KR20140102091A - Apparatus for ablation of carrier substrate and method for ablation of carrier substrate - Google Patents

Apparatus for ablation of carrier substrate and method for ablation of carrier substrate Download PDF

Info

Publication number
KR20140102091A
KR20140102091A KR1020130015536A KR20130015536A KR20140102091A KR 20140102091 A KR20140102091 A KR 20140102091A KR 1020130015536 A KR1020130015536 A KR 1020130015536A KR 20130015536 A KR20130015536 A KR 20130015536A KR 20140102091 A KR20140102091 A KR 20140102091A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
light
carrier substrate
stage
display device
light source
Prior art date
Application number
KR1020130015536A
Other languages
Korean (ko)
Inventor
손정락
Original Assignee
삼성디스플레이 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 삼성디스플레이 주식회사 filed Critical 삼성디스플레이 주식회사
Priority to KR1020130015536A priority Critical patent/KR20140102091A/en
Publication of KR20140102091A publication Critical patent/KR20140102091A/en

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02002Preparing wafers
    • H01L21/02005Preparing bulk and homogeneous wafers
    • H01L21/02008Multistep processes
    • H01L21/0201Specific process step
    • H01L21/02016Backside treatment
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/6835Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2221/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof covered by H01L21/00
    • H01L2221/67Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L2221/683Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L2221/68304Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
    • H01L2221/68318Auxiliary support including means facilitating the separation of a device or wafer from the auxiliary support
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2221/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof covered by H01L21/00
    • H01L2221/67Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L2221/683Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L2221/68304Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
    • H01L2221/68381Details of chemical or physical process used for separating the auxiliary support from a device or wafer

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)
  • Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)

Abstract

The present invention provides an apparatus for ablating a carrier substrate which includes: a stage on which a display device with the carrier substrate is located and which moves in a first direction; a light source which emits light to the stage; and a light receiving unit which is located on the stage, moves in an opposite direction to the first direction, and receives light passing through the carrier substrate in real time.

Description

캐리어 기판의 박리 장치 및 캐리어 기판의 박리 방법 {Apparatus for ablation of carrier substrate and method for ablation of carrier substrate }BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a carrier substrate,

본 발명은 캐리어 기판의 박리 장치 및 캐리어 기판의 박리 방법에 관한 것이다.The present invention relates to a carrier substrate peeling apparatus and a carrier substrate peeling method.

근래에 표시 장치는 휴대성과 대화면의 특성을 가질 수 있는 박형의 평판 표시 장치로 대체되는 추세이다. 평판 표시 장치 중에서도, 자발광형 표시 장치인 유기 또는 무기 발광 표시 장치는 시야각이 넓고 콘트라스트가 우수할 뿐만 아니라 응답속도가 빠르다는 장점을 가지므로 차세대 표시 장치로 주목 받고 있다. 또한, 발광층의 형성 물질이 유기물로 구성되는 유기 발광 표시 장치는 무기 발광 표시 장치에 비해 휘도, 구동 전압 및 응답속도 특성이 우수하고 컬러 영상의 구현이 가능하다는 장점을 가지고 있다. 이러한 유기 발광 디스플레이 장치는 유연성이 우수한 플라스틱 기판을 이용하여 플렉서블하게 구현할 수 있다.In recent years, the display device has been replaced by a thin flat panel display capable of having characteristics of portability and a large screen. Of the flat panel display devices, the organic or inorganic light emitting display device, which is a self-light emitting display device, has a wide viewing angle, excellent contrast, and fast response speed, and has been attracting attention as a next generation display device. In addition, the organic light emitting display device in which the material for forming the light emitting layer is made of an organic material has an advantage of being superior in luminance, driving voltage, and response speed characteristics, and capable of realizing color images, compared with inorganic light emitting display devices. Such an organic light emitting display device can be flexibly implemented using a plastic substrate having excellent flexibility.

다만, 플라스틱 기판은 유연성이 크므로, 플라스틱 기판은 평판 표시 장치 제조 공정 중에 지지되어야 한다. 따라서, 글라스(Glass) 재질로 형성된 캐리어 기판 상에 플라스틱 기판을 형성한 후, 평판 표시 장치 제조 공정을 진행한 다음, 레이저를 조사하여 캐리어 기판을 탈착한다.However, since the plastic substrate is highly flexible, the plastic substrate must be supported during the manufacturing process of the flat panel display device. Therefore, after a plastic substrate is formed on a carrier substrate formed of a glass material, the manufacturing process of the flat panel display device is performed, and then the carrier substrate is detached by irradiating a laser.

한편, 캐리어 기판의 탈착를 위해 레이저를 조사할 때, 레이저의 에너지가 너무 센 경우는 캐리어 기판과 플라스틱 기판 사이의 계면에 그을음 등이 발생되고, 이는 후속공정 설비들을 오염시킬 수 있다. 반면에, 레이저의 에너지가 너무 약한 경우는 캐리어 기판의 미탈착이 발생할 수 있다. 그러나, 이러한 불량은 캐리어 기판을 탈착한 후에 확인할 수 밖에 없는 바, 평판 표시 장치 제조 공정의 불량율을 증가시킬 수 있다.On the other hand, when the laser is irradiated for detachment of the carrier substrate, if the energy of the laser is too high, soot or the like may be generated at the interface between the carrier substrate and the plastic substrate, which may contaminate the subsequent processing facilities. On the other hand, if the energy of the laser is too weak, the detachment of the carrier substrate may occur. However, such defects can not be confirmed after detachment of the carrier substrate, so that the defective rate of the flat panel display device manufacturing process can be increased.

본 발명은 캐리어 기판을 정상 탈착할 수 있는 캐리어 기판의 박리 장치, 및 캐리어 기판의 박리 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다. SUMMARY OF THE INVENTION It is an object of the present invention to provide a carrier substrate peeling apparatus capable of normally attaching and detaching a carrier substrate, and a carrier substrate peeling method.

상기 목적을 달성하기 위한 본 발명의 일 실시예에 따르면, 캐리어 기판이 부착된 표시 장치가 위치하며 제1방향으로 이동하는 스테이지; 상기 스테이지를 향하여 광을 조사하는 광원부; 및 상기 스테이지에 위치하며 제1방향과 반대 방향으로 이동하면서 실시간으로 상기 캐리어 기판을 투과한 광을 수광하는 수광부; 를 포함하는, 캐리어 기판의 박리 장치를 제공한다. According to an aspect of the present invention, there is provided a display device including a stage in which a display device with a carrier substrate is positioned and moves in a first direction; A light source for emitting light toward the stage; And a light receiving unit positioned in the stage and moving in a direction opposite to the first direction and receiving light transmitted through the carrier substrate in real time; And a peeling device for peeling off the carrier substrate.

상기 스테이지의 이동 속도의 절대값과 상기 수광부의 이동 속도의 절대값이 일치한다. The absolute value of the moving speed of the stage coincides with the absolute value of the moving speed of the light receiving unit.

상기 수광부는 상기 스테이지의 일 가장자리를 따라 이동한다. The light receiving unit moves along one edge of the stage.

상기 광원부는 라인 빔 형태의 광을 상기 스테이지로 조사하며, 상기 라인 빔 형태의 광의 폭은 상기 표시 장치의 폭보다 크다.The light source unit emits light in the form of a line beam to the stage, and the width of the light in the form of the line beam is larger than the width of the display device.

상기 수광부는 상기 라인 빔 형태의 광 중에서 상기 캐리어 기판을 투과한 광을 선별하여 수광한다.The light receiving unit selectively receives the light transmitted through the carrier substrate from the light in the form of a line beam.

상기 광원부에서 조사되는 광 및 상기 수광부에서 수광한 광으로부터 실시간으로 상기 캐리어 기판의 투과율을 계산하는 제어부; 를 더 포함한다.A control unit for calculating the transmittance of the carrier substrate in real time from the light emitted from the light source unit and the light received by the light receiving unit; .

상기 제어부는 계산부에서 도출된 상기 캐리어 기판의 투과율에 따라 실시간으로 상기 캐리어 기판을 박리하기 위한 광을 조사하도록 상기 광원부를 제어한다.The control unit controls the light source unit to emit light for separating the carrier substrate in real time according to the transmittance of the carrier substrate derived from the calculation unit.

상기 목적을 달성하기 위한 본 발명의 일 실시예에 따르면, 스테이지 상에 캐리어 기판이 부착된 표시 장치를 위치시키는 단계; 광원부가 스테이지로 광을 조사하고 상기 스테이지가 제1방향으로 이동하는 단계; 및 상기 스테이지가 제1방향으로 이동할 때, 상기 스테이지에 위치하는 수광부가 상기 제1방향과 반대 방향으로 이동하면서 실시간으로 상기 캐리어 기판을 투과한 광을 수광하는 단계; 를 포함하는 캐리어 기판의 박리 방법을 제공한다. According to an aspect of the present invention, there is provided a method of manufacturing a display device, the method comprising: positioning a display device having a carrier substrate on a stage; The light source irradiates light onto the stage and the stage moves in a first direction; And receiving light transmitted through the carrier substrate in real time while the light receiving unit located on the stage moves in a direction opposite to the first direction when the stage moves in the first direction; The present invention also provides a method for peeling a carrier substrate.

상기 스테이지의 이동 속도의 절대값과 상기 수광부의 이동 속도의 절대값이 일치한다.The absolute value of the moving speed of the stage coincides with the absolute value of the moving speed of the light receiving unit.

상기 광원부가 조사하는 광은 라인 빔 형태의 광이며, 상기 광의 폭은 상기 표시 장치의 폭 보다 크다.The light irradiated by the light source part is light in the form of a line beam, and the width of the light is larger than the width of the display device.

상기 수광부는 상기 라인 빔 형태의 광 중에서 상기 캐리어 기판을 투과한 광을 선별하여 수광한다.The light receiving unit selectively receives the light transmitted through the carrier substrate from the light in the form of a line beam.

상기 광원부에서 조사되는 광 및 상기 수광부에서 수광한 광으로부터 실시간으로 상기 캐리어 기판의 투과율을 계산하는 단계; 및 계산된 상기 캐리어 기판의 투과율에 따라 실시간으로 상기 캐리어 기판을 박리하기 위한 광을 조사하여 상기 캐리어 기판을 박리하는 단계; 를 더 포함한다.Calculating a transmittance of the carrier substrate in real time from the light emitted from the light source unit and the light received by the light receiving unit; And peeling the carrier substrate by irradiating light to peel off the carrier substrate in real time according to the calculated transmittance of the carrier substrate; .

본 발명의 일 실시예에 따르면, 광의 조사 위치에 따라 실시간으로 측정된 캐리어 기판의 투과율에 대응하여 정상 탈착이 가능한 광을 결정함으로써, 캐리어 기판의 탈착 불량률을 감소시킬 수 있다. According to an embodiment of the present invention, it is possible to reduce the desorption defect rate of the carrier substrate by determining light that can be normally attached and detached in correspondence with the transmittance of the carrier substrate measured in real time according to the light irradiation position.

도 1 내지 도 3은 본 발명의 일 실시예에 의한 표시 장치(1)의 제조 방법을 개략적으로 도시한 것이다.
도 4는 도 3의 Ⅳ-Ⅳ선의 단면을 개략적으로 도시한 것이다.
도 5는 본 발명의 일 실시예에 따른 캐리어 기판의 박리(ablation) 장치(200)를 개략적으로 도시한 것이다.
도 6 내지 도 8 은 도 5의 캐리어 기판 박리 장치(200)를 사용하여 캐리어 기판(100)을 박리하는 방법을 개략적으로 도시한 것이다.
도 9 및 도 10은 도 1 내지 도 3에 이어서, 본 발명의 일 실시예에 의한 표시 장치(1)의 제조 방법을 개략적으로 도시한 것이다.
1 to 3 schematically show a manufacturing method of a display device 1 according to an embodiment of the present invention.
Fig. 4 schematically shows a cross section taken along the line IV-IV in Fig.
5 schematically shows an ablation apparatus 200 of a carrier substrate according to an embodiment of the present invention.
FIGS. 6 to 8 schematically show a method of peeling the carrier substrate 100 using the carrier substrate peeling apparatus 200 of FIG.
Figs. 9 and 10 schematically show a manufacturing method of a display device 1 according to an embodiment of the present invention, following Figs. 1 to 3. Fig.

이하에서는 도면을 참조하여 본 발명의 보다 상세하게 설명한다.Hereinafter, the present invention will be described in more detail with reference to the drawings.

이하의 도면에서, 각 구성요소는 설명의 편의 및 명확성을 위하여 과장되거나 생략되거나 또는 개략적으로 도시되었으며, 각 구성요소의 크기는 실제크기를 전적으로 반영하는 것은 아니다. In the following drawings, each component is exaggerated, omitted, or schematically shown for convenience and clarity of explanation, and the size of each component does not entirely reflect the actual size.

또한, 각 구성요소의 설명에 있어서, “제1” 및 “제2” 등의 용어는 하나의 구성요소를 다른 구성요소로부터 구별하는 목적으로 사용한 것이며, 구성 요소들이 이러한 용어에 의해 한정되는 것은 아니다. In addition, in the description of each constituent element, terms such as " first " and " second " are used for the purpose of distinguishing one constituent element from another constituent element, and the constituent elements are not limited thereto .

또한, 각 구성요소의 설명에 있어서 “위에”, “상에”, “아래에”, “하에” 있다고 할 때, 이는 다른 부분의 바로 위에 있는 경우뿐만 아니라 다른 구성 요소를 개재하여 있는 것도 포함하며, 상하의 기준으 도면을 기준으로 설명한다. In addition, in the description of each element, when it is referred to as being "above", "above", "below", and "under", this includes not only the case immediately above another element but also the presence of another element , The upper and lower standards will be described with reference to drawings.

본 명세서 전반적으로 동일 또는 유사한 구성 요소에 대해서는 동일한 식별 부호를 사용한다. The same reference numerals are used throughout the specification for the same or similar components.

도 1 내지 도 3은 본 발명의 일 실시예에 의한 표시 장치(1)의 제조 방법을 개략적으로 도시한 것이다. 도 4는 도 3의 Ⅳ-Ⅳ선의 단면을 개략적으로 도시한 것이다. 1 to 3 schematically show a manufacturing method of a display device 1 according to an embodiment of the present invention. Fig. 4 schematically shows a cross section taken along the line IV-IV in Fig.

도 1 내지 도 4에서는 표시 장치(1)에 포함된 하나의 박막 트랜지스터(TFT) 및 하나의 유기 발광 소자(OLED) 만을 도시하였으나, 표시 장치(1)에는 이러한 박막 트랜지스터 및 유기 발광 소자가 복수개 배열되어 있다. 또한, 표시 장치(1)는 도시되지 않은 커패시터, 복수의 배선 등을 더 포함한다. 1 to 4 show only one thin film transistor (TFT) and one organic light emitting device OLED included in the display device 1, a plurality of such thin film transistors and organic light emitting devices are arranged in the display device 1 . The display device 1 further includes a capacitor (not shown), a plurality of wirings, and the like.

먼저, 캐리어 기판(100)을 준비한다. 캐리어 기판(100)은 본 발명의 표시 장치(1)를 제조하는 과정에서 지지체 역할을 할 수 있도록 경성(rigid) 소재로 된다. 캐리어 기판(100)은 이 후 탈착 공정에서 광의 투과가 가능해야 하므로 투명한 재료를 사용한다. 예컨대, 캐리어 기판(100)은 SiO2를 주성분으로 하는 유리(glass)로 이루어질 수 있다. 이 외에도 캐리어 기판(100)은 붕규산 유리(borosilicate glass), 용융 실리카 유리(fused silica glass) 및 석영유리(quartz glass) 중 적어도 하나 이상으로 이루어질 수 있다. First, the carrier substrate 100 is prepared. The carrier substrate 100 is made of a rigid material so as to serve as a support in the process of manufacturing the display device 1 of the present invention. Since the carrier substrate 100 must be able to transmit light thereafter in a desorption process, a transparent material is used. For example, the carrier substrate 100 may be made of glass containing SiO 2 as a main component. In addition, the carrier substrate 100 may include at least one of borosilicate glass, fused silica glass, and quartz glass.

다음으로, 캐리어 기판(100) 상에 표시 장치(1)를 형성한다. 표시 장치는 하부 기판과 하부 기판 상에 형성된 박막 트랜지스터 어레이(TFT array), 및 유기 발광 소자(OLED)를 포함한다. 한편, 표시 장치(1)는 유기 발광 소자(OLED)를 밀봉하는 밀봉 필름(30)을 더 포함한다. 이하에서는 캐리어 기판(100) 상에 표시 장치(1)를 형성하는 과정을 상세히 설명한다. Next, the display device 1 is formed on the carrier substrate 100. Next, The display device includes a thin film transistor array (TFT array) formed on a lower substrate and a lower substrate, and an organic light emitting diode (OLED). On the other hand, the display device 1 further includes a sealing film 30 sealing the organic light emitting element OLED. Hereinafter, the process of forming the display device 1 on the carrier substrate 100 will be described in detail.

먼저, 캐리어 기판(100) 상에 플라스틱 기판(10)을 형성한다. 플라스틱 기판(10)은 종래 글라스재 기판에 비하여 비중이 작아 가볍고, 곡면 구현이 가능한 특성을 가진 플라스틱 재질로 형성될 수 있다. 예컨대, 플라스틱 기판(10)은 LTPS(Low temperature poly silicon) 제조 공정과 같이 고온의 공정을 견디기 위해 내열성이 우수한 동시에 필름 형태로 가공하였을 때 유연성이 있는 폴리이미드(polyimide)로 형성될 수 있다. 플라스틱 기판(10)은 캐리어 기판(100) 상에 폴리이미드 용액을 슬릿 코팅(slit coating) 방식으로 형성한 후 경화하여 제조한다. First, a plastic substrate 10 is formed on a carrier substrate 100. The plastic substrate 10 may be formed of a plastic material having a specific gravity smaller than that of a conventional glass substrate and being light and capable of realizing a curved surface. For example, the plastic substrate 10 may be formed of polyimide having excellent heat resistance to withstand a high temperature process such as LTPS (low temperature poly silicon) manufacturing process and having flexibility when processed into a film form. The plastic substrate 10 is manufactured by forming a polyimide solution on a carrier substrate 100 by a slit coating method and curing the polyimide solution.

한편, 캐리어 기판(100)은 플라스틱 기판(10)보다 그 넓이가 큰 것을 특징으로 한다. 예컨대, 캐리어 기판(100)은 플라스틱 기판(10)의 전면과 중첩되며, 플라스틱 기판(10)의 적어도 일 변에 대하여 돌출될 수 있다. 그래야만, 이 후 본 발명에 의한 캐리어 기판의 박리 장치(200)를 이용하여 캐리어 기판(100)을 박리하는 것과 동시에 실시간으로 캐리어 기판(100)의 투과율을 측정할 수 있다. On the other hand, the carrier substrate 100 has a larger area than the plastic substrate 10. For example, the carrier substrate 100 may overlap the front surface of the plastic substrate 10 and may protrude from at least one side of the plastic substrate 10. Then, the carrier substrate 100 can be peeled off using the carrier substrate peeling apparatus 200 according to the present invention, and the transmittance of the carrier substrate 100 can be measured in real time.

플라스틱 기판(10) 상면에는 평활성을 주고 불순 원소의 침투를 차단하기 위하여 버퍼층(11)이 형성될 수 있다. 버퍼층(11)은 SiO2 및/또는 SiNx 등을 사용하여 PECVD(plasma enhanced chemical vapor deosition)법, APCVD(atmospheric pressure CVD)법, LPCVD(low pressure CVD)법 등 다양한 증착 방법에 의해 증착될 수 있다.The buffer layer 11 may be formed on the upper surface of the plastic substrate 10 to provide smoothness and prevent penetration of impurities. The buffer layer 11 can be deposited by various deposition methods such as plasma enhanced chemical vapor deposition (PECVD), atmospheric pressure CVD (APCVD), and low pressure CVD (LPCVD) using SiO2 and / or SiNx.

버퍼층(11) 상에는 박막 트랜지스터(TFT)가 형성된다. 박막 트랜지스터(TFT)는 유기 발광 소자(OLED)에 전기적으로 연결되어 유기 발광 소자(OLED)를 구동한다. 도 2는 일 예로, 박막 트랜지스터(TFT)가 탑 게이트 방식(top gate type)이고, 활성층(12), 게이트 전극(14) 및 소스/드레인전극(161, 162)을 순차적으로 포함하는 것을 도시하나, 본 발명은 이에 한하지 않고, 바텀 게이트 방식(bottom gate type) 등의 다양한 방식의 박막 트랜지스터가 채용될 수 있다.On the buffer layer 11, a thin film transistor (TFT) is formed. The thin film transistor TFT is electrically connected to the organic light emitting device OLED to drive the organic light emitting device OLED. 2 shows an example in which a thin film transistor (TFT) is a top gate type and sequentially includes an active layer 12, a gate electrode 14, and source / drain electrodes 161 and 162 The present invention is not limited to this, and various types of thin film transistors such as a bottom gate type may be employed.

활성층(12)은 버퍼층(11) 상에 형성된다. 활성층(12)은 비정질 실리콘, 결정질 실리콘, 인듐(In), 갈륨(Ga), 주석(Sn), 아연(Zn), 하프늄(Hf) 등을 포함하는 산화물 반도체, 또는 유기물 반도체 등의 재료로 형성될 수 있다. 활성층(12)은 소스 전극(161) 및 드레인(162) 전극이 각각 접촉하는 소스 영역(121) 및 드레인 영역(122)과 그 사이의 채널 영역(123)을 포함한다. 필요에 따라, 활성층(12)의 가장자리의 소스 영역(121) 및 드레인 영역(122)에 불순물을 도핑할 수도 있다The active layer 12 is formed on the buffer layer 11. The active layer 12 is formed of a material such as an oxide semiconductor including an amorphous silicon, a crystalline silicon, indium (In), gallium (Ga), tin (Sn), zinc (Zn), hafnium . The active layer 12 includes a source region 121 and a drain region 122 in contact with the source electrode 161 and the drain electrode 162 respectively and a channel region 123 therebetween. If necessary, the source region 121 and the drain region 122 at the edge of the active layer 12 may be doped with impurities

게이트 절연막(13)은 활성층(12) 상에 형성되며, SiO2, SiNx 등의 무기 물질로 이루어진 막이 다층 또는 단층으로 형성될 수 있다. 게이트 절연막(13) 상부의 소정 영역에는 게이트 전극(14)이 형성된다. 게이트 전극(14)은 박막 트랜지스터의 온/오프 신호를 인가하는 게이트 라인(미도시)과 연결되어 있다.The gate insulating film 13 is formed on the active layer 12, and a film made of an inorganic material such as SiO 2 , SiNx, or the like can be formed as a multilayer or single layer. A gate electrode 14 is formed in a predetermined region above the gate insulating film 13. The gate electrode 14 is connected to a gate line (not shown) for applying on / off signals of the thin film transistor.

게이트 전극(14)의 상부로는 층간 절연막(15)이 형성되고, 컨택홀을 통하여 소스 전극 및 드레인 전극(161, 162)이 각각 활성층(12)의 소스 영역(121) 및 드레인 영역(122)에 접하도록 형성된다. 이렇게 형성된 박막 트랜지스터(TFT)는 패시베이션막(17)으로 덮여 보호된다.An interlayer insulating film 15 is formed on the gate electrode 14 and source and drain electrodes 161 and 162 are connected to the source region 121 and the drain region 122 of the active layer 12 through contact holes, As shown in FIG. The thus formed thin film transistor (TFT) is covered with a passivation film 17 and protected.

패시베이션막(17)은 무기 물질 및/또는 유기 물질로 이루어진 막이 단층 또는 다층으로 형성될 수 있다. 무기 물질로는 SiO2, SiNx, SiON, Al2O3, TiO2, Ta2O5, HfO2, ZrO2, barium strontium titanate (BST), or lead zirconate titanate (PZT) 등이 포함되도록 할 수 있고, 유기 물질로는 Polymethylmethacrylate(PMMA)나, Polystylene(PS)과 같은 일반 범용고분자, 페놀계 그룹을 갖는 고분자 유도체, 아크릴계 고분자, 이미드계 고분자, 아릴에테르계 고분자, 아마이드계 고분자, 불소계고분자, p-자일렌계 고분자, 비닐알콜계 고분자 및 이들의 블렌드 등이 포함되도록 할 수 있다. 또한, 패시베이션막(17)은 무기 절연막과 유기 절연막의 복합 적층체로도 형성될 수 있다.The passivation film 17 may be formed of a single layer or a multilayer of a film made of an inorganic material and / or an organic material. Inorganic substances can be included are SiO 2, SiNx, SiON, Al 2 O 3, TiO 2, Ta 2 O 5, HfO 2, ZrO 2, such as barium strontium titanate (BST), or lead zirconate titanate (PZT) Examples of organic materials include general general polymers such as polymethylmethacrylate (PMMA) and polystyrene (PS), polymer derivatives having a phenolic group, acrylic polymers, imide polymers, arylether polymers, amide polymers, fluoropolymers, p Xylene-based polymers, vinyl alcohol-based polymers, blends thereof, and the like. The passivation film 17 may also be formed of a composite laminate of an inorganic insulating film and an organic insulating film.

패시베이션막(17) 상부에는 유기 발광 소자(OLED)가 구비된다.An organic light emitting diode (OLED) is disposed on the passivation film 17.

유기 발광 소자(OLED)는 패시베이션막(17) 상에 형성된 제1전극(21), 이에 대향되는 제2전극(22) 및 그 사이에 개재되는 중간층(23)을 포함한다. 표시 장치(1)는 발광 방향에 따라 배면 발광 타입(bottom emission type), 전면 발광 타입(top emission type) 및 양면 발광 타입(dual emission type) 등으로 구별되는데, 배면 발광 타입에서는 제1전극(21)이 광투과 전극으로 구비되고 제2전극(22)은 반사 전극으로 구비된다. 전면 발광 타입에서는 제1전극(21)이 반사 전극으로 구비되고 제2전극(22)이 반투과 전극으로 구비된다. The organic light emitting device OLED includes a first electrode 21 formed on a passivation film 17, a second electrode 22 facing the first electrode 21, and an intermediate layer 23 interposed therebetween. The display device 1 may be classified into a bottom emission type, a top emission type, and a dual emission type depending on a light emitting direction. In the bottom emission type, the first electrode 21 ) Is provided as a light transmitting electrode and the second electrode 22 is provided as a reflecting electrode. In the front emission type, the first electrode 21 is provided as a reflective electrode and the second electrode 22 is provided as a transflective electrode.

제1전극(21)이 양극으로 기능하는 경우, 일함수가 높은 ITO, IZO, ZnO, 또는 In2O3 등을 포함할 수 있다. 제1전극(21)은 각 화소에 대응하는 아일랜드 형태로 패터닝되어 형성될 수 있다. 또한 제1전극(21)은 박막 트랜지스터(TFT)의 드레인 전극(162)과 연결되어 전류을 인가받을 수 있다. When the first electrode 21 functions as an anode, ITO, IZO, ZnO, or In 2 O 3 having a high work function may be included. The first electrode 21 may be patterned in an island shape corresponding to each pixel. Also, the first electrode 21 may be connected to the drain electrode 162 of the thin film transistor TFT to receive a current.

한편, 제1전극(21) 상에는 이를 덮는 절연물인 화소 정의막(19)(pixel define layer:PDL)이 형성된다. 화소 정의막(19) 상에 소정의 개구부를 형성한 후, 이 개구부로 한정된 영역에 후술할 중간층(23)이 형성된다. On the other hand, a pixel defining layer (PDL) 19, which is an insulating material covering the first electrode 21, is formed on the first electrode 21. After a predetermined opening is formed on the pixel defining layer 19, an intermediate layer 23 to be described later is formed in a region defined by the opening.

제2전극(22)이 음극으로 기능하는 경우 일함수가 작은 Li, Ca, LiF/Ca, LiF/Al, Al, Mg, Ag 등으로 형성할 수 있다. 있다. 제2전극(22)은 화상이 구현되는 발광 영역 전체에 걸쳐 형성될 수 있다. 또한, 이와 같은 제2전극(22)은 도면에 도시되지 않은 외부 단자와 연결되어 전원을 인가 받을 수 있다. The second electrode 22 may be formed of Li, Ca, LiF / Ca, LiF / Al, Al, Mg, or Ag having a small work function when the second electrode 22 functions as a cathode. have. The second electrode 22 may be formed throughout the light emitting region in which the image is formed. In addition, the second electrode 22 may be connected to an external terminal (not shown) to receive power.

상기와 같은 제1전극(21)과 제2전극(22)은 그 극성이 서로 반대가 되어도 무방하다. The polarities of the first electrode 21 and the second electrode 22 may be opposite to each other.

중간층(23)은 빛을 발광하는 유기 발광층을 포함하며, 유기 발광층은 저분자 유기물 또는 고분자 유기물을 사용할 수 있다. 유기 발광층이 저분자 유기물로 형성된 저분자 유기층인 경우에는 유기 발광층을 중심으로 제1전극(21)의 방향으로 홀 수송층(hole transport layer: HTL) 및 홀 주입층(hole injection layer:HIL)등이 적층되고, 제2전극(22)의 방향으로 전자 수송층(electron transport layer: ETL) 및 전자 주입층(electron injection layer:EIL) 등이 적층된다. 물론, 이들 홀 주입층, 홀 수송층, 전자 수송층, 전자 주입층 외에도 다양한 층들이 필요에 따라 적층되어 형성될 수 있다. The intermediate layer 23 includes an organic light emitting layer that emits light, and the organic light emitting layer may include a low molecular organic material or a polymer organic material. When the organic light emitting layer is a low molecular organic layer formed of a low molecular organic material, a hole transport layer (HTL) and a hole injection layer (HIL) are stacked in the direction of the first electrode 21 around the organic light emitting layer An electron transport layer (ETL) and an electron injection layer (EIL) are stacked in the direction of the second electrode 22. Of course, various layers other than the hole injecting layer, the hole transporting layer, the electron transporting layer, and the electron injecting layer may be stacked as needed.

한편, 상기 유기 발광 소자(OLED)가 풀 컬러 유기 발광 소자(OLED)일 경우, 유기 발광층은 적색 부화소, 녹색 부화소 및 청색 부화소에 따라 각각 적색 발광층, 녹색 발광층 및 청색 발광층으로 패터닝될 수 있다. When the organic light emitting diode OLED is a full color organic light emitting diode (OLED), the organic light emitting layer may be patterned as a red light emitting layer, a green light emitting layer, and a blue light emitting layer according to red subpixels, green subpixels, and blue subpixels, respectively have.

한편, 상술한 실시예에서는 각 화소 별로 별도의 유기 발광층이 형성된 경우를 예로 설명하였다. 이 경우에는 화소 별로 적색, 녹색 및 청색의 광을 각각 방출할 수 있으며, 적색, 녹색 및 청색의 광을 방출하는 화소 그룹이 하나의 단위 화소를 이룰 수 있다. 그러나, 본 발명은 이에 한정되지 않고, 유기 발광층이 화소 전체에 공통으로 형성될 수 있다. 예를 들어, 적색, 녹색, 및 청색의 광을 방출하는 복수의 유기 발광층이 수직으로 적층되거나 혼합되어 형성되어 백색광을 방출할 수 있다. 물론, 백색광을 방출하기 위한 색의 조합은 상술한 바에 한정되지 않는다. 한편, 이 경우 방출된 백색광을 소정의 컬러로 변환하는 색변환층이나 컬러필터가 별도로 구비될 수 있다. Meanwhile, in the above-described embodiment, a case where a separate organic light emitting layer is formed for each pixel has been described as an example. In this case, red, green, and blue light may be emitted individually for each pixel, and a pixel group emitting red, green, and blue light may form one unit pixel. However, the present invention is not limited to this, and an organic light emitting layer may be formed in common throughout the pixel. For example, a plurality of organic light emitting layers emitting red, green, and blue light may be vertically stacked or mixed to form white light. Of course, the combination of colors for emitting white light is not limited to the above. In this case, a color conversion layer or a color filter for converting the emitted white light into a predetermined color may be separately provided.

한편, 유기 발광 소자(OLED)는 밀봉 필름(30)에 의해 밀봉되어 외부의 수분 및 공기 등이 침투하는 것을 방지할 수 있다. 밀봉 필름(30)은 박막(thin film) 형태일 수 있는데, 예를 들어, 실리콘옥사이드(SiOx) 또는 실리콘나이트라이드(SiNx)와 같은 무기물로 이루어진 막과 에폭시, 폴리이미드와 같은 유기물로 이루어진 막이 교대로 성막된 구조를 취할 수 있다. 그러나 이에 한정되지 않고 밀봉 필름(30)은 저융점 유리 (low melting galss)로 이루어진 막을 포함할 수 있다. On the other hand, the organic light emitting device OLED is sealed by the sealing film 30 to prevent moisture and air from entering the OLED. The sealing film 30 may be in the form of a thin film, for example, a film made of an inorganic material such as silicon oxide (SiOx) or silicon nitride (SiNx), and a film made of an organic material such as epoxy or polyimide Can be used. However, the sealing film 30 may include a film made of low melting gals.

다음으로, 밀봉 필름(30) 상에 상부 보호 필름(40)을 형성한다. 상부 보호 필름(40)은 캐리어 기판(1000을 탈착하는 공정 동안 밀봉 필름(30)이 손상되는 것을 방지한다. 상부 보호 필름(40)은 캐리어 기판(100)을 탈착한 후에 제거된다. Next, an upper protective film 40 is formed on the sealing film 30. Then, The upper protective film 40 prevents the sealing film 30 from being damaged during the process of detaching the carrier substrate 1000. The upper protective film 40 is removed after the carrier substrate 100 is detached.

이와 같이 표시 장치(1)가 완성되면, 캐리어 기판(100)을 표시 장치(1)로부터 탈착한다. 캐리어 기판(100)의 탈착은 캐리어 기판(100)을 박리하는 단계 및 박리된 캐리어 기판(100)을 제거하는 단계로 이루어진다. When the display device 1 is thus completed, the carrier substrate 100 is detached from the display device 1. [ The detachment of the carrier substrate 100 consists of peeling the carrier substrate 100 and removing the peeled carrier substrate 100.

캐리어 기판(100)을 박리하는 단계는, 소정의 에너지 밀도(energy density; mJ/cm2)를 갖는 광을 캐리어 기판(100)과 폴리이미드로 이루어진 플라스틱 기판(10)의 계면에 조사한다. 그러면 폴리이미드 고분자가 소정의 에너지 밀도를 가진 광을 흡수함으로써, 고분자 사슬 간의 결합이 깨어지면서 박리(ablation)된다. 이에 의해 플라스틱 기판(10)과 캐리어 기판(100)의 계면에는 박리층(101)이 형성된다. The step of peeling the carrier substrate 100 irradiates light having a predetermined energy density (mJ / cm 2 ) onto the interface between the carrier substrate 100 and the plastic substrate 10 made of polyimide. Then, the polyimide polymer absorbs light having a predetermined energy density, so that the bond between the polymer chains is broken and ablated. Thereby, the release layer 101 is formed on the interface between the plastic substrate 10 and the carrier substrate 100.

본 발명의 일 실시예에 의하면, 캐리어 기판(100)의 탈착시 과탈착 및 미탈착으로 일어나는 불량을 해소하기 위한 캐리어 기판의 박리 장치(200) 및 이러한 캐리어 기판의 박리 장치(200)를 이용한 캐리어 기판의 박리 방법을 개시한다.
According to one embodiment of the present invention, there is provided a carrier substrate peeling apparatus 200 for eliminating defects caused by detachment and detachment / non-detachment of a carrier substrate 100, and a carrier using such a carrier substrate peeling apparatus 200 A method for peeling a substrate is disclosed.

도 5는 본 발명의 일 실시예에 따른 캐리어 기판의 박리(ablation) 장치(200)를 개략적으로 도시한 것이다. 도 6 내지 도 8 은 도 5의 캐리어 기판 박리 장치(200)를 사용하여 캐리어 기판(100)을 박리하는 방법을 개략적으로 도시한 것이다. 5 schematically shows an ablation apparatus 200 of a carrier substrate according to an embodiment of the present invention. FIGS. 6 to 8 schematically show a method of peeling the carrier substrate 100 using the carrier substrate peeling apparatus 200 of FIG.

도 5 를 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 캐리어 기판의 박리 장치(200)는 캐리어 기판(100)이 부착된 표시 장치(1)가 위치하는 스테이지(210), 스테이지(210)를 향해 광을 조사하는 광원부(230), 캐리어 기판(100)을 투과한 광을 수광하는 수광부(220), 캐리어 기판의 투과율을 계산하고 계산된 캐리어 기판(100)의 투과율에 따라 캐리어 기판(100)을 박리하기 위한 광을 조사하도록 광원부(230)를 제어하는 제어부(240)를 포함한다. 한편, 이러한 캐리어 기판의 박리 장치(200)는 챔버(미도시) 안에 배치되어 외기로부터 차단된다. 5, a carrier substrate peeling apparatus 200 according to an embodiment of the present invention includes a stage 210 on which a display device 1 with a carrier substrate 100 is placed, a stage 210 on which a carrier substrate 100 is mounted, A light receiving portion 220 for receiving the light transmitted through the carrier substrate 100 and a light receiving portion 220 for receiving the light transmitted through the carrier substrate 100 according to the calculated transmittance of the carrier substrate 100, And a control unit 240 for controlling the light source unit 230 to emit light for peeling off. On the other hand, such a carrier substrate peeling apparatus 200 is disposed in a chamber (not shown) and is cut off from the outside air.

스테이지(210)는 평평한 상면을 포함하며, 스테이지(210)의 상면에는 캐리어 기판(100)이 부착된 표시 장치(1)가 위치한다. 이 때, 캐리어 기판(100)이 광원부(230)를 향하고, 표시 장치(1)의 상부 보호 필름(40)이 스테이지(210)를 향하도록 표시 장치(1)를 위치한다. The stage 210 includes a flat upper surface, and on the upper surface of the stage 210, a display device 1 to which the carrier substrate 100 is attached is located. At this time, the display device 1 is positioned such that the carrier substrate 100 faces the light source 230 and the upper protective film 40 of the display device 1 faces the stage 210.

한편, 스테이지(210)는 이송부(미도시)를 통해 광원부(230)를 기준으로 적어도 일방향(D1)으로 이동할 수 있고, 이에 의해 광(LB)은 표시 장치(1)의 일 방향을 따라 연속적으로 조사될 수 있다. 그러나, 본 발명은 이에 한정되지 않고, 이송부(244)가 스테이지(210)와 광원부(230)를 상대적으로 이동시키는 것이면 된다. 따라서, 광원부(230)가 스테이지(210)를 기준으로 일 방향(+D1)의 반대방향(-D1)으로 이동할 수 있다. The stage 210 can move at least in one direction D1 with respect to the light source unit 230 through a transferring unit so that the light LB is continuously moved along one direction of the display device 1. [ Can be investigated. However, the present invention is not limited to this, and the conveying unit 244 may be one that relatively moves the stage 210 and the light source unit 230. Therefore, the light source unit 230 can move in the opposite direction (-D1) in one direction (+ D1) with respect to the stage 210. [

또한, 캐리어 기판(100)을 투과한 광(LB)이 수광부(220)로 수광되기 위하여, 스테이지(210)에는 소정의 슬릿(211)이 형성될 수 있다. 슬릿(211)은 스테이지(210)의 일 가장자리를 따라 길게 형성된다. 예컨대, 슬릿(211)은 스테이지(210)의 가장자리 중에서 일 방향(D1)과 평행한 제1변(s1)에 대응하도록 형성될 수 있다. 슬릿(211)은 캐리어 기판(100)과는 중첩되나, 표시 장치(10)와는 중첩되지 않는다.A predetermined slit 211 may be formed in the stage 210 so that the light LB transmitted through the carrier substrate 100 is received by the light receiving unit 220. The slit 211 is elongated along one edge of the stage 210. For example, the slit 211 may be formed to correspond to the first side s1 parallel to the first direction D1 among the edges of the stage 210. [ The slit 211 overlaps with the carrier substrate 100, but does not overlap with the display device 10.

광원부(230)는 스테이지(210) 상의 캐리어 기판(100) 및 표시 장치(1)로 광(LB)을 조사한다. 여기서 광(LB)은 유도 방출에 의해 증폭된 광인 레이저일 수 있으며, 예컨대, 자외선 레이저, 가시광 레이저, 적외선 레이저 등일 수 있다. 바람직하게는, 광(LB)은 약 308nm의 파장을 가지는 엑시머 레이저일 수 있다. 왜냐하면, 엑시머 레이저는 유리에 대한 투과율이 높고, 폴리이미드를 박리하는데 용이하기 때문이다. 광원부(230)는 아크 램프(arc lamp), LED(Light emitting device)와 같은 광원(미도시)과, 광원에서 발생된 최초 광을 라인 빔 형태의 광(LB)으로 변환하는 광학계(미도시)를 포함한다. 라인 빔 형태의 광(LB)의 폭(W2)은 표시 장치(10)의 폭 보다 클 수 있다. 그래야만, 이후 설명할 수광부(220)에서 캐리어 기판(100)을 투과한 광을 수광할 수 있기 때문이다. The light source unit 230 irradiates the light LB to the carrier substrate 100 and the display device 1 on the stage 210. Here, the light LB may be a laser, which is the light amplified by the induced emission, for example, an ultraviolet laser, a visible laser, an infrared laser, or the like. Preferably, the light LB may be an excimer laser having a wavelength of about 308 nm. This is because the excimer laser has a high transmittance to glass and is easy to peel off the polyimide. The light source unit 230 includes a light source (not shown) such as an arc lamp or an LED (light emitting device), an optical system (not shown) that converts the original light generated from the light source into a light beam (LB) . The width W2 of the light beam LB in the form of a line beam may be larger than the width of the display device 10. [ This is because the light transmitted through the carrier substrate 100 can be received by the light receiving section 220 to be described later.

수광부(220)는 스테이지(210)의 하부 또는 상부에 위치하며, 별도의 이동부(미도시) 및 가이드(미도시)를 구비하여 스테이지(210)와 반대 방향으로 이동한다. 예를 들어 스테이지(210)가 일 방향(+D1)으로 이동하는 경우 수광부(220)는 일 방향의 반대방향(-D1)으로 이동할 수 있다. 스테이지(210)가 고정되고 광원부(230)가 일 방향(+D1)으로 이동하는 경우도 마찬가지로 수광부(220)는 일 방향의 반대 방향(-D1)으로 이동한다. The light receiving unit 220 is located below or above the stage 210 and includes a separate moving unit (not shown) and a guide (not shown) to move in a direction opposite to the stage 210. For example, when the stage 210 moves in one direction (+ D1), the light receiving portion 220 can move in the opposite direction (-D1) in one direction. Similarly, when the stage 210 is fixed and the light source unit 230 moves in one direction (+ D1), the light receiving unit 220 moves in the opposite direction (-D1) in one direction.

이 때 스테이지(210)의 이동 속도(v1)와 수광부(220)의 이동 속도(v2)는 그 절대값이 동일하다. 그래야만, 수광부(220)가 캐리어 기판(100)의 각 지점에 대응하여 캐리어 기판(100)을 투과한 광을 연속적으로 및 실시간으로 수광할 수 있기 때문이다. 예컨대, 스테이지(210)의 이동 속도(v1) 및 수광부(220)의 이동 속도(v2)은 약 50mm/sec 일 수 있으며, 상술한 바와 같이 방향은 서로 반대일 수 있다. At this time, the moving speed v1 of the stage 210 and the moving speed v2 of the light receiving unit 220 have the same absolute value. This is because the light receiving section 220 can receive light transmitted through the carrier substrate 100 corresponding to each point of the carrier substrate 100 continuously and in real time. For example, the moving speed v1 of the stage 210 and the moving speed v2 of the light receiving unit 220 may be about 50 mm / sec, and the directions may be opposite to each other as described above.

수광부(220)는 캐리어 기판(100)을 투과한 광(LB)을 실시간으로 수광한다. 수광부(220)는 일 예로, 광량을 측정하고, 이를 전기신호로 변환할 수 있는 광 센서(Photo sensor)일 수 있다. 수광부(220)는 캐리어 기판(100)을 투과한 광(LB)만을 선별하여 수광하기 위한 조리개(221)를 더 포함할 수 있다.The light receiving unit 220 receives light LB transmitted through the carrier substrate 100 in real time. The light receiving unit 220 may be, for example, a photo sensor capable of measuring the amount of light and converting it into an electric signal. The light receiving unit 220 may further include a diaphragm 221 for selectively receiving only the light LB transmitted through the carrier substrate 100.

수광부(220) 스테이지(210)의 일 가장자리, 예컨대 제1변(s1), 를 따라 이동한다. 이 때 수광부(220)는 캐리어 기판(100)이 돌출된 영역과 중첩되는 영역을 따라 이동할 수 있다. 그래야, 캐리어 기판(100)을 스캐닝 하는 광(LB)을 실시간으로 수광할 수 있다. The light receiving unit 220 moves along one edge of the stage 210, for example, the first side s1. At this time, the light receiving unit 220 can move along a region where the carrier substrate 100 overlaps with the protruded region. In this way, it is possible to receive light (LB) scanning the carrier substrate (100) in real time.

한편, 도면에서는 수광부(220)가 하나인 경우만 도시되었으나 본 발명은 이에 한정되지 않는다. 캐리어 기판의 박리 장치(200)는 복수개의 수광부를 포함할 수 있다. 예컨대 수광부(220)가 2개인 경우 도 5에서 제1변(s1)과 마주보는 제2변(s2)에 수광부(220)가 추가로 배치될 수 있다. 또한, 이 경우 제2변(s2)에 대응하여 추가의 슬릿(211)이 더 형성될 수 있다.Although only one light receiving unit 220 is shown in the drawing, the present invention is not limited thereto. The carrier substrate peeling apparatus 200 may include a plurality of light receiving portions. For example, when there are two light receiving portions 220, the light receiving portions 220 may be further disposed on the second side s2 facing the first side s1 in Fig. Further, in this case, additional slits 211 may be further formed corresponding to the second side s2.

제어부(240)는 광원부(230)로부터 얻은 광(LB)에 대한 정보 및 수광부(220)로부터 얻은 광(LB)에 대한 정보를 통해 캐리어 기판(100)의 투과율을 계산한다. 광 투과율은 캐리어 기판(100)에 입사된 광이 투과된 분율(%)로서, 투과광의 강도를 입사광의 강도로 나눈 비율로 정의된다. 여기서 광의 강도는 광이 가지는 에너지(J)를 의미할 수 있다. 광 투과율의 정의 및 광 투과율을 측정하는 방법은 이미 다양하게 공지되어 있으므로, 여기서는 자세한 설명은 생략한다. The control unit 240 calculates the transmittance of the carrier substrate 100 through the information on the light LB obtained from the light source unit 230 and the information on the light LB obtained from the light receiving unit 220. The light transmittance is a fraction (%) through which light incident on the carrier substrate 100 is transmitted, and is defined as a ratio of intensity of transmitted light divided by intensity of incident light. Here, the intensity of the light may mean the energy J of the light. The definition of the light transmittance and the method of measuring the light transmittance have already been variously known, and a detailed description thereof will be omitted here.

제어부(240)는 이렇게 얻은 광 투과율을 바탕으로 실시간으로 캐리어 기판(100)의 박리를 위한 광(LB)을 결정한다. 상세히, 제어부(240)는 캐리어 기판(100)의 투과율에 따라 캐리어 기판(100)의 박리가 가능한 광의 에너지 밀도(energy density)를 결정한다. 캐리어 기판(100)의 투과율이 높을수록 캐리어 기판(100)의 정상 탈착이 가능한 에너지 밀도는 상대적으로 낮고, 캐리어 기판(100)의 투과율이 낮을수록 캐리어 기판(100)의 정상 탈착이 가능한 에너지 밀도는 상대적으로 높다. 이러한, 캐리어 기판(100)의 투과율과 캐리어 기판(100)의 박리가 가능한 광의 에너지 밀도 사이의 반비례 관계에 관한 데이터는 이미 저장되어 있다. 예컨대 제어부(240)에는 캐리어 기판(100)의 투과율에 따른 광의 에너지 밀도가 일대일로 매칭되어 테이블로 저장되어 있을 수 있다. The control unit 240 determines the light LB for peeling the carrier substrate 100 in real time based on the thus obtained light transmittance. In detail, the control unit 240 determines the energy density of light that can be peeled off from the carrier substrate 100 according to the transmittance of the carrier substrate 100. As the transmittance of the carrier substrate 100 is higher, the energy density at which the carrier substrate 100 can be normally attached and detached is relatively low. As the transmittance of the carrier substrate 100 is lower, the energy density capable of normal desorption of the carrier substrate 100 It is relatively high. Such data relating to the inverse relationship between the transmittance of the carrier substrate 100 and the energy density of the light which can be peeled off from the carrier substrate 100 is already stored. For example, the energy density of light according to the transmittance of the carrier substrate 100 may be matched to the control unit 240 on a one-to-one basis and stored in a table.

캐리어 기판(100)을 폴리이미드로 이루어진 플라스틱 기판으로부터 박리하기 위해서는, 폴리이미드 고분자 사슬 간의 결합이 깨어지면서 박리(ablation)될 정도의 충분한 에너지 밀도를 가진 광(LB)이 조사되어야 한다. 만약, 광(LB)의 에너지 밀도가 너무 작은 경우, 캐리어 기판(100)의 미탈착이 발생한다. 미탈착이 발생한 경우 후속 공정 진행이 불가능하거나, 미탈착이 발생한 캐리어 기판(100)을 무리하게 제거하는 경우 캐리어 기판(100)이 깨지거나, 플라스틱 기판(10)이 손상되는 문제가 발생한다. 그렇다고 광(LB)의 에너지 밀도가 너무 큰 경우, 캐리어 기판(100)의 과탈착이 발생한다. 과탈착이 발생한 경우 플라스틱 기판(10)에 그을음이 발생하고, 이러한 그을음으로 설비가 오염될 수 있다. 또한, 플라스틱 기판(10)의 그을음이 남아 최종 제품에서 불량을 야기할 수 있다. In order to peel the carrier substrate 100 from the plastic substrate made of polyimide, light (LB) having a sufficient energy density enough to abrade the bonds between the polyimide polymer chains should be irradiated. If the energy density of the light LB is too small, the carrier substrate 100 is not detached. If the unremoved state occurs, the subsequent process can not proceed or if the unfixed carrier substrate 100 is forcibly removed, the carrier substrate 100 may be broken or the plastic substrate 10 may be damaged. However, when the energy density of the light LB is too large, the carrier substrate 100 is over-detached. Soot is generated on the plastic substrate 10, and the equipment may be contaminated by such soot. Also, the soot of the plastic substrate 10 may remain and cause defects in the final product.

그런데, 캐리어 기판(100)을 박리하기 위해 조사하는 광(LB)은 캐리어 기판(100)을 투과하여 조사되므로, 실제로 광원부(230)에서 조사되는 광의 강도(에너지)와 캐리어 기판(100)과 플라스틱 기판(10)의 계면에 도달하는 광의 강도(에너지)는 캐리어 기판(100)의 투과율에 따라 달라질 수 있다. 서로 다른 캐리어 기판(100)의 투과율에 따라 정상 탈착될 수 있는 광(LB)의 에너지 밀도를 실험적으로 정량화 할 수 있다. 정상 탈착이란, 미탈착과 과탈착이 일어나지 않는 상태를 의미한다. 여기서 미탈착이란, 캐리어 기판(100)이 분리된 플라스틱 기판(10)의 표면을 반사광을 이용하여 관찰한 경우 폴리이미드 잔막 상태가 균일하지 않게 관찰되는 상태를 의미한다. 또한, 여기서 과탈착이란, 캐리어 기판(100)이 분리된 플라스틱 기판(10)의 표면에서 그을음이 관찰되는 상태를 의미한다. 미탈착과 과탈착은 육안으로 확인할 수 있다.
Since the light LB to be irradiated for separating the carrier substrate 100 is irradiated and transmitted through the carrier substrate 100, the intensity (energy) of the light actually irradiated by the light source unit 230 and the intensity The intensity (energy) of the light reaching the interface of the substrate 10 may vary depending on the transmittance of the carrier substrate 100. It is possible to empirically quantify the energy density of the light LB that can be normally desorbed according to the transmittance of the different carrier substrate 100. Normal desorption means a state in which no desorption and no desorption occur. Here, undispersed means a state in which the state of the polyimide residual film is observed unevenly when the surface of the plastic substrate 10 on which the carrier substrate 100 is separated is observed using reflected light. Here, overdispersion means a state in which soot is observed on the surface of the plastic substrate 10 on which the carrier substrate 100 is separated. Undetachment and detachment can be visually confirmed.

이하에서는 도 6 내지 도 8을 참조하여 도 5의 캐리어 기판의 박리 장치(200)를 이용한 캐리어 기판(100)의 박리 방법을 알아 본다. Hereinafter, a method of peeling the carrier substrate 100 using the peeling apparatus 200 of the carrier substrate of FIG. 5 will be described with reference to FIGS. 6 to 8. FIG.

도 6을 참조하면, 스테이지(210) 상에 캐리어 기판(100)이 부착된 표시 장치(1)를 배치한다. 이 때, 캐리어 기판(100)이 광원부(230)를 향하고 표시 장치(1)가 스테이지(210)를 향하도록 배치한다. Referring to FIG. 6, a display device 1 to which a carrier substrate 100 is attached is disposed on a stage 210. At this time, the carrier substrate 100 is directed to the light source unit 230 and the display device 1 is disposed so as to face the stage 210.

다음으로 도 7 및 도 8을 참조하면 스테이지(210)가 광원부(도 5의 230)에서 조사되는 광(LB)를 기준으로 일 방향(+D1)으로 v1 속도로 이동한다. 이와 동시에 수광부(220)가 일 방향과 반대 방향(-D1)으로 v2 속도로 이동한다. 여기서 v1 및 v2이 절대값은 동일하며 방향만 반대이다. 광(LB)은 캐리어 기판(100)과 플라스틱 필름(10)의 계면에 조사되어 캐리어 기판(100)을 플라스틱 기판(10)으로부터 박리한다. 스테이지(210)가 일 방향으로 이동하므로 광(LB)은 반대 방향(-D1)으로 캐리어 기판(100)을 스캐닝하게 된다. 한편, 광원부(220)가 반대 방향(-D1)으로 이동하므로 광원부(220)는 캐리어 기판(100)을 투과한 광(LB)을 실시간으로 수광한다. 이와 동시에 제어부(도 5의 240)는 광원부(220)에서 조사되는 광(LB)의 정보 및 캐리어 기판(100)을 투과한 광(LB)의 정보를 이용하여 캐리어 기판(100)의 투과율을 계산하고 이렇게 계산된 투과율을 이용하여 캐리어 기판(100)을 정상적으로 박리하기 위한 광(LB)이 광원부(230)로부터 조사되도록 실시간으로 제어한다. 한편, 도 8에 도시된 바와 같이 수광부(220)는 조리개(221)를 포함하므로 라인 빔 형태의 광(LB) 중에서 상기 캐리어 기판(100)을 투과한 광(LB)을 선별하여 수광할 수 있다.Referring to FIGS. 7 and 8, the stage 210 moves at a speed v1 in one direction (+ D1) with respect to the light LB emitted from the light source (230 in FIG. 5). At the same time, the light receiving unit 220 moves at the v2 speed in the direction (-D1) opposite to the one direction. Where v1 and v2 have the same absolute value and only the opposite direction. The light LB is irradiated to the interface between the carrier substrate 100 and the plastic film 10 to peel the carrier substrate 100 from the plastic substrate 10. The light LB scans the carrier substrate 100 in the opposite direction -D1 because the stage 210 moves in one direction. Meanwhile, since the light source unit 220 moves in the opposite direction (-D1), the light source unit 220 receives the light LB transmitted through the carrier substrate 100 in real time. At the same time, the control unit 240 of FIG. 5 calculates the transmittance of the carrier substrate 100 using the information of the light LB emitted from the light source unit 220 and the information of the light LB transmitted through the carrier substrate 100 And controls light in real time so that light LB for normally peeling off the carrier substrate 100 is irradiated from the light source unit 230 using the thus calculated transmittance. 8, since the light receiving unit 220 includes the diaphragm 221, the light LB transmitted through the carrier substrate 100 among the light beams LB in the form of a line beam can be selectively received .

이렇게 캐리어 기판(100)의 투과율이 실시간으로 반영되는 광(LB) 중 대부분은 캐리어 기판(100)과 플라스틱 기판(10)의 계면에 조사되어 캐리어 기판(100)을 박리한다. 캐리어 기판(100)은 투명하므로 광(LB)은 캐리어 기판(100)을 투과하여 폴리이미드로 이루어진 플라스틱 기판(10)의 표면까지 이르러 캐리어 기판(100)과 플라스틱 기판(10)의 계면에 박리층(101)을 형성하면서, 양 기판을 분리한다. Most of the light LB whose transmittance of the carrier substrate 100 is reflected in real time is irradiated to the interface between the carrier substrate 100 and the plastic substrate 10 to peel off the carrier substrate 100. The light LB is transmitted through the carrier substrate 100 and reaches the surface of the plastic substrate 10 made of polyimide so that the light beam LB is transferred to the interface between the carrier substrate 100 and the plastic substrate 10, (101), while separating both substrates.

한편, 이렇게 피드백에 의해 캐리어 기판(100)을 정상적으로 박리하기 위한 광(LB)을 결정하는 과정은 광(LB)이 스테이지(210) 전체를 스캐닝할 때까지 반복된다. The process of determining the light LB for normally peeling the carrier substrate 100 by the feedback is repeated until the light LB is scanned over the entire stage 210. [

본 발명의 일 실시예에 의하면, 캐리어 기판(100)의 이동에 대응하여 이동하는 수광부(220)를 통해 실시간으로 캐리어 기판(100)의 투과율을 얻을 수 있고, 이러한 캐리어 기판(100)의 투과율에 따라 캐리어 기판(100)을 정상적으로 박리하기 위한 광을 도출할 수 있다. 즉, 캐리어 기판의 정상 탈착이 가능한 광을 실시간으로 결정하여 캐리어 기판의 박리 및 탈착 불량을 줄일 수 있다. 이로부터, 캐리어 기판의 박리 자동화가 실현될 수 있으며, 공정 시간 및 비용을 절감할 수 있는 효과가 있다. According to the embodiment of the present invention, the transmittance of the carrier substrate 100 can be obtained in real time through the light receiving portion 220 moving corresponding to the movement of the carrier substrate 100, Light for normally peeling the carrier substrate 100 can be derived. That is, it is possible to determine, in real time, light capable of normally attaching / detaching the carrier substrate, thereby reducing the detachment / detachment failure of the carrier substrate. From this, automation of peeling of the carrier substrate can be realized, and the process time and cost can be reduced.

도 9 및 도 10은 도 1 내지 도 3에 이어서, 본 발명의 일 실시예에 의한 표시 장치(1)의 제조 방법을 개략적으로 도시한 것이다.Figs. 9 and 10 schematically show a manufacturing method of a display device 1 according to an embodiment of the present invention, following Figs. 1 to 3. Fig.

캐리어 기판(100)의 박리가 완료되면, 도 9에 도시된 바와 같이 캐리어 기판(100)을 제거한다. 정상 탈착이 이루어 진 경우, 캐리어 기판(100)이 쉽게 떨어져 나가며 플라스틱 기판(10)의 표면의 잔막 상태가 균일하고 그을음이 남아 있지 않다. When the peeling of the carrier substrate 100 is completed, the carrier substrate 100 is removed as shown in Fig. When the normal desorption is performed, the carrier substrate 100 easily separates, and the residual film state of the surface of the plastic substrate 10 is uniform and soot remains.

다음으로, 도 10을 참조하면, 노출된 플라스틱 기판(10) 상에 하부 보호 필름(50)을 부착한다. 하부 보호 필름은(50) 상부 보호 필름(40)의 기능과 유사하게 플라스틱 기판(10)이 손상되는 것을 막고, 물류 이동이 용이하도록 표시 장치를 지지하는 역할을 한다. 하부 보호 필름(50) 및 상부 보호 필름(40)은 이형 필름의 일종으로 나중에 제거 된다. Next, referring to Fig. 10, the lower protective film 50 is attached on the exposed plastic substrate 10. Then, as shown in Fig. The lower protective film serves to support the display device to prevent damage to the plastic substrate 10 similar to the function of the upper protective film 40 and to facilitate the movement of the products. The lower protective film 50 and the upper protective film 40 are later removed as a kind of release film.

이후에는 도시되지 않았으나, 플라스틱 기판(10)에 복수개의 표시 장치(1)가 형성된 경우 이를 컷팅하여 개별 표시 장치(1)로 분리할 수 있다. 또한, 상부 보호 필름(40)을 제거하고 광학 필름을 부착하여 표시 장치(1)를 완성한다. Although not shown in the figure, when a plurality of display devices 1 are formed on the plastic substrate 10, they can be cut and separated into individual display devices 1. Further, the upper protective film 40 is removed and an optical film is attached The display device 1 is completed.

이상에서는 본 발명의 바람직한 실시예에 대하여 도시하고 설명하였지만, 본 발명은 상술한 특정의 실시예에 한정되지 아니하며, 청구범위에서 청구하는 본 발명의 요지를 벗어남이 없이 당해 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진자에 의해 다양한 변형실시가 가능한 것은 물론이고, 이러한 변형실시들은 본 발명의 기술적 사상이나 전망으로부터 개별적으로 이해하면 안될 것이다.While the present invention has been particularly shown and described with reference to exemplary embodiments thereof, it is clearly understood that the same is by way of illustration and example only and is not to be construed as limiting the scope of the invention as defined by the appended claims. It will be understood by those skilled in the art that various changes in form and details may be made therein without departing from the spirit and scope of the invention.

100: 캐리어 기판
10: 플라스틱 기판
200: 캐리어 기판의 박리 장치
100: carrier substrate
10: plastic substrate
200: Peeling device of carrier substrate

Claims (12)

캐리어 기판이 부착된 표시 장치가 위치하며 제1방향으로 이동하는 스테이지;
상기 스테이지를 향하여 광을 조사하는 광원부; 및
상기 스테이지에 위치하며 제1방향과 반대 방향으로 이동하면서 실시간으로 상기 캐리어 기판을 투과한 광을 수광하는 수광부;
를 포함하는, 캐리어 기판의 박리 장치.
A stage in which a display device with a carrier substrate is positioned and moves in a first direction;
A light source for emitting light toward the stage; And
A light receiving unit positioned in the stage and moving in a direction opposite to the first direction and receiving light transmitted through the carrier substrate in real time;
And the carrier substrate is peeled off.
제1항에 있어서,
상기 스테이지의 이동 속도의 절대값과 상기 수광부의 이동 속도의 절대값이 일치하는, 캐리어 기판의 박리 장치.
The method according to claim 1,
The absolute value of the moving speed of the stage coincides with the absolute value of the moving speed of the light receiving portion.
제1항에 있어서,
상기 수광부는 상기 스테이지의 일 가장자리를 따라 이동하는, 캐리어 기판의 박리 장치.
The method according to claim 1,
And the light receiving portion moves along one edge of the stage.
제1항에 있어서,
상기 광원부는 라인 빔 형태의 광을 상기 스테이지로 조사하며,
상기 라인 빔 형태의 광의 폭은 상기 표시 장치의 폭보다 큰, 캐리어 기판의 박리 장치.
The method according to claim 1,
The light source unit emits light in the form of a line beam to the stage,
Wherein a width of the light in the form of a line beam is larger than a width of the display device.
제4항에 있어서,
상기 수광부는
상기 라인 빔 형태의 광 중에서 상기 캐리어 기판을 투과한 광을 선별하여 수광하는, 캐리어 기판의 박리 장치.
5. The method of claim 4,
The light-
And the light transmitted through the carrier substrate among the lights in the form of a line beam is selectively received.
제1항에 있어서,
상기 광원부에서 조사되는 광 및 상기 수광부에서 수광한 광으로부터 실시간으로 상기 캐리어 기판의 투과율을 계산하는 제어부;
를 더 포함하는, 캐리어 기판의 박리 장치.
The method according to claim 1,
A control unit for calculating the transmittance of the carrier substrate in real time from the light emitted from the light source unit and the light received by the light receiving unit;
Further comprising: a peeling device for peeling off the carrier substrate.
제6항에 있어서,
상기 제어부는 계산부에서 도출된 상기 캐리어 기판의 투과율에 따라 실시간으로 상기 캐리어 기판을 박리하기 위한 광을 조사하도록 상기 광원부를 제어하는, 캐리어 기판의 박리 장치.
The method according to claim 6,
Wherein the control unit controls the light source unit to emit light for separating the carrier substrate in real time according to the transmittance of the carrier substrate derived from the calculation unit.
스테이지 상에 캐리어 기판이 부착된 표시 장치를 위치시키는 단계;
광원부가 스테이지로 광을 조사하고 상기 스테이지가 제1방향으로 이동하는 단계; 및
상기 스테이지가 제1방향으로 이동할 때, 상기 스테이지에 위치하는 수광부가 상기 제1방향과 반대 방향으로 이동하면서 실시간으로 상기 캐리어 기판을 투과한 광을 수광하는 단계;
를 포함하는 캐리어 기판의 박리 방법.
Positioning a display device having a carrier substrate on the stage;
The light source irradiates light onto the stage and the stage moves in a first direction; And
Receiving light transmitted through the carrier substrate in real time while the light receiving unit located on the stage moves in a direction opposite to the first direction when the stage moves in the first direction;
And removing the carrier substrate.
제8항에 있어서,
상기 스테이지의 이동 속도의 절대값과 상기 수광부의 이동 속도의 절대값이 일치하는, 캐리어 기판의 박리 방법.
9. The method of claim 8,
The absolute value of the moving speed of the stage coincides with the absolute value of the moving speed of the light receiving unit.
제8항에 있어서,
상기 광원부가 조사하는 광은 라인 빔 형태의 광이며, 상기 광의 폭은 상기 표시 장치의 폭 보다 큰, 캐리어 기판의 박리 방법
9. The method of claim 8,
Wherein the light irradiated by the light source portion is light in the form of a line beam and the width of the light is larger than the width of the display device,
제10항에 있어서
상기 수광부는 상기 라인 빔 형태의 광 중에서 상기 캐리어 기판을 투과한 광을 선별하여 수광하는, 캐리어 기판의 박리 방법.
The method of claim 10, wherein
Wherein the light receiving unit selectively receives light transmitted through the carrier substrate from light of the line beam type.
제8항에 있어서,
상기 광원부에서 조사되는 광 및 상기 수광부에서 수광한 광으로부터 실시간으로 상기 캐리어 기판의 투과율을 계산하는 단계; 및
계산된 상기 캐리어 기판의 투과율에 따라 실시간으로 상기 캐리어 기판을 박리하기 위한 광을 조사하여 상기 캐리어 기판을 박리하는 단계;
를 더 포함하는, 캐리어 기판의 박리 방법.
9. The method of claim 8,
Calculating a transmittance of the carrier substrate in real time from the light emitted from the light source unit and the light received by the light receiving unit; And
Irradiating light on the carrier substrate in a real-time manner to peel off the carrier substrate according to the calculated transmittance of the carrier substrate;
And removing the carrier substrate from the carrier substrate.
KR1020130015536A 2013-02-13 2013-02-13 Apparatus for ablation of carrier substrate and method for ablation of carrier substrate KR20140102091A (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020130015536A KR20140102091A (en) 2013-02-13 2013-02-13 Apparatus for ablation of carrier substrate and method for ablation of carrier substrate

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020130015536A KR20140102091A (en) 2013-02-13 2013-02-13 Apparatus for ablation of carrier substrate and method for ablation of carrier substrate

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR20140102091A true KR20140102091A (en) 2014-08-21

Family

ID=51747117

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020130015536A KR20140102091A (en) 2013-02-13 2013-02-13 Apparatus for ablation of carrier substrate and method for ablation of carrier substrate

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR20140102091A (en)

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR102015400B1 (en) Apparatus for ablation of carrier substrate, method for ablation of carrier substrate and method for making display apparatus
JP2024069292A (en) Information processing device
KR102313361B1 (en) Organic light-emitting apparatus, electronic device comprising the same, and the manufacturing method of the organic light-emitting apparatus
KR102545660B1 (en) Display device and method for manufacturing the same
CN1838426B (en) Organic electroluminescent display device and curing method of the device
KR20200102580A (en) Display apparatus and method of manufacturing the same
US9887384B2 (en) Method for producing flexible display device, and flexible display device
US9472650B2 (en) Manufacturing method of flexible display device
US20180190170A1 (en) Inspection apparatus and inspection method using the same
TW201743440A (en) Methods for manufacturing display devices
US7507590B2 (en) Method of manufacturing array substrate and method of manufacturing organic EL display device
KR20140135565A (en) TFT substrate including barrier layer including silicon oxide layer and silicon silicon nitride layer, Organic light-emitting device comprising the TFT substrate, and the manufacturing method of the TFT substrate
KR102132883B1 (en) Organic light emitting display device and method of manufacturing thereof
US10026930B2 (en) Method of manufacturing display apparatus
KR20140023142A (en) Method of manufacturing display device and carrier glass
US11619605B2 (en) Display apparatus
US20180083224A1 (en) Display device
KR101976064B1 (en) Apparatus for testing desorption of carrier substrate and method for testing desorption of carrier substrate
KR20140102091A (en) Apparatus for ablation of carrier substrate and method for ablation of carrier substrate
US8455792B2 (en) Laser irradiation apparatus and method of manufacturing display device using the same
KR102199217B1 (en) TFT substrate including barrier layer including silicon oxide layer and silicon silicon nitride layer, Organic light-emitting device comprising the TFT substrate, and the manufacturing method of the TFT substrate
KR20150124816A (en) Flexible display device and manufacturing method thereof
KR20100009319A (en) Organic light emitting display apparatus and method of manufacturing thereof
KR20120114533A (en) Repairing method for organic light emitting diode display
KR102352278B1 (en) TFT substrate including barrier layer including silicon oxide layer and silicon silicon nitride layer, Organic light-emitting device comprising the TFT substrate, and the manufacturing method of the TFT substrate

Legal Events

Date Code Title Description
WITN Application deemed withdrawn, e.g. because no request for examination was filed or no examination fee was paid