KR20140069836A - 플라즈마를 이용한 배향막 처리 장치 및 이를 이용한 배향막 처리 방법 - Google Patents

플라즈마를 이용한 배향막 처리 장치 및 이를 이용한 배향막 처리 방법 Download PDF

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Abstract

이송되는 기판상에 형성된 배향막이 균일하게 경화되도록 플라즈마를 이용하여 상기 배향막을 가열함으로써 상기 배향막을 가경화시키는 가경화부와 플라즈마를 이용하여 상기 배향막을 재가열함으로써 상기 배향막을 경화시키는 경화부와 플라즈마를 이용하여 상기 배향막을 에칭함으로써 상기 배향막을 러빙하는 러빙부와 상기 가경화부와 상기 경화부와 상기 러빙부를 연속적으로 통과할 수 있도록 상기 기판을 이송하는 이송부를 포함하는 것을 특징으로 한다.
이에 의하여, 배향막이 형성된 기판이 이송되는 시간을 줄여 이송 간 온도차에 의해서 발생하는 불량들을 최소화할 수 있다.

Description

플라즈마를 이용한 배향막 처리 장치 및 이를 이용한 배향막 처리 방법{APPARATUS FOR PROCESSING OF AN ALIGNMENT FILM USING A PLASMA AND METHOD FOR PROCESSING OF AN ALIGNMENT FILM USING THE SAME}
본 발명은 플라즈마를 이용한 배향막 처리 장치 및 이를 이용한 배향막 처리 방법에 관한 것으로써, 보다 상세하게는 플라즈마를 이용하여 배향막의 경화공정과 러빙공정을 연속적으로 진행하여 기존의 배향막 형성 공정에서 각 공정을 위해 배향막이 형성된 기판이 이송될 때 발생하는 제품의 불량을 최소화할 수 있는 플라즈마를 이용한 배향막 처리 장치 및 이를 이용한 배향막 처리 방법에 관한 것이다.
배향막은 액정 분자들의 초기 배향 방향을 결정하는 역할을 하는 막으로서, 배향막의 형성은 고분자 박막을 도포하고 배향막을 일정한 방향으로 배열시키는 공정으로 이루어진다.
배향막에는 일반적으로 폴리이미드(polyimide)계열의 유기물질이 주로 사용되고, 배향막을 배열시키는 방법으로는 주로 러빙(rubbing) 방법이 이용되고 있다. 이와 같은 배향막 경화 및 러빙공정은 먼저 기판 위에 폴리이미드 계열의 유기 물질을 도포하고, 열선이 삽입된 핫 플레이트(hot plate) 위에 배향막이 인쇄된 기판을 로딩시킨 후 100 ~ 120℃ 정도의 온도로 가열하여 가경화시킨다. 계속하여, 220 ~ 240℃ 정도의 온도에서 경화시켜 폴리이미드 배향막을 형성한 후, 벨벳(velvet), 레이온(Rayon) 등의 러빙포를 감은 러빙롤을 이용하여 상기 배향막을 일정한 방향으로 문질러 줌으로써 배향 방향을 형성시키는 방법이다.
그러나, 상술한 바와 같은 배향막 형성방법은 각 공정을 위해 배향막이 형성된 기판이 이송될 때의 이동시간 지연으로 인해 온도차가 발생하여 배향막이 불균일하게 경화되어 얼룩등의 여러가지 불량이 발생한다. 또한, 러빙롤과 배향막의 직접적인 접촉에 의해 러빙포에 의한 이물질 발생과 배향이상 등의 문제점이 발생한다.
본 발명의 과제는 상술한 바와 같은 종래의 문제점을 해결하기 위한 것으로써, 가경화공정과 경화공정 그리고 러빙공정을 연속적으로 진행함으로써, 각 공정을 위해 배향막이 형성된 기판이 이송될 때 온도차에 의해서 발생하는 불량들을 최소화하기 위한 플라즈마를 이용한 배향막 처리 장치 및 이를 이용한 배향막 처리 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.
상기 과제는, 본 발명에 따라, 이송되는 기판상에 형성된 배향막이 균일하게 경화되도록 플라즈마를 이용하여 상기 배향막을 가열함으로써 상기 배향막을 가경화시키는 가경화부; 플라즈마를 이용하여 상기 배향막을 재가열함으로써 상기 배향막을 경화시키는 경화부; 플라즈마를 이용하여 상기 배향막을 에칭함으로써 상기 배향막을 러빙하는 러빙부; 상기 가경화부와 상기 경화부와 상기 러빙부를 연속적으로 통과할 수 있도록 상기 기판을 이송하는 이송부;를 포함할 수 있다.
또한, 상기 가경화부는 반응가스를 공급하는 제1반응가스공급부; 상기 배향막이 가경화되도록 플라즈마를 인가하는 제1플라즈마인가부;를 포함하고, 상기 경화부는 반응가스를 공급하는 제2반응가스공급부; 상기 배향막을 재가열하여 상기 배향막이 경화되도록 플라즈마를 인가하는 제2플라즈마인가부;를 포함할 수 있다.
또한, 상기 러빙부는 반응가스를 공급하는 제3반응가스공급부; 플라즈마를 이용하여 상기 배향막을 에칭하도록 플라즈마를 인가하는 제3플라즈마인가부;를 더 포함할 수 있다.
또한, 상기 배향막이 경화되도록 상기 제2플라즈마인가부에 인가되는 전압은 상기 제1플라즈마인가부에 인가되는 전압보다 높은 전압이 인가되는 것이 바람직하다.
또한, 상기 플라즈마는 대기압 유전체 장벽 방전(atmospheric-pressure dielectric barrier discharge)인 것이 바람직하다.
또한, 이송되는 기판상에 형성된 배향막이 균일하게 경화되도록 플라즈마를 이용하여 상기 배향막을 가열함으로써 상기 배향막을 가경화시키는 가경화단계; 플라즈마를 이용하여 가경화된 상기 배향막을 재가열함으로써 상기 배향막을 경화시키는 경화단계; 상기 배향막이 배향되도록 상기 플라즈마를 이용하여 에칭함으로써 상기 배향막을 상기 배향막을 러빙하는 러빙단계;를 포함하며, 상기 가경화단계와 상기 경화단계와 상기 러빙단계는 연속공정으로 수행되는 것이 바람직하다.
또한, 상기 가경화단계는 반응가스를 공급하는 제1반응가스공급단계; 상기 배향막이 가경화되도록 플라즈마를 인가하는 제1플라즈마인가단계;를 포함하고, 상기 경화부는 반응가스를 공급하는 제2반응가스공급단계; 상기 배향막을 재가열하여 상기 배향막이 경화되도록 플라즈마를 인가하는 제2플라즈마인가단계;를 포함할 수 있다.
상기 러빙단계는 반응가스를 공급하는 제3반응가스공급단계; 상기 배향막을 에칭하도록 플라즈마를 인가하는 제3플라즈마인가단계;를 더 포함할 수 있다.
또한, 상기 배향막이 경화되도록 상기 제2플라즈마인가단계에서 인가되는 전압은 상기 제1플라즈마인가단계에서 인가되는 전압보다 높은 전압이 인가되는 것이 바람직하다.
상기 플라즈마는 대기압 유전체 장벽 방전(atmospheric-pressure dielectric barrier discharge)인 것이 바람직하다.
본 발명에 따른 플라즈마를 이용한 배향막 처리 장치 및 이를 이용한 배향막 처리 방법에 의하면 가경화공정과 경화공정 그리고 러빙공정을 연속적으로 진행함으로써, 각 공정을 위해 배향막이 형성된 기판이 이송되는 시간을 줄여 이송 간 온도차에 의해서 발생하는 불량들을 최소화할 수 있다.
또한, 플라즈마에 인가되는 전압을 조절하여 공정온도를 조절함으로써, 가열하기 위한 별도의 장치가 필요 없이 공정온도를 조절할 수 있다.
또한, 플라즈마를 이용해 배향막을 에칭하여 러빙함으로써, 종래의 러빙공정에서 발생하는 이물질 및 배향이상 등으로 인한 불량을 최소화할 수 있다.
도 1은 본 발명의 일실시예에 따른 플라즈마를 이용한 배향막 처리장치를 나타내는 단면도이고,
도 2는 도 1의 플라즈마를 이용한 배향막 처리장치를 이용한 배향막 처리방법을 설명하기 위한 공정흐름도이고,
도 3은 도 2의 플라즈마를 이용한 배향막 처리장치를 이용한 배향막 처리방법에서 가경화단계를 도시한 개요도이고,
도 4는 도 2의 플라즈마를 이용한 배향막 처리장치를 이용한 배향막 처리방법에서 경화단계를 도시한 개요도이고,
도 5는 도 2의 플라즈마를 이용한 배향막 처리장치를 이용한 배향막 처리방법에서 러빙단계를 도시한 개요도이다.
이하, 본 발명에 따른 플라즈마를 이용한 배향막 처리 장치 및 이를 이용한 배향막 처리 방법의 일시예를 첨부된 도면을 참조하여 상세히 설명한다.
도 1은 본 발명의 일실시예에 따른 플라즈마를 이용한 배향막 처리장치를 나타내는 단면도이다.
도 1에서 도시하는 바와 같이, 일실시예에 따른 플라즈마를 이용한 배향막 러빙장치는 가경화부(110)와 경화부(120)와 러빙부(130) 및 이송부(140)를 포함한다.
본 실시예에서 배향막(A)의 가경화와 경화 및 러빙은 플라즈마를 이용하여 연속적으로 공정이 진행되는 것이 바람직하며, 특히 플라즈마 중 대기압 유전체 장벽 방전(Atmospheric-pressure dirlrctric Barrier Discharge)인 것이 바람직하다.
상기 가경화부(110)는 이송되는 기판상에 형성된 배향막(A)이 균일하게 경화되도록 플라즈마에 의해 발생하는 열을 이용해 배향막(A)을 가열하여 가경화시킨다.
또한, 가경화부(110)는 반응가스를 공급하는 제1가스공급부(111)와 배향막(A)이 가경화되도록 플라즈마를 인가하는 제1플라즈마인가부(112)를 포함한다.
상기 제1가스공급부(111)는 후술할 제1플라즈마인가부(112)의 전극과 전극사이공간 즉, 배향막(A)이 가경화되는 공간에 배향막(A)에 대한 표면을 처리하기 위한 반응가스를 공급하는 것으로써, 노즐 또는 분사홀 등으로 배치될 수 있다.
상기 제1플라즈마인가부(112)는 플라즈마를 통해 발생하는 열에 의해 배향막(A)의 표면이 가열되어 가경화되도록 플라즈마를 인가한다.
상기 경화부(120)는 플라즈마를 이용하여 배향막(A)을 재가열함으로써 상기 배향막을 경화시키며 제2가스공급부(121)와 제2플라즈마인가부(122)를 포함한다.
상기 제2가스공급부(121)는 가경화된 배향막(A)이 경화될 공간에 반응가스를 공급하는 것으로써, 상술한 제1가스공급부(111)와 같은 구성으로 이루어질 수 있다.
상기 제2플라즈마인가부(122)는 가경화 된 배향막(A)을 재가열하여 배향막(A)을 경화시키는 것으로써, 가경화된 배향막(A)에 플라즈마를 인가하여 공정온도를 높여 배향막(A)를 경화시키는 것이다.
상기 러빙부(130)는 플라즈마를 이용해 배향막(A)의 표면을 에칭하여 배향막(A)을 러빙하는 것으로써, 플라즈마 에칭을 이용하여 배향막(A)의 표면에 홈을 형성한다.
또한, 러빙부(130)는 제3가스공급부(131)와 제3플라즈마인가부(132)를 포함한다.
상기 제3가스공급부(131)는 경화된 배향막(A)의 표면을 에칭하도록 반응가스를 공급하는 것이다.
상기 제3플라즈마인가부(132)는 플라즈마를 이용하여 경화된 배향막(A)의 표면을 에칭함으로써 배향막(A)에 홈을 형성하여 배향막(A)를 러빙하는 것이다.
상기 제1가스공급부(111)와 제2가스공급부(121) 및 제3가스공급부(131)로부터 공급되는 반응가스는 질소(N2), 산소(O2), 아르곤(Ar), 헬륨(He), 이산화탄소(CO2), 수소(H2), 제논(Xe) 등으로 이루어진 그룹 중 적어도 하나 이상의 가스가 선택적으로 공급되는 것이 바람직하다.
가스공급부(150)에는 밸브가 배치될 수 있으며, 밸브의 개폐여부에 따라 제1가스공급부(111)와 제2가스공급부(121) 및 제3가스공급부(131)에 반응가스가 선택적으로 제공될 수 있다.
여기서, 제3가스공급부(131)로부터 아르곤(Ar)가스가 제공되며, 아르곤(Ar)가스는 제3플라즈마인가부(132)에서 배향막(A)를 에칭하는데 사용된다.
또한, 상기 제1플라즈마인가부(112)와 제2플라즈마인가부(121)와 제3플라즈마인가부(131)는 각각 전극이 전원과 연결되도록 형성되며 전극의 한 측에는 유전체가 배치될 수 있다.
또한, 유전체를 두 전극 중의 하나 또는 모두에 설치하고 전극간에 전압이 발생하게 되면, 그 사이에 방전이 일어나 반응가스가 이온화되어 플라즈마가 형성되는 플라즈마 중 대기압 유전체 장벽 방전(Atmospheric-pressure dirlrctric Barrier Discharge)을 이용하는 것이 바람직하다.
여기서, 가경화된 배향막(A)이 재가열되어 경화되도록 상기 제2플라즈마인가부(122)에 인가되는 전압은 상기 제1플라즈마인가부(112)에 인가되는 전압보다 높은 것이 바람직하다.
상기 이송부(140)는 가경화부(110)와 경화부(120)와 러빙부(130)를 통과하도록 배치되어 기판을 이송하는 것으로써, 다수 개의 롤러로 구성될 수 있으며 기판의 이송방향을 따라 다수개가 이격되게 마련된다.
이하, 상술한 바와 같이 구성된 플라즈마를 이용한 배향막 처리장치를 이용하여 본 발명에 따른 배향막 처리 방법에 대하여 도 2 내지 도 5를 참조하여 상세히 설명한다.
도 2는 도 1의 플라즈마를 이용한 배향막 처리장치를 이용한 배향막 처리방법을 설명하기 위한 공정흐름도이고, 도 3은 도 2의 플라즈마를 이용한 배향막 처리장치를 이용한 배향막 처리방법에서 가경화단계를 도시한 개요도이고, 도 4는 도 2의 플라즈마를 이용한 배향막 처리장치를 이용한 배향막 처리방법에서 경화단계를 도시한 개요도이고, 도 5는 도 2의 플라즈마를 이용한 배향막 처리장치를 이용한 배향막 처리방법에서 러빙단계를 도시한 개요도이다.
도 2 내지 도 5에서 도시하는 바와 같이, 본 발명의 플라즈마를 이용한 배향막 처리장치를 이용하여 본 발명에 따른 배향막 처리 방법에 대하여 상세하게 설명한다.
도 2 내지 도 5에 도시된 바와 같이, 본 발명의 플라즈마를 이용한 배향막 처리장치를 이용하여 배향막을 처리하는 방법은 가경화단계(S110)와 경화단계(S120)와 러빙단계(S130)를 포함한다.
본 실시예에서 배향막(A)의 가경화단계(S110)와 경화단계(S120) 및 러빙단계(S130)에서는 플라즈마를 이용하여 연속적으로 공정이 진행되는 것이 바람직하며, 특히 플라즈마 중 대기압 유전체 장벽 방전(Atmospheric-pressure dirlrctric Barrier Discharge)인 것이 바람직하다.
도 3을 참조하면, 상기 가경화단계(S110)는 기판상에 형성되는 배향막(A)이 균일하게 경화 되도록 가경화 시키기 위한 단계로써, 제1반응가스공급단계(S111)와 제1플라즈마인가단계(S112)를 포함한다.
또한, 가경화단계(S110)는 50°C 내지 100°C의 온도에서 진행되는 것이 바람직하다.
도 3(a)를 참조하면, 상기 제1반응가스공급단계(S111)는 후술할 제1플라즈마인가단계(S112)에서 배향막(A)의 표면처리에 사용되는 반응가스를 공급하는 단계로써, 플라즈마가 발생하는 공간에 반응가스를 공급한다.
도 3(b)를 참조하면, 상기 제1플라즈마인가단계(S112)는 배향막(A)이 가경화 되도록 제1반응가스공급단계(S111)에서 공급되는 반응가스가 이온화되어 발생하는 플라즈마를 이용해 배향막(A)의 표면을 가열하는 단계이다.
도 4를 참조하면, 상기 경화단계(S120)는 가경화단계(S110)에서 가경화된 배향막(A)의 표면을 재가열하여 배향막(A)를 경화시키는 단계로써, 플라즈마에 인가되는 전압을 높여 공정온도를 증가시킴으로써 배향막(A)를 경화시키는 것이다.
또한, 상기 경화단계(S120)는 제2반응가스공급단계(S121)와 제2플라즈마인가단계(S122)를 포함한다.
도 4(a)를 참조하면, 상기 제2반응가스공급단계(S121)는 가경화된 배향막(A)이 경화될 공간에 반응가스를 공급하는 것이다.
도 4(b)를 참조하면, 상기 제2플라즈마인가단계(S122)는 플라즈마에 인가되는 전압을 높여 공정온도를 제1플라즈마인가단계(S112)에 비해 높임으로써 가경화된 배향막(A)을 경화시키는 것이다.
도 5를 참조하면, 상기 러빙단계(S130)는 경화된 배향막(A)을 플라즈마 에칭을 이용해 홈을 형성하여 배향막(A)을 러빙하는 단계로써, 제3반응가스공급단계(S131)와 제3플라즈마인가단계(S132)를 포함한다.
도 5(a)를 참조하면, 상기 제3반응가스공급단계(S131)는 경화된 배향막(A)의 표면을 에칭하도록 반응가스를 공급하는 단계이다.
상기 제3플라즈마인가부(132)는 플라즈마를 이용하여 경화된배향막(A)의 표면을 선택적으로 제거함으로써 배향막(A)에 홈을 형성하여 배향막(A)를 러빙하는 것이다.
상술한 가경화단계(S110)와 경화단계(S120) 및 러빙단계(S130)는 기판이 각 단계별로 이동하면서 발생하는 온도차에 배향막(A)의 불량이 발생하지 않도록 연속적으로 진행된다.
또한, 상술한 바와 같은 가경화단계(S110)와 경화단계(S120) 및 러빙단계(S130)에서는 가스공급부(150)로부터 반응가스가 공급되며, 가스공급부(150)에 배치되는 밸브의 개폐여부에 따라 가경화단계(S110)와 경화단계(S120) 및 러빙단계(S130)에 반응가스를 선택적으로 공급할 수 있다.
여기서, 러빙단계(S130)에서는 아르곤(Ar) 가스를 이용하여 배향막(A)를 에칭함으로써, 배향막(A)을 러빙하는 것이 바람직하다.
또한, 상기 반응가스는 질소(N2), 산소(O2),아르곤(Ar), 헬륨(He), 이산화탄소(CO2), 수소(H2), 제논(Xe) 등으로 이루어진 그룹 중 적어도 하나 이상의 가스가 선택적으로 공급되는 것이 바람직하다.또한, 경화단계(S120)의 공정온도가 가경화단계(S110)의 공정온도보다 높도록 상기 제2플라즈마인가단계(S122)에서 인가되는 전압은 상기 제1플라즈마인가단계(S112)에서 인가되는 전압보다 높은 것이 바람직하다.
따라서, 본 실시예에 의하면, 가경화단계(S110)와 경화단계(S120) 및 러빙단계(S130)를 연속적으로 진행함으로써, 각 단계로 이동하는 동안 배향막(A)의 표면에 온도 차에 의하여 발생 될 수 있는 불량을 최소화할 수 있다.
본 발명의 권리범위는 상술한 실시예에 한정되는 것이 아니라 첨부된 특허청구범위 내에서 다양한 형태의 실시예로 구현될 수 있다. 특허청구범위에서 청구하는 본 발명의 요지를 벗어남이 없이 당해 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 누구든지 변형 가능한 다양한 범위까지 본 발명의 청구범위 기재의 범위 내에 있는 것으로 본다.
A : 배향막 110 : 가경화부
111 : 제1반응가스공급부 112 : 제1플라즈마인가부
120 : 경화부 121 : 제2반응가스공급부
122 : 제2플라즈마인가부 130 : 러빙부
131 : 제3반응가스공급부 132 : 제3플라즈마인가부
140 : 이송부 150 : 가스공급부

Claims (10)

  1. 이송되는 기판상에 형성된 배향막이 균일하게 경화되도록 플라즈마를 이용하여 상기 배향막을 가열함으로써 상기 배향막을 가경화시키는 가경화부;
    플라즈마를 이용하여 상기 배향막을 재가열함으로써 상기 배향막을 경화시키는 경화부;
    플라즈마를 이용하여 상기 배향막을 에칭함으로써 상기 배향막을 러빙하는 러빙부;
    상기 가경화부와 상기 경화부와 상기 러빙부를 연속적으로 통과할 수 있도록 상기 기판을 이송하는 이송부;를 포함하는 것을 특징으로 하는 플라즈마를 이용한 배향막 처리 장치.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 가경화부는 반응가스를 공급하는 제1반응가스공급부; 상기 배향막이 가경화되도록 플라즈마를 인가하는 제1플라즈마인가부;를 포함하고,
    상기 경화부는 반응가스를 공급하는 제2반응가스공급부; 상기 배향막을 재가열하여 상기 배향막이 경화되도록 플라즈마를 인가하는 제2플라즈마인가부;를 포함하는 것을 특징으로 하는 플라즈마를 이용한 배향막 처리 장치.
  3. 제 1항에 있어서,
    상기 러빙부는 반응가스를 공급하는 제3반응가스공급부; 플라즈마를 이용하여 상기 배향막을 에칭하도록 플라즈마를 인가하는 제3플라즈마인가부;를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 플라즈마를 이용한 배향막 처리 장치.
  4. 제2항에 있어서,
    상기 배향막이 경화되도록 상기 제2플라즈마인가부에 인가되는 전압은 상기 제1플라즈마인가부에 인가되는 전압보다 높은 전압이 인가되는 것을 특징으로 하는 플라즈마를 이용한 배향막 처리 장치.
  5. 제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 플라즈마는 대기압 유전체 장벽 방전(atmospheric-pressure dielectric barrier discharge)인 것을 특징으로 하는 플라즈마를 이용한 배향막 처리 장치.
  6. 이송되는 기판상에 형성된 배향막이 균일하게 경화되도록 플라즈마를 이용하여 상기 배향막을 가열함으로써 상기 배향막을 가경화시키는 가경화단계;
    플라즈마를 이용하여 가경화된 상기 배향막을 재가열함으로써 상기 배향막을 경화시키는 경화단계;
    상기 배향막이 배향되도록 상기 플라즈마를 이용하여 에칭함으로써 상기 배향막을 상기 배향막을 러빙하는 러빙단계;를 포함하며,
    상기 가경화단계와 상기 경화단계와 상기 러빙단계는 연속공정으로 수행되는 것을 특징으로 하는 플라즈마를 이용한 배향막 처리 방법.
  7. 제6항에 있어서,
    상기 가경화단계는 반응가스를 공급하는 제1반응가스공급단계; 상기 배향막이 가경화되도록 플라즈마를 인가하는 제1플라즈마인가단계;를 포함하고,
    상기 경화부는 반응가스를 공급하는 제2반응가스공급단계; 상기 배향막을 재가열하여 상기 배향막이 경화되도록 플라즈마를 인가하는 제2플라즈마인가단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 플라즈마를 이용한 배향막 처리 방법.
  8. 제 6항에 있어서,
    상기 러빙단계는 반응가스를 공급하는 제3반응가스공급단계; 상기 배향막을 에칭하도록 플라즈마를 인가하는 제3플라즈마인가단계;를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 플라즈마를 이용한 배향막 처리 방법.
  9. 제7항에 있어서,
    상기 배향막이 경화되도록 상기 제2플라즈마인가단계에서 인가되는 전압은 상기 제1플라즈마인가단계에서 인가되는 전압보다 높은 전압이 인가되는 것을 특징으로 하는 플라즈마를 이용한 배향막 처리 방법.
  10. 제6항 내지 제9항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 플라즈마는 대기압 유전체 장벽 방전(atmospheric-pressure dielectric barrier discharge)인 것을 특징으로 하는 플라즈마를 이용한 배향막 처리 방법.
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