KR20140073714A - 유기전자장치용 박막봉지체, 이를 포함하는 유기전자장치 봉지제품 및 유기전자장치의 봉지방법 - Google Patents

유기전자장치용 박막봉지체, 이를 포함하는 유기전자장치 봉지제품 및 유기전자장치의 봉지방법 Download PDF

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Abstract

본 발명은 유기전자장치용 박막봉지체, 이를 포함하는 유기전자장치 봉지제품 및 유기전자장치의 봉지방법에 관한 것으로서, 본 발명의 박막봉지체는 가스 및 수분 차단성이 우수하여 산소 또는 수증기로부터 보호가 필요한 다양한 제품에 효과적으로 사용될 수 있는 바, 특히 산소 또는 수증기에 취약한 유기전자소자 등의 디스플레이 소자의 봉지 또는 소자 기판에 적용함으로써, 이들의 수명 및 내구성을 크게 향상시킬 수 있으며, 봉지시에 발생하는 기포를 효과적으로 제거함으써 불량품 발생을 최소화 또는 방지할 수 있다.

Description

유기전자장치용 박막봉지체, 이를 포함하는 유기전자장치 봉지제품 및 유기전자장치의 봉지방법{Thin film encapsulation for organic electronic device, encapsulation products for organic electronic device containing the same and encapsulating method of organic electronic device}
본 발명은 가스/수분 차단성, 장기안정성, 유연성 및 접착성이 우수한 유기전자장치용 박막봉지체, 이를 포함하는 유기전자장치 봉지제품 및 이의 봉지방법에 관한 것이다.
유기전자장치(OED; organic electronic device)는 전자 및 정공을 이용하여 전하의 교류를 발생하는 유기 재료 층을 포함하는 장치를 의미하며, 그 예로는, 광전지 장치(photovoltaic device), 트랜스미터(transmitter) 및 유기발광다이오드(OLED; organic light emitting diode) 등을 들 수 있다.
상기 유기전자장치 중 유기발광다이오드(OLED: Organic Light Emitting Didoe)는 기존 광원에 비하여, 응답속도가 빠르며, 전력 소모량이 적고, 박형화에 유리하다. 또한, OLED는 박막화가 가능하여 각종 포터블기기, 모니터, TV 등 디스플레이에 걸친 다양한 분야에서 적용될 것으로 기대되고 있다.
OLED의 상용화 및 용도 확대에 있어서, 가장 주요한 문제점은 내구성 문제이다. OLED에 포함된 유기재료 및 금속 전극 등은 수분 등의 외부적 요인에 의해 매우 쉽게 산화된다. 따라서, OLED를 포함하는 제품은 환경적 요인에 크게 민감하다. 이에 따라 OLED 등과 같은 유기전자장치에 대한 외부로부터의 산소 또는 수분 등의 침투를 효과적으로 차단하기 위하여 다양한 방법이 제안되어 있다.
종래에는 금속 캔이나 유리를 홈을 가지도록 캡 형태로 가공하여 그 홈에 수분 흡수를 위한 건습제를 파우더 형태로 탑재하거나 필름 형태로 제조하여 양면 테이프를 이용하여 접착하는 방법을 이용하였는데, 투습도가 높아서 충분한 성능을 발휘하지 못하는 문제가 있었다.
또한, 기존의 봉지재의 경우, 유기전자장치를 봉지시킬 때, 봉지재와 유기전자장치와의 접착(또는 점착, 압착)시, 기포가 발생하고, 이 기포가 봉지재와 유기전자장치사이에 남아있게 됨으로써 불량품이 자주 발생하는 문제가 있었다.
따라서, 수분의 침투를 효과적으로 차단하면서 유기전자장치의 손상을 줄이고, 기포 발생을 최소화 또는 방지할 수 있는 새로운 봉지재 개발이 요구된다.
이에 본 발명자들은 봉지층을 2개의 층으로 나누어서 이 중 1개의 층을 수분침투방지를 위한 층으로 도입하고, 또한, 유기전자장치 봉지시, 기포 발생을 최소화 또는 방지하기 위하여 다른 1개의 층의 일 표면에 기포탈기부를 도입한 새로운 유기전자장치용 박막봉지체를 제공하고자 한다.
상기 과제를 해결하기 위한 본 발명은 유기전자장치용 박막봉지체에 관한 것으로서,일 표면에 기포탈기부(25)가 형성되어 있는 봉지층(20); 및 수분흡착제(40)를 포함하는 수분침투방지층(30);을 포함하는 것을 특징으로 할 수 있다.
본 발명의 바람직한 일실시예로서, 본 발명의 박막봉지체는 이형층(10) 및 무패턴 이형층(50) 중에서 선택된 1종 이상의 층을 더 포함할 수 있다.
본 발명의 바람직한 일실시예로서, 상기 이형층(10)은 패턴 또는 무패턴 이형층(1) 1개의 층을 포함하거나; 또는 패턴 또는 무패턴 이형층(1) 및 일표면에 패턴이 형성된 점착층(2);을 포함할 수 있다.
본 발명의 바람직한 다른 일실시예로서, 상기 봉지층 및 수분침투방지층은 서로 같거나 다른 실란 변성 에폭시 수지를 포함할 수 있으며, 상기 실란 변성 에폭시 수지는 디시클로펜타디엔형 에폭시, 디시클로펜타디엔 변성 페놀형 에폭시, 비페닐형 에폭시, 나프탈렌형 에폭시, 크레졸계 에폭시, 비스페놀계 에폭시, 자일록계 에폭시, 페놀 노볼락 에폭시, 트리페놀메탄형 에폭시 및 알킬 변성 트리페놀메탄 에폭시 중에서 선택된 1종 이상의 에폭시에 실란기를 도입한 실란 변성 에폭시 수지를 포함할 수 있다.
또한, 본 발명의 바람직한 다른 일실시예로서, 상기 수분침투방지층(30)은 상기 수분흡착제를 수분침투방지층 전체 중량 중 5 ~ 40 중량%로 포함할 수 있다.
또한, 본 발명의 바람직한 다른 일실시예로서, 상기 봉지층(20)은 수분흡착제를 포함하지 않을 수 있으며, 수분흡착제를 더 포함하는 경우 상기 수분흡착제를 봉지층 전체 중량 중 0.1 ~ 2 중량%로 포함하는 것을 특징으로 할 수 있다.
그리고, 본 발명의 바람직한 다른 일실시예로서, 상기 수분흡착제는 제올라이트, 몬모릴로나이트, TiO2, ZrO2, Al2O3, SiO2, P2O5, Li2O, Na2O, BaO, CaO, MgO, Li2SO4, Na2SO4, CaSO4, MgSO4, CoSO4, Ga2(SO4)3, Ti(SO4)2, NiSO4, CaCl2, MgCl2, SrCl2, YCl3, CuCl2, CsF, TaF5, NbF5, LiBr, CaBr2, CeBr3, SeBr4, VBr3, MgBr2, BaI2, MgI2, Ba(ClO4)2 및 Mg(ClO4)2 중에서 선택된 1종 이상을 포함할 수 있다.
또한, 본 발명의 바람직한 일실시예로서, 상기 봉지층 및 수분침투방지층 각각은 아민계 경화제, 이미다졸계 경화제, 페놀계 경화제, 인계 경화제 및 산무수물계 경화제 중에서 선택된 1종 이상을 함유하는 경화제; 봉쇄된 이소시아네이트 및 폴리히드록시 스티렌을 함유하는 열적가교제; 페녹시 수지, 아크릴레이트 수지, 고분자량 에폭시 수지 및 초고분자량 에폭시 수지 중에서 선택된 1종 이상을 함유하는 안정성 향상제; 및 메틸에틸케톤, 메틸아이소부틸케톤, 다이에틸케톤 및 에틸아세테이트 중에서 선택된 1종 이상을 함유하는 점도희석제; 중에서 선택된 1종 이상의 첨가제를 더 포함할 수 있다.
또한, 본 발명의 바람직한 다른 일실시예로서, 상기 무패턴 이형층(50) 및 이형층의 이형층(1)은 독립적인 것으로서, 이들 각각은 폴리에틸렌프탈레이트(PET), 폴리메타크릴산 메틸(PMMA), 폴리에틸렌나프탈레이트(PEN) 및 폴리카보네이트(PC) 중에서 선택된 1종 이상을 포함하는 것을 특징으로 할 수 있다.
본 발명의 바람직한 또 다른 일실시예로서, 본 발명의 박막봉지체는 유기전자장치와 접촉되는 방향으로부터 반대방향으로 봉지층(20) -> 수분침투방지층(30) -> 봉지층(20) -> 수분침투방지층(30) 순으로 적층된 것을 특징으로 할 수 있다.
본 발명의 다른 태양은 유기전자장치 봉지제품에 관한 것으로서, 기판(80); 상기 기판 상에 형성된 유기전자장치(100); 및 상기 유기전자장치를 봉지하는 상기 박막봉지체를 포함하고, 상기 박막봉지체의 봉지층이 상기 유기전자장치를 커버하고 있는 것을 특징으로 할 수 있다. 그리고, 상기 유기전자장치는 광전지 장치(photovoltaic device), 트랜스미터(transmitter) 및 유기발광다이오드(OLED; organic light emitting diode) 중에서 선택된 1종 이상을 포함할 수 있다.
본 발명의 또 다른 태양은 유기전자장치 봉지방법에 관한 것으로서,
상기 본 발명의 박막봉지체로 유기전자장치를 커버링(covering)하되, 박막봉지체의 봉지층 일면과 유기전자장치가 접촉토록 박막봉지체를 유기전자장치에 적층시키는 단계; 및 압착을 수행하는 단계;를 포함할 수 있다.
본 발명의 바람직한 일실시예로서, 상기 압착을 수행하는 단계는 핫롤 라미네이트, 열압착(hot press) 또는 진공압착 중에서 선택된 1종 이상의 방법으로 수행하는 것을 특징으로 할 수 있다.
또한, 본 발명의 바람직한 일실시예로서, 본 발명의 상기 봉지방법은 박막봉지체를 경화시키는 단계;를 더 포함하며, 상기 경화시키는 단계는 70℃ ~ 110℃로 가열 경화법 또는 자외선(UV) 경화법으로 수행할 수 있다.
본 발명의 유기전자장치용 박막봉지체는 가스 및 수분 차단성이 우수하여 산소 또는 수증기로부터 보호가 필요한 다양한 제품에 효과적으로 사용될 수 있는 바, 특히 산소 또는 수증기에 취약한 유기전자소자 등의 디스플레이 소자의 봉지 또는 소자 기판에 적용함으로써, 이들의 수명 및 내구성을 크게 향상시킬 수 있다. 또한, 박막봉지체를 유기전자장치에 적용하여 봉지시킬 때, 발생하는 기포를 효과적으로 제거할 수 있기 때문에 불량품 발생을 최소화, 방지할 수 있다.
도 1은 봉지층 및 수분침투방지층을 포함하는 본 발명의 박막봉지체의 개략도이다.
도 2의 A ~ F는 봉지층에 형성된 기포탈기부의 다양한 형상에 대한 일구현예이다.
도 3의 A 및 B는 기포탈기부가 형성된 봉지층의 일표면의 개략도이다.
도 4의 A 및 B는 이형층, 봉지층 및 수분침투방지층을 포함하는 본 발명의 박막봉지체의 개략도이다.
도 5는 이형층, 봉지층, 수분침투방지층 및 무패턴 이형층을 포함하는 본 발명의 박막봉지체의 개략도이다.
도 6은 본 발명의 박막봉지체를 적용한 유기전자장치 봉지제품이다.
본 발명에서 사용하는 용어인 유기전자장치(OED; organic electronic device)는 전자 및 정공을 이용하여 전하의 교류를 발생하는 유기 재료 층을 포함하는 장치를 의미하며, 좀 더 구체적으로는 광전지 장치(photovoltaic device), 트랜스미터(transmitter) 및 유기발광다이오드(OLED; organic light emitting diode) 등을 포함한다.
이하에서는 본 발명에 대하여 더욱 상세하게 설명을 한다.
본 발명의 유기전자장치용 박막봉지체는 도 1에 나타낸 바와 같이 제1 봉지층(20) 및 수분침투방지층(30)을 포함하며, 상기 봉지층의 일 표면에는 기포탈기부(25)가 형성되어 있다. 상기 기포탈기부는 도 2에 예시되어 있는 바와 같이 삼각형, 반원형, 사각형, 오각형, 원뿔형 등 다양한 형태로 형성시킬 수 있으며, 도 3의 A 및 B에 나타낸 바와 같이 봉지층의 표면에 일 방향으로 형성되거나, 또는 양 방향으로 기포탈기부를 형성시킬 수 있고, 상기 기포탈기부를 통해서 본 발명의 박막봉지체로 유기전자장치를 압착시켜서 봉지시킬 때, 기포가 원할하게 빠져 나갈 수 있는 것이다.
상기 기포탈기부를 형성시키는 일례를 들면, 봉지층 형성 후, 봉지층 일면에 기포탈기부와 동일한 형상의 볼록 패턴을 갖는 카렌더 롤 등을 이용할 수 있다.
또한, 다른 방법으로는 무패턴 이형층(1) 일면에 점착제로 코팅시켜서 점착층(2)을 형성한 후, 카렌더 롤 등을 이용하여, 점착층 일면에 기포탈기부 형상 패턴(볼록한 패턴)을 형성시켜서 도 4의 A와 같이 이형층(10)을 형성시킬 수 있다. 그리고, 패턴이 형성된 점착제 일면에 봉지층을 형성시키면 오목 형태의 기포탈기부를 봉지층 일면에 형성시킬 수 있는 것이다. 상기 기포탈기부를 형성시키는 방법은 일례이며 본 발명이 이에 한정되지는 않는다.
또 다른 방법으로는 이형층(1)에 카렌더 롤 등을 이용하여, 이형층(1) 일면에 기포탈기부 형상 패턴(볼록한 패턴)을 형성시킨 후, 패턴 형성된 면에 점착제를 코팅시켜서, 점착층을 형성시키면 점착층과 이형층(1)과의 점착된 면 방향은 오목한 형태의 패턴이, 그 반대면은 볼록한 형태의 패턴이 형성된 점착층을 형성된 이형층(10)을 도 4의 B에 나타낸 바와 같이 얻을 수 있다.
또한, 본 발명의 박막봉지체는 도 4의 A 및 B에 나타낸 바와 같이 이형층(10)을 더 포함할 수 있으며, 이형층(10)은 이형층(1) 및 일표면에 패턴이 형성된 점착층(2)을 포함할 수 있으며, 상기 이형층(1)은 일 표면에 패턴이 형성되어 있을 수 있으며, 또는 무패턴일 수 있다.
상기 이형층(1)은 봉지층 및/또는 점착층을 보호하는 역할을 하며, 도 6에 나타낸 바와 같이 유기전자장치에 적용시 본 발명의 박막봉지체를 적용시 이형층(10)을 제거하여 유기전자장치를 봉지하게 되는 것이다. 따라서, 상기 핫멜트 점착 코팅층(2)은 점착제, 접착제 성분으로 형성시킬 수 있으며, 바람직하게는 봉지층과의 분리를 위해 점착제 성분으로 형성시키는 것이 좋다.
또한, 본 발명의 박막봉지체는 도 5에 나타낸 바와 같이 무패턴 이형층(50)을 더 포함할 수 있으며, 이는 봉지층 및 수분침투방지층을 보호하는 역할을 하며, 도 6에 나타낸 바와 같이 유기전자장치에 적용시 제거할 수 있다.
또한, 본 발명의 박막봉지체는 상기 봉지층과 수분침투방지층을 교대로 적층시킨 형태일 수 있으며, 구체적인 예를 들면 유기전자장치와 접촉되는 방향으로부터 반대방향으로 봉지층(20) -> 수분침투방지층(30) -> 봉지층(20) -> 수분침투방지층(30) 순으로 적층된 것을 특징으로 할 수 있으며, 본 발명의 적층된 형태의 박막봉지체 구조 또는 형태가 이에 한정되는 것은 아니며, 적용되는 상황에 따라 다양한 형태로 적층된 구조일 수 있으며, 단, 봉지층(20)이 가장 하단에 있으면 된다.
본 발명에 있어서, 상기 봉지층은 유기전자장치와 접촉하는 면으로 부피팽창으로 인해 유기전자장치에 큰 영향이 미치지 않게 하며 최종 산소 및 수분차단을 하는 역할을 수행하여 유기전자장치의 물리적 화학적 손상을 방지할 수 있고, 수분침투방지층은 유기전자장치로의 수분, 습기 또는 산소 등의 침투를 효과적으로 억제하는 역할을 한다. 따라서, 봉지층과 수분침투방지층에 이와 같은 공통된 역할 및/또는 다른 역할을 부여하기 위해 각 층의 제조에 사용되는 조성 및 조성비는 아래와 같이 차이가 있다.
본 발명의 유기전자장치용 박막봉지체에 있어서, 상기 봉지층은 평균두께 1 ~ 20 ㎛인 것이 좋으며, 1 ㎛ 미만이면 유기전자장치의 봉지재로 사용될 때 수분침투방지층의 손상인자로부터 보호할 수 있는 능력이 저하되어 물리적 화학적 역할을 수행하기 어려우며, 20 ㎛를 초과하면 수분차단능력의 효율을 저하하는 문제가 있을 수 있으므로 상기 범위 내에서 사용하는 것이 바람직하다.
그리고, 상기 수분침투방지층은 평균두께 5 ~ 100 ㎛인 것이 좋으며, 5 ㎛ 미만이면 수분차단 능력을 발휘할 수 없으며 이에 따라 산소 및 수분을 차단하는 역할을 수행하기 어려우며, 100 ㎛를 초과하면 공정성을 확보 및 박리화하기가 어려우며, 수분 반응성으로 인하여 두께 팽창이 커서 유기발광소자의 증착막에 손상을 입힐 수 있고, 경제성이 떨어지는 문제가 있을 수 있다.
그리고, 상기 이형층(1)은 평균두께 5 ~ 80 ㎛인 것이 좋으며, 상기 점착층(2)은 평균두께 1 ~ 20 ㎛인 것이, 바람직하게는 2 ~ 10 ㎛인 것이 좋으며, 1 ㎛ 미만이면 너무 얇아서 충분한 점착력을 발휘하기 어렵고, 20 ㎛를 초과하는 것은 경제성이 떨어진다.
또한, 상기 무패턴 이형층은 평균두께 1 ~ 10 ㎛인 것이 유기발광소자 보호 및 공정성을 확보하는 면에서 좋다.
이하에서는 본 발명의 박막봉지체를 구성하는 각층의 조성에 대하여 좀 더 구체적으로 설명을 한다.
[ 봉지층 ]
본 발명의 박막봉지체에 있어서, 상기 봉지층은 유기전자장치와 가장 밀접(또는 접합)하게 위치에 있는 층으로서 에폭시 수지를 포함할 수 있다.
상기 에폭시 수지는 특별히 한정하지는 않으나, 실란 변성 에폭시 수지를 사용할 수 있으며, 바람직하게는 디시클로펜타디엔형 에폭시, 디시클로펜타디엔 변성 페놀형 에폭시, 비페닐형 에폭시, 나프탈렌형 에폭시, 크레졸계 에폭시, 비스페놀계 에폭시, 자일록계 에폭시, 페놀 노볼락 에폭시, 트리페놀메탄형 에폭시 및 알킬 변성 트리페놀메탄 에폭시 중에서 선택된 1종 이상의 에폭시에 실란기를 도입한 실란 변성 에폭시 수지를 사용할 수 있으며, 더욱 바람직하게는 하기 화학식 1로 표시되는 단위체를 함유한 화합물을 포함하는 실란 변성 에폭시 수지를 사용할 수 있다.
[화학식 1]
Figure pat00001
상기 화학식 1에 있어서, R1는 수소원자, C1 ~ C5의 알킬기, C5 ~ C6의 시클로알킬기, C5 ~ C6의 시클로알킬렌기, 페닐기, 나프탈렌기 또는 비스페놀기이며, 상기 R2는 C1 ~ C5의 직쇄형 알킬기이다. 그리고, 상기 화학식 1에 있어서, 바람직하게는 R1는 C1 ~ C3의 알킬기 또는 C5 ~ C6의 시클로알킬기이고, 상기 R2는 C1 ~ C3의 직쇄형 알킬기이다.
또한, 상기 화합물은 상기 화학식 1로 표시되는 단위체 및 하기 화학식 2로 표시되는 단위체를 함유한 공중합체인 것이 바람직하다.
[화학식 2]
Figure pat00002
상기 화학식 2에 있어서, R3 및 R4는 독립적인 것으로서, R3 및 R4 각각은 수소원자, C1 ~ C5의 알킬기, C5 ~ C6의 시클로알킬기, C5 ~ C6의 시클로알킬렌기, 페닐기, 나프탈렌기 또는 비스페놀기이이며, 바람직하게는 R3 및 R4 각각은 C1 ~ C3의 알킬기 또는 C5 ~ C6의 시클로알킬기이고, 더욱 바람직하게는 R3 및 R4 각각은 C1 ~ C3의 알킬기이다.
그리고, 상기 에폭시 수지는 에폭시 당량이 180 g/eq ~ 1,000 g/eq인 것을, 바람직하게는 200 g/eq ~ 800 g/eq인 것을, 더욱 바람직하게는 200 g/eq ~ 500 g/eq인 것을 사용하는 것이 좋으며, 이때, 에폭시 수지의 에폭시 당량이 180 g/eq 미만이면 가경화로 인한 유기전자소자와의 화학적 문제 및 미반응물의 수분흡착에 영향을 미칠수 있는 문제가 있을 수 있고, 1,000 g/eq를 초과하면 과경화로 인해 쉽게 깨지는 문제 및 공정상 문제가 있을 수 있으므로 상기 범위 내의 에폭시 당량을 포함하는 에폭시 수지를 사용하는 것이 좋다.
그리고, 상기 봉지층은 에폭시 수지 외에 당업계에서 일반적으로 사용하는 폴리이미드 수지를 더 포함할 수 있다.
또한, 상기 봉지층은 수분흡착제를 사용하지 않을 수 있으며, 수분흡착제를 사용하는 경우, 소량으로 더 포함할 수 있으며, 수분침투방지층(30)으로부터 침투된 수분이 유기전자장치로 침투하여 물리적, 화학적 손상이 발생하는 것을 방지할 수 있다.
상기 수분흡착제는 제올라이트, 몬모릴로나이트, TiO2, ZrO2, Al2O3, SiO2, P2O5, Li2O, Na2O, BaO, CaO, MgO, Li2SO4, Na2SO4, CaSO4, MgSO4, CoSO4, Ga2(SO4)3, Ti(SO4)2, NiSO4, CaCl2, MgCl2, SrCl2, YCl3, CuCl2, CsF, TaF5, NbF5, LiBr, CaBr2, CeBr3, SeBr4, VBr3, MgBr2, BaI2, MgI2, Ba(ClO4)2 및 Mg(ClO4)2 중에서 선택된 1종 이상을, 바람직하게는 TiO2, ZrO2, Al2O3, SiO2, P2O5, Li2O, Na2O, BaO, CaO, MgO, Li2SO4, Na2SO4, CaSO4, MgSO4, CoSO4, Ga2(SO4)3, Ti(SO4)2 및 NiSO4 중에서 선택된 1종 이상을, 더욱 바람직하게는 TiO2, ZrO2, Al2O3, SiO2, P2O5, Li2O, Na2O, BaO, CaO 및 MgO 중에서 선택된 1종 이상을 사용하는 것이 좋다.
그리고, 상기 봉지층에 수분흡착제를 사용하는 경우, 봉지층 전체 중량 중 0.1 ~ 2 중량%로 사용하는 것이, 바람직하게는 0.1 ~ 1 중량%로 사용하는 것이 좋으며, 0.1 중량% 미만이면 추가적으로 수분흡착제를 사용하는 의미가 없고, 2 중량%를 초과하여 사용하면 수분흡착제와 수분과의 반응으로 인한 부피 팽창으로 인해 유기전자장치의 막에 균열을 유발하는 문제가 있을 수 있으므로 상기 범위 내에서 사용하는 것이 좋다.
또한, 상기 봉지층은 경화제, 열적가교제, 안정성 향상제, 점도희석제 등의 첨가제를 더 포함할 수 있으며, 본 발명이 얻고자 하는 효과에 악영향을 끼치지 않는 범위 내에서 첨가제 종류 및 사용량을 임으로 조정하여 사용할 수 있다.
첨가제 중 상기 경화제는 아민계 경화제, 이미다졸계 경화제, 페놀계 경화제, 인계 경화제 및 산무수물계 경화제 중에서 선택된 1종 이상을 포함할 수 있다. 그리고, 상기 열적가교제는 당업계에서 사용되는 일반적인 열적가교제를 사용할 수 있으며, 특별하게 한정하지는 않으나, 봉쇄된 이소시아네이트 및 폴리히드록시 스티렌 또는 카르복실기, 아마이드기 등을 함유하는 열적가교제를, 구체적으로는 페놀과 방향족 탄화수소의 에폭시화된 공중합체, 에피클로로히드린과 페놀 포름알데히드의 중합체 및 1,1,1-트리스(p-히드록시페닐)에탄 트리글리시딜 에테르 중에서 선택된 1종 이상을 사용하는 것이 바람직하다.
또한, 상기 안정성 향상제는 봉지층의 열적, 화학적 안정성 향상 효과를 부여하기 위한 것으로서, 페녹시 수지, 아크릴레이트 수지, 고분자량 에폭시 수지 및 초고분자량 에폭시 수지 중에서 선택된 1종 이상을 사용할 수 있다.
그리고, 상기 점도희석제는 봉지층 박막화 등의 가공, 성형 등을 용이하게 하기 위에 봉지층 성분의 점도를 희석하기 위한 것으로서, 메틸에틸케톤, 메틸아이소부틸케톤, 다이에틸케톤 및 에틸아세테이트 중에서 선택된 1종 이상을 사용하는 것이 좋다.
또 다른 방법으로는 이형층(1) 일면에 점착제로 코팅시켜서 점착층(2)을 형성한 후, 코팅층 일면에 기포탈기부 형상 패턴(볼록한 패턴)을 형성시켜서 이형층(10)을 형성시킬 수 있다. 그리고, 패턴이 형성된 점착제 일면에 봉지층을 형성시킬 수도 있다.
[ 수분침투방지층 ]
본 발명의 유기전자장치용 박막봉지체에 있어서, 상기 수분침투방지층은 수분흡착제를 포함할 수 있으며, 상기 봉지층에서 언급한 수분흡착제의 종류 내에서 동일 또는 다른 것을 사용할 수 있다.
그리고, 수분흡착제의 사용량은 수분침투방지층 전체 중량 중 5 ~ 40 중량%로, 바람직하게는 5 ~ 30 중량%로, 더욱 바람직하게는 5 ~ 20 중량%로 사용하는 것이 좋으며, 이때, 수분흡착제의 사용량이 5 중량% 미만이면 그 사용량이 너무 적어서 유기전자장치로 침투되는 수분을 충분히 화학적 흡착(또는 흡수)할 수 없는 문제가 있을 수 있고, 40 중량%를 초과하여 사용하면 수분흡착제 수분을 흡수함으로써, 부피가 팽창하게 되는데, 이는 수분침투방지층이 봉지층으로부터 박리화를 야기하고, 유기전자장치 기능에 악영향을 미칠 수 있으므로 상기 범위 내에서 사용하는 것이 좋다.
또한, 수분침투방지층은 상기 봉지체에 사용하는 동일한 종류의 또는 다른 종류의 에폭시 수지 및 폴리이미드 수지를 포함할 수 있다.
여기서, 상기 에폭시 수지는 실란 변성 에폭시 수지를 사용할 수 있으며, 바람직하게는 디시클로펜타디엔형 에폭시, 디시클로펜타디엔 변성 페놀형 에폭시, 비페닐형 에폭시, 나프탈렌형 에폭시, 크레졸계 에폭시, 비스페놀계 에폭시, 자일록계 에폭시, 페놀 노볼락 에폭시, 트리페놀메탄형 에폭시 및 알킬 변성 트리페놀메탄 에폭시 중에서 선택된 1종 이상의 에폭시에 실란기를 도입한 실란 변성 에폭시 수지를 사용할 수 있으며, 더욱 바람직하게는 상기 화학식 1로 표시되는 화합물을 포함하는 실란 변성 에폭시 수지를 사용할 수 있다. 또한, 상기 에폭시 수지는 에폭시 당량이 160 g/eq ~ 1,200 g/eq인 것을, 바람직하게는 180 g/eq ~ 1,000 g/eq인 것을, 더욱 바람직하게는 200 g/eq ~ 600 g/eq인 것을 사용하는 것이 좋으며, 이때, 에폭시 수지의 에폭시 당량이 160 g/eq 미만이면 가경화로 인한 유기전자소자와의 화학적 문제 및 미반응물의 수분흡착에 영향을 미칠수 있는 문제가 있을 수 있고, 1,200 g/eq를 초과하면 과경화로 인해 쉽게 깨지는 문제 및 공정상 문제가 있을 수 있으므로 상기 범위 내의 에폭시 당량을 포함하는 에폭시 수지를 사용하는 것이 좋다.
그리고, 상기 수분침투방지층은 봉지층에 대한 설명에서 언급한 경화제, 열적가교제, 안정성 향상제, 점도희석제 등의 첨가제를 더 포함할 수 있으며, 본 발명이 얻고자 하는 효과에 악영향을 끼치지 않는 범위 내에서 첨가제 종류 및 사용량을 임으로 조정하여 사용할 수 있다.
[ 이형층 무패턴 이형층 ]
본 발명의 상기 박막봉지체는 이형층(10) 및 무패턴 이형층(50) 중에서 선택된 1종 이상의 층을 더 포함하는 것을 특징으로 할 수 있으며, 상기 이형층(10)은 이형층(1) 단층이거나 또는 점착층(2)을 더 포함할 수도 있다.
상기 이형층(1) 및/또는 무패턴 이형층(50)은 폴리에틸렌프탈레이트(PET), 폴리메타크릴산 메틸(PMMA), 폴리에틸렌나프탈레이트(PEN) 및 폴리카보네이트(PC) 중에서 선택된 1종 이상을 포함할 수 있으며, 상기 이형층(1) 및/또는 무패턴 이형층(50)은 이들 중에서 동일한 또는 다른 소재를 사용할 수 있다.
그리고, 상기 이형층(10)의 점착층(2)은 아크릴계 점착제, 실리콘계 점착제 및 우레탄계 점착제 중에서 선택된 1종 이상을 포함할 수 있다.
이형층(10)을 형성하는 일례를 들면, 기포탈기부가 형성되어 있는 봉지층의 일면에 점착제를 당업계에서 사용하는 일반적인 방법으로 코팅층(2)을 형성시킨 후, 이형층(1)을 적층시켜서 이형층을 형성시킬 수 있다.
또 다른 방법으로는 이형층(1) 일면에 점착제로 코팅시켜서 점착층(2)을 형성한 후, 코팅층 일면에 기포탈기부 형상 패턴(볼록한 패턴)을 형성시켜서 이형층(10)을 형성시킬 수 있다. 그리고, 패턴이 형성된 점착제 일면에 봉지층을 형성시킬 수도 있다.
앞서 설명한 구조 및 조성을 갖는 본 발명의 박막봉지체는 경화된 후, ASTM F1249에 의거하여 투습도 측정 시, 투습도(WVTR, water vaper transmission rate)가 50 g/㎡·day 이하, 바람직하게는 10 ~ 50 g/㎡·day, 더욱 바람직하게는 10 ~ 30 g/㎡·day 일 수 있다.
본 발명의 다른 태양은 광전지 장치, 트랜스미터 및 유기발광다이오드 등과 같은 유기전자장치 봉지제품에 관한 것으로서, 앞서 설명한 다양한 형태의 본 발명의 박막봉지체를 포함하는 것을 특징으로 할 수 있다.
더욱 구체적으로 설명하면, 본 발명의 유기전자장치 봉지제품은 도 6에 나타낸 바와 같이 기판(80); 상기 기판 상에 형성된 유기전자장치(100); 및 상기 유기전자장치를 봉지하는 박막봉지체를 포함하고, 상기 박막봉지체의 봉지층이 상기 유기전자장치를 커버(cover)하고 있는 특징으로 할 수 있다.
또한, 상기 유기전자장치 봉지제품은 커버기판(90)을 더 포함할 수 있다.
본 발명의 또 다른 태양은 본 발명의 상기 박막봉지체를 이용하여 유기전자장치를 봉지하는 방법에 관한 것으로서, 본 발명의 박막봉지체로 유기전자장치를 커버링(covering)하되, 박막봉지체의 봉지층 일면과 유기전자장치가 접촉토록 박막봉지체를 유기전자장치에 적층시키는 단계; 및 압착을 수행하는 단계;를 포함할 수 있다.
그리고, 상기 압착을 수행하는 단계는 당업계에서 사용하는 일반적인 방법을 사용할 수 있으며, 예를 들면, 핫롤 라미네이트, 열압착(hot press) 또는 진공압착 중에서 선택된 1종 이상의 방법으로 수행할 수 있으며, 바람직하게는 진공압착으로 수행하는 것이 기포 제거면에서 좋다.
또한, 본 발명의 유기전자장치를 봉지하는 방법은 박막봉지체를 경화시키는 단계;를 더 포함할 수 있으며, 이때, 경화시키는 방법은 70℃ ~ 110℃로 가열 경화법 또는 자외선(UV) 경화법으로 수행하는 것이 바람직하다.
이하에서는 본 발명을 실시예에 의거하여 더욱 자세하게 설명을 한다. 그러나, 본 발명의 권리범위가 하기 실시예에 의해 한정되는 것을 아니다.
[ 실시예 ]
실시예 1
(1) 봉지층용 용액의 제조
실란변성 에폭시 수지(KSR-177, 국도화학) 200 g 및 페녹시 수지(YP-50, 동도 화성, 안정성 향상제) 150 g을 반응기 내에 투입하고, 메틸에틸케톤(점도희석제) 150 g을 투입하여 희석하였다. 그 후, 반응기의 내부를 질소로 치환하고, 제조된 용액을 균질화하였다.
(2) 수분침투방지층용 용액의 제조
1) 수분흡착제로서 CaO(Aldrich사 제품) 70 g을 메틸에틸케톤에 30 중량%의 농도가 되도록 투입하여 수분흡착제 용액을 제조하고, 상기 수분흡착제 용액을 볼 밀 공정에 의하여 24 시간 밀링하였다.
2) 상기 수분흡착제 용액과는 별도로, 실란변성 에폭시 수지(KSR-177, 국도화학) 200 g 및 페녹시 수지(YP-50, 동도 화성, 안정성 향상제) 150 g을 반응기 내에 투입하고, 메틸에틸케톤(점도희석제)으로 희석한 후, 반응기의 내부를 질소로 치환하고, 제조된 용액을 균질화하였다.
3) 다음으로, 상기 균질화된 용액 500 ㎖에 앞서 제조한 수분흡착제 용액 300 ㎖를 투입하고 경화제로서, 이미다졸(시코쿠화성사 제품) 4g을 투입한 다음, 1시간 동안 고속 교반하여 수분침투방지층용 용액을 제조하였다.
(3) 패턴이 형성된 이형층 무패턴 이형층의 제조
1) 250℃로 세팅된 압출기로 폴리에틸렌테레프탈레이트 펠렛을 투입한 후, T-다이(T-Die)로 용융수지를 토출시켰다. 그 후 토출된 폴리에틸렌테레프탈레이트 수지를 패턴(표면조도 Ra=10 ㎛)이 구비된 카렌더 롤을 이용하여 이형필름 일면에 볼록한 패턴을 형성시킨 후, 냉각시켜서, 30 ㎛ 두께의 이형층(1)을 준비하였다.
다음으로 상기 볼록 패턴이 형성된 이형층(1)의 패턴 형성면에 점착제로서 아크릴 감압접착제(주식회사 두봉, 상품명 :DB-5S)를 코팅시켜서 5 ㎛ 두께의 점착층(2)을 형성시켜서 이형층(또는 필름)을 제조하였다.
2) 또한, 250℃로 세팅된 압출기로 폴리에틸렌테레프탈레이트 펠렛을 투입한 후, T-다이(T-Die)로 용융수지를 토출시킨 다음 토출된 폴리에틸렌테레프탈레이트 수지를 패턴이 없는 경면 롤을 이용하여 7 ㎛ 두께의 무패턴의 이형층(50)(또는 무패턴 이형필름)을 제조하였다.
(4) 박막봉지체의 제조
상기 핫멜트 점착필름의 볼록 패턴면(또는 점착층의 볼록 패턴면)에 콤마코터를 사용하여 상기 봉지층용 용액을 도포한 후, 130? 로 3분 동안 건조시켜서 평균두께가 15㎛인 봉지층을 형성시켰다.
다음으로, 상기 봉지층의 일 표면에 콤마코터를 사용하여 상기 수분침투방지층용 용액을 도포하고, 건조기에서 130℃로 3분 동안 건조하여, 평균두께가 30 ㎛이고, 수분침투방지층(수분침투방지층 전체 중량 중 수분흡착제 함유량 17 중량%)을 형성시켰다.
다음으로, 상기 수분침투방지층의 일표면에 상기 평균두께 20 ㎛의 무패턴 이형층(50)을 적층시켜서 유기전자장치용 박막봉지체를 제조하였다.
실시예 2
상기 실시예 1과 동일한 방법으로 하기 표 1과 같이 박막봉지체를 제조하되, 수분침투방지층용 용액 제조시 수분침투방지층 전체 중량 중 수분흡착제를 25 중량%가 되도록 CaO 106 g을 사용하여 수분침투방지층용 용액을 제조한 후, 이를 이용하여 유기전자장치용 박막봉지체를 제조하였다.
실시예 3
상기 실시예 1과 동일한 방법으로 하기 표 1과 같이 박막봉지체를 제조하되, 수분침투방지층용 용액 제조시 수분침투방지층 전체 중량 중 수분흡착제를 5 중량%가 되도록 CaO 21 g을 사용하여 수분침투방지층용 용액을 제조한 후, 이를 이용하여 유기전자장치용 박막봉지체를 제조하였다.
실시예 4
상기 실시예 1과 동일한 방법으로 하기 표 1과 같이 박막봉지체를 제조하되, 이형층(이형층 30 ㎛, 점착층 5 ㎛) -> 봉지층(평균두께 10 ㎛) -> 수분침투방지층(평균두께 20 ㎛) -> 봉지층(평균두께 10 ㎛) -> 수분침투방지층(평균두께 20 ㎛) -> 무패턴 이형층(평균두께 7 ㎛) 순으로 적층시켜서 박막봉지체를 제조하였다.
비교예 1
상기 실시예 1과 동일한 방법으로 하기 표 1과 같이 박막봉지체를 제조하되, 상기 봉지층용 용액 및 수분침투방지층용 용액 제조시, 실란 변성 에폭시 수지 대신 부타디엔 변성 에폭시 수지(제조사: 국도화학, 상품명 KD-175)를 사용하였다.
비교예 2
상기 실시예 1과 동일한 방법으로 하기 표 1과 같이 박막봉지체를 제조하되, 수분침투방지층용 용액 제조시 수분흡착제를 사용하지 않았다.
비교예 3
상기 실시예 1과 동일한 방법으로 하기 표 1과 같이 박막봉지체를 제조하되, 수분침투방지층용 용액 제조시 상기 수분흡착제(CaO) 13 g을 사용해서 제조한 후, 이를 이용하여 수분침투방지층 전체 중량에 대하여 수분흡착제가 3 중량%가 되도록 수분침투방지층을 형성시켜서 박막봉지체를 제조하였다.
비교예 4
상기 실시예 1과 동일한 방법으로 하기 표 1과 같이 박막봉지체를 제조하되, 수분침투방지층용 용액 제조시 상기 수분흡착제(CaO) 178 g을 사용해서 제조한 후, 이를 이용하여 수분침투방지층 전체 중량에 대하여 수분흡착제가 42 중량%가 되도록 수분침투방지층을 형성시켜서 박막봉지체를 제조하였다.
비교예 5
상기 실시예 1과 동일한 방법으로 하기 표 1과 같이 박막봉지체를 제조하되, 상기 실시예 1의 볼록 패턴이 형성된 이형층(1) 대신 패턴이 없는 카렌더 롤을 사용하여 무패턴 이형층(평균두께 4 ㎛)을 제조한 후, 이를 이용하여 박막봉지체를 제조함으로써, 봉지층에 기포탈기부가 형성되지 않도록 하였다.
구분 이형층 봉지층 수분침투
방지층
무패턴 이형층
이형층 점착층 두께
(㎛)
수분흡착제
(중량%(1))
두께
(㎛)
수분흡착제
(중량%(2))
두께
(㎛)
두께
(㎛)
두께
(㎛)
실시예1 30 5 15 사용 X 30 17 중량% 20
실시예2 30 5 15 사용 X 30 25 중량% 20
실시예3 30 5 15 사용 X 30 5 중량% 20
실시예4
(적층구조)
30 5 10 사용 X 20 17 중량% 20
비교예1 30 5 15 사용 X 30 17 중량% 20
비교예2 30 5 15 사용 X 30 사용 X 20
비교예3 30 5 15 사용 X 30 3 20
비교예4 30 5 15 사용 X 30 42 20
비교예5
(기포탈기부
없음)
30 5 15 사용 X 30 42 20
(1) : 봉지층 전체 중량 중 수분흡착제의 중량%
(2) : 수분침투방지층 전체 중량 중 수분흡착제의 중량%
실험예 1 : 투습도 측정 실험
ASTM F1249에 의거하여 투습도 WVTR, water vaper transmission rate) 측정을 수행하였으며, 상기 실시예 및 비교예에서 제조한 박막봉지체를 38℃ 및 100 %의 상대습도 하에서 MOCON사 기기를 사용하여 상기 박막봉지체의 두께 방향에 대하여 측정하여 투습도를 계산하였으며, 그 결과를 하기 표 2에 나타내었다.
실험예 2 : 유기전자장치의 물리적 손상 발생 여부
55℃ 분위기 하에서, 상기 실시예 및 비교예에서 제조한 박막봉지체 각각을 이용하여 3인치의 유기발광소자와 박막봉지체의 봉지층이 접촉하도록 상기 유기발광소자를 박막봉지체로 커버링한 후, 이를 80℃로 가열하여 박막봉지체를 경화시켜서, 본 발명의 박막봉지체로 봉지된 유기발광패널을 제조하였다. 다음으로 제조한 유기발광패널 각각을 항온 항습 챔버에서 85℃의 온도 및 85% R.H.의 환경에 방치한 후 유기 증착막이 파괴되는 현상을 관찰하였으며, 그 결과를 하기 표 2에 나타내었다.
실험예 3 : 유기전자장치의 화학적 손상 발생 여부
글래스에 유기전자장치의 보호막으로 사용되는 실리콘 나이트라이드(SiNx)를 1㎛ 두께로 증착시켰다. 다음으로 SiNx 증착막 위에 실시예 및 비교예에서 제조한 박막봉지체 각각을 열압착 및 경화시킨 다음, 85℃의 온도 및 85% R.H.의 환경에서 24시간 동안 방치한 후, SiNx 증착막에 화학적 변화가 발생했는지를 분석하였고, 그 결과를 하기 하기 표 2에 나타내었다.
Figure pat00003
상기 표 2의 실험결과를 살펴보면, 본 발명의 유기전자장치용 박막봉지체는 50 g/㎡·day 미만의 매우 낮은 투습도를 갖는 것을 확인할 수 있었다. 그러나, 수분흡착제를 사용하지 않은 비교예 2는 매우 높은 투습도를 보였으며, 이로 인한 유기증착막에 물리적 손상 및 SiNx 증착막에 화학적 손상도 발생한 것을 확인할 수 있었다.
그리고, 실란 변성 에폭시 수지가 아닌 부타디엔 변성 에폭시 수지를 사용한 비교예 1의 경우 화학적 손상이 발생하였으며, 이로부터 실란 변성 에폭시 수지가 수분에 대한 안정성이 우수하다고 판단된다.
그리고, 수분침투방지층에 수분흡착제가 5 중량% 미만으로 사용한 비교예 3의 경우, 5 중량%의 수분흡착제를 사용한 실시예 3과 비교할 때, 투습도 수치가 크게 높았다.
그리고, 수분침투방지층에 수분흡착제를 40 중량% 초과하여 사용한 비교예 4의 경우, 투습도는 매우 우수하였으나, 부피 팽창으로 인하여 봉지층에도 영향을 미쳤고, 이는 유기 증착막의 물리적 손상 및 SiNx 증착막의 화학적 손상도 유발시켰다.
그리고, 기포탈기부가 형성되지 않은 봉지층인 비교예 5의 경우, 기포가 잔류하여 유기전자장치를 구동시켰을 때 색의 왜곡, 결함 등의 불량을 유발하였고, 이로 인한 물리적, 화학적 손상이 발생한 것으로 판단된다.
이와 같이 투습도가 우수한 본 발명의 유기전자장치용 박막봉지체는 가스 및 수분 차단성이 우수하여 산소 또는 수증기로부터 보호가 필요한 디스플레이 소자 등의 유기전자장치(또는 유기전자소자)의 봉지, 기판에 적용함으로써, 이들의 수명 및 내구성을 크게 향상시킬 수 있을 것으로 기대된다.
그리고, 박막봉지체를 유기전자장치에 봉지시 발생하는 기포를 빠르게 제거할 수 있기 때문에 기포로 인한 색의 왜곡, 불량화소, 결함, 수명단축 등의 문제점을 해결이 가능하다. 또한, 소재 특성상 접착성, 내열성 및 유연성이 우수하여 박막코팅이 가능하기 때문에 공정상에서 직접 스핀 코팅 후 경화공정을 통해 박막형 패키지뿐만 아니라 전자소자 및 전선 패키지에 적용할 수 있을 것으로 기대된다.
1 : 이형층 2 : 점착층
10 : 이형층 20 : 봉지층
25 : 기포탈기부 30 : 수분침투방지층
40 : 수분흡착제 50 : 무패턴 이형층
80 : 기판 90 : 커버기판
100 : 유기전자장치

Claims (14)

  1. 일표면에 기포탈기부(25)가 형성되어 있는 봉지층(20); 및
    수분흡착제(40)를 포함하는 수분침투방지층(30);
    를 포함하는 것을 특징으로 하는 유기전자장치용 박막봉지체.
  2. 제1항에 있어서, 이형층(10) 및 무패턴 이형층(50) 중에서 선택된 1종 이상의 층을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 유기전자장치용 박막봉지체.
  3. 제2항에 있어서, 상기 이형층(10)은 이형층(1) 및 일표면에 패턴이 형성된 점착층(2)을 포함하고,
    상기 이형층(1)은 일 표면에 패턴이 형성되어 있거나 또는 무패턴인 것을 특징으로 하는 유기전자장치용 박막봉지체.
  4. 제1항에 있어서, 봉지층 및 수분침투방지층은
    디시클로펜타디엔형 에폭시, 디시클로펜타디엔 변성 페놀형 에폭시, 비페닐형 에폭시, 나프탈렌형 에폭시, 크레졸계 에폭시, 비스페놀계 에폭시, 자일록계 에폭시, 페놀 노볼락 에폭시, 트리페놀메탄형 에폭시 및 알킬 변성 트리페놀메탄 에폭시 중에서 선택된 1종 이상의 에폭시에 실란기를 도입한 실란 변성 에폭시 수지를 포함하며,,
    봉지층의 실란 변성 에폭시 수지 및 수분침투방지층의 실란 변성 에폭시 수지는 같거나 다른 것을 특징으로 하는 유기전자장치용 박막봉지체.
  5. 제1항에 있어서, 상기 수분침투방지층(30)은 상기 수분흡착제를 수분침투방지층 전체 중량 중 5 ~ 40 중량%로 포함하는 것을 특징으로 하는 유기전자장치용 박막봉지체.
  6. 제1항에 있어서, 상기 봉지층(20)은 수분흡착제를 더 포함하고, 상기 수분흡착제를 봉지층 전체 중량 중 0.1 ~ 2 중량%로 포함하는 것을 특징으로 하는 유기전자장치용 박막봉지체.
  7. 제2항 또는 제3항에 있어서, 상기 무패턴 이형층(50) 및 이형층(1)은 독립적인 것으로서, 이들 각각은 폴리에틸렌프탈레이트(PET), 폴리메타크릴산 메틸(PMMA), 폴리에틸렌나프탈레이트(PEN) 및 폴리카보네이트(PC) 중에서 선택된 1종 이상을 포함하는 것을 특징으로 하는 유기전자장치용 박막봉지체.
  8. 제1항에 있어서, 봉지층 및 수분침투방지층은 독립적인 것으로서,
    아민계 경화제, 이미다졸계 경화제, 페놀계 경화제, 인계 경화제 및 산무수물계 경화제 중에서 선택된 1종 이상을 함유하는 경화제;
    봉쇄된 이소시아네이트 및 폴리히드록시 스티렌을 함유하는 열적가교제;
    페녹시 수지, 아크릴레이트 수지, 고분자량 에폭시 수지 및 초고분자량 에폭시 수지 중에서 선택된 1종 이상을 함유하는 안정성 향상제; 및
    메틸에틸케톤, 메틸아이소부틸케톤, 다이에틸케톤 및 에틸아세테이트 중에서 선택된 1종 이상을 함유하는 점도희석제;
    중에서 선택된 1종 이상을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 유기전자장치용 박막봉지체.
  9. 제1항, 제5항 또는 제6항에 있어서, 상기 수분흡착제는 제올라이트, 몬모릴로나이트, TiO2, ZrO2, Al2O3, SiO2, P2O5, Li2O, Na2O, BaO, CaO, MgO, Li2SO4, Na2SO4, CaSO4, MgSO4, CoSO4, Ga2(SO4)3, Ti(SO4)2, NiSO4, CaCl2, MgCl2, SrCl2, YCl3, CuCl2, CsF, TaF5, NbF5, LiBr, CaBr2, CeBr3, SeBr4, VBr3, MgBr2, BaI2, MgI2, Ba(ClO4)2 및 Mg(ClO4)2 중에서 선택된 1종 이상을 포함하는 것을 특징으로 하는 유기전자장치용 박막봉지체.
  10. 기판(80); 상기 기판 상에 형성된 유기전자장치(100); 및 상기 유기전자장치를 봉지하는 제9항의 박막봉지체를 포함하고, 상기 박막봉지체의 봉지층이 상기 유기전자장치를 커버하고 있는 유기전자장치 봉지제품.
  11. 제10항에 있어서, 상기 유기전자장치는 광전지 장치(photovoltaic device), 트랜스미터(transmitter) 및 유기발광다이오드(OLED; organic light emitting diode) 중에서 선택된 1종 이상를 포함하는 것을 특징으로 하는 유기전자장치 봉지제품.
  12. 제10항의 박막봉지체로 유기전자장치를 커버링(covering)하되, 박막봉지체의 봉지층 일면과 유기전자장치가 접촉토록 박막봉지체를 유기전자장치에 적층시키는 단계; 및
    압착을 수행하는 단계;
    를 포함하는 유기전자장치의 봉지방법.
  13. 제19항에 있어서, 상기 압착을 수행하는 단계는 핫롤 라미네이트, 열압착(hot press) 또는 진공압착 중에서 선택된 1종 이상의 방법으로 수행하는 것을 특징으로 하는 유기전자장치의 봉지방법.
  14. 제12항에 있어서, 박막봉지체를 경화시키는 단계;를 더 포함하며,
    상기 경화시키는 단계는 70℃ ~ 110℃로 가열 경화법 또는 자외선(UV) 경화법으로 수행하는 것을 특징으로 하는 유기전자장치의 봉지방법.
KR1020120141296A 2012-12-06 2012-12-06 유기전자장치용 박막봉지체, 이를 포함하는 유기전자장치 봉지제품 및 유기전자장치의 봉지방법 KR20140073714A (ko)

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* Cited by examiner, † Cited by third party
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KR20170035048A (ko) * 2015-09-22 2017-03-30 엘지디스플레이 주식회사 유기발광 표시장치
US10475854B2 (en) 2017-03-15 2019-11-12 Samsung Display Co., Ltd. Manufacturing method of display device and thin-film deposition apparatus using the same
CN116218116A (zh) * 2022-12-26 2023-06-06 合肥维信诺科技有限公司 有机封装材料及其制备方法、显示器件及其制备方法

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