KR102199217B1 - TFT substrate including barrier layer including silicon oxide layer and silicon silicon nitride layer, Organic light-emitting device comprising the TFT substrate, and the manufacturing method of the TFT substrate - Google Patents

TFT substrate including barrier layer including silicon oxide layer and silicon silicon nitride layer, Organic light-emitting device comprising the TFT substrate, and the manufacturing method of the TFT substrate Download PDF

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    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
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    • H10K50/84—Passivation; Containers; Encapsulations

Abstract

본 발명의 실시예에 따르면, 제1 플라스틱층; 상기 제1 플라스틱층 상에 형성되고 제1 실리콘 질화막을 포함하는 제1 배리어층; 상기 제1 배리어층 상에 형성된 중간층; 상기 중간층 상에 형성된 제2 플라스틱층; 상기 제2 플라스틱층 상에 형성되고, 상기 제1 실리콘 질화막 보다 밀도가 큰 제2 실리콘 질화막을 포함하는 제2 배리어층; 상기 제2 배리어층 상에 형성된 유기 발광 소자층; 및 상기 유기 발광 소자층을 봉지하는 봉지 박막;을 포함하는 유기 발광 표시 장치를 제공한다. According to an embodiment of the present invention, the first plastic layer; A first barrier layer formed on the first plastic layer and including a first silicon nitride film; An intermediate layer formed on the first barrier layer; A second plastic layer formed on the intermediate layer; A second barrier layer formed on the second plastic layer and including a second silicon nitride layer having a higher density than the first silicon nitride layer; An organic light emitting device layer formed on the second barrier layer; And an encapsulation thin film encapsulating the organic light emitting device layer.

Description

유기 발광 표시 장치, 이를 포함하는 전자 기기, 및 유기 발광 표시 장치의 제조 방법{TFT substrate including barrier layer including silicon oxide layer and silicon silicon nitride layer, Organic light-emitting device comprising the TFT substrate, and the manufacturing method of the TFT substrate} An organic light-emitting display device, an electronic device including the same, and a method for manufacturing an organic light-emitting display device TECHNICAL FIELD the TFT substrate}

본 발명의 실시예들은 가요성 기판을 구비한 유기 발광 표시 장치, 이를 포함하는 전자 기기 및 상기 유기 발광 표시 장치의 제조 방법에 관한 것이다.Embodiments of the present invention relate to an organic light emitting display device including a flexible substrate, an electronic device including the same, and a method of manufacturing the organic light emitting display device.

유기 발광 표시 장치(organic light-emitting display apparatus)는 정공 주입 전극과 전자 주입 전극, 그리고 정공 주입 전극과 전자 주입 전극 사이에 형성되어 있는 유기 발광층을 포함하고, 정공 주입 전극에서 주입되는 정공과 전자 주입 전극에서 주입되는 전자가 유기 발광층에서 재결합하고 소멸하면서 빛을 내는 자발광형 표시 장치이다. 유기 발광 표시 장치는 낮은 소비 전력, 높은 휘도 및 높은 반응 속도 등의 고품위 특성을 나타내므로 차세대 표시 장치로 주목받고 있다.An organic light-emitting display apparatus includes a hole injection electrode and an electron injection electrode, and an organic light-emitting layer formed between the hole injection electrode and the electron injection electrode, and holes and electrons are injected from the hole injection electrode. It is a self-luminous display device in which electrons injected from an electrode recombine and disappear in an organic emission layer to emit light. The organic light emitting diode display is drawing attention as a next-generation display device because it exhibits high quality characteristics such as low power consumption, high luminance, and high reaction speed.

본 발명의 실시예들은 투습율이 낮고 접착력이 증가한 가요성 기판을 구비한 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.An object of the present invention is to provide an organic light emitting display device including a flexible substrate having low moisture permeability and increased adhesion, and a method of manufacturing the same.

본 발명의 일 측면에 따르면, 제1 플라스틱층; 상기 제1 플라스틱층 상에 형성되고 제1 실리콘 질화막을 포함하는 제1 배리어층; 상기 제1 배리어층 상에 형성된 중간층; 상기 중간층 상에 형성된 제2 플라스틱층; 상기 제2 플라스틱층 상에 형성되고, 상기 제1 실리콘 질화막 보다 밀도가 큰 제2 실리콘 질화막을 포함하는 제2 배리어층; 상기 제2 배리어층 상에 형성된 유기 발광 소자층; 및 상기 유기 발광 소자층을 봉지하는 봉지 박막;을 포함하는 유기 발광 표시 장치를 제공한다. According to an aspect of the present invention, the first plastic layer; A first barrier layer formed on the first plastic layer and including a first silicon nitride film; An intermediate layer formed on the first barrier layer; A second plastic layer formed on the intermediate layer; A second barrier layer formed on the second plastic layer and including a second silicon nitride layer having a higher density than the first silicon nitride layer; An organic light emitting device layer formed on the second barrier layer; And an encapsulation thin film encapsulating the organic light emitting device layer.

상기 중간층은 비정질 물질을 포함할 수 있다. The intermediate layer may include an amorphous material.

상기 중간층은 비정질 실리콘을 포함할 수 있다. The intermediate layer may include amorphous silicon.

상기 중간층은 금속 박막을 포함할 수 있다. The intermediate layer may include a metal thin film.

상기 중간층은 UV 광투과율이 10% 이상일 수 있다. The intermediate layer may have a UV light transmittance of 10% or more.

상기 중간층은 상기 유기 발광 소자가 형성된 영역에 위치하도록 패터닝될 수 있다. The intermediate layer may be patterned to be positioned in a region where the organic light emitting device is formed.

상기 제1 배리어층과 상기 제2 플라스틱층은 상기 중간층이 패터닝된 영역의 단부에서 직접 접촉할 수 있다. The first barrier layer and the second plastic layer may directly contact an end portion of the region in which the intermediate layer is patterned.

상기 제1 플라스틱층 및 제2 플라스틱층은 폴리이미드, 폴리에틸렌나프탈레이트, 폴리에틸렌테레프탈레이트, 폴리아릴레이트, 폴리카보네이트, 폴리에테르술폰, 및 폴리에테르이미드 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. The first plastic layer and the second plastic layer may include at least one of polyimide, polyethylene naphthalate, polyethylene terephthalate, polyarylate, polycarbonate, polyethersulfone, and polyetherimide.

상기 제2 플라스틱층의 두께는 상기 제1 플라스틱층의 두께보다 더 두꺼울 수 있다. The thickness of the second plastic layer may be thicker than that of the first plastic layer.

상기 제2 플라스틱층은 상기 제1 플라스틱층보다 점도가 낮을 수 있다. The second plastic layer may have a lower viscosity than the first plastic layer.

상기 제1 배리어층은 금속 산화막 및 실리콘 산화막 중 적어도 하나를 더 포함할 수 있다. The first barrier layer may further include at least one of a metal oxide film and a silicon oxide film.

상기 제1 실리콘 질화막의 밀도는 2.2g/㎤ 보다 크거나 같고 2.4g/㎤ 보다 작거나 같을 수 있다. The density of the first silicon nitride layer may be greater than or equal to 2.2 g/cm 3 and less than or equal to 2.4 g/cm 3.

상기 제1 실리콘 질화막의 굴절률은 상기 제2 실리콘 질화막의 굴절률보다 작을 수 있다. The refractive index of the first silicon nitride layer may be smaller than that of the second silicon nitride layer.

상기 제2 배리어층과 상기 유기 발광 소자층 사이에, 제3 플라스틱층 및 제3 배리어층을 포함하는 층이 적어도 한 쌍 이상 형성되고, 상기 제2 배리어층과 상기 제3 플라스틱층 사이에 중간층이 더 형성될 수 있다. At least one pair of layers including a third plastic layer and a third barrier layer is formed between the second barrier layer and the organic light emitting device layer, and an intermediate layer is formed between the second barrier layer and the third plastic layer. Can be further formed.

상기 제3 배리어층은 제3 실리콘 질화막을 포함하고, 상기 제1 실리콘 질화막의 밀도는 상기 제3 실리콘 질화막의 밀도보다 낮을 수 있다. The third barrier layer may include a third silicon nitride layer, and a density of the first silicon nitride layer may be lower than that of the third silicon nitride layer.

상기 제3 배리어층은 제3 실리콘 질화막을 포함하고, 상기 제1 실리콘 질화막의 굴절률은 상기 제3 실리콘 질화막의 굴절률보다 작을 수 있다. The third barrier layer may include a third silicon nitride layer, and a refractive index of the first silicon nitride layer may be lower than that of the third silicon nitride layer.

본 발명의 다른 측면에 따르면 상술한 유기 발광 표시 장치를 포함하는 전자 기기를 제공한다. Another aspect of the present invention provides an electronic device including the organic light emitting display device described above.

전술한 것 외의 다른 측면, 특징, 이점이 이하의 도면, 특허청구범위 및 발명의 상세한 설명으로부터 명확해질 것이다. Other aspects, features, and advantages other than those described above will become apparent from the following drawings, claims, and detailed description of the invention.

상술한 본 발명의 일 실시예에 따르면, 가요성 기판을 2개의 플라스틱층과 2개의 배리어층을 교번하여 적층하고, 인접하는 플라스틱층과 배리어층 사이에 중간층을 협지 시킴으로써, 평균적인 투습 경로를 길게 하여 유기 발광 소자의 열화를 방지할 수 있다.According to an embodiment of the present invention described above, by alternately stacking the flexible substrate with two plastic layers and two barrier layers, and sandwiching an intermediate layer between the adjacent plastic layer and the barrier layer, the average moisture permeation path is lengthened. Thus, deterioration of the organic light emitting device can be prevented.

하부 배리어층과 인접하는 상부 플라스틱층 간의 접착력을 증가 시켜 유기 발광 표시 장치의 박리 불량을 개선할 수 있다. Peeling defects of the organic light emitting display device may be improved by increasing the adhesion between the lower barrier layer and the adjacent upper plastic layer.

배리어층이 실리콘 질화물을 포함하도록 형성하고, 유기 발광 소자로부터 멀리 위치하는 배리어층에 포함된 실리콘 질화물의 밀도를 유리 발광 소자에 가깝게 위치하는 배리어층에 포함된 실리콘 질화물의 밀도보다 낮게 형성함으로써, TFT 특성을 향상시키고 가요성 기판의 투습율 편차를 줄일 수 있다. By forming the barrier layer to contain silicon nitride, and by forming the density of silicon nitride contained in the barrier layer located far from the organic light emitting element to be lower than the density of silicon nitride contained in the barrier layer positioned close to the glass light emitting element, TFT It is possible to improve characteristics and reduce variations in moisture permeability of the flexible substrate.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치(100)의 개략적인 단면도이다.
도 2는 도 1의 Ⅱ 부분을 확대한 도면으로, 유기 발광 표시 장치(100)의 TFT층(110) 및 유기 발광 소자층(120)의 일부를 예시한 것이다.
도 3은 본 발명의 비교예에 따른 유기 발광 표시 장치(101)의 개략적인 단면도이다.
도 4는 본 발명의 다른 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치(102)의 개략적인 단면도이다.
도 5a는 유리 기판(GS) 상에 모(母) 가요성 기판(MFS)을 형성하는 공정을 도시한 평면도이고, 도 5b는 도 5a의 ⅤB-VB 선을 따라 취한 단면도이다.
도 6a는 모 가요성 기판(MFS) 상에 복수의 단위 유기 발광 표시 장치(100)를 형성하는 공정을 도시한 평면도이고, 도 6b는 도 6a의 ⅥB-ⅥB 선을 따라 취한 단면도이다.
도 7은 모 가요성 기판(MFS) 상에 복수의 유기 발광 소자층(120)을 봉지하는 박막 봉지층(130)을 형성하는 공정을 개략적으로 도시한 단면도이다.
도 8 및 도 9는 유리 기판(GS)과 모 가요성 기판(MFS)을 분리하는 공정을 개략적으로 도시한 단면도이다.
도 10은 모 가요성 기판(MFS) 상에 형성된 유기 발광 소자층을 복수의 단위 표시 장치(100)로 분리하는 공정을 개략적으로 도시한 단면도이다.
도 11a은 유리 기판(GS) 상에 모(母) 가요성 기판(MFS-1)을 형성하는 공정을 도시한 평면도이고, 도 11b는 도 11a의 ⅤB-VB 선을 따라 취한 단면도이다.
도 12는 본 발명의 일 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치(100)를 제조하는 제조 방법의 또 다른 실시예를 설명한다.
도 13은 본 발명의 일 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치(100)를 제조하는 제조 방법의 또 다른 실시예를 설명한다.
도 14는 본 발명의 다른 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치(200)의 개략적인 단면도이다.
도 15a 및 도 15b는 본 발명의 다른 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치(200)의 제조 공정을 설명하기 위한 평면도 및 단면도이다.
도 16은 본 발명의 다른 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치(300)의 개략적인 단면도이다.
도 17은 도 1의 유기 발광 표시 장치(100)의 가요성 기판(FS)의 일 실시예를 도시한 도면이다.
도 18은 유기 발광 소자의 게이트 전압과 드레인 전류의 커브 변화를 나타낸 것이다.
도 19는 초기 실리콘 질화막의 밀도와 수소 함량의 관계를 나타낸 그래프이다. 1 is a schematic cross-sectional view of an organic light emitting display device 100 according to an exemplary embodiment of the present invention.
FIG. 2 is an enlarged view of part II of FIG. 1, illustrating a portion of the TFT layer 110 and the organic light emitting element layer 120 of the organic light emitting display device 100.
3 is a schematic cross-sectional view of an organic light emitting display device 101 according to a comparative example of the present invention.
4 is a schematic cross-sectional view of an organic light emitting display device 102 according to another exemplary embodiment of the present invention.
5A is a plan view illustrating a process of forming a parent flexible substrate MFS on the glass substrate GS, and FIG. 5B is a cross-sectional view taken along line VB-VB of FIG. 5A.
6A is a plan view illustrating a process of forming a plurality of unit organic light emitting display devices 100 on the parent flexible substrate MFS, and FIG. 6B is a cross-sectional view taken along line VIB-VIB of FIG. 6A.
7 is a cross-sectional view schematically illustrating a process of forming a thin film encapsulation layer 130 encapsulating the plurality of organic light emitting device layers 120 on the parent flexible substrate MFS.
8 and 9 are cross-sectional views schematically illustrating a process of separating the glass substrate GS and the parent flexible substrate MFS.
10 is a cross-sectional view schematically illustrating a process of separating an organic light emitting device layer formed on a parent flexible substrate MFS into a plurality of unit display devices 100.
FIG. 11A is a plan view showing a process of forming a parent flexible substrate MFS-1 on the glass substrate GS, and FIG. 11B is a cross-sectional view taken along line VB-VB of FIG. 11A.
12 illustrates still another embodiment of a manufacturing method of manufacturing the organic light emitting display device 100 according to an exemplary embodiment of the present invention.
13 illustrates still another embodiment of a manufacturing method of manufacturing the organic light emitting display device 100 according to an exemplary embodiment of the present invention.
14 is a schematic cross-sectional view of an organic light emitting diode display 200 according to another exemplary embodiment of the present invention.
15A and 15B are plan and cross-sectional views illustrating a manufacturing process of an organic light emitting display device 200 according to another exemplary embodiment of the present invention.
16 is a schematic cross-sectional view of an organic light emitting display device 300 according to another exemplary embodiment of the present invention.
FIG. 17 is a diagram illustrating an example of a flexible substrate FS of the organic light emitting display device 100 of FIG. 1.
18 shows curve changes of gate voltage and drain current of an organic light-emitting device.
19 is a graph showing the relationship between the density of the initial silicon nitride film and the hydrogen content.

본 발명은 다양한 변환을 가할 수 있고 여러 가지 실시예를 가질 수 있는 바, 특정 실시예들을 도면에 예시하고 상세한 설명에 상세하게 설명하고자 한다. 본 발명의 효과 및 특징, 그리고 그것들을 달성하는 방법은 도면과 함께 상세하게 후술되어 있는 실시예들을 참조하면 명확해질 것이다. 그러나 본 발명은 이하에서 개시되는 실시예들에 한정되는 것이 아니라 다양한 형태로 구현될 수 있다. Since the present invention can apply various transformations and have various embodiments, specific embodiments are illustrated in the drawings and will be described in detail in the detailed description. Effects and features of the present invention, and a method of achieving them will be apparent with reference to the embodiments described below in detail together with the drawings. However, the present invention is not limited to the embodiments disclosed below and may be implemented in various forms.

이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예들을 상세히 설명하기로 하며, 도면을 참조하여 설명할 때 동일하거나 대응하는 구성 요소는 동일한 도면부호를 부여하고 이에 대한 중복되는 설명은 생략하기로 한다.Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings, and when describing with reference to the drawings, the same or corresponding constituent elements are assigned the same reference numerals, and redundant descriptions thereof will be omitted. .

이하의 실시예에서, 제1, 제2 등의 용어는 한정적인 의미가 아니라 하나의 구성 요소를 다른 구성 요소와 구별하는 목적으로 사용되었다. In the following embodiments, terms such as first and second are not used in a limiting meaning, but are used for the purpose of distinguishing one component from another component.

이하의 실시예에서, 단수의 표현은 문맥상 명백하게 다르게 뜻하지 않는 한, 복수의 표현을 포함한다.In the following examples, the singular expression includes the plural expression unless the context clearly indicates otherwise.

이하의 실시예에서, 포함하다 또는 가지다 등의 용어는 명세서상에 기재된 특징, 또는 구성요소가 존재함을 의미하는 것이고, 하나 이상의 다른 특징들 또는 구성요소가 부가될 가능성을 미리 배제하는 것은 아니다. In the following embodiments, terms such as include or have means that the features or elements described in the specification are present, and do not preclude the possibility of adding one or more other features or elements in advance.

이하의 실시예에서, 막, 영역, 구성 요소 등의 부분이 다른 부분 위에 또는 상에 있다고 할 때, 다른 부분의 바로 위에 있는 경우뿐만 아니라, 그 중간에 다른 막, 영역, 구성 요소 등이 개재되어 있는 경우도 포함한다. In the following embodiments, when a part such as a film, a region, or a component is on or on another part, not only the case directly above the other part, but also another film, region, component, etc. are interposed therebetween. This includes cases where there is.

도면에서는 설명의 편의를 위하여 구성 요소들이 그 크기가 과장 또는 축소될 수 있다. 예컨대, 도면에서 나타난 각 구성의 크기 및 두께는 설명의 편의를 위해 임의로 나타내었으므로, 본 발명이 반드시 도시된 바에 한정되지 않는다.
In the drawings, components may be exaggerated or reduced in size for convenience of description. For example, the size and thickness of each component shown in the drawings are arbitrarily shown for convenience of description, and thus the present invention is not necessarily limited to the illustrated bar.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치(100)의 개략적인 단면도이다. 1 is a schematic cross-sectional view of an organic light emitting display device 100 according to an exemplary embodiment of the present invention.

도 1을 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치(100)는 가요성 기판(FS), TFT(Thin Film Transistor)층(110), 유기 발광 소자층(120), 및 박막 봉지층(130)을 포함한다. Referring to FIG. 1, an organic light emitting display device 100 according to an embodiment of the present invention includes a flexible substrate FS, a thin film transistor (TFT) layer 110, an organic light emitting device layer 120, and a thin film. It includes an encapsulation layer 130.

가요성 기판(FS)은 제1 플라스틱층(1PL), 제1 배리어층(1BL), 제1 중간층(1IL), 제2 플라스틱층(2PL), 및 제2 배리어층(2BL)을 포함한다. The flexible substrate FS includes a first plastic layer 1PL, a first barrier layer 1BL, a first intermediate layer 1IL, a second plastic layer 2PL, and a second barrier layer 2BL.

제1 플라스틱층(1PL) 및 제2 플라스틱층(2PL)은 폴리이미드(polyiminde), 폴리에틸렌나프탈레이트(polyethylene naphthalate), 폴리에틸렌테레프탈레이트(polyethyleneterephthalate: PET), 폴리아릴레이트(Polyarylate), 폴리카보네이트(polycarbonate), 폴리에테르이미드(Polyether lmide: PEI), 또는 폴리에테르술폰(Polyethersulfone) 등과 같이 내열성 및 내구성이 우수한 플라스틱 소재로 만들어 질 수 있다. The first plastic layer 1PL and the second plastic layer 2PL are polyimide, polyethylene naphthalate, polyethylene terephthalate (PET), polyarylate, and polycarbonate. ), polyether imide (PEI), or polyethersulfone, etc., and may be made of a plastic material having excellent heat resistance and durability.

제1 플라스틱층(1PL) 및 제2 플라스틱층(2PL)과 같은 플라스틱 소재는 유리 기판에 비하여 수분이나 산소를 쉽게 투과시키기 때문에, 수분이나 산소에 취약한 유기 발광층을 열화시켜 유기 발광 소자의 수명이 저하 될 수 있다. Since plastic materials such as the first plastic layer (1PL) and the second plastic layer (2PL) easily transmit moisture or oxygen compared to the glass substrate, the organic light-emitting layer vulnerable to moisture or oxygen deteriorates and the lifespan of the organic light-emitting device is reduced. Can be.

이를 방지하기 위하여 제1 플라스틱층(1PL) 상에 제1 배리어층(1BL)이, 제2 플라스틱층(2PL) 상에 제2 배리어층(2BL)이 각각 형성된다. To prevent this, a first barrier layer 1BL is formed on the first plastic layer 1PL, and a second barrier layer 2BL is formed on the second plastic layer 2PL.

제1 배리어층(1BL) 및 제2 배리어층(2BL)은 각각 금속 산화물, 실리콘 질화물 또는 실리콘 산화물 등과 같은 무기 재료로 형성될 수 있다. 예를 들어, 제1 배리어층(1BL) 및 제2 배리어층(2BL)은 AlO3, SiO2, SiNx 등과 같은 무기층이 단일막으로 형성되거나 다층막으로 적층 될 수 있다. 단일막 또는 다층막으로 형성된 제1 배리어층(1BL) 및 제2 배리어층(2BL)의 투습율(WVTR: Water Vapor Transmission Rate)은 각각 10-5 g/m2day 이하인 것이 바람직하다. Each of the first barrier layer 1BL and the second barrier layer 2BL may be formed of an inorganic material such as metal oxide, silicon nitride, or silicon oxide. For example, as for the first barrier layer 1BL and the second barrier layer 2BL, an inorganic layer such as AlO3, SiO2, or SiNx may be formed as a single layer or may be stacked as a multilayer layer. The water vapor transmission rate (WVTR) of the first barrier layer 1BL and the second barrier layer 2BL formed of a single layer or a multilayer layer is preferably 10 -5 g/m 2 day or less, respectively.

제1 배리어층(1BL)과 제2 플라스틱층(2PL) 사이에는 제1 배리어층(1BL)과 제2 플라스틱층(2PL) 사이의 접착력을 강화하기 위하여 제1 중간층(1IL)이 형성된다. 이에 대한 상세한 설명은 후술한다. A first intermediate layer 1IL is formed between the first barrier layer 1BL and the second plastic layer 2PL in order to strengthen the adhesion between the first barrier layer 1BL and the second plastic layer 2PL. A detailed description of this will be described later.

가요성 기판(FS) 상에 TFT(Thin Film Transistor)층(110) 및 유기 발광 소자층(120)가 형성된다.A TFT (Thin Film Transistor) layer 110 and an organic light emitting device layer 120 are formed on the flexible substrate FS.

도 2는 도 1의 Ⅱ 부분을 확대한 도면으로, 유기 발광 표시 장치(100)의 TFT층(110) 및 유기 발광 소자층(120)의 일부를 예시한 것이다. FIG. 2 is an enlarged view of part II of FIG. 1, illustrating a portion of the TFT layer 110 and the organic light emitting element layer 120 of the organic light emitting display device 100.

도 2를 참조하면, 제2 배리어층(2BL) 상에 반도체층(111), 게이트 전극(113), 소스 전극(115) 및 드레인 전극(116)을 포함하는 박막트랜지스터(TFT)가 형성될 수 있다. 반도체층(111)과 게이트 전극(113) 사이에는 게이트 절연막(112)이 형성되고, 게이트 전극(113)과 소스 전극(115), 및 게이트 전극(113)과 드레인 전극(116) 사이에는 층간 절연막(114)이 형성될 수 있다. 여기서, 반도체층(111)은 다결정 실리콘(poly-silicon), 비정질 실리콘(amorphous silicon), 유기 TFT(Organic TFT), 또는 전도성 산화물 TFT 일 수 있다. 한편, 도 2에는 탑 게이트(top gate) 방식의 TFT가 도시되어 있으나 본 발명은 이에 한정되지 않는다. 즉, 바톰 게이트(bottom gate) 방식의 TFT를 포함하여 다양한 구조의 TFT가 적용될 수 있다.Referring to FIG. 2, a thin film transistor (TFT) including a semiconductor layer 111, a gate electrode 113, a source electrode 115, and a drain electrode 116 may be formed on the second barrier layer 2BL. have. A gate insulating film 112 is formed between the semiconductor layer 111 and the gate electrode 113, and an interlayer insulating film is formed between the gate electrode 113 and the source electrode 115, and between the gate electrode 113 and the drain electrode 116. (114) can be formed. Here, the semiconductor layer 111 may be poly-silicon, amorphous silicon, organic TFT, or conductive oxide TFT. Meanwhile, although a top gate type TFT is shown in FIG. 2, the present invention is not limited thereto. That is, TFTs of various structures, including bottom gate type TFTs, can be applied.

한편, 도 2에는 제2 배리어층(2BL) 상에 바로 TFT가 형성된 예를 도시하였으나, 본 발명은 이에 한정되지 않는다. 제2 배리어층(2BL)과 TFT 사이에 버퍼층(미도시)이 더 구비될 수 있다. Meanwhile, in FIG. 2, an example in which a TFT is formed directly on the second barrier layer 2BL is shown, but the present invention is not limited thereto. A buffer layer (not shown) may be further provided between the second barrier layer 2BL and the TFT.

버퍼층(미도시)은 가요성 기판(FS)을 평탄하게 하고 및 가요성 기판(FS)으로부터 반도체층(111)으로 불순 원소의 침투를 차단한다. 버퍼층(미도시)은 실리콘질화물 및/또는 실리콘산화물이 단층 또는 복수층 배치될 수 있다. 또한, 도 2에는 도시되어 있지 않으나, TFT에 적어도 하나의 커패시터가 연결될 수 있다.The buffer layer (not shown) flattens the flexible substrate FS and blocks impurity elements from penetrating into the semiconductor layer 111 from the flexible substrate FS. The buffer layer (not shown) may include a single layer or multiple layers of silicon nitride and/or silicon oxide. In addition, although not shown in FIG. 2, at least one capacitor may be connected to the TFT.

TFT 상에 패시베이션층(117)이 형성되고, 패시베이션층(117) 상에 화소정의층(122)이 형성될 수 있다. 패시베이션층(117)은 TFT를 보호하고, TFT의 상면을 평탄화할 수 있다. A passivation layer 117 may be formed on the TFT, and a pixel defining layer 122 may be formed on the passivation layer 117. The passivation layer 117 can protect the TFT and flatten the upper surface of the TFT.

TFT의 소스 전극(115) 또는 드레인 전극(116) 중 하나에 유기 발광 소자(OLED)가 연결될 수 있다. 유기 발광 소자(OLED)는 화소 전극(121) 및 대향 전극(124)과, 화소 전극(121)과 대향 전극(124) 사이에 개재된 적어도 유기 발광층을 포함하는 층(123)을 구비한다. 유기 발광층을 포함하는 층(123)은 저분자 또는 고분자 유기물로 형성될 수 있다. 저분자 유기물을 사용할 경우 홀 주입층(HIL: hole injection layer), 홀 수송층(HTL: hole transport layer), 발광층(EML: emission layer), 전자 수송층(ETL: electron transport layer), 전자 주입층(EIL: electron injection layer) 등이 단일 혹은 복합의 구조로 적층되어 형성될 수 있다. 고분자 유기물의 경우에는 홀 수송층(HTL) 및 발광층(EML)으로 구비된 구조를 가질 수 있다. 유기 발광층을 포함하는 층(123)은 적색, 녹색, 청색의 빛을 방출하는 서브 픽셀로 하나의 단위 픽셀을 이룰 수 있다. 또한, 유기 발광층을 포함하는 층(123)은 적색, 녹색 및 청색의 빛을 방출하는 발광 물질을 포함하는 층이 수직으로 적층되거나 혼합되어 형성될 수 있다. 물론, 백색광을 방출할 수 있다면 다른 색의 조합이 가능함은 물론이다. 또한, 상기 유기 발광 표시 장치(100)는 방출된 백색광을 소정의 컬러로 변환하는 색변환층이나, 컬러 필터를 더 구비할 수 있다. An organic light emitting diode (OLED) may be connected to one of the source electrode 115 or the drain electrode 116 of the TFT. The organic light-emitting device OLED includes a pixel electrode 121 and a counter electrode 124, and a layer 123 including at least an organic emission layer interposed between the pixel electrode 121 and the counter electrode 124. The layer 123 including the organic emission layer may be formed of a low molecular weight or high molecular weight organic material. When using a low-molecular organic material, a hole injection layer (HIL), a hole transport layer (HTL), an emission layer (EML), an electron transport layer (ETL), and an electron injection layer (EIL: electron injection layer), etc. may be formed by laminating in a single or complex structure. In the case of a polymer organic material, it may have a structure including a hole transport layer (HTL) and a light emitting layer (EML). The layer 123 including the organic emission layer is a sub-pixel that emits red, green, and blue light, and may form one unit pixel. In addition, the layer 123 including the organic emission layer may be formed by vertically stacking or mixing layers including a light emitting material emitting red, green, and blue light. Of course, if it can emit white light, other color combinations are possible. In addition, the organic light emitting display device 100 may further include a color conversion layer or a color filter that converts emitted white light into a predetermined color.

대향 전극(124)은 복수개의 화소들에 공통으로 형성될 수도 있는 등 다양한 변형이 가능하다. The counter electrode 124 may be formed in common with a plurality of pixels and may be modified in various ways.

화소 전극(121)은 애노드로 기능하고 대향 전극(124)은 캐소드로 기능할 수 있으며, 그 반대로 기능할 수도 있다. 또한, 화소 전극(121) 및 대향 전극(124) 중 적어도 하나는 발광층에서 방출된 광이 투과할 수 있는 투명전극으로 구비될 수 있다. The pixel electrode 121 may function as an anode, and the counter electrode 124 may function as a cathode, and vice versa. In addition, at least one of the pixel electrode 121 and the counter electrode 124 may be provided as a transparent electrode through which light emitted from the emission layer can pass.

도 1 및 도 2에는 TFT층(110) 상부에 유기 발광 소자층(120)이 형성되는 것으로 도시하였으나 이는 설명의 편의를 위한 것이다. 예를 들어서, TFT층(110)과 유기 발광 소자층(120)의 일부는 동일한 층에 형성될 수 있다. 예를 들어, TFT의 게이트 전극과, OLED의 화소 전극은 동일층에 형성될 수 있다. 1 and 2 illustrate that the organic light-emitting device layer 120 is formed on the TFT layer 110, this is for convenience of description. For example, a portion of the TFT layer 110 and the organic light emitting device layer 120 may be formed on the same layer. For example, the gate electrode of the TFT and the pixel electrode of the OLED may be formed on the same layer.

가요성 기판(FS) 상에 유기 발광 소자(OLED)를 봉지하는 박막 봉지층(130)이 형성된다. 박막 봉지층(130)은 복수의 무기층들로 만들어 지거나, 무기층과 유기층이 혼합되어 만들어 질 수 있다. A thin film encapsulation layer 130 is formed on the flexible substrate FS to encapsulate the organic light emitting device OLED. The thin film encapsulation layer 130 may be made of a plurality of inorganic layers, or may be made by mixing an inorganic layer and an organic layer.

상기 유기층은 고분자로 형성되며, 바람직하게는 폴리에틸렌테레프탈레이트, 폴리이미드, 폴라카보네이트, 에폭시, 폴리에틸렌 및 폴리아크릴레이트 중 어느 하나로 형성되는 단일막 또는 다층막일 수 있다. 상기 유기층은 폴리아크릴레이트로 형성될 수 있으며, 구체적으로는 디아크릴레이트계 모노머와 트리아크릴레이트계 모노머를 포함하는 모노머 조성물이 고분자화된 것을 포함할 수 있다. 상기 모노머 조성물에 모노아크릴레이트계 모노머가 더 포함될 수 있다. 또한, 상기 모노머 조성물에 TPO와 같은 공지의 광개시제가 포함될 수 있으나 이에 한정되는 것은 아니다.The organic layer is formed of a polymer, and preferably may be a single film or a multilayer film formed of any one of polyethylene terephthalate, polyimide, polycarbonate, epoxy, polyethylene and polyacrylate. The organic layer may be formed of polyacrylate, and specifically, may include a polymerized monomer composition including a diacrylate-based monomer and a triacrylate-based monomer. A monoacrylate-based monomer may be further included in the monomer composition. In addition, a known photoinitiator such as TPO may be included in the monomer composition, but is not limited thereto.

상기 무기층은 금속 산화물 또는 금속 질화물을 포함하는 단일막 또는 다층막일 수 있다. 구체적으로, 상기 무기층은 SiNx, Al2O3, SiO2, TiO2 중 어느 하나를 포함할 수 있다.The inorganic layer may be a single layer or a multilayer layer including metal oxide or metal nitride. Specifically, the inorganic layer may include any one of SiNx, Al2O3, SiO2, and TiO2.

상기 박막 봉지층(130) 중 외부로 노출된 최상층은 유기 발광 소자에 대한 투습을 방지하기 위하여 무기층으로 형성될 수 있다.The top layer exposed to the outside of the thin film encapsulation layer 130 may be formed of an inorganic layer to prevent moisture permeation to the organic light emitting device.

상기 박막 봉지층(130)은 적어도 2개의 무기층 사이에 적어도 하나의 유기층이 삽입된 샌드위치 구조를 적어도 하나 포함할 수 있다. 또한, 상기 박막 봉지층(130)은 적어도 2개의 유기층 사이에 적어도 하나의 무기층이 삽입된 샌드위치 구조를 적어도 하나 포함할 수 있다.The thin film encapsulation layer 130 may include at least one sandwich structure in which at least one organic layer is inserted between at least two inorganic layers. In addition, the thin film encapsulation layer 130 may include at least one sandwich structure in which at least one inorganic layer is inserted between at least two organic layers.

상기 박막 봉지층(130)은 유기 발광 소자(OLED)의 상부로부터 순차적으로 제1 무기층, 제1 유기층, 제2 무기층을 포함할 수 있다. 또한, 상기 박막 봉지층(130)은 유기 발광 소자(OLED)의 상부로부터 순차적으로 제1 무기층, 제1 유기층, 제2 무기층, 제2 유기층, 제3 무기층을 포함할 수 있다. 또한, 상기 박막 봉지층(130)은 상기 유기 발광 소자(OLED)의 상부로부터 순차적으로 제1 무기층, 제1 유기층, 제2 무기층, 제2 유기층, 제3 무기층, 제3 유기층, 제4 무기층을 포함할 수 있다.The thin film encapsulation layer 130 may include a first inorganic layer, a first organic layer, and a second inorganic layer sequentially from the top of the organic light emitting diode (OLED). In addition, the thin film encapsulation layer 130 may include a first inorganic layer, a first organic layer, a second inorganic layer, a second organic layer, and a third inorganic layer sequentially from the top of the organic light emitting diode OLED. In addition, the thin film encapsulation layer 130 is sequentially formed from an upper portion of the organic light emitting diode (OLED), a first inorganic layer, a first organic layer, a second inorganic layer, a second organic layer, a third inorganic layer, a third organic layer, and a third organic layer. It may include 4 inorganic layers.

상기 유기 발광 소자(OLED)와 상기 제1 무기층 사이에 LiF를 포함하는 할로겐화 금속층이 추가로 포함될 수 있다. 상기 할로겐화 금속층은 상기 제1 무기층을 스퍼터링 방식 또는 플라즈마 증착 방식으로 형성할 때 상기 유기 발광 소자(OLED)가 손상되는 것을 방지할 수 있다.A metal halide layer including LiF may be further included between the organic light-emitting device OLED and the first inorganic layer. The metal halide layer may prevent damage to the organic light emitting device OLED when the first inorganic layer is formed by a sputtering method or a plasma deposition method.

상기 제1 유기층은 상기 제2 무기층 보다 면적이 좁게 할 수 있으며, 상기 제2 유기층도 상기 제3 무기층 보다 면적이 좁을 수 있다. 또한, 상기 제1 유기층은 상기 제2 무기층에 의해 완전히 뒤덮이는 것으로 형성할 수 있으며, 상기 제2 유기층도 상기 제3 무기층에 의해 완전히 뒤덮일 수 있다.The first organic layer may have an area smaller than that of the second inorganic layer, and the second organic layer may have an area smaller than that of the third inorganic layer. Further, the first organic layer may be completely covered by the second inorganic layer, and the second organic layer may also be completely covered by the third inorganic layer.

한편, 도 1 및 도 2에는 박막 봉지층(130)이 대향 전극(124) 상에 바로 형성되는 것으로 도시되어 있으나 이는 예시일 뿐, 대향 전극(124)과 박막 봉지층(130) 사이에 충진재, 접착재 등 다른 요소가 더 개재될 수 있다. Meanwhile, in FIGS. 1 and 2, the thin film encapsulation layer 130 is shown to be formed directly on the counter electrode 124, but this is only an example, and a filler between the counter electrode 124 and the thin film encapsulation layer 130, Other elements such as adhesive may be further interposed.

도 3은 본 발명의 비교예에 따른 유기 발광 표시 장치(101)의 개략적인 단면도이다. 3 is a schematic cross-sectional view of an organic light emitting display device 101 according to a comparative example of the present invention.

도 3을 참조하면, 비교예에 따른 유기 발광 표시 장치(101)는 가요성 기판(FS-1), TFT층(110), 유기 발광 소자층(120), 및 박막 봉지층(130)을 포함한다. Referring to FIG. 3, an organic light emitting display device 101 according to a comparative example includes a flexible substrate FS-1, a TFT layer 110, an organic light emitting device layer 120, and a thin film encapsulation layer 130. do.

가요성 기판(FS-1)은 제1 플라스틱층(1PL)과 제1 배리어층(1BL)을 포함한다. 즉, 가요성 기판(FS-1)은 한 층의 플라스틱층과 한 층의 배리어층을 포함한다. The flexible substrate FS-1 includes a first plastic layer 1PL and a first barrier layer 1BL. That is, the flexible substrate FS-1 includes one plastic layer and one barrier layer.

비교예와 같이 한 층의 플라스틱층과 한 층의 배리어층 만으로 가요성 기판(FS-1)을 형성할 경우, 제1 플라스틱층(1PL) 및/또는 제1 배리어층(1BL)에 형성되는 이물 또는 함몰성 결함에 의해 제1 배리어층(1BL)에 크랙 등의 손상이 발생하게 된다. 이러한 손상면을 통하여 수분 또는 산소 등이 투습되어 유기 발광 소자의 불량을 야기 시킬 수 있다. When forming the flexible substrate FS-1 with only one plastic layer and one barrier layer as in Comparative Example, foreign matter formed on the first plastic layer 1PL and/or the first barrier layer 1BL Alternatively, damage such as cracks may occur in the first barrier layer 1BL due to a depression defect. Moisture or oxygen may permeate through the damaged surface, thereby causing a defect in the organic light-emitting device.

도 4는 본 발명의 다른 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치(102)의 개략적인 단면도이다. 4 is a schematic cross-sectional view of an organic light emitting display device 102 according to another exemplary embodiment of the present invention.

도 4를 참조하면, 다른 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치(102)는 가요성 기판(FS-2), TFT층(110), 유기 발광 소자층(120), 및 박막 봉지층(130)을 포함한다. Referring to FIG. 4, an organic light emitting display device 102 according to another exemplary embodiment includes a flexible substrate FS-2, a TFT layer 110, an organic light emitting device layer 120, and a thin film encapsulation layer 130. Include.

가요성 기판(FS-2)은 제1 플라스틱층(1PL)과 제1 배리어층(1BL), 및 을 제2 플라스틱층(2PL)과 제2 배리어층(2BL)을 포함한다. 즉, 가요성 기판(FS-2)은 플라스틱층과 플라스틱층 상에 형성된 배리어층의 구조가 반복하여 2번 형성된 것이다. The flexible substrate FS-2 includes a first plastic layer 1PL and a first barrier layer 1BL, and a second plastic layer 2PL and a second barrier layer 2BL. That is, in the flexible substrate FS-2, a structure of a plastic layer and a barrier layer formed on the plastic layer is repeatedly formed twice.

이물 또는 함몰성 결함은 제1 플라스틱층(1PL)과 제1 배리어층(1BL) 뿐만 아니라 2 플라스틱층(2PL)과 제2 배리어층(2BL)에서도 랜덤하게 발생할 수 있다. 그러나 비교예(101)에 비하여, 유기 발광 표시 장치(102)는 결함 지점으로부터 유기 발광 소자에 이르는 평균적인 투습 경로는 길어지기 때문에, 제1 배리어층(1BL) 및/또는 제2 배리어층(2BL)에 크랙 등의 손상이 발생하게 되더라도 유기 발광 소자의 불량 발생을 줄일 수 있다. The foreign matter or depression may occur randomly in the first plastic layer 1PL and the first barrier layer 1BL, as well as the second plastic layer 2PL and the second barrier layer 2BL. However, compared to Comparative Example 101, the organic light emitting display device 102 has a longer average moisture permeation path from the defect point to the organic light emitting device, and thus the first barrier layer 1BL and/or the second barrier layer 2BL ), it is possible to reduce the occurrence of defects in the organic light-emitting device even if damage such as cracks occurs.

그런데, 가요성 기판(FS-2)은 투습력이 개선되어 암점 불량을 줄일 수는 있으나, 무기막인 제1 배리어층(1BL)과 유기막인 제2 플라스틱층(2PL) 간의 접착력이 상대적으로 약하기 때문에, 제조 공정 중 제1 배리어층(1BL)과 제2 플라스틱층(2PL)이 박리되는 불량이 발생하는 문제가 있다.However, although the flexible substrate FS-2 has improved moisture permeability to reduce dark spot defects, the adhesion between the first barrier layer 1BL as an inorganic layer and the second plastic layer 2PL as an organic layer is relatively Because it is weak, there is a problem that a defect occurs in which the first barrier layer 1BL and the second plastic layer 2PL are peeled during the manufacturing process.

그러나, 본 발명의 일 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치(100)는, 제1 배리어층(1BL)과 제2 플라스틱층(2PL) 사이에, 제1 배리어층(1BL)과 제2 플라스틱층(2PL) 사이의 접착력을 향상시키는 제1 중간층(1IL)이 형성되기 때문에, 제1 배리어층(1BL)과 제2 플라스틱층(2PL) 사이의 박리 문제를 해결할 수 있다. However, in the organic light emitting display device 100 according to an exemplary embodiment, between the first barrier layer 1BL and the second plastic layer 2PL, the first barrier layer 1BL and the second plastic layer ( Since the first intermediate layer 1IL for improving the adhesion between the 2PL) is formed, it is possible to solve the problem of peeling between the first barrier layer 1BL and the second plastic layer 2PL.

본 실시예의 제1 중간층(1IL)은 비정질 물질을 포함할 수 있다. 제1 중간층(1IL)은 비정질 물질의 일 예로, 비정질 실리콘을 포함할 수 있다. The first intermediate layer 1IL according to the present embodiment may include an amorphous material. The first intermediate layer 1IL is an example of an amorphous material, and may include amorphous silicon.

또한, 본 실시예의 제1 중간층(1IL)은 금속 박막을 포함할 수 있다. 상기 금속 박막은 인듐틴옥사이드(Indium Tin Oxide: ITO), 알루미늄(Aluminium: Al, 티타늄(Ti), 및 몰리브덴(Mo) 중에서 선택된 적어도 하나를 포함할 수 있다. 그러나, 본 발명의 제1 중간층(1IL)은 상기 재료에 한정되지 않고, 제1 배리어층(1BL)과 제2 플라스틱층(2PL)의 접착력을 향상시키는 것이라면 본 발명에 적용될 수 있다. In addition, the first intermediate layer 1IL according to the present embodiment may include a metal thin film. The metal thin film may include at least one selected from indium tin oxide (ITO), aluminum (Al, titanium (Ti), and molybdenum (Mo).) However, the first intermediate layer of the present invention. 1IL) is not limited to the above material, and can be applied to the present invention as long as it improves adhesion between the first barrier layer 1BL and the second plastic layer 2PL.

또한, 제1 중간층(1IL)은 후술할 모 가요성 기판(MFS)과 유리 기판(GS)의 분리 공정(도 11a 및 도 11b 참조)에서, 유리 기판(GS)으로부터 제2 플라스틱층(2PL)의 분리를 원활히 하기 위하여, UV 광투과율이 10% 이상 되도록 형성할 수 있다. 이를 위하여 제1 중간층(1IL)은 100Å이하의 두께로 형성할 수 있다.In addition, the first intermediate layer 1IL is a second plastic layer 2PL from the glass substrate GS in the separation process of the parent flexible substrate MFS and the glass substrate GS (see FIGS. 11A and 11B) to be described later. In order to facilitate the separation of, it can be formed so that the UV light transmittance is 10% or more. To this end, the first intermediate layer 1IL may be formed to a thickness of 100 Å or less.

하기 표 1은 가요성 기판(FS-2)에 제1 중간층(1IL)이 형성되어 있지 않은 구조가 단위 표시 장치로 분리되기 전에, 제1 배리어층(1BL)과 제2 플라스틱층(2PL) 간의 박리 평가 결과를 나타낸 것이다. 시료 1은 제1 배리어층(1BL) 및 제2 배리어층(2BL)으로 단층 SiO2를, 시료 2는 단층 SiNx를, 시료 3은 복합층 SiO2/SiNx/SiO2를, 시료 4는 복합층 SiNx/SiO2/SiNx를 각각 사용한 것이다. Table 1 below shows a structure between the first barrier layer 1BL and the second plastic layer 2PL before the structure in which the first intermediate layer 1IL is not formed on the flexible substrate FS-2 is separated into a unit display device. It shows the peeling evaluation result. Sample 1 is the first barrier layer (1BL) and the second barrier layer (2BL) as a single layer SiO2, Sample 2 is a single layer SiNx, Sample 3 is a composite layer SiO2/SiNx/SiO2, and Sample 4 is a composite layer SiNx/SiO2. /SiNx respectively.

배리어층Barrier layer 시료1(O)Sample 1(O) 시료2(N)Sample 2(N) 시료3(ONO)Sample 3 (ONO) 시료4(NON)Sample 4 (NON) 접착력 평균(gh/inch)Average Adhesion (gh/inch) 67.7367.73 216.41216.41 82.8382.83 164.38164.38

하기 표 2는 가요성 기판(FS-2)에 제1 중간층(1IL)이 형성되어 있지 않은 구조가 단위 표시 장치로 분리된 후, 단위 표시 장치에서의 제1 배리어층(1BL)과 제2 플라스틱층(2PL) 간의 박리 평가 결과를 나타낸 것이다. 시료 5는 제1 배리어층(1BL) 및 제2 배리어층(2BL)으로 복합층 SiNx/ SiO2를, 시료 6은 복합층 SiNx/SiO2/SiNx를 각각 사용한 것이다. Table 2 below shows that after the structure in which the first intermediate layer 1IL is not formed on the flexible substrate FS-2 is separated into a unit display device, the first barrier layer 1BL and the second plastic It shows the peeling evaluation result between the layers (2PL). Sample 5 uses the composite layer SiNx/SiO2 as the first barrier layer 1BL and the second barrier layer 2BL, and the sample 6 uses the composite layer SiNx/SiO2/SiNx, respectively.

배리어층Barrier layer 시료5(NO)Sample 5 (NO) 시료6(NON)Sample 6 (NON) 접착력 평균(gh/inch)Average Adhesion (gh/inch) 34.6134.61 39.3139.31

하기 표 3은 가요성 기판(FS)에 제1 중간층(1IL)이 형성된 구조가 단위 표시 장치로 분리되기 전, 제1 배리어층(1BL)과 제2 플라스틱층(2PL) 간의 박리 평가 결과를 나타낸 것이다. 시료 7은 ITO를, 시료 8은 Ti를, 시료 9는 Al을, 제1 중간층(1IL)으로 사용한 것이다. 시료 10은 제1 중간층(1IL)으로 a-Si을 사용하여, a-Si을 5초 동안 성막한 것이다. 시료 11은 제1 중간층(1IL)으로 a-Si을 사용하여, a-Si을 10초 동안 성막한 것이다. 각 시료의 제1 배리어층(1BL) 및 제2 배리어층(2BL)은 각각 복합층 SiNx/SiO2를 각각 600Å, 1500Å의 두께로 형성한 것이다. Table 3 below shows the peeling evaluation results between the first barrier layer 1BL and the second plastic layer 2PL before the structure in which the first intermediate layer 1IL is formed on the flexible substrate FS is separated into a unit display device. will be. Sample 7 used ITO, sample 8 used Ti, sample 9 used Al, and used as the first intermediate layer 1IL. Sample 10 was obtained by forming a film of a-Si for 5 seconds using a-Si as the first intermediate layer 1IL. Sample 11 was obtained by forming a film of a-Si for 10 seconds using a-Si as the first intermediate layer 1IL. The first barrier layer 1BL and the second barrier layer 2BL of each sample are formed of a composite layer SiNx/SiO2 having a thickness of 600 Å and 1500 Å, respectively.

중간층Middle floor 시료7(ITO)Sample 7 (ITO) 시료8(Ti)Sample 8 (Ti) 시료9(Al)Sample 9 (Al) 시료10(a-Si)Sample 10 (a-Si) 시료11(a-Si)Sample 11 (a-Si) 접착력 평균
(gh/inch)Adhesion average
(gh/inch) 박리불가 Non-separable 박리불가Non-separable 박리불가Non-separable 126.27126.27 328.24328.24

하기 표 4는 가요성 기판(FS)에 제1 중간층(1IL)이 형성된 구조가 단위 표시 장치로 분리된 후, 단위 표시 장치에서의 제1 배리어층(1BL)과 제2 플라스틱층(2PL) 간의 박리 평가 결과를 나타낸 것이다. 시료 7 내지 11은 표 3에서의 시료와 동일한 것이다.Table 4 below shows that after the structure in which the first intermediate layer 1IL is formed on the flexible substrate FS is separated into a unit display device, between the first barrier layer 1BL and the second plastic layer 2PL in the unit display device It shows the peeling evaluation result. Samples 7 to 11 are the same as those in Table 3.

중간층Middle floor 시료7(ITO)Sample 7 (ITO) 시료8(Ti)Sample 8 (Ti) 시료9(Al)Sample 9 (Al) 시료10(a-Si)Sample 10 (a-Si) 시료11(a-Si)Sample 11 (a-Si) 접착력 평균
(gh/inch)Adhesion average
(gh/inch) 박리불가Non-separable 박리불가Non-separable 박리불가Non-separable 박리불가Non-separable 박리불가Non-separable

표 1을 참조하면, 제1 중간층(1IL)이 형성되어 있지 않은 구조가 단위 표시 장치로 분리되기 전에는 제1 배리어층(1BL)과 제2 플라스틱층(2PL) 간의 접착력 평균이 대략 60~200gf/inch 범위이고, 표 2를 참조하면, 단위 표시 장치로 분리된 후 단위 표시 장치에서의 제1 배리어층(1BL)과 제2 플라스틱층(2PL) 간의 접착력 평균이 대략 35~40gf/inch로 낮은 접착력 특성을 보인다. Referring to Table 1, before the structure in which the first intermediate layer 1IL is not formed is separated into the unit display device, the average adhesive force between the first barrier layer 1BL and the second plastic layer 2PL is approximately 60 to 200 gf/ inch range, and referring to Table 2, the average adhesive force between the first barrier layer 1BL and the second plastic layer 2PL in the unit display device after being separated into a unit display device is approximately 35 to 40 gf/inch, which is low Show characteristics.

그러나, 표 3을 참조하면, 제1 중간층(1IL)이 형성된 구조가 단위 표시 장치로 분리되기 전에는 ⅰ) a-Si의 경우 제1 배리어층(1BL)과 제2 플라스틱층(2PL) 간의 접착력 평균이 대략 100~300gf/inch, ⅱ) 금속 박막의 경우 '박리 불가'이다. 표 4를 참조하면, 단위 표시 장치로 분리된 후 단위 표시 장치에서의 제1 배리어층(1BL)과 제2 플라스틱층(2PL) 간의 접착력 평균은 '박리 불가'로서 측정이 불가능하였다. 즉, 제1 배리어층(1BL)과 제2 플라스틱층(2PL) 사이에 제1 중간층(1IL)을 개재시킬 경우, 제1 배리어층(1BL)과 제2 플라스틱층(2PL) 사이의 접착력이 현저히 증가함을 알 수 있다. However, referring to Table 3, before the structure in which the first intermediate layer (1IL) is formed is separated into a unit display device: i) In the case of a-Si, the average adhesion between the first barrier layer (1BL) and the second plastic layer (2PL) This is approximately 100-300gf/inch, ii) In the case of a metal thin film, it is'non-peelable'. Referring to Table 4, the average of the adhesive force between the first barrier layer 1BL and the second plastic layer 2PL in the unit display device after being separated into a unit display device is'non-peelable' and cannot be measured. That is, when the first intermediate layer 1IL is interposed between the first barrier layer 1BL and the second plastic layer 2PL, the adhesive strength between the first barrier layer 1BL and the second plastic layer 2PL is remarkably increased. It can be seen that it increases.

따라서, 본 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치(100)는 가요성 기판(FS)을 2개의 플라스틱층과 2개의 배리어층을 교번하여 적층하고, 인접하는 플라스틱층과 배리어층 사이에 중간층을 협지 시킴으로써, 평균적인 투습 경로를 길게 할 뿐만 아니라 하부 배리어층과 인접하는 상부 플라스틱층 간의 접착력을 증가 시켜 표시 장치의 박리 불량을 개선할 수 있다. Accordingly, in the organic light emitting display device 100 according to the present embodiment, two plastic layers and two barrier layers are alternately stacked on the flexible substrate FS, and an intermediate layer is sandwiched between the adjacent plastic layer and the barrier layer. In addition, not only the average moisture permeation path is lengthened, but also the adhesion between the lower barrier layer and the adjacent upper plastic layer may be increased, thereby improving peeling failure of the display device.

도 17은 도 1의 유기 발광 표시 장치(100)의 가요성 기판(FS)의 일 실시예를 도시한 도면들이다. 17 is a diagram illustrating an example of a flexible substrate FS of the organic light emitting display device 100 of FIG. 1.

도 17을 참조하면, 가요성 기판(FS)은 제1 플라스틱층(1PL), 제1 배리어층(1BL), 제1 중간층(1IL), 제2 플라스틱층(2PL), 및 제2 배리어층(2BL)을 포함한다. Referring to FIG. 17, the flexible substrate FS includes a first plastic layer 1PL, a first barrier layer 1BL, a first intermediate layer 1IL, a second plastic layer 2PL, and a second barrier layer ( 2BL).

본 실시예에서, 제1 배리어층(1BL)은 및 제2 배리어층(2BL)은 적어도 한 층의 실리콘 질화물을 포함하는 층(1SN, 2SN)을 각각 포함한다. 제1 배리어층(1BL)에 위치하는 실리콘 질화물을 포함하는 층(1SN)의 실리콘 질화물 밀도는, 제2 배리어층(2BL)에 위치하는 실리콘 질화물을 포함하는 층(2SN)의 실리콘 질화물의 밀도보다 낮게 형성된다. 예를 들어, 제1 배리어층(1BL)에 위치하는 실리콘 질화물을 포함하는 층(1SN)의 실리콘 질화물의 밀도는 2.4g/㎤ 이하로 형성할 수 있다. 다만, 공정상 실리콘 질화물의 밀도를 2.2g/㎤ 보다 더 낮게 형성하기는 어렵다.In the present embodiment, the first barrier layer 1BL and the second barrier layer 2BL each include layers 1SN and 2SN including at least one layer of silicon nitride. The silicon nitride density of the layer 1SN containing silicon nitride positioned on the first barrier layer 1BL is greater than the density of the silicon nitride of the layer 2SN containing silicon nitride positioned at the second barrier layer 2BL. Is formed low. For example, the density of silicon nitride in the layer 1SN including silicon nitride positioned on the first barrier layer 1BL may be less than or equal to 2.4 g/cm 3. However, it is difficult to form a silicon nitride density lower than 2.2 g/cm 3 in the process.

플라스틱 기판을 통한 투습을 방지하기 위하여 제1 배리어층(1BL) 및 제2 배리어층(2BL)의 적어도 일부 층을 실리콘 질화물로 형성하지만, 실리콘 질화물에 포함된 수소함량은 TFT의 소자 특성에 영향을 줄 수 있다. At least some layers of the first barrier layer 1BL and the second barrier layer 2BL are formed of silicon nitride to prevent moisture permeation through the plastic substrate, but the hydrogen content contained in the silicon nitride affects the device characteristics of the TFT. Can give.

도 18은 제1 배리어층(1BL)에는 실리콘 질화막을 형성하고 제2 배리어층(2BL)에는 실리콘 질화막을 형성하지 않은 가요성 기판을 사용한 경우(A)와, 제1 배리어층(1BL) 및 제2 배리어층(2BL)에 같은 밀도의 실리콘 질화막을 모두 형성한 가요성 기판을 사용한 경우(B)의 유기 발광 소자의 게이트 전압과 드레인 전류의 커브 변화를 나타낸 것이다.18 shows a case of using a flexible substrate in which a silicon nitride film is formed on the first barrier layer 1BL and a silicon nitride film is not formed on the second barrier layer 2BL (A), and the first barrier layer 1BL and the first 2 The graph shows the change in the gate voltage and the drain current of the organic light emitting device in the case of using a flexible substrate in which all silicon nitride films of the same density are formed on the barrier layer 2BL (B).

B의 경우, A의 경우보다 커브의 기울기가 큰 것을 알 수 있다. 그런데, B의 구조를 채용할 경우 발생하는 커브의 기울기 변화는 모든 유기 발광 소자에서 나타나는 것이 아니라 일부 소자에서만 나타나는 문제가 있다. 때문에, B의 경우, 소자 특성을 균일하게 하기 위하여 전류의 보상 설계가 필요하다. 그런데, 보상 설계에 따라 구동 전압을 줄이면, 저계조 구간에서 필요한 사양의 밝기 기준을 맞추지 못하는 저계조 OFF 결함이 발생한다. In the case of B, it can be seen that the slope of the curve is larger than in the case of A. However, when the structure of B is employed, a change in the slope of the curve occurs not in all organic light emitting devices, but only in some devices. Therefore, in the case of B, a current compensation design is required to make the device characteristics uniform. However, when the driving voltage is reduced according to the compensation design, a low grayscale OFF defect occurs in which the brightness standard of a required specification is not met in the low grayscale section.

표 5는 위 A 와 B 구조의 가요성 기판을 각각 사용하였을 때, 20 칸델라(cd) 기준에서 발생하는 저계조 OFF 결함율을 나타낸 것이다. Table 5 shows the low grayscale OFF defect rates that occur at 20 candelas (cd) when the above flexible substrates of structures A and B are used, respectively.

가요성 기판 구조Flexible substrate structure AA BB 결함율 Defect rate 1.6%1.6% 79.3%79.3%

위 표에서 알 수 있듯이, B의 경우 저계조 OFF 결함이 급격히 증가하였다. 이는 제2 배리어층(2BL)에 위치하는 실리콘 질화막에서 불균일(random)하게 발생하는 수소가 TFT의 소자 특성을 불균일 하게 만들기 때문이다. As can be seen from the table above, in the case of B, the low grayscale OFF defect increased rapidly. This is because hydrogen randomly generated in the silicon nitride film located in the second barrier layer 2BL makes the device characteristics of the TFT non-uniform.

그런데, 이와 같은 저계조 OFF 결함을 줄이기 위하여 A 구조를 채택할 경우, 배리어로서의 중요한 특성인 투습율이 증가하는 문제가 발생하였다. However, when the A structure is adopted to reduce such low grayscale OFF defects, there has been a problem that the moisture permeability, which is an important characteristic as a barrier, increases.

그러나, 본 실시예의 가요성 기판(FS)과 같이, 제1 배리어층(1BL)에 위치하는 실리콘 질화물을 포함하는 층(1SN)의 실리콘 질화물 밀도를, 제2 배리어층(2BL)에 위치하는 실리콘 질화물을 포함하는 층(2SN)의 실리콘 질화물의 밀도보다 낮게 형성함으로써, 유기 발광 표시 장치의 투습율의 편차를 줄이고, TFT의 특성을 향상시킬 수 있다. However, like the flexible substrate FS of the present embodiment, the silicon nitride density of the layer 1SN including silicon nitride located on the first barrier layer 1BL is determined by the silicon nitride density on the second barrier layer 2BL. By forming the nitride-containing layer 2SN to have a lower density than the silicon nitride, it is possible to reduce variations in the moisture permeability of the organic light emitting display device and improve the TFT characteristics.

도 19는 초기 실리콘 질화막의 밀도와 수소 함량의 관계를 나타낸 그래프이다. 19 is a graph showing the relationship between the density of the initial silicon nitride film and the hydrogen content.

도 19를 참조하면. 초기 실리콘 질화막의 밀도가 낮을수록 수소 함량이 증가하는 것을 알 수 있다. 본 실시예에서와 같이, 제1 배리어층(1BL)에 위치하는 실리콘 질화물을 포함하는 층(1SN)의 실리콘 질화물의 밀도를 2.4g/㎤ 이하로 낮게 형성하여 실리콘 질화막을 다공성으로(porously) 형성할 수 있다. 다만, 공정상 실리콘 질화물의 밀도를 2.2g/㎤ 보다 더 낮게 형성하기는 어렵다. 실리콘 질화막을 다공성으로 형성함으로써 수소 함량을 1x1017at./cm2 이상으로 높임으로써. 실리콘 질화막의 열처리 시 발생하는 수소량을 증가시킬 수 있다. 다만, 공정상 실리콘 질화물의 수소함량을 1x1018at./cm2 보다 더 크게 형성하기는 어렵다.증가된 수소량은 TFT 의 결함 사이트를 치유하여 TFT의 소자 특성을 향상시킬 수 있다. 또한 제1 배리어층(1BL)에 실리콘 질화막(1SN)을 형성함으로써 투습율도 향상 시킬 수 있다.Referring to Figure 19. It can be seen that the lower the density of the initial silicon nitride film, the higher the hydrogen content. As in the present embodiment, a silicon nitride film is formed porous by forming a silicon nitride density of the layer 1SN including silicon nitride positioned on the first barrier layer 1BL to be less than 2.4 g/cm 3 can do. However, it is difficult to form a silicon nitride density lower than 2.2 g/cm 3 in the process. The hydrogen content is 1x10 17 at./cm 2 By exalting above. It is possible to increase the amount of hydrogen generated during the heat treatment of the silicon nitride film. However, the hydrogen content of silicon nitride in the process is 1x10 18 at./cm 2 It is difficult to form larger than that. The increased amount of hydrogen can heal defect sites of the TFT, thereby improving the device characteristics of the TFT. In addition, the moisture permeability may be improved by forming the silicon nitride layer 1SN on the first barrier layer 1BL.

한편, 제1 배리어층(1BL)에 위치하는 실리콘 질화물을 포함하는 층(1SN)의 실리콘 질화물 밀도를, 제2 배리어층(2BL)에 위치하는 실리콘 질화물을 포함하는 층(2SN)의 실리콘 질화물의 밀도보다 낮게 형성함으로써, 제1 배리어층(1BL)에 위치하는 실리콘 질화막(1SN)의 굴절률을, 제2 배리어층(2BL)에 위치하는 실리콘 질화물을 포함하는 층(2SN)의 실리콘 질화물의 굴절률보다 작게 형성할 수 있다. On the other hand, the density of silicon nitride of the layer 1SN containing silicon nitride positioned in the first barrier layer 1BL is calculated as the silicon nitride density of the layer 2SN containing silicon nitride positioned in the second barrier layer 2BL. By forming lower than the density, the refractive index of the silicon nitride film 1SN located on the first barrier layer 1BL is greater than the refractive index of the silicon nitride of the layer 2SN including silicon nitride located on the second barrier layer 2BL. It can be formed small.

한편, 도 17에는 제1 배리어층(1BL)의 실리콘 질화막(1SN)이 실리콘 산화막 위에 한 개 층 형성된 경우를 도시하고 있지만, 본 발명은 이에 한정되지 않는다. 예를 들어, 제1 배리어층(1BL)에는 1층의 실리콘 질화막만 형성할 수 있다. 또는 제1 배리어층(1BL)에는 복수의 실리콘 질화막이 형성될 수 있다. 또는 제1 배리어층(1BL)에는 복수의 실리콘 산화막과 복수의 실리콘 질실리콘 산화막이 함께 형성되는 등 다양한 변형이 가능하다.
Meanwhile, although FIG. 17 shows a case in which one silicon nitride film 1SN of the first barrier layer 1BL is formed on the silicon oxide film, the present invention is not limited thereto. For example, only one layer of silicon nitride may be formed on the first barrier layer 1BL. Alternatively, a plurality of silicon nitride films may be formed on the first barrier layer 1BL. Alternatively, a plurality of silicon oxide layers and a plurality of silicon nitride silicon oxide layers may be formed together in the first barrier layer 1BL, and various modifications may be made.

도 5a 내지 도 10은 본 발명의 일 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치(100)를 제조하는 제조 방법의 일 실시예를 개략적으로 도시한 도면들이다. 5A to 10 are diagrams schematically illustrating an embodiment of a manufacturing method of manufacturing the organic light emitting display device 100 according to an exemplary embodiment of the present invention.

도 5a는 유리 기판(GS) 상에 모(母) 가요성 기판(MFS)을 형성하는 공정을 도시한 평면도이고, 도 5b는 도 5a의 VB-VB 선을 따라 취한 단면도이다. 5A is a plan view showing a process of forming a parent flexible substrate MFS on the glass substrate GS, and FIG. 5B is a cross-sectional view taken along the line VB-VB in FIG. 5A.

도 5a 및 도 5b를 참조하면, 유리 기판(GS) 위에 모 가요성 기판(MFS)을 형성한다. 5A and 5B, a parent flexible substrate MFS is formed on the glass substrate GS.

플라스틱을 소재로 만들어진 모 가요성 기판(MFS)은 열을 가할 경우 휘거나 늘어나는 성질이 있어 그 위에 각종 전극이나 도전 배선 등의 박막 패턴을 정밀하게 형성하기 어려운 점이 있다. 이에, 모 가요성 기판(MFS)을 캐리어 기판인 유리 기판(GS)에 접착시킨 상태에서 여러 박막 패턴 형성 공정을 진행하게 된다.The parent flexible substrate (MFS) made of plastic has a property of being bent or stretched when heat is applied, so it is difficult to precisely form a thin film pattern such as various electrodes or conductive wires thereon. Accordingly, various thin film pattern formation processes are performed in a state in which the parent flexible substrate MFS is adhered to the glass substrate GS, which is a carrier substrate.

먼저, 유리 기판(GS) 상에 제1 플라스틱층(1PS)을 형성한다. 제1 플라스틱층(1PS)은 폴리이미드, 폴리에틸렌나프탈레이트, 폴리에틸렌테레프탈레이트, 폴리아릴레이트, 폴리카보네이트, 폴리에테르이미드, 및 폴리에테르술폰 중 적어도 하나를 포함하는 플라스틱 고분자 용액을 유리 기판(GS) 위에 코팅 후 경화하거나 또는 고분자 필름을 유리 기판(GS)에 라미네이션하는 방식으로 형성할 수 있다. 경화 방법으로는 열 경화, UV 경화, 전자빔 경화 등 다양한 방법이 사용될 수 있다. First, a first plastic layer 1PS is formed on the glass substrate GS. The first plastic layer 1PS includes a plastic polymer solution containing at least one of polyimide, polyethylene naphthalate, polyethylene terephthalate, polyarylate, polycarbonate, polyetherimide, and polyethersulfone on a glass substrate GS. After coating, it may be cured or formed by laminating a polymer film on a glass substrate GS. Various methods such as thermal curing, UV curing, and electron beam curing may be used as the curing method.

다음으로, 제1 플라스틱층(1PS) 상에 제1 배리어층(1BL)을 형성한다. 제1 배리어층(1BL)은 AlO3, SiO2, SiNx 등과 같은 무기재료를 CVD(chemical vapor deposition), PECVD(plasma enhanced chemical vapor deposition) 또는 원자층 증착법(ALD: Atomic Layer Deposition) 등을 이용하여 단층막 또는 다층막으로 형성할 수 있다. Next, a first barrier layer 1BL is formed on the first plastic layer 1PS. The first barrier layer 1BL is a single layer film using inorganic materials such as AlO3, SiO2, SiNx, etc. using chemical vapor deposition (CVD), plasma enhanced chemical vapor deposition (PECVD), or atomic layer deposition (ALD). Alternatively, it can be formed as a multilayer film.

다음으로, 제1 배리어층(1BL) 상에 제1 중간층(1IL)을 형성한다. 제1 중간층은 비정질 실리콘과 같은 비정질 물질, 또는 인듐틴옥사이드, 알루미늄, 티타늄, 및 몰리브덴과 같은 금속 박막을 CVD, PECVD 또는 원자층 증착법 등을 이용하여 단층막 또는 다층막으로 형성할 수 있다. Next, a first intermediate layer 1IL is formed on the first barrier layer 1BL. The first intermediate layer may be formed of an amorphous material such as amorphous silicon, or a metal thin film such as indium tin oxide, aluminum, titanium, and molybdenum as a single layer film or a multilayer film using CVD, PECVD, or atomic layer deposition.

다음으로, 제1 중간층(1IL) 상에 제2 플라스틱층(2PL)을 형성한다. 제2 플라스틱층(2PL)은 전술한 제1 플라스틱층(1PL)과 동일한 재료 및 동일한 방법으로 형성될 수 있다. Next, a second plastic layer 2PL is formed on the first intermediate layer 1IL. The second plastic layer 2PL may be formed by the same material and method as the first plastic layer 1PL described above.

다른 한편, 제2 플라스틱층(2PL)은 제1 플라스틱층(1PL)에 비하여 낮은 점도로 형성될 수 있다. 코팅으로 제1 및 제2 플라스틱층(1PL, 2PL)을 형성할 경우, 고점도의 코팅 용액에는 이물이 많기 때문에 코팅 시 그 이물이 함께 코팅되는 문제가 발생할 수 있다. 따라서, 제2 플라스틱층(2PL)을 제1 플라스틱층(1PL)보다 점도를 낮게 형성함으로써, 제2 플라스틱층(2PL)의 코팅 시 필터링이 가능 할 수 있다. 이때, 제2 플라스틱층(2PL)은 필터링된 재료로 형성됨으로써 이물을 줄일 수 가 있고, 제2 플라스틱층(2PL)을 형성하는 코팅액은 저농도이기 때문에 제1 플라스틱층(1PL)과 제1 배리어층(1BL)에 생기는 이물을 커버할 수 있다. On the other hand, the second plastic layer 2PL may have a lower viscosity than the first plastic layer 1PL. In the case of forming the first and second plastic layers 1PL and 2PL by coating, since there are many foreign substances in the coating solution having a high viscosity, the foreign substances may be coated together during coating. Therefore, by forming the second plastic layer 2PL to have a lower viscosity than the first plastic layer 1PL, filtering may be possible when the second plastic layer 2PL is coated. At this time, since the second plastic layer 2PL is formed of a filtered material, foreign matter can be reduced, and the coating liquid forming the second plastic layer 2PL has a low concentration, so the first plastic layer 1PL and the first barrier layer It is possible to cover foreign matters that occur in (1BL).

한편, 도 1 및 도 5a에는 제1 플라스틱층(1PS)과 제2 플라스틱층(2PS)의 두께가 동일한 것으로 도시되어 있으나 본 발명은 이에 한정되지 않는다. 가요성 기판(FS)의 외부에서 투습되는 산소와 수분의 투습 시간은 제1 플라스틱층(1PS)에 비하여 유기 발광 소자층(120)에 더 가까운 제2 플라스틱층(2PS)의 두께에 더 큰 영향을 받는다. 따라서, 제1 플라스틱층(1PS)에 비하여 유기 발광 소자층(120)에 더 가까운 제2 플라스틱층(2PS)의 두께가 더 두껍게 형성함으로써 투습 시간을 지연시켜 유기 발광 소자의 열화를 방지할 수 있다. Meanwhile, in FIGS. 1 and 5A, the first plastic layer 1PS and the second plastic layer 2PS have the same thickness, but the present invention is not limited thereto. The moisture permeation time of oxygen and moisture transmitted from the outside of the flexible substrate FS has a greater effect on the thickness of the second plastic layer 2PS, which is closer to the organic light emitting element layer 120 than the first plastic layer 1PS. Receive. Therefore, by forming the second plastic layer 2PS closer to the organic light emitting device layer 120 to be thicker than the first plastic layer 1PS, the moisture permeation time may be delayed to prevent deterioration of the organic light emitting device. .

다음으로, 제2 플라스틱층(2PL) 상에 제2 배리어층(2BL)을 형성한다. 제2 배리어층(2BL)은 전술한 제1 배리어층(1BL)과 동일한 재료, 및 동일한 방법으로 형성될 수 있다. Next, a second barrier layer 2BL is formed on the second plastic layer 2PL. The second barrier layer 2BL may be formed by the same material and method as the first barrier layer 1BL described above.

도 6a는 모 가요성 기판(MFS) 상에 복수의 단위 유기 발광 표시 장치(100)를 형성하는 공정을 도시한 평면도이고, 도 6b는 도 6a의 ⅥB-ⅥB 선을 따라 취한 단면도이다. 6A is a plan view illustrating a process of forming a plurality of unit organic light emitting display devices 100 on the parent flexible substrate MFS, and FIG. 6B is a cross-sectional view taken along line VIB-VIB of FIG. 6A.

도 6a 및 도 6b를 참조하면, 모 가요성 기판(MFS) 상에 TFT층(110)과 유기 발광 소자층(120)을 포함하는 복수의 단위 유기 발광 표시 장치(100)를 형성한다. Referring to FIGS. 6A and 6B, a plurality of unit organic light emitting display devices 100 including a TFT layer 110 and an organic light emitting element layer 120 are formed on a parent flexible substrate MFS.

TFT층(110)을 형성하는 반도체층(111, 도 2 참조)에 따라 다양한 방식이 적용될 수 있다. 예를 들어, 반도체층(111, 도 2 참조)으로 결정질 실리콘, 비정질 실리콘, 도전성 산화물이 사용될 경우, PECV법, APCVD(atmospheric pressure CVD), LPCVD(low pressure CVD) 등의 증착 방법으로 형성될 수 있고, 반도체층(111, 도 2 참조)으로 유기 TFT가 적용될 경우 코팅, 인쇄법 등의 방법으로 형성될 수 있다. 한편, 반도체층(111, 도 2 참조)로 다결정 실리콘을 사용할 경우, 비정질 실리콘을 RTA(rapid thermal annealing), SPC(solid phase crystallzation), ELA(excimer laser annealing), MIC(metal induced crystallzation), MILC(metal induced lateral crystallzation), SLS(sequential lateral solidification) 방법 등의 다양한 결정화 방법을 적용하여 결정화될 수 있다. Various methods may be applied depending on the semiconductor layer 111 (see FIG. 2) forming the TFT layer 110. For example, when crystalline silicon, amorphous silicon, or conductive oxide is used as the semiconductor layer 111 (see FIG. 2), it may be formed by a deposition method such as PECV method, APCVD (atmospheric pressure CVD), LPCVD (low pressure CVD), etc. In addition, when an organic TFT is applied as the semiconductor layer 111 (refer to FIG. 2), it may be formed by a method such as coating or printing. On the other hand, when polycrystalline silicon is used as the semiconductor layer 111 (see FIG. 2), amorphous silicon is used for rapid thermal annealing (RTA), solid phase crystallzation (SPC), excimer laser annealing (ELA), metal induced crystallzation (MILC), and MILC. It can be crystallized by applying various crystallization methods such as (metal induced lateral crystallzation) and sequential lateral solidification (SLS) methods.

TFT층(110)에는 게이트 전극(113, 도 2 참조), 소스 전극(115, 도 2 참조), 드레인 전극(116, 도 2 참조), 커패시터(미도시) 및 다양한 배선들(미도시)이 CVD, PECVD, ALD 등의 방법으로 증착된 후, 사진 식각 공정 등으로 원하는 패턴으로 형성될 수 있다. The TFT layer 110 includes a gate electrode 113 (see FIG. 2), a source electrode 115 (see FIG. 2), a drain electrode 116 (see FIG. 2), a capacitor (not shown), and various wires (not shown). After being deposited by a method such as CVD, PECVD, or ALD, it may be formed into a desired pattern by a photolithography process.

유기 발광 소자층(120)의 유기 발광층을 포함하는 층(123, 도 2)은 증착법, 코팅법, 인쇄법, 광-열전사법 등 다양한 방법으로 형성될 수 있다. The layer 123 (FIG. 2) including the organic emission layer of the organic light-emitting device layer 120 may be formed by various methods such as a vapor deposition method, a coating method, a printing method, and a photo-thermal transfer method.

한편, 도 6b에는 도시되지 않았으나, 제2 배리어층(2BL)과 TFT층(110) 사이에 버퍼층(미도시)이 더 구비될 수 있다. Meanwhile, although not shown in FIG. 6B, a buffer layer (not shown) may be further provided between the second barrier layer 2BL and the TFT layer 110.

도 7은 모 가요성 기판(MFS) 상에 복수의 유기 발광 소자층(120)을 봉지하는 박막 봉지층(130)을 형성하는 공정을 개략적으로 도시한 단면도이다. 7 is a cross-sectional view schematically illustrating a process of forming a thin film encapsulation layer 130 encapsulating the plurality of organic light emitting device layers 120 on the parent flexible substrate MFS.

박막 봉지층(130)은 전술한 바와 같이 복수의 무기층들 또는 무기층과 유기층이 혼합되어 형성될 수 있다. 무기층 및 유기층은 CVD, PECVD, 스퍼터링 등의 다양한 방법으로 형성될 수 있다. The thin film encapsulation layer 130 may be formed by mixing a plurality of inorganic layers or an inorganic layer and an organic layer as described above. The inorganic layer and the organic layer may be formed by various methods such as CVD, PECVD, and sputtering.

한편, 도 7에는 복수의 단위 유기 발광 표시 장치(100)를 전체적으로 하나의 봉지 박막층(130)이 공통으로 커버하는 것으로 도시되어 있지만, 본 발명은 이에 한정되지 않는다. 즉, 봉지 박막층(130)은 단위 유기 발광 표시 장치(100)의 단위 유기 발광 소자를 개별적으로 커버 할 수 있다.Meanwhile, in FIG. 7, it is shown that one encapsulation thin film layer 130 covers the plurality of unit organic light emitting display devices 100 as a whole, but the present invention is not limited thereto. That is, the encapsulation thin film layer 130 may individually cover the unit organic light emitting device of the unit organic light emitting display device 100.

도 8 및 도 9는 유리 기판(GS)과 모 가요성 기판(MFS)을 분리하는 공정을 개략적으로 도시한 단면도이다.8 and 9 are cross-sectional views schematically illustrating a process of separating the glass substrate GS and the parent flexible substrate MFS.

도 8을 참조하면, 모 가요성 기판(MFS)을 유리 기판(GS)으로부터 분리하기 위하여, 유리 기판(GS)의 모 가요성 기판(MFS)이 형성된 면의 반대 면에 레이저 빔을 조사한다. Referring to FIG. 8, in order to separate the parent flexible substrate MFS from the glass substrate GS, a laser beam is irradiated on a surface of the glass substrate GS opposite to the surface on which the parent flexible substrate MFS is formed.

사용되는 레이저 빔으로는 엑시머(Excimer) 레이저를 이용하여 UV 광을 조사할 수 있다. 조사된 UV광은 유리 기판(GS)을 투과하여 제1 플라스틱층(1PS) 및 제2 플라스틱층(2PS)에 흡수된다. 흡수된 에너지에 의해 제1 플라스틱층(1PS) 및 제2 플라스틱층(2PS)과 유리 기판(GS) 사이의 결합력이 약해진다. 제1 배리어층(1BL) 또는 제2 배리어층(2BL)은 외부 장력에 의해 쉽게 부서진다. 따라서, 모 가요성 기판(MFS)과 유리 기판(GS)에 도 9의 화살표 방향의 외부 장력을 적당히 인가함으로써 모 가요성 기판(MFS)를 유리 기판(GS)으로부터 분리할 수 있다. As the laser beam used, an excimer laser may be used to irradiate UV light. The irradiated UV light passes through the glass substrate GS and is absorbed by the first plastic layer 1PS and the second plastic layer 2PS. The bonding force between the first plastic layer 1PS and the second plastic layer 2PS and the glass substrate GS is weakened by the absorbed energy. The first barrier layer 1BL or the second barrier layer 2BL is easily broken by an external tension. Accordingly, the parent flexible substrate MFS can be separated from the glass substrate GS by appropriately applying an external tension in the direction of the arrow of FIG. 9 to the parent flexible substrate MFS and the glass substrate GS.

한편, 모 가요성 기판(MFS)을 유리 기판(GS)으로부터 분리하는 공정 전에 박막 봉지층(130) 위에 제1 보호필름(140)을 부착할 수 있다. 제1 보호 필름(140)은 편광필름 등과 같은 광학 부재로 사용될 수 도 있다. Meanwhile, before the process of separating the parent flexible substrate MFS from the glass substrate GS, the first protective film 140 may be attached on the thin film encapsulation layer 130. The first protective film 140 may be used as an optical member such as a polarizing film.

도 10은 모 가요성 기판(MFS) 상에 형성된 유기 발광 소자층을 복수의 단위 표시 장치(100)로 분리하는 공정을 개략적으로 도시한 단면도이다. 10 is a schematic cross-sectional view illustrating a process of separating an organic light emitting device layer formed on the parent flexible substrate MFS into a plurality of unit display devices 100.

모 가요성 기판(MFS)을 유리 기판(GS)으로부터 분리한 후, 모 가요성 기판(MFS)의 이면에 제2 보호필름(150)을 부착 한 후, 복수의 단위 표시 장치(100)로 분리하는 공정을 진행할 수 있다. 제2 보호 필름(150)은 편광필름 등과 같은 광학 부재로 사용될 수 도 있다.After separating the parent flexible substrate (MFS) from the glass substrate (GS), attaching the second protective film 150 to the back surface of the parent flexible substrate (MFS), and then separating it into a plurality of unit display devices 100 You can proceed with the process. The second protective film 150 may be used as an optical member such as a polarizing film.

커팅 휠, 레이저 커팅기 등을 이용하여 단위 표시 장치 사이의 비표시 영역의 커팅 라인(CL)을 따라 커팅함으로써 모 가요성 기판(MFS) 상에 형성된 유기 발광 소자층을 복수의 단위 표시 장치(100)로 분리할 수 있다.
The plurality of unit display devices 100 cut the organic light emitting element layer formed on the parent flexible substrate MFS by cutting along the cutting line CL in the non-display area between the unit display devices using a cutting wheel, a laser cutter, etc. Can be separated by

이하, 도 11a 및 도 11b를 참조하여 본 발명의 일 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치(100)의 모 가요성 기판(MFS-1)를 제조하는 제조 방법의 다른 실시예를 설명한다. Hereinafter, another embodiment of a manufacturing method of manufacturing the parent flexible substrate MFS-1 of the organic light emitting display device 100 according to an exemplary embodiment will be described with reference to FIGS. 11A and 11B.

도 11a는 유리 기판(GS) 상에 모(母) 가요성 기판(MFS-1)을 형성하는 공정을 도시한 평면도이고, 도 11b는 도 11a의 XIB-XIB 선을 따라 취한 단면도이다. 도 11a 및 도 11b는 특히, 유리 기판(GS)과 모 가요성 기판(MFS-1)의 접합 면의 외곽부를 상세히 도시한 것이다. FIG. 11A is a plan view showing a process of forming the parent flexible substrate MFS-1 on the glass substrate GS, and FIG. 11B is a cross-sectional view taken along line XIB-XIB of FIG. 11A. In particular, FIGS. 11A and 11B illustrate in detail an outer portion of the bonding surface of the glass substrate GS and the parent flexible substrate MFS-1.

유리 기판(GS) 위에 형성된 제1 플라스틱층(1PL) 및 제2 플라스틱층(2PL)은 각각 제1 배리어층(1BL) 및 제2 배리어층(2BL)에 의해 덮이도록 형성되어 있다. The first plastic layer 1PL and the second plastic layer 2PL formed on the glass substrate GS are formed to be covered by the first barrier layer 1BL and the second barrier layer 2BL, respectively.

제1 플라스틱층(1PL) 및 제2 플라스틱층(2PL)을 코팅 공정으로 유리 기판(GS) 상에 형성할 때, 코팅액이 유리 기판(GS) 외부로 흐르게 되면, 유리 기판(GS) 외부로 흘러나온 유기 코팅액은 불량을 발생 시킨다. 따라서, 제1 플라스틱층(1PL) 및 제2 플라스틱층(2PL)은 유리 기판(GS) 보다 작은 영역에 코팅될 수 있도록 형성된다. 반면, 제1 배리어층(1BL) 및 제2 배리어층(2BL)은 CVD, PECVE 등의 증착 공정으로 진행되므로 제1 플라스틱층(1PL) 및 제2 플라스틱층(2PL)에 비하여 유리 기판(GS)의 단부에 가깝게 형성된다. When the first plastic layer (1PL) and the second plastic layer (2PL) are formed on the glass substrate GS by a coating process, when the coating liquid flows outside the glass substrate GS, it flows outside the glass substrate GS. The organic coating liquid that comes out causes defects. Accordingly, the first plastic layer 1PL and the second plastic layer 2PL are formed to be coated on a smaller area than the glass substrate GS. On the other hand, since the first barrier layer 1BL and the second barrier layer 2BL are processed by a deposition process such as CVD or PECVE, the glass substrate GS is compared to the first plastic layer 1PL and the second plastic layer 2PL. Is formed close to the end of.

제2 플라스틱층(2PL)은 제1 플라스틱층(1PL)을 약간 덮는 구조가 된다. 이는 제2 플라스틱층(2PL)을 제1 플라스틱층(1PL)과 동일한 위치에 형성하더라도 코팅 시 유동성에 의해 제2 플라스틱층(2PL)이 제1 플라스틱층(1PL) 외곽부로 흐르게 된 경우이다. 제1 중간층(1IL)은 제1 배리어층(1BL) 및 제2 배리어층(2BL)과 동일한 크기로 형성된다. 따라서, 모 가요성 기판(MFS-2)의 외곽부에 제1 중간층(1IL-1)과 제2 플라스틱층(2PL)이 중첩되는 영역(OA)이 발생된다. The second plastic layer 2PL has a structure that slightly covers the first plastic layer 1PL. This is a case in which the second plastic layer 2PL flows to the outer portion of the first plastic layer 1PL due to fluidity during coating even if the second plastic layer 2PL is formed at the same position as the first plastic layer 1PL. The first intermediate layer 1IL is formed to have the same size as the first barrier layer 1BL and the second barrier layer 2BL. Accordingly, a region OA in which the first intermediate layer 1IL-1 and the second plastic layer 2PL overlap is generated on the outer edge of the parent flexible substrate MFS-2.

모 가요성 기판(MFS-1)과 유리 기판(GS)의 분리 공정에서, 조사된 UV광은 유리 기판(GS)을 투과하여 제1 플라스틱층(1PS) 및 제2 플라스틱층(2PS)에 흡수되어야 하는데, 제1 중간층(1IL-1)과 제2 플라스틱층(2PL)이 중첩되는 영역(OA)에서는 제1 중간층(1IL-1)이 UV 광을 흡수하여, 이 UV 광이 제2 플라스틱층(2PL)에 흡수되는 것을 방해한다. 이로 인하여, 유리 기판(GS)으로부터 모 가요성 기판(MFS-1)을 분리하기가 어려워질 수 있다. In the separation process of the parent flexible substrate (MFS-1) and the glass substrate (GS), the irradiated UV light passes through the glass substrate GS and is absorbed by the first plastic layer (1PS) and the second plastic layer (2PS). In the area OA where the first intermediate layer 1IL-1 and the second plastic layer 2PL overlap, the first intermediate layer 1IL-1 absorbs UV light, and the UV light is absorbed by the second plastic layer. It interferes with absorption by (2PL). Due to this, it may be difficult to separate the parent flexible substrate MFS-1 from the glass substrate GS.

따라서, 제1 중간층(1IL-1)은 UV광을 적절히 투과할 수 있도록 형성하는 것이 바람직하다. 예를 들어, 제1 중간층(1IL-1)은 UV 광투과율이 10% 이상 되도록 형성하는 것이 바람직하다. 제1 중간층(IL-1)의 성막 시간을 조절하여 제1 중간층(1IL-1)의 두께를 적절히 조절함으로써 제1 중간층(1IL-1)의 UV 광투과율을 10% 이상으로 형성할 수 있다. 예를 들어, 제1 중간층(1IL-1)의 두께는 대략 100Å이하로 형성할 수 있다.Therefore, it is preferable that the first intermediate layer 1IL-1 is formed so as to adequately transmit UV light. For example, the first intermediate layer (1IL-1) is preferably formed so that the UV light transmittance of 10% or more. The UV light transmittance of the first intermediate layer 1IL-1 may be formed to be 10% or more by appropriately adjusting the thickness of the first intermediate layer 1IL-1 by adjusting the film formation time of the first intermediate layer IL-1. For example, the thickness of the first intermediate layer 1IL-1 may be approximately 100 Å or less.

이하, 도 12를 참조하여 본 발명의 일 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치(100)를 제조하는 제조 방법의 또 다른 실시예를 설명한다. Hereinafter, another embodiment of a manufacturing method of manufacturing the organic light emitting display device 100 according to an exemplary embodiment will be described with reference to FIG. 12.

도 12를 참조하면, 모 가요성 기판(MFS-2)을 형성하는 단계에서, 제1 중간층(IL-2)을 제1 플라스틱층(1PL)과 같거나 작게 형성한다. Referring to FIG. 12, in the step of forming the parent flexible substrate MFS-2, the first intermediate layer IL-2 is formed equal to or smaller than the first plastic layer 1PL.

전술한 도 11a 및 도 11b의 실시예는, 모 가요성 기판(MFS-2)의 외곽부에 제1 중간층(1IL-1)과 제2 플라스틱층(2PL)에 의한 중첩되는 영역(OA)에서 제1 중간층(1IL-1)의 UV 광 투과율을 두께로 조절하는 것인 반면, 본 제조 방법은, 제1 중간층(IL-2)을 제1 플라스틱층(1PL)과 같거나 작게 형성함으로써 외곽부에 중첩 영역(OA)을 원천적으로 만들지 않는 것을 특징으로 한다. 즉, 상기 유리 기판(GS)의 단부에서, 제2 플라스틱층(2PL)의 단부와 제1 배리어층(1BL)의 단부가 직접 접촉한다. 따라서, 모 가요성 기판(MFS-2)과 유리 기판(GS)의 분리 공정을 원활히 수행할 수 있다. In the above-described embodiments of FIGS. 11A and 11B, in the overlapping region OA by the first intermediate layer 1IL-1 and the second plastic layer 2PL on the outer portion of the parent flexible substrate MFS-2. Whereas the UV light transmittance of the first intermediate layer 1IL-1 is adjusted to the thickness, in this manufacturing method, the outer part is formed by forming the first intermediate layer IL-2 equal to or smaller than the first plastic layer 1PL. It is characterized in that the overlapping area (OA) is not originally made. That is, at the end of the glass substrate GS, the end of the second plastic layer 2PL and the end of the first barrier layer 1BL directly contact each other. Accordingly, the process of separating the parent flexible substrate MFS-2 and the glass substrate GS can be smoothly performed.

이하, 도 13을 참조하여 본 발명의 일 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치(100)를 제조하는 제조 방법의 또 다른 실시예를 설명한다. Hereinafter, another embodiment of a manufacturing method of manufacturing the organic light emitting display device 100 according to an exemplary embodiment will be described with reference to FIG. 13.

도 13을 참조하면, 모 가요성 기판(MFS-3)을 형성하는 단계에서, 제2 플라스틱층(2PL-3)을 제1 플라스틱층(1PL)과 같거나 작게 형성한다. Referring to FIG. 13, in the step of forming the parent flexible substrate MFS-3, the second plastic layer 2PL-3 is formed equal to or smaller than the first plastic layer 1PL.

제2 플라스틱층(2PL-3)을 제1 플라스틱층(1PL)과 같거나 작게 형성함으로써, 전술한 도 12의 실시예와 마찬가지로 외곽부에 제2 플라스틱층(2PL-3)과 제1 중간층(1IL)에 의한 중첩 영역(OA)을 원천적으로 만들지 않는다. 따라서, 모 가요성 기판(MFS-3)과 유리 기판(GS)의 분리 공정을 원활히 수행할 수 있다. 여기서, 제2 플라스틱층(2PL-3)은 제1 플라스틱층(1PL) 상에서 코팅 과정에서 흐르기 때문에, 실재 설계 단계에서는 계획하는 면적보다 더 작게 제2 플라스틱층(2PL-3)의 면적을 설계하여야 함을 의미한다.
By forming the second plastic layer 2PL-3 equal to or smaller than the first plastic layer 1PL, the second plastic layer 2PL-3 and the first intermediate layer ( 1IL) do not make the overlapping area (OA) as a source. Therefore, it is possible to smoothly perform the separation process of the parent flexible substrate MFS-3 and the glass substrate GS. Here, since the second plastic layer 2PL-3 flows on the first plastic layer 1PL during the coating process, in the actual design stage, the area of the second plastic layer 2PL-3 should be designed to be smaller than the planned area. Means.

도 14는 본 발명의 다른 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치(200)의 개략적인 단면도이다. 14 is a schematic cross-sectional view of an organic light emitting diode display 200 according to another exemplary embodiment of the present invention.

도 14을 참조하면, 본 발명의 다른 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치(200)는 가요성 기판(FS-2), TFT(Thin Film Transistor)층(110), 유기 발광 소자층(120), 및 박막 봉지층(130)을 포함한다. 이하, 전술한 일 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치(100)와 차이점을 중심으로 본 실시예를 설명하고, 동일한 참조부호는 전술한 실시예의 설명을 참조하여 이해될 수 있다. Referring to FIG. 14, an organic light emitting display device 200 according to another exemplary embodiment of the present invention includes a flexible substrate FS-2, a thin film transistor (TFT) layer 110, an organic light emitting device layer 120, and And a thin film encapsulation layer 130. Hereinafter, the present embodiment will be described focusing on differences from the organic light emitting display device 100 according to the above-described embodiment, and the same reference numerals may be understood with reference to the description of the above-described embodiment.

본 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치(200)의 가요성 기판(FS-2)는 제1 플라스틱층(1PL), 제1 배리어층(1BL), 제1 중간층(1IL-4), 제2 플라스틱층(2PL), 및 제2 배리어층(2BL)을 포함한다. The flexible substrate FS-2 of the organic light emitting display device 200 according to the present embodiment includes a first plastic layer 1PL, a first barrier layer 1BL, a first intermediate layer 1IL-4, and a second plastic. The layer 2PL and the second barrier layer 2BL are included.

본 실시예의 제1 중간층(1IL-4)은 유기 발광 소자층(120)이 형성된 영역에 위치하도록 패터닝되어 있다. The first intermediate layer 1IL-4 according to the present exemplary embodiment is patterned to be positioned in a region in which the organic light emitting device layer 120 is formed.

도 15a 및 도 15b는 본 발명의 다른 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치(200)의 제조 공정을 설명하기 위한 평면도 및 단면도이다. 15A and 15B are plan and cross-sectional views illustrating a manufacturing process of an organic light emitting display device 200 according to another exemplary embodiment of the present invention.

도 15a는 유리 기판(GS) 상에 모(母) 가요성 기판(MFS-4)을 형성하는 공정을 도시한 평면도이고, 도 15b는 도 15a의 ⅩVB -ⅩVB 선을 따라 취한 단면도이다. FIG. 15A is a plan view illustrating a process of forming a parent flexible substrate MFS-4 on the glass substrate GS, and FIG. 15B is a cross-sectional view taken along the line XVB-XVB in FIG. 15A.

도 15a 및 도 15b를 참조하면, 유리 기판(GS) 제1 플라스틱층(1PS) 과 제1 배리어층(1BL)을 순차적으로 형성한 후, 제1 중간층(1IL-4)을 형성한다. 15A and 15B, after sequentially forming a first plastic layer 1PS and a first barrier layer 1BL on a glass substrate GS, a first intermediate layer 1IL-4 is formed.

이때 제1 중간층(1IL-4)은 각 단위 표시 장치(200)에 대응되는 영역에만 형성되고, 단위 표시 장치(200) 사이의 비표시 영역에는 형성되지 않는다. 따라서, 모 가요성 기판(MFS-4) 상에 형성된 복수의 유기 발광 소자층을 복수의 단위 표시 장치(200)로 분리하는 공정에서, 커팅 라인에 제1 중간층(IL-4)과 같은 무기막층을 적게 형성하여 커팅 시 무기막에 의해 발생하는 크랙이나 오염을 줄일 수 있다. In this case, the first intermediate layer 1IL-4 is formed only in an area corresponding to each unit display device 200, and is not formed in a non-display area between the unit display devices 200. Accordingly, in the process of separating the plurality of organic light emitting device layers formed on the parent flexible substrate MFS-4 into the plurality of unit display devices 200, an inorganic layer such as the first intermediate layer IL-4 is formed on the cutting line. By forming less, it is possible to reduce cracks or contamination caused by the inorganic film during cutting.

또한, 유리 기판(GS)의 단부에 제1 중간층(IL-4)이 형성되어 있지 않기 때문에, 유리 기판(GS)의 단부에 제1 중간층(IL-4)과 제2 플라스틱층(2PL)이 중첩되는 영역이 발생하지 않는다. 즉, 유리 기판(GS)의 단부에서, 제2 플라스틱층(2PL)의 단부와 제1 배리어층(1BL)의 단부가 직접 접촉한다. 따라서, 모 가요성 기판(MFS-4)과 유리 기판(GS)의 분리 공정을 원활히 수행할 수 있다.
In addition, since the first intermediate layer IL-4 is not formed at the end of the glass substrate GS, the first intermediate layer IL-4 and the second plastic layer 2PL are formed at the end of the glass substrate GS. There is no overlapping area. That is, at the end of the glass substrate GS, the end of the second plastic layer 2PL and the end of the first barrier layer 1BL directly contact each other. Therefore, it is possible to smoothly perform the separation process of the parent flexible substrate MFS-4 and the glass substrate GS.

도 16은 본 발명의 다른 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치(300)의 개략적인 단면도이다. 16 is a schematic cross-sectional view of an organic light emitting display device 300 according to another exemplary embodiment of the present invention.

도 16을 참조하면, 본 발명의 다른 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치(300)는 가요성 기판(FS-3), TFT(Thin Film Transistor)층(110), 유기 발광 소자층(120), 및 박막 봉지층(130)을 포함한다. 이하, 전술한 일 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치(100)와 차이점을 중심으로 본 실시예를 설명하고, 동일한 참조부호는 전술한 실시예의 설명을 참조하여 이해될 수 있다. Referring to FIG. 16, an organic light emitting display device 300 according to another embodiment of the present invention includes a flexible substrate FS-3, a thin film transistor (TFT) layer 110, an organic light emitting device layer 120, and And a thin film encapsulation layer 130. Hereinafter, the present embodiment will be described focusing on differences from the organic light emitting display device 100 according to the above-described embodiment, and the same reference numerals may be understood with reference to the description of the above-described embodiment.

본 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치(300)의 가요성 기판(FS-3)는 제1 플라스틱층(1PL), 제1 배리어층(1BL), 제1 중간층(1IL), 제2 플라스틱층(2PL), 제2 중간층(2IL), 제2 배리어층(2BL), 제3 플라스틱층(3PL) 및 제3 배리어층(3BL)을 포함한다. The flexible substrate FS-3 of the organic light emitting display device 300 according to the present exemplary embodiment includes a first plastic layer 1PL, a first barrier layer 1BL, a first intermediate layer 1IL, and a second plastic layer. 2PL), a second intermediate layer (2IL), a second barrier layer (2BL), a third plastic layer (3PL), and a third barrier layer (3BL).

즉, 본 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치(300)는 가요성 기판(FS-3)을 3개의 플라스틱층과 3개의 배리어층을 교번하여 적층하고, 인접하는 플라스틱층과 배리어층 사이에 각각 중간층(1IL, 2IL)을 협지되어 있다. 전술한 일 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치(100)에 비하여 평균적인 투습 경로가 더 길어졌기 때문에 산소와 수분의 투습을 더욱 잘 방지할 수 있다. That is, in the organic light emitting diode display 300 according to the present embodiment, three plastic layers and three barrier layers are alternately stacked on the flexible substrate FS-3, and intermediate layers are formed between adjacent plastic layers and barrier layers. (1IL, 2IL) are pinched. Since the average moisture permeation path is longer than that of the organic light emitting display device 100 according to the exemplary embodiment described above, it is possible to better prevent oxygen and moisture permeation.

도 16에는 상세히 도시되어 있지 않으나, 가요성 기판(FS-3)의 제1 배리어층(1BL) 내지 제3 배리어층(3BL)은 적어도 한 층의 실리콘 질화물을 포함하는 층(미도시)을 각각 포함한다. Although not shown in detail in FIG. 16, each of the first barrier layer 1BL to the third barrier layer 3BL of the flexible substrate FS-3 includes at least one layer (not shown) including silicon nitride. Include.

제1 배리어층(1BL)에 위치하는 실리콘 질화물을 포함하는 층(미도시)의 실리콘 질화물 밀도는, 제3 배리어층(3BL)에 위치하는 실리콘 질화물을 포함하는 층(미도시)의 실리콘 질화물의 밀도보다 낮게 형성할 수 있다. 예를 들어, 제1 배리어층(1BL)에 위치하는 실리콘 질화물을 포함하는 층(미도시)의 실리콘 질화물의 밀도는 2.4g/㎤ 이하로 형성할 수 있다. 다만, 공정상 실리콘 질화물의 밀도를 2.2g/㎤ 보다 더 낮게 형성하기는 어렵다. 마찬가지로, 제1 배리어층(1BL)에 위치하는 실리콘 질화막(미도시)의 굴절률을, 제3 배리어층(3BL)에 위치하는 실리콘 질화물을 포함하는 층(미도시)의 실리콘 질화물의 굴절률보다 작게 형성할 수 있다The silicon nitride density of the layer containing silicon nitride (not shown) positioned on the first barrier layer 1BL is the silicon nitride of the layer containing silicon nitride positioned on the third barrier layer 3BL (not shown). It can be formed lower than the density. For example, the density of silicon nitride in a layer (not shown) including silicon nitride positioned on the first barrier layer 1BL may be formed to be 2.4 g/cm 3 or less. However, it is difficult to form a silicon nitride density lower than 2.2 g/cm 3 in the process. Similarly, the refractive index of the silicon nitride film (not shown) positioned on the first barrier layer 1BL is formed to be smaller than the refractive index of the silicon nitride layer (not shown) positioned on the third barrier layer 3BL containing silicon nitride. can do

이와 같이 제1 배리어층(1BL)에 위치하는 실리콘 질화물을 포함하는 층(미도시)의 실리콘 질화물의 밀도를 2.4g/㎤ 이하로 낮게 다공성으로 형성함으로써 실리콘 질화막의 열처리 시 발생하는 수소량을 증가시킬 수 있다. 이 증가된 수소량은 TFT 의 결함 사이트를 치유하여 TFT의 소자 특성을 향상시킬 수 있고, 제1 배리어층(1BL)에 실리콘 질화막(1SN)을 형성함으로써 투습율을 향상 시킬 수 있다.As such, the amount of hydrogen generated during heat treatment of the silicon nitride film is increased by forming the silicon nitride density of the silicon nitride layer (not shown) located on the first barrier layer 1BL to a low porosity of less than 2.4 g/cm 3 I can make it. This increased amount of hydrogen can improve the device characteristics of the TFT by healing defect sites of the TFT, and improve the moisture permeability by forming the silicon nitride film 1SN on the first barrier layer 1BL.

한편, 도 16에는 3개의 플라스틱층과 3개의 배리어층을 교번하여 적층된 구조를 도시하였지만, 플라스틱층과 배리어층은 필요에 따라 더 적층할 수 있다. 이때, 인접하는 플라스틱층과 배리어층 사이의 중간층도 필요에 따라 더 형성할 수 있음은 물론이다. Meanwhile, although FIG. 16 shows a structure in which three plastic layers and three barrier layers are alternately stacked, the plastic layer and the barrier layer may be further stacked if necessary. At this time, it goes without saying that an intermediate layer between the adjacent plastic layer and the barrier layer may be further formed as needed.

또한 도 16에는 도시되어 있지 않으나, 도 14에 설명된 바와 같이 제1 중간층(1IL) 및 제2 중간층(2IL)은 패터닝 될 수 있다. Also, although not shown in FIG. 16, as illustrated in FIG. 14, the first intermediate layer 1IL and the second intermediate layer 2IL may be patterned.

그리고, 전술한 실시예는 유기 발광 표시 장치의 구조를 기준으로 본 발명을 설명하였으나, 유기 발광 표시 장치뿐만 아니라 다양한 플렉서블 디스플레이 장치들에도 본 발명이 적용될 수 있다. 예를 들어, 휴대용 모바일 기기, 네비게이션, 비디오 카메라, 노트북 PC, 태블릿 PC, 평면 TV, 빔프로젝터 등 다양한 전자기기에 적용될 수 있다. Further, in the above-described embodiments, the present invention has been described based on the structure of the organic light emitting display device, but the present invention can be applied not only to the organic light emitting display device but also to various flexible display devices. For example, it can be applied to various electronic devices such as portable mobile devices, navigation, video cameras, notebook PCs, tablet PCs, flat screen TVs, and beam projectors.

본 발명은 도면에 도시된 실시 예를 참고로 설명되었으나 이는 예시적인 것에 불과하며, 당해 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 이로부터 다양한 변형 및 균등한 다른 실시 예가 가능하다는 점을 이해할 것이다. 따라서, 본 발명의 진정한 기술적 보호 범위는 첨부된 특허청구범위의 기술적 사상에 의하여 정해져야 할 것이다.The present invention has been described with reference to the embodiments shown in the drawings, but these are merely exemplary, and those of ordinary skill in the art will appreciate that various modifications and equivalent other embodiments are possible therefrom. Therefore, the true technical scope of the present invention should be determined by the technical spirit of the appended claims.

100: 유기 발광 표시 장치 FS: 가요성 기판
1PL: 제1 플라스틱층 2PL: 제2 플라스틱층
1BL: 제1 배리어층 2BL: 제2 배리어층
1IL: 제1 중간층 1SN: 제1 실리콘 질화막
2SN: 제2 실리콘 질화막 110: TFT층
120: 유기 발광 소자층 130: 박막 봉지층
GS: 유리 기판 MFS: 모(母) 가요성 기판100: organic light emitting display device FS: flexible substrate
1PL: first plastic layer 2PL: second plastic layer
1BL: first barrier layer 2BL: second barrier layer
1IL: first intermediate layer 1SN: first silicon nitride film
2SN: second silicon nitride film 110: TFT layer
120: organic light emitting element layer 130: thin film encapsulation layer
GS: Glass substrate MFS: Parent flexible substrate

Claims (17)

제1 플라스틱층;
상기 제1 플라스틱층 상에 형성되고 제1 실리콘 질화막을 포함하는 제1 배리어층;
상기 제1 배리어층 상에 형성되고, UV 광투과율이 10% 이상인 중간층;
상기 중간층 상에 형성된 제2 플라스틱층;
상기 제2 플라스틱층 상에 형성되고, 상기 제1 실리콘 질화막 보다 밀도가 큰 제2 실리콘 질화막을 포함하는 제2 배리어층;
상기 제2 배리어층 상에 형성된 유기 발광 소자층; 및
상기 유기 발광 소자층을 봉지하는 봉지 박막;을 포함하는 유기 발광 표시 장치. A first plastic layer;
A first barrier layer formed on the first plastic layer and including a first silicon nitride film;
An intermediate layer formed on the first barrier layer and having a UV light transmittance of 10% or more;
A second plastic layer formed on the intermediate layer;
A second barrier layer formed on the second plastic layer and including a second silicon nitride layer having a higher density than the first silicon nitride layer;
An organic light emitting device layer formed on the second barrier layer; And
An organic light-emitting display device comprising: an encapsulating thin film sealing the organic light-emitting device layer. 제1 항에 있어서,
상기 중간층은 비정질 물질을 포함하는 유기 발광 표시 장치. The method of claim 1,
The intermediate layer includes an amorphous material. 제2 항에 있어서,
상기 중간층은 비정질 실리콘을 포함하는 유기 발광 표시 장치. The method of claim 2,
The intermediate layer includes amorphous silicon. 제1 항에 있어서,
상기 중간층은 금속 박막을 포함하는 유기 발광 표시 장치. The method of claim 1,
The intermediate layer includes a metal thin film. 삭제delete 제1 플라스틱층;
상기 제1 플라스틱층 상에 형성되고 제1 실리콘 질화막을 포함하는 제1 배리어층;
상기 제1 배리어층 상에 형성된 중간층;
상기 중간층 상에 형성된 제2 플라스틱층;
상기 제2 플라스틱층 상에 형성되고, 상기 제1 실리콘 질화막 보다 밀도가 큰 제2 실리콘 질화막을 포함하는 제2 배리어층;
상기 제2 배리어층 상에 형성된 유기 발광 소자층; 및
상기 유기 발광 소자층을 봉지하는 봉지 박막;을 포함하고,
상기 중간층은 상기 유기 발광 소자가 형성된 영역에 위치하도록 패터닝된 유기 발광 표시 장치. A first plastic layer;
A first barrier layer formed on the first plastic layer and including a first silicon nitride film;
An intermediate layer formed on the first barrier layer;
A second plastic layer formed on the intermediate layer;
A second barrier layer formed on the second plastic layer and including a second silicon nitride layer having a higher density than the first silicon nitride layer;
An organic light emitting device layer formed on the second barrier layer; And
Including; an encapsulation thin film sealing the organic light emitting device layer,
The intermediate layer is patterned to be positioned in a region where the organic light emitting element is formed. 제6 항에 있어서,
상기 제1 배리어층과 상기 제2 플라스틱층은 상기 중간층이 패터닝된 영역의 단부에서 직접 접촉하는 유기 발광 표시 장치. The method of claim 6,
The first barrier layer and the second plastic layer directly contact an end portion of an area patterned with the intermediate layer. 제1 항에 있어서,
상기 제1 플라스틱층 및 제2 플라스틱층은 폴리이미드, 폴리에틸렌나프탈레이트, 폴리에틸렌테레프탈레이트, 폴리아릴레이트, 폴리카보네이트, 폴리에테르술폰, 및 폴리에테르이미드 중 적어도 하나를 포함하는 유기 발광 표시 장치. The method of claim 1,
The first plastic layer and the second plastic layer include at least one of polyimide, polyethylene naphthalate, polyethylene terephthalate, polyarylate, polycarbonate, polyethersulfone, and polyetherimide. 제1 플라스틱층;
상기 제1 플라스틱층 상에 형성되고 제1 실리콘 질화막을 포함하는 제1 배리어층;
상기 제1 배리어층 상에 형성된 중간층;
상기 중간층 상에 형성된 제2 플라스틱층;
상기 제2 플라스틱층 상에 형성되고, 상기 제1 실리콘 질화막 보다 밀도가 큰 제2 실리콘 질화막을 포함하는 제2 배리어층;
상기 제2 배리어층 상에 형성된 유기 발광 소자층; 및
상기 유기 발광 소자층을 봉지하는 봉지 박막;을 포함하고,
상기 제2 플라스틱층의 두께는 상기 제1 플라스틱층의 두께보다 더 두꺼운 유기 발광 표시 장치. A first plastic layer;
A first barrier layer formed on the first plastic layer and including a first silicon nitride film;
An intermediate layer formed on the first barrier layer;
A second plastic layer formed on the intermediate layer;
A second barrier layer formed on the second plastic layer and including a second silicon nitride layer having a higher density than the first silicon nitride layer;
An organic light emitting device layer formed on the second barrier layer; And
Including; an encapsulation thin film sealing the organic light emitting device layer,
The second plastic layer has a thickness greater than that of the first plastic layer. 제1 항에 있어서,
상기 제2 플라스틱층은 상기 제1 플라스틱층보다 점도가 낮은 유기 발광 표시 장치. The method of claim 1,
The second plastic layer has a lower viscosity than the first plastic layer. 제1 항에 있어서,
상기 제1 배리어층은 금속 산화막 및 실리콘 산화막 중 적어도 하나를 더 포함하는 유기 발광 표시 장치. The method of claim 1,
The first barrier layer further includes at least one of a metal oxide layer and a silicon oxide layer. 제1 항에 있어서,
상기 제1 실리콘 질화막의 밀도는 2.2g/㎤ 보다 크거나 같고 2.4g/㎤ 보다 작거나 같은 유기 발광 표시 장치.The method of claim 1,
The first silicon nitride layer has a density greater than or equal to 2.2 g/cm 3 and less than or equal to 2.4 g/cm 3. 제1 항에 있어서,
상기 제1 실리콘 질화막의 굴절률은 상기 제2 실리콘 질화막의 굴절률보다 작은 유기 발광 표시 장치. The method of claim 1,
The organic light emitting diode display device having a refractive index of the first silicon nitride layer smaller than that of the second silicon nitride layer. 제1 항에 있어서,
상기 제2 배리어층과 상기 유기 발광 소자층 사이에,
제3 플라스틱층 및 제3 배리어층을 포함하는 층이 적어도 한 쌍 이상 형성되고,
상기 제2 배리어층과 상기 제3 플라스틱층 사이에 중간층이 더 형성된 유기 발광 표시 장치.The method of claim 1,
Between the second barrier layer and the organic light emitting device layer,
At least one or more pairs of layers including a third plastic layer and a third barrier layer are formed,
An organic light emitting diode display device further comprising an intermediate layer between the second barrier layer and the third plastic layer. 제14 항에 있어서,
상기 제3 배리어층은 제3 실리콘 질화막을 포함하고,
상기 제1 실리콘 질화막의 밀도는 상기 제3 실리콘 질화막의 밀도보다 낮은 유기 발광 표시 장치.The method of claim 14,
The third barrier layer includes a third silicon nitride film,
An organic light emitting diode display device having a density of the first silicon nitride layer lower than that of the third silicon nitride layer. 제14항에 있어서,
상기 제3 배리어층은 제3 실리콘 질화막을 포함하고,
상기 제1 실리콘 질화막의 굴절률은 상기 제3 실리콘 질화막의 굴절률보다 작은 유기 발광 표시 장치.The method of claim 14,
The third barrier layer includes a third silicon nitride film,
The organic light emitting diode display device having a refractive index of the first silicon nitride layer smaller than that of the third silicon nitride layer. 제1 항의 유기 발광 표시 장치를 포함하는 전자 기기.An electronic device comprising the organic light emitting display device of claim 1.
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