KR101469005B1 - Crystal device and method for manufacturing thereof - Google Patents
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Abstract
본 발명은 수정디바이스의 캐비티 내부의 온도를 감지하여 수정편의 발진주파수를 보정할 수 있도록 하고, 리드를 수지로 형성된 시트로 형성하여 제조 공정이 단순한 수정디바이스 및 그 제조 방법에 관한 것으로, 서미스터를 실장하여 수정디바이스의 소형화를 도모할 수 있고, 캐비티 내부의 온도를 감지하여 수정편의 발진주파수를 보정할 수 있는 효과가 있고, 리드를 반경화상태로 패키지 구조물과 접합되었다가 경화되는 시트로 형성하여 접합 공정을 간단하게 할 수 있고, 리드의 단열성을 증대시킬 수 있는 효과가 있다.
본 발명의 수정디바이스는 캐비티를 구비한 패키지 구조물, 상기 캐비티 내부에 실장되어 진동을 발생시키는 수정편, 상기 캐비티 내에서 상기 수정편과 이격되어 배치되며 상기 캐비티 내부의 온도를 감지하는 서미스터 및 반경화상태로 일면이 상기 캐비티의 개구부에 접합되고, 경화되어 상기 캐비티를 밀폐하는 수지로 형성된 리드를 포함한다.The present invention relates to a quartz crystal device having a simple manufacturing process and a method for fabricating the quartz crystal device, in which the temperature of the quartz crystal of the quartz crystal device is sensed to correct the oscillation frequency of the quartz crystal, And the oscillation frequency of the crystal can be corrected by sensing the temperature inside the cavity. The lead is formed in a semi-hardened state by bonding the package structure to the package structure and curing the sheet, The process can be simplified, and the heat insulating property of the lead can be increased.
A correction device of the present invention includes a package structure having a cavity, a quartz piece mounted in the cavity to generate vibration, a thermistor disposed in the cavity apart from the quartz piece to sense the temperature inside the cavity, And a lead formed of a resin which is bonded to an opening of the cavity and is hardened to seal the cavity.
Description
본 발명은 수정디바이스 및 그 제조 방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는 수정디바이스의 캐비티 내부의 온도를 감지하여 수정편의 발진주파수를 보정할 수 있도록 하고, 리드를 수지로 형성된 시트로 형성하여 제조 공정이 단순한 수정디바이스 및 그 제조 방법에 관한 것이다.The present invention relates to a correction device and a method of manufacturing the same, and more particularly, to a correction device and a method of manufacturing the same, which are capable of correcting an oscillation frequency of a correction member by sensing a temperature inside a cavity of the correction device, To a simple modification device and a manufacturing method thereof.
종래의 항온조 수정발진기는 온도를 제어할 수 있는 오븐으로 수정편 주변의 온도를 일정하게 유지시켜 발진주파수의 오차를 줄이는 것으로, 일반적인 수정발진기에 비해 온도에 따른 발진주파수의 편차가 매우 작다는 장점이 있다.The conventional quartz quartz quartz oscillator is an oven capable of controlling the temperature, which keeps the temperature around the quartz crystal constant, thereby reducing the error of the oscillation frequency. The oscillation frequency variation according to the temperature is very small have.
도 1은 종래의 항온조 수정발진기의 측단면도를 도시한 것이다.1 is a side cross-sectional view of a conventional constant temperature ovens crystal oscillator.
종래의 항온조 수정발진기는 도 1에 도시된 바와 같이, 캐비티를 구비한 패키지 구조물, 상기 캐비티 내부에 실장되는 수정편, 상기 수정편의 주파수 발진회로, 상기 캐비티 내부에 열을 공급하는 히터 및 상기 캐비티를 밀폐하는 리드를 포함한다.As shown in FIG. 1, the conventional quartz crystal oscillator includes a package structure having a cavity, a crystal piece mounted in the cavity, a frequency oscillating circuit of the crystal piece, a heater for supplying heat to the inside of the cavity, Includes sealed leads.
그러나 상기의 종래의 항온조 수정발진기는 히터로 코일형 히터를 사용하는 경우가 일반적이다. 코일형 히터는 소자의 크기가 매우 크기 때문에 수정발진기의 소형화, 박형화에 제한이 있었다. 또한, 코일형 히터가 사용하는 전력이 크기 때문에 모바일 기기에 채용하는데 제약이 있었다.However, in the conventional constant temperature quartz crystal oscillator, a coil type heater is generally used as a heater. Since the size of the coil heater is very large, there has been a limitation in downsizing and thinning of the crystal oscillator. Further, since the electric power used by the coil type heater is large, there is a restriction in adoption to a mobile device.
또한, 상기의 종래의 항온조 수정발진기는 리드로 금속 재질로 형성된 얇은 판을 채용하고, 이를 캐비티의 개구부에 접합하고 웰딩 공정을 통해 밀봉하였다. 그러나 수정발진기가 점차 소형화되어 이에 맞춰 채용되는 리드부도 소형화되면서 웰딩 공정에 정밀성이 요구되었다. 이에 따라 제조 단가가 높아지고 수율이 낮아지는 문제점이 있었다.The conventional thermostatic bath crystal oscillator uses a thin plate made of a lead metal, which is bonded to the opening of the cavity and sealed through a welding process. However, as the crystal oscillator has become smaller and smaller, the lead portion adapted to this has been downsized and precision has been required in the welding process. As a result, the manufacturing cost is increased and the yield is lowered.
또한, 얇은 금속재질의 판을 리드로 사용할 경우, 단열성이 높지 않아 캐비티 내부의 온도가 외부에 상대적으로 민감하게 변할 수 있고, 캐비티 내부의 온도를 일정 수준으로 유지하는데 많은 전력이 소모되는 문제점이 있었다.Further, when a thin metal plate is used as a lead, since the heat insulating property is not high, the temperature inside the cavity can be relatively sensitively changed to the outside, and much power is consumed to maintain the temperature inside the cavity at a certain level .
따라서 종래의 항온조 수정발진기를 대체하기 위해, 외부환경에 따라 변하는 수정편의 발진주파수를 보정할 수 있는 다른 방법과 단열성이 높고 결합 공정이 간단한 리드를 포함하는 수정디바이스의 요구가 증대되어 왔다.Therefore, in order to replace a conventional constant temperature quartz crystal oscillator, there has been an increasing demand for a quartz crystal device which includes an alternative method of correcting the oscillation frequency of the quartz crystal piece varying according to the external environment, and a high-
본 발명은 상술한 문제점을 해결하기 위한 것으로서, 본 발명의 목적은 소형이면서 외부의 온도 환경의 변화에도 불구하고 정확한 발진주파수를 얻을 수 있는 수정디바이스를 제공하는 것에 있다.SUMMARY OF THE INVENTION It is an object of the present invention to provide a correction device capable of obtaining an accurate oscillation frequency in spite of a small but external temperature change.
또한, 본 발명의 또 다른 목적은 단열성이 높고 결합 공정이 간단한 리드를 포함한 수정디바이스를 제공하는데 있다.Still another object of the present invention is to provide a quartz device including a lead having a high thermal insulation property and a simple bonding process.
상술한 바와 같은 목적을 달성하기 위한 본 발명에 따른 수정디바이스는 캐비티를 구비한 패키지 구조물, 상기 캐비티 내부에 실장되어 진동을 발생시키는 수정편, 상기 캐비티 내에서 상기 수정편과 이격되어 배치되며 상기 캐비티 내부의 온도를 감지하는 서미스터 및 반경화상태로 일면이 상기 캐비티의 개구부에 접합되고, 경화되어 상기 캐비티를 밀폐하는 수지로 형성된 리드를 포함하되, 상기 리드는 B-스테이지 에폭시 수지로 형성되어 상기 패키지 구조물과 접합되고, C-스테이지 에폭시 수지로 경화되어 상기 캐비티를 밀폐한다.According to an aspect of the present invention, there is provided a correction device comprising: a package structure having a cavity; a quartz piece mounted inside the cavity to generate vibration; a cavity disposed in the cavity, A thermistor for sensing an internal temperature; and a lead, which is formed of a resin, one surface of which is bonded to an opening of the cavity in a semi-cured state and is hardened to seal the cavity, the lead being formed of a B- Bonded to the structure, and cured with a C-stage epoxy resin to seal the cavity.
또한, 상술한 바와 같은 목적을 달성하기 위한 본 발명에 따른 수정디바이스는 캐비티를 구비한 패키지 구조물, 상기 캐비티 내부에 실장되어 진동을 발생시키는 수정편, 상기 캐비티 내에서 상기 수정편과 이격되어 배치되며 상기 캐비티 내부의 온도를 감지하는 서미스터 및 상기 캐비티를 밀폐하는 수지로 형성된 리드를 포함하되, 상기 구조물은 상기 캐비티의 측벽을 이루는 측벽부를 포함하고, 상기 측벽부는 상면으로부터 돌출된 돌출부를 구비하며, 상기 리드의 일면은 반경화상태로 상기 돌출부의 상면에 접하고, 압력에 의해 상기 돌출부 주변의 상기 측벽부의 상면까지 충진된 후, 경화되어 상기 측벽부와 결합되는 것을 특징으로 한다.According to another aspect of the present invention, there is provided a correction device comprising: a package structure having a cavity; a quartz piece mounted in the cavity to generate vibration; A thermistor for sensing a temperature inside the cavity, and a lead formed of a resin for sealing the cavity, wherein the structure includes a side wall part forming a side wall of the cavity, the side wall part having a protruding part protruding from the upper surface, One surface of the lead contacts with the upper surface of the protruding portion in a semi-cured state and is filled up to the upper surface of the side wall portion around the protruding portion by the pressure, and is hardened and joined with the side wall portion.
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또한, 상기 수정디바이스에 있어서, 상기 돌출부는 상기 측벽부의 내측벽에서 연장되어 형성될 수 있다.Further, in the modification device, the protruding portion may be formed to extend from the inner wall of the side wall portion.
또한, 상기 수정디바이스에 있어서, 상기 리드는 열처리 과정에 의해서 경화될 수 있다.In the modification device, the lead may be cured by a heat treatment process.
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또한, 상기 수정디바이스에 있어서, 상기 리드를 형성하는 수지는 단열제를 포함할 수 있다.In the modification device, the resin forming the lead may include a heat insulating material.
상술한 바와 같은 목적을 달성하기 위한 본 발명에 따른 수정디바이스 제조 방법은 측면이 일체로 되어 연속적으로 형성되고, 상기 측면의 상면으로부터 돌출된 돌출부와 상기 돌출부에 의해 둘러싸여 형성된 홈을 포함하는 다수 개의 패키지 구조물의 캐비티에 서미스터를 실장하는 서미스터 실장 단계, 상기 캐비티에 수정편을 실장하는 수정편 실장 단계, 반경화상태의 수지로 형성된 리드의 일면을 상기 돌출부의 상면에 접합하는 접합 단계, 상기 리드에 가해지는 압력에 의해 상기 리드의 일면이 상기 홈 내부에 충진되는 충진 단계, 상기 리드를 경화시켜 상기 캐비티를 밀폐하는 경화 단계 및 상기 다수 개의 패키지 구조물의 측면을 절단하여 각각의 패키지 구조물로 분리하는 쏘잉 단계를 포함한다.According to an aspect of the present invention, there is provided a method of manufacturing a correction device including a plurality of packages including a protrusion protruding from an upper surface of a side surface and a groove formed by the protrusion, A thermistor mounting step of mounting a thermistor in a cavity of a structure, a quartz-crystal mounting step of mounting a quartz crystal in the cavity, a bonding step of bonding one surface of a lead made of semi-hardened resin to the upper surface of the protruding part, A curing step of curing the lead to seal the cavity and a cutting step of cutting the side surfaces of the plurality of package structures to separate package structures, .
본 발명에 따르면, 수정디바이스에 서미스터를 실장하여 수정디바이스의 소형화를 도모할 수 있고, 수정디바이스의 캐비티 내부의 온도를 감지하여 수정편의 발진주파수를 보정할 수 있는 효과가 있다.According to the present invention, it is possible to reduce the size of the correction device by mounting the thermistor in the correction device, and it is possible to correct the oscillation frequency of the correction member by sensing the temperature inside the cavity of the correction device.
또한, 본 발명에 따르면, 리드를 반경화상태로 패키지 구조물과 접합되었다가 경화되는 시트로 형성하여 접합 공정을 간단하게 할 수 있고, 리드의 단열성을 증대시킬 수 있는 효과가 있다. Further, according to the present invention, the lead can be formed in a semi-cured state by being bonded to the package structure and cured, thereby simplifying the bonding process and increasing the heat insulating property of the lead.
도 1 은 종래의 수정디바이스의 측단면도이다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 수정디바이스의 측단면도이다.
도 3은 본 발명의 도 2에 도시한 수정디바이스의 분해 측단면도이다.
도 4는 본 발명의 도 2에 도시한 수정디바이스의 분해 사시도이다.
도 5는 본 발명의 일 실시예에 따른 패키지 구조물의 측단면도이다.
도 6은 볼 발명의 일 실시예에 따른 수정디바이스의 제조방법을 설명하기 위한 순서도이다.1 is a side cross-sectional view of a conventional modification device.
2 is a side cross-sectional view of a modification device according to an embodiment of the present invention.
Figure 3 is a exploded side cross-sectional view of the modification device of Figure 2 of the present invention.
4 is an exploded perspective view of the modification device shown in Fig. 2 of the present invention.
5 is a side cross-sectional view of a package structure according to an embodiment of the present invention.
6 is a flowchart illustrating a method of manufacturing a modification device according to an embodiment of the present invention.
하기 설명에서는 설명되는 실시예들의 기초 개념을 잘 이해하기 위해 많은 특정 세부 사항이 제시된다. 그러나 당업자라면 설명된 실시예들이 이러한 특정 세부 사항의 일부 또는 전부가 없더라도 실시될 수 있음을 잘 알 것이다. 다른 경우에, 잘 알려져 있는 구성요소에 대해서는 본 발명의 기본 개념을 불필요하게 모호하게 하지 않도록 상세히 설명하지 않았다.In the following description, numerous specific details are set forth in order to provide a thorough understanding of the underlying concepts of the embodiments described. It will be apparent, however, to one skilled in the art, that the embodiments described may be practiced without some or all of these specific details. In other instances, well-known components have not been described in detail so as not to unnecessarily obscure the basic concept of the present invention.
본 발명의 실시예는 여러 가지 형태로 변형될 수 있으며, 본 발명의 범위가 아래에서 서술하는 실시예로 인해 한정되어지는 것으로 해석되어서는 안 된다. 본 실시예는 당업계에서 평균적인 지식을 가진 자에게 본 발명을 보다 완전하게 설명하기 위해서 제공되는 것이다. 따라서 도면에서의 구성 요소의 형상 등은 보다 명확한 설명을 강조하기 위해서 과장되어진 것이다.The embodiments of the present invention can be modified in various forms, and the scope of the present invention should not be construed as being limited by the embodiments described below. The present embodiments are provided to enable those skilled in the art to more fully understand the present invention. Therefore, the shapes and the like of the components in the drawings are exaggerated in order to emphasize a clearer explanation.
명세서 전체에서, 어떤 부분이 어떤 구성 요소를 "포함"한다고 할 때, 이는 특별히 반대되는 기재가 없는 한 다른 구성 요소를 제외하는 것이 아니라 다른 구성 요소를 더 포함할 수 있는 것을 의미한다.Throughout the specification, when an element is referred to as "comprising ", it means that it can include other elements as well, without excluding other elements unless specifically stated otherwise.
본 발명에 첨부된 도면은 본 발명을 도시적으로 도시한 것이다. 설명의 편의를 위하여, 첨부된 도면은 본 발명을 과장되고 모식적으로 도시하였다. 따라서 본 발명의 범위는 특허청구범위에 의해서만 해석되어야 할 것이며, 첨부한 도면에 의해 제한적으로 해석되어서는 안 될 것이다.BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS The accompanying drawings illustrate the present invention by way of example. BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS For the purpose of illustration, the accompanying drawings are exaggerated and illustrated schematically. Accordingly, the scope of the present invention should be construed as being limited only by the appended claims, and should not be construed as being limited by the attached drawings.
이하, 첨부한 도면을 참조하여 본 발명에 따른 일 실시예를 설명한다.Hereinafter, an embodiment of the present invention will be described with reference to the accompanying drawings.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 수정디바이스(500)의 측단면도이고, 도 3은 본 발명의 도 2에 도시한 수정디바이스(500)의 분해 측단면도이며, 도 4는 본 발명의 도 2에 도시한 수정디바이스(500)의 분해 사시도이다.FIG. 2 is a side cross-sectional view of a
본 발명의 일 실시예에 따른 수정디바이스(500)는 패키지 구조물(100), 수정편(200), 서미스터(300) 및 리드(400)를 포함한다.
A
패키지 구조물(100)은 캐비티(110)를 구비한다. 캐비티(110)는 수정편(200) 및 서미스터(300)를 실장한다. 캐비티(110)는 상면이 개방된 개구부를 가지고 개구부는 리드(400)에 의해 접합되고, 밀폐된다.The
패키지 구조물(100)은 제 1 레이어(121), 제 2 레이어(122), 제 3 레이어(123) 및 측벽부(124)를 포함할 수 있다. 캐비티(110)는 제 1 캐비티(111), 제 2 캐비티(112) 및 제 3 캐비티(113)를 포함할 수 있다.The
상기 제 1 내지 제 3 레이어(121, 122, 123) 및 측벽부(124)는 제 1 레이어(121)부터 측벽부(124)까지 차례로 적층되어 일체로 형성될 수 있고, 재질로는 세라믹 물질이 사용될 수 있다. 더욱 구체적으로, Al2O3, 2MgO, SiO2, ZrO2, AIN(질화 알루미늄) 등이 사용될 수 있다.The first to
상기 도 5에 도시된 것과 같이, 제 1 내지 제 3 캐비티(111, 112, 113)는 연속되어 하나의 캐비티(110)를 형성한다.As shown in FIG. 5, the first to
더욱 구체적으로, 제 1 레이어(121)는 패키지 구조물(100)의 바닥면을 이룬다. 제 2 레이어(122)는 제 1 레이어(121) 위에 형성되고, 그 중심부에 제 1 캐비티(111)를 형성한다. 제 1 캐비티(111)는 제 1 레이어(121)의 상면에 의해 하면이 형성되고, 제 2 레이어(122)에 의해 측면이 둘러싸이고, 상면은 개방되어 제 2 캐비티(112)와 연속된다.More specifically, the
제 3 레이어(123)는 제 2 레이어(122) 위에 형성되고, 그 중심부에 제 2 캐비티(112)를 형성한다. 제 2 캐비티(112)는 하면이 제 1 캐비티(111)와 연속되고, 측면이 제 3 레이어(123)에 의해 둘러싸이고, 상면은 제 3 캐비티(113)와 연속된다. The
측벽부(124)는 제 3 레이어(123) 위에 형성되고, 제 3 캐비티(113)를 둘러싸고, 상면이 리드(400)와 접합한다. 제 3 캐비티(113)는 하면이 제 2 캐비티(112)와 연속되고, 측면이 측벽부(124)에 의해 둘러싸이고, 상면은 캐비티(110)의 개구부를 이룬다.The
측벽부(124)는 그 상면으로부터 돌출된 돌출부(125)를 구비할 수 있다. 반경화상태의 수지로 된 리드(400)가 측벽부(124)의 상면과 접합되는데 있어서, 그 접합 면적이 늘어나면 접착력을 늘릴 수 있다. 측벽부(124)의 상면에 돌출부(125)가 구비되는 경우, 상면과 리드(400)가 접합하는 면적이 늘어날 수 있다.The
더욱 구체적으로, 돌출부(125)는 측벽부(124)의 내측벽에서 연장되어 형성될 수 있다. 패키지 구조물(100)의 측면의 일부인 측벽부(124)의 외측벽은 다른 패키지 구조물(100)과 일체로 되어 연속적으로 형성될 수 있다. 일체로 형성된 패키지 구조물(100)은 쏘잉 과정을 통해 측면이 절단된다. 패키지 구조물(100)은 수지로 형성된 리드(400)보다 더 견고하기 때문에 패키지 구조물(100)의 측면 두께가 얇아야 쏘잉 과정이 용이하다. 돌출부(125)가 측벽부(124)의 내측벽에서 연장되는 것이 절단되는 패키지 구조물(100)의 측면 두께를 줄일 수 있다.More specifically, the
제 1 레이어(121) 하면에는 다수 개의 전극패드(130)가 형성될 수 있다. 전극패드(130)는 수정디바이스가 작동할 수 있도록 구동전압을 인가하고, 발진주파수를 출력하기 위한 것이다.
A plurality of
수정편(200)은 캐비티(110) 내부에 실장되어 진동을 발생시킨다. 더욱 구체적으로, 수정편(200)은 제 3 캐비티(113) 내부에 실장될 수 있다. 수정편(200)은 캐비티(110) 내부에 형성된 전극패드(130)와 접착제에 의해 접합될 수 있다. 상기 접착제는 도전성 접착제일 수 있어, 수정편(200)과 전극패드(130)가 전기적으로 연결될 수 있다.The
상기 캐비티 내부의 온도를 감지하는 서미스터(300)는 캐비티(110) 내에서 수정편(200)과 이격되어 배치되며 캐비티(110) 내부의 온도를 감지한다. 더욱 구체적으로, 서미스터(300)는 제 1 캐비티(111) 내부에 실장될 수 있다.The
삭제delete
서미스터(300)는 코발트·구리·망가니즈·철·니켈·타이타늄 등의 산화물을 적당한 저항률과 온도계수를 가지도록 2~3종류 혼합하여 소결한 반도체이다.The
또한, 서미스터(300)는 PTC 또는 NTC 중 선택된 하나일 수 있다. PTC는 Positive Thermal Coefficient의 약자로서 정온도계수 특성을 가진 소자를 말하며 상술한 바와 같이 온도가 낮으면 저항값이 낮아져 많은 열이 방출되고, 온도가 증가하면 저항값이 높아져 소량의 열이 방출됨으로써 정온을 유지시킨다. NTC는 Negative Temperature Coefficient의 약자로서 온도가 높아지면 저항값이 감소하는 부저항온도계수의 특성을 가지고 있는 서미스터(300)이다.In addition,
상술한 서미스터(300)의 특징을 이용하여, 서미스터(300) 주변의 온도를 감지할 수 있다. 더욱 구체적으로, 서미스터(300)는 캐비티(110) 내부의 온도를 감지한다. 캐비티(110) 내부의 온도를 감지하면, 수정편(200)이 어떠한 온도 환경에서 작동하는지 감지할 수 있다. 이를 통해, 수정디바이스(500)가 생성한 발진주파수를 보정하여 사용할 수 있기 때문에 더욱 정확한 발진주파수를 얻을 수 있다.
The temperature around the
수정편(200)과 서미스터(300)는 서로 이격되어 배치된다. 더욱 구체적으로 수정편(200)의 하면과 서미스터(300)의 상면은 소정의 공간이 형성되도록 배치된다. 상술한 바와 같이, 수정편(200)이 제 3 캐비티(113)에 실장되고, 서미스터(300)가 제 1 캐비티(111)에 실장되는 경우, 제 2 캐비티(112)에 해당하는 부분이 수정편(200)의 하면과 서미스터(300)의 상면 사이에 존재할 수 있다.
The
리드(400)는 패키지 구조물(100)의 캐비티(110)를 밀폐한다. 리드(400)는 공정 초기에서 반경화상태의 수지로 형성된다. 더욱 구체적으로는, B-스테이지 에폭시 수지로 형성될 수 있다. 반경화상태의 수지로 형성된 리드(400)의 일면은 캐비티(110)의 개구부에 접합된다. 리드(400)의 일면은 측벽부(124)의 상면에 접할 수 있다. 측벽부(124)가 돌출부(125)를 포함하는 경우, 리드(400)는 리드(400)를 형성하는 수지가 돌출부(125)의해 형성되는 홈부에 충진되면서 측벽부(124)의 상면에 접합될 수 있다.The leads 400 seal the
상기 리드(400)는 경화되어 캐비티(110)를 밀폐한다. 더욱 구체적으로는, 경화되어 C-스테이지 에폭시로 형성될 수 있다.The
수지의 경화 상태는 액체 상태, 반경화 상태 및 경화 상태로 구분할 수 있다. 통상적으로 액체 상태를 A-스테이지(stage), 반경화 상태를 B-스테이지, 경화 상태를 C-스테이지라 칭한다. A-스테이지의 수지란 수지 중합체의 분자량이 낮은 상태로 수지가 흘러내기 쉬운 상태를 의미한다. A-스테이지의 수지는 다른 액체에 용해될 수 있는 특징을 가진다. B-스테이지의 수지란 중간 정도로 경화된 상태의 수지를 의미한다. C-스테이지의 수지란 완전히 경화된 상태의 수지를 의미한다.The cured state of the resin can be classified into a liquid state, a semi-cured state, and a cured state. The liquid phase is generally referred to as an A-stage, the semi-cured state as a B-stage, and the cured state as a C-stage. The resin of the A-stage means a state in which the resin is liable to flow in a state where the molecular weight of the resin polymer is low. The resin of the A-stage is characterized by being soluble in other liquids. The resin of the B-stage means a resin in a medium-hardened state. The resin of the C-stage means a resin in a completely cured state.
수지로 형성되는 리드(400)는 금속판으로 형성되는 리드(400)에 비해 더욱 향상된 단열성을 가질 수 있다. 리드(400)를 형성하는 수지는 단열제를 포함할 수 있다. 이러한 단열성을 더욱 증가시키기 위해 수지에 단열성이 큰 성분을 추가로 혼입하여 리드(400)를 형성할 수 있다.The
수지로 형성된 리드(400)는 경화 과정을 통해 경화될 수 있다. 경화 과정은 열처리 과정 또는 건조 과정 등일 수 있다.
The
이하, 본 발명에 따른 수정디바이스(500)의 제조방법에 대해 설명한다. 도 6은 볼 발명의 일 실시예에 따른 수정디바이스의 제조방법을 설명하기 위한 순서도이다. 도 6을 참조하여, 수정디바이스(500)의 제조방법에 대해 설명하는데 있어서, 설명의 편의성을 위해 상술한 수정디바이스(500)와 다른 내용을 중심으로 설명한다.Hereinafter, a method of manufacturing the
본 발명에 따른 수정디바이스(500)의 제조방법은 서미스터 실장 단계(S100), 수정편 실장 단계(S200), 접합 단계(S300), 경화 단계(S400) 및 쏘잉 단계(S500)를 포함한다.The manufacturing method of the
먼저, 일체로 되어 연속적으로 형성된 다수 개의 패키지 구조물(100)이 제공된다. 바람직하게는, 패키지 구조물(100)의 측면이 일체로 되어 연속될 수 있다. 더욱 구체적으으로 패키지 구조물(100)이 육면체로 형성되고, 4면의 측면에 다른 육면체의 패키지 구조물(100)의 측면이 연속적으로 일체로 형성된다. 이러한 구조를 통해 다수 개의 패키지 구조물(100)이 일체로 형성될 수 있다.First, a plurality of
서미스터 실장 단계(S100)는 다수 개의 패키지 구조물(100)의 캐비티(110)에 서미스터(300)를 실장하는 단계이다.The thermistor mounting step (S100) is a step of mounting the thermistor (300) on the cavity (110) of the plurality of package structures (100).
수정편 실장 단계(S200)는 상기 캐비티(110)에 수정편(200)을 실장하는 수정편(200) 실장하는 단계이다.The quartz crystal mounting step (S200) is a step of mounting the quartz crystal piece (200) for mounting the quartz crystal (200) on the cavity (110).
상술한 바와 같이, 서미스터(300)가 수정편(200)의 하부에 위치하는 경우, 서미스터 실장 단계(S100)가 수정편 실장 단계(S200)보다 먼저 수행되는 것이 바람직하다. 그러나 수정편(200)이 서미스터(300) 하부에 위치하는 경우, 수정편 실장 단계(S200)가 서미스터 실장 단계(S100)보다 먼저 수행되는 것이 바람직하다.As described above, when the
접합 단계(S300)는 반경화상태의 수지로 형성된 리드(400)의 일면을 상기 캐비티(110)의 개구부에 접합하는 접합하는 단계이다. 반경화상태의 수지로 형성된 리드(400)를 측벽부(124)의 상면에 맞닿게 하고, 리드(400)에 패키지 구조물(100) 방향으로 소정의 압력을 가해 접합을 견고하게 할 수 있다. 측벽부(124)의 상면이 돌출부(125)를 포함하는 경우, 리드(400)에 소정의 압력이 가해질 경우, 돌출부(125)에 의해 생성된 홈부에 수지가 충진될 수 있다. The bonding step S300 is a bonding step in which one side of the
경화 단계(S400)는 상기 리드(400)를 경화시켜 상기 캐비티(110)를 밀폐하는 단계이다.The curing step S400 is a step of sealing the
쏘잉 단계는(S500) 상기 다수 개의 패키지 구조물(100)의 측면을 절단하여 각각의 패키지 구조물(100)로 분리하는 단계이다.
The forming
100 : 패키지 구조물 110 : 캐비티
111 : 제 1 캐비티 112 : 제 2 캐비티
113 : 제 3 캐비티 121 : 제 1 레이어
122 : 제 2 레이어 123 : 제 3 레이어
124 : 측벽부 125 :돌출부
130 : 전극패드
200 : 수정편 300 : 서미스터
400 : 리드 100: package structure 110: cavity
111: first cavity 112: second cavity
113: third cavity 121: first layer
122: second layer 123: third layer
124: side wall part 125:
130: Electrode pad
200: Revision 300: Thermistor
400: Lead
Claims (10)
상기 캐비티 내부에 실장되어 진동을 발생시키는 수정편;
상기 캐비티 내에서 상기 수정편과 이격되어 배치되며 상기 캐비티 내부의 온도를 감지하는 서미스터; 및
반경화상태로 일면이 상기 캐비티의 개구부에 접합되고, 경화되어 상기 캐비티를 밀폐하는 수지로 형성된 리드를 포함하되,
상기 리드는 B-스테이지 에폭시 수지로 형성되어 상기 패키지 구조물과 접합되고, C-스테이지 에폭시 수지로 경화되어 상기 캐비티를 밀폐하는
수정디바이스.
A package structure having a cavity;
A correction piece mounted inside the cavity to generate vibration;
A thermistor disposed within the cavity and spaced apart from the quartz crystal to sense a temperature inside the cavity; And
A lead formed of a resin that is semi-cured and has one side bonded to the opening of the cavity and is cured to seal the cavity,
The lead is formed of a B-stage epoxy resin and joined to the package structure, cured with a C-stage epoxy resin to seal the cavity
Correction device.
상기 캐비티 내부에 실장되어 진동을 발생시키는 수정편;
상기 캐비티 내에서 상기 수정편과 이격되어 배치되며 상기 캐비티 내부의 온도를 감지하는 서미스터; 및
상기 캐비티를 밀폐하는 수지로 형성된 리드를 포함하되,
상기 구조물은 상기 캐비티의 측벽을 이루는 측벽부를 포함하고, 상기 측벽부는 상면으로부터 돌출된 돌출부를 구비하며,
상기 리드의 일면은 반경화상태로 상기 돌출부의 상면에 접하고, 압력에 의해 상기 돌출부 주변의 상기 측벽부의 상면까지 충진된 후, 경화되어 상기 측벽부와 결합되는 것을 특징으로 하는
수정디바이스.
A package structure having a cavity;
A correction piece mounted inside the cavity to generate vibration;
A thermistor disposed within the cavity and spaced apart from the quartz crystal to sense a temperature inside the cavity; And
And a lead formed of a resin sealing the cavity,
Wherein the structure includes a side wall portion constituting a side wall of the cavity, the side wall portion having a protruding portion protruding from the upper surface,
Wherein one side of the lead contacts with the upper surface of the protrusion in a semi-cured state and is filled up to the upper surface of the side wall portion around the protrusion by pressure, and is then hardened and joined with the side wall portion
Correction device.
상기 돌출부는 상기 측벽부의 내측벽에서 연장되어 형성되는
수정디바이스.
3. The method of claim 2,
The protruding portion is formed to extend from an inner wall of the side wall portion
Correction device.
상기 리드는 열처리 과정에 의해서 경화되는
수정디바이스.
3. The method according to claim 1 or 2,
The lead is hardened by a heat treatment process
Correction device.
상기 리드를 형성하는 수지는 단열제를 포함하는
수정디바이스.
3. The method according to claim 1 or 2,
The resin forming the lead includes a heat insulating material
Correction device.
상기 캐비티에 수정편을 실장하는 수정편 실장 단계;
반경화상태의 수지로 형성된 리드의 일면을 상기 돌출부의 상면에 접합하는 접합 단계;
상기 리드에 가해지는 압력에 의해 상기 리드의 일면이 상기 홈 내부에 충진되는 충진 단계;
상기 리드를 경화시켜 상기 캐비티를 밀폐하는 경화 단계; 및
상기 다수 개의 패키지 구조물의 측면을 절단하여 각각의 패키지 구조물로 분리하는 쏘잉 단계를 포함하는
수정디바이스 제조 방법.
A thermistor mounting step of mounting a thermistor in a cavity of a plurality of package structures including a side surface formed integrally with the side surface and including a protrusion protruding from an upper surface of the side surface and a groove surrounded by the protrusion;
A quartz crystal mounting step of mounting a quartz crystal in the cavity;
A bonding step of bonding one surface of a lead made of semi-cured resin to an upper surface of the projecting portion;
A filling step of filling one side of the lead into the groove by a pressure applied to the lead;
A curing step of curing the lead to seal the cavity; And
And a sawing step of cutting the side surfaces of the plurality of package structures to separate them into respective package structures
/ RTI >
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