KR20140064988A - 광학 절연체를 포함하는 집적 광학 구조체 - Google Patents

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Abstract

집적 광학 구조체는 광자기 층을 구비하는 적어도 하나의 광학 절연체(1)를 포함하며, n-도핑된 반도체 층, p-도핑된 반도체 층 및 상기 n-도핑된 반도체 층과 상기 p-도핑된 반도체 층 사이에 배치된 활성 영역을 구비하는 도파관(6)을 포함하는 적어도 하나의 SOA 광학 증폭기(10)와 관련이 있다. 광학 절연체(1)는 SOI 베이스(2)와 SOA 광학 증폭기 도파관(6) 사이에 배치된다. 광학 절연체의 광자기 층(16)은 하부 절연 층(15)과 상부 절연 층(14) 사이에 배치된다. 광학 절연체의 광자기 층(16)은 Fe-Co 금속성 합금과 같은 강자성 금속성 재료의 층 또는 자기 산화물 층일 수 있다. 광학 장치는 적어도 하나의 집적 광학 구조체를 포함한다.

Description

광학 절연체를 포함하는 집적 광학 구조체{INTEGRATED OPTICAL STRUCTURE COMPRISING AN OPTICAL ISOLATOR}
본 출원은 2011년 10월 20일자로 출원된 프랑스 특허 출원 제 11,59,501 호에 기초한 것이며, 이 특허 출원의 개시내용은 전체적으로 본원에 인용되며, 이 특허 출원의 우선권은 35 U.S.C.§119하에서 주장된다.
본 발명은 광전자 부품 그리고 특히 집적 회로 또는 PIC와 같은 광학 장치에 집적화되도록 의도된 광학 절연체에 관한 것이다. 이들 장치는 고속 디지털 통신의 분야에서 많이 사용된다. 또한, 본 발명은 이러한 광학 절연체를 제조하는 방법에 관한 것이다.
광학 절연체는 한 방향에서 고감쇠 그리고 대향 방향에서 저감쇠를 갖는 비가역 수동 장치이며, 이것은 단지 한 방향에서는 광을 전송하지만, 광이 대향 방향에서 전파되는 것을 방지한다. 이러한 이유 때문에, 광학 절연체는 광섬유 전송에서 특히 고속으로 반사된 그리고 기생 광 비임의 부정적인 영향을 제거하기 위한 기본적인 요소이다.
오늘날, 상품들은 그들의 칩으로 집적화된 임의의 광학 절연체를 포함하지 않는다. 광전자 부품, 특히 광집적 회로 또는 PIC의 제조자들은 해결책을 기다린다. 이하의 설명에 있어서, 용어 "집적 부품(integrated component)"은 장치에 모놀리식으로 통합된 부품을 가리키며, 장치 부품을 공유하는 기판에 의해 지지된 부품을 의미한다.
2개 형태의 광학 절연체가 연구되었다. 제 1 형태의 광학 절연체는 광학 절연체로서 작용할 수 있도록 비가역 광학 효과를 시행하며, 그 중 가장 알려진 것은 패러데이(Faraday) 효과이다. 외측 자계에 가해질 때, 광자기 재료로서 공지된 몇몇 재료들은 광의 극성 방향을 변경한다. 이러한 제 1 형태의 광학 절연체는 통상적으로 (ⅰ) 패러데이 효과를 갖는 자기 가네트 결정, (ⅱ) 규정된 자계를 적용하기 위한 영구 자석, 및 (ⅲ) 극성의 주어진 방향(입사광)을 갖는 광만이 관통되게 허용하는 반면에 입사광의 것과 직교하는 극성의 방향을 갖는 광의 통과를 차단하는 편광 요소들로 구성된다. 이러한 제 1 형태의 광학 절연체는, 그 집적 버전이 입수되지 않는 다중 부품을 필요로 하기 때문에, 광학 장치에 집적되기 어렵다.
제 2 형태의 광학 절연체는 흡수 광학 절연체이며, 이 절연체의 복소 광학 지수는 비가역적이다. 자계의 존재시에, 철-코발트 금속 합금과 같은 몇몇 강자성 재료의 광학 지수는 광이 전파되는 방향에 따라 좌우된다. 전파 방향에 따라서, 결과적으로 광은 보다 감쇠되거나 덜 감쇠될 것이다. 이러한 제 2 형태의 광학 절연체는 특히 반도체 레이저 공급원을 포함하는 광학 장치에 집적화되기에 매우 적합하다.
이러한 제 2 형태의 광학 절연체에 있어서, 강자성 금속은 입사 방향을 포함해서 종종 20dB 이상의 높은 광학 파워 손실을 유도한다. 따라서, 반도체 광학 증폭기 또는 SOA는 이들 광학 파워 손실에 대해서 상쇄하기 위해서 또한 집적화되어야 한다. 따라서, SOA에 의해 제공된 광학 신호의 증폭은 입사광 전파의 제 1 방향에 있어서 강자성 재료의 광학 파워 손실을 상쇄하는 것이 가능하게 한다. 전파의 반대 방향에 있어서, 강자성 재료의 감쇠는 광이 역방향 이동하는 유지하기 위해서 우세하게 유지된다.
이러한 제 2 형태의 광학 절연체는, (ⅰ) n-도핑된 반도체 재료 층, (ⅱ) 둘러싸는 층들보다 큰 광학 지수를 갖는 증폭 활성 부분, 및 (ⅲ) p-도핑된 반도체 재료 층의 적층체로 제조된 광학 증폭기 SOA를 통상적으로 포함한다. 광학 절연체를 집적화하기 위해서, 강자성 금속은 SOA의 도파관의 상부 또는 측면들 상에 침착될 수 있다.
강자성 금속이 SOA의 도파관의 상부 상에 침착된 경우에, 광학 신호의 전파 모드는 강자성 금속과 상호 작용할 필요가 있기 때문에, 스트립의 높이는 매우 임계적이다. 이것은 도파관의 두께가 증폭 활성 층으로부터 강자성 금속을 분리하는 거리를 결정하기 때문이다. 이러한 경우에, 종종 InGaAs 3원 반도체 재료로 제조된 전기 접촉 층들 그리고 도파관 위에 위치된 전기 접촉 이송 금속성 층 양자로 인한 상당한 광학 파워 손실이 있을 수 있다.
강자성 금속이 SOA의 도파관의 층면들상에 침착된다면, 일반적으로 침착 단계들에 이어서 에칭 단계들이 실행되는 강자성 금속 층 침착 조작은 매우 임계적인 조작이다. 에칭에 의해 재료를 제거하는 단계는 이러한 형태의 광학 절연체에서 실행하기가 매우 곤란하게 되어 간다.
본 발명의 목적은 종래 기술에서 공지된 이러한 형태의 광학 절연체의 단점을 나타내지 않는 제 2 형태의 광학 절연체를 포함하는 집적 광학 구조체를 제공하는 것이다.
본 발명의 다른 목적은, 특히 SOA 광학 증폭기의 파워 소비의 감소에 기여하는 광학 파워 손실의 감소에 의해 그 성능이 개선되는 광학 절연체를 포함하는 집적 광학 구조체를 제공하는 것이다.
본 발명의 다른 목적은 제조하기 쉽고 비용이 저렴한 광학 절연체를 포함하는 집적 광학 구조체를 제공하는 것이다.
본 발명의 목적은,
n-도핑된 반도체 층, p-도핑된 반도체 층, 및 n-도핑된 반도체 층과 p-도핑된 반도체 층 사이에 배치된 활성 영역을 구비하는 도파관을 포함하는 적어도 하나의 SOA 광학 증폭기와,
SOI 베이스와 SOA 광학 증폭기의 도파관 사이에 배치되며, 광자기 층을 구비하는 적어도 하나의 광학 절연체를 포함하며,
SOA 광학 증폭기는 광학 절연체와 관련되어 있으며,
광자기 층은 하부 절연 층과 상부 절연 층 사이에 배치되는, 집적 광학 구조체를 제공하는 것이다.
광학 절연체의 집적 광학 구조체는 "SOI(Silicon On Isolator) 상의 Ⅲ-V"로 불리는 실리콘계 기판 상에 Ⅲ-V 반도체 재료를 집적하는 하이브리드 기술을 이용한다. 현재의 상황에서, 종래 기술에서와 같이 Ⅲ-V 반도체 도파관의 상부 또는 측면상에 광자기 층을 갖게 하는 대신에, 이제 광자기 층은 도파관의 활성 영역 아래에 배치된다.
일 실시예에 따르면, 광학 절연체의 광자기 층은 강자성 금속성 재료의 층이다. 강자성 재료들은 철, 코발트, 니켈, Fe-계 합금(특히 페라이트) 및/또는 Co, 및 Cu2MnAl, Cu2MnIn, Cu2MnSn 등과 같은 화학식 X2YZ를 갖는 HEUSLER 합금들을 포함한다. 바람직하게, 광학 절연체의 광자기 층은 등원자 조성 Fe50Co90을 갖는 금속 합금 층이다.
다른 실시예에 따르면, 광학 절연체의 광자기 층은 자기 산화물 층(가네트, 페로브스카이트 등등)이다.
제 1 실시형태에 따르면, 상부 절연 층 및 하부 절연 층은 실리콘 질화물(SixNy) 및 실리콘 산화물(SiOx) 중에서 선택된 절연 재료로 제조된다.
제 2 실시형태에 따르면, 도파관의 n-도핑된 반도체 층 및 p-도핑된 반도체 층은 Ⅲ-V족의 반도체 재료, 특히 인화 인듐(InP) 또는 갈륨 비소(GaAs)로 제조된다.
제 3 실시형태에 따르면, 도파관의 활성 영역은 다중 양자 우물(Mutiple Quantum Well)의 구조체를 포함한다.
본 발명의 다른 목적은 상술한 바와 같은 적어도 하나의 집적 광학 구조체를 포함하는 광학 장치로서, 적어도 하나의 광학 절연체 및 적어도 하나의 SOA 광학 증폭기를 포함하는 광학 장치를 제공하는 것이다.
본 발명의 다른 목적은 상술한 집적 광학 구조체를 구성하는 방법을 제공하는 것이다. 이 방법은 하기의 단계:
절연 재료의 제 1 층이 SOI 베이스 상에 침착되며,
광자기 층이 절연 재료의 제 1 층상에 침착되며,
절연 재료의 제 2 층이 광자기 층 상에 침착되며,
반도체 다이가 절연 재료의 제 2 층에 고정되며,
상기 반도체 다이는 광 도파관을 형성하도록 처리되는 것을 포함한다.
바람직하게, 광자기 층은 음극 용사 방법에 의해 침착된다.
바람직하게, 광자기 층은 광자기 효과를 증가시키는 것이 가능하게 하는 구조를 제공하도록 에칭된다.
일 변형예에 따르면, 방법은 CMP 방법을 이용하여 절연 재료의 층의 표면을 평활화하도록 의도되는 적어도 하나의 공정을 포함한다.
본 발명은 몇가지 장점을 갖고 있다:
이제 광자기 층으로부터 분리된 증폭 활성 영역 내로 전류를 가하여, 광자기 층의 최적화와 독립되어 최적화되게 하며;
광학 장치를 제조하는 기술이 SOI 하이브리드 집적상의 Ⅲ-V에 의거하며, 그로 인해 절연체의 제조가 종래 기술에 비해서 매우 쉽고, 이에 의해 광학 절연체가 실리콘 PIC 광집적 회로에 사용될 수 있다는 것이다.
본 발명은 광전자 부품 제조자, 특히 PIC 광집적 회로에 의해 사용되는 것으로 의도된다.
본 발명의 다른 특징 및 이점은 본래 비제한적인 실시예로 제공되는 일 실시예의 하기 설명을 읽으면 더욱 명확해지면, 첨부 도면은 하기와 같다.
도 1은 광학 절연체를 포함하는 집적 광학 구조체의 일 실시예의 측방향 사시도이다.
도 2a 및 도 2b는 광학 절연체를 포함하는 집적 광학 구조체의 다른 실시예의 각각 평면도 및 측면도이다.
도 3은 광학 절연체를 포함하는 집적 광학 구조체를 형성하는 방법을 개략적으로 도시하는 도면이다.
본래, 이들 도면은 단지 본 발명을 설명하기 위한 것이며, 도시된 다양한 요소들의 치수는 반드시 축척으로 도시한 것이다.
도 1은 SOI 상의 하이브리드 기술 Ⅲ-V에 의해 형성된 광학 절연체를 포함하는 집적 광학 구조체를 도시한 것이다. SOI 기술은, 실리콘(Si)의 반도체의 얇은 상부 층과 실리콘(Si)의 반도체의 두꺼운 하부 층 사이에, SiO2와 같은 실리콘 산화물(SiOx)의 전기적으로 절연의 층을 삽입하는 것으로 구성되며, 조립체는 SOI 베이스를 구성한다.
광학 절연체(1)는 SOI 베이스(2) 상에 집적화되며, 상기 SOI 베이스(2)는, 예를 들면 실리카(SiO2)와 같은 실리콘 산화물(SiOx)로 제조된 절연 층(4)에 의해 커버된 결정 실리콘(Si) 층(3) 또는 임의의 다른 반도체의 기판을 포함하며, 상기 절연 층(4)은 제 2 결정 실리콘(Si) 층(5)으로 덮여 있다. 전형적으로, 실리콘 층들의 두께는 최대 0.5㎛이며, 실리콘 산화물 층의 두께는 약 2㎛이다.
광학 절연체(1)는 광학 도파관(6)과 결합되며, 상기 광학 도파관(6)은, 예를 들면 인화 인듐(InP)계의 것과 같은 반도체 하부 n-도프형 Ⅲ-V 층(7), 활성 영역(8), 및 예를 들면 또한 인화 인듐(InP)계의 것과 같은 반도체 하부 n-도프형 Ⅲ-V 층(9)의 적층체로 제조된다. 특히, 반도체 재료 Ⅲ-V는 인화 인듐(InP) 또는 갈륨 비소(GaAs)일 수 있다. 활성 영역(8)은 예를 들면 MQW(Mutiple Quantum Wells : 다중 양자 우물구조) 구조체를 포함한다.
SOA(10)는, 예를 들면 InGaAs 3원 반도체 재료로 제조된 상부 전기 접촉 층(11)으로 덮여 있는, 반도체 다중층 구조체의 도파관(6)을 포함한다. 상부 전기 접촉 층(11) 자체는 금속성 필름(12)으로 싸여 있으며, 상기 금속성 필름은 금속성 접점을 통해 전류가 SOA 증폭 반도체 구조체의 활성 층 내로 주입되는 것을 가능하게 한다. 이러한 경우에, 하부 반도체 층(7)은 SOA 광학 증폭기(10)용의 하부 전기 접촉 층의 역할을 수행한다. 다음에, 금속성 층(13)은 하부 반도체 층(7) 상에 고정되어 전류가 계속 흐르게 한다. 이에 의해, 다중 양자 우물구조를 갖는 SOA 반도체 광학 증폭기 구조체 내로 전류를 주입함으로써 광학 손실이 보상될 수 있다.
광학 절연체(1)는 예를 들면 Si3N4와 같은 실리콘 질화물(SixNy) 또는 실리콘 산화물(SiOx)로 제조된 것인 상부 절연 층(14) 및 하부 절연 층(15)을 포함한다. 바람직하게, 절연 층은 SiO2로 제조된다. 강자성 재료들의 광자기 층(16)은 상부 절연 층(14)과 하부 절연 층(15) 사이에 끼워진다. 광자기 층(16)은, 예를 들면 철-코발트(Fe:Co) 금속 합금과 같은 강자성 금속들을 포함하며, 철의 원자 비율은 50%와 90% 사이이며, 바람직하게 금속 합금은 등원자 조성 Fe50Co90이다. 광자기 층(16)은 광 도파관(6) 내에서 전파되는 광파(17)의 감쇠를 야기한다. 강자성의 금속성 광자기 층(16)은 광학 신호가 전파되는 방향에 직교하여 자화된다. 여기에서, 광자기 층(16)은 침착 단계들에 이어서 에칭의 단계들로 구성되는 방법에 의해 구성되어, 강자성 금속성 합금[Fe:Co]으로 제조된 광자기 층(16)이 결정된 표면을 차지하게 한다. Ⅲ-V 반도체를 갖는 도파관(6)을 포함하는 SOA 광학 증폭기(10)는 광 증폭을 얻는 것을 가능하게 하는 반면에, 강자성 금속(16)은 굴절률 또는 비가역 손실을 유도하여 광학 절연체로서 작용하게 한다.
이러한 실시예에 있어서, 도파관의 폭은 예를 들면 5㎛ 내지 2㎛로 다양할 수 있다. 예를 들어 강자성 금속성 합금[Fe:Co]인 광자기 층(16)은 30㎚와 150㎚ 사이의 두께를 갖고 있는 것이 바람직하며, 광자기 층(16) 위에 위치되고 그리고 광자기 층(16)과 접촉되는 예를 들어 실리카(SiO2)로 제조된 상부 절연 층(14) 및 하부 절연 층(15)은 약 30㎚의 두께를 갖고 있다.
여기에서 Ⅲ-V 반도체에 의거한 광 도파관(6)은 SOI 기술을 이용하여 구성된 베이스(2) 상에 집적화된 광학 절연체(1)와 Ⅲ-V 반도체 사이의 결합을 허용하는 전형적인 층형 구조체를 갖고 있다. 그러나, TM 모드("Transverse Magnetic", 강자성 금속의 손실 및 굴절률이 비가역적인 모드)와 금속성 광자기 층(16)(광자기 층(16)에서 모드 제한 인자의 0.5% 이상을 가짐) 사이의 충분한 결합을 갖게 하기 위해서, 매우 좁은 Ⅲ-V 도파관(6)(2㎛ 이하의 폭)을 구성하거나 또는 Ⅲ-V 재료의 층형 수직방향 구조를 변경할 필요가 있다.
Ⅲ-V 재료의 층형 수직방향 구조체가 변경되지 않는다면, 도 2a 및 도 2b에 도시된 바와 같은 도파관 구조체가 있다. 이러한 구조체는 증폭기의 2개의 말단 영역(20A, 20B)을 포함하며, 여기에서 Ⅲ-V 도파관은 전형적으로 2㎛의 두께를 갖고 있다. 또한, 구조체는 중앙 절연체 영역(21)을 포함하며, 이 영역의 폭은 약 0.5㎛이다. 마지막으로, 구조체는 2개의 중간 영역(22A, 22B)을 포함하며, 이 영역의 2개의 원뿔체는 절연체와 증폭기 영역 사이의 전이를 가능하게 한다. 극단 영역(20A, 20B)에서, 광학 모드는 광학 절연체와 상호 접촉함이 없이 SOA 광학 증폭기 내에서 전파된다. 중앙 절연체 영역(31)에 있어서, 프로파일이 변경되어 있는 광학 모드는 광학 절연체 내에서 부분적으로 전파한다.
광학 절연체의 집적 광학 구조체는, 예를 들어 2개의 광학 장치 사이의 절연을 허용하기 위해서, PIC 광집적 회로 내로 삽입될 수 있다.
또한, 본 발명은 강자성 금속 대신에 광자기 가닛(garnet)(YIG, BIG, Ce:YIG 등등 …)과 같은 자기 산화물로 제조된 광자기 층을 이용하여 광학 절연체 집적 광학 구조체를 구성하도록 사용될 수 있다. 이러한 상황에 있어서, 가닛 층은 베이스 SOI를 커버하는 하부 절연 층상에 침착 또는 고정된다.
집적 광학 구조체를 제조하는 방법이 도 3에 개략적으로 도시되어 있다. 광자기 층의 성질과 무관하게, 집적 광학 구조체의 구성은 유사한 방법으로 진행된다.
이것은 SOI 베이스(30)를 형성함으로써 시작된다. 다음에, 제 1 침착 단계(40) 동안에, 실리콘 산화물(SiO2)과 같은 절연 물질의 두꺼운 층이 SOI 베이스(30)의 표면을 커버하도록 SOI 베이스(30) 상에 침착된다. 다음에, 화학적 그리고 기계적 폴리싱 또는 CMP 방법이 조립체에 적용되어 편평한 표면을 형성한다. 이것은 30㎚와 50㎚ 사이의 두께를 갖는 하부 절연 층(31)으로 덮여진 SOI 베이스(30)가 형성된다.
다음에, 광자기 층(32)이, 예를 들면 제 2 침착 단계(41) 동안에 음극 용사 방법에 의해 하부 절연 층(31) 상에 침착된다. 바람직하게, 광자기 층(32)은 광자기 효과를 증가시키는 것이 가능하게 하는 구조를 제공하도록 에칭된다. 이러한 구조체의 일 예는 브래그 격자(Bragg grating)이며, 여기에서 광자기 층은 주기적으로 에칭되어, 광자기 효과가 도파관 영역 내에서 증가되게 한다.
제 3 침착 단계(42)는 에칭된 광자기 층(32)의 위에 예를 들면 실리콘 산화물(SiO2)과 같은 절연 재료의 제 2 층을 침착시켜서 상부 절연 층(33)을 형성하는데 사용된다. 새로운 조립체의 표면은 그 자체가 CMP 방법에 의해 평탄하게 제조된다.
마지막으로, 제 4 단계(43) 동안에, Ⅲ-V 반도체 다이(34)는 광자기 층(32) 위에 침착된 상부 절연 층(33) 위에 고정되며, 예를 들면 강자성 금속 또는 가네트로 제조된 것이다. Ⅲ-V 반도체 다이(34)는 SOA 광 증폭기의 Ⅲ-V 활성 도파관을 형성하도록 처리되며, 이 Ⅲ-V 반도체 다이의 존재로 인해 이러한 종류의 광학 절연체에서의 광학 파워 손실을 상쇄하는 것이 가능하게 된다.

Claims (12)

  1. 집적 광학 구조체에 있어서,
    n-도핑된 반도체 층, p-도핑된 반도체 층, 및 상기 n-도핑된 반도체 층과 상기 p-도핑된 반도체 층 사이에 배치된 활성 영역을 구비하는 도파관을 포함하는 적어도 하나의 SOA 광학 증폭기와,
    SOI 베이스와 SOA 광학 증폭기의 도파관 사이에 배치되며, 광자기 층을 구비하는 적어도 하나의 광학 절연체를 포함하며,
    상기 SOA 광학 증폭기는 상기 광학 절연체와 관련되어 있으며,
    상기 광자기 층은 하부 절연 층과 상부 절연 층 사이에 배치되는
    집적 광학 구조체.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 광학 절연체의 광자기 층은 강자성 금속성 재료의 층인
    집적 광학 구조체.
  3. 제 2 항에 있어서,
    상기 광학 절연체의 광자기 층은 Fe-Co 금속성 합금 층인
    집적 광학 구조체.
  4. 제 1 항에 있어서,
    상기 광학 절연체의 광자기 층은 자기 산화물의 층인
    집적 광학 구조체.
  5. 제 1 항에 있어서,
    상기 상부 절연 층 및 상기 하부 절연 층은 실리콘 질화물(SixNy) 및 실리콘 산화물(SiOx) 중에서 선택된 절연 재료로 제조되는
    집적 광학 구조체.
  6. 제 1 항에 있어서,
    상기 도파관의 상기 n-도핑된 반도체 층 및 상기 p-도핑된 반도체 층은 Ⅲ-V족 반도체 재료로 제조되는
    집적 광학 구조체.
  7. 제 1 항에 있어서,
    상기 도파관의 활성 영역은 다중 양자 우물(Mutiple Quantum Well) 구조체를 포함하는
    집적 광학 구조체.
  8. 제 1 항에 따른 적어도 하나의 집적 광학 구조체를 포함하는 광학 장치에 있어서,
    적어도 하나의 광학 절연체 및 적어도 하나의 SOA 광학 증폭기를 포함하는
    광학 장치.
  9. 제 1 항에 따른 집적 광학 구조체를 구성하는 방법에 있어서,
    절연 재료의 제 1 층이 SOI 베이스 상에 침착되며,
    광자기 층이 절연 재료의 제 1 층상에 침착되며,
    절연 재료의 제 2 층이 광자기 층 상에 침착되며,
    반도체 다이가 절연 재료의 제 2 층에 고정되며,
    상기 반도체 다이는 광 도파관을 형성하도록 처리되는
    집적 광학 구조체 구성 방법.
  10. 제 10 항에 있어서,
    상기 광자기 층은 음극 용사 방법에 의해 침착되는
    집적 광학 구조체 구성 방법.
  11. 제 10 항 또는 제 11 항에 있어서,
    상기 광자기 층은 광자기 효과를 증가시키는 것이 가능하게 하는 구조를 제공하도록 에칭되는
    집적 광학 구조체 구성 방법.
  12. 제 10 항에 있어서,
    화학적 및 기계적 폴리싱 방법을 이용하여 절연 재료의 층의 표면을 평활화하도록 의도되는 적어도 하나의 공정을 포함하는
    집적 광학 구조체 구성 방법.
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