비시클로[2.2.1]헵트-2-엔, 5,6-디히드록시비시클로[2.2.1]헵트-2-엔, 5,6-디(히드록시메틸)비시클로[2.2.1]헵트-2-엔, 5,6-디(2'-히드록시에틸)비시클로[2.2.1]헵트-2-엔, 5-히드록시-5-메틸비시클로[2.2.1]헵트-2-엔, 5-히드록시-5-에틸비시클로[2.2.1]헵트-2-엔, 5-히드록시메틸-5-메틸비시클로[2.2.1]헵트-2-엔 등을 들 수 있다.Examples of the above-mentioned non-cyclic unsaturated compound include bicyclo [2.2.1] hept-2-ene, 5-methylbicyclo [2.2.1] hept- 2.2.1] hept-2-ene, 5,6-dimethoxybicyclo [2.2.1] hept-2-ene, 5-methoxybicyclo [ 2-ene, 5,6-diethoxybicyclo [2.2.1] hept-2-ene, 5-t-butoxycarbonylbicyclo [2.2.1] hept- 2-ene, 5-phenoxycarbonylbicyclo [2.2.1] hept-2-ene, 5,6-di (t-butoxycarbonyl) bicyclo [2.2.1] hept- 2.2.1] hept-2-ene, 5- (2'-hydroxyethyl) bicyclo [2.2 (Hydroxymethyl) bicyclo [2.2.1] hept-2-ene, 5,6-dihydroxycyclo [2.2.1] hept- Ene, 5,6-di (2'-hydroxyethyl) bicyclo [2.2.1] hept-2-ene, 5-hydroxy-5-methylbicyclo [2.2.1] hept- -Hydroxy-5-ethyl Bicyclo [2.2.1] hept-2-ene, and the like can be mentioned 5-hydroxy-5-methyl [2.2.1] hept-2-ene.

상기 말레이미드 화합물로서는, 예를 들면 N-페닐말레이미드, N-시클로헥실말레이미드, N-벤질말레이미드, N-(4-히드록시페닐)말레이미드, N-(4-히드록시벤질)말레이미드, N-숙신이미딜-3-말레이미드벤조에이트, N-숙신이미딜-4-말레이미드부티레이트, N-숙신이미딜-6-말레이미드카프로에이트, N-숙신이미딜-3-말레이미드프로피오네이트, N-(9-아크리디닐)말레이미드 등을 들 수 있다.Examples of the maleimide compound include N-phenylmaleimide, N-cyclohexylmaleimide, N-benzylmaleimide, N- (4-hydroxyphenyl) maleimide, N- (4-hydroxybenzyl) Maleimide benzoate, N-succinimidyl-4-maleimide butyrate, N-succinimidyl-6-maleimide caproate, N-succinimidyl-3-maleimide Propionate, N- (9-acridinyl) maleimide, and the like.

상기 불포화 방향족 화합물로서는, 예를 들면 스티렌, α-메틸스티렌, m-메틸스티렌, p-메틸스티렌, 비닐톨루엔, p-메톡시스티렌, α-메틸-p-히드록시스티렌 등을 들 수 있다.Examples of the unsaturated aromatic compound include styrene,? -Methylstyrene, m-methylstyrene, p-methylstyrene, vinyltoluene, p-methoxystyrene and? -Methyl-p-hydroxystyrene.

상기 공액 디엔 화합물로서는, 예를 들면 1,3-부타디엔, 이소프렌, 2,3-디메틸-1,3-부타디엔 등을 들 수 있다.Examples of the conjugated diene compound include 1,3-butadiene, isoprene, 2,3-dimethyl-1,3-butadiene, and the like.

상기 테트라히드로푸란 골격을 갖는 불포화 화합물로서는, 예를 들면 테트라히드로(메트)아크릴레이트, 2-메타크릴로일옥시-프로피온산테트라히드로푸르푸릴에스테르, 3-(메트)아크릴로일옥시테트라히드로푸란-2-온, (메트)아크릴산테트라히드로푸르푸릴 등을 들 수 있다.Examples of the unsaturated compound having a tetrahydrofuran skeleton include tetrahydrofuran (meth) acrylate, 2-methacryloyloxy-propionic acid tetrahydrofurfuryl ester, 3- (meth) acryloyloxytetrahydrofuran- 2-one, and (meth) acrylate tetrahydrofurfuryl.

상기 푸란 골격을 갖는 불포화 화합물로서는, 예를 들면 2-메틸-5-(3-푸릴)-1-펜텐-3-온, (메트)아크릴산푸르푸릴, 1-푸란-2-부틸-3-엔-2-온, 1-푸란-2-부틸-3-메톡시-3-엔-2-온, 6-(2-푸릴)-2-메틸-1-헥센-3-온, 6-푸란-2-일-헥시-1-엔-3-온, 아크릴산-2-푸란-2-일-1-메틸-에틸에스테르, 6-(2-푸릴)-6-메틸-1-헵텐-3-온 등을 들 수 있다.Examples of the unsaturated compound having a furan skeleton include 2-methyl-5- (3-furyl) -1-penten-3-one, furfuryl (meth) acrylate, Methyl-1-hexen-3-one, 6-furan-2-one, Methyl-ethyl ester, 6- (2-furyl) -6-methyl-1-ene- And the like.

상기 테트라히드로피란 골격을 함유하는 불포화 화합물로서는, 예를 들면 (테트라히드로피란-2-일)메틸메타크릴레이트, 2,6-디메틸-8-(테트라히드로피란-2-일옥시)-옥트-1-엔-3-온, 2-메타크릴산테트라히드로피란-2-일에스테르, 1-(테트라히드로피란-2-옥시)-부틸-3-엔-2-온 등을 들 수 있다.Examples of the unsaturated compound containing the tetrahydropyran skeleton include (tetrahydropyran-2-yl) methyl methacrylate, 2,6-dimethyl-8- (tetrahydropyran- 1-en-3-one, 2-methacrylic acid tetrahydropyran-2-yl ester and 1- (tetrahydropyran-2-oxy) -butyl-3-en-2-one.

상기 피란 골격을 갖는 불포화 화합물로서는, 예를 들면 4-(1,4-디옥사-5-옥소-6-헵테닐)-6-메틸-2-피란, 4-(1,5-디옥사-6-옥소-7-옥테닐)-6-메틸-2-피란 등을 들 수 있다.Examples of the unsaturated compound having a pyran skeleton include 4- (1, 4-dioxa-5-oxo-6-heptenyl) -6- 6-oxo-7-octenyl) -6-methyl-2-pyran.

상기 그 밖의 불포화 화합물로서는, 예를 들면 (메트)아크릴로니트릴, 염화비닐, 염화비닐리덴, (메트)아크릴아미드, 아세트산비닐 등을 들 수 있다.Examples of the other unsaturated compounds include (meth) acrylonitrile, vinyl chloride, vinylidene chloride, (meth) acrylamide and vinyl acetate.

이들 중에서, 상기 구조 단위(IV)를 제공하는 단량체 화합물로서는, 메타크릴산 쇄상 알킬에스테르, 메타크릴산 환상 알킬에스테르, 말레이미드 화합물, 테트라히드로푸란 골격, 푸란 골격, 테트라히드로피란 골격, 피란 골격, 상기 화학식 (4)로 표시되는 골격을 갖는 불포화 화합물, 불포화 방향족 화합물, 아크릴산 환상 알킬에스테르가 바람직하고, 공중합 반응성 및 알칼리 수용액에 대한 용해성의 점에서, 스티렌, 메타크릴산, 메타크릴산메틸, 메타크릴산 t-부틸, 메타크릴산 n-라우릴, 메타크릴산트리시클로[5.2.1.02,6]데칸-8-일, p-메톡시스티렌, 아크릴산 2-메틸시클로헥실, N-페닐말레이미드, N-시클로헥실말레이미드, (메트)아크릴산테트라히드로푸르푸릴, 폴리에틸렌글리콜(n=2 내지 10)모노(메트)아크릴레이트, 3-(메트)아크릴로일옥시테트라히드로푸란-2-온이 보다 바람직하다.Among them, as the monomer compound providing the structural unit (IV), there may be mentioned a methacrylic acid chain alkyl ester, a methacrylic acid cyclic alkyl ester, a maleimide compound, a tetrahydrofuran skeleton, a furan skeleton, a tetrahydropyran skeleton, Unsaturated compounds, unsaturated aromatic compounds and acrylic acid cyclic alkyl esters having a skeleton represented by the above general formula (4) are preferable, and styrene, methacrylic acid, methyl methacrylate, methacrylic acid and methacrylic acid are preferable in terms of copolymerization reactivity and solubility in an aqueous alkali solution. Butyl acrylate, n-lauryl methacrylate, tricyclo [5.2.1.0 2,6 ] decane-8-methacrylate, p-methoxystyrene, 2-methylcyclohexyl acrylate, (Meth) acrylic acid tetrahydrofurfuryl, polyethylene glycol (n = 2 to 10) mono (meth) acrylate, 3- (meth) acryloyloxytetrahydro It is more preferably 2-one.

구조 단위(IV)의 함유 비율로서는, [A3] 중합체를 구성하는 전체 구조 단위에 대하여 0몰% 이상 90몰% 이하가 바람직하고, 1몰% 이상 70몰% 이하가 보다 바람직하고, 3몰% 이상 60몰% 이하가 더욱 바람직하다. 구조 단위(IV)의 함유 비율을 상기 범위로 함으로써, 내약품성을 효과적으로 향상시킬 수 있다.The content of the structural unit (IV) is preferably from 0 mol% to 90 mol%, more preferably from 1 mol% to 70 mol%, still more preferably from 3 mol% to 70 mol%, based on the total structural units constituting the polymer [A3] Or more and 60 mol% or less. By setting the content ratio of the structural unit (IV) within the above range, the chemical resistance can be effectively improved.

<[A3] 중합체의 합성 방법><Method of synthesizing [A3] polymer>

[A3] 중합체는, 예를 들면 소정의 각 구조 단위에 대응하는 단량체를, 라디칼 개시제를 사용하여 적당한 용매 중에서 중합함으로써 제조할 수 있다. 예를 들면, 단량체 및 라디칼 개시제를 함유하는 용액을, 반응 용매 또는 단량체를 함유하는 용액에 적하하여 중합 반응시키는 방법, 단량체를 함유하는 용액과, 라디칼 개시제를 함유하는 용액을 각각 별도로, 반응 용매 또는 단량체를 함유하는 용액에 적하하여 중합 반응시키는 방법, 각각의 단량체를 함유하는 복수종의 용액과, 라디칼 개시제를 함유하는 용액을 각각 별도로, 반응 용매 또는 단량체를 함유하는 용액에 적하하여 중합 반응시키는 방법 등의 방법으로 합성하는 것이 바람직하다.[A3] The polymer can be produced, for example, by polymerizing monomers corresponding to predetermined structural units in a suitable solvent using a radical initiator. For example, a method in which a solution containing a monomer and a radical initiator is added dropwise to a solution containing a reaction solvent or a monomer to effect polymerization, a solution containing a monomer, and a solution containing a radical initiator, A method in which a solution containing a monomer and a solution containing a radical initiator are separately added dropwise into a reaction solvent or a solution containing a monomer to effect polymerization reaction And the like.

이들 방법에서의 반응 온도는 개시제종에 따라서 적절하게 결정하면 된다. 통상 30℃ 내지 180℃이고, 40℃ 내지 160℃가 바람직하고, 50℃ 내지 140℃가 보다 바람직하다. 적하 시간은, 반응 온도, 개시제의 종류, 반응시키는 단량체 등의 조건에 따라서 다르지만, 통상 30분 내지 8시간이고, 45분 내지 6시간이 바람직하고, 1시간 내지 5시간이 보다 바람직하다. 또한, 적하 시간을 포함하는 전체 반응 시간도 적하 시간과 마찬가지로 조건에 따라 다르지만, 통상 30분 내지 8시간이고, 45분 내지 7시간이 바람직하고, 1시간 내지 6시간이 보다 바람직하다.The reaction temperature in these methods may be appropriately determined depending on the initiator species. But it is usually 30 to 180 ° C, preferably 40 to 160 ° C, and more preferably 50 to 140 ° C. The dropping time is usually from 30 minutes to 8 hours, preferably from 45 minutes to 6 hours, more preferably from 1 hour to 5 hours, although it depends on the conditions such as the reaction temperature, the kind of the initiator and the monomer to be reacted. The total reaction time including the dropping time also varies depending on the conditions like the dropping time, but is usually from 30 minutes to 8 hours, preferably from 45 minutes to 7 hours, more preferably from 1 hour to 6 hours.

상기 중합에 사용되는 라디칼 개시제로서는, 아조비스이소부티로니트릴(AIBN), 2,2'-아조비스(4-메톡시-2,4-디메틸발레로니트릴), 2,2'-아조비스(2-시클로프로필프로피오니트릴), 2,2'-아조비스(2,4-디메틸발레로니트릴), 2,2'-아조비스(2-메틸프로피오니트릴) 등을 들 수 있다. 이들 개시제는 단독으로 또는 2종 이상을 조합하여 이용할 수도 있다.Examples of the radical initiator used in the polymerization include azobisisobutyronitrile (AIBN), 2,2'-azobis (4-methoxy-2,4-dimethylvaleronitrile), 2,2'-azobis (2-cyclopropylpropionitrile), 2,2'-azobis (2,4-dimethylvaleronitrile) and 2,2'-azobis (2-methylpropionitrile). These initiators may be used alone or in combination of two or more.

중합 용매로서는, 중합을 저해하는 용매(중합 금지 효과를 갖는 니트로벤젠, 연쇄 이동 효과를 갖는 머캅토 화합물 등) 이외의 용매이며, 그 단량체를 용해 가능한 용매이면 한정되지 않는다. 중합 용매로서는, 예를 들면 알코올계 용매, 에테르계 용매, 케톤계 용매, 아미드계 용매, 에스테르·락톤계 용매, 니트릴계 용매 등을 들 수 있다. 이들 용매는 단독으로 또는 2종 이상을 조합하여 이용할 수도 있다.The polymerization solvent is not limited as long as it is a solvent other than the polymerization inhibiting solvent (nitrobenzene having polymerization inhibiting effect, mercapto compound having chain transfer effect, etc.), and a solvent in which the monomer is soluble. Examples of the polymerization solvent include alcohol solvents, ether solvents, ketone solvents, amide solvents, ester · lactone solvents and nitrile solvents. These solvents may be used alone or in combination of two or more.

중합 반응에 의해 얻어진 중합체는 재침전법에 의해 회수하는 것이 바람직하다. 즉, 중합 반응 종료 후, 중합액을 재침전 용매에 투입함으로써, 목적으로 하는 중합체를 분체로서 회수한다. 재침전 용매로서는, 알코올류나 알칸류 등을 단독으로 또는 2종 이상을 혼합하여 사용할 수 있다. 재침전법 외에, 분액 조작이나 칼럼 조작, 한외 여과 조작 등에 의해, 단량체, 올리고머 등의 저분자 성분을 제거하여 중합체를 회수할 수도 있다.The polymer obtained by the polymerization reaction is preferably recovered by the reprecipitation method. That is, after completion of the polymerization reaction, the polymer solution is put into a re-precipitation solvent to recover the objective polymer as a powder. As the re-precipitation solvent, alcohols, alkanes, etc. may be used alone or in combination of two or more. In addition to the reprecipitation method, a polymer may be recovered by removing low-molecular components such as monomers and oligomers by a liquid separation operation, a column operation, an ultrafiltration operation or the like.

[A3] 중합체를 제조하기 위한 중합 반응에서는, 분자량을 조정하기 위해서 분자량 조정제를 사용할 수 있다. 분자량 조정제로서는, 예를 들면 클로로포름, 사브롬화탄소 등의 할로겐화 탄화수소류; n-헥실머캅탄, n-옥틸머캅탄, n-도데실머캅탄, t-도데실머캅탄, 티오글리콜산 등의 머캅탄류; 디메틸크산토겐술피드, 디이소프로필크산토겐디술피드 등의 크산토겐류; 테르피놀렌, α-메틸스티렌이량체 등을 들 수 있다.[A3] In the polymerization reaction for producing a polymer, a molecular weight adjuster may be used to adjust the molecular weight. Examples of the molecular weight regulator include halogenated hydrocarbons such as chloroform and carbon tetrabromide; mercaptans such as n-hexylmercaptan, n-octylmercaptan, n-dodecylmercaptan, t-dodecylmercaptan and thioglycolic acid; Xanthogens such as dimethylxanthogen sulfide and diisopropylxanthogen disulfide; Terpinolene,? -Methylstyrene dimer, and the like.

[A3] 중합체의 겔 투과 크로마토그래피(GPC)에 의한 폴리스티렌 환산 중량 평균 분자량(Mw)으로서는, 특별히 한정되지 않지만 1,000 이상 30,000 이하가 바람직하고, 5,000 이상 20,000 이하가 보다 바람직하다. [A3] 중합체의 Mw를 상기 범위로 함으로써, 상기 포지티브형 감방사선성 수지 조성물의 감도 및 현상성을 높일 수 있다.The weight average molecular weight (Mw) of the polymer [A3] in terms of polystyrene as determined by gel permeation chromatography (GPC) is not particularly limited, but is preferably 1,000 or more and 30,000 or less, more preferably 5,000 or more and 20,000 or less. By setting the Mw of the polymer [A3] within the above range, the sensitivity and developability of the positive radiation-sensitive resin composition can be enhanced.

[A3] 중합체의 Mw와 GPC에 의한 폴리스티렌 환산 수 평균 분자량(Mn)의 비(Mw/Mn)로서는, 1 이상 3 이하가 바람직하고, 1.5 이상 2.5 이하가 보다 바람직하다.[A3] The ratio (Mw / Mn) of the polymer Mw to the polystyrene reduced number average molecular weight (Mn) by GPC is preferably 1 or more and 3 or less, more preferably 1.5 or more and 2.5 or less.

<[G] 산 발생체><[G] acid generator>

[G] 산 발생체는 방사선의 조사나 가열에 의해 산을 발생한다. 상기 포지티브형 감방사선성 수지 조성물이 [G] 산 발생체를 함유함으로써, 방사선의 노광 부분이 현상 공정에서 제거되는 포지티브형의 감방사선 특성을 가짐과 동시에, 후속의 가열 공정에서의 가열로 발생한 산이 가교 촉매로서 기능하여, 가교 반응을 촉진시켜 높은 내열성 및 표면 경도 등을 갖는 경화막을 형성할 수 있다. 상기 포지티브형 감방사선성 수지 조성물에서의 [G] 산 발생체의 함유 형태로서는, 후술하는 바와 같은 화합물의 양태(이하, 이 양태를 "[G] 산 발생제"라고도 함)일 수도, 중합체의 일부로서 삽입된 양태일 수도, 이들 양쪽의 양태일 수도 있다. 또한, 상기 방사선은, 가시광선, 자외선, 원자외선, X선, 하전 입자선 등을 포함하는 개념이다.[G] The acid generator emits acid by irradiation with radiation or heating. When the positive radiation-sensitive resin composition contains the [G] acid generator, the positive radiation-sensitive characteristic in which the exposed portion of the radiation is removed in the developing step, and the acid generated by heating in the subsequent heating step And functions as a crosslinking catalyst, thereby promoting the crosslinking reaction, thereby forming a cured film having high heat resistance and surface hardness. As the form of containing the [G] acid generator in the positive-tone radiation-sensitive resin composition, a form of the compound (to be referred to as the "[G] acid generator" hereinafter) It may be an inserted aspect as a part, or both of them. The radiation includes a visible ray, an ultraviolet ray, a far ultraviolet ray, an X ray, a charged particle ray, and the like.

[G] 산 발생제로서는, 예를 들면 옥심술포네이트 화합물, 술폰이미드 화합물, 퀴논디아지드 화합물 등을 들 수 있다. 또한, 이들 [G] 산 발생제는 단독으로 또는 2종 이상을 조합하여 이용할 수도 있다.Examples of the [G] acid generator include an oxime sulfonate compound, a sulfonimide compound, and a quinone diazide compound. These [G] acid generators may be used alone or in combination of two or more.

상기 옥심술포네이트 화합물로서는, 하기 화학식 (5)로 표시되는 옥심술포네이트기를 포함하는 화합물이 바람직하다.As the oxime sulfonate compound, a compound containing an oxime sulfonate group represented by the following formula (5) is preferable.

Figure pat00020
Figure pat00020

상기 화학식 (5) 중, Ra는 탄소수 1 내지 20의 알킬기, 탄소수 3 내지 20의 지환식기 또는 탄소수 6 내지 20의 아릴기이다. 단, 이들 알킬기, 지환식기 및 아릴기가 갖는 수소 원자의 일부 또는 전부는 치환기에 의해 치환되어 있을 수도 있다.In the above formula (5), R a is an alkyl group having 1 to 20 carbon atoms, an alicyclic group having 3 to 20 carbon atoms, or an aryl group having 6 to 20 carbon atoms. Provided that some or all of the hydrogen atoms contained in these alkyl groups, alicyclic groups and aryl groups may be substituted by substituents.

상기 Ra로 표시되는 탄소수 1 내지 20의 알킬기로서는, 예를 들면 메틸기, 에틸기, n-프로필기, i-프로필기, n-부틸기, i-부틸기, sec-부틸기, t-부틸기 등을 들 수 있다. 이들 중에서, 탄소수 1 내지 10의 직쇄상 또는 분지상의 알킬기가 바람직하다.Examples of the alkyl group having 1 to 20 carbon atoms represented by R a include a methyl group, ethyl group, n-propyl group, i-propyl group, n-butyl group, i-butyl group, And the like. Of these, a linear or branched alkyl group having 1 to 10 carbon atoms is preferable.

상기 Ra로 표시되는 탄소수 3 내지 20의 지환식기로서는, 예를 들면 시클로프로필기, 시클로부틸기, 시클로펜틸기, 시클로헥실기 등을 들 수 있다.Examples of the cycloaliphatic group having 3 to 20 carbon atoms represented by R a include a cyclopropyl group, a cyclobutyl group, a cyclopentyl group, and a cyclohexyl group.

상기 알킬기 및 지환식기가 가질 수도 있는 치환기로서는, 예를 들면 탄소수 1 내지 10의 알콕시기, 탄소수 1 내지 10의 지환식기 등을 들 수 있다.Examples of the substituent which the alkyl group and the alicyclic group may have include an alkoxy group having 1 to 10 carbon atoms and an alicyclic group having 1 to 10 carbon atoms.

상기 치환기로서의 탄소수 1 내지 10의 알콕시기로서는, 예를 들면 메톡시기, 에톡시기 등을 들 수 있다.Examples of the alkoxy group having 1 to 10 carbon atoms as the substituent include a methoxy group and an ethoxy group.

상기 치환기로서의 탄소수 1 내지 10의 지환식기로서는, 예를 들면 상기 Ra로 표시되는 탄소수 3 내지 20의 지환식기 중, 탄소수 1 내지 10의 것을 적용할 수 있다.As the aliphatic group having 1 to 10 carbon atoms as the substituent, for example, those having 1 to 10 carbon atoms among the alicyclic groups having 3 to 20 carbon atoms represented by R a can be applied.

상기 Ra로 표시되는 탄소수 6 내지 20의 아릴기로서는, 예를 들면 페닐기, 톨릴기, 크실릴기, 나프틸기, 안트릴기 등을 들 수 있다. 이들 중에서, 탄소수 6 내지 11의 아릴기가 바람직하고, 페닐기, 나프틸기가 보다 바람직하다.Examples of the aryl group having 6 to 20 carbon atoms represented by R a include a phenyl group, a tolyl group, a xylyl group, a naphthyl group and an anthryl group. Of these, an aryl group having 6 to 11 carbon atoms is preferable, and a phenyl group and a naphthyl group are more preferable.

상기 아릴기가 가질 수도 있는 치환기로서는, 예를 들면 탄소수 1 내지 5의 알킬기, 탄소수 1 내지 5의 알콕시기, 할로겐 원자 등을 들 수 있다.Examples of the substituent which the aryl group may have include an alkyl group having 1 to 5 carbon atoms, an alkoxy group having 1 to 5 carbon atoms, a halogen atom and the like.

상기 치환기로서의 탄소수 1 내지 5의 알킬기로서는, 예를 들면 메틸기, 에틸기 등을 들 수 있다.Examples of the alkyl group having 1 to 5 carbon atoms as the substituent include a methyl group and an ethyl group.

상기 치환기로서의 탄소수 1 내지 5의 알콕시기로서는, 예를 들면 메톡시기, 에톡시기 등을 들 수 있다.Examples of the alkoxy group having 1 to 5 carbon atoms as the substituent include a methoxy group and an ethoxy group.

상기 치환기로서의 할로겐 원자로서는, 예를 들면 불소 원자, 염소 원자, 브롬 원자, 요오드 원자 등을 들 수 있다.Examples of the halogen atom as the substituent include a fluorine atom, a chlorine atom, a bromine atom and an iodine atom.

상기 화학식 (5)로 표시되는 옥심술포네이트기를 포함하는 화합물로서는, 하기 화학식 (5-1) 및 (5-2)로 표시되는 옥심술포네이트 화합물이 바람직하다.As the compound containing an oxime sulfonate group represented by the above formula (5), oxime sulfonate compounds represented by the following formulas (5-1) and (5-2) are preferable.

Figure pat00021
Figure pat00021

상기 화학식 (5-1) 및 (5-2) 중, Ra는 상기 화학식 (5)와 동의이다. X는 탄소수 1 내지 5의 알킬기, 탄소수 1 내지 5의 알콕시기 또는 할로겐 원자이다. m은 0 내지 3의 정수이다. m이 2 또는 3인 경우, 복수개의 X는 동일할 수도 상이할 수도 있다.In the formulas (5-1) and (5-2), R a is the same as in the above formula (5). X is an alkyl group of 1 to 5 carbon atoms, an alkoxy group of 1 to 5 carbon atoms, or a halogen atom. and m is an integer of 0 to 3. When m is 2 or 3, plural Xs may be the same or different.

상기 X로 표시되는 탄소수 1 내지 5의 알킬기, 탄소수 1 내지 5의 알콕시기 및 할로겐 원자로서는, 예를 들면 상기 치환기로서 예시한 각각의 기와 마찬가지의 기를 적용할 수 있다. 이들 중에서, 상기 알킬기로서는 탄소수 1 내지 4의 직쇄상 또는 분지상의 알킬기가 바람직하고, 상기 알콕시기로서는 탄소수 1 내지 4의 직쇄상 또는 분지상의 알콕시기가 바람직하고, 상기 할로겐 원자로서는 염소 원자 또는 불소 원자가 바람직하다. 또한, m은 0 또는 1이 바람직하다. 특히, 상기 화학식 (5-1)에서, m이 1, X가 메틸기이고, X의 치환 위치가 오르토 위치인 화합물이 바람직하다.Examples of the alkyl group having 1 to 5 carbon atoms, the alkoxy group having 1 to 5 carbon atoms, and the halogen atom represented by X include the same groups as the groups exemplified as the substituents. Of these, the alkyl group is preferably a straight-chain or branched alkyl group having 1 to 4 carbon atoms, and the alkoxy group is preferably a straight-chain or branched alkoxy group having 1 to 4 carbon atoms. As the halogen atom, The atom is preferred. Also, m is preferably 0 or 1. Particularly, in the above formula (5-1), a compound wherein m is 1, X is a methyl group, and the substitution position of X is an ortho position is preferable.

상기 화학식 (5)로 표시되는 옥심술포네이트 화합물로서는, 예를 들면 하기 화학식 (5-1-i) 내지 (5-1-iv), 및 (5-2-i) 및 (5-2-ii)로 표시되는 화합물 등을 들 수 있다.(5-1-i) to (5-1-iv), and (5-2-i) and (5-2-i) shown below are examples of the oxime sulfonate compound represented by the above- ii), and the like.

Figure pat00022
Figure pat00022

상기 술폰이미드 화합물로서는, 예를 들면 N-(트리플루오로메틸술포닐옥시)숙신이미드, N-(캄파술포닐옥시)숙신이미드, N-(4-메틸페닐술포닐옥시)숙신이미드, N-(2-트리플루오로메틸페닐술포닐옥시)숙신이미드, N-(트리플루오로메틸술포닐옥시)나프틸디카르복실이미드(트리플루오로메탄술폰산-1,8-나프탈이미드), N-(캄파술포닐옥시)나프틸디카르복실이미드, N-(4-메틸페닐술포닐옥시)나프틸디카르복실이미드, N-(페닐술포닐옥시)나프틸디카르복실이미드, N-(2-트리플루오로메틸페닐술포닐옥시)나프틸디카르복실이미드, N-(4-플루오로페닐술포닐옥시)나프틸디카르복실이미드, N-(펜타플루오로에틸술포닐옥시)나프틸디카르복실이미드, N-(헵타플루오로프로필술포닐옥시)나프틸디카르복실이미드, N-(노나플루오로부틸술포닐옥시)나프틸디카르복실이미드, N-(에틸술포닐옥시)나프틸디카르복실이미드, N-(프로필술포닐옥시)나프틸디카르복실이미드, N-(부틸술포닐옥시)나프틸디카르복실이미드, N-(펜틸술포닐옥시)나프틸디카르복실이미드, N-(헥실술포닐옥시)나프틸디카르복실이미드, N-(헵틸술포닐옥시)나프틸디카르복실이미드, N-(옥틸술포닐옥시)나프틸디카르복실이미드, N-(노닐술포닐옥시)나프틸디카르복실이미드 등을 들 수 있다.Examples of the sulfonimide compounds include N- (trifluoromethylsulfonyloxy) succinimide, N- (camphorsulfonyloxy) succinimide, N- (4-methylphenylsulfonyloxy) succinimide , N- (2-trifluoromethylphenylsulfonyloxy) succinimide, N- (trifluoromethylsulfonyloxy) naphthyldicarboxyimide (trifluoromethanesulfonic acid-1,8-naphthalimide ), N (phenylsulfonyloxy) naphthyldicarboxylic imide, N (4-methylphenylsulfonyloxy) naphthyldicarboxylic acidimide, N- - (2-trifluoromethylphenylsulfonyloxy) naphthyldicarboxylide, N- (4-fluorophenylsulfonyloxy) naphthyldicarboxylide, N- (pentafluoroethylsulfonyloxy) (Heptafluoropropylsulfonyloxy) naphthyldicarboxylide, N- (nonafluorobutylsulfonyloxy) naphthyldicarboxyimide, N- (Ethylsulfonyloxy) naphthyldicarboxylide, N- (propylsulfonyloxy) naphthyldicarboxyimide, N- (butylsulfonyloxy) naphthyldicarboxyimide, N- (pentylsulfonyloxy) (Heptylsulfonyloxy) naphthyldicarboxyimide, N- (octylsulfonyloxy) naphthyldicarboxyimide, N- (heptylsulfonyloxy) naphthyldicarboxyimide, N- Naphthyldicarboxylic acid imide, and the like, and N- (nonylsulfonyloxy) naphthyldicarboxylimide.

상기 퀴논디아지드 화합물로서는, 예를 들면 페놀성 화합물 또는 알코올성 화합물(이하, "모핵"이라고도 함)과, 1,2-나프토퀴논디아지드술폰산할라이드 또는 1,2-나프토퀴논디아지드술폰산아미드의 축합물을 사용할 수 있다.As the quinone diazide compound, for example, a phenolic compound or an alcoholic compound (hereinafter also referred to as a "mother nucleus"), a 1,2-naphthoquinone diazide sulfonic acid halide or a 1,2-naphthoquinone diazide sulfonic acid amide Can be used.

상기 모핵으로서는, 예를 들면 트리히드록시벤조페논, 테트라히드록시벤조페논, 펜타히드록시벤조페논, 헥사히드록시벤조페논, (폴리히드록시페닐)알칸, 상기 모핵 이외의 그 밖의 모핵 등을 들 수 있다.Examples of the above-mentioned mother cores include trihydroxybenzophenone, tetrahydroxybenzophenone, pentahydroxybenzophenone, hexahydroxybenzophenone, (polyhydroxyphenyl) alkane, and other mother cells other than the above- have.

상기 모핵의 구체예로서는, 예를 들면As specific examples of the above-mentioned mother cells, for example,

트리히드록시벤조페논으로서, 2,3,4-트리히드록시벤조페논, 2,4,6-트리히드록시벤조페논 등;As the trihydroxybenzophenone, 2,3,4-trihydroxybenzophenone, 2,4,6-trihydroxybenzophenone and the like;

테트라히드록시벤조페논으로서, 2,2',4,4'-테트라히드록시벤조페논, 2,3,4,3'-테트라히드록시벤조페논, 2,3,4,4'-테트라히드록시벤조페논, 2,3,4,2'-테트라히드록시-4'-메틸벤조페논, 2,3,4,4'-테트라히드록시-3'-메톡시벤조페논 등;Examples of the tetrahydroxybenzophenone include 2,2 ', 4,4'-tetrahydroxybenzophenone, 2,3,4,3'-tetrahydroxybenzophenone, 2,3,4,4'-tetrahydroxy Benzophenone, 2,3,4,2'-tetrahydroxy-4'-methylbenzophenone, 2,3,4,4'-tetrahydroxy-3'-methoxybenzophenone and the like;

펜타히드록시벤조페논으로서, 2,3,4,2',6'-펜타히드록시벤조페논 등;As the pentahydroxybenzophenone, 2,3,4,2 ', 6'-pentahydroxybenzophenone and the like;

헥사히드록시벤조페논으로서, 2,4,6,3',4',5'-헥사히드록시벤조페논, 3,4,5,3',4',5'-헥사히드록시벤조페논 등;As the hexahydroxybenzophenone, 2,4,6,3 ', 4', 5'-hexahydroxybenzophenone, 3,4,5,3 ', 4', 5'-hexahydroxybenzophenone and the like;

(폴리히드록시페닐)알칸으로서, 비스(2,4-디히드록시페닐)메탄, 비스(p-히드록시페닐)메탄, 트리스(p-히드록시페닐)메탄, 1,1,1-트리스(p-히드록시페닐)에탄, 비스(2,3,4-트리히드록시페닐)메탄, 2,2-비스(2,3,4-트리히드록시페닐)프로판, 1,1,3-트리스(2,5-디메틸-4-히드록시페닐)-3-페닐프로판, 4,4'-〔1-〔4-〔1-〔4-히드록시페닐〕-1-메틸에틸〕페닐〕에틸리덴〕비스페놀, 비스(2,5-디메틸-4-히드록시페닐)-2-히드록시페닐메탄, 3,3,3',3'-테트라메틸-1,1'-스피로비인덴-5,6,7,5',6',7'-헥산올, 2,2,4-트리메틸-7,2',4'-트리히드록시플라반 등;(Dihydroxyphenyl) methane, bis (p-hydroxyphenyl) methane, tris (p-hydroxyphenyl) methane, 1,1,1-tris (2,3,4-trihydroxyphenyl) methane, 2,2-bis (2,3,4-trihydroxyphenyl) propane, 1,1,3-tris 4-hydroxyphenyl) -1-methylethyl] phenyl] ethylidene] -1,3-dihydroxyphenyl) (2,5-dimethyl-4-hydroxyphenyl) -2-hydroxyphenylmethane, 3,3,3 ', 3'-tetramethyl-1,1'-spirobindene- 7,5 ', 6', 7'-hexanol, 2,2,4-trimethyl-7,2 ', 4'-trihydroxyflavone and the like;

그 밖의 모핵으로서, 2-메틸-2-(2,4-디히드록시페닐)-4-(4-히드록시페닐)-7-히드록시크로만, 1-[1-(3-{1-(4-히드록시페닐)-1-메틸에틸}-4,6-디히드록시페닐)-1-메틸에틸]-3-(1-(3-{1-(4-히드록시페닐)-1-메틸에틸}-4,6-디히드록시페닐)-1-메틸에틸)벤젠, 4,6-비스{1-(4-히드록시페닐)-1-메틸에틸}-1,3-디히드록시벤젠 등을 들 수 있다.(2,4-dihydroxyphenyl) -4- (4-hydroxyphenyl) -7-hydroxychroman, 1- [1- (3- {1- (4-hydroxyphenyl) -1-methylethyl} -4,6-dihydroxyphenyl) -1-methylethyl] -3- -Methylethyl} -4,6-dihydroxyphenyl) -1-methylethyl) benzene, 4,6-bis {1- (4- hydroxyphenyl) Hydroxybenzene and the like.

이들 중에서 모핵으로서는, 2,3,4,4'-테트라히드록시벤조페논, 1,1,1-트리스(p-히드록시페닐)에탄, 4,4'-〔1-〔4-〔1-〔4-히드록시페닐〕-1-메틸에틸〕페닐〕에틸리덴〕비스페놀이 바람직하다.Among them, 2,3,4,4'-tetrahydroxybenzophenone, 1,1,1-tris (p-hydroxyphenyl) ethane, 4,4 '- [ [4-hydroxyphenyl] -1-methylethyl] phenyl] ethylidene] bisphenol is preferable.

상기 1,2-나프토퀴논디아지드술폰산할라이드로서는, 1,2-나프토퀴논디아지드술폰산클로라이드가 바람직하고, 1,2-나프토퀴논디아지드-4-술폰산클로라이드, 1,2-나프토퀴논디아지드-5-술폰산클로라이드가 보다 바람직하고, 1,2-나프토퀴논디아지드-5-술폰산클로라이드가 더욱 바람직하다.As the 1,2-naphthoquinonediazide sulfonic acid halide, 1,2-naphthoquinonediazide sulfonic acid chloride is preferable, and 1,2-naphthoquinonediazide-4-sulfonic acid chloride, 1,2-naphthoquinone diazide sulfonic acid chloride, Quinonediazide-5-sulfonic acid chloride is more preferable, and 1,2-naphthoquinonediazide-5-sulfonic acid chloride is more preferable.

상기 1,2-나프토퀴논디아지드술폰산아미드로서는, 2,3,4-트리아미노벤조페논-1,2-나프토퀴논디아지드-4-술폰산아미드가 바람직하다.As the 1,2-naphthoquinonediazide sulfonic acid amide, 2,3,4-triaminobenzophenone-1,2-naphthoquinonediazide-4-sulfonic acid amide is preferable.

상기 페놀성 화합물 또는 알코올성 화합물(모핵)과, 1,2-나프토퀴논디아지드술폰산할라이드의 축합 반응에서는, 페놀성 화합물 또는 알코올성 화합물 중의 OH기 수에 대하여 바람직하게는 30몰% 이상 85몰% 이하, 보다 바람직하게는 50몰% 이상 70몰% 이하에 상당하는 1,2-나프토퀴논디아지드술폰산할라이드를 사용할 수 있다. 또한, 상기 축합 반응은 공지된 방법에 의해서 실시할 수 있다.In the condensation reaction of the phenolic compound or the alcoholic compound (mother cell) with 1,2-naphthoquinonediazide sulfonic acid halide, the phenolic compound or the alcoholic compound preferably contains 30 mol% or more and 85 mol% , More preferably 50 mol% or more and 70 mol% or less of 1,2-naphthoquinonediazidesulfonic acid halide. The condensation reaction can be carried out by a known method.

[G] 산 발생제의 함유량으로서는, [A3] 중합체 100질량부에 대하여 5질량부 이상 100질량부 이하가 바람직하고, 10질량부 이상 50질량부 이하가 보다 바람직하고, 20질량부 이상 40질량부 이하가 더욱 바람직하다. [G] 산 발생제의 함유량을 상기 범위로 함으로써, 현상액이 되는 알칼리 수용액에 대한 방사선의 조사 부분과 미조사 부분의 용해도의 차가 크고, 그 결과 패터닝 성능이 양호하게 됨과 동시에, 얻어지는 경화막의 내약품성도 양호해진다.The content of the [G] acid generator is preferably 5 parts by mass or more and 100 parts by mass or less, more preferably 10 parts by mass or more and 50 parts by mass or less, and even more preferably 20 parts by mass or more and 40 parts by mass Or less. When the content of the [G] acid generator is within the above range, the difference between the irradiated portion of the irradiated alkali solution and the unexposed portion of the aqueous alkaline solution serving as the developer becomes large, and as a result, the patterning performance becomes good, and the chemical resistance .

<[H] 용매><[H] Solvent>

[H] 용매는, [A3] 중합체, [G] 산 발생제, 및 필요에 따라서 함유되는 임의 성분을 균일하게 용해시키며, 각 성분과 반응하지 않는 것이 이용된다. 또한, [H] 용매는 단독으로 또는 2종 이상을 조합하여 이용할 수도 있다.The [H] solvent is used to uniformly dissolve the [A3] polymer, the [G] acid generator, and optional components contained therein if necessary, and does not react with each component. The [H] solvent may be used alone or in combination of two or more.

[H] 용매로서는, 예를 들면 알코올계 용매, 에테르계 용매, 케톤계 용매, 아미드계 용매, 에스테르계 용매, 탄화수소계 용매 등을 들 수 있다.Examples of the [H] solvent include an alcohol-based solvent, an ether-based solvent, a ketone-based solvent, an amide-based solvent, an ester-based solvent and a hydrocarbon-based solvent.

상기 알코올계 용매로서는, 예를 들면As the alcohol-based solvent, for example,

모노 알코올계 용매로서, 메탄올, 에탄올, n-프로판올, i-프로판올, n-부탄올, i-부탄올, sec-부탄올, tert-부탄올, n-펜탄올, i-펜탄올, 2-메틸부탄올, sec-펜탄올, tert-펜탄올, 3-메톡시부탄올, n-헥산올, 2-메틸펜탄올, sec-헥산올, 2-에틸부탄올, sec-헵탄올, 3-헵탄올, n-옥탄올, 2-에틸헥산올, sec-옥탄올, n-노닐알코올, 2,6-디메틸-4-헵탄올, n-데칸올, sec-운데실알코올, 트리메틸노닐알코올, sec-테트라데실알코올, sec-헵타데실알코올, 푸르푸릴알코올, 페놀, 시클로헥산올, 메틸시클로헥산올, 3,3,5-트리메틸시클로헥산올, 벤질알코올, 디아세톤알코올 등;As the monoalcohol-based solvent, it is preferable to use at least one solvent selected from the group consisting of methanol, ethanol, n-propanol, i-propanol, n-butanol, i-butanol, sec-butanol, Heptanol, sec-heptanol, 3-heptanol, n-octanol, sec-hexanol, sec-hexanol, sec- Sec-octadecyl alcohol, sec-tetradecyl alcohol, sec-tetradecyl alcohol, sec-octadecanol, sec-octadecyl alcohol, Heptadecyl alcohol, furfuryl alcohol, phenol, cyclohexanol, methylcyclohexanol, 3,3,5-trimethylcyclohexanol, benzyl alcohol, diacetone alcohol and the like;

다가 알코올계 용매로서, 에틸렌글리콜, 1,2-프로필렌글리콜, 1,3-부틸렌글리콜, 2,4-펜탄디올, 2-메틸-2,4-펜탄디올, 2,5-헥산디올, 2,4-헵탄디올, 2-에틸-1,3-헥산디올, 디에틸렌글리콜, 디프로필렌글리콜, 트리에틸렌글리콜, 트리프로필렌글리콜 등;Examples of polyhydric alcohol solvents include polyhydric alcohols such as ethylene glycol, 1,2-propylene glycol, 1,3-butylene glycol, 2,4-pentanediol, 2-methyl- , 4-heptanediol, 2-ethyl-1,3-hexanediol, diethylene glycol, dipropylene glycol, triethylene glycol, tripropylene glycol and the like;

다가 알코올 부분 에테르계 용매로서, 에틸렌글리콜모노메틸에테르, 에틸렌글리콜모노에틸에테르, 에틸렌글리콜모노프로필에테르, 에틸렌글리콜모노부틸에테르, 에틸렌글리콜모노헥실에테르, 에틸렌글리콜모노페닐에테르, 에틸렌글리콜모노-2-에틸부틸에테르, 디에틸렌글리콜모노메틸에테르, 디에틸렌글리콜모노에틸에테르, 디에틸렌글리콜모노프로필에테르, 디에틸렌글리콜모노부틸에테르, 디에틸렌글리콜모노헥실에테르, 프로필렌글리콜모노메틸에테르, 프로필렌글리콜모노에틸에테르, 프로필렌글리콜모노프로필에테르, 프로필렌글리콜모노부틸에테르, 디프로필렌글리콜모노메틸에테르, 디프로필렌글리콜모노에틸에테르, 디프로필렌글리콜모노프로필에테르 등을 들 수 있다.Examples of the polyhydric alcohol partial ether solvent include ethylene glycol monomethyl ether, ethylene glycol monoethyl ether, ethylene glycol monopropyl ether, ethylene glycol monobutyl ether, ethylene glycol monohexyl ether, ethylene glycol monophenyl ether, ethylene glycol mono-2- Diethyleneglycol monoethyl ether, diethyleneglycol monopropyl ether, diethyleneglycol monobutyl ether, diethyleneglycol monohexyl ether, propyleneglycol monomethyl ether, propyleneglycol monoethyl ether, diethyleneglycol monomethylether, diethyleneglycol monomethylether, , Propylene glycol monopropyl ether, propylene glycol monobutyl ether, dipropylene glycol monomethyl ether, dipropylene glycol monoethyl ether, and dipropylene glycol monopropyl ether.

상기 에테르계 용매로서는, 예를 들면 디에틸에테르, 디프로필에테르, 디부틸에테르, 디페닐에테르, 디에틸렌글리콜디메틸에테르, 디에틸렌글리콜메틸에틸에테르, 디에틸렌글리콜디에틸에테르, 테트라히드로푸란 등을 들 수 있다.Examples of the ether solvent include diethyl ether, dipropyl ether, dibutyl ether, diphenyl ether, diethylene glycol dimethyl ether, diethylene glycol methyl ethyl ether, diethylene glycol diethyl ether, and tetrahydrofuran. .

상기 케톤계 용매로서는, 예를 들면 아세톤, 메틸에틸케톤, 메틸-n-프로필케톤, 메틸-n-부틸케톤, 디에틸케톤, 메틸-i-부틸케톤, 메틸-n-펜틸케톤, 에틸-n-부틸케톤, 메틸-n-헥실케톤, 디-i-부틸케톤, 트리메틸노나논, 시클로펜타논, 시클로헥사논, 시클로헵타논, 시클로옥타논, 메틸시클로헥사논, 2,4-펜탄디온, 아세토닐아세톤, 아세토페논 등을 들 수 있다.Examples of the ketone solvent include acetone, methyl ethyl ketone, methyl n-propyl ketone, methyl n-butyl ketone, diethyl ketone, methyl i-butyl ketone, methyl n-pentyl ketone, -Butyl ketone, methyl-n-hexyl ketone, di-i-butyl ketone, trimethylnonanone, cyclopentanone, cyclohexanone, cycloheptanone, cyclooctanone, methylcyclohexanone, Acetonyl acetone, acetophenone, and the like.

상기 아미드계 용매로서는, 예를 들면 N,N'-디메틸이미다졸리디논, N-메틸포름아미드, N,N-디메틸포름아미드, N,N-디에틸포름아미드, 아세트아미드, N-메틸아세트아미드, N,N-디메틸아세트아미드, N-메틸프로피온아미드, N-메틸피롤리돈 등을 들 수 있다.Examples of the amide solvent include N, N'-dimethylimidazolidinone, N-methylformamide, N, N-dimethylformamide, N, Amide, N, N-dimethylacetamide, N-methylpropionamide, N-methylpyrrolidone and the like.

상기 에스테르계 용매로서는, 예를 들면 아세트산메틸, 아세트산에틸, 아세트산 n-프로필, 아세트산 i-프로필, 아세트산 n-부틸, 아세트산 i-부틸, 아세트산 sec-부틸, 아세트산 n-펜틸, 아세트산 sec-펜틸, 아세트산 3-메톡시부틸, 아세트산 3-메틸-3-메톡시부틸, 아세트산메틸펜틸, 아세트산 2-에틸부틸, 아세트산 2-에틸헥실, 아세트산벤질, 아세트산시클로헥실, 아세트산메틸시클로헥실, 아세트산 n-노닐, 아세토아세트산메틸, 아세토아세트산에틸, 아세트산에틸렌글리콜모노메틸에테르, 아세트산에틸렌글리콜모노에틸에테르, 아세트산에틸렌글리콜모노-n-프로필에테르, 아세트산에틸렌글리콜모노-n-부틸에테르, 아세트산디에틸렌글리콜모노메틸에테르, 아세트산디에틸렌글리콜모노에틸에테르, 아세트산디에틸렌글리콜모노-n-프로필에테르, 아세트산디에틸렌글리콜모노-n-부틸에테르, 아세트산프로필렌글리콜모노메틸에테르, 아세트산프로필렌글리콜모노에틸에테르, 아세트산프로필렌글리콜모노프로필에테르, 아세트산프로필렌글리콜모노부틸에테르, 아세트산디프로필렌글리콜모노메틸에테르, 아세트산디프로필렌글리콜모노에틸에테르, 디아세트산글리콜, 아세트산메톡시트리글리콜, 프로피온산에틸, 프로피온산 n-부틸, 프로피온산 i-아밀, 옥살산디에틸, 옥살산디-n-부틸, 락트산메틸, 락트산에틸, 락트산 n-부틸, 락트산 n-아밀, 말론산디에틸, 프탈산디메틸, 프탈산디에틸 등을 들 수 있다.Examples of the ester solvents include methyl acetate, ethyl acetate, n-propyl acetate, i-propyl acetate, n-butyl acetate, i-butyl acetate, sec-butyl acetate, n-pentyl acetate, sec- 3-methoxybutyl acetate, methylpentyl acetate, 2-ethylbutyl acetate, 2-ethylhexyl acetate, benzyl acetate, cyclohexyl acetate, methylcyclohexyl acetate, n-nonyl acetate , Methyl acetoacetate, ethyl acetoacetate, acetic acid ethylene glycol monomethyl ether, acetic acid ethylene glycol monoethyl ether, acetic acid ethylene glycol mono-n-propyl ether, acetic acid ethylene glycol mono-n-butyl ether, acetic acid diethylene glycol monomethyl ether , Diethylene glycol monoethyl ether acetate, diethylene glycol mono-n-propyl ether acetate, di Propylene glycol monomethyl ether acetate, propylene glycol monopropyl ether acetate, propylene glycol monobutyl ether acetate, dipropylene glycol monomethyl ether acetate, dipropylene glycol monoacetate acetate, dipropylene glycol monomethyl ether acetate, dipropylene glycol monomethyl ether acetate, Ethyl lactate, ethyl lactate, ethyl lactate, n-butyl lactate, n-butyl lactate, n-butyl methacrylate, - amyl, diethyl malonate, dimethyl phthalate, diethyl phthalate and the like.

상기 탄화수소계 용매로서는, 예를 들면As the hydrocarbon-based solvent, for example,

지방족 탄화수소계 용매로서, n-펜탄, i-펜탄, n-헥산, i-헥산, n-헵탄, i-헵탄, 2,2,4-트리메틸펜탄, n-옥탄, i-옥탄, 시클로헥산, 메틸시클로헥산 등;Examples of the aliphatic hydrocarbon solvent include aliphatic hydrocarbons such as n-pentane, i-pentane, n-hexane, i-hexane, n-heptane, i-heptane, 2,2,4-trimethylpentane, Methylcyclohexane and the like;

방향족 탄화수소계 용매로서, 벤젠, 톨루엔, 크실렌, 메시틸렌, 에틸벤젠, 트리메틸벤젠, 메틸에틸벤젠, n-프로필벤젠, i-프로필벤젠, 디에틸벤젠, i-부틸벤젠, 트리에틸벤젠, 디-i-프로필벤젠, n-아밀나프탈렌 등을 들 수 있다.Examples of the aromatic hydrocarbon solvents include aliphatic hydrocarbon solvents such as benzene, toluene, xylene, mesitylene, ethylbenzene, trimethylbenzene, methylethylbenzene, n-propylbenzene, i-propylbenzene, diethylbenzene, i-propylbenzene, n-amylnaphthalene, and the like.

또한, [H] 용매는 상기 용매와 함께, 카프로산, 카프릴산, 탄산에틸렌, 탄산프로필렌 등의 고비점 용매를 함유할 수도 있다.In addition, the [H] solvent may contain a high boiling solvent such as caproic acid, caprylic acid, ethylene carbonate, propylene carbonate and the like together with the above solvent.

<그 밖의 임의 성분><Other optional components>

상기 포지티브형 감방사선성 수지 조성물이 함유할 수도 있는 그 밖의 임의 성분으로서는, 예를 들면 [A3] 중합체 이외의 환상 에테르 화합물(이하, "화합물 X"라고도 함), 산화 방지제, 계면 활성제, 접착 보조제 등을 들 수 있다. 또한, 상기 포지티브형 감방사선성 수지 조성물은, 상기 각 성분을 단독으로 또는 2종 이상을 조합하여 이용할 수도 있다.Examples of other optional components that the positive radiation-sensitive resin composition may contain include cyclic ether compounds other than the [A3] polymer (hereinafter also referred to as "compound X"), antioxidants, surfactants, And the like. The above-mentioned positive radiation-sensitive resin composition may be used alone or in combination of two or more.

[화합물 X][Compound X]

화합물 X는, [A3] 중합체 이외의 환상 에테르 화합물이며, 구체적으로는 옥시라닐기(1,2-에폭시 구조), 옥세타닐기(1,3-에폭시 구조) 등의 열 반응성기를 갖는 화합물이다. 상기 포지티브형 감방사선성 수지 조성물이 화합물 X를 함유함으로써, 얻어지는 경화막의 내열성, 표면 경도 등을 향상시킬 수 있다. 화합물 X로서는, 분자 내에 2개 이상의 옥시라닐기 또는 옥세타닐기를 갖는 화합물이 바람직하다.The compound X is a cyclic ether compound other than the [A3] polymer and specifically a compound having a thermal reactive group such as an oxiranyl group (1,2-epoxy structure) and an oxetanyl group (1,3-epoxy structure). When the positive radiation-sensitive resin composition contains the compound X, heat resistance and surface hardness of the resulting cured film can be improved. As the compound X, a compound having two or more oxiranyl or oxetanyl groups in the molecule is preferable.

분자 내에 2개 이상의 옥시라닐기를 갖는 화합물 X로서는, 예를 들면As the compound X having two or more oxiranyl groups in the molecule, for example,

비스페놀형 디글리시딜에테르류로서, 비스페놀 A 디글리시딜에테르, 비스페놀 F 디글리시딜에테르, 비스페놀 S 디글리시딜에테르, 수소 첨가 비스페놀 A 디글리시딜에테르, 수소 첨가 비스페놀 F 디글리시딜에테르, 수소 첨가 비스페놀 AD 디글리시딜에테르 등;Examples of bisphenol diglycidyl ethers include bisphenol diglycidyl ether, bisphenol F diglycidyl ether, bisphenol S diglycidyl ether, hydrogenated bisphenol A diglycidyl ether, hydrogenated bisphenol F diglycidyl ether, Cydyl ether, hydrogenated bisphenol AD diglycidyl ether and the like;

다가 알코올의 폴리글리시딜에테르류로서, 1,4-부탄디올디글리시딜에테르, 1,6-헥산디올디글리시딜에테르, 글리세린트리글리시딜에테르, 트리메틸올프로판트리글리시딜에테르, 폴리에틸렌글리콜디글리시딜에테르, 폴리프로필렌글리콜디글리시딜에테르 등;Examples of polyglycidyl ethers of polyhydric alcohols include 1,4-butanediol diglycidyl ether, 1,6-hexanediol diglycidyl ether, glycerin triglycidyl ether, trimethylol propane triglycidyl ether, polyethylene glycol Diglycidyl ether, polypropylene glycol diglycidyl ether and the like;

에틸렌글리콜, 프로필렌글리콜, 글리세린 등의 지방족 다가 알코올에 1종 또는 2종 이상의 알킬렌옥시드를 부가함으로써 얻어지는 폴리에테르폴리올의 폴리글리시딜에테르류;Polyglycidyl ethers of polyether polyols obtained by adding one or more alkylene oxides to aliphatic polyhydric alcohols such as ethylene glycol, propylene glycol and glycerin;

페놀노볼락형 에폭시 수지;Phenol novolak type epoxy resins;

크레졸노볼락형 에폭시 수지;Cresol novolak type epoxy resin;

폴리페놀형 에폭시 수지;Polyphenol type epoxy resins;

지방족 장쇄 2염기산의 디글리시딜에스테르류;Diglycidyl esters of aliphatic long-chain dibasic acids;

고급 지방산의 글리시딜에스테르류;Glycidyl esters of higher fatty acids;

지방족 폴리글리시딜에테르류;Aliphatic polyglycidyl ethers;

에폭시화 대두유, 에폭시화 아마인유 등을 들 수 있다.Epoxidized soybean oil, and epoxidized linseed oil.

분자 내에 2개 이상의 옥시라닐기를 갖는 화합물 X의 시판품으로서는, 예를 들면As a commercially available product of the compound X having two or more oxiranyl groups in the molecule, for example,

비스페놀 A형 에폭시 수지로서, 에피코트 1001, 동 1002, 동 1003, 동 1004, 동 1007, 동 1009, 동 1010, 동 828(이상, 재팬 에폭시 레진 제조) 등;Epicot 1001, 1002, 1003, 1004, 1007, 1009, 1010, and 828 (manufactured by Japan Epoxy Resin Co., Ltd.) as the bisphenol A type epoxy resin;

비스페놀 F형 에폭시 수지로서, 에피코트 807(재팬 에폭시 레진 제조) 등;As the bisphenol F type epoxy resin, Epikote 807 (manufactured by Japan Epoxy Resin Co., Ltd.) and the like;

페놀노볼락형 에폭시 수지로서, 에피코트 152, 동 154, 동 157S65(이상, 재팬 에폭시 레진 제조), EPPN 201, 동 202(이상, 닛본 가야꾸 제조) 등;Examples of the phenol novolak type epoxy resin include Epicote 152, Copper 154 and Copper 157S65 (manufactured by Japan Epoxy Resin Co., Ltd.), EPPN 201 and Copper 202 (manufactured by Nippon Kayaku Co., Ltd.);

크레졸노볼락형 에폭시 수지로서, EOCN 102, 동 103S, 동 104S, 1020, 1025, 1027(이상, 닛본 가야꾸 제조), 에피코트 180S75(재팬 에폭시 레진 제조) 등;EOCN 102, 103S, 104S, 1020, 1025, and 1027 (manufactured by Nippon Kayaku Co., Ltd.), Epikote 180S75 (manufactured by Japan Epoxy Resin Co., Ltd.), and the like as the cresol novolak type epoxy resin;

폴리페놀형 에폭시 수지로서, 에피코트 1032H60, 동 XY-4000(이상, 재팬 에폭시 레진 제조) 등;As the polyphenol type epoxy resin, Epikote 1032H60, XY-4000 (manufactured by Japan Epoxy Resin Co., Ltd.) and the like;

환상 지방족 에폭시 수지로서, CY-175, 동 177, 동 179, 아랄다이트 CY-182, 동 192, 184(이상, 시바 스페셜티케미컬즈 제조), ERL-4234, 4299, 4221, 4206(이상, U.C.C 제조), 쇼다인 509(쇼와 덴꼬 제조), 에피클론 200, 동 400(이상, 다이니폰잉크 제조), 에피코트 871, 동 872(이상, 재팬 에폭시 레진 제조), ED-5661, 동 5662(이상, 셀라니즈코팅 제조) 등;As the cyclic aliphatic epoxy resin, CY-175, Copper 177, Copper 179, Araldite CY-182, Copper 192 and 184 (manufactured by Ciba Specialty Chemicals), ERL-4234, 4299, 4221 and 4206 (Manufactured by Japan Epoxy Resin Co., Ltd.), ED-5661, and EP-5662 (manufactured by Dainippon Ink and Chemicals, Inc.), Shodane 509 (manufactured by Showa Denko K.K.) Manufactured by Celanese Coating), etc .;

지방족 폴리글리시딜에테르로서, 에폴라이트 100MF(교에이샤 가가꾸 제조), 에피올 TMP(닛본 유시 제조) 등을 들 수 있다.Examples of the aliphatic polyglycidyl ether include Epolite 100MF (manufactured by Kyoeisha Chemical Co., Ltd.), Epiol TMP (manufactured by Nippon Oil Co., Ltd.) and the like.

분자 내에 2개 이상의 옥세타닐기를 갖는 화합물 X로서는, 예를 들면 1,4-비스[(3-에틸-3-옥세타닐메톡시)메틸]벤젠, 디[1-에틸-(3-옥세타닐)메틸]에테르(별칭: 비스(3-에틸-3-옥세타닐메틸)에테르), 3,7-비스(3-옥세타닐)-5-옥사-노난, 3,3'-[1,3-(2-메틸레닐)프로판디일비스(옥시메틸렌)]비스-(3-에틸옥세탄), 1,2-비스[(3-에틸-3-옥세타닐메톡시)메틸]에탄, 1,3-비스[(3-에틸-3-옥세타닐메톡시)메틸]프로판, 에틸렌글리콜비스(3-에틸-3-옥세타닐메틸)에테르, 디시클로펜테닐비스(3-에틸-3-옥세타닐메틸)에테르, 트리에틸렌글리콜비스(3-에틸-3-옥세타닐메틸)에테르, 테트라에틸렌글리콜비스(3-에틸-3-옥세타닐메틸)에테르, 트리시클로데칸디일디메틸렌(3-에틸-3-옥세타닐메틸)에테르, 트리메틸올프로판트리스(3-에틸-3-옥세타닐메틸)에테르, 1,4-비스(3-에틸-3-옥세타닐메톡시)부탄, 크실렌비스옥세탄, 1,6-비스(3-에틸-3-옥세타닐메톡시)헥산, 펜타에리트리톨트리스(3-에틸-3-옥세타닐메틸)에테르, 펜타에리트리톨테트라키스(3-에틸-3-옥세타닐메틸)에테르, 폴리에틸렌글리콜비스(3-에틸-3-옥세타닐메틸)에테르, 디펜타에리트리톨헥사키스(3-에틸-3-옥세타닐메틸)에테르, 디펜타에리트리톨펜타키스(3-에틸-3-옥세타닐메틸)에테르, 디펜타에리트리톨테트라키스(3-에틸-3-옥세타닐메틸)에테르, 카프로락톤 변성 디펜타에리트리톨헥사키스(3-에틸-3-옥세타닐메틸)에테르, 카프로락톤 변성 디펜타에리트리톨펜타키스(3-에틸-3-옥세타닐메틸)에테르, 디트리메틸올프로판테트라키스(3-에틸-3-옥세타닐메틸)에테르, EO 변성 비스페놀 A 비스(3-에틸-3-옥세타닐메틸)에테르, PO 변성 비스페놀 A 비스(3-에틸-3-옥세타닐메틸)에테르, EO 변성 수소 첨가 비스페놀 A 비스(3-에틸-3-옥세타닐메틸)에테르, PO 변성 수소 첨가 비스페놀 A 비스(3-에틸-3-옥세타닐메틸)에테르, EO 변성 비스페놀 F(3-에틸-3-옥세타닐메틸)에테르 등을 들 수 있다.Examples of the compound X having two or more oxetanyl groups in the molecule include 1,4-bis [(3-ethyl-3-oxetanylmethoxy) methyl] benzene, di [1- (3-ethyl-3-oxetanylmethyl) ether), 3,7-bis (3-oxetanyl) (3-ethyl-3-oxetanylmethoxy) methyl] ethane, 1 - (2-methylethyl) propane di Ethyl-3-oxetanylmethyl) ether, dicyclopentenylbis (3-ethyl-3-oxetanylmethoxy) methyl] propane, ethylene glycol bis Ethyl-3-oxetanylmethyl) ether, triethylene glycol bis (3-ethyl-3-oxetanylmethyl) ether, tetraethylene glycol bis Ethyl-3-oxetanylmethyl) ether, trimethylolpropane tris (3-ethyl-3-oxetanylmethyl) ether, 1,4-bis (3-ethyl-3-oxetanylmethyl) ether, pentaerythritol tetrakis (3-ethyl-3-oxetanylmethoxy) Ethyl-3-oxetanylmethyl) ether, polyethylene glycol bis (3-ethyl-3-oxetanylmethyl) ether, dipentaerythritol hexakis (3-ethyl-3-oxetanylmethyl) ether, dipentaerythritol tetrakis (3-ethyl-3-oxetanylmethyl) ether, caprolactone-modified dipentaerythritol hexakis Ethyl-3-oxetanylmethyl) ether, caprolactone-modified dipentaerythritol pentaquis (3-ethyl-3-oxetanylmethyl) ether, ditrimethylolpropane tetrakis Ethyl 3-oxetanylmethyl) ether, EO-modified bisphenol A bis (3-ethyl-3-oxetanylmethyl) ether, PO-modified bisphenol A bis 3-oxetanylmethyl) ether, PO-modified hydrogenated bisphenol A bis (3-ethyl-3-oxetanylmethyl) ether, EO-modified bisphenol F (3-ethyl- Oxetanylmethyl) ether, and the like.

이들 중에서, 분자 내에 2개 이상의 옥세타닐기를 갖는 화합물 X로서는, 디[1-에틸-(3-옥세타닐)메틸]에테르, 1,4-비스[(3-에틸-3-옥세타닐메톡시)메틸]벤젠이 바람직하다.Among them, examples of the compound X having two or more oxetanyl groups in the molecule include di [1-ethyl- (3-oxetanyl) methyl] ether, 1,4-bis [ Ethoxy) methyl] benzene.

화합물 X의 함유량으로서는, [A3] 중합체 100질량부에 대하여 1질량부 이상 100질량부 이하가 바람직하고, 1질량부 이상 50질량부 이하가 보다 바람직하고, 1질량부 이상 25질량부 이하가 더욱 바람직하다. 화합물 X의 함유량을 상기 범위로 함으로써 감도, 내열성 등을 향상시킬 수 있다.The content of the compound X is preferably 1 part by mass or more and 100 parts by mass or less, more preferably 1 part by mass or more and 50 parts by mass or less, more preferably 1 part by mass or more and 25 parts by mass or less, based on 100 parts by mass of the polymer [A3] desirable. When the content of the compound X is within the above range, sensitivity, heat resistance and the like can be improved.

[산화 방지제][Antioxidant]

산화 방지제는 노광 또는 가열에 의해 발생된 라디칼, 또는 산화에 의해서 생성된 과산화물을 분해하여, 중합체 분자의 결합의 해열을 방지할 수 있는 성분이다. 그 결과, 얻어지는 경화막은 경시적인 산화 열화가 방지되어, 예를 들면 경화막의 막 두께 변화를 억제할 수 있다.The antioxidant is a component capable of decomposing a radical generated by exposure or heating, or a peroxide generated by oxidation, and preventing the dissociation of polymer molecules from dissociation. As a result, the obtained cured film is prevented from deterioration with time of oxidation, and for example, the change in film thickness of the cured film can be suppressed.

상기 산화 방지제로서는, 예를 들면 힌더드페놀 구조를 갖는 화합물, 힌더드아민 구조를 갖는 화합물, 알킬포스파이트 구조를 갖는 화합물, 티오에테르 구조를 갖는 화합물 등을 들 수 있다. 이들 중에서, 산화 방지제로서는 힌더드페놀 구조를 갖는 화합물이 바람직하다.Examples of the antioxidant include a compound having a hindered phenol structure, a compound having a hindered amine structure, a compound having an alkyl phosphite structure, and a compound having a thioether structure. Among them, a compound having a hindered phenol structure is preferable as the antioxidant.

상기 힌더드페놀 구조를 갖는 화합물로서는, 예를 들면 펜타에리트리톨테트라키스[3-(3,5-디-tert-부틸-4-히드록시페닐)프로피오네이트], 티오디에틸렌비스[3-(3,5-디-tert-부틸-4-히드록시페닐)프로피오네이트], 옥타데실-3-(3,5-디-tert-부틸-4-히드록시페닐)프로피오네이트, 트리스-(3,5-디-t-부틸-4-히드록시벤질)-이소시아누레이트, 1,3,5-트리메틸-2,4,6-트리스(3,5-디-tert-부틸-4-히드록시벤질)벤젠, N,N'-헥산-1,6-디일비스[3-(3,5-디-tert-부틸-4-히드록시페닐프로피온아미드), 3,3',3',5',5'-헥사-tert-부틸-a,a',a'-(메시틸렌-2,4,6-트리일)트리-p-크레졸, 4,6-비스(옥틸티오메틸)-o-크레졸, 4,6-비스(도데실티오메틸)-o-크레졸, 에틸렌비스(옥시에틸렌)비스[3-(5-tert-부틸-4-히드록시-m-톨릴)프로피오네이트, 헥사메틸렌비스[3-(3,5-디-tert-부틸-4-히드록시페닐)프로피오네이트], 1,3,5-트리스[(4-tert-부틸-3-히드록시-2,6-크실릴)메틸]-1,3,5-트리아진-2,4,6(1H,3H,5H)-트리온, 2,6-디-tert-부틸-4-(4,6-비스(옥틸티오)-1,3,5-트리아진-2-일아민)페놀, 1,3,5-트리메틸-2,4,6-트리스(3,5-디-t-부틸-4-히드록시벤질)벤젠, 2,6-디-t-부틸-4-크레졸 등을 들 수 있다.Examples of the compound having a hindered phenol structure include pentaerythritol tetrakis [3- (3,5-di-tert-butyl-4-hydroxyphenyl) propionate], thiodiethylene bis [3- (3,5-di-tert-butyl-4-hydroxyphenyl) propionate], octadecyl-3- (3,5-di-t-butyl-4-hydroxybenzyl) -isocyanurate, 1,3,5-trimethyl-2,4,6-tris (3,5- -Hydroxybenzyl) benzene, N, N'-hexane-1,6-diylbis [3- (3,5- , 5 ', 5'-hexa-tert-butyl-a, a', a'- (mesitylene-2,4,6-triyl) tri-p-cresol, 4,6-bis (octylthiomethyl) -cresol, 4,6-bis (dodecylthiomethyl) -o-cresol, ethylene bis (oxyethylene) bis [3- (5-tert- butyl-4-hydroxy-m- tolyl) propionate , Hexamethylene bis [3- (3,5-di-tert-butyl-4-hydroxyphenyl) propionate], 1,3,5-tris [ Methyl-1,3,5-triazine-2,4,6 (1H, 3H, 5H) -triene, 2,6- Bis (octylthio) -1,3,5-triazin-2-ylamine) phenol, 1,3,5-trimethyl-2,4,6-tris (3,5-di-t-butyl-4-hydroxybenzyl) benzene, 2,6-di-t-butyl-4-cresol and the like.

상기 힌더드페놀 구조를 갖는 화합물의 시판품으로서는, 예를 들면 아데카스탭 AO-20, 동 AO-30, 동 AO-40, 동 AO-50, 동 AO-60, 동 AO-70, 동 AO-80, 동 AO-330(이상, ADEKA 제조), sumilizer GM, 동 GS, 동 MDP-S, 동 BBM-S, 동 WX-R, 동 GA-80(이상, 스미또모 가가꾸 제조), IRGANOX 1010, 동 1035, 동 1076, 동 1098, 동 1135, 동 1330, 동 1726, 동 1425WL, 동 1520L, 동 245, 동 259, 동 3114, 동 565, IRGAMOD 295(이상, BASF 제조), 요시녹스 BHT, 동 BB, 동 2246G, 동 425, 동 250, 동 930, 동 SS, 동 TT, 동 917, 동 314(이상, API 코포레이션 제조) 등을 들 수 있다.Examples of commercially available products of the hindered phenol structure include Adekastab AO-20, AO-30, AO-40, AO-50, AO-60, AO- 80, AO-330 (manufactured by ADEKA), sumilizer GM, copper GS, copper MDP-S, copper BBM-S copper WX-R copper GA- (Manufactured by BASF), Yoshinox BHT, and Yoshinox BHT were used in the same manner as in Example 1. The results are shown in Table 1. &lt; tb &gt; &lt; TABLE &gt; Dongbu Corp., Dongbu 2246G, Dongbu 425, Dongbu 250, Dongbu 930, Dongbu SS, Dong TT, Dongbu 917 and Dongbu 314 (manufactured by API Corporation).

이들 중에서, 힌더드페놀 구조를 갖는 화합물로서는, 펜타에리트리톨테트라키스[3-(3,5-디-tert-부틸-4-히드록시페닐)프로피오네이트], 1,3,5-트리메틸-2,4,6-트리스(3,5-디-t-부틸-4-히드록시벤질)벤젠, 2,6-디-t-부틸-4-크레졸이 보다 바람직하다.Of these, pentaerythritol tetrakis [3- (3,5-di-tert-butyl-4-hydroxyphenyl) propionate], 1,3,5-trimethyl- 2,4,6-tris (3,5-di-t-butyl-4-hydroxybenzyl) benzene and 2,6-di-t-butyl-4-cresol are more preferable.

산화 방지제의 함유량으로서는, [A3] 중합체 100질량부에 대하여 0.001질량부 이상 5질량부 이하가 바람직하고, 0.01질량부 이상 2질량부 이하가 보다 바람직하다.The content of the antioxidant is preferably 0.001 parts by mass or more and 5 parts by mass or less, more preferably 0.01 parts by mass or more and 2 parts by mass or less, based on 100 parts by mass of the polymer [A3].

[계면 활성제][Surfactants]

계면 활성제는, 상기 포지티브형 감방사선성 수지 조성물의 막 형성성을 향상시키는 성분이다. 상기 계면 활성제로서는, 예를 들면 불소계 계면 활성제, 실리콘계 계면 활성제, 및 그 밖의 계면 활성제를 들 수 있다.The surfactant is a component that improves the film formability of the positive radiation-sensitive resin composition. Examples of the surfactant include a fluorine surfactant, a silicone surfactant, and other surfactants.

상기 불소계 계면 활성제로서는, 말단, 주쇄 및 측쇄 중 적어도 어느 하나의 부위에 플루오로알킬기 및/또는 플루오로알킬렌기를 갖는 화합물이 바람직하고, 예를 들면 1,1,2,2-테트라플루오로-n-옥틸(1,1,2,2-테트라플루오로-n-프로필)에테르, 1,1,2,2-테트라플루오로-n-옥틸(n-헥실)에테르, 헥사에틸렌글리콜디(1,1,2,2,3,3-헥사플루오로-n-펜틸)에테르, 옥타에틸렌글리콜디(1,1,2,2-테트라플루오로-n-부틸)에테르, 헥사프로필렌글리콜디(1,1,2,2,3,3-헥사플루오로-n-펜틸)에테르, 옥타프로필렌글리콜디(1,1,2,2-테트라플루오로-n-부틸)에테르, 퍼플루오로-n-도데칸술폰산나트륨, 1,1,2,2,3,3-헥사플루오로-n-데칸, 1,1,2,2,8,8,9,9,10,10-데카플루오로-n-도데칸이나, 플루오로알킬벤젠술폰산나트륨, 플루오로알킬인산나트륨, 플루오로알킬카르복실산나트륨, 디글리세린테트라키스(플루오로알킬폴리옥시에틸렌에테르), 플루오로알킬암모늄요오디드, 플루오로알킬베타인, 다른 플루오로알킬폴리옥시에틸렌에테르, 퍼플루오로알킬폴리옥시에탄올, 퍼플루오로알킬알콕시레이트, 카르복실산플루오로알킬에스테르 등을 들 수 있다.As the fluorine-based surfactant, a compound having a fluoroalkyl group and / or a fluoroalkylene group in at least one of a terminal, a main chain and a side chain is preferable, and for example, a 1,1,2,2-tetrafluoro- (1,1,2,2-tetrafluoro-n-propyl) ether, 1,1,2,2-tetrafluoro-n-octyl (n-hexyl) ether, hexaethylene glycol di (1,2,2,3,3-hexafluoro-n-pentyl) ether, octaethylene glycol di (1,1,2,2-tetrafluoro-n-butyl) ether, hexapropylene glycol di Hexafluoro-n-pentyl) ether, octapropylene glycol di (1,1,2,2-tetrafluoro-n-butyl) ether, perfluoro- Sodium dodecanesulfonate, 1,1,2,2,3,3-hexafluoro-n-decane, 1,1,2,2,8,8,9,9,10,10-decafluoro-n -Dodecane, sodium fluoroalkylbenzenesulfonate, sodium fluoroalkylphosphate, sodium fluoroalkylcarboxylate, diglycerin tetrakis Perfluoroalkylpolyoxyethylene, perfluoroalkylpolyoxyethylene, perfluoroalkylpolyoxyethylene, perfluoroalkylpolyoxyethylene, perfluoroalkylalkoxylate, carboxylic acid fluoro, and the like. Alkyl esters and the like.

상기 불소계 계면 활성제의 시판품으로서는, 예를 들면 BM-1000, BM-1100(이상, BM CHEMIE 제조), 메가페이스 F142D, 동 F172, 동 F173, 동 F183, 동 F178, 동 F191, 동 F471, 동 F476(이상, 다이닛본 잉크 가가꾸 고교 제조), 플루오라드 FC-170C, 동-171, 동-430, 동-431(이상, 스미또모 쓰리엠 제조), 서플론 S-112, 동-113, 동-131, 동-141, 동-145, 동-382, 서플론 SC-101, 동-102, 동-103, 동-104, 동-105, 동-106(이상, 아사히 글래스 제조), 에프톱 EF301, 동 303, 동 352(이상, 신아키타 가세이 제조), 프터젠트 FT-100, 동-110, 동-140A, 동-150, 동-250, 동-251, 동-300, 동-310, 동-400S, FTX-218, 동-251(이상, 네오스 제조) 등을 들 수 있다.Examples of commercially available products of the above fluorinated surfactants include BM-1000, BM-1100 (manufactured by BM CHEMIE), Megaface F142D, Copper F172, Copper F173, Copper F183, Copper F178, Copper F191, Copper F471, Copper F476 (Manufactured by Dainippon Ink and Chemicals, Inc.), Fluorad FC-170C, Copper-171, Copper-430, Copper-431 (manufactured by Sumitomo 3M Limited), Surflon S-112, Copper- 103, 104, 105, 106 (manufactured by Asahi Glass), F-top EF301 (manufactured by Asahi Glass Co., Ltd.) , 303 and 352 (manufactured by Shin Akita Kasei), Fotent FT-100, 110, -140, -150, -250, -251, -300, -310, -400S, FTX-218, and -251 (manufactured by NEOS).

상기 실리콘계 계면 활성제의 시판품으로서는, 예를 들면 도레이 실리콘 DC3PA, 동 DC7PA, 동 SH11PA, 동 SH21PA, 동 SH28PA, 동 SH29PA, 동 SH30PA, 동 SH-190, 동 SH-193, 동 SZ-6032, 동 SF-8428, 동 DC-57, 동 DC-190(이상, 도레이·다우 코닝·실리콘 제조), TSF-4440, TSF-4300, TSF-4445, TSF-4446, TSF-4460, TSF-4452(이상, GE 도시바실리콘 제조), 오르가노실록산 중합체 KP341(신에쓰 가가꾸 고교 제조) 등을 들 수 있다.Examples of commercially available products of the silicone surfactants include TORAY Silicon DC3PA, Copper DC7PA, Copper SH11PA, Copper SH21PA, Copper SH28PA, Copper SH29PA, Copper SH30PA, Copper SH-190, Copper SH-193, Copper SZ- TSF-4440, TSF-4440, TSF-4445, TSF-4446, TSF-4460 and TSF-4452 GE Toshiba Silicones), and organosiloxane polymer KP341 (manufactured by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd.).

상기 그 밖의 계면 활성제로서는, 예를 들면 폴리옥시에틸렌라우릴에테르, 폴리옥시에틸렌스테아릴에테르, 폴리옥시에틸렌올레일에테르 등의 폴리옥시에틸렌알킬에테르; 폴리옥시에틸렌-n-옥틸페닐에테르, 폴리옥시에틸렌-n-노닐페닐에테르 등의 폴리옥시에틸렌아릴에테르; 폴리옥시에틸렌디라우레이트, 폴리옥시에틸렌디스테아레이트 등의 폴리옥시에틸렌디알킬에스테르 등의 비이온계 계면 활성제를 들 수 있다.Examples of the other surfactants include polyoxyethylene alkyl ethers such as polyoxyethylene lauryl ether, polyoxyethylene stearyl ether and polyoxyethylene oleyl ether; Polyoxyethylene aryl ethers such as polyoxyethylene-n-octylphenyl ether and polyoxyethylene-n-nonylphenyl ether; And nonionic surfactants such as polyoxyethylene dialkyl esters such as polyoxyethylene distearate and polyoxyethylene distearate.

상기 그 밖의 계면 활성제의 시판품으로서는, 예를 들면 (메트)아크릴산계 공중합체 폴리플로우 No.57, 동 No.95(이상, 교에이샤 가가꾸 제조) 등을 들 수 있다.Examples of commercially available products of the above other surfactants include (meth) acrylic acid type copolymer Polyflow No. 57 and No. 95 (manufactured by Kyoeisha Chemical Co., Ltd.).

상기 계면 활성제의 함유량으로서는, [A3] 중합체 100질량부에 대하여 0.01질량부 이상 3질량부 이하가 바람직하고, 0.05질량부 이상 1질량부 이하가 보다 바람직하다. 계면 활성제의 함유량을 상기 범위로 함으로써, 효과적으로 막 형성성을 향상시킬 수 있다.The content of the surfactant is preferably 0.01 parts by mass or more and 3 parts by mass or less, more preferably 0.05 parts by mass or more and 1 part by mass or less based on 100 parts by mass of the polymer [A3]. When the content of the surfactant is within the above range, the film formability can be effectively improved.

[접착 보조제][Adhesion Supplements]

접착 보조제는, 얻어지는 경화막과 기판의 접착성을 향상시키는 성분이다. 상기 접착 보조제로서는, 카르복시기, 메타크릴로일기, 비닐기, 이소시아네이트기, 옥시라닐기 등의 반응성 관능기를 갖는 관능성 실란 커플링제가 바람직하다.The adhesion assisting agent is a component that improves the adhesiveness between the resulting cured film and the substrate. As the adhesion assisting agent, a functional silane coupling agent having a reactive functional group such as a carboxyl group, a methacryloyl group, a vinyl group, an isocyanate group, or an oxiranyl group is preferable.

상기 관능성 실란 커플링제로서는, 예를 들면 트리메톡시실릴벤조산, γ-메타크릴옥시프로필트리메톡시실란, 비닐트리아세톡시실란, 비닐트리메톡시실란, γ-이소시아네이트프로필트리에톡시실란, γ-글리시독시프로필트리메톡시실란, β-(3,4-에폭시시클로헥실)에틸트리메톡시실란 등을 들 수 있다.Examples of the functional silane coupling agent include trimethoxysilylbenzoic acid,? -Methacryloxypropyltrimethoxysilane, vinyltriacetoxysilane, vinyltrimethoxysilane,? -Isocyanatepropyltriethoxysilane,? -Glycidoxypropyltrimethoxysilane, and? - (3,4-epoxycyclohexyl) ethyltrimethoxysilane.

상기 접착 보조제의 함유량으로서는, [A3] 중합체 100질량부에 대하여 0.01질량부 이상 20질량부 이하가 바람직하고, 0.1질량부 이상 15질량부 이하가 보다 바람직하다. 접착 보조제의 사용량이 20질량부를 초과하면, 현상 잔여물이 생기기 쉬워지는 경향이 있다.The content of the adhesion-promoting agent is preferably 0.01 parts by mass or more and 20 parts by mass or less, more preferably 0.1 parts by mass or more and 15 parts by mass or less based on 100 parts by mass of the polymer [A3]. If the amount of the adhesion promoter used exceeds 20 parts by mass, development residue tends to be easily formed.

<포지티브형 감방사선성 수지 조성물의 제조 방법>&Lt; Process for producing positive-tone radiation-sensitive resin composition >

본 발명의 포지티브형 감방사선성 수지 조성물은, [A3] 중합체, [G] 산 발생제, 필요에 따라서 [H] 용매, 산화 방지제, 계면 활성제, 접착 보조제 등의 임의 성분을 소정의 비율로 혼합함으로써 제조할 수 있다. 제조한 포지티브형 감방사선성 수지 조성물은, 예를 들면 공경 0.5㎛ 정도의 필터로 여과하는 것이 바람직하다.The positive radiation-sensitive resin composition of the present invention is obtained by mixing arbitrary components such as the [A3] polymer, the [G] acid generator, the [H] solvent, the antioxidant, the surfactant, . The positive radiation-sensitive resin composition thus prepared is preferably filtered, for example, with a filter having a pore size of about 0.5 mu m.

<경화막의 형성 방법 (3)>&Lt; Process for forming a cured film (3) >

본 발명의 경화막의 형성 방법 (3)은,The method (3) for forming a cured film of the present invention comprises:

(1) 상기 포지티브형 감방사선성 수지 조성물을 이용하여 기판 상에 도막을 형성하는 공정,(1) a step of forming a coating film on a substrate using the positive radiation-sensitive resin composition,

(2) 상기 도막의 일부에 방사선을 조사하는 공정,(2) a step of irradiating a part of the coating film with radiation,

(3) 상기 방사선이 조사된 도막을 현상하는 공정, 및(3) a step of developing the coating film irradiated with the radiation, and

(4) 상기 현상된 도막을 가열하는 공정(4) a step of heating the developed coating film

을 갖는다.Respectively.

상기 포지티브형 감방사선성 수지 조성물이 상술한 성질을 갖고 있기 때문에, 본 발명의 경화막의 형성 방법 (3)에 따르면, 양호한 표면 경도를 갖고, 현상 밀착성, 내열성, 내약품성, 투과율 및 비유전율 등의 일반적 특성도 충분히 만족시킬 수 있는 경화막을 형성할 수 있다. 이하, 각 공정에 대해서 상술한다.According to the method (3) for forming a cured film of the present invention, since the positive-tone radiation-sensitive resin composition has the above-mentioned properties, it is possible to obtain a cured film having good surface hardness and excellent in developing adhesion, heat resistance, chemical resistance, It is possible to form a cured film sufficiently satisfying general characteristics. Each step will be described in detail below.

[공정 (C1)][Step (C1)]

본 공정에서는, 상기 포지티브형 감방사선성 수지 조성물을 이용하여 기판 상에 도막을 형성한다. 구체적으로는, 상기 포지티브형 감방사선성 수지 조성물의 용액을 기판 표면에 도포하고, 바람직하게는 프리베이킹을 행함으로써 용매를 제거하여 감방사선성 수지 조성물의 도막을 형성한다. 상기 기판으로서는, 예를 들면 유리 기판, 실리콘 웨이퍼, 플라스틱 기판, 및 이들의 표면에 각종 금속 박막이 형성된 기판 등을 들 수 있다. 상기 플라스틱 기판으로서는, 예를 들면 폴리에틸렌테레프탈레이트(PET), 폴리부틸렌테레프탈레이트(PBT), 폴리에테르술폰, 폴리카보네이트, 폴리이미드 등의 플라스틱을 포함하는 수지 기판을 들 수 있다.In this step, a coating film is formed on the substrate using the positive radiation-sensitive resin composition. Specifically, the solution of the positive radiation-sensitive resin composition is coated on the surface of the substrate, and preferably, the solvent is removed by pre-baking to form a coating film of the radiation-sensitive resin composition. Examples of the substrate include a glass substrate, a silicon wafer, a plastic substrate, and a substrate on which various metal thin films are formed. Examples of the plastic substrate include resin substrates containing plastics such as polyethylene terephthalate (PET), polybutylene terephthalate (PBT), polyethersulfone, polycarbonate, and polyimide.

도포 방법으로서는, 예를 들면 스프레이법, 롤 코팅법, 회전 도포법(스핀 코팅법), 슬릿다이 도포법, 바 도포법, 잉크젯법 등의 적절한 방법을 채용할 수 있다. 이들 중에서, 도포 방법으로서는 스핀 코팅법, 바 도포법, 슬릿다이 도포법이 바람직하다. 상기 프리베이킹의 조건으로서는, 각 성분의 종류, 사용 비율 등에 따라서도 다르지만, 예를 들면 60℃ 내지 130℃에서 30초간 내지 10분간 정도로 할 수 있다. 형성되는 도막의 막 두께는 프리베이킹 후의 값으로서 0.1㎛ 내지 8㎛가 바람직하고, 0.1㎛ 내지 6㎛가 보다 바람직하고, 0.1㎛ 내지 4㎛가 더욱 바람직하다.As a coating method, a suitable method such as a spraying method, a roll coating method, a spin coating method (spin coating method), a slit die coating method, a bar coating method, an ink jet method and the like can be adopted. Of these, spin coating method, bar coating method and slit die coating method are preferable as a coating method. The conditions for the prebaking may vary depending on the kind of each component, the use ratio, and the like, and may be, for example, 60 to 130 DEG C for 30 seconds to 10 minutes. The film thickness of the formed coating film is preferably 0.1 占 퐉 to 8 占 퐉, more preferably 0.1 占 퐉 to 6 占 퐉, and still more preferably 0.1 占 퐉 to 4 占 퐉, as a value after pre-baking.

[공정 (C2)][Step (C2)]

본 공정에서는, 상기 도막의 일부에 방사선을 조사한다. 구체적으로는, 공정 (C1)에서 형성한 도막에 소정의 패턴을 갖는 마스크를 통해 방사선을 조사한다. 이때 이용되는 방사선으로서는, 예를 들면 자외선, 원자외선, X선, 하전 입자선 등을 들 수 있다.In this step, a part of the coating film is irradiated with radiation. Specifically, the coating film formed in the step (C1) is irradiated with a radiation through a mask having a predetermined pattern. Examples of the radiation used at this time include ultraviolet rays, deep ultraviolet rays, X-rays, charged particle rays, and the like.

상기 자외선으로서는, 예를 들면 g선(파장 436nm), i선(파장 365nm) 등을 들 수 있다. 원자외선으로서는, 예를 들면 KrF 엑시머 레이저광 등을 들 수 있다. X선으로서는, 예를 들면 싱크로트론 방사선 등을 들 수 있다. 하전 입자선으로서는, 예를 들면 전자선 등을 들 수 있다. 이들 방사선 중 자외선이 바람직하고, 자외선의 중에서도 g선, h선 및/또는 i선을 포함하는 방사선이 보다 바람직하다. 방사선의 노광량으로서는, 0.1J/m2 내지 10,000J/m2가 바람직하다.Examples of the ultraviolet ray include g-line (wavelength: 436 nm) and i-line (wavelength: 365 nm). Examples of the far ultraviolet ray include KrF excimer laser light and the like. Examples of X-rays include synchrotron radiation. Examples of the charged particle beam include electron beams and the like. Among these radiation, ultraviolet rays are preferable, and among the ultraviolet rays, radiation including g line, h line and / or i line is more preferable. Examples of radiation exposure dose, 0.1J / m 2 to 10,000J / m 2 is preferred.

[공정 (C3)][Step (C3)]

본 공정에서는, 상기 방사선이 조사된 도막을 현상한다. 구체적으로는, 공정 (C2)에서 방사선이 조사된 도막에 대해 현상액에 의해 현상을 행하여 방사선의 조사 부분을 제거한다. 상기 현상액으로서는, 예를 들면 수산화나트륨, 수산화칼륨, 탄산나트륨, 규산나트륨, 메타규산나트륨, 암모니아, 에틸아민, n-프로필아민, 디에틸아민, 디에틸아미노에탄올, 디-n-프로필아민, 트리에틸아민, 메틸디에틸아민, 디메틸에탄올아민, 트리에탄올아민, 테트라메틸암모늄 히드록시드(TMAH), 테트라에틸암모늄히드록시드, 피롤, 피페리딘, 1,8-디아자비시클로〔5,4,0〕-7-운데센, 1,5-디아자비시클로〔4,3,0〕-5-노난 등의 알칼리(염기성 화합물)의 수용액 등을 들 수 있다. 또한, 상기 알칼리의 수용액에 메탄올, 에탄올 등의 수용성 유기 용매나 계면 활성제를 적당량 첨가한 수용액, 또는 상기 포지티브형 감방사선성 수지 조성물을 용해하는 각종 유기 용매를 소량 포함하는 알칼리 수용액을 현상액으로서 사용할 수도 있다.In this step, the coated film irradiated with the radiation is developed. Specifically, in step C2, the coating film irradiated with the radiation is developed with a developer to remove the irradiated portion of the radiation. Examples of the developer include aqueous solutions such as sodium hydroxide, potassium hydroxide, sodium carbonate, sodium silicate, sodium metasilicate, ammonia, ethylamine, n-propylamine, diethylamine, diethylaminoethanol, Amine, methyldiethylamine, dimethylethanolamine, triethanolamine, tetramethylammonium hydroxide (TMAH), tetraethylammonium hydroxide, pyrrole, piperidine, 1,8-diazabicyclo [5,4,0 ] -7-undecene, 1,5-diazabicyclo [4,3,0] -5-nonane, and the like. An aqueous solution containing an appropriate amount of a water-soluble organic solvent such as methanol or ethanol, or a surfactant, or an aqueous alkali solution containing a small amount of various organic solvents capable of dissolving the positive-tone radiation-sensitive resin composition may be used as a developer have.

현상 방법으로서는, 예를 들면 액고임법, 디핑법, 요동 침지법, 샤워법 등의 적절한 방법을 채용할 수 있다. 현상 시간으로서는, 상기 포지티브형 감방사선성 수지 조성물의 조성에 따라서 다르지만, 예를 들면 30초 내지 120초로 할 수 있다. 또한, 현상 공정 후, 패터닝된 도막에 대하여 유수 세정에 의한 린스 처리를 행하고, 이어서 고압 수은등 등에 의한 방사선을 전체면에 조사(후 노광)함으로써, 도막 내에 잔존하는 [G] 산 발생제의 분해 처리를 행하는 것이 바람직하다. 이 후 노광에서의 노광량으로서는, 2,000J/m2 내지 5,000J/m2가 바람직하다.As the developing method, a suitable method such as a liquid-solid method, a dipping method, a swing dipping method, a shower method and the like can be adopted. The developing time varies depending on the composition of the positive radiation-sensitive resin composition, but may be, for example, 30 seconds to 120 seconds. Further, after the development process, the patterned coating film is subjected to rinsing treatment by water washing, and then irradiated (post-exposure) with radiation by a high-pressure mercury lamp or the like on the entire surface to decompose the [G] acid generator remaining in the coating film . The exposure amount in the subsequent exposure is preferably 2,000 J / m 2 to 5,000 J / m 2 .

[공정 (C4)][Step (C4)]

본 공정에서는 상기 현상된 도막을 가열한다. 구체적으로는, 공정 (C3)에서 현상된 도막을 소성하는 핫 플레이트, 오븐 등의 가열 장치를 이용하여, 이 도막을 가열·소성 처리(포스트 베이킹)함으로써 도막의 경화를 행한다. 본 공정에서의 소성 온도로서는 200℃ 이하가 바람직하다. 감방사선성을 이용한 미세한 패턴 형성능 외에도, 이와 같이 낮은 온도에서의 소성이 가능함으로써, 상기 형성 방법 (3)은 플렉시블 디스플레이의 플라스틱 기판 상에서의 층간 절연막 등의 경화막 형성에 바람직하게 사용할 수 있다. 소성 온도로서는, 120℃ 내지 180℃가 보다 바람직하고, 120℃ 내지 150℃가 더욱 바람직하다. 소성 시간으로서는 가열 기기의 종류에 따라 다르지만, 예를 들면 핫 플레이트 상에서 가열 처리를 행하는 경우에는 5분 내지 40분, 오븐 중에서 가열 처리를 행하는 경우에는 30분 내지 80분으로 할 수 있고, 보다 바람직하게는 핫 플레이트 상에서 가열 처리를 행하는 경우에는 30분간 이내, 오븐 중에서 가열 처리를 행하는 경우에는 60분간 이내이다. 이와 같이 하여, 목적으로 하는 층간 절연막 등의 경화막에 대응하는 패턴상 도막을 기판 상에 형성할 수 있다.In this step, the developed coating film is heated. Specifically, the coating film is cured by heating and baking (post-baking) the coating film using a heating apparatus such as a hot plate or oven for baking the coated film developed in the step (C3). The calcination temperature in this step is preferably 200 DEG C or less. In addition to the ability to form fine patterns using the radiation-sensitive properties, the method (3) can be suitably used for forming a cured film such as an interlayer insulating film on a plastic substrate of a flexible display. The firing temperature is more preferably 120 deg. C to 180 deg. C, and further preferably 120 deg. C to 150 deg. The firing time varies depending on the type of the heating apparatus, but may be, for example, 5 minutes to 40 minutes in the case of performing heat treatment on a hot plate, 30 minutes to 80 minutes in the case of performing heat treatment in an oven, Is within 30 minutes in the case of performing the heat treatment on the hot plate and within 60 minutes in the case of performing the heat treatment in the oven. In this way, a pattern-like coating film corresponding to a target cured film such as an interlayer insulating film can be formed on the substrate.

<경화막(3)>&Lt; Cured film (3) >

본 발명의 경화막(3)은, 상술한 상기 포지티브형 감방사선성 수지 조성물을 이용하여, 예를 들면 상술한 상기 경화막의 형성 방법 (3)에 의해 형성된다. 상기 경화막(3)은, 상기 포지티브형 감방사선성 수지 조성물을 이용하여 형성되기 때문에, 양호한 표면 경도를 갖고, 현상 밀착성, 내열성, 내약품성, 투과율 및 비유전율 등의 일반적 특성도 충분히 만족시킬 수 있다.The cured film (3) of the present invention is formed, for example, by the aforementioned method (3) for forming a cured film by using the above positive radiation-sensitive resin composition. Since the cured film 3 is formed by using the positive radiation-sensitive resin composition, it can have satisfactory surface hardness and can sufficiently satisfy general characteristics such as developing adhesion, heat resistance, chemical resistance, transmittance and relative dielectric constant have.

<반도체 소자><Semiconductor device>

본 발명의 반도체 소자는, 상기 경화막(3)을 구비하고 있다. 해당 반도체 소자는 상기 포지티브형 감방사선성 수지 조성물로부터 형성되는 경화막(3)을 구비하고 있기 때문에, 회로의 집적도나 기록 밀도를 향상시킬 수 있어, 표시 소자, LED, 태양 전지 등의 전자 디바이스에 바람직하게 사용할 수 있다.The semiconductor device of the present invention includes the above-mentioned cured film (3). Since the semiconductor device includes the cured film 3 formed from the positive radiation-sensitive resin composition, it is possible to improve the degree of integration of the circuit and the recording density, and it is possible to improve the circuit density and the recording density of electronic devices such as display devices, LEDs, Can be preferably used.

<표시 소자><Display element>

본 발명의 표시 소자는, 상기 반도체 소자를 구비하고 있다. 이 반도체 소자는, 상기 포지티브형 감방사선성 수지 조성물로부터 형성되는 경화막(3)을 갖고 있다. 이에 따라, 표시 소자로서 실용면에서 요구되는 일반적 특성을 만족시킨다. 상기 표시 소자로서는, 예를 들면 액정 표시 소자 등을 들 수 있다. 상기 액정 표시 소자는, 예를 들면 액정 배향막이 표면에 형성된 TFT 어레이 기판 2장이, TFT 어레이 기판의 주변부에 설치된 시일제를 통해 액정 배향막측에서 대향하여 배치되어 있고, 이들 2장의 TFT 어레이 기판 사이에 액정이 충전되어 있다. 상기 TFT 어레이 기판은 층상으로 배치되는 배선을 갖고, 이 배선 사이를 층간 절연막 등의 상기 경화막에 의해 절연하고 있는 것이다.The display element of the present invention includes the above semiconductor element. This semiconductor element has a cured film 3 formed from the above positive radiation-sensitive resin composition. Thus, the display device satisfies the general characteristics required for practical use. Examples of the display element include a liquid crystal display element and the like. In the liquid crystal display element, for example, two TFT array substrates each having a liquid crystal alignment film formed on its surface are arranged opposite to each other on the liquid crystal alignment film side through a sealant provided in the peripheral portion of the TFT array substrate. The liquid crystal is filled. The TFT array substrate has wirings arranged in layers, and the wirings are insulated by the cured film such as an interlayer insulating film.

[실시예][Example]

이하, 본 발명을 실시예에 기초하여 구체적으로 설명하는데, 본 발명은 이들 실시예에 한정되는 것은 아니다. 각 물성치의 측정 방법을 하기에 나타내었다.Hereinafter, the present invention will be described concretely based on examples, but the present invention is not limited to these examples. The measurement method of each property is shown below.

[중량 평균 분자량(Mw) 및 수 평균 분자량(Mn)][Weight average molecular weight (Mw) and number average molecular weight (Mn)] [

하기 조건에 의한 겔 투과 크로마토그래피(GPC)에 의해 Mw 및 Mn을 측정하였다. 또한, 분자량 분포(Mw/Mn)는 얻어진 Mw 및 Mn으로부터 산출하였다.Mw and Mn were measured by gel permeation chromatography (GPC) under the following conditions. The molecular weight distribution (Mw / Mn) was calculated from the obtained Mw and Mn.

장치: GPC-101(쇼와 덴꼬 제조)Apparatus: GPC-101 (manufactured by Showa Denko K.K.)

GPC 칼럼: GPC-KF-801, GPC-KF-802, GPC-KF-803 및 GPC-KF-804를 결합함(시마즈 GLC 제조)GPC column: GPC-KF-801, GPC-KF-802, GPC-KF-803 and GPC-KF-804 were combined (manufactured by Shimadzu GLC)

이동상: 테트라히드로푸란Mobile phase: tetrahydrofuran

칼럼 온도: 40℃Column temperature: 40 DEG C

유속: 1.0mL/분Flow rate: 1.0 mL / min

시료 농도: 1.0질량%Sample concentration: 1.0 mass%

시료 주입량: 100μLSample injection amount: 100 μL

검출기: 시차 굴절계 Detector: differential refractometer

표준 물질: 단분산 폴리스티렌Standard material: monodisperse polystyrene

<[A1] 중합체 및 [A2] 중합체의 합성><Synthesis of [A1] Polymer and [A2] Polymer>

각 실시예 및 비교예의 중합체의 합성에서 이용한 단량체 화합물을 이하에 나타내었다.The monomer compounds used in the synthesis of the polymers of Examples and Comparative Examples are shown below.

[구조 단위(I)를 제공하는 단량체 화합물][Monomer compound providing structural unit (I)] [

하기 화학식 (1-1) 내지 (1-10)으로 표시되는 단량체 화합물(1-1) 내지 (1-10)The monomeric compounds (1-1) to (1-10) represented by the following formulas (1-1) to (1-10)

Figure pat00023
Figure pat00023

[구조 단위(II-1), 구조 단위(II-2)를 제공하는 단량체 화합물][Monomer compound providing structural unit (II-1), structural unit (II-2)] [

하기 화학식 (2-1) 내지 (2-7)로 표시되는 단량체 화합물(2-1) 내지 (2-7)(2-1) to (2-7) represented by the following general formulas (2-1) to (2-7)

Figure pat00024
Figure pat00024

[구조 단위(III)를 제공하는 단량체 화합물][Monomer compound providing structural unit (III)] [

(3-1): 메타크릴산 p-히드록시페놀(4-히드록시페닐메타크릴레이트)(3-1): p-hydroxyphenol methacrylate (4-hydroxyphenyl methacrylate)

(3-2): 메타크릴산히드록시에틸(2-히드록시에틸메타크릴레이트)(3-2): hydroxyethyl methacrylate (2-hydroxyethyl methacrylate)

(3-3): α-메틸-p-히드록시스티렌(3-3):? -Methyl-p-hydroxystyrene

[구조 단위(IV)를 제공하는 단량체 화합물][Monomer compound providing structural unit (IV)] [

(4-1): 메타크릴산(4-1): methacrylic acid

(4-2): 스티렌(4-2): Styrene

(4-3): 메타크릴산메틸(4-3): methyl methacrylate

(4-4): N-시클로헥실말레이미드(4-4): N-Cyclohexylmaleimide

(4-5): 메타크릴산테트라히드로푸르푸릴(4-5): Tetrahydrofurfuryl methacrylate

(4-6): 메타크릴산트리시클로[5.2.1.02,6]데칸-8-일(4-6): Methacrylic acid tricyclo [5.2.1.0 2,6 ] decan-8-yl

[합성예 1] (중합체(A-1)의 합성)[Synthesis Example 1] (Synthesis of polymer (A-1)

냉각관 및 교반기를 구비한 플라스크에, 2,2'-아조비스(2,4-디메틸발레로니트릴) 7질량부 및 디에틸렌글리콜메틸에틸에테르 220질량부를 투입하였다. 이어서, 구조 단위(I)를 제공하는 단량체 화합물(1-1) 60질량부, 구조 단위(II-1)를 제공하는 단량체 화합물(2-1) 18질량부, 구조 단위(IV)를 제공하는 단량체 화합물(4-2) 22질량부를 투입하고, 질소 치환하여 천천히 교반하면서, 용액의 온도를 70℃로 상승시키고, 이 온도를 4시간 유지시켜 중합함으로써 중합체(A-1)를 함유하는 중합체 용액을 얻었다. 이 중합체 용액의 고형분 농도는 30.4%이고, 중합체(A-1)의 Mw는 8,000, 분자량 분포(Mw/Mn)는 2.3이었다.7 parts by mass of 2,2'-azobis (2,4-dimethylvaleronitrile) and 220 parts by mass of diethylene glycol methyl ethyl ether were fed into a flask equipped with a condenser and a stirrer. Subsequently, 60 parts by mass of the monomer compound (1-1) providing the structural unit (I), 18 parts by mass of the monomer compound (2-1) providing the structural unit (II-1) , 22 parts by mass of the monomer compound (4-2) was charged, the temperature of the solution was raised to 70 占 폚 while slowly stirring with nitrogen substitution, and the polymerization was maintained at this temperature for 4 hours to obtain a polymer solution &Lt; / RTI &gt; The solid concentration of the polymer solution was 30.4%, and the polymer (A-1) had an Mw of 8,000 and a molecular weight distribution (Mw / Mn) of 2.3.

[합성예 2 내지 46] (중합체(A-2) 내지 (A-42) 및 (a-1) 내지 (a-4)의 합성)Synthesis Examples 2 to 46 Synthesis of Polymers (A-2) to (A-42) and (a-1) to (a-

하기 표 1에 나타내는 종류 및 배합량의 단량체 화합물을 이용한 것 이외에는, 합성예 1과 마찬가지로 조작하여, 중합체(A-2) 내지 (A-42) 및 (a-1) 내지 (a-4)를 합성하였다. 얻어진 각 중합체 용액의 고형분 농도, 및 각 중합체의 Mw 및 Mw/Mn은 상기 중합체(A-1)의 값과 동등하였다. 또한, 표 1 중의 공란은, 해당하는 단량체 화합물을 배합하지 않은 것을 나타낸다.(A-2) to (A-42) and (a-1) to (a-4) were synthesized in the same manner as in Synthesis Example 1 except that the monomer compounds shown in Table 1 below were used. Respectively. The solid concentration of each polymer solution thus obtained and the Mw and Mw / Mn of each polymer were the same as those of the polymer (A-1). The blank in Table 1 indicates that the corresponding monomer compound was not blended.

Figure pat00025
Figure pat00025

<경화막 형성용 수지 조성물(1)의 제조>&Lt; Production of cured film-forming resin composition (1)

[실시예 1][Example 1]

[A1] 중합체로서의 (A-1) 100질량부(고형분)를 함유하는 중합체 용액에, 고형분 농도가 30질량%가 되도록 용매로서의 디에틸렌글리콜메틸에틸에테르를 첨가한 후, 공경 0.2㎛의 멤브레인 필터로 여과함으로써, 경화막 형성용 수지 조성물(1)을 제조하였다.Diethylene glycol methyl ethyl ether as a solvent was added to a polymer solution containing 100 parts by mass (solid content) of the polymer (A1) as the polymer (A-1) so as to have a solid concentration of 30 mass% To obtain a cured film-forming resin composition (1).

[실시예 2 및 비교예 1][Example 2 and Comparative Example 1]

[A] 성분을 표 2에 나타내는 종류 및 배합량으로 한 것 이외에는, 실시예 1과 동일하게 조작하여, 각 경화막 형성용 수지 조성물(1)을 제조하였다. 또한, 표 2 중의 "-"는, 해당하는 성분을 배합하지 않은 것, 또는 후술하는 평가를 행하지 않은 것을 나타낸다.The resin composition (1) for forming each of the cured films was produced in the same manner as in Example 1 except that the component [A] was changed to the kind and blending amount shown in Table 2. In Table 2, "-" indicates that the corresponding components are not blended, or that the below-described evaluation is not performed.

<네가티브형 감방사선성 수지 조성물(2)의 제조>&Lt; Preparation of negative-tone radiation-sensitive resin composition (2)

각 네가티브형 감방사선성 수지 조성물(2)의 제조에 이용한 [B] 중합성 화합물, [C] 감방사선성 중합 개시제 및 [D] 산화 방지제를 이하에 나타내었다.The [B] polymerizable compound, the [C] radiation-sensitive polymerization initiator and the antioxidant [B] used in the preparation of each negative-tone radiation-sensitive resin composition (2) are shown below.

[[B] 중합성 화합물][[B] Polymerizable compound]

B-1: 디펜타에리트리톨헥사아크릴레이트B-1: dipentaerythritol hexaacrylate

B-2: 다관능 아크릴레이트 화합물의 혼합물(KAYARAD DPHA-40H, 닛본 가야꾸 제조)B-2: Mixture of polyfunctional acrylate compounds (KAYARAD DPHA-40H, manufactured by Nippon Kayaku Co., Ltd.)

B-3: 1,9-노난디올디아크릴레이트B-3: 1,9-nonanediol diacrylate

B-4: ω-카르복시-폴리카프로락톤모노아크릴레이트(아로닉스 M-5300(도아 고세이 제조)B-4:? -Carboxy-polycaprolactone monoacrylate (Aronix M-5300 (manufactured by Toagosei Co., Ltd.)

B-5: 숙신산 변성 펜타에리트리톨트리아크릴레이트B-5: succinic acid-modified pentaerythritol triacrylate

[[C] 감방사선성 중합 개시제][[C] Radiation-sensitive Polymerization Initiator]

C-1: 에타논-1-〔9-에틸-6-(2-메틸벤조일)-9H-카르바졸-3-일〕-1-(O-아세틸옥심)(이르가큐어 OXE02, 시바·스페셜티·케미컬즈 제조)C-1: Ethanone 1- [9-ethyl-6- (2-methylbenzoyl) -9H-carbazol-3-yl] -1- (O- acetyloxime) (Irgacure OXE02, Ciba Specialty · Chemicals)

C-2: 1,2-옥탄디온-1-[4-(페닐티오)-2-(O-벤조일옥심)](이르가큐어 OXE01, 시바·스페셜티·케미컬즈 제조)C-2: 1,2-Octanedione-1- [4- (phenylthio) -2- (O-benzoyloxime)] (Irgacure OXE01, Ciba Specialty Chemicals)

C-3: 2-메틸-1-(4-메틸티오페닐)-2-모르폴리노프로판-1-온(이르가큐어 907, 시바·스페셜티·케미컬즈 제조)C-3: 2-Methyl-1- (4-methylthiophenyl) -2-morpholinopropane-1-one (Irgacure 907, Ciba Specialty Chemicals)

C-4: 2-디메틸아미노-2-(4-메틸벤질)-1-(4-모르폴린-4-일-페닐)-부탄-1-온(이르가큐어 379, 시바·스페셜티·케미컬즈 제조)C-4: To a solution of 2-dimethylamino-2- (4-methylbenzyl) -1- (4-morpholin- Produce)

[[D] 산화 방지제][[D] antioxidant]

D-1: 펜타에리트리톨테트라키스[3-(3,5-디-tert-부틸-4-히드록시페닐)프로피오네이트], (아데카스탭 AO-60, ADEKA 제조)D-1: pentaerythritol tetrakis [3- (3,5-di-tert-butyl-4-hydroxyphenyl) propionate] (Adekastab AO-60,

D-2: 트리스-(3,5-디-tert-부틸-4-히드록시벤질)-이소시아누레이트(아데카스탭 AO-20, ADEKA 제조)D-2: Tris- (3,5-di-tert-butyl-4-hydroxybenzyl) -isocyanurate (Adekastab AO-

[실시예 3][Example 3]

[A2] 중합체로서의 (A-1) 100질량부(고형분)를 함유하는 중합체 용액, [B] 중합성 화합물로서의 (B-1) 50질량부, 및 [C] 감방사선성 중합 개시제로서의 (C-1) 5질량부를 혼합하고, 고형분 농도가 30질량%가 되도록 용매로서의 디에틸렌글리콜메틸에틸에테르를 더 첨가한 후, 공경 0.2㎛의 멤브레인 필터로 여과함으로써, 네가티브형 감방사선성 수지 조성물(2)을 제조하였다., 50 parts by mass of (B-1) as the polymerizable compound (B-1), and (C) 100 parts by mass of the (C) radiation- -1) was further mixed with diethyleneglycol methyl ethyl ether as a solvent so as to have a solid content concentration of 30 mass% and then filtered through a membrane filter having a pore size of 0.2 탆 to obtain a negative type radiation sensitive resin composition 2 ).

[실시예 4 내지 50 및 비교예 2 내지 5][Examples 4 to 50 and Comparative Examples 2 to 5]

[A] 성분, [B] 중합성 화합물, [C] 감방사선성 중합 개시제, 및 [D] 산화 방지제를 표 2에 나타내는 종류 및 배합량으로 한 것 이외에는, 실시예 3과 마찬가지로 조작하여, 각 네가티브형 감방사선성 수지 조성물(2)을 제조하였다. 또한, 표 2 중의 "-"는, 해당하는 성분을 배합하지 않은 것을 나타낸다.The same operation as in Example 3 was carried out except that the component [A], the polymerizable compound [B], the radiation-sensitive polymerization initiator [C] and the antioxidant [D] To prepare a radiation-sensitive resin composition (2). In Table 2, "-" indicates that the corresponding components are not blended.

<평가><Evaluation>

제조한 각 경화막 형성용 수지 조성물(1) 및 (2)를 이용하여, 하기 평가 방법에 따라서 평가하였다. 그 평가 결과를 표 2에 합쳐서 나타낸다.Each of the resin compositions (1) and (2) for forming a cured film was evaluated according to the following evaluation method. The evaluation results are shown in Table 2 together.

[보존 안정성][Storage stability]

각 경화막 형성용 수지 조성물을 40℃의 오븐 속에서 1주간 방치시키고, 가온 전후의 점도를 측정하여 점도 변화율(%)을 구하고, 보존 안정성의 지표로 하였다. 점도 변화율을, A: 점도 변화율 5% 미만, B: 점도 변화율 5% 이상 10% 미만, C: 점도 변화율 10% 이상 15% 미만, D: 점도 변화율 15% 이상으로 하고, A 또는 B의 경우 보존 안정성은 양호라고, C 또는 D의 경우 불량이라고 평가하였다. 점도는 E형 점도계(VISCONIC ELD. R, 도키산교 제조)를 이용하여 25℃에서 측정하였다.Each resin composition for forming a cured film was allowed to stand in an oven at 40 占 폚 for 1 week, and the viscosity change before and after heating was measured to determine the viscosity change rate (%), which was regarded as an index of storage stability. C: viscosity change rate of 10% or more and less than 15%; D: viscosity change rate of 15% or more; and in the case of A or B, the viscosity change rate is 10% The stability was evaluated as good, and in the case of C or D, it was evaluated as defective. The viscosity was measured at 25 DEG C using an E-type viscometer (VISCONIC ELD. R, manufactured by Toki Sangyo Co., Ltd.).

[감도][Sensitivity]

스피너를 이용하여, 실리콘 기판 상에 각 경화막 형성용 수지 조성물을 도포한 후, 90℃에서 2분간 핫 플레이트 상에서 프리베이킹하여 막 두께 3.0㎛의 도막을 형성하였다. 얻어진 도막에 폭 10㎛의 라인·앤드·스페이스 패턴을 갖는 패턴 마스크를 통해, 수은 램프에 의해서 소정량의 자외선을 조사하였다. 이어서 테트라메틸암모늄히드록시드 2.38질량% 수용액을 포함하는 현상액을 이용하여, 25℃에서 60초 현상 처리를 행한 후, 초순수(超純水)로 1분간 유수 세정을 행하였다. 이때, 폭 10㎛의 라인·앤드·스페이스 패턴을 형성 가능한 최소 자외선 조사량을 측정하였다. 이 측정치가 700J/m2 미만인 경우, 감도는 양호라고, 700J/m2 이상인 경우 불량이라고 평가할 수 있다.Using the spinner, each resin composition for forming a cured film was coated on a silicon substrate and then prebaked on a hot plate at 90 캜 for 2 minutes to form a coating film having a film thickness of 3.0 탆. The obtained coating film was irradiated with a predetermined amount of ultraviolet rays through a mercury lamp through a pattern mask having a line-and-space pattern of width 10 mu m. Subsequently, development processing was carried out at 25 DEG C for 60 seconds using a developer containing 2.38% by mass aqueous solution of tetramethylammonium hydroxide, followed by water washing with ultrapure water for 1 minute. At this time, a minimum ultraviolet ray irradiation amount capable of forming a line-and-space pattern having a width of 10 mu m was measured. When the measured value is less than 700 J / m 2 , the sensitivity is evaluated as good, and when it is more than 700 J / m 2,

[현상 밀착성][Developing adhesion]

스피너를 이용하여, 실리콘 기판 상에 각 경화막 형성용 수지 조성물을 도포한 후, 90℃에서 2분간 핫 플레이트 상에서 프리베이킹하여 막 두께 3.0㎛의 도막을 형성하였다. 얻어진 도막에 폭 10㎛의 라인·앤드·스페이스 패턴을 갖는 패턴 마스크를 통해, 수은 램프에 의해서 1,000J/m2의 자외선을 조사하였다. 이어서 테트라메틸암모늄히드록시드 2.38질량% 수용액을 포함하는 현상액을 이용하여, 25℃에서 60초 현상 처리를 행한 후, 초순수로 1분간 유수 세정을 행하였다. 그리고 폭 10㎛의 라인·앤드·스페이스 패턴의 박리 유무를 현미경으로 관찰하여 현상 밀착성으로 하였다. 이때, 박리의 정도에 따라, A: 박리 없음, B: 약간 박리 있음, C: 일부 박리 있음, D: 전체면 박리 있음으로 하고, A 또는 B의 경우 현상 밀착성은 양호라고, C 또는 D의 경우 불량이라고 평가하였다.Using the spinner, each resin composition for forming a cured film was coated on a silicon substrate and then prebaked on a hot plate at 90 캜 for 2 minutes to form a coating film having a film thickness of 3.0 탆. The resulting coating film was irradiated with ultraviolet rays of 1,000 J / m 2 by a mercury lamp through a pattern mask having a line-and-space pattern having a width of 10 μm. Subsequently, development was carried out at 25 DEG C for 60 seconds using a developer containing 2.38% by mass aqueous solution of tetramethylammonium hydroxide, followed by water washing with ultrapure water for 1 minute. The presence or absence of peeling of the line-and-space pattern having a width of 10 mu m was observed with a microscope to obtain a development adhesion. In this case, depending on the degree of peeling, A: no peeling, B: slightly peeling, C: partial peeling, D: full peeling, and in the case of A or B, Defective.

[내약품성][Chemical resistance]

스피너를 이용하여, 실리콘 기판 상에 각 경화막 형성용 수지 조성물을 도포한 후, 90℃에서 2분간 핫 플레이트 상에서 프리베이킹하여 막 두께 3.0㎛의 도막을 형성하였다. 얻어진 도막에 수은 램프에 의해서 적산 조사량이 1,000J/m2가 되도록 자외선을 조사하였다. 이어서, 이 실리콘 기판을 핫 플레이트 상에서 200℃에서 30분 가열하여, 얻어진 경화막의 막 두께(T1)를 측정하였다. 그리고, 이 경화막이 형성된 실리콘 기판을, 70℃로 온도 제어된 디메틸술폭시드 중에 20분간 침지시킨 후, 상기 침지 후의 경화막의 막 두께(t1)를 측정하여, 막 두께 변화율을 하기 계산식으로부터 산출하고, 이것을 내약품성의 지표로 하였다.Using the spinner, each resin composition for forming a cured film was coated on a silicon substrate and then prebaked on a hot plate at 90 캜 for 2 minutes to form a coating film having a film thickness of 3.0 탆. The obtained coating film was irradiated with ultraviolet rays so that the cumulative irradiation amount was 1,000 J / m 2 by a mercury lamp. Subsequently, the silicon substrate was heated on a hot plate at 200 DEG C for 30 minutes, and the film thickness (T1) of the cured film thus obtained was measured. The silicon substrate on which the cured film was formed was immersed in dimethylsulfoxide controlled at a temperature of 70 占 폚 for 20 minutes and then the film thickness t1 of the cured film after the immersion was measured to calculate the film thickness change ratio from the following calculation expression, This was used as an indicator of chemical resistance.

막 두께 변화율={(t1-T1)/T1}×100(%)Film thickness change rate = {(t1-T1) / T1} x100 (%)

이 값의 절대값이 5% 미만인 경우 내약품성은 양호라고, 5% 이상인 경우 불량이라고 평가할 수 있다.If the absolute value of this value is less than 5%, the chemical resistance is good, and if it is 5% or more, it can be evaluated as bad.

[내열성][Heat resistance]

스피너를 이용하여, 실리콘 기판 상에 각 경화막 형성용 수지 조성물을 도포한 후, 90℃에서 2분간 핫 플레이트 상에서 프리베이킹하여 막 두께 3.0㎛의 도막을 형성하였다. 얻어진 도막에 수은 램프에 의해서 적산 조사량이 1,000J/m2가 되도록 자외선을 조사하였다. 이어서, 이 실리콘 기판을 핫 플레이트 상에서 200℃에서 30분간 가열하여 경화막을 얻었다. 얻어진 경화막의 5% 중량 감소 온도를 측정기(TG/DTA220U, SII·나노테크놀로지 제조)를 이용해서 공기 하에서 측정하여, 내열성의 지표로 하였다. 이때, 5% 중량 감소 온도가 300℃ 이상인 경우 내열성은 양호라고, 300℃ 미만인 경우 내열성은 불량이라고 평가할 수 있다.Using the spinner, each resin composition for forming a cured film was coated on a silicon substrate and then prebaked on a hot plate at 90 캜 for 2 minutes to form a coating film having a film thickness of 3.0 탆. The obtained coating film was irradiated with ultraviolet rays so that the cumulative irradiation amount was 1,000 J / m 2 by a mercury lamp. Subsequently, this silicon substrate was heated on a hot plate at 200 DEG C for 30 minutes to obtain a cured film. The 5% weight reduction temperature of the obtained cured film was measured under air using a measuring device (TG / DTA220U, manufactured by SII / Nanotechnology) and used as an index of heat resistance. At this time, when the temperature at which the 5% weight loss is 300 ° C or higher, the heat resistance is good, and when the temperature is less than 300 ° C, the heat resistance is bad.

[투과율][Transmittance]

스피너를 이용하여, 유리 기판 상에 각 경화막 형성용 수지 조성물을 도포한 후, 90℃에서 2분간 핫 플레이트 상에서 프리베이킹하여 막 두께 3.0㎛의 도막을 형성하였다. 얻어진 도막에 수은 램프에 의해서 적산 조사량이 1,000J/m2가 되도록 자외선을 조사하였다. 이어서, 이 유리 기판을 핫 플레이트 상에서 200℃에서 30분간 가열하여 경화막을 얻었다. 얻어진 경화막의 투과율을 자외 가시 분광 광도계(V-630, 니혼 분꼬 제조)를 이용하여 측정하였다. 이때, 파장 400nm의 광의 투과율이 95% 이상인 경우를 양호(투명성이 좋음)라고, 95% 미만인 경우를 불량(투명성이 나쁨)이라고 평가할 수 있다.Using the spinner, each resin composition for forming a cured film was coated on a glass substrate, and then prebaked on a hot plate at 90 캜 for 2 minutes to form a coating film having a film thickness of 3.0 탆. The obtained coating film was irradiated with ultraviolet rays so that the cumulative irradiation amount was 1,000 J / m 2 by a mercury lamp. Subsequently, this glass substrate was heated on a hot plate at 200 DEG C for 30 minutes to obtain a cured film. The transmittance of the obtained cured film was measured using an ultraviolet visible spectrophotometer (V-630, manufactured by Nippon Bunko). In this case, the case where the transmittance of light having a wavelength of 400 nm is 95% or more is evaluated as good (good transparency) and the case of less than 95% is evaluated as bad (poor transparency).

[표면 경도][Surface hardness]

스피너를 이용하여, 실리콘 기판 상에 각 경화막 형성용 수지 조성물을 도포한 후, 90℃에서 2분간 핫 플레이트 상에서 프리베이킹하여 막 두께 3.0㎛의 도막을 형성하였다. 얻어진 도막에, 수은 램프에 의해서 적산 조사량이 1,000J/m2가 되도록 자외선을 조사하였다. 이어서, 이 실리콘 기판을 핫 플레이트 상에서 200℃에서 30분 가열하여 경화막을 얻었다. 그리고, 경화막이 형성된 기판에 대해서, JIS K-5400-1990의 8.4.1 연필 긁기 시험에 의해 경화막의 연필 경도를 측정하여, 이것을 표면 경도의 지표로 하였다. 연필 경도가 3H 이상인 경우, 경화막의 표면 경도는 양호(경화막 형성용 수지 조성물은 충분한 경화성을 가짐)라고, 2H 이하인 경우 불량이라고 평가할 수 있다.Using the spinner, each resin composition for forming a cured film was coated on a silicon substrate and then prebaked on a hot plate at 90 캜 for 2 minutes to form a coating film having a film thickness of 3.0 탆. The obtained coating film was irradiated with ultraviolet rays so that the cumulative irradiation amount was 1,000 J / m 2 by a mercury lamp. Subsequently, this silicon substrate was heated on a hot plate at 200 DEG C for 30 minutes to obtain a cured film. Then, with respect to the substrate on which the cured film was formed, the pencil hardness of the cured film was measured by 8.4.1 pencil scratching test of JIS K-5400-1990, and this was used as an index of surface hardness. When the pencil hardness is 3H or more, it can be judged that the hardness of the surface of the cured film is good (the resin composition for forming a cured film has sufficient curability) and when it is 2H or less, it is defective.

[비유전율][Relative dielectric constant]

스피너를 이용하여, SUS 기판 상에 각 경화막 형성용 수지 조성물을 도포한 후, 90℃에서 2분간 핫 플레이트 상에서 프리베이킹하여 막 두께 3.0㎛의 도막을 형성하였다. 노광기(MPA-600FA, 캐논 제조)를 이용하여, 적산 조사량이 1,000J/m2가 되도록 상기 도막을 노광하고, 노광한 기판을 클린 오븐 내에서 200℃에서 30분 가열함으로써, SUS 기판 상에 경화막을 형성하였다. 이어서, 증착법에 의해, 상기 경화막 상에 Pt/Pd 전극 패턴을 형성하여 유전율 측정용 샘플을 제작하였다. 이 전극 패턴을 갖는 기판에 대해서, 전극(HP16451B, 요코가와·휴렛팩커드 제조) 및 프래시존 LCR 미터(HP4284A, 요코가와·휴렛팩커드 제조)를 이용하여, 주파수 10kHz에서 CV법에 의해 비유전율의 측정을 행하였다. 이때, 비유전율이 3.9 이하인 경우를 양호라고, 3.9를 초과하는 경우를 불량이라고 평가할 수 있다.Using the spinner, each resin composition for forming a cured film was coated on an SUS substrate, and then pre-baked on a hot plate at 90 캜 for 2 minutes to form a coating film having a film thickness of 3.0 탆. The above coated film was exposed using an exposure machine (MPA-600FA, manufactured by Canon Inc.) so that the cumulative irradiation amount was 1,000 J / m 2 , and the exposed substrate was heated in a clean oven at 200 캜 for 30 minutes to cure Film. Then, a Pt / Pd electrode pattern was formed on the cured film by a vapor deposition method to prepare a sample for measuring the dielectric constant. The substrate having the electrode pattern was measured for CV (relative dielectric constant) at a frequency of 10 kHz using an electrode (HP16451B, manufactured by Yokogawa Hewlett-Packard) and a plasma zone LCR meter (HP4284A, manufactured by Yokogawa Hewlett-Packard) . At this time, a case where the relative dielectric constant is 3.9 or less is evaluated as good, and a case where the relative dielectric constant exceeds 3.9 is evaluated as defective.

Figure pat00026
Figure pat00026

표 2의 평가 결과로부터 알 수 있는 바와 같이, 실시예에서는 어느 것의 특성도 양호한 것에 반해, 비교예에서는 어느 하나의 특성이 불량이었다.As can be seen from the evaluation results of Table 2, the characteristics of any of the examples were good in the examples, while those of the comparative examples were bad.

<[A3] 중합체의 합성><Synthesis of [A3] Polymer>

각 실시예 및 비교예의 중합체의 합성에서 이용한 단량체 화합물을 이하에 나타내었다.The monomer compounds used in the synthesis of the polymers of Examples and Comparative Examples are shown below.

[구조 단위(I)를 제공하는 단량체 화합물][Monomer compound providing structural unit (I)] [

하기 화학식 (1-1) 내지 (1-10)으로 표시되는 단량체 화합물(1-1) 내지 (1-10)The monomeric compounds (1-1) to (1-10) represented by the following formulas (1-1) to (1-10)

Figure pat00027
Figure pat00027

[구조 단위(II-3)를 제공하는 단량체 화합물][Monomer compound providing structural unit (II-3)] [

하기 화학식 (2-1) 내지 (2-7)로 표시되는 단량체 화합물(2-1) 내지 (2-7)(2-1) to (2-7) represented by the following general formulas (2-1) to (2-7)

Figure pat00028
Figure pat00028

[구조 단위(III)를 제공하는 단량체 화합물][Monomer compound providing structural unit (III)] [

(3-1): 메타크릴산 p-히드록시페닐(4-히드록시페닐메타크릴레이트)(3-1): p-hydroxyphenyl methacrylate (4-hydroxyphenyl methacrylate)

(3-2): 메타크릴산히드록시에틸(2-히드록시에틸메타크릴레이트)(3-2): hydroxyethyl methacrylate (2-hydroxyethyl methacrylate)

(3-3): α-메틸-p-히드록시스티렌(3-3):? -Methyl-p-hydroxystyrene

[구조 단위(IV)를 제공하는 단량체 화합물][Monomer compound providing structural unit (IV)] [

(4-1): 메타크릴산(4-1): methacrylic acid

(4-2): 스티렌(4-2): Styrene

(4-3): 메타크릴산메틸(4-3): methyl methacrylate

(4-4): N-시클로헥실말레이미드(4-4): N-Cyclohexylmaleimide

(4-5): 메타크릴산테트라히드로푸르푸릴(4-5): Tetrahydrofurfuryl methacrylate

(4-6): 메타크릴산트리시클로[5.2.1.02,6]데칸-8-일(4-6): Methacrylic acid tricyclo [5.2.1.0 2,6 ] decan-8-yl

[합성예 a1] (중합체(A-a1)의 합성)[Synthesis Example a1] (Synthesis of polymer (A-a1)

냉각관 및 교반기를 구비한 플라스크에, 2,2'-아조비스(2,4-디메틸발레로니트릴) 7질량부 및 디에틸렌글리콜메틸에틸에테르 220질량부를 투입하였다. 이어서, 구조 단위(I)를 제공하는 화합물(1-1) 60질량부, 구조 단위(II-3)를 제공하는 화합물(2-1) 18질량부, 구조 단위(IV)를 제공하는 화합물(4-2) 22질량부를 투입하고, 질소 치환하여 천천히 교반하면서, 용액의 온도를 70℃로 상승시키고, 이 온도를 4시간 유지시켜 중합함으로써 공중합체(A-a1)를 함유하는 중합체 용액을 얻었다. 이 중합체 용액의 고형분 농도는 30.4질량%이고, 공중합체(A-a1)의 Mw는 8,000, 분자량 분포(Mw/Mn)는 2.3이었다.7 parts by mass of 2,2'-azobis (2,4-dimethylvaleronitrile) and 220 parts by mass of diethylene glycol methyl ethyl ether were fed into a flask equipped with a condenser and a stirrer. Subsequently, 60 parts by mass of the compound (1-1) providing the structural unit (I), 18 parts by mass of the compound (2-1) providing the structural unit (II-3) 4-2), and the mixture was purged with nitrogen and slowly stirred, the temperature of the solution was raised to 70 ° C, and the temperature was maintained for 4 hours to obtain a polymer solution containing the copolymer (A-al) . The solid content concentration of the polymer solution was 30.4 mass%, and the copolymer (A-a1) had an Mw of 8,000 and a molecular weight distribution (Mw / Mn) of 2.3.

[합성예 a2 내지 a45] (중합체(A-a2) 내지 (A-a42) 및 (a-a1) 내지 (a-a3)의 합성)Synthesis Examples a2 to a45 Synthesis of Polymers (A-a2) to (A-a42) and (a-a1) to (a-a3)

하기 표 3에 나타내는 종류 및 사용량의 단량체 화합물을 이용한 것 이외에는, 합성예 a1과 마찬가지로 조작하여, 중합체(A-a2) 내지 (A-a42) 및 (a-a1) 내지 (a-a3)을 합성하였다. 얻어진 각 중합체 용액의 고형분 농도, 및 각 중합체의 Mw 및 Mw/Mn은 상기 중합체(A-a1)의 값과 동등하였다. 또한, 표 3 중의 공란은, 해당하는 단량체 화합물을 배합하지 않은 것을 나타낸다.(A-a2) to (A-a42) and (a-a1) to (a-a3) were synthesized in the same manner as in Synthesis Example a1 except that the monomer compounds of the kind and amount shown in Table 3 below were used. Respectively. The solid concentration of each polymer solution thus obtained and the Mw and Mw / Mn of each polymer were the same as those of the polymer (A-a1). Further, the space in Table 3 indicates that the corresponding monomer compound was not blended.

Figure pat00029
Figure pat00029

<포지티브형 감방사선성 수지 조성물의 제조>&Lt; Preparation of positive-type radiation-sensitive resin composition >

각 포지티브형 감방사선성 수지 조성물의 제조에 이용한 [G] 산 발생제를 이하에 나타내었다.The [G] acid generator used in the preparation of each positive-tone radiation-sensitive resin composition is shown below.

[G] 산 발생제[G] acid generator

G-1: 트리플루오로메탄술폰산-1,8-나프탈이미드G-1: Trifluoromethanesulfonic acid-1,8-naphthalimide

G-2: 4,4'-〔1-〔4-〔1-〔4-히드록시페닐〕-1-메틸에틸〕페닐〕에틸리덴〕비스페놀(1.0몰)과 1,2-나프토퀴논디아지드-5-술폰산클로라이드(2.0몰)의 축합물G-2: 4,4 '- [1- [4- [1- [4-hydroxyphenyl] -1- methylethyl] phenyl] ethylidene] bisphenol (1.0 mol) and 1,2-naphthoquinonediamine 5-sulfonic acid chloride (2.0 mol)

G-3: 1,1,1-트리(p-히드록시페닐)에탄과 1,2-나프토퀴논디아지드-5-술폰산클로라이드(2.0몰)의 축합물G-3: A condensate of 1,1,1-tri (p-hydroxyphenyl) ethane and 1,2-naphthoquinonediazide-5-sulfonic acid chloride (2.0 mol)

G-4: 상기 화학식 (5-1-i)로 표시되는 화합물G-4: Compound represented by the above formula (5-1-i)

[실시예 a1][Example a1]

[A3] 중합체로서의 (A-a1) 100질량부(고형분)를 함유하는 중합체 용액, [G] 산 발생제로서의 (G-2) 30질량부, 접착 보조제(γ-글리시독시프로필트리메톡시실란) 5질량부, 계면 활성제(FTX-218, 네오스 제조) 0.5질량부, 산화 방지제(IRGANOX1010, BASF 제조) 0.1질량부를 혼합하고, 고형분 농도가 30질량% 가 되도록 [H] 용매로서의 디에틸렌글리콜메틸에틸에테르를 더 첨가한 후, 공경 0.2㎛의 멤브레인 필터로 여과함으로써 포지티브형 감방사선성 수지 조성물을 제조하였다., 30 parts by mass of [G] acid generator (G-2) as an acid generator, 100 parts by mass of (A-a1) as the polymer [A3] 0.5 part by mass of a surfactant (FTX-218, manufactured by Neos Co., Ltd.) and 0.1 part by mass of an antioxidant (IRGANOX1010, manufactured by BASF) were mixed to obtain a solid content concentration of 30 mass% Methyl ethyl ether was further added thereto, followed by filtration through a membrane filter having a pore size of 0.2 탆 to prepare a positive radiation-sensitive resin composition.

[실시예 a2 내지 a58 및 비교예 a1 내지 a6][Examples a2 to a58 and Comparative Examples a1 to a6]

[A3] 중합체 및 [G] 산 발생제를 표 4에 나타내는 종류로 한 것 이외에는, 실시예 a1과 마찬가지로 조작하여 각 포지티브형 감방사선성 수지 조성물을 제조하였다.Each of the positive-tone radiation-sensitive resin compositions was prepared in the same manner as in Example a1 except that the polymer [A3] and the [G] acid generator were changed to those shown in Table 4.

<평가><Evaluation>

제조한 각 포지티브형 감방사선성 수지 조성물을 이용하여, 하기 평가 방법에 따라서 평가하였다. 그 평가 결과를 표 4에 합쳐서 나타낸다.Each of the positive radiation-sensitive resin compositions thus prepared was evaluated according to the following evaluation method. The evaluation results are shown in Table 4 together.

[보존 안정성][Storage stability]

각 포지티브형 감방사선성 수지 조성물을 40℃의 오븐 중에서 1주간 방치시키고, 가온 전후의 점도를 측정하여 점도 변화율(%)을 구하여, 보존 안정성의 지표로 하였다. 점도 변화율을, A: 점도 변화율 5% 미만, B: 점도 변화율 5% 이상 10% 미만, C: 점도 변화율 10% 이상 15% 미만, D: 점도 변화율 15% 이상으로 하고, A 또는 B의 경우 보존 안정성은 양호라고, C 또는 D의 경우 불량이라고 평가하였다. 점도는 E형 점도계(VISCONIC ELD. R, 도키산교 제조)를 이용하여 25℃에서 측정하였다.Each positive-tone radiation-sensitive resin composition was allowed to stand in an oven at 40 占 폚 for 1 week, and the viscosity before and after heating was measured to determine the rate of change in viscosity (%). C: viscosity change rate of 10% or more and less than 15%; D: viscosity change rate of 15% or more; and in the case of A or B, the viscosity change rate is 10% The stability was evaluated as good, and in the case of C or D, it was evaluated as defective. The viscosity was measured at 25 DEG C using an E-type viscometer (VISCONIC ELD. R, manufactured by Toki Sangyo Co., Ltd.).

[감도][Sensitivity]

스피너를 이용하여, 실리콘 기판 상에 각 포지티브형 감방사선성 수지 조성물을 도포한 후, 90℃에서 2분간 핫 플레이트 상에서 프리베이킹하여 막 두께 3.0㎛의 도막을 형성하였다. 얻어진 도막에 폭 10㎛의 라인·앤드·스페이스 패턴을 갖는 패턴 마스크를 통해, 수은 램프에 의해서 소정량의 자외선을 조사하였다. 이어서 테트라메틸암모늄히드록시드 2.38질량% 수용액을 포함하는 현상액을 이용하여, 25℃에서 60초 현상 처리를 행한 후, 초순수로 1분간 유수 세정을 행하였다. 이때, 폭 10㎛의 라인·앤드·스페이스 패턴을 형성 가능한 최소 자외선 조사량을 측정하였다. 이 측정치가 500J/m2 미만인 경우 감도는 양호라고, 500J/m2 이상인 경우 불량이라고 평가할 수 있다.Each positive-tone radiation-sensitive resin composition was coated on a silicon substrate using a spinner and prebaked on a hot plate at 90 캜 for 2 minutes to form a coating film having a film thickness of 3.0 탆. The obtained coating film was irradiated with a predetermined amount of ultraviolet rays through a mercury lamp through a pattern mask having a line-and-space pattern of width 10 mu m. Subsequently, development was carried out at 25 DEG C for 60 seconds using a developer containing 2.38% by mass aqueous solution of tetramethylammonium hydroxide, followed by water washing with ultrapure water for 1 minute. At this time, a minimum ultraviolet ray irradiation amount capable of forming a line-and-space pattern having a width of 10 mu m was measured. When the measured value is less than 500 J / m 2 , the sensitivity is evaluated as good, and when the measured value is 500 J / m 2 or more, it can be evaluated as poor.

[현상 밀착성][Developing adhesion]

스피너를 이용하여, 실리콘 기판 상에 각 포지티브형 감방사선성 수지 조성물을 도포한 후, 90℃에서 2분간 핫 플레이트 상에서 프리베이킹하여 막 두께 3.0㎛의 도막을 형성하였다. 얻어진 도막에 폭 10㎛의 라인·앤드·스페이스 패턴을 갖는 패턴 마스크를 통해, 수은 램프에 의해서 500J/m2의 자외선을 조사하였다. 이어서 테트라메틸암모늄히드록시드 2.38질량% 수용액을 포함하는 현상액을 이용하여, 25℃에서 60초 현상 처리를 행한 후, 초순수로 1분간 유수 세정을 행하였다. 그리고 폭 10㎛의 라인·앤드·스페이스 패턴의 박리 유무를 현미경으로 관찰하여 현상 밀착성으로 하였다. 이때, 박리의 유무에 따라, A: 박리 없음, B: 약간 박리 있음, C: 일부 박리 있음, D: 전체면 박리 있음으로 하고, A 또는 B의 경우 현상 밀착성은 양호라고, C 또는 D의 경우 불량이라고 평가하였다.Each positive-tone radiation-sensitive resin composition was coated on a silicon substrate using a spinner and prebaked on a hot plate at 90 캜 for 2 minutes to form a coating film having a film thickness of 3.0 탆. The resulting coating film was irradiated with ultraviolet rays of 500 J / m 2 by a mercury lamp through a pattern mask having a line-and-space pattern having a width of 10 μm. Subsequently, development was carried out at 25 DEG C for 60 seconds using a developer containing 2.38% by mass aqueous solution of tetramethylammonium hydroxide, followed by water washing with ultrapure water for 1 minute. The presence or absence of peeling of the line-and-space pattern having a width of 10 mu m was observed with a microscope to obtain a development adhesion. In this case, depending on the presence or absence of peeling, A: no peeling, B: slightly peeling, C: partial peeling, D: entire surface peeling, and A or B, Defective.

[내약품성][Chemical resistance]

스피너를 이용하여, 실리콘 기판 상에 각 포지티브형 감방사선성 수지 조성물을 도포한 후, 90℃에서 2분간 핫 플레이트 상에서 프리베이킹하여 막 두께 3.0㎛의 도막을 형성하였다. 얻어진 도막에 수은 램프에 의해서 적산 조사량이 3,000J/m2가 되도록 자외선을 조사하였다. 이어서, 이 실리콘 기판을 핫 플레이트 상에서 200℃에서 30분 가열하여, 얻어진 경화막의 막 두께(T1)를 측정하였다. 그리고, 이 경화막이 형성된 실리콘 기판을 70℃로 온도 제어된 디메틸술폭시드 중에 20분간 침지시킨 후, 상기 침지 후의 경화막의 막 두께(t1)를 측정하여, 막 두께 변화율을 하기 계산식으로부터 산출하고, 이것을 내약품성의 지표로 하였다.Each positive-tone radiation-sensitive resin composition was coated on a silicon substrate using a spinner and prebaked on a hot plate at 90 캜 for 2 minutes to form a coating film having a film thickness of 3.0 탆. The obtained coating film was irradiated with ultraviolet rays so that the cumulative irradiation amount was 3,000 J / m 2 by a mercury lamp. Subsequently, the silicon substrate was heated on a hot plate at 200 DEG C for 30 minutes, and the film thickness (T1) of the cured film thus obtained was measured. The silicon substrate on which the cured film was formed was immersed in dimethylsulfoxide controlled at a temperature of 70 캜 for 20 minutes and then the film thickness t 1 of the cured film after the immersion was measured to calculate the film thickness change rate from the following calculation expression As an index of chemical resistance.

막 두께 변화율={(t1-T1)/T1}×100(%)Film thickness change rate = {(t1-T1) / T1} x100 (%)

이 값의 절대값이 5% 미만인 경우 내약품성은 양호라고, 5% 이상인 경우 불량이라고 평가할 수 있다.If the absolute value of this value is less than 5%, the chemical resistance is good, and if it is 5% or more, it can be evaluated as bad.

[내열성][Heat resistance]

스피너를 이용하여, 실리콘 기판 상에 각 포지티브형 감방사선성 수지 조성물을 도포한 후, 90℃에서 2분간 핫 플레이트 상에서 프리베이킹하여 막 두께 3.0㎛의 도막을 형성하였다. 얻어진 도막에 수은 램프에 의해서 적산 조사량이 3,000J/m2가 되도록 자외선을 조사하였다. 이어서, 이 실리콘 기판을 핫 플레이트 상에서 200℃에서 30분간 가열하여 경화막을 얻었다. 얻어진 경화막의 5% 중량 감소 온도를 측정기(TG/DTA220U, SII·나노테크놀로지 제조)를 이용해서 공기 하에서 측정하여, 내열성의 지표로 하였다. 이때, 5% 중량 감소 온도가 300℃ 이상인 경우 내열성은 양호라고, 300℃ 미만인 경우 내열성은 불량이라고 평가할 수 있다.Each positive-tone radiation-sensitive resin composition was coated on a silicon substrate using a spinner and prebaked on a hot plate at 90 캜 for 2 minutes to form a coating film having a film thickness of 3.0 탆. The obtained coating film was irradiated with ultraviolet rays so that the cumulative irradiation amount was 3,000 J / m 2 by a mercury lamp. Subsequently, this silicon substrate was heated on a hot plate at 200 DEG C for 30 minutes to obtain a cured film. The 5% weight reduction temperature of the obtained cured film was measured under air using a measuring device (TG / DTA220U, manufactured by SII / Nanotechnology) and used as an index of heat resistance. At this time, when the temperature at which the 5% weight loss is 300 ° C or higher, the heat resistance is good, and when the temperature is less than 300 ° C, the heat resistance is bad.

[투과율][Transmittance]

스피너를 이용하여, 유리 기판 상에 각 포지티브형 감방사선성 수지 조성물을 도포한 후, 90℃에서 2분간 핫 플레이트 상에서 프리베이킹하여 막 두께 3.0㎛의 도막을 형성하였다. 얻어진 도막에 수은 램프에 의해서 적산 조사량이 3,000J/m2가 되도록 자외선을 조사하였다. 이어서, 이 유리 기판을 핫 플레이트 상에서 200℃에서 30분간 가열하여 경화막을 얻었다. 얻어진 경화막의 투과율을 자외 가시 분광 광도계(V-630, 니혼 분꼬 제조)를 이용하여 측정하였다. 이때, 파장 400nm의 광의 투과율이 95% 이상인 경우를 양호(투명성이 좋음)라고, 95% 미만인 경우를 불량(투명성이 나쁨)이라고 평가할 수 있다.Each positive-tone radiation-sensitive resin composition was coated on a glass substrate using a spinner and prebaked on a hot plate at 90 캜 for 2 minutes to form a coating film having a film thickness of 3.0 탆. The obtained coating film was irradiated with ultraviolet rays so that the cumulative irradiation amount was 3,000 J / m 2 by a mercury lamp. Subsequently, this glass substrate was heated on a hot plate at 200 DEG C for 30 minutes to obtain a cured film. The transmittance of the obtained cured film was measured using an ultraviolet visible spectrophotometer (V-630, manufactured by Nippon Bunko). In this case, the case where the transmittance of light having a wavelength of 400 nm is 95% or more is evaluated as good (good transparency) and the case of less than 95% is evaluated as bad (poor transparency).

[표면 경도][Surface hardness]

스피너를 이용하여, 실리콘 기판 상에 각 포지티브형 감방사선성 수지 조성물을 도포한 후, 90℃에서 2분간 핫 플레이트 상에서 프리베이킹하여 막 두께 3.0㎛의 도막을 형성하였다. 얻어진 도막에 수은 램프에 의해서 적산 조사량이 3,000J/m2가 되도록 자외선을 조사하였다. 이어서, 이 실리콘 기판을 핫 플레이트 상에서, 200℃에서 30분 가열하여 경화막을 얻었다. 그리고, 경화막이 형성된 기판에 대해서, JIS K-5400-1990의 8.4.1 연필 긁기 시험에 의해 경화막의 연필 경도를 측정하고, 이것을 표면 경도의 지표로 하였다. 연필 경도가 3H 이상인 경우, 경화막의 표면 경도는 양호(포지티브형 감방사선성 수지 조성물은 충분한 경화성을 가짐)라고, 2H 이하인 경우 불량이라고 평가할 수 있다.Each positive-tone radiation-sensitive resin composition was coated on a silicon substrate using a spinner and prebaked on a hot plate at 90 캜 for 2 minutes to form a coating film having a film thickness of 3.0 탆. The obtained coating film was irradiated with ultraviolet rays so that the cumulative irradiation amount was 3,000 J / m 2 by a mercury lamp. Subsequently, this silicon substrate was heated on a hot plate at 200 DEG C for 30 minutes to obtain a cured film. Then, with respect to the substrate on which the cured film was formed, the pencil hardness of the cured film was measured according to 8.4.1 pencil scratching test of JIS K-5400-1990, and this was used as an index of surface hardness. When the pencil hardness is 3H or more, it can be estimated that the surface hardness of the cured film is good (the positive radiation sensitive resin composition has sufficient curability) and when it is 2H or less, it is defective.

[비유전율][Relative dielectric constant]

스피너를 이용하여, SUS 기판 상에 각 포지티브형 감방사선성 수지 조성물을 도포한 후, 90℃에서 2분간 핫 플레이트 상에서 프리베이킹하여 막 두께 3.0㎛의 도막을 형성하였다. 노광기(MPA-600FA, 캐논 제조)를 이용해서, 적산 조사량이 9,000J/m2가 되도록 상기 도막을 노광하고, 노광한 기판을 클린 오븐 내에서 200℃에서 30분 가열함으로써, SUS 기판 상에 경화막을 형성하였다. 이어서, 증착법에 의해, 상기 경화막 상에 Pt/Pd 전극 패턴을 형성하여 유전율 측정용 샘플을 제작하였다. 이 전극 패턴을 갖는 기판에 대해서, 전극(HP16451B, 요코가와·휴렛팩커드 제조) 및 프래시존 LCR 미터(HP4284A, 요코가와·휴렛팩커드 제조)를 이용하여, 주파수 10kHz에서 CV법에 의해 비유전율의 측정을 행하였다. 이때, 비유전율이 3.9 이하인 경우를 양호라고, 3.9를 초과하는 경우를 불량이라고 평가할 수 있다.Each positive-tone radiation-sensitive resin composition was coated on a SUS substrate using a spinner, and then pre-baked on a hot plate at 90 캜 for 2 minutes to form a coating film having a film thickness of 3.0 탆. The above coating film was exposed using an exposure machine (MPA-600FA, manufactured by Canon Inc.) so that the cumulative irradiation amount was 9,000 J / m 2 , and the exposed substrate was heated in a clean oven at 200 캜 for 30 minutes to cure Film. Then, a Pt / Pd electrode pattern was formed on the cured film by a vapor deposition method to prepare a sample for measuring the dielectric constant. The substrate having the electrode pattern was measured for CV (relative dielectric constant) at a frequency of 10 kHz using an electrode (HP16451B, manufactured by Yokogawa Hewlett-Packard) and a plasma zone LCR meter (HP4284A, manufactured by Yokogawa Hewlett-Packard) . At this time, a case where the relative dielectric constant is 3.9 or less is evaluated as good, and a case where the relative dielectric constant exceeds 3.9 is evaluated as defective.

Figure pat00030
Figure pat00030

본 발명은 우수한 표면 경도를 가짐과 동시에, 감도, 현상 밀착성, 내약품성, 내열성, 투과율 및 비유전율 등의 일반적 특성을 충분히 만족시킬 수 있는 경화막을 형성할 수 있고, 보존 안정성이 우수한 경화막 형성용 열경화성 수지 조성물, 네가티브형 감방사선성 수지 조성물, 포지티브형 감방사선성 수지 조성물을 제공할 수 있다. 따라서, 상기 경화막 형성용 열경화성 수지 조성물, 네가티브형 감방사선성 수지 조성물, 포지티브형 감방사선성 수지 조성물, 이 경화막 형성용 열경화성 수지 조성물, 네가티브형 감방사선성 수지 조성물, 포지티브형 감방사선성 수지 조성물로부터 형성되는 경화막, 반도체 소자 및 표시 소자, 및 상기 경화막의 형성 방법은, 플렉시블 디스플레이 등의 전자 디바이스 등의 제조 공정에 바람직하게 사용할 수 있다.The present invention can provide a cured film which has excellent surface hardness and can sufficiently satisfy general characteristics such as sensitivity, developing adhesion, chemical resistance, heat resistance, transmittance and relative dielectric constant, A thermosetting resin composition, a negative-tone radiation-sensitive resin composition, and a positive-tone radiation-sensitive resin composition. Therefore, it is possible to provide a thermosetting resin composition for forming a cured film, a negative radiation-sensitive resin composition, a positive radiation-sensitive resin composition, a thermosetting resin composition for forming the cured film, a negative radiation- The cured film, the semiconductor element, the display element, and the method of forming the cured film formed from the composition can be suitably used in a manufacturing process of an electronic device such as a flexible display.

Claims (17)

[A1] 하기 화학식 (1)로 표시되는 기 및 하기 화학식 (2)로 표시되는 기로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 1종을 포함하는 구조 단위(I)와, 가교성 기(a1)를 포함하는 구조 단위(II-1)를 갖는 중합체를 함유하는 경화막 형성용 열경화성 수지 조성물.
Figure pat00031

(화학식 (1) 중, R1 및 R2는 각각 독립적으로 수소 원자, 탄소수 1 내지 4의 알킬기 또는 탄소수 1 내지 4의 불소화 알킬기이되, 단 R1 및 R2 중 적어도 어느 하나는 탄소수 1 내지 4의 불소화 알킬기이고,
화학식 (2) 중, R3 및 R4는 각각 독립적으로 수소 원자, 할로겐 원자, 탄소수 1 내지 4의 알킬기 또는 탄소수 1 내지 4의 불소화 알킬기이되, 단 R3 및 R4 중 적어도 어느 하나는 할로겐 원자 또는 탄소수 1 내지 4의 불소화 알킬기임)
[A1] A resin composition comprising a structural unit (I) comprising at least one member selected from the group consisting of a group represented by the following formula (1) and a group represented by the following formula (2) A thermosetting resin composition for forming a cured film containing a polymer having a unit (II-1).
Figure pat00031

(In the formula (1), R 1 and R 2 are each independently a hydrogen atom, an alkyl group having 1 to 4 carbon atoms or a fluorinated alkyl group having 1 to 4 carbon atoms, provided that at least one of R 1 and R 2 has 1 to 4 carbon atoms Of fluorinated alkyl groups,
In formula (2), R 3 and R 4 are each independently a hydrogen atom, a halogen atom, an alkyl group having 1 to 4 carbon atoms or a fluorinated alkyl group having 1 to 4 carbon atoms, provided that at least one of R 3 and R 4 is a halogen atom Or a fluorinated alkyl group having 1 to 4 carbon atoms)
제1항에 있어서, 상기 가교성 기(a1)가 옥시라닐기 및 옥세타닐기로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 1종인 경화막 형성용 열경화성 수지 조성물.The thermosetting resin composition according to claim 1, wherein the crosslinkable group (a1) is at least one selected from the group consisting of an oxiranyl group and an oxetanyl group. [A2] 하기 화학식 (1)로 표시되는 기 및 하기 화학식 (2)로 표시되는 기로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 1종을 포함하는 구조 단위(I)와, 가교성 기(a2)를 포함하는 구조 단위(II-2)를 갖는 중합체,
[B] 에틸렌성 불포화 결합을 갖는 중합성 화합물, 및
[C] 감방사선성 중합 개시제
를 함유하는 네가티브형 감방사선성 수지 조성물.
Figure pat00032

(화학식 (1) 중, R1 및 R2는 각각 독립적으로 수소 원자, 탄소수 1 내지 4의 알킬기 또는 탄소수 1 내지 4의 불소화 알킬기이되, 단 R1 및 R2 중 적어도 어느 하나는 탄소수 1 내지 4의 불소화 알킬기이고,
화학식 (2) 중, R3 및 R4는 각각 독립적으로 수소 원자, 할로겐 원자, 탄소수 1 내지 4의 알킬기 또는 탄소수 1 내지 4의 불소화 알킬기이되, 단 R3 및 R4 중 적어도 어느 하나는 할로겐 원자 또는 탄소수 1 내지 4의 불소화 알킬기임)
[A2] A resin composition comprising a structural unit (I) comprising at least one member selected from the group consisting of a group represented by the following formula (1) and a group represented by the following formula (2) A polymer having a unit (II-2)
[B] a polymerizable compound having an ethylenically unsaturated bond, and
[C] Radiation-sensitive polymerization initiator
Wherein the negative radiation-sensitive resin composition is a negative radiation-sensitive resin composition.
Figure pat00032

(In the formula (1), R 1 and R 2 are each independently a hydrogen atom, an alkyl group having 1 to 4 carbon atoms or a fluorinated alkyl group having 1 to 4 carbon atoms, provided that at least one of R 1 and R 2 has 1 to 4 carbon atoms Of fluorinated alkyl groups,
In formula (2), R 3 and R 4 are each independently a hydrogen atom, a halogen atom, an alkyl group having 1 to 4 carbon atoms or a fluorinated alkyl group having 1 to 4 carbon atoms, provided that at least one of R 3 and R 4 is a halogen atom Or a fluorinated alkyl group having 1 to 4 carbon atoms)
제3항에 있어서, 상기 가교성 기(a2)가 옥시라닐기, 옥세타닐기, 환상 카보네이트기 및 (메트)아크릴로일기로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 1종인 네가티브형 감방사선성 수지 조성물.The negative radiation-sensitive resin composition according to claim 3, wherein the crosslinkable group (a2) is at least one member selected from the group consisting of an oxiranyl group, an oxetanyl group, a cyclic carbonate group and a (meth) acryloyl group. 제3항 또는 제4항에 있어서, [C] 감방사선성 중합 개시제가 옥심에스테르 화합물이고, 이 옥심에스테르 화합물의 함유량이 [A2] 중합체 100질량부에 대하여 0.1질량부 이상 10질량부 이하인 네가티브형 감방사선성 수지 조성물.The positive photoresist composition according to claim 3 or 4, wherein the [C] radiation-sensitive radiation polymerization initiator is an oxime ester compound and the content of the oxime ester compound is in a range from 0.1 to 10 parts by mass based on 100 parts by mass of the polymer [A2] Sensitive resin composition. 제3항 또는 제4항에 있어서, [D] 산화 방지제를 더 함유하는 네가티브형 감방사선성 수지 조성물.The negative radiation-sensitive resin composition according to claim 3 or 4, further comprising [D] an antioxidant. 제3항 또는 제4항에 있어서, [B] 중합성 화합물이 동일 분자 내에 카르복시기를 적어도 1개 갖는 것인 네가티브형 감방사선성 수지 조성물.The negative-tone radiation-sensitive resin composition according to claim 3 or 4, wherein the polymerizable compound [B] has at least one carboxyl group in the same molecule. [A3] 하기 화학식 (1)로 표시되는 기 및 하기 화학식 (2)로 표시되는 기로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 1종을 포함하는 구조 단위(I)와, 환상 에테르 구조 또는 환상 카보네이트 구조를 포함하는 구조 단위(II-3)를 갖는 중합체, 및
[G] 산 발생체
를 함유하는 포지티브형 감방사선성 수지 조성물.
Figure pat00033

(화학식 (1) 중, R1 및 R2는 각각 독립적으로 수소 원자, 탄소수 1 내지 4의 알킬기 또는 탄소수 1 내지 4의 불소화 알킬기이되, 단 R1 및 R2 중 적어도 어느 하나는 탄소수 1 내지 4의 불소화 알킬기이고,
화학식 (2) 중, R3 및 R4는 각각 독립적으로 수소 원자, 할로겐 원자, 탄소수 1 내지 4의 알킬기 또는 탄소수 1 내지 4의 불소화 알킬기이되, 단 R3 및 R4 중 적어도 어느 하나는 할로겐 원자 또는 탄소수 1 내지 4의 불소화 알킬기임)
[A3] A polymer comprising a structural unit (I) comprising at least one member selected from the group consisting of a group represented by the following formula (1) and a group represented by the following formula (2), and a cyclic ether structure or a cyclic carbonate structure A polymer having a structural unit (II-3), and
[G] acid generator
Wherein the positive radiation-sensitive resin composition is a positive radiation-sensitive resin composition.
Figure pat00033

(In the formula (1), R 1 and R 2 are each independently a hydrogen atom, an alkyl group having 1 to 4 carbon atoms or a fluorinated alkyl group having 1 to 4 carbon atoms, provided that at least one of R 1 and R 2 has 1 to 4 carbon atoms Of fluorinated alkyl groups,
In formula (2), R 3 and R 4 are each independently a hydrogen atom, a halogen atom, an alkyl group having 1 to 4 carbon atoms or a fluorinated alkyl group having 1 to 4 carbon atoms, provided that at least one of R 3 and R 4 is a halogen atom Or a fluorinated alkyl group having 1 to 4 carbon atoms)
제8항에 있어서, 상기 구조 단위(II-3)가 환상 에테르 구조를 포함하고, 이 환상 에테르 구조가 옥시란 구조 및 옥세탄 구조 중 적어도 어느 하나인 포지티브형 감방사선성 수지 조성물.The positive radiation-sensitive resin composition according to claim 8, wherein the structural unit (II-3) comprises a cyclic ether structure and the cyclic ether structure is at least one of an oxirane structure and an oxetane structure. (1) 제1항 또는 제2항에 기재된 경화막 형성용 열경화성 수지 조성물을 이용하여 기판 상에 도막을 형성하는 공정, 및
(2) 상기 도막을 가열하는 공정
을 갖는 경화막의 형성 방법.
(1) a step of forming a coating film on a substrate using the thermosetting resin composition for forming a cured film according to any one of claims 1 to 3, and
(2) a step of heating the coating film
To form a cured film.
(1) 제3항 또는 제4항에 기재된 네가티브형 감방사선성 수지 조성물, 또는 제8항 또는 제9항에 기재된 포지티브형 감방사선성 수지 조성물을 이용하여 기판 상에 도막을 형성하는 공정,
(2) 상기 도막의 일부에 방사선을 조사하는 공정,
(3) 상기 방사선이 조사된 도막을 현상하는 공정, 및
(4) 상기 현상된 도막을 가열하는 공정
을 갖는 경화막의 형성 방법.
(1) a step of forming a coating film on the substrate by using the negative radiation-sensitive resin composition according to claim 3 or 4, or the positive-tone radiation-sensitive resin composition according to claim 8 or 9,
(2) a step of irradiating a part of the coating film with radiation,
(3) a step of developing the coating film irradiated with the radiation, and
(4) a step of heating the developed coating film
To form a cured film.
제1항 또는 제2항에 기재된 경화막 형성용 열경화성 수지 조성물로부터 형성되는 경화막.A cured film formed from the thermosetting resin composition for forming a cured film according to claim 1 or 2. 제3항 또는 제4항에 기재된 네가티브형 감방사선성 수지 조성물, 또는 제8항 또는 제9항에 기재된 포지티브형 감방사선성 수지 조성물로부터 형성되는 경화막.A cured film formed from the negative radiation-sensitive resin composition according to claim 3 or 4, or the positive radiation-sensitive resin composition according to claim 8 or 9. 제12항에 기재된 경화막을 구비하는 반도체 소자.A semiconductor device comprising the cured film according to claim 12. 제13항에 기재된 경화막을 구비하는 반도체 소자.A semiconductor device comprising the cured film according to claim 13. 제14항에 기재된 반도체 소자를 구비하는 표시 소자.A display device comprising the semiconductor device according to claim 14. 제15항에 기재된 반도체 소자를 구비하는 표시 소자.A display device comprising the semiconductor device according to claim 15.
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