KR20140088243A - 고밀착력 박막을 포함하는 사출금형 및 그 제조방법 - Google Patents

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Abstract

본 발명의 일측면은 사출금형 표면의 경도 향상과 조도 제어를 통해 금속 소재에 대한 우수한 밀착력을 갖고, 마찰계수가 낮은 특성을 갖는 고밀착력 박막을 포함하는 사출금형 및 그 제조방법을 제공하고자 한다.

Description

고밀착력 박막을 포함하는 사출금형 및 그 제조방법{INJECTION MOLD INCLUDING THIN FILM HAVING HIGH ADHESION AND MANUFACTURING METHOD FOR THE SAME}
본 발명은 고밀착력 박막을 포함하는 사출금형 및 그 제조방법에 관한 것이다.
사출금형을 포함하는 금형 표면의 내구수명 향상을 위한 표면처리 방법으로는 가스질화, 라디칼 질화, 플라즈마 질화, 크롬 도금, 경질 코팅과 이들 공정을 복합화하는 기술이 대표적이다. 또한, 고경도 박막의 대표적인 물질로는 티탄(Titanium)과 크롬 (Chromium)를 기반으로 하는 이원계 및 삼원계 탄화 혹은 질화물 박막이 대표적으로 금형 등에 적용되고 있으며, 저마찰 박막의 대표적인 물질로는 다이아몬드상과 유사한 탄소(Diamond-like Carbon: DLC) 박막과 보론(Boron) 질화물(BN) 및 탄질화물(BCN) 박막 등이 있다. 그러나, 티탄 및 크롬 기반 이원계 및 삼원계 탄화 혹은 질화물 박막과 보론 질화물 및 탄질화물 박막은 윤활유가 없는 상태에서 마찰계수가 0.4~0.7로 높고, DLC 박막은 높은 경도와 탄성계수로 인하여 내부응력이 커서 금속소재와의 결합력이 비교적 약하고 내열성이 취약하여 가열 및 냉각으로 인해 박리가 쉽게 발생한다는 문제점을 갖고 있다.
구체적으로 특허문헌 1은 사출금형의 내마모성 향상을 위해 물리기상증착법을 이용한 질화티타늄 박막을 개시하고 있으나, 앞서 설명한 바와 같이 저마찰특성을 동시에 구현하는 것이 어렵다는 단점이 있다. 또한, 특허문헌 2는 질소가 함유된 DLC 코팅방법에 대하여 물리기상증착법인 아크이온증착법을 이용하여 탄소 타겟과 암모니아가스(NH3)를 이용하여 질화탄소박막을 제작하고, 이들 박막의 밀착력 개선을 위하여 질화 처리하는 공정을 개시하고 있으나, 질화탄소 박막의 제조에 있어 원료가스로 사용되는 암모니아가스는 사용 후 대기 방출에 있어 환경문제로 인해 후처리 설비가 필요하여 설비가 복잡해지는 단점이 있다. 또한, 박막 공정을 물리기상증착으로 제작함에 따라 질화와 박막 제조 공정을 단속적으로 실시해야 하므로 복수의 설비가 필요하게 되어 공정 비용이 증가하게 되는 단점을 갖고 있다.
또한, 특허문헌 3은 질화와 박막 제조에 대한 공정기술에 대하여 개시하고 있으며, 플라즈마 질화에 있어서 표면층을 제어하는 것에 특징을 두고 있다. 특허문헌 3에서 박막물질은 앞서 설명한 바와 같은 화합물막을 제시하고 있으며, 저마찰 박막으로는 이황화몰리브덴(MoS2)의 저마찰 물질을 제안하고 있지만, MoS2는 수분에 취약한 특성을 갖고 있어 금형과 같은 소재에의 적용에는 한계가 있다는 단점이 있다.
따라서, 유리섬유가 다량 함유된 사출 제품을 성형하는 사출금형에 적합한 박막은, 금속 소재와 밀착력이 우수하고, 사출금형의 내구수명을 높이기 위해 표면의 경도가 높은 고경도와 사출유동 압력을 낮추는 것이 가능한 저마찰 특성을 갖는 박막 물질이 필요하게 되었으며, 이들 박막 물질을 제조함에 있어 공정이 비교적 간단하고 공정 중 환경 유해 물질이 배출되지 않는 공정 기술이 필요하게 되었다.
또한, 사출금형의 지속되는 사용으로 인해, 사출금형의 치수 정밀도가 불충분하게 되고, 이에 따라 원하는 치수의 사출품을 제조할 수 없는 문제가 있다. 더불어, 사출금형을 보수하는데 있어 많은 비용이 드는 문제가 있다.
한국 공개특허 제2003-0037236호 한국 공개특허 제2008-0109316호 일본 공개특허 제2004-084025호
본 발명의 일측면은 사출금형 표면의 경도 향상과 조도 제어를 통해 금속 소재에 대한 우수한 밀착력을 갖고, 마찰계수가 낮은 특성을 갖는 고밀착력 박막을 포함하는 사출금형 및 그 제조방법을 제공하고자 한다.
본 발명의 일측면인 고밀착력 박막을 포함하는 사출금형은 사출금형 소지, 상기 사출금형의 소지의 표면에 형성된 질화처리층, 상기 질화처리층 표면에 형성된 중간층 및 상기 중간층의 표면에 형성된 탄소계물질 박막층을 포함한다.
본 발명의 다른 일측면인 고밀착력 박막을 포함하는 사출금형의 제조방법은 사출금형 소지를 준비하는 단계, 상기 준비된 사출금형 소지의 표면을 질화처리하여 질화처리층을 형성하는 단계, 상기 준비된 질화처리층의 표면에 중간층을 형성하는 단계 및 상기 형성된 중간층의 표면에 탄소계물질 박막층을 형성하는 단계를 포함한다.
덧붙여 상기한 과제의 해결수단은, 본 발명의 특징을 모두 열거한 것은 아니다. 본 발명의 다양한 특징과 그에 따른 장점과 효과는 아래의 구체적인 실시형태를 참조하여 보다 상세하게 이해될 수 있을 것이다.
본 발명에 따르면, 플라즈마 질화 공정을 통해 표면경화 처리를 함으로써 사출금형과 박막의 밀착력을 개선하고, 용접성, 표면의 고경도 및 저마찰 특성을 갖게 함으로써, 사출금형의 사용 수명을 향상시키는 고밀착력 박막을 포함하는 사출금형을 제공할 수 있다.
도 1의 (a) 내지 (d) 및 (f)는 비교예 1 내지 4 및 비교예 5의 단면을, (e)는 발명예 1의 단면을 나타낸 모식도이다.
도 2는 발명예 1 및 비교예 1 내지 4의 두께를 나타낸 TEM 사진이다.
도 3은 비교예 2 내지 5 및 발명예 1의 스크레치 흔적 및 밀착력을 나타낸 표이다.
도 4는 비교예 1, 3 내지 6 및 발명예 1의 슬라이딩 거리에 따른 마찰계수를 나타낸 그래프이다.
본 발명의 발명자들은 종래의 DLC 박막 이용시에 높은 내부응력에 의해 금속 표면과의 밀착력이 취약하여 후막 형성이 곤란하고, 마찰마모 특성이 저하되는 문제를 해결하기 위하여 연구를 행하였다.
그 결과, 질화처리된 소지강판의 일면에 중간층을 형성한 후 플라즈마 화학기상증학법에 의하여 탄소계물질 박막층을 적층시킴으로써, 경도, 내마모성 등의 우수한 특성을 유지하면서 동시에 마찰마모 특성 및 밀착력이 우수한 탄소박막을 제공할 수 있음을 확인하고 본 발명을 고안하게 되었다.
이하, 본 발명의 일측면인 고밀착력 탄소박막을 포함하는 강판에 대하여 상세히 설명한다.
본 발명의 일측면인 고밀착력 박막을 포함하는 사출금형은 사출금형 소지, 상기 사출금형의 소지의 표면에 형성된 질화처리층, 상기 질화처리층 표면에 형성된 중간층 및 상기 중간층의 표면에 형성된 탄소계물질 박막층을 포함한다.
상기 소지강의 종류에 대해서는 특별히 한정하지 않는다. 보다 바람직하게는 상기 소지강의 일면에 질화처리를 행한다. 상기와 같이 소지강의 일면에 질화처리를 행함으로써, 소지강의 표면을 경화 시킨다.
이때, 질화처리는 플라즈마 질화처리 공정을 이용한다. 경화 공정 중에 플라즈마를 이용하여 표면의 조도를 제어하여 그 상층에 화학기상증착법(PCVD: Plasma Chemical Vapor Deposition)으로 제조되는 중간층 및 탄소계물질 박막층이 우수한 밀착력을 갖도록 한다.
또한, 상기 질화처리는 200~300㎛ 두께로 실시되는 것이 바람직하다. 200㎛ 이상으로 질화처리를 행함으로써, 소지의 표면 경도를 높이는 효과가 있으며, 너무 과도한 경우에는 상층의 코팅층의 밀착력을 저해하는 과도한 질화물과 백화층 (white layer) 형성됨으로, 그 상한은 300㎛로 제어하는 것이 바람직하다.
상기 소지강의 일면에 중간층을 형성될 수 있다. 상기 중간층은 실리콘층인 것이 바람직하다.
또한, 중간층으로서 천이금속의 일종인 실리콘층을 형성함에 따라, 소지와 최상층 DLC 박막과의 밀착력 개선에 효과가 있다. 상기 중간층은 금속 소지와 DLC 층과의 밀착력 개선 효과를 나타내기 위하여 100nm의 두께 이상 형성되는 것이 바람직하다. 상기 중간층의 두께가 너무 과도한 경우에는 실리콘층의 내부응력 증가로 인해 금속 소지와의 밀착력이 나빠지므로, 그 상한은 500nm로 한정하는 것이 바람직하다.
상기 중간층의 표면에 탄소계물질 박막층이 형성될 수 있다. 상기 탄소계물질 박막층은 사출금형 및 그의 부품과 내구성 및 저밀착 특성을 향상시킬 수 있는 소재로 이루어진 것이 바람직하다.
이때, 탄소계물질은 DLC인 것이 보다 바람직하고, DLC 중 수소화 아몰퍼스 탄소(hydrogenated amorphous carbon: a-CH)인 것이 보다 더 바람직하다. 상기와 같이 수소화 아몰퍼스 탄소를 박막층으로 형성하는 경우에는 높은 경도와 낮은 마찰계수 표면을 갖도록 하는 효과가 있다.
또한, 대기 중의 마찰계수를 확보하기 위하여 상기 탄소계물질 박막층 중의 실리콘을 포함하는 것이 바람직하다. 보다 바람직하게는 25중량% 이하로 포함한다.
일 실시형태로서, 탄소계 물질 예를 들면, DLC에 실리콘을 포함하여 경질층을 형성시킬 때에, 실리콘의 전구체로서 TMS(Tetra Methyl Silane, 테트라메틸실렌)가스를 이용하고, 탄소 성분 공급을 위해서는 탄화수소 (아세틸렌, 메탄 등) 가스를 혼용하여 이용한다.
즉, 탄소계물질 박막층은 전구체를 이용하기 때문에, 높은 온도에서 행해지는데, 상기와 같이 높은 온도에서 행하는 경우 전구체의 분해도가 향상되어 박막 중에 다량의 실리콘을 포함시킬 수 있다.
또한, 상기 탄소계 물질을 일정 두께만큼 형성시킴으로써, 고경도 저마찰 특성을 확보할 수 있다. 보다 우수한 고경도 저말찰 특성을 확보하기 위해서는 탄소계물질 박막층의 두께를 1~3㎛로 제한한다. 상기 탄소계물질 박막층의 두께가 1㎛ 이상으로 형성시킴으로써, 소지 표면의 경도를 향상시키고, 마찰계수를 낮추는 효과가 있으며, 과도하게 형성되는 경우에는 내부응력의 증가로 인하여 밀착력이 나빠지므로, 그 상한은 3㎛로 제어하는 것이 바람직하다.
또한, 상기 탄소계물질 박막층의 밀착력은 30N 이상인 것이 바람직하다.
본 발명의 다른 일측면인 고밀착력 박막을 포함하는 사출금형의 제조방법에 대하여 상세히 설명한다.
본 발명의 다른 일측면인 고밀착력 박막을 포함하는 사출금형의 제조방법은 사출금형 소지를 준비하는 단계, 상기 준비된 사출금형 소지의 표면을 질화처리하여 질화처리층을 형성하는 단계, 상기 준비된 질화처리층의 표면에 중간층을 형성하는 단계 및 상기 형성된 중간층의 표면에 탄소계물질 박막층을 형성하는 단계를 포함한다.
상기 소지강은 질화처리를 행하기 위하여 진공용기에 장입하는 것이 바람직하다. 이때, 진공용기의 질소가스와 수소가스는 각각 120~140sccm 및 60~80sccm인 것이 바람직하다. 또한, 상기 분위기에서 100~140분 동안 질화처리를 행하는 것이 바람직하다.
상기 질소가스와 수소가스의 분위기가 각각 120sccm 및 60sccm 미만인 경우에는 질화처리 시간이 장시간 소요되는 문제가 있으며, 140sccm 및 80sccm을 초과하는 경우에는 공정 중 아크의 발생으로 질화처리의 품질이 나빠지는 문제가 있다.
또한, 120분 미만을 유지하는 경우에는 충분한 질화층 두께를 얻을 수 없는 문제가 있고, 유지시간이 140분 초과하는 경우에는 상층의 코팅층과의 밀착력을 저해하는 과도한 질화물과 백화층 (white layer) 형성시키는 문제가 있다.
이때, 진공용기의 진공도는 0.5~1토르(torr)를 유지하고, 전압은 550~750V를 유지하는 것이 바람직하다. 0.5 토르 미만으로 진공도를 유지하는 경우에는 안정적인 플라즈마 현상을 유지하기위해 높은 전압이 요구되며 이온화된 질소가 불충분하게 되는 문제가 있으며, 1토르를 초과하는 진공도를 유지하는 경우에는 공정 중 아킹 발생으로 품질이 나빠지는 문제가 있다. 더불어, 550V 미만의 전압을 유지하는 경우에는 안정적 플라즈마와 충분히 이온화된 질소가 형성되지 않는 문제가 있으며, 750V를 초과하는 경우에는 공정 중의 아킹 발생으로 안정적인 플라즈마 제어가 어렵다는 문제가 있다.
상기와 같이 준비된 질화처리된 소지강의 표면에 중간층을 형성하는 것이 바람직한다.
상기 중간층은 진공용기에서 아르곤 가스: TMS 가스의 비가 6~8: 2~4인 분위기에서 10~30분 동안 유지하여 제조하는 것이 바람직하다.
상기 이르곤 가스: TMS 가스의 비를 6~8: 2~4로 유지함으로써, 아르곤에 의한 안정적 플라즈마 형성가 있다. 즉, 아르곤 가스: TMS 가스의 비가 상기 범위에 미치지 못하는 경우에는 TMS 가스의 이온화 특성이 부족한 문제가 있으며, 상기 아르곤 가스: TMS 가스의 비가 상기 범위를 초과하는 경우에는 TMS의 과도한 공급으로 TMS의 이온화가 부족하여 중간층의 밀착력 및 특성 등이 나빠지는 문제가 있다.
상기와 같이 형성된 중간층의 일면에 탄소계물질 박막층을 형성하는 것이 바람직하다.
상기 탄소계물질 박막층은 아르곤, 메탄, TMS 및 수소가스를 각각 40~60sccm, 20~40sccm, 5~25sccm 및 40~60sccm 공급하는 것이 바람직하다. 상기 범위에서 탄소계물질 박막층을 형성함으로써, 높은 경도와 낮은 마찰계수를 갖는 표면특성 효과가 있다.
또한, 상기 탄소계물질 박막층은 90~180분 동안 유지하는 것이 바람직하다. 상기 90분 미만인 경우에는 코팅두께가 부족하여 충분한 물성을 확보하는 것이 어려운 문제가 있으며, 180분을 초과하는 경우에는 코팅 두께가 과도하여 밀착력이 나빠지는 문제가 있다.
이하, 실시예를 통하여 본 발명을 보다 구체적으로 설명하고자 한다. 다만, 하기의 실시예는 본 발명을 예시하여 보다 상세하게 설명하기 위한 것일 뿐, 본 발명의 권리범위를 한정하기 위한 것이 아니라는 점에 유의할 필요가 있다. 본 발명의 권리범위는 특허청구범위에 기재된 사항과 이로부터 합리적으로 유추되는 사항에 의해 결정되는 것이기 때문이다.
(실시예)
금형의 소지로 사용되는 부품을 준비한다. 상기 준비된 부품 위에, 도 1에 나타난 바와 같은 경우와 같이 형성하여 비교예 1 내지 5 및 발명예 1 각각의 금형을 제조하였다.
즉, 도 1의 (a)는 수소화 아몰퍼스 탄소(a-C:H) 박막을 코팅한 경우, (b)는 실리콘 중간층 제작 후 실리콘 함유 아몰퍼스 탄소 박막, (c)는 소지강판에 실리콘 중간층 제작 후 실리콘 함유 아몰퍼스 탄소 박막 (a-CH:Si) 코팅한 경우, (d)는 소지강판의 플라즈마 질화처리 후 수소화 아몰퍼스 탄소 박막 코팅한 경우, (e)는 소지의 플라즈마 질화처리와 실리콘 중간층 제작 후 실리콘 함유 수소화 아몰퍼스 탄소 박막 코팅한 경우 및 (f)는 상기 (e)와 같이 탄소 박막 코팅을 행한 후, 코팅막의 후막화 한 경우의 샘플을 제조하였다.
상기 도 1의 (a)~(d) 및 (f)는 비교예 1 내지 5의 모식도이고, (e)는 발명예 1을 나타낸 모식도 이다.
상기와 같은 샘플을 준비하기 전에 소지강을 진공용기에 장입한 후, 세정을 행하였다. 상기 세정은 아르곤 가스 70sccm을 공급하고, 0.04torr의 진공도에서 바이어스 전압을 약 700V 인가하여 약 60분간 이온 충격(Ion bombardment)을 행한다.
여기서, 실리콘 중간층은 아르곤과 TMS 가스를 각각 7:3으로 공급하고 진공도 0.03 ~ 0.05torr 중의 상온에서 바이어스 전압을 650V 인가하여 20분간 유지하여 증착하였다.
또한, 소지강의 질화처리는 진공도 1torr, 온도 400℃, 질소와 수소 가스를 각각 130sccm과 70sccm을 공급하고 바이어스 전압을 700V 인가하여 120분간 처리하여 증착하였다.
수소화 아몰퍼스 탄소(a-C:H) 박막은 아르곤과 메탄가스를 이용하여 각각 50:50 비율로 공급하고 진공도 0.06~0.07torr에서 바이어스 전압을 650V 인가하였으며, 실리콘 함유 수소화 아몰퍼스 탄소(a-CH:Si) 박막은 아르곤, 메탄, 테트라메틸사이렌 (TMS: tetramethylsilane), 수소 가스를 각각 50, 30, 15, 50 sccm을 공급하여 90분간 제작하였다.
상기와 같이 제작된 비교예 1 내지 5 및 발명예 1의 두께는 FIB 및 TEM을 이용하여 확인하고 AFM을 이용하여 관찰한 결과를 도 2에 나타내었다.
도 2에 나타난 바와 같이 비교예 1의 박막층 두께는 940㎚, 비교예 2의 중간층 및 박막층 두께는 각각 170㎚ 및 170㎚, 비교예 3의 박막층 두께는 1100㎚, 비교예 4의 중간층은 550㎚, 비교예 5의 중간층 및 박막층 두께는 550㎚ 및 1200㎚ 및 발명예 1의 중간층 및 박막층 두께는 150㎚ 및 350㎚인 것을 확인할 수 있다.
또한, 상기 비교예 1 내지 5 및 발명예 1의 경도를 측정하여 하기 표 1에 나타내었다. 이때, 경도는 나노인덴터(Nonoindenter)을 이용하여 측정하였다.
구분 비교예 1 비교예 2 비교예3 비교예4 비교예5 발명예1
경도 26GPa 12GPa 13GPa 9GPa 19GPa 23GPa
상기 표 1에서 알 수 있듯이, 발명예 1은 실리콘 함유에 의해 수소화 아모퍼스 탄소 박막의 내부 응력이 완화되어 비교예 1과 유사한 경도를 가짐을 확인 할 수 있다. 더불어, 비교예 2 내지 4는 발명예 1과 대비하여 낮은 경도 값을 가지고 있는 것을 확인할 수 있으며, 비교예 5는 발명예 1과 대비하여 중간층과 박막층의 두께의 차이로 인하여 낮은 경도 값을 가지고 있는 것을 확인할 수 있다.
또한, 비교예 1 내지 5 및 발명예 1을 스크래치 실험을 행한 후 그 결과를 도 3에 나타내었다.
도 3에 나타난 바와 같이, 비교예 1 및 2는 수소화 아모퍼스 탄소 박막을 포함하는 경우로서, 소지강판에 질화처리를 행하지 않은 시편과 대비하여 매우 낮은 밀착력을 가지는 것을 확인할 수 있다.
또한, 비교예 3은 실리콘 중간층의 설계로 인해 비교예 1 및 2에 수소화 아몰퍼스 탄소 박막 대비 약 4~5배 밀착력이 개선된 것을 확인할 수 있다.
비교예 4는 앵커효과(Anchoring effect)로 인하여 높은 밀착력을 갖는 것을 확인할 수 있다.
비교예 5는 발명예 1보다 중간층 및 박막층의 두께가 2~3배 증가함에 따라 발명예 1보다 낮은 밀착력을 확보하는 것을 확인할 수 있다.
또한, 도 4는 비교예 1, 3 내지 5 및 발명예 1의 마찰계수를 측정하여 나타낸 그래프이다.
도 4의 (a)는 질화처리된 소지강판, 비교예 1 및 비교예 4의 마찰계수를 나타낸 그래프이고, (b)는 비교예 3, 비교예 5 및 발명예 1의 마찰계수를 나타낸 그래프이다.
도 4의 (a)에 나타난 바와 같이, 질화처리된 소지강판의 경우 비교예 1 및 비교예 4와 대비하여 높은 마찰계수를 가지는 것을 확인할 수 있다.
비교예 1의 경우를 살펴보면, 초기 낮은 마찰계수를 가지다가 일정 시점에서 급격하게 증가하는 것을 확인할 수 있다. 이는 마찰계수 시험 중 낮은 밀착력에 의해 박막이 탈리된 것에 기인한 것으로 판단된다.
비교예 4의 경우를 살펴보면, 초기 불안정한 마찰계수를 가지나, 일정 시점에서 안정화되는 것을 확인할 수 있다.
또한, 도 4의 (b) 그래프를 살펴보면, 비교예 3 및 5는 도 4의 (a)에 나타난 비교예 1 및 4와 대비하였을 때, 낮은 마찰계수를 갖는 것을 확인할 수 있다.
발명예 1은 상대재를 마모시킴으로 인해 마찰계수가 점차 증가하는 것을 확인할 수 있다.
따라서, 상기 도 1 내지 4 및 표 1에 나타난 바와 같이, 본 발명이 제안한 범위를 만족하는 경우에는 탄소계물질 박막층을 갖는 박막과 유사한 경도, 내마모성 등을 유지하면서, 마찰마모 특성 및 밀착력이 우수한 탄소박막을 포함하는 소재를 제공할 수 있다.
이상 실시예를 참조하여 설명하였지만, 해당 기술 분야의 숙련된 당업자는 하기의 특허 청구의 범위에 기재된 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음을 이해할 수 있을 것이다.

Claims (11)

  1. 사출금형 소지;
    상기 사출금형의 소지의 표면에 형성된 질화처리층;
    상기 질화처리층 표면에 형성된 중간층; 및
    상기 중간층의 표면에 형성된 탄소계물질 박막층을 포함하는 고밀착력 박막을 포함하는 사출금형.
  2. 제 1항에 있어서,
    상기 질화처리층은 상기 사출금형의 소지의 200~300㎛ 두께만큼 질화처리된 고밀착력 박막을 포함하는 사출금형.
  3. 제 1항에 있어서,
    상기 중간층은 실리콘층인 것을 특징으로 하는 고밀착력 박막을 포함하는 사출금형.
  4. 제 1항에 있어서,
    상기 중간층의 두께는 100~500㎚인 고밀착력 박막을 포함하는 사출금형.
  5. 제 1항에 있어서,
    상기 탄소계물질 박막층의 두께는 1~3㎛인 고밀착력 박막을 포함하는 사출금형.
  6. 제 1항에 있어서,
    상기 탄소계물질 박막층은 상기 탄소계물질 박막층 중의 실리콘 함량이 25중량%이하인 고밀착력 박막을 포함하는 사출금형.
  7. 제 1항에 있어서,
    상기 탄소계물질 박막층의 밀착력은 30N 이상인 고밀착력 박막을 포함하는 사출금형.
  8. 사출금형 소지를 준비하는 단계;
    상기 준비된 사출금형 소지의 표면을 질화처리하여 질화처리층을 형성하는 단계;
    상기 준비된 질화처리층의 표면에 중간층을 형성하는 단계; 및
    상기 형성된 중간층의 표면에 탄소계물질 박막층을 형성하는 단계를 포함하는 고밀착력 박막을 포함하는 사출금형의 제조방법.
  9. 제 8항에 있어서,
    상기 사출금형 소지는 120~140sccm의 질소가스와 60~80sccm의 수소가스 분위기에서 120~140분 동안 질화처리하는 고밀착력 박막을 포함하는 사출금형의 제조방법.
  10. 제 8항에 있어서,
    상기 중간층은 아르곤 가스: TMS 가스의 비가 6~8: 2~4인 분위기에서 10~30분 동안 유지하는 고밀착력 박막을 포함하는 사출금형의 제조방법.
  11. 제 8항에 있어서,
    상기 탄소계물질 박막층은 아르곤, 메탄, TMS 및 수소가스를 공급하고, 상기 가스는 sccm으로 각각 40~60, 20~40, 5~25, 40~60의 비를 갖는 분위기에서 90~180분 동안 유지하는 고밀착력 박막을 포함하는 사출금형의 제조방법.
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