KR20140013004A - Pattern formation method and pattern formation device - Google Patents

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KR20140013004A KR1020137025533A KR20137025533A KR20140013004A KR 20140013004 A KR20140013004 A KR 20140013004A KR 1020137025533 A KR1020137025533 A KR 1020137025533A KR 20137025533 A KR20137025533 A KR 20137025533A KR 20140013004 A KR20140013004 A KR 20140013004A
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후지필름 가부시키가이샤
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Abstract

패턴 형성 방법 및 장치는, 구멍부가 형성된 기판에 대해서 변형을 검출하고, 기판의 변형이 있는 경우, 기판의 변형에 기초하여, 구멍부에 레이저광을 조사하기 위한 조사 데이터를 보정하는 제 1 보정 데이터, 및 구멍부에 도전성 잉크를 타적하기 위한 타적 데이터를 보정하는 제 2 보정 데이터를 작성하고, 기판의 구멍부에 반응 가스를 공급하면서, 구멍부의 내면에만 레이저광을, 기판의 변형이 없는 경우에는 조사 데이터에 기초하여, 기판의 변형이 있는 경우에는 제 1 보정 데이터에 기초하여 조사하여 구멍부의 내면을 개질하고, 구멍부에 도전성 잉크를, 기판의 변형이 없는 경우에는 타적 데이터에 기초하여, 기판의 변형이 있는 경우에는 제 2 보정 데이터에 기초하여 타적한다.The pattern forming method and apparatus detects deformation with respect to the substrate on which the hole is formed, and when there is deformation of the substrate, first correction data for correcting irradiation data for irradiating a laser beam to the hole based on the deformation of the substrate. And second correction data for correcting the target data for punching the conductive ink in the hole, and supplying the reaction gas to the hole of the substrate, the laser beam is applied only to the inner surface of the hole. On the basis of the irradiation data, if there is a deformation of the substrate, the substrate is irradiated based on the first correction data to modify the inner surface of the hole, and the conductive ink is applied to the hole in the hole. If there is a deformation | transformation of, it is made based on 2nd correction data.

Figure P1020137025533
Figure P1020137025533

Description

패턴 형성 방법 및 패턴 형성 장치{PATTERN FORMATION METHOD AND PATTERN FORMATION DEVICE}Pattern Forming Method and Pattern Forming Device {PATTERN FORMATION METHOD AND PATTERN FORMATION DEVICE}

본 발명은, 기판에 형성된 구멍부의 내면에 도전성 잉크를 타적하여 배선이 되는 도체를 형성하는 패턴 형성 방법 및 패턴 형성 장치에 관한 것으로, 특히, 비어홀, 컨택트홀, 스루홀 등의 구멍부의 내면만을 도전성 잉크가 융화되도록 개질한 후, 개질 처리된 구멍부의 내면에 도전성 잉크를 타적하여 배선이 되는 도체를 형성하는 패턴 형성 방법 및 패턴 형성 장치에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a pattern forming method and a pattern forming apparatus for forming a conductor for wiring by transferring conductive ink onto an inner surface of a hole formed in a substrate. In particular, only an inner surface of a hole such as a via hole, a contact hole, a through hole, and the like is conductive. After modifying so that ink may fuse, it relates to the pattern formation method and pattern formation apparatus which form the conductor used as a wiring by sending conductive ink on the inner surface of the modified hole part.

최근, 전자 회로의 배선, 및 기판 상에 전기 배선 패턴 등의 미세 패턴을 형성하는 기술이 주목받고 있다. 또한, 다층 배선 기판 등에 있어서, 층간 또는 외부와 접속하는 도체를 고밀도로 형성하는 기술도 주목받고 있다 (예를 들어, 특허문헌 1, 2 등).In recent years, the technique of forming fine patterns, such as an electronic circuit wiring and an electrical wiring pattern, on a board | substrate, attracts attention. Moreover, the technique which forms the conductor connected to an interlayer or the exterior with high density in a multilayer wiring board etc. is attracting attention (for example, patent document 1, 2 etc.).

상기 서술한 미세 패턴의 형성에는, 잉크젯 방식의 액체 토출 헤드 (잉크젯 헤드) 가 사용된다. 이 경우, 예를 들어 금속 입자 또는 수지 입자를 확산시킨 액체를 잉크젯 헤드로부터 타적하여 패턴을 묘화하고, 가열 등에 의해 경화시켜, 전기 배선 패턴이 형성된다.An ink jet liquid ejecting head (ink jet head) is used to form the fine pattern described above. In this case, for example, a liquid in which metal particles or resin particles are diffused is applied from an inkjet head to draw a pattern, and cured by heating or the like to form an electrical wiring pattern.

특허문헌 1 에는, 생산성이 우수하고, 또한 구멍 내의 수지 잔류물을 적게 하기 위해, 내층 회로를 형성한 내층 회로판 상에, 광경화성 수지로 절연층을 형성하고, 그 절연층을, 비어홀이 되는 지점을 마스크한 포토마스크를 개재하여 노광하고, 노광하지 않은 지점을 현상액으로 제거하여 비어홀이 되는 구멍을 형성하고, 구멍의 내벽을 금속화하여, 내층 회로와 외층 회로를 전기적으로 접속하는 다층 배선판의 제조 방법에 있어서, 모든 구멍 내에, 레이저를 50 ∼ 100 ㎛ 의 범위에서 조사하는 것이 기재되어 있다.Patent Literature 1 discloses an insulating layer formed of a photocurable resin on the inner layer circuit board on which the inner layer circuit is formed so as to have excellent productivity and to reduce resin residues in the pores, and the insulating layer becomes a via hole. Manufacturing a multilayer wiring board for exposing through a photomask masked with the photomask, removing unexposed spots with a developer to form holes for via holes, metallizing the inner walls of the holes, and electrically connecting the inner layer circuit and the outer layer circuit. In the method, it is described to irradiate a laser in all the holes in the range of 50-100 micrometers.

이 특허문헌 1 에는, 포토비어로 일괄 천공한 후, 작은 직경의 천공으로 한정하여 레이저 천공을 실시하기 때문에, 모든 구멍을 레이저 비어 방식으로 천공하는 경우에 비해 효율이 양호한 것도 기재되어 있다.This patent document 1 describes that the laser drilling is carried out only after drilling in a batch with photo vias and limited to the drilling of small diameters. Therefore, it is also described that the efficiency is better than when drilling all the holes by the laser via method.

또, 특허문헌 2 에는, 절연층에 형성된 구멍의 내표면에 형성되는 배선의 밀착력을 확보하면서, 구멍 사이의 절연 특성의 경시 열화를 억제하기 위해, 절연층을 관통하는 복수의 구멍의 내표면과 오존을 포함하는 용액을 접촉시키는 오존 용액 처리를 실시한 후, 적어도 내표면에 무전해 도금에 의해 도전층을 형성하여, 이 내표면에 배선을 형성하는 배선의 형성 방법이 기재되어 있다. 이 특허문헌 2 에는, 오존 용액 처리 대신에, 내표면에 자외선을 조사하는 오존 용액-자외선 조사 처리를 실시하는 것도 기재되어 있다.In addition, Patent Document 2 discloses an inner surface of a plurality of holes penetrating through the insulating layer in order to suppress the deterioration of the insulating properties between the holes over time while ensuring the adhesion of the wiring formed on the inner surface of the hole formed in the insulating layer. After performing an ozone solution treatment for contacting a solution containing ozone, a method of forming a wiring is described which forms a conductive layer on at least an inner surface by electroless plating and forms a wiring on the inner surface. This patent document 2 also describes performing an ozone solution-ultraviolet irradiation process which irradiates an ultraviolet-ray to the inner surface instead of an ozone solution process.

일본 공개특허공보 2001-177252호Japanese Laid-Open Patent Publication 2001-177252 일본 공개특허공보 2005-50999호Japanese Laid-Open Patent Publication 2005-50999

그러나, 미세 패턴의 형성에 잉크젯 방식을 사용한 경우, 기판 상에 착탄한 복수의 액적이 합일 (合一) 됨으로써 발생하는 벌지 (뭉침) 의 발생, 액적의 비상 방향 어긋남, 또는 기판 상에 착탄한 액적의 이동에서 발생하는 재기의 발생 등에 의한 잉크의 번짐 등이 발생한다는 문제점이 있다.However, in the case where the inkjet method is used to form the fine pattern, the formation of bulge (agglomeration) caused by the coalescence of a plurality of droplets landing on the substrate, the misalignment of the droplets, or the liquid landing on the substrate There is a problem that bleeding or the like of ink occurs due to the occurrence of jaggies caused by the movement of the enemy.

또, 특허문헌 1 에 있어서는, 표면 개질되어 있지 않고, 구멍의 내부에, 예를 들어 도전 잉크를 적하해도 도전 잉크가 침투하지 않는다는 문제점이 있다.Further, in Patent Document 1, there is a problem that the surface is not modified, and the conductive ink does not penetrate even if the conductive ink is dropped into the hole, for example.

나아가서는, 특허문헌 2 에 있어서는, 기판을 오존 용액 중에 침지하거나, 기판에 오존 용액을 스프레이하고 있다. 이 때문에, 반드시 구멍의 내표면만이 개질 처리되는 것은 아니다. 이것에 의해, 도전 잉크를 구멍 내에 적하한 경우, 도전 잉크가 구멍 이외의 개질 처리된 곳에 비산된다는 문제점이 있다.Furthermore, in patent document 2, the board | substrate is immersed in ozone solution, or the ozone solution is sprayed on the board | substrate. For this reason, not only the inner surface of a hole is necessarily modified. As a result, when the conductive ink is dropped into the hole, there is a problem that the conductive ink is scattered to the modified place other than the hole.

본 발명의 목적은, 상기 종래 기술에 기초하는 문제점을 해소하고, 기판에 형성된 비어홀, 컨택트홀, 스루홀 등의 구멍부의 내면만을 개질하여, 구멍부에 도체를 형성할 수 있는 패턴 형성 방법 및 패턴 형성 장치를 제공하는 것에 있다.Disclosure of Invention An object of the present invention is to solve the problems based on the prior art, and to modify only the inner surface of a hole such as a via hole, a contact hole, a through hole, etc. formed in a substrate, thereby forming a conductor and forming a conductor in the hole. It is providing a forming apparatus.

상기 목적을 달성하기 위해, 본 발명의 제 1 양태는, 구멍부가 형성된 기판에 대해서, 상기 기판의 변형을 검출하는 공정과, 상기 기판의 변형이 있는 경우에는, 상기 기판의 변형에 기초하여, 상기 구멍부에 레이저광을 조사하기 위한 조사 데이터를 보정하는 제 1 보정 데이터를 작성함과 함께, 상기 구멍부에 도전성 잉크를 타적하기 위한 타적 데이터를 보정하는 제 2 보정 데이터를 작성하는 공정과, 상기 기판의 상기 구멍부에 반응 가스를 공급하면서, 상기 구멍부의 내면에만 상기 레이저광을, 상기 기판의 변형이 없는 경우에는 상기 조사 데이터에 기초하여 조사하고, 상기 기판의 변형이 있는 경우에는 상기 제 1 보정 데이터에 기초하여 조사하여 상기 구멍부의 내면을 개질하는 공정과, 상기 구멍부에 상기 도전성 잉크를, 상기 기판의 변형이 없는 경우에는 상기 타적 데이터에 기초하여 타적하고, 상기 기판의 변형이 있는 경우에는 상기 제 2 보정 데이터에 기초하여 타적하는 공정을 갖는 것을 특징으로 하는 패턴 형성 방법을 제공하는 것이다.In order to achieve the above object, the first aspect of the present invention is based on the step of detecting the deformation of the substrate with respect to the substrate on which the hole is formed, and on the basis of the deformation of the substrate when there is deformation of the substrate. Creating first correction data for correcting irradiation data for irradiating a laser beam to the hole and creating second correction data for correcting the target data for punching conductive ink into the hole; While supplying a reaction gas to the hole of the substrate, the laser beam is irradiated only on the inner surface of the hole based on the irradiation data when there is no deformation of the substrate, and when the deformation of the substrate is present, Irradiating based on the correction data to modify the inner surface of the hole, and to apply the conductive ink to the hole without deformation of the substrate. If there is to exclusively based on the exclusive data, and a pattern forming method comprising a step of if there is deformation of the substrate is exclusively based on the second correction data.

이 경우, 상기 레이저광의 직경은, 도전성 잉크 방울의 직경보다 작은 것이 바람직하다.In this case, the diameter of the laser beam is preferably smaller than the diameter of the conductive ink drop.

또한, 상기 구멍부에 상기 도전성 잉크를 타적하는 공정은, 상기 도전성 잉크를 복수 회에 걸쳐 상기 구멍부에 상기 도전성 잉크를 타적하는 것이 바람직하다.Moreover, in the process of hitting the said conductive ink on the said hole part, it is preferable to strike the said conductive ink on the said hole part over the conductive ink several times.

또한, 상기 반응 가스는, 예를 들어 산소, 질소 또는 불소를 포함하는 것이다.In addition, the said reaction gas contains oxygen, nitrogen, or fluorine, for example.

상기 구멍부는, 예를 들어 비어홀, 컨택트홀, 또는 스루홀이다.The hole is, for example, a via hole, a contact hole, or a through hole.

또한, 상기 구멍부는, 예를 들어 직경이 상기 기판의 두께 방향에 있어서 감소하고 있다. 즉, 단면 형상이 사다리꼴 형상이다.Moreover, the said hole part has a diameter decreasing, for example in the thickness direction of the said board | substrate. That is, the cross-sectional shape is trapezoidal.

본 발명의 제 2 양태는, 구멍부가 형성된 기판에 대해서, 상기 기판의 변형을 검출하는 검출부와, 상기 기판의 상기 구멍부에 반응 가스를 공급하는 가스 공급부와, 상기 구멍부에 레이저광을 조사 데이터에 기초하여 조사하는 조사부와, 상기 구멍부에 도전성 잉크를 타적 데이터에 기초하여 타적하는 토출부와, 상기 구멍부의 배치 정보에 기초하는 상기 조사 데이터를 상기 조사부에 공급함과 함께, 상기 타적 데이터를 상기 토출부에 공급하는 데이터 공급부와, 상기 검출부에 의해 상기 기판에 변형이 검출된 경우에는, 상기 기판의 변형에 기초하여, 상기 조사 데이터를 보정하는 제 1 보정 데이터를 작성함과 함께, 상기 타적 데이터를 보정한 제 2 보정 데이터를 작성하는 보정 데이터 작성부를 갖고, 상기 가스 공급부에 의해 상기 기판의 상기 구멍부에 반응 가스를 공급하면서, 상기 조사부에 의해 상기 구멍부의 내면에만 상기 레이저광을, 상기 기판의 변형이 없는 경우에는 상기 조사 데이터에 기초하여 조사하고, 상기 기판의 변형이 있는 경우에는 상기 제 1 보정 데이터에 기초하여 조사하여 상기 구멍부의 내면을 개질하고, 상기 토출부에 의해 상기 구멍부에 상기 도전성 잉크를, 상기 기판의 변형이 없는 경우에는 상기 타적 데이터에 기초하여 타적하고, 상기 기판의 변형이 있는 경우에는 상기 제 2 보정 데이터에 기초하여 타적하는 것을 특징으로 하는 패턴 형성 장치를 제공하는 것이다.According to a second aspect of the present invention, a laser beam is irradiated with a laser beam for detecting a deformation of the substrate, a gas supply part for supplying a reactive gas to the hole of the substrate, and a laser beam for the substrate on which the hole is formed. The irradiating portion irradiated on the basis of the irradiating portion, the discharge portion for irradiating conductive ink on the hole portion based on the hitting data, and the irradiation data based on the arrangement information of the hole portion; When deformation is detected on the substrate by the data supply unit supplied to the discharge unit and the detection unit, first correction data for correcting the irradiation data is created based on the deformation of the substrate, and the target data is generated. The hole of the substrate by the gas supply unit, having a correction data creating unit for generating second correction data corrected The laser beam is irradiated on the inner surface of the hole only by the irradiator based on the irradiated data when there is no deformation of the substrate while supplying the reactive gas to the irradiator, and the first correction when there is a deformation of the substrate. The inner surface of the hole is modified by irradiation based on data, and the conductive ink is applied to the hole by the discharge portion, and in the case where there is no deformation of the substrate, it is based on the target data and the deformation of the substrate is performed. If so, the present invention provides a pattern forming apparatus characterized in that it is based on the second correction data.

이 경우, 상기 레이저광의 직경은, 도전성 잉크 방울의 직경보다 작은 것이 바람직하다.In this case, the diameter of the laser beam is preferably smaller than the diameter of the conductive ink drop.

또, 상기 토출부는, 상기 구멍부에, 상기 도전성 잉크를 복수 회에 걸쳐 타적하는 것이 바람직하다.Moreover, it is preferable that the said discharge part hits the said conductive ink several times in the said hole part.

또한, 상기 반응 가스는, 예를 들어 산소, 질소 또는 불소를 포함하는 것이다.In addition, the said reaction gas contains oxygen, nitrogen, or fluorine, for example.

상기 구멍부는, 예를 들어 비어홀, 컨택트홀, 또는 스루홀이다.The hole is, for example, a via hole, a contact hole, or a through hole.

본 발명에 의하면, 기판의 변형을 검출하고, 레이저광의 조사 위치의 어긋남을 억제할 수 있기 때문에, 구멍부의 내면만을 개질할 수 있다. 이 때문에, 구멍부의 내면 이외의 도전 잉크 방울의 비산을 방지할 수 있다. 또한, 기판의 변형을 검출하고, 레이저광의 조사 위치의 어긋남 및 잉크 방울의 타적 위치의 어긋남도 억제할 수 있기 때문에, 기판이 플렉시블한 것으로서, 변형되기 쉬운 기판이라도 대응할 수 있다.According to this invention, since the deformation | transformation of a board | substrate can be detected and the shift | offset | difference of the irradiation position of a laser beam can be suppressed, only the inner surface of a hole part can be modified. For this reason, scattering of conductive ink droplets other than the inner surface of a hole can be prevented. In addition, since the deformation of the substrate can be detected, and the deviation of the irradiation position of the laser beam and the deviation of the other position of the ink drop can be suppressed, even if the substrate is flexible and easily deformable, it can cope.

나아가서는, 레이저광을 사용하여 개질하기 때문에, 개질시의 에너지를 높게 할 수 있고, 수준 높은 표면 처리가 가능해진다. 이 때문에, 개질을 고속화할 수 있고, 또한 비개질재의 조성의 배리에이션을 늘릴 수도 있다. 나아가서는, 반응 가스를 바꾸는 것에 의해, 다양한 조성의 기판, 다양한 조성의 잉크에 대응할 수 있다.Furthermore, since the modification is performed using laser light, the energy at the time of modification can be made high, and a high level of surface treatment becomes possible. For this reason, reforming can be speeded up and the variation of the composition of an unmodified material can also be increased. Furthermore, by changing the reaction gas, it is possible to cope with substrates of various compositions and inks of various compositions.

도 1 은 본 발명의 실시형태에 관련된 패턴 형성 장치의 일례를 나타내는 모식도이다.
도 2 는 본 발명의 실시형태의 패턴 형성 장치의 조사부의 구성의 일례를 나타내는 모식도이다.
도 3(a) 는, 본 발명의 실시형태에 관련된 패턴 형성 장치에 의한 패턴 형성 방법의 일례를 모식적으로 나타내는 모식적 사시도이고, (b) 는, 본 발명의 실시형태의 패턴 형성 방법에 사용되는 기판의 일례를 나타내는 모식적 단면도이다.
도 4(a) ∼ (d) 는, 본 발명의 실시형태에 관련된 패턴 형성 장치에 의한 패턴 형성의 일례를 공정순으로 나타내는 모식적 단면도이다.
도 5(a) ∼ (d) 는, 본 발명의 실시형태에 관련된 패턴 형성 장치에 의한 패턴 형성의 다른 예를 공정순으로 나타내는 모식적 단면도이다.
도 6(a) ∼ (d) 는, 본 발명의 실시형태에 관련된 패턴 형성 장치에 의한 패턴 형성의 다른 예를 공정순으로 나타내는 모식적 단면도이다.BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS It is a schematic diagram which shows an example of the pattern forming apparatus which concerns on embodiment of this invention.
It is a schematic diagram which shows an example of a structure of the irradiation part of the pattern forming apparatus of embodiment of this invention.
FIG.3 (a) is typical perspective view which shows an example of the pattern formation method by the pattern forming apparatus which concerns on embodiment of this invention, (b) is used for the pattern formation method of embodiment of this invention. It is typical sectional drawing which shows an example of the board | substrate used.
4 (a) to 4 (d) are schematic cross-sectional views showing an example of pattern formation by the pattern forming apparatus according to the embodiment of the present invention in the order of steps.
5A to 5D are schematic cross-sectional views showing another example of pattern formation by the pattern forming apparatus according to the embodiment of the present invention in the order of steps.
FIG.6 (a)-(d) are typical sectional drawing which shows the other example of pattern formation by the pattern forming apparatus which concerns on embodiment of this invention in process order.

이하에, 첨부 도면에 나타내는 바람직한 실시형태에 기초하여, 본 발명의 패턴 형성 방법 및 패턴 형성 장치를 상세하게 설명한다.EMBODIMENT OF THE INVENTION Below, the pattern formation method and pattern formation apparatus of this invention are demonstrated in detail based on preferable embodiment shown to an accompanying drawing.

도 1 은, 본 발명의 실시형태에 관련된 패턴 형성 장치의 일례를 나타내는 모식도이다. 도 2 는, 본 발명의 실시형태의 패턴 형성 장치의 조사부의 구성의 일례를 나타내는 모식도이다.1: is a schematic diagram which shows an example of the pattern forming apparatus which concerns on embodiment of this invention. It is a schematic diagram which shows an example of a structure of the irradiation part of the pattern forming apparatus of embodiment of this invention.

도 1 에 나타내는 패턴 형성 장치 (10) 는, 변형 검출 유닛 (12), 개질 처리 유닛 (14), 패턴 형성 유닛 (16), 기판 (100) 의 얼라인먼트의 위치 정보, 및 비어홀의 형성 위치 정보 등의 패턴 데이터를 입력하는 입력부 (18), 묘화 데이터 작성부 (20), 제어부 (22), 얼라인먼트 검출부 (24), 제 1 화상 처리부 (26), 및 제 2 화상 처리부 (28) 를 갖는다. 제어부 (22) 에 의해, 패턴 형성 장치 (10) 의 각 구성부가 제어된다. 또, 입력부 (18) 및 묘화 데이터 작성부 (20) 는, 본 발명의 패턴 형성 장치의 데이터 공급부를 구성하고, 제 1 화상 처리부 (26) 및 제 2 화상 처리부 (28) 는, 본 발명의 패턴 형성 장치의 보정 데이터 작성부를 구성한다.The pattern forming apparatus 10 shown in FIG. 1 includes the deformation detection unit 12, the modification processing unit 14, the pattern forming unit 16, the position information of the alignment of the substrate 100, the formation position information of the via hole, and the like. And an input unit 18 for inputting pattern data of the image, a drawing data creating unit 20, a control unit 22, an alignment detection unit 24, a first image processing unit 26, and a second image processing unit 28. Each component part of the pattern forming apparatus 10 is controlled by the control part 22. Moreover, the input part 18 and the drawing data preparation part 20 comprise the data supply part of the pattern forming apparatus of this invention, and the 1st image processing part 26 and the 2nd image processing part 28 are the patterns of this invention. A correction data creating unit of the forming apparatus is configured.

변형 검출 유닛 (12) 과 개질 처리 유닛 (14) 은 제 1 수수부 (60) 를 개재하여 접속되어 있다. 개질 처리 유닛 (14) 과 패턴 형성 유닛 (16) 은 제 2 수수부 (62) 를 개재하여 접속되어 있다.The deformation detection unit 12 and the reforming processing unit 14 are connected via the first delivery unit 60. The reforming processing unit 14 and the pattern forming unit 16 are connected via the second water receiving unit 62.

또, 패턴 형성 장치 (10) 는, 기판 (100) 을 1 장씩 처리하는 매엽식인데, 본 발명은 이것에 한정되는 것은 아니다. 패턴 형성 장치 (10) 는, 예를 들어 장척의 기판을 연속하여 반송하는 롤·투·롤 방식이어도 된다.In addition, although the pattern forming apparatus 10 is a sheet type which processes the board | substrate 100 one by one, this invention is not limited to this. The pattern forming apparatus 10 may be, for example, a roll-to-roll system that continuously conveys a long substrate.

본 실시형태의 패턴 형성 장치 (10) 에서는, 예를 들어 도 3(b) 에 나타내는 바와 같은 미리 비어홀 (110) 이 형성되어 있는 기판 (100) 이 사용된다. 이 기판 (100) 은, 예를 들어 기재 (102) 상에 절연층 (104) 이 형성되어 있고, 이 절연층 (104) 내에 전극층 (105) 이 형성되어 있다. 절연층 (104) 및 전극층 (105) 상에 절연층 (106) 이 형성되어 있다. 이 절연층 (106) 에 있어서 전극층 (105) 과 정합하는 위치에 비어홀 (110) 이 형성되어 있다.In the pattern formation apparatus 10 of this embodiment, the board | substrate 100 in which the via hole 110 is formed previously as shown, for example in FIG.3 (b) is used. In this substrate 100, for example, an insulating layer 104 is formed on the substrate 102, and an electrode layer 105 is formed in the insulating layer 104. The insulating layer 106 is formed on the insulating layer 104 and the electrode layer 105. In this insulating layer 106, a via hole 110 is formed at a position that matches the electrode layer 105.

비어홀 (110) 은, 예를 들어 직경이 기재 (102) 를 향함에 따라 감소하고 있다. 즉, 비어홀 (110) 은, 단면 형상이 사다리꼴 형상이다.The via hole 110 is decreasing, for example, as the diameter faces the substrate 102. That is, the via hole 110 is trapezoidal in cross-sectional shape.

또한, 기재 (12) 상에, 위치맞춤을 위한 얼라인먼트 마크 (108) (도 3(a) 참조) 가 복수 형성되어 있다. 얼라인먼트 마크 (108) 는, 예를 들어 십자 표시이다.Moreover, on the base material 12, the alignment mark 108 (refer FIG. 3 (a)) for alignment is provided in multiple numbers. The alignment mark 108 is a cross mark, for example.

비어홀 (110) 이 본 발명의 구멍부에 상당하는 것이다. 구멍부로는, 비어홀 (110) 에 한정되는 것은 아니며, 전자 회로 등을 구성하는 전자 소자에 있어서 배선을 형성하기 위한 구멍, 홈 등, 및 다층 배선 기판에 있어서, 각 층을 접속하기 위해 형성된 컨택트홀 등이 해당한다. 구멍부로는, 예를 들어 컨택트홀, 스루홀이라고 불리는 것이다.The via hole 110 corresponds to the hole of the present invention. The hole is not limited to the via hole 110, but is a hole, groove, etc. for forming wiring in an electronic element constituting an electronic circuit or the like, and a contact hole formed for connecting each layer in a multilayer wiring board. And the like. As a hole part, it is called a contact hole and a through hole, for example.

기재 (102) 에는, 유리 기재, 실리콘 웨이퍼 (실리콘 기재), 수지 필름 기재 등을 사용할 수 있다. 유리 기재의 재료로는, 예를 들어 석영, LCD 용 무연 유리를 사용할 수 있다. 또한, 유리와 수지를 혼합한 유리 에폭시 수지 (유리 에폭시 기재판) 등을 사용할 수 있다. 또한, 수지 필름 기재로는, 예를 들어 폴리에틸렌나프탈레이트 (PEN), 폴리에틸렌테레프탈레이트 (PET), 폴리카보네이트 (PC), 폴리에테르술폰 (PES) 등을 사용할 수 있다. 수지 필름 기재는, 배리어층, 도전층이 형성된 것이어도 된다.As the base material 102, a glass base material, a silicon wafer (silicon base material), a resin film base material, or the like can be used. As a material of a glass base material, quartz and lead-free glass for LCD can be used, for example. Moreover, the glass epoxy resin (glass epoxy base plate) etc. which mixed glass and resin can be used. Moreover, as a resin film base material, polyethylene naphthalate (PEN), polyethylene terephthalate (PET), polycarbonate (PC), polyether sulfone (PES), etc. can be used, for example. The resin film base material may be one in which a barrier layer and a conductive layer are formed.

또한, 절연층 (104, 106) 에는, 예를 들어 아크릴계 수지, 폴리이미드계 수지를 사용할 수 있다.In addition, acrylic resin and polyimide resin can be used for the insulating layers 104 and 106, for example.

변형 검출 유닛 (12) 은, 기판 (100) 의 변형을 검출하는 것이다. 이 변형 검출 유닛 (12) 은, 기판 (100) 의 변형을 검출하는 변형 센서 (30) 를 갖고, 이 변형 센서 (30) 는 챔버 (12a) 내에 형성되어 있다. 또한, 변형 센서 (30) 는, 얼라인먼트 검출부 (24) 에 접속되어 있다. 또한, 변형 검출 유닛 (12) 은, 기판 (100) 을 지지하여 반송하는 반송 기구 (32) 를 갖는다. 이 반송 기구 (32) 는, 챔버 (12a) 내에 형성되고, 변형 센서 (30) 의 검출 영역에서 기판 (100) 을 소정의 대 (臺) 에 재치 (載置) 하고, 소정의 자세로 유지하면서, 예를 들어 반송 방향 (D) 으로 이동시키는 것이다. 반송 기구 (32) 는, 기판 (100) 을 반송 방향 (D) 과 같은 일 방향으로 반송하는 것에 한정되는 것은 아니며, 직교하는 2 방향으로 반송하는 것이어도 된다.The deformation detection unit 12 detects deformation of the substrate 100. This deformation | transformation detection unit 12 has the deformation | transformation sensor 30 which detects the deformation of the board | substrate 100, and this deformation | transformation sensor 30 is formed in the chamber 12a. In addition, the deformation sensor 30 is connected to the alignment detection unit 24. Moreover, the deformation | transformation detection unit 12 has the conveyance mechanism 32 which supports and conveys the board | substrate 100. As shown in FIG. This conveyance mechanism 32 is formed in the chamber 12a, is placed in a predetermined | prescribed stand in the detection area of the deformation sensor 30, and is hold | maintained in a predetermined posture. For example, it moves in the conveyance direction D. FIG. The conveyance mechanism 32 is not limited to conveying the board | substrate 100 to one direction same as a conveyance direction D, and may convey in two orthogonal directions.

변형 센서 (30) 는, LD (반도체 레이저) 또는 LED 등의 광원과, CMOS, CCD 등의 촬상 소자를 구비하는 광학식의 것이 사용된다.As the deformation sensor 30, an optical type including a light source such as an LD (semiconductor laser) or an LED and an imaging device such as a CMOS or a CCD is used.

변형 센서 (30) 는, 미리 기판 (100) 에 형성되어 있는 얼라인먼트 마크 (108) (도 3(a) 참조) 를 촬상하고, 얼라인먼트 마크 (108) 의 화상 데이터를 얻는다. 이 화상 데이터를 얼라인먼트 검출부 (24) 에 출력한다.The deformation sensor 30 picks up the alignment mark 108 (refer FIG. 3 (a)) previously formed in the board | substrate 100, and acquires the image data of the alignment mark 108. FIG. This image data is output to the alignment detection unit 24.

얼라인먼트 검출부 (24) 는, 변형 센서 (30) 로 얻어진 얼라인먼트 마크 (108) 의 화상 데이터에 기초하여, 예를 들어 얼라인먼트 마크 (108) 의 크기, 방향, 및 얼라인먼트 마크 (108) 사이의 거리 등을 산출하고, 얼라인먼트 마크 (108) 의 설계값의 데이터와 비교함으로써, 기판 (100) 의 변형 정보 (묘화의 변형 정보를 포함한다) 를 작성하는 것이다. 기판 (100) 의 변형 정보 (묘화의 변형 정보를 포함한다) 는, 각각 제 1 화상 처리부 (26) 및 제 2 화상 처리부 (28) 에 출력된다. 또, 후술하는 바와 같이, 제 1 화상 처리부 (26) 및 제 2 화상 처리부 (28) 에 있어서는, 기판 (100) 의 변형 정보 (묘화의 변형 정보를 포함한다) 에 기초하여, 각각 개질 처리용의 보정 데이터 및 타적용의 보정 데이터를 작성한다.The alignment detection unit 24 determines, for example, the size, the direction of the alignment mark 108, the distance between the alignment marks 108, and the like based on the image data of the alignment mark 108 obtained by the deformation sensor 30. By calculating and comparing with the data of the design value of the alignment mark 108, the deformation | transformation information (including the deformation | transformation information of drawing) of the board | substrate 100 is created. The deformation information (including the deformation information of the drawing) of the substrate 100 is output to the first image processing unit 26 and the second image processing unit 28, respectively. In addition, as will be described later, in the first image processing unit 26 and the second image processing unit 28, the modification process (including the deformation information of the drawing) of the substrate 100 is respectively used for the modification process. Create correction data and correction data for other applications.

본 발명에 있어서, 기판 (100) 의 변형이란, 기판 (100) 자체의 변형 외에, 묘화의 변형도 포함된다. 기판 (100) 자체의 변형으로는, 기판 (100) 이 소정 위치로부터 세로 방향이나 가로 방향으로 어긋나 있는 것, 기판 (100) 의 두께 방향으로 어긋나 있는 것, 또는 회전하고 있는 것 등이다.In the present invention, the deformation of the substrate 100 includes deformation of the drawing in addition to the deformation of the substrate 100 itself. As the deformation | transformation of the board | substrate 100 itself, the board | substrate 100 is shift | deviated to a longitudinal direction or a horizontal direction from a predetermined position, the thing shifted to the thickness direction of the board | substrate 100, or is rotating.

또, 묘화의 변형으로는, 묘화 위치의 어긋남 외에, 묘화 형상이 확대되어 있는 것, 축소되어 있는 것, 사다리꼴 형상으로 변형되어 있는 것 등을 들 수 있다.Moreover, as a deformation | transformation of a drawing, besides the shift | offset | difference of a drawing position, the thing in which a drawing shape is expanded, the thing reduced, the thing deformed in trapezoidal shape, etc. are mentioned.

또한, 변형 센서 (30) 에 의한 얼라인먼트 마크 (108) 의 촬상은, 특별히 한정되는 것은 아니며, 예를 들어 변형 센서 (30) 를 이차원적으로 이동시키면서, 고정된 기판 (100) 의 얼라인먼트 마크 (108) 를 촬상하는 형태, 기판 (100) (반송 기구 (32)) 을 이동시키면서, 기판 (100) 의 얼라인먼트 마크 (108) 를 촬상하는 형태 등이 있다.In addition, imaging of the alignment mark 108 by the deformation sensor 30 is not specifically limited, For example, the alignment mark 108 of the board | substrate 100 fixed while moving the deformation sensor 30 two-dimensionally. ), And the form which image | photographs the alignment mark 108 of the board | substrate 100, etc., moving the board | substrate 100 (the conveyance mechanism 32).

개질 처리 유닛 (14) 은, 기판 (100) 에 형성된 비어홀 (110) 의 내면 (110a) 에 개질 처리를 실시하는 것이다. 이 개질 처리 유닛 (14) 은, 조사부 (40) 와, 가스 공급부 (42) 와, 반송 기구 (44) 를 갖는다. 조사부 (40) 는, 제 1 화상 처리부 (24) 에 접속되어 있다. 챔버 (14a) 내에 조사부 (40) 와, 가스 공급부 (42) 에 형성된 배관 (42a) 과, 반송 기구 (44) 가 형성되어 있다.The reforming processing unit 14 performs a reforming process on the inner surface 110a of the via hole 110 formed in the substrate 100. This reforming processing unit 14 has an irradiation section 40, a gas supply section 42, and a conveyance mechanism 44. The irradiation unit 40 is connected to the first image processing unit 24. The irradiation part 40, the piping 42a formed in the gas supply part 42, and the conveyance mechanism 44 are formed in the chamber 14a.

도 2 에 나타내는 바와 같이, 개질 처리 유닛 (14) 의 조사부 (40) 는, 기판 (100) 의 비어홀 (110) 의 내면 (110a) 에 대하여 레이저광 (L) 을 조사하는 것이다. 이 조사부 (40) 는, 구동부 (40a), 레이저 발진기 (40b), 셔터 기구 (40c), 콜리메이트 렌즈 (40d), 레이저광 (L) 의 광속을 조정하는 렌즈계 (40e), 노광 대상면에 필요한 스폿 직경의 레이저광 (L) 을 조사하기 위한 선단 광학계 (미러, 렌즈 등) (40f) 를 갖고, 비어홀 (110) 의 개구부의 직경보다 작은 직경 (빔 스폿 직경) 을 갖는 레이저광을 비어홀 (110) 의 내면 (110a) 에 조사하도록 구성되어 있다.As shown in FIG. 2, the irradiation part 40 of the modification processing unit 14 irradiates the laser beam L to the inner surface 110a of the via hole 110 of the substrate 100. The irradiation section 40 includes a lens system 40e for adjusting the luminous flux of the driving section 40a, the laser oscillator 40b, the shutter mechanism 40c, the collimating lens 40d, the laser beam L, and the exposure target surface. A laser beam having a tip optical system (mirror, lens, etc.) 40f for irradiating a laser beam L of a required spot diameter, and having a diameter (beam spot diameter) smaller than the diameter of the opening of the via hole 110, is subjected to a via hole ( It is comprised so that the inner surface 110a of 110 may be irradiated.

예를 들어, 기판 (100) 의 반송 방향 (D) 과 직교하는 방향으로 토출부 (40) 를 주사시켜, 동 방향에서의 1 회의 주사로 개질 처리가 가능한 영역에 관해서 개질 처리를 실행한다. 이 주사 방향에서의 1 회의 개질 처리가 종료되면, 기판 (100) 을 소정량 이동시켜 다음 영역에 대해서 개질 처리를 실행하고, 이 동작을 반복함으로써 기판 (100) 에 형성된 비어홀 (110) 모두에 개질 처리가 실시되는 시리얼 방식이 사용된다.For example, the discharge part 40 is scanned in the direction orthogonal to the conveyance direction D of the board | substrate 100, and a modification process is performed with respect to the area | region which can be modified by one scan in the same direction. When the one-time reforming process in this scanning direction is completed, the substrate 100 is moved by a predetermined amount, the reforming process is performed for the next region, and the operation is repeated to modify all the via holes 110 formed in the substrate 100. The serial method in which the processing is performed is used.

또, 토출부 (40) 에 있어서, 레이저광 (L) 을 주사하는 주사 광학부 (도시하지 않음) 를 형성하고, 개질 처리시에, 토출부 (40) 를 주사시키지 않고, 레이저광 (L) 을 주사시켜도 된다.Moreover, in the discharge part 40, the scanning optical part (not shown) which scans the laser beam L is formed, and at the time of a modification process, it does not scan the discharge part 40, but the laser light L May be injected.

또한, 토출부 (40) 에 있어서, 기판 (100) 의 반송 방향 (D) 과 직교하는 폭 방향에 대해서, 다수의 레이저광 (L) 을 조사 가능하게 한 구성이어도 된다.Moreover, the structure which made it possible to irradiate many laser beams L with respect to the width direction orthogonal to the conveyance direction D of the board | substrate 100 in the discharge part 40 may be sufficient.

토출부 (40) 에 있어서는, 레이저광 (L) 으로서, 예를 들어 파장이 300 (㎚), 365 (㎚), 405 (㎚) 등의 자외선 영역 또는 가시광 영역의 레이저광, 나아가서는 적외광 영역의 레이저광이 사용된다. 레이저광의 출력으로는, 10 ∼ 수백 (mJ/㎠), 레이저광의 직경 (빔 스폿 직경) 은, 잉크 방울 및 비어홀 (110) 의 직경보다 작고, 예를 들어 1 ∼ 2 ㎛ 이다. 여기서, 비어홀 (110) 의 직경이란, 비어홀 (110) 의 직경이 변화되는 것인 경우에는, 직경의 최소값을 말한다.In the discharge part 40, as laser beam L, the wavelength is 300-nm, 365-nm, 405-nm, such as ultraviolet-ray region or visible-light region laser beam, and also an infrared light region. Laser light is used. As output of a laser beam, 10-hundreds (mJ / cm <2>) and the diameter (beam spot diameter) of a laser beam are smaller than the diameter of the ink droplet and the via hole 110, and are 1-2 micrometers, for example. Here, the diameter of the via hole 110 refers to the minimum value of the diameter when the diameter of the via hole 110 is changed.

또, 토출부 (40) 에 있어서는, 상기 서술한 레이저광을 조사할 수 있으면, 반도체 레이저, 고체 레이저, 액체 레이저, 기체 레이저 등 다양한 것을 사용할 수 있다.Moreover, in the discharge part 40, various things, such as a semiconductor laser, a solid laser, a liquid laser, a gas laser, can be used, if the above-mentioned laser beam can be irradiated.

가스 공급부 (42) 는, 기판 (100) 에 형성된 비어홀 (110) 에, 개질 처리를 위한 반응 가스를, 동일하게 개질 처리를 위해 레이저광 (L) 을 조사할 때에 공급하는 것이다. 가스 공급부 (42) 에 의해, 기판 (100) 에 형성된 비어홀 (110) 에 있어서의 반응 가스의 농도 (충전량) 등도 조정된다.The gas supply part 42 supplies the via-hole 110 formed in the board | substrate 100, when irradiating the laser beam L for reforming process similarly to the reaction gas for reforming process. The gas supply part 42 also adjusts the concentration (charge amount) and the like of the reaction gas in the via hole 110 formed in the substrate 100.

가스 공급부 (40) 에는, 기판 (100) 의 비어홀 (110) 에 반응 가스를 공급하기 위해, 배관 (42a) 이 형성되어 있다. 배관 (42a) 을 통해서 기판 (100) 의 비어홀 (110) 에 반응 가스가 공급된다. 또한, 가스 공급부 (42) 는, 제어부 (22) 에 접속되어 있고, 이 제어부 (22) 에 의해 반응 가스의 공급량, 공급 타이밍 등이 제어된다.In the gas supply part 40, a pipe 42a is formed in order to supply the reaction gas to the via hole 110 of the substrate 100. The reaction gas is supplied to the via hole 110 of the substrate 100 through the pipe 42a. In addition, the gas supply part 42 is connected to the control part 22, and the supply amount of reaction gas, supply timing, etc. are controlled by this control part 22. FIG.

반응 가스로는, 예를 들어 산소를 포함하는 것, 질소를 포함하는 것, 또는 CF2 가스, CF4 가스 등의 불소계 가스를 포함하는 것이 사용된다.As the reaction gas, for example, one containing oxygen, one containing nitrogen, or one containing fluorine-based gas such as CF 2 gas and CF 4 gas is used.

또, 가스 공급부 (42) 에 있어서, 복수의 반응 가스를 선택적으로 챔버 (14a) 내에 충전 가능하게 구성되어 있는 경우, 필요에 따라, 챔버 (14a) 내에서 반응 가스의 배출, 및 기판 (100) 에 비어홀 (110) 로의 공급이 적절히 실시된다.Moreover, in the gas supply part 42, when the some reactive gas is comprised so that charge is selectively possible in the chamber 14a, discharge of the reactive gas in the chamber 14a as needed, and the board | substrate 100 are possible. Supply to via hole 110 is appropriately performed.

여기서, 도전성 잉크로 이루어지는 잉크 방울 (50a) 이 비어홀 (110) 의 내면 (110a) 이외에 부착되지 않도록 하기 위한 개질 처리로는, 도전성 잉크의 특성에 따라, 예를 들어 친액 처리, 발액 처리가 있다.Here, as the modification treatment for preventing the ink droplet 50a made of the conductive ink from adhering other than the inner surface 110a of the via hole 110, there are, for example, a lyophilized treatment and a liquid repellent treatment depending on the characteristics of the conductive ink.

본 실시형태에 있어서는, 개질 처리에 사용되는 반응 가스를 전환함으로써, 친액 처리와 발액 처리를 선택적으로 전환 가능하다. 예를 들어, 수계 잉크를 사용한 경우, 가스 공급부 (42) 로부터 산소를 포함하는 반응 가스, 또는 질소를 포함하는 반응 가스가, 기판 (100) 의 비어홀 (110) 에 공급된 상태로 기판 (100) 의 비어홀 (110) 의 내면 (110a) 에 레이저광 (L) 이 조사되면, 레이저광 (L) 이 조사된 비어홀 (110) 의 내면 (110a) 은 레이저광 (L) 이 조사되어 있지 않은 비조사 영역보다 높은 친액성이 된다.In this embodiment, the lyophilic treatment and the liquid repellent treatment can be selectively switched by switching the reaction gas used for the reforming treatment. For example, when water-based ink is used, the substrate 100 is supplied from the gas supply section 42 with a reactive gas containing oxygen or a reactive gas containing nitrogen supplied to the via hole 110 of the substrate 100. When the laser light L is irradiated to the inner surface 110a of the via hole 110, the inner surface 110a of the via hole 110 to which the laser light L is irradiated is irradiated without the laser light L being irradiated. It becomes higher lyophilic than the region.

한편, 불소계 가스가 기판 (100) 의 비어홀 (110) 에 공급된 상태로 기판 (100) 의 비어홀 (110) 의 내면 (110a) 에 레이저광 (L) 이 조사되면, 레이저광 (L) 이 조사된 비어홀 (110) 의 내면 (110a) 은 레이저광 (L) 이 조사되어 있지 않은 비조사 영역보다 높은 발액성이 된다.On the other hand, when the laser light L is irradiated to the inner surface 110a of the via hole 110 of the substrate 100 while the fluorine-based gas is supplied to the via hole 110 of the substrate 100, the laser light L is irradiated. The inner surface 110a of the via hole 110 thus obtained has higher liquid repellency than the non-irradiated region to which the laser light L is not irradiated.

또, 「높은 친액성」을 갖는 상태란, 비어홀 (110) 의 내면 (110a) 에 대한 액적의 접촉각이 상대적으로 작은 상태를 말하고, 「높은 발액성」을 갖는 상태란, 비어홀 (110) 의 내면 (110a) 에 대한 액적의 접촉각이 상대적으로 큰 상태를 말한다.In addition, the state which has "high lipophilicity" means the state which the contact angle of the droplet with respect to the inner surface 110a of the via hole 110 is relatively small, and the state which has "high liquid repellency" means the inner surface of the via hole 110 The contact angle of the droplet with respect to 110a is said to be relatively large.

「높은 친액성을 갖는 상태」의 구체예로서, 기판 (100) 에 대한 액적의 접촉각이 45°이하인 상태를 들 수 있다. 또한, 「높은 발액성을 갖는 상태」의 구체예로서, 기판 (100) 에 대한 액적의 접촉각이 80°이상인 상태를 들 수 있다.As a specific example of the "state with high lyophilicity", the state whose contact angle of the droplet with respect to the board | substrate 100 is 45 degrees or less is mentioned. Moreover, the state whose contact angle of the droplet with respect to the board | substrate 100 is 80 degrees or more is mentioned as a specific example of "the state which has high liquid repellency."

반송 기구 (44) 는, 챔버 (14a) 내에 형성되고, 조사부 (40) 의 레이저광의 조사 영역에서 기판 (100) 을 소정의 대에 재치하고, 소정의 자세로 유지하면서, 예를 들어 반송 방향 (D) 으로 이동시키는 것이다.The conveyance mechanism 44 is formed in the chamber 14a, for example, in the conveyance direction, while placing the substrate 100 on a predetermined table in the irradiation region of the laser beam of the irradiation section 40 and holding it in a predetermined posture. To D).

개질 처리 유닛 (14) 에 있어서는, 토출부 (40) 에 의한 레이저광 (L) 은, 예를 들어 도 3(b) 에 나타내는 조사부 (150) 와 같이, 비어홀 (110) 의 내면 (110a) 에만 조사되고, 그 밖의 영역에는 조사되지 않는다. 이 레이저광 (L) 의 조사와 반응 가스에 의해, 상기 서술한 바와 같이, 비어홀 (110) 의 내면 (110a) 이, 예를 들어 친액성 또는 발액성으로 개질된다.In the reforming processing unit 14, the laser light L by the discharge unit 40 is only on the inner surface 110a of the via hole 110, for example, as the irradiation unit 150 shown in FIG. 3 (b). It is irradiated, but not the other area. By the irradiation of the laser beam L and the reaction gas, as described above, the inner surface 110a of the via hole 110 is modified, for example, to be lyophilic or liquid repellent.

패턴 형성 유닛 (16) 은, 개질 처리 후의 기판 (100) 의 비어홀 (110) 에 도전성 잉크를 타적하는 것이다. 이 패턴 형성 유닛 (16) 에서는, 챔버 (16a) 내에 토출부 (50) 와, 반송 기구 (52) 가 형성되어 있다.The pattern forming unit 16 strikes a conductive ink on the via hole 110 of the substrate 100 after the modification process. In this pattern formation unit 16, the discharge part 50 and the conveyance mechanism 52 are formed in the chamber 16a.

토출부 (50) 는, 도전성 잉크가 타적 가능한 잉크젯 헤드 (도시하지 않음) 와, 이 잉크젯 헤드로부터 잉크 방울 (50a) 을 타적하기 위한 드라이버 (도시하지 않음) 를 갖는다. 이 드라이버가 제 2 화상 처리부 (28) 에 접속되어 있다.The discharge part 50 has an inkjet head (not shown) which conductive ink can hit, and the driver (not shown) for which the ink droplet 50a is aimed from this inkjet head. This driver is connected to the second image processing unit 28.

잉크젯 헤드의 구성으로는, 도전성 잉크를 토출할 수 있으면, 특별히 한정되는 것은 아니며, 피에조식, 서멀 방식 등 적절히 이용 가능하다. 또한, 잉크젯 헤드에는, 시리얼 타입 또는 풀라인 타입을 사용할 수 있다. 또, 토출부 (50) 로부터 토출되는 잉크 방울 (50a) 의 크기는, 예를 들어 10 ∼ 100 ㎛ 이다.As a structure of an inkjet head, if electroconductive ink can be discharged, it will not specifically limit, It can use suitably, such as a piezo type and a thermal system. In addition, a serial type or a full line type can be used for the inkjet head. Moreover, the magnitude | size of the ink droplet 50a discharged from the discharge part 50 is 10-100 micrometers, for example.

도전성 잉크로는, 예를 들어 잉크젯 헤드에 의해 타적 가능한 물성 (점도 등) 이면, 예를 들어 은 (Ag), 금 (Au), 구리 (Cu) 등의 금속 입자, 이들 금속 원소를 포함하는 합금의 입자를 소정의 용매 중에 분산시킨 금속액, 상기 서술한 금속 원소를 포함하는 전구체 용액 등의 배선 잉크를 사용할 수 있다. 이 도전성 잉크에 의해, 10 ㎛ ∼ 수 100 ㎛ 의 크기의 비어를 형성할 수 있다.Examples of the conductive ink include, for example, metal particles such as silver (Ag), gold (Au), copper (Cu), and alloys containing these metal elements as long as the physical properties (viscosity, etc.) that are feasible by the inkjet head. Wiring ink, such as the metal liquid which disperse | distributed the particle | grains of this, and the precursor solution containing the metal element mentioned above can be used. By this electroconductive ink, the via of size of 10 micrometers-several 100 micrometers can be formed.

반송 기구 (52) 는, 챔버 (16a) 내에 형성되고, 토출부 (50) 의 잉크 방울 (50a) 의 토출 영역에서 기판 (100) 을 소정의 대에 재치하고, 소정의 자세로 유지하면서, 예를 들어 반송 방향 (D) 으로 이동시키는 것이다. 또, 반송 기구 (52) 에 있어서는, 토출부 (50) 의 형태에 따라, 토출부 (50) 에 대하여 반송 방향 (D) 과 직교하는 방향으로 기판 (100) 을 이동시킨다.The conveyance mechanism 52 is formed in the chamber 16a, and the board | substrate 100 is mounted to a predetermined | prescribed stand in the discharge area | region of the ink droplet 50a of the discharge part 50, and is hold | maintained in a predetermined posture, for example, For example, it moves in the conveyance direction D. FIG. Moreover, in the conveyance mechanism 52, the board | substrate 100 is moved with respect to the form of the discharge part 50 in the direction orthogonal to the conveyance direction D with respect to the discharge part 50. FIG.

패턴 형성 유닛 (16) 에 있어서는, 토출부 (50) 에 의해, 예를 들어 도 3(b) 에 나타내는 바와 같이, 개질 처리된 비어홀 (110) 의 내면 (110a) 에 잉크 방울 (50a) 이 타적된다. 이 잉크 방울 (50a) 에 의해, 비어홀 (110) 의 내면 (110a) 을 메운다.In the pattern forming unit 16, the ink droplet 50a is applied to the inner surface 110a of the modified via hole 110 by the discharge part 50, for example, as shown in FIG. 3 (b). do. The ink droplet 50a fills the inner surface 110a of the via hole 110.

비어홀 (110) 이 깊은 경우, 비어홀 (110) 내에 기포가 들어가 잉크 방울 (50a) 이 들어가지 않는 일이 발생하는 경우가 있다. 이 때문에, 토출부 (50) 로부터, 잉크 방울 (50a) 을 연속하여 비어홀 (110) 내에 타적하는 것이 아니라, 복수 회로 나누어 잉크 방울 (50a) 을 타적하는 것이 바람직하다.When the via hole 110 is deep, bubbles may enter the via hole 110 and the ink droplet 50a may not enter. For this reason, it is preferable not to strike the ink droplet 50a continuously in the via hole 110 from the discharge part 50, but to divide the ink droplet 50a in multiple circuits.

토출부 (50) 로부터 도전성 잉크 방울 (50a) 이, 비어홀 (110) 의 내면 (110a) 에 타적된 후, 기판 (100) 이 기판 배출부 (도시하지 않음) 로부터 배출된다.The conductive ink droplet 50a is discharged from the discharge portion 50 onto the inner surface 110a of the via hole 110, and then the substrate 100 is discharged from the substrate discharge portion (not shown).

도전성 잉크의 특성에 따라, 자외선을 조사하거나, 또는 열을 가함으로써, 도전성 잉크를 경화시켜 배선이 되는 비어 (112) 를 형성한다. 이 경우, 비어홀 (110) 의 내면 (110a) 에 타적된 잉크 방울 (50a) 을 경화시키기 위해, 자외선 조사 수단, 또는 가열 수단을, 토출부 (50) 의 반송 방향 (D) 바로 아래나 하류측에 형성한다.Depending on the characteristics of the conductive ink, the conductive ink is cured by irradiating ultraviolet rays or applying heat to form a via 112 serving as a wiring. In this case, in order to harden the ink droplet 50a hit by the inner surface 110a of the via hole 110, ultraviolet irradiation means or a heating means is directly under the conveyance direction D of the discharge part 50, or a downstream side. To form.

입력부 (18) 는, 오퍼레이터 (유저) 가 각종 입력을 실시하기 위한 입력 장치 (도시하지 않음) 와, 표시부 (도시하지 않음) 를 갖는다. 입력 장치에는, 키보드, 마우스, 터치 패널, 버튼 등 각종 형태의 것이 사용된다.The input unit 18 has an input device (not shown) for the operator (user) to perform various inputs, and a display unit (not shown). As an input device, various forms such as a keyboard, a mouse, a touch panel and a button are used.

오퍼레이터는, 입력부 (18) 를 개재하여, 변형 검출 유닛 (12), 개질 처리 유닛 (14), 패턴 형성 유닛 (16) 의 각종 처리 조건을 제어부 (22) 에 입력할 수 있음과 함께, 기판 (100) 의 얼라인먼트 마크의 위치 정보, 얼라인먼트 마크의 크기 등의 형상 정보, 나아가서는 비어홀의 형성 위치 정보 등의 패턴 데이터를 제어부 (22) 에 입력할 수 있다.The operator can input various processing conditions of the deformation detection unit 12, the modification processing unit 14, and the pattern forming unit 16 to the control unit 22 via the input unit 18, and the substrate ( Pattern data such as position information of the alignment mark of 100), shape information such as the size of the alignment mark, and further, formation position information of the via hole can be input to the control unit 22.

또, 오퍼레이터는, 입력부 (18) 의 표시부를 개재하여, 변형 검출 유닛 (12), 개질 처리 유닛 (14), 패턴 형성 유닛 (16) 의 상태 등, 패턴 형성 공정의 상태, 비어의 형성 공정의 상태를 알 수 있다. 이 표시부는 에러 메시지 등의 경고를 표시하는 수단으로도 기능한다. 또, 표시부는, 이상을 알리는 보지 수단으로서 기능도 한다.In addition, the operator is provided with a state of the pattern forming process such as a state of the deformation detecting unit 12, the modification processing unit 14, the pattern forming unit 16, or the via forming process via the display unit of the input unit 18. Know the status. This display portion also functions as a means for displaying a warning such as an error message. In addition, the display unit also functions as a holding unit for informing abnormality.

묘화 데이터 작성부 (20) 는, 입력부 (18) 로부터 입력된 비어홀의 형성 위치 정보 등의 패턴 데이터를, 조사부 (40) 에 있어서 비어홀 (110) 의 내면 (110a) 에 레이저광 (L) 을 조사하기 위해 이용 가능한 데이터 형식으로 데이터 변환하고, 조사부 (40) 에 있어서 이용 가능한 조사 데이터를 작성하는 것이다. 이 묘화 데이터 작성부 (20) 에 있어서는, 예를 들어 벡터 형식으로 기술된 비어홀 (110) 의 형성 위치 정보 등의 패턴 데이터 (CAD 데이터) 를, 라스터 데이터로 변환하는 것이다. 또, 입력되는 데이터 형식이 조사부 (40) 에서 이용 가능하면, 데이터 변환은, 반드시 필요한 것은 아니다. 이 경우, 묘화 데이터 작성부 (20) 에서, 데이터 변환하지 않거나, 또는 묘화 데이터 작성부 (20) 를 경유하지 않고, 직접 제 1 화상 처리부 (26) 에, 비어홀의 형성 위치 정보 등의 패턴 데이터를 입력하도록 해도 된다.The drawing data preparation unit 20 irradiates the laser beam L to the inner surface 110a of the via hole 110 in the irradiation unit 40 by pattern data such as formation position information of the via hole input from the input unit 18. The data is converted into a data format that can be used for this purpose, and the survey data available in the irradiation section 40 is created. In this drawing data creation part 20, pattern data (CAD data), such as formation position information of the via hole 110 described in vector form, is converted into raster data, for example. In addition, if the input data format is available in the irradiation part 40, data conversion is not necessarily required. In this case, in the drawing data creation unit 20, pattern data, such as via hole formation position information, is directly transferred to the first image processing unit 26 without data conversion or via the rendering data creation unit 20. You may input it.

제 1 화상 처리부 (26) 는, 묘화 데이터 작성부 (20) 및 얼라인먼트 검출부 (24) 에 접속되어 있고, 변형 검출 유닛 (12) 에서 기판 (100) 에 변형이 검출된 경우, 그 기판 (100) 의 변형 정보를 받아, 이 변형 정보에 따라, 레이저광 (L) 의 조사 위치를 변경하기 위해, 조사 데이터를 보정하는 보정 조사 데이터 (제 1 보정 데이터) 를 작성하는 것이다. 제 1 화상 처리부 (26) 는, 이 보정 조사 데이터를 구동부 (40a) 에 출력한다. 조사부 (40) 에서는, 구동부 (40a) 에 입력된 보정 조사 데이터에 기초하여, 레이저광 (L) 이 비어홀 (110) 의 내면 (110a) 에 조사된다.The first image processing unit 26 is connected to the drawing data creation unit 20 and the alignment detection unit 24, and when a deformation is detected in the substrate 100 by the deformation detection unit 12, the substrate 100. In order to change the irradiation position of the laser beam L according to this deformation | transformation information, correction irradiation data (1st correction data) which corrects irradiation data is created. The first image processing unit 26 outputs this correction irradiation data to the drive unit 40a. In the irradiation part 40, the laser beam L is irradiated to the inner surface 110a of the via hole 110 based on the correction irradiation data input to the drive part 40a.

또, 변형 검출 유닛 (12) 에서 변형이 검출되지 않은 경우, 제 1 화상 처리부 (26) 는, 보정 조사 데이터를 작성하지 않는다. 이 때문에, 제 1 화상 처리부 (26) 에 입력된 조사 데이터가, 보정되지 않고 그대로 조사부 (40) 의 구동부 (40a) 에 출력된다. 조사부 (40) 에서는, 구동부 (40a) 에 입력된 조사 데이터에 기초하여, 레이저광 (L) 이 비어홀 (110) 의 내면 (110a) 에 조사된다.In addition, when the deformation is not detected in the deformation detection unit 12, the first image processing unit 26 does not create correction irradiation data. For this reason, irradiation data input to the first image processing unit 26 is output to the drive unit 40a of the irradiation unit 40 without being corrected. In the irradiation part 40, the laser beam L is irradiated to the inner surface 110a of the via hole 110 based on the irradiation data input to the drive part 40a.

제 2 화상 처리부 (28) 는, 입력부 (18) 및 얼라인먼트 검출부 (24) 에 접속되어 있다. 또, 토출부 (50) 에 있어서는, 입력부 (18) 로부터 입력되는 비어홀의 형성 위치 정보 등의 패턴 데이터를 변환하지 않고, 타적 데이터로서 이용할 수 있다.The second image processing unit 28 is connected to the input unit 18 and the alignment detection unit 24. Moreover, in the discharge part 50, it can use as other data, without converting pattern data, such as formation position information of the via hole input from the input part 18 ,.

제 2 화상 처리부 (28) 에 있어서는, 변형 검출 유닛 (12) 에서 기판 (100) 에 변형이 검출된 경우, 그 기판 (100) 의 변형 정보를 받아, 이 변형 정보에 따라, 잉크 방울 (50a) 의 타적 위치를 변경하기 위해, 타적 데이터를 보정하는 보정 타적 데이터 (제 2 보정 데이터) 를 작성한다. 이 보정 타적 데이터를 토출부 (50) 의 드라이버 (도시하지 않음) 에 출력한다. 토출부 (50) 에서는, 드라이버에 입력된 보정 타적 데이터에 기초하여, 잉크 방울 (50a) 이 비어홀 (110) 의 내면 (110a) 에 타적된다.In the second image processing unit 28, when deformation is detected in the substrate 100 by the deformation detection unit 12, the deformation information of the substrate 100 is received, and the ink droplet 50a is received in accordance with this deformation information. In order to change the inertia position of the inertia, correction inertia data (second correction data) for correcting the inertia data is created. This correction target data is output to a driver (not shown) of the discharge unit 50. In the discharge part 50, the ink droplet 50a is targeted at the inner surface 110a of the via hole 110 based on the correction target data input to the driver.

또, 변형 검출 유닛 (12) 에서 변형이 검출되지 않은 경우에는, 제 2 화상 처리부 (28) 는, 보정 타적 데이터를 작성하지 않는다. 이 때문에, 제 2 화상 처리부 (28) 에 입력된 타적 데이터가, 보정되지 않고 그대로 토출부 (50) 의 드라이버에 출력된다. 토출부 (50) 에서는, 드라이버에 입력된 타적 데이터에 기초하여, 잉크 방울 (50a) 이 비어홀 (110) 의 내면 (110a) 에 타적된다.In addition, when the deformation is not detected by the deformation detection unit 12, the second image processing unit 28 does not generate correction-targeting data. For this reason, the target data input to the 2nd image processing part 28 is output to the driver of the discharge part 50 as it is, without correction. In the discharge part 50, the ink droplet 50a is targeted at the inner surface 110a of the via hole 110 based on the target data input to the driver.

제 1 화상 처리부 (26) 및 제 2 화상 처리부 (28) 에 있어서는, 예를 들어 기판 (100) 의 위치가 소정 위치에 대하여 회전하고 있을 때에는, 그 회전량이 산출되어, 그 회전을 상쇄하도록 보정 데이터가, 각각 온디맨드로 생성된다. 그 후, 이 패턴의 보정 데이터에 대응하는 보정 조사 데이터 및 보정 타적 데이터가 온디맨드로 생성된다. 여기서 말하는 「보정 조사 데이터 및 보정 타적 데이터」란, 레이저광 조사용의 조사 데이터 (비어홀의 형성 위치 정보) 및 타적 데이터에 대하여, 시프트 처리 (면 방향의 어긋남 보정), 오프셋 처리 (두께 방향의 어긋남 보정), 회전 처리가 실시된 것, 확대 처리, 축소 처리, 사다리꼴 보정 처리 (사다리꼴 형상으로 변형된 패턴을 사각 형상으로 보정하는 처리) 가 실시된 것이 포함된다.In the first image processing unit 26 and the second image processing unit 28, for example, when the position of the substrate 100 is rotated with respect to a predetermined position, the amount of rotation is calculated, and the correction data is used to offset the rotation. Are generated on demand, respectively. Thereafter, correction irradiation data and correction target data corresponding to the correction data of this pattern are generated on demand. The term "corrected irradiation data and correction target data" as used herein means shift processing (deviation correction in the surface direction) and offset processing (deviation in the thickness direction) with respect to the irradiation data for laser light irradiation (formation position information of the via hole) and the target data. Correction), rotational processing, magnification processing, reduction processing, and trapezoidal correction processing (processes for correcting a pattern deformed into a trapezoidal shape into a rectangular shape) are included.

본 실시형태의 패턴 형성 장치 (10) 에 있어서는, 개질 처리 유닛 (14) 및 패턴 형성 유닛 (16) 은 공통의 피드백 루프를 갖고 있고, 변형 검출 유닛 (12) 으로부터 얻어지는 동일한 (공통의) 기판 (100) 의 변형 정보에 기초하여, 레이저광 (L) 의 조사 보정 및 잉크 방울의 타적 보정을 실시하도록 구성되어 있다. 이 때문에, 레이저광 (L) 의 조사 보정 및 잉크 방울의 타적 보정의 정밀도를 높게 할 수 있고, 또한, 공통의 기판의 변형 정보를 사용하고 있기 때문에, 보정 데이터의 작성을 빨리 할 수 있고, 보정에 요하는 비용도 낮게 할 수 있다.In the pattern forming apparatus 10 of the present embodiment, the modification processing unit 14 and the pattern forming unit 16 have a common feedback loop, and the same (common) substrate (obtained from the deformation detection unit 12 ( Based on the deformation | transformation information of 100, it is comprised so that irradiation correction of the laser beam L and the correction | amendment of the ink droplet may be performed. For this reason, since the precision of irradiation correction of the laser beam L and the correction | amendment correction of the ink droplet can be made high, and since the deformation information of a common board | substrate is used, correction data can be created early and correction | amendment is carried out. The cost can be lowered.

또, 제 1 화상 처리부 (26) 및 제 2 화상 처리부 (28) 의 기능을 1 개로 정리하여, 단지 화상 처리부로 해도 된다.In addition, the functions of the first image processing unit 26 and the second image processing unit 28 may be combined into one and may be merely an image processing unit.

다음으로, 본 실시형태의 패턴 형성 방법에 관해서 설명한다.Next, the pattern formation method of this embodiment is demonstrated.

도 3(a) 는, 본 발명의 실시형태에 관련된 패턴 형성 장치에 의한 패턴 형성 방법을 모식적으로 나타내는 모식적 사시도이고, (b) 는, 본 발명의 실시형태의 패턴 형성 방법에 사용되는 기판을 나타내는 모식적 단면도이다. 도 4(a) ∼ (d) 는, 본 발명의 실시형태에 관련된 패턴 형성 장치에 의한 패턴 형성의 일례를 공정순으로 나타내는 모식적 단면도이다.FIG. 3A is a schematic perspective view schematically showing a pattern forming method by the pattern forming apparatus according to the embodiment of the present invention, and (b) is a substrate used in the pattern forming method of the embodiment of the present invention. It is typical sectional drawing which shows. 4 (a) to 4 (d) are schematic cross-sectional views showing an example of pattern formation by the pattern forming apparatus according to the embodiment of the present invention in the order of steps.

먼저, 도 3(a) 에 나타내는 바와 같이, 미리 비어홀 (110) 이 형성된 기판 (100) 의 얼라인먼트 마크 (108) 를 변형 센서 (30) 로 촬상하고, 얼라인먼트 검출부 (24) 에서 기판 (100) 의 변형이 있는지의 여부가 산출된다.First, as shown to Fig.3 (a), the alignment mark 108 of the board | substrate 100 in which the via hole 110 was formed previously is imaged with the deformation sensor 30, and the alignment detection part 24 of the board | substrate 100 is carried out. It is calculated whether there is a deformation.

또, 상기 서술한 바와 같이 기판 (100) 의 구성은, 예를 들어 도 3(b) 및 도 4(a) 에 나타내는 구성이다.In addition, as mentioned above, the structure of the board | substrate 100 is a structure shown, for example in FIG.3 (b) and FIG.4 (a).

다음으로, 얼라인먼트 검출부 (24) 에서 기판 (100) 의 변형이 검출되지 않은 경우, 제 1 화상 처리부 (26) 에서는, 입력된 조사 데이터를 보정하는 보정 조사 데이터가 작성되지 않고, 이 조사 데이터에 기초하여, 도 4(b) 에 나타내는 바와 같이, 레이저광 (L) 을 비어홀 (110) 의 내면 (110a) 에 조사한다.Next, when the deformation | transformation of the board | substrate 100 is not detected by the alignment detection part 24, the correction image data which corrects the input irradiation data is not created in the 1st image processing part 26, but is based on this irradiation data. As shown in FIG. 4B, the laser beam L is irradiated to the inner surface 110a of the via hole 110.

한편, 얼라인먼트 검출부 (24) 에서 기판 (100) 의 변형이 검출된 경우, 제 1 화상 처리부 (26) 에서는 조사 데이터를 보정하는 보정 조사 데이터가 작성된다. 이 보정 조사 데이터에 기초하여, 도 4(b) 에 나타내는 바와 같이, 레이저광 (L) 을 비어홀 (110) 의 내면 (110a) 에 조사한다.On the other hand, when the deformation | transformation of the board | substrate 100 is detected by the alignment detection part 24, the correction image data which correct | amends irradiation data is created by the 1st image processing part 26. FIG. Based on this correction irradiation data, as shown in FIG.4 (b), the laser beam L is irradiated to the inner surface 110a of the via hole 110. FIG.

또, 레이저광 (L) 을 비어홀 (110) 의 내면 (110a) 에 조사할 때에는, 가스 공급부 (42) 로부터 배관 (42a) 을 개재하여, 예를 들어 친액성으로 하는 경우에는, 산소를 포함하는 반응 가스 또는 질소를 포함하는 반응 가스를 비어홀 (110) 의 내면 (110a) 이 소정의 농도가 되도록 공급한다. 또, 발액성으로 하는 경우에는, 불소계 가스를 비어홀 (110) 의 내면 (110a) 이 소정의 농도가 되도록 공급한다.Moreover, when irradiating the laser beam L to the inner surface 110a of the via hole 110, when it becomes lipophilic through the piping 42a from the gas supply part 42, it contains oxygen, for example. The reaction gas or the reaction gas containing nitrogen is supplied such that the inner surface 110a of the via hole 110 has a predetermined concentration. In addition, when making liquid repellency, fluorine-type gas is supplied so that the inner surface 110a of the via hole 110 may become a predetermined density | concentration.

이와 같이, 기판 (100) 의 변형, 형성되어 있는 비어홀 (110) 의 형성 위치 등에 따라 적절히 비어홀 (110) 의 내면 (110a) 에만 레이저광 (L) 을 조사하여 개질 처리를 한다.In this manner, the laser beam L is irradiated to the inner surface 110a of the via hole 110 and modified according to the deformation of the substrate 100, the formation position of the formed via hole 110, and the like.

다음으로, 얼라인먼트 검출부 (24) 에서 기판 (100) 의 변형이 검출되지 않은 경우, 제 2 화상 처리부 (28) 에서는, 입력된 타적 데이터를 보정하는 보정 타적 데이터가 작성되지 않고, 이 타적 데이터에 기초하여, 도 4(c) 에 나타내는 바와 같이, 도전성 잉크의 잉크 방울 (50a) 을 비어홀 (110) 내에 타적한다.Next, when the deformation | transformation of the board | substrate 100 is not detected by the alignment detection part 24, the correction image data which corrects the input data is not created by the 2nd image processing part 28, but based on this data As shown in FIG. 4C, the ink droplet 50a of the conductive ink is punched into the via hole 110.

한편, 얼라인먼트 검출부 (24) 에서 기판 (100) 의 변형이 검출된 경우, 제 2 화상 처리부 (28) 에서는 조사 데이터를 보정하는 보정 타적 데이터가 작성된다. 이 보정 타적 데이터에 기초하여, 도 4(c) 에 나타내는 바와 같이, 도전성 잉크의 잉크 방울 (50a) 을 비어홀 (110) 내에 타적한다.On the other hand, when the deformation | transformation of the board | substrate 100 is detected by the alignment detection part 24, the correction image data which correct | amends irradiation data is created by the 2nd image processing part 28. FIG. Based on this correction target data, as shown in FIG.4 (c), the ink droplet 50a of electroconductive ink is hit in the via hole 110. FIG.

이와 같이, 기판 (100) 의 변형, 형성되어 있는 비어홀 (110) 의 형성 위치 등에 따라 적절히 비어홀 (110) 내에 잉크 방울 (50a) 을 타적한다.In this way, the ink droplet 50a is suitably targeted into the via hole 110 according to the deformation of the substrate 100, the formation position of the formed via hole 110, and the like.

또, 도전성 잉크의 특성 등, 필요에 따라, 자외선을 조사하거나, 또는 열을 가함으로써, 도전성 잉크의 잉크 방울 (50a) 을 경화시켜 배선이 되는 비어 (112) 를 비어홀 (110) 내에 형성할 수 있다.Moreover, the via 112 which becomes wiring by hardening the ink droplet 50a of electroconductive ink by irradiating an ultraviolet-ray or applying heat as needed, such as a characteristic of electroconductive ink, can be formed in the via hole 110. FIG. have.

본 실시형태와 같이, 비어홀 (110) 내에 잉크 방울 (50a) 을 타적하여 비어 (112) 를 형성하는 경우, 비어홀 (110) 이 깊으면, 비어홀 (110) 내에 기포가 들어가 잉크 방울 (50a) 이 들어가지 않게 되는 경우가 있다. 이 때문에, 잉크 방울 (50a) 을 연속하여 비어홀 (110) 내에 타적하는 것은 아니고, 복수 회로 나누어 잉크 방울 (50a) 을 타적하는 것이 바람직하다.As in the present embodiment, in the case where the via 112 is formed by dropping the ink drop 50a in the via hole 110, when the via hole 110 is deep, bubbles enter the via hole 110 so that the ink drop 50 a is formed. You may not enter. For this reason, it is preferable not to strike the ink droplet 50a continuously in the via hole 110, but to divide the ink droplet 50a and to strike the ink droplet 50a.

다음으로, 절연층 (106) 의 표면 (106a) 에 전극 (114) 을 형성한다. 이 전극 (114) 의 형성 방법은, 특별히 한정되는 것은 아니다. 예를 들어, 포토리소그래피법에 의해 형성할 수 있다.Next, the electrode 114 is formed on the surface 106a of the insulating layer 106. The formation method of this electrode 114 is not specifically limited. For example, it can form by the photolithographic method.

본 실시형태에 있어서는, 비어홀 (110) 을 예로 하여 설명했지만, 본 발명은 이것에 한정되는 것은 아니다. 예를 들어, 도 5(a) 에 나타내는 바와 같이, 스루홀 (122) 이 형성된 기판 (120) 에 대해서도 배선이 되는 비어 (112) 를 형성할 수 있다.In this embodiment, although the via hole 110 was demonstrated as an example, this invention is not limited to this. For example, as shown to Fig.5 (a), the via 112 used as a wiring can also be formed also about the board | substrate 120 in which the through hole 122 was formed.

도 5(a) 에 나타내는 바와 같이, 기판 (120) 은, 본 실시형태의 기재 (102), 절연층 (104, 106) 중 어느 것과 동일한 구성이다. 기판 (120) 에는, 얼라인먼트 마크 (도시하지 않음) 가 복수 형성되어 있다.As shown to Fig.5 (a), the board | substrate 120 is the same structure as any of the base material 102 and the insulating layers 104 and 106 of this embodiment. The substrate 120 is provided with a plurality of alignment marks (not shown).

이 경우에 있어서도, 기판 (120) 의 얼라인먼트 마크가 변형 센서 (30) 로 촬상되어, 얼라인먼트 검출부 (24) 에서 기판 (120) 의 변형이 있는지의 여부가 검출된다.Also in this case, the alignment mark of the board | substrate 120 is imaged with the deformation sensor 30, and it is detected by the alignment detection part 24 whether the board | substrate 120 has a deformation | transformation.

다음으로, 얼라인먼트 검출부 (24) 에서 기판 (120) 의 변형이 검출되지 않은 경우, 제 1 화상 처리부 (26) 에서는, 입력된 조사 데이터를 보정하는 보정 조사 데이터가 작성되지 않고, 이 조사 데이터에 기초하여, 도 5(b) 에 나타내는 바와 같이, 레이저광 (L) 을 스루홀 (122) 의 내면 (120a) 에 조사한다.Next, when the deformation | transformation of the board | substrate 120 is not detected by the alignment detection part 24, the correction image data which corrects the input irradiation data is not created in the 1st image processing part 26, but is based on this irradiation data. As shown in FIG. 5B, the laser beam L is irradiated to the inner surface 120a of the through hole 122.

한편, 얼라인먼트 검출부 (24) 에서 기판 (120) 의 변형이 검출된 경우, 제 1 화상 처리부 (26) 에서는 조사 데이터를 보정하는 보정 조사 데이터가 작성된다. 이 보정 조사 데이터에 기초하여, 도 5(b) 에 나타내는 바와 같이, 레이저광 (L) 을 스루홀 (122) 의 내면 (120a) 에 조사한다.On the other hand, when the deformation | transformation of the board | substrate 120 is detected by the alignment detection part 24, the correction image data which correct | amends irradiation data is created by the 1st image processing part 26. FIG. Based on this correction irradiation data, as shown in FIG. 5 (b), the laser beam L is irradiated to the inner surface 120a of the through hole 122.

또, 레이저광 (L) 을 스루홀 (122) 의 내면 (120a) 에 조사할 때에는, 가스 공급부 (42) 로부터 배관 (42a) 을 개재하여, 예를 들어 친액성으로 하는 경우에는, 산소를 포함하는 반응 가스 또는 질소를 포함하는 반응 가스를 스루홀 (122) 의 내면 (120a) 이 소정의 농도가 되도록 공급한다. 또한, 발액성으로 하는 경우에는, 불소계 가스를 스루홀 (122) 의 내면 (120a) 이 소정의 농도가 되도록 공급한다.In addition, when irradiating the laser beam L to the inner surface 120a of the through hole 122, oxygen is included from the gas supply part 42 via the piping 42a, for example, when it becomes lyophilic. The reaction gas or the reaction gas containing nitrogen is supplied such that the inner surface 120a of the through hole 122 has a predetermined concentration. In addition, when making it liquid repellent, fluorine-type gas is supplied so that the inner surface 120a of the through hole 122 may become a predetermined density | concentration.

이와 같이, 기판 (120) 의 변형, 형성되어 있는 스루홀 (122) 의 형성 위치 등에 따라 적절히 스루홀 (122) 의 내면 (120a) 에만 레이저광 (L) 을 조사하여 개질 처리를 한다.In this manner, the laser beam L is irradiated to only the inner surface 120a of the through hole 122 to be modified according to the deformation of the substrate 120, the formation position of the formed through hole 122, and the like.

다음으로, 얼라인먼트 검출부 (24) 에서 기판 (120) 의 변형이 검출되지 않은 경우, 제 2 화상 처리부 (28) 에서는, 입력된 타적 데이터를 보정하는 보정 타적 데이터가 작성되지 않고, 이 타적 데이터에 기초하여, 도 5(c) 에 나타내는 바와 같이, 도전성 잉크의 잉크 방울 (50a) 을 스루홀 (122) 내에 타적한다.Next, when the deformation | transformation of the board | substrate 120 is not detected by the alignment detection part 24, the correction image data which corrects the input data is not created by the 2nd image processing part 28, but based on this data As shown in FIG. 5C, the ink droplet 50a of the conductive ink is punched into the through hole 122.

한편, 얼라인먼트 검출부 (24) 에서 기판 (120) 의 변형이 검출된 경우, 제 2 화상 처리부 (28) 에서는 조사 데이터를 보정하는 보정 타적 데이터가 작성된다. 이 보정 타적 데이터에 기초하여, 도 5(c) 에 나타내는 바와 같이, 도전성 잉크의 잉크 방울 (50a) 을 스루홀 (122) 내에 타적한다.On the other hand, when the deformation | transformation of the board | substrate 120 is detected by the alignment detection part 24, the correction image data which correct | amends irradiation data is created by the 2nd image processing part 28. FIG. Based on this correction target data, as shown in FIG.5 (c), the ink droplet 50a of electroconductive ink is hit in the through hole 122. FIG.

또, 기판 (120) 은, 패턴 형성 유닛 (16) (도 1 참조) 의 반송 기구 (52) (도 1 참조) 의 대에 재치되어 있고, 잉크 방울 (50a) 을 스루홀 (122) 내에 타적할 때, 스루홀 (122) 로부터 잉크 방울 (50a) 이 빠지는 일은 없다.Moreover, the board | substrate 120 is mounted in the stand | base of the conveyance mechanism 52 (refer FIG. 1) of the pattern formation unit 16 (refer FIG. 1), and the ink droplet 50a is carried out in the through hole 122 When doing so, the ink droplet 50a does not fall out of the through hole 122.

이와 같이, 기판 (120) 의 변형, 형성되어 있는 스루홀 (122) 의 형성 위치 등에 따라 적절히 스루홀 (122) 내에 잉크 방울 (50a) 을 타적한다.In this way, the ink droplet 50a is suitably targeted into the through hole 122 according to the deformation of the substrate 120, the formation position of the formed through hole 122, and the like.

또, 도전성 잉크의 특성 등, 필요에 따라, 자외선을 조사하거나, 또는 열을 가함으로써, 도전성 잉크의 잉크 방울 (50a) 을 경화시킨다. 이것에 의해, 도 5(d) 에 나타내는 바와 같이, 배선이 되는 비어 (112) 를 스루홀 (122) 내에 형성할 수 있다.Moreover, the ink droplet 50a of a conductive ink is hardened by irradiating an ultraviolet-ray or applying heat as needed, such as a characteristic of a conductive ink. Thereby, the via 112 used as wiring can be formed in the through hole 122, as shown to FIG. 5 (d).

나아가서는, 본 실시형태에 있어서는, 예를 들어 도 6(a) 에 나타내는 바와 같이, 컨택트홀 (140) 이 형성된 기판 (130) 에 대해서도 배선이 되는 비어 (112) 를 형성할 수 있다.Furthermore, in this embodiment, as shown, for example in FIG. 6 (a), the via 112 which becomes wiring also can be formed also about the board | substrate 130 in which the contact hole 140 was formed.

기판 (130) 은, 비어 (133) 가 형성된 제 1 절연층 (132) 상에, 비어 (133) 에 정합하는 위치에 전극층 (135) 이 형성된 제 2 절연층이 형성되어 있고, 이 전극층 (135) 에 정합하는 위치에 컨택트홀 (140) 이 형성된 제 3 절연층 (136) 이 형성되어 있다.As for the board | substrate 130, the 2nd insulating layer in which the electrode layer 135 was formed in the position which matches the via 133 is formed on the 1st insulating layer 132 in which the via 133 was formed, This electrode layer 135 ) Is formed with a third insulating layer 136 having a contact hole 140 formed thereon.

본 실시형태의 제 1 절연층 (132) ∼ 제 3 절연층 (136) 은, 본 실시형태의 절연층 (104, 106) 과 동일한 구성이다. 기판 (130) 에는, 얼라인먼트 마크 (도시하지 않음) 가 복수 형성되어 있다.The 1st insulating layers 132-3rd insulating layer 136 of this embodiment are the same structure as the insulating layers 104 and 106 of this embodiment. A plurality of alignment marks (not shown) are formed in the substrate 130.

이 경우에 있어서도, 기판 (130) 의 얼라인먼트 마크가 변형 센서 (30) 로 촬상되어, 얼라인먼트 검출부 (24) 에서 기판 (130) 의 변형이 있는지의 여부가 검출된다.Also in this case, the alignment mark of the board | substrate 130 is imaged with the deformation sensor 30, and the alignment detection part 24 detects whether the board | substrate 130 has a deformation | transformation.

다음으로, 얼라인먼트 검출부 (24) 에서 기판 (130) 의 변형이 검출되지 않은 경우, 제 1 화상 처리부 (26) 에서는, 입력된 조사 데이터를 보정하는 보정 조사 데이터가 작성되지 않고, 이 조사 데이터에 기초하여, 도 6(b) 에 나타내는 바와 같이, 레이저광 (L) 을 컨택트홀 (140) 의 내면 (140a) 에 조사한다.Next, when the deformation | transformation of the board | substrate 130 is not detected by the alignment detection part 24, the correction image data which corrects the input irradiation data is not created in the 1st image processing part 26, but is based on this irradiation data. 6B, the laser beam L is irradiated to the inner surface 140a of the contact hole 140. As shown in FIG.

한편, 얼라인먼트 검출부 (24) 에서 기판 (130) 의 변형이 검출된 경우, 제 1 화상 처리부 (26) 에서는 조사 데이터를 보정하는 보정 조사 데이터가 작성된다. 이 보정 조사 데이터에 기초하여, 도 6(b) 에 나타내는 바와 같이, 레이저광 (L) 을 컨택트홀 (140) 의 내면 (140a) 에 조사한다.On the other hand, when the deformation | transformation of the board | substrate 130 is detected by the alignment detection part 24, the correction image data which correct | amends irradiation data is created by the 1st image processing part 26. FIG. Based on this correction irradiation data, as shown to FIG. 6 (b), the laser beam L is irradiated to the inner surface 140a of the contact hole 140. FIG.

또, 레이저광 (L) 을 컨택트홀 (140) 의 내면 (140a) 에 조사할 때에는, 가스 공급부 (42) 로부터 배관 (42a) 를 개재하여, 예를 들어 친액성으로 하는 경우에는, 산소를 포함하는 반응 가스 또는 질소를 포함하는 반응 가스를 컨택트홀 (140) 의 내면 (140a) 이 소정의 농도가 되도록 공급한다. 또한, 발액성으로 하는 경우에는, 불소계 가스를 컨택트홀 (140) 의 내면 (140a) 이 소정의 농도가 되도록 공급한다.In addition, when irradiating the laser beam L to the inner surface 140a of the contact hole 140, when it makes it lyophilic through the piping 42a from the gas supply part 42, it contains oxygen, for example. The reaction gas or the reaction gas containing nitrogen is supplied such that the inner surface 140a of the contact hole 140 has a predetermined concentration. In addition, when making liquid repellency, fluorine-type gas is supplied so that the inner surface 140a of the contact hole 140 may become a predetermined density | concentration.

이와 같이, 기판 (130) 의 변형, 형성되어 있는 컨택트홀 (140) 의 형성 위치 등에 따라 적절히 컨택트홀 (140) 의 내면 (140a) 에만 레이저광 (L) 을 조사하여 개질 처리를 한다.In this way, the laser beam L is irradiated to the inner surface 140a of the contact hole 140 and modified according to the deformation of the substrate 130, the formation position of the formed contact hole 140, and the like.

다음으로, 얼라인먼트 검출부 (24) 에서 기판 (130) 의 변형이 검출되지 않은 경우, 제 2 화상 처리부 (28) 에서는, 입력된 타적 데이터를 보정하는 보정 타적 데이터가 작성되지 않고, 이 타적 데이터에 기초하여, 도 6(c) 에 나타내는 바와 같이, 도전성 잉크의 잉크 방울 (50a) 을 컨택트홀 (140) 내에 타적한다.Next, when the deformation | transformation of the board | substrate 130 is not detected by the alignment detection part 24, the correction image data which corrects the input data is not created by the 2nd image processing part 28, but is based on this data. As shown in FIG. 6C, the ink droplet 50a of the conductive ink is transferred into the contact hole 140.

한편, 얼라인먼트 검출부 (24) 에서 기판 (130) 의 변형이 검출된 경우, 제 2 화상 처리부 (28) 에서는 조사 데이터를 보정하는 보정 타적 데이터가 작성된다. 이 보정 타적 데이터에 기초하여, 도 6(c) 에 나타내는 바와 같이, 도전성 잉크의 잉크 방울 (50a) 을 컨택트홀 (140) 내에 타적한다.On the other hand, when the deformation | transformation of the board | substrate 130 is detected by the alignment detection part 24, the correction target data which corrects irradiation data is created by the 2nd image processing part 28. FIG. Based on this correction target data, as shown in FIG.6 (c), the ink droplet 50a of electroconductive ink is hit in the contact hole 140. FIG.

이와 같이, 기판 (130) 의 변형, 형성되어 있는 컨택트홀 (140) 의 형성 위치 등에 따라 적절히 컨택트홀 (140) 내에 잉크 방울 (50a) 을 타적한다.In this way, the ink droplet 50a is suitably targeted into the contact hole 140 in accordance with the deformation of the substrate 130 and the formation position of the formed contact hole 140.

또, 도전성 잉크의 특성 등, 필요에 따라, 자외선을 조사하거나, 또는 열을 가함으로써, 도전성 잉크의 잉크 방울 (50a) 을 경화시킨다. 이것에 의해, 도 6(d) 에 나타내는 바와 같이, 배선이 되는 비어 (112) 를 컨택트홀 (140) 내에 형성할 수 있다.Moreover, the ink droplet 50a of a conductive ink is hardened by irradiating an ultraviolet-ray or applying heat as needed, such as a characteristic of a conductive ink. Thereby, the via 112 used as wiring can be formed in the contact hole 140 as shown in FIG.6 (d).

본 실시형태에 있어서는, 상기 서술한 바와 같이, 기판 (100, 120, 130) 의 변형 (묘화의 변형을 포함한다) 을 검출하고, 레이저광 (L) 의 조사 위치의 어긋남을 억제할 수 있기 때문에, 비어홀 (110) (구멍부) 의 내면 (110a) 만을 개질할 수 있다. 이 때문에, 비어홀 (110) 의 내면 (110a) 이외의 잉크 방울 (50a) 의 비산을 방지할 수 있고, 비어 (112) 를 높은 정밀도로 형성할 수 있다. 또한, 기판 (100, 120, 130) 의 변형을 검출하고, 레이저광 (L) 의 조사 위치의 어긋남 및 잉크 방울의 타적 위치의 어긋남도 억제할 수 있기 때문에, 기판 (100, 120, 130) 이 플렉시블하고 변형되기 쉬운 것이라도 대응할 수 있고, 또한, 비어 (112) 를 높은 정밀도로 형성할 수 있다.In the present embodiment, as described above, the deformation of the substrates 100, 120, 130 (including the deformation of the drawing) can be detected and the deviation of the irradiation position of the laser beam L can be suppressed. Only the inner surface 110a of the via hole 110 (hole part) can be modified. For this reason, the scattering of ink droplets 50a other than the inner surface 110a of the via hole 110 can be prevented, and the via 112 can be formed with high precision. Furthermore, since the deformation | transformation of the board | substrates 100,120,130 can be detected and the shift | offset | difference of the position where the laser beam L was irradiated, and the shift | offset | difference of the other position of the ink droplet can also be suppressed, the board | substrate 100,120,130 is Even if it is flexible and easy to deform | transform, it can respond and the via 112 can be formed with high precision.

나아가서는, 레이저광 (L) 을 사용하여 개질하기 때문에, 표면 개질시의 에너지를 높게 할 수 있고, 수준 높은 표면 개질이 가능해진다. 이 때문에, 표면 개질을 고속화할 수 있고, 또한 비개질재의 조성의 배리에이션을 늘릴 수도 있다. 나아가서는, 반응 가스를 바꾸는 것에 의해, 다양한 조성의 기판, 다양한 조성의 잉크에 대응할 수 있다.Furthermore, since the modification is performed using the laser light L, the energy at the time of surface modification can be made high and the surface modification at a high level is possible. For this reason, surface modification can be speeded up and the variation of the composition of an unmodified material can also be increased. Furthermore, by changing the reaction gas, it is possible to cope with substrates of various compositions and inks of various compositions.

또, 본 실시형태에 있어서는, 레이저광 (L) 과 반응 가스를 사용하여 표면 개질을 실시하는 것이기 때문에, 세정 공정이 불필요하다. 이 때문에, 제조 공정을 간소화할 수 있다. 또한, 비어를 직접 형성하고 있기 때문에, 포토리소그래피법에 비해, 제조 공정을 간소화할 수 있어, 제조 비용을 저감할 수 있다.Moreover, in this embodiment, since surface modification is performed using the laser beam L and the reaction gas, a washing process is unnecessary. For this reason, a manufacturing process can be simplified. In addition, since the via is directly formed, the manufacturing process can be simplified as compared with the photolithography method, and the manufacturing cost can be reduced.

나아가서는, 기판 (100, 120, 130) 의 변형의 1 개의 검출 결과를 사용하여 레이저광 (L) 의 조사 위치, 및 잉크 방울의 타적 위치를 보정하고 있기 때문에, 레이저광 (L) 의 조사 위치의 보정, 및 잉크 방울 (50a) 의 타적 위치의 보정의 정밀도를 높게 할 수 있고, 나아가서는, 1 개의 검출 결과를 사용하기 때문에, 보정 조사 데이터, 보정 타적 데이터의 작성에 요하는 시간을 단축시킬 수 있다. 또한, 1 개의 검출 결과를 사용하면 되기 때문에, 변형 센서 (30) 의 수를 줄일 수 있어, 저비용화할 수 있다.Furthermore, since the irradiation position of the laser beam L and the other position of the ink droplet are corrected using one detection result of the deformation | transformation of the board | substrates 100, 120, 130, the irradiation position of the laser beam L And correction of the attack position of the ink drop 50a can be made higher, and furthermore, since one detection result is used, the time required for the generation of the correction survey data and the correction target data can be shortened. Can be. In addition, since one detection result should be used, the number of deformation sensors 30 can be reduced and cost can be reduced.

또, 본 실시형태에 있어서는, 비어홀, 스루홀, 컨택트홀 등의 구멍부가 형성된 기판을 사용하고 있다. 이들 비어홀, 스루홀, 컨택트홀 등은, 반도체 소자 및 다층 배선 기판 등의 제조 공정에서 사용되고 있는 공지된 형성 방법에 의해, 각각 비어홀, 스루홀, 컨택트홀 등의 형성 위치 정보에 기초하여 형성된다. Moreover, in this embodiment, the board | substrate with hole parts, such as a via hole, a through hole, and a contact hole, is used. These via holes, through holes, contact holes, and the like are formed on the basis of formation position information of via holes, through holes, contact holes, etc., respectively, by a known forming method used in manufacturing processes such as semiconductor elements and multilayer wiring boards.

또, 본 실시형태의 패턴 형성 장치 및 패턴 형성 방법은, 예를 들어 다층 배선 기판의 배선, TFT 의 배선 등에 사용할 수 있다. 보다 구체적으로는, 태양 전지, 전자 페이퍼, 유기 EL 소자, 유기 EL 디스플레이 등에 사용할 수 있고, 어느 경우도, 플렉시블한 기판이어도, 기판의 변형 (묘화의 변형) 을 보정할 수 있기 때문에, 바람직하다.In addition, the pattern forming apparatus and the pattern forming method of the present embodiment can be used, for example, for wiring of a multilayer wiring board, for wiring of a TFT, and the like. More specifically, since it can be used for a solar cell, an electronic paper, an organic EL element, an organic electroluminescent display, etc., in any case, even if it is a flexible board | substrate, since deformation of a board | substrate (deformation of drawing) can be correct | amended, it is preferable.

본 발명은, 기본적으로 이상과 같이 구성되는 것이다. 이상, 본 발명의 패턴 형성 방법 및 패턴 형성 장치에 관해서 상세히 설명했지만, 본 발명은 상기 실시형태에 한정되지 않고, 본 발명의 주지를 일탈하지 않는 범위에 있어서, 여러 가지 개량 또는 변경을 해도 되는 것은 물론이다.The present invention is basically configured as described above. As mentioned above, although the pattern formation method and pattern forming apparatus of this invention were demonstrated in detail, this invention is not limited to the said embodiment, A various improvement or change may be made in the range which does not deviate from the main point of this invention. Of course.

10 : 패턴 형성 장치
12 : 변형 검출 유닛
14 : 개질 처리 유닛
16 : 패턴 형성부
18 : 입력부
20 : 묘화 데이터 작성부
22 : 제어부
24 : 얼라인먼트 검출부
26 : 제 1 화상 처리부
28 : 제 2 화상 처리부
30 : 변형 센서
40 : 조사부
50 : 토출부
100, 120, 130 : 기판
110 : 비어홀
112 : 비어
122 : 스루홀
140 : 컨택트홀10: pattern forming apparatus
12: deformation detection unit
14: reforming unit
16: pattern forming part
18: input unit
20: drawing data creation unit
22:
24: alignment detection unit
26: first image processing unit
28: second image processing unit
30: strain sensor
40: investigation unit
50:
100, 120, 130: Substrate
110: beer hall
112: beer
122: through hole
140: contact hole

Claims (12)

구멍부가 형성된 기판에 대해서, 상기 기판의 변형을 검출하는 공정과,
상기 기판의 변형이 있는 경우에는, 상기 기판의 변형에 기초하여, 상기 구멍부에 레이저광을 조사하기 위한 조사 데이터를 보정하는 제 1 보정 데이터를 작성함과 함께, 상기 구멍부에 도전성 잉크를 타적하기 위한 타적 데이터를 보정하는 제 2 보정 데이터를 작성하는 공정과,
상기 기판의 상기 구멍부에 반응 가스를 공급하면서, 상기 구멍부의 내면에만 상기 레이저광을, 상기 기판의 변형이 없는 경우에는 상기 조사 데이터에 기초하여 조사하고, 상기 기판의 변형이 있는 경우에는 상기 제 1 보정 데이터에 기초하여 조사하여 상기 구멍부의 내면을 개질하는 공정과,
상기 구멍부에 상기 도전성 잉크를, 상기 기판의 변형이 없는 경우에는 상기 타적 데이터에 기초하여 타적하고, 상기 기판의 변형이 있는 경우에는 상기 제 2 보정 데이터에 기초하여 타적하는 공정을 갖는 것을 특징으로 하는 패턴 형성 방법.Detecting a deformation of the substrate with respect to the substrate on which the hole is formed;
If there is deformation of the substrate, first correction data for correcting irradiation data for irradiating a laser beam to the hole is created based on the deformation of the substrate, and the conductive ink is applied to the hole. Creating second correction data for correcting the target data to be performed;
While supplying a reaction gas to the hole of the substrate, the laser beam is irradiated only on the inner surface of the hole based on the irradiation data when there is no deformation of the substrate, and when the deformation of the substrate is present. 1 process of modifying the inner surface of the hole by irradiating based on the correction data;
And having the conductive ink in the hole in the hole in the absence of deformation of the substrate, and in the case of deformation of the substrate, in the case of deformation of the substrate, based on the second correction data. Pattern formation method. 제 1 항에 있어서,
상기 레이저광의 직경은, 도전성 잉크 방울의 직경보다 작은, 패턴 형성 방법.The method of claim 1,
The diameter of the said laser beam is a pattern formation method smaller than the diameter of a conductive ink droplet. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
상기 구멍부에 상기 도전성 잉크를 타적하는 공정은, 상기 도전성 잉크를 복수 회에 걸쳐 상기 구멍부에 상기 도전성 잉크를 타적하는, 패턴 형성 방법.3. The method according to claim 1 or 2,
The step of punching the conductive ink into the hole is a pattern forming method wherein the conductive ink is punched into the hole in a plurality of times. 제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 반응 가스는, 산소, 질소 또는 불소를 포함하는, 패턴 형성 방법.The method according to any one of claims 1 to 3,
The reaction gas contains oxygen, nitrogen, or fluorine. 제 1 항 내지 제 4 항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 구멍부는, 비어홀, 컨택트홀, 또는 스루홀인, 패턴 형성 방법.5. The method according to any one of claims 1 to 4,
The hole is a via hole, a contact hole, or a through hole, the pattern formation method. 제 1 항 내지 제 5 항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 구멍부는, 직경이 상기 기판의 두께 방향에 있어서 감소하고 있는, 패턴 형성 방법.6. The method according to any one of claims 1 to 5,
The hole is a pattern formation method, the diameter of which decreases in the thickness direction of the substrate. 구멍부가 형성된 기판에 대해서, 상기 기판의 변형을 검출하는 검출부와,
상기 기판의 상기 구멍부에 반응 가스를 공급하는 가스 공급부와,
상기 구멍부에 레이저광을 조사 데이터에 기초하여 조사하는 조사부와,
상기 구멍부에 도전성 잉크를 타적 데이터에 기초하여 타적하는 토출부와,
상기 구멍부의 배치 정보에 기초하는 상기 조사 데이터를 상기 조사부에 공급함과 함께, 상기 타적 데이터를 상기 토출부에 공급하는 데이터 공급부와,
상기 검출부에 의해 상기 기판에 변형이 검출된 경우에는, 상기 기판의 변형에 기초하여, 상기 조사 데이터를 보정하는 제 1 보정 데이터를 작성함과 함께, 상기 타적 데이터를 보정한 제 2 보정 데이터를 작성하는 보정 데이터 작성부를 갖고,
상기 가스 공급부에 의해 상기 기판의 상기 구멍부에 반응 가스를 공급하면서, 상기 조사부에 의해 상기 구멍부의 내면에만 상기 레이저광을, 상기 기판의 변형이 없는 경우에는 상기 조사 데이터에 기초하여 조사하고, 상기 기판의 변형이 있는 경우에는 상기 제 1 보정 데이터에 기초하여 조사하여 상기 구멍부의 내면을 개질하고,
상기 토출부에 의해 상기 구멍부에 상기 도전성 잉크를, 상기 기판의 변형이 없는 경우에는 상기 타적 데이터에 기초하여 타적하고, 상기 기판의 변형이 있는 경우에는 상기 제 2 보정 데이터에 기초하여 타적하는 것을 특징으로 하는 패턴 형성 장치.A detection unit for detecting deformation of the substrate with respect to the substrate on which the hole is formed;
A gas supply unit supplying a reaction gas to the hole of the substrate;
An irradiation unit for irradiating a laser beam to the hole based on irradiation data;
A discharge portion for repelling conductive ink on the hole portion based on target data;
A data supply part for supplying the irradiation data based on the arrangement information of the hole part to the irradiation part, and supplying the target data to the discharge part;
When deformation is detected in the substrate by the detection unit, first correction data for correcting the irradiation data is created based on the deformation of the substrate, and second correction data for correcting the target data is created. Having a correction data creation unit to
The laser beam is irradiated only on the inner surface of the hole by the irradiator based on the irradiation data when there is no deformation of the substrate while supplying a reaction gas to the hole of the substrate by the gas supply unit. If there is a deformation of the substrate, the inner surface of the hole is modified by irradiation based on the first correction data,
The conductive ink is applied to the hole portion by the discharge portion based on the strike data when there is no deformation of the substrate, and based on the second correction data when there is deformation of the substrate. Pattern forming apparatus characterized by the above-mentioned. 제 7 항에 있어서,
상기 레이저광의 직경은, 도전성 잉크 방울의 직경보다 작은, 패턴 형성 장치.The method of claim 7, wherein
The diameter of the said laser beam is a pattern forming apparatus smaller than the diameter of electroconductive ink droplet. 제 7 항 또는 제 8 항에 있어서,
상기 토출부는, 상기 구멍부에, 상기 도전성 잉크를 복수 회에 걸쳐 타적하는, 패턴 형성 장치.9. The method according to claim 7 or 8,
The said ejection part is a pattern forming apparatus which hits the said conductive ink several times in the said hole part. 제 7 항 내지 제 9 항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 반응 가스는, 산소, 질소 또는 불소를 포함하는, 패턴 형성 장치.10. The method according to any one of claims 7 to 9,
The reactive gas includes a pattern forming apparatus comprising oxygen, nitrogen or fluorine. 제 7 항 내지 제 10 항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 구멍부는, 비어홀, 컨택트홀, 또는 스루홀인, 패턴 형성 장치.11. The method according to any one of claims 7 to 10,
The hole is a pattern forming apparatus, a via hole, a contact hole, or a through hole. 제 7 항 내지 제 11 항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 구멍부는, 직경이 상기 기판의 두께 방향에 있어서 감소하고 있는, 패턴 형성 장치.12. The method according to any one of claims 7 to 11,
The said hole is a pattern forming apparatus whose diameter is decreasing in the thickness direction of the said board | substrate.
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