KR20140092089A - Light emitting device package - Google Patents

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Abstract

Disclosed is a COB type light emitting device package which simplifies manufacturing processes and improves the reflection efficiency of light. A light emitting device package according to one embodiment includes: a metal substrate; a light emitting device which is arranged on the first surface of the metal substrate; and a molding part which surrounds the light emitting device. A concave part is located on the first surface of the metal substrate. A convex part corresponding to the concave part is located on the second surface facing the first surface.

Description

발광소자 패키지{LIGHT EMITTING DEVICE PACKAGE}[0001] LIGHT EMITTING DEVICE PACKAGE [0002]

실시예는 발광소자 패키지에 관한 것이다.An embodiment relates to a light emitting device package.

반도체의 3-5족 또는 2-6족 화합물 반도체 물질을 이용한 발광 다이오드(Light Emitting Diode)나 레이저 다이오드와 같은 발광소자는 박막 성장 기술 및 소자 재료의 개발로 적색, 녹색, 청색 및 자외선 등 다양한 색을 구현할 수 있으며, 형광 물질을 이용하거나 색을 조합함으로써 효율이 좋은 백색 광선도 구현이 가능하며, 형광등, 백열등 등 기존의 광원에 비해 저소비전력, 반영구적인 수명, 빠른 응답속도, 안전성, 환경친화성의 장점을 가진다.BACKGROUND ART Light emitting devices such as light emitting diodes and laser diodes using semiconductor materials of Group 3-5 or 2-6 group semiconductors have been widely used for various colors such as red, green, blue, and ultraviolet And it is possible to realize white light rays with high efficiency by using fluorescent materials or colors, and it is possible to realize low energy consumption, semi-permanent life time, quick response speed, safety and environment friendliness compared to conventional light sources such as fluorescent lamps and incandescent lamps .

따라서, 광 통신 수단의 송신 모듈, LCD(Liquid Crystal Display) 표시 장치의 백라이트를 구성하는 냉음극관(CCFL: Cold Cathode Fluorescence Lamp)을 대체하는 발광 다이오드 백라이트, 형광등이나 백열 전구를 대체할 수 있는 백색 발광 다이오드 조명 장치, 자동차 헤드 라이트 및 신호등에까지 응용이 확대되고 있다.Therefore, a transmission module of the optical communication means, a light emitting diode backlight replacing a cold cathode fluorescent lamp (CCFL) constituting a backlight of an LCD (Liquid Crystal Display) display device, a white light emitting element capable of replacing a fluorescent lamp or an incandescent lamp Diode lighting, automotive headlights, and traffic lights.

도 1은 발광소자를 포함한 종래의 발광소자 패키지를 나타낸 도면이다. 도 1의 발광소자 패키지(1)는 기판(10)에 발광소자(20)를 바로 실장하는 COB(Chip On Board) 타입의 패키지이다.1 is a view showing a conventional light emitting device package including a light emitting device. The light emitting device package 1 of FIG. 1 is a COB (Chip On Board) type package that directly mounts the light emitting device 20 on the substrate 10.

종래의 COB 타입의 발광소자 패키지(1)는 기판(10) 상에 발광소자(20)가 배치되며, 발광소자(20)의 둘레에 실리콘 재질의 벽부(40)가 설치된다. 그리고, 벽부(40) 내에 발광소자(20)를 포위하도록 몰딩부(30)를 형성한다.In the conventional COB type light emitting device package 1, a light emitting element 20 is disposed on a substrate 10, and a wall portion 40 made of a silicon material is provided around the light emitting element 20. Then, the molding portion 30 is formed in the wall portion 40 so as to surround the light emitting element 20.

그러나, 종래의 COB 타입의 발광소자 패키지(1)는 기판(10)에 발광소자(20)를 본딩한 후 벽부(40)를 형성하기 위한 실리콘 디스펜싱(dispensing) 및 경화(cure) 공정을 반드시 거쳐야 하는 번거로움이 있다.However, in the conventional COB type light emitting device package 1, the silicon dispensing and curing processes for forming the wall portion 40 after bonding the light emitting device 20 to the substrate 10 There is a hassle to go through.

실시예는 제작 공정이 간소화되고 광의 반사 효율을 향상시킬 수 있는 COB 타입의 발광소자 패키지를 제공하고자 한다.The embodiment is intended to provide a COB type light emitting device package which can simplify the manufacturing process and improve the light reflection efficiency.

일 실시예에 따른 발광소자 패키지는 금속 기판; 상기 금속 기판의 제1면에 배치되는 발광소자; 및 상기 발광소자를 포위하여 배치되는 몰딩부;를 포함하고, 상기 금속 기판은 상기 제1면에 오목부가 위치하고 상기 제1면의 반대쪽인 제2면에 상기 오목부에 대응하여 볼록부가 위치한다.A light emitting device package according to an exemplary embodiment includes a metal substrate; A light emitting element disposed on a first surface of the metal substrate; And a molding part disposed to surround the light emitting element, wherein the concave part is located on the first surface of the metal substrate and the convex part is located on the second surface opposite to the first surface, corresponding to the concave part.

상기 발광소자는 상기 오목부 내에 배치될 수 있다.The light emitting element may be disposed in the recess.

상기 금속 기판은 두께가 일정할 수 있다.The thickness of the metal substrate may be constant.

상기 금속 기판은 제1 전극부 및 상기 제1 전극부와 분리된 제2 전극부를 포함하여 이루어질 수 있다.The metal substrate may include a first electrode portion and a second electrode portion separated from the first electrode portion.

상기 발광소자는 상기 제1 전극부 상에 배치될 수 있다.The light emitting device may be disposed on the first electrode unit.

상기 발광소자는 와이어에 의해 상기 제1 전극부 및 제2 전극부와 전기적으로 연결되거나, 상기 제1 전극부와는 직접 통전되고 상기 제2 전극부와는 와이어에 의해 전기적으로 연결될 수 있다.The light emitting device may be electrically connected to the first electrode unit and the second electrode unit by a wire, or may be directly connected to the first electrode unit and electrically connected to the second electrode unit by a wire.

상기 제1 전극부와 상기 제2 전극부는 상기 몰딩부에 의해 전기적으로 분리될 수 있다.The first electrode portion and the second electrode portion may be electrically separated by the molding portion.

상기 금속 기판의 상부에 회로 패턴이 배치되고, 상기 회로 패턴과 상기 금속 기판의 사이에 절연층이 배치되며, 상기 발광소자는 상기 회로 패턴과 와이어에 의해 전기적으로 연결될 수 있다.A circuit pattern is disposed on the metal substrate, an insulating layer is disposed between the circuit pattern and the metal substrate, and the light emitting element is electrically connected to the circuit pattern by a wire.

상기 와이어는 상기 오목부 내에 배치될 수 있다.The wire may be disposed in the recess.

상기 몰딩부는 상기 오목부 내에 배치될 수 있다.The molding portion may be disposed in the recess.

상기 몰딩부는 적어도 일부가 상기 오목부의 외부로 돌출될 수 있다.At least a part of the molding part may protrude to the outside of the concave part.

상기 와이어는 상기 몰딩부 내에 배치될 수 있다.The wire may be disposed in the molding part.

상기 금속 기판 상의 일부에 절연층이 배치되며, 상기 절연층은 상기 오목부 내에는 배치되지 않을 수 있다.An insulating layer may be disposed on a part of the metal substrate, and the insulating layer may not be disposed in the recess.

다른 실시예에 따른 발광소자 패키지는 금속 기판; 상기 금속 기판의 일면에 배치되는 발광소자; 및 상기 발광소자를 포위하여 배치되는 몰딩부;를 포함하고, 상기 금속 기판은 제1 방향으로 배치된 제1 영역; 상기 제1 영역으로부터 연장되며 상기 제1 방향과 다른 방향으로 절곡되어 배치된 제2 영역; 상기 제2 영역으로부터 연장되며 상기 제1 방향으로 배치된 제3 영역을 포함하며, 상기 금속 기판은 상기 제1 영역, 상기 제2 영역, 상기 제3 영역에 걸쳐 두께가 일정하다.A light emitting device package according to another embodiment includes a metal substrate; A light emitting element disposed on one surface of the metal substrate; And a molding portion disposed to surround the light emitting element, wherein the metal substrate has a first region arranged in a first direction; A second region extending from the first region and being bent in a direction different from the first direction; And a third region extending from the second region and disposed in the first direction, wherein the metal substrate has a constant thickness over the first region, the second region, and the third region.

상기 제1 영역에 상기 발광소자가 배치될 수 있다.The light emitting device may be disposed in the first region.

상기 제2 영역은 상기 제1 영역과 상기 제3 영역을 연결하며, 상기 발광소자의 둘레에 배치될 수 있다.The second region connects the first region and the third region, and may be disposed around the light emitting device.

실시예에 따르면 벽부 형성을 위한 실리콘 디스펜싱 및 큐어 공정이 삭제되므로 발광소자 패키지의 제작 공정이 간소화될 수 있다.The manufacturing process of the light emitting device package can be simplified because the silicon dispensing and curing processes for forming the wall are eliminated.

또한, 실시예에 따르면 발광소자의 주변에 반사도가 높은 금속 기판이 배치되므로 광의 반사 효율이 향상될 수 있다.In addition, according to the embodiment, since the metal substrate having high reflectivity is disposed around the light emitting device, the reflection efficiency of light can be improved.

도 1은 발광소자를 포함한 종래의 발광소자 패키지를 나타낸 도면.
도 2는 제1 실시예에 따른 발광소자 패키지를 간략히 나타낸 측 단면도.
도 3은 실시예에 따른 금속 기판의 형성 과정의 일 예시를 설명하기 위한 도면.
도 4는 실시예에 따른 발광소자 패키지에 적용될 수 있는 발광소자의 일 예시를 나타낸 측 단면도.
도 5는 실시예에 따른 발광소자 패키지에 적용될 수 있는 발광소자의 다른 예시를 나타낸 측 단면도.
도 6은 제2 실시예에 따른 발광소자 패키지를 간략히 나타낸 측 단면도.
도 7은 제3 실시예에 따른 발광소자 패키지를 간략히 나타낸 측 단면도.
도 8은 제4 실시예에 따른 발광소자 패키지를 간략히 나타낸 측 단면도.
도 9는 실시예들에 따른 발광소자 패키지를 포함하는 조명장치의 일 실시예를 나타낸 분해 사시도.
도 10은 실시예들에 따른 발광소자 패키지가 배치된 표시장치의 일 실시예를 나타낸 분해 사시도.1 illustrates a conventional light emitting device package including a light emitting device.
2 is a side sectional view schematically showing a light emitting device package according to the first embodiment;
3 is a view for explaining an example of a process of forming a metal substrate according to an embodiment.
4 is a side cross-sectional view illustrating an example of a light emitting device that can be applied to the light emitting device package according to the embodiment.
5 is a cross-sectional side view showing another example of a light emitting device that can be applied to the light emitting device package according to the embodiment.
6 is a sectional side view schematically showing a light emitting device package according to a second embodiment.
7 is a side sectional view schematically showing a light emitting device package according to a third embodiment;
8 is a side sectional view schematically showing a light emitting device package according to a fourth embodiment.
9 is an exploded perspective view showing an embodiment of a lighting device including a light emitting device package according to the embodiments.
10 is an exploded perspective view showing an embodiment of a display device in which a light emitting device package according to embodiments is disposed.

이하 첨부한 도면을 참조하여 실시예들을 설명한다.Embodiments will now be described with reference to the accompanying drawings.

본 발명에 따른 실시예의 설명에 있어서, 각 element의 "상(위) 또는 하(아래)(on or under)"에 형성되는 것으로 기재되는 경우에 있어, 상(위) 또는 하(아래)(on or under)는 두 개의 element가 서로 직접(directly)접촉되거나 하나 이상의 다른 element가 상기 두 element사이에 배치되어(indirectly) 형성되는 것을 모두 포함한다. 또한 "상(위) 또는 하(아래)(on or under)"으로 표현되는 경우 하나의 element를 기준으로 위쪽 방향뿐만 아니라 아래쪽 방향의 의미도 포함할 수 있다.In the description of the embodiment according to the present invention, in the case of being described as being formed "on or under" of each element, the upper (upper) or lower (lower) or under are all such that two elements are in direct contact with each other or one or more other elements are indirectly formed between the two elements. Also, when expressed as "on or under", it may include not only an upward direction but also a downward direction with respect to one element.

도면에서 각층의 두께나 크기는 설명의 편의 및 명확성을 위하여 과장되거나 생략되거나 또는 개략적으로 도시되었다. 또한 각 구성요소의 크기는 실제크기를 전적으로 반영하는 것은 아니다.The thickness and size of each layer in the drawings are exaggerated, omitted, or schematically shown for convenience and clarity of explanation. Also, the size of each component does not entirely reflect the actual size.

도 2는 제1 실시예에 따른 발광소자 패키지를 간략히 나타낸 측 단면도이다.2 is a side cross-sectional view schematically showing a light emitting device package according to the first embodiment.

도 2를 참조하면, 제1 실시예에 따른 발광소자 패키지(200A)는 금속 기판(210), 상기 금속 기판(210)의 제1면(210a)에 배치되는 발광소자(100), 상기 발광소자(100)를 포위하여 배치되는 몰딩부(230)를 포함한다.Referring to FIG. 2, the light emitting device package 200A according to the first embodiment includes a metal substrate 210, a light emitting device 100 disposed on a first surface 210a of the metal substrate 210, And a molding part 230 disposed so as to surround the mold 100.

제1 실시예에 따른 발광소자 패키지(200A)는 기판(210) 상에 발광소자(100)가 바로 배치되는 COB(Chip On Board) 타입의 패키지이다.The light emitting device package 200A according to the first embodiment is a COB (Chip On Board) type package in which a light emitting device 100 is directly disposed on a substrate 210. [

금속 기판(210)은 열전도성이 높은 방열 플레이트로서, 예를 들어, 구리(Cu), 알루미늄(Al), 은(Ag), 금(Au) 중 어느 하나를 포함하거나 이들의 합금으로 형성될 수 있다.The metal substrate 210 is a heat dissipation plate having high thermal conductivity and may include any one of, for example, copper (Cu), aluminum (Al), silver (Ag) have.

금속 기판(210)은 제1면(210a)에 오목부(P)가 위치하고, 제1면(210a)의 반대쪽인 제2면(210b)에 볼록부(Q)가 위치한다. 오목부(P)는 아래 방향으로 함몰되어 형성되고, 볼록부(Q)는 아래 방향으로 돌출되어 형성된다. 오목부(P)와 볼록부(Q)는 서로 대응하는 위치에 형성된다.The concave portion P is located on the first surface 210a of the metal substrate 210 and the convex portion Q is located on the second surface 210b opposite to the first surface 210a. The concave portion P is formed to be depressed downward, and the convex portion Q is formed protruding downward. The concave portion P and the convex portion Q are formed at positions corresponding to each other.

도 3은 실시예에 따른 금속 기판의 형성 과정의 일 예시를 설명하기 위한 도면이다.3 is a view for explaining an example of a process of forming a metal substrate according to an embodiment.

도 3의 왼쪽 그림을 참조하면, 원하는 금속 기판(210)의 형태를 형성할 수 있는 모형(B)에 플랫한 금속 기판(210)을 위치시키고, 금속 기판(210)의 상부에 가압 부재(A)를 배치한다. 금속 기판(210)과 마주하는 가압 부재(A)의 부분은 오목부(P)의 형상을 갖는다.3, a flat metal substrate 210 is placed on a model B capable of forming a desired metal substrate 210, and a pressing member A (see FIG. 3) ). The portion of the pressing member A facing the metal substrate 210 has the shape of the concave portion P.

그리고, 도 3의 오른쪽 그림에 도시된 바와 같이, 가압 부재(A)를 이용하여 금속 기판(210)을 가압한 후 가압 부재(A)를 들어올리면, 금속 기판(210)에 오목부(P)와 볼록부(Q)가 간편하게 형성된다.3, when the pressing member A is lifted after pressing the metal substrate 210 by using the pressing member A, the concave portion P is formed on the metal substrate 210, And convex portions Q are easily formed.

다시 도 2를 참조하면, 금속 기판(210)의 오목부(P) 내에 발광소자(100)가 배치된다. 발광소자(100)의 둘레에 금속 기판(210)이 측벽의 형상으로 배치되기 때문에, 별도로 실리콘 재질 등의 벽부를 형성할 필요가 없다. 따라서, 실시예에 따르면 벽부를 형성하기 위한 실리콘 디스펜싱 및 큐어 공정을 거치지 않아도 되므로 패키지의 제작 공정이 간소화될 수 있다.Referring again to FIG. 2, the light emitting device 100 is disposed in the concave portion P of the metal substrate 210. Since the metal substrate 210 is disposed around the light emitting device 100 in the shape of a sidewall, it is not necessary to separately form a wall portion such as a silicon material. Therefore, according to the embodiment, since the silicon dispensing and curing processes for forming the wall portion are not required, the manufacturing process of the package can be simplified.

또한, 종래에 벽부로 사용되던 화이트 실리콘 재질에 비해 금속 기판(210)의 반사율이 더 높기 때문에 광 반사 효율도 향상될 수 있다.In addition, since the reflectance of the metal substrate 210 is higher than that of the conventional white silicon material, the light reflection efficiency can be improved.

금속 기판(210)은 제1 방향으로 배치된 제1 영역(210-1), 상기 제1 영역(210-1)으로부터 연장되며 상기 제1 방향과는 다른 방향으로 절곡되어 배치된 제2 영역(210-2), 상기 제2 영역(210-2)으로부터 연장되며 상기 제1 방향으로 배치된 제2 영역(210-3)을 포함한다. 상기 제1 방향은 수평 방향일 수 있다.The metal substrate 210 includes a first region 210-1 disposed in a first direction, a second region 210-1 extending from the first region 210-1 and bent in a direction different from the first direction, 210-2, and a second region 210-3 extending from the second region 210-2 and disposed in the first direction. The first direction may be a horizontal direction.

즉, 금속 기판(210)은 플랫(flat)한 형상이 아니라 절곡부를 포함하며, 절곡부를 경계로 하여 제1 영역(210-1)과 제2 영역(210-2)이 위치하고, 제2 영역(210-2)과 제3 영역(210-3)이 위치한다. 제2 영역(210-2)은 제1 영역(210-1)과 제3 영역(210-3)의 사이에 배치되어 제1 영역(210-1)과 제3 영역(210-3)을 연결한다.That is, the metal substrate 210 includes a bent portion, not a flat shape, and the first region 210-1 and the second region 210-2 are positioned with the bent portion as a boundary, and the second region 210-2 210-2 and a third region 210-3. The second region 210-2 is disposed between the first region 210-1 and the third region 210-3 and connects the first region 210-1 and the third region 210-3 do.

금속 기판(210)의 제1 영역(210-1)에 발광소자(100)가 배치된다.The light emitting device 100 is disposed in the first region 210-1 of the metal substrate 210. [

제1 영역(210-1) 및 제2 영역(210-2)은 제1면(210a)에서는 오목부(P)를 구성하고, 제2면(210b)에서는 볼록부(Q)를 구성한다. 제1 영역(210-1)이 오목부(P)의 바닥면이고 제2 영역(210-2)이 오목부(P)의 측면이다. 제2 영역(210-2)은 발광소자(100)의 둘레를 따라 배치된다.The first region 210-1 and the second region 210-2 constitute the concave portion P on the first surface 210a and the convex portion Q on the second surface 210b. The first region 210-1 is the bottom surface of the concave portion P and the second region 210-2 is the side surface of the concave portion P. [ The second region 210-2 is disposed along the periphery of the light emitting element 100. [

금속 기판(210)은 두께가 일정할 수 있다. 즉, 제1 영역(210-1), 제2 영역(210-2) 및 제3 영역(210-3)에 걸쳐 두께가 일정하게 유지될 수 있다.The thickness of the metal substrate 210 may be constant. That is, the thickness can be maintained constant over the first region 210-1, the second region 210-2, and the third region 210-3.

발광소자(100)는 복수의 화합물 반도체층, 예를 들어 3족-5족 또는 2족-6족 원소의 반도체층을 이용한 LED(Light Emitting Diode)를 포함하며, LED는 청색, 녹색 또는 적색 등과 같은 광을 방출하는 유색 LED이거나, 백색 LED 또는 UV LED일 수 있다. LED의 방출 광은 다양한 반도체를 이용하여 구현될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.The light emitting device 100 includes an LED (Light Emitting Diode) using a semiconductor layer of a plurality of compound semiconductor layers, for example, a group III-V group element or a group II-VI element, and the LED includes blue, green, A colored LED emitting the same light, or a white LED or a UV LED. The emitted light of the LED may be implemented using various semiconductors, but is not limited thereto.

도 4는 실시예에 따른 발광소자 패키지에 적용될 수 있는 발광소자의 일 예시를 나타낸 측 단면도이다.4 is a side cross-sectional view illustrating an example of a light emitting device applicable to the light emitting device package according to the embodiment.

도 4를 참조하면, 일 예시에 따른 발광소자(100A)는 기판(110), 상기 기판(110) 상에 위치하며 제1 반도체층(122)과 활성층(124) 및 제2 반도체층(126)을 포함하는 발광 구조물(120), 제1 반도체층(122)의 일면에 배치된 제1 전극(150) 및 제2 반도체층(126)의 일면에 배치된 제2 전극(155)을 포함한다. Referring to FIG. 4, a light emitting device 100A according to an exemplary embodiment includes a substrate 110, a first semiconductor layer 122, an active layer 124, and a second semiconductor layer 126, A first electrode 150 disposed on one side of the first semiconductor layer 122 and a second electrode 155 disposed on one side of the second semiconductor layer 126. The light emitting structure 120 includes a first electrode 120,

일 예시에 따른 발광소자(100A)는 수평형 발광소자일 수 있다. The light emitting device 100A according to one example may be a horizontal light emitting device.

수평형(Lateral) 발광소자란 발광 구조물(120)에서 제1 전극(150)과 제2 전극(155)이 동일한 방향을 향해 형성되는 구조를 의미한다. 일 예로서, 도 4를 참조하면, 제1 전극(150)과 제2 전극(155)이 발광 구조물(120)의 상부 방향으로 형성되어 있다.The lateral light emitting device means a structure in which the first electrode 150 and the second electrode 155 are formed in the same direction in the light emitting structure 120. [ Referring to FIG. 4, a first electrode 150 and a second electrode 155 are formed in an upper direction of the light emitting structure 120.

성장기판(110)은 반도체 물질 성장에 적합한 재료, 열전도성이 뛰어난 물질로 형성될 수 있다. 성장기판(110)은 예를 들어, 사파이어(Al2O3), SiC, GaAs, GaN, ZnO, Si, GaP, InP, Ge, and Ga203 중 적어도 하나를 사용할 수 있다. 성장기판(110)에 대해 습식세척을 하여 표면의 불순물을 제거할 수 있다.The growth substrate 110 may be formed of a material suitable for semiconductor material growth, a material having excellent thermal conductivity. For example, at least one of sapphire (Al 2 O 3 ), SiC, GaAs, GaN, ZnO, Si, GaP, InP, Ge, and Ga 2 O 3 may be used as the growth substrate 110. The growth substrate 110 may be wet-cleaned to remove impurities on the surface.

발광 구조물(120)은 예를 들어, 유기금속 화학 증착법(MOCVD; Metal Organic Chemical Vapor Deposition), 화학 증착법(CVD; Chemical Vapor Deposition), 플라즈마 화학 증착법(PECVD; Plasma-Enhanced Chemical Vapor Deposition), 분자선 성장법(MBE; Molecular Beam Epitaxy), 수소화물 기상 성장법(HVPE; Hydride Vapor Phase Epitaxy) 등의 방법을 이용하여 형성될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.The light emitting structure 120 may be formed using a metal organic chemical vapor deposition (MOCVD) method, a chemical vapor deposition (CVD) method, a plasma enhanced chemical vapor deposition (PECVD) method, (MBE), hydride vapor phase epitaxy (HVPE), or the like, but the present invention is not limited thereto.

발광 구조물(120)과 성장기판(110) 사이에 버퍼층(112)이 위치할 수 있다. 버퍼층(112)은 발광 구조물(120)과 성장기판(110) 재료의 격자 부정합 및 열팽창 계수의 차이를 완화하기 위한 것이다. 버퍼층(112)의 재료는 3족-5족 화합물 반도체 또는 2족-6족 화합물 반도체, 예컨대, GaN, InN, AlN, InGaN, InAlGaN, AlInN 중 적어도 하나로 형성될 수 있다. 버퍼층(112)은 발광 구조물(120)의 성장 온도보다 낮은 온도에서 성장될 수 있다.The buffer layer 112 may be positioned between the light emitting structure 120 and the growth substrate 110. The buffer layer 112 is intended to alleviate the difference in lattice mismatch and thermal expansion coefficient between the light emitting structure 120 and the growth substrate 110 material. The material of the buffer layer 112 may be at least one of a group III-V compound semiconductor or a group II-VI compound semiconductor such as GaN, InN, AlN, InGaN, InAlGaN and AlInN. The buffer layer 112 may be grown at a temperature lower than the growth temperature of the light emitting structure 120.

발광 구조물(120)은 성장기판(110)에서 멀어지는 방향으로 제1 반도체층(122), 활성층(124) 및 제2 반도체층(126)을 포함한다.The light emitting structure 120 includes a first semiconductor layer 122, an active layer 124, and a second semiconductor layer 126 in a direction away from the growth substrate 110.

제1 반도체층(122)은 반도체 화합물로 형성될 수 있으며, 예를 들어 3족-5족 또는 2족-6족 등의 화합물 반도체로 형성될 수 있다. 또한 제1 도전형 도펀트가 도핑될 수 있다. 제1 반도체층(122)이 n형 반도체층인 경우, 상기 제1 도전형 도펀트는 n형 도펀트로서 Si, Ge, Sn, Se, Te 등을 포함할 수 있으나 이에 한정되지 않는다. 제1 반도체층(122)이 p형 반도체층인 경우, 상기 제1 도전형 도펀트는 p형 도펀트로서 Mg, Zn, Ca, Sr, Ba 등을 포함할 수 있으나 이에 한정되지 않는다.The first semiconductor layer 122 may be formed of a semiconductor compound, and may be formed of a compound semiconductor, for example, a group III-V group or a group II-VI-VI. The first conductive type dopant may also be doped. When the first semiconductor layer 122 is an n-type semiconductor layer, the first conductivity type dopant may include Si, Ge, Sn, Se, Te, or the like as an n-type dopant, but is not limited thereto. When the first semiconductor layer 122 is a p-type semiconductor layer, the first conductive dopant may include Mg, Zn, Ca, Sr, and Ba as a p-type dopant, but is not limited thereto.

제1 반도체층(122)은 AlxInyGa(1-x-y)N (0≤x≤1, 0≤y≤1, 0≤x+y≤1)의 조성식을 갖는 반도체 물질을 포함할 수 있다. 제1 반도체층(122)은 GaN, InN, AlN, InGaN, AlGaN, InAlGaN, AlInN, AlGaAs, InGaAs, AlInGaAs, GaP, AlGaP, InGaP, AlInGaP, InP 중 어느 하나 이상으로 형성될 수 있다. 발광소자(100A)가 자외선 영역의 빛을 방출하는 자외선 발광소자인 경우, 제1 반도체층(122)은 Al을 포함하여 이루어질 수 있다.The first semiconductor layer 122 may include a semiconductor material having a composition formula of Al x In y Ga (1-xy) N (0? X? 1, 0? Y? 1, 0? X + have. The first semiconductor layer 122 may be formed of one or more of GaN, InN, AlN, InGaN, AlGaN, InAlGaN, AlInN, AlGaAs, InGaAs, AlInGaAs, GaP, AlGaP, InGaP, AlInGaP and InP. When the light emitting device 100A is an ultraviolet light emitting device that emits light in the ultraviolet region, the first semiconductor layer 122 may include Al.

성장기판(110)과 제1 반도체층(122) 사이에 언도프트 반도체층(114)이 배치될 수 있다. 언도프트 반도체층(114)은 제1 반도체층(122)의 결정성 향상을 위해 형성되는 층으로, 제1 반도체층(122)과 동일한 물질 또는 제1 반도체층(122)과 다른 물질로 형성될 수 있다. 언도프트 반도체층(114)에는 제1 도전형 도펀트가 도핑되지 않아 제1 반도체층(122)에 비해 낮은 전기 전도성을 나타낸다. 언도프트 반도체층(114)은 버퍼층(112)의 상부에서 제1 반도체층(122)과 접하여 배치될 수 있다. 언도프트 반도체층(114)은 버퍼층(112)의 성장 온도보다 높은 온도에서 성장되며, 버퍼층(112)에 비해 좋은 결정성을 나타낸다.The undoped semiconductor layer 114 may be disposed between the growth substrate 110 and the first semiconductor layer 122. [ The undoped semiconductor layer 114 is formed to improve crystallinity of the first semiconductor layer 122 and may be formed of the same material as the first semiconductor layer 122 or a different material from the first semiconductor layer 122 . The undoped semiconductor layer 114 is not doped with the first conductive type dopant and thus exhibits lower electrical conductivity than the first semiconductor layer 122. The undoped semiconductor layer 114 may be disposed in contact with the first semiconductor layer 122 at an upper portion of the buffer layer 112. The undoped semiconductor layer 114 grows at a temperature higher than the growth temperature of the buffer layer 112 and exhibits better crystallinity than the buffer layer 112.

제2 반도체층(126)은 반도체 화합물로 형성될 수 있으며, 예를 들어 3족-5족 또는 2족-6족 등의 화합물 반도체로 형성될 수 있다. 또한 제2 도전형 도펀트가 도핑될 수 있다. 제2 반도체층(126)이 p형 반도체층인 경우, 상기 제2 도전형 도펀트는 p형 도펀트로서 Mg, Zn, Ca, Sr, Ba 등을 포함할 수 있으나 이에 한정되지 않는다. 제2 반도체층(126)이 n형 반도체층인 경우, 상기 제2 도전형 도펀트는 n형 도펀트로서 Si, Ge, Sn, Se, Te 등을 포함할 수 있으나 이에 한정되지 않는다.The second semiconductor layer 126 may be formed of a semiconductor compound, for example, a compound semiconductor such as a group III-V element or a group II-VI element. The second conductivity type dopant may also be doped. When the second semiconductor layer 126 is a p-type semiconductor layer, the second conductive dopant may include Mg, Zn, Ca, Sr, and Ba as a p-type dopant, but is not limited thereto. When the second semiconductor layer 126 is an n-type semiconductor layer, the second conductivity type dopant may include Si, Ge, Sn, Se, Te, or the like as the n-type dopant, but is not limited thereto.

제2 반도체층(126)은 AlxInyGa(1-x-y)N (0≤x≤1, 0≤y≤1, 0≤x+y≤1)의 조성식을 갖는 반도체 물질을 포함할 수 있다. 제2 반도체층(126)은 GaN, InN, AlN, InGaN, AlGaN, InAlGaN, AlInN, AlGaAs, InGaAs, AlInGaAs, GaP, AlGaP, InGaP, AlInGaP, InP 중 어느 하나 이상으로 형성될 수 있다. 발광소자(100A)가 자외선 영역의 빛을 방출하는 자외선 발광소자인 경우, 제2 반도체층(126)은 Al을 포함하여 이루어질 수 있다.The second semiconductor layer 126 may include a semiconductor material having a composition formula of Al x In y Ga (1-xy) N (0? X? 1, 0? Y? 1, 0? X + have. The second semiconductor layer 126 may be formed of any one of GaN, InN, AlN, InGaN, AlGaN, InAlGaN, AlInN, AlGaAs, InGaAs, AlInGaAs, GaP, AlGaP, InGaP, AlInGaP and InP. When the light emitting device 100A is an ultraviolet light emitting device that emits light in the ultraviolet region, the second semiconductor layer 126 may include Al.

이하에서는, 제1 반도체층(122)이 n형 반도체층, 제2 반도체층(126)이 p현 반도체층인 경우를 예로 들어 설명한다.Hereinafter, the case where the first semiconductor layer 122 is an n-type semiconductor layer and the second semiconductor layer 126 is a p-current semiconductor layer will be described as an example.

상기 제2 반도체층(126) 상에는 제2 도전형과 반대의 극성을 갖는 반도체, 예컨대 상기 상기 제2 반도체층(126)이 p형 반도체층일 경우 n형 반도체층(미도시)을 형성할 수 있다. 이에 따라 발광 구조물(120)은 n-p 접합 구조, p-n 접합 구조, n-p-n 접합 구조, p-n-p 접합 구조 중 어느 한 구조로 구현할 수 있다.An n-type semiconductor layer (not shown) may be formed on the second semiconductor layer 126 when the semiconductor having the opposite polarity to the second conductivity type, for example, the second semiconductor layer 126 is a p-type semiconductor layer . Accordingly, the light emitting structure 120 may have any one of an n-p junction structure, a p-n junction structure, an n-p-n junction structure, and a p-n-p junction structure.

제1 반도체층(122)과 제2 반도체층(126) 사이에 활성층(124)이 위치한다.The active layer 124 is located between the first semiconductor layer 122 and the second semiconductor layer 126.

활성층(124)은 전자와 정공이 서로 만나서 활성층(발광층) 물질 고유의 에너지 밴드에 의해서 결정되는 에너지를 갖는 빛을 방출하는 층이다. 제1 반도체층(122)이 n형 반도체층이고 제2 반도체층(126)이 p형 반도체층인 경우, 상기 제1 반도체층(122)으로부터 전자가 주입되고 상기 제2 반도체층(126)으로부터 정공이 주입될 수 있다.The active layer 124 is a layer in which electrons and holes meet each other to emit light having energy determined by the energy band inherent in the active layer (light emitting layer) material. When the first semiconductor layer 122 is an n-type semiconductor layer and the second semiconductor layer 126 is a p-type semiconductor layer, electrons are injected from the first semiconductor layer 122 and electrons are injected from the second semiconductor layer 126 Holes can be injected.

활성층(124)은 단일 우물 구조, 다중 우물 구조, 양자선(Quantum-Wire) 구조, 또는 양자 점(Quantum Dot) 구조 중 적어도 어느 하나로 형성될 수 있다. 예를 들어, 상기 활성층(124)은 트리메틸 갈륨 가스(TMGa), 암모니아 가스(NH3), 질소 가스(N2), 및 트리메틸 인듐 가스(TMIn)가 주입되어 다중 양자 우물 구조가 형성될 수 있으나 이에 한정되는 것은 아니다.The active layer 124 may be formed of at least one of a single well structure, a multi-well structure, a quantum-wire structure, or a quantum dot structure. For example, the active layer 124 may be formed with a multiple quantum well structure by injecting trimethylgallium gas (TMGa), ammonia gas (NH 3 ), nitrogen gas (N 2 ), and trimethyl indium gas (TMIn) But is not limited thereto.

활성층(124)이 다중 우물 구조로 형성되는 경우, 활성층(124)의 우물층/장벽층은 InGaN/GaN, InGaN/InGaN, GaN/AlGaN, InAlGaN/GaN, InGaN/AlGaN, GaAs(InGaAs)/AlGaAs, GaP(InGaP)/AlGaP 중 어느 하나 이상의 페어 구조로 형성될 수 있으나 이에 한정되지 않는다. 상기 우물층은 상기 장벽층보다 에너지 밴드갭이 작은 물질로 형성된다.InGaN / InGaN, InGaN / AlGaN, InAlGaN / GaN, InGaN / AlGaN, GaAs (InGaAs) / AlGaAs / InGaN / InGaN / InGaN / InGaN / InGaN / , GaP (InGaP) / AlGaP, but the present invention is not limited thereto. The well layer is formed of a material having an energy band gap smaller than that of the barrier layer.

제1 반도체층(122)과 활성층(124) 사이에 응력 완화층(130)이 배치될 수 있다. 응력 완화층(130)은 제1 반도체층(122)과 활성층(124) 사이의 격자 부정합을 완화하기 위한 것이다. 응력 완화층(130)은 복수 개의 우물층과 장벽층이 교대로 적층된 초격자 구조로 이루어질 수 있다. 응력 완화층(130)의 우물층/장벽층은 InGaN/GaN, InGaN/InGaN, GaN/AlGaN, InAlGaN/GaN, InGaN/AlGaN, GaAs(InGaAs)/AlGaAs, GaP(InGaP)/AlGaP 중 어느 하나 이상의 페어 구조로 형성될 수 있으나 이에 한정되지 않는다. 응력 완화층(130)의 우물층은 활성층(124)의 우물층보다 에너지 밴드갭이 큰 물질로 형성될 수 있다.The stress relieving layer 130 may be disposed between the first semiconductor layer 122 and the active layer 124. The stress relieving layer 130 is intended to alleviate the lattice mismatch between the first semiconductor layer 122 and the active layer 124. The stress relieving layer 130 may have a superlattice structure in which a plurality of well layers and barrier layers are alternately stacked. The well layer / barrier layer of the stress relieving layer 130 may be formed of any one or more of InGaN / GaN, InGaN / InGaN, GaN / AlGaN, InAlGaN / GaN, InGaN / AlGaN, GaAs (InGaAs) / AlGaAs, But the present invention is not limited thereto. The well layer of the stress relieving layer 130 may be formed of a material having an energy band gap larger than that of the well layer of the active layer 124.

제2 반도체층(126)과 활성층(124) 사이에 전자 차단층(150)이 배치될 수 있다. 실시예에 따라, 전자 차단층(Electron Blocking Layer, 150)은 제2 반도체층(126) 내에서 활성층(124)에 인접하여 배치될 수도 있다. 전자 차단층(150)은 제1 반도체층(122)에서 제공되는 전자의 이동도(mobility)가 높기 때문에, 전자가 발광에 기여하지 못하고 활성층(124)을 넘어 제2 반도체층(126)으로 빠져나가 누설 전류의 원인이 되는 것을 방지하는 전위 장벽의 역할을 한다. 전자 차단층(150)은 활성층(124)보다 큰 에너지 밴드갭을 갖는 물질로 형성되며, InxAlyGa1 -x-yN(0≤x<y<1)의 조성을 갖는 반도체 물질로 형성될 수 있다. 전자 차단층(150)에 제2 도전형 도펀트가 도핑될 수 있다.An electron blocking layer 150 may be disposed between the second semiconductor layer 126 and the active layer 124. According to an embodiment, the electron blocking layer 150 may be disposed adjacent to the active layer 124 in the second semiconductor layer 126. The electron blocking layer 150 has a high mobility of electrons provided in the first semiconductor layer 122 so that electrons do not contribute to light emission and pass through the active layer 124 to the second semiconductor layer 126 And serves as a potential barrier to prevent leakage current from being generated. The electron blocking layer 150 is formed of a material having a larger energy band gap than the active layer 124 and may be formed of a semiconductor material having a composition of In x Al y Ga 1 -xy N (0? X <y <1) have. The electron blocking layer 150 may be doped with a second conductive dopant.

발광 구조물(120)은 제2 반도체층(126)과 활성층(124) 및 제1 반도체층(122)의 일부가 식각되어 제1 반도체층(122)의 일부를 노출하는 노출면(S)을 포함한다. 상기 노출면(S) 상에 제1 전극(150)이 배치된다. 그리고, 식각되지 않은 제2 반도체층(126) 상에 제2 전극(155)이 배치된다.The light emitting structure 120 includes an exposed surface S that exposes a portion of the first semiconductor layer 122 by etching the second semiconductor layer 126, the active layer 124, and a portion of the first semiconductor layer 122 do. The first electrode 150 is disposed on the exposed surface S. The second electrode 155 is disposed on the un-etched second semiconductor layer 126.

제1 전극(150) 및 제2 전극(155)은 몰리브덴(Mo), 크롬(Cr), 니켈(Ni), 금(Au), 알루미늄(Al), 타이타늄(Ti), 백금(Pt), 바나듐(V), 텅스텐(W), 납(Pd), 구리(Cu), 로듐(Rh) 또는 이리듐(Ir) 중 적어도 하나를 포함하여 단층 또는 다층 구조로 형성될 수 있다.The first electrode 150 and the second electrode 155 may be formed of a metal such as Mo, Cr, Ni, Au, Al, Layer structure including at least one of tungsten (V), tungsten (W), lead (Pd), copper (Cu), rhodium (Rh) or iridium (Ir).

제2 전극(155)이 형성되기 전 제2 반도체층(126) 상에 도전층(157)이 형성될 수도 있다. 실시예에 따라, 제2 반도체층(126)이 노출되도록 도전층(157)의 일부가 오픈되어 제2 반도체층(126)과 제2 전극(155)이 접할 수 있다. 또는, 도 2에 도시된 바와 같이, 도전층(157)을 사이에 두고 제2 반도체층(126)과 제2 전극(155)이 전기적으로 연결될 수도 있다.The conductive layer 157 may be formed on the second semiconductor layer 126 before the second electrode 155 is formed. A portion of the conductive layer 157 may be opened to expose the second semiconductor layer 126 and the second semiconductor layer 126 and the second electrode 155 may be in contact with each other. Alternatively, as shown in FIG. 2, the second semiconductor layer 126 and the second electrode 155 may be electrically connected to each other with the conductive layer 157 therebetween.

도전층(157)은 제2 반도체층(126)의 전기적 특성을 향상시키고 제2 전극(155)과의 전기적 접촉을 개선하기 위한 것으로, 층 또는 복수의 패턴으로 형성될 수 있다. 도전층(155)은 투과성을 갖는 투명 전극층으로 형성될 수 있다.The conductive layer 157 is formed to improve the electrical characteristics of the second semiconductor layer 126 and improve the electrical contact with the second electrode 155, and may be formed in a layer or a plurality of patterns. The conductive layer 155 may be formed of a transparent electrode layer having transparency.

도전층(155)에는 투광성 전도층과 금속이 선택적으로 사용될 수 있으며, 예를 들어, ITO(indium tin oxide), IZO(indium zinc oxide), IZTO(indium zinc tin oxide), IAZO(indium aluminum zinc oxide), IGZO(indium gallium zinc oxide), IGTO(indium gallium tin oxide), AZO(aluminum zinc oxide), ATO(antimony tin oxide), GZO(gallium zinc oxide), IZON(IZO Nitride), AGZO(Al-Ga ZnO), IGZO(In-Ga ZnO), ZnO, IrOx, RuOx, NiO, RuOx/ITO, Ni/IrOx/Au, 또는 Ni/IrOx/Au/ITO, Ag, Ni, Cr, Ti, Al, Rh, Pd, Ir, Sn, In, Ru, Mg, Zn, Pt, Au, Hf 중 적어도 하나를 포함하여 형성될 수 있으나, 이러한 재료에 한정되지 않는다.The conductive layer 155 may be formed of a transparent conductive layer and a metal such as indium tin oxide (ITO), indium zinc oxide (IZO), indium zinc tin oxide (IZTO), indium aluminum zinc oxide ), IGZO (indium gallium zinc oxide), IGTO (indium gallium tin oxide), AZO (aluminum zinc oxide), ATO (antimony tin oxide), GZO (gallium zinc oxide), IZON TiO 2, Ag, Ni, Cr, Ti, Al, Rh, ZnO, IGZO (In-Ga ZnO), ZnO, IrOx, RuOx, NiO, RuOx / ITO, Ni / IrOx / Au, Pd, Ir, Sn, In, Ru, Mg, Zn, Pt, Au, and Hf.

도 5는 실시예에 따른 발광소자 패키지에 적용될 수 있는 발광소자의 다른 예시를 나타낸 측 단면도이다. 상술한 내용과 중복되는 내용은 다시 설명하지 않으며, 이하에서는 차이점을 중심으로 설명한다.5 is a cross-sectional side view showing another example of a light emitting device applicable to the light emitting device package according to the embodiment. The contents overlapping with the above-mentioned contents will not be described again, and the following description will focus on the differences.

도 5를 참조하면, 다른 예시에 따른 발광소자(100B)는 제1 반도체층(122)과 활성층(124) 및 제2 반도체층(126)을 포함하는 발광 구조물(120), 제1 반도체층(122)의 일면에 배치된 제1 전극(150) 및 제2 반도체층(126)의 일면에 배치된 제2 전극층(160)을 포함한다. 5, the light emitting device 100B according to another exemplary embodiment includes a light emitting structure 120 including a first semiconductor layer 122, an active layer 124 and a second semiconductor layer 126, a first semiconductor layer And a second electrode layer 160 disposed on one surface of the second semiconductor layer 126. The first electrode 150 and the second electrode layer 160 are disposed on one surface of the first electrode layer 122 and the second electrode layer 160, respectively.

일 예시에 따른 발광소자(100B)는 수직형 발광소자일 수 있다. The light emitting device 100B according to one example may be a vertical light emitting device.

수직형(Vertical) 발광소자란, 발광 구조물(120)에서 제1 전극(150)과 제2 전극층(160)이 서로 다른 방향에 각각 형성되는 구조를 의미한다. 일 예로서, 도 5를 참조하면, 발광 구조물(120)의 상부 방향으로 제1 전극(150)이 형성되고 발광 구조물(120)의 하부 방향으로 제2 전극층(160)이 형성되어 있다.The vertical light emitting device means a structure in which the first electrode 150 and the second electrode layer 160 are formed in different directions in the light emitting structure 120. Referring to FIG. 5, a first electrode 150 is formed on the upper side of the light emitting structure 120 and a second electrode layer 160 is formed on the lower side of the light emitting structure 120.

제1 반도체층(122)에 광추출 패턴(R)이 위치할 수 있다. 광추출 패턴(R)은 PEC(Photo enhanced chemical) 식각 방법이나 마스크 패턴을 이용한 에칭 공정 수행하여 형성할 수 있다. 광추출 패턴(R)은 활성층(124)에서 생성된 광의 외부 추출 효율을 증가시키기 위한 것으로서, 규칙적인 주기로 형성되거나 불규칙적으로 형성될 수 있다.The light extraction pattern R may be located in the first semiconductor layer 122. [ The light extraction pattern R can be formed by performing an etching process using a photo enhanced chemical (PEC) etching method or a mask pattern. The light extraction pattern R is for increasing the efficiency of extracting light generated in the active layer 124, and may be formed at regular intervals or irregularly.

제2 전극층(160)은 도전층(160a) 또는 반사층(160b) 중 적어도 어느 하나를 포함할 수 있다. 도전층(160a)은 제2 반도체층(126)의 전기적 특성을 개선하기 위한 것으로, 제2 반도체층(126)과 접하여 위치할 수 있다.The second electrode layer 160 may include at least one of a conductive layer 160a and a reflective layer 160b. The conductive layer 160a is provided to improve the electrical characteristics of the second semiconductor layer 126 and may be located in contact with the second semiconductor layer 126. [

도전층(160a)은 투명 전극층 또는 불투명 전극층으로 형성될 수 있으며, 예를 들어, ITO(indium tin oxide), IZO(indium zinc oxide), IZTO(indium zinc tin oxide), IAZO(indium aluminum zinc oxide), IGZO(indium gallium zinc oxide), IGTO(indium gallium tin oxide), AZO(aluminum zinc oxide), ATO(antimony tin oxide), GZO(gallium zinc oxide), IZON(IZO Nitride), AGZO(Al-Ga ZnO), IGZO(In-Ga ZnO), ZnO, IrOx, RuOx, NiO, RuOx/ITO, Ni/IrOx/Au, 또는 Ni/IrOx/Au/ITO, Ag, Ni, Cr, Ti, Al, Rh, Pd, Ir, Sn, In, Ru, Mg, Zn, Pt, Au, Hf 중 적어도 하나를 포함하여 형성될 수 있으며, 이러한 재료에 한정되지는 않는다.The conductive layer 160a may be formed of a transparent electrode layer or an opaque electrode layer. For example, the conductive layer 160a may include indium tin oxide (ITO), indium zinc oxide (IZO), indium zinc tin oxide (IZTO) , IGZO (indium gallium zinc oxide), IGTO (indium gallium tin oxide), AZO (aluminum zinc oxide), ATO (antimony tin oxide), GZO (gallium zinc oxide), IZON ), IGZO (In-Ga ZnO), ZnO, IrOx, RuOx, NiO, RuOx / ITO, Ni / IrOx / Au or Ni / IrOx / Au / ITO, Ag, Ni, Cr, Ti, , Ir, Sn, In, Ru, Mg, Zn, Pt, Au, and Hf.

반사층(160b)은 활성층(124)에서 생성된 빛을 반사시켜 발광소자의 내부에서 소멸되는 빛의 양을 줄임으로써, 발광소자의 외부양자효율을 향상시킬 수 있다.The reflective layer 160b may improve the external quantum efficiency of the light emitting device by reducing the amount of light that is emitted from the active layer 124 to thereby be extinguished inside the light emitting device.

반사층(160b)은 Ag, Ti, Ni, Cr 또는 AgCu 중 적어도 어느 하나를 포함할 수 있으나, 이에 한정하지 않는다. 반사층(160b)이 제2 반도체층(126)과 오믹 접촉하는 물질로 이루어진 경우, 도전층(160a)은 별도로 형성하지 않을 수 있다.The reflective layer 160b may include at least one of Ag, Ti, Ni, Cr, and AgCu, but is not limited thereto. When the reflective layer 160b is formed of a material that makes an ohmic contact with the second semiconductor layer 126, the conductive layer 160a may not be formed separately.

발광 구조물(120)은 지지기판(170)에 의해 지지된다.The light emitting structure 120 is supported by the support substrate 170.

지지기판(170)은 전기 전도성과 열 전도성이 높은 물질로 형성되며, 예를 들어, 소정의 두께를 갖는 베이스 기판(substrate)으로서, 몰리브덴(Mo), 실리콘(Si), 텅스텐(W), 구리(Cu) 또는 알루미늄(Al)로 구성되는 군으로부터 선택되는 물질 또는 이들의 합금으로 이루어질 수 있으며, 또한, 금(Au), 구리합금(Cu Alloy), 니켈(Ni), 구리-텅스텐(Cu-W), 캐리어 웨이퍼(예: GaN, Si, Ge, GaAs, ZnO, SiGe, SiC, SiGe, Ga2O3 등) 또는 전도성 시트 등을 선택적으로 포함할 수 있다.The support substrate 170 is formed of a material having high electrical conductivity and high thermal conductivity. For example, the support substrate 170 may be a base substrate having a predetermined thickness, such as molybdenum (Mo), silicon (Si), tungsten (W) (Au), a copper alloy (Cu Alloy), a nickel (Ni), a copper-tungsten (Cu-Al) alloy, or a material selected from the group consisting of copper (Cu) W), carrier wafer (for example, a GaN, Si, Ge, GaAs, ZnO, SiGe, SiC, SiGe, Ga 2 O 3 , etc.) or a conductive sheet or the like may optionally be included.

발광 구조물(120)은 본딩층(175)에 의해 지지기판(170)에 본딩될 수 있다. 이 때, 발광 구조물(120)의 하부에 위치하는 제2 전극층(160)과 본딩층(175)이 접할 수 있다.The light emitting structure 120 may be bonded to the supporting substrate 170 by a bonding layer 175. At this time, the second electrode layer 160 located under the light emitting structure 120 and the bonding layer 175 can be in contact with each other.

본딩층(175)은 베리어 금속 또는 본딩 금속 등을 포함하며, 예를 들어, Ti, Au, Sn, Ni, Cr, Ga, In, Bi, Cu, Ag 또는 Ta 중 적어도 하나를 포함할 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.The bonding layer 175 may include a barrier metal or a bonding metal and may include at least one of Ti, Au, Sn, Ni, Cr, Ga, In, Bi, Cu, Ag, It is not limited thereto.

본딩층(175)은 발광 구조물(120)에 인접하여 확산 방지층(미도시)을 포함하여, 본딩층(175)에 사용된 금속 등이 상부의 발광 구조물(120) 내부로 확산되는 것을 방지할 수도 있다.The bonding layer 175 may include a diffusion barrier layer (not shown) adjacent to the light emitting structure 120 to prevent diffusion of metal or the like used in the bonding layer 175 into the upper light emitting structure 120 have.

발광 구조물(120)의 측면 및 상부면의 적어도 일부에 패시베이션층(180)이 배치될 수 있다.A passivation layer 180 may be disposed on at least a portion of the side and top surfaces of the light emitting structure 120.

패시베이션층(180)은 산화물 또는 질화물로 이루어져 발광 구조물(120)을 보호할 수 있다. 일 예로서, 패시베이션층(180)은 실리콘 산화물(SiO2)층, 실리콘 질화물층, 산화 질화물층, 또는 산화 알루미늄층으로 이루어질 수 있으나, 이에 한정하지 않는다.The passivation layer 180 may be made of an oxide or a nitride to protect the light emitting structure 120. As an example, the passivation layer 180 may comprise, but is not limited to, a silicon oxide (SiO 2 ) layer, a silicon nitride layer, an oxynitride layer, or an aluminum oxide layer.

도시하지는 않았으나, 발광 구조물(120)의 상부면에도 패시베이션층(180)이 위치하는 경우, 상기 패시베이션층(180)에 광추출 패턴(R)이 형성될 수도 있다.Although not shown, a light extracting pattern R may be formed on the passivation layer 180 when the passivation layer 180 is also located on the upper surface of the light emitting structure 120.

발광소자(100)는 접착 부재(250)를 사용하여 금속 기판(210)에 고정될 수 있다. 접착 부재(250)는 도전성 또는 비도전성일 수 있으며, 예를 들어 Ag 페이스트 또는 Au-Sn 솔더일 수 있으나 이에 한정하지 않는다.The light emitting device 100 may be fixed to the metal substrate 210 using an adhesive member 250. The adhesive member 250 may be conductive or non-conductive and may be, for example, Ag paste or Au-Sn solder, but is not limited thereto.

금속 기판(210)의 상부에 회로 패턴(213)이 배치된다. 금속 기판(210)과 회로 패턴(213)의 사이에는 전기적 단락을 방지하기 위하여 제1 절연층(212)이 배치된다.A circuit pattern 213 is disposed on the metal substrate 210. A first insulating layer 212 is disposed between the metal substrate 210 and the circuit pattern 213 to prevent an electrical short circuit.

발광소자(100)는 상기 회로 패턴(213)과 와이어(240)에 의해 전기적으로 연결된다. 회로 패턴(213)은 전기적 극성이 다른 제1 패턴과 제2 패턴으로 구분되며, 발광소자(100)는 와이어(240)를 통하여 제1 패턴 및 제2 패턴과 각각 연결된다.The light emitting device 100 is electrically connected to the circuit pattern 213 by a wire 240. The circuit pattern 213 is divided into a first pattern and a second pattern having different electrical polarities and the light emitting device 100 is connected to the first pattern and the second pattern through the wire 240, respectively.

제1 절연층(211)과 회로 패턴(213)은 금속 기판(210)의 제2 영역(210-2)의 일부와 제2 영역(210-3)에 배치될 수 있다. 그리고, 와이어(240)는 제2 영역(210-2)에 배치된 회로 패턴(213)과 연결될 수 있다. 즉, 제1 절연층(211)과 회로 패턴(213)의 일부가 오목부(P) 내에 배치된다. 따라서, 와이어(240)도 오목부(P) 내에 배치될 수 있다. 와이어(240)가 제3 영역(210-3)에 배치된 회로 패턴(213)과 연결되는 것보다 제2 영역(210-2)에 배치된 회로 패턴(213)과 연결되면, 와이어(240)가 오목부(P) 내에 배치되기 때문에 와이어(240)의 길이가 짧아지므로 구조가 안정적이고 패키지의 신뢰성이 향상될 수 있다.The first insulating layer 211 and the circuit pattern 213 may be disposed in a portion of the second region 210-2 and the second region 210-3 of the metal substrate 210. [ The wire 240 may be connected to the circuit pattern 213 disposed in the second area 210-2. That is, a part of the first insulating layer 211 and the circuit pattern 213 is disposed in the concave portion P. Therefore, the wire 240 can also be disposed in the concave P. The wire 240 is connected to the circuit pattern 213 disposed in the second area 210-2 rather than connected to the circuit pattern 213 disposed in the third area 210-3, Since the length of the wire 240 is shortened, the structure is stable and the reliability of the package can be improved.

다시 도 2를 참조하면, 발광소자(100)를 포위하여 몰딩부(230)가 배치된다. 몰딩부(230)는 오목부(P) 내에 배치된다. Referring again to FIG. 2, the molding part 230 is disposed surrounding the light emitting device 100. The molding portion 230 is disposed in the concave portion P.

몰딩부(230)는 발광소자(100), 발광소자(100)가 배치된 금속 기판(210)의 부분, 및 와이어(240) 등을 보호하며, 발광소자(100)가 이동하거나 이탈되는 것을 방지할 수 있다. 와이어(240)는 몰딩부(230) 내에 배치된다.The molding part 230 protects the light emitting device 100, the part of the metal substrate 210 on which the light emitting device 100 is disposed and the wire 240 and prevents the light emitting device 100 from moving or being separated can do. The wire 240 is disposed in the molding part 230.

몰딩부(230)는 형광체(232)가 포함되어 발광소자(100)로부터 방출되는 빛의 파장을 변화시킬 수 있다.The molding part 230 may include a phosphor 232 to change the wavelength of light emitted from the light emitting device 100.

형광체(232)는 가넷(Garnet)계 형광체, 실리케이트(Silicate)계 형광체, 니트라이드(Nitride)계 형광체, 또는 옥시니트라이드(Oxynitride)계 형광체를 포함할 수 있다.The phosphor 232 may include a garnet-based phosphor, a silicate-based phosphor, a nitride-based phosphor, or an oxynitride-based phosphor.

예를 들어, 상기 가넷계 형광체는 YAG(Y3Al5O12:Ce3 +) 또는 TAG(Tb3Al5O12:Ce3 +)일 수 있고, 상기 실리케이트계 형광체는 (Sr,Ba,Mg,Ca)2SiO4:Eu2 +일 수 있고, 상기 니트라이드계 형광체는 SiN을 포함하는 CaAlSiN3:Eu2 +일 수 있고, 상기 옥시니트라이드계 형광체는 SiON을 포함하는 Si6 - xAlxOxN8 -x:Eu2 +(0<x<6)일 수 있다.For example, the garnet-base phosphor is YAG (Y 3 Al 5 O 12 : Ce 3 +) or TAG: may be a (Tb 3 Al 5 O 12 Ce 3 +), wherein the silicate-based phosphor is (Sr, Ba, Mg, Ca) 2 SiO 4 : Eu 2 + , and the nitride phosphor may be CaAlSiN 3 : Eu 2 + containing SiN, and the oxynitride phosphor may be Si 6 - x Al x O x N 8 -x: Eu 2 + (0 <x <6) can be.

상기 회로 패턴(213)의 상부에는 제2 절연체(212)가 배치된다. 제2 절연체(212)는 몰딩부(230)가 형성되지 않은 금속 기판(210)의 상부에 배치될 수 있다. 제2 절연체(212)는 회로 패턴(213)을 보호하며 발광소자 패키지(200A)를 애플리케이션에 적용할 때 회로 패턴(213)과 다른 구성요소들 사이에 전기적 단락이 발생하는 것을 방지할 수 있다.A second insulator 212 is disposed on the circuit pattern 213. The second insulator 212 may be disposed on the metal substrate 210 on which the molding part 230 is not formed. The second insulator 212 protects the circuit pattern 213 and can prevent an electrical short between the circuit pattern 213 and other components when the light emitting device package 200A is applied to an application.

도 6은 제2 실시예에 따른 발광소자 패키지를 간략히 나타낸 측 단면도이다. 상술한 실시예와 중복되는 내용은 다시 설명하지 않으며, 이하에서는 차이점을 중심으로 설명한다.6 is a side cross-sectional view briefly showing a light emitting device package according to the second embodiment. The contents overlapping with the above embodiments will not be described again, and the differences will be mainly described below.

도 6을 참조하면, 제2 실시예에 따른 발광소자 패키지(200B)는 금속 기판(210), 상기 금속 기판(210)의 제1면(210a)에 배치되는 발광소자(100), 상기 발광소자(100)를 포위하여 배치되는 몰딩부(230)를 포함한다.Referring to FIG. 6, the light emitting device package 200B according to the second embodiment includes a metal substrate 210, a light emitting device 100 disposed on the first surface 210a of the metal substrate 210, And a molding part 230 disposed so as to surround the mold 100.

제2 실시예에 따른 발광소자 패키지(200B)는 기판(210) 상에 발광소자(100)가 바로 배치되는 COB(Chip On Board) 타입의 패키지이다.The light emitting device package 200B according to the second embodiment is a COB (Chip On Board) type package in which the light emitting device 100 is directly disposed on the substrate 210. [

몰딩부(230)는 오목부(P) 내에 배치되며, 적어도 일부가 오목부(P)의 외부로 돌출되어 형성될 수 있다. 즉, 몰딩부(230)는 상부면이 플랫하지 않고 외부로 돌출됨으로써 렌즈 역할을 할 수 있다. 실시예에 따라, 몰딩부(230)의 상부면은 상부를 향해 볼록한 면으로 이루어지거나, 상부를 향해 볼록한 면과 하부를 향해 오목한 면의 조합으로 이루어짐으로써 발광소자(100)에서 발생된 광의 경로를 변경할 수 있다.The molding part 230 may be disposed in the concave part P and at least a part of the molding part 230 may protrude outward from the concave part P. That is, the molding part 230 may serve as a lens by projecting the molding surface 230 out of the flat surface. According to the embodiment, the upper surface of the molding part 230 is formed of a convex surface facing upward, or a combination of a convex surface facing upward and a concave surface facing downward so that the path of light generated in the light emitting device 100 Can be changed.

도 7은 제3 실시예에 따른 발광소자 패키지를 간략히 나타낸 측 단면도이다. 상술한 실시예와 중복되는 내용은 다시 설명하지 않으며, 이하에서는 차이점을 중심으로 설명한다.7 is a side cross-sectional view schematically showing a light emitting device package according to a third embodiment. The contents overlapping with the above embodiments will not be described again, and the differences will be mainly described below.

도 7을 참조하면, 제3 실시예에 따른 발광소자 패키지(200C)는 금속 기판(210), 상기 금속 기판(210)의 제1면(210a)에 배치되는 발광소자(100), 상기 발광소자(100)를 포위하여 배치되는 몰딩부(230)를 포함한다.Referring to FIG. 7, a light emitting device package 200C according to the third embodiment includes a metal substrate 210, a light emitting device 100 disposed on a first surface 210a of the metal substrate 210, And a molding part 230 disposed so as to surround the mold 100.

제3 실시예에 따른 발광소자 패키지(200C)는 기판(210) 상에 발광소자(100)가 바로 배치되는 COB(Chip On Board) 타입의 패키지이다.The light emitting device package 200C according to the third embodiment is a COB (Chip On Board) type package in which a light emitting device 100 is directly disposed on a substrate 210. [

금속 기판(210)은 제1면(210a)에 오목부(P)가 위치하고, 제1면(210a)의 반대쪽인 제2면(210b)에 볼록부(Q)가 위치한다. 오목부(P)는 아래 방향으로 함몰되어 형성되고, 볼록부(Q)는 아래 방향으로 돌출되어 형성된다. 오목부(P)와 볼록부(Q)는 서로 대응하는 위치에 형성된다.The concave portion P is located on the first surface 210a of the metal substrate 210 and the convex portion Q is located on the second surface 210b opposite to the first surface 210a. The concave portion P is formed to be depressed downward, and the convex portion Q is formed protruding downward. The concave portion P and the convex portion Q are formed at positions corresponding to each other.

금속 기판(210)은 제1 방향으로 배치된 제1 영역(210-1), 상기 제1 영역(210-1)으로부터 연장되며 상기 제1 방향과는 다른 방향으로 절곡되어 배치된 제2 영역(210-2), 상기 제2 영역(210-2)으로부터 연장되며 상기 제1 방향으로 배치된 제2 영역(210-3)을 포함한다. 상기 제1 방향은 수평 방향일 수 있다.The metal substrate 210 includes a first region 210-1 disposed in a first direction, a second region 210-1 extending from the first region 210-1 and bent in a direction different from the first direction, 210-2, and a second region 210-3 extending from the second region 210-2 and disposed in the first direction. The first direction may be a horizontal direction.

즉, 금속 기판(210)은 플랫(flat)한 형상이 아니라 절곡부를 포함하며, 절곡부를 경계로 하여 제1 영역(210-1)과 제2 영역(210-2)이 위치하고, 제2 영역(210-2)과 제3 영역(210-3)이 위치한다. 제2 영역(210-2)은 제1 영역(210-1)과 제3 영역(210-3)의 사이에 배치되어 제1 영역(210-1)과 제3 영역(210-3)을 연결한다.That is, the metal substrate 210 includes a bent portion, not a flat shape, and the first region 210-1 and the second region 210-2 are positioned with the bent portion as a boundary, and the second region 210-2 210-2 and a third region 210-3. The second region 210-2 is disposed between the first region 210-1 and the third region 210-3 and connects the first region 210-1 and the third region 210-3 do.

금속 기판(210)의 제1 영역(210-1)에 발광소자(100)가 배치된다.The light emitting device 100 is disposed in the first region 210-1 of the metal substrate 210. [

금속 기판(210)의 제1 영역(210-1)과 제2 영역(210-2)이 제1면(210a)에서는 오목부(P)를 구성하고, 제2면(210b)에서는 볼록부(Q)를 구성한다. 제1 영역(210-1)이 오목부(P)의 바닥면이고 제2 영역(210-2)이 오목부(P)의 측면이다. 제2 영역(210-2)은 발광소자(100)의 둘레를 따라 배치된다.The first region 210-1 and the second region 210-2 of the metal substrate 210 constitute the concave portion P on the first surface 210a and the concave portion P on the second surface 210b, Q). The first region 210-1 is the bottom surface of the concave portion P and the second region 210-2 is the side surface of the concave portion P. [ The second region 210-2 is disposed along the periphery of the light emitting element 100. [

금속 기판(210)은 두께가 일정할 수 있다. 즉, 제1 영역(210-1), 제2 영역(210-2) 및 제3 영역(210-3)에 걸쳐 두께가 일정하게 유지될 수 있다.The thickness of the metal substrate 210 may be constant. That is, the thickness can be maintained constant over the first region 210-1, the second region 210-2, and the third region 210-3.

금속 기판(210)은 제1 전극부(210A) 및 상기 제1 전극부(210B)와 분리된 제2 전극부(210B)를 포함하여 이루어질 수 있다.The metal substrate 210 may include a first electrode unit 210A and a second electrode unit 210B separated from the first electrode unit 210B.

상술한 제1,2 실시예에서는 금속 기판(210) 상에 극성을 달리하는 회로 패턴(213)을 별도로 배치하였으나, 제3 실시예에서는 금속 기판(210) 자체를 제1 전극부(210A) 및 제2 전극부(210B)로 형성할 수 있다.Although the circuit patterns 213 having different polarities are separately disposed on the metal substrate 210 in the first and second embodiments described above, in the third embodiment, the metal substrate 210 itself is divided into the first electrode unit 210A, And the second electrode part 210B.

제1 전극부(210A)와 제2 전극부(210B)는 전기적으로 분리되며, 제1 전극부(210A)와 제2 전극부(210B)의 사이에 배치되는 몰딩부(230)에 의해 분리가 이루어질 수 있다.The first electrode part 210A and the second electrode part 210B are electrically separated and separated by the molding part 230 disposed between the first electrode part 210A and the second electrode part 210B. Lt; / RTI &gt;

발광소자(100)는 제1 전극부(210A) 상에 배치될 수 있다. 발광소자(100)가 수평형 발광소자인 경우, 발광소자(100)는 와이어(240)에 의해 제1 전극부(210A) 및 제2 전극부(210B)와 전기적으로 연결될 수 있다. 또는, 도시하지는 않았으나, 발광소자(100)가 수직형 발광소자인 경우, 발광소자(100)는 제1 전극부(210A)와는 와이어 없이 직접 통전되고 제2 전극부(210B)와는 와이어(240)에 의해 전기적으로 연결될 수 있다.The light emitting device 100 may be disposed on the first electrode unit 210A. When the light emitting device 100 is a horizontal light emitting device, the light emitting device 100 may be electrically connected to the first electrode unit 210A and the second electrode unit 210B by a wire 240. The light emitting device 100 may be directly connected to the first electrode unit 210A without wires and may be electrically connected to the second electrode unit 210B through the wire 240. In the case where the light emitting device 100 is a vertical light emitting device, As shown in FIG.

제3 실시예에 따르면, 와이어(240)의 길이가 상술한 제1,2 실시예에 비해 더 짧아지게 되므로 구조가 더욱 더 안정적이고 패키지의 신뢰성이 향상될 수 있다. 와이어(240)는 오목부(P) 내에 배치되며, 몰딩부(230) 내에 배치된다.According to the third embodiment, since the length of the wire 240 is shorter than that of the first and second embodiments, the structure can be more stable and the reliability of the package can be improved. The wire 240 is disposed in the recessed portion P and disposed in the molding portion 230.

금속 기판(210) 상의 적어도 일부에 제1 절연체(211)가 배치된다. 제1 절연체(211)는 몰딩부(230)가 형성되지 않은 금속 기판(210)의 상부에 배치될 수 있다. 제3 실시예에서는 회로 패턴이 필요하지 않으므로 별도의 제2 절연체는 형성할 필요가 없으며, 제1 절연체(211)만 형성하면 된다. 제1 절연체(211)은 금속 기판(210)의 제3 영역(210-3)에 배치되며, 오목부(P) 내에는 배치되지 않을 수 있다.A first insulator 211 is disposed on at least a portion of the metal substrate 210. The first insulator 211 may be disposed on the metal substrate 210 on which the molding part 230 is not formed. Since the circuit pattern is not required in the third embodiment, it is not necessary to form a separate second insulator, and only the first insulator 211 may be formed. The first insulator 211 may be disposed in the third region 210-3 of the metal substrate 210 and may not be disposed in the recess P,

도 8은 제4 실시예에 따른 발광소자 패키지를 간략히 나타낸 측 단면도이다. 상술한 실시예와 중복되는 내용은 다시 설명하지 않으며, 이하에서는 차이점을 중심으로 설명한다.8 is a side cross-sectional view briefly showing a light emitting device package according to a fourth embodiment. The contents overlapping with the above embodiments will not be described again, and the differences will be mainly described below.

도 8을 참조하면, 제4 실시예에 따른 발광소자 패키지(200D)는 금속 기판(210), 상기 금속 기판(210)의 제1면(210a)에 배치되는 발광소자(100), 상기 발광소자(100)를 포위하여 배치되는 몰딩부(230)를 포함한다.Referring to FIG. 8, the light emitting device package 200D according to the fourth embodiment includes a metal substrate 210, a light emitting device 100 disposed on a first surface 210a of the metal substrate 210, And a molding part 230 disposed so as to surround the mold 100.

제4 실시예에 따른 발광소자 패키지(200D)는 기판(210) 상에 발광소자(100)가 바로 배치되는 COB(Chip On Board) 타입의 패키지이다.The light emitting device package 200D according to the fourth embodiment is a COB (Chip On Board) type package in which a light emitting device 100 is directly disposed on a substrate 210. [

몰딩부(230)는 오목부(P) 내에 배치되며, 적어도 일부가 오목부(P)의 외부로 돌출되어 형성될 수 있다. 즉, 몰딩부(230)는 상부면이 플랫하지 않고 외부로 돌출됨으로써 렌즈 역할을 할 수 있다. 실시예에 따라, 몰딩부(230)의 상부면은 상부를 향해 볼록한 면으로 이루어지거나, 상부를 향해 볼록한 면과 하부를 향해 오목한 면의 조합으로 이루어짐으로써 발광소자(100)에서 발생된 광의 경로를 변경할 수 있다.The molding part 230 may be disposed in the concave part P and at least a part of the molding part 230 may protrude outward from the concave part P. That is, the molding part 230 may serve as a lens by projecting the molding surface 230 out of the flat surface. According to the embodiment, the upper surface of the molding part 230 is formed of a convex surface facing upward, or a combination of a convex surface facing upward and a concave surface facing downward so that the path of light generated in the light emitting device 100 Can be changed.

도 9는 실시예들에 따른 발광소자 패키지를 포함하는 조명장치의 일 실시예를 나타낸 분해 사시도이다.FIG. 9 is an exploded perspective view illustrating an embodiment of a lighting device including a light emitting device package according to embodiments.

실시예에 따른 조명 장치는 광을 투사하는 발광 모듈(600)과 상기 발광 모듈(600)이 내장되는 하우징(400)과 상기 발광 모듈(600)의 열을 방출하는 방열부(500) 및 상기 발광 모듈(600)과 방열부(500)를 상기 하우징(400)에 결합하는 홀더(700)를 포함하여 이루어진다.The illumination device according to the embodiment includes a light emitting module 600 for projecting light, a housing 400 in which the light emitting module 600 is installed, a heat dissipating part 500 for emitting heat of the light emitting module 600, And a holder 700 for coupling the module 600 and the heat dissipating unit 500 to the housing 400.

상기 하우징(400)은 전기 소켓(미도시)에 결합되는 소켓 결합부(410)와, 상기 소켓결합부(410)와 연결되고 광원(600)이 내장되는 몸체부(420)를 포함한다. 몸체부(420)에는 하나의 공기유동구(430)가 관통하여 형성될 수 있다.The housing 400 includes a socket coupling part 410 coupled to an electric socket and a body part 420 connected to the socket coupling part 410 and having a light source 600 embedded therein. The body 420 may have one air flow hole 430 formed therethrough.

상기 하우징(400)의 몸체부(420) 상에 복수 개의 공기유동구(430)가 구비되어 있는데, 상기 공기유동구(430)는 하나의 공기유동구로 이루어지거나, 복수 개의 유동구를 도시된 바와 같은 방사상 배치 이외의 다양한 배치도 가능하다.A plurality of air flow openings 430 are provided on the body portion 420 of the housing 400. The air flow openings 430 may be formed of one air flow openings or a plurality of flow openings may be radially arranged Various other arrangements are also possible.

발광 모듈(600)은 회로 기판(610) 상에 배치된 복수 개의 발광소자 패키지(650)를 포함한다. 상기 발광소자 패키지(650)는 상술한 실시예에 따른 발광소자를 포함할 수 있다. 회로 기판(610)은 상기 하우징(400)의 개구부에 삽입될 수 있는 형상일 수 있으며, 후술하는 바와 같이 방열부(500)로 열을 전달하기 위하여 열전도율이 높은 물질로 이루어질 수 있다.The light emitting module 600 includes a plurality of light emitting device packages 650 disposed on a circuit board 610. The light emitting device package 650 may include the light emitting device according to the embodiment described above. The circuit board 610 may have a shape that can be inserted into the opening of the housing 400 and may be made of a material having a high thermal conductivity to transmit heat to the heat dissipating unit 500 as described later.

상기 발광 모듈의 하부에는 홀더(700)가 구비되는데 상기 홀더(700)는 프레임과 또 다른 공기 유동구를 포함할 수 있다. 또한, 도시되지는 않았으나 상기 발광 모듈(600)의 하부에는 광학 부재가 구비되어 상기 발광 모듈(600)의 발광소자 모듈(650)에서 투사되는 빛을 확산, 산란 또는 수렴시킬 수 있다.A holder 700 is provided under the light emitting module. The holder 700 may include a frame and another air flow port. Although not shown, an optical member may be provided under the light emitting module 600 to diffuse, scatter, or converge light projected from the light emitting module 650 of the light emitting module 600.

도 10은 실시예들에 따른 발광소자 패키지가 배치된 표시장치의 일 실시예를 나타낸 분해 사시도이다.10 is an exploded perspective view illustrating a display device in which a light emitting device package according to embodiments is disposed.

도 10을 참조하면, 실시예에 따른 표시장치(800)는 발광 모듈(830, 835)과, 바텀 커버(810) 상의 반사판(820)과, 상기 반사판(820)의 전방에 배치되며 상기 발광 모듈에서 방출되는 빛을 표시장치 전방으로 가이드하는 도광판(840)과, 상기 도광판(840)의 전방에 배치되는 제1 프리즘시트(850)와 제2 프리즘시트(860)와, 상기 제2 프리즘시트(860)의 전방에 배치되는 패널(870)과 상기 패널(870)의 전반에 배치되는 컬러필터(880)를 포함하여 이루어진다.10, a display device 800 according to the embodiment includes a light emitting module 830 and 835, a reflection plate 820 on the bottom cover 810, and a light emitting module 820 disposed in front of the reflection plate 820, A first prism sheet 850 and a second prism sheet 860 disposed in front of the light guide plate 840 and a second prism sheet 860 disposed between the first prism sheet 850 and the second prism sheet 860. The light guiding plate 840 guides light emitted from the light- A panel 870 disposed in front of the panel 870 and a color filter 880 disposed in the front of the panel 870.

발광 모듈은 회로 기판(830) 상의 상술한 발광소자 패키지(835)를 포함하여 이루어진다. 여기서, 회로 기판(830)은 PCB 등이 사용될 수 있고, 발광소자 패키지(835)는 상술한 바와 같다.The light emitting module includes the above-described light emitting device package 835 on the circuit board 830. Here, the circuit board 830 may be a PCB or the like, and the light emitting device package 835 is as described above.

상기 바텀 커버(810)는 표시 장치(800) 내의 구성 요소들을 수납할 수 있다. 상기 반사판(820)은 본 도면처럼 별도의 구성요소로 마련될 수도 있고, 상기 도광판(840)의 후면이나, 상기 바텀 커버(810)의 전면에 반사도가 높은 물질로 코팅되는 형태로 마련되는 것도 가능하다.The bottom cover 810 may house the components in the display device 800. The reflection plate 820 may be formed as a separate component as shown in the drawing, or may be formed to be coated on the rear surface of the light guide plate 840 or on the front surface of the bottom cover 810 with a highly reflective material Do.

여기서, 반사판(820)은 반사율이 높고 초박형으로 사용 가능한 소재를 사용할 수 있고, 폴리에틸렌 테레프탈레이트(PolyEthylene Terephtalate; PET)를 사용할 수 있다.Here, the reflection plate 820 can be made of a material having a high reflectance and can be used in an ultra-thin shape, and polyethylene terephthalate (PET) can be used.

도광판(840)은 발광소자 패키지 모듈에서 방출되는 빛을 산란시켜 그 빛이 액정 표시 장치의 화면 전영역에 걸쳐 균일하게 분포되도록 한다. 따라서, 도광판(830)은 굴절률과 투과율이 좋은 재료로 이루어지는데, 폴리메틸메타크릴레이트(PolyMethylMethAcrylate; PMMA), 폴리카보네이트(PolyCarbonate; PC), 또는 폴리에틸렌(PolyEthylene; PE) 등으로 형성될 수 있다. 그리고, 도광판이 생략되어 반사시트(820) 위의 공간에서 빛이 전달되는 에어 가이드 방식도 가능하다.The light guide plate 840 scatters light emitted from the light emitting device package module so that the light is uniformly distributed over the entire screen area of the LCD. Accordingly, the light guide plate 830 is made of a material having a good refractive index and transmittance. The light guide plate 830 may be formed of polymethyl methacrylate (PMMA), polycarbonate (PC), or polyethylene (PE). An air guide system is also available in which the light guide plate is omitted and light is transmitted in a space above the reflective sheet 820.

상기 제1 프리즘 시트(850)는 지지필름의 일면에, 투광성이면서 탄성을 갖는 중합체 재료로 형성되는데, 상기 중합체는 복수 개의 입체구조가 반복적으로 형성된 프리즘층을 가질 수 있다. 여기서, 상기 복수 개의 패턴은 도시된 바와 같이 마루와 골이 반복적으로 스트라이프 타입으로 구비될 수 있다.The first prism sheet 850 is formed on one side of the support film with a transparent and elastic polymeric material, and the polymer may have a prism layer in which a plurality of steric structures are repeatedly formed. As shown in the drawings, the plurality of patterns may be repeatedly provided with a stripe pattern.

상기 제2 프리즘 시트(860)에서 지지필름 일면의 마루와 골의 방향은, 상기 제1 프리즘 시트(850) 내의 지지필름 일면의 마루와 골의 방향과 수직할 수 있다. 이는 발광 모듈과 반사시트로부터 전달된 빛을 상기 패널(870)의 전방향으로 고르게 분산하기 위함이다.In the second prism sheet 860, the edges and the valleys on one surface of the support film may be perpendicular to the edges and the valleys on one surface of the support film in the first prism sheet 850. This is to uniformly distribute the light transmitted from the light emitting module and the reflective sheet in all directions of the panel 870.

본 실시예에서 상기 제1 프리즘시트(850)과 제2 프리즘시트(860)가 광학시트를 이루는데, 상기 광학시트는 다른 조합 예를 들어, 마이크로 렌즈 어레이로 이루어지거나 확산시트와 마이크로 렌즈 어레이의 조합 또는 하나의 프리즘 시트와 마이크로 렌즈 어레이의 조합 등으로 이루어질 수 있다.In the present embodiment, the first prism sheet 850 and the second prism sheet 860 form an optical sheet, which may be formed of other combinations, for example, a microlens array or a diffusion sheet and a microlens array Or a combination of one prism sheet and a microlens array, or the like.

상기 패널(870)은 액정 표시 패널(Liquid crystal display)가 배치될 수 있는데, 액정 표시 패널(860) 외에 광원을 필요로 하는 다른 종류의 디스플레이 장치가 구비될 수 있다.A liquid crystal display (LCD) panel may be disposed on the panel 870. In addition to the liquid crystal display panel 860, other types of display devices requiring a light source may be provided.

상기 패널(870)은, 유리 바디 사이에 액정이 위치하고 빛의 편광성을 이용하기 위해 편광판을 양 유리바디에 올린 상태로 되어있다. 여기서, 액정은 액체와 고체의 중간적인 특성을 가지는데, 액체처럼 유동성을 갖는 유기분자인 액정이 결정처럼 규칙적으로 배열된 상태를 갖는 것으로, 상기 분자 배열이 외부 전계에 의해 변화되는 성질을 이용하여 화상을 표시한다.In the panel 870, the liquid crystal is positioned between the glass bodies, and the polarizing plate is placed on both glass bodies to utilize the polarization of light. Here, the liquid crystal has an intermediate property between a liquid and a solid, and liquid crystals, which are organic molecules having fluidity like a liquid, are regularly arranged like crystals. The liquid crystal has a structure in which the molecular arrangement is changed by an external electric field And displays an image.

표시장치에 사용되는 액정 표시 패널은, 액티브 매트릭스(Active Matrix) 방식으로서, 각 화소에 공급되는 전압을 조절하는 스위치로서 트랜지스터를 사용한다.A liquid crystal display panel used in a display device is an active matrix type, and a transistor is used as a switch for controlling a voltage supplied to each pixel.

상기 패널(870)의 전면에는 컬러 필터(880)가 구비되어 상기 패널(870)에서 투사된 빛을, 각각의 화소마다 적색과 녹색 및 청색의 빛만을 투과하므로 화상을 표현할 수 있다.A color filter 880 is provided on the front surface of the panel 870 so that light projected from the panel 870 transmits only red, green, and blue light for each pixel.

이상과 같이 실시예는 비록 한정된 실시예와 도면에 의해 설명되었으나, 본 발명은 상기의 실시예에 한정되는 것은 아니며, 본 발명이 속하는 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 이러한 기재로부터 다양한 수정 및 변형이 가능하다.While the present invention has been particularly shown and described with reference to exemplary embodiments thereof, it is to be understood that the invention is not limited to the disclosed embodiments, but, on the contrary, This is possible.

그러므로, 본 발명의 범위는 설명된 실시예에 국한되어 정해져서는 아니되며, 후술하는 특허청구범위뿐 아니라 이 특허청구범위와 균등한 것들에 의해 정해져야 한다.Therefore, the scope of the present invention should not be limited to the described embodiments, but should be determined by the equivalents of the claims, as well as the claims.

200A~200D: 발광소자 패키지 210: 금속 기판
210-1: 제1 영역 210-2: 제2 영역
210-3: 제2 영역 P: 오목부
Q: 볼록부 230: 몰딩부
240: 와이어 250: 접착 부재200A to 200D: light emitting device package 210: metal substrate
210-1: first region 210-2: second region
210-3: second region P: concave portion
Q: convex part 230: molding part
240: wire 250: adhesive member

Claims (16)

금속 기판;
상기 금속 기판의 제1면에 배치되는 발광소자; 및
상기 발광소자를 포위하여 배치되는 몰딩부;를 포함하고,
상기 금속 기판은 상기 제1면에 오목부가 위치하고 상기 제1면의 반대쪽인 제2면에 상기 오목부에 대응하여 볼록부가 위치하는 발광소자 패키지.A metal substrate;
A light emitting element disposed on a first surface of the metal substrate; And
And a molding part surrounding the light emitting device,
Wherein the metal substrate has a concave portion on the first surface and a convex portion corresponding to the concave portion on a second surface opposite to the first surface. 제 1 항에 있어서,
상기 발광소자는 상기 오목부 내에 배치되는 발광소자 패키지.The method according to claim 1,
Wherein the light emitting element is disposed in the recess. 제 1 항에 있어서,
상기 금속 기판은 두께가 일정한 발광소자 패키지.The method according to claim 1,
Wherein the metal substrate has a constant thickness. 제 1 항에 있어서,
상기 금속 기판은 제1 전극부 및 상기 제1 전극부와 분리된 제2 전극부를 포함하여 이루어진 발광소자 패키지.The method according to claim 1,
Wherein the metal substrate comprises a first electrode portion and a second electrode portion separated from the first electrode portion. 제 4 항에 있어서,
상기 발광소자는 상기 제1 전극부 상에 배치되는 발광소자 패키지.5. The method of claim 4,
Wherein the light emitting element is disposed on the first electrode portion. 제 5 항에 있어서,
상기 발광소자는 와이어에 의해 상기 제1 전극부 및 제2 전극부와 전기적으로 연결되거나, 상기 제1 전극부와는 직접 통전되고 상기 제2 전극부와는 와이어에 의해 전기적으로 연결되는 발광소자 패키지.6. The method of claim 5,
Wherein the light emitting device is electrically connected to the first electrode unit and the second electrode unit by a wire or directly connected to the first electrode unit and electrically connected to the second electrode unit by a wire, . 제 4 항에 있어서,
상기 제1 전극부와 상기 제2 전극부는 상기 몰딩부에 의해 전기적으로 분리된 발광소자 패키지.5. The method of claim 4,
Wherein the first electrode portion and the second electrode portion are electrically separated by the molding portion. 제 1 항에 있어서,
상기 금속 기판의 상부에 회로 패턴이 배치되고, 상기 회로 패턴과 상기 금속 기판의 사이에 절연층이 배치되며, 상기 발광소자는 상기 회로 패턴과 와이어에 의해 전기적으로 연결되는 발광소자 패키지.The method according to claim 1,
Wherein a circuit pattern is disposed on the metal substrate, an insulating layer is disposed between the circuit pattern and the metal substrate, and the light emitting element is electrically connected to the circuit pattern by a wire. 제 6 항 또는 제 8 항에 있어서,
상기 와이어는 상기 오목부 내에 배치되는 발광소자 패키지.9. The method according to claim 6 or 8,
And the wire is disposed in the recess. 제 1 항에 있어서,
상기 몰딩부는 상기 오목부 내에 배치되는 발광소자 패키지.The method according to claim 1,
And the molding portion is disposed in the recess. 제 1 항에 있어서,
상기 몰딩부는 적어도 일부가 상기 오목부의 외부로 돌출되는 발광소자 패키지.The method according to claim 1,
Wherein at least a part of the molding portion protrudes outside the concave portion. 제 6 항 또는 제 8 항에 있어서,
상기 와이어는 상기 몰딩부 내에 배치되는 발광소자 패키지.9. The method according to claim 6 or 8,
And the wire is disposed in the molding part. 제 1 항에 있어서,
상기 금속 기판 상의 일부에 절연층이 배치되며, 상기 절연층은 상기 오목부 내에는 배치되지 않는 발광소자 패키지.The method according to claim 1,
Wherein an insulating layer is disposed on a part of the metal substrate, and the insulating layer is not disposed in the recess. 금속 기판;
상기 금속 기판의 일면에 배치되는 발광소자; 및
상기 발광소자를 포위하여 배치되는 몰딩부;를 포함하고,
상기 금속 기판은 제1 방향으로 배치된 제1 영역; 상기 제1 영역으로부터 연장되며 상기 제1 방향과 다른 방향으로 절곡되어 배치된 제2 영역; 상기 제2 영역으로부터 연장되며 상기 제1 방향으로 배치된 제3 영역을 포함하며,
상기 금속 기판은 상기 제1 영역, 상기 제2 영역, 상기 제3 영역에 걸쳐 두께가 일정한 발광소자 패키지.A metal substrate;
A light emitting element disposed on one surface of the metal substrate; And
And a molding part surrounding the light emitting device,
The metal substrate comprising: a first region disposed in a first direction; A second region extending from the first region and being bent in a direction different from the first direction; And a third region extending from the second region and disposed in the first direction,
Wherein the metal substrate has a constant thickness over the first region, the second region, and the third region. 제 14 항에 있어서,
상기 제1 영역에 상기 발광소자가 배치된 발광소자 패키지.15. The method of claim 14,
And the light emitting element is disposed in the first region. 제 14 항에 있어서,
상기 제2 영역은 상기 제1 영역과 상기 제3 영역을 연결하며, 상기 발광소자의 둘레에 배치된 발광소자 패키지.15. The method of claim 14,
And the second region connects the first region and the third region, and is disposed around the light emitting device.
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