KR20140099110A - 레이저 빔을 이용한 마스크 제조 방법 및 마스크 제조 장치 - Google Patents
레이저 빔을 이용한 마스크 제조 방법 및 마스크 제조 장치 Download PDFInfo
- Publication number
- KR20140099110A KR20140099110A KR1020130011956A KR20130011956A KR20140099110A KR 20140099110 A KR20140099110 A KR 20140099110A KR 1020130011956 A KR1020130011956 A KR 1020130011956A KR 20130011956 A KR20130011956 A KR 20130011956A KR 20140099110 A KR20140099110 A KR 20140099110A
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- shadow mask
- heat
- frame
- sheet
- laser beam
- Prior art date
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 28
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title abstract description 23
- 230000005855 radiation Effects 0.000 claims description 28
- 230000005291 magnetic effect Effects 0.000 claims description 21
- 230000017525 heat dissipation Effects 0.000 claims description 10
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims description 8
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 claims description 6
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims description 5
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 239000000956 alloy Substances 0.000 claims description 3
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 230000004075 alteration Effects 0.000 claims description 3
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000010949 copper Substances 0.000 claims description 3
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000010931 gold Substances 0.000 claims description 3
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000004332 silver Substances 0.000 claims description 3
- 238000007599 discharging Methods 0.000 claims description 2
- 238000013021 overheating Methods 0.000 description 6
- 238000003754 machining Methods 0.000 description 5
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 5
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 230000007261 regionalization Effects 0.000 description 2
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 description 2
- 229910001374 Invar Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 230000005294 ferromagnetic effect Effects 0.000 description 1
- 239000000696 magnetic material Substances 0.000 description 1
- 230000005389 magnetism Effects 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 1
- 230000000630 rising effect Effects 0.000 description 1
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/68—Preparation processes not covered by groups G03F1/20 - G03F1/50
- G03F1/76—Patterning of masks by imaging
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/20—Exposure; Apparatus therefor
- G03F7/2002—Exposure; Apparatus therefor with visible light or UV light, through an original having an opaque pattern on a transparent support, e.g. film printing, projection printing; by reflection of visible or UV light from an original such as a printed image
- G03F7/2004—Exposure; Apparatus therefor with visible light or UV light, through an original having an opaque pattern on a transparent support, e.g. film printing, projection printing; by reflection of visible or UV light from an original such as a printed image characterised by the use of a particular light source, e.g. fluorescent lamps or deep UV light
- G03F7/2006—Exposure; Apparatus therefor with visible light or UV light, through an original having an opaque pattern on a transparent support, e.g. film printing, projection printing; by reflection of visible or UV light from an original such as a printed image characterised by the use of a particular light source, e.g. fluorescent lamps or deep UV light using coherent light; using polarised light
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/04—Coating on selected surface areas, e.g. using masks
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/20—Exposure; Apparatus therefor
- G03F7/2051—Exposure without an original mask, e.g. using a programmed deflection of a point source, by scanning, by drawing with a light beam, using an addressed light or corpuscular source
- G03F7/2053—Exposure without an original mask, e.g. using a programmed deflection of a point source, by scanning, by drawing with a light beam, using an addressed light or corpuscular source using a laser
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70383—Direct write, i.e. pattern is written directly without the use of a mask by one or multiple beams
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/708—Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
- G03F7/70858—Environment aspects, e.g. pressure of beam-path gas, temperature
- G03F7/70866—Environment aspects, e.g. pressure of beam-path gas, temperature of mask or workpiece
- G03F7/70875—Temperature, e.g. temperature control of masks or workpieces via control of stage temperature
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/20—Deposition of semiconductor materials on a substrate, e.g. epitaxial growth solid phase epitaxy
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
- B23K26/00—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
- B23K26/02—Positioning or observing the workpiece, e.g. with respect to the point of impact; Aligning, aiming or focusing the laser beam
- B23K26/06—Shaping the laser beam, e.g. by masks or multi-focusing
- B23K26/067—Dividing the beam into multiple beams, e.g. multifocusing
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Environmental & Geological Engineering (AREA)
- Epidemiology (AREA)
- Public Health (AREA)
- Toxicology (AREA)
- Atmospheric Sciences (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Laser Beam Processing (AREA)
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
Abstract
마스크 제조 장치는 레이저 조사부, 스테이지, 프레임, 및 방열시트를 포함한다. 상기 레이저 조사부는 레이저 빔을 복수개의 서브 레이저 빔들로 분할하여 섀도우 마스크에 조사한다. 상기 스테이지에는 상기 섀도우 마스크가 안착된다. 상기 프레임은 상기 스테이지 상에 배치되며 상기 섀도우 마스크를 지지한다. 상기 방열시트는 상기 섀도우 마스크에 접촉하여 상기 섀도우 마스크에서 발생된 열을 흡수하여 외부로 방출한다. 상기 마스크 제조 장치에 의하면, 섀도우 마스크가 과열되는 문제를 해결함으로서 더 높은 파워로 상기 서브 레이저 빔들을 사용할 수 있어 상기 섀도우 마스크의 패턴 형성 시간이 단축될 수 있다.
Description
본 발명은 레이저 빔을 이용한 마스크 제조 방법 및 마스크 제조 장치에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 레이저 빔을 이용하여 유기물 증착용 섀도우 마스크 제조 방법 및 섀도우 마스크 제조 장치에 관한 것이다.
유기발광 표시장치을 형성하는 과정에서 섀도우 마스크를 이용하여 유기물을 기판 상에 증착하는 공정을 수행한다. 상기 섀도우 마스크는 특정한 패턴을 가지므로, 상기 섀도우 마스크에 의해 엄폐된 부분 이외에만 증착이 이루어진다.
상기 섀도우 마스크의 패턴을 형성하는 방법은 습식 식각을 이용하거나, 레이저 빔을 이용하는 방법이 있다. 습식 식각의 경우, 에칭 과정의 불균일성에 의해 정교한 패턴의 제작이 어려운 문제가 있다.
레이저 빔을 이용하는 경우, 레이저 빔에 의해 가공되는 대상물의 영역에 열이 발생한다. 이때, 대상물의 영역 중 가장자리 영역에서 발생된 열은 외부로 빠져나가지만, 대상물의 영역 중 가운데 영역에서 발생된 열은 빠져나갈 곳이 없어 상기 가운데 영역에서 과열현상이 발생된다. 상기 과열현상은 상기 대상물의 열변형 등의 문제를 일으켜 불량의 원인이 된다.
본 발명이 이루고자 하는 과제는 섀도우 마스크에 레이저 빔을 이용하여 패턴을 형성하는 과정에서 발생된 열을 효과적으로 방출할 수 있는 마스크 제조 장치를 제공하는 것이다.
본 발명의 또 다른 과제는 섀도우 마스크에서 발생된 열을 방출시킬 수 있는 레이저 빔을 이용한 마스크 제조 방법을 제공하는 것이다.
본 발명의 일 실시예에 따른 마스크 제조 장치는 레이저 조사부, 스테이지, 프레임, 및 방열시트를 포함한다.
상기 레이저 조사부는 레이저 발생부, DOE 렌즈, 광학계, 및 스캐너를 포함할 수 있다. 상기 레이저 발생부는 레이저 빔을 발생시킨다. 상기 DOE 렌즈는 상기 레이저 빔을 복수개의 서브 레이저 빔들로 분할한다. 상기 광학계는 상기 서브 레이저 빔들 간의 수차를 줄인다. 상기 스캐너는 상기 서브 레이저 빔들을 집광하여 상기 섀도우 마스크에 조사한다.
상기 스테이지에는 상기 섀도우 마스크가 안착된다. 상기 프레임은 상기 스테이지 상에 배치되며 상기 섀도우 마스크를 지지한다. 상기 방열시트는 상기 섀도우 마스크에 접촉하여 상기 섀도우 마스크에서 발생된 열을 흡수하여 외부로 방출한다.
상기 마스크 제조 장치는 상기 프레임에 수납되고, 상기 방열시트를 사이에 두고 상기 섀도우 마스크와 대향하게 배치된 자성체를 더 포함할 수 있다.
상기 마스크 제조 장치는 상기 방열시트에 연결되어 상기 방열시트를 상기 방열시트에 수직한 방향으로 이동시키는 방열시트 이송부를 더 포함할 수 있다.
본 발명의 다른 실시예에 따른 마스크 제조 장치는 레이저 조사부, 스테이지, 프레임, 방열시트, 및 열전달 매개체를 포함할 수 있다. 상기 열전달 매개체는 상기 섀도우 마스크 및 상기 방열판 사이에 배치되고, 상기 섀도우 마스크 및 상기 방열시트와 접촉한다. 상기 열전달 매개체는 점착성을 가질 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따른 레이저 빔을 이용한 마스크 제조 방법은 가공 대상이 되는 섀도우 마스크를 프레임에 지지되도록 배치하는 단계; 상기 섀도우 마스크와 방열시트를 간접적 또는 직접적으로 접촉시키는 단계; 레이저 빔을 이용하여 상기 섀도우 마스크에 패턴을 형성하는 단계; 및 상기 섀도우 마스크에서 발생된 열을 상기 방열시트를 통해 방출시키는 단계를 포함한다.
본 발명에 따른 마스크 제조 장치에 의하면, 방열시트가 섀도우 마스크의 가공 영역에서 발생한 열을 흡수하여 외부로 방출함으로써 상기 섀도우 마스크의 상기 가공 영역이 과열되는 문제를 해결한다. 또한, 상기 섀도우 마스크가 과열되는 문제를 해결함으로서 더 높은 파워로 서브 레이저 빔들을 상기 섀도우 마스크에 조사할 수 있어 상기 섀도우 마스크의 패턴 형성 시간이 단축될 수 있다.
본 발명에 따른 레이저를 이용한 마스크 제조 방법에 의하면, 섀도우 마스크가 과열되는 문제를 해결할 수 있다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 마스크 제조 장치의 구성도이다.
도 2는 도 1에 도시된 레이저 조사부를 도시한 블록도이다.
도 3은 도 1에서 섀도우 마스크, 프레임, 방열시트, 및 자성체를 도시한 사시도이다.
도 4는 도 3의 I-I’를 따라 절단한 단면도이다.
도 5는 도 1에 도시된 상기 섀도우 마스크의 가공 영역을 확대한 도면이다.
도 6은 본 발명의 다른 실시예에서 섀도우 마스크, 상부 홀더, 프레임, 방열시트, 및 자성체를 도시한 사시도이다.
도 7은 본 발명의 또 다른 실시예에서 섀도우 마스크, 상부 홀더, 프레임, 방열시트, 및 방열시트 이송부를 도시한 사시도이다.
도 8은 도 7의 I-I’ 선을 따라 절단한 단면도이다.
도 9는 본 발명의 또 다른 실시예를 도시한 단면도이다.
도 10은 본 발명의 일 실시예에 따른 레이저 빔을 이용한 마스크 제조 방법을 도시한 순서도이다.
도 2는 도 1에 도시된 레이저 조사부를 도시한 블록도이다.
도 3은 도 1에서 섀도우 마스크, 프레임, 방열시트, 및 자성체를 도시한 사시도이다.
도 4는 도 3의 I-I’를 따라 절단한 단면도이다.
도 5는 도 1에 도시된 상기 섀도우 마스크의 가공 영역을 확대한 도면이다.
도 6은 본 발명의 다른 실시예에서 섀도우 마스크, 상부 홀더, 프레임, 방열시트, 및 자성체를 도시한 사시도이다.
도 7은 본 발명의 또 다른 실시예에서 섀도우 마스크, 상부 홀더, 프레임, 방열시트, 및 방열시트 이송부를 도시한 사시도이다.
도 8은 도 7의 I-I’ 선을 따라 절단한 단면도이다.
도 9는 본 발명의 또 다른 실시예를 도시한 단면도이다.
도 10은 본 발명의 일 실시예에 따른 레이저 빔을 이용한 마스크 제조 방법을 도시한 순서도이다.
이상의 본 발명의 목적들, 다른 목적들, 특징들 및 이점들은 첨부된 도면과 관련된 이하의 바람직한 실시예들을 통해서 쉽게 이해될 것이다. 그러나 본 발명은 여기서 설명되는 실시예들에 한정되지 않고 다른 형태로 구체화될 수도 있다. 오히려, 여기서 소개되는 실시예들은 개시된 내용이 철저하고 완전해질 수 있도록 그리고 당업자에게 본 발명의 사상이 충분히 전달될 수 있도록 하기 위해 제공되는 것이다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 마스크 제조 장치(1000)의 구성도이고, 도 2는 도 1에 도시된 레이저 조사부(100)를 도시한 블록도이고, 도 3은 도 1에서 섀도우 마스크, 프레임, 방열시트, 및 자성체를 도시한 사시도이고, 도 4는 도 3의 I-I’를 따라 절단한 단면도이다.
도 1 내지 도 4을 참조하면, 상기 마스크 제조 장치(1000)는 레이저 조사부(100), 스테이지(200), 프레임(300), 방열시트(400), 및 자성체(500)를 포함한다.
상기 레이저 조사부(100)는 레이저 발생부(110), DOE 렌즈(120), 광학계(130), 및 스캐너(140)를 포함한다.
상기 레이저 발생부(110)는 지정된 파워 및 구경의 레이저 빔을 발생시킨다.
상기 DOE 렌즈(120)는 상기 레이저 발생부(110)로부터 출사되는 레이저 빔을 복수개의 서브 레이저 빔들로 분할한다. 상기 DOE 렌즈(120)는 회절 광학 소자(Diffractive Optical Element; DOE)를 이용한 것으로서, 레이저 빔의 회절 현상을 이용하여 입사되는 하나의 레이저 빔을 복수개로 분할하여 출사하는 소자이다. 상기 서브 레이저 빔들은 NxM 어레이 구조(N 및 M은 자연수)로 형성된다.
상기 광학계(130)는 상기 서브 레이저 빔들 간의 수차(Abberation)를 줄여 상면 만곡(Field Curvature)을 개선한다. 상기 광학계(130)를 통과한 상기 서브 레이저 빔들은 플랫한 섀도우 마스크(SM)에 초점이 맺힐 수 있다.
상기 스캐너(140)는 상기 서브 레이저 빔들을 집광하여 상기 섀도우 마스크(SM)의 가공 대상 영역으로 수직 조사하기 위한 것이다. 상기 스캐너(140)는 포커싱 렌즈, f-세타(f-theta) 렌즈, 또는 f-세타 텔레센트릭 렌조로 이루어질 수 있다. 또한, 상기 스캐너(140)의 일 예로, 갈바노(Galvano) 스캐너가 있다.
상기 스테이지(200)에는 상기 섀도우 마스크(SM)가 안착될 수 있다. 도시하지는 않았으나, 상기 스테이지(200)는 제1 방향(DR1) 및 제2 방향(DR2)으로 이동되어, 상기 섀도우 마스크(SM)의 가공 영역(AR1)에 상기 서브 레이저 빔들이 조사되도록 정렬할 수 있다.
상기 프레임(300)은 상기 스테이지(200) 상에 배치되어, 상기 섀도우 마스크(SM)를 지지한다. 상기 프레임(300)은 내부에 개구(OP)를 구비하고, 4개의 측벽들로 이루어진 사각고리 형상일 수 있다. 상기 섀도우 마스크(SM)는 상기 프레임(300)의 상면에 배치되고, 상기 프레임(300)은 상기 섀도우 마스크(SM)의 가장자리를 지지한다.
본 실시예에서, 상기 섀도우 마스크(SM)는 가공 대상물로서, 인바(Invar)로 이루어질 수 있다. 상기 섀도우 마스크(SM)는 상기 서브 레이저 빔들에 의해 패터닝되어, 유기물 증착용 섀도우 마스크로 사용된다. 상기 섀도우 마스크(SM)는 고정밀 섀도우 마스크로 사용되기 위해, 100 ㎛ 이하의 두께를 가질 수 있다.
상기 방열시트(400)는 평면상에서 상기 프레임(300)의 상기 개구(OP)에 대응하게 배치될 수 있다. 상기 방열시트(400)는 상기 프레임(300) 내부에 수납되나, 상기 프레임(300)과 상기 방열시트(400) 사이에 단차(D1)가 발생하도록 배치된다. 즉, 상기 방열시트(400)의 상면과 상기 프레임(300)의 상면은 상기 단차(D1)만큼 높이 차가 발생한다.
상기 방열시트(400)는 상기 섀도우 마스크(SM)와 직접 접촉한다. 상기 방열시트(400)는 상기 섀도우 마스크(SM)의 가공 영역(AR1)에서 발생한 열을 흡수하여 외부로 방출함으로써 상기 섀도우 마스크(SM)의 상기 가공 영역(AR1)이 과열되는 문제를 해결한다. 또한, 상기 섀도우 마스크(SM)가 과열되는 문제를 해결함으로서 더 높은 파워로 상기 서브 레이저 빔들을 상기 섀도우 마스크(SM)에 조사할 수 있어 상기 섀도우 마스크(SM)의 패턴 형성 시간이 단축될 수 있다.
도 5는 도 1에 도시된 상기 섀도우 마스크(SM)의 가공 영역(AR1)을 확대한 도면이다.
도 3 내지 도 5를 참조하면, 상기 서브 레이저 빔들이 상기 가공 영역(AR1)에 조사될 때, 상기 서브 레이저 빔들에 의해 열이 발생한다. 이때, 상기 가공 영역(AR1) 중 가장 자리 영역(ARE)에서 발생된 열은 외부로 빠져나가지만, 상기 가공 영역(AR1) 중 가운데 영역(ARC)에서 발생된 열은 빠져나갈 곳이 없다.
상기 방열시트(400)는 상기 섀도우 마스크(SM)의 하부에 접촉하여 상기 가장 자리 영역(ARE) 및 상기 가운데 영역(ARC)에서 발생된 열을 흡수하여 외부로 방출한다.
상기 방열시트(400)는 열전도율이 비교적 높은 금속, 예를 들어, 금, 은, 구리, 알루미늄, 또는 이들의 합금으로 이루어질 수 있다. 한편, 상기 방열시트(400)는 단일층으로 형성된 경우뿐만 아니라, 상기한 금속들이 적층구조로 형성될 수 있다.
다시 도 1, 도 3 및 도 4를 참조하면, 상기 자성체(500)는 상기 방열시트(400) 하부에 배치될 수 있다. 상기 자성체(500)는 상기 프레임(300)에 수납되어, 평면상에서 상기 프레임(300)의 상기 개구(OP)에 대응하게 배치될 수 있다. 상기 자성체(500)는 상기 스테이지(200) 상에 배치되어, 상기 방열시트(400)를 지지한다. 다시말해, 상기 자성체(500)는 상기 방열시트(400)를 사이에 두고 상기 섀도우 마스크(SM)과 대향하게 배치될 수 있다.
상기 자성체(500)는 자성을 가져, 상기 섀도우 마스크(SM)에 대해 인력(Fc)을 발생시킨다. 상기 섀도우 마스크(SM)는 상기 인력(Fc)에 의해 상기 방열시트(400)에 접촉되어 고정된다. 또한, 상기 인력(Fc)에 의해 상기 섀도우 마스크(SM)는 인장되어 패터닝되기 위한 평탄도를 확보한다.
상기 자성체(500)의 종류에는 제한이 없으나, 상기 섀도우 마스크(SM)와의 사이에 발생되는 인력(Fc)을 크게 하기 위해 강자성체를 사용함이 바람직하다.
도 6은 본 발명의 다른 실시예에서 섀도우 마스크, 상부 홀더, 프레임, 방열시트, 및 자성체를 도시한 사시도이다.
도 6을 참조하여 설명할 본 발명의 다른 실시예는 일 실시예와 비교하여, 상부 홀더가 추가된다는데 차이가 있고, 나머지는 실질적으로 동일하다. 이하에서는 상부 홀더(310)에 대해 자세히 설명하고, 설명되지 않은 부분은 일 실시예에 따른다.
본 발명의 다른 실시예에 따른 마스크 제조 장치는 상부 홀더(310)를 더 포함한다.
상기 상부 홀더(310)는 상기 섀도우 마스크(SM)를 사이에 두고 프레임(300)과 마주하게 배치된다.
상기 상부 홀더(310)는 상기 섀도우 마스크(SM)를 인장시킨 상태에서 상기 프레임(300)에 고정시키는 역할을 한다.
상기 상부 홀더(310)는 상기 프레임(300)과 동일하게 사각고리 형상일 수 있다. 하지만, 이에 제한되는 것은 아니고, 상기 상부 홀더(310)는 상기 섀도우 마스크(SM)의 마주하는 양변에 대응하는 두 개의 막대 형상일 수 있다.
상기 상부 홀더(310), 상기 섀도우 마스크(SM), 및 상기 프레임(300)은 서로 나사 결합될 수 있다. 이때, 상기 섀도우 마스크(SM)에 인장력(Fi)을 가하여 인장시킨 후, 상기 상부 홀더(310)와 상기 프레임(300)에 상기 섀도우 마스크(SM)를 통과하도록 나사(PN)를 체결한다. 상기 나사(PN)는 적어도 서로 마주하는 상기 섀도우 마스크(SM)의 양 변 각각에 하나 이상씩 체결된다. 도 6에는 상기 나사(PN)가 상기 섀도우 마스크(SM)의 한 변에 2개씩 체결된 것을 일 예로 도시하였다.
본 발명의 다른 실시예에 의하면, 상기 섀도우 마스크(SM)가 상기 상부 홀더(310) 및 상기 프레임(300)의 나사 결합에 의해 1차 인장되고, 상기 자성체(500)에 의해 2차 인장되어 견고하게 고정됨과 동시에 평탄도를 확보하는데 더 유리하다.
도 7은 본 발명의 또 다른 실시예에서 섀도우 마스크, 상부 홀더, 프레임, 방열시트, 및 방열시트 이송부를 도시한 사시도이고, 도 8은 도 7의 I-I’ 선을 따라 절단한 단면도이다.
도 7을 참조하여 설명할 본 발명의 또 다른 실시예는 도 6에 도시된 다른 실시예와 비교하여, 방열시트 이송부가 추가되고, 자성체가 제거된다는데 차이가 있다. 이하에서는 다른 실시예와 또 다른 실시예의 차이점을 중심으로 설명하고 설명되지 않은 부분은 다른 실시예에 따른다.
본 발명의 또 다른 실시예에 따른 마스크 제조 장치는 방열시트 이송부(410)를 더 포함한다.
상기 방열시트 이송부(410)는 상기 방열시트(400)에 연결되어, 상기 방열시트(400)를 상기 방열시트(400)에 수직한 제3 방향(DR3)으로 이동시킨다. 도시하지는 않았으나, 상기 방열시트 이송부(410)는 상기 방열시트(400)의 하부에 연결된 이송 샤프트와 상기 이송 샤프트를 회전시키는 모터를 포함할 수 있다.
상기 방열시트 이송부(410)는 상기 방열시트(400)를 상기 제3 방향(DR3)으로 상승시켜 상기 방열시트(400)를 상기 섀도우 마스크(SM)에 접촉시킨다. 또한, 상기 방열시트 이송부(410)가 상기 방열시트(400)를 상승시킴에 따라 상기 섀도우 마스크(SM)는 인장되어 패터닝되기 위한 평탄도를 확보한다.
도 6을 참조하여 설명한 다른 실시예는 자성체(도 6의 500)와 상기 섀도우 마스크(SM) 사이의 인력에 의해 상기 섀도우 마스크(SM)를 상기 방열시트(400)에 접촉시키나, 도 7 및 도 8을 참조하여 설명한 또 다른 실시예는 상기 방열시트(400)를 기구적으로 상승시켜 상기 섀도우 마스크(SM)에 접촉시켜 다른 실시예와 유사한 효과를 달성할 수 있다.
도 9는 본 발명의 또 다른 실시예를 도시한 단면도이다.
도 9을 참조하여 설명할 본 발명의 또 다른 실시예는 도 1 내지 도 4에 도시된 일 실시예와 비교하여, 열전달 매개체(450)가 추가되고, 자성체가 제거된다는데 차이가 있다. 이하에서는 일 실시예와 또 다른 실시예의 차이점을 중심으로 설명하고 설명되지 않은 부분은 일 실시예에 따른다.
본 발명의 또 다른 실시예에 따른 마스크 제조 장치는 열전달 매개체(450)를 더 포함한다.
상기 열전달 매개체(450)는 상기 프레임(300) 내부에 수납되고, 상기 섀도우 마스크(SM) 및 상기 방열시트(400) 사이에 배치된다. 상기 열전달 매개체(450)는 점착성을 가져 상기 섀도우 마스크(SM) 및 상기 방열시트(400)에 접착될 수 있다.
상기 열전달 매개체(450)는 상기 섀도우 마스크(SM)에서 발생된 열을 효과적으로 상기 방열시트(400)로 전달하는 역할을 한다. 또한, 상기 열전달 매개체(450)의 접착성에 기인한 상기 열전달 매개체(450)와 상기 섀도우 마스크(SM) 사이의 접착력에 의해 상기 섀도우 마스크(SM)는 인장되어 패터닝되기 위한 평탄도를 확보한다.
상기 열전달 매개체(450)는 서머왁스(Thermowax) 또는 서머패드(Thermal Pad)로 이루어질 수 있다. 하지만, 이에 제한되는 것은 아니고, 상기 열전달 매개체(450)는 열전도율이 비교적 높고, 점착성을 갖는 다양한 물질로 이루어질 수 있다.
도 10은 본 발명의 일 실시예에 따른 레이저 빔을 이용한 마스크 제조 방법을 도시한 순서도이다.
도 10을 참조하면, 먼저, 가공 대상이 되는 섀도우 마스크를 프레임에 지지되도록 배치한다.(S1) 이때, 상기 섀도우 마스크는 상기 프레임에 나사 또는 클램핑 유닛을 이용하여 완전히 고정될 수 있다. 하지만 이에 제한되는 것은 아니고, 상기 섀도우 마스크의 가장자리만 상기 프레임에 의해 지지되도록 배치될 수 있다.
이후, 상기 섀도우 마스크와 방열시트를 간접적 또는 직접적으로 접촉시킨다.(S2) 이때, 섀도우 마스크와 방열시트를 접촉시키는 방법으로 다음의 3가지 예가 가능하다.
첫번째, 도 3 및 도 4를 참조하면, 상기 방열시트(400) 하부에 배치된 자성체(500)를 배치한다. 상기 자성체(500)와 상기 섀도우 마스크(SM) 사이의 인력에 의해 상기 섀도우 마스크(SM)가 상기 방열시트(400)에 직접적으로 접촉될 수 있다. 또한, 상기 인력에 의해 상기 섀도우 마스크(SM)는 인장되어 패터닝되기 위한 평탄도를 확보한다.
두번째, 도 7 및 도 8을 참조하면, 상기 방열시트 이송부(410)를 통해 상기 방열시트(400)를 상기 방열시트(400)에 수직한 방향으로 상승시킨다. 상기 방열시트(400)는 상승하면서 상기 섀도우 마스크(SM)에 직접적으로 접촉될 수 있다. 또한, 상기 방열시트 이송부(410)가 상기 방열시트(400)를 상승시킴에 따라 상기 섀도우 마스크(SM)는 인장되어 패터닝되기 위한 평탄도를 확보한다.
세번째, 도 9를 참조하면, 열전달 매개체(450)를 사이에 두고, 상기 섀도우 마스크(SM) 및 상기 방열시트(400)를 간접적으로 접촉시킬 수 있다. 상기 열전달 매개체(450)는 점착성을 가지며 열전도율이 비교적 높은 물질, 예를 들어, 서머왁스(Thermowax) 또는 서머패드(Thermal Pad)로 이루어질 수 있다.
이후, 레이저 빔을 이용하여 상기 섀도우 마스크에 패턴을 형성한다.(S3) 먼저, 상기 레이저 빔을 DOE 렌즈를 이용하여 복수개의 서브 레이저 빔들로 분할한다. 이후, 상기 서브 레이저 빔들을 상기 섀도우 마스크에 조사한다.
이후, 상기 섀도우 마스크에서 발생된 열을 상기 방열시트를 통해 방출시킨다.(S4) 상기 서브 레이저 빔들이 상기 섀도우 마스크에 조사되어 상기 섀도우 마스크에 패턴을 형성하는 과정에서 상기 섀도우 마스크에 열이 발생된다. 발생된 열은 상기 섀도우 마스크에 직접적 또는 간접적으로 접촉된 상기 방열시트를 통해 외부로 방출된다.
이상, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예를 설명하였지만, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자는 본 발명이 그 기술적 사상이나 필수적인 특징으로 변경하지 않고서 다른 구체적인 형태로 실시될 수 있다는 것을 이해할 수 있을 것이다. 그러므로 이상에서 기술한 실시예에는 모든 면에서 예시적인 것이며 한정적이 아닌 것으로 이해해야만 한다.
100: 레이저 조사부 110: 레이저 발생부
120: DOE 렌즈 130: 광학계
140: 스캐너 200: 스테이지
300: 프레임 400: 방열시트
410: 방열시트 이송부 450: 열전달 매개체
500: 자성체 SM: 섀도우 마스크
120: DOE 렌즈 130: 광학계
140: 스캐너 200: 스테이지
300: 프레임 400: 방열시트
410: 방열시트 이송부 450: 열전달 매개체
500: 자성체 SM: 섀도우 마스크
Claims (21)
- 레이저 빔을 복수개의 서브 레이저 빔들로 분할하여 섀도우 마스크에 조사하는 레이저 조사부;
상기 섀도우 마스크가 안착되는 스테이지;
상기 스테이지 상에 배치되며 상기 섀도우 마스크를 지지하는 프레임; 및
상기 섀도우 마스크에 접촉하여 상기 섀도우 마스크에서 발생된 열을 흡수하여 외부로 방출하는 방열시트를 포함하는 마스크 제조 장치. - 제1항에 있어서,
상기 레이저 조사부는
레이저 빔을 발생시키는 레이저 발생부;
상기 레이저 빔을 복수개의 서브 레이저 빔들로 분할하는 DOE 렌즈; 및
상기 서브 레이저 빔들을 집광하여 상기 섀도우 마스크에 조사하는 스캐너를 포함하는 것을 특징으로 하는 마스크 제조 장치. - 제2항에 있어서,
상기 레이저 조사부는 상기 서브 레이저 빔들 간의 수차를 줄이는 광학계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 마스크 제조 장치. - 제1항에 있어서,
상기 방열시트는 금, 은, 구리, 알루미늄, 또는 이들의 합금으로 이루어진 것을 특징으로 하는 마스크 제조 장치. - 제1항에 있어서,
상기 프레임은 내부에 개구를 구비하는 고리 형상인 것을 특징으로 하는 마스크 제조 장치. - 제5항에 있어서,
상기 방열시트는 상기 프레임에 수납되고, 상기 섀도우 마스크 하부에 접촉된 것을 특징으로 하는 마스크 제조 장치. - 제6항에 있어서,
상기 방열시트와 상기 프레임 사이에 단차가 발생되는 것을 특징으로 하는 마스크 제조 장치. - 제6항에 있어서,
상기 프레임에 수납되고, 상기 방열시트를 사이에 두고 상기 섀도우 마스크와 대향하게 배치된 자성체를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 마스크 제조 장치. - 제1항에 있어서,
상기 섀도우 마스크를 사이에 두고 상기 프레임과 마주하게 배치되며, 상기 섀도우 마스크를 상기 프레임에 고정시키는 상부 홀더를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 마스크 제조 장치. - 제9항에 있어서,
상기 상부 홀더, 상기 섀도우 마스크, 및 상기 프레임은 서로 나사 결합되는 것을 특징으로 하는 마스크 제조 장치. - 제9항에 있어서,
상기 방열시트에 연결되어 상기 방열시트를 상기 방열시트에 수직한 방향으로 이동시키는 방열시트 이송부를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 마스크 제조 장치. - 레이저 빔을 복수개의 서브 레이저 빔으로 분할하여 섀도우 마스크에 조사하는 레이저 조사부;
상기 섀도우 마스크가 안착되는 스테이지;
상기 스테이지 상에 배치되며 상기 섀도우 마스크를 지지하는 프레임;
상기 섀도우 마스크에서 발생된 열을 흡수하여 외부로 방출하는 방열시트; 및
상기 섀도우 마스크 및 상기 방열판 사이에 배치되고, 상기 섀도우 마스크 및 상기 방열시트와 접촉하는 열전달 매개체를 포함하는 마스크 제조 장치. - 제12항에 있어서,
상기 열전달 매개체는 점착성을 갖는 것을 특징으로 하는 마스크 제조 장치. - 제13항에 있어서,
상기 열전달 매개체는 서머왁스(Thermowax) 또는 서머패드(Thermal Pad)로 이루어진 것을 특징으로 하는 마스크 제조 장치. - 가공 대상이 되는 섀도우 마스크를 프레임에 지지되도록 배치하는 단계;
상기 섀도우 마스크와 방열시트를 간접적 또는 직접적으로 접촉시키는 단계;
레이저 빔을 이용하여 상기 섀도우 마스크에 패턴을 형성하는 단계; 및
상기 섀도우 마스크에서 발생된 열을 상기 방열시트를 통해 방출시키는 단계를 포함하는 레이저 빔을 이용한 마스크 제조 방법. - 제15항에 있어서,
레이저 빔을 이용하여 상기 섀도우 마스크에 패턴을 형성하는 단계는,
상기 레이저 빔을 복수개의 서브 레이저 빔들로 분할하는 단계; 및
상기 서브 레이저 빔들을 상기 섀도우 마스크에 조사하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 레이저 빔을 이용한 마스크 제조 방법. - 제15항에 있어서,
상기 섀도우 마스크와 방열시트를 간접적 또는 직접적으로 접촉시키는 단계는,
상기 방열시트 하부에 배치된 자성체와 상기 섀도우 마스크 사이의 인력에 의해 상기 섀도우 마스크가 상기 방열시트에 직접적으로 접촉되는 것을 특징으로 하는 레이저 빔을 이용한 마스크 제조 방법. - 제15항에 있어서,
상기 섀도우 마스크와 방열시트를 간접적 또는 직접적으로 접촉시키는 단계는,
상기 방열시트를 상기 방열시트에 수직한 방향으로 상승시켜 상기 방열시트를 상기 섀도우 마스크에 직접적으로 접촉시키는 것을 특징으로 하는 레이저 빔을 이용한 마스크 제조 방법. - 제15항에 있어서,
상기 섀도우 마스크와 방열시트를 간접적 또는 직접적으로 접촉시키는 단계는,
점착성이 있는 열전달 매개체를 사이에 두고, 상기 섀도우 마스크 및 상기 방열시트를 간접적으로 접촉시키는 것을 특징으로 하는 레이저 빔을 이용한 마스크 제조 방법. - 제19항에 있어서,
상기 열전달 매개체는 서머왁스(Thermowax) 또는 서머패드(Thermal Pad)로 이루어진 것을 특징으로 하는 레이저 빔을 이용한 마스크 제조 방법. - 제15항에 있어서,
방열시트는 금, 은, 구리, 알루미늄, 또는 이들의 합금으로 이루어진 것을 특징으로 레이저 빔을 이용한 마스크 제조 방법.
Priority Applications (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020130011956A KR102112751B1 (ko) | 2013-02-01 | 2013-02-01 | 레이저 빔을 이용한 마스크 제조 방법 및 마스크 제조 장치 |
US14/021,489 US9377681B2 (en) | 2013-02-01 | 2013-09-09 | Mask manufacturing apparatus and method of manufacturing mask using laser beam |
TW102147437A TWI620976B (zh) | 2013-02-01 | 2013-12-20 | 遮罩製造裝置以及利用雷射束製造遮罩之方法 |
CN201410026058.3A CN103962719B (zh) | 2013-02-01 | 2014-01-21 | 掩模制造装置及利用激光束制造掩模的方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020130011956A KR102112751B1 (ko) | 2013-02-01 | 2013-02-01 | 레이저 빔을 이용한 마스크 제조 방법 및 마스크 제조 장치 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR20140099110A true KR20140099110A (ko) | 2014-08-11 |
KR102112751B1 KR102112751B1 (ko) | 2020-05-19 |
Family
ID=51232983
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020130011956A KR102112751B1 (ko) | 2013-02-01 | 2013-02-01 | 레이저 빔을 이용한 마스크 제조 방법 및 마스크 제조 장치 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US9377681B2 (ko) |
KR (1) | KR102112751B1 (ko) |
CN (1) | CN103962719B (ko) |
TW (1) | TWI620976B (ko) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20200055571A (ko) * | 2018-11-13 | 2020-05-21 | 주식회사 이솔 | 반도체 레이저 가공 장치의 척 구조 |
Families Citing this family (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR102679765B1 (ko) * | 2015-09-01 | 2024-06-28 | 가부시키가이샤 니콘 | 물체 유지 장치, 노광 장치, 플랫 패널 디스플레이의 제조 방법, 디바이스 제조 방법, 물체의 유지 방법, 및 노광 방법 |
CN105887010B (zh) * | 2016-05-13 | 2018-10-26 | 京东方科技集团股份有限公司 | 掩膜集成框架及蒸镀设备 |
KR102411536B1 (ko) * | 2017-10-11 | 2022-06-22 | 삼성디스플레이 주식회사 | 증착 마스크 제조방법 및 제조장치 |
Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20120007022A (ko) * | 2009-04-03 | 2012-01-19 | 오스람 옵토 세미컨덕터스 게엠베하 | 재료 증착 장치에서 기판을 홀딩하는 장치 |
Family Cites Families (17)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
SE9800665D0 (sv) * | 1998-03-02 | 1998-03-02 | Micronic Laser Systems Ab | Improved method for projection printing using a micromirror SLM |
JPH11277280A (ja) * | 1998-03-30 | 1999-10-12 | Sumitomo Heavy Ind Ltd | レーザ加工用マスク装置 |
JP3346374B2 (ja) | 1999-06-23 | 2002-11-18 | 住友電気工業株式会社 | レーザ穴開け加工装置 |
US6433303B1 (en) | 2000-03-31 | 2002-08-13 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Method and apparatus using laser pulses to make an array of microcavity holes |
US6475287B1 (en) * | 2001-06-27 | 2002-11-05 | Eastman Kodak Company | Alignment device which facilitates deposition of organic material through a deposition mask |
US6589382B2 (en) * | 2001-11-26 | 2003-07-08 | Eastman Kodak Company | Aligning mask segments to provide a stitched mask for producing OLED devices |
US6720519B2 (en) | 2001-11-30 | 2004-04-13 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | System and method of laser drilling |
KR100838065B1 (ko) * | 2002-05-31 | 2008-06-16 | 삼성에스디아이 주식회사 | 박막증착기용 고정장치와 이를 이용한 고정방법 |
KR101023396B1 (ko) | 2004-02-23 | 2011-03-18 | 사천홍시현시기건유한공사 | 유기 전계발광 소자용 쉐도우 마스크 제조방법 |
US20060000816A1 (en) | 2004-06-30 | 2006-01-05 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | System for and method of zoom processing |
KR100615536B1 (ko) | 2004-11-19 | 2006-08-25 | 알투스주식회사 | 열 인가 스트레칭 마스크 제조 방법 및 장치 |
KR100687486B1 (ko) | 2004-11-19 | 2007-03-02 | 알투스주식회사 | 유기 이엘용 스트레칭 마스크 제조장치 및 방법 |
JP2006199998A (ja) * | 2005-01-20 | 2006-08-03 | Seiko Epson Corp | 成膜装置、成膜方法 |
TWI298827B (en) * | 2005-12-23 | 2008-07-11 | Taiwan Semiconductor Mfg | Method and system of mask superposition for multiple exposures |
KR100796595B1 (ko) | 2006-07-14 | 2008-01-21 | 삼성에스디아이 주식회사 | 레이저 조사장치 및 그를 이용한 유기전계발광소자의제조방법 |
DE102007016638A1 (de) * | 2007-01-31 | 2008-08-07 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Verfahren zur Strukturierung elektrolumineszenter organischer Halbleiterelemente, elektrolumineszentes organisches Halbleiterelement sowie Anordnung zur Strukturierung eines solchen Elements |
WO2011116968A2 (en) | 2010-03-24 | 2011-09-29 | Laser Zentrum Hannover E.V. | System and method for laser-beam based processing |
-
2013
- 2013-02-01 KR KR1020130011956A patent/KR102112751B1/ko active IP Right Grant
- 2013-09-09 US US14/021,489 patent/US9377681B2/en active Active
- 2013-12-20 TW TW102147437A patent/TWI620976B/zh active
-
2014
- 2014-01-21 CN CN201410026058.3A patent/CN103962719B/zh active Active
Patent Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20120007022A (ko) * | 2009-04-03 | 2012-01-19 | 오스람 옵토 세미컨덕터스 게엠베하 | 재료 증착 장치에서 기판을 홀딩하는 장치 |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20200055571A (ko) * | 2018-11-13 | 2020-05-21 | 주식회사 이솔 | 반도체 레이저 가공 장치의 척 구조 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20140217646A1 (en) | 2014-08-07 |
KR102112751B1 (ko) | 2020-05-19 |
CN103962719A (zh) | 2014-08-06 |
TW201432368A (zh) | 2014-08-16 |
TWI620976B (zh) | 2018-04-11 |
US9377681B2 (en) | 2016-06-28 |
CN103962719B (zh) | 2017-04-12 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP7252032B2 (ja) | 転写基板ならびにこれを用いた実装方法および画像表示装置の製造方法 | |
JP6105808B2 (ja) | ウェハのシンニング方法及び装置 | |
JP5960154B2 (ja) | 静電クランプ、リソグラフィ装置、および静電クランプの製造方法 | |
KR20140099110A (ko) | 레이저 빔을 이용한 마스크 제조 방법 및 마스크 제조 장치 | |
JP6224653B2 (ja) | 薄い半導体基板のダイシング方法 | |
JP2019510339A (ja) | マルチビーム検査システム用像面湾曲補正 | |
JP6523882B2 (ja) | ウエーハの加工方法 | |
WO2021117753A1 (ja) | 集光レンズの高さ調整方法およびチップ転写方法ならびに集光レンズの高さ調整装置およびチップ転写装置 | |
KR102584665B1 (ko) | 층 구조를 갖는 마이크로전자 컴포넌트들을 생성하기 위한 방법 및 제조 시스템 | |
JP2016147342A (ja) | 加工装置のチャックテーブル | |
TW202300265A (zh) | 加工方法 | |
JP2014203860A5 (ja) | ホルダ、ステージ装置、リソグラフィ装置及び物品の製造方法 | |
JP6953210B2 (ja) | ウエーハの加工方法 | |
JP2019042749A (ja) | レーザー加工装置 | |
US9368347B2 (en) | Apparatus and method for irradiating | |
JPH1052780A (ja) | レーザ加工装置 | |
US10103055B2 (en) | Expansion sheet, expansion sheet manufacturing method, and expansion sheet expanding method | |
TWI843896B (zh) | 晶圓的加工方法 | |
JP6576172B2 (ja) | チャックテーブル | |
TWI844702B (zh) | 晶圓的加工方法 | |
JP2020129642A (ja) | エキスパンドシートの拡張方法 | |
JP7529478B2 (ja) | ウェーハの加工方法 | |
JPWO2023062842A5 (ko) | ||
US20210013102A1 (en) | Workpiece processing method | |
JP2022147017A (ja) | レーザリフトオフ装置およびレーザリフトオフ方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A201 | Request for examination | ||
E902 | Notification of reason for refusal | ||
E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
GRNT | Written decision to grant |