KR20140067264A - Organic electro-luminescent device - Google Patents

Organic electro-luminescent device Download PDF

Info

Publication number
KR20140067264A
KR20140067264A KR1020120134298A KR20120134298A KR20140067264A KR 20140067264 A KR20140067264 A KR 20140067264A KR 1020120134298 A KR1020120134298 A KR 1020120134298A KR 20120134298 A KR20120134298 A KR 20120134298A KR 20140067264 A KR20140067264 A KR 20140067264A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
bank
light emitting
electrode
organic light
thin film
Prior art date
Application number
KR1020120134298A
Other languages
Korean (ko)
Other versions
KR102015846B1 (en
Inventor
김강현
양기섭
최대정
최승렬
이아령
김한희
Original Assignee
엘지디스플레이 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 엘지디스플레이 주식회사 filed Critical 엘지디스플레이 주식회사
Priority to KR1020120134298A priority Critical patent/KR102015846B1/en
Priority to CN201310373211.5A priority patent/CN103839965B/en
Priority to US14/010,985 priority patent/US9231035B2/en
Publication of KR20140067264A publication Critical patent/KR20140067264A/en
Application granted granted Critical
Publication of KR102015846B1 publication Critical patent/KR102015846B1/en

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/122—Pixel-defining structures or layers, e.g. banks
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K2102/00—Constructional details relating to the organic devices covered by this subclass
    • H10K2102/301—Details of OLEDs
    • H10K2102/351—Thickness
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays

Abstract

The present invention provides an organic electroluminescent device which includes: a first substrate on which a display region with a plurality of pixel regions is defined; a first electrode which is formed on each pixel region; a first bank which overlaps the edge of the first electrode, surrounds each pixel region, and has a first thickness and a first width; a second bank which completely overlaps the first bank on the upper side of the first bank and has a second width which is narrower than the first width; an organic light emitting layer which is formed on the upper sides of the first bank and the first electrode in a region surrounded by the second bank; and a second electrode which is formed on the front of the display region on the upper side of the organic light emitting layer.

Description

유기전계 발광소자{Organic electro-luminescent device}[0001] The present invention relates to an organic electroluminescent device,

본 발명은 유기전계 발광소자(Organic Electro-luminescent Device)에 관한 것이며, 특히 이중 구조의 뱅크를 구비하여 액상의 유기 발광층 형성 시 각 화소영역 내에서 가장자리 부분과 중앙부의 두께 차이로 인해 발생되는 개구율 저하 및 이에 따른 수명 저하를 억제할 수 있는 유기전계 발광소자에 관한 것이다.
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an organic electroluminescent device, and more particularly, to an organic electroluminescent device including a bank having a dual structure, in which, when forming a liquid organic emission layer, And an organic electroluminescent device capable of suppressing the deterioration of lifetime.

평판 디스플레이(FPD ; Flat Panel Display)중 하나인 유기전계 발광소자는 높은 휘도와 낮은 동작 전압 특성을 갖는다. 또한 스스로 빛을 내는 자체발광형이기 때문에 명암대비(contrast ratio)가 크고, 초박형 디스플레이의 구현이 가능하며, 응답시간이 수 마이크로초(㎲) 정도로 동화상 구현이 쉽고, 시야각의 제한이 없으며 저온에서도 안정적이고, 직류 5V 내지 15V의 낮은 전압으로 구동하므로 구동회로의 제작 및 설계가 용이하다.An organic electroluminescent device, which is one of flat panel displays (FPDs), has high luminance and low operating voltage characteristics. In addition, since it is a self-luminous type that emits light by itself, it has a large contrast ratio, can realize an ultra-thin display, can realize a moving image with a response time of several microseconds (μs), has no viewing angle limit, And it is driven with a low voltage of 5 V to 15 V direct current, so that it is easy to manufacture and design a driving circuit.

따라서, 전술한 바와 같은 장점을 갖는 유기전계 발광소자는 최근에는 TV, 모니터, 핸드폰 등 다양한 IT기기에 이용되고 있다. Accordingly, the organic electroluminescent device having the above-described advantages has recently been used in various IT devices such as a TV, a monitor, and a mobile phone.

이하, 유기전계 발광소자의 기본적인 구조에 대해서 조금 더 상세히 설명한다. Hereinafter, the basic structure of the organic electroluminescent device will be described in more detail.

유기전계 발광소자는 크게 어레이 소자와 유기전계 발광 다이오드로 이루지고 있다. 상기 어레이 소자는 게이트 및 데이터 배선과 연결된 스위칭 박막트랜지스터와, 상기 유기전계 발광 다이오드와 연결된 구동 박막트랜지스터로 이루어지며, 상기 유기전계 발광 다이오드는 상기 구동 박막트랜지스터와 연결된 제 1 전극과 유기 발광층 및 제 2 전극으로 이루어지고 있다.BACKGROUND ART An organic electroluminescent device is largely composed of an array element and an organic electroluminescent diode. The array element includes a switching thin film transistor connected to a gate and a data line, and a driving thin film transistor connected to the organic light emitting diode. The organic light emitting diode includes a first electrode connected to the driving thin film transistor, Electrode.

이러한 구성을 갖는 유기전계 발광소자는 상기 유기 발광층으로부터 발생된 빛이 상기 제 1 전극 또는 제 2 전극을 향해 출사됨으로써 화상을 표시하게 되며, 개구율 등을 고려할 때, 근래에는 통상 상기 제 2 전극을 향해 출사되는 빛을 이용하여 화상을 표시하는 상부 발광 방식으로 제조되고 있다.In the organic electroluminescent device having such a configuration, light generated from the organic light emitting layer is emitted toward the first electrode or the second electrode to display an image. Considering the aperture ratio and the like, in recent years, And is manufactured by a top emission type in which an image is displayed by using emitted light.

한편, 이러한 일반적인 유기발광 표시장치에 있어 상기 유기 발광층은 통상 쉐도우 마스크를 이용한 열증착법에 의해 형성되고 있는데, 근래들어 표시장치의 대형화에 의해 쉐도우 마스크의 처짐 등이 심하게 발생되어 증착 불량이 증가됨으로서 대면적의 기판에 대해서는 적용이 점점 어려워지고 있으며, 쉐도우 마스크를 이용한 열증착의 경우 쉐도우 이팩트(shadow effect) 등이 발생됨으로서 현 기술력으로는 250PPI 이상의 고해상도를 갖는 유기전계 발광소자를 제조하는데 무리가 있다.Meanwhile, in the general organic light emitting diode display device, the organic light emitting layer is usually formed by a thermal evaporation method using a shadow mask. In recent years, due to the enlargement of the display device, deflection of the shadow mask is severely generated, It is difficult to manufacture an organic electroluminescent device having a high resolution of 250 PPI or more due to a shadow effect or the like due to thermal evaporation using a shadow mask.

따라서, 대면적의 유기전계 발광소자 제조를 위해 쉐도우 마스크를 이용한 열증착 공정을 대체하는 유기 발광층의 형성 방법이 제안되었다.Therefore, a method of forming an organic light emitting layer replacing a thermal deposition process using a shadow mask for manufacturing a large area organic electroluminescent device has been proposed.

제안된 유기 발광층의 형성방법은 액상의 유기 발광물질을 잉크젯 장치 또는 노즐 코팅 장치를 통해 격벽으로 둘러싸인 영역에 분사 또는 드롭핑 한 후 경화시키는 것이다.The proposed method of forming the organic light emitting layer is to spray or drop a liquid organic light emitting material to a region surrounded by the partition wall through an ink jet apparatus or a nozzle coating apparatus and cure.

도 1은 노즐 코팅 장치를 통해 액상의 유기 발광물질을 드롭핑하여 유기 발광층을 형성하는 단계를 진행한 후의 유기전계 발광소자의 단면도이다.1 is a cross-sectional view of an organic electroluminescent device after the step of forming an organic light emitting layer by dropping a liquid organic electroluminescent material through a nozzle coating apparatus.

액상의 유기 발광물질을 잉크젯 장치를 통해 각 화소영역별로 분사하거나 또는 노즐 코팅 장치를 통해 드롭핑을 하기 위해서는 액상 상태의 유기 발광물질이 각 화소영역(P) 내에서 주위로 흘러가는 것을 방지하기 위해 필수적으로 제 1 전극(50)이 형성된 각 화소영역(P)을 둘러싸는 형태의 뱅크가 필요로 되고 있다. In order to prevent the organic luminescent material in a liquid state from flowing around in each pixel region P in order to eject liquid organic luminescent material through each of the pixel regions through the inkjet apparatus or to perform dropping through the nozzle coating apparatus A bank is required which surrounds each pixel region P in which the first electrode 50 is formed.

따라서, 도시한 바와같이 유기 발광층(도 1b의 55)이 구비되기 전에 각 화소영역(P)의 경계를 따라 단일층 구조를 갖는 뱅크(53)가 구비되고 있다. Therefore, as shown in the drawing, the bank 53 having a single layer structure is provided along the boundary of each pixel region P before the organic light emitting layer 55 (Fig. 1B) is provided.

이때, 상기 뱅크(53)는 소수성 특성을 갖는 유기물질로 이루어지고 있다. 이렇게 뱅크(53)가 소수성 특성을 갖도록 하는 것은 액상의 유기 발광 물질이 분사 또는 드롭핑 될 때 장비 자체가 가지는 오차 등에 의해 뱅크로 둘러싸인 화소영역(P) 내의 중앙부 분사되지 않고 약간 치우쳐 분사되어 뱅크(53) 상에도 소정량 분사되더라도 상기 뱅크(53)에서 흘러내려 각 화소영역(P) 내에 위치하도록 하고, 나아가 액상의 유기 발광 물질의 분사량이 조금 과하게 이루어졌을 경우도 상기 뱅크(53) 상부로 넘쳐 흐르는 것을 억제시키기 위함이다. At this time, the bank 53 is made of an organic material having a hydrophobic property. The reason why the bank 53 has the hydrophobic property is that when the liquid organic light emitting material is injected or dropped, the liquid droplets are slightly ejected from the center of the pixel region P surrounded by the bank, Even when a predetermined amount is injected onto the banks 53, the organic EL elements are caused to flow down from the banks 53 to be located in the pixel regions P, and even when the injection amount of the organic luminescent material in the liquid state is slightly increased, It is to suppress the flow.

소수성 특성을 갖게 되면 친수성 특성을 갖는 액상의 유기 발광 물질을 밀어내는 특성을 가지므로 상기 뱅크(53)의 상부에는 유기 발광 물질이 코팅되지 않고 뱅크(53)로 둘러싸인 영역에 대해서만 집중적으로 모이도록 할 수 있기 때문이다. The organic electroluminescent material is not coated on the upper portion of the bank 53 but concentrated only on the region surrounded by the bank 53 because the organic electroluminescent material has a hydrophobic property It is because.

상기 뱅크(53)로 둘러싸인 각 화소영역(P) 내에 잉크젯 장치의 헤드 또는 노즐 코팅 장치(98)의 노즐이 위치하여 액상의 유기 발광 물질을 분사 또는 드롭핑 하게 되면 각 화소영역(P) 내에 유기 발광 물질이 채워지게 되며, 이러한 상태에서 열처리를 진행하여 건조 및 경화시킴으로서 유기 발광층(55)이 형성되고 있다. When the head of the ink jet apparatus or the nozzle of the nozzle coating apparatus 98 is positioned in each pixel region P surrounded by the banks 53 and the liquid organic light emitting material is jetted or dropped, And the organic light emitting layer 55 is formed by drying and curing the organic light emitting layer 55 by progressing the heat treatment in this state.

하지만, 전술한 바와같이 잉크 젯 장치 또는 노즐 코팅 장치를 통해 유기 발광층(55)을 형성하게 되면 각 뱅크(53)로 둘러싸인 영역 내의 중앙부 대비 상기 뱅크(53)와 인접하는 가장자리 부분의 두께가 두껍게 형성되는 현상이 발생된다.However, as described above, when the organic light emitting layer 55 is formed through the ink jet device or the nozzle coating device, the edge portions adjacent to the banks 53 are thicker than the central portion in the region surrounded by the respective banks 53 .

이는 경화되는 과정에서 뱅크(53)와 접촉하는 부분이 상대적으로 느리게 경화되며 중앙부로부터 경화가 이루어지면서 내부적으로 유기 발광물질이 가장자리 부분으로 이동하고 이 상태에서 최종적으로 경화되기 때문이다.This is because the portion in contact with the bank 53 is hardened relatively slowly and the organic light emitting material moves to the edge portion internally as it is hardened from the central portion in the course of curing and finally hardened in this state.

따라서 이러한 현상에 의해 각 화소영역(P) 내에서 상기 유기 발광층(55)은 중앙부에 대해서는 그 두께 편차가 거의 없이 평탄하게 형성되지만, 뱅크(53)와 인접하는 가장자리 부분으로 갈수록 점진적으로 그 두께가 증가하는 단면 형태를 이루게 된다. Therefore, the organic light-emitting layer 55 is formed flat in the pixel region P with almost no thickness deviation with respect to the central portion. However, the thickness of the organic light-emitting layer 55 gradually increases toward the edge portion adjacent to the bank 53 Sectional shape.

한편, 유기 발광층(55)은 두께가 다를 경우, 동일한 크기의 전류가 인가됨에 의해 그 발광 효율의 차이가 발생되며 이로 인해 도 2(종래의 소수성 특성을 갖는 단일층 구조의 뱅크를 구비하고 액상의 유기 발광물질을 이용하여 유기 발광층을 형성한 유기전계 발광소자에 있어 구동된 하나의 화소영역을 찍은 사진)에 도시한 바와같이, 뱅크 주변으로 유기 발광층이 평탄한 표면을 갖지 못하고 타 영역 대비 두껍게 형성된 부분이 어둡게 나타나게 되며, 이러한 어둡게 표시되는 부분은 사용자가 바라볼 때 얼룩처럼 느끼게 되므로 이렇게 두껍게 형성되는 부분에 대해서는 이를 사용자에게 보이지 않도록 하여 실질적인 발광영역이 되지 않도록 하고 있다. On the other hand, when the thickness of the organic light emitting layer 55 is different, a difference in luminous efficiency is caused by the application of the same magnitude of current. As a result, the organic light emitting layer 55 has a single- As shown in a photograph of one driven pixel region in an organic electroluminescent device having an organic light emitting layer formed using an organic light emitting material, the organic light emitting layer does not have a flat surface around the bank, And dark portions are darkened. When the user looks at the dark portions, they feel like a smudge. Therefore, the portions that are formed so thick are not visible to the user, so that they do not become a substantial light emitting region.

따라서, 도 1을 참조하면 사용자가 실질적으로 바라보게 되는 각 화소영역(P)은 뱅크(53)로 둘라싸인 영역 전면이 아니라 유기 발광층(55)이 평판한 표면을 가지며 형성되어 균일한 휘도를 가지며 발광되는 발광영역(EA1) 부분이 되고 있으며, 이러한 구성을 갖는 종래의 유기전계 발광소자는 개구율이 매우 저하되고 있는 실정이다. Referring to FIG. 1, each pixel region P substantially viewed by the user is formed not on the entire surface of the bank 53 but on the flat surface of the organic light emitting layer 55, And the light emitting region EA1 which emits light. The conventional organic electroluminescent device having such a structure has a very low aperture ratio.

본 발명은 상기 문제점을 해결하기 위하여 안출된 것으로, 본 발명은 뱅크로 둘러싸인 영역에서 뱅크와 인접하는 주변부까지 평탄한 표면을 갖도록 하여 각 화소영역 내에서 균일한 발광특성을 갖는 부분을 확장시킴으로서 개구율을 향상시킬 수 있는 유기전계 발광소자를 제공하는 것을 그 목적으로 한다.
SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been conceived in order to solve the problems described above, and it is an object of the present invention to improve the aperture ratio by extending a portion having a uniform light emission characteristic in each pixel region by having a flat surface from the region surrounded by the bank to the peripheral portion adjacent to the bank. And an organic electroluminescent device capable of emitting light.

상기 목적을 달성하기 위한 본 발명의 실시예에 따른 유기전계 발광소자는, 다수의 화소영역을 갖는 표시영역이 정의된 제 1 기판과; 상기 각 화소영역 별로 형성된 제 1 전극과; 상기 제 1 전극의 가장자리와 중첩하며 각 화소영역을 둘러싸는 형성되며, 제 1 두께와 제 1 폭을 갖는 제 1 뱅크와; 상기 제 1 뱅크의 상부로 상기 제 1 뱅크와 완전 중첩하며 형성되며 상기 제 1 폭보다 작은 제 2 폭을 갖는 제 2 뱅크와; 상기 제 2 뱅크로 둘러싸인 영역 내부에 상기 제 1 뱅크 및 제 1 전극 상부에 형성된 유기 발광층과; 상기 유기 발광층 상부로 상기 표시영역 전면에 형성된 제 2 전극을 포함한다. According to an aspect of the present invention, there is provided an organic electroluminescent device including a first substrate on which a display region having a plurality of pixel regions is defined; A first electrode formed for each pixel region; A first bank which overlaps the edge of the first electrode and surrounds each pixel region, the first bank having a first thickness and a first width; A second bank formed above the first bank to completely overlap the first bank and having a second width smaller than the first width; An organic light emitting layer formed on the first bank and the first electrode in an area surrounded by the second bank; And a second electrode formed on the entire surface of the display region above the organic light emitting layer.

이때, 상기 제 2 뱅크는 소수성 특성을 갖는 것이 특징이다.At this time, the second bank has a hydrophobic property.

그리고, 상기 제 1 두께는 상기 유기 발광층의 두께보다 얇으며, 상기 유기 발광층은 상기 제 1 뱅크로 둘러싸인 영역 전면에 대해 균일한 두께를 갖는 것이 특징이다.The first thickness is thinner than the thickness of the organic emission layer, and the organic emission layer has a uniform thickness over the entire region surrounded by the first bank.

또한, 상기 제 1 뱅크는 무기절연물질인 산화실리콘(SiO2) 또는 질화실리콘(SiNx)으로 이루어진 것이 특징이다.Further, the first bank is characterized by being made of silicon oxide (SiO 2 ) or silicon nitride (SiN x) which is an inorganic insulating material.

그리고, 상기 제 1 기판 상의 상기 각 화소영역에 상기 제 1 전극 하부에 형성된 스위칭 박막트랜지스터 및 구동 박막트랜지스터와; 상기 스위칭 및 구동 박막트랜지스터를 덮으며 상기 구동 박막트랜지스터의 드레인 전극을 노출시키며 형성된 보호층을 포함하며, 상기 제 1 전극은 상기 보호층 위로 상기 각 화소영역 내에 상기 구동 박막트랜지스터의 드레인 전극과 접촉하며 형성된 것이 특징이다.A switching thin film transistor and a driving thin film transistor formed under the first electrode in each of the pixel regions on the first substrate; And a protective layer covering the switching and driving thin film transistor and exposing a drain electrode of the driving thin film transistor, wherein the first electrode is in contact with the drain electrode of the driving thin film transistor in each pixel region on the protection layer .

또한, 상기 제 1 기판에 대응하여 이와 마주하는 제 2 기판이 구비되거나, 또는 상기 제 2 전극과 접촉하며 상기 제 2 기판의 역할을 하는 인캡슐레이션막이 구비된 것이 특징이다.
In addition, a second substrate facing the first substrate is provided, or an encapsulation film, which is in contact with the second electrode and serves as the second substrate, is provided.

본 발명에 따른 유기전계 발광 소자는, 제 1 폭을 갖는 제 1 뱅크와, 상기 제 1 뱅크와 완전 중첩하는 형태로 소수성 특성을 가지며 상기 제 1 폭보다 작은 제 2 폭을 갖는 제 2 뱅크가 형성되며, 나아가 상기 제 1 뱅크는 유기 발광층의 두께보다 얇은 두께를 가지며 형성됨으로서 상기 제 1 뱅크 상부에는 유기 발광층이 형성된다. 이때, 상기 제 1 뱅크 상에 형성되는 유기 발광층은 각 화소영역의 중앙부에서의 동일한 수준의 평탄화된 표면을 갖는 부분이 존재함으로서 각 화소영역 내에서 유기 발광층의 평탄한 표면을 이루는 영역을 확장시키게 되며, 이에 의해 상기 제 1 뱅크로 둘러싸인 전 영역에 있어 유기 발광층은 평탄한 표면을 가지며 동일한 두께를 갖게 된다. The organic electroluminescent device according to the present invention includes a first bank having a first width and a second bank having a hydrophobic property and having a second width smaller than the first width so as to completely overlap the first bank Further, the first bank is formed to have a thickness smaller than the thickness of the organic light emitting layer, so that the organic light emitting layer is formed on the first bank. At this time, the organic light emitting layer formed on the first bank has a portion having a planarized surface of the same level at the central portion of each pixel region, thereby expanding the area of the flat surface of the organic light emitting layer in each pixel region, Thus, in the entire region surrounded by the first bank, the organic light emitting layer has a flat surface and has the same thickness.

따라서, 종래의 단일층 구조를 갖는 뱅크가 구비된 유기전계 발광소자 대비 각 화소영역 내에서 그 발광영역이 확장되므로 개구율을 향상시키는 효과가 있다.Accordingly, compared with the conventional organic light emitting device having a bank having a single layer structure, the light emitting region is expanded in each pixel region, thereby improving the aperture ratio.

나아가, 각 화소영역 내에서 평탄한 표면을 갖는 유기 발광층이 확대됨으로서 균일한 휘도 특성을 갖게 됨으로서 휘도 불균일에 의한 얼굴 불량이 억제되어 표시품질을 향상시키는 효과가 있다. Further, since the organic light emitting layer having a flat surface is enlarged in each pixel region, uniform luminance characteristics are obtained, and face defects due to luminance unevenness are suppressed, thereby improving display quality.

그리고, 상기 제 1 뱅크가 구성됨으로서 유기 발광층의 두께 균일도가 향상됨으로서 유기 발광층의 열화를 억제하여 수명을 연장시키는 효과가 있다.
In addition, since the first bank is formed, the uniformity of the thickness of the organic light emitting layer is improved, so that deterioration of the organic light emitting layer is suppressed and the lifetime is extended.

도 1은 노즐 코팅 장치를 통해 액상의 유기 발광물질을 드롭핑하여 유기 발광층을 형성하는 단계를 진행한 후의 유기전계 발광소자의 단면도.
도 2는 종래의 소수성 특성을 갖는 단일층 구조의 뱅크를 구비하고 액상의 유기 발광물질을 이용하여 유기 발광층을 형성한 유기전계 발광소자에 있어 구동된 하나의 화소영역을 찍은 사진.
도 3은 유기전계 발광소자의 하나의 화소영역에 대한 회로도.
도 4는 본 발명의 실시예에 따른 유기전계 발광소자의 표시영역 일부에 대한 단면도.
도 5는 본 발명의 실시예의 일 변형예에 따른 유기전계 발광소자에 있어서 구동 박막트랜지스터에 대한 단면도.
도 6은 본 발명의 실시예의 또 다른 변형예에 따른 유기전계 발광소자에 있어서의 구동 박막트랜지스터에 대한 단면도.
도 7은 본 발명의 실시예에 따른 유기전계 발광소자에 있어 제 1 및 제 2 뱅크를 구비하고 액상의 유기 발광물질을 이용하여 유기 발광층을 형성한 후 구동된 하나의 화소영역을 찍은 사진.
도 8은 비교예로서 종래의 단일층 구조를 갖는 유기전계 발광소자와 본 발명의 실시예에 따른 서로 다른 폭을 갖는 제 1 및 제 2 뱅크가 구비된 유기전계 발광소자에 있어 유기 발광층이 형성된 단계를 진행한 후의 하나의 화소영역을 각각 도시한 단면도.1 is a cross-sectional view of an organic electroluminescent device after the step of forming an organic light emitting layer by dropping a liquid organic light emitting material through a nozzle coating apparatus.
FIG. 2 is a photograph showing one pixel region driven in an organic electroluminescent device having a bank of a single layer structure having a conventional hydrophobic characteristic and forming an organic light emitting layer using a liquid organic electroluminescent material. FIG.
3 is a circuit diagram of one pixel region of an organic electroluminescent device.
4 is a cross-sectional view of a portion of a display region of an organic electroluminescent device according to an embodiment of the present invention.
5 is a sectional view of a driving thin film transistor in an organic electroluminescent device according to a modification of the embodiment of the present invention.
6 is a sectional view of a driving thin film transistor in an organic electroluminescent device according to still another modification of the embodiment of the present invention.
FIG. 7 is a photograph of a pixel region of an organic electroluminescent device according to an embodiment of the present invention, in which an organic light emitting layer is formed using a liquid organic light emitting material and first and second banks are formed;
FIG. 8 is a cross-sectional view illustrating an organic electroluminescent device having an organic electroluminescent device having a conventional single-layer structure and first and second banks having different widths according to an embodiment of the present invention, FIG. 5 is a cross-sectional view illustrating one pixel region after the pixel region has advanced.

이하, 본 발명에 따른 바람직한 실시예를 도면을 참조하여 상세히 설명한다. Hereinafter, preferred embodiments according to the present invention will be described in detail with reference to the drawings.

우선, 유기전계 발광소자의 구성 및 동작에 대해서 유기전계 발광소자의 하나의 화소영역에 대한 회로도인 도 3을 참조하여 간단히 설명한다. First, the structure and operation of the organic electroluminescent device will be briefly described with reference to FIG. 3, which is a circuit diagram for one pixel region of the organic electroluminescent device.

도시한 바와 같이 유기전계 발광소자의 각 화소영역(P) 에는 스위칭(switching) 박막트랜지스터(STr)와 구동(driving) 박막트랜지스터(DTr), 스토리지 캐패시터(StgC), 그리고 유기전계 발광 다이오드(E)가 구비되고 있다. A switching thin film transistor STr, a driving thin film transistor DTr, a storage capacitor StgC, and an organic light emitting diode E are formed in each pixel region P of the organic electroluminescent device, .

즉, 제 1 방향으로 게이트 배선(GL)이 형성되어 있고, 상기 제 1 방향과 교차되는 제 2 방향으로 데이터 배선(DL)이 형성됨으로써 상기 게이트 배선(GL)과 데이터 배선(DL)에 의해 둘러싸인 영역으로 정의되는 화소영역(P)이 구비되고 있으며, 상기 데이터 배선(DL)과 이격하며 전원전압을 인가하기 위한 전원배선(PL)이 형성되어 있다. That is, the gate line GL is formed in the first direction and the data line DL is formed in the second direction intersecting the first direction to form the data line DL surrounded by the gate line GL and the data line DL. And a power supply line PL for applying a power source voltage is formed in the pixel region P spaced apart from the data line DL.

또한, 상기 데이터 배선(DL)과 게이트 배선(GL)이 교차하는 부분에는 스위칭 박막트랜지스터(STr)가 형성되어 있으며, 상기 스위칭 박막트랜지스터(STr)와 전기적으로 연결된 구동 박막트랜지스터(DTr)가 형성되어 있다. A switching thin film transistor STr is formed at the intersection of the data line DL and the gate line GL and a driving thin film transistor DTr electrically connected to the switching thin film transistor STr is formed have.

상기 유기전계 발광 다이오드(E)의 일측 단자인 제 1 전극은 상기 구동 박막트랜지스터(DTr)의 드레인 전극과 연결되고 있으며, 타측 단자인 제 2 전극은 접지되고 있다. 이때, 상기 전원배선(PL)을 통해 전달되는 전원전압은 상기 구동 박마트랜지스터(DTr)을 통해 상기 유기전계 발광 다이오드(E)로 전달하게 된다. 또한, 상기 구동 박막트랜지스터(DTr)의 게이트 전극과 소스 전극 사이에는 스토리지 커패시터(StgC)가 형성되고 있다. The first electrode, which is one terminal of the organic electroluminescent diode E, is connected to the drain electrode of the driving thin film transistor DTr, and the second electrode, which is the other terminal, is grounded. At this time, the power supply voltage transmitted through the power supply line PL is transmitted to the organic light emitting diode E through the driving peak transistor DTr. A storage capacitor StgC is formed between the gate electrode and the source electrode of the driving thin film transistor DTr.

따라서, 상기 게이트 배선(GL)을 통해 신호가 인가되면 스위칭 박막트랜지스터(STr)가 온(on) 되고, 상기 데이터 배선(DL)의 신호가 구동 박막트랜지스터(DTr)의 게이트 전극에 전달되어 상기 구동 박막트랜지스터(DTr)가 온(on) 되므로 유기전계발광 다이오드(E)를 통해 빛이 출력된다. Therefore, when a signal is applied through the gate line GL, the switching thin film transistor STr is turned on and the signal of the data line DL is transmitted to the gate electrode of the driving thin film transistor DTr, The thin film transistor DTr is turned on so that light is output through the organic light emitting diode E.

이때, 상기 구동 박막트랜지스터(DTr)가 온(on) 상태가 되면, 전원배선(PL)으로부터 유기전계발광 다이오드(E)에 흐르는 전류의 레벨이 정해지며, 이로 인해 상기 유기전계 발광 다이오드(E)는 그레이 스케일(gray scale)을 구현할 수 있게 되며, 상기 스토리지 커패시터(StgC)는 스위칭 박막트랜지스터(STr)가 오프(off) 되었을 때, 상기 구동 박막트랜지스터(DTr)의 게이트 전압을 일정하게 유지시키는 역할을 함으로써 상기 스위칭 박막트랜지스터(STr)가 오프(off) 상태가 되더라도 다음 프레임(frame)까지 상기 유기전계발광 다이오드(E)에 흐르는 전류의 레벨을 일정하게 유지할 수 있게 된다.At this time, when the driving thin film transistor DTr is turned on, the level of a current flowing from the power supply line PL to the organic light emitting diode E is determined, The storage capacitor StgC is capable of maintaining a constant gate voltage of the driving thin film transistor DTr when the switching thin film transistor STr is turned off, The level of the current flowing through the organic light emitting diode E can be kept constant until the next frame even if the switching thin film transistor STr is turned off.

도 4는 본 발명의 실시예에 따른 유기전계 발광소자의 표시영역 일부에 대한 단면도이다. 이때, 구동 박막트랜지스터는 각 화소영역별로 형성되지만, 도면에 있어서는 하나의 화소영역에 대해서만 나타내었다. 4 is a cross-sectional view of a portion of a display region of an organic electroluminescent device according to an embodiment of the present invention. At this time, although the driving thin film transistor is formed for each pixel region, only one pixel region is shown in the drawing.

도시한 바와 같이, 본 발명의 실시예에 따른 유기전계 발광소자(101)는 구동 및 스위칭 박막트랜지스터(DTr, 미도시)와 유기전계 발광 다이오드(E)가 형성된 제 1 기판(110)과, 인캡슐레이션을 위한 제 2 기판(170)으로 구성되고 있다. 이때, 상기 제 2 기판(170)은 무기절연막 또는 유기절연막 등으로 대체됨으로써 생략될 수 있다. The organic EL device 101 according to the embodiment of the present invention includes a first substrate 110 on which a driving and switching thin film transistor DTr (not shown) and an organic light emitting diode E are formed, And a second substrate 170 for encapsulation. At this time, the second substrate 170 may be omitted by being replaced with an inorganic insulating film, an organic insulating film, or the like.

우선, 구동 및 스위칭 박막트랜지스터(DTr, 미도시)와 유기전계 발광 다이오드(E)가 구비된 제 1 기판(110)의 구성에 대해 설명한다. First, the structure of the first substrate 110 including the driving and switching thin film transistor DTr (not shown) and the organic electroluminescent diode E will be described.

상기 제 1 기판(110)에는 상기 표시영역에는 서로 교차하며 화소영역(P)을 정의하며 게이트 배선(미도시) 및 데이터 배선(130)이 형성되고 있으며, 상기 게이트 배선(미도시) 또는 상기 데이터 배선(130)과 나란하게 전원배선(미도시)이 형성되고 있다. A gate line (not shown) and a data line 130 are formed on the first substrate 110. The gate line (not shown) or the data line 130 Power wiring lines (not shown) are formed in parallel with the wiring lines 130.

또한, 다수의 각 화소영역(P)에는 상기 게이트 배선(미도시) 및 데이터 배선(130)과 연결되며 스위칭 박막트랜지스터(미도시)가 형성되어 있으며, 상기 스위칭 박막트랜지스터(미도시)의 일 전극 및 상기 전원배선(미도시)과 연결되며 구동 박막트랜지스터(DTr)가 형성되고 있다. A plurality of pixel regions P are connected to the gate wiring (not shown) and the data wiring 130 and are formed with switching thin film transistors (not shown). A switching thin film transistor (not shown) And a driving thin film transistor DTr connected to the power supply line (not shown).

이때, 상기 구동 박막트랜지스터(DTr)는 게이트 전극(115)과, 게이트 절연막(118)과, 산화물 반도체층(120)과, 에치스토퍼(122)와, 상기 에치스토퍼(122) 상에서 서로 이격하며 각각 상기 산화물 반도체층(120)과 접촉하는 소스 전극(133) 및 드레인 전극(136)으로 구성되고 있으며, 도면에 나타내지 않았지만 상기 스위칭 박막트랜지스터(미도시) 또한 상기 구동 박막트랜지스터(DTr)와 동일한 구조를 이루고 있다.At this time, the driving thin film transistor DTr is spaced apart from the gate electrode 115, the gate insulating film 118, the oxide semiconductor layer 120, the etch stopper 122, and the etch stopper 122, And a source electrode 133 and a drain electrode 136 which are in contact with the oxide semiconductor layer 120. Although not shown in the drawing, the switching thin film transistor (not shown) also has the same structure as the driving thin film transistor DTr .

한편, 본 발명의 실시예에 있어서는 상기 구동 및 스위칭 박막트랜지스터(DTr, 미도시)이 각각 상기 산화물 반도체층(120)이 구비된 것을 특징으로 하는 것을 일례로 보이고 있지만, 도 5(본 발명의 실시예의 일 변형예에 따른 유기전계 발광소자에 있어서 구동 박막트랜지스터에 대한 단면도)에 도시한 바와같이, 상기 스위칭 및 구동 박막트랜지스터(미도시, DTr)는 게이트 전극(213)과, 게이트 절연막(218)과, 순수 비정질 실리콘의 액티브층(220a)과 불순물 비정질 실리콘의 오믹콘택층(220b)으로 구성된 반도체층(220)과, 상기 반도체층(220) 상에서 서로 이격하는 소스 및 드레인 전극(233, 236)으로 구성될 수도 있다. In the exemplary embodiment of the present invention, the driving and switching thin film transistors DTr (not shown) are each provided with the oxide semiconductor layer 120. However, as shown in FIG. 5 The switching and driving thin film transistor (not shown) (DTr) includes a gate electrode 213, a gate insulating film 218, and a gate insulating film 218, as shown in the sectional view of the driving thin film transistor in the organic electroluminescent device according to one exemplary modification. A semiconductor layer 220 composed of an active layer 220a of pure amorphous silicon and an ohmic contact layer 220b of impurity amorphous silicon and source and drain electrodes 233 and 236 spaced from each other on the semiconductor layer 220, .

상기 스위칭 및 구동 박막트랜지스터(DTr, 미도시)는 실시예 및 일 변형예에 있어서는 게이트 전극(도 4의 115, 도 5의 213)이 최하부에 위치하는 보텀 게이트 구조를 이루는 것을 보이고 있지만, 반도체층이 최하부에 위치하며 이의 상부에 게이트 전극이 형성된 탑 게이트 구조를 이룰 수도 있다. Although the switching and driving thin film transistor DTr (not shown) has a bottom gate structure in which the gate electrode (115 in FIG. 4, 213 in FIG. 5) is located at the bottom in the embodiment and the modification, And a top gate structure may be formed in which the gate electrode is formed on the lowermost portion.

즉, 도 6(본 발명의 실시예의 또 다른 변형예에 따른 유기전계 발광소자에 있어서 구동 박막트랜지스터에 대한 단면도)에 도시한 바와같이, 상기 스위칭 및 구동 박막트랜지스터(미도시, DTr)는 상기 제 1 기판(210)의 최하부에 폴리실리콘의 반도체층(313)을 구비하여 탑 게이트 구조를 갖도록 구성될 수도 있다. That is, as shown in FIG. 6 (a sectional view of a driving thin film transistor in an organic electroluminescent device according to still another modification of the embodiment of the present invention), the switching and driving thin film transistor (not shown, DTr) 1 substrate 210 may include a semiconductor layer 313 of polysilicon on the lowermost portion of the substrate 210 to have a top gate structure.

이러한 경우, 상기 스위칭 및 구동 박막트랜지스터(미도시, DTr)는 순수 폴리실리콘의 액티브영역(313a)과 이의 양측에 불순물이 도핑된 폴리실리콘의 소스 및 드레인 영역(313b)으로 이루어진 반도체층(313)과, 게이트 절연막(316)과, 상기 액티브영역(313a)과 중첩하여 형성된 게이트 전극(320)과, 상기 소스 및 드레인 영역(313b)을 노출시키는 반도체층 콘택홀(325)을 갖는 층간절연막(323)과, 상기 반도체층 콘택홀(325)을 통해 각각 상기 소스 및 드레인 영역(313b)과 접촉하며 서로 이격하며 형성된 소스 및 드레인 전극(333, 336)을 포함하여 구성된다.In this case, the switching and driving thin film transistor (not shown) DTr includes a semiconductor layer 313 composed of an active region 313a of pure polysilicon and source and drain regions 313b of polysilicon doped with impurities on both sides thereof, An interlayer insulating film 323 having a gate insulating film 316, a gate electrode 320 formed to overlap with the active region 313a, and a semiconductor layer contact hole 325 exposing the source and drain regions 313b. And source and drain electrodes 333 and 336 formed in contact with the source and drain regions 313b through the semiconductor layer contact holes 325 and spaced apart from each other.

이렇게 구동 및 스위칭 박막트랜지스터(DTr, 미도시)가 탑 게이트 구조를 이루는 경우, 보텀 게이트 구조 대비 층간절연막(323)이 더욱 구비되며, 게이트 배선(미도시)은 상기 게이트 절연막(316) 상에 구비되며, 데이터 배선(미도시)은 상기 층간절연막(323) 상에 형성된다.When the driving and switching thin film transistor DTr (not shown) has a top gate structure, an interlayer insulating film 323 is further provided to the bottom gate structure, and a gate wiring (not shown) is provided on the gate insulating film 316 And a data wiring (not shown) is formed on the interlayer insulating film 323.

한편, 도 4를 참조하면, 상기 구동 및 스위칭 박막트랜지스터(DTr, 미도시) 상부로 상기 구동 박막트랜지스터(DTr)의 드레인 전극(136)을 노출시키는 드레인 콘택홀(143)을 갖는 보호층(140)이 형성되어 있다. 이때, 상기 보호층(140)은 평탄한 표면을 이루도록 유기절연물질 예를들면 포토아크릴로 이루어지고 있다.4, a protective layer 140 (not shown) having a drain contact hole 143 exposing a drain electrode 136 of the driving thin film transistor DTr is formed on the driving and switching thin film transistor DTr Is formed. At this time, the passivation layer 140 is made of an organic insulating material, for example, photo-acrylic to form a flat surface.

다음, 상기 보호층(140) 위로 상기 드레인 콘택홀(143)을 통해 상기 구동 박막트랜지스터(DTr)의 드레인 전극(136)과 접촉하며 각 화소영역(P)별로 제 1 전극(150)이 형성되어 있다.Next, a first electrode 150 is formed on each of the pixel regions P in contact with the drain electrode 136 of the driving thin film transistor DTr through the drain contact hole 143 on the protection layer 140 have.

이때, 상기 제 1 전극(150)은 일함수 값이 비교적 큰 즉, 4.8eV 내지 5.2eV 정도의 일함수 값을 갖는 투명 도전성 물질 예를들면 인듐-틴-옥사이드(ITO)로 이루어짐으로서 애노드 전극의 역할을 한다. The first electrode 150 is made of a transparent conductive material having a work function value of 4.8 eV to 5.2 eV, for example, indium-tin-oxide (ITO) It plays a role.

한편, 상기 제 1 전극(147)은 일함수 값이 큰 투명 도전성 물질인 인듐-틴-옥사이드(ITO)로 이루어진 경우, 상부발광 방식으로 동작 시에는 유기전계 발광 다이오드(E)의 상부로의 발광효율 증대를 위해 반사율이 우수한 금속물질인 알루미늄(Al), 알루미늄 합금(AlNd) 중 어느 하나로 이루어진 반사층(미도시)이 상기 제 1 전극(150) 하부에 더욱 구비될 수 있다. In the case where the first electrode 147 is made of indium-tin-oxide (ITO), which is a transparent conductive material having a large work function value, the first electrode 147 may emit light toward the top of the organic light emitting diode E A reflection layer (not shown) formed of any one of aluminum (Al) and aluminum alloy (AlNd), which is a metal material having an excellent reflectance, may be further provided under the first electrode 150 in order to increase the efficiency.

이러한 반사층(미도시)이 상기 제 1 전극(150) 하부에 구비되는 경우, 상기 제 1 전극(150)의 상부에 형성되는 유기 발광층(155)으로부터 발광된 빛이 상기 반사층(미도시)을 통해 반사되어 상부로 반사시킴으로서 발광된 빛의 이용 효율을 증대시켜 최종적으로 휘도 특성을 향상시키는 효과를 갖게 된다.When the reflective layer (not shown) is provided under the first electrode 150, light emitted from the organic light emitting layer 155 formed on the first electrode 150 is emitted through the reflective layer And reflects the light to the upper portion, thereby increasing the utilization efficiency of the emitted light and finally improving the luminance characteristic.

한편, 본 발명의 실시예에 따른 유기전계 발광소자(101)에 있어서 가장 특징적인 것으로, 상기 제 1 전극(150) 위로 각 화소영역(P)의 경계에 상기 제 1 전극(150)의 테두리와 중첩하며 무기절연물질 예를들면 산화실리콘(SiO2) 또는 질화실리콘(SiNx)으로 이루어지며 상기 제 1 전극(150)의 중앙부를 노출시키며 제 1 폭을 갖는 제 1 뱅크(153a)가 형성되어 있다. 이때 상기 제 1 뱅크(153a)는 그 두께가 이의 상부에 형성되는 유기 발광층(155)의 두께보다 얇은 두께를 갖는 것이 특징이다.In the organic electroluminescent device 101 according to the embodiment of the present invention, the edges of the first electrode 150 and the edges of the first electrode 150 are formed at the boundaries of the pixel regions P above the first electrode 150, overlap and are formed at the first bank (153a) is made of an inorganic insulating material, for example a silicon oxide (SiO 2) or silicon nitride (SiNx) g exposes the central portion of the first electrode 150 having a first width . At this time, the first bank 153a has a thickness smaller than the thickness of the organic light emitting layer 155 formed on the first bank 153a.

그리고, 상기 제 1 뱅크(153a) 위로 상기 제 1 뱅크(153a)와 동일한 평면 구조를 가지며, 소수성 특성을 갖는 유기물질로 이루어지거나 또는 소수성 물질이 함유된 유기물질로 이루어지며, 상기 제 1 뱅크(153a)의 제 1 폭보다 작은 제 2 폭을 가지며 제 2 뱅크(153b)가 형성되고 있다. The first bank 153a is formed of an organic material having the same planar structure as that of the first bank 153a and made of an organic material having a hydrophobic property or containing a hydrophobic material, And the second bank 153b has a second width smaller than the first width of the first bank 153a.

이때 상기 제 1 폭은 종래의 유기전계 발광소자에 있어서 단일층 구조를 갖는 뱅크의 폭 수준이 되는 것이 특징이다. In this case, the first width is a width level of a bank having a single layer structure in a conventional organic electroluminescent device.

본 발명의 실시예에 따른 유기전계 발광소자(101)는 전술한 바와같이 제 1 폭을 가지며 유기 발광층(155)의 두께보다 얇은 두께를 갖는 제 1 뱅크(153a)와, 상기 제 1 폭보다 작은 제 2 폭을 갖는 제 2 뱅크(153b)가 구비됨으로서 상기 제 1 뱅크(153a) 상부에 유기 발광층(155)이 형성되며 이러한 제 1 뱅크(153a)에 의해 화소영역의 중앙부로 유기 발광 물질의 드로핑 시 모이도록 하여 뱅크와 인접하는 부분에서의 유기 발광층(155)의 두께가 두꺼워 지는 현상을 저감시키는 역할을 한다.The organic electroluminescent device 101 according to the embodiment of the present invention includes a first bank 153a having a first width and a thickness smaller than the thickness of the organic light emitting layer 155, The organic light emitting layer 155 is formed on the first bank 153a by providing the second bank 153b having the second width and the organic light emitting material 155 is formed at the center of the pixel region by the first bank 153a. Thereby reducing the phenomenon of thickening the thickness of the organic light emitting layer 155 adjacent to the bank.

나아가 상기 제 1 폭을 갖는 제 1 뱅크(153a)로 둘러싸인 영역이 실질적으로 종래의 유기전계 발광소자의 뱅크로 둘러싸인 영역과 동일한 크기를 가지며, 이에 의해 상기 제 1 폭보다 작은 제 2 폭을 갖는 제 2 뱅크(153b)로 둘러싸인 영역은 종래의 유기전계 발광소자에 있어 뱅크로 둘러싸인 영역보다 큰 면적을 이루는 것이 특징이다. Further, the region enclosed by the first bank 153a having the first width has substantially the same size as the region surrounded by the bank of the conventional organic electroluminescent device, and thereby, the region having the second width smaller than the first width The region enclosed by the two banks 153b is characterized by having a larger area than the region surrounded by the banks in the conventional organic electroluminescent device.

이때, 본 발명의 실시예에 따른 특성 상 상기 제 1 뱅크(153a)는 유기 발광층(155)의 두께보다 얇은 두께를 가지며 형성됨으로서 상기 제 1 뱅크(153a) 상부에는 유기 발광층(155)이 형성된다. In this case, the first bank 153a is formed to have a thickness smaller than the thickness of the organic light emitting layer 155, so that the organic light emitting layer 155 is formed on the first bank 153a .

더욱이 상기 제 1 뱅크(153a) 상에 형성되는 유기 발광층(155)은 각 화소영역의 중앙부에서의 동일한 수준의 평탄화된 표면을 갖는 부분이 존재함으로서 각 화소영역 내에서 유기 발광층(155)의 평탄한 표면을 이루는 영역을 확장시키게 되며, 이에 의해 상기 제 1 뱅크(153a)로 둘러싸인 전 영역에 있어 유기 발광층(155)은 평탄한 표면을 가지며 동일한 두께를 갖게 된다. Further, the organic light emitting layer 155 formed on the first bank 153a has a portion having the same level of planarized surface at the center of each pixel region, so that the flat surface of the organic light emitting layer 155 in each pixel region The organic light emitting layer 155 has a flat surface and has the same thickness in the entire region surrounded by the first bank 153a.

따라서, 유기 발광층(155)이 평탄한 부분을 이루는 영역이 실질적으로 사용자가 바라보게 되는 발광영역이 된다고 하였을 경우, 종래의 단일층 구조를 갖는 뱅크가 구비된 유기전계 발광소자 대비 그 발광영역이 확장되므로 개구율을 향상시키게 된다.Accordingly, when it is assumed that the region of the organic light emitting layer 155 forming the flat portion is substantially the light emitting region viewed by the user, the light emitting region of the OLED having the conventional single layer structure is extended Thereby improving the aperture ratio.

도 7은 본 발명의 실시예에 따른 유기전계 발광소자에 있어 제 1 및 제 2 뱅크를 구비하고 액상의 유기 발광물질을 이용하여 유기 발광층(155)을 형성한 후 구동된 하나의 화소영역을 찍은 사진이다.FIG. 7 is a cross-sectional view of an organic electroluminescent device according to an embodiment of the present invention. Referring to FIG. 7, an organic light emitting layer 155 is formed using a liquid organic light emitting material and includes first and second banks. It is a photograph.

도시한 바와같이, 종래의 유기전계 발광소자의 하나의 화소영역을 찍은 도 2와 비교할 때 각 화소영역 내에서 발광영역이 확장되었음을 알 수 있으며, 발광영역 전면에 걸쳐 유기 발광층(155)이 평탄한 표면을 가짐으로서 밝고 어두운 부분없이 고른 휘도 특성을 가지며 발광됨을 알 수 있다. As shown in FIG. 2, it can be seen that the light emitting region is expanded in each pixel region as compared with FIG. 2 in which one pixel region of the conventional organic electroluminescent device is taken, and the organic light emitting layer 155 is formed on the flat surface It can be seen that light is emitted with uniform luminance characteristics without bright and dark portions.

도 8은 비교예로서 종래의 단일층 구조를 갖는 유기전계 발광소자와 본 발명의 실시예에 따른 서로 다른 폭을 갖는 제 1 및 제 2 뱅크가 구비된 유기전계 발광소자에 있어 유기 발광층이 형성된 단계를 진행한 후의 하나의 화소영역을 각각 도시한 단면도이다. FIG. 8 is a cross-sectional view illustrating an organic electroluminescent device having an organic electroluminescent device having a conventional single-layer structure and first and second banks having different widths according to an embodiment of the present invention, FIG. 4 is a cross-sectional view showing one pixel region after the pixel region has advanced.

도시한 바와같이, 동일한 크기의 화소영역이 구비되는 경우, 상기 화소영역은 실질적으로 게이트 배선(미도시)과 데이터 배선(130)에 의해 포획되는 영역이라 정의되지만, 설명의 편의를 위해 본 발명의 실시예에 따른 유기전계 발광소자에 있어 제 1 폭을 갖는 제 1 뱅크(153a)로 둘러싸인 영역이 새로운 화소영역(SP)이라 가정하면, 비교예의 경우는 단일층 구조의 뱅크(53)로 둘러싸인 영역이 화소영역(SP)이 된다.As shown in the figure, when the pixel region of the same size is provided, the pixel region is defined as a region substantially captured by the gate wiring (not shown) and the data wiring 130. However, Assuming that the region surrounded by the first bank 153a having the first width in the organic electroluminescent device according to the embodiment is a new pixel region SP, in the case of the comparative example, the region surrounded by the banks 53 having a single- Becomes the pixel region SP.

이 경우 이들 두 유기전계 발광소자(1, 101)는 동일한 크기의 화소영역(SP)을 가짐을 알 수 있다.In this case, it can be seen that the two organic electroluminescent devices 1 and 101 have the pixel region SP of the same size.

하지만, 각 화소영역(SP) 내에서의 발광영역(EA1, EA2)의 크기는 본 발명의 실시예에 따른 유기전계 발광소자(101)가 더 큼(EA1 < EA2)을 알 수 있다.However, it can be seen that the sizes of the light emitting regions EA1 and EA2 in each pixel region SP are larger than those of the organic light emitting diode 101 according to the embodiment of the present invention (EA1 <EA2).

비교예에 따른 단일층 구조의 뱅크(53)를 갖는 유기전계 발광소자(1)는 뱅크(53)로 둘러싸인 화소영역(SP) 전면이 발광영역이 되지 않고 상기 뱅크(53)를 기준으로 소정폭 즉, 유기전계 발광소자(53)의 표면이 평탄한 상태를 이루는 부분으로 이루어진 부분이 발광영역(EA1)이 된다. The organic electroluminescent device 1 having the bank 53 of a single layer structure according to the comparative example is formed in such a manner that the entire surface of the pixel region SP surrounded by the bank 53 does not become the light emitting region, That is, the portion of the organic electroluminescent element 53, which has a flat surface, becomes the light emitting region EA1.

따라서, 비교예에 따른 단일층 구조의 뱅크(53)를 갖는 유기전계 발광소자(1)는 화소영역(P) 내부에 상기 화소영역(P) 보다 작은 면적을 갖는 발광영역(EA1)이 형성된다.Therefore, in the organic electroluminescent device 1 having the bank 53 of the single-layer structure according to the comparative example, the light emitting region EA1 having an area smaller than that of the pixel region P is formed in the pixel region P .

하지만, 본 발명의 실시예에 따른 유기전계 발광소자(101)는 제 1 뱅크(153a)로 둘러싸인 영역과 제 2 뱅크(153b)로 둘러싸인 영역이 구성되며, 제 1 뱅크(153a)로 둘러싸인 영역이 비교예에 따른 유기전계 발광소자의 화소영역(SP)에 대응되며, 제 2 뱅크(153b)로 둘러싸인 영역은 종래의 화소영역(SP) 대비 더 큰 면적을 이루고 있다.However, the organic electroluminescent device 101 according to the embodiment of the present invention includes a region surrounded by the first bank 153a and a region surrounded by the second bank 153b, and a region surrounded by the first bank 153a And the area surrounded by the second bank 153b corresponds to the pixel area SP of the organic light emitting device according to the comparative example, and the area surrounded by the second bank 153b has a larger area than the conventional pixel area SP.

그리고, 이러한 구성을 갖는 본 발명의 실시예에 따른 유기전계 발광소자는 제 1 뱅크(153a)로 둘러싸인 전 면적에 대응하여 평탄한 표면을 갖는 유기 발광층(155)이 형성됨으로서 상기 제 1 뱅크(153a)로 둘러싸인 전 면적이 발광영역(EA2)이 된다. The organic electroluminescent device according to the embodiment of the present invention having such a structure is formed by forming the organic light emitting layer 155 having a flat surface corresponding to the entire area surrounded by the first bank 153a so that the first bank 153a, Emitting area EA2.

따라서, 본 발명의 실시예에 따른 유기전계 발광소자(101)는 종래의 유기전계 발광소자(1) 대비 각 화소영역(SP) 내에서의 발광영역(EA2)을 확대시키며, 이에 의해 개구율이 향상되는 효과를 가짐을 알 수 있다.Therefore, the organic electroluminescent device 101 according to the embodiment of the present invention expands the light emitting region EA2 in each pixel region SP with respect to the conventional organic electroluminescent device 1, thereby improving the aperture ratio It can be seen that the

한편, 도 4를 참조하면, 이러한 구성을 갖는 본 발명의 실시예에 따른 유기전계 발광소자(101)는 제 2 뱅크(153b)로 둘러싸인 영역 내부에 상기 제 1 뱅크(153a)와 제 1 전극(150) 위로 유기 발광층(155)이 구비되고 있다. 이때, 상기 유기 발광층(155)은 각 화소영역(P)에 대해 순차 반복하는 형태로 각각 적, 녹, 청색을 발광하는 물질로 이루지는 것이 특징이다.4, the organic light emitting diode 101 according to the embodiment of the present invention having such a structure has the first bank 153a and the first electrode 153a in the region surrounded by the second bank 153b, 150), an organic light emitting layer 155 is provided. At this time, the organic light emitting layer 155 is formed of materials that emit red, green, and blue light, respectively, in a repetitive manner with respect to each pixel region P.

이러한 유기 발광층(155)은 액상의 유기 발광 물질을 잉크젯 장치 또는 노즐 코팅 장치를 통해 분사 또는 드롭핑 하여 형성한 후 경화시킴으로서 완성된 것이 특징이다. The organic light emitting layer 155 is formed by spraying or dropping a liquid organic light emitting material through an ink jet apparatus or a nozzle coating apparatus, and then curing the organic light emitting layer 155.

한편, 상기 유기 발광층(155)은 도면에 있어서는 유기 발광 물질만으로 이루어진 단일층으로 구성됨을 보이고 있지만, 발광 효율을 높이기 위해 다중층 구조로 이루어질 수도 있다. Although the organic light emitting layer 155 is shown as a single layer composed only of an organic light emitting material in the drawing, the organic light emitting layer 155 may have a multi-layer structure to enhance the light emitting efficiency.

상기 유기 발광층(155)이 다중층 구조를 이루는 경우, 도면에 나타내지 않았지만, 상기 애노드 전극의 역할을 하는 상기 제 1 전극(150) 상부로부터 순차적으로 정공주입층(hole injection layer), 정공수송층(hole transporting layer), 유기 발광 물질층(emitting material layer), 전자수송층(electron transporting layer) 및 전자주입층(electron injection layer)의 5중층 구조로 형성될 수도 있으며, 또는 정공수송층(hole transporting layer), 유기 발광 물질층(emitting material layer), 전자수송층(electron transporting layer) 및 전자주입층(electron injection layer)의 4중층 구조, 정공수송층(hole transporting layer), 유기 발광 물질층(emitting material layer), 전자수송층(electron transporting layer)의 3중층 구조로 형성될 수도 있다.In the case where the organic emission layer 155 has a multilayer structure, a hole injection layer, a hole transport layer (hole injection layer), and a hole transport layer (hole transport layer) are sequentially formed from the top of the first electrode 150 serving as the anode electrode layer structure of a hole transporting layer, an electron transporting layer, and an electron injection layer, or a hole transporting layer, an organic electroluminescent layer, Layer structure of an emitting material layer, an electron transporting layer and an electron injection layer, a hole transporting layer, an emitting material layer, an electron transporting layer, (electron transporting layer).

또한, 상기 유기 발광층(155) 상부에는 상기 표시영역 전면에 제 2 전극(160)이 형성되어 있다. 이때, 상기 제 2 전극(160)은 일함수 값이 비교적 낮은 금속물질 예를들면 알루미늄(Al), 알루미늄 합금(AlNd), 은(Ag), 마그네슘(Mg), 금(Au), 알루미늄마그네슘 합금(AlMg) 중 하나로 이루어짐으로서 캐소드 전극의 역할을 한다. In addition, a second electrode 160 is formed on the entire surface of the display region on the organic light emitting layer 155. The second electrode 160 may be formed of a metal material having a relatively low work function value such as aluminum (Al), aluminum alloy (AlNd), silver (Ag), magnesium (Mg), gold (Au), aluminum magnesium alloy (AlMg), and serves as a cathode electrode.

이때, 상기 제 1 전극(150)과 유기 발광층(155)과 상기 제 2 전극(160)은 유기전계 발광 다이오드(E)를 이룬다.At this time, the first electrode 150, the organic light emitting layer 155, and the second electrode 160 form an organic light emitting diode (E).

한편, 전술한 구성을 갖는 본 발명의 실시예에 따른 유기전계 발광소자(101)의 제 1 기판(110)에 대응하여 인캡슐레이션을 위한 제 2 기판(170)이 구비되고 있다. Meanwhile, a second substrate 170 for encapsulation is provided corresponding to the first substrate 110 of the organic electroluminescent device 101 according to the embodiment of the present invention.

상기 제 1 기판(110)과 제 2 기판(170)은 그 가장자리를 따라 실란트 또는 프릿으로 이루어진 접착제(미도시)가 구비되고 있으며, 이러한 접착제(미도시)에 의해 상기 제 1 기판(110)과 제 2 기판(170)이 합착되어 패널상태를 유지하고 있다. The first substrate 110 and the second substrate 170 are provided with an adhesive agent (not shown) made of a sealant or a frit along an edge thereof. The adhesive agent (not shown) And the second substrate 170 is adhered to maintain the panel state.

이때, 서로 이격하는 상기 제 1 기판(110)과 제 2 기판(170) 사이에는 진공의 상태를 갖거나 또는 불활성 기체로 채워짐으로써 불활성 가스 분위기를 가질 수 있다. At this time, a vacuum state is formed between the first substrate 110 and the second substrate 170 which are spaced apart from each other, or an inert gas atmosphere may be obtained by being filled with an inert gas.

상기 인캡슐레이션을 위한 상기 제 2 기판(170)은 유연한 특성을 갖는 플라스틱으로 이루어질 수도 있으며, 또는 유리기판으로 이루어질 수도 있다. The second substrate 170 for the encapsulation may be made of plastic having a flexible property, or may be made of a glass substrate.

한편, 전술한 실시예에 따른 유기전계 발광소자(101)는 제 1 기판(110)과 마주하여 이격하는 형태로 인캡슐레이션을 위한 제 2 기판(170)이 구비된 것을 나타내고 있지만, 변형예로서 상기 제 2 기판(170)은 점착층을 포함하는 필름 형태로 상기 제 1 기판(110)의 최상층에 구비된 상기 제 2 전극(160)과 접촉하도록 구성될 수도 있다. Meanwhile, although the organic EL device 101 according to the above-described embodiment includes the second substrate 170 for encapsulation in a form spaced apart from the first substrate 110, The second substrate 170 may be in contact with the second electrode 160 provided on the uppermost layer of the first substrate 110 in the form of a film including an adhesive layer.

또한, 본 발명의 실시예에 따른 또 다른 변형예로서 상기 제 2 전극(160) 상부로 유기절연막(미도시) 또는 무기절연막(미도시)이 더욱 구비되어 캡핑막이 형성될 수 있으며, 상기 유기절연막(미도시) 또는 무기절연막(162)은 그 자체로 인캡슐레이션 막(미도시)으로 이용될 수도 있으며, 이 경우 상기 제 2 기판(170)은 생략할 수도 있다.
Further, as another modification of the embodiment of the present invention, an organic insulating film (not shown) or an inorganic insulating film (not shown) may further be provided on the second electrode 160 to form a capping film, (Not shown) or the inorganic insulating film 162 may be used as an encapsulation film (not shown) by itself. In this case, the second substrate 170 may be omitted.

전술한 바와같은 구성을 갖는 본 발명에 따른 유기전계 발광 소자(101)는, 제 1 폭을 갖는 제 1 뱅크(153a)와, 상기 제 1 뱅크(153a)와 완전 중첩하는 형태로 소수성 특성을 가지며 상기 제 1 폭보다 작은 제 2 폭을 갖는 제 2 뱅크(153b)가 형성되며, 나아가 상기 제 1 뱅크(153a)는 유기 발광층(155)의 두께보다 얇은 두께를 가지며 형성됨으로서 상기 제 1 뱅크(153a) 상부에는 유기 발광층(155)이 형성되며, 이때, 상기 제 1 뱅크(153a) 상에 형성되는 유기 발광층(155)은 각 화소영역(P)의 중앙부에서의 동일한 수준의 평탄화된 표면을 갖는 부분이 존재함으로서 각 화소영역(P) 내에서 유기 발광층(155)의 평탄한 표면을 이루는 영역을 확장시키게 되며, 이에 의해 상기 제 1 뱅크(153a)로 둘러싸인 전 영역에 있어 유기 발광층(155)은 평탄한 표면을 가지며 동일한 두께를 갖게 된다. The organic electroluminescent device 101 according to the present invention having the above-described structure has a first bank 153a having a first width and a first bank 153b having a hydrophobic property in a state of completely overlapping the first bank 153a The second bank 153b having a second width smaller than the first width is formed. Further, the first bank 153a is formed to have a thickness smaller than the thickness of the organic light emitting layer 155, so that the first bank 153a An organic light emitting layer 155 formed on the first bank 153a is formed on a portion having a planarized surface having the same level at the central portion of each pixel region P, The organic light emitting layer 155 expands a region of the pixel region P that forms the flat surface of the organic light emitting layer 155. As a result, the organic light emitting layer 155 covers the entire surface surrounded by the first bank 153a, And have the same thickness .

따라서, 종래의 단일층 구조를 갖는 뱅크가 구비된 유기전계 발광소자 대비 각 화소영역(P) 내에서 그 발광영역이 확장되므로 개구율을 향상시키는 효과가 있다.Accordingly, the light emitting region is expanded in each pixel region P as compared with the organic light emitting device having the banks having the conventional single layer structure, thereby improving the aperture ratio.

나아가, 각 화소영역(P) 내에서 평탄한 표면을 갖는 유기 발광층(155)이 확대됨으로서 균일한 휘도 특성을 갖게 됨으로서 휘도 불균일에 의한 얼굴 불량이 억제되어 표시품질을 향상시키는 효과가 있다. Further, since the organic light emitting layer 155 having a flat surface in each pixel region P is enlarged, uniform luminance characteristics are obtained, so that a face defect due to luminance unevenness is suppressed, and the display quality is improved.

그리고, 상기 제 1 뱅크(153a)가 구성됨으로서 유기 발광층(155)의 두께 균일도가 향상됨으로서 유기 발광층(155)의 열화를 억제하여 수명을 연장시키는 효과가 있다.
In addition, since the first bank 153a is formed, the uniformity of the thickness of the organic light emitting layer 155 is improved, so that deterioration of the organic light emitting layer 155 is suppressed and the lifetime is extended.

본 발명은 전술한 실시예 및 변형예로 한정되지 않고, 본 발명의 취지를 벗어나지 않는 한도내에서 다양하게 변경하여 실시할 수 있다.
The present invention is not limited to the above-described embodiments and modifications, and various modifications may be made without departing from the spirit of the present invention.

101 : 유기전계 발광소자 110 : 제 1 기판
115 : 게이트 전극 118 : 게이트 절연막
120 : 산화물 반도체층 122 : 에치스토퍼
133 : 소스 전극 136 : 드레인 전극
140 : 보호층 143 : 드레인 콘택홀
150 : 제 1 전극 153a : 제 1 뱅크
153b : 제 2 뱅크 155 : 유기 발광층
160 : 제 2 전극 170 : 제 2 기판
DTr : 구동 박막트랜지스터 P : 화소영역101: organic electroluminescent device 110: first substrate
115: gate electrode 118: gate insulating film
120: oxide semiconductor layer 122: etch stopper
133: source electrode 136: drain electrode
140: protective layer 143: drain contact hole
150: first electrode 153a: first bank
153b: second bank 155: organic light emitting layer
160: second electrode 170: second substrate
DTr: driving thin film transistor P: pixel region

Claims (7)

다수의 화소영역을 갖는 표시영역이 정의된 제 1 기판과;
상기 각 화소영역 별로 형성된 제 1 전극과;
상기 제 1 전극의 가장자리와 중첩하며 각 화소영역을 둘러싸는 형성되며, 제 1 두께와 제 1 폭을 갖는 제 1 뱅크와;
상기 제 1 뱅크의 상부로 상기 제 1 뱅크와 완전 중첩하며 형성되며 상기 제 1 폭보다 작은 제 2 폭을 갖는 제 2 뱅크와;
상기 제 2 뱅크로 둘러싸인 영역 내부에 상기 제 1 뱅크 및 제 1 전극 상부에 형성된 유기 발광층과;
상기 유기 발광층 상부로 상기 표시영역 전면에 형성된 제 2 전극
을 포함하는 유기전계 발광소자.
A first substrate on which a display region having a plurality of pixel regions is defined;
A first electrode formed for each pixel region;
A first bank which overlaps the edge of the first electrode and surrounds each pixel region, the first bank having a first thickness and a first width;
A second bank formed above the first bank to completely overlap the first bank and having a second width smaller than the first width;
An organic light emitting layer formed on the first bank and the first electrode in an area surrounded by the second bank;
A second electrode formed on the entire surface of the display region,
And an organic electroluminescent device.
제 1 항에 있어서,
상기 제 2 뱅크는 소수성 특성을 갖는 것이 특징인 유기전계 발광소자.
The method according to claim 1,
And the second bank has a hydrophobic property.
제 1 항에 있어서,
상기 제 1 두께는 상기 유기 발광층의 두께보다 얇은 것이 특징인 유기전계 발광소자.
The method according to claim 1,
Wherein the first thickness is smaller than the thickness of the organic light emitting layer.
제 1 항에 있어서,
상기 유기 발광층은 상기 제 1 뱅크로 둘러싸인 영역 전면에 대해 균일한 두께를 갖는 것이 특징인 유기전계 발광소자.
The method according to claim 1,
Wherein the organic light emitting layer has a uniform thickness over the entire region surrounded by the first bank.
제 1 항에 있어서,
상기 제 1 뱅크는 무기절연물질인 산화실리콘(SiO2) 또는 질화실리콘(SiNx)으로 이루어진 것이 특징인 유기전계 발광소자.
The method according to claim 1,
Wherein the first bank is an organic electroluminescent device is composed of an inorganic insulating material is silicon oxide (SiO 2) or silicon nitride (SiNx) features.
제 1 항에 있어서,
상기 제 1 기판 상의 상기 각 화소영역에 상기 제 1 전극 하부에 형성된 스위칭 박막트랜지스터 및 구동 박막트랜지스터와;
상기 스위칭 및 구동 박막트랜지스터를 덮으며 상기 구동 박막트랜지스터의 드레인 전극을 노출시키며 형성된 보호층
을 포함하며, 상기 제 1 전극은 상기 보호층 위로 상기 각 화소영역 내에 상기 구동 박막트랜지스터의 드레인 전극과 접촉하며 형성된 것이 특징인 유기전계 발광소자.
The method according to claim 1,
A switching thin film transistor and a driving thin film transistor formed under the first electrode in each pixel region on the first substrate;
And a protective layer covering the switching and driving thin film transistor and exposing a drain electrode of the driving thin film transistor,
Wherein the first electrode is formed in contact with the drain electrode of the driving thin film transistor in the pixel region over the protective layer.
제 1 항에 있어서,
상기 제 1 기판에 대응하여 이와 마주하는 제 2 기판이 구비되거나, 또는 상기 제 2 전극과 접촉하며 상기 제 2 기판의 역할을 하는 인캡슐레이션막이 구비된 것이 특징인 유기전계 발광소자.The method according to claim 1,
A second substrate facing the first substrate, or an encapsulation film which is in contact with the second electrode and serves as the second substrate.
KR1020120134298A 2012-11-26 2012-11-26 Organic electro-luminescent device KR102015846B1 (en)

Priority Applications (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020120134298A KR102015846B1 (en) 2012-11-26 2012-11-26 Organic electro-luminescent device
CN201310373211.5A CN103839965B (en) 2012-11-26 2013-08-23 Organic LED display device and its manufacture method
US14/010,985 US9231035B2 (en) 2012-11-26 2013-08-27 Organic light emitting diode display device having improved effective emitting area

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020120134298A KR102015846B1 (en) 2012-11-26 2012-11-26 Organic electro-luminescent device

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20140067264A true KR20140067264A (en) 2014-06-05
KR102015846B1 KR102015846B1 (en) 2019-08-29

Family

ID=50772451

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020120134298A KR102015846B1 (en) 2012-11-26 2012-11-26 Organic electro-luminescent device

Country Status (3)

Country Link
US (1) US9231035B2 (en)
KR (1) KR102015846B1 (en)
CN (1) CN103839965B (en)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20160031656A (en) * 2014-09-12 2016-03-23 엘지디스플레이 주식회사 Organic Light Emitting Diode Display Device Having Repair Structure
KR20160065380A (en) * 2014-11-28 2016-06-09 엘지디스플레이 주식회사 Thin film transistor array substrate
KR20160091075A (en) * 2015-01-23 2016-08-02 엘지디스플레이 주식회사 Organic electro-luminescent device and method of fabricating the same

Families Citing this family (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
SG143942A1 (en) 2001-02-19 2008-07-29 Semiconductor Energy Lab Light emitting device and method of manufacturing the same
WO2014030354A1 (en) * 2012-08-23 2014-02-27 パナソニック株式会社 Organic electronic device manufacturing method and organic el device manufacturing method
KR101966238B1 (en) 2012-12-14 2019-04-05 엘지디스플레이 주식회사 Organic Light Emitting Diode Display Device And Method Of Fabricating The Same
KR102038817B1 (en) 2013-06-28 2019-11-01 엘지디스플레이 주식회사 Organic electro-luminescent device and method of fabricating the same
KR102328917B1 (en) 2014-09-22 2021-11-19 엘지디스플레이 주식회사 Organic light emitting diode display device
KR101664007B1 (en) * 2014-12-31 2016-10-11 엘지디스플레이 주식회사 Organic light emitting device and manufacturing method thereof
JP6584099B2 (en) * 2015-03-10 2019-10-02 株式会社ジャパンディスプレイ Display device and manufacturing method thereof
KR102457536B1 (en) * 2015-06-30 2022-10-21 엘지디스플레이 주식회사 Organic light emitting display device
CN108470756B (en) * 2018-04-11 2020-02-07 京东方科技集团股份有限公司 Organic electroluminescent display panel, manufacturing method thereof and display device
KR20200071429A (en) * 2018-12-11 2020-06-19 엘지디스플레이 주식회사 Organic light emitting display device and metho of fabricating thereof
KR20200079952A (en) * 2018-12-26 2020-07-06 엘지디스플레이 주식회사 Organic light emitting display device
KR20210094190A (en) * 2020-01-20 2021-07-29 삼성디스플레이 주식회사 Organic light emitting display apparatus
CN112038378B (en) * 2020-09-07 2023-02-07 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 Color film substrate, manufacturing method thereof and display panel
TWI773316B (en) * 2021-05-12 2022-08-01 友達光電股份有限公司 Display panel

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003282272A (en) * 2002-03-20 2003-10-03 Seiko Epson Corp Electro-optic device, its manufacturing method, and electronic equipment
JP2006286309A (en) * 2005-03-31 2006-10-19 Toppan Printing Co Ltd Organic electroluminescent display device and its manufacturing method
KR20080039194A (en) * 2006-10-31 2008-05-07 엘지디스플레이 주식회사 Thin film transistor and method for fabricating the same, liquid crystal display device and organic light emitting diode display device using the same

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
AU2003260959A1 (en) * 2002-09-11 2004-04-30 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-emitting apparatus and fabrication method of the same
JP2005063892A (en) * 2003-08-19 2005-03-10 Seiko Epson Corp Organic electroluminescent device, manufacturing method of organic electroluminescent el device, and electronic equipment
JP4815761B2 (en) * 2003-11-27 2011-11-16 セイコーエプソン株式会社 Electro-optical device, method of manufacturing electro-optical device, and electronic apparatus
KR100671644B1 (en) * 2006-01-24 2007-01-19 삼성에스디아이 주식회사 Organic light emitting display device and fabricating method of the same
KR101871227B1 (en) * 2011-08-12 2018-08-03 삼성디스플레이 주식회사 Organic light emitting device and manufacturing method therof

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003282272A (en) * 2002-03-20 2003-10-03 Seiko Epson Corp Electro-optic device, its manufacturing method, and electronic equipment
JP2006286309A (en) * 2005-03-31 2006-10-19 Toppan Printing Co Ltd Organic electroluminescent display device and its manufacturing method
KR20080039194A (en) * 2006-10-31 2008-05-07 엘지디스플레이 주식회사 Thin film transistor and method for fabricating the same, liquid crystal display device and organic light emitting diode display device using the same

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20160031656A (en) * 2014-09-12 2016-03-23 엘지디스플레이 주식회사 Organic Light Emitting Diode Display Device Having Repair Structure
KR20160065380A (en) * 2014-11-28 2016-06-09 엘지디스플레이 주식회사 Thin film transistor array substrate
KR20160091075A (en) * 2015-01-23 2016-08-02 엘지디스플레이 주식회사 Organic electro-luminescent device and method of fabricating the same

Also Published As

Publication number Publication date
US20140145157A1 (en) 2014-05-29
US9231035B2 (en) 2016-01-05
CN103839965B (en) 2017-06-06
KR102015846B1 (en) 2019-08-29
CN103839965A (en) 2014-06-04

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR102015846B1 (en) Organic electro-luminescent device
KR102280423B1 (en) Organic light emitting diode display device
JP6211873B2 (en) Organic EL display device and method of manufacturing organic EL display device
US8766282B2 (en) Organic light emitting display with luminescent layers having varying thicknesses to improve color reproducibility
KR20140067265A (en) Organic electro-luminescent device and method of fabricating the same
KR20140064328A (en) Organic electro-luminescent device and method of fabricating the same
KR20140067645A (en) Organic electro-luminescent device and method of fabricating the same
US11081663B2 (en) Organic electroluminescent display panel with auxiliary electrodes, method for manufacturing the same, and display device using the same
KR20150003009A (en) Organic electro-luminescent device and method of fabricating the same
US20150014658A1 (en) Organic light emitting diode display and method for manufacturing the same
KR20160037369A (en) Organic Light Emitting Diode Display Device and Method of Fabricating the Same
KR20150042367A (en) Organic electro luminescent device and method of fabricating the same
TWI596755B (en) Organic light emitting diode display and method for manufacturing the same
JP2008235605A (en) Display device and method for manufacturing display device
US9780319B2 (en) Organic light emitting diode display device
US10734466B2 (en) Organic light-emitting display device
JP2020095961A (en) Electroluminescent display device and method of manufacturing the same
KR20140110497A (en) Organic electro-luminescent device
KR101560233B1 (en) Organic Light Emitting Display Device and Method for fabricating the same
KR20150067974A (en) Organic electro luminescent device and method of fabricating the same
KR102132443B1 (en) Organic electro-luminescent device and method of fabricating the same
KR102284991B1 (en) Organic Light Emitting Diode Display Device
KR20210080925A (en) Electroluminescent Device
KR102089248B1 (en) Organic Light Emitting Diode Device And Method Of Fabricating The Same
KR102450192B1 (en) Method for fabricating organic electro-luminescent device

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E90F Notification of reason for final refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right