KR20140088695A - Light emitting device package - Google Patents

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KR20140088695A KR1020130000514A KR20130000514A KR20140088695A KR 20140088695 A KR20140088695 A KR 20140088695A KR 1020130000514 A KR1020130000514 A KR 1020130000514A KR 20130000514 A KR20130000514 A KR 20130000514A KR 20140088695 A KR20140088695 A KR 20140088695A
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최규영
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엘지이노텍 주식회사
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Abstract

Disclosed is a light emitting device package capable of improving reliability and light extraction efficiency by reflection. The light emitting device package according to one embodiment of the present invention includes: a body which includes a cavity composed of a lateral side and a bottom side; a first lead frame and a second lead frame which are arranged on the body; and at least two light emitting devices which are arranged in the cavity and are electrically connected to the first and second lead frames. At least two light emitting devices are separately arranged along a first direction. The bottom side of the cavity includes at least two maximum widths in parallel to a second direction which is vertical to the first direction, and at least one minimum width which is arranged between the two maximum widths and is parallel to the second direction.

Description

발광소자 패키지{LIGHT EMITTING DEVICE PACKAGE}[0001] LIGHT EMITTING DEVICE PACKAGE [0002]

실시예는 발광소자 패키지에 관한 것이다.An embodiment relates to a light emitting device package.

반도체의 3-5족 또는 2-6족 화합물 반도체 물질을 이용한 발광 다이오드(Light Emitting Diode)나 레이저 다이오드와 같은 발광소자는 박막 성장 기술 및 소자 재료의 개발로 적색, 녹색, 청색 및 자외선 등 다양한 색을 구현할 수 있으며, 형광 물질을 이용하거나 색을 조합함으로써 효율이 좋은 백색 광선도 구현이 가능하며, 형광등, 백열등 등 기존의 광원에 비해 저소비전력, 반영구적인 수명, 빠른 응답속도, 안전성, 환경친화성의 장점을 가진다.BACKGROUND ART Light emitting devices such as light emitting diodes and laser diodes using semiconductor materials of Group 3-5 or 2-6 group semiconductors have been widely used for various colors such as red, green, blue, and ultraviolet And it is possible to realize white light rays with high efficiency by using fluorescent materials or colors, and it is possible to realize low energy consumption, semi-permanent life time, quick response speed, safety and environment friendliness compared to conventional light sources such as fluorescent lamps and incandescent lamps .

따라서, 광 통신 수단의 송신 모듈, LCD(Liquid Crystal Display) 표시 장치의 백라이트를 구성하는 냉음극관(CCFL: Cold Cathode Fluorescence Lamp)을 대체하는 발광 다이오드 백라이트, 형광등이나 백열 전구를 대체할 수 있는 백색 발광 다이오드 조명 장치, 자동차 헤드 라이트 및 신호등에까지 응용이 확대되고 있다.Therefore, a transmission module of the optical communication means, a light emitting diode backlight replacing a cold cathode fluorescent lamp (CCFL) constituting a backlight of an LCD (Liquid Crystal Display) display device, a white light emitting element capable of replacing a fluorescent lamp or an incandescent lamp Diode lighting, automotive headlights, and traffic lights.

도 1은 종래의 발광소자 패키지의 일 예시를 나타낸 평면도이다.1 is a plan view showing an example of a conventional light emitting device package.

도 1을 참조하면, 종래의 발광소자 패키지(1)는 캐비티(C)를 갖는 몸체(10), 몸체(10)에 배치되는 제1 리드 프레임(21)과 제2 리드 프레임(22), 제1,2 리드 프레임(21, 22)과 전기적으로 연결되는 두 개의 발광소자(30)를 포함한다. 캐비티(C)는 몸체(10)의 상면으로부터 내측을 향해 함몰되어 형성되고, 캐비티(C)를 통해 제1,2 리드 프레임(21, 22)의 일부가 노출된다.Referring to FIG. 1, a conventional light emitting device package 1 includes a body 10 having a cavity C, a first lead frame 21 and a second lead frame 22 disposed on the body 10, And two light emitting devices 30 electrically connected to the first and second lead frames 21 and 22. The cavity C is formed by being recessed from the upper surface of the body 10 toward the inside and a part of the first and second lead frames 21 and 22 is exposed through the cavity C. [

종래의 발광소자 패키지(1)는 캐비티(C)의 바닥면이 직사각형 형상이기 때문에 발광소자(30)가 위치하는 부분에서나 위치하지 않는 부분에서나 바닥면의 폭이 일정하다. 발광소자(30)에서 캐비티(C)의 측면까지의 거리는 광 반사 효율 및 열에 의한 몸체(10)의 신뢰성 측면에 영향을 미친다. 따라서, 광 반사 효율과 열에 의한 신뢰성 측면을 고려하여 발광소자(30)의 위치에 따라 캐비티(C)의 바닥면의 폭의 변화를 최적화할 필요가 있다.In the conventional light emitting device package 1, since the bottom surface of the cavity C has a rectangular shape, the width of the bottom surface is constant regardless of whether the light emitting device 30 is located or not. The distance from the light emitting element 30 to the side surface of the cavity C affects the light reflection efficiency and the reliability of the body 10 due to heat. Therefore, it is necessary to optimize the variation of the width of the bottom surface of the cavity C depending on the position of the light emitting element 30 in consideration of the light reflection efficiency and the reliability by heat.

실시예는 반사에 의한 광추출 효율 및 신뢰성을 향상시킬 수 있는 발광소자 패키지를 제공하고자 한다.Embodiments provide a light emitting device package capable of improving light extraction efficiency and reliability by reflection.

일 실시예에 따른 발광소자 패키지는 측면과 바닥면으로 이루어진 캐비티를 갖는 몸체; 상기 몸체에 배치되는 제1 리드 프레임과 제2 리드 프레임; 및 상기 캐비티 내에 배치되며 상기 제1,2 리드 프레임과 전기적으로 연결되는 적어도 두 개의 발광소자;를 포함하고, 상기 적어도 두 개의 발광소자는 제1 방향을 따라 이격되어 배치되고, 상기 캐비티의 바닥면은 상기 제1 방향과 수직인 제2 방향에 나란한 적어도 두 개의 최대폭, 상기 제2 방향에 나란하며 상기 두 개의 최대폭 사이에 배치되는 적어도 하나의 최소폭을 가진다.A light emitting device package according to an exemplary embodiment includes a body having a cavity having a side surface and a bottom surface; A first lead frame and a second lead frame disposed on the body; And at least two light emitting devices disposed in the cavity and electrically connected to the first and second lead frames, wherein the at least two light emitting devices are disposed apart from each other in a first direction, At least two maximum widths parallel to the second direction perpendicular to the first direction, and at least one minimum width arranged between the two maximum widths in the second direction.

상기 캐비티는 상기 최대폭을 갖는 바닥면이 측면과 이루는 각도가 상기 최소폭을 갖는 바닥면이 측면과 이루는 각도보다 작을 수 있다.The angle formed by the bottom surface having the maximum width with the side surface may be smaller than the angle formed between the bottom surface having the minimum width and the side surface.

상기 캐비티는 상기 최대폭을 갖는 바닥면이 측면과 이루는 각도를 1이라 할 때, 상기 최소폭을 갖는 바닥면이 측면과 이루는 각도는 1.1~1.3일 수 있다.When the angle of the bottom surface having the maximum width with respect to the side is 1, the angle between the bottom surface having the minimum width and the side surface may be 1.1 to 1.3.

상기 적어도 두 개의 발광소자 각각의 제2 방향의 폭이 A일 때, 상기 최대폭은 A+300um 내지 A+500um일 수 있다.When the width of each of the at least two light emitting devices in the second direction is A, the maximum width may be A + 300um to A + 500um.

상기 적어도 두 개의 발광소자 각각의 제2 방향의 폭이 A일 때, 상기 최소폭은 A+200um 내지 A+400um일 수 있다.When the width of each of the at least two light emitting devices in the second direction is A, the minimum width may be A + 200um to A + 400um.

상기 최소폭을 1이라 할 때, 상기 최대폭은 1.1~1.5일 수 있다.When the minimum width is 1, the maximum width may be 1.1 to 1.5.

상기 두 개의 최대폭 중 어느 하나의 최대폭과 상기 최소폭 사이의 거리와, 상기 두 개의 최대폭 중 다른 어느 하나의 최대폭과 상기 최소폭 사이의 거리가 동일할 수 있다.A distance between the maximum width and the minimum width of any one of the two maximum widths and a distance between the maximum width and the minimum width of any one of the two maximum widths may be the same.

상기 캐비티는 상기 최소폭을 기준으로 좌우 대칭을 이룰 수 있다.The cavity may be bilaterally symmetrical with respect to the minimum width.

상기 두 개의 최대폭을 갖는 캐비티의 바닥면 중 어느 하나의 바닥면에 상기 발광소자가 배치될 수 있다.The light emitting device may be disposed on a bottom surface of any one of the bottom surfaces of the cavities having the two largest widths.

상기 두 개의 최대폭을 갖는 캐비티의 바닥면 중 다른 어느 하나의 바닥면은 상기 제1,2 리드 프레임을 전기적으로 분리할 수 있다.Any one of the bottom surfaces of the cavities having the two largest widths can electrically isolate the first and second lead frames.

다른 실시예에 따른 발광소자 패키지는 측면과 바닥면으로 이루어진 캐비티를 갖는 몸체; 상기 몸체에 배치되는 제1 리드 프레임과 제2 리드 프레임; 및 상기 캐비티 내에 배치되며 상기 제1,2 리드 프레임과 전기적으로 연결되는 적어도 두 개의 발광소자;를 포함하고, 상기 캐비티는 상기 두 개의 발광소자 중 어느 하나의 발광소자가 배치되는 제1 영역, 상기 두 개의 발광소자 중 다른 어느 하나의 발광소자가 배치되는 제2 영역, 상기 제1 영역과 상기 제2 영역의 사이에 배치되는 중간 영역을 포함하고, 상기 중간 영역은 최소폭이 상기 제1 영역의 최대폭 또는 상기 제2 영역의 최대폭보다 작다.According to another embodiment of the present invention, there is provided a light emitting device package including: a body having a cavity formed of side and bottom surfaces; A first lead frame and a second lead frame disposed on the body; And at least two light emitting devices disposed in the cavity and electrically connected to the first and second lead frames, wherein the cavity includes a first region in which one of the two light emitting devices is disposed, A second region in which one of the two light emitting elements is disposed, and an intermediate region disposed between the first region and the second region, wherein the intermediate region has a minimum width of the first region The maximum width or the maximum width of the second area.

실시예에 따르면 발광소자가 배치된 캐비티의 바닥면의 폭을 넓게 하여 열에 의한 신뢰성 저하를 방지하고, 발광소자가 배치되지 않은 캐비티의 바닥면의 폭을 좁게 하여 반사에 의한 광추출 효율을 향상시킬 수 있다.The width of the bottom surface of the cavity in which the light emitting device is disposed is widened to prevent the reliability from being lowered by heat and the width of the bottom surface of the cavity in which the light emitting device is not disposed is narrowed to improve the light extraction efficiency by reflection .

도 1은 종래의 발광소자 패키지의 일 예시를 나타낸 평면도.
도 2는 실시예에 따른 발광소자 패키지를 나타낸 도면.
도 3은 실시예에 따른 발광소자 패키지에 적용될 수 있는 발광소자의 일 예시를 나타낸 측단면도.
도 4는 실시예에 따른 발광소자 패키지에 적용될 수 있는 발광소자의 다른 예시를 나타낸 측단면도.
도 5는 실시예에 따른 발광소자 패키지의 평면도.
도 6은 실시예에 따른 발광소자 패키지의 측 단면도.
도 7은 실시예에 따른 발광소자 패키지가 배치된 헤드램프의 일실시예를 도시한 도면.
도 8은 실시예에 따른 발광소자 패키지가 배치된 표시장치의 일실시예를 도시한 도면.1 is a plan view showing an example of a conventional light emitting device package.
2 illustrates a light emitting device package according to an embodiment.
3 is a side cross-sectional view illustrating an example of a light emitting device that can be applied to the light emitting device package according to the embodiment.
4 is a side sectional view showing another example of a light emitting device that can be applied to the light emitting device package according to the embodiment.
5 is a plan view of a light emitting device package according to an embodiment.
6 is a side cross-sectional view of a light emitting device package according to an embodiment.
7 is a view illustrating an embodiment of a headlamp in which a light emitting device package according to an embodiment is disposed.
8 is a view illustrating a display device in which a light emitting device package according to an embodiment is disposed.

이하 첨부한 도면을 참조하여 실시예들을 설명한다.Embodiments will now be described with reference to the accompanying drawings.

본 발명에 따른 실시예의 설명에 있어서, 각 element의 "상(위) 또는 하(아래)(on or under)"에 형성되는 것으로 기재되는 경우에 있어, 상(위) 또는 하(아래)(on or under)는 두 개의 element가 서로 직접(directly)접촉되거나 하나 이상의 다른 element가 상기 두 element사이에 배치되어(indirectly) 형성되는 것을 모두 포함한다. 또한 "상(위) 또는 하(아래)(on or under)"으로 표현되는 경우 하나의 element를 기준으로 위쪽 방향뿐만 아니라 아래쪽 방향의 의미도 포함할 수 있다.In the description of the embodiment according to the present invention, in the case of being described as being formed "on or under" of each element, the upper (upper) or lower (lower) or under are all such that two elements are in direct contact with each other or one or more other elements are indirectly formed between the two elements. Also, when expressed as "on or under", it may include not only an upward direction but also a downward direction with respect to one element.

도면에서 각층의 두께나 크기는 설명의 편의 및 명확성을 위하여 과장되거나 생략되거나 또는 개략적으로 도시되었다. 또한 각 구성요소의 크기는 실제크기를 전적으로 반영하는 것은 아니다.The thickness and size of each layer in the drawings are exaggerated, omitted, or schematically shown for convenience and clarity of explanation. Also, the size of each component does not entirely reflect the actual size.

도 2는 실시예에 따른 발광소자 패키지를 나타낸 도면이다. 도 2의 가운데 그림은 발광소자 패키지(200)의 평면도이고, 왼쪽 그림은 발광소자 패키지(200)를 XX 방향으로 절단하여 측면에서 바라본 단면도이고, 오른쪽 그림은 발광소자 패키지(200)를 YY 방향으로 절단하여 측면에서 바라본 단면도이다.2 is a view illustrating a light emitting device package according to an embodiment. 2 is a plan view of the light emitting device package 200. The left drawing is a sectional view taken along the XX direction of the light emitting device package 200 and the right drawing shows the light emitting device package 200 in the YY direction Fig.

도 2를 참조하면, 실시예에 따른 발광소자 패키지(200)는 몸체(210), 제1,2 리드 프레임(221, 222), 적어도 두 개의 발광소자(100)를 포함한다.Referring to FIG. 2, the light emitting device package 200 includes a body 210, first and second lead frames 221 and 222, and at least two light emitting devices 100.

몸체(210)는 실리콘 재질, 합성수지 재질, 또는 금속 재질을 포함하여 형성될 수 있다. 몸체(210)에는 발광소자(100)에 전류를 공급하기 위한 제1 리드 프레임(221) 및 제2 리드 프레임(222)이 배치된다. 몸체(210)가 금속 재질 등의 도전성 물질로 이루어지면, 도시되지는 않았으나 몸체(210)의 표면에 절연층이 코팅되어 제1,2 리드 프레임(221, 222) 간의 전기적 단락을 방지할 수 있다.The body 210 may be formed of a silicon material, a synthetic resin material, or a metal material. A first lead frame 221 and a second lead frame 222 for supplying a current to the light emitting device 100 are disposed on the body 210. If the body 210 is made of a conductive material such as a metal material, an insulating layer may be coated on the surface of the body 210 to prevent an electrical short between the first and second lead frames 221 and 222 .

몸체(210)에는 측면(C1)과 바닥면(C2)으로 이루어진 캐비티(C)가 형성될 수 있다. 캐비티(C)는 몸체(210)의 상면에서부터 내측을 향해 함몰되어 형성되며, 캐비티(C)를 통해 제1,2 리드 프레임(221, 222)의 일부가 노출된다.The body 210 may be formed with a cavity C having a side surface C 1 and a bottom surface C 2 . The cavity C is recessed toward the inside from the top surface of the body 210 and a part of the first and second lead frames 221 and 222 is exposed through the cavity C. [

캐비티(C) 내에 발광소자(100)가 배치된다. 발광소자(100)는 캐비티(C)의 바닥면(C2)에 배치된다. 캐비티(C)의 측면(C1)은, 발광소자(100)에서 방출된 광의 반사 효율을 높이기 위하여 경사면으로 이루어질 수 있다. 캐비티(C)의 측면(C1)은 캐비티(C)의 바닥면(C2)과 둔각을 이룬다.The light emitting device 100 is disposed in the cavity C. The light emitting device 100 is disposed on the bottom surface C 2 of the cavity C. The side surface C 1 of the cavity C may be an inclined surface to enhance the reflection efficiency of the light emitted from the light emitting device 100. The side surface C 1 of the cavity C is obtuse with the bottom surface C 2 of the cavity C.

제1 리드 프레임(221) 및 제2 리드 프레임(222)은 서로 전기적으로 분리되며, 발광소자(100)에 전류를 공급한다. 제1 리드 프레임(221) 및 제2 리드 프레임(222)은 몸체(210)에 의해 전기적으로 분리되며, 제1 리드 프레임(221)과 제2 리드 프레임(222) 사이에 존재하는 몸체(210)의 부분을 전극 분리 영역(210a)이라 칭할 수도 있다. 상기 전극 분리 영역(210a)은 캐비티(C)의 바닥면(C2)일 수 있다. The first lead frame 221 and the second lead frame 222 are electrically disconnected from each other and supply current to the light emitting element 100. The first lead frame 221 and the second lead frame 222 are electrically separated from each other by the body 210 and the body 210 existing between the first lead frame 221 and the second lead frame 222, May be referred to as an electrode separation region 210a. The electrode separation region 210a may be the bottom surface C 2 of the cavity C. [

또한, 제1 리드 프레임(221) 및 제2 리드 프레임(222)은 발광소자(100)에서 발생된 광을 반사시켜 광 효율을 증가시킬 수 있으며, 발광소자(100)에서 발생된 열을 외부로 배출시킬 수도 있다. 발광소자(100)가 복수 개 배치된 경우, 복수 개의 발광소자(100) 간의 직렬 또는 병렬 연결 형태에 따라, 상기 제1,2 리드 프레임(221. 222) 외에 더 많은 개수의 리드 프레임이 존재할 수도 있다.The first lead frame 221 and the second lead frame 222 may reflect the light generated from the light emitting device 100 to increase the light efficiency and may heat the heat generated from the light emitting device 100 to the outside It may be discharged. When a plurality of the light emitting devices 100 are arranged, a larger number of lead frames may exist in addition to the first and second lead frames 221 and 222, depending on the serial or parallel connection form between the plurality of light emitting devices 100 have.

몸체(210)의 캐비티(C) 내에 발광소자(100)가 배치된다. 발광소자(100)는 캐비티(C)의 바닥면(C2)에 배치된다. 발광소자(100)는 도 2에 도시된 바와 같이 제1 리드 프레임(221) 상에 배치될 수도 있고, 도시하지는 않았으나 제2 리드 프레임(222) 상에 배치되거나 몸체(210) 상에 배치될 수도 있다. 발광소자(100)는 와이어(미도시)에 의해 제1,2 리드 프레임(221, 222)과 전기적으로 연결될 수도 있고, 어느 하나의 리드 프레임(예를 들어, 제1 리드 프레임(221))과는 직접 통전되고 다른 하나의 리드 프레임(예를 들어, 제2 리드 프레임(222))과는 와이어에 의해 전기적으로 연결될 수도 있다.The light emitting device 100 is disposed in the cavity C of the body 210. The light emitting device 100 is disposed on the bottom surface C 2 of the cavity C. The light emitting device 100 may be disposed on the first lead frame 221 as shown in FIG. 2 or may be disposed on the second lead frame 222 or on the body 210 have. The light emitting device 100 may be electrically connected to the first and second lead frames 221 and 222 by a wire (not shown) or may be electrically connected to any one of the lead frames (for example, the first lead frame 221) May be directly energized and electrically connected to another lead frame (for example, the second lead frame 222) by a wire.

몸체(210)의 캐비티(C)는 적어도 두 개의 발광소자(100) 중 어느 하나의 발광소자(100)가 배치되는 제1 영역(210-1), 상기 적어도 두 개의 발광소자(100) 중 다른 어느 하나의 발광소자(100)가 배치되는 제2 영역(210-2), 상기 제1 영역(210-1)과 상기 제2 영역(210-2)의 사이에 배치되는 중간 영역(210-M)을 포함한다. 캐비티(C) 내에 세 개 이상의 발광소자(100)가 존재하는 경우, 캐비티(C)는 발광소자(100)가 배치되는 제3 영역 등을 더 포함하고, 발광소자(100)가 배치되는 인접한 영역들 사이마다 중간 영역(210-M)이 배치될 수 있다. 상기 중간 영역(210-M)은 최소폭이 상기 제1 영역(210-1)의 최대폭 또는 상기 제2 영역(210-2)의 최대폭보다 작다. 이에 대해서는 도 5를 참조하여 좀 더 자세히 후술한다.The cavity C of the body 210 is divided into a first region 210-1 in which at least one of the at least two light emitting devices 100 is disposed, A second region 210-2 in which one of the light emitting devices 100 is disposed, an intermediate region 210-M disposed between the first region 210-1 and the second region 210-2, ). When the three or more light emitting devices 100 are present in the cavity C, the cavity C further includes a third region where the light emitting device 100 is disposed, The intermediate region 210-M may be disposed between the first and second regions. The minimum width of the middle area 210-M is smaller than the maximum width of the first area 210-1 or the maximum width of the second area 210-2. This will be described later in more detail with reference to FIG.

발광소자(100)는 복수의 화합물 반도체층, 예를 들어 3족-5족 또는 2족-6족 원소의 반도체층을 이용한 LED(Light Emitting Diode)를 포함하며, LED는 청색 계열, 녹색 계열 또는 적색 계열과 같은 광을 방출하는 유색 LED일 수 있다. LED의 방출 광은 다양한 반도체를 이용하여 구현될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.The light emitting device 100 includes an LED (Light Emitting Diode) using a semiconductor layer of a plurality of compound semiconductor layers, for example, a group III-V group or a group II-VI element, and the LED includes a blue light emitting diode, And may be a colored LED that emits light such as a red series. The emitted light of the LED may be implemented using various semiconductors, but is not limited thereto.

도 3은 실시예에 따른 발광소자 패키지에 적용될 수 있는 발광소자의 일 예시를 나타낸 측단면도이다.3 is a side cross-sectional view illustrating an example of a light emitting device that can be applied to the light emitting device package according to the embodiment.

도 3을 참조하면, 일 예시에 따른 발광소자(100A)는 기판(110), 상기 기판(110) 상에 위치하며 제1 반도체층(122)과 활성층(124) 및 제2 반도체층(126)을 포함하는 발광 구조물(120), 제1 반도체층(122)의 일면에 배치된 제1 전극(150) 및 제2 반도체층(126)의 일면에 배치된 제2 전극(155)을 포함한다. Referring to FIG. 3, a light emitting device 100A according to an exemplary embodiment includes a substrate 110, a first semiconductor layer 122, an active layer 124, and a second semiconductor layer 126, A first electrode 150 disposed on one side of the first semiconductor layer 122 and a second electrode 155 disposed on one side of the second semiconductor layer 126. The light emitting structure 120 includes a first electrode 120,

일 예시에 따른 발광소자(100A)는 수평형 발광소자일 수 있다. The light emitting device 100A according to one example may be a horizontal light emitting device.

수평형(Lateral) 발광소자란 발광 구조물(120)에서 제1 전극(150)과 제2 전극(155)이 동일한 방향을 향해 형성되는 구조를 의미한다. 일 예로서, 도 3을 참조하면, 제1 전극(150)과 제2 전극(155)이 발광 구조물(120)의 상부 방향으로 형성되어 있다.The lateral light emitting device means a structure in which the first electrode 150 and the second electrode 155 are formed in the same direction in the light emitting structure 120. [ Referring to FIG. 3, a first electrode 150 and a second electrode 155 are formed in an upper direction of the light emitting structure 120.

성장기판(110)은 반도체 물질 성장에 적합한 재료, 열전도성이 뛰어난 물질로 형성될 수 있다. 성장기판(110)은 예를 들어, 사파이어(Al2O3), SiC, GaAs, GaN, ZnO, Si, GaP, InP, Ge, and Ga203 중 적어도 하나를 사용할 수 있다. 성장기판(110)에 대해 습식세척을 하여 표면의 불순물을 제거할 수 있다.The growth substrate 110 may be formed of a material suitable for semiconductor material growth, a material having excellent thermal conductivity. For example, at least one of sapphire (Al 2 O 3 ), SiC, GaAs, GaN, ZnO, Si, GaP, InP, Ge, and Ga 2 O 3 may be used as the growth substrate 110. The growth substrate 110 may be wet-cleaned to remove impurities on the surface.

발광 구조물(120)은 예를 들어, 유기금속 화학 증착법(MOCVD; Metal Organic Chemical Vapor Deposition), 화학 증착법(CVD; Chemical Vapor Deposition), 플라즈마 화학 증착법(PECVD; Plasma-Enhanced Chemical Vapor Deposition), 분자선 성장법(MBE; Molecular Beam Epitaxy), 수소화물 기상 성장법(HVPE; Hydride Vapor Phase Epitaxy) 등의 방법을 이용하여 형성될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.The light emitting structure 120 may be formed using a metal organic chemical vapor deposition (MOCVD) method, a chemical vapor deposition (CVD) method, a plasma enhanced chemical vapor deposition (PECVD) method, (MBE), hydride vapor phase epitaxy (HVPE), or the like, but the present invention is not limited thereto.

발광 구조물(120)과 성장기판(110) 사이에 버퍼층(112)이 위치할 수 있다. 버퍼층(112)은 발광 구조물(120)과 성장기판(110) 재료의 격자 부정합 및 열팽창 계수의 차이를 완화하기 위한 것이다. 버퍼층(112)의 재료는 3족-5족 화합물 반도체 또는 2족-6족 화합물 반도체, 예컨대, GaN, InN, AlN, InGaN, InAlGaN, AlInN 중 적어도 하나로 형성될 수 있다. 버퍼층(112)은 발광 구조물(120)의 성장 온도보다 낮은 온도에서 성장될 수 있다.The buffer layer 112 may be positioned between the light emitting structure 120 and the growth substrate 110. The buffer layer 112 is intended to alleviate the difference in lattice mismatch and thermal expansion coefficient between the light emitting structure 120 and the growth substrate 110 material. The material of the buffer layer 112 may be at least one of a group III-V compound semiconductor or a group II-VI compound semiconductor such as GaN, InN, AlN, InGaN, InAlGaN and AlInN. The buffer layer 112 may be grown at a temperature lower than the growth temperature of the light emitting structure 120.

발광 구조물(120)은 성장기판(110)에서 멀어지는 방향으로 제1 반도체층(122), 활성층(124) 및 제2 반도체층(126)을 포함한다.The light emitting structure 120 includes a first semiconductor layer 122, an active layer 124, and a second semiconductor layer 126 in a direction away from the growth substrate 110.

제1 반도체층(122)은 반도체 화합물로 형성될 수 있으며, 예를 들어 3족-5족 또는 2족-6족 등의 화합물 반도체로 형성될 수 있다. 또한 제1 도전형 도펀트가 도핑될 수 있다. 제1 반도체층(122)이 n형 반도체층인 경우, 상기 제1 도전형 도펀트는 n형 도펀트로서 Si, Ge, Sn, Se, Te 등을 포함할 수 있으나 이에 한정되지 않는다. 제1 반도체층(122)이 p형 반도체층인 경우, 상기 제1 도전형 도펀트는 p형 도펀트로서 Mg, Zn, Ca, Sr, Ba 등을 포함할 수 있으나 이에 한정되지 않는다.The first semiconductor layer 122 may be formed of a semiconductor compound, and may be formed of a compound semiconductor, for example, a group III-V group or a group II-VI-VI. The first conductive type dopant may also be doped. When the first semiconductor layer 122 is an n-type semiconductor layer, the first conductivity type dopant may include Si, Ge, Sn, Se, Te, or the like as an n-type dopant, but is not limited thereto. When the first semiconductor layer 122 is a p-type semiconductor layer, the first conductive dopant may include Mg, Zn, Ca, Sr, and Ba as a p-type dopant, but is not limited thereto.

제1 반도체층(122)은 AlxInyGa(1-x-y)N (0≤x≤1, 0≤y≤1, 0≤x+y≤1)의 조성식을 갖는 반도체 물질을 포함할 수 있다. 제1 반도체층(122)은 GaN, InN, AlN, InGaN, AlGaN, InAlGaN, AlInN, AlGaAs, InGaAs, AlInGaAs, GaP, AlGaP, InGaP, AlInGaP, InP 중 어느 하나 이상으로 형성될 수 있다. 발광소자(100A)가 자외선 영역의 빛을 방출하는 자외선 발광소자인 경우, 제1 반도체층(122)은 Al을 포함하여 이루어질 수 있다.The first semiconductor layer 122 may include a semiconductor material having a composition formula of Al x In y Ga (1-xy) N (0? X? 1, 0? Y? 1, 0? X + have. The first semiconductor layer 122 may be formed of one or more of GaN, InN, AlN, InGaN, AlGaN, InAlGaN, AlInN, AlGaAs, InGaAs, AlInGaAs, GaP, AlGaP, InGaP, AlInGaP and InP. When the light emitting device 100A is an ultraviolet light emitting device that emits light in the ultraviolet region, the first semiconductor layer 122 may include Al.

성장기판(110)과 제1 반도체층(122) 사이에 언도프트 반도체층(114)이 배치될 수 있다. 언도프트 반도체층(114)은 제1 반도체층(122)의 결정성 향상을 위해 형성되는 층으로, 제1 반도체층(122)과 동일한 물질 또는 제1 반도체층(122)과 다른 물질로 형성될 수 있다. 언도프트 반도체층(114)에는 제1 도전형 도펀트가 도핑되지 않아 제1 반도체층(122)에 비해 낮은 전기 전도성을 나타낸다. 언도프트 반도체층(114)은 버퍼층(112)의 상부에서 제1 반도체층(122)과 접하여 배치될 수 있다. 언도프트 반도체층(114)은 버퍼층(112)의 성장 온도보다 높은 온도에서 성장되며, 버퍼층(112)에 비해 좋은 결정성을 나타낸다.The undoped semiconductor layer 114 may be disposed between the growth substrate 110 and the first semiconductor layer 122. [ The undoped semiconductor layer 114 is formed to improve crystallinity of the first semiconductor layer 122 and may be formed of the same material as the first semiconductor layer 122 or a different material from the first semiconductor layer 122 . The undoped semiconductor layer 114 is not doped with the first conductive type dopant and thus exhibits lower electrical conductivity than the first semiconductor layer 122. The undoped semiconductor layer 114 may be disposed in contact with the first semiconductor layer 122 at an upper portion of the buffer layer 112. The undoped semiconductor layer 114 grows at a temperature higher than the growth temperature of the buffer layer 112 and exhibits better crystallinity than the buffer layer 112.

제2 반도체층(126)은 반도체 화합물로 형성될 수 있으며, 예를 들어 3족-5족 또는 2족-6족 등의 화합물 반도체로 형성될 수 있다. 또한 제2 도전형 도펀트가 도핑될 수 있다. 제2 반도체층(126)이 p형 반도체층인 경우, 상기 제2 도전형 도펀트는 p형 도펀트로서 Mg, Zn, Ca, Sr, Ba 등을 포함할 수 있으나 이에 한정되지 않는다. 제2 반도체층(126)이 n형 반도체층인 경우, 상기 제2 도전형 도펀트는 n형 도펀트로서 Si, Ge, Sn, Se, Te 등을 포함할 수 있으나 이에 한정되지 않는다.The second semiconductor layer 126 may be formed of a semiconductor compound, for example, a compound semiconductor such as a group III-V element or a group II-VI element. The second conductivity type dopant may also be doped. When the second semiconductor layer 126 is a p-type semiconductor layer, the second conductive dopant may include Mg, Zn, Ca, Sr, and Ba as a p-type dopant, but is not limited thereto. When the second semiconductor layer 126 is an n-type semiconductor layer, the second conductivity type dopant may include Si, Ge, Sn, Se, Te, or the like as the n-type dopant, but is not limited thereto.

제2 반도체층(126)은 AlxInyGa(1-x-y)N (0≤x≤1, 0≤y≤1, 0≤x+y≤1)의 조성식을 갖는 반도체 물질을 포함할 수 있다. 제2 반도체층(126)은 GaN, InN, AlN, InGaN, AlGaN, InAlGaN, AlInN, AlGaAs, InGaAs, AlInGaAs, GaP, AlGaP, InGaP, AlInGaP, InP 중 어느 하나 이상으로 형성될 수 있다. 발광소자(100A)가 자외선 영역의 빛을 방출하는 자외선 발광소자인 경우, 제2 반도체층(126)은 Al을 포함하여 이루어질 수 있다.The second semiconductor layer 126 may include a semiconductor material having a composition formula of Al x In y Ga (1-xy) N (0? X? 1, 0? Y? 1, 0? X + have. The second semiconductor layer 126 may be formed of any one of GaN, InN, AlN, InGaN, AlGaN, InAlGaN, AlInN, AlGaAs, InGaAs, AlInGaAs, GaP, AlGaP, InGaP, AlInGaP and InP. When the light emitting device 100A is an ultraviolet light emitting device that emits light in the ultraviolet region, the second semiconductor layer 126 may include Al.

이하에서는, 제1 반도체층(122)이 n형 반도체층, 제2 반도체층(126)이 p현 반도체층인 경우를 예로 들어 설명한다.Hereinafter, the case where the first semiconductor layer 122 is an n-type semiconductor layer and the second semiconductor layer 126 is a p-current semiconductor layer will be described as an example.

상기 제2 반도체층(126) 상에는 제2 도전형과 반대의 극성을 갖는 반도체, 예컨대 상기 상기 제2 반도체층(126)이 p형 반도체층일 경우 n형 반도체층(미도시)을 형성할 수 있다. 이에 따라 발광 구조물(120)은 n-p 접합 구조, p-n 접합 구조, n-p-n 접합 구조, p-n-p 접합 구조 중 어느 한 구조로 구현할 수 있다.An n-type semiconductor layer (not shown) may be formed on the second semiconductor layer 126 when the semiconductor having the opposite polarity to the second conductivity type, for example, the second semiconductor layer 126 is a p-type semiconductor layer . Accordingly, the light emitting structure 120 may have any one of an n-p junction structure, a p-n junction structure, an n-p-n junction structure, and a p-n-p junction structure.

제1 반도체층(122)과 제2 반도체층(126) 사이에 활성층(124)이 위치한다.The active layer 124 is located between the first semiconductor layer 122 and the second semiconductor layer 126.

활성층(124)은 전자와 정공이 서로 만나서 활성층(발광층) 물질 고유의 에너지 밴드에 의해서 결정되는 에너지를 갖는 빛을 방출하는 층이다. 제1 반도체층(122)이 n형 반도체층이고 제2 반도체층(126)이 p형 반도체층인 경우, 상기 제1 반도체층(122)으로부터 전자가 주입되고 상기 제2 반도체층(126)으로부터 정공이 주입될 수 있다. 발광소자(100A)가 UV LED인 경우, 활성층(124)은 약 260nm 내지 405nm 영역의 파장의 빛을 방출할 수 있다.The active layer 124 is a layer in which electrons and holes meet each other to emit light having energy determined by the energy band inherent in the active layer (light emitting layer) material. When the first semiconductor layer 122 is an n-type semiconductor layer and the second semiconductor layer 126 is a p-type semiconductor layer, electrons are injected from the first semiconductor layer 122 and electrons are injected from the second semiconductor layer 126 Holes can be injected. When the light emitting device 100A is a UV LED, the active layer 124 may emit light having a wavelength of about 260 nm to 405 nm.

활성층(124)은 단일 우물 구조, 다중 우물 구조, 양자선(Quantum-Wire) 구조, 또는 양자 점(Quantum Dot) 구조 중 적어도 어느 하나로 형성될 수 있다. 예를 들어, 상기 활성층(124)은 트리메틸 갈륨 가스(TMGa), 암모니아 가스(NH3), 질소 가스(N2), 및 트리메틸 인듐 가스(TMIn)가 주입되어 다중 양자 우물 구조가 형성될 수 있으나 이에 한정되는 것은 아니다.The active layer 124 may be formed of at least one of a single well structure, a multi-well structure, a quantum-wire structure, or a quantum dot structure. For example, the active layer 124 may be formed with a multiple quantum well structure by injecting trimethylgallium gas (TMGa), ammonia gas (NH 3 ), nitrogen gas (N 2 ), and trimethyl indium gas (TMIn) But is not limited thereto.

활성층(124)이 다중 우물 구조로 형성되는 경우, 활성층(124)의 우물층/장벽층은 InGaN/GaN, InGaN/InGaN, GaN/AlGaN, InAlGaN/GaN, InGaN/AlGaN, GaAs(InGaAs)/AlGaAs, GaP(InGaP)/AlGaP 중 어느 하나 이상의 페어 구조로 형성될 수 있으나 이에 한정되지 않는다. 상기 우물층은 상기 장벽층보다 에너지 밴드갭이 작은 물질로 형성된다.InGaN / InGaN, InGaN / AlGaN, InAlGaN / GaN, InGaN / AlGaN, GaAs (InGaAs) / AlGaAs / InGaN / InGaN / InGaN / InGaN / InGaN / , GaP (InGaP) / AlGaP, but the present invention is not limited thereto. The well layer is formed of a material having an energy band gap smaller than that of the barrier layer.

제1 반도체층(122)과 활성층(124) 사이에 응력 완화층(130)이 배치될 수 있다. 응력 완화층(130)은 제1 반도체층(122)과 활성층(124) 사이의 격자 부정합을 완화하기 위한 것이다. 응력 완화층(130)은 복수 개의 우물층과 장벽층이 교대로 적층된 초격자 구조로 이루어질 수 있다. 응력 완화층(130)의 우물층/장벽층은 InGaN/GaN, InGaN/InGaN, GaN/AlGaN, InAlGaN/GaN, InGaN/AlGaN, GaAs(InGaAs)/AlGaAs, GaP(InGaP)/AlGaP 중 어느 하나 이상의 페어 구조로 형성될 수 있으나 이에 한정되지 않는다. 응력 완화층(130)의 우물층은 활성층(124)의 우물층보다 에너지 밴드갭이 큰 물질로 형성될 수 있다.The stress relieving layer 130 may be disposed between the first semiconductor layer 122 and the active layer 124. The stress relieving layer 130 is intended to alleviate the lattice mismatch between the first semiconductor layer 122 and the active layer 124. The stress relieving layer 130 may have a superlattice structure in which a plurality of well layers and barrier layers are alternately stacked. The well layer / barrier layer of the stress relieving layer 130 may be formed of any one or more of InGaN / GaN, InGaN / InGaN, GaN / AlGaN, InAlGaN / GaN, InGaN / AlGaN, GaAs (InGaAs) / AlGaAs, But the present invention is not limited thereto. The well layer of the stress relieving layer 130 may be formed of a material having an energy band gap larger than that of the well layer of the active layer 124.

제2 반도체층(126)과 활성층(124) 사이에 전자 차단층(150)이 배치될 수 있다. 실시예에 따라, 전자 차단층(Electron Blocking Layer, 150)은 제2 반도체층(126) 내에서 활성층(124)에 인접하여 배치될 수도 있다. 전자 차단층(150)은 제1 반도체층(122)에서 제공되는 전자의 이동도(mobility)가 높기 때문에, 전자가 발광에 기여하지 못하고 활성층(124)을 넘어 제2 반도체층(126)으로 빠져나가 누설 전류의 원인이 되는 것을 방지하는 전위 장벽의 역할을 한다. 전자 차단층(150)은 활성층(124)보다 큰 에너지 밴드갭을 갖는 물질로 형성되며, InxAlyGa1 -x-yN(0≤x<y<1)의 조성을 갖는 반도체 물질로 형성될 수 있다. 전자 차단층(150)에 제2 도전형 도펀트가 도핑될 수 있다.An electron blocking layer 150 may be disposed between the second semiconductor layer 126 and the active layer 124. According to an embodiment, the electron blocking layer 150 may be disposed adjacent to the active layer 124 in the second semiconductor layer 126. The electron blocking layer 150 has a high mobility of electrons provided in the first semiconductor layer 122 so that electrons do not contribute to light emission and pass through the active layer 124 to the second semiconductor layer 126 And serves as a potential barrier to prevent leakage current from being generated. The electron blocking layer 150 is formed of a material having a larger energy band gap than the active layer 124 and may be formed of a semiconductor material having a composition of In x Al y Ga 1 -xy N (0? X <y <1) have. The electron blocking layer 150 may be doped with a second conductive dopant.

발광 구조물(120)은 제2 반도체층(126)과 활성층(124) 및 제1 반도체층(122)의 일부가 식각되어 제1 반도체층(122)의 일부를 노출하는 노출면(S)을 포함한다. 상기 노출면(S) 상에 제1 전극(150)이 배치된다. 그리고, 식각되지 않은 제2 반도체층(126) 상에 제2 전극(155)이 배치된다.The light emitting structure 120 includes an exposed surface S that exposes a portion of the first semiconductor layer 122 by etching the second semiconductor layer 126, the active layer 124, and a portion of the first semiconductor layer 122 do. The first electrode 150 is disposed on the exposed surface S. The second electrode 155 is disposed on the un-etched second semiconductor layer 126.

제1 전극(150) 및 제2 전극(155)은 몰리브덴(Mo), 크롬(Cr), 니켈(Ni), 금(Au), 알루미늄(Al), 타이타늄(Ti), 백금(Pt), 바나듐(V), 텅스텐(W), 납(Pd), 구리(Cu), 로듐(Rh) 또는 이리듐(Ir) 중 적어도 하나를 포함하여 단층 또는 다층 구조로 형성될 수 있다.The first electrode 150 and the second electrode 155 may be formed of a metal such as Mo, Cr, Ni, Au, Al, Layer structure including at least one of tungsten (V), tungsten (W), lead (Pd), copper (Cu), rhodium (Rh) or iridium (Ir).

제2 전극(155)이 형성되기 전 제2 반도체층(126) 상에 도전층(157)이 형성될 수도 있다. 실시예에 따라, 제2 반도체층(126)이 노출되도록 도전층(157)의 일부가 오픈되어 제2 반도체층(126)과 제2 전극(155)이 접할 수 있다. 또는, 도 2에 도시된 바와 같이, 도전층(157)을 사이에 두고 제2 반도체층(126)과 제2 전극(155)이 전기적으로 연결될 수도 있다.The conductive layer 157 may be formed on the second semiconductor layer 126 before the second electrode 155 is formed. A portion of the conductive layer 157 may be opened to expose the second semiconductor layer 126 and the second semiconductor layer 126 and the second electrode 155 may be in contact with each other. Alternatively, as shown in FIG. 2, the second semiconductor layer 126 and the second electrode 155 may be electrically connected to each other with the conductive layer 157 therebetween.

도전층(157)은 제2 반도체층(126)의 전기적 특성을 향상시키고 제2 전극(155)과의 전기적 접촉을 개선하기 위한 것으로, 층 또는 복수의 패턴으로 형성될 수 있다. 도전층(155)은 투과성을 갖는 투명 전극층으로 형성될 수 있다.The conductive layer 157 is formed to improve the electrical characteristics of the second semiconductor layer 126 and improve the electrical contact with the second electrode 155, and may be formed in a layer or a plurality of patterns. The conductive layer 155 may be formed of a transparent electrode layer having transparency.

도전층(155)에는 투광성 전도층과 금속이 선택적으로 사용될 수 있으며, 예를 들어, ITO(indium tin oxide), IZO(indium zinc oxide), IZTO(indium zinc tin oxide), IAZO(indium aluminum zinc oxide), IGZO(indium gallium zinc oxide), IGTO(indium gallium tin oxide), AZO(aluminum zinc oxide), ATO(antimony tin oxide), GZO(gallium zinc oxide), IZON(IZO Nitride), AGZO(Al-Ga ZnO), IGZO(In-Ga ZnO), ZnO, IrOx, RuOx, NiO, RuOx/ITO, Ni/IrOx/Au, 또는 Ni/IrOx/Au/ITO, Ag, Ni, Cr, Ti, Al, Rh, Pd, Ir, Sn, In, Ru, Mg, Zn, Pt, Au, Hf 중 적어도 하나를 포함하여 형성될 수 있으나, 이러한 재료에 한정되지 않는다.The conductive layer 155 may be formed of a transparent conductive layer and a metal such as indium tin oxide (ITO), indium zinc oxide (IZO), indium zinc tin oxide (IZTO), indium aluminum zinc oxide ), IGZO (indium gallium zinc oxide), IGTO (indium gallium tin oxide), AZO (aluminum zinc oxide), ATO (antimony tin oxide), GZO (gallium zinc oxide), IZON TiO 2, Ag, Ni, Cr, Ti, Al, Rh, ZnO, IGZO (In-Ga ZnO), ZnO, IrOx, RuOx, NiO, RuOx / ITO, Ni / IrOx / Au, Pd, Ir, Sn, In, Ru, Mg, Zn, Pt, Au, and Hf.

도 4는 실시예에 따른 발광소자 패키지에 적용될 수 있는 발광소자의 다른 예시를 나타낸 측단면도이다. 상술한 내용과 중복되는 내용은 다시 설명하지 않으며, 이하에서는 차이점을 중심으로 설명한다.4 is a side cross-sectional view illustrating another example of a light emitting device that can be applied to the light emitting device package according to the embodiment. The contents overlapping with the above-mentioned contents will not be described again, and the following description will focus on the differences.

도 4를 참조하면, 다른 예시에 따른 발광소자(100B)는 제1 반도체층(122)과 활성층(124) 및 제2 반도체층(126)을 포함하는 발광 구조물(120), 제1 반도체층(122)의 일면에 배치된 제1 전극(150) 및 제2 반도체층(126)의 일면에 배치된 제2 전극층(160)을 포함한다.4, the light emitting device 100B according to another exemplary embodiment includes a light emitting structure 120 including a first semiconductor layer 122, an active layer 124 and a second semiconductor layer 126, a first semiconductor layer And a second electrode layer 160 disposed on one surface of the second semiconductor layer 126. The first electrode 150 and the second electrode layer 160 are disposed on one surface of the first electrode layer 122 and the second electrode layer 160, respectively.

일 예시에 따른 발광소자(100B)는 수직형 발광소자일 수 있다. The light emitting device 100B according to one example may be a vertical light emitting device.

수직형(Vertical) 발광소자란, 발광 구조물(120)에서 제1 전극(150)과 제2 전극층(160)이 서로 다른 방향에 각각 형성되는 구조를 의미한다. 일 예로서, 도 4를 참조하면, 발광 구조물(120)의 상부 방향으로 제1 전극(150)이 형성되고 발광 구조물(120)의 하부 방향으로 제2 전극층(160)이 형성되어 있다.The vertical light emitting device means a structure in which the first electrode 150 and the second electrode layer 160 are formed in different directions in the light emitting structure 120. Referring to FIG. 4, a first electrode 150 is formed in an upper direction of the light emitting structure 120 and a second electrode layer 160 is formed in a lower direction of the light emitting structure 120.

제1 반도체층(122)에 광추출 패턴(R)이 위치할 수 있다. 광추출 패턴(R)은 PEC(Photo enhanced chemical) 식각 방법이나 마스크 패턴을 이용한 에칭 공정 수행하여 형성할 수 있다. 광추출 패턴(R)은 활성층(124)에서 생성된 광의 외부 추출 효율을 증가시키기 위한 것으로서, 규칙적인 주기로 형성되거나 불규칙적으로 형성될 수 있다.The light extraction pattern R may be located in the first semiconductor layer 122. [ The light extraction pattern R can be formed by performing an etching process using a photo enhanced chemical (PEC) etching method or a mask pattern. The light extraction pattern R is for increasing the efficiency of extracting light generated in the active layer 124, and may be formed at regular intervals or irregularly.

제2 전극층(160)은 도전층(160a) 또는 반사층(160b) 중 적어도 어느 하나를 포함할 수 있다. 도전층(160a)은 제2 반도체층(126)의 전기적 특성을 개선하기 위한 것으로, 제2 반도체층(126)과 접하여 위치할 수 있다.The second electrode layer 160 may include at least one of a conductive layer 160a and a reflective layer 160b. The conductive layer 160a is provided to improve the electrical characteristics of the second semiconductor layer 126 and may be located in contact with the second semiconductor layer 126. [

도전층(160a)은 투명 전극층 또는 불투명 전극층으로 형성될 수 있으며, 예를 들어, ITO(indium tin oxide), IZO(indium zinc oxide), IZTO(indium zinc tin oxide), IAZO(indium aluminum zinc oxide), IGZO(indium gallium zinc oxide), IGTO(indium gallium tin oxide), AZO(aluminum zinc oxide), ATO(antimony tin oxide), GZO(gallium zinc oxide), IZON(IZO Nitride), AGZO(Al-Ga ZnO), IGZO(In-Ga ZnO), ZnO, IrOx, RuOx, NiO, RuOx/ITO, Ni/IrOx/Au, 또는 Ni/IrOx/Au/ITO, Ag, Ni, Cr, Ti, Al, Rh, Pd, Ir, Sn, In, Ru, Mg, Zn, Pt, Au, Hf 중 적어도 하나를 포함하여 형성될 수 있으며, 이러한 재료에 한정되지는 않는다.The conductive layer 160a may be formed of a transparent electrode layer or an opaque electrode layer. For example, the conductive layer 160a may include indium tin oxide (ITO), indium zinc oxide (IZO), indium zinc tin oxide (IZTO) , IGZO (indium gallium zinc oxide), IGTO (indium gallium tin oxide), AZO (aluminum zinc oxide), ATO (antimony tin oxide), GZO (gallium zinc oxide), IZON ), IGZO (In-Ga ZnO), ZnO, IrOx, RuOx, NiO, RuOx / ITO, Ni / IrOx / Au or Ni / IrOx / Au / ITO, Ag, Ni, Cr, Ti, , Ir, Sn, In, Ru, Mg, Zn, Pt, Au, and Hf.

반사층(160b)은 활성층(124)에서 생성된 빛을 반사시켜 발광소자의 내부에서 소멸되는 빛의 양을 줄임으로써, 발광소자의 외부양자효율을 향상시킬 수 있다.The reflective layer 160b may improve the external quantum efficiency of the light emitting device by reducing the amount of light that is emitted from the active layer 124 to thereby be extinguished inside the light emitting device.

반사층(160b)은 Ag, Ti, Ni, Cr 또는 AgCu 중 적어도 어느 하나를 포함할 수 있으나, 이에 한정하지 않는다. 반사층(160b)이 제2 반도체층(126)과 오믹 접촉하는 물질로 이루어진 경우, 도전층(160a)은 별도로 형성하지 않을 수 있다.The reflective layer 160b may include at least one of Ag, Ti, Ni, Cr, and AgCu, but is not limited thereto. When the reflective layer 160b is formed of a material that makes an ohmic contact with the second semiconductor layer 126, the conductive layer 160a may not be formed separately.

발광 구조물(120)은 지지기판(170)에 의해 지지된다.The light emitting structure 120 is supported by the support substrate 170.

지지기판(170)은 전기 전도성과 열 전도성이 높은 물질로 형성되며, 예를 들어, 소정의 두께를 갖는 베이스 기판(substrate)으로서, 몰리브덴(Mo), 실리콘(Si), 텅스텐(W), 구리(Cu) 또는 알루미늄(Al)로 구성되는 군으로부터 선택되는 물질 또는 이들의 합금으로 이루어질 수 있으며, 또한, 금(Au), 구리합금(Cu Alloy), 니켈(Ni), 구리-텅스텐(Cu-W), 캐리어 웨이퍼(예: GaN, Si, Ge, GaAs, ZnO, SiGe, SiC, SiGe, Ga2O3 등) 또는 전도성 시트 등을 선택적으로 포함할 수 있다.The supporting substrate 170 is formed of a material having high electrical conductivity and high thermal conductivity. For example, the supporting substrate 170 may be a base substrate having a predetermined thickness such as molybdenum (Mo), silicon (Si), tungsten (W) (Au), a copper alloy (Cu Alloy), a nickel (Ni), a copper-tungsten (Cu-Al) alloy, or a material selected from the group consisting of copper (Cu) W), carrier wafer (for example, a GaN, Si, Ge, GaAs, ZnO, SiGe, SiC, SiGe, Ga 2 O 3 , etc.) or a conductive sheet or the like may optionally be included.

발광 구조물(120)은 본딩층(175)에 의해 지지기판(170)에 본딩될 수 있다. 이 때, 발광 구조물(120)의 하부에 위치하는 제2 전극층(160)과 본딩층(175)이 접할 수 있다.The light emitting structure 120 may be bonded to the supporting substrate 170 by a bonding layer 175. At this time, the second electrode layer 160 located under the light emitting structure 120 and the bonding layer 175 can be in contact with each other.

본딩층(175)은 베리어 금속 또는 본딩 금속 등을 포함하며, 예를 들어, Ti, Au, Sn, Ni, Cr, Ga, In, Bi, Cu, Ag 또는 Ta 중 적어도 하나를 포함할 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.The bonding layer 175 may include a barrier metal or a bonding metal and may include at least one of Ti, Au, Sn, Ni, Cr, Ga, In, Bi, Cu, Ag, It is not limited thereto.

본딩층(175)은 발광 구조물(120)에 인접하여 확산 방지층(미도시)을 포함하여, 본딩층(175)에 사용된 금속 등이 상부의 발광 구조물(120) 내부로 확산되는 것을 방지할 수도 있다.The bonding layer 175 may include a diffusion barrier layer (not shown) adjacent to the light emitting structure 120 to prevent diffusion of metal or the like used in the bonding layer 175 into the upper light emitting structure 120 have.

발광 구조물(120)의 측면 및 상부면의 적어도 일부에 패시베이션층(180)이 배치될 수 있다.A passivation layer 180 may be disposed on at least a portion of the side and top surfaces of the light emitting structure 120.

패시베이션층(180)은 산화물 또는 질화물로 이루어져 발광 구조물(120)을 보호할 수 있다. 일 예로서, 패시베이션층(180)은 실리콘 산화물(SiO2)층, 실리콘 질화물층, 산화 질화물층, 또는 산화 알루미늄층으로 이루어질 수 있으나, 이에 한정하지 않는다.The passivation layer 180 may be made of an oxide or a nitride to protect the light emitting structure 120. As an example, the passivation layer 180 may comprise, but is not limited to, a silicon oxide (SiO 2 ) layer, a silicon nitride layer, an oxynitride layer, or an aluminum oxide layer.

도시하지는 않았으나, 발광 구조물(120)의 상부면에도 패시베이션층(180)이 위치하는 경우, 상기 패시베이션층(180)에 광추출 패턴(R)이 형성될 수도 있다.Although not shown, a light extracting pattern R may be formed on the passivation layer 180 when the passivation layer 180 is also located on the upper surface of the light emitting structure 120.

도 2를 다시 참조하면, 제1,2 리드 프레임(221, 222)은 몸체(210)와 접하는 부분에 홈부(P)를 포함할 수 있다. 예를 들어, 제1,2 리드 프레임(221, 222)은 몸체(210)와 접하는 하부 모서리에 홈부(P)를 포함할 수 있다. 홈부(P)는 사출에 의한 몸체(210)의 형성 과정에서 몸체(210)를 구성하는 물질의 흐름성을 좋게 하며, 제1,2 리드 프레임(221, 222)과 몸체(210)의 부착력을 강화할 수 있다.Referring to FIG. 2 again, the first and second lead frames 221 and 222 may include a groove P at a portion contacting the body 210. For example, the first and second lead frames 221 and 222 may include a groove P at a bottom edge thereof contacting the body 210. The groove P improves the flowability of the material constituting the body 210 in the process of forming the body 210 by injection and increases the adhesion force between the first and second lead frames 221 and 222 and the body 210 Can be strengthened.

발광소자(100)를 포위하도록 몰딩부(230)가 배치된다. 몰딩부(230)는 몸체(210)의 캐비티(C) 내에 형성되며, 일부는 캐비티(C)의 외부로 돌출되어 형성될 수도 있다.The molding part 230 is disposed so as to surround the light emitting device 100. The molding part 230 may be formed in the cavity C of the body 210 and a part of the molding part 230 may protrude out of the cavity C.

몰딩부(230)는 물리적 및 화학적 충격으로부터 발광소자(100)와 와이어(미도시) 등을 보호하며, 발광소자(100)가 이탈되는 것을 방지할 수 있다. 몰딩부(250)는 투명한 재질로 이루어지며, 실리콘 수지 등을 포함하여 이루어질 수 있다. 몰딩부(230)는 형광체(232)를 포함하여 발광소자(100)에서 방출된 광의 파장을 변환시킬 수 있다.The molding part 230 protects the light emitting device 100 and the wires (not shown) from physical and chemical impacts, and can prevent the light emitting device 100 from being detached. The molding part 250 is made of a transparent material, and may include a silicone resin or the like. The molding part 230 may include a phosphor 232 to convert the wavelength of light emitted from the light emitting device 100.

형광체(232)는 가넷(Garnet)계 형광체, 실리케이트(Silicate)계 형광체, 니트라이드(Nitride)계 형광체, 또는 옥시니트라이드(Oxynitride)계 형광체를 포함할 수 있다.The phosphor 232 may include a garnet-based phosphor, a silicate-based phosphor, a nitride-based phosphor, or an oxynitride-based phosphor.

예를 들어, 상기 가넷계 형광체는 YAG(Y3Al5O12:Ce3 +) 또는 TAG(Tb3Al5O12:Ce3 +)일 수 있고, 상기 실리케이트계 형광체는 (Sr,Ba,Mg,Ca)2SiO4:Eu2 +일 수 있고, 상기 니트라이드계 형광체는 SiN을 포함하는 CaAlSiN3:Eu2 +일 수 있고, 상기 옥시니트라이드계 형광체는 SiON을 포함하는 Si6 - xAlxOxN8 -x:Eu2 +(0<x<6)일 수 있다.For example, the garnet-base phosphor is YAG (Y 3 Al 5 O 12 : Ce 3 +) or TAG: may be a (Tb 3 Al 5 O 12 Ce 3 +), wherein the silicate-based phosphor is (Sr, Ba, Mg, Ca) 2 SiO 4 : Eu 2 + , and the nitride phosphor may be CaAlSiN 3 : Eu 2 + containing SiN, and the oxynitride phosphor may be Si 6 - x Al x O x N 8 -x: Eu 2 + (0 <x <6) can be.

도 5는 실시예에 따른 발광소자 패키지의 평면도이다. 상술한 내용과 중복되는 내용은 다시 설명하지 않으며, 이하에서는 몸체(210)의 캐비티(C)의 형태를 중심으로 설명한다.5 is a plan view of a light emitting device package according to an embodiment. Hereinafter, the shape of the cavity C of the body 210 will be mainly described.

몸체(210)는 측면(C1)과 바닥면(C2)으로 이루어진 캐비티(C)를 포함한다. 캐비티(C) 내에는 적어도 두 개의 발광소자(100)가 제1 방향을 따라 이격되어 배치된다.The body 210 includes a cavity C made up of a side surface C 1 and a bottom surface C 2 . In the cavity C, at least two light emitting devices 100 are disposed apart from each other in the first direction.

캐비티(C)의 바닥면(C2)은 제2 방향에 나란한 적어도 두 개의 최대폭(D2), 상기 제2 방향과 나란하며 두 개의 최대폭(D2) 사이에 배치되는 적어도 하나의 최소폭(D1)을 갖는다. 제1 방향과 제2 방향은 서로 수직하며, 제1 방향은 x축의 방향, 제2 방향은 y축의 방향일 수 있다.The bottom surface C 2 of the cavity C has at least two maximum widths D 2 parallel to the second direction and at least one minimum width D 2 arranged between the two maximum widths D 2 , D 1 ). The first direction and the second direction may be perpendicular to each other, the first direction may be the x-axis direction, and the second direction may be the y-axis direction.

캐비티(C)의 바닥면(C2)은 제2 방향의 폭이 일정하지 않고 서로 다른 부분이 존재하며, 두 개의 최대폭(D2) 및 상기 두 개의 최대폭(D2) 사이의 최소폭(D1)을 적어도 포함한다. The bottom surface of the cavity (C) (C 2) is first, and the different parts without the two-direction width constant is present, two maximum width (D 2) and said two maximum width (D 2) the minimum width between (D 1 ).

두 개의 발광소자(100) 중 어느 하나의 발광소자(100)가 배치되는 제1 영역(210-1)에 최대폭(D2)을 갖는 캐비티(C)의 바닥면(C2)이 포함되고, 두 개의 발광소자(100) 중 다른 어느 하나의 발광소자(100)가 배치되는 제2 영역(210-2)에 최대폭(D2)을 갖는 캐비티(C)의 바닥면(C2)이 포함되며, 발광소자(100)가 배치되지 않는 중간 영역(210-M)에 최소폭(D1)을 갖는 캐비티(C)의 바닥면(C2)이 포함된다. 즉, 제1,2 영역(210-1, 210-2)이란 최대폭(D2)을 갖는 캐비티(C)의 바닥면(C2)이 포함된 임의의 영역을 의미하고, 중간 영역(210-M)이란 최소폭(D1)을 갖는 캐비티(C)의 바닥면(C2)이 포함된 임의의 영역을 의미하고, 제1,2 영역(210-1, 210-2) 간의 구별은 이들의 중간에 배치되는 중간 영역(210-M)에 의해 구분될 수 있다.The bottom surface C 2 of the cavity C having the maximum width D 2 is included in the first region 210-1 in which any one of the two light emitting devices 100 is disposed, The bottom surface C 2 of the cavity C having the maximum width D 2 is included in the second region 210-2 in which the other one of the two luminous means 100 is disposed And the bottom surface C 2 of the cavity C having the minimum width D 1 in the intermediate region 210-M where the light emitting element 100 is not disposed. That is, the first and second areas 210-1 and 210-2 refer to an arbitrary area including the bottom surface C 2 of the cavity C having the maximum width D 2 , M means an arbitrary region including the bottom surface C 2 of the cavity C having the minimum width D 1 and the distinction between the first and second regions 210-1 and 210-2 is made by these And an intermediate area 210-M disposed in the middle of the area 210-M.

실시예에 따르면, 발광소자(100)가 존재하는 영역에서는 바닥면(C2)의 폭을 넓게 하여 발광소자(100)와 캐비티(C)의 측면(C1) 사이에 소정 거리를 확보함으로써 발광소자(100)에서 발생된 열에 의해 몸체(210)가 변색되거나 변질되는 것을 방지하고, 발광소자(100)가 존재하지 않는 영역에서는 바닥면(C2)의 폭을 좁게 하여 발광소자(100)와 캐비티(C)의 측면(C1) 사이의 거리를 좁힘으로써 발광소자(100)에서 방출된 광이 캐비티(C)의 측면(C1)에서 반사되도록 하여 광추출 효율을 향상시킬 수 있다.The width of the bottom surface C 2 can be increased to secure a predetermined distance between the light emitting device 100 and the side surface C 1 of the cavity C in the region where the light emitting device 100 is present, It is possible to prevent the body 210 from being discolored or deteriorated by the heat generated in the element 100 and reduce the width of the bottom surface C 2 in the region where the light emitting element 100 is not present, The distance between the side faces C 1 of the cavity C is narrowed so that the light emitted from the light emitting device 100 is reflected on the side face C 1 of the cavity C to improve the light extraction efficiency.

두 개의 최대폭(D2)을 갖는 캐비티(C)의 바닥면(C2) 중 어느 하나의 바닥면(C2)에 발광소자(100)가 배치된다. 두 개의 최대폭(D2)을 갖는 캐비티(C)의 바닥면(C2) 중 다른 어느 하나의 바닥면(C2)에는 발광소자(100)가 배치되지 않을 수도 있다. 예를 들어, 제2 영역(210-2)에서는 최대폭(D2)을 갖는 캐비티(C)의 바닥면(C2)과 발광소자(100)의 위치가 정확히 대응되지 않고, 최대폭(D2)을 갖는 캐비티(C)의 바닥면(C2)에 인접한 바닥면(C2)에 발광소자(100)가 배치될 수 있다. 실시예에 따라, 제2 영역(210-2)에서 최대폭(D2)을 갖는 캐비티(C)의 바닥면(C2)은 제1,2 리드 프레임(221, 222)을 전기적으로 분리하는 전극 분리 영역(210a)일 수 있다. 최소폭(D1)을 갖는 캐비티(C)의 바닥면(C2)에는 발광소자(100)가 배치되지 않는다.The light emitting device 100 is disposed on one of the bottom surfaces C 2 of the bottom surface C 2 of the cavity C having the two largest widths D 2 . The bottom surface of the cavity (C) having two maximum width (D 2) (C 2) of the other one of the bottom surface (C 2), there may not be disposed with a light-emitting element 100. The For example, the second area (210-2), the maximum width (D 2), the cavity (C) a bottom surface (C 2) and the light emitting element does not exactly correspond to the position of 100 in which, the maximum width (D 2) The light emitting device 100 may be disposed on the bottom surface C 2 adjacent to the bottom surface C 2 of the cavity C having the light emitting device 100. The bottom surface C 2 of the cavity C having the maximum width D 2 in the second region 210-2 is electrically connected to the electrodes 210 and 220 electrically isolating the first and second lead frames 221 and 222 And may be an isolation region 210a. The light emitting device 100 is not disposed on the bottom surface C 2 of the cavity C having the minimum width D 1 .

실시예에 따라, 세 개의 발광소자(100)가 존재하는 경우, 캐비티(C)의 바닥면(C2)은 세 개의 최대폭(D2)과, 인접한 두 개의 최대폭(D2) 사이에 존재하는 두 개의 최소폭(D1)을 가질 수 있다.According to an embodiment, existing between the three light emitting elements 100 a, if present, the bottom of the cavity (C) (C 2) has three maximum width (D 2) and, two maximum width adjacent (D 2) And may have two minimum widths (D 1 ).

두 개의 최대폭(D2) 중 어느 하나의 최대폭(D2)과 상기 최소폭(D1) 사이의 거리는, 두 개의 최대폭(D2) 중 다른 어느 하나의 최대폭(D2)과 상기 최소폭(D1) 사이의 거리는 동일할 수 있다. 죽, 캐비티(C)는 상기 최소폭(D1)을 기준으로 좌우 대칭을 이룰 수 있다.Two maximum width (D 2) of any one of the maximum width (D 2) and the minimum width (D 1) the distance, two maximum width (D 2) of the other one the maximum width of (D 2) and the minimum width between ( D 1 ) may be the same. And the cavity C may be symmetrical with respect to the minimum width D 1 .

캐비티(C)의 바닥면(C2)의 최대폭(D2)과 최소폭(D1)은 발광소자(100)에서 방출된 광의 추출 효율 및 발광소자(100)에서 발생된 열에 의한 신뢰성 측면을 고려하여 결정될 수 있다.The maximum width D 2 and the minimum width D 1 of the bottom surface C 2 of the cavity C are the same as the extraction efficiency of the light emitted from the light emitting element 100 and the reliability due to heat generated in the light emitting element 100 . &Lt; / RTI &gt;

실시예에 따라, 최소폭(D1)을 1이라 할 때, 최대폭(D2)은 1.1~1.5일 수 있다. 최대폭(D2)의 비가 1.1보다 작을 경우 캐비티(C)의 폭의 변화에 따른 광추출 효율 및 신뢰성 향상의 효과가 미미하고, 최대폭(D2)의 비가 1.5보다 클 경우 광추출 효율이 저하되어 광속이 저하될 수 있다.According to the embodiment, when the minimum width D 1 is 1, the maximum width D 2 may be 1.1 to 1.5. When the ratio of the maximum width D 2 is less than 1.1, the effect of improving the light extraction efficiency and the reliability according to the width of the cavity C is insignificant. When the ratio of the maximum width D 2 is larger than 1.5, The light flux may be lowered.

실시예에 따라, 발광소자(100) 각각의 제2 방향의 폭이 A일 때, 최소폭(D1)은 A+200um 내지 A+400um일 수 있다. 최소폭(D1)이 A+300um보다 작을 경우 몸체(210)의 형성시 공정 능력이 저하되며, 최소폭(D1)이 A+500um보다 클 경우 광추출 효율이 저하되어 광속이 저하될 수 있다.According to an embodiment, when the width of each of the light emitting elements 100 in the second direction is A, the minimum width D 1 may be A + 200um to A + 400um. If the minimum width D 1 is smaller than A + 300 μm, the process capability in forming the body 210 is lowered. If the minimum width D 1 is larger than A + 500 μm, the light extraction efficiency is lowered, have.

실시예에 따라, 발광소자(100) 각각의 제2 방향의 폭이 A일 때, 최대폭(D2)은 A+300um 내지 A+500um일 수 있다. 최대폭(D2)이 A+300um보다 작을 경우 발광소자(100)에서 발생된 열에 의해 몸체(210)가 변색되거나 변질될 수 있고, 최대폭(D2)이 A+500um보다 클 경우 광추출 효율이 저하되어 광속이 저하될 수 있다.According to an embodiment, when the width of each of the light emitting devices 100 in the second direction is A, the maximum width D 2 may be A + 300um to A + 500um. When the maximum width D 2 is less than A + 300 μm, the body 210 may be discolored or deteriorated by the heat generated from the light emitting device 100. If the maximum width D 2 is larger than A + 500 μm, And the light flux may be lowered.

도 2에는 일 예로서, 캐비티(C)의 바닥면(C1)이 라운드 형상인 것으로 도시하였으나, 실시예에 따라, 캐비티(C)의 바닥면(C1)의 형상은 최소폭(D1)과 적어도 두 개의 최대폭(D2)을 갖는 범위 내에서 얼마든지 달라질 수 있다.Fig. By way of example 2, the bottom surface of the cavity (C) (C 1) is round-shaped as but showing, in accordance with an embodiment, the shape of the bottom surface of the cavity (C) (C 1) has a minimum width (D 1 ) And at least two maximum widths (D &lt; 2 &gt;).

도 6은 실시예에 따른 발광소자 패키지의 측 단면도이다. 도 6의 (a)는 도 2의 발광소자 패키지를 XX 방향에서 절단하여 측면에서 바라본 단면도이고, 도 6의 (b)는 도 2의 발광소자 패키지를 YY 방향에서 절단하여 측면에서 바라본 단면도이다. 상술한 내용과 중복되는 내용은 다시 설명하지 않으며, 이하에서는 몸체(210)의 캐비티(C)의 형태를 중심으로 설명한다.6 is a side sectional view of the light emitting device package according to the embodiment. 6A is a cross-sectional view of the light emitting device package of FIG. 2 cut along the XX direction, and FIG. 6B is a cross-sectional view of the light emitting device package of FIG. 2 cut along the YY direction. Hereinafter, the shape of the cavity C of the body 210 will be mainly described.

캐비티(C)의 측면(C1)은 경사면으로 이루어지며, 바닥면(C2)과 둔각을 이룬다.The side surface C 1 of the cavity C is formed of an inclined surface and forms an obtuse angle with the bottom surface C 2 .

도 6을 참조하면, 최소폭(D1)을 갖는 캐비티(C)의 바닥면(C2)에서 바닥면(C2)과 측면(C1)이 이루는 각도가 θ1, 최대폭(D2)을 갖는 캐비티(C)의 바닥면(C2)에서 바닥면(C2)과 측면(C1)이 이루는 각도가 θ2이다.6, the angle formed by the bottom surface C 2 and the side surface C 1 on the bottom surface C 2 of the cavity C having the minimum width D 1 is θ 1 , the maximum width D 2 , The angle formed by the bottom surface C 2 and the side surface C 1 on the bottom surface C 2 of the cavity C having the convex surface is θ 2 .

캐비티(C)의 바닥면(C2)의 최대폭(D2)이 최소폭(D1)보다 크므로, 최대폭(D2)을 갖는 캐비티(C)의 바닥면(C2)에서 바닥면(C2)과 측면(C1)이 이루는 각도(θ2)가 최소폭(D1)을 갖는 캐비티(C)의 바닥면(C2)에서 바닥면(C2)과 측면(C1)이 이루는 각도(θ1)보다 작다(θ2<θ1). 실시예에 따르면, 발광소자(100)와 이격되어 배치된 최소폭(D1)을 갖는 캐비티(C)의 바닥면(C2)에서 바닥면(C2)과 측면(C1)이 이루는 각도(θ1)가 상대적으로 크게 설정됨으로써 발광소자(100)에서 방출된 광을 반사시켜 캐비티(C)의 외부로 향하게 함으로써 광추출 효율을 향상시킬 수 있다.The maximum width D 2 of the bottom surface C 2 of the cavity C is larger than the minimum width D 1 so that the bottom surface C 2 of the cavity C having the maximum width D 2 is the bottom surface C 2) and side (C 1) a bottom surface at a bottom surface (C 2) of the cavity (C) is the angle (θ 2) forms with a minimum width (D 1) (C 2) and side (C 1) is Is smaller than the angle? 1 (? 2 <? 1 ). The angle formed by the bottom surface C 2 and the side surface C 1 at the bottom surface C 2 of the cavity C having the minimum width D 1 disposed apart from the light emitting device 100 the light extraction efficiency can be improved by reflecting the light emitted from the light emitting device 100 and directing the light to the outside of the cavity C by setting the angle θ 1 to be relatively large.

최대폭(D2)을 갖는 캐비티(C)의 바닥면(C2)에서 바닥면(C2)과 측면(C1)이 이루는 각도(θ2)와 최소폭(D1)을 갖는 캐비티(C)의 바닥면(C2)에서 바닥면(C2)과 측면(C1)이 이루는 각도(θ1)는 최대폭(D2)과 최소폭(D1)의 크기에 따라 달라질 수 있으며 광추출 효율과 열에 의한 신뢰성 측면을 고려하여 설정될 수 있다.The maximum width (D 2) to the floor at the bottom surface (C 2) of the cavity (C) face having (C 2) and side (C 1) a cavity having an angle (θ 2) with a minimum width (D 1) that make (C ) the bottom surface (the bottom surface in the C 2) in (C 2) and side (C 1), the angle (θ 1) forming the maximum width (D 2) and will vary according to the size of the minimum width (D 1), and extracting light Can be set in consideration of the efficiency and reliability in terms of heat.

실시예에 따라, 최대폭(D2)을 갖는 캐비티(C)의 바닥면(C2)에서 바닥면(C2)과 측면(C1)이 이루는 각도(θ2)를 1이라 할 때, 최소폭(D1)을 갖는 캐비티(C)의 바닥면(C2)에서 바닥면(C2)과 측면(C1)이 이루는 각도(θ1)는 1.1~1.3일 수 있다. 최소폭(D1)을 갖는 캐비티(C)의 바닥면(C2)에서 바닥면(C2)과 측면(C1)이 이루는 각도(θ1)의 비가 1.1보다 작을 경우 캐비티(C)의 폭의 변화에 따른 광추출 효율 및 신뢰성 향상의 효과가 미미하고, 최소폭(D1)을 갖는 캐비티(C)의 바닥면(C2)에서 바닥면(C2)과 측면(C1)이 이루는 각도(θ1)의 비가 1.3보다 클 경우 광추출 효율이 저하되어 광속이 저하될 수 있다.According to the embodiment, when the angle? 2 formed by the bottom surface C 2 and the side surface C 1 on the bottom surface C 2 of the cavity C having the maximum width D 2 is 1, The angle? 1 between the bottom surface C 2 and the side surface C 1 of the bottom surface C 2 of the cavity C having the width D 1 may be 1.1 to 1.3. When the ratio of the angle? 1 formed by the bottom surface C 2 to the side surface C 1 on the bottom surface C 2 of the cavity C having the minimum width D 1 is less than 1.1, The effect of improving the light extraction efficiency and reliability according to the width is small and the bottom surface C 2 and the side surface C 1 of the bottom surface C 2 of the cavity C having the minimum width D 1 If the ratio of the angle? 1 is larger than 1.3, the light extraction efficiency may be lowered and the light flux may be lowered.

상술한 바와 같이, 실시예에 따르면 발광소자(100)가 배치된 캐비티(C)의 바닥면(C2)의 폭을 넓게 하여 열에 의한 신뢰성 저하를 방지하고, 발광소자(100)가 배치되지 않은 캐비티(C)의 바닥면(C2)의 폭을 좁게 하여 반사에 의한 광추출 효율을 향상시킬 수 있다.As described above, according to the embodiment, the bottom surface C 2 of the cavity C in which the light emitting device 100 is disposed can be widened to prevent a decrease in reliability due to heat, The width of the bottom surface C 2 of the cavity C can be narrowed to improve the light extraction efficiency due to reflection.

도 7은 실시예에 따른 발광소자 패키지가 배치된 헤드램프의 일실시예를 도시한 도면이다.7 is a view illustrating an embodiment of a headlamp in which a light emitting device package according to an embodiment is disposed.

도 7을 참조하면, 실시예에 따른 발광소자 패키지가 배치된 발광 모듈(710)에서 방출된 빛이 리플렉터(720)와 쉐이드(730)에서 반사된 후 렌즈(740)를 투과하여 차체 전방을 향할 수 있다.7, the light emitted from the light emitting module 710 in which the light emitting device package according to the embodiment is disposed is reflected by the reflector 720 and the shade 730, and then transmitted through the lens 740 to face the front of the vehicle body .

상기 발광 모듈(710)은 회로기판 상에 발광소자 패키지가 복수 개로 탑재될 수 있으며, 이에 대해 한정하지 않는다.The light emitting module 710 may include a plurality of light emitting device packages on a circuit board, but the present invention is not limited thereto.

도 8은 실시예에 따른 발광소자 패키지가 배치된 표시장치의 일실시예를 도시한 도면이다.FIG. 8 is a diagram illustrating a display device in which a light emitting device package according to an embodiment is disposed.

도 8을 참조하면, 실시예에 따른 표시장치(800)는 발광 모듈(830, 835)과, 바텀 커버(810) 상의 반사판(820)과, 상기 반사판(820)의 전방에 배치되며 상기 발광 모듈에서 방출되는 빛을 표시장치 전방으로 가이드하는 도광판(840)과, 상기 도광판(840)의 전방에 배치되는 제1 프리즘시트(850)와 제2 프리즘시트(860)와, 상기 제2 프리즘시트(860)의 전방에 배치되는 패널(870)과 상기 패널(870)의 전반에 배치되는 컬러필터(880)를 포함하여 이루어진다.8, the display device 800 according to the embodiment includes a light emitting module 830 and 835, a reflection plate 820 on the bottom cover 810, and a reflection plate 820 disposed in front of the reflection plate 820, A first prism sheet 850 and a second prism sheet 860 disposed in front of the light guide plate 840 and a second prism sheet 860 disposed in front of the light guide plate 840, A panel 870 disposed in front of the panel 870 and a color filter 880 disposed in the front of the panel 870.

발광 모듈은 회로 기판(830) 상의 상술한 발광소자 패키지(835)를 포함하여 이루어진다. 여기서, 회로 기판(830)은 PCB 등이 사용될 수 있고, 발광소자 패키지(835)는 상술한 바와 같다.The light emitting module includes the above-described light emitting device package 835 on the circuit board 830. Here, the circuit board 830 may be a PCB or the like, and the light emitting device package 835 is as described above.

상기 바텀 커버(810)는 표시 장치(800) 내의 구성 요소들을 수납할 수 있다. 상기 반사판(820)은 본 도면처럼 별도의 구성요소로 마련될 수도 있고, 상기 도광판(840)의 후면이나, 상기 바텀 커버(810)의 전면에 반사도가 높은 물질로 코팅되는 형태로 마련되는 것도 가능하다.The bottom cover 810 may house the components in the display device 800. The reflection plate 820 may be formed as a separate component as shown in the drawing, or may be formed to be coated on the rear surface of the light guide plate 840 or on the front surface of the bottom cover 810 with a highly reflective material Do.

여기서, 반사판(820)은 반사율이 높고 초박형으로 사용 가능한 소재를 사용할 수 있고, 폴리에틸렌 테레프탈레이트(PolyEthylene Terephtalate; PET)를 사용할 수 있다.Here, the reflection plate 820 can be made of a material having a high reflectance and can be used in an ultra-thin shape, and polyethylene terephthalate (PET) can be used.

도광판(840)은 발광소자 패키지 모듈에서 방출되는 빛을 산란시켜 그 빛이 액정 표시 장치의 화면 전영역에 걸쳐 균일하게 분포되도록 한다. 따라서, 도광판(830)은 굴절률과 투과율이 좋은 재료로 이루어지는데, 폴리메틸메타크릴레이트(PolyMethylMethAcrylate; PMMA), 폴리카보네이트(PolyCarbonate; PC), 또는 폴리에틸렌(PolyEthylene; PE) 등으로 형성될 수 있다. 그리고, 도광판이 생략되어 반사시트(820) 위의 공간에서 빛이 전달되는 에어 가이드 방식도 가능하다.The light guide plate 840 scatters light emitted from the light emitting device package module so that the light is uniformly distributed over the entire screen area of the LCD. Accordingly, the light guide plate 830 is made of a material having a good refractive index and transmittance. The light guide plate 830 may be formed of polymethyl methacrylate (PMMA), polycarbonate (PC), or polyethylene (PE). An air guide system is also available in which the light guide plate is omitted and light is transmitted in a space above the reflective sheet 820.

상기 제1 프리즘 시트(850)는 지지필름의 일면에, 투광성이면서 탄성을 갖는 중합체 재료로 형성되는데, 상기 중합체는 복수 개의 입체구조가 반복적으로 형성된 프리즘층을 가질 수 있다. 여기서, 상기 복수 개의 패턴은 도시된 바와 같이 마루와 골이 반복적으로 스트라이프 타입으로 구비될 수 있다.The first prism sheet 850 is formed on one side of the support film with a transparent and elastic polymeric material, and the polymer may have a prism layer in which a plurality of steric structures are repeatedly formed. As shown in the drawings, the plurality of patterns may be repeatedly provided with a stripe pattern.

상기 제2 프리즘 시트(860)에서 지지필름 일면의 마루와 골의 방향은, 상기 제1 프리즘 시트(850) 내의 지지필름 일면의 마루와 골의 방향과 수직할 수 있다. 이는 발광 모듈과 반사시트로부터 전달된 빛을 상기 패널(870)의 전방향으로 고르게 분산하기 위함이다.In the second prism sheet 860, the edges and the valleys on one surface of the support film may be perpendicular to the edges and the valleys on one surface of the support film in the first prism sheet 850. This is to uniformly distribute the light transmitted from the light emitting module and the reflective sheet in all directions of the panel 870.

본 실시예에서 상기 제1 프리즘시트(850)과 제2 프리즘시트(860)가 광학시트를 이루는데, 상기 광학시트는 다른 조합 예를 들어, 마이크로 렌즈 어레이로 이루어지거나 확산시트와 마이크로 렌즈 어레이의 조합 또는 하나의 프리즘 시트와 마이크로 렌즈 어레이의 조합 등으로 이루어질 수 있다.In the present embodiment, the first prism sheet 850 and the second prism sheet 860 form an optical sheet, which may be formed of other combinations, for example, a microlens array or a diffusion sheet and a microlens array Or a combination of one prism sheet and a microlens array, or the like.

상기 패널(870)은 액정 표시 패널(Liquid crystal display)가 배치될 수 있는데, 액정 표시 패널(860) 외에 광원을 필요로 하는 다른 종류의 디스플레이 장치가 구비될 수 있다.A liquid crystal display (LCD) panel may be disposed on the panel 870. In addition to the liquid crystal display panel 860, other types of display devices requiring a light source may be provided.

상기 패널(870)은, 유리 바디 사이에 액정이 위치하고 빛의 편광성을 이용하기 위해 편광판을 양 유리바디에 올린 상태로 되어있다. 여기서, 액정은 액체와 고체의 중간적인 특성을 가지는데, 액체처럼 유동성을 갖는 유기분자인 액정이 결정처럼 규칙적으로 배열된 상태를 갖는 것으로, 상기 분자 배열이 외부 전계에 의해 변화되는 성질을 이용하여 화상을 표시한다.In the panel 870, the liquid crystal is positioned between the glass bodies, and the polarizing plate is placed on both glass bodies to utilize the polarization of light. Here, the liquid crystal has an intermediate property between a liquid and a solid, and liquid crystals, which are organic molecules having fluidity like a liquid, are regularly arranged like crystals. The liquid crystal has a structure in which the molecular arrangement is changed by an external electric field And displays an image.

표시장치에 사용되는 액정 표시 패널은, 액티브 매트릭스(Active Matrix) 방식으로서, 각 화소에 공급되는 전압을 조절하는 스위치로서 트랜지스터를 사용한다.A liquid crystal display panel used in a display device is an active matrix type, and a transistor is used as a switch for controlling a voltage supplied to each pixel.

상기 패널(870)의 전면에는 컬러 필터(880)가 구비되어 상기 패널(870)에서 투사된 빛을, 각각의 화소마다 적색과 녹색 및 청색의 빛만을 투과하므로 화상을 표현할 수 있다.A color filter 880 is provided on the front surface of the panel 870 so that light projected from the panel 870 transmits only red, green, and blue light for each pixel.

이상과 같이 실시예는 비록 한정된 실시예와 도면에 의해 설명되었으나, 본 발명은 상기의 실시예에 한정되는 것은 아니며, 본 발명이 속하는 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 이러한 기재로부터 다양한 수정 및 변형이 가능하다.While the present invention has been particularly shown and described with reference to exemplary embodiments thereof, it is to be understood that the invention is not limited to the disclosed embodiments, but, on the contrary, This is possible.

그러므로, 본 발명의 범위는 설명된 실시예에 국한되어 정해져서는 아니되며, 후술하는 특허청구범위뿐 아니라 이 특허청구범위와 균등한 것들에 의해 정해져야 한다.Therefore, the scope of the present invention should not be limited to the described embodiments, but should be determined by the equivalents of the claims, as well as the claims.

200: 발광소자 패키지 210: 몸체
221: 제1 리드 프레임 222: 제2 리드 프레임
230: 몰딩부 710: 발광 모듈
720: 리플렉터 730: 쉐이드
800: 표시장치 810: 바텀 커버
820: 반사판 840: 도광판
850: 제1 프리즘시트 860: 제2 프리즘시트
870: 패널 880: 컬러필터200: light emitting device package 210: body
221: first lead frame 222: second lead frame
230: molding part 710: light emitting module
720: Reflector 730: Shade
800: Display device 810: Bottom cover
820: reflector 840: light guide plate
850: first prism sheet 860: second prism sheet
870: Panel 880: Color filter

Claims (11)

측벽과 바닥면으로 이루어진 캐비티를 갖는 몸체;
상기 몸체에 배치되는 제1 리드 프레임과 제2 리드 프레임; 및
상기 캐비티 내에 배치되며 상기 제1,2 리드 프레임과 전기적으로 연결되는 적어도 두 개의 발광소자;를 포함하고,
상기 적어도 두 개의 발광소자는 제1 방향을 따라 이격되어 배치되고,
상기 캐비티의 바닥면은 상기 제1 방향과 수직인 제2 방향에 나란한 적어도 두 개의 최대폭, 상기 제2 방향에 나란하며 상기 두 개의 최대폭 사이에 배치되는 적어도 하나의 최소폭을 갖는 발광소자 패키지.A body having a cavity made up of side walls and a bottom surface;
A first lead frame and a second lead frame disposed on the body; And
And at least two light emitting elements disposed in the cavity and electrically connected to the first and second lead frames,
Wherein the at least two light emitting elements are disposed apart from each other in the first direction,
Wherein a bottom surface of the cavity has at least two maximum widths parallel to a second direction perpendicular to the first direction, and at least one minimum width arranged between the two maximum widths in the second direction. 제 1 항에 있어서,
상기 캐비티는 상기 최대폭을 갖는 바닥면이 측벽과 이루는 각도가 상기 최소폭을 갖는 바닥면이 측벽과 이루는 각도보다 작은 발광소자 패키지.The method according to claim 1,
Wherein the cavity has an angle formed by the bottom surface having the maximum width with the side wall is smaller than an angle formed between the bottom surface having the minimum width and the side wall. 제 2 항에 있어서,
상기 캐비티는 상기 최대폭을 갖는 바닥면이 측벽과 이루는 각도를 1이라 할 때, 상기 최소폭을 갖는 바닥면이 측벽과 이루는 각도는 1.1~1.3인 발광소자 패키지.3. The method of claim 2,
Wherein the cavity has an angle formed by the bottom surface having the maximum width with the side wall is 1 and an angle between the bottom surface having the minimum width and the side wall is 1.1 to 1.3. 제 1 항에 있어서,
상기 적어도 두 개의 발광소자 각각의 제2 방향의 폭이 A일 때, 상기 최대폭은 A+300um 내지 A+500um인 발광소자 패키지.The method according to claim 1,
And the maximum width is A + 300um to A + 500um when the width of the at least two light emitting elements in the second direction is A. 제 1 항에 있어서,
상기 적어도 두 개의 발광소자 각각의 제2 방향의 폭이 A일 때, 상기 최소폭은 A+200um 내지 A+400um인 발광소자 패키지.The method according to claim 1,
And the minimum width is A + 200um to A + 400um when the width of the at least two light emitting elements in the second direction is A. 제 1 항에 있어서,
상기 최소폭을 1이라 할 때, 상기 최대폭은 1.1~1.5인 발광소자 패키지.The method according to claim 1,
And the maximum width is 1.1 to 1.5, when the minimum width is 1. 제 1 항에 있어서,
상기 두 개의 최대폭 중 어느 하나의 최대폭과 상기 최소폭 사이의 거리와, 상기 두 개의 최대폭 중 다른 어느 하나의 최대폭과 상기 최소폭 사이의 거리가 동일한 발광소자 패키지.The method according to claim 1,
Wherein a distance between a maximum width and a minimum width of either one of the two maximum widths is equal to a distance between a maximum width and a minimum width of any one of the two maximum widths. 제 1 항에 있어서,
상기 캐비티는 상기 최소폭을 기준으로 좌우 대칭을 이루는 발광소자 패키지.The method according to claim 1,
Wherein the cavity is symmetrical with respect to the minimum width. 제 1 항에 있어서,
상기 두 개의 최대폭을 갖는 캐비티의 바닥면 중 어느 하나의 바닥면에 상기 발광소자가 배치되는 발광소자 패키지.The method according to claim 1,
Wherein the light emitting device is disposed on a bottom surface of any one of bottom surfaces of the cavity having the two largest widths. 제 9 항에 있어서,
상기 두 개의 최대폭을 갖는 캐비티의 바닥면 중 다른 어느 하나의 바닥면은 상기 제1,2 리드 프레임을 전기적으로 분리하는 발광소자 패키지.10. The method of claim 9,
And the other of the bottom surfaces of the cavities having the two largest widths electrically separates the first and second lead frames. 측벽과 바닥면으로 이루어진 캐비티를 갖는 몸체;
상기 몸체에 배치되는 제1 리드 프레임과 제2 리드 프레임; 및
상기 캐비티 내에 배치되며 상기 제1,2 리드 프레임과 전기적으로 연결되는 적어도 두 개의 발광소자;를 포함하고,
상기 캐비티는 상기 두 개의 발광소자 중 어느 하나의 발광소자가 배치되는 제1 영역, 상기 두 개의 발광소자 중 다른 어느 하나의 발광소자가 배치되는 제2 영역, 상기 제1 영역과 상기 제2 영역의 사이에 배치되는 중간 영역을 포함하고,
상기 중간 영역은 최소폭이 상기 제1 영역의 최대폭 또는 상기 제2 영역의 최대폭보다 작은 발광소자 패키지.A body having a cavity made up of side walls and a bottom surface;
A first lead frame and a second lead frame disposed on the body; And
And at least two light emitting elements disposed in the cavity and electrically connected to the first and second lead frames,
Wherein the cavity has a first region in which one of the two light emitting devices is disposed, a second region in which any one of the two light emitting devices is disposed, a second region in which the first region and the second region And an intermediate region disposed between the first electrode and the second electrode,
Wherein the intermediate region has a minimum width which is smaller than a maximum width of the first region or a maximum width of the second region.
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