KR20140038601A

KR20140038601A - 기판 처리 시스템 및 그 제어 방법

Info

Publication number: KR20140038601A
Application number: KR1020120104817A
Authority: KR
Inventors: 공두원; 유도형
Original assignee: 주식회사 원익아이피에스
Priority date: 2012-09-20
Filing date: 2012-09-20
Publication date: 2014-03-31

Abstract

성막 두께를 정확히 측정할 수 있는 기판 처리 시스템 및 그 제어 방법을 제시한다.
본 발명의 일 실시예에 의한 기판 처리 시스템은 센서 및 증발원을 구비하여 기판 처리면에 기 설정된 목표 두께의 레이어를 증착하는 적어도 하나의 공정챔버 및 센서의 수명을 관리하고, 센서의 수명에 기초한 참조 툴링팩터를 저장하고 있으며, 공정시간 경과에 따른 증발원의 방사각 변화에 기초한 성막 두께 변화량에 따라 산출된 보정계수를 참조 툴링팩터에 적용하여 도출된 현재 툴링팩터에 기초하여 증발원을 제어하는 제어 시스템을 포함할 수 있다.

Description

기판 처리 시스템 및 그 제어 방법{Substrate Processing System and Controlling Method Therefor}

본 발명은 기판 제조 장비에 관한 것으로, 보다 구체적으로는 기판 처리 시스템 및 그 제어 방법에 관한 것이다.

일반적으로, 기판에 박막 등을 형성하는 기판 처리 장치는 진공 챔버, 진공 챔버 내에 설치되는 증발원 및 센서를 포함하도록 구성된다.

처리 대상 기판은 챔버 내로 인입되며, 기판의 처리면과 대향하도록 설치된 증발원으로부터 증발되는 물질이 기판 처리면에 증착되어 박막이 형성된다. 아울러, 센서는 증발원과 기판 사이의 지정된 위치, 즉 박막 증착에 간섭을 주지 않는 위치에 배치되어 증발원으로부터 증발되는 물질의 양을 실시간으로 모니터링하여 박막 두께를 간접적으로 측정한다.

박막 두께 측정에 사용되는 센서로는 크리스탈 센서가 주로 사용된다. 그리고 증발 물질이 기판 처리면에 증착됨과 동시에 센서 표면에도 증착되도록 하고, 이에 따라 센서로부터 제공되는 신호를 처리하여 성막 두께를 측정하게 된다. 이러한 센서는 표면 성막 두께가 일정한 값에 도달하면 더 이상 정상적으로 동작할 수 없으며 따라서 주기적으로 새로운 센서로 교체하여야 한다.

이와 같이, 성막 두께 측정에 사용되는 센서는 사용 기한이 증가함에 따라 표면에 증발물질이 계속해서 부착되어 감도가 저하될 수 밖에 없다. 센서의 감도 저하는 기판 상의 성막 균일도를 저하시키는 원인이 되며, 결국 기판 처리 시스템의 수율이 저하되게 된다.

이러한 문제점을 해결하기 위해 엘립소미터 등을 이용하여 성막 두께를 직접 측정하는 기술이 연구되었다. 엘립소미터는 측정 대상막에 레이저 빔과 같은 광을 조사하고 이에 따라 반사되는 광의 편광 상태 변화를 해석하여 성막 두께를 측정하는 수단이다.

하지만, 엘립소미터를 채용하는 경우에는 입사광 및 반사광을 투과시키기 위한 견시창이 부가적으로 설치되어야 한다. 또한, 서로 다른 종류의 복수의 레이어를 기판에 성막하는 경우에는 기판의 더미 영역에 각 레이어마다의 더미 패턴을 형성하고, 이를 통해 두께를 측정하여야 한다.

이와 같이, 박막 두께를 측정하는 현재의 기술은 센서의 성능 저하에 따른 신뢰성 문제와, 엘립소미터를 도입에 따른 부가 수단 추가 및 더미패턴 형성 등에 따른 번거로움이 있다.

본 발명의 실시예는 성막 두께를 정확히 측정할 수 있는 기판 처리 시스템 및 그 제어 방법을 제공한다.

본 발명의 일 실시예에 의한 기판 처리 시스템은 센서 및 증발원을 구비하여 기판 처리면에 기 설정된 목표 두께의 레이어를 증착하는 적어도 하나의 공정챔버; 및 상기 센서의 수명을 관리하고, 상기 센서의 수명에 기초한 참조 툴링팩터를 저장하고 있으며, 공정시간 경과에 따른 상기 증발원의 방사각 변화에 기초한 성막 두께 변화량에 따라 산출된 보정계수를 상기 참조 툴링팩터에 적용하여 도출된 현재 툴링팩터에 기초하여 상기 증발원을 제어하는 제어 시스템;을 포함할 수 있다.

한편, 본 발명의 일 실시예에 의한 기판 처리 시스템 제어 방법은 센서 및 증발원을 구비하여 기판 처리면에 기 설정된 목표 두께의 레이어를 증착하는 적어도 하나의 공정챔버를 구비하는 기판 처리 시스템 제어 방법으로서, 상기 제어 시스템이 현재 툴링팩터 계산이 요구되는 시점의 상기 센서의 수명에 기초한 참조 툴링팩터를 추출하는 단계; 상기 현재 툴링팩터 계산이 요구되는 시점의 공정 경과 시간을 변수로 하여, 상기 증발원의 방사각 변화에 기초한 성막 두께 변화량에 기초한 보정계수를 산출하는 단계; 상기 추출한 참조 툴링팩터에 상기 계산한 보정계수를 적용하여 현재 툴링팩터를 계산하는 단계; 및 상기 계산한 현재 툴링팩터에 따라 상기 증발원을 제어하는 단계;를 포함할 수 있다.

본 기술에 의하면 센서의 특성 및 증발원의 특성을 고려하여 툴링팩터를 보정하고 이에 따라 공정 파라미터를 변경함으로써 기판 상에 목적하는 두께의 레이어를 정확하게 증착할 수 있다.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 의한 기판 처리 시스템의 구성도,
도 2는 본 발명의 일 실시예에 의한 공정챔버 및 보정챔버의 구성도,
도 3은 센서 수명에 따른 감도 변화를 설명하기 위한 도면,
도 4는 공정 시간에 따른 증발물질의 방사각 변화를 설명하기 위한 도면,
도 5는 본 발명에 적용되는 제어 시스템의 구성도,
도 6은 본 발명의 일 실시예에 의한 기판 처리 시스템 제어 방법을 설명하기 위한 흐름도이다.

이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예를 보다 구체적으로 설명한다. 아울러, 이하에서는 인-라인 타입의 연속 기판 처리 시스템을 예로 들어 본 발명을 설명할 것이나, 본 발명은 이에 한정되지 않고 클러스터 타입 등 다양한 기판 처리 시스템에 적용될 수 있음을 미리 밝혀 둔다.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 의한 기판 처리 시스템의 구성도로서, 예를 들어 인-라인 기판 처리 시스템을 도시하였다.

도 1을 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 의한 연속 기판 처리 시스템(1)은 로딩 챔버(11), 복수의 공정챔버(12), 적어도 하나의 보정챔버(14) 및 언로딩 챔버(13)를 포함한다.

각각의 챔버, 바람직하게는 공정챔버(12) 및 보정챔버(14)는 진공 상태로 제어되고, 각 챔버 사이에는 게이트가 구비될 수 있다. 아울러, 제어 시스템(15)의 제어에 따라 공정챔버(12)를 통해 기판을 이송시켜 목적하는 바에 따른 기판 처리를 수행한다. 전원 공급부(17)는 제어 시스템(15)의 제어에 따라 각각의 챔버(11, 12, 13, 14)로 전원을 공급한다.

로딩 챔버(11)로부터 공정챔버(12)를 통해 언로딩 챔버(13)로 이동하는 처리 대상 기판은 각 챔버 내에 마련된 기판 이송부에 의해 지정된 방향으로 이송된다. 기판 이송부는 예를 들어 선형 레일, 이동식 컨베이어 벨트, 롤러 등으로 구성할 수 있으며, 기판은 지면에 대해 수평 또는 수직 상태로 설치될 수 있다.

본 발명의 일 실시예에서, 처리 대상인 기판(S)은 액정표시소자(Liquid Crystal Display), 플라즈마 디스플레이소자(Plasma Display Panel), 유기발광소자(Organic Light Emitting Diodes) 등 기판 처리면에 증착물의 증발에 의하여 박막을 형성할 수 있는 부재이면 어떠한 대상도 가능하다.

제어 시스템(15)은 메모리에 저장된 제어 소프트웨어를 실행하여 기판 처리의 동작 전반에 관한 제어를 담당한다. 구체적으로는 전원 제어, 기판 이송 제어, 증착 소스 온도 제어 등을 수행하며, 운용자로부터의 명령을 제공받기 위한 입력 장치와 연속 기판 처리 시스템(1)의 상태를 모니터링할 수 있는 출력장치를 포함한다.

이에 더하여, 본 발명에 의한 제어 시스템(15)은 각 공정챔버(12) 내에 구비된 센서의 수명 및 공정 시간에 따른 증발물질의 방사각 특성에 기초하여 현재의 툴링팩터(Tooling Factor)를 계산하고 이에 따라 공정 파라미터를 변경한다. 그리고, 기판이 보정챔버(14)로 진입함에 따라 기판의 실제 성막 두께에 따른 보정 여부를 결정하고 이에 따라 보정챔버(14)를 동작시킨다.

공정챔버(12)를 구성하는 각각의 단위 공정챔버(12-1~12-n)는 제어 시스템(15)의 제어에 따라 목적하는 바에 따른 종류 및 양의 소스가 배출되어 단위 공정챔버(12-1~12-n)를 이동하는 기판에 목적하는 물질을 지정된 두께로 증착한다.

보다 구체적으로, 각각의 공정챔버(12)에는 증발원으로부터의 증발물질에 의한 기판의 성막 두께를 간접적으로 감지하는 센서가 설치된다. 상술하였듯이, 제어 시스템(15)은 시간에 따른 센서의 특성 및 증발물질의 방사각 특성을 고려하여 센서의 툴링팩터를 재설정하고, 재설정된 툴링팩터에 따라 공정 파라미터를 변경한다. 그리고, 공정챔버(12)는 제어 시스템(15)에서 제공되는 공정 파라미터에 따라 기판에 박막을 증착하게 된다.

한편, 보정챔버(14)는 적어도 한 쌍의 인접하는 두 공정챔버(12)의 사이, 및/또는 마지막 공정챔버(12-n)의 뒷단에 설치될 수 있다. 그리고, 보정챔버(14)는 앞단의 공정챔버(12)로부터 기판을 전송받아 기판의 실제 성막 두께를 직접적으로 확인하고, 제어 시스템(15)에서 목표 성막 두께와 실제 성막 두께를 비교한 결과에 따라 구동되어 보정 증착을 수행하거나 다음 챔버로 기판을 바이패스한다.

본 발명의 다른 실시예에서 보정챔버(14)는 생략 가능하다. 이 경우 공정챔버(12)는 기판의 실제 성막 두께를 직접적으로 확인하여 제어 시스템(15)으로 제공하고, 제어 시스템(15)은 기판의 실제 성막 두께에 따른 보정 여부를 결정한다. 그리고, 제어 시스템(15)의 비교 결과에 따라 공정챔버(12) 내에서 보정 증착이 이루어지거나 다음 챔버로 기판이 바이패스된다.

공정챔버(12) 및 보정챔버(14)의 구성과 제어 시스템(15)의 제어에 따른 기판 처리 방법을 도 2 내지 도 4를 참조하여 보다 구체적으로 설명하면 다음과 같다.

도 2는 본 발명의 일 실시예에 의한 공정챔버 및 보정챔버의 구성도이다.

도 2에 도시한 것과 같이, 공정챔버(12-i)는 일측 게이트(G1)를 통해 기판(121)이 인입됨에 따라 증발원(123, 125)을 통해 증발물질을 기화시켜 기판(121)의 처리면에 박막을 증착한다. 여기에서, 증발원(123)은 히터(미도시)에 의해 가열되는 도가니(123) 및 도가니(123) 내에 수용되는 증발물질(125)로 구성된다. 인-라인 기판 처리 시스템의 경우 기판(121)은 구동부(미도시)에 의해 공정챔버(12-i) 내에서 지정된 이송 방향을 따라 등속 이동한다.

센서(127)에는 증발원(123, 125)으로부터 증발되는 증발물질이 기판 처리면에서와 마찬가지로 성막되며, 센서(127)의 수명은 제어 시스템(15)에서 관리된다. 아울러, 센서(127)의 감도와 실제 기판의 성막 두께는 시간의 흐름에 따라 달라질 수 있는데, 이는 증발물질의 방사각 변화에 기인한다.

도 3은 센서 수명에 따른 감도 변화를 설명하기 위한 도면이다.

일반적으로 센서의 툴링팩터는 하기 [수학식 1]과 같이 산출된다.

[수학식 1]

툴링팩터(TF) = 초기 툴링팩터(TFi)X(실제 성막두께(Tm)/센서 감지두께(Tx))

그런데 센서의 수명이 증가함에 따라 센서 표면에 성막되는 증발물질의 두께가 증가하여 센서의 감도가 저하되게 되고, 이에 따라 도 3에 도시한 것과 같이 기판의 실제 성막 두께가 감소하는 것을 알 수 있다.

따라서, 상기 수학식 1에 기초하여, 실제 공정 조건과 동일한 조건에서 기판 상에 박막을 증착하고, 지정된 시간 간격으로 실제 성막 두께를 측정하는 테스트 과정을 통해 센서의 수명에 따른 툴링팩터(TF)를 테이블화할 수 있다. 그리고, 센서의 수명에 따른 툴링팩터(TF)를 <참조 TF>로 데이터베이스화하여 제어 시스템(15)에 저장하여 두고, 이를 현재 툴링팩터를 재계산하기 위한 기본 지표로 삼을 수 있다.

센서의 특성에 따른 참조 TF는 예를 들어 하기 [표 1]과 같이 나타낼 수 있다.

센서 수명	참조 TF
0~5	100.0
6~10	103.2

센서는 수명이 100에 도달할 때까지 사용할 수 있으나, 공정의 필요성에 따라 통상 100보다 낮은 값에서 자동 교체되도록 설정할 수 있다.

한편, 증발물질은 시간의 흐름에 따라 방사각이 변화되고, 이로 인해 센서의 증발량 측정 정도가 변화된다.

도 4는 공정 시간에 따른 증발물질의 방사각 변화를 설명하기 위한 도면이다.

공정 초기에 도가니 내에는 증발물질이 가득 채워져 있으나(a), 공정이 진행됨에 따라 증발물질의 양은 계속 감소한다(b). 따라서, 증발물질의 방사각은 θ1에서 θ2로 변화되고, 이에 따라 센서에서의 감지량과, 기판 상의 실제 증착량에 달라지게 된다.

아울러 기판 처리 공정 동안 증발물질의 증발량은 항상 동일하게 제어되므로, 증발물질의 방사각은 공정 경과 시간에 비례 관계를 갖는다. 따라서, 공정 시간을 지정된 구간으로 나누어 증발물질의 방사각에 따른 성막 두께 변화율을 참조 TF에 대한 보정 계수로 적용할 수 있다. 보정계수는 공정 경과 시간을 변수로 하는 관계식에 기초하여 계산할 수 있으며, 제어 시스템(15)은 보정계수 계산식을 저장하여 두고 참조 TF에 보정계수를 적용, 현재 툴링팩터를 계산할 수 있다.

이에 따라, 제어 시스템(15)은 현재 툴링팩터(TFnew)를 하기 [수학식 2]와 같이 산출할 수 있다.

[수학식 2]

현재 툴링팩터(TFnew) = 참조 TF X 보정계수

여기에서, 참조 TF는 툴링팩터를 재계산하는 시점의 센서 수명에 기초하여 예를 들어 상기 [표 1]로부터 추출할 수 있고, 보정계수는 툴링팩터를 재계산하는 시점의 공정 경과 시간을 변수로 하는 관계식으로부터 계산할 수 있다.

현재 툴링팩터가 계산되면, 제어 시스템(15)은 툴링팩터를 변경하여 적용하고, 변경된 조건에서의 목표 증발 속도를 만족하도록 증발원에 대한 공정 파라미터(전력, 전류, 전압 중 어느 하나)를 변경, 기판(121)에 목적하는 두께의 레이어가 균일하게 형성되도록 한다.

다시 도 2를 참조하면, 보정챔버(14)는 증발원(1231, 1251), 센서(1271) 및 두께 측정부(129)를 포함하도록 구성된다. 그리고, 공정챔버(12)로부터 타측 게이트(G2)를 통해 반출되는 기판(121)을 전송받아 두께 측정부(129)를 통해 기판(121)의 실제 성막 두께를 측정한다. 본 발명의 실시예에서, 두께 측정부(129)는 4-포인트 프로브로 구성할 수 있다. 4-포인트 프로브는 진공 상태의 공간에 설치가 가능하고, 대상물의 면저항 또는 비저항을 이용하여 두께를 측정하는 것으로 엘립소미터와 달리 별도의 견시창이 불필요한 장점이 있다.

두께 측정부(129)에서 측정한 실제 성막 두께는 제어 시스템(15)으로 통보되고, 제어 시스템(15)은 실제 성막 두께와 목표 성막 두께를 비교하여 보정챔버(14)의 증발원(1231, 1251)을 제어, 기판(121)에 추가적인 증착이 이루어지도록 하거나, 후속 공정챔버로 기판을 바이패스한다.

보정챔버(14) 내에서도 센서(1271)에 의해 보정 증착 공정 동안의 성막 두께가 간접적으로 확인됨은 물론이다.

한편, 보정챔버(14)가 생략된 구조의 기판 처리 시스템의 경우 공정챔버(12) 내에 두께 측정부(129)를 설치할 수 있다. 이 경우 두께 측정부(129)는 공정챔버(12)에서의 증착 공정 완료 후 실제 성막 두께를 측정하여 제어 시스템(15)으로 제공한다. 그리고, 제어 시스템(15)은 실제 성막 두께와 목표 성막 두께의 비교 결과에 따라 공정챔버(12)를 제어하여 추가적인 증착이 이루어지거나 후속 챔버로 기판을 바이패스하도록 한다.

상술하였듯이, 본 발명에서는 제어 시스템(15)에서 시간의 흐름에 따른 센서의 특성 및 증발물질의 방사각에 따른 성막 두께 변화율을 고려하여 현재 툴링팩터를 계산하고, 이에 따라 공정 파라미터를 변경함으로써 센서의 수명이 증가하여 감도가 저하된 경우에도 정확한 두께로 박막을 형성할 수 있다.

이를 위해 제어 시스템(15)은 예를 들어 도 5와 같이 구성될 수 있으며, 제어 시스템(15)의 구성 및 동작을 도 5 및 도 6을 참조하여 설명하면 다음과 같다.

도 5는 본 발명에 적용되는 제어 시스템의 구성도이고, 도 6은 본 발명의 일 실시예에 의한 기판 처리 시스템 제어 방법을 설명하기 위한 흐름도이다.

도 5를 참조하면, 제어 시스템(15)은 두께 확인부(110), 센서 정보 관리부(120), 소스 정보 관리부(130), 툴링팩터 계산부(140) 및 공정 파라미터 갱신부(150)를 포함할 수 있다.

두께 확인부(110)는 보정챔버(14)(보정챔버(14)가 생략된 구조에서는 공정챔버(12))의 두께 측정부(129)로부터 기판의 실제 성막 두께를 수신하여 목표 성막 두께와 비교한다. 그리고, 비교 결과에 따라 보정챔버(14)(보정챔버(14)가 생략된 구조에서는 두께 측정부(129)가 구비된 공정챔버(12))를 제어하여, 실제 성막 두께가 목표 성막 두께에 도달하지 못한 경우 보정 증착이 이루어지도록 한다. 아울러, 목표 성막 두께만큼 증착이 이루어진 경우에는 다음 단의 챔버로 기판을 바이패스하도록 보정챔버(14)( 보정챔버(14)가 생략된 구조에서는 공정챔버(12))를 제어한다.

센서 정보 관리부(120)는 공정챔버(12) 각각에 설치된 센서 별로 센서의 수명을 체크하고, 센서의 수명에 따른 참조 TF를 데이터베이스로 관리한다.

소스 정보 관리부(130)는 공정시간의 경과에 기초한 증발물질의 방사각에 따른 성막 두께 변화율을 기 설정된 계산식(관계식)으로 저장한다.

툴링팩터 계산부(140)는 현재 툴링팩터를 계산하기 위해 센서 정보 관리부(120)로부터 센서의 수명에 따른 참조 TF를 추출한다(S101). 아울러, 소스 정보 관리부(130)에 저장된 계산식에 기초하여 현재 공정 시간 경과 시점의 보정계수를 산출한다(S103). 그리고, 추출한 참조 TF와 보정계수에 기초하여, 예를 들어 [수학식 2]와 같은 방식으로 현재 툴링팩터를 계산한다(S105).

공정 파라미터 갱신부(150)는 툴링팩터 계산부(140)에서 계산한 현재 툴링팩터를 목표 툴링팩터와 비교한다. 그리고, 현재 툴링팩터가 목표 툴링팩터와 상이한 경우 툴링팩터를 변경하고, 변경된 조건에서의 목표 증발 속도를 만족하도록 공정 파라미터(도가니에 대한 전력, 전압, 전류 공급 특성)를 변경한다(S107).

[수학식 1]과 같이 센서의 툴링팩터를 계산하는 경우에는 센서의 수명 증가에 따른 감도 변화를 적용할 수 없다. 아울러, 센서의 수명에 따른 감도 변화를 감안한다 하더라도, 공정시간 경과에 따른 증발물질의 방사각 변화에 기초한 성막 두께 변화율을 고려하지 않는다면 기판의 실제 성막 두께와 센서의 감지 두께가 다를 수 밖에 없다.

따라서, 본 발명은 시간의 흐름에 따른 센서의 특성 및 증발물질의 방사각 변화를 모두 고려하여 현재의 툴링팩터를 산출하고, 이를 공정 파라미터 변경에 이용함으로써, 기판 상에 목표하는 두께만큼 정확하게 박막을 증착할 수 있다.

이상에서는 인-라인 기판 처리 시스템을 예로 들어 설명하였으나, 본 발명은 이에 한정되는 것이 아니며 클러스터 타입의 기판 처리 시스템에도 유사한 원리로 적용할 수 있음은 물론이다.

이와 같이, 본 발명이 속하는 기술분야의 당업자는 본 발명이 그 기술적 사상이나 필수적 특징을 변경하지 않고서 다른 구체적인 형태로 실시될 수 있다는 것을 이해할 수 있을 것이다. 그러므로 이상에서 기술한 실시예들은 모든 면에서 예시적인 것이며 한정적인 것이 아닌 것으로서 이해해야만 한다. 본 발명의 범위는 상기 상세한 설명보다는 후술하는 특허청구범위에 의하여 나타내어지며, 특허청구범위의 의미 및 범위 그리고 그 등가개념으로부터 도출되는 모든 변경 또는 변형된 형태가 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 한다.

1 : 기판 처리 시스템
11 : 로딩 챔버
12 : 공정챔버
13 : 언로딩 챔버
14 : 보정챔버
15 : 제어 시스템
17 : 전원 공급부

Claims

센서 및 증발원을 구비하여 기판 처리면에 기 설정된 목표 두께의 레이어를 증착하는 적어도 하나의 공정챔버; 및
상기 센서의 수명을 관리하고,
상기 센서의 수명에 기초한 참조 툴링팩터를 저장하고 있으며,
공정시간 경과에 따른 상기 증발원의 방사각 변화에 기초한 성막 두께 변화량에 따라 산출된 보정계수를 상기 참조 툴링팩터에 적용하여 도출된 현재 툴링팩터에 기초하여 상기 증발원을 제어하는 제어 시스템;
을 포함하는 기판 처리 시스템.
제 1 항에 있어서,
상기 참조 툴링팩터는, 테스트 모드에서 기판의 실제 성막 두께, 센서의 감지 두께 및 센서의 수명에 따라 산출되어 상기 제어 시스템에 저장되는 기판 처리 시스템.
제 1 항에 있어서,
상기 보정계수는, 공정 경과 시간을 변수로 하여, 증발원의 방사각 변화에 의한 기판의 실제 성막 두께와 센서의 감지 두께 차이에 따라 기 도출된 관계식으로부터 산출되는 기판 처리 시스템.
제 1 항에 있어서,
상기 공정챔버 중 적어도 어느 하나의 뒷단에 설치되며, 상기 공정챔버로부터 기판을 전송받아 기판의 실제 성막 두께를 측정하는 두께 측정부를 구비하는 보정챔버를 더 포함하는 기판 처리 시스템.
제 4 항에 있어서,
상기 제어 시스템은, 상기 보정챔버에서 측정한 실제 성막 두께와 상기 목표 두께의 비교 결과에 따라 상기 보정챔버의 동작을 제어하는 기판 처리 시스템.
제 4 항에 있어서,
상기 두께 측정부는 4-포인트 프로브인 기판 처리 시스템.
제 1 항에 있어서,
상기 공정챔버는, 기판의 실제 성막 두께를 측정하는 두께 측정부를 더 포함하는 기판 처리 시스템.
제 7 항에 있어서,
상기 제어 시스템은, 상기 공정챔버의 상기 두께 측정부에서 측정한 실제 성막 두께와 상기 목표 두께의 비교 결과에 따라 상기 공정챔버의 동작을 제어하는 기판 처리 시스템.
제 7 항에 있어서,
상기 두께 측정부는 4-포인트 프로브인 기판 처리 시스템.
센서 및 증발원을 구비하여 기판 처리면에 기 설정된 목표 두께의 레이어를 증착하는 적어도 하나의 공정챔버를 구비하는 기판 처리 시스템 제어 방법으로서,
상기 제어 시스템이 현재 툴링팩터 계산이 요구되는 시점의 상기 센서의 수명에 기초한 참조 툴링팩터를 추출하는 단계;
상기 현재 툴링팩터 계산이 요구되는 시점의 공정 경과 시간을 변수로 하여, 상기 증발원의 방사각 변화에 기초한 성막 두께 변화량에 기초한 보정계수를 산출하는 단계;
상기 추출한 참조 툴링팩터에 상기 계산한 보정계수를 적용하여 현재 툴링팩터를 계산하는 단계; 및
상기 계산한 현재 툴링팩터에 따라 상기 증발원을 제어하는 단계;
를 포함하는 기판 처리 시스템 제어 방법.
제 10 항에 있어서,
상기 참조 툴링팩터는, 테스트 모드에서 기판의 실제 성막 두께, 센서의 감지 두께 및 센서의 수명에 따라 산출되어 기 저장되는 기판 처리 시스템 제어 방법.
제 10 항에 있어서,
상기 보정계수는, 공정 경과 시간을 변수로 하여, 증발원의 방사각 변화에 의한 기판의 실제 성막 두께와 센서의 감지 두께 차이에 따라 도출된 관계식으로부터 산출하는 기판 처리 시스템 제어 방법.
제 10 항에 있어서,
상기 기판 처리 시스템은 상기 공정챔버 중 적어도 어느 하나의 뒷단에 설치되는 보정챔버를 더 포함하고,
상기 보정챔버가 상기 기판의 실제 성막 두께를 측정하여 상기 제어 시스템으로 제공하는 단계;
상기 제어 시스템이 상기 실제 성막 두께와 상기 목표 두께를 비교하는 단계; 및
상기 비교 결과에 따라 상기 보정챔버의 동작을 제어하는 단계;
를 포함하는 기판 처리 시스템 제어 방법.
제 10 항에 있어서,
상기 공정챔버가 상기 기판의 실제 성막 두께를 측정하여 상기 제어 시스템으로 제공하는 단계;
상기 제어 시스템이 상기 실제 성막 두께와 상기 목표 두께를 비교하는 단계; 및
상기 비교 결과에 따라 상기 공정챔버의 동작을 제어하는 단계;
를 포함하는 기판 처리 시스템 제어 방법.