KR20130140707A - Laminate body, panel for use in display device with support board, panel for use in display device, and display device - Google Patents

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KR20130140707A
KR20130140707A KR1020137011491A KR20137011491A KR20130140707A KR 20130140707 A KR20130140707 A KR 20130140707A KR 1020137011491 A KR1020137011491 A KR 1020137011491A KR 20137011491 A KR20137011491 A KR 20137011491A KR 20130140707 A KR20130140707 A KR 20130140707A
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겐이치 에바타
요시타카 마츠야마
다이스케 우치다
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아사히 가라스 가부시키가이샤
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Abstract

본 발명은, 지지판과, 수지층과, 기판의 표면 상에 인듐, 주석, 아연, 티타늄 및 갈륨으로 이루어지는 군으로부터 선택되는 적어도 하나의 금속의 산화물을 포함하는 도전성 금속 산화물막을 갖는, 도전성 금속 산화물막을 구비한 기판을 이 순서로 구비하고, 상기 도전성 금속 산화물막이 상기 수지층과 박리 가능하게 밀착하도록, 상기 도전성 금속 산화물막을 구비한 기판이 상기 수지층 위에 배치되고, 상기 수지층과 상기 지지판 사이의 박리 강도가 상기 수지층과 상기 도전성 금속 산화물막을 구비한 기판 사이의 박리 강도보다 높은 적층체에 관한 것이다.The present invention provides a conductive metal oxide film having a support plate, a resin layer, and a conductive metal oxide film including an oxide of at least one metal selected from the group consisting of indium, tin, zinc, titanium, and gallium on the surface of the substrate. The board | substrate provided with the said conductive metal oxide film is arrange | positioned on the said resin layer so that the provided board | substrate may be provided in this order, and the said conductive metal oxide film may contact | tightly contact with said resin layer so that peeling between the said resin layer and the said support plate may be carried out. It is related with the laminated body whose intensity | strength is higher than peeling strength between the said resin layer and the board | substrate provided with the said conductive metal oxide film.

Description

적층체, 지지판을 구비한 표시 장치용 패널, 표시 장치용 패널 및 표시 장치 {LAMINATE BODY, PANEL FOR USE IN DISPLAY DEVICE WITH SUPPORT BOARD, PANEL FOR USE IN DISPLAY DEVICE, AND DISPLAY DEVICE}Panel for display device with laminated body, support plate, panel for display device and display device {LAMINATE BODY, PANEL FOR USE IN DISPLAY DEVICE WITH SUPPORT BOARD, PANEL FOR USE IN DISPLAY DEVICE, AND DISPLAY DEVICE}
본 발명은 적층체, 지지판을 구비한 표시 장치용 패널, 표시 장치용 패널 및 표시 장치에 관한 것이다.The present invention relates to a laminate, a display device panel provided with a supporting plate, a display device panel, and a display device.
최근, 태양 전지(PV), 액정 디스플레이(LCD), 유기 EL 디스플레이(OLED) 등의 디바이스(전자 기기)의 박형화, 경량화가 진행되고 있으며, 이들 디바이스에 사용하는 기판의 박판화가 진행되고 있다. 박판화에 의해 기판의 강도가 부족하면, 디바이스의 제조 공정에서 기판의 취급성이 저하한다.In recent years, thinning and weight reduction of devices (electronic devices), such as a solar cell PV, a liquid crystal display (LCD), and an organic electroluminescent display (OLED), are progressing, and the thickness of the board | substrate used for these devices is progressing. When the strength of the substrate is insufficient due to the thinning, the handleability of the substrate is reduced in the manufacturing process of the device.
따라서, 종래로부터, 최종 두께보다 두꺼운 기판 위에 디바이스용 부재(예를 들어, 박막 트랜지스터)를 형성한 후, 기판을 화학 에칭 처리에 의해 박판화하는 방법이 널리 채용되고 있다. 그러나, 이 방법에서는, 예를 들어 1매의 기판의 두께를 0.7㎜에서 0.2㎜나 0.1㎜로 박판화하는 경우, 원래 기판 재료의 대부분을 에칭액으로 깎아내게 되므로, 생산성이나 원재료의 사용 효율이라고 하는 관점에서는 바람직하지 않다.Therefore, conventionally, after forming a device member (for example, a thin film transistor) on the board | substrate thicker than a final thickness, the method of thinning a board | substrate by a chemical etching process is employ | adopted widely. However, in this method, for example, when the thickness of one substrate is thinned from 0.7 mm to 0.2 mm or 0.1 mm, most of the original substrate material is scraped off with an etchant, so that the viewpoint of productivity and use efficiency of raw materials Is not preferred.
또한, 상기 화학 에칭에 의한 기판의 박판화 방법에 있어서는, 기판 표면에 미세한 흠집이 존재하는 경우, 에칭 처리에 의해 흠집을 기점으로 하여 미세한 오목부(에치 피트)가 형성되어, 광학적인 결함으로 되는 경우가 있었다.In the method of thinning a substrate by chemical etching, when fine scratches are present on the surface of the substrate, fine recesses (etch pits) are formed by etching, starting from scratches, and the optical defects become optical defects. There was.
최근에는, 상기의 과제에 대응하기 위해서, 기판과 보강판을 적층한 적층체를 준비하고, 적층체의 기판 위에 디바이스용 부재를 형성한 후, 기판으로부터 보강판을 박리하는 방법이 제안되고 있다(예를 들어, 특허문헌 1 참조). 보강판은 유리판과, 그 유리판 위에 고정되는 수지층을 갖고, 수지층과 기판이 박리 가능하게 밀착된다. 보강판은, 기판으로부터 박리된 후, 새로운 기판과 적층되며, 적층체로 하여 재이용하는 것이 가능하다.Recently, in order to cope with the above problems, a method of preparing a laminate in which a substrate and a reinforcement plate are laminated, forming a device member on the substrate of the laminate, and then peeling the reinforcement plate from the substrate has been proposed ( For example, refer patent document 1). The reinforcement plate has a glass plate and a resin layer fixed on the glass plate, and the resin layer and the substrate are in close contact with each other so as to be peelable. After the reinforcing plate is peeled off from the substrate, the reinforcing plate is laminated with a new substrate and can be reused as a laminate.
국제 공개 제07/018028호WO 07/018028
그러나, 상기 종래 구성의 적층체에서는, 보강판을 기판으로부터 박리할 때에, 수지층 일부가 제품측인 기판에 부착되어 버리는 경우가 있었다. 특히, 적층체에 대해 고온 조건에서 가열 처리를 행한 후에, 수지층의 일부가 제품측인 기판에 부착되는 것이 빈번히 발생한다. 이것은 고온 조건 하에 있어서, 수지층이 열화되거나, 수지층과 기판의 밀착 강도가 상승하거나 하기 때문으로 생각된다.However, in the laminated body of the said conventional structure, when peeling a reinforcement board from a board | substrate, some resin layers may adhere to the board | substrate which is a product side. In particular, after the heat treatment is performed on the laminate under high temperature conditions, it is frequently caused that a part of the resin layer adheres to the substrate on the product side. This is considered to be because a resin layer deteriorates under high temperature conditions, or the adhesive strength of a resin layer and a board | substrate raises.
그 때문에, 고온 처리가 실시되는 디바이스 제조에 상기 적층체를 적용하면, 기판에 수지층의 일부가 부착되어 버려, 결과적으로 수율의 저하를 초래할 우려가 있었다.Therefore, when the said laminated body is applied to the manufacture of the device by which high temperature processing is performed, a part of resin layer adhered to the board | substrate, and there existed a possibility that the yield might fall.
또한, 상기 적층체로부터 기판을 박리한 후에는, 티끌이나 먼지 등이 기판 표면에 부착되기 쉬우며, 그러한 기판을 사용해서 디바이스를 제조하면, 디바이스의 고장 등이 발생할 우려가 있었다. 이러한 티끌이나 먼지의 부착은, 박리 대전에 의해 발생하는 것으로 생각된다.Moreover, after peeling a board | substrate from the said laminated body, particle | grains, dust, etc. are easy to adhere to the surface of a board | substrate, and when a device is manufactured using such a board | substrate, there existed a possibility that a malfunction of a device may arise. It is thought that such adhesion | attachment of particle | grains and dust arises by peeling electrification.
본 발명은, 상기 과제를 감안하여 이루어진 것으로, 고온 가열 처리가 실시된 후에도, 수지층과 기판을 박리할 때에 수지층의 일부가 제품측인 기판에 부착되는 것을 억제할 수 있으며, 또한 박리되는 기판 표면 상의 박리 대전을 억제할 수 있는 적층체를 제공하는 것을 목적으로 한다.This invention is made | formed in view of the said subject, Even when a high temperature heat processing is performed, when peeling a resin layer and a board | substrate, it can suppress that a part of resin layer adheres to the board | substrate which is a product side, and also the board | substrate which peels An object of the present invention is to provide a laminate that can suppress peeling charge on a surface.
또한, 본 발명은, 상기 적층체를 포함하는 지지판을 구비한 표시 장치용 패널, 지지판을 구비한 표시 장치용 패널을 사용해서 형성되는 표시 장치용 패널 및 표시 장치를 제공하는 것을 목적으로 한다.Moreover, an object of this invention is to provide the display apparatus panel and display apparatus which are formed using the display apparatus panel provided with the support plate containing the said laminated body, the display apparatus panel provided with a support plate.
본 발명자는 상기 과제를 해결하기 위해 예의 검토를 거듭하여, 본 발명을 완성하였다.MEANS TO SOLVE THE PROBLEM This inventor earnestly examined and completed this invention in order to solve the said subject.
즉, 상기 목적을 달성하기 위해서, 본 발명의 제1 형태는, 지지판과, 수지층과, 기판의 표면 상에 인듐, 주석, 아연, 티타늄 및 갈륨으로 이루어지는 군으로부터 선택되는 적어도 하나의 금속의 산화물을 포함하는 도전성 금속 산화물막을 갖는, 도전성 금속 산화물막을 구비한 기판을 이 순서로 구비하고, 상기 도전성 금속 산화물막이 상기 수지층과 박리 가능하게 밀착하도록, 상기 도전성 금속 산화물막을 구비한 기판이 상기 수지층 위에 배치되고, 상기 수지층과 상기 지지판 사이의 박리 강도가 상기 수지층과 상기 도전성 금속 산화물막을 구비한 기판 사이의 박리 강도보다 높은 적층체이다.That is, in order to achieve the said objective, the 1st aspect of this invention is an oxide of the at least 1 metal chosen from the group which consists of a support plate, a resin layer, and indium, tin, zinc, titanium, and gallium on the surface of a board | substrate. The board | substrate provided with the said conductive metal oxide film is provided with the board | substrate with a conductive metal oxide film which has a conductive metal oxide film containing in this order, and the said conductive metal oxide film is in close contact with the said resin layer so that peeling is possible. It is a laminated body arrange | positioned above and whose peeling strength between the said resin layer and the said support plate is higher than the peeling strength between the said resin layer and the board | substrate provided with the said conductive metal oxide film.
제1 형태에 있어서는, 상기 산화물 중에, 알루미늄, 몰리브덴, 구리, 바나듐, 니오븀, 탄탈, 붕소 및 불소로 이루어지는 군으로부터 선택되는 적어도 1종의 원소가 더 포함되는 것이 바람직하다.In a 1st aspect, it is preferable that the said oxide further contains at least 1 sort (s) of element chosen from the group which consists of aluminum, molybdenum, copper, vanadium, niobium, tantalum, boron, and fluorine.
또한, 제1 형태에 있어서는, 상기 수지층이 실리콘 수지층인 것이 바람직하다.Moreover, in a 1st aspect, it is preferable that the said resin layer is a silicone resin layer.
또한, 상기 수지층이 오르가노알케닐폴리실록산과 오르가노히드로겐폴리실록산의 부가 반응형 경화물로 구성되는 것이 바람직하다.Moreover, it is preferable that the said resin layer is comprised from the addition reaction type hardened | cured material of organo alkenyl polysiloxane and organohydrogen polysiloxane.
또한, 상기 오르가노알케닐폴리실록산의 알케닐기에 대한, 상기 오르가노히드로겐폴리실록산의 규소 원자에 결합한 수소 원자의 몰비가 0.5 ~ 2인 것이 바람직하다.Moreover, it is preferable that the molar ratio of the hydrogen atom couple | bonded with the silicon atom of the said organohydrogenpolysiloxane with respect to the alkenyl group of the said organo alkenyl polysiloxane is 0.5-2.
본 발명의 제2 형태는, 제1 형태의 적층체와, 상기 적층체 중의 상기 도전성 금속 산화물막을 구비한 기판의 상기 수지층과 밀착하는 표면과는 반대측의 표면 상에 설치된 표시 장치용 패널의 구성 부재를 갖는, 지지판을 구비한 표시 장치용 패널이다.The 2nd aspect of this invention is a structure of the display apparatus panel provided on the surface on the opposite side to the laminated body of a 1st aspect, and the surface in close contact with the said resin layer of the board | substrate with the said conductive metal oxide film in the said laminated body. It is a panel for display devices provided with a support plate which has a member.
본 발명의 제3 형태는, 제2 형태의 지지판을 구비한 표시 장치용 패널을 사용해서 형성되는 표시 장치용 패널이다.A third aspect of the present invention is a panel for display device, which is formed using a panel for display device provided with a supporting plate of the second aspect.
본 발명의 제4 형태는, 제3 형태의 표시 장치용 패널을 갖는 표시 장치이다.A 4th aspect of this invention is a display apparatus which has the display apparatus panel of a 3rd aspect.
본 발명에 따르면, 고온 가열 처리가 실시된 후에라도, 수지층과 기판을 박리할 때에 수지층의 일부가 제품측인 기판에 부착되는 것을 억제할 수 있으며, 또한 박리되는 기판 표면 상의 박리 대전을 억제할 수 있는 적층체를 제공할 수 있다.According to the present invention, even after the high temperature heat treatment is performed, when peeling the resin layer and the substrate, it is possible to suppress the adhesion of a part of the resin layer to the substrate on the product side, and also to suppress the peeling charge on the surface of the substrate to be peeled off. A laminate can be provided.
또한, 본 발명에 따르면, 상기 적층체를 포함하는 지지판을 구비한 표시 장치용 패널, 지지판을 구비한 표시 장치용 패널을 사용해서 형성되는 표시 장치용 패널 및 표시 장치를 제공할 수 있다.Moreover, according to this invention, the display apparatus panel and display apparatus which are formed using the display apparatus panel provided with the support plate containing the said laminated body, the display apparatus panel provided with a support plate can be provided.
도 1은 본 발명에 따른 적층체의 일 실시 형태의 모식적 단면도.
도 2는 본 발명에 따른 지지판을 구비한 표시 장치용 패널의 일 실시 형태의 모식적 단면도.
BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS It is typical sectional drawing of one Embodiment of the laminated body which concerns on this invention.
2 is a schematic cross-sectional view of an embodiment of a panel for a display device provided with a supporting plate according to the present invention.
이하, 본 발명을 실시하기 위한 형태에 대해 도면을 참조하여 설명하지만, 본 발명은 이하의 실시 형태에 제한되지 않고, 본 발명의 범위를 일탈하지 않고, 이하의 실시 형태에 다양한 변형 및 치환을 더할 수 있다.EMBODIMENT OF THE INVENTION Hereinafter, although the form for implementing this invention is demonstrated with reference to drawings, this invention is not limited to the following embodiment, A various deformation | transformation and substitution are added to the following embodiment, without deviating from the range of this invention. Can be.
또한, 본 발명에 있어서 수지층을 지지판에 고정한다는 것은, 수지층과 지지판 사이의 박리 강도가 수지층과 도전성 금속 산화물막을 구비한 기판 사이의 박리 강도보다 높아지도록 결합시키는 것을 의미한다.In addition, in this invention, fixing a resin layer to a support plate means bonding so that the peeling strength between a resin layer and a support plate may become higher than the peeling strength between a resin layer and the board | substrate provided with a conductive metal oxide film.
도 1은 본 발명에 따른 적층체의 일례의 모식적 단면도이다.1 is a schematic cross-sectional view of an example of a laminate according to the present invention.
도 1에 도시한 바와 같이, 적층체(10)는 도전성 금속 산화물막을 구비한 기판(24)과 지지판(31)과 그들 사이에 수지층(32)이 존재하는 적층체이다.As shown in FIG. 1, the laminated body 10 is a board | substrate 24 with a conductive metal oxide film, the support plate 31, and the laminated body in which the resin layer 32 exists between them.
도전성 금속 산화물막을 구비한 기판(24)은 기판(20)과, 기판(20)의 표면 상에 설치되는 도전성 금속 산화물막(22)을 구비한다. 도전성 금속 산화물막을 구비한 기판(24)은 도전성 금속 산화물막(22)이 수지층(32)과 박리 가능하게 밀착하도록 수지층(32) 위에 배치된다.The substrate 24 provided with the conductive metal oxide film includes a substrate 20 and a conductive metal oxide film 22 provided on the surface of the substrate 20. The substrate 24 with the conductive metal oxide film is disposed on the resin layer 32 such that the conductive metal oxide film 22 is in close contact with the resin layer 32 so as to be peeled off.
또한, 수지층(32)은 지지판(31) 위에 고정됨과 함께, 도전성 금속 산화물막을 구비한 기판(24)의 도전성 금속 산화물막(22)에 박리 가능하게 밀착되어 있다. 지지판(31) 및 수지층(32)을 포함하여 이루어지는 보강판(30)은 액정 디스플레이 등의 디바이스(전자 기기)를 제조하는 공정에 있어서, 도전성 금속 산화물막을 구비한 기판(24)을 보강한다.In addition, the resin layer 32 is fixed on the support plate 31 and is in close contact with the conductive metal oxide film 22 of the substrate 24 provided with the conductive metal oxide film. The reinforcement board 30 which consists of the support plate 31 and the resin layer 32 reinforces the board | substrate 24 with an electroconductive metal oxide film in the process of manufacturing devices (electronic devices), such as a liquid crystal display.
이 적층체(10)는 디바이스의 제조 공정 도중까지 사용된다. 즉, 이 적층체(10)는 도전성 금속 산화물막을 구비한 기판(24)의 수지층(32)과는 반대측의 표면 상에 박막 트랜지스터 등의 디바이스용 부재가 형성될 때까지 사용된다. 그 후, 보강판(30)은 도전성 금속 산화물막을 구비한 기판(24)으로부터 박리되어, 디바이스를 구성하는 부재로는 되지 않는다. 도전성 금속 산화물막을 구비한 기판(24)으로부터 박리된 보강판(30)은, 새로운 도전성 금속 산화물막을 구비한 기판(24)과 적층되어, 적층체(10)로서 재이용할 수 있다.This laminated body 10 is used until the manufacturing process of a device. That is, this laminated body 10 is used until the member for devices, such as a thin film transistor, is formed on the surface on the opposite side to the resin layer 32 of the board | substrate 24 with a conductive metal oxide film. Thereafter, the reinforcing plate 30 is peeled off from the substrate 24 provided with the conductive metal oxide film, and does not become a member constituting the device. The reinforcement board 30 peeled from the board | substrate 24 with a conductive metal oxide film is laminated | stacked with the board | substrate 24 with a new conductive metal oxide film, and can be reused as the laminated body 10. FIG.
본 발명에 있어서는, 도전성 금속 산화물막(22)과 수지층(32)이 접하도록, 도전성 금속 산화물막을 구비한 기판(24)을 수지층(32) 위에 설치함으로써, 원하는 효과가 얻어지는 것을 발견하였다.In the present invention, it was found that a desired effect can be obtained by providing the substrate 24 with the conductive metal oxide film on the resin layer 32 so that the conductive metal oxide film 22 and the resin layer 32 are in contact with each other.
이하, 각 구성(도전성 금속 산화물막을 구비한 기판, 지지판, 수지층)에 대해 상세히 설명한다.Hereinafter, each structure (a board | substrate with a conductive metal oxide film, a support plate, and a resin layer) is demonstrated in detail.
<도전성 금속 산화물막을 구비한 기판> <Substrate with Conductive Metal Oxide Film>
처음에, 도전성 금속 산화물막을 구비한 기판(24)에 대해 설명한다.First, the board | substrate 24 provided with the conductive metal oxide film is demonstrated.
도전성 금속 산화물막을 구비한 기판(24)은 기판(20)과, 기판(20)의 표면 상에 설치되는 도전성 금속 산화물막(22)을 구비한다. 도전성 금속 산화물막(22)은 후술하는 수지층(32)과 박리 가능하게 밀착하도록, 도전성 금속 산화물막을 구비한 기판(24) 중 최표면에 배치된다.The substrate 24 provided with the conductive metal oxide film includes a substrate 20 and a conductive metal oxide film 22 provided on the surface of the substrate 20. The electroconductive metal oxide film 22 is arrange | positioned in the outermost surface of the board | substrate 24 provided with the electroconductive metal oxide film so that it may contact with the resin layer 32 mentioned later so that peeling is possible.
이하에, 기판(20) 및 도전성 금속 산화물막(22)에 대해 상세히 설명한다.Below, the board | substrate 20 and the conductive metal oxide film 22 are demonstrated in detail.
(기판) (Board)
기판(20)은 수지층(32)측의 제1 주면(201)에 도전성 금속 산화물막(22)을 구비하고, 수지층(32)과는 반대측의 제2 주면(202)에 디바이스용 부재가 형성되어 디바이스를 구성한다. 여기서, 디바이스용 부재란, 후술하는 표시 장치용 패널의 구성 부재와 같이, 디바이스의 적어도 일부를 구성하는 부재를 말한다. 구체예로서는, 박막 트랜지스터(TFT), 컬러 필터(CF)를 들 수 있다. 디바이스로서는, 태양 전지(PV), 액정 디스플레이(LCD), 유기 EL 디스플레이(OLED) 등이 예시된다.The board | substrate 20 is equipped with the conductive metal oxide film 22 in the 1st main surface 201 on the resin layer 32 side, and a member for devices is provided in the 2nd main surface 202 on the opposite side to the resin layer 32. Are formed to constitute the device. Here, the member for a device means a member which constitutes at least one part of a device like the structural member of the panel for display apparatuses mentioned later. As a specific example, a thin film transistor TFT and a color filter CF are mentioned. Examples of the device include a solar cell (PV), a liquid crystal display (LCD), an organic EL display (OLED), and the like.
기판(20)의 종류는 일반적인 것이어도 되며, 예를 들어 실리콘 웨이퍼, 유리 기판, 수지 기판, SUS 기판이나 구리 기판 등의 금속 기판이어도 된다. 이들 중에서도, 유리 기판이 바람직하다. 유리 기판은 내약품성, 내투습성이 우수하고, 또한 열수축율이 낮기 때문이다. 열수축율의 지표로서는, JIS R 3102(1995년 개정)에 규정되어 있는 선팽창 계수가 사용된다.The kind of the board | substrate 20 may be common, for example, metal substrates, such as a silicon wafer, a glass substrate, a resin substrate, a SUS substrate, and a copper substrate, may be sufficient. Among these, a glass substrate is preferable. This is because the glass substrate is excellent in chemical resistance, moisture permeability, and low in heat shrinkage. As an index of thermal contraction rate, the linear expansion coefficient prescribed | regulated to JISR3102 (Rev. 1995) is used.
기판(20)의 선팽창 계수가 크면, 디바이스의 제조 공정은 가열 처리를 수반하는 경우가 많으므로, 여러 가지 문제가 발생하기 쉽다. 예를 들어, 기판(20) 위에 TFT를 형성하는 경우, 가열 하에서 TFT가 형성된 기판(20)을 냉각하면, 기판(20)의 열수축에 의해, TFT의 위치 어긋남이 과대해질 우려가 있다.When the coefficient of linear expansion of the board | substrate 20 is large, since the manufacturing process of a device often involves heat processing, various problems tend to arise. For example, in the case of forming the TFT on the substrate 20, if the substrate 20 on which the TFT is formed is cooled under heating, there is a fear that the positional shift of the TFT may be excessive due to thermal contraction of the substrate 20.
유리 기판은, 유리 원료를 용융하고, 용융 유리를 판상으로 성형하여 얻어진다. 이러한 성형 방법은, 일반적인 것이어도 되며, 예를 들어 플로트법, 퓨전법, 슬롯 다운드로법, 푸르콜법, 러버스법 등이 사용된다. 또한, 특히 두께가 얇은 유리 기판은, 일단 판상으로 성형한 유리를 성형 가능 온도로 가열하고, 연신 등의 수단에 의해 잡아 늘려서 얇게 하는 방법(리드로법)으로 성형하여 얻어진다.The glass substrate is obtained by melting a glass raw material and molding the molten glass into a plate. Such a molding method may be a general one, and for example, a float method, a fusion method, a slot down draw method, a furcol method, a rubber method and the like are used. Moreover, especially a thin glass substrate is obtained by heating the glass once shape | molded to plate shape to the moldable temperature, shaping | molding by the method of extending | stretching and thinning by means, such as extending | stretching (lead furnace method).
유리 기판의 유리는, 특별히 한정되지 않지만, 무알칼리 유리, 붕규산 유리, 소다석회 유리, 고실리카 유리, 그 밖의 산화 규소를 주된 성분으로 하는 산화물계 유리가 바람직하다. 산화물계 유리로서는, 산화물 환산에 의한 산화 규소의 함유량이 40 ~ 90질량%인 유리가 바람직하다.Although the glass of a glass substrate is not specifically limited, Oxide type glass which has alkali-free glass, borosilicate glass, soda-lime glass, high silica glass, and other silicon oxide as a main component is preferable. As oxide type glass, glass with a content of 40-90 mass% of the silicon oxide by oxide conversion is preferable.
유리 기판의 유리로서는, 디바이스의 종류나 그 제조 공정에 적합한 유리가 채용된다. 예를 들어, 액정 디스플레이용 유리 기판은, 알칼리 금속 성분의 용출이 액정에 영향을 미치기 쉽기 때문에, 알칼리 금속 성분을 실질적으로 포함하지 않는 유리(무알칼리 유리)로 이루어진다. 이와 같이, 유리 기판의 유리는, 적용되는 디바이스의 종류 및 그 제조 공정에 기초하여 적절히 선택된다.As glass of a glass substrate, the glass suitable for the kind of device and its manufacturing process is employ | adopted. For example, since the elution of an alkali metal component tends to affect a liquid crystal, the glass substrate for liquid crystal displays consists of glass (alkali free glass) which does not contain an alkali metal component substantially. Thus, the glass of the glass substrate is appropriately selected based on the kind of the applied device and the manufacturing process thereof.
유리 기판의 두께는, 특별히 한정되지 않지만, 유리 기판의 박형화 및/또는 경량화의 관점에서, 통상 0.8㎜ 미만이고, 바람직하게는 0.3㎜ 이하이고, 더 바람직하게는 0.15㎜ 이하이다. 0.8㎜ 이상인 경우, 유리 기판의 박형화 및/또는 경량화의 요구를 만족시킬 수 없다. 0.3㎜ 이하인 경우, 유리 기판에 양호한 가요성을 부여하는 것이 가능하다. 0.15㎜ 이하인 경우, 유리 기판을 롤 형상으로 권취하는 것이 가능하다. 또한, 유리 기판의 두께는, 유리 기판의 제조가 용이한 것, 유리 기판의 취급이 용이한 것 등의 이유로 인해, 0.03㎜ 이상인 것이 바람직하다.Although the thickness of a glass substrate is not specifically limited, From a viewpoint of thickness reduction and / or light weight of a glass substrate, it is usually less than 0.8 mm, Preferably it is 0.3 mm or less, More preferably, it is 0.15 mm or less. In the case of 0.8 mm or more, it is not possible to satisfy the requirement of thinning and / or lightening the glass substrate. In the case of 0.3 mm or less, it is possible to give favorable flexibility to a glass substrate. When it is 0.15 mm or less, it is possible to wind up a glass substrate in roll shape. Moreover, it is preferable that the thickness of a glass substrate is 0.03 mm or more for the reason of easy manufacture of a glass substrate, easy handling of a glass substrate, etc.
수지 기판의 수지의 종류는 특별히 한정되지 않는다. 구체적으로는, 폴리에틸렌테레프탈레이트 수지, 폴리카보네이트 수지, 폴리이미드 수지, 불소 수지, 폴리아미드 수지, 폴리아라미드 수지, 폴리에테르술폰 수지, 폴리에테르케톤 수지, 폴리에테르에테르케톤 수지, 폴리에틸렌나프탈레이트 수지, 폴리아크릴 수지, 각종 액정 중합체 수지, 시클로올레핀 수지, 실리콘 수지 등이 예시된다. 또한, 수지 기판은, 투명해도 되고, 불투명해도 된다. 또한, 수지 기판은, 표면에 보호층 등의 기능층이 형성되어 이루어지는 것이어도 된다.The kind of resin of a resin substrate is not specifically limited. Specifically, polyethylene terephthalate resin, polycarbonate resin, polyimide resin, fluorine resin, polyamide resin, polyaramid resin, polyether sulfone resin, polyether ketone resin, polyether ether ketone resin, polyethylene naphthalate resin, poly Acrylic resins, various liquid crystal polymer resins, cycloolefin resins, silicone resins and the like are exemplified. In addition, the resin substrate may be transparent or opaque. In addition, the resin substrate may be formed by forming functional layers such as a protective layer on the surface.
수지 기판의 두께는, 특별히 한정되지 않지만, 박형화 및/또는 경량화의 관점에서, 0.7㎜ 이하인 것이 바람직하고, 0.3㎜ 이하인 것이 보다 바람직하고, 0.1㎜ 이하인 것이 특히 바람직하다. 또한, 취급성의 관점에서, 1.0㎛ 이상인 것이 바람직하다.Although the thickness of a resin substrate is not specifically limited, From a viewpoint of thickness reduction and / or weight reduction, it is preferable that it is 0.7 mm or less, It is more preferable that it is 0.3 mm or less, It is especially preferable that it is 0.1 mm or less. Moreover, it is preferable that it is 1.0 micrometer or more from a viewpoint of handleability.
또한, 기판(20)은 2층 이상으로 되어 있어도 되며, 이 경우, 각각의 층을 형성하는 재료는 동종 재료여도 되고, 이종 재료여도 된다. 또한, 이 경우, 「기판(20)의 두께」는 모든 층의 합계의 두께를 의미하는 것으로 한다.In addition, the board | substrate 20 may be two or more layers, In this case, the material which forms each layer may be a homogeneous material, or a heterogeneous material may be sufficient as it. In this case, "thickness of the board | substrate 20" shall mean the thickness of the sum total of all the layers.
(도전성 금속 산화물막) (Conductive metal oxide film)
도전성 금속 산화물막(22)은 인듐, 주석, 아연, 티타늄 및 갈륨으로 이루어지는 군으로부터 선택되는 적어도 하나의 금속의 산화물을 포함한다.The conductive metal oxide film 22 includes an oxide of at least one metal selected from the group consisting of indium, tin, zinc, titanium, and gallium.
예를 들어, 기판(20)이 무알칼리 유리 기판인 경우, 그 무알칼리 유리 기판의 표면 상에 존재하는 마그네슘, 칼슘, 바륨 등 알칼리토류 금속 성분에 비해, 도전성 금속 산화물막(22)에 포함되는 상기 알칼리토류 금속 성분은 전기 음성도가 작다. 그 때문에, 무알칼리 유리 기판과 수지층(32)을 직접 접촉시켜서 고온 조건에 노출시키는 경우와 비교하여, 본 발명의 적층체(10)를 고온 조건에 노출시켜도, 도전성 금속 산화물막(22)과 수지층(32) 사이에서의 상기 알칼리토류 금속 성분의 탈리에 의한 화학 반응의 진행이 그다지 없다. 그 결과로서, 중박리화에 의한 수지층(32)의 도전성 금속 산화물막을 구비한 기판(24)에의 부착을 발생하지 않고, 도전성 금속 산화물막을 구비한 기판(24)을 박리할 수 있다.For example, when the board | substrate 20 is an alkali free glass substrate, compared with the alkaline earth metal components, such as magnesium, calcium, and barium which exist on the surface of the alkali free glass substrate, it is contained in the conductive metal oxide film 22 The alkaline earth metal component has a low electronegativity. Therefore, compared with the case where the alkali-free glass substrate and the resin layer 32 are directly contacted and exposed to high temperature conditions, even if the laminated body 10 of this invention is exposed to high temperature conditions, the conductive metal oxide film 22 and The progress of the chemical reaction by detachment of the alkaline earth metal component between the resin layers 32 is very small. As a result, the board | substrate 24 with a conductive metal oxide film can be peeled, without sticking to the board | substrate 24 with a conductive metal oxide film of the resin layer 32 by heavy peeling.
여기서, 중박리화란, 도전성 금속 산화물막(22)과 수지층(32)의 밀착 강도가, 지지판(31)의 표면과 수지층(32)의 밀착 강도 및 수지층(32)의 (벌크)강도 중 어느 하나보다 커지는 것을 의미한다.Here, the heavy release means that the adhesion strength between the conductive metal oxide film 22 and the resin layer 32 is the adhesion strength between the surface of the support plate 31 and the resin layer 32 and the (bulk) strength of the resin layer 32. It means larger than either.
또한, 상기 도전성 금속 산화물막(22)은 우수한 도전성을 나타낸다. 그 때문에, 박리되는 도전성 금속 산화물막을 구비한 기판(24) 표면 상의 박리 대전을 억제할 수 있다. 또한, 이오나이저 또는 분무수를 병용하면, 박리 대전을 더 억제할 수 있다. 또는 이오나이저 또는 분무수의 부하를 경감시켜도, 종래와 마찬가지의 박리 대전 억제의 효과가 얻어진다.In addition, the conductive metal oxide film 22 exhibits excellent conductivity. Therefore, peeling charge on the surface of the board | substrate 24 with a conductive metal oxide film peeled can be suppressed. Moreover, peeling charging can be further suppressed when using ionizer or sprayed water together. Or even if the load of ionizer or sprayed water is reduced, the effect of suppression of peeling charge similar to the conventional one can be obtained.
도전성 금속 산화물막(22)은, 인듐, 주석, 아연, 티타늄 및 갈륨으로 이루어지는 군으로부터 선택되는 적어도 하나의 금속의 산화물을 포함한다. 즉, 도전성 금속 산화물막(22)은 상기 금속 원소와 산소 원소로 구성되는 금속 산화물을 함유한다.The conductive metal oxide film 22 contains an oxide of at least one metal selected from the group consisting of indium, tin, zinc, titanium, and gallium. In other words, the conductive metal oxide film 22 contains a metal oxide composed of the metal element and the oxygen element.
구체적으로는, 산화티타늄(TiO2), 산화인듐(In2O3), 산화주석(SnO2), 산화아연(ZnO), 산화갈륨(Ga2O3) 등을 들 수 있다.Specific examples thereof include titanium oxide (TiO 2 ), indium oxide (In 2 O 3 ), tin oxide (SnO 2 ), zinc oxide (ZnO), gallium oxide (Ga 2 O 3 ), and the like.
또한, 도전성 금속 산화물막(22)은 상기 열거되는 금속을 2종 이상 포함하는 산화물을 함유하고 있어도 된다. 구체적으로는, 산화인듐주석(ITO), 산화인듐아연(IZO), 산화아연주석(ZTO), 갈륨 첨가 산화아연(GZO) 등을 들 수 있다.In addition, the conductive metal oxide film 22 may contain an oxide containing two or more kinds of the metals listed above. Specifically, indium tin oxide (ITO), indium zinc oxide (IZO), zinc tin oxide (ZTO), gallium-added zinc oxide (GZO), etc. are mentioned.
상기 산화물 중에, 알루미늄, 몰리브덴, 구리, 바나듐, 니오븀, 탄탈, 붕소 및 불소로 이루어지는 군으로부터 선택되는 적어도 1종의 원소가 더 포함되어 있어도 된다. 상기 원소는 소위 도펀트의 역할을 한다.The oxide may further contain at least one element selected from the group consisting of aluminum, molybdenum, copper, vanadium, niobium, tantalum, boron, and fluorine. The element serves as a so-called dopant.
상기 원소가 포함되는 상기 금속의 산화물로서는, 예를 들어 알루미늄 첨가 산화아연(AZO), 몰리브덴 첨가 산화인듐(IMO), 니오븀 첨가 산화티타늄, 탄탈 첨가 산화티타늄, 니오븀 첨가 산화주석, 불소 첨가 산화주석(FTO), 붕소 첨가 산화아연(BZO), 알루미늄·구리 첨가 산화아연, 알루미늄·바나듐 첨가 산화아연, 니오븀·탄탈 첨가 산화주석 등을 들 수 있다.Examples of the oxide of the metal containing the element include aluminum-added zinc oxide (AZO), molybdenum-added indium oxide (IMO), niobium-added titanium oxide, tantalum-added titanium oxide, niobium-added tin oxide, and fluorine-containing tin oxide ( FTO), boron-added zinc oxide (BZO), aluminum-copper-added zinc oxide, aluminum vanadium-added zinc oxide, niobium-tantalum-added tin oxide, and the like.
그 중에서도, 도전성 금속 산화물막을 구비한 기판과 수지층의 박리성이 보다 우수한 동시에, 도전성이 보다 우수한 점에서, 산화인듐주석(ITO), 산화인듐아연(IZO), 알루미늄 첨가 산화아연(AZO), 갈륨 첨가 산화아연(GZO), 불소 첨가 산화주석(FTO), 니오븀 첨가 산화티타늄이 바람직하고, 산화인듐주석(ITO), 산화인듐아연(IZO), 불소 첨가 산화주석(FTO)이 보다 바람직하다.Among them, indium tin oxide (ITO), indium zinc oxide (IZO), aluminum-added zinc oxide (AZO), in terms of better peelability between the substrate with a conductive metal oxide film and the resin layer, and also excellent conductivity. Gallium-added zinc oxide (GZO), fluorine-containing tin oxide (FTO) and niobium-added titanium oxide are preferable, and indium tin oxide (ITO), indium zinc oxide (IZO), and fluorine-containing tin oxide (FTO) are more preferable.
도전성 금속 산화물막(22)은 상기의 금속의 산화물이 주성분으로서 포함되어 있는 것이 바람직하고, 구체적으로는 상기 금속의 산화물의 함유량이, 도전성 금속 산화물막 전량에 대해, 98질량% 이상인 것이 바람직하고, 99질량% 이상인 것이 보다 바람직하고, 99.999질량% 이상인 것이 특히 바람직하다.It is preferable that the oxide of the said metal is contained as a main component, and, as for the conductive metal oxide film 22, it is preferable that content of the oxide of the said metal is 98 mass% or more especially with respect to the conductive metal oxide film whole quantity, It is more preferable that it is 99 mass% or more, and it is especially preferable that it is 99.999 mass% or more.
도전성 금속 산화물막(22)에는, 본 발명의 효과를 손상시키지 않는 범위에서, 다른 금속의 산화물이 포함되어 있어도 된다. 또한, 도전성 금속 산화물막(22)에는, 본 발명의 효과를 손상시키지 않는 범위에서, 금속의 산화물 이외의 성분(예를 들어, 금속)이 포함되어 있어도 된다.The conductive metal oxide film 22 may contain an oxide of another metal within a range that does not impair the effects of the present invention. In addition, the conductive metal oxide film 22 may contain components (for example, metal) other than the oxide of a metal in the range which does not impair the effect of this invention.
도전성 금속 산화물막(22)의 두께는 특별히 제한되지 않지만, 중박리화에 의한 수지층(32)의 도전성 금속 산화물막을 구비한 기판(24)에의 부착을 보다 억제하고 또한 내찰상성을 유지하는 점에서는, 5 ~ 5000㎚가 바람직하고, 10 ~ 500㎚가 보다 바람직하다.The thickness of the conductive metal oxide film 22 is not particularly limited, but in view of more suppressing adhesion of the resin layer 32 to the substrate 24 provided with the conductive metal oxide film by heavy delamination and maintaining scratch resistance, 5-5000 nm is preferable and 10-500 nm is more preferable.
상기 소정의 금속의 산화물을 포함하는 도전성 금속 산화물막(22)은, 우수한 도전성을 나타낸다. 보다 구체적으로는, 박리되는 기판 표면 상의 박리 대전을 보다 억제할 수 있는 점에서, 도전성 금속 산화물막(22)의 시트 저항값은 0.1 ~ 1000Ω/□인 것이 바람직하고, 1 ~ 500Ω/□인 것이 보다 바람직하다. 또한, 측정 방법은, 공지의 방법(예를 들어, JIS R 1637(1998년 제정)에 규정되어 있는 4탐침 저항 측정법)이 채용된다.The conductive metal oxide film 22 containing the oxide of the predetermined metal exhibits excellent conductivity. More specifically, since the peeling charging on the surface of the substrate to be peeled off can be further suppressed, the sheet resistance value of the conductive metal oxide film 22 is preferably 0.1 to 1000 Ω / □, and preferably 1 to 500 Ω / □. More preferred. In addition, as a measuring method, a well-known method (for example, the four probe resistance measuring method prescribed | regulated to JISR1637 (established in 1998)) is employ | adopted.
도전성 금속 산화물막(22)의 수지층(32)과 접하는 표면(221)에 존재하는 극성기의 밀도가 적절한 것은, 밀착 전에 표면(221)의 물접촉각을 측정하여 판단된다. 일반적으로, 표면에 존재하는 친수성 등의 극성기의 밀도가 높을수록, 물접촉각이 작아지는 경향이 있다. 여기서, 물접촉각이란, JIS R 3257(1999년 제정)에 규정되어 있는 접촉각이다.The proper density of the polar group present on the surface 221 in contact with the resin layer 32 of the conductive metal oxide film 22 is determined by measuring the water contact angle of the surface 221 before close contact. In general, the higher the density of polar groups such as hydrophilicity present on the surface, the smaller the water contact angle tends to be. Here, a water contact angle is a contact angle prescribed | regulated to JISR3257 (established in 1999).
도전성 금속 산화물막(22)의 표면(221)의 밀착 전의 물접촉각은, 중박리화에 의한 수지층(32)의 도전성 금속 산화물막을 구비한 기판(24)에의 부착을 보다 억제하는 점에서, 20° 이상인 것이 바람직하고, 30 ~ 90°인 것이 보다 바람직하고, 40 ~ 70°인 것이 더 바람직하다.The water contact angle before the surface 221 of the conductive metal oxide film 22 is in close contact with each other is 20 ° because the adhesion of the resin layer 32 to the substrate 24 with the conductive metal oxide film due to heavy peeling is further suppressed. It is preferable that it is the above, It is more preferable that it is 30-90 degrees, It is more preferable that it is 40-70 degrees.
도전성 금속 산화물막(22)의 수지층(32)과 접하는 측의 표면(221)에는, 미세한 요철 구조가 미리 형성되어 있어도 된다. 이 경우, 요철 구조의 정도는, 도전성 금속 산화물막(22)의 표면(221)과 수지층(32)의 밀착면(321)이 앵커 효과에 의한 중박리화에 의해, 수지층(32)의 도전성 금속 산화물막을 구비한 기판(24)에의 과도한 부착을 발생하지 않는 범위인 것이 바람직하다.In the surface 221 of the side which contacts the resin layer 32 of the conductive metal oxide film 22, the fine uneven structure may be previously formed. In this case, the degree of the uneven structure is that the surface 221 of the conductive metal oxide film 22 and the contact surface 321 of the resin layer 32 are subjected to heavy peeling due to the anchor effect, so that the conductivity of the resin layer 32 is reduced. It is preferable that it is the range which does not produce excessive adhesion to the board | substrate 24 with a metal oxide film.
또한, 도전성 금속 산화물막(22)의 표면(221)의 표면 거칠기(Ra)는 0.1 ~ 50㎚인 것이 바람직하고, 0.5 ~ 5㎚인 것이 보다 바람직하다. Ra는 JIS B 0601(2001년 개정)에 따라서 측정된다.Moreover, it is preferable that it is 0.1-50 nm, and, as for the surface roughness Ra of the surface 221 of the conductive metal oxide film 22, it is more preferable that it is 0.5-5 nm. Ra is measured according to JIS B 0601 (revised 2001).
도전성 금속 산화물막(22)은 도전성 금속 산화물막을 구비한 기판(24)을 디바이스 용도로 사용하는 점을 고려하면, 투명한 것이 바람직하다. 구체적으로는, 파장 380 ~ 780㎚에 있어서의 투과율, 즉 도전성 금속 산화물막을 구비한 기판(24)의 가시광 투과율이 70% 이상인 것이 바람직하고, 80% 이상인 것이 보다 바람직하다.The conductive metal oxide film 22 is preferably transparent in consideration of the use of the substrate 24 having the conductive metal oxide film as a device. Specifically, the transmittance at a wavelength of 380 to 780 nm, that is, the visible light transmittance of the substrate 24 provided with the conductive metal oxide film is preferably 70% or more, and more preferably 80% or more.
도전성 금속 산화물막(22)은, 도 1에 있어서 단층으로서 기재되어 있지만, 2층 이상의 적층이여도 된다. 예를 들어, 도전성 금속 산화물막이 2층인 경우, 기판(20)에 접하는 제1 도전성 금속 산화물막과, 제1 도전성 금속 산화물막 위에 설치된 제2 도전성 금속 산화물층이 설치된다. 2층의 경우, 제1 도전성 금속 산화물막과 제2 도전성 금속 산화물막의 성분은 달라도 된다.Although the conductive metal oxide film 22 is described as a single layer in FIG. 1, two or more layers may be laminated. For example, when the conductive metal oxide film has two layers, the first conductive metal oxide film in contact with the substrate 20 and the second conductive metal oxide layer provided on the first conductive metal oxide film are provided. In the case of two layers, the component of a 1st conductive metal oxide film and a 2nd conductive metal oxide film may differ.
도전성 금속 산화물막(22)은, 본 발명의 효과를 손상시키지 않는 범위에서, 기판(20) 표면 상에 일부에 설치되어 있어도 된다. 예를 들어, 도전성 금속 산화물막(22)이, 기판(20) 표면 상에, 섬 형상이나, 스트라이프 형상으로 설치되어 있어도 된다.The electroconductive metal oxide film 22 may be provided in part on the surface of the board | substrate 20 in the range which does not impair the effect of this invention. For example, the conductive metal oxide film 22 may be provided in an island shape or a stripe shape on the substrate 20 surface.
보다 구체적으로는, 도전성 금속 산화물막(22)의 기판(20) 표면 상의 피복률은, 중박리화에 의한 수지층(32)의 도전성 금속 산화물막을 구비한 기판(24)에의 부착을 보다 억제하는 점에서는, 50 ~ 100%가 바람직하고, 75 ~ 100%가 보다 바람직하다.More specifically, the coverage on the substrate 20 surface of the conductive metal oxide film 22 further suppresses adhesion of the resin layer 32 to the substrate 24 having the conductive metal oxide film due to heavy peeling. In 50 to 100% is preferable, and 75 to 100% is more preferable.
(도전성 금속 산화물막의 제조 방법) (Method for producing conductive metal oxide film)
도전성 금속 산화물막(22)의 제조 방법은 특별히 제한되지 않고, 공지된 방법을 채용할 수 있다. 예를 들어, 증착법 또는 스퍼터링법에 의해, 기판(20) 위에 소정의 금속 산화물을 설치하는 방법을 들 수 있다.The manufacturing method of the conductive metal oxide film 22 is not specifically limited, A well-known method can be employ | adopted. For example, the method of providing a predetermined metal oxide on the board | substrate 20 by the vapor deposition method or the sputtering method is mentioned.
제조 조건은 사용되는 금속의 산화물에 따라, 적절히 최적의 조건이 선택된다.According to the oxide of the metal used for manufacturing conditions, optimal conditions are selected suitably.
도전성 금속 산화물막을 구비한 기판(24)은, 전술한 기판(20)과 도전성 금속 산화물막(22)을 구비하지만, 본 발명의 효과를 손상시키지 않는 범위에서, 기판(20)과 도전성 금속 산화물막(22) 사이에 다른 부재를 가져도 된다.Although the board | substrate 24 provided with the conductive metal oxide film is equipped with the board | substrate 20 mentioned above and the conductive metal oxide film 22, in the range which does not impair the effect of this invention, the board | substrate 20 and the conductive metal oxide film You may have another member between (22).
다른 부재로서는, 예를 들어 기판(20)으로부터 도전성 금속 산화물막(22)에의 알칼리 이온의 확산을 방지하는 알칼리 배리어층, 도전성 금속 산화물막(22)의 표면을 평탄화시키는 평탄화층 등을 들 수 있다.As another member, the alkali barrier layer which prevents the diffusion of alkali ions from the board | substrate 20 to the conductive metal oxide film 22, the planarization layer which flattens the surface of the conductive metal oxide film 22, etc. are mentioned, for example. .
<지지판> <Support plate>
지지판(31)은 수지층(32)과 협동하여, 도전성 금속 산화물막을 구비한 기판(24)을 지지하여 보강하고, 디바이스의 제조 공정에 있어서, 도전성 금속 산화물막을 구비한 기판(24)의 변형, 흠짐, 파손 등을 방지한다. 또한, 종래보다 두께가 얇은 도전성 금속 산화물막을 구비한 기판(24)을 사용하는 경우, 종래의 기판과 동일한 두께의 적층체(10)로 함으로써, 디바이스의 제조 공정에 있어서, 종래 두께의 기판에 적합한 제조 기술이나 제조 설비를 사용 가능하게 하는 것도, 지지판(31)을 사용하는 목적 중 하나이다.The support plate 31 cooperates with the resin layer 32 to support and reinforce the substrate 24 with the conductive metal oxide film, and in the manufacturing process of the device, the deformation of the substrate 24 with the conductive metal oxide film, Prevent scratches, breakage, etc. Moreover, when using the board | substrate 24 provided with the conductive metal oxide film which is thinner than the conventional, it is suitable for the board | substrate of the conventional thickness in the manufacturing process of a device by setting it as the laminated body 10 of the same thickness as the conventional board | substrate. It is also one of the objectives of using the support plate 31 to enable a manufacturing technique or a manufacturing facility.
지지판(31)으로서는, 예를 들어 유리판, 수지판, SUS판 등의 금속판 등이 사용된다. 지지판(31)은 디바이스의 제조 공정이 열처리를 수반하는 경우, 기판(20)과의 선팽창 계수의 차가 작은 재료로 형성되는 것이 바람직하고, 기판(20)과 동일 재료로 형성되는 것이 보다 바람직하다. 기판(20)이 유리 기판인 경우, 지지판(31)은 유리판인 것이 바람직하다. 특히, 지지판(31)은 기판(20)의 유리 기판과 동일한 유리 재료로 이루어지는 유리판인 것이 바람직하다.As the support plate 31, metal plates, such as a glass plate, a resin plate, and a SUS board, etc. are used, for example. When the device manufacturing process involves heat treatment, the support plate 31 is preferably formed of a material having a small difference in coefficient of linear expansion with the substrate 20, and more preferably formed of the same material as the substrate 20. When the board | substrate 20 is a glass substrate, it is preferable that the support plate 31 is a glass plate. In particular, the support plate 31 is preferably a glass plate made of the same glass material as that of the glass substrate of the substrate 20.
지지판(31)의 두께는, 기판(20)보다 두꺼워도 되고, 얇아도 된다. 바람직하게는, 도전성 금속 산화물막을 구비한 기판(24)의 두께, 수지층(32)의 두께 및 적층체(10)의 두께에 기초하여, 지지판(31)의 두께가 선택된다. 예를 들어, 현행의 디바이스의 제조 공정이 두께 0.5㎜의 기판을 처리하도록 설계된 것으로서, 도전성 금속 산화물막을 구비한 기판(24)의 두께와 수지층(32)의 두께의 합이 0.1㎜인 경우, 지지판(31)의 두께를 0.4㎜로 한다. 지지판(31)의 두께는, 통상의 경우, 0.2 ~ 5.0㎜인 것이 바람직하다.The thickness of the support plate 31 may be thicker than the board | substrate 20, and may be thin. Preferably, the thickness of the support plate 31 is selected based on the thickness of the substrate 24 with the conductive metal oxide film, the thickness of the resin layer 32 and the thickness of the laminate 10. For example, when the manufacturing process of the current device is designed to process a substrate having a thickness of 0.5 mm, and the sum of the thickness of the substrate 24 having the conductive metal oxide film and the thickness of the resin layer 32 is 0.1 mm, The thickness of the support plate 31 shall be 0.4 mm. It is preferable that the thickness of the support plate 31 is 0.2-5.0 mm normally.
지지판(31)이 유리판인 경우, 유리판의 두께는, 취급하기 쉽고 깨지기 어려운 등의 이유에서, 0.08㎜ 이상인 것이 바람직하다. 또한, 유리판의 두께는, 디바이스용 부재 형성 후에 박리할 때에, 깨지지 않고 적절하게 휘는 것 같은 강성이 요망되는 이유에서, 1.0㎜ 이하인 것이 바람직하다.When the support plate 31 is a glass plate, it is preferable that the thickness of a glass plate is 0.08 mm or more for the reason of being easy to handle and hard to break. In addition, it is preferable that the thickness of a glass plate is 1.0 mm or less, for the reason that rigidity like bending suitably without breaking is desired, when peeling after formation of a member for devices.
기판(20)과 지지판(31)의 25 ~ 300℃에 있어서의 평균 선팽창 계수(이하, 간단히 「평균 선팽창 계수」라고 함)의 차는, 바람직하게는 500×10-7/℃ 이하이고, 보다 바람직하게는 300×10-7/℃ 이하이고, 더 바람직하게는 200×10-7/℃ 이하이다. 차가 너무 크면, 디바이스의 제조 공정에 있어서의 가열 냉각 시에, 적층체(10)가 심하게 휘거나, 도전성 금속 산화물막을 구비한 기판(24)과 보강판(30)이 박리하거나 할 가능성이 있다. 기판(20)의 재료와 지지판(31)의 재료가 동일한 경우, 이러한 문제가 발생하는 것을 억제할 수 있다.The difference between the average linear expansion coefficient (hereinafter, simply referred to as "average linear expansion coefficient") at 25 to 300 ° C of the substrate 20 and the support plate 31 is preferably 500 × 10 -7 / ° C or less, and more preferably. Preferably it is 300x10 <-7> / degrees C or less, More preferably, it is 200x10 <-7> / degrees C or less. If the difference is too large, the laminate 10 may be severely bent at the time of heating and cooling in the manufacturing process of the device, or the substrate 24 and the reinforcing plate 30 provided with the conductive metal oxide film may peel off. When the material of the board | substrate 20 and the material of the support plate 31 are the same, it can suppress that this problem arises.
<수지층> <Resin Layer>
수지층(32)은 지지판(31) 위에 고정되어 있고, 또한 도전성 금속 산화물막을 구비한 기판(24)에 박리 가능하게 밀착되어 있다. 수지층(32)은 박리 조작이 행해질 때까지 도전성 금속 산화물막을 구비한 기판(24)의 위치 어긋남을 방지함과 함께, 박리 조작에 의해 도전성 금속 산화물막을 구비한 기판(24)으로부터 용이하게 박리하고, 도전성 금속 산화물막을 구비한 기판(24) 등이 박리 조작에 의해 파손하는 것을 방지한다.The resin layer 32 is fixed on the support plate 31 and is in close contact with the substrate 24 provided with the conductive metal oxide film so as to be peelable. The resin layer 32 prevents misalignment of the substrate 24 with the conductive metal oxide film until the peeling operation is performed, and easily peels from the substrate 24 with the conductive metal oxide film by the peeling operation. The substrate 24 provided with the conductive metal oxide film or the like is prevented from being damaged by the peeling operation.
수지층(32)의 크기는 특별히 한정되지 않는다. 수지층(32)의 크기는 기판(20)이나 지지판(31)보다 커도 되고, 작아도 된다.The size of the resin layer 32 is not specifically limited. The size of the resin layer 32 may be larger than the board | substrate 20 or the support plate 31, and may be small.
수지층(32)의 도전성 금속 산화물막(22)과 접하는 표면(321)(이하, 「밀착면(321)」이라고도 함)은, 일반적인 점착제가 갖는 것 같은 점착력이 아니고, 고체 분자간에 있어서의 반데르발스 힘에 기인하는 힘에 의해, 도전성 금속 산화물막(22)의 표면(221)에 부착해 있는 것이 바람직하다. 이것은, 도전성 금속 산화물막을 구비한 기판(24)을 용이하게 박리할 수 있기 때문이다. 본 발명에서는, 이 수지층 표면의 용이하게 박리할 수 있는 성질을 박리성이라고 한다.The surface 321 (hereinafter also referred to as "adhesive surface 321") in contact with the conductive metal oxide film 22 of the resin layer 32 is not an adhesive force that a general pressure-sensitive adhesive has but a half in solid molecules. It is preferable that it adheres to the surface 221 of the conductive metal oxide film 22 by the force resulting from a dervals force. This is because the substrate 24 provided with the conductive metal oxide film can be easily peeled off. In this invention, the property which can peel easily on this resin layer surface is called peelability.
한편, 수지층(32)의 지지판(31)의 표면에 대한 결합력은, 수지층(32)의 도전성 금속 산화물막을 구비한 기판(24)의 표면(도전성 금속 산화물막(22)의 표면(221)에 해당)에 대한 결합력보다 상대적으로 높다. 이 때문에, 수지층(32)과 지지판(31) 사이의 박리 강도는, 수지층(32)과 도전성 금속 산화물막을 구비한 기판(24) 사이의 박리 강도보다 높아지고 있다. 본 발명에서는, 수지층 표면의 기판 표면에 대한 결합을 밀착이라 하고, 수지층 표면과 지지판 표면에 대한 결합을 고정이라 한다. 수지층(32)과 지지판(31) 사이는, 점착력이나 접착력으로 결합하고 있는 것이 바람직하다. 단 이에 한정되는 것은 아니며, 수지층(32)의 도전성 금속 산화물막을 구비한 기판(24)에 대한 결합력보다 상대적으로 높은 한, 수지층(32)과 지지판(31) 사이는, 상기 반데르발스 힘에 기인하는 힘에 의해 부착되어 있어도 된다.On the other hand, the bonding force with respect to the surface of the support plate 31 of the resin layer 32 is the surface of the board | substrate 24 provided with the conductive metal oxide film of the resin layer 32 (surface 221 of the conductive metal oxide film 22). Is relatively higher than the binding force for. For this reason, the peeling strength between the resin layer 32 and the support plate 31 is higher than the peeling strength between the resin layer 32 and the board | substrate 24 provided with the conductive metal oxide film. In the present invention, the bonding of the resin layer surface to the substrate surface is called adhesion, and the bonding of the resin layer surface and the support plate surface is called fixing. It is preferable to couple between the resin layer 32 and the support plate 31 by adhesive force or adhesive force. However, the present invention is not limited thereto, and as long as the resin layer 32 is relatively higher than the bonding force with respect to the substrate 24 having the conductive metal oxide film, the van der Waals force is between the resin layer 32 and the support plate 31. It may be attached by the force originating in.
수지층(32)의 두께는, 특별히 한정되지 않지만, 1 ~ 100㎛인 것이 바람직하고, 5 ~ 30㎛인 것이 보다 바람직하고, 7 ~ 20㎛인 것이 더 바람직하다. 수지층(32)의 두께가 이러한 범위이면, 수지층(32)과 도전성 금속 산화물막을 구비한 기판(24)의 밀착이 충분해지기 때문이다. 또한, 수지층(32)과 도전성 금속 산화물막을 구비한 기판(24) 사이에 기포나 이물이 개재되어도, 도전성 금속 산화물막을 구비한 기판(24)의 왜곡 결함의 발생을 억제할 수 있기 때문이다. 또한, 수지층(32)의 두께가 너무 두꺼우면, 형성하는데 시간 및 재료를 필요로 하기 때문에 경제적이지 못하다.Although the thickness of the resin layer 32 is not specifically limited, It is preferable that it is 1-100 micrometers, It is more preferable that it is 5-30 micrometers, It is more preferable that it is 7-20 micrometers. This is because the adhesion between the resin layer 32 and the substrate 24 provided with the conductive metal oxide film becomes sufficient if the thickness of the resin layer 32 is in such a range. This is because generation of distortion defects in the substrate 24 including the conductive metal oxide film can be suppressed even when bubbles or foreign substances are interposed between the resin layer 32 and the substrate 24 including the conductive metal oxide film. In addition, if the thickness of the resin layer 32 is too thick, it is not economical because it requires time and materials to form.
또한, 수지층(32)은 2층 이상으로 이루어져 있어도 된다. 이 경우 「수지층(32)의 두께」는 모든 층의 합계의 두께를 의미하는 것으로 한다.In addition, the resin layer 32 may consist of two or more layers. In this case, "thickness of the resin layer 32" shall mean the thickness of the sum total of all the layers.
또한, 수지층(32)이 2층 이상으로 이루어지는 경우에는, 각각의 층을 형성하는 수지의 종류가 달라도 된다.In addition, when the resin layer 32 consists of two or more layers, the kind of resin which forms each layer may differ.
수지층(32)은 유리 전이점이 실온(25℃ 정도)보다 낮거나 또는 유리 전이점을 갖지 않는 재료로 이루어지는 것이 바람직하다. 비점착성의 수지층으로 되고, 보다 용이하게 도전성 금속 산화물막을 구비한 기판(24)과 박리할 수 있고, 동시에 도전성 금속 산화물막을 구비한 기판(24)과의 밀착도 충분해지기 때문이다.It is preferable that the resin layer 32 consists of a material whose glass transition point is lower than room temperature (about 25 degreeC), or does not have a glass transition point. It is because it becomes a non-adhesive resin layer, and it can peel easily with the board | substrate 24 with a conductive metal oxide film, and also the adhesiveness with the board | substrate 24 with a conductive metal oxide film becomes sufficient enough.
또한, 수지층(32)은 디바이스의 제조 공정에 있어서 가열 처리되는 경우가 많으므로, 내열성을 갖고 있는 것이 바람직하다.In addition, since the resin layer 32 is often heat-processed in the manufacturing process of a device, it is preferable to have heat resistance.
또한, 수지층(32)의 탄성률이 너무 높으면 도전성 금속 산화물막을 구비한 기판(24)의 밀착성이 낮아지는 경향이 있다. 한편, 수지층(32)의 탄성률이 너무 낮으면 박리성이 낮아진다.Moreover, when the elasticity modulus of the resin layer 32 is too high, there exists a tendency for the adhesiveness of the board | substrate 24 provided with the conductive metal oxide film to fall. On the other hand, when the elasticity modulus of the resin layer 32 is too low, peelability will become low.
수지층(32)을 형성하는 수지의 종류는 특별히 한정되지 않는다. 예를 들어, 아크릴 수지, 폴리올레핀 수지, 폴리우레탄 수지 또는 실리콘 수지를 들 수 있다. 몇몇 종류의 수지를 혼합하여 사용할 수도 있다. 그 중에서도 실리콘 수지가 바람직하다. 실리콘 수지는 내열성이나 박리성이 우수하기 때문이다. 또한, 지지판(31)이 유리판인 경우, 유리판 표면의 실라놀기와의 축합 반응에 의해, 유리판에 고정하기 쉽기 때문이다. 실리콘 수지층은 지지판(31)과 도전성 금속 산화물막을 구비한 기판(24) 사이에 개재 장착되어 있는 상태에서는, 예를 들어 대기 중 200℃ 정도에서 1시간 정도 처리해도, 박리성이 거의 열화되지 않는 점도 바람직하다.The kind of resin which forms the resin layer 32 is not specifically limited. For example, acrylic resin, polyolefin resin, polyurethane resin or silicone resin can be mentioned. Some types of resins may be mixed and used. Especially, silicone resin is preferable. It is because silicone resin is excellent in heat resistance and peelability. Moreover, when the support plate 31 is a glass plate, it is easy to fix to a glass plate by condensation reaction with the silanol group of the glass plate surface. In the state where the silicone resin layer is interposed between the support plate 31 and the substrate 24 provided with the conductive metal oxide film, even when the silicone resin layer is treated at about 200 ° C. for about 1 hour in the air, the peelability hardly deteriorates. Viscosity is preferred.
수지층(32)은 실리콘 수지 중에서도 박리지용으로 사용되는 실리콘 수지(경화물)로 이루어지는 것이 바람직하다. 박리지용 실리콘 수지로 되는 경화성 수지 조성물을 지지판(31)의 표면에 경화시켜서 형성한 수지층(32)은 우수한 박리성을 가지므로 바람직하다. 또한, 유연성이 높으므로, 수지층(32)과 도전성 금속 산화물막을 구비한 기판(24) 사이에 기포나 진개 등의 이물이 혼입되어도 도전성 금속 산화물막을 구비한 기판(24)의 왜곡 결함의 발생을 억제할 수 있다.It is preferable that the resin layer 32 consists of silicone resin (hardened | cured material) used for release papers among silicone resin. Since the resin layer 32 which hardened | cured the curable resin composition which consists of silicone resin for release papers on the surface of the support plate 31, and formed was excellent, it is preferable. In addition, since the flexibility is high, even if foreign matter such as bubbles or cracks is mixed between the resin layer 32 and the substrate 24 having the conductive metal oxide film, generation of distortion defects in the substrate 24 having the conductive metal oxide film is prevented. It can be suppressed.
이러한 박리지용 실리콘 수지로 되는 경화성 실리콘은, 그 경화 기구에 의해 축합 반응형 실리콘, 부가 반응형 실리콘, 자외선 경화형 실리콘 및 전자선 경화형 실리콘으로 분류되지만, 모두 사용할 수 있다. 이들 중에서도 부가 반응형 실리콘이 바람직하다. 이것은 경화 반응이 되기 쉽고, 수지층(32)을 형성했을 때에 박리성의 정도가 양호하며, 내열성도 높기 때문이다.Although curable silicone which becomes such a release paper silicone resin is classified into condensation reaction type | mold silicone, addition reaction type | mold silicone, ultraviolet curable silicone, and electron beam curable silicone by the hardening mechanism, all can be used. Of these, addition reaction type silicon is preferable. This is because it is easy to become hardening reaction, when the resin layer 32 is formed, the peelability is favorable and heat resistance is also high.
부가 반응형 실리콘은, 주제 및 가교제를 포함하고, 백금계 촉매 등의 촉매의 존재 하에서 경화하는 경화성의 조성물이다. 부가 반응형 실리콘의 경화는, 가열 처리에 의해 촉진된다. 부가 반응형 실리콘의 주제는, 규소 원자에 결합한 알케닐기(비닐기 등)를 갖는 오르가노폴리실록산(즉, 오르가노알케닐폴리실록산. 또한, 직쇄상이 바람직함)인 것이 바람직하며, 알케닐기 등이 가교점이 된다. 부가 반응형 실리콘의 가교제는, 규소 원자에 결합한 수소 원자(히드로실릴기)를 갖는 오르가노폴리실록산(즉, 오르가노히드로겐폴리실록산. 또한, 직쇄상이 바람직함)인 것이 바람직하며, 히드로실릴기 등이 가교점이 된다.Addition type | mold silicone is a curable composition containing a main body and a crosslinking agent, and hardening in presence of catalysts, such as a platinum type catalyst. Hardening of addition reaction type silicone is accelerated by heat processing. The main subject of the addition-reactive silicone is an organopolysiloxane having an alkenyl group (vinyl group or the like) bonded to a silicon atom (that is, organoalkenylpolysiloxane, preferably linear), and an alkenyl group or the like It becomes a crosslinking point. The crosslinking agent of the addition-reaction type silicone is preferably an organopolysiloxane having a hydrogen atom (hydrosilyl group) bonded to a silicon atom (i.e., an organohydrogenpolysiloxane, preferably linear), and a hydrosilyl group or the like. It becomes this crosslinking point.
부가 반응형 실리콘은 주제와 가교제의 가교점이 부가 반응을 함으로써 경화한다.The addition reaction type silicone is cured by addition reaction of the crosslinking point of the main material and the crosslinking agent.
또한, 박리지용 실리콘 수지로 되는 경화성 실리콘은 형태적으로 용제형, 에멀전형 및 무용제형이 있고, 어느 형태도 사용 가능하다. 이들 중에서도 무용제형이 바람직하다. 생산성, 안전성, 환경 특성의 면이 우수하기 때문이다. 또한, 수지층(32)을 형성할 때의 경화 시, 즉 가열 경화, 자외선 경화 또는 전자선 경화의 시에 발포를 발생하는 용제를 포함하지 않아, 수지층(32) 중에 기포가 잔류하기 어렵기 때문이다.Moreover, curable silicone which becomes a silicone resin for release papers has the form of a solvent type, an emulsion type, and a non-solvent type, and can use any form. Of these, no-solvent formulations are preferred. This is because it is excellent in terms of productivity, safety and environmental characteristics. In addition, since it does not contain the solvent which generate | occur | produces at the time of hardening at the time of forming the resin layer 32, ie, the heat hardening, ultraviolet hardening, or electron beam hardening, it is hard to remain a bubble in the resin layer 32. to be.
또한, 박리지용 실리콘 수지로 되는 경화성 실리콘으로서, 구체적으로는 시판되고 있는 상품명 또는 형번으로서 KNS-320A, KS-847(모두 신에쯔실리콘사 제조), TPR6700(모멘티브 퍼포먼스 머티리얼즈 재팬 고도가이샤 제조), 비닐 실리콘 「8500」(아라까와가가꾸고교사 제조)과 메틸히드로겐폴리실록산 「12031」(아라까와가가꾸고교사 제조)의 조합, 비닐 실리콘 「11364」(아라까와가가꾸고교사 제조)와 메틸히드로겐폴리실록산 「12031」(아라까와가가꾸고교사 제조)의 조합, 비닐 실리콘 「11365」(아라까와가가꾸고교사 제조)와 메틸히드로겐폴리실록산 「12031」(아라까와가가꾸고교사 제조)의 조합 등을 들 수 있다.Moreover, as curable silicone which becomes a silicone resin for release papers, KNS-320A, KS-847 (all are Shin-Etsu Silicone Co., Ltd.), TPR6700 (all made by Momentive Performance Materials Japan) ), A combination of vinyl silicone `` 8500 '' (manufactured by Arakawa Chemical Co., Ltd.) and methylhydrogenpolysiloxane `` 12031 '' (manufactured by Arakawa Chemical Industries, Ltd.), vinyl silicone `` 11364 '' (manufactured by Arakawa Chemical Industries, Ltd.) And combination of methyl hydrogen polysiloxane "12031" (made by Arakawa Chemical Co., Ltd.), vinyl silicone "11365" (made by Arakawa Chemical Co., Ltd.) and methyl hydrogen polysiloxane "12031" (Arakawa Chemical Co., Ltd. make) ), And the like.
또한, KNS-320A, KS-847 및 TPR6700은, 미리 주제와 가교제를 함유하고 있는 경화성 실리콘이다.In addition, KNS-320A, KS-847, and TPR6700 are curable silicones containing a main material and a crosslinking agent previously.
또한, 수지층(32)을 형성하는 실리콘 수지는 실리콘 수지층 중 저분자량의 실리콘 등의 성분이 도전성 금속 산화물막을 구비한 기판(24)에 이행하기 어려운 성질, 즉 저실리콘 이행성을 갖는 것이 바람직하다. 또한, 가교 구조에 유래하는 내열성의 관점에서, 오르가노알케닐폴리실록산의 알케닐기에 대한, 오르가노히드로겐폴리실록산의 규소 원자에 결합한 수소 원자의 몰비가 0.5 ~ 2인 것이 바람직하다.Moreover, it is preferable that the silicone resin which forms the resin layer 32 has the property which a component, such as low molecular weight silicon, in a silicone resin layer is hard to transfer to the board | substrate 24 provided with the conductive metal oxide film, ie, low silicon transition property. Do. Moreover, it is preferable that the molar ratio of the hydrogen atom couple | bonded with the silicon atom of organohydrogenpolysiloxane with respect to the alkenyl group of organo alkenyl polysiloxane from the viewpoint of the heat resistance derived from a crosslinked structure is 0.5-2.
(수지층의 제조 방법) (Method for producing resin layer)
수지층(32)을 지지판(31) 위에 고정하는 방법은, 특별히 한정되지 않지만, 예를 들어 필름 형상의 수지를 지지판(31)의 표면에 고정하는 방법을 들 수 있다. 구체적으로는, 지지판(31)의 표면에, 필름의 표면에 대한 높은 고정력(높은 박리 강도)을 부여하기 위해서, 지지판(31)의 표면에 표면 개질 처리(프라이밍 처리)를 행하여, 지지판(31) 위에 고정하는 방법을 들 수 있다. 예를 들어, 실란 커플링제와 같은 화학적으로 고정력을 향상시키는 화학적 방법(프라이머 처리), 플라즈마 조사나 프레임(화염) 처리와 같이 SiOH기, SiO기와 같은 표면 활성기를 증가시키는 물리적 방법, 샌드블라스트 처리와 같이 표면의 조도를 증가시킴으로써 걸림을 증가시키는 기계적 처리 방법 등이 예시된다.Although the method of fixing the resin layer 32 on the support plate 31 is not specifically limited, For example, the method of fixing the film-shaped resin to the surface of the support plate 31 is mentioned. Specifically, in order to give a high fixing force (high peel strength) to the surface of the film on the surface of the support plate 31, a surface modification treatment (priming treatment) is performed on the surface of the support plate 31 to support the support plate 31. The method of fixing on top is mentioned. For example, chemical methods such as silane coupling agents (primer treatment), physical methods of increasing surface active groups such as SiOH groups and SiO groups, such as plasma irradiation or flame (flame) treatment, sandblast treatment and As such, a mechanical treatment method for increasing engagement by increasing the roughness of the surface is exemplified.
또한, 예를 들어 지지판(31) 표면 상에 수지층(32)으로 되는 경화성 수지 조성물의 층을 형성하고, 계속해서, 상기 경화성 수지 조성물을 경화하여 수지층(32)을 형성하는 방법으로 지지판(31) 위에 고정된 수지층(32)을 형성할 수도 있다. 지지판(31) 표면 상에 경화성 수지 조성물의 층을 형성하는 방법으로서는, 예를 들어 경화성 수지 조성물을 지지판(31) 위에 코트하는 방법을 들 수 있다. 코트하는 방법으로서는, 스프레이 코트법, 다이 코트법, 스핀 코트법, 딥 코트법, 롤 코트법, 바 코트법, 스크린 인쇄법, 그라비아 코트법 등을 들 수 있다. 이러한 방법 중에서, 수지 조성물의 종류에 따라 적절히 선택할 수 있다.For example, the support plate (by a method of forming the layer of curable resin composition which becomes the resin layer 32 on the support plate 31 surface, and then hardening the said curable resin composition and forming the resin layer 32) The resin layer 32 fixed on 31 may be formed. As a method of forming a layer of curable resin composition on the support plate 31 surface, the method of coat | covering curable resin composition on the support plate 31 is mentioned, for example. As a coating method, a spray coating method, the die coating method, the spin coating method, the dip coating method, the roll coating method, the bar coating method, the screen printing method, the gravure coating method, etc. are mentioned. Among these methods, it can select suitably according to the kind of resin composition.
또한, 수지층(32)으로 되는 경화성 수지 조성물을 지지판(31) 위에 코트하는 경우, 그 도포량은 1 ~ 100g/㎡인 것이 바람직하고, 5 ~ 20g/㎡인 것이 보다 바람직하다.Moreover, when coating curable resin composition used as the resin layer 32 on the support plate 31, it is preferable that it is 1-100 g / m <2>, and it is more preferable that it is 5-20 g / m <2>.
예를 들어, 부가 반응형 실리콘의 경화성 수지 조성물로부터 수지층(32)을 형성하는 경우, 오르가노알케닐폴리실록산과 오르가노히드로겐폴리실록산과 촉매의 혼합물로 이루어지는 경화성 수지 조성물을, 상기 스프레이 코트법 등의 공지된 방법에 의해 지지판(31) 위에 도포하고, 그 후에 가열 경화시킨다. 가열 경화 조건은, 촉매의 배합량에 따라서도 다른데, 예를 들어 오르가노알케닐폴리실록산과 오르가노히드로겐폴리실록산의 합계량 100질량부에 대해, 백금계 촉매를 2질량부 배합한 경우, 대기 중에서 50℃ ~ 250℃, 바람직하게는 100℃ ~ 200℃에서 반응시킨다. 또한, 이 경우의 반응 시간은 5 ~ 60분간, 바람직하게는 10 ~ 30분간으로 한다.For example, when forming the resin layer 32 from the curable resin composition of addition reaction type silicone, the curable resin composition which consists of a mixture of organo alkenyl polysiloxane, organohydrogen polysiloxane, and a catalyst is mentioned with the said spray coating method, etc. It is apply | coated on the support plate 31 by the well-known method of, and it heat-hardens after that. Although the heat-hardening condition changes also with the compounding quantity of a catalyst, For example, when 2 mass parts of platinum-type catalysts are mix | blended with respect to 100 mass parts of total amounts of organo alkenyl polysiloxane and organohydrogen polysiloxane, it is 50 degreeC in air | atmosphere. To 250 ° C, preferably 100 ° C to 200 ° C. In addition, the reaction time in this case is 5 to 60 minutes, Preferably it is 10 to 30 minutes.
경화성 수지 조성물을 가열 경화시킴으로써, 경화 반응 시에 실리콘 수지가 지지판(31)과 화학적으로 결합한다. 또한, 앵커 효과에 의해 실리콘 수지층이 지지판(31)과 결합한다. 이들 작용에 의해, 실리콘 수지층이 지지판(31)에 견고하게 고정된다. 또한, 실리콘 수지 이외의 수지로 이루어지는 수지층을 경화성 수지 조성물로 형성하는 경우도, 상기와 마찬가지의 방법으로 지지판에 고정된 수지층을 형성할 수 있다.By heat-hardening curable resin composition, a silicone resin couple | bonds with the support plate 31 chemically at the time of hardening reaction. In addition, the silicone resin layer is bonded to the support plate 31 by the anchor effect. By these actions, the silicone resin layer is firmly fixed to the support plate 31. Moreover, also when forming the resin layer which consists of resins other than a silicone resin from curable resin composition, the resin layer fixed to the support plate can be formed by the method similar to the above.
<적층체 및 그 제조 방법> <Laminated body and its manufacturing method>
본 발명의 적층체(10)는 전술한 바와 같이, 도전성 금속 산화물막을 구비한 기판(24)과 지지판(31)과 그들 사이에 수지층(32)이 존재하는 적층체이다.As mentioned above, the laminated body 10 of this invention is a board | substrate 24 with a conductive metal oxide film, the support plate 31, and the laminated body in which the resin layer 32 exists between them.
본 발명의 적층체의 제조 방법은 특별히 제한되지 않지만, 통상 전술한 방법에 의해 표면 상에 수지층(32)이 고정된 지지판(31)을 제작하고, 그 후 수지층(32) 위에 도전성 금속 산화물막을 구비한 기판(24)을, 도전성 금속 산화물막(22)이 수지층(32)과 박리 가능하게 밀착하도록 배치한다.Although the manufacturing method of the laminated body of this invention is not specifically limited, Usually, the support plate 31 in which the resin layer 32 was fixed on the surface was produced by the method mentioned above, and after that, a conductive metal oxide is carried out on the resin layer 32. The board | substrate 24 with a film | membrane is arrange | positioned so that the conductive metal oxide film 22 may contact with the resin layer 32 so that peeling is possible.
수지층(32)을 도전성 금속 산화물막을 구비한 기판(24) 위에 박리 가능하게 밀착시키는 방법은 특별히 한정되지 않고 공지의 방법이어도 된다. 예를 들어, 상압 환경 하에서 수지층(32)의 박리성 표면에 도전성 금속 산화물막을 구비한 기판(24)을 겹친 후, 롤이나 프레스를 사용해서 수지층(32)과 도전성 금속 산화물막을 구비한 기판(24)을 압착시키는 방법을 들 수 있다. 롤이나 프레스로 압착함으로써 수지층(32)과 도전성 금속 산화물막을 구비한 기판(24)이 보다 밀착하므로 바람직하다. 또한, 롤 또는 프레스에 의한 압착에 의해, 수지층(32)과 도전성 금속 산화물막을 구비한 기판(24) 사이에 혼입되어 있는 기포가 비교적 용이하게 제거되므로 바람직하다.The method of bringing the resin layer 32 into close contact with the substrate 24 provided with the conductive metal oxide film so that the resin layer 32 can be peeled off is not particularly limited, and a known method may be used. For example, after laminating | stacking the board | substrate 24 with an electroconductive metal oxide film on the peelable surface of the resin layer 32 in an atmospheric pressure environment, the board | substrate with the resin layer 32 and the electroconductive metal oxide film using a roll or a press. The method of crimping | bonding (24) is mentioned. Since the resin layer 32 and the board | substrate 24 with an electroconductive metal oxide film adhere more closely by crimping | bonding by a roll or a press, it is preferable. Moreover, since the bubble mixed in between the resin layer 32 and the board | substrate 24 provided with the conductive metal oxide film is removed comparatively easily by the crimping | rolling by a roll or a press, it is preferable.
진공 라미네이트법이나 진공 프레스법에 의해 압착하면, 기포의 혼입의 억제나 양호한 밀착의 확보가 보다 바람직하게 행해지므로 보다 바람직하다. 진공 하에서 압착함으로써, 미소한 기포가 잔존한 경우라도, 가열에 의해 기포가 성장하지 않고, 도전성 금속 산화물막을 구비한 기판(24)의 왜곡 결함에 연결되기 어렵다고 하는 이점도 있다.When it crimps | bonds by the vacuum lamination method or the vacuum press method, it is more preferable because suppression of mixing of foam | bubble, and ensuring good adhesion are performed more preferable. By pressing under vacuum, even when a minute bubble remains, there is an advantage that the bubble does not grow by heating and is difficult to be connected to the distortion defect of the substrate 24 provided with the conductive metal oxide film.
수지층(32)을 도전성 금속 산화물막을 구비한 기판(24) 위에 박리 가능하게 밀착시킬 때는, 수지층(32) 및 도전성 금속 산화물막을 구비한 기판(24)의 서로 접촉하는 측의 면을 충분히 세정하여, 클린도가 높은 환경에서 적층하는 것이 바람직하다. 수지층(32)과 도전성 금속 산화물막을 구비한 기판(24) 사이에 이물이 혼입되어도, 수지층(32)이 변형되므로 도전성 금속 산화물막을 구비한 기판(24)의 표면의 평탄성에 영향을 주지는 않지만, 클린도가 높을수록 그 평탄성은 양호해지므로 바람직하다.When the resin layer 32 is brought into close contact with the substrate 24 provided with the conductive metal oxide film, the surfaces of the resin layer 32 and the substrate 24 provided with the conductive metal oxide film in contact with each other are sufficiently washed. It is preferable to laminate in a high clean environment. Even if foreign matter is mixed between the resin layer 32 and the substrate 24 having the conductive metal oxide film, the resin layer 32 is deformed, which affects the flatness of the surface of the substrate 24 with the conductive metal oxide film. However, the higher the cleanliness, the better the flatness becomes, which is preferable.
또한, 수지층(32)을 지지판(31) 위에 고정하는 공정과, 수지층(32)을 도전성 금속 산화물막을 구비한 기판(24) 위에 박리 가능하게 밀착시키는 공정의 순서에 제한은 없으며, 예를 들어 대략 동시여도 된다.In addition, there is no restriction | limiting in the order of the process of fixing the resin layer 32 on the support plate 31, and the process of making the resin layer 32 contact | adhesive so that it can peel on the board | substrate 24 provided with a conductive metal oxide film, for example, For example, it may be approximately simultaneous.
본 발명의 적층체는, 다양한 용도로 사용할 수 있으며, 예를 들어 후술하는 표시 장치용 패널, PV, 박막 2차 전지, 표면에 회로가 형성된 반도체 웨이퍼 등의 전자 부품을 제조하는 용도 등을 들 수 있다. 또한, 상기 용도에서는, 적층체가 고온 조건(예를 들어, 320℃ 이상)으로 노출되는(예를 들어, 1시간 이상) 경우가 많다.The laminated body of this invention can be used for various uses, For example, the manufacture of electronic components, such as a display device panel mentioned later, a PV, a thin film secondary battery, and a semiconductor wafer with a circuit formed in the surface, etc. are mentioned. have. In addition, in the said use, a laminated body is exposed to high temperature conditions (for example, 320 degreeC or more) (for example, 1 hour or more) in many cases.
여기서, 표시 장치용 패널이란, LCD, OLED, 전자 페이퍼, 플라즈마 디스플레이 패널, 필드 에미션 패널, 양자 도트 LED 패널, MEMS(Micro Electro Mechanical Systems) 셔터 패널 등이 포함된다.Here, the panel for a display device includes an LCD, an OLED, an electronic paper, a plasma display panel, a field emission panel, a quantum dot LED panel, a MEMS (Micro Electro Mechanical Systems) panel, and the like.
<지지판을 구비한 표시 장치용 패널 및 그 제조 방법> <Panel for Display Device with Support Plate and Manufacturing Method Thereof>
본 발명에 있어서는, 전술한 적층체를 사용해서, 지지판을 구비한 표시 장치용 패널이 제조된다.In this invention, the panel for display apparatus provided with a support plate is manufactured using the laminated body mentioned above.
도 2는 본 발명에 따른 지지판을 구비한 표시 장치용 패널의 일례의 모식적 단면도이다.2 is a schematic cross-sectional view of an example of a panel for a display device provided with a supporting plate according to the present invention.
지지판을 구비한 표시 장치용 패널(40)은 상기 적층체(10)와, 표시 장치용 패널의 구성 부재(50)로 구성된다.The display device panel 40 with a supporting plate is composed of the laminate 10 and the constituent members 50 of the display device panel.
(표시 장치용 패널의 구성 부재) (Constituent member of panel for display device)
표시 장치용 패널의 구성 부재(50)란, 예를 들어 유리 기판을 사용한 LCD, OLED 등의 표시 장치에 있어서, 유리 기판 위에 형성된 부재나 그 일부를 말한다. 예를 들어, LCD, OLED 등의 표시 장치에 있어서는, 기판의 표면에 TFT 어레이(이하, 간단히 「어레이」라고 함), 보호층, 컬러 필터, 액정, ITO를 포함하여 이루어지는 투명 전극 등, 각종 회로 패턴 등의 부재 또는 이들을 조합한 것이 형성된다. 또한, 예를 들어 OLED를 포함하여 이루어지는 표시 장치에 있어서는, 기판 위에 형성된 투명 전극, 홀 주입층, 홀 수송층, 발광층, 전자 수송층 등을 들 수 있다.The structural member 50 of the panel for display devices means the member formed on the glass substrate, or its part in display apparatuses, such as LCD and OLED using a glass substrate, for example. For example, in a display device such as an LCD or an OLED, various circuits such as a TFT array (hereinafter simply referred to as an "array"), a protective layer, a color filter, a liquid crystal, and a transparent electrode including ITO are formed on the surface of a substrate. A member such as a pattern or a combination of these is formed. Moreover, in the display apparatus which consists of OLED, for example, the transparent electrode formed on the board | substrate, a hole injection layer, a hole transport layer, a light emitting layer, an electron carrying layer, etc. are mentioned.
전술한 지지판을 구비한 표시 장치용 패널(40)의 제조 방법은 특별히 한정되지 않고 표시 장치용 패널의 구성 부재의 종류에 따라서 종래 공지의 방법으로, 적층체(10)의 도전성 금속 산화물막을 구비한 기판(24) 표면 상에, 표시 장치용 패널의 구성 부재(50)를 형성한다.The manufacturing method of the display device panel 40 provided with the above-mentioned support plate is not specifically limited, According to the kind of structural member of a display device panel, it is a conventionally well-known method provided with the conductive metal oxide film of the laminated body 10. The structural member 50 of the panel for display apparatuses is formed on the board | substrate 24 surface.
예를 들어, OLED를 제조하는 경우를 예로 들면, 적층체(10)의 도전성 금속 산화물막을 구비한 기판(24)의 수지층(32)과 밀착하는 표면과는 반대측의 표면 상(기판의 제2 주면(202)에 해당)에 유기 EL 구조체를 형성하기 위해서, 투명 전극을 형성하는 것, 또한 투명 전극을 형성한 면 상에 홀 주입층·홀 수송층·발광층·전자 수송층 등을 증착하는 것, 이면 전극을 형성하는 것, 밀봉판을 사용해서 밀봉하는 것, 등의 각종 층형성이나 처리가 행해진다. 이들 층 형성이나 처리로 하여, 구체적으로는, 예를 들어 성막 처리, 증착 처리, 밀봉판의 접착 처리 등을 들 수 있다. 이들 구성 부재의 형성은, 표시 장치용 패널에 필요한 전체 구성 부재의 형성의 일부여도 된다. 그 경우, 그 일부의 구성 부재를 형성한 도전성 금속 산화물막을 구비한 기판(24)을 수지층(32)으로 박리한 후, 나머지의 구성 부재를 도전성 금속 산화물막을 구비한 기판(24) 위에 형성하여 표시 장치용 패널을 제조한다.For example, in the case of manufacturing OLED, for example, on the surface on the side opposite to the surface in close contact with the resin layer 32 of the substrate 24 provided with the conductive metal oxide film of the laminate 10 (the second of the substrate) In order to form an organic EL structure on the main surface 202), forming a transparent electrode, or depositing a hole injection layer, a hole transport layer, a light emitting layer, an electron transport layer, etc. on the surface on which the transparent electrode is formed, the back surface Various layer formation and processes, such as forming an electrode and sealing using a sealing plate, are performed. As these layer formation and processing, a film-forming process, a vapor deposition process, the adhesion process of a sealing plate, etc. are mentioned specifically ,. The formation of these structural members may be part of the formation of all the structural members required for the display device panel. In that case, after peeling the board | substrate 24 provided with the conductive metal oxide film which formed the one structural component with the resin layer 32, the remaining structural member is formed on the board | substrate 24 provided with the conductive metal oxide film, A panel for display device is manufactured.
<표시 장치용 패널 및 그 제조 방법> <Panel for Display Device and Manufacturing Method Thereof>
본 발명에 따른 표시 장치용 패널(60)은, 도 2에 도시한 바와 같이, 도전성 금속 산화물막을 구비한 기판(24)과 표시 장치용 패널의 구성 부재(50)로 구성된다.As shown in FIG. 2, the display device panel 60 according to the present invention is composed of a substrate 24 having a conductive metal oxide film and a constituent member 50 of the panel for display devices.
표시 장치용 패널(60)은 지지판을 구비한 표시 장치용 패널(40)로부터, 도전성 금속 산화물막을 구비한 기판(24)과 지지판(31)에 고정되어 있는 수지층(32)을 박리하여 얻을 수 있다.The display device panel 60 can be obtained by peeling the substrate 24 provided with the conductive metal oxide film and the resin layer 32 fixed to the support plate 31 from the display device panel 40 provided with the support plate. have.
또한, 박리 시의 도전성 금속 산화물막을 구비한 기판(24) 위의 구성 부재가 표시 장치용 패널에 필요한 전체 구성 부재의 형성의 일부인 경우에는, 그 후 나머지의 구성 부재를 도전성 금속 산화물막을 구비한 기판(24) 위에 형성하여 표시 장치용 패널을 제조한다.In addition, when the structural member on the board | substrate 24 provided with the conductive metal oxide film at the time of peeling is a part of formation of all the structural members required for the panel for display apparatuses, the remaining structural member is the board | substrate with a conductive metal oxide film after that. It forms on the 24 and manufactures a panel for display devices.
도전성 금속 산화물막(22)과 수지층(32)의 박리성 표면을 박리하는 방법은, 특별히 한정되지 않는다. 구체적으로는, 예를 들어 도전성 금속 산화물막(22)과 수지층(32)의 계면에 예리한 칼날 형상의 것을 삽입하여, 박리의 계기를 부여한 다음, 물과 압축 공기의 혼합 유체를 분사하거나 해서 박리할 수 있다.The method of peeling the peelable surface of the electroconductive metal oxide film 22 and the resin layer 32 is not specifically limited. Specifically, for example, a sharp blade-shaped object is inserted into the interface between the conductive metal oxide film 22 and the resin layer 32 to give an opportunity for peeling, and then sprayed by spraying a mixed fluid of water and compressed air, or peeling off. can do.
또한, 지지판을 구비한 표시 장치용 패널(40)로부터 표시 장치용 패널(60)을 박리한 후, 필요에 따라서, 표시 장치용 패널(60) 중 도전성 금속 산화물막을 구비한 기판(24)의 도전성 금속 산화물막(22) 위에 별도 표시 장치용 패널의 구성 부재를 설치해도 된다.In addition, after peeling the display device panel 60 from the display device panel 40 provided with a support plate, the electroconductivity of the board | substrate 24 provided with the conductive metal oxide film among the display device panel 60 as needed. A structural member of a panel for a display device may be separately provided on the metal oxide film 22.
<표시 장치> <Display device>
또한, 이러한 표시 장치용 패널(60)로부터 표시 장치를 얻을 수 있다. 표시 장치로서는 LCD, OLED를 들 수 있다. LCD로서는 TN형, STN형, FE형, TFT형, MIM형을 들 수 있다.In addition, a display device can be obtained from such a panel 60 for display devices. As a display apparatus, LCD and OLED are mentioned. Examples of the LCD include TN type, STN type, FE type, TFT type, and MIM type.
여기서 표시 장치를 얻는 조작은 특별히 한정되지 않고 예를 들어, 종래 공지 방법으로 표시 장치를 제조할 수 있다.The operation for obtaining the display device is not particularly limited, and for example, the display device can be manufactured by a conventionally known method.
실시예Example
이하에, 실시예 등에 의해 본 발명을 구체적으로 설명하지만, 본 발명은 이들 예에 의해 한정되는 것은 아니다.Hereinafter, the present invention will be described in detail by way of examples and the like, but the present invention is not limited to these examples.
또한, 후술하는 실시예 및 비교예에 있어서, 물접촉각은, 접촉각계(크로스사 제조, DROP SHAPE ANALYSIS SYSTEM DSA 10Mk2)를 사용해서 측정하였다. 또한, 표면 거칠기 Ra는, 원자간력 현미경(세이코 인스트루먼츠사 제조, SPA300/SPI3800)을 사용해서 측정하였다.In addition, in the Example and comparative example mentioned later, the water contact angle was measured using the contact angle meter (the cross company make, DROP SHAPE ANALYSIS SYSTEM DSA 10Mk2). In addition, surface roughness Ra was measured using the atomic force microscope (The Seiko Instruments company make, SPA300 / SPI3800).
박판 유리 적층체의 가열 후의 박리성은, 후술하는 소정의 조건으로 가열 처리 후, 박판 유리 기판과 수지층을 박리하고, 박판 유리 기판의 수지층과 접촉하고 있던 면 상을 육안으로 관찰함으로써 평가하였다. 수지층의 잔사가 없는 것이 좋고, 수지층의 잔사가 있는 것이 나쁜 평가이다.The peelability after the heating of a thin glass laminated body evaluated by peeling a thin glass substrate and a resin layer after heat processing on the predetermined conditions mentioned later, and visually observing the surface image which contacted the resin layer of a thin glass substrate. It is good that there is no residue of a resin layer, and it is bad evaluation that there is a residue of a resin layer.
또한, 박리된 박판 유리 기판의 수지층과 접촉하고 있던 면 상에, 상압 리모트 플라즈마 장치(세끼스이가가꾸사 제조)를 사용해서 플라즈마 조사를 실시하고, 또한 편광 필름(닛토덴코사 제조, 아크릴계 점착제)을 부착하여, 박리의 발생 유무를 평가하였다. 박리가 발생하지 않는 것은, 수지층의 잔사가 없는 것을 나타낸다. 박리가 발생하는 것은, 수지층의 잔사가 있는 것을 나타낸다.Moreover, plasma irradiation was performed on the surface which contacted the resin layer of the peeled thin glass substrate using the atmospheric pressure remote plasma apparatus (made by Sekisui Chemical Co., Ltd.), and also the polarizing film (Nitto Denko Corporation make, acrylic adhesive) ) Was attached and the presence or absence of peeling was evaluated. The absence of peeling indicates that there is no residue of the resin layer. Peeling generate | occur | produces that there exists a residue of a resin layer.
<실시예 1> &Lt; Example 1 >
처음에, 세로 720㎜, 가로 600㎜, 판 두께 0.4㎜, 선팽창 계수 38×10-7/℃의 지지 유리 기판(무알칼리 유리, 아사히 가라스 가부시키가이샤 제조 AN100)을 순수 세정한 후, 또한 UV 세정하여 청정화하였다.First, after purely washing the support glass substrate (alkali-free glass, Asahi Glass Co., Ltd. AN100) of 720 mm long, 600 mm wide, 0.4 mm thick, and a coefficient of linear expansion 38x10 <-7> / degreeC, UV cleaning to purge.
이어서, 지지 유리 기판의 제1 주면 상에, 무용제 부가 반응형 박리지용 실리콘(신에쯔실리콘사 제조, KNS-320A, 점도:0.40㎩·s, 용해 파라미터(SP값):7.3) 100질량부와 백금계 촉매(신에쯔실리콘사 제조, CAT-PL-56) 2질량부의 혼합액을, 세로 705㎜, 가로 595㎜의 크기로 직사각형으로 스크린 인쇄기로 도포 시공하였다(도포 시공량 30g/㎡).Next, on a 1st main surface of a support glass substrate, 100 mass parts of silicone for solventless addition reaction type release paper (Shin-Etsu Silicone Co., KNS-320A, viscosity: 0.40 Pa.s, dissolution parameter (SP value): 7.3) And a mixture of 2 parts by mass of a platinum-based catalyst (manufactured by Shin-Etsu Silicone Co., Ltd., CAT-PL-56) were applied in a rectangular screen-printer with a size of 705 mm long and 595 mm wide (coating amount 30 g / m 2). .
이어서, 이것을 180℃에서 30분간 대기 중에서 가열 경화하여, 지지 유리 기판의 제1 주면에 두께 20㎛의 실리콘 수지층을 형성하였다.Subsequently, this was heat-hardened in air | atmosphere for 30 minutes at 180 degreeC, and the silicone resin layer of 20 micrometers in thickness was formed in the 1st main surface of a support glass substrate.
또한, 상기 무용제 부가 반응형 박리지용 실리콘은, 규소 원자에 결합한 비닐기와 메틸기를 갖는 직쇄상 오르가노알케닐폴리실록산(주제)과, 규소 원자에 결합한 수소 원자를 메틸기를 갖는 직쇄상 오르가노히드로겐폴리실록산(가교제)을 포함하는 것이다.In addition, the above-mentioned non-solvent addition-reaction type release paper silicone is a linear organoalkenylpolysiloxane having a vinyl group and a methyl group bonded to a silicon atom (topic) and a linear organohydrogenpolysiloxane having a methyl group having a hydrogen atom bonded to a silicon atom. It includes (cross-linking).
이어서, 세로 720㎜, 가로 600㎜, 판 두께 0.3㎜, 선팽창 계수 38×10-7/℃의 박판 유리 기판(아사히 가라스 가부시키가이샤 제조 AN100)의 실리콘 수지와 접촉시키는 측의 면을 순수 세정하고, 그 후 UV 세정하여 청정화하였다. 또한, 청정화한 면에, 마그네트론 스퍼터링법(가열 온도 300℃, 성막 압력 5mTorr, 파워 밀도 0.5W/㎠)에 의해, 두께 10㎚의 ITO를 형성하고(시트 저항 300Ω/□), 박판 유리 기판(도전성 금속 산화물막을 구비한 박판 유리 기판)을 얻었다. 도전성 금속 산화물막 표면의 물접촉각은 45°였다. 또한, 도전성 금속 산화물막의 표면 거칠기 Ra는 0.7㎚였다.Subsequently, the surface of the side which makes contact with the silicone resin of the thin glass substrate (AN100 by Asahi Glass Co., Ltd.) of 720 mm in length, 600 mm in width, 0.3 mm in thickness, and a linear expansion coefficient of 38x10 <-7> / degreeC is wash | cleaned purely. Then, it was UV-cleaned and cleaned. Further, on the surface to be cleaned, ITO having a thickness of 10 nm was formed by a magnetron sputtering method (heating temperature of 300 ° C., film forming pressure of 5 mTorr, power density of 0.5 W / cm 2) (sheet resistance of 300Ω / □), and a thin glass substrate ( Thin glass substrate provided with a conductive metal oxide film). The water contact angle on the surface of the conductive metal oxide film was 45 degrees. In addition, the surface roughness Ra of the conductive metal oxide film was 0.7 nm.
그 후, 박판 유리 기판의 ITO 성막면과, 지지 유리 기판의 실리콘 수지층면을, 실온 하에서 진공 프레스에 의해 맞대서, 박판 유리 적층체 A1을 얻었다.Then, the ITO film-forming surface of the thin glass substrate and the silicone resin layer surface of the supporting glass substrate were faced by vacuum press at room temperature to obtain a thin glass laminate A1.
얻어진 박판 유리 적층체 A1에 있어서는, 양 유리 기판은, 실리콘 수지층과 기포를 발생하지 않고 밀착하고 있어, 왜곡 형상 결점도 없고, 평활성도 양호하였다.In obtained thin glass laminated body A1, both glass substrates were closely_contact | adhered without generating a silicone resin layer and foam | bubble, there was no distortion-like defect, and smoothness was also favorable.
(가열 후의 박리성 평가) (Evaluation of Peelability after Heating)
박판 유리 적층체 A1에 대해, 대기 산소가 0.1% 이하인 질소 분위기 중에서, 320℃에서 1시간 가열 처리를 실시하였다.About thin glass laminated body A1, heat processing was performed at 320 degreeC for 1 hour in nitrogen atmosphere whose atmospheric oxygen is 0.1% or less.
이어서, 박리 시험을 행하였다. 구체적으로는, 우선 박판 유리 적층체 A1에 있어서의 박판 유리의 제2 주면을 고정대 위에 고정하였다. 한편, 지지 유리 기판의 제2 주면을 흡착 패드로 흡착하였다. 이어서, 박판 유리 적층체 A1이 갖는 4개의 코너부 중 하나로서 박판 유리 기판과 수지층의 계면에, 두께 0.4㎜의 나이프를 삽입하고, 박판 유리 기판을 약간 박리하여, 박리의 계기를 부여하였다. 이어서, 흡착 패드를 고정대로부터 떨어지는 방향으로 이동시켜서, 박판 유리 기판과, 수지층을 갖는 지지 유리 기판을 박리하였다.Subsequently, peeling test was done. Specifically, first, the second main surface of the thin glass in the thin glass laminate A1 was fixed on the fixing table. On the other hand, the 2nd main surface of the support glass substrate was adsorbed by the adsorption pad. Subsequently, as one of four corner parts which thin glass laminated body A1 has, the knife of thickness 0.4mm was inserted in the interface of a thin glass substrate and a resin layer, the thin glass substrate was peeled off slightly, and the opportunity of peeling was given. Next, the adsorption pad was moved in the direction away from the fixing table, and the thin glass substrate and the supporting glass substrate having the resin layer were peeled off.
박리된 박판 유리 기판의 수지층과 접촉하고 있던 면 상(도전성 금속 산화물막 위)에는, 수지층의 잔사는 없었다. 또한, 박리 후의 박리된 박판 유리 기판의 수지층과 접촉하고 있던 면 상(도전성 금속 산화물막 위)의 대전 전위는, 정전기 측정기에 의해 +1.2㎸였다. 박리된 박판 유리 기판의 수지층과 접촉하고 있던 면 상(도전성 금속 산화물막 위)에, 상압 리모트 플라즈마 장치(세끼스이가가꾸사 제조)를 사용해서 플라즈마 조사를 실시하여, 편광 필름(닛토덴코사 제조, 아크릴 점착계제)을 부착하면, 박리는 발생하지 않았다.There was no residue of the resin layer on the surface (on the conductive metal oxide film) that was in contact with the resin layer of the peeled thin glass substrate. In addition, the charging potential on the surface (on the conductive metal oxide film) in contact with the resin layer of the peeled thin glass substrate after peeling was +1.2 kPa by an electrostatic measuring device. Plasma irradiation was performed on the surface (on the conductive metal oxide film) which was in contact with the resin layer of the peeled thin glass substrate using an atmospheric pressure remote plasma apparatus (manufactured by Sekisui Chemical Co., Ltd.), and a polarizing film (Nitto Denko Corporation). When adhesion | attachment of manufacture, an acrylic adhesive agent) was carried out, peeling did not arise.
<실시예 2> <Example 2>
실시예 1과 마찬가지로, 박판 유리 기판의 ITO 성막면과, 지지 유리 기판의 실리콘 수지층면을, 실온 하에서 진공 프레스에 의해 맞대서, 박판 유리 적층체 A1을 얻었다. 이어서, 가열 처리를 행하지 않고 실시예 1과 마찬가지로 박리 시험을 행하였다. 박리된 박판 유리 기판의 수지층과 접촉하고 있던 면 상(도전성 금속 산화물막 위)에는 수지층의 잔사는 없었다. 또한, 박리 후의 박리된 박판 유리 기판의 수지층과 접촉하고 있던 면 상(도전성 금속 산화물막 위)의 대전 전위는, 정전기 측정기에 의해 +1.3㎸였다. 박리된 박판 유리 기판의 수지층과 접촉하고 있던 면 상(도전성 금속 산화물막 위)에, 상압 리모트 플라즈마 장치(세끼스이가가꾸사 제조)를 사용해서 플라즈마 조사를 실시하여, 편광 필름(닛토덴코사 제조, 아크릴 점착계제)을 부착하면, 박리는 발생하지 않았다.In the same manner as in Example 1, the ITO film-forming surface of the thin glass substrate and the silicone resin layer surface of the supporting glass substrate were faced by vacuum press at room temperature to obtain a thin glass laminate A1. Next, the peeling test was done similarly to Example 1, without performing heat processing. There was no residue of the resin layer on the surface (on the conductive metal oxide film) in contact with the resin layer of the peeled thin glass substrate. In addition, the charging potential on the surface (on the conductive metal oxide film) in contact with the resin layer of the peeled thin glass substrate after peeling was +1.3 kV by an electrostatic measuring device. Plasma irradiation was performed on the surface (on the conductive metal oxide film) which was in contact with the resin layer of the peeled thin glass substrate using an atmospheric pressure remote plasma apparatus (manufactured by Sekisui Chemical Co., Ltd.), and a polarizing film (Nitto Denko Corporation). When adhesion | attachment of manufacture, an acrylic adhesive agent) was carried out, peeling did not arise.
<실시예 3> <Example 3>
실시예 1과 마찬가지로, 박판 유리 기판의 ITO 성막면과, 지지 유리 기판의 실리콘 수지층면을, 실온 하에서 진공 프레스에 의해 맞대서, 박판 유리 적층체 A1을 얻었다. 그 후, 박판 유리 적층체 A1에 대해 실시예 1과 마찬가지로 가열 처리를 행하였다. 이어서, 박리 시험을 행하였다. 구체적으로는, 우선 박판 유리 적층체 A1에 있어서의 박판 유리 기판의 제2 주면을 고정대 위에 고정하였다. 한편, 지지 유리 기판의 제2 주면을 흡착 패드로 흡착하였다. 이어서, 박판 유리 적층체 A1이 갖는 4개의 코너부 중 하나로서 박판 유리 기판과 수지층의 계면에, 두께 0.4㎜의 나이프를 삽입하고, 박판 유리 기판을 약간 박리하여, 박리의 계기를 부여하였다. 여기서 나이프의 삽입은, 이오나이저(기엔스사 제조)로부터 제전성 유체를 그 계면에 분사하면서 행하였다.In the same manner as in Example 1, the ITO film-forming surface of the thin glass substrate and the silicone resin layer surface of the supporting glass substrate were faced by vacuum press at room temperature to obtain a thin glass laminate A1. Thereafter, heat treatment was performed on the thin glass laminate A1 in the same manner as in Example 1. Subsequently, peeling test was done. Specifically, first, the second main surface of the thin glass substrate in the thin glass laminate A1 was fixed on the fixing table. On the other hand, the 2nd main surface of the support glass substrate was adsorbed by the adsorption pad. Subsequently, as one of four corner parts which thin glass laminated body A1 has, the knife of thickness 0.4mm was inserted in the interface of a thin glass substrate and a resin layer, the thin glass substrate was peeled off slightly, and the opportunity of peeling was given. Here, the knife was inserted while spraying the antistatic fluid on the interface from the ionizer (manufactured by GEENCE).
이어서, 형성한 공극을 향해서, 이오나이저로부터 계속해서 제전성 유체를 분사하면서 흡착 패드를 고정대로부터 떨어지는 방향으로 이동시켜서, 박판 유리 기판과, 수지층을 갖는 지지 유리 기판을 박리하였다.Subsequently, the adsorption pad was moved in the direction away from the holder while continuously spraying the antistatic fluid from the ionizer toward the formed voids, and the thin glass substrate and the supporting glass substrate having the resin layer were peeled off.
박리된 박판 유리 기판의 수지층과 접촉하고 있던 면 상(도전성 금속 산화물막 위)에는, 수지층의 잔사는 없었다. 또한, 박리 후의 박리된 박판 유리 기판의 수지층과 접촉하고 있던 면 상(도전성 금속 산화물막 위)의 대전 전위는, 정전기 측정기에 의해 +0.1㎸였다. 박리된 박판 유리 기판의 수지층과 접촉하고 있던 면 상(도전성 금속 산화물막 위)에, 상압 리모트 플라즈마 장치(세끼스이가가꾸사 제조)를 사용해서 플라즈마 조사를 실시하여, 편광 필름(닛토덴코사 제조, 아크릴 점착계제)을 부착하면, 박리는 발생하지 않았다.There was no residue of the resin layer on the surface (on the conductive metal oxide film) that was in contact with the resin layer of the peeled thin glass substrate. In addition, the charging potential on the surface (on the conductive metal oxide film) in contact with the resin layer of the peeled thin glass substrate after peeling was +0.1 kV by an electrostatic measuring device. Plasma irradiation was performed on the surface (on the conductive metal oxide film) which was in contact with the resin layer of the peeled thin glass substrate using an atmospheric pressure remote plasma apparatus (manufactured by Sekisui Chemical Co., Ltd.), and a polarizing film (Nitto Denko Corporation). When adhesion | attachment of manufacture, an acrylic adhesive agent) was carried out, peeling did not arise.
<실시예 4> <Example 4>
처음에, 세로 760㎜, 가로 640㎜, 판 두께 0.3㎜, 선팽창 계수 38×10-7/℃의 박판 유리 기판(무알칼리 유리, 아사히 가라스 가부시키가이샤 제조 AN100)을 순수 세정한 후, 더 UV 세정하여 청정화하였다. 또한, 청정화한 제1 주면에, 마그네트론 스퍼터링법(가열 온도 300℃, 성막 압력 5mTorr, 파워 밀도 0.5W/㎠)에 의해, 두께 10㎚의 ITO를 형성하고(시트 저항 300Ω/□), 박판 유리 기판(도전성 금속 산화물막을 구비한 박판 유리 기판)을 얻었다. 도전성 금속 산화물막 표면의 물접촉각은 45°였다. 또한, 도전성 금속 산화물막의 표면 거칠기 Ra는 0.7㎚였다. 이어서, 박판 유리 기판의 제1 주면의 도전성 금속 산화물막면 상에 실시예 1과 마찬가지로 양 말단에 비닐기를 갖는 직쇄상 오르가노알케닐폴리실록산(비닐실리콘, 아라까와가가꾸고교사 제조, 8500)과, 분자 내에 히드로실릴기를 갖는 메틸히드로겐폴리실록산(아라까와가가꾸고교사 제조, 12031)과, 백금계 촉매(아라까와가가꾸고교사 제조, CAT12070)의 혼합액을, 세로 750㎜, 가로 630㎜의 크기로 직사각형으로 스크린 인쇄기로 도포 시공하여, 미경화의 경화성 실리콘을 포함하는 층을 형성하였다(도포 시공량 35g/㎡).First, after pure-cleaning the thin glass substrate (alkali-free glass, Asahi Glass Co., Ltd. AN100) of 760 mm in length, 640 mm in width, 0.3 mm in thickness, and a linear expansion coefficient of 38x10 <-7> / degreeC, furthermore UV cleaning to purge. Furthermore, 10 nm-thick ITO was formed by the magnetron sputtering method (heating temperature 300 degreeC, film-forming pressure 5mTorr, power density 0.5W / cm <2>) on the 1st main surface which was cleaned (sheet resistance 300 (ohm) / square), and thin glass A substrate (thin glass substrate provided with a conductive metal oxide film) was obtained. The water contact angle on the surface of the conductive metal oxide film was 45 degrees. In addition, the surface roughness Ra of the conductive metal oxide film was 0.7 nm. Subsequently, on the conductive metal oxide film surface of the 1st main surface of a thin glass substrate, the linear organo alkenyl polysiloxane (vinyl silicone, Arakawa Chemical Co., Ltd. make, 8500) which has vinyl groups in both terminals similarly to Example 1, A mixture of methylhydrogenpolysiloxane (manufactured by Arakawa Chemical Co., Ltd., 12031) having a hydrosilyl group in the molecule and a platinum-based catalyst (manufactured by Arakawa Chemical Co., Ltd., CAT12070) was 750 mm long and 630 mm wide. Was applied by a screen printing machine in a rectangular shape to form a layer containing uncured curable silicone (coating amount of 35 g / m 2).
이어서, 세로 720㎜, 가로 600㎜, 판 두께 0.4㎜의 지지 유리 기판의 실리콘 수지와 접촉시키는 측의 면(제1 주면)을 순수 세정하고, 그 후 UV 세정하여 청정화하였다. 그 후, 캐리어 기판의 제1 주면과, 미경화의 경화성 실리콘을 포함하는 층을, 실온 하에서 진공 프레스에 의해 접합하여, 30㎩로 5분간 정치하여, 미경화의 경화성 실리콘을 포함하는 층의 탈포 처리를 행하여, 경화 전 적층체 A0을 얻었다. 그때, 미경화의 경화성 실리콘을 포함하는 층에 캐리어 기판과 접촉하지 않는 주연 영역이 남도록, 캐리어 기판을 미경화의 경화성 실리콘을 포함하는 층 위에 적층하였다. 또한, 캐리어 기판의 외주연으로부터 미경화의 경화성 수지 조성물층의 외주연까지의 길이는 약 15㎜ 이상이었다.Subsequently, the surface (first main surface) of the side which makes contact with the silicone resin of the support glass substrate of length 720mm, width 600mm, and plate thickness 0.4mm was wash | cleaned purely, and it cleaned by UV washing after that. Thereafter, the first main surface of the carrier substrate and the layer containing the uncured curable silicone are bonded by vacuum press at room temperature, and left to stand at 30 kPa for 5 minutes to deflate the layer containing the uncured curable silicone. The process was performed and the laminated body A0 before hardening was obtained. At that time, the carrier substrate was laminated on the layer containing the uncured curable silicone so that the peripheral region not in contact with the carrier substrate remained in the layer containing the uncured curable silicone. In addition, the length from the outer periphery of the carrier substrate to the outer periphery of the uncured curable resin composition layer was about 15 mm or more.
이어서, 이것을 250℃에서 30분간 대기 중에서 가열 경화하여, 두께 10㎛의 경화된 실리콘 수지층을 포함하는 경화 후 적층체 A0을 얻었다.Subsequently, this was heat-hardened at 250 degreeC for 30 minutes in air | atmosphere, and the post-curing laminated body A0 containing the hardened silicone resin layer of thickness 10micrometer was obtained.
계속해서, 위치 결정 지그를 장착한 정반 상에 경화 후 적층체 A0의 지지 유리 기판을 고정하여, 정반의 상면으로부터 지지 유리 기판의 외주연 중 하나의 변과 겹치도록, 박판 유리 기판의 제2 주면 상에 다이아몬드 휠 커터로 절선을 새긴 후, 협지 지그로 박판 유리의 절선의 외측을 끼워 넣어, 나누어 잘랐다. 마찬가지로, 지지 유리 기판의 외주연의 나머지의 3변과 겹치는 박판 유리 기판의 외측에 대해서도 나누어 자른 후, 곡면을 갖는 지석으로 박판 유리 기판의 나누어 자른 면을 연마하여 모따기를 실시하고, 절단 후 적층체 A1을 얻었다.Subsequently, the 2nd main surface of a thin glass substrate is fixed to the support glass substrate of laminated body A0 after hardening on the surface plate which mounted the positioning jig, and overlaps one side of the outer periphery of the support glass substrate from the upper surface of the surface plate. After carving a cut line with the diamond wheel cutter on the top, the outside of the cut line of thin glass was pinched | interposed with the pinching jig, and it cut | disconnected. Similarly, after dividing and cutting also about the outer side of the thin glass substrate which overlaps with the remaining three sides of the outer periphery of the support glass substrate, the divided surface of the thin glass substrate is polished with a grindstone having a curved surface, and the chamfering is performed, and the laminated body after cutting A1 was obtained.
이어서 실시예 3과 마찬가지로, 박리 시험을 행하였다. 박판 유리 기판과, 수지층을 갖는 지지 유리 기판에 박리되고, 박리된 박판 유리 기판의 수지층과 접촉하고 있던 면 상(도전성 금속 산화물막 위)에는, 수지층의 잔사는 없었다. 또한, 박리 후의 박리된 박판 유리 기판의 수지층과 접촉하고 있던 면 상(도전성 금속 산화물막 위)의 대전 전위는, 정전기 측정기에 의해 +0.1㎸였다. 박리된 박판 유리 기판의 수지층과 접촉하고 있던 면 상(도전성 금속 산화물막 위)에, 상압 리모트 플라즈마 장치(세끼스이가가꾸사 제조)를 사용해서 플라즈마 조사를 실시하고, 편광 필름(닛토덴코사 제조, 아크릴 점착계제)을 부착하면, 박리는 발생하지 않았다.Next, the peeling test was done similarly to Example 3. There was no residue of the resin layer on the surface (on the conductive metal oxide film) that was peeled off to the thin glass substrate and the supporting glass substrate having the resin layer and was in contact with the resin layer of the peeled thin glass substrate. In addition, the charging potential on the surface (on the conductive metal oxide film) in contact with the resin layer of the peeled thin glass substrate after peeling was +0.1 kV by an electrostatic measuring device. Plasma irradiation was performed on the surface (on the conductive metal oxide film) which was in contact with the resin layer of the peeled thin glass substrate using an atmospheric pressure remote plasma apparatus (manufactured by Sekisui Chemical Co., Ltd.), and a polarizing film (Nitto Denko Corporation). When adhesion | attachment of manufacture, an acrylic adhesive agent) was carried out, peeling did not arise.
<실시예 5> <Example 5>
박판 유리 기판 및 지지 유리 기판으로서, 소다석회 유리로 이루어지는 유리판을 사용한 것 이외에는 실시예 3과 마찬가지의 방법에 의해, 박판 유리 적층체 B1을 얻었다.As a thin glass substrate and a supporting glass substrate, thin glass laminated body B1 was obtained by the method similar to Example 3 except having used the glass plate which consists of soda-lime glass.
이어서, 실시예 3과 마찬가지로 박리 시험을 행하였다. 박판 유리 기판과, 수지층을 갖는 지지 유리 기판에 박리되고, 박리된 박판 유리 기판의 수지층과 접촉하고 있던 면 상(도전성 금속 산화물막 위)에는, 수지층의 잔사는 없었다. 또한, 박리 후의 박리된 박판 유리 기판의 수지층과 접촉하고 있던 면 상(도전성 금속 산화물막 위)의 대전 전위는, 정전기 측정기에 의해 +0.1㎸였다. 박리된 박판 유리 기판의 수지층과 접촉하고 있던 면 상(도전성 금속 산화물막 위)에, 상압 리모트 플라즈마 장치(세끼스이가가꾸사 제조)을 사용해서 플라즈마 조사를 실시하여 편광 필름(닛토덴코사 제조, 아크릴 점착계제)을 부착하면, 박리는 발생하지 않았다.Next, the peeling test was done similarly to Example 3. There was no residue of the resin layer on the surface (on the conductive metal oxide film) that was peeled off to the thin glass substrate and the supporting glass substrate having the resin layer and was in contact with the resin layer of the peeled thin glass substrate. In addition, the charging potential on the surface (on the conductive metal oxide film) in contact with the resin layer of the peeled thin glass substrate after peeling was +0.1 kV by an electrostatic measuring device. Plasma irradiation was performed on the surface (on the conductive metal oxide film) in contact with the resin layer of the peeled thin glass substrate by using an atmospheric pressure remote plasma apparatus (manufactured by Sekisui Chemical Co., Ltd.), and a polarizing film (manufactured by Nitto Denko Corporation). And an acrylic pressure sensitive adhesive) were not peeled off.
<실시예 6> <Example 6>
박판 유리 기판 및 지지 유리 기판으로서, 화학 강화된 유리판을 사용한 것 이외에는 실시예 3과 마찬가지의 방법에 의해, 박판 유리 적층체 C1을 얻었다.As a thin glass substrate and a support glass substrate, thin glass laminated body C1 was obtained by the method similar to Example 3 except having used the chemically strengthened glass plate.
이어서, 실시예 3과 마찬가지로 박리 시험을 행하였다. 박판 유리 기판과, 수지층을 갖는 지지 유리 기판에 박리되고, 박리된 박판 유리 기판의 수지층과 접촉하고 있던 면 상(도전성 금속 산화물막 위)에는, 수지층의 잔사는 없었다. 또한, 박리 후의 박리된 박판 유리 기판의 수지층과 접촉하고 있던 면 상(도전성 금속 산화물막 위)의 대전 전위는, 정전기 측정기에 의해 +0.1㎸였다. 박리된 박판 유리 기판의 수지층과 접촉하고 있던 면 상(도전성 금속 산화물막 위)에, 상압 리모트 플라즈마 장치(세끼스이가가꾸사 제조)를 사용해서 플라즈마 조사를 실시하고, 편광 필름(닛토덴코사 제조, 아크릴 점착계제)을 부착하면, 박리는 발생하지 않았다.Next, the peeling test was done similarly to Example 3. There was no residue of the resin layer on the surface (on the conductive metal oxide film) that was peeled off to the thin glass substrate and the supporting glass substrate having the resin layer and was in contact with the resin layer of the peeled thin glass substrate. In addition, the charging potential on the surface (on the conductive metal oxide film) in contact with the resin layer of the peeled thin glass substrate after peeling was +0.1 kV by an electrostatic measuring device. Plasma irradiation was performed on the surface (on the conductive metal oxide film) which was in contact with the resin layer of the peeled thin glass substrate using an atmospheric pressure remote plasma apparatus (manufactured by Sekisui Chemical Co., Ltd.), and a polarizing film (Nitto Denko Corporation). When adhesion | attachment of manufacture, an acrylic adhesive agent) was carried out, peeling did not arise.
또한, 상기 실시예 1 ~ 6에서 사용된 박판 유리 적층체 A1에 관해서는, 상기 박리 시험에 있어서, 실리콘 수지층과 지지 유리 기판 사이가 아니고, 실리콘 수지층과 박판 유리 기판(도전성 금속 산화물막을 구비한 박판 유리 기판) 사이에서 박리가 발생하고 있었다. 이러한 점에서, 실리콘 수지층과 지지 유리 기판 사이의 밀착력이 실리콘 수지층과 박판 유리 기판 사이의 밀착력보다 크며, 바꾸어 말하면, 실리콘 수지층과 지지 유리 기판 사이의 박리 강도가, 실리콘 수지층과 박판 유리 기판 사이의 박리 강도보다 높은 것이 확인되었다.In addition, about the thin glass laminated body A1 used by the said Examples 1-6, in the said peeling test, not between a silicone resin layer and a support glass substrate, but a silicone resin layer and a thin glass substrate (with a conductive metal oxide film) Peeling occurred between one thin glass substrate). In this respect, the adhesion between the silicone resin layer and the supporting glass substrate is greater than the adhesion between the silicone resin layer and the thin glass substrate, in other words, the peel strength between the silicone resin layer and the supporting glass substrate is greater than that of the silicone resin layer and the thin glass. It was confirmed that it was higher than the peeling strength between board | substrates.
<비교예 1> &Lt; Comparative Example 1 &
실시예 1에서 사용한 도전성 금속 산화물막을 구비한 박판 유리 기판 대신에 세로 720㎜, 가로 600㎜, 판 두께 0.3㎜, 선팽창 계수 38×10-7/℃의 박판 유리 기판(아사히 가라스 가부시키가이샤 제조 AN100)을 사용한 것 이외에는, 실시예 1과 동일한 수순에 의해, 박판 유리 적층체 C1을 얻었다. 박판 유리 적층체 C1에는, 도전성 금속 산화물막이 포함되어 있지 않다.A thin glass substrate having a length of 720 mm, a width of 600 mm, a sheet thickness of 0.3 mm, and a coefficient of linear expansion of 38 × 10 −7 / ° C. instead of the thin glass substrate provided with the conductive metal oxide film used in Example 1 (manufactured by Asahi Glass Co., Ltd.). Except having used AN100), thin glass laminated body C1 was obtained by the same procedure as Example 1. The thin glass laminate C1 does not contain a conductive metal oxide film.
또한, 박판 유리 기판의 실리콘 수지와 접촉시키는 측의 면은, 순수 세정하고, 그 후 UV 세정하여 청정화하였다. 청정화된 박판 유리 기판 표면의 물접촉각은 8°였다. 또한, 청정화된 박판 유리 기판의 표면 거칠기 Ra는 0.4㎚였다.In addition, the surface of the side which contacts a silicone resin of a thin glass substrate was wash | cleaned purely, and UV-cleaned and cleaned after that. The water contact angle of the cleaned thin glass substrate surface was 8 degrees. In addition, the surface roughness Ra of the cleaned thin glass substrate was 0.4 nm.
이어서, 실시예 1과 마찬가지의 수순에 따라서 가열 처리를 행한 후, 박판 유리 적층체 C1 중 박판 유리 기판과, 수지층을 갖는 지지 유리 기판을 박리하였다.Next, after heat-processing according to the procedure similar to Example 1, the thin glass substrate and the supporting glass substrate which have a resin layer in the thin glass laminated body C1 were peeled off.
박리된 박판 유리 기판의 수지층과 접촉하고 있던 면 상에는, 수지층의 일부가 부착되고, 지지 유리 기판 위의 수지층의 상당하는 부분에 파손이 확인되었다. 수지층이 부착된 박판 유리 기판에 대해, 상압 리모트 플라즈마 장치(세끼스이가가꾸사 제조)를 사용해서 플라즈마를 조사했지만, 부착된 수지는 제거할 수 없어 잔존하였다. 박리 후의 박리된 박판 유리 기판의 수지층과 접촉하고 있던 면 상의 대전 전위는 -10.5㎸였다. 그 후, 박판 유리 기판의 플라즈마 조사를 실시한 면에, 편광 필름(닛토덴코사 제조, 아크릴 점착계제)을 부착하면, 박리가 발생하였다.On the surface which was in contact with the resin layer of the peeled thin glass substrate, a part of resin layer adhered and the damage was confirmed by the correspondence part of the resin layer on a support glass substrate. Although the plasma was irradiated with the thin glass substrate with a resin layer using the atmospheric pressure remote plasma apparatus (made by Sekisui Chemical Co., Ltd.), the adhered resin could not be removed and remained. The charging potential on the surface in contact with the resin layer of the peeled thin glass substrate after peeling was -10.5 kPa. Then, peeling generate | occur | produced when the polarizing film (Nitto Denko Corporation make, acrylic adhesive system) was affixed on the surface which carried out the plasma irradiation of the thin glass substrate.
<비교예 2> Comparative Example 2
세로 720㎜, 가로 600㎜, 판 두께 0.3㎜, 선팽창 계수 38×10-7/℃의 박판 유리 기판(아사히 가라스 가부시키가이샤 제조 AN100)의 실리콘 수지와 접촉시키는 측의 면을 순수 세정하고, 그 후 UV 세정하여 청정화하였다. 또한, 청정화한 면에, 마그네트론 스퍼터링법(비가열, 성막 압력 5mTorr, 파워 밀도 5W/㎠)에 의해, 두께 50㎚의 산화 크롬막 및 두께 100㎚의 금속 크롬막을 순차 형성하여, 박판 유리 기판(금속 크롬막을 구비한 박판 유리 기판)을 얻었다. 금속 크롬막 표면의 물접촉각은 25°였다. 또한, 금속 크롬막의 표면 거칠기 Ra는 2.5㎚였다.The surface of the side which made contact with the silicone resin of the thin glass substrate (AN100 by Asahi Glass Co., Ltd.) of 720 mm long, 600 mm wide, 0.3 mm thick, and a linear expansion coefficient of 38x10 <-7> / degreeC was purely washed, It was then cleaned by UV cleaning. Further, on the cleaned side, a chromium oxide film having a thickness of 50 nm and a metal chromium film having a thickness of 100 nm were sequentially formed by a magnetron sputtering method (non-heating, film formation pressure 5 mTorr, power density 5 W / cm 2) to form a thin glass substrate ( Thin glass substrate provided with a metal chromium film). The water contact angle of the surface of the metal chromium film was 25 degrees. In addition, the surface roughness Ra of the metal chromium film was 2.5 nm.
실시예 1과 마찬가지로, 그 수순에 따라서, 박판 유리 기판의 금속 크롬막면과, 지지 유리 기판의 실리콘 수지층면을, 실온 하에서 진공 프레스에 의해 맞대서, 박판 유리 적층체 B1을 얻었다.In the same manner as in Example 1, the thin metal glass laminate B1 was obtained by abutting the metal chromium film surface of the thin glass substrate and the silicon resin layer surface of the supporting glass substrate by vacuum pressing at room temperature.
이어서, 실시예 1과 마찬가지의 수순에 따라, 가열 처리를 행한 후, 박판 유리 적층체 B1 중 박판 유리 기판과, 수지층을 갖는 지지 유리 기판을 박리하였다.Next, after heat-processing according to the procedure similar to Example 1, the thin glass substrate and the support glass substrate which have a resin layer in thin glass laminated body B1 were peeled off.
비교예 1과 마찬가지로, 박리된 박판 유리 기판의 수지층과 접촉하고 있던 면 상(금속 크롬막 상)에는, 수지층의 일부가 부착되고, 지지 유리 기판 위의 수지층의 상당하는 부분에 파손이 확인되었다.In the same manner as in Comparative Example 1, a part of the resin layer adheres to the surface (metal chromium film phase) in contact with the resin layer of the peeled thin glass substrate, and damage to the corresponding portion of the resin layer on the support glass substrate is achieved. Confirmed.
<비교예 3> &Lt; Comparative Example 3 &
실시예 1과 마찬가지로, 지지 유리 기판의 제1 주면에 두께 20㎛의 실리콘 수지층을 형성하였다. 이어서, 세로 720㎜, 가로 600㎜, 판 두께 0.3㎜, 선팽창 계수 38×10-7/℃의 박판 유리 기판(아사히 가라스 가부시키가이샤 제조 AN100)을 사용한 것 이외에는, 실시예 1과 동일한 수순에 의해, 박판 유리 적층체 C2를 얻었다. 또한, 박판 유리 기판의 실리콘 수지와 접촉시키는 측의 면은, 순수 세정하여 청정화하였다. 청정화된 박판 유리 기판 표면의 물접촉각은 30°였다. 또한, 청정화된 박판 유리 기판의 표면 거칠기 Ra는 0.4㎚였다. 또한, 상기 비교예에서는, 비교예 1과는 달리, 박판 유리 기판에는 UV 세정을 행하지 않았다.In the same manner as in Example 1, a silicon resin layer having a thickness of 20 μm was formed on the first main surface of the support glass substrate. Subsequently, the same procedure as in Example 1 was carried out except that a thin glass substrate (AN100 manufactured by Asahi Glass Co., Ltd.) having a length of 720 mm, a width of 600 mm, a sheet thickness of 0.3 mm, and a linear expansion coefficient of 38 × 10 −7 / ° C. was used. Thus, thin glass laminate C2 was obtained. In addition, the surface of the side which contacts a silicone resin of a thin glass substrate was pure-cleaned and cleaned. The water contact angle of the cleaned thin glass substrate surface was 30 degrees. In addition, the surface roughness Ra of the cleaned thin glass substrate was 0.4 nm. In addition, in the said comparative example, unlike the comparative example 1, UV washing was not performed to the thin glass substrate.
그 후, 실시예 1과 마찬가지의 수순에 따라서 가열 처리를 행한 후, 박판 유리 적층체 C2 중 박판 유리 기판과, 수지층을 갖는 지지 유리 기판을 박리하였다.Then, after heat-processing according to the procedure similar to Example 1, the thin glass substrate and the support glass substrate which have a resin layer in thin glass laminated body C2 were peeled.
비교예 1과 마찬가지로, 박리된 박판 유리 기판의 수지층과 접촉하고 있던 면 상(도전성 금속 산화물막 상)에는, 수지층의 일부가 부착되고, 지지 유리 기판 위의 수지층의 상당하는 부분에 파손이 확인되었다.In the same manner as in Comparative Example 1, a part of the resin layer adheres to the surface (conductive metal oxide film) that has been in contact with the resin layer of the peeled thin glass substrate, and is damaged to a corresponding portion of the resin layer on the support glass substrate. This was confirmed.
본 발명을 상세하게, 또한 특정한 실시 형태를 참조하여 설명했지만, 본 발명의 범위와 정신을 일탈하지 않고, 여러 가지 수정이나 변경을 가할 수 있는 것은, 당업자에 있어서 명확하다.Although this invention was detailed also demonstrated with reference to the specific embodiment, it is clear for those skilled in the art that various correction and changes can be added without deviating from the range and mind of this invention.
본 출원은, 2010년 11월 5일 출원의 일본 특허 출원 제2010-248294호에 기초하는 것으로, 그 내용은 여기에 참조로 하여 도입된다.This application is based on the JP Patent application 2010-248294 of an application on November 5, 2010, The content is taken in here with reference.
10: 적층체
20: 기판
22: 도전성 금속 산화물막
24: 도전성 금속 산화물막을 구비한 기판
201: 기판의 제1 주면
202: 기판의 제2 주면
221: 도전성 금속 산화물막의 표면
30: 보강판
31: 지지판
32: 수지층
321: 수지층의 밀착면
40: 지지판을 구비한 표시 장치용 패널
50: 표시 장치용 패널의 구성 부재
60: 표시 장치용 패널
10:
20: substrate
22: conductive metal oxide film
24: substrate with conductive metal oxide film
201: first major surface of the substrate
202: second main surface of the substrate
221: surface of the conductive metal oxide film
30: gusset
31: support plate
32: resin layer
321: adhesion surface of the resin layer
40: panel for display device with support plate
50: constituent member of the panel for display device
60: panel for display device

Claims (8)

  1. 지지판과,
    수지층과,
    기판의 표면 상에 인듐, 주석, 아연, 티타늄 및 갈륨으로 이루어지는 군으로부터 선택되는 적어도 하나의 금속의 산화물을 포함하는 도전성 금속 산화물막을 갖는, 도전성 금속 산화물막을 구비한 기판을 이 순서로 구비하고,
    상기 도전성 금속 산화물막이 상기 수지층과 박리 가능하게 밀착하도록, 상기 도전성 금속 산화물막을 구비한 기판이 상기 수지층 위에 배치되고,
    상기 수지층과 상기 지지판 사이의 박리 강도가 상기 수지층과 상기 도전성 금속 산화물막을 구비한 기판 사이의 박리 강도보다 높은 적층체.
    Support plate,
    A resin layer,
    A substrate having a conductive metal oxide film having a conductive metal oxide film containing an oxide of at least one metal selected from the group consisting of indium, tin, zinc, titanium, and gallium on the surface of the substrate is provided in this order,
    A substrate provided with the conductive metal oxide film is disposed on the resin layer so that the conductive metal oxide film is in close contact with the resin layer so that the conductive metal oxide film can be peeled off.
    The laminated body whose peeling strength between the said resin layer and the said support plate is higher than the peeling strength between the said resin layer and the board | substrate provided with the said conductive metal oxide film.
  2. 제1항에 있어서, 상기 산화물 중에, 알루미늄, 몰리브덴, 구리, 바나듐, 니오븀, 탄탈, 붕소 및 불소로 이루어지는 군으로부터 선택되는 적어도 1종의 원소가 더 포함되는 적층체.The laminate according to claim 1, wherein the oxide further contains at least one element selected from the group consisting of aluminum, molybdenum, copper, vanadium, niobium, tantalum, boron, and fluorine.
  3. 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 수지층이 실리콘 수지층인 적층체.The laminated body of Claim 1 or 2 whose said resin layer is a silicone resin layer.
  4. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 수지층이 오르가노알케닐폴리실록산과 오르가노히드로겐폴리실록산의 부가 반응형 경화물로 구성되는 적층체.The laminate according to any one of claims 1 to 3, wherein the resin layer is composed of an addition reaction type cured product of organoalkenylpolysiloxane and organohydrogenpolysiloxane.
  5. 제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 오르가노알케닐폴리실록산의 알케닐기에 대한, 상기 오르가노히드로겐폴리실록산의 규소 원자에 결합한 수소 원자의 몰비가 0.5 ~ 2인 적층체.The laminated body of any one of Claims 1-4 whose molar ratio of the hydrogen atom couple | bonded with the silicon atom of the said organohydrogenpolysiloxane with respect to the alkenyl group of the said organoalkenylpolysiloxane is 0.5-2.
  6. 제1항 내지 제5항 중 어느 한 항에 기재된 적층체와,
    상기 적층체 중의 상기 도전성 금속 산화물막을 구비한 기판의 상기 수지층과 밀착하는 표면과는 반대측의 표면 상에 설치된 표시 장치용 패널의 구성 부재를 갖는, 지지판을 구비한 표시 장치용 패널.
    The laminate according to any one of claims 1 to 5,
    A display device panel provided with a supporting plate, comprising a structural member of a panel for display device provided on a surface on the side opposite to the surface in close contact with the resin layer of the substrate provided with the conductive metal oxide film in the laminate.
  7. 제6항에 기재된, 지지판을 구비한 표시 장치용 패널을 사용해서 형성되는 표시 장치용 패널.The display device panel formed using the panel for display devices provided with the support plate of Claim 6.
  8. 제7항에 기재된 표시 장치용 패널을 갖는 표시 장치.The display device which has the panel for display devices of Claim 7.
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