KR20140043657A - 유리 기판의 제조 방법 및 제조 장치 - Google Patents
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Abstract
유리 기판마다의 열수축률의 편차를 억제할 수 있는 유리 기판의 제조 방법 및 제조 장치를 제공한다.
본 발명의 일 형태에 따른 유리 기판의 제조 방법은, 유리 원료와 파유리를 용해해서 용융 유리를 만드는 용해 공정과, 상기 용융 유리를 판상 유리로 성형하는 성형 공정을 포함하고, 상기 유리 기판의 β-OH값이 목표 β-OH값이 되도록, 상기 유리 원료 및 파유리의 혼합물에 대한 상기 파유리의 배합비가 제어되는 것을 특징으로 한다.
본 발명의 일 형태에 따른 유리 기판의 제조 방법은, 유리 원료와 파유리를 용해해서 용융 유리를 만드는 용해 공정과, 상기 용융 유리를 판상 유리로 성형하는 성형 공정을 포함하고, 상기 유리 기판의 β-OH값이 목표 β-OH값이 되도록, 상기 유리 원료 및 파유리의 혼합물에 대한 상기 파유리의 배합비가 제어되는 것을 특징으로 한다.
Description
본 발명은 유리 기판의 제조 방법 및 제조 장치에 관한 것이다.
액정 디스플레이, 유기 EL 디스플레이 등의 플랫 패널 디스플레이는, 최근 고정밀 화상을 표시하는 것이 요구되며, 디스플레이에 사용되는 유리 기판으로서, α-Si·TFT(Amorphous Silicon Thin Film Transistor)가 아닌, 저온 폴리실리콘(Low-temperature Poly Silicon, 이하, LTPS라 함)·TFT에 적용할 수 있는 것이 요구되고 있다. LTPS·TFT의 패널 제조 시에는, α-Si·TFT와 비교하여, 보다 고온에서의 열처리가 필요하다. 그러나, TFT가 형성되는 유리 기판에, 이러한 고온의 열처리가 실시되면, 유리 기판은 열수축에 의해 줄어들어 유리 기판 위에 형성된 TFT 회로의 어긋남이 발생한다. 이러한 어긋남은, 액정 패널 등의 디스플레이에 있어서 표시 불량을 일으킨다. 이 때문에, LTPS·TFT가 형성되는 유리 기판은, 열수축률이 작으며, 또한 유리 기판마다의 열수축률의 편차가 작은 것이 요구되고 있다.
일반적으로, 유리 기판의 열수축률은, 유리의 저온도 영역에 있어서의 점성이 높을수록, 즉 유리의 왜곡점이 높을수록, 작아진다. 따라서, 종래, 유리 원료의 조성을 조정함으로써 왜곡점을 높게 하고, 이에 의해 유리 기판의 열수축률을 작게 하는 기술이 제안되고 있다(특허문헌 1).
그런데, 유리 기판을 제조한 경우에, 서냉 시의 냉각 조건이 일정해도, 생산한 시기에 따라서 얻어진 유리 기판마다 열수축률의 편차가 발생하는 경우가 있다. 열수축률의 편차가 발생하는 이유로서, 생산한 시기에 따라 용융 유리에 포함되는 수분량이 변화함으로써, 유리 기판마다 수분량이 달랐던 결과, 왜곡점이 다르고, 열수축률이 다른 것을 들 수 있다. 이러한 열수축률의 편차는 LTPS·TFT에 적용되는 유리 기판으로서 바람직하지 않다.
이것은 열수축률의 절대값이 큰 것에 의한 TFT 회로의 어긋남의 문제는, LTPS·TFT의 패널 제조 시에 장치 설정을 변경함으로써 저감할 수 있다. 이에 반해, 유리 기판마다의 열수축률의 편차의 영향은, 장치 설정을 변경했다고 하여도 저감하는 것이 곤란하기 때문에, 특히 중요하다.
그러나, 특허문헌 1에 개시되는 기술에서는, 열수축의 절대값은 작게 할 수 있어도, 유리 기판마다의 열수축률의 편차를 충분히 억제할 수 없다.
본 발명은 유리 기판마다의 열수축률의 편차를 억제할 수 있는 유리 기판의 제조 방법 및 제조 장치를 제공하는 것을 목적으로 한다.
본 발명의 일 형태는, 유리 기판의 제조 방법으로서,
유리 원료와 파유리를 용해해서 용융 유리를 만드는 용해 공정과, 상기 용융 유리를 판상 유리로 성형하는 성형 공정을 포함하고,
또한, 상기 유리 기판의 β-OH값이 목표 β-OH값이 되도록, 상기 유리 원료 및 파유리의 혼합물에 대한 상기 파유리의 배합비가 제어되는 것을 특징으로 한다.
이 제조 방법에 따르면, 유리 기판의 β-OH값이 목표 β-OH값이 되도록, 유리 원료 및 파유리의 혼합물에 대한 파유리의 배합비가 제어됨으로써, 유리의 β-OH값에 영향을 미치는 제조 조건이 변화했다고 해도, 제조된 유리 기판의 β-OH값이 변화하는 것을 억제할 수 있어, 유리 기판마다의 β-OH값의 편차를 작게 할 수 있다. 따라서, 유리 기판마다의 왜곡점의 편차를 작게 할 수 있으며, 유리 기판마다의 열수축률의 편차를 작게 할 수 있다.
상기 유리 기판의 제조 방법의 바람직한 제1 형태에서는, 상기 용해 공정에서는, 제조된 유리 기판의 β-OH값에 기초하여 결정된 배합비에 따라서, 상기 유리 원료 및 파유리를 용해조에 투입한다.
또한, 상기 배합비는, 유리 내의 β-OH값양에 영향을 미치는 제조 조건의 변경실적 또는 예정에 기초하여 결정되는 것이 보다 바람직하다.
이와 같이, 유리 기판의 β-OH값이 다음에 유리 기판이 제조되는 경우에 반영되고, 피드백 제어가 행해짐으로써, 유리 기판의 β-OH값을 고정밀도로 제어할 수 있다.
상기 유리 기판의 제조 방법의 바람직한 제2 형태에서는, 상기 유리 기판은, 왜곡점이 680℃ 이상이다.
상기 유리 기판의 제조 방법의 바람직한 제3 형태에서는, 상기 유리 기판은, Li2O, Na2O, K2O의 합계 함유량이 0 ~ 2질량%이다.
상기 유리 기판의 제조 방법의 바람직한 제4 형태에서는, 상기 유리 기판은, 플랫 패널 디스플레이용 유리 기판이다.
상기 유리 기판의 제조 방법의 바람직한 제5 형태에서는, 상기 유리 기판은, LTPS·TFT 탑재 디스플레이용 유리 기판이다.
또한, 상기 유리 기판의 제조 방법의 바람직한 제6 형태에서는, 상기 유리 기판은, 액정 디스플레이용 유리 기판 또는 유기 EL 디스플레이용 유리 기판이다.
상기 유리 기판의 제조 방법의 바람직한 제7 형태에서는, 유리 원료와 파유리를 용해조에서 용해하여 용융 유리를 만드는 용해 공정에서는, 연소 수단을 이용한 기상(氣相) 중의 연소 가열과 용융 유리에 전류를 흐르게 함으로써 행하는 통전 가열을 이용하고, SnO2를 포함하고, 점도가 102.5 포아즈일 때의 온도가 1580℃이상인 유리가 되도록 유리 원료를 용해하고, 상기 통전 가열에 의한 발열량에 대한, 상기 연소 가열에 의한 발열량의 비가, 1.5 이상 2.8 이하가 되도록, 상기 연소 가열과 상기 통전 가열을 행한다.
이에 의해, 유리 기판의 β-OH값이 높아져서, 왜곡점이 낮아지는 것을 억제할 수 있어, 열집수축(熱集收縮)의 격차를 작게 할 수 있다. 또한, 용융 유리의 청징을 효율이 좋게 행할 수 있어, 용해조의 손상 혹은 용손(熔損)을 억제할 수 있다.
본 발명의 다른 일 형태는, 유리 기판의 제조 장치로서,
유리 원료와 파유리를 용해해서 용융 유리를 만드는 용해조와, 상기 용융 유리를 판상 유리로 성형하는 성형로를 구비하고,
상기 유리 기판의 β-OH값이 목표 β-OH값이 되도록, 상기 유리 원료 및 파유리의 혼합물에 대한 상기 파유리의 배합비를 제어하는 제어부를 더 구비하는 것을 특징으로 한다.
이 제조 장치에 따르면, 유리 기판의 β-OH값이 목표 β-OH값이 되도록, 상기 유리 원료 및 파유리의 혼합물에 대한 파유리의 배합비가 제어됨으로써, 유리의 β-OH값에 영향을 미치는 제조 조건이 변화했다고 해도, 제조된 유리 기판의 β-OH값이 변화하는 것을 억제할 수 있으며, 얻어지는 유리 기판마다의 β-OH값의 편차를 작게 할 수 있다. 따라서, 유리 기판마다의 왜곡점의 편차를 작게 할 수 있으며, 유리 기판마다의 열수축률의 편차를 작게 할 수 있다.
본 발명의 다른 일 형태는, 유리 기판의 제조 방법으로서,
용융 유리를 만드는 용해 공정과, 상기 용융 유리를 판상 유리로 성형하는 성형 공정을 포함하고, 상기 유리 기판의 β-OH값이 목표 β-OH값으로 되도록 제어되는 것을 특징으로 한다.
이 제조 방법에 따르면, 유리 기판의 β-OH값이 목표 β-OH값이 되도록 제어됨으로써, 유리의 β-OH값에 영향을 미치는 제조 조건이 변화했다고 해도, 제조된 유리 기판의 β-OH값이 변화하는 것을 억제할 수 있으며, 유리 기판마다의 열수축률의 편차를 작게 할 수 있다.
본 발명에 따르면, 유리 기판의 β-OH값이 목표 β-OH값이 되도록, 유리 원료 및 파유리의 혼합물에 대한 파유리의 배합비가 제어됨으로써, 얻어지는 유리 기판마다의 β-OH값의 편차가 작아진다. 따라서, 유리 기판마다의 왜곡점의 편차가 작아지고, 유리 기판마다의 열수축률의 편차가 작아진다. 또한, 이 제조 방법에 따르면, 파유리의 배합비를 제어함으로써, 유리 기판의 β-OH값의 조정을 용이하게 행할 수 있다.
또한, 유리 기판의 β-OH값이 목표 β-OH값이 되도록 제어됨으로써, 얻어지는 유리 기판마다의 β-OH값의 편차가 작아진다. 따라서, 유리 기판마다의 왜곡점의 편차가 작아지고, 유리 기판마다의 열수축률의 편차가 작아진다.
도 1은 본 발명의 유리 기판의 제조 방법의 공정의 일례를 도시하는 도면.
도 2는 도 1에 도시하는 결정 공정 ~ 측정 공정을 행하는 장치의 일례를 모식적으로 도시하는 도면.
도 3은 본 발명의 유리 기판의 제조 장치의 용해조를 설명하는 도면.
도 2는 도 1에 도시하는 결정 공정 ~ 측정 공정을 행하는 장치의 일례를 모식적으로 도시하는 도면.
도 3은 본 발명의 유리 기판의 제조 장치의 용해조를 설명하는 도면.
이하, 본 발명의 유리 기판의 제조 방법 및 유리 기판의 제조 장치에 대해서 설명한다.
(유리 기판의 제조 방법)
우선, 유리 기판의 제조 방법에 대해서 설명한다.
도 1에 유리 기판의 제조 방법의 플로우의 일례를 설명하는 도면을 도시한다.
유리 기판의 제조 방법은, 결정 공정(ST1)과, 용해 공정(ST2)과, 청징 공정(ST3)과, 균질화 공정(ST4)과, 공급 공정(ST5)과, 성형 공정(ST6)과, 서냉 공정(ST7)과, 절단 공정(ST8)과, 측정 공정(ST9)을 주로 갖는다. 본 발명의 유리 기판의 제조 방법의 제어 공정은, 결정 공정(ST1)과, 측정 공정(ST9)을 포함한다. 그 밖에, 연삭 공정, 연마 공정, 세정 공정, 검사 공정, 곤포 공정 등을 거쳐서, 최종 제품의 유리 기판으로 된다.
제어 공정에서는, 유리 기판의 수분량으로서, 적외선 분광법에 의한 유리 기판 중 OH기에 기인하는 흡광도(β-OH값)를 사용해서, 유리 기판 중 β-OH값이 목표 β-OH값이 되도록, 유리 원료 및 파유리의 혼합물에 대한 파유리의 배합비(이하, 파유리비라고도 함)를 제어한다. 유리 원료와 함께 파유리를 사용하는 것은, 유리 원료를 용해하기 위한 에너지를 적게 하기 위함이다. 파유리는 한번 용융하여 유리화되어 있기 때문에, 유리 원료를 용해하는 경우에 비해, 적은 에너지로 용해할 수 있다. 또한, 유리 원료와 함께 파유리를 사용함으로써 유리 기판의 제조 공정에 있어서 발생하는 제품이 되지 않는 유리를 재이용함으로써, 산업 폐기물의 발생을 억제하는 동시에, 원료 비용을 억제할 수 있다. 또한, 유리 원료는 후술하는 유리 기판의 조성이 되도록 준비된 SiO2, Al2O3, B2O3 등의 각 성분이다. 파유리는 유리 기판의 제조 공정에 있어서 발생하는 귀부라 불리는 유리나, 유리 부스러기이다. 귀부는 절단 공정(ST8)에 있어서 유리판으로부터 분리된, 시트 유리의 폭 방향 양측의 부분이다.
유리 기판 내의 수분은, 유리 원료나 파유리에 포함되는 수분이 용융 유리로부터 방출되지 않고 유리 내에 남거나, 용해조 내의 용융 유리의 액면 근방의 분위기로부터 용융 유리 내에 용해되거나 함으로써, 유리 기판 중에 포함된다. 유리 기판 내의 수분량을 일정하게 유지하기 위해서는, 유리 원료 중의 수분량이나, 용해조에서의 유리 용해 온도, 용융 유리양을 일정하게 유지하는 것을 들 수 있다. 그러나, 제조하는 유리 기판의 두께나 요구되는 품질을 실현하기 위해서, 용해조에서의 유리 용해 온도를 변경하는 것이나, 용해조 내의 용해 유리양을 변경하는 것이 필요해진다. 이에 의해, 유리 기판 내의 수분량이 변화해버리므로 유리 기판 내의 수분량을 일정하게 유지하는 것은 곤란하다. 또한, 외부 요인에 의해 의도치 않게 유리 기판 내의 수분량이 변화하기도 한다. 따라서, 본 실시 형태의 유리 기판의 제조 방법에서는, 유리 원료 및 파유리의 혼합물에 대한 파유리의 배합비를 제어함으로써, 유리 기판 내의 수분량의 변동에 의한 영향을 억제하도록 하고 있다. 용해 공정(ST2)에 앞서 이러한 파유리비의 제어가 행해짐으로써, 용해 공정(ST2)에서는, 제어된 파유리비에 따라서 유리 원료 및 파유리가 투입된다. 또한, 제어 공정은 나중에 상세히 설명한다.
용해 공정(ST2)은 용해조에서 행해진다. 용해조에서는, 제어 공정에서 결정된 파유리비에 따라서, 유리 원료 및 파유리를, 용해조에 축적된 용융 유리의 액면에 투입함으로써 용융 유리를 만든다. 유리 원료 및 파유리의 투입 방법은, 예를 들어 유리 원료 등을 수용한 버킷을 반전하여 용해조 내의 용융 유리에 투입하는 방식이어도 되고, 벨트 컨베이어를 사용해서 유리 원료 등을 반송하여 투입하는 방식, 스크류 피더에 의해 유리 원료 등을 투입하는 방식이어도 상관없다. 본 실시 형태에서는, 버킷을 사용해서 유리 원료 등이 투입된다.
용해조의 용융 유리는, 예를 들어 버너의 화염으로부터의 복사열에 의해 가열되어도 되고, 몰리브덴, 백금 또는 산화주석 등으로 구성된 적어도 1쌍의 전극(도시되지 않음)간에 전류를 흐르게 해서 용융 유리를 통전 가열해도 되고, 또한 통전 가열에 더하여, 버너에 의한 화염을 보조적으로 부여하여 유리 원료를 용해해도 된다. 본 실시 형태에서는, 버너의 화염으로부터의 복사열 및 통전 가열에 의해 가열된다.
투입되는 유리 원료 및 파유리에는 청징제가 첨가된다. 청징제로서, SnO2, As2O3, Sb2O3 등이 알려져 있지만, 특별히 제한되지 않는다. 그러나, 환경 부하 저감의 점에서, 청징제로서 SnO2(산화주석)를 사용하는 것이 바람직하다.
또한, 본 실시 형태에서는, 용해조에서, 버너 등의 연소 수단을 이용한 기상 중의 연소 가열과, 한 쌍의 전극 등을 이용하여, 용융 유리에 전류를 흐르게 함으로써 행하는 통전 가열을 이용하고, SnO2를 포함하고, 점도가 102.5 포아즈일 때의 온도가 1580℃ 이상인 유리가 되도록 유리 원료를 용해할 수 있다. 이 때, 통전 가열에 의한 발열량에 대한, 연소 가열에 의한 발열량의 비가, 1.5 이상 2.8 이하가 되도록, 연소 가열과 통전 가열을 행하는 것이 바람직하다.
버너로 대표되는 연소 가열의 비율이 너무 높으면, 제조되는 유리 기판의 β-OH값이 높아져, 왜곡점이 낮아지므로, 열집수축의 격차도 커진다.
또한, 연소 가열에 의한 발열량의 기여가 커지고, 기상 공간의 온도가 높아지므로, 용융 유리의 액면 상의 유리 원료의 상태에서 유리 원료에 포함되는 SnO2 등의 청징제 중의 산소를 기상 공간 내에 방출하여 산소는 확산한다. 이 때문에, 후속 공정인 청징 공정에서 용융 유리를 탈포(脫泡)할 때, 용융 유리에 포함되는 청징제로부터 충분한 산소가 공급되지 않고, 용융 유리에 포함되는 거품에 산소를 흡수시켜 성장시키고, 용융 유리의 액면에 거품을 부상시켜 거품을 방출시키는 것을 충분히 할 수 없다. 즉, 탈포 처리가 충분히 행해지지 않는다. 이러한 문제는, 청징 효과가 높은 As2O3를 사용하지 않고, SnO2를 청징제로서 이용하는 경우에 현저하게 된다.
한편, 통전 가열의 비율이 너무 높으면, 통전 가열에 의한 발열량의 기여가 상대적으로 커져, 통전 가열을 위해 흐르는 전류는 많아진다. 여기서, 왜곡점이 높아지도록 유리 조성을 조정하면, 점도가 102.5 포아즈일 때의 온도가 높아지는 경향이 있고, 용융 유리의 비저항도 커지는 경향이 있다. 예를 들면, SnO2를 함유하고, 점도가 102.5 포아즈일 때의 온도가 1580℃ 이상인 유리는, 용해조에 저장되는 용융 유리의 온도에서는 용해조의 저벽(底壁)의 내화 벽돌의 비저항과의 차이가 작아진다. 이러한 경향은, 실질적으로 알칼리 금속 산화물을 포함하지 않는, 혹은 알칼리 금속 산화물의 함유율이 0 질량% 이상 0.8 질량% 이하인 액티브 매트릭스형 플랫 패널 디스플레이용의 유리 기판에서 특히 현저하게 된다. 이 때문에, 1쌍의 전극에 공급되는 전류의 일부분은 용융 유리가 아니라, 용해조 본체의 저벽에 흘러 저벽이 통전 가열된다. 따라서, 비저항이 높고, 고온 점성이 높은 용융 유리를 용해조로 만드는 경우, 전극 쌍에 전류를 다량으로 공급함으로써 저벽에도 다량으로 흐르고, 그 결과 저벽의 통전 가열에 의한 발열량은 커진다. 이 저벽의 발열량의 증대로 인해, 용해조의 저부의 단열 특성에 의해 열이 가득차는 현상이 생긴다. 이러한 열이 가득참은, 저부의 내화 벽돌의 기계적 강도를 약하게 하여 열 크리프를 일으키게 하고, 저부를 변형시킬 우려가 있다. 또한, 열이 가득차는 것으로 인해 내화 벽돌의 온도가 내열 온도를 넘어 용손의 우려도 있다. 이 때문에, 통전 가열에 의한 발열량의 기여가 과대하게 되는 것은 바람직하지 않다. 이상의 점을 고려하여, 통전 가열에 의한 발열량에 대한, 연소 가열에 의한 발열량의 비를 1.5 ~ 2.8로 하는 것이 바람직하다.
통전 가열에 의한 발열량은, 예를 들면 전력계로부터 소비 전력을 계측하고, 소비 전력량을 구할 수 있다. 소비 전력량(kW)으로부터, 통전 가열에 의한 발열량(kcal/시)으로 변환한다(1kW=860kcal/시). 또한, 소비 전력은, 전극(114)의 인가 전압과 전극(114)에 흐르는 전류로부터 구해도 된다.
연소 가스를 이용한 연소 가열의 발열량은, 연소 가스의 연소에 의한 단위 체적당 발열량에 단위 시간의 연소 가스의 공급량(연소 가스의 유량)을 곱함으로써 산출된다.
본 실시 형태에서 이용하는 발열량의 비는, 일정 시간당 발열량의 평균값의 비이다. 여기서, 일정 시간은 1시간이어도, 1일이어도 좋다.
청징 공정(ST3)은 적어도 청징조에 있어서 행해진다. 청징 공정(ST3)에서는 청징조 내의 용융 유리가 승온됨으로써, 용융 유리 내에 포함되는 O2, CO2 혹은 SO2를 포함한 기포가, 청징제의 환원 반응에 의해 발생한 O2를 흡수하여 성장하고, 용융 유리의 액면에 기포는 부상하여 방출된다. 또한, 청징 공정에서는, 용융 유리의 온도를 저하시킴으로써, 청징제의 환원 반응에 의해 얻어진 환원 물질이 산화 반응을 한다. 이에 의해, 용융 유리에 잔존하는 기포 중 O2 등의 가스 성분이 용융 유리 내에 재흡수되어, 기포가 소멸한다. 청징제에 의한 산화 반응 및 환원 반응은, 용융 유리의 온도를 제어함으로써 행해진다. 또한, 청징 공정은 감압 분위기를 청징조에 만들어, 용융 유리에 존재하는 기포를 감압 분위기에서 성장시켜서 탈포시키는 감압 탈포 방식을 사용할 수도 있다. 이 경우, 청징제를 사용하지 않는 점에서 유효하다. 또한 후술하는 청징 공정에서는, 산화주석을 청징제로서 사용한 청징 방법을 사용한다.
균질화 공정(ST4)에서는, 청징조로부터 연장하는 배관을 통해서 공급된 교반조 내의 용융 유리를, 교반기를 사용해서 교반함으로써, 유리 성분의 균질화를 행한다. 이에 의해, 맥리 등의 원인인 유리의 조성 얼룩을 저감할 수 있다. 또한, 교반조는 1개 설치해도 되고, 2개 이상 설치해도 된다. 공급 공정(ST5)에서는, 교반조로부터 연장하는 배관을 통해서 용융 유리가 성형 장치에 공급된다.
성형 장치에서는, 성형 공정(ST6) 및 서냉 공정(ST7)이 행해진다. 성형 공정(ST6)에서는, 용융 유리를 시트 유리로 성형하고, 시트 유리의 흐름을 만든다. 성형은, 오버플로우 다운드로법 혹은 플로트법 등의 다른 방법을 사용할 수 있다.
본 실시 형태에서는, 오버플로우 다운드로법이 사용된다. 서냉 공정(ST7)에서는, 성형되어 흐르는 시트 유리가, 열수축률, 내부 왜곡 및 휨이 작아지도록, 냉각된다(열수축 저감 처리). 이와 같이, 본 발명의 유리 기판의 제조 방법으로는, 시트 유리 성형 후의 서냉 공정(ST7)에 있어서 서냉을 행하는 온라인 어닐에 의해서만 열수축 저감 처리를 행하는 것이 바람직하다. 온라인 어닐에 의해서만 열수축 저감 처리를 행하는 것이 바람직한 이유는, 절단 공정(ST8)에서 시트 유리 절단 후에 다시 열처리를 실시하는 오프라인 어닐링에 의해 열수축 처리를 행하는 경우에는, 별도로 어닐링로가 필요해지기 때문이다. 어닐링로는, 예를 들어 후술하는 성형 장치의 서냉로(202)의 다른 로이다. 오프라인 어닐링에 의해 열수축 저감 처리를 행하면, 유리 조성의 조정에 의해 왜곡점을 예를 들어 680℃ 이상으로 하지 않더라도 열수축률을 작게 하는 것이 가능하다. 그러나, 이와 같은 방법은 생산 효율이 현저하게 낮아진다.
절단 공정(ST8)에서는, 절단 장치에 있어서, 성형 장치로부터 공급된 시트 유리를 소정의 길이로 절단함으로써, 판상의 유리판을 얻는다. 이때, 시트 유리로부터 귀부가 잘려나가, 파유리가 생성된다. 절단된 유리판은 또한, 소정의 크기로 절단되어, 목표 크기의 유리 기판이 만들어진다. 이 후, 유리 기판의 단부면의 연삭, 연마가 행해지고, 유리 기판의 세정이 행해지고, 또한 기포나 맥리 등의 이상 결함의 유무가 검사된 후, 검사 합격품의 유리판이 최종 제품으로서 곤포된다.
(제어 공정)
이어서, 제어 공정에 대해서, 보다 상세히 설명한다. 제어 공정에서는, 측정 공정(ST9)에 있어서, 유리 기판의 β-OH값의 측정을 행하고, 결정 공정(ST1)에 있어서, 측정된 β-OH값에 기초하여, 유리 원료 및 파유리의 혼합물에 대한 파유리의 배합비(파유리비)를 결정한다.
(측정 공정)
측정 공정에서는, 절단 공정에 있어서 소정의 길이로 절단된 유리 기판의 β-OH값을, 분광 광도계를 사용해서 얻어진 유리 기판의 적외선 흡수 스펙트럼으로부터 다음 식에 의해 구한다. 또한, 유리 기판의 β-OH값을 측정하는 빈도는 특별히 한정되지 않는다.
X : 유리 두께(㎜)
T1 : 참조 파장 2600㎚에 있어서의 투과율(%)
T2 : 수산기 흡수 파장 2800㎚에 있어서의 최소 투과율(%)
β-OH값은, ㎜-1로 나타낸다. 또한, β-OH값은 유리 기판 중에 기포가 발생하지 않도록, 유리 기판 내의 수분량이 일정량 이내가 되도록 할 목적으로 측정된 것을 사용할 수 있다. 측정 공정(ST9)은 다른 실시 형태에서는, 절단 공정(ST8) 직후가 아니고, 용해 공정(ST2) 앞에 행해지는 결정 공정의 직전에 행해져도 된다.
(결정 공정)
결정 공정(ST1)에서는, 측정된 유리 기판의 β-OH값에 기초하여, 유리 원료 및 파유리의 혼합물에 대한 파유리의 배합비(파유리비)를 결정한다. 이때, 파유리의 β-OH값은 상기 유리 기판의 β-OH값의 측정 방법과 마찬가지의 방법에서 미리 측정되어 있다. 이와 같이 유리 기판의 β-OH값이 측정되어, 파유리비가 결정되고, 또한 용해 공정(ST2)에 있어서, 결정된 파유리비에 따라서 유리 원료 및 파유리가 용해조에 투입됨으로써, 피드백 제어가 행해지고, 유리 기판의 β-OH값이 고정밀도로 제어된다.
이어서, 파유리비의 제어에 의해, 유리 기판의 β-OH값을 제어할 수 있는 이유를 설명한다.
유리 기판 중 β-OH값은, 주로 (1) 유리 원료 및 파유리 내에 포함되는 수분 중, 용해 공정에 있어서, 가스 기포로서 용융 유리 밖으로 방출되지 않고 용융 유리 내에 용해된 수분량과, (2) 용해 공정에 있어서 용융 유리 액면에 접하는 분위기로부터, 용융 유리 액면을 개재해서 용융 유리 내에 용해되는 수분량에 의해 결정된다.
제조 대상으로 되는 유리가 소다석회 유리 등과 비교하여 알칼리 금속 산화물량이 적고, 용융 온도가 높은 LTPS·TFT 탑재 디스플레이용 유리 기판 또는 유기 EL 디스플레이용 유리 기판인 경우, 상기 (2)에 있어서 용융 유리 내에 용해되는 수분량이 증가한다. 이것은, 용해 온도가 높은 유리의 제조에 있어서는, 용해 공정에서 사용되는 가스 버너로서, 공기 연소 가스 버너가 아니고, 연소 효율이 좋아 높은 산소 가스 버너가 사용되고 있기 때문이다. 산소 가스 버너에서는, 연소에 관여하지 않는 질소를 포함하지 않으므로, 고온의 연소 온도가 얻어지는 대신에, 연소 배기 가스에는 다량의 수증기가 포함되게 된다. 즉, 용융 유리 내에 용해되는 수분량이 증가한다.
여기서, 파유리는 한번 용해해서 유리화된 것이기 때문에, 유리 원료와 파유리를 비교하면, 일반적으로 파유리쪽이 β-OH값이 높아진다. 그 때문에, 파유리의 비율을 높임으로써, 생산되는 유리 기판의 β-OH값을 높일 수 있고, 파유리의 비율을 낮춤으로써, 생산되는 유리 기판의 β-OH값을 낮추는 등의 제어가 가능하게 된다.
파유리비의 결정은, 측정된 β-OH값에 기초하여, 유리 기판의 β-OH값이 목표 β-OH값으로 되도록 행해진다. 예를 들어, 파유리비의 결정은 측정된 β-OH값에 기초하여, 유리 기판의 β-OH값에 영향을 미치는 제조 조건의 변화 실적 및 변경 예정에 기초하여 행해지는 것이 바람직하다. 목표 β-OH값은 다양한 값을 채용할 수 있어, 예를 들어 과거에 제작한 유리 기판의 β-OH값을 기준으로, 유리 원료 내의 수화물의 양이나 액면 분위기 중의 수분량을 참고로 하여 결정되어도 된다. 또한, 목표 β-OH값은, 열수축률의 절대값을 작게 하는 관점에서는 낮을수록 바람직하다. 목표 β-OH값은, 예를 들어 0.35/㎜ 이하로 할 수 있다. 본 실시 형태에 있어서, 파유리비는, 유리 원료 및 파유리의 혼합물 100질량%에 대해, 예를 들어 20 ~ 30질량%이다. 또한, 파유리비는, 유리 원료 및 파유리의 혼합물에 대한 배합비로서 결정되어도 되고, 유리 원료에 대한 배합비로서 결정되어도 된다. 결정 공정(ST1)은, 다른 실시 형태에서는, 용해 공정(ST2) 직전에 행해지지 않고, 상기 파유리가 발생한 절단 공정(ST8) 후의 측정 공정(ST9)에 계속해서 행해져도 된다. 또한, 결정 공정(ST1)은 측정 공정(ST9) 후에, 시간을 두고(예를 들어, 수일) 행해져도 되고, 측정 공정(ST9) 직후에 측정 공정(ST9)에 계속해서 행해져도 된다.
또한, 전술한 유리 기판의 β-OH값에 영향을 미치는 제조 조건의 변화 또는 변경으로서는, 예를 들어 유리 원료의 변경, 유리 원료의 보관 방법, 용해조에 용융 유리가 체류하는 시간, 용해 공정에서의 용융 유리 온도, 용해 공정에서 사용하는 가스 버너의 가스의 변경, 가스 버너와 전기 용융의 비율의 변경 등을 들 수 있다. 또한, 가스 버너에 사용되는 가스로서, 예를 들어 탄소쇄수가 긴 가스(예를 들어, 메탄가스 대신에 프로판 가스)로 변경함으로써, 유리 기판의 β-OH값을 작게 할 수 있다.
이상의 유리 기판의 제조 방법은, 예를 들어 후술하는 유리 기판의 제조 장치를 사용해서 행할 수 있다. 그 경우에, 유리 기판의 제조 방법의 일부의 공정만, 그 유리 기판의 제조 장치를 사용해서 행해져도 된다.
본 실시 형태의 유리 기판의 제조 방법에 따르면, 유리 기판의 β-OH값이 목표 β-OH값이 되도록, 유리 원료 및 파유리의 혼합물에 대한 파유리의 배합비가 제어된다. 이에 의해, 예를 들어 β-OH값에 영향을 미치는 제조 조건의 변경이 있었다고 해도, 유리 기판마다의 β-OH값의 편차가 작아진다. 따라서, 유리 기판마다의 왜곡점의 편차가 작아지고, 유리 기판마다의 열수축률의 편차가 작아진다. 또한, 파유리의 배합비를 제어함으로써, 유리 기판의 β-OH값을 용이하게 조정할 수 있다.
다른 실시 형태의 유리 기판의 제조 방법에서는, 오버플로우 다운드로법 대신에, 슬롯 다운드로법, 플로트법, 롤아웃법 등의 다른 방법이 사용되어도 된다. 또한, 유리 원료에 반드시 파유리가 배합될 필요는 없고, 유리 원료만을 사용해서 용융 유리가 만들어져도 된다.
(유리 기판의 제조 장치)
이어서, 유리 기판의 제조 장치에 대해서 설명한다.
도 2는 본 실시 형태에 있어서의 결정 공정(ST1) 내지 측정 공정(ST9)을 행하는 장치의 일례를 모식적으로 도시하는 도면이다. 상기 장치는, 도 2에 도시한 바와 같이, 주로 용해 장치(100)와, 성형 장치(200)와, 절단 장치(300)를 갖는다. 용해 장치(100)는 용해조(101)와, 청징조(102)와, 교반조(103)와, 유리 공급관(104, 105, 106)과, 결정부(116)를 갖는다. 절단 장치(300)는 측정부(117)를 갖는다. 또한, 본 발명의 유리 기판의 제조 장치의 제어부는, 결정부(116) 및 측정부(117)를 포함한다. 제어부는 유리 기판의 β-OH값이 목표 β-OH값이 되도록, 유리 원료 및 파유리의 혼합물에 대한 파유리의 배합비를 제어한다. 구체적으로는, 결정부(116) 및 측정부(117)에 의해, 파유리비의 결정, 그에 앞서는 β-OH값의 측정을 행한다.
도 2에 도시하는 예의 용해조(101)에서는, 유리 원료 및 파유리의 투입이 버킷(101d)을 사용해서 행해진다. 용해조(101)에는, 결정부(116)가 접속되어 있다. 결정부(116)는 측정부(117)가 측정한 유리 기판의 β-OH값에 기초하여, 파유리비를 결정한다. 청징조(102)에서는, 용융 유리 MG의 온도를 조정하여, 청징제의 산화 환원 반응을 이용해서 용융 유리 MG의 청징이 행해진다. 또한, 교반조(103)에서는, 교반기(103a)에 의해 용융 유리 MG가 교반되어 균질화된다.
성형 장치(200)는, 성형로(201) 및 서냉로(202)을 갖고, 성형로(201) 내에 배치된 성형체(210)를 사용한 오버플로우 다운드로법에 의해, 용융 유리 MG로부터 시트 유리 SG가 성형된다.
절단 장치(300)는 성형 장치(200)로부터 공급되는 시트 유리 SG를 소정의 크기로 절단하고, 목표 크기의 유리 기판을 작성한다. 이때, 파유리가 생성된다. 절단 장치(300)에는 측정부(117)가 접속되어 있다. 측정부(117)는 유리 기판의 β-OH값을 측정한다.
본 실시 형태의 유리 기판의 제조 장치에 따르면, 유리 기판의 β-OH값이 목표 β-OH값이 되도록, 유리 원료 및 파유리의 혼합물에 대한 파유리의 배합비가 제어됨으로써, 예를 들어 β-OH값에 영향을 미치는 제조 조건의 변경이 있었다고 해도, 얻어지는 유리 기판마다의 β-OH값의 편차가 작아진다. 따라서, 유리 기판마다의 왜곡점의 편차가 작아지고, 유리 기판마다의 열수축률의 편차가 작아진다.
또한, 파유리의 배합비를 제어함으로써, 유리 기판의 β-OH값을 용이하게 조정할 수 있다.
(유리 기판)
여기서, 본 발명의 유리 기판의 제조 방법 및 제조 장치에 의해 제조되는 유리 기판의 개략을 설명한다.
유리 기판의 두께는, 예를 들어 0.1 ~ 1.5㎜이다.
유리 기판의 크기는, 예를 들어 300 ~ 2500㎜×400 ~ 3500㎜(짧은 방향 길이× 길이 방향 길이)이다.
액정 디스플레이용 유리판이나 유기 EL(Electro Luminescence)용 유리판으로서는, 알칼리 금속 산화물을 실질적으로 함유하지 않는 무알칼리 유리 기판, 혹은 알칼리 금속 산화물을 2% 이하밖에 함유하지 않는 알칼리 미량 유리 기판을 적용하는 것이 바람직하다.
또한, 유리 기판을 구성하는 유리의 특성에 관하여, 점도가 102.5 포아즈에서의 용융 유리의 온도는, 1580℃ 이상이어도 되고, 예를 들면 1590 ~ 1700℃ 이다. 또한, 유리 기판을 구성하는 유리의 1550℃의 용융 유리에서의 비저항이 100Ω·cm 이상이어도 되고, 100 ~ 350Ω·cm로 할 수도 있고, 또한 150 ~ 350Ω·cm로 할 수도 있다. 상기 비저항이 높을수록, 상술한 용해조의 용손의 문제가 현저하게 된다. 또한, 유리 기판의 왜곡점을 높게 하려고 하면, 상기 비저항과 점도가 102.5 포아즈에서의 용융 유리의 온도가 높아지는 경향이 있다.
유리 기판은, 예를 들어 하기에 나타내는 조성으로 이루어진다. 하기 조성 비율의 % 표시는 모두 질량%을 의미한다.
SiO2 : 50 ~ 70%,
Al2O3 : 5 ~ 25%,
B2O3 : 0 ~ 15%.
또한, 하기에 도시하는 조성을 임의로 포함해도 된다.
MgO : 0 ~ 10%,
CaO : 0 ~ 20%,
SrO : 0 ~ 20%,
BaO : 0 ~ 10%,
ZrO2 : 0 ~ 10%.
또한, 상기 조성 중, 특히 SiO2 : 50 ~ 70%, B2O3 : 5 ~ 18%, Al2O3 : 10 ~ 25%, MgO : 0 ~ 10%, CaO : 0 ~ 20%, SrO : 0 ~ 20%, BaO : 0 ~ 10%, RO : 5 ~ 20%(단, R은 Mg, Ca, Sr 및 Ba로부터 선택되는, 유리 기판에 함유되는 전체 성분임)를 함유하는 것이 바람직하다.
또한, R'2O:0%를 초과하고 2.0% 이하(단, R'는 Li, Na 및 K로부터 선택되는, 유리 기판에 함유되는 전체 성분임)를 포함할 수 있다. 이에 의해, β-OH값을 작게 해도 용해 온도가 과잉으로 높아지는 것을 방지할 수 있다. 유리 기판의 β-OH값이 작아지면, 왜곡점이 높아지기 때문에, 유리 기판의 열수축률의 절대값을 작게 할 수 있다. 이에 의해, 유리 기판의 열수축률의 편차도 저감할 수 있다.
또한, 청징제를 합계로 0.05 ~ 1.5% 포함하고, As2O3, Sb2O3 및 PbO를 실질적으로 포함하지 않는 것이 바람직하다. As2O3, Sb2O3 및 PbO는, 유리를 청징하는 효과를 갖는 물질이지만, 환경 부하가 큰 물질이기 때문이다. 여기서, 실질적으로 포함하지 않는다는 것은, 질량%가 0.01%미만으로, 불순물을 제외하고 의도적으로 함유시키지 않는 것을 의미한다. 청징제로서는, SnO2를 포함하는 것이 바람직하다.
또한, 유리 내의 산화철의 함유량이 0.01 ~ 0.2%인 것이 바람직하다.
LTPS·TFT가 형성되는 유리 기판의 유리 조성으로서, 아래의 유리 조성을 들 수 있다. 아래의 조성 비율의 %표시는 모두 질량%를 의미한다.
SiO2: 52 ~ 78%, Al2O3: 3 ~ 25%, B2O3: 0 ~ 15%, RO(단, R은 Mg, Ca, Sr 및 Ba 중에서, 유리 기판에 포함되는 전체 성분): 3 ~ 20%, R'2O(단, R은 Li, Na 및 K 중에서, 유리 기판에 포함되는 전체 성분): 0.01 ~ 0.8%, Sb2O3: 0 ~ 0.3 질량%를 함유하고, As2O3는 실질적으로 함유하지 않고, 질량비 CaO/RO는 0.65 이상이며, 질량비 (SiO2+Al2O3)/B2O3는 7 ~ 30의 범위이며, 또한 질량비 (SiO2+Al2O3)/RO는 5 이상이다. 이 때, 왜곡점은 688℃ 이상인 것이 바람직하다.
유리 기판의 β-OH값은, 0.45/㎜ 이하인 것이 바람직하고, 0.35/㎜ 이하인 것이 보다 바람직하고, 0.30/㎜ 이하인 것이 더욱 바람직하고, 0.25/㎜ 이하인 것이 한층 바람직하다. 이것은, β-OH값이 작을수록 왜곡점을 높게 할 수 있고(점성이 상승하고), 열수축률을 작게 할 수 있기 때문이다. 한편, β-OH값을 무리하게낮추려고 하면 원료 가격이나 제조 비용이 앙등한다. 그 때문에, 유리 기판의 β-OH값은 0 ~ 0.35/㎜인 것이 바람직하고, 0.05 ~ 0.35/㎜여도 되고, 0.05 ~ 0.30/㎜여도 된다.
또한, 본 발명에 따르면, 유리 기판의 β-OH값의 편차는, 예를 들어 ±0.015/㎜ 이하로 유지할 수 있고, ±0.01/㎜ 이하로도 유지할 수 있다. 이와 같이, β-OH값의 편차를 작게 함으로써, 유리 기판마다의 열수축률의 편차를 작게 할 수 있다.
유리 기판의 왜곡점은, 열수축률을 작게 할 수 있는 점에서, 680℃ 이상인 것이 바람직하고, 690℃ 이상인 것이 보다 바람직하다. 왜곡점을 680℃ 이상으로 함으로써 유리 기판의 열수축률의 절대값을 작게 할 수 있다. 이에 의해, 유리 기판의 열수축률의 편차도 저감할 수 있다. 왜곡점은, 예를 들어 빔 굽힘법에 의해 점도를 측정하는 점도계를 사용해서 측정된다.
유리 기판의 열수축률은, 예를 들어 70ppm 이하이다. 이러한 낮은 열수축률을 갖는 유리 기판은, 열 안정성이 높고, 특히 LTPS·TFT가 형성되는 유리 기판으로서 바람직하다. 또한, 온라인 어닐에 의해서만 열수축 저감 처리를 행하는 경우에는, 제조 설비의 거대화 및 비용을 억제하기 위해서, 10 ~ 70ppm인 것이 바람직하다.
유리 기판은, 플랫 패널 디스플레이용 유리 기판이다. 플랫 패널 디스플레이로서는, 액정 디스플레이, 플라즈마 디스플레이, 유기 EL 디스플레이 등을 들 수 있다. 그 중에서도, 열수축의 편차를 작게 할 수 있는 점에서, 액정 디스플레이 또는 유기 EL 디스플레이에 바람직하게 사용된다.
(실험예)
이하, 실험예를 나타내며, 본 발명의 효과를 확인하였다.
전술한 본 발명의 유리 기판의 제조 방법에 따라서 파유리비를 제어하고, 오버플로우 다운드로법에 의해, 유리 기판을 제조하였다. 구체적으로는, 유리 기판이 SiO2 : 61.3질량%, Al2O3 : 19.5질량%, B2O3 : 9질량%, CaO : 9.8질량%, K2O : 0.15질량%, Fe2O3 : 0.05질량%, SnO2 : 0.2질량%를 포함하도록 조합된 유리 원료에 대해, β-OH값이 0.24/㎜인 파유리를, 파유리비 30질량%의 비율로 용해조에 투입하였다. 파유리의 조성은 상기 유리 기판과 마찬가지였다. 또한, 유리 기판의 β-OH값은 0.24/㎜이며, 목표 β-OH값도 0.24/㎜였다.
이어서, 용해 공정에서의 용융 유리 온도를 20℃ 상승시킨 바, 일주일 뒤, 유리 기판의 β-OH값은 0.26/㎜가 되고, 또한 열수축률도 2% 커지고 있었다. 따라서, 유리 기판의 β-OH값을 0.02/㎜ 저하시키기 위한 파유리비를 산출하고, 용해 공정에 투입하는 파유리비를 변경하였다. 여기에서는, 유리 원료 및 파유리의 혼합물 100질량%에 대해, 파유리비를 30질량%에서 21질량%로 저하시켰다. 그 결과, 유리 기판의 β-OH값을 0.24/㎜로 할 수 있었다. 또한, 유리 기판마다의 열수축률도, 용융 유리 온도를 약 20℃ 상승시키기 전에 제조한 유리 기판과 동등하였다.
또한, 용해 공정에서의 유리 용융 온도를 20℃ 상승시킨 경우의 β-OH값 상승률을 미리 추정하여, 용융 온도를 20℃ 상승시키는데 맞추어서 파유리비를 30질량%에서 21질량%로 저하시킨 경우도, 유리 기판의 β-OH값을 0.24/㎜로 유지할 수 있으며, 열수축률도 유지할 수 있었다.
또한, 상기 유리 기판 및 파유리의 β-OH값, 열수축률은 각각 하기 요령으로 구하였다.
β-OH값을 소정값 저하시키기 위한 파유리비를 산출하기 위해서는, 유리 원료의 유리 기판 β-OH값에 대한 기여도(유리 원료 및 파유리 내에 포함되는 수분 중, 용해 공정에 있어서, 가스 기포로서 용융 유리 밖으로 방출되지 않고 용융 유리 내에 용해된 수분량)를 미리 측정해 두는 것이 바람직하다. 예를 들어, 본 실험예에서 사용한 유리 원료의 기여도가 0.023인 경우, 상기 용융 유리의 온도 조작에 의해, 용해 공정에서 고수증기 농도의 분위기로부터의 유리로의 용해되는 수분에 의한 β-OH값에의 기여도 X를 하기 수학식 1에 의해 산출할 수 있다. 「원료비」는, 유리 원료 및 파유리의 혼합물에 대한 유리 원료의 배합비이다.
즉, 상기 실시예에서는, 용융 유리 온도 조작 전의 기여도 X1은 0.152이며, 용융 유리 온도 조작 후의 기여도 X2는 0.172로, 0.20 증가하고 있다. 그 때문에,β-OH값을 용융 유리의 온도 조작 전의 0.24/㎜로 되돌리기 위해서는, 상기 수학식 1에 수치를 넣어 얻어지는 하기 수학식 2에 나타낸 바와 같이, 파유리비 C≒0.21로 하면 된다.
(유리 기판 및 파유리의 β-OH값)
얻어진 유리 기판 및 파유리에 대해서, 푸리에 변환 적외 분광 광도계를 사용해서, 유리 기판의 적외선 흡수 스펙트럼으로부터 전술한 식에 따라, 각각 β-OH값을 구하였다. 파유리에는 과거에 유리 기판을 제조했을 때에 시트 유리로부터 절단되어 생긴 것을 사용하였다.
(열수축률)
열수축률은 상온으로부터 10℃/분으로 승온하여, 550℃에서 1시간 유지하고, 그 후, 10℃/분으로 상온까지 강온하고, 다시 10℃/분으로 승온하여, 550℃에서 1시간 유지하고, 10℃/분으로 상온까지 강온한 후의 유리 기판의 수축량을 사용해서, 이하의 수학식 3으로 구하였다.
이상, 본 발명의 유리 기판의 제조 방법 및 제조 장치에 대해 상세히 설명했지만, 본 발명은 상기 실시 형태에 한정되지 않고, 본 발명의 주지를 일탈하지 않는 범위에서, 다양한 개량이나 변경을 해도 되는 것은 물론이다.
101 : 용해조
116 : 제어부
201 : 성형로
ST1 : 제어 공정
ST2 : 용해 공정
ST6 : 성형 공정
116 : 제어부
201 : 성형로
ST1 : 제어 공정
ST2 : 용해 공정
ST6 : 성형 공정
Claims (6)
- 유리 기판의 제조 방법으로서,
유리 원료와 파유리를 용해해서 용융 유리를 만드는 용해 공정과, 상기 용융 유리를 판상 유리로 성형하는 성형 공정을 포함하고,
상기 유리 기판의 β-OH값이 목표 β-OH값이 되도록, 상기 유리 원료 및 파유리의 혼합물에 대한 상기 파유리의 배합비가 제어되는 것을 특징으로 하는 유리 기판의 제조 방법. - 제1항에 있어서,
상기 용해 공정에서는, 제조된 유리 기판의 β-OH값에 기초하여 결정된 상기 유리 원료 및 파유리의 혼합물에 대한 상기 파유리의 배합비에 따라서, 상기 유리 원료 및 파유리를 용해조에 투입하는 유리 기판의 제조 방법. - 제1항 또는 제2항에 있어서,
상기 유리 기판은, 저온 폴리실리콘 박막 트랜지스터 탑재 디스플레이용 유리 기판인 유리 기판의 제조 방법. - 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 유리 기판은, 액정 디스플레이용 유리 기판 또는 유기 EL 디스플레이용 유리 기판인 유리 기판의 제조 방법. - 유리 기판의 제조 장치로서,
유리 원료와 파유리를 용해해서 용융 유리를 만드는 용해조와, 상기 용융 유리를 판상 유리로 성형하는 성형로를 구비하고,
상기 유리 기판의 β-OH값이 목표 β-OH값이 되도록, 상기 유리 원료 및 파유리의 혼합물에 대한 상기 파유리의 배합비를 제어하는 제어부를 더 구비하는 것을 특징으로 하는 유리 기판의 제조 장치. - 유리 기판의 제조 방법으로서,
용융 유리를 만드는 용해 공정과, 상기 용융 유리를 판상 유리로 성형하는 성형 공정을 포함하고,
상기 유리 기판의 β-OH값이 목표 β-OH값으로 되도록 제어되는 것을 특징으로 하는 유리 기판의 제조 방법.
Applications Claiming Priority (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2012220297 | 2012-10-02 | ||
JPJP-P-2012-220297 | 2012-10-02 | ||
JPJP-P-2013-087988 | 2013-04-19 | ||
JP2013087988A JP5797222B2 (ja) | 2012-10-02 | 2013-04-19 | ガラス基板の製造方法および製造装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR20140043657A true KR20140043657A (ko) | 2014-04-10 |
KR101583114B1 KR101583114B1 (ko) | 2016-01-07 |
Family
ID=50402108
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020130047662A KR101583114B1 (ko) | 2012-10-02 | 2013-04-29 | 유리 기판의 제조 방법 및 제조 장치 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
KR (1) | KR101583114B1 (ko) |
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