KR20140074773A - Organic optical mask, apparatus for irradiating laser having the same and method for fabricationg organic light emitting dioide device using the same - Google Patents

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Abstract

The present invention relates to a dielectric optical mask, a laser irradiation apparatus, and a manufacturing method for organic electroluminescence device utilizing the same. The disclosed configuration includes a substrate; a first anti-reflective multilayer film formed on the lower surface of the substrate; a high-reflection multilayer film including a laser-passing area formed on the upper surface of the substrate; and a second anti-reflective multilayer film formed on the upper surface of the substrate including the high-reflection multilayer film pattern.

Description

유전체 광학 마스크, 이를 구비한 레이저 조사장치, 및 이를 이용한 유기전계 발광소자 제조방법{ORGANIC OPTICAL MASK, APPARATUS FOR IRRADIATING LASER HAVING THE SAME AND METHOD FOR FABRICATIONG ORGANIC LIGHT EMITTING DIOIDE DEVICE USING THE SAME}FIELD OF THE INVENTION [0001] The present invention relates to a dielectric optical mask, a laser irradiation apparatus having the same, and a method of manufacturing an organic electroluminescent device using the same. BACKGROUND ART [0002]

본 발명은 레이저 조사장치 및 이를 이용한 유기전계 발광소자에 관한 것으로, 보다 상세하게는 유기전계 발광소자(Organic Light Emitting Diode Device; 이하 "OLED"라 약칭함) 제작시에 사용되는 레이저 조사장치의 광학 마스크 구조를 개선하여 무반사 다층 박막의 손상을 제거함으로써 제작 효율을 증가시킬 수 있는 유전체 광학 마스크, 이를 구비한 레이저 조사장치 및 이를 이용한 유기전계 발광소자 제조방법에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a laser irradiation apparatus and an organic electroluminescent device using the same. More particularly, the present invention relates to an organic electroluminescent device (hereinafter referred to as " OLED " To a laser irradiation apparatus having the dielectric optical mask and a method of manufacturing an organic electroluminescent device using the dielectric optical mask.

일반적으로 평판 표시소자인 유기 전계 발광소자는 애노드 전극과 캐소드 전극 그리고, 상기 애노드 전극과 캐소드 전극 사이에 개재된 유기막층들을 포함하여 구성된다. In general, an organic electroluminescent device, which is a flat panel display device, includes an anode electrode, a cathode electrode, and organic film layers interposed between the anode electrode and the cathode electrode.

상기 유기막층들은 적어도 발광층을 포함하는데, 이러한 유기전계 발광소자는 상기 발광층을 이루는 물질에 따라서 고분자 유기 전계 발광소자와 저분자 유기 전계 발광소자로 나뉘어진다.The organic layer includes at least a light emitting layer, which is divided into a polymer organic electroluminescent device and a low molecular weight organic electroluminescent device depending on the material of the light emitting layer.

이러한 유기 전계 발광소자에 있어 풀 칼라(full color)화를 구현하기 위해서는 R, G, B의 삼원색을 나타내는 각각의 발광층을 패터닝해야 한다.In order to realize full color in such an organic electroluminescent device, it is necessary to pattern each of the emission layers exhibiting the three primary colors of R, G and B.

여기서, 상기 발광층을 패터닝하기 위한 방법으로 저분자 유기전계 발광소자의 경우 섀도우 마스크(shadow mask)를 사용하는 방법이 있고, 고분자 유기 전계 발광소자의 경우 잉크-젯 프린팅(ink-jet printing) 또는 레이저에 의한 열전사법 (Laser Induced Thermal Imaging; 이하 LITI이라 함)이 있다.As a method for patterning the light emitting layer, there is a method of using a shadow mask in the case of a low molecular weight organic electroluminescent device. In the case of a polymer organic electroluminescent device, a method of ink-jet printing or laser (Laser Induced Thermal Imaging; hereinafter referred to as LITI).

이 중에서 상기 LITI는 상기 유기막층을 미세하게 패터닝할 수 있고, 대면적에 사용할 수 있으며, 고해상도에 유리하다는 장점이 있을 뿐만 아니라, 상기 잉크-젯 프린팅이 습식 공정인데 반해 이는 건식 공정이라는 장점이 있다.Among these, the LITI has an advantage that the organic film layer can be finely patterned, can be used for a large area, is advantageous in high resolution, and is advantageous in that the ink-jet printing is a wet process but a dry process .

종래의 레이저 조사장치는, 도면에는 도시하지 않았지만, 광원장치(미도시)와, 상기 광원장치(미도시) 하부에 위치하는 광학 마스크(미도시; 도 1의 10 참조)와, 상기 광학 마스크(미도시) 하부에 위치하는 프로젝션 렌즈(미도시)를 포함하여 구성된다.The conventional laser irradiation apparatus includes a light source device (not shown), an optical mask (not shown in FIG. 1, not shown) located below the light source device (not shown) And a projection lens (not shown) positioned below the projection lens.

상기 구성으로 이루어지는 종래의 레이저 조사장치에 구비된 광학 마스크 구조에 대해 도 1을 참조하여 설명하면 다음과 같다.An optical mask structure provided in a conventional laser irradiation apparatus having the above-described structure will be described with reference to FIG.

도 1은 종래기술에 따른 레이저 조사장치에 구비된 광학 마스크의 개략적인 단면도이다.1 is a schematic cross-sectional view of an optical mask provided in a conventional laser irradiation apparatus.

도 1을 참조하면, 종래기술에 따른 광학 마스크(10)는 기판(11)의 상면에 형성된 제1 무반사 다층 박막(13)과, 상기 기판(11)의 하면에 형성된 제2 무반사 다층 박막(15)과, 상기 제1 무반사 다층 박막(13) 상에 형성되고, 레이저 통과영역 (19)을 가진 고반사 다층 박막 패턴(17a)을 포함하여 구성된다.1, an optical mask 10 according to the related art includes a first antireflection multilayer film 13 formed on an upper surface of a substrate 11 and a second antireflection multilayer film 15 formed on a lower surface of the substrate 11 And a highly reflective multilayered thin film pattern 17a formed on the first antireflection multilayered film 13 and having a laser passage region 19. [

상기 구성으로 이루어지는 광학 마스크 형성방법에 대해 도 2a 내지 2c를 참조하여 설명하면 다음과 같다.A method of forming an optical mask having the above structure will be described with reference to FIGS. 2A to 2C.

도 2a 내지 2c는 종래기술에 따른 광학 마스크 형성방법을 설명하기 위한 공정 단면도들이다.2A to 2C are process sectional views for explaining a method of forming an optical mask according to the prior art.

도 2a에 도시된 바와 같이, 기판(11) 전면에 저 반사 물질을 증착하여, 상기 기판(11)의 상면에 제1 무반사 다층 박막(13)을 형성하고, 상기 기판(11)의 하면에 제2 무반사 다층 박막(15)을 형성한다. 2A, a low reflection material is deposited on the entire surface of the substrate 11 to form a first antireflection multilayered film 13 on the substrate 11, 2 antireflection multilayered film 15 is formed.

그 다음, 도 2b에 도시된 바와 같이, 상기 기판(11)의 제1 무반사 다층 박막 (13) 상에 고반사 물질을 증착하여 고반사 다층 박막(17)을 형성한다.Then, as shown in FIG. 2B, a highly reflective material is deposited on the first antireflection multilayered film 13 of the substrate 11 to form a highly reflective multilayered film 17.

이어서, 도 2c에 도시된 바와 같이, 상기 고반사 다층 박막(17)을 노광 및 현상 공정을 진행한 후 패터닝하여 레이저 통과영역(19)을 가진 고반사 다층 박막 패턴(17a)을 형성함으로써, 종래기술에 따른 광학 마스크(10)를 형성 공정을 완료한다.Then, as shown in FIG. 2C, the highly reflective multi-layered thin film 17 is subjected to exposure and development processes and then patterned to form a highly reflective multilayered thin film pattern 17a having a laser passage region 19, Thereby completing the process of forming the optical mask 10 according to the technique.

그러나, 종래기술에 따른 광학 마스크 형성방법에 따르면, 무반사 다층 박막 위에 고반사 다층 박막을 형성하고 패터닝하는 공정에서 무반사 다층 박막이 손상을 받아 광학적 성능이 크게 변할 가능성이 있다.However, according to the optical mask forming method according to the related art, there is a possibility that the optical multilayered thin film is damaged and the optical performance is significantly changed in the process of forming and patterning the highly reflective multilayered thin film.

상기와 같은 문제를 해결하기 위해서는 고반사 다층 박막의 패터닝 공정에서 손상을 방지할 수 있는 기능을 가진 보호층을 제작하는 공정을 추가하거나, 패터닝 공정에서 영향을 받지 않는 재료를 이용하여 무반사 다층 박막을 제작해야 하는 문제점을 갖고 있다.In order to solve the above problems, it is necessary to add a process of fabricating a protective layer having a function capable of preventing damage in the patterning process of the highly reflective multi-layered thin film, or to add an anti- It has a problem to be made.

종래기술에 따른 유전체 광학 마스크 구조를 제작하는 공정의 제약을 불러 옴으로써, 제작 기간의 증가와 광학적 설계의 제작의 어려움 및 재료의 제약을 야기시키게 되며, 이로 인해 유전체 광학 마스크의 제작 비용의 증가를 초래할 뿐만 아니라 전체적으로 레이저를 이용한 조사장치의 구성의 어려움과 장치 비용의 증가 가능성을 가지게 된다.It is difficult to increase the fabrication period, to make the optical design, and to restrict the material, thereby increasing the fabrication cost of the dielectric optical mask. Not only the difficulty in the construction of the irradiation apparatus using the laser as a whole but also the possibility of the increase of the apparatus cost.

이에 본 발명은 상기 종래기술의 문제점을 해결하기 위한 것으로, 본 발명의 목적은 레이저 조사장치의 광학 마스크 구조를 개선하여 유기막 패터닝 공정시에 광학 마스크의 무반사 다층 박막의 손상을 제거함으로써 제작 효율을 증가시킬 수 있는 유전체 광학 마스크, 이를 구비한 레이저 조사장치 및 이를 이용한 유기전계 발광소자 제조방법에 관한 것이다.SUMMARY OF THE INVENTION It is an object of the present invention to improve the optical mask structure of a laser irradiation apparatus to remove damage to an antireflection multilayer film of an optical mask during an organic film patterning process, A laser irradiation apparatus having the same, and a method of manufacturing an organic electroluminescent device using the same.

상기 목적을 달성하기 위한 본 발명에 따른 유전체 광학 마스크는, 기판; 상기 기판 하면에 형성된 제1 무반사 다층박막; 상기 기판 상면에 형성되고, 레이저 통과 영역을 구비한 고반사 다층박막 패턴; 및 상기 고반사 다층박막 패턴을 포함한 기판 상면에 형성된 제2 무반사 다층박막;을 포함하여 구성되는 것을 특징으로 한다. According to an aspect of the present invention, there is provided a dielectric optical mask comprising: a substrate; A first anti-reflection multilayered film formed on the bottom surface of the substrate; A highly reflective multilayered thin film pattern formed on the top surface of the substrate and having a laser passage region; And a second anti-reflective multilayer film formed on the upper surface of the substrate including the high reflection multilayer thin film pattern.

상기 목적을 달성하기 위한 본 발명에 따른 유전체 광학 마스크 제조방법은, 기판 하면에 제1 무반사 다층박막을 형성하는 단계; 상기 기판 상면에 레이저 통과 영역을 가지는 고반사 다층박막 패턴을 형성하는 단계; 및 상기 고반사 다층박막 패턴과 레이저 통과영역을 포함한 기판 상면에 제2 무반사 다층박막을 형성하는 단계;를 포함하여 구성되는 것을 특징으로 한다.According to an aspect of the present invention, there is provided a method of manufacturing a dielectric optical mask, including: forming a first anti-reflective multilayer thin film on a bottom surface of a substrate; Forming a highly reflective multi-layered thin film pattern having a laser passage region on the top surface of the substrate; And forming a second anti-reflective multilayer thin film on the upper surface of the substrate including the high reflection multilayer thin film pattern and the laser passage region.

상기 목적을 달성하기 위한 본 발명에 따른 유전체 광학 마스크를 구비한 레이저 조사장치는, 광원장치와, 상기 광원장치 하부에 위치하며, 기판 하면에 형성된 제1 무반사 다층박막과, 상기 기판 상면에 형성되고, 레이저 통과 영역을 구비한 고반사 다층박막 패턴 및 상기 고반사 다층박막 패턴을 포함한 기판 상면에 형성된 제2 무반사 다층박막을 포함하는 유전체 광학 마스크와; 상기 유전체 광학 마스크 하부에 위치하는 프로젝션 렌즈와; 상기 유전체 광학 마스크에 정의된 패턴 형태대로 조사되어 유기막층이 기판에 전사되도록 하는 도너 기판;을 포함하여 구성되는 것을 특징으로 한다.According to an aspect of the present invention, there is provided a laser irradiating apparatus including a dielectric optical mask, the laser irradiating apparatus including a light source device, a first anti-reflection multilayer thin film disposed under the light source device, A dielectric optical mask including a highly reflective multilayered thin film pattern having a laser passage region and a second antireflection multilayered film formed on an upper surface of the substrate including the highly reflective multilayered thin film pattern; A projection lens positioned below the dielectric optical mask; And a donor substrate which is irradiated in a pattern form defined in the dielectric optical mask to transfer the organic film layer onto the substrate.

상기 목적을 달성하기 위한 본 발명에 따른 레이저 조사장치를 이용한 유기전계 발광소자 제조방법은, 박막트랜지스터와 제1 전극이 형성된 기판을 제공하는 단계; 상기 기판 상측에 유기막층을 구비한 도너 기판을 배치하는 단계; 상기 기판상에 상기 도너 기판을 라미네이션하는 단계; 상기 도너 기판의 상측에 기판 하면에 형성된 제1 무반사 다층박막과, 상기 기판 상면에 형성되고, 레이저 통과 영역을 구비한 고반사 다층박막 패턴 및 상기 고반사 다층박막 패턴을 포함한 기판 상면에 형성된 제2 무반사 다층박막을 포함하는 유전체 광학 마스크를 배치시키는 단계; 광원장치로부터 레이저를 조사하여 상기 도너 기판에 있는 유기막층을 상기 기판에 전사시키는 단계; 상기 기판으로부터 상기 도너 기판을 디라미네이션하여 상기 기판의 제1 전극에 유기막층 패턴을 형성하는 단계; 및 상기 유기막층 패턴 상에 제2 전극을 형성하는 단계;를 포함하여 구성되는 것을 특징으로 한다.According to an aspect of the present invention, there is provided a method of manufacturing an organic electroluminescent device using a laser irradiation apparatus, the method comprising: providing a substrate on which a thin film transistor and a first electrode are formed; Disposing a donor substrate having an organic film layer on the substrate; Laminating the donor substrate on the substrate; A first antireflection multilayer thin film formed on a lower surface of the substrate on the donor substrate; and a second antireflection multilayer thin film formed on the upper surface of the substrate, the second antireflection multilayer thin film having a laser- Disposing a dielectric optical mask including an antireflection multilayer film; Irradiating a laser from a light source device to transfer an organic film layer on the donor substrate to the substrate; Delaminating the donor substrate from the substrate to form an organic layer pattern on the first electrode of the substrate; And forming a second electrode on the organic film layer pattern.

본 발명에 따른 유전체 광학 마스크, 이를 구비한 레이저 조사장치 및 이를 이용한 유기전계 발광소자 제조방법에 따르면, 레이저를 이용하여 유기전계 발광소자를 제작하는 장치 및 공정에서 도너 기판에 도달하는 레이저 빔의 형태를 화소의 형태에 따라 차폐시키는 역할을 하는 유전체 광학 마스크 제작시에, 패터닝되어 있는 고반사 다층 박막 패턴을 포함한 기판 전면에 무반사 다층 박막을 형성해 줌으로써, 고반사 다층 박막 패턴과 무반사 다층 박막의 재료를 동일하게 사용할 수 있기 때문에 재료 사용 제약을 감소시킬 수 있다.According to the present invention, there is provided a dielectric optical mask, a laser irradiation apparatus having the same, and a method of manufacturing an organic electroluminescent device using the same. In an apparatus and an apparatus for fabricating an organic electroluminescent device using a laser, Reflective multilayer thin film is formed on the entire surface of the substrate including the patterned high reflective multilayer thin film pattern in the fabrication of the dielectric optical mask which shields the reflective multilayer thin film according to the shape of the pixel. It is possible to reduce the use restriction of the material.

또한, 본 발명에 따른 유전체 광학 마스크는 고반사 다층 박막 패턴과 무반사 다층 박막의 재료를 동일하게 사용할 수 있기 때문에 기능성 다층 박막의 설계를 용이하게 할 수 있어 유전체 광학 마스크 제작을 용이하게 할 수 있다.The dielectric optical mask according to the present invention can easily design the functional multilayer thin film because it can use the material of the high reflection multilayer thin film pattern and the antireflection multilayer thin film in the same manner, thus facilitating fabrication of the dielectric optical mask.

그리고, 본 발명에 따른 유전체 광학 마스크는 고반사 다층 박막의 패터닝 공정이 먼저 진행된 후에 기판 전면에 무반사 다층 박막을 형성하는 공정 순으로 제작함으로써 고반사 다층 박막의 패터닝 공정에 대한 영향을 감소시킬 수 있기 때문에 제작 변수가 줄어들게 된다. The dielectric optical mask according to the present invention can reduce the influence of the highly reflective multi-layered thin film on the patterning process by fabricating the highly reflective multi-layered thin film in the order of forming the antireflection multilayered film on the entire surface after the patterning process first Therefore, manufacturing variables are reduced.

더욱이, 본 발명에 따른 유전체 광학 마스크는 고반사 다층 박막의 패터닝 공정이 먼저 진행된 후에 기판 전면에 무반사 다층 박막을 형성하는 공정 순으로 제작하기 때문에, 종래기술에서와 같은 무반사 다층 박막의 손상(damage)을 감소시킴으로써 공정 효율의 증가를 가져올 수 있다.In addition, since the dielectric optical mask according to the present invention is fabricated in the order of forming the antireflection multilayer thin film on the entire surface of the substrate after the patterning process of the highly reflective multilayer thin film is performed first, damage to the antireflection multilayer thin film, The process efficiency can be increased.

한편, 본 발명에 따른 유전체 광학 마스크는 고반사 다층 박막의 패터닝 공정이 먼저 진행된 후에 기판 전면에 무반사 다층 박막을 형성하는 공정 순으로 제작하기 때문에, 종래기술에서와 같은 무반사 다층 박막을 보호하기 위한 기능성 추가와 공정을 제거함으로써 제작 기간 및 공정 비용의 감소를 가져 올 수 있다.Meanwhile, since the dielectric optical mask according to the present invention is fabricated in the order of forming the antireflection multilayer thin film on the entire surface of the substrate after the patterning process of the highly reflective multilayer thin film is performed first, By eliminating the addition and the process, it is possible to reduce the production period and the process cost.

또한, 본 발명에 따른 유전체 광학 마스크는 유전체 광학 마스크의 제작이 용이해짐으로써, 제작 기간과 비용이 감소되고 유전체 광학 마스크를 사용하는 레이저 조사장치 및 공정 비용의 감소를 가져 올 수 있다. In addition, the dielectric optical mask according to the present invention facilitates fabrication of a dielectric optical mask, thereby reducing fabrication time and cost, and can lead to a reduction in laser irradiation apparatus and process cost using a dielectric optical mask.

도 1은 종래기술에 따른 레이저 조사장치에 구비된 광학 마스크의 개략적인 단면도이다.
도 2a 내지 2c는 종래기술에 따른 광학 마스크 형성방법을 설명하기 위한 공정 단면도들이다.
도 3은 본 발명에 따른 유전체 광학 마스크의 개략적인 단면도이다.
도 4a 내지 4d는 본 발명에 따른 유전체 광학 마스크 제조 공정 단면도 들이다.
도 5는 본 발명에 따른 유전체 광학 마스크를 구비한 레이저 조사장치를 개략적으로 도시한 개략도이다.
도 6a 내지 6e는 본 발명에 따른 레이저 조사장치를 이용한 유기전계 발광소자 제조 공정 단면도들이다.1 is a schematic cross-sectional view of an optical mask provided in a conventional laser irradiation apparatus.
2A to 2C are process sectional views for explaining a method of forming an optical mask according to the prior art.
3 is a schematic cross-sectional view of a dielectric optical mask according to the present invention.
4A to 4D are cross-sectional views of a dielectric optical mask manufacturing process according to the present invention.
5 is a schematic view schematically showing a laser irradiation apparatus having a dielectric optical mask according to the present invention.
6A to 6E are cross-sectional views illustrating an organic electroluminescent device manufacturing process using the laser irradiation apparatus according to the present invention.

이하, 본 발명에 따른 레이저 조사 장치에 구비된 유전체 광학 마스크 구조에 대해 도 3을 참조하여 설명하면 다음과 같다.Hereinafter, a structure of a dielectric optical mask provided in the laser irradiation apparatus according to the present invention will be described with reference to FIG.

도 3을 참조하면, 본 발명에 따른 유전체 광학 마스크(110)는, 석영 유리 (quartz glass) 재질로 이루어진 기판(101)과; 상기 기판(101) 하면에 형성된 제1 무반사 다층박막(103)과; 상기 기판(101) 상면에 형성되고, 레이저 통과 영역(미도시, 도 4c의 107 참조)을 구비한 고반사 다층박막 패턴(105a); 및 상기 고반사 다층박막 패턴(105a)을 포함한 기판(101) 상면에 형성된 제2 무반사 다층박막(109);을 포함하여 구성된다.Referring to FIG. 3, a dielectric optical mask 110 according to the present invention includes a substrate 101 made of quartz glass; A first anti-reflection multilayered film (103) formed on a lower surface of the substrate (101); A highly reflective multilayer thin film pattern 105a formed on the upper surface of the substrate 101 and having a laser passage region (not shown in FIG. 4C, 107); And a second anti-reflection multilayered film 109 formed on the upper surface of the substrate 101 including the highly reflective multilayered thin film pattern 105a.

여기서, 제1, 2 무반사 다층박막(103, 109) 및 고반사 다층박막 패턴(105a)은 적어도 1개 이상의 유전체 재료로 구성되어 있다.Here, the first and second antireflection multilayer films 103 and 109 and the high reflection multilayer thin film pattern 105a are composed of at least one dielectric material.

또한, 상기 제1, 2 무반사 다층박막(103, 109) 및 고반사 다층박막 패턴 (105a)은 동일한 유전체 재료로 구성되어 있다. Further, the first and second antireflection multilayer films 103 and 109 and the highly reflective multilayer thin film pattern 105a are made of the same dielectric material.

그리고, 상기 제1 무반사 다층박막(103)은 광학적 성능을 향상시키기 위한 기능을 담당한다.Further, the first anti-reflective multilayered film 103 functions to improve the optical performance.

상기 구성으로 이루어진 본 발명에 따른 유전체 광학 마스크(110)를 통과하는 레이저 빔이 도달하는 레이저 통과영역(107)에 따라 제2 무반사 다층박막(109)에 도달하는 빛은 제2 무반사 다층박막(109)이 형성되어 있는 모습으로 빛이 투과되며, 고반사 다층박막 패턴(105a)과 하부의 제2 무반사 다층박막(109)에 도달하는 빛은 반사되어 유전체 광학 마스크(110)의 하부로 투과되지 못하도록 한다.The light reaching the second antireflection multilayer film 109 along the laser passage region 107 through which the laser beam passing through the dielectric optical mask 110 according to the present invention having the above-described configuration reaches the second antireflection multilayer film 109 Light is transmitted through the dielectric optical mask 110 and the light reaching the high reflection multilayer thin film pattern 105a and the second low reflection multilayer thin film 109 is reflected so as not to be transmitted to the lower portion of the dielectric optical mask 110 do.

한편, 본 발명에 따른 유전체 광학 마스크 제조방법에 대해 도 4a 내지 4d를 참조하여 설명하면 다음과 같다.A method of manufacturing a dielectric optical mask according to the present invention will be described with reference to FIGS. 4A to 4D.

도 4a 내지 4d는 본 발명에 따른 유전체 광학 마스크 제조 공정 단면도 들이다.4A to 4D are cross-sectional views of a dielectric optical mask manufacturing process according to the present invention.

4a에 도시된 바와 같이, 석영 유리 (quartz glass) 재질로 이루어진 기판 (101)의 하면에 유전체 재료를 증착하여 제1 무반사 다층박막(103)을 형성한다. 이때, 상기 제1 무반사 다층박막(103)은 적어도 1개 이상의 유전체 재료로 구성되어 있다. 또한, 상기 제1 무반사 다층박막(103)은 광학적 성능을 향상시키기 위한 기능을 담당한다.A dielectric material is deposited on a lower surface of a substrate 101 made of quartz glass to form a first anti-reflection multilayered film 103, as shown in FIG. At this time, the first anti-reflective multilayered film 103 is composed of at least one dielectric material. Further, the first anti-reflective multilayered film 103 functions to improve the optical performance.

그 다음, 도 4b에 도시된 바와 같이, 상기 기판(101) 상면에 유전체 재료를 증착하여 고반사 다층박막(105)을 형성한다. 이때, 상기 고반사 다층박막(105)은 상기 제1 무반사 다층박막(103)의 유전체 재료와 동일한 재료로 사용한다. 또한, 상기 고반사 다층박막(105)은 적어도 1개 이상의 유전체 재료로 구성되어 있다.Then, as shown in FIG. 4B, a dielectric material is deposited on the upper surface of the substrate 101 to form a highly reflective multi-layered film 105. At this time, the highly reflective multi-layered thin film 105 is made of the same material as the dielectric material of the first antireflection multilayered film 103. Further, the highly reflective multilayered film 105 is composed of at least one or more dielectric materials.

이어서, 도 4c에 도시된 바와 같이, 상기 고반사 다층박막(105)을 노광 및 현상한 후 이를 패터닝하여, 레이저 통과 영역(107)을 구비한 고반사 다층박막 패턴(105a)을 형성한다.Then, as shown in FIG. 4C, the highly reflective multilayered thin film 105 is exposed and developed, and then patterned to form a highly reflective multilayered thin film pattern 105a having a laser passage region 107. Next, as shown in FIG.

그 다음, 도 4d에 도시된 바와 같이, 상기 고반사 다층박막 패턴(105a)을 포함한 기판(101) 상면에 유전체 재료를 증착하여 제2 무반사 다층박막(109)을 형성한다. 이때, 상기 제2 무반사 다층박막(109)은 상기 제1 무반사 다층박막(103)의 유전체 재료와 동일한 재료로 사용한다. 또한, 상기 제2 무반사 다층박막(109)은 적어도 1개 이상의 유전체 재료로 구성되어 있다.4D, a dielectric material is deposited on the upper surface of the substrate 101 including the highly reflective multilayered thin film pattern 105a to form a second antireflection multilayered film 109. Next, as shown in FIG. At this time, the second anti-reflective multilayer film 109 is made of the same material as the dielectric material of the first anti-reflective multilayer film 103. Further, the second anti-reflective multilayered film 109 is made of at least one dielectric material.

상기 공정 순으로 제조되는 본 발명에 따른 유전체 광학 마스크(110)를 통과하는 레이저 빔이 도달하는 레이저 통과영역(107)에 따라 제2 무반사 다층박막 (109)에 도달하는 빛은 제2 무반사 다층박막(109)이 형성되어 있는 모습으로 빛이 투과되며, 고반사 다층박막 패턴(105a)과 하부의 제2 무반사 다층박막(109)에 도달하는 빛은 반사되어 유전체 광학 마스크(110)의 하부로 투과되지 못하도록 한다.The light reaching the second antireflection multilayer film 109 along the laser passage region 107 through which the laser beam passing through the dielectric optical mask 110 according to the present invention manufactured in the order of the process arrives, The light reaching the high reflection multilayered thin film pattern 105a and the second low reflection multilayered film 109 is reflected and transmitted to the lower portion of the dielectric optical mask 110 .

따라서, 본 발명에 따른 유전체 광학 마스크, 이를 구비한 레이저 조사장치 및 이를 이용한 유기전계 발광소자 제조방법에 따르면, 레이저를 이용하여 유기전계 발광소자를 제작하는 장치 및 공정에서 도너 기판에 도달하는 레이저 빔의 형태를 화소의 형태에 따라 차폐시키는 역할을 하는 유전체 광학 마스크 제작시에, 패터닝되어 있는 고반사 다층 박막 패턴을 포함한 기판 전면에 무반사 다층 박막을 형성해 줌으로써, 고반사 다층 박막 패턴과 무반사 다층 박막의 재료를 동일하게 사용할 수 있기 때문에 재료 사용 제약을 감소시킬 수 있다.Accordingly, according to the present invention, there is provided a dielectric optical mask, a laser irradiation apparatus having the same, and a method of manufacturing an organic electroluminescent device using the same. In an apparatus and an apparatus for fabricating an organic electroluminescent device using a laser, Reflection multilayer thin film is formed on the entire surface of the substrate including the patterned high reflection multilayer thin film pattern in the fabrication of the dielectric optical mask which shields the shape of the reflective multilayer thin film according to the shape of the pixel. Since the materials can be used in the same manner, restrictions on the use of materials can be reduced.

또한, 본 발명에 따른 유전체 광학 마스크는 고반사 다층 박막 패턴과 무반사 다층 박막의 재료를 동일하게 사용할 수 있기 때문에 기능성 다층 박막의 설계를 용이하게 할 수 있어 유전체 광학 마스크 제작을 용이하게 할 수 있다.The dielectric optical mask according to the present invention can easily design the functional multilayer thin film because it can use the material of the high reflection multilayer thin film pattern and the antireflection multilayer thin film in the same manner, thus facilitating fabrication of the dielectric optical mask.

그리고, 본 발명에 따른 유전체 광학 마스크는 고반사 다층 박막의 패터닝 공정이 먼저 진행된 후에 기판 전면에 무반사 다층 박막을 형성하는 공정 순으로 제작함으로써 고반사 다층 박막의 패터닝 공정에 대한 영향을 감소시킬 수 있기 때문에 제작 변수가 줄어들게 된다. The dielectric optical mask according to the present invention can reduce the influence of the highly reflective multi-layered thin film on the patterning process by fabricating the highly reflective multi-layered thin film in the order of forming the antireflection multilayered film on the entire surface after the patterning process first Therefore, manufacturing variables are reduced.

더욱이, 본 발명에 따른 유전체 광학 마스크는 고반사 다층 박막의 패터닝 공정이 먼저 진행된 후에 기판 전면에 무반사 다층 박막을 형성하는 공정 순으로 제작하기 때문에, 종래기술에서와 같은 무반사 다층 박막의 손상(damage)을 감소시킴으로써 공정 효율의 증가를 가져올 수 있다.In addition, since the dielectric optical mask according to the present invention is fabricated in the order of forming the antireflection multilayer thin film on the entire surface of the substrate after the patterning process of the highly reflective multilayer thin film is performed first, damage to the antireflection multilayer thin film, The process efficiency can be increased.

한편, 본 발명에 따른 유전체 광학 마스크는 고반사 다층 박막의 패터닝 공정이 먼저 진행된 후에 기판 전면에 무반사 다층 박막을 형성하는 공정 순으로 제작하기 때문에, 종래기술에서와 같은 무반사 다층 박막을 보호하기 위한 기능성 추가와 공정을 제거함으로써 제작 기간 및 공정 비용의 감소를 가져 올 수 있다.Meanwhile, since the dielectric optical mask according to the present invention is fabricated in the order of forming the antireflection multilayer thin film on the entire surface of the substrate after the patterning process of the highly reflective multilayer thin film is performed first, By eliminating the addition and the process, it is possible to reduce the production period and the process cost.

또한, 본 발명에 따른 유전체 광학 마스크는 유전체 광학 마스크의 제작이 용이해짐으로써, 제작 기간과 비용이 감소되고 유전체 광학 마스크를 사용하는 레이저 조사장치 및 공정 비용의 감소를 가져 올 수 있다. In addition, the dielectric optical mask according to the present invention facilitates fabrication of a dielectric optical mask, thereby reducing fabrication time and cost, and can lead to a reduction in laser irradiation apparatus and process cost using a dielectric optical mask.

또 한편, 본 발명에 따른 유전체 광학 마스크를 구비한 레이저 조사장치에 대해 도 5를 참조하여 설명하면 다음과 같다.A laser irradiation apparatus having a dielectric optical mask according to the present invention will now be described with reference to FIG.

도 5는 본 발명에 따른 유전체 광학 마스크를 구비한 레이저 조사장치를 개략적으로 도시한 개략도이다.5 is a schematic view schematically showing a laser irradiation apparatus having a dielectric optical mask according to the present invention.

도 5를 참조하면, 본 발명에 따른 레이저 조사장치(100)는, 광원장치(120)와; 상기 광원장치(120) 하부에 위치하며, 기판(101)과 상기 기판(101) 하면에 형성된 제1 무반사 다층박막(103)과 상기 기판(101) 상면에 형성되고, 레이저 통과 영역(107)을 구비한 고반사 다층박막 패턴(105a) 및 상기 고반사 다층박막 패턴 (105a)을 포함한 기판(101) 상면에 형성된 제2 무반사 다층박막(109)을 포함하는 유전체 광학 마스크(110)와; 상기 유전체 광학 마스크 하부에 위치하는 프로젝션 렌즈(미도시)와; 상기 유전체 광학 마스크(110)에 정의된 패턴대로 조사되어 유기막층(133)이 기판(140)에 전사되도록 하는 도너 기판(130)을 포함하여 구성된다.Referring to FIG. 5, a laser irradiation apparatus 100 according to the present invention includes a light source device 120; A first antireflection multilayer film 103 formed on the lower surface of the substrate 101 and a first antireflection multilayer film 103 formed on the lower surface of the substrate 101, A dielectric optical mask 110 comprising a highly reflective multilayered thin film pattern 105a provided on the substrate 101 and a second antireflection multilayered film 109 formed on the substrate 101 including the highly reflective multilayered thin film pattern 105a; A projection lens (not shown) positioned below the dielectric optical mask; And a donor substrate 130 irradiated with a pattern defined by the dielectric optical mask 110 to transfer the organic layer 133 to the substrate 140.

여기서, 상기 유전체 광학 마스크(110)를 구성하는 상기 제1, 2 무반사 다층박막(103, 109) 및 고반사 다층박막 패턴(105a)은 적어도 1개 이상의 유전체 재료로 구성되어 있다.The first and second antireflection multilayer films 103 and 109 and the highly reflective multilayer thin film pattern 105a constituting the dielectric optical mask 110 are made of at least one or more dielectric materials.

또한, 상기 제1, 2 무반사 다층박막(103, 109) 및 고반사 다층박막 패턴 (105a)은 동일한 유전체 재료로 구성되어 있다. Further, the first and second antireflection multilayer films 103 and 109 and the highly reflective multilayer thin film pattern 105a are made of the same dielectric material.

그리고, 상기 제1 무반사 다층박막(103)은 광학적 성능을 향상시키기 위한 기능을 담당한다.Further, the first anti-reflective multilayered film 103 functions to improve the optical performance.

한편, 상기 도너 기판(130)은, 도면에는 도시하지 않았지만, 기재 기판(base film; 미도시)과, 광열 변환층 (Light-To-Heating Conversion Layer; 미도시)과, 오염 방지 및 탈착이 용이하도록 하는 역할을 담당하는 중간층(interlayer; 미도시) 및 유기막층(133)을 포함한다. The donor substrate 130 may include a base substrate (not shown), a light-to-heating conversion layer (not shown) (Not shown) and an organic film layer 133, which serve to make the organic EL display device function as an organic EL element.

또한, 상기 기재 기판(미도시)은 PET(polyethylene terephthalate; 폴리에틸렌 테레프탈레이트)와 프라이밍 층(priming layer)을 포함한다.The base substrate (not shown) includes PET (polyethylene terephthalate) and a priming layer.

그리고, 상기 유기막층(133)은, 도면에는 도시하지 않았지만, 정공주입층, 정공수송층, 정공억제층, 전자수송층, 및 전자주입층을 더욱 포함할 수 있다. 이때, 상기 유기막층(133)은 저분자, 고분자 발광성 유기물질, 비발광성 유기물질을 포함한다.The organic film layer 133 may further include a hole injecting layer, a hole transporting layer, a hole blocking layer, an electron transporting layer, and an electron injecting layer although not shown in the drawing. At this time, the organic layer 133 includes a low molecular weight material, a high molecular weight organic material, and a non-organic material.

한편, 상기 구성으로 이루어지는 본 발명에 따른 레이저 조사장치를 이용한 유기전계 발광소자 제조방법에 대해 도 6a 내지 6e를 참조하여 설명하면 다음과 같다.A method of manufacturing an organic electroluminescent device using the laser irradiation apparatus according to the present invention will be described with reference to FIGS. 6A to 6E.

도 6a 내지 6e는 본 발명에 따른 레이저 조사장치를 이용한 유기전계 발광소자 제조방법을 개략적으로 나타내는 제조공정 단면도들이다.6A to 6E are cross-sectional views illustrating manufacturing steps of the organic electroluminescent device using the laser irradiation apparatus according to the present invention.

도 6a에 도시된 바와 같이, 소자 기판(140) 상에 투명 전극물질 또는 금속 전극물질을 증착 및 패터닝하여, 기판의 화소영역 각각에 애노드 전극인 제1 전극(143)을 형성한다. 이때, 상기 제1 전극(143)을 형성하기 전에, 도면에는 도시하지 않았지만, 상기 소자 기판(140)에 유기전계 발광소자의 기능 향상을 위해 구동 박막트랜지스터(미도시)와 스위칭 박막트랜지스터(미도시), 캐패시터(미도시) 및 다수의 절연막(미도시)을 형성하는 공정을 수행한다. 이때, 상기 기판(140)은 유리기판, 금속물질 또는 플렉서블 (Flexible)한 기판을 포함한다. As shown in FIG. 6A, a transparent electrode material or a metal electrode material is deposited and patterned on the element substrate 140 to form a first electrode 143, which is an anode electrode, in each pixel region of the substrate. In order to improve the function of the organic electroluminescent device, a driving thin film transistor (not shown) and a switching thin film transistor (not shown) are formed on the element substrate 140 before forming the first electrode 143, ), A capacitor (not shown), and a plurality of insulating films (not shown). At this time, the substrate 140 includes a glass substrate, a metal material, or a flexible substrate.

그 다음, 상기 화소영역 각각을 분리 정의하기 위해 상기 제1 전극(143)과 소자 기판(140) 상에 뱅크(145)를 형성한다.Next, banks 145 are formed on the first electrodes 143 and the element substrate 140 to separately define each of the pixel regions.

이어서, 상기 소자 기판(140)에 도너 기판(130)을 라미네이션(lamination)한다. 이때, 상기 도너기판(130)은, 기재 기판(base film; 미도시)과, 광열 변환층 (Light- To-Heating Conversion Layer; 131)과, 오염 방지 및 탈착이 용이하도록 하는 역할을 담당하는 중간층(interlayer; 미도시) 및 유기막층 (133)을 포함한다. 또한, 상기 기재 기판(미도시)은 PET(polyethylene terephthalate; 폴리에틸렌 테레프탈레이트)와 프라이밍 층(priming layer)을 포함한다.Subsequently, the donor substrate 130 is laminated on the element substrate 140. At this time, the donor substrate 130 includes a base film (not shown), a light-to-heating conversion layer 131, and an intermediate layer an interlayer (not shown) and an organic film layer 133. The base substrate (not shown) includes PET (polyethylene terephthalate) and a priming layer.

그리고, 상기 도너 기판(130)을 상기 소자 기판(140)에 라미네이션하는 공정은 진공 상태에서 이루어진다. 상기 유기막층(133)은, 도면에는 도시하지 않았지만, 정공주입층, 정공수송층, 정공억제층, 전자수송층, 및 전자주입층을 더욱 포함할 수 있다. 이때, 상기 유기막층(133)은 저분자, 고분자 발광성 유기물질, 비발광성 유기물질을 포함한다.The step of laminating the donor substrate 130 to the element substrate 140 is performed in a vacuum state. The organic film layer 133 may further include a hole injecting layer, a hole transporting layer, a hole blocking layer, an electron transporting layer, and an electron injecting layer although not shown in the figure. At this time, the organic layer 133 includes a low molecular weight material, a high molecular weight organic material, and a non-organic material.

상기 기재층(미도시)은 상기 기재층 상측에 배치된 광원장치(120)에서 레이저가 조사되어 상기 광열 변환층(131)으로 전달되므로 투명한 물질로 이루어지는 것이 바람직하다. 상기 투명한 물질로는, 예를 들어 폴리에스테르, 폴리아크릴, 폴리에폭시, 폴리에틸렌 및 폴리스틸렌으로 이루어진 군에서 선택된 고분자 물질이나 유리기판일 수 있다. 더욱 바람직하게는 상기 기재층(미도시)은 폴리에틸렌테레프탈레이트(PET)를 사용할 수 있다.The substrate layer (not shown) is preferably made of a transparent material since the laser beam is transmitted to the photo-thermal conversion layer 131 by the light source device 120 disposed on the base layer. The transparent material may be, for example, a polymer material selected from the group consisting of polyester, polyacryl, polyepoxy, polyethylene, and polystyrene, or a glass substrate. More preferably, polyethylene terephthalate (PET) may be used for the substrate layer (not shown).

상기 기재층(미도시) 상에 형성되는 광열 변환층(131)은 적외선-가시광선 영역의 빛을 흡수하여 상기 빛의 일부분을 열로 변환시키는 층으로서, 적당한 광학 밀도(optical density)를 가져야 하며, 빛을 흡수하기 위한 광 흡수성 물질을 포함하는 것이 바람직하다. 이때, 상기 광열 변환층(미도시)은 Al, Ag 및 이들의 산화물 및 황화물로 이루어진 금속막이거나 카본 블랙, 흑연 또는 적외선 염료를 고분자로 이루어진 유기막으로 이루어질 수 있다.The photo-thermal conversion layer 131 formed on the base layer (not shown) absorbs light in the infrared-visible light region and converts a part of the light into heat. The layer has an appropriate optical density, It is preferable to include a light absorbing material for absorbing light. At this time, the photothermal conversion layer (not shown) may be a metal film made of Al, Ag, oxides and sulfides thereof, or an organic film made of carbon black, graphite or infrared dye.

여기서, 상기 금속막은 진공 증착법, 전자빔 증착법 또는 스퍼터링 방법을 이용하여 형성할 수 있으며, 상기 유기막은 통상적인 필름 코팅 방법으로서, 롤 코팅, 그라비아, 압출, 스핀 코팅 및 나이프 코팅방법 중에 하나의 방법에 의해 형성될 수 있다.Here, the metal film can be formed using a vacuum deposition method, an electron beam deposition method, or a sputtering method. The organic film is a conventional film coating method, and can be formed by any one of roll coating, gravure, extrusion, spin coating and knife coating methods .

또한, 상기 중간층(interlayer; 미도시)은 오염 방지 및 탈착이 용이하도록 하는 역할을 담당한다. In addition, the interlayer (not shown) plays a role of preventing contamination and facilitating desorption.

이어서, 도 6b에 도시된 바와 같이, 상기 광원장치(120)로부터 기판에 형성하고자 하는 패턴이 정의된 유전체 광학 마스크(110)를 통과한 레이저가 상기 프로젝션 렌즈(미도시)를 통해 굴절되어, 상기 도너 기판(130)에 조사된다. 이때, 상기 유전체 광학 마스크(110)는, 기판(101)과 상기 기판(101) 하면에 형성된 제1 무반사 다층박막(103)과 상기 기판(101) 상면에 형성되고, 레이저 통과 영역(107)을 구비한 고반사 다층박막 패턴(105a) 및 상기 고반사 다층박막 패턴 (105a)을 포함한 기판(101) 상면에 형성된 제2 무반사 다층박막(109)을 포함한다.6B, a laser beam having passed through the dielectric optical mask 110 defining a pattern to be formed on the substrate from the light source device 120 is refracted through the projection lens (not shown) The donor substrate 130 is irradiated. The dielectric optical mask 110 includes a substrate 101 and a first antireflection multilayer film 103 formed on the lower surface of the substrate 101. The first optical reflective multilayer film 103 is formed on the substrate 101, And a second anti-reflection multilayered film 109 formed on the upper surface of the substrate 101 including the highly reflective multilayered thin film pattern 105a and the highly reflective multilayered thin film pattern 105a.

상기 유전체 광학 마스크(110)를 구성하는 상기 제1, 2 무반사 다층박막 (103, 109) 및 고반사 다층박막 패턴(105a)은 적어도 1개 이상의 유전체 재료로 구성되어 있다. 또한, 상기 제1, 2 무반사 다층박막(103, 109) 및 고반사 다층박막 패턴 (105a)은 동일한 유전체 재료로 구성되어 있다. 그리고, 상기 제1 무반사 다층박막(103)은 광학적 성능을 향상시키기 위한 기능을 담당한다.The first and second antireflection multilayer films 103 and 109 and the highly reflective multilayer thin film pattern 105a constituting the dielectric optical mask 110 are composed of at least one dielectric material. Further, the first and second antireflection multilayer films 103 and 109 and the highly reflective multilayer thin film pattern 105a are made of the same dielectric material. Further, the first anti-reflective multilayered film 103 functions to improve the optical performance.

도 6c에 도시된 바와 같이, 상기 레이저 조사장치(100)로부터 상기 유전체 광학 마스크(110)를 통과하는 레이저 빔이 도달하는 레이저 통과영역(107)에 따라 제2 무반사 다층박막(109)에 도달하는 빛은 제2 무반사 다층박막(109)이 형성되어 있는 모습으로 빛이 투과되며, 고반사 다층박막 패턴(105a)과 하부의 제2 무반사 다층박막(109)에 도달하는 빛은 반사되어 유전체 광학 마스크(110)의 하부로 투과되지 못하도록 한다.The laser beam passes through the dielectric optical mask 110 from the laser irradiating apparatus 100 to reach the second antireflection multilayered film 109 along the laser passage region 107 Light is transmitted through the second antireflection multilayer thin film 109 and light reflected by the second antireflection multilayer thin film 109 is reflected by the dielectric optical mask 111. [ (Not shown).

그 다음, 상기 도너 기판(130)에 형성된 광열 변환층(131)에 조사된 레이저가 열에너지로 변환되고, 상기 열에너지에 의해 상기 레이저가 조사된 광열 변환층 (131) 부분 상에 있는 유기막층(133) 부분이 상기 기판(140)에 전사된다. Next, the laser irradiated on the photo-thermal conversion layer 131 formed on the donor substrate 130 is converted into heat energy, and the organic film layer 133 on the portion of the photo-thermal conversion layer 131 irradiated with the laser by the heat energy ) Is transferred to the substrate 140. [0054]

이어서, 도 6d에 도시된 바와 같이, 상기 도너 기판(130)을 상기 소자 기판 (140)으로부터 분리하는 디라미네이션(De-lamination) 공정을 실시하여, 상기 소자 기판(140)의 제1 전극(미도시) 상에 유기막층 패턴(133a)을 형성한다. 6D, a de-lamination process of separating the donor substrate 130 from the device substrate 140 is performed to form a first electrode (not shown) of the device substrate 140, The organic film layer pattern 133a is formed.

그 다음, 도 6e에 도시된 바와 같이, 상기 도너 기판(130)의 디라미네이션 공정을 통해 유기막층 패턴(133a)을 형성한 이후에, 상기 소자 기판(140)의 유기막층 패턴(133a) 상에 캐소드 전극인 제2 전극 형성용 투명 도전물질을 증착 및 패터닝하여 제2 전극(147)을 형성한 후, 통상의 봉지 공정을 거쳐 본 발명에 따른 유기전계 발광소자를 제조할 수 있다. 6E, after the organic layer pattern 133a is formed through the delamination process of the donor substrate 130, the organic layer pattern 133a is formed on the organic layer pattern 133a of the device substrate 140, The second electrode 147 may be formed by depositing and patterning a transparent conductive material for forming a second electrode that is a cathode electrode, and then an organic electroluminescent device according to the present invention may be manufactured through a conventional sealing process.

따라서, 본 발명에 따른 유전체 광학 마스크, 이를 구비한 레이저 조사장치 및 이를 이용한 유기전계 발광소자 제조방법에 따르면, 레이저를 이용하여 유기전계 발광소자를 제작하는 장치 및 공정에서 도너 기판에 도달하는 레이저 빔의 형태를 화소의 형태에 따라 차폐시키는 역할을 하는 유전체 광학 마스크 제작시에, 패터닝되어 있는 고반사 다층 박막 패턴을 포함한 기판 전면에 무반사 다층 박막을 형성해 줌으로써, 고반사 다층 박막 패턴과 무반사 다층 박막의 재료를 동일하게 사용할 수 있기 때문에 재료 사용 제약을 감소시킬 수 있다.Accordingly, according to the present invention, there is provided a dielectric optical mask, a laser irradiation apparatus having the same, and a method of manufacturing an organic electroluminescent device using the same. In an apparatus and an apparatus for fabricating an organic electroluminescent device using a laser, Reflection multilayer thin film is formed on the entire surface of the substrate including the patterned high reflection multilayer thin film pattern in the fabrication of the dielectric optical mask which shields the shape of the reflective multilayer thin film according to the shape of the pixel. Since the materials can be used in the same manner, restrictions on the use of materials can be reduced.

또한, 본 발명에 따른 유전체 광학 마스크는 고반사 다층 박막 패턴과 무반사 다층 박막의 재료를 동일하게 사용할 수 있기 때문에 기능성 다층 박막의 설계를 용이하게 할 수 있어 유전체 광학 마스크 제작을 용이하게 할 수 있다.The dielectric optical mask according to the present invention can easily design the functional multilayer thin film because it can use the material of the high reflection multilayer thin film pattern and the antireflection multilayer thin film in the same manner, thus facilitating fabrication of the dielectric optical mask.

그리고, 본 발명에 따른 유전체 광학 마스크는 고반사 다층 박막의 패터닝 공정이 먼저 진행된 후에 기판 전면에 무반사 다층 박막을 형성하는 공정 순으로 제작함으로써 고반사 다층 박막의 패터닝 공정에 대한 영향을 감소시킬 수 있기 때문에 제작 변수가 줄어들게 된다. The dielectric optical mask according to the present invention can reduce the influence of the highly reflective multi-layered thin film on the patterning process by fabricating the highly reflective multi-layered thin film in the order of forming the antireflection multilayered film on the entire surface after the patterning process first Therefore, manufacturing variables are reduced.

더욱이, 본 발명에 따른 유전체 광학 마스크는 고반사 다층 박막의 패터닝 공정이 먼저 진행된 후에 기판 전면에 무반사 다층 박막을 형성하는 공정 순으로 제작하기 때문에, 종래기술에서와 같은 무반사 다층 박막의 손상(damage)을 감소시킴으로써 공정 효율의 증가를 가져올 수 있다.In addition, since the dielectric optical mask according to the present invention is fabricated in the order of forming the antireflection multilayer thin film on the entire surface of the substrate after the patterning process of the highly reflective multilayer thin film is performed first, damage to the antireflection multilayer thin film, The process efficiency can be increased.

한편, 본 발명에 따른 유전체 광학 마스크는 고반사 다층 박막의 패터닝 공정이 먼저 진행된 후에 기판 전면에 무반사 다층 박막을 형성하는 공정 순으로 제작하기 때문에, 종래기술에서와 같은 무반사 다층 박막을 보호하기 위한 기능성 추가와 공정을 제거함으로써 제작 기간 및 공정 비용의 감소를 가져 올 수 있다.Meanwhile, since the dielectric optical mask according to the present invention is fabricated in the order of forming the antireflection multilayer thin film on the entire surface of the substrate after the patterning process of the highly reflective multilayer thin film is performed first, By eliminating the addition and the process, it is possible to reduce the production period and the process cost.

또한, 본 발명에 따른 유전체 광학 마스크는 유전체 광학 마스크의 제작이 용이해짐으로써, 제작 기간과 비용이 감소되고 유전체 광학 마스크를 사용하는 레이저 조사장치 및 공정 비용의 감소를 가져 올 수 있다. In addition, the dielectric optical mask according to the present invention facilitates fabrication of a dielectric optical mask, thereby reducing fabrication time and cost, and can lead to a reduction in laser irradiation apparatus and process cost using a dielectric optical mask.

본 발명이 속하는 기술분야의 당업자는 상술한 본 발명이 그 기술적 사상이나 필수적 특징을 변경하지 않고서 다른 구체적인 형태로 실시될 수 있다는 것을 이해할 수 있을 것이다.It will be understood by those skilled in the art that the present invention may be embodied in other specific forms without departing from the spirit or essential characteristics thereof.

그러므로, 이상에서 기술한 실시 예들은 모든 면에서 예시적인 것이며 한정적인 것이 아닌 것으로 이해해야만 한다. 본 발명의 범위는 상기 상세한 설명보다는 후술하는 특허청구범위에 의하여 나타내어지며, 특허청구범위의 의미 및 범위 그리고 그 등가 개념으로부터 도출되는 모든 변경 또는 변형된 형태가 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 한다.It is therefore to be understood that the above-described embodiments are illustrative in all aspects and not restrictive. The scope of the present invention is defined by the appended claims rather than the detailed description and all changes or modifications derived from the meaning and scope of the claims and their equivalents are to be construed as being included within the scope of the present invention do.

100: 레이저 조사장치 101: 기판 103: 제1 무반사 다층박막 105a: 고반사 다층박막 패턴 107: 레이저 통과영역 109: 제2 무반사 다층박막 110: 유전체 광학 마스크 120: 광원장치 130: 유기막층 패턴 131: 광열 변환층
133: 유기막층 133a: 유기막층 패턴
140: 소자 기판 143: 제1 전극
145: 뱅크 147: 제2 전극 The present invention relates to a method of manufacturing a semiconductor laser device, and more particularly, to a method of manufacturing a semiconductor laser device, The light-
133: organic film layer 133a: organic film layer pattern
140: element substrate 143: first electrode
145: bank 147: second electrode

Claims (16)

기판;
상기 기판 하면에 형성된 제1 무반사 다층박막;
상기 기판 상면에 형성되고, 레이저 통과 영역을 구비한 고반사 다층박막 패턴; 및
상기 고반사 다층박막 패턴을 포함한 기판 상면에 형성된 제2 무반사 다층박막;을 포함하여 구성되는 유전체 광학 마스크. Board;
A first anti-reflection multilayered film formed on the bottom surface of the substrate;
A highly reflective multilayered thin film pattern formed on the top surface of the substrate and having a laser passage region; And
And a second antireflection multilayer film formed on the upper surface of the substrate including the highly reflective multilayer thin film pattern. 제1항에 있어서, 상기 기판은 석영 유리(Quartz glass) 재질로 구성된 것을 특징으로 하는 유전체 광학 마스크.The dielectric optical mask according to claim 1, wherein the substrate is made of quartz glass. 제1항에 있어서, 상기 제1, 2 무반사 다층박막 및 고반사 다층박막 패턴은 적어도 1개 이상의 유전체 재료로 구성된 것을 특징으로 하는 유전체 광학 마스크.The dielectric optical mask according to claim 1, wherein the first and second antireflection multilayer thin films and the highly reflective multilayer thin film pattern are made of at least one or more dielectric materials. 제1항에 있어서, 상기 제1, 2 무반사 다층박막 및 고반사 다층박막 패턴은 동일한 유전체 재료로 구성된 것을 특징으로 하는 유전체 광학 마스크.The dielectric optical mask according to claim 1, wherein the first and second antireflection multilayer thin films and the highly reflective multilayer thin film pattern are made of the same dielectric material. 기판 하면에 제1 무반사 다층박막을 형성하는 단계;
상기 기판 상면에 레이저 통과 영역이 정의된 고반사 다층박막 패턴을 형성하는 단계; 및
상기 고반사 다층박막 패턴을 포함한 기판 상면에 제2 무반사 다층박막을 형성하는 단계;를 포함하여 구성되는 유전체 광학 마스크 제조방법. Forming a first antireflection multilayered film on a bottom surface of the substrate;
Forming a highly reflective multi-layered thin film pattern having a laser passage region defined on an upper surface of the substrate; And
And forming a second antireflection multilayered film on the upper surface of the substrate including the highly reflective multilayered thin film pattern. 제5항에 있어서, 상기 기판은 석영 유리(Quartz glass) 재질로 구성된 것을 특징으로 하는 유전체 광학 마스크 제조방법.6. The method of claim 5, wherein the substrate is made of quartz glass. 제5항에 있어서, 상기 제1, 2 무반사 다층박막 및 고반사 다층박막 패턴은 적어도 1개 이상의 유전체 재료로 구성된 것을 특징으로 하는 유전체 광학 마스크 제조방법.The method of manufacturing a dielectric optical mask according to claim 5, wherein the first and second antireflection multilayer thin films and the highly reflective multilayer thin film pattern are made of at least one or more dielectric materials. 제5항에 있어서, 상기 제1, 2 무반사 다층박막 및 고반사 다층박막 패턴은 동일한 유전체 재료로 구성된 것을 특징으로 하는 유전체 광학 마스크 제조방법.The method of manufacturing a dielectric optical mask according to claim 5, wherein the first and second antireflection multilayer thin films and the highly reflective multilayer thin film pattern are made of the same dielectric material. 광원장치;
상기 광원장치 하부에 위치하며, 기판 하면에 형성된 제1 무반사 다층박막 과, 상기 기판 상면에 형성되고, 레이저 통과 영역이 정의된 고반사 다층박막 패턴 및 상기 고반사 다층박막 패턴을 포함한 기판 상면에 형성된 제2 무반사 다층박막을 포함하는 유전체 광학 마스크;
상기 유전체 광학 마스크 하부에 위치하는 프로젝션 렌즈; 및
상기 유전체 광학 마스크에 정의된 패턴 형태대로 조사되어 기판에 유기막층이 전사되도록 하는 도너 기판;을 포함하여 구성되는 레이저 조사장치.A light source device;
A first antireflection multilayer film formed on the bottom surface of the substrate, the first antireflection multilayer film being formed on the bottom surface of the light source device, and a high reflection multilayer thin film pattern formed on the substrate, A dielectric optical mask comprising a second antireflection multilayer film;
A projection lens positioned below the dielectric optical mask; And
And a donor substrate which is irradiated in a pattern form defined in the dielectric optical mask to transfer the organic film layer onto the substrate. 제9항에 있어서, 상기 기판은 석영 유리(Quartz glass) 재질로 구성된 것을 특징으로 하는 레이저 조사장치.The laser irradiation apparatus according to claim 9, wherein the substrate is made of quartz glass. 제9항에 있어서, 상기 제1, 2 무반사 다층박막 및 고반사 다층박막 패턴은 적어도 1개 이상의 유전체 재료로 구성된 것을 특징으로 하는 레이저 조사장치.The laser irradiation apparatus according to claim 9, wherein the first and second antireflection multilayer thin films and the highly reflective multilayer thin film pattern are made of at least one or more dielectric materials. 제9항에 있어서, 상기 제1, 2 무반사 다층박막 및 고반사 다층박막 패턴은 동일한 유전체 재료로 구성된 것을 특징으로 하는 레이저 조사장치.The laser irradiation apparatus according to claim 9, wherein the first and second antireflection multilayer thin films and the high reflection multilayer thin film pattern are made of the same dielectric material. 박막트랜지스터와 제1 전극이 형성된 소자 기판을 제공하는 단계;
상기 소자 기판 상측에 유기막층을 구비한 도너 기판을 배치하는 단계;
상기 소자 기판상에 상기 도너 기판을 라미네이션하는 단계;
상기 도너 기판의 상측에, 기판과 이 기판 하면에 형성된 제1 무반사 다층박막과 상기 기판 상면에 형성되고 레이저 통과 영역을 구비한 고반사 다층박막 패턴 및 상기 고반사 다층박막 패턴을 포함한 기판 상면에 형성된 제2 무반사 다층박막을 포함하는 유전체 광학 마스크를 배치시키는 단계;
상기 광학 마스크를 통해 레이저를 조사하여 상기 도너 기판에 있는 유기막층을 상기 기판에 전사시키는 단계;
상기 기판으로부터 상기 도너 기판을 디라미네이션하여 상기 기판의 제1 전극에 유기막층 패턴을 형성하는 단계; 및
상기 유기막층 패턴 상에 제2 전극을 형성하는 단계;를 포함하여 구성되는 유기전계 발광소자 제조방법.Providing a device substrate on which a thin film transistor and a first electrode are formed;
Disposing a donor substrate having an organic film layer on the element substrate;
Laminating the donor substrate on the element substrate;
A high reflection multilayer thin film pattern formed on the top surface of the substrate and having a laser passage region and a high reflection multilayer thin film pattern formed on the top surface of the substrate including the high reflection multilayer thin film pattern on an upper side of the donor substrate Disposing a dielectric optical mask including a second antireflection multilayer film;
Irradiating a laser through the optical mask to transfer an organic layer on the donor substrate to the substrate;
Delaminating the donor substrate from the substrate to form an organic layer pattern on the first electrode of the substrate; And
And forming a second electrode on the organic layer pattern. 제13항에 있어서, 상기 기판은 석영 유리(Quartz glass) 재질로 구성된 것을 특징으로 하는 유기전계 발광소자 제조방법.14. The method according to claim 13, wherein the substrate is made of quartz glass. 제13항에 있어서, 상기 제1, 2 무반사 다층박막 및 고반사 다층박막 패턴은 적어도 1개 이상의 유전체 재료로 구성된 것을 특징으로 하는 유기전계 발광소자 제조방법.14. The method according to claim 13, wherein the first and second antireflection multilayer thin films and the highly reflective multilayer thin film pattern are made of at least one or more dielectric materials. 제13항에 있어서, 상기 제1, 2 무반사 다층박막 및 고반사 다층박막 패턴은 동일한 유전체 재료로 구성된 것을 특징으로 하는 유기전계 발광소자 제조방법.




14. The method according to claim 13, wherein the first and second antireflection multilayer thin films and the highly reflective multilayer thin film pattern are made of the same dielectric material.




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