JP2011169976A - Radiation-sensitive resin composition, interlayer insulating film and method for forming the same - Google Patents

Radiation-sensitive resin composition, interlayer insulating film and method for forming the same Download PDF

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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a radiation-sensitive resin composition which has high radiation sensitivity and can be baked by heating at a low temperature in a short period of time so that it is suitably used in the formation of an interlayer insulating film of a flexible display. <P>SOLUTION: The radiation-sensitive resin composition for forming an interlayer insulating film contains [A] an alkali-soluble resin of a copolymer formed by copolymerizing a monomer containing (a1) unsaturated carboxylic acid and/or unsaturated carboxylic anhydride, and (a2) an epoxy group-containing unsaturated compound, [B] a 1,2-quinonediazide compound, and [C] a compound including two or more mercapto groups in one molecule. The compound including two or more mercapto groups in one molecule as the component [C] is preferably a compound represented by formula (1), wherein R<SP>1</SP>is methylene, 2-10C alkylene or alkylmethylene; Y is a single bond, -CO- or -O-CO-* (provided that a bond to which "*" is attached bonds to R<SP>1</SP>); n is an integer of 2-10; and X is a 2-70C n-valent hydrocarbon group which may have one or more ether bonds, or in the case of n=3, X is a group represented by formula (2), wherein three symbols R<SP>2</SP>are each independently methylene or 2-6C alkylene; and three marks "*" are each a bond. <P>COPYRIGHT: (C)2011,JPO&INPIT

Description

本発明は、フレキシブルディスプレイの層間絶縁膜を形成するために好適に用いられる感放射線性樹脂組成物、その組成物から形成される層間絶縁膜、及びその形成方法に関する。   The present invention relates to a radiation-sensitive resin composition suitably used for forming an interlayer insulating film of a flexible display, an interlayer insulating film formed from the composition, and a method for forming the same.

近年、軽量化、小型化などの利便性の向上により、液晶方式の電子ペーパー等のフレキシブルディスプレイが普及している。このようなフレキシブルディスプレイの基板としては、ガラス基板の代わりに、ポリカーボネート、ポリエチレンテレフタレートなどのプラスチック基板が検討されている。しかし、これらのプラスチックは、加熱時に僅かに伸張・収縮し、ディスプレイとしての機能を阻害するという問題があり、耐熱性の向上が急務となっている。一方で、プラスチック基板にかかる熱的なストレスを軽減するため、フレキシブルディスプレイの製造プロセスの低温化が検討されている。フレキシブルディスプレイを製造する上で最も高温が要求されるプロセスの一つに層間絶縁膜を加熱により焼成する工程があり、この加熱工程の低温化が求められている。   In recent years, flexible displays such as liquid crystal electronic paper have become widespread due to improvements in convenience such as weight reduction and size reduction. As a substrate for such a flexible display, a plastic substrate such as polycarbonate or polyethylene terephthalate has been studied instead of a glass substrate. However, these plastics have a problem that they are slightly expanded and contracted when heated, thereby impeding the function as a display, and improvement in heat resistance is an urgent need. On the other hand, in order to reduce the thermal stress applied to the plastic substrate, it has been studied to lower the temperature of the flexible display manufacturing process. One of the processes requiring the highest temperature in manufacturing a flexible display is a process of baking an interlayer insulating film by heating, and a reduction in the heating process is required.

現状では、層間絶縁膜を形成する材料としては、必要とするパターン形状を得るための工程数が少なく、かつ高い表面硬度を有するものが好ましいことから、感放射線性樹脂組成物が幅広く使用されている。このような感放射線性樹脂組成物としては、例えば、特開2001−354822号公報に、不飽和カルボン酸及び/又はその無水物、エポキシ基含有不飽和化合物等からなる共重合体を含有する感放射線性樹脂組成物が開示されており、カルボキシル基とエポキシ基とが開裂反応することによって、層間絶縁膜としての表面硬度を得るように構成されている。しかし、層間絶縁膜として実際に商業上要求されるレベルまで表面硬度を高めるためには、200℃以上の高温での加熱工程が必要とされる。プラスチック基板の耐熱性を考慮すると、加熱工程の温度は180℃以下であることが好ましいが、200℃以上の高温で加熱を行った場合、基板の変形を生じる場合がある。   At present, as a material for forming an interlayer insulating film, a material having a small number of steps for obtaining a required pattern shape and having a high surface hardness is preferable. Therefore, a radiation sensitive resin composition is widely used. Yes. As such a radiation sensitive resin composition, for example, JP-A No. 2001-354822 discloses a sensitivity containing a copolymer composed of an unsaturated carboxylic acid and / or an anhydride thereof, an epoxy group-containing unsaturated compound, and the like. A radiation resin composition is disclosed, and a surface hardness as an interlayer insulating film is obtained by a cleavage reaction between a carboxyl group and an epoxy group. However, a heating process at a high temperature of 200 ° C. or higher is required to increase the surface hardness to a level that is actually required commercially as an interlayer insulating film. Considering the heat resistance of the plastic substrate, the temperature in the heating step is preferably 180 ° C. or lower. However, when heating is performed at a high temperature of 200 ° C. or higher, the substrate may be deformed.

また、特開2008−77067号公報には、不飽和カルボン酸及び/又はその無水物、エポキシ基含有不飽和化合物等からなる共重合体、エチレン性不飽和結合を有する重合性化合物、光重合開始剤、及び1分子中に2個以上のメルカプト基を有するチオール化合物を含有する液晶表示素子のスペーサーを形成するためのネガ型感放射線性樹脂組成物が開示されている。しかし、当該文献の感放射線性樹脂組成物は、放射線感度、基板に対する密着性等の点で優れているものの、プラスチック基板に対応するための低温加熱による焼成を目的とするものではない。   JP-A-2008-77067 discloses a copolymer comprising an unsaturated carboxylic acid and / or an anhydride thereof, an epoxy group-containing unsaturated compound, a polymerizable compound having an ethylenically unsaturated bond, and photopolymerization initiation. A negative radiation-sensitive resin composition for forming a spacer of a liquid crystal display device containing an agent and a thiol compound having two or more mercapto groups in one molecule is disclosed. However, although the radiation sensitive resin composition of the said literature is excellent in terms of radiation sensitivity, adhesion to the substrate, etc., it is not intended for firing by low temperature heating to cope with a plastic substrate.

上記事情に鑑み、特開2009−4394号公報には、低温硬化可能なポリイミド前駆体を180℃以下で焼成することによって、耐溶剤性、比抵抗、半導体移動度等の点で優れたフレキシブルディスプレイ用のゲート絶縁膜が得られることが開示されている。しかし、上記文献のポリイミド前駆体を含む塗布液は、化学的な硬化系であって露光現像によるパターン形成能を有しないため、微細なパターン形成は不可能である。また、このようなポリイミド前駆体を含む塗布液を用いた絶縁膜の形成においては、硬化膜を加熱・焼成するまでに1時間以上の時間を有するという不都合がある。そこで、フレキシブルディスプレイ用の絶縁膜を製造するために好適に用いられるように低温かつ短時間での加熱・焼成が可能であると共に、簡便な製膜及び微細なパターン形成が可能な感放射線性を有する樹脂組成物の開発が強く求められている。   In view of the above circumstances, Japanese Unexamined Patent Application Publication No. 2009-4394 discloses a flexible display that is excellent in terms of solvent resistance, specific resistance, semiconductor mobility, etc. by firing a low-temperature curable polyimide precursor at 180 ° C. or lower. It is disclosed that a gate insulating film can be obtained. However, since the coating liquid containing the polyimide precursor of the above document is a chemical curing system and does not have pattern forming ability by exposure and development, fine pattern formation is impossible. In addition, in the formation of an insulating film using such a coating liquid containing a polyimide precursor, there is an inconvenience that it takes 1 hour or longer before the cured film is heated and baked. Therefore, it can be heated and fired at a low temperature and in a short time so as to be suitably used for manufacturing an insulating film for flexible displays, and has a radiation sensitivity capable of simple film formation and fine pattern formation. There is a strong demand for the development of a resin composition having the same.

また、フレキシブルディスプレイのデバイス作製プロセスにおいては、層間絶縁膜の上層に塗布を行うことによって積層物を形成することが必要とされる場合がある。従って、層間絶縁膜には、高い比誘電率を有することに加えて、塗布による積層物の形成時に用いる溶媒に対する耐溶剤性に優れていることが求められている。   Moreover, in the device manufacturing process of a flexible display, it may be necessary to form a laminate by coating the upper layer of the interlayer insulating film. Therefore, in addition to having a high relative dielectric constant, the interlayer insulating film is required to have excellent solvent resistance against the solvent used when forming a laminate by coating.

特開2001−354822号公報JP 2001-354822 A 特開2008−77067号公報JP 2008-77067 A 特開2009−4394号公報JP 2009-4394 A

本発明は上記のような事情に基づいてなされたものであり、その目的は、低温かつ短時間での加熱・焼成が可能であると共に、高い放射線感度を有し、フレキシブルディスプレイの層間絶縁膜の形成に好適に用いられる感放射線性樹脂組成物を提供することである。また、本発明の他の目的は、耐溶剤性及び比誘電率に優れた層間絶縁膜を形成することができる感放射線性樹脂組成物を提供することである。   The present invention has been made based on the above circumstances, and its purpose is that it can be heated and fired at a low temperature in a short time, has high radiation sensitivity, and is an interlayer insulating film of a flexible display. It is providing the radiation sensitive resin composition used suitably for formation. Another object of the present invention is to provide a radiation sensitive resin composition capable of forming an interlayer insulating film excellent in solvent resistance and relative dielectric constant.

上記課題を解決するためになされた本発明は、
[A](a1)不飽和カルボン酸及び/又は不飽和カルボン酸無水物、並びに(a2)エポキシ基含有不飽和化合物を含む単量体を共重合してなる共重合体のアルカリ可溶性樹脂、
[B]1,2−キノンジアジド化合物、及び
[C]1分子中に2個以上のメルカプト基を有する化合物
を含有する層間絶縁膜形成用の感放射線性樹脂組成物である。
The present invention made to solve the above problems
[A] an alkali-soluble resin of a copolymer obtained by copolymerizing a monomer containing (a1) an unsaturated carboxylic acid and / or an unsaturated carboxylic acid anhydride, and (a2) an epoxy group-containing unsaturated compound,
[B] A radiation-sensitive resin composition for forming an interlayer insulating film containing a 1,2-quinonediazide compound, and [C] a compound having two or more mercapto groups in one molecule.

当該樹脂組成物は、[A]成分のアルカリ可溶性樹脂、[B]成分の1,2−キノンジアジド化合物に加えて、[C]成分の1分子中に2個以上のメルカプト基を有する化合物である架橋剤を含有することによって、高い放射線感度を有すると共に、低温かつ短時間の加熱・焼成によって層間絶縁膜を形成することが可能であり、また耐溶剤性及び比誘電率に優れた層間絶縁膜を形成することができるため、フレキシブルディスプレイの層間絶縁膜の形成材料として好適に用いられる。   The resin composition is a compound having two or more mercapto groups in one molecule of the [C] component in addition to the alkali-soluble resin of the [A] component and the 1,2-quinonediazide compound of the [B] component. By containing a cross-linking agent, it is possible to form an interlayer insulating film with high radiation sensitivity, low temperature and short time heating and baking, and excellent in solvent resistance and relative dielectric constant. Can be suitably used as a material for forming an interlayer insulating film of a flexible display.

当該感放射線性樹脂組成物における[C]成分の1分子中に2個以上のメルカプト基を有する化合物は、下記式(1)で表される化合物であることが好ましい。また、式(1)で表される化合物として、典型的には、メルカプトカルボン酸と多価アルコールとのエステル化物を用いることができる。[C]成分として下記式(1)で表される化合物を用いることによって、感放射線性樹脂組成物の加熱工程における高い硬化性を得ることができる。   The compound having two or more mercapto groups in one molecule of the [C] component in the radiation-sensitive resin composition is preferably a compound represented by the following formula (1). In addition, typically, an esterified product of mercaptocarboxylic acid and a polyhydric alcohol can be used as the compound represented by the formula (1). By using the compound represented by the following formula (1) as the component [C], high curability in the heating step of the radiation sensitive resin composition can be obtained.

Figure 2011169976
Figure 2011169976
(式(1)中、Rはメチレン基、炭素数2〜10のアルキレン基又はアルキルメチレン基であり、Yは単結合、−CO−又は−O−CO−(ただし、「*」を付した結合手がRと結合する。)であり、nは2〜10の整数であり、Xは1個又は複数個のエーテル結合を有していてもよい炭素数2〜70のn価の炭化水素基、又はnが3の場合式(2)で示される基である。式(2)中、3つのRは、各々独立に、メチレン基又は炭素数2〜6のアルキレン基であり、3つの「*」は、それぞれ結合手であることを表す。)
Figure 2011169976
Figure 2011169976
(In the formula (1), R 1 is a methylene group, an alkylene group having 2 to 10 carbon atoms or an alkylmethylene group, and Y is a single bond, —CO— or —O—CO— * (where “*” is The bond is attached to R 1 ), n is an integer of 2 to 10, and X is an n valence having 2 to 70 carbon atoms which may have one or more ether bonds. Or a group represented by formula (2) when n is 3. In formula (2), three R 2 s are each independently a methylene group or an alkylene group having 2 to 6 carbon atoms. Yes, and three “*” represent bonds.)

当該感放射線性樹脂組成物は、[D]下記式(3)で示される化合物をさらに含有することが好ましい。[D]成分として下記式(3)で表される化合物を用いることによって、感放射線性樹脂組成物の加熱工程におけるさらに高い硬化性を得ることができる。   It is preferable that the said radiation sensitive resin composition further contains the compound shown by [D] following formula (3). By using the compound represented by the following formula (3) as the component [D], higher curability in the heating step of the radiation-sensitive resin composition can be obtained.

Figure 2011169976
(式(3)中、Z、Z、Z及びRは、各々独立に、水素原子又は置換基を有していてもよい炭素数1〜20の直鎖状、分岐状又は環状の炭化水素基を示し、ZとZは互いに連結して環を形成してもよい。)
Figure 2011169976
(In formula (3), Z 1 , Z 2 , Z 3 and R 3 are each independently a linear, branched or cyclic group having 1 to 20 carbon atoms which may have a hydrogen atom or a substituent. And Z 2 and Z 3 may be linked to each other to form a ring.)

また、本発明の層間絶縁膜の形成方法は、
(1)当該感放射線性樹脂組成物の塗膜を基板上に形成する工程、
(2)工程(1)で形成した塗膜の少なくとも一部に放射線を照射する工程、
(3)工程(2)で放射線を照射された塗膜を現像する工程、及び
(4)工程(3)で現像された塗膜を加熱により焼成する工程
を含んでいる。
なお、ここで「焼成」とは、層間絶縁膜として要求される表面硬度が得られるまで加熱することを意味する。
In addition, the method of forming the interlayer insulating film of the present invention,
(1) The process of forming the coating film of the said radiation sensitive resin composition on a board | substrate,
(2) A step of irradiating at least a part of the coating film formed in step (1),
(3) A step of developing the coating film irradiated with radiation in the step (2), and (4) a step of baking the coating film developed in the step (3) by heating.
Here, “firing” means heating until the surface hardness required for the interlayer insulating film is obtained.

当該感放射線性樹脂組成物を用い、上記の工程により層間絶縁膜を形成する場合には、感放射線性を利用した露光・現像によってパターンを形成するため、容易に微細かつ精巧なパターンを形成することができる。また、当該感放射線性樹脂組成物を用いた露光・現像によって、低温かつ短時間の加熱によって十分な表面硬度を有する層間絶縁膜を形成することができる。   When the interlayer insulating film is formed by the above-described process using the radiation-sensitive resin composition, a pattern is formed by exposure / development using radiation sensitivity, so that a fine and fine pattern is easily formed. be able to. Moreover, the interlayer insulation film which has sufficient surface hardness can be formed by the low temperature and short time heating by exposure and image development using the said radiation sensitive resin composition.

当該層間絶縁膜の形成方法における工程(4)の焼成温度は、180℃以下であることが好ましい。感放射線性を利用した微細なパターン形成能に加えて、このように低い温度での焼成が可能であることにより、当該方法は、フレキシブルディスプレイのプラスチック基板上への層間絶縁膜の形成のために好適に用いられる。   The firing temperature in step (4) in the method for forming an interlayer insulating film is preferably 180 ° C. or lower. In addition to the ability to form fine patterns utilizing radiation sensitivity, the method can be used for the formation of an interlayer insulating film on a plastic substrate of a flexible display by being capable of firing at such a low temperature. Preferably used.

以上説明したように、本発明の層間絶縁膜形成用の感放射線性樹脂組成物は、高い放射線感度を有し、かつ低温かつ短時間の加熱によって表面硬度の高い層間絶縁膜を形成することが可能であり、耐溶剤性及び比誘電率に優れた層間絶縁膜を形成することができる。従って、当該感放射線性樹脂組成物は、フレキシブルディスプレイの層間絶縁膜の形成材料として好適に用いることができる。   As described above, the radiation-sensitive resin composition for forming an interlayer insulating film of the present invention has a high radiation sensitivity and can form an interlayer insulating film having a high surface hardness by heating at a low temperature for a short time. It is possible to form an interlayer insulating film excellent in solvent resistance and relative dielectric constant. Therefore, the said radiation sensitive resin composition can be used suitably as a formation material of the interlayer insulation film of a flexible display.

本発明による層間絶縁膜形成用の感放射線性樹脂組成物は、[A]成分のアルカリ可溶性樹脂、[B]成分の1,2−キノンジアジド化合物、[C]成分の1分子中に2個以上のメルカプト基を有する化合物(架橋剤)、及びその他の任意成分を含有する。以下、各成分について説明する。   The radiation-sensitive resin composition for forming an interlayer insulating film according to the present invention comprises at least two [A] component alkali-soluble resins, [B] component 1,2-quinonediazide compound, and [C] component in one molecule. A compound having a mercapto group (crosslinking agent) and other optional components. Hereinafter, each component will be described.

[A]成分
[A]成分は、(a1)不飽和カルボン酸及び/又は不飽和カルボン酸無水物、並びに(a2)エポキシ基含有不飽和化合物を含む単量体を共重合してなる共重合体のアルカリ可溶性樹脂である(以下、この共重合体を「共重合体[A]」と称する)。共重合体[A]は、溶媒中で重合開始剤の存在下、化合物(a1)及び化合物(a2)を含む単量体をラジカル重合することによって製造することができる。また、共重合体[A]の製造においては、化合物(a1)及び化合物(a2)と共に、化合物(a3)として上記(a1)及び(a2)以外の不飽和化合物をラジカル重合することが好ましい。共重合体[A]は、化合物(a1)から誘導される構成単位を、化合物(a1)及び(a2)(及び任意の化合物(a3))から誘導される構成単位の合計に基づいて、好ましくは5〜40質量%、特に好ましくは5〜25質量%含有している。共重合体[A]における化合物(a1)から誘導される構成単位の割合を5〜40質量%とすることによって、共重合体のアルカリ水溶液に対する溶解性を最適化すると共に、放射線性感度及び現像性に優れた感放射線性樹脂組成物を得ることができる。
Component [A] Component [A] is a copolymer obtained by copolymerizing a monomer containing (a1) an unsaturated carboxylic acid and / or an unsaturated carboxylic acid anhydride and (a2) an epoxy group-containing unsaturated compound. This is a coalescent alkali-soluble resin (hereinafter, this copolymer is referred to as “copolymer [A]”). Copolymer [A] can be produced by radical polymerization of a monomer containing compound (a1) and compound (a2) in the presence of a polymerization initiator in a solvent. In the production of the copolymer [A], it is preferable to radically polymerize unsaturated compounds other than the above (a1) and (a2) as the compound (a3) together with the compound (a1) and the compound (a2). The copolymer [A] is preferably a structural unit derived from the compound (a1) based on the total of structural units derived from the compounds (a1) and (a2) (and any compound (a3)). 5 to 40% by mass, particularly preferably 5 to 25% by mass. By setting the proportion of the structural unit derived from the compound (a1) in the copolymer [A] to 5 to 40% by mass, the solubility of the copolymer in an alkaline aqueous solution is optimized, and radiation sensitivity and development are also achieved. A radiation-sensitive resin composition having excellent properties can be obtained.

化合物(a1)は、ラジカル重合性を有する不飽和カルボン酸及び/又は不飽和カルボン酸無水物である。化合物(a1)の具体例としては、モノカルボン酸、ジカルボン酸、ジカルボン酸の無水物、多価カルボン酸のモノ〔(メタ)アクリロイルオキシアルキル〕エステル、両末端にカルボキシル基と水酸基とを有するポリマーのモノ(メタ)アクリレート、カルボキシル基を有する多環式化合物及びその無水物などを挙げることができる。   The compound (a1) is an unsaturated carboxylic acid and / or an unsaturated carboxylic acid anhydride having radical polymerizability. Specific examples of the compound (a1) include monocarboxylic acid, dicarboxylic acid, anhydride of dicarboxylic acid, mono [(meth) acryloyloxyalkyl] ester of polyvalent carboxylic acid, polymer having a carboxyl group and a hydroxyl group at both ends. And mono (meth) acrylates, polycyclic compounds having a carboxyl group, and anhydrides thereof.

これらの化合物(a1)の具体例としては、
モノカルボン酸として、アクリル酸、メタクリル酸、クロトン酸など;
ジカルボン酸として、マレイン酸、フマル酸、シトラコン酸、メサコン酸、イタコン酸など;
ジカルボン酸の無水物として、上記ジカルボン酸として例示した化合物の無水物など;
多価カルボン酸のモノ〔(メタ)アクリロイルオキシアルキル〕エステルとして、コハク酸モノ〔2−(メタ)アクリロイルオキシエチル〕、フタル酸モノ〔2−(メタ)アクリロイルオキシエチル〕など;
両末端にカルボキシル基と水酸基とを有するポリマーのモノ(メタ)アクリレートとして、ω−カルボキシポリカプロラクトンモノ(メタ)アクリレートなど;
カルボキシル基を有する多環式化合物及びその無水物として、5−カルボキシビシクロ[2.2.1]ヘプト−2−エン、5,6−ジカルボキシビシクロ[2.2.1]ヘプト−2−エン、5−カルボキシ−5−メチルビシクロ[2.2.1]ヘプト−2−エン、5−カルボキシ−5−エチルビシクロ[2.2.1]ヘプト−2−エン、5−カルボキシ−6−メチルビシクロ[2.2.1]ヘプト−2−エン、5−カルボキシ−6−エチルビシクロ[2.2.1]ヘプト−2−エン、5,6−ジカルボキシビシクロ[2.2.1]ヘプト−2−エン無水物などがそれぞれ挙げられる。
Specific examples of these compounds (a1) include
As monocarboxylic acid, acrylic acid, methacrylic acid, crotonic acid, etc .;
As dicarboxylic acid, maleic acid, fumaric acid, citraconic acid, mesaconic acid, itaconic acid and the like;
As anhydrides of dicarboxylic acids, anhydrides of the compounds exemplified as the above dicarboxylic acids, etc .;
As mono [(meth) acryloyloxyalkyl] esters of polyvalent carboxylic acids, succinic acid mono [2- (meth) acryloyloxyethyl], phthalic acid mono [2- (meth) acryloyloxyethyl] and the like;
As a mono (meth) acrylate of a polymer having a carboxyl group and a hydroxyl group at both ends, ω-carboxypolycaprolactone mono (meth) acrylate and the like;
As the polycyclic compound having a carboxyl group and its anhydride, 5-carboxybicyclo [2.2.1] hept-2-ene, 5,6-dicarboxybicyclo [2.2.1] hept-2-ene 5-carboxy-5-methylbicyclo [2.2.1] hept-2-ene, 5-carboxy-5-ethylbicyclo [2.2.1] hept-2-ene, 5-carboxy-6-methyl Bicyclo [2.2.1] hept-2-ene, 5-carboxy-6-ethylbicyclo [2.2.1] hept-2-ene, 5,6-dicarboxybicyclo [2.2.1] hept -2-ene anhydride and the like can be mentioned.

これらの化合物(a1)の中でも、モノカルボン酸、ジカルボン酸の無水物が好ましく使用される。特に、アクリル酸、メタクリル酸、無水マレイン酸が、共重合反応性、アルカリ水溶液に対する溶解性及び入手の容易性から好ましく使用される。これらの化合物(a1)は、単独で又は2種類以上を組み合わせて用いられる。   Among these compounds (a1), monocarboxylic acid and dicarboxylic acid anhydrides are preferably used. In particular, acrylic acid, methacrylic acid, and maleic anhydride are preferably used from the viewpoint of copolymerization reactivity, solubility in an aqueous alkali solution, and availability. These compounds (a1) are used individually or in combination of 2 or more types.

共重合体[A]は、化合物(a2)から誘導される構成単位を、化合物(a1)及び(a2)(及び任意の化合物(a3))から誘導される構成単位の合計に基づいて、好ましくは10〜80質量%、特に好ましくは30〜80質量%含有している。共重合体[A]における化合物(a2)から誘導される構成単位の割合を10〜80質量%とすることによって、優れた耐溶剤性及び耐アルカリ性を有する層間絶縁膜を形成することが可能となる。   The copolymer [A] is preferably a structural unit derived from the compound (a2) based on the total of structural units derived from the compounds (a1) and (a2) (and any compound (a3)). Is contained in an amount of 10 to 80% by mass, particularly preferably 30 to 80% by mass. By setting the proportion of the structural unit derived from the compound (a2) in the copolymer [A] to 10 to 80% by mass, an interlayer insulating film having excellent solvent resistance and alkali resistance can be formed. Become.

化合物(a2)はラジカル重合性を有するエポキシ基含有不飽和化合物である。ここでのエポキシ基としては、オキシラニル基(1,2−エポキシ構造)、オキセタニル基(1,3−エポキシ構造)を挙げることができる。   The compound (a2) is an epoxy group-containing unsaturated compound having radical polymerizability. Examples of the epoxy group include an oxiranyl group (1,2-epoxy structure) and an oxetanyl group (1,3-epoxy structure).

オキシラニル基を有する不飽和化合物の具体例としては、アクリル酸グリシジル、メタクリル酸グリシジル、α−エチルアクリル酸グリシジル、α−n−プロピルアクリル酸グリシジル、α−n−ブチルアクリル酸グリシジル、アクリル酸−3,4−エポキシブチル、メタクリル酸−3,4−エポキシブチル、アクリル酸−6,7−エポキシヘプチル、メタクリル酸−6,7−エポキシヘプチル、α−エチルアクリル酸−6,7−エポキシヘプチル、o−ビニルベンジルグリシジルエーテル、m−ビニルベンジルグリシジルエーテル、p−ビニルベンジルグリシジルエーテル、3,4−エポキシシクロへキシルメタクリレートなどが挙げられる。これらのオキシラニル基を有するエポキシ基含有不飽和化合物の中でも、メタクリル酸グリシジル、メタクリル酸−6,7−エポキシヘプチル、o−ビニルベンジルグリシジルエーテル、m−ビニルベンジルグリシジルエーテル、p−ビニルベンジルグリシジルエーテル、3,4−エポキシシクロヘキシルメタクリレートなどが、共重合反応性及び樹脂組成物の硬化性の向上の観点から好ましく用いられる。   Specific examples of the unsaturated compound having an oxiranyl group include glycidyl acrylate, glycidyl methacrylate, glycidyl α-ethyl acrylate, glycidyl α-n-propyl acrylate, glycidyl α-n-butyl acrylate, acrylic acid-3. , 4-epoxybutyl, methacrylic acid-3,4-epoxybutyl, acrylic acid-6,7-epoxyheptyl, methacrylic acid-6,7-epoxyheptyl, α-ethylacrylic acid-6,7-epoxyheptyl, o -Vinyl benzyl glycidyl ether, m-vinyl benzyl glycidyl ether, p-vinyl benzyl glycidyl ether, 3, 4- epoxy cyclohexyl methacrylate, etc. are mentioned. Among these epoxy group-containing unsaturated compounds having an oxiranyl group, glycidyl methacrylate, methacrylic acid-6,7-epoxyheptyl, o-vinylbenzyl glycidyl ether, m-vinylbenzyl glycidyl ether, p-vinylbenzyl glycidyl ether, 3,4-epoxycyclohexyl methacrylate and the like are preferably used from the viewpoint of improving the copolymerization reactivity and the curability of the resin composition.

オキセタニル基を有する不飽和化合物の具体例としては、3−(アクリロイルオキシメチル)オキセタン、3−(アクリロイルオキシメチル)−2−メチルオキセタン、3−(アクリロイルオキシメチル)−3−エチルオキセタン、3−(アクリロイルオキシメチル)−2−トリフルオロメチルオキセタン、3−(アクリロイルオキシメチル)−2−ペンタフルオロエチルオキセタン、3−(アクリロイルオキシメチル)−2−フェニルオキセタン、3−(アクリロイルオキシメチル)−2,2−ジフルオロオキセタン、3−(アクリロイルオキシメチル)−2,2,4−トリフルオロオキセタン、3−(アクリロイルオキシメチル)−2,2,4,4−テトラフルオロオキセタン、3−(2−アクリロイルオキシエチル)オキセタン、3−(2−アクリロイルオキシエチル)−2−エチルオキセタン、3−(2−アクリロイルオキシエチル)−3−エチルオキセタン、3−(2−アクリロイルオキシエチル)−2−トリフルオロメチルオキセタン、3−(2−アクリロイルオキシエチル)−2−ペンタフルオロエチルオキセタン、3−(2−アクリロイルオキシエチル)−2−フェニルオキセタン、3−(2−アクリロイルオキシエチル)−2,2−ジフルオロオキセタン、3−(2−アクリロイルオキシエチル)−2,2,4−トリフルオロオキセタン、3−(2−アクリロイルオキシエチル)−2,2,4,4−テトラフルオロオキセタン等のアクリル酸エステル;   Specific examples of the unsaturated compound having an oxetanyl group include 3- (acryloyloxymethyl) oxetane, 3- (acryloyloxymethyl) -2-methyloxetane, 3- (acryloyloxymethyl) -3-ethyloxetane, 3- (Acryloyloxymethyl) -2-trifluoromethyloxetane, 3- (acryloyloxymethyl) -2-pentafluoroethyloxetane, 3- (acryloyloxymethyl) -2-phenyloxetane, 3- (acryloyloxymethyl) -2 , 2-Difluorooxetane, 3- (acryloyloxymethyl) -2,2,4-trifluorooxetane, 3- (acryloyloxymethyl) -2,2,4,4-tetrafluorooxetane, 3- (2-acryloyl) Oxyethyl) oxetane, 3- 2-acryloyloxyethyl) -2-ethyloxetane, 3- (2-acryloyloxyethyl) -3-ethyloxetane, 3- (2-acryloyloxyethyl) -2-trifluoromethyloxetane, 3- (2-acryloyl) Oxyethyl) -2-pentafluoroethyloxetane, 3- (2-acryloyloxyethyl) -2-phenyloxetane, 3- (2-acryloyloxyethyl) -2,2-difluorooxetane, 3- (2-acryloyloxy) Ethyl) -2,2,4-trifluorooxetane, 3- (2-acryloyloxyethyl) -2,2,4,4-tetrafluorooxetane and other acrylic acid esters;

3−(メタクリロイルオキシメチル)オキセタン、3−(メタクリロイルオキシメチル)−2−メチルオキセタン、3−(メタクリロイルオキシメチル)−3−エチルオキセタン、3−(メタクリロイルオキシメチル)−2−トリフルオロメチルオキセタン、3−(メタクリロイルオキシメチル)−2−ペンタフルオロエチルオキセタン、3−(メタクリロイルオキシメチル)−2−フェニルオキセタン、3−(メタクリロイルオキシメチル)−2,2−ジフルオロオキセタン、3−(メタクリロイルオキシメチル)−2,2,4−トリフルオロオキセタン、3−(メタクリロイルオキシメチル)−2,2,4,4−テトラフルオロオキセタン、3−(2−メタクリロイルオキシエチル)オキセタン、3−(2−メタクリロイルオキシエチル)−2−エチルオキセタン、3−(2−メタクリロイルオキシエチル)−3−エチルオキセタン、3−(2−メタクリロイルオキシエチル)−2−トリフルオロメチルオキセタン、3−(2−メタクリロイルオキシエチル)−2−ペンタフルオロエチルオキセタン、3−(2−メタクリロイルオキシエチル)−2−フェニルオキセタン、3−(2−メタクリロイルオキシエチル)−2,2−ジフルオロオキセタン、3−(2−メタクリロイルオキシエチル)−2,2,4−トリフルオロオキセタン、3−(2−メタクリロイルオキシエチル)−2,2,4,4−テトラフルオロオキセタン等のメタクリル酸エステル等を挙げることができる。これらの化合物(a2)は、単独で又は2種類以上を組み合わせて用いられる。   3- (methacryloyloxymethyl) oxetane, 3- (methacryloyloxymethyl) -2-methyloxetane, 3- (methacryloyloxymethyl) -3-ethyloxetane, 3- (methacryloyloxymethyl) -2-trifluoromethyloxetane, 3- (methacryloyloxymethyl) -2-pentafluoroethyloxetane, 3- (methacryloyloxymethyl) -2-phenyloxetane, 3- (methacryloyloxymethyl) -2,2-difluorooxetane, 3- (methacryloyloxymethyl) -2,2,4-trifluorooxetane, 3- (methacryloyloxymethyl) -2,2,4,4-tetrafluorooxetane, 3- (2-methacryloyloxyethyl) oxetane, 3- (2-methacryloyloxyethyl) 2-ethyloxetane, 3- (2-methacryloyloxyethyl) -3-ethyloxetane, 3- (2-methacryloyloxyethyl) -2-trifluoromethyloxetane, 3- (2-methacryloyloxyethyl) -2- Pentafluoroethyloxetane, 3- (2-methacryloyloxyethyl) -2-phenyloxetane, 3- (2-methacryloyloxyethyl) -2,2-difluorooxetane, 3- (2-methacryloyloxyethyl) -2,2 , 4-trifluorooxetane, and methacrylic acid esters such as 3- (2-methacryloyloxyethyl) -2,2,4,4-tetrafluorooxetane. These compounds (a2) are used alone or in combination of two or more.

本発明で用いられる共重合体[A]は、任意成分である化合物(a3)から誘導される構成単位を、化合物(a1)及び(a2)並びに化合物(a3)から誘導される構成単位の合計に基づいて、好ましくは1〜50質量%、特に好ましくは5〜50質量%含有していてもよい。この構成単位の割合を1〜50質量%とすることによって、アルカリ水溶液に対する現像性、及び形成される層間絶縁膜の耐溶剤性が共に優れた感放射線性樹脂組成物を得ることができる。   The copolymer [A] used in the present invention is a total of the structural units derived from the compounds (a1) and (a2) and the compound (a3) derived from the compound (a3) which is an optional component. May be contained, preferably 1 to 50% by mass, particularly preferably 5 to 50% by mass. By setting the proportion of this structural unit to 1 to 50% by mass, it is possible to obtain a radiation sensitive resin composition excellent in both developability with respect to an alkaline aqueous solution and solvent resistance of an interlayer insulating film to be formed.

化合物(a3)は、上記の化合物(a1)及び化合物(a2)以外であって、ラジカル重合性を有する不飽和化合物であれば特に制限されるものではない。化合物(a3)の例としては、メタクリル酸鎖状アルキルエステル、メタクリル酸環状アルキルエステル、水酸基を有するメタクリル酸エステル、アクリル酸環状アルキルエステル、メタクリル酸アリールエステル、アクリル酸アリールエステル、不飽和ジカルボン酸ジエステル、ビシクロ不飽和化合物、マレイミド化合物、不飽和芳香族化合物、共役ジエン、テトラヒドロフラン骨格、フラン骨格、テトラヒドロピラン骨格、ピラン骨格、下記式(4)で表される骨格をもつ不飽和化合物、下記式(5)で表されるフェノール性水酸基含有不飽和化合物、及びその他の不飽和化合物を挙げることができる。   The compound (a3) is not particularly limited as long as it is an unsaturated compound other than the above-mentioned compounds (a1) and (a2) and has radical polymerizability. Examples of the compound (a3) include methacrylic acid chain alkyl ester, methacrylic acid cyclic alkyl ester, methacrylic acid ester having hydroxyl group, acrylic acid cyclic alkyl ester, methacrylic acid aryl ester, acrylic acid aryl ester, unsaturated dicarboxylic acid diester. , Bicyclounsaturated compound, maleimide compound, unsaturated aromatic compound, conjugated diene, tetrahydrofuran skeleton, furan skeleton, tetrahydropyran skeleton, pyran skeleton, unsaturated compound having a skeleton represented by the following formula (4), Examples thereof include phenolic hydroxyl group-containing unsaturated compounds represented by 5) and other unsaturated compounds.

Figure 2011169976
(式(4)中、Rは水素原子又はメチル基であり、mは1以上の整数である。)
Figure 2011169976
(In Formula (4), R 4 is a hydrogen atom or a methyl group, and m is an integer of 1 or more.)

Figure 2011169976
(式(5)中、Rは水素原子又は炭素数1〜4のアルキル基であり、R〜R10は同一もしくは異なり、水素原子、ヒドロキシル基又は炭素数1〜4のアルキル基であり、Bは単結合、−COO−、又は−CONH−であり、pは0〜3の整数である、但し、R〜R10の少なくとも1つはヒドロキシル基である。)
Figure 2011169976
(In the formula (5), R 5 is a hydrogen atom or an alkyl group having 1 to 4 carbon atoms, and R 6 to R 10 are the same or different, and are a hydrogen atom, a hydroxyl group, or an alkyl group having 1 to 4 carbon atoms. , B is a single bond, —COO—, or —CONH—, and p is an integer of 0 to 3, provided that at least one of R 6 to R 10 is a hydroxyl group.

化合物(a3)の具体例としては、
メタクリル酸鎖状アルキルエステルとして、メチルメタクリレート、エチルメタクリレート、n−ブチルメタクリレート、sec−ブチルメタクリレート、t−ブチルメタクリレート、2−エチルヘキシルメタクリレート、イソデシルメタクリレート、n−ラウリルメタクリレート、トリデシルメタクリレート、n−ステアリルメタクリレートなど;
メタクリル酸環状アルキルエステルとして、シクロヘキシルメタクリレート、2−メチルシクロヘキシルメタクリレート、トリシクロ[5.2.1.02,6]デカン−8−イルメタクリレート、トリシクロ[5.2.1.02,6]デカン−8−イルオキシエチルメタクリレート、イソボロニルメタクリレートなど;
水酸基を有するメタクリル酸エステルとして、ヒドロキシメチルメタクリレート、2−ヒドロキシエチルメタクリレート、3−ヒドロキシプロピルメタクリレート、4−ヒドロキシブチルメタクリレート、ジエチレングリコールモノメタクリレート、2,3−ジヒドロキシプロピルメタクリレート、2−メタクリロキシエチルグリコサイド、4−ヒドロキシフェニルメタクリレートなど;
アクリル酸環状アルキルエステルとして、シクロヘキシルアクリレート、2−メチルシクロヘキシルアクリレート、トリシクロ[5.2.1.02,6]デカン−8−イルアクリレート、トリシクロ[5.2.1.02,6]デカン−8−イルオキシエチルアクリレート、イソボロニルアクリレートなど;
メタクリル酸アリールエステルとして、フェニルメタクリレート、ベンジルメタクリレートなど;
Specific examples of the compound (a3) include
As methacrylic acid chain alkyl ester, methyl methacrylate, ethyl methacrylate, n-butyl methacrylate, sec-butyl methacrylate, t-butyl methacrylate, 2-ethylhexyl methacrylate, isodecyl methacrylate, n-lauryl methacrylate, tridecyl methacrylate, n-stearyl Methacrylate etc .;
As cyclic alkyl esters of methacrylic acid, cyclohexyl methacrylate, 2-methylcyclohexyl methacrylate, tricyclo [5.2.1.0 2,6 ] decan-8-yl methacrylate, tricyclo [5.2.1.0 2,6 ] decane. -8-yloxyethyl methacrylate, isobornyl methacrylate, etc .;
As a methacrylic acid ester having a hydroxyl group, hydroxymethyl methacrylate, 2-hydroxyethyl methacrylate, 3-hydroxypropyl methacrylate, 4-hydroxybutyl methacrylate, diethylene glycol monomethacrylate, 2,3-dihydroxypropyl methacrylate, 2-methacryloxyethylglycoside, 4-hydroxyphenyl methacrylate and the like;
As cyclic alkyl ester of acrylic acid, cyclohexyl acrylate, 2-methylcyclohexyl acrylate, tricyclo [5.2.1.0 2,6 ] decan-8-yl acrylate, tricyclo [5.2.1.0 2,6 ] decane -8-yloxyethyl acrylate, isobornyl acrylate and the like;
Methacrylic acid aryl esters such as phenyl methacrylate and benzyl methacrylate;

アクリル酸アリールエステルとして、フェニルアクリレート、ベンジルアクリレートなど;
不飽和ジカルボン酸ジエステルとして、マレイン酸ジエチル、フマル酸ジエチル、イタコン酸ジエチルなど;
ビシクロ不飽和化合物として、ビシクロ[2.2.1]ヘプト−2−エン、5−メチルビシクロ[2.2.1]ヘプト−2−エン、5−エチルビシクロ[2.2.1]ヘプト−2−エン、5−メトキシビシクロ[2.2.1]ヘプト−2−エン、5−エトキシビシクロ[2.2.1]ヘプト−2−エン、5,6−ジメトキシビシクロ[2.2.1]ヘプト−2−エン、5,6−ジエトキシビシクロ[2.2.1]ヘプト−2−エン、5−t−ブトキシカルボニルビシクロ[2.2.1]ヘプト−2−エン、5−シクロヘキシルオキシカルボニルビシクロ[2.2.1]ヘプト−2−エン、5−フェノキシカルボニルビシクロ[2.2.1]ヘプト−2−エン、5,6−ジ(t−ブトキシカルボニル)ビシクロ[2.2.1]ヘプト−2−エン、5,6−ジ(シクロヘキシルオキシカルボニル)ビシクロ[2.2.1]ヘプト−2−エン、5−(2’−ヒドロキシエチル)ビシクロ[2.2.1]ヘプト−2−エン、5,6−ジヒドロキシビシクロ[2.2.1]ヘプト−2−エン、5,6−ジ(ヒドロキシメチル)ビシクロ[2.2.1]ヘプト−2−エン、5,6−ジ(2’−ヒドロキシエチル)ビシクロ[2.2.1]ヘプト−2−エン、5−ヒドロキシ−5−メチルビシクロ[2.2.1]ヘプト−2−エン、5−ヒドロキシ−5−エチルビシクロ[2.2.1]ヘプト−2−エン、5−ヒドロキシメチル−5−メチルビシクロ[2.2.1]ヘプト−2−エンなど;
As acrylic acid aryl ester, phenyl acrylate, benzyl acrylate, etc .;
As unsaturated dicarboxylic acid diesters, diethyl maleate, diethyl fumarate, diethyl itaconate, etc .;
Bicyclo [2.2.1] hept-2-ene, 5-methylbicyclo [2.2.1] hept-2-ene, 5-ethylbicyclo [2.2.1] hept- as bicyclo unsaturated compounds 2-ene, 5-methoxybicyclo [2.2.1] hept-2-ene, 5-ethoxybicyclo [2.2.1] hept-2-ene, 5,6-dimethoxybicyclo [2.2.1] ] Hept-2-ene, 5,6-diethoxybicyclo [2.2.1] hept-2-ene, 5-t-butoxycarbonylbicyclo [2.2.1] hept-2-ene, 5-cyclohexyl Oxycarbonylbicyclo [2.2.1] hept-2-ene, 5-phenoxycarbonylbicyclo [2.2.1] hept-2-ene, 5,6-di (t-butoxycarbonyl) bicyclo [2.2 .1] Hept-2-ene 5,6-di (cyclohexyloxycarbonyl) bicyclo [2.2.1] hept-2-ene, 5- (2′-hydroxyethyl) bicyclo [2.2.1] hept-2-ene, 5,6 -Dihydroxybicyclo [2.2.1] hept-2-ene, 5,6-di (hydroxymethyl) bicyclo [2.2.1] hept-2-ene, 5,6-di (2'-hydroxyethyl) ) Bicyclo [2.2.1] hept-2-ene, 5-hydroxy-5-methylbicyclo [2.2.1] hept-2-ene, 5-hydroxy-5-ethylbicyclo [2.2.1] ] Hept-2-ene, 5-hydroxymethyl-5-methylbicyclo [2.2.1] hept-2-ene and the like;

マレイミド化合物として、N−フェニルマレイミド、N−シクロヘキシルマレイミド、N−ベンジルマレイミド、N−(4−ヒドロキシフェニル)マレイミド、N−(4−ヒドロキシベンジル)マレイミド、N−スクシンイミジル−3−マレイミドベンゾエート、N−スクシンイミジル−4−マレイミドブチレート、N−スクシンイミジル−6−マレイミドカプロエート、N−スクシンイミジル−3−マレイミドプロピオネート、N−(9−アクリジニル)マレイミドなど;
不飽和芳香族化合物として、スチレン、α−メチルスチレン、m−メチルスチレン、p−メチルスチレン、ビニルトルエン、p−メトキシスチレンなど;
共役ジエンとして、1,3−ブタジエン、イソプレン、2,3−ジメチル−1,3−ブタジエンなど;
テトラヒドロフラン骨格を含有する不飽和化合物として、テトラヒドロフルフリル(メタ)アクリレート、2−メタクリロイルオキシ−プロピオン酸テトラヒドロフルフリルエステル、3−(メタ)アクリロイルオキシテトラヒドロフラン−2−オンなど;
フラン骨格を含有する不飽和化合物として、2−メチル−5−(3−フリル)−1−ペンテン−3−オン、フルフリル(メタ)アクリレート、1−フラン−2−ブチル−3−エン−2−オン、1−フラン−2−ブチル−3−メトキシ−3−エン−2−オン、6−(2−フリル)−2−メチル−1−ヘキセン−3−オン、6−フラン−2−イル−ヘキシ−1−エン−3−オン、アクリル酸−2−フラン−2−イル−1−メチル−エチルエステル、6−(2−フリル)−6−メチル−1−ヘプテン−3−オンなど;
As maleimide compounds, N-phenylmaleimide, N-cyclohexylmaleimide, N-benzylmaleimide, N- (4-hydroxyphenyl) maleimide, N- (4-hydroxybenzyl) maleimide, N-succinimidyl-3-maleimidobenzoate, N- Succinimidyl-4-maleimidobutyrate, N-succinimidyl-6-maleimidocaproate, N-succinimidyl-3-maleimidopropionate, N- (9-acridinyl) maleimide and the like;
Examples of unsaturated aromatic compounds include styrene, α-methylstyrene, m-methylstyrene, p-methylstyrene, vinyltoluene, p-methoxystyrene, and the like;
As conjugated dienes, 1,3-butadiene, isoprene, 2,3-dimethyl-1,3-butadiene and the like;
Examples of unsaturated compounds containing a tetrahydrofuran skeleton include tetrahydrofurfuryl (meth) acrylate, 2-methacryloyloxy-propionic acid tetrahydrofurfuryl ester, 3- (meth) acryloyloxytetrahydrofuran-2-one, and the like;
As unsaturated compounds containing a furan skeleton, 2-methyl-5- (3-furyl) -1-penten-3-one, furfuryl (meth) acrylate, 1-furan-2-butyl-3-en-2- ON, 1-furan-2-butyl-3-methoxy-3-en-2-one, 6- (2-furyl) -2-methyl-1-hexen-3-one, 6-furan-2-yl- Hex-1-en-3-one, acrylic acid-2-furan-2-yl-1-methyl-ethyl ester, 6- (2-furyl) -6-methyl-1-hepten-3-one, and the like;

テトラヒドロピラン骨格を含有する不飽和化合物として、(テトラヒドロピラン−2−イル)メチルメタクリレート、2,6−ジメチル−8−(テトラヒドロピラン−2−イルオキシ)−オクト−1−エン−3−オン、2−メタクリル酸テトラヒドロピラン−2−イルエステル、1−(テトラヒドロピラン−2−オキシ)−ブチル−3−エン−2−オンなど;
ピラン骨格を含有する不飽和化合物として、4−(1,4−ジオキサ−5−オキソ−6−ヘプテニル)−6−メチル−2−ピラン、4−(1,5−ジオキサ−6−オキソ−7−オクテニル)−6−メチル−2−ピランなど;
上記式(4)で表される骨格を含有する不飽和化合物として、ポリエチレングリコール(n=2〜10)モノ(メタ)アクリレート、ポリプロピレングリコール(n=2〜10)モノ(メタ)アクリレートなどが挙げられる。
Unsaturated compounds containing a tetrahydropyran skeleton include (tetrahydropyran-2-yl) methyl methacrylate, 2,6-dimethyl-8- (tetrahydropyran-2-yloxy) -oct-1-en-3-one, 2 -Methacrylic acid tetrahydropyran-2-yl ester, 1- (tetrahydropyran-2-oxy) -butyl-3-en-2-one, etc .;
As an unsaturated compound containing a pyran skeleton, 4- (1,4-dioxa-5-oxo-6-heptenyl) -6-methyl-2-pyran, 4- (1,5-dioxa-6-oxo-7) -Octenyl) -6-methyl-2-pyran and the like;
Examples of the unsaturated compound containing a skeleton represented by the above formula (4) include polyethylene glycol (n = 2 to 10) mono (meth) acrylate, polypropylene glycol (n = 2 to 10) mono (meth) acrylate, and the like. It is done.

また、上記式(5)で表わされるフェノール性水酸基含有不飽和化合物として、Bとmの定義により下記式(6)〜(10)で表わされる化合物などが挙げられる。   Examples of the phenolic hydroxyl group-containing unsaturated compound represented by the above formula (5) include compounds represented by the following formulas (6) to (10) according to the definitions of B and m.

Figure 2011169976
(式(6)中、qは1から3の整数であり、R、R、R、R、R及びR10の定義は上記式(5)における定義と同じである。)
Figure 2011169976
(In formula (6), q is an integer of 1 to 3, and the definitions of R 5 , R 6 , R 7 , R 8 , R 9 and R 10 are the same as those in formula (5) above.)

Figure 2011169976
(式(7)中、R、R、R、R、R及びR10の定義は上記式(5)における定義と同じである。)
Figure 2011169976
(In formula (7), the definitions of R 5 , R 6 , R 7 , R 8 , R 9 and R 10 are the same as those in formula (5) above.)

Figure 2011169976
(式(8)中、rは1から3の整数であり、R、R、R、R、R及びR10の定義は上記式(5)における定義と同じである。)
Figure 2011169976
(In the formula (8), r is an integer of 1 to 3, and the definitions of R 5 , R 6 , R 7 , R 8 , R 9 and R 10 are the same as those in the above formula (5).)

Figure 2011169976
(式(9)中、R、R、R、R、R及びR10の定義は上記式(5)における定義と同じである。)
Figure 2011169976
(In formula (9), the definitions of R 5 , R 6 , R 7 , R 8 , R 9 and R 10 are the same as those in formula (5) above.)

Figure 2011169976
(式(10)中、R、R、R、R、R及びR10の定義は上記式(5)における定義と同じである。)
Figure 2011169976
(In formula (10), the definitions of R 5 , R 6 , R 7 , R 8 , R 9 and R 10 are the same as those in formula (5) above.)

その他の不飽和化合物の例としては、アクリロニトリル、メタクリロニトリル、塩化ビニル、塩化ビニリデン、アクリルアミド、メタクリルアミド、酢酸ビニルをそれぞれ挙げることができる。   Examples of other unsaturated compounds include acrylonitrile, methacrylonitrile, vinyl chloride, vinylidene chloride, acrylamide, methacrylamide, and vinyl acetate.

これらの化合物(a3)の例の中でも、メタクリル酸鎖状アルキルエステル、メタクリル酸環状アルキルエステル、マレイミド化合物、テトラヒドロフラン骨格、フラン骨格、テトラヒドロピラン骨格、ピラン骨格、上記式(4)で表される骨格を有する不飽和化合物、上記式(5)で表されるフェノール性水酸基含有不飽和化合物、不飽和芳香族化合物、アクリル酸環状アルキルエステルが好ましく用いられる。これらの中でも特に、スチレン、t−ブチルメタクリレート、n−ラウリルメタクリレート、トリシクロ[5.2.1.02,6]デカン−8−イルメタクリレート、p−メトキシスチレン、2−メチルシクロヘキシルアクリレート、N−フェニルマレイミド、N−シクロヘキシルマレイミド、テトラヒドロフルフリル(メタ)アクリレート、ポリエチレングリコール(n=2〜10)モノ(メタ)アクリレート、3−(メタ)アクリロイルオキシテトラヒドロフラン−2−オン、4−ヒドロキシベンジル(メタ)アクリレート、4−ヒドロキシフェニル(メタ)アクリレート、o−ヒドロキシスチレン、p−ヒドロキシスチレン、α−メチル−p−ヒドロキシスチレンが、共重合反応性及びアルカリ水溶液に対する溶解性の点から好ましい。これらの化合物(a3)は、単独で又は2種類以上を組み合わせて用いられる。 Among examples of these compounds (a3), methacrylic acid chain alkyl ester, methacrylic acid cyclic alkyl ester, maleimide compound, tetrahydrofuran skeleton, furan skeleton, tetrahydropyran skeleton, pyran skeleton, skeleton represented by the above formula (4) An unsaturated compound having a phenol, a phenolic hydroxyl group-containing unsaturated compound represented by the above formula (5), an unsaturated aromatic compound, and a cyclic alkyl ester of acrylic acid are preferably used. Among these, styrene, t-butyl methacrylate, n-lauryl methacrylate, tricyclo [5.2.1.0 2,6 ] decan-8-yl methacrylate, p-methoxystyrene, 2-methylcyclohexyl acrylate, N- Phenylmaleimide, N-cyclohexylmaleimide, tetrahydrofurfuryl (meth) acrylate, polyethylene glycol (n = 2 to 10) mono (meth) acrylate, 3- (meth) acryloyloxytetrahydrofuran-2-one, 4-hydroxybenzyl (meth) ) Acrylate, 4-hydroxyphenyl (meth) acrylate, o-hydroxystyrene, p-hydroxystyrene, α-methyl-p-hydroxystyrene are preferable from the viewpoint of copolymerization reactivity and solubility in an aqueous alkali solution. . These compounds (a3) are used individually or in combination of 2 or more types.

共重合体[A]の各構成成分の好ましい具体例としては、メタクリル酸/トリシクロ[5.2.1.02,6]デカン−8−イルメタクリレート/2−メチルシクロヘキシルアクリレート/メタクリル酸グリシジル/N−(3,5−ジメチル−4−ヒドロキシベンジル)メタクリルアミド、メタクリル酸/テトラヒドロフルフリルメタクリレート/メタクリル酸グリシジル/N−シクロヘキシルマレイミド/n−ラウリルメタクリレート/α−メチル−p−ヒドロキシスチレン、スチレン/メタクリル酸/メタクリル酸グリシジル/(3−エチルオキセタン−3−イル)メタクリレート/トリシクロ[5.2.1.02,6]デカン−8−イルメタクリレート、メタクリル酸/トリシクロ[5.2.1.02,6]デカン−8−イルメタクリレート/2−メチルシクロヘキシルアクリレート/メタクリル酸グリシジル/スチレンが挙げられる。 Preferable specific examples of each component of the copolymer [A] include methacrylic acid / tricyclo [5.2.1.0 2,6 ] decan-8-yl methacrylate / 2-methylcyclohexyl acrylate / glycidyl methacrylate / N- (3,5-dimethyl-4-hydroxybenzyl) methacrylamide, methacrylic acid / tetrahydrofurfuryl methacrylate / glycidyl methacrylate / N-cyclohexylmaleimide / n-lauryl methacrylate / α-methyl-p-hydroxystyrene, styrene / Methacrylic acid / Glycidyl methacrylate / (3-Ethyloxetane-3-yl) methacrylate / Tricyclo [5.2.1.0 2,6 ] decan-8-yl methacrylate, Methacrylic acid / Tricyclo [5.2.1. 0 2,6] decane-8-Irumeta Relate / 2-methylcyclohexyl acrylate / glycidyl methacrylate / styrene.

共重合体[A]のGPC(ゲルパーミエーションクロマトグラフィー)によるポリスチレン換算重量平均分子量(以下、「Mw」という。)は、好ましくは2×10〜1×10、より好ましくは5×10〜5×10である。共重合体[A]のMwを2×10〜1×10とすることによって、感放射線性樹脂組成物の放射線感度及び現像性(所望のパターン形状を正確に形成する特性)を高めることができる。 The polystyrene-converted weight average molecular weight (hereinafter referred to as “Mw”) by GPC (gel permeation chromatography) of the copolymer [A] is preferably 2 × 10 3 to 1 × 10 5 , more preferably 5 × 10. 3 to 5 × 10 4 . Increasing the radiation sensitivity and developability (characteristic for accurately forming a desired pattern shape) of the radiation-sensitive resin composition by setting the Mw of the copolymer [A] to 2 × 10 3 to 1 × 10 5 Can do.

また、共重合体[A]の分子量分布「Mw/Mn」(ここで「Mn」は、ゲルパーミエーションクロマトグラフィーにより測定した共重合体[A]のポリスチレン換算数平均分子量である。)は、好ましくは5.0以下、より好ましくは3.0以下である。共重合体[A]のMw/Mnを5.0以下とすることによって、得られる層間絶縁膜の現像性を高めることができる。共重合体[A]を含む感放射線性樹脂組成物は、現像する際に現像残りを生じることなく容易に所望のパターン形状を形成することができる。   Further, the molecular weight distribution “Mw / Mn” of the copolymer [A] (where “Mn” is the polystyrene-equivalent number average molecular weight of the copolymer [A] measured by gel permeation chromatography). Preferably it is 5.0 or less, More preferably, it is 3.0 or less. By making Mw / Mn of the copolymer [A] 5.0 or less, the developability of the obtained interlayer insulating film can be improved. The radiation-sensitive resin composition containing the copolymer [A] can easily form a desired pattern shape without causing development residue during development.

共重合体[A]を製造するための重合反応に用いられる溶媒としては、例えばアルコール類、エーテル類、グリコールエーテル、エチレングリコールアルキルエーテルアセテート、ジエチレングリコールアルキルエーテル、プロピレングリコールモノアルキルエーテル、プロピレングリコールモノアルキルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノアルキルエーテルプロピオネート、芳香族炭化水素類、ケトン類、他のエステル類などを挙げることができる。   Examples of the solvent used in the polymerization reaction for producing the copolymer [A] include alcohols, ethers, glycol ethers, ethylene glycol alkyl ether acetates, diethylene glycol alkyl ethers, propylene glycol monoalkyl ethers, and propylene glycol monoalkyls. Examples include ether acetate, propylene glycol monoalkyl ether propionate, aromatic hydrocarbons, ketones, and other esters.

これらの溶媒としては、
アルコール類として、例えばメタノール、エタノール、ベンジルアルコール、2−フェニルエチルアルコール、3−フェニル−1−プロパノールなど;
エーテル類として、例えばテトラヒドロフランなど;
グリコールエーテルとして、例えばエチレングリコールモノメチルエーテル、エチレングリコールモノエチルエーテルなど;
エチレングリコールアルキルエーテルアセテートとして、例えばメチルセロソルブアセテート、エチルセロソルブアセテート、エチレングリコールモノブチルエーテルアセテート、エチレングリコールモノエチルエーテルアセテートなど;
ジエチレングリコールアルキルエーテルとして、例えばジエチレングリコールモノメチルエーテル、ジエチレングリコールモノエチルエーテル、ジエチレングリコールジメチルエーテル、ジエチレングリコールジエチルエーテル、ジエチレングリコールエチルメチルエーテルなど;
プロピレングリコールモノアルキルエーテルとして、例えばプロピレングリコールモノメチルエーテル、プロピレングリコールモノエチルエーテル、プロピレングリコールモノプロピルエーテル、プロピレングリコールモノブチルエーテルなど;
These solvents include
Examples of alcohols include methanol, ethanol, benzyl alcohol, 2-phenylethyl alcohol, and 3-phenyl-1-propanol;
Ethers such as tetrahydrofuran;
Examples of glycol ethers include ethylene glycol monomethyl ether and ethylene glycol monoethyl ether;
Examples of ethylene glycol alkyl ether acetate include methyl cellosolve acetate, ethyl cellosolve acetate, ethylene glycol monobutyl ether acetate, and ethylene glycol monoethyl ether acetate;
Examples of the diethylene glycol alkyl ether include diethylene glycol monomethyl ether, diethylene glycol monoethyl ether, diethylene glycol dimethyl ether, diethylene glycol diethyl ether, diethylene glycol ethyl methyl ether and the like;
Examples of propylene glycol monoalkyl ethers include propylene glycol monomethyl ether, propylene glycol monoethyl ether, propylene glycol monopropyl ether, propylene glycol monobutyl ether;

プロピレングリコールモノアルキルエーテルアセテートとして、例えばプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノエチルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノプロピルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノブチルエーテルアセテートなど;
プロピレングリコールモノアルキルエーテルプロピオネートとして、例えばプロピレンモノグリコールメチルエーテルプロピオネート、プロピレングリコールモノエチルエーテルプロピオネート、プロピレングリコールモノプロピルエーテルプロピオネート、プロピレングリコールモノブチルエーテルプロピオネートなど;
芳香族炭化水素類として、例えばトルエン、キシレンなど;
ケトン類として、例えばメチルエチルケトン、シクロヘキサノン、4−ヒドロキシ−4−メチル−2−ペンタノンなど;
As propylene glycol monoalkyl ether acetate, for example, propylene glycol monomethyl ether acetate, propylene glycol monoethyl ether acetate, propylene glycol monopropyl ether acetate, propylene glycol monobutyl ether acetate and the like;
As propylene glycol monoalkyl ether propionate, for example, propylene monoglycol methyl ether propionate, propylene glycol monoethyl ether propionate, propylene glycol monopropyl ether propionate, propylene glycol monobutyl ether propionate, etc .;
Examples of aromatic hydrocarbons include toluene and xylene;
Examples of ketones include methyl ethyl ketone, cyclohexanone, 4-hydroxy-4-methyl-2-pentanone, etc .;

他のエステル類として、例えば酢酸メチル、酢酸エチル、酢酸プロピル、酢酸ブチル、2−ヒドロキシプロピオン酸エチル、2−ヒドロキシ−2−メチルプロピオン酸メチル、2−ヒドロキシ−2−メチルプロピオン酸エチル、ヒドロキシ酢酸メチル、ヒドロキシ酢酸エチル、ヒドロキシ酢酸ブチル、乳酸メチル、乳酸エチル、乳酸プロピル、乳酸ブチル、3−ヒドロキシプロピオン酸メチル、3−ヒドロキシプロピオン酸エチル、3−ヒドロキシプロピオン酸プロピル、3−ヒドロキシプロピオン酸ブチル、2−ヒドロキシ−3−メチルブタン酸メチル、メトキシ酢酸メチル、メトキシ酢酸エチル、メトキシ酢酸プロピル、メトキシ酢酸ブチル、エトキシ酢酸メチル、エトキシ酢酸エチル、エトキシ酢酸プロピル、エトキシ酢酸ブチル、プロポキシ酢酸メチル、プロポキシ酢酸エチル、プロポキシ酢酸プロピル、プロポキシ酢酸ブチル、ブトキシ酢酸メチル、ブトキシ酢酸エチル、ブトキシ酢酸プロピル、ブトキシ酢酸ブチル、2−メトキシプロピオン酸メチル、2−メトキシプロピオン酸エチル、2−メトキシプロピオン酸プロピル、2−メトキシプロピオン酸ブチル、2−エトキシプロピオン酸メチル、2−エトキシプロピオン酸エチル、2−エトキシプロピオン酸プロピル、2−エトキシプロピオン酸ブチル、2−ブトキシプロピオン酸メチル、2−ブトキシプロピオン酸エチル、2−ブトキシプロピオン酸プロピル、2−ブトキシプロピオン酸ブチル、3−メトキシプロピオン酸メチル、3−メトキシプロピオン酸エチル、3−メトキシプロピオン酸プロピル、3−メトキシプロピオン酸ブチル、3−エトキシプロピオン酸メチル、3−エトキシプロピオン酸エチル、3−エトキシプロピオン酸プロピル、3−エトキシプロピオン酸ブチル、3−プロポキシプロピオン酸メチル、3−プロポキシプロピオン酸エチル、3−プロポキシプロピオン酸プロピル、3−プロポキシプロピオン酸ブチル、3−ブトキシプロピオン酸メチル、3−ブトキシプロピオン酸エチル、3−ブトキシプロピオン酸プロピル、3−ブトキシプロピオン酸ブチルなどのエステル類をそれぞれ挙げることができる。   Examples of other esters include methyl acetate, ethyl acetate, propyl acetate, butyl acetate, ethyl 2-hydroxypropionate, methyl 2-hydroxy-2-methylpropionate, ethyl 2-hydroxy-2-methylpropionate, hydroxyacetic acid Methyl, ethyl hydroxyacetate, butyl hydroxyacetate, methyl lactate, ethyl lactate, propyl lactate, butyl lactate, methyl 3-hydroxypropionate, ethyl 3-hydroxypropionate, propyl 3-hydroxypropionate, butyl 3-hydroxypropionate, Methyl 2-hydroxy-3-methylbutanoate, methyl methoxyacetate, ethyl methoxyacetate, propyl methoxyacetate, butyl methoxyacetate, methyl ethoxyacetate, ethyl ethoxyacetate, propyl ethoxyacetate, butyl ethoxyacetate, Methyl poxyacetate, ethyl propoxyacetate, propylpropoxyacetate, butyl propoxyacetate, methyl butoxyacetate, ethyl butoxyacetate, propylbutoxyacetate, butylbutoxyacetate, methyl 2-methoxypropionate, ethyl 2-methoxypropionate, 2-methoxypropionate Propyl acid, butyl 2-methoxypropionate, methyl 2-ethoxypropionate, ethyl 2-ethoxypropionate, propyl 2-ethoxypropionate, butyl 2-ethoxypropionate, methyl 2-butoxypropionate, 2-butoxypropionic acid Ethyl, propyl 2-butoxypropionate, butyl 2-butoxypropionate, methyl 3-methoxypropionate, ethyl 3-methoxypropionate, propyl 3-methoxypropionate, 3-metho Butyl cypropionate, methyl 3-ethoxypropionate, ethyl 3-ethoxypropionate, propyl 3-ethoxypropionate, butyl 3-ethoxypropionate, methyl 3-propoxypropionate, ethyl 3-propoxypropionate, 3-propoxy Examples thereof include propyl propionate, butyl 3-propoxypropionate, methyl 3-butoxypropionate, ethyl 3-butoxypropionate, propyl 3-butoxypropionate, and butyl 3-butoxypropionate.

これらの溶媒のうち、エチレングリコールアルキルエーテルアセテート、ジエチレングリコールアルキルエーテル、プロピレングリコールモノアルキルエーテル、プロピレングリコールアルキルエーテルアセテートが好ましく、特に、ジエチレングリコールジメチルエーテル、ジエチレングリコールエチルメチルエーテル、プロピレングリコールモノメチルエーテル、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテートが好ましい。   Among these solvents, ethylene glycol alkyl ether acetate, diethylene glycol alkyl ether, propylene glycol monoalkyl ether, and propylene glycol alkyl ether acetate are preferable, and in particular, diethylene glycol dimethyl ether, diethylene glycol ethyl methyl ether, propylene glycol monomethyl ether, and propylene glycol monomethyl ether acetate. Is preferred.

共重合体[A]を製造するための重合反応に用いられる重合開始剤としては、一般的にラジカル重合開始剤として知られているものが使用できる。ラジカル重合開始剤としては、例えば
2,2’−アゾビスイソブチロニトリル、2,2’−アゾビス−(2,4−ジメチルバレロニトリル)、2,2’−アゾビス−(4−メトキシ−2,4−ジメチルバレロニトリル)などのアゾ化合物;
ベンゾイルペルオキシド、ラウロイルペルオキシド、t−ブチルペルオキシピバレート、1,1’−ビス−(t−ブチルペルオキシ)シクロヘキサンなどの有機過酸化物;及び
過酸化水素が挙げられる。
ラジカル重合開始剤として過酸化物を用いる場合には、過酸化物を還元剤とともに用いてレドックス型開始剤としてもよい。
As the polymerization initiator used in the polymerization reaction for producing the copolymer [A], those generally known as radical polymerization initiators can be used. Examples of the radical polymerization initiator include 2,2′-azobisisobutyronitrile, 2,2′-azobis- (2,4-dimethylvaleronitrile), 2,2′-azobis- (4-methoxy-2). , 4-dimethylvaleronitrile) and other azo compounds;
And organic peroxides such as benzoyl peroxide, lauroyl peroxide, t-butylperoxypivalate, 1,1′-bis- (t-butylperoxy) cyclohexane; and hydrogen peroxide.
When a peroxide is used as the radical polymerization initiator, the peroxide may be used together with a reducing agent to form a redox initiator.

共重合体[A]を製造するための重合反応においては、分子量を調整するために、分子量調整剤を使用することができる。分子量調整剤の具体例としては、
クロロホルム、四臭化炭素等のハロゲン化炭化水素類;
n−ヘキシルメルカプタン、n−オクチルメルカプタン、n−ドデシルメルカプタン、t−ドデシルメルカプタン、チオグリコール酸等のメルカプタン類;
ジメチルキサントゲンスルフィド、ジイソプロピルキサントゲンジスルフィド等のキサントゲン類;
ターピノーレン、α−メチルスチレンダイマー等が挙げられる。
In the polymerization reaction for producing the copolymer [A], a molecular weight modifier can be used to adjust the molecular weight. Specific examples of molecular weight regulators include
Halogenated hydrocarbons such as chloroform and carbon tetrabromide;
mercaptans such as n-hexyl mercaptan, n-octyl mercaptan, n-dodecyl mercaptan, t-dodecyl mercaptan, thioglycolic acid;
Xanthogens such as dimethylxanthogen sulfide and diisopropylxanthogen disulfide;
Examples include terpinolene and α-methylstyrene dimer.

[B]成分
本発明の感放射線性樹脂組成物に用いられる[B]成分は、放射線の照射によりカルボン酸を発生する1,2−キノンジアジド化合物である。1,2−キノンジアジド化合物として、フェノール性化合物又はアルコール性化合物(以下、「母核」という。)と1,2−ナフトキノンジアジドスルホン酸ハライドとの縮合物を用いることができる。
[B] Component [B] component used for the radiation sensitive resin composition of this invention is a 1, 2- quinonediazide compound which generate | occur | produces carboxylic acid by irradiation of a radiation. As the 1,2-quinonediazide compound, a condensate of a phenolic compound or an alcoholic compound (hereinafter referred to as “mother nucleus”) and 1,2-naphthoquinonediazidesulfonic acid halide can be used.

上記母核としては、例えばトリヒドロキシベンゾフェノン、テトラヒドロキシベンゾフェノン、ペンタヒドロキシベンゾフェノン、ヘキサヒドロキシベンゾフェノン、(ポリヒドロキシフェニル)アルカン、その他の母核を挙げることができる。   Examples of the mother nucleus include trihydroxybenzophenone, tetrahydroxybenzophenone, pentahydroxybenzophenone, hexahydroxybenzophenone, (polyhydroxyphenyl) alkane, and other mother nuclei.

これらの母核としては、
トリヒドロキシベンゾフェノンとして、例えば2,3,4−トリヒドロキシベンゾフェノン、2,4,6−トリヒドロキシベンゾフェノン等;
テトラヒドロキシベンゾフェノンとして、例えば2,2’,4,4’−テトラヒドロキシベンゾフェノン、2,3,4,3’−テトラヒドロキシベンゾフェノン、2,3,4,4’−テトラヒドロキシベンゾフェノン、2,3,4,2’−テトラヒドロキシ−4’−メチルベンゾフェノン、2,3,4,4’−テトラヒドロキシ−3’−メトキシベンゾフェノン等;
ペンタヒドロキシベンゾフェノンとして、例えば2,3,4,2’,6’−ペンタヒドロキシベンゾフェノン等;
ヘキサヒドロキシベンゾフェノンとして、例えば2,4,6,3’,4’,5’−ヘキサヒドロキシベンゾフェノン、3,4,5,3’,4’,5’−ヘキサヒドロキシベンゾフェノン等;
As these mother cores,
Examples of trihydroxybenzophenone include 2,3,4-trihydroxybenzophenone and 2,4,6-trihydroxybenzophenone;
Examples of tetrahydroxybenzophenone include 2,2 ′, 4,4′-tetrahydroxybenzophenone, 2,3,4,3′-tetrahydroxybenzophenone, 2,3,4,4′-tetrahydroxybenzophenone, 2,3, 4,2′-tetrahydroxy-4′-methylbenzophenone, 2,3,4,4′-tetrahydroxy-3′-methoxybenzophenone, etc .;
Examples of pentahydroxybenzophenone include 2,3,4,2 ′, 6′-pentahydroxybenzophenone and the like;
Examples of hexahydroxybenzophenone include 2,4,6,3 ′, 4 ′, 5′-hexahydroxybenzophenone, 3,4,5,3 ′, 4 ′, 5′-hexahydroxybenzophenone and the like;

(ポリヒドロキシフェニル)アルカンとして、例えばビス(2,4−ジヒドロキシフェニル)メタン、ビス(p−ヒドロキシフェニル)メタン、トリス(p−ヒドロキシフェニル)メタン、1,1,1−トリス(p−ヒドロキシフェニル)エタン、ビス(2,3,4−トリヒドロキシフェニル)メタン、2,2−ビス(2,3,4−トリヒドロキシフェニル)プロパン、1,1,3−トリス(2,5−ジメチル−4−ヒドロキシフェニル)−3−フェニルプロパン、4,4’−〔1−〔4−〔1−〔4−ヒドロキシフェニル〕−1−メチルエチル〕フェニル〕エチリデン〕ビスフェノール、ビス(2,5−ジメチル−4−ヒドロキシフェニル)−2−ヒドロキシフェニルメタン、3,3,3’,3’−テトラメチル−1,1’−スピロビインデン−5,6,7,5’,6’,7’−ヘキサノール、2,2,4−トリメチル−7,2’,4’−トリヒドロキシフラバン等;   Examples of (polyhydroxyphenyl) alkanes include bis (2,4-dihydroxyphenyl) methane, bis (p-hydroxyphenyl) methane, tris (p-hydroxyphenyl) methane, 1,1,1-tris (p-hydroxyphenyl). ) Ethane, bis (2,3,4-trihydroxyphenyl) methane, 2,2-bis (2,3,4-trihydroxyphenyl) propane, 1,1,3-tris (2,5-dimethyl-4) -Hydroxyphenyl) -3-phenylpropane, 4,4 '-[1- [4- [1- [4-hydroxyphenyl] -1-methylethyl] phenyl] ethylidene] bisphenol, bis (2,5-dimethyl- 4-hydroxyphenyl) -2-hydroxyphenylmethane, 3,3,3 ′, 3′-tetramethyl-1,1′-spirobiin Down -5,6,7,5 ', 6', 7'-hexanol, 2,2,4-trimethyl -7,2 ', 4'-trihydroxy flavan like;

その他の母核として、例えば2−メチル−2−(2,4−ジヒドロキシフェニル)−4−(4−ヒドロキシフェニル)−7−ヒドロキシクロマン、1−[1−(3−{1−(4−ヒドロキシフェニル)−1−メチルエチル}−4,6−ジヒドロキシフェニル)−1−メチルエチル]−3−(1−(3−{1−(4−ヒドロキシフェニル)−1−メチルエチル}−4,6−ジヒドロキシフェニル)−1−メチルエチル)ベンゼン、4,6−ビス{1−(4−ヒドロキシフェニル)−1−メチルエチル}−1,3−ジヒドロキシベンゼンが挙げられる。   As other mother nucleus, for example, 2-methyl-2- (2,4-dihydroxyphenyl) -4- (4-hydroxyphenyl) -7-hydroxychroman, 1- [1- (3- {1- (4- Hydroxyphenyl) -1-methylethyl} -4,6-dihydroxyphenyl) -1-methylethyl] -3- (1- (3- {1- (4-hydroxyphenyl) -1-methylethyl} -4, 6-dihydroxyphenyl) -1-methylethyl) benzene and 4,6-bis {1- (4-hydroxyphenyl) -1-methylethyl} -1,3-dihydroxybenzene.

これらの母核のうち、2,3,4,4’−テトラヒドロキシベンゾフェノン、1,1,1−トリ(p−ヒドロキシフェニル)エタン、4,4’−〔1−〔4−〔1−〔4−ヒドロキシフェニル〕−1−メチルエチル〕フェニル〕エチリデン〕ビスフェノールが好ましい。   Among these mother nuclei, 2,3,4,4′-tetrahydroxybenzophenone, 1,1,1-tri (p-hydroxyphenyl) ethane, 4,4 ′-[1- [4- [1- [ 4-hydroxyphenyl] -1-methylethyl] phenyl] ethylidene] bisphenol is preferred.

また、1,2−ナフトキノンジアジドスルホン酸ハライドとしては、1,2−ナフトキノンジアジドスルホン酸クロリドが好ましい。1,2−ナフトキノンジアジドスルホン酸クロリドの具体例としては、1,2−ナフトキノンジアジド−4−スルホン酸クロリド及び1,2−ナフトキノンジアジド−5−スルホン酸クロリドを挙げることができる。この中でも、1,2−ナフトキノンジアジド−5−スルホン酸クロリドを使用することが特に好ましい。   The 1,2-naphthoquinone diazide sulfonic acid halide is preferably 1,2-naphthoquinone diazide sulfonic acid chloride. Specific examples of 1,2-naphthoquinone diazide sulfonic acid chloride include 1,2-naphthoquinone diazide-4-sulfonic acid chloride and 1,2-naphthoquinone diazide-5-sulfonic acid chloride. Among these, it is particularly preferable to use 1,2-naphthoquinonediazide-5-sulfonic acid chloride.

フェノール性化合物又はアルコール性化合物(母核)と、1,2−ナフトキノンジアジドスルホン酸ハライドとの縮合反応においては、フェノール性化合物またはアルコール性化合物中のOH基数に対して、好ましくは30〜85モル%、より好ましくは50〜70モル%に相当する1,2−ナフトキノンジアジドスルホン酸ハライドを用いることができる。縮合反応は、公知の方法によって実施することができる。   In the condensation reaction of the phenolic compound or alcoholic compound (mother nucleus) and 1,2-naphthoquinonediazidesulfonic acid halide, preferably 30 to 85 moles relative to the number of OH groups in the phenolic compound or alcoholic compound. %, More preferably 1,2-naphthoquinonediazidesulfonic acid halide corresponding to 50 to 70 mol% can be used. The condensation reaction can be carried out by a known method.

また、1,2−キノンジアジド化合物としては、上記例示した母核のエステル結合をアミド結合に変更した1,2−ナフトキノンジアジドスルホン酸アミド類、例えば2,3,4−トリアミノベンゾフェノン−1,2−ナフトキノンジアジド−4−スルホン酸アミド等も好適に使用される。   Examples of the 1,2-quinonediazide compound include 1,2-naphthoquinonediazidesulfonic acid amides in which the ester bond of the mother nucleus exemplified above is changed to an amide bond, for example, 2,3,4-triaminobenzophenone-1,2. -Naphthoquinonediazide-4-sulfonic acid amide etc. are also used suitably.

これらの[B]成分は、単独で又は2種類以上を組み合わせて用いることができる。感放射線性樹脂組成物における[B]成分の使用割合は、[A]成分のアルカリ可溶性樹脂100質量部に対して、好ましくは5〜100質量部であり、より好ましくは10〜50質量部である。[B]成分の使用割合が5〜100質量部の時、現像液となるアルカリ水溶液に対する放射線の照射部分と未照射部分との溶解度の差が大きく、パターニング性能が良好となり、また得られる層間絶縁膜の耐溶剤性も良好となる。   These [B] components can be used individually or in combination of 2 or more types. The use ratio of the [B] component in the radiation-sensitive resin composition is preferably 5 to 100 parts by mass, more preferably 10 to 50 parts by mass with respect to 100 parts by mass of the alkali-soluble resin of the [A] component. is there. When the proportion of the component [B] used is 5 to 100 parts by mass, the difference in solubility between the irradiated portion and the unirradiated portion with respect to the alkaline aqueous solution serving as the developer is large, the patterning performance is improved, and the obtained interlayer insulation The solvent resistance of the film is also good.

[C]成分
本発明の感放射線性樹脂組成物に用いられる[C]成分は、1分子中に2個以上のメルカプト基を有する化合物である。[C]成分の化合物は、1分子中に2個以上のメルカプト基を有する限り特に限定されるものではないが、下記式(1)で表される化合物であることが好ましい。
[C] component [C] component used for the radiation sensitive resin composition of this invention is a compound which has a 2 or more mercapto group in 1 molecule. The compound of the component [C] is not particularly limited as long as it has two or more mercapto groups in one molecule, but is preferably a compound represented by the following formula (1).

Figure 2011169976
(式中、Rはメチレン基、炭素数2〜10のアルキレン基又はアルキルメチレン基であり、Yは単結合、−CO−又は−O−CO−(ただし、「*」を付した結合手がRと結合する。)であり、nは2〜10の整数であり、Xは1個又は複数個のエーテル結合を有していてもよい炭素数2〜70のn価の炭化水素基、又はnが3の場合下記式(2)で示される基である。)
Figure 2011169976
(In the formula, R 1 represents a methylene group, an alkylene group having 2 to 10 carbon atoms, or an alkylmethylene group, and Y represents a single bond, —CO— or —O—CO— * (wherein “*” represents a bond). The hand is bonded to R 1 ), n is an integer of 2 to 10, and X is an n-valent hydrocarbon having 2 to 70 carbon atoms which may have one or more ether bonds. Group or a group represented by the following formula (2) when n is 3.)

Figure 2011169976
(式中、3つのRは、各々独立に、メチレン基又は炭素数2〜6のアルキレン基であり、3つの「*」は、それぞれ結合手であることを表す。)
Figure 2011169976
(In the formula, three R 2 s are each independently a methylene group or an alkylene group having 2 to 6 carbon atoms, and three “*” represent a bond.)

上記式(1)で表される化合物として、典型的には、メルカプトカルボン酸と多価アルコールとのエステル化物などを使用することができる。このようなエステル化物を用いることによって、高い硬化性を有する感放射線性樹脂組成物を得ることができる。エステル化物を構成するメルカプトカルボン酸としては、例えばチオグリコール酸、3−メルカプトプロピオン酸、3−メルカプトブタン酸、3−メルカプトペンタン酸などを用いることができる。また、エステル化物を構成する多価アルコールとしては、例えばエチレングリコール、プロピレングリコール、トリメチロールプロパン、ペンタエリスリトール、テトラエチレングリコール、ジペンタエリスリトール、1,4−ブタンジオール、ペンタエリスリトールなどを挙げることができる。   As the compound represented by the above formula (1), typically, an esterified product of mercaptocarboxylic acid and a polyhydric alcohol can be used. By using such an esterified product, a radiation-sensitive resin composition having high curability can be obtained. As the mercaptocarboxylic acid constituting the esterified product, for example, thioglycolic acid, 3-mercaptopropionic acid, 3-mercaptobutanoic acid, 3-mercaptopentanoic acid and the like can be used. Examples of the polyhydric alcohol constituting the esterified product include ethylene glycol, propylene glycol, trimethylolpropane, pentaerythritol, tetraethylene glycol, dipentaerythritol, 1,4-butanediol, and pentaerythritol. .

上記式(1)で表される化合物の好ましい具体例としては、トリメチロールプロパントリス(3−メルカプトプロピオネート)、ペンタエリスリトールテトラキス(3−メルカプトプロピオネート)、テトラエチレングリコールビス(3−メルカプトプロピオネート)、ジペンタエリスリトールヘキサキス(3−メルカプトプロピオネート)、ペンタエリスリトールテトラキス(チオグリコレート)、1,4−ビス(3−メルカプトブチリルオキシ)ブタン、ペンタエリスリトールテトラキス(3−メルカプトブチレート)、ペンタエリスリトールテトラキス(3−メルカプトペンチレート)、1,3,5−トリス(3−メルカプトブチルオキシエチル)−1,3,5−トリアジン−2,4,6(1H,3H,5H)−トリオンなどを挙げることができる。   Preferred specific examples of the compound represented by the above formula (1) include trimethylolpropane tris (3-mercaptopropionate), pentaerythritol tetrakis (3-mercaptopropionate), tetraethylene glycol bis (3-mercapto). Propionate), dipentaerythritol hexakis (3-mercaptopropionate), pentaerythritol tetrakis (thioglycolate), 1,4-bis (3-mercaptobutyryloxy) butane, pentaerythritol tetrakis (3-mercapto) Butyrate), pentaerythritol tetrakis (3-mercaptopentylate), 1,3,5-tris (3-mercaptobutyloxyethyl) -1,3,5-triazine-2,4,6 (1H, 3H, 5H) ) -Trion etc. Door can be.

[C]成分の1分子中に2個以上のメルカプト基を有する化合物としては、下記式(11)又は式(12)で表される化合物を用いることもできる。   As the compound having two or more mercapto groups in one molecule of the component [C], a compound represented by the following formula (11) or formula (12) can also be used.

Figure 2011169976
Figure 2011169976
Figure 2011169976
(式(11)において、R11は、メチレン基又は炭素数2〜20のアルキレン基であり、R12はメチレン基又は炭素数2〜6の直鎖もしくは分岐アルキレン基であり、sは1〜20の整数を表わす。式(12)において、Rは、同一もしくは異なり、−H、−OH又は式(13)で表わされる基である。式(13)において、R13はメチレン基又は炭素数2〜6の直鎖もしくは分岐アルキレン基である。但し、式(12)における4つのRの少なくとも1つは式(13)で表わされる基である。)
Figure 2011169976
Figure 2011169976
Figure 2011169976
(In Formula (11), R 11 is a methylene group or an alkylene group having 2 to 20 carbon atoms, R 12 is a methylene group or a linear or branched alkylene group having 2 to 6 carbon atoms, and s is 1 to 1) And represents an integer of 20. In Formula (12), R is the same or different and is —H, —OH or a group represented by Formula (13) In Formula (13), R 13 represents a methylene group or a carbon number. 2 to 6 linear or branched alkylene groups, provided that at least one of the four Rs in formula (12) is a group represented by formula (13).

[C]成分の1分子中に2個以上のメルカプト基を有する化合物は、単独で又は2種以上を混合して使用することができる。[C]成分の1分子中に2個以上のメルカプト基を有する化合物の好ましい使用量は、[A]成分のアルカリ可溶性樹脂100質量部に対して、0.1〜60質量部、さらに好ましくは1〜50質量部である。[C]成分の使用量を0.1〜60質量部とした感放射線性樹脂組成物を用いることによって、1時間以下の短い加熱時間で、十分な表面硬度を有する層間絶縁膜を得ることができる。   The compound having two or more mercapto groups in one molecule of the component [C] can be used alone or in admixture of two or more. The amount of the compound having two or more mercapto groups in one molecule of the component [C] is preferably 0.1 to 60 parts by mass, more preferably 100 parts by mass of the alkali-soluble resin of the component [A]. 1 to 50 parts by mass. By using a radiation sensitive resin composition in which the amount of component [C] used is 0.1 to 60 parts by mass, an interlayer insulating film having sufficient surface hardness can be obtained in a short heating time of 1 hour or less. it can.

その他の任意成分
本発明の感放射線性樹脂組成物は、上記の[A]、[B]及び[C]成分を必須成分として含有するが、その他必要に応じて[D]イミダゾール環含有化合物である架橋補助剤、[E]少なくとも1個のエチレン性不飽和二重結合を有する重合性化合物、[F]共重合体[A]以外のエポキシ樹脂、[G]界面活性剤、[H]密着助剤、[I]感熱性酸発生剤を含有することができる。
Other optional components The radiation-sensitive resin composition of the present invention contains the above-mentioned components [A], [B] and [C] as essential components. A crosslinking aid, [E] a polymerizable compound having at least one ethylenically unsaturated double bond, an epoxy resin other than [F] copolymer [A], [G] surfactant, [H] adhesion An auxiliary agent, [I] thermosensitive acid generator can be contained.

[D]成分の架橋補助剤は、下記の式(3)で表されるイミダゾール環含有化合物である。   [D] The crosslinking auxiliary agent of the component is an imidazole ring-containing compound represented by the following formula (3).

Figure 2011169976
(式(3)中、Z、Z、Z及びRは、各々独立に、水素原子又は置換基を有していてもよい炭素数1〜20の直鎖状、分岐状又は環状の炭化水素基を示し、ZとZは互いに連結して環を形成してもよい。)
Figure 2011169976
(In formula (3), Z 1 , Z 2 , Z 3 and R 3 are each independently a linear, branched or cyclic group having 1 to 20 carbon atoms which may have a hydrogen atom or a substituent. And Z 2 and Z 3 may be linked to each other to form a ring.)

式(3)中の炭化水素基の具体例としては、
メチル基、エチル基、n−プロピル基、i−プロピル基、n−ブチル基、i−ブチル基、sec−ブチル基、t−ブチル基、n−ペンチル基、n−ヘキシル基、n−ヘプチル基、n−オクチル基、n−ノニル基、n−デシル基、n−ウンデシル基、n−ドデシル基、n−トリデシル基、n−テトラデシル基、n−ペンタデシル基、n−ヘキサデシル基、n−ヘプタデシル基、n−オクタデシル基、n−ノナデシル基、n−エイコシル基等の炭素数1〜20のアルキル基;
シクロペンチル基、シクロブチル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基等の炭素数3〜20のシクロアルキル基;
フェニル基、トルイル基、ベンジル基、メチルベンジル基、キシリル基、メシチル基、ナフチル基、アントリル基等の炭素数6〜20のアリール基;
ノルボルニル基、トリシクロデカニル基、テトラシクロドデシル基、アダマンチル基、メチルアダマンチル基、エチルアダマンチル基、ブチルアダマンチル基等の炭素数6〜20の有橋脂環式炭化水素基などが挙げられる。
As a specific example of the hydrocarbon group in the formula (3),
Methyl group, ethyl group, n-propyl group, i-propyl group, n-butyl group, i-butyl group, sec-butyl group, t-butyl group, n-pentyl group, n-hexyl group, n-heptyl group N-octyl group, n-nonyl group, n-decyl group, n-undecyl group, n-dodecyl group, n-tridecyl group, n-tetradecyl group, n-pentadecyl group, n-hexadecyl group, n-heptadecyl group An alkyl group having 1 to 20 carbon atoms such as n-octadecyl group, n-nonadecyl group, n-eicosyl group;
A cycloalkyl group having 3 to 20 carbon atoms such as a cyclopentyl group, a cyclobutyl group, a cyclopentyl group, and a cyclohexyl group;
Aryl groups having 6 to 20 carbon atoms such as phenyl group, toluyl group, benzyl group, methylbenzyl group, xylyl group, mesityl group, naphthyl group, anthryl group;
Examples thereof include a bridged alicyclic hydrocarbon group having 6 to 20 carbon atoms such as a norbornyl group, a tricyclodecanyl group, a tetracyclododecyl group, an adamantyl group, a methyladamantyl group, an ethyladamantyl group, and a butyladamantyl group.

また、上記炭化水素基は置換されていてもよく、この置換基の具体例としては、
ヒドロキシル基;
カルボキシル基;
ヒドロキシメチル基、1−ヒドロキシエチル基、2−ヒドロキシエチル基、1−ヒドロキシプロピル基、2−ヒドロキシプロピル基、3−ヒドロキシプロピル基、1−ヒドロキシブチル基、2−ヒドロキシブチル基、3−ヒドロキシブチル基、4−ヒドロキシブチル基等の炭素数1〜4のヒドロキシアルキル基;
メトキシル基、エトキシル基、n−プロポキシル基、i−プロポキシル基、n−ブトキシル基、2−メチルプロポキシル基、1−メチルプロポキシル基、t−ブトキシル基等の炭素数1〜4のアルコキシル基;
シアノ基;
シアノメチル基、2−シアノエチル基、3−シアノプロピル基、4−シアノブチル基等の炭素数2〜5のシアノアルキル基;
メトキシカルボニル基、エトキシカルボニル基、t−ブトキシカルボニル基等の炭素数2〜5のアルコキシカルボニル基;
メトキシカルボニルメトキシル基、エトキシカルボニルメトキシル基、t−ブトキシカルボニルメトキシル基等の炭素数3〜6のアルコキシカルボニルアルコキシル基;
フッ素、塩素などのハロゲン原子;
フルオロメチル基、トリフルオロメチル基、ペンタフルオロエチル基等のフルオロアルキル基などが挙げられる。
The hydrocarbon group may be substituted. Specific examples of the substituent include
A hydroxyl group;
Carboxyl group;
Hydroxymethyl group, 1-hydroxyethyl group, 2-hydroxyethyl group, 1-hydroxypropyl group, 2-hydroxypropyl group, 3-hydroxypropyl group, 1-hydroxybutyl group, 2-hydroxybutyl group, 3-hydroxybutyl A hydroxyalkyl group having 1 to 4 carbon atoms such as a 4-hydroxybutyl group;
C1-C4 alkoxyl such as methoxyl group, ethoxyl group, n-propoxyl group, i-propoxyl group, n-butoxyl group, 2-methylpropoxyl group, 1-methylpropoxyl group, t-butoxyl group, etc. Group;
A cyano group;
A cyanoalkyl group having 2 to 5 carbon atoms such as a cyanomethyl group, a 2-cyanoethyl group, a 3-cyanopropyl group, a 4-cyanobutyl group;
An alkoxycarbonyl group having 2 to 5 carbon atoms such as a methoxycarbonyl group, an ethoxycarbonyl group, or a t-butoxycarbonyl group;
An alkoxycarbonylalkoxyl group having 3 to 6 carbon atoms such as a methoxycarbonylmethoxyl group, an ethoxycarbonylmethoxyl group, a t-butoxycarbonylmethoxyl group;
Halogen atoms such as fluorine and chlorine;
Examples thereof include fluoroalkyl groups such as a fluoromethyl group, a trifluoromethyl group, and a pentafluoroethyl group.

上記式(3)においては、ZおよびZが互いに連結して、環状構造、好ましくは芳香環、もしくは炭素数2〜20の飽和又は不飽和の含窒素複素環を形成していてもよい。この含窒素複素環としては、例えば下記式(14)の様にベンズイミダゾール環を形成してもよい。 In the above formula (3), Z 2 and Z 3 may be connected to each other to form a cyclic structure, preferably an aromatic ring, or a saturated or unsaturated nitrogen-containing heterocyclic ring having 2 to 20 carbon atoms. . As this nitrogen-containing heterocyclic ring, for example, a benzimidazole ring may be formed as in the following formula (14).

Figure 2011169976
(式(14)中、Wは、互いに独立に、置換基を有していてもよい炭素数1〜20の直鎖状、分岐状又は環状の炭化水素基を示す。式中の点線は、上記式(3)におけるイミダゾリル環中の、ZとZが結合している炭素原子間の結合、すなわちZ、Zおよび2つのNに囲まれている炭素−炭素二重結合を示すものである。)
Figure 2011169976
(In the formula (14), W represents a linear, branched or cyclic hydrocarbon group having 1 to 20 carbon atoms which may have a substituent, independently of each other. In the imidazolyl ring in the above formula (3), a bond between carbon atoms to which Z 2 and Z 3 are bonded, that is, a carbon-carbon double bond surrounded by Z 2 , Z 3 and two N atoms is shown. )

なお、式(14)のWの炭化水素基としては、上記式(3)中の炭化水素基と同様のものを挙げることができる。上記のようなZおよびZが互いに連結してベンズイミダゾール環を形成している化合物を用いることによって、高い硬化性を有する感放射線性樹脂組成物を得ることができる。 In addition, as a hydrocarbon group of W of Formula (14), the thing similar to the hydrocarbon group in the said Formula (3) can be mentioned. By using a compound in which Z 2 and Z 3 are linked to each other to form a benzimidazole ring, a radiation-sensitive resin composition having high curability can be obtained.

特に好ましい[D]成分の化合物としては、2−フェニルベンズイミダゾール、2−メチルイミダゾール、2―メチルベンズイミダゾールが挙げられる。[D]成分のイミダゾール環含有化合物は、単独でまたは2種以上を混合して使用することができる。任意成分である[D]成分のイミダゾール環含有化合物を用いる場合の典型的な使用量は、[A]成分のアルカリ可溶性樹脂100質量部に対して0.01〜10質量部である。感放射線性樹脂組成物における[D]成分の使用量を0.01〜10質量部とすることによって、さらに高い表面硬度を有する層間絶縁膜を得ることができる。   Particularly preferable examples of the compound [D] include 2-phenylbenzimidazole, 2-methylimidazole, and 2-methylbenzimidazole. The imidazole ring-containing compound as the component [D] can be used alone or in admixture of two or more. A typical use amount when using the imidazole ring-containing compound of the [D] component which is an optional component is 0.01 to 10 parts by mass with respect to 100 parts by mass of the alkali-soluble resin of the [A] component. By making the usage-amount of the [D] component in a radiation sensitive resin composition 0.01-10 mass parts, the interlayer insulation film which has still higher surface hardness can be obtained.

[E]成分の少なくとも1個のエチレン性不飽和二重結合を有する重合性化合物としては、例えば単官能(メタ)アクリレート、2官能(メタ)アクリレート、3官能以上の(メタ)アクリレートを好適に用いることができる。   As the polymerizable compound having at least one ethylenically unsaturated double bond as the component [E], for example, monofunctional (meth) acrylate, bifunctional (meth) acrylate, trifunctional or higher (meth) acrylate is preferably used. Can be used.

単官能(メタ)アクリレートとしては、例えば2−ヒドロキシエチル(メタ)アクリレート、カルビトール(メタ)アクリレート、イソボロニル(メタ)アクリレート、3−メトキシブチル(メタ)アクリレート、2−(メタ)アクリロイルオキシエチル−2−ヒドロキシプロピルフタレートなどが挙げられる。これらの単官能(メタ)アクリレートの市販品の例としては、アロニックスM−101、同M−111、同M−114(以上、東亞合成(株)製)、KAYARAD TC−110S、同TC−120S(以上、日本化薬(株)製)、ビスコート158、同2311(以上、大阪有機化学工業(株)製)等が挙げられる。   Examples of the monofunctional (meth) acrylate include 2-hydroxyethyl (meth) acrylate, carbitol (meth) acrylate, isobornyl (meth) acrylate, 3-methoxybutyl (meth) acrylate, and 2- (meth) acryloyloxyethyl- Examples include 2-hydroxypropyl phthalate. Examples of commercial products of these monofunctional (meth) acrylates include Aronix M-101, M-111, M-114 (above, manufactured by Toagosei Co., Ltd.), KAYARAD TC-110S, TC-120S. (Nippon Kayaku Co., Ltd.), Biscote 158, 2311 (Osaka Organic Chemical Co., Ltd.) and the like.

2官能(メタ)アクリレートとしては、例えばエチレングリコールジ(メタ)アクリレート、1,6−ヘキサンジオールジ(メタ)アクリレート、1,9−ノナンジオールジ(メタ)アクリレート、ポリプロピレングリコールジ(メタ)アクリレート、テトラエチレングリコールジ(メタ)アクリレート、ビスフェノキシエタノールフルオレンジアクリレート、ビスフェノキシエタノールフルオレンジアクリレートなどが挙げられる。これらの2官能(メタ)アクリレートの市販品としては、例えばアロニックスM−210、同M−240、同M−6200(以上、東亞合成(株)製)、KAYARAD HDDA、同HX−220、同R−604(以上、日本化薬(株)製)、ビスコート260、同312、同335HP(以上、大阪有機化学工業(株)製)などが挙げられる。   Examples of the bifunctional (meth) acrylate include ethylene glycol di (meth) acrylate, 1,6-hexanediol di (meth) acrylate, 1,9-nonanediol di (meth) acrylate, polypropylene glycol di (meth) acrylate, Examples include tetraethylene glycol di (meth) acrylate, bisphenoxyethanol full orange acrylate, and bisphenoxyethanol full orange acrylate. As a commercial item of these bifunctional (meth) acrylates, for example, Aronix M-210, M-240, M-6200 (manufactured by Toagosei Co., Ltd.), KAYARAD HDDA, HX-220, R -604 (manufactured by Nippon Kayaku Co., Ltd.), Viscoat 260, 312, and 335HP (manufactured by Osaka Organic Chemical Industries, Ltd.).

3官能以上の(メタ)アクリレートとしては、例えばトリメチロールプロパントリ(メタ)アクリレート、ペンタエリスリトールトリ(メタ)アクリレート、トリ((メタ)アクリロイルオキシエチル)フォスフェート、ペンタエリスリトールテトラ(メタ)アクリレート、ジペンタエリスリトールペンタ(メタ)アクリレート、ジペンタエリスリトールヘキサ(メタ)アクリレートなどが挙げられる。これらの3官能以上の(メタ)アクリレートの市販品としては、例えばアロニックスM−309、同M−400、同M−405、同M−450、同M−7100、同M−8030、同M−8060(以上、東亞合成(株)製)、KAYARAD TMPTA、同DPHA、同DPCA−20、同DPCA−30、同DPCA−60、同DPCA−120(以上、日本化薬(株)製)、ビスコート295、同300、同360、同GPT、同3PA、同400(以上、大阪有機化学工業(株)製)などが挙げられる。   Examples of the tri- or more functional (meth) acrylate include trimethylolpropane tri (meth) acrylate, pentaerythritol tri (meth) acrylate, tri ((meth) acryloyloxyethyl) phosphate, pentaerythritol tetra (meth) acrylate, di Examples include pentaerythritol penta (meth) acrylate and dipentaerythritol hexa (meth) acrylate. Commercially available products of these tri- or higher functional (meth) acrylates include, for example, Aronix M-309, M-400, M-405, M-450, M-7100, M-8030, and M- 8060 (above, manufactured by Toagosei Co., Ltd.), KAYARAD TMPTA, DPHA, DPCA-20, DPCA-30, DPCA-60, DPCA-60, DPCA-120 (above, Nippon Kayaku Co., Ltd.), Biscoat 295, 300, 360, GPT, 3PA, 400 (above, manufactured by Osaka Organic Chemical Industry Co., Ltd.).

これらのメタ(アクリレート)類のうち、感放射線性樹脂組成物の硬化性の改善の観点から、3官能以上の(メタ)アクリレートが好ましく用いられる。その中でも、トリメチロールプロパントリ(メタ)アクリレート、ペンタエリスリトールテトラ(メタ)アクリレート、ジペンタエリスリトールヘキサ(メタ)アクリレートが特に好ましい。これらの単官能、2官能又は3官能以上の(メタ)アクリレートは、単独であるいは組み合わせて用いられる。   Of these meth (acrylates), trifunctional or higher functional (meth) acrylates are preferably used from the viewpoint of improving the curability of the radiation-sensitive resin composition. Among these, trimethylolpropane tri (meth) acrylate, pentaerythritol tetra (meth) acrylate, and dipentaerythritol hexa (meth) acrylate are particularly preferable. These monofunctional, bifunctional, or trifunctional or higher (meth) acrylates are used alone or in combination.

感放射線性樹脂組成物における[E]成分の使用割合は、共重合体[A]100質量部に対して、好ましくは50質量部以下、より好ましくは30質量部以下である。このような割合で[E]成分を含有させることにより、感放射線性樹脂組成物の硬化性を向上させることができると共に、基板上への塗膜形成工程における膜荒れの発生を抑制することが可能となる。   The proportion of the [E] component used in the radiation-sensitive resin composition is preferably 50 parts by mass or less, more preferably 30 parts by mass or less with respect to 100 parts by mass of the copolymer [A]. By containing the component [E] at such a ratio, the curability of the radiation-sensitive resin composition can be improved, and the occurrence of film roughness in the coating film forming step on the substrate can be suppressed. It becomes possible.

[F]成分である共重合体[A]以外のエポキシ樹脂は、感放射線性樹脂組成物に含まれる各成分との相溶性に悪影響を及ぼすものでない限り特に限定されるものではない。そのようなエポキシ樹脂の例として、好ましくは、ビスフェノールA型エポキシ樹脂、フェノールノボラック型エポキシ樹脂、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂、環状脂肪族エポキシ樹脂、グリシジルエステル型エポキシ樹脂、グリシジルアミン型エポキシ樹脂、複素環式エポキシ樹脂、グリシジルメタアクリレートを(共)重合した樹脂等を挙げることができる。これらのうち、ビスフェノールA型エポキシ樹脂、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂、グリシジルエステル型エポキシ樹脂等が特に好ましい。   The epoxy resin other than the copolymer [A] as the component [F] is not particularly limited as long as it does not adversely affect the compatibility with each component contained in the radiation-sensitive resin composition. Examples of such epoxy resins are preferably bisphenol A type epoxy resins, phenol novolac type epoxy resins, cresol novolac type epoxy resins, cycloaliphatic epoxy resins, glycidyl ester type epoxy resins, glycidyl amine type epoxy resins, heterocyclic rings. Examples thereof include a resin obtained by (co) polymerizing a formula epoxy resin and glycidyl methacrylate. Of these, bisphenol A type epoxy resins, cresol novolac type epoxy resins, glycidyl ester type epoxy resins and the like are particularly preferable.

感放射線性樹脂組成物における[F]成分の使用割合は、共重合体[A]100質量部に対して、好ましくは30質量部以下である。このような割合で[F]成分を用いることにより、感放射線性樹脂組成物の硬化性をさらに向上させることができる。なお、共重合体[A]も「エポキシ樹脂」といい得るが、アルカリ可溶性を有する点で[F]成分とは異なる。[F]成分は、アルカリ不溶性である。   The use ratio of the [F] component in the radiation-sensitive resin composition is preferably 30 parts by mass or less with respect to 100 parts by mass of the copolymer [A]. By using the [F] component at such a ratio, the curability of the radiation sensitive resin composition can be further improved. The copolymer [A] can also be referred to as an “epoxy resin”, but differs from the [F] component in that it has alkali solubility. [F] component is alkali-insoluble.

感放射線性樹脂組成物には、塗膜形成時の塗布性をさらに向上させるため、[G]成分として界面活性剤を使用することができる。好適に用いることができる界面活性剤としては、フッ素系界面活性剤、シリコーン系界面活性剤及びノニオン系界面活性剤が挙げられる。   In the radiation-sensitive resin composition, a surfactant can be used as the [G] component in order to further improve the coating property at the time of coating film formation. Examples of the surfactant that can be suitably used include a fluorine-based surfactant, a silicone-based surfactant, and a nonionic surfactant.

フッ素系界面活性剤の例としては、1,1,2,2−テトラフルオロオクチル(1,1,2,2−テトラフルオロプロピル)エーテル、1,1,2,2−テトラフルオロオクチルヘキシルエーテル、オクタエチレングリコールジ(1,1,2,2−テトラフルオロブチル)エーテル、ヘキサエチレングリコール(1,1,2,2,3,3−ヘキサフルオロペンチル)エーテル、オクタプロピレングリコールジ(1,1,2,2−テトラフルオロブチル)エーテル、ヘキサプロピレングリコールジ(1,1,2,2,3,3−ヘキサフルオロペンチル)エーテル等のフルオロエーテル類;パーフルオロドデシルスルホン酸ナトリウム;1,1,2,2,8,8,9,9,10,10−デカフルオロドデカン、1,1,2,2,3,3−ヘキサフルオロデカン等のフルオロアルカン類;フルオロアルキルベンゼンスルホン酸ナトリウム類;フルオロアルキルオキシエチレンエーテル類;フルオロアルキルアンモニウムヨージド類;フルオロアルキルポリオキシエチレンエーテル類;パーフルオロアルキルポリオキシエタノール類;パーフルオロアルキルアルコキシレート類;フッ素系アルキルエステル類等を挙げることができる。   Examples of fluorosurfactants include 1,1,2,2-tetrafluorooctyl (1,1,2,2-tetrafluoropropyl) ether, 1,1,2,2-tetrafluorooctyl hexyl ether, Octaethylene glycol di (1,1,2,2-tetrafluorobutyl) ether, hexaethylene glycol (1,1,2,2,3,3-hexafluoropentyl) ether, octapropylene glycol di (1,1,1) 2,2-tetrafluorobutyl) ether, hexapropylene glycol di (1,1,2,2,3,3-hexafluoropentyl) ether and other fluoroethers; sodium perfluorododecylsulfonate; 1,1,2 , 2,8,8,9,9,10,10-decafluorododecane, 1,1,2,2,3,3-hexaph Fluoroalkanes such as orodecane; sodium fluoroalkylbenzenesulfonates; fluoroalkyloxyethylene ethers; fluoroalkylammonium iodides; fluoroalkylpolyoxyethylene ethers; perfluoroalkylpolyoxyethanols; perfluoroalkylalkoxylates And fluorine-based alkyl esters.

これらのフッ素系界面活性剤の市販品としては、BM−1000、BM−1100(以上、BM Chemie社製)、メガファックF142D、同F172、同F173、同F183、同F178、同F191、同F471(以上、大日本インキ化学工業(株)製)、フロラードFC−170C、FC−171、FC−430、FC−431(以上、住友スリーエム(株)製)、サーフロンS−112、同S−113、同S−131、同S−141、同S−145、同S−382、同SC−101、同SC−102、同SC−103、同SC−104、同SC−105、同SC−106(旭硝子(株)製)、エフトップEF301、同303、同352(新秋田化成(株)製)などが挙げられる。   Commercially available products of these fluorosurfactants include BM-1000, BM-1100 (manufactured by BM Chemie), MegaFack F142D, F172, F173, F183, F178, F191, F191, and F471. (Above, Dainippon Ink & Chemicals, Inc.), Florard FC-170C, FC-171, FC-430, FC-431 (above, Sumitomo 3M Limited), Surflon S-112, S-113 S-131, S-141, S-145, S-382, SC-101, SC-102, SC-103, SC-104, SC-105, SC-106 (Manufactured by Asahi Glass Co., Ltd.), Ftop EF301, 303, 352 (manufactured by Shin-Akita Kasei Co., Ltd.) and the like.

シリコーン系界面活性剤の具体例としては、市販されている商品名で、DC3PA、DC7PA、FS−1265、SF−8428、SH11PA、SH21PA、SH28PA、SH29PA、SH30PA、SH−190、SH−193、SZ−6032(以上、東レ・ダウコーニング・シリコーン(株)製)、TSF−4440、TSF−4300、TSF−4445、TSF−4446、TSF−4460、TSF−4452(以上、GE東芝シリコーン(株)製)等を挙げることができる。   Specific examples of the silicone-based surfactant include commercially available product names such as DC3PA, DC7PA, FS-1265, SF-8428, SH11PA, SH21PA, SH28PA, SH29PA, SH30PA, SH-190, SH-193, SZ. -6032 (above, manufactured by Toray Dow Corning Silicone Co., Ltd.), TSF-4440, TSF-4300, TSF-4445, TSF-4446, TSF-4460, TSF-4442 (above, manufactured by GE Toshiba Silicone Co., Ltd.) And the like.

ノニオン系界面活性剤としては、例えばポリオキシエチレンラウリルエーテル、ポリオキシエチレンステアリルエーテル、ポリオキシエチレンオレイルエーテルなどのポリオキシエチレンアルキルエーテル類;ポリオキシエチレンオクチルフェニルエーテル、ポリオキシエチレンノニルフェニルエーテルなどのポリオキシエチレンアリールエーテル類;ポリオキシエチレンジラウレート、ポリオキシエチレンジステアレートなどのポリオキシエチレンジアルキルエステル類;(メタ)アクリル酸系共重合体類などが挙げられる。ノニオン系界面活性剤の代表的な市販品としては、ポリフローNo.57、95(共栄社化学(株)製)が挙げられる。これらの界面活性剤は、単独で又は2種以上を組み合わせて使用することができる。   Nonionic surfactants include, for example, polyoxyethylene alkyl ethers such as polyoxyethylene lauryl ether, polyoxyethylene stearyl ether, and polyoxyethylene oleyl ether; polyoxyethylene octyl phenyl ether, polyoxyethylene nonyl phenyl ether, and the like. Polyoxyethylene aryl ethers; polyoxyethylene dialkyl esters such as polyoxyethylene dilaurate and polyoxyethylene distearate; (meth) acrylic acid copolymers and the like. As a typical commercially available nonionic surfactant, Polyflow No. 57, 95 (manufactured by Kyoeisha Chemical Co., Ltd.). These surfactants can be used alone or in combination of two or more.

感放射線性樹脂組成物において、[G]成分の界面活性剤は、共重合体[A]100質量部に対して、好ましくは5質量部以下、より好ましくは2質量部以下で用いられる。[G]界面活性剤の使用量を5質量部以下とすることによって、基板上に塗膜を形成する際の膜あれを抑制することができる。   In the radiation-sensitive resin composition, the surfactant of the [G] component is preferably used in an amount of 5 parts by mass or less, more preferably 2 parts by mass or less with respect to 100 parts by mass of the copolymer [A]. [G] By making the usage-amount of surfactant into 5 mass parts or less, the film run-off at the time of forming a coating film on a board | substrate can be suppressed.

本発明の感放射線性樹脂組成物においては、基板との接着性を向上させるために[H]成分である密着助剤を使用することができる。このような密着助剤としては、官能性シランカップリング剤が好ましく使用される。官能性シランカップリング剤の例としては、カルボキシル基、メタクリロイル基、イソシアネート基、エポキシ基(好ましくはオキシラニル基)等の反応性置換基を有するシランカップリング剤などが挙げられる。官能性シランカップリング剤の具体例としては、トリメトキシシリル安息香酸、γ−メタクリロキシプロピルトリメトキシシラン、ビニルトリアセトキシシラン、ビニルトリメトキシシラン、γ−イソシアネートプロピルトリエトキシシラン、γ−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、β−(3,4−エポキシシクロヘキシル)エチルトリメトキシシランなどが挙げられる。感放射線性樹脂組成物において、このような密着助剤は、共重合体[A]100質量部に対して、好ましくは1質量部以上20質量部以下、より好ましくは3質量部以上15質量部以下の量で用いられる。密着助剤の量を1質量部以上20質量部以下とすることによって、形成される層間絶縁膜と基体との密着性が改善される。   In the radiation sensitive resin composition of this invention, in order to improve adhesiveness with a board | substrate, the adhesion adjuvant which is [H] component can be used. As such an adhesion assistant, a functional silane coupling agent is preferably used. Examples of functional silane coupling agents include silane coupling agents having reactive substituents such as carboxyl groups, methacryloyl groups, isocyanate groups, and epoxy groups (preferably oxiranyl groups). Specific examples of functional silane coupling agents include trimethoxysilylbenzoic acid, γ-methacryloxypropyltrimethoxysilane, vinyltriacetoxysilane, vinyltrimethoxysilane, γ-isocyanatopropyltriethoxysilane, γ-glycidoxy Examples thereof include propyltrimethoxysilane and β- (3,4-epoxycyclohexyl) ethyltrimethoxysilane. In the radiation-sensitive resin composition, such an adhesion assistant is preferably 1 part by mass or more and 20 parts by mass or less, more preferably 3 parts by mass or more and 15 parts by mass with respect to 100 parts by mass of the copolymer [A]. Used in the following amounts. By adjusting the amount of the adhesion aid to 1 part by mass or more and 20 parts by mass or less, the adhesion between the formed interlayer insulating film and the substrate is improved.

[I]成分の感熱性酸発生剤は、熱をかけることによって、[A]成分を硬化させる際の触媒として作用する酸性活性物質を放出することができる化合物と定義される。このような[I]成分の化合物を用いることによって、感放射線性組成物の現像後の加熱工程における[A]成分の硬化反応をより促進し、表面硬度及び耐熱性に優れた層間絶縁膜を形成することができる。   The heat-sensitive acid generator of the component [I] is defined as a compound that can release an acidic active substance that acts as a catalyst when curing the component [A] by applying heat. By using such a compound of [I] component, the curing reaction of the [A] component in the heating step after development of the radiation-sensitive composition is further promoted, and an interlayer insulating film excellent in surface hardness and heat resistance is obtained. Can be formed.

[I]成分の感熱性酸発生剤には、イオン性化合物及び非イオン性化合物が含まれる。イオン性化合物としては、重金属やハロゲンイオンを含まないものが好ましい。イオン性の感熱性酸発生剤の例としては、トリフェニルスルホニウム、1−ジメチルチオナフタレン、1−ジメチルチオ−4−ヒドロキシナフタレン、1−ジメチルチオ−4,7−ジヒドロキシナフタレン、4−ヒドロキシフェニルジメチルスルホニウム、ベンジル−4−ヒドロキシフェニルメチルスルホニウム、2−メチルベンジル−4−ヒドロキシフェニルメチルスルホニウム、2−メチルベンジル−4−アセチルフェニルメチルスルホニウム、2−メチルベンジル−4−ベンゾイルオキシフェニルメチルスルホニウム、これらのメタンスルホン酸塩、トリフルオロメタンスルホン酸塩、カンファースルホン酸塩、p−トルエンスルホン酸塩、ヘキサフルオロホスホン酸塩などが挙げられる。また、ベンジルスルホニウム塩の市販品の例としては、SI−60、SI−80、SI−100、SI−110、SI−145、SI−150、SI−80L、SI−100L、SI−110L、SI−145L、SI−150L、SI−160L、SI−180L(三新化学工業(株)製)などが挙げられる。   The thermosensitive acid generator of component [I] includes ionic compounds and nonionic compounds. As the ionic compound, those containing no heavy metal or halogen ion are preferable. Examples of ionic thermosensitive acid generators include triphenylsulfonium, 1-dimethylthionaphthalene, 1-dimethylthio-4-hydroxynaphthalene, 1-dimethylthio-4,7-dihydroxynaphthalene, 4-hydroxyphenyldimethylsulfonium, Benzyl-4-hydroxyphenylmethylsulfonium, 2-methylbenzyl-4-hydroxyphenylmethylsulfonium, 2-methylbenzyl-4-acetylphenylmethylsulfonium, 2-methylbenzyl-4-benzoyloxyphenylmethylsulfonium, and these methanesulfones And acid salts, trifluoromethane sulfonate, camphor sulfonate, p-toluene sulfonate, hexafluorophosphonate, and the like. Examples of commercially available benzylsulfonium salts include SI-60, SI-80, SI-100, SI-110, SI-145, SI-150, SI-80L, SI-100L, SI-110L, SI -145L, SI-150L, SI-160L, SI-180L (manufactured by Sanshin Chemical Industry Co., Ltd.) and the like.

非イオン性の感熱性酸発生剤の例としては、例えばハロゲン含有化合物、ジアゾメタン化合物、スルホン化合物、スルホン酸エステル化合物、カルボン酸エステル化合物、リン酸エステル化合物、スルホンイミド化合物、スルホンベンゾトリアゾール化合物などが挙げられる。   Examples of nonionic thermosensitive acid generators include halogen-containing compounds, diazomethane compounds, sulfone compounds, sulfonic acid ester compounds, carboxylic acid ester compounds, phosphoric acid ester compounds, sulfonimide compounds, sulfone benzotriazole compounds, and the like. Can be mentioned.

ハロゲン含有化合物の例としては、ハロアルキル基含有炭化水素化合物、ハロアルキル基含有ヘテロ環状化合物などが挙げられる。好ましいハロゲン含有化合物の例としては、1,1−ビス(4−クロロフェニル)−2,2,2−トリクロロエタン、2−フェニル−4,6−ビス(トリクロロメチル)−s−トリアジン、2−ナフチル−4,6−ビス(トリクロロメチル)−s−トリアジンなどが挙げられる。   Examples of halogen-containing compounds include haloalkyl group-containing hydrocarbon compounds, haloalkyl group-containing heterocyclic compounds, and the like. Examples of preferred halogen-containing compounds include 1,1-bis (4-chlorophenyl) -2,2,2-trichloroethane, 2-phenyl-4,6-bis (trichloromethyl) -s-triazine, 2-naphthyl- Examples include 4,6-bis (trichloromethyl) -s-triazine.

ジアゾメタン化合物の例としては、ビス(トリフルオロメチルスルホニル)ジアゾメタン、ビス(シクロヘキシルスルホニル)ジアゾメタン、ビス(フェニルスルホニル)ジアゾメタン、ビス(p−トリルスルホニル)ジアゾメタン、ビス(2,4−キシリルスルホニル)ジアゾメタン、ビス(p−クロロフェニルスルホニル)ジアゾメタン、メチルスルホニル−p−トルエンスルホニルジアゾメタン、シクロヘキシルスルホニル(1,1−ジメチルエチルスルホニル)ジアゾメタン、ビス(1,1−ジメチルエチルスルホニル)ジアゾメタン、フェニルスルホニル(ベンゾイル)ジアゾメタンなどが挙げられる。   Examples of diazomethane compounds include bis (trifluoromethylsulfonyl) diazomethane, bis (cyclohexylsulfonyl) diazomethane, bis (phenylsulfonyl) diazomethane, bis (p-tolylsulfonyl) diazomethane, bis (2,4-xylylsulfonyl) diazomethane Bis (p-chlorophenylsulfonyl) diazomethane, methylsulfonyl-p-toluenesulfonyldiazomethane, cyclohexylsulfonyl (1,1-dimethylethylsulfonyl) diazomethane, bis (1,1-dimethylethylsulfonyl) diazomethane, phenylsulfonyl (benzoyl) diazomethane Etc.

スルホン化合物の例としては、β−ケトスルホン化合物、β−スルホニルスルホン化合物、ジアリールジスルホン化合物などが挙げられる。好ましいスルホン化合物の例としては、4−トリスフェナシルスルホン、メシチルフェナシルスルホン、ビス(フェニルスルホニル)メタン、4−クロロフェニル−4−メチルフェニルジスルホン化合物などが挙げられる。   Examples of the sulfone compound include β-ketosulfone compounds, β-sulfonylsulfone compounds, diaryldisulfone compounds, and the like. Examples of preferable sulfone compounds include 4-trisphenacyl sulfone, mesitylphenacyl sulfone, bis (phenylsulfonyl) methane, 4-chlorophenyl-4-methylphenyl disulfone compound, and the like.

スルホン酸エステル化合物の例としては、アルキルスルホン酸エステル、ハロアルキルスルホン酸エステル、アリールスルホン酸エステル、イミノスルホネートなどが挙げられる。好ましいスルホン酸エステル化合物の例として、ベンゾイントシレート、ピロガロールトリメシレート、ニトロベンジル−9,10−ジエトキシアントラセン−2−スルホネート、2,6−ジニトロベンジルベンゼンスルホネートなどが挙げられる。イミノスルホネートの市販品の例としては、PAI−101(みどり化学(株)製)、PAI−106(みどり化学(株)製)、CGI−1311(チバスペシャリティケミカルズ(株)製)が挙げられる。   Examples of the sulfonate compound include alkyl sulfonate, haloalkyl sulfonate, aryl sulfonate, imino sulfonate, and the like. Examples of preferred sulfonic acid ester compounds include benzoin tosylate, pyrogallol trimesylate, nitrobenzyl-9,10-diethoxyanthracene-2-sulfonate, 2,6-dinitrobenzylbenzenesulfonate, and the like. Examples of commercially available products of iminosulfonate include PAI-101 (manufactured by Midori Chemical Co., Ltd.), PAI-106 (manufactured by Midori Chemical Co., Ltd.), and CGI-1311 (manufactured by Ciba Specialty Chemicals Co., Ltd.).

カルボン酸エステル化合物の例としては、カルボン酸o−ニトロベンジルエステルが挙げられる。   Examples of the carboxylic acid ester compound include carboxylic acid o-nitrobenzyl ester.

スルホンイミド化合物の例としては、N−(トリフルオロメチルスルホニルオキシ)スクシンイミド(商品名「SI−105」(みどり化学(株)製))、N−(カンファスルホニルオキシ)スクシンイミド(商品名「SI−106」(みどり化学(株)製))、N−(4−メチルフェニルスルホニルオキシ)スクシンイミド(商品名「SI−101」(みどり化学(株)製))、N−(2−トリフルオロメチルフェニルスルホニルオキシ)スクシンイミド、N−(4−フルオロフェニルスルホニルオキシ)スクシンイミド、N−(トリフルオロメチルスルホニルオキシ)フタルイミド、N−(カンファスルホニルオキシ)フタルイミド、N−(2−トリフルオロメチルフェニルスルホニルオキシ)フタルイミド、N−(2−フルオロフェニルスルホニルオキシ)フタルイミド、N−(トリフルオロメチルスルホニルオキシ)ジフェニルマレイミド(商品名「PI−105」(みどり化学(株)製))、N−(カンファスルホニルオキシ)ジフェニルマレイミド、4−メチルフェニルスルホニルオキシ)ジフェニルマレイミド、N−(2−トリフルオロメチルフェニルスルホニルオキシ)ジフェニルマレイミド、N−(4−フルオロフェニルスルホニルオキシ)ジフェニルマレイミド、N−(4−フルオロフェニルスルホニルオキシ)ジフェニルマレイミド、N−(フェニルスルホニルオキシ)ビシクロ[2.2.1]ヘプト−5−エン−2,3−ジカルボキシルイミド(商品名「NDI−100」(みどり化学(株)製))、N−(4−メチルフェニルスルホニルオキシ)ビシクロ[2.2.1]ヘプト−5−エン−2,3−ジカルボキシルイミド(商品名「NDI−101」(みどり化学(株)製))、N−(トリフルオロメタンスルホニルオキシ)ビシクロ[2.2.1]ヘプト−5−エン−2,3−ジカルボキシルイミド(商品名「NDI−105」(みどり化学(株)製))、N−(ノナフルオロブタンスルホニルオキシ)ビシクロ[2.2.1]ヘプト−5−エン−2,3−ジカルボキシルイミド(商品名「NDI−109」(みどり化学(株)製))、N−(カンファスルホニルオキシ)ビシクロ[2.2.1]ヘプト−5−エン−2,3−ジカルボキシルイミド(商品名「NDI−106」(みどり化学(株)製))、N−(カンファスルホニルオキシ)−7−オキサビシクロ[2.2.1]ヘプト−5−エン−2,3−ジカルボキシルイミド、N−(トリフルオロメチルスルホニルオキシ)−7−オキサビシクロ[2.2.1]ヘプト−5−エン−2,3−ジカルボキシルイミド、N−(4−メチルフェニルスルホニルオキシ)ビシクロ[2.2.1]ヘプト−5−エン−2,3−ジカルボキシルイミド、N−(4−メチルフェニルスルホニルオキシ)−7−オキサビシクロ[2.2.1]ヘプト−5−エン−2,3−ジカルボキシルイミド、N−(2−トリフルオロメチルフェニルスルホニルオキシ)ビシクロ[2.2.1]ヘプト−5−エン−2,3−ジカルボキシルイミド、N−(2−トリフルオロメチルフェニルスルホニルオキシ)−7−オキサビシクロ[2.2.1]ヘプト−5−エン−2,3−ジカルボキシルイミド、N−(4−フルオロフェニルスルホニルオキシ)ビシクロ[2.2.1]ヘプト−5−エン−2,3−ジカルボキシルイミド、N−(4−フルオロフェニルスルホニルオキシ)−7−オキサビシクロ[2.2.1]ヘプト−5−エン−2,3−ジカルボキシルイミド、N−(トリフルオロメチルスルホニルオキシ)ビシクロ[2.2.1]ヘプタン−5,6−オキシ−2,3−ジカルボキシルイミド、N−(カンファスルホニルオキシ)ビシクロ[2.2.1]ヘプタン−5,6−オキシ−2,3−ジカルボキシルイミド、N−(4−メチルフェニルスルホニルオキシ)ビシクロ[2.2.1]ヘプタン−5,6−オキシ−2,3−ジカルボキシルイミド、N−(2−トリフルオロメチルフェニルスルホニルオキシ)ビシクロ[2.2.1]ヘプタン−5,6−オキシ−2,3−ジカルボキシルイミド、N−(4−フルオロフェニルスルホニルオキシ)ビシクロ[2.2.1]ヘプタン−5,6−オキシ−2,3−ジカルボキシルイミド、   Examples of the sulfonimide compound include N- (trifluoromethylsulfonyloxy) succinimide (trade name “SI-105” (manufactured by Midori Chemical Co., Ltd.)), N- (camphorsulfonyloxy) succinimide (trade name “SI-”). 106 "(manufactured by Midori Chemical Co., Ltd.)), N- (4-methylphenylsulfonyloxy) succinimide (trade name" SI-101 "(manufactured by Midori Chemical Co., Ltd.)), N- (2-trifluoromethylphenyl) Sulfonyloxy) succinimide, N- (4-fluorophenylsulfonyloxy) succinimide, N- (trifluoromethylsulfonyloxy) phthalimide, N- (camphorsulfonyloxy) phthalimide, N- (2-trifluoromethylphenylsulfonyloxy) phthalimide N- (2-fluoropheny Sulfonyloxy) phthalimide, N- (trifluoromethylsulfonyloxy) diphenylmaleimide (trade name “PI-105” (manufactured by Midori Chemical Co., Ltd.)), N- (camphorsulfonyloxy) diphenylmaleimide, 4-methylphenylsulfonyloxy ) Diphenylmaleimide, N- (2-trifluoromethylphenylsulfonyloxy) diphenylmaleimide, N- (4-fluorophenylsulfonyloxy) diphenylmaleimide, N- (4-fluorophenylsulfonyloxy) diphenylmaleimide, N- (phenylsulfonyl) Oxy) bicyclo [2.2.1] hept-5-ene-2,3-dicarboxylimide (trade name “NDI-100” (manufactured by Midori Chemical Co., Ltd.)), N- (4-methylphenylsulfonyloxy) ) Bishik [2.2.1] Hept-5-ene-2,3-dicarboxylimide (trade name “NDI-101” (manufactured by Midori Chemical Co., Ltd.)), N- (trifluoromethanesulfonyloxy) bicyclo [2. 2.1] Hept-5-ene-2,3-dicarboxylimide (trade name “NDI-105” (manufactured by Midori Chemical Co., Ltd.)), N- (nonafluorobutanesulfonyloxy) bicyclo [2.2. 1] Hept-5-ene-2,3-dicarboxylimide (trade name “NDI-109” (manufactured by Midori Chemical Co., Ltd.)), N- (camphorsulfonyloxy) bicyclo [2.2.1] hept- 5-ene-2,3-dicarboxylimide (trade name “NDI-106” (manufactured by Midori Chemical Co., Ltd.)), N- (camphorsulfonyloxy) -7-oxabicyclo [2.2.1] hept- 5- Ene-2,3-dicarboxylimide, N- (trifluoromethylsulfonyloxy) -7-oxabicyclo [2.2.1] hept-5-ene-2,3-dicarboxylimide, N- (4- Methylphenylsulfonyloxy) bicyclo [2.2.1] hept-5-ene-2,3-dicarboxylimide, N- (4-methylphenylsulfonyloxy) -7-oxabicyclo [2.2.1] hept -5-ene-2,3-dicarboxylimide, N- (2-trifluoromethylphenylsulfonyloxy) bicyclo [2.2.1] hept-5-ene-2,3-dicarboxylimide, N- ( 2-trifluoromethylphenylsulfonyloxy) -7-oxabicyclo [2.2.1] hept-5-ene-2,3-dicarboxylimide, N- (4- (Luorophenylsulfonyloxy) bicyclo [2.2.1] hept-5-ene-2,3-dicarboxylimide, N- (4-fluorophenylsulfonyloxy) -7-oxabicyclo [2.2.1] Hept-5-ene-2,3-dicarboxylimide, N- (trifluoromethylsulfonyloxy) bicyclo [2.2.1] heptane-5,6-oxy-2,3-dicarboxylimide, N- ( Camphorsulfonyloxy) bicyclo [2.2.1] heptane-5,6-oxy-2,3-dicarboxylimide, N- (4-methylphenylsulfonyloxy) bicyclo [2.2.1] heptane-5 6-oxy-2,3-dicarboxylimide, N- (2-trifluoromethylphenylsulfonyloxy) bicyclo [2.2.1] heptane- , 6-oxy-2,3-dicarboxylic imide, N-(4-fluorophenyl sulfonyloxy) bicyclo [2.2.1] heptane-5,6-oxy-2,3-dicarboxylic imide,

N−(トリフルオロメチルスルホニルオキシ)ナフチルジカルボキシルイミド(商品名「NAI−105」(みどり化学(株)製))、N−(カンファスルホニルオキシ)ナフチルジカルボキシルイミド(商品名「NAI−106」(みどり化学(株)製))、N−(4−メチルフェニルスルホニルオキシ)ナフチルジカルボキシルイミド(商品名「NAI−101」(みどり化学(株)製))、N−(フェニルスルホニルオキシ)ナフチルジカルボキシルイミド(商品名「NAI−100」(みどり化学(株)製))、N−(2−トリフルオロメチルフェニルスルホニルオキシ)ナフチルジカルボキシルイミド、N−(4−フルオロフェニルスルホニルオキシ)ナフチルジカルボキシルイミド、N−(ペンタフルオロエチルスルホニルオキシ)ナフチルジカルボキシルイミド、N−(ヘプタフルオロプロピルスルホニルオキシ)ナフチルジカルボキシルイミド、N−(ノナフルオロブチルスルホニルオキシ)ナフチルジカルボキシルイミド(商品名「NAI−109」(みどり化学(株)製))、N−(エチルスルホニルオキシ)ナフチルジカルボキシルイミド、N−(プロピルスルホニルオキシ)ナフチルジカルボキシルイミド、N−(ブチルスルホニルオキシ)ナフチルジカルボキシルイミド(商品名「NAI−1004」(みどり化学(株)製))、N−(ペンチルスルホニルオキシ)ナフチルジカルボキシルイミド、N−(ヘキシルスルホニルオキシ)ナフチルジカルボキシルイミド、N−(ヘプチルスルホニルオキシ)ナフチルジカルボキシルイミド、N−(オクチルスルホニルオキシ)ナフチルジカルボキシルイミド、N−(ノニルスルホニルオキシ)ナフチルジカルボキシルイミドなどが挙げられる。   N- (trifluoromethylsulfonyloxy) naphthyl dicarboxylimide (trade name “NAI-105” (manufactured by Midori Chemical Co., Ltd.)), N- (camphorsulfonyloxy) naphthyl dicarboxylimide (trade name “NAI-106”) (Manufactured by Midori Chemical Co., Ltd.)), N- (4-methylphenylsulfonyloxy) naphthyl dicarboxylimide (trade name “NAI-101” (manufactured by Midori Chemical Co., Ltd.)), N- (phenylsulfonyloxy) naphthyl Dicarboxylimide (trade name “NAI-100” (manufactured by Midori Chemical Co., Ltd.)), N- (2-trifluoromethylphenylsulfonyloxy) naphthyl dicarboxylimide, N- (4-fluorophenylsulfonyloxy) naphthyldi Carboxylimide, N- (pentafluoroethylsulfonyloxy ) Naphthyl dicarboxylimide, N- (heptafluoropropylsulfonyloxy) naphthyl dicarboxylimide, N- (nonafluorobutylsulfonyloxy) naphthyl dicarboxylimide (trade name “NAI-109” (manufactured by Midori Chemical Co., Ltd.)) N- (ethylsulfonyloxy) naphthyl dicarboximide, N- (propylsulfonyloxy) naphthyl dicarboximide, N- (butylsulfonyloxy) naphthyl dicarboximide (trade name “NAI-1004” (Midori Chemical Co., Ltd.) Manufactured)), N- (pentylsulfonyloxy) naphthyl dicarboxylimide, N- (hexylsulfonyloxy) naphthyl dicarboxylimide, N- (heptylsulfonyloxy) naphthyl dicarboxylimide, N- (octyl) Ruhoniruokishi) naphthyl dicarboxyl imides, such as N- (nonyl sulfonyloxy) naphthyl dicarboxylic imide.

感熱性酸発生剤のその他の例としては、1−(4−n−ブトキシナフタレン−1−イル)テトラヒドロチオフェニウムトリフルオロメタンスルホネート、1−(4,7−ジブトキシ−1−ナフタレニル)テトラヒドロチオフェニウムトリフルオロメタンスルホナート等のテトラヒドロチオフェニウム塩が挙げられる。   Other examples of heat sensitive acid generators include 1- (4-n-butoxynaphthalen-1-yl) tetrahydrothiophenium trifluoromethanesulfonate, 1- (4,7-dibutoxy-1-naphthalenyl) tetrahydrothiophene. And tetrahydrothiophenium salts such as nitrotrifluoromethanesulfonate.

ここまで挙げた感熱性酸発生剤の中でも、[A]成分の硬化反応の触媒作用の点から、ベンジル−4−ヒドロキシフェニルメチルスルホニウムヘキサフルオロホスフェート、1−(4,7−ジブトキシ−1−ナフタレニル)テトラヒドロチオフェニウムトリフルオロメタンスルホナート、N−(トリフルオロメチルスルホニルオキシ)ナフチルジカルボキシルイミドが、特に好ましい。   Among the heat-sensitive acid generators mentioned so far, benzyl-4-hydroxyphenylmethylsulfonium hexafluorophosphate, 1- (4,7-dibutoxy-1-naphthalenyl) is used from the viewpoint of the catalytic action of the curing reaction of the component [A]. ) Tetrahydrothiophenium trifluoromethanesulfonate, N- (trifluoromethylsulfonyloxy) naphthyl dicarboxylimide is particularly preferred.

[I]成分の感熱性酸発生剤は、1種を単独で使用してもよいし、2種以上を混合して使用してもよい。[I]成分を使用する場合の量は、[A]成分100質量部に対して、好ましくは0.1質量部〜10質量部、更に好ましくは1質量部〜5質量部である。[I]成分の使用量を0.1質量部〜10質量部とすることによって、ポジ型感放射線性組成物の放射線感度を最適化し、透明性を維持しつつ表面硬度が高い層間絶縁膜を形成することができる。   As the thermosensitive acid generator of component [I], one kind may be used alone, or two or more kinds may be mixed and used. The amount when the component [I] is used is preferably 0.1 parts by mass to 10 parts by mass, more preferably 1 part by mass to 5 parts by mass with respect to 100 parts by mass of the component [A]. An interlayer insulating film having a high surface hardness while optimizing the radiation sensitivity of the positive radiation-sensitive composition and maintaining transparency by adjusting the amount of the component [I] to be 0.1 to 10 parts by mass Can be formed.

感放射線性樹脂組成物
本発明の感放射線性樹脂組成物は、上記の[A]、[B]及び[C]成分、並びに任意成分([D]〜[I]成分)を均一に混合することによって調製される。通常、感放射線性樹脂組成物は、好ましくは適当な溶媒に溶解されて溶液状態で保存され、使用される。例えば、溶媒中で、[A]、[B]及び[C]成分、並びに任意成分を所定の割合で混合することにより、溶液状態の感放射線性樹脂組成物を調製することができる。
Radiation-sensitive resin composition The radiation-sensitive resin composition of the present invention uniformly mixes the above-mentioned [A], [B] and [C] components and optional components ([D] to [I] components). It is prepared by. Usually, the radiation-sensitive resin composition is preferably used after being dissolved in an appropriate solvent and stored in a solution state. For example, the radiation-sensitive resin composition in a solution state can be prepared by mixing the [A], [B] and [C] components and the optional components in a solvent in a predetermined ratio.

感放射線性樹脂組成物の調製に用いられる溶媒としては、上記の[A]、[B]及び[C]成分、並びに任意成分([D]〜[I]成分)の各成分を均一に溶解し、かつ各成分と反応しないものである限り、特に限定されるものではない。このような溶媒としては、共重合体[A]を製造するために使用できる溶媒として例示した溶媒と同様のものを挙げることができる。   As the solvent used for the preparation of the radiation sensitive resin composition, the above [A], [B] and [C] components, and optional components ([D] to [I] components) are uniformly dissolved. And as long as it does not react with each component, it is not particularly limited. As such a solvent, the thing similar to the solvent illustrated as a solvent which can be used in order to manufacture copolymer [A] can be mentioned.

このような溶媒のうち、各成分の溶解性、各成分との非反応性、塗膜形成の容易性等の点から、アルコール類、グリコールエーテル、エチレングリコールアルキルエーテルアセテート、エステル類及びジエチレングリコールアルキルエーテルが好ましく用いられる。これらの溶媒のうち、ベンジルアルコール、2−フェニルエチルアルコール、3−フェニル−1−プロパノール、エチレングリコールモノブチルエーテルアセテート、ジエチレングリコールモノエチルエーテル、ジエチレングリコールジエチルエーテル、ジエチレングリコールエチルメチルエーテル、ジエチレングリコールジメチルエーテル、プロピレングリコールモノメチルエーテル、プルピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、2−又は3−メトキシプロピオン酸メチル、2−又は3−エトキシプロピオン酸エチルが特に好ましく使用できる。   Among such solvents, alcohols, glycol ethers, ethylene glycol alkyl ether acetates, esters, and diethylene glycol alkyl ethers from the standpoints of solubility of each component, non-reactivity with each component, ease of film formation, etc. Is preferably used. Among these solvents, benzyl alcohol, 2-phenylethyl alcohol, 3-phenyl-1-propanol, ethylene glycol monobutyl ether acetate, diethylene glycol monoethyl ether, diethylene glycol diethyl ether, diethylene glycol ethyl methyl ether, diethylene glycol dimethyl ether, propylene glycol monomethyl ether , Propylene glycol monomethyl ether acetate, methyl 2- or 3-methoxypropionate, or ethyl 2- or 3-ethoxypropionate can be particularly preferably used.

さらに、形成される塗膜の膜厚の面内均一性を高めるため、前記溶媒と共に高沸点溶媒を併用することもできる。併用できる高沸点溶媒としては、例えばN−メチルホルムアミド、N,N−ジメチルホルムアミド、N−メチルホルムアニリド、N−メチルアセトアミド、N,N−ジメチルアセトアミド、N−メチルピロリドン、ジメチルスルホキシド、ベンジルエチルエーテル、ジヘキシルエーテル、アセトニルアセトン、イソホロン、カプロン酸、カプリル酸、1−オクタノール、1−ノナノール、酢酸ベンジル、安息香酸エチル、シュウ酸ジエチル、マレイン酸ジエチル、γ−ブチロラクトン、炭酸エチレン、炭酸プロピレン、フェニルセロソルブアセテートなどが挙げられる。これらの高沸点溶媒のうち、N−メチルピロリドン、γ−ブチロラクトン、N,N−ジメチルアセトアミドが好ましい。   Furthermore, in order to improve the in-plane uniformity of the film thickness of the coating film to be formed, a high boiling point solvent can be used in combination with the solvent. Examples of the high boiling point solvent that can be used in combination include N-methylformamide, N, N-dimethylformamide, N-methylformanilide, N-methylacetamide, N, N-dimethylacetamide, N-methylpyrrolidone, dimethylsulfoxide, and benzylethyl ether. , Dihexyl ether, acetonyl acetone, isophorone, caproic acid, caprylic acid, 1-octanol, 1-nonanol, benzyl acetate, ethyl benzoate, diethyl oxalate, diethyl maleate, γ-butyrolactone, ethylene carbonate, propylene carbonate, phenyl Examples include cellosolve acetate. Of these high boiling solvents, N-methylpyrrolidone, γ-butyrolactone, and N, N-dimethylacetamide are preferred.

感放射線性樹脂組成物の溶媒として、高沸点溶媒を併用する場合、その使用量は、溶媒全量に対して50質量%以下、好ましくは40質量%以下、さらに好ましくは30質量%以下とすることができる。高沸点溶媒の使用割合を50質量%以下とすることによって、塗膜の膜厚均一性を高めると同時に、放射線感度の低下を抑制することができる。   When a high boiling point solvent is used in combination as a solvent for the radiation-sensitive resin composition, the amount used is 50% by mass or less, preferably 40% by mass or less, more preferably 30% by mass or less, based on the total amount of the solvent. Can do. By setting the use ratio of the high boiling point solvent to 50% by mass or less, it is possible to improve the film thickness uniformity of the coating film and at the same time suppress the decrease in radiation sensitivity.

感放射線性樹脂組成物を溶液状態として調製する場合、溶液中に占める溶媒以外の成分(すなわち、共重合体[A]、[B]及び[C]成分、並びにその他の任意成分の合計量)の割合は、使用目的や所望の膜厚等に応じて任意に設定することができるが、好ましくは5〜50質量%、より好ましくは10〜40質量%、さらに好ましくは15〜35質量%である。このようにして調製された感放射線性樹脂組成物の溶液は、孔径0.2μm程度のミリポアフィルタなどを用いて濾過した後、使用に供することもできる。   When preparing the radiation-sensitive resin composition in a solution state, components other than the solvent in the solution (that is, the total amount of the copolymers [A], [B] and [C], and other optional components) The ratio of can be arbitrarily set according to the purpose of use and the desired film thickness, but is preferably 5 to 50% by mass, more preferably 10 to 40% by mass, and still more preferably 15 to 35% by mass. is there. The solution of the radiation sensitive resin composition thus prepared can be used after being filtered using a Millipore filter having a pore size of about 0.2 μm.

層間絶縁膜の形成
次に、上記の感放射線性樹脂組成物を用いて、本発明の層間絶縁膜を形成する方法について述べる。当該方法は、以下の工程を以下の記載順で含む。
(1)本発明の感放射線性樹脂組成物の塗膜を基板上に形成する工程、
(2)工程(1)で形成した塗膜の少なくとも一部に放射線を照射する工程、
(3)工程(2)で放射線を照射された塗膜を現像する工程、及び
(4)工程(3)で現像された塗膜を加熱により焼成する工程。
Formation of Interlayer Insulating Film Next, a method for forming the interlayer insulating film of the present invention using the above radiation sensitive resin composition will be described. The method includes the following steps in the order described below.
(1) The process of forming the coating film of the radiation sensitive resin composition of this invention on a board | substrate,
(2) A step of irradiating at least a part of the coating film formed in step (1),
(3) A step of developing the coating film irradiated with radiation in step (2), and (4) a step of baking the coating film developed in step (3) by heating.

(1)感放射線性樹脂組成物の塗膜を基板上に形成する工程
上記(1)の工程においては、本発明の感放射線性樹脂組成物の溶液を基板表面に塗布し、好ましくはプレベークを行うことにより溶剤を除去して、感放射線性樹脂組成物の塗膜を形成する。使用できる基板の種類としては、例えば、ガラス基板、シリコンウエハー、プラスチック基板、及びこれらの表面に各種金属が形成された基板を挙げることができる。上記プラスチック基板としては、ポリエチレンテレフタレート(PET)、ポリブチレンテレフタレート、ポリエーテルスルホン、ポリカーボネート、ポリイミドなどのプラスチックからなる樹脂基板が挙げられる。
(1) Step of forming a coating film of a radiation sensitive resin composition on a substrate In the step (1), a solution of the radiation sensitive resin composition of the present invention is applied to the substrate surface, preferably prebaked. By removing the solvent, a coating film of the radiation sensitive resin composition is formed. Examples of the substrate that can be used include a glass substrate, a silicon wafer, a plastic substrate, and a substrate on which various metals are formed. Examples of the plastic substrate include resin substrates made of plastics such as polyethylene terephthalate (PET), polybutylene terephthalate, polyethersulfone, polycarbonate, and polyimide.

組成物溶液の塗布方法としては、特に限定されず、例えば、スプレー法、ロールコート法、回転塗布法(スピンコート法)、スリットダイ塗布法、バー塗布法、インクジェット法等の適宜の方法を採用することができる。これらの塗布方法の中でも、スピンコート法、バー塗布法、スリットダイ塗布法が好ましい。プレベークの条件としては、各成分の種類、使用割合等によっても異なるが、例えば、60〜90℃で30秒間〜10分間程度とすることができる。形成される塗膜の膜厚は、プレベーク後の値として、好ましくは0.1〜8μmであり、より好ましくは0.1〜6μmであり、さらに好ましくは0.1〜4μmである。   The method for applying the composition solution is not particularly limited. For example, an appropriate method such as a spray method, a roll coating method, a spin coating method (spin coating method), a slit die coating method, a bar coating method, or an ink jet method is adopted. can do. Among these coating methods, spin coating, bar coating, and slit die coating are preferable. The pre-baking conditions vary depending on the type of each component, the use ratio, and the like, but can be, for example, 60 to 90 ° C. for 30 seconds to 10 minutes. The film thickness of the coating film to be formed is preferably 0.1 to 8 μm, more preferably 0.1 to 6 μm, and further preferably 0.1 to 4 μm as a value after pre-baking.

(2)塗膜の少なくとも一部に放射線を照射する工程
上記(2)の工程では、形成された塗膜に所定のパターンを有するマスクを介して、放射線を照射する。このとき用いられる放射線としては、例えば紫外線、遠紫外線、X線、荷電粒子線等が挙げられる。
(2) Step of irradiating at least a part of the coating film In the step (2), the formed coating film is irradiated with radiation through a mask having a predetermined pattern. Examples of the radiation used at this time include ultraviolet rays, far ultraviolet rays, X-rays, and charged particle beams.

上記紫外線としては、例えばg線(波長436nm)、i線(波長365nm)等が挙げられる。遠紫外線としては、例えばKrFエキシマレーザー等が挙げられる。X線としては、例えばシンクロトロン放射線等が挙げられる。荷電粒子線としては、例えば電子線等を挙げることができる。これらの放射線のうち、紫外線が好ましく、紫外線の中でもg線及び/又はi線を含む放射線が特に好ましい。露光量としては、30〜1,500J/mとすることが好ましい。 Examples of the ultraviolet rays include g-line (wavelength 436 nm), i-line (wavelength 365 nm), and the like. Examples of the far ultraviolet light include a KrF excimer laser. Examples of X-rays include synchrotron radiation. Examples of the charged particle beam include an electron beam. Among these radiations, ultraviolet rays are preferable, and among the ultraviolet rays, radiation containing g-line and / or i-line is particularly preferable. The exposure amount is preferably 30 to 1,500 J / m 2 .

(3)現像工程
(3)現像工程において、上記(2)の工程で放射線を照射された塗膜に対して現像を行って、放射線の照射部分を除去し、所望のパターンを形成することができる。現像処理に用いられる現像液としては、例えば水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、炭酸ナトリウム、ケイ酸ナトリウム、メタケイ酸ナトリウム、アンモニア、エチルアミン、n−プロピルアミン、ジエチルアミン、ジエチルアミノエタノール、ジ−n−プロピルアミン、トリエチルアミン、メチルジエチルアミン、ジメチルエタノールアミン、トリエタノールアミン、テトラメチルアンモニウムヒドロキシド、テトラエチルアンモニウムヒドロキシド、ピロール、ピペリジン、1,8−ジアザビシクロ〔5,4,0〕−7−ウンデセン、1,5−ジアザビシクロ〔4,3,0〕−5−ノナン等のアルカリ(塩基性化合物)の水溶液を用いることができる。また、上記のアルカリの水溶液にメタノール、エタノール等の水溶性有機溶媒や界面活性剤を適当量添加した水溶液、又は感放射線性樹脂組成物を溶解する各種有機溶媒を少量含むアルカリ水溶液を、現像液として使用することができる。さらに、現像方法としては、例えば、液盛り法、ディッピング法、揺動浸漬法、シャワー法等の適宜の方法を利用することができる。現像時間は、感放射線性樹脂組成物の組成によって異なるが、例えば30〜120秒間とすることができる。
この現像工程の後に、パターニングされた薄膜に対して流水洗浄によるリンス処理を行い、続いて、高圧水銀灯などによる放射線を全面に照射(後露光)することにより、薄膜中に残存する1,2−キノンジアジド化合物の分解処理を行うことが好ましい。
(3) Development step (3) In the development step, the coating film irradiated with radiation in the step (2) is developed to remove the irradiated portion and form a desired pattern. it can. Examples of the developer used for the development processing include sodium hydroxide, potassium hydroxide, sodium carbonate, sodium silicate, sodium metasilicate, ammonia, ethylamine, n-propylamine, diethylamine, diethylaminoethanol, di-n-propylamine. , Triethylamine, methyldiethylamine, dimethylethanolamine, triethanolamine, tetramethylammonium hydroxide, tetraethylammonium hydroxide, pyrrole, piperidine, 1,8-diazabicyclo [5,4,0] -7-undecene, 1,5- An aqueous solution of an alkali (basic compound) such as diazabicyclo [4,3,0] -5-nonane can be used. In addition, an aqueous solution obtained by adding an appropriate amount of a water-soluble organic solvent or surfactant such as methanol or ethanol to the aqueous alkali solution described above, or an alkaline aqueous solution containing a small amount of various organic solvents for dissolving the radiation-sensitive resin composition, Can be used as Furthermore, as a developing method, for example, an appropriate method such as a liquid filling method, a dipping method, a rocking dipping method, a shower method, or the like can be used. Although development time changes with compositions of a radiation sensitive resin composition, it can be made into 30 to 120 second, for example.
After this development step, the patterned thin film is rinsed by running water washing, and subsequently irradiated with a high-pressure mercury lamp or the like on the entire surface (post-exposure), thereby remaining in the thin film 1,2- It is preferable to perform a decomposition treatment of the quinonediazide compound.

(4)加熱工程
次いで、(4)加熱工程において、ホットプレート、オーブン等の加熱装置を用いて、この薄膜を加熱・焼成処理(ポストベーク処理)することによって薄膜の硬化を行う。上記の後露光における露光量は、好ましくは2,000〜5,000J/m程度である。また、この加熱工程における焼成温度は、好ましくは120〜180℃であり、特に好ましくは120〜150℃である。加熱時間は、加熱機器の種類により異なるが、例えば、ホットプレート上で加熱処理を行う場合には5〜40分間、オーブン中で加熱処理を行う場合には30〜80分間とすることができ、特に好ましくは、ホットプレート上で加熱処理を行う場合には30分間以内、オーブン中で加熱処理を行う場合には60分間以内である。このようにして、目的とする層間絶縁膜に対応するパターン状薄膜を基板の表面上に形成することができる。
(4) Heating step Next, in the (4) heating step, the thin film is cured by heating and baking (post-baking) the thin film using a heating device such as a hot plate or an oven. The exposure amount in the post-exposure is preferably about 2,000 to 5,000 J / m 2 . Moreover, the firing temperature in this heating step is preferably 120 to 180 ° C, particularly preferably 120 to 150 ° C. The heating time varies depending on the type of heating equipment, but for example, it can be 5 to 40 minutes when heat treatment is performed on a hot plate, and 30 to 80 minutes when heat treatment is performed in an oven, Particularly preferably, it is within 30 minutes when heat treatment is performed on a hot plate, and within 60 minutes when heat treatment is performed in an oven. In this way, a patterned thin film corresponding to the target interlayer insulating film can be formed on the surface of the substrate.

上記のように、低温かつ短時間の加熱によって形成される本発明の層間絶縁膜は、後述の実施例からも明らかにされるように、十分な表面硬度を有すると共に、耐溶剤性及び比誘電率に優れている。従って、この層間絶縁膜は、フレキシブルディスプレイの層間絶縁膜として好適に用いられる。   As described above, the interlayer insulating film of the present invention formed by heating at a low temperature for a short time has sufficient surface hardness as well as solvent resistance and relative dielectric constant, as will be apparent from examples described later. The rate is excellent. Therefore, this interlayer insulating film is suitably used as an interlayer insulating film for flexible displays.

以下、合成例及び実施例によって本発明を更に詳細に説明するが、本発明はこれらの実施例に限定されるものではない。   EXAMPLES Hereinafter, although a synthesis example and an Example demonstrate this invention further in detail, this invention is not limited to these Examples.

以下において、共重合体の重量平均分子量(Mw)及び数平均分子量(Mn)は、下記の条件によるゲルパーミエーションクロマトグラフィー(GPC)により測定した。
測定装置:「HLC8220システム」(東ソー(株)製)
分離カラム:TSKgelGMHHR−N(東ソー(株)製)の4本を直列に接続
カラム温度:40℃
溶出溶媒:テトラヒドロフラン(和光純薬工業(株)製)
流速:1.0mL/分
試料濃度:1.0質量%
試料注入量:100μm
検出器:示差屈折計
標準物質:単分散ポリスチレン
また、感放射線性樹脂組成物の溶液粘度は、E型粘度計(東京計器(株)製)を用いて30℃において測定した。
Hereinafter, the weight average molecular weight (Mw) and the number average molecular weight (Mn) of the copolymer were measured by gel permeation chromatography (GPC) under the following conditions.
Measuring device: “HLC8220 system” (manufactured by Tosoh Corporation)
Separation column: TSKgelGMH HR- N (manufactured by Tosoh Corporation) connected in series Column temperature: 40 ° C
Elution solvent: Tetrahydrofuran (Wako Pure Chemical Industries, Ltd.)
Flow rate: 1.0 mL / min Sample concentration: 1.0% by mass
Sample injection amount: 100 μm
Detector: Differential refractometer Standard material: Monodispersed polystyrene The solution viscosity of the radiation-sensitive resin composition was measured at 30 ° C. using an E-type viscometer (manufactured by Tokyo Keiki Co., Ltd.).

共重合体の合成例
[合成例1]
冷却管、攪拌機を備えたフラスコに、2,2’−アゾビス(2,4−ジメチルバレロニトリル)7質量部、ジエチレングリコールエチルメチルエーテル200質量部を仕込んだ。引き続きメタクリル酸16質量部、トリシクロ[5.2.1.02,6]デカン−8−イルメタクリレート16質量部、2−メチルシクロヘキシルアクリレート20質量部、メタクリル酸グリシジル40質量部、スチレン10質量部を仕込み、窒素置換した後、ゆるやかに撹拌を始めた。溶液の温度を70℃に上昇させ、この温度を4時間保持することにより、共重合体[A−1]を含む重合体溶液を得た。この共重合体[A−1]のポリスチレン換算重量平均分子量(Mw)は8,000、分子量分布(Mw/Mn)は2.3であった。また、ここで得られた重合体溶液の固形分濃度(重合体溶液に含まれる共重合体の質量が重合体溶液の全重量に占める割合をいう。以下同じ。)は、34.4質量%であった。
Example of copolymer synthesis [Synthesis Example 1]
A flask equipped with a condenser and a stirrer was charged with 7 parts by mass of 2,2′-azobis (2,4-dimethylvaleronitrile) and 200 parts by mass of diethylene glycol ethyl methyl ether. Subsequently, 16 parts by weight of methacrylic acid, 16 parts by weight of tricyclo [5.2.1.0 2,6 ] decan-8-yl methacrylate, 20 parts by weight of 2-methylcyclohexyl acrylate, 40 parts by weight of glycidyl methacrylate, 10 parts by weight of styrene Was added, and after the atmosphere was replaced with nitrogen, stirring was started gently. The temperature of the solution was raised to 70 ° C., and this temperature was maintained for 4 hours to obtain a polymer solution containing the copolymer [A-1]. This copolymer [A-1] had a polystyrene-reduced weight average molecular weight (Mw) of 8,000 and a molecular weight distribution (Mw / Mn) of 2.3. Further, the solid content concentration of the polymer solution obtained here (the ratio of the mass of the copolymer contained in the polymer solution to the total weight of the polymer solution; the same applies hereinafter) is 34.4% by mass. Met.

[合成例2]
冷却管、攪拌機を備えたフラスコに、2,2’−アゾビス(2,4−ジメチルバレロニトリル)8質量部、及びジエチレングリコールエチルメチルエーテル220質量部を仕込んだ。引き続きメタクリル酸11質量部、テトラヒドロフルフリルメタクリレート12質量部、メタクリル酸グリシジル40質量部、N−シクロヘキシルマレイミド15質量部、n−ラウリルメタクリレート10質量部、α−メチル−p−ヒドロキシスチレン10質量部を仕込み、窒素置換した後、ゆるやかに撹拌を始めた。溶液の温度を70℃に上昇させ、この温度を5時間保持することにより、共重合体[A−2]を含む重合体溶液を得た。この共重合体[A−2]のポリスチレン換算重量平均分子量(Mw)は8,000、分子量分布(Mw/Mn)は2.3であった。また、ここで得られた重合体溶液の固形分濃度は31.9質量%であった。
[Synthesis Example 2]
A flask equipped with a condenser and a stirrer was charged with 8 parts by mass of 2,2′-azobis (2,4-dimethylvaleronitrile) and 220 parts by mass of diethylene glycol ethyl methyl ether. Subsequently, 11 parts by weight of methacrylic acid, 12 parts by weight of tetrahydrofurfuryl methacrylate, 40 parts by weight of glycidyl methacrylate, 15 parts by weight of N-cyclohexylmaleimide, 10 parts by weight of n-lauryl methacrylate, 10 parts by weight of α-methyl-p-hydroxystyrene After charging and replacing with nitrogen, stirring was started gently. The temperature of the solution was raised to 70 ° C., and this temperature was maintained for 5 hours to obtain a polymer solution containing the copolymer [A-2]. The copolymer [A-2] had a polystyrene equivalent weight average molecular weight (Mw) of 8,000 and a molecular weight distribution (Mw / Mn) of 2.3. Moreover, the solid content concentration of the polymer solution obtained here was 31.9 mass%.

[比較合成例1]
冷却管、攪拌機を備えたフラスコに、窒素気流下、2,2−ビス(3−アミノ−4−メチルフェニル)ヘキサフルオロプロパン18質量部を入れ、N−メチル−2−ピロリドン75質量部に溶解させた後、1,2,3,4−シクロブタンテトラカルボン酸無水物9.5質量部を加え、これを室温で8時間攪拌して重合反応を行った。得られたポリアミド酸の溶液をN−メチル−2−ピロリドンで10質量%に希釈した。この溶液にイミド化触媒として無水酢酸26質量部、ピリジン16質量部を加え、室温で30分間反応させ、その後40℃で90分間反応させてポリイミド溶液を得た。この溶液を大量のメタノール及び水の混合溶液中に投入し、得られた白色沈殿をろ別、乾燥し、白色のポリイミド[P−1]の粉末を得た。このポリイミド粉末をプロピレングリコールモノメチルエーテルに溶解させて、ポリイミド[P−1]を含有する溶液を得た。
[Comparative Synthesis Example 1]
A flask equipped with a condenser and a stirrer was charged with 18 parts by mass of 2,2-bis (3-amino-4-methylphenyl) hexafluoropropane under a nitrogen stream and dissolved in 75 parts by mass of N-methyl-2-pyrrolidone. Then, 9.5 parts by mass of 1,2,3,4-cyclobutanetetracarboxylic anhydride was added, and this was stirred at room temperature for 8 hours to carry out a polymerization reaction. The obtained polyamic acid solution was diluted to 10% by mass with N-methyl-2-pyrrolidone. To this solution, 26 parts by mass of acetic anhydride and 16 parts by mass of pyridine were added as an imidization catalyst, reacted at room temperature for 30 minutes, and then reacted at 40 ° C. for 90 minutes to obtain a polyimide solution. This solution was poured into a mixed solution of a large amount of methanol and water, and the resulting white precipitate was filtered and dried to obtain a white polyimide [P-1] powder. This polyimide powder was dissolved in propylene glycol monomethyl ether to obtain a solution containing polyimide [P-1].

<樹脂組成物の調製>
[実施例1]
[A]成分として合成例1の共重合体[A−1]を含有する溶液を、共重合体100質量部(固形分)に相当する量、及び[B]成分として4,4’−〔1−〔4−〔1−〔4−ヒドロキシフェニル〕−1−メチルエチル〕フェニル〕エチリデン〕ビスフェノール(1.0モル)と1,2−ナフトキノンジアジド−5−スルホン酸クロリド(2.0モル)との縮合物(B−1)30質量部、及び[C]成分(架橋剤)としてペンタエリスリトールテトラキス(3−メルカプトプロピオネート)(C−1)30質量部を添加し、さらに、固形分濃度が30質量%となるように溶媒としてジエチレングリコールエチルメチルエーテルを添加した後、口径0.2μmのメンブランフィルタで濾過することにより、感放射線性樹脂組成物(S−1)を調製した。
<Preparation of resin composition>
[Example 1]
A solution containing the copolymer [A-1] of Synthesis Example 1 as the [A] component was added in an amount corresponding to 100 parts by mass (solid content) of the copolymer, and 4,4 ′-[ 1- [4- [1- [4-Hydroxyphenyl] -1-methylethyl] phenyl] ethylidene] bisphenol (1.0 mol) and 1,2-naphthoquinonediazide-5-sulfonic acid chloride (2.0 mol) And 30 parts by mass of pentaerythritol tetrakis (3-mercaptopropionate) (C-1) as a [C] component (crosslinking agent) and a solid content. After adding diethylene glycol ethyl methyl ether as a solvent so that the concentration becomes 30% by mass, the radiation sensitive resin composition (S-1) is prepared by filtering through a membrane filter having a diameter of 0.2 μm. It was.

[実施例2]
[A]成分として合成例1の共重合体[A−1]を含有する溶液を、共重合体100質量部(固形分)に相当する量、及び[B]成分として4,4’−〔1−〔4−〔1−〔4−ヒドロキシフェニル〕−1−メチルエチル〕フェニル〕エチリデン〕ビスフェノール(1.0モル)と1,2−ナフトキノンジアジド−5−スルホン酸クロリド(2.0モル)との縮合物(B−1)30質量部、及び[C]成分(架橋剤)としてペンタエリスリトールテトラキス(3−メルカプトプロピオネート)(C−1)30質量部、及び[D]成分(架橋補助剤)として2−フェニルベンズイミダゾール(D−1)0.5質量部を添加し、さらに、固形分濃度が30質量%となるように溶媒としてジエチレングリコールエチルメチルエーテルを添加した後、口径0.2μmのメンブランフィルタで濾過することにより、感放射線性樹脂組成物(S−2)を調製した。
[Example 2]
A solution containing the copolymer [A-1] of Synthesis Example 1 as the [A] component was added in an amount corresponding to 100 parts by mass (solid content) of the copolymer, and 4,4 ′-[ 1- [4- [1- [4-Hydroxyphenyl] -1-methylethyl] phenyl] ethylidene] bisphenol (1.0 mol) and 1,2-naphthoquinonediazide-5-sulfonic acid chloride (2.0 mol) 30 parts by mass of the condensate (B-1) and 30 parts by mass of pentaerythritol tetrakis (3-mercaptopropionate) (C-1) as the [C] component (crosslinking agent) and the [D] component (crosslinking) After adding 0.5 parts by mass of 2-phenylbenzimidazole (D-1) as an auxiliary agent, and further adding diethylene glycol ethyl methyl ether as a solvent so that the solid content concentration becomes 30% by mass, A radiation sensitive resin composition (S-2) was prepared by filtering with a membrane filter having a diameter of 0.2 μm.

[実施例3]
共重合体[A−1]の代わりに共重合体[A−2]使用した以外は、実施例2と同様にして各成分を配合し、感放射線性樹脂組成物(S−3)を調製した。
[Example 3]
Except that the copolymer [A-2] was used instead of the copolymer [A-1], each component was blended in the same manner as in Example 2 to prepare a radiation-sensitive resin composition (S-3). did.

[実施例4]
[C]成分として化合物(C−1)の代わりに、トリメチロールプロパントリス(3−メルカプトプロピオネート)(C−2)を使用した以外は、実施例2と同様にして各成分を配合し、感放射線性樹脂組成物(S−4)を調製した。
[Example 4]
[C] Each component was blended in the same manner as in Example 2 except that trimethylolpropane tris (3-mercaptopropionate) (C-2) was used instead of compound (C-1) as component [C]. A radiation sensitive resin composition (S-4) was prepared.

[実施例5]
[C]成分として化合物(C−1)の代わりに、ジペンタエリスリトールヘキサキス(3−メルカプトプロピオネート)(C−3)を使用した以外は、実施例2と同様にして各成分を配合し、感放射線性樹脂組成物(S−5)を調製した。
[Example 5]
[C] Each component was blended in the same manner as in Example 2 except that dipentaerythritol hexakis (3-mercaptopropionate) (C-3) was used instead of compound (C-1) as component [C]. Then, a radiation sensitive resin composition (S-5) was prepared.

[実施例6]
[D]成分として化合物(D−1)の代わりに、2−メチルイミダゾール(D−2)を使用した以外は、実施例2と同様にして各成分を配合し、感放射線性樹脂組成物(S−6)を調製した。
[Example 6]
[D] Each component was blended in the same manner as in Example 2 except that 2-methylimidazole (D-2) was used in place of the compound (D-1) as the component (D-1), and the radiation-sensitive resin composition ( S-6) was prepared.

[実施例7]
[D]成分として化合物(D−1)の代わりに、2−メチルベンズイミダゾール(D−3)を使用した以外は、実施例2と同様にして各成分を配合し、感放射線性樹脂組成物(S−7)を調製した。
[Example 7]
[D] Each component was blended in the same manner as in Example 2 except that 2-methylbenzimidazole (D-3) was used in place of the compound (D-1) as a component, and a radiation-sensitive resin composition. (S-7) was prepared.

[実施例8]
[C]成分として化合物(C−1)の代わりに、1,3,5−トリス(3−メルカプトブチルオキシエチル)−1,3,5−トリアジン−2,4,6(1H,3H,5H)−トリオン(C−4)を使用した以外は、実施例2と同様にして各成分を配合し、感放射線性樹脂組成物(S−8)を調製した。
[Example 8]
[C] Instead of compound (C-1) as component, 1,3,5-tris (3-mercaptobutyloxyethyl) -1,3,5-triazine-2,4,6 (1H, 3H, 5H ) -Trione (C-4) was used except that each component was blended in the same manner as in Example 2 to prepare a radiation sensitive resin composition (S-8).

[実施例9]
[C]成分として化合物(C−1)の代わりに、ペンタエリスリトールテトラキス(3−メルカプトブチレート)(C−5)を使用した以外は、実施例2と同様にして各成分を配合し、感放射線性樹脂組成物(S−9)を調製した。
[Example 9]
[C] Each component was blended in the same manner as in Example 2 except that pentaerythritol tetrakis (3-mercaptobutyrate) (C-5) was used instead of compound (C-1) as the component (C-1). A radiation resin composition (S-9) was prepared.

[実施例10]
[C]成分として化合物(C−1)の代わりに、ペンタエリスリトールテトラキス(3−メルカプトペンチレート)(C−6)を使用した以外は、実施例2と同様にして各成分を配合し、感放射線性樹脂組成物(S−10)を調製した。
[Example 10]
[C] Each component was blended in the same manner as in Example 2 except that pentaerythritol tetrakis (3-mercaptopentylate) (C-6) was used instead of compound (C-1) as the component (C-1). A radiation resin composition (S-10) was prepared.

[実施例11]
[C]成分として化合物(C−1)の代わりに、テトラエチレングリコールビス(3−メルカプトプロピオネート)(C−7)を使用した以外は、実施例2と同様にして各成分を配合し、感放射線性樹脂組成物(S−11)を調製した。
[Example 11]
[C] Each component was blended in the same manner as in Example 2 except that tetraethylene glycol bis (3-mercaptopropionate) (C-7) was used instead of compound (C-1) as the component [C]. A radiation sensitive resin composition (S-11) was prepared.

[実施例12]
[C]成分として化合物(C−1)の代わりに、ペンタエリスリトールテトラキス(チオグリコレート)(C−8)を使用した以外は、実施例2と同様にして各成分を配合し、感放射線性樹脂組成物(S−12)を調製した。
[Example 12]
[C] Each component was blended in the same manner as in Example 2 except that pentaerythritol tetrakis (thioglycolate) (C-8) was used in place of the compound (C-1) as the component (C-1). A resin composition (S-12) was prepared.

[実施例13]
[C]成分として化合物(C−1)の代わりに、1,4−ビス(3−メルカプトブチリルオキシ)ブタン(C−9)を使用した以外は、実施例2と同様にして各成分を配合し、感放射線性樹脂組成物(S−13)を調製した。
[Example 13]
[C] Each component was prepared in the same manner as in Example 2 except that 1,4-bis (3-mercaptobutyryloxy) butane (C-9) was used in place of the compound (C-1). The radiation sensitive resin composition (S-13) was prepared by blending.

[実施例14]
[I]成分として、ベンジル−4−ヒドロキシフェニルメチルスルホニウムヘキサフルオロホスフェート(I−1)を使用した以外は、実施例9と同様にして各成分を配合し、感放射線性樹脂組成物(S−14)を調製した。
[Example 14]
Each component was blended in the same manner as in Example 9 except that benzyl-4-hydroxyphenylmethylsulfonium hexafluorophosphate (I-1) was used as the component [I], and the radiation-sensitive resin composition (S- 14) was prepared.

[実施例15]
[I]成分として、1−(4,7−ジブトキシ−1−ナフタレニル)テトラヒドロチオフェニウム トリフルオロメタンスルホナート(I−2)を使用した以外は、実施例9と同様にして各成分を配合し、感放射線性樹脂組成物(S−15)を調製した。
[Example 15]
Each component was blended in the same manner as in Example 9 except that 1- (4,7-dibutoxy-1-naphthalenyl) tetrahydrothiophenium trifluoromethanesulfonate (I-2) was used as the component [I]. A radiation sensitive resin composition (S-15) was prepared.

[実施例16]
[I]成分として、N−(トリフルオロメチルスルホニルオキシ)ナフチルジカルボキシルイミド(I−3)を使用した以外は、実施例9と同様にして各成分を配合し、感放射線性樹脂組成物(S−16)を調製した。
[Example 16]
[I] Each component was blended in the same manner as in Example 9 except that N- (trifluoromethylsulfonyloxy) naphthyl dicarboxylimide (I-3) was used as the component, and the radiation-sensitive resin composition ( S-16) was prepared.

[比較例1]
[C]成分を用いなかった以外は、実施例1と同様にして各成分を配合し、感放射線性樹脂組成物(s−1)を調製した。
[Comparative Example 1]
Each component was mix | blended like Example 1 except not using the [C] component, and the radiation sensitive resin composition (s-1) was prepared.

[比較例2及び3]
これらの比較例の組成物(s−2)として、比較合成例1で得られたポリイミド[P−1]を含有する溶液を準備した。
[Comparative Examples 2 and 3]
As a composition (s-2) of these comparative examples, a solution containing the polyimide [P-1] obtained in Comparative Synthesis Example 1 was prepared.

[参考例1]
本参考例用として、実施例2と同じ感放射線性樹脂組成物(S−2)を調製した。
[Reference Example 1]
For this reference example, the same radiation sensitive resin composition (S-2) as in Example 2 was prepared.

表1中、成分の略称は次の化合物を示す。
C−1:ペンタエリスリトールテトラキス(3−メルカプトプロピオネート)
C−2:トリメチロールプロパントリス(3−メルカプトプロピオネート)
C−3:ジペンタエリスリトールヘキサキス(3−メルカプトプロピオネート)
C−4:1,3,5−トリス(3−メルカプトブチルオキシエチル)−1,3,5−トリアジン−2,4,6(1H,3H,5H)−トリオン
C−5:ペンタエリスリトールテトラキス(3−メルカプトブチレート)
C−6:ペンタエリスリトールテトラキス(3−メルカプトペンチレート)
C−7:テトラエチレングリコールビス(3−メルカプトプロピオネート)
C−8:ペンタエリスリトールテトラキス(チオグリコレート)
C−9:1,4−ビス(3−メルカプトブチリルオキシ)ブタン
D−1:2−フェニルベンズイミダゾール
D−2:2−メチルイミダゾール
D−3:2−メチルベンズイミダゾール
I−1:ベンジル−4−ヒドロキシフェニルメチルスルホニウムヘキサフルオロホスフェート
I−2:1−(4,7−ジブトキシ−1−ナフタレニル)テトラヒドロチオフェニウム トリフルオロメタンスルホナート
I−3:N−(トリフルオロメチルスルホニルオキシ)ナフチルジカルボキシルイミド(みどり化学(株)製の「NAI−105」)
In Table 1, the abbreviations of the components indicate the following compounds.
C-1: Pentaerythritol tetrakis (3-mercaptopropionate)
C-2: Trimethylolpropane tris (3-mercaptopropionate)
C-3: Dipentaerythritol hexakis (3-mercaptopropionate)
C-4: 1,3,5-tris (3-mercaptobutyloxyethyl) -1,3,5-triazine-2,4,6 (1H, 3H, 5H) -trione C-5: pentaerythritol tetrakis ( 3-mercaptobutyrate)
C-6: Pentaerythritol tetrakis (3-mercaptopentylate)
C-7: Tetraethylene glycol bis (3-mercaptopropionate)
C-8: Pentaerythritol tetrakis (thioglycolate)
C-9: 1,4-bis (3-mercaptobutyryloxy) butane D-1: 2-phenylbenzimidazole D-2: 2-methylimidazole D-3: 2-methylbenzimidazole I-1: benzyl- 4-hydroxyphenylmethylsulfonium hexafluorophosphate I-2: 1- (4,7-dibutoxy-1-naphthalenyl) tetrahydrothiophenium trifluoromethanesulfonate I-3: N- (trifluoromethylsulfonyloxy) naphthyl dicarboxyl Imido (“NAI-105” manufactured by Midori Chemical Co., Ltd.)

<層間絶縁膜としての特性評価>
上記のように調製した樹脂組成物を使用し、以下のように層間絶縁膜としての各種の特性を評価した。
<Characteristic evaluation as interlayer insulation film>
Using the resin composition prepared as described above, various characteristics as an interlayer insulating film were evaluated as follows.

〔放射線感度の評価〕
実施例16を除き、シリコン基板上にスピンナーを用いて、上記組成物(S−1)〜(S−15)及び(s−1)〜(s−2)のいずれかを塗布した後、90℃にて2分間ホットプレート上でプレベークして膜厚3.0μmの塗膜を形成した。得られた塗膜に幅10μmのライン・アンド・スペースパターンを有するパターンマスクを介して、水銀ランプによって所定量の紫外線を照射した。次いでテトラメチルアンモニウムヒドロキシド2.38質量%水溶液よりなる現像液を用い、25℃で60秒現像処理を行った後、超純水で1分間流水洗浄を行った。このとき、幅10μmのライン・アンド・スペースパターンを形成可能な最小紫外線照射量を測定した。この値が800J/m未満の場合、感度が良好であると言える。この値を放射線感度として表1に示す。
[Evaluation of radiation sensitivity]
Except for Example 16, after applying any of the above compositions (S-1) to (S-15) and (s-1) to (s-2) on a silicon substrate using a spinner, 90 A film having a thickness of 3.0 μm was formed by prebaking on a hot plate at 2 ° C. for 2 minutes. The obtained coating film was irradiated with a predetermined amount of ultraviolet rays by a mercury lamp through a pattern mask having a line and space pattern having a width of 10 μm. Next, using a developer composed of a 2.38% by mass aqueous solution of tetramethylammonium hydroxide, development processing was carried out at 25 ° C. for 60 seconds, followed by washing with ultrapure water for 1 minute. At this time, the minimum ultraviolet irradiation amount capable of forming a line and space pattern having a width of 10 μm was measured. When this value is less than 800 J / m 2 , it can be said that the sensitivity is good. This value is shown in Table 1 as radiation sensitivity.

実施例16では、シリコン基板の代わりにPETフィルム(テイジンテトロンフィルムO3、厚さ188μm)を用い、上記組成物(S−16)を用いてバーコーターにより塗膜を形成した。90℃にて2分間クリーンオーブンでプレベークして膜厚3.0μmの塗膜を形成した。その後の評価は電圧保持率の評価を除き実施例1〜15と同様にして行った。   In Example 16, a PET film (Teijin Tetron film O3, thickness 188 μm) was used instead of the silicon substrate, and a coating film was formed by a bar coater using the composition (S-16). Pre-baking was performed in a clean oven at 90 ° C. for 2 minutes to form a coating film having a thickness of 3.0 μm. Subsequent evaluation was performed in the same manner as in Examples 1 to 15 except for evaluation of voltage holding ratio.

〔耐溶剤性の評価〕
シリコン基板上にスピンナーを用いて、上記組成物(S−1)〜(S−16)及び(s−1)〜(s−2)のいずれかを塗布した後、90℃にて2分間ホットプレート上でプレベークして膜厚3.0μmの塗膜を形成した。得られた塗膜に水銀ランプによって積算照射量が3,000J/mとなるように紫外線を照射した。次いで、このシリコン基板をホットプレート上で、実施例1〜16及び比較例1〜2については150℃、30分加熱することにより、比較例3については150℃、60分加熱することにより、また参考例1については220℃、30分加熱することにより、塗膜の加熱処理を行い、得られた硬化膜の膜厚(T1)を測定した。そして、この硬化膜が形成されたシリコン基板を、70℃に温度制御されたジメチルスルホキシド中に20分間浸漬させた後、当該硬化膜の膜厚(t1)を測定し、浸漬による膜厚変化率{(t1−T1)/T1}×100〔%〕を算出した。この値の絶対値が5%未満の場合に耐溶剤性は優良であると言える。結果を表1に示す。
[Evaluation of solvent resistance]
After applying any of the above compositions (S-1) to (S-16) and (s-1) to (s-2) on a silicon substrate using a spinner, hot at 90 ° C. for 2 minutes Pre-baked on the plate to form a coating film having a thickness of 3.0 μm. The obtained coating film was irradiated with ultraviolet rays with a mercury lamp so that the cumulative irradiation amount was 3,000 J / m 2 . The silicon substrate was then heated on a hot plate for Examples 1-16 and Comparative Examples 1-2 at 150 ° C. for 30 minutes, for Comparative Example 3 at 150 ° C. for 60 minutes, and About the reference example 1, the coating film was heat-processed by heating at 220 degreeC for 30 minutes, and the film thickness (T1) of the obtained cured film was measured. And after immersing the silicon substrate in which this cured film was formed in dimethyl sulfoxide temperature-controlled at 70 degreeC for 20 minutes, the film thickness (t1) of the said cured film was measured, and the film thickness change rate by immersion {(T1-T1) / T1} × 100 [%] was calculated. It can be said that the solvent resistance is excellent when the absolute value of this value is less than 5%. The results are shown in Table 1.

〔比誘電率の評価〕
シリコン基板上にスピンナーを用いて、上記組成物(S−1)〜(S−16)及び(s−1)〜(s−2)のいずれかを塗布した後、90℃にて2分間ホットプレート上でプレベークして膜厚3.0μmの塗膜を形成した。キヤノン(株)製MPA−600FA露光機を用いて、積算照射量が9,000J/mとなるように得られた塗膜を露光し、この基板をクリーンオーブン内にて150℃で30分加熱することにより、SUS基板上に硬化膜を形成した。蒸着法により、この硬化膜上にPt/Pd電極パターンを形成して誘電率測定用サンプルを作成した。この電極パターンを有する基板について、横河・ヒューレットパッカード(株)製HP16451B電極及びHP4284AプレシジョンLCRメーターを用いて、周波数10kHzでCV法により比誘電率の測定を行った。この値が3.9以下のとき、誘電率は良好であると言える。測定結果を表1に示す。
[Evaluation of relative permittivity]
After applying any of the above compositions (S-1) to (S-16) and (s-1) to (s-2) on a silicon substrate using a spinner, hot at 90 ° C. for 2 minutes Pre-baked on the plate to form a coating film having a thickness of 3.0 μm. Using an MPA-600FA exposure machine manufactured by Canon Inc., the coating film obtained was exposed so that the cumulative irradiation amount was 9,000 J / m 2, and this substrate was placed in a clean oven at 150 ° C. for 30 minutes. A cured film was formed on the SUS substrate by heating. A dielectric constant measurement sample was prepared by forming a Pt / Pd electrode pattern on the cured film by vapor deposition. With respect to the substrate having this electrode pattern, the relative dielectric constant was measured by the CV method at a frequency of 10 kHz using an HP16451B electrode and HP4284A Precision LCR meter manufactured by Yokogawa-Hewlett-Packard Co., Ltd. When this value is 3.9 or less, it can be said that the dielectric constant is good. The measurement results are shown in Table 1.

〔鉛筆硬度(表面硬度)の評価〕
上記〔耐溶剤性の評価〕で形成された硬化膜を有する基板について、JIS K−5400−1990の8.4.1鉛筆引っかき試験により、硬化膜の鉛筆硬度(表面硬度)を測定した。この値が3H又はそれより大きいとき、層間絶縁膜としての表面硬度は良好であり、その硬化膜を形成するために用いた樹脂組成物は十分な硬化性を有すると言える。
[Evaluation of pencil hardness (surface hardness)]
About the board | substrate which has the cured film formed in said [solvent resistance evaluation], the pencil hardness (surface hardness) of the cured film was measured by the 8.4.1 pencil scratch test of JISK-5400-1990. When this value is 3H or larger, it can be said that the surface hardness as the interlayer insulating film is good, and the resin composition used for forming the cured film has sufficient curability.

Figure 2011169976
Figure 2011169976

表1に示された結果から、実施例1〜16で調製された感放射線性樹脂組成物は、高い放射線感度を有し、低温かつ短時間の加熱によって高い表面硬度を有する硬化膜を得ることができると共に、その硬化膜は優れた耐溶剤性及び比誘電率を兼ね備えていることが分かった。一方、[C]成分を用いない比較例1においては、低温かつ短時間の加熱によっては十分な硬化性が発現せず、硬化膜の耐溶剤性及び比誘電率も劣っていた。ポリイミド溶液を用いる比較例2及び3においては、露光現像によるパターン形成ができず、また、低温かつ短時間の加熱によっては十分な硬化性が発現せず、硬化膜の耐溶剤性も劣っていた。なお、実施例2における諸特性の評価結果は、実施例2と同じ感放射線性樹脂組成物を用いて加熱温度及び時間を大きくした参考例1で得られた評価結果と同等であった。すなわち、本発明の感放射線性樹脂組成物を用いることによって、従来よりも低温かつ短時間で、要求される表面硬度等の諸特性を満足する層間絶縁膜を形成可能であることが分かった。   From the results shown in Table 1, the radiation-sensitive resin compositions prepared in Examples 1 to 16 have a high radiation sensitivity, and obtain a cured film having a high surface hardness by low-temperature and short-time heating. It was found that the cured film had excellent solvent resistance and relative dielectric constant. On the other hand, in Comparative Example 1 in which the [C] component was not used, sufficient curability was not exhibited by heating at a low temperature for a short time, and the solvent resistance and relative dielectric constant of the cured film were inferior. In Comparative Examples 2 and 3 using a polyimide solution, pattern formation by exposure and development was not possible, and sufficient curability was not exhibited by heating at a low temperature for a short time, and the solvent resistance of the cured film was poor. . In addition, the evaluation result of various characteristics in Example 2 was equivalent to the evaluation result obtained in Reference Example 1 in which the heating temperature and time were increased using the same radiation-sensitive resin composition as in Example 2. That is, it was found that by using the radiation sensitive resin composition of the present invention, an interlayer insulating film satisfying various properties such as required surface hardness can be formed at a lower temperature and in a shorter time than before.

本発明の感放射線性樹脂組成物は、低温かつ短時間の加熱によって層間絶縁膜を形成することが可能であり、耐溶剤性及び比誘電率に優れた層間絶縁膜を形成することができるため、フレキシブルディスプレイの層間絶縁膜の形成材料として好適に用いることができる。   The radiation-sensitive resin composition of the present invention can form an interlayer insulating film by heating at a low temperature for a short time, and can form an interlayer insulating film having excellent solvent resistance and relative dielectric constant. It can be suitably used as a material for forming an interlayer insulating film of a flexible display.

Claims (7)

[A](a1)不飽和カルボン酸及び/又は不飽和カルボン酸無水物、並びに(a2)エポキシ基含有不飽和化合物を含む単量体を共重合してなる共重合体のアルカリ可溶性樹脂、
[B]1,2−キノンジアジド化合物、及び
[C]1分子中に2個以上のメルカプト基を有する化合物
を含有する層間絶縁膜形成用の感放射線性樹脂組成物。
[A] an alkali-soluble resin of a copolymer obtained by copolymerizing a monomer containing (a1) an unsaturated carboxylic acid and / or an unsaturated carboxylic acid anhydride, and (a2) an epoxy group-containing unsaturated compound,
[B] A radiation-sensitive resin composition for forming an interlayer insulating film, comprising a 1,2-quinonediazide compound, and [C] a compound having two or more mercapto groups in one molecule.
[C]成分の1分子中に2個以上のメルカプト基を有する化合物が、下記式(1)で表される化合物である請求項1に記載の感放射線性樹脂組成物。
Figure 2011169976
Figure 2011169976
(式(1)中、Rはメチレン基、炭素数2〜10のアルキレン基又はアルキルメチレン基であり、Yは単結合、−CO−又は−O−CO−(ただし、「*」を付した結合手がRと結合する。)であり、nは2〜10の整数であり、Xは1個又は複数個のエーテル結合を有していてもよい炭素数2〜70のn価の炭化水素基、又はnが3の場合式(2)で示される基である。式(2)中、3つのRは、各々独立に、メチレン基又は炭素数2〜6のアルキレン基であり、3つの「*」は、それぞれ結合手であることを表す。)
The radiation-sensitive resin composition according to claim 1, wherein the compound having two or more mercapto groups in one molecule of the component [C] is a compound represented by the following formula (1).
Figure 2011169976
Figure 2011169976
(In the formula (1), R 1 is a methylene group, an alkylene group having 2 to 10 carbon atoms or an alkylmethylene group, and Y is a single bond, —CO— or —O—CO— * (where “*” is The bond is attached to R 1 ), n is an integer of 2 to 10, and X is an n valence having 2 to 70 carbon atoms which may have one or more ether bonds. Or a group represented by formula (2) when n is 3. In formula (2), three R 2 s are each independently a methylene group or an alkylene group having 2 to 6 carbon atoms. Yes, and three “*” represent bonds.)
[C]成分の式(1)で表される化合物が、メルカプトカルボン酸と多価アルコールとのエステル化物である請求項2に記載の感放射線性樹脂組成物。   The radiation-sensitive resin composition according to claim 2, wherein the compound represented by formula (1) of the component [C] is an esterified product of mercaptocarboxylic acid and a polyhydric alcohol. [D]下記式(3)で示される化合物をさらに含有する請求項1、請求項2又は請求項3に記載の感放射線性樹脂組成物。
Figure 2011169976
(式(3)中、Z、Z、Z及びRは、各々独立に、水素原子又は置換基を有していてもよい炭素数1〜20の直鎖状、分岐状又は環状の炭化水素基を示し、ZとZは互いに連結して環を形成してもよい。)
[D] The radiation sensitive resin composition according to claim 1, 2 or 3, further comprising a compound represented by the following formula (3).
Figure 2011169976
(In formula (3), Z 1 , Z 2 , Z 3 and R 3 are each independently a linear, branched or cyclic group having 1 to 20 carbon atoms which may have a hydrogen atom or a substituent. And Z 2 and Z 3 may be linked to each other to form a ring.)
(1)請求項1から請求項4のいずれか1項に記載の感放射線性樹脂組成物の塗膜を基板上に形成する工程、
(2)工程(1)で形成した塗膜の少なくとも一部に放射線を照射する工程、
(3)工程(2)で放射線を照射された塗膜を現像する工程、及び
(4)工程(3)で現像された塗膜を加熱により焼成する工程
を含む層間絶縁膜の形成方法。
(1) The process of forming the coating film of the radiation sensitive resin composition of any one of Claims 1-4 on a board | substrate,
(2) A step of irradiating at least a part of the coating film formed in step (1),
(3) A method for forming an interlayer insulating film, comprising: a step of developing the coating film irradiated with radiation in step (2); and (4) a step of baking the coating film developed in step (3) by heating.
工程(4)の焼成温度が180℃以下である請求項5に記載の方法。   The method according to claim 5, wherein the firing temperature in step (4) is 180 ° C or lower. 請求項1から請求項4のいずれか1項に記載の感放射線性樹脂組成物から形成された層間絶縁膜。   The interlayer insulation film formed from the radiation sensitive resin composition of any one of Claims 1-4.
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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2014142163A1 (en) * 2013-03-15 2014-09-18 富士フイルム株式会社 Photosensitive resin composition, method for producing cured film, cured film, organic el display device, and liquid crystal display device
JP2015176124A (en) * 2014-03-18 2015-10-05 Jsr株式会社 positive photosensitive resin composition
JP7477011B2 (en) 2018-12-12 2024-05-01 Jsr株式会社 Photosensitive resin composition, method for producing resist pattern film, and method for producing plated object

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS63163452A (en) * 1986-12-17 1988-07-06 チバ−ガイギー アクチェンゲゼルシャフト Image formation
JPH10123706A (en) * 1996-10-23 1998-05-15 Toray Ind Inc Original plate of waterless planographic printing plate and production thereof
JP2007017959A (en) * 2005-06-07 2007-01-25 Asahi Kasei Electronics Co Ltd Positive photosensitive resin composition
JP2007131658A (en) * 2005-11-08 2007-05-31 Mitsubishi Rayon Co Ltd Resin composition, cured material, color filter, spacer, tft element flattening film and liquid crystal display device
JP2009053667A (en) * 2007-07-30 2009-03-12 Jsr Corp Radiation-sensitive resin composition, and interlayer insulation film, microlens, and method for producing those
WO2009133843A1 (en) * 2008-04-28 2009-11-05 日本ゼオン株式会社 Radiation-sensitive resin composition, laminate and method for producing the same, and semiconductor device

Family Cites Families (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2008088160A1 (en) * 2007-01-15 2008-07-24 Lg Chem, Ltd. New polymer resin compounds and photoresist composition including new polymer resin compounds

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS63163452A (en) * 1986-12-17 1988-07-06 チバ−ガイギー アクチェンゲゼルシャフト Image formation
JPH10123706A (en) * 1996-10-23 1998-05-15 Toray Ind Inc Original plate of waterless planographic printing plate and production thereof
JP2007017959A (en) * 2005-06-07 2007-01-25 Asahi Kasei Electronics Co Ltd Positive photosensitive resin composition
JP2007131658A (en) * 2005-11-08 2007-05-31 Mitsubishi Rayon Co Ltd Resin composition, cured material, color filter, spacer, tft element flattening film and liquid crystal display device
JP2009053667A (en) * 2007-07-30 2009-03-12 Jsr Corp Radiation-sensitive resin composition, and interlayer insulation film, microlens, and method for producing those
WO2009133843A1 (en) * 2008-04-28 2009-11-05 日本ゼオン株式会社 Radiation-sensitive resin composition, laminate and method for producing the same, and semiconductor device

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2014142163A1 (en) * 2013-03-15 2014-09-18 富士フイルム株式会社 Photosensitive resin composition, method for producing cured film, cured film, organic el display device, and liquid crystal display device
JPWO2014142163A1 (en) * 2013-03-15 2017-02-16 富士フイルム株式会社 Photosensitive resin composition, method for producing cured film, cured film, organic EL display device and liquid crystal display device
JP2015176124A (en) * 2014-03-18 2015-10-05 Jsr株式会社 positive photosensitive resin composition
JP7477011B2 (en) 2018-12-12 2024-05-01 Jsr株式会社 Photosensitive resin composition, method for producing resist pattern film, and method for producing plated object

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