KR20140001795A - Positive-type photoresist composition for thick film, method for producing thick film resist pattern, and method for producing connection terminal - Google Patents

Positive-type photoresist composition for thick film, method for producing thick film resist pattern, and method for producing connection terminal Download PDF

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KR20140001795A KR1020130075459A KR20130075459A KR20140001795A KR 20140001795 A KR20140001795 A KR 20140001795A KR 1020130075459 A KR1020130075459 A KR 1020130075459A KR 20130075459 A KR20130075459 A KR 20130075459A KR 20140001795 A KR20140001795 A KR 20140001795A
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Abstract

Provided are a positive-type photoresist composition for a thick film, a method for producing a thick film resist pattern using the same, and a method for producing a connection terminal. The positive-type photoresist composition used for forming the thick film resist pattern on a supporter includes a resin component (A) in which the solubility for a developer is changed by actions of the acid; and an acid generator component (B) which generates acid by light exposure. The acid generator component (B) includes an acid generator (B1) which includes a compound represented by general formula (b1-1). [In the formula, Y^1 is a bivalent coupler; W is S, Se or I; R1 is a hydrocarbon having a substituent; R2 is an alkyl group with 1-5 hydrocarbons or alkoxy groups; if W=I, m+n=2; if W=S or Se, m+n=3, and m>=1, n>=0; p is 0-5; and X^- is double anion].

Description

후막용 포지티브형 레지스트 조성물, 후막 레지스트 패턴의 제조 방법, 접속 단자의 제조 방법{POSITIVE-TYPE PHOTORESIST COMPOSITION FOR THICK FILM, METHOD FOR PRODUCING THICK FILM RESIST PATTERN, AND METHOD FOR PRODUCING CONNECTION TERMINAL}Positive type resist composition for thick film, manufacturing method of thick film resist pattern, manufacturing method of connection terminal {POSITIVE-TYPE PHOTORESIST COMPOSITION FOR THICK FILM, METHOD FOR PRODUCING THICK FILM RESIST PATTERN, AND METHOD FOR PRODUCING CONNECTION TERMINAL}

본 발명은 후막용 포지티브형 레지스트 조성물에 있어서의 산 발생에 유용한 화합물을 포함하는 산 발생제를 함유하는 후막용 포지티브형 레지스트 조성물, 이 후막용 포지티브형 레지스트 조성물을 이용하는 레지스트 패턴의 제조 방법 및 접속 단자의 제조 방법에 관한 것이다.The present invention provides a positive resist composition for a thick film containing an acid generator containing a compound useful for acid generation in a positive resist composition for a thick film, a method for producing a resist pattern and a connection terminal using the positive resist composition for a thick film. It relates to a method for producing.

현재 포토 제작이 정밀 미세 가공 기술의 주류가 되고 있다. 포토 제작이란, 감광성 수지 조성물을 피가공물 표면에 도포해 도막을 형성하고, 포토리소그라피 기술에 의해 도막을 패터닝해, 패터닝된 도막을 마스크로 하여 화학 에칭, 전해 에칭, 또는 전기 도금을 주체로 하는 전기 주조(electroforming) 등을 실시해서 반도체 패키지 등의 각종 정밀 부품을 제조하는 기술의 총칭이다.Photo production is now the mainstream of precision micromachining technology. Photo production is applied to the surface of the workpiece by applying a photosensitive resin composition to form a coating film, and the coating film is patterned by photolithography technology, and the electrochemical mainly using chemical etching, electrolytic etching, or electroplating using the patterned coating film as a mask. It is a general term of the technology which manufactures various precision components, such as a semiconductor package by performing electroforming and the like.

또, 최근 전자기기의 다운사이징에 수반해 반도체 패키지의 고밀도 실장 기술이 진행되어, 패키지의 다핀 박막 실장화, 패키지 사이즈의 소형화, 플립 칩 방식에 의한 2차원 실장 기술, 3차원 실장 기술에 근거한 실장 밀도의 향상이 도모되고 있다. 이와 같은 고밀도 실장 기술에 있어서는 접속 단자로서 예를 들어, 패키지 상에 돌출된 범프 등의 돌기 전극(실장 단자)이나, 웨이퍼 상의 주변(peripheral) 단자로부터 연장되는 재배선과 실장 단자를 접속하는 메탈포스트 등이 기판 상에 고정도로 배치된다.In addition, with the recent downsizing of electronic devices, high-density packaging technology for semiconductor packages has been advanced, and package-based multi-pin thin film packaging, package size miniaturization, flip chip method, two-dimensional mounting technology, and three-dimensional mounting technology The improvement of the density is aimed at. In such a high-density mounting technique, as a connection terminal, for example, a protruding electrode (mounting terminal) such as a bump protruding on a package, a metal post connecting the redistribution line extending from a peripheral terminal on a wafer and the mounting terminal, etc. It is placed on the substrate with high accuracy.

상기와 같은 포토 제작에는 레지스트가 사용되지만, 포토 제작에 이용되는 레지스트로는 산 발생제를 포함하는 레지스트 조성물이 알려져 있다(예를 들어, 특허문헌 1, 2 참조). 레지스트는 방사선 조사(노광)에 의해 산 발생제로부터 산이 발생해 가열 처리에 의해 산의 확산이 촉진되어, 수지 조성물 중의 베이스 수지 등에 대해 산 촉매 반응을 일으켜 그 알칼리 용해성이 변화하는 것이다.Although resist is used for photo preparation as mentioned above, the resist composition containing an acid generator is known as a resist used for photo preparation (for example, refer patent document 1, 2). The resist generates an acid from an acid generator by irradiation (exposure), promotes diffusion of the acid by heat treatment, causes an acid catalyzed reaction with the base resin in the resin composition, and changes its alkali solubility.

또, 상기와 같은 포토 제작에 사용되는 레지스트로서 후막용 레지스트가 있다. 후막용 레지스트는 예를 들어, 도금 공정에 의한 범프나 메탈포스트의 형성 등에 이용되고 있다. 예를 들어, 지지체 상에 막 두께 약 20㎛의 후막 레지스트층을 형성하고, 소정의 마스크 패턴을 통하여 노광하고 현상하여 범프나 메탈포스트를 형성하는 부분이 선택적으로 제거(박리)된 레지스트 패턴을 형성한다. 그리고, 이 제거된 부분(비레지스트부)에 구리 등의 도체를 도금에 의해 매립한 후, 그 주위의 레지스트 패턴을 제거함으로써 범프나 메탈포스트를 형성할 수 있다.Moreover, there exists a thick film resist as a resist used for photo production as mentioned above. The thick film resist is used, for example, for forming bumps or metal posts by a plating process. For example, a thick film resist layer having a thickness of about 20 μm is formed on a support, and a resist pattern is formed by selectively removing (peeling) a portion forming a bump or a metal post by exposing and developing through a predetermined mask pattern. do. Then, after the conductor (such as copper) is embedded in the removed portion (non-resist portion) by plating, bumps and metal posts can be formed by removing the resist pattern around it.

일본 특개 평9-176112호 공보Japanese Patent Application Laid-Open No. 9-176112 일본 특개 평11-52562호 공보Japanese Patent Application Laid-Open No. 11-52562 일본 특개 평6-184170호 공보Japanese Patent Laid-Open No. 6-184170

향후 반도체 패키지가 보다 한층 고밀도화됨에 따라 돌기 전극이나 메탈포스트의 추가적인 고밀도화가 요구되게 된다. 이 때문에, 레지스트 조성물을 후막용 레지스트로서 사용했을 경우, 돌기 전극이나 메탈포스트의 추가적인 고밀도화를 실현하기 위해서, 보다 고감도로 마스크 충실성이 높은 후막용 레지스트 조성물이 요구되게 된다.As semiconductor packages become denser in the future, further densification of the protruding electrodes or metal posts is required. For this reason, when using a resist composition as a resist for thick films, in order to realize the further high density of a protruding electrode and a metal post, the resist composition for thick films which has high sensitivity of mask with high sensitivity is calculated | required.

그렇지만, 종래의 산 발생제나 산 발생능을 가지는 구성 단위를 이용했을 경우, 감도 등에는 아직도 개량의 여지가 있었다.However, when a conventional acid generator or a structural unit having an acid generating ability is used, there is still room for improvement in sensitivity and the like.

본 발명은 상기 사정을 감안해 이루어진 것으로서, 후막용 포지티브형 레지스트 조성물에 있어서의 산 발생에 유용한 산 발생제를 함유하는 후막용 포지티브형 레지스트 조성물, 이 후막용 포지티브형 레지스트 조성물을 이용하는 레지스트 패턴 형성 방법 및 접속 단자의 제조 방법을 제공하는 것을 과제로 한다.The present invention has been made in view of the above circumstances, and a positive resist composition for a thick film containing an acid generator useful for acid generation in a positive resist composition for thick films, a resist pattern forming method using the positive resist composition for thick films, and It is a subject to provide a manufacturing method of a connection terminal.

상기의 과제를 해결하기 위해서, 본 발명은 다음과 같은 구성을 채용했다.In order to solve the said subject, this invention employ | adopted the following structures.

즉, 본 발명의 제 1 태양은 지지체 상에 후막 레지스트 패턴을 형성하기 위해서 이용되는 포지티브형 레지스트 조성물로서, 산의 작용에 의해 현상액에 대한 용해성이 변화하는 수지 성분 (A) 및 노광에 의해 산을 발생시키는 산 발생제 성분 (B)를 함유해서 이루어지고, That is, the first aspect of the present invention is a positive resist composition used for forming a thick film resist pattern on a support, wherein the resin component (A) in which the solubility in a developer changes due to the action of an acid and acid is exposed by exposure. Containing the acid generator component (B) to be generated,

상기 산 발생제 성분 (B)가 하기 일반식 (b1-1)로 나타내는 화합물을 포함하는 산 발생제 (B1)을 함유하는 것을 특징으로 하는 후막용 포지티브형 레지스트 조성물이다.The said acid generator component (B) contains the acid generator (B1) containing the compound represented by following General formula (b1-1), It is a positive resist composition for thick films.

Figure pat00001
Figure pat00001

[식 중, Y1은 2가의 연결기이고, W는 S, Se 또는 I이며, R1은 치환기를 가지고 있어도 되는 탄화수소기이고, R2는 탄소수 1~5의 알킬기 또는 알콕시기이다. W=I의 경우 m+n=2이고, W=S, Se의 경우, m+n=3이며, 또한 m≥1, n≥0이다. p는 0~5이다. X-는 쌍음이온이다.][Wherein, Y 1 is a divalent linking group, W is S, Se or I, R 1 is a hydrocarbon group which may have a substituent, and R 2 is a C1-C5 alkyl or alkoxy group. M + n = 2 for W = I, m + n = 3 for W = S and Se, and m ≧ 1 and n ≧ 0. p is 0-5. X - is a dianion.]

본 발명의 제 2 태양은 지지체 상에 상기 후막용 포지티브형 레지스트 조성물을 포함하는 후막 레지스트층을 적층하는 적층 공정과, 상기 후막 레지스트층에 활성 광선 또는 방사선을 선택적으로 조사하는 노광 공정과, 상기 노광 공정에서 노광된 상기 후막 레지스트층을 현상해 후막 레지스트 패턴을 얻는 현상 공정을 포함하는 후막 레지스트 패턴의 제조 방법이다.According to a second aspect of the present invention, there is provided a lamination step of laminating a thick film resist layer containing the positive resist composition for thick films on a support, an exposure step of selectively irradiating active light or radiation to the thick film resist layer, and the exposure step. It is a manufacturing method of the thick film resist pattern containing the developing process of developing the said thick film resist layer exposed at the process and obtaining a thick film resist pattern.

본 발명의 제 3 태양은 상기 후막 레지스트 패턴의 제조 방법을 이용해 얻어지는 후막 레지스트 패턴의 비레지스트부에 도체로 이루어진 접속 단자를 형성하는 공정을 포함하는 접속 단자의 제조 방법이다.The 3rd aspect of this invention is a manufacturing method of the connection terminal including the process of forming the connection terminal which consists of a conductor in the non-resist part of the thick film resist pattern obtained using the manufacturing method of the said thick film resist pattern.

본 발명에 의하면, 후막용 포지티브형 레지스트 조성물에 있어서의 산 발생에 유용한 산 발생제를 함유하는 후막용 포지티브형 레지스트 조성물, 이 후막용 포지티브형 레지스트 조성물을 이용하는 레지스트 패턴 형성 방법 및 접속 단자의 제조 방법을 제공할 수 있다.According to the present invention, a positive resist composition for a thick film containing an acid generator useful for acid generation in a positive resist composition for a thick film, a resist pattern forming method using the positive resist composition for a thick film, and a manufacturing method of a connection terminal Can be provided.

본 명세서 및 본 특허청구범위에서, 「지방족」이란, 방향족에 대한 상대적 개념으로서, 방향족성을 가지지 않는 기, 화합물 등을 의미하는 것이라고 정의한다.In the present specification and the claims, "aliphatic" is defined as a relative concept with respect to aromatic, meaning a group, a compound, or the like having no aromaticity.

「알킬기」는 특별히 언급이 없는 한, 직쇄상, 분기쇄상 및 환상의 1가의 포화 탄화수소기를 포함하는 것으로 한다."Alkyl group" shall contain a linear, branched, and cyclic monovalent saturated hydrocarbon group unless there is particular notice.

「알킬렌기」는 특별히 언급이 없는 한, 직쇄상, 분기쇄상 및 환상의 2가의 포화 탄화수소기를 포함하는 것으로 한다. 알콕시기 중의 알킬기도 마찬가지이다."Alkylene group" shall contain a linear, branched, and cyclic divalent saturated hydrocarbon group unless there is particular notice. The alkyl group in an alkoxy group is the same.

「할로겐화 알킬기」는 알킬기의 수소 원자의 일부 또는 전부가 할로겐 원자로 치환된 기이며, 이 할로겐 원자로는 불소 원자, 염소 원자, 브롬 원자, 요오드 원자를 들 수 있다.The "halogenated alkyl group" is a group in which a part or all of the hydrogen atoms of the alkyl group are substituted with halogen atoms, and examples of the halogen atom include a fluorine atom, a chlorine atom, a bromine atom and an iodine atom.

「불소화 알킬기」또는 「불소화 알킬렌기」는 알킬기 또는 알킬렌기의 수소 원자의 일부 또는 전부가 불소 원자로 치환된 기를 말한다.The " fluorinated alkyl group " or " fluorinated alkylene group " refers to a group in which a part or all of the hydrogen atoms of the alkyl group or alkylene group are substituted with fluorine atoms.

「구성 단위」란, 고분자 화합물(수지, 중합체, 공중합체)을 구성하는 모노머 단위 (단량체 단위)를 의미한다.A "structural unit" means the monomeric unit (monomer unit) which comprises a high molecular compound (resin, a polymer, a copolymer).

「아크릴산 에스테르로부터 유도되는 구성 단위」란, 아크릴산 에스테르의 에틸렌성 이중 결합이 개열해 구성되는 구성 단위를 의미한다.The term "structural unit derived from an acrylate ester" means a structural unit in which an ethylenic double bond of an acrylate ester is cleaved and constituted.

「아크릴산 에스테르」는 아크릴산(CH2=CH-COOH)의 카르복시기 말단의 수소 원자가 유기기로 치환된 화합물이다."Acrylic acid ester" is a compound in which the hydrogen atom at the carboxyl terminal end of acrylic acid (CH 2 ═CH-COOH) is substituted with an organic group.

아크릴산 에스테르는 α위치의 탄소 원자에 결합한 수소 원자가 치환기로 치환되어 있어도 된다. 이 α위치의 탄소 원자에 결합한 수소 원자를 치환하는 치환기(Rα)는 수소 원자 이외의 원자 또는 기이며, 예를 들어 탄소수 1~5의 알킬기, 탄소수 1~5의 할로겐화 알킬기, 히드록시알킬기 등을 들 수 있다. 또한, 아크릴산 에스테르의 α위치의 탄소 원자란, 특별히 언급이 없는 한, 카르보닐기가 결합하고 있는 탄소 원자이다.The acrylic acid ester may have a hydrogen atom bonded to the carbon atom at the? -Position thereof substituted with a substituent. The substituent (R α ) for substituting a hydrogen atom bonded to a carbon atom at the α position is an atom or group other than a hydrogen atom, and for example, an alkyl group having 1 to 5 carbon atoms, a halogenated alkyl group having 1 to 5 carbon atoms, a hydroxyalkyl group, or the like. Can be mentioned. In addition, the carbon atom of the (alpha) position of an acrylic acid ester is a carbon atom which the carbonyl group couple | bonds unless there is particular notice.

이하, α위치의 탄소 원자에 결합한 수소 원자가 치환기로 치환된 아크릴산 에스테르를 α치환 아크릴산 에스테르라고 하는 경우가 있다. 또, 아크릴산 에스테르와 α치환 아크릴산 에스테르를 포괄해 「(α치환) 아크릴산 에스테르」라고 하는 경우가 있다.Hereinafter, the acrylic ester in which the hydrogen atom couple | bonded with the carbon atom of the (alpha) position was substituted by the substituent may be called (alpha) substituted acrylic ester. In some cases, an acrylic acid ester and an? -Substituted acrylic acid ester are referred to as "(? -Substituted) acrylic acid ester".

「히드록시스티렌 혹은 히드록시스티렌 유도체로부터 유도되는 구성 단위」란, 히드록시스티렌 혹은 히드록시스티렌 유도체의 에틸렌성 이중 결합이 개열해 구성되는 구성 단위를 의미한다.The term "structural unit derived from hydroxystyrene or hydroxystyrene derivative" means a structural unit in which an ethylenic double bond of hydroxystyrene or hydroxystyrene derivative is cleaved and constituted.

「히드록시스티렌 유도체」란, 히드록시스티렌의 α위치의 수소 원자가 알킬기, 할로겐화 알킬기 등의 다른 치환기로 치환된 것 및 이들의 유도체를 포함하는 개념으로 한다. 이들 유도체로는 α위치의 수소 원자가 치환기로 치환되어 있어도 되는 히드록시스티렌의 수산기의 수소 원자를 유기기로 치환한 것, α위치의 수소 원자가 치환기로 치환되어 있어도 되는 히드록시스티렌의 벤젠환에 수산기 이외의 치환기가 결합한 것 등을 들 수 있다. 또한, α위치(α위치의 탄소 원자)란, 특별히 언급이 없는 한, 벤젠환이 결합하고 있는 탄소 원자를 말한다."Hydroxystyrene derivative" is taken as the concept containing the thing substituted by the other substituents, such as an alkyl group and a halogenated alkyl group, in the hydrogen position of the hydroxystyrene in the (alpha) position, and these derivatives. Examples of these derivatives include those obtained by substituting the hydrogen atom of the hydroxyl group of the hydroxystyrene which may be substituted with a hydrogen atom at the α-position with an organic group, with the benzene ring of the hydroxystyrene where the hydrogen atom at the α- , And the like. The? Position (carbon atom at?) Refers to a carbon atom to which a benzene ring is bonded unless otherwise specified.

히드록시스티렌의 α위치의 수소 원자를 치환하는 치환기로는 상기 α치환 아크릴산 에스테르에 있어서, α위치의 치환기로서 든 것과 동일한 것을 들 수 있다.As a substituent which substitutes the hydrogen atom of the (alpha) position of hydroxy styrene, the thing similar to what was mentioned as a substituent of the (alpha) position in the said (substituted) acrylic acid ester is mentioned.

「비닐 벤조산 혹은 비닐 벤조산 유도체로부터 유도되는 구성 단위」란, 비닐 벤조산 혹은 비닐 벤조산 유도체의 에틸렌성 이중 결합이 개열해 구성되는 구성 단위를 의미한다.The "structural unit derived from a vinylbenzoic acid or a vinylbenzoic acid derivative" means a structural unit in which an ethylenic double bond of a vinylbenzoic acid or a vinylbenzoic acid derivative is cleaved and constituted.

「비닐 벤조산 유도체」란, 비닐 벤조산의 α위치의 수소 원자가 알킬기, 할로겐화 알킬기 등의 다른 치환기로 치환된 것 및 이들 유도체를 포함하는 개념으로 한다. 이들 유도체로는 α위치의 수소 원자가 치환기로 치환되어 있어도 되는 비닐 벤조산의 카르복시기의 수소 원자를 유기기로 치환한 것, α위치의 수소 원자가 치환기로 치환되어 있어도 되는 비닐 벤조산의 벤젠환에 수산기 및 카르복시기 이외의 치환기가 결합한 것 등을 들 수 있다. 또한, α위치(α위치의 탄소 원자)란, 특별히 언급이 없는 한, 벤젠환이 결합하고 있는 탄소 원자를 말한다.A "vinyl benzoic acid derivative" is taken as the concept containing the thing substituted by the other substituents, such as an alkyl group and a halogenated alkyl group, in the hydrogen position of the alpha position of vinyl benzoic acid, and these derivatives. As these derivatives, the hydrogen atom of the carboxy group of vinyl benzoic acid in which the hydrogen atom in the α position may be substituted with an organic group, and the hydroxyl group in the benzene ring of the vinyl benzoic acid in which the hydrogen atom in the α position may be substituted with the substituent other than the hydroxyl group and the carboxyl group The thing which the substituent of couple | bonded together etc. are mentioned. The? Position (carbon atom at?) Refers to a carbon atom to which a benzene ring is bonded unless otherwise specified.

「스티렌」이란, 스티렌 및 스티렌의 α위치의 수소 원자가 알킬기, 할로겐화 알킬기 등의 다른 치환기로 치환된 것도 포함하는 개념으로 한다.The term " styrene " includes the concept that hydrogen atoms at the [alpha] -position of styrene and styrene are substituted with other substituents such as an alkyl group and a halogenated alkyl group.

「스티렌으로부터 유도되는 구성 단위」, 「스티렌 유도체로부터 유도되는 구성 단위」란, 스티렌 또는 스티렌 유도체의 에틸렌성 이중 결합이 개열해 구성되는 구성 단위를 의미한다."Constituent unit derived from styrene" and "constituent unit derived from styrene derivative" refer to a constituent unit in which an ethylene double bond of styrene or styrene derivative is formed by cleavage.

상기 α위치의 치환기로서의 알킬기는 직쇄상 또는 분기쇄상의 알킬기가 바람직하고, 구체적으로는 탄소수 1~5의 알킬기(메틸기, 에틸기, 프로필기, 이소프로필기, n-부틸기, 이소부틸기, tert-부틸기, 펜틸기, 이소펜틸기, 네오펜틸기) 등을 들 수 있다.The alkyl group as the substituent at the? -Position is preferably a linear or branched alkyl group, and more specifically, an alkyl group having 1 to 5 carbon atoms such as a methyl group, an ethyl group, a propyl group, an isopropyl group, -Butyl group, pentyl group, isopentyl group, neopentyl group).

또, α위치의 치환기로서의 할로겐화 알킬기는 구체적으로는 상기 「α위치의 치환기로서의 알킬기」의 수소 원자의 일부 또는 전부를 할로겐 원자로 치환한 기를 들 수 있다. 이 할로겐 원자로는 불소 원자, 염소 원자, 브롬 원자, 요오드 원자 등을 들 수 있으며, 특히 불소 원자가 바람직하다.Moreover, the halogenated alkyl group as a substituent of the (alpha) position specifically, mention | raise | lifted the group which substituted one part or all the hydrogen atoms of the said "alkyl group as a substituent of the (alpha) position" by the halogen atom. Examples of the halogen atom include a fluorine atom, a chlorine atom, a bromine atom and an iodine atom, and a fluorine atom is particularly preferable.

또, α위치의 치환기로서의 히드록시알킬기는 구체적으로는 상기 「α위치의 치환기로서의 알킬기」의 수소 원자의 일부 또는 전부를 수산기로 치환한 기를 들 수 있다. 이 히드록시알킬기에 있어서의 수산기의 수는 1~5가 바람직하고, 1이 가장 바람직하다.Moreover, the hydroxyalkyl group as a substituent of an alpha position can mention the group which substituted one part or all of the hydrogen atom of the "alkyl group as a substituent of alpha position" with a hydroxyl group specifically ,. 1-5 are preferable and, as for the number of the hydroxyl groups in this hydroxyalkyl group, 1 is the most preferable.

「치환기를 가지고 있어도 되는」이라고 기재하는 경우, 수소 원자(-H)를 1가의 기로 치환하는 경우와 메틸렌기(-CH2-)를 2가의 기로 치환하는 경우 양쪽 모두를 포함한다.When it described as "which may have a substituent", and a methylene group (-CH 2 -) When substituting the hydrogen atom (-H) groups substituted monovalent When the divalent group includes both.

「노광」은 방사선의 조사 전반을 포함하는 개념으로 한다.&Quot; Exposure " is a concept including the entire irradiation of radiation.

본 발명의 후막용 포지티브형 레지스트 조성물은 산의 작용에 의해 현상액에 대한 용해성이 변화하는 수지 성분 (A) 및 노광에 의해 산을 발생시키는 산 발생제 성분 (B)를 함유해서 이루어지고, 상기 산 발생제 성분 (B)가 하기 일반식 (b1-1)로 나타내는 화합물을 포함하는 산 발생제 (B1)을 함유하는 것을 특징으로 하는 후막용 포지티브형 레지스트 조성물이다.The positive resist composition for thick films of this invention contains the resin component (A) which changes the solubility to a developing solution by the action of an acid, and the acid generator component (B) which generate | occur | produces an acid by exposure, The said acid It is a positive resist composition for thick films which a generator component (B) contains the acid generator (B1) containing the compound represented by following General formula (b1-1).

Figure pat00002
Figure pat00002

[식 중, Y1은 2가의 연결기이고, W는 S, Se 또는 I이며, R1은 치환기를 가지고 있어도 되는 탄화수소기이고, R2는 탄소수 1~5의 알킬기 또는 알콕시기이다. W=I의 경우 m+n=2이고, W=S, Se의 경우, m+n=3이며, 또한 m≥1, n≥0이다. p는 0~5이다. X-는 쌍음이온이다.][Wherein, Y 1 is a divalent linking group, W is S, Se or I, R 1 is a hydrocarbon group which may have a substituent, and R 2 is a C1-C5 alkyl or alkoxy group. M + n = 2 for W = I, m + n = 3 for W = S and Se, and m ≧ 1 and n ≧ 0. p is 0-5. X - is a dianion.]

<수지 성분 (A)>≪ Resin component (A) >

산의 작용에 의해 알칼리에 대한 용해성이 변화하는 수지 성분 (A)로는 특별히 한정되지 않고, 산의 작용에 의해 알칼리에 대한 용해성이 변화하는 임의의 수지를 이용할 수 있다. 그 중에서도, 노볼락 수지 (Anv1), 폴리히드록시스티렌 수지 (Aphs1) 및 아크릴 수지 (Aac1)로 이루어진 군으로부터 선택되는 적어도 1종의 수지를 함유하는 것이 바람직하다.It does not specifically limit as a resin component (A) which changes the solubility to alkali by the action of an acid, Any resin which changes solubility to an alkali by the action of an acid can be used. Among them, it is preferable to contain at least one resin selected from the group consisting of a novolac resin (Anv1), a polyhydroxystyrene resin (Aphs1) and an acrylic resin (Aac1).

수지 성분 (A)는 산의 작용에 의해 극성이 변화하는 산 분해성 기를 포함한다.The resin component (A) includes an acid-decomposable group whose polarity changes by the action of an acid.

「산 분해성 기」는 산의 작용에 의해, 상기 산 분해성 기의 구조 중 적어도 일부의 결합이 개열할 수 있는 산 분해성을 가지는 기이다.An "acid-decomposable group" is a group having an acid-decomposable property that at least part of the bonds in the structure of the acid-decomposable group can cleave by the action of an acid.

산의 작용에 의해 극성이 증대하는 산 분해성 기로는 예를 들어, 산의 작용에 의해 분해해 극성기를 발생시키는 기를 들 수 있다.As an acid-decomposable group in which polarity increases by the action of an acid, the group which decomposes by the action of an acid and produces | generates a polar group is mentioned, for example.

극성기로는 예를 들어 카르복시기, 수산기, 아미노기, 술포기(-SO3H) 등을 들 수 있다. 이들 중에서도, 구조 중에 -OH를 함유하는 극성기(이하 「OH 함유 극성기」라고 하는 경우가 있음)가 바람직하고, 카르복시기 또는 수산기가 바람직하며, 카르복시기가 특히 바람직하다.Examples of the polar group include a carboxy group, a hydroxyl group, an amino group, and a sulfo group (-SO 3 H). Among these, a polar group (hereinafter sometimes referred to as an "OH-containing polar group") in the structure is preferable, a carboxyl group or a hydroxyl group is preferable, and a carboxyl group is particularly preferable.

산 분해성 기로서 보다 구체적으로는 상기 극성기가 산 해리성 기로 보호된 기(예를 들어, OH 함유 극성기의 수소 원자를 산 해리성 기로 보호한 기)를 들 수 있다.As an acid-decomposable group, the group by which the said polar group was protected by the acid dissociable group (for example, the group which protected the hydrogen atom of the OH containing polar group by the acid dissociable group) is mentioned.

여기서 「산 해리성 기」란,The term " acid dissociable group "

(i) 산의 작용에 의해, 상기 산 해리성 기와 이 산 해리성 기에 인접하는 원자 사이의 결합이 개열할 수 있는 산 해리성을 가지는 기, 또는(i) a group having an acid-dissociable property by which the bond between the acid dissociable group and an atom adjacent to the acid dissociable group can be cleaved by the action of an acid, or

(ii) 산의 작용에 의해 일부의 결합이 개열한 후, 추가로 탈탄산 반응이 생김으로써, 상기 산 해리성 기와 이 산 해리성 기에 인접하는 원자 사이의 결합이 개열할 수 있는 기 모두를 말한다.(ii) refers to both the groups capable of cleaving the bond between the acid dissociable group and an atom adjacent to the acid dissociable group by cleaving a portion of the bond by the action of the acid, and then further decarbonizing reaction. .

산 분해성 기를 구성하는 산 해리성 기는 상기 산 해리성 기의 해리에 의해 생성되는 극성기보다 극성이 낮은 기인 것이 필요하고, 이것에 의해, 산의 작용에 의해 이 산 해리성 기가 해리했을 때에, 이 산 해리성 기보다 극성이 높은 극성기가 생겨 극성이 증대한다. 그 결과, (A1) 성분 전체의 극성이 증대한다. 극성이 증대함으로써, 상대적으로 현상액에 대한 용해성이 변화해, 현상액이 알칼리 현상액인 경우에는 용해성이 증대하고, 현상액이 유기계 현상액인 경우에는 용해성이 감소한다.The acid dissociable group constituting the acid-decomposable group is required to be a group having a lower polarity than the polar group produced by dissociation of the acid dissociable group, whereby when the acid dissociable group dissociates due to the action of the acid, A polar group having a polarity higher than that of a dissociative group is generated to increase the polarity. As a result, the polarity of the entire component (A1) increases. As the polarity increases, the solubility in the developer relatively changes. When the developer is an alkaline developer, the solubility increases. When the developer is an organic developer, the solubility decreases.

산 해리성 기로는 특별히 한정되지 않고, 지금까지 화학 증폭형 레지스트용 베이스 수지의 산 해리성 기로서 제안되고 있는 것을 사용할 수 있다.It does not specifically limit as an acid dissociable group, The thing currently proposed as an acid dissociable group of the base resin for chemically amplified resist can be used.

상기 극성기 중 카르복시기 또는 수산기를 보호하는 산 해리성 기로는 예를 들어, 하기 일반식 (a1-r-1)로 나타내는 산 해리성 기(이하, 「아세탈형 산 해리성 기」라고 하는 경우가 있음)를 들 수 있다.As an acid dissociable group which protects a carboxyl group or a hydroxyl group among the said polar groups, the acid dissociable group represented by the following general formula (a1-r-1) (hereinafter, may be called "acetal type acid dissociable group"). ).

Figure pat00003
Figure pat00003

[식 중, Ra'1, Ra'2는 수소 원자 또는 알킬기이며, Ra'3은 탄화수소기로서 Ra'3은 Ra'1, Ra'2 중 어느 하나와 결합해 고리를 형성해도 된다.][Wherein, Ra '1, Ra' 2 is a hydrogen atom or an alkyl group, Ra '3 is a hydrocarbon group Ra' is 3 to form a ring in combination with any one of Ra '1, Ra' 2. ]

식 (a1-r-1) 중, Ra'1 및 Ra'2 가운데, 적어도 한쪽이 수소 원자인 것이 바람직하고, 양쪽 모두가 수소 원자인 것이 보다 바람직하다.In formula (a1-r-1), at least one of Ra ' 1 and Ra' 2 is preferably a hydrogen atom, and more preferably both are hydrogen atoms.

Ra'1 또는 Ra'2가 알킬기인 경우, 이 알킬기로는 상기 α치환 아크릴산 에스테르에 대한 설명에서, α위치의 탄소 원자에 결합해도 되는 치환기로서 든 알킬기와 동일한 것을 들 수 있으며 탄소수 1~5의 알킬기가 바람직하다. 구체적으로는 메틸기, 에틸기, 프로필기, 이소프로필기, n-부틸기, 이소부틸기, tert-부틸기, 펜틸기, 이소펜틸기, 네오펜틸기 등의 직쇄상 또는 분기쇄상의 알킬기를 들 수 있고, 메틸기 또는 에틸기가 바람직하며, 메틸기가 특히 바람직하다.When Ra ' 1 or Ra' 2 is an alkyl group, examples of the alkyl group include the same alkyl groups as the substituents which may be bonded to a carbon atom in the α-position in the description of the α-substituted acrylic acid ester, and each having 1 to 5 carbon atoms. Alkyl groups are preferred. Specifically, straight chain or branched chain alkyl groups such as methyl, ethyl, propyl, isopropyl, n-butyl, isobutyl, tert-butyl, pentyl, isopentyl and neopentyl groups And a methyl group or an ethyl group is preferable, and a methyl group is particularly preferable.

식 (a1-r-1) 중, Ra'3의 탄화수소기로는 직쇄상, 분기쇄상 또는 환상의 알킬기를 들 수 있다. 이 직쇄상의 알킬기는 탄소수가 1~5인 것이 바람직하고, 1~4가 보다 바람직하며, 1 또는 2가 더욱 바람직하다. 구체적으로는 메틸기, 에틸기, n-프로필기, n-부틸기, n-펜틸기 등을 들 수 있다. 이들 중에서도, 메틸기, 에틸기 또는 n-부틸기가 바람직하고, 메틸기 또는 에틸기가 보다 바람직하다.In formula (a1-r-1), a hydrocarbon group of Ra ' 3 includes a linear, branched or cyclic alkyl group. The straight-chain alkyl group preferably has 1 to 5 carbon atoms, more preferably 1 to 4 carbon atoms, and even more preferably 1 or 2 carbon atoms. Specific examples include methyl, ethyl, n-propyl, n-butyl and n-pentyl. Among them, a methyl group, an ethyl group or an n-butyl group is preferable, and a methyl group or an ethyl group is more preferable.

이 분기쇄상의 알킬기는 탄소수가 3~10인 것이 바람직하고, 3~5가 보다 바람직하다. 구체적으로는 이소프로필기, 이소부틸기, tert-부틸기, 이소펜틸기, 네오펜틸기 등을 들 수 있고, 이소프로필기인 것이 가장 바람직하다.The branched alkyl group preferably has 3 to 10 carbon atoms, more preferably 3 to 5 carbon atoms. Specifically, isopropyl, isobutyl, tert-butyl, isopentyl, neopentyl and the like are preferable, and an isopropyl group is most preferable.

이 환상의 알킬기는 탄소수 3~20인 것이 바람직하고, 4~12가 보다 바람직하다. 구체적으로는 시클로펜탄, 시클로헥산 등의 모노시클로알칸이나, 아다만탄, 노르보난, 이소보르난, 트리시클로데칸, 테트라시클로도데칸 등의 폴리시클로알칸으로부터 1개 이상의 수소 원자를 제외한 기 등을 들 수 있다. 환상의 알킬기의 고리를 구성하는 탄소 원자의 일부가 에테르성 산소 원자(-O-)로 치환되어 있어도 된다.The cyclic alkyl group preferably has 3 to 20 carbon atoms, more preferably 4 to 12 carbon atoms. Specifically, monocycloalkane such as cyclopentane, cyclohexane, etc., or a group excluding at least one hydrogen atom from a polycycloalkane such as adamantane, norbornane, isoborane, tricyclodecane, or tetracyclododecane, . A part of the carbon atoms constituting the ring of the cyclic alkyl group may be substituted with an etheric oxygen atom (-O-).

Ra'3이 Ra'1, Ra'2 중 어느 하나와 결합해 고리를 형성하는 경우, 이 환식기로는 4~7원환이 바람직하고, 4~6원환이 보다 바람직하다. 이 환식기의 구체적인 예로는 테트라히드로피라닐기, 테트라히드로푸라닐기 등을 들 수 있다.When Ra ' 3 is bonded to any one of Ra' 1 and Ra ' 2 to form a ring, the ring is preferably a 4- to 7-membered ring, and more preferably a 4- to 6-membered ring. Specific examples of the cyclic group include a tetrahydropyranyl group, a tetrahydrofuranyl group, and the like.

상기 극성기 가운데, 카르복시기를 보호하는 산 해리성 기로는 예를 들어, 하기 일반식 (a1-r-2)로 나타내는 산 해리성 기를 들 수 있다(하기 식 (a1-r-2)로 나타내는 산 해리성 기 가운데, 알킬기에 의해 구성되는 것을 이하, 편의상 「제3급 알킬에스테르형 산 해리성 기」라고 하는 경우가 있음).Examples of the acid dissociable group for protecting the carboxyl group among the polar groups include an acid dissociable group represented by the following general formula (a1-r-2) (acid dissociation represented by the following formula (a1-r-2) Among these groups, those constituted by an alkyl group are hereinafter referred to as " tertiary alkyl ester-type acid-dissociable group " for convenience).

Figure pat00004
Figure pat00004

[식 중, Ra'4~Ra'6은 각각 탄화수소기로서, Ra'5, Ra'6은 서로 결합해 고리를 형성해도 된다.][Wherein, Ra ' 4 to Ra' 6 are each a hydrocarbon group, and Ra ' 5 and Ra' 6 may be bonded to each other to form a ring.]

Ra'4~Ra'6의 탄화수소기로는 상기 Ra'3과 동일한 것을 들 수 있다.Examples of the hydrocarbon group of Ra ' 4 to Ra' 6 include the same groups as those of Ra ' 3 above.

Ra'4는 탄소수 1~5의 알킬기인 것이 바람직하다. Ra'5와 Ra'6이 서로 결합해 고리를 형성하는 경우, 하기 일반식 (a1-r2-1)로 나타내는 기를 들 수 있다. 한편, Ra'4~Ra'6이 서로 결합하지 않고, 독립한 탄화수소기인 경우, 하기 일반식 (a1-r2-2)로 나타내는 기를 들 수 있다.Ra ' 4 is preferably an alkyl group having 1 to 5 carbon atoms. When Ra ' 5 and Ra' 6 are bonded to each other to form a ring, the group represented by the following general formula (a1-r2-1) may be mentioned. On the other hand, when Ra ' 4 to Ra' 6 do not bond with each other and are independent hydrocarbon groups, groups represented by the following general formula (a1-r2-2) are mentioned.

Figure pat00005
Figure pat00005

[식 중, Ra'10은 탄소수 1~10의 알킬기, Ra'11은 Ra'10이 결합한 탄소 원자와 함께 지방족 환식기를 형성하는 기, Ra'12~Ra'14는 각각 독립적으로 탄화수소기를 나타낸다.][Wherein, Ra represents a hydrocarbon group, each is 12 ~ Ra '14' group, Ra to form an aliphatic cyclic group together with the carbon atom of 10 combines' 10 is an alkyl group, Ra of 1 to 10 carbon atoms, 11 is Ra independently .]

식 (a1-r2-1) 중, Ra'10의 탄소수 1~10의 알킬기의 알킬기는 식 (a1-r-1)에 있어서의 Ra'3의 직쇄상 또는 분기쇄상의 알킬기로서 든 기가 바람직하다. 식 (a1-r2-1) 중, Ra'11이 구성하는 지방족 환식기는 식 (a1-r-1)에 있어서의 Ra'3의 환상의 알킬기로서 든 기가 바람직하다.Equation (a1-r2-1) of, Ra 'group having a carbon number of alkyl group of from 1 to 10 of 10 the formula (a1-r-1) Ra of the "preferred is either a straight chain or branched chain alkyl of 3 . Equation (a1-r2-1) of, Ra 'cycloaliphatic group to the 11 configurations of Ra in the formula (a1-r-1)' is preferably an alkyl group as any of the three annular.

식 (a1-r2-2) 중, Ra'12 및 Ra'14는 각각 독립적으로 탄소수 1~10의 알킬기인 것이 바람직하고, 이 알킬기는 식 (a1-r-1)에 있어서의 Ra'3의 직쇄상 또는 분기쇄상의 알킬기로서 든 기가 보다 바람직하며, 탄소수 1~5의 직쇄상 알킬기인 것이 더욱 바람직하고, 메틸기 또는 에틸기인 것이 특히 바람직하다.In formula (a1-r2-2), Ra '12 and Ra' 14 are each independently an alkyl group having 1 to 10 carbon atoms, and the alkyl group is selected from Ra ' 3 in formula (a1-r-1). The group mentioned as a linear or branched alkyl group is more preferable, It is still more preferable that it is a C1-C5 linear alkyl group, It is especially preferable that it is a methyl group or an ethyl group.

식 (a1-r2-2) 중, Ra'13은 식 (a1-r-1)에 있어서의 Ra'3의 탄화수소기로서 예시된 직쇄상, 분기쇄상 또는 환상의 알킬기인 것이 바람직하다. 이들 중에서도, Ra'3의 환상의 알킬기로서 들었던 기인 것이 보다 바람직하다.In the formula (a1-r2-2), Ra is preferably a "13 expression (a1-r-1) Ra of the" alkyl group having a straight chain, branched chain or cyclic hydrocarbon group exemplified as the group of three. Among them, it is more preferable that the group is a group which is used as a cyclic alkyl group of Ra ' 3 .

상기 식 (a1-r2-1)의 구체적인 예를 이하에 든다.Specific examples of the formula (a1-r2-1) are shown below.

Figure pat00006
Figure pat00006

상기 식 (a1-r2-2)의 구체적인 예를 이하에 든다.Specific examples of the formula (a1-r2-2) are shown below.

Figure pat00007
Figure pat00007

또, 상기 극성기 중 수산기를 보호하는 산 해리성 기로는 예를 들어, 하기 일반식 (a1-r-3)으로 나타내는 산 해리성 기(이하, 편의상 「제3급 알킬옥시카르보닐산 해리성 기」라고 하는 경우가 있음)를 들 수 있다.Examples of the acid dissociable group for protecting the hydroxyl group in the polar group include an acid dissociable group represented by the following general formula (a1-r-3) (hereinafter referred to as " tertiary alkyloxycarbonyl acid dissociable group &Quot;).

Figure pat00008
Figure pat00008

[식 중, Ra'7~Ra'9는 각각 알킬기이다.]Wherein Ra ' 7 to Ra' 9 each represent an alkyl group.

식 (a1-r-3) 중, Ra'7~Ra'9기는 탄소수 1~5의 알킬기가 바람직하고, 1~3이 보다 바람직하다.In the formula (a1-r-3), the Ra ' 7 to Ra' 9 groups are preferably an alkyl group having 1 to 5 carbon atoms, more preferably 1 to 3.

또, 각 알킬기의 합계의 탄소수는 3~7인 것이 바람직하고, 3~5인 것이 보다 바람직하며, 3~4인 것이 가장 바람직하다.The total number of carbon atoms of each alkyl group is preferably from 3 to 7, more preferably from 3 to 5, and most preferably from 3 to 4.

[아크릴 수지 (Aac1)][Acrylic resin (Aac1)]

아크릴 수지 (Aac1)로는 하기 일반식 (a1-1)~(a1-2)로 나타내는 구성 단위를 포함하는 수지를 사용할 수 있다.As the acrylic resin (Aac1), resins containing the structural units represented by the following general formulas (a1-1) to (a1-2) can be used.

Figure pat00009
Figure pat00009

[식 중, R는 수소 원자, 탄소수 1~5의 알킬기 또는 탄소수 1~5의 할로겐화 알킬기이다. Va1은 에테르 결합, 우레탄 결합, 또는 아미드 결합을 가지고 있어도 되는 2가의 탄화수소기이며, na1은 각각 독립적으로 0~2이며, Ra1은 상기 식 (a1-r-1)~(a1-r-2)로 나타내는 산 해리성 기이다. Wa1은 na2+1가의 탄화수소기이고, na2는 1~3이며, Ra2는 상기 식 (a1-r-1) 또는 (a1-r-3)으로 나타내는 산 해리성 기이다.][In formula, R is a hydrogen atom, a C1-C5 alkyl group, or a C1-C5 halogenated alkyl group. Va 1 is a divalent hydrocarbon group which may have an ether bond, a urethane bond, or an amide bond, n a1 is each independently 0 to 2, and Ra 1 is the formulas (a1-r-1) to (a1-r). It is an acid dissociable group represented by -2). Wa 1 is an n a2 + monovalent hydrocarbon group, n a2 is 1-3, and Ra 2 is an acid dissociable group represented by the formula (a1-r-1) or (a1-r-3).]

상기 식 (a1-1) 중, 탄소수 1~5의 알킬기는 직쇄상 또는 분기쇄상이 바람직하고, 구체적으로는 메틸기, 에틸기, 프로필기, 이소프로필기, n-부틸기, 이소부틸기, tert-부틸기, 펜틸기, 이소펜틸기, 네오펜틸기 등을 들 수 있다. 탄소수 1~5의 할로겐화 알킬기는 상기 탄소수 1~5의 알킬기의 수소 원자의 일부 또는 전부가 할로겐 원자로 치환된 기이다. 이 할로겐 원자로는 불소 원자, 염소 원자, 브롬 원자, 요오드 원자 등을 들 수 있으며, 특히 불소 원자가 바람직하다.In the formula (a1-1), the alkyl group having 1 to 5 carbon atoms is preferably a linear or branched alkyl group, and specifically, a methyl group, an ethyl group, a propyl group, an isopropyl group, Butyl group, pentyl group, isopentyl group, neopentyl group and the like. The halogenated alkyl group having 1 to 5 carbon atoms is a group in which a part or all of the hydrogen atoms of the alkyl group having 1 to 5 carbon atoms is substituted with a halogen atom. Examples of the halogen atom include a fluorine atom, a chlorine atom, a bromine atom and an iodine atom, and a fluorine atom is particularly preferable.

R로는 수소 원자, 탄소수 1~5의 알킬기 또는 탄소수 1~5의 불소화 알킬기가 바람직하고, 공업상의 입수의 용이함으로부터, 수소 원자 또는 메틸기가 가장 바람직하다.R is preferably a hydrogen atom, an alkyl group having 1 to 5 carbon atoms or a fluorinated alkyl group having 1 to 5 carbon atoms, and most preferably a hydrogen atom or a methyl group because of industrial availability.

Va1의 2가의 탄화수소기는 지방족 탄화수소기여도 되고, 방향족 탄화수소기여도 된다. 지방족 탄화수소기는 방향족성을 가지지 않는 탄화수소기를 의미한다. Va1에서의 2가의 탄화수소기로서의 지방족 탄화수소기는 포화여도 되고, 불포화여도 되며, 통상은 포화인 것이 바람직하다. The divalent hydrocarbon group of Va 1 may be an aliphatic hydrocarbon group or an aromatic hydrocarbon group. An aliphatic hydrocarbon group means a hydrocarbon group having no aromaticity. The aliphatic hydrocarbon group as the divalent hydrocarbon group in Va 1 may be saturated or unsaturated, and is preferably saturated.

상기 지방족 탄화수소기로서 보다 구체적으로는 직쇄상 혹은 분기쇄상의 지방족 탄화수소기 또는 구조 중에 고리를 포함하는 지방족 탄화수소기 등을 들 수 있다.More specific examples of the aliphatic hydrocarbon group include a linear or branched aliphatic hydrocarbon group or an aliphatic hydrocarbon group containing a ring in its structure.

또, Va1로는 상기 2가의 탄화수소기가 에테르 결합, 우레탄 결합, 또는 아미드 결합을 통하여 결합한 것을 들 수 있다.The roneun Va 1 may be mentioned groups wherein the divalent hydrocarbon group bonded via an ether bond, a urethane bond, or amide bond.

상기 직쇄상 또는 분기쇄상의 지방족 탄화수소기는 탄소수가 1~10인 것이 바람직하고, 1~6이 보다 바람직하며, 1~4가 더욱 바람직하고, 1~3이 가장 바람직하다.The straight-chain or branched-chain aliphatic hydrocarbon group preferably has 1 to 10 carbon atoms, more preferably 1 to 6 carbon atoms, further preferably 1 to 4 carbon atoms, and most preferably 1 to 3 carbon atoms.

직쇄상의 지방족 탄화수소기로는 직쇄상의 알킬렌기가 바람직하고, 구체적으로는 메틸렌기[-CH2-], 에틸렌기[-(CH2)2-], 트리메틸렌기[-(CH2)3-], 테트라메틸렌기[-(CH2)4-], 펜타메틸렌기[-(CH2)5-] 등을 들 수 있다.The aliphatic hydrocarbon group in a straight chain is preferably an alkylene group of a straight chain, particularly a methylene group [-CH 2 -], an ethylene group [- (CH 2) 2 - ], a trimethylene group [- (CH 2) 3 -], tetramethylene group [- (CH 2 ) 4 -], pentamethylene group [- (CH 2 ) 5 -] and the like.

분기쇄상의 지방족 탄화수소기로는 분기쇄상의 알킬렌기가 바람직하고, 구체적으로는 -CH(CH3)-, -CH(CH2CH3)-, -C(CH3)2-, -C(CH3)(CH2CH3)-, -C(CH3)(CH2CH2CH3)-, -C(CH2CH3)2- 등의 알킬메틸렌기;-CH(CH3)CH2-, -CH(CH3)CH(CH3)-, -C(CH3)2CH2-, -CH(CH2CH3)CH2-, -C(CH2CH3)2-CH2- 등의 알킬에틸렌기;-CH(CH3)CH2CH2-, -CH2CH(CH3)CH2- 등의 알킬트리메틸렌기;-CH(CH3)CH2CH2CH2-, -CH2CH(CH3)CH2CH2- 등의 알킬테트라메틸렌기 등의 알킬알킬렌기 등을 들 수 있다. 알킬알킬렌기에 있어서의 알킬기로는 탄소수 1~5의 직쇄상의 알킬기가 바람직하다.As the branched aliphatic hydrocarbon group, a branched alkylene group is preferable, and specifically -CH (CH 3 )-, -CH (CH 2 CH 3 )-, -C (CH 3 ) 2- , -C (CH Alkyl methylene groups such as 3 ) (CH 2 CH 3 )-, -C (CH 3 ) (CH 2 CH 2 CH 3 )-, and -C (CH 2 CH 3 ) 2 -;-CH (CH 3 ) CH 2 -, -CH (CH 3 ) CH (CH 3 )-, -C (CH 3 ) 2 CH 2- , -CH (CH 2 CH 3 ) CH 2- , -C (CH 2 CH 3 ) 2 -CH 2 Alkyl ethylene groups such as -CH (CH 3 ) CH 2 CH 2- , alkyltrimethylene groups such as -CH 2 CH (CH 3 ) CH 2 -;-CH (CH 3 ) CH 2 CH 2 CH 2- And alkylalkylene groups such as alkyltetramethylene groups such as -CH 2 CH (CH 3 ) CH 2 CH 2 -and the like. As an alkyl group in an alkylalkylene group, a C1-C5 linear alkyl group is preferable.

상기 구조 중에 고리를 포함하는 지방족 탄화수소기로는 지환식 탄화수소기(지방족 탄화수소환으로부터 수소 원자를 2개 제외한 기), 지환식 탄화수소기가 직쇄상 또는 분기쇄상인 지방족 탄화수소기의 말단에 결합한 기, 지환식 탄화수소기가 직쇄상 또는 분기쇄상인 지방족 탄화수소기의 도중에 개재하는 기 등을 들 수 있다. 상기 직쇄상 또는 분기쇄상의 지방족 탄화수소기로는 상기와 동일한 것을 들 수 있다.The aliphatic hydrocarbon group containing a ring in the above structure includes an alicyclic hydrocarbon group (a group excluding two hydrogen atoms from an aliphatic hydrocarbon ring), and an alicyclic hydrocarbon group bonded to an end of an aliphatic hydrocarbon group which is linear or branched, or alicyclic The group etc. which the hydrocarbon group interposes in the middle of the linear or branched aliphatic hydrocarbon group are mentioned. Examples of the straight chain or branched chain aliphatic hydrocarbon group include the same ones as described above.

상기 지환식 탄화수소기는 탄소수가 3~20인 것이 바람직하고, 3~12인 것이 보다 바람직하다.The alicyclic hydrocarbon group preferably has 3 to 20 carbon atoms, more preferably 3 to 12 carbon atoms.

상기 지환식 탄화수소기는 다환식이어도 되고, 단환식이어도 된다. 단환식의 지환식 탄화수소기로는 모노시클로알칸으로부터 2개의 수소 원자를 제외한 기가 바람직하다. 이 모노시클로알칸으로는 탄소수 3~6의 것이 바람직하고, 구체적으로는 시클로펜탄, 시클로헥산 등을 들 수 있다. 다환식의 지환식 탄화수소기로는 폴리시클로알칸으로부터 2개의 수소 원자를 제외한 기가 바람직하고, 이 폴리시클로알칸으로는 탄소수 7~12의 것이 바람직하며, 구체적으로는 아다만탄, 노르보난, 이소보르난, 트리시클로데칸, 테트라시클로도데칸 등을 들 수 있다.The alicyclic hydrocarbon group may be polycyclic or monocyclic. The monocyclic alicyclic hydrocarbon group is preferably a group in which two hydrogen atoms are removed from the monocycloalkane. The monocycloalkane preferably has 3 to 6 carbon atoms, and specific examples thereof include cyclopentane, cyclohexane, and the like. As a polycyclic alicyclic hydrocarbon group, the group remove | excluding two hydrogen atoms from polycycloalkane is preferable, The thing of C7-12 is preferable as this polycycloalkane, Specifically, adamantane, norbornane, and isobornane , Tricyclodecane, tetracyclododecane and the like.

방향족 탄화수소기는 방향환을 가지는 탄화수소기이다.The aromatic hydrocarbon group is a hydrocarbon group having an aromatic ring.

상기 Va1에서의 2가의 탄화수소기로서의 방향족 탄화수소기는 탄소수가 3~30인 것이 바람직하고, 5~30인 것이 보다 바람직하며, 5~20이 더욱 바람직하고, 6~15가 특히 바람직하며, 6~10이 가장 바람직하다. 단, 이 탄소수에는 치환기에서의 탄소수를 포함하지 않는 것으로 한다.The aromatic hydrocarbon group as the divalent hydrocarbon group in Va 1 preferably has 3 to 30 carbon atoms, more preferably 5 to 30 carbon atoms, still more preferably 5 to 20 carbon atoms, particularly preferably 6 to 15 carbon atoms, 10 is most preferable. However, this carbon number shall not contain carbon number in a substituent.

방향족 탄화수소기가 가지는 방향환으로서 구체적으로는 벤젠, 비페닐, 플루오렌, 나프탈렌, 안트라센, 페난트렌 등의 방향족 탄화수소환;상기 방향족 탄화수소환을 구성하는 탄소 원자의 일부가 헤테로 원자로 치환된 방향족 복소환; 등을 들 수 있다. 방향족 복소환에 있어서의 헤테로 원자로는 산소 원자, 황 원자, 질소 원자 등을 들 수 있다.As an aromatic ring which an aromatic hydrocarbon group has, Specifically, Aromatic hydrocarbon ring, such as benzene, biphenyl, fluorene, naphthalene, anthracene, phenanthrene; The aromatic heterocycle in which some carbon atoms which comprise the said aromatic hydrocarbon ring were substituted by the hetero atom; Etc. can be mentioned. Examples of the heteroatom in the aromatic heterocycle include an oxygen atom, a sulfur atom and a nitrogen atom.

방향족 탄화수소기로서 구체적으로는 상기 방향족 탄화수소환으로부터 수소 원자를 2개 제외한 기(아릴렌기);상기 방향족 탄화수소환으로부터 수소 원자를 1개 제외한 기(아릴기)의 수소 원자의 하나가 알킬렌기로 치환된 기(예를 들어, 벤질기, 페네틸기, 1-나프틸메틸기, 2-나프틸메틸기, 1-나프틸에틸기, 2-나프틸에틸기 등의 아릴알킬기에 있어서의 아릴기로부터 수소 원자를 1개 더 제외한 기);2 이상의 방향환을 포함하는 방향족 화합물(예를 들어, 비페닐, 플루오렌 등)로부터 수소 원자를 2개 제외한 기; 등을 들 수 있다. 상기 알킬렌기(아릴알킬기 중의 알킬쇄)의 탄소수는 1~4인 것이 바람직하고, 1~2인 것이 보다 바람직하며, 1인 것이 특히 바람직하다.Specifically as an aromatic hydrocarbon group, group which removed two hydrogen atoms from the said aromatic hydrocarbon ring (arylene group); One of the hydrogen atoms of the group (aryl group) which removed one hydrogen atom from the said aromatic hydrocarbon ring is substituted by the alkylene group A hydrogen atom is selected from an aryl group in an arylalkyl group such as a group (for example, a benzyl group, a phenethyl group, a 1-naphthylmethyl group, a 2-naphthylmethyl group, a 1-naphthylethyl group, or a 2-naphthylethyl group). The group which removed 2 more; The group which removed two hydrogen atoms from the aromatic compound (for example, biphenyl, fluorene, etc.) containing two or more aromatic rings; etc. are mentioned. The number of carbon atoms of the alkylene group (alkyl chain in the arylalkyl group) is preferably 1 to 4, more preferably 1 to 2, and particularly preferably 1.

상기 식 (a1-2) 중, Wa1에서의 na2+1가의 탄화수소기는 지방족 탄화수소기여도 되고, 방향족 탄화수소기여도 된다. 이 지방족 탄화수소기는 방향족성을 가지지 않는 탄화수소기를 의미하며, 포화여도 되고, 불포화여도 되며, 통상은 포화인 것이 바람직하다. 상기 지방족 탄화수소기로는 직쇄상 또는 분기쇄상의 지방족 탄화수소기, 구조 중에 고리를 포함하는 지방족 탄화수소기, 혹은 직쇄상 또는 분기쇄상의 지방족 탄화수소기와 구조 중에 고리를 포함하는 지방족 탄화수소기를 조합한 기를 들 수 있으며, 구체적으로는 상술한 식 (a1-1)의 Va1과 동일한 기를 들 수 있다.In the formula (a1-2), the n a2 + monovalent hydrocarbon group in Wa 1 may be an aliphatic hydrocarbon group or an aromatic hydrocarbon group. This aliphatic hydrocarbon group means a hydrocarbon group having no aromaticity, may be saturated or unsaturated, and is preferably saturated. Examples of the aliphatic hydrocarbon group include a straight chain or branched chain aliphatic hydrocarbon group, an aliphatic hydrocarbon group containing a ring in the structure, or a combination of a straight chain or branched aliphatic hydrocarbon group and an aliphatic hydrocarbon group containing a ring in the structure , Specifically, the same group as Va 1 in the above-mentioned formula (a1-1).

상기 na2+1가는 2~4가가 바람직하고, 2 또는 3가가 보다 바람직하다.The n a2 + 1 is preferably 2 to 4, more preferably 2 or 3.

상기 식 (a1-2)로는 특히, 하기 일반식 (a1-2-01)로 나타내는 구성 단위가 바람직하다.As the formula (a1-2), a constituent unit represented by the following general formula (a1-2-01) is particularly preferable.

Figure pat00010
Figure pat00010

식 (a1-2-01) 중, Ra2는 상기 식 (a1-r-1) 또는 (a1-r-3)으로 나타내는 산 해리성 기이다. na2는 1~3의 정수이고, 1 또는 2인 것이 바람직하며, 1인 것이 보다 바람직하다. c는 0~3의 정수이며, 0 또는 1인 것이 바람직하고, 1인 것이 보다 바람직하다. R은 상기와 동일하다.In the formulas (a1-2-01), Ra 2 is an acid-dissociable group represented by the formula (a1-r-1) or (a1-r-3). n a2 is an integer of 1 to 3, preferably 1 or 2, more preferably 1. c is an integer of 0 to 3, preferably 0 or 1, more preferably 1. R is the same as above.

이하에 상기 식 (a1-1)의 구체적인 예를 나타낸다. 이하의 각 식 중, Rα는 수소 원자, 메틸기 또는 트리플루오로메틸기이다.Specific examples of the formula (a1-1) are shown below. In each of the following formulae, R alpha is a hydrogen atom, a methyl group or a trifluoromethyl group.

Figure pat00011
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Figure pat00012
Figure pat00012

Figure pat00013
Figure pat00014
Figure pat00015
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이하에 상기 식 (a1-2)의 구체적인 예를 나타낸다. Specific examples of the formula (a1-2) are shown below.

Figure pat00016
Figure pat00016

또한, 아크릴 수지 (Aac1)은 상기 일반식 (a1-1)~(a1-2)로 나타내는 구성 단위에 대해서, 추가로 에테르 결합을 가지는 중합성 화합물로부터 유도된 구성 단위를 포함하는 공중합체로 이루어진 수지인 것이 바람직하다.In addition, the acrylic resin (Aac1) consists of a copolymer containing the structural unit derived from the polymeric compound which has an ether bond further with respect to the structural unit represented by the said General Formula (a1-1)-(a1-2). It is preferable that it is resin.

상기 에테르 결합을 가지는 중합성 화합물로는 에테르 결합 및 에스테르 결합을 가지는 (메타)아크릴산 유도체 등의 라디칼 중합성 화합물을 예시할 수 있으며, 구체적인 예로는 2-메톡시에틸 (메타)아크릴레이트, 2-에톡시에틸 (메타)아크릴레이트, 메톡시트리에틸렌글리콜 (메타)아크릴레이트, 3-메톡시부틸 (메타)아크릴레이트, 에틸카르비톨 (메타)아크릴레이트, 페녹시 폴리에틸렌글리콜 (메타)아크릴레이트, 메톡시 폴리프로필렌글리콜 (메타)아크릴레이트, 테트라히드로푸르푸릴 (메타)아크릴레이트 등을 들 수 있다. 또, 상기 에테르 결합을 가지는 중합성 화합물은 바람직하게는 2-메톡시에틸 (메타)아크릴레이트, 2-에톡시에틸 (메타)아크릴레이트, 메톡시 트리에틸렌글리콜 (메타)아크릴레이트이다. 이들 중합성 화합물은 단독으로 이용해도 되고, 2종 이상을 조합해 이용해도 된다.Examples of the polymerizable compound having an ether bond include radical polymerizable compounds such as a (meth) acrylic acid derivative having an ether bond and an ester bond, and specific examples thereof include 2-methoxyethyl (meth) acrylate and 2- Ethoxyethyl (meth) acrylate, methoxytriethylene glycol (meth) acrylate, 3-methoxybutyl (meth) acrylate, ethylcarbitol (meth) acrylate, phenoxy polyethylene glycol (meth) acrylate, Methoxy polypropylene glycol (meth) acrylate, tetrahydrofurfuryl (meth) acrylate, and the like. Moreover, the polymeric compound which has the said ether bond becomes like this. Preferably it is 2-methoxyethyl (meth) acrylate, 2-ethoxyethyl (meth) acrylate, and methoxy triethylene glycol (meth) acrylate. These polymerizable compounds may be used independently or may be used in combination of 2 or more type.

또한, 아크릴 수지 (Aac1)에는 물리적, 화학적 특성을 적당히 조절할 목적으로 다른 중합성 화합물을 구성 단위로서 포함할 수 있다. 이와 같은 중합성 화합물로는 공지의 라디칼 중합성 화합물이나, 음이온 중합성 화합물을 들 수 있다. 또, 이와 같은 중합성 화합물로는 예를 들면, 아크릴산, 메타크릴산, 크로톤산 등의 모노카르복시산류;말레산, 푸말산, 이타콘산 등의 디카르복시산류;2-메타크릴로일옥시에틸 숙신산, 2-메타크릴로일옥시에틸 말레산, 2-메타크릴로일옥시에틸 프탈산, 2-메타크릴로일옥시에틸 헥사히드로프탈산 등의 카르복실기 및 에스테르 결합을 가지는 메타크릴산 유도체류;메틸 (메타)아크릴레이트, 에틸 (메타)아크릴레이트, 부틸 (메타)아크릴레이트 등의 (메타)아크릴산 알킬에스테르류;2-히드록시에틸 (메타)아크릴레이트, 2-히드록시프로필 (메타)아크릴레이트 등의 (메타)아크릴산 히드록시알킬에스테르류;페닐 (메타)아크릴레이트, 벤질 (메타)아크릴레이트 등의 (메타)아크릴산 아릴에스테르류;말레산 디에틸, 푸말산 디부틸 등의 디카르복시산 디에스테르류;스티렌, α-메틸스티렌, 클로로스티렌, 클로로메틸스티렌, 비닐톨루엔, 히드록시스티렌, α-메틸히드록시스티렌, α-에틸히드록시스티렌 등의 비닐기 함유 방향족 화합물류;아세트산 비닐 등의 비닐기 함유 지방족 화합물류;부타디엔, 이소프렌 등의 공역 디올레핀류;아크릴로니트릴, 메타크릴로니트릴 등의 니트릴기 함유 중합성 화합물류;염화 비닐, 염화 비닐리덴 등의 염소 함유 중합성 화합물;아크릴아미드, 메타크릴아미드 등의 아미드 결합 함유 중합성 화합물류;등을 들 수 있다.The acrylic resin (Aac1) may contain another polymerizable compound as a constituent unit for the purpose of appropriately controlling the physical and chemical properties. Examples of such a polymerizable compound include a known radical polymerizable compound and an anionic polymerizable compound. Examples of such a polymerizable compound include monocarboxylic acids such as acrylic acid, methacrylic acid and crotonic acid, dicarboxylic acids such as maleic acid, fumaric acid and itaconic acid, and 2-methacryloyloxyethylsuccinic acid , Methacrylic acid derivatives having a carboxyl group and an ester bond such as 2-methacryloyloxyethyl maleic acid, 2-methacryloyloxyethyl phthalic acid and 2-methacryloyloxyethyl hexahydrophthalic acid, methyl methacrylate (Meth) acrylates such as 2-hydroxyethyl (meth) acrylate, 2-hydroxypropyl (meth) acrylate and the like; (Meth) acrylic acid hydroxyalkyl esters, (meth) acrylic acid aryl esters such as phenyl (meth) acrylate and benzyl (meth) acrylate, dicarboxylic acid diesters such as diethyl maleate and dibutyl fumarate, Tere; vinyl group-containing aromatic compounds such as styrene, α-methylstyrene, chlorostyrene, chloromethylstyrene, vinyltoluene, hydroxystyrene, α-methylhydroxystyrene and α-ethylhydroxystyrene; vinyl acetate Vinyl group-containing aliphatic compounds; conjugated diolefins such as butadiene and isoprene; nitrile group-containing polymerizable compounds such as acrylonitrile and methacrylonitrile; chlorine-containing polymerizable compounds such as vinyl chloride and vinylidene chloride; acryl Amide bond containing polymeric compounds, such as an amide and methacrylamide; These etc. are mentioned.

(구성 단위 (a4))(Constituent unit (a4))

아크릴 수지 (Aac1)은 추가로 필요에 따라 산 비해리성 환식기를 포함하는 구성 단위 (a4)를 가져도 된다. (Aac1) 성분이 구성 단위 (a4)를 가짐으로써, 형성되는 레지스트 패턴의 드라이 에칭 내성이 향상된다고 생각된다.The acrylic resin (Aac1) may further have a structural unit (a4) containing an acid non-ring cyclic group as necessary. (Aac1) has the structural unit (a4), it is considered that the dry etching resistance of the formed resist pattern is improved.

구성 단위 (a4)에 있어서의 「산 비해리성 환식기」는 노광에 의해 (B) 성분으로부터 산이 발생했을 때에, 이 산이 작용해도 해리하는 일 없이 그대로 상기 구성 단위 중에 남는 환식기이다.The "acid non-labile cyclic group" in a structural unit (a4) is a cyclic group which remains in the said structural unit as it is, without dissociating even if this acid acts when an acid generate | occur | produces from (B) component by exposure.

구성 단위 (a4)로는 예를 들면 산 비해리성의 지방족 환식기를 포함하는 아크릴산 에스테르로부터 유도되는 구성 단위 등이 바람직하다. 이 환식기는 예를 들면, 상기의 아크릴 수지 (Aac1)의 경우에 예시한 것과 동일한 것을 예시할 수 있으며, 레지스트 조성물의 수지 성분에 이용되는 것으로서 종래부터 알려져 있는 다수의 것이 사용 가능하다.As the structural unit (a4), for example, a structural unit derived from an acrylate ester containing an acid-labile aliphatic cyclic group is preferable. This cyclic group can illustrate the same thing as what was illustrated in the case of said acrylic resin (Aac1), for example, and many things conventionally known as being used for the resin component of a resist composition can be used.

특히 트리시클로데실기, 아다만틸기, 테트라시클로도데실기, 이소보닐기, 노르보르닐기로부터 선택되는 적어도 1종이면, 공업상 입수하기 쉽다는 등의 점에서 바람직하다. 이들 다환식기는 탄소수 1~5의 직쇄상 또는 분기쇄상의 알킬기를 치환기로서 가지고 있어도 된다.Especially at least 1 sort (s) chosen from a tricyclodecyl group, an adamantyl group, a tetracyclo dodecyl group, an isobonyl group, and a norbornyl group is preferable at the point of being easy to obtain industrially. These polycyclic groups may have a linear or branched alkyl group having 1 to 5 carbon atoms as a substituent.

아크릴 수지 (Aac1)로서 구체적으로는 하기 일반식 (a4-1)~(a4-7)의 구조의 것을 예시할 수 있다.Specific examples of the acrylic resin (Aac1) include those having the structures represented by the following general formulas (a4-1) to (a4-7).

Figure pat00017
Figure pat00017

[식 중, Rα는 상기와 동일하다.][Wherein R ? Is as defined above].

수지 성분 (A1)이 함유하는 구성 단위 (a4)는 1종이어도 되고, 2종 이상이어도 된다.The number of the structural units (a4) contained in the resin component (A1) may be one or two or more.

구성 단위 (a4)를 수지 성분 (A1)에 함유시킬 때, 구성 단위 (a4)의 비율은 (A1) 성분을 구성하는 전체 구성 단위의 합계에 대해, 1~30 몰%인 것이 바람직하고, 10~20 몰%인 것이 보다 바람직하다.When the constituent unit (a4) is contained in the resin component (A1), the proportion of the constituent unit (a4) is preferably from 1 to 30 mol%, more preferably from 10 to 10 mol% based on the total constituent units constituting the component (A1) By mole to 20% by mole.

상기 수지 성분 (A) 중에서도, 아크릴 수지 (Aac1)을 이용하는 것이 바람직하다. 이와 같은 아크릴 수지 (Aac1) 중에서도, 상기 일반식 (a1-1)로 나타내는 구성 단위와 (메타)아크릴산으로부터 유도된 구성 단위와 (메타)아크릴산 알킬에스테르류로부터 유도된 구성 단위와 (메타)아크릴산 아릴에스테르류로부터 유도된 구성 단위를 가지는 공중합체인 것이 바람직하다.It is preferable to use acrylic resin (Aac1) among the said resin component (A). Among such acrylic resins (Aac1), structural units represented by the general formula (a1-1), structural units derived from (meth) acrylic acid, structural units derived from (meth) acrylic acid alkyl esters, and (meth) acrylic acid aryl It is preferable that it is a copolymer which has a structural unit derived from esters.

이와 같은 공중합체로는 하기 일반식 (a8)로 나타내는 공중합체인 것이 바람직하다.Such a copolymer is preferably a copolymer represented by the following general formula (a8).

Figure pat00018
Figure pat00018

상기 일반식 (a8) 중, Ra30은 수소 원자 또는 메틸기를 나타내고, Ra31은 탄소수 2~4의 직쇄상 또는 분기상의 알킬기를 나타내며, Xa는 그것이 결합하고 있는 탄소 원자와 함께 탄소수 5~20의 탄화수소환을 형성하고, Ra32는 탄소수 1~6의 직쇄상 혹은 분기상의 알킬기 또는 탄소수 1~6의 알콕시 알킬기를 나타내며, Ra33은 탄소수 6~12의 아릴기를 나타낸다.In said general formula (a8), Ra <30> represents a hydrogen atom or a methyl group, Ra <31> represents a C2-C4 linear or branched alkyl group, and Xa is a C5-C20 compound with the carbon atom to which it is couple | bonded. A hydrocarbon ring is formed, Ra 32 represents a linear or branched alkyl group having 1 to 6 carbon atoms or an alkoxy alkyl group having 1 to 6 carbon atoms, and Ra 33 represents an aryl group having 6 to 12 carbon atoms.

상기 Xa는 그것이 결합하고 있는 탄소 원자와 함께 탄소수 5~20의 지방족 환식기를 형성한다. 이와 같은 지방족 환식기의 구체적인 예로는 모노시클로알칸, 비시클로알칸, 트리시클로알칸, 테트라시클로알칸 등의 폴리시클로알칸으로부터 1개 이상의 수소 원자를 제외한 기를 들 수 있다. 구체적으로는 시클로펜탄, 시클로헥산, 시클로헵탄, 시클로옥탄 등의 모노시클로알칸이나, 아다만탄, 노르보난, 이소보르난, 트리시클로데칸, 테트라시클로도데칸 등의 폴리시클로알칸으로부터 1개 이상의 수소 원자를 제외한 기를 들 수 있다. 특히, 시클로헥산, 아다만탄으로부터 1개 이상의 수소 원자를 제외한 기(치환기를 더 가지고 있어도 됨)가 바람직하다.And X &lt; a &gt; together with the carbon atoms to which they are attached form an aliphatic cyclic group having 5 to 20 carbon atoms. Specific examples of such aliphatic cyclic groups include groups in which at least one hydrogen atom is removed from a polycycloalkane such as a monocycloalkane, bicycloalkane, tricycloalkane, or tetracycloalkane. Specific examples include monocycloalkanes such as cyclopentane, cyclohexane, cycloheptane, and cyclooctane, and polycycloalkanes such as adamantane, norbornane, isoborane, tricyclodecane, and tetracyclododecane, And a group excluding an atom. In particular, group (you may further have a substituent) remove | excluding one or more hydrogen atoms from cyclohexane and adamantane is preferable.

또한, 상기 Xa의 지방족 환식기가 그 고리 골격 상에 치환기를 가지는 경우, 이 치환기의 예로는 수산기, 카르복시기, 시아노기, 산소 원자(=O) 등의 극성기나, 탄소수 1~4의 직쇄상 또는 분기상의 저급 알킬기를 들 수 있다. 극성기로는 특히 산소 원자(=O)가 바람직하다.When the aliphatic cyclic group of Xa has a substituent on the ring skeleton, examples of the substituent include a polar group such as a hydroxyl group, a carboxy group, a cyano group and an oxygen atom (= O), a straight chain or branched chain having 1 to 4 carbon atoms Lt; / RTI &gt; As the polar group, an oxygen atom (= O) is particularly preferable.

또한, 상기 일반식 (a8)로 나타내는 공중합체에 있어서, s, t, u, v는 각각의 구성 단위의 몰비를 나타내고, s는 8~45 몰%이며, t는 10~65 몰%이고, u는 3~25 몰%이며, v는 6~25 몰%이다.In addition, in the copolymer represented by the said general formula (a8), s, t, u, v represent the molar ratio of each structural unit, s is 8-45 mol%, t is 10-65 mol%, u is 3-25 mol%, v is 6-25 mol%.

[노볼락 수지 (Anv1)][Novolac resin (Anv1)]

노볼락 수지 (Anv1)로는 하기 일반식 (anv1)로 나타내는 구성 단위를 포함하는 수지를 사용할 수 있다.As the novolak resin (Anv1), a resin containing a constituent unit represented by the following formula (anv1) may be used.

Figure pat00019
Figure pat00019

[식 중, Ra11은 산 해리성 기이며, Ra12, Ra13은 각각 독립적으로 수소 원자 또는 탄소수 1~6의 알킬기이다.][Wherein Ra 11 is an acid dissociable group, and Ra 12 and Ra 13 are each independently a hydrogen atom or an alkyl group having 1 to 6 carbon atoms.]

상기 일반식 (anv1) 중, Ra11은 산 해리성 기를 나타내고, Ra12, Ra13은 각각 독립적으로 수소 원자 또는 탄소수 1~6의 알킬기를 나타낸다. Ra11로는 상기 일반식 (a1-r-1) 또는 (a1-r-3)으로 나타내는 기, 탄소수 1~6의 직쇄상, 분기상, 혹은 환상의 알킬기, 테트라히드로피라닐기, 테트라푸라닐기, 또는 트리알킬실릴기인 것이 바람직하다.Wherein the general formula (anv1), Ra 11 represents an acid dissociable, Ra 12, Ra 13 represents a hydrogen atom or an alkyl group having 1 to 6 carbon atoms independently. Ra 11 is a group represented by general formula (a1-r-1) or (a1-r-3), a linear, branched, or cyclic alkyl group having 1 to 6 carbon atoms, tetrahydropyranyl group, tetrafuranyl group, Or a trialkylsilyl group.

상기 탄소수 1~6의 알킬기는 예를 들면 탄소수 1~6의 직쇄상, 분기상, 또는 환상의 알킬기이다. 직쇄상 또는 분기상의 알킬기로는 메틸기, 에틸기, 프로필기, 이소프로필기, n-부틸기, 이소부틸기, tert-부틸기, 펜틸기, 이소펜틸기, 네오펜틸기 등을 들 수 있고, 환상의 알킬기로는 시클로펜틸기, 시클로헥실기 등을 들 수 있다.The said C1-C6 alkyl group is a C1-C6 linear, branched, or cyclic alkyl group, for example. Examples of the linear or branched alkyl group include methyl, ethyl, propyl, isopropyl, n-butyl, isobutyl, tert-butyl, pentyl, , Examples of the alkyl group include a cyclopentyl group and a cyclohexyl group.

[폴리히드록시스티렌 수지 (Aphs1)][Polyhydroxystyrene resin (Aphs1)]

폴리히드록시스티렌 수지 (Aphs1)로는 하기 일반식 (aphs1)로 나타내는 구성 단위를 포함하는 수지를 사용할 수 있다.As the polyhydroxystyrene resin (Aphs1), a resin containing a constitutional unit represented by the following formula (aphs1) can be used.

Figure pat00020
Figure pat00020

[식 중, Ra18은 수소 원자 또는 탄소수 1~6의 알킬기를 나타내고, Ra19는 산 해리성 기이다.]Wherein Ra 18 is a hydrogen atom or an alkyl group having 1 to 6 carbon atoms, and Ra 19 is an acid dissociable group.

상기 일반식 (aphs1) 중, Ra18은 수소 원자 또는 탄소수 1~6의 알킬기를 나타내고, Ra19는 산 해리성 용해 억제기를 나타낸다.Wherein the general formula (aphs1), Ra 18 represents a hydrogen atom or an alkyl group having a carbon number of 1 ~ 6, Ra 19 represents an acid dissociable, dissolution inhibiting group.

상기 일반식 (aphs1) 중, Ra19는 상기 일반식 (anv1) 중의 Ra11과 동일한 기를 들 수 있다.In the above general formula (aphs1), Ra 19 and Ra may be the same groups 11 in the formula (anv1).

상기 탄소수 1~6의 알킬기는 예를 들면 탄소수 1~6의 직쇄상, 분기상, 또는 환상의 알킬기이다. 직쇄상 또는 분기상의 알킬기로는 메틸기, 에틸기, 프로필기, 이소프로필기, n-부틸기, 이소부틸기, tert-부틸기, 펜틸기, 이소펜틸기, 네오펜틸기 등을 들 수 있고, 환상의 알킬기로는 시클로펜틸기, 시클로헥실기 등을 들 수 있다.The said C1-C6 alkyl group is a C1-C6 linear, branched, or cyclic alkyl group, for example. Examples of the linear or branched alkyl group include methyl, ethyl, propyl, isopropyl, n-butyl, isobutyl, tert-butyl, pentyl, , Examples of the alkyl group include a cyclopentyl group and a cyclohexyl group.

또한, 폴리히드록시스티렌 수지 (Aphs1)은 물리적, 화학적 특성을 적당히 컨트롤할 목적으로 다른 중합성 화합물을 구성 단위로서 포함할 수 있다. 이와 같은 중합성 화합물로는 공지의 라디칼 중합성 화합물이나, 음이온 중합성 화합물을 들 수 있다. 또, 이와 같은 중합성 화합물로는 예를 들면, 아크릴산, 메타크릴산, 크로톤산 등의 모노카르복시산류;말레산, 푸말산, 이타콘산 등의 디카르복시산류;2-메타크릴로일옥시에틸숙신산, 2-메타크릴로일옥시에틸말레산, 2-메타크릴로일옥시에틸프탈산, 2-메타크릴로일옥시에틸헥사히드로프탈산 등의 카르복실기 및 에스테르 결합을 가지는 메타크릴산 유도체류;메틸 (메타)아크릴레이트, 에틸 (메타)아크릴레이트, 부틸 (메타)아크릴레이트 등의 (메타)아크릴산 알킬에스테르류;2-히드록시에틸 (메타)아크릴레이트, 2-히드록시프로필 (메타)아크릴레이트 등의 (메타)아크릴산 히드록시알킬에스테르류;페닐(메타)아크릴레이트, 벤질(메타)아크릴레이트 등의 (메타)아크릴산 아릴에스테르류;말레산 디에틸, 푸말산 디부틸 등의 디카르복시산 디에스테르류;스티렌, α-메틸스티렌, 클로로스티렌, 클로로메틸스티렌, 비닐톨루엔, 히드록시스티렌, α-메틸히드록시스티렌, α-에틸히드록시스티렌 등의 비닐기 함유 방향족 화합물류;아세트산 비닐 등의 비닐기 함유 지방족 화합물류;부타디엔, 이소프렌 등의 공역 디올레핀류;아크릴로니트릴, 메타크릴로니트릴 등의 니트릴기 함유 중합성 화합물류;염화 비닐, 염화 비닐리덴 등의 염소 함유 중합성 화합물;아크릴아미드, 메타크릴아미드 등의 아미드 결합 함유 중합성 화합물류; 등을 들 수 있다.In addition, the polyhydroxystyrene resin (Aphs1) may contain other polymerizable compounds as structural units for the purpose of appropriately controlling physical and chemical properties. Examples of such a polymerizable compound include a known radical polymerizable compound and an anionic polymerizable compound. Moreover, as such a polymeric compound, For example, monocarboxylic acids, such as acrylic acid, methacrylic acid, and crotonic acid; Dicarboxylic acids, such as maleic acid, a fumaric acid, and itaconic acid; 2-methacryloyloxy ethyl succinic acid; Methacrylic acid derivatives having a carboxyl group and an ester bond such as 2-methacryloyloxyethyl maleic acid, 2-methacryloyloxyethyl phthalic acid and 2-methacryloyloxyethylhexahydrophthalic acid; methyl (meta (Meth) acrylic acid alkyl esters such as) acrylate, ethyl (meth) acrylate, and butyl (meth) acrylate; 2-hydroxyethyl (meth) acrylate, 2-hydroxypropyl (meth) acrylate, and the like. (Meth) acrylic acid hydroxyalkyl esters; (meth) acrylic acid aryl esters such as phenyl (meth) acrylate and benzyl (meth) acrylate; dicarboxylic acid diesters such as diethyl maleate and dibutyl fumarate Vinyl group-containing aromatic compounds such as styrene, α-methylstyrene, chlorostyrene, chloromethylstyrene, vinyltoluene, hydroxystyrene, α-methylhydroxystyrene and α-ethylhydroxystyrene; vinyl such as vinyl acetate Group-containing aliphatic compounds; conjugated diolefins such as butadiene and isoprene; nitrile group-containing polymerizable compounds such as acrylonitrile and methacrylonitrile; chlorine-containing polymerizable compounds such as vinyl chloride and vinylidene chloride; acrylamide And amide bond-containing polymerizable compounds such as methacrylamide; and the like.

수지 성분 (A)로서 노볼락 수지 (Anv1) 및 폴리히드록시스티렌 수지 (Aphs1)을 아크릴 수지 (Aac1)과 조합해 이용할 수도 있고, 이 경우 이들 수지의 합계에서 차지하는 아크릴 수지의 비율은 5~100 질량%인 것이 바람직하고, 50~100 질량%인 것이 보다 바람직하며, 100 질량%인 것이 더욱 바람직하다.As the resin component (A), a novolak resin (Anv1) and a polyhydroxystyrene resin (Aphs1) may be used in combination with an acrylic resin (Aac1). In this case, the proportion of the acrylic resin in the total of these resins is 5 to 100. It is preferable that it is mass%, It is more preferable that it is 50-100 mass%, It is still more preferable that it is 100 mass%.

수지 성분 (A)의 폴리스티렌 환산 질량 평균 분자량은 바람직하게는 5000~300000이고, 보다 바람직하게는 7000~200000이며, 더욱 바람직하게는 10000~200000이다. 이와 같은 질량 평균 분자량으로 함으로써, 지지체와의 박리성이 저하되는 일 없이 후막 레지스트층의 충분한 강도를 유지할 수 있고, 또 도금시의 프로파일의 팽창이나 크랙의 발생을 막을 수 있다.The mass average molecular weight of the resin component (A) in terms of polystyrene is preferably 5,000 to 300,000, more preferably 7,000 to 200,000, and still more preferably 10,000 to 200,000. By setting it as such a mass average molecular weight, sufficient intensity | strength of a thick film resist layer can be maintained without peeling property with a support body, and expansion of a profile and the generation of a crack at the time of plating can be prevented.

또, 수지 성분 (A)는 분산도가 1.05 이상의 수지인 것이 바람직하다. 여기서, 분산도란 질량 평균 분자량을 수평균 분자량으로 나눈 값이다. 이와 같은 분산도로 함으로써, 원하는 도금에 대한 응력 내성이나, 도금 처리에 의해 얻어지는 금속층이 팽창하기 쉬워진다는 문제를 회피할 수 있다.The resin component (A) is preferably a resin having a degree of dispersion of 1.05 or more. Here, a dispersion degree is the value which divided | diluted the mass mean molecular weight by the number average molecular weight. By such a dispersion, it is possible to avoid the stress tolerance against the desired plating and the problem that the metal layer obtained by the plating treatment is liable to expand.

수지 성분 (A)의 함유량은 본 발명에 관한 레지스트 조성물의 전체 질량에 대해서 5~60 질량%, 보다 바람직하게는 20~60 질량%, 더욱 바람직하게는 30~50 질량%로 하는 것이 바람직하다.It is preferable that content of a resin component (A) is 5-60 mass% with respect to the total mass of the resist composition which concerns on this invention, More preferably, it is 20-60 mass%, More preferably, it is 30-50 mass%.

<알칼리 가용성 수지 (C)>&Lt; Alkali-soluble resin (C) &gt;

본 발명의 후막용 포지티브형 레지스트 조성물은 크랙 내성을 향상시키기 위해, 알칼리 가용성 수지 (C)를 더 함유하는 것이 바람직하다. 여기서, 알칼리 가용성 수지란, 수지 농도 20 질량%의 수지 용액(용매:프로필렌글리콜 모노메틸에테르 아세테이트)에 의해 막 두께 1㎛의 수지막을 기판 상에 형성하고, 2.38 질량%의 TMAH 수용액에 1분간 침지했을 때, 0.01㎛ 이상 용해하는 것을 말한다. 알칼리 가용성 수지 (C)로는 노볼락 수지 (Cnv1), 폴리히드록시스티렌 수지 (Cphs1) 및 아크릴 수지 (Cac1)로 이루어진 군으로부터 선택되는 적어도 1종의 수지인 것이 바람직하다.It is preferable that the positive type resist composition for thick films of this invention contains alkali-soluble resin (C) further in order to improve crack resistance. Here, with alkali-soluble resin, the resin film of 1 micrometer in thickness is formed on the board | substrate with the resin solution (solvent: propylene glycol monomethyl ether acetate) of 20 mass% of resin concentration, and it is immersed for 1 minute in 2.38 mass% TMAH aqueous solution. When it says, it melt | dissolves 0.01 micrometer or more. The alkali-soluble resin (C) is preferably at least one resin selected from the group consisting of a novolak resin (Cnv1), a polyhydroxystyrene resin (Cphs1) and an acrylic resin (Cac1).

[노볼락 수지 (Cnv1)][Novolac resin (Cnv1)]

노볼락 수지 (Cnv1)은 예를 들면 페놀성 수산기를 가지는 방향족 화합물(이하, 단순히 「페놀류」라고 함)과 알데히드류를 산 촉매 하에서 부가 축합시킴으로써 얻어진다.Novolak resin (Cnv1) is obtained by addition condensation of, for example, an aromatic compound having a phenolic hydroxyl group (hereinafter simply referred to as "phenols") and aldehydes under an acid catalyst.

상기 페놀류로는 예를 들면, 페놀, o-크레졸, m-크레졸, p-크레졸, o-에틸페놀, m-에틸페놀, p-에틸페놀, o-부틸페놀, m-부틸페놀, p-부틸페놀, 2,3-크실레놀, 2,4-크실레놀, 2,5-크실레놀, 2,6-크실레놀, 3,4-크실레놀, 3,5-크실레놀, 2,3,5-트리메틸페놀, 3,4,5-트리메틸페놀, p-페닐페놀, 레조르시놀, 히드로퀴논, 히드로퀴논 모노메틸에테르, 피로가롤, 프로로글리시놀, 히드록시디페닐, 비스페놀 A, 갈산, 갈산 에스테르, α-나프톨, β-나프톨 등을 들 수 있다.Examples of the phenols include phenol, o-cresol, m-cresol, p-cresol, o-ethylphenol, m-ethylphenol, p-ethylphenol, o-butylphenol, m-butylphenol and p-butyl Phenol, 2,3-xylenol, 2,4-xylenol, 2,5-xylenol, 2,6-xylenol, 3,4-xylenol, 3,5-xylenol, 2,3,5-trimethylphenol, 3,4,5-trimethylphenol, p-phenylphenol, resorcinol, hydroquinone, hydroquinone monomethyl ether, pyrogarol, proroglycinol, hydroxydiphenyl, bisphenol A, gallic acid, a gallic acid ester, (alpha)-naphthol, (beta) -naphthol, etc. are mentioned.

상기 알데히드류로는 예를 들면, 포름알데히드, 푸르푸랄, 벤즈알데히드, 니트로벤즈알데히드, 아세트알데히드 등을 들 수 있다.The aldehydes include, for example, formaldehyde, furfural, benzaldehyde, nitrobenzaldehyde, acetaldehyde and the like.

부가 축합 반응시의 촉매는 특별히 한정되는 것은 아니지만, 예를 들면 산 촉매로는 염산, 질산, 황산, 포름산, 옥살산, 아세트산 등이 사용된다.Although the catalyst at the time of addition condensation reaction is not specifically limited, For example, hydrochloric acid, nitric acid, sulfuric acid, formic acid, oxalic acid, acetic acid etc. are used as an acid catalyst.

또한, o-크레졸을 사용함으로써, 수지 중의 수산기의 수소 원자를 다른 치환기로 치환함으로써, 혹은 부피가 큰 알데히드류를 사용함으로써, 노볼락 수지의 유연성을 한층 향상시키는 것이 가능하다.In addition, by using o-cresol, it is possible to further improve the flexibility of the novolak resin by substituting a hydrogen atom of the hydroxyl group in the resin with another substituent or by using bulky aldehydes.

이 노볼락 수지 (Cnv1)의 질량 평균 분자량은 1000~50000인 것이 바람직하다.The novolak resin (Cnv1) preferably has a mass average molecular weight of 1,000 to 50,000.

[폴리히드록시스티렌 수지 (Cphs1)][Polyhydroxystyrene resin (Cphs1)]

폴리히드록시스티렌 수지 (Cphs1)을 구성하는 히드록시스티렌계 화합물로는 p-히드록시스티렌, α-메틸히드록시스티렌, α-에틸히드록시스티렌 등을 들 수 있다.P-hydroxy styrene, (alpha) -methylhydroxy styrene, (alpha)-ethylhydroxy styrene etc. are mentioned as a hydroxy styrene type compound which comprises polyhydroxy styrene resin (Cphs1).

또한, 폴리히드록시스티렌 수지 (Cphs1)은 스티렌 수지와의 공중합체로 하는 것이 바람직하다. 이와 같은 스티렌 수지를 구성하는 스티렌계 화합물로는 스티렌, 클로로스티렌, 클로로메틸스티렌, 비닐톨루엔, α-메틸스티렌 등을 들 수 있다.Moreover, it is preferable to make polyhydroxy styrene resin (Cphs1) into a copolymer with a styrene resin. Examples of the styrene compounds constituting such styrene resins include styrene, chlorostyrene, chloromethylstyrene, vinyltoluene, and α-methylstyrene.

이 폴리히드록시스티렌 수지 (Cphs1)의 질량 평균 분자량은 1000~50000인 것이 바람직하다.The weight average molecular weight of the polyhydroxystyrene resin (Cphs1) is preferably 1,000 to 50,000.

[아크릴 수지 (Cac1)][Acrylic resin (Cac1)]

아크릴 수지 (Cac1)로는 에테르 결합을 가지는 중합성 화합물로부터 유도된 구성 단위 및 카르복실기를 가지는 중합성 화합물로부터 유도된 구성 단위를 포함하는 것이 바람직하다.The acrylic resin (Cac1) preferably contains a constituent unit derived from a polymerizable compound having an ether bond and a constituent unit derived from a polymerizable compound having a carboxyl group.

상기 에테르 결합을 가지는 중합성 화합물로는 2-메톡시에틸 (메타)아크릴레이트, 메톡시트리에틸렌글리콜 (메타)아크릴레이트, 3-메톡시부틸 (메타)아크릴레이트, 에틸카르비톨 (메타)아크릴레이트, 페녹시 폴리에틸렌글리콜 (메타)아크릴레이트, 메톡시 폴리프로필렌글리콜 (메타)아크릴레이트, 테트라히드로푸르푸릴 (메타)아크릴레이트 등의 에테르 결합 및 에스테르 결합을 가지는 (메타)아크릴산 유도체 등을 예시할 수 있다. 상기 에테르 결합을 가지는 중합성 화합물은 바람직하게는 2-메톡시에틸 아크릴레이트, 메톡시 트리에틸렌글리콜 아크릴레이트이다. 이들 중합성 화합물은 단독으로 이용해도 되고, 2종 이상을 조합해 이용해도 된다.Examples of the polymerizable compound having an ether bond include 2-methoxyethyl (meth) acrylate, methoxy triethylene glycol (meth) acrylate, 3-methoxybutyl (meth) acrylate, ethylcarbitol (Meth) acrylic acid derivatives having an ether bond and an ester bond such as phenoxypolyethylene glycol (meth) acrylate, methoxypolypropylene glycol (meth) acrylate, tetrahydrofurfuryl (meth) acrylate and the like . The polymerizable compound having an ether bond is preferably 2-methoxyethyl acrylate, methoxy triethylene glycol acrylate. These polymerizable compounds may be used independently or may be used in combination of 2 or more type.

상기 카르복실기를 가지는 중합성 화합물로는 아크릴산, 메타크릴산, 크로톤산 등의 모노카르복시산류;말레산, 푸말산, 이타콘산 등의 디카르복시산류;2-메타크릴로일옥시에틸숙신산, 2-메타크릴로일옥시에틸말레산, 2-메타크릴로일옥시에틸프탈산, 2-메타크릴로일옥시에틸헥사히드로프탈산 등의 카르복실기 및 에스테르 결합을 가지는 화합물;등을 예시할 수 있다. 상기 카르복실기를 가지는 중합성 화합물은 바람직하게는 아크릴산, 메타크릴산이다. 이들 중합성 화합물은 단독으로 이용해도 되고, 2종 이상을 조합해 이용해도 된다.Examples of the polymerizable compound having a carboxyl group include monocarboxylic acids such as acrylic acid, methacrylic acid and crotonic acid; dicarboxylic acids such as maleic acid, fumaric acid and itaconic acid; 2-methacryloyloxyethyl succinic acid and 2-metha; The compound which has carboxyl groups and ester bonds, such as a chryloyl oxyethyl maleic acid, 2-methacryloyl oxyethyl phthalic acid, and 2-methacryloyl oxyethyl hexahydrophthalic acid; etc. can be illustrated. The polymerizable compound having a carboxyl group is preferably acrylic acid or methacrylic acid. These polymerizable compounds may be used independently or may be used in combination of 2 or more type.

이 아크릴 수지 (Cac1)의 질량 평균 분자량은 50000~800000인 것이 바람직하다.The mass average molecular weight of the acrylic resin (Cac1) is preferably 50,000 to 800,000.

알칼리 가용성 수지 (C)의 함유량은 상기 수지 성분 (A) 100 질량부에 대해서, 바람직하게는 5~200 질량부이며, 보다 바람직하게는 10~180 질량부이다. 알칼리 가용성 수지 (C)의 함유량을 수지 성분 (A) 100 질량부에 대해서 5 질량부 이상으로 함으로써 크랙 내성을 향상시킬 수 있고, 200 질량부 이하로 함으로써 현상시의 막 감소를 막을 수 있는 경향이 있다.The content of the alkali-soluble resin (C) is preferably 5 to 200 parts by mass, more preferably 10 to 180 parts by mass, per 100 parts by mass of the resin component (A). When the content of the alkali-soluble resin (C) is 5 parts by mass or more with respect to 100 parts by mass of the resin component (A), the crack resistance can be improved. When the content is 200 parts by mass or less, have.

또한, 알칼리 가용성 수지 (C)를 이용하는 경우, 노볼락 수지 (Cnv1) 및 폴리히드록시스티렌 수지 (Cphs1)을 상기 아크릴 수지 (Aac1)과 조합해 이용하는 것이 바람직하다. 이 경우, 이들 수지의 합계에서 차지하는 아크릴 수지의 비율은 5~80 질량%인 것이 바람직하고, 10~70 질량%인 것이 보다 바람직하며, 10~40 질량%인 것이 더욱 바람직하다. 또, 노볼락 수지의 비율은 5~80 질량%인 것이 바람직하고, 20~70 질량%인 것이 보다 바람직하며, 45~65 질량%인 것이 더욱 바람직하다. 또, 폴리히드록시스티렌 수지의 비율은 5~60 질량%인 것이 바람직하고, 5~35 질량%인 것이 보다 바람직하며, 5~30 질량%인 것이 더욱 바람직하다. 이와 같은 비율로 함으로써, 후막 레지스트층 내에서 산 발생제를 보다 균일하게 분산시킬 수 있다.In addition, when using alkali-soluble resin (C), it is preferable to use novolak resin (Cnv1) and polyhydroxy styrene resin (Cphs1) in combination with the said acrylic resin (Aac1). In this case, the proportion of the acrylic resin in the total of these resins is preferably 5 to 80 mass%, more preferably 10 to 70 mass%, and even more preferably 10 to 40 mass%. The proportion of the novolac resin is preferably 5 to 80 mass%, more preferably 20 to 70 mass%, still more preferably 45 to 65 mass%. The proportion of the polyhydroxystyrene resin is preferably 5 to 60 mass%, more preferably 5 to 35 mass%, and still more preferably 5 to 30 mass%. By setting the ratio to the above range, the acid generator can be more uniformly dispersed in the thick film resist layer.

<산 발생제 성분;(B) 성분> &Lt; Acid Generator Component: Component (B) &gt;

본 발명의 후막용 포지티브형 레지스트 조성물은 노광에 의해 산을 발생시키는 산 발생제 성분 (B)(이하, (B) 성분이라고 함)를 함유한다. 또한, 산 발생제 성분 (B)는 하기 일반식 (b1-1)로 나타내는 화합물을 포함하는 산 발생제 (B1)을 함유한다.The positive resist composition for thick films of this invention contains the acid generator component (B) (henceforth (B) component) which generate | occur | produces an acid by exposure. In addition, an acid generator component (B) contains the acid generator (B1) containing the compound represented by the following general formula (b1-1).

Figure pat00021
Figure pat00021

[식 중, Y1은 2가의 연결기이고, W는 S, Se 또는 I이며, R1은 치환기를 가지고 있어도 되는 탄화수소기이고, R2는 탄소수 1~5의 알킬기 또는 알콕시기이다. W=I의 경우, m+n=2이며, W=S, Se의 경우, m+n=3이며, 또한 m≥1, n≥0이다. p는 0~5이다. X-는 쌍음이온이다.][Wherein, Y 1 is a divalent linking group, W is S, Se or I, R 1 is a hydrocarbon group which may have a substituent, and R 2 is a C1-C5 alkyl or alkoxy group. In the case of W = I, m + n = 2, in the case of W = S and Se, m + n = 3, and m≥1 and n≥0. p is 0-5. X - is a dianion.]

상기 일반식 (b1-1) 중, Y1은 2가의 연결기이다. Y1의 2가의 연결기로는 특별히 한정되지 않지만, 치환기를 가지고 있어도 되는 2가의 탄화수소기, 헤테로 원자를 포함하는 2가의 연결기 등을 들 수 있다.In General Formula (b1-1), Y 1 is a divalent linking group. Although it does not specifically limit as a bivalent coupling group of Y <1> , The bivalent hydrocarbon group which may have a substituent, the bivalent coupling group containing a hetero atom, etc. are mentioned.

(치환기를 가지고 있어도 되는 2가의 탄화수소기)(Bivalent hydrocarbon group which may have a substituent)

2가의 연결기로서의 탄화수소기는 지방족 탄화수소기여도 되고, 방향족 탄화수소기여도 된다.The hydrocarbon group as a divalent linking group may be an aliphatic hydrocarbon group or an aromatic hydrocarbon group.

지방족 탄화수소기는 방향족성을 가지지 않는 탄화수소기를 의미한다. 이 지방족 탄화수소기는 포화여도 되고, 불포화여도 되며, 통상은 포화인 것이 바람직하다.The aliphatic hydrocarbon group means a hydrocarbon group having no aromaticity. This aliphatic hydrocarbon group may be saturated or unsaturated, and it is preferable that it is normally saturated.

상기 지방족 탄화수소기로는 직쇄상 혹은 분기쇄상의 지방족 탄화수소기 또는 구조 중에 고리를 포함하는 지방족 탄화수소기 등을 들 수 있고, 구체적으로는 상술한 식 (a1-1)에 있어서의 Va1로 예시한 기를 들 수 있다.The aliphatic hydrocarbon group and the like aliphatic hydrocarbon group containing a ring in the structure of the aliphatic hydrocarbon group or straight-chain or branched-chain, specifically exemplified by Va 1 in the above-described formula (a1-1) a group Can be mentioned.

상기 직쇄상 또는 분기쇄상의 지방족 탄화수소기는 치환기를 가지고 있어도 되고, 가지지 않아도 된다. 이 치환기로는 불소 원자, 불소 원자로 치환된 탄소수 1~5의 불소화 알킬기, 카르보닐기 등을 들 수 있다.The straight chain or branched chain aliphatic hydrocarbon group may or may not have a substituent. Examples of the substituent include a fluorine atom, a fluorinated alkyl group having 1 to 5 carbon atoms substituted with a fluorine atom, and a carbonyl group.

상기 구조 중에 고리를 포함하는 지방족 탄화수소기로는 고리 구조 중에 헤테로 원자를 포함하는 치환기를 포함해도 되는 환상의 지방족 탄화수소기(지방족 탄화수소환으로부터 수소 원자를 2개 제외한 기), 상기 환상의 지방족 탄화수소기가 직쇄상 또는 분기쇄상의 지방족 탄화수소기의 말단에 결합한 기, 상기 환상의 지방족 탄화수소기가 직쇄상 또는 분기쇄상의 지방족 탄화수소기의 도중에 개재하는 기 등을 들 수 있다. 상기 직쇄상 또는 분기쇄상의 지방족 탄화수소기로는 상기와 동일한 것을 들 수 있다.The aliphatic hydrocarbon group containing a ring in the above structure includes a cyclic aliphatic hydrocarbon group (group excluding two hydrogen atoms from the aliphatic hydrocarbon ring) which may include a substituent containing a hetero atom in the ring structure, and the cyclic aliphatic hydrocarbon group is directly The group couple | bonded with the terminal of a linear or branched aliphatic hydrocarbon group, the group which the said cyclic aliphatic hydrocarbon group interposes in the middle of a linear or branched aliphatic hydrocarbon group, etc. are mentioned. Examples of the straight chain or branched chain aliphatic hydrocarbon group include the same ones as described above.

환상의 지방족 탄화수소기는 탄소수가 3~20인 것이 바람직하고, 3~12인 것이 보다 바람직하다.The cyclic aliphatic hydrocarbon group preferably has 3 to 20 carbon atoms, more preferably 3 to 12 carbon atoms.

환상의 지방족 탄화수소기로는 구체적으로는 상술한 식 (a1-1)에 있어서의 Va1로 예시한 기를 들 수 있다.Specific examples of the cyclic aliphatic hydrocarbon group include groups exemplified by Va 1 in formula (a1-1) described above.

환상의 지방족 탄화수소기는 치환기를 가지고 있어도 되고, 가지지 않아도 된다. 이 치환기로는 알킬기, 알콕시기, 할로겐 원자, 할로겐화 알킬기, 수산기, 카르보닐기 등을 들 수 있다.The cyclic aliphatic hydrocarbon group may or may not have a substituent. Examples of the substituent include an alkyl group, an alkoxy group, a halogen atom, a halogenated alkyl group, a hydroxyl group, and a carbonyl group.

상기 치환기로서의 알킬기로는 탄소수 1~5의 알킬기가 바람직하고, 메틸기, 에틸기, 프로필기, n-부틸기, tert-부틸기인 것이 가장 바람직하다.The alkyl group as the substituent is preferably an alkyl group having 1 to 5 carbon atoms, and most preferably a methyl group, an ethyl group, a propyl group, an n-butyl group or a tert-butyl group.

상기 치환기로서의 알콕시기로는 탄소수 1~5의 알콕시기가 바람직하고, 메톡시기, 에톡시기, n-프로폭시기, iso-프로폭시기, n-부톡시기, tert-부톡시기가 바람직하며, 메톡시기, 에톡시기가 가장 바람직하다.The alkoxy group as the substituent is preferably an alkoxy group having 1 to 5 carbon atoms, more preferably a methoxy group, an ethoxy group, an n-propoxy group, an isopropoxy group, a n-butoxy group or a tert- The ethoxy group is most preferred.

상기 치환기로서의 할로겐 원자로는 불소 원자, 염소 원자, 브롬 원자, 요오드 원자 등을 들 수 있고, 불소 원자가 바람직하다.Examples of the halogen atom as the substituent include a fluorine atom, a chlorine atom, a bromine atom and an iodine atom, and a fluorine atom is preferable.

상기 치환기로서의 할로겐화 알킬기로는 상기 알킬기의 수소 원자의 일부 또는 전부가 상기 할로겐 원자로 치환된 기를 들 수 있다.Examples of the halogenated alkyl group as the substituent include groups in which a part or all of the hydrogen atoms of the alkyl group are substituted with the halogen atom.

환상의 지방족 탄화수소기는 그 고리 구조를 구성하는 탄소 원자의 일부가 헤테로 원자를 포함하는 치환기로 치환되어도 된다. 이 헤테로 원자를 포함하는 치환기로는 -O-, -C(=O)-O-, -S-, -S(=O)2-, -S(=O)2-O-가 바람직하다.The cyclic aliphatic hydrocarbon group may be substituted with a substituent in which part of the carbon atoms constituting the ring structure contains a hetero atom. The substituent containing the hetero atom is preferably -O-, -C (= O) -O-, -S-, -S (= O) 2- or -S (= O) 2 -O-.

2가의 탄화수소기로서의 방향족 탄화수소기로는 구체적으로는 상술한 식 (a1-1)에 있어서의 Va1로 예시된 기를 들 수 있다.An aromatic hydrocarbon group as the divalent hydrocarbon group is specifically exemplified by Va may be the group 1 in the above-described formula (a1-1).

상기 방향족 탄화수소기는 해당 방향족 탄화수소기가 가지는 수소 원자가 치환기로 치환되어 있어도 된다. 예를 들어 해당 방향족 탄화수소기 중의 방향환에 결합한 수소 원자가 치환기로 치환되어 있어도 된다.The hydrogen atom which the said aromatic hydrocarbon group has may be substituted by the said aromatic hydrocarbon group by the substituent. For example, the hydrogen atom bonded to the aromatic ring in the aromatic hydrocarbon group may be substituted with a substituent.

이 치환기로는 예를 들어, 알킬기, 알콕시기, 할로겐 원자, 할로겐화 알킬기, 수산기 등을 들 수 있다.Examples of the substituent include an alkyl group, an alkoxy group, a halogen atom, a halogenated alkyl group, and a hydroxyl group.

상기 치환기로서의 알킬기로는 탄소수 1~5의 알킬기가 바람직하고, 메틸기, 에틸기, 프로필기, n-부틸기, tert-부틸기인 것이 가장 바람직하다.The alkyl group as the substituent is preferably an alkyl group having 1 to 5 carbon atoms, and most preferably a methyl group, an ethyl group, a propyl group, an n-butyl group or a tert-butyl group.

상기 치환기로서의 알콕시기, 할로겐 원자 및 할로겐화 알킬기로는 상기 환상의 지방족 탄화수소기가 가지는 수소 원자를 치환하는 치환기로서 예시한 것을 들 수 있다.Examples of the alkoxy group, halogen atom and halogenated alkyl group as the substituent include those exemplified as substituents for substituting the hydrogen atom of the cyclic aliphatic hydrocarbon group.

(헤테로 원자를 포함하는 2가의 연결기)(A divalent linking group containing a hetero atom)

헤테로 원자를 포함하는 2가의 연결기에서의 헤테로 원자란, 탄소 원자 및 수소 원자 이외의 원자이며, 예를 들어 산소 원자, 질소 원자, 황 원자, 할로겐 원자 등을 들 수 있다.The hetero atom in the divalent linking group containing a hetero atom is an atom other than a carbon atom and a hydrogen atom, and examples thereof include an oxygen atom, a nitrogen atom, a sulfur atom and a halogen atom.

Ya21이 헤테로 원자를 포함하는 2가의 연결기인 경우, 이 연결기로서 바람직한 것으로서 -O-, -C(=O)-O-, -C(=O)-, -O-C(=O)-O-, -C(=O)-NH-, -NH-, -NH-C(=NH)-(H는 알킬기, 아실기 등의 치환기로 치환되어 있어도 됨), -S-, -S(=O)2-, -S(=O)2-O-, 일반식 -Y21-O-Y22-, -Y21-O-, -Y21-C(=O)-O-, -[Y21-C(=O)-O]m'-Y22- 또는 -Y21-O-C(=O)-Y22-로 나타내는 기[식 중, Y21 및 Y22는 각각 독립적으로 치환기를 가지고 있어도 되는 2가의 탄화수소기이고, O는 산소 원자이며, m'는 0~3의 정수이다.] 등을 들 수 있다.When Ya 21 is a divalent linking group containing a hetero atom, preferred as this linking group are -O-, -C (= 0) -O-, -C (= 0)-, -OC (= 0) -O-. , -C (= O) -NH-, -NH-, -NH-C (= NH)-(H may be substituted with a substituent such as an alkyl group, acyl group), -S-, -S (= O ) 2- , -S (= O) 2 -O-, general formula -Y 21 -OY 22- , -Y 21 -O-, -Y 21 -C (= O) -O-,-(Y 21- C (= O) -O] m ' -Y 22 -or -Y 21 -OC (= O) -Y 22 -in the group represented by Y 21 and Y 22 may each independently have a substituent 2 It is a hydrocarbon group, O is an oxygen atom, m 'is an integer of 0-3.] Etc. are mentioned.

상기 헤테로 원자를 포함하는 2가의 연결기가 -C(=O)-NH-, -NH-, -NH-C(=NH)-의 경우, 그 H는 알킬기, 아실 등의 치환기로 치환되어 있어도 된다. 이 치환기(알킬기, 아실기 등)는 탄소수가 1~10인 것이 바람직하고, 1~8인 것이 더욱 바람직하며, 1~5인 것이 특히 바람직하다.When the divalent linking group containing the hetero atom is -C (= O) -NH-, -NH-, -NH-C (= NH)-, the H may be substituted with a substituent such as an alkyl group or acyl. . The substituent (alkyl group, acyl group, etc.) preferably has 1 to 10 carbon atoms, more preferably 1 to 8 carbon atoms, and particularly preferably 1 to 5 carbon atoms.

식 -Y21-O-Y22-, -Y21-O-, -Y21-C(=O)-O-, -[Y21-C(=O)-O]m'-Y22- 또는 -Y21-O-C(=O)-Y22- 중, Y21 및 Y22는 각각 독립적으로 치환기를 가지고 있어도 되는 2가의 탄화수소기이다. 이 2가의 탄화수소기로는 상기 2가의 연결기로서의 설명에서 든 「치환기를 가지고 있어도 되는 2가의 탄화수소기」와 동일한 것을 들 수 있다.Formula -Y 21 -OY 22- , -Y 21 -O-, -Y 21 -C (= O) -O-,-[Y 21 -C (= O) -O] m ' -Y 22 -or- Y <21> -OC (= O) -Y <22> -Y <21> and Y <22> are the bivalent hydrocarbon groups which may each independently have a substituent. As this bivalent hydrocarbon group, the thing similar to the "divalent hydrocarbon group which may have a substituent" mentioned in the description as said bivalent coupling group is mentioned.

Y21로는 직쇄상의 지방족 탄화수소기가 바람직하고, 직쇄상의 알킬렌기가 보다 바람직하며, 탄소수 1~5의 직쇄상의 알킬렌기가 더욱 바람직하고, 메틸렌기 또는 에틸렌기가 특히 바람직하다.Y 21 is preferably a straight-chain aliphatic hydrocarbon group, more preferably a straight-chain alkylene group, more preferably a straight-chain alkylene group having 1 to 5 carbon atoms, particularly preferably a methylene group or an ethylene group.

Y22로는 직쇄상 또는 분기쇄상의 지방족 탄화수소기가 바람직하고, 메틸렌기, 에틸렌기 또는 알킬메틸렌기가 보다 바람직하다. 이 알킬메틸렌기에 있어서의 알킬기는 탄소수 1~5의 직쇄상의 알킬기가 바람직하고, 탄소수 1~3의 직쇄상의 알킬기가 바람직하며, 메틸기가 가장 바람직하다.Y 22 is preferably a linear or branched aliphatic hydrocarbon group, more preferably a methylene group, an ethylene group or an alkylmethylene group. The alkyl group in this alkylmethylene group is preferably a linear alkyl group having 1 to 5 carbon atoms, preferably a linear alkyl group having 1 to 3 carbon atoms, and most preferably a methyl group.

식 -[Y21-C(=O)-O]m'-Y22-로 나타내는 기에 있어서, m'는 0~3의 정수이며, 0~2의 정수인 것이 바람직하고, 0 또는 1이 보다 바람직하며, 1이 특히 바람직하다. 즉, 식 -[Y21-C(=O)-O]m'-Y22-로 나타내는 기로는 식 -Y21-C(=O)-O-Y22-로 나타내는 기가 특히 바람직하다. 그 중에서도, 식 -(CH2)a'-C(=O)-O-(CH2)b'-로 나타내는 기가 바람직하다. 이 식 중, a'는 1~10의 정수이며, 1~8의 정수가 바람직하고, 1~5의 정수가 보다 바람직하며, 1 또는 2가 더욱 바람직하고, 1이 가장 바람직하다. b'는 1~10의 정수이며, 1~8의 정수가 바람직하고, 1~5의 정수가 보다 바람직하며, 1 또는 2가 더욱 바람직하고, 1이 가장 바람직하다.In the group represented by the formula - [Y 21 -C (═O) -O] m ' -Y 22 -, m' is an integer of 0 to 3, preferably an integer of 0 to 2, more preferably 0 or 1 And 1 is particularly preferable. That is, the group represented by the formula - [Y 21 -C (═O) -O] m ' -Y 22 - is particularly preferably a group represented by the formula -Y 21 -C (═O) -OY 22 -. Among them, a group represented by the formula - (CH 2 ) a ' -C (═O) -O- (CH 2 ) b' - is preferable. In this formula, a 'is an integer of 1 to 10, preferably an integer of 1 to 8, more preferably an integer of 1 to 5, more preferably 1 or 2, and most preferably 1. b 'is an integer of 1 to 10, preferably an integer of 1 to 8, more preferably an integer of 1 to 5, more preferably 1 or 2, and most preferably 1.

상기 일반식 (b1-1) 중, Y1의 2가의 연결기로는 그 중에서도, 하기 일반식 (Y-lg-1)~(Y-lg-14)로 나타내는 연결기가 바람직하다. 하기 일반식 (Y-lg-1)~(Y-lg-14) 중, *는 결합손을 나타낸다. 좌측의 결합손은 상기 일반식 (b1-1) 중의 SO2에 결합하고, 우측의 결합손은 상기 일반식 (b1-1) 중의 W+에 결합하고 있는 것으로 한다.Among the above general formulas (b1-1), as the divalent linking group for Y 1 , a linking group represented by general formulas (Y-lg-1) to (Y-lg-14) shown below is preferable. In the following general formulas (Y-lg-1) to (Y-lg-14), * represents a bonding hand. It is assumed that the left hand bond is bonded to SO 2 in General Formula (b1-1), and the right hand bond is bonded to W + in General Formula (b1-1).

Figure pat00022
Figure pat00022

[식 중, V'1~V'3은 치환기를 가지고 있어도 되는 2가의 탄화수소기이고, V'4는 불소 원자를 가지는 2가의 탄화수소기이며, R'1은 수소 원자 또는 탄소수 1~5의 알킬기이다.][Wherein, V ′ 1 to V ′ 3 are a divalent hydrocarbon group which may have a substituent, V ′ 4 is a divalent hydrocarbon group having a fluorine atom, and R ′ 1 is a hydrogen atom or an alkyl group having 1 to 5 carbon atoms. to be.]

상기 식 (Y-lg-1)~(Y-lg-14) 중, V'1~V'3은 치환기를 가지고 있어도 되는 2가의 탄화수소기이다.In the formulas (Y-lg-1) to (Y-lg-14), V ′ 1 to V ′ 3 are a divalent hydrocarbon group which may have a substituent.

2가의 연결기로서의 탄화수소기는 지방족 탄화수소기여도 되고, 방향족 탄화수소기여도 된다.The hydrocarbon group as a divalent linking group may be an aliphatic hydrocarbon group or an aromatic hydrocarbon group.

지방족 탄화수소기는 방향족성을 가지지 않는 탄화수소기를 의미한다. 이 지방족 탄화수소기는 포화여도 되고, 불포화여도 되며, 통상은 포화인 것이 바람직하다.The aliphatic hydrocarbon group means a hydrocarbon group having no aromaticity. This aliphatic hydrocarbon group may be saturated or unsaturated, and it is preferable that it is normally saturated.

상기 지방족 탄화수소기로는 직쇄상 혹은 분기쇄상의 지방족 탄화수소기 또는 구조 중에 고리를 포함하는 지방족 탄화수소기 등을 들 수 있다.Examples of the aliphatic hydrocarbon group include linear or branched aliphatic hydrocarbon groups or aliphatic hydrocarbon groups containing a ring in the structure.

상기 직쇄상 또는 분기쇄상의 지방족 탄화수소기로서 구체적으로는 상기 일반식 (a1-1)에 있어서의 Va1로 예시하는 기를 들 수 있다.Specific examples of the linear or branched aliphatic hydrocarbon group include groups exemplified by Va 1 in General Formula (a1-1).

상기 직쇄상 또는 분기쇄상의 지방족 탄화수소기는 치환기를 가지고 있어도 되고, 가지지 않아도 된다. 이 치환기로는 불소 원자, 불소 원자로 치환된 탄소수 1~5의 불소화 알킬기, 카르보닐기 등을 들 수 있다.The straight chain or branched chain aliphatic hydrocarbon group may or may not have a substituent. Examples of the substituent include a fluorine atom, a fluorinated alkyl group having 1 to 5 carbon atoms substituted with a fluorine atom, and a carbonyl group.

상기 구조 중에 고리를 포함하는 지방족 탄화수소기로는 고리 구조 중에 헤테로 원자를 포함하는 치환기를 포함해도 되는 환상의 지방족 탄화수소기(지방족 탄화수소환으로부터 수소 원자를 2개 제외한 기), 상기 환상의 지방족 탄화수소기가 직쇄상 또는 분기쇄상의 지방족 탄화수소기의 말단에 결합한 기, 상기 환상의 지방족 탄화수소기가 직쇄상 또는 분기쇄상의 지방족 탄화수소기의 도중에 개재되는 기 등을 들 수 있다. 상기 직쇄상 또는 분기쇄상의 지방족 탄화수소기로는 상기와 동일한 것을 들 수 있다.The aliphatic hydrocarbon group containing a ring in the above structure includes a cyclic aliphatic hydrocarbon group (group excluding two hydrogen atoms from the aliphatic hydrocarbon ring) which may include a substituent containing a hetero atom in the ring structure, and the cyclic aliphatic hydrocarbon group is directly The group couple | bonded with the terminal of a linear or branched aliphatic hydrocarbon group, the group in which the said cyclic aliphatic hydrocarbon group is interposed in the middle of a linear or branched aliphatic hydrocarbon group, etc. are mentioned. Examples of the straight chain or branched chain aliphatic hydrocarbon group include the same ones as described above.

환상의 지방족 탄화수소기는 탄소수가 3~20인 것이 바람직하고, 3~12인 것이 보다 바람직하다.The cyclic aliphatic hydrocarbon group preferably has 3 to 20 carbon atoms, more preferably 3 to 12 carbon atoms.

환상의 지방족 탄화수소기로는 구체적으로는 상기 일반식 (a1-1)에 있어서의 Va1로 예시하는 기를 들 수 있다.Specific examples of the cyclic aliphatic hydrocarbon group include groups exemplified by Va 1 in General Formula (a1-1).

환상의 지방족 탄화수소기는 치환기를 가지고 있어도 되고, 가지지 않아도 된다. 이 치환기로는 알킬기, 알콕시기, 할로겐 원자, 할로겐화 알킬기, 수산기, 카르보닐기 등을 들 수 있다.The cyclic aliphatic hydrocarbon group may or may not have a substituent. Examples of the substituent include an alkyl group, an alkoxy group, a halogen atom, a halogenated alkyl group, a hydroxyl group, and a carbonyl group.

상기 치환기로서의 알킬기로는 탄소수 1~5의 알킬기가 바람직하고, 메틸기, 에틸기, 프로필기, n-부틸기, tert-부틸기인 것이 가장 바람직하다.The alkyl group as the substituent is preferably an alkyl group having 1 to 5 carbon atoms, and most preferably a methyl group, an ethyl group, a propyl group, an n-butyl group or a tert-butyl group.

상기 치환기로서의 알콕시기로는 탄소수 1~5의 알콕시기가 바람직하고, 메톡시기, 에톡시기, n-프로폭시기, iso-프로폭시기, n-부톡시기, tert-부톡시기가 바람직하고, 메톡시기, 에톡시기가 가장 바람직하다.The alkoxy group as the substituent is preferably an alkoxy group having 1 to 5 carbon atoms, more preferably a methoxy group, an ethoxy group, an n-propoxy group, an isopropoxy group, a n-butoxy group or a tert- The ethoxy group is most preferred.

상기 치환기로서의 할로겐 원자로는 불소 원자, 염소 원자, 브롬 원자, 요오드 원자 등을 들 수 있고, 불소 원자가 바람직하다.Examples of the halogen atom as the substituent include a fluorine atom, a chlorine atom, a bromine atom and an iodine atom, and a fluorine atom is preferable.

상기 치환기로서의 할로겐화 알킬기로는 상기 알킬기의 수소 원자의 일부 또는 전부가 상기 할로겐 원자로 치환된 기를 들 수 있다.Examples of the halogenated alkyl group as the substituent include groups in which a part or all of the hydrogen atoms of the alkyl group are substituted with the halogen atom.

환상의 지방족 탄화수소기는 그 고리 구조를 구성하는 탄소 원자의 일부가 헤테로 원자를 포함하는 치환기로 치환되어도 된다. 이 헤테로 원자를 포함하는 치환기로는 -O-, -C(=O)-O-, -S-, -S(=O)2-, -S(=O)2-O-가 바람직하다.The cyclic aliphatic hydrocarbon group may be substituted with a substituent in which part of the carbon atoms constituting the ring structure contains a hetero atom. The substituent containing the hetero atom is preferably -O-, -C (= O) -O-, -S-, -S (= O) 2- or -S (= O) 2 -O-.

2가의 탄화수소기로서의 방향족 탄화수소기로는 구체적으로는 상기 일반식 (a1-1)에 있어서의 Va1로 예시하는 기를 들 수 있다.Specific examples of the aromatic hydrocarbon group as the divalent hydrocarbon group include groups exemplified by Va 1 in the general formula (a1-1).

상기 방향족 탄화수소기는 해당 방향족 탄화수소기가 가지는 수소 원자가 치환기로 치환되어 있어도 된다. 예를 들어, 해당 방향족 탄화수소기 중의 방향환에 결합한 수소 원자가 치환기로 치환되어 있어도 된다. 이 치환기로는 예를 들어, 알킬기, 알콕시기, 할로겐 원자, 할로겐화 알킬기, 수산기 등을 들 수 있다. The hydrogen atom which the said aromatic hydrocarbon group has may be substituted by the said aromatic hydrocarbon group by the substituent. For example, the hydrogen atom couple | bonded with the aromatic ring in the said aromatic hydrocarbon group may be substituted by the substituent. Examples of the substituent include an alkyl group, an alkoxy group, a halogen atom, a halogenated alkyl group, and a hydroxyl group.

상기 치환기로서의 알킬기로는 탄소수 1~5의 알킬기가 바람직하고, 메틸기, 에틸기, 프로필기, n-부틸기, tert-부틸기인 것이 가장 바람직하다.The alkyl group as the substituent is preferably an alkyl group having 1 to 5 carbon atoms, and most preferably a methyl group, an ethyl group, a propyl group, an n-butyl group or a tert-butyl group.

상기 치환기로서의 알콕시기, 할로겐 원자 및 할로겐화 알킬기로는 상기 환상의 지방족 탄화수소기가 가지는 수소 원자를 치환하는 치환기로서 예시한 것을 들 수 있다.Examples of the alkoxy group, halogen atom and halogenated alkyl group as the substituent include those exemplified as substituents for substituting the hydrogen atom of the cyclic aliphatic hydrocarbon group.

상기 일반식 (Y-lg-1)~(Y-lg-14) 중, V'1은 치환기를 가지고 있어도 되는 2가의 방향족 탄화수소기인 것이 바람직하고, 특히 아릴렌기, 아랄킬렌기가 바람직하다.In General Formulas (Y-lg-1) to (Y-lg-14), V ′ 1 is preferably a divalent aromatic hydrocarbon group which may have a substituent, and particularly preferably an arylene group and an aralkylene group.

상기 일반식 (Y-lg-1)~(Y-lg-14) 중, V'2~V'3은 치환기를 가지고 있어도 되는 알킬렌기가 바람직하고, 특히 치환기를 가지고 있어도 되는 쇄상 알킬렌기가 바람직하다.In the general formulas (Y-lg-1) to (Y-lg-14), V ′ 2 to V ′ 3 are preferably an alkylene group which may have a substituent, and in particular, a chain alkylene group which may have a substituent is preferable. Do.

상기 일반식 (Y-lg-1)~(Y-lg-14) 중, V'4는 불소 원자를 가지는 2가의 탄화수소기이다.In General Formulas (Y-lg-1) to (Y-lg-14), V ′ 4 is a divalent hydrocarbon group having a fluorine atom.

V'4에서의 불소 원자를 가지는 2가의 탄화수소기로는 상기 일반식 (Y-lg-1)~(Y-lg-14) 중의, V'1~V'3의 2가의 탄화수소기로서 예시한 것이 바람직하고, 탄소수 1~5의 알킬렌기인 것이 보다 바람직하며, 메틸렌기 또는 에틸렌기인 것이 더욱 바람직하다. V'4를 구성하는 탄화수소기의 수소 원자의 일부 또는 전부가 불소 원자로 치환되고, 상기 탄화수소기의 수소 원자의 30~100%가 불소 원자로 치환되어 있는 것이 보다 바람직하다. 그 중에서도, 상기 V'1~V'3의 2가의 탄화수소기로서 예시한 알킬렌기의 수소 원자의 일부 또는 전부가 불소 원자로 치환된 (퍼)플루오로알킬렌기인 것이 특히 바람직하다.V '2-valent hydrocarbon group having a fluorine atom in the 4 in the formula (Y-lg-1) ~ (Y-lg-14), V' is exemplified as the divalent hydrocarbon group of 1 ~ V '3 It is preferable that it is a C1-C5 alkylene group, and it is still more preferable that it is a methylene group or ethylene group. A part or all of the hydrogen atoms of the hydrocarbon group constituting the V '4 are replaced by fluorine atoms, is 30 to 100% of the hydrogen atoms of the hydrocarbon group is more preferable, which is substituted with a fluorine atom. In particular, the V '1 ~ V' some or all of the fluorine atoms of the hydrogen atoms of the alkylene groups exemplified as the divalent hydrocarbon group of 3-substituted by alkyl (per) fluoro-alkylene group it is in particular preferred.

상기 일반식 (Y-lg-1)~(Y-lg-14) 중의 R'1의 탄소수 1~5의 알킬기로는 메틸기, 에틸기, 프로필기, 이소프로필기, n-부틸기, 이소부틸기, tert-부틸기, 펜틸기, 이소펜틸기, 네오펜틸기 등을 들 수 있다.Examples of the alkyl group having 1 to 5 carbon atoms for R ′ 1 in the general formulas (Y-lg-1) to (Y-lg-14) include methyl group, ethyl group, propyl group, isopropyl group, n-butyl group and isobutyl group. and tert-butyl group, pentyl group, isopentyl group and neopentyl group.

상기 일반식 (b1-1) 중, R1은 치환기를 가지고 있어도 되는 탄화수소기이며, 예를 들어, 치환기를 가지고 있어도 되는 환식기, 치환기를 가지고 있어도 되는 쇄상의 알킬기, 또는 치환기를 가지고 있어도 되는 쇄상의 알케닐기를 들 수 있다.In said general formula (b1-1), R <1> is a hydrocarbon group which may have a substituent, For example, the cyclic group which may have a substituent, the chain alkyl group which may have a substituent, or the chain which may have a substituent Alkenyl group is mentioned.

(치환기를 가지고 있어도 되는 환식기)(A cyclic group which may have a substituent)

상기 환식기는 환상의 탄화수소기인 것이 바람직하고, 이 환상의 탄화수소기는 방향족 탄화수소기여도 되고, 지방족 탄화수소기여도 된다.It is preferable that the said cyclic group is a cyclic hydrocarbon group, and this cyclic hydrocarbon group may be an aromatic hydrocarbon group, or an aliphatic hydrocarbon group may be sufficient as it.

R1에서의 방향족 탄화수소기는 상기 식 (a1-1)의 Va1에서의 2가의 방향족 탄화수소기에서 든 방향족 탄화수소환, 또는 2 이상의 방향환을 포함하는 방향족 화합물로부터 수소 원자를 1개 제외한 아릴기를 들 수 있고, 페닐기, 나프틸기가 바람직하다.The aromatic hydrocarbon group in R 1 includes an aryl group excluding one hydrogen atom from an aromatic hydrocarbon ring contained in a divalent aromatic hydrocarbon group in Va 1 of the formula (a1-1), or an aromatic compound containing two or more aromatic rings. A phenyl group and a naphthyl group are preferable.

R1에서의 환상의 지방족 탄화수소기는 상기 식 (a1-1)의 Va1에서의 2가의 지방족 탄화수소기에서 든 모노시클로알칸 또는 폴리시클로알칸으로부터 수소 원자를 1개 제외한 기를 들 수 있고, 아다만틸기, 노르보르닐기가 바람직하다.The cyclic aliphatic hydrocarbon group in R 1 includes a group in which one hydrogen atom is removed from a monocycloalkane or polycycloalkane contained in the divalent aliphatic hydrocarbon group in Va 1 of the formula (a1-1), and an adamantyl group And norbornyl group is preferable.

또, R1에서의 환상의 탄화수소기는 복소환 등과 같이 헤테로 원자를 포함해도 되고, 구체적으로는 하기 일반식 (a2-r-1)~(a2-r-7)로 각각 나타내는 락톤 함유 환식기, 하기 일반식 (a5-r-1)~(a5-r-4)로 각각 나타내는 -SO2- 함유 환식기, 그 외 이하에 드는 복소환식기를 들 수 있다.Moreover, the cyclic hydrocarbon group in R <1> may contain a hetero atom like a heterocyclic ring, Specifically, the lactone containing cyclic group represented by the following general formula (a2-r-1) (a2-r-7), the following formula (a5-r-1) ~ -SO 2 each represent a (a5-r-4) - may be a cyclic group containing, heterocyclic favorite More or less.

Figure pat00023
Figure pat00023

[식 중, Ra'21은 각각 독립적으로 수소 원자, 알킬기, 알콕시기, 할로겐 원자, 할로겐화 알킬기, 수산기, -COOR", -OC(=O)R", 히드록시알킬기 또는 시아노기이고;R"는 수소 원자 또는 알킬기이며;A"는 산소 원자 혹은 황 원자를 포함하고 있어도 되는 탄소수 1~5의 알킬렌기, 산소 원자 또는 황 원자이고, n'는 0~2의 정수이며, m'는 0 또는 1이다.][Wherein, Ra '21 each independently represent a hydrogen atom, an alkyl group, an alkoxy group, a halogen atom, a halogenated alkyl group, a hydroxyl group, -COOR ", -OC (= O ) R", a hydroxyalkyl group or a cyano group; R " Is an alkylene group, an oxygen atom or a sulfur atom having 1 to 5 carbon atoms which may contain an oxygen atom or a sulfur atom, n 'is an integer of 0 to 2, m' is 0 or 1, 1.]

상기 일반식 (a2-r-1)~(a2-r-7) 중, A"는 산소 원자(-O-) 혹은 황 원자(-S-)를 포함하고 있어도 되는 탄소수 1~5의 알킬렌기, 산소 원자 또는 황 원자이다. A"에 있어서의 탄소수 1~5의 알킬렌기로는 직쇄상 또는 분기쇄상의 알킬렌기가 바람직하고, 메틸렌기, 에틸렌기, n-프로필렌기, 이소프로필렌기 등을 들 수 있다. 이 알킬렌기가 산소 원자 또는 황 원자를 포함하는 경우, 그 구체적인 예로는 상기 알킬렌기의 말단 또는 탄소 원자간에 -O- 또는 -S-가 개재되는 기를 들 수 있고, 예를 들어 -O-CH2-, -CH2-O-CH2-, -S-CH2-, -CH2-S-CH2- 등을 들 수 있다. A"로는 탄소수 1~5의 알킬렌기 또는 -O-가 바람직하고, 탄소수 1~5의 알킬렌기가 보다 바람직하며, 메틸렌기가 가장 바람직하다. Ra'21에서의 알킬기, 알콕시기, 할로겐 원자, 할로겐화 알킬기, -COOR", -OC(=O)R", 히드록시알킬기로는 각각 상기에서 -SO2- 함유 환식기가 가지고 있어도 되는 치환기로서 든 알킬기, 알콕시기, 할로겐화 알킬기, -COOR", -OC(=O)R", 히드록시알킬기와 동일한 것을 들 수 있다.In the general formulas (a2-r-1) to (a2-r-7), A "represents an alkylene group having 1 to 5 carbon atoms which may contain an oxygen atom (-O-) , An oxygen atom or a sulfur atom. The alkylene group having 1 to 5 carbon atoms in A "is preferably a linear or branched alkylene group, and a methylene group, an ethylene group, an n-propylene group, . When the alkylene group containing an oxygen atom or a sulfur atom, and specific examples there may be mentioned a group which is -O- or -S-, or interposed between the terminal carbon atoms of the alkylene group, such as -O-CH 2 -, -CH 2 -O-CH 2- , -S-CH 2- , -CH 2 -S-CH 2 -and the like. A ″ is preferably an alkylene group having 1 to 5 carbon atoms or —O—, more preferably an alkylene group having 1 to 5 carbon atoms, and most preferably a methylene group. Alkyl group, alkoxy group, halogen atom, halogenated at Ra ′ 21 alkyl group, -COOR ", -OC (= O ) R", hydroxy-alkyl group is in the -SO 2 respectively contain as a substituent which may have cyclic groups any alkyl, alkoxy, halogenated alkyl group, -COOR ", -OC (= O) R "and the same thing as a hydroxyalkyl group are mentioned.

하기에 일반식 (a2-r-1)~(a2-r-7)로 나타내는 기의 구체적인 예를 든다.Specific examples of the group represented by the general formulas (a2-r-1) to (a2-r-7) are given below.

Figure pat00024
Figure pat00024

락톤 함유 환식기로는 상기 중에서도, 상기 일반식 (a2-r-1)로 나타내는 기가 바람직하고, 상기 화학식 (r-lc-1-1)~(r-lc-1-7) 중 어느 하나의 기가 보다 바람직하며, 상기 화학식 (r-lc-1-1)로 나타내는 기가 더욱 바람직하다.As a lactone containing cyclic group, group represented by the said general formula (a2-r-1) is preferable among the above, and the group of any of the said general formula (r-lc-1-1)-(r-lc-1-7) is More preferably, group represented by the said general formula (r-lc-1-1) is still more preferable.

Figure pat00025
Figure pat00025

[식 중, Ra'51은 각각 독립적으로 수소 원자, 알킬기, 알콕시기, 할로겐 원자, 할로겐화 알킬기, 수산기, -COOR", -OC(=O)R", 히드록시알킬기 또는 시아노기이고;R"는 수소 원자 또는 알킬기이며;A"는 산소 원자 혹은 황 원자를 포함하고 있어도 되는 탄소수 1~5의 알킬렌기, 산소 원자 또는 황 원자이고, n'는 0~2의 정수이다.][Wherein, Ra '51 each independently represent a hydrogen atom, an alkyl group, an alkoxy group, a halogen atom, a halogenated alkyl group, a hydroxyl group, -COOR ", -OC (= O ) R", a hydroxyalkyl group or a cyano group; R " Is an alkylene group, an oxygen atom or a sulfur atom having 1 to 5 carbon atoms which may contain an oxygen atom or a sulfur atom, and n 'is an integer of 0 to 2.]

상기 일반식 (a5-r-1)~(a5-r-4) 중, A"는 상기 일반식 (a2-r-1)~(a2-r-7) 중의 A"와 동일하다. Ra'51에서의 알킬기, 알콕시기, 할로겐 원자, 할로겐화 알킬기, -COOR", -OC(=O)R", 히드록시알킬기로는 상기 일반식 (a2-r-1)~(a2-r-7) 중의 Ra'21과 동일하다.In the general formulas (a5-r-1) to (a5-r-4), A "is the same as A" in the general formulas (a2-r-1) to (a2-r-7). (A2-r-1) to (a2-r-1) in the above Ra '51 are exemplified by an alkyl group, an alkoxy group, a halogen atom, a halogenated alkyl group, -COOR " 7) the same as those of Ra '21.

하기에 일반식 (a5-r-1)~(a5-r-4)로 나타내는 기의 구체적인 예를 든다. 식 중의 「Ac」는 아세틸기를 나타낸다.Specific examples of the groups represented by the general formulas (a5-r-1) to (a5-r-4) are described below. "Ac" in a formula represents an acetyl group.

Figure pat00026
Figure pat00026

Figure pat00027
Figure pat00027

Figure pat00028
Figure pat00028

-SO2- 함유 환식기로는 상기 중에서도, 상기 일반식 (a5-r-1)로 나타내는 기가 바람직하고, 상기 화학식 (r-sl-1-1) 또는 (r-sl-1-18)로 나타내는 기가 보다 바람직하다.-SO 2 - containing polycyclic group is Among the above, represented by the above-mentioned formula (a5-r-1) group is preferably represented by the above formula (r-sl-1-1) or (r-sl-1-18) Group is more preferable.

Figure pat00029
Figure pat00029

R1의 환상의 탄화수소기에서의 치환기로는 예를 들어, 알킬기, 알콕시기, 할로겐 원자, 할로겐화 알킬기, 수산기, 카르보닐기, 니트로기 등을 들 수 있다.As a substituent in the cyclic hydrocarbon group of R <1> , an alkyl group, an alkoxy group, a halogen atom, a halogenated alkyl group, a hydroxyl group, a carbonyl group, a nitro group, etc. are mentioned, for example.

치환기로서의 알킬기로는 탄소수 1~5의 알킬기가 바람직하고, 메틸기, 에틸기, 프로필기, n-부틸기, tert-부틸기인 것이 가장 바람직하다.The alkyl group as a substituent is preferably an alkyl group having 1 to 5 carbon atoms, and most preferably a methyl group, an ethyl group, a propyl group, an n-butyl group or a tert-butyl group.

치환기로서의 알콕시기로는 탄소수 1~5의 알콕시기가 바람직하고, 메톡시기, 에톡시기, n-프로폭시기, iso-프로폭시기, n-부톡시기, tert-부톡시기가 보다 바람직하고, 메톡시기, 에톡시기가 가장 바람직하다.The alkoxy group as a substituent is preferably an alkoxy group having 1 to 5 carbon atoms, more preferably a methoxy group, an ethoxy group, an n-propoxy group, an iso- propoxy group, a n-butoxy group or a tert- The ethoxy group is most preferred.

치환기로서의 할로겐 원자로는 불소 원자, 염소 원자, 브롬 원자, 요오드 원자 등을 들 수 있고, 불소 원자가 바람직하다.As a halogen atom as a substituent, a fluorine atom, a chlorine atom, a bromine atom, an iodine atom, etc. are mentioned, A fluorine atom is preferable.

치환기로서의 할로겐화 알킬기로는 탄소수 1~5의 알킬기, 예를 들어 메틸기, 에틸기, 프로필기, n-부틸기, tert-부틸기 등의 수소 원자의 일부 또는 전부가 상기 할로겐 원자로 치환된 기를 들 수 있다.Examples of the halogenated alkyl group as a substituent include an alkyl group having 1 to 5 carbon atoms such as a group in which a part or all of hydrogen atoms such as methyl, ethyl, propyl, n-butyl and tert-butyl groups are substituted with the halogen atom .

(치환기를 가지고 있어도 되는 쇄상의 알킬기)(A linear alkyl group which may have a substituent)

R1의 쇄상의 알킬기로는 직쇄상 또는 분기쇄상 중 어떠한 것이어도 된다.The linear alkyl group of R 1 may be either linear or branched.

직쇄상의 알킬기로는 탄소수가 1~20인 것이 바람직하고, 1~15인 것이 보다 바람직하며, 1~10이 가장 바람직하다. 구체적으로는 예를 들면, 메틸기, 에틸기, 프로필기, 부틸기, 펜틸기, 헥실기, 헵틸기, 옥틸기, 노닐기, 데카닐기, 운데실기, 도데실기, 트리데실기, 이소트리데실기, 테트라데실기, 펜타데실기, 헥사데실기, 이소헥사데실기, 헵타데실기, 옥타데실기, 노나데실기, 에이코실기, 헨에이코실기, 도코실기 등을 들 수 있다.The straight-chain alkyl group preferably has 1 to 20 carbon atoms, more preferably 1 to 15, and most preferably 1 to 10 carbon atoms. Specifically, for example, methyl, ethyl, propyl, butyl, pentyl, hexyl, heptyl, octyl, nonyl, decanyl, undecyl, dodecyl, tridecyl, isotridecyl, Tetradecyl group, pentadecyl group, hexadecyl group, isohexadecyl group, heptadecyl group, octadecyl group, nonadecyl group, eicosyl group, a hentai group, a docosyl group, etc. are mentioned.

분기쇄상의 알킬기로는 탄소수가 3~20인 것이 바람직하고, 3~15인 것이 보다 바람직하고, 3~10이 가장 바람직하다. 구체적으로는 예를 들면, 1-메틸에틸기, 1-메틸프로필기, 2-메틸프로필기, 1-메틸부틸기, 2-메틸부틸기, 3-메틸부틸기, 1-에틸부틸기, 2-에틸부틸기, 1-메틸펜틸기, 2-메틸펜틸기, 3-메틸펜틸기, 4-메틸펜틸기 등을 들 수 있다.The branched alkyl group preferably has 3 to 20 carbon atoms, more preferably 3 to 15 carbon atoms, and most preferably 3 to 10 carbon atoms. Specific examples thereof include 1-methylethyl, 1-methylpropyl, 2-methylpropyl, 1-methylbutyl, 2-methylbutyl, 3-methylbutyl, Ethylbutyl group, 1-methylpentyl group, 2-methylpentyl group, 3-methylpentyl group and 4-methylpentyl group.

(치환기를 가지고 있어도 되는 쇄상의 알케닐기)(A straight chain alkenyl group which may have a substituent)

R1의 쇄상의 알케닐기로는 직쇄상 또는 분기쇄상 중 어느 하나여도 되고, 탄소수가 2~10인 것이 바람직하며, 2~5가 보다 바람직하고, 2~4가 더욱 바람직하며, 3이 특히 바람직하다. 직쇄상의 알케닐기로는 예를 들면, 비닐기, 프로페닐기(알릴기), 부티닐기 등을 들 수 있다. 분기쇄상의 알케닐기로는 예를 들면, 1-메틸프로페닐기, 2-메틸프로페닐기 등을 들 수 있다.The linear alkenyl group of R 1 may be either linear or branched, preferably 2 to 10 carbon atoms, more preferably 2 to 5, still more preferably 2 to 4, and particularly preferably 3 Do. Examples of the straight chain alkenyl group include a vinyl group, a propenyl group (allyl group), and a butyryl group. As the branched-chain alkenyl group, for example, 1-methylpropenyl group, 2-methylpropenyl group and the like can be given.

쇄상의 알케닐기로는 상기 중에서도 특히 프로페닐기가 바람직하다.Among the above-mentioned alkenyl groups, a propenyl group is especially preferable.

R1의 쇄상의 알킬기 또는 알케닐기에서의 치환기로는 예를 들어, 알콕시기, 할로겐 원자, 할로겐화 알킬기, 수산기, 카르보닐기, 니트로기, 아미노기, 상기 R101에서의 환식기 등을 들 수 있다.Examples of the substituents on the chain in the alkyl or alkenyl groups of R 1 are, for example, there may be mentioned an alkoxy group, a halogen atom, a halogenated alkyl group, a hydroxyl group, a carbonyl group, a nitro group, an amino group, a cyclic group etc. in the R 101.

그 중에서도, R1은 치환기를 가지고 있어도 되는 환식기가 바람직하고, 치환기를 가지고 있어도 되는 환상의 탄화수소기인 것이 보다 바람직하다. 보다 구체적으로는 페닐기, 나프틸기, 폴리시클로알칸으로부터 1개 이상의 수소 원자를 제외한 기, 상기 식 (a2-r-1)~(a2-r-7)로 각각 나타내는 락톤 함유 환식기, 상기 일반식 (a5-r-1)~(a5-r-4)로 각각 나타내는 -SO2- 함유 환식기 등이 바람직하다.Especially, R <1> is preferable and the cyclic group which may have a substituent is more preferable that it is a cyclic hydrocarbon group which may have a substituent. More specifically, a lactone-containing cyclic group represented by each of the above-mentioned formulas (a2-r-1) to (a2-r-7), a cyclic group containing a lactone- -SO 2 -containing cyclic groups represented by (a5-r-1) to (a5-r-4), respectively.

R1에서의 치환기를 가지고 있어도 되는 탄화수소기로서 바람직하게는 치환기를 가지고 있어도 되는 아릴기, 치환기를 가지고 있어도 되는 알킬기, 치환기를 가지고 있어도 되는 알케닐기이다.As a hydrocarbon group which may have a substituent in R <1> , Preferably, they are the aryl group which may have a substituent, the alkyl group which may have a substituent, and the alkenyl group which may have a substituent.

R1에서의 아릴기로는 탄소수 6~20의 비치환된 아릴기를 들 수 있고, 페닐기, 나프틸기가 바람직하다.As an aryl group in R <1> , a C6-C20 unsubstituted aryl group is mentioned, A phenyl group and a naphthyl group are preferable.

R1에서의 알킬기로는 쇄상 또는 환상의 알킬기로서, 탄소수 1~30의 것이 바람직하다.As an alkyl group in R <1> , a C1-C30 thing is preferable as a linear or cyclic alkyl group.

R1에서의 알케닐기로는 탄소수가 2~10인 것이 바람직하다.As an alkenyl group in R <1> , it is preferable that carbon number is 2-10.

R1이 가지고 있어도 되는 치환기로는 예를 들면, 알킬기, 할로겐 원자, 할로겐화 알킬기, 카르보닐기, 시아노기, 아미노기, 아릴기, 아릴티오기, 하기 식 (ca-r-1)~(ca-r-7)로 각각 나타내는 기를 들 수 있다.Examples of the substituent that R 1 may have include an alkyl group, a halogen atom, a halogenated alkyl group, a carbonyl group, a cyano group, an amino group, an aryl group, an arylthio group, and the following formulas (ca-r-1) to (ca-r- Groups represented by 7) are mentioned, respectively.

치환기로서의 아릴티오기에서의 아릴기로는 구체적으로페닐티오기 또는 비페닐티오기를 들 수 있다.As an aryl group in the arylthio group as a substituent, a phenylthio group or a biphenylthio group is mentioned specifically ,.

Figure pat00030
Figure pat00030

[식 중, R'201은 각각 독립적으로 수소 원자, 치환기를 가지고 있어도 되는 환식기, 쇄상의 알킬기, 또는 쇄상의 알케닐기이다.]Wherein each of R ' 201 independently represents a hydrogen atom, a cyclic group which may have a substituent, a straight chain alkyl group, or a straight chain alkenyl group.

R'201의 치환기를 가지고 있어도 되는 환식기, 치환기를 가지고 있어도 되는 쇄상의 알킬기, 또는 치환기를 가지고 있어도 되는 쇄상의 알케닐기는 상기 식 (b1-1) 중의 R1과 동일한 것을 들 수 있는 것 외, 치환기를 가지고 있어도 되는 환식기 또는 치환기를 가지고 있어도 되는 쇄상의 알킬기로서 상기 식 (a1-r-2)로 나타내는 산 해리성 기와 동일한 것도 들 수 있다.R 'ring which may have a substituent, 201. Tableware, alkyl chain which may be substituted, or alkenyl chain which may have a substituent group other that will be exemplified by the same as R 1 in the formula (b1-1) As the cyclic group which may have a substituent or the chain alkyl group which may have a substituent, the same thing as the acid dissociable group shown by said formula (a1-r-2) is mentioned.

R1이 가지고 있어도 되는 치환기로는 특히 알킬기, 아릴기, 아릴티오기가 바람직하다.As a substituent which R <1> may have, an alkyl group, an aryl group, and an arylthio group are especially preferable.

상기 일반식 (b1-1) 중, R2는 탄소수 1~5의 알킬기 또는 알콕시기이다. 탄소수 1~5의 알킬기로는 메틸기, 에틸기, 프로필기, n-부틸기, tert-부틸기를 들 수 있다. R2에서의 탄소수 1~5의 알콕시기는 직쇄상 또는 분기쇄상인 것이 바람직하다. 구체적으로는 상기 치환기로서의 알킬기로서 든 알킬기에 산소 원자(-O-)에 결합한 기를 들 수 있다.In said general formula (b1-1), R <2> is a C1-C5 alkyl group or an alkoxy group. Examples of the alkyl group having 1 to 5 carbon atoms include methyl group, ethyl group, propyl group, n-butyl group and tert-butyl group. It is preferable that a C1-C5 alkoxy group in R <2> is linear or branched form. The group couple | bonded with the oxygen atom (-O-) can be mentioned specifically, the alkyl group mentioned as the alkyl group as said substituent.

상기 일반식 (b1-1) 중, p는 0~5이다. 상기 일반식 (b1-1)에 있어서, p는 0~3인 것이 바람직하고, 0~1인 것이 보다 바람직하며, 0인 것이 특히 바람직하다.P is 0-5 in the said General formula (b1-1). In General Formula (b1-1), p is preferably 0 to 3, more preferably 0 to 1, and particularly preferably 0.

상기 일반식 (b1-1) 중, 나프토퀴논디아지드 구조에 설포닐기가 결합하는 위치는 4위, 5위, 또는 6위인 것이 바람직하고, 4위 또는 5위가 보다 바람직하며, 4위가 가장 바람직하다.In the general formula (b1-1), the position where the sulfonyl group is bonded to the naphthoquinone diazide structure is preferably 4th, 5th, or 6th, more preferably 4th or 5th, and 4th is Most preferred.

하기에 상기 일반식 (b1-1)로 나타내는 화합물의 양이온부의 구체적인 예를 든다.The specific example of the cation part of a compound represented by the said general formula (b1-1) is given below.

Figure pat00031
Figure pat00031

Figure pat00032
Figure pat00032

Figure pat00033
Figure pat00033

Figure pat00034
Figure pat00034

Figure pat00035
Figure pat00035

Figure pat00036
Figure pat00036

Figure pat00037
Figure pat00037

상기 일반식 (b1-1) 중, X-는 쌍음이온이다.In General Formula (b1-1), X is a dianion.

X-의 쌍음이온으로는 설폰산 음이온, 카르복시산 음이온, 이미드 음이온, 메티드 음이온, 카보 음이온, 보레이트 음이온, 할로겐 음이온, 인산 음이온, 안티몬산 음이온, 비소산 음이온 등의 음이온을 들 수 있다.As an anion of X <-> , anions, such as a sulfonic acid anion, a carboxylic acid anion, an imide anion, a meted anion, a carbo anion, a borate anion, a halogen anion, a phosphate anion, an antimonic acid anion, a arsenic acid anion, are mentioned.

예를 들면, 후술하는 일반식 (b-1)~(b-3)으로 나타내는 음이온이나 하기 일반식 (b-an1)로 나타내는 음이온이어도 된다.For example, the anion represented by general formula (b-1)-(b-3) mentioned later and the anion represented by the following general formula (b-an1) may be sufficient.

Figure pat00038
Figure pat00038

[식 중, R11~R14는 각각 독립적으로 불소 원자, 치환기를 가지고 있어도 되는 알킬기, 또는 아릴기이다.][Wherein, R 11 to R 14 are each independently a fluorine atom, an alkyl group which may have a substituent, or an aryl group.]

상기 일반식 (b-an1) 중, R11~R14에서의 알킬기로는 탄소수 1~20의 알킬이 바람직하고, 상기 식 (a1-r-1)의 Ra'3과 동일한 쇄상 또는 환상의 알킬기를 들 수 있다.The general formula (b-an1) of, R 11 ~ R in an alkyl group from 14 is preferably of 1 to 20 carbon atoms alkyl, and the formula (a1-r-1) of the Ra '3 and the alkyl group of the same chain or cyclic Can be mentioned.

R11~R14에서의 아릴기로는 페닐기 또는 나프틸기가 바람직하다.As an aryl group in R <11> -R <14> , a phenyl group or a naphthyl group is preferable.

R11~R14가 알킬기 또는 아릴기인 경우에 가지고 있어도 되는 치환기로는 할로겐 원자, 할로겐화 알킬기, 알킬기, 알콕시기, 알킬티오기, 수산기, 카르보닐기 등을 들 수 있다. 이들 치환기의 예는 일반식 (a2-r-1)~(a2-r-7)로 나타내는 기를 들 수 있다. 또한, 알킬티오기로는 탄소수 1~4의 것을 들 수 있다. 그 중에서도 할로겐 원자, 할로겐화 알킬기, 알킬기, 알콕시기, 알킬티오기가 바람직하다.As a substituent which you may have when R <11> -R <14> is an alkyl group or an aryl group, a halogen atom, a halogenated alkyl group, an alkyl group, an alkoxy group, an alkylthio group, a hydroxyl group, a carbonyl group, etc. are mentioned. Examples of these substituents include groups represented by the general formulas (a2-r-1) to (a2-r-7). Moreover, a C1-C4 thing is mentioned as an alkylthio group. Especially, a halogen atom, a halogenated alkyl group, an alkyl group, an alkoxy group, and an alkylthio group are preferable.

상기 일반식 (b-an1) 중, R11~R14에 대해서 바람직하게는 불소 원자, 불소화 알킬기, 또는 하기 일반식 (b-an1')로 나타내는 기인 것이 바람직하다.It is a group represented by the general formula (b-an1) of, R 11 ~ R 14 preferably a fluorine atom, a fluorinated alkyl group, or the following general formula (b-an1 ') for being preferred.

Figure pat00039
Figure pat00039

[식 중, R'11~R'15는 각각 독립적으로 수소 원자, 불소 원자, 트리플루오로메틸기, 탄소수 1~4의 알킬기, 알콕시기 혹은 알킬티오기이다.][Wherein, R '11 ~ R' 15 are each independently a hydrogen atom, a fluorine atom, trifluoromethyl, alkyl, alkoxy or alkylthio group having from 1 to 4 carbon atoms.]

상기 일반식 중, 탄소수 1~4의 알킬기는 구체적으로는 메틸기, 에틸기, n-프로필기, n-부틸기 등을 들 수 있다. 이들 중에서도, 메틸기, 에틸기 또는 n-부틸기가 바람직하고, 메틸기 또는 에틸기가 보다 바람직하다.In said general formula, a C1-C4 alkyl group specifically, can mention methyl group, an ethyl group, n-propyl group, n-butyl group, etc. Among them, a methyl group, an ethyl group or an n-butyl group is preferable, and a methyl group or an ethyl group is more preferable.

상기 일반식 중, 탄소수 1~4의 알콕시기는 구체적으로는 메톡시기, 에톡시기, n-프로폭시기, iso-프로폭시기, n-부톡시기, tert-부톡시기가 바람직하고, 메톡시기, 에톡시기가 보다 바람직하다.In said general formula, a C1-C4 alkoxy group specifically, has a methoxy group, an ethoxy group, n-propoxy group, iso-propoxy group, n-butoxy group, tert-butoxy group, and a methoxy group and an ethoxy group are preferable. The timing is more preferable.

상기 일반식 중, 탄소수 1~4의 알킬티오기로는 메틸티오기, 에틸티오기, n-프로필티오기, iso-프로필티오기, n-부틸티오기, tert-부틸티오기가 바람직하고, 메틸티오기, 에틸티오기가 보다 바람직하다.In the general formula, as the alkylthio group having 1 to 4 carbon atoms, methylthio group, ethylthio group, n-propylthio group, iso-propylthio group, n-butylthio group, tert-butylthio group are preferable, and methyl thi Ogi and ethylthio group are more preferable.

상기 일반식 (b-an1)로 나타내는 음이온부의 바람직한 구체적인 예로는 테트라키스(펜타플루오로페닐)보레이트([B(C6F5)4]-), 테트라키스[(트리플루오로메틸) 페닐]보레이트([B(C6H4CF3)4]-), 디플루오로비스(펜타플루오로페닐)보레이트([(C6F5)2BF2]-), 트리플루오로(펜타플루오로페닐)보레이트([(C6F5)BF3]-), 테트라키스(디플루오로페닐)보레이트([B(C6H3F2)4]-) 등을 들 수 있다. 이들 중에서도, 테트라키스(펜타플루오로페닐)보레이트([B(C6F5)4]-)가 특히 바람직하다.Preferable specific examples of the anion moiety represented by general formula (b-an1) include tetrakis (pentafluorophenyl) borate ([B (C 6 F 5 ) 4 ] - ), tetrakis [(trifluoromethyl) phenyl] Borate ([B (C 6 H 4 CF 3 ) 4 ] - ), difluorobis (pentafluorophenyl) borate ([(C 6 F 5 ) 2 BF 2 ] - ), trifluoro (pentafluoro Phenyl) borate ([(C 6 F 5 ) BF 3 ] - ), tetrakis (difluorophenyl) borate ([B (C 6 H 3 F 2 ) 4 ] - ), and the like. Among them, tetrakis (pentafluorophenyl) borate ([B (C 6 F 5 ) 4 ] - ) is particularly preferable.

X-의 쌍음이온은 할로겐 음이온, 인산 음이온, 안티몬산 음이온(SbF6 -), 비소산 음이온(AsF6 -)이어도 된다. 할로겐 음이온으로는 염소나 브롬을 들 수 있고, 인산 음이온으로는 PF6 -나 하기 일반식 (b-an2)로 나타내는 음이온을 들 수 있다.The anion of X may be a halogen anion, a phosphate anion, an antimony acid anion (SbF 6 ), or a non - acidic anion (AsF 6 ). Examples of the halogen anion include chlorine and bromine, and the phosphate anion includes PF 6 - and the anion represented by the following general formula (b-an2).

Figure pat00040
Figure pat00040

[식 중, R15는 각각 독립적으로 탄소수 1~8의 불소화 알킬기이다. q는 1~6이다.]Wherein each R &lt; 15 &gt; is independently a fluorinated alkyl group having 1 to 8 carbon atoms. q is 1 to 6.]

상기 일반식 (b-an2) 중, 탄소수 1~8의 불소화 알킬기의 구체적인 예로는 CF3, CF3CF2, (CF3)2CF, CF3CF2CF2, CF3CF2CF2CF2, (CF3)2CFCF2, CF3CF2(CF3)CF, C(CF3)3을 들 수 있다.Specific examples of the fluorinated alkyl group having 1 to 8 carbon atoms in the general formula (b-an2) include CF 3 , CF 3 CF 2 , (CF 3 ) 2 CF, CF 3 CF 2 CF 2 , CF 3 CF 2 CF 2 CF 2, (CF 3) there may be mentioned 2 CFCF 2, CF 3 CF 2 (CF 3) CF, C (CF 3) 3.

Figure pat00041
Figure pat00041

[식 중, R101, R104~R108은 각각 독립적으로 치환기를 가지고 있어도 되는 환식기, 치환기를 가지고 있어도 되는 쇄상의 알킬기, 또는 치환기를 가지고 있어도 되는 쇄상의 알케닐기이다. R104, R105는 서로 결합해 고리를 형성하고 있어도 된다. R106~R107 중 어느 2개는 서로 결합해 고리를 형성하고 있어도 된다. R102는 불소 원자 또는 탄소수 1~5의 불소화 알킬기이다. Y101은 단결합 또는 산소 원자를 포함하는 2가의 연결기이다. V101~V103은 각각 독립적으로 단결합, 알킬렌기, 또는 불소화 알킬렌기이다. L101~L102는 각각 독립적으로 단결합 또는 산소 원자이다. L103~L105는 각각 독립적으로 단결합, -CO- 또는 -SO2-이다.]Wherein R 101 and R 104 to R 108 are each independently a cyclic group which may have a substituent, a chain alkyl group which may have a substituent, or a straight chain alkenyl group which may have a substituent. R 104 and R 105 may combine with each other to form a ring. Any two of R 106 to R 107 may be bonded to each other to form a ring. R 102 is a fluorine atom or a fluorinated alkyl group having 1 to 5 carbon atoms. Y 101 is a single bond or a divalent linking group containing an oxygen atom. V 101 to V 103 each independently represent a single bond, an alkylene group, or a fluorinated alkylene group. L 101 to L 102 each independently represent a single bond or an oxygen atom. L 103 to L 105 each independently represents a single bond, -CO- or -SO 2 -.

{음이온부}{Negative ion part}

·(b-1) 성분의 음이온부The negative ion part of the component (b-1)

식 (b-1) 중, R101은 치환기를 가지고 있어도 되는 환식기, 치환기를 가지고 있어도 되는 쇄상의 알킬기, 또는 치환기를 가지고 있어도 되는 쇄상의 알케닐기이다.In formula (b-1), R 101 is a cyclic group which may have a substituent, a chain alkyl group which may have a substituent, or a straight chain alkenyl group which may have a substituent.

(치환기를 가지고 있어도 되는 환식기)(A cyclic group which may have a substituent)

상기 환식기는 환상의 탄화수소기인 것이 바람직하고, 이 환상의 탄화수소기는 방향족 탄화수소기여도 되고, 지방족 탄화수소기여도 된다.It is preferable that the said cyclic group is a cyclic hydrocarbon group, and this cyclic hydrocarbon group may be an aromatic hydrocarbon group, or an aliphatic hydrocarbon group may be sufficient as it.

R101에서의 방향족 탄화수소기는 상기 식 (a1-1)의 Va1에서의 2가의 방향족 탄화수소기에서 든 방향족 탄화수소환, 또는 2 이상의 방향환을 포함하는 방향족 화합물로부터 수소 원자를 1개 제외한 아릴기를 들 수 있고, 페닐기, 나프틸기가 바람직하다.The aromatic hydrocarbon group in R 101 includes an aryl group excluding one hydrogen atom from an aromatic hydrocarbon ring contained in a divalent aromatic hydrocarbon group in Va 1 of Formula (a1-1) or an aromatic compound containing two or more aromatic rings. A phenyl group and a naphthyl group are preferable.

R101에서의 환상의 지방족 탄화수소기는 상기 식 (a1-1)의 Va1에서의 2가의 지방족 탄화수소기에서 든 모노시클로알칸 또는 폴리시클로알칸으로부터 수소 원자를 1개 제외한 기를 들 수 있고, 아다만틸기, 노르보르닐기가 바람직하다.The cyclic aliphatic hydrocarbon group for R 101 includes a group in which one hydrogen atom is removed from monocycloalkane or polycycloalkane contained in the divalent aliphatic hydrocarbon group in Va 1 of formula (a1-1), and an adamantyl group And norbornyl group is preferable.

또, R101에서의 환상의 탄화수소기는 복소환 등과 같이 헤테로 원자를 포함해도 되고, 구체적으로는 상기 일반식 (a2-r-1)~(a2-r-7)로 각각 나타내는 락톤 함유 환식기, 상기 일반식 (a5-r-1)~(a5-r-4)로 각각 나타내는 -SO2- 함유 환식기, 상기 식 (b1-1) 중의 R1로 든 복소환식기를 들 수 있다.Moreover, the cyclic hydrocarbon group in R <101> may contain a hetero atom like a heterocyclic ring, Specifically, the lactone containing cyclic group represented by said general formula (a2-r-1)-(a2-r-7), respectively, can be given either containing heterocyclic group as R 1 in the cyclic group, the formula (b1-1) - the general formula (a5-r-1) ~ (a5-r-4) each represent a -SO 2.

R101의 환상의 탄화수소기에서의 치환기로는 예를 들어, 알킬기, 알콕시기, 할로겐 원자, 할로겐화 알킬기, 수산기, 카르보닐기, 니트로기 등을 들 수 있다.As a substituent in the cyclic hydrocarbon group of R <101> , an alkyl group, an alkoxy group, a halogen atom, a halogenated alkyl group, a hydroxyl group, a carbonyl group, a nitro group, etc. are mentioned, for example.

치환기로서의 알킬기로는 탄소수 1~5의 알킬기가 바람직하고, 메틸기, 에틸기, 프로필기, n-부틸기, tert-부틸기인 것이 가장 바람직하다.The alkyl group as a substituent is preferably an alkyl group having 1 to 5 carbon atoms, and most preferably a methyl group, an ethyl group, a propyl group, an n-butyl group or a tert-butyl group.

치환기로서의 알콕시기로는 탄소수 1~5의 알콕시기가 바람직하고, 메톡시기, 에톡시기, n-프로폭시기, iso-프로폭시기, n-부톡시기, tert-부톡시기가 보다 바람직하고, 메톡시기, 에톡시기가 가장 바람직하다.The alkoxy group as a substituent is preferably an alkoxy group having 1 to 5 carbon atoms, more preferably a methoxy group, an ethoxy group, an n-propoxy group, an iso- propoxy group, a n-butoxy group or a tert- The ethoxy group is most preferred.

치환기로서의 할로겐 원자로는 불소 원자, 염소 원자, 브롬 원자, 요오드 원자 등을 들 수 있고, 불소 원자가 바람직하다.As a halogen atom as a substituent, a fluorine atom, a chlorine atom, a bromine atom, an iodine atom, etc. are mentioned, A fluorine atom is preferable.

치환기로서의 할로겐화 알킬기로는 탄소수 1~5의 알킬기, 예를 들어 메틸기, 에틸기, 프로필기, n-부틸기, tert-부틸기 등의 수소 원자의 일부 또는 전부가 상기 할로겐 원자로 치환된 기를 들 수 있다.Examples of the halogenated alkyl group as a substituent include an alkyl group having 1 to 5 carbon atoms such as a group in which a part or all of hydrogen atoms such as methyl, ethyl, propyl, n-butyl and tert-butyl groups are substituted with the halogen atom .

(치환기를 가지고 있어도 되는 쇄상의 알킬기)(A linear alkyl group which may have a substituent)

R101의 쇄상의 알킬기로는 직쇄상 또는 분기쇄상 중 어떠한 것이어도 된다.The linear alkyl group of R 101 may be either linear or branched.

직쇄상의 알킬기로는 탄소수가 1~20인 것이 바람직하고, 1~15인 것이 보다 바람직하며, 1~10이 가장 바람직하다. 구체적으로는 예를 들면, 메틸기, 에틸기, 프로필기, 부틸기, 펜틸기, 헥실기, 헵틸기, 옥틸기, 노닐기, 데카닐기, 운데실기, 도데실기, 트리데실기, 이소트리데실기, 테트라데실기, 펜타데실기, 헥사데실기, 이소헥사데실기, 헵타데실기, 옥타데실기, 노나데실기, 에이코실기, 헨에이코실기, 도코실기 등을 들 수 있다.The straight-chain alkyl group preferably has 1 to 20 carbon atoms, more preferably 1 to 15, and most preferably 1 to 10 carbon atoms. Specifically, for example, methyl, ethyl, propyl, butyl, pentyl, hexyl, heptyl, octyl, nonyl, decanyl, undecyl, dodecyl, tridecyl, isotridecyl, Tetradecyl group, pentadecyl group, hexadecyl group, isohexadecyl group, heptadecyl group, octadecyl group, nonadecyl group, eicosyl group, a hentai group, a docosyl group, etc. are mentioned.

분기쇄상의 알킬기로는 탄소수가 3~20인 것이 바람직하고, 3~15인 것이 보다 바람직하며, 3~10이 가장 바람직하다. 구체적으로는 예를 들면, 1-메틸에틸기, 1-메틸프로필기, 2-메틸프로필기, 1-메틸부틸기, 2-메틸부틸기, 3-메틸부틸기, 1-에틸부틸기, 2-에틸부틸기, 1-메틸펜틸기, 2-메틸펜틸기, 3-메틸펜틸기, 4-메틸펜틸기 등을 들 수 있다.The branched alkyl group preferably has 3 to 20 carbon atoms, more preferably 3 to 15 carbon atoms, and most preferably 3 to 10 carbon atoms. Specific examples thereof include 1-methylethyl, 1-methylpropyl, 2-methylpropyl, 1-methylbutyl, 2-methylbutyl, 3-methylbutyl, Ethylbutyl group, 1-methylpentyl group, 2-methylpentyl group, 3-methylpentyl group and 4-methylpentyl group.

(치환기를 가지고 있어도 되는 쇄상의 알케닐기)(A straight chain alkenyl group which may have a substituent)

R101의 쇄상의 알케닐기로는 직쇄상 또는 분기쇄상 중 어떠한 것이어도 되고, 탄소수가 2~10인 것이 바람직하고, 2~5가 보다 바람직하며, 2~4가 더욱 바람직하고, 3이 특히 바람직하다. 직쇄상의 알케닐기로는 예를 들면, 비닐기, 프로페닐기(알릴기), 부티닐기 등을 들 수 있다. 분기쇄상의 알케닐기로는 예를 들면, 1-메틸프로페닐기, 2-메틸프로페닐기 등을 들 수 있다.The linear alkenyl group of R 101 may be either linear or branched, preferably 2 to 10 carbon atoms, more preferably 2 to 5, still more preferably 2 to 4, and particularly preferably 3 Do. Examples of the straight chain alkenyl group include a vinyl group, a propenyl group (allyl group), and a butyryl group. As the branched-chain alkenyl group, for example, 1-methylpropenyl group, 2-methylpropenyl group and the like can be given.

쇄상의 알케닐기로는 상기 중에서도, 특히 프로페닐기가 바람직하다.As the chain alkenyl group, a propenyl group is particularly preferable.

R101의 쇄상의 알킬기 또는 알케닐기에서의 치환기로는 예를 들어, 알콕시기, 할로겐 원자, 할로겐화 알킬기, 수산기, 카르보닐기, 니트로기, 아미노기, 상기 R101에서의 환식기 등을 들 수 있다.Examples of the substituent in the alkyl group or the alkenyl group on the chain of R 101 include an alkoxy group, a halogen atom, a halogenated alkyl group, a hydroxyl group, a carbonyl group, a nitro group, an amino group and a cyclic group in the R 101 .

그 중에서도, R101은 치환기를 가지고 있어도 되는 환식기가 바람직하고, 치환기를 가지고 있어도 되는 환상의 탄화수소기인 것이 보다 바람직하다. 보다 구체적으로는 페닐기, 나프틸기, 폴리시클로알칸으로부터 1개 이상의 수소 원자를 제외한 기, 상기 식 (a2-r-1)~(a2-r-7)로 각각 나타내는 락톤 함유 환식기, 상기 일반식 (a5-r-1)~(a5-r-4)로 각각 나타내는 -SO2- 함유 환식기 등이 바람직하다.Among them, R 101 is preferably a cyclic group which may have a substituent, more preferably a cyclic hydrocarbon group which may have a substituent. More specifically, a lactone-containing cyclic group represented by each of the above-mentioned formulas (a2-r-1) to (a2-r-7), a cyclic group containing a lactone- -SO 2 -containing cyclic groups represented by (a5-r-1) to (a5-r-4), respectively.

식 (b-1) 중, Y101은 단결합 또는 산소 원자를 포함하는 2가의 연결기이다.In the formula (b-1), Y 101 is a divalent linking group containing a single bond or an oxygen atom.

Y101이 산소 원자를 포함하는 2가의 연결기인 경우, 이 Y101은 산소 원자 이외의 원자를 함유해도 된다. 산소 원자 이외의 원자로는 예를 들어 탄소 원자, 수소 원자, 황 원자, 질소 원자 등을 들 수 있다. 101 If Y is a divalent connecting group containing an oxygen atom, the Y 101 is may contain atoms other than oxygen atoms. Reactors other than oxygen atoms include, for example, carbon atoms, hydrogen atoms, sulfur atoms, and nitrogen atoms.

산소 원자를 포함하는 2가의 연결기로는 예를 들어, 산소 원자(에테르 결합:-O-), 에스테르 결합(-C(=O)-O-), 옥시카르보닐기(-O-C(=O)-), 아미드 결합(-C(=O)-NH-), 카르보닐기(-C(=O)-), 카보네이트 결합(-O-C(=O)-O-) 등의 비탄화수소계의 산소 원자 함유 연결기;이 비탄화수소계의 산소 원자 함유 연결기와 알킬렌기의 조합 등을 들 수 있다. 상기 조합에 추가로 설포닐기(-SO2-)가 연결되어 있어도 된다. 상기 조합으로는 예를 들어 하기 식 (y-al-1)~(y-al-7)로 각각 나타내는 연결기를 들 수 있다.As a bivalent coupling group containing an oxygen atom, an oxygen atom (ether bond: -O-), an ester bond (-C (= O) -O-), an oxycarbonyl group (-OC (= O)-), for example Hydrogen atom-containing oxygen atom-containing linking groups such as amide bond (-C (= O) -NH-), carbonyl group (-C (= O)-) and carbonate bond (-OC (= O) -O-); The combination of this non-hydrocarbon type | system | group oxygen atom containing coupling group and alkylene group, etc. are mentioned. In addition to the above combination, a sulfonyl group (-SO 2 -) may be connected. Examples of the combination include a linking group represented by the following formulas (y-al-1) to (y-al-7).

Figure pat00042
Figure pat00042

[식 중, V'101은 단결합 또는 탄소수 1~5의 알킬렌기이며, V'102는 탄소수 1~30의 2가의 포화 탄화수소기이다.][Wherein, V ′ 101 is a single bond or an alkylene group having 1 to 5 carbon atoms, and V ′ 102 is a divalent saturated hydrocarbon group having 1 to 30 carbon atoms.]

V'102에서의 2가의 포화 탄화수소기는 탄소수 1~30의 알킬렌기인 것이 바람직하다.It is preferable that the divalent saturated hydrocarbon group in V ' 102 is a C1-C30 alkylene group.

V'101 및 V'102에서의 알킬렌기로는 직쇄상의 알킬렌기여도 되고, 분기쇄상의 알킬렌기여도 되며, 직쇄상의 알킬렌기가 바람직하다.The alkylene group at V ' 101 and V' 102 may be a straight chain alkylene group, a branched chain alkylene group or a straight chain alkylene group.

V'101 및 V'102에서의 알킬렌기로서 구체적으로는 메틸렌기[-CH2-];-CH(CH3)-, -CH(CH2CH3)-, -C(CH3)2-, -C(CH3)(CH2CH3)-, -C(CH3)(CH2CH2CH3)-, -C(CH2CH3)2- 등의 알킬메틸렌기;에틸렌기[-CH2CH2-];-CH(CH3)CH2-, -CH(CH3)CH(CH3)-, -C(CH3)2CH2-, -CH(CH2CH3)CH2- 등의 알킬에틸렌기;트리메틸렌기(n-프로필렌기)[-CH2CH2CH2-];-CH(CH3)CH2CH2-, -CH2CH(CH3)CH2- 등의 알킬트리메틸렌기;테트라메틸렌기[-CH2CH2CH2CH2-];-CH(CH3)CH2CH2CH2-, -CH2CH(CH3)CH2CH2- 등의 알킬테트라메틸렌기;펜타메틸렌기[-CH2CH2CH2CH2CH2-] 등을 들 수 있다.Specific examples of the alkylene group at V ′ 101 and V ′ 102 include methylene group [—CH 2 —]; —CH (CH 3 ) —, —CH (CH 2 CH 3 ) —, and —C (CH 3 ) 2 − Alkyl methylene groups such as -C (CH 3 ) (CH 2 CH 3 )-, -C (CH 3 ) (CH 2 CH 2 CH 3 )-, and -C (CH 2 CH 3 ) 2- ; -CH 2 CH 2- ]; -CH (CH 3 ) CH 2- , -CH (CH 3 ) CH (CH 3 )-, -C (CH 3 ) 2 CH 2- , -CH (CH 2 CH 3 ) Alkyl ethylene groups such as CH 2- ; trimethylene group (n-propylene group) [-CH 2 CH 2 CH 2- ]; -CH (CH 3 ) CH 2 CH 2- , -CH 2 CH (CH 3 ) CH Alkyltrimethylene groups such as 2- ; tetramethylene group [-CH 2 CH 2 CH 2 CH 2- ]; -CH (CH 3 ) CH 2 CH 2 CH 2- , -CH 2 CH (CH 3 ) CH 2 CH 2-alkyl groups, such as tetramethylene; pentamethylene group [-CH 2 CH 2 CH 2 CH 2 CH 2 -] and the like.

또, V'101 또는 V'102에서의 상기 알킬렌기에서의 일부 메틸렌기가 탄소수 5~10의 2가의 지방족 환식기로 치환되어 있어도 된다. 상기 지방족 환식기는 상기 식 (a1-r-1) 중의 Ra'3의 환상의 지방족 탄화수소기로부터 수소 원자를 1개 더 제외한 2가의 기가 바람직하고, 시클로헥실렌기, 1,5-아다만틸렌기 또는 2,6-아다만틸렌기가 보다 바람직하다.In addition, V part of the methylene in the alkyl group in the '101 or V' 102 groups are optionally substituted by a divalent aliphatic cyclic group with a carbon number of 5-10. The aliphatic cyclic group is preferably a divalent group excluding one hydrogen atom from the cyclic aliphatic hydrocarbon group of Ra ′ 3 in the formula (a1-r-1), and a cyclohexylene group and 1,5-adamantyl A benzene group or a 2,6-adamantylene group is more preferable.

Y101로는 에스테르 결합 또는 에테르 결합을 포함하는 2가의 연결기가 바람직하고, 상기 식 (y-al-1)~(y-al-5)로 각각 나타내는 연결기가 바람직하다.Y 101 is preferably a divalent linking group including an ester linkage or an ether linkage, and a linking group represented by the above formulas (y-al-1) to (y-al-5) is preferable.

식 (b-1) 중, V101은 단결합, 알킬렌기, 또는 불소화 알킬렌기이다. V101에서의 알킬렌기, 불소화 알킬렌기는 탄소수 1~4인 것이 바람직하다. V101에서의 불소화 알킬렌기로는 V101에서의 알킬렌기의 수소 원자의 일부 또는 전부가 불소 원자로 치환된 기를 들 수 있다. 그 중에서도, V101은 단결합, 또는 탄소수 1~4의 불소화 알킬렌기인 것이 바람직하다.In formula (b-1), V 101 is a single bond, an alkylene group, or a fluorinated alkylene group. The alkylene group and fluorinated alkylene group in V 101 preferably have 1 to 4 carbon atoms. Examples of the fluorinated alkylene group in V 101 include groups in which a part or all of the hydrogen atoms of the alkylene group in V 101 are substituted with fluorine atoms. Among them, V 101 is preferably a single bond or a fluorinated alkylene group having 1 to 4 carbon atoms.

식 (b-1) 중, R102는 불소 원자 또는 탄소수 1~5의 불소화 알킬기이다. R102는 불소 원자 또는 탄소수 1~5의 퍼플루오로알킬기인 것이 바람직하고, 불소 원자인 것이 보다 바람직하다.In the formula (b-1), R 102 is a fluorine atom or a fluorinated alkyl group having 1 to 5 carbon atoms. R 102 is preferably a fluorine atom or a perfluoroalkyl group having 1 to 5 carbon atoms, more preferably a fluorine atom.

(b-1) 성분의 음이온부의 구체적인 예로는 예를 들어,Specific examples of the anion moiety of the component (b-1) include, for example,

Y101이 단결합이 되는 경우, 트리플루오로메탄설포네이트 음이온이나 퍼플루오로부탄설포네이트 음이온 등의 불소화 알킬설포네이트 음이온을 들 수 있고;Y101이 산소 원자를 포함하는 2가의 연결기인 경우, 하기 식 (an-1)~(an-3) 중 어느 하나로 나타내는 음이온을 들 수 있다.When Y 101 becomes a single bond, fluorinated alkylsulfonate anions such as trifluoromethanesulfonate anion and perfluorobutanesulfonate anion may be mentioned; when Y 101 is a divalent linking group containing an oxygen atom, The anion represented by either of following formula (an-1)-(an-3) is mentioned.

Figure pat00043
Figure pat00043

[식 중, R"101은 치환기를 가지고 있어도 되는 지방족 환식기, 상기 식 (r-hr-1)~(r-hr-6)으로 각각 나타내는 기, 또는 치환기를 가지고 있어도 되는 쇄상의 알킬기이며;R"102는 치환기를 가지고 있어도 되는 지방족 환식기, 상기 식 (a2-r-1)~(a2-r-7)로 각각 나타내는 락톤 함유 환식기, 또는 상기 일반식 (a5-r-1)~(a5-r-4)로 각각 나타내는 -SO2- 함유 환식기이고;R"103은 치환기를 가지고 있어도 되는 방향족 환식기, 치환기를 가지고 있어도 되는 지방족 환식기, 또는 치환기를 가지고 있어도 되는 쇄상의 알케닐기이며;V"101은 불소화 알킬렌기이고;L"101은 -C(=O)- 또는 -SO2-이며;v"는 각각 독립적으로 0~3의 정수이고, q"는 각각 독립적으로 1~20의 정수이며, n"는 0 또는 1이다.][Wherein, R ″ 101 is an aliphatic cyclic group which may have a substituent, a group represented by the formulas (r-hr-1) to (r-hr-6), or a chain alkyl group which may have a substituent; R " 102 is an aliphatic cyclic group which may have a substituent, the lactone containing cyclic groups represented by said formula (a2-r-1)-(a2-r-7), respectively, or the said general formula (a5-r-1)- (a5-r-4) each represent a -SO 2 - containing cyclic group and; R "103 is an alkenyl chain of which may have an aliphatic cyclic group, or a substituent which may have an aromatic ring group, substituents may have a substituent A Nyl group; V " 101 is a fluorinated alkylene group; L" 101 is -C (= O)-or -SO 2- ; and v "are each independently an integer of 0-3, q" is each independently 1 Is an integer of -20 and n "is 0 or 1.]

R"101, R"102 및 R"103의 치환기를 가지고 있어도 되는 지방족 환식기는 상기 R101에서의 환상의 지방족 탄화수소기로서 예시한 기인 것이 바람직하다. 상기 치환기로는 R101에서의 환상의 지방족 탄화수소기를 치환해도 되는 치환기와 동일한 것을 들 수 있다.R "101, R" 102 and R "aliphatic ring which may have a 103 substituents of the dish is preferably a group exemplified as the cyclic aliphatic hydrocarbon group in the R 101. As the substituent of the cyclic in R 101 an aliphatic May be the same as the substituent which may be substituted with a hydrocarbon group.

R"103에서의 치환기를 가지고 있어도 되는 방향족 환식기는 상기 R101에서의 환상의 탄화수소기에서의 방향족 탄화수소기로서 예시한 기인 것이 바람직하다. 상기 치환기로는 R101에서의 이 방향족 탄화수소기를 치환해도 되는 치환기와 동일한 것을 들 수 있다.R "aromatic ring group which may have a substituent in 103 is preferably a group exemplified as the aromatic hydrocarbon group in the cyclic hydrocarbon group in the R 101. As the substituent may be substituted with an aromatic hydrocarbon in R 101 The same thing as the substituent to be mentioned is mentioned.

R"101에서의 치환기를 가지고 있어도 되는 쇄상의 알킬기는 상기 R101에서의 쇄상의 알킬기로서 예시한 기인 것이 바람직하다. R"103에서의 치환기를 가지고 있어도 되는 쇄상의 알케닐기는 상기 R101에서의 쇄상의 알케닐기로서 예시한 기인 것이 바람직하다.R alkenyl chain which may have a substituent in "the alkyl group of the chain which may have a substituent in 101 is caused, it is preferable. R exemplified as the alkyl group of the chain in the R 101" 103 groups in the R 101 Is preferably a group exemplified as a chain alkenyl group.

V"101은 바람직하게는 탄소수 1~3의 불소화 알킬렌기이며, 특히 바람직하게는 -CF2-, -CF2CF2-, -CHFCF2-, -CF(CF3)CF2-, -CH(CF3)CF2-이다.V " 101 is preferably a fluorinated alkylene group having 1 to 3 carbon atoms, particularly preferably -CF 2 -, -CF 2 CF 2 -, -CHFCF 2 -, -CF (CF 3 ) CF 2 -, -CH (CF 3) CF 2 - a.

이하에 상기 일반식 (an-1)로 나타내는 음이온의 구체적인 예를 든다. 단, 이것으로 한정되지 않는다.Specific examples of the anion represented by the above general formula (an-1) are given below. However, the present invention is not limited to this.

Figure pat00044
Figure pat00044

이하에 상기 일반식 (an-2)로 나타내는 음이온의 구체적인 예를 든다. 단, 이것으로 한정되지 않는다.Specific examples of the anion represented by the above general formula (an-2) are given below. However, the present invention is not limited to this.

Figure pat00045
Figure pat00045

이하에 상기 일반식 (an-3)으로 나타내는 음이온의 구체적인 예를 든다. 단, 이것으로 한정되지 않는다.Specific examples of the anion represented by the above general formula (an-3) are given below. However, the present invention is not limited to this.

Figure pat00046
Figure pat00046

·(b-2) 성분의 음이온부The negative ion part of component (b-2)

식 (b-2) 중, R104, R105는 각각 독립적으로 치환기를 가지고 있어도 되는 환식기, 치환기를 가지고 있어도 되는 쇄상의 알킬기, 또는 치환기를 가지고 있어도 되는 쇄상의 알케닐기이며, 각각 식 (b-1) 중의 R101과 동일한 것을 들 수 있다. 단, R104, R105는 서로 결합해 고리를 형성하고 있어도 된다.In formula (b-2), R <104> , R <105> is respectively independently the cyclic group which may have a substituent, the chain alkyl group which may have a substituent, or the chain alkenyl group which may have a substituent, respectively, Formula (b The same thing as R <101> in -1) is mentioned. However, R 104 and R 105 may be bonded to each other to form a ring.

R104, R105는 치환기를 가지고 있어도 되는 쇄상의 알킬기가 바람직하고, 직쇄상 혹은 분기쇄상의 알킬기, 또는 직쇄상 혹은 분기쇄상의 불소화 알킬기인 것이 보다 바람직하다.R 104 and R 105 are preferably a linear alkyl group which may have a substituent, more preferably a linear or branched alkyl group or a linear or branched fluorinated alkyl group.

이 쇄상의 알킬기의 탄소수는 1~10인 것이 바람직하고, 보다 바람직하게는 탄소수 1~7, 더욱 바람직하게는 탄소수 1~3이다. R104, R105의 쇄상의 알킬기의 탄소수는 상기 탄소수의 범위 내에 있고, 레지스트 용매에 대한 용해성도 양호한 등의 이유로부터 작을수록 바람직하다. 또, R104, R105의 쇄상의 알킬기에서는 불소 원자로 치환되어 있는 수소 원자의 수가 많을수록 산의 강도가 강해지고, 또, 200㎚ 이하의 고에너지 광이나 전자선에 대한 투명성이 향상되므로 바람직하다. 상기 쇄상의 알킬기 중의 불소 원자의 비율, 즉 불소화율은 바람직하게는 70~100%, 더욱 바람직하게는 90~100%이며, 가장 바람직하게는 모든 수소 원자가 불소 원자로 치환된 퍼플루오로알킬기이다.The alkyl group of this chain preferably has 1 to 10 carbon atoms, more preferably 1 to 7 carbon atoms, and still more preferably 1 to 3 carbon atoms. Carbon number of the linear alkyl group of R <104> , R <105> is in the range of the said carbon number, and it is so preferable that it is so small that it is good in solubility to a resist solvent. In the chain alkyl groups of R 104 and R 105, the higher the number of hydrogen atoms substituted with fluorine atoms, the stronger the strength of the acid, and the higher the transparency to high energy light and electron beam of 200 nm or less are preferable. The ratio of the fluorine atoms in the alkyl group on the chain, that is, the fluoride ratio is preferably 70 to 100%, more preferably 90 to 100%, and most preferably all the hydrogen atoms are fluorine-substituted perfluoroalkyl groups.

식 (b-2) 중, V102, V103은 각각 독립적으로 단결합, 알킬렌기, 또는 불소화 알킬렌기이며, 각각 식 (b-1) 중의 V101과 동일한 것을 들 수 있다.In the formula (b-2), V 102 and V 103 are each independently a single bond, an alkylene group or a fluorinated alkylene group, and the same groups as those of V 101 in the formula (b-1)

식 (b-2) 중, L101~L102는 각각 독립적으로 단결합 또는 산소 원자이다.In the formula (b-2), L 101 to L 102 each independently represent a single bond or an oxygen atom.

이하에 상기 일반식 (b-2)로 나타내는 음이온의 구체적인 예를 든다. 단, 이것으로 한정되지 않는다.Specific examples of the anions represented by the above general formula (b-2) are given below. However, the present invention is not limited to this.

Figure pat00047
Figure pat00047

·(b-3) 성분의 음이온부The anion portion of the component (b-3)

식 (b-3) 중, R106~R108은 각각 독립적으로 치환기를 가지고 있어도 되는 환식기, 치환기를 가지고 있어도 되는 쇄상의 알킬기, 또는 치환기를 가지고 있어도 되는 쇄상의 알케닐기이며, 각각 식 (b-1) 중의 R101과 동일한 것을 들 수 있다. In formula (b-3), R 106 to R 108 are each independently a cyclic group which may have a substituent, a chain alkyl group which may have a substituent, or a chain alkenyl group which may have a substituent, respectively. The same thing as R <101> in -1) is mentioned.

L103~L105는 각각 독립적으로 단결합, -CO- 또는 -SO2-이다.L 103 to L 105 each independently represent a single bond, -CO- or -SO 2 -.

이하에 상기 일반식 (b-3)으로 나타내는 음이온의 구체적인 예를 든다. 단, 이것으로 한정되지 않는다.Specific examples of the anion represented by the above general formula (b-3) are given below. However, the present invention is not limited to this.

Figure pat00048
Figure pat00048

산 발생제 (B1)은 단독으로 이용해도 되고, 2종 이상을 조합해 이용해도 된다. 산 발생제 (B1)의 함유량은 본 발명에 관한 레지스트 조성물의 전체 질량에 대해서 0.1~10 질량%로 하는 것이 바람직하고, 0.5~5 질량%로 하는 것이 보다 바람직하며, 0.5~3 질량%로 하는 것이 더욱 바람직하다.An acid generator (B1) may be used independently and may be used in combination of 2 or more type. The content of the acid generator (B1) is preferably 0.1 to 10% by mass, more preferably 0.5 to 5% by mass, and more preferably 0.5 to 3% by mass relative to the total mass of the resist composition of the present invention Is more preferable.

산 발생제 (B)로는 상기 이외의 다른 산 발생제를 병용해도 된다.As the acid generator (B), other acid generators than those described above may be used in combination.

다른 산 발생제에서의 제 1 태양으로는 2,4-비스(트리클로로메틸)-6-피페로닐-1,3,5-트리아진, 2,4-비스(트리클로로메틸)-6-[2-(2-푸릴)에테닐]-s-트리아진, 2,4-비스(트리클로로메틸)-6-[2-(5-메틸-2-푸릴)에테닐]-s-트리아진, 2,4-비스(트리클로로메틸)-6-[2-(5-에틸-2-푸릴)에테닐]-s-트리아진, 2,4-비스(트리클로로메틸)-6-[2-(5-프로필-2-푸릴)에테닐]-s-트리아진, 2,4-비스(트리클로로메틸)-6-[2-(3,5-디메톡시페닐)에테닐]-s-트리아진, 2,4-비스(트리클로로메틸)-6-[2-(3,5-디에톡시페닐)에테닐]-s-트리아진, 2,4-비스(트리클로로메틸)-6-[2-(3,5-디프로폭시페닐)에테닐]-s-트리아진, 2,4-비스(트리클로로메틸)-6-[2-(3-메톡시-5-에톡시페닐)에테닐]-s-트리아진, 2,4-비스(트리클로로메틸)-6-[2-(3-메톡시-5-프로폭시페닐)에테닐]-s-트리아진, 2,4-비스(트리클로로메틸)-6-[2-(3,4-메틸렌디옥시페닐)에테닐]-s-트리아진, 2,4-비스(트리클로로메틸)-6-(3,4-메틸렌디옥시페닐)-s-트리아진, 2,4-비스-트리클로로메틸-6-(3-브로모-4-메톡시)페닐-s-트리아진, 2,4-비스-트리클로로메틸-6-(2-브로모-4-메톡시)페닐-s-트리아진, 2,4-비스-트리클로로메틸-6-(2-브로모-4-메톡시)스티릴페닐-s-트리아진, 2,4-비스-트리클로로메틸-6-(3-브로모-4-메톡시)스티릴페닐-s-트리아진, 2-(4-메톡시페닐)-4,6-비스(트리클로로메틸)-1,3,5-트리아진, 2-(4-메톡시나프틸)-4,6-비스(트리클로로메틸)-1,3,5-트리아진, 2-[2-(2-푸릴)에테닐]-4,6-비스(트리클로로메틸)-1,3,5-트리아진, 2-[2-(5-메틸-2-푸릴)에테닐]-4,6-비스(트리클로로메틸)-1,3,5-트리아진, 2-[2-(3,5-디메톡시페닐)에테닐]-4,6-비스(트리클로로메틸)-1,3,5-트리아진, 2-[2-(3,4-디메톡시페닐)에테닐]-4,6-비스(트리클로로메틸)-1,3,5-트리아진, 2-(3,4-메틸렌디옥시페닐)-4,6-비스(트리클로로메틸)-1,3,5-트리아진, 트리스(1,3-디브로모프로필)-1,3,5-트리아진, 트리스(2,3-디브로모프로필)-1,3,5-트리아진 등의 할로겐 함유 트리아진 화합물 및 트리스(2,3-디브로모프로필)이소시아누레이트 등의 하기 일반식 (b3)으로 나타내는 할로겐 함유 트리아진 화합물을 들 수 있다.The first embodiment in other acid generators includes 2,4-bis (trichloromethyl) -6-piperonyl-1,3,5-triazine, 2,4-bis (trichloromethyl) (2-furyl) ethenyl] -s-triazine, 2,4-bis (trichloromethyl) -6- [2- , 2,4-bis (trichloromethyl) -6- [2- (5-ethyl-2-furyl) ethenyl] -S-triazine, 2,4-bis (trichloromethyl) -6- [2- (3,5-dimethoxyphenyl) ethenyl] -s- (Trichloromethyl) -6- [2- (3,5-diethoxyphenyl) ethenyl] -s-triazine, 2,4-bis (2,4-bis (trichloromethyl) -6- [2- (3-methoxy-5-ethoxyphenyl) (Trichloromethyl) -6- [2- (3-methoxy-5-propoxyphenyl) ethenyl] -s-triazine, 2,4- Bis (trichloromethyl) -6- [2- (3,4-methylenedioxyphenyl) ether (Trichloromethyl) -6- (3,4-methylenedioxyphenyl) -s-triazine, 2,4-bis-trichloromethyl-6- Methoxy) phenyl-s-triazine, 2,4-bis-trichloromethyl-6- (2-bromo- (2-bromo-4-methoxy) styrylphenyl-s-triazine, 2,4-bis-trichloromethyl-6- Methoxyphenyl) -4,6-bis (trichloromethyl) -1,3,5-triazine, 2- (4-methoxynaphthyl) ) -4,6-bis (trichloromethyl) -1,3,5-triazine, 2- [2- (2-furyl) ethenyl] , 5-triazine, 2- [2- (5-methyl-2-furyl) ethenyl] -4,6-bis (trichloromethyl) 3,6-bis (trichloromethyl) -1,3,5-triazine, 2- [2- (3,4-dimethoxyphenyl) ethenyl] 4,6-bis (trichloromethyl) -1,3,5-triazine, 2- (3,4-methylenedioxyphenyl) -4 , 6-bis (trichloromethyl) -1,3,5-triazine, tris (1,3-dibromopropyl) -1,3,5-triazine, tris (2,3-dibromopropyl ) -1,3,5-triazine and halogen-containing triazine compounds represented by the following general formula (b3), such as tris (2,3-dibromopropyl) isocyanurate, .

Figure pat00049
Figure pat00049

상기 일반식 (b3) 중, Rb9, Rb10, Rb11은 각각 독립적으로 할로겐화 알킬기를 나타낸다.In the above general formula (b3), Rb 9, Rb 10, Rb 11 represents a halogenated alkyl group each independently.

또, 다른 산 발생제에서의 제 2 태양으로는 α-(p-톨루엔설포닐옥시이미노)-페닐아세토니트릴, α-(벤젠설포닐옥시이미노)-2,4-디클로로페닐아세토니트릴, α-(벤젠설포닐옥시이미노)-2,6-디클로로페닐아세토니트릴, α-(2-클로로벤젠설포닐옥시이미노)-4-메톡시페닐아세토니트릴, α-(에틸설포닐옥시이미노)-1-시클로펜테닐아세토니트릴 및 옥심설포네이트기를 함유하는 하기 일반식 (b4)로 나타내는 화합물을 들 수 있다.Moreover, as 2nd aspect in another acid generator, (alpha)-(p-toluenesulfonyloxyimino) -phenylacetonitrile, (alpha)-(benzenesulfonyloxyimino) -2,4- dichlorophenyl acetonitrile, (alpha)- (Benzenesulfonyloxyimino) -2,6-dichlorophenylacetonitrile, α- (2-chlorobenzenesulfonyloxyimino) -4-methoxyphenylacetonitrile, α- (ethylsulfonyloxyimino) -1- The compound represented by the following general formula (b4) containing cyclopentenyl acetonitrile and an oxime sulfonate group is mentioned.

Figure pat00050
Figure pat00050

상기 일반식 (b4) 중, Rb12는 1가, 2가, 또는 3가의 유기기를 나타내고, Rb13은 치환 혹은 비치환된 포화 탄화수소기, 불포화 탄화수소기, 또는 방향족성 화합물기를 나타내며, n은 괄호 안 구조의 반복 단위수를 나타낸다.In Formula (b4), Rb 12 represents a monovalent, divalent, or trivalent organic group, Rb 13 represents a substituted or unsubstituted saturated hydrocarbon group, unsaturated hydrocarbon group, or aromatic compound group, and n represents parentheses. The number of repeat units in the inner structure is shown.

상기 일반식 (b4) 중, 방향족성 화합물기란, 방향족 화합물에 특유한 물리적·화학적 성질을 나타내는 화합물의 기를 나타내고, 예를 들면, 페닐기, 나프틸기 등의 아릴기나, 푸릴기, 티에닐기 등의 헤테로아릴기를 들 수 있다. 이것들은 환상에 적당한 치환기, 예를 들면 할로겐 원자, 알킬기, 알콕시기, 니트로기 등을 1개 이상 가지고 있어도 된다. 또, Rb13은 탄소수 1~6의 알킬기가 특히 바람직하고, 메틸기, 에틸기, 프로필기, 부틸기를 들 수 있다. 특히, Rb12가 방향족성 화합물기이며, Rb13이 탄소수 1~4의 알킬기인 화합물이 바람직하다.In the general formula (b4), the aromatic compound group represents a group of a compound that exhibits physical and chemical properties peculiar to an aromatic compound, and includes, for example, aryl groups such as phenyl group and naphthyl group, heteroaryl groups such as furyl group and thienyl group . These may have at least one substituent suitable for the cyclic structure, for example, a halogen atom, an alkyl group, an alkoxy group, and a nitro group. Rb 13 is particularly preferably an alkyl group having 1 to 6 carbon atoms, and examples thereof include a methyl group, an ethyl group, a propyl group and a butyl group. Particularly preferred are compounds wherein Rb 12 is an aromatic compound group and Rb 13 is an alkyl group having 1 to 4 carbon atoms.

상기 일반식 (b4)로 나타내는 산 발생제로는 n=1일 때, Rb12가 페닐기, 메틸페닐기, 메톡시페닐기 중 어느 하나이고, Rb13이 메틸기의 화합물, 구체적으로는 α-(메틸설포닐옥시이미노)-1-페닐아세토니트릴, α-(메틸설포닐옥시이미노)-1-(p-메틸페닐)아세토니트릴, α-(메틸설포닐옥시이미노)-1-(p-메톡시페닐)아세토니트릴, [2-(프로필설포닐옥시이미노)-2,3-디히드록시티오펜-3-일리덴](o-톨일)아세토니트릴 등을 들 수 있다. n=2일 때, 상기 일반식 (b4)로 나타내는 산 발생제로는 구체적으로는 하기 식으로 나타내는 산 발생제를 들 수 있다.Acid generator represented by the above general formula (b4) is when n = 1, and Rb 12 are a phenyl group, any one of phenyl group, a methoxyphenyl group, Rb 13 The compounds of the methyl group, specifically, α- (methylsulfonyl Oxyimino) -1-phenylacetonitrile, α- (methylsulfonyloxyimino) -1- (p-methylphenyl) acetonitrile, α- (methylsulfonyloxyimino) -1- (p-methoxyphenyl) aceto Nitrile, [2- (propylsulfonyloxyimino) -2,3-dihydroxythiophen-3-ylidene] (o-tolyl) acetonitrile, and the like. When n = 2, the acid generator represented by the general formula (b4) specifically includes an acid generator represented by the following formula.

Figure pat00051
Figure pat00051

또, 다른 산 발생제에서의 제 3 태양으로는 양이온부에 나프탈렌환을 가지는 오니움염을 들 수 있다. 이 「나프탈렌환을 가진다」는 것은 나프탈렌으로부터 유래하는 구조를 가지는 것을 의미하고, 적어도 2개의 고리 구조와 그들의 방향족성이 유지되고 있는 것을 의미한다. 이 나프탈렌환은 탄소수 1~6의 직쇄상 또는 분기상의 알킬기, 수산기, 탄소수 1~6의 직쇄상 또는 분기상의 알콕시기 등의 치환기를 가지고 있어도 된다. 나프탈렌환으로부터 유래하는 구조는 1가기(유리 원자가가 1개)여도, 2가기(유리 원자가가 2개) 이상이어도 되지만, 1가기인 것이 바람직하다(단, 이때 상기 치환기와 결합하는 부분을 제외해 유리 원자가를 세는 것으로 한다). 나프탈렌환의 수는 1~3이 바람직하다.Moreover, onium salt which has a naphthalene ring as a cation part in a 3rd aspect in another acid generator is mentioned. This "having a naphthalene ring" means having a structure derived from naphthalene, and means that at least two ring structures and their aromaticity are maintained. The naphthalene ring may have a substituent such as a linear or branched alkyl group having 1 to 6 carbon atoms, a hydroxyl group, a linear or branched alkoxy group having 1 to 6 carbon atoms, and the like. Although the structure derived from a naphthalene ring may be monovalent (one free valence is 1) or divalent (two free valences) may be sufficient, it is preferable that it is monovalent (except the part couple | bonded with the said substituent at this time) The free valence is counted). The number of naphthalene rings is preferably 1 to 3.

이와 같은 양이온부에 나프탈렌환을 가지는 오니움염의 양이온부로는 하기 일반식 (b5)로 나타내는 구조가 바람직하다.As a cation part of the onium salt which has a naphthalene ring in such a cation part, the structure represented by following General formula (b5) is preferable.

Figure pat00052
Figure pat00052

상기 일반식 (b5) 중, Rb14, Rb15, Rb16 중 적어도 1개는 하기 일반식 (b6)으로 나타내는 기를 나타내고, 나머지는 탄소수 1~6의 직쇄상 혹은 분기상의 알킬기, 치환기를 가지고 있어도 되는 페닐기, 수산기, 또는 탄소수 1~6의 직쇄상 혹은 분기상의 알콕시기를 나타낸다. 혹은 Rb14, Rb15, Rb16 중 하나가 하기 일반식 (b6)으로 나타내는 기이고, 나머지의 2개는 각각 독립적으로 탄소수 1~6의 직쇄상 또는 분기상의 알킬렌기이며, 이들 말단이 결합하여 환상이 되어 있어도 된다.In General Formula (b5), Rb 14 , Rb 15 , Rb 16 At least 1 represents group represented by the following general formula (b6), and the remainder is a C1-C6 linear or branched alkyl group, the phenyl group which may have a substituent, a hydroxyl group, or a C1-C6 linear or branched form An alkoxy group is shown. Or one of Rb 14 , Rb 15 , and Rb 16 is a group represented by the following General Formula (b6), and the other two are each independently a linear or branched alkylene group having 1 to 6 carbon atoms, and these terminals are bonded to each other. It may be an illusion.

Figure pat00053
Figure pat00053

상기 일반식 (b6) 중, Rb17, Rb18은 각각 독립적으로 수산기, 탄소수 1~6의 직쇄상 혹은 분기상의 알콕시기, 또는 탄소수 1~6의 직쇄상 혹은 분기상의 알킬기를 나타내고, Rb19는 단결합 또는 치환기를 가지고 있어도 되는 탄소수 1~6의 직쇄상 혹은 분기상의 알킬렌기를 나타낸다. l 및 m은 각각 독립적으로 0~2의 정수를 나타내고, l+m은 3 이하이다. 단, Rb17가 복수 존재하는 경우, 그것들은 서로 동일해도 상이해도 된다. 또, Rb18이 복수 존재하는 경우, 그것들은 서로 동일해도 상이해도 된다.Wherein the general formula (b6), Rb 17, Rb 18 are each independently a hydroxyl group, represents a straight-chain or alkyl groups on the branches of a carbon number of 1 to 6 linear or branched alkoxy group, or a group having 1 to 6 carbon atoms on the a, Rb 19 are The C1-C6 linear or branched alkylene group which may have a single bond or a substituent is shown. 1 and m respectively independently represent the integer of 0-2, and l + m is 3 or less. However, if Rb 17 are a plurality is present, they may be the same or different from each other. When a plurality of Rb 18 exist, they may be the same or different.

상기 Rb14, Rb15, Rb16 중 상기 일반식 (b6)으로 나타내는 기의 수는 화합물의 안정성의 점으로부터 바람직하게는 1개이고, 나머지는 탄소수 1~6의 직쇄상 또는 분기상의 알킬렌기이며, 이들 말단이 결합하여 환상이 되어 있어도 된다. 이 경우, 상기 2개의 알킬렌기는 황 원자를 포함해 3~9원환을 구성한다. 고리를 구성하는 원자(황 원자를 포함함)의 수는 바람직하게는 5~6이다.The number of groups represented by the general formula (b6) in the Rb 14 , Rb 15 , and Rb 16 is preferably one from the viewpoint of the stability of the compound, and the remainder is a linear or branched alkylene group having 1 to 6 carbon atoms, These terminals may be bonded to form a ring. In this case, the two alkylene groups constitute a 3- to 9-membered ring including a sulfur atom. The number of atoms (including sulfur atoms) constituting the ring is preferably 5 to 6.

또, 상기 알킬렌기가 가지고 있어도 되는 치환기로는 산소 원자(이 경우, 알킬렌기를 구성하는 탄소 원자와 함께 카르보닐기를 형성함), 수산기 등을 들 수 있다.Examples of the substituent which the alkylene group may have include an oxygen atom (in this case, forming a carbonyl group together with a carbon atom constituting the alkylene group), and a hydroxyl group.

또, 페닐기가 가지고 있어도 되는 치환기로는 수산기, 탄소수 1~6의 직쇄상 또는 분기상의 알콕시기, 탄소수 1~6의 직쇄상 또는 분기상의 알킬기 등을 들 수 있다.Examples of the substituent which the phenyl group may have include a hydroxyl group, a linear or branched alkoxy group having 1 to 6 carbon atoms, and a linear or branched alkyl group having 1 to 6 carbon atoms.

이들 양이온부로서 바람직한 것으로는 하기 식 (b7), (b8)로 나타내는 것 등을 들 수 있고, 특히 하기 식 (b8)로 나타내는 구조가 바람직하다.Preferable examples of these cationic moieties include those represented by the following formulas (b7) and (b8), and particularly preferably a structure represented by the following formula (b8).

Figure pat00054
Figure pat00054

이와 같은 양이온부로는 요도늄염이어도 설포늄염이어도 되지만, 산 발생 효율 등의 점으로부터 설포늄염이 바람직하다.Although such a cation part may be an iodonium salt or a sulfonium salt, sulfonium salt is preferable from an acid generation efficiency point.

따라서, 양이온부에 나프탈렌환을 가지는 오니움염의 음이온부로서 바람직한 것으로는 설포늄염을 형성 가능한 음이온이 바람직하다.Therefore, as an anion part of the onium salt which has a naphthalene ring in a cation part, the anion which can form a sulfonium salt is preferable.

이와 같은 산 발생제의 음이온부로는 수소 원자의 일부 또는 전부가 불소화된 플루오로알킬설폰산 이온 또는 아릴설폰산 이온이다.The anion portion of such an acid generator is a fluoroalkyl sulfonic acid ion or an aryl sulfonic acid ion in which part or all of hydrogen atoms are fluorinated.

플루오로알킬설폰산 이온에서의 알킬기는 탄소수 1~20의 직쇄상이어도 분기상이어도 환상이어도 되고, 발생하는 산의 부피 크기와 그 확산 거리로부터, 탄소수 1~10인 것이 바람직하다. 특히, 분기상이나 환상의 것은 확산 거리가 짧기 때문에 바람직하다. 또, 저렴하게 합성 가능한 점으로부터, 메틸기, 에틸기, 프로필기, 부틸기, 옥틸기 등을 바람직한 것으로서 들 수 있다.The alkyl group in the fluoroalkylsulfonic acid ion may be linear, branched or cyclic, having 1 to 20 carbon atoms, and preferably 1 to 10 carbon atoms from the volume size of the generated acid and its diffusion distance. Particularly, it is preferable to use a branched or annular one because the diffusion distance is short. Moreover, a methyl group, an ethyl group, a propyl group, a butyl group, an octyl group etc. are mentioned as a preferable thing from the point which can be synthesize | combined cheaply.

아릴설폰산 이온에서의 아릴기는 탄소수 6~20의 아릴기로서, 알킬기, 할로겐 원자로 치환되어 있어도 되어 있지 않아도 되는 페닐기, 나프틸기를 들 수 있다. 특히, 저렴하게 합성 가능한 점으로부터, 탄소수 6~10의 아릴기가 바람직하다. 바람직한 구체적인 예로서 페닐기, 톨루엔설포닐기, 에틸페닐기, 나프틸기, 메틸나프틸기 등을 들 수 있다.The aryl group in an aryl sulfonic acid ion is a C6-C20 aryl group, The phenyl group and naphthyl group which may not be substituted by the alkyl group and a halogen atom are mentioned. In particular, a C6-C10 aryl group is preferable at the point which can be synthesize | combined cheaply. Preferable specific examples include phenyl group, toluenesulfonyl group, ethylphenyl group, naphthyl group, methylnaphthyl group and the like.

상기 플루오로알킬 설폰산 이온 또는 아릴설폰산 이온에 있어서, 수소 원자의 일부 또는 전부가 불소화되어 있는 경우의 불소화율은 바람직하게는 10~100%, 보다 바람직하게는 50~100%이며, 특히 수소 원자를 모두 불소 원자로 치환한 것이 산의 강도가 강해지므로 바람직하다. 이와 동일한 것으로는 구체적으로는 트리플루오로메탄설포네이트, 퍼플루오로부탄설포네이트, 퍼플루오로옥탄설포네이트, 퍼플루오로벤젠설포네이트 등을 들 수 있다.In the fluoroalkyl sulfonic acid ion or the aryl sulfonic acid ion, the fluorination rate in the case where some or all of the hydrogen atoms are fluorinated is preferably 10 to 100%, more preferably 50 to 100%, particularly hydrogen It is preferable to replace all the atoms with fluorine atoms because the strength of the acid becomes stronger. Specific examples of the same are trifluoromethane sulfonate, perfluorobutane sulfonate, perfluorooctane sulfonate, perfluorobenzene sulfonate, and the like.

이들 중에서도, 바람직한 음이온부로서 하기 일반식 (b9)로 나타내는 것을 들 수 있다.Among these, preferable anion moieties include those represented by the following general formula (b9).

Figure pat00055
Figure pat00055

상기 일반식 (b9)에 있어서, Rb20은 하기 일반식 (b10), (b11)로 나타내는 기나, 하기 식 (b12)로 나타내는 기이다.Wherein in the formula (b9), 20 Rb is a group represented by the formula (b12) group or represented by the formula (b10), (b11).

Figure pat00056
Figure pat00056

상기 일반식 (b10) 중, x는 1~4의 정수를 나타낸다. 또, 상기 일반식 (b11) 중, Rb21은 수소 원자, 수산기, 탄소수 1~6의 직쇄상 혹은 분기상의 알킬기, 또는 탄소수 1~6의 직쇄상 혹은 분기상의 알콕시기를 나타내고, y는 1~3의 정수를 나타낸다. 이들 중에서도, 안전성의 관점으로부터 트리플루오로메탄설포네이트, 퍼플루오로부탄설포네이트가 바람직하다.In the general formula (b10), x represents an integer of 1 to 4. Further, in the general formula (b11), Rb 21 is an alkoxy group on the hydrogen, hydroxyl, straight-chain or alkyl groups on the branches of 1 to 6 carbon atoms, or 1 to 6 carbon atoms straight chain or branched, y is 1 to 3 Represents an integer. Among them, trifluoromethanesulfonate and perfluorobutanesulfonate are preferable from the viewpoint of safety.

또, 음이온부로는 하기 일반식 (b13), (b14)로 나타내는 질소를 함유하는 것을 이용하는 것이 바람직하다.Moreover, it is preferable to use what contains nitrogen represented by following General formula (b13) and (b14) as an anion part.

Figure pat00057
Figure pat00057

상기 일반식 (a13) 중, Xb는 적어도 1개의 수소 원자가 불소 원자로 치환된 직쇄상 또는 분기상의 알킬렌기를 나타내고, 이 알킬렌기의 탄소수는 2~6이며, 바람직하게는 3~5, 가장 바람직하게는 탄소수 3이다. 또, 상기 일반식 (a14) 중, Yb, Zb는 각각 독립적으로 적어도 1개의 수소 원자가 불소 원자로 치환된 직쇄상 또는 분기상의 알킬기를 나타내고, 이 알킬기의 탄소수는 1~10이며, 바람직하게는 1~7, 보다 바람직하게는 1~3이다.In the general formula (a13), Xb represents a linear or branched alkylene group in which at least one hydrogen atom is substituted with a fluorine atom, and the number of carbon atoms of the alkylene group is 2 to 6, preferably 3 to 5, Is 3 carbon atoms. In the general formula (a14), Yb and Zb each independently represent a straight-chain or branched alkyl group in which at least one hydrogen atom is substituted with a fluorine atom, and the alkyl group of the alkyl group has 1 to 10 carbon atoms, 7, and more preferably 1 to 3.

Xb의 알킬렌기의 탄소수, 또는 Yb, Zb의 알킬기의 탄소수가 작을수록 유기용제에 대한 용해성도 양호하기 때문에 바람직하다.The smaller the carbon number of the alkylene group of Xb or the carbon number of the alkyl group of Yb and Zb, the better the solubility in the organic solvent is preferable.

또, Xb의 알킬렌기 또는 Yb, Zb의 알킬기에 있어서, 불소 원자로 치환되어 있는 수소 원자의 수가 많을수록 산의 강도가 강해지기 때문에 바람직하다. 이 알킬렌기 또는 알킬기 중의 불소 원자의 비율, 즉 불소화율은 바람직하게는 70~100%, 보다 바람직하게는 90~100%이며, 가장 바람직하게는 모든 수소 원자가 불소 원자로 치환된 퍼플루오로알킬렌기 또는 퍼플루오로알킬기이다.In the alkylene group of Xb or the alkyl group of Yb and Zb, the larger the number of hydrogen atoms substituted with a fluorine atom is, the stronger the strength of the acid is. The ratio of the fluorine atom in the alkylene group or alkyl group, that is, the fluorine-containing group, is preferably 70 to 100%, more preferably 90 to 100%, and most preferably the perfluoroalkylene group in which all hydrogen atoms are substituted with fluorine atoms A perfluoroalkyl group.

이와 같은 양이온부에 나프탈렌환을 가지는 오니움염으로서 바람직한 것으로는 하기 식 (b15), (b16)으로 나타내는 화합물을 들 수 있다.As a preferable onium salt which has a naphthalene ring in such a cation part, the compound represented by following formula (b15) and (b16) is mentioned.

Figure pat00058
Figure pat00058

또, 다른 산 발생제에서의 제 4 태양으로는 비스(p-톨루엔설포닐)디아조메탄, 비스(1,1-디메틸에틸설포닐)디아조메탄, 비스(시클로헥실설포닐)디아조메탄, 비스(2,4-디메틸페닐설포닐)디아조메탄 등의 비스설포닐디아조메탄류;p-톨루엔설폰산 2-니트로벤질, p-톨루엔설폰산 2,6-디니트로벤질, 니트로벤질토실레이트, 디니트로벤질토실레이트, 니트로벤질설포네이트, 니트로벤질카르보네이트, 디니트로벤질카르보네이트 등의 니트로벤질 유도체;피로가롤트리메실레이트, 피로가롤트리토실레이트, 벤질토실레이트, 벤질설포네이트, N-메틸설포닐옥시숙신이미드, N-트리클로로메틸설포닐옥시숙신이미드, N-페닐설포닐옥시말레이미드, N-메틸설포닐옥시프탈이미드 등의 설폰산 에스테르류;N-히드록시프탈이미드, N-히드록시나프탈이미드 등의 트리플루오로메탄설폰산 에스테르류;디페닐요도늄 헥사플루오로포스페이트, (4-메톡시페닐)페닐요도늄 트리플루오로메탄설포네이트, 비스(p-tert-부틸페닐)요도늄 트리플루오로메탄설포네이트, 트리페닐설포늄 헥사플루오로포스페이트, (4-메톡시페닐)디페닐설포늄 트리플루오로메탄설포네이트, (p-tert-부틸페닐)디페닐설포늄 트리플루오로메탄설포네이트 등의 오니움염류;벤조인토실레이트, α-메틸벤조인토실레이트 등의 벤조인토실레이트류;그 외의 디페닐요도늄염, 트리페닐설포늄염, 페닐디아조늄염, 벤질카르보네이트 등을 들 수 있다.As the fourth embodiment of the other acid generator, bis (p-toluenesulfonyl) diazomethane, bis (1,1-dimethylethylsulfonyl) diazomethane, bis (cyclohexylsulfonyl) diazomethane , And bis (2,4-dimethylphenylsulfonyl) diazomethane; p-toluenesulfonic acid 2-nitrobenzyl, p-toluenesulfonic acid 2,6-dinitrobenzyl, nitrobenzyl Nitrobenzyl derivatives such as tolylate, dinitrobenzyltosylate, nitrobenzylsulfonate, nitrobenzyl carbonate, dinitrobenzyl carbonate, etc .; nitrobenzyl derivatives such as pyroglutamylate, pyrogalloltritosylate, benzyltosylate, Sulfonic acid esters such as benzyl sulfonate, N-methylsulfonyloxysuccinimide, N-trichloromethylsulfonyloxysuccinimide, N-phenylsulfonyloxymaleimide and N-methylsulfonyloxyphthalimide ; Triflur such as N-hydroxyphthalimide and N-hydroxynaphthalimide; Romethane sulfonic acid esters; diphenyl iodonium hexafluorophosphate, (4-methoxyphenyl) phenyl iodonium trifluoromethanesulfonate, bis (p-tert-butylphenyl) iodonium trifluoromethanesulfonate, Onium salts such as triphenylsulfonium hexafluorophosphate, (4-methoxyphenyl) diphenylsulfonium trifluoromethanesulfonate, and (p-tert-butylphenyl) diphenylsulfonium trifluoromethanesulfonate Benzointosylates such as benzointosylate and α-methylbenzointosylate; other diphenylyodonium salts, triphenylsulfonium salts, phenyldiazonium salts, benzyl carbonates, and the like.

다른 산 발생제로서 바람직하게는 상기 일반식 (b4)로 나타내는 화합물로서 바람직한 n의 값은 2이고, 또, 바람직한 Rb12는 2가의 탄소수 1~8의 치환 혹은 비치환된 알킬렌기, 또는 치환 혹은 비치환된 방향족기이며, 또 바람직한 Rb13은 탄소수 1~8의 치환 혹은 비치환된 알킬기, 또는 치환 혹은 비치환된 아릴기이지만, 이것으로 한정되는 것은 아니다.As the other acid generator, preferably, the value of the preferred n is a compound represented by the formula (b4) is 2, Further, preferred Rb 12 are a substituted divalent group having 1 to 8 carbon atoms or unsubstituted alkylene ring, or a substituted or Although it is an unsubstituted aromatic group, Preferable Rb 13 is a C1-C8 substituted or unsubstituted alkyl group or a substituted or unsubstituted aryl group, However, It is not limited to this.

이와 같은 다른 산 발생제를 병용하는 경우의 사용 비율은 본 발명의 효과를 저해하지 않는 한 특별히 한정되지 않는다. 통상, 상기 일반식 (b5)로 나타내는 양이온부와 상기 일반식 (b-an1)로 나타내는 음이온부를 포함하는 산 발생제 100 질량부에 대해, 다른 산 발생제는 1~300 질량부, 바람직하게는 10~100 질량부이다.The use ratio in the case where such another acid generator is used in combination is not particularly limited as long as the effect of the present invention is not impaired. Generally, with respect to 100 parts by mass of the acid generator containing the cation portion represented by the general formula (b5) and the anion portion represented by the general formula (b-an1), the other acid generator is preferably used in an amount of 1 to 300 parts by mass, 10 to 100 parts by mass.

산 발생제 (B)는 단독으로 이용해도 되고, 2종 이상을 조합해 이용해도 된다. 산 발생제 (B)의 함유량은 본 발명에 관한 레지스트 조성물의 전체 질량에 대해서 0.1~10 질량%로 하는 것이 바람직하고, 0.5~3 질량%로 하는 것이 보다 바람직하다.An acid generator (B) may be used independently and may be used in combination of 2 or more type. The content of the acid generator (B) is preferably 0.1 to 10% by mass, more preferably 0.5 to 3% by mass based on the total mass of the resist composition of the present invention.

<임의 성분><Optional ingredients>

[염기성 화합물 성분;(D) 성분] [Basic compound component: (D) component]

본 발명의 레지스트 조성물은 (A) 성분에 더하여, 추가로 염기성 화합물 성분 (이하, 「(D) 성분」이라고도 함)을 함유해도 된다.In addition to the component (A), the resist composition of the present invention may further contain a basic compound component (hereinafter also referred to as "component (D)").

((D) 성분)(Component (D))

(D) 성분으로는 (B) 성분에 대해서 상대적으로 염기성이 되는 화합물이며 산 산 제어제로서 작용하는 것이고, 또한 (D) 성분에 해당하지 않는 것이면 특별히 한정되지 않고, 공지의 것으로부터 임의로 이용하면 된다. 그 중에서도, 지방족 아민, 특히 제2급 지방족 아민이나 제3급 지방족 아민이 바람직하다.The component (D) is a compound that is relatively basic to the component (B), and acts as an acid acid control agent, and is not particularly limited as long as the component does not correspond to the component (D). do. Of these, aliphatic amines, especially secondary aliphatic amines and tertiary aliphatic amines are preferred.

지방족 아민이란, 1개 이상의 지방족기를 가지는 아민이며, 이 지방족기는 탄소수가 1~12인 것이 바람직하다.The aliphatic amine is an amine having at least one aliphatic group, and the aliphatic group preferably has 1 to 12 carbon atoms.

지방족 아민으로는 암모니아 NH3의 수소 원자 중 적어도 1개를 탄소수 12 이하의 알킬기 또는 히드록시알킬기로 치환한 아민(알킬아민 또는 알킬알코올아민) 또는 환식 아민을 들 수 있다.Examples of the aliphatic amines include amines (alkylamines or alkylalcoholamines) or cyclic amines in which at least one hydrogen atom of ammonia NH 3 is substituted with an alkyl group having 12 or less carbon atoms or a hydroxyalkyl group.

알킬아민 및 알킬알코올아민의 구체적인 예로는 n-헥실아민, n-헵틸아민, n-옥틸아민, n-노닐아민, n-데실아민 등의 모노알킬아민;디에틸아민, 디-n-프로필아민, 디-n-헵틸아민, 디-n-옥틸아민, 디시클로헥실아민 등의 디알킬아민;트리메틸아민, 트리에틸아민, 트리-n-프로필아민, 트리-n-부틸아민, 트리-n-펜틸아민, 트리-n-헥실아민, 트리-n-헵틸아민, 트리-n-옥틸아민, 트리-n-노닐아민, 트리-n-데실아민, 트리-n-도데실아민 등의 트리알킬아민;디에탄올아민, 트리에탄올아민, 디이소프로판올아민, 트리이소프로판올아민, 디-n-옥탄올아민, 트리-n-옥탄올아민 등의 알킬알코올아민을 들 수 있다. 이들 중에서도, 탄소수 5~10의 트리알킬아민이 더욱 바람직하고, 트리-n-펜틸아민 또는 트리-n-옥틸아민이 특히 바람직하다.Specific examples of alkylamines and alkylalcoholamines include monoalkylamines such as n-hexylamine, n-heptylamine, n-octylamine, n-nonylamine and n-decylamine; , Dialkylamines such as di-n-heptylamine, di-n-octylamine and dicyclohexylamine; aliphatic amines such as trimethylamine, triethylamine, tri-n-propylamine, Trialkylamines such as triethylamine, triethylamine, triethylamine, n-hexylamine, triethylamine, triethylamine, And alkyl alcohol amines such as diethanolamine, triethanolamine, diisopropanolamine, triisopropanolamine, di-n-octanolamine and tri-n-octanolamine. Of these, trialkylamines having 5 to 10 carbon atoms are more preferred, and tri-n-pentylamine or tri-n-octylamine is particularly preferred.

환식 아민으로는 예를 들어, 헤테로 원자로서 질소 원자를 포함하는 복소환 화합물을 들 수 있다. 이 복소환 화합물로는 단환식의 것(지방족 단환식 아민)이어도 다환식의 것(지방족 다환식 아민)이어도 된다.The cyclic amine includes, for example, a heterocyclic compound containing a nitrogen atom as a hetero atom. The heterocyclic compound may be monocyclic (aliphatic monocyclic amine) or polycyclic (aliphatic polycyclic amine).

지방족 단환식 아민으로서 구체적으로는 피페리딘, 피페라진 등을 들 수 있다.Specific examples of the aliphatic monocyclic amines include piperidine and piperazine.

지방족 다환식 아민으로는 탄소수가 6~10의 것이 바람직하고, 구체적으로는 1,5-디아자비시클로[4.3.0]-5-노넨, 1,8-디아자비시클로[5.4.0]-7-운데센, 헥사메틸렌테트라민, 1,4-디아자비시클로[2.2.2]옥탄 등을 들 수 있다.As the aliphatic polycyclic amine, one having 6 to 10 carbon atoms is preferable, and specifically 1,5-diazabicyclo [4.3.0] -5-nonene and 1,8-diazabicyclo [5.4.0] -7 -Undecene, hexamethylenetetramine, 1,4-diazabicyclo [2.2.2] octane, etc. are mentioned.

그 외의 지방족 아민으로는 트리스(2-메톡시메톡시에틸)아민, 트리스{2-(2-메톡시에톡시)에틸}아민, 트리스{2-(2-메톡시에톡시메톡시)에틸}아민, 트리스{2-(1-메톡시에톡시)에틸}아민, 트리스{2-(1-에톡시에톡시)에틸}아민, 트리스{2-(1-에톡시프로폭시)에틸}아민, 트리스[2-{2-(2-히드록시에톡시)에톡시}에틸]아민, 트리에탄올아민 트리아세테이트 등을 들 수 있고, 트리에탄올아민 트리아세테이트가 바람직하다.Other aliphatic amines include tris (2-methoxymethoxyethyl) amine, tris {2- (2-methoxyethoxy) ethyl} amine, tris {2- (2-methoxyethoxymethoxy) ethyl} Amine, tris {2- (1-methoxyethoxy) ethyl} amine, tris {2- (1-ethoxyethoxy) ethyl} amine, tris {2- (1-ethoxypropoxy) ethyl} amine, Tris [2- {2- (2-hydroxyethoxy) ethoxy} ethyl] amine, triethanolamine triacetate, and the like, and triethanolamine triacetate is preferable.

또, (D2) 성분으로는 방향족 아민을 이용해도 된다.Moreover, you may use aromatic amine as (D2) component.

방향족 아민으로는 아닐린, 피리딘, 4-디메틸아미노피리딘, 피롤, 인돌, 피라졸, 이미다졸 또는 이들의 유도체, 디페닐아민, 트리페닐아민, 트리벤질아민, 2,6-디이소프로필아닐린, N-tert-부톡시카르보닐피롤리딘 등을 들 수 있다.Examples of the aromatic amine include aniline, pyridine, 4-dimethylaminopyridine, pyrrole, indole, pyrazole, imidazole or a derivative thereof, diphenylamine, triphenylamine, tribenzylamine, 2,6-diisopropylaniline, N -tet-butoxycarbonylpyrrolidine and the like.

(D) 성분은 단독으로 이용해도 되고, 2종 이상을 조합해 이용해도 된다.(D) component may be used independently and may be used in combination of 2 or more type.

(D) 성분은 수지 고형분 ((A) 성분과 (C) 성분의 합계) 100 질량부에 대해서, 통상 0.01~5.0 질량부의 범위에서 이용된다. 상기 범위로 함으로써, 레지스트 패턴 형상, 대기 경시 안정성 등이 향상된다.(D) component is normally used in 0.01-5.0 mass part with respect to 100 mass parts of resin solid content (the sum total of (A) component and (C) component). By setting the concentration in the above range, the shape of the resist pattern, the stability over time, and the like are improved.

<임의 성분><Optional ingredients>

[(E) 성분][Component (E)] [

본 발명의 레지스트 조성물에는 감도 열화의 방지나, 레지스트 패턴 형상, 대기 경시 안정성 등의 향상을 목적으로, 임의의 성분으로서 유기 카르복시산 및 인의 옥소산 및 그 유도체로 이루어진 군으로부터 선택되는 적어도 1종의 화합물 (E)(이하, (E) 성분이라 함)를 함유시킬 수 있다.The resist composition of the present invention includes at least one compound selected from the group consisting of organic carboxylic acids and oxo acids of phosphorus and derivatives thereof as arbitrary components for the purpose of preventing sensitivity deterioration, improving the resist pattern shape, atmospheric stability over time, and the like. (E) (henceforth (E) component) can be contained.

유기 카르복시산으로는 예를 들면, 아세트산, 말론산, 시트르산, 말산, 숙신산, 벤조산, 살리실산 등이 매우 적합하다. 인의 옥소산으로는 인산, 포스폰산, 포스핀산 등을 들 수 있으며, 이들 중에서도 특히 포스폰산이 바람직하다.Examples of the organic carboxylic acid include acetic acid, malonic acid, citric acid, malic acid, succinic acid, benzoic acid, salicylic acid and the like. Phosphoric acid, phosphonic acid and phosphinic acid are examples of the phosphoric acid, and phosphonic acid is particularly preferable among them.

인의 옥소산의 유도체로는 예를 들어, 상기 옥소산의 수소 원자를 탄화수소기로 치환한 에스테르 등을 들 수 있고, 상기 탄화수소기로는 탄소수 1~5의 알킬기, 탄소수 6~15의 아릴기 등을 들 수 있다.As a derivative of the oxo acid of phosphorus, the ester etc. which substituted the hydrogen atom of the said oxo acid with a hydrocarbon group, etc. are mentioned, for example, A C1-C5 alkyl group, a C6-C15 aryl group, etc. are mentioned, for example. Can be.

인산의 유도체로는 인산디-n-부틸에스테르, 인산디페닐에스테르 등의 인산 에스테르 등을 들 수 있다.Examples of the phosphoric acid derivative include phosphoric acid esters such as di-n-butyl phosphate and diphenyl phosphate.

포스폰산의 유도체로는 포스폰산 디메틸에스테르, 포스폰산 디-n-부틸에스테르, 페닐포스폰산, 포스폰산 디페닐에스테르, 포스폰산 디벤질에스테르 등의 포스폰산 에스테르 등을 들 수 있다.Examples of the derivatives of phosphonic acid include phosphonic acid esters such as phosphonic acid dimethyl ester, phosphonic acid di-n-butyl ester, phenylphosphonic acid, phosphonic acid diphenyl ester and phosphonic acid dibenzyl ester.

포스핀산의 유도체로는 포스핀산 에스테르나 페닐포스핀산 등을 들 수 있다.Examples of phosphinic acid derivatives include phosphinic acid esters and phenylphosphinic acid.

(E) 성분은 1종을 단독으로 이용해도 되고, 2종 이상을 병용해도 된다.The component (E) may be used alone or in combination of two or more.

(E) 성분은 수지 고형분((A) 성분과(C) 성분의 합계) 100 질량부에 대해서, 통상 0.01~5.0 질량부의 범위로 이용된다.(E) component is normally used in 0.01-5.0 mass part with respect to 100 mass parts of resin solid content (the sum total of (A) component and (C) component).

[그 밖의 첨가제][Other additives]

본 발명의 레지스트 조성물에는 추가로 원하는 바에 따라 혼화성이 있는 첨가제, 예를 들면 레지스트막의 성능을 개량하기 위한 부가적 수지, 용해 억제제, 가소제, 안정제, 착색제, 할레이션 방지제, 염료 등을 적절히 첨가 함유시킬 수 있다.The resist composition of the present invention may further contain miscible additives such as an additive resin for improving the performance of the resist film, a dissolution inhibitor, a plasticizer, a stabilizer, a colorant, a halation inhibitor, .

[(S) 성분][Component (S)] [

본 발명의 레지스트 조성물은 재료를 유기용제(이하, (S) 성분이라고 하는 경우가 있음)에 용해시켜 제조할 수 있다.The resist composition of the present invention can be produced by dissolving the material in an organic solvent (hereinafter sometimes referred to as component (S)).

(S) 성분으로는 사용하는 각 성분을 용해해 균일한 용액으로 할 수 있는 것이면 되고, 종래 화학 증폭형 레지스트의 용제로서 공지의 것 중에서 임의의 것을 1종 또는 2종 이상 적절히 선택해 이용할 수 있다.What is necessary is just to be able to melt | dissolve each component to be used as a (S) component, and to make it a uniform solution, and can use suitably the 1 type (s) or 2 or more types from a well-known thing as a solvent of the conventional chemically amplified resist, and can use.

예를 들어, γ-부티로락톤(GBL) 등의 락톤류;아세톤, 메틸에틸케톤(MEK), 시클로헥산온, 메틸-n-펜틸케톤, 메틸이소펜틸케톤, 2-헵탄온 등의 케톤류;에틸렌글리콜, 디에틸렌글리콜, 프로필렌글리콜, 디프로필렌글리콜 등의 다가 알코올류;에틸렌글리콜 모노아세테이트, 디에틸렌글리콜 모노아세테이트, 프로필렌글리콜 모노아세테이트, 또는 디프로필렌글리콜 모노아세테이트 등의 에스테르 결합을 가지는 화합물, 상기 다가 알코올류 또는 상기 에스테르 결합을 가지는 화합물의 모노메틸에테르, 모노에틸에테르, 모노프로필에테르, 모노부틸에테르 등의 모노알킬에테르 또는 모노페닐에테르 등의 에테르 결합을 가지는 화합물 등의 다가 알코올류의 유도체[이들 중에서는 프로필렌글리콜 모노메틸에테르 아세테이트(PGMEA), 프로필렌글리콜 모노메틸에테르(PGME)가 바람직하다];디옥산과 같은 환식 에테르류나, 젖산 메틸, 젖산 에틸(EL), 아세트산 메틸, 아세트산 에틸, 아세트산 부틸, 피루브산 메틸, 피루브산 에틸, 메톡시프로피온산 메틸, 에톡시프로피온산 에틸 등의 에스테르류;아니솔, 에틸벤질에테르, 크레질메틸에테르, 디페닐에테르, 디벤질에테르, 페네톨, 부틸페닐에테르, 에틸벤젠, 디에틸벤젠, 펜틸벤젠, 이소프로필벤젠, 톨루엔, 크실렌, 시멘, 메시틸렌 등의 방향족계 유기용제, 디메틸설폭시드(DMSO) 등을 들 수 있다.For example, lactones, such as (gamma) -butyrolactone (GBL); Ketones, such as acetone, methyl ethyl ketone (MEK), cyclohexanone, methyl-n-pentyl ketone, methyl isopentyl ketone, and 2-heptanone; Polyhydric alcohols such as ethylene glycol, diethylene glycol, propylene glycol, dipropylene glycol; compounds having ester bonds such as ethylene glycol monoacetate, diethylene glycol monoacetate, propylene glycol monoacetate, or dipropylene glycol monoacetate; Derivatives of polyhydric alcohols such as polyhydric alcohols or compounds having ether bonds such as monoalkyl ethers such as monomethyl ether, monoethyl ether, monopropyl ether and monobutyl ether or monophenyl ethers of the compounds having ester bonds [ Among these, propylene glycol monomethyl ether acetate (PGMEA) and propylene glycol monomethyl PGME is preferred]; cyclic ethers such as dioxane, methyl lactate, ethyl lactate (EL), methyl acetate, ethyl acetate, butyl acetate, methyl pyruvate, ethyl pyruvate, methyl methoxypropionate and ethyl ethoxypropionate. Esters such as anisole, ethyl benzyl ether, cresyl methyl ether, diphenyl ether, dibenzyl ether, phentol, butyl phenyl ether, ethyl benzene, diethyl benzene, pentyl benzene, isopropyl benzene, toluene, xylene, Aromatic organic solvents, such as cymene and mesitylene, dimethyl sulfoxide (DMSO), etc. are mentioned.

또, 본 발명에 관한 후막용 포지티브형 포토레지스트 조성물에는 점도 조정을 위해서 유기용제를 적절히 배합할 수 있다. 유기용제의 구체적인 예로는 메틸이소아밀케톤 등의 케톤류;에틸렌글리콜, 에틸렌글리콜 모노아세테이트, 디에틸렌글리콜, 디에틸렌글리콜 모노아세테이트, 프로필렌글리콜, 프로필렌글리콜 모노아세테이트, 디프로필렌글리콜 및 디프로필렌글리콜 모노아세테이트의 모노메틸에테르, 모노에틸에테르, 모노프로필에테르, 모노부틸에테르, 또는 모노페닐에테르 등의 다가 알코올류 및 그 유도체;디옥산과 같은 환식 에테르류;아세트 아세트산 메틸, 아세트아세트산 에틸, 피루브산 에틸, 에톡시아세트산 에틸, 2-히드록시프로피온산 메틸, 2-히드록시프로피온산 에틸, 2-히드록시-2-메틸프로피온산 에틸, 2-히드록시-3-메틸부탄산 메틸, 3-메톡시부틸 아세테이트, 3-메틸-3-메톡시부틸 아세테이트 등의 에스테르류;톨루엔, 크실렌 등의 방향족 탄화수소류를 들 수 있다. 이것들은 단독으로 이용해도 되고, 2종 이상을 혼합해 이용해도 된다.Moreover, an organic solvent can be mix | blended suitably for the viscosity adjustment to the positive photoresist composition for thick films which concerns on this invention. Specific examples of the organic solvent include ketones such as methyl isoamyl ketone; ethylene glycol, ethylene glycol monoacetate, diethylene glycol, diethylene glycol monoacetate, propylene glycol, propylene glycol monoacetate, dipropylene glycol and dipropylene glycol monoacetate. Polyhydric alcohols and derivatives thereof such as monomethyl ether, monoethyl ether, monopropyl ether, monobutyl ether, or monophenyl ether; cyclic ethers such as dioxane; methyl acetate, ethyl acetate, ethyl pyruvate, Ethyl oxyacetic acid, methyl 2-hydroxypropionate, ethyl 2-hydroxypropionate, ethyl 2-hydroxy-2-methylpropionate, methyl 2-hydroxy-3-methylbutanoic acid, 3-methoxybutyl acetate, 3- Esters such as methyl-3-methoxybutyl acetate; aromatic hydrocarbons such as toluene and xylene It may be a flow. These may be used independently, or may mix and use 2 or more types.

이들 유기용제는 단독으로 이용해도 되고, 2종 이상의 혼합 용제로서 이용해도 된다.These organic solvents may be used alone or in combination of two or more.

그 중에서도 PGMEA, 3-메톡시부틸아세테이트가 바람직하다.Especially, PGMEA and 3-methoxybutyl acetate are preferable.

(S) 성분의 사용량은 특별히 한정되지 않고, 기판 등에 도포 가능한 농도로 도포 막 두께에 따라 적절히 설정된다. 일반적으로는 레지스트 조성물의 고형분 농도가 30 질량% 내지 65 질량%가 되는 범위인 것이 바람직하다. 고형분 농도가 30 질량% 미만인 경우에는 접속 단자의 제조에 바람직한 5㎛ 이상, 더욱 바람직하게는 10㎛ 이상의 후막을 얻는 것이 곤란하고, 65 질량%을 넘으면 조성물의 유동성이 현저하게 악화되어 취급이 곤란한데다 스핀 코트법에서는 균일한 레지스트 필름이 얻어지기 어렵다.The amount of the component (S) to be used is not particularly limited and is appropriately set in accordance with the coating film thickness at a concentration that can be applied to a substrate or the like. Generally, it is preferable that it is the range whose solid content concentration of a resist composition becomes 30 mass%-65 mass%. If the solid content concentration is less than 30% by mass, it is difficult to obtain a thick film of 5 µm or more, more preferably 10 µm or more, which is preferable for the manufacture of the connection terminal. In the spin coat method, a uniform resist film is hardly obtained.

《그 외》"etc"

본 발명에 관한 후막용 포지티브형 포토레지스트 조성물에는 가역성을 향상시키기 위해서, 추가로 폴리비닐수지를 함유시켜도 된다. 폴리비닐 수지는 질량 평균 분자량이 10,000~200,000인 것이 바람직하고, 50,000~100,000인 것이 보다 바람직하다.In order to improve reversibility, the positive photoresist composition for thick film according to the present invention may further contain polyvinyl resin. The polyvinyl resin preferably has a mass average molecular weight of 10,000 to 200,000, more preferably 50,000 to 100,000.

이와 같은 폴리비닐 수지는 폴리(비닐 저급 알킬에테르)이며, 하기 일반식 (Vi-1)로 나타내는 비닐 저급 알킬에테르의 단독 또는 2종 이상의 혼합물을 중합시킴으로써 얻어지는 중합체 또는 공중합체로 이루어진다.Such polyvinyl resin is poly (vinyl lower alkyl ether), and consists of a polymer or copolymer obtained by superposing | polymerizing single or 2 or more types of vinyl lower alkyl ethers represented by the following general formula (Vi-1).

Figure pat00059
Figure pat00059

상기 일반식 (Vi-1) 중, Rvi1은 탄소수 1~6의 직쇄상 또는 분기상의 알킬기를 나타낸다.In the general formula (Vi-1), Rvi 1 represents a linear or branched alkyl group having 1 to 6 carbon atoms.

이와 같은 폴리비닐 수지는 비닐계 화합물로부터 얻어지는 중합체이다. 이와 같은 폴리비닐 수지로는 구체적인 예로서 폴리염화비닐, 폴리스티렌, 폴리히드록시스티렌, 폴리아세트산 비닐, 폴리비닐벤조산, 폴리비닐메틸에테르, 폴리비닐에틸에테르, 폴리비닐알코올, 폴리비닐피롤리돈, 폴리비닐페놀 및 이들의 공중합체 등을 들 수 있다. 폴리비닐 수지는 유리 전이점이 낮다는 점으로부터, 바람직하게는 폴리비닐메틸에테르이다.Such a polyvinyl resin is a polymer obtained from a vinyl compound. Specific examples of such polyvinyl resins include polyvinyl chloride, polystyrene, polyhydroxystyrene, polyvinyl acetate, polyvinylbenzoic acid, polyvinylmethyl ether, polyvinylethyl ether, polyvinyl alcohol, polyvinylpyrrolidone, poly Vinylphenols and copolymers thereof. The polyvinyl resin is preferably polyvinyl methyl ether from the low glass transition point.

또, 본 발명에 관한 후막용 포지티브형 포토레지스트 조성물에는 기판과의 접착성을 향상시키기 위해서, 접착조제를 더 함유시킬 수도 있다. 사용되는 접착조제로는 관능성 실란 커플링제가 바람직하다. 관능성 실란 커플링제로는 카르복실기, 메타크릴로일기, 이소시아네이트기, 에폭시기 등의 반응성 치환기를 가지는 실란 커플링제를 들 수 있다. 또, 관능성 실란 커플링제의 구체적인 예로는 트리메톡시실릴벤조산, γ-메타크릴옥시프로필트리메톡시실란, 비닐트리아세톡시실란, 비닐트리메톡시실란, γ-글리시독시프로필트리메톡시실란, β-(3,4-에폭시시클로헥실)에틸트리메톡시실란 등을 들 수 있다. 이 접착조제의 함유량은 상기 수지 (A) 및 알칼리 가용성 수지 (C)의 합계 질량 100 질량부에 대해서, 20 질량부 이하인 것이 바람직하다.Moreover, in order to improve adhesiveness with a board | substrate, the positive type photoresist composition for thick films which concerns on this invention can also be further contained. As the adhesive aid to be used, a functional silane coupling agent is preferred. Examples of the functional silane coupling agent include silane coupling agents having reactive substituents such as a carboxyl group, a methacryloyl group, an isocyanate group, and an epoxy group. In addition, specific examples of the functional silane coupling agent include trimethoxysilylbenzoic acid, γ-methacryloxypropyltrimethoxysilane, vinyltriacetoxysilane, vinyltrimethoxysilane, and γ-glycidoxypropyltrimethoxysilane and β- (3,4-epoxycyclohexyl) ethyltrimethoxysilane. The content of the adhesive aid is preferably 20 parts by mass or less based on 100 parts by mass of the total mass of the resin (A) and the alkali-soluble resin (C).

또, 본 발명에 관한 후막용 포지티브형 포토레지스트 조성물에는 도포성, 소포성, 레벨링성 등을 향상시키기 위해서, 계면활성제를 더 함유시킬 수도 있다. 계면활성제의 예로는 BM-1000, BM-1100(모두 BM 케미사 제), 메가팩 F142D, 메가팩 F172, 메가팩 F173, 메가팩 F183(모두 대일본 잉크화학공업사 제), 플루오라드 FC-135, 플루오라드 FC-170C, 플루오라드 FC-430, 플루오라드 FC-431(모두 스미토모 3M사 제), 서프론 S-112, 서프론 S-113, 서프론 S-131, 서프론 S-141, 서프론 S-145(모두 아사히유리사 제), SH-28PA, SH-190, SH-193, SZ-6032, SF-8428(모두 토오레실리콘사 제) 등의 시판되는 불소계 계면활성제를 들 수 있지만, 이것들로 한정되지 않는다.Moreover, in order to improve applicability | paintability, antifoaming property, leveling property, etc., the positive photoresist composition for thick films which concerns on this invention can also contain surfactant. Examples of the surfactant include BM-1000, BM-1100 (all manufactured by BM Chemi Corporation), Megapack F142D, Megapack F172, Megapack F173, Megapack F183 (all manufactured by Nippon Ink Chemical Co., Ltd.), Fluoride FC-135 Fluoride FC-170C, Fluoride FC-430, Fluoride FC-431 (all made by Sumitomo 3M), Supron S-112, Supron S-113, Supron S-131, Supron S-141, Commercially available fluorine-based surfactants such as SUPRON S-145 (all manufactured by Asahi Glass Co., Ltd.), SH-28PA, SH-190, SH-193, SZ-6032, SF-8428 (all manufactured by Toray Silicone Co., Ltd.). However, it is not limited to these.

또, 본 발명에 관한 후막용 포지티브형 포토레지스트 조성물에는 알칼리 현상액에 대한 용해성의 미(微)조정을 실시하기 위해서, 산, 산 무수물, 또는 고비등점 용매를 더 함유시킬 수도 있다.In addition, the positive photoresist composition for thick film according to the present invention may further contain an acid, an acid anhydride, or a high boiling point solvent in order to perform fine adjustment of solubility in an alkaline developer.

산 및 산 무수물의 예로는 아세트산, 프로피온산, n-부티르산, 이소부티르산, n-발레르산, 이소발레르산, 벤조산, 신남산 등의 모노카르복시산;젖산, 2-히드록시부티르산, 3-히드록시부티르산, 살리실산, m-히드록시벤조산, p-히드록시벤조산, 2-히드록시신남산, 3-히드록시신남산, 4-히드록시신남산, 5-히드록시이소프탈산, 시린진산 등의 히드록시모노카르복시산;옥살산, 숙신산, 글루타르산, 아디프산, 말레산, 이타콘산, 헥사히드로프탈산, 프탈산, 이소프탈산, 테레프탈산, 1,2-시클로헥산디카르복시산, 1,2,4-시클로헥산트리카르복실산, 부탄테트라카르복시산, 트리멜리트산, 피로멜리트산, 시클로펜탄테트라카르복시산, 부탄테트라카르복시산, 1,2,5,8-나프탈렌테트라카르복시산 등의 다가 카르복시산;무수 이타콘산, 무수 숙신산, 무수 시트라콘산, 무수 도데세닐숙신산, 무수 트리카르바닐산, 무수 말레산, 무수 헥사히드로프탈산, 무수 메틸테트라히드로프탈산, 무수 하이믹산, 1,2,3,4-부탄테트라카르복시산 무수물, 시클로펜탄테트라카르복시산 2무수물, 무수 프탈산, 무수 피로멜리트산, 무수 트리멜리트산, 무수 벤조페논 테트라카르복시산, 에틸렌글리콜비스 무수 트리멜리테이트, 글리세린트리스 무수 트리멜리테이트 등의 산 무수물이라는 것을 들 수 있다.Examples of acids and acid anhydrides include monocarboxylic acids such as acetic acid, propionic acid, n-butyric acid, isobutyric acid, n-valeric acid, isovaleric acid, benzoic acid, cinnamic acid; lactic acid, 2-hydroxybutyric acid, 3-hydroxybutyric acid, Hydroxy monocarboxylic acids, such as salicylic acid, m-hydroxy benzoic acid, p-hydroxy benzoic acid, 2-hydroxycinnamic acid, 3-hydroxycinnamic acid, 4-hydroxycinnamic acid, 5-hydroxyisophthalic acid, and cyringic acid Oxalic acid, succinic acid, glutaric acid, adipic acid, maleic acid, itaconic acid, hexahydrophthalic acid, phthalic acid, isophthalic acid, terephthalic acid, 1,2-cyclohexanedicarboxylic acid, 1,2,4-cyclohexanetricarboxyl Polyhydric carboxylic acids such as acid, butanetetracarboxylic acid, trimellitic acid, pyromellitic acid, cyclopentanetetracarboxylic acid, butanetetracarboxylic acid, 1,2,5,8-naphthalenetetracarboxylic acid; itaconic anhydride, succinic anhydride, citraconic anhydride , Nothing Dodecenyl succinic acid, tricarbanic anhydride, maleic anhydride, hexahydrophthalic anhydride, methyltetrahydrophthalic anhydride, hymic anhydride, 1,2,3,4-butanetetracarboxylic anhydride, cyclopentanetetracarboxylic dianhydride, And acid anhydrides such as phthalic anhydride, pyromellitic anhydride, trimellitic anhydride, benzophenone tetracarboxylic acid, ethylene glycol bis trimellitate anhydride, and glycerin tris anhydride.

또, 고비등점 용매의 예로는 N-메틸포름아미드, N,N-디메틸포름아미드, N-메틸포름아닐리드, N-메틸아세트아미드, N,N-디메틸아세트아미드, N-메틸피롤리돈, 디메틸설폭시드, 벤질에틸에테르, 디헥실에테르, 아세트닐아세톤, 이소포론, 카프로산, 카푸릴산, 1-옥탄올, 1-노난올, 벤질알코올, 아세트산 벤질, 벤조산 에틸, 옥살산 디에틸, 말레산 디에틸, γ-부티로락톤, 탄산 에틸렌, 탄산 프로필렌, 페닐셀로솔브 아세테이트 등을 들 수 있다.In addition, examples of the high boiling point solvent include N-methylformamide, N, N-dimethylformamide, N-methylformanilide, N-methylacetamide, N, N-dimethylacetamide, N-methylpyrrolidone, and dimethyl. Sulfoxide, benzyl ethyl ether, dihexyl ether, acetyl acetone, isophorone, caproic acid, capuric acid, 1-octanol, 1-nonanol, benzyl alcohol, benzyl acetate, ethyl benzoate, diethyl oxalate, di maleic acid Ethyl, gamma -butyrolactone, ethylene carbonate, propylene carbonate, phenylcellosolve acetate, and the like.

상술한 바와 같은 알칼리 현상액에 대한 용해성의 미조정을 행하기 위한 화합물의 사용량은 용도·도포 방법에 따라 조정할 수 있으며, 조성물을 균일하게 혼합시킬 수 있다면 특별히 한정되는 것은 아니지만, 얻어지는 조성물 전체 질량에 대해서 60 질량% 이하, 바람직하게는 40 질량% 이하로 한다.The amount of the compound used for fine-adjusting the solubility in the alkaline developer as described above can be adjusted depending on the use and the coating method, and is not particularly limited as long as the composition can be uniformly mixed. It is 60 mass% or less, Preferably you may be 40 mass% or less.

본 발명에 관한 후막용 포지티브형 포토레지스트 조성물의 조제는 예를 들어, 상기 각 성분을 통상의 방법으로 혼합, 교반하는 것만으로 되고, 필요에 따라 디졸버, 호모지나이저, 3개 롤 밀 등의 분산기를 이용해 분산, 혼합해도 된다. 또, 혼합한 다음에 추가로 메쉬, 멤브레인 필터 등을 이용해 여과해도 된다.Preparation of the positive type photoresist composition for thick films which concerns on this invention only mixes and stirs each said component by a conventional method, For example, it is necessary, such as a resolver, a homogenizer, and three roll mills. You may disperse and mix using a disperser. Moreover, after mixing, you may filter using a mesh, a membrane filter, etc. further.

본 발명에 관한 후막용 포지티브형 포토레지스트 조성물은 약 5~약 200㎛, 바람직하게는 약 10~약 120㎛, 보다 바람직하게는 약 10~약 100㎛의 막 두께의 후막 포토레지스트층을 지지체 상에 형성하는데 적합하다.The positive type photoresist composition for thick films according to the present invention comprises a thick film photoresist layer having a film thickness of about 5 to about 200 µm, preferably about 10 to about 120 µm, and more preferably about 10 to about 100 µm. Suitable for forming on

지지체로는 특별히 한정되지 않고, 종래 공지의 것을 이용할 수 있으며, 예를 들어, 전자 부품용의 기판이나, 이것에 소정의 배선 패턴이 형성된 것 등을 예시할 수 있다. 이 기판으로는 예를 들어, 실리콘, 질화실리콘, 티탄, 탄탈, 팔라듐, 티탄텅스텐, 구리, 크롬, 철, 알루미늄 등의 금속제의 기판이나 유리 기판 등을 들 수 있다. 특히, 본 실시 형태와 관련된 후막용 화학 증폭형 포지티브형 포토레지스트 조성물은 구리 기판 상에서도 양호하게 레지스트 패턴을 형성할 수 있다. 배선 패턴의 재료로는 예를 들어 구리, 핸더, 크롬, 알루미늄, 니켈, 금 등이 이용된다.It does not specifically limit as a support body, A conventionally well-known thing can be used, For example, the board | substrate for electronic components, the thing in which predetermined wiring pattern was formed, etc. can be illustrated. Examples of the substrate include metal substrates such as silicon, silicon nitride, titanium, tantalum, palladium, titanium tungsten, copper, chromium, iron, and aluminum, and glass substrates. In particular, the thick film chemically amplified positive photoresist composition of the present embodiment can form a resist pattern even on a copper substrate. As a material of a wiring pattern, copper, a hander, chromium, aluminum, nickel, gold, etc. are used, for example.

《후막 레지스트 패턴의 제조 방법》<< manufacturing method of a thick film resist pattern >>

후막 레지스트 패턴은 예를 들어 이하와 같게 하여 제조할 수 있다. 즉, 상술한 바와 같이 조제한 후막용 포지티브형 포토레지스트 조성물의 용액을 지지체 상에 도포히고, 가열에 의해 용매를 제거함으로써 도막(후막 포토레지스트층)을 형성한다. 지지체 상에 대한 도포 방법으로는 스핀 코트법, 슬릿 코트법, 롤 코트법, 스크린 인쇄법, 애플리케이터법 등의 방법을 채용할 수 있다. 본 실시형태의 조성물을 포함하는 도막의 프레베이크 조건은 조성물 중의 각 성분의 종류, 배합 비율, 도포 막 두께 등에 따라 상이하지만, 통상은 70~150℃, 바람직하게는 80~140℃이고, 2~60분간 정도이다.A thick film resist pattern can be manufactured as follows, for example. That is, the coating film (thick film photoresist layer) is formed by apply | coating the solution of the positive photoresist composition for thick films prepared as mentioned above on a support body, and removing a solvent by heating. As a coating method on a support body, methods, such as a spin coat method, the slit coat method, the roll coat method, the screen printing method, the applicator method, can be employ | adopted. Prebaking conditions of the coating film containing the composition of this embodiment differ with the kind of each component in a composition, a compounding ratio, coating film thickness, etc., but are usually 70-150 degreeC, Preferably it is 80-140 degreeC, and 2 ~ 60 minutes or so.

후막 레지스트층의 막 두께는 약 5~약 200㎛, 바람직하게는 약 10~약 120㎛, 보다 바람직하게는 약 10~약 100㎛의 범위인 것이 바람직하다.The thickness of the thick resist layer is preferably in the range of about 5 to about 200 占 퐉, preferably about 10 to about 120 占 퐉, more preferably about 10 to about 100 占 퐉.

그리고, 얻어진 후막 레지스트층에 소정 패턴의 마스크를 통하여 전자파 또는 입자선을 포함하는 방사선, 예를 들어 파장이 300~500㎚인 자외선 또는 가시광선을 선택적으로 조사(노광)한다.Then, the obtained thick film resist layer is selectively irradiated (exposed) with radiation including electromagnetic waves or particle rays, for example, ultraviolet rays or visible rays having a wavelength of 300 to 500 nm through a mask of a predetermined pattern.

방사선의 선원으로는 저압 수은등, 고압 수은등, 초고압 수은등, 메탈 할라이드 램프, 아르곤 가스 레이저 등을 이용할 수 있다. 또, 방사선에는 마이크로파, 적외선, 가시광선, 자외선, X선, γ선, 전자선, 양자선, 중성자선, 이온선 등이 포함된다. 방사선 조사량은 조성물 중의 각 성분의 종류, 배합량, 도막의 막 두께 등에 따라 상이하지만, 예를 들어 초고압 수은등 사용의 경우, 100~10,000mJ/㎠이다. 또, 방사선에는 산을 발생시키기 위해서 산 발생제를 활성화시키는 광선을 포함한다.As a source of radiation, a low pressure mercury lamp, a high pressure mercury lamp, an ultra high pressure mercury lamp, a metal halide lamp, an argon gas laser, or the like can be used. The radiation includes microwaves, infrared rays, visible rays, ultraviolet rays, X rays,? Rays, electron rays, proton rays, neutron rays, and ion rays. The radiation dose varies depending on the type of each component in the composition, the compounding amount, the film thickness of the coating film, and the like, but is, for example, 100 to 10,000 mJ / cm 2 in the case of using an ultrahigh pressure mercury lamp. In addition, the radiation includes a light beam that activates the acid generator to generate an acid.

그리고, 노광 후, 공지의 방법을 이용해 가열함으로써 산의 확산을 촉진시켜 이 노광 부분의 후막 포토레지스트층의 알칼리 용해성을 변화시킨다. 다음에, 예를 들어 소정의 알칼리성 수용액을 현상액으로서 이용하여 불필요한 부분을 용해, 제거해 소정의 후막 레지스트 패턴을 얻는다.After exposure, the acid diffusion is promoted by heating using a known method to change the alkali solubility of the thick film photoresist layer of the exposed portion. Next, for example, a predetermined alkaline aqueous solution is used as a developing solution to dissolve and remove unnecessary portions to obtain a predetermined thick film resist pattern.

현상액으로는 예를 들어, 수산화 나트륨, 수산화 칼륨, 탄산나트륨, 규산 나트륨, 메타규산 나트륨, 암모니아수, 에틸아민, n-프로필아민, 디에틸아민, 디-n-프로필아민, 트리에틸아민, 메틸디에틸아민, 디메틸에탄올아민, 트리에탄올아민, 테트라메틸암모늄 히드록시드, 테트라에틸암모늄 히드록시드, 피롤, 피페리딘, 1,8-디아자비시클로[5,4,0]-7-운데센, 1,5-디아자비시클로[4,3,0]-5-노난 등의 알칼리류의 수용액을 사용할 수 있다. 또, 상기 알칼리류의 수용액에 메탄올, 에탄올 등의 수용성 유기용매나 계면활성제를 적당량 첨가한 수용액을 현상액으로서 사용할 수도 있다.As a developing solution, for example, sodium hydroxide, potassium hydroxide, sodium carbonate, sodium silicate, sodium metasilicate, aqueous ammonia, ethylamine, n-propylamine, diethylamine, di-n-propylamine, triethylamine, methyldiethyl Amine, dimethylethanolamine, triethanolamine, tetramethylammonium hydroxide, tetraethylammonium hydroxide, pyrrole, piperidine, 1,8-diazabicyclo [5,4,0] -7-undecene, 1 An aqueous solution of alkalis, such as a 5-5-diazabicyclo [4,3,0] -5-nonane, can be used. An aqueous solution in which an appropriate amount of a water-soluble organic solvent such as methanol or ethanol or a surfactant is added to the aqueous alkaline solution may be used as a developer.

현상 시간은 조성물 각 성분의 종류, 배합 비율, 조성물의 건조 막 두께에 따라 상이하지만, 통상 1~30분간이며, 또 현상의 방법은 액성법(液盛法), 디핑법, 패들법, 스프레이 현상법 등 어떠한 것이라도 된다. 현상 후에는 흐르는 물 세정을 30~90초간 실시하고, 에어 건이나 오븐 등을 이용해 건조시킨다.The development time varies depending on the type of each component of the composition, the blending ratio, and the dry film thickness of the composition, but is usually 1 to 30 minutes, and the development method is a liquid method, a dipping method, a paddle method, a spray development The law may be anything. After image development, washing with running water is performed for 30 to 90 seconds and dried using an air gun or an oven.

그리고, 이와 같이 하여 얻어진 레지스트 패턴의 비레지스트부(알칼리 현상액으로 제거된 부분)에, 예를 들면 도금 등에 의해 금속 등의 도체를 매립함으로써 메탈포스트나 범프 등의 접속 단자를 형성할 수 있다. 또한, 도금 처리 방법은 특별히 제한되지 않고, 종래부터 공지의 각종 방법을 채용할 수 있다. 도금액으로는 특히 핸더 도금, 구리 도금, 금 도금, 니켈 도금액이 매우 적합하게 이용된다.In addition, connection terminals such as metal posts and bumps can be formed by embedding conductors such as metal in the non-resist portions (parts removed by the alkaline developer) of the resist pattern thus obtained. In addition, the plating treatment method is not particularly limited and conventionally known various methods can be adopted. Especially as a plating liquid, hander plating, copper plating, gold plating, and a nickel plating liquid are used suitably.

남아 있는 레지스트 패턴은 마지막으로, 정법(定法)에 따라서 박리액 등을 이용해 제거한다.The remaining resist pattern is finally removed using a stripping solution or the like according to a conventional method.

본 발명의 후막용 포지티브형 포토레지스트 조성물은 산 발생제 성분 (B1)을 함유하기 때문에, 이 레지스트 조성물을 이용한 레지스트막의 패턴 형성에 있어서, 감도 등의 리소그라피 특성이 뛰어나다. 그 이유는 분명하지 않지만, 이하와 같이 추찰된다.Since the positive photoresist composition for thick films of this invention contains an acid generator component (B1), it is excellent in lithography characteristics, such as a sensitivity, in pattern formation of the resist film using this resist composition. Although the reason is not clear, it is inferred as follows.

산 발생제 성분 (B1)이 함유하는 나프토퀴논 디아지드 구조는 노광에 의해 분해되어 카르복시산이 발생함으로써, 소수성으로부터 친수성으로 변화하는 것이 가능하다. 친수성으로 변화함으로써, 비노광역과 노광역의 현상액에 대한 용해성의 차이(용해 콘트라스트)가 향상되어 리소그라피 특성이 향상된다고 추찰된다.The naphthoquinone diazide structure contained in the acid generator component (B1) can be changed from hydrophobic to hydrophilic by decomposing upon exposure to generate carboxylic acid. By changing to hydrophilicity, it is inferred that the difference (dissolution contrast) of the solubility with respect to the developing solution of a non-exposure range and an exposure range improves and lithography characteristic improves.

또, 나프토퀴논 디아지드 구조는 폭넓은 흡수대를 가지기 때문에, 나프토퀴논 디아지드 구조를 가지는 산 발생제는 g선(436㎚), h선(405㎚), i선(365㎚), KrF(248㎚), 또 ArF(193㎚)까지의 넓은 파장역에서도 감도 좋게 이용 가능하다고 생각된다.In addition, since the naphthoquinone diazide structure has a wide absorption band, an acid generator having a naphthoquinone diazide structure has g-ray (436 nm), h-ray (405 nm), i-ray (365 nm), and KrF. (248 nm) and ArF (193 nm), it is thought that it is possible to use with good sensitivity even in a wide wavelength range.

실시예Example

이하, 실시예에 의해 본 발명을 보다 구체적으로 설명하지만, 본 발명은 다음과 같은 실시예로 한정되는 것은 아니다.Hereinafter, the present invention will be described in more detail with reference to Examples, but the present invention is not limited to the following Examples.

[화합물 1의 합성예]Synthesis Example of Compound 1

PAG-A(4.0g), 1,2-나프토퀴논디아지드-4-설포닐클로리드(3.2g) 및 디클로로메탄(29g)을 첨가해 실온에서 교반했다. 거기에 트리에틸아민(TEA)(1.3g)을 천천히 적하하고 실온에서 4시간 교반을 실시했다. 그 후 디클로로메탄상을 연한 염산수로 세정하고, 추가로 순수로 3회 세정한 후 감압 하에서 용매를 류거함으로써 화합물 1을 3.6g 얻었다.PAG-A (4.0 g), 1,2-naphthoquinone diazide-4-sulfonyl chloride (3.2 g), and dichloromethane (29 g) were added, and it stirred at room temperature. Triethylamine (TEA) (1.3 g) was slowly added thereto and stirred at room temperature for 4 hours. Thereafter, the dichloromethane phase was washed with soft hydrochloric acid, and further washed three times with pure water, followed by distilling off the solvent under reduced pressure to obtain 3.6 g of Compound 1.

얻어진 화합물 1은 NMR 측정을 실시해, 이하의 결과로부터 구조를 동정했다.Obtained compound 1 measured the NMR and identified the structure from the following results.

1H-NMR(400MHz, DMSO-d6):δ(ppm)=8.57(1H, ArH), 8.34(2H, ArH), 7.71-7.99(14H, ArH), 2.21(6H, CH3). 1 H-NMR (400 MHz, DMSO-d 6): δ (ppm) = 8.57 (1H, ArH), 8.34 (2H, ArH), 7.71-7.99 (14H, ArH), 2.21 (6H, CH 3 ).

Figure pat00060
Figure pat00060

화합물 1과 동일하게 하여 화합물 2를 합성했다. 얻어진 화합물은 NMR 측정을 실시해, 이하의 결과로부터 구조를 동정했다.In the same manner as in compound 1, compound 2 was synthesized. The obtained compound performed NMR measurement and identified the structure from the following results.

화합물 2:1H-NMR(400MHz, DMSO-d6):δ(ppm)=8.56, (1H, ArH), 8.46(1H, ArH), 8.10(1H, ArH), 7.86(1H, ArH), 7.71-7.89(11H, ArH), 7.59(2H, ArH), 2.30(6H, CH3).Compound 2: 1 H-NMR (400 MHz, DMSO-d6): δ (ppm) = 8.56, (1H, ArH), 8.46 (1H, ArH), 8.10 (1H, ArH), 7.86 (1H, ArH), 7.71 -7.89 (11H, ArH), 7.59 (2H, ArH), 2.30 (6H, CH 3 ).

Figure pat00061
Figure pat00061

상기 화합물 1~2를 소정의 음이온과 염 교환함으로써, 하기 화합물 BQ-1~BQ-4로 유도했다.The compounds 1-2 were salt-exchanged with a predetermined anion, leading to the following compounds BQ-1 to BQ-4.

Figure pat00062
Figure pat00062

[후막용 포지티브형 레지스트 조성물의 조제][Preparation of positive resist composition for thick film]

표 1에 나타내는 배합비로 각 성분을 배합한 후막용 포지티브형 레지스트 조성물(실시예 1~4, 비교예 1~2)을 조제했다.The positive type resist composition (Examples 1-4, Comparative Examples 1-2) for thick films which mix | blended each component by the compounding ratio shown in Table 1 was prepared.

그리고, 이것들을 균일하게 용해시켜 공경 1㎛의 멤브레인 필터를 통해 여과해, 고형분 질량 농도 30~60 질량%의 후막용 포지티브형 레지스트 조성물을 얻었다.And these were melt | dissolved uniformly and filtered through the membrane filter of 1 micrometer of pore diameters, and the positive resist composition for thick films of 30-60 mass% of solid content mass concentration was obtained.

Figure pat00063
Figure pat00063

표 1 중, 각 기호는 각각 이하의 의미를 갖고, [ ] 안의 수치는 배합량(질량부)이다.In Table 1, each symbol has the following meanings, and the numerical value in [] is the compounding amount (parts by mass).

·(A)-1;하기 식 (1)(l/m/n/o=45/35/10/10)(분자량 20만)로 나타내는 화합물 12.5 질량부와 하기 식 (2)(l/m/n/o/p=25/20/5/10/40)(분자량 5만)로 나타내는 화합물 25 질량부의 혼합 수지(A) -1; 12.5 mass parts of compounds represented by following formula (1) (l / m / n / o = 45/35/10/10) (molecular weight 200,000), and following formula (2) (l / m) 25 parts by mass of a mixed resin represented by (n / o / p = 25/20/5/10/40) (molecular weight 50,000)

·(C)-1;노볼락 수지(m/p-크레졸=6/4와 포름알데히드 및 산 촉매의 존재 하에서 부가 축합해 얻은 노볼락 수지 분자량 2만) 52.5 질량부, 폴리히드록시스티렌 수지로서 VPS-2515(일본조달사 제) 10 질량부(C) -1; 52.5 parts by mass of novolak resin (2/88 novolak resin molecular weight obtained by addition condensation in the presence of m / p-cresol = 6/4 and formaldehyde and acid catalyst), polyhydroxystyrene resin 10 parts by mass of VPS-2515 (made in Japan procurement company)

·(BQ)-1~(BQ)-4;각각 상기에서 합성한 화합물 BQ-1~BQ-4.(BQ) -1 to (BQ) -4; the compounds BQ-1 to BQ-4 synthesized above, respectively.

·B-1~B-2;각각 하기 화합물 B-1~B-2.B-1 to B-2; the following compounds B-1 to B-2, respectively.

·(3);하기 식 (3)으로 나타내는 화합물.(3); The compound represented by following formula (3).

·(D)-1;트리아밀아민.(D) -1; triamylamine.

·(E)-1;살리실산.(E) -1; salicylic acid.

·(S)-1;PGMEA/3-메톡시부틸아세테이트(질량비 40/60)의 혼합 용매.(S) -1; mixed solvent of PGMEA / 3-methoxybutyl acetate (mass ratio 40/60).

Figure pat00064
Figure pat00064

(후막 레지스트 패턴의 형성)(Formation of thick film resist pattern)

(실시예 1~4 및 비교예 1~2)(Examples 1-4 and Comparative Examples 1-2)

상술한 바와 같이 하여 얻어진 각 실시예 및 각 비교예의 후막용 포지티브형 포토레지스트 조성물을 8 인치의 구리 기판 상에 스피너를 이용해 도포하고, 도포한 포토레지스트 조성물을 건조시켜 약 50㎛의 막 두께를 가지는 후막 포토레지스트층을 얻었다. 다음에, 이 후막 레지스트층을 핫 플레이트 상에 재치하고, 140℃에서 5분간 프리베이크했다.The positive photoresist compositions for thick films of each of the examples and the comparative examples obtained as described above were applied onto an 8 inch copper substrate using a spinner, and the applied photoresist composition was dried to have a film thickness of about 50 μm. A thick film photoresist layer was obtained. Next, this thick film resist layer was placed on a hot plate and prebaked at 140 ° C. for 5 minutes.

프리베이크 후, 노광 장치 NSR-i14E(Nikon사 제, NA:0.54, σ:0.59)를 이용해 노광했다. 다음에, 핫 플레이트 상에 재치하고 85℃에서 3분간의 노광 후 가열(PEB)을 실시했다. 그 후, 2.38% 수산화 테트라메틸암모늄(TMAH) 수용액을 후막 포토레지스트층에 적하하고 23℃에서 60초간 방치해, 이것을 4회 반복해 현상했다. 그 후, 흐르는 물로 세정하고, 질소 블로우하여 100㎛의 라인 앤드 스페이스 패턴을 가지는 후막 레지스트 패턴과 대면적(10000㎛2) 패턴을 얻었다.After prebaking, it exposed using exposure apparatus NSR-i14E (made by Nikon Corporation, NA: 0.54, (sigma): 0.59). Then, the wafer was placed on a hot plate and post-exposure baking (PEB) was performed at 85 캜 for 3 minutes. Then, the 2.38% tetramethylammonium hydroxide (TMAH) aqueous solution was dripped at the thick film photoresist layer, it was left to stand at 23 degreeC for 60 second, and this was repeated 4 times and developed. Thereafter, the resultant was washed with running water and blown with nitrogen to obtain a thick film resist pattern having a line and space pattern of 100 µm and a large area (10000 µm 2 ) pattern.

대면적 패턴의 레지스트막이 없어진 최소의 노광량을 Eth(mJ/㎠)로서 측정했다. 그 결과를 표 2에 나타낸다.The minimum amount of exposure in which a resist film with a large area pattern was absent was measured as Eth (mJ / cm 2). The results are shown in Table 2.

Figure pat00065
Figure pat00065

상기의 결과로부터, 실시예 1~4의 후막용 포지티브형 레지스트 조성물은 비교예 1~2의 후막용 포지티브형 레지스트 조성물에 비해, 감도가 양호하다는 것을 확인할 수 있었다.From the above results, it was confirmed that the positive resist composition for thick films of Examples 1 to 4 had better sensitivity than the positive resist composition for thick films of Comparative Examples 1-2.

Claims (6)

지지체 상에 후막 레지스트 패턴을 형성하기 위해서 이용되는 포지티브형 레지스트 조성물로서, 산의 작용에 의해 현상액에 대한 용해성이 변화하는 수지 성분 (A) 및 노광에 의해 산을 발생시키는 산 발생제 성분 (B)를 함유해서 이루어지고, 상기 산 발생제 성분 (B)가 하기 일반식 (b1-1)로 나타내는 화합물을 포함하는 산 발생제 (B1)을 함유하는 것을 특징으로 하는 후막용 포지티브형 레지스트 조성물.
Figure pat00066

[식 중, Y1은 2가의 연결기이고, W는 S, Se 또는 I이며, R1은 치환기를 가지고 있어도 되는 탄화수소기이고, R2는 탄소수 1~5의 알킬기 또는 알콕시기이다. W=I의 경우 m+n=2이고, W=S, Se의 경우, m+n=3이며, 또한 m≥1, n≥0이다. p는 0~5이다. X-는 쌍음이온이다.]
A positive resist composition used for forming a thick film resist pattern on a support, comprising: a resin component (A) in which solubility in a developer changes due to the action of an acid and an acid generator component (B) which generates an acid upon exposure And an acid generator (B1) containing the compound represented by the following general formula (b1-1), wherein said acid generator component (B) contains a positive type resist composition for thick films.
Figure pat00066

[Wherein, Y 1 is a divalent linking group, W is S, Se or I, R 1 is a hydrocarbon group which may have a substituent, and R 2 is a C1-C5 alkyl or alkoxy group. M + n = 2 for W = I, m + n = 3 for W = S and Se, and m ≧ 1 and n ≧ 0. p is 0-5. X - is a dianion.]
청구항 1에 있어서,
상기 수지 성분 (A)은 노볼락 수지, 폴리히드록시스티렌 수지 및 아크릴 수지로 이루어진 군으로부터 선택되는 적어도 1종의 수지를 함유하는 후막용 포지티브형 레지스트 조성물.
The method according to claim 1,
The said resin component (A) is a positive resist composition for thick films containing at least 1 sort (s) of resin chosen from the group which consists of novolak resin, a polyhydroxy styrene resin, and an acrylic resin.
청구항 1 또는 청구항 2에 있어서,
고형분 농도가 30 질량% 이상인 후막용 포지티브형 레지스트 조성물.
The method according to claim 1 or 2,
The positive resist composition for thick films whose solid content concentration is 30 mass% or more.
지지체 상에 청구항 1 내지 청구항 3 중 어느 한 항에 기재된 후막용 포지티브형 레지스트 조성물을 포함하는 후막 레지스트층을 적층하는 적층 공정과,
상기 후막 레지스트층에 활성 광선 또는 방사선을 선택적으로 조사하는 노광 공정과,
상기 노광 공정에서 노광된 상기 후막 레지스트층을 현상해 후막 레지스트 패턴을 얻는 현상 공정을 포함하는 후막 레지스트 패턴의 제조 방법.
A lamination step of laminating a thick film resist layer containing the positive resist composition for thick films according to any one of claims 1 to 3 on a support;
An exposure step of selectively irradiating an active ray or a radiation to the thick film resist layer;
And developing the exposed thick film resist layer in the exposing step to obtain a thick film resist pattern.
청구항 4에 있어서,
상기 후막 레지스트층의 막 두께가 10㎛ 이상인 후막 레지스트 패턴의 제조 방법.
The method of claim 4,
Wherein the thickness of the thick film resist layer is 10 占 퐉 or more.
청구항 4 또는 청구항 5에 기재된 후막 레지스트 패턴의 제조 방법을 이용해 얻어지는 후막 레지스트 패턴의 비레지스트부에 도체로 이루어진 접속 단자를 형성하는 공정을 포함하는 접속 단자의 제조 방법.The manufacturing method of the connection terminal containing the process of forming the connection terminal which consists of a conductor in the non-resist part of the thick film resist pattern obtained using the manufacturing method of the thick film resist pattern of Claim 4 or 5.
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US10990009B2 (en) 2017-11-24 2021-04-27 Lg Chem, Ltd. Photoresist composition and photoresist film using the same

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2014021249A (en) * 2012-07-18 2014-02-03 Sumitomo Chemical Co Ltd Resist composition and production method of resist pattern
US8841062B2 (en) * 2012-12-04 2014-09-23 Az Electronic Materials (Luxembourg) S.A.R.L. Positive working photosensitive material

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH06184170A (en) 1992-03-23 1994-07-05 Rhone Poulenc Chim New onium borate or borate of organometal complex as cationic polymerization initiator
JPH09176112A (en) 1995-12-28 1997-07-08 Toyo Ink Mfg Co Ltd Energy ray-sensitive acid generating agent, energy ray-sensitive acid generating agent composition and curable composition
JPH1152562A (en) 1997-08-08 1999-02-26 Sumitomo Chem Co Ltd Photoresist composition
JP2004043320A (en) * 2002-07-09 2004-02-12 Toyo Gosei Kogyo Kk Sulfonium salt compound and photosensitive resin composition comprising the same
JP2011195499A (en) * 2010-03-19 2011-10-06 San Apro Kk Sulfonium salt, photo acid-generating agent and photosensitive resin composition
KR20130139774A (en) * 2012-06-13 2013-12-23 도오꾜오까고오교 가부시끼가이샤 Compound, resist composition and method of forming resist pattern

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2599007B2 (en) * 1989-11-13 1997-04-09 富士写真フイルム株式会社 Positive photosensitive composition
JP2655369B2 (en) * 1991-06-28 1997-09-17 富士写真フイルム株式会社 Photosensitive composition
EP0658807B1 (en) * 1993-12-17 2000-04-05 Fuji Photo Film Co., Ltd. Positive-working photoresist composition
JPH11254852A (en) * 1998-03-11 1999-09-21 Fuji Photo Film Co Ltd Positive image forming material
ATE473209T1 (en) * 2005-07-01 2010-07-15 Basf Se SULFONIUM SALT INITIATORS
KR101200140B1 (en) * 2009-08-31 2012-11-12 금호석유화학 주식회사 Positive typed photosensitive composition

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH06184170A (en) 1992-03-23 1994-07-05 Rhone Poulenc Chim New onium borate or borate of organometal complex as cationic polymerization initiator
JPH09176112A (en) 1995-12-28 1997-07-08 Toyo Ink Mfg Co Ltd Energy ray-sensitive acid generating agent, energy ray-sensitive acid generating agent composition and curable composition
JPH1152562A (en) 1997-08-08 1999-02-26 Sumitomo Chem Co Ltd Photoresist composition
JP2004043320A (en) * 2002-07-09 2004-02-12 Toyo Gosei Kogyo Kk Sulfonium salt compound and photosensitive resin composition comprising the same
JP2011195499A (en) * 2010-03-19 2011-10-06 San Apro Kk Sulfonium salt, photo acid-generating agent and photosensitive resin composition
KR20130139774A (en) * 2012-06-13 2013-12-23 도오꾜오까고오교 가부시끼가이샤 Compound, resist composition and method of forming resist pattern

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US10990009B2 (en) 2017-11-24 2021-04-27 Lg Chem, Ltd. Photoresist composition and photoresist film using the same

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