KR20140028918A - Composition for polishing member, polishing member comprising the same and method of manufacturing the same - Google Patents

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조범래
김헌덕
박준우
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Abstract

The present invention relates to a composition for a polishing member, a polishing member comprising the same, and a method for manufacturing the same, and the composition for a polishing member according to an embodiment of the present invention comprises: a metal alloy matrix having a plurality of gaps on the surface and having hard particles attached to the gaps; and a polymer binder combined to the metal alloy matrix.

Description

연마부재용 조성물, 이를 포함하는 연마부재 및 그 제조방법{Composition for polishing member, polishing member comprising the same and method of manufacturing the same}Composition for polishing member, polishing member comprising same and method for manufacturing same {Composition for polishing member, polishing member comprising the same and method of manufacturing the same}

본 발명은 연마부재용 조성물, 이를 포함하는 연마부재 및 그 제조방법에 관한 것으로, 보다 구체적으로는 연마력이 우수하고, 연마시간을 단축할 수 있는 연마부재용 조성물, 이를 포함하는 연마부재 및 그 제조방법에 관한 것이다.The present invention relates to an abrasive member composition, an abrasive member including the same, and a manufacturing method thereof, and more particularly, to an abrasive member composition having excellent polishing force and capable of shortening a polishing time, and an abrasive member comprising the same and a preparation thereof. It is about a method.

일반적으로 반도체 웨이퍼는 단결정 잉곳(ingot)으로부터 복수 개의 반도체 웨이퍼를 슬라이스하는 슬라이스 공정, 반도체 웨이퍼의 표면을 평탄화하는 래핑 공정, 반도체 웨이퍼의 외주부를 모따기하는 모따기 공정, 반도체 웨이퍼의 가공 왜곡을 제거하는 에칭 공정, 반도체 웨이퍼의 표면을 경면화하는 연마 공정으로 행해진다.
In general, semiconductor wafers include a slicing process of slicing a plurality of semiconductor wafers from a single crystal ingot, a lapping process of planarizing the surface of the semiconductor wafer, a chamfering process of chamfering the outer periphery of the semiconductor wafer, and etching for removing processing distortion of the semiconductor wafer. A process and a polishing process which mirror-mirrors the surface of a semiconductor wafer are performed.

반도체 소자가 미세화, 고밀도화 됨에 따라 더욱 미세한 패턴 형성 기술이 사용되고 있으며, 그에 따라 반도체 소자의 표면 구조가 더욱 복잡해지고 표면 막들의 단차도 더욱 커지고 있다. 반도체 소자를 제조하는데 있어서 기판 상에 형성된 특정한 막에서의 단차를 제거하기 위한 평탄화 기술로서 화학 기계적 연마(chemicalmechanical polishing, CMP) 공정이 이용된다.
As semiconductor devices become finer and denser, finer pattern formation techniques are being used. As a result, the surface structure of the semiconductor devices becomes more complicated and the level of the surface films becomes larger. In manufacturing semiconductor devices, a chemical mechanical polishing (CMP) process is used as a planarization technique for removing a step in a specific film formed on a substrate.

또한, 반도체 디바이스의 고집적화가 진행됨에 따라, 반도체 웨이퍼(이하, ‘웨이퍼’라고도 함)에 요구되는 평탄도가 엄격해지고 있다. 그러나, 웨이퍼의 대구경화가 진행됨에 따라, 그 평탄도의 향상이 더욱 곤란해지고 있다. 이에 따라, 웨이퍼의 가공 프로세스에 있어서 에칭 후에 연삭 공정을 도입한 프로세스가 제안되고, 다양한 연마 방법을 통하여 우수한 평탄도를 가지는 웨이퍼를 제조하기 위한 연구가 계속되고 있다.In addition, as the integration of semiconductor devices is advanced, the flatness required for semiconductor wafers (hereinafter also referred to as "wafers") is becoming strict. However, as the large diameter of the wafer advances, the improvement of the flatness becomes more difficult. Accordingly, a process in which a grinding process is introduced after etching in a wafer processing process has been proposed, and research for producing a wafer having excellent flatness through various polishing methods has continued.

본 발명에 따른 일 실시형태의 목적은 연마력이 우수하고, 연마시간을 단축할 수 있는 연마부재용 조성물, 이를 포함하는 연마부재 및 그 제조방법을 제공하는 것이다.An object of one embodiment according to the present invention is to provide a polishing member composition, a polishing member comprising the same and a method for manufacturing the same, which has excellent polishing force and can shorten the polishing time.

본 발명의 일 실시형태는 표면에 복수개의 갭이 형성되고, 상기 갭에 경질 입자가 부착된 금속 합금 매트릭스; 및 상기 금속 합금 매트릭스와 결합되는 고분자 바인더;를 포함하는 연마부재용 조성물을 제공한다.According to one embodiment of the present invention, a plurality of gaps are formed on a surface thereof, and a metal alloy matrix having hard particles attached thereto; And a polymer binder bonded to the metal alloy matrix.

본 발명의 일 실시형태에 따르면, 상기 금속 합금 매트릭스는 고구형, 구형 또는 타원형일 수 있다.According to one embodiment of the invention, the metal alloy matrix may be spherical, spherical or elliptical.

본 발명의 일 실시형태에 따르면, 상기 금속 합금 매트릭스의 직경은 100 내지 1000㎛이고, 상기 갭의 크기는 1 내지 10㎛일 수 있다.According to one embodiment of the invention, the diameter of the metal alloy matrix is 100 to 1000㎛, the size of the gap may be 1 to 10㎛.

본 발명의 일 실시형태에 따르면, 상기 금속 합금 매트릭스는 Sn 95 내지 99%, Ag 0.5 내지 3%, Cu 0.5 내지 2%를 포함할 수 있다.According to one embodiment of the invention, the metal alloy matrix may comprise 95 to 99% Sn, 0.5 to 3% Ag, 0.5 to 2% Cu.

본 발명의 일 실시형태에 따르면, 상기 경질입자는 다이아몬드, 텅스텐 탄화물, 티타늄탄화물, 지르코늄탄화물, 탄탈탄화물, 실리콘 탄화물 및 실리콘 질화물로 이루어진 군으로부터 선택되는 하나 이상일 수 있다.According to one embodiment of the invention, the hard particles may be at least one selected from the group consisting of diamond, tungsten carbide, titanium carbide, zirconium carbide, tantalum carbide, silicon carbide and silicon nitride.

본 발명의 일 실시형태에 따르면, 상기 경질입자의 직경은 1 내지 10㎛일 수 있다.According to one embodiment of the present invention, the diameter of the hard particles may be 1 to 10㎛.

본 발명의 일 실시형태에 따르면, 상기 고분자 바인더는 에폭시 수지, 폴리이미드 및 페놀 수지로 이루어진 군으로부터 선택되는 하나 이상일 수 있다.According to one embodiment of the invention, the polymeric binder may be one or more selected from the group consisting of epoxy resins, polyimides and phenol resins.

본 발명의 다른 실시형태는 표면에 복수개의 갭이 형성되고, 상기 갭에 경질 입자가 부착된 금속 합금 매트릭스; 및 고분자 바인더를 결합하여 형성되는 연마부재를 제공한다.Another embodiment of the present invention is a metal alloy matrix having a plurality of gaps formed on the surface, the hard particles attached to the gap; And it provides a polishing member formed by combining a polymer binder.

본 발명의 또 다른 실시형태는 표면에 복수 개의 갭이 형성되고, 상기 갭에 경질 입자가 부착된 금속 합금 매트릭스를 마련하는 단계; 및 상기 금속 합금 매트릭스와 고분자 바인더를 결합하는 단계;를 포함하는 연마부재의 제조방법을 제공한다.Another embodiment of the present invention includes the steps of providing a metal alloy matrix having a plurality of gaps formed on the surface, the hard particles attached to the gap; And bonding the metal alloy matrix and the polymer binder to each other.

본 발명의 일 실시형태에 따르면, 상기 금속 합금 매트릭스 및 고분자 바인더를 결합하는 단계는 가압 공정 또는 경화 공정에 의하여 수행될 수 있다.According to one embodiment of the present invention, the step of combining the metal alloy matrix and the polymer binder may be performed by a pressing process or a curing process.

본 발명의 일 실시형태에 따르면, 상기 표면에 형성된 갭에 경질 입자가 부착된 금속 합금 매트릭스를 마련하는 단계는According to one embodiment of the present invention, the step of preparing a metal alloy matrix having hard particles attached to the gap formed on the surface is

(a)표면에 다수 개의 갭이 형성된 금속 합금 프리매트릭스를 형성하는 단계; 및 (b)상기 금속 합금 프리매트릭스와 경질 입자를 혼합하여 상기 갭에 상기 경질 입자를 부착하는 단계;를 포함하여 수행될 수 있다.(a) forming a metal alloy prematrix having a plurality of gaps formed on the surface thereof; And (b) adhering the hard particles to the gap by mixing the metal alloy prematrix and the hard particles.

본 발명의 일 실시형태에 따르면, 상기 금속 합금 프리매트릭스는 DBM (Droplet Based Manufacturing) 공정에 의하여 형성되고, 상기 금속 합금 프리매트릭스와 경질 입자를 혼합하는 단계는 볼 밀 공정에 의하여 수행될 수 있다.According to an embodiment of the present invention, the metal alloy prematrix is formed by a DBM (Droplet Based Manufacturing) process, and the mixing of the metal alloy prematrix and the hard particles may be performed by a ball mill process.

본 발명의 일 실시형태에 따르면, 경질 입자가 고르게 분산된 금속 합금 매트릭스를 포함하는 연마 부재용 조성물을 제공할 수 있다. 상기 경질입자는 금속 합금 매트릭스 내에 조밀하게 배치될 수 있고, 그립력(grip force)이 향상될 수 있다. According to one embodiment of the present invention, it is possible to provide a composition for an abrasive member comprising a metal alloy matrix in which hard particles are evenly dispersed. The hard particles can be densely arranged in the metal alloy matrix and the grip force can be improved.

또한, 본 발명의 일 실시형태에 따르면, 경질 입자가 부착된 금속 합금 매트릭스와 고분자 바인더를 포함하는 연마부재를 제공할 수 있다.In addition, according to one embodiment of the present invention, it is possible to provide a polishing member comprising a metal alloy matrix and a polymer binder to which hard particles are attached.

상기 금속 합금 매트릭스는 고분자 바인더와의 결합력이 우수하여 연마 및 연삭 공정 중 경질 입자 및 금속 합금 매트릭스가 탈착되는 비율을 감소시킬 수 있다. 또한, 상기 연마부재는 금속 합금과 고분자를 동시에 포함하여 고인성 및 고경도의 특성을 가질 수 있다. 이에 따라, 상기 연마 부재로 그라인딩과 랩핑 공정을 동시에 수행할 수 있다. The metal alloy matrix may have an excellent bonding force with the polymer binder to reduce the ratio of hard particles and metal alloy matrix desorbed during the polishing and grinding process. In addition, the polishing member may include a metal alloy and a polymer at the same time, and may have high toughness and high hardness. Accordingly, grinding and lapping processes may be simultaneously performed with the polishing member.

따라서, 본 발명의 일 실시형태에 따르면 단일 장비 내에서 연삭 및 연마 공정의 연속화가 가능하고, 연마력이 증가하여 연마 및 연삭 공정 시간을 줄일 수 있다. 또한, 웨이퍼의 평탄도와 조도를 동시에 제어할 수 있다.Thus, according to one embodiment of the present invention, the grinding and polishing process can be continued in a single equipment, and the polishing force can be increased to reduce the polishing and grinding process time. In addition, the flatness and roughness of the wafer can be controlled simultaneously.

도 1은 도 1은 본 발명의 일 실시형태에 따른 연마 부재용 조성물로 제조된 연마부재를 포함하는 연마 휠과 상기 연마부재의 일부를 확대하여 개략적으로 나타내는 도면이다.
도 2는 본 발명의 일 실시형태에 따른 연마 부재용 조성물에 포함되는 금속 합금 매트릭스를 개략적으로 나타내는 그림이다.
도 3은 본 발명의 일 실시형태에 따른 연마부재를 제조하는 과정을 개략적으로 나타내는 공정 모식도이다.
도 4는 본 발명의 일 실시형태에 따른 금속 합금 프리 매트릭스를 제조하는 장치를 개략적으로 나타내는 단면도이다.
도 5의 (a)는 본 발명의 일 실시형태에 따라 형성된 금속 합금 프리매트릭스를 촬영한 사진이고, 도 5의 (b)는 상기 금속 합금 프리매트릭스에 경질입자가 부착된 상태를 촬영한 사진이다.
도 6은 본 발명의 일 실시형태에 따라 형성된 금속 합금 매트릭스를 촬영한 사진이다.
도 7은 본 발명의 일 실시형태에 따라 제조된 연마부재의 FT-IR 측정 결과를 나타내는 그래프이다.
도 8은 본 발명의 일 실시형태에 따라 제조된 연마부재로 연마된 웨이퍼의 평탄도(a), 휨(b), 표면조도(c)의 측정 결과를 나타내는 그래프 및 사진이다.
1 is a view schematically showing an enlarged portion of a polishing wheel and a polishing member including the polishing member made of the polishing member composition according to an embodiment of the present invention.
FIG. 2 is a diagram schematically showing a metal alloy matrix included in a composition for an abrasive member according to an embodiment of the present invention. FIG.
3 is a process schematic diagram schematically showing a process of manufacturing an abrasive member according to an embodiment of the present invention.
4 is a cross-sectional view schematically showing an apparatus for manufacturing a metal alloy free matrix according to one embodiment of the present invention.
FIG. 5A is a photograph of a metal alloy prematrix formed according to an embodiment of the present invention, and FIG. 5B is a photograph of a state in which hard particles are attached to the metal alloy prematrix. .
6 is a photograph of a metal alloy matrix formed according to an embodiment of the present invention.
7 is a graph showing the results of the FT-IR measurement of the polishing member produced according to an embodiment of the present invention.
FIG. 8 is a graph and a photograph showing measurement results of flatness (a), warpage (b) and surface roughness (c) of a wafer polished with a polishing member manufactured according to one embodiment of the present invention.

이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시형태들을 설명한다. 다만, 본 발명의 실시형태는 여러 가지 다른 형태로 변형될 수 있으며, 본 발명의 범위가 이하 설명하는 실시형태로 한정되는 것은 아니다. 또한, 본 발명의 실시형태는 당업계에서 평균적인 지식을 가진 자에게 본 발명을 더욱 완전하게 설명하기 위해서 제공되는 것이다. 따라서, 도면에서의 요소들의 형상 및 크기 등은 보다 명확한 설명을 위해 과장될 수 있으며, 도면상의 동일한 부호로 표시되는 요소는 동일한 요소이다.
Hereinafter, preferred embodiments of the present invention will be described with reference to the accompanying drawings. However, the embodiments of the present invention may be modified into various other forms, and the scope of the present invention is not limited to the embodiments described below. Furthermore, embodiments of the present invention are provided to more fully explain the present invention to those skilled in the art. Accordingly, the shapes and sizes of the elements in the drawings may be exaggerated for clarity of description, and the elements denoted by the same reference numerals in the drawings are the same elements.

도 1은 본 발명의 일 실시형태에 따른 연마 부재용 조성물로 제조된 연마부재를 포함하는 연마 휠과 상기 연마부재의 일부를 확대하여 개략적으로 나타내는 도면이다. 도 2는 본 발명의 일 실시형태에 따른 연마 부재용 조성물에 포함되는 금속 합금 매트릭스를 개략적으로 나타내는 그림이다.
BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS Fig. 1 is an enlarged and schematic view of an abrasive wheel including an abrasive member made of a polishing member composition according to an embodiment of the present invention and a part of the abrasive member. FIG. 2 is a diagram schematically showing a metal alloy matrix included in a composition for an abrasive member according to an embodiment of the present invention. FIG.

도 1 및 도 2를 참조하면, 본 발명의 일 실시형태에 따른 연마 부재용 조성물은 표면에 복수개의 갭이 형성되고, 상기 갭에 경질 입자(120)가 부착된 금속 합금 매트릭스(110); 및 상기 금속 합금 매트릭스(110)와 결합되는 고분자 바인더(130)를 포함할 수 있다.
1 and 2, a polishing member composition according to an embodiment of the present invention includes a metal alloy matrix 110 having a plurality of gaps formed on a surface thereof, and hard particles 120 attached to the gaps; And a polymer binder 130 coupled to the metal alloy matrix 110.

본 발명의 일 실시형태에 따르면, 상기 연마부재용 조성물은 가압 또는 경화 공정을 통하여 연마부재(200)로 형성될 수 있다. 이에 대한 보다 구체적인 사항을 후술하도록 한다.
According to one embodiment of the present invention, the polishing member composition may be formed of the polishing member 200 through a pressing or curing process. More specific details will be described later.

본 발명의 일 실시형태에 따르면, 상기 금속 합금 매트릭스(110)의 표면에는 복수 개 갭이 형성될 수 있고, 상기 갭에는 경질입자(120)가 부착될 수 있다.
According to one embodiment of the present invention, a plurality of gaps may be formed on the surface of the metal alloy matrix 110, and hard particles 120 may be attached to the gaps.

상기 금속 합금 매트릭스(110)의 직경은 특별히 제한되지 않으나, 예를 들면 100 내지 1000㎛일 수 있다. 또한 상기 금속 합금 매트릭스는 고구형, 구형, 타원형 일 수 있다.The diameter of the metal alloy matrix 110 is not particularly limited, but may be, for example, 100 to 1000 μm. In addition, the metal alloy matrix may be spherical, spherical, elliptical.

상기 금속 합금 매트릭스는 Sn, Ni, Co, Cr, Mo, W, Ag, Cu, Fe, Mn 등의 금속을 포함할 수 있다. The metal alloy matrix may include metals such as Sn, Ni, Co, Cr, Mo, W, Ag, Cu, Fe, and Mn.

보다 구체적으로, Sn 95 내지 99%, Ag 0.5 내지 3%, Cu 0.5 내지 2%를 포함할 수 있다. More specifically, it may include 95 to 99% Sn, 0.5 to 3% Ag, 0.5 to 2% Cu.

상기 갭의 크기는 특별히 제한되지 않으나, 예를 들면 1 내지 10㎛, 또는 1 내지 5㎛일 수 있다.The size of the gap is not particularly limited, but may be, for example, 1 to 10 μm, or 1 to 5 μm.

본 발명의 일 실시형태에 따르면, 상기 금속 합금 매트릭스는 DBM (Droplet Based Manufacturing) 공정으로 형성될 수 있으며, 이에 대한 구체적인 사항을 후술하도록 한다.
According to one embodiment of the present invention, the metal alloy matrix may be formed by a DBM (Droplet Based Manufacturing) process, which will be described later.

상기 금속 합금 매트릭스(110) 표면에 형성된 갭에는 경질 입자(120)가 부착될 수 있다. 상기 경질입자는 특별히 제한되는 것은 아니나, 예를 들면, 다이아몬드, 텅스텐 탄화물, 티타늄탄화물, 지르코늄탄화물, 탄탈탄화물, 실리콘 탄화물, 실리콘 질화물 등을 사용할 수 있다.Hard particles 120 may be attached to a gap formed on the surface of the metal alloy matrix 110. The hard particles are not particularly limited, but for example, diamond, tungsten carbide, titanium carbide, zirconium carbide, tantalum carbide, silicon carbide, silicon nitride and the like can be used.

상기 경질 입자의 직경은 특별히 제한되지 않으나, 예를 들면 1 내지 10㎛ 또는 2 내지 6㎛의 초미립 입자일 수 있다. 또한, 상기 경질입자의 함량은 상기 금속 합금 매트릭스 100 중량부에 대하여 3 내지 10 중량부일 수 있다.
The diameter of the hard particles is not particularly limited, but may be, for example, 1 to 10 μm or 2 to 6 μm ultra fine particles. In addition, the content of the hard particles may be 3 to 10 parts by weight based on 100 parts by weight of the metal alloy matrix.

상기 고분자 바인더(130)는 특별히 제한되지 않으나, 예를 들면 에폭시 수지, 폴리이미드, 페놀 수지 등을 사용할 수 있다.The polymer binder 130 is not particularly limited, but for example, an epoxy resin, a polyimide, a phenol resin, or the like may be used.

상기 고분자 바인더(130)의 함량은 상기 금속 합금 매트릭스 100 중량부에 대하여 0.1 내지 10 중량부일 수 있다. 상기 고분자 바인더의 함량이 0.1 중량부 미만이면 금속 합금 매트릭스 간의 결합력이 저하될 우려가 있고, 10 중량부를 초과하면 연마부재가 충분한 강도를 가지지 못할 우려가 있다.
The content of the polymer binder 130 may be 0.1 to 10 parts by weight based on 100 parts by weight of the metal alloy matrix. If the content of the polymeric binder is less than 0.1 parts by weight, the bonding strength between the metal alloy matrix may be lowered. If the content of the polymer binder is more than 10 parts by weight, the polishing member may not have sufficient strength.

일반적으로, 글래스 또는 사파이어 소재 등, 연삭이 어려운 기판 및 웨이퍼를 연마하기 위해서 고강도 경질입자가 사용되고 있다.Generally, high-strength hard particles are used to polish substrates and wafers that are difficult to grind, such as glass or sapphire materials.

상기 경질 입자는 금속, 레진, 세라믹 등의 바인더와 혼합되어 연마 부재로 사용될 수 있다. 그러나 경질 입자가 미립화될수록 바인더에 고르게 분산되기 어렵고, 일정 시간이 지나면 경질 입자가 바인더에서 탈착될 수 있다.
The hard particles may be mixed with a binder such as metal, resin, ceramic, or the like to be used as an abrasive member. However, as the hard particles are atomized, it is difficult to evenly disperse them in the binder, and after a certain time, the hard particles may be desorbed from the binder.

그러나 본 발명의 일 실시형태에 따르면, 경질 입자는 금속 합금 매트릭스의 갭에 부착되어 경질입자가 금속 합금 매트릭스에 고르게 분산될 수 있다. 또한, 경질입자는 금속 합금 매트릭스 내에 조밀하게 배치될 수 있고, 그립력(grip force)이 향상될 수 있다.
However, according to one embodiment of the invention, the hard particles are attached to the gap of the metal alloy matrix so that the hard particles can be evenly dispersed in the metal alloy matrix. In addition, the hard particles can be densely arranged in the metal alloy matrix, and the grip force can be improved.

일반적으로 고품질의 웨이퍼를 제조하기 위하여, 랩핑(lapping), 그라인딩(grinding), 폴리싱(polishing) 등의 많은 단계가 수행되고, 각 단계별로 다른 형태의 공정장비가 필요하다. 특히, 대구경 웨이퍼의 높은 평탄도와 조도를 확보하기 위해서는 복잡한 공정을 거쳐야 하고, 오랜 연마 및 연삭 공정시간은 웨이퍼의 품질에 악영향을 미칠 수 있다. 또한, 웨이퍼의 조도를 높이기 위하여 평탄도가 저하되거나 평탄도를 높이는 경우 조도가 저하되는 결과를 가져올 수 있다.
Generally, in order to manufacture high quality wafers, many steps such as lapping, grinding, and polishing are performed, and different types of process equipment are required for each step. In particular, in order to ensure high flatness and roughness of a large-diameter wafer, a complicated process is required, and long grinding and grinding process time may adversely affect the quality of the wafer. In addition, in order to increase the roughness of the wafer, the flatness may be reduced, or when the flatness is increased, the roughness may be reduced.

그러나 본 발명의 일 실시형태에 따르면, 경질 입자가 부착된 금속 합금 매트릭스와 고분자 바인더를 포함하는 연마부재를 제공할 수 있다. 상기 금속 합금 매트릭스는 고분자 바인더와의 결합력이 우수하여 연마 및 연삭 공정 중 경질 입자 및 금속 합금 매트릭스가 탈착되는 비율을 감소시킬 수 있다. 또한, 상기 연마부재는 금속 합금과 고분자를 동시에 포함하여 고인성 및 고경도의 특성을 가질 수 있다. 이에 따라, 상기 연마 부재로 그라인딩과 랩핑 공정을 동시에 수행할 수 있다. However, according to one embodiment of the present invention, it is possible to provide a polishing member including a metal alloy matrix and a polymer binder to which hard particles are attached. The metal alloy matrix may have an excellent bonding force with the polymer binder to reduce the ratio of hard particles and metal alloy matrix desorbed during the polishing and grinding process. In addition, the polishing member may include a metal alloy and a polymer at the same time, and may have high toughness and high hardness. Accordingly, grinding and lapping processes may be simultaneously performed with the polishing member.

따라서, 본 발명의 일 실시형태에 따르면 단일 장비 내에서 연삭 및 연마 공정의 연속화가 가능하고, 연마력이 증가하여 연마 및 연삭 공정 시간을 줄일 수 있다. 또한, 웨이퍼의 평탄도와 조도를 동시에 제어할 수 있다.
Thus, according to one embodiment of the present invention, the grinding and polishing process can be continued in a single equipment, and the polishing force can be increased to reduce the polishing and grinding process time. In addition, the flatness and roughness of the wafer can be controlled simultaneously.

이하, 본 발명의 일 실시형태에 따른 연마부재의 제조방법을 설명한다. 상기 연마부재는 상술한 연마부재용 조성물로 제조될 수 있다.
Hereinafter, the manufacturing method of the grinding | polishing member which concerns on one Embodiment of this invention is demonstrated. The polishing member may be made of the composition for the polishing member described above.

본 발명의 일 실시형태에 따른 연마부재의 제조방법은 표면에 복수 개의 갭이 형성되고, 상기 갭에 경질입자가 부착된 금속 합금 매트릭스를 마련하는 단계; 및 상기 금속 합금 매트릭스와 고분자 바인더를 결합하는 단계;를 포함할 수 있다.
According to one or more exemplary embodiments, a method of manufacturing an abrasive member includes providing a metal alloy matrix having a plurality of gaps formed on a surface thereof, and hard particles attached to the gaps; And combining the metal alloy matrix and the polymer binder.

도 3은 본 발명의 일 실시형태에 따른 연마부재를 제조하는 과정을 개략적으로 나타내는 공정 모식도이다.
3 is a process schematic diagram schematically showing a process of manufacturing an abrasive member according to an embodiment of the present invention.

우선, 도 3에 도시된 바와 같이 표면에 복수개의 갭이 형성되고, 상기 갭에 경질 입자(120)가 부착된 금속 합금 매트릭스(110)를 마련할 수 있다.
First, as shown in FIG. 3, a plurality of gaps may be formed on a surface thereof, and a metal alloy matrix 110 having hard particles 120 attached thereto may be provided.

본 발명의 일 실시형태에 따르면, 상기 표면에 복수개의 갭이 형성되고, 상기 갭에 경질입자(120)가 부착된 금속 합금 매트릭스(110)는 (a)표면에 복수 개의 갭이 형성된 금속 합금 프리매트릭스(경질입자 부착전, 110a)를 제조하는 단계; 및 (b)상기 금속 합금 프리매트릭스(110a)와 경질 입자(120)를 혼합하여 상기 갭에 상기 경질 입자(120)를 부착하는 단계;를 포함하여 형성될 수 있다.
According to the exemplary embodiment of the present invention, the metal alloy matrix 110 having a plurality of gaps formed on the surface and the hard particles 120 attached to the gap is (a) a metal alloy free having a plurality of gaps formed on the surface thereof. Preparing a matrix (before hard particle attachment, 110a); And (b) adhering the hard particles 120 to the gap by mixing the metal alloy prematrix 110a and the hard particles 120.

본 발명의 일 실시형태에 따르면, 상기 (a)표면에 복수 개의 갭이 형성된 금속 합금 프리매트릭스(110a)는 DBM (Droplet Based Manufacturing) 공정에 의하여 형성될 수 있다. 도 4는 본 발명의 일 실시형태에 따른 금속 합금 프리매트릭스를 제조하는 장치를 개략적으로 나타내는 단면도이다.According to an embodiment of the present invention, the metal alloy prematrix 110a having a plurality of gaps formed on the surface (a) may be formed by a DBM (Droplet Based Manufacturing) process. 4 is a cross-sectional view schematically showing an apparatus for manufacturing a metal alloy prematrix according to one embodiment of the present invention.

도 4를 참조하면, 표면에 복수 개의 갭이 형성된 금속 합금 프리매트릭스(110a)를 제조하는 장치는 금속 합금 용액(M)이 수용되며, 상기 금속 합금 용액이 토출되는 유출구(orifice, 50)이 형성된 도가니(crucible, 10), 상기 도가니의 내부에 배치되는 샤프트디스크(shaft and disk, 20), 상기 샤프트디스크에 진동을 가하는 압전체(piezoelectrics, 30), 상기 도가니에 열을 가하는 히터(40), 상기 도가니 내부의 온도를 측정하는 열전대(thermocouple, 60) 및 상기 노즐의 하부에 배치되는 차징 플레이트(charging plate, 70)를 포함할 수 있다.
Referring to FIG. 4, in the apparatus for manufacturing a metal alloy prematrix 110a having a plurality of gaps formed on a surface thereof, a metal alloy solution M is accommodated, and an outlet 50 through which the metal alloy solution is discharged is formed. Crucible 10, shaft and disk 20 disposed inside the crucible, piezoelectrics 30 to vibrate the shaft disk, heater 40 to heat the crucible, The thermocouple 60 may measure a temperature inside the crucible and a charging plate 70 disposed under the nozzle.

상기 도가니(crucible, 10) 내에 금속 합금 용액(M)을 수용하고, 전기를 가하면 압전체(30)가 진동하여 샤프트디스크(20)를 통하여 금속 합금 용액(M)에 진동이 전달될 수 있다. 이에 따라, 상기 유출구(50)을 통하여 금속 합금 용액이 토출되고, 차징 플레이트(70)를 통과하면 상기 금속 합금은 용액은 드롭(drop) 형태로 토출될 수 있고, 이에 따라 표면에 복수 개의 갭이 형성된 금속 합금 프리매트릭스(110a)가 형성될 수 있다. 이때, 상기 금속 합금 용액의 드롭(drop) 형성압력은 0.5 내지 2kgf/㎠ 일 수 있다. 상기 드롭(drop) 형성압력을 조절하여 금속 합금 매트릭스의 형상의 조절할 수 있다.
When the metal alloy solution M is accommodated in the crucible 10 and electric electricity is applied, the piezoelectric body 30 may vibrate and vibration may be transmitted to the metal alloy solution M through the shaft disc 20. Accordingly, when the metal alloy solution is discharged through the outlet 50 and passes through the charging plate 70, the metal alloy solution may be discharged in the form of a drop, whereby a plurality of gaps are formed on the surface. The formed metal alloy prematrix 110a may be formed. In this case, the drop forming pressure of the metal alloy solution may be 0.5 to 2kgf / ㎠. The shape of the metal alloy matrix may be adjusted by adjusting the drop forming pressure.

다음으로, (b)금속 합금 프리매트릭스(110a)와 경질입자(120)를 혼합하여 금속 합금 프리매트릭스의 표면에 존재하는 갭에 상기 경질입자(120)를 부착시킬 수 있다.
Next, (b) the metal alloy prematrix 110a and the hard particles 120 may be mixed to attach the hard particles 120 to a gap existing on the surface of the metal alloy prematrix.

상기 경질입자의 부착방법은 특별히 제한되지 않으며, 예를 들면 도 3에 도시된 바와 같이 기계적 혼합에 의하여 수행될 수 있다. 이에 제한되는 것은 아니나, 예를 들면 볼 밀(ball mill) 공정에 의하여 수행될 수 있다.The method of attaching the hard particles is not particularly limited and may be performed by mechanical mixing, for example, as shown in FIG. 3. The present invention is not limited thereto, but may be performed by, for example, a ball mill process.

보다 구체적으로, 텅스텐 카바이드(Tungsten Carbide), 지르코니아(Zirconia) 볼 등을 사용할 수 있다. 이에 제한되는 것은 아니나, 볼 밀의 회전속도는 300rpm 이상 또는 300 내지 500rpm일 수 있다. 또한, 공정 시간은 12시간 이상 또는 12 내지 50시간일 수 있다.
More specifically, tungsten carbide, zirconia balls, or the like may be used. Although not limited thereto, the rotation speed of the ball mill may be 300 rpm or more or 300 to 500 rpm. In addition, the process time may be 12 hours or more or 12 to 50 hours.

표면에 형성된 갭에 경질 입자(120)가 부착된 금속 합금 매트릭스(110)를 마련되면, 상기 금속 합금 매트릭스(110)와 고분자 바인더(130)를 혼합할 수 있다. 상술한 바와 같이, 상기 고분자 바인더(130)의 함량은 상기 금속 합금 매트릭스 100 중량부에 대하여 0.1 내지 10 중량부일 수 있다. When the metal alloy matrix 110 having the hard particles 120 attached to the gap formed on the surface is provided, the metal alloy matrix 110 and the polymer binder 130 may be mixed. As described above, the content of the polymer binder 130 may be 0.1 to 10 parts by weight based on 100 parts by weight of the metal alloy matrix.

본 발명의 일 실시형태에 따르면, 상기 금속 합금 매트릭스(110)와 고분자 바인더(130)를 결합하는 방법은 특별히 제한되지 않으나, 예를 들면 금속 합금 매트릭스(110)와 고분자 바인더(130)를 혼합한 후 가압 또는 경화하여 수행될 수 있다.According to one embodiment of the present invention, a method of bonding the metal alloy matrix 110 and the polymer binder 130 is not particularly limited, but for example, the metal alloy matrix 110 and the polymer binder 130 are mixed. Then pressurized or cured.

이에 제한되는 것은 아니나, 상기 가압 공정은 10 내지 40MPa의 압력으로 수행될 수 있다.Although not limited thereto, the pressing process may be performed at a pressure of 10 to 40 MPa.

또한, 이에 제한되는 것은 아니나, 상기 경화 공정은 100 내지 200℃의 온도에서 1 내지 3시간 동안 수행될 수 있다. In addition, but not limited thereto, the curing process may be performed for 1 to 3 hours at a temperature of 100 to 200 ℃.

또한, 가압하여 경화 공정을 수행하는 경우 상기 경화 공정은 보다 짧은 시간 동안 수행될 수 있다. 이에 제한되는 것은 아니나, 10 내지 30MPa의 압력을 가하고, 180 내지 220℃의 온도에서 2 내지 10분 동안 경화공정을 수행할 수 있다.
In addition, when performing the curing process by pressing the curing process may be performed for a shorter time. Although not limited thereto, a pressure of 10 to 30 MPa may be added, and a curing process may be performed for 2 to 10 minutes at a temperature of 180 to 220 ° C.

본 발명의 일 실시형태에 따르면, 연마 휠에 따라 상기 연마부재는 다양한 형상으로 제조될 수 있다.
According to one embodiment of the present invention, the polishing member may be manufactured in various shapes according to the polishing wheel.

이하, 본 발명의 일 실시형태에 따른 실시예를 통하여 본 발명을 보다 구체적으로 설명하나, 이들이 본 발명의 범위를 제한하는 것은 아니다.
Hereinafter, the present invention will be described in more detail through examples according to an embodiment of the present invention, but these are not intended to limit the scope of the present invention.

[실시예][Example]

우선, 하기 표 1과 같은 조건으로 DBM(Droplet Based Manufacturing)공정을 이용하여 Sn 98.5%, Ag 1% 및 Cu 0.5%(이하, ‘SAC’라고도 함)를 가지며, 각각 직경이 300㎛ 및 1000㎛인 금속 합금 프리매트릭스를 마련하였다.
First, using a DBM (Droplet Based Manufacturing) process under the conditions shown in Table 1, and having a 98.5% Sn, 1% Ag and 0.5% Cu (hereinafter, also referred to as 'SAC'), respectively diameter 300㎛ and 1000㎛ Phosphorus metal alloy prematrix was prepared.

orificeΦ(×10-6m)orifice Φ (× 10 -6 m) △P(kgf/㎠)△ P (kgf / ㎠) 최소jet생성속도(m/s)Jet generation speed (m / s) 실제jet생성속도(m/s)Actual jet generation speed (m / s) 1One 129129 1.1881.188 2.492.49 5.665.66 22 129129 1.231.23 2.492.49 5.765.76 33 129129 1.1171.117 2.492.49 5.485.48 44 129129 0.9640.964 2.492.49 5.105.10 55 129129 0.9550.955 2.492.49 5.075.07 66 149.8149.8 0.9280.928 2.312.31 5.005.00 77 149.8149.8 1.2891.289 2.312.31 5.895.89 88 149.8149.8 1.0731.073 2.312.31 5.385.38 99 149.8149.8 1.1381.138 2.312.31 5.545.54 1010 202.1202.1 0.0800.080 1.991.99 4.664.66 1111 202.1202.1 0.9830.983 1.991.99 5.155.15 1212 202.1202.1 1.0681.068 1.991.99 5.365.36 1313 202.1202.1 1.0721.072 1.991.99 5.375.37 1414 288288 0.6090.609 1.671.67 4.054.05

상기 금속 합금 프리매트릭스 100 중량에 대하여 직경이 3㎛인 다이아몬드 3 중량부를 하기 표 2와 같은 조건으로 볼밀(텅스텐 카바이드, Pot:SUS 3L, Mc nylon(1L)) 공정을 수행하였다. 하기 표 2와 같이 금속 합금 매트릭스에 다이아몬드입자가 부착된 상태를 관찰하여 ×, ○로 평가하였다.
A ball mill (tungsten carbide, Pot: SUS 3L, Mc nylon (1L)) process was performed under the conditions as shown in Table 2 3 parts by weight of diamond 3㎛ diameter with respect to 100 weight of the metal alloy prematrix. As shown in Table 2, the state in which the diamond particles are attached to the metal alloy matrix was observed and evaluated as × and ○.

min
rpm
min
rpm
100100 240240 300300 360360 400400 480480 600600 720720 28802880
250250 ×× ×× ×× ×× ×× ×× ×× ×× ×× 300300 ×× ×× ×× ×× ×× ×× ×× ×× 350350 ×× ×× ×× ×× ×× ×× ××

도 5의 (a)는 본 발명의 일 실시형태에 따라 형성된 금속 합금 프리매트릭스를 촬영한 사진이고, 도 5의 (b)는 상기 금속 합금 프리매트릭스에 경질입자가 부착된 상태를 촬영한 사진이다. 도 5의 (a)를 참조하면, 상기 금속 합금 프리매트릭스의 표면에는 복수 개의 갭이 형성된 것을 관찰할 수 있고, 도 5의 (b)를 참조하면 상기 갭에 다이아몬드 입자가 균일하게 부착된 것을 확인할 수 있다.
FIG. 5A is a photograph of a metal alloy prematrix formed according to an embodiment of the present invention, and FIG. 5B is a photograph of a state in which hard particles are attached to the metal alloy prematrix. . Referring to FIG. 5 (a), it can be observed that a plurality of gaps are formed on the surface of the metal alloy prematrix. Referring to FIG. 5 (b), it is confirmed that diamond particles are uniformly attached to the gap. Can be.

도 6은 본 발명의 일 실시형태에 따라 형성된 금속 합금 매트릭스를 촬영한 사진이다. 보다 구체적으로, 상기 표 2에 기재된 실시예 중 회전속도는 350rpm 및 공정시간 2,880분 동안 볼밀 공정을 수행한 경우의 연마 입자를 나타낸 것으로, 이를 참조하면, 금속 합금 매트릭스 내에 다이아몬드 입자가 조밀하고 균일하게 부착된 것을 확인할 수 있다.
6 is a photograph of a metal alloy matrix formed according to an embodiment of the present invention. More specifically, the rotational speed of the examples described in Table 2 represents abrasive particles when the ball mill process is performed for 350 rpm and a processing time of 2,880 minutes. Referring to this, diamond particles are densely and uniformly contained in the metal alloy matrix. You can see that it is attached.

또한, 하기 표 3에 기재된 조건과 같이 상기에서 제조된 금속 합금 매트릭스와 고분자 바인더를 이용하여 연마부재를 제조하고, 경도(Vickers microhardness)를 측정하여 하기 표 4에 나타내었다.
In addition, the polishing member was prepared using the metal alloy matrix and the polymer binder prepared above as described in Table 3 below, and the hardness (Vickers microhardness) was measured and shown in Table 4 below.

금속 합금 매트릭스(직경)Metal Alloy Matrix (Diameter) 고분자 수지(함량)Polymer resin (content) 결합조건Coupling condition AA SAC 300㎛SAC 300㎛ 폴리이미드 0.3%Polyimide 0.3% 110℃/2시간 경화110 ℃ / 2 hours curing BB SAC 1000㎛SAC 1000㎛ 폴리이미드 0.6%Polyimide 0.6% 110℃/2시간 경화110 ℃ / 2 hours curing CC SAC 300㎛SAC 300㎛ 폴리이미드 0.3%Polyimide 0.3% 120℃/2시간 경화120 ℃ / 2 hours curing DD SAC 1000㎛SAC 1000㎛ 폴리이미드 0.6%Polyimide 0.6% 120℃/2시간 경화120 ℃ / 2 hours curing EE SAC 1000㎛SAC 1000㎛ 폴리이미드 0.6%Polyimide 0.6% 150℃/2시간 경화150 ℃ / 2 hours curing FF SAC 300㎛SAC 300㎛ 폴리이미드 0.3%Polyimide 0.3% 150℃/2시간 경화150 ℃ / 2 hours curing

경도값Longitude value 평균값medium AA 15.715.7 16.916.9 17.117.1 16.616.6 BB 14.314.3 14.114.1 14.614.6 14.314.3 CC 17.217.2 16.516.5 15.415.4 16.416.4 DD 14.114.1 15.315.3 14.514.5 14.614.6 EE 15.415.4 15.515.5 15.015.0 15.315.3 FF 16.316.3 15.915.9 16.716.7 16.316.3

도 7은 상기 실시예에서 제조된 연마부재의 FT-IR 측정 결과를 나타내는 그래프이다.7 is a graph showing the results of the FT-IR measurement of the abrasive member manufactured in the above embodiment.

또한, 상기 실시예에서 제조한 연마부재로 4인치 웨이퍼를 연마(work feeding 속도: 0.03 내지 0.05mm/min, work rpm: 800 rpm, wheel rpm:1,500rpm)하고, 웨이퍼의 평탄도, 휨 및 표면 조도를 측정하여 하기 표 5에 나타내었다.
In addition, the 4 inch wafer was polished with the polishing member prepared in the above embodiment (work feeding speed: 0.03 to 0.05 mm / min, work rpm: 800 rpm, wheel rpm: 1500 rpm), and the flatness, warpage and surface of the wafer. Roughness was measured and shown in Table 5 below.

평탄도(Flatness) Flatness 휨(BOW)BOW 표면조도(Surface Roughness)Surface Roughness 결과result 1.69㎛1.69 μm 7.24㎛7.24㎛ 0.85㎛0.85 μm 측정방법How to measure NIDEX FT-17NIDEX FT-17 NIDEX FT-17NIDEX FT-17 3차원 레이저 측정기3D laser measuring machine

도 8은 상기 웨이퍼의 평탄 도(a), 휨(b), 표면조도(c)의 측정 결과를 나타내는 그래프 및 사진이다. 이를 참조하면, 본 발명의 일 실시형태에 따라 제조된 연마부재를 이용하여 웨이퍼를 연마하는 경우 우수한 평탄도, 표면조도 및 휨 특성을 가지는 것을 확인할 수 있었다.
8 is a graph and a photograph showing the measurement results of the flatness (a), warpage (b) and surface roughness (c) of the wafer. Referring to this, when polishing the wafer by using the polishing member manufactured according to an embodiment of the present invention it was confirmed that it has excellent flatness, surface roughness and bending characteristics.

본 발명은 상술한 실시 형태 및 첨부된 도면에 의해 한정되는 것이 아니며, 첨부된 청구범위에 의해 한정하고자 한다. 따라서, 청구범위에 기재된 본 발명의 기술적 사상을 벗어나지 않는 범위 내에서 당 기술분야의 통상의 지식을 가진 자에 의해 다양한 형태의 치환, 변형 및 변경이 가능할 것이며, 이 또한 본 발명의 범위에 속한다고 할 것이다.
The present invention is not limited by the above-described embodiments and the accompanying drawings, but is intended to be limited only by the appended claims. It will be apparent to those skilled in the art that various changes in form and details may be made therein without departing from the spirit and scope of the invention as defined by the appended claims. something to do.

110: 금속 합금 매트릭스 110a: 금속 합금 프리매트릭스
120: 경질입자 130: 고분자 바인더
200: 연마부재
110: metal alloy matrix 110a: metal alloy prematrix
120: hard particles 130: polymer binder
200: abrasive member

Claims (11)

표면에 복수개의 갭이 형성되고, 상기 갭에 경질 입자가 부착된 금속 합금 매트릭스; 및
상기 금속 합금 매트릭스와 결합되는 고분자 바인더;
를 포함하는 연마부재용 조성물.
A metal alloy matrix having a plurality of gaps formed on a surface thereof, and hard particles attached to the gaps; And
A polymer binder bonded to the metal alloy matrix;
Polishing member composition comprising a.
제1항에 있어서,
상기 금속 합금 매트릭스의 직경은 100 내지 1000㎛이고, 상기 갭의 크기는 1 내지 10㎛인 연마부재용 조성물.
The method of claim 1,
The diameter of the metal alloy matrix is 100 to 1000㎛, the size of the gap is a polishing member composition for 1 to 10㎛.
제1항에 있어서,
상기 금속 합금 매트릭스는 Sn 95 내지 99%, Ag 0.5 내지 3%, Cu 0.5 내지 2%를 포함하는 연마부재용 조성물.
The method of claim 1,
The metal alloy matrix is a composition for polishing members comprising 95 to 99% Sn, 0.5 to 3% Ag, 0.5 to 2% Cu.
제1항에 있어서,
상기 경질입자는 다이아몬드, 텅스텐 탄화물, 티타늄탄화물, 지르코늄탄화물, 탄탈탄화물, 실리콘 탄화물 및 실리콘 질화물로 이루어진 군으로부터 선택되는 하나 이상인 연마부재용 조성물.
The method of claim 1,
Wherein the hard particles are at least one selected from the group consisting of diamond, tungsten carbide, titanium carbide, zirconium carbide, tantalum carbide, silicon carbide and silicon nitride.
제1항에 있어서,
상기 경질입자의 직경은 1 내지 10㎛인 연마부재용 조성물.
The method of claim 1,
The hard particles have a diameter of 1 to 10㎛ composition for polishing members.
제1항에 있어서,
상기 고분자 바인더는 에폭시 수지, 폴리이미드 및 페놀 수지로 이루어진 군으로부터 선택되는 하나 이상인 연마부재용 조성물.
The method of claim 1,
The polymer binder is at least one selected from the group consisting of epoxy resins, polyimide and phenol resins polishing member composition.
표면에 복수개의 갭이 형성되고, 상기 갭에 경질 입자가 부착된 금속 합금 매트릭스; 및 고분자 바인더를 결합하여 형성되는 연마부재.
A metal alloy matrix having a plurality of gaps formed on a surface thereof, and hard particles attached to the gaps; And a polishing member formed by combining the polymer binder.
표면에 복수 개의 갭이 형성되고, 상기 갭에 경질 입자가 부착된 금속 합금 매트릭스를 마련하는 단계; 및
상기 금속 합금 매트릭스와 고분자 바인더를 결합하는 단계;
를 포함하는 연마부재의 제조방법.
Providing a metal alloy matrix having a plurality of gaps formed on a surface thereof, and hard particles attached to the gaps; And
Bonding the metal alloy matrix and a polymer binder;
Method of manufacturing a polishing member comprising a.
제8항에 있어서,
상기 금속 합금 매트릭스 및 고분자 바인더를 결합하는 단계는 가압 공정 또는 경화 공정에 의하여 수행되는 연마부재자의 제조방법.
9. The method of claim 8,
Joining the metal alloy matrix and the polymer binder is a method of manufacturing a polishing member is performed by a pressing process or a curing process.
제8항에 있어서,
상기 표면에 형성된 갭에 경질 입자가 부착된 금속 합금 매트릭스를 마련하는 단계는
(a)표면에 다수 개의 갭이 형성된 금속 합금 프리매트릭스를 형성하는 단계; 및
(b)상기 금속 합금 프리매트릭스와 경질 입자를 혼합하여 상기 갭에 상기 경질 입자를 부착하는 단계;를 포함하여 수행되는 연마부재의 제조방법.
9. The method of claim 8,
Preparing a metal alloy matrix having hard particles attached to the gap formed on the surface
(a) forming a metal alloy prematrix having a plurality of gaps formed on the surface thereof; And
(b) adhering the hard particles to the gap by mixing the metal alloy prematrix and the hard particles.
제10항에 있어서,
상기 금속 합금 프리매트릭스는 DBM (Droplet Based Manufacturing) 공정에 의하여 형성되고, 상기 금속 합금 프리매트릭스와 경질 입자를 혼합하는 단계는 볼 밀 공정에 의하여 수행되는 연마부재의 제조방법.
11. The method of claim 10,
The metal alloy prematrix is formed by a DBM (Droplet Based Manufacturing) process, and the step of mixing the metal alloy prematrix and the hard particles is a manufacturing method of the polishing member is performed by a ball mill process.
KR1020120096299A 2012-08-31 2012-08-31 Composition for polishing member, polishing member comprising the same and method of manufacturing the same KR20140028918A (en)

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