KR20140060236A - Film forming apparatus - Google Patents

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KR20140060236A
KR20140060236A KR1020130133961A KR20130133961A KR20140060236A KR 20140060236 A KR20140060236 A KR 20140060236A KR 1020130133961 A KR1020130133961 A KR 1020130133961A KR 20130133961 A KR20130133961 A KR 20130133961A KR 20140060236 A KR20140060236 A KR 20140060236A
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KR1020130133961A
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신지 쿠보타
오사무 모리타
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도쿄엘렉트론가부시키가이샤
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Abstract

The mixture of steam is avoided between adjacent deposition heads and the reduction of exhaust efficiency is suppressed. A film forming apparatus includes a processing container, a transfer device, a plurality of deposition heads, a partition, and an exhaust device. The processing container dividedly forms the processing chamber for processing a substrate. The transfer device transfers the substrate on a transfer path which is extended in the processing chamber in a preset direction. The deposition heads are arranged in the processing chamber in the preset direction and spray gas including the steam of a deposition material to the film forming surface of the substrate transferred on the transfer path by the transfer device. The exhaust device is connected to each receiving chamber by interposing an exhaust port formed in each receiving chamber and exhaust the surrounding of the deposition head.

Description

성막 장치{FILM FORMING APPARATUS}[0001] FILM FORMING APPARATUS [0002]

본 발명의 다양한 측면 및 실시예는 성막 장치에 관한 것이다.Various aspects and embodiments of the present invention are directed to a deposition apparatus.

최근, 유기 EL(Electro-Luminescence) 소자를 이용한 유기 EL 디스플레이가 주목받고 있다. 유기 EL 디스플레이에 이용되는 유기 EL 소자는 자발광하고, 반응 속도가 빠르며, 소비 전력이 낮다는 등의 특징을 가지고 있기 때문에, 백 라이트를 필요로 하지 않고, 예를 들면 휴대형 기기의 표시부 등에의 응용이 기대되고 있다.Recently, organic EL displays using organic EL (Electro-Luminescence) elements are attracting attention. Since the organic EL element used in the organic EL display has characteristics such as self-luminescence, fast reaction speed, low power consumption, etc., it is possible to provide an organic EL display which does not require a backlight, Is expected.

유기 EL 소자의 성막에는, 기화된 증착 재료의 증기를 공급하여 기판 상에 증착막을 성막하는 성막 장치가 이용되는 경우가 있다. 여기서, 증착 재료는 예를 들면 유기 EL 소자 등의 유기 재료이다. 성막 장치는, 예를 들면 기판을 처리하기 위한 처리실을 구획 형성하는 처리 용기, 처리실에서 기판을 반송하는 반송 기구, 및 기판의 반송 방향을 따라 배치되고, 기판의 피성막면을 향해 증착 재료의 증기를 포함하는 가스를 차례로 분사하는 복수의 증착 헤드 등을 구비한다. 또한, 성막 장치는 처리실을 감압하기 위한 배기 기구 등을 구비한다.A film forming apparatus for forming a vapor deposition film on a substrate by supplying vapor of a vaporized vapor deposition material may be used for forming the organic EL element. Here, the evaporation material is, for example, an organic material such as an organic EL element. The film forming apparatus includes, for example, a processing vessel for partitioning a processing chamber for processing a substrate, a transport mechanism for transporting the substrate in the processing chamber, and a vaporizer for vaporizing the evaporation material toward the film- And a plurality of deposition heads for sequentially injecting a gas including the gas. Further, the film forming apparatus is provided with an exhaust mechanism or the like for decompressing the processing chamber.

그런데 이러한 성막 장치에서는, 인접하는 증착 헤드끼리의 증기의 혼입을 회피하기 위하여, 증착 헤드 간을 격리하는 것이 요구된다. 이 점, 특허문헌 1에는, 소정의 높이를 가지는 구획 벽을 증착 헤드 사이에 설치하고, 이 구획 벽에 의해 인접하는 증착 헤드로부터의 증기를 차폐하는 것이 개시되어 있다.However, in this film formation apparatus, it is required to isolate the deposition heads from each other in order to avoid mixing of vapor between adjacent deposition heads. In this regard, Patent Document 1 discloses that partition walls having a predetermined height are provided between deposition heads, and the vapor from the adjacent deposition heads is shielded by the partition walls.

일본특허공개공보 2012-026041호Japanese Patent Laid-Open Publication No. 2012-026041

그러나 종래 기술에서는, 인접하는 증착 헤드끼리의 증기의 혼입을 회피하면서 배기 효율의 저하를 억제하는 것까지는 고려되어 있지 않다.However, in the prior art, it is not considered to suppress the deterioration of the exhaust efficiency while avoiding mixing of the vapor between the adjacent deposition heads.

즉, 종래 기술과 같이 소정의 높이를 가지는 구획 벽을 증착 헤드 사이에 설치하는 것만으로는, 구획 벽을 넘어 흐르는 증기를 차폐하는 것이 곤란하기 때문에, 인접하는 증착 헤드끼리의 증기의 혼입이 발생할 우려가 있다. 또한 종래 기술에서는, 구획 벽에 의해 배기 기구를 향하는 기체의 흐름이 방해되기 때문에, 증착 헤드의 주위의 배기 효율이 저하될 우려가 있다.In other words, it is difficult to shield the steam flowing over the partition wall only by providing the partition walls having the predetermined height between the deposition heads as in the prior art, so that there is a possibility that the vapor deposition of the adjacent deposition heads may occur . Further, in the prior art, since the flow of gas toward the exhaust mechanism is interrupted by the partition walls, there is a fear that the exhaust efficiency around the deposition head is lowered.

본 발명의 일측면에 따른 성막 장치는, 처리 용기와 반송 기구와 복수의 증착 헤드와 구획 벽과 배기 기구를 구비했다. 처리 용기는, 기판을 처리하기 위한 처리실을 구획 형성한다. 반송 기구는, 상기 처리실에서 소정 방향으로 연장되는 반송 경로 상에서 상기 기판을 반송한다. 복수의 증착 헤드는, 상기 소정 방향을 따라 상기 처리실에 배치되고, 상기 반송 기구에 의해 상기 반송 경로 상에서 반송되는 상기 기판의 성막면을 향해 증착 재료의 증기를 포함하는 가스를 분사한다. 배기 기구는, 각 상기 수용실에 형성된 배기구를 개재하여 각 상기 수용실에 접속되고, 상기 증착 헤드의 주위를 배기한다.A film forming apparatus according to one aspect of the present invention includes a processing vessel, a transport mechanism, a plurality of deposition heads, a partition wall, and an exhaust mechanism. The processing vessel defines a processing chamber for processing the substrate. The transport mechanism transports the substrate on a transport path extending in a predetermined direction in the processing chamber. The plurality of deposition heads are disposed in the processing chamber along the predetermined direction and inject gas containing the vapor of the evaporation material toward the deposition surface of the substrate conveyed on the conveyance path by the conveyance mechanism. An exhaust mechanism is connected to each of the accommodating chambers via an exhaust port formed in each of the accommodating chambers, and exhausts the periphery of the evaporation head.

본 발명의 다양한 측면 및 실시예에 의하면, 인접하는 증착 헤드끼리의 증기의 혼입을 회피하면서 배기 효율의 저하를 억제할 수 있는 성막 장치가 실현된다.According to various aspects and embodiments of the present invention, a film forming apparatus capable of suppressing a decrease in exhaust efficiency while avoiding mixing of vapor between adjacent deposition heads is realized.

도 1은 일실시예에 따른 성막 장치를 모식적으로 도시한 도이다.
도 2는 도 1에 도시한 성막 장치의 P-P 선에서의 단면도이다.
도 3은 도 1에 도시한 성막 장치의 Q-Q 선에서의 단면도이다.
도 4는 진공 펌프에 의한 배기가 정지된 경우의 수용실의 압력의 시간 변동을 나타낸 설명도이다.
도 5는 수용실의 압력과 증착 재료의 성막 레이트와의 대응 관계를 나타낸 도이다.
도 6은 기판을 지지한 스테이지가 정지한 경우의 수용실의 압력과 증착막의 막 두께 분포와의 대응 관계를 나타낸 도이다.
도 7은 수용실의 압력과 증착막의 균일성과의 대응 관계를 나타낸 도이다.
도 8은 수용실의 압력과 수용실에 포함되는 각 성분의 분압과의 대응 관계를 나타낸 도이다.
도 9는 수용실에 포함되는 수분(H2O)의 분압과 증착막의 순도와의 대응 관계를 나타낸 도이다.
도 10은 일실시예에 따른 증착 헤드를 도시한 사시도이다.
도 11은 일실시예에 따른 가스 공급원을 모식적으로 도시한 도이다.
도 12는 일실시예에 따른 성막 장치를 이용하여 제조될 수 있는 유기 EL 소자의 완성 상태의 일례를 도시한 도이다.
도 13a는 일실시예에 따른 성막 장치에 의해 기판에 대하여 성막 처리를 행한 경우의 증착막의 균일성을 나타낸 도이다.
도 13b는 일실시예에 따른 성막 장치에 의해 기판에 대하여 성막 처리를 행한 경우의 증착막의 균일성을 나타낸 도이다.
도 13c는 일실시예에 따른 성막 장치에 의해 기판에 대하여 성막 처리를 행한 경우의 증착막의 균일성을 나타낸 도이다.
도 14는 일실시예에 따른 성막 장치에 의해 기판에 대하여 성막 처리를 행한 경우의 수용실에 포함되는 수분의 분압의 변화를 나타낸 도이다.
도 15는 일실시예에 따른 성막 장치를 이용하여 제조된 유기 EL 소자의 디바이스 특성을 설명하기 위한 설명도이다.BRIEF DESCRIPTION OF DRAWINGS FIG. 1 is a diagram schematically showing a film forming apparatus according to an embodiment. FIG.
Fig. 2 is a cross-sectional view of the film forming apparatus shown in Fig. 1 on the PP line.
3 is a cross-sectional view of the film forming apparatus shown in Fig. 1 taken along the line QQ.
Fig. 4 is an explanatory view showing the time variation of the pressure in the storage chamber when the exhaust of the vacuum pump is stopped. Fig.
5 is a diagram showing the correspondence relationship between the pressure in the storage chamber and the deposition rate of the evaporation material.
6 is a diagram showing the correspondence relationship between the pressure of the chamber and the film thickness distribution of the vapor deposition film when the stage supporting the substrate is stopped.
7 is a diagram showing the correspondence relationship between the pressure in the storage chamber and the uniformity of the vapor deposition film.
8 is a diagram showing a correspondence relationship between the pressure of the storage chamber and the partial pressure of each component contained in the storage chamber.
9 is a diagram showing a correspondence relationship between the partial pressure of water (H 2 O) contained in the storage chamber and the purity of the deposited film.
10 is a perspective view showing a deposition head according to an embodiment.
11 is a view schematically showing a gas supply source according to an embodiment.
12 is a view showing an example of a completed state of an organic EL device which can be manufactured using a film forming apparatus according to an embodiment.
13A is a diagram showing the uniformity of a deposited film when a film is formed on a substrate by a film forming apparatus according to an embodiment.
FIG. 13B is a diagram showing the uniformity of a deposited film when the film forming process is performed on a substrate by the film forming apparatus according to an embodiment.
13C is a diagram showing the uniformity of a deposited film when the film forming process is performed on a substrate by the film forming apparatus according to an embodiment.
FIG. 14 is a graph showing a change in partial pressure of water contained in a storage chamber when a film is formed on a substrate by a film forming apparatus according to an embodiment. FIG.
15 is an explanatory view for explaining device characteristics of an organic EL device manufactured using a film forming apparatus according to an embodiment.

이하에, 도면을 참조하여 다양한 실시예에 대하여 상세히 설명한다. 또한, 각 도면에서 동일 또는 상당의 부분에 대해서는 동일한 부호를 부여하는 것으로 한다.Hereinafter, various embodiments will be described in detail with reference to the drawings. In the drawings, the same or equivalent parts are denoted by the same reference numerals.

본 실시예에 따른 성막 장치는, 하나의 실시예에서, 기판을 처리하기 위한 처리실을 구획 형성하는 처리 용기와, 처리실에서 소정 방향으로 연장되는 반송 경로 상에서 기판을 반송하는 반송 기구와, 소정 방향을 따라 처리실에 배치되고, 반송 기구에 의해 반송 경로 상에서 반송되는 기판의 성막면을 향해 증착 재료의 증기를 포함하는 가스를 분사하는 복수의 증착 헤드와, 각 증착 헤드를 격리하도록 처리실에 세워 설치되고, 반송 경로를 삽입 관통시키면서, 처리실을 각 증착 헤드를 수용하는 복수의 수용실로 구획하는 구획 벽과, 각 수용실에 형성된 배기구를 개재하여 각 수용실에 접속되고, 증착 헤드의 주위를 배기하는 배기 기구를 구비했다.The film forming apparatus according to this embodiment is a film forming apparatus according to one embodiment of the present invention which includes a processing chamber for partitioning a processing chamber for processing a substrate, a transport mechanism for transporting the substrate on a transport path extending in a predetermined direction in the processing chamber, A plurality of deposition heads arranged in the process chamber for spraying a gas containing vapor of an evaporation material toward a film formation surface of a substrate conveyed on a conveyance path by a conveyance mechanism; A partition wall for partitioning the process chamber into a plurality of containing chambers for accommodating the respective deposition heads while inserting the transfer path therethrough; an exhaust mechanism connected to each of the containing chambers via an exhaust port formed in each of the containing chambers, Respectively.

또한 본 실시예에 따른 성막 장치는, 하나의 실시예에서, 배기구는 각 수용실에서 반송 경로에 수직인 방향에서 봤을 때 반송 경로와 중첩되지 않는 위치에 형성되었다.Further, in the film forming apparatus according to this embodiment, in one embodiment, the exhaust port is formed in a position not overlapping with the conveying path when viewed in a direction perpendicular to the conveying path in each containing room.

또한 본 실시예에 따른 성막 장치는, 하나의 실시예에서, 배기구는 각 수용실에서 반송 경로에 수직인 방향에서 봤을 때 소정 방향에 교차하는 방향을 따라 증착 헤드를 사이에 두는 위치에 형성되었다.Further, in the film forming apparatus according to the present embodiment, in one embodiment, the exhaust ports are formed in positions in the respective containing chambers that sandwich the deposition head in a direction crossing a predetermined direction when viewed in a direction perpendicular to the conveying path.

또한 본 실시예에 따른 성막 장치는, 하나의 실시예에서, 증착 헤드로부터 증착 재료의 증기를 포함하는 가스가 분사된 상태에서, 각 수용실의 압력이 분자류에 대응하는 압력 범위 또는 중간류에 대응하는 압력 범위로 설정된다.Further, in the film forming apparatus according to this embodiment, in a state in which gas containing vapor of the evaporation material is ejected from the evaporation head in one embodiment, the pressure in each containing chamber is changed in the pressure range corresponding to the molecular flow or in the middle stream Is set to a corresponding pressure range.

또한 본 실시예에 따른 성막 장치는, 하나의 실시예에서, 증착 헤드로부터 증착 재료의 증기를 포함하는 가스가 분사된 상태에서, 각 수용실의 압력이 3 × 10-3 Pa 이하로 설정된다.Further, in the film forming apparatus according to this embodiment, in one embodiment, the pressure of each containing chamber is set to 3 x 10 < -3 > Pa or less, with the gas containing the vapor of the evaporation material being ejected from the vapor deposition head.

도 1은, 일실시예에 따른 성막 장치를 모식적으로 도시한 도이다. 도 2는, 도 1에 도시한 성막 장치의 P-P 선에서의 단면도이다. 도 3은, 도 1에 도시한 성막 장치의 Q-Q 선에서의 단면도이다. 도 1 ~ 도 3에는, XYZ 직교 좌표계가 나타나 있다. 도 1 ~ 도 3에 도시한 성막 장치(10)는, 기판(S)을 처리하기 위한 처리실(12)을 구획 형성하는 처리 용기(11)와, 기판(S)을 지지하는 스테이지(14)를 구비한다. 기판(S)의 일방의 면(성막면)은 예를 들면 수직 방향(Z 방향)에서 아래를 향하고 있다. 즉, 성막 장치(10)는 페이스 다운형의 성막 장치이다. 스테이지(14)는 기판(S)을 흡착하는 정전 척을 내장해도 된다. 또한 다른 실시예에서는, 성막 장치는 위를 향한 성막면에 증착 재료의 증기를 포함하는 가스를 분사하는 형태, 즉 페이스 업형의 성막 장치여도 된다.BRIEF DESCRIPTION OF DRAWINGS FIG. 1 is a diagram schematically showing a film forming apparatus according to an embodiment. FIG. 2 is a cross-sectional view taken along the line P-P of the film forming apparatus shown in Fig. 3 is a cross-sectional view taken along the line Q-Q of the film forming apparatus shown in Fig. In Figs. 1 to 3, an XYZ orthogonal coordinate system is shown. The film forming apparatus 10 shown in Figs. 1 to 3 includes a processing vessel 11 for partitioning a processing chamber 12 for processing a substrate S and a stage 14 for supporting the substrate S Respectively. One surface (film formation surface) of the substrate S faces downward in the vertical direction (Z direction), for example. That is, the film forming apparatus 10 is a face down type film forming apparatus. The stage 14 may contain an electrostatic chuck for attracting the substrate S. In another embodiment, the film-forming apparatus may be a film-forming apparatus in which a gas containing vapor of an evaporation material is sprayed onto a film-forming surface facing upward, that is, a face-up type film-forming apparatus.

성막 장치(10)는, 증착 재료의 증기를 포함하는 가스(G)를 기판(S)에 분사하는 노즐(18b)을 가지는 증착 헤드(16b)를 구비한다. 성막 장치(10)는 또한 노즐(18b)과 동일한 구조를 가지는 노즐(18a, 18c, 18d)을 각각 가지는 증착 헤드(16a, 16c, 16d)를 구비해도 된다. 노즐(18a, 18c, 18d)로부터는, 노즐(18b)로부터 분출되는 증착 재료와는 다른 증착 재료로서, 또한 서로 상이한 증착 재료를 분출해도 된다. 이에 의해, 기판(S) 상에 복수 종류의 막을 연속적으로 증착시킬 수 있다. 증착 헤드(16a ~ 16d)는 X 방향을 따라 처리실(12)에 나란히 배치되어 있다. 즉 X 방향이 증착 헤드(16a ~ 16d)의 병설 방향이 된다. 증착 헤드(16a ~ 16d)는, 후술하는 구동 장치(22)에 의해 반송 경로 상에서 반송되는 기판(S)의 성막면을 향해 증착 재료의 증기를 포함하는 가스를 순차적으로 분사한다.The deposition apparatus 10 has a deposition head 16b having a nozzle 18b for injecting a gas G containing vapor of an evaporation material onto the substrate S. [ The film forming apparatus 10 may further include deposition heads 16a, 16c and 16d each having nozzles 18a, 18c and 18d having the same structure as the nozzle 18b. From the nozzles 18a, 18c, and 18d, different evaporation materials may be ejected as evaporation materials different from evaporation materials ejected from the nozzles 18b. Thereby, a plurality of kinds of films can be continuously deposited on the substrate (S). The deposition heads 16a to 16d are arranged side by side in the processing chamber 12 along the X direction. That is, the X direction is the direction in which the deposition heads 16a to 16d are juxtaposed. The deposition heads 16a to 16d successively inject gas containing vapor of the evaporation material toward the film formation surface of the substrate S conveyed on the conveyance path by a drive device 22 described later.

각 증착 헤드(16a ~ 16d)는, 분사 방향으로 개구(41a ~ 41d)를 가지는 상자 형상의 설치실(40a ~ 40d)에 각각 설치되어 있다. 각 설치실(40a ~ 40d)은 개구(41a ~ 41d)를 개재하여 처리실(12)과 연통되어 있다.Each of the deposition heads 16a to 16d is provided in box-shaped installation chambers 40a to 40d having openings 41a to 41d in the ejection direction. Each of the installation chambers 40a to 40d communicates with the process chamber 12 via openings 41a to 41d.

증착 헤드(16a ~ 16d)에는, 증착 재료의 증기를 포함하는 가스를 공급하는 가스 공급원(20a ~ 20d)이 각각 접속되어 있다. 예를 들면, 가스 공급원(20b)으로부터는 가스(G)가 증착 헤드(16b)로 공급된다. 노즐(18a ~ 18d)의 선단에는 예를 들면 원형의 분사구가 형성되어 있다. 당해 분사구로부터 증착 재료를 포함하는 가스가 분사된다. 여기서, 가스 공급원(20a ~ 20d)이 각각 상자 형상의 설치실(40a ~ 40d)에 각각 설치되어 있어도 된다.The deposition heads 16a to 16d are connected to gas supply sources 20a to 20d, respectively, for supplying a gas containing vapor of an evaporation material. For example, gas G is supplied from the gas supply source 20b to the deposition head 16b. For example, a circular jet port is formed at the tip of the nozzles 18a to 18d. And a gas containing an evaporation material is jetted from the jetting port. Here, the gas supply sources 20a to 20d may be provided in the box-shaped installation chambers 40a to 40d, respectively.

성막 장치(10)는, Y 방향과 교차하는 X 방향으로 스테이지(14)를 구동하는 구동 장치(22)를 구비한다. 또한, 성막 장치(10)는 복수의 롤러(24)를 더 구비할 수 있다. 롤러(24)는, 처리 용기(11)의 내벽에 회전 가능하게 장착되어 있고, 구동 장치(22)에 의해 회전 구동된다. 스테이지(14)는 롤러(24) 상에 재치(載置)된다. 스테이지(14)는 롤러(24)의 회전에 의해 롤러(24) 상을 이동한다. 이에 의해, 노즐(18a ~ 18d)에 대하여 상대적으로 기판(S)이 X 방향으로 이동한다. 즉, 스테이지(14), 구동 장치(22) 및 롤러(24)는 처리실(12)에서 X 방향으로 연장되는 반송 경로(C) 상에서 기판(S)을 반송한다. 스테이지(14), 구동 장치(22) 및 롤러(24)는 반송 기구의 일례이다. 기판(S)은, X 방향으로 이동함으로써 노즐(18a ~ 18d)의 개구에 차례로 대면 배치되게 된다. 도 1에서의 화살표(A)는 스테이지(14)의 이동 방향을 나타내고 있다. 또한, 성막 장치(10)의 처리 용기(11)는 게이트 밸브(26a 및 26b)를 가지고 있다. 기판(S)은, 처리 용기(11)에 형성된 게이트 밸브(26a)를 통하여 처리실(12) 내로 도입 가능하며, 처리 용기(11)에 형성된 게이트 밸브(26b)를 통하여 처리실(12) 밖으로 반출 가능하다.The film forming apparatus 10 includes a driving device 22 for driving the stage 14 in the X direction crossing the Y direction. In addition, the film forming apparatus 10 may further include a plurality of rollers 24. The roller 24 is rotatably mounted on the inner wall of the processing container 11 and is rotationally driven by the driving device 22. [ The stage 14 is placed on the rollers 24. The stage 14 moves on the roller 24 by the rotation of the roller 24. [ As a result, the substrate S moves in the X direction relative to the nozzles 18a to 18d. That is, the stage 14, the driving device 22 and the rollers 24 carry the substrate S on the conveying path C extending in the X direction in the processing chamber 12. The stage 14, the driving device 22, and the roller 24 are examples of a transport mechanism. The substrate S moves in the X direction to be sequentially disposed on the openings of the nozzles 18a to 18d. The arrow A in Fig. 1 shows the moving direction of the stage 14. Fig. In addition, the processing vessel 11 of the film forming apparatus 10 has gate valves 26a and 26b. The substrate S can be introduced into the processing chamber 12 through the gate valve 26a formed in the processing vessel 11 and can be taken out of the processing chamber 12 through the gate valve 26b formed in the processing vessel 11. [ Do.

성막 장치(10)는 진공 펌프(27c) 및 진공 펌프(27d)를 구비한다. 진공 펌프(27c)는 증착 헤드(16a ~ 16c)를 수용하는 설치실(40a ~ 40c)에 관(12c)을 개재하여 접속되어 있다. 즉, 진공 펌프(27c)는 복수의 설치실에 접속될 수 있다. 설치실(40a)의 저부(底部)에는 개구(50a)가 형성되어 있고, 관(12c)이 접속되어 있다. 마찬가지로, 설치실(40b, 40c)의 저부에는 개구(50b, 50c)가 형성되어 있고, 관(12c)이 접속되어 있다. 즉, 진공 펌프(27c)는 각 설치실(40a ~ 40c)을 감압하는 구성으로 되어 있다. 진공 펌프(27d)는, 증착 헤드(16d)를 설치하는 설치실(40d)에 관(12d)을 개재하여 접속되어 있다. 즉, 진공 펌프(27d)는 단일의 설치실에 접속될 수 있다. 설치실(40d)의 저부에는 개구(50d)가 형성되어 있고, 관(12d)이 접속되어 있다. 즉, 진공 펌프(27d)는 설치실(40d)을 감압하는 구성으로 되어 있다.The film forming apparatus 10 includes a vacuum pump 27c and a vacuum pump 27d. The vacuum pump 27c is connected to the installation chambers 40a to 40c for accommodating the deposition heads 16a to 16c via a pipe 12c. That is, the vacuum pump 27c can be connected to a plurality of installation chambers. An opening 50a is formed in a bottom portion of the installation chamber 40a, and a pipe 12c is connected. Similarly, openings 50b and 50c are formed at the bottom of the installation chambers 40b and 40c, and a pipe 12c is connected. That is, the vacuum pump 27c is configured to decompress the respective installation chambers 40a to 40c. The vacuum pump 27d is connected to the installation chamber 40d through which the evaporation head 16d is provided via the pipe 12d. That is, the vacuum pump 27d can be connected to a single installation chamber. An opening 50d is formed in the bottom of the installation chamber 40d, and a pipe 12d is connected. That is, the vacuum pump 27d is configured to decompress the installation chamber 40d.

각 설치실(40a ~ 40d)은 개구(41a ~ 41d)를 개재하여 처리실(12)과 연통되어 있다. 즉, 진공 펌프(27c)는 개구(41a), 개구(41b), 개구(41c)를 개재하여 처리실(12)과 연통되어 있다. 진공 펌프(27d)는 개구(41d)를 개재하여 처리실(12)과 연통되어 있다. 개구(41a ~ 41d)는 처리실(12)의 내벽으로서, 기판(S)의 성막면과 증착 헤드(16a ~ 16d)와의 사이의 공간(증착 공간)에 노출되도록 형성되어 있다. 배기구(50a ~ 50d)는 성막면으로부터 증착 헤드(16a ~ 16d)의 배치 위치 방향(-Z 방향)으로 봤을 때 반송 경로(C)와 중첩되는 위치가 되는 처리실(12)의 내벽에 형성되어 있다. 여기서, 가스 공급원(20a ~ 20d)은 각각 상자 형상의 설치실(40a ~ 40d)에 각각 수용되어 있어도 된다.Each of the installation chambers 40a to 40d communicates with the process chamber 12 via openings 41a to 41d. That is, the vacuum pump 27c communicates with the processing chamber 12 via the opening 41a, the opening 41b, and the opening 41c. The vacuum pump 27d communicates with the processing chamber 12 via the opening 41d. The openings 41a to 41d are formed on the inner wall of the process chamber 12 so as to be exposed to a space between the deposition surface of the substrate S and the deposition heads 16a to 16d (deposition space). The exhaust ports 50a to 50d are formed on the inner wall of the process chamber 12 which overlaps with the transfer path C when viewed from the deposition surface in the arrangement direction of the deposition heads 16a to 16d . Here, the gas supply sources 20a to 20d may be housed in box-like installation rooms 40a to 40d, respectively.

또한 본 실시예에서는, 처리실(12)에는 각 증착 헤드(16a ~ 16d)를 격리하도록 구획 벽(17)이 세워 설치되어 있다. 구획 벽(17)은 기판(S) 및 스테이지(14)에 대응하는 형상으로 형성된 개구(17a)를 가진다. 구획 벽(17)은 개구(17a)로부터 반송 경로(C)를 삽입 관통시키면서, 처리실(12)을 각 증착 헤드(16a ~ 16d)를 수용하는 복수의 수용실(12a ~ 12d)로 구획하고 있다. 각 수용실(12a ~ 12d)에는 배기구(51a ~ 51d)가 각각 형성되어 있다. 배기구(51a ~ 51d)의 설치 위치의 상세에 대해서는 후술한다.In this embodiment, partition walls 17 are installed in the processing chamber 12 so as to isolate the respective deposition heads 16a to 16d. The partition wall 17 has an opening 17a formed in a shape corresponding to the substrate S and the stage 14. The partition wall 17 divides the process chamber 12 into a plurality of accommodating chambers 12a to 12d for accommodating the respective deposition heads 16a to 16d while allowing the transfer path C to pass through the opening 17a . Exhaust openings 51a to 51d are formed in the respective accommodating chambers 12a to 12d. Details of the installation positions of the exhaust ports 51a to 51d will be described later.

각 수용실(12a ~ 12d)에는 배기구(51a ~ 51d)를 개재하여 진공 펌프(60a ~ 60d)가 접속되어 있다. 즉, 수용실(12a)에는 배기구(51a)를 개재하여 진공 펌프(60a)가 접속되어 있고, 진공 펌프(60a)는 수용실(12a)에 수용된 증착 헤드(16a)의 주위를 배기구(51a)로부터 배기한다. 또한, 수용실(12b)에는 배기구(51b)를 개재하여 진공 펌프(60b)가 접속되어 있고, 진공 펌프(60b)는 수용실(12b)에 수용된 증착 헤드(16b)의 주위를 배기구(51b)로부터 배기한다. 또한, 수용실(12c)에는 배기구(51c)를 개재하여 진공 펌프(60c)가 접속되어 있고, 진공 펌프(60c)는 수용실(12c)에 수용된 증착 헤드(16c)의 주위를 배기구(51c)로부터 배기한다. 또한, 수용실(12d)에는 배기구(51d)를 개재하여 진공 펌프(60d)가 접속되어 있고, 진공 펌프(60d)는 수용실(12d)에 수용된 증착 헤드(16d)의 주위를 배기구(51d)로부터 배기한다. 즉, 진공 펌프(60a ~ 60d)의 작동에 의해, 수용실(12a ~ 12d)의 내부는 개별적으로 소정의 압력으로 감압된다. 진공 펌프(60a ~ 60d)는 배기 기구의 일례이다.Vacuum pumps 60a to 60d are connected to the respective storage chambers 12a to 12d via exhaust ports 51a to 51d. A vacuum pump 60a is connected to the storage chamber 12a via an exhaust port 51a and the vacuum pump 60a is connected to the exhaust port 51a around the deposition head 16a accommodated in the storage chamber 12a. . A vacuum pump 60b is connected to the storage chamber 12b via an exhaust port 51b and the vacuum pump 60b is connected to the exhaust port 51b around the deposition head 16b accommodated in the storage chamber 12b. . A vacuum pump 60c is connected to the storage chamber 12c via an exhaust port 51c and the vacuum pump 60c is connected to the exhaust port 51c around the deposition head 16c accommodated in the storage chamber 12c. . A vacuum pump 60d is connected to the storage chamber 12d through an exhaust port 51d and the vacuum pump 60d is connected to the exhaust port 51d around the deposition head 16d housed in the storage chamber 12d. . That is, by the operation of the vacuum pumps 60a to 60d, the inside of the accommodating chambers 12a to 12d are individually depressurized to a predetermined pressure. The vacuum pumps 60a to 60d are an example of an exhaust mechanism.

여기서, 증착 헤드(16a ~ 16d)로부터 증착 재료의 증기를 포함하는 가스(이하, ‘증착 재료 가스’라고 함)가 분사된 상태에서, 각 수용실(12a ~ 12d)의 압력은 분자류에 대응하는 압력 범위 또는 중간류에 대응하는 압력 범위, 바람직하게는 3 × 10-3 Pa 이하로 설정된다. 즉, 진공 펌프(60a ~ 60d)는 증착 헤드(16a ~ 16d)로부터 증착 재료 가스가 분사된 상태에서, 각 수용실(12a ~ 12d)의 압력이 분자류에 대응하는 압력 범위 또는 중간류에 대응하는 압력 범위, 바람직하게는 3 × 10-3 Pa 이하가 되도록 증착 헤드(16a ~ 16d)의 주위를 배기한다.Here, the pressure of each of the containing chambers 12a to 12d corresponds to the molecular flow in a state in which the gas containing the vapor of the evaporation material (hereinafter referred to as evaporation material gas) is ejected from the deposition heads 16a to 16d Or a pressure range corresponding to the intermediate flow, preferably not more than 3 x 10-3 Pa. That is, in the vacuum pumps 60a to 60d, when the deposition material gas is sprayed from the deposition heads 16a to 16d, the pressure in each of the containing chambers 12a to 12d corresponds to the pressure range or the intermediate flow corresponding to the molecular flow the periphery of the pressure range, preferably from 3 × 10 -3 deposition head (16a ~ 16d) is less than or equal to Pa is exhaust.

도 4는, 진공 펌프에 의한 배기가 정지된 경우의 수용실의 압력의 시간 변동을 나타낸 설명도이다. 도 4의 예에서는, 진공 펌프(60a ~ 60d)에 의한 배기가 정지되어 있을 경우의 수용실(12b)의 압력의 시간 변동을 나타낸다. 도 4에서 횡축은 시각을 나타내고 있고, 종축은 수용실(12b)의 압력[Pa]을 나타내고 있다. 도 4에 나타낸 바와 같이, 진공 펌프(60a ~ 60d)에 의한 배기가 정지되어 있을 경우에는, 기판(S)의 수용실(12b)에의 침입이 개시되고 나서 기판(S)의 수용실(12b)에의 침입이 완료될 때까지의 시간에서 수용실(12b)의 압력이 상승한다. 또한, 기판(S)의 수용실(12b)에의 퇴출이 개시되기 직전에서 수용실(12b)의 압력이 상승한다. 이유는, 기판(S)이 개구(50b)로부터의 배기, 개구(17a)로부터의 배기 등을 방해하기 때문에 수용실(12b)의 압력이 상승한다. 즉, 기판(S)의 위치에 의해 수용실(12b)의 컨덕턴스가 변동하고, 수용실(12b) 내의 압력도 변동한다. 이와 같이 하여 수용실의 압력이 과잉으로 상승한 경우에는, 수용실의 압력이, 분자류에 대응하는 압력 범위 및 중간류에 대응하는 압력 범위를 초과하여 점성류에 대응하는 압력 범위까지 상승하는 경우가 있다. 수용실의 압력이 점성류에 대응하는 압력 범위까지 상승하면, 이하의 문제점((1) 및 (2))이 발생한다. 즉, (1) 수용실에 수용되는 증착 헤드로부터 증착 재료 가스가 분출되기 어려워지기 때문에, 증착 특성(증착 재료의 성막 레이트 및 증착막의 균일성)이 저하된다. 또한, (2) 수용실에 포함되는 수분(H2O)의 분압이 상승하기 때문에, 수분에 의한 증착 재료의 분해가 가속되어 증착막의 순도가 저하된다.Fig. 4 is an explanatory diagram showing the time variation of the pressure in the storage chamber when the exhaust of the vacuum pump is stopped. Fig. In the example of Fig. 4, the time variation of the pressure in the chamber 12b when the evacuation by the vacuum pumps 60a to 60d is stopped is shown. In Fig. 4, the abscissa represents the time, and the ordinate represents the pressure Pa of the containing chamber 12b. 4, when the evacuation by the vacuum pumps 60a to 60d is stopped, after the introduction of the substrate S into the containing chamber 12b is started, the substrate S is introduced into the accommodating chamber 12b of the substrate S, The pressure in the containing chamber 12b rises in a period of time until the intrusion into the accommodating chamber 12b is completed. Also, immediately before the ejection of the substrate S into the containing chamber 12b is started, the pressure in the containing chamber 12b rises. The reason is that the pressure of the containing chamber 12b rises because the substrate S interferes with the exhaust from the opening 50b and the exhaust from the opening 17a. That is, the conductance of the accommodating chamber 12b varies due to the position of the substrate S, and the pressure in the accommodating chamber 12b also fluctuates. When the pressure in the containing chamber is excessively increased as described above, there is a case where the pressure in the containing chamber exceeds the pressure range corresponding to the molecular flow and the pressure range corresponding to the intermediate flow and rises to the pressure range corresponding to the viscous flow have. (1) and (2) occur when the pressure in the storage chamber rises to the pressure range corresponding to the viscous flow. That is, (1) the deposition material gas is difficult to be ejected from the deposition head housed in the storage chamber, and therefore the deposition characteristics (the deposition rate of the deposition material and the uniformity of the deposition film) decrease. Further, (2) the partial pressure of water (H 2 O) contained in the storage chamber increases, so that the decomposition of the evaporation material due to moisture accelerates and the purity of the evaporation film is lowered.

상기한 문제점(1)에 대하여 설명한다. 도 5는, 수용실의 압력과 증착 재료의 성막 레이트와의 대응 관계를 나타낸 도이다. 도 5에서 횡축은 챔버 압력[Pa]을 나타내고, 종축은 증착 재료의 성막 레이트[nm/s]를 나타내고 있다. 챔버 압력이란, 수용실의 압력을 가리킨다. 또한 도 5에서는, 증착 재료로서 α-NPD가 이용되고, 수용실의 온도가 280℃로 설정되고, 증착 재료 가스의 유량이 30 sccm인 것으로 한다. 또한 도 5에서는, 일례로서 수용실(12a)의 챔버 압력과 수용실(12b)의 챔버 압력이 나타나 있다. 도 5에 나타낸 바와 같이, 챔버 압력이 상승할수록, 증착 재료의 성막 레이트가 저하되는 것을 알 수 있다. 수용실의 압력이 과잉으로 상승한 경우에는, 수용실의 압력이 점성류에 대응하는 압력 범위까지 상승한다. 그 결과, 노즐(18a)로부터 나온 증착 재료의 분자가 기판(S)에 도달하는 동안에, 도중에 충돌하게 되어, 기판(S)에 도달하는 증착 재료의 분자의 양이 감소한다. 또한, 점성류가 된 분자는 압력 변동의 영향을 받기 쉬워져 증착막의 균일성도 열화된다.The above problem (1) will be described. Fig. 5 is a diagram showing the correspondence relationship between the pressure in the containing chamber and the deposition rate of the evaporation material. Fig. 5, the axis of abscissas indicates the chamber pressure [Pa], and the axis of ordinates indicates the deposition rate [nm / s] of the evaporation material. The chamber pressure refers to the pressure in the containing chamber. 5, it is assumed that? -NPD is used as the evaporation material, the temperature of the storage chamber is set to 280 占 폚, and the flow rate of the evaporation material gas is 30 sccm. In Fig. 5, as an example, the chamber pressure of the accommodation chamber 12a and the chamber pressure of the accommodation chamber 12b are shown. As shown in Fig. 5, it can be seen that the deposition rate of the evaporation material decreases as the chamber pressure rises. When the pressure in the containing chamber rises excessively, the pressure in the containing chamber rises to the pressure range corresponding to the viscous flow. As a result, the molecules of the evaporation material coming out of the nozzle 18a collide with each other while reaching the substrate S, and the amount of molecules of the evaporation material reaching the substrate S decreases. Further, the molecules which become viscous flows are easily affected by the pressure fluctuation, and the uniformity of the deposited film is also deteriorated.

도 6은, 수용실의 압력과 기판을 정지시킨 경우의 증착막의 막 두께 분포와의 대응 관계를 나타낸 도이다. 도 7은, 수용실의 압력과 증착막의 균일성과의 대응 관계를 나타낸 도이다. 도 6 및 도 7의 상측에서, 종축은 기판(S) 상의 증착막의 막 두께[a.u.]를 나타내고 있다. 또한 도 6에서, 횡축은 증착 헤드의 노즐의 중심 위치로부터의 거리[mm]를 나타내고 있다. 즉 도 6은, 증착 헤드의 노즐의 중심 위치를 ‘0’으로 하여, 증착 헤드의 ‘-150(mm)’의 위치로부터 ‘＋150(nm)’의 위치까지의 증착막의 막 두께를 나타낸 것이다. 또한 도 7의 상측에서, 횡축은 기판(S)의 폭 방향(Y 방향)의 위치를 나타내고 있다. 즉, 도 7의 상측은 기판(S)의 중심 위치를 ‘0’으로 하여, 기판(S)의 ‘-500(mm)’의 위치로부터 ‘＋500(mm)’의 위치까지의 증착막의 막 두께를 나타낸 것이다. 또한, 도 7의 하측에서는 챔버 압력[Pa]에 대응시켜 증착막의 균일성[%]를 나타냈다. 도 6에 나타낸 바와 같이, 증착 헤드의 노즐의 중심 위치로부터 먼 위치에서의 증착막의 막 두께가, 챔버 압력이 상승할수록 두꺼워진다. 즉, 챔버 압력이 상승할수록, 상술한 바와 같이 증착 재료의 분자의 충돌이 증가하기 때문에, 증착 헤드의 노즐의 중심 위치로부터 중심 위치 이외의 위치에 비산하는 증착 재료의 양이 증대한다. 그러면, 도 7의 상측에 나타낸 바와 같이, 기판(S)의 중앙부에서의 증착막의 막 두께는, 기판(S)의 주연부에서의 증착막의 막 두께와 비교하여 두꺼워진다. 즉, 챔버 압력이 상승할수록, 기판(S)의 중앙부에서의 증착막의 막 두께와 기판(S)의 주연부에서의 증착막의 막 두께의 차가 증대한다. 즉 도 7의 하측에 나타낸 바와 같이, 챔버 압력이 상승할수록, 증착막의 균일성이 열화된다. 수용실의 압력이 과잉으로 상승한 경우에는, 수용실의 압력이 점성류에 대응하는 압력 범위까지 상승한다. 그 결과, 점성류가 된 분자는 압력 변동의 영향을 받기 쉬워져 증착막의 균일성도 열화 된다.6 is a diagram showing the correspondence relationship between the pressure in the containing chamber and the film thickness distribution of the vapor deposition film when the substrate is stopped. 7 is a diagram showing the correspondence relationship between the pressure in the containing chamber and the uniformity of the deposited film. 6 and Fig. 7, the vertical axis indicates the film thickness [au] of the vapor deposition film on the substrate S. In Fig. 6, the abscissa indicates the distance [mm] from the center position of the nozzle of the deposition head. That is, FIG. 6 shows the film thickness of the deposition film from the position of -150 (mm) to the position of +150 (nm) of the deposition head with the center position of the nozzle of the deposition head as '0'. 7, the horizontal axis indicates the position in the width direction (Y direction) of the substrate S. 7, the center position of the substrate S is set to '0', and the thickness of the deposited film from the position of -500 (mm) to the position of +500 (mm) . In the lower part of Fig. 7, the uniformity [%] of the deposited film was shown in correspondence with the chamber pressure [Pa]. As shown in Fig. 6, the film thickness of the vapor deposition film at a position far from the center position of the nozzle of the vapor deposition head becomes thicker as the chamber pressure increases. That is, as the chamber pressure is increased, the collision of molecules of the evaporation material increases as described above, so that the amount of the evaporation material scattering from the center position of the nozzle of the deposition head to the position other than the center position increases. 7, the film thickness of the vapor deposition film at the central portion of the substrate S becomes thicker than the film thickness of the vapor deposition film at the peripheral portion of the substrate S, as shown in the upper side of Fig. That is, as the chamber pressure rises, the difference between the film thickness of the deposition film at the central portion of the substrate S and the film thickness of the deposition film at the peripheral portion of the substrate S increases. That is, as shown in the lower part of FIG. 7, as the chamber pressure increases, the uniformity of the deposited film deteriorates. When the pressure in the containing chamber rises excessively, the pressure in the containing chamber rises to the pressure range corresponding to the viscous flow. As a result, the molecules which become viscous flows are easily affected by the pressure fluctuation, and the uniformity of the deposited film is also deteriorated.

상기한 문제점(2)에 대하여 설명한다. 도 8은, 수용실의 압력과 수용실에 포함되는 각 성분의 분압과의 대응 관계를 나타낸 도이다. 도 8에서 횡축은 수용실의 압력, 즉 챔버 압력[Pa]을 나타내고 있고, 종축은 수용실에 포함되는 각 성분의 분압[Pa]을 나타내고 있다. 도 8에 나타낸 바와 같이, 챔버 압력이 상승할수록, 수용실에 포함되는 각 성분의 분압도 상승하는 것을 알 수 있다. 보다 상세하게는, 챔버 압력이 3 × 10-3 Pa를 초과한 경우, 수용실에 포함되는 각 성분의 분압의 상승률이, 챔버 압력이 3 × 10-3 Pa 이하일 경우와 비교하여 커진다. 특히, 챔버 압력이 3 × 10-3 Pa를 초과한 경우, 수용실에 포함되는 수분(H2O)의 분압의 상승률이, 챔버 압력이 3 × 10-3 Pa 이하일 경우와 비교하여 커진다. 수용실에 포함되는 H2O의 분압의 상승은 기판(S) 상의 증착막의 순도를 저하시키는 요인이 된다.The above problem (2) will be described. 8 is a diagram showing a correspondence relationship between the pressure in the containing chamber and the partial pressures of the respective components contained in the containing chamber. 8, the abscissa axis represents the pressure of the chamber, that is, the chamber pressure Pa, and the ordinate axis represents the partial pressure Pa of each component contained in the chamber. As shown in Fig. 8, it can be seen that as the chamber pressure rises, the partial pressures of the respective components contained in the containing chamber also increase. More specifically, when the chamber pressure exceeds 3 × 10 -3 Pa, the rate of increase of the partial pressure of each component contained in the chamber becomes larger than when the chamber pressure is 3 × 10 -3 Pa or less. Particularly, when the chamber pressure exceeds 3 × 10 -3 Pa, the rate of increase of the partial pressure of water (H 2 O) contained in the chamber becomes larger than when the chamber pressure is 3 × 10 -3 Pa or less. The increase in the partial pressure of H 2 O contained in the accommodation chamber causes a decrease in the purity of the vapor deposition film on the substrate S.

도 9는, 수용실에 포함되는 수분(H2O)의 분압과 증착막의 순도와의 대응 관계를 나타낸 도이다. 도 9에서 종축은 기판(S) 상의 증착막의 순도[%]를 나타내고, 횡축은 수용실에 포함되는 H2O의 분압[Pa]을 나타내고 있다. 증착막의 순도란, 증착막 전체에 대한 증착 재료의 비율을 나타낸다. 도 9에 나타낸 예에서는, 증착 재료로서 HAT-CN가 이용된 것으로 한다. 도 9에 나타낸 바와 같이, 수용실에 포함되는 H2O의 분압이 상승할수록, 기판(S) 상의 증착막의 순도가 저하되는 것을 알 수 있다. 이는, 수용실에 포함되는 H2O의 증가에 수반하여 H2O에 의한 증착 재료의 분해가 가속되기 때문이라고 상정된다.9 is a diagram showing the correspondence relationship between the partial pressure of water (H 2 O) contained in the storage chamber and the purity of the vapor deposition film. In Fig. 9, the vertical axis indicates the purity [%] of the evaporated film on the substrate S, and the horizontal axis indicates the partial pressure Pa of H 2 O contained in the containing chamber. The purity of the vapor-deposited film indicates the ratio of the vapor-deposited material to the entire vapor-deposited film. In the example shown in Fig. 9, it is assumed that HAT-CN is used as an evaporation material. As shown in Fig. 9, it can be seen that as the partial pressure of H 2 O contained in the storage chamber increases, the purity of the vapor deposition film on the substrate S decreases. It is assumed that the decomposition of the evaporation material by H 2 O accelerates with the increase of H 2 O contained in the storage chamber.

이에 대하여, 본 실시예에서는, 구획 벽(17)으로 구획된 각 수용실(12a ~ 12d)에 배기구(51a ~ 51d)를 형성하고, 배기구(51a ~ 51d)를 개재하여 각 수용실(12a ~ 12d)에 진공 펌프(60a ~ 60d)를 접속함으로써, 증착 헤드 간을 격리하면서 배기를 행할 수 있다. 이 때문에, 본 실시예에 의하면, 인접하는 증착 헤드로부터의 증기를 차폐하면서, 각 수용실을 효율 좋게 감압하는 것이 가능해진다. 그 결과, 본 실시예에 의하면, 인접하는 증착 헤드끼리의 증기의 혼입을 회피하면서 각 수용실의 배기 효율의 저하를 억제할 수 있으므로, 기판(S)의 성막면에 대하여 고순도 또한 균일한 성막 처리를 행할 수 있다.On the other hand, in the present embodiment, the exhaust ports 51a to 51d are formed in the respective storage chambers 12a to 12d partitioned by the partition wall 17 and the respective storage chambers 12a to 12d via the exhaust ports 51a to 51d, 12d to the vacuum pumps 60a to 60d, the exhaust can be performed while isolating the deposition heads. Therefore, according to the present embodiment, it becomes possible to efficiently depressurize the respective containing chambers while shielding the vapor from the adjacent deposition heads. As a result, according to the present embodiment, it is possible to suppress the decrease in the exhaust efficiency of the respective storage chambers while avoiding the mixing of the vapor between the adjacent deposition heads, so that the film formation surface of the substrate S can be processed with high purity and uniform Can be performed.

또한 본 실시예에서는, 증착 재료 가스가 분사된 상태에서, 각 수용실(12a ~ 12d)의 압력을 분자류에 대응하는 압력 범위 또는 중간류에 대응하는 압력 범위, 바람직하게는 3 × 10-3 Pa 이하로 설정함으로써 증착 재료 가스의 분사를 원활화하고, 또한 수용실에 포함되는 H2O의 분압의 상승을 억제할 수 있다. 이 때문에, 본 실시예에 의하면, 각 수용실의 배기 효율의 저하를 한층 더 억제할 수 있으므로, 기판(S)의 성막면에 대하여, 보다 고순도 또한 균일한 성막 처리를 행할 수 있다.Further, in this embodiment, the pressure of each of the containing chambers 12a to 12d is set to a pressure range corresponding to the molecular flow or a pressure range corresponding to the intermediate flow, preferably 3 x 10 < -3 > Pa, it is possible to smooth the injection of the evaporation material gas and suppress the increase in the partial pressure of H 2 O contained in the storage chamber. Therefore, according to the present embodiment, the lowering of the exhaust efficiency of each containing chamber can be further suppressed, so that a film forming process of higher purity and uniformity can be performed on the film formation surface of the substrate S.

도 1 ~ 도 3의 설명으로 돌아와, 배기구(51a ~ 51d)의 설치 위치의 상세에 대하여 설명한다. 배기구(51a ~ 51d)는, 각 수용실(12a ~ 12d)에서 기판(S)의 반송 경로(C)에 수직인 방향(도 2에 나타낸 Z 방향)에서 봤을 때 반송 경로(C)와 중첩되지 않는 위치에 형성되어 있다. 보다 상세하게는, 배기구(51a)는 수용실(12a)에서 기판(S)의 반송 경로(C)에 수직인 방향(도 2에 나타낸 Z 방향)에서 봤을 때 기판(S)의 이동 방향(X 방향)에 교차하는 방향(Y 방향)을 따라 증착 헤드(16a)를 사이에 두는 위치에 형성되어 있다. 배기구(51b)는, 수용실(12b)에서 기판(S)의 반송 경로(C)에 수직인 방향(도 2에 나타낸 Z 방향)에서 봤을 때 기판(S)의 이동 방향(X 방향)에 교차하는 방향(Y 방향)을 따라 증착 헤드(16b)를 사이에 두는 위치에 형성되어 있다. 배기구(51c)는, 수용실(12c)에서 기판(S)의 반송 경로(C)에 수직인 방향(도 2에 나타낸 Z 방향)에서 봤을 때 기판(S)의 이동 방향(X 방향)에 교차하는 방향(Y 방향)을 따라 증착 헤드(16c)를 사이에 두는 위치에 형성되어 있다. 배기구(51d)는, 수용실(12d)에서 기판(S)의 반송 경로(C)에 수직인 방향(도 2에 나타내는 Z 방향)에서 봤을 때 기판(S)의 이동 방향(X 방향)에 교차하는 방향(Y 방향)을 따라 증착 헤드(16d)를 사이에 두는 위치에 형성되어 있다.Returning to the description of Figs. 1 to 3, details of the installation positions of the exhaust ports 51a to 51d will be described. The exhaust ports 51a to 51d do not overlap the conveyance path C when viewed in a direction perpendicular to the conveyance path C of the substrate S in the respective accommodating chambers 12a to 12d As shown in Fig. More specifically, the exhaust port 51a is arranged in the moving direction X of the substrate S in the direction perpendicular to the conveying path C of the substrate S (the Z direction shown in Fig. 2) Direction (Y direction) intersecting the deposition head 16a. The exhaust port 51b intersects the moving direction (X direction) of the substrate S when viewed in the direction perpendicular to the conveying path C of the substrate S in the containing chamber 12b (Y direction) in which the deposition head 16b is sandwiched. The exhaust port 51c intersects the moving direction (X direction) of the substrate S when viewed in the direction perpendicular to the conveying path C of the substrate S in the containing chamber 12c (Y direction) in which the deposition head 16c is placed. The exhaust port 51d intersects the moving direction (X direction) of the substrate S when viewed in a direction perpendicular to the conveying path C of the substrate S in the containing chamber 12d (Y direction) in which the deposition head 16d is placed.

본 실시예와 같이 배기구(51a ~ 51d)를 기판(S)의 반송 경로(C)에 수직인 방향에서 봤을 때 반송 경로(C)와 중첩되지 않는 위치에 형성함으로써, 배기구(51a ~ 51d)에의 배기가 반송 중의 기판(S)에 의해 방해되는 것을 회피할 수 있다. 그 결과, 본 실시예에 의하면 배기구(51a ~ 51d)가 형성된 수용실(12a ~ 12d)의 내부를 효율 좋게 감압할 수 있으므로, 기판(S)의 성막면에 대하여 한층 더 고순도 또한 균일한 성막 처리를 행할 수 있다.The exhaust ports 51a to 51d are formed at positions not overlapped with the conveying path C when viewed in the direction perpendicular to the conveying path C of the substrate S as in this embodiment, It is possible to avoid that the exhaust is obstructed by the substrate S during transportation. As a result, according to the present embodiment, the inside of the containing chambers 12a to 12d in which the exhaust ports 51a to 51d are formed can be efficiently reduced, so that the film forming surface of the substrate S can be further processed with higher purity and uniform Can be performed.

이어서, 증착 헤드(16a ~ 16d)의 상세에 대하여 설명한다. 도 10은, 일실시예에 따른 증착 헤드를 도시한 사시도이다. 도 10에 나타낸 바와 같이, 증착 헤드(16b)는 일실시예에서는 복수의 분사구(14b)를 가질 수 있다. 복수의 분사구(14b)로부터는 가스 공급원(20b)에 의해 공급된 가스가 Z 방향의 축선 중심으로 분사된다. 이들 분사구(14b)는 스테이지(14)의 이동 방향(X 방향)에 교차하는 방향(Y 방향)으로 배열될 수 있다.Next, the details of the deposition heads 16a to 16d will be described. 10 is a perspective view showing a deposition head according to an embodiment. As shown in Fig. 10, the deposition head 16b may have a plurality of ejection openings 14b in one embodiment. From the plurality of injection ports 14b, the gas supplied by the gas supply source 20b is injected at the center of the axis in the Z direction. These jetting ports 14b may be arranged in a direction (Y direction) crossing the movement direction (X direction) of the stage 14. [

또한, 증착 헤드(16b)에는 히터(15)가 내장될 수 있다. 일실시예에서는, 히터(15)는 증착 헤드(16b)에 증기로서 공급된 증착 재료가 석출되지 않는 온도까지 증착 헤드(16b)를 가열한다.Further, a heater 15 may be embedded in the deposition head 16b. In one embodiment, the heater 15 heats the deposition head 16b to a temperature at which the deposition material supplied as vapor to the deposition head 16b is not deposited.

이어서, 가스 공급원(20a ~ 20d)의 상세에 대하여 설명한다. 또한, 가스 공급원(20a ~ 20d)은 동일한 구성을 가질 수 있으므로, 이하의 설명에서는 가스 공급원(20c)에 대하여 설명하고, 다른 가스 공급원에 대한 설명을 생략한다. 도 11은, 일실시예에 따른 가스 공급원을 모식적으로 도시한 도이다. 도 11에 도시한 바와 같이, 가스 공급원(20c)은 수송관(L11, L21, L31)과 수송관(개별 수송관)(L12, L22, L32)과 수송관(공통 수송관)(L40)과 제 1 증기 발생부(101)와 제 2 증기 발생부(201)와 제 3 증기 발생부(301)와 제 1 수용 용기(120)와 제 2 수용 용기(220)와 제 3 수용 용기(320)를 구비한다.Next, details of the gas supply sources 20a to 20d will be described. Further, since the gas supply sources 20a to 20d can have the same configuration, the gas supply source 20c will be described in the following description, and description of other gas supply sources is omitted. 11 is a view schematically showing a gas supply source according to an embodiment. As shown in Fig. 11, the gas supply source 20c is connected to the gas supply line L11, L21, L31, the transport pipe (individual transport pipe) L12, L22, L32, the transport pipe (common transport pipe) The first steam generating unit 101 and the second steam generating unit 201 as well as the third steam generating unit 301 and the first and second storage vessels 220 and 220 and the third storage vessel 320, Respectively.

제 1 증기 발생부(101)는 제 1 수용 용기(120)에 의해 구획 형성되는 수용실(R1) 내에 수용된다. 마찬가지로 제 2, 제 3 증기 발생부(201, 301)는, 제 2, 제 3 수용 용기(220, 320)에 의해 구획 형성되는 수용실(R2, R3)에 각각 수용된다. 즉, 제 1 ~ 제 3 증기 발생부(101 ~ 301)는 수용실(R1 ~ R3) 내에 각각 독립하여 수용된다.The first steam generating portion 101 is accommodated in a storage chamber R1 defined by the first storage container 120. [ Likewise, the second and third steam generators 201 and 301 are accommodated in the storage chambers R2 and R3 partitioned by the second and third storage containers 220 and 320, respectively. That is, the first to third steam generators 101 to 301 are accommodated in the storage rooms R1 to R3 independently of each other.

제 1 증기 발생부(101)는 격벽(102)에 의해 구획 형성되는 증기 발생실(103)을 구비한다. 증기 발생실(103) 내에는 증착 재료(X)가 넣어진 용기(104)가 배치된다. 제 1 증기 발생부(101)에는 히터(105)가 설치되어 있다. 히터(105)는 용기(104)에 넣어진 증착 재료(X)를 가열한다. 이에 의해, 제 1 증기 발생부(101) 내에서 증착 재료(X)로부터 당해 증착 재료(X)를 포함하는 증기가 발생한다. 용기(104)는, 격벽(102) 및 제 1 수용 용기(120)에 각각 형성된 취출구를 거쳐, 제 1 수용 용기(120) 밖으로부터 증기 발생실(103) 내로의 반입, 및 증기 발생실(103) 내로부터 제 1 수용 용기(120) 밖으로의 반출이 가능하게 되어 있다.The first steam generating portion 101 includes a steam generating chamber 103 formed by partition walls 102. A container 104 containing an evaporation material X is disposed in the steam generating chamber 103. The first steam generating portion 101 is provided with a heater 105. The heater 105 heats the evaporation material X placed in the vessel 104. As a result, steam containing the evaporation material X is generated from the evaporation material X in the first steam generating portion 101. The vessel 104 is brought into the steam generating chamber 103 from the outside of the first accommodating vessel 120 through the outlet 102 formed in the partition wall 102 and the first accommodating vessel 120, To be taken out of the first accommodating container 120 from inside thereof.

제 2, 제 3 증기 발생부(201, 301)도, 제 1 증기 발생부(101)와 마찬가지로 격벽(202, 302)에 의해 구획 형성되는 증기 발생실(203, 303)과 히터(205, 305)를 각각 구비한다. 또한, 제 2, 제 3 증기 발생부(201, 301) 내에도 증착 재료(X)가 넣어진 용기(204, 304)가 배치된다. 제 2, 제 3 증기 발생부(201, 301) 내에서도, 증착 재료(X)로부터 당해 증착 재료(X)를 포함하는 증기가 발생한다. 용기(204, 304)는, 용기(104)와 마찬가지로 제 2, 제 3 수용 용기(220, 320) 밖으로부터 증기 발생실(203, 303) 내로의 반입, 및 증기 발생실(203, 303) 내로부터 제 2, 제 3 수용 용기(220, 320) 밖으로의 반출이 각각 가능하게 되어 있다. 제 1 ~ 제 3 증기 발생부(101, 201, 301) 내에 각각 배치되는 증착 재료(X)는 동종의 증착 재료일 수 있다.The second and third steam generators 201 and 301 also include steam generating chambers 203 and 303 partitioned by the partition walls 202 and 302 and heaters 205 and 305 Respectively. The vessels 204 and 304 in which the evaporation material X is also placed are disposed in the second and third steam generators 201 and 301 as well. Vapor containing the evaporation material X is also generated from the evaporation material X in the second and third steam generators 201 and 301. The containers 204 and 304 are brought into the steam generating chambers 203 and 303 from outside the second and third storage containers 220 and 320 in the same manner as the container 104, Out of the second and third storage containers 220 and 320, respectively. The evaporation material X disposed in each of the first to third vapor generators 101, 201, and 301 may be the same kind of evaporation material.

제 1 ~ 제 3 증기 발생부(101, 201, 301)에는 수송관(L11, L21, L31)이 각각 접속되어 있다. 수송관(L11, L21, L31)은, 캐리어 가스로서 아르곤 가스를 제 1 ~ 제 3 증기 발생부(101, 201, 301)의 증기 발생실(103, 203, 303) 내로 각각 수송한다. 또한, 아르곤 가스 대신에 다른 불활성 가스를 이용할 수도 있다. 또한, 제 1 ~ 제 3 증기 발생부(101, 201, 301)에는 수송관 L12의 일단, L22의 일단, L32의 일단이 각각 접속되어 있다. 수송관 L12의 타단, L22의 타단, L32의 타단은 수송관(L40)에 접속되어 있다. 수송관(L12, L22, L32)은, 증기 발생실(103, 203, 303) 내로 도입된 아르곤 가스 및 증착 재료(X)의 증기를 처리실(12) 내로 수송한다. 수송관(L40)은 수송관(L12, 22, 32)에 의해 처리실(12) 내로 수송된 아르곤 가스 및 증착 재료(X)의 증기를 증착 헤드(16c)로 수송한다. 즉, 제 1 ~ 제 3 증기 발생부(101, 201, 301)에서 발생한 증착 재료(X)의 증기는, 증기 발생실(103, 203, 303) 내로 도입된 아르곤 가스와 함께 증착 헤드(16c)로 수송된다.L21, L21 and L31 are connected to the first to third steam generators 101, 201 and 301, respectively. The transport pipes L11, L21 and L31 transport argon gas as a carrier gas into the steam generating chambers 103, 203 and 303 of the first to third steam generators 101, 201 and 301, respectively. Further, another inert gas may be used instead of argon gas. One end of the transport pipe L12, one end of the L22, and one end of the L32 are connected to the first to third steam generators 101, 201, and 301, respectively. The other end of the transport pipe L12, the other end of L22, and the other end of L32 are connected to the transport pipe L40. The transport pipes L12, L22 and L32 transport the vapor of the argon gas and the evaporation material X introduced into the steam generating chambers 103, 203 and 303 into the processing chamber 12. The transport pipe L40 transports the vapor of the argon gas and the evaporation material X transported into the processing chamber 12 by the transport pipes L12, 22 and 32 to the deposition head 16c. That is, the vapor of the evaporation material X generated in the first to third vapor generators 101, 201, and 301 is supplied to the evaporation head 16c together with the argon gas introduced into the vapor generation chambers 103, 203, Lt; / RTI >

수송관(L11)에는, 제 1 증기 발생부(101)에 가까운 측으로부터 차례로 밸브(V102), 단열 수송관(140), 밸브(V103), 제 1 MFC(매스 플로우 컨트롤러)(110) 및 밸브(V104)가 설치되어 있다. 밸브(V102, V103, V104)는 수송관(L11) 내의 아르곤 가스의 흐름을 선택적으로 차단하기 위하여 이용된다. 제 1 MFC(110)는 수송관(L11) 내를 흐르는 아르곤 가스의 유량을 제어한다.The heat transfer pipe 140, the valve V103, the first MFC (mass flow controller) 110, and the valve V102 in this order from the side close to the first steam generating portion 101, (V104) are provided. Valves V102, V103, and V104 are used to selectively block the flow of argon gas in the transport pipe L11. The first MFC 110 controls the flow rate of the argon gas flowing in the transport pipe L11.

밸브(V102) 및 단열 수송관(140)은 제 1 수용 용기(120) 내에서의 수송관(L11)에 설치되어 있다. 단열 수송관(140)과 밸브(V102)의 사이의 수송관(L11), 밸브(V102), 및, 밸브(V102)와 제 1 증기 발생부(101)의 사이의 수송관(L11)에는 각각 히터(115a, 115b 및 115c)가 장착되어 있다. 히터(115a, 115b 및 115c)에 의해 이들 히터가 장착된 부분의 온도를 개별적으로 제어하는 것이 가능하다. 또한, 이들 히터에 의해 아르곤 가스가 증착 재료(X)의 기화 온도에 대응하는 온도가 되도록, 수용실(R1) 내에서 수송관(L11) 및 밸브(V102)를 가열할 수 있다.The valve V102 and the heat insulating transport pipe 140 are installed in the transport pipe L11 in the first storage container 120. [ The transport pipe L11 between the adiabatic transport pipe 140 and the valve V102 and the valve V102 and the transport pipe L11 between the valve V102 and the first steam generating unit 101 Heaters 115a, 115b and 115c are mounted. It is possible to individually control the temperature of the portion where these heaters are mounted by the heaters 115a, 115b, and 115c. It is also possible to heat the transportation pipe L11 and the valve V102 in the storage chamber R1 such that the argon gas becomes a temperature corresponding to the vaporization temperature of the evaporation material X by these heaters.

또한, 단열 수송관(140)은 제 1 수용 용기(120) 밖의 수송관(L11)과 제 1 수용 용기(120) 내의 수송관(L11)과의 사이에서의 열 교환을 억제할 수 있다. 이 때문에, 단열 수송관(140)은 수송관(L11)의 열 전도율보다 낮은 열 전도율을 가지고 있다. 예를 들면, 수송관(L11)은 스테인리스제이며, 단열 수송관(140)은 석영제일 수 있다.The adiabatic transport pipe 140 can suppress heat exchange between the transport pipe L11 outside the first storage container 120 and the transport pipe L11 within the first storage container 120. [ Therefore, the adiabatic transportation pipe 140 has a thermal conductivity lower than the thermal conductivity of the transportation pipe L11. For example, the transportation pipe L11 may be made of stainless steel, and the adiabatic transportation pipe 140 may be made of quartz.

수송관(L12)에는, 제 1 증기 발생부(101)에 가까운 측으로부터 차례로 단열 수송관(141) 및 밸브(V101)가 설치되어 있다. 밸브(V101)는 처리실(12) 내에서 수송관(L12)에 설치되어 있다. 밸브(V101)는 수송관(L12)으로부터 수송관(L40)으로의 아르곤 가스 및 증착 재료(X)의 증기의 공급을 선택적으로 차단하기 위하여 이용된다. 제 1 증기 발생부(101)와 단열 수송관(141)의 사이의 수송관(L12), 및 단열 수송관(141)과 밸브(V101)의 사이의 수송관(L12)에는 각각 히터(가열부)(125a) 및 히터(가열부)(125b)가 장착되어 있다. 히터(125a) 및 히터(125b)에 의해 이들 히터가 장착된 부분의 온도를 개별적으로 제어하는 것이 가능하다. 또한, 이들 히터에 의해 증착 재료(X)가 석출되지 않는 온도까지 수송관(L12)을 가열할 수 있다.The heat transfer pipe 141 and the valve V101 are provided in order from the side close to the first steam generating portion 101 in the transport pipe L12. The valve V101 is installed in the transfer tube L12 in the processing chamber 12. [ The valve V101 is used to selectively block the supply of the argon gas and the vapor of the evaporation material X from the transport pipe L12 to the transport pipe L40. A transfer pipe L12 between the first steam generating unit 101 and the heat insulating transfer pipe 141 and a transfer pipe L12 between the heat insulating transfer pipe 141 and the valve V101 are provided with heaters ) 125a and a heater (heating unit) 125b are mounted. It is possible to individually control the temperature of the portion where these heaters are mounted by the heater 125a and the heater 125b. Further, it is possible to heat the transportation pipe L12 to a temperature at which the evaporation material X is not precipitated by these heaters.

또한, 단열 수송관(141)은 제 1 수용 용기(120) 내에서 수송관(L12)에 설치되어 있다. 단열 수송관(141)은, 제 1 수용 용기(120) 밖의 수송관(L12)과 제 1 수용 용기(120) 내의 수송관(L12)과의 사이에서의 열 교환을 억제할 수 있다. 이 때문에, 단열 수송관(141)은 수송관(L12)의 열 전도율보다 낮은 열 전도율을 가지고 있다. 예를 들면, 수송관(L12)은 스테인리스제이며, 단열 수송관(141)은 석영제일 수 있다.The adiabatic transport pipe 141 is installed in the first container 120 in the transport pipe L12. The adiabatic transport pipe 141 can suppress the heat exchange between the transport pipe L12 outside the first storage container 120 and the transport pipe L12 inside the first storage container 120. [ Therefore, the adiabatic transport pipe 141 has a thermal conductivity lower than that of the transport pipe L12. For example, the transport pipe L12 may be made of stainless steel, and the adiabatic transport pipe 141 may be made of quartz.

또한, 수송관(L21)에도 수송관(L11)과 마찬가지로 제 2 증기 발생부(201)에 가까운 측으로부터 차례로 밸브(V202), 단열 수송관(240), 밸브(V203), 제 2 MFC(210) 및 밸브(V204)가 설치되어 있다. 또한, 단열 수송관(240)과 밸브(V202)의 사이의 수송관(L21), 밸브(V202), 및 밸브(V202)와 제 2 증기 발생부(201)의 사이의 수송관(L21)에는 히터(215a), 히터(215b), 히터(215c)가 각각 설치되어 있다. 밸브(V202), 단열 수송관(240), 밸브(V203), 제 2 MFC(210), 밸브(V204), 히터(215a), 히터(215b), 히터(215c)의 구성 및 기능은 밸브(V102), 단열 수송관(140), 밸브(V103), 제 1 MFC(110), 밸브(V104), 히터(115a), 히터(115b), 히터(115c)의 기능 및 구성과 각각 동일하다.Also in the transport pipe L21, the valve V202, the heat insulating transport pipe 240, the valve V203, the second MFC 210 And a valve V204 are provided. The transport pipe L21 between the adiabatic transport pipe 240 and the valve V202, the valve V202 and the transport pipe L21 between the valve V202 and the second steam generating unit 201 A heater 215a, a heater 215b, and a heater 215c are provided, respectively. The configuration and function of the valve V202, the adiabatic transport pipe 240, the valve V203, the second MFC 210, the valve V204, the heater 215a, the heater 215b, V102), the adiabatic transport pipe 140, the valve V103, the first MFC 110, the valve V104, the heater 115a, the heater 115b, and the heater 115c.

또한, 수송관(L22)에도 수송관(L12)과 마찬가지로 제 2 증기 발생부(201)에 가까운 측으로부터 차례로 단열 수송관(241) 및 밸브(V201)가 설치되어 있다. 또한, 제 2 증기 발생부(201)와 단열 수송관(241)의 사이의 수송관(L22), 및 단열 수송관(241)과 밸브(V201)의 사이의 수송관(L22)에는 히터(가열부)(225a) 및 히터(가열부)(225b)가 각각 설치되어 있다. 단열 수송관(241), 밸브(V201), 히터(225a), 히터(225b)의 구성 및 기능은 단열 수송관(141), 밸브(V101), 히터(125a), 히터(125b)의 구성 및 기능과 각각 동일하다.Also in the transport pipe L22, similarly to the transport pipe L12, the adiabatic transport pipe 241 and the valve V201 are provided in this order from the side closer to the second steam generating unit 201. [ A transfer pipe L22 between the second steam generating unit 201 and the heat insulating transfer pipe 241 and a transfer pipe L22 between the heat insulating transfer pipe 241 and the valve V201 are provided with a heater (Heating section) 225b and a heater (heating section) 225b are provided, respectively. The configuration and function of the adiabatic transportation pipe 241, the valve V201, the heater 225a and the heater 225b are the same as those of the heat insulating pipe 141, the valve V101, the heater 125a, Respectively.

또한 수송관(L31)에도, 수송관(L11)과 마찬가지로 제 3 증기 발생부(301)에 가까운 측으로부터 차례로 밸브(V302), 단열 수송관(340), 밸브(V303), 제 3 MFC(310) 및 밸브(V304)가 설치되어 있다. 또한, 단열 수송관(340)과 밸브(V302)의 사이의 수송관(L31), 밸브(V302), 및 밸브(V302)와 제 3 증기 발생부(301)의 사이의 수송관(L31)에는 히터(315a), 히터(315b), 히터(315c)가 각각 설치되어 있다. 밸브(V302), 단열 수송관(340), 밸브(V303), 제 3 MFC(310), 밸브(V304), 히터(315a), 히터(315b), 히터(315c)의 구성 및 기능은 밸브(V102), 단열 수송관(140), 밸브(V103), 제 1 MFC(110), 밸브(V104), 히터(115a), 히터(115b), 히터(115c)의 기능 및 구성과 각각 동일하다.In addition, in the transport pipe L31, the valve V302, the heat insulating transport pipe 340, the valve V303, the third MFC 310 And a valve V304 are provided. The transport pipe L31 between the adiabatic transport pipe 340 and the valve V302, the valve V302 and the transport pipe L31 between the valve V302 and the third steam generating unit 301 A heater 315a, a heater 315b, and a heater 315c, respectively. The configuration and function of the valve V302, the adiabatic transport pipe 340, the valve V303, the third MFC 310, the valve V304, the heater 315a, the heater 315b, V102), the adiabatic transport pipe 140, the valve V103, the first MFC 110, the valve V104, the heater 115a, the heater 115b, and the heater 115c.

또한 수송관(L32)에도, 수송관(L12)과 마찬가지로 제 3 증기 발생부(301)에 가까운 측으로부터 차례로 단열 수송관(341) 및 밸브(V301)가 설치되어 있다. 또한, 제 3 증기 발생부(301)와 단열 수송관(341)의 사이의 수송관(L32), 및 단열 수송관(341)과 밸브(V301)의 사이의 수송관(L32)에는 히터(가열부)(325a) 및 히터(가열부)(325b)가 각각 설치되어 있다. 단열 수송관(341), 밸브(V301), 히터(325a), 히터(325b)의 구성 및 기능은 단열 수송관(141), 밸브(V101), 히터(125a), 히터(125b)의 구성 및 기능과 각각 동일하다.Also in the transport pipe L32, the heat insulating transport pipe 341 and the valve V301 are provided in this order from the side close to the third steam generating portion 301 in the same manner as the transport pipe L12. A transfer pipe L32 between the third steam generating unit 301 and the heat insulating transfer pipe 341 and a transfer pipe L32 between the heat insulating transfer pipe 341 and the valve V301 are provided with a heater (Heating portion) 325a and a heater (heating portion) 325b, respectively. The configuration and function of the adiabatic transport pipe 341, the valve V301, the heater 325a and the heater 325b are the same as those of the adiabatic transport pipe 141, the valve V101, the heater 125a, the heater 125b, Respectively.

수송관(L40)에는 당해 수송관(L40)을 가열하는 히터(가열부)(415)가 설치되어 있다. 히터(415)는 증기가 된 증착 재료(X)가 석출되지 않는 온도까지 수송관(L40)을 가열한다. 히터(125a ~ 125b, 225a ~ 225b, 325a ~ 325b, 415)는 서로 독립하여 온도 제어가 가능하게 되어 있다.The transport pipe L40 is provided with a heater (heating unit) 415 for heating the transport pipe L40. The heater 415 heats the transport pipe L40 to a temperature at which vaporized evaporation material X is not deposited. The heaters 125a to 125b, 225a to 225b, and 325a to 325b and 415 can be temperature-controlled independently of each other.

또한, 가스 공급원(20c)에는 수용실(R1 ~ R3)을 감압하는 감압 기구(500)가 구비되어 있다. 보다 상세하게는, 감압 기구(500)는 감압 배관(L501, L511, L521, L531), 밸브(V107, V207, V307), 터보 분자 펌프(TMP)(501) 및 드라이 펌프(DP)(502)를 구비한다.The gas supply source 20c is provided with a decompression mechanism 500 for decompressing the storage chambers R1 to R3. More specifically, the decompression mechanism 500 includes decompression pipes L501, L511, L521 and L531, valves V107, V207 and V307, a turbo molecular pump (TMP) 501 and a dry pump (DP) Respectively.

감압 배관(L511)의 일단은, 수용실(R1)과 연통하도록 제 1 수용 용기(120)에 접속된다. 마찬가지로, 감압 배관 L521의 일단, L531의 일단은 수용실(R2, R3)과 연통하도록 제 2, 제 3 수용 용기(220, 320)에 각각 접속된다. 감압 배관(L511, L521 및 L531)의 각각의 타단은 감압 배관(L501)에 접속된다. 이 감압 배관(L501)은 터보 분자 펌프(501) 및 드라이 펌프(502)에 접속되어 있다. 터보 분자 펌프(501) 및 드라이 펌프(502)의 흡인 작용에 의해, 감압 배관(L501, L511)을 개재하여 수용실(R1)이 감압되고, 감압 배관(L501, L521)을 개재하여 수용실(R2)이 감압되고, 감압 배관(L501, L531)을 개재하여 수용실(R3)이 감압된다.One end of the pressure reducing pipe L511 is connected to the first storage container 120 so as to communicate with the storage chamber R1. Similarly, one end of the decompression pipe L521 and one end of the L531 are connected to the second and third storage containers 220 and 320 so as to communicate with the storage chambers R2 and R3, respectively. The other ends of the pressure reducing pipes L511, L521 and L531 are connected to the pressure reducing pipe L501. This decompression pipe L501 is connected to the turbo molecular pump 501 and the dry pump 502. [ The turbulent molecular pump 501 and the dry pump 502 are depressurized by the suction action of the depressurization pipes L501 and L511 through the depressurization pipes L501 and L521, R2 are decompressed, and the storage chamber R3 is decompressed through the pressure reducing pipes L501, L531.

밸브(V107, V207, V307)는 감압 배관(L511, L521, L531)에 각각 설치된다. 밸브(V107, V207, V307)의 개폐에 의해 수용실(R1 ~ R3)을 독립하여 선택적으로 감압하는 것이 가능하다. 수용실(R1 ~ R3) 내를 감압함으로써, 제 1 ~ 제 3 증기 발생부(101, 201, 301) 내의 증착 재료(X)에 수분 등이 부착하는 것이 억제될 수 있다. 또한, 수용실(R1 ~ R3)의 단열 효과가 향상된다.The valves V107, V207 and V307 are respectively installed in the pressure reducing pipes L511, L521 and L531. It is possible to selectively depressurize the accommodating chambers R1 to R3 independently by opening and closing the valves V107, V207 and V307. It is possible to suppress adhesion of moisture and the like to the evaporation material X in the first to third vapor generators 101, 201 and 301 by decompressing the inside of the storage rooms R1 to R3. Further, the heat insulating effect of the containing rooms R1 to R3 is improved.

일실시예에서는, 성막 장치(10)는 QCM(Quartz Crystal Microbalance) 센서(30)를 더 구비할 수 있다. QCM 센서(30)는 처리실(12) 내에 배치되는 기판(S)의 근방에 설치될 수 있다. QCM 센서(30)는 증착 헤드(16c)로부터 분출된 증착 재료(X)의 양을 측정한다.In one embodiment, the deposition apparatus 10 may further include a Quartz Crystal Microbalance (QCM) The QCM sensor 30 may be installed in the vicinity of the substrate S disposed in the processing chamber 12. [ The QCM sensor 30 measures the amount of the evaporation material X ejected from the deposition head 16c.

또한 일실시예에서는, 성막 장치(10)는 가스 배출 계통(배출관)(600)을 더 구비할 수 있다. 가스 배출 계통(600)은 제 1 ~ 제 3 증기 발생부(101, 201, 301)로부터의 가스를 개별적으로 또한 선택적으로 증착 헤드(16c)가 아닌 외부로 배출한다. 구체적으로, 가스 배출 계통(600)은 배출 배관(L601, L611, L621, L631), 밸브(V105, V205, V305), 단열 배관(142, 242, 342) 및 히터(155a ~ 155c, 255a ~ 255c, 355a ~ 355c)를 구비한다.In addition, in one embodiment, the film forming apparatus 10 may further include a gas exhaust system (exhaust pipe) 600. The gas discharge system 600 separately and selectively discharges the gases from the first to third vapor generators 101, 201 and 301 to the outside rather than the deposition head 16c. Specifically, the gas exhaust system 600 includes exhaust pipes L601, L611, L621 and L631, valves V105, V205 and V305, heat insulating pipes 142, 242 and 342 and heaters 155a to 155c and 255a to 255c , And 355a to 355c.

배출 배관(L611)은, 단열 수송관(141)과 제 1 증기 발생부(101)의 사이에서 수송관(L12)으로부터 분기되어 있다. 배출 배관(L611)은, 수송관(L12) 내를 흐르는 아르곤 가스 또는 증착 재료(X)의 증기를, 증착 헤드(16c)가 아닌 제 1 수용 용기(120) 밖으로 유도한다. 배출 배관(L611)과 마찬가지로, 배출 배관(L621, L631)은 수송관(L22, L32)으로부터 각각 분기되어 있다. 배출 배관(L621, L631)은 수송관(L22, L32) 내를 흐르는 아르곤 가스 또는 증착 재료(X)의 증기를, 증착 헤드(16c)가 아닌 제 2, 제 3 수용 용기(220, 320) 밖으로 각각 유도한다.The discharge pipe L611 is branched from the transport pipe L12 between the adiabatic transport pipe 141 and the first steam generating unit 101. [ The discharge pipe L611 guides the argon gas or the vapor of the evaporation material X flowing in the transport pipe L12 out of the first storage container 120 and not the deposition head 16c. Like the discharge pipe L611, the discharge pipes L621 and L631 are respectively branched from the transport pipes L22 and L32. The discharge pipes L621 and L631 are arranged so that the argon gas or the vapor of the evaporation material X flowing in the transport pipes L22 and L32 flows out of the deposition head 16c and out of the second and third storage containers 220 and 320 Respectively.

배출 배관(L611)은, 제 1 수용 용기(120) 밖에서 배출 배관(L601)에 접속되어 있다. 마찬가지로 배출 배관(L621)은, 제 2 수용 용기(220) 밖에서 배출 배관(L601)에 접속되어 있다. 또한 마찬가지로 배출 배관(L631)은, 제 3 수용 용기(320) 밖에서 배출 배관(L601)에 접속되어 있다. 배출 배관(L601)은, 제 1 ~ 제 3 수용 용기(120, 220, 320) 밖으로 유도된 아르곤 가스 또는 증착 재료(X)의 증기를, 증착 헤드(16c)가 아닌 성막 장치(10)의 외부로 배출한다.The discharge pipe L611 is connected to the discharge pipe L601 outside the first storage container 120. [ Similarly, the discharge pipe L621 is connected to the discharge pipe L601 outside the second storage container 220. [ Similarly, the discharge pipe L631 is connected to the discharge pipe L601 outside the third storage container 320. [ The discharge piping L601 is used to discharge the argon gas or the vapor of the evaporation material X that is led out from the first to third storage containers 120, 220 and 320 to the outside of the deposition apparatus 10 .

배출 배관(L611, L621, L631)에는 밸브(V105, V205, V305)가 각각 설치되어 있다. 밸브(V105)의 개폐에 의해 제 1 증기 발생부(101)로부터의 가스를, 선택적으로 수송관(L12 및 L40)을 거쳐 증착 헤드(16c)로 공급하고, 또는 배출 배관(L611 및 L601)을 거쳐 배출할 수 있다. 마찬가지로, 밸브(V205)의 개폐에 의해 제 2 증기 발생부(201)로부터의 가스를, 선택적으로 수송관(L22 및 L40)을 거쳐 증착 헤드(16c)로 공급하고, 또는 배출 배관(L621 및 L601)을 거쳐 배출할 수 있다. 또한 마찬가지로 제 3 증기 발생부(301)로부터의 가스를, 선택적으로 수송관(L32 및 L40)을 거쳐 증착 헤드(16c)로 공급하고, 또는 배출 배관(L631 및 L601)을 거쳐 배출할 수 있다.Valves V105, V205, and V305 are installed in the discharge pipes L611, L621, and L631, respectively. The gas from the first vapor generating portion 101 is selectively supplied to the vapor deposition head 16c through the transport pipes L12 and L40 or the discharge pipes L611 and L601 Can be discharged through. Likewise, the gas from the second vapor generating section 201 is selectively supplied to the vapor deposition head 16c via the transport pipes L22 and L40 by opening and closing the valve V205, or the discharge pipes L621 and L601 ). ≪ / RTI > Likewise, the gas from the third steam generating section 301 can be selectively supplied to the deposition head 16c via the transport pipes L32 and L40 or can be discharged through the discharge pipes L631 and L601.

성막 장치(10)에서는, 수송관(L12)과 밸브(V105)의 사이의 배출 배관(L611), 밸브(V105) 및 밸브(V105)와 단열 배관(142)의 사이의 배출 배관(L611)에 히터(155a, 155b 및 155c)가 각각 설치되어 있다. 마찬가지로, 수송관(L22)과 밸브(V205)의 사이의 배출 배관(L621), 밸브(V205), 및 밸브(V205)와 단열 배관(242)의 사이의 배출 배관(L621)에 히터(255a, 255b 및 255c)가 각각 설치되어 있다. 또한, 마찬가지로 수송관(L32)과 밸브(V305)의 사이의 배출 배관(L631), 밸브(V305), 및 밸브(V305)와 단열 배관(342)의 사이의 배출 배관(L631)에 히터(355a, 355b 및 355c)가 각각 설치되어 있다. 이러한 구성에 의해 수용실(R1, R2, R3)에서 배출 배관(L611, L621, L631)의 내부 각각에 증착 재료(X)가 석출되는 것을 억제할 수 있다.In the film forming apparatus 10, the discharge pipe L611 between the transport pipe L12 and the valve V105, the valve V105, and the discharge pipe L611 between the valve V105 and the heat insulating pipe 142 And heaters 155a, 155b, and 155c, respectively. Likewise, heaters 255a and 255b are connected to the discharge pipe L621 between the transport pipe L22 and the valve V205, the valve V205, and the discharge pipe L621 between the valve V205 and the heat insulating pipe 242, 255b, and 255c, respectively. Similarly, a discharge pipe L631 between the transport pipe L32 and the valve V305, a valve V305, and a discharge pipe L631 between the valve V305 and the heat insulating pipe 342 are provided with heaters 355a , 355b, and 355c, respectively. With this configuration, deposition of the evaporation material X in each of the discharge pipes L611, L621, and L631 in the storage chambers R1, R2, and R3 can be suppressed.

또한, 제 1 수용 용기(120) 밖의 배출 배관(L611)과 제 1 수용 용기(120) 내의 배출 배관(L611)과의 사이에는 단열 배관(142)이 설치되어 있다. 단열 배관(142)은, 제 1 수용 용기(120) 밖의 배출 배관(L611)과 제 1 수용 용기(120) 내의 배출 배관(L611)과의 사이에서의 열 교환을 억제한다. 마찬가지로, 제 2 수용 용기(220) 밖의 배출 배관(L621)과 제 2 수용 용기(220) 내의 배출 배관(L621)과의 사이에는 단열 배관(242)이 설치되어 있고, 당해 단열 배관(242)은, 제 2 수용 용기(220) 밖의 배출 배관(L621)과 제 2 수용 용기(220) 내의 배출 배관(L621)과의 사이에서의 열 교환을 억제한다. 마찬가지로, 제 3 수용 용기(320) 밖의 배출 배관(L631)과 제 3 수용 용기(320) 내의 배출 배관(L631)과의 사이에는 단열 배관(342)이 설치되어 있고, 당해 단열 배관(342)은 제 3 수용 용기(320) 밖의 배출 배관(L631)과 제 3 수용 용기(320) 내의 배출 배관(L631)과의 사이에서의 열 교환을 억제한다. 예를 들면, 배출 배관(L611, L621 및 L631)은 스테인리스제이며, 단열 배관(142, 242, 342)은 석영제일 수 있다.A heat insulating pipe 142 is provided between the discharge pipe L611 outside the first storage container 120 and the discharge pipe L611 inside the first storage container 120. [ The heat insulating pipe 142 suppresses heat exchange between the discharge pipe L611 outside the first storage container 120 and the discharge pipe L611 in the first storage container 120. [ A heat insulating pipe 242 is provided between the discharge pipe L621 outside the second storage container 220 and the discharge pipe L621 inside the second storage container 220. The heat insulating pipe 242 The heat exchange between the discharge pipe L621 outside the second storage container 220 and the discharge pipe L621 inside the second storage container 220 is suppressed. Similarly, a heat insulating pipe 342 is provided between the discharge pipe L631 outside the third storage container 320 and the discharge pipe L631 inside the third storage container 320, and the heat insulating pipe 342 The heat exchange between the discharge pipe L631 outside the third storage container 320 and the discharge pipe L631 inside the third storage container 320 is suppressed. For example, the discharge pipes L611, L621 and L631 may be made of stainless steel, and the heat insulating pipes 142, 242 and 342 may be made of quartz.

또한 일실시예에서는, 성막 장치(10)는 수용실(R1 ~ R3) 내로 퍼지 가스를 도입하는 가스 도입 계통(가스 도입로)(700)을 더 구비할 수 있다. 이 가스 도입 계통(700)은 도입 배관(L701, L711, L721, L731) 및 밸브(V106, V206, V306)를 구비한다. 도입 배관(L701)에는 질소 가스(퍼지 가스)가 도입될 수 있다. 또한, 질소 가스 대신에 다른 가스를 이용할 수도 있다. 도입 배관(L711)의 일단은 수용실(R1)과 연통하도록 제 1 수용 용기(120)에 접속된다. 도입 배관(L711)의 타단은 도입 배관(L701)에 접속된다. 마찬가지로, 도입 배관(L721, L731)의 일단은 수용실(R2, R3)과 연통하도록 제 2, 제 3 수용 용기(220, 320)에 각각 접속된다. 도입 배관(L721, L731)의 타단은 도입 배관(L701)에 접속된다.In addition, in one embodiment, the film forming apparatus 10 may further include a gas introduction system (gas introduction path) 700 for introducing a purge gas into the containing chambers R1 to R3. This gas introduction system 700 includes introduction pipes L701, L711, L721 and L731 and valves V106, V206 and V306. Nitrogen gas (purge gas) may be introduced into the introduction pipe L701. In place of the nitrogen gas, another gas may be used. One end of the introduction pipe L711 is connected to the first storage container 120 so as to communicate with the storage chamber R1. The other end of the introduction pipe L711 is connected to the introduction pipe L701. Similarly, one end of the introduction pipes L721 and L731 is connected to the second and third storage containers 220 and 320 so as to communicate with the storage chambers R2 and R3, respectively. The other ends of the introduction pipes L721 and L731 are connected to the introduction pipe L701.

도입 배관(L711, L721, L731)은 도입 배관(L701)을 흐르는 질소 가스를 수용실(R1 ~ R3) 내로 각각 유도한다. 밸브(V106, V206, V306)는 도입 배관(L711, L721, L731)에 각각 설치된다. 밸브(V106)의 개폐에 의해, 도입 배관(L701)을 흐르는 질소 가스를, 선택적으로 도입 배관(L711)을 거쳐 수용실(R1) 내로 도입하거나 또는 차단할 수 있다. 마찬가지로 밸브(V206)의 개폐에 의해, 도입 배관(L701)을 흐르는 질소 가스를, 선택적으로 도입 배관(L721)을 거쳐 수용실(R2) 내로 도입하거나 또는 차단할 수 있다. 마찬가지로 밸브(V306)의 개폐에 의해, 도입 배관(L701)을 흐르는 질소 가스를, 선택적으로 도입 배관(L731)을 거쳐 수용실(R3) 내로 도입하거나 또는 차단할 수 있다.The introduction pipes L711, L721 and L731 guide the nitrogen gas flowing through the introduction pipe L701 into the containing chambers R1 to R3, respectively. The valves V106, V206, and V306 are installed in the inlet pipes L711, L721, and L731, respectively. The nitrogen gas flowing through the introduction pipe L701 can be selectively introduced into or shut off into the containing chamber R1 via the introduction pipe L711 by opening and closing the valve V106. Similarly, by opening and closing the valve V206, the nitrogen gas flowing through the introduction pipe L701 can be selectively introduced into the containing chamber R2 via the introduction pipe L721 or shut off. Similarly, by opening and closing the valve V306, the nitrogen gas flowing through the introduction pipe L701 can be selectively introduced into the storage chamber R3 via the introduction pipe L731 or shut off.

도 12는, 일실시예에 따른 성막 장치를 이용하여 제조될 수 있는 유기 EL 소자의 완성 상태의 일례를 도시한 도이다. 도 12에 도시한 유기 EL 소자(D)는 기판(S), 제 1 층(D1), 제 2 층(D2), 제 3 층(D3), 제 4 층(D4), 제 5 층(D5) 및 제 6 층(D6)을 구비할 수 있다. 기판(S)은 글라스 기판과 같은 광학적으로 투명한 기판이다.12 is a diagram showing an example of a completed state of an organic EL device that can be manufactured using a film forming apparatus according to an embodiment. The organic EL element D shown in Fig. 12 includes a substrate S, a first layer D1, a second layer D2, a third layer D3, a fourth layer D4, a fifth layer D5 And a sixth layer D6. The substrate S is an optically transparent substrate such as a glass substrate.

기판(S)의 일 주면(主面) 상에는 제 1 층(D1)이 형성되어 있다. 제 1 층(D1)은 양극층으로서 이용될 수 있다. 이 제 1 층(D1)은 광학적으로 투명한 전극층이며, 예를 들면 ITO(Indium Tin Oxide)와 같은 도전성 재료에 의해 구성될 수 있다. 제 1 층(D1)은 예를 들면 스퍼터링법에 의해 형성된다.On the main surface of the substrate S, a first layer D1 is formed. The first layer (D1) can be used as the anode layer. The first layer D1 is an optically transparent electrode layer, and may be formed of a conductive material such as ITO (Indium Tin Oxide). The first layer D1 is formed by, for example, a sputtering method.

제 1 층(D1) 상에는 제 2 층(D2), 제 3 층(D3), 제 4 층(D4) 및 제 5 층(D5)이 차례로 적층되어 있다. 제 2 층(D2), 제 3 층(D3), 제 4 층(D4) 및 제 5 층(D5)은 유기층이다. 제 2 층(D2)은 홀 주입층일 수 있다. 제 3 층(D3)은 예를 들면 비발광층(D3a), 비발광층(D3b)을 포함할 수 있다. 또한, 제 4 층(D4)은 발광층일 수 있다. 제 5 층(D5)은 전자 수송층일 수 있다. 유기층인 제 2 층(D2), 제 3 층(D3), 제 4 층(D4) 및 제 5 층(D5)을 성막 장치(10)를 이용하여 형성할 수 있다.The second layer D2, the third layer D3, the fourth layer D4 and the fifth layer D5 are stacked in this order on the first layer D1. The second layer D2, the third layer D3, the fourth layer D4 and the fifth layer D5 are organic layers. The second layer D2 may be a hole injection layer. The third layer D3 may include, for example, a non-light-emitting layer D3a and a non-light-emitting layer D3b. The fourth layer D4 may be a light emitting layer. The fifth layer D5 may be an electron transporting layer. The second layer D2, the third layer D3, the fourth layer D4 and the fifth layer D5 which are organic layers can be formed by using the film forming apparatus 10.

제 5 층(D5) 상에는 제 6 층(D6)이 형성되어 있다. 제 6 층(D6)은 음극층이며, 예를 들면 Ag, Al 등에 의해 구성될 수 있다. 제 6 층(D6)은 스퍼터링법 등에 의해 형성될 수 있다. 이러한 구성의 소자(D)는 또한 마이크로파 플라즈마 CVD 등에 의해 형성되는 SiN와 같은 재료의 절연성의 밀봉막에 의해 밀봉될 수 있다.A sixth layer D6 is formed on the fifth layer D5. The sixth layer D6 is a cathode layer, and may be composed of, for example, Ag, Al or the like. The sixth layer D6 may be formed by sputtering or the like. The element D having such a configuration can also be sealed by an insulating sealing film of a material such as SiN formed by microwave plasma CVD or the like.

이어서, 일실시예에 따른 성막 장치에 의한 효과(증착막의 균일성)에 대하여 설명한다. 도 13a ~ 도 13c는, 일실시예에 따른 성막 장치에 의해 기판(S)에 대하여 성막 처리를 행한 경우의 증착막의 균일성을 나타낸 도이다. 도 13a ~ 도 13c에서 왼쪽 상측의 도면은 기판(S)에 성막된 증착막의 확대 사시도를 나타내고, 오른쪽 상측의 도면은 기판(S)에 성막된 증착막의 확대 상면도를 나타내고 있다. 또한 도 13a ~ 도 13c에서 하측의 도면은, 챔버 압력[Pa]과 기판(S)에 성막된 증착막의 균일성[%]과의 대응 관계를 나타낸 것이다. 또한 도 13a는, 성막 장치(10)에 의해 각 수용실(12a ~ 12d)의 압력을 3 × 10-3 Pa보다 큰 1.92 × 10-2 Pa로 설정한 경우(비교예 1)의 증착막의 균일성을 나타낸 도이다. 또한 도 13b는, 성막 장치(10)에 의해 각 수용실(12a ~ 12d)의 압력을 3 × 10-3 Pa보다 큰 5.56 × 10-3 Pa로 설정한 경우(비교예 2)의 증착막의 균일성을 나타낸 도이다. 또한 도 13c는, 본 실시예의 성막 장치(10)에 의해 각 수용실(12a ~ 12d)의 압력을 3 × 10-3 Pa 이하로 설정한 경우의 증착막의 균일성을 나타낸 도이다.Next, the effect (uniformity of the deposited film) of the film forming apparatus according to one embodiment will be described. 13A to 13C are diagrams showing the uniformity of the deposited film when the film formation process is performed on the substrate S by the film deposition apparatus according to one embodiment. 13A to 13C, an upper left drawing shows an enlarged perspective view of a vapor deposition film formed on a substrate S, and a right upper view shows an enlarged top view of a vapor deposition film formed on a substrate S. 13A to 13C show the corresponding relationship between the chamber pressure [Pa] and the uniformity [%] of the deposited film formed on the substrate S. [ Figure 13a also, the uniform deposition layer of the respective accommodation chamber (12a ~ 12d) is set to a pressure of 3 × 10 -3 × 10 -2 Pa than large 1.92 Pa (Comparative Example 1) by the film forming apparatus 10 It is a figure that shows the castle. 13B shows the uniformity of the deposited film in the case where the pressure of each of the containing chambers 12a to 12d is set to 5.56 x 10-3 Pa larger than 3 x 10-3 Pa by the film forming apparatus 10 (Comparative Example 2) It is a figure that shows the castle. 13C is a diagram showing the uniformity of the deposited film when the pressure in each of the containing chambers 12a to 12d is set to 3 x 10 < -3 > Pa or less by the film forming apparatus 10 of the present embodiment.

도 13a에 나타낸 바와 같이, 각 수용실(12a ~ 12d)의 압력을 3 × 10-3 Pa보다 큰 1.92 × 10-2 Pa로 설정한 비교예 1에서는, 기판(S)의 중앙부와 기판(S)의 주연부의 증착막의 막 두께의 차가 비교적 크고, 결과로서 증착막의 균일성은 ±3.0%가 되었다. 또한, 도 13b에 나타낸 바와 같이 각 수용실(12a ~ 12d)의 압력을 3 × 10-3 Pa보다 큰 5.56 × 10-3 Pa로 설정한 비교예 2에서는, 비교예 1과 마찬가지로 기판(S)의 중앙부와 기판(S)의 주연부의 증착막의 막 두께의 차가 비교적 크고, 증착막의 균일성은±2.5%가 되었다. 이들 비교예 1 및 2의 증착막의 균일성은, 미리 정해진 허용 스펙을 충족시키는 것은 아니었다.As it is shown in Figure 13a, each accommodation chamber (12a ~ 12d) the pressure 3 × 10 -3 in the comparative example 1 set to greater than 1.92 × 10 -2 Pa Pa, and the substrate central portion of the substrate (S) (S of ) Was relatively large, and as a result, the uniformity of the deposited film was ± 3.0%. Further, in the comparison is set to each storage chamber is also great 5.56 × 10 -3 Pa to a pressure of (12a ~ 12d) than 3 × 10 -3 Pa, as shown in Example 2, 13b, as with Comparative Example 1, the substrate (S) And the thickness of the deposited film on the periphery of the substrate S was relatively large, and the uniformity of the deposited film was ± 2.5%. The uniformity of the vapor-deposited films of Comparative Examples 1 and 2 did not satisfy predetermined allowable specifications.

이에 대하여, 도 13c에 나타낸 바와 같이 각 수용실(12a ~ 12d)의 압력을 3 × 10-3 Pa 이하로 설정한 본 실시예에서는, 기판(S)의 중앙부와 기판(S)의 주연부의 증착막의 막 두께의 차가 비교예 1 및 2와 비교하여 작고, 결과로서 증착막의 균일성은 ±1.8%가 되었다. 즉, 본 실시예와 같이 각 수용실(12a ~ 12d)의 압력을 3 × 10-3 Pa 이하로 설정함으로써, 증착막의 균일성은 미리 정해진 허용 스펙를 충족시키는 것이 되었다.13C, in the present embodiment in which the pressure in each of the containing chambers 12a to 12d is set to 3 × 10 -3 Pa or less, the central portion of the substrate S and the vapor- Was smaller than that of Comparative Examples 1 and 2, and as a result, the uniformity of the deposited film was ± 1.8%. That is, by setting the pressure in each of the accommodating chambers 12a to 12d to be equal to or less than 3 x 10-3 Pa as in the present embodiment, the uniformity of the deposited film satisfies the predetermined allowable specification.

이어서, 일실시예에 따른 성막 장치에 의한 효과(수용실에 포함되는 수분의 분압의 변화)에 대하여 설명한다. 도 14는, 일실시예에 따른 성막 장치에 의해 기판(S)에 대하여 성막 처리를 행한 경우의 수용실에 포함되는 수분의 분압의 변화를 나타낸 도이다. 도 14에서, 횡축은 캐리어 가스인 Ar의 유량[sccm]을 나타내고, 종축은 수용실에 포함되는 수분(H2O)의 분압[Pa]을 나타내고 있다.Next, the effect of the film forming apparatus according to one embodiment (change in the partial pressure of water contained in the storage chamber) will be described. Fig. 14 is a diagram showing a change in the partial pressure of water contained in the storage chamber when the film formation process is performed on the substrate S by the film formation apparatus according to the embodiment. 14, the horizontal axis represents the flow rate [sccm] of the carrier gas, Ar, and the ordinate axis represents the partial pressure [Pa] of the water (H 2 O) contained in the storage chamber.

또한 도 14에서 그래프(502)는, 성막 장치(10)에 의해 각 수용실(12a ~ 12d)의 압력을 3 × 10-3 Pa보다 큰 값으로 설정한 경우(비교예)의, 수용실에 포함되는 H2O의 분압을 나타내고 있다. 한편 그래프(504)는, 본 실시예의 성막 장치(10)에 의해 각 수용실(12a ~ 12d)의 압력을 3 × 10-3 Pa 이하로 설정한 경우의, 수용실에 포함되는 수분(H2O)의 분압을 나타내고 있다.14, the graph 502 shows the case where the pressure of each of the containing chambers 12a to 12d is set to a value larger than 3 x 10-3 Pa by the film forming apparatus 10 (comparative example) And the partial pressures of H 2 O contained therein. In graph 504, the water (H 2 contained in the receiving chamber in the case of setting the pressure in each container chamber (12a ~ 12d) by the present embodiment, the deposition apparatus 10 to less than 3 × 10 -3 Pa O).

우선, 그래프(502)에 나타낸 바와 같이, 각 수용실(12a ~ 12d)의 압력을 3 × 10-3 Pa보다 큰 값으로 설정한 비교예에서는, Ar의 유량의 증가에 수반하여 수용실에 포함되는 수분(H2O)의 분압이 커졌다. 이는, 각 수용실(12a ~ 12d)의 압력을 3 × 10-3 Pa보다 큰 값으로 설정한 경우에는 수용실 내의 흐름이 점성류가 되어 배기가 정체되기 때문에, 배기되지 않고 남은 수분의 분압이 비교적으로 커졌기 때문이라고 상정된다.First, as shown in the graph 502, in the comparative example in which the pressure in each of the containing chambers 12a to 12d is set to a value larger than 3 × 10 -3 Pa, The partial pressure of water (H 2 O) becomes larger. This is because, when the pressure in each of the accommodating chambers 12a to 12d is set to a value larger than 3 x 10-3 Pa, the flow in the accommodating chamber becomes a viscous flow and the exhaust gas stagnates. It is assumed that it is relatively large.

한편 그래프(504)에 나타낸 바와 같이, 각 수용실(12a ~ 12d)의 압력을 3 × 10-3 Pa 이하로 설정한 본 실시예에서는, Ar의 유량을 증가시킨 경우라도, 수용실에 포함되는 수분(H2O)의 분압을 비교예와 비교하여 작은 값으로 유지할 수 있었다. 즉, 본 실시예와 같이 각 수용실(12a ~ 12d)의 압력을 3 × 10-3 Pa 이하로 설정함으로써, 수분에 의한 증착 재료의 분해가 억제되어 증착막의 순도의 저하가 억제되는 것을 알 수 있다.On the other hand, as shown in the graph 504, in the present embodiment in which the pressure in each of the containing chambers 12a to 12d is set to 3 × 10 -3 Pa or less, even when the flow rate of Ar is increased, The partial pressure of water (H 2 O) could be kept at a small value compared with the comparative example. That is, as in the present embodiment, by setting the pressure in each of the containing chambers 12a to 12d to 3 x 10 < -3 > Pa or lower, decomposition of the evaporation material due to moisture is suppressed and the decrease in the purity of the evaporation film is suppressed have.

이어서, 일실시예에 따른 성막 장치에 의한 효과(디바이스 특성)에 대하여 설명한다. 도 15는, 일실시예에 따른 성막 장치를 이용하여 제조된 유기 EL 소자의 디바이스 특성을 설명하기 위한 설명도이다. 도 15에서, 횡축은 성막 장치(10)를 이용하여 제조된 유기 EL 소자(D)의 제 1 층(D1)(양극층)과 제 6 층(D6)(음극층)의 사이의 구동 전압[V]을 나타내고, 종축은 제 1 층(D1)(양극층)과 제 6 층(D6)(음극층)의 사이의 전류 밀도[mA/cm2]를 나타내고 있다. 구동 전압은 유기 EL 소자의 디바이스 특성의 일례이다.Next, effects (device characteristics) of the film forming apparatus according to one embodiment will be described. 15 is an explanatory view for explaining device characteristics of an organic EL device manufactured using a film forming apparatus according to an embodiment. 15, the axis of abscissa indicates the driving voltage (voltage) between the first layer D1 (anode layer) and the sixth layer D6 (cathode layer) of the organic EL device D manufactured using the film forming apparatus 10 V] and the vertical axis represents the current density [mA / cm 2 ] between the first layer D1 (anode layer) and the sixth layer D6 (cathode layer). The driving voltage is an example of the device characteristics of the organic EL element.

또한 도 15에서 그래프(602)는, 성막 장치(10)에 의해 각 수용실(12a ~ 12d)의 압력을 3 × 10-3 Pa보다 큰 값으로 설정한 경우(비교예)의 유기 EL 소자(D)의 구동 전압을 나타내고 있다. 한편 그래프(604)는, 본 실시예의 성막 장치(10)에 의해 각 수용실(12a ~ 12d)의 압력을 3 × 10-3 Pa 이하로 설정한 경우의 유기 EL 소자(D)의 구동 전압을 나타내고 있다.The graph 602 in FIG. 15 indicates the case where the pressure in each of the accommodating chambers 12a to 12d is set to a value larger than 3 占10-3 Pa by the film forming apparatus 10 (comparative example) D shown in Fig. On the other hand, the graph 604 indicates the driving voltage of the organic EL element D when the pressure in each of the containing chambers 12a to 12d is set to 3 × 10 -3 Pa or less by the film forming apparatus 10 of the present embodiment Respectively.

그래프(602)와 그래프(604)는 비교 결과로부터 알 수 있는 바와 같이, 본 실시예와 같이 각 수용실(12a ~ 12d)의 압력을 3 × 10-3 Pa 이하로 설정한 경우에는, 소정의 전류 밀도를 얻기 위한 유기 EL 소자(D)의 구동 전압이 비교예와 비교하여 작아졌다. 예를 들면 비교예에서는, 전류 밀도로서 100 mA/cm2를 얻기 위한 유기 EL 소자(D)의 구동 전압이 2.9 V였다. 이에 대하여 본 실시예에서는, 전류 밀도로서 100 mA/cm2를 얻기 위한 유기 EL 소자(D)의 구동 전압이 2.7 V였다. 즉, 본 실시예와 같이 각 수용실(12a ~ 12d)의 압력을 3 × 10-3 Pa 이하로 설정함으로써, 수분에 의한 증착 재료의 분해가 억제되어 증착막의 순도의 저하가 억제된 것을 알 수 있다.As can be seen from the comparison results, when the pressure of each of the accommodating chambers 12a to 12d is set to 3 × 10 -3 Pa or less, the graph 602 and the graph 604 are set to a predetermined value The driving voltage of the organic EL element D for obtaining the current density was smaller than that in the comparative example. For example, in the comparative example, the driving voltage of the organic EL element D for obtaining a current density of 100 mA / cm 2 was 2.9 V. In contrast, in the present embodiment, the driving voltage of the organic EL element D for obtaining a current density of 100 mA / cm 2 was 2.7 V. That is, it was found that the decomposition of the evaporation material due to moisture was suppressed and the lowering of the purity of the evaporation film was suppressed by setting the pressure in each of the containing chambers 12a to 12d to 3 x 10 < -3 & have.

이상 본 실시예의 성막 장치에 의하면, 구획 벽(17)으로 구획된 각 수용실(12a ~ 12d)에 배기구(51a ~ 51d)를 형성하고, 배기구(51a ~ 51d)를 개재하여 각 수용실(12a ~ 12d)에 진공 펌프(60a ~ 60d)를 접속함으로써, 증착 헤드 간을 격리하면서 배기를 행할 수 있다. 이 때문에, 본 실시예에 의하면, 인접하는 증착 헤드로부터의 증기를 차폐하면서, 각 수용실을 효율 좋게 감압하는 것이 가능해진다. 그 결과, 본 실시예에 의하면, 인접하는 증착 헤드끼리의 증기의 혼입을 회피하면서 각 수용실의 배기 효율의 저하를 억제할 수 있으므로, 기판(S)의 성막면에 대하여 고순도 또한 균일한 성막 처리를 행할 수 있다.As described above, according to the film forming apparatus of this embodiment, the exhaust ports 51a to 51d are formed in the respective storage chambers 12a to 12d partitioned by the partition wall 17 and the respective storage chambers 12a To 12d are connected to the vacuum pumps 60a to 60d, the exhaust can be performed while isolating the deposition heads. Therefore, according to the present embodiment, it becomes possible to efficiently depressurize the respective containing chambers while shielding the vapor from the adjacent deposition heads. As a result, according to the present embodiment, it is possible to suppress the decrease in the exhaust efficiency of the respective storage chambers while avoiding the mixing of the vapor between the adjacent deposition heads, so that the film formation surface of the substrate S can be processed with high purity and uniform Can be performed.

또한 본 실시예에서는, 증착 재료 가스가 분사된 상태에서, 각 수용실(12a ~ 12d)의 압력을 분자류에 대응하는 압력 범위 또는 중간류에 대응하는 압력 범위, 바람직하게는 3 × 10-3 Pa 이하로 설정함으로써 증착 재료 가스의 분사를 원활화하고, 또한 수용실에 포함되는 H2O의 분압의 상승을 억제할 수 있다. 이 때문에, 본 실시예에 의하면, 각 수용실의 배기 효율의 저하를 한층 더 억제할 수 있으므로, 기판(S)의 성막면에 대하여 보다 고순도 또한 균일한 성막 처리를 행할 수 있다.Further, in this embodiment, the pressure of each of the containing chambers 12a to 12d is set to a pressure range corresponding to the molecular flow or a pressure range corresponding to the intermediate flow, preferably 3 x 10 < -3 > Pa, it is possible to smooth the injection of the evaporation material gas and suppress the increase in the partial pressure of H 2 O contained in the storage chamber. Therefore, according to the present embodiment, the lowering of the exhaust efficiency of each containing chamber can be further suppressed, so that the film forming process of the substrate S can be performed with higher purity and uniformity.

또한 본 실시예에서는, 배기구(51a ~ 51d)를 기판(S)의 반송 경로(C)에 수직인 방향에서 봤을 때 반송 경로(C)와 중첩되지 않는 위치에 형성함으로써, 배기구(51a ~ 51d)에의 배기가 반송 중의 기판에 의해 방해되는 것을 회피할 수 있다. 그 결과, 본 실시예에 의하면, 배기구(51a ~ 51d)가 형성된 수용실(12a ~ 12d)의 내부를 효율 좋게 감압할 수 있으므로, 기판(S)의 성막면에 대하여 한층 더 고순도 또한 균일한 성막 처리를 행할 수 있다.In this embodiment, the exhaust ports 51a to 51d are formed at positions not overlapping the conveyance path C when viewed in the direction perpendicular to the conveyance path C of the substrate S, It is possible to prevent the exhaust gas from being obstructed by the substrate during transportation. As a result, according to the present embodiment, since the inside of the containing chambers 12a to 12d in which the exhaust ports 51a to 51d are formed can be efficiently reduced, the film forming surface of the substrate S can be formed with a higher purity Processing can be performed.

10 : 성막 장치
11 : 처리 용기
12 : 처리실
12a ~ 12d : 수용실
14 : 스테이지(반송 기구)
16a ~ 16d : 증착 헤드
17 : 구획 벽
22 : 구동 장치(반송 기구)
24 : 롤러(반송 기구)
51a ~ 51d : 배기구
60a ~ 60d : 진공 펌프(배기 기구)
C : 반송 경로
S : 기판10: Deposition device
11: Processing vessel
12: Treatment room
12a to 12d:
14: stage (transport mechanism)
16a to 16d: deposition heads
17: compartment wall
22: Driving device (transport mechanism)
24: Roller (conveying mechanism)
51a to 51d:
60a to 60d: Vacuum pump (exhaust mechanism)
C: Return path
S: substrate

Claims (5)

기판을 처리하기 위한 처리실을 구획 형성하는 처리 용기와,
상기 처리실에서 소정 방향으로 연장되는 반송 경로 상에서 상기 기판을 반송하는 반송 기구와,
상기 소정 방향을 따라 상기 처리실에 배치되고, 상기 반송 기구에 의해 상기 반송 경로 상에서 반송되는 상기 기판의 성막면을 향해 증착 재료의 증기를 포함하는 가스를 분사하는 복수의 증착 헤드와,
각 상기 증착 헤드를 격리하도록 상기 처리실에 세워 설치되고, 상기 반송 경로를 삽입 관통시키면서, 상기 처리실을 각 상기 증착 헤드를 수용하는 복수의 수용실로 구획하는 구획 벽과,
각 상기 수용실에 형성된 배기구를 개재하여 각 상기 수용실에 접속되고, 상기 증착 헤드의 주위를 배기하는 배기 기구를 구비한 것을 특징으로 하는 성막 장치.A processing chamber for partitioning a processing chamber for processing the substrate;
A transport mechanism for transporting the substrate on a transport path extending in a predetermined direction in the processing chamber,
A plurality of deposition heads arranged in the processing chamber along the predetermined direction and configured to inject gas containing vapor of an evaporation material toward the film formation surface of the substrate carried on the transport path by the transport mechanism,
A partition wall which is installed in the processing chamber so as to isolate each of the deposition heads and which divides the processing chamber into a plurality of containing chambers accommodating the deposition heads while inserting the transfer path therethrough;
And an exhaust mechanism connected to each of the accommodating chambers via an exhaust port formed in each of the accommodating chambers and exhausting the periphery of the deposition head. 제 1 항에 있어서,
상기 배기구는, 각 상기 수용실에서 상기 반송 경로에 수직인 방향에서 봤을 때 상기 반송 경로와 중첩되지 않는 위치에 형성된 것을 특징으로 하는 성막 장치.The method according to claim 1,
Wherein the exhaust port is formed at a position that does not overlap with the conveyance path when viewed in a direction perpendicular to the conveyance path in each of the accommodating chambers. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
상기 배기구는, 각 상기 수용실에서 상기 반송 경로에 수직인 방향에서 봤을 때 상기 소정 방향에 교차하는 방향을 따라 상기 증착 헤드를 사이에 두는 위치에 형성된 것을 특징으로 하는 성막 장치.3. The method according to claim 1 or 2,
Wherein the exhaust port is formed at a position where the deposition head is disposed along a direction crossing the predetermined direction when viewed in a direction perpendicular to the conveyance path in each of the accommodating chambers. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
상기 증착 헤드로부터 증착 재료의 증기를 포함하는 가스가 분사된 상태에서, 각 상기 수용실의 압력이 분자류에 대응하는 압력 범위 또는 중간류에 대응하는 압력 범위로 설정되는 것을 특징으로 하는 성막 장치.3. The method according to claim 1 or 2,
Wherein the pressure in each of the containing chambers is set to a pressure range corresponding to the molecular flow or a pressure range corresponding to the intermediate flow in a state in which the gas containing the vapor of the evaporation material is ejected from the deposition head. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
상기 증착 헤드로부터 증착 재료의 증기를 포함하는 가스가 분사된 상태에서, 각 상기 수용실의 압력이 3 × 10-3 Pa 이하로 설정되는 것을 특징으로 하는 성막 장치.3. The method according to claim 1 or 2,
Wherein a pressure of each of said containing chambers is set to 3 x 10 < -3 > Pa or less in a state where a gas containing vapor of an evaporation material is ejected from said evaporation head.
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