KR20140013909A - 전자 부품의 제조 방법 및 전자 부품의 제조 장치 - Google Patents

전자 부품의 제조 방법 및 전자 부품의 제조 장치 Download PDF

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Abstract

땜납층을 확실하게 하지 전극에 형성할 수 있는 전자 부품의 제조 방법을 제공한다.
전자 부품의 제조 방법은, 액상의 폴리알킬렌글리콜·오일이 저류되어 있는 조 내에, 폴리알킬렌글리콜·오일의 액면을 초과하지 않도록 용융 상태의 5원계 땜납을 분출하는 제 1 공정과, 적어도 구리가 외부로 노출되어 있는 하지 전극이 표면에 배치된 전자 부품의 전구체를 폴리알킬렌글리콜·오일의 액 내에 넣는 제 2 공정과, 전구체가 폴리알킬렌글리콜·오일의 액 내에 위치하는 상태에서 5원계 땜납을 하지 전극에 접촉시켜 하지 전극 위에 땜납층을 형성하는 제 3 공정을 포함한다.

Description

전자 부품의 제조 방법 및 전자 부품의 제조 장치{METHOD FOR MANUFACTURING ELECTRONIC COMPONENT AND DEVICE FOR MANUFACTURING ELECTRONIC COMPONENT}
본 발명은 전자 부품의 제조 방법 및 전자 부품의 제조 장치에 관한 것이다.
전자 부품의 외부 전극은 일반적으로 하지 전극과, 상기 하지 전극의 표면을 덮는 도금층으로 구성된다. 하지 전극의 재료로서는, 저렴하고 입수가 용이한 점에서 구리가 사용되는 경우가 많다. 구리는 대기 중의 산소와 반응하여 산화되어 열화되어 버리기 때문에, 하지 전극의 표면을 Ni 등의 금속으로 도금을 행하여, 구리의 산화를 방지하고 있다.
그러나, 도금을 행할 때는, 전자 부품의 전구체를 도금액 내에 침지할 필요가 있다. 이로 인해, 도금액이 전구체 내로 침입하여, 제조된 전자 부품의 신뢰성이나 성능을 저하시킬 수 있다. 전자 부품의 소형화가 진행됨에 따라서 외부 전극간의 거리가 매우 근접해지고 있기 때문에, 도금 연신에 의해 외부 전극간의 쇼트가 발생할 수도 있다.
그래서, 도금을 행하지 않고, 하지 전극의 표면에 직접 땜납을 형성하기 위한 시도가 이루어지고 있다. 특허문헌 1(일본 공개특허공보 제(평)06-252542호)은 전자 부품의 전구체의 표면에 배치된 배선에 용융 상태의 땜납 금속을 접촉시키는 공정과, 땜납의 융점 이상의 온도로 가열된 액체를 배선에 분사하는 공정을 포함하는 땜납층의 형성 방법을 개시하고 있다. 땜납의 융점 이상의 온도로 가열된 액체를 분사함으로써, 배선으로부터 여분의 땜납을 제거하고, 땜납 브릿지를 방지할 수 있는 동시에 땜납층의 두께를 제어할 수 있다.
그러나, 특허문헌 1에 기재된 방법에서는 용융된 땜납 금속과 전구체의 배선의 접촉이 대기 중에서 행해지고 있었다. 이로 인해, 용융된 땜납 금속이 대기 중의 산소와 반응하여 산화되어 드로스가 발생하여 배선에 땜납층이 양호하게 형성되지 않는 경우가 있었다. 특히, 웨이퍼상을 나타내는 전자 부품의 전구체의 표면에 배치된 다수의 하지 전극에 땜납층을 형성하고, 전구체를 다이싱하여 다수의 전자 부품을 얻고자 하는 경우에는, 하지 전극의 하나에라도 땜납 누락이 있으면, 전체적으로 불량품이 되어 버리기 때문에, 땜납층을 확실하게 하지 전극에 형성하기 위한 수법의 실현이 요망되고 있었다.
본 발명의 목적은 땜납층을 확실하게 하지 전극에 형성할 수 있는 전자 부품의 제조 방법 및 전자 부품의 제조 장치를 제공하는 것에 있다.
본 발명자들은 상기 과제를 해결하기 위해서 예의 연구를 한 결과, 폴리알킬렌글리콜·오일이 플럭스로서의 기능을 갖는 것을 밝혀내었다. 즉, 폴리알킬렌글리콜·오일은, 플럭스와 같이, 산화된 하지 전극의 표면에 있어서의 산화막을 화학적으로 제거하고, 상기 산화막과 땜납을 치환하는 기능을 갖는 것으로 생각된다. 본 발명자들은 이 폴리알킬렌글리콜·오일을 이용하여 하지 전극에 땜납층을 형성함으로써, 본 발명을 완성하기에 이르렀다.
즉, 본 발명의 일측면에 따르는 전자 부품의 제조 방법은, 액상의 폴리알킬렌글리콜·오일이 저류되어 있는 조(槽) 내에 폴리알킬렌글리콜·오일의 액면을 초과하지 않도록 용융 상태의 5원계 땜납을 분출하는 제 1 공정과, 적어도 구리가 외부로 노출되어 있는 하지 전극이 표면에 배치된 전자 부품의 전구체를 폴리알킬렌글리콜·오일의 액 내에 넣는 제 2 공정과, 전구체가 폴리알킬렌글리콜·오일의 액 내에 위치하는 상태에서 5원계 땜납을 하지 전극에 접촉시켜 하지 전극 위에 땜납층을 형성하는 제 3 공정을 포함한다.
본 발명의 일측면에 따르는 전자 부품의 제조 방법에서는, 폴리알킬렌글리콜·오일의 액면을 초과하지 않도록, 용융 상태의 5원계 땜납을 분출하고 있다. 이로 인해, 5원계 땜납이 대기와 접촉하지 않기 때문에, 드로스의 발생이 매우 억제된다. 본 발명의 일측면에 따르는 전자 부품의 제조 방법에서는, 전구체가 폴리알킬렌글리콜·오일의 액 내에 위치하는 상태에서 5원계 땜납을 하지 전극에 접촉시켜 하지 전극 위에 땜납층을 형성하고 있다. 이로 인해, 산화에 의해 하지 전극의 표면에 생성된 산화막이 폴리알킬렌글리콜·오일에 의해 화학적으로 제거된 상태에서, 하지 전극의 표면에 땜납층이 형성된다. 이러한 결과, 땜납층을 확실하게 하지 전극에 형성할 수 있다. 또한, 폴리알킬렌글리콜·오일은 상온에서 액체이기 때문에, 취급하기 쉽고, 액상의 폴리알킬렌글리콜·오일을 폐기할 때나, 기화된 폴리알킬렌글리콜·오일을 국소 배기할 때, 배관이 막히는 경우도 없다. 이로 인해, 설비의 유지 보수를 매우 용이하게 행할 수 있다.
전구체는 웨이퍼 형상을 나타내고, 하지 전극은 전구체의 한쪽 면에 복수 배치되어 있어도 좋다.
5원계 땜납은 주성분의 하나로서 Ni를 함유하고 있어도 좋다. 이 경우, 구리(하지 전극)와 땜납층 사이에 Ni 합금층이 형성된다. 이로 인해, Ni 합금층에 의해 하지 전극의 산화를 억제할 수 있다.
분출되는 5원계 땜납의 온도는 240℃ 이상이라도 좋다. 이 경우, 용융 상태의 5원계 땜납의 유동성이 높아져 적합하게 하지 전극에 땜납층을 형성할 수 있다.
폴리알킬렌글리콜·오일의 인화점은 분출되는 상기 5원계 땜납의 온도 이상이라도 좋다. 이 경우, 폴리알킬렌글리콜·오일이 발화되지 않아 안전하게 땜납층을 형성할 수 있다.
제 2 공정에서는, 예열되어 있는 전구체를 폴리알킬렌글리콜·오일의 액 내에 넣어도 좋다. 예열없이 땜납층을 형성하면 5원계 땜납의 열에 의해 피처리물에 열변형이 발생하는 경우를 생각할 수 있지만, 피처리물을 예열함으로써, 5원계 땜납의 열에 의한 피처리물에 대한 영향을 작게 할 수 있다.
제 2 공정 전에, 하지 전극을 산 세정하는 제 4 공정과, 하지 전극에 플럭스를 도포하여 건조시키는 제 5 공정을 추가로 포함해도 좋다. 이 경우, 산 세정에 의해 하지 전극의 표면에 형성된 산화막이 제거된 상태에서 하지 전극에 플럭스가 도포되기 때문에, 플럭스에 의해 하지 전극의 산화가 억제된다. 이로 인해, 하지 전극으로 땜납층을 즉시 형성할 필요가 없어지기 때문에, 설비의 라인 설계를 유연하게 행할 수 있다.
본 발명의 다른 측면에 따르는 전자 부품의 제조 장치는, 액상의 폴리알킬렌글리콜·오일을 저류하는 조와, 용융 상태의 5원계 땜납을 조 내로 분출하는 분류(噴流) 노즐과, 용융 상태의 5원계 땜납을 상기 분류 노즐에 공급하는 공급 수단과, 공급 수단의 동작을 제어하는 제어부를 구비하고, 제어부는 공급 수단을 제어하여, 적어도 구리가 외부로 노출되어 있는 하지 전극이 표면에 배치된 전자 부품의 전구체가, 조 내에 저류된 폴리알킬렌글리콜·오일의 액 내에 위치하는 상태에서, 조 내에 저류된 폴리알킬렌글리콜·오일의 액면을 초과하지 않도록 5원계 땜납을 분류 노즐로부터 하지 전극을 향하여 분출시키는 제어부를 구비한다.
본 발명의 다른 측면에 따르는 전자 부품의 제조 장치에서는, 조 내에 저류된 폴리알킬렌글리콜·오일의 액면을 초과하지 않도록, 분류 노즐로부터, 용융 상태의 5원계 땜납을 조 내로 분출하고 있다. 이로 인해, 5원계 땜납이 대기와 접촉하지 않기 때문에, 드로스의 발생이 매우 억제된다. 본 발명의 다른 측면에 따르는 전자 부품의 제조 장치에서는, 적어도 구리가 외부로 노출되어 있는 하지 전극이 표면에 배치된 전자 부품의 전구체가, 조 내에 저류된 폴리알킬렌글리콜·오일의 액 내에 위치하는 상태에서, 제어부가 분류 노즐로부터 5원계 땜납을 하지 전극을 향해서 분출시키고 있다. 이로 인해, 산화에 의해 하지 전극의 표면에 생성된 산화막이 폴리알킬렌글리콜·오일에 의해 화학적으로 제거된 상태에서, 하지 전극의 표면에 땜납층이 형성된다. 그 결과, 땜납층을 확실하게 하지 전극에 형성할 수 있다.
본 발명에 의하면, 땜납층을 확실하게 하지 전극에 형성할 수 있는 전자 부품의 제조 방법 및 전자 부품의 제조 장치를 제공할 수 있다.
도 1은 땜납층 형성 장치의 개요를 도시하는 도면이다.
도 2는 땜납층을 형성하기 위한 순서를 도시하는 플로우 차트이다.
도 3은 도 2의 각 공정을 설명하기 위한 도면이다.
본 발명의 실시형태에 관해서 도면을 참조하여 설명하지만, 이하의 본 실시형태는 본 발명을 설명하기 위한 예시이며, 본 발명을 이하의 내용으로 한정하는 취지는 아니다.
우선, 도 1을 참조하여, 본 실시형태에 따르는 땜납층 형성 장치(1)의 구성을 설명한다. 땜납층 형성 장치(1)는 조(10)와, 분류 노즐(12)과, 펌프(14)와, 제어부(16)를 구비한다.
조(10)는 폴리알킬렌글리콜·오일을 저류하기 위한 저류조로서 기능한다. 폴리알킬렌글리콜·오일은 난수용성의 오일이며, 상온에서 액상을 나타낸다. 폴리알킬렌글리콜·오일의 인화점은, 분류 노즐(12)로부터 분출되는 5원계 땜납(상세한 것은 후술)의 온도 이상이면 바람직하며, 예를 들면 300℃ 이상이다. 이 경우, 폴리알킬렌글리콜·오일이 발화되지 않아 안전하게 땜납층(3)(상세한 것은 후술)을 형성할 수 있다.
조(10)는 상부조(10a)와 하부조(10b)를 가진다. 상부조(10a)는 웨이퍼(전자 부품의 전구체)(W)가 수평 이동하기에 충분한 공간을 가지고 있다. 하부조(10b)는 수평 방향에 있어서 상부조(10a)의 중앙부에 위치하고 있고, 분류 노즐(12)을 둘러싸고 있다. 이로 인해, 조(10)는 측방에서 볼 때 T자 형상을 나타낸다.
분류 노즐(12)은 그 꼭대기부가 상부조(10a)를 향하여 돌출하도록, 하부조(10b)에 배치되어 있다. 분류 노즐(12)은 일방향(도면에 대해 수직 방향)을 따라 연신되고 있다. 분류 노즐(12)의 폭은 적어도 웨이퍼(W)의 폭보다도 커지도록 설정되어 있다. 분류 노즐(12)의 꼭대기부에는, 분류 노즐(12)의 길이 방향(도면 수직 방향)을 따라 연신되는 슬릿상의 토출 구멍(도시 생략)이 형성되어 있다.
펌프(14)는 분류 노즐(12)에 5원계 땜납을 공급한다. 펌프(14)가 동작함으로써, 분류 노즐(12)의 토출 구멍으로부터 5원계 땜납이 상부조(10a) 내로 분출된다. 제어부(16)는 펌프(14)를 제어하여, 분류 노즐(12)로부터 분출된 5원계 땜납이 조(10)에 저류되어 있는 폴리알킬렌글리콜·오일의 액면을 초과하지 않도록 (폴리알킬렌글리콜·오일의 액면으로부터 대기 중으로 나오지 않도록), 펌프를 동작시킨다. 분류 노즐(12)로부터 분출된 5원계 땜납은 하부조(10b)로 강하하고, 펌프(14)에 의해 흡입되어, 다시 분류 노즐(12)의 토출 구멍으로부터 분출된다. 즉, 5원계 땜납은 펌프(14)에 의해 조(10) 내를 순환한다. 또한, 펌프(14)와 제어부(16)는 일체의 장치라도 좋고, 별체의 장치라도 좋다.
5원계 땜납으로서는 다양한 것을 사용할 수 있지만, 주성분의 하나로서 Ni를 함유하고 있으면 바람직하다. 5원계 땜납은, 예를 들면, 주성분으로서 Sn-Ag-Cu-Ni-Ge의 5개의 원소를 함유하여 구성할 수 있고, Sn의 함유량을 95.8중량%, Ag의 함유량을 3.1중량%, Cu의 함유량을 0.9중량%, Ni의 함유량을 0.1중량%, Ge의 함유량을 0.01중량%로 설정해도 좋다.
계속해서, 도 1 내지 도 3을 참조하여, 땜납층 형성 장치(1)를 사용하여 웨이퍼(W)의 표면(한쪽 면)에 형성된 복수의 하지 전극(2)에 땜납층(3)을 형성하는 방법을 설명한다.
웨이퍼(W)의 하지 전극(2)은 구리(Cu)로 구성되어 있기 때문에, 대기 중의 산소와 접촉함으로써 즉시 산화되어 하지 전극(2)의 표면에 산화막이 생성된다. 상기 산화막의 존재는 땜납층(3)의 하지 전극(2)으로의 부착을 저해할 수 있다. 그래서 우선, 하지 전극(2)을 약산으로 세정한다(도 2의 S11 참조).
계속해서, 웨이퍼(W) 중 하지 전극(2)이 형성되어 있는 측의 면을 아래로 향하게 한 상태에서, 도포 장치(100)에 의해 하지 전극(2)에 플럭스를 도포한다(도 2의 S12 및 도 3a 참조). 상기 플럭스는 로진과 이소프로필알코올을 2:8의 중량비로 혼합한 혼합물이다.
계속해서, 히터(200)에 의해 웨이퍼(W)를 가열하여, 이소프로필알코올을 건조시킨다(도 2의 S13 및 도 3b 참조). 계속해서, 예열조(300)에 있어서 185℃ 정도로 가열한 폴리알킬렌글리콜·오일의 액 내에 웨이퍼(W)를 넣고, 웨이퍼(W)를 예열한다(도 2의 S14 및 도 3c 참조).
계속해서, 땜납층 형성 장치(1)의 상부조(10a) 내에 저류되어 있는 폴리알킬렌글리콜·오일의 액 내에 예열된 웨이퍼(W)를 넣는다. 이 때, 웨이퍼(W) 중 하지 전극(2)이 형성되어 있는 측의 면을 아래로 향하게 한다. 그리고, 웨이퍼(W)를 상부조(10a)의 일단측으로부터 타단측을 향하여 수평 방향으로 이동시킨다. 이 때, 제어부(16)는 펌프(14)를 구동하여, 분류 노즐(12)로부터 용융 상태의 5원계 땜납을 분출시킨다. 분류 노즐(12)로부터 분출되는 5원계 땜납의 온도는 240℃ 이상이면 바람직하며, 예를 들면 247℃로 설정할 수 있다. 이 경우, 용융 상태의 5원계 땜납의 유동성이 높아져 적합하게 하지 전극(2)에 땜납층(3)을 형성할 수 있다.
웨이퍼(W)가 분류 노즐(12)의 상방을 통과하면, 5원계 땜납이 하지 전극(2)에 접촉하여 부착된다. 웨이퍼(W)가 상부조(10a)의 타단측에 도달할 때까지 수평 이동하면, 모든 하지 전극(2)에 땜납층(3)이 형성된다(도 2의 S15 및 도 1 참조).
계속해서, 웨이퍼를 조(10)에서 취출하고, 웨이퍼(W) 중 하지 전극(2)이 형성되어 있는 측의 면을 위로 향하게 한 상태에서, 240℃ 정도로 가열한 폴리알킬렌글리콜·오일을 하지 전극(2)에 분사한다. 이것에 의해, 여분의 5원계 땜납을 하지 전극(2)으로부터 제거하여, 땜납층(3)이 원하는 두께(예를 들면, 0.1 내지 100㎛ 정도)가 되도록 조정한다(도 2의 S16 참조).
계속해서, 웨이퍼(W)를 냉각 장치(400)에 의해 충분히 냉각시킨다(도 2의 S17 및 도 3d 참조). 계속해서, 3조의 세정조 및 1조의 액 제거조를 갖는 세정 장치(500)를 사용하여 웨이퍼(W)를 세정하여, 웨이퍼(W)의 표면에 잔존하고 있는 폴리알킬렌글리콜·오일을 제거한다(도 2의 S18 및 도 3e 참조). 그 후, 웨이퍼(W)를 다이서에 의해 다이싱하고, 칩상으로 개편화(個片化)함으로써, 전자 부품이 제조된다. 이와 같이 제조된 전자 부품에 있어서, 하지 전극(2)과 땜납층(3)이 소위 전자 부품의 외부 전극을 구성한다.
이상과 같은 본 실시형태에서는, 폴리알킬렌글리콜·오일의 액면을 초과하지 않도록, 용융 상태의 5원계 땜납을 분출하고 있다. 이로 인해, 5원계 땜납이 대기와 접촉하지 않기 때문에, 드로스의 발생이 매우 억제된다. 본 실시형태에서는 웨이퍼(W)가 폴리알킬렌글리콜·오일의 액 내에 위치하는 상태에서 5원계 땜납을 하지 전극(2)에 접촉시켜 하지 전극(2) 위에 땜납층(3)을 형성하고 있다. 이로 인해, 산화에 의해 하지 전극(2)의 표면에 형성된 산화막이 폴리알킬렌글리콜·오일에 의해 화학적으로 제거된 상태에서, 하지 전극(2)의 표면에 땜납층(3)이 형성된다. 이러한 결과, 땜납층(3)을 확실하게 하지 전극(2)에 형성할 수 있다. 또한, 폴리알킬렌글리콜·오일은 상온에서 액체이기 때문에, 취급하기 쉽고, 액상의 폴리알킬렌글리콜·오일을 폐기할 때나, 기화된 폴리알킬렌글리콜·오일을 국소 배기할 때, 배관이 막히는 경우도 없다. 이로 인해, 설비의 유지 보수를 매우 용이하게 행할 수 있다.
본 실시형태에서는, 5원계 땜납이 Ni를 함유하고 있다. 이로 인해, 5원계 땜납이 하지 전극(2)에 부착될 때, 구리(하지 전극(2))와 땜납층(3) 사이에 Ni 합금층이 형성된다. 이로 인해, Ni 합금층에 의해 하지 전극(2)의 산화를 억제할 수 있다.
본 실시형태에서는 폴리알킬렌글리콜·오일에 의해 웨이퍼(W)를 예열한 상태에서, 조(10) 내에서 하지 전극(2)에 땜납층(3)을 형성하고 있다. 웨이퍼(W)의 예열없이 땜납층(3)을 형성하면 5원계 땜납의 열에 의해 웨이퍼(W)에 열변형이 발생하는 경우를 생각할 수 있지만, 웨이퍼(W)를 예열함으로써, 5원계 땜납의 열에 의한 웨이퍼(W)에 대한 영향을 작게 할 수 있다. 게다가, 본 실시형태에서는, 플럭스 기능을 갖는 폴리알킬렌글리콜·오일의 액 내에 웨이퍼(W)를 넣고 웨이퍼(W)의 예열을 행하고 있기 때문에, 하지 전극(2)의 표면에 땜납층(3)을 보다 형성하기 쉽게 되어 있다.
본 실시형태에서는, 하지 전극(2)을 산 세정하는 공정과, 하지 전극(2)에 플럭스를 도포하여 건조시키는 공정을 거친 후에, 조(10) 내에서 하지 전극(2)에 땜납층(3)을 형성하고 있다. 이로 인해, 산 세정에 의해 하지 전극(2)의 표면에 형성된 산화막이 제거된 상태에서 하지 전극(2)에 플럭스가 도포되기 때문에, 플럭스에 의해 하지 전극(2)의 산화가 억제된다. 따라서, 하지 전극(2)으로 땜납층(3)을 즉시 형성할 필요가 없어지기 때문에, 설비의 라인 설계를 유연하게 행할 수 있다.
이상, 본 발명의 실시형태에 관해서 상세하게 설명했지만, 본 발명은 상기한 실시형태로 한정되는 것은 아니다. 예를 들면, 본 실시형태에서는 웨이퍼(W)의 한쪽 면에 형성된 하지 전극(2)에 땜납층(3)을 형성했지만, 웨이퍼(W)의 양쪽 면에 형성된 복수의 하지 전극(2)에 땜납층(3)을 형성하도록 해도 좋다. 하지 전극을 갖는 전자 부품의 전구체이면, 웨이퍼상으로 한정되지 않고, 칩상 등 다양한 형상을 나타내고 있어도 좋다.
본 실시형태에서는 하지 전극(2)이 구리였지만, 하지 전극(2) 중 외부로 노출되는 부분이 적어도 구리라면, 본 발명을 적용할 수 있다.
본 실시형태에서는, 땜납층 형성 공정(S15) 전에, 산 세정 공정(S11), 플럭스 도포 공정(S12) 및 건조 공정(S13)을 행하고 있었지만, 웨이퍼(W)에 하지 전극(2)을 형성한 직후(예를 들면, 약 4시간 이내)이면, 하지 전극(2)의 표면에 생성되는 산화막이 매우 얇아 땜납의 부착성에 주는 영향이 작기 때문에, 산 세정 공정(S11)에서부터 건조 공정(S13)을 행하지 않고 땜납층 형성 공정(S15)을 행해도 좋다.
본 실시형태에서는, 땜납층 형성 공정(S15) 전에 예열 공정(S14)을 행하고 있었지만, 예열 공정(S14)을 행하지 않아도 좋다. 또한, 예열 공정(S14)에 있어서, 폴리알킬렌글리콜·오일의 액 내에서 웨이퍼(W)의 예열을 행하고 있었지만, 다른 내열성의 액체 내에서 웨이퍼(W)의 예열을 행하거나, 히터로 웨이퍼(W)의 예열을 행하거나 해도 좋다.
본 실시형태에서는, 5원계 땜납의 주성분의 하나로서 Ni를 함유하고 있었지만, 5원계 땜납이 Ni를 함유하고 있지 않아도 좋다.
이하, 실시예 1 및 비교예 1 내지 5에 기초하여 본 발명을 보다 구체적으로 설명하지만, 본 발명은 이하의 실시예로 한정되는 것은 아니다.
(실시예 1)
우선, 6인치의 크기를 갖는 웨이퍼(W)의 표면(한쪽 면)에 구리를 재료로 하여 복수의 하지 전극(2)을 형성하였다. 계속해서, 하지 전극(2)을 약산으로 세정한 직후에 질소 가스로 웨이퍼(W)를 건조시켰다. 계속해서, 건조 직후에, 상부조(10a) 내에 저류되어 있는 폴리알킬렌글리콜·오일의 액 내에 웨이퍼(W)를 넣었다. 이 때, 웨이퍼(W) 중 하지 전극(2)이 형성되어 있는 측의 면을 아래로 향하게 하였다. 계속해서, 분류 노즐(12)로부터 용융 상태의 5원계 땜납을 분출하여, 5원계 땜납을 하지 전극(2)에 접촉시켜 하지 전극(2)에 땜납층(3)을 형성하였다. 이 때의 5원계 땜납의 분출 온도는, 240℃이었다. 그 결과, 하지 전극(2)으로의 땜납층(3)의 형성율(하지 전극(2)의 총수에 대해, 땜납층(3)이 형성된 하지 전극(2)의 수의 비율)은 100%이었다.
(비교예 1-1)
폴리알킬렌글리콜·오일 대신에 석유계 탄화수소(배럴 프로세스 오일 640)를 사용한 것 이외에는, 실시예 1과 같이 하여 하지 전극(2)에 땜납층(3)을 형성하였다. 그 결과, 하지 전극(2)으로의 땜납층(3)의 형성율은 50% 정도이었다.
(비교예 1-2)
하지 전극(2)을 약산으로 세정한 직후에, 로진과 이소프로필알코올을 2:8의 중량비로 혼합한 플럭스를 하지 전극(2)에 도포하여 건조시킨 것 이외에는, 비교예 1-1과 같이 하여 하지 전극(2)에 땜납층(3)을 형성하였다. 그 결과, 하지 전극(2)으로의 땜납층(3)의 형성율은 95% 정도이었다.
(비교예 2-1)
폴리알킬렌글리콜·오일 대신에 지방산 에스테르(배럴 루프 H-220A, H150A)를 사용한 것 이외에는, 실시예 1과 같이 하여 하지 전극(2)에 땜납층(3)을 형성하였다. 그 결과, 하지 전극(2)으로의 땜납층(3)의 형성율은 거의 0%이었다.
(비교예 2-2)
하지 전극(2)을 약산으로 세정한 직후에, 로진과 이소프로필알코올을 2:8의 중량비로 혼합한 플럭스를 하지 전극(2)에 도포하여 건조시킨 것 이외에는, 비교예 2-1과 같이 하여 하지 전극(2)에 땜납층(3)을 형성하였다. 그 결과, 하지 전극(2)으로의 땜납층(3)의 형성율은 20% 정도이었다.
(비교예 3-1)
폴리알킬렌글리콜·오일 대신에 유기 인산에스테르(아데카 LX-2663)를 사용한 것 이외에는, 실시예 1과 같이 하여 하지 전극(2)에 땜납층(3)을 형성하였다. 그 결과, 하지 전극(2)으로의 땜납층(3)의 형성율은 10% 정도이었다.
(비교예 3-2)
하지 전극(2)을 약산으로 세정한 직후에, 로진과 이소프로필알코올을 2:8의 중량비로 혼합한 플럭스를 하지 전극(2)에 도포하여 건조시킨 것 이외에는, 비교예 3-1과 같이 하여 하지 전극(2)에 땜납층(3)을 형성하였다. 그 결과, 하지 전극(2)으로의 땜납층(3)의 형성율은 45% 정도이었다.
(비교예 4-1)
폴리알킬렌글리콜·오일 대신에 피로메트산에스테르(아데카 프루 바 P-80)를 사용한 것 이외에는, 실시예 1과 같이 하여 하지 전극(2)에 땜납층(3)을 형성하였다. 그 결과, 하지 전극(2)으로의 땜납층(3)의 형성율은 20% 정도이었다.
(비교예 4-2)
하지 전극(2)을 약산으로 세정한 직후에, 로진과 이소프로필알코올을 2:8의 중량비로 혼합한 플럭스를 하지 전극(2)에 도포하여 건조시킨 것 이외에는, 비교예 4-1과 같이 하여 하지 전극(2)에 땜납층(3)을 형성하였다. 그 결과, 하지 전극(2)으로의 땜납층(3)의 형성율은 60% 정도이었다.
(비교예 5)
폴리알킬렌글리콜·오일 대신에, 석유계 탄화수소(배럴 프로세스 오일 640)와 톨 로진(Tall rosin)을 1:1의 중량비로 혼합한 혼합물을 사용한 것 이외에는, 실시예 1과 같이 하여 하지 전극(2)에 땜납층(3)을 형성하였다. 그 결과, 하지 전극(2)으로의 땜납층(3)의 형성율은 100% 정도이었다. 그러나, 상기 혼합물의 인화점은 5원계 땜납의 분출 온도(240℃) 이하이며, 인화의 우려가 발생하였다. 상기 혼합물은 상온에서 고체이기 때문에, 상기 혼합물의 회수 및 폐기시에 고화되어 배관이 막힐 우려가 발생하였다. 상기 혼합물은 강한 점착성을 갖기 때문에, 취급이 곤란하였다.

Claims (8)

  1. 액상의 폴리알킬렌글리콜·오일이 저류되어 있는 조 내에 상기 폴리알킬렌글리콜·오일의 액면을 초과하지 않도록 용융 상태의 5원계 땜납을 분출하는 제 1 공정과,
    적어도 구리가 외부로 노출되어 있는 하지 전극이 표면에 배치된 전자 부품의 전구체를 상기 폴리알킬렌글리콜·오일의 액 내에 넣는 제 2 공정과,
    상기 전구체가 상기 폴리알킬렌글리콜·오일의 액 내에 위치하는 상태에서 상기 5원계 땜납을 상기 하지 전극에 접촉시켜 상기 하지 전극 위에 땜납층을 형성하는 제 3 공정을 포함하는, 전자 부품의 제조 방법.
  2. 제 1 항에 있어서, 상기 전구체는 웨이퍼 형상을 나타내고,
    상기 하지 전극은 상기 전구체의 한쪽 면에 복수 배치되어 있는, 전자 부품의 제조 방법.
  3. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서, 상기 5원계 땜납은 주성분의 하나로서 Ni를 함유하는, 전자 부품의 제조 방법.
  4. 제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 한 항에 있어서, 분출되는 상기 5원계 땜납의 온도는 240℃ 이상인, 전자 부품의 제조 방법.
  5. 제 1 항 내지 제 4 항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 폴리알킬렌글리콜·오일의 인화점은 분출되는 상기 5원계 땜납의 온도 이상인, 전자 부품의 제조 방법.
  6. 제 1 항 내지 제 5 항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 제 2 공정에서는, 예열되어 있는 상기 전구체를 상기 폴리알킬렌글리콜·오일의 액 내에 넣는, 전자 부품의 제조 방법.
  7. 제 6 항에 있어서, 상기 제 2 공정 전에,
    상기 하지 전극을 산 세정하는 제 4 공정과,
    상기 하지 전극에 플럭스를 도포하여 건조시키는 제 5 공정을 추가로 포함하는, 전자 부품의 제조 방법.
  8. 액상의 폴리알킬렌글리콜·오일을 저류하는 조와,
    용융 상태의 5원계 땜납을 상기 조 내로 분출하는 분류 노즐과,
    용융 상태의 5원계 땜납을 상기 분류 노즐에 공급하는 공급 수단과,
    상기 공급 수단의 동작을 제어하는 제어부를 구비하고,
    상기 제어부는 상기 공급 수단을 제어하여, 적어도 구리가 외부로 노출되어 있는 하지 전극이 표면에 배치된 전자 부품의 전구체가 상기 조 내에 저류된 폴리알킬렌글리콜·오일의 액 내에 위치하는 상태에서, 상기 조 내에 저류된 폴리알킬렌글리콜·오일의 액면을 초과하지 않도록 5원계 땜납을 상기 분류 노즐로부터 상기 하지 전극을 향하여 분출시키는 전자 부품의 제조 장치.
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