KR20140091895A - 발광 소자 및 발광 소자 패키지 - Google Patents

발광 소자 및 발광 소자 패키지 Download PDF

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Abstract

실시예의 발광 소자 패키지는 베이스와, 베이스 위에 배치된 적어도 하나의 발광 소자 및 적어도 하나의 발광 소자에 연결된 적어도 하나의 가변 부하를 포함하고, 적어도 하나의 가변 부하의 부하량의 변동에 따라 가변된 색 온도를 갖는다.

Description

발광 소자 및 발광 소자 패키지{Light emitting device and Light emitting device package}
실시예는 발광 소자 및 발광 소자 패키지에 관한 것이다.
발광 다이오드(LED:Light Emitting Diode)는 화합물 반도체의 특성을 이용하여 전기를 적외선 또는 빛으로 변환시켜서 신호를 주고 받거나, 광원으로 사용되는 반도체 소자의 일종이다.
Ⅲ-Ⅴ족 질화물 반도체(group Ⅲ-Ⅴ nitride semiconductor)는 물리적 및 화학적 특성으로 인해 발광 다이오드(LED) 또는 레이저 다이오드(LD:Laser Diode) 등 발광 소자의 핵심 소재로 각광을 받고 있다.
이러한 발광 다이오드는 백열등과 형광등 등의 기존 조명기구에 사용되는 수은(Hg)과 같은 환경 유해물질이 포함되어 있지 않아 우수한 친환경성을 가지며, 긴 수명과 저전력 소비특성 등과 같은 장점이 있기 때문에 기존의 광원들을 대체하고 있다.
기존의 발광 소자 또는 발광 소자 패키지는 한가지의 색 온도(예를 들어, 2700K, 3000K, 5000K)만을 구현하는 한계를 갖는다.
실시예는 다양한 색 온도를 구현할 수 있는 발광 소자를 제공한다.
다른 실시예는 다양한 색 온도를 구현할 수 있는 발광 소자 패키지를 제공한다.
실시예의 발광 소자는, 기판; 상기 기판 상에 순차적으로 배치된 제1 도전형 반도체층, 활성층 및 제2 도전형 반도체층을 포함하는 발광 구조물; 및 상기 제1 및 제2 도전형 반도체층에 전기적으로 연결된 제1 및 제2 전극; 및 상기 제1 전극 또는 상기 제2 전극과 연결된 가변 부하를 포함하고, 상기 가변 부하의 부하량의 변동에 따라 가변된 색온도를 갖는다.
상기 가변 부하는 가변 부하를 포함하고, 상기 가변 부하의 부하량은 상기 가변 저항의 저항값에 해당한다. 또는, 상기 가변 부하는 트랜지스터를 포함하고, 상기 가변 부하의 부하량은 상기 트랜지스터의 전달 저항값에 해당한다.
다른 실시예에 의한 발광 소자 패키지는, 베이스; 상기 베이스 위에 배치된 적어도 하나의 발광 소자; 및 상기 적어도 하나의 발광 소자에 연결된 적어도 하나의 가변 부하를 포함하고, 상기 적어도 하나의 가변 부하의 부하량의 변동에 따라 가변된 색 온도를 갖는다.
상기 적어도 하나의 발광 소자는 서로 병렬 연결된 제1 발광 소자 및 제2 발광 소자를 포함하고, 상기 적어도 하나의 가변 부하는 상기 제1 또는 제2 발광 소자에 직렬 연결되고, 상기 적어도 하나의 가변 부하의 부하량의 변동에 따라 상기 제1 발광 소자의 색 온도와 상기 제2 발광 소자의 색 온도는 달라지며, 상기 제1 및 제2 발광 소자가 나타내는 컬러의 조합에 의해 타겟 컬러가 나타난다.
또는, 상기 적어도 하나의 발광 소자는 서로 병렬 연결된 제1 발광 소자 및 제2 발광 소자를 포함하고, 상기 적어도 하나의 가변 부하는 상기 제1 발광 소자에 직렬 연결된 제1 가변 부하와 상기 제2 발광 소자에 직렬 연결된 제2 가변 부하를 포함하고, 상기 제1 및 제2 가변 부하 중 적어도 하나의 부하량의 변동에 따라 상기 제1 발광 소자의 색 온도와 상기 제2 발광 소자의 색 온도는 달라지며, 상기 제1 및 제2 발광 소자가 나타내는 컬러의 조합에 의해 타겟 컬러가 나타난다.
상기 제1 및 제2 발광 소자는 상기 타겟 컬러의 색 온도의 ±2000K 이내의 색 온도를 갖는다.
상기 제1 및 제2 발광 소자 중 하나의 색 온도는 2500K이고, 다른 하나의 색 온도는 6500K일 수 있다. 상기 제1 가변 부하와 상기 제2 가변 부하의 부하량이 동일할 때, 상기 타켓 컬러의 색 온도는 4500K일 수 있다.
상기 제1 발광 소자의 색 온도가 상기 제2 발광 소자의 색 온도보다 크고 상기 제1 가변 부하의 부하량이 상기 제2 가변 부하의 부하량보다 작을 때, 상기 타켓 컬러의 색 온도는 4500K보다 크고 6500K보다 작을 수 있다.
상기 제1 발광 소자의 색 온도가 상기 제2 발광 소자의 색 온도보다 크고 상기 제1 가변 부하의 부하량이 상기 제2 가변 부하의 부하량보다 클 때, 상기 타켓 컬러의 색 온도는 2500K보다 크고 4500K보다 작을 수 있다.
상기 제1 발광 소자의 색 온도가 상기 제2 발광 소자의 색 온도보다 크고 상기 제1 발광 소자에 흐르는 전류가 상기 제2 발광 소자에 흐르는 전류의 2배가 되도록 상기 제1 및 제2 가변 부하가 변동된 부하량을 가질 때, 상기 타겟 컬러의 색 온도는 5000K일 수 있다.
상기 제1 발광 소자의 색 온도가 상기 제2 발광 소자의 색 온도보다 크고 상기 제2 발광 소자에 흐르는 전류가 상기 제1 발광 소자에 흐르는 전류의 2배가 되도록 상기 제1 및 제2 가변 부하가 변동된 부하량을 가질 때, 상기 타겟 컬러의 색 온도는 3000K일 수 있다.
상기 타겟 컬러의 색 온도는 상기 제1 발광 소자의 색 온도와 상기 제2 발광 소자의 색 온도의 중간값에 해당할 수 있다.
상기 가변 부하는 가변 부하를 포함하고, 상기 가변 부하의 부하량은 상기 가변 저항의 저항값에 해당할 수 있다. 또는 상기 가변 부하는 트랜지스터를 포함하고, 상기 가변 부하의 부하량은 상기 트랜지스터의 전달 저항값에 해당할 수 있다.
실시예에 따른 발광 소자는 한가지의 색 온도만을 구현하는 기존의 발광 소자와 달리 가변 부하의 부하량을 가변함으로써 다양한 색 온도를 구현할 수 있고, 실시예에 따른 발광 소자 패키지는 한가지의 색 온도만을 구현하는 기존의 발광 소자 패키지와 달리 가변 부하의 부하량을 가변함으로써 다양한 색 온도를 구현할 수 있고, 색 온도의 변동에 따라 광 방출 속성들을 변경시켜 다양한 색의 광을 방출할 수 있다.
도 1a은 실시예의 발광 소자의 회로도를 나타내고, 도 1b는 도 1a의 발광 다이오드의 단면도를 나타낸다.
도 2는 다른 실시예에 의한 발광 소자의 회로도를 나타낸다.
도 3a 내지 도 3c는 실시예에 의한 가변 부하의 회로도를 나타낸다.
도 4는 도 1a 또는 도 2에 예시된 발광 소자의 ANSI BIN에 따른 색 좌표를 나타낸다.
도 5a 및 도 5b는 실시예에 의한 발광 소자 패키지의 평면도를 나타낸다.
도 6은 도 5b의 6-6'선을 따라 절취한 부분 단면도를 나타낸다.
도 7은 도 5a 및 도 5b에 예시된 발광 소자 패키지의 회로도를 나타낸다.
도 8a 및 도 8b는 다른 실시예에 의한 발광 소자 패키지의 회로도를 나타낸다.
도 9는 실시예들에 따른 발광소자 패키지를 포함하는 조명장치의 일 실시예를 나타낸 분해 사시도이다.
도 10은 실시예에 따른 발광소자 패키지가 배치된 표시장치의 일 실시예를 나타낸 분해 사시도이다.
이하, 본 발명을 구체적으로 설명하기 위해 실시예를 들어 설명하고, 발명에 대한 이해를 돕기 위해 첨부도면을 참조하여 상세하게 설명하기로 한다. 그러나, 본 발명에 따른 실시예들은 여러 가지 다른 형태로 변형될 수 있으며, 본 발명의 범위가 아래에서 상술하는 실시예들에 한정되는 것으로 해석되지 않아야 한다. 본 발명의 실시예들은 당 업계에서 평균적인 지식을 가진 자에게 본 발명을 보다 완전하게 설명하기 위해서 제공되는 것이다.
본 발명에 따른 실시 예의 설명에 있어서, 각 element의 " 상(위)" 또는 "하(아래)(on or under)"에 형성되는 것으로 기재되는 경우에 있어, 상(위) 또는 하(아래)(on or under)는 두개의 element가 서로 직접(directly)접촉되거나 하나 이상의 다른 element가 상기 두 element사이에 배치되어(indirectly) 형성되는 것을 모두 포함한다. 또한 “상(위)" 또는 "하(아래)(on or under)”로 표현되는 경우 하나의 element를 기준으로 위쪽 방향뿐만 아니라 아래쪽 방향의 의미도 포함할 수 있다.
도면에서 각층의 두께나 크기는 설명의 편의 및 명확성을 위하여 과장되거나 생략되거나 또는 개략적으로 도시되었다. 또한 각 구성요소의 크기는 실제크기를 전적으로 반영하는 것은 아니다.
이하, 실시예에 의한 발광 소자(100A, 100B)에 대해 다음과 같이 첨부된 도면을 참조하여 살펴본다.
도 1a은 실시예의 발광 소자(100A)의 회로도를 나타내고, 도 1b는 도 1a의 발광 다이오드(D)의 단면도를 나타낸다.
도 1a를 참조하면, 발광 소자(100A)는 발광 다이오드(D) 및 가변 부하(LD)(160)를 포함한다. 도 1a에서 발광 다이오드(D)는 도 1b에서 수평형 구조를 갖는 것으로 예시되어 있지만, 실시예는 이에 국한되지 않는다. 즉, 발광 다이오드(D)는 수직형이거나 플립 칩 본딩형 구조를 가질 수도 있다. 발광 다이오드(D)는 적색, 녹색, 청색 또는 백색의 유색 빛을 각각 발광하는 유색 발광 다이오드 및 자외선(UV:UltraViolet)을 발광하는 UV 발광 다이오드일 수 있다.
도 1b를 참조하면, 발광 다이오드(D)는 기판(110), 버퍼층(112), 발광 구조물(120) 및 제1 및 제2 전극(142, 144)을 포함한다.
기판(110)은 도전형 물질 또는 비도전형 물질을 포함할 수 있다. 예를 들어, 기판(110)은 사파이어(Al203), GaN, SiC, ZnO, GaP, InP, GB203, GaAs 및 Si 중 적어도 하나를 포함할 수 있다.
기판(110)과 발광 구조물(120) 사이의 격자 부정합을 해소하기 위해, 기판(110)과 발광 구조물(120)의 사이에 버퍼층(또는, 전이층)(112)이 배치될 수 있다. 버퍼층(122)은 예를 들어 Al, In, N 및 Ga로 구성되는 군으로부터 선택되는 적어도 하나의 물질을 포함할 수 있으나, 이에 국한되지 않는다. 또한, 버퍼층(112)은 단층 또는 다층 구조를 가질 수도 있다.
발광 구조물(120)은 버퍼층(112) 상에 순차적으로 적층되어 배치되는 제1 도전형 반도체층(122), 활성층(124) 및 제2 도전형 반도체층(126)을 포함한다.
제1 도전형 반도체 층(122)은 제1 도전형 도펀트가 도핑된 Ⅲ-Ⅴ 족 또는 Ⅱ-Ⅵ 족 등의 화합물 반도체로 구현될 수 있으며, 제1 도전형 도펀트가 도핑될 수 있다. 제1 도전형 반도체층(122)이 n형 반도체층인 경우, 제1 도전형 도펀트는 n형 도펀트로서, Si, Ge, Sn, Se, Te를 포함할 수 있으나 이에 한정되지 않는다.
예를 들어, 제1 도전형 반도체층(122)은 AlxInyGa(1-x-y)N (0≤x≤1, 0≤y≤1, 0≤x+y≤1)의 조성식을 갖는 반도체 물질을 포함할 수 있다. 제1 도전형 반도체층(122)은 GaN, InN, AlN, InGaN, AlGaN, InAlGaN, AlInN, AlGaAs, InGaAs, AlInGaAs, GaP, AlGaP, InGaP, AlInGaP, InP 중 어느 하나 이상을 포함할 수 있다.
활성층(124)은 제1 도전형 반도체층(122)을 통해서 주입되는 전자(또는, 정공)와 제2 도전형 반도체층(126)을 통해서 주입되는 정공(또는, 전자)이 서로 만나서, 활성층(124)을 이루는 물질 고유의 에너지 밴드에 의해서 결정되는 에너지를 갖는 빛을 방출하는 층이다.
활성층(124)은 단일 우물 구조, 다중 우물 구조, 단일 양자 우물 구조, 다중 양자 우물 구조(MQW:Multi Quantum Well), 양자 선(Quantum-Wire) 구조 또는 양자 점(Quantum Dot) 구조 중 적어도 어느 하나로 형성될 수 있다.
활성층(124)의 우물층/장벽층은 InGaN/GaN, InGaN/InGaN, GaN/AlGaN, InAlGaN/GaN, GaAs(InGaAs)/AlGaAs, GaP(InGaP)/AlGaP 중 어느 하나 이상의 페어 구조로 형성될 수 있으나 이에 한정되지 않는다. 우물층은 장벽층의 밴드갭 에너지보다 낮은 밴드갭 에너지를 갖는 물질로 형성될 수 있다.
활성층(124)의 위 또는/및 아래에는 도전형 클래드층(미도시)이 형성될 수 있다. 도전형 클래드층은 활성층(124)의 장벽층의 밴드갭 에너지보다 더 높은 밴드갭 에너지를 갖는 반도체로 형성될 수 있다. 예를 들어, 도전형 클래드층은 GaN, AlGaN, InAlGaN 또는 초격자 구조 등을 포함할 수 있다. 또한, 도전형 클래드층은 n형 또는 p형으로 도핑될 수 있다.
제2 도전형 반도체층(126)은 반도체 화합물로 형성될 수 있다. Ⅲ-Ⅴ 족 또는 Ⅱ-Ⅵ 족 등의 화합물 반도체로 구현될 수 있다. 예컨대, 제2 도전형 반도체층(126)은 InxAlyGB1 -x- yN (0≤x≤1, 0≤y≤1, 0≤x+y≤1)의 조성식을 갖는 반도체 물질을 포함할 수 있다. 제2 도전형 반도체층(126)에는 제2 도전형 도펀트가 도핑될 수 있다. 제2 도전형 반도체층(126)이 p형 반도체층인 경우, 제2 도전형 도펀트는 p형 도펀트로서, Mg, Zn, Ca, Sr, Ba 등을 포함할 수 있다.
제1 도전형 반도체층(122)은 p형 반도체층으로, 제2 도전형 반도체층(126)은 n형 반도체층으로 구현할 수 있다. 또는, 제1 도전형 반도체층(122)은 n형 반도체층으로, 제2 도전형 반도체층(126)은 p형 반도체층으로 구현할 수도 있다.
발광 구조물(120)은 N-P 접합 구조, P-N 접합 구조, N-P-N 접합 구조, P-N-P 접합 구조 중 어느 한 구조로 구현할 수 있다.
발광 다이오드(D)는 제1 및 제2 도전형 반도체층(122, 126) 위에 각각 배치된 제1 및 제2 오믹 접촉층(132, 134)을 더 포함할 수 있다.
제1 오믹 접촉층(132)은 제1 도전형 반도체층(122)의 오믹 특성을 향상시키는 역할을 한다. 예를 들어, 제1 오믹 접촉층(132)은 ITO(indium tin oxide), IZO(indium zinc oxide), IZTO(indium zinc tin oxide), IAZO(indium aluminum zinc oxide), IGZO(indium gallium zinc oxide), IGTO(indium gallium tin oxide), AZO(aluminum zinc oxide), ATO(antimony tin oxide), GZO(gallium zinc oxide), IZON(IZO Nitride), AGZO(Al-Ga ZnO), IGZO(In-Ga ZnO), ZnO, IrOx, RuOx, NiO, RuOx/ITO, Ni/IrOx/Au, 및 Ni/IrOx/Au/ITO, Ag, Ni, Cr, Ti, Al, Rh, Pd, Ir, Sn, In, Ru, Mg, Zn, Pt, Au, Hf 중 적어도 하나를 포함하여 형성될 수 있으며, 이러한 재료에 한정되는 않는다.
제2 오믹 접촉층(134)은 제2 도전형 반도체층(126)의 오믹 특성을 향상시키는 역할을 한다. 제2 도전형 반도체층(126)이 p형 반도체층일 때, 제2 도전형 반도체층(126)의 불순물 도핑 농도가 낮아 접촉 저항이 높으며 그로 인해 오믹 특성이 좋지 못할 수 있으므로, 제2 오믹 접촉층(134)은 이러한 오믹 특성을 개선하는 역할을 할 수 있다.
또한, 발광 다이오드(D)는, 제1 오믹 접촉층(132) 위에 배치된 제1 전극(142) 및 제2 오믹 접촉층(134) 위에 배치된 제2 전극(144)을 더 포함할 수 있다. 예를 들어, 알루미늄(Al), 티타늄(Ti), 크롬(Cr), 니켈(Ni), 구리(Cu), 금(Au) 중 적어도 하나를 포함하여 단층 또는 다층 구조로 제1 및 제2 전극(142, 144)을 형성할 수 있다.
도 2는 다른 실시예에 의한 발광 소자(100B)의 회로도를 나타낸다.
도 1a에 예시된 바와 같이, 가변 부하(LD)(160)의 일단은 제1 노드(N1)를 통해 발광 다이오드(D)의 제1 전극(142)과 연결될 수 있다. 이 경우, 제2 노드(N2)와 가변 부하(LD)(160)의 타단 사이에 구동 전압(V)(150)이 인가됨으로써 발광 다이오드(D)는 구동될 수 있다. 또는, 가변 부하(LD)(160)의 일단은 도 2에 예시된 바와 같이 제2 노드(N2)를 통해 발광 다이오드(D)의 제2 전극(144)과 연결될 수 있다. 이 경우, 가변 부하(LD)(160)의 타단과 제1 노드(N1) 사이에 구동 전압(V)(150)이 인가됨으로써 발광 다이오드(D)는 구동될 수 있다.
도 3a 내지 도 3c는 실시예에 의한 가변 부하(LD)(160)의 회로도를 나타낸다.
도 1a 또는 도 2에 예시된 가변 부하(LD)(160)는 도 3a에 예시된 바와 같이 가변 저항(R)(160A)으로 구현될 수도 있다.
또는, 가변 부하(LD)(160)는 도 3b에 예시된 바와 같이 전계 효과 트랜지스터(FET:Field Effect Transistor)(160B)의 형태로 구현될 수도 있다. 이 경우, 가변 부하(LD)(160)의 부하량은 트랜지스터(160B)의 드레인(D)과 소스(S) 사이의 전달 저항값에 해당한다.
또는, 가변 부하(LD)(160)는 도 3c에 예시된 바와 같이 바이폴라 접합 트랜지스터(BJT:Bipolar Junction Transistor)(160C)의 형태로 구현될 수 있다. 이 경우, 가변 부하(LD)(160)의 부하량은 트랜지스터(160C)의 베이스와 이미터 사이의 전달 저항값에 해당한다.
도 3b 또는 도 3c에 예시된 바와 같이 가변 부하(LD)(160)가 트랜지스터(160B, 160C)의 형태로 구현될 경우, 도 3a에 예시된 바와 같이 가변 부하(LD)(160)가 가변 저항(160A)으로 구현될 때보다 전력 손실이 적을 수 있다.
도 4는 도 1a 또는 도 2에 예시된 발광 소자(100A, 100B)의 ANSI BIN에 따른 색 좌표를 나타낸다. 여기서, "빈"(BIN)은 색도 공간의 한정 영역을 의미한다. 전형적으로, LED는 "비닝"으로서 불리는 공정에서 LED에 의해 방출되는 광의 색도를 기초로 하여 제조 목적을 위해 규정 빈으로 분류된다. ANSI C78.377A 표준에서, 빈은 미국 에너지부 에너지 스타 프로그램(Department of Energy Energy Star Program)에 의해 소형 형광 램프에 대해 규정되는 표준 공차인 7-단계 맥아담 타원을 포위하는 사각형으로서 규정된다.
도 1a 또는 도 2에 예시된 발광 소자(100A, 100B)는 가변 부하(LD)(160)의 부하량의 변동에 따라 가변되는 색 온도를 갖는다. 예를 들어, 가변 부하(LD)(160)의 부하량을 증가시킬수록 발광 다이오드(D)에 흐르는 전류(ID)가 작아지고, 발광 소자(100A, 100B)의 색 온도는 도 4의 제1 지점(P1)으로부터 제2 또는 제3 지점(P2, P3) 쪽으로 가변될 수 있다.
도 3a에 예시된 바와 같이 가변 부하(LD)(160)가 가변 저항(R)(160A)으로 구현될 경우, 가변 저항(R)(160A)의 저항값을 증가시킬수록 발광 소자(100A, 100B)의 색 온도는 제1 지점(P1)으로부터 제2 또는 제3 지점(P2, P3) 쪽을 향하여 증가하고, 가변 저항(R)(160A)의 저항값을 감소시킬수록 발광 소자(100A, 100B)의 색 온도는 제3 지점(P3)으로 제1 또는 제2 지점(P1, P2) 쪽을 향하여 감소한다. 또는, 도 3b 또는 도 3c에 예시된 바와 같이 가변 부하(LD)(160)가 트랜지스터(160B, 160C)로 구현될 경우, 트랜지스터의 전달 저항값을 증가시킬수록 발광 소자(100A, 100B)의 색 온도는 제1 지점(P1)으로부터 제2 또는 제3 지점(P2, P3) 쪽으로 증가하고, 전달 저항값을 감소시킬수록 발광 소자(100A, 100B)의 색 온도는 제2 또는 제3 지점(P2, P3)으로부터 제1 지점(P1) 쪽으로 감소한다.
기존의 경우, 하나의 발광 소자는 한가지의 색 온도만을 구현한다. 반면에, 전술한 실시예에 의한 발광 소자(100A, 100B)는 가변 부하(LD)(160)의 부하량을 가변시켜, 다양한 색 온도를 구현할 수 있다.
이하, 실시예에 의한 발광 소자 패키지(200A, 200B)에 대해 다음과 같이 첨부된 도면을 참조하여 살펴본다. 전술한 도 1a 내지 도 2에 예시된 발광 소자(100A, 100B)에서 가변 부하(LD)(160)는 발광 소자(100A, 100B)에 포함되는 것으로 설명하였다. 그러나, 이하에서 설명되는 발광 소자 패키지(200A, 200B)에서 가변 부하(LD)(160)는 발광 소자(A1, A2, B1, B2)에 포함되지 않고 발광 소자 패키지(200A, 200B)에 포함되는 것으로 설명한다.
도 5a 및 도 5b는 실시예에 의한 발광 소자 패키지(200A)의 평면도를 나타내고, 도 6은 도 5b의 6-6'선을 따라 절취한 단면도를 나타내고, 도 7은 도 5a 및 도 5b에 예시된 발광 소자 패키지(200A)의 회로도를 나타낸다.
도 5a, 도 5b, 도 6 및 도 7을 참조하면, 발광 소자 패키지(200A)는 베이스(210), 적어도 하나의 발광 소자(A1, A2, B1, B2), 제1 및 제2 전극 패드(232, 234) 및 적어도 하나의 가변 부하(220)를 포함한다.
베이스(210)는 인쇄 회로 기판(PCB:Printed Circuit Board)을 포함할 수 있다. PCB(210)는 금속 PCB로서 MCPCB(Metal Core PCB)로 형성될 수도 있다. 또한, 베이스(210)는 적어도 하나의 발광 소자(A1, A2, B1, B2)에서 방출된 열을 저면으로 방출하는 역할을 수행할 수도 있다. 또한, 베이스(210)는 회로층(미도시) 및 절연층(미도시)을 더 포함할 수도 있다. 회로층과 절연층은 PCB의 하부에 순차적으로 적층될 수 있다.
적어도 하나의 발광 소자(A1, A2, B1, B2)는 베이스(210) 위에 배치된다. 이하, 편의상 발광 소자의 개수는 4개인 것으로 가정하여 발광 소자 패키지(200A)를 설명하지만, 발광 소자의 개수는 4개보다 더 적거나 더 많은 경우에도 본 실시예는 동일하게 적용될 수 있다.
또한, 도 7에 예시된 바와 같이, 2개의 발광 소자(A1, A2)(이하, "제1 발광 소자"라 한다.)는 직렬 연결되고, 2개의 발광 소자(B1, B2)(이하, "제2 발광 소자"라 한다.)는 직렬 연결되고, 제1 발광 소자(A1, A2)와 제2 발광 소자(B1, B2)는 서로 병렬 연결된 것으로 예를 들어 설명하지만, 실시예는 이에 국한되지 않는다. 즉, 4개의 발광 소자(A1, A2, B1, B2)는 서로 직렬 연결될 수도 있고 병렬 연결될 수도 있다.
또한, 복수의 발광 소자(A1, A2, B1, B2)는 서로 다른 색의 광을 방출할 수 있고 서로 동일한 색의 광을 방출할 수도 있다.
또한, 도 5a 및 도 5b에서 발광 소자(A1, A2, B1, B2)는 서로 대칭적으로 배치되어 있지만, 실시예는 이러한 발광 소자의 배치 형태에 국한되지 않는다.
발광 소자(A1, A2, B1, B2) 각각은 베이스(210)인 PCB에 직접 다이 본딩(Die Bonding)되고 와이어 본딩(Wire Bonding)되어 칩 온 보드(COB:Chip On Board) 형태로 전기적으로 연결될 수 있다.
도 6에 예시된 바와 같이 도 5a 및 도 5b의 발광 소자(A1, A2, B1, B2) 각각은 플립 본딩형 구조를 가질 수 있지만, 실시예는 이에 국하되지 않는다. 즉, 발광 소자(A1, A2, B1, B2) 각각은 수평형이나 수직형 구조를 가질 수 있다.
도 6을 참조하면, 발광 소자(A1, A2, B1, B2) 각각은 발광 다이오드(D)를 포함할 수 있다. 발광 다이오드(D)는 기판(110), 버퍼층(112), 발광 구조물(120), 제1 및 제2 오믹 접촉층(132, 134) 및 제1 및 제2 전극(142, 144)을 포함한다. 여기서, 발광 다이오드(D)의 구조는 도 1b에 예시된 발광 다이오드(D)의 구조와 동일하므로 동일한 참조 부호를 사용하였으며, 이에 대한 상세한 설명을 생략한다. 다만, 도 1b에 예시된 발광 다이오드(D)가 수평형 구조인 반면 도 6에 예시된 발광 다이오드(D)는 플립 칩 본딩형 구조이므로, 도 6의 기판(110)과 버퍼층(112)은 투광성 물질로 이루어질 수도 있다.
발광 구조물(120)의 제1 도전형 반도체층(122)은 제1 전극(142)과 제1 범프(282)를 통해 제1 전극 패드(232)와 연결되고, 제2 도전형 반도체층(126)은 제2 전극(144)과 제2 범프(284)를 통해 제2 전극 패드(234)와 연결된다.
제1 및 제2 전극 패드(232, 234) 각각은 Ag, Ni, Al, Rh, Pd, Ir, Ru, Mg, Zn, Pt, Au 또는 Hf 중 적어도 하나 또는 이들의 선택적인 조합을 포함하는 금속 또는 합금으로 형성될 수 있다. 또는, 제1 및 제2 전극 패드(232, 234) 각각은 금속 또는 합금과 ITO, IZO, IZTO, IAZO, IGZO, IGTO, AZO, ATO 등의 투광성 전도성 물질을 이용하여 다층으로 형성할 수 있으며, 구체적으로는, IZO/Ni, AZO/Ag, IZO/Ag/Ni, AZO/Ag/Ni, Ag/Cu, Ag/Pd/Cu 등으로 적층될 수 있다.
도 5a는 발광 소자(A1, A2, B1, B2)에서 발광 다이오드(D)가 제1 및 제2 전극 패드(232, 234) 상에 실장되기 이전의 모습을 나타내고, 도 5b는 발광 다이오드(D)가 제1 및 제2 전극 패드(232, 234) 상에 실장된 후 몰딩층(260)에 의해 몰딩된 모습을 나타낸다.
도 5a 및 도 5b를 참조하면, 발광 소자 패키지(200A)는 제1 내지 제5 본딩 패드(272 내지 278)와 제1 내지 제5 도선(292 내지 298)을 더 포함할 수 있다.
각 발광 소자(A1, A2, B1, B2)에서 제1 및 제2 전극(142, 144)은 해당하는 도선을 통해 인접하는 발광 소자와 전기적으로 연결된다. 즉, 도 5a 및 도 5b와 도 7을 참조하면, 제1-1 발광 소자(A1)의 제2 전극(144)과 제2-1 발광 소자(B1)의 제1 전극(142)은 제1 도선(292)을 통해 서로 전기적으로 연결된다. 제1-1 발광 소자(A1)의 제1 전극(142)과 제1-2 발광 소자(A2)의 제2 전극(144)은 제2 도선(294)을 통해 서로 전기적으로 연결된다. 제2-1 발광 소자(B1)의 제1 전극(142)과 제2-2 발광 소자(B2)의 제2 전극(144)은 제3 도선(296)을 통해 서로 전기적으로 연결된다.
또한, 제1-2 발광 소자(A2)의 제1 전극(142)은 제4 도선(297)을 통해 제1 및 제2 본딩 패드(272, 274)와 전기적으로 연결되고, 제2-2 발광 소자(B2)의 제1 전극(142)은 제5 도선(298)을 통해 제1 및 제3 본딩 패드(272, 276)와 전기적으로 연결되고, 제1-1 발광 소자(A1)의 제2 전극(144)과 제2-1 발광 소자(B1)의 제2 전극(144)은 제1 도선(299)을 통해 제4 본딩 패드(278)와 전기적으로 연결된다.
이를 위해, 제1 내지 제5 도선(292 ~ 298)의 재료는 전기적 전도성을 갖는 물질을 포함할 수 있으며 예를 들면 구리(Cu)를 포함할 수 있다.
도 5a 및 도 5b에 예시된 제4 본딩 패드(278)를 통해 동작 전압(V)의 양의 단자가 연결되고 제1 내지 제3 본딩 패드(272, 274, 276) 중 적어도 어느 하나를 통해 동작 전압(V)의 음의 단자가 연결될 때, 발광 소자 패키지(200A)는 발광 동작을 수행할 수 있다.
한편, 발광 소자(A1, A2, B1, B2) 각각은 실크 링(silk ring)(또는, 격벽)(250)과 몰딩층(260)을 더 포함할 수 있다.
도 5b 및 도 6을 참조하면, 각 발광 소자(A1, A2, B1, B2)에서 실크 링(250)에 의해 정의되는 캐비티에 몰딩층(260)이 채워진다. 몰딩층(260)은 수지와 인광 물질 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 각 발광 소자(A1, A2, B1, B2)의 발광 다이오드(D)에서 방출되는 광의 색을 다른 색으로 변화시키기 위해 인광 물질의 종류는 다양할 수 있다. 예를 들어, 발광 다이오드(D)가 청색 광을 방출할 경우, 몰딩층(260)이 황색 인광 물질을 포함하거나, 적색 인광 물질과 녹색 인광 물질을 혼합하여 포함하거나, 황색 인광 물질과 적색 인광 물질과 녹색 인광 물질을 혼합하여 포함할 경우 발광 소자(A1, A2, B1, B2)는 백색의 광을 방출할 수 있다. 또한, 발광 다이오드(D)가 청색 광을 방출할 경우, 몰딩층(260)이 적색 인광 물질을 포함할 경우 발광 소자(A1, A2, B1, B2)는 적색의 광을 방출할 수 있다. 이와 같이, 발광 다이오드(D)에서 방출되는 광의 색과 몰딩층(260)에 포함되는 인광 물질의 종류에 따라 다양한 색의 광이 각 발광 소자(B1, B2, A1, A2)로부터 방출될 수 있다. 이하, 편의상 제1 발광 소자(A1, A2)는 서로 동일한 색의 광을 방출하고, 제2 발광 소자(B1, B2)는 서로 동일한 색의 광을 방출한다고 가정한다.
도 8a 및 도 8b는 다른 실시예에 의한 발광 소자 패키지(200B, 200C)의 회로도를 나타낸다.
적어도 하나의 가변 부하(LD1, LD2)는 다음과 같이 다양한 형태로 발광 소자(A1, A2, B1, B2)에 연결될 수 있으며, 발광 소자 패키지(200A, 200B, 200C)는 가변 부하(LD1, LD2)의 부하량의 변동에 따라 가변되는 색 온도를 갖는다.
하나의 가변 부하는 제1 발광 소자(A1, A2) 또는 제2 발광 소자(B1, B2)에 연결될 수 있다.
즉, 일 실시예에 의하면, 도 5a, 도 5b, 도 7에 예시된 바와 같이, 발광 소자 패키지(200A)에서 제1 가변 부하(LD1)(220)는 제1 발광 소자(A1, A2)에 직렬 연결될 수 있다. 이 경우, 제1 가변 부하(LD1)(220)의 부하량의 변동에 따라 제1 발광 소자(A1, A2)의 색 온도와 제2 발광 소자(B1, B2)의 색 온도는 서로 달라질 수 있다.
다른 실시예에 의하면, 도 8a에 예시된 바와 같이, 발광 소자 패키지(200B)에서 제2 가변 부하(LD2)(222)는 제2 발광 소자(B1, B2)에 직렬 연결될 수 있다. 이 경우, 제2 가변 부하(LD2)(222)의 부하량의 변동에 따라 제1 발광 소자(A1, A2)의 색 온도와 제2 발광 소자(B1, B2)의 색 온도는 서로 달라질 수 있다.
또 다른 실시예에 의하면, 적어도 하나의 가변 부하는 복수의 제1 및 제2 가변 부하(LD1, LD2)(220, 222)를 포함하고, 제1 및 제2 가변 부하(LD1, LD2)(220, 222)는 제1 발광 소자(A1, A2) 및 제2 발광 소자(B1, B2)에 각각 연결될 수 있다. 즉, 도 8b에 예시된 바와 같이, 발광 소자 패키지(200C)에서 제1 가변 부하(LD1)(220)는 제1 발광 소자(A1, A2)에 직렬 연결되고, 제2 가변 부하(LD2)(222)는 제2 발광 소자(B1, B2)에 직렬 연결될 수 있다. 이 경우, 제1 가변 부하(LD1)(220) 및 제2 가변 부하(LD2)(222) 중 적어도 하나의 부하량의 변동에 따라 제1 발광 소자(A1, A2)의 색 온도와 제2 발광 소자(B1, B2)의 색 온도는 서로 달라질 수 있다.
전술한 발광 소자 패키지(200A, 200B, 200C)는, 적어도 하나의 발광 소자(A1, A2, B1, B2)가 나타내는 컬러의 조합에 의해 타겟 컬러(target color)를 나타낸다.
도 8b에 예시된 제1 가변 부하(LD1)(220)의 부하량이 '0'일 경우 도 8b에 예시된 발광 소자 패키지(200C)는 도 8a에 예시된 발광 소자 패키지(200B)와 동일하고, 도 8b에 예시된 제2 가변 부하(LD2)(222)의 부하량이 '0'일 경우 도 8b에 예시된 발광 소자 패키지(200C)는 도 7에 예시된 발광 소자 패키지(200A)와 동일하다. 따라서, 도 8b에 예시된 발광 소자 패키지(200C)의 타겟 컬러(P2)의 색 온도에 대해서만 다음과 같이 살펴보지만, 이는 도 7 및 도 8a에 예시된 발광 소자 패키지(200A, 200B)에도 동일하게 적용될 수 있음은 물론이다.
도 4 및 도 8b를 참조하면, 제1 발광 소자(A1, A2)와 제2 발광 소자(B1, B2)의 광속 수준이 비슷할 때, 실시예에 의한 발광 소자 패키지(200A, 200B, 200C)에서 나타내고자 하는 타겟 컬러(P2)의 색 온도는 제1 발광 소자(A1, A2)의 색 온도와 제2 발광 소자(B1, B2)의 색 온도의 중간값에 해당할 수 있다.
제1 발광 소자(A1, A2)와 제2 발광 소자(B1, B2)는 타겟 컬러(P2)의 색 온도의 ±2000K 이내의 색 온도를 가질 수 있다. 예를 들어, 타겟 컬러(P2)의 색 온도가 4500K인 경우 제1 발광 소자(A1, A2) 및 제2 발광 소자(B1, B2) 중 어느 하나의 색 온도는 2500K이고, 다른 하나의 색 온도는 6500K일 수 있다.
이하, 도 7, 도 8a 및 도 8b에 예시된 발광 소자 패키지(200A, 200B, 200C)에서 제1 발광 소자(A1, A2)의 색 온도가 제2 발광 소자(B1, B2)의 색 온도보다 크다고 가정한다.
만일, 제1 가변 부하(LD1)(220)와 제2 가변 부하(LD2)(222)의 부하량이 동일하다면, 타켓 컬러(P2)의 색 온도는 4500K일 수 있다.
또는, 제1 가변 부하(LD1)(220)의 부하량이 제2 가변 부하(LD2)(222)의 부하량보다 작다면, 타켓 컬러(P2)의 색 온도는 4500K보다 크고 6500K보다 작을 수 있다.
또는, 제1 가변 부하(LD1)(220)의 부하량이 제2 가변 부하(LD2)(222)의 부하량보다 크다면, 타켓 컬러(P2)의 색 온도는 2500K보다 크고 4500K보다 작을 수 있다.
또는, 제1 발광 소자(A1, A2)에 흐르는 전류(ID1)가 제2 발광 소자(B1, B2)에 흐르는 전류(ID2)의 2배가 되도록 제1 및 제2 가변 부하(LD1, LD2)(220, 222)가 변동된 부하량을 갖는다면, 타겟 컬러(P2)의 색 온도는 5000K일 수 있다.
또는, 제2 발광 소자(B1, B2)에 흐르는 전류(ID2)가 제1 발광 소자(A1, A2)에 흐르는 전류(ID1)의 2배가 되도록 제1 및 제2 가변 부하(LD1, LD2)(220, 222)가 변동된 부하량을 갖는다면, 타겟 컬러(P2)의 색 온도는 3000K일 수 있다.
한편, 도 1a 및 도 2에 예시된 가변 부하(LD)(150)와 마찬가지로, 도 5a, 도 5b, 도 7, 도 8a 및 도 8b에 예시된 발광 소자 패키지(200A, 200B, 200C)에서 제1 및 제2 가변 부하(LD1, LD2)(220, 222)는 다양한 형태로 구현될 수 있다. 예를 들어, 제1 및 제2 가변 부하(LD1, LD2)(220, 222) 각각은 도 3a 내지 도 3c에 예시된 바와 같이, 가변 저항(R)(160A), 전계 효과 트랜지스터(160B) 또는 바이폴라 접합 트랜지스터(160C)의 형태로 구현될 수 있다.
기존의 발광 소자 패키지의 경우 하나의 패키지는 단지 하나의 색 온도 예를 들어, 2700K, 3000K 또는 5000K만을 구현하는 반면, 실시예의 발광 소자 패키지(200A, 200B, 200C)는 가변 부하(LD1, LD2)(220, 222)를 이용하여 다양한 색 온도를 구현할 수 있다. 또한, 색 온도의 변화는 광 방출 속성을 변경시킴을 고려할 때, 이와 같이 다양하게 색 온도를 변화시킬 수 있는 실시예에 의한 발광 소자 패키지(200A, 200B, 200C)는 다양한 색의 광을 방출할 수 있다.
실시예에 따른 발광소자 패키지는 복수 개가 기판 상에 어레이되며, 상기 발광소자 패키지의 광 경로 상에 광학 부재인 도광판, 프리즘 시트, 확산 시트 등이 배치될 수 있다. 이러한 발광소자 패키지, 기판, 광학 부재는 라이트 유닛으로 기능할 수 있다. 또 다른 실시 예는 상술한 실시 예들에 기재된 발광소자 패키지를 포함하는 표시 장치, 지시 장치, 조명 시스템으로 구현될 수 있으며, 예를 들어, 조명 시스템은 램프, 가로등을 포함할 수 있다.
도 9는 실시예들에 따른 발광소자 패키지를 포함하는 조명장치의 일 실시예를 나타낸 분해 사시도이다.
실시예에 따른 조명 장치는 광을 투사하는 발광 모듈(600)과 발광 모듈(600)이 내장되는 하우징(400)과 발광 모듈(600)의 열을 방출하는 방열부(500) 및 발광 모듈(600)과 방열부(500)를 하우징(400)에 결합하는 홀더(700)를 포함하여 이루어진다.
하우징(400)은 전기 소켓(미도시)에 결합되는 소켓 결합부(410)와, 소켓결합부(410)와 연결되고 광원(600)이 내장되는 몸체부(420)를 포함한다. 몸체부(420)에는 하나의 공기유동구(430)가 관통하여 형성될 수 있다.
하우징(400)의 몸체부(420) 상에 복수 개의 공기유동구(430)가 구비되어 있는데, 공기유동구(430)는 하나의 공기유동구로 이루어지거나, 복수 개의 유동구를 도시된 바와 같은 방사상 배치 이외의 다양한 배치도 가능하다.
발광 모듈(600)은 발광 소자 패키지와 제어부를 포함한다. 발광 소자 패키지는 도 5a 내지 도 8b에 따른 발광 소자 패키지(200A, 200B, 200C)를 포함할 수 있다. 제어부는 발광 소자 패키지(200A, 200B, 200C)에 포함된 각 발광 소자(A1, A2, B1, B2)의 점등을 제어하는 역할을 한다.
발광 모듈(600)은 하우징(400)의 개구부에 삽입될 수 있는 형상일 수 있으며, 후술하는 바와 같이 방열부(500)로 열을 전달하기 위하여 열전도율이 높은 물질로 이루어질 수 있다.
발광 모듈의 하부에는 홀더(700)가 구비되는데 홀더(700)는 프레임과 또 다른 공기 유동구를 포함할 수 있다. 또한, 도시되지는 않았으나 발광 모듈(600)의 하부에는 광학 부재가 구비되어 발광 모듈(600)에서 투사되는 빛을 확산, 산란 또는 수렴시킬 수 있다.
도 10은 실시예에 따른 발광소자 패키지가 배치된 표시장치(800)의 일 실시예를 나타낸 분해 사시도이다.
도 10을 참조하면, 실시예에 따른 표시장치(800)는 발광 모듈(830, 835)과, 바텀 커버(810) 상의 반사판(820)과, 반사판(820)의 전방에 배치되며 발광 모듈에서 방출되는 빛을 표시장치 전방으로 가이드하는 도광판(840)과, 도광판(840)의 전방에 배치되는 제1 프리즘시트(850) 및 제2 프리즘시트(860)와, 제2 프리즘시트(860)의 전방에 배치되는 패널(870)과 패널(870)의 전반에 배치되는 컬러필터(880)를 포함하여 이루어진다.
발광 모듈은 회로 기판(830) 상에 배치된 발광소자(835)를 포함하여 이루어진다. 여기서, 회로 기판(830)은 PCB 등일 수 있고, 발광 소자(835)는 도 1a 내지 도 2에 예시된 발광 소자(100A, 100B)일 수 있다. 또는, 발광 모듈은 도 5a 내지 도 8b에 예시된 발광 소자 패키지(200A, 200B, 200C)를 포함할 수 있다.
바텀 커버(810)는 표시 장치(800) 내의 구성 요소들을 수납할 수 있다. 반사판(820)은 본 도면처럼 별도의 구성요소로 마련될 수도 있고, 도광판(840)의 후면이나, 바텀 커버(810)의 전면에 반사도가 높은 물질로 코팅되는 형태로 마련되는 것도 가능하다.
여기서, 반사판(820)은 반사율이 높고 초박형으로 사용 가능한 소재를 사용할 수 있고, 폴리에틸렌 테레프탈레이트(PolyEthylene Terephtalate; PET)를 사용할 수 있다.
도광판(840)은 발광소자 패키지 모듈에서 방출되는 빛을 산란시켜 그 빛이 액정 표시 장치의 화면 전영역에 걸쳐 균일하게 분포되도록 한다. 따라서, 도광판(840)은 굴절률과 투과율이 좋은 재료로 이루어지는데, 폴리메틸메타크릴레이트(PolyMethylMethAcrylate; PMMA), 폴리카보네이트(PolyCarbonate; PC), 또는 폴리에틸렌(PolyEthylene; PE) 등으로 형성될 수 있다. 그리고, 도광판이 생략되어 반사시트(820) 위의 공간에서 빛이 전달되는 에어 가이드 방식도 가능하다.
제1 프리즘 시트(850)는 지지필름의 일면에, 투광성이면서 탄성을 갖는 중합체 재료로 형성되는데, 중합체는 복수 개의 입체구조가 반복적으로 형성된 프리즘층을 가질 수 있다. 여기서, 상기 복수 개의 패턴은 도시된 바와 같이 마루와 골이 반복적으로 스트라이프 타입으로 구비될 수 있다.
제2 프리즘 시트(860)에서 지지필름 일면의 마루와 골의 방향은, 제1 프리즘 시트(850) 내의 지지필름 일면의 마루와 골의 방향과 수직할 수 있다. 이는 발광 모듈과 반사시트로부터 전달된 빛을 패널(870)의 전방향으로 고르게 분산하기 위함이다.
본 실시예에서 제1 프리즘시트(850)과 제2 프리즘시트(860)가 광학시트를 이루는데, 광학시트는 다른 조합 예를 들어, 마이크로 렌즈 어레이로 이루어지거나 확산시트와 마이크로 렌즈 어레이의 조합 또는 하나의 프리즘 시트와 마이크로 렌즈 어레이의 조합 등으로 이루어질 수 있다.
패널(870)은 액정 표시 패널(Liquid crystal display)가 배치될 수 있는데, 액정 표시 패널 외에 광원을 필요로 하는 다른 종류의 디스플레이 장치가 구비될 수 있다.
패널(870)은, 유리 바디 사이에 액정이 위치하고 빛의 편광성을 이용하기 위해 편광판을 양 유리바디에 올린 상태로 되어있다. 여기서, 액정은 액체와 고체의 중간적인 특성을 가지는데, 액체처럼 유동성을 갖는 유기분자인 액정이 결정처럼 규칙적으로 배열된 상태를 갖는 것으로, 분자 배열이 외부 전계에 의해 변화되는 성질을 이용하여 화상을 표시한다.
표시장치에 사용되는 액정 표시 패널은, 액티브 매트릭스(Active Matrix) 방식으로서, 각 화소에 공급되는 전압을 조절하는 스위치로서 트랜지스터를 사용한다.
패널(870)의 전면에는 컬러 필터(880)가 구비되어 패널(870)에서 투사된 빛을, 각각의 화소마다 적색과 녹색 및 청색의 빛만을 투과하므로 화상을 표현할 수 있다.
이상에서 실시예를 중심으로 설명하였으나 이는 단지 예시일 뿐 본 발명을 한정하는 것이 아니며, 본 발명이 속하는 분야의 통상의 지식을 가진 자라면 본 실시예의 본질적인 특성을 벗어나지 않는 범위에서 이상에 예시되지 않은 여러 가지의 변형과 응용이 가능함을 알 수 있을 것이다. 예를 들어, 실시예에 구체적으로 나타난 각 구성 요소는 변형하여 실시할 수 있는 것이다. 그리고 이러한 변형과 응용에 관계된 차이점들은 첨부된 청구 범위에서 규정하는 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.
100A, 100B: 발광 소자 110: 기판
112: 버퍼층 120: 발광 구조물
122: 제1 도전형 반도체층 124: 활성층
126: 제2 도전형 반도체층 132, 134: 오믹 접촉층
142, 144: 전극 150: 구동 전압
160, 160A, 160B, 160C, 220, 222: 가변 부하
210: 베이스 232, 234: 전극 패드
250: 실크 링 260: 몰딩층
272 ~ 276: 본딩 패드 282, 284: 범프
292 ~ 298: 도선 400: 하우징
500: 방열부 600: 발광 모듈
700: 홀더 800: 표시장치
810: 바텀 커버 820: 반사판
830, 835: 발광 모듈 840: 도광판
850, 860: 프리즘시트 870: 패널
880: 컬러필터

Claims (16)

  1. 기판;
    상기 기판 상에 순차적으로 배치된 제1 도전형 반도체층, 활성층 및 제2 도전형 반도체층을 포함하는 발광 구조물; 및
    상기 제1 및 제2 도전형 반도체층에 전기적으로 연결된 제1 및 제2 전극; 및
    상기 제1 전극 또는 상기 제2 전극과 연결된 가변 부하를 포함하고,
    상기 가변 부하의 부하량의 변동에 따라 가변된 색온도를 갖는 발광 소자.
  2. 제1 항에 있어서, 상기 가변 부하는 가변 부하를 포함하고, 상기 가변 부하의 부하량은 상기 가변 저항의 저항값에 해당하는 발광 소자.
  3. 제1 항에 있어서, 상기 가변 부하는 트랜지스터를 포함하고, 상기 가변 부하의 부하량은 상기 트랜지스터의 전달 저항값에 해당하는 발광 소자.
  4. 베이스;
    상기 베이스 위에 배치된 적어도 하나의 발광 소자; 및
    상기 적어도 하나의 발광 소자에 연결된 적어도 하나의 가변 부하를 포함하고,
    상기 적어도 하나의 가변 부하의 부하량의 변동에 따라 가변된 색 온도를 갖는 발광 소자 패키지.
  5. 제4 항에 있어서, 상기 적어도 하나의 발광 소자는 서로 병렬 연결된 제1 발광 소자 및 제2 발광 소자를 포함하고,
    상기 적어도 하나의 가변 부하는 상기 제1 또는 제2 발광 소자에 직렬 연결되고,
    상기 적어도 하나의 가변 부하의 부하량의 변동에 따라 상기 제1 발광 소자의 색 온도와 상기 제2 발광 소자의 색 온도는 달라지며, 상기 제1 및 제2 발광 소자가 나타내는 컬러의 조합에 의해 타겟 컬러가 나타나는 발광 소자 패키지.
  6. 제4 항에 있어서, 상기 적어도 하나의 발광 소자는 서로 병렬 연결된 제1 발광 소자 및 제2 발광 소자를 포함하고,
    상기 적어도 하나의 가변 부하는 상기 제1 발광 소자에 직렬 연결된 제1 가변 부하와 상기 제2 발광 소자에 직렬 연결된 제2 가변 부하를 포함하고,
    상기 제1 및 제2 가변 부하 중 적어도 하나의 부하량의 변동에 따라 상기 제1 발광 소자의 색 온도와 상기 제2 발광 소자의 색 온도는 달라지며, 상기 제1 및 제2 발광 소자가 나타내는 컬러의 조합에 의해 타겟 컬러가 나타나는 발광 소자 패키지.
  7. 제5 항 또는 제6 항에 있어서, 상기 제1 및 제2 발광 소자는 상기 타겟 컬러의 색 온도의 ±2000K 이내의 색 온도를 갖는 발광 소자 패키지.
  8. 제5 항 또는 제6 항에 있어서, 상기 제1 및 제2 발광 소자 중 하나의 색 온도는 2500K이고, 다른 하나의 색 온도는 6500K인 발광 소자 패키지.
  9. 제8 항에 있어서, 상기 제1 가변 부하와 상기 제2 가변 부하의 부하량이 동일할 때, 상기 타켓 컬러의 색 온도는 4500K인 발광 소자 패키지.
  10. 제8 항에 있어서, 상기 제1 발광 소자의 색 온도가 상기 제2 발광 소자의 색 온도보다 크고 상기 제1 가변 부하의 부하량이 상기 제2 가변 부하의 부하량보다 작을 때, 상기 타켓 컬러의 색 온도는 4500K보다 크고 6500K보다 작은 발광 소자 패키지.
  11. 제8 항에 있어서, 상기 제1 발광 소자의 색 온도가 상기 제2 발광 소자의 색 온도보다 크고 상기 제1 가변 부하의 부하량이 상기 제2 가변 부하의 부하량보다 클 때, 상기 타켓 컬러의 색 온도는 2500K보다 크고 4500K보다 작은 발광 소자 패키지.
  12. 제8 항에 있어서, 상기 제1 발광 소자의 색 온도가 상기 제2 발광 소자의 색 온도보다 크고 상기 제1 발광 소자에 흐르는 전류가 상기 제2 발광 소자에 흐르는 전류의 2배가 되도록 상기 제1 및 제2 가변 부하가 변동된 부하량을 가질 때, 상기 타겟 컬러의 색 온도는 5000K인 발광 소자 패키지.
  13. 제8 항에 있어서, 상기 제1 발광 소자의 색 온도가 상기 제2 발광 소자의 색 온도보다 크고 상기 제2 발광 소자에 흐르는 전류가 상기 제1 발광 소자에 흐르는 전류의 2배가 되도록 상기 제1 및 제2 가변 부하가 변동된 부하량을 가질 때, 상기 타겟 컬러의 색 온도는 3000K인 발광 소자 패키지.
  14. 제5 항 또는 제6 항에 있어서, 상기 타겟 컬러의 색 온도는 상기 제1 발광 소자의 색 온도와 상기 제2 발광 소자의 색 온도의 중간값에 해당하는 발광 소자 패키지.
  15. 제4 항에 있어서, 상기 가변 부하는 가변 부하를 포함하고, 상기 가변 부하의 부하량은 상기 가변 저항의 저항값에 해당하는 발광 소자 패키지.
  16. 제4 항에 있어서, 상기 가변 부하는 트랜지스터를 포함하고, 상기 가변 부하의 부하량은 상기 트랜지스터의 전달 저항값에 해당하는 발광 소자 패키지.
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KR20100106053A (ko) * 2009-03-23 2010-10-01 삼성전자주식회사 발광 장치, 이를 포함하는 발광 시스템, 및 이들의 제조 방법
KR20110102062A (ko) * 2010-03-10 2011-09-16 삼성엘이디 주식회사 색온도 조절이 가능한 ｌｅｄ 장치

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