JP2008235605A - Display device and method for manufacturing display device - Google Patents

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JP2008235605A JP2007073619A JP2007073619A JP2008235605A JP 2008235605 A JP2008235605 A JP 2008235605A JP 2007073619 A JP2007073619 A JP 2007073619A JP 2007073619 A JP2007073619 A JP 2007073619A JP 2008235605 A JP2008235605 A JP 2008235605A
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Norihiko Kamiura
紀彦 上浦
Satoshi Okuya
聡 奥谷
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Japan Display Central Inc
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Toshiba Matsushita Display Technology Co Ltd
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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a display device and its manufacturing method which is good in display quality level with few color shift irrespective of an observation direction. <P>SOLUTION: The display device includes a first electrode 60 equipped with a recess-projection plane 60S having scattering power, an organic active layer 62 arranged on the recess-projection plane of the first electrode, and a second electrode 64 arranged on the organic active layer, wherein the organic active layer 62 includes a light-emitting layer 62B, a conductive organic layer 62A formed so as to be a film thickness to planarize the recess-projection plane, being arranged between the light-emitting layer and the recess-projection plane. <P>COPYRIGHT: (C)2009,JPO&INPIT

Description

この発明は、表示装置及び表示装置の製造方法に係り、特に、自発光性素子を含んで構成される表示装置及び表示装置の製造方法に関する。   The present invention relates to a display device and a method for manufacturing the display device, and more particularly to a display device including a self-luminous element and a method for manufacturing the display device.

近年、平面表示装置として、有機エレクトロルミネッセンス(EL)表示装置が注目されている。この有機EL表示装置は、自発光性素子であることから、視野角が広く、バックライトを必要とせず薄型化が可能であり、消費電力が抑えられ、且つ応答速度が速いといった特徴を有している。   In recent years, organic electroluminescence (EL) display devices have attracted attention as flat display devices. Since this organic EL display device is a self-luminous element, it has a wide viewing angle, can be thinned without requiring a backlight, has low power consumption, and has a high response speed. ing.

これらの特徴から、有機EL表示装置は、液晶表示装置に代わる、次世代平面表示装置の有力候補として注目を集めている。このような有機EL表示装置は、一対の電極の間に発光機能を有する有機化合物を含む有機活性層を保持した有機EL素子を備えている。このような有機EL素子のうち、一方の電極としてアルミニウムなどの光反射性を有する反射電極を適用し、他方の電極としてITO(Indium Tin Oxide)などの光透過性を有する透明電極を適用した構成の有機EL素子が提案されている。このような構成においては、有機活性層に含まれる発光層から出力された光は、透明電極側から直接出力されるものもあるが、反射電極側に出力された光は、反射電極で反射された後に透明電極側に出力される(例えば、特許文献1参照)。
特開2002−373776号公報
Because of these characteristics, organic EL display devices are attracting attention as potential candidates for next-generation flat display devices that can replace liquid crystal display devices. Such an organic EL display device includes an organic EL element in which an organic active layer containing an organic compound having a light emitting function is held between a pair of electrodes. Among such organic EL elements, a configuration in which a reflective electrode having light reflectivity such as aluminum is applied as one electrode and a transparent electrode having light transmittance such as ITO (Indium Tin Oxide) is applied as the other electrode Organic EL elements have been proposed. In such a configuration, some of the light output from the light emitting layer included in the organic active layer is output directly from the transparent electrode side, but the light output to the reflective electrode side is reflected by the reflective electrode. And output to the transparent electrode side (see, for example, Patent Document 1).
JP 2002-373776 A

実質的に平坦な反射電極上に発光層を含む有機活性層を積層した構造においては、発光層内の発光点から直接出力された光と反射電極によって反射された後に出力された光とが干渉し、表示装置を観察する方向によって色味が変化するいわゆるカラーシフトを生じてしまい、表示品位の低下を招くおそれがある。   In a structure in which an organic active layer including a light emitting layer is laminated on a substantially flat reflective electrode, light directly output from the light emitting point in the light emitting layer interferes with light output after being reflected by the reflective electrode. In addition, a so-called color shift in which the color changes depending on the direction in which the display device is observed may cause a reduction in display quality.

この発明は、上述した問題点に鑑みなされたものであって、その目的は、観察方向にかかわらずカラーシフトの少ない表示品位の良好な表示装置及びこの表示装置の製造方法を提供することにある。   The present invention has been made in view of the above-described problems, and an object of the present invention is to provide a display device having a good display quality with little color shift regardless of the viewing direction, and a method for manufacturing the display device. .

この発明の態様による表示装置は、
散乱能を有し、凹凸面を備えた第1電極と、
前記第1電極の凹凸面上に配置された有機活性層と、
前記有機活性層上に配置された第2電極と、を備え、
前記有機活性層は、
発光層と、
発光層と凹凸面との間に配置され、凹凸面を平坦化するような膜厚に形成された導電性有機層と、を含むことを特徴とする。
A display device according to an aspect of the present invention includes:
A first electrode having scattering ability and having an uneven surface;
An organic active layer disposed on the uneven surface of the first electrode;
A second electrode disposed on the organic active layer,
The organic active layer is
A light emitting layer;
And a conductive organic layer formed between the light emitting layer and the concavo-convex surface and having a thickness that flattens the concavo-convex surface.

また、
散乱能を有し、凹凸面を備えた第1電極と、
前記第1電極の凹凸面上に配置された有機活性層と、
前記有機活性層上に配置された第2電極と、を備え、
前記有機活性層は、
凹凸面を平坦化するような膜厚に形成された発光層と、
発光層と凹凸面との間に配置され、凹凸面に沿う膜厚に形成された導電性有機層と、を含むことを特徴とする。
Also,
A first electrode having scattering ability and having an uneven surface;
An organic active layer disposed on the uneven surface of the first electrode;
A second electrode disposed on the organic active layer,
The organic active layer is
A light emitting layer formed to have a film thickness that flattens the uneven surface;
And a conductive organic layer formed between the light emitting layer and the concavo-convex surface and having a thickness along the concavo-convex surface.

この発明の態様による表示装置の製造方法は、
散乱能を有し、凹凸面を備えた第1電極を形成する工程と、
前記第1電極の凹凸面上に有機活性層を形成する工程と、
前記有機活性層上に第2電極を形成する工程と、を備え、
前記有機活性層を形成する工程は、
前記第1電極の凹凸面上において、選択塗布法により凹凸面を平坦化するような膜厚の導電性有機層を成膜する工程と、
選択塗布法または蒸着法により前記導電性有機層上に発光層を成膜する工程と、を含むことを特徴とする。
A method for manufacturing a display device according to an aspect of the present invention includes:
Forming a first electrode having scattering power and having an uneven surface;
Forming an organic active layer on the irregular surface of the first electrode;
Forming a second electrode on the organic active layer,
The step of forming the organic active layer includes:
Forming a conductive organic layer having a film thickness so as to flatten the uneven surface by selective coating on the uneven surface of the first electrode;
And a step of forming a light emitting layer on the conductive organic layer by a selective coating method or a vapor deposition method.

また、
散乱能を有し、凹凸面を備えた第1電極を形成する工程と、
前記第1電極の凹凸面上に有機活性層を形成する工程と、
前記有機活性層上に第2電極を形成する工程と、を備え、
前記有機活性層を形成する工程は、
蒸着法により前記第1電極の凹凸面上に導電性有機層を成膜する工程と、
選択塗布法により前記導電性有機層上に凹凸面を平坦化するような膜厚の発光層を成膜する工程と、を含むことを特徴とする。
Also,
Forming a first electrode having scattering power and having an uneven surface;
Forming an organic active layer on the irregular surface of the first electrode;
Forming a second electrode on the organic active layer,
The step of forming the organic active layer includes:
Forming a conductive organic layer on the concavo-convex surface of the first electrode by vapor deposition;
And a step of forming a light emitting layer having a film thickness so as to flatten the uneven surface on the conductive organic layer by a selective coating method.

この発明によれば、観察方向にかかわらずカラーシフトの少ない表示品位の良好な表示装置及びこの表示装置の製造方法を提供することが可能となる。   According to the present invention, it is possible to provide a display device with a good display quality with little color shift regardless of the viewing direction, and a method for manufacturing the display device.

以下、この発明の一実施の形態に係る表示装置について図面を参照して説明する。なお、この実施の形態では、表示装置として、自己発光型表示装置、例えば有機EL(エレクトロルミネッセンス)表示装置を例にして説明する。   A display device according to an embodiment of the present invention will be described below with reference to the drawings. In this embodiment, a self-luminous display device, for example, an organic EL (electroluminescence) display device will be described as an example of the display device.

有機EL表示装置1は、図1に示すように、画像を表示する表示エリア102を有するアレイ基板100を備えている。表示エリア102は、マトリクス状に配置された複数の画素PX(R、G、B)によって構成されている。アレイ基板100の少なくとも表示エリア102は、封止体200によって封止されている。   As shown in FIG. 1, the organic EL display device 1 includes an array substrate 100 having a display area 102 for displaying an image. The display area 102 includes a plurality of pixels PX (R, G, B) arranged in a matrix. At least the display area 102 of the array substrate 100 is sealed with a sealing body 200.

また、アレイ基板100は、画素PXの行方向(すなわち図1のY方向)に沿って配置された複数の走査線Ym(m=1、2、…)と、走査線Ymと略直交する列方向(すなわち図1のX方向)に沿って配置された複数の信号線Xn(n=1、2、…)と、有機EL素子40に電源を供給するための電源供給線Pと、を備えている。   In addition, the array substrate 100 includes a plurality of scanning lines Ym (m = 1, 2,...) Arranged along the row direction of the pixels PX (that is, the Y direction in FIG. 1) and columns substantially orthogonal to the scanning lines Ym. A plurality of signal lines Xn (n = 1, 2,...) Arranged along the direction (that is, the X direction in FIG. 1), and a power supply line P for supplying power to the organic EL element 40. ing.

さらに、アレイ基板100は、表示エリア102の外周に沿った周辺エリア104に、走査線Ymのそれぞれに走査信号を供給する走査線駆動回路107として機能する少なくとも一部と、信号線Xnのそれぞれに映像信号を供給する信号線駆動回路108として機能する少なくとも一部と、を備えている。すべての走査線Ymは、走査線駆動回路107に接続されている。また、すべての信号線Xnは、信号線駆動回路108に接続されている。   Furthermore, the array substrate 100 has at least a portion functioning as a scanning line driving circuit 107 that supplies a scanning signal to each of the scanning lines Ym in the peripheral area 104 along the outer periphery of the display area 102, and each of the signal lines Xn. And at least a part functioning as a signal line driver circuit 108 for supplying a video signal. All the scanning lines Ym are connected to the scanning line driving circuit 107. All signal lines Xn are connected to the signal line driving circuit 108.

各画素PX(R、G、B)は、画素回路及びこの画素回路によって駆動制御される表示素子を備えている。図1に示した画素回路は、一例であって、他の構成の画素回路を適用しても良いことは言うまでもない。図1に示した例では、画素回路は、オン画素とオフ画素とを電気的に分離しかつオン画素への映像信号を保持する機能を有する画素スイッチ10と、画素スイッチ10を介して供給される映像信号に基づき表示素子へ所望の駆動電流を供給する駆動トランジスタ20と、駆動トランジスタ20のゲート−ソース間電位を所定期間保持する蓄積容量素子30とを有している。これらの画素スイッチ10及び駆動トランジスタ20は、例えば薄膜トランジスタにより構成され、ここでは、ポリシリコンからなる半導体層を備えた薄膜トランジスタを適用している。   Each pixel PX (R, G, B) includes a pixel circuit and a display element that is driven and controlled by the pixel circuit. The pixel circuit shown in FIG. 1 is an example, and it goes without saying that a pixel circuit having another configuration may be applied. In the example shown in FIG. 1, the pixel circuit is supplied via the pixel switch 10 and a pixel switch 10 having a function of electrically separating an on pixel and an off pixel and holding a video signal to the on pixel. The driving transistor 20 supplies a desired driving current to the display element based on the video signal, and the storage capacitor element 30 holds the gate-source potential of the driving transistor 20 for a predetermined period. The pixel switch 10 and the drive transistor 20 are constituted by, for example, thin film transistors, and here, a thin film transistor including a semiconductor layer made of polysilicon is applied.

駆動トランジスタ20のゲートは、画素スイッチ10のドレイン及び蓄積容量素子30の一端に接続されている。駆動トランジスタ20のソースは、電源供給線P及び蓄積容量素子30の他端に接続されている。   The gate of the drive transistor 20 is connected to the drain of the pixel switch 10 and one end of the storage capacitor element 30. The source of the driving transistor 20 is connected to the power supply line P and the other end of the storage capacitor element 30.

表示素子は、自発光素子である有機EL素子40(R、G、B)によって構成されている。すなわち、赤色画素PXRは、主に赤色波長に対応した光を出射する有機EL素子40Rを備えている。緑色画素PXGは、主に緑色波長に対応した光を出射する有機EL素子40Gを備えている。青色画素PXBは、主に青色波長に対応した光を出射する有機EL素子40Bを備えている。   The display element is composed of organic EL elements 40 (R, G, B) which are self-luminous elements. That is, the red pixel PXR includes an organic EL element 40R that mainly emits light corresponding to the red wavelength. The green pixel PXG includes an organic EL element 40G that mainly emits light corresponding to the green wavelength. The blue pixel PXB includes an organic EL element 40B that mainly emits light corresponding to the blue wavelength.

各種有機EL素子40(R、G、B)は、基本的に同一構成である。   The various organic EL elements 40 (R, G, B) have basically the same configuration.

(第1実施形態)
図2に示すように、第1実施形態に係る有機EL素子40は、配線基板120上に配置されている。なお、配線基板120は、ガラス基板やプラスチックシートなどの絶縁性の支持基板上に、アンダーコート層やゲート絶縁膜などの各種絶縁層を備える他に、上述した画素スイッチ10、駆動トランジスタ20、蓄積容量素子30、各種配線(走査線、信号線、電源供給線等)などを備えて構成されたものとする。
(First embodiment)
As shown in FIG. 2, the organic EL element 40 according to the first embodiment is disposed on the wiring board 120. The wiring board 120 is provided with various insulating layers such as an undercoat layer and a gate insulating film on an insulating support substrate such as a glass substrate and a plastic sheet, in addition to the pixel switch 10, the drive transistor 20, and the storage described above. The capacitor 30 is configured to include various wirings (scanning lines, signal lines, power supply lines, etc.).

この有機EL素子40は、画素毎PXに独立島状に配置された第1電極60と、第1電極60に対向して配置され複数の画素PXに共通の第2電極64と、これらの第1電極60と第2電極64との間に保持された有機活性層62と、によって構成されている。   The organic EL element 40 includes a first electrode 60 arranged in an independent island shape for each pixel PX, a second electrode 64 arranged opposite to the first electrode 60 and common to the plurality of pixels PX, The organic active layer 62 is held between the first electrode 60 and the second electrode 64.

第1電極60は、配線基板120上に配置され、陽極として機能する。この第1電極60は、駆動トランジスタ20のドレインに接続されている。この第1電極60は、散乱能を有するように構成されている。   The first electrode 60 is disposed on the wiring board 120 and functions as an anode. The first electrode 60 is connected to the drain of the driving transistor 20. The first electrode 60 is configured to have scattering ability.

すなわち、図2に示した例では、第1電極60は、光反射性を有する反射電極60Rに光透過性を有する透明電極60Tを積層した積層体によって構成されている。反射電極60Rは、例えばアルミニウムによって形成されている。この反射電極60Rの表面は、複数の凹部と凸部とからなる散乱面を構成している。透明電極60Tは、例えばITOによって形成されている。この透明電極60Tは、反射電極60Rの散乱面に沿う膜厚(すなわち略一定の膜厚)に形成されており、透明電極60Tの表面つまり第1電極60の表面は、散乱面の凹凸形状に追随するような凹凸面60Sを構成している。   That is, in the example shown in FIG. 2, the first electrode 60 is configured by a laminated body in which a transparent electrode 60 </ b> T having light transmittance is stacked on a reflective electrode 60 </ b> R having light reflectivity. The reflective electrode 60R is made of, for example, aluminum. The surface of the reflective electrode 60R constitutes a scattering surface composed of a plurality of concave portions and convex portions. The transparent electrode 60T is made of, for example, ITO. The transparent electrode 60T is formed to have a film thickness (that is, a substantially constant film thickness) along the scattering surface of the reflective electrode 60R, and the surface of the transparent electrode 60T, that is, the surface of the first electrode 60 has an uneven shape on the scattering surface. A concave / convex surface 60 </ b> S to follow is configured.

このような第1電極60としては、散乱能を有し、しかも、その表面が凹凸面であるような構成であれば良く、図2に示した構造に限定されない。この実施の形態では、反射電極60Rの膜厚は0.1μmに設定され、また、透明電極60Tの膜厚は0.05μmに設定されている。   The first electrode 60 is not limited to the structure shown in FIG. 2 as long as the first electrode 60 has a scattering ability and the surface thereof is an uneven surface. In this embodiment, the thickness of the reflective electrode 60R is set to 0.1 μm, and the thickness of the transparent electrode 60T is set to 0.05 μm.

なお、第1電極60の凹凸面60Sについては、隣接する凸部CV間のピッチ(もしくは隣接する凹部CC間のピッチ)Pは、十分な散乱性能を得るためには、例えば5μm乃至20μm、より好ましくは5μm乃至10μmの範囲内で分布していることが望ましい。   For the uneven surface 60S of the first electrode 60, the pitch P between adjacent convex portions CV (or the pitch between adjacent concave portions CC) P is, for example, 5 μm to 20 μm in order to obtain sufficient scattering performance. The distribution is preferably within a range of 5 μm to 10 μm.

また、凹凸面60Sにおいて、凹部CCの底部から凸部CVの頂部までの基板の法線方向に沿った長さ(あるいは、単に凹部CCの深さ、あるいは、単に凸部CVの高さ)Lは、十分な散乱性能を得るためには凹凸面内の最大値として0.3μm以上であることが望ましい。この長さLは、大きいほど高い拡散性能が得られるが、大きすぎると第2電極64とのショートや、発光層での発光効率の低下など、表示に悪影響を及ぼすおそれがあり、3.0μm以下であることが望ましい。この実施の形態では、長さLは、0.5μmに設定されている。   Further, in the concavo-convex surface 60S, the length along the normal direction of the substrate from the bottom of the concave portion CC to the top of the convex portion CV (or simply the depth of the concave portion CC or simply the height of the convex portion CV) L. In order to obtain sufficient scattering performance, it is desirable that the maximum value in the uneven surface is 0.3 μm or more. As the length L increases, higher diffusion performance can be obtained. However, if the length L is too large, the display may be adversely affected such as a short circuit with the second electrode 64 or a decrease in light emission efficiency in the light emitting layer. The following is desirable. In this embodiment, the length L is set to 0.5 μm.

有機活性層62は、第1電極60の凹凸面60S上に配置され、少なくとも発光層を含んでいる。この有機活性層62は、発光層以外の層として、例えば、ホール輸送層、ホール注入層、ブロッキング層、電子輸送層、電子注入層、バッファ層などを含んでも良いし、またこれらを機能的に複合した層を含んでもよい。発光層は、赤、緑、または青に発光する発光機能を有する有機化合物によって形成される。このような有機活性層62のうち、高分子系材料によって形成された有機層は、インクジェット法等の選択塗布法により液状材料を塗布した後に乾燥することによって成膜可能であり、また、低分子系材料によって形成された有機層は、蒸着法により成膜可能である。   The organic active layer 62 is disposed on the uneven surface 60S of the first electrode 60 and includes at least a light emitting layer. The organic active layer 62 may include, for example, a hole transport layer, a hole injection layer, a blocking layer, an electron transport layer, an electron injection layer, a buffer layer, and the like as a layer other than the light emitting layer. A composite layer may be included. The light-emitting layer is formed of an organic compound having a light-emitting function that emits red, green, or blue light. Among such organic active layers 62, an organic layer formed of a polymer material can be formed by applying a liquid material by a selective coating method such as an ink jet method and then drying, and can form a low molecular weight material. The organic layer formed of the system material can be formed by an evaporation method.

この実施の形態において、有機活性層62は、発光層62Bと、この発光層62Bと凹凸面60Sとの間に配置されホール輸送機能を有した導電性有機層62Aと、を有している。導電性有機層62Aは、例えばPEDOT(ポリエチレンジオキシチオフェン)などの導電性高分子によって形成されている。このような導電性高分子は、比較的高い屈折率(n≒2)を有しているため、たとえ厚膜化したとしても、発光層62Bから出力される光への影響は極めて小さい。   In this embodiment, the organic active layer 62 includes a light emitting layer 62B and a conductive organic layer 62A disposed between the light emitting layer 62B and the uneven surface 60S and having a hole transport function. The conductive organic layer 62A is formed of a conductive polymer such as PEDOT (polyethylenedioxythiophene), for example. Since such a conductive polymer has a relatively high refractive index (n≈2), even if it is thickened, the influence on the light output from the light emitting layer 62B is extremely small.

この導電性有機層62Aは、凹凸面60S上に配置され、凹凸面60Sを平坦化するような膜厚T62Aに形成されている。ここでの膜厚T62Aとは、凹凸面60Sの凹部CCにおける底部からの基板の法線方向に沿った長さである。この導電性有機層62Aは、凹部CCの深さLを埋めるのに十分な膜厚T62Aを有しており、深さLが0.5μmに設定されているのに対して、例えば0.5μm乃至2.0μmの範囲の膜厚T62Aを有するように形成されている。第1実施形態では、膜厚T62Aは、0.7μmに設定されている。   The conductive organic layer 62A is disposed on the concavo-convex surface 60S and has a thickness T62A that flattens the concavo-convex surface 60S. The film thickness T62A here is a length along the normal direction of the substrate from the bottom in the concave portion CC of the concave and convex surface 60S. This conductive organic layer 62A has a film thickness T62A sufficient to fill the depth L of the recess CC, and the depth L is set to 0.5 μm, for example 0.5 μm. It is formed to have a film thickness T62A in the range of 2.0 μm to 2.0 μm. In the first embodiment, the film thickness T62A is set to 0.7 μm.

なお、凹凸面60Sを平坦化するような膜厚T62Aとは、導電性有機層62Aの表面が実質的に平坦である場合に限らず、凹凸面60Sの凸部CVに対応した膜厚Tvが凹部CCに対応した膜厚Tcより小さく(Tv<Tc)、且つ、これらの膜厚差が凹部CCの深さLと同等もしくはそれ以下(Tc−Tv≦L)となるような分布を持った膜厚であれば良い。つまり、導電性有機層62Aの表面に、凹凸面60Sの起伏よりも小さい僅かな起伏が残っていても良い。   Note that the film thickness T62A for flattening the uneven surface 60S is not limited to the case where the surface of the conductive organic layer 62A is substantially flat, and the film thickness Tv corresponding to the convex portion CV of the uneven surface 60S. It has a distribution that is smaller than the film thickness Tc corresponding to the recess CC (Tv <Tc) and that the difference in film thickness is equal to or less than the depth L of the recess CC (Tc−Tv ≦ L). Any film thickness may be used. That is, slight undulations smaller than the undulations of the uneven surface 60S may remain on the surface of the conductive organic layer 62A.

発光層62Bは、導電性有機層62A上に配置されている。この発光層62Bは、略一定の膜厚T62Bを有しており、例えば0.1μm乃至0.5μmの範囲の膜厚T62Bを有するように形成されている。第1実施形態では、膜厚T62Bは、0.2μmに設定されている。   The light emitting layer 62B is disposed on the conductive organic layer 62A. The light emitting layer 62B has a substantially constant film thickness T62B, and is formed to have a film thickness T62B in the range of 0.1 μm to 0.5 μm, for example. In the first embodiment, the film thickness T62B is set to 0.2 μm.

このような導電性有機層62A及び発光層62Bを含む有機活性層62は、凹凸面60Sから発光層62Bまでの膜厚について、凹凸面60Sの凸部CVに対応して第1膜厚T1を有するとともに、凹部CCに対応して第1膜厚T1よりも厚い第2膜厚T2を有するに構成されている。   The organic active layer 62 including the conductive organic layer 62A and the light emitting layer 62B has a first film thickness T1 corresponding to the convex portion CV of the uneven surface 60S with respect to the film thickness from the uneven surface 60S to the light emitting layer 62B. And a second film thickness T2 that is thicker than the first film thickness T1 corresponding to the recess CC.

第2電極64は、実質的に平坦な有機活性層62上に配置され、陰極として機能する。この第2電極64は、表示エリア102の周囲に配置されコモン電位ここでは接地電位を供給する図示しない第2電極電源線に接続されている。   The second electrode 64 is disposed on the substantially flat organic active layer 62 and functions as a cathode. The second electrode 64 is disposed around the display area 102 and is connected to a second electrode power line (not shown) that supplies a common potential, here, a ground potential.

また、アレイ基板100は、表示エリア102において、各画素RX(R、G、B)を分離する隔壁70を備えている。隔壁70は、第1電極60の全周縁を覆うように格子状に配置されている。   Further, the array substrate 100 includes a partition wall 70 that separates the pixels RX (R, G, B) in the display area 102. The partition walls 70 are arranged in a lattice shape so as to cover the entire periphery of the first electrode 60.

上述したような第1実施形態においては、第1電極60が散乱能を有し且つ凹凸面を備えているため、発光層62B内の発光点から第1電極60に向かう光は、散乱面によって反射・散乱された後に第2電極64側から出力される。また、発光層62Bと第1電極60との間に不均一な膜厚分布を有する導電性有機層62Aが配置されているため、発光点から第1電極60の散乱面を経由して第2電極64側に導かれる光の光路長が経路によって異なるとともに、干渉効果を緩和するのに十分に長くなる。このため、発光点から第2電極64側に直接出力された光との干渉効果が緩和され、観察方向に依存したカラーシフトを抑制することが可能となる。したがって、表示品位を改善することが可能となる。   In the first embodiment as described above, since the first electrode 60 has scattering ability and has an uneven surface, the light traveling from the light emitting point in the light emitting layer 62B toward the first electrode 60 is caused by the scattering surface. After being reflected and scattered, it is output from the second electrode 64 side. In addition, since the conductive organic layer 62A having a non-uniform film thickness distribution is disposed between the light emitting layer 62B and the first electrode 60, the second from the light emitting point via the scattering surface of the first electrode 60. The optical path length of the light guided to the electrode 64 side varies depending on the path, and is sufficiently long to mitigate the interference effect. For this reason, the interference effect with the light directly output from the light emitting point to the second electrode 64 side is mitigated, and the color shift depending on the observation direction can be suppressed. Therefore, display quality can be improved.

(第2実施形態)
図3に示すように、第2実施形態に係る有機EL素子40は、第1実施形態と同様に配線基板120上に配置されている。なお、第1実施形態と同一構成については同一参照符号を付して詳細な説明を省略する。
(Second Embodiment)
As shown in FIG. 3, the organic EL element 40 according to the second embodiment is disposed on the wiring board 120 as in the first embodiment. In addition, about the same structure as 1st Embodiment, the same referential mark is attached | subjected and detailed description is abbreviate | omitted.

すなわち、有機EL素子40は、第1電極60と第2電極64との間に有機活性層62を保持した構成である。   That is, the organic EL element 40 has a configuration in which the organic active layer 62 is held between the first electrode 60 and the second electrode 64.

第1電極60は、配線基板120上に配置され、散乱能を有し、しかも、複数の凹部CC及び凸部CVからなる凹凸面60Sを備えている。この凹凸面60Sについては、第1実施形態と同様に構成されており、長さLは0.5μmに設定されている。   The first electrode 60 is disposed on the wiring board 120, has a scattering ability, and includes a concavo-convex surface 60S composed of a plurality of concave portions CC and convex portions CV. About this uneven surface 60S, it is comprised similarly to 1st Embodiment, and length L is set to 0.5 micrometer.

有機活性層62は、第1電極60の凹凸面60S上に配置され、少なくとも発光層を含んでいる。この有機活性層62は、第1実施形態と同様に、発光層62Bと、この発光層62Bと凹凸面60Sとの間に配置されホール輸送機能を有した導電性有機層62Aと、を有している。   The organic active layer 62 is disposed on the uneven surface 60S of the first electrode 60 and includes at least a light emitting layer. Similar to the first embodiment, the organic active layer 62 includes a light emitting layer 62B, and a conductive organic layer 62A that is disposed between the light emitting layer 62B and the uneven surface 60S and has a hole transport function. ing.

導電性有機層62Aは、凹凸面60S上に配置され、凹凸面60Sに沿う膜厚(すなわち略一定の膜厚)T62Aに形成されている。この導電性有機層62Aは、例えば0.02μm乃至0.2μmの範囲の膜厚T62Aを有するように形成されている。この第2実施形態では、膜厚T62Aは、0.1μmに設定されている。   The conductive organic layer 62A is disposed on the concavo-convex surface 60S, and is formed in a film thickness (that is, a substantially constant film thickness) T62A along the concavo-convex surface 60S. The conductive organic layer 62A is formed to have a film thickness T62A in the range of 0.02 μm to 0.2 μm, for example. In the second embodiment, the film thickness T62A is set to 0.1 μm.

発光層62Bは、導電性有機層62A上に配置され、凹凸面60Sを平坦化するような膜厚T62Bに形成されている。ここでの膜厚T62Bとは、凹凸面60Sの凹部CCにおける底部からの基板の法線方向に沿った長さである。この発光層62Bは、凹部CCの深さLを埋めるのに十分な膜厚T62Bを有しており、深さLが0.5μmに設定されているのに対して、例えば0.5μm乃至2.0μmの範囲の膜厚T62Bを有するように形成されている。第2実施形態では、膜厚T62Bは、0.7μmに設定されている。   The light emitting layer 62B is disposed on the conductive organic layer 62A and has a thickness T62B that flattens the uneven surface 60S. The film thickness T62B here is a length along the normal direction of the substrate from the bottom in the concave portion CC of the concave and convex surface 60S. The light emitting layer 62B has a film thickness T62B sufficient to fill the depth L of the concave portion CC, and the depth L is set to 0.5 μm, for example, 0.5 μm to 2 μm. It is formed to have a film thickness T62B in the range of 0.0 μm. In the second embodiment, the film thickness T62B is set to 0.7 μm.

なお、凹凸面60Sを平坦化するような膜厚T62Bとは、発光層62Bの表面が実質的に平坦である場合に限らず、凹凸面60Sの凸部CVに対応した膜厚Tvが凹部CCに対応した膜厚Tcより小さく(Tv<Tc)、且つ、これらの膜厚差が凹部CCの深さLと同等もしくはそれ以下(Tc−Tv≦L)となるような分布を持った膜厚であれば良い。つまり、発光層62Bの表面に、凹凸面60Sの起伏よりも小さい僅かな起伏が残っていても良い。   Note that the film thickness T62B that flattens the uneven surface 60S is not limited to the case where the surface of the light emitting layer 62B is substantially flat, and the film thickness Tv corresponding to the protrusion CV of the uneven surface 60S is the recess CC. Is smaller than the film thickness Tc corresponding to (Tv <Tc), and the film thickness has such a distribution that the film thickness difference is equal to or less than the depth L of the recess CC (Tc−Tv ≦ L). If it is good. That is, a slight undulation smaller than the undulation of the uneven surface 60S may remain on the surface of the light emitting layer 62B.

このような導電性有機層62A及び発光層62Bを含む有機活性層62は、凹凸面60Sから発光層62Bまでの膜厚について、凹凸面60Sの凸部CVに対応して第1膜厚T1を有するとともに、凹部CCに対応して第1膜厚T1よりも厚い第2膜厚T2を有するに構成されている。   The organic active layer 62 including the conductive organic layer 62A and the light emitting layer 62B has a first film thickness T1 corresponding to the convex portion CV of the uneven surface 60S with respect to the film thickness from the uneven surface 60S to the light emitting layer 62B. And a second film thickness T2 that is thicker than the first film thickness T1 corresponding to the recess CC.

上述したような第2実施形態においても、第1実施形態と同様に、発光層62B内の発光点から第1電極60を経由して第2電極64側に導かれる光と、発光点から第2電極64側に直接出力された光との干渉効果が緩和され、観察方向に依存したカラーシフトを抑制することが可能となる。したがって、表示品位を改善することが可能となる。   In the second embodiment as described above, similarly to the first embodiment, the light guided from the light emitting point in the light emitting layer 62B to the second electrode 64 via the first electrode 60 and the light emitting point The interference effect with the light directly output to the two-electrode 64 side is mitigated, and the color shift depending on the observation direction can be suppressed. Therefore, display quality can be improved.

また、これらの第1実施形態及び第2実施形態においては、反射層と第1電極との間に絶縁膜、例えば反射層の凹凸を平坦化する目的で配置される平坦化層などの絶縁層が不要となる。このため、表示装置としての薄型化及び低コスト化が可能となる。   In these first and second embodiments, an insulating film such as a flattening layer is provided between the reflective layer and the first electrode for the purpose of flattening the unevenness of the reflective layer. Is no longer necessary. Therefore, it is possible to reduce the thickness and cost of the display device.

次に、有機EL表示装置の製造方法について説明する。   Next, a method for manufacturing an organic EL display device will be described.

まず、図4Aに示すように、配線基板120上の画素毎に島状の第1電極60を形成する。すなわち、金属膜及び絶縁膜の成膜、パターニングなどの処理を繰り返し、その表面に複数の凹部及び凸部を有する配線基板120を用意する。そして、配線基板120の表面に略均一な膜厚の反射電極60Rを形成した後、反射電極60R上に略均一な膜厚の透明電極60Tを形成する。この反射電極60R及び透明電極60Tについては、一般的はフォトリソグラフィプロセスで形成しても良いし、マスクスパッタ法で形成しても良い。これにより、散乱能を有し、凹凸面60Sを備えた第1電極60が形成される。   First, as illustrated in FIG. 4A, the island-shaped first electrode 60 is formed for each pixel on the wiring substrate 120. That is, the wiring substrate 120 having a plurality of concave portions and convex portions on the surface thereof is prepared by repeating processes such as formation of a metal film and an insulating film and patterning. Then, after forming the reflective electrode 60R having a substantially uniform film thickness on the surface of the wiring substrate 120, the transparent electrode 60T having a substantially uniform film thickness is formed on the reflective electrode 60R. The reflective electrode 60R and the transparent electrode 60T may be generally formed by a photolithography process or may be formed by a mask sputtering method. Thereby, the 1st electrode 60 which has scattering power and was provided with the uneven surface 60S is formed.

続いて、第1電極60の凹凸面60S上に有機活性層62を形成する。すなわち、図4Bに示す例では、第1電極60の凹凸面60S上において、選択塗布法により凹凸面60Sを平坦化するような膜厚の導電性有機層62Aを成膜する。つまり、ホール輸送機能を有する高分子系有機材料からなる液状材料を第1電極60に向けて噴射して十分な量を塗布した後、乾燥処理を行って液状材料に含まれる溶媒を除去する。これにより、不均一な膜厚分布を有し且つ表面が略平坦な導電性有機層62Aが形成される。   Subsequently, the organic active layer 62 is formed on the uneven surface 60 </ b> S of the first electrode 60. That is, in the example shown in FIG. 4B, the conductive organic layer 62A having a film thickness that flattens the uneven surface 60S is formed on the uneven surface 60S of the first electrode 60 by a selective coating method. That is, a liquid material made of a polymer organic material having a hole transport function is sprayed toward the first electrode 60 to apply a sufficient amount, and then a drying process is performed to remove the solvent contained in the liquid material. As a result, a conductive organic layer 62A having a non-uniform film thickness distribution and a substantially flat surface is formed.

その後、図4Cに示すように、選択塗布法または蒸着法により導電性有機層62A上に発光層62Bを成膜する。これにより、略均一な膜厚分布を有する発光層62Bが形成される。   Thereafter, as shown in FIG. 4C, a light emitting layer 62B is formed on the conductive organic layer 62A by selective coating or vapor deposition. Thereby, the light emitting layer 62B having a substantially uniform film thickness distribution is formed.

そして、この有機活性層62の実質的に平坦な表面に第2電極64を形成する。これにより、図2に示した構造の有機EL素子40が形成される。   Then, the second electrode 64 is formed on the substantially flat surface of the organic active layer 62. Thereby, the organic EL element 40 having the structure shown in FIG. 2 is formed.

一方で、図4Dに示す例では、蒸着法により第1電極60の凹凸面60S上に導電性有機層62Aを成膜する。これにより、略均一な膜厚分布を有する導電性有機層62Aが形成される。つまり、導電性有機層62Aの表面は、凹凸面60と同等の起伏を有している。   On the other hand, in the example shown in FIG. 4D, the conductive organic layer 62A is formed on the uneven surface 60S of the first electrode 60 by vapor deposition. Thereby, the conductive organic layer 62A having a substantially uniform film thickness distribution is formed. That is, the surface of the conductive organic layer 62 </ b> A has undulations equivalent to the uneven surface 60.

その後、図4Eに示すように、選択塗布法により導電性有機層62A上に、凹凸面60Sを平坦化するような膜厚の発光層62Bを成膜する。つまり、発光機能を有する高分子系有機材料からなる液状材料を導電性有機層62Aに向けて噴射して十分な量を塗布した後、乾燥処理を行って液状材料に含まれる溶媒を除去する。これにより、不均一な膜厚分布を有し且つ表面が略平坦な発光層62Aが形成される。   Thereafter, as shown in FIG. 4E, a light emitting layer 62B having a film thickness that flattens the uneven surface 60S is formed on the conductive organic layer 62A by a selective coating method. That is, a liquid material made of a polymer organic material having a light emitting function is sprayed toward the conductive organic layer 62A to apply a sufficient amount, and then a drying process is performed to remove the solvent contained in the liquid material. Thereby, the light emitting layer 62A having a non-uniform film thickness distribution and a substantially flat surface is formed.

そして、この有機活性層62の実質的に平坦な表面に第2電極64を形成する。これにより、図3に示した構造の有機EL素子40が形成される。   Then, the second electrode 64 is formed on the substantially flat surface of the organic active layer 62. Thereby, the organic EL element 40 having the structure shown in FIG. 3 is formed.

このようにして製造した有機EL表示装置によれば、観察方向にかかわらず略一定の色で均一に発光することが確認された。   It was confirmed that the organic EL display device manufactured in this way uniformly emitted light with a substantially constant color regardless of the viewing direction.

なお、発明者等は、観察方向によるカラーシフトについて検証した。すなわち、白表示状態での視角の増大に伴う色度の変化を測定した。この測定においては、CIE 1976 UCS色度図を用いて色度を表した。画面の法線方向から観察した場合の色度と、法線に対して80°の視角方向から観察した場合の色度との色度差を|Δv’|及び|Δu’|としたとき、図2に示した第1実施形態に係る有機EL素子については、|Δv’|が0.015であり、また、|Δu’|が0.013であった。また、図3に示した第2実施形態に係る有機EL素子については、|Δv’|が0.017であり、また、|Δu’|が0.015であった。   The inventors verified the color shift according to the viewing direction. That is, a change in chromaticity accompanying an increase in viewing angle in the white display state was measured. In this measurement, chromaticity was expressed using the CIE 1976 UCS chromaticity diagram. When the chromaticity difference between the chromaticity observed from the normal direction of the screen and the chromaticity observed from the viewing angle direction of 80 ° with respect to the normal is represented by | Δv ′ | and | Δu ′ | For the organic EL device according to the first embodiment shown in FIG. 2, | Δv ′ | was 0.015, and | Δu ′ | was 0.013. Further, in the organic EL element according to the second embodiment shown in FIG. 3, | Δv ′ | was 0.017 and | Δu ′ | was 0.015.

カラーシフトが視認されにくいとされる指標は、|Δv’|が0.02以下であり、また、|Δu’|が0.02以下であるので、本実施の形態によれば、十分にカラーシフトが抑制され、良好な表示品位が得られることを確認できた。   The indicators that the color shift is less likely to be visually recognized are | Δv ′ | is 0.02 or less and | Δu ′ | is 0.02 or less. It was confirmed that the shift was suppressed and good display quality was obtained.

なお、この発明は、上記実施形態そのままに限定されるものではなく、その実施の段階ではその要旨を逸脱しない範囲で構成要素を変形して具体化できる。また、上記実施形態に開示されている複数の構成要素の適宜な組み合せにより種々の発明を形成できる。例えば、実施形態に示される全構成要素から幾つかの構成要素を削除してもよい。更に、異なる実施形態に亘る構成要素を適宜組み合せてもよい。   Note that the present invention is not limited to the above-described embodiment as it is, and can be embodied by modifying the components without departing from the gist of the invention in the stage of implementation. Further, various inventions can be formed by appropriately combining a plurality of constituent elements disclosed in the embodiment. For example, some components may be deleted from all the components shown in the embodiment. Furthermore, you may combine suitably the component covering different embodiment.

図1は、この発明の一実施の形態に係る有機EL表示装置の構成を概略的に示す図である。FIG. 1 is a diagram schematically showing a configuration of an organic EL display device according to an embodiment of the present invention. 図2は、図1に示した有機EL表示装置を切断したときの第1実施形態に係る有機EL素子の構造を概略的に示す断面図である。FIG. 2 is a cross-sectional view schematically showing the structure of the organic EL element according to the first embodiment when the organic EL display device shown in FIG. 1 is cut. 図3は、図1に示した有機EL表示装置を切断したときの第2実施形態に係る有機EL素子の構造を概略的に示す断面図である。FIG. 3 is a cross-sectional view schematically showing the structure of the organic EL element according to the second embodiment when the organic EL display device shown in FIG. 1 is cut. 図4Aは、有機EL素子を形成するための製造工程を説明するための図であり、第1電極を形成する工程を説明するための図である。FIG. 4A is a diagram for explaining a manufacturing process for forming an organic EL element, and is a diagram for explaining a process of forming a first electrode. 図4Bは、有機EL素子を形成するための製造工程を説明するための図であり、第1実施形態に係る有機EL素子の導電性有機層を成膜する工程を説明するための図である。FIG. 4B is a diagram for explaining a manufacturing process for forming the organic EL element, and is a diagram for explaining a process of forming a conductive organic layer of the organic EL element according to the first embodiment. . 図4Cは、有機EL素子を形成するための製造工程を説明するための図であり、第1実施形態に係る有機EL素子の発光層を成膜する工程を説明するための図である。FIG. 4C is a diagram for explaining a manufacturing process for forming the organic EL element, and is a diagram for explaining a process of forming a light emitting layer of the organic EL element according to the first embodiment. 図4Dは、有機EL素子を形成するための製造工程を説明するための図であり、第2実施形態に係る有機EL素子の導電性有機層を成膜する工程を説明するための図である。FIG. 4D is a diagram for explaining a manufacturing process for forming the organic EL element, and is a diagram for explaining a process of forming a conductive organic layer of the organic EL element according to the second embodiment. . 図4Eは、有機EL素子を形成するための製造工程を説明するための図であり、第2実施形態に係る有機EL素子の発光層を成膜する工程を説明するための図である。FIG. 4E is a diagram for explaining a manufacturing process for forming the organic EL element, and is a diagram for explaining a process of forming a light emitting layer of the organic EL element according to the second embodiment.

符号の説明Explanation of symbols

PX…画素 Ym…走査線 Xn…信号線 P…電源供給線
1…有機EL表示装置 10…画素スイッチ 20…駆動トランジスタ 30…蓄積容量素子 40…有機EL素子 60…第1電極 60S…凹凸面 62…有機活性層 62A…導電性有機層 62B…発光層 64…第2電極
70…隔壁 100…アレイ基板 120…配線基板 200…封止体
PX ... Pixel Ym ... Scanning line Xn ... Signal line P ... Power supply line 1 ... Organic EL display device 10 ... Pixel switch 20 ... Drive transistor 30 ... Storage capacitor element 40 ... Organic EL element 60 ... First electrode 60S ... Uneven surface 62 ... Organic active layer 62A ... Conductive organic layer 62B ... Light emitting layer 64 ... Second electrode 70 ... Partition 100 ... Array substrate 120 ... Wiring substrate 200 ... Sealing body

Claims (11)

散乱能を有し、凹凸面を備えた第1電極と、
前記第1電極の凹凸面上に配置された有機活性層と、
前記有機活性層上に配置された第2電極と、を備え、
前記有機活性層は、
発光層と、
発光層と凹凸面との間に配置され、凹凸面を平坦化するような膜厚に形成された導電性有機層と、を含むことを特徴とする表示装置。
A first electrode having scattering ability and having an uneven surface;
An organic active layer disposed on the uneven surface of the first electrode;
A second electrode disposed on the organic active layer,
The organic active layer is
A light emitting layer;
A display device comprising: a conductive organic layer disposed between the light emitting layer and the concavo-convex surface and having a thickness that flattens the concavo-convex surface.
散乱能を有し、凹凸面を備えた第1電極と、
前記第1電極の凹凸面上に配置された有機活性層と、
前記有機活性層上に配置された第2電極と、を備え、
前記有機活性層は、
凹凸面を平坦化するような膜厚に形成された発光層と、
発光層と凹凸面との間に配置され、凹凸面に沿う膜厚に形成された導電性有機層と、を含むことを特徴とする表示装置。
A first electrode having scattering ability and having an uneven surface;
An organic active layer disposed on the uneven surface of the first electrode;
A second electrode disposed on the organic active layer,
The organic active layer is
A light emitting layer formed to have a film thickness that flattens the uneven surface;
A display device comprising: a conductive organic layer disposed between the light emitting layer and the concavo-convex surface and having a film thickness along the concavo-convex surface.
散乱能を有し、凹凸面を備えた第1電極と、
前記第1電極の凹凸面上に配置された有機活性層と、
前記有機活性層上に配置された第2電極と、を備え、
前記有機活性層は、発光層を含み、凹凸面から発光層までの膜厚について、凹凸面の凸部に対応して第1膜厚を有するとともに、凹凸面の凹部に対応して第1膜厚よりも厚い第2膜厚を有することを特徴とする表示装置。
A first electrode having scattering ability and having an uneven surface;
An organic active layer disposed on the uneven surface of the first electrode;
A second electrode disposed on the organic active layer,
The organic active layer includes a light emitting layer, and has a first film thickness corresponding to the convex portion of the concave and convex surface and a first film corresponding to the concave portion of the concave and convex surface with respect to the film thickness from the concave and convex surface to the light emitting layer A display device having a second film thickness greater than the thickness.
前記凹凸面の底部から頂部までの長さは、0.3μm以上3.0μm以下であることを特徴とする請求項1乃至3のいずれか1項に記載の表示装置。   4. The display device according to claim 1, wherein a length from a bottom portion to a top portion of the uneven surface is not less than 0.3 μm and not more than 3.0 μm. 前記凹凸面の隣接する凸部間のピッチは、20μm以下であることを特徴とする請求項1乃至3のいずれか1項に記載の表示装置。   The display device according to claim 1, wherein a pitch between adjacent convex portions of the uneven surface is 20 μm or less. 前記導電性有機層の膜厚は、前記凹凸面の底部から頂部までの長さより大きいことを特徴とする請求項1に記載の表示装置。   The display device according to claim 1, wherein a film thickness of the conductive organic layer is larger than a length from a bottom portion to a top portion of the uneven surface. 前記発光層の膜厚は、前記導電性有機層の膜厚より小さいことを特徴とする請求項1に記載の表示装置。   The display device according to claim 1, wherein a thickness of the light emitting layer is smaller than a thickness of the conductive organic layer. 前記発光層の膜厚は、前記凹凸面の底部から頂部までの長さより大きいことを特徴とする請求項2に記載の表示装置。   The display device according to claim 2, wherein a thickness of the light emitting layer is larger than a length from a bottom portion to a top portion of the uneven surface. 前記発光層の膜厚は、前記導電性有機層の膜厚より大きいことを特徴とする請求項2に記載の表示装置。   The display device according to claim 2, wherein a thickness of the light emitting layer is larger than a thickness of the conductive organic layer. 散乱能を有し、凹凸面を備えた第1電極を形成する工程と、
前記第1電極の凹凸面上に有機活性層を形成する工程と、
前記有機活性層上に第2電極を形成する工程と、を備え、
前記有機活性層を形成する工程は、
前記第1電極の凹凸面上において、選択塗布法により凹凸面を平坦化するような膜厚の導電性有機層を成膜する工程と、
選択塗布法または蒸着法により前記導電性有機層上に発光層を成膜する工程と、を含むことを特徴とする表示装置の製造方法。
Forming a first electrode having scattering power and having an uneven surface;
Forming an organic active layer on the irregular surface of the first electrode;
Forming a second electrode on the organic active layer,
The step of forming the organic active layer includes:
Forming a conductive organic layer having a film thickness so as to flatten the uneven surface by selective coating on the uneven surface of the first electrode;
And a step of forming a light emitting layer on the conductive organic layer by a selective coating method or a vapor deposition method.
散乱能を有し、凹凸面を備えた第1電極を形成する工程と、
前記第1電極の凹凸面上に有機活性層を形成する工程と、
前記有機活性層上に第2電極を形成する工程と、を備え、
前記有機活性層を形成する工程は、
蒸着法により前記第1電極の凹凸面上に導電性有機層を成膜する工程と、
選択塗布法により前記導電性有機層上に凹凸面を平坦化するような膜厚の発光層を成膜する工程と、を含むことを特徴とする表示装置の製造方法。
Forming a first electrode having scattering power and having an uneven surface;
Forming an organic active layer on the irregular surface of the first electrode;
Forming a second electrode on the organic active layer,
The step of forming the organic active layer includes:
Forming a conductive organic layer on the concavo-convex surface of the first electrode by vapor deposition;
Forming a light emitting layer having a film thickness so as to flatten the uneven surface on the conductive organic layer by a selective coating method.
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