KR20130143602A

KR20130143602A - Display device

Info

Publication number: KR20130143602A
Application number: KR1020137015090A
Authority: KR
Inventors: 마사루 가지따니
Original assignee: 스미또모 가가꾸 가부시키가이샤
Priority date: 2010-12-16
Filing date: 2011-12-12
Publication date: 2013-12-31
Also published as: TW201236106A; CN103262655A; JP2012129086A; CN103262655B; KR101885937B1; TWI544572B; WO2012081550A1; JP5418487B2

Abstract

본 발명은 역테이퍼 형상의 격벽이 구비되는 표시 장치에 있어서, 복수의 유기 전계발광 소자에 걸쳐 이어지는 제2 전극이 형성될 수 있는 표시 장치를 제공한다. 상기 표시 장치는, 지지 기판과, 지지 기판 상에 설치되는 복수의 유기 전계발광 소자(4)와, 유기 전계발광 소자의, 지지 기판의 두께 방향의 한쪽에서 본 경우에 있어서의 외주를 각각 둘러싸도록 설치되는 격벽(3)을 구비하는 표시 장치(1)이며, 격벽은 외주 중 일부에 면하여 설치되는 제1 격벽(3a)과, 외주 중 일부를 제외한 잔여 부분에 면하여 설치되는 제2 격벽(3b)을 가지며, 제1 격벽은 외주를 둘러싸는 측면과 저면이 이루는 각이 예각인 순테이퍼 형상의 격벽이고, 제2 격벽은 외주를 둘러싸는 측면과 저면이 이루는 각이 둔각인 역테이퍼 형상의 격벽이다.The present invention provides a display device having a reverse tapered partition wall, in which a second electrode extending over a plurality of organic electroluminescent elements can be formed. The display device surrounds the outer periphery of the support substrate, the plurality of organic electroluminescent elements 4 provided on the support substrate, and the organic electroluminescent element when viewed from one side in the thickness direction of the support substrate. A display device 1 having a partition 3 to be provided, wherein the partition is a first partition 3a that is installed to face a part of an outer circumference and a second partition that is installed to face a remaining part except a part of the outer circumference ( 3b), the first partition is a forward tapered partition with an acute angle between the side and the bottom surrounding the outer periphery, and the second partition is an inverted taper shape with an obtuse angle between the side and the bottom surrounding the outer periphery. It is a bulkhead.

Description

Display device {DISPLAY DEVICE}

본 발명은 표시 장치 및 그의 제조 방법에 관한 것이다.The present invention relates to a display device and a manufacturing method thereof.

표시 장치에는 그의 구성이나 원리를 달리하는 다양한 장치가 있다. 그 하나로서, 화소의 광원에 유기 전계발광 소자(Organic Electroluminescent Element)를 이용한 표시 장치가 실용화되고 있다.There are various devices in the display device that differ in their structure or principle. As one example, a display device using an organic electroluminescent element as a light source of a pixel has been put into practical use.

상기 표시 장치는 지지 기판과, 이 지지 기판 상에 설치되는 다수의 유기 전계발광 소자를 구비한다. 지지 기판 상에는 화소 영역을 구획하는 격벽이 설치되어 있고, 상기 다수의 유기 전계발광 소자는 격벽에 의해 구획된 영역에 각각 정렬하여 배치된다.The display device includes a support substrate and a plurality of organic electroluminescent elements provided on the support substrate. On the support substrate, partition walls are provided to partition pixel regions, and the organic electroluminescent elements are arranged in alignment with regions partitioned by partition walls.

각 유기 전계발광 소자는, 제1 전극, 유기층, 제2 전극을 지지 기판측부터 이 순으로 적층함으로써 형성된다.Each organic electroluminescent element is formed by stacking a first electrode, an organic layer, and a second electrode in this order from the support substrate side.

상기 유기층은 예를 들어 도포법에 의해 형성할 수 있다. 도 16a, 도 16b, 도 16c 및 도 16d를 참조하여 유기층(18)의 형성 방법에 대하여 설명한다. 도 16a, 도 16b, 도 16c 및 도 16d는 표시 장치의 제조 공정을 설명하기 위한 도면이다.The organic layer can be formed by, for example, a coating method. A method of forming the organic layer 18 will be described with reference to FIGS. 16A, 16B, 16C, and 16D. 16A, 16B, 16C, and 16D are diagrams for describing a manufacturing process of the display device.

도 16a에 도시된 바와 같이, 우선 지지 기판(12) 상에 제1 전극(16) 및 격벽(13)을 형성한다. 이어서, 격벽(13)에 둘러싸인 영역(오목부)(15)에, 유기층(18)으로 되는 재료를 포함하는 잉크(17)를 위쪽에 위치하는 노즐로부터 공급한다.As shown in FIG. 16A, first, the first electrode 16 and the partition 13 are formed on the support substrate 12. Next, the ink 17 containing the material used as the organic layer 18 is supplied to the area | region (concave part) 15 enclosed by the partition 13 from the nozzle located upwards.

도 16b에 도시된 바와 같이, 공급된 잉크(17)는 격벽(13)에 둘러싸인 영역(15)에 수용된다.As shown in FIG. 16B, the supplied ink 17 is accommodated in the region 15 surrounded by the partition wall 13.

도 16c에 도시된 바와 같이, 그 후, 잉크(17)의 용제 성분을 기화시킴으로써 유기층(18)을 형성한다.As shown in FIG. 16C, the organic layer 18 is then formed by vaporizing the solvent component of the ink 17.

도 16d에 도시된 바와 같이, 다음에 제2 전극(19)을 형성한다. 이 제2 전극(19)은 예를 들어 복수의 유기 전계발광 소자에 걸쳐 일체적으로 연장되어, 복수의 유기 전계발광 소자에 공유되는 전극으로서 설치된다. 예를 들어 인접하는 유기 전계발광 소자 사이에 개재하는 격벽(13) 상에도 일체적으로 걸치도록 연장되는 도전성 박막을 형성함으로써, 복수의 유기 전계발광 소자에 걸쳐 이어지는 제2 전극(19)을 형성한다. 이러한 제2 전극(19), 즉 도전성 박막은 예를 들어 진공 증착법에 의해 형성된다.As shown in Fig. 16D, a second electrode 19 is next formed. The second electrode 19 extends integrally over a plurality of organic electroluminescent elements, for example, and is provided as an electrode shared by the plurality of organic electroluminescent elements. For example, by forming a conductive thin film that extends integrally over the partition 13 interposed between adjacent organic electroluminescent elements, a second electrode 19 extending over a plurality of organic electroluminescent elements is formed. . The second electrode 19, i.e., the conductive thin film, is formed by, for example, a vacuum deposition method.

또한, 도 16b에 도시된 형태에 있어서, 격벽(13)이 잉크(17)에 대하여 친액성을 나타내는 경우, 특정한 오목부(15)에 공급된 잉크(17)가 격벽(13)을 타고 넘어, 그 표면을 타고 인접한 오목부(15)에까지 유출되는 경우가 있다. 이러한 잉크(17)의 유출을 방지하기 위해, 일반적으로 지지 기판(12) 상에는 어느 정도 발액성을 나타내는 격벽(13)이 설치되어 있다.In addition, in the form shown in FIG. 16B, when the partition 13 shows lyophilic with respect to the ink 17, the ink 17 supplied to the specific recessed part 15 crosses the partition 13, It may flow out to the adjacent recessed part 15 on the surface. In order to prevent the outflow of such ink 17, generally, the partition 13 which has some liquid repellency is provided on the support substrate 12. As shown in FIG.

그러나, 격벽(13)이 발액성을 나타내는 경우, 오목부(15)에 공급된 잉크(17)는 격벽(13)에 튀기면서 기화되어 박막(유기층(18))으로 된다. 그 때문에 두께가 불균일한 유기층(18)이 형성되는 경우가 있다. 예를 들어 오목부(15)의 형상에 따라서는, 유기층(18)의 격벽(13)에 접하는 소정의 부위(즉, 유기층(18)의 주연부)의 두께가 오목부(15)의 중앙부의 근방인 유기층(18)의 중앙부의 두께에 비하여 얇아지는 경우가 있다. 그렇게 하면, 유기층(18)의 주연부의 전기 저항이 중앙부에 비하여 낮아져, 유기 전계발광 소자를 구동할 때에 유기층(18)의 주연부에 전류가 집중하여 흘러 유기층(18)의 중앙부가 주연부에 비하여 어두워지는 경우가 있다. 또한 반대로, 유기층(18)의 주연부에 원하는 두께의 층이 형성되지 않기 때문에, 유기층(18)의 주연부가 의도한 대로는 발광하지 않는 경우도 있다.However, when the partition 13 exhibits liquid repellency, the ink 17 supplied to the recess 15 is vaporized while splashing on the partition 13 to form a thin film (organic layer 18). Therefore, the organic layer 18 with a nonuniform thickness may be formed. For example, depending on the shape of the recessed part 15, the thickness of the predetermined part (that is, the peripheral part of the organic layer 18) which contacts the partition 13 of the organic layer 18 is near the center part of the recessed part 15. FIG. It may become thin compared with the thickness of the center part of the phosphorus organic layer 18. FIG. As a result, the electrical resistance of the peripheral part of the organic layer 18 is lower than that of the central part, and when driving the organic electroluminescent element, current concentrates at the peripheral part of the organic layer 18 so that the central part of the organic layer 18 becomes darker than the peripheral part. There is a case. On the contrary, since a layer having a desired thickness is not formed at the periphery of the organic layer 18, the periphery of the organic layer 18 may not emit light as intended.

이러한 문제를 해결하기 위해, 소위 역테이퍼 형상의 격벽을 설치한 표시 장치가 있다. 그 모식도를 도 17a, 도 17b 및 도 17c에 도시한다. 도 17a, 도 17b 및 도 17c는 표시 장치의 제조 공정을 설명하기 위한 도면이다.In order to solve this problem, there is a display device in which a so-called inverse tapered partition is provided. The schematic diagram is shown to FIG. 17A, FIG. 17B, and FIG. 17C. 17A, 17B, and 17C are diagrams for describing a manufacturing process of a display device.

도 17a, 도 17b 및 도 17c에 도시된 바와 같이, 역테이퍼 형상의 격벽(13)은, 연장 방향에 직교하는 방향에서 절단한 경우의 단면 형상이 지지 기판(12)(제1 전극(16))으로부터 이격됨에 따라 폭이 넓어지도록 형성되어 있다. 그 때문에 격벽(13)의 측면과 제1 전극(16)이 접하는 부위의 근방에, 끝이 가는 형상의 영역이 형성된다. 이러한 역테이퍼 형상의 격벽(13)에 둘러싸인 영역(15)에 잉크를 공급하면, 격벽(13)의 측면에 접촉한 잉크는 모세관 현상에 의해 상기 끝이 가는 형상의 영역에 흡입되도록 충전된다. 이 상태를 유지한 채 잉크의 용제 성분이 기화되면, 제1 전극(16)과 격벽(13)이 접하는 부위의 근방에도 유기층(18)이 형성된다.As shown in FIGS. 17A, 17B, and 17C, the cross-sectional shape of the reverse tapered partition wall 13 when cut in the direction orthogonal to the extending direction has the support substrate 12 (first electrode 16). It is formed to be wider as it is spaced apart from. Therefore, the region of a thin end is formed in the vicinity of the site | part which the side surface of the partition 13 and the 1st electrode 16 contact | connects. When ink is supplied to the region 15 enclosed by the reverse tapered partition 13, the ink in contact with the side surface of the partition 13 is filled so as to be sucked into the thinly shaped region by capillary action. If the solvent component of ink is vaporized while maintaining this state, the organic layer 18 will be formed also in the vicinity of the site | part which the 1st electrode 16 and the partition 13 contact.

도 17b에 도시된 바와 같이, 소위 역테이퍼 형상의 격벽(13)을 설치함으로써, 가령 발액성을 나타내는 격벽(13)이 설치되어 있었다고 해도, 유기층(18)의 주연부의 두께가 얇아진다는 문제를 방지할 수 있다(예를 들어 특허문헌 1 참조).As shown in Fig. 17B, by providing a so-called reverse tapered partition 13, even if the partition 13 showing liquid repellency is provided, the problem that the thickness of the peripheral portion of the organic layer 18 is thinned is prevented. (For example, refer patent document 1).

일본 특허 공개 제2007-227289호 공보Japanese Patent Publication No. 2007-227289

도 17a, 도 17b 및 도 17c에 도시된 바와 같은 역테이퍼 형상의 격벽(13)이 설치된 기판에, 복수의 유기 전계발광 소자에 걸쳐 일체적으로 연장되어 복수의 유기 전계발광 소자에 공유되는 제2 전극(19)을 진공 증착법에 의해 형성하면, 도 17c에 도시된 바와 같이 제2 전극(19)의 두께가 얇은 경우에는, 격벽의 단부에서 제2 전극(19)이 절단되는 경우가 있다. 그 결과, 표시 장치를 구동할 때에, 의도한 대로는 전력이 공급되지 않아 발광하지 않는 유기 전계발광 소자가 형성되는 경우가 있다.17A, 17B, and 17C, which are integrally extended across a plurality of organic electroluminescent elements and are shared with a plurality of organic electroluminescent elements, on a substrate provided with a reverse tapered partition 13 as shown in FIGS. When the electrode 19 is formed by the vacuum deposition method, as shown in FIG. 17C, when the thickness of the second electrode 19 is thin, the second electrode 19 may be cut at the end of the partition wall. As a result, when driving a display device, the organic electroluminescent element which does not emit light and is not supplied as intended may be formed in some cases.

따라서 본 발명의 목적은, 역테이퍼 형상의 격벽을 구비하는 표시 장치에 있어서, 복수의 유기 전계발광 소자에 걸쳐 이어지는 제2 전극이 형성될 수 있는 표시 장치를 제공하는 데 있다.Accordingly, an object of the present invention is to provide a display device in which a second electrode extending over a plurality of organic electroluminescent elements can be formed in a display device having a reverse tapered partition.

본 발명은, 하기 [1] 내지 [5]를 제공한다.The present invention provides the following [1] to [5].

[1] 지지 기판과, 상기 지지 기판 상에 설치되는 복수의 유기 전계발광 소자와, 상기 유기 전계발광 소자의, 상기 지지 기판의 두께 방향의 한쪽에서 본 경우에 있어서의 외주를 각각 둘러싸도록 설치되는 격벽을 구비하는 표시 장치이며,[1] A support substrate, a plurality of organic electroluminescent elements provided on the support substrate, and an outer periphery of the organic electroluminescent element in the case viewed from one side in the thickness direction of the support substrate, respectively, are provided. It is a display device provided with a partition,

상기 격벽은 상기 외주 중 일부에 면하여 설치되는 제1 격벽과, 상기 외주 중 상기 일부를 제외한 잔여 부분에 면하여 설치되는 제2 격벽을 가지며,The partition wall has a first partition wall facing a portion of the outer circumference, and a second partition wall facing the remaining portion except the portion of the outer circumference,

상기 제1 격벽은 상기 외주를 둘러싸는 측면과 저면이 이루는 각이 예각인 순테이퍼 형상의 격벽이고,The first partition wall is a forward tapered partition wall having an acute angle formed between the side surface and the bottom surface surrounding the outer circumference,

상기 제2 격벽은 상기 외주를 둘러싸는 측면과 저면이 이루는 각이 둔각인 역테이퍼 형상의 격벽인 표시 장치.And the second partition wall is an inverse tapered partition wall having an obtuse angle formed between a side surface and a bottom surface surrounding the outer circumference.

[2] 상기 제1 격벽은, 상기 지지 기판의 두께 방향에 직교하는 제1 방향으로 각각 연장되고, 상기 두께 방향 및 상기 제1 방향에 직교하는 제2 방향으로 소정의 간격을 두고 배치되는 복수개의 격벽 부재로 구성되고,[2] The plurality of first partition walls each extend in a first direction orthogonal to the thickness direction of the support substrate, and are arranged at predetermined intervals in the second direction orthogonal to the thickness direction and the first direction. Consisting of a partition member,

상기 제1 격벽과 상기 제2 격벽이 중첩되는 부위에서는, 상기 제2 격벽은 상기 지지 기판과 상기 제1 격벽 사이에 설치되는, [1]에 기재된 표시 장치.The display device according to [1], wherein the second partition is provided between the support substrate and the first partition at a portion where the first partition and the second partition overlap.

[3] 상기 유기 전계발광 소자는 상기 지지 기판의 두께 방향에 직교하는 소정의 방향으로 연장되는 형상을 갖고,[3] The organic electroluminescent device has a shape extending in a predetermined direction orthogonal to the thickness direction of the support substrate,

상기 제1 격벽은, 상기 유기 전계발광 소자의 짧은 방향의 한쪽 및 다른 쪽 상기 외주를 둘러싸도록 배치되고,The first partition wall is disposed so as to surround the outer periphery of one side and the other in the short direction of the organic electroluminescent element,

상기 제2 격벽은, 상기 유기 전계발광 소자의 긴 방향의 한쪽 및 다른 쪽 상기 외주를 둘러싸도록 배치되는, [1] 또는 [2]에 기재된 표시 장치.The display device according to [1] or [2], wherein the second partition wall is disposed so as to surround the outer periphery of one side and the other in the longitudinal direction of the organic electroluminescent element.

[4] 상기 제1 격벽 및 제2 격벽 각각이 감광성 수지 조성물의 층이 패터닝 됨으로써 형성되는, [1] 내지 [3] 중 어느 하나에 기재된 표시 장치.[4] The display device according to any one of [1] to [3], wherein each of the first and second partition walls is formed by patterning a layer of the photosensitive resin composition.

[5] [1] 내지 [4] 중 어느 하나에 기재된 표시 장치의 제조 방법이며,[5] A method for manufacturing the display device according to any one of [1] to [4].

지지 기판 상에 격벽을 형성하는 공정과,Forming a partition on the support substrate;

상기 지지 기판 상에 복수의 유기 전계발광 소자를 형성하는 공정을 포함하며, Forming a plurality of organic electroluminescent devices on the support substrate;

상기 격벽을 형성하는 공정에서는, 포토리소그래피법에 의해 감광성 수지 조성물의 층을 패터닝함으로써 제1 격벽과 제2 격벽을 각각 형성하는, 표시 장치의 제조 방법.In the process of forming a partition, the manufacturing method of the display apparatus which forms a 1st partition and a 2nd partition, respectively, by patterning the layer of the photosensitive resin composition by the photolithographic method.

본 발명에 따르면, 역테이퍼 형상의 격벽을 갖는 표시 장치에 있어서, 복수의 유기 전계발광 소자에 걸쳐 이어지는 제2 전극을 갖는 표시 장치를 실현할 수 있다.According to the present invention, in a display device having an inverse tapered partition, a display device having a second electrode connected over a plurality of organic electroluminescent elements can be realized.

도 1은 표시 장치의 일부를 확대하여 모식적으로 도시하는 단면도이다.
도 2는 도 1에 도시하는 절단면선 A-A의 위치에서 절단한 표시 장치를 확대하여 모식적으로 도시하는 단면도이다.
도 3은 도 1에 도시하는 절단면선 B-B의 위치에서 절단한 표시 장치를 확대하여 모식적으로 도시하는 단면도이다.
도 4는 도 1에 도시하는 절단면선 C-C의 위치에서 절단한 표시 장치를 확대하여 모식적으로 도시하는 단면도이다.
도 5는 도 1에 도시하는 절단면선 D-D의 위치에서 절단한 표시 장치를 확대하여 모식적으로 도시하는 단면도이다.
도 6은 도 1에 도시하는 절단면선 E-E의 위치에서 절단한 표시 장치를 확대하여 모식적으로 도시하는 단면도이다.
도 7a는 표시 장치의 제조 공정을 설명하기 위한 도면이다.
도 7b는 표시 장치의 제조 공정을 설명하기 위한 도면이다.
도 7c는 표시 장치의 제조 공정을 설명하기 위한 도면이다.
도 8a는 표시 장치의 제조 공정을 설명하기 위한 도면이다.
도 8b는 표시 장치의 제조 공정을 설명하기 위한 도면이다.
도 8c는 표시 장치의 제조 공정을 설명하기 위한 도면이다.
도 9a는 표시 장치의 제조 공정을 설명하기 위한 도면이다.
도 9b는 표시 장치의 제조 공정을 설명하기 위한 도면이다.
도 9c는 표시 장치의 제조 공정을 설명하기 위한 도면이다.
도 10a는 표시 장치의 제조 공정을 설명하기 위한 도면이다.
도 10b는 표시 장치의 제조 공정을 설명하기 위한 도면이다.
도 10c는 표시 장치의 제조 공정을 설명하기 위한 도면이다.
도 11a는 표시 장치의 제조 공정을 설명하기 위한 도면이다.
도 11b는 표시 장치의 제조 공정을 설명하기 위한 도면이다.
도 11c는 표시 장치의 제조 공정을 설명하기 위한 도면이다.
도 12a는 표시 장치의 제조 공정을 설명하기 위한 도면이다.
도 12b는 표시 장치의 제조 공정을 설명하기 위한 도면이다.
도 12c는 표시 장치의 제조 공정을 설명하기 위한 도면이다.
도 13a는 표시 장치의 제조 공정을 설명하기 위한 도면이다.
도 13b는 표시 장치의 제조 공정을 설명하기 위한 도면이다.
도 13c는 표시 장치의 제조 공정을 설명하기 위한 도면이다.
도 14a는 표시 장치의 제조 공정을 설명하기 위한 도면이다.
도 14b는 표시 장치의 제조 공정을 설명하기 위한 도면이다.
도 14c는 표시 장치의 제조 공정을 설명하기 위한 도면이다.
도 15a는 표시 장치의 제조 공정을 설명하기 위한 도면이다.
도 15b는 표시 장치의 제조 공정을 설명하기 위한 도면이다.
도 15c는 표시 장치의 제조 공정을 설명하기 위한 도면이다.
도 16a는 표시 장치의 제조 공정을 설명하기 위한 도면이다.
도 16b는 표시 장치의 제조 공정을 설명하기 위한 도면이다.
도 16c는 표시 장치의 제조 공정을 설명하기 위한 도면이다.
도 16d는 표시 장치의 제조 공정을 설명하기 위한 도면이다.
도 17a는 표시 장치의 제조 공정을 설명하기 위한 도면이다.
도 17b는 표시 장치의 제조 공정을 설명하기 위한 도면이다.
도 17c는 표시 장치의 제조 공정을 설명하기 위한 도면이다.1 is a cross-sectional view schematically illustrating an enlarged portion of a display device.
FIG. 2 is an enlarged cross-sectional view schematically showing the display device cut at the cutting line line AA shown in FIG. 1.
FIG. 3 is an enlarged cross-sectional view schematically showing the display device cut at the cut line BB shown in FIG. 1.
4 is an enlarged cross-sectional view schematically showing the display device cut at the cut line CC shown in FIG. 1.
FIG. 5 is an enlarged cross-sectional view schematically showing the display device cut at the cutting line DD shown in FIG. 1.
FIG. 6 is an enlarged cross-sectional view schematically showing the display device cut at the cut line EE shown in FIG. 1.
7A is a diagram for describing a manufacturing process of the display device.
7B is a diagram for describing a manufacturing process of the display device.
7C is a diagram for describing a manufacturing process of the display device.
8A is a diagram for describing a manufacturing process of the display device.
8B is a diagram for describing a manufacturing process of the display device.
8C is a diagram for describing a manufacturing process of the display device.
9A is a diagram for describing a manufacturing process of the display device.
9B is a diagram for describing a manufacturing process of the display device.
9C is a diagram for describing a manufacturing process of the display device.
10A is a diagram for describing a manufacturing process of the display device.
10B is a diagram for describing a manufacturing process of the display device.
10C is a diagram for describing a manufacturing process of the display device.
11A is a diagram for describing a manufacturing process of the display device.
11B is a diagram for describing a manufacturing process of the display device.
11C is a diagram for describing a manufacturing process of the display device.
12A is a diagram for describing a manufacturing process of the display device.
12B is a diagram for describing a manufacturing process of the display device.
12C is a diagram for describing a manufacturing process of the display device.
13A is a diagram for describing a manufacturing process of the display device.
13B is a diagram for describing a manufacturing process of the display device.
13C is a diagram for describing a manufacturing process of the display device.
14A is a diagram for describing a manufacturing process of the display device.
14B is a diagram for describing a manufacturing process of the display device.
14C is a view for explaining a manufacturing step of the display device.
15A is a diagram for describing a manufacturing process of the display device.
15B is a diagram for describing a manufacturing process of the display device.
15C is a diagram for describing a manufacturing process of the display device.
16A is a diagram for describing a manufacturing process of the display device.
16B is a diagram for describing a manufacturing process of the display device.
16C is a diagram for describing a manufacturing process of the display device.
16D is a diagram for describing a manufacturing process of the display device.
17A is a diagram for describing a manufacturing process of the display device.
17B is a diagram for describing a manufacturing process of the display device.
17C is a diagram for describing a manufacturing process of the display device.

이하, 도면을 참조하여, 본 발명의 실시 형태에 대하여 설명한다. 또한, 각 도면은, 발명을 이해할 수 있을 정도로 구성 요소의 형상, 크기 및 배치가 개략적으로 도시되어 있는 것에 불과하다. 본 발명은 이하의 기술에 의해 한정되는 것이 아니며, 각 구성 요소는 본 발명의 요지를 일탈하지 않는 범위에서 적절히 변경 가능하다. 이하의 설명에 사용하는 도면에 있어서, 마찬가지의 구성 요소에 대해서는 동일한 부호를 부여하여 나타내고, 중복되는 설명에 관해서는 생략하는 경우가 있다. 또한, 본 발명의 실시 형태에 관한 구성은, 반드시 도시예의 배치로 제조되거나 사용되거나 하는 것은 아니다.Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings. In addition, each figure is only schematically shown the shape, size and arrangement of the components to the extent that the invention can be understood. This invention is not limited by the following description, Each component can be suitably changed in the range which does not deviate from the summary of this invention. In the drawings used for the following description, the same components are denoted by the same reference numerals, and overlapping descriptions may be omitted. In addition, the structure which concerns on embodiment of this invention is not necessarily manufactured or used by the arrangement of an illustration example.

본 발명의 표시 장치는, 지지 기판과, 지지 기판 상에 설치되는 복수의 유기 전계발광 소자와, 유기 전계발광 소자의, 지지 기판의 두께 방향 Z의 한쪽에서 본 경우(「평면에서 보아」라고 하는 경우가 있다)에 있어서의 외주를 각각 둘러싸도록 설치되는 격벽을 구비하는 표시 장치이며, 격벽은 외주 중 일부에 면하여 설치되는 제1 격벽과, 외주 중 일부를 제외한 잔여 부분에 면하여 설치되는 제2 격벽을 가지며, 제1 격벽은 외주를 둘러싸는 측면과 저면이 이루는 각이 예각인 순테이퍼 형상의 격벽이고, 제2 격벽은 외주를 둘러싸는 측면과 저면이 이루는 각이 둔각인 역테이퍼 형상의 격벽인 표시 장치이다.The display device of this invention is a case where it sees from the thickness direction Z of the support substrate of the support substrate, the some organic electroluminescent element provided on a support substrate, and an organic electroluminescent element (it is called "a planar view." And a partition wall provided to surround the outer circumference of the outer circumference, wherein the partition wall is provided with a first partition wall facing a part of the outer circumference and a remaining part except a part of the outer circumference. The first partition is a forward tapered partition with an acute angle between the side and the bottom surrounding the outer periphery, and the second partition is an inverted taper with an obtuse angle between the side and the bottom surrounding the outer periphery. It is a display device which is a partition.

본 발명은 복수의 유기 전계발광 소자의 각 제2 전극이 이어져 형성되는 표시 장치에 적용된다. 이러한 표시 장치로서 본 실시 형태에서는 일례로서 액티브 매트릭스 구동형의 표시 장치에 대하여 설명한다.The present invention is applied to a display device in which each second electrode of a plurality of organic electroluminescent elements is formed in succession. As such a display device, in this embodiment, an active matrix drive type display device will be described as an example.

<표시 장치의 구성> <Configuration of Display Device>

도 1 내지 도 6을 참조하여, 우선 표시 장치의 구성에 대하여 설명한다. 도 1은 본 실시 형태의 표시 장치(1)의 일부를 확대하여 모식적으로 도시하는 단면도이다. 도 ２는 도 1에 도시하는 절단면선 A-A의 위치에서 절단한 표시 장치를 확대하여 모식적으로 도시하는 단면도이다. 도 3은 도 1에 도시하는 절단면선 B-B의 위치에서 절단한 표시 장치를 확대하여 모식적으로 도시하는 단면도이다. 도 4는 도 1에 도시하는 절단면선 C-C의 위치에서 절단한 표시 장치를 확대하여 모식적으로 도시하는 단면도이다. 도 5는 도 1에 도시하는 절단면선 D-D의 위치에서 절단한 표시 장치를 확대하여 모식적으로 도시하는 단면도이다. 도 6은 도 1에 도시하는 절단면선 E-E의 위치에서 절단한 표시 장치를 확대하여 모식적으로 도시하는 단면도이다.With reference to FIGS. 1-6, the structure of a display apparatus is demonstrated first. FIG. 1: is sectional drawing which expands and shows a part of display device 1 of this embodiment typically. FIG. 2 is an enlarged cross-sectional view schematically showing the display device cut at the cut line A-A shown in FIG. 1. 3 is an enlarged cross-sectional view schematically showing the display device cut at the cut line B-B shown in FIG. 1. 4 is an enlarged cross-sectional view schematically showing the display device cut at the cut line C-C shown in FIG. 1. FIG. 5 is an enlarged cross-sectional view schematically showing the display device cut at the cut line D-D shown in FIG. 1. FIG. 6 is an enlarged cross-sectional view schematically showing the display device cut at the cut line E-E shown in FIG. 1.

도 1에 도시된 바와 같이, 표시 장치(1)는, 주로 지지 기판(2)과, 이 지지 기판(2) 상에 있어서 미리 설정되는 구획을 구획 형성하는 격벽(3)과, 격벽(3)에 의해 구획 형성되는 구획에 설치되는 복수의 유기 전계발광 소자(4)를 포함한다.As shown in FIG. 1, the display device 1 mainly includes a support substrate 2, partition walls 3 partitioning a predetermined section on the support substrate 2, and partition walls 3. And a plurality of organic electroluminescent elements 4 provided in a compartment formed by the compartment.

격벽(3)은 복수의 유기 전계발광 소자(4)의 외주 각각을 평면에서 보아 둘러싸도록 설치된다. 격벽(3)은 평면에서 보아 유기 전계발광 소자(4)의 외주를 각각 둘러싸도록 설치되면 되는데, 예를 들어 평면에서 보아 각 유기 전계발광 소자(4)가 설치되는 영역을 제외한 영역에 설치된다.The partition 3 is provided so as to surround each of the outer peripheries of the plurality of organic electroluminescent elements 4 in plan view. The partition 3 should just be provided so that the outer periphery of the organic electroluminescent element 4 may be enclosed in planar view, respectively, For example, it is provided in the area | region except the area | region in which each organic electroluminescent element 4 is installed in planar view.

본 실시 형태에서는 복수의 유기 전계발광 소자(4)는 각각 매트릭스상으로 배치되어 있다(상세한 것은 후술함). 격벽(3)은 매트릭스상으로 배치되는 유기 전계발광 소자(4)를 제외한 영역에 설치된다. 그 때문에 격벽(3)은 지지 기판(2) 상에 있어서 격자상으로 형성된다.In this embodiment, the some organic electroluminescent element 4 is arrange | positioned in matrix form (it mentions later for details). The partition 3 is provided in an area | region except the organic electroluminescent element 4 arrange | positioned in matrix form. Therefore, the partition 3 is formed in a lattice form on the support substrate 2.

지지 기판(2) 상에는 격벽(3)과 지지 기판(2)에 의해 규정되는 복수의 오목부(5)가 설정된다. 이 오목부(5)가 격벽(3)에 의해 구획 형성되는 구획에 상당한다.On the support board | substrate 2, the some recessed part 5 prescribed | regulated by the partition 3 and the support board | substrate 2 is set. This recessed part 5 is corresponded to the division formed by the partition 3.

지지 기판(2) 상에는 격자상의 격벽(3)이 설치되기 때문에, 본 실시 형태에서는 복수의 오목부(5)가 평면에서 보아 매트릭스상으로 배치되어 있다. 즉 복수의 오목부(5)는 행방향 X로 소정의 간격을 둠과 함께, 열방향 Y로도 소정의 간격을 두고 정렬하여 설치되어 있다. 각 오목부(5)의 평면에서 보면 형상은 특별히 한정되지 않는다. 예를 들어 오목부(5)는 평면에서 보아 대략 직사각 형상, 대략 타원 형상 등으로 형성된다. 본 실시 형태에서는, 긴 방향으로 연장되는 장축과, 장축에 직교하는 짧은 방향으로 연장되는 단축을 갖고 있는, 평면에서 보아 대략 타원 형상의 오목부(5)가 설치되어 있다. 또한 본 명세서에 있어서 상기한 행방향 X 및 열방향 Y는 지지 기판(2)의 두께 방향 Z에 직교하고, 서로 직교하고 있다. 여기에서 「대략 타원 형상」에는, 타원 형상뿐만 아니라, 예를 들어 서로 평행하게 배치된 2개의 선분의 일단부끼리 및 타단부끼리 곡선으로 결합한 형상이 포함된다.Since the grid | lattice-like partition 3 is provided on the support substrate 2, in this embodiment, the some recessed part 5 is arrange | positioned in matrix form by planar view. In other words, the plurality of recesses 5 are arranged in a row in the row direction X and are aligned in the column direction Y at a predetermined interval. The shape is not particularly limited when viewed in the plane of each recess 5. For example, the recessed part 5 is formed in a substantially rectangular shape, substantially elliptical shape, etc. in plan view. In this embodiment, the substantially elliptical concave part 5 is provided in plan view which has the long axis extended in a long direction, and the short axis extended in the short direction orthogonal to a long axis. In addition, in this specification, said row direction X and column direction Y are orthogonal to the thickness direction Z of the support substrate 2, and orthogonal to each other. Here, the " approximately elliptic shape " includes not only an elliptic shape, but also a shape where, for example, one end portion and two other end portions of two line segments arranged in parallel with each other are joined by a curve.

격벽(3)은 제1 격벽(3a)과 제2 격벽(3b)을 포함한다. 제1 격벽(3a)은, 평면에서 보아, 유기 전계발광 소자(4)의 외주 중 일부, 즉 유기 전계발광 소자(4)의 짧은 방향에 위치하는 외주에 면하여 설치된다. 제2 격벽(3b)은, 상기 유기 전계발광 소자(4)의 외주 중 상기 일부를 제외한 잔여 부분, 즉 유기 전계발광 소자(4)의 긴 방향에 위치하는 외주에 면하여 설치된다.The partition 3 includes a first partition 3a and a second partition 3b. The 1st partition 3a is provided facing a part of outer periphery of the organic electroluminescent element 4, ie, the outer periphery located in the short direction of the organic electroluminescent element 4 by planar view. The 2nd partition 3b is provided in the outer periphery of the said organic electroluminescent element 4 except the said part, ie, the outer periphery located in the longitudinal direction of the organic electroluminescent element 4.

특히, 도 1, 도 2, 도 3 및 도 5에 도시된 바와 같이, 유기 전계발광 소자(4)의 외주는, 일부가 제1 격벽(3a)을 접하고 있으며, 상기 일부를 제외한 잔량부가 제2 격벽(3b)을 접하고 있다. 이렇게 유기 전계발광 소자(4)의 외주는, 제1 격벽(3a)과 제2 격벽(3b)에 의해 둘러싸여 있다.In particular, as shown in FIGS. 1, 2, 3, and 5, the outer circumference of the organic electroluminescent element 4 is partially in contact with the first partition 3a, and the remaining portion except for the part is second The partition 3b is in contact. Thus, the outer periphery of the organic electroluminescent element 4 is surrounded by the 1st partition 3a and the 2nd partition 3b.

본 실시 형태에서는 격벽(3)은 격자상으로 형성되기 때문에, 격벽(3)은 행방향 X로 직선적으로 연장되는 복수개의 격벽 부재와, 열방향 Y로 직선적으로 연장되는 복수개의 격벽 부재를 포함한다. 본 실시 형태에 있어서의 격벽(3)은 열방향 Y로 연장되는 복수개의 제1 격벽(3a)과, 행방향 X로 연장되는 복수개의 제2 격벽(3b)으로 구성된다. 복수개의 제1 격벽(3a)은, 각각 행방향 X에 인접하는 유기 전계발광 소자(4)끼리의 사이에 설치된다.In the present embodiment, since the partition walls 3 are formed in a lattice shape, the partition walls 3 include a plurality of partition members extending linearly in the row direction X and a plurality of partition members extending linearly in the column direction Y. . The partition 3 in the present embodiment is composed of a plurality of first partitions 3a extending in the column direction Y and a plurality of second partitions 3b extending in the row direction X. The plurality of first partition walls 3a are provided between the organic electroluminescent elements 4 adjacent to the row direction X, respectively.

또한 도 2에 도시된 바와 같이, 복수개의 제2 격벽(3b)은, 각각 열방향 Y에 인접하는 유기 전계발광 소자(4)끼리의 사이에 설치된다. 이렇게 격벽(3)을 배치함으로써, 유기 전계발광 소자(4)의 행방향 X의 한쪽 및 다른 쪽 단부면에는 제1 격벽(3a)이 접하여 설치된다. 제1 격벽(3a)은, 평면에서 보아 유기 전계발광 소자(4)의 외주를 둘러싸는 측면과 저면이 이루는 각 θ1이 예각인 순테이퍼 형상의 격벽이다.As shown in FIG. 2, the plurality of second partitions 3b are provided between the organic electroluminescent elements 4 adjacent to the column direction Y, respectively. By arrange | positioning the partition 3 in this way, the 1st partition 3a is provided in contact with one end and the other end surface of the row direction X of the organic electroluminescent element 4 in contact. The 1st partition 3a is a forward tapered partition which has an acute angle of angle (theta) 1 which the side surface and the bottom surface which surround the outer periphery of the organic electroluminescent element 4 in plan view.

도 3에 도시된 바와 같이, 유기 전계발광 소자(4)의 열방향 Y의 한쪽 및 다른 쪽 단부면에는, 제2 격벽(3b)이 접하여 설치된다. 제2 격벽(3b)은, 평면에서 보아, 유기 전계발광 소자(4)의 외주를 둘러싸는 측면과 저면이 이루는 각 θ2가 둔각인 역테이퍼 형상의 격벽이다.As shown in FIG. 3, the second partition 3b is provided in contact with one end and the other end face in the column direction Y of the organic electroluminescent element 4. The 2nd partition 3b is an inverted taper-shaped partition which the angle (theta) 2 which the side surface and the bottom surface which surround the outer periphery of the organic electroluminescent element 4 make obtuse is planar.

또한 제1 격벽(3a)의 저면이란, 제1 격벽(3a)의 외주면 중에서 가장 지지 기판(2) 가까이의 평면을 의미한다. 또한 제1 격벽(3a)의 측면이란, 제1 격벽(3a)의 외주면 중에서 가장 지지 기판(2)으로부터 이격한 평면(상면)과 저면을 제외한 면, 즉, 평면에서 보아 유기 전계발광 소자(4)의 외주(윤곽)를 둘러싸도록 위치하는 면을 의미한다. 그리고, 제1 격벽(3a)의 측면과 제1 격벽(3a)의 저면이 이루는 각 θ1이란, 제1 격벽(3a)이 연장되는 방향(본 실시 형태에서는 열방향 Y)에 직교하는 평면에서 제1 격벽(3a)을 절단했을 때의 단면에 있어서의 각도를 의미한다.In addition, the bottom face of the 1st partition 3a means the plane closest to the support substrate 2 among the outer peripheral surfaces of the 1st partition 3a. In addition, the side surface of the 1st partition 3a is the surface except the plane (upper surface) and the bottom surface which are most separated from the support substrate 2 among the outer peripheral surfaces of the 1st partition 3a, ie, the organic electroluminescent element 4 by planar view. Means the surface located to surround the outer periphery (contour) of. The angle θ1 formed between the side surface of the first partition wall 3a and the bottom surface of the first partition wall 3a is the first plane in the plane perpendicular to the direction in which the first partition wall 3a extends (column direction Y in the present embodiment). It means the angle in the cross section when 1 partition 3a is cut | disconnected.

제2 격벽(3b)의 저면이란, 제2 격벽(3b)의 외주면 중에서 가장 지지 기판(2) 가까이의 평면을 의미한다. 또한 제2 격벽(3b)의 측면이란, 제2 격벽(3b)의 외주면 중에서 가장 지지 기판(2)으로부터 이격한 평면(상면)과 저면을 제외한 면, 즉, 평면에서 보아 유기 전계발광 소자(4)의 외주(윤곽)를 둘러싸도록 위치하는 면을 의미한다. 그리고, 제2 격벽(3b)의 측면과 제2 격벽(3b)의 저면이 이루는 각 θ2는, 제1 격벽(3a)의 연장되는 방향(본 실시 형태에서는 행방향 X)에 직교하는 평면에서 제1 격벽(3b)을 절단했을 때의 단면에 있어서의 각도를 의미한다.The bottom face of the 2nd partition 3b means the plane closest to the support substrate 2 among the outer peripheral surfaces of the 2nd partition 3b. In addition, the side surface of the 2nd partition 3b is the surface except the plane (upper surface) and the bottom surface which are most separated from the support substrate 2 among the outer peripheral surfaces of the 2nd partition 3b, ie, the organic electroluminescent element 4 by planar view. Means the surface located to surround the outer periphery (contour) of. The angle θ2 formed between the side surface of the second partition wall 3b and the bottom surface of the second partition wall 3b is formed in a plane perpendicular to the direction in which the first partition wall 3a extends (in the row direction X in the present embodiment). It means the angle in the cross section when 1 partition 3b is cut | disconnected.

본 실시 형태에서는 열방향 Y로 연장되는 복수개의 제1 격벽(3a)과 행방향 X로 연장되는 복수개의 제2 격벽(3b)은 평면에서 보아 중첩된다. 제1 격벽(3a)과 제2 격벽(3b)이 중첩되는 부위에서는 제1 격벽(3a)과 제2 격벽(3b) 중 어느 하나가 지지 기판(2) 가까이에 배치될 수도 있다. 제1 격벽(3a)과 제2 격벽(3b)이 중첩되는 부위에서는, 제2 격벽(3b)이 제1 격벽(3a)보다도 지지 기판(2) 가까이에 배치되는 것이 바람직하다. 즉, 제1 격벽(3a)과 제2 격벽(3b)이 중첩되는 부위에서는, 상기 제2 격벽(3b)은 상기 지지 기판(2)과 상기 제1 격벽 사이에 설치되는 것이 바람직하다. 이렇게 제1 격벽(3a) 및 제2 격벽(3b)을 배치하면, 후술하는 바와 같이 제1 격벽(3a) 상에 도전성 박막(10a)이 설치되므로, 형성되는 도전성 박막(10a)이 격벽(3) 상에서 절단될 우려가 없어져, 제1 격벽(3a)의 연장 방향(본 실시 형태에서는 열방향 Y)에 인접하는 유기 전계발광 소자(4)의 제2 전극(10)이 제1 격벽(3a) 상의 도전성 박막(10a)을 통해 확실하게 이어진다.In the present embodiment, the plurality of first partitions 3a extending in the column direction Y and the plurality of second partitions 3b extending in the row direction X overlap in plan view. At a portion where the first partition 3a and the second partition 3b overlap, any one of the first partition 3a and the second partition 3b may be disposed near the support substrate 2. In the part where the 1st partition 3a and the 2nd partition 3b overlap, it is preferable that the 2nd partition 3b is arrange | positioned closer to the support substrate 2 than the 1st partition 3a. That is, in the part where the 1st partition 3a and the 2nd partition 3b overlap, it is preferable that the said 2nd partition 3b is provided between the said support substrate 2 and the said 1st partition. When the first partition 3a and the second partition 3b are disposed in this way, the conductive thin film 10a is formed on the first partition 3a as described later, so that the conductive thin film 10a formed is the partition 3 ), So that the second electrode 10 of the organic electroluminescent element 4 adjacent to the extending direction of the first partition 3a (in this embodiment, the column direction Y) becomes the first partition 3a. It is reliably led through the conductive thin film 10a of the phase.

각 θ1의 각도는 통상 10°내지 85°이며, 30°내지 60°가 바람직하다. 또한 각 θ2의 각도는 통상 95°내지 170°이며, 110°내지 135°가 바람직하다.The angle of each angle θ1 is usually 10 ° to 85 °, and preferably 30 ° to 60 °. Moreover, the angle of each angle (theta) 2 is 95 degrees-170 degrees normally, and 110 degrees-135 degrees are preferable.

유기 전계발광 소자(4)는 격벽(3)에 의해 구획 형성되는 구획(즉 오목부(5))에 설치된다. 본 실시 형태와 같이 격자상의 격벽(3)이 설치되는 경우, 복수의 유기 전계발광 소자(4) 각각은 오목부(5)마다 설치된다. 즉 복수의 유기 전계발광 소자(4)는, 오목부(5)와 마찬가지로 매트릭스상으로 배치된다. 복수의 유기 전계발광 소자(4)는 지지 기판(2) 상에서, 행방향 X로 소정의 간격을 둠과 함께, 열방향 Y로도 소정의 간격을 두고 정렬하여 설치되어 있다.The organic electroluminescent element 4 is provided in a compartment (that is, the recess 5) partitioned by the partition 3. In the case where the lattice-shaped partition walls 3 are provided as in the present embodiment, each of the plurality of organic electroluminescent elements 4 is provided for each recess 5. That is, the plurality of organic electroluminescent elements 4 are arranged in a matrix like the recesses 5. The plurality of organic electroluminescent elements 4 are arranged on the supporting substrate 2 at predetermined intervals in the row direction X and aligned at predetermined intervals in the column direction Y.

본 실시 형태에서는 3종류의 유기 전계발광 소자(4)가 설치된다. 즉, (1) 적색의 광을 출사하는 적색 발광 유기 전계발광 소자(4R), (2) 녹색의 광을 출사하는 녹색 발광 유기 전계발광 소자(4G) 및 (3) 청색의 광을 출사하는 청색 발광 유기 전계발광 소자(4B)가 설치된다. 이들 3종류의 유기 전계발광 소자(4)(4R, 4G, 4B)는, 도 1에 도시된 바와 같이 예를 들어 이하의 (I), (II), (III)의 행을, 열방향 Y로 이 순으로 반복하여 배치함으로써 구성된다.In this embodiment, three types of organic electroluminescent elements 4 are provided. That is, (1) red light emitting organic electroluminescent element 4R for emitting red light, (2) green light emitting organic electroluminescent element 4G for emitting green light, and (3) blue light for emitting blue light The light emitting organic electroluminescent element 4B is provided. These three types of organic electroluminescent elements 4 (4R, 4G, 4B) have, for example, the following rows (I), (II) and (III) as shown in FIG. It is configured by repeatedly placing in this order.

(I) 복수의 적색 발광 유기 전계발광 소자(4R)가 행방향 X로 각각 소정의 간격을 두고 배치되는 행. (I) A row in which a plurality of red light emitting organic electroluminescent elements 4R are arranged at predetermined intervals in the row direction X, respectively.

(II) 복수의 녹색 발광 유기 전계발광 소자(4G)가 행방향 X로 각각 소정의 간격을 두고 배치되는 행.(II) A row in which a plurality of green light emitting organic electroluminescent elements 4G are arranged at predetermined intervals in the row direction X, respectively.

(III) 복수의 청색 발광 유기 전계발광 소자(4B)가 행방향 X로 각각 소정의 간격을 두고 배치되는 행.(III) A row in which a plurality of blue light emitting organic electroluminescent elements 4B are arranged at predetermined intervals in the row direction X, respectively.

또한 다른 실시 형태로서, 상기 3종류의 유기 전계발광 소자 외에, 예를 들어 백색의 광을 출사하는 유기 전계발광 소자가 더 설치될 수도 있다. 또한 1종류만의 유기 전계발광 소자를 설치함으로써, 모노크롬 표시 장치를 실현할 수도 있다.As another embodiment, in addition to the above three types of organic electroluminescent elements, for example, organic electroluminescent elements for emitting white light may be further provided. In addition, by providing only one type of organic electroluminescent element, a monochrome display device can be realized.

유기 전계발광 소자(4)는, 제1 전극(6), 유기층, 제2 전극(10)이 지지 기판측부터 이 순으로 적층되어 구성된다. 유기 전계발광 소자(4)는 유기층으로서 적어도 1층의 발광층을 구비한다. 또한 유기 전계발광 소자(4)는 1층의 발광층 외에, 필요에 따라 발광층과는 상이한 층을 더 구비하는 경우도 있다. 예를 들어 제1 전극(6)과 제2 전극(10) 사이에는, 정공 주입층, 정공 수송층, 전자 블록층, 전자 수송층 및 전자 주입층 등이 설치된다. 또한 제1 전극(6)과 제2 전극(10) 사이에는 2층 이상의 발광층이 설치되는 경우도 있다. 나아가 제1 전극(6)과 제2 전극(10) 사이에는 무기층, 또는 유기물과 무기물을 포함하는 혼합층이 설치되는 경우도 있다.The organic electroluminescent element 4 is configured by stacking the first electrode 6, the organic layer, and the second electrode 10 in this order from the support substrate side. The organic electroluminescent element 4 has at least one light emitting layer as an organic layer. In addition, the organic electroluminescent element 4 may further include a layer different from the light emitting layer as needed in addition to the one light emitting layer. For example, a hole injection layer, a hole transport layer, an electron block layer, an electron transport layer, an electron injection layer, and the like are provided between the first electrode 6 and the second electrode 10. In addition, two or more light emitting layers may be provided between the first electrode 6 and the second electrode 10. Further, an inorganic layer or a mixed layer containing an organic substance and an inorganic substance may be provided between the first electrode 6 and the second electrode 10.

유기 전계발광 소자(4)는, 양극 및 음극을 포함하는 한 쌍의 전극으로서 제1 전극(6)과 제2 전극(10)을 구비한다. 제1 전극(6) 및 제2 전극(10) 중 한쪽 전극은 양극으로서 설치되고, 다른 쪽 전극은 음극으로서 설치된다.The organic electroluminescent element 4 includes a first electrode 6 and a second electrode 10 as a pair of electrodes including an anode and a cathode. One electrode of the first electrode 6 and the second electrode 10 is provided as an anode, and the other electrode is provided as a cathode.

본 실시 형태에서는 일례로서, 양극으로서 기능하는 제1 전극(6), 정공 주입층으로서 기능하는 제1 유기층(7), 발광층으로서 기능하는 제2 유기층(9), 음극으로서 기능하는 제2 전극(10)이 이 순으로 지지 기판(2) 상에 적층되어 구성되는 유기 전계발광 소자(4)에 대하여 설명한다.In this embodiment, as an example, the 1st electrode 6 which functions as an anode, the 1st organic layer 7 which functions as a hole injection layer, the 2nd organic layer 9 which functions as a light emitting layer, and the 2nd electrode which functions as a cathode ( The organic electroluminescent element 4 constituted by being laminated on the support substrate 2 in this order will be described.

본 실시 형태에서는 3종류의 유기 전계발광 소자(4)가 설치된다. 이들 3종류의 유기 전계발광 소자(4)는 제2 유기층(본 실시 형태에서는 발광층)(9)의 구성이 각각 상이하다. 적색 발광 유기 전계발광 소자(4R)는 적색의 광을 방사하는 적색 발광층(9R)을 구비하고, 녹색 발광 유기 전계발광 소자(4G)는 녹색의 광을 방사하는 녹색 발광층(9G)을 구비하고, 청색 발광 유기 전계발광 소자(4B)는 청색의 광을 방사하는 청색 발광층(9B)을 구비한다.In this embodiment, three types of organic electroluminescent elements 4 are provided. These three kinds of organic electroluminescent elements 4 differ in the structure of the 2nd organic layer (light emitting layer in this embodiment) 9, respectively. The red light emitting organic electroluminescent element 4R has a red light emitting layer 9R for emitting red light, the green light emitting organic electroluminescent element 4G has a green light emitting layer 9G for emitting green light, The blue light emitting organic electroluminescent element 4B includes a blue light emitting layer 9B for emitting blue light.

본 실시 형태에서는, 제1 전극(6)은 유기 전계발광 소자(4)마다 설치된다. 즉 유기 전계발광 소자(4)와 동일수의 제1 전극(6)이 지지 기판(2) 상에 설치된다. 제1 전극(6)은 유기 전계발광 소자(4)의 배치에 대응하여 설치되고, 유기 전계발광 소자(4)와 마찬가지로 매트릭스상으로 배치된다. 또한 도 2, 도 3 및 도 5에 도시된 바와 같이 본 실시 형태의 격벽(3)은, 주로 제1 전극(6) 밖의 영역에 격자상으로, 제1 전극(6)의 일부분인 주연부를 덮도록 형성되어 있다.In the present embodiment, the first electrode 6 is provided for each organic electroluminescent element 4. That is, the same number of first electrodes 6 as the organic electroluminescent element 4 are provided on the support substrate 2. The first electrode 6 is provided corresponding to the arrangement of the organic electroluminescent element 4 and is arranged in a matrix like the organic electroluminescent element 4. 2, 3, and 5, the partition 3 of the present embodiment mainly covers the periphery of a portion of the first electrode 6 in a lattice form in an area outside the first electrode 6. It is formed to be.

정공 주입층으로서 기능하는 제1 유기층(7)은 오목부(5)의 제1 전극(6) 상에 각각 설치된다. 이 제1 유기층(7)은, 필요에 따라 유기 전계발광 소자(4)의 종류마다 그 재료 또는 두께를 상이하게 하여 설치된다. 또한 제1 유기층(7)의 형성 공정의 간이성의 관점에서는, 동일한 재료, 동일한 두께로 모든 제1 유기층(7)을 형성하는 것이 바람직하다.The first organic layer 7 serving as the hole injection layer is provided on the first electrode 6 of the recess 5, respectively. This 1st organic layer 7 is provided so that the material or thickness may differ for every kind of organic electroluminescent element 4 as needed. In addition, it is preferable to form all the 1st organic layers 7 by the same material and the same thickness from a viewpoint of the simplicity of the formation process of the 1st organic layer 7.

발광층으로서 기능하는 제2 유기층(9)은 오목부(5)에 있어서 제1 유기층(7) 상에 설치된다. 상술한 바와 같이 발광층은 유기 전계발광 소자(4)의 종류에 따라 설치된다. 그 때문에 적색 발광층(9R)은 적색 발광 유기 전계발광 소자(4R)가 설치되는 오목부(5)에 설치되고, 녹색 발광층(9G)은 녹색 발광 유기 전계발광 소자(4G)가 설치되는 오목부(5)에 설치되고, 청색 발광층(9B)은 청색 발광 유기 전계발광 소자(4B)가 설치되는 오목부(5)에 설치된다.The 2nd organic layer 9 which functions as a light emitting layer is provided in the recessed part 5 on the 1st organic layer 7. As described above, the light emitting layer is provided according to the type of the organic electroluminescent element 4. Therefore, the red light emitting layer 9R is provided in the concave portion 5 in which the red light emitting organic electroluminescent element 4R is provided, and the green light emitting layer 9G is the concave portion in which the green light emitting organic electroluminescent element 4G is provided ( It is provided in 5), and the blue light emitting layer 9B is provided in the recessed part 5 in which the blue light emitting organic electroluminescent element 4B is provided.

본 실시 형태에서는, 복수의 유기 전계발광 소자(4)가 설치되는 표시 영역에 걸쳐 도전성 박막(10a)이 형성된다. 즉 도전성 박막(10a)은, 제2 유기층(9) 상뿐만 아니라 격벽(3) 상에도 걸치도록 형성된다. 이 도전성 박막(10a) 중에서, 제2 유기층(9) 상에 설치되는 것을 본 명세서에서는 제2 전극(10)이라고 칭한다.In this embodiment, the conductive thin film 10a is formed over the display area in which the plurality of organic electroluminescent elements 4 are provided. That is, the conductive thin film 10a is formed not only on the second organic layer 9 but also on the partition 3. In this conductive thin film 10a, what is provided on the 2nd organic layer 9 is called 2nd electrode 10 in this specification.

또한 제2 전극(10)은, 역테이퍼 형상의 제2 격벽(3b)의 단부에서 절단되는 경우가 있다. 도 3 및 도 5에 도시된 바와 같이, 예를 들어 평면에서 보아 유기 전계발광 소자(4)와 제2 격벽(3b)이 접하는 제2 격벽(3b)의 단부에서, 제2 전극(10)이 절단된 상태를 나타내고 있다. 한편, 도 2 및 도 5에 도시된 바와 같이, 순테이퍼 형상의 제1 격벽(3a)의 단부에서는, 제2 전극(10)이 절단되는 일은 없다. 이렇게 제1 격벽(3a) 상에 형성된 도전성 박막(10a)과 유기 전계발광 소자(4)의 제2 전극(10)은 이어져 일체적으로 형성된다. 그로 인해, 행방향 X에 인접하는 유기 전계발광 소자(4)의 제2 전극(10)이 제1 격벽(3a) 상의 도전성 박막(10a)을 통해 일체적으로 이어져 형성되어 있다. 또한 본 실시 형태에서는 제1 격벽(3a)이 열방향 Y로 연장되어 형성되어 있기 때문에, 열방향 Y에 인접하는 유기 전계발광 소자(4)의 제2 전극(10)이 제1 격벽(3a) 상의 도전성 박막(10a)을 통해 일체적으로 이어져 형성되어 있다. 이에 의해, 제1 격벽(3a) 상의 도전성 박막(10a)을 통해 모든 유기 전계발광 소자의 제2 전극(10)이 이어지도록 형성된다. 그 때문에 제2 전극(10)이 모든 유기 전계발광 소자(4)에 공통되는 전극으로서 기능한다.In addition, the 2nd electrode 10 may be cut | disconnected at the edge part of the 2nd partition 3b of reverse taper shape. As shown in FIGS. 3 and 5, for example, in plan view, at the end of the second partition 3b where the organic electroluminescent element 4 and the second partition 3b are in contact, the second electrode 10 is The cut state is shown. On the other hand, as shown in FIG. 2 and FIG. 5, the 2nd electrode 10 is not cut | disconnected at the edge part of the 1st partition 3a of a forward taper shape. In this way, the conductive thin film 10a formed on the first partition 3a and the second electrode 10 of the organic electroluminescent element 4 are integrally formed. Therefore, the 2nd electrode 10 of the organic electroluminescent element 4 adjacent to row direction X is integrally formed through the conductive thin film 10a on the 1st partition 3a. In addition, in this embodiment, since the 1st partition 3a extends in the column direction Y, the 2nd electrode 10 of the organic electroluminescent element 4 adjacent to the column direction Y is made into the 1st partition 3a. It is integrally formed through the conductive thin film 10a of the phase. Thereby, it is formed so that the 2nd electrode 10 of all the organic electroluminescent elements may connect through the conductive thin film 10a on the 1st partition 3a. Therefore, the second electrode 10 functions as an electrode common to all the organic electroluminescent elements 4.

이상의 실시 형태에서는, 격벽(3)은 제1 전극(6)의 주연부를 덮고, 지지 기판(2)에 접하여 설치되어 있다. 다른 실시 형태로서, 격벽(3)과 지지 기판(2) 사이에 절연막을 더 설치할 수도 있다. 절연막은 예를 들어 격벽(3)과 마찬가지로 격자상으로 형성되고, 제1 전극(6)의 주연부를 덮어 형성된다. 이러한 절연막은 바람직하게는 격벽(3)보다도 친액성을 나타내는 재료에 의해 형성된다.In the above embodiment, the partition 3 covers the periphery of the 1st electrode 6, and is provided in contact with the support substrate 2. As shown in FIG. As another embodiment, an insulating film may be further provided between the partition 3 and the support substrate 2. For example, the insulating film is formed in a lattice form similarly to the partition wall 3 and is formed to cover the periphery of the first electrode 6. Such an insulating film is preferably formed of a material exhibiting more hydrophilicity than the partition wall 3.

이하, 도 7a 내지 도 15c를 참조하면서 표시 장치의 제조 방법에 대하여 설명한다. 또한 a 도면은 형성 도중의 하나의 유기 전계발광 소자를 확대하여 모식적으로 도시하는 평면도이며, b 도면은 도 1의 절단면선 A-A의 위치에서 절단한 형성 도중의 하나의 유기 전계발광 소자를 확대하여 모식적으로 도시하는 단면도이며, c 도면은 도 1의 절단면선 D-D의 위치에서 절단한 형성 도중의 하나의 유기 전계발광 소자를 확대하여 모식적으로 도시하는 단면도이다. 또한 각 도면의 a 도면 내지 c 도면에 있어서, 대응하는 부재의 축척은 반드시 서로 대응하는 것은 아니다.Hereinafter, the manufacturing method of a display apparatus is demonstrated, referring FIGS. 7A-15C. In addition, the figure a is a plan view which expands and shows one organic electroluminescent element during formation, The figure b is enlarged one organic electroluminescent element during the formation cut | disconnected at the position of cut line AA of FIG. It is sectional drawing shown typically, and FIG. C is a sectional drawing which expands and shows typically one organic electroluminescent element in the middle of the formation cut | disconnected at the position of the cutting plane line DD of FIG. In the drawings a to c of the drawings, the scales of the corresponding members do not necessarily correspond to each other.

(지지 기판을 준비하는 공정) (Process of Preparing Support Substrate)

도 7a, 도 7b 및 도 7c에 도시된 바와 같이, 본 공정에서는 제1 전극(6)이 형성된 지지 기판(2)을 준비한다. 또한 본 공정에서는 제1 전극(6)이 형성된 지지 기판을 시장으로부터 입수함으로써, 지지 기판(2)을 준비하는 공정으로 해도 좋다. 또한, 본 공정은 지지 기판(2) 상에 제1 전극(6)을 형성하는 공정을 포함할 수도 있다.As shown in FIG. 7A, FIG. 7B, and FIG. 7C, the support substrate 2 in which the 1st electrode 6 was formed is prepared in this process. In this step, the support substrate on which the first electrode 6 is formed may be obtained from the market, thereby preparing the support substrate 2. In addition, the present step may include a step of forming the first electrode 6 on the support substrate 2.

표시 장치를 액티브 매트릭스형으로 하는 경우, 복수의 유기 전계발광 소자를 개별로 구동하기 위한 회로가 미리 형성된 기판을 지지 기판(2)으로서 사용할 수 있다. 예를 들어 TFT(Thin Film Transistor) 및 캐패시터 등이 미리 형성된 기판을 지지 기판으로서 사용할 수 있다.When the display device is of an active matrix type, a substrate on which a circuit for driving a plurality of organic electroluminescent elements separately is formed in advance can be used as the support substrate 2. For example, the board | substrate with which TFT (Thin Film Transistor), a capacitor, etc. were previously formed can be used as a support substrate.

우선 준비한 지지 기판(2) 상에 복수의 제1 전극(6)을 매트릭스상으로 형성한다. 제1 전극(6)은, 예를 들어 지지 기판(2) 상의 일면에 도전성 박막을 형성하고, 이것을 포토리소그래피법에 의한 마스크 패턴의 형성 공정 및 형성된 마스크 패턴을 마스크로서 사용하는 패터닝 공정에 의해 매트릭스상으로 패터닝함으로써 형성한다. 또한 예를 들어 소정의 부위에 개구가 형성된 마스크를 지지 기판(2) 상에 배치하고, 이 마스크를 통해 지지 기판(2) 상의 소정의 부위에 도전성 재료를 선택적으로 퇴적함으로써 제1 전극(6)을 패턴 형성할 수도 있다. 제1 전극(6)의 재료에 관해서는 후술한다.First, the plurality of first electrodes 6 are formed in a matrix on the prepared support substrate 2. The first electrode 6 is formed by forming a conductive thin film on one surface of the support substrate 2, for example, by forming a mask pattern by a photolithography method and a patterning process using the formed mask pattern as a mask. It forms by patterning on a phase. Further, for example, the first electrode 6 may be disposed on the supporting substrate 2 by placing a mask having an opening at a predetermined portion, and selectively depositing a conductive material on the predetermined portion on the supporting substrate 2 through the mask. It is also possible to form a pattern. The material of the first electrode 6 will be described later.

(격벽을 형성하는 공정) (Process of forming a partition)

본 공정에서는 격벽(3)을 형성한다. 본 실시 형태에서는 격벽(3)은, 예를 들어 (1) 포토리소그래피법에 의해 감광성 수지 조성물의 층을 패터닝함으로써, 역테이퍼 형상의 제2 격벽(3b) 및 순테이퍼 형상의 제1 격벽(3a)을 형성하는, 구체적으로는 예를 들어 제1 격벽(3a) 및 제2 격벽(3b) 각각을, 감광성 수지 조성물의 층을 패터닝함으로써 형성할 수 있고, (2) 포토리소그래피법으로 감광성 수지 조성물의 층을 패터닝하여 우선 역테이퍼 형상의 제2 격벽(3b)을 형성하고, 이어서, 형성한 역테이퍼 형상의 제2 격벽(3b) 중 격벽으로서 남기는 부분을 감광성 수지 조성물로 덮고, 건식 에칭법에 의해 역테이퍼 형상을 순테이퍼 형상으로 가공함으로써, 역테이퍼 형상의 제2 격벽(3b) 및 순테이퍼 형상의 제1 격벽(3a)을 형성할 수 있다.In this step, the partition 3 is formed. In this embodiment, the partition 3 is patterned by the photosensitive lithography method by (1) the photolithographic method, for example, the 2nd partition 3b of reverse taper shape, and the 1st partition 3a of forward taper shape Specifically, each of the 1st partition 3a and the 2nd partition 3b which forms () can be formed by patterning the layer of the photosensitive resin composition, (2) The photosensitive resin composition by the photolithographic method The layer of the patterned layer was first formed to form the reverse tapered second partition 3b, and then, the portion of the formed reverse tapered second partition 3b remaining as the partition was covered with the photosensitive resin composition, followed by a dry etching method. By processing the reverse taper shape into a forward taper shape, the 2nd partition 3b of reverse taper shape and the 1st partition 3a of forward taper shape can be formed.

도 8a, 도 8b 및 도 8c에 도시된 바와 같이, 본 실시 형태에서는 우선 제2 격벽(3b)을 형성한다. 포토리소그래피법에 의해 제2 격벽(3b)을 형성하는 경우, 우선 감광성 수지 조성물을 지지 기판(2) 상에 도포 성막한다. 감광성 수지 조성물의 도포 방법으로서는, 예를 들어 스핀 코트법, 슬릿 코트법 등을 들 수 있다.As shown in FIG. 8A, FIG. 8B, and FIG. 8C, in this embodiment, the 2nd partition 3b is formed first. When forming the 2nd partition 3b by the photolithographic method, the photosensitive resin composition is apply | coated and formed into a film on the support substrate 2 first. As a coating method of the photosensitive resin composition, a spin coat method, the slit coat method, etc. are mentioned, for example.

감광성 수지 조성물을 상기 지지 기판(2) 상에 도포 성막한 후, 통상은 프리베이크 공정을 행한다. 프리베이크 공정은, 예를 들어 80℃ 내지 110℃의 온도에서 60초간 내지 180초간 지지 기판을 가열함으로써 행해진다. 이 프리베이크 공정에 의해 감광성 수지 조성물 중의 용제 성분을 제거하여, 제2 격벽 형성용 막(8b)을 형성한다.After coating the photosensitive resin composition on the said support substrate 2, a prebaking process is normally performed. A prebaking process is performed by heating a support substrate for 60 second-180 second at the temperature of 80 degreeC-110 degreeC, for example. By this prebaking process, the solvent component in the photosensitive resin composition is removed and the 2nd partition film formation film 8b is formed.

다음에 제2 격벽 형성용 막(8b)이 형성된 지지 기판(2)의 위쪽에, 광을 차광하는 소정의 패턴의 포토마스크(21b)를 배치하고, 이 포토마스크(21b)를 통해, 제2 격벽 형성용 막(8b)을 노광하는 노광 공정을 행한다. 제2 격벽 형성용 막(8b)이 포함할 수 있는 감광성 수지로서는, 포지티브형 감광성 수지 및 네가티브형 감광성 수지가 있지만, 본 공정에서는 어떤 타입의 수지든 사용할 수 있다.Next, the photomask 21b of predetermined pattern which light-shields light is arrange | positioned above the support substrate 2 in which the 2nd partition wall formation film 8b was formed, and through this photomask 21b, the 2nd The exposure process which exposes the partition formation film 8b is performed. Examples of the photosensitive resin that the second partition wall forming film 8b may include include a positive photosensitive resin and a negative photosensitive resin, but any type of resin can be used in this step.

제2 격벽 형성용 막(8b)이 포함할 수 있는 감광성 수지로서 포지티브형의 감광성 수지를 사용한 경우에는, 형성된 제2 격벽 형성용 막(8b) 중, 주로 제2 격벽(3b)이 형성되어야 할 부위 외의 잔여 부위에 광 L을 조사한다. 또한 감광성 수지로서 네가티브형의 감광성 수지를 사용한 경우에는, 제2 격벽 형성용 막(8b) 중, 제2 격벽(3b)이 형성되어야 할 부위에 광 L을 조사한다.In the case where positive photosensitive resin is used as the photosensitive resin that the second partition wall forming film 8b may contain, mainly the second partition walls 3b should be formed among the formed second partition wall forming films 8b. Irradiate the light L to the remaining part outside the site. Moreover, when negative photosensitive resin is used as photosensitive resin, light L is irradiated to the site | part which the 2nd partition 3b should be formed among the 2nd partition film formation 8b.

본 공정에서는 제2 격벽 형성용 막(8b)이 포함할 수 있는 감광성 수지로서 네가티브형의 감광성 수지를 사용한 경우에 대하여 설명한다.In this step, the case where the negative photosensitive resin is used as the photosensitive resin which the second partition wall forming film 8b may contain will be described.

지지 기판(2)의 위쪽에 포토마스크(21b)를 배치하고, 이 포토마스크(21b)를 통해 광 L을 조사한다. 이에 의해 제2 격벽 형성용 막(8b) 중, 제2 격벽(3b)이 형성되어야 할 부위에 광 L이 조사된다. 도 8b 및 도 8c에 있어서, 제2 격벽 형성용 막(8b)에 조사되는 광 L은 모식적으로 외곽선의 화살표로 나타나 있다.The photomask 21b is arrange | positioned above the support substrate 2, and light L is irradiated through this photomask 21b. Thereby, light L is irradiated to the site | part in which the 2nd partition 3b should be formed among the 2nd partition formation films 8b. In FIG. 8B and FIG. 8C, the light L irradiated to the 2nd partition wall formation film 8b is shown typically by the arrow of an outline.

도 9에 도시된 바와 같이, 이어서 현상 공정을 행한다. 이에 의해 제2 격벽(3b)이 패턴 형성된다. 현상 공정 후, 포스트베이크 공정을 행한다. 포스트베이크 공정은, 예를 들어 200℃ 내지 230℃의 온도에서 15분간 내지 60분간 기판을 가열함으로써 제2 격벽 형성용 막(8b)을 경화하여 제2 격벽(3b)을 형성한다. 이렇게 포스트베이크 공정을 행함으로써, 후술하는 제1 격벽(3a)을 형성할 때의 현상 공정에 있어서, 제2 격벽(3b)이 에칭되는 것을 방지할 수 있다.As shown in Fig. 9, a developing step is then performed. As a result, the second partition 3b is patterned. After the developing step, a postbaking step is performed. In the post-baking step, for example, the second partition wall forming film 8b is cured by heating the substrate at a temperature of 200 ° C to 230 ° C for 15 minutes to 60 minutes to form the second partition wall 3b. By performing a post-baking process in this way, in the developing process at the time of forming the 1st partition 3a mentioned later, it can prevent that the 2nd partition 3b is etched.

본 실시 형태에서는 소위 역테이퍼 형상의 제2 격벽(3b)을 형성한다. 제2 격벽(3b)의 측면과 제2 격벽(3b)의 저면이 이루는 각 θ2의 각도는, 후술하는 요소를 적절히 조정함으로써 임의의 각도로 조정할 수 있다.In this embodiment, the so-called inverse tapered second partition 3b is formed. The angle of angle (theta) 2 which the side surface of the 2nd partition 3b and the bottom face of the 2nd partition 3b make can be adjusted to arbitrary angles by adjusting the element mentioned later suitably.

도 10에 도시된 바와 같이, 다음에 본 실시 형태에서는 제1 격벽(3a)을 형성한다. 포토리소그래피법에 의해 제1 격벽(3a)을 형성하는 경우, 우선 감광성 수지 조성물을 지지 기판(2) 상에 도포 성막한다. 감광성 수지 조성물의 도포 방법으로서는, 예를 들어 스핀 코트법, 슬릿 코트법 등을 들 수 있다.As shown in Fig. 10, in the present embodiment, a first partition 3a is formed next. When forming the 1st partition 3a by the photolithographic method, the photosensitive resin composition is apply | coated and formed into a film on the support substrate 2 first. As a coating method of the photosensitive resin composition, a spin coat method, the slit coat method, etc. are mentioned, for example.

감광성 수지 조성물을 지지 기판(2) 상에 도포 성막한 후, 통상은 프리베이크 공정을 행한다. 프리베이크 공정은, 예를 들어 80℃ 내지 110℃의 온도에서 60초간 내지 180초간 지지 기판(2)을 가열함으로써 행해진다. 이 프리베이크 공정에 의해 용제 성분을 제거하여 제1 격벽 형성용 막(8a)을 형성한다.After coating the photosensitive resin composition on the support substrate 2, a prebaking process is usually performed. The prebaking step is performed by heating the support substrate 2 for 60 seconds to 180 seconds at a temperature of, for example, 80 ° C to 110 ° C. By this prebaking process, a solvent component is removed and the 1st partition film formation film 8a is formed.

다음에 지지 기판(2)의 위쪽에 소정의 패턴으로 광을 차광하는 포토마스크(21a)를 배치하고, 이 포토마스크(21a)를 통해, 제1 격벽 형성용 막(8a)을 노광한다. 감광성 수지에는, 포지티브형 감광성 수지 및 네가티브형 감광성 수지가 있다. 본 공정에서는 어떤 타입의 감광성 수지든 사용할 수 있다. 포지티브형의 감광성 수지를 사용한 경우에는, 제1 격벽 형성용 막(8a) 중, 주로 제1 격벽(3a)이 형성되어야 할 부위 외의 잔여 부위에 광 L을 조사한다. 또한 네가티브형의 감광성 수지를 사용한 경우에는, 제1 격벽 형성용 막(8a) 중, 주로 제1 격벽(3a)이 형성되어야 할 부위에 광 L을 조사한다. 본 공정에서는 포지티브형의 감광성 수지를 사용한 경우에 대해, 도 10을 참조하여 설명한다.Next, the photomask 21a which shields light in a predetermined pattern is disposed above the supporting substrate 2, and the first partition wall forming film 8a is exposed through the photomask 21a. Photosensitive resins include positive photosensitive resins and negative photosensitive resins. In this step, any type of photosensitive resin can be used. When positive type photosensitive resin is used, light L is irradiated to the remaining part other than the site | part to which the 1st partition 3a is mainly formed among the 1st partition wall formation films 8a. In addition, when negative photosensitive resin is used, light L is irradiated mainly to the site | part which the 1st partition 3a should be formed among the 1st partition formation film 8a. In this process, the case where positive photosensitive resin is used is demonstrated with reference to FIG.

도 10a, 도 10b 및 도 10c에 도시된 바와 같이, 지지 기판(2)의 위쪽에 포토마스크(21a)를 배치하고, 이 포토마스크(21a)를 통해 광 L을 조사한다. 광 L은, 제1 격벽 형성용 막(8a) 중, 주로 제1 격벽(3a)이 형성되어야 할 부위 외의 잔여 부위에 조사된다. 또한 도 10a 및 도 10b에서는 제1 격벽 형성용 막(8a)에 조사되는 광 L이 모식적으로 외곽선의 화살표로 나타나 있다.As shown in FIG. 10A, FIG. 10B, and FIG. 10C, the photomask 21a is arrange | positioned above the support substrate 2, and light L is irradiated through this photomask 21a. Light L is mainly irradiated to the remaining part of the 1st partition wall formation film 8a except the site where the 1st partition 3a should be formed. 10A and 10B, light L irradiated to the first partition wall forming film 8a is schematically indicated by an outline arrow.

도 11a, 도 11b 및 도 11c에 도시된 바와 같이, 다음에 현상 공정을 행한다. 이에 의해 제1 격벽(3a)이 패턴 형성된다. 제1 격벽 형성용 막(8a)을 현상할 때에는, 현상액이 제2 격벽(3b)에 접촉하게 된다. 그러나, 전술한 바와 같이 제2 격벽(3b)은 포스트베이크 공정이 실시되기 때문에, 제2 격벽(3b)은 가령 현상액에 접했다고 해도 에칭되지 않는다.As shown in Figs. 11A, 11B, and 11C, a developing step is next performed. As a result, the first partition 3a is patterned. When developing the first partition wall forming film 8a, the developer is brought into contact with the second partition wall 3b. However, as described above, the second partition 3b is subjected to a post-baking process, so that the second partition 3b is not etched even if it comes into contact with the developer, for example.

현상 공정 후, 포스트베이크 공정을 행한다. 포스트베이크 공정은, 예를 들어 200℃ 내지 230℃의 온도에서 15분간 내지 60분간 지지 기판(2)을 가열함으로써 제1 격벽 형성용 막(8a)을 경화하여, 제1 격벽(3a)을 형성한다.After the developing step, a postbaking step is performed. In the post-baking step, the first partition wall forming film 8a is cured by heating the support substrate 2 at, for example, a temperature of 200 ° C to 230 ° C for 15 minutes to 60 minutes to form the first partition wall 3a. do.

본 실시 형태에서는 순테이퍼 형상의 제1 격벽(3a)을 형성한다. 제1 격벽(3a)의 측면과 제1 격벽(3a)의 저면이 이루는 각 θ1의 각도는, 이하의 요소를 적절히 조정함으로써 임의의 각도로 조정할 수 있다.In this embodiment, the forward partitioned 1st partition 3a is formed. The angle of angle (theta) 1 which the side surface of the 1st partition 3a and the bottom face of the 1st partition 3a make can be adjusted to arbitrary angles by adjusting the following elements suitably.

제1 격벽(3a)의 측면과 제1 격벽(3a)의 저면이 이루는 각 θ1의 각도, 제2 격벽(3b)의 측면과 제2 격벽(3b)의 저면이 이루는 각 θ2의 각도는 주로 사용하는 감광성 수지의 종류에 따라 정해진다. 따라서, 예를 들어 시장으로부터 입수 가능한 복수 종류의 감광성 수지 중에서, 소정의 조건에서 노광 공정 및 현상 공정을 행함으로써 순테이퍼 형상의 격벽(3)(제1 격벽인 3a)을 형성할 수 있는 재료 또는 소정의 조건에서 노광 공정 및 현상 공정을 행함으로써 역테이퍼 형상의 격벽(3)(제2 격벽인 3b)을 형성할 수 있는 재료를 적절히 선택하고, 이것을 사용하여 격벽을 형성하면 된다.The angle of angle θ1 formed between the side surface of the first partition wall 3a and the bottom surface of the first partition wall 3a is mainly used, and the angle of angle θ2 formed between the side surface of the second partition wall 3b and the bottom surface of the second partition wall 3b is mainly used. It is decided according to the kind of photosensitive resin to make. Therefore, for example, among the plurality of types of photosensitive resins available from the market, a material capable of forming the forward tapered partition 3 (first partition 3a) by performing the exposure step and the development step under predetermined conditions, or What is necessary is just to select suitably the material which can form the reverse taper-shaped partition 3 (3b which is 2nd partition) by performing an exposure process and image development process on predetermined conditions, and may form a partition using this.

또한 현상 시간을 조정함으로써도 격벽의 측면과 격벽의 저면이 이루는 각을 조정할 수 있다. 네가티브형의 감광성 수지를 사용하여 역테이퍼 형상의 제2 격벽(3b)을 형성하는 경우, 일반적으로 현상 시간을 길게 할수록, 제2 격벽(3b)의 측면과 제2 격벽(3b)의 저면이 이루는 각 θ2의 각도가 커지는 경향이 있다.Also, by adjusting the developing time, the angle between the side surface of the partition wall and the bottom surface of the partition wall can be adjusted. In the case of forming the reverse tapered second partition 3b using a negative photosensitive resin, in general, the longer the development time is, the longer the side surface of the second partition 3b and the bottom surface of the second partition 3b are formed. There exists a tendency for the angle of angle (theta) 2 to become large.

또한 노광량을 조정함으로써도 격벽의 측면과 격벽의 저면이 이루는 각을 조정할 수 있다. 네가티브형의 감광성 수지를 사용하여 역테이퍼 형상의 제2 격벽(3b)을 형성하는 경우, 일반적으로 노광량을 적게 할수록 제2 격벽(3b)의 측면과 제2 격벽(3b)의 저면이 이루는 각 θ2의 각도가 작아지는 경향이 있다.Moreover, the angle which the side surface of a partition and the bottom face of a partition can also adjust by adjusting an exposure amount. In the case of forming the reverse tapered second partition 3b using a negative photosensitive resin, the angle between the side of the second partition 3b and the bottom surface of the second partition 3b generally decreases as the exposure amount decreases. The angle of tends to be small.

또한 포토마스크(21b)와 지지 기판(2)의 거리를 조정함으로써도 격벽의 측면과 격벽의 저면이 이루는 각을 조정할 수 있다. 네가티브형의 감광성 수지를 사용하는 경우, 포토마스크(21b)와 지지 기판(2)의 거리를 작게 할수록 순테이퍼 형상의 제1 격벽(3a)을 형성하는 경우에는, 일반적으로 제1 격벽(3a)의 측면과 제1 격벽(3a)의 저면이 이루는 각 θ1이 커지는 경향이 있고, 역테이퍼 형상의 제2 격벽(3b)을 형성하는 경우에는, 일반적으로 제2 격벽(3b)의 측면과 제2 격벽(3b)의 저면이 이루는 각 θ2가 작아지는 경향이 있다.In addition, by adjusting the distance between the photomask 21b and the support substrate 2, the angle between the side surface of the partition wall and the bottom surface of the partition wall can be adjusted. In the case of using a negative photosensitive resin, when the distance between the photomask 21b and the support substrate 2 is reduced, the first partition 3a having a forward tapered shape is generally formed. The angle θ1 formed between the side surfaces of the first partition walls 3a and the bottom surface of the first partition walls 3a tends to be large, and in the case of forming the second tapered partition walls 3b having an inverse taper shape, the sides and the second walls of the second partition walls 3b are generally used. There exists a tendency for the angle (theta) 2 which the bottom face of the partition 3b makes to become small.

감광성 수지 조성물은, 일반적으로 바인더 수지, 가교제, 광반응 개시제, 용매 및 그 밖의 첨가제를 배합하여 사용된다.The photosensitive resin composition is generally used in combination with a binder resin, a crosslinking agent, a photoreaction initiator, a solvent, and other additives.

바인더 수지는, 미리 중합된 수지이다. 바인더 수지의 예로서는, 스스로 중합성을 갖지 않는 비중합성 바인더 수지, 중합성을 갖는 치환기가 도입된 중합성 바인더 수지를 들 수 있다. 바인더 수지는, 폴리스티렌을 표준으로 하여 겔 투과 크로마토그래피(GPC)에 의해 구해지는 중량 평균 분자량이 5000 내지 400000의 범위에 있다.Binder resin is resin superposed | polymerized previously. As an example of binder resin, the polymerizable binder resin which introduce | transduced the nonpolymerizable binder resin which does not have superposition | polymerization by itself, and the substituent which has polymerizability is mentioned. Binder resin has the weight average molecular weight calculated | required by gel permeation chromatography (GPC) on the basis of polystyrene in the range of 5000-40000.

바인더 수지로서는, 예를 들어 페놀 수지, 노볼락 수지, 멜라민 수지, 아크릴 수지, 에폭시 수지, 폴리에스테르 수지 등을 들 수 있다. 바인더 수지로서는, 단량체는 각각 단독 또는 2종 이상을 조합한 공중합체를 사용할 수도 있다. 바인더 수지의 비율은, 상기 감광성 수지 조성물의 전체 고형분에 대하여 질량 분율로 통상 5％ 내지 90％이다.As binder resin, a phenol resin, a novolak resin, a melamine resin, an acrylic resin, an epoxy resin, a polyester resin etc. are mentioned, for example. As binder resin, the monomer can also use the copolymer which individually or in combination of 2 or more types, respectively. The ratio of binder resin is 5%-90% normally by mass fraction with respect to the total solid of the said photosensitive resin composition.

가교제는, 광을 조사함으로써 광 중합 개시제로부터 발생한 활성 라디칼, 산 등에 의해 중합할 수 있는 화합물이다. 가교제로서, 예를 들어 중합성 탄소-탄소 불포화 결합을 갖는 화합물을 들 수 있다. 가교제는, 분자 내에 중합성 탄소-탄소 불포화 결합을 1개 갖는 단관능의 화합물일 수도 있고, 중합성 탄소-탄소 불포화 결합을 2개 이상 갖는 2관능 이상의 다관능의 화합물일 수도 있다. 상기 감광성 수지 조성물에 있어서, 가교제는, 바인더 수지와 가교제의 합계량을 100질량부로 하면, 통상 0.1질량부 이상 70질량부 이하이다. 또한 상기 감광성 수지 조성물에 있어서 광반응 개시제는, 바인더 수지와 가교제의 합계량을 100질량부로 하면, 통상 1질량부 이상 30질량부 이하이다.A crosslinking agent is a compound which can superpose | polymerize with active radical, an acid, etc. which generate | occur | produced from the photoinitiator by irradiating light. As a crosslinking agent, the compound which has a polymerizable carbon-carbon unsaturated bond is mentioned, for example. The crosslinking agent may be a monofunctional compound having one polymerizable carbon-carbon unsaturated bond in a molecule, or may be a bifunctional or higher polyfunctional compound having two or more polymerizable carbon-carbon unsaturated bonds. In the said photosensitive resin composition, when a total amount of binder resin and a crosslinking agent is 100 mass parts, it is 0.1 mass part or more and 70 mass parts or less normally. Moreover, in the said photosensitive resin composition, when a total amount of binder resin and a crosslinking agent is 100 mass parts, it is 1 mass part or more and 30 mass parts or less normally.

포지티브형 감광성 수지는, 광의 조사 부분이 현상액에 대하여 용해하는 수지이다. 포지티브형 감광성 수지는, 일반적으로는 수지와 광반응에 의해 친수화되는 화합물을 복합화함으로써 구성된다.Positive type photosensitive resin is resin in which the irradiation part of light melt | dissolves with respect to a developing solution. Positive type photosensitive resin is generally comprised by compounding resin and the compound hydrophilized by photoreaction.

포지티브형 감광성 수지로서는, 노볼락 수지, 폴리히드록시스티렌, 아크릴 수지, 메타아크릴 수지, 폴리이미드 등의 내약품성 및 밀착성을 갖는 수지와 광분해성 화합물을 조합한 수지를 사용할 수 있다.As positive type photosensitive resin, resin which combined chemical-decomposable resin, such as novolak resin, polyhydroxy styrene, an acrylic resin, methacryl resin, and polyimide, and a photodegradable compound can be used.

현상에 사용되는 현상액으로서는, 예를 들어 염화칼륨 수용액, 수산화테트라메틸암모늄(TMAH) 수용액 등을 들 수 있다.As a developing solution used for image development, potassium chloride aqueous solution, tetramethylammonium hydroxide (TMAH) aqueous solution, etc. are mentioned, for example.

상술한 바와 같이, 제1 격벽(3a)의 측면과 제1 격벽(3a)의 저면이 이루는 각 θ1, 제2 격벽(3b)의 측면과 제2 격벽(3b)의 저면이 이루는 각 θ2는 주로 사용하는 감광성 수지의 종류에 따라 정해지지만, 시장으로부터 입수 가능한 복수의 종류의 감광성 수지 중 대부분은 순테이퍼 형상의 격벽(제1 격벽(3a))을 형성하는 재료로서 사용할 수 있다. 또한 역테이퍼 형상의 격벽(제2 격벽(3b))을 형성하기 위한 재료의 예로서는, 닛본 제온 가부시끼가이샤제의 재료(ZPN2464, ZPN1168) 등을 들 수 있다.As described above, the angle θ1 formed between the side surface of the first partition wall 3a and the bottom surface of the first partition wall 3a, and the angle θ2 formed between the side surface of the second partition wall 3b and the bottom surface of the second partition wall 3b are mainly used. Although it depends on the kind of photosensitive resin to be used, most of the some kind of photosensitive resin available from a market can be used as a material which forms a forward tapered partition (1st partition 3a). Further, examples of the material for forming the reverse tapered partition wall (second partition wall 3b) include Nippon Xeon Co., Ltd. materials (ZPN2464, ZPN1168) and the like.

격벽(3)의 형상 및 그의 배치는 화소수 및 해상도 등의 표시 장치의 사양, 제조의 용이함 등에 따라 적절히 설정된다. 예를 들어 격벽(3)의 행방향 X 또는 열방향 Y의 폭은 5㎛ 내지 50㎛ 정도이고, 격벽(3)의 높이는 0.5㎛ 내지 5㎛ 정도이고, 행방향 X 또는 열방향 Y에 인접하는 격벽(3) 사이의 간격, 즉 오목부(5)의 행방향 X 또는 열방향 Y의 폭은 10㎛ 내지 200㎛ 정도이다. 또한, 제1 전극(6)의 행방향 X 또는 열방향 Y의 폭은 각각 10㎛ 내지 200㎛ 정도이다.The shape of the partition 3 and its arrangement are appropriately set according to the specifications of the display device such as the number of pixels and the resolution, ease of manufacture, and the like. For example, the width of the row direction X or the column direction Y of the partition wall 3 is about 5 µm to 50 µm, and the height of the partition wall 3 is about 0.5 µm to 5 µm, and is adjacent to the row direction X or the column direction Y. The space | interval between the partition walls 3, ie, the width | variety of the row direction X or the column direction Y of the recessed part 5, is about 10 micrometers-200 micrometers. In addition, the width | variety of the row direction X or the column direction Y of the 1st electrode 6 is about 10 micrometers-about 200 micrometers, respectively.

(유기층을 형성하는 공정) (Step of Forming Organic Layer)

본 공정에서는 유기층을 형성한다. 본 실시 형태에서는 1층 이상의 유기층 중 적어도 1층의 유기층을 도포법에 의해 형성한다. 본 실시 형태에서는, 제1 유기층(7) 및 제2 유기층(9)을 도포법에 의해 형성한다.In this step, an organic layer is formed. In this embodiment, at least one organic layer among one or more organic layers is formed by the apply | coating method. In this embodiment, the 1st organic layer 7 and the 2nd organic layer 9 are formed by the apply | coating method.

우선 정공 주입층으로서 기능하는 제1 유기층(7)을 형성한다. 도 12a, 도 12b 및 도 12c에 도시된 바와 같이, 우선 제1 유기층(7)으로 되는 재료를 포함하는 잉크(22)를 격벽(3)에 둘러싸인 영역(오목부(5))에 공급한다. 잉크(22)는, 격벽(3)의 형상, 성막 공정의 간이성 및 성막성 등을 감안하여 적절히 최적의 방법에 의해 공급된다. 잉크(22)는 예를 들어 잉크젯 프린트법, 노즐 코트법, 철판 인쇄법, 요판 인쇄법 등에 의해 오목부(5)에 공급된다.First, the first organic layer 7 functioning as a hole injection layer is formed. As shown in Figs. 12A, 12B, and 12C, first, an ink 22 containing a material of the first organic layer 7 is supplied to a region (concave portion 5) surrounded by the partition wall 3. The ink 22 is supplied by an optimal method appropriately in consideration of the shape of the partition 3, the simplicity of the film forming process, the film forming property, and the like. The ink 22 is supplied to the recess 5 by, for example, an inkjet printing method, a nozzle coating method, an iron plate printing method, an intaglio printing method, or the like.

도 13a, 도 13b 및 도 13c에 도시된 바와 같이, 다음에, 공급된 잉크(22)를 고화하여, 제1 유기층(7)을 형성한다.As shown in Figs. 13A, 13B and 13C, the supplied ink 22 is then solidified to form the first organic layer 7.

잉크(22)의 고화는, 예를 들어 자연 건조, 가열 건조, 진공 건조에 의해 행할 수 있다. 또한 잉크(22)가 에너지를 가함으로써 중합되는 재료를 포함하는 경우, 잉크(22)를 오목부(5)에 공급한 후에 잉크(22)를 가열하거나 잉크(22)에 광을 조사하거나 함으로써, 잉크(22)에 포함되는 유기층을 구성하는 재료를 중합할 수도 있다. 이렇게 유기층을 구성하는 재료를 중합함으로써 제1 유기층(7)을 형성하고, 이 제1 유기층(7) 상에 제2 유기층을 더 형성할 때에 사용하는 잉크에 대하여, 제1 유기층(7)을 난용화할 수 있다.Solidification of the ink 22 can be performed by natural drying, heat drying, and vacuum drying, for example. In addition, when the ink 22 includes a material polymerized by applying energy, the ink 22 is heated or the light is irradiated onto the ink 22 after the ink 22 is supplied to the recess 5. The material constituting the organic layer included in the ink 22 may be polymerized. Thus, the 1st organic layer 7 is formed with respect to the ink used when the 1st organic layer 7 is formed by superposing | polymerizing the material which comprises an organic layer, and further forming a 2nd organic layer on this 1st organic layer 7. Can be dissolved.

도 14a, 도 14b 및 도 14c에 도시된 바와 같이, 다음에 발광층으로서 기능하는 제2 유기층(9)을 형성한다. 제2 유기층(9)은 제1 유기층(7)과 마찬가지로 형성할 수 있다. 즉, 적색 발광층(9R), 녹색 발광층(9G), 청색 발광층(9B)으로 되는 재료를 각각 포함하는 3종류의 잉크를 격벽(3)에 둘러싸인 소정의 영역(오목부(5))에 각각 공급하고, 이것을 더 고화함으로써 적색 발광층(9R), 녹색 발광층(9G), 청색 발광층(9B)이 형성된다.As shown in Figs. 14A, 14B and 14C, a second organic layer 9 serving as a light emitting layer is next formed. The second organic layer 9 can be formed in the same manner as the first organic layer 7. That is, three kinds of inks each containing a material consisting of the red light emitting layer 9R, the green light emitting layer 9G, and the blue light emitting layer 9B are respectively supplied to a predetermined region (concave portion 5) surrounded by the partition wall 3. By further solidifying this, the red light emitting layer 9R, the green light emitting layer 9G, and the blue light emitting layer 9B are formed.

(제2 전극을 형성하는 공정) (Step of Forming Second Electrode)

도 15a, 도 15b 및 도 15c에 도시된 바와 같이, 다음에 제2 전극(10)을 형성한다. 본 실시 형태에서는, 적어도 복수의 유기 전계발광 소자가 설치되는 표시 영역에 있어서, 일면(전체면)에 도전성 박막(10a)을 형성한다. 예를 들어 증착법에 의해 일면에 도전성 박막(10a)을 형성한다. 상술한 바와 같이 이 도전성 박막(10a) 중에서, 제2 유기층(9) 상에 설치되는 부분이 제2 전극(10)에 상당한다.As shown in Figs. 15A, 15B and 15C, a second electrode 10 is next formed. In the present embodiment, the conductive thin film 10a is formed on one surface (overall surface) in the display area in which at least a plurality of organic electroluminescent elements are provided. For example, the conductive thin film 10a is formed on one surface by a vapor deposition method. As described above, the portion provided on the second organic layer 9 in the conductive thin film 10a corresponds to the second electrode 10.

도 15c에 도시된 바와 같이, 제2 전극(10)의 두께가 얇은 경우, 예를 들어 일면에 도전성 박막(10a)을 형성했다고 해도, 역테이퍼 형상의 제2 격벽(3b) 상에서는 그 단부에서 도전성 박막(10a)이 절단되는 경우가 있고, 그 때문에 유기 전계발광 소자(4)의 제2 전극(10)과 제2 격벽(3b) 상의 도전성 박막(10a)이 절단되는 경우가 있다.As shown in FIG. 15C, when the thickness of the second electrode 10 is thin, for example, even if the conductive thin film 10a is formed on one surface, it is conductive at the end on the second tapered wall 3b having the reverse taper shape. The thin film 10a may be cut | disconnected, and for this reason, the conductive thin film 10a on the 2nd electrode 10 and the 2nd partition 3b of the organic electroluminescent element 4 may be cut | disconnected.

도 15b에 도시된 바와 같이, 순테이퍼 형상의 제1 격벽(3a) 상에서는, 그 측면(제1 격벽(3a)의 저면에 대하여 각 θ1을 이루는 면) 상에도 도전성 박막(10a)이 형성되기 때문에, 제1 격벽(3a)의 단부에서 제2 전극(10)이 절단되는 일이 없어, 유기 전계발광 소자(4)의 제2 전극(10)과 제1 격벽(3a) 상의 도전성 박막(10a)이 이어지도록 형성된다. 그로 인해, 행방향 X에 인접하는 유기 전계발광 소자(4)의 제2 전극(10)끼리, 제1 격벽(3a) 상의 도전성 박막(10a)을 통해 이어지도록 형성된다.As shown in Fig. 15B, on the first tapered wall 3a having a forward taper shape, the conductive thin film 10a is also formed on the side surface (surface forming an angle θ1 with respect to the bottom surface of the first partition wall 3a). The second electrode 10 is not cut at the end of the first partition 3a, so that the conductive thin film 10a on the second electrode 10 and the first partition 3a of the organic electroluminescent element 4 is not. It is formed to continue. Therefore, the 2nd electrode 10 of the organic electroluminescent element 4 adjacent to row direction X is formed so that it may connect through the conductive thin film 10a on the 1st partition 3a.

이렇게 유기 전계발광 소자(4)의 외주 중 일부에 면하여 순테이퍼 형상의 제1 격벽(3a)이 설치되면, 유기 전계발광 소자(4)의 제2 전극(10)과 제1 격벽(3a) 상의 도전성 박막(10a)이 이어지도록 형성된다. 그 때문에 비록 역테이퍼 형상의 제2 격벽(3b)이 설치된다고 해도, 유기 전계발광 소자(4)의 제2 전극(10)이 격벽(3)의 단부에서 절단되는 것을 방지할 수 있어, 복수의 유기 전계발광 소자(4) 상에 걸쳐 이어지는 제2 전극(10)을 형성할 수 있다.When the first taper 3a having a forward taper shape is provided to face a part of the outer circumference of the organic electroluminescent element 4 as described above, the second electrode 10 and the first partition 3a of the organic electroluminescent element 4 are provided. The conductive thin film 10a of the phase is formed so that it may continue. Therefore, even if the reverse tapered second partition 3b is provided, it is possible to prevent the second electrode 10 of the organic electroluminescent element 4 from being cut off at the end of the partition 3, so that a plurality of The second electrode 10 extending over the organic electroluminescent element 4 can be formed.

상술한 바와 같이 역테이퍼 형상의 격벽(3)(제2 격벽(3b))이 설치되는 경우, 제2 전극(10)의 두께가 얇으면 역테이퍼 형상의 격벽(3)의 단부에서 제2 전극(10)이 절단되는 경우가 있지만, 순테이퍼 형상의 제1 격벽(3a)을 설치함으로써, 제2 전극(10)의 두께를 필요 이상으로 두껍게 하지 않으면서, 복수의 유기 전계발광 소자(4)의 제2 전극(10)끼리 이어지도록 형성할 수 있다.When the reverse tapered partition 3 (second partition 3b) is provided as described above, when the thickness of the second electrode 10 is thin, the second electrode is formed at the end of the reverse tapered partition 3. Although 10 may be cut | disconnected, by providing the forward tapered 1st partition 3a, the some organic electroluminescent element 4 is not made thicker than the thickness of the 2nd electrode 10 more than necessary. The second electrodes 10 may be formed to be connected to each other.

또한 본 실시 형태에서는, 제1 격벽(3a)은, 지지 기판(2)의 두께 방향 Z에 직교하는 제1 방향(본 실시 형태에서는 행방향 X)으로 각각 연장되고, 두께 방향 Z 및 제1 방향(X)에 각각 직교하는 제2 방향(본 실시 형태에서는 열방향 Y)으로 소정의 간격을 두고 배치되는 복수개의 순테이퍼 형상의 격벽으로 구성되고, 평면에서 보아 제1 격벽(3a)과 제2 격벽(3b)이 중첩되는 부위에서는, 제2 격벽(3b)은 지지 기판(2)과 제1 격벽(3a) 사이에 설치된다. 그로 인해, 평면에서 보아 제1 격벽(3a)과 제2 격벽(3b)이 중첩되는 부위에서는, 제2 격벽(3b)은 제1 격벽(3a)에 덮이는, 즉 제1 격벽(3a)가 노출되게 된다. 이러한 제1 격벽(3a)이 설치된 지지 기판(2) 상의 전체면에 도전성 박막(10a)을 형성하면, 평면에서 보아 제1 격벽(3a)과 제2 격벽(3b)이 중첩되는 부위에서는, 제2 격벽(3b)이 제1 격벽(3a)에 덮여 있기 때문에, 제1 격벽(3a)의 연장 방향을 따라, 해당 제1 격벽(3a) 상에 도전성 박막(10a)이 일렬로 형성된다. 본 실시 형태에서는 제1 격벽(3a)이 열방향 Y로 연장되도록 형성되어 있기 때문에, 열방향 Y에 인접하는 유기 전계발광 소자(4)의 제2 전극(10)끼리, 제1 격벽(3a) 상의 도전성 박막(10a)을 통해 이어지도록 형성되어 있다. 이에 의해, 제1 격벽(3a) 상의 도전성 박막(10a)을 통해 모든 유기 전계발광 소자의 제2 전극(10)끼리 이어지도록 형성된다. 그 때문에 제2 전극(10)이 모든 유기 전계발광 소자(4)에 공통되는 전극으로서 기능한다.In addition, in this embodiment, the 1st partition 3a extends in the 1st direction (row direction X in this embodiment) orthogonal to the thickness direction Z of the support substrate 2, respectively, and is the thickness direction Z and the 1st direction Comprising a plurality of forward tapered partitions arranged at predetermined intervals in a second direction (column direction Y in the present embodiment) orthogonal to (X), respectively, the first partition 3a and the second partition 3a in plan view. At the part where the partition 3b overlaps, the 2nd partition 3b is provided between the support substrate 2 and the 1st partition 3a. Therefore, in the part where the 1st partition 3a and the 2nd partition 3b overlap in planar view, the 2nd partition 3b is covered by the 1st partition 3a, ie, the 1st partition 3a. Will be exposed. When the conductive thin film 10a is formed on the whole surface on the support substrate 2 in which such the 1st partition 3a was provided, in the surface where the 1st partition 3a and the 2nd partition 3b overlap, the 1st Since the second partition 3b is covered by the first partition 3a, the conductive thin films 10a are formed in a row on the first partition 3a along the extending direction of the first partition 3a. In this embodiment, since the 1st partition 3a is formed so that it may extend in the column direction Y, the 2nd electrodes 10 of the organic electroluminescent element 4 adjacent to the column direction Y may be compared with the 1st partition 3a. It is formed to run through the conductive thin film 10a of the phase. Thereby, it is formed so that the 2nd electrode 10 of all organic electroluminescent elements may mutually connect through the conductive thin film 10a on the 1st partition 3a. Therefore, the second electrode 10 functions as an electrode common to all the organic electroluminescent elements 4.

또한 본 실시 형태에서는, 역테이퍼 형상의 제2 격벽(3b)이 유기 전계발광 소자(4)에 면하여 유기 전계발광 소자(4)를 둘러싸도록 배치되기 때문에, 격벽(3)에 둘러싸인 영역(오목부(5))에 공급된 잉크(22)는 모세관 현상에 의해, 제1 전극(16)과 제2 격벽(3b)이 접속되는 부분의 근방의 끝이 가는 형상의 부위에 흡입되도록 충전된 상태로 된다. 이 상태를 유지한 상태에서 잉크의 용매를 증발시킴으로써, 제1 전극(6)과 격벽(3)이 접속되는 부위의 근방의 끝이 가는 형상의 부위에도 유기층이 형성된다. 이에 의해 균일한 두께의 유기층을 얻을 수 있다.In addition, in this embodiment, since the reverse tapered 2nd partition 3b is arrange | positioned facing the organic electroluminescent element 4, and surrounds the organic electroluminescent element 4, the area | region enclosed by the partition 3 (concave concave) The ink 22 supplied to the portion 5 is charged so as to be sucked into the thin portion of the shape near the end of the portion where the first electrode 16 and the second partition 3b are connected by a capillary phenomenon. It becomes By evaporating the solvent of ink in the state which maintained this state, an organic layer is formed also in the site | part of the shape of the end near the site | part where the 1st electrode 6 and the partition 3 are connected. Thereby, the organic layer of uniform thickness can be obtained.

또한 순테이퍼 형상의 제1 전극(6)과 제1 격벽(3a)이 접속되는 부위에서는, 격벽(3)에 둘러싸인 영역(오목부(5))에 공급된 잉크(22)는 제1 격벽(3a)에 튀기면서 건조되는 경우가 있을 수 있다. 그러나, 유기 전계발광 소자(4)에 면하여 유기 전계발광 소자(4)의 일부분을 둘러싸도록 역테이퍼 형상의 제2 격벽(3b)을 설치함으로써, 적어도 유기층 전체적으로는 순테이퍼 형상의 격벽에만 둘러싸인 오목부에 유기층을 형성하는 경우보다도 평탄하고 균일한 두께의 유기층이 얻어진다.In addition, at the portion where the forward tapered first electrode 6 and the first partition 3a are connected, the ink 22 supplied to the region (concave portion 5) surrounded by the partition 3 is divided into a first partition ( There may be cases where it dries while frying in 3a). However, by providing the reverse tapered second partition 3b so as to face the organic electroluminescent element 4 to surround a part of the organic electroluminescent element 4, at least the organic layer as a whole is surrounded by only the forward tapered partition. The organic layer of a flat and uniform thickness is obtained than in the case of forming an organic layer in the portion.

또한 오목부(5)에 있어서, 유기층의 두께가 보다 얇아지는 부위는, 평면에서 보면 오목부(5)의 형상에 크게 의존한다. 예를 들어 순테이퍼 형상의 격벽에만 둘러싸인 오목부에, 지지 기판의 두께 방향에 수직인 소정의 방향으로 연장되는 형상을 갖는 유기 전계발광 소자를 형성하는 경우, 즉, 본 실시 형태와 같이 열방향 Y로 연장되는 유기 전계발광 소자를 형성하는 경우, 오목부에 공급된 잉크는 긴 방향(열방향 Y)의 일단부 및 타단부 중 어느 하나, 또는 짧은 방향(행방향 X)의 중앙부에 모이는 경향이 있다. 이 경우, 유기층은, 긴 방향(열방향 Y)의 일단부측 및 타단부측 중 어느 하나의 두께가 더 얇아지거나, 짧은 방향(행방향 X)의 일단부측 및 타단부측의 두께가 더 얇아지거나 하는 경향이 있다.Moreover, in the recessed part 5, the site | part in which the thickness of an organic layer becomes thinner depends on the shape of the recessed part 5 in plan view. For example, in the case where an organic electroluminescent element having a shape extending in a predetermined direction perpendicular to the thickness direction of the supporting substrate is formed in the recess surrounded by only the forward tapered partition, that is, in the column direction Y as in the present embodiment In the case of forming the organic electroluminescent element extending in the direction of the ink, the ink supplied to the concave portion tends to gather at one of the one end and the other end of the long direction (column direction Y) or at the center of the short direction (row direction X). have. In this case, the thickness of either the one end side and the other end side of the long direction (column direction Y) becomes thinner, or the thickness of the one end side and the other end side of the short direction (row direction X) becomes thinner, or Tend to.

이렇게 소정의 방향으로 연장되는 유기 전계발광 소자의 경우에는, 본 실시 형태와 같이 제1 격벽(3a)은, 평면에서 보아 유기 전계발광 소자(4)의 짧은 방향(행방향 X)의 한쪽 및 다른 쪽 단부면에 면하고, 즉, 유기 전계발광 소자의 짧은 방향의 직선적인 외주를 둘러싼(외주에 면함) 측면이 평면에서 보아 긴 방향으로 직선적으로 연장되도록 배치되고, 제2 격벽(3b)은, 유기 전계발광 소자(4)의 긴 방향(열방향 Y)의 한쪽 및 다른 쪽 단부면에 면하고, 즉, 유기 전계발광 소자의 긴 방향의 원호형의 외주를 둘러싸는(외주에 면함) 측면이 평면에서 보아 짧은 방향으로 원호형으로 연장되도록 배치되는 것이 바람직하다. 제2 격벽(3b)을 이렇게 배치하면, 오목부(5)에 공급된 잉크(22)는, 역테이퍼 형상의 제2 격벽(3b)의 측면에 면하는 긴 방향(열방향 Y)의 일단부측 및 타단부측의 끝이 가는 형상의 부위에 모세관 현상에 의해 가까이 끌어당겨져, 제2 격벽(3b)의 측면에서 구속되어 박막으로 되기 때문에, 순테이퍼 형상의 격벽에만 둘러싸인 오목부에 형성되는 유기층보다도 평탄하고 균일한 두께의 유기층이 얻어진다.In the case of the organic electroluminescent element extending in the predetermined direction in this manner, the first partition 3a is different from one side of the short direction (row direction X) of the organic electroluminescent element 4 in plan view as in the present embodiment. The side face facing the end surface, that is, the side surrounding the linear outer circumference of the organic EL device in a short direction (faced to the outer circumference) is disposed so as to extend linearly in the long direction in plan view, and the second partition 3b is The side face of one side and the other end surface of the long direction (column direction Y) of the organic electroluminescent element 4, that is, the side surrounding the outer periphery of the long arc of the organic electroluminescent element (faced to the outer periphery) is It is preferably arranged to extend in an arc in a short direction in plan view. When the 2nd partition 3b is arrange | positioned in this way, the ink 22 supplied to the recessed part 5 will be the one end side of the elongate direction (column direction Y) facing the side surface of the 2nd partition 3b of reverse taper shape. And an organic layer that is attracted by a capillary phenomenon to a thinly shaped portion on the other end side and is constrained on the side of the second partition 3b to form a thin film, and thus formed in a recess surrounded by only a forward tapered partition. An organic layer of flat and uniform thickness is obtained.

또한 제1 격벽(3a)이 유기 전계발광 소자(4)의 짧은 방향(행방향 X)의 한쪽 및 다른 쪽 단부면에 면하여 배치되고, 제2 격벽(3b)이 유기 전계발광 소자(4)의 긴 방향(열방향 Y)의 한쪽 및 다른 쪽 단부면에 면하여 배치되면, 평면에서 보아 제2 전극(10)이 절단될 우려가 있는 긴 방향(열방향 Y)의 일단부측과 타단부측(짧은 변)이며, 제2 전극(10)은 짧은 방향(행방향 X)의 일단부측과 타단부측(긴 변)에서 격벽(3) 상의 도전성 박막(10a)과 접속하고 있다. 이러한 본 실시 형태와, 제2 전극(10)이 짧은 방향(행방향 X)의 일단부측과 타단부측에 의해 절단되어 있는 형태를 비교하면, 격벽(3) 상의 도전성 박막(10a)과 분단되어 있는 영역은 본 실시 형태의 유기 전계발광 소자(4)가 더 적고, 격벽(3) 상에서 도전성 박막(10a)이 일체적으로 구성되어 있는 영역은 본 실시 형태의 유기 전계발광 소자(4)가 더 많아지기 때문에, 배선 저항을 작게 할 수 있다.Moreover, the 1st partition 3a is arrange | positioned facing the one end and the other end surface of the short direction (row direction X) of the organic electroluminescent element 4, and the 2nd partition 3b is the organic electroluminescent element 4 When disposed to face one end and the other end face in the long direction (column direction Y) of, the one end side and the other end side of the long direction (column direction Y) in which the second electrode 10 may be cut in plan view. (Short side), the second electrode 10 is connected to the conductive thin film 10a on the partition 3 at one end side and the other end side (long side) in the short direction (row direction X). Comparing this embodiment with the form which the 2nd electrode 10 cut | disconnected by the one end side and the other end side of a short direction (row direction X), it is divided with the electroconductive thin film 10a on the partition 3 In the area where the organic electroluminescent element 4 of the present embodiment is smaller, the area where the conductive thin film 10a is integrally formed on the partition 3 is the organic electroluminescent element 4 of the present embodiment. Since it increases, wiring resistance can be made small.

<유기 전계발광 소자의 구성> <Configuration of Organic Electroluminescent Element>

이하에서는 유기 전계발광 소자의 구성에 대하여 더욱 상세하게 설명한다. 유기 전계발광 소자는, 유기층으로서 적어도 1층의 발광층을 갖는다. 유기 전계발광 소자는, 상술한 바와 같이 예를 들어 정공 주입층, 정공 수송층, 전자 블록층, 정공 블록층, 전자 수송층 및 전자 주입층 등의 소정의 층을 더 구비하는 경우가 있다.Hereinafter, the configuration of the organic electroluminescent device will be described in more detail. The organic electroluminescent element has at least one light emitting layer as an organic layer. As described above, the organic electroluminescent device may further include predetermined layers such as a hole injection layer, a hole transport layer, an electron block layer, a hole block layer, an electron transport layer, and an electron injection layer.

본 실시 형태의 유기 전계발광 소자의 취할 수 있는 층 구성의 일례를 이하에 나타낸다.An example of the layerable structure of the organic electroluminescent element of this embodiment is shown below.

a) 양극/발광층/음극 a) anode / light emitting layer / cathode

b) 양극/정공 주입층/발광층/음극 b) anode / hole injection layer / light emitting layer / cathode

c) 양극/정공 주입층/발광층/전자 주입층/음극 c) anode / hole injection layer / light emitting layer / electron injection layer / cathode

d) 양극/정공 주입층/발광층/전자 수송층/음극 d) anode / hole injection layer / light emitting layer / electron transport layer / cathode

e) 양극/정공 주입층/발광층/전자 수송층/전자 주입층/음극 e) anode / hole injection layer / light emitting layer / electron transport layer / electron injection layer / cathode

f) 양극/정공 수송층/발광층/음극 f) anode / hole transport layer / light emitting layer / cathode

g) 양극/정공 수송층/발광층/전자 주입층/음극 g) anode / hole transport layer / light emitting layer / electron injection layer / cathode

h) 양극/정공 수송층/발광층/전자 수송층/음극 h) anode / hole transport layer / light emitting layer / electron transport layer / cathode

i) 양극/정공 수송층/발광층/전자 수송층/전자 주입층/음극 i) Anode / hole transport layer / light emitting layer / electron transport layer / electron injection layer / cathode

j) 양극/정공 주입층/정공 수송층/발광층/음극 j) Anode / hole injection layer / hole transport layer / light emitting layer / cathode

k) 양극/정공 주입층/정공 수송층/발광층/전자 주입층/음극 k) anode / hole injection layer / hole transport layer / light emitting layer / electron injection layer / cathode

l) 양극/정공 주입층/정공 수송층/발광층/전자 수송층/음극 l) Anode / hole injection layer / hole transport layer / light emitting layer / electron transport layer / cathode

m) 양극/정공 주입층/정공 수송층/발광층/전자 수송층/전자 주입층/음극m) Anode / hole injection layer / hole transport layer / light emitting layer / electron transport layer / electron injection layer / cathode

n) 양극/발광층/전자 주입층/음극 n) anode / light emitting layer / electron injection layer / cathode

o) 양극/발광층/전자 수송층/음극 o) anode / light emitting layer / electron transport layer / cathode

p) 양극/발광층/전자 수송층/전자 주입층/음극 p) anode / light emitting layer / electron transport layer / electron injection layer / cathode

(여기서, 기호 「/」는, 기호 「/」를 사이에 두는 각 층이 인접하여 적층되어 있는 것을 나타낸다. 이하 동일하다)(Here, the symbol "/" shows that each layer which interposes the symbol "/" is laminated | stacked adjacently. It is the same below.)

상술한 실시 형태에서는 제1 전극(6)이 양극으로서 기능하고, 제2 전극(10)이 음극으로서 기능하는 유기 전계발광 소자(4)에 대하여 설명했다. 이 형태에서는, 예를 들어 상기 a) 내지 p)의 각 구성 요소는, 보다 좌측에 나타낸 양극부터 순차적으로 지지 기판(2) 상에 적층된다. 또한 제1 전극(6)이 음극으로서 기능하고, 제2 전극(10)이 양극으로서 기능하는 유기 전계발광 소자(4)에서는, 예를 들어 상기 a) 내지 p)의 층 구성의 각 구성 요소는, 보다 우측에 나타낸 음극부터 순차적으로 지지 기판(2) 상에 적층된다.In the above-described embodiment, the organic electroluminescent element 4 in which the first electrode 6 functions as an anode and the second electrode 10 functions as a cathode has been described. In this aspect, for example, each component of said a) -p) is laminated | stacked on the support substrate 2 sequentially from the anode shown on the left side more. In the organic electroluminescent element 4 in which the first electrode 6 functions as a cathode and the second electrode 10 functions as an anode, for example, each component of the layer configuration of a) to p) is And sequentially stacked on the support substrate 2 from the cathode shown on the right side.

<지지 기판> <Support substrate>

지지 기판(2)에는, 유기 전계발광 소자(4)를 제조하는 공정에 있어서 화학적으로 변화시키지 않는 것이 적절하게 사용되고, 예를 들어 유리, 플라스틱, 고분자 필름 및 실리콘판, 및 이들을 적층한 기판 등이 사용된다.As the support substrate 2, one which is not chemically changed in the process of manufacturing the organic electroluminescent element 4 is suitably used. For example, a glass, a plastic, a polymer film and a silicon plate, a substrate in which these are laminated, etc. Used.

<양극> <Anode>

발광층으로부터 방사되는 광이 양극을 통하여 외계에 출사하는 구성의 유기 전계발광 소자의 경우, 양극에는 광투과성을 나타내는 전극이 사용된다. 광투과성을 나타내는 전극으로서는, 금속 산화물, 금속 황화물 및 금속 등의 박막을 사용할 수 있고, 전기 전도도 및 광투과율이 높은 것이 적절하게 사용된다. 구체적으로는 산화인듐, 산화아연, 산화주석, 인듐주석 산화물(Indium Tin Oxide: ITO), 인듐아연 산화물(Indium Zinc Oxide: IZO), 금, 백금, 은 및 구리 등을 포함하는 박막이 사용되고, 이들 중에서도 ITO, IZO 또는 산화주석을 포함하는 박막이 적절하게 사용된다.In the case of an organic electroluminescent element having a configuration in which light emitted from a light emitting layer is emitted to the external field through an anode, an electrode showing light transparency is used for the anode. As an electrode which shows light transmittance, thin films, such as a metal oxide, a metal sulfide, and a metal, can be used, and the thing with high electrical conductivity and light transmittance is used suitably. Specifically, a thin film containing indium oxide, zinc oxide, tin oxide, indium tin oxide (ITO), indium zinc oxide (IZO), gold, platinum, silver, copper, or the like is used, and these Among them, a thin film containing ITO, IZO or tin oxide is suitably used.

양극의 제작 방법의 예로서는, 진공 증착법, 스퍼터링법, 이온 플레이팅법, 도금법 등을 들 수 있다. 또한, 양극으로서, 폴리아닐린 또는 그의 유도체, 폴리티오펜 또는 그의 유도체 등의 유기의 투명 도전막을 사용할 수도 있다.As an example of the manufacturing method of an anode, a vacuum vapor deposition method, a sputtering method, an ion plating method, a plating method, etc. are mentioned. Moreover, as an anode, organic transparent conductive films, such as polyaniline or its derivative (s), polythiophene or its derivative (s), can also be used.

<음극> <Cathode>

음극의 재료로서는, 일함수가 작고, 발광층에 대한 전자 주입이 용이하고, 전기 전도도가 높은 재료가 바람직하다. 또한 양극측으로부터 광을 취출하는 구성의 유기 전계발광 소자에서는, 발광층으로부터 방사되는 광을 음극에서 양극측에 반사하기 때문에, 음극의 재료로서는 가시광에 대한 반사율이 높은 재료가 바람직하다. 음극에는, 예를 들어 알칼리 금속, 알칼리 토금속, 전이 금속 및 주기율표의 제13족 금속 등을 사용할 수 있다. 음극의 재료로서는, 예를 들어 리튬, 나트륨, 칼륨, 루비듐, 세슘, 베릴륨, 마그네슘, 칼슘, 스트론튬, 바륨, 알루미늄, 스칸듐, 바나듐, 아연, 이트륨, 인듐, 세륨, 사마륨, 유로퓸, 테르븀, 이테르븀 등의 금속, 상기 금속 중의 2종 이상의 합금, 상기 금속 중의 1종 이상과, 금, 은, 백금, 구리, 망간, 티타늄, 코발트, 니켈, 텅스텐, 주석 중 1종 이상의 합금 또는 그래파이트 또는 그래파이트 층간 화합물 등이 사용된다. 합금의 예로서는, 마그네슘-은 합금, 마그네슘-인듐 합금, 마그네슘-알루미늄 합금, 인듐-은 합금, 리튬-알루미늄 합금, 리튬-마그네슘 합금, 리튬-인듐 합금, 칼슘-알루미늄 합금 등을 들 수 있다. 또한 음극으로서는 도전성 금속 산화물 및 도전성 유기물 등을 포함하는 투명 도전성 전극을 사용할 수 있다. 구체적으로는, 도전성 금속 산화물의 예로서 산화인듐, 산화아연, 산화주석, ITO 및 IZO를 들 수 있다. 도전성 유기물의 예로서 폴리아닐린 또는 그의 유도체, 폴리티오펜 또는 그의 유도체 등을 들 수 있다. 또한 음극은, 2층 이상을 적층한 적층체로 구성되어 있을 수도 있다.As the material of the cathode, a material having a small work function, easy electron injection into the light emitting layer, and high electrical conductivity is preferable. Moreover, in the organic electroluminescent element of the structure which takes out light from an anode side, since the light radiate | emitted from a light emitting layer reflects to an anode side from a cathode, the material with high reflectance with respect to visible light is preferable as a material of a cathode. As the negative electrode, for example, alkali metals, alkaline earth metals, transition metals and Group 13 metals of the periodic table can be used. Examples of the material of the negative electrode include lithium, sodium, potassium, rubidium, cesium, beryllium, magnesium, calcium, strontium, barium, aluminum, scandium, vanadium, zinc, yttrium, indium, cerium, samarium, europium, terbium, ytterbium, and the like. Metals, two or more alloys of the metals, one or more of the metals, and one or more alloys of gold, silver, platinum, copper, manganese, titanium, cobalt, nickel, tungsten, tin or graphite or graphite interlayer compounds, etc. This is used. Examples of the alloys include magnesium-silver alloys, magnesium-indium alloys, magnesium-aluminum alloys, indium-silver alloys, lithium-aluminum alloys, lithium-magnesium alloys, lithium-indium alloys and calcium-aluminum alloys. As the cathode, a transparent conductive electrode containing a conductive metal oxide, a conductive organic substance, or the like can be used. Specifically, examples of the conductive metal oxide include indium oxide, zinc oxide, tin oxide, ITO and IZO. Examples of the conductive organics include polyaniline or derivatives thereof, polythiophene or derivatives thereof, and the like. Moreover, the cathode may be comprised by the laminated body which laminated | stacked two or more layers.

또한 전자 주입층이 음극으로서 사용되는 경우도 있다.In addition, an electron injection layer may be used as a cathode.

음극의 제작 방법의 예로서는, 진공 증착법, 이온 플레이팅법 등을 들 수 있다.As an example of the manufacturing method of a cathode, a vacuum vapor deposition method, an ion plating method, etc. are mentioned.

양극 또는 음극의 두께는, 요구되는 특성, 성막 공정의 간이성 등을 고려하여 적절히 설정할 수 있다. 양극 또는 음극의 두께는, 예를 들어 10nm 내지 10㎛이며, 바람직하게는 20nm 내지 1㎛이며, 더욱 바람직하게는 50nm 내지 500nm이다.The thickness of the positive electrode or the negative electrode can be appropriately set in consideration of required properties, simplicity of the film forming step, and the like. The thickness of the positive electrode or the negative electrode is, for example, 10 nm to 10 μm, preferably 20 nm to 1 μm, and more preferably 50 nm to 500 nm.

<정공 주입층> <Hole injection layer>

정공 주입층을 구성하는 정공 주입 재료의 예로서는, 산화바나듐, 산화몰리브덴, 산화루테늄 및 산화알루미늄 등의 산화물, 페닐아민 화합물, 스타버스트형 아민 화합물, 프탈로시아닌 화합물, 아몰퍼스 카본, 폴리아닐린 및 폴리티오펜 유도체 등을 들 수 있다.Examples of the hole injection material constituting the hole injection layer include oxides such as vanadium oxide, molybdenum oxide, ruthenium oxide and aluminum oxide, phenylamine compounds, starburst amine compounds, phthalocyanine compounds, amorphous carbon, polyaniline and polythiophene derivatives, and the like. Can be mentioned.

정공 주입층의 성막 방법으로서는, 예를 들어 정공 주입 재료를 포함하는 용액으로부터의 성막을 들 수 있다. 정공 주입층은, 예를 들어 정공 주입 재료를 포함하는 용액을 소정의 도포법에 의해 도포 성막하고, 이것을 더 고화함으로써 형성할 수 있다.As a film-forming method of a hole injection layer, film-forming from the solution containing a hole injection material is mentioned, for example. The hole injection layer can be formed by, for example, coating a solution containing a hole injection material by a predetermined coating method and further solidifying it.

정공 주입층의 두께는, 요구되는 특성, 공정의 간이성 등을 고려하여 적절히 설정된다. 정공 주입층의 두께는, 예를 들어 1nm 내지 1㎛이며, 바람직하게는 2nm 내지 500nm이며, 더욱 바람직하게는 5nm 내지 200nm이다.The thickness of the hole injection layer is appropriately set in consideration of required properties, simplicity of the process, and the like. The thickness of a hole injection layer is 1 nm-1 micrometer, for example, Preferably it is 2 nm-500 nm, More preferably, it is 5 nm-200 nm.

<정공 수송층> &Lt; Hole transport layer &

정공 수송층을 구성하는 정공 수송 재료의 예로서는, 폴리비닐카르바졸 또는 그의 유도체, 폴리실란 또는 그의 유도체, 측쇄 또는 주쇄에 방향족 아민을 갖는 폴리실록산 유도체, 피라졸린 유도체, 아릴아민 유도체, 스틸벤 유도체, 트리페닐 디아민 유도체, 폴리아닐린 또는 그의 유도체, 폴리티오펜 또는 그의 유도체, 폴리아릴아민 또는 그의 유도체, 폴리피롤 또는 그의 유도체, 폴리(p-페닐렌비닐렌) 또는 그의 유도체, 또는 폴리(2,5-티에닐렌비닐렌) 또는 그의 유도체 등을 들 수 있다.Examples of the hole transport material constituting the hole transport layer include polyvinylcarbazole or derivatives thereof, polysilane or derivatives thereof, polysiloxane derivatives having an aromatic amine in the side chain or the main chain, pyrazoline derivatives, arylamine derivatives, stilbene derivatives and triphenyl Diamine derivatives, polyaniline or derivatives thereof, polythiophene or derivatives thereof, polyarylamines or derivatives thereof, polypyrrole or derivatives thereof, poly (p-phenylenevinylene) or derivatives thereof, or poly (2,5-thienylenevinyl) Lene) or derivatives thereof, and the like.

정공 수송층의 두께는, 요구되는 특성, 성막 공정의 간이성 등을 고려하여 설정된다. 정공 수송층의 두께는, 예를 들어 1nm 내지 1㎛이며, 바람직하게는 2nm 내지 500nm이며, 더욱 바람직하게는 5nm 내지 200nm이다.The thickness of the hole transport layer is set in consideration of required properties, simplicity of the film forming process, and the like. The thickness of the hole transport layer is, for example, 1 nm to 1 μm, preferably 2 nm to 500 nm, and more preferably 5 nm to 200 nm.

<발광층> <Light Emitting Layer>

발광층은, 통상 주로 형광 및／또는 인광을 발광하는 유기물 또는 상기 유기물과 이것을 보조하는 도펀트로 형성된다. 도펀트는, 예를 들어 발광 효율을 향상시키고, 발광 파장을 변화시키기 위하여 가해진다. 또한 발광층을 구성하는 유기물은 저분자 화합물일 수도 있고, 고분자 화합물일 수도 있으며, 도포법에 의해 발광층을 형성하는 경우에는, 발광층은 고분자 화합물을 포함하는 것이 바람직하다. 발광층을 구성하는 고분자 화합물의 폴리스티렌 환산의 수 평균 분자량은 예를 들어 10³ 내지 10⁸ 정도이다. 발광층을 구성하는 발광 재료로서는, 예를 들어 이하의 색소 재료, 금속 착체 재료, 고분자 재료, 도펀트 재료를 들 수 있다.The light emitting layer is usually formed mainly of an organic substance which emits fluorescence and / or phosphorescence or a dopant which assists the organic substance. The dopant is added, for example, to improve luminous efficiency and to change luminous wavelength. The organic material constituting the light emitting layer may be a low molecular compound or a high molecular compound, and when the light emitting layer is formed by a coating method, the light emitting layer preferably contains a high molecular compound. The number average molecular weight of polystyrene conversion of the high molecular compound which comprises a light emitting layer is about 10 <^3> -10 <^8> , for example. As a light emitting material which comprises a light emitting layer, the following pigment | dye material, a metal complex material, a polymeric material, and a dopant material are mentioned, for example.

(색소 재료) (Color material)

색소 재료로서는, 예를 들어 시클로펜다민 유도체, 테트라페닐부타디엔 유도체 화합물, 트리페닐아민 유도체, 옥사디아졸 유도체, 피라졸로퀴놀린 유도체, 디스티릴벤젠 유도체, 디스티릴아릴렌 유도체, 피롤 유도체, 티오펜 환 화합물, 피리딘 환 화합물, 페리논 유도체, 페릴렌 유도체, 올리고티오펜 유도체, 옥사디아졸 이량체, 피라졸린 이량체, 퀴나크리돈 유도체, 쿠마린 유도체 등을 들 수 있다.As a dye material, for example, a cyclopentamine derivative, a tetraphenylbutadiene derivative compound, a triphenylamine derivative, an oxadiazole derivative, a pyrazoloquinoline derivative, a distyrylbenzene derivative, a distyryl arylene derivative, a pyrrole derivative, a thiophene ring A compound, a pyridine ring compound, a perinone derivative, a perylene derivative, an oligothiophene derivative, an oxadiazole dimer, a pyrazoline dimer, a quinacridone derivative, a coumarin derivative, etc. are mentioned.

(금속 착체 재료) (Metal complex material)

금속 착체 재료로서는, 예를 들어 Tb, Eu, Dy 등의 희토류 금속 또는 Al, Zn, Be, Ir, Pt 등을 중심 금속에 갖고, 옥사디아졸, 티아디아졸, 페닐피리딘, 페닐벤조이미다졸, 퀴놀린 구조 등을 배위자에 갖는 금속 착체를 들 수 있다. 금속 착체 재료로서는, 예를 들어 이리듐 착체, 백금 착체 등의 삼중항 여기 상태로부터의 발광을 갖는 금속 착체, 알루미늄퀴놀리놀 착체, 벤조퀴놀리놀베릴륨 착체, 벤조옥사졸릴아연 착체, 벤조티아졸아연 착체, 아조메틸아연 착체, 포르피린아연 착체, 페난트롤린유로퓸 착체 등을 들 수 있다.Examples of the metal complex material include rare earth metals such as Tb, Eu, and Dy, or Al, Zn, Be, Ir, and Pt in the central metal, and include oxadiazole, thiadiazole, phenylpyridine, phenylbenzoimidazole, The metal complex which has a quinoline structure etc. in a ligand is mentioned. Examples of the metal complex material include metal complexes having light emission from triplet excited states such as iridium complexes and platinum complexes, aluminum quinolinol complexes, benzoquinolinol beryllium complexes, benzoxazolyl zinc complexes, and benzothiazol zincs. A complex, an azomethyl zinc complex, a porphyrin zinc complex, a phenanthroline europium complex, etc. are mentioned.

(고분자 재료) (Polymer material)

고분자 재료의 예로서는, 폴리파라페닐렌비닐렌 유도체, 폴리티오펜 유도체, 폴리파라페닐렌 유도체, 폴리실란 유도체, 폴리아세틸렌 유도체, 폴리플루오렌 유도체, 폴리비닐카르바졸 유도체, 상기 색소 재료, 금속 착체 발광 재료를 고분자화한 재료 등을 들 수 있다.Examples of the polymer material include polyparaphenylene vinylene derivatives, polythiophene derivatives, polyparaphenylene derivatives, polysilane derivatives, polyacetylene derivatives, polyfluorene derivatives, polyvinylcarbazole derivatives, the above pigment materials and metal complex luminescence The material which polymerized the material, etc. are mentioned.

발광층의 두께는, 통상 약 2nm 내지 200nm이다.The thickness of the light emitting layer is usually about 2 nm to 200 nm.

<전자 수송층> <Electron transport layer>

전자 수송층을 구성하는 전자 수송 재료로서는, 공지의 재료를 사용할 수 있다. 전자 수송 재료의 예로서는, 옥사디아졸 유도체, 안트라퀴노디메탄 또는 그의 유도체, 벤조퀴논 또는 그의 유도체, 나프토퀴논 또는 그의 유도체, 안트라퀴논 또는 그의 유도체, 테트라시아노안트라퀴노디메탄 또는 그의 유도체, 플루오레논 유도체, 디페닐디시아노에틸렌 또는 그의 유도체, 디페노퀴논 유도체, 또는 8-히드록시퀴놀린 또는 그의 유도체의 금속 착체, 폴리퀴놀린 또는 그의 유도체, 폴리퀴녹살린 또는 그의 유도체, 폴리플루오렌 또는 그의 유도체 등을 들 수 있다.A well-known material can be used as an electron carrying material which comprises an electron carrying layer. Examples of the electron transporting material include oxadiazole derivatives, anthraquinodimethane or derivatives thereof, benzoquinone or derivatives thereof, naphthoquinone or derivatives thereof, anthraquinone or derivatives thereof, tetracyanoanthraquinomethane or derivatives thereof, fluorine Lenone derivatives, diphenyl dicyanoethylene or derivatives thereof, diphenoquinone derivatives, metal complexes of 8-hydroxyquinoline or derivatives thereof, polyquinoline or derivatives thereof, polyquinoxaline or derivatives thereof, polyfluorene or derivatives thereof and the like Can be mentioned.

전자 수송층의 두께는, 요구되는 특성, 성막 공정의 간이성 등을 고려하여 적절히 설정된다. 전자 수송층의 두께는, 예를 들어 1nm 내지 1㎛이며, 바람직하게는 2nm 내지 500nm이며, 더욱 바람직하게는 5nm 내지 200nm이다.The thickness of the electron transport layer is appropriately set in consideration of required properties, simplicity of the film forming step, and the like. The thickness of an electron carrying layer is 1 nm-1 micrometer, for example, Preferably it is 2 nm-500 nm, More preferably, it is 5 nm-200 nm.

<전자 주입층> <Electron injection layer>

전자 주입층을 구성하는 재료로서는, 발광층의 종류에 따라 최적의 재료가 적절히 선택된다. 전자 주입층을 구성하는 재료의 예로서는, 알칼리 금속, 알칼리 토금속, 알칼리 금속 및 알칼리 토금속 중 1종류 이상을 포함하는 합금, 알칼리 금속 또는 알칼리 토금속의 산화물, 할로겐화물, 탄산염 및 이들 물질의 혼합물 등을 들 수 있다.As a material which comprises an electron injection layer, the optimal material is selected suitably according to the kind of light emitting layer. As an example of the material which comprises an electron injection layer, the alloy containing one or more types of an alkali metal, alkaline-earth metal, alkali metal, and alkaline-earth metal, oxide of an alkali metal or alkaline earth metal, halide, carbonate, a mixture of these substances, etc. are mentioned. Can be.

알칼리 금속, 알칼리 금속의 산화물, 할로겐화물 및 탄산염의 예로서는, 리튬, 나트륨, 칼륨, 루비듐, 세슘, 산화리튬, 불화리튬, 산화나트륨, 불화나트륨, 산화칼륨, 불화칼륨, 산화루비듐, 불화루비듐, 산화세슘, 불화세슘, 탄산리튬 등을 들 수 있다. 또한, 알칼리 토금속, 알칼리 토금속의 산화물, 할로겐화물, 탄산염의 예로서는, 마그네슘, 칼슘, 바륨, 스트론튬, 산화마그네슘, 불화마그네슘, 산화칼슘, 불화칼슘, 산화바륨, 불화바륨, 산화스트론튬, 불화스트론튬, 탄산마그네슘 등을 들 수 있다. 전자 주입층은, 2층 이상을 적층한 적층체로 구성될 수도 있고, 예를 들어 LiF층 및 Ca층의 적층체 등을 들 수 있다.Examples of alkali metals, oxides, halides, and carbonates of alkali metals include lithium, sodium, potassium, rubidium, cesium, lithium oxide, lithium fluoride, sodium oxide, sodium fluoride, potassium oxide, potassium fluoride, rubidium oxide, rubidium fluoride, and oxides. Cesium, cesium fluoride, lithium carbonate and the like. Examples of the oxides, halides, and carbonates of alkaline earth metals and alkaline earth metals include magnesium, calcium, barium, strontium, magnesium oxide, magnesium fluoride, calcium oxide, calcium fluoride, barium oxide, barium fluoride, strontium oxide, strontium fluoride, and carbonate. Magnesium etc. are mentioned. An electron injection layer may be comprised by the laminated body which laminated | stacked two or more layers, For example, the laminated body of a LiF layer, Ca layer, etc. are mentioned.

전자 주입층의 두께는, 1nm 내지 1㎛ 정도가 바람직하다.As for the thickness of an electron injection layer, about 1 nm-about 1 micrometer are preferable.

상술한 각 유기층은, 예를 들어 노즐 프린팅법, 잉크젯 프린팅법, 철판 인쇄법, 요판 인쇄법 등의 도포법, 진공 증착법, 스퍼터링법 또는 CVD법 등에 의해 형성할 수 있다.Each organic layer mentioned above can be formed by the nozzle printing method, the inkjet printing method, the iron plate printing method, the coating method, such as the intaglio printing method, the vacuum deposition method, the sputtering method or the CVD method.

또한 도포법에서는, 각 유기층으로 되는 유기 전계발광 재료를 포함하는 잉크를 도포 성막하고, 도포 성막된 잉크를 더 고화함으로써 유기층을 형성한다. 사용되는 잉크의 용매에는, 예를 들어 클로로포름, 염화메틸렌, 디클로로에탄 등의 염소 용매, 테트라히드로푸란 등의 에테르 용매, 톨루엔, 크실렌 등의 방향족 탄화수소 용매, 아세톤, 메틸에틸케톤 등의 케톤 용매, 아세트산에틸, 아세트산부틸, 에틸셀로솔브아세테이트 등의 에스테르 용매 및 물 등이 사용된다.In the coating method, an organic layer is formed by coating a film containing an organic electroluminescent material serving as each organic layer and further solidifying the coated film. As a solvent of the ink used, for example, chlorine solvents such as chloroform, methylene chloride and dichloroethane, ether solvents such as tetrahydrofuran, aromatic hydrocarbon solvents such as toluene and xylene, ketone solvents such as acetone and methyl ethyl ketone, and acetic acid Ester solvents, such as ethyl, butyl acetate, an ethyl cellosolve acetate, water, etc. are used.

실시예 Example

본 발명을 더욱 상세하게 설명하기 위하여 이하에 실시예를 나타낸다. 본 발명은 하기 실시예에 한정되는 것은 아니다.In order to demonstrate this invention further in detail, an Example is shown below. The present invention is not limited to the following examples.

(실시예 1) (Example 1)

제1 전극으로서 기능하는 ITO 박막이 형성된 지지 기판(TFT 기판)을 준비한다(도 7a, 도 7b 및 도 7c 참조). 이 지지 기판 상에, 네가티브형 감광성 수지 용액 1(닛본 제온 가부시끼가이샤제 ZPN2464)을 스핀 코터를 사용하여 도포 성막하고, 핫 플레이트 상에서 110℃에서 90초간 가열하는 프리베이크 공정을 실시함으로써 용제 성분을 기화시킨다(도 8a, 도 8b 및 도 8c 참조). 다음에 프록시미티 노광기를 사용하여 노광량 100mJ/㎠로 노광한다. 또한 현상액(가부시끼가이샤 토쿠야마제 SD-1(TMAH 2.38중량％))을 사용하여 80초간 현상하여, 역테이퍼 형상의 제2 격벽(3b)을 형성한다. 다음에 230℃에서 30분간 가열하는 포스트베이크 공정을 실시함으로써 수지를 경화시켜, 두께가 0.8㎛인 제2 격벽(3b)을 형성한다. 이와 같이 하여 형성된 제2 격벽(3b)의 측면과 제2 격벽(3b)의 저면이 이루는 각 θ2의 각도는 약 115°로 된다.A supporting substrate (TFT substrate) on which an ITO thin film serving as the first electrode is formed (see FIGS. 7A, 7B, and 7C). On this support substrate, a solvent component is formed by applying a negative photosensitive resin solution 1 (ZPN2464 manufactured by Nippon Xeon Co., Ltd.) using a spin coater and performing a prebaking step of heating at 110 ° C. for 90 seconds on a hot plate. Vaporize (see FIGS. 8A, 8B and 8C). Next, exposure is performed at an exposure dose of 100 mJ / cm 2 using a proximity exposure machine. Furthermore, it develops for 80 second using the developing solution (SD-1 (TMAH 2.38 weight%) made from Tokuyama, Inc.), and forms the reverse tapered 2nd partition 3b. Next, the resin is cured by performing a post-baking step of heating at 230 ° C. for 30 minutes to form a second partition 3b having a thickness of 0.8 μm. The angle of the angle θ2 formed between the side surfaces of the second partition walls 3b and the bottom surface of the second partition walls 3b thus formed is about 115 °.

다음에 포지티브형 감광성 수지 용액(닛본 제온 가부시끼가이샤제 ZPN6216)을 스핀 코터를 사용하여 도포 성막하고, 핫 플레이트 상에서 110℃에서 90초간 가열하는 프리베이크 공정을 실시함으로써 용제 성분을 기화시킨다(도 10a, 도 10b 및 도 10c 참조). 다음에 프록시미티 노광기에 의해 노광량 100mJ/㎠로 노광한다. 또한 현상액(가부시끼가이샤 토쿠야마제 SD-1(TMAH 2.38중량％))을 사용하여 70초간 현상하여, 순테이퍼 형상의 제1 격벽(3a)을 형성한다. 다음에 230℃에서 30분간 가열하는 포스트베이크 공정을 실시함으로써 수지를 경화시켜, 두께가 1.0㎛인 제1 격벽(3a)을 형성한다(도 11a, 도 11b 및 도 11c 참조). 이와 같이 하여 형성된 제1 격벽(3a)의 측면과 제2 격벽(3a)의 저면이 이루는 각 θ1의 각도는 약 30°로 된다.Next, a positive photosensitive resin solution (ZPN6216 manufactured by Nippon Xeon Co., Ltd.) is coated using a spin coater, and the solvent component is vaporized by performing a prebaking step of heating at 110 ° C. for 90 seconds on a hot plate (FIG. 10A). , FIGS. 10B and 10C). Next, exposure is performed with an exposure dose of 100 mJ / cm 2 using a proximity exposure machine. Furthermore, it develops for 70 second using the developing solution (SD-1 (TMAH 2.38weight%) made from Tokuyama, Ltd.), and forms the forward tapered 1st partition 3a. Next, the resin is cured by performing a post-baking step of heating at 230 ° C. for 30 minutes to form a first partition 3a having a thickness of 1.0 μm (see FIGS. 11A, 11B and 11C). The angle of the angle θ1 formed between the side surface of the first partition wall 3a and the bottom surface of the second partition wall 3a thus formed is about 30 °.

격벽이 형성된 지지 기판에 산소 플라즈마에 의한 표면 처리를 행하고, 계속하여 CF₄ 플라즈마에 의한 표면 처리를 행하여, ITO 표면을 친액화하고, 격벽의 표면에 발액성을 부여한다.The support substrate on which the partition wall is formed is subjected to surface treatment by oxygen plasma, and then the surface treatment by CF ₄ plasma is performed to lyze the surface of the ITO to impart liquid repellency to the surface of the partition wall.

다음에 잉크젯 장치(울박(ULVAC)사 제조 리트렉스(Litlex)142P)를 사용하여 잉크(고형분 농도 1.5％의 폴리(에틸렌디옥시티오펜)(PEDOT) 및 폴리스티렌술폰산(PSS)의 수분산액(바이엘사 제조 AI4083))를 도포한다(도 12a, 도 12b 및 도 12c 참조). 격벽(3)의 상면은 잉크를 튀기기 때문에, 격벽(3)에 둘러싸인 소정의 오목부 내에 잉크가 충전된다. 그 외에, 잉크는, 오목부의 행방향 X의 일단부측 및 타단부측에 면하는 역테이퍼 형상의 제2 격벽을 따라 모세관 현상에 의해 그 단부, 즉 측면의 하단부 근방의 끝이 가는 간극에 가까이 끌어당겨짐으로써, 화소(오목부) 내에 균일하게 퍼진다. 이 기판을 200℃에서 소성하여 균일한 두께(50nm)의 정공 주입층(7)을 형성한다(도 13a, 도 13b 및 도 13c 참조).Next, an ink jet (water solution of poly (ethylenedioxythiophene) (PEDOT) and polystyrene sulfonic acid (PSS) having a solid content of 1.5% using a inkjet device (Litlex 142P manufactured by ULVAC) AI4083) (see FIGS. 12A, 12B and 12C). Since the upper surface of the partition 3 splashes ink, ink is filled in a predetermined recess surrounded by the partition 3. In addition, the ink is drawn near the gap between the end, that is, the end near the lower end of the side surface, by capillary action along the second tapered second partition wall facing the one end side and the other end side in the row direction X of the recess. By pulling, it spreads uniformly in a pixel (concave part). The substrate is baked at 200 ° C to form a hole injection layer 7 of uniform thickness (50 nm) (see FIGS. 13A, 13B and 13C).

다음에 적색의 광을 방사하는 고분자 발광 재료를, 그 농도가 0.8중량％로 되도록 유기 용매에 혼합하여 적색 발광 잉크를 제조한다. 마찬가지로, 녹색의 광을 방사하는 고분자 발광 재료를, 그 농도가 0.8중량％로 되도록 유기 용매에 혼합하여 녹색 발광 잉크를 제조한다. 또한 청색의 광을 방사하는 고분자 발광 재료를, 그 농도가 0.8중량％로 되도록 유기 용매에 혼합하여 청색 발광 잉크를 제조한다. 이들 적색 발광 잉크, 녹색 발광 잉크, 청색 발광 잉크를 각각 잉크젯 장치(울박사 제조 리트렉스142P)를 사용하여 소정의 오목부 내에 도포한다.Next, a red light emitting ink is prepared by mixing a polymer light emitting material that emits red light with an organic solvent so as to have a concentration of 0.8% by weight. Similarly, a green light emitting ink is prepared by mixing a polymer light emitting material that emits green light into an organic solvent such that its concentration is 0.8% by weight. In addition, a blue light emitting ink is prepared by mixing a polymer light emitting material that emits blue light with an organic solvent so as to have a concentration of 0.8% by weight. These red luminescent inks, green luminescent inks and blue luminescent inks are respectively applied in predetermined recesses using an ink jet apparatus (Retrex 142P manufactured by Wool Dr.).

격벽(3)의 상면은 잉크를 튀기기 때문에, 격벽(3)에 둘러싸인 소정의 오목부 내에 잉크가 충전된다. 그 외에, 잉크는, 오목부의 행방향 X의 일단부 및 타단부에 면하는 역테이퍼 형상의 제2 격벽을 따라 모세관 현상에 의해 그 단부에 가까이 끌어당겨져, 화소 내에 균일하게 퍼진다. 이 기판을 130℃에서 소성하여 균일한 두께(60nm)의 발광층(9)을 형성한다(도 14a, 도 14b 및 도 14c 참조).Since the upper surface of the partition 3 splashes ink, ink is filled in a predetermined recess surrounded by the partition 3. In addition, the ink is drawn near the end by capillary action along the second tapered second partition wall facing the one end and the other end in the row direction X of the recess, and is uniformly spread in the pixel. The substrate is baked at 130 ° C. to form a light emitting layer 9 having a uniform thickness (60 nm) (see FIGS. 14A, 14B and 14C).

다음에 진공 증착법에 의해 두께가 20nm인 Ca층, 두께가 150nm인 Al 층을 포함하는 제2 전극(음극)(10)을 형성한다. 역테이퍼 형상의 제2 격벽(3b)의 단부에서는 그 단차 때문에 제2 전극(음극)(10)은 분단되는 경우도 있지만(도 15c 참조), 순테이퍼 형상의 제1 격벽(3a)의 단부에서는 제2 전극(음극)(10)은 분단하는 일이 없기 때문에, 모든 유기 전계발광 소자(4)의 제2 전극(10)이 이어지도록 형성된다. 이에 의해 배선 저항을 저하되도록 할 수 있어, 의도한 대로 발광하는 복수의 유기 전계발광 소자를 지지 기판 상에 제작할 수 있고, 제작된 유기 전계발광 소자는, 패널면 내에서 각 유기 전계발광 소자가 서로 동등한 휘도로 발광함과 함께, 각 유기 전계발광 소자가 개별로 화소 내에서 균일하게 발광한다.Next, a second electrode (cathode) 10 including a Ca layer having a thickness of 20 nm and an Al layer having a thickness of 150 nm is formed by vacuum deposition. Although the second electrode (cathode) 10 may be divided at the end of the reverse tapered second partition 3b due to the step (see FIG. 15C), at the end of the forward tapered first partition 3a Since the 2nd electrode (cathode) 10 does not divide, it is formed so that the 2nd electrode 10 of all the organic electroluminescent elements 4 may connect. As a result, the wiring resistance can be lowered, and thus, a plurality of organic electroluminescent elements that emit light as intended can be fabricated on the supporting substrate, and the organic electroluminescent elements produced are each organic electroluminescent elements in the panel plane. While emitting light at the same luminance, each organic electroluminescent element individually emits light uniformly in the pixel.

1: 표시 장치
2: 지지 기판
3: 격벽
3a: 제1 격벽
3b: 제2 격벽
4: 유기 전계발광 소자
5: 오목부
6: 제1 전극
7: 제1 유기층(정공 주입층)
8: 격벽 형성용 막
9: 제2 유기층(발광층)
10: 제2 전극
10a: 도전성 박막
12: 지지 기판
13: 격벽
15: 격벽에 둘러싸인 영역
16: 제1 전극
17: 잉크
18: 유기층
19: 제2 전극
21: 포토마스크
22: 잉크 1: Display device
2: support substrate
3: partition wall
3a: first bulkhead
3b: second bulkhead
4: organic electroluminescent device
5: recess
6: First electrode
7: first organic layer (hole injection layer)
8: barrier film
9: second organic layer (light emitting layer)
10: second electrode
10a: conductive thin film
12: support substrate
13: bulkhead
15: area enclosed by the bulkhead
16: first electrode
17: ink
18: organic layer
19: second electrode
21: photomask
22: ink

Claims

A support substrate, a plurality of organic electroluminescent elements provided on the support substrate, and a partition wall are provided so as to surround the outer periphery of the organic electroluminescent element when viewed from one side in the thickness direction of the support substrate. It is display device to say,
The partition wall has a first partition wall facing a portion of the outer circumference, and a second partition wall facing the remaining portion except the portion of the outer circumference,
The first partition wall is a forward tapered partition wall having an acute angle formed between the side surface and the bottom surface surrounding the outer circumference,
And the second partition wall is an inverse tapered partition wall having an obtuse angle formed between a side surface and a bottom surface surrounding the outer circumference.

The said 1st partition is extended in the 1st direction orthogonal to the thickness direction of the said support substrate, respectively, and is arrange | positioned at predetermined intervals in the 2nd direction orthogonal to the said thickness direction and a said 1st direction. Consists of a plurality of partition wall members,
The display device of claim 1, wherein the second partition wall is disposed between the support substrate and the first partition wall at a portion where the first partition wall and the second partition wall overlap each other.

The method according to claim 1, wherein the organic electroluminescent element has a shape extending in a predetermined direction orthogonal to the thickness direction of the support substrate,
The first partition wall is disposed so as to surround the outer periphery of one side and the other in the short direction of the organic electroluminescent element,
The second partition wall is disposed so as to surround the outer periphery of one side and the other in the longitudinal direction of the organic electroluminescent element.

The display device of claim 1, wherein each of the first and second partition walls is formed by patterning a layer of the photosensitive resin composition.

It is a manufacturing method of the display apparatus of Claim 1,
Forming a partition on the support substrate;
Forming a plurality of organic electroluminescent devices on the support substrate;
In the process of forming a partition, the manufacturing method of the display apparatus which forms a 1st partition and a 2nd partition, respectively, by patterning the layer of the photosensitive resin composition by the photolithographic method.