KR20140098940A - Crystal device and method for manufacturing thereof - Google Patents

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Abstract

The present invention relates to a crystal device and a manufacturing method thereof, capable of correcting an oscillation frequency of a crystal piece by sensing the temperature in a cavity of the crystal device and simplifying a manufacturing process by forming a lid with a resin sheet. The size of the crystal device is reduced by mounting a thermistor. The oscillation frequency of the crystal piece is corrected as the temperature in the cavity is sensed. A bonding process is simplified by forming the lid with the sheet which is bonded to a package structure with a semi-curable state and is cured. The insulation of the lid is increased. The crystal device according to the present invention includes the package structure with the cavity, the crystal piece which is mounted in the cavity and generates a vibration, the thermistor which is separated from the crystal piece in the cavity and senses the temperature in the cavity, and the lid whose one side is bonded to the opening part of the cavity with the semi-curable state and which is formed with resins to be cured and seal the cavity.

Description

수정디바이스 및 그 제조 방법{CRYSTAL DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING THEREOF}Technical Field [0001] The present invention relates to a correction device,

본 발명은 수정디바이스 및 그 제조 방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는 수정디바이스의 캐비티 내부의 온도를 감지하여 수정편의 발진주파수를 보정할 수 있도록 하고, 리드를 수지로 형성된 시트로 형성하여 제조 공정이 단순한 수정디바이스 및 그 제조 방법에 관한 것이다.The present invention relates to a correction device and a method of manufacturing the same, and more particularly, to a correction device and a method of manufacturing the same, which are capable of correcting an oscillation frequency of a correction member by sensing a temperature inside a cavity of the correction device, To a simple modification device and a manufacturing method thereof.

종래의 항온조 수정발진기는 온도를 제어할 수 있는 오븐으로 수정편 주변의 온도를 일정하게 유지시켜 발진주파수의 오차를 줄이는 것으로, 일반적인 수정발진기에 비해 온도에 따른 발진주파수의 편차가 매우 작다는 장점이 있다.The conventional quartz quartz quartz oscillator is an oven capable of controlling the temperature, which keeps the temperature around the quartz crystal constant, thereby reducing the error of the oscillation frequency. The oscillation frequency variation according to the temperature is very small have.

도 1은 종래의 항온조 수정발진기의 측단면도를 도시한 것이다.1 is a side cross-sectional view of a conventional constant temperature ovens crystal oscillator.

종래의 항온조 수정발진기는 도 1에 도시된 바와 같이, 캐비티를 구비한 패키지 구조물, 상기 캐비티 내부에 실장되는 수정편, 상기 수정편의 주파수 발진회로, 상기 캐비티 내부에 열을 공급하는 히터 및 상기 캐비티를 밀폐하는 리드를 포함한다.As shown in FIG. 1, the conventional quartz crystal oscillator includes a package structure having a cavity, a crystal piece mounted in the cavity, a frequency oscillating circuit of the crystal piece, a heater for supplying heat to the inside of the cavity, Includes sealed leads.

그러나 상기의 종래의 항온조 수정발진기는 히터로 코일형 히터를 사용하는 경우가 일반적이다. 코일형 히터는 소자의 크기가 매우 크기 때문에 수정발진기의 소형화, 박형화에 제한이 있었다. 또한, 코일형 히터가 사용하는 전력이 크기 때문에 모바일 기기에 채용하는데 제약이 있었다.However, in the conventional constant temperature quartz crystal oscillator, a coil type heater is generally used as a heater. Since the size of the coil heater is very large, there has been a limitation in downsizing and thinning of the crystal oscillator. Further, since the electric power used by the coil type heater is large, there is a restriction in adoption to a mobile device.

또한, 상기의 종래의 항온조 수정발진기는 리드로 금속 재질로 형성된 얇은 판을 채용하고, 이를 캐비티의 개구부에 접합하고 웰딩 공정을 통해 밀봉하였다. 그러나 수정발진기가 점차 소형화되어 이에 맞춰 채용되는 리드부도 소형화되면서 웰딩 공정에 정밀성이 요구되었다. 이에 따라 제조 단가가 높아지고 수율이 낮아지는 문제점이 있었다.The conventional thermostatic bath crystal oscillator uses a thin plate made of a lead metal, which is bonded to the opening of the cavity and sealed through a welding process. However, as the crystal oscillator has become smaller and smaller, the lead portion adapted to this has been downsized and precision has been required in the welding process. As a result, the manufacturing cost is increased and the yield is lowered.

또한, 얇은 금속재질의 판을 리드로 사용할 경우, 단열성이 높지 않아 캐비티 내부의 온도가 외부에 상대적으로 민감하게 변할 수 있고, 캐비티 내부의 온도를 일정 수준으로 유지하는데 많은 전력이 소모되는 문제점이 있었다.Further, when a thin metal plate is used as a lead, since the heat insulating property is not high, the temperature inside the cavity can be relatively sensitively changed to the outside, and much power is consumed to maintain the temperature inside the cavity at a certain level .

따라서 종래의 항온조 수정발진기를 대체하기 위해, 외부환경에 따라 변하는 수정편의 발진주파수를 보정할 수 있는 다른 방법과 단열성이 높고 결합 공정이 간단한 리드를 포함하는 수정디바이스의 요구가 증대되어 왔다.Therefore, in order to replace a conventional constant temperature quartz crystal oscillator, there has been an increasing demand for a quartz crystal device which includes an alternative method of correcting the oscillation frequency of the quartz crystal piece varying according to the external environment, and a high-

본 발명은 상술한 문제점을 해결하기 위한 것으로서, 본 발명의 목적은 소형이면서 외부의 온도 환경의 변화에도 불구하고 정확한 발진주파수를 얻을 수 있는 수정디바이스를 제공하는 것에 있다.SUMMARY OF THE INVENTION It is an object of the present invention to provide a correction device capable of obtaining an accurate oscillation frequency in spite of a small but external temperature change.

또한, 본 발명의 또 다른 목적은 단열성이 높고 결합 공정이 간단한 리드를 포함한 수정디바이스를 제공하는데 있다.Still another object of the present invention is to provide a quartz device including a lead having a high thermal insulation property and a simple bonding process.

상술한 바와 같은 목적을 달성하기 위한 본 발명에 따른 수정디바이스는 캐비티를 구비한 패키지 구조물, 상기 캐비티 내부에 실장되어 진동을 발생시키는 수정편, 상기 캐비티 내에서 상기 수정편과 이격되어 배치되며 상기 캐비티 내부의 온도를 감지하는 서미스터 및 반경화상태로 일면이 상기 캐비티의 개구부에 접합되고, 경화되어 상기 캐비티를 밀폐하는 수지로 형성된 리드를 포함한다.According to an aspect of the present invention, there is provided a correction device comprising: a package structure having a cavity; a quartz piece mounted inside the cavity to generate vibration; a cavity disposed in the cavity, A thermistor for sensing an internal temperature, and a lead, which is made of a resin, one surface of which is bonded to the opening of the cavity in a semi-cured state, and which is hardened to seal the cavity.

또한, 상기 수정디바이스에 있어서, 상기 상기 패키지 구조물은, 상기 패키지 구조물의 바닥면을 이루는 제 1 레이어, 상기 제 1 레이어 위에 형성되고 제 1 캐비티를 둘러싸는 제 2 레이어, 상기 제 2 레이어 위에 형성되고 제 2 캐비티를 둘러싸는 제 3 레이어 및 상기 제 3 레이어 위에 형성되고 제 3 캐비티를 둘러싸며, 상면이 상기 리드와 접합하는 측벽부를 포함할 수 있다.In addition, in the modification device, the package structure may include a first layer forming a bottom surface of the package structure, a second layer formed on the first layer and surrounding the first cavity, and a second layer formed on the second layer A third layer surrounding the second cavity, and a sidewall portion formed on the third layer and surrounding the third cavity, the sidewall portion having an upper surface bonded to the lead.

또한, 상기 수정디바이스에 있어서, 제 2 항에 있어서, 상기 수정편은 제 3 캐비티 내부에 실장되고, 상기 서미스터는 제 1 캐비티 내부에 실장될 수 있다.Further, in the modification device, the quartz crystal may be mounted inside the third cavity, and the thermistor may be mounted inside the first cavity.

또한, 상기 수정디바이스에 있어서, 상기 측벽부는 상면으로부터 돌출된 돌출부를 구비할 수 있다.Further, in the modification device, the side wall portion may have a protruding portion protruding from the upper surface.

또한, 상기 수정디바이스에 있어서, 상기 돌출부는 상기 측벽부의 내측벽에서 연장되어 형성될 수 있다.Further, in the modification device, the protruding portion may be formed to extend from the inner wall of the side wall portion.

또한, 상기 수정디바이스에 있어서, 상기 리드는 열처리 과정에 의해서 경화될 수 있다.In the modification device, the lead may be cured by a heat treatment process.

또한, 상기 수정디바이스에 있어서, 상기 리드는 B-스테이지 에폭시 수지로 형성되어 상기 패키지 구조물과 접합되고, C-스테이지 에폭시 수지로 경화되어 상기 캐비티를 밀폐할 수 있다.In the modification device, the lead may be formed of a B-stage epoxy resin and bonded to the package structure, and may be cured with a C-stage epoxy resin to seal the cavity.

또한, 상기 수정디바이스에 있어서, 상기 서미스터는 PTC 또는 NTC 중 선택된 하나일 수 있다.Further, in the modification device, the thermistor may be a selected one of PTC and NTC.

또한, 상기 수정디바이스에 있어서, 상기 리드를 형성하는 수지는 단열제를 포함할 수 있다.In the modification device, the resin forming the lead may include a heat insulating material.

상술한 바와 같은 목적을 달성하기 위한 본 발명에 따른 수정디바이스 제조 방법은 측면이 일체로 되어 연속적으로 형성된 다수 개의 패키지 구조물의 캐비티에 서미스터를 실장하는 서미스터 실장 단계, 상기 캐비티에 수정편을 실장하는 수정편 실장 단계, 반경화상태의 수지로 형성된 리드의 일면을 상기 캐비티의 개구부에 접합하는 접합 단계, 상기 리드를 경화시켜 상기 캐비티를 밀폐하는 경화 단계 및 상기 다수 개의 패키지 구조물의 측면을 절단하여 각각의 패키지 구조물로 분리하는 쏘잉 단계를 포함한다.According to another aspect of the present invention, there is provided a method of manufacturing a correction device, the method comprising: a thermistor mounting step of mounting a thermistor on a cavity of a plurality of package structures continuously formed with side surfaces integrally; A curing step of curing the leads to seal the cavities, and a step of cutting the side surfaces of the plurality of package structures to cure each of the plurality of package structures, Into a package structure.

본 발명에 따르면, 수정디바이스에 서미스터를 실장하여 수정디바이스의 소형화를 도모할 수 있고, 수정디바이스의 캐비티 내부의 온도를 감지하여 수정편의 발진주파수를 보정할 수 있는 효과가 있다.According to the present invention, it is possible to reduce the size of the correction device by mounting the thermistor in the correction device, and it is possible to correct the oscillation frequency of the correction member by sensing the temperature inside the cavity of the correction device.

또한, 본 발명에 따르면, 리드를 반경화상태로 패키지 구조물과 접합되었다가 경화되는 시트로 형성하여 접합 공정을 간단하게 할 수 있고, 리드의 단열성을 증대시킬 수 있는 효과가 있다. Further, according to the present invention, the lead can be formed in a semi-cured state by being bonded to the package structure and cured, thereby simplifying the bonding process and increasing the heat insulating property of the lead.

도 1 은 종래의 수정디바이스의 측단면도이다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 수정디바이스의 측단면도이다.
도 3은 본 발명의 도 2에 도시한 수정디바이스의 분해 측단면도이다.
도 4는 본 발명의 도 2에 도시한 수정디바이스의 분해 사시도이다.
도 5는 본 발명의 일 실시예에 따른 패키지 구조물의 측단면도이다.
도 6은 볼 발명의 일 실시예에 따른 수정디바이스의 제조방법을 설명하기 위한 순서도이다.1 is a side cross-sectional view of a conventional modification device.
2 is a side cross-sectional view of a modification device according to an embodiment of the present invention.
Figure 3 is a exploded side cross-sectional view of the modification device of Figure 2 of the present invention.
4 is an exploded perspective view of the modification device shown in Fig. 2 of the present invention.
5 is a side cross-sectional view of a package structure according to an embodiment of the present invention.
6 is a flowchart illustrating a method of manufacturing a modification device according to an embodiment of the present invention.

하기 설명에서는 설명되는 실시예들의 기초 개념을 잘 이해하기 위해 많은 특정 세부 사항이 제시된다. 그러나 당업자라면 설명된 실시예들이 이러한 특정 세부 사항의 일부 또는 전부가 없더라도 실시될 수 있음을 잘 알 것이다. 다른 경우에, 잘 알려져 있는 구성요소에 대해서는 본 발명의 기본 개념을 불필요하게 모호하게 하지 않도록 상세히 설명하지 않았다.In the following description, numerous specific details are set forth in order to provide a thorough understanding of the underlying concepts of the embodiments described. It will be apparent, however, to one skilled in the art, that the embodiments described may be practiced without some or all of these specific details. In other instances, well-known components have not been described in detail so as not to unnecessarily obscure the basic concept of the present invention.

본 발명의 실시예는 여러 가지 형태로 변형될 수 있으며, 본 발명의 범위가 아래에서 서술하는 실시예로 인해 한정되어지는 것으로 해석되어서는 안 된다. 본 실시예는 당업계에서 평균적인 지식을 가진 자에게 본 발명을 보다 완전하게 설명하기 위해서 제공되는 것이다. 따라서 도면에서의 구성 요소의 형상 등은 보다 명확한 설명을 강조하기 위해서 과장되어진 것이다.The embodiments of the present invention can be modified in various forms, and the scope of the present invention should not be construed as being limited by the embodiments described below. The present embodiments are provided to enable those skilled in the art to more fully understand the present invention. Therefore, the shapes and the like of the components in the drawings are exaggerated in order to emphasize a clearer explanation.

명세서 전체에서, 어떤 부분이 어떤 구성 요소를 "포함"한다고 할 때, 이는 특별히 반대되는 기재가 없는 한 다른 구성 요소를 제외하는 것이 아니라 다른 구성 요소를 더 포함할 수 있는 것을 의미한다.Throughout the specification, when an element is referred to as "comprising ", it means that it can include other elements as well, without excluding other elements unless specifically stated otherwise.

본 발명에 첨부된 도면은 본 발명을 도시적으로 도시한 것이다. 설명의 편의를 위하여, 첨부된 도면은 본 발명을 과장되고 모식적으로 도시하였다. 따라서 본 발명의 범위는 특허청구범위에 의해서만 해석되어야 할 것이며, 첨부한 도면에 의해 제한적으로 해석되어서는 안 될 것이다.BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS The accompanying drawings illustrate the present invention by way of example. BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS For the purpose of illustration, the accompanying drawings are exaggerated and illustrated schematically. Accordingly, the scope of the present invention should be construed as being limited only by the appended claims, and should not be construed as being limited by the attached drawings.

이하, 첨부한 도면을 참조하여 본 발명에 따른 일 실시예를 설명한다.Hereinafter, an embodiment of the present invention will be described with reference to the accompanying drawings.

도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 수정디바이스(500)의 측단면도이고, 도 3은 본 발명의 도 2에 도시한 수정디바이스(500)의 분해 측단면도이며, 도 4는 본 발명의 도 2에 도시한 수정디바이스(500)의 분해 사시도이다.FIG. 2 is a side cross-sectional view of a modification device 500 according to an embodiment of the present invention, FIG. 3 is an exploded side cross-sectional view of a modification device 500 shown in FIG. 2 of the present invention, 2 is an exploded perspective view of a modification device 500 shown in Fig.

본 발명의 일 실시예에 따른 수정디바이스(500)는 패키지 구조물(100), 수정편(200), 서미스터(300) 및 리드(400)를 포함한다.
A modification device 500 according to an embodiment of the present invention includes a package structure 100, a crystal piece 200, a thermistor 300, and a lead 400.

패키지 구조물(100)은 캐비티(110)를 구비한다. 캐비티(110)는 수정편(200) 및 서미스터(300)를 실장한다. 캐비티(110)는 상면이 개방된 개구부를 가지고 개구부는 리드(400)에 의해 접합되고, 밀폐된다.The package structure 100 includes a cavity 110. The cavity 110 mounts the quartz crystal 200 and the thermistor 300. The cavity 110 has an opening whose top surface is open, and the opening is joined by the lead 400 and is sealed.

패키지 구조물(100)은 제 1 레이어(121), 제 2 레이어(122), 제 3 레이어(123) 및 측벽부(124)를 포함할 수 있다. 캐비티(110)는 제 1 캐비티(111), 제 2 캐비티(112) 및 제 3 캐비티(113)를 포함할 수 있다.The package structure 100 may include a first layer 121, a second layer 122, a third layer 123, and a sidewall 124. The cavity 110 may include a first cavity 111, a second cavity 112, and a third cavity 113.

상기 제 1 내지 제 3 레이어(121, 122, 123) 및 측벽부(124)는 제 1 레이어(121)부터 측벽부(124)까지 차례로 적층되어 일체로 형성될 수 있고, 재질로는 세라믹 물질이 사용될 수 있다. 더욱 구체적으로, Al2O3, 2MgO, SiO2, ZrO2, AIN(질화 알루미늄) 등이 사용될 수 있다.The first to third layers 121, 122 and 123 and the side wall part 124 may be integrally formed from the first layer 121 to the side wall part 124 in order, Can be used. More specifically, Al 2 O 3 , 2MgO, SiO 2 , ZrO 2 , AIN (aluminum nitride) and the like can be used.

상기 도 5에 도시된 것과 같이, 제 1 내지 제 3 캐비티(111, 112, 113)는 연속되어 하나의 캐비티(110)를 형성한다.As shown in FIG. 5, the first to third cavities 111, 112, and 113 form one cavity 110 continuously.

더욱 구체적으로, 제 1 레이어(121)는 패키지 구조물(100)의 바닥면을 이룬다. 제 2 레이어(122)는 제 1 레이어(121) 위에 형성되고, 그 중심부에 제 1 캐비티(111)를 형성한다. 제 1 캐비티(111)는 제 1 레이어(121)의 상면에 의해 하면이 형성되고, 제 2 레이어(122)에 의해 측면이 둘러싸이고, 상면은 개방되어 제 2 캐비티(112)와 연속된다.More specifically, the first layer 121 forms the bottom surface of the package structure 100. The second layer 122 is formed on the first layer 121, and a first cavity 111 is formed at the center of the second layer 122. The lower surface of the first cavity 111 is formed by the upper surface of the first layer 121, the side surface is surrounded by the second layer 122, and the upper surface of the first cavity 121 is opened and continuous with the second cavity 112.

제 3 레이어(123)는 제 2 레이어(122) 위에 형성되고, 그 중심부에 제 2 캐비티(112)를 형성한다. 제 2 캐비티(112)는 하면이 제 1 캐비티(111)와 연속되고, 측면이 제 3 레이어(123)에 의해 둘러싸이고, 상면은 제 3 캐비티(113)와 연속된다. The third layer 123 is formed on the second layer 122 and forms a second cavity 112 at the center thereof. The lower surface of the second cavity 112 is continuous with the first cavity 111, the side surface is surrounded by the third layer 123, and the upper surface is continuous with the third cavity 113.

측벽부(124)는 제 3 레이어(123) 위에 형성되고, 제 3 캐비티(113)를 둘러싸고, 상면이 리드(400)와 접합한다. 제 3 캐비티(113)는 하면이 제 2 캐비티(112)와 연속되고, 측면이 측벽부(124)에 의해 둘러싸이고, 상면은 캐비티(110)의 개구부를 이룬다.The side wall portion 124 is formed on the third layer 123, surrounds the third cavity 113, and the upper surface thereof is bonded to the lead 400. The lower surface of the third cavity 113 is continuous with the second cavity 112, the side surface is surrounded by the side wall portion 124, and the upper surface is the opening of the cavity 110.

측벽부(124)는 그 상면으로부터 돌출된 돌출부(125)를 구비할 수 있다. 반경화상태의 수지로 된 리드(400)가 측벽부(124)의 상면과 접합되는데 있어서, 그 접합 면적이 늘어나면 접착력을 늘릴 수 있다. 측벽부(124)의 상면에 돌출부(125)가 구비되는 경우, 상면과 리드(400)가 접합하는 면적이 늘어날 수 있다.The side wall portion 124 may have a protrusion 125 protruding from the upper surface thereof. When the semi-cured resin lead 400 is bonded to the upper surface of the side wall portion 124, the adhesive force can be increased as the bonding area increases. When the projecting portion 125 is provided on the upper surface of the side wall portion 124, the area where the upper surface and the lead 400 are joined can be increased.

더욱 구체적으로, 돌출부(125)는 측벽부(124)의 내측벽에서 연장되어 형성될 수 있다. 패키지 구조물(100)의 측면의 일부인 측벽부(124)의 외측벽은 다른 패키지 구조물(100)과 일체로 되어 연속적으로 형성될 수 있다. 일체로 형성된 패키지 구조물(100)은 쏘잉 과정을 통해 측면이 절단된다. 패키지 구조물(100)은 수지로 형성된 리드(400)보다 더 견고하기 때문에 패키지 구조물(100)의 측면 두께가 얇아야 쏘잉 과정이 용이하다. 돌출부(125)가 측벽부(124)의 내측벽에서 연장되는 것이 절단되는 패키지 구조물(100)의 측면 두께를 줄일 수 있다.More specifically, the protrusion 125 may be formed to extend from the inner wall of the side wall portion 124. The outer wall of the side wall portion 124, which is part of the side surface of the package structure 100, can be continuously formed integrally with the other package structure 100. The integrally formed package structure 100 is cut through the sawing process. Since the package structure 100 is more rigid than the lead 400 formed of resin, the side structure of the package structure 100 is thin, so that the fabrication process is easy. The side walls of the package structure 100 in which the protrusions 125 extend from the inner wall of the side wall portion 124 can be cut.

제 1 레이어(121) 하면에는 다수 개의 전극패드(130)가 형성될 수 있다. 전극패드(130)는 수정디바이스가 작동할 수 있도록 구동전압을 인가하고, 발진주파수를 출력하기 위한 것이다.
A plurality of electrode pads 130 may be formed on the lower surface of the first layer 121. The electrode pad 130 is for applying a driving voltage and outputting an oscillation frequency so that the correction device can operate.

수정편(200)은 캐비티(110) 내부에 실장되어 진동을 발생시킨다. 더욱 구체적으로, 수정편(200)은 제 3 캐비티(113) 내부에 실장될 수 있다. 수정편(200)은 캐비티(110) 내부에 형성된 전극패드(130)와 접착제에 의해 접합될 수 있다. 상기 접착제는 도전성 접착제일 수 있어, 수정편(200)과 전극패드(130)가 전기적으로 연결될 수 있다.The quartz crystal piece 200 is mounted inside the cavity 110 to generate vibration. More specifically, the quartz crystal piece 200 can be mounted inside the third cavity 113. The quartz crystal piece 200 may be bonded to the electrode pad 130 formed in the cavity 110 by an adhesive. The adhesive may be a conductive adhesive, so that the quartz crystal piece 200 and the electrode pad 130 can be electrically connected.

상기 캐비티 내부의 온도를 감지The temperature inside the cavity is detected

서미스터(300)는 캐비티(110) 내에서 수정편(200)과 이격되어 배치되며 캐비티(110) 내부의 온도를 감지한다. 더욱 구체적으로, 서미스터(300)는 제 1 캐비티(111) 내부에 실장될 수 있다.The thermistor 300 is disposed in the cavity 110 so as to be spaced apart from the quartz crystal 200 and senses the temperature inside the cavity 110. More specifically, the thermistor 300 may be mounted inside the first cavity 111.

서미스터(300)는 코발트·구리·망가니즈·철·니켈·타이타늄 등의 산화물을 적당한 저항률과 온도계수를 가지도록 2~3종류 혼합하여 소결한 반도체이다.The thermistor 300 is a semiconductor obtained by mixing two or three kinds of oxides such as cobalt, copper, manganese, iron, nickel, and titanium with appropriate resistivity and temperature coefficient.

또한, 서미스터(300)는 PTC 또는 NTC 중 선택된 하나일 수 있다. PTC는 Positive Thermal Coefficient의 약자로서 정온도계수 특성을 가진 소자를 말하며 상술한 바와 같이 온도가 낮으면 저항값이 낮아져 많은 열이 방출되고, 온도가 증가하면 저항값이 높아져 소량의 열이 방출됨으로써 정온을 유지시킨다. NTC는 Negative Temperature Coefficient의 약자로서 온도가 높아지면 저항값이 감소하는 부저항온도계수의 특성을 가지고 있는 서미스터(300)이다.In addition, thermistor 300 may be a selected one of PTC or NTC. PTC is an abbreviation of Positive Thermal Coefficient and refers to a device having a constant temperature coefficient characteristic. As described above, when the temperature is low, the resistance value is low and a lot of heat is emitted. When the temperature is increased, . NTC is an abbreviation of Negative Temperature Coefficient. It is a thermistor (300) which has the characteristic of a resistive temperature coefficient that the resistance value decreases when the temperature rises.

상술한 서미스터(300)의 특징을 이용하여, 서미스터(300) 주변의 온도를 감지할 수 있다. 더욱 구체적으로, 서미스터(300)는 캐비티(110) 내부의 온도를 감지한다. 캐비티(110) 내부의 온도를 감지하면, 수정편(200)이 어떠한 온도 환경에서 작동하는지 감지할 수 있다. 이를 통해, 수정디바이스(500)가 생성한 발진주파수를 보정하여 사용할 수 있기 때문에 더욱 정확한 발진주파수를 얻을 수 있다.
The temperature around the thermistor 300 can be sensed using the characteristics of the thermistor 300 described above. More specifically, the thermistor 300 senses the temperature inside the cavity 110. When the temperature inside the cavity 110 is sensed, it is possible to detect in which temperature environment the quartz crystal 200 is operated. Accordingly, since the oscillation frequency generated by the correction device 500 can be corrected and used, a more accurate oscillation frequency can be obtained.

수정편(200)과 서미스터(300)는 서로 이격되어 배치된다. 더욱 구체적으로 수정편(200)의 하면과 서미스터(300)의 상면은 소정의 공간이 형성되도록 배치된다. 상술한 바와 같이, 수정편(200)이 제 3 캐비티(113)에 실장되고, 서미스터(300)가 제 1 캐비티(111)에 실장되는 경우, 제 2 캐비티(112)에 해당하는 부분이 수정편(200)의 하면과 서미스터(300)의 상면 사이에 존재할 수 있다.
The quartz crystal piece 200 and the thermistor 300 are disposed apart from each other. More specifically, the lower surface of the quartz crystal piece 200 and the upper surface of the thermistor 300 are arranged to form a predetermined space. As described above, when the quartz crystal piece 200 is mounted on the third cavity 113 and the thermistor 300 is mounted on the first cavity 111, Can exist between the lower surface of the thermistor 200 and the upper surface of the thermistor 300.

리드(400)는 패키지 구조물(100)의 캐비티(110)를 밀폐한다. 리드(400)는 공정 초기에서 반경화상태의 수지로 형성된다. 더욱 구체적으로는, B-스테이지 에폭시 수지로 형성될 수 있다. 반경화상태의 수지로 형성된 리드(400)의 일면은 캐비티(110)의 개구부에 접합된다. 리드(400)의 일면은 측벽부(124)의 상면에 접할 수 있다. 측벽부(124)가 돌출부(125)를 포함하는 경우, 리드(400)는 리드(400)를 형성하는 수지가 돌출부(125)의해 형성되는 홈부에 충진되면서 측벽부(124)의 상면에 접합될 수 있다.The leads 400 seal the cavities 110 of the package structure 100. The lead 400 is formed of resin in a semi-cured state at the beginning of the process. More specifically, it may be formed of a B-stage epoxy resin. One side of the lead 400 formed of semi-cured resin is bonded to the opening of the cavity 110. [ One surface of the lead 400 may be in contact with the upper surface of the side wall portion 124. When the side wall portion 124 includes the protrusion 125, the lead 400 is bonded to the upper surface of the side wall portion 124 while the resin forming the lead 400 is filled in the groove formed by the protrusion 125 .

상기 리드(400)는 경화되어 캐비티(110)를 밀폐한다. 더욱 구체적으로는, 경화되어 C-스테이지 에폭시로 형성될 수 있다.The lid 400 is cured to seal the cavity 110. More specifically, it may be cured to form a C-stage epoxy.

수지의 경화 상태는 액체 상태, 반경화 상태 및 경화 상태로 구분할 수 있다. 통상적으로 액체 상태를 A-스테이지(stage), 반경화 상태를 B-스테이지, 경화 상태를 C-스테이지라 칭한다. A-스테이지의 수지란 수지 중합체의 분자량이 낮은 상태로 수지가 흘러내기 쉬운 상태를 의미한다. A-스테이지의 수지는 다른 액체에 용해될 수 있는 특징을 가진다. B-스테이지의 수지란 중간 정도로 경화된 상태의 수지를 의미한다. C-스테이지의 수지란 완전히 경화된 상태의 수지를 의미한다.The cured state of the resin can be classified into a liquid state, a semi-cured state, and a cured state. The liquid phase is generally referred to as an A-stage, the semi-cured state as a B-stage, and the cured state as a C-stage. The resin of the A-stage means a state in which the resin is liable to flow in a state where the molecular weight of the resin polymer is low. The resin of the A-stage is characterized by being soluble in other liquids. The resin of the B-stage means a resin in a medium-hardened state. The resin of the C-stage means a resin in a completely cured state.

수지로 형성되는 리드(400)는 금속판으로 형성되는 리드(400)에 비해 더욱 향상된 단열성을 가질 수 있다. 리드(400)를 형성하는 수지는 단열제를 포함할 수 있다. 이러한 단열성을 더욱 증가시키기 위해 수지에 단열성이 큰 성분을 추가로 혼입하여 리드(400)를 형성할 수 있다.The lead 400 formed of a resin may have improved heat insulation properties as compared with the lead 400 formed of a metal plate. The resin forming the lead 400 may include a heat insulating material. In order to further increase the heat insulating property, the lead 400 can be formed by further incorporating a component having a high heat insulating property into the resin.

수지로 형성된 리드(400)는 경화 과정을 통해 경화될 수 있다. 경화 과정은 열처리 과정 또는 건조 과정 등일 수 있다.
The lead 400 formed of a resin can be cured through a curing process. The curing process may be a heat treatment process or a drying process.

이하, 본 발명에 따른 수정디바이스(500)의 제조방법에 대해 설명한다. 도 6은 볼 발명의 일 실시예에 따른 수정디바이스의 제조방법을 설명하기 위한 순서도이다. 도 6을 참조하여, 수정디바이스(500)의 제조방법에 대해 설명하는데 있어서, 설명의 편의성을 위해 상술한 수정디바이스(500)와 다른 내용을 중심으로 설명한다.Hereinafter, a method of manufacturing the correction device 500 according to the present invention will be described. 6 is a flowchart illustrating a method of manufacturing a modification device according to an embodiment of the present invention. With reference to FIG. 6, a description will be given of a method of manufacturing the correction device 500, focusing on the content different from the correction device 500 described above for convenience of explanation.

본 발명에 따른 수정디바이스(500)의 제조방법은 서미스터 실장 단계(S100), 수정편 실장 단계(S200), 접합 단계(S300), 경화 단계(S400) 및 쏘잉 단계(S500)를 포함한다.The manufacturing method of the modification device 500 according to the present invention includes a thermistor mounting step S100, a refill mounting step S200, a bonding step S300, a curing step S400, and a forming step S500.

먼저, 일체로 되어 연속적으로 형성된 다수 개의 패키지 구조물(100)이 제공된다. 바람직하게는, 패키지 구조물(100)의 측면이 일체로 되어 연속될 수 있다. 더욱 구체적으으로 패키지 구조물(100)이 육면체로 형성되고, 4면의 측면에 다른 육면체의 패키지 구조물(100)의 측면이 연속적으로 일체로 형성된다. 이러한 구조를 통해 다수 개의 패키지 구조물(100)이 일체로 형성될 수 있다.First, a plurality of package structures 100 formed integrally and continuously are provided. Preferably, the side surfaces of the package structure 100 can be integrated and continuous. More specifically, the package structure 100 is formed into a hexahedron, and the side surfaces of the package structure 100 of another hexahedron are continuously formed integrally on four sides. Through this structure, a plurality of package structures 100 can be integrally formed.

서미스터 실장 단계(S100)는 다수 개의 패키지 구조물(100)의 캐비티(110)에 서미스터(300)를 실장하는 단계이다.The thermistor mounting step (S100) is a step of mounting the thermistor (300) on the cavity (110) of the plurality of package structures (100).

수정편 실장 단계(S200)는 상기 캐비티(110)에 수정편(200)을 실장하는 수정편(200) 실장하는 단계이다.The quartz crystal mounting step (S200) is a step of mounting the quartz crystal piece (200) for mounting the quartz crystal (200) on the cavity (110).

상술한 바와 같이, 서미스터(300)가 수정편(200)의 하부에 위치하는 경우, 서미스터 실장 단계(S100)가 수정편 실장 단계(S200)보다 먼저 수행되는 것이 바람직하다. 그러나 수정편(200)이 서미스터(300) 하부에 위치하는 경우, 수정편 실장 단계(S200)가 서미스터 실장 단계(S100)보다 먼저 수행되는 것이 바람직하다.As described above, when the thermistor 300 is positioned below the quartz crystal 200, it is preferable that the thermistor mounting step S100 is performed before the quartz crystal mounting step S200. However, when the quartz crystal piece 200 is located under the thermistor 300, it is preferable that the quartz crystal mounting step S200 is performed before the thermistor mounting step S100.

접합 단계(S300)는 반경화상태의 수지로 형성된 리드(400)의 일면을 상기 캐비티(110)의 개구부에 접합하는 접합하는 단계이다. 반경화상태의 수지로 형성된 리드(400)를 측벽부(124)의 상면에 맞닿게 하고, 리드(400)에 패키지 구조물(100) 방향으로 소정의 압력을 가해 접합을 견고하게 할 수 있다. 측벽부(124)의 상면이 돌출부(125)를 포함하는 경우, 리드(400)에 소정의 압력이 가해질 경우, 돌출부(125)에 의해 생성된 홈부에 수지가 충진될 수 있다. The bonding step S300 is a bonding step in which one side of the lead 400 formed of semi-cured resin is bonded to the opening of the cavity 110. The lead 400 formed of semi-cured resin is brought into contact with the upper surface of the side wall portion 124 and a predetermined pressure is applied to the lead 400 in the direction of the package structure 100 to make the bonding firm. When the upper surface of the side wall portion 124 includes the protrusion 125, when the predetermined pressure is applied to the lead 400, the groove formed by the protrusion 125 can be filled with resin.

경화 단계(S400)는 상기 리드(400)를 경화시켜 상기 캐비티(110)를 밀폐하는 단계이다.The curing step S400 is a step of sealing the cavity 110 by hardening the lead 400. [

쏘잉 단계는(S500) 상기 다수 개의 패키지 구조물(100)의 측면을 절단하여 각각의 패키지 구조물(100)로 분리하는 단계이다.
The forming step S 500 is a step of cutting the side surfaces of the plurality of package structures 100 and separating them into the respective package structures 100.

100 : 패키지 구조물 110 : 캐비티
111 : 제 1 캐비티 112 : 제 2 캐비티
113 : 제 3 캐비티 121 : 제 1 레이어
122 : 제 2 레이어 123 : 제 3 레이어
124 : 측벽부 125 :돌출부
130 : 전극패드
200 : 수정편 300 : 서미스터
400 : 리드 100: package structure 110: cavity
111: first cavity 112: second cavity
113: third cavity 121: first layer
122: second layer 123: third layer
124: side wall part 125:
130: Electrode pad
200: Revision 300: Thermistor
400: Lead

Claims (10)

캐비티를 구비한 패키지 구조물;
상기 캐비티 내부에 실장되어 진동을 발생시키는 수정편;
상기 캐비티 내에서 상기 수정편과 이격되어 배치되며 상기 캐비티 내부의 온도를 감지하는 서미스터; 및
반경화상태로 일면이 상기 캐비티의 개구부에 접합되고, 경화되어 상기 캐비티를 밀폐하는 수지로 형성된 리드를 포함하는
수정디바이스.
A package structure having a cavity;
A correction piece mounted inside the cavity to generate vibration;
A thermistor disposed within the cavity and spaced apart from the quartz crystal to sense a temperature inside the cavity; And
And a lead formed of a resin that is semi-cured and one surface of which is bonded to the opening of the cavity and is cured to seal the cavity
Correction device.
제 1 항에 있어서,
상기 패키지 구조물은,
상기 패키지 구조물의 바닥면을 이루는 제 1 레이어;
상기 제 1 레이어 위에 형성되고 제 1 캐비티를 둘러싸는 제 2 레이어;
상기 제 2 레이어 위에 형성되고 제 2 캐비티를 둘러싸는 제 3 레이어; 및
상기 제 3 레이어 위에 형성되고 제 3 캐비티를 둘러싸며, 상면이 상기 리드와 접합하는 측벽부를 포함하는
수정디바이스.
The method according to claim 1,
Wherein the package structure comprises:
A first layer comprising a bottom surface of the package structure;
A second layer formed on the first layer and surrounding the first cavity;
A third layer formed on the second layer and surrounding the second cavity; And
And a sidewall portion formed on the third layer and surrounding the third cavity, the sidewall portion having an upper surface bonded to the lead
Correction device.
제 2 항에 있어서,
상기 수정편은 제 3 캐비티 내부에 실장되고,
상기 서미스터는 제 1 캐비티 내부에 실장되는
수정디바이스.
3. The method of claim 2,
The quartz piece is mounted inside the third cavity,
The thermistor is mounted inside the first cavity
Correction device.
제 2 항에 있어서,
상기 측벽부는 상면으로부터 돌출된 돌출부를 구비한
수정디바이스.
3. The method of claim 2,
Wherein the side wall portion has a projection projecting from an upper surface
Correction device.
제 4 항에 있어서,
상기 돌출부는 상기 측벽부의 내측벽에서 연장되어 형성되는
수정디바이스.
5. The method of claim 4,
The protruding portion is formed to extend from an inner wall of the side wall portion
Correction device.
제 1 항에 있어서,
상기 리드는 열처리 과정에 의해서 경화되는
수정디바이스.
The method according to claim 1,
The lead is hardened by a heat treatment process
Correction device.
제 1 항에 있어서,
상기 리드는 B-스테이지 에폭시 수지로 형성되어 상기 패키지 구조물과 접합되고, C-스테이지 에폭시 수지로 경화되어 상기 캐비티를 밀폐하는
수정디바이스.
The method according to claim 1,
The lead is formed of a B-stage epoxy resin and joined to the package structure, cured with a C-stage epoxy resin to seal the cavity
Correction device.
제 1 항에 있어서,
상기 서미스터는 PTC 또는 NTC 중 선택된 하나인
수정디바이스.
The method according to claim 1,
The thermistor may be a selected one of PTC or NTC
Correction device.
제 1 항에 있어서,
상기 리드를 형성하는 수지는 단열제를 포함하는
수정디바이스.
The method according to claim 1,
The resin forming the lead includes a heat insulating material
Correction device.
측면이 일체로 되어 연속적으로 형성된 다수 개의 패키지 구조물의 캐비티에 서미스터를 실장하는 서미스터 실장 단계;
상기 캐비티에 수정편을 실장하는 수정편 실장 단계;
반경화상태의 수지로 형성된 리드의 일면을 상기 캐비티의 개구부에 접합하는 접합 단계;
상기 리드를 경화시켜 상기 캐비티를 밀폐하는 경화 단계; 및
상기 다수 개의 패키지 구조물의 측면을 절단하여 각각의 패키지 구조물로 분리하는 쏘잉 단계를 포함하는
수정디바이스 제조 방법.

A thermistor mounting step of mounting a thermistor in a cavity of a plurality of package structures formed continuously with side surfaces integrally;
A quartz crystal mounting step of mounting a quartz crystal in the cavity;
A bonding step of bonding one surface of a lead made of semi-cured resin to an opening of the cavity;
A curing step of curing the lead to seal the cavity; And
And a sawing step of cutting the side surfaces of the plurality of package structures to separate them into respective package structures
/ RTI >

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