JP6303549B2 - Negative radiation sensitive resin composition, cured film for display element, method for forming cured film for display element, and display element - Google Patents
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Description
本発明は、ネガ型感放射線性樹脂組成物、表示素子用硬化膜、表示素子用硬化膜の形成方法及び表示素子に関する。 The present invention relates to a negative radiation sensitive resin composition, a cured film for a display element, a method for forming a cured film for a display element, and a display element.
薄膜トランジスタ型液晶表示素子等の電子部品には、一般に層状に配置される配線の間を絶縁するために層間絶縁膜が設けられており、有機エレクトロルミネッセンス素子にも半導体素子の上部を平坦化し、その平坦化膜の上に電極と発光層が積層するために平坦化膜が設けられている。
例えば、薄膜トランジスタ型液晶表示素子は、層間絶縁膜の上に透明電極膜を形成し、さらにその上に液晶配向膜を形成する工程を経て製造される。そのため層間絶縁膜には、透明電極膜の形成工程において高温条件に曝されたり、電極のパターン形成に使用されるレジストの剥離液に曝されることとなるため、これらに対する十分な耐熱性及び耐溶媒性が必要となる。
In an electronic component such as a thin film transistor type liquid crystal display element, an interlayer insulating film is generally provided to insulate between wirings arranged in layers, and the upper part of a semiconductor element is flattened in an organic electroluminescence element. A flattening film is provided for stacking the electrode and the light emitting layer on the flattening film.
For example, a thin film transistor type liquid crystal display element is manufactured through a process of forming a transparent electrode film on an interlayer insulating film and further forming a liquid crystal alignment film thereon. For this reason, the interlayer insulating film is exposed to high temperature conditions in the transparent electrode film forming process or exposed to a resist stripping solution used for electrode pattern formation. Solvent properties are required.
従来の液晶表示素子用の層間絶縁膜は、パターニング性能の観点からナフトキノンジアジド等の酸発生剤を用いたポジ型感放射線性樹脂組成物が用いられている(特開2001−354822号公報参照)。
近年、ナフトキノンジアジド等の酸発生剤を用いたポジ型感放射線性樹脂組成物よりも高い感度で表示素子用の硬化膜の形成することを目的として、例えば特開2004−4669号公報には、架橋剤、酸発生剤、及びそれ自体はアルカリ水溶液に不溶又は難溶であるが、酸の作用により開裂しうる保護基を有し、該保護基が開裂した後はアルカリ水溶液に可溶性となる樹脂を含有することを特徴とするポジ型化学増幅レジスト組成物が提案されている。また特開2004−264623号公報や特開2008−304902号公報には、アセタール構造及び/又はケタール構造並びにエポキシ基を含有する樹脂と酸発生剤とを含有することを特徴とするポジ型感放射線性樹脂組成物が提案されている。
A conventional interlayer insulating film for a liquid crystal display element uses a positive radiation-sensitive resin composition using an acid generator such as naphthoquinonediazide from the viewpoint of patterning performance (see JP 2001-354822 A). .
Recently, for the purpose of forming a cured film for a display element with higher sensitivity than a positive radiation-sensitive resin composition using an acid generator such as naphthoquinonediazide, for example, JP-A-2004-4669, A crosslinking agent, an acid generator, and a resin which itself is insoluble or hardly soluble in an alkaline aqueous solution, but has a protecting group that can be cleaved by the action of an acid, and becomes soluble in an alkaline aqueous solution after the protecting group is cleaved. There has been proposed a positive chemically amplified resist composition comprising In addition, JP 2004-264623 A and JP 2008-304902 A disclose a positive-type radiation-sensitive material comprising an acetal structure and / or a ketal structure, a resin containing an epoxy group, and an acid generator. Resin compositions have been proposed.
上記ポジ型感放射線性樹脂組成物は、表示素子の層間絶縁膜に形成されるホールパターン等は高感度でパターン形成が可能であるが、例えばライン状のパターン等の場合は、形状不良(例えば、パターン下部が過現像されることで形成されるオーバーハング形状等)になり、ITO電極上での密着不良を引き起こすことが問題視されている。近年、表示素子にはさらなる大画面化、高輝度化、薄型化等が求められており、工程時間の短縮及びコスト削減の観点から、ネガ型感放射線性樹脂組成物の高感度化及び高解像度化が求められる。 The positive radiation sensitive resin composition can form a hole pattern or the like formed in an interlayer insulating film of a display element with high sensitivity. However, for example, in the case of a line pattern or the like, a shape defect (for example, It is regarded as a problem that the lower part of the pattern becomes an overhang shape formed by over-development and the like, and causes poor adhesion on the ITO electrode. In recent years, display devices have been required to have larger screens, higher brightness, thinner thickness, etc. From the viewpoint of reducing process time and cost, high sensitivity and high resolution of negative radiation sensitive resin compositions are required. Is required.
このような状況から、十分な解像度及び感度を有するネガ型感放射線性樹脂組成物、並びにITO基板での密着性不良を改善し、透過率、耐光性、電圧保持率、パターンの熱安定性に優れる表示素子用硬化膜の開発が望まれている。 From such a situation, the negative radiation sensitive resin composition having sufficient resolution and sensitivity, and the poor adhesion on the ITO substrate are improved, and the transmittance, light resistance, voltage holding ratio, and thermal stability of the pattern are improved. Development of an excellent cured film for a display element is desired.
本発明は、以上のような事情に基づいてなされたものであり、その目的は高解像度及び高感度を有するネガ型感放射線性樹脂組成物、並びにITO基板での密着性不良を改善し、透過率、耐光性、電圧保持率、パターンの熱安定性に優れる表示素子用硬化膜を提供することである。 The present invention has been made based on the circumstances as described above, and the object thereof is to improve the adhesion failure in the negative radiation sensitive resin composition having high resolution and high sensitivity, and the ITO substrate, and to transmit the light. It is providing the cured film for display elements which is excellent in a rate, light resistance, a voltage holding rate, and the thermal stability of a pattern.
上記課題を解決するためになされた発明は、
[A]同一又は異なる重合体中に、フェノール性水酸基を含む構成単位(I)と架橋性基を含む構造単位(II)とカルボキシル基を含む構成単位(III)を含む重合体成分
[B]非イオン性光酸発生剤、並びに
[C]酸架橋剤を含有するネガ型感放射線性樹脂組成物によって達成される。
The invention made to solve the above problems is
[A] Polymer component [B] containing the structural unit (I) containing a phenolic hydroxyl group, the structural unit (II) containing a crosslinkable group, and the structural unit (III) containing a carboxyl group in the same or different polymers This is achieved by a negative radiation-sensitive resin composition containing a nonionic photoacid generator and a [C] acid crosslinking agent.
当該ネガ型感放射線性樹脂組成物は、[A]の架橋性基を含む構造単位(II)の架橋性基が、(メタ)アクリロイル基、ビニル基、オキシラニル基及びオキセタニル基からなる群より選択される少なくとも一種であるネガ型感放射線性樹脂組成物であり、さらに[B]非イオン性酸発生剤が、オキシムスルホネート構造を有する化合物及びナフタルイミド構造を有する化合物から選ばれるすくなくとも一種であるネガ型感放射線性樹脂組成物である。
感放射線性を利用した露光・現像によって容易に微細かつ精巧なパターンを形成でき、かつ充分な解像度及び感度を有する。また、当該ネガ型感放射線性樹脂組成物は、非イオン性光酸発生剤として、オキシムスルホネート構造を有する化合物及びナフタルイミド構造を有する化合物から選ばれる少なくとも一方を含有することで、透過率、耐光性、電圧保持率等に優れる表示素子用硬化膜を形成することができる。
さらに、当該ネガ型感放射線性樹脂組成物は、[D]酸化防止剤を含有することで、当該ネガ型感放射線性樹脂組成物は、耐光性及び耐熱性を高めた表示素子用硬化膜を形成することができる。
In the negative radiation sensitive resin composition, the crosslinkable group of the structural unit (II) containing the crosslinkable group [A] is selected from the group consisting of a (meth) acryloyl group, a vinyl group, an oxiranyl group, and an oxetanyl group. A negative radiation-sensitive resin composition, and [B] the nonionic acid generator is at least one selected from a compound having an oxime sulfonate structure and a compound having a naphthalimide structure. It is a type radiation sensitive resin composition.
Fine and elaborate patterns can be easily formed by exposure and development utilizing radiation sensitivity, and sufficient resolution and sensitivity are obtained. In addition, the negative radiation-sensitive resin composition contains at least one selected from a compound having an oxime sulfonate structure and a compound having a naphthalimide structure as a nonionic photoacid generator, whereby transmittance, light resistance A cured film for a display element having excellent properties, voltage holding ratio and the like can be formed.
Furthermore, the negative radiation-sensitive resin composition contains [D] an antioxidant, so that the negative radiation-sensitive resin composition has a cured film for display elements with improved light resistance and heat resistance. Can be formed.
当該ネガ型感放射線性樹脂組成物は、表示素子用硬化膜の形成用として好ましい。また本発明には当該ネガ型感放射線性樹脂組成物から形成される表示素子用硬化膜、及びこの表示素子用硬化膜を備える表示素子が好適に含まれる。 The negative radiation sensitive resin composition is preferable for forming a cured film for a display element. Moreover, the display element provided with the cured film for display elements formed from the said negative radiation sensitive resin composition and this cured film for display elements is suitably contained in this invention.
本発明の表示素子用硬化膜の形成方法は、
(1)当該ネガ型感放射線性樹脂組成物を用い、基板上に塗膜を形成する工程、
(2)上記塗膜の少なくとも一部に放射線を照射する工程、
(3)上記放射線が照射された塗膜を現像する工程、及び
(4)上記現像された塗膜を加熱する工程
を有する。
The method for forming a cured film for a display element of the present invention is as follows.
(1) A step of forming a coating film on a substrate using the negative radiation sensitive resin composition,
(2) A step of irradiating at least a part of the coating film with radiation,
(3) a step of developing the coating film irradiated with the radiation; and (4) a step of heating the developed coating film.
本発明の形成方法によると、透過率、耐光性、電圧保持率、パターンの熱安定性等に優れる表示素子用硬化膜を形成できる。 According to the forming method of the present invention, a cured film for a display element that is excellent in transmittance, light resistance, voltage holding ratio, thermal stability of a pattern, and the like can be formed.
なお、本明細書にいう「ネガ型感放射線性樹脂組成物」の「放射線」とは、可視光線、紫外線、遠紫外線、X線、荷電粒子線等を含む概念である。「ネガ型感放射線性樹脂組成物」から形成された塗布膜は、放射線により照射された部分がアルカリ現像液に対して不溶化する。放射線により照射されなかった部分は、アルカリ現像液に対して可溶化する。これによりパターン形成が可能となる。 The “radiation” in the “negative radiation-sensitive resin composition” referred to in the present specification is a concept including visible light, ultraviolet light, far ultraviolet light, X-rays, charged particle beams and the like. In the coating film formed from the “negative type radiation sensitive resin composition”, the portion irradiated with the radiation is insolubilized in the alkaline developer. The part not irradiated with radiation is solubilized in the alkaline developer. Thereby, pattern formation becomes possible.
以上説明したように、本発明のネガ型感放射線性樹脂組成物は、容易に微細かつ精巧なパターンを形成でき、十分な解像度及び感度を有する。また、当該ネガ型感放射線性樹脂組成物は、透過率、耐光性、電圧保持率等に優れる表示素子用硬化膜を形成することができる。従って、当該ネガ型感放射線性樹脂組成物は、表示素子用カラーフィルタの保護膜、スペーサー、アレイ用層間絶縁膜、固体撮像素子の色分解用カラーフィルタ、有機エレクトッルミネッセンス表示素子用カラーフィルタ、電子ペーパー等のフレキシブルディスプレイ用カラーフィルタ、タッチパネル用保護膜、金属配線や金属バンプの形成、基板の加工等に用いられるフォトファブリケーション用レジスト等に好適である。 As described above, the negative radiation-sensitive resin composition of the present invention can easily form a fine and elaborate pattern, and has sufficient resolution and sensitivity. Moreover, the said negative radiation sensitive resin composition can form the cured film for display elements which is excellent in the transmittance | permeability, light resistance, a voltage holding rate, etc. Therefore, the negative radiation sensitive resin composition includes a protective film for a color filter for a display element, a spacer, an interlayer insulating film for an array, a color filter for color separation of a solid-state image sensor, a color filter for an organic electroluminescence display element, It is suitable for color filters for flexible displays such as electronic paper, protective films for touch panels, formation of metal wirings and metal bumps, photofabrication resists used for substrate processing, and the like.
<ネガ型感放射線性樹脂組成物>
本発明のネガ型感放射線性樹脂組成物は、[A]同一又は異なる重合体中に、フェノール性水酸基を含む構成単位(I)と架橋性基を含む構造単位(II)とカルボキシル基を含む構成単位(III)を含む重合体成分、[B]非イオン性酸発生剤、並びに[C]酸架橋剤を含有する。
また、当該ネガ型感放射線性樹脂組成物は、好適成分として[D]酸化防止剤を含有することができる。さらに、当該ネガ型感放射線性樹脂組成物は、本発明の効果を損なわない限り、その他の任意成分を含有してもよい。以下、各成分を詳述する。
<[A]重合体成分>
[A]同一又は異なる重合体中に、フェノール性水酸基を含む構成単位(I)と架橋性基を含む構造単位(II)とカルボキシル基を含む構成単位(III)を含む重合体成分とを有する成分である。[A]重合体成分が上記構造単位を有するため、当該感放射線性樹脂組成物は、感度に優れると共に、現像工程後やポストベーク工程後における未露光部の膜厚変化を抑制することができる。また、[A]重合体成分は、本発明の効果を損なわない範囲で、その他の構造単位を有していてもよい。なお、[A]重合体成分は、各構造単位を2種以上有していてもよい。
<Negative type radiation sensitive resin composition>
The negative radiation sensitive resin composition of the present invention includes [A] a structural unit (I) containing a phenolic hydroxyl group, a structural unit (II) containing a crosslinkable group, and a carboxyl group in the same or different polymers. A polymer component containing the structural unit (III), [B] a nonionic acid generator, and [C] an acid crosslinking agent are contained.
Moreover, the said negative radiation sensitive resin composition can contain [D] antioxidant as a suitable component. Furthermore, the said negative radiation sensitive resin composition may contain another arbitrary component, unless the effect of this invention is impaired. Hereinafter, each component will be described in detail.
<[A] Polymer component>
[A] In the same or different polymers, it has a structural unit (I) containing a phenolic hydroxyl group, a structural unit (II) containing a crosslinkable group, and a polymer component containing a structural unit (III) containing a carboxyl group. It is an ingredient. [A] Since the polymer component has the above structural unit, the radiation-sensitive resin composition is excellent in sensitivity and can suppress a change in the film thickness of the unexposed portion after the development process or after the post-baking process. . Moreover, the [A] polymer component may have another structural unit in the range which does not impair the effect of this invention. In addition, the [A] polymer component may have 2 or more types of each structural unit.
[A]重合体成分の態様としては、例えば、
(a)同一の重合体分子中に、構造単位(I)と構造単位(II)と構造単位(III)とを有する態様;
(b)2種以上の重合体であって、一方の同一の重合体分子中に、構造単位(I)と構造単位(III)を有し、もう一方の異なる重合体分子中に構造単位(II)を有する態様;等が挙げられる。以下、各構造単位について詳述する。
[構造単位(I)]
構造単位(I)は、フェノール性水酸基を含む構成単位を有する構成単位である。[A]重合体成分が構造単位(I)を有することで、[C]酸架橋剤と反応する部位となるとともに、当該感放射線性樹脂組成物から形成される硬化膜のパターンを高感度で形成できる。
[A] As an aspect of the polymer component, for example,
(A) an embodiment having the structural unit (I), the structural unit (II), and the structural unit (III) in the same polymer molecule;
(B) two or more kinds of polymers having structural units (I) and (III) in one same polymer molecule, and structural units ( II), and the like. Hereinafter, each structural unit will be described in detail.
[Structural unit (I)]
The structural unit (I) is a structural unit having a structural unit containing a phenolic hydroxyl group. [A] Since the polymer component has the structural unit (I), it becomes a site that reacts with the [C] acid crosslinking agent, and the pattern of the cured film formed from the radiation-sensitive resin composition is highly sensitive. Can be formed.
構造単位(I)は、フェノール性水酸基を有する重合性不飽和化合物(以下、「フェノール性不飽和化合物」という。)の重合単位すなわち重合性不飽和結合が開裂した単位を含有して形成される構成単位である。この樹脂は、好ましくは上記フェノール性不飽和化合物の重合単位の他に、非置換または置換スチレン系化合物(以下、単に「他のスチレン系化合物」という。)の重合単位すなわち重合性不飽和結合が開裂した繰り返し単位を有する。
フェノール性水酸基を有する重合性不飽和化合物としては、例えばo−ビニルフェノール、m−ビニルフェノール、p−ビニルフェノール、o−イソプロペニルフェノール、m−イソプロペニルフェノールおよびp−イソプロペニルフェノール等を挙げることができる。これらのフェノール性不飽和化合物は、単独でまたは2種以上を組合せて使用することができる。
他のスチレン系化合物における置換基としては、例えばメチル基、エチル基、n−プロピル基、i−プロピル基、n−ブチル基、i−ブチル基、sec−ブチル基、t−ブチル基の如き炭素数1〜4の直鎖状もしくは分岐状のアルキル基;メトキシ基、エトキシ基、n−プロポキシ基、i−プロポキシ基、n−ブトキシ基、i−ブトキシ基、sec−ブトキシ基、t−ブトキシ基の如き炭素数1〜4の直鎖状もしくは分岐状のアルコキシ基、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、よう素原子の如きハロゲン原子等を挙げることができる。
かかるスチレン系化合物の具体例としては、例えばスチレン、α−メチルスチレン、o−メチルスチレン、m−メチルスチレン、p−メチルスチレン、p−t−ブチルスチレンの如きアルキル基で置換されたスチレン誘導体類;p−メトキシスチレン、p−エトキシスチレン、p−n−プロポキシスチレン、p−i−プロポキシスチレン、p−n−ブトキシスチレン、p−t−ブトキシスチレンの如きアルコキシル基で置換されたスチレン誘導体;p−フルオロスチレン、p−クロロスチレン、p−ブロモスチレンの如きハロゲン原子で置換されたスチレン誘導体類を挙げることができる。これらの他のスチレン系化合物は、単独でまたは2種以上を組合せて使用することができる。
本発明における 構造単位(I)は、例えば、
ヒドロキシスチレンの水酸基を保護したモノマー、例えば、p−t−ブトキシスチレン、p−アセトキシスチレン、p−テトラヒドロピラニルオキシスチレン等と、場合により他のスチレン化合物および/または他の不飽和化合物とを、ラジカル、アニオン、カチオン付加重合させたのち、酸触媒、塩基性触媒を作用させて、保護基を加水分解反応により脱離させる方法等によって生成できる。使用される酸触媒としては、例えば、塩酸、硫酸の如き無機酸を挙げることができる。
The structural unit (I) is formed by containing a polymerized unit of a polymerizable unsaturated compound having a phenolic hydroxyl group (hereinafter referred to as “phenolic unsaturated compound”), that is, a unit in which a polymerizable unsaturated bond is cleaved. It is a structural unit. This resin preferably has a polymer unit of an unsubstituted or substituted styrene compound (hereinafter simply referred to as “other styrene compound”), that is, a polymerizable unsaturated bond, in addition to the polymer unit of the phenolic unsaturated compound. Has cleaved repeat units.
Examples of the polymerizable unsaturated compound having a phenolic hydroxyl group include o-vinylphenol, m-vinylphenol, p-vinylphenol, o-isopropenylphenol, m-isopropenylphenol and p-isopropenylphenol. Can do. These phenolic unsaturated compounds can be used alone or in combination of two or more.
Examples of the substituent in other styrene compounds include carbon such as methyl group, ethyl group, n-propyl group, i-propyl group, n-butyl group, i-butyl group, sec-butyl group and t-butyl group. A linear or branched alkyl group of 1 to 4; methoxy group, ethoxy group, n-propoxy group, i-propoxy group, n-butoxy group, i-butoxy group, sec-butoxy group, t-butoxy group And a straight or branched alkoxy group having 1 to 4 carbon atoms such as, a halogen atom such as a fluorine atom, a chlorine atom, a bromine atom and an iodine atom.
Specific examples of such styrenic compounds include styrene derivatives substituted with an alkyl group such as styrene, α-methylstyrene, o-methylstyrene, m-methylstyrene, p-methylstyrene, and pt-butylstyrene. A styrene derivative substituted with an alkoxyl group such as p-methoxystyrene, p-ethoxystyrene, pn-propoxystyrene, pi-propoxystyrene, pn-butoxystyrene, pt-butoxystyrene; Examples thereof include styrene derivatives substituted with a halogen atom such as -fluorostyrene, p-chlorostyrene, and p-bromostyrene. These other styrenic compounds can be used alone or in combination of two or more.
The structural unit (I) in the present invention is, for example,
A monomer in which the hydroxyl group of hydroxystyrene is protected, for example, pt-butoxystyrene, p-acetoxystyrene, p-tetrahydropyranyloxystyrene, etc., and optionally other styrene compounds and / or other unsaturated compounds, After the radical, anion, and cation addition polymerization, an acid catalyst and a basic catalyst are allowed to act to remove the protective group by a hydrolysis reaction. Examples of the acid catalyst used include inorganic acids such as hydrochloric acid and sulfuric acid.
また、構造単位(I)は、式(6)で示される構成単位によっても形成することができる。 The structural unit (I) can also be formed by a structural unit represented by the formula (6).
(式(6)中、Xは直接結合、−COO−または−CONH−であり、R3は直接結合、メチレン基、炭素数2から6のアルキレン基を示し、R4は、水素原子、炭素数1から6のアルキル基、炭素数1から6のフルオロアルキル基、炭素数1から6のアルコキシ基、ハロゲンを示す。nは1から4の整数である。)
式(6)で示される構成単位を形成することができる単量体の具体例としては、N− (3、 5−ジメチル−4−ヒドロキシベンジル)(メタ)アクリルアミド、N−(4−ヒドロキシフェニル)(メタ)アクリルアミド、4−ヒドロキシベンジル(メタ)アクリレート、4−ヒドロキシフェニル(メタ)アクリレート、p−ヒドロキシスチレン、α−メチル−p−ヒドロキシスチレン等を挙げることができる。これらの内、他の単量体成分との共重合性の観点から、4−ヒドロキシフェニル(メタ)アクリレートが特に好ましい。これらは、単独であるいは組み合わせて用いられる。
本発明における構造単位(I)の含有率は、好ましくは、[A]重合体成分を構成する全構造単位に対して、5〜80モル%、より好ましくは10〜70モル%、特に好ましくは15〜50モル%である。この場合、フェノール性不飽和化合物に由来する繰り返し単位の含有率が5モル%未満では、アルカリ現像液に対する溶解速度が低下し、現像性、解像度等が損なわれる傾向があり、一方80モル%を超えると、アルカリ現像液に対する膨潤が起こり易くなり、パターン形状が損なわれたり、パターン欠陥が発生するおそれがある。
[構造単位(II)]
構造単位(II)は、架橋性基を含んでいる。[A]重合体成分が架橋性基を含む構造単位(II)を有することで、当該感放射線性樹脂組成物は、[A]重合体成分を構成する重合体同士又は[A]重合体成分を構成する重合体との架橋により、形成される硬化膜の強度を高めることができる。
(In the formula (6), X represents a direct bond, —COO— or —CONH—, R 3 represents a direct bond, a methylene group, or an alkylene group having 2 to 6 carbon atoms, and R 4 represents a hydrogen atom, carbon An alkyl group having 1 to 6 carbon atoms, a fluoroalkyl group having 1 to 6 carbon atoms, an alkoxy group having 1 to 6 carbon atoms, and a halogen, where n is an integer of 1 to 4.
Specific examples of the monomer capable of forming the structural unit represented by the formula (6) include N- (3,5-dimethyl-4-hydroxybenzyl) (meth) acrylamide, N- (4-hydroxyphenyl). ) (Meth) acrylamide, 4-hydroxybenzyl (meth) acrylate, 4-hydroxyphenyl (meth) acrylate, p-hydroxystyrene, α-methyl-p-hydroxystyrene, and the like. Among these, 4-hydroxyphenyl (meth) acrylate is particularly preferable from the viewpoint of copolymerization with other monomer components. These may be used alone or in combination.
The content of the structural unit (I) in the present invention is preferably 5 to 80 mol%, more preferably 10 to 70 mol%, particularly preferably based on all structural units constituting the [A] polymer component. 15 to 50 mol%. In this case, if the content of the repeating unit derived from the phenolic unsaturated compound is less than 5 mol%, the dissolution rate in the alkali developer tends to be lowered, and the developability, resolution, etc. tend to be impaired, while 80 mol% is reduced. If it exceeds, swelling with respect to the alkaline developer tends to occur, and the pattern shape may be impaired or a pattern defect may occur.
[Structural unit (II)]
The structural unit (II) contains a crosslinkable group. [A] When the polymer component has the structural unit (II) containing a crosslinkable group, the radiation-sensitive resin composition can be obtained by combining the polymers constituting the [A] polymer component or the [A] polymer component. The strength of the formed cured film can be increased by cross-linking with the polymer constituting the.
上記架橋性基としては、例えば、重合性炭素−炭素二重結合を含む基、重合性炭素−炭素三重結合を含む基、オキシラニル基(1,2−エポキシ構造)、オキセタニル基(1,3−エポキシ構造)、アルコキシメチル基、ホルミル基、アセチル基、ジアルキルアミノメチル基、ジメチロールアミノメチル基等が挙げられる。 Examples of the crosslinkable group include a group containing a polymerizable carbon-carbon double bond, a group containing a polymerizable carbon-carbon triple bond, an oxiranyl group (1,2-epoxy structure), an oxetanyl group (1,3- Epoxy structure), alkoxymethyl group, formyl group, acetyl group, dialkylaminomethyl group, dimethylolaminomethyl group and the like.
上記架橋性基としては、(メタ)アクリロイル基、ビニル基、オキシラニル基及びオキセタニル基からなる群より選択される少なくとも1種であることが好ましい。これにより、形成される硬化膜の強度をより高めることができる。 The crosslinkable group is preferably at least one selected from the group consisting of a (meth) acryloyl group, a vinyl group, an oxiranyl group, and an oxetanyl group. Thereby, the intensity | strength of the cured film formed can be raised more.
構造単位(II)としては、オキシラニル基を有する構成単位は、オキシラニル基を有する不飽和化合物を重合することで得られる構成単位を示す。
オキシラニル基を有する不飽和化合物の具体例としては、例えば、アクリル酸グリシジル、メタクリル酸グリシジル、α−エチルアクリル酸グリシジル、α−n−プロピルアクリル酸グリシジル、α−n−ブチルアクリル酸グリシジル、アクリル酸−3,4−エポキシブチル、メタクリル酸−3,4−エポキシブチル、アクリル酸−6,7−エポキシヘプチル、メタクリル酸−6,7−エポキシヘプチル、3,4−エポキシシクロヘキシルメチルメタアクリレート、3,4−エポキシトリシクロ[5.2.1.02.6]デシルメタアクリレート、3,4−エポキシシクロヘキシルメチルアクリレート、3,4−エポキシトリシクロ[5.2.1.02.6]デシルアクリレート、α−エチルアクリル酸−6,7−エポキシヘプチル、o−ビニルベンジルグリシジルエーテル、m−ビニルベンジルグリシジルエーテル、p−ビニルベンジルグリシジルエーテル、3,4−エポキシシクロへキシルメタクリレート等が挙げられる。
As structural unit (II), the structural unit which has an oxiranyl group shows the structural unit obtained by superposing | polymerizing the unsaturated compound which has an oxiranyl group.
Specific examples of the unsaturated compound having an oxiranyl group include, for example, glycidyl acrylate, glycidyl methacrylate, glycidyl α-ethyl acrylate, glycidyl α-n-propyl acrylate, glycidyl α-n-butyl acrylate, acrylic acid. -3,4-epoxybutyl, methacrylic acid-3,4-epoxybutyl, acrylic acid-6,7-epoxyheptyl, methacrylic acid-6,7-epoxyheptyl, 3,4-epoxycyclohexylmethyl methacrylate, 3, 4-epoxytricyclo [5.2.1.0 2.6 ] decyl methacrylate, 3,4-epoxycyclohexylmethyl acrylate, 3,4-epoxytricyclo [5.2.1.0 2.6 ] decyl Acrylate, α-ethylacrylic acid-6,7-epoxyheptyl, o-bi Le benzyl glycidyl ether, m- vinylbenzyl glycidyl ether, p- vinylbenzyl glycidyl ether, cyclohexyl methacrylate, and the like to the 3,4-epoxy cyclo.
オキセタニル基を有する構成単位は、オキセタニル基を有する不飽和化合物を重合することで得られる構成単位を示す。オキセタニル基を有する不飽和化合物としては、例えば、3−(アクリロイルオキシメチル)オキセタン、3−(アクリロイルオキシメチル)−2−メチルオキセタン、3−(アクリロイルオキシメチル)−3−エチルオキセタン、3−(2−アクリロイルオキシエチル)オキセタン、3−(2−アクリロイルオキシエチル)−2−エチルオキセタン、3−(2−アクリロイルオキシエチル)−3−エチルオキセタン、3−(2−アクリロイルオキシエチル)−2−フェニルオキセタン;
3−(メタクリロイルオキシメチル)オキセタン、3−(メタクリロイルオキシメチル)−2−メチルオキセタン、3−(メタクリロイルオキシメチル)−3−エチルオキセタン、3−(メタクリロイルオキシメチル)−2−フェニルオキセタン、3−(2−メタクリロイルオキシエチル)オキセタン、3−(2−メタクリロイルオキシエチル)−2−エチルオキセタン、3−(2−メタクリロイルオキシエチル)−3−エチルオキセタン、3−(2−メタクリロイルオキシエチル)−2−フェニルオキセタン等のメタクリル酸エステル等が挙げられる。
The structural unit having an oxetanyl group indicates a structural unit obtained by polymerizing an unsaturated compound having an oxetanyl group. Examples of the unsaturated compound having an oxetanyl group include 3- (acryloyloxymethyl) oxetane, 3- (acryloyloxymethyl) -2-methyloxetane, 3- (acryloyloxymethyl) -3-ethyloxetane, 3- ( 2-acryloyloxyethyl) oxetane, 3- (2-acryloyloxyethyl) -2-ethyloxetane, 3- (2-acryloyloxyethyl) -3-ethyloxetane, 3- (2-acryloyloxyethyl) -2- Phenyloxetane;
3- (methacryloyloxymethyl) oxetane, 3- (methacryloyloxymethyl) -2-methyloxetane, 3- (methacryloyloxymethyl) -3-ethyloxetane, 3- (methacryloyloxymethyl) -2-phenyloxetane, 3- (2-methacryloyloxyethyl) oxetane, 3- (2-methacryloyloxyethyl) -2-ethyloxetane, 3- (2-methacryloyloxyethyl) -3-ethyloxetane, 3- (2-methacryloyloxyethyl) -2 -Methacrylic acid esters such as phenyloxetane.
これらのオキシラニル基を有する不飽和化合物、オキセタニル基を有する不飽和化合物のうち、メタクリル酸グリシジル、メタクリル酸2−メチルグリシジル、メタクリル酸−6,7−エポキシヘプチル、3,4−エポキシシクロヘキシルメチルメタアクリレート、3,4−エポキシトリシクロ[5.2.1.02.6]デシルアクリレート、3−(メタクリロイルオキシメチル)−3−エチルオキセタンが共重合反応性及び表示素子用硬化膜の圧縮性能、耐光性の向上の観点から好ましい。
(メタ)アクリロイル基を有する構成単位は、構造単位(II)中のカルボキシ基と、前述したオキシラニル基を有する不飽和化合物とが反応し、エステル結合を形成することにより得られる。具体例を挙げて詳述すると、例えば、構造単位(II)中のカルボキシ基とを有する重合体に、メタクリル酸グリシジル、メタクリル酸2−メチルグリシジル等の化合物を反応させて形成することができる。
Among these unsaturated compounds having an oxiranyl group and unsaturated compounds having an oxetanyl group, glycidyl methacrylate, 2-methylglycidyl methacrylate, -6,7-epoxyheptyl methacrylate, 3,4-epoxycyclohexylmethyl methacrylate 3,4-epoxytricyclo [5.2.1.0 2.6 ] decyl acrylate, 3- (methacryloyloxymethyl) -3-ethyloxetane is copolymerization reactivity and compression performance of cured film for display element, It is preferable from the viewpoint of improving light resistance.
The structural unit having a (meth) acryloyl group is obtained by reacting the carboxy group in the structural unit (II) with the unsaturated compound having an oxiranyl group described above to form an ester bond. More specifically, for example, it can be formed by reacting a polymer having a carboxy group in the structural unit (II) with a compound such as glycidyl methacrylate or 2-methylglycidyl methacrylate.
また、(メタ)アクリロイル基を有する構成単位は、水酸基を有する重合体に不飽和イソシアネート化合物を反応させることにより得ることができる。 The structural unit having a (meth) acryloyl group can be obtained by reacting a polymer having a hydroxyl group with an unsaturated isocyanate compound.
上記不飽和イソシアネート化合物としては、例えば(メタ)アクリル酸誘導体等を挙げることができ、その具体例として、例えば2−(メタ)アクリロイルオキシエチルイソシアネート、4−(メタ)アクリロイルオキシブチルイソシアネート、(メタ)アクリル酸2−(2−イソシアネートエトキシ)エチル等を挙げることができる。これらの市販品としては、2−アクリロイルオキシエチルイソシアネートの市販品としてカレンズAOI(昭和電工(株)製)、2−メタクリロイルオキシエチルイソシアネートの市販品としてカレンズMOI(昭和電工(株)製)、メタクリル酸2−(2−イソシアネートエトキシ)エチルの市販品としてカレンズMOI―EG(昭和電工(株)製)を、それぞれ挙げることができる。 Examples of the unsaturated isocyanate compound include (meth) acrylic acid derivatives. Specific examples thereof include 2- (meth) acryloyloxyethyl isocyanate, 4- (meth) acryloyloxybutyl isocyanate, (meth ) 2- (2-isocyanatoethoxy) ethyl acrylate and the like. As these commercially available products, Karenz AOI (manufactured by Showa Denko KK) as a commercial product of 2-acryloyloxyethyl isocyanate, Karenz MOI (manufactured by Showa Denko KK), methacryl as a commercial product of 2-methacryloyloxyethyl isocyanate. As a commercial product of the acid 2- (2-isocyanatoethoxy) ethyl, Karenz MOI-EG (manufactured by Showa Denko KK) can be mentioned.
これらの不飽和イソシアネート化合物のうち、水酸基を有する重合体との反応性の点から、2−アクリロイルオキシエチルイソシアネート、2−メタクリロイルオキシエチルイソシアネート、4−メタクリロイルオキシブチルイソシアネート又はメタクリル酸2−(2−イソシアネートエトキシ)エチルが好ましい。不飽和イソシアネート化合物は、単独で又は2種以上を混合して使用することができる。 Of these unsaturated isocyanate compounds, 2-acryloyloxyethyl isocyanate, 2-methacryloyloxyethyl isocyanate, 4-methacryloyloxybutyl isocyanate or 2- (2-methacrylic acid) is selected from the viewpoint of reactivity with a polymer having a hydroxyl group. Isocyanatoethoxy) ethyl is preferred. An unsaturated isocyanate compound can be used individually or in mixture of 2 or more types.
水酸基を有する重合体と不飽和イソシアネート化合物との反応は、必要に応じて適当な触媒の存在下において、好ましくは重合禁止剤を含む重合体の溶液に、室温又は加温下で、攪拌しつつ、不飽和イソシアネート化合物を投入することによって実施することができる。上記触媒としては、例えばジラウリン酸ジ−n−ブチルすず(IV)等を;上記重合禁止剤としては、例えばp−メトキシフェノール等を、それぞれ挙げることができる。 The reaction between the hydroxyl group-containing polymer and the unsaturated isocyanate compound is carried out in the presence of a suitable catalyst as necessary, preferably in a polymer solution containing a polymerization inhibitor, while stirring at room temperature or under heating. This can be carried out by introducing an unsaturated isocyanate compound. Examples of the catalyst include di-n-butyltin (IV) dilaurate; and examples of the polymerization inhibitor include p-methoxyphenol.
構造単位(II)を与える単量体としては、(メタ)アクリロイル基、オキシラニル基、オキセタニル基を含む単量体が好ましく、オキシラニル基、オキセタニル基を含む単量体がより好ましく、メタクリル酸グリシジル、3−メタクリロイルオキシメチル−3−エチルオキセタンが好ましい。 As the monomer that gives the structural unit (II), a monomer containing a (meth) acryloyl group, an oxiranyl group or an oxetanyl group is preferred, a monomer containing an oxiranyl group or an oxetanyl group is more preferred, glycidyl methacrylate, 3-Methacryloyloxymethyl-3-ethyloxetane is preferred.
構造単位(II)の含有割合としては、[A]重合体成分を構成する全構造単位に対して、0.1モル%以上80モル%以下が好ましく、1モル%以上60モル%以下がより好ましい。構造単位(II)の含有割合を上記範囲とすることで、形成される硬化膜の強度を効果的に高めることができる。
[構造単位(III)]
構造単位(III)は、不飽和カルボン酸に由来する構造単位及び不飽和カルボン酸無水物に由来する構造単位からなる群より選択される少なくとも1種から形成されるカルボキシル基を有する構造単位である。構造単位(III)を与える化合物としては、例えば、不飽和モノカルボン酸、不飽和ジカルボン酸、不飽和ジカルボン酸の無水物、多価カルボン酸のモノ[(メタ)アクリロイルオキシアルキル]エステル、両末端にカルボキシ基と水酸基とを有するポリマーのモノ(メタ)アクリレート、カルボキシ基を有する不飽和多環式化合物及びその無水物等が挙げられる。
The content ratio of the structural unit (II) is preferably 0.1 mol% or more and 80 mol% or less, more preferably 1 mol% or more and 60 mol% or less with respect to all the structural units constituting the polymer component [A]. preferable. By making the content rate of structural unit (II) into the said range, the intensity | strength of the cured film formed can be raised effectively.
[Structural unit (III)]
The structural unit (III) is a structural unit having a carboxyl group formed from at least one selected from the group consisting of a structural unit derived from an unsaturated carboxylic acid and a structural unit derived from an unsaturated carboxylic anhydride. . Examples of the compound that gives the structural unit (III) include unsaturated monocarboxylic acid, unsaturated dicarboxylic acid, unsaturated dicarboxylic acid anhydride, poly [carboxylic acid] mono [(meth) acryloyloxyalkyl] ester, both terminals Examples thereof include mono (meth) acrylates of polymers having a carboxy group and a hydroxyl group, unsaturated polycyclic compounds having a carboxy group, and anhydrides thereof.
不飽和モノカルボン酸としては、例えば、アクリル酸、メタクリル酸、クロトン酸等が挙げられる。不飽和ジカルボン酸としては、例えば、マレイン酸、フマル酸、シトラコン酸、メサコン酸、イタコン酸等が挙げられる。不飽和ジカルボン酸の無水物としては、例えば、上記ジカルボン酸として例示した化合物の無水物等が挙げられる。多価カルボン酸のモノ[(メタ)アクリロイルオキシアルキル]エステルとしては、例えば、コハク酸モノ〔2−(メタ)アクリロイルオキシエチル〕、フタル酸モノ〔2−(メタ)アクリロイルオキシエチル〕、へキサヒドロフタル酸モノ〔2−(メタクリロイルオキシ)エチル〕等が挙げられる。両末端にカルボキシル基と水酸基とを有するポリマーのモノ(メタ)アクリレートとしては、例えば、ω−カルボキシポリカプロラクトンモノ(メタ)アクリレート等が挙げられる。 Examples of the unsaturated monocarboxylic acid include acrylic acid, methacrylic acid, and crotonic acid. Examples of the unsaturated dicarboxylic acid include maleic acid, fumaric acid, citraconic acid, mesaconic acid, itaconic acid and the like. As an anhydride of unsaturated dicarboxylic acid, the anhydride of the compound illustrated as said dicarboxylic acid etc. are mentioned, for example. Examples of mono [(meth) acryloyloxyalkyl] esters of polyvalent carboxylic acids include, for example, succinic acid mono [2- (meth) acryloyloxyethyl], phthalic acid mono [2- (meth) acryloyloxyethyl], hexane. And hydrophthalic acid mono [2- (methacryloyloxy) ethyl]. Examples of the mono (meth) acrylate of a polymer having a carboxyl group and a hydroxyl group at both ends include ω-carboxypolycaprolactone mono (meth) acrylate.
これらのうち、モノカルボン酸、ジカルボン酸の無水物が好ましく、(メタ)アクリル酸、無水マレイン酸が、共重合反応性、アルカリ水溶液に対する溶解性及び入手の容易性からより好ましい。 Of these, monocarboxylic acid and dicarboxylic acid anhydrides are preferred, and (meth) acrylic acid and maleic anhydride are more preferred from the viewpoints of copolymerization reactivity, solubility in alkaline aqueous solutions, and availability.
構造単位(III)の含有割合としては、全構造単位に対して、好ましくは5モル%〜30モル%、より好ましくは10モル%〜25モル%である。構造単位(III)の含有割合を5モル%〜30モル%とすることで、アルカリ水溶液に対する溶解性を最適化すると共に放射線性感度に優れるネガ型感放射線性樹脂組成物が得られる。
[他の構造単位]
[A]重合体成分は、構造単位(I)、構造単位(II)、構造単位(III)以外の他の構造単位を与える化合物を含むことができる。例えば、水酸基を有する(メタ)アクリル酸エステル、(メタ)アクリル酸鎖状アルキルエステル、(メタ)アクリル酸環状アルキルエステル、(メタ)アクリル酸アリールエステル、不飽和芳香族化合物、共役ジエン、テトラヒドロフラン骨格等をもつ不飽和化合物が挙げられる。
As a content rate of structural unit (III), Preferably it is 5 mol%-30 mol% with respect to all the structural units, More preferably, it is 10 mol%-25 mol%. By making the content rate of structural unit (III) 5 mol%-30 mol%, the negative radiation sensitive resin composition which is excellent in the radiation sensitivity while optimizing the solubility with respect to alkaline aqueous solution is obtained.
[Other structural units]
[A] The polymer component can contain a compound that gives other structural units other than the structural unit (I), the structural unit (II), and the structural unit (III). For example, (meth) acrylic acid ester having a hydroxyl group, (meth) acrylic acid chain alkyl ester, (meth) acrylic acid cyclic alkyl ester, (meth) acrylic acid aryl ester, unsaturated aromatic compound, conjugated diene, tetrahydrofuran skeleton And the like.
水酸基を有する(メタ)アクリル酸エステルとしては、例えば、アクリル酸2−ヒドロキシエチル、アクリル酸3−ヒドロキシプロピル、アクリル酸4−ヒドロキシブチル、アクリル酸5−ヒドロキシペンチル、アクリル酸6−ヒドロキシヘキシル、メタクリル酸2−ヒドロキシエチル、メタククリル酸3−ヒドロキシプロピル、メタククリル酸4−ヒドロキシブチル、メタククリル酸5−ヒドロキシペンチル、メタククリル酸6−ヒドロキシヘキシル等が挙げられる。 Examples of the (meth) acrylic acid ester having a hydroxyl group include 2-hydroxyethyl acrylate, 3-hydroxypropyl acrylate, 4-hydroxybutyl acrylate, 5-hydroxypentyl acrylate, 6-hydroxyhexyl acrylate, and methacrylic acid. Examples include 2-hydroxyethyl acid, 3-hydroxypropyl methacrylate, 4-hydroxybutyl methacrylate, 5-hydroxypentyl methacrylate, 6-hydroxyhexyl methacrylate, and the like.
(メタ)アクリル酸鎖状アルキルエステルとしては、例えば、メタクリル酸メチル、メタクリル酸エチル、メタクリル酸n−ブチル、メタクリル酸sec−ブチル、メタクリル酸t−ブチル、メタクリル酸2−エチルヘキシル、メタクリル酸イソデシル、メタクリル酸n−ラウリル、メタクリル酸トリデシル、メタクリル酸n−ステアリル、アクリル酸メチル、アクリル酸エチル、アクリル酸n−ブチル、アクリル酸sec−ブチル、アクリル酸t−ブチル、アクリル酸2−エチルヘキシル、アクリル酸イソデシル、アクリル酸n−ラウリル、アクリル酸トリデシル、アクリル酸n−ステアリル等が挙げられる。 Examples of the (meth) acrylic acid chain alkyl ester include methyl methacrylate, ethyl methacrylate, n-butyl methacrylate, sec-butyl methacrylate, t-butyl methacrylate, 2-ethylhexyl methacrylate, isodecyl methacrylate, N-lauryl methacrylate, tridecyl methacrylate, n-stearyl methacrylate, methyl acrylate, ethyl acrylate, n-butyl acrylate, sec-butyl acrylate, t-butyl acrylate, 2-ethylhexyl acrylate, acrylic acid Examples include isodecyl, n-lauryl acrylate, tridecyl acrylate, and n-stearyl acrylate.
(メタ)アクリル酸環状アルキルエステルとしては、例えば、メタクリル酸シクロヘキシル、メタクリル酸2−メチルシクロヘキシル、メタクリル酸トリシクロ[5.2.1.02,6]デカン−8−イル、メタクリル酸トリシクロ[5.2.1.02,6]デカン−8−イルオキシエチル、メタクリル酸イソボロニル、シクロヘキシルアクリレート、2−メチルシクロヘキシルアクリレート、トリシクロ[5.2.1.02,6]デカン−8−イルアクリレート、トリシクロ[5.2.1.02,6]デカン−8−イルオキシエチルアクリレート、イソボルニルアクリレート等が挙げられる。 Examples of the (meth) acrylic acid cyclic alkyl ester include cyclohexyl methacrylate, 2-methylcyclohexyl methacrylate, tricyclo [5.2.1.0 2,6 ] decane-8-yl methacrylate, and tricyclo [5 methacrylate]. .2.1.0 2,6 ] decan-8-yloxyethyl, isobornyl methacrylate, cyclohexyl acrylate, 2-methylcyclohexyl acrylate, tricyclo [5.2.1.0 2,6 ] decan-8-yl acrylate , Tricyclo [5.2.1.0 2,6 ] decan-8-yloxyethyl acrylate, isobornyl acrylate, and the like.
(メタ)アクリル酸アリールエステルとしては、例えば、メタクリル酸フェニル、メタクリル酸ベンジル、アクリル酸フェニル、アクリル酸ベンジル等が挙げられる。 Examples of the (meth) acrylic acid aryl ester include phenyl methacrylate, benzyl methacrylate, phenyl acrylate, and benzyl acrylate.
不飽和芳香族化合物としては、例えば、スチレン、α−メチルスチレン、o−メチルスチレン、m−メチルスチレン、p−メチルスチレン、p−メトキシスチレン、N−フェニルマレイミド、N−シクロヘキシルマレイミド、N−トリルマレイミド、N−ナフチルマレイミド、N−エチルマレイミド、N−ヘキシルマレイミド、N−ベンジルマレイミド等が挙げられる。 Examples of the unsaturated aromatic compound include styrene, α-methylstyrene, o-methylstyrene, m-methylstyrene, p-methylstyrene, p-methoxystyrene, N-phenylmaleimide, N-cyclohexylmaleimide, and N-tolyl. Maleimide, N-naphthylmaleimide, N-ethylmaleimide, N-hexylmaleimide, N-benzylmaleimide and the like can be mentioned.
共役ジエンとしては、例えば1,3−ブタジエン、イソプレン、2,3−ジメチル−1,3−ブタジエン等が挙げられる。 Examples of the conjugated diene include 1,3-butadiene, isoprene, 2,3-dimethyl-1,3-butadiene and the like.
テトラヒドロフラン骨格を含有する不飽和化合物としては、例えば、テトラヒドロフルフリル(メタ)アクリレート、2−メタクリロイルオキシ−プロピオン酸テトラヒドロフルフリルエステル、3−(メタ)アクリロイルオキシテトラヒドロフラン−2−オン等が挙げられる。
<[A]重合体成分の合成方法>
[A]重合体成分は、例えば、所定の各構造単位に対応する単量体を、ラジカル重合開始剤を使用し、適当な溶媒中で重合することにより製造できる。例えば、単量体及びラジカル開始剤を含有する溶液を、反応溶媒又は単量体を含有する溶液に滴下して重合反応させる方法、単量体を含有する溶液と、ラジカル開始剤を含有する溶液とを各別に、反応溶媒又は単量体を含有する溶液に滴下して重合反応させる方法、各々の単量体を含有する複数種の溶液と、ラジカル開始剤を含有する溶液とを各別に、反応溶媒又は単量体を含有する溶液に滴下して重合反応させる方法等の方法で合成することが好ましい。
Examples of the unsaturated compound containing a tetrahydrofuran skeleton include tetrahydrofurfuryl (meth) acrylate, 2-methacryloyloxy-propionic acid tetrahydrofurfuryl ester, 3- (meth) acryloyloxytetrahydrofuran-2-one, and the like.
<[A] Polymer component synthesis method>
[A] The polymer component can be produced, for example, by polymerizing a monomer corresponding to each predetermined structural unit in a suitable solvent using a radical polymerization initiator. For example, a method of dropping a solution containing a monomer and a radical initiator into a reaction solvent or a solution containing the monomer to cause a polymerization reaction, a solution containing the monomer, and a solution containing the radical initiator Separately, a method of dropping a reaction solvent or a monomer-containing solution into a polymerization reaction, a plurality of types of solutions containing each monomer, and a solution containing a radical initiator, It is preferable to synthesize by a method such as a method of dropping it into a reaction solvent or a solution containing a monomer to cause a polymerization reaction.
[A]重合体成分の重合反応に用いられる溶媒としては、例えば、後述する当該感放射線性樹脂組成物の調製の項において例示する溶媒等が挙げられる。 [A] Examples of the solvent used in the polymerization reaction of the polymer component include the solvents exemplified in the section of preparation of the radiation-sensitive resin composition described later.
重合反応に用いられる重合開始剤としては、一般的にラジカル重合開始剤として知られているものが使用できるが、例えば、2,2’−アゾビスイソブチロニトリル、2,2’−アゾビス(2,4−ジメチルバレロニトリル)、2,2’−アゾビス−(4−メトキシ−2,4−ジメチルバレロニトリル)、2,2’−アゾビス(2−メチルプロピオン酸メチル)等のアゾ化合物;ベンゾイルペルオキシド、ラウロイルペルオキシド等の有機過酸化物;過酸化水素等が挙げられる。 As the polymerization initiator used in the polymerization reaction, those generally known as radical polymerization initiators can be used. For example, 2,2′-azobisisobutyronitrile, 2,2′-azobis ( 2,4-Dimethylvaleronitrile), 2,2′-azobis- (4-methoxy-2,4-dimethylvaleronitrile), azo compounds such as 2,2′-azobis (methyl 2-methylpropionate); benzoyl Organic peroxides such as peroxide and lauroyl peroxide; hydrogen peroxide and the like.
[A]重合体成分の重合反応においては、分子量を調整するために分子量調整剤を使用することもできる。分子量調整剤としては、例えば、クロロホルム、四臭化炭素等のハロゲン化炭化水素類;n−ヘキシルメルカプタン、n−オクチルメルカプタン、n−ドデシルメルカプタン、t−ドデシルメルカプタン、チオグリコール酸等のメルカプタン類;ジメチルキサントゲンスルフィド、ジイソプロピルキサントゲンジスルフィド等のキサントゲン類;ターピノーレン、α−メチルスチレンダイマー等が挙げられる。 [A] In the polymerization reaction of the polymer component, a molecular weight modifier may be used to adjust the molecular weight. Examples of the molecular weight modifier include halogenated hydrocarbons such as chloroform and carbon tetrabromide; mercaptans such as n-hexyl mercaptan, n-octyl mercaptan, n-dodecyl mercaptan, t-dodecyl mercaptan, and thioglycolic acid; Examples thereof include xanthogens such as dimethylxanthogen sulfide and diisopropylxanthogen disulfide; terpinolene and α-methylstyrene dimer.
[A]重合体のゲルパーミエーションクロマトグラフィー(GPC)によるポリスチレン換算重量平均分子量(Mw)としては、2.0×103以上1.0×105以下が好ましく、5.0×103以上5.0×104以下がより好ましい。[A]重合体成分のMwを上記範囲とすることで当該感放射線性樹脂組成物の感度及びアルカリ現像性を高めることができる。 [A] The weight average molecular weight (Mw) in terms of polystyrene by gel permeation chromatography (GPC) of the polymer is preferably 2.0 × 10 3 or more and 1.0 × 10 5 or less, and preferably 5.0 × 10 3 or more. 5.0 × 10 4 or less is more preferable. [A] By making Mw of a polymer component into the said range, the sensitivity and alkali developability of the said radiation sensitive resin composition can be improved.
[A]重合体成分のGPCによるポリスチレン換算数平均分子量(Mn)としては、2.0×103以上1.0×105以下が好ましく、5.0×103以上5.0×104以下がより好ましい。[A]重合体のMnを上記範囲とすることで、当該感放射線性樹脂組成物の塗膜の硬化時の硬化反応性を向上させることができる。 [A] The number average molecular weight (Mn) in terms of polystyrene by GPC of the polymer component is preferably 2.0 × 10 3 or more and 1.0 × 10 5 or less, and 5.0 × 10 3 or more and 5.0 × 10 4. The following is more preferable. [A] By making Mn of a polymer into the said range, the cure reactivity at the time of hardening of the coating film of the said radiation sensitive resin composition can be improved.
[A]重合体成分の分子量分布(Mw/Mn)としては、3.0以下が好ましく、2.6以下がより好ましい。[A]重合体成分のMw/Mnを3.0以下とすることで、得られる硬化膜の現像性を高めることができる。
<[B]非イオン性光酸発生剤>
[B]非イオン性光酸発生剤は、放射線の照射によって酸を発生する化合物である。放射線としては、例えば、可視光線、紫外線、遠紫外線、電子線、X線等を使用できる。当該感放射線性樹脂組成物が[B]非イオン性光酸発生剤を含有することで、当該感放射線性樹脂組成物はネガ型の感放射線特性を発揮することができ、かつ良好な感度を有することができる。
[B]非イオン性光酸発生剤の当該感放射線性樹脂組成物における含有形態としては、後述するような化合物である非イオン性光酸発生剤(以下、適宜「[B]非イオン性光酸発生剤」ともいう)の形態でも、[A]重合体成分を構成する重合体の一部として組み込まれた光酸発生基の形態でも、これらの両方の形態でもよい。
[A] The molecular weight distribution (Mw / Mn) of the polymer component is preferably 3.0 or less, and more preferably 2.6 or less. [A] By making Mw / Mn of a polymer component 3.0 or less, the developability of the obtained cured film can be improved.
<[B] Nonionic photoacid generator>
[B] The nonionic photoacid generator is a compound that generates an acid upon irradiation with radiation. As the radiation, for example, visible light, ultraviolet light, far ultraviolet light, electron beam, X-ray or the like can be used. Since the radiation sensitive resin composition contains [B] a nonionic photoacid generator, the radiation sensitive resin composition can exhibit negative radiation sensitive characteristics and has good sensitivity. Can have.
[B] The content of the nonionic photoacid generator in the radiation-sensitive resin composition is a nonionic photoacid generator (hereinafter referred to as “[B] nonionic light”, which is a compound as described later). It may be in the form of "acid generator"), in the form of a photoacid-generating group incorporated as part of the polymer constituting the polymer component [A], or in both forms.
[B]非イオン性光酸発生剤としては、オキシムスルホネート構造を有する化合物、ナフタルイミド構造を有する化合物が特に好ましい。これらの[B]非イオン性光酸発生剤は、単独で又は2種類以上を組み合わせて用いてもよい。以下にオキシムスルホネート構造を有する化合物、ナフタルイミド構造を有する化合物の詳細について記載する。
[オキシムスルホネート構造を有する化合物]
オキシムスルホネート構造を有する化合物としては、下記式(1)で表される構造を含む化合物が好ましい。
[B] The nonionic photoacid generator is particularly preferably a compound having an oxime sulfonate structure or a compound having a naphthalimide structure. These [B] nonionic photoacid generators may be used alone or in combination of two or more. Details of the compound having an oxime sulfonate structure and the compound having a naphthalimide structure are described below.
[Compound having oxime sulfonate structure]
As a compound which has an oxime sulfonate structure, the compound containing the structure represented by following formula (1) is preferable.
上記式(1)中、R1は、炭素数1から12のアルキル基、炭素数1から12のフルオロアルキル基、炭素数4から12の脂環式炭化水素基、炭素数6から20のアリール基、又はこれらのアルキル基、脂環式炭化水素基及びアリール基が有する水素原子の一部又は全部が置換基で置換された基である。 In the above formula (1), R 1 is an alkyl group having 1 to 12 carbon atoms, a fluoroalkyl group having 1 to 12 carbon atoms, an alicyclic hydrocarbon group having 4 to 12 carbon atoms, or an aryl having 6 to 20 carbon atoms. Or a group in which some or all of the hydrogen atoms of the alkyl group, alicyclic hydrocarbon group and aryl group are substituted with a substituent.
上記R1で表されるアルキル基としては、炭素数1〜12の直鎖状又は分岐状のアルキル基が好ましい。この炭素数1〜12の直鎖状又は分岐状のアルキル基は置換基により置換されていてもよく、上記置換基としては、例えば、炭素数1〜10のアルコキシ基、7,7−ジメチル−2−オキソノルボルニル基等の有橋式脂環基を含む脂環式基等が挙げられる。炭素数1から12のフルオロアルキル基としては、トリフルオロメチル基、ペンタフルオロエチル基、ヘプタフルオロプロピル基等が挙げられる。 The alkyl group represented by R 1 is preferably a linear or branched alkyl group having 1 to 12 carbon atoms. The linear or branched alkyl group having 1 to 12 carbon atoms may be substituted with a substituent. Examples of the substituent include an alkoxy group having 1 to 10 carbon atoms and 7,7-dimethyl- Examples thereof include alicyclic groups containing a bridged alicyclic group such as a 2-oxonorbornyl group. Examples of the fluoroalkyl group having 1 to 12 carbon atoms include a trifluoromethyl group, a pentafluoroethyl group, and a heptafluoropropyl group.
上記R1で表される脂環式炭化水素基としては、炭素数4〜12の脂環式炭化水素基が好ましい。この炭素数4〜12の脂環式炭化水素基は置換基により置換されていてもよく、上記置換基としては、例えば、炭素数1〜5のアルキル基、アルコキシ基、ハロゲン原子等が挙げられる。 The alicyclic hydrocarbon group represented by R 1 is preferably an alicyclic hydrocarbon group having 4 to 12 carbon atoms. The alicyclic hydrocarbon group having 4 to 12 carbon atoms may be substituted with a substituent, and examples of the substituent include an alkyl group having 1 to 5 carbon atoms, an alkoxy group, and a halogen atom. .
上記R1で表されるアリール基としては、炭素数6〜20のアリール基が好ましく、フェニル基、ナフチル基、トリル基、キシリル基がより好ましい。上記アリール基は置換基により置換されていてもよく、上記置換基としては、例えば、炭素数1〜5のアルキル基、アルコキシ基、ハロゲン原子等が挙げられる。 The aryl group represented by R 1 is preferably an aryl group having 6 to 20 carbon atoms, more preferably a phenyl group, a naphthyl group, a tolyl group, or a xylyl group. The aryl group may be substituted with a substituent, and examples of the substituent include an alkyl group having 1 to 5 carbon atoms, an alkoxy group, and a halogen atom.
上記式(1)で表されるオキシムスルホネート基を含有する化合物としては、例えば、下記式(1−1)、式(1−2)、式(1−3)で表されるオキシムスルホネート化合物等が挙げられる。 Examples of the compound containing an oxime sulfonate group represented by the above formula (1) include oxime sulfonate compounds represented by the following formula (1-1), formula (1-2), and formula (1-3). Is mentioned.
上記式(1−1)、(1−2)、式(1−3)中、R1は、上記式(1)と同義である。上記式(1−1)、(1−2)中、R5は、炭素数1から12のアルキル基、炭素数1から12のフルオロアルキル基である。
式(1−3)中、Xは、アルキル基、アルコキシ基、又はハロゲン原子である。mは、0〜3の整数である。但し、Xが複数の場合、複数のXは同一であっても異なっていてもよい。
In the formulas (1-1), (1-2), and formulas (1-3), R 1 has the same meaning as the formula (1). In the above formulas (1-1) and (1-2), R 5 is an alkyl group having 1 to 12 carbon atoms or a fluoroalkyl group having 1 to 12 carbon atoms.
In formula (1-3), X is an alkyl group, an alkoxy group, or a halogen atom. m is an integer of 0-3. However, when there are a plurality of Xs, the plurality of Xs may be the same or different.
上記Xで表されるアルキル基としては、炭素数1〜4の直鎖状若しくは分岐状のアルキル基が好ましい。上記Xで表されるアルコキシ基としては、炭素数1〜4の直鎖状又は分岐状のアルコキシ基が好ましい。上記Xで表されるハロゲン原子としては、塩素原子、フッ素原子が好ましい。mとしては、0又は1が好ましい。上記式(1−3)においては、mが1であり、Xがメチル基であり、Xの置換位置がオルトである化合物が好ましい。 The alkyl group represented by X is preferably a linear or branched alkyl group having 1 to 4 carbon atoms. The alkoxy group represented by X is preferably a linear or branched alkoxy group having 1 to 4 carbon atoms. The halogen atom represented by X is preferably a chlorine atom or a fluorine atom. As m, 0 or 1 is preferable. In the above formula (1-3), a compound in which m is 1, X is a methyl group, and the substitution position of X is ortho is preferable.
上記式(1−3)で表されるオキシムスルホネート化合物としては、例えば、下記式(1−3−1)〜(1−3−5)で表される化合物等が挙げられる。 Examples of the oxime sulfonate compound represented by the above formula (1-3) include compounds represented by the following formulas (1-3-1) to (1-3-5).
上記式(1−3−1)〜(1−3−5)で表される化合物は、5−プロピルスルフォニルオキシイミノ−5H−チオフェン−2−イリデン)−(2−メチルフェニル)アセトニトリル、(5−オクチルスルフォニルオキシイミノ−5H−チオフェン−2−イリデン)−(2−メチルフェニル)アセトニトリル、(カンファースルフォニルオキシイミノ−5H−チオフェン−2−イリデン)−(2−メチルフェニル)アセトニトリル、(5−p−トルエンスルフォニルオキシイミノ−5H−チオフェン−2−イリデン)−(2−メチルフェニル)アセトニトリル、(2−(オクチルスルホニルオキシイミノ)−2−(4−メトキシフェニル)アセトニトリルであり、市販品として入手できる。
[ナフタルイミド構造を有する化合物]
ナフタルイミド構造を有する化合物は、下記式で示される化合物であることが好ましい。
The compounds represented by the above formulas (1-3-1) to (1-3-5) are 5-propylsulfonyloxyimino-5H-thiophen-2-ylidene)-(2-methylphenyl) acetonitrile, (5 -Octylsulfonyloxyimino-5H-thiophen-2-ylidene)-(2-methylphenyl) acetonitrile, (camphorsulfonyloxyimino-5H-thiophen-2-ylidene)-(2-methylphenyl) acetonitrile, (5-p -Toluenesulfonyloxyimino-5H-thiophen-2-ylidene)-(2-methylphenyl) acetonitrile, (2- (octylsulfonyloxyimino) -2- (4-methoxyphenyl) acetonitrile, commercially available .
[Compound having naphthalimide structure]
The compound having a naphthalimide structure is preferably a compound represented by the following formula.
上記式(2)中、R18及びR21〜R23は、水素原子である。
R19及びR20の一方は、直鎖状又は分岐状の炭素数4〜18のアルコキシ基、このアルコキシ基の酸素原子に隣接しない任意位置のメチレン基が−C(=O)−基で置換された基、上記アルコキシ基がナフタレン環に近いほうから−O−C(=O)−結合若しくは−OC(=O)−NH−結合で中断された基、炭素数4〜18の直鎖状若しくは分岐状のアルキルチオ基、このアルキルチオ基の硫黄原子に隣接しない任意位置のメチレン基が−C(=O)−基で置換された基、上記アルキルチオ基がナフタレン環に近いほうから−O−C(=O)−結合若しくは−OC(=O)−NH−結合で中断された基、又は下記式(3)で表される基である。但し、R19及びR20のアルコキシ基及びアルキルチオ基が有する水素原子の一部又は全部は、脂環式炭化水素基、複素環基又はハロゲン原子で置換されてもよい。R19及びR20の他方は、水素原子である。
In the formula (2), R 18 and R 21 to R 23 is a hydrogen atom.
One of R 19 and R 20 is a linear or branched alkoxy group having 4 to 18 carbon atoms, and a methylene group at any position not adjacent to the oxygen atom of the alkoxy group is substituted with a —C (═O) — group. A group interrupted by an —O—C (═O) — bond or —OC (═O) —NH— bond from the side closer to the naphthalene ring, a straight chain having 4 to 18 carbon atoms Or a branched alkylthio group, a group in which a methylene group at any position not adjacent to the sulfur atom of this alkylthio group is substituted with a —C (═O) — group, and the above alkylthio group is —O—C from the side closer to the naphthalene ring It is a group interrupted by a (═O) — bond or —OC (═O) —NH— bond, or a group represented by the following formula (3). However, a part or all of the hydrogen atoms of the alkoxy group and alkylthio group of R 19 and R 20 may be substituted with an alicyclic hydrocarbon group, a heterocyclic group or a halogen atom. The other of R 19 and R 20 is a hydrogen atom.
上記式(3)中、R25は、炭素数1〜12の2価の炭化水素基である。R26は、炭素数1〜4のアルカンジイル基である。R27は、水素原子、直鎖状若しくは分岐状の炭素数1〜4のアルキル基、又は炭素数3〜10の脂環式炭化水素基若しくは複素環基である。Y1は、酸素原子又は硫黄原子である。Y2は、単結合又は炭素数1〜4のアルカンジイル基である。gは、0〜5の整数である。 In the formula (3), R 25 is a divalent hydrocarbon group having 1 to 12 carbon atoms. R 26 is an alkanediyl group having 1 to 4 carbon atoms. R 27 is a hydrogen atom, a linear or branched alkyl group having 1 to 4 carbon atoms, or an alicyclic hydrocarbon group or heterocyclic group having 3 to 10 carbon atoms. Y 1 is an oxygen atom or a sulfur atom. Y 2 is a single bond or an alkanediyl group having 1 to 4 carbon atoms. g is an integer of 0-5.
上記式(2)中のR24は、ハロゲン原子及び炭素数1〜18のアルキルチオ基のうちの少なくとも一方で置換されていてもよい炭素数1〜18の1価の脂肪族炭化水素基、ハロゲン原子及び脂環式炭化水素基のうちの少なくとも一方で置換されていてもよい炭素数1〜18の直鎖状若しくは分岐状のアルキル基、ハロゲン原子で置換されていてもよい炭素数3〜18の1価の脂環式炭化水素基、ハロゲン原子及び炭素数1〜18のアルキルチオ基のうちの少なくとも一方で置換されていてもよい炭素数6〜20のアリール基、ハロゲン原子及び炭素数1〜18のアルキルチオ基のうちの少なくとも一方で置換されていてもよい炭素数7〜20のアリールアルキル基、ハロゲン原子で置換されていてもよい炭素数7〜20のアルキルアリール基、アシル基で置換された炭素数7〜20のアリール基、10−カンファーイル基、又は下記式(4)で表される基である。 R 24 in the above formula (2) is a monovalent aliphatic hydrocarbon group having 1 to 18 carbon atoms which may be substituted at least one of a halogen atom and an alkylthio group having 1 to 18 carbon atoms, a halogen atom A linear or branched alkyl group having 1 to 18 carbon atoms which may be substituted at least one of an atom and an alicyclic hydrocarbon group, and 3 to 18 carbon atoms which may be substituted with a halogen atom A monovalent alicyclic hydrocarbon group, a halogen atom, and an aryl group having 6 to 20 carbon atoms which may be substituted at least one of a halogen atom and an alkylthio group having 1 to 18 carbon atoms, a halogen atom and 1 to carbon atoms An arylalkyl group having 7 to 20 carbon atoms which may be substituted on at least one of 18 alkylthio groups, an alkylaryl having 7 to 20 carbon atoms which may be substituted with a halogen atom Group, an aryl group having 7 to 20 carbon atoms substituted with an acyl group, a 10-camphoryl group, or a group represented by the following formula (4).
上記式(4)中、Y3は、単結合又は炭素数1〜4のアルカンジイル基である。 In the formula (4), Y 3 is a single bond or an alkanediyl group having 1 to 4 carbon atoms.
R28は、炭素数2〜6のアルカンジイル基、炭素数2〜6のハロゲン化アルカンジイル基、炭素数6〜20のアリーレン基又は炭素数6〜20のハロゲン化アリーレン基である。 R 28 is an alkanediyl group having 2 to 6 carbon atoms, a halogenated alkanediyl group having 2 to 6 carbon atoms, an arylene group having 6 to 20 carbon atoms, or a halogenated arylene group having 6 to 20 carbon atoms.
R29は、単結合、炭素数2〜6のアルカンジイル基、炭素数2〜6のハロゲン化アルカンジイル基、炭素数6〜20のアリーレン基又は炭素数6〜20のハロゲン化アリーレン基である。 R 29 is a single bond, an alkanediyl group having 2 to 6 carbon atoms, a halogenated alkanediyl group having 2 to 6 carbon atoms, an arylene group having 6 to 20 carbon atoms, or a halogenated arylene group having 6 to 20 carbon atoms. .
R30は、直鎖状若しくは分岐状の炭素数1〜18のアルキル基、直鎖状又は分岐状の炭素数1〜18のハロゲン化アルキル基、炭素数3〜12の脂環式炭化水素基、炭素数6〜20のアリール基、炭素数6〜20のハロゲン化アリール基、炭素数7〜20のアリールアルキル基又は炭素数7〜20のハロゲン化アリールアルキル基である。h及びiは、一方が1であり、他方が0又は1である。 R 30 is a linear or branched alkyl group having 1 to 18 carbon atoms, a linear or branched alkyl group having 1 to 18 carbon atoms, or an alicyclic hydrocarbon group having 3 to 12 carbon atoms. , An aryl group having 6 to 20 carbon atoms, a halogenated aryl group having 6 to 20 carbon atoms, an arylalkyl group having 7 to 20 carbon atoms, or a halogenated arylalkyl group having 7 to 20 carbon atoms. One of h and i is 1 and the other is 0 or 1.
上記式(2)中のR19又はR20で表される炭素数4〜18の直鎖状又は分岐状のアルコキシ基としては、例えば、ブチルオキシ基、sec−ブチルオキシ基、t−ブチルオキシ基、イソブチルオキシ基、アミルオキシ基、イソアミルオキシ基、t−アミルオキシ基、ヘキシルオキシ基、ヘプチルオキシ基、イソヘプチルオキシ基、t−ヘプチルオキシ基、オクチルオキシ基、イソオクチルオキシ基、t−オクチルオキシ基、2−エチルヘキシルオキシ基、ノニルオキシ基、デシルオキシ基、ウンデシルオキシ基、ドデシルオキシ基等が挙げられる。 Examples of the linear or branched alkoxy group having 4 to 18 carbon atoms represented by R 19 or R 20 in the above formula (2) include a butyloxy group, a sec-butyloxy group, a t-butyloxy group, and isobutyl. Oxy group, amyloxy group, isoamyloxy group, t-amyloxy group, hexyloxy group, heptyloxy group, isoheptyloxy group, t-heptyloxy group, octyloxy group, isooctyloxy group, t-octyloxy group, 2 -Ethylhexyloxy group, nonyloxy group, decyloxy group, undecyloxy group, dodecyloxy group and the like.
上記R19又はR20で表される炭素数4〜18の直鎖状又は分岐状のアルキルチオ基としては、例えば、ブチルチオ基、sec−ブチルチオ基、t−ブチルチオ基、イソブチルチオ基、アミルチオ基、イソアミルチオ基、t−アミルチオ基、ヘキシルチオ基、ヘプチルチオ基、イソヘプチルチオ基、t−ヘプチルチオ基、オクチルチオ基、イソオクチルチオ基、t−オクチルチオ基、2−エチルヘキシルチオ基、ノニルチオ基、デシルチオ基、ウンデシルチオ基、ドデシルチオ基等が挙げられる。 Examples of the linear or branched alkylthio group having 4 to 18 carbon atoms represented by R 19 or R 20 include, for example, a butylthio group, a sec-butylthio group, a t-butylthio group, an isobutylthio group, an amylthio group, Isoamylthio group, t-amylthio group, hexylthio group, heptylthio group, isoheptylthio group, t-heptylthio group, octylthio group, isooctylthio group, t-octylthio group, 2-ethylhexylthio group, nonylthio group, decylthio group, undecylthio group And a dodecylthio group.
上記式(2)中の上記炭素数4〜18のアルコキシ基の酸素原子に隣接しないメチレン基が−C(=O)−基で置換された基としては、例えば、2−ケトブチル−1−オキシ基、2―ケトペンチル−1−オキシ基、2−ケトヘキシル−1−オキシ基、2−ケトヘプチル−1−オキシ基、2−ケトオクチル−1−オキシ基、3−ケトブチル−1−オキシ基、4―ケトアミル−1−オキシ基、5−ケトヘキシル−1−オキシ基、6−ケトヘプチル−1−オキシ基、7−ケトオクチル−1−オキシ基、3−メチル−2−ケトペンタン−4−オキシ基、2−ケト−ペンタン−4−オキシ基、2−メチル−2−ケトペンタン−4−オキシ基、3−ケトヘプタン−5−オキシ基、2−アダマンタノン−5−オキシ基等が挙げられる。 Examples of the group in which the methylene group not adjacent to the oxygen atom of the alkoxy group having 4 to 18 carbon atoms in the above formula (2) is substituted with —C (═O) — group include 2-ketobutyl-1-oxy Group, 2-ketopentyl-1-oxy group, 2-ketohexyl-1-oxy group, 2-ketoheptyl-1-oxy group, 2-ketooctyl-1-oxy group, 3-ketobutyl-1-oxy group, 4-ketoamyl -1-oxy group, 5-ketohexyl-1-oxy group, 6-ketoheptyl-1-oxy group, 7-ketooctyl-1-oxy group, 3-methyl-2-ketopentane-4-oxy group, 2-keto- Pentane-4-oxy group, 2-methyl-2-ketopentane-4-oxy group, 3-ketoheptane-5-oxy group, 2-adamantanone-5-oxy group and the like can be mentioned.
上記式(2)中の上記炭素数4〜18のアルキルチオ基の硫黄原子に隣接しないメチレン基が−C(=O)−基で置換された基としては、例えば、2−ケトブチル−1−チオ基、2―ケトペンチル−1−チオ基、2−ケトヘキシル−1−チオ基、2−ケトヘプチル−1−チオ基、2−ケトオクチル−1−チオ基、3−ケトブチル−1−チオ基、4―ケトアミル−1−チオ基、5−ケトヘキシル−1−チオ基、6−ケトヘプチル−1−チオ基、7−ケトオクチル−1−チオ基等が挙げられる。 Examples of the group in which the methylene group not adjacent to the sulfur atom of the alkylthio group having 4 to 18 carbon atoms in the formula (2) is substituted with a —C (═O) — group include, for example, 2-ketobutyl-1-thio Group, 2-ketopentyl-1-thio group, 2-ketohexyl-1-thio group, 2-ketoheptyl-1-thio group, 2-ketooctyl-1-thio group, 3-ketobutyl-1-thio group, 4-ketoamyl Examples include a -1-thio group, a 5-ketohexyl-1-thio group, a 6-ketoheptyl-1-thio group, and a 7-ketooctyl-1-thio group.
上記式(2)中の上記炭素数4〜18のアルコキシ基がナフタレン環に近いほうから−O−C(=O)−結合又は−OC(=O)−NH−結合で中断された基、及び上記炭素数4〜18のアルキルチオ基がナフタレン環に近いほうから−O−C(=O)−結合又は−OC(=O)−NH−結合で中断された基とは、−Y5−Rf−O−C(=O)−Rg又は−Y5−RfOC(=O)−NH−Rgである。Y5は、酸素原子又は硫黄原子である。Rf及びRgは、上記式(2)のR19及びR20を形成しうる基である。Rfは、直鎖状又は分岐状のアルキレン基である。このアルキレン基は、脂環式炭化水素基、複素環基又はハロゲン原子で置換されていてもよい。Rgは、直鎖状又は分岐状のアルキル基である。このアルキル基は、脂環式炭化水素基、複素環基又はハロゲン原子で置換されていてもよい。Rf及びRgの合計炭素数は、4〜18である。 A group interrupted by an —O—C (═O) — bond or an —OC (═O) —NH— bond from the side closer to the naphthalene ring in the alkoxy group having 4 to 18 carbon atoms in the above formula (2), And a group interrupted by an —O—C (═O) — bond or —OC (═O) —NH— bond from the side closer to the naphthalene ring in the above-mentioned alkylthio group having 4 to 18 carbon atoms is —Y 5 — R f -O-C (= O ) -R g or -Y 5 -R f OC is (= O) -NH-R g . Y 5 is an oxygen atom or a sulfur atom. R f and R g are groups capable of forming R 19 and R 20 in the above formula (2). R f is a linear or branched alkylene group. This alkylene group may be substituted with an alicyclic hydrocarbon group, a heterocyclic group or a halogen atom. R g is a linear or branched alkyl group. This alkyl group may be substituted with an alicyclic hydrocarbon group, a heterocyclic group or a halogen atom. The total number of carbon atoms in R f and R g is 4 to 18.
上記アルコキシ基及び上記アルキルチオ基は、ハロゲン原子、脂環式炭化水素基又は複素環基で置換されてもよい。 The alkoxy group and the alkylthio group may be substituted with a halogen atom, an alicyclic hydrocarbon group, or a heterocyclic group.
ハロゲン原子としては、例えばフッ素、塩素、臭素、ヨウ素等が挙げられる。 Examples of the halogen atom include fluorine, chlorine, bromine, iodine and the like.
脂環式炭化水素基及び複素環基は、アルコキシ基又はアルキルチオ基中のメチレン基と置換される形で存在していてもよく、アルコキシ基又はアルキルチオ基中のメチレン基のプロトンと置換される形で存在してもよく、アルコキシ基又はアルキルチオ基中の末端に存在していてもよい。上記アルコキシ基及びアルキルチオ基は、脂環式炭化水素基又は複素環基の環構造を構成する炭素原子と、酸素原子又は硫黄原子とが直接結合して構成される基も含む。 The alicyclic hydrocarbon group and the heterocyclic group may be present in a form substituted with the methylene group in the alkoxy group or the alkylthio group, and are substituted with the proton of the methylene group in the alkoxy group or the alkylthio group. Or may be present at the terminal in the alkoxy group or alkylthio group. The alkoxy group and the alkylthio group also include a group formed by directly bonding a carbon atom constituting the ring structure of an alicyclic hydrocarbon group or a heterocyclic group and an oxygen atom or a sulfur atom.
上記脂環式炭化水素基としては、例えば、シクロプロパン、シクロブタン、シクロペンタン、シクロヘキサン、シクロヘプタン、シクロオクタン、シクロデカン、ビシクロ[2.1.1]ヘキサン、ビシクロ[2.2.1]ヘプタン、ビシクロ[3.2.1]オクタン、ビシクロ[2.2.2]オクタン、アダマンタンに由来する基等が挙げられる。 Examples of the alicyclic hydrocarbon group include cyclopropane, cyclobutane, cyclopentane, cyclohexane, cycloheptane, cyclooctane, cyclodecane, bicyclo [2.1.1] hexane, bicyclo [2.2.1] heptane, And groups derived from bicyclo [3.2.1] octane, bicyclo [2.2.2] octane, adamantane, and the like.
上記複素環基としては、例えば、ピロール、チオフェン、フラン、ピラン、チオピラン、イミダゾール、ピラゾール、チアゾール、イソチアゾール、オキサゾール、イソオキサゾール、ピリジン、ピラジン、ピリミジン、ピリダジン、ピロリジン、ピラゾリジン、イミダゾリジン、イソオキサゾリジン、イソチアゾリジン、ピペリジン、ピペラジン、モルホリン、チオモルホリン、クロマン、チオクロマン、イソクロマン、イソチオクロマン、インドリン、ベンゾイミダゾール、ベンゾオキサゾール、ベンゾチアゾール、ベンゾチアジアゾール、ベンゾフロキサン、ナフトイミダゾール、ベンゾトリアゾール、テトラアザインデン、上記複素環化合物中に存在する不飽和結合又は共役結合に水素添加された飽和複素環(テトラヒドロフラン環等)化合物に由来する基などが挙げられる。 Examples of the heterocyclic group include pyrrole, thiophene, furan, pyran, thiopyran, imidazole, pyrazole, thiazole, isothiazole, oxazole, isoxazole, pyridine, pyrazine, pyrimidine, pyridazine, pyrrolidine, pyrazolidine, imidazolidine, isoxazolidine , Isothiazolidine, piperidine, piperazine, morpholine, thiomorpholine, chroman, thiochroman, isochroman, isothiochroman, indoline, benzimidazole, benzoxazole, benzothiazole, benzothiadiazole, benzofuroxane, naphthimidazole, benzotriazole, tetraazaindene A saturated heterocyclic ring (tetrahydrofuran ring) hydrogenated to an unsaturated bond or a conjugated bond present in the heterocyclic compound. ) And a group derived from the compound.
上記脂環式炭化水素基で置換されたアルコキシ基としては、例えば、シクロペンチルオキシ基、メチルシクロペンチルオキシ基、シクロヘキシルオキシ基、フルオロシクロヘキシルオキシ基、クロロシクロヘキシルオキシ基、シクロヘキシルメチルオキシ基、メチルシクロヘキシルオキシ基、ノルボルニルオキシ基、エチルシクロヘキシルオキシ基、シクロヘキシルエチルオキシ基、ジメチルシクロヘキシルオキシ基、メチルシクロヘキシルメチルオキシ基、ノルボルニルメチルオキシ基、トリメチルシクロヘキシルオキシ基、1−シクロヘキシルブチルオキシ基、アダマンチルオキシ基、メンチルオキシ基、n−ブチルシクロヘキシルオキシ基、第3ブチルシクロヘキシルオキシ基、ボルニルオキシ基、イソボルニルオキシ基、メチルアダマンチルオキシ基、アダマンタンメチルオキシ基、4−アミルシクロヘキシルオキシ基、シクロヘキシルシクロヘキシルオキシ基、アダマンチルエチルオキシ基、ジメチルアダマンチルオキシ基等が挙げられる。 Examples of the alkoxy group substituted with the alicyclic hydrocarbon group include a cyclopentyloxy group, a methylcyclopentyloxy group, a cyclohexyloxy group, a fluorocyclohexyloxy group, a chlorocyclohexyloxy group, a cyclohexylmethyloxy group, and a methylcyclohexyloxy group. , Norbornyloxy group, ethylcyclohexyloxy group, cyclohexylethyloxy group, dimethylcyclohexyloxy group, methylcyclohexylmethyloxy group, norbornylmethyloxy group, trimethylcyclohexyloxy group, 1-cyclohexylbutyloxy group, adamantyloxy group , Menthyloxy group, n-butylcyclohexyloxy group, tert-butylcyclohexyloxy group, bornyloxy group, isobornyloxy group, methylada Nchiruokishi group, adamantanemethyl group, 4-amyl cyclohexyl group, a cyclohexyl cyclohexyloxy group, adamantylethyl group, dimethyl adamantyl group, and the like.
上記複素環基で置換されたアルコキシ基としては、例えば、テトラヒドロフラニルオキシ基、フルフリルオキシ基、テトラヒドロフルフリルオキシ基、テトラヒドロピラニルオキシ基、ブチロラクチルオキシ基、ブチロラクチルメチルオキシ基、インドールオキシ基が挙げられる。 Examples of the alkoxy group substituted by the heterocyclic group include a tetrahydrofuranyloxy group, a furfuryloxy group, a tetrahydrofurfuryloxy group, a tetrahydropyranyloxy group, a butyrolactyloxy group, a butyrolactylmethyloxy group, An indoleoxy group may be mentioned.
上記脂環式炭化水素基で置換されたアルキルチオ基としては、例えば、シクロペンチルチオ基、シクロヘキシルチオ基、シクロヘキシルメチルチオ基、ノルボルニルチオ基、イソノルボルニルチオ基等が挙げられる。 Examples of the alkylthio group substituted with the alicyclic hydrocarbon group include a cyclopentylthio group, a cyclohexylthio group, a cyclohexylmethylthio group, a norbornylthio group, and an isonorbornylthio group.
上記複素環基で置換されたアルキルチオ基としては、例えば、フルフリルチオ基、テトラヒドロフルフリルチオ基等が挙げられる。 Examples of the alkylthio group substituted with the heterocyclic group include a furfurylthio group and a tetrahydrofurfurylthio group.
上記式(3)中のR25で表される炭素数1〜12の2価の炭化水素基としては、例えば、アルカンジイル基、アルケンジイル基、アルキンジイル基等の脂肪族炭化水素基、シクロアルカンジイル基等の脂環式炭化水素基、脂肪族炭化水素基と脂環式炭化水素基が結合した基などが挙げられる。炭素数1〜12の炭化水素基としては、具体的には、メチレン基、エチレン基、プロパン−1,3−ジイル基、プロパン−1,2−ジイル基、ブチレン基、ブタン−1,3−ジイル基、ブタン−2,3−ジイル基、ブタン−1,2−ジイル基、ペンチレン基、へキシレン基、シクロヘキシレン基、シクロヘキシレンメチル基、ヘプチレン基、オクチレン基、シクロヘキシレンエチル基、メチレンシクロヘキシレンメチル基、ノニレン基、デシレン基、アダマンチレン基、ノルボルニレン基、イソノルボルニレン基、ドデシレン基、ウンデシレン基等が挙げられる。 Examples of the divalent hydrocarbon group having 1 to 12 carbon atoms represented by R 25 in the above formula (3) include aliphatic hydrocarbon groups such as alkanediyl group, alkenediyl group, alkynediyl group, and cycloalkanediyl. And an alicyclic hydrocarbon group such as a group, and a group in which an aliphatic hydrocarbon group and an alicyclic hydrocarbon group are bonded. Specific examples of the hydrocarbon group having 1 to 12 carbon atoms include methylene group, ethylene group, propane-1,3-diyl group, propane-1,2-diyl group, butylene group, butane-1,3- Diyl group, butane-2,3-diyl group, butane-1,2-diyl group, pentylene group, hexylene group, cyclohexylene group, cyclohexylenemethyl group, heptylene group, octylene group, cyclohexyleneethyl group, methylenecyclohexyl Examples include a silylenemethyl group, a nonylene group, a decylene group, an adamantylene group, a norbornylene group, an isonorbornylene group, a dodecylene group, and an undecylene group.
上記式(3)中のR26及びY2で表される炭素数1〜4のアルカンジイル基としては、例えば、メチレン基、エチレン基、プロパン−1,3−ジイル基、プロパン−1,2−ジイル基、ブチレ基ン、ブタン−1,3−ジイル基、ブタン−2,3−ジイル基、ブタン−1,2−ジイル基等が挙げられる。 Examples of the alkanediyl group having 1 to 4 carbon atoms represented by R 26 and Y 2 in the above formula (3) include a methylene group, an ethylene group, a propane-1,3-diyl group, and propane-1,2 -Diyl group, butylene group, butane-1,3-diyl group, butane-2,3-diyl group, butane-1,2-diyl group and the like can be mentioned.
上記式(3)中のR27で表される炭素数1〜4の直鎖状又は分岐状のアルキル基としては、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基、sec−ブチル基、t−ブチル基、イソブチル基等が挙げられる。 Examples of the linear or branched alkyl group having 1 to 4 carbon atoms represented by R 27 in the above formula (3) include a methyl group, an ethyl group, a propyl group, an isopropyl group, a butyl group, sec- A butyl group, a t-butyl group, an isobutyl group, etc. are mentioned.
上記式(3)中のR27で表される炭素数3〜10の1価の脂環式炭化水素基としては、例えば、シクロプロピル基、シクロブチル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、シクロヘプチル基、シクロオクチル基、シクロデシル基、ビシクロ[2.1.1]ヘキシル基、ビシクロ[2.2.1]ヘプチル基、ビシクロ[3.2.1]オクチル基、ビシクロ[2.2.2]オクチル基、アダマンチル基等が挙げられる。 Examples of the monovalent alicyclic hydrocarbon group having 3 to 10 carbon atoms represented by R 27 in the above formula (3) include a cyclopropyl group, a cyclobutyl group, a cyclopentyl group, a cyclohexyl group, a cycloheptyl group, Cyclooctyl group, cyclodecyl group, bicyclo [2.1.1] hexyl group, bicyclo [2.2.1] heptyl group, bicyclo [3.2.1] octyl group, bicyclo [2.2.2] octyl group And an adamantyl group.
上記式(3)中のR27で表される炭素数3〜10の1価の複素環基としては、例えば、ピロール、チオフェン、フラン、ピラン、チオピラン、イミダゾール、ピラゾール、チアゾール、イソチアゾール、オキサゾール、イソオキサゾール、ピリジン、ピラジン、ピリミジン、ピリダジン、ピロリジン、ピラゾリジン、イミダゾリジン、イソオキサゾリジン、イソチアゾリジン、ピペリジン、ピペラジン、モルホリン、チオモルホリン、インドリジン、インドール、インダゾール、プリン、キノリジン、イソキノリン、キノリン、ナフチリジン、フタラジン、キノキサリン、キナゾリン、シンノリン、プテリジン、アクリジン、ペリミジン、フェナントロリン、カルバゾール、チアジアゾール、オキサジアゾール、トリアジン、トリアゾール、テトラゾール、ベンゾイミダゾール、ベンゾオキサゾール、ベンゾチアゾール、ベンゾチアジアゾール、ベンゾフロキサン、ナフトイミダゾール、ベンゾトリアゾール、テトラアザインデン、上記複素環化合物中に存在する不飽和結合又は共役結合に水素添加された飽和複素環(テトラヒドロフラン環等)化合物などから水素原子を除いた1価の基が挙げられる。 Examples of the monovalent heterocyclic group having 3 to 10 carbon atoms represented by R 27 in the above formula (3) include pyrrole, thiophene, furan, pyran, thiopyran, imidazole, pyrazole, thiazole, isothiazole, and oxazole. , Isoxazole, pyridine, pyrazine, pyrimidine, pyridazine, pyrrolidine, pyrazolidine, imidazolidine, isoxazolidine, isothiazolidine, piperidine, piperazine, morpholine, thiomorpholine, indolizine, indole, indazole, purine, quinolidine, isoquinoline, quinoline, naphthyridine , Phthalazine, quinoxaline, quinazoline, cinnoline, pteridine, acridine, perimidine, phenanthroline, carbazole, thiadiazole, oxadiazole, triazine, triazole , Tetrazole, benzimidazole, benzoxazole, benzothiazole, benzothiadiazole, benzofuroxan, naphthimidazole, benzotriazole, tetraazaindene, saturated heterocyclic compounds hydrogenated to unsaturated bonds or conjugated bonds present in the above heterocyclic compounds A monovalent group obtained by removing a hydrogen atom from a ring (tetrahydrofuran ring, etc.) compound and the like can be mentioned.
上記式(2)中のR24における非置換の炭素数1〜18の脂肪族炭化水素基としては、例えば、アルケニル基、アルキル基、脂環式炭化水素基、アルキル基中のメチレン基が脂環式炭化水素基で置換された基、アルキル基中のメチレン基の水素原子が脂環式炭化水素基で置換された基、又はアルキル基の末端に脂環式炭化水素が存在する基等が挙げられる。 Examples of the unsubstituted aliphatic hydrocarbon group having 1 to 18 carbon atoms for R 24 in the above formula (2) include an alkenyl group, an alkyl group, an alicyclic hydrocarbon group, and a methylene group in the alkyl group. A group substituted with a cyclic hydrocarbon group, a group where a hydrogen atom of a methylene group in an alkyl group is substituted with an alicyclic hydrocarbon group, or a group where an alicyclic hydrocarbon is present at the terminal of the alkyl group, etc. Can be mentioned.
上記アルケニル基としては、例えば、アリル基、2−メチル−2−プロペニル基が挙げられる。上記アルキル基としては、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基、sec−ブチル基、t−ブチル基、イソブチル基、アミル基、イソアミル基、t−アミル基、ヘキシル基、2−ヘキシル基、3−ヘキシル基、ヘプチル基、2−ヘプチル基、3−ヘプチル基、イソヘプチル基、t−ヘプチル基、オクチル基、イソオクチル基、t−オクチル基、2−エチルヘキシル基、ノニル基、イソノニル基、デシル基、ドデシル基、トリデシル基、テトラデシル基、ペンタデシル基、ヘキサデシル基、へプタデシル基、オクタデシル基等が挙げられる。上記脂環式炭化水素基としては、例えば、シクロプロピル基、シクロブチル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、シクロヘプチル基、シクロオクチル基、シクロデシル基、ビシクロ[2.1.1]ヘキシル基、ビシクロ[2.2.1]ヘプチル基、ビシクロ[3.2.1]オクチル基、ビシクロ[2.2.2]オクチル基、アダマンチル基等が挙げられる。 Examples of the alkenyl group include allyl group and 2-methyl-2-propenyl group. Examples of the alkyl group include methyl group, ethyl group, propyl group, isopropyl group, butyl group, sec-butyl group, t-butyl group, isobutyl group, amyl group, isoamyl group, t-amyl group, hexyl group, 2-hexyl group, 3-hexyl group, heptyl group, 2-heptyl group, 3-heptyl group, isoheptyl group, t-heptyl group, octyl group, isooctyl group, t-octyl group, 2-ethylhexyl group, nonyl group, Examples include isononyl group, decyl group, dodecyl group, tridecyl group, tetradecyl group, pentadecyl group, hexadecyl group, heptadecyl group, octadecyl group and the like. Examples of the alicyclic hydrocarbon group include a cyclopropyl group, a cyclobutyl group, a cyclopentyl group, a cyclohexyl group, a cycloheptyl group, a cyclooctyl group, a cyclodecyl group, a bicyclo [2.1.1] hexyl group, and a bicyclo [2 2.1] heptyl group, bicyclo [3.2.1] octyl group, bicyclo [2.2.2] octyl group, adamantyl group and the like.
上記炭素数1〜18の脂肪族炭化水素基を置換するハロゲン原子としては、例えば、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子、フッ素原子等が挙げられる。上記脂肪族炭化水素基を置換する炭素数1〜18のアルキルチオ基としては、例えば、メチルチオ基、エチルチオ基、プロピルチオ基、イソプロピルチオ基、ブチルチオ基、sec−ブチルチオ基、t−ブチルチオ基、イソブチルチオ基、アミルチオ基、イソアミルチオ基、t−アミルチオ基、ヘキシルチオ基、ヘプチルチオ基、イソヘプチルチオ基、t−ヘプチルチオ基、オクチルチオ基、イソオクチルチオ基、第3オクチルチオ基、2−エチルヘキシルチオ基、ノニルチオ基、デシルチオ基、ウンデシルチオ基、ドデシルチオ基等が挙げられる。 As a halogen atom which substitutes the said C1-C18 aliphatic hydrocarbon group, a chlorine atom, a bromine atom, an iodine atom, a fluorine atom etc. are mentioned, for example. Examples of the alkylthio group having 1 to 18 carbon atoms replacing the aliphatic hydrocarbon group include, for example, methylthio group, ethylthio group, propylthio group, isopropylthio group, butylthio group, sec-butylthio group, t-butylthio group, isobutylthio group. Group, amylthio group, isoamylthio group, t-amylthio group, hexylthio group, heptylthio group, isoheptylthio group, t-heptylthio group, octylthio group, isooctylthio group, tertiary octylthio group, 2-ethylhexylthio group, nonylthio group, A decylthio group, an undecylthio group, a dodecylthio group, etc. are mentioned.
ハロゲン原子で置換された炭素数1〜18の脂肪族炭化水素基としては、例えば、トリフルオロメチル基、ペンタフルオロエチル基、2−クロロエチル基、2−ブロモエチル基、ヘプタフルオロプロピル基、3−ブロモプロピル基、ノナフルオロブチル基、トリデカフルオロヘキシル基、ヘプタデカフルオロオクチル基、2,2,2−トリフルオロエチル基、1,1−ジフルオロエチル基、1,1−ジフルオロプロピル基、1,1,2,2−テトラフルオロプロピル基、3,3,3−トリフルオロプロピル基、2,2,3,3,3−ペンタフルオロプロピル基、ノルボルニル−1,1−ジフルオロエチル基、ノルボルニルテトラフルオロエチル基、アダマンタン−1,1,2,2−テトラフルオロプロピル基等のハロゲン化アルキル基が挙げられ、アルキルチオ基で置換された炭素数1〜18の脂肪族炭化水素としては、2−メチルチオエチル基、4−メチルチオブチル基、4−ブチルチオエチル基等が挙げられ、ハロゲン原子及び炭素数1〜18のアルキルチオ基で置換された炭素数1〜18の脂肪族炭化水素基としては、例えば、1,1,2,2−テトラフルオロ−3−メチルチオプロピル基等が挙げられる。 Examples of the C1-C18 aliphatic hydrocarbon group substituted with a halogen atom include a trifluoromethyl group, a pentafluoroethyl group, a 2-chloroethyl group, a 2-bromoethyl group, a heptafluoropropyl group, and a 3-bromo group. Propyl group, nonafluorobutyl group, tridecafluorohexyl group, heptadecafluorooctyl group, 2,2,2-trifluoroethyl group, 1,1-difluoroethyl group, 1,1-difluoropropyl group, 1,1 , 2,2-tetrafluoropropyl group, 3,3,3-trifluoropropyl group, 2,2,3,3,3-pentafluoropropyl group, norbornyl-1,1-difluoroethyl group, norbornyltetra And halogenated alkyl groups such as a fluoroethyl group and an adamantane-1,1,2,2-tetrafluoropropyl group. Examples of the C1-C18 aliphatic hydrocarbon substituted with an alkylthio group include a 2-methylthioethyl group, a 4-methylthiobutyl group, a 4-butylthioethyl group, and the like. Examples of the aliphatic hydrocarbon group having 1 to 18 carbon atoms substituted with an -18 alkylthio group include a 1,1,2,2-tetrafluoro-3-methylthiopropyl group.
上記式(2)中のR24における非置換の炭素数1〜18の直鎖状又は分岐状のアルキル基としては、例えば、メチル基、エチル基、n−プロピル基、n−ブチル基、n−ペンチル基、n−ヘキシル基、n−オクチル基、i−プロピル基、i−ブチル基、t−ブチル基、ネオペンチル基等が挙げられる。 Examples of the unsubstituted linear or branched alkyl group having 1 to 18 carbon atoms for R 24 in the above formula (2) include a methyl group, an ethyl group, an n-propyl group, an n-butyl group, and n. -Pentyl group, n-hexyl group, n-octyl group, i-propyl group, i-butyl group, t-butyl group, neopentyl group and the like.
上記炭素数1〜18のアルキル基を置換するハロゲン原子としては、炭素数1〜18の脂肪族炭化水素基を置換するハロゲン原子と同様なものを挙げることができる。上記アルキル基を置換する脂環式炭化水素基としては、例えば、シクロプロパン、シクロブタン、シクロペンタン、シクロヘキサン、シクロヘプタン、シクロオクタン、シクロデカン、ビシクロ[2.1.1]ヘキサン、ビシクロ[2.2.1]ヘプタン、ビシクロ[3.2.1]オクタン、ビシクロ[2.2.2]オクタン、アダマンタンに由来する基等が挙げられる。 Examples of the halogen atom for substituting the alkyl group having 1 to 18 carbon atoms include those similar to the halogen atom for substituting the aliphatic hydrocarbon group having 1 to 18 carbon atoms. Examples of the alicyclic hydrocarbon group that replaces the alkyl group include cyclopropane, cyclobutane, cyclopentane, cyclohexane, cycloheptane, cyclooctane, cyclodecane, bicyclo [2.1.1] hexane, and bicyclo [2.2. .1] groups derived from heptane, bicyclo [3.2.1] octane, bicyclo [2.2.2] octane, adamantane, and the like.
上記式(2)中のR24における非置換の炭素数3〜18の脂環式炭化水素基としては、例えば、
シクロブチル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、シクロヘプチル基、シクロオクチル基、シクロデシル基、メチルシクロヘキシル基、エチルシクロヘキシル基等の単環式シクロアルキル基;
シクロブテニル基、シクロペンテニル基、シクロヘキセニル基、シクロヘプテニル基、シクロオクテニル基、シクロデセニル基、シクロペンタジエニル基、シクロヘキサジエニル基、シクロオクタジエニル基、シクロデカジエン等の単環式シクロアルケニル基;
ビシクロ[2.2.2]オクチル基、トリシクロ[5.2.1.02,6]デシル基、テトラシクロ[6.2.1.13,6.02,7]ドデシル基、ノルボルニル基、アダマンチル基等の多環式シクロアルキル基などが挙げられる。
As the unsubstituted alicyclic hydrocarbon group having 3 to 18 carbon atoms in R 24 in the above formula (2), for example,
A monocyclic cycloalkyl group such as a cyclobutyl group, a cyclopentyl group, a cyclohexyl group, a cycloheptyl group, a cyclooctyl group, a cyclodecyl group, a methylcyclohexyl group, an ethylcyclohexyl group;
Monocyclic cycloalkenyl groups such as cyclobutenyl, cyclopentenyl, cyclohexenyl, cycloheptenyl, cyclooctenyl, cyclodecenyl, cyclopentadienyl, cyclohexadienyl, cyclooctadienyl, cyclodecadiene;
Bicyclo [2.2.2] octyl group, tricyclo [5.2.1.0 2,6 ] decyl group, tetracyclo [6.2.1.1 3,6 . 0 2,7 ] dodecyl group, norbornyl group, a polycyclic cycloalkyl group such as adamantyl group and the like.
上記炭素数3〜18の脂環式炭化水素基を置換するハロゲン原子としては、炭素数1〜18の脂肪族炭化水素基を置換するハロゲン原子と同様なものが挙げられる。 As a halogen atom which substitutes the said C3-C18 alicyclic hydrocarbon group, the same thing as the halogen atom which substitutes a C1-C18 aliphatic hydrocarbon group is mentioned.
上記式(2)中のR24における非置換の炭素数6〜20のアリール基としては、例えば、フェニル基、ナフチル基、4−ビニルフェニル基、ビフェニル基等が挙げられる。 Examples of the unsubstituted aryl group having 6 to 20 carbon atoms in R 24 in the above formula (2) include a phenyl group, a naphthyl group, a 4-vinylphenyl group, and a biphenyl group.
上記炭素数6〜20のアリール基を置換するハロゲン原子及び炭素数1〜18のアルキルチオ基としては、上記炭素数1〜18の脂肪族炭化水素基を置換するハロゲン原子及び炭素数1〜18のアルキルチオ基と同様なものが挙げられる。 As the halogen atom and the alkylthio group having 1 to 18 carbon atoms for substituting the aryl group having 6 to 20 carbon atoms, the halogen atom and the alkyl group having 1 to 18 carbon atoms for replacing the aliphatic hydrocarbon group having 1 to 18 carbon atoms. The same thing as an alkylthio group is mentioned.
ハロゲン原子で置換された炭素数6〜20のアリール基としては、例えば、ペンタフルオロフェニル基、クロロフェニル基、ジクロロフェニル基、トリクロロフェニル基、2,4−ビス(トリフルオロメチル)フェニル基、ブロモエチルフェニル基等が挙げられる。炭素数1〜18のアルキルチオ基で置換された炭素数6〜20のアリール基としては、例えば、4−メチルチオフェニル基、4−ブチルチオフェニル基、4−オクチルチオフェニル基、4−ドデシルチオフェニル基等が挙げられる。ハロゲン原子及び炭素数1〜18のアルキルチオ基で置換された炭素数6〜20のアリール基としては、例えば、1,2,5,6−テトラフルオロ−4−メチルチオフェニル基、1,2,5,6−テトラフルオロ−4−ブチルチオフェニル基、1,2,5,6−テトラフルオロ−4−ドデシルチオフェニル基等が挙げられる。 Examples of the aryl group having 6 to 20 carbon atoms substituted with a halogen atom include a pentafluorophenyl group, a chlorophenyl group, a dichlorophenyl group, a trichlorophenyl group, a 2,4-bis (trifluoromethyl) phenyl group, and a bromoethylphenyl group. Groups and the like. Examples of the aryl group having 6 to 20 carbon atoms substituted with an alkylthio group having 1 to 18 carbon atoms include, for example, 4-methylthiophenyl group, 4-butylthiophenyl group, 4-octylthiophenyl group, 4-dodecylthiophenyl group Groups and the like. Examples of the aryl group having 6 to 20 carbon atoms substituted with a halogen atom and an alkylthio group having 1 to 18 carbon atoms include, for example, 1,2,5,6-tetrafluoro-4-methylthiophenyl group, 1,2,5. , 6-tetrafluoro-4-butylthiophenyl group, 1,2,5,6-tetrafluoro-4-dodecylthiophenyl group, and the like.
上記式(2)中のR24における非置換の炭素数7〜20のアリールアルキル基としては、例えば、ベンジル基、フェネチル基、2−フェニルプロパン−2−イル基、ジフェニルメチル基、トリフェニルメチル基、スチリル基、シンナミル基等が挙げられる。 Examples of the unsubstituted arylalkyl group having 7 to 20 carbon atoms in R 24 in the above formula (2) include benzyl group, phenethyl group, 2-phenylpropan-2-yl group, diphenylmethyl group, and triphenylmethyl. Group, styryl group, cinnamyl group and the like.
上記炭素数7〜20のアリールアルキル基を置換するハロゲン原子及び炭素数1〜18のアルキルチオ基としては、上記炭素数1〜18の脂肪族炭化水素基を置換するハロゲン原子及び炭素数1〜18のアルキルチオ基と同様なものが挙げられる。 As a halogen atom and C1-C18 alkylthio group which substitutes the said C7-20 arylalkyl group, a halogen atom which substitutes the said C1-C18 aliphatic hydrocarbon group, and C1-C18 The same thing as the alkylthio group of is mentioned.
ハロゲン原子で置換されたアリールアルキル基としては、例えば、ペンタフルオロフェニルメチル基、フェニルジフルオロメチル基、2−フェニル−テトラフルオロエチル基、2−(ペンタフルオロフェニル)エチル基等が挙げられる。炭素数1〜18のアルキルチオ基で置換された炭素数7〜20のアリールアルキル基としては、例えば、p−メチルチオベンジル基等が挙げられる。ハロゲン原子及び炭素数1〜18のアルキルチオ基で置換されたアリールアルキル基としては、例えば、2,3,5,6−テトラフルオロ−4−メチルチオフェニルエチル基等が挙げられる。 Examples of the arylalkyl group substituted with a halogen atom include a pentafluorophenylmethyl group, a phenyldifluoromethyl group, a 2-phenyl-tetrafluoroethyl group, a 2- (pentafluorophenyl) ethyl group, and the like. Examples of the arylalkyl group having 7 to 20 carbon atoms substituted with an alkylthio group having 1 to 18 carbon atoms include a p-methylthiobenzyl group. Examples of the arylalkyl group substituted with a halogen atom and an alkylthio group having 1 to 18 carbon atoms include a 2,3,5,6-tetrafluoro-4-methylthiophenylethyl group.
上記式(2)中のR24における非置換の炭素数7〜20のアルキルアリール基としては、例えば、2−メチルフェニル基、3−メチルフェニル基、4−メチルフェニル基、3−イソプロピルフェニル基、4−イソプロピルフェニル基、4−ブチルフェニル基、4−イソブチルフェニル基、4−t−ブチルフェニル基、4−ヘキシルフェニル基、4−シクロヘキシルフェニル基、4−オクチルフェニル基、4−(2−エチルヘキシル)フェニル基、2,3−ジメチルフェニル基、2,4−ジメチルフェニル基、2,5−ジメチルフェニル基、2,6−ジメチルフェニル基、3,4−ジメチルフェニル基、3,5−ジメチルフェニル、2,4−ジt−ブチルフェニル、2,5−ジ第3ブチルフェニル、2,6−ジ−t−ブチルフェニル基、2,4−ジt−ペンチルフェニル基、2,5−ジt−アミルフェニル基、2,5−ジt−オクチルフェニル基、シクロヘキシルフェニル基、2,4,5−トリメチルフェニル基、2,4,6−トリメチルフェニル基、2,4,6−トリイソプロピルフェニル基等。 Examples of the unsubstituted alkylaryl group having 7 to 20 carbon atoms in R 24 in the above formula (2) include a 2-methylphenyl group, a 3-methylphenyl group, a 4-methylphenyl group, and a 3-isopropylphenyl group. 4-isopropylphenyl group, 4-butylphenyl group, 4-isobutylphenyl group, 4-t-butylphenyl group, 4-hexylphenyl group, 4-cyclohexylphenyl group, 4-octylphenyl group, 4- (2- Ethylhexyl) phenyl group, 2,3-dimethylphenyl group, 2,4-dimethylphenyl group, 2,5-dimethylphenyl group, 2,6-dimethylphenyl group, 3,4-dimethylphenyl group, 3,5-dimethyl Phenyl, 2,4-di-t-butylphenyl, 2,5-di-tert-butylphenyl, 2,6-di-t-butylphenyl group, 2, 4-di-t-pentylphenyl group, 2,5-di-t-amylphenyl group, 2,5-di-t-octylphenyl group, cyclohexylphenyl group, 2,4,5-trimethylphenyl group, 2,4,6 -Trimethylphenyl group, 2,4,6-triisopropylphenyl group and the like.
上記式(2)中のR24における非置換の炭素数7〜20のアリール基としては、例えば、ナフチル基、ビフェニル基等が挙げられる。
が挙げられる。
Examples of the unsubstituted aryl group having 7 to 20 carbon atoms in R 24 in the above formula (2) include a naphthyl group and a biphenyl group.
Is mentioned.
上記炭素数7〜20のアリール基を置換するアシル基としては、例えば、メタノイル基、エタノイル基、プロパノイル基、ベンゾイル基、プロペノイル基等が挙げられる。 Examples of the acyl group that substitutes for the aryl group having 7 to 20 carbon atoms include a methanoyl group, an ethanoyl group, a propanoyl group, a benzoyl group, and a propenoyl group.
アシル基で置換された炭素数7〜20のアリール基としては、例えば、アセチルフェニル基、アセチルナフチル基、ベンゾイルフェニル基、1−アントラキノリル基、2−アントラキノリル基等が挙げられる。 Examples of the aryl group having 7 to 20 carbon atoms substituted with an acyl group include an acetylphenyl group, an acetylnaphthyl group, a benzoylphenyl group, a 1-anthraquinolyl group, and a 2-anthraquinolyl group.
上記式(2)中のR24で表される10−カンファーイル基は、下記式で表されるものである。 10-camphorsulfonic yl group represented by R 24 in the formula (2) are those represented by the following formula.
上記式(4)中のY3で表される炭素数1〜4のアルカンジイル基としては、例えば、メチレン基、エチレン基、プロパン−1,3−ジイル基、プロパン−1,2−ジイル基、ブチレン基、ブタン−1,3−ジイル基、ブタン−2,3−ジイル基、ブタン−1,2−ジイル基等が挙げられる。 Examples of the alkanediyl group having 1 to 4 carbon atoms represented by Y 3 in the above formula (4) include a methylene group, an ethylene group, a propane-1,3-diyl group, and a propane-1,2-diyl group. , Butylene group, butane-1,3-diyl group, butane-2,3-diyl group, butane-1,2-diyl group, and the like.
上記式(4)中のR28又はR29で表される炭素数2〜8のアルカンジイル基としては、例えば、エチレン基、トリメチレン基、テトラメチレン基、ペンタメチレン基、ヘキサメチレン基、イソプロピレン基、イソブチレン基、2−メチルトリメチレン基、イソペンチレン基、イソヘキシレン基、イソオクチレン基、2−エチルヘキシレン基等が挙げられる。上記炭素数2〜8のアルカンジイル基中の少なくとも1つの水素原子がハロゲン原子で置換された基が挙げられる。このハロゲン原子としては、例えば、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子、フッ素原子等が挙げられる。 Examples of the alkanediyl group having 2 to 8 carbon atoms represented by R 28 or R 29 in the above formula (4) include, for example, ethylene group, trimethylene group, tetramethylene group, pentamethylene group, hexamethylene group, isopropylene. Group, isobutylene group, 2-methyltrimethylene group, isopentylene group, isohexylene group, isooctylene group, 2-ethylhexylene group and the like. Examples include groups in which at least one hydrogen atom in the alkanediyl group having 2 to 8 carbon atoms is substituted with a halogen atom. Examples of the halogen atom include a chlorine atom, a bromine atom, an iodine atom, and a fluorine atom.
上記式(4)中のR28又はR29で表される炭素数2〜6のハロゲン化アルカンジイル基としては、例えば、テトラフルオロエチレン基、1,1−ジフルオロエチレン基、1−フルオロエチレン基、1,2−ジフルオロエチレン基、ヘキサフルオロプロパン−1,3−ジイル基、1,1,2,2−テトラフルオロプロパン−1,3−ジイル基、1,1,2,2−テトラフルオロペンタン−1,5−ジイル基等が挙げられる。 Examples of the halogenated alkanediyl group having 2 to 6 carbon atoms represented by R 28 or R 29 in the above formula (4) include, for example, a tetrafluoroethylene group, a 1,1-difluoroethylene group, and a 1-fluoroethylene group. 1,2-difluoroethylene group, hexafluoropropane-1,3-diyl group, 1,1,2,2-tetrafluoropropane-1,3-diyl group, 1,1,2,2-tetrafluoropentane A -1,5-diyl group is exemplified.
上記式(4)中のR28又はR29で表される炭素数6〜20のアリーレン基としては、例えば、1,2−フェニレン基、1,3−フェニレン基、1,4−フェニレン基、2,5−ジメチル−1,4−フェニレン基、4,4’−ビフェニレン基、ジフェニルメタン−4,4’−ジイル基、2,2−ジフェニルプロパン−4,4’−ジイル基、ナフタレン−1,2−ジイル基、ナフタレン−1,3−ジイル基、ナフタレン−1,4−ジイル基、ナフタレン−1,5−ジイル基、ナフタレン−1,6−ジイル基、ナフタレン−1,7−ジイル、ナフタレン−1,8−ジイル基、ナフタレン−2,3−ジイル基、ナフタレン−2,6−ジイル基、ナフタレン−2,7−ジイル基等が挙げられる。 Examples of the arylene group having 6 to 20 carbon atoms represented by R 28 or R 29 in the above formula (4) include 1,2-phenylene group, 1,3-phenylene group, 1,4-phenylene group, 2,5-dimethyl-1,4-phenylene group, 4,4′-biphenylene group, diphenylmethane-4,4′-diyl group, 2,2-diphenylpropane-4,4′-diyl group, naphthalene-1, 2-diyl group, naphthalene-1,3-diyl group, naphthalene-1,4-diyl group, naphthalene-1,5-diyl group, naphthalene-1,6-diyl group, naphthalene-1,7-diyl, naphthalene -1,8-diyl group, naphthalene-2,3-diyl group, naphthalene-2,6-diyl group, naphthalene-2,7-diyl group and the like.
上記式(4)中のR28又はR29で表される炭素数6〜20のハロゲン化アリーレン基としては、上記炭素数6〜20のアリーレン基中の少なくとも一つの水素原子がハロゲン原子で置換された基、例えば、テトラフルオロフェニレン基等が挙げられる。 In the halogenated arylene group having 6 to 20 carbon atoms represented by R 28 or R 29 in the above formula (4), at least one hydrogen atom in the arylene group having 6 to 20 carbon atoms is substituted with a halogen atom. Group, for example, tetrafluorophenylene group and the like.
上記式(4)中のR30で表される炭素数1〜18の直鎖状又は分岐状のアルキル基としては、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基、sec−ブチル基、t−ブチル基、イソブチル基、アミル基、イソアミル基、t−アミル基、ヘキシル基、2−ヘキシル基、3−ヘキシル基、ヘプチル基、2−ヘプチル基、3−ヘプチル基、イソヘプチル基、t−ヘプチル基、オクチル基、イソオクチル基、t−オクチル基、2−エチルヘキシル基、ノニル基、イソノニル基、デシル基、ドデシル基等が挙げられる。 Examples of the linear or branched alkyl group having 1 to 18 carbon atoms represented by R 30 in the above formula (4) include a methyl group, an ethyl group, a propyl group, an isopropyl group, a butyl group, sec- Butyl group, t-butyl group, isobutyl group, amyl group, isoamyl group, t-amyl group, hexyl group, 2-hexyl group, 3-hexyl group, heptyl group, 2-heptyl group, 3-heptyl group, isoheptyl group , T-heptyl group, octyl group, isooctyl group, t-octyl group, 2-ethylhexyl group, nonyl group, isononyl group, decyl group, dodecyl group and the like.
上記式(4)中のR30で表される炭素数1〜18の直鎖状又は分岐状のハロゲン化アルキル基としては、例えば、上記炭素数1〜18のアルキル基中の少なくとも1つ水素原子がハロゲン原子で置換された基が挙げられる。このハロゲン原子としては、例えば、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子、フッ素原子が挙げられる。上記炭素数1〜18のハロゲン化アルキル基としては、例えば、トリフルオロメチル基、ペンタフルオロエチル基、ヘプタフルオロプロピル基、ノナフルオロブチル基、トリデカフルオロヘキシル基、ヘプタデカフルオロオクチル基、2,2,2−トリフルオロエチル基、1,1−ジフルオロエチル基、1,1−ジフルオロプロピル基、1,1,2,2−テトラフルオロプロピル基、3,3,3−トリフルオロプロピル基、2,2,3,3,3−ペンタフルオロプロピル基、1,1,2,2−テトラフルオロテトラデシル基等が挙げられる。 Examples of the linear or branched alkyl halide group having 1 to 18 carbon atoms represented by R 30 in the above formula (4) include, for example, at least one hydrogen in the alkyl group having 1 to 18 carbon atoms. A group in which an atom is substituted with a halogen atom is exemplified. Examples of the halogen atom include a chlorine atom, a bromine atom, an iodine atom, and a fluorine atom. Examples of the halogenated alkyl group having 1 to 18 carbon atoms include a trifluoromethyl group, a pentafluoroethyl group, a heptafluoropropyl group, a nonafluorobutyl group, a tridecafluorohexyl group, a heptadecafluorooctyl group, 2, 2,2-trifluoroethyl group, 1,1-difluoroethyl group, 1,1-difluoropropyl group, 1,1,2,2-tetrafluoropropyl group, 3,3,3-trifluoropropyl group, 2 , 2,3,3,3-pentafluoropropyl group, 1,1,2,2-tetrafluorotetradecyl group and the like.
上記式(4)中のR30で表される炭素数3〜12の脂環式炭化水素基としては、例えば、シクロプロピル基、シクロブチル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、シクロヘプチル基、シクロオクチル基、シクロデシル基、ビシクロ[2.1.1]ヘキシル基、ビシクロ[2.2.1]ヘプチル基、ビシクロ[3.2.1]オクチル基、ビシクロ[2.2.2]オクチル基、アダマンチル基等が挙げられる。 Examples of the alicyclic hydrocarbon group having 3 to 12 carbon atoms represented by R 30 in the above formula (4) include a cyclopropyl group, a cyclobutyl group, a cyclopentyl group, a cyclohexyl group, a cycloheptyl group, and a cyclooctyl group. , Cyclodecyl group, bicyclo [2.1.1] hexyl group, bicyclo [2.2.1] heptyl group, bicyclo [3.2.1] octyl group, bicyclo [2.2.2] octyl group, adamantyl group Etc.
上記式(2)中のR30で表される炭素数6〜20のアリール基、炭素数6〜20のハロゲン化アリール基、炭素数7〜20のアリールアルキル基、及び炭素数7〜20のハロゲン化アリールアルキル基としては、上記式(4)中のR24と同様なものを挙げることができる。 The aryl group having 6 to 20 carbon atoms, the halogenated aryl group having 6 to 20 carbon atoms, the arylalkyl group having 7 to 20 carbon atoms, and the 7 to 20 carbon atoms represented by R 30 in the above formula (2). Examples of the halogenated arylalkyl group include those similar to R 24 in the above formula (4).
[B]非イオン性光酸発生剤の含有量としては、[A]重合体成分100質量部に対して、0.1質量部〜10質量部が好ましく、1質量部〜5質量部がより好ましい。[B]非イオン性光酸発生剤の含有量を上記範囲とすることで、当該感放射線性樹脂組成物の放射線感度を最適化し、透明性を維持しつつ表面硬度が高い硬化膜を形成できる。 [B] As content of a nonionic photo-acid generator, 0.1 mass part-10 mass parts are preferable with respect to 100 mass parts of [A] polymer components, and 1 mass part-5 mass parts are more. preferable. [B] By setting the content of the nonionic photoacid generator in the above range, the radiation sensitivity of the radiation-sensitive resin composition can be optimized, and a cured film having high surface hardness can be formed while maintaining transparency. .
[B]非イオン性光酸発生剤の含有量としては、[A]重合体成分100質量部に対して、0.1質量部〜10質量部が好ましく、1質量部〜5質量部がより好ましい。[B]非イオン性光酸発生剤の含有量を上記範囲とすることで、当該感放射線性樹脂組成物の感度を最適化し、透明性を維持しつつ表面硬度が高い硬化膜を形成できる。
<[C]酸架橋剤>
本発明における[C]酸架橋剤は、酸例えば露光により生じた酸の存在下で、[A]重合体成分中のフェノール性水酸基と架橋しアルカリ現像液に対する溶解性を抑止することができるものであればよく、その種類は特に限定されない。
本発明における[C]酸架橋剤としては、下記式(5)で示される構造を有する化合物が好ましい。
[B] As content of a nonionic photo-acid generator, 0.1 mass part-10 mass parts are preferable with respect to 100 mass parts of [A] polymer components, and 1 mass part-5 mass parts are more. preferable. [B] By setting the content of the nonionic photoacid generator in the above range, the sensitivity of the radiation-sensitive resin composition can be optimized, and a cured film having high surface hardness can be formed while maintaining transparency.
<[C] acid crosslinking agent>
In the present invention, the [C] acid crosslinking agent is capable of inhibiting the solubility in an alkaline developer by crosslinking with the phenolic hydroxyl group in the [A] polymer component in the presence of an acid, for example, an acid generated by exposure. There is no particular limitation on the type.
As a [C] acid crosslinking agent in this invention, the compound which has a structure shown by following formula (5) is preferable.
(式(5)中、R2は、水素原子、炭素数1から6のアルキル基を示す。mは、1から3の整数である。)
下記式(5)で示される構造を有する化合物としては、例えば、
下記式(7)で表されるN−(アルコキシメチル)グリコールウリル化合物、
下記式(8)で表されるN−(アルコキシメチル)ウレア化合物、
下記式(9)で表されるN−(アルコキシメチル)メラミン化合物、
下記式(10)で表されるN−(アルコキシメチル)エチレンウレア化合物などのN−(アルコキシメチル)アミノ化合物等を挙げることができる。
(In Formula (5), R 2 represents a hydrogen atom or an alkyl group having 1 to 6 carbon atoms. M is an integer of 1 to 3.)
Examples of the compound having a structure represented by the following formula (5) include:
N- (alkoxymethyl) glycoluril compound represented by the following formula (7),
N- (alkoxymethyl) urea compound represented by the following formula (8):
N- (alkoxymethyl) melamine compound represented by the following formula (9),
Examples thereof include N- (alkoxymethyl) amino compounds such as N- (alkoxymethyl) ethyleneurea compounds represented by the following formula (10).
式(7)において、mとR2は、式(5)と同じ定義であり、R2は、独立に炭素数1から6のアルキル基を示し、mは1から3の整数を示す。
式(7)で表されるN−(アルコキシメチル)グリコールウリル化合物の具体例としては、N、N、N、N−テトラ(メトキシメチル)グリコールウリル、N、N、N、N−テトラ(エトキシメチル)グリコールウリル、N、N、N、N−テトラ(n−プロポキシメチル)グリコールウリル、N、N、N、N−テトラ(i−プロポキシメチル)グリコールウリル、N、N、N、N−テトラ(n−ブトキシメチル)グリコールウリル、N、N、N、N−テトラ(t−ブトキシメチル)グリコールウリルなどを挙げることができる。
In the formula (7), m and R 2 have the same definition as in the formula (5), R 2 independently represents an alkyl group having 1 to 6 carbon atoms, and m represents an integer of 1 to 3.
Specific examples of the N- (alkoxymethyl) glycoluril compound represented by the formula (7) include N, N, N, N-tetra (methoxymethyl) glycoluril, N, N, N, N-tetra (ethoxy). Methyl) glycoluril, N, N, N, N-tetra (n-propoxymethyl) glycoluril, N, N, N, N-tetra (i-propoxymethyl) glycoluril, N, N, N, N-tetra (N-Butoxymethyl) glycoluril, N, N, N, N-tetra (t-butoxymethyl) glycoluril and the like can be mentioned.
式(8)において、mとR2は、式(5)と同じ定義であり、R2は、独立に炭素数1から6のアルキル基を示し、mは1から3の整数を示す。
式(8)で表されるN−(アルコキシメチル)ウレア化合物の具体例としては、N、N−ジ(メトキシメチル)ウレア、N、N−ジ(エトキシメチル)ウレア、N、N−ジ(n−プロポキシメチル)ウレア、N、N−ジ(i−プロポキシメチル)ウレア、N、N−ジ(n−ブトキシメチル)ウレア、N、N−ジ(t−ブトキシメチル)ウレアなどを挙げることができる。
In Formula (8), m and R 2 have the same definition as in Formula (5), R 2 independently represents an alkyl group having 1 to 6 carbon atoms, and m represents an integer of 1 to 3.
Specific examples of the N- (alkoxymethyl) urea compound represented by the formula (8) include N, N-di (methoxymethyl) urea, N, N-di (ethoxymethyl) urea, N, N-di ( n-propoxymethyl) urea, N, N-di (i-propoxymethyl) urea, N, N-di (n-butoxymethyl) urea, N, N-di (t-butoxymethyl) urea and the like. it can.
式(9)において、mとR2は、式(5)と同じ定義であり、R2は、独立に炭素数1から6のアルキル基を示し、mは1から3の整数を示す。
式(9)で表されるN−(アルコキシメチル)メラミン化合物の具体例としては、N、N、N、N、N、N−ヘキサ(メトキシメチル)メラミン、N、N、N、N、N、N−ヘキサ(エトキシメチル)メラミン、N、N、N、N、N、N−ヘキサ(n−プロポキシメチル)メラミン、N、N、N、N、N、N−ヘキサ(i−プロポキシメチル)メラミン、N,N,N,N,N,N−ヘキサ(n−ブトキシメチル)メラミン、N、N、N、N、N、N−ヘキサ(t−ブトキシメチル)メラミンなどを挙げることができる。
In formula (9), m and R 2 have the same definition as in formula (5), R 2 independently represents an alkyl group having 1 to 6 carbon atoms, and m represents an integer of 1 to 3.
Specific examples of the N- (alkoxymethyl) melamine compound represented by the formula (9) include N, N, N, N, N, N-hexa (methoxymethyl) melamine, N, N, N, N, N N-hexa (ethoxymethyl) melamine, N, N, N, N, N, N-hexa (n-propoxymethyl) melamine, N, N, N, N, N, N-hexa (i-propoxymethyl) Mention may be made of melamine, N, N, N, N, N, N-hexa (n-butoxymethyl) melamine, N, N, N, N, N, N-hexa (t-butoxymethyl) melamine and the like.
式(10)において、mとR2は、式(5)と同じ定義であり、R2は、独立に炭素数1から6のアルキル基を示し、mは1から3の整数を示す。
式(10)で表されるN−(アルコキシメチル)エチレンウレア化合物の具体例としては、N、N−ジ(メトキシメチル)−4,5−ジ(メトキシメチル)エチレンウレア、N、N−ジ(エトキシメチル)−4,5−ジ(エトキシメチル)エチレンウレア、N、N−ジ(n−プロポキシメチル)−4,5−ジ(n−プロポキシメチル)エチレンウレア、N、N−ジ(i−プロポキシメチル)−4,5−ジ(i−プロポキシメチルメチル)エチレンウレア、N、N−ジ(n−ブトキシメチル)−4,5−ジ(n−ブトキシメチル)エチレンウレア、N、N−ジ(t−ブトキシメチル)−4,5−ジ(t−ブトキシメチルメチル)エチレンウレアなどを挙げることができる。
本発明において、[C]酸架橋剤は、単独でまたは2種以上混合して使用することができる。本発明において、[C]酸架橋剤の使用量は、好ましくは、[A]重合体成分の100質量部当り、0.5〜50質量部、より好ましくは1〜30質量部、さらに好ましくは2〜20質量部である。[C]酸架橋剤の配合量が0.5質量部未満では、[A]重合体成分のアルカリ現像液に対する溶解性の抑止効果が小さく、残膜率が低下したり、パターンの膨潤や蛇行を起こし易くなる傾向があり、一方50質量部を超えると、硬化膜としての耐熱性が低下する傾向がある。
<[D]酸化防止剤>
[D]酸化防止剤は、露光若しくは加熱により発生したラジカルの捕捉により、又は酸化によって生成した過酸化物の分解により、重合体分子の結合の開裂を抑制する成分である。当該感放射線性樹脂組成物が[D]酸化防止剤を含有することで、形成される硬化膜中における重合体分子の開裂劣化が抑制され、例えば、耐光性等を向上させることができる。なお、[D]酸化防止剤は、単独で又は2種以上を組み合わせて用いてもよい。
In the formula (10), m and R 2 have the same definition as in the formula (5), R 2 independently represents an alkyl group having 1 to 6 carbon atoms, and m represents an integer of 1 to 3.
Specific examples of the N- (alkoxymethyl) ethyleneurea compound represented by the formula (10) include N, N-di (methoxymethyl) -4,5-di (methoxymethyl) ethyleneurea, N, N-di (Ethoxymethyl) -4,5-di (ethoxymethyl) ethyleneurea, N, N-di (n-propoxymethyl) -4,5-di (n-propoxymethyl) ethyleneurea, N, N-di (i -Propoxymethyl) -4,5-di (i-propoxymethylmethyl) ethyleneurea, N, N-di (n-butoxymethyl) -4,5-di (n-butoxymethyl) ethyleneurea, N, N- Examples thereof include di (t-butoxymethyl) -4,5-di (t-butoxymethylmethyl) ethylene urea.
In the present invention, the [C] acid crosslinking agent may be used alone or in combination of two or more. In the present invention, the amount of the [C] acid crosslinking agent used is preferably 0.5 to 50 parts by mass, more preferably 1 to 30 parts by mass, and still more preferably, per 100 parts by mass of the [A] polymer component. 2 to 20 parts by mass. [C] When the blending amount of the acid crosslinking agent is less than 0.5 parts by mass, the effect of inhibiting the solubility of the polymer component in the alkaline developer is small, the remaining film ratio is lowered, the pattern is swollen or meandered On the other hand, if it exceeds 50 parts by mass, the heat resistance as a cured film tends to be reduced.
<[D] Antioxidant>
[D] An antioxidant is a component that suppresses the cleavage of the bond of polymer molecules by capturing radicals generated by exposure or heating or by decomposing a peroxide generated by oxidation. When the radiation sensitive resin composition contains the [D] antioxidant, the degradation degradation of the polymer molecules in the formed cured film is suppressed, and for example, light resistance and the like can be improved. In addition, you may use [D] antioxidant individually or in combination of 2 or more types.
[D]酸化防止剤としては、例えば、ヒンダードフェノール構造を有する化合物、ヒンダードアミン構造を有する化合物、アルキルホスファイト構造を有する化合物、チオエーテル構造を有する化合物等が挙げられる。これらの中で、[D]酸化防止剤は、ヒンダードフェノール構造を有することが好ましい。[D]酸化防止剤がヒンダードフェノール構造を有することで、形成される硬化膜中における重合体分子の開裂劣化をより抑制することができる。 [D] Examples of the antioxidant include a compound having a hindered phenol structure, a compound having a hindered amine structure, a compound having an alkyl phosphite structure, and a compound having a thioether structure. Among these, it is preferable that [D] antioxidant has a hindered phenol structure. [D] When the antioxidant has a hindered phenol structure, the degradation degradation of the polymer molecules in the formed cured film can be further suppressed.
上記ヒンダードフェノール構造を有する化合物としては、例えば、ペンタエリスリトールテトラキス[3−(3,5−ジ−tert−ブチル−4−ヒドロキシフェニル)プロピオネート]、チオジエチレンビス[3−(3,5−ジ−tert−ブチル−4−ヒドロキシフェニル)プロピオネート]、オクタデシル−3−(3,5−ジ−tert−ブチル−4−ヒドロキシフェニル)プロピオネート、トリス−(3,5−ジ−tert−ブチル−4−ヒドロキシベンジル)−イソシアヌレイト、1,3,5−トリメチル−2,4,6−トリス(3,5−ジ−tert−ブチル−4−ヒドロキシベンジル)ベンゼン、N,N’−ヘキサン−1,6−ジイルビス[3−(3,5−ジ−tert−ブチル−4−ヒドロキシフェニルプロピオンアミド)、3,3’,3’,5’,5’−ヘキサ−tert−ブチル−a,a’,a’−(メシチレン−2,4,6−トリイル)トリ−p−クレゾール、4,6−ビス(オクチルチオメチル)−o−クレゾール、4,6−ビス(ドデシルチオメチル)−o−クレゾール、エチレンビス(オキシエチレン)ビス[3−(5−tert−ブチル−4−ヒドロキシ−m−トリル)プロピオネート、ヘキサメチレンビス[3−(3,5−ジ−tert−ブチル−4−ヒドロキシフェニル)プロピオネート]、1,3,5−トリス[(4−tert−ブチル−3−ヒドロキシ−2,6−キシリル)メチル]−1,3,5−トリアジン−2,4,6(1H,3H,5H)−トリオン、2,6−ジ−tert−ブチル−4−(4,6−ビス(オクチルチオ)−1,3,5−トリアジン−2−イルアミン)フェノール等が挙げられる。 Examples of the compound having a hindered phenol structure include pentaerythritol tetrakis [3- (3,5-di-tert-butyl-4-hydroxyphenyl) propionate], thiodiethylene bis [3- (3,5-dithione). -Tert-butyl-4-hydroxyphenyl) propionate], octadecyl-3- (3,5-di-tert-butyl-4-hydroxyphenyl) propionate, tris- (3,5-di-tert-butyl-4- Hydroxybenzyl) -isocyanurate, 1,3,5-trimethyl-2,4,6-tris (3,5-di-tert-butyl-4-hydroxybenzyl) benzene, N, N′-hexane-1, 6-diylbis [3- (3,5-di-tert-butyl-4-hydroxyphenylpropionamide) 3,3 ′, 3 ′, 5 ′, 5′-hexa-tert-butyl-a, a ′, a ′-(mesitylene-2,4,6-triyl) tri-p-cresol, 4,6-bis (Octylthiomethyl) -o-cresol, 4,6-bis (dodecylthiomethyl) -o-cresol, ethylenebis (oxyethylene) bis [3- (5-tert-butyl-4-hydroxy-m-tolyl) Propionate, hexamethylenebis [3- (3,5-di-tert-butyl-4-hydroxyphenyl) propionate], 1,3,5-tris [(4-tert-butyl-3-hydroxy-2,6- Xylyl) methyl] -1,3,5-triazine-2,4,6 (1H, 3H, 5H) -trione, 2,6-di-tert-butyl-4- (4,6-bis (octylthio)- 1,3 5-triazin-2-ylamine) phenol, and the like.
上記ヒンダードフェノール構造を有する化合物の市販品としては、例えば、アデカスタブAO−20、同AO−30、同AO−40、同AO−50、同AO−60、同AO−70、同AO−80、同AO−330(以上、ADEKA製)、sumilizerGM、同GS、同MDP−S、同BBM−S、同WX−R、同GA−80(以上、住友化学製)、IRGANOX1010、同1035、同1076、同1098、同1135、同1330、同1726、同1425WL、同1520L、同245、同259、同3114、同565、IRGAMOD295(以上、BASF製)等が挙げられる。 Examples of commercially available compounds having the hindered phenol structure include, for example, ADK STAB AO-20, AO-30, AO-40, AO-50, AO-60, AO-70, and AO-80. , AO-330 (above, manufactured by ADEKA), SumilizerGM, GS, MDP-S, BBM-S, WX-R, GA-80 (above, manufactured by Sumitomo Chemical), IRGANOX1010, 1035, 1076, 1098, 1135, 1330, 1726, 1425WL, 1520L, 245, 259, 3114, 565, IRGAMOD295 (above, manufactured by BASF).
[D]酸化防止剤としては、ヒンダードフェノール構造を有する化合物の中でも、ペンタエリスリトールテトラキス[3−(3,5−ジ−tert−ブチル−4−ヒドロキシフェニル)プロピオネート]、トリス−(3,5−ジ−tert−ブチル−4−ヒドロキシベンジル)−イソシアヌレイトがより好ましい。 [D] As an antioxidant, among compounds having a hindered phenol structure, pentaerythritol tetrakis [3- (3,5-di-tert-butyl-4-hydroxyphenyl) propionate], tris- (3,5 -Di-tert-butyl-4-hydroxybenzyl) -isocyanurate is more preferred.
[D]酸化防止剤の含有量としては、[A]重合体成分100質量部に対して、0.1質量部以上10質量部以下が好ましく、0.2質量部以上5質量部以下がより好ましい。[D]酸化防止剤の含有量を上記範囲とすることで、形成される硬化膜の開裂劣化を効果的に抑制することができる。
<その他の任意成分>
当該感放射線性樹脂組成物は、上記[A]〜[D]成分に加え、本発明の効果を損なわない範囲で、必要に応じて[E]塩基性化合物、[F]界面活性剤、[G]密着助剤等のその他の任意成分を含有してもよい。各その他の任意成分は、それぞれ単独で又は2種以上を組み合わせて用いてもよい。以下、各成分を詳述する。
<[E]塩基性化合物>
[E]塩基性化合物としては、化学増幅レジストで用いられるものから任意に選択して使用でき、例えば、脂肪族アミン、芳香族アミン、複素環式アミン、4級アンモニウムヒドロキシド、カルボン酸4級アンモニウム塩等が挙げられる。当該感放射線性樹脂組成物が[E]塩基性化合物を含有することで、露光により[B]非イオン性光酸発生剤から発生した酸の拡散長を適度に制御することができ、パターン現像性を良好にできる。
[D] The content of the antioxidant is preferably 0.1 parts by mass or more and 10 parts by mass or less, and more preferably 0.2 parts by mass or more and 5 parts by mass or less with respect to 100 parts by mass of the polymer component [A]. preferable. [D] By making content of antioxidant into the said range, the cleavage degradation of the cured film formed can be suppressed effectively.
<Other optional components>
In addition to the components [A] to [D], the radiation sensitive resin composition includes [E] a basic compound, [F] a surfactant, and [A] as long as the effects of the present invention are not impaired. G] Other optional components such as an adhesion aid may be contained. Each other optional component may be used alone or in combination of two or more. Hereinafter, each component will be described in detail.
<[E] basic compound>
[E] The basic compound may be arbitrarily selected from those used in chemically amplified resists. For example, aliphatic amine, aromatic amine, heterocyclic amine, quaternary ammonium hydroxide, carboxylic acid quaternary An ammonium salt etc. are mentioned. When the radiation sensitive resin composition contains the [E] basic compound, the diffusion length of the acid generated from the nonionic photoacid generator [B] by exposure can be appropriately controlled, and pattern development Can be improved.
上記脂肪族アミンとしては、例えば、トリメチルアミン、ジエチルアミン、トリエチルアミン、ジ−n−プロピルアミン、トリ−n−プロピルアミン、ジ−n−ペンチルアミン、トリ−n−ペンチルアミン、ジエタノールアミン、トリエタノールアミン、ジシクロヘキシルアミン、ジシクロヘキシルメチルアミン等が挙げられる。 Examples of the aliphatic amine include trimethylamine, diethylamine, triethylamine, di-n-propylamine, tri-n-propylamine, di-n-pentylamine, tri-n-pentylamine, diethanolamine, triethanolamine, and dicyclohexyl. Examples include amines and dicyclohexylmethylamine.
上記芳香族アミンとしては、例えば、アニリン、ベンジルアミン、N,N−ジメチルアニリン、ジフェニルアミン等が挙げられる。 Examples of the aromatic amine include aniline, benzylamine, N, N-dimethylaniline, diphenylamine and the like.
上記複素環式アミンとしては、例えば、ピリジン、2−メチルピリジン、4−メチルピリジン、2−エチルピリジン、4−エチルピリジン、2−フェニルピリジン、4−フェニルピリジン、N−メチル−4−フェニルピリジン、4−ジメチルアミノピリジン、イミダゾール、ベンズイミダゾール、4−メチルイミダゾール、2−フェニルベンズイミダゾール、2,4,5−トリフェニルイミダゾール、ニコチン、ニコチン酸、ニコチン酸アミド、キノリン、8−オキシキノリン、ピラジン、ピラゾール、ピリダジン、プリン、ピロリジン、ピペリジン、ピペラジン、モルホリン、4−メチルモルホリン、1,5−ジアザビシクロ[4,3,0]−5−ノネン、1,8−ジアザビシクロ[5,3,0]−7−ウンデセン等が挙げられる。 Examples of the heterocyclic amine include pyridine, 2-methylpyridine, 4-methylpyridine, 2-ethylpyridine, 4-ethylpyridine, 2-phenylpyridine, 4-phenylpyridine, and N-methyl-4-phenylpyridine. , 4-dimethylaminopyridine, imidazole, benzimidazole, 4-methylimidazole, 2-phenylbenzimidazole, 2,4,5-triphenylimidazole, nicotine, nicotinic acid, nicotinamide, quinoline, 8-oxyquinoline, pyrazine , Pyrazole, pyridazine, purine, pyrrolidine, piperidine, piperazine, morpholine, 4-methylmorpholine, 1,5-diazabicyclo [4,3,0] -5-nonene, 1,8-diazabicyclo [5,3,0]- 7-undecene etc. are mentioned.
上記4級アンモニウムヒドロキシドとしては、例えば、テトラメチルアンモニウムヒドロキシド、テトラエチルアンモニウムヒドロキシド、テトラ−n−ブチルアンモニウムヒドロキシド、テトラ−n−ヘキシルアンモニウムヒドロキシド等が挙げられる。 Examples of the quaternary ammonium hydroxide include tetramethylammonium hydroxide, tetraethylammonium hydroxide, tetra-n-butylammonium hydroxide, and tetra-n-hexylammonium hydroxide.
上記カルボン酸4級アンモニウム塩としては、例えば、テトラメチルアンモニウムアセテート、テトラメチルアンモニウムベンゾエート、テトラ−n−ブチルアンモニウムアセテート、テトラ−n−ブチルアンモニウムベンゾエート等が挙げられる。 Examples of the carboxylic acid quaternary ammonium salt include tetramethylammonium acetate, tetramethylammonium benzoate, tetra-n-butylammonium acetate, and tetra-n-butylammonium benzoate.
これらの中で、[E]塩基性化合物としては、複素環式アミンが好ましく、4−ジメチルアミノピリジン、4−メチルイミダゾール、1,5−ジアザビシクロ[4,3,0]−5−ノネン、ジメチルn−ドデシルアミン、トリフェニルスルホニウムサリチレート、2−フェニルベンズイミダゾール等がより好ましい。 Among these, the [E] basic compound is preferably a heterocyclic amine, such as 4-dimethylaminopyridine, 4-methylimidazole, 1,5-diazabicyclo [4,3,0] -5-nonene, dimethyl. n-dodecylamine, triphenylsulfonium salicylate, 2-phenylbenzimidazole and the like are more preferable.
[E]塩基性化合物の含有量としては、[A]重合体成分100質量部に対して、0.001質量部以上1質量部以下が好ましく、0.005質量部以上0.2質量部以下がより好ましい。[E]塩基性化合物の含有量を上記範囲とすることで、パターン現像性がより向上する。
<[F]界面活性剤>
[F]界面活性剤は、当該感放射線性樹脂組成物の塗膜形成性を高める成分である。[F]界面活性剤としては、例えば、フッ素系界面活性剤、シリコーン系界面活性剤等が挙げられる。当該感放射線性樹脂組成物が[F]界面活性剤を含有することで、塗膜の表面平滑性を向上でき、その結果、形成される硬化膜の膜厚均一性をより向上できる。
[E] The content of the basic compound is preferably 0.001 part by mass or more and 1 part by mass or less, and 0.005 part by mass or more and 0.2 part by mass or less with respect to 100 parts by mass of the polymer component [A]. Is more preferable. [E] By making content of a basic compound into the said range, pattern developability improves more.
<[F] Surfactant>
[F] Surfactant is a component which improves the film-forming property of the said radiation sensitive resin composition. Examples of [F] surfactants include fluorine-based surfactants and silicone-based surfactants. When the radiation sensitive resin composition contains the [F] surfactant, the surface smoothness of the coating film can be improved, and as a result, the film thickness uniformity of the formed cured film can be further improved.
上記フッ素系界面活性剤としては、末端、主鎖及び側鎖の少なくともいずれかの部位にフルオロアルキル基及び/又はフルオロアルキレン基を有する化合物が好ましい。 As the fluorosurfactant, a compound having a fluoroalkyl group and / or a fluoroalkylene group in at least one of the terminal, main chain and side chain is preferable.
上記フッ素系界面活性剤の市販品としては、例えば、BM−1000、BM−1100(以上、BM CHEMIE製)、メガファックF142D、同F172、同F173、同F183、同F178、同F191、同F471、同F476(以上、大日本インキ化学工業製)、フロラードFC−170C、同FC−171、同FC−430、同FC−431(以上、住友スリーエム製)、フタージェントFT−100、同FT−110、同FT−140A、同FT−150、同FT−250、同FT−251、同FT−300、同FT−310、同FT−400S、同FTX−218、同FT−251(以上、ネオス製)等が挙げられる。 Examples of commercially available fluorosurfactants include BM-1000, BM-1100 (manufactured by BM CHEMIE), MegaFuck F142D, F172, F173, F183, F178, F191, F191, and F471. , F476 (above, manufactured by Dainippon Ink and Chemicals), Fluorard FC-170C, FC-171, FC-430, FC-431 (above, manufactured by Sumitomo 3M), Footent FT-100, FT- 110, FT-140A, FT-150, FT-250, FT-251, FT-300, FT-310, FT-400S, FTX-218, FT-251 (and above, Neos) Manufactured) and the like.
上記シリコーン系界面活性剤の市販品としては、例えば、トーレシリコーンDC3PA、同DC7PA、同SH11PA、同SH21PA、同SH28PA、同SH29PA、同SH30PA、同SH−190、同SH−193、同SZ−6032、同SF−8428、同DC−57、同DC−190、同SH 8400 FLUID(以上、東レダウコーニングシリコーン製)等が挙げられる。 Examples of commercially available silicone surfactants include Toray Silicone DC3PA, DC7PA, SH11PA, SH21PA, SH28PA, SH29PA, SH30PA, SH-190, SH-193, and SZ-6032. SF-8428, DC-57, DC-190, SH 8400 FLUID (above, manufactured by Toray Dow Corning Silicone), and the like.
[F]界面活性剤の含有量としては、[A]重合体成分100質量部に対して、0.01質量部以上2質量部以下が好ましく、0.05質量部以上1質量部以下がより好ましい。[F]界面活性剤の含有量を上記範囲とすることで、形成される塗膜の膜厚均一性をより向上できる。
<[G]密着助剤>
[G]密着助剤は、基板となる無機物、例えばシリコーン、酸化シリコーン、窒化シリコーン等のシリコーン化合物、金、銅、アルミニウム等の金属と硬化膜との接着性を向上させる成分である。[G]密着助剤としては、官能性シランカップリング剤が好ましい。上記官能性シランカップリング剤としては、例えば、カルボキシ基、メタクリロイル基、イソシアネート基、エポキシ基(好ましくはオキシラニル基)、チオール基等の反応性置換基を有するシランカップリング剤等が挙げられる。
[F] The content of the surfactant is preferably 0.01 parts by mass or more and 2 parts by mass or less, and more preferably 0.05 parts by mass or more and 1 part by mass or less with respect to 100 parts by mass of the polymer component [A]. preferable. [F] By making content of surfactant into the said range, the film thickness uniformity of the coating film formed can be improved more.
<[G] Adhesion aid>
[G] The adhesion assistant is a component that improves the adhesion between a cured film and an inorganic substance that serves as a substrate, for example, a silicone compound such as silicone, silicone oxide, or silicon nitride, or a metal such as gold, copper, or aluminum. [G] As the adhesion assistant, a functional silane coupling agent is preferable. As said functional silane coupling agent, the silane coupling agent etc. which have reactive substituents, such as a carboxy group, a methacryloyl group, an isocyanate group, an epoxy group (preferably oxiranyl group), a thiol group, etc. are mentioned, for example.
上記官能性シランカップリング剤としては、例えば、トリメトキシシリル安息香酸、γ−メタクリロキシプロピルトリメトキシシラン、ビニルトリアセトキシシラン、ビニルトリメトキシシラン、γ−イソシアネートプロピルトリエトキシシラン、γ−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、γ−グリシドキシプロピルアルキルジアルコキシシラン、γ−クロロプロピルトリアルコキシシラン、γ−メルカプトプロピルトリアルコキシシラン、β−(3,4−エポキシシクロヘキシル)エチルトリメトキシシラン等が挙げられる。これらの中で、官能性シランカップリング剤としては、γ−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、γ−グリシドキシプロピルアルキルジアルコキシシラン、β−(3,4−エポキシシクロヘキシル)エチルトリメトキシシラン、γ−メタクリロキシプロピルトリメトキシシランが好ましい。 Examples of the functional silane coupling agent include trimethoxysilylbenzoic acid, γ-methacryloxypropyltrimethoxysilane, vinyltriacetoxysilane, vinyltrimethoxysilane, γ-isocyanatopropyltriethoxysilane, and γ-glycidoxy. Examples include propyltrimethoxysilane, γ-glycidoxypropylalkyldialkoxysilane, γ-chloropropyltrialkoxysilane, γ-mercaptopropyltrialkoxysilane, β- (3,4-epoxycyclohexyl) ethyltrimethoxysilane, and the like. . Among these, as the functional silane coupling agent, γ-glycidoxypropyltrimethoxysilane, γ-glycidoxypropylalkyldialkoxysilane, β- (3,4-epoxycyclohexyl) ethyltrimethoxysilane, γ-Methacryloxypropyltrimethoxysilane is preferred.
[G]密着助剤の含有量としては、[A]重合体成分100質量部に対して、0.5質量部以上20質量部以下が好ましく、1質量部以上10質量部以下がより好ましい。[G]密着助剤の含有量を上記範囲とすることで、形成される硬化膜と基板との密着性がより改善される。
<感放射線性樹脂組成物の調製方法>
当該感放射線性樹脂組成物は、溶媒に[A]重合体、[B]非イオン性光酸発生剤、[C]酸架橋剤、必要に応じて好適成分、その他の任意成分を混合することによって溶解又は分散させた状態に調製される。例えば、溶媒中で各成分を所定の割合で混合することにより、当該感放射線性樹脂組成物を調製できる。
[G] The content of the adhesion assistant is preferably 0.5 parts by mass or more and 20 parts by mass or less, and more preferably 1 part by mass or more and 10 parts by mass or less with respect to 100 parts by mass of the polymer component [A]. [G] By setting the content of the adhesion assistant in the above range, the adhesion between the formed cured film and the substrate is further improved.
<Method for preparing radiation-sensitive resin composition>
The said radiation sensitive resin composition mixes a [A] polymer, a [B] nonionic photoacid generator, a [C] acid crosslinking agent, a suitable component as needed, and other arbitrary components with a solvent. Prepared in a dissolved or dispersed state. For example, the said radiation sensitive resin composition can be prepared by mixing each component in a predetermined ratio in a solvent.
溶媒としては、各成分を均一に溶解又は分散し、各成分と反応しないものが好適に用いられる。上記溶媒としては、例えば、アルコール類、エーテル類、グリコールエーテル、エチレングリコールアルキルエーテルアセテート、ジエチレングリコールアルキルエーテル、プロピレングリコールモノアルキルエーテル、プロピレングリコールモノアルキルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノアルキルエーテルプロピオネート、芳香族炭化水素類、ケトン類、他のエステル類等が挙げられる。 As the solvent, a solvent in which each component is uniformly dissolved or dispersed and does not react with each component is preferably used. Examples of the solvent include alcohols, ethers, glycol ethers, ethylene glycol alkyl ether acetates, diethylene glycol alkyl ethers, propylene glycol monoalkyl ethers, propylene glycol monoalkyl ether acetates, propylene glycol monoalkyl ether propionates, and aromatics. Examples include hydrocarbons, ketones, and other esters.
上記アルコール類としては、例えば、メタノール、エタノール、ベンジルアルコール、2−フェニルエチルアルコール、3−フェニル−1−プロパノール等が挙げられる。 Examples of the alcohols include methanol, ethanol, benzyl alcohol, 2-phenylethyl alcohol, and 3-phenyl-1-propanol.
上記エーテル類としては、例えば、テトラヒドロフラン等が挙げられる。 Examples of the ethers include tetrahydrofuran.
上記グリコールエーテルとして、例えば、エチレングリコールモノメチルエーテル、エチレングリコールモノエチルエーテル等が挙げられる。 Examples of the glycol ether include ethylene glycol monomethyl ether and ethylene glycol monoethyl ether.
上記エチレングリコールアルキルエーテルアセテートとしては、例えば、メチルセロソルブアセテート、エチルセロソルブアセテート、エチレングリコールモノブチルエーテルアセテート、エチレングリコールモノエチルエーテルアセテート等が挙げられる。 Examples of the ethylene glycol alkyl ether acetate include methyl cellosolve acetate, ethyl cellosolve acetate, ethylene glycol monobutyl ether acetate, and ethylene glycol monoethyl ether acetate.
上記ジエチレングリコールアルキルエーテルとしては、例えば、ジエチレングリコールモノメチルエーテル、ジエチレングリコールモノエチルエーテル、ジエチレングリコールジメチルエーテル、ジエチレングリコールジエチルエーテル、ジエチレングリコールエチルメチルエーテル等が挙げられる。 Examples of the diethylene glycol alkyl ether include diethylene glycol monomethyl ether, diethylene glycol monoethyl ether, diethylene glycol dimethyl ether, diethylene glycol diethyl ether, and diethylene glycol ethyl methyl ether.
上記プロピレングリコールモノアルキルエーテルとしては、例えば、プロピレングリコールモノメチルエーテル、プロピレングリコールモノエチルエーテル、プロピレングリコールモノプロピルエーテル、プロピレングリコールモノブチルエーテル等が挙げられる。 Examples of the propylene glycol monoalkyl ether include propylene glycol monomethyl ether, propylene glycol monoethyl ether, propylene glycol monopropyl ether, propylene glycol monobutyl ether and the like.
上記プロピレングリコールモノアルキルエーテルアセテートとしては、例えば、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノエチルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノプロピルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノブチルエーテルアセテート等が挙げられる。 Examples of the propylene glycol monoalkyl ether acetate include propylene glycol monomethyl ether acetate, propylene glycol monoethyl ether acetate, propylene glycol monopropyl ether acetate, propylene glycol monobutyl ether acetate and the like.
上記プロピレングリコールモノアルキルエーテルプロピオネートとしては、例えば、プロピレンモノグリコールメチルエーテルプロピオネート、プロピレングリコールモノエチルエーテルプロピオネート、プロピレングリコールモノプロピルエーテルプロピオネート、プロピレングリコールモノブチルエーテルプロピオネート等が挙げられる。 Examples of the propylene glycol monoalkyl ether propionate include propylene monoglycol methyl ether propionate, propylene glycol monoethyl ether propionate, propylene glycol monopropyl ether propionate, and propylene glycol monobutyl ether propionate. Can be mentioned.
上記芳香族炭化水素類としては、例えば、トルエン、キシレン等が挙げられる。 Examples of the aromatic hydrocarbons include toluene and xylene.
上記ケトン類としては、例えば、メチルエチルケトン、シクロヘキサノン、4−ヒドロキシ−4−メチル−2−ペンタノン等が挙げられる。 Examples of the ketones include methyl ethyl ketone, cyclohexanone, 4-hydroxy-4-methyl-2-pentanone, and the like.
上記他のエステル類としては、例えば、酢酸ブチル、2−ヒドロキシプロピオン酸エチル、2−ヒドロキシ−2−メチルプロピオン酸メチル、2−ヒドロキシ−2−メチルプロピオン酸エチル、ヒドロキシ酢酸メチル、ヒドロキシ酢酸エチル、ヒドロキシ酢酸ブチル、乳酸メチル、乳酸エチル、乳酸プロピル、乳酸ブチル、3−ヒドロキシプロピオン酸メチル、3−ヒドロキシプロピオン酸エチル、3−ヒドロキシプロピオン酸プロピル、3−ヒドロキシプロピオン酸ブチル、2−ヒドロキシ−3−メチルブタン酸メチル、メトキシ酢酸メチル、メトキシ酢酸エチル、メトキシ酢酸プロピル、メトキシ酢酸ブチル、エトキシ酢酸メチル、エトキシ酢酸エチル、エトキシ酢酸プロピル、エトキシ酢酸ブチル、プロポキシ酢酸メチル、プロポキシ酢酸エチル、プロポキシ酢酸プロピル、プロポキシ酢酸ブチル、ブトキシ酢酸メチル、ブトキシ酢酸エチル、ブトキシ酢酸プロピル、ブトキシ酢酸ブチル、2−メトキシプロピオン酸メチル、2−メトキシプロピオン酸エチル、2−エトキシプロピオン酸メチル、2−エトキシプロピオン酸エチル、2−エトキシプロピオン酸プロピル、2−エトキシプロピオン酸ブチル等が挙げられる。 Examples of the other esters include butyl acetate, ethyl 2-hydroxypropionate, methyl 2-hydroxy-2-methylpropionate, ethyl 2-hydroxy-2-methylpropionate, methyl hydroxyacetate, ethyl hydroxyacetate, Butyl hydroxyacetate, methyl lactate, ethyl lactate, propyl lactate, butyl lactate, methyl 3-hydroxypropionate, ethyl 3-hydroxypropionate, propyl 3-hydroxypropionate, butyl 3-hydroxypropionate, 2-hydroxy-3- Methyl methyl butanoate, methyl methoxyacetate, ethyl methoxyacetate, propyl methoxyacetate, butyl methoxyacetate, methyl ethoxyacetate, ethyl ethoxyacetate, propyl ethoxyacetate, butyl ethoxyacetate, methyl propoxyacetate, propoxy Ethyl acetate, propyl propoxyacetate, butyl propoxyacetate, methyl butoxyacetate, ethyl butoxyacetate, propyl butoxyacetate, butylbutoxyacetate, methyl 2-methoxypropionate, ethyl 2-methoxypropionate, methyl 2-ethoxypropionate, 2- Examples include ethyl ethoxypropionate, propyl 2-ethoxypropionate, and butyl 2-ethoxypropionate.
これらの溶媒の中で、エチレングリコールアルキルエーテルアセテート、ジエチレングリコールアルキルエーテル、プロピレングリコールモノアルキルエーテル、プロピレングリコールモノアルキルエーテルアセテート、メトキシ酢酸ブチルが好ましく、ジエチレングリコールジメチルエーテル、ジエチレングリコールエチルメチルエーテル、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノメチルエーテル、メトキシ酢酸ブチルがより好ましく、ジエチレングリコールエチルメチルエーテルがさらに好ましい。
<硬化膜の形成方法>
当該感放射線性樹脂組成物は、硬化膜の形成に好適に用いることができる。
Among these solvents, ethylene glycol alkyl ether acetate, diethylene glycol alkyl ether, propylene glycol monoalkyl ether, propylene glycol monoalkyl ether acetate and butyl methoxyacetate are preferred, diethylene glycol dimethyl ether, diethylene glycol ethyl methyl ether, propylene glycol monomethyl ether acetate, Propylene glycol monomethyl ether and butyl methoxyacetate are more preferable, and diethylene glycol ethyl methyl ether is more preferable.
<Method for forming cured film>
The said radiation sensitive resin composition can be used suitably for formation of a cured film.
本発明の硬化膜の形成方法は、
(1)当該感放射線性樹脂組成物を用い、基板上に塗膜を形成する工程、
(2)上記塗膜の少なくとも一部に放射線を照射する工程、
(3)上記放射線が照射された塗膜を現像する工程、及び
(4)上記現像された塗膜を加熱する工程
を有する。
The method for forming the cured film of the present invention is as follows.
(1) The process of forming a coating film on a board | substrate using the said radiation sensitive resin composition,
(2) A step of irradiating at least a part of the coating film with radiation,
(3) a step of developing the coating film irradiated with the radiation; and (4) a step of heating the developed coating film.
当該形成方法によると、パターン形状の安定性が高い硬化膜を形成できる。また、未露光部の膜厚変化量を抑制できることから、結果として生産プロセスマージンを向上でき、歩留まりの向上を達成できる。さらに、感光性を利用した露光、現像、加熱によりパターンを形成することによって、容易に微細かつ精巧なパターンを有する硬化膜を形成できる。
[工程(1)]
本工程では、当該感放射線性樹脂組成物を用い、基板上に塗布して塗膜を形成する。好ましくは塗布面をプレベークすることによって溶媒を除去する。
According to the forming method, a cured film having high pattern shape stability can be formed. Further, since the amount of change in the film thickness of the unexposed portion can be suppressed, the production process margin can be improved as a result, and the yield can be improved. Furthermore, a cured film having a fine and elaborate pattern can be easily formed by forming a pattern by exposure, development and heating utilizing photosensitivity.
[Step (1)]
In this step, the radiation-sensitive resin composition is used and applied onto a substrate to form a coating film. Preferably, the solvent is removed by prebaking the coated surface.
上記基板としては、例えば、ガラス、石英、シリコーン、樹脂等が挙げられる。上記樹脂としては、例えば、ポリエチレンテレフタレート、ポリブチレンテレフタレート、ポリエーテルスルホン、ポリカーボネート、ポリイミド、環状オレフィンの開環重合体及びその水素添加物等が挙げられる。プレベークの条件としては、各成分の種類、配合割合等によっても異なるが、70℃〜120℃、1分〜10分間程度とすることができる。
[工程(2)]
本工程では、上記形成された塗膜の少なくとも一部に放射線を照射し露光する。露光する際には、通常所定のパターンを有するフォトマスクを介して露光する。露光に使用される放射線としては、波長が190nm〜450nmの範囲にある放射線が好ましく、365nmの紫外線を含む放射線がより好ましい。露光量としては、放射線の波長365nmにおける強度を、照度計(OAI model356、OAI Optical Associates製)により測定した値で、500J/m2〜6,000J/m2が好ましく、1,500J/m2〜1,800J/m2がより好ましい。
[工程(3)]
本工程では、上記放射線が照射された塗膜を現像する。露光後の塗膜を現像することにより、不要な部分(放射線の照射部分)を除去して所定のパターンを形成する。この現像工程に使用される現像液としては、アルカリ性の水溶液が好ましい。アルカリとしては、例えば、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、炭酸ナトリウム、ケイ酸ナトリウム、メタケイ酸ナトリウム、アンモニア等の無機アルカリ;テトラメチルアンモニウムヒドロキシド、テトラエチルアンモニウムヒドロキシド等の4級アンモニウム塩、ケトン系有機溶剤、アルコール系有機溶剤等が挙げられる。
Examples of the substrate include glass, quartz, silicone, and resin. Examples of the resin include polyethylene terephthalate, polybutylene terephthalate, polyethersulfone, polycarbonate, polyimide, a ring-opening polymer of cyclic olefin, and a hydrogenated product thereof. As prebaking conditions, although it changes also with kinds, compounding ratios, etc. of each component, it can be set as 70 degreeC-120 degreeC, about 1 minute-10 minutes.
[Step (2)]
In this step, at least a part of the formed coating film is exposed to radiation and exposed. When exposing, it exposes normally through the photomask which has a predetermined pattern. As the radiation used for exposure, radiation having a wavelength in the range of 190 nm to 450 nm is preferable, and radiation containing ultraviolet light of 365 nm is more preferable. Energy of exposure intensity at the wavelength 365nm radiation, by the value measured by luminometer (OAI model356, OAI Optical Ltd. Associates), is preferably 500J / m 2 ~6,000J / m 2 , 1,500J / m 2 ˜1,800 J / m 2 is more preferable.
[Step (3)]
In this step, the coating film irradiated with the radiation is developed. By developing the coated film after exposure, unnecessary portions (radiation irradiated portions) are removed to form a predetermined pattern. As the developer used in this development step, an alkaline aqueous solution is preferable. Examples of the alkali include inorganic alkalis such as sodium hydroxide, potassium hydroxide, sodium carbonate, sodium silicate, sodium metasilicate, and ammonia; quaternary ammonium salts such as tetramethylammonium hydroxide and tetraethylammonium hydroxide, and ketones. Examples thereof include organic solvents and alcohol-based organic solvents.
アルカリ水溶液には、メタノール、エタノール等の水溶性有機溶媒や界面活性剤を適当量添加して使用することもできる。アルカリ水溶液におけるアルカリ濃度としては、適当な現像性を得る観点から、0.1質量%以上5質量%以下が好ましい。現像方法としては、例えば、液盛り法、ディッピング法、揺動浸漬法、シャワー法等が挙げられる。現像時間としては、当該感放射線性樹脂組成物の組成によって異なるが、10秒〜180秒間程度である。このような現像処理に続いて、例えば流水洗浄を30秒〜90秒間行った後、例えば圧縮空気や圧縮窒素で風乾させることによって、所望のパターンを形成できる。 An appropriate amount of a water-soluble organic solvent such as methanol or ethanol, or a surfactant can be added to the alkaline aqueous solution. The alkali concentration in the aqueous alkali solution is preferably from 0.1% by mass to 5% by mass from the viewpoint of obtaining appropriate developability. Examples of the developing method include a liquid piling method, a dipping method, a rocking dipping method, a shower method, and the like. The development time varies depending on the composition of the radiation sensitive resin composition, but is about 10 seconds to 180 seconds. Subsequent to such development processing, for example, washing with running water is performed for 30 seconds to 90 seconds, and then a desired pattern can be formed by, for example, air drying with compressed air or compressed nitrogen.
現像前の塗膜の膜厚T0に対する現像後の膜厚T1の膜厚変化率は、90%以上であることが好ましい。上述したように、当該感放射線性樹脂組成物を用いた当該形成方法によると、現像時間に対する未露光部の膜厚変化量を抑制でき、現像後の膜厚は、現像前の膜厚の90%以上を維持することができる。
[工程(4)]
本工程では、上記現像された塗膜を加熱する。加熱には、ホットプレート、オーブン等の加熱装置を用い、パターニングされた薄膜を加熱することで、[A]重合体成分の硬化反応を促進して、硬化膜を形成することができる。加熱温度としては、例えば、120℃〜250℃程度である。加熱時間としては、加熱機器の種類により異なるが、例えば、ホットプレートでは5分〜30分間程度、オーブンでは30分〜90分間程度である。また、2回以上の加熱工程を行うステップベーク法等を用いることもできる。このようにして、目的とする硬化膜に対応するパターン状薄膜を基板の表面上に形成できる。形成された硬化膜の膜厚としては、0.1μm〜8μmが好ましく、0.1μm〜6μmがより好ましい。
<硬化膜>
本発明の硬化膜は、当該感放射線性樹脂組成物から形成される。当該硬化膜は、当該感放射線性樹脂組成物から形成されているため、高い表面硬度、耐熱性等を有し、かつ膜厚の変化が少ない。当該硬化膜は、上記性質を有しているため、例えば、表示素子の層間絶縁膜、スペーサー、保護膜、カラーフィルタ用着色パターン等として好適である。なお、当該硬化膜の形成方法としては特に限定されないが、上述の当該硬化膜の形成方法を用いることが好ましい。
<表示素子>
本発明の表示素子は、当該硬化膜を備えている。当該表示素子は、例えば、後述する液晶セル、偏光板等により構成されている。当該表示素子は、当該硬化膜を備えているため、例えば、耐熱性等の信頼性に優れる。
Thickness change rate of the thickness T 1 of the after development with respect to the film thickness T 0 of the coating film before development is preferably 90% or more. As described above, according to the forming method using the radiation-sensitive resin composition, the amount of change in the film thickness of the unexposed portion with respect to the development time can be suppressed, and the film thickness after development is 90% of the film thickness before development. % Or more can be maintained.
[Step (4)]
In this step, the developed coating film is heated. For heating, the patterned thin film is heated using a heating device such as a hot plate or an oven, whereby the curing reaction of the polymer component [A] can be promoted to form a cured film. As heating temperature, it is about 120 to 250 degreeC, for example. The heating time varies depending on the type of the heating device, but is, for example, about 5 to 30 minutes for a hot plate and about 30 to 90 minutes for an oven. Moreover, the step baking method etc. which perform a heating process 2 times or more can also be used. In this way, a patterned thin film corresponding to the desired cured film can be formed on the surface of the substrate. The film thickness of the formed cured film is preferably 0.1 μm to 8 μm, more preferably 0.1 μm to 6 μm.
<Curing film>
The cured film of the present invention is formed from the radiation sensitive resin composition. Since the said cured film is formed from the said radiation sensitive resin composition, it has high surface hardness, heat resistance, etc., and there are few changes of a film thickness. Since the cured film has the above properties, it is suitable as, for example, an interlayer insulating film of a display element, a spacer, a protective film, a color filter coloring pattern, or the like. In addition, although it does not specifically limit as a formation method of the said cured film, It is preferable to use the formation method of the said cured film mentioned above.
<Display element>
The display element of the present invention includes the cured film. The display element includes, for example, a liquid crystal cell, a polarizing plate, and the like which will be described later. Since the display element includes the cured film, the display element is excellent in reliability such as heat resistance.
当該表示素子の製造方法としては、まず片面に透明導電膜(電極)を有する透明基板を一対(2枚)準備し、そのうちの一枚の基板の透明導電膜上に、当該感放射線性樹脂組成物を用い、上述の硬化膜の形成方法に従って、層間絶縁膜、スペーサー若しくは保護膜又はその双方を形成する。次いで、これらの基板の透明導電膜及びスペーサー又は保護膜上に液晶配向能を有する配向膜を形成する。これら基板を、その配向膜が形成された側の面を内側にして、それぞれの配向膜の液晶配向方向が直交又は逆平行となるように一定の間隙(セルギャップ)を介して対向配置し、基板の表面(配向膜)及びスペーサーにより区画されたセルギャップ内に液晶を充填し、充填孔を封止して液晶セルを構成する。そして、液晶セルの両外表面に、偏光板を、その偏光方向が当該基板の一面に形成された配向膜の液晶配向方向と一致又は直交するように貼り合わせることにより、本発明の表示素子が得られる。 As a method for manufacturing the display element, first, a pair (two) of transparent substrates having a transparent conductive film (electrode) on one side is prepared, and the radiation-sensitive resin composition is formed on the transparent conductive film of one of the substrates. Using an object, an interlayer insulating film, a spacer, a protective film, or both are formed according to the method for forming a cured film described above. Next, an alignment film having liquid crystal alignment ability is formed on the transparent conductive film and the spacer or protective film of these substrates. These substrates are arranged facing each other with a certain gap (cell gap) so that the liquid crystal alignment direction of each alignment film is orthogonal or antiparallel, with the surface on which the alignment film is formed inside. A liquid crystal is filled in the cell gap defined by the surface of the substrate (alignment film) and the spacer, and the filling hole is sealed to constitute a liquid crystal cell. Then, the display element of the present invention is bonded to both outer surfaces of the liquid crystal cell such that the polarizing direction is aligned or orthogonal to the liquid crystal alignment direction of the alignment film formed on one surface of the substrate. can get.
他の表示素子の製造方法としては、上記製造方法と同様にして透明導電膜と、層間絶縁膜、保護膜又はスペーサー又はその双方と、配向膜とを形成した一対の透明基板を準備する。その後、一方の基板の端部に沿って、ディスペンサーを用いて紫外線硬化型シール剤を塗布し、次いで液晶ディスペンサーを用いて微小液滴状に液晶を滴下し、真空下で両基板の貼り合わせを行う。そして、上記のシール剤部に、高圧水銀ランプを用いて紫外線を照射して両基板を封止する。最後に、液晶セルの両外表面に偏光板を貼り合わせることにより、本発明の表示素子が得られる。 As another method for manufacturing a display element, a pair of transparent substrates on which a transparent conductive film, an interlayer insulating film, a protective film, a spacer, or both, and an alignment film are formed are prepared in the same manner as the above manufacturing method. After that, along the edge of one of the substrates, an ultraviolet curable sealant is applied using a dispenser, then the liquid crystal is dropped into a fine droplet using a liquid crystal dispenser, and the two substrates are bonded together under vacuum. Do. Then, both the substrates are sealed by irradiating the sealing agent part with ultraviolet rays using a high-pressure mercury lamp. Finally, the display element of the present invention is obtained by attaching polarizing plates to both outer surfaces of the liquid crystal cell.
上述の各表示素子の製造方法において使用される液晶としては、例えば、ネマティック型液晶、スメクティック型液晶等が挙げられる。また、液晶セルの外側に使用される偏光板としては、ポリビニルアルコールを延伸配向させながら、ヨウ素を吸収させた「H膜」と呼ばれる偏光膜を酢酸セルロース保護膜で挟んだ偏光板、又はH膜そのものからなる偏光板等が挙げられる。 Examples of the liquid crystal used in the above-described manufacturing method of each display element include nematic liquid crystal and smectic liquid crystal. In addition, as a polarizing plate used outside the liquid crystal cell, a polarizing film in which a polarizing film called an “H film” that absorbs iodine while stretching and aligning polyvinyl alcohol is sandwiched between cellulose acetate protective films, or an H film Examples thereof include a polarizing plate made of itself.
有機EL表示素子においては、当該感放射線性樹脂組成物から形成される硬化膜は、TFT素子上に形成される平坦化膜、発光部位を分ける隔壁材料等として使用できる。 In the organic EL display element, the cured film formed from the radiation-sensitive resin composition can be used as a planarizing film formed on the TFT element, a partition material that separates light emitting sites, and the like.
以下、本発明を実施例に基づいて具体的に説明するが、本発明は、これらの実施例に限定されるものではない。各物性値の測定方法を下記に示す。
[重量平均分子量(Mw)及び数平均分子量(Mn)]
下記条件下、ゲルパーミエーションクロマトグラフィー(GPC)により測定した。また、分散度(Mw/Mn)は、Mw及びMnの測定結果より算出した。
EXAMPLES Hereinafter, although this invention is demonstrated concretely based on an Example, this invention is not limited to these Examples. The measuring method of each physical property value is shown below.
[Weight average molecular weight (Mw) and number average molecular weight (Mn)]
It measured by gel permeation chromatography (GPC) under the following conditions. The degree of dispersion (Mw / Mn) was calculated from the measurement results of Mw and Mn.
装置:GPC−101(昭和電工製)
カラム:GPC−KF−801、GPC−KF−802、GPC−KF−803及びGPC−KF−804を結合
移動相:テトラヒドロフラン
カラム温度:40℃
流速:1.0mL/分
試料濃度:1.0質量%
試料注入量:100μL
検出器:示差屈折計
標準物質:単分散ポリスチレン
<[A]成分の合成>
[合成例1](重合体(A−1)の合成)
冷却管及び攪拌機を備えたフラスコに、2,2’−アゾビス(2,4−ジメチルバレロニトリル)7質量部、ジエチレングリコールエチルメチルエーテル200質量部を仕込んだ。引き続きメタクリル酸15質量部、p−ヒドロキシスチレン35質量部、スチレン10質量部、3−メタクリロイルオキシメチル−3−エチルオキセタン40質量部を仕込み窒素置換した後、ゆるやかに撹拌を始めた。溶液の温度を70℃に上昇させ、この温度を5時間保持し重合体(A−1)を含む重合体溶液を得た。重合体(A−1)のポリスチレン換算重量平均分子量(Mw)は8,500であった。また、ここで得られた重合体溶液の固形分濃度は、31.6質量%であった。
[合成例2](重合体(A−2)の合成)
冷却管及び攪拌機を備えたフラスコに、2,2’−アゾビス(2,4−ジメチルバレロニトリル)7質量部、ジエチレングリコールエチルメチルエーテル200質量部を仕込んだ。引き続きメタクリル酸15質量部、4− ヒドロキシフェニルメタアクリレート40質量部、メタクリル酸グリシジル40質量部、メタクリル酸ヒドロキシエチル5質量部を仕込み窒素置換した後、ゆるやかに撹拌を始めた。溶液の温度を70℃に上昇させ、この温度を5時間保持し重合体(A−2)を含む重合体溶液を得た。重合体(A−2)のポリスチレン換算重量平均分子量(Mw)は11,000であった。また、ここで得られた重合体溶液の固形分濃度は、32.7質量%であった。
[合成例3](重合体(A−3)の合成)
冷却管及び攪拌機を備えたフラスコに、2,2’−アゾビス(2,4−ジメチルバレロニトリル)7質量部、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート200質量部を仕込んだ。引き続きメタクリル酸15質量部、p−ヒドロキシスチレン15質量部、4−ヒドロキシフェニルメタアクリレート20質量部、3,4−エポキシシクロヘキシルメチルメタアクリレート40質量部、スチレン10質量部を仕込み窒素置換した後、ゆるやかに撹拌を始めた。溶液の温度を70℃に上昇させ、この温度を5時間保持し重合体(A−3)を含む重合体溶液を得た。重合体(A−3)のポリスチレン換算重量平均分子量(Mw)は11,500であった。また、ここで得られた重合体溶液の固形分濃度は、30.9質量%であった。
[合成例4](重合体(A−4)の合成)
冷却管及び攪拌機を備えたフラスコに、2,2’−アゾビス(2,4−ジメチルバレロニトリル)7質量部、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート200質量部を仕込んだ。引き続きメタクリル酸10質量部、4−ヒドロキシフェニルメタアクリレート40質量部、3,4−エポキシトリシクロ[5.2.1.02.6]デシルメタアクリレート40質量部、メタクリル酸ヒドロキシエチル10質量部を仕込み窒素置換した後、ゆるやかに撹拌を始めた。溶液の温度を70℃に上昇させ、この温度を5時間保持し重合体(A−4)を含む重合体溶液を得た。重合体(A−4)のポリスチレン換算重量平均分子量(Mw)は9,000であった。また、ここで得られた重合体溶液の固形分濃度は、33.0質量%であった。
[合成例5](重合体(CA−1)の合成)
冷却管及び攪拌機を備えたフラスコに、2,2’−アゾビス(2,4−ジメチルバレロニトリル)7質量部、ジエチレングリコールエチルメチルエーテル200質量部を仕込んだ。引き続き4−ヒドロキシフェニルメタアクリレート45質量部、メタクリル酸ベンジル35質量部、メタクリル酸20質量部を仕込み窒素置換した後、ゆるやかに撹拌を始めた。溶液の温度を70℃に上昇させ、この温度を5時間保持し重合体(CA−1)を含む重合体溶液を得た。重合体(CA−1)のポリスチレン換算重量平均分子量(Mw)は8,500であった。また、ここで得られた重合体溶液の固形分濃度は、31.6質量%であった。
[合成例6](重合体(CA−2)の合成)
冷却管及び攪拌機を備えたフラスコに、2,2’−アゾビス(2,4−ジメチルバレロニトリル)7質量部、ジエチレングリコールエチルメチルエーテル200質量部を仕込んだ。引き続きメタクリル酸グリシジル50質量部、スチレン10質量部、メタクリル酸ベンジル40質量部を仕込み窒素置換した後、ゆるやかに撹拌を始めた。溶液の温度を70℃に上昇させ、この温度を5時間保持し重合体(CA−2)を含む重合体溶液を得た。重合体(CA−2)のポリスチレン換算重量平均分子量(Mw)は10,000であった。また、ここで得られた重合体溶液の固形分濃度は、31.0質量%であった。
[合成例7](重合体(CA−3)の合成)
冷却管及び攪拌機を備えたフラスコに、2,2’−アゾビス(2,4−ジメチルバレロニトリル)7質量部、ジエチレングリコールエチルメチルエーテル200質量部を仕込んだ。引き続きメタクリル酸20質量部、p−ヒドロキシスチレン20質量部、スチレン10質量部、4−ヒドロキシフェニルメタアクリレート20質量部、メタクリル酸ブチル30質量部を仕込み窒素置換した後、ゆるやかに撹拌を始めた。溶液の温度を70℃に上昇させ、この温度を5時間保持し重合体(CA−3)を含む重合体溶液を得た。重合体(CA−3)のポリスチレン換算重量平均分子量(Mw)は11,000であった。また、ここで得られた重合体溶液の固形分濃度は、30.0質量%であった。
[合成例8](重合体(CA−4)の合成)
冷却管及び攪拌機を備えたフラスコに、2,2’−アゾビス(2,4−ジメチルバレロニトリル)7質量部、ジエチレングリコールエチルメチルエーテル200質量部を仕込んだ。引き続き3,4−エポキシシクロヘキシルメチルメタアクリレート20質量部、3−メタクリロイルオキシメチル−3−エチルオキセタン30質量部、スチレン10質量部、メタクリル酸ベンジル40質量部を仕込み窒素置換した後、ゆるやかに撹拌を始めた。溶液の温度を70℃に上昇させ、この温度を5時間保持し重合体(CA−4)を含む重合体溶液を得た。重合体(CA−4)のポリスチレン換算重量平均分子量(Mw)は11,500であった。また、ここで得られた重合体溶液の固形分濃度は、30.9質量%であった。
[合成例9](比較例の重合体(a−1)の合成)
冷却管及び攪拌機を備えたフラスコに、2,2’−アゾビス(2,4−ジメチルバレロニトリル)7質量部、ジエチレングリコールエチルメチルエーテル200質量部を仕込んだ。引き続き1−エトキシエチルメタクリレート50質量部、メタクリル酸グリシジル40質量部、メタクリル酸ヒドロキシエチルメタクリレート10質量部を仕込み窒素置換した後、ゆるやかに撹拌を始めた。溶液の温度を70℃に上昇させ、この温度を5時間保持し重合体(a−1)を含む重合体溶液を得た。重合体(a−1)のポリスチレン換算重量平均分子量(Mw)は8,500であった。また、ここで得られた重合体溶液の固形分濃度は、31.2質量%であった。
<感放射線性樹脂組成物の調製>
感放射線性樹脂組成物の調製に用いた[B]非イオン性光酸発生剤、[C]化合物、[D]化合物、[E]化合物を以下に示す。
[[B]非イオン性光酸発生剤]
B−1:5−プロピルスルフォニルオキシイミノ−5H−チオフェン−2−イリデン)−(2−メチルフェニル)アセトニトリル(IRGACURE PAG 103、BASF製)
B−2:(5−p−トルエンスルフォニルオキシイミノ−5H−チオフェン−2−イリデン)−(2−メチルフェニル)アセトニトリル(IRGACURE PAG 121、BASF製)
B−3:(5−オクチルスルフォニルオキシイミノ)−(4−メトキシフェニル)アセトニトリル(CGI−725、BASF製)
B−4:下記式で表されるオキシムスルホネート化合物(BASF社の「IRGACURE PAG 203」)
Apparatus: GPC-101 (made by Showa Denko)
Column: GPC-KF-801, GPC-KF-802, GPC-KF-803 and GPC-KF-804 are combined Mobile phase: Tetrahydrofuran Column temperature: 40 ° C
Flow rate: 1.0 mL / min Sample concentration: 1.0% by mass
Sample injection volume: 100 μL
Detector: Differential refractometer Standard material: Monodisperse polystyrene <Synthesis of [A] component>
[Synthesis Example 1] (Synthesis of polymer (A-1))
A flask equipped with a condenser and a stirrer was charged with 7 parts by mass of 2,2′-azobis (2,4-dimethylvaleronitrile) and 200 parts by mass of diethylene glycol ethyl methyl ether. Subsequently, 15 parts by mass of methacrylic acid, 35 parts by mass of p-hydroxystyrene, 10 parts by mass of styrene, and 40 parts by mass of 3-methacryloyloxymethyl-3-ethyloxetane were charged and purged with nitrogen, and then gently stirring was started. The temperature of the solution was raised to 70 ° C., and this temperature was maintained for 5 hours to obtain a polymer solution containing the polymer (A-1). The weight average molecular weight (Mw) in terms of polystyrene of the polymer (A-1) was 8,500. Moreover, the solid content concentration of the polymer solution obtained here was 31.6 mass%.
[Synthesis Example 2] (Synthesis of polymer (A-2))
A flask equipped with a condenser and a stirrer was charged with 7 parts by mass of 2,2′-azobis (2,4-dimethylvaleronitrile) and 200 parts by mass of diethylene glycol ethyl methyl ether. Subsequently, 15 parts by weight of methacrylic acid, 40 parts by weight of 4-hydroxyphenyl methacrylate, 40 parts by weight of glycidyl methacrylate, and 5 parts by weight of hydroxyethyl methacrylate were charged with nitrogen, and then gently stirred. The temperature of the solution was raised to 70 ° C., and this temperature was maintained for 5 hours to obtain a polymer solution containing the polymer (A-2). The polymer (A-2) had a polystyrene equivalent weight average molecular weight (Mw) of 11,000. Moreover, the solid content concentration of the polymer solution obtained here was 32.7 mass%.
[Synthesis Example 3] (Synthesis of Polymer (A-3))
A flask equipped with a condenser and a stirrer was charged with 7 parts by mass of 2,2′-azobis (2,4-dimethylvaleronitrile) and 200 parts by mass of propylene glycol monomethyl ether acetate. Subsequently, 15 parts by mass of methacrylic acid, 15 parts by mass of p-hydroxystyrene, 20 parts by mass of 4-hydroxyphenyl methacrylate, 40 parts by mass of 3,4-epoxycyclohexylmethyl methacrylate, and 10 parts by mass of styrene were charged, and after the nitrogen substitution, Stirring was started. The temperature of the solution was raised to 70 ° C., and this temperature was maintained for 5 hours to obtain a polymer solution containing the polymer (A-3). The polymer (A-3) had a weight average molecular weight (Mw) in terms of polystyrene of 11,500. Moreover, the solid content concentration of the polymer solution obtained here was 30.9 mass%.
[Synthesis Example 4] (Synthesis of Polymer (A-4))
A flask equipped with a condenser and a stirrer was charged with 7 parts by mass of 2,2′-azobis (2,4-dimethylvaleronitrile) and 200 parts by mass of propylene glycol monomethyl ether acetate. Subsequently, 10 parts by weight of methacrylic acid, 40 parts by weight of 4-hydroxyphenyl methacrylate, 40 parts by weight of 3,4-epoxytricyclo [5.2.1.0 2.6 ] decyl methacrylate, 10 parts by weight of hydroxyethyl methacrylate Was added, and the mixture was purged with nitrogen. The temperature of the solution was raised to 70 ° C., and this temperature was maintained for 5 hours to obtain a polymer solution containing the polymer (A-4). The polystyrene equivalent weight average molecular weight (Mw) of the polymer (A-4) was 9,000. Moreover, the solid content concentration of the polymer solution obtained here was 33.0 mass%.
[Synthesis Example 5] (Synthesis of polymer (CA-1))
A flask equipped with a condenser and a stirrer was charged with 7 parts by mass of 2,2′-azobis (2,4-dimethylvaleronitrile) and 200 parts by mass of diethylene glycol ethyl methyl ether. Subsequently, 45 parts by mass of 4-hydroxyphenyl methacrylate, 35 parts by mass of benzyl methacrylate, and 20 parts by mass of methacrylic acid were charged and purged with nitrogen, and then gently agitated. The temperature of the solution was raised to 70 ° C., and this temperature was maintained for 5 hours to obtain a polymer solution containing the polymer (CA-1). The weight average molecular weight (Mw) in terms of polystyrene of the polymer (CA-1) was 8,500. Moreover, the solid content concentration of the polymer solution obtained here was 31.6 mass%.
[Synthesis Example 6] (Synthesis of polymer (CA-2))
A flask equipped with a condenser and a stirrer was charged with 7 parts by mass of 2,2′-azobis (2,4-dimethylvaleronitrile) and 200 parts by mass of diethylene glycol ethyl methyl ether. Subsequently, 50 parts by mass of glycidyl methacrylate, 10 parts by mass of styrene, and 40 parts by mass of benzyl methacrylate were charged and purged with nitrogen, and then gently agitated. The temperature of the solution was raised to 70 ° C., and this temperature was maintained for 5 hours to obtain a polymer solution containing the polymer (CA-2). The polymer (CA-2) had a weight average molecular weight (Mw) in terms of polystyrene of 10,000. Moreover, the solid content concentration of the polymer solution obtained here was 31.0 mass%.
[Synthesis Example 7] (Synthesis of polymer (CA-3))
A flask equipped with a condenser and a stirrer was charged with 7 parts by mass of 2,2′-azobis (2,4-dimethylvaleronitrile) and 200 parts by mass of diethylene glycol ethyl methyl ether. Subsequently, 20 parts by mass of methacrylic acid, 20 parts by mass of p-hydroxystyrene, 10 parts by mass of styrene, 20 parts by mass of 4-hydroxyphenyl methacrylate, and 30 parts by mass of butyl methacrylate were charged and purged with nitrogen. The temperature of the solution was raised to 70 ° C., and this temperature was maintained for 5 hours to obtain a polymer solution containing the polymer (CA-3). The polymer (CA-3) had a polystyrene equivalent weight average molecular weight (Mw) of 11,000. Moreover, the solid content concentration of the polymer solution obtained here was 30.0 mass%.
[Synthesis Example 8] (Synthesis of polymer (CA-4))
A flask equipped with a condenser and a stirrer was charged with 7 parts by mass of 2,2′-azobis (2,4-dimethylvaleronitrile) and 200 parts by mass of diethylene glycol ethyl methyl ether. Subsequently, 20 parts by mass of 3,4-epoxycyclohexylmethyl methacrylate, 30 parts by mass of 3-methacryloyloxymethyl-3-ethyloxetane, 10 parts by mass of styrene, and 40 parts by mass of benzyl methacrylate were substituted with nitrogen, and then gently stirred. I started. The temperature of the solution was raised to 70 ° C., and this temperature was maintained for 5 hours to obtain a polymer solution containing the polymer (CA-4). The polymer (CA-4) had a weight average molecular weight (Mw) in terms of polystyrene of 11,500. Moreover, the solid content concentration of the polymer solution obtained here was 30.9 mass%.
[Synthesis Example 9] (Synthesis of Polymer (a-1) of Comparative Example)
A flask equipped with a condenser and a stirrer was charged with 7 parts by mass of 2,2′-azobis (2,4-dimethylvaleronitrile) and 200 parts by mass of diethylene glycol ethyl methyl ether. Subsequently, 50 parts by mass of 1-ethoxyethyl methacrylate, 40 parts by mass of glycidyl methacrylate, and 10 parts by mass of hydroxyethyl methacrylate methacrylate were charged and purged with nitrogen. The temperature of the solution was raised to 70 ° C., and this temperature was maintained for 5 hours to obtain a polymer solution containing the polymer (a-1). The polystyrene equivalent weight average molecular weight (Mw) of the polymer (a-1) was 8,500. Moreover, the solid content concentration of the polymer solution obtained here was 31.2 mass%.
<Preparation of radiation-sensitive resin composition>
[B] Nonionic photoacid generator, [C] compound, [D] compound, and [E] compound used for the preparation of the radiation sensitive resin composition are shown below.
[[B] Nonionic photoacid generator]
B-1: 5-propylsulfonyloxyimino-5H-thiophen-2-ylidene)-(2-methylphenyl) acetonitrile (IRGACURE PAG 103, manufactured by BASF)
B-2: (5-p-toluenesulfonyloxyimino-5H-thiophen-2-ylidene)-(2-methylphenyl) acetonitrile (IRGACURE PAG 121, manufactured by BASF)
B-3: (5-octylsulfonyloxyimino)-(4-methoxyphenyl) acetonitrile (CGI-725, manufactured by BASF)
B-4: An oxime sulfonate compound represented by the following formula ("IRGACURE PAG 203" manufactured by BASF)
B−5:下記式で示されるナフタルイミド構造を有する化合物 B-5: Compound having naphthalimide structure represented by the following formula
B−6:下記式で示されるナフタルイミド構造を有する化合物 B-6: Compound having naphthalimide structure represented by the following formula
[[C]酸架橋剤]
C−1:N、N、N、N−テトラ(メトキシメチル)グリコールウリル
C−2:N、N、N、N、N、N−ヘキサ(メトキシメチル)メラミン
C−3:N、N−ジ(メトキシメチル)ウレア、
C−4:N、N−ジ(メトキシメチル)−4,5−ジ(メトキシメチル)エチレンウレア
[[D]酸化防止剤]
D−1:ペンタエリスリトールテトラキス[3−(3,5−ジ-tert-ブチル−4−ヒドロキシフェニル)プロピオネート](アデカスタブAO−60、アデカ製)
D−2:トリス−(3,5−ジ−tert−ブチル−4−ヒドロキシベンジル)−イソシアヌレイト(アデカスタブAO−20、アデカ製)
[[E]塩基性化合物]
E−1:トリフェニルスルホニウムサリチレート
E−2:2−フェニルベンズイミダゾール
[実施例1]
[A]重合体成分としての(A−1)を含む重合体溶液((A−1)100質量部(固形分)に相当する量)に、[B]非イオン性光酸発生剤としての(B−1)3.0質量部、[C]光架橋剤としての(C−1)15質量部、及び[D]酸化防止剤としての(D−1)1質量部、[E]塩基性化合物として(E−1)トリフェニルスルホニウムサリチレート0.1質量部を混合し、孔径0.2μmのメンブランフィルタで濾過することにより、感放射線性樹脂組成物を調製した。表1に示す。
[実施例2〜5,9及び比較例1〜2]
下記表1に示す種類及び配合量の各成分を用いた以外は、実施例1と同様に操作し、各感放射線性樹脂組成物を調製した。なお、表1中の「−」は、該当する成分を配合しなかったことを示す。表1に示す。
[[C] acid crosslinking agent]
C-1: N, N, N, N-tetra (methoxymethyl) glycoluril C-2: N, N, N, N, N, N-hexa (methoxymethyl) melamine C-3: N, N-di (Methoxymethyl) urea,
C-4: N, N-di (methoxymethyl) -4,5-di (methoxymethyl) ethyleneurea [[D] antioxidant]
D-1: Pentaerythritol tetrakis [3- (3,5-di-tert-butyl-4-hydroxyphenyl) propionate] (ADK STAB AO-60, manufactured by ADEKA)
D-2: Tris- (3,5-di-tert-butyl-4-hydroxybenzyl) -isocyanurate (ADK STAB AO-20, manufactured by ADEKA)
[[E] basic compound]
E-1: Triphenylsulfonium salicylate E-2: 2-phenylbenzimidazole [Example 1]
[A] In a polymer solution containing (A-1) as a polymer component (amount corresponding to 100 parts by mass (solid content) of (A-1)), [B] as a nonionic photoacid generator (B-1) 3.0 parts by mass, (C-1) 15 parts by mass as a photocrosslinking agent, and (D-1) 1 part by mass as an antioxidant (D-1), [E] base A radiation-sensitive resin composition was prepared by mixing 0.1 part by mass of (E-1) triphenylsulfonium salicylate as a functional compound and filtering with a membrane filter having a pore size of 0.2 μm. Table 1 shows.
[Examples 2-5, 9 and Comparative Examples 1-2]
Except having used each component of the kind and compounding quantity shown in following Table 1, it operated similarly to Example 1 and prepared each radiation sensitive resin composition. In addition, "-" in Table 1 indicates that the corresponding component was not blended. Table 1 shows.
比較例1は、[A]重合体成分に、[合成例9]で示した比較例の重合体(a−1)を用い、[B]非イオン性光酸発生剤としての(B−1)を3質量部、[E]塩基性化合物として(E−2)0.1質量部を用いて実施例1と同様にして感放射線性樹脂組成物を調製した。この感放射線性樹脂組成物は、ネガ型感放射線性樹脂組成物となる。 Comparative Example 1 uses the polymer (a-1) of Comparative Example shown in [Synthesis Example 9] as the [A] polymer component, and [B] (B-1 as a nonionic photoacid generator). ) Was used in the same manner as in Example 1, except that 3 parts by mass of (E) and 0.1 part by mass of (E-2) as a basic compound were prepared. This radiation sensitive resin composition becomes a negative type radiation sensitive resin composition.
比較例2は、[A]重合体成分に、重合体(a−1)を用い、[B]非イオン性光酸発生剤としての(B−1)を3質量部用い、[C]光架橋剤としての(C−2)10質量部、及び[D]酸化防止剤としての(D−1)1質量部、[E]塩基性化合物として(E−2)0.1質量部を混合し、比較例1と同様にしてネガ型感放射線性樹脂組成物を調製した。表1に示す。
[実施例6]
(CA−1)を含む重合体溶液((CA−1)50質量部(固形分)に相当する量)と、(CA−2)を含む重合体溶液((CA−2)50質量部(固形分)に相当する量)とを混合して[A]重合体成分とし、これに[B]非イオン性光酸発生剤としての(B−3)3質量部、[C]化合物としての(C−1)20質量部、及び[D]酸化防止剤としての(D−1)1質量部、[E]塩基性化合物としてトリフェニルスルホニウムサリチレート0.1質量部を混合し、次いで、孔径0.2μmのメンブランフィルタで濾過することにより、感放射線性樹脂組成物を調製した。表1に示す。
[実施例7〜8,10]
下記表1に示す種類及び配合量の各成分を用いた以外は、実施例5と同様に操作し、各感放射線性樹脂組成物を調製した。表1に示す。
Comparative Example 2 uses the polymer (a-1) as the [A] polymer component, [B] 3 parts by mass of (B-1) as a nonionic photoacid generator, and [C] light. 10 parts by mass of (C-2) as a crosslinking agent, 1 part by mass of (D-1) as an antioxidant [D], and 0.1 part by mass of (E-2) as a basic compound [E] In the same manner as in Comparative Example 1, a negative radiation sensitive resin composition was prepared. Table 1 shows.
[Example 6]
A polymer solution containing (CA-1) (an amount corresponding to 50 parts by mass (solid content) of (CA-1)) and a polymer solution containing (CA-2) (50 parts by mass of (CA-2) ( (B) 3 parts by weight as [B] nonionic photoacid generator, and [C] as compound [C] (C-1) 20 parts by mass, [D] 1 part by mass of (D-1) as an antioxidant, and [E] 0.1 part by mass of triphenylsulfonium salicylate as a basic compound were mixed. A radiation sensitive resin composition was prepared by filtering through a membrane filter having a pore size of 0.2 μm. Table 1 shows.
[Examples 7 to 8, 10]
Except having used each component of the kind and compounding quantity which are shown in following Table 1, it operated similarly to Example 5 and prepared each radiation sensitive resin composition. Table 1 shows.
<評価>
調製した各感放射線性樹脂組成物を用い、下記の評価を実施した。結果を表2に示す。
<Evaluation>
The following evaluation was implemented using each prepared radiation sensitive resin composition. The results are shown in Table 2.
[解像度(μm)]
無アルカリガラス基板上に、各感放射線性樹脂組成物溶液をスピンナーにより塗布した後、90℃のホットプレート上で2分間プレベークすることにより膜厚3.0μmの塗膜を形成した。次いで、得られた塗膜に直径8μm〜20μmの範囲の異なる大きさの複数の丸状残しパターンを有するフォトマスクを介し、高圧水銀ランプを用いて露光量を200J/m2〜1,000J/m2の範囲で変量して放射線照射を行った。その後、0.5質量%のテトラメチルアンモニウムヒドロキシド水溶液を現像液として、現像圧1kgf/cm2、ノズル径1mmで吐出することによりシャワー現像を行い、純水洗浄を1分間行った。さらにオーブン中230℃にて30分間ポストベークすることにより、パターン状塗膜を形成した。このとき、形成される最小のパターンサイズを解像度(μm)とした。12μm以下のフォトマスクにおいて、10μm以下のサイズのパターンが形成されていれば、解像度が良好と判断できる。
[感度(J/m2)]
550mm×650mmのガラス基板に、ヘキサメチルジシラザン(HMDS)を塗布し、60℃にて1分間加熱した。このHMDS処理後のクロム成膜ガラス基板に、各組成物をスリットダイコーター(TR632105−CL、東京応化工業製)を用いて塗布し、到達圧力を100Paに設定して真空下で溶媒を除去した後、さらに90℃において2分間プレベークすることによって、膜厚3.0μmの塗膜を形成した。続いて、露光機(MPA−600FA、ghi線混合、キヤノン製)を用い、60μmのライン・アンド・スペース(10対1)のパターンを有するマスクを介して、塗膜に対し露光量を変量として放射線を照射した。その後、0.5質量%のテトラメチルアンモニウムヒドロキシド水溶液にて25℃において80秒間液盛り法で現像した。次いで、超純水で1分間流水洗浄を行い、その後乾燥することにより、HMDS処理後のクロム成膜ガラス基板上にパターンを形成した。このとき、6μmのスペース・パターンが完全に溶解するために必要な露光量を調べた。この露光量の値が500(J/m2)以下の場合、感度は良好と判断できる。
[耐光性の評価]
シリコン基板上に、各感放射線性樹脂組成物溶液をスピンナを用いて塗布した後、90℃にて2分間ホットプレート上でプレベークして膜厚3.0μmの塗膜を形成した。このシリコン基板をクリーンオーブン内にて220℃で1時間加熱して硬化膜を得た。得られた各硬化膜に、UV照射装置(ウシオ社製の「UVX−02516S1JS01」)にて130mWの照度で800000J/m2照射した。照射前の膜厚に比較して、照射後の膜厚の膜減り量が3%以下であれば硬化膜の耐光性が良好であると言える。
[Resolution (μm)]
Each radiation-sensitive resin composition solution was applied onto an alkali-free glass substrate with a spinner, and then prebaked on a hot plate at 90 ° C. for 2 minutes to form a coating film having a thickness of 3.0 μm. Subsequently, the exposure amount is set to 200 J / m 2 to 1,000 J / M using a high-pressure mercury lamp through a photomask having a plurality of circular residual patterns with different sizes in the diameter range of 8 μm to 20 μm. Irradiation was performed with variable amount in the range of m 2 . Thereafter, shower development was performed by discharging a 0.5% by mass tetramethylammonium hydroxide aqueous solution as a developing solution at a developing pressure of 1 kgf / cm 2 and a nozzle diameter of 1 mm, followed by washing with pure water for 1 minute. Further, a patterned coating film was formed by post-baking in an oven at 230 ° C. for 30 minutes. At this time, the minimum pattern size to be formed was defined as the resolution (μm). If a pattern having a size of 10 μm or less is formed in a photomask of 12 μm or less, it can be determined that the resolution is good.
[Sensitivity (J / m 2 )]
Hexamethyldisilazane (HMDS) was applied to a glass substrate of 550 mm × 650 mm and heated at 60 ° C. for 1 minute. Each composition was applied to the chromium-deposited glass substrate after the HMDS treatment using a slit die coater (TR6321005-CL, manufactured by Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd.), the ultimate pressure was set to 100 Pa, and the solvent was removed under vacuum. Thereafter, it was further pre-baked at 90 ° C. for 2 minutes to form a coating film having a thickness of 3.0 μm. Subsequently, using an exposure machine (MPA-600FA, ghi line mixing, manufactured by Canon), the exposure amount was changed to the coating film through a mask having a 60 μm line and space (10 to 1) pattern. Irradiated. Then, it developed by the piling method for 80 seconds at 25 degreeC with 0.5 mass% tetramethylammonium hydroxide aqueous solution. Next, washing with running ultrapure water for 1 minute was performed, followed by drying to form a pattern on the chromium-deposited glass substrate after the HMDS treatment. At this time, the amount of exposure necessary to completely dissolve the 6 μm space pattern was examined. When the exposure value is 500 (J / m 2 ) or less, it can be determined that the sensitivity is good.
[Evaluation of light resistance]
Each radiation sensitive resin composition solution was applied onto a silicon substrate using a spinner and then pre-baked on a hot plate at 90 ° C. for 2 minutes to form a coating film having a thickness of 3.0 μm. This silicon substrate was heated in a clean oven at 220 ° C. for 1 hour to obtain a cured film. Each obtained cured film was irradiated with 800,000 J / m 2 at an illuminance of 130 mW with a UV irradiation apparatus (“UVX-02516S1JS01” manufactured by USHIO Co., Ltd.). It can be said that the light resistance of the cured film is good when the amount of film thickness reduction after irradiation is 3% or less compared to the film thickness before irradiation.
尚、耐光性の評価においては、形成する硬化膜のパターニングは不要のため、現像工程は省略し、塗膜形成工程、耐光性試験および加熱工程のみ行い評価を行った。
[透過率の評価]
上記耐光性の評価と同様に、シリコン基板上に塗膜を形成した。このシリコン基板をクリーンオーブン内にて220℃で1時間加熱して硬化膜を形成した。得られた各硬化膜について、波長400nmにおける透過率を、分光光度計(日立製作所社製の「150−20型ダブルビーム」)を用いて測定して評価した。このとき、90%未満の場合に透明性が不良と言える。
[電圧保持率(%)]
表面にナトリウムイオンの溶出を防止するSiO2膜が形成され、さらにITO(インジウム−酸化錫合金)電極を所定形状に蒸着したソーダガラス基板上に、各感放射線性樹脂組成物を、スピンコートした後、90℃のクリーンオーブン内で10分間プレベークを行って、膜厚2.0μmの塗膜を形成した。次いで、フォトマスクを介さずに、塗膜に500J/m2の露光量で露光した。その後、この基板を23℃の0.04質量%の水酸化カリウム水溶液からなる現像液に1分間浸漬して、現像した後、超純水で洗浄して風乾し、さらに230℃で30分間ポストベークを行い、塗膜を硬化させて、永久硬化膜を形成した。次いで、この画素を形成した基板とITO電極を所定形状に蒸着しただけの基板とを、0.8mmのガラスビーズを混合したシール剤で貼り合わせた後、メルク製液晶(MLC6608)を注入して、液晶セルを作製した。次いで、液晶セルを60℃の恒温槽に入れて、液晶セルの電圧保持率を液晶電圧保持率測定システム(VHR−1A型、東陽テクニカ社)により測定した。このときの印加電圧は5.5Vの方形波、測定周波数は60Hzである。ここで電圧保持率とは、(16.7ミリ秒後の液晶セル電位差/0ミリ秒で印加した電圧)の値である。液晶セルの電圧保持率が90%以下であると、液晶セルは16.7ミリ秒の時間、印加電圧を所定レベルに保持できず、十分に液晶を配向させることができないことを意味し、残像等の「焼き付き」を起こすおそれが高い。
[パターン形状の熱安定性の評価観察]
感度の評価で形成したパターンが形成された基板をクリーンオーブン内にて230℃で1時間追加加熱して、形成したパターンをSEM(走査電子顕微鏡)で形状を観察した。
追加加熱により、パターン形状が矩形形状からドーム形状にメルトフローした場合、パターン形状の熱安定性が不良と判断した。良好な場合「○」、不良の場合「×」と標記した。
[パターンのITO密着性の評価]
耐光性の評価でシリコン基板に換えてITO付基板を用いた以外は、上記と同様の操作により硬化膜を形成し、プレッシャークッカー試験(120℃、湿度100%、4時間)を行った。その後、「JIS K−5400−1990の8.5.3付着性碁盤目テープ法」を行い、碁盤目100個中で残った碁盤目の数を求め、硬化膜のITO密着性を評価した。碁盤目100個中で残った碁盤目の数が80個以下の場合に、ITO密着性は不良と判断できる。残った碁盤目の数を表2に記載した。
In the evaluation of light resistance, patterning of the cured film to be formed is unnecessary, and therefore the development process was omitted, and only the coating film forming process, the light resistance test, and the heating process were performed for evaluation.
[Evaluation of transmittance]
A coating film was formed on a silicon substrate in the same manner as the light resistance evaluation. This silicon substrate was heated in a clean oven at 220 ° C. for 1 hour to form a cured film. About each obtained cured film, the transmittance | permeability in wavelength 400nm was measured and evaluated using the spectrophotometer ("150-20 type double beam" by Hitachi, Ltd.). At this time, if it is less than 90%, it can be said that the transparency is poor.
[Voltage holding ratio (%)]
After spin-coating each radiation-sensitive resin composition on a soda glass substrate on which a SiO2 film for preventing elution of sodium ions is formed on the surface, and an ITO (indium-tin oxide alloy) electrode is deposited in a predetermined shape The film was pre-baked for 10 minutes in a clean oven at 90 ° C. to form a coating film having a thickness of 2.0 μm. Next, the coating film was exposed at an exposure amount of 500 J / m 2 without using a photomask. Thereafter, the substrate is immersed in a developer composed of a 0.04 mass% potassium hydroxide aqueous solution at 23 ° C. for 1 minute, developed, washed with ultrapure water, air-dried, and further post-treated at 230 ° C. for 30 minutes. Baking was performed and the coating film was cured to form a permanent cured film. Next, the substrate on which this pixel is formed and the substrate on which the ITO electrode is simply deposited in a predetermined shape are bonded together with a sealant mixed with 0.8 mm glass beads, and then Merck liquid crystal (MLC6608) is injected. A liquid crystal cell was produced. Next, the liquid crystal cell was placed in a constant temperature bath at 60 ° C., and the voltage holding ratio of the liquid crystal cell was measured by a liquid crystal voltage holding ratio measuring system (VHR-1A type, Toyo Corporation). The applied voltage at this time is a square wave of 5.5 V, and the measurement frequency is 60 Hz. Here, the voltage holding ratio is a value of (liquid crystal cell potential difference after 16.7 milliseconds / voltage applied at 0 milliseconds). If the voltage holding ratio of the liquid crystal cell is 90% or less, it means that the liquid crystal cell cannot hold the applied voltage at a predetermined level for a time of 16.7 milliseconds, and the liquid crystal cannot be sufficiently aligned. There is a high risk of causing “burn-in”.
[Evaluation observation of thermal stability of pattern shape]
The substrate on which the pattern formed by the sensitivity evaluation was formed was additionally heated in a clean oven at 230 ° C. for 1 hour, and the shape of the formed pattern was observed with an SEM (scanning electron microscope).
When the pattern shape melt-flowed from the rectangular shape to the dome shape by additional heating, the thermal stability of the pattern shape was judged to be poor. When it was good, it was marked with “◯”, and when it was bad, it was marked with “x”.
[Evaluation of ITO adhesion of pattern]
A cured film was formed by the same operation as described above except that an ITO-attached substrate was used instead of the silicon substrate in the light resistance evaluation, and a pressure cooker test (120 ° C., humidity 100%, 4 hours) was performed. Thereafter, “JIS K-5400-1990, 8.5.3 Adhesive cross-cut tape method” was performed to determine the number of cross-cuts remaining in 100 cross-cuts, and the ITO adhesion of the cured film was evaluated. When the number of grids remaining in 100 grids is 80 or less, it can be determined that the ITO adhesion is poor. The number of remaining grids is shown in Table 2.
表2の結果から明らかなように、当該ネガ型感放射線性樹脂組成物は、解像度、感度でパターン形成が可能であり、硬化膜として評価した場合、透過率、耐光性、電圧保持率、パターン形状の熱安定性、ITO密着性を有することがわかった。
As is clear from the results in Table 2, the negative radiation-sensitive resin composition can be patterned with resolution and sensitivity, and when evaluated as a cured film, transmittance, light resistance, voltage holding ratio, pattern It was found to have thermal stability of the shape and ITO adhesion.
Claims (7)
[B]下記式(1)で示されるオキシムスルホネート構造を有する化合物及び下記式(2)で示されるナフタルイミド構造を有する化合物から選ばれるすくなくとも一種である非イオン性光酸発生剤、並びに
[C]酸架橋剤を含有するネガ型感放射線性樹脂組成物。
(式(1)中、R1は、アルキル基、脂環式炭化水素基、アリール基、又はこれらのアルキル基、脂環式炭化水素基及びアリール基が有する水素原子の一部又は全部が置換基で置換された基である。)
(式(2)中、R18及びR21〜R23は、水素原子である。R19及びR20の一方は、直鎖状又は分岐状の炭素数4〜18のアルコキシ基、このアルコキシ基の酸素原子に隣接しない任意位置のメチレン基が−C(=O)−基で置換された基、上記アルコキシ基がナフタレン環に近いほうから−O−C(=O)−結合若しくは−OC(=O)−NH−結合で中断された基、炭素数4〜18の直鎖状若しくは分岐状のアルキルチオ基、このアルキルチオ基の硫黄原子に隣接しない任意位置のメチレン基が−C(=O)−基で置換された基、上記アルキルチオ基がナフタレン環に近いほうから−O−C(=O)−結合若しくは−OC(=O)−NH−結合で中断された基、又は下記式(3)で表される基である。但し、R19及びR20のアルコキシ基及びアルキルチオ基が有する水素原子の一部又は全部は、脂環式炭化水素基、複素環基又はハロゲン原子で置換されてもよい。R19及びR20の他方は、水素原子である。R24は、非置換の炭素数1〜18の脂肪族炭化水素基、非置換の炭素数1〜18の直鎖状又は分岐状のアルキル基、非置換の炭素数3〜18の脂環式炭化水素基、非置換の炭素数6〜20のアリール基、非置換の炭素数7〜20のアリールアルキル基、非置換の炭素数7〜20のアルキルアリール基、10−カンファーイル基、又は下記式(4)で表される基である。)
(式(3)中、R25は、炭素数1〜12の2価の炭化水素基である。R26は、炭素数1〜4のアルカンジイル基である。R27は、水素原子、炭素数1〜4の直鎖状若しくは分岐状のアルキル基、又は炭素数3〜10の1価の脂環式炭化水素基若しくは1価の複素環基である。Y1は、酸素原子又は硫黄原子である。Y2は、単結合又は炭素数1〜4のアルカンジイル基である。gは、0〜5の整数である。)
(式(4)中、R28は、炭素数2〜6のアルカンジイル基、炭素数6〜20のアリーレン基である。R29は、単結合、炭素数2〜6のアルカンジイル基、炭素数6〜20のアリーレン基である。R30は、直鎖状若しくは分岐状の炭素数1〜18のアルキル基、炭素数3〜12の1価の脂環式炭化水素基、炭素数6〜20のアリール基、炭素数7〜20のアリールアルキル基である。Y3は、単結合又は炭素数1〜4のアルカンジイル基である。h及びiは、一方が1であり、他方が0又は1である。) [A] Crosslinkable group which is at least one selected from the group consisting of structural unit (I) containing phenolic hydroxyl group and (meth) acryloyl group, vinyl group, oxiranyl group and oxetanyl group in the same or different polymers A polymer component comprising a structural unit (II) containing a structural unit (III) containing a carboxyl group,
[B] A nonionic photoacid generator which is at least one selected from a compound having an oxime sulfonate structure represented by the following formula (1) and a compound having a naphthalimide structure represented by the following formula (2); A negative radiation-sensitive resin composition containing an acid crosslinking agent.
(In Formula (1), R1 is an alkyl group, an alicyclic hydrocarbon group, an aryl group, or a part or all of the hydrogen atoms of these alkyl groups, alicyclic hydrocarbon groups, and aryl groups are substituents. A group substituted with
(In Formula (2), R18 and R21 to R23 are hydrogen atoms. One of R19 and R20 is a linear or branched alkoxy group having 4 to 18 carbon atoms, adjacent to the oxygen atom of this alkoxy group. A group in which the methylene group at any position is substituted with a —C (═O) — group, and the above alkoxy group is closer to the naphthalene ring from the —O—C (═O) — bond or —OC (═O) —NH -A group interrupted by a bond, a linear or branched alkylthio group having 4 to 18 carbon atoms, or a methylene group at any position not adjacent to the sulfur atom of the alkylthio group is substituted with a -C (= O)-group. A group interrupted by an —O—C (═O) — bond or —OC (═O) —NH— bond from the side closer to the naphthalene ring, or the following formula (3): A group of R19 and R20 Some or all of the hydrogen atoms of the ruxoxy group and the alkylthio group may be substituted with an alicyclic hydrocarbon group, a heterocyclic group or a halogen atom, and the other of R19 and R20 is a hydrogen atom. An unsubstituted aliphatic hydrocarbon group having 1 to 18 carbon atoms, an unsubstituted linear or branched alkyl group having 1 to 18 carbon atoms, and an unsubstituted alicyclic hydrocarbon group having 3 to 18 carbon atoms An unsubstituted aryl group having 6 to 20 carbon atoms, an unsubstituted arylalkyl group having 7 to 20 carbon atoms, an unsubstituted alkylaryl group having 7 to 20 carbon atoms, a 10-camphoryl group, or the following formula (4 ).
(In Formula (3), R25 is a C1-C12 divalent hydrocarbon group. R26 is a C1-C4 alkanediyl group. R27 is a hydrogen atom, C1-C1. 4 a linear or branched alkyl group, a monovalent alicyclic hydrocarbon group or a monovalent heterocyclic group having 3 to 10 carbon atoms, and Y1 is an oxygen atom or a sulfur atom. Is a single bond or an alkanediyl group having 1 to 4 carbon atoms, and g is an integer of 0 to 5.)
(In Formula (4), R28 is an alkanediyl group having 2 to 6 carbon atoms and an arylene group having 6 to 20 carbon atoms. R29 is a single bond, an alkanediyl group having 2 to 6 carbon atoms, and 6 carbon atoms. R30 is a linear or branched alkyl group having 1 to 18 carbon atoms, a monovalent alicyclic hydrocarbon group having 3 to 12 carbon atoms, or an aryl having 6 to 20 carbon atoms. Group is an arylalkyl group having 7 to 20 carbon atoms, Y3 is a single bond or an alkanediyl group having 1 to 4 carbon atoms, and one of h and i is 1 and the other is 0 or 1. .)
(式(5)中、R2は、水素原子、炭素数1から6のアルキル基を示す。mは、1から3の整数である。) The negative radiation-sensitive resin composition according to claim 1, wherein the [C] acid crosslinking agent has a structure represented by the following formula (5).
(In Formula (5), R2 represents a hydrogen atom or an alkyl group having 1 to 6 carbon atoms. M is an integer of 1 to 3.)
(式(6)中、Xは直接結合、−COO−または−CONH−であり、R3は直接結合、メチレン基、炭素数2から6のアルキレン基を示し、R4は、水素原子、炭素数1から6のアルキル基、炭素数1から6のフルオロアルキル基、炭素数1から6のアルコキシ基、ハロゲンを示す。nは1から4の整数である。) The negative radiation-sensitive radiation according to any one of claims 1 to 2 , wherein the structural unit (I) containing the phenolic hydroxyl group of the [A] polymer is a structural unit represented by the following formula (6). Resin composition.
(In the formula (6), X represents a direct bond, —COO— or —CONH—, R 3 represents a direct bond, a methylene group, or an alkylene group having 2 to 6 carbon atoms, and R 4 represents a hydrogen atom or 1 carbon atom. An alkyl group having 1 to 6 carbon atoms, a fluoroalkyl group having 1 to 6 carbon atoms, an alkoxy group having 1 to 6 carbon atoms, and a halogen, n is an integer from 1 to 4.)
(2)上記塗膜の少なくとも一部に放射線を照射する工程、
(3)上記放射線が照射された塗膜を現像する工程、及び
(4)上記現像された塗膜を加熱する工程
を有する硬化膜の形成方法。 (1) The process of forming a coating film on a board | substrate using the negative radiation sensitive resin composition of any one of Claims 1-5 ,
(2) A step of irradiating at least a part of the coating film with radiation,
(3) The process of developing the coating film irradiated with the said radiation, (4) The formation method of the cured film which has the process of heating the said developed coating film.
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