JP6361440B2 - Glass laminate, method for producing the same, and method for producing electronic device - Google Patents

Glass laminate, method for producing the same, and method for producing electronic device Download PDF

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Description

本発明は、ガラス積層体およびその製造方法、電子デバイスの製造方法に関する。   The present invention relates to a glass laminate, a method for manufacturing the same, and a method for manufacturing an electronic device.

近年、太陽電池(PV)、液晶パネル(LCD)、有機ELパネル(OLED)などのデバイス(電子機器)の薄型化、軽量化が進行しており、これらのデバイスに用いるガラス基板の薄板化が進行している。薄板化によりガラス基板の強度が不足すると、デバイスの製造工程において、ガラス基板のハンドリング性が低下する。   In recent years, devices (electronic devices) such as solar cells (PV), liquid crystal panels (LCD), and organic EL panels (OLED) have been made thinner and lighter, and the glass substrates used in these devices have been made thinner. Progressing. If the strength of the glass substrate is insufficient due to the thinning, the handling property of the glass substrate is lowered in the device manufacturing process.

最近では、上記の課題に対応するため、ガラス基板と補強板とを積層したガラス積層体を用意し、ガラス積層体のガラス基板上に表示装置などの電子デバイス用部材を形成した後、ガラス基板から補強板を分離する方法が提案されている(例えば、特許文献1)。補強板は、支持板と、該支持板上に固定されたシリコーン樹脂層とを有し、シリコーン樹脂層とガラス基板とが剥離可能に密着される。ガラス積層体のシリコーン樹脂層とガラス基板の界面が剥離され、ガラス基板から分離された補強板は、新たなガラス基板と積層され、ガラス積層体として再利用することが可能である。
また、特許文献2においては、ガラス積層体中のガラス基板を研磨して、ガラス基板表面を平坦面とする技術が開示されている。特に、樹脂層の露出表面における表面うねりを所定値以下として、その樹脂層上に配置されるガラス基板を研磨している。これは、特許文献2の図4で説明されるように、表面うねりが大きい樹脂層上にガラス基板を配置して研磨すると、ガラス基板を剥離した際に、樹脂層表面の表面うねりに追従して接していたガラス基板の樹脂層側の表面が平坦に戻る一方で、ガラス基板の研磨された表面に樹脂層表面のうねりが転写されてしまうため、このような転写を防ぐために樹脂層表面の表面うねりの大きさを調整している。上記のような、ガラス基板の電子デバイス用部材の形成面である研磨面に表面うねりの転写が起こると、電子デバイス用部材の位置ズレなどが生じて、電子デバイスの性能劣化(例えば、表示ムラの発生)につながり、結果として電子デバイスの生産性の低下を引き起こすおそれがある。
Recently, in order to cope with the above problems, a glass laminate in which a glass substrate and a reinforcing plate are laminated is prepared, and a member for an electronic device such as a display device is formed on the glass substrate of the glass laminate, and then the glass substrate. A method of separating the reinforcing plate from the substrate has been proposed (for example, Patent Document 1). The reinforcing plate has a support plate and a silicone resin layer fixed on the support plate, and the silicone resin layer and the glass substrate are detachably adhered to each other. The reinforcing plate separated from the glass substrate after the interface between the silicone resin layer of the glass laminate and the glass substrate is peeled off can be laminated with a new glass substrate and reused as a glass laminate.
Moreover, in patent document 2, the technique which grind | polishes the glass substrate in a glass laminated body and makes the glass substrate surface a flat surface is disclosed. In particular, the surface waviness on the exposed surface of the resin layer is set to a predetermined value or less, and the glass substrate disposed on the resin layer is polished. As illustrated in FIG. 4 of Patent Document 2, when a glass substrate is disposed and polished on a resin layer having a large surface waviness, the surface waviness on the surface of the resin layer is followed when the glass substrate is peeled off. The surface of the resin layer side of the glass substrate that has been in contact with the glass substrate returns to flatness, while the undulation of the resin layer surface is transferred to the polished surface of the glass substrate. The size of the surface swell is adjusted. When the surface waviness is transferred to the polished surface, which is the formation surface of the electronic device member of the glass substrate, the positional deviation of the electronic device member occurs and the performance of the electronic device deteriorates (for example, display unevenness). May result in a decrease in the productivity of the electronic device.

国際公開第2007/018028号International Publication No. 2007/018028 特開2013−149713号JP2013-149713A

一方、特許文献2の方法では、平坦な表面を有する樹脂層を形成するために、樹脂層形成用組成物を支持基板上に塗布した後、一定時間静置する方法が採用されている。このような一定時間静置する方法を採用すると、ガラス積層体の生産効率が低下してしまい、必ずしも効率的な方法とは言えない。
そこで、樹脂層表面の表面うねりが大きい場合でも、得られる電子デバイスの性能の劣化が生じにくく、電子デバイスの生産性の低下を抑制できるようなガラス積層体が求められていた。
On the other hand, in the method of Patent Document 2, in order to form a resin layer having a flat surface, a method in which the resin layer forming composition is applied on a support substrate and then allowed to stand for a predetermined time is employed. If such a method of standing for a certain period of time is adopted, the production efficiency of the glass laminate is lowered, and it cannot be said that it is necessarily an efficient method.
Accordingly, there has been a demand for a glass laminate that is less likely to deteriorate the performance of the obtained electronic device even when the surface waviness on the surface of the resin layer is large, and that can suppress a decrease in productivity of the electronic device.

本発明は、上記課題に鑑みてなされたものであって、樹脂層表面の表面うねりが大きい場合であっても、性能劣化が抑制された電子デバイスを効率的に生産することができる、ガラス積層体およびその製造方法を提供することを課題とする。
また、本発明は、該ガラス積層体を用いた電子デバイスの製造方法を提供することも課題とする。
The present invention has been made in view of the above problems, and is a glass laminate that can efficiently produce an electronic device in which performance deterioration is suppressed even when the surface waviness of the resin layer surface is large. It is an object to provide a body and a method for manufacturing the same.
Another object of the present invention is to provide a method for producing an electronic device using the glass laminate.

本発明者らは、上記課題を解決するために鋭意検討を行った結果、ガラス基板の表面形状が制御されたガラス積層体を使用することにより、所望の効果が得られることを知見して、本発明を完成した。
すなわち、本発明の第1の態様は、支持基板と、支持基板上に配置され、支持基板側とは反対側の表面に凸部を有する樹脂層と、樹脂層の凸部を有する表面の形状に追従するように樹脂層上に配置されたガラス基板とを有し、支持基板と樹脂層の界面の剥離強度が樹脂層とガラス基板の界面の剥離強度よりも大きいガラス積層体であって、ガラス基板が、樹脂層側とは反対側の表面で樹脂層の凸部の直上の位置に凸部を有し、ガラス基板の凸部を有する表面のろ波中心線うねりXが、樹脂層の凸部を有する表面のろ波中心線うねりYよりも小さい、ガラス積層体である。
第1の態様において、ガラス基板の厚みが0.3mm以下であることが好ましい。
第1の態様において、樹脂層の凸部を有する表面のろ波中心線うねりYが0.040μm超1.00μm以下(より好ましくは、0.040μm超0.20μm以下)であることが好ましい。
第1の態様において、ろ波中心線うねりYとろ波中心線うねりXとの差が0.005〜0.80μm(より好ましくは、0.005〜0.080μm)であることが好ましい。
第1の態様において、樹脂層の厚さが2〜100μmであることが好ましい。
第1の態様において、樹脂層が、シリコーン樹脂層であることが好ましい。
第1の態様において、シリコーン樹脂層が、架橋性オルガノポリシロキサンを硬化させて得られる層であり、架橋性オルガノポリシロキサンが、アルケニル基を有するオルガノアルケニルポリシロキサンと、ケイ素原子に結合した水素原子を有するオルガノハイドロジェンポリシロキサンとを含むことが好ましい。
第1の態様において、支持基板がガラス板であることが好ましい。
本発明の第2の態様は、第1の態様のガラス積層体の製造方法であって、支持基板と、支持基板上に配置され、支持基板側とは反対側の表面に凸部を有する樹脂層と、樹脂層の凸部を有する表面の形状に追従するように樹脂層上に配置され、樹脂層側とは反対側の表面上で樹脂層上の凸部の直上の位置に凸部を有するガラス基板とを有する積層物品中のガラス基板表面を研磨する工程を有し、研磨を、ガラス基板表面に凸部を残しながら、ガラス基板の凸部を有する表面のろ波中心線うねりXが、樹脂層の凸部を有する表面のろ波中心線うねりYよりも小さくなるように実施する、ガラス積層体の製造方法である。
本発明の第3の態様は、第1の態様のガラス積層体中のガラス基板の表面上に電子デバイス用部材を形成し、電子デバイス用部材付き積層体を得る部材形成工程と、電子デバイス用部材付き積層体から支持基板および樹脂層を含む樹脂層付き支持基板を除去し、ガラス基板と電子デバイス用部材とを有する電子デバイスを得る分離工程と、を備える電子デバイスの製造方法である。
As a result of intensive studies to solve the above problems, the present inventors have found that a desired effect can be obtained by using a glass laminate in which the surface shape of the glass substrate is controlled, The present invention has been completed.
That is, the first aspect of the present invention is a support substrate, a resin layer disposed on the support substrate and having a convex portion on the surface opposite to the support substrate side, and a shape of the surface having the convex portion of the resin layer. A glass substrate disposed on the resin layer so as to follow the glass substrate, and the peel strength at the interface between the support substrate and the resin layer is greater than the peel strength at the interface between the resin layer and the glass substrate, The glass substrate has a convex portion at a position directly above the convex portion of the resin layer on the surface opposite to the resin layer side, and the filtered center line waviness X of the surface having the convex portion of the glass substrate is It is a glass laminate that is smaller than the filtered centerline waviness Y of the surface having a convex portion.
In the first aspect, the thickness of the glass substrate is preferably 0.3 mm or less.
In the first aspect, it is preferable that the filtering centerline waviness Y of the surface having the convex portion of the resin layer is more than 0.040 μm and 1.00 μm or less (more preferably, more than 0.040 μm and 0.20 μm or less).
In the first aspect, the difference between the filtered center line waviness Y and the filtered center line waviness X is preferably 0.005 to 0.80 μm (more preferably 0.005 to 0.080 μm).
In the first aspect, the thickness of the resin layer is preferably 2 to 100 μm.
In the first aspect, the resin layer is preferably a silicone resin layer.
In the first embodiment, the silicone resin layer is a layer obtained by curing a crosslinkable organopolysiloxane, and the crosslinkable organopolysiloxane includes an organoalkenylpolysiloxane having an alkenyl group and a hydrogen atom bonded to a silicon atom. It is preferable to contain the organohydrogenpolysiloxane which has.
In the first aspect, the support substrate is preferably a glass plate.
A second aspect of the present invention is a method for manufacturing a glass laminate according to the first aspect, and is a support substrate and a resin that is disposed on the support substrate and has a convex portion on the surface opposite to the support substrate side. Layer and the resin layer are arranged on the resin layer so as to follow the shape of the surface having the convex portion, and the convex portion is placed on the surface opposite to the resin layer side at a position immediately above the convex portion on the resin layer. A step of polishing the surface of the glass substrate in the laminated article having the glass substrate, and the filtering center line undulation X of the surface having the convex portion of the glass substrate while polishing the surface leaving the convex portion on the glass substrate surface. This is a method for producing a glass laminate, which is carried out so as to be smaller than the filtered center line undulation Y of the surface having the convex portions of the resin layer.
According to a third aspect of the present invention, there is provided a member forming step of forming a member for an electronic device on the surface of the glass substrate in the glass laminate of the first aspect to obtain a laminate with a member for an electronic device; A separation step of removing the support substrate with a resin layer including the support substrate and the resin layer from the laminate with the member to obtain an electronic device having a glass substrate and a member for an electronic device is provided.

本発明によれば、樹脂層表面の表面うねりが大きい場合であっても、性能劣化が抑制された電子デバイスを効率的に生産することができる、ガラス積層体およびその製造方法を提供することができる。
また、本発明は、該ガラス積層体を用いた電子デバイスの製造方法を提供することも課できる。
ADVANTAGE OF THE INVENTION According to this invention, even if it is a case where the surface waviness of the resin layer surface is large, the glass laminated body which can produce efficiently the electronic device by which performance degradation was suppressed, and its manufacturing method are provided. it can.
Moreover, this invention can also impose that the manufacturing method of an electronic device using this glass laminated body is provided.

従来技術における研磨工程からガラス基板を分離する分離工程までの模式的断面図である。It is typical sectional drawing from the grinding | polishing process in a prior art to the isolation | separation process which isolate | separates a glass substrate. 本発明における研磨工程からガラス基板を分離する分離工程までの模式的断面図である。It is typical sectional drawing from the grinding | polishing process in this invention to the isolation | separation process which isolate | separates a glass substrate. 本発明のガラス積層体の一実施形態の模式的断面図である。It is typical sectional drawing of one Embodiment of the glass laminated body of this invention. 本発明のガラス積層体の製造方法の一実施形態を工程順に示す模式的断面図である。It is typical sectional drawing which shows one Embodiment of the manufacturing method of the glass laminated body of this invention in order of a process.

以下、本発明を実施するための形態について図面を参照して説明するが、本発明は、以下の実施形態に制限されることはなく、本発明の範囲を逸脱することなく、以下の実施形態に種々の変形および置換を加えることができる。
なお、本明細書において「〜」を用いて表される数値範囲は、「〜」の前後に記載される数値を下限値および上限値として含む範囲を意味する。
DESCRIPTION OF EMBODIMENTS Hereinafter, embodiments for carrying out the present invention will be described with reference to the drawings. However, the present invention is not limited to the following embodiments, and the following embodiments are not deviated from the scope of the present invention. Various modifications and substitutions can be made.
In the present specification, a numerical range represented by using “to” means a range including numerical values described before and after “to” as a lower limit value and an upper limit value.

本発明のガラス積層体の特徴点の一つとしては、ガラス基板の凸部を有する表面のろ波中心線うねりXと、樹脂層の凸部を有する表面のろ波中心線うねりYとの関係が制御されている点が挙げられる。以下、図面を参照して、ガラス積層体の特徴について詳述する。
まず、図1は、従来技術で実施される研磨処理を施した場合の概略図である。まず、図1(A)には、研磨処理が施される積層物品が記載されており、積層物品では支持基板12と、樹脂層14と、ガラス基板16とが積層されている。樹脂層14は、支持基板12側とは反対側の表面14aに凸部30を有する。また、ガラス基板16の樹脂層14側の第1表面16aは樹脂層14の表面14aの形状に追従し、樹脂層14側とは反対側の第2表面16bには凸部32を有する。凸部32は、凸部30の直上に位置する。このような積層物品中のガラス基板16の第2表面16bに対して従来技術と同様に研磨処理を施すと、図1(B)に示すように、ガラス基板16の第2表面16bから凸部32が除去され、平坦面となる。次に、得られた積層物品からガラス基板16を剥離すると、ガラス基板16の第1表面16aが平坦に戻る力が作用して平坦化されると共に、第2表面16bでは凸部30が除去されたことに伴いガラス基板の厚みが薄くなっているため、凹部34が形成されてしまう。このような凹部34は、図1(B)でのガラス基板16の第2表面16bが平坦であるほど深くなり、第2表面16b上に配置される電子デバイス用部材の位置ズレを引き起こすおそれがある。
次に、図2を用いて本願発明の態様について詳述する。図2(A)は、図1(A)と同じく研磨処理が施される積層物品である。本願発明においては、図2(B)に示すように、凸部32が残り、かつ、ガラス基板16の第2表面16bのろ波中心線うなりが樹脂層14の表面14aのろ波中心線うなりよりも小さくなるように研磨処理を施して、所定のガラス積層体100を得る。図2(C)に示すように、得られたガラス積層体100からガラス基板16を剥離すると、図1(C)と同様にガラス基板16の第2表面16b上に凹部34が形成される。しかしながら、図2(C)の態様においては、図1(C)と異なり、ガラス基板16の第2表面16bの現れる凹部34の深さはあまり深くないため、第2表面16b上に配置される電子デバイス用部材の位置ズレが引き起こされにくい。
As one of the characteristic points of the glass laminate of the present invention, the relationship between the filtered centerline waviness X of the surface having the convex portion of the glass substrate and the filtered centerline waviness Y of the surface having the convex portion of the resin layer Is controlled. Hereinafter, the features of the glass laminate will be described in detail with reference to the drawings.
First, FIG. 1 is a schematic view when a polishing process performed in the prior art is performed. First, FIG. 1A shows a laminated article on which a polishing process is performed. In the laminated article, a support substrate 12, a resin layer 14, and a glass substrate 16 are laminated. The resin layer 14 has a convex portion 30 on the surface 14a opposite to the support substrate 12 side. Further, the first surface 16a on the resin layer 14 side of the glass substrate 16 follows the shape of the surface 14a of the resin layer 14, and has a convex portion 32 on the second surface 16b opposite to the resin layer 14 side. The convex part 32 is located immediately above the convex part 30. When the second surface 16b of the glass substrate 16 in such a laminated article is subjected to a polishing process in the same manner as in the prior art, a convex portion is formed from the second surface 16b of the glass substrate 16 as shown in FIG. 32 is removed, resulting in a flat surface. Next, when the glass substrate 16 is peeled from the obtained laminated article, the first surface 16a of the glass substrate 16 is flattened by the action of returning to the flatness, and the convex portion 30 is removed on the second surface 16b. As a result, the thickness of the glass substrate is reduced, so that the recess 34 is formed. Such a recess 34 becomes deeper as the second surface 16b of the glass substrate 16 in FIG. 1B is flatter, and there is a risk of causing a positional shift of the electronic device member disposed on the second surface 16b. is there.
Next, an embodiment of the present invention will be described in detail with reference to FIG. FIG. 2 (A) is a laminated article that is subjected to a polishing treatment as in FIG. 1 (A). In the present invention, as shown in FIG. 2B, the convex portion 32 remains, and the filtering center line beat of the second surface 16b of the glass substrate 16 beats the filtering center line of the surface 14a of the resin layer 14. A predetermined glass laminate 100 is obtained by polishing so as to be smaller than that. As shown in FIG. 2C, when the glass substrate 16 is peeled from the obtained glass laminate 100, a recess 34 is formed on the second surface 16b of the glass substrate 16 as in FIG. However, in the embodiment of FIG. 2C, unlike FIG. 1C, the depth of the concave portion 34 at which the second surface 16b of the glass substrate 16 appears is not so deep, and therefore is arranged on the second surface 16b. It is difficult for the electronic device member to be displaced.

図3は、本発明に係るガラス積層体の一例の模式的断面図である。
図3に示すように、ガラス積層体100は、支持基板12とガラス基板16とそれらの間に樹脂層14が存在する積層体である。樹脂層14は、その一方の面が支持基板12の層に接すると共に、その他方の面がガラス基板16の第1表面16aに接している。言い換えると、樹脂層14はガラス基板16の第1表面16aに接している。
支持基板12の層および樹脂層14からなる2層部分は、液晶パネルなどの電子デバイス用部材を製造する部材形成工程において、ガラス基板16を補強する。なお、ガラス積層体100の製造のためにあらかじめ製造される支持基板12および樹脂層14からなる2層部分を樹脂層付き支持基板18という。
FIG. 3 is a schematic cross-sectional view of an example of a glass laminate according to the present invention.
As shown in FIG. 3, the glass laminated body 100 is a laminated body in which the support substrate 12, the glass substrate 16, and the resin layer 14 exist between them. The resin layer 14 has one surface in contact with the layer of the support substrate 12 and the other surface in contact with the first surface 16 a of the glass substrate 16. In other words, the resin layer 14 is in contact with the first surface 16 a of the glass substrate 16.
The two-layer portion composed of the layer of the support substrate 12 and the resin layer 14 reinforces the glass substrate 16 in a member forming process for manufacturing a member for an electronic device such as a liquid crystal panel. In addition, the two-layer part which consists of the support substrate 12 manufactured beforehand for manufacture of the glass laminated body 100 and the resin layer 14 is called the support substrate 18 with a resin layer.

このガラス積層体100は、後述する部材形成工程まで使用される。即ち、このガラス積層体100は、そのガラス基板16の第2表面16b表面上に液晶表示装置などの電子デバイス用部材が形成されるまで使用される。その後、電子デバイス用部材が形成されたガラス積層体は、樹脂層付き支持基板18と部材付きガラス基板に分離され、樹脂層付き支持基板18は電子デバイスを構成する部分とはならない。樹脂層付き支持基板18には新たなガラス基板16と積層され、新たなガラス積層体100として再利用することができる。   This glass laminated body 100 is used until the member formation process mentioned later. That is, the glass laminate 100 is used until an electronic device member such as a liquid crystal display device is formed on the surface of the second surface 16 b of the glass substrate 16. Then, the glass laminated body in which the member for electronic devices was formed is isolate | separated into the support substrate 18 with a resin layer, and the glass substrate with a member, and the support substrate 18 with a resin layer does not become a part which comprises an electronic device. The support substrate 18 with a resin layer is laminated with a new glass substrate 16 and can be reused as a new glass laminate 100.

支持基板12と樹脂層14の界面は剥離強度(x)を有し、支持基板12と樹脂層14の界面に剥離強度(x)を越える引き剥がし方向の応力が加えられると、支持基板12と樹脂層14の界面が剥離する。樹脂層14とガラス基板16の界面は剥離強度(y)を有し、樹脂層14とガラス基板16の界面に剥離強度(y)を越える引き剥がし方向の応力が加えられると、樹脂層14とガラス基板16の界面が剥離する。
ガラス積層体100(後述の電子デバイス用部材付き積層体も意味する)においては、上記剥離強度(x)は上記剥離強度(y)よりも高い。したがって、ガラス積層体100に支持基板12とガラス基板16とを引き剥がす方向の応力が加えられると、本発明のガラス積層体100は、樹脂層14とガラス基板16の界面で剥離してガラス基板16と樹脂層付き支持基板18に分離する。
The interface between the support substrate 12 and the resin layer 14 has a peel strength (x). When a stress in the peeling direction exceeding the peel strength (x) is applied to the interface between the support substrate 12 and the resin layer 14, The interface of the resin layer 14 is peeled off. The interface between the resin layer 14 and the glass substrate 16 has a peel strength (y). When a stress in the peeling direction exceeding the peel strength (y) is applied to the interface between the resin layer 14 and the glass substrate 16, The interface of the glass substrate 16 peels off.
In the glass laminate 100 (which also means a laminate with an electronic device member described later), the peel strength (x) is higher than the peel strength (y). Therefore, when a stress in the direction of peeling the support substrate 12 and the glass substrate 16 is applied to the glass laminate 100, the glass laminate 100 of the present invention peels off at the interface between the resin layer 14 and the glass substrate 16. 16 and a support substrate 18 with a resin layer.

剥離強度(x)は、剥離強度(y)と比較して、充分高いことが好ましい。剥離強度(x)を高めることは、支持基板12に対する樹脂層14の付着力を高め、かつ、加熱処理後においてガラス基板16に対してよりも相対的に高い付着力を維持できることを意味する。
支持基板12に対する樹脂層14の付着力を高めるためには、後述するように、所定の成分を含む硬化性樹脂組成物の層(塗膜)を支持基板12上で硬化(架橋硬化)させて樹脂層14を形成することが好ましい。硬化の際の接着力で、支持基板12に対して高い結合力で結合した樹脂層14を形成することができる。
一方、硬化後の硬化物のガラス基板16に対する結合力は、上記硬化時に生じる結合力よりも低いのが通例である。したがって、支持基板12上で硬化性樹脂組成物の層に硬化処理を施して樹脂層14を形成し、その後、樹脂層14の面にガラス基板16を積層して、ガラス積層体100を製造することが好ましい。
The peel strength (x) is preferably sufficiently higher than the peel strength (y). Increasing the peel strength (x) means that the adhesion of the resin layer 14 to the support substrate 12 can be increased and a relatively higher adhesion can be maintained after the heat treatment than to the glass substrate 16.
In order to increase the adhesion of the resin layer 14 to the support substrate 12, a layer (coating film) of a curable resin composition containing a predetermined component is cured (crosslinked) on the support substrate 12 as described later. It is preferable to form the resin layer 14. The resin layer 14 bonded to the support substrate 12 with a high bonding force can be formed by the adhesive force at the time of curing.
On the other hand, the bond strength of the cured product after curing to the glass substrate 16 is generally lower than the bond strength generated during the curing. Accordingly, the layer of the curable resin composition is cured on the support substrate 12 to form the resin layer 14, and then the glass substrate 16 is laminated on the surface of the resin layer 14 to manufacture the glass laminate 100. It is preferable.

以下で、まず、ガラス積層体100を構成する各層(支持基板12、樹脂層14、ガラス基板16)について詳述し、その後、ガラス積層体および部材付きガラス基板の製造方法について詳述する。   Below, each layer (the support substrate 12, the resin layer 14, the glass substrate 16) which comprises the glass laminated body 100 is explained in full detail first, Then, the manufacturing method of a glass laminated body and a glass substrate with a member is explained in full detail.

<支持基板>
支持基板12は、ガラス基板16を支持して補強し、後述する部材形成工程(電子デバイス用部材を製造する工程)において電子デバイス用部材の製造の際にガラス基板16の変形、傷付き、破損などを防止する。
支持基板12としては、例えば、ガラス板、プラスチック板、SUS板などの金属板などが用いられる。通常、部材形成工程が熱処理を伴うため、支持基板12はガラス基板16との線膨張係数の差の小さい材料で形成されることが好ましく、ガラス基板16と同一材料で形成されることがより好ましく、支持基板12はガラス板であることが好ましい。特に、支持基板12は、ガラス基板16と同じガラス材料からなるガラス板であることが好ましい。
<Support substrate>
The support substrate 12 supports and reinforces the glass substrate 16, and the glass substrate 16 is deformed, scratched, or damaged when the electronic device member is manufactured in a member forming step (step of manufacturing an electronic device member) described later. Prevent such as.
As the support substrate 12, for example, a metal plate such as a glass plate, a plastic plate, or a SUS plate is used. Usually, since the member forming process involves heat treatment, the support substrate 12 is preferably formed of a material having a small difference in linear expansion coefficient from the glass substrate 16, and more preferably formed of the same material as the glass substrate 16. The support substrate 12 is preferably a glass plate. In particular, the support substrate 12 is preferably a glass plate made of the same glass material as the glass substrate 16.

支持基板12の厚さは、ガラス基板16よりも厚くてもよいし、薄くてもよい。好ましくは、ガラス基板16の厚さ、樹脂層14の厚さ、およびガラス積層体100の厚さに基づいて、支持基板12の厚さが選択される。例えば、現行の部材形成工程が厚さ0.5mmの基板を処理するように設計されたものであって、ガラス基板16の厚さと樹脂層14の厚さとの和が0.1mmの場合、支持基板12の厚さを0.4mmとする。支持基板12の厚さは、通常の場合、0.2〜5.0mmであることが好ましい。   The support substrate 12 may be thicker than the glass substrate 16 or thinner. Preferably, the thickness of the support substrate 12 is selected based on the thickness of the glass substrate 16, the thickness of the resin layer 14, and the thickness of the glass laminate 100. For example, when the current member forming process is designed to process a substrate having a thickness of 0.5 mm, and the sum of the thickness of the glass substrate 16 and the thickness of the resin layer 14 is 0.1 mm, the support is provided. The thickness of the substrate 12 is 0.4 mm. In general, the thickness of the support substrate 12 is preferably 0.2 to 5.0 mm.

支持基板12がガラス板の場合、ガラス板の厚さは、扱いやすく、割れにくいなどの理由から、0.08mm以上であることが好ましい。また、ガラス板の厚さは、電子デバイス用部材形成後に剥離する際に、割れずに適度に撓むような剛性が望まれる理由から、1.0mm以下であることが好ましい。   When the support substrate 12 is a glass plate, the thickness of the glass plate is preferably 0.08 mm or more because it is easy to handle and difficult to break. Further, the thickness of the glass plate is preferably 1.0 mm or less because the rigidity is desired so that the glass plate is appropriately bent without being broken when it is peeled off after forming the electronic device member.

支持基板12とガラス基板16との25〜300℃における平均線膨張係数の差は、好ましくは500×10-7/℃以下であり、より好ましくは300×10-7/℃以下であり、さらに好ましくは200×10-7/℃以下である。差が大き過ぎると、部材形成工程における加熱冷却時に、ガラス積層体100が激しく反ったり、支持基板12とガラス基板16とが剥離したりする可能性がある。支持基板12の材料がガラス基板16の材料と同じ場合、このような問題が生じるのを抑制することができる。 The difference in average linear expansion coefficient at 25 to 300 ° C. between the support substrate 12 and the glass substrate 16 is preferably 500 × 10 −7 / ° C. or less, more preferably 300 × 10 −7 / ° C. or less, Preferably, it is 200 × 10 −7 / ° C. or less. If the difference is too large, the glass laminate 100 may be warped severely or the support substrate 12 and the glass substrate 16 may be peeled off during heating and cooling in the member forming process. When the material of the support substrate 12 is the same as the material of the glass substrate 16, it can suppress that such a problem arises.

<樹脂層>
樹脂層14は、ガラス基板16と支持基板12とを分離する操作が行われるまでガラス基板16の位置ずれを防止すると共に、ガラス基板16などが分離操作によって破損するのを防止する。樹脂層14のガラス基板16と接する表面14aは、後述するガラス基板16の第1表面16aに剥離可能に密着する。樹脂層14はガラス基板16の第1表面16aに弱い結合力で結合しており、その界面の剥離強度(y)は、樹脂層14と支持基板12との間の界面の剥離強度(x)よりも低い。
すなわち、ガラス基板16と支持基板12とを分離する際には、ガラス基板16の第1表面16aと樹脂層14との界面で剥離し、支持基板12と樹脂層14との界面では剥離し難い。このため、樹脂層14はガラス基板16の第1表面16aと密着するが、ガラス基板16を容易に剥離することができる表面特性を有する。すなわち、樹脂層14は、ガラス基板16の第1表面16aに対してある程度の結合力で結合してガラス基板16の位置ずれなどを防止していると同時に、ガラス基板16を剥離する際には、ガラス基板16を破壊することなく、容易に剥離できる程度の結合力で結合している。本発明では、この樹脂層14表面の容易に剥離できる性質を剥離性という。一方、支持基板12と樹脂層14とは相対的に剥離しがたい結合力で結合している。
なお、樹脂層14とガラス基板16の界面の結合力は、ガラス積層体100のガラス基板16の第2表面16b上に電子デバイス用部材を形成する前後に変化してもよい(すなわち、剥離強度(x)や剥離強度(y)が変化してもよい)。しかし、電子デバイス用部材を形成した後であっても、剥離強度(y)は、剥離強度(x)よりも低い。
<Resin layer>
The resin layer 14 prevents the glass substrate 16 from being displaced until the operation for separating the glass substrate 16 and the support substrate 12 is performed, and prevents the glass substrate 16 and the like from being damaged by the separation operation. A surface 14a of the resin layer 14 in contact with the glass substrate 16 is in close contact with a first surface 16a of the glass substrate 16 described later so as to be peelable. The resin layer 14 is bonded to the first surface 16a of the glass substrate 16 with a weak bonding force, and the peel strength (y) at the interface is the peel strength (x) at the interface between the resin layer 14 and the support substrate 12. Lower than.
That is, when the glass substrate 16 and the support substrate 12 are separated, the glass substrate 16 is peeled off at the interface between the first surface 16a of the glass substrate 16 and the resin layer 14, and is hardly peeled off at the interface between the support substrate 12 and the resin layer 14. . For this reason, the resin layer 14 is in close contact with the first surface 16a of the glass substrate 16, but has a surface characteristic that allows the glass substrate 16 to be easily peeled off. That is, the resin layer 14 is bonded to the first surface 16a of the glass substrate 16 with a certain degree of bonding force to prevent the glass substrate 16 from being displaced, and at the same time, when the glass substrate 16 is peeled off. The glass substrate 16 is bonded with a bonding force that can be easily peeled without breaking the glass substrate 16. In this invention, the property which can peel this resin layer 14 surface easily is called peelability. On the other hand, the support substrate 12 and the resin layer 14 are bonded with a bonding force that is relatively difficult to peel.
The bonding force at the interface between the resin layer 14 and the glass substrate 16 may change before and after the electronic device member is formed on the second surface 16b of the glass substrate 16 of the glass laminate 100 (that is, the peel strength). (X) and peel strength (y) may be changed). However, even after the electronic device member is formed, the peel strength (y) is lower than the peel strength (x).

樹脂層14とガラス基板16の層とは、弱い接着力やファンデルワールス力に起因する結合力で結合していると考えられる。樹脂層14を形成した後その表面にガラス基板16を積層する場合、樹脂層14の樹脂が接着力を示さないほど充分に架橋している場合はファンデルワールス力に起因する結合力で結合していると考えられる。しかし、樹脂層14の樹脂は、ある程度の弱い接着力を有することが少なくない。たとえ接着性が極めて低い場合であっても、ガラス積層体100製造後その積層体上に電子デバイス用部材を形成する際には、加熱操作などにより、樹脂層14の樹脂はガラス基板16に接着し、樹脂層14とガラス基板16との間の結合力は上昇すると考えられる。
場合により、積層前の樹脂層14の表面や積層前のガラス基板16の第1表面16aに両者間の結合力を弱める処理を行って積層することもできる。積層する面に非接着性処理などを行い、その後積層することにより、樹脂層14とガラス基板16の界面の結合力を弱め、剥離強度(y)を低くすることができる。
The resin layer 14 and the layer of the glass substrate 16 are considered to be bonded by a bonding force resulting from weak adhesive force or van der Waals force. When the glass substrate 16 is laminated on the surface after the resin layer 14 is formed, if the resin of the resin layer 14 is sufficiently cross-linked so as not to exhibit adhesive strength, the resin layer 14 is bonded with a bonding force due to van der Waals force. It is thought that. However, the resin of the resin layer 14 often has a certain degree of weak adhesive strength. Even when the adhesiveness is extremely low, the resin of the resin layer 14 adheres to the glass substrate 16 by a heating operation or the like when the electronic device member is formed on the laminated body after the glass laminated body 100 is manufactured. Then, it is considered that the bonding force between the resin layer 14 and the glass substrate 16 increases.
In some cases, the surface of the resin layer 14 before lamination or the first surface 16a of the glass substrate 16 before lamination can be laminated by performing a process of weakening the bonding force between them. By performing non-adhesive treatment or the like on the surface to be laminated and then laminating, the bonding strength at the interface between the resin layer 14 and the glass substrate 16 can be weakened and the peel strength (y) can be lowered.

また、樹脂層14は、接着力や粘着力などの強い結合力で支持基板12表面に結合されていることが好ましい。例えば、上述したように、硬化性樹脂組成物の層を支持基板12表面で硬化させることにより、硬化物である樹脂を支持基板12表面に接着して、高い結合力を得ることができる。また、支持基板12表面と樹脂層14との間に強い結合力を生じさせる処理(例えば、カップリング剤を使用した処理)を施して支持基板12表面と樹脂層14との間の結合力を高めることもできる。
樹脂層14と支持基板12の層とが高い結合力で結合していることは、両者の界面の剥離強度(x)が高いことを意味する。
The resin layer 14 is preferably bonded to the surface of the support substrate 12 with a strong bonding force such as an adhesive force or an adhesive force. For example, as described above, by curing the layer of the curable resin composition on the surface of the support substrate 12, the resin that is a cured product can be adhered to the surface of the support substrate 12, and high bonding strength can be obtained. Further, a treatment for generating a strong bonding force between the surface of the support substrate 12 and the resin layer 14 (for example, a treatment using a coupling agent) is performed to increase the bonding force between the surface of the support substrate 12 and the resin layer 14. It can also be increased.
The fact that the resin layer 14 and the layer of the support substrate 12 are bonded with a high bonding force means that the peel strength (x) at the interface between them is high.

樹脂層14の厚さは特に限定されないが、2〜100μmであることが好ましく、3〜50μmであることがより好ましく、7〜20μmであることがさらに好ましい。樹脂層14の厚さがこのような範囲であると、樹脂層14とガラス基板16との間に気泡や異物が介在することがあっても、ガラス基板16のゆがみ欠陥の発生を抑制することができる。また、樹脂層14の厚さが厚すぎると、形成するのに時間および材料を要するため経済的ではなく、耐熱性が低下する場合がある。また、樹脂層14の厚さが薄すぎると、樹脂層14とガラス基板16との密着性が低下する場合がある。
なお、樹脂層14は2層以上からなっていてもよい。この場合「樹脂層14の厚さ」は全ての層の合計の厚さを意味するものとする。
Although the thickness of the resin layer 14 is not specifically limited, It is preferable that it is 2-100 micrometers, It is more preferable that it is 3-50 micrometers, It is further more preferable that it is 7-20 micrometers. When the thickness of the resin layer 14 is within such a range, even if bubbles or foreign matter may be present between the resin layer 14 and the glass substrate 16, the occurrence of distortion defects in the glass substrate 16 can be suppressed. Can do. Further, if the thickness of the resin layer 14 is too thick, it takes time and materials to form the resin layer 14, which is not economical and the heat resistance may be lowered. Moreover, when the thickness of the resin layer 14 is too thin, the adhesiveness of the resin layer 14 and the glass substrate 16 may fall.
The resin layer 14 may be composed of two or more layers. In this case, “the thickness of the resin layer 14” means the total thickness of all the layers.

樹脂層14のガラス基板16側の表面14aは凸部30を有する。凸部30とは、樹脂層14表面の平坦面から突出した部分である。図3においては、凸部30は一つだけ記載するが、複数あってもよい。
樹脂層14の表面14a(凸部30がある表面)のろ波中心線うねりY(WCA)は、1.00μm以下であることが好ましく、0.50μm以下であることがより好ましく、0.40μm以下であることがさらに好ましく、0.30μm以下であることがよりさらに好ましく、性能劣化が抑制された電子デバイスをより効率的に生産することができる点で、0.20μm以下であることが特に好ましく、0.15μm以下であることがより特に好ましく、0.10μm以下であることが最も好ましい。ろ波中心線うねりYが上記範囲(好ましくは、0.50μm以下)であることにより、樹脂層14上へのガラス基板16の積層性がより優れる。樹脂層14の表面14aのろ波中心線うねりY(WCA)の下限は特に制限されないが、通常、0.040μm超の場合が多い。なお、本発明であれば、ろ波中心線うねりYが0.10μm超であっても、所望の効果が得られる。特に、電子デバイスとしてLCDデバイスを作製する際には、ろ波中心線うねりYは0.040μm超0.20μm以下であることが好ましい。
ここで、「表面うねり」は、公知の触針式の表面形状測定装置を用いて、JIS B−0610(1987)に記載のWCA(ろ波中心線うねり)を測定した値である。なお、本発明において、ろ波うねり曲線のカットオフ値は0.8mmとし、測定長さは40mmとする。
なお、凸部の幅は特に制限されないが、10mm以下が好ましい。
The surface 14 a on the glass substrate 16 side of the resin layer 14 has a convex portion 30. The convex portion 30 is a portion protruding from the flat surface of the resin layer 14 surface. In FIG. 3, only one convex portion 30 is shown, but a plurality of convex portions 30 may be provided.
The filtered center line waviness Y (W CA ) of the surface 14a of the resin layer 14 (the surface having the convex portion 30) is preferably 1.00 μm or less, more preferably 0.50 μm or less, and It is further preferably 40 μm or less, more preferably 0.30 μm or less, and 0.20 μm or less in that an electronic device with suppressed performance deterioration can be more efficiently produced. Particularly preferred is 0.15 μm or less, and most preferred is 0.10 μm or less. When the filtered center line undulation Y is in the above range (preferably 0.50 μm or less), the laminate property of the glass substrate 16 on the resin layer 14 is more excellent. The lower limit of the filtered center line waviness Y (W CA ) of the surface 14a of the resin layer 14 is not particularly limited, but is usually more than 0.040 μm in many cases. In the present invention, the desired effect can be obtained even if the filtered center line waviness Y exceeds 0.10 μm. In particular, when an LCD device is manufactured as an electronic device, the filtered center line undulation Y is preferably more than 0.040 μm and not more than 0.20 μm.
Here, “surface waviness” is a value obtained by measuring W CA (filtered centerline waviness) described in JIS B-0610 (1987) using a known stylus type surface shape measuring device. In the present invention, the cutoff value of the filtered waviness curve is 0.8 mm, and the measurement length is 40 mm.
In addition, although the width | variety of a convex part is not restrict | limited in particular, 10 mm or less is preferable.

樹脂層14を構成する樹脂の種類は特に制限されないが、例えば、アクリル樹脂、ポリオレフィン樹脂、ポリウレタン樹脂およびシリコーン樹脂が挙げられる。なかでも、耐熱性および剥離性の点から、シリコーン樹脂が好ましい。つまり、樹脂層14がシリコーン樹脂層(シリコーン樹脂を含む層)であることが好ましい。
以下、シリコーン樹脂層の態様について詳述する。
Although the kind of resin which comprises the resin layer 14 is not restrict | limited in particular, For example, an acrylic resin, polyolefin resin, a polyurethane resin, and a silicone resin are mentioned. Of these, silicone resins are preferred from the viewpoints of heat resistance and peelability. That is, the resin layer 14 is preferably a silicone resin layer (a layer containing a silicone resin).
Hereinafter, the aspect of a silicone resin layer is explained in full detail.

シリコーン樹脂層に含まれるシリコーン樹脂は架橋性オルガノポリシロキサンの架橋物であり、シリコーン樹脂は3次元網目構造を形成していることが好ましい。
架橋性オルガノポリシロキサンの種類は特に制限されず、所定の架橋反応を介して、架橋硬化し、シリコーン樹脂を構成する架橋物(硬化物)となれば特にその構造は限定されず、所定の架橋性を有していればよい。架橋の形式は特に制限されず、架橋性オルガノポリシロキサン中に含まれる架橋性基の種類に応じて適宜公知の形式を採用できる。例えば、ヒドロシリル化反応、縮合反応、または、加熱処理、高エネルギー線処理若しくはラジカル重合開始剤によるラジカル反応などが挙げられる。
より具体的には、架橋性オルガノポリシロキサンがアルケニル基またはアルキニル基などのラジカル反応性基を有する場合、上記ラジカル反応を介したラジカル反応性基同士の反応により架橋して硬化物(架橋シリコーン樹脂)となる。
また、架橋性オルガノポリシロキサンがシラノール基を有する場合、シラノール基同士の縮合反応により架橋して硬化物となる。
さらに、架橋性オルガノポリシロキサンが、ケイ素原子に結合したアルケニル基(ビニル基など)を有するオルガノポリシロキサン(すなわち、オルガノアルケニルポリシロキサン)、および、ケイ素原子に結合した水素原子(ハイドロシリル基)を有するオルガノポリシロキサン(すなわち、オルガノハイドロジェンポリシロキサン)を含む場合、必要に応じてヒドロシリル化触媒(例えば、白金系触媒)の存在下、ヒドロシリル化反応により架橋して硬化物となる。
The silicone resin contained in the silicone resin layer is a crosslinked product of a crosslinkable organopolysiloxane, and the silicone resin preferably has a three-dimensional network structure.
The type of the crosslinkable organopolysiloxane is not particularly limited, and the structure is not particularly limited as long as it is cross-linked and cured through a predetermined cross-linking reaction to obtain a cross-linked product (cured product) constituting the silicone resin. What is necessary is just to have sex. The form of crosslinking is not particularly limited, and a known form can be appropriately employed depending on the kind of the crosslinkable group contained in the crosslinkable organopolysiloxane. Examples thereof include a hydrosilylation reaction, a condensation reaction, a heat treatment, a high energy ray treatment, or a radical reaction using a radical polymerization initiator.
More specifically, when the crosslinkable organopolysiloxane has a radical reactive group such as an alkenyl group or an alkynyl group, the cured product (crosslinked silicone resin) is crosslinked by a reaction between the radical reactive groups via the radical reaction. )
Moreover, when crosslinkable organopolysiloxane has a silanol group, it crosslinks by the condensation reaction of silanol groups, and it becomes a hardened | cured material.
In addition, the crosslinkable organopolysiloxane has an organopolysiloxane having an alkenyl group (such as a vinyl group) bonded to a silicon atom (ie, an organoalkenylpolysiloxane), and a hydrogen atom bonded to a silicon atom (a hydrosilyl group). In the case where the organopolysiloxane (that is, organohydrogenpolysiloxane) is contained, it is crosslinked by a hydrosilylation reaction in the presence of a hydrosilylation catalyst (for example, a platinum-based catalyst) as necessary to form a cured product.

なかでも、シリコーン樹脂層の形成が容易で、剥離性により優れる点で、架橋性オルガノポリシロキサンが、両末端および/または側鎖にアルケニル基を有するオルガノポリシロキサン(以後、適宜オルガノポリシロキサンAとも称する)と、両末端および/または側鎖にハイドロシリル基を有するオルガノポリシロキサン(以後、適宜オルガノポリシロキサンBとも称する)とを含む態様が好ましい。
なお、アルケニル基としては特に限定されないが、例えば、ビニル基(エテニル基)、アリル基(2−プロペニル基)、ブテニル基、ペンテニル基、ヘキシニル基などが挙げられ、なかでも耐熱性に優れる点から、ビニル基が好ましい。
また、オルガノポリシロキサンAに含まれるアルケニル基以外の基、および、オルガノポリシロキサンBに含まれるハイドロシリル基以外の基としては、アルキル基(特に、炭素数4以下のアルキル基)が挙げられる。
Among them, the crosslinkable organopolysiloxane is an organopolysiloxane having an alkenyl group at both ends and / or side chains (hereinafter also referred to as organopolysiloxane A as appropriate) because the silicone resin layer can be easily formed and is excellent in releasability. And an organopolysiloxane having hydrosilyl groups at both ends and / or side chains (hereinafter also referred to as organopolysiloxane B as appropriate) are preferred.
In addition, although it does not specifically limit as an alkenyl group, For example, a vinyl group (ethenyl group), an allyl group (2-propenyl group), a butenyl group, a pentenyl group, a hexynyl group etc. are mentioned, Especially from the point which is excellent in heat resistance. A vinyl group is preferred.
Examples of the group other than the alkenyl group contained in the organopolysiloxane A and the group other than the hydrosilyl group contained in the organopolysiloxane B include an alkyl group (particularly an alkyl group having 4 or less carbon atoms).

オルガノポリシロキサンA中におけるアルケニル基の位置は特に制限されないが、オルガノポリシロキサンAが直鎖状の場合、アルケニル基は下記に示すM単位およびD単位のいずれかに存在してもよく、M単位とD単位の両方に存在していてもよい。硬化速度の点から、少なくともM単位に存在していることが好ましく、2個のM単位の両方に存在していることが好ましい。
なお、M単位およびD単位とは、オルガノポリシロキサンの基本構成単位の例であり、M単位とは有機基が3つ結合した1官能性のシロキサン単位、D単位とは有機基が2つ結合した2官能性のシロキサン単位である。シロキサン単位において、シロキサン結合は2個のケイ素原子が1個の酸素原子を介して結合した結合であることより、シロキサン結合におけるケイ素原子1個当たりの酸素原子は1/2個とみなし、式中O1/2と表現される。
The position of the alkenyl group in the organopolysiloxane A is not particularly limited. However, when the organopolysiloxane A is linear, the alkenyl group may be present in any one of the M unit and D unit shown below. And D units may be present. From the viewpoint of curing speed, it is preferably present at least in M units, and preferably present in both two M units.
The M unit and D unit are examples of basic structural units of organopolysiloxane. The M unit is a monofunctional siloxane unit in which three organic groups are bonded. The D unit is bonded to two organic groups. Bifunctional siloxane unit. In the siloxane unit, the siloxane bond is a bond in which two silicon atoms are bonded through one oxygen atom, so that the oxygen atom per silicon atom in the siloxane bond is regarded as ½, Expressed as O 1/2 .

オルガノポリシロキサンA中におけるアルケニル基の数は特に制限されないが、1分子中に1〜3個が好ましく、2個がより好ましい。
オルガノポリシロキサンB中におけるハイドロシリル基の位置は特に制限されないが、オルガノポリシロキサンAが直鎖状の場合、ハイドロシリル基はM単位およびD単位のいずれかに存在してもよく、M単位とD単位の両方に存在していてもよい。硬化速度の点から、少なくともD単位に存在していることが好ましい。
オルガノポリシロキサンB中におけるハイドロシリル基の数は特に制限されないが、1分子中に少なくとも3個有することが好ましく、3個がより好ましい。
The number of alkenyl groups in the organopolysiloxane A is not particularly limited, but is preferably 1 to 3 per molecule and more preferably 2.
The position of the hydrosilyl group in the organopolysiloxane B is not particularly limited. However, when the organopolysiloxane A is linear, the hydrosilyl group may be present in either the M unit or the D unit. It may be present in both D units. It is preferable that it exists in at least D unit from the point of a cure rate.
The number of hydrosilyl groups in the organopolysiloxane B is not particularly limited, but it is preferably at least 3 per molecule, and more preferably 3.

オルガノポリシロキサンAとオルガノポリシロキサンBとの混合比率は特に制限されないが、オルガノポリシロキサンB中のケイ素原子に結合した水素原子と、オルガノポリシロキサンA中の全アルケニル基のモル比(水素原子/アルケニル基)が0.7〜1.05となるように調整することが好ましい。なかでも、0.8〜1.0となるように混合比率を調整することが好ましい。   The mixing ratio of organopolysiloxane A and organopolysiloxane B is not particularly limited, but the molar ratio of hydrogen atoms bonded to silicon atoms in organopolysiloxane B and all alkenyl groups in organopolysiloxane A (hydrogen atoms / The alkenyl group is preferably adjusted to 0.7 to 1.05. Especially, it is preferable to adjust a mixing ratio so that it may become 0.8-1.0.

ヒドロシリル化触媒としては、白金族金属系触媒を用いることが好ましい。白金族金属系触媒としては、白金系、パラジウム系、ロジウム系などの触媒が挙げられ、特に白金系触媒として用いることが経済性、反応性の点から好ましい。白金族金属系触媒としては、公知のものを用いることができる。具体的には、白金微粉末、白金黒、塩化第一白金酸、塩化第二白金酸などの塩化白金酸、四塩化白金、塩化白金酸のアルコール化合物、アルデヒド化合物、あるいは白金のオレフィン錯体、アルケニルシロキサン錯体、カルボニル錯体などがあげられる。
ヒドロシリル化触媒の使用量としては、オルガノポリシロキサンAとオルガノポリシロキサンBとの合計質量100質量部に対して、0.1〜20質量部が好ましく、1〜10質量部がより好ましい。
As the hydrosilylation catalyst, a platinum group metal catalyst is preferably used. Examples of the platinum group metal-based catalyst include platinum-based, palladium-based, and rhodium-based catalysts, and it is particularly preferable to use as a platinum-based catalyst from the viewpoint of economy and reactivity. As the platinum group metal catalyst, known catalysts can be used. Specifically, platinum fine powder, platinum black, chloroplatinic acid such as chloroplatinic acid, chloroplatinic acid, platinum tetrachloride, alcohol compounds of chloroplatinic acid, aldehyde compounds, platinum olefin complexes, alkenyls Examples thereof include siloxane complexes and carbonyl complexes.
The amount of the hydrosilylation catalyst used is preferably 0.1 to 20 parts by mass and more preferably 1 to 10 parts by mass with respect to 100 parts by mass of the total mass of the organopolysiloxane A and the organopolysiloxane B.

架橋性オルガノポリシロキサンの数平均分子量は特に制限されないが、取扱い性に優れると共に、成膜性にも優れ、高温処理条件下におけるシリコーン樹脂の分解がより抑制される点で、GPC(ゲルパーミエーションクロマトグラフィー)測定による、ポリスチレン換算の重量平均分子量は1,000〜5,000,000が好ましく、2,000〜3,000,000がより好ましい。
架橋性オルガノポリシロキサンの粘度は10〜5000mPa・sが好ましく、15〜3000mPa・sがより好ましい。
The number average molecular weight of the crosslinkable organopolysiloxane is not particularly limited, but it is excellent in handleability, excellent in film formability, and is more resistant to decomposition of the silicone resin under high temperature processing conditions. The weight average molecular weight in terms of polystyrene as measured by chromatography is preferably 1,000 to 5,000,000, and more preferably 2,000 to 3,000,000.
The viscosity of the crosslinkable organopolysiloxane is preferably 10 to 5000 mPa · s, more preferably 15 to 3000 mPa · s.

また、架橋性オルガノポリシロキサンの具体的に市販されている商品名または型番としては、芳香族基を有さない架橋性オルガノポリシロキサンとして、KNS−320A、KS−847(いずれも信越シリコーン社製)、TPR6700(モメンティブ・パフォーマンス・マテリアルズ・ジャパン合同会社製)、ビニルシリコーン「8500」(荒川化学工業社製)とメチルハイドロジェンポリシロキサン「12031」(荒川化学工業社製)との組み合わせ、ビニルシリコーン「11364」(荒川化学工業社製)とメチルハイドロジェンポリシロキサン「12031」(荒川化学工業社製)との組み合わせ、ビニルシリコーン「11365」(荒川化学工業社製)とメチルハイドロジェンポリシロキサン「12031」(荒川化学工業社製)との組み合わせなどが挙げられる。   Moreover, as a commercially available brand name or model number of the crosslinkable organopolysiloxane, KNS-320A and KS-847 (both manufactured by Shin-Etsu Silicone Co., Ltd.) are used as the crosslinkable organopolysiloxane having no aromatic group. ), TPR6700 (made by Momentive Performance Materials Japan GK), vinyl silicone “8500” (made by Arakawa Chemical Industries) and methylhydrogenpolysiloxane “12031” (made by Arakawa Chemical Industries), vinyl A combination of silicone “11364” (Arakawa Chemical Industries) and methylhydrogenpolysiloxane “12031” (Arakawa Chemical Industries), vinyl silicone “11365” (Arakawa Chemical Industries) and methylhydrogenpolysiloxane “ 12031 "(Arakawa Chemical Industries Such as a combination of a Ltd.) and the like.

樹脂層14の形成方法は特に制限されず、公知の方法が採用される。後段においては、樹脂層14がシリコーン樹脂層である態様に関して詳述する。   The formation method in particular of the resin layer 14 is not restrict | limited, A well-known method is employ | adopted. In the latter part, it explains in full detail regarding the aspect whose resin layer 14 is a silicone resin layer.

<ガラス基板>
ガラス基板16は、第1表面16aが樹脂層14と接し、樹脂層14側とは反対側の第2表面16bに電子デバイス用部材が設けられる。
ガラス基板16は、樹脂層14の凸部30を有する表面14aの形状に追従するように、樹脂層14上に配置されている。そのため、ガラス基板16は、第2表面16b上で樹脂層14の凸部30の直上の位置に凸部32を有する。図3においては、一つの凸部32のみが記載されているが凸部32の数は特に制限されず、複数あってもよい。なお、ガラス基板16の凸部32の位置は樹脂層14の凸部30上にあることから、樹脂層14に複数の凸部30がある場合、それぞれの凸部30の直上にガラス基板16の凸部32が位置し、通常、ガラス基板16の凸部32の数は、樹脂層14の凸部30の数に対応している。
<Glass substrate>
As for the glass substrate 16, the 1st surface 16a is in contact with the resin layer 14, and the member for electronic devices is provided in the 2nd surface 16b on the opposite side to the resin layer 14 side.
The glass substrate 16 is arrange | positioned on the resin layer 14 so that the shape of the surface 14a which has the convex part 30 of the resin layer 14 may be followed. Therefore, the glass substrate 16 has the convex part 32 in the position just above the convex part 30 of the resin layer 14 on the 2nd surface 16b. In FIG. 3, only one protrusion 32 is shown, but the number of protrusions 32 is not particularly limited, and a plurality of protrusions 32 may be provided. In addition, since the position of the convex part 32 of the glass substrate 16 exists on the convex part 30 of the resin layer 14, when there are a plurality of convex parts 30 in the resin layer 14, the glass substrate 16 is directly above each convex part 30. The convex portions 32 are located, and the number of the convex portions 32 of the glass substrate 16 usually corresponds to the number of the convex portions 30 of the resin layer 14.

ガラス基板16の凸部32がある第2表面16bのろ波中心線うねりXの大きさは特に制限されないが、上述した樹脂層14の凸部30のある表面14aのろ波中心線うねりYよりも小さい。ろ波中心線うねりYとろ波中心線うねりXとの差(ろ波中心線うねりY−ろ波中心線うねりX)は特に制限されないが、性能劣化が抑制された電子デバイスをより効率的に生産することができる点で、0.80μm以下が好ましく、0.40μm以下がより好ましく、0.20μm以下がさらに好ましく、0.080μm以下が特に好ましく、0.050μm以下がより特に好ましく、0.040μm以下が最も好ましい。下限は、0.005μm以上が好ましく、0.01μm以上がより好ましい。特に、電子デバイスとしてLCDデバイスを作製する際にはろ波中心線うねりYとろ波中心線うねりXとの差は0.005μm以上0.080μm以下であることが好ましい。
ガラス基板16の凸部32がある第2表面16bのろ波中心線うねりXの大きさは、0.01μm以上が好ましく、0.02μm以上がより好ましく、0.20μm以下が好ましく、0.15μm以下がより好ましい。
ろ波中心線うねりの測定方法は上述の通りである。
なお、凸部32の幅は特に制限されないが、10mm以下が好ましい。
The size of the filtering centerline undulation X of the second surface 16b where the convex portion 32 of the glass substrate 16 is present is not particularly limited, but from the filtering centerline undulation Y of the surface 14a where the convex portion 30 of the resin layer 14 is described above. Is also small. The difference between the filtered centerline undulation Y and the filtered centerline undulation X (filtered centerline undulation Y-filtered centerline undulation X) is not particularly limited, but more efficiently produces electronic devices with suppressed performance degradation. 0.80 μm or less, more preferably 0.40 μm or less, still more preferably 0.20 μm or less, particularly preferably 0.080 μm or less, more particularly preferably 0.050 μm or less, and 0.040 μm. The following are most preferred. The lower limit is preferably 0.005 μm or more, and more preferably 0.01 μm or more. In particular, when an LCD device is manufactured as an electronic device, the difference between the filtered centerline waviness Y and the filtered centerline waviness X is preferably 0.005 μm or more and 0.080 μm or less.
The size of the filtering centerline waviness X of the second surface 16b where the convex portion 32 of the glass substrate 16 is present is preferably 0.01 μm or more, more preferably 0.02 μm or more, preferably 0.20 μm or less, 0.15 μm. The following is more preferable.
The method for measuring the filtered center line undulation is as described above.
The width of the protrusion 32 is not particularly limited, but is preferably 10 mm or less.

ガラス基板16の種類は、一般的なものであってよく、例えば、LCD、OLEDといった表示装置用のガラス基板などが挙げられる。ガラス基板16は耐薬品性、耐透湿性に優れ、且つ、熱収縮率が低い。熱収縮率の指標としては、JIS R 3102(1995年改正)に規定されている線膨張係数が用いられる。   The glass substrate 16 may be of a general type, and examples thereof include a glass substrate for a display device such as an LCD or an OLED. The glass substrate 16 is excellent in chemical resistance and moisture permeability and has a low heat shrinkage rate. As an index of the heat shrinkage rate, a linear expansion coefficient defined in JIS R 3102 (revised in 1995) is used.

ガラス基板16の線膨張係数が大きいと、部材形成工程は加熱処理を伴うことが多いので、様々な不都合が生じやすい。例えば、ガラス基板16上にTFTを形成する場合、加熱下でTFTが形成されたガラス基板16を冷却すると、ガラス基板16の熱収縮によって、TFTの位置ずれが過大になるおそれがある。   When the linear expansion coefficient of the glass substrate 16 is large, the member forming process often involves a heat treatment, and various inconveniences are likely to occur. For example, when a TFT is formed on the glass substrate 16, if the glass substrate 16 on which the TFT is formed is cooled under heating, the TFT may be displaced excessively due to thermal contraction of the glass substrate 16.

ガラス基板16は、ガラス原料を溶融し、溶融ガラスを板状に成形して得られる。このような成形方法は、一般的なものであってよく、例えば、フロート法、フュージョン法、スロットダウンドロー法、フルコール法、ラバース法などが用いられる。また、特に厚さが薄いガラス基板16は、いったん板状に成形したガラスを成形可能温度に加熱し、延伸などの手段で引き伸ばして薄くする方法(リドロー法)で成形して得られる。   The glass substrate 16 is obtained by melting a glass raw material and molding the molten glass into a plate shape. Such a molding method may be a general one, and for example, a float method, a fusion method, a slot down draw method, a full call method, a rubber method, or the like is used. The glass substrate 16 having a particularly small thickness can be obtained by heating a glass once formed into a plate shape to a moldable temperature and then stretching it by means of stretching or the like to make it thin (redraw method).

ガラス基板16のガラスの種類は特に限定されないが、無アルカリホウケイ酸ガラス、ホウケイ酸ガラス、ソーダライムガラス、高シリカガラス、その他の酸化ケイ素を主な成分とする酸化物系ガラスが好ましい。酸化物系ガラスとしては、酸化物換算による酸化ケイ素の含有量が40〜90質量%のガラスが好ましい。   The glass type of the glass substrate 16 is not particularly limited, but non-alkali borosilicate glass, borosilicate glass, soda lime glass, high silica glass, and other oxide-based glasses mainly composed of silicon oxide are preferable. As the oxide glass, a glass having a silicon oxide content of 40 to 90% by mass in terms of oxide is preferable.

ガラス基板16のガラスとしては、電子デバイス用部材の種類やその製造工程に適したガラスが採用される。例えば、液晶パネル用のガラス基板は、アルカリ金属成分の溶出が液晶に影響を与えやすいことから、アルカリ金属成分を実質的に含まないガラス(無アルカリガラス)からなる(ただし、通常アルカリ土類金属成分は含まれる)。このように、ガラス基板16のガラスは、適用されるデバイスの種類およびその製造工程に基づいて適宜選択される。   As the glass of the glass substrate 16, glass suitable for the type of electronic device member and its manufacturing process is employed. For example, a glass substrate for a liquid crystal panel is made of glass (non-alkali glass) that does not substantially contain an alkali metal component because the elution of an alkali metal component easily affects the liquid crystal (however, usually an alkaline earth metal) Ingredients are included). Thus, the glass of the glass substrate 16 is appropriately selected based on the type of device to be applied and its manufacturing process.

ガラス基板16の厚さは、ガラス基板16の薄型化および/または軽量化の観点から、0.3mm以下であることが好ましく、より好ましくは0.15mm以下であり、さらに好ましくは0.10mm以下である。0.3mm以下の場合、ガラス基板16に良好なフレキシブル性を与えることが可能である。0.15mm以下の場合、ガラス基板16をロール状に巻き取ることが可能である。
また、ガラス基板16の厚さは、ガラス基板16の製造が容易であること、ガラス基板16の取り扱いが容易であることなどの理由から、0.03mm以上であることが好ましい。
The thickness of the glass substrate 16 is preferably 0.3 mm or less, more preferably 0.15 mm or less, and even more preferably 0.10 mm or less, from the viewpoint of reducing the thickness and / or weight of the glass substrate 16. It is. In the case of 0.3 mm or less, it is possible to give good flexibility to the glass substrate 16. In the case of 0.15 mm or less, the glass substrate 16 can be rolled up.
Further, the thickness of the glass substrate 16 is preferably 0.03 mm or more for reasons such as easy manufacture of the glass substrate 16 and easy handling of the glass substrate 16.

なお、ガラス基板16は2層以上からなっていてもよく、この場合、各々の層を形成する材料は同種材料であってもよいし、異種材料であってもよい。また、この場合、「ガラス基板16の厚さ」は全ての層の合計の厚さを意味するものとする。   The glass substrate 16 may be composed of two or more layers. In this case, the material for forming each layer may be the same material or different materials. In this case, “the thickness of the glass substrate 16” means the total thickness of all the layers.

<ガラス積層体およびその製造方法>
本発明のガラス積層体100は、上述したように、支持基板12とガラス基板16とそれらの間に樹脂層14が存在する積層体である。
本発明のガラス積層体100の製造方法は、上述した構成を満たす態様のガラス積層体が得られれば特に制限されず、公知の方法を採用し得る。例えば、支持基板12上に樹脂層14が配置された樹脂層付き支持基板18の樹脂層14上にガラス基板16を積層し、その後ガラス基板16表面を研磨する方法が好ましい。
<Glass laminate and production method thereof>
As described above, the glass laminate 100 of the present invention is a laminate in which the support substrate 12, the glass substrate 16, and the resin layer 14 exist between them.
The manufacturing method of the glass laminated body 100 of this invention will not be restrict | limited especially if the glass laminated body of the aspect which satisfy | fills the structure mentioned above is obtained, A well-known method can be employ | adopted. For example, a method of laminating the glass substrate 16 on the resin layer 14 of the support substrate 18 with the resin layer in which the resin layer 14 is disposed on the support substrate 12 and then polishing the surface of the glass substrate 16 is preferable.

なかでも、剥離強度(x)が剥離強度(y)よりも高い積層体を得るために、樹脂層14の形成方法としては、支持基板12表面上で所定の硬化性樹脂組成物を架橋硬化させて樹脂層14を形成する方法が好ましい。
特に、硬化性樹脂組成物として架橋性オルガノポリシロキサンを使用して、シリコーン樹脂層を得る態様が好ましい。すなわち、架橋性オルガノポリシロキサンを含む層を支持基板の表面に形成し、支持基板表面上で架橋性オルガノポリシロキサンを架橋させてシリコーン樹脂層(架橋シリコーン樹脂)を形成し、次いで、シリコーン樹脂層のシリコーン樹脂面にガラス基板を積層して、積層物品を製造し、さらに積層物品中のガラス基板表面を研磨する方法が挙げられる。
架橋性オルガノポリシロキサンを支持基板表面で硬化させると、硬化反応時の支持基板表面との相互作用により接着し、シリコーン樹脂と支持基板表面との剥離強度は高くなると考えられる。したがって、ガラス基板と支持基板とが同じ材質からなるものであっても、シリコーン樹脂層と両者間の剥離強度に差を設けることができる。
以下、架橋性オルガノポリシロキサンを含む層を支持基板の表面に形成し、支持基板表面上で架橋性オルガノポリシロキサンを架橋させてシリコーン樹脂層を形成する工程を樹脂層形成工程、シリコーン樹脂層のシリコーン樹脂面にガラス基板を積層して積層物品とする工程を積層工程、ガラス基板の表面を研磨する工程を研磨工程といい、各工程の手順について詳述する。
In particular, in order to obtain a laminate having a peel strength (x) higher than the peel strength (y), the resin layer 14 is formed by crosslinking and curing a predetermined curable resin composition on the surface of the support substrate 12. A method of forming the resin layer 14 is preferable.
In particular, an embodiment in which a silicone resin layer is obtained using a crosslinkable organopolysiloxane as the curable resin composition is preferable. That is, a layer containing a crosslinkable organopolysiloxane is formed on the surface of the support substrate, the crosslinkable organopolysiloxane is crosslinked on the surface of the support substrate to form a silicone resin layer (crosslinked silicone resin), and then the silicone resin layer A method of laminating a glass substrate on the silicone resin surface to produce a laminated article, and further polishing the surface of the glass substrate in the laminated article.
When the crosslinkable organopolysiloxane is cured on the surface of the support substrate, it is considered that the crosslinkable organopolysiloxane adheres due to interaction with the surface of the support substrate during the curing reaction, and the peel strength between the silicone resin and the surface of the support substrate increases. Therefore, even if the glass substrate and the support substrate are made of the same material, a difference can be provided between the silicone resin layer and the peel strength between them.
Hereinafter, a step of forming a silicone resin layer by forming a layer containing a crosslinkable organopolysiloxane on the surface of the support substrate and crosslinking the crosslinkable organopolysiloxane on the surface of the support substrate, The process of laminating a glass substrate on a silicone resin surface to form a laminated article is referred to as a laminating process, and the process of polishing the surface of the glass substrate is referred to as a polishing process, and the procedure of each process will be described in detail.

(樹脂層形成工程)
樹脂層形成工程では、架橋性オルガノポリシロキサンを含む層を支持基板の表面に形成し、支持基板表面上で架橋性オルガノポリシロキサンを架橋させてシリコーン樹脂層を形成する。
支持基板上に架橋性オルガノポリシロキサンを含む層を形成するためには、架橋性オルガノポリシロキサンを溶媒に溶解させたコーティング用組成物を使用し、この組成物を支持基板上に塗布して溶液の層を形成し、次いで溶媒を除去して架橋性オルガノポリシロキサンを含む層とすることが好ましい。組成物中における架橋性オルガノポリシロキサンの濃度の調整などにより、架橋性オルガノポリシロキサンを含む層の厚さを制御することができる。
溶媒としては、作業環境下で架橋性オルガノポリシロキサンを容易に溶解でき、かつ、容易に揮発除去させることのできる溶媒であれば、特に限定されるものではない。具体的には、例えば、酢酸ブチル、ヘプタン、2−ヘプタノン、1−メトキシ−2−プロパノールアセテート、トルエン、キシレン、THF、クロロホルム等を例示することができる。
(Resin layer forming process)
In the resin layer forming step, a layer containing a crosslinkable organopolysiloxane is formed on the surface of the support substrate, and the silicone resin layer is formed by crosslinking the crosslinkable organopolysiloxane on the support substrate surface.
In order to form a layer containing a crosslinkable organopolysiloxane on a support substrate, a coating composition in which the crosslinkable organopolysiloxane is dissolved in a solvent is used, and this composition is applied onto the support substrate to form a solution. It is preferable to form a layer containing the crosslinkable organopolysiloxane by removing the solvent. The thickness of the layer containing the crosslinkable organopolysiloxane can be controlled by adjusting the concentration of the crosslinkable organopolysiloxane in the composition.
The solvent is not particularly limited as long as it can easily dissolve the crosslinkable organopolysiloxane in a working environment and can be easily volatilized and removed. Specific examples include butyl acetate, heptane, 2-heptanone, 1-methoxy-2-propanol acetate, toluene, xylene, THF, chloroform and the like.

支持基板表面上に架橋性オルガノポリシロキサンを含む組成物を塗布する方法は特に限定されず、公知の方法を使用することができる。例えば、スプレーコート法、ダイコート法、スピンコート法、ディップコート法、ロールコート法、バーコート法、スクリーン印刷法、グラビアコート法などが挙げられる。
その後、必要に応じて、溶媒を除去するための乾燥処理が実施されてもよい。乾燥処理の方法は特に制限されないが、例えば、減圧条件下で溶媒を除去する方法や、架橋性オルガノポリシロキサンの硬化が進行しないような温度で加熱する方法などが挙げられる。
A method for applying the composition containing the crosslinkable organopolysiloxane on the surface of the supporting substrate is not particularly limited, and a known method can be used. Examples thereof include spray coating, die coating, spin coating, dip coating, roll coating, bar coating, screen printing, and gravure coating.
Then, if necessary, a drying process for removing the solvent may be performed. The method for the drying treatment is not particularly limited, and examples thereof include a method of removing the solvent under reduced pressure conditions and a method of heating at a temperature at which the curing of the crosslinkable organopolysiloxane does not proceed.

次いで、支持基板上の架橋性オルガノポリシロキサンを架橋させて、シリコーン樹脂層を形成する。より具体的には、図4(A)に示すように、該工程では支持基板12の少なくとも片面の表面上にシリコーン樹脂層114が形成される。
硬化(架橋)の方法は、上述したように、架橋性オルガノポリシロキサンの架橋形式に応じて適宜最適な方法が選択され、例えば、加熱処理や露光処理が挙げられる。なかでも、架橋性オルガノポリシロキサンがヒドロシリル化反応、縮合反応、ラジカル反応により架橋する場合、ガラス基板に対する密着性および耐熱性に優れるシリコーン樹脂が得られる点で、熱硬化によりシリコーン樹脂層を製造することが好ましい。
以下、熱硬化の態様について詳述する。
Next, the crosslinkable organopolysiloxane on the support substrate is crosslinked to form a silicone resin layer. More specifically, as shown in FIG. 4A, in this step, a silicone resin layer 114 is formed on at least one surface of the support substrate 12.
As described above, the curing (crosslinking) method is appropriately selected according to the crosslinking type of the crosslinkable organopolysiloxane, and examples thereof include heat treatment and exposure treatment. In particular, when a crosslinkable organopolysiloxane is crosslinked by a hydrosilylation reaction, a condensation reaction, or a radical reaction, a silicone resin having excellent adhesion and heat resistance to a glass substrate is obtained, and a silicone resin layer is produced by thermosetting. It is preferable.
Hereinafter, the aspect of thermosetting is explained in full detail.

架橋性オルガノポリシロキサンを熱硬化させる温度条件は、シリコーン樹脂層114の耐熱性を向上し、ガラス基板と積層後の剥離強度(y)を上記のように制御しうる範囲内で特に制限されないが、150〜300℃が好ましく、180〜250℃がより好ましい。また、加熱時間は、通常、10〜120分が好ましく、30〜60分がより好ましい。
なお、通常、架橋性オルガノポリシロキサンを硬化(特に、熱硬化)させる際には、シリコーン樹脂層114の表面114aには上述した凸部30が形成される。凸部32のある表面114aのろ波中心線うねりの大きさは、上述した樹脂層14の表面14aのろ波中心線うねりの大きさと同義である。
The temperature condition for thermosetting the crosslinkable organopolysiloxane is not particularly limited as long as the heat resistance of the silicone resin layer 114 is improved and the peel strength (y) after lamination with the glass substrate can be controlled as described above. 150 to 300 ° C is preferable, and 180 to 250 ° C is more preferable. The heating time is usually preferably 10 to 120 minutes, more preferably 30 to 60 minutes.
Normally, when the crosslinkable organopolysiloxane is cured (particularly, thermosetting), the above-described convex portions 30 are formed on the surface 114a of the silicone resin layer 114. The size of the filtering center line undulation of the surface 114a having the convex portion 32 is synonymous with the size of the filtering center line undulation of the surface 14a of the resin layer 14 described above.

また、架橋性オルガノポリシロキサンはプレキュア(予備硬化)を行った後、後硬化(本硬化)を行って硬化させてもよい。プレキュアを行うことにより、耐熱性により優れたシリコーン樹脂層114を得ることができる。プレキュアは溶媒の除去に引き続き行うことが好ましく、その場合、層から溶媒を除去して架橋性オルガノポリシロキサンを含む層を形成する工程とプレキュアを行う工程とは特に区別されない。   The crosslinkable organopolysiloxane may be cured by precuring (precuring) and then postcuring (main curing). By performing the pre-cure, it is possible to obtain a silicone resin layer 114 that is superior in heat resistance. Precuring is preferably performed following the removal of the solvent. In that case, there is no particular distinction between the step of removing the solvent from the layer to form a layer containing a crosslinkable organopolysiloxane and the step of performing precuring.

(積層工程)
積層工程は、上記の樹脂層形成工程で得られたシリコーン樹脂層のシリコーン樹脂面上にガラス基板を積層し、支持基板の層とシリコーン樹脂層とガラス基板の層とをこの順で備える積層物品を得る工程である。より具体的には、図4(B)に示すように、シリコーン樹脂層114の支持基板12側とは反対側の表面114aと、ガラス基板16の第1表面16aとを積層面として、シリコーン樹脂層114とガラス基板16とを積層し、積層物品40を得る。なお、積層物品40中のガラス基板16には、後述する研磨処理が施される。
(Lamination process)
In the lamination step, a glass substrate is laminated on the silicone resin surface of the silicone resin layer obtained in the resin layer formation step, and a laminated article including a support substrate layer, a silicone resin layer, and a glass substrate layer in this order. It is the process of obtaining. More specifically, as shown in FIG. 4B, a silicone resin layer 114 is formed with a surface 114a opposite to the support substrate 12 side of the silicone resin layer 114 and a first surface 16a of the glass substrate 16 as a laminated surface. The layer 114 and the glass substrate 16 are laminated to obtain a laminated article 40. In addition, the glass substrate 16 in the laminated article 40 is subjected to a polishing process described later.

ガラス基板16をシリコーン樹脂層114上に積層する方法は特に制限されず、公知の方法を採用することができる。
例えば、常圧環境下でシリコーン樹脂層114の表面上にガラス基板16を重ねる方法が挙げられる。なお、必要に応じて、シリコーン樹脂層114の表面上にガラス基板16を重ねた後、ロールやプレスを用いてシリコーン樹脂層114にガラス基板16を圧着させてもよい。ロールまたはプレスによる圧着により、シリコーン樹脂層114とガラス基板16の層との間に混入している気泡が比較的容易に除去されるので好ましい。
The method in particular of laminating | stacking the glass substrate 16 on the silicone resin layer 114 is not restrict | limited, A well-known method is employable.
For example, a method of stacking the glass substrate 16 on the surface of the silicone resin layer 114 under a normal pressure environment can be mentioned. If necessary, after the glass substrate 16 is overlaid on the surface of the silicone resin layer 114, the glass substrate 16 may be pressure-bonded to the silicone resin layer 114 using a roll or a press. Air bubbles mixed between the silicone resin layer 114 and the glass substrate 16 can be removed relatively easily by pressure bonding using a roll or a press, which is preferable.

真空ラミネート法や真空プレス法により圧着すると、気泡の混入の抑制や良好な密着の確保が行われるのでより好ましい。真空下で圧着することにより、微小な気泡が残存した場合でも、加熱により気泡が成長することがなく、ガラス基板16のゆがみ欠陥につながりにくいという利点もある。   When pressure bonding is performed by a vacuum laminating method or a vacuum pressing method, it is more preferable because it suppresses mixing of bubbles and secures good adhesion. By press-bonding under vacuum, even if minute bubbles remain, there is an advantage that the bubbles do not grow by heating and are not likely to lead to a distortion defect of the glass substrate 16.

ガラス基板16を積層する際には、シリコーン樹脂層114に接触するガラス基板16の表面を十分に洗浄し、クリーン度の高い環境で積層することが好ましい。クリーン度が高いほど、ガラス基板16の平坦性は良好となるので好ましい。   When laminating the glass substrate 16, it is preferable that the surface of the glass substrate 16 in contact with the silicone resin layer 114 is sufficiently washed and laminated in an environment with a high degree of cleanliness. The higher the degree of cleanliness, the better the flatness of the glass substrate 16, which is preferable.

なお、ガラス基板16を積層した後、必要に応じて、プレアニール処理(加熱処理)を行ってもよい。該プレアニール処理を行うことにより、積層されたガラス基板16のシリコーン樹脂層114に対する密着性が向上し、適切な剥離強度(y)とすることができ、後述する部材形成工程の際に電子デバイス用部材の位置ずれなどが生じにくくなり、電子デバイスの生産性が向上する。
プレアニール処理の条件は使用されるシリコーン樹脂層114の種類に応じて適宜最適な条件が選択されるが、ガラス基板16とシリコーン樹脂層114の間の剥離強度(y)をより適切なものとする点から、300℃以上(好ましくは、300〜400℃)で5分間以上(好ましく、5〜30分間)加熱処理を行うことが好ましい。
In addition, after laminating | stacking the glass substrate 16, you may perform a pre-annealing process (heat processing) as needed. By performing the pre-annealing treatment, the adhesion of the laminated glass substrate 16 to the silicone resin layer 114 can be improved and an appropriate peel strength (y) can be obtained. Misalignment of members is less likely to occur, and the productivity of electronic devices is improved.
The conditions for the pre-annealing process are appropriately selected according to the type of the silicone resin layer 114 used, but the peel strength (y) between the glass substrate 16 and the silicone resin layer 114 is more appropriate. From this point, it is preferable to perform heat treatment at 300 ° C. or higher (preferably 300 to 400 ° C.) for 5 minutes or longer (preferably 5 to 30 minutes).

上記処理を実施することにより、シリコーン樹脂層114の凸部30を有する表面の形状に追従するように、シリコーン樹脂層114上にガラス基板16が配置される。ガラス基板16は、シリコーン樹脂層114側とは反対側の第2表面16bで、シリコーン樹脂層114の凸部30の真上の位置に凸部32を有する。
なお、得られた積層物品40中におけるガラス基板16の凸部32を有する第2表面16bのろ波中心線うねりは、シリコーン樹脂層114の凸部30を有する表面114aのろ波中心線うねりと略同じ値を示す場合が多い。
By performing the above processing, the glass substrate 16 is disposed on the silicone resin layer 114 so as to follow the shape of the surface of the silicone resin layer 114 having the convex portions 30. The glass substrate 16 has a convex portion 32 at a position directly above the convex portion 30 of the silicone resin layer 114 on the second surface 16b opposite to the silicone resin layer 114 side.
The filtered center line undulation of the second surface 16b having the convex portions 32 of the glass substrate 16 in the obtained laminated article 40 is the same as the filtered center line undulation of the surface 114a having the convex portions 30 of the silicone resin layer 114. In many cases, the values are almost the same.

(研磨工程)
研磨工程は、積層工程で得られた積層物品中のガラス基板の第2表面を研磨する工程である。なお、図4(C)に示すように、研磨は、ガラス基板16の第2表面16bの凸部32を残しながら、ガラス基板16の凸部32を有する第2表面16bのろ波中心線うねりXが、シリコーン樹脂層114の凸部30を有する表面114aのろ波中心線うねりよりも小さくなるように実施する。つまり、研磨処理が施されて得られるガラス積層体110においては、ガラス基板16の凸部32を有する第2表面16bのろ波中心線うねりXが、シリコーン樹脂層114の凸部30を有する表面114aのろ波中心線うねりよりも小さくなる。なかでも、上述したガラス基板16の凸部32を有する第2表面16bのろ波中心線うねりYと、上述した樹脂層14の凸部30を有する表面14aのろ波中心線うねりYとの差が生じるにように研磨を実施することが好ましい。
(Polishing process)
The polishing step is a step of polishing the second surface of the glass substrate in the laminated article obtained in the laminating step. In addition, as shown in FIG. 4C, the polishing is performed by filtering center line waviness of the second surface 16b having the convex portions 32 of the glass substrate 16 while leaving the convex portions 32 of the second surface 16b of the glass substrate 16. It implements so that X may become smaller than the waviness centerline wave | undulation of the surface 114a which has the convex part 30 of the silicone resin layer 114. FIG. That is, in the glass laminate 110 obtained by the polishing treatment, the filtered center line undulation X of the second surface 16b having the convex portions 32 of the glass substrate 16 is the surface having the convex portions 30 of the silicone resin layer 114. It becomes smaller than the wavy centerline undulation of 114a. In particular, the difference between the filtered centerline waviness Y of the second surface 16b having the convex portions 32 of the glass substrate 16 and the filtered centerline waviness Y of the surface 14a having the convex portions 30 of the resin layer 14 described above. It is preferable to carry out the polishing so that the above occurs.

研磨の方法は特に制限されず、公知の方法を採用することができ、例えば、メカニカルな研磨(物理研磨)または化学的な研磨(化学研磨)を使用することができる。メカニカルな研磨としては、セラミック砥粒を吹き付けて研削するサンドブラスト方法、ラッピングシートや砥石を用いた研磨、砥粒と化学溶媒を併用した化学的機械研磨(CMP:Chemical Mechanical Polishing)法等を用いることができる。
また、化学研磨(ウェットエッチングと呼ぶこともある)としては、薬液を使用してガラス基板の表面を研磨する方法を用いることができる。
なかでも、研磨の制御がしやすい点で、化学的機械研磨が好ましい。なお、化学的機械研磨で使用される砥粒としては、酸化セリウムなどの公知の砥粒を使用することができる。
上記研磨工程を経ることによって、上述したガラス積層体を得ることができる。
The method of polishing is not particularly limited, and a known method can be adopted. For example, mechanical polishing (physical polishing) or chemical polishing (chemical polishing) can be used. For mechanical polishing, use a sand blasting method in which ceramic abrasive grains are blown and ground, a polishing process using a lapping sheet or a grindstone, a chemical mechanical polishing (CMP) method using a combination of abrasive grains and a chemical solvent, etc. Can do.
As chemical polishing (sometimes referred to as wet etching), a method of polishing the surface of a glass substrate using a chemical solution can be used.
Among these, chemical mechanical polishing is preferable because it is easy to control polishing. In addition, as abrasive grains used in chemical mechanical polishing, known abrasive grains such as cerium oxide can be used.
The glass laminated body mentioned above can be obtained by passing through the said grinding | polishing process.

(ガラス積層体)
本発明のガラス積層体は、種々の用途に使用することができ、例えば、後述する表示装置用パネル、PV、薄膜2次電池、表面に回路が形成された半導体ウェハ等の電子部品を製造する用途などが挙げられる。
ここで、表示装置用パネルとは、LCD、OLED、電子ペーパー、プラズマディスプレイパネル、フィールドエミッションパネル、量子ドットLEDパネル、MEMS(Micro Electro Mechanical Systems)シャッターパネル等が含まれる。
(Glass laminate)
The glass laminate of the present invention can be used for various applications, for example, manufacturing electronic parts such as display panel, PV, thin film secondary battery, and semiconductor wafer having a circuit formed on the surface, which will be described later. Applications are listed.
Here, the display device panel includes LCD, OLED, electronic paper, plasma display panel, field emission panel, quantum dot LED panel, MEMS (Micro Electro Mechanical Systems) shutter panel, and the like.

<部材付きガラス基板およびその製造方法>
本発明においては、上述した積層体を用いて、ガラス基板と電子デバイス用部材とを含む部材付きガラス基板(電子デバイス用部材付きガラス基板)が製造される。
該部材付きガラス基板の製造方法は特に限定されないが、電子デバイスの生産性に優れる点から、上記ガラス積層体中のガラス基板上に電子デバイス用部材を形成して電子デバイス用部材付き積層体を製造し、得られた電子デバイス用部材付き積層体から樹脂層のガラス基板側界面を剥離面として部材付きガラス基板と樹脂層付き支持基板とに分離する方法が好ましい。
以下、上記ガラス積層体中のガラス基板上に電子デバイス用部材を形成して電子デバイス用部材付き積層体を製造する工程を部材形成工程、電子デバイス用部材付き積層体から樹脂層のガラス基板側界面を剥離面として部材付きガラス基板と樹脂層付き支持基板とに分離する工程を分離工程という。
以下に、各工程で使用される材料および手順について詳述する。
<Glass substrate with member and method for producing the same>
In this invention, the glass substrate with a member (glass substrate with a member for electronic devices) containing a glass substrate and the member for electronic devices is manufactured using the laminated body mentioned above.
Although the manufacturing method of this glass substrate with a member is not specifically limited, From the point which is excellent in productivity of an electronic device, the member for electronic devices is formed on the glass substrate in the said glass laminated body, and the laminated body with an electronic device member is used. A method in which the produced and obtained laminate with a member for electronic devices is separated into a glass substrate with a member and a support substrate with a resin layer by using the glass substrate side interface of the resin layer as a release surface is preferable.
Hereinafter, the step of forming a member for an electronic device on the glass substrate in the glass laminate and manufacturing the laminate with the member for an electronic device is a member forming step, from the laminate with the member for an electronic device to the glass substrate side of the resin layer The step of separating the glass substrate with a member and the support substrate with a resin layer using the interface as a release surface is called a separation step.
The materials and procedures used in each process are described in detail below.

(部材形成工程)
部材形成工程は、上記積層工程において得られたガラス積層体中のガラス基板上(ガラス基板の樹脂層側とは反対側の表面上)に電子デバイス用部材を形成する工程である。
まず、本工程で使用される電子デバイス用部材について詳述し、その後工程の手順について詳述する。
(Member formation process)
A member formation process is a process of forming the member for electronic devices on the glass substrate in the glass laminated body obtained in the said lamination process (on the surface on the opposite side to the resin layer side of a glass substrate).
First, the electronic device member used in this step will be described in detail, and the procedure of the subsequent steps will be described in detail.

(電子デバイス用部材(機能性素子))
電子デバイス用部材は、ガラス積層体中のガラス基板上に形成され電子デバイスの少なくとも一部を構成する部材である。より具体的には、電子デバイス用部材としては、表示装置用パネル、太陽電池、薄膜2次電池、または、表面に回路が形成された半導体ウェハ等の電子部品などに用いられる部材(例えば、表示装置用部材、太陽電池用部材、薄膜2次電池用部材、電子部品用回路)が挙げられる。
(Electronic device components (functional elements))
The electronic device member is a member that is formed on the glass substrate in the glass laminate and constitutes at least a part of the electronic device. More specifically, the electronic device member may be a member used for an electronic component such as a display panel, a solar cell, a thin film secondary battery, or a semiconductor wafer having a circuit formed on its surface (for example, a display). Member for apparatus, member for solar cell, member for thin film secondary battery, circuit for electronic component).

例えば、太陽電池用部材としては、シリコン型では、正極の酸化スズなど透明電極、p層/i層/n層で表されるシリコン層、および負極の金属等が挙げられ、その他に、化合物型、色素増感型、量子ドット型などに対応する各種部材等を挙げることができる。
また、薄膜2次電池用部材としては、リチウムイオン型では、正極および負極の金属または金属酸化物等の透明電極、電解質層のリチウム化合物、集電層の金属、封止層としての樹脂等が挙げられ、その他に、ニッケル水素型、ポリマー型、セラミックス電解質型などに対応する各種部材等を挙げることができる。
また、電子部品用回路としては、CCDやCMOSでは、導電部の金属、絶縁部の酸化ケイ素や窒化珪素等が挙げられ、その他に圧力センサ・加速度センサなど各種センサやリジッドプリント基板、フレキシブルプリント基板、リジッドフレキシブルプリント基板などに対応する各種部材等を挙げることができる。
For example, as a member for a solar cell, a silicon type includes a transparent electrode such as tin oxide of a positive electrode, a silicon layer represented by p layer / i layer / n layer, a metal of a negative electrode, and the like. And various members corresponding to the dye-sensitized type, the quantum dot type, and the like.
Further, as a member for a thin film secondary battery, in the lithium ion type, a transparent electrode such as a metal or a metal oxide of a positive electrode and a negative electrode, a lithium compound of an electrolyte layer, a metal of a current collecting layer, a resin as a sealing layer, etc. In addition, various members corresponding to nickel hydrogen type, polymer type, ceramic electrolyte type and the like can be mentioned.
In addition, as a circuit for an electronic component, in a CCD or CMOS, a metal of a conductive part, a silicon oxide or a silicon nitride of an insulating part, and the like, various sensors such as a pressure sensor and an acceleration sensor, a rigid printed board, a flexible printed board And various members corresponding to a rigid flexible printed circuit board.

(工程の手順)
上述した電子デバイス用部材付き積層体の製造方法は特に限定されず、電子デバイス用部材の構成部材の種類に応じて従来公知の方法にて、ガラス積層体のガラス基板の第2表面上に、電子デバイス用部材を形成する。
なお、電子デバイス用部材は、ガラス基板の第2表面に最終的に形成される部材の全部(以下、「全部材」という)ではなく、全部材の一部(以下、「部分部材」という)であってもよい。樹脂層から剥離された部分部材付きガラス基板を、その後の工程で全部材付きガラス基板(後述する電子デバイスに相当)とすることもできる。
また、樹脂層から剥離された、全部材付きガラス基板には、その剥離面(第1表面)に他の電子デバイス用部材が形成されてもよい。また、全部材付き積層体を組み立て、その後、全部材付き積層体から支持基板を剥離して、電子デバイスを製造することもできる。さらに、全部材付き積層体を2枚用いて組み立て、その後、全部材付き積層体から2枚の支持基板を剥離して、2枚のガラス基板を有する部材付きガラス基板を製造することもできる。
(Process procedure)
The manufacturing method of the laminated body with the member for electronic devices mentioned above is not specifically limited, According to the conventionally well-known method according to the kind of component of the member for electronic devices, on the 2nd surface of the glass substrate of a glass laminated body, An electronic device member is formed.
In addition, the member for electronic devices is not all the members finally formed on the 2nd surface of a glass substrate (henceforth "all members"), but a part of all members (henceforth "partial member"). It may be. The glass substrate with a partial member peeled from the resin layer can be used as a glass substrate with all members (corresponding to an electronic device described later) in the subsequent steps.
Moreover, the member for electronic devices may be formed in the peeling surface (1st surface) in the glass substrate with all the members peeled from the resin layer. Moreover, an electronic device can also be manufactured by assembling a laminate with all members and then peeling the support substrate from the laminate with all members. Furthermore, it can also assemble using two laminated bodies with all members, and can peel a 2 support substrate from a laminated body with all members after that, and can manufacture the glass substrate with a member which has two glass substrates.

例えば、OLEDを製造する場合を例にとると、ガラス積層体のガラス基板の樹脂層側とは反対側の表面上(ガラス基板の第2表面)に有機EL構造体を形成するために、透明電極を形成する、さらに透明電極を形成した面上にホール注入層・ホール輸送層・発光層・電子輸送層等を蒸着する、裏面電極を形成する、封止板を用いて封止する、等の各種の層形成や処理が行われる。これらの層形成や処理として、具体的には、例えば、成膜処理、蒸着処理、封止板の接着処理等が挙げられる。   For example, taking the case of manufacturing an OLED as an example, in order to form an organic EL structure on the surface opposite to the resin layer side of the glass substrate of the glass laminate (second surface of the glass substrate), Form an electrode, deposit a hole injection layer, a hole transport layer, a light emitting layer, an electron transport layer, etc. on the surface on which a transparent electrode is formed, form a back electrode, seal using a sealing plate, etc. Various layers are formed and processed. Specific examples of the layer formation and processing include film formation processing, vapor deposition processing, sealing plate adhesion processing, and the like.

また、例えば、TFT−LCDを製造する場合は、ガラス積層体のガラス基板の第2表面上に、レジスト液を用いて、CVD法およびスパッター法など、一般的な成膜法により形成される金属膜および金属酸化膜等にパターン形成して薄膜トランジスタ(TFT)を形成するTFT形成工程と、別のガラス積層体のガラス基板の第2表面上に、レジスト液をパターン形成に用いてカラーフィルタ(CF)を形成するCF形成工程と、TFT形成工程で得られたTFT付き積層体とCF形成工程で得られたCF付き積層体とを積層する貼合わせ工程等の各種工程を有する。
TFT形成工程やCF形成工程では、周知のフォトリソグラフィ技術やエッチング技術等を用いて、ガラス基板の第2表面にTFTやCFを形成する。この際、パターン形成用のコーティング液としてレジスト液が用いられる。
なお、TFTやCFを形成する前に、必要に応じて、ガラス基板の第2表面を洗浄してもよい。洗浄方法としては、周知のドライ洗浄やウェット洗浄を用いることができる。
貼合わせ工程では、TFT付き積層体の薄膜トランジスタ形成面と、CF付き積層体のカラーフィルタ形成面とを対向させて、シール剤(例えば、セル形成用紫外線硬化型シール剤)を用いて貼り合わせる。その後、TFT付き積層体とCF付き積層体とで形成されたセル内に、液晶材を注入する。液晶材を注入する方法としては、例えば、減圧注入法、滴下注入法がある。
Further, for example, when manufacturing a TFT-LCD, a metal formed by a general film formation method such as a CVD method or a sputtering method using a resist solution on the second surface of the glass substrate of the glass laminate. A TFT forming process for forming a thin film transistor (TFT) by patterning a film and a metal oxide film, and a color filter (CF) using a resist solution on the second surface of the glass substrate of another glass laminate. ) Forming step, and a lamination step of laminating the laminate with TFT obtained in the TFT formation step and the laminate with CF obtained in the CF formation step.
In the TFT forming process and the CF forming process, a TFT or CF is formed on the second surface of the glass substrate by using a well-known photolithography technique or etching technique. At this time, a resist solution is used as a coating solution for pattern formation.
In addition, before forming TFT and CF, you may wash | clean the 2nd surface of a glass substrate as needed. As a cleaning method, known dry cleaning or wet cleaning can be used.
In the laminating step, the thin film transistor forming surface of the laminated body with TFT and the color filter forming surface of the laminated body with CF are opposed to each other using a sealing agent (for example, an ultraviolet curable sealing agent for cell formation). Thereafter, a liquid crystal material is injected into a cell formed by the laminate with TFT and the laminate with CF. Examples of the method for injecting the liquid crystal material include a reduced pressure injection method and a drop injection method.

(分離工程)
分離工程は、部材形成工程で得られた電子デバイス用部材付き積層体から、樹脂層とガラス基板との界面を剥離面として、電子デバイス用部材が積層したガラス基板(部材付きガラス基板)と、樹脂層付き支持基板とに分離して、電子デバイス用部材およびガラス基板を含む部材付きガラス基板を得る工程である。
剥離時のガラス基板上の電子デバイス用部材が必要な全構成部材の形成の一部である場合には、分離後、残りの構成部材をガラス基板上に形成することもできる。
(Separation process)
The separation step is a glass substrate (a glass substrate with a member) on which an electronic device member is laminated, with the interface between the resin layer and the glass substrate as a release surface, from the laminate with the electronic device member obtained in the member forming step, This is a step of separating a support substrate with a resin layer and obtaining a glass substrate with a member including a member for electronic devices and a glass substrate.
When the member for electronic devices on the glass substrate at the time of peeling is a part of formation of all the necessary constituent members, the remaining constituent members can be formed on the glass substrate after separation.

ガラス基板と支持基板とを剥離する方法は、特に限定されない。具体的には、例えば、ガラス基板と樹脂層との界面に鋭利な刃物状のものを差し込み、剥離のきっかけを与えた上で、水と圧縮空気との混合流体を吹き付けたりして剥離することができる。好ましくは、電子デバイス用部材付き積層体の支持基板が上側、電子デバイス用部材側が下側となるように定盤上に設置し、電子デバイス用部材側を定盤上に真空吸着し(両面に支持基板が積層されている場合は順次行う)、この状態でまず刃物をガラス基板−樹脂層界面に刃物を侵入させる。そして、その後に支持基板側を複数の真空吸着パッドで吸着し、刃物を差し込んだ箇所付近から順に真空吸着パッドを上昇させる。そうすると樹脂層とガラス基板との界面や樹脂層の凝集破壊面へ空気層が形成され、その空気層が界面や凝集破壊面の全面に広がり、支持基板を容易に剥離することができる。
また、支持基板は、新たなガラス基板と積層して、本発明のガラス積層体を製造することができる。
The method for peeling the glass substrate and the support substrate is not particularly limited. Specifically, for example, a sharp blade-like object is inserted into the interface between the glass substrate and the resin layer, and after peeling is given, a mixed fluid of water and compressed air is sprayed to peel off. Can do. Preferably, it is placed on a surface plate so that the support substrate of the laminate with the electronic device member is on the upper side and the electronic device member side is on the lower side, and the electronic device member side is vacuum-adsorbed on the surface plate (on both sides) In this state, the blade is first inserted into the glass substrate-resin layer interface. After that, the support substrate side is sucked by a plurality of vacuum suction pads, and the vacuum suction pads are raised in order from the vicinity of the place where the blade is inserted. As a result, an air layer is formed on the interface between the resin layer and the glass substrate and on the cohesive failure surface of the resin layer, and the air layer spreads over the entire interface and cohesive failure surface, and the support substrate can be easily peeled off.
Moreover, a support substrate can be laminated | stacked with a new glass substrate, and the glass laminated body of this invention can be manufactured.

なお、電子デバイス用部材付き積層体から部材付きガラス基板を分離する際においては、イオナイザによる吹き付けや湿度を制御することにより、シリコーン樹脂層の欠片が部材付きガラス基板に静電吸着することをより抑制することができる。   When separating a glass substrate with a member from a laminate with a member for electronic devices, by controlling the spraying with an ionizer and the humidity, the pieces of the silicone resin layer are more likely to be electrostatically adsorbed to the glass substrate with a member. Can be suppressed.

上述した部材付きガラス基板の製造方法は、携帯電話やPDAのようなモバイル端末に使用される小型の表示装置の製造に好適である。表示装置は主としてLCDまたはOLEDであり、LCDとしては、TN型、STN型、FE型、TFT型、MIM型、IPS型、VA型等を含む。基本的にパッシブ駆動型、アクティブ駆動型のいずれの表示装置の場合でも適用することができる。   The manufacturing method of the glass substrate with a member mentioned above is suitable for manufacture of the small display apparatus used for mobile terminals, such as a mobile phone and PDA. The display device is mainly an LCD or an OLED, and the LCD includes a TN type, STN type, FE type, TFT type, MIM type, IPS type, VA type, and the like. Basically, the present invention can be applied to both passive drive type and active drive type display devices.

上記方法で製造された部材付きガラス基板としては、ガラス基板と表示装置用部材を有する表示装置用パネル、ガラス基板と太陽電池用部材を有する太陽電池、ガラス基板と薄膜2次電池用部材を有する薄膜2次電池、ガラス基板と電子デバイス用部材を有する電子部品などが挙げられる。表示装置用パネルとしては、液晶パネル、有機ELパネル、プラズマディスプレイパネル、フィールドエミッションパネルなどを含む。   As a glass substrate with a member manufactured by the above method, a panel for a display device having a glass substrate and a member for a display device, a solar cell having a glass substrate and a member for a solar cell, and a glass substrate and a member for a thin film secondary battery. Examples include a thin film secondary battery, an electronic component having a glass substrate and an electronic device member. Examples of the display device panel include a liquid crystal panel, an organic EL panel, a plasma display panel, a field emission panel, and the like.

以下に、実施例等により本発明を具体的に説明するが、本発明はこれらの例によって限定されるものではない。   EXAMPLES The present invention will be specifically described below with reference to examples and the like, but the present invention is not limited to these examples.

以下の実施例および比較例では、ガラス基板として、無アルカリホウケイ酸ガラスからなるガラス板(縦200mm、横200mm、板厚0.2mm、線膨張係数38×10-7/℃、旭硝子社製商品名「AN100」)を使用した。また、支持基板としては、同じく無アルカリホウケイ酸ガラスからなるガラス板(縦200mm、横200mm、板厚0.5mm、線膨張係数38×10-7/℃、旭硝子社製商品名「AN100」)を使用した。 In the following Examples and Comparative Examples, a glass plate made of non-alkali borosilicate glass (length 200 mm, width 200 mm, plate thickness 0.2 mm, linear expansion coefficient 38 × 10 −7 / ° C., manufactured by Asahi Glass Co., Ltd.) The name “AN100”) was used. Further, as a support substrate, a glass plate made of non-alkali borosilicate glass (length 200 mm, width 200 mm, plate thickness 0.5 mm, linear expansion coefficient 38 × 10 −7 / ° C., trade name “AN100” manufactured by Asahi Glass Co., Ltd.) It was used.

<実施例1>
初めに、支持基板の表面をアルカリ水溶液、純水の順に洗浄して清浄化した。
次に、後述する溶液Xをダイコーター(塗布速度:40mm/s、吐出量:8ml)にて支持基板の第1表面上に塗布して、未硬化の架橋性オルガノポリシロキサンを含む層(硬化性シリコーン組成物層)を支持基板上に設けて、硬化性層付き支持基板を得た(塗工量20g/m2)。
その後、220℃にて24分間大気中で加熱硬化して膜厚8μmのシリコーン樹脂層を得た。
得られたシリコーン樹脂層の露出表面(支持基板側とは反対側の表面)には複数の凸部が確認された。また、シリコーン樹脂層の露出表面のろ波中心線うねり(ろ波中心線うねりY)は、0.185μmであった。
<Example 1>
First, the surface of the support substrate was cleaned by cleaning in the order of an alkaline aqueous solution and pure water.
Next, a solution X, which will be described later, is applied onto the first surface of the support substrate with a die coater (application speed: 40 mm / s, discharge amount: 8 ml), and a layer containing uncured crosslinkable organopolysiloxane (cured) Curable silicone composition layer) was provided on a support substrate to obtain a support substrate with a curable layer (coating amount 20 g / m 2 ).
Thereafter, it was cured by heating in the atmosphere at 220 ° C. for 24 minutes to obtain a silicone resin layer having a thickness of 8 μm.
A plurality of convex portions were confirmed on the exposed surface (surface opposite to the support substrate side) of the obtained silicone resin layer. Further, the filtered center line waviness (filtered center line waviness Y) of the exposed surface of the silicone resin layer was 0.185 μm.

(溶液X)
成分(A)として直鎖状ビニルメチルポリシロキサン(「VDT−127」、25℃における粘度700−800cP(センチポアズ):アヅマックス製、オルガノポリシロキサン1molにおけるビニル基のmol%:0.325)と、成分(B)として直鎖状メチルヒドロポリシロキサン(「HMS−301」、25℃における粘度25−35cP(センチポアズ):アヅマックス製、1分子内におけるケイ素原子に結合した水素原子の数:8個)とを、全ビニル基と全ケイ素原子に結合した水素原子とのモル比(水素原子/ビニル基)が0.9となるように混合し、このシロキサン混合物100質量部に対して、成分(C)として下記式(1)で示されるアセチレン系不飽和基を有するケイ素化合物(沸点:120℃)1質量部を混合した。
HC≡C−C(CH3)2−O−Si(CH3)3 式(1)
次いで成分(A)と成分(B)と成分(C)との合計量に対して、白金換算で白金金属濃度が100ppmとなるように白金系触媒(信越シリコーン株式会社製、CAT−PL−56)を加えオルガノポリシロキサン組成物の混合液を得た。さらに、得られた混合液に100質量部に対して、IPソルベント2028(初留点:200℃、出光興産製)を150質量部加えて混合溶液を得た。
(Solution X)
As a component (A), linear vinylmethylpolysiloxane (“VDT-127”, viscosity 700-800 cP (centipoise) at 25 ° C .: made by Amax, mol% of vinyl group in 1 mol of organopolysiloxane: 0.325), Linear methylhydropolysiloxane (“HMS-301” as component (B), viscosity 25-35 cP (centipoise) at 25 ° C .: manufactured by Amax Co., Ltd .: number of hydrogen atoms bonded to silicon atoms in one molecule: 8) Are mixed so that the molar ratio (hydrogen atom / vinyl group) of all vinyl groups and hydrogen atoms bonded to all silicon atoms is 0.9, and the component (C ) 1 part by mass of a silicon compound (boiling point: 120 ° C.) having an acetylenically unsaturated group represented by the following formula (1) It was.
HC≡C—C (CH 3 ) 2 —O—Si (CH 3 ) 3 Formula (1)
Next, a platinum-based catalyst (CAT-PL-56 manufactured by Shin-Etsu Silicone Co., Ltd.) such that the platinum metal concentration is 100 ppm in terms of platinum with respect to the total amount of component (A), component (B), and component (C). ) Was added to obtain a mixed liquid of the organopolysiloxane composition. Furthermore, 150 parts by mass of IP solvent 2028 (initial boiling point: 200 ° C., manufactured by Idemitsu Kosan Co., Ltd.) was added to 100 parts by mass of the obtained mixed liquid to obtain a mixed solution.

次に、ガラス基板のシリコーン樹脂層と接触させる側の面を純水洗浄、UV洗浄等で清浄化した後、支持基板のシリコーン樹脂層形成面とガラス基板とを室温下真空プレスにて貼り合わせ、シリコーン樹脂層を有する積層物品を得た。
得られた積層物品中のガラス基板の露出表面(シリコーン樹脂層側とは反対側の表面)には、凸部が複数確認された。なお、ガラス基板の凸部は、シリコーン樹脂層の凸部の直上に位置していた。また、ガラス基板の露出表面のろ波中心線うねりの値は、シリコーン樹脂層の凸部を有する表面のろ波中心線うねりの値と略同様であった。
Next, after cleaning the surface of the glass substrate that comes into contact with the silicone resin layer with pure water cleaning, UV cleaning, etc., the silicone resin layer forming surface of the support substrate and the glass substrate are bonded together by a vacuum press at room temperature. A laminated article having a silicone resin layer was obtained.
On the exposed surface (surface opposite to the silicone resin layer side) of the glass substrate in the obtained laminated article, a plurality of convex portions were confirmed. In addition, the convex part of the glass substrate was located just above the convex part of a silicone resin layer. Further, the value of the filtered center line waviness of the exposed surface of the glass substrate was substantially the same as the value of the filtered center line waviness of the surface having the convex portions of the silicone resin layer.

次に、オスカー型研磨機を用いて、得られた積層物品のガラス基板の露出表面の研磨を行い、ガラス積層体を得た。研磨液としては、酸化セリウム粒子の平均粒子径が1.1μmであり、酸化セリウム粒子の含有量が4質量%である酸化セリウム研磨溶液を用いた。研磨パッドとしては、スウェード素材を用いた。研磨条件は、研磨液の供給量が1.4リットル/分であり、研磨圧力が100gf/cmであり、下定盤の回転数が386rpmであり、研磨時間は300秒であった。
研磨終了後のガラス基板の露出表面(第2表面)には凸部が残っており、研磨処理後のガラス基板の露出表面のろ波中心線うねりは、シリコーン樹脂層の凸部を有する表面のろ波中心線うねりよりも小さかった。より具体的には、研磨処理後のガラス基板の露出表面のろ波中心線うねり(ろ波中心線うねりX)は、0.130μmであった。ろ波中心線うねりYとろ波中心線うねりXとの差は、0.050μmであった。
また、ガラス積層体において、シリコーン樹脂層と支持基板との界面の剥離強度が、ガラス基板とシリコーン樹脂層との界面の剥離強度よりも大きかった。
Next, the exposed surface of the glass substrate of the obtained laminated article was polished using an Oscar-type polishing machine to obtain a glass laminate. As the polishing liquid, a cerium oxide polishing solution having an average particle diameter of cerium oxide particles of 1.1 μm and a content of cerium oxide particles of 4% by mass was used. A suede material was used as the polishing pad. The polishing conditions were as follows: the supply amount of the polishing liquid was 1.4 liters / minute, the polishing pressure was 100 gf / cm 2 , the rotation speed of the lower surface plate was 386 rpm, and the polishing time was 300 seconds.
Convex portions remain on the exposed surface (second surface) of the glass substrate after polishing, and the filtered center line waviness of the exposed surface of the glass substrate after polishing treatment is caused by the surface of the surface having the convex portions of the silicone resin layer. It was smaller than the wavy centerline swell. More specifically, the filtered center line waviness (filtered center line waviness X) of the exposed surface of the glass substrate after the polishing treatment was 0.130 μm. The difference between the filtered centerline waviness Y and the filtered centerline waviness X was 0.050 μm.
Moreover, in the glass laminate, the peel strength at the interface between the silicone resin layer and the support substrate was greater than the peel strength at the interface between the glass substrate and the silicone resin layer.

次に、ガラス積層体を窒素雰囲気下にて350℃で60分間加熱処理を行い、室温まで冷却したところ、ガラス積層体の支持基板とガラス基板の分離やシリコーン樹脂層の発泡や白化など外観上の変化は認められなかった。
その後、研磨処理が施されたガラス積層体におけるガラス基板の露出表面を定盤に真空吸着させたうえで、ガラス基板の4箇所のコーナー部のうち1箇所のコーナー部におけるガラス基板とシリコーン樹脂層との界面に、厚さ0.1mmのステンレス製刃物を差し込み、ガラス基板とシリコーン樹脂層の界面に剥離のきっかけを与えた。そして、支持基板を24個の真空吸着パッドで吸着した上で、刃物を差し込んだコーナー部に近い吸着パッドから順に上昇させた。ここで刃物の差し込みは、イオナイザ(キーエンス社製)から除電性流体を当該界面に吹き付けながら行った。次に、形成した空隙へ向けて、イオナイザからは引き続き除電性流体を吹き付けながら真空吸着パッドを引き上げた。その結果、定盤上に研磨処理が施されたガラス基板をガラス積層体から分離することができた。
分離されたガラス基板の研磨処理が施された表面を視認すると、欠陥などは確認されなかった。
Next, the glass laminate was heat-treated at 350 ° C. for 60 minutes in a nitrogen atmosphere and cooled to room temperature. As a result, the glass laminate was separated from the support substrate and the glass substrate, and the silicone resin layer was foamed and whitened. No change was observed.
Then, after vacuum-adsorbing the exposed surface of the glass substrate in the glass laminate subjected to the polishing treatment to the surface plate, the glass substrate and the silicone resin layer at one corner portion of the four corner portions of the glass substrate A stainless steel knife having a thickness of 0.1 mm was inserted into the interface between the glass substrate and the interface between the glass substrate and the silicone resin layer. And after adsorbing a support substrate with 24 vacuum suction pads, it raised in order from the suction pad near the corner part which inserted the blade. Here, the cutter was inserted while spraying a static eliminating fluid on the interface from an ionizer (manufactured by Keyence Corporation). Next, the vacuum suction pad was pulled up while spraying a static eliminating fluid continuously from the ionizer toward the formed gap. As a result, it was possible to separate the glass substrate whose surface was polished on the surface plate from the glass laminate.
When the surface of the separated glass substrate that had been subjected to the polishing treatment was visually confirmed, no defects or the like were confirmed.

<実施例2>
本例では、実施例1で製造されたガラス積層体を用いてLCDを作製した。
ガラス積層体を2枚用意し、まず、片方のガラス積層体における研磨処理が施されたガラス基板の第2表面上に、スパッタリング法によりモリブデンを成膜し、フォトリソグラフィ法を用いたエッチングによりゲート電極を形成した。次に、プラズマCVD法により、ゲート電極を設けたガラス基板の第2表面側に、さらに窒化シリコン、真性アモルファスシリコン、n型アモルファスシリコンの順に成膜し、続いてスパッタリング法によりモリブデンを成膜し、フォトリソグラフィ法を用いたエッチングにより、ゲート絶縁膜、半導体素子部およびソース/ドレイン電極を形成した。次に、プラズマCVD法により、ガラス基板の第2表面側に、さらに窒化シリコンを成膜してパッシベーション層を形成した後に、スパッタリング法により酸化インジウム錫を成膜し、フォトリソグラフィ法を用いたエッチングにより、画素電極を形成した。次に、画素電極を形成したガラス基板の第2表面上に、ロールコート法によりポリイミド樹脂液を塗布し、熱硬化により配向層を形成し、ラビングを行った。得られたガラス積層体を、ガラス積層体A1と呼ぶ。
次に、もう片方のガラス積層体における研磨処理が施されたガラス基板の第2表面上に、スパッタリング法によりクロムを成膜し、フォトリソグラフィ法を用いたエッチングにより遮光層を形成した。次に、遮光層を設けたガラス基板の第2表面側に、さらにダイコート法によりカラーレジストを塗布し、フォトリソグラフィ法および熱硬化によりカラーフィルタ層を形成した。次に、ガラス基板の第2表面側に、さらにスパッタリング法により酸化インジウム錫を成膜し、対向電極を形成した。次に、対向電極を設けたガラス基板の第2表面上に、ダイコート法により紫外線硬化樹脂液を塗布し、フォトリソグラフィ法および熱硬化により柱状スペーサを形成した。次に、柱状スペーサを形成したガラス基板の第2表面上に、ロールコート法によりポリイミド樹脂液を塗布し、熱硬化により配向層を形成し、ラビングを行った。次に、ガラス基板の第2表面側に、ディスペンサ法によりシール用樹脂液を枠状に描画し、枠内にディスペンサ法により液晶を滴下した後に、上述したガラス積層体A1を用いて、2枚のガラス積層体のガラス基板の第2表面側同士を貼り合わせ、紫外線硬化および熱硬化によりLCDパネルを有する積層体を得た。ここでのLCDパネルを有する積層体を以下、パネル付き積層体B2という。
次に、実施例1と同様にパネル付き積層体B2から両面の樹脂層付き支持基板を剥離し、TFTアレイを形成した基板およびカラーフィルタを形成した基板からなるLCDパネルB(電子デバイスに該当)を得た。
作製したLCDパネルBにICドライバを接続し、常温常圧下で駆動させたところ、駆動領域内において表示ムラは認められなかった。また、高温高湿環境(80℃、80%RH)下で駆動させた場合も、表示ムラは認められなかった。
<Example 2>
In this example, an LCD was produced using the glass laminate produced in Example 1.
Two glass laminates are prepared. First, a molybdenum film is formed by sputtering on the second surface of a glass substrate that has been subjected to polishing treatment in one glass laminate, and then gated by etching using photolithography. An electrode was formed. Next, on the second surface side of the glass substrate provided with the gate electrode by plasma CVD, silicon nitride, intrinsic amorphous silicon, and n-type amorphous silicon are further formed in this order, and then molybdenum is formed by sputtering. Then, the gate insulating film, the semiconductor element portion, and the source / drain electrodes were formed by etching using a photolithography method. Next, after forming a passivation layer by forming a silicon nitride film on the second surface side of the glass substrate by a plasma CVD method, an indium tin oxide film is formed by a sputtering method, and etching using a photolithography method is performed. Thus, a pixel electrode was formed. Next, a polyimide resin solution was applied on the second surface of the glass substrate on which the pixel electrode was formed by a roll coating method, an alignment layer was formed by thermosetting, and rubbing was performed. The obtained glass laminated body is called glass laminated body A1.
Next, a chromium film was formed by sputtering on the second surface of the glass substrate on which the other glass laminate had been subjected to polishing, and a light-shielding layer was formed by etching using photolithography. Next, a color resist was further applied by a die coating method on the second surface side of the glass substrate provided with the light shielding layer, and a color filter layer was formed by a photolithography method and thermal curing. Next, an indium tin oxide film was further formed on the second surface side of the glass substrate by a sputtering method to form a counter electrode. Next, an ultraviolet curable resin liquid was applied by die coating on the second surface of the glass substrate provided with the counter electrode, and columnar spacers were formed by photolithography and thermal curing. Next, a polyimide resin solution was applied on the second surface of the glass substrate on which the columnar spacers were formed by a roll coating method, an alignment layer was formed by thermosetting, and rubbing was performed. Next, the sealing resin liquid is drawn in a frame shape on the second surface side of the glass substrate by the dispenser method, and after dropping the liquid crystal in the frame by the dispenser method, two sheets are used using the glass laminate A1 described above. The glass substrate was bonded to the second surface side of the glass substrate, and a laminate having an LCD panel was obtained by ultraviolet curing and thermal curing. Hereinafter, the laminate having the LCD panel is referred to as a laminate B2 with a panel.
Next, LCD panel B (corresponding to an electronic device) composed of a substrate on which a TFT array is formed and a substrate on which a color filter is formed is peeled off from both sides of the laminated body B2 with a panel in the same manner as in Example 1. Got.
When an IC driver was connected to the manufactured LCD panel B and driven under normal temperature and normal pressure, no display unevenness was observed in the driving region. Further, even when driven in a high temperature and high humidity environment (80 ° C., 80% RH), display unevenness was not recognized.

<実施例3>
本例では、実施例1で製造されたガラス積層体を用いて電子ペーパーを作製した。
ガラス積層体中のガラス基板の第2表面上に、スパッタリング法によりモリブデンを成膜し、フォトリソグラフィ法を用いたエッチングによりゲート電極を形成した。次に、プラズマCVD法により、ゲート電極を設けたガラス基板の第2表面側に、さらに窒化シリコン、真性アモルファスシリコン、n型アモルファスシリコンの順に成膜し、続いてスパッタリング法によりモリブデンを成膜し、フォトリソグラフィ法を用いたエッチングにより、ゲート絶縁膜、半導体素子部およびソース/ドレイン電極を形成した。次に、プラズマCVD法により、ガラス基板の第2表面側に、さらに窒化シリコンを成膜してパッシベーション層を形成した後に、スパッタリング法により酸化インジウム錫を成膜し、フォトリソグラフィ法を用いたエッチングにより、画素電極を形成した。
次に、別途用意したガラス板の表面(第1主面)に、スパッタリング法により酸化インジウム錫を成膜し、フォトリソグラフィ法を用いたエッチングにより、対向電極を形成した。次に、ガラス板の第1主面上に、さらにマイクロカプセルを分散させた接着性樹脂液を印刷により塗布した。なお、マイクロカプセルは、平均直径50マイクロメーターであるアラビアガム・ゼラチンの複合膜からなる壁膜の中に、酸化チタンからなる白の粒子とカーボンブラックからなる黒の粒子が、シリコーンオイル分散された状態で封入されたものを用いた。白の粒子である酸化チタンは正電荷を帯びており、一方、黒の粒子であるカーボンブラックは負電荷を帯びているものを用いた。
次に、上記手順によって画素電極が設けられたガラス積層体中のガラス基板の第2表面側の表面と、上記接着性樹脂液を塗布したガラス板の第1主面側の表面とを貼り合わせた。上記手順によって、支持基板付き電子ペーパーパネル(電子デバイス用部材付き積層体)を得た。
続いて、実施例1と同様の方法により樹脂層付き支持基板を剥離し、電子ペーパーパネル(電子デバイスに該当。以下パネルBという)を得た。
作製したパネルBにICドライバを接続し駆動させたところ、駆動領域内において表示ムラは認められなかった。
<Example 3>
In this example, an electronic paper was produced using the glass laminate produced in Example 1.
A molybdenum film was formed by sputtering on the second surface of the glass substrate in the glass laminate, and a gate electrode was formed by etching using a photolithography method. Next, on the second surface side of the glass substrate provided with the gate electrode by plasma CVD, silicon nitride, intrinsic amorphous silicon, and n-type amorphous silicon are further formed in this order, and then molybdenum is formed by sputtering. Then, the gate insulating film, the semiconductor element portion, and the source / drain electrodes were formed by etching using a photolithography method. Next, after forming a passivation layer by forming a silicon nitride film on the second surface side of the glass substrate by a plasma CVD method, an indium tin oxide film is formed by a sputtering method, and etching using a photolithography method is performed. Thus, a pixel electrode was formed.
Next, indium tin oxide was formed by sputtering on the surface (first main surface) of a separately prepared glass plate, and a counter electrode was formed by etching using photolithography. Next, an adhesive resin liquid in which microcapsules were further dispersed was applied on the first main surface of the glass plate by printing. In the microcapsules, white particles made of titanium oxide and black particles made of carbon black were dispersed in silicone oil in a wall film made of a composite film of gum arabic and gelatin having an average diameter of 50 micrometers. What was enclosed in the state was used. The white particles of titanium oxide were positively charged, while the black particles of carbon black were negatively charged.
Next, the surface on the second surface side of the glass substrate in the glass laminate provided with the pixel electrodes by the above procedure and the surface on the first main surface side of the glass plate coated with the adhesive resin liquid are bonded together. It was. By the above procedure, an electronic paper panel with a supporting substrate (a laminate with an electronic device member) was obtained.
Subsequently, the support substrate with a resin layer was peeled off in the same manner as in Example 1 to obtain an electronic paper panel (corresponding to an electronic device, hereinafter referred to as panel B).
When an IC driver was connected to the manufactured panel B and driven, display unevenness was not observed in the driving region.

<実施例4〜12>
シリコーン樹脂層の製造する際の加熱硬化や塗布速度または吐出量、および/または、研磨処理条件を適宜変更した以外は、実施例1と同様の手順に従って、ガラス積層体を製造した。各実施例にて得られたガラス積層体においては、研磨処理後のガラス基板の露出表面のろ波中心線うねりは、シリコーン樹脂層の凸部を有する表面のろ波中心線うねりよりも小さかった。
以下、表1に、各実施例にて得られたガラス積層体中の研磨処理後のガラス基板の露出表面のろ波中心線うねり(ろ波中心線うねりX)、シリコーン樹脂層の露出表面のろ波中心線うねり(ろ波中心線うねりY)、および、ろ波中心線うねりXとろ波中心線うねりYとの差を表す。
<Examples 4 to 12>
A glass laminate was produced according to the same procedure as in Example 1, except that the heat curing, coating speed or discharge rate, and / or polishing treatment conditions during production of the silicone resin layer were appropriately changed. In the glass laminate obtained in each example, the filtered center line waviness of the exposed surface of the glass substrate after the polishing treatment was smaller than the filtered center line waviness of the surface having the convex portion of the silicone resin layer. .
Table 1 below shows the filtered center line waviness (filtered center line waviness X) of the exposed surface of the glass substrate after the polishing treatment in the glass laminate obtained in each example, and the exposed surface of the silicone resin layer. The filtered center line undulation (filtered center line undulation Y) and the difference between the filtered center line undulation X and the filtered center line undulation Y are represented.

なお、いずれのガラス積層体においても、シリコーン樹脂層と支持基板との界面の剥離強度が、ガラス基板とシリコーン樹脂層との界面の剥離強度よりも大きかった。   In any of the glass laminates, the peel strength at the interface between the silicone resin layer and the support substrate was greater than the peel strength at the interface between the glass substrate and the silicone resin layer.

また、各実施例のガラス積層体を窒素雰囲気下にて350℃で60分間加熱処理を行い、室温まで冷却したところ、各実施例のガラス積層体の支持基板とガラス基板の分離やシリコーン樹脂層の発泡や白化など外観上の変化は認められなかった。
さらに、実施例1と同様の手順に従って、吸着パッドを用いて、上記加熱処理が施された各実施例のガラス積層体中のガラス基板の分離を行ったところ、いずれのガラス積層体においても定盤上に研磨処理が施されたガラス基板をガラス積層体から分離することができた。
分離されたガラス基板の研磨処理が施された表面を視認すると、欠陥などは確認されなかった。
Moreover, when the glass laminated body of each Example was heat-processed at 350 degreeC under nitrogen atmosphere for 60 minutes and it cooled to room temperature, isolation | separation of the support substrate of a glass laminated body of each Example and a glass substrate, or a silicone resin layer No change in appearance such as foaming or whitening was observed.
Furthermore, according to the procedure similar to Example 1, when the glass substrate in the glass laminated body of each Example by which the said heat processing was performed was isolate | separated using the suction pad, in any glass laminated body, it fixed. The glass substrate on which the polishing treatment was performed on the board could be separated from the glass laminate.
When the surface of the separated glass substrate that had been subjected to the polishing treatment was visually confirmed, no defects or the like were confirmed.

さらに、実施例1に記載のガラス積層体の代わりに、各実施例にて得られたガラス積層体をそれぞれ用いて、上記実施例2と同様の手順に従ってLCDパネルをそれぞれ作製したところ、いずれのLCDパネルにおいても表示ムラは認められなかった。
また、実施例1に記載のガラス積層体の代わりに、各実施例にて得られたガラス積層体をそれぞれ用いて、上記実施例3と同様の手順に従って電子ペーパーパネルをそれぞれ作製したところ、いずれの電子ペーパーパネルにおいても表示ムラは認められなかった。
Furthermore, instead of the glass laminate described in Example 1, each of the glass laminates obtained in each Example was used to produce an LCD panel according to the same procedure as in Example 2 above. Even in the LCD panel, display unevenness was not recognized.
Moreover, when each of the glass laminates obtained in each Example was used instead of the glass laminate described in Example 1 and an electronic paper panel was produced according to the same procedure as in Example 3 above, No display unevenness was observed in the electronic paper panel.

12 支持基板
14 樹脂層
16 ガラス基板
18 樹脂層付き支持基板
30,32 凸部
34 凹部
40 積層物品
100,110 ガラス積層体
114 シリコーン樹脂層
DESCRIPTION OF SYMBOLS 12 Support substrate 14 Resin layer 16 Glass substrate 18 Support substrate with resin layer 30,32 Convex part 34 Concave part 40 Laminated article 100,110 Glass laminated body 114 Silicone resin layer

Claims (12)

支持基板と、前記支持基板上に配置され、前記支持基板側とは反対側の表面に凸部を有する樹脂層と、前記樹脂層の前記凸部を有する表面の形状に追従するように前記樹脂層上に配置されたガラス基板とを有し、前記支持基板と前記樹脂層の界面の剥離強度が前記樹脂層と前記ガラス基板の界面の剥離強度よりも大きいガラス積層体であって、
前記ガラス基板が、前記樹脂層側とは反対側の表面で前記樹脂層の前記凸部の直上の位置に凸部を有し、
前記ガラス基板の前記凸部を有する表面のろ波中心線うねりXが、前記樹脂層の前記凸部を有する表面のろ波中心線うねりYよりも小さい、ガラス積層体。
A support substrate; a resin layer disposed on the support substrate and having a convex portion on a surface opposite to the support substrate side; and the resin so as to follow a shape of the surface of the resin layer having the convex portion. A glass laminate having a glass substrate disposed on a layer, wherein the peel strength at the interface between the support substrate and the resin layer is greater than the peel strength at the interface between the resin layer and the glass substrate,
The glass substrate has a convex portion at a position directly above the convex portion of the resin layer on the surface opposite to the resin layer side,
The glass laminated body in which the filtering centerline wave | undulation X of the surface which has the said convex part of the said glass substrate is smaller than the filtering centerline wave | undulation Y of the surface which has the said convex part of the said resin layer.
前記ガラス基板の厚みが0.3mm以下である、請求項1に記載のガラス積層体。   The glass laminated body of Claim 1 whose thickness of the said glass substrate is 0.3 mm or less. 前記樹脂層の前記凸部を有する表面のろ波中心線うねりYが0.040μm超1.00μm以下である、請求項1または2に記載のガラス積層体。   The glass laminate according to claim 1 or 2, wherein a filtered centerline waviness Y of the surface having the convex portion of the resin layer is more than 0.040 µm and 1.00 µm or less. 前記樹脂層の前記凸部を有する表面のろ波中心線うねりYが0.040μm超0.20μm以下である、請求項1〜3のいずれか1項に記載のガラス積層体。   The glass laminate according to any one of claims 1 to 3, wherein a filtered centerline waviness Y of the surface having the convex portion of the resin layer is more than 0.040 µm and 0.20 µm or less. 前記ろ波中心線うねりYと前記ろ波中心線うねりXとの差が0.005〜0.80μmである、請求項1〜4のいずれか1項に記載のガラス積層体。   The glass laminated body of any one of Claims 1-4 whose difference of the said filter centerline waviness Y and the said filter centerline waviness X is 0.005-0.80 micrometer. 前記ろ波中心線うねりYと前記ろ波中心線うねりXとの差が0.005〜0.080μmである、請求項1〜5のいずれか1項に記載のガラス積層体。   The glass laminate according to any one of claims 1 to 5, wherein a difference between the filtered center line undulation Y and the filtered center line undulation X is 0.005 to 0.080 µm. 前記樹脂層の厚さが2〜100μmである、請求項1〜6のいずれか1項に記載のガラス積層体。   The glass laminated body of any one of Claims 1-6 whose thickness of the said resin layer is 2-100 micrometers. 前記樹脂層が、シリコーン樹脂層である、請求項1〜7のいずれか1項に記載のガラス積層体。   The glass laminate according to any one of claims 1 to 7, wherein the resin layer is a silicone resin layer. 前記シリコーン樹脂層が、架橋性オルガノポリシロキサンを硬化させて得られる層であり、
前記架橋性オルガノポリシロキサンが、アルケニル基を有するオルガノアルケニルポリシロキサンと、ケイ素原子に結合した水素原子を有するオルガノハイドロジェンポリシロキサンとを含む、請求項8に記載のガラス積層体。
The silicone resin layer is a layer obtained by curing a crosslinkable organopolysiloxane,
The glass laminate according to claim 8, wherein the crosslinkable organopolysiloxane includes an organoalkenyl polysiloxane having an alkenyl group and an organohydrogenpolysiloxane having a hydrogen atom bonded to a silicon atom.
前記支持基板がガラス板である、請求項1〜9のいずれか1項に記載のガラス積層体。   The glass laminated body of any one of Claims 1-9 whose said support substrate is a glass plate. 請求項1〜10のいずれか1項に記載のガラス積層体の製造方法であって、
支持基板と、前記支持基板上に配置され、前記支持基板側とは反対側の表面に凸部を有する樹脂層と、前記樹脂層の前記凸部を有する表面の形状に追従するように前記樹脂層上に配置され、前記樹脂層側とは反対側の表面上で前記樹脂層上の前記凸部の直上の位置に凸部を有するガラス基板とを有する積層物品中の前記ガラス基板表面を研磨する工程を有し、
前記研磨を、前記ガラス基板表面に凸部を残しながら、前記ガラス基板の前記凸部を有する表面のろ波中心線うねりXが、前記樹脂層の前記凸部を有する表面のろ波中心線うねりYよりも小さくなるように実施する、ガラス積層体の製造方法。
It is a manufacturing method of the glass layered product according to any one of claims 1 to 10,
A support substrate; a resin layer disposed on the support substrate and having a convex portion on a surface opposite to the support substrate side; and the resin so as to follow a shape of the surface of the resin layer having the convex portion. Polishing the surface of the glass substrate in a laminated article that is disposed on a layer and has a glass substrate having a convex portion at a position immediately above the convex portion on the resin layer on the surface opposite to the resin layer side And having a process of
The polishing center line waviness X of the surface of the glass substrate having the convex portion is the center of wave filtration center line waviness of the resin layer while leaving the convex portion on the surface of the glass substrate. The manufacturing method of the glass laminated body implemented so that it may become smaller than Y.
請求項1〜10のいずれか1項に記載のガラス積層体中のガラス基板の表面上に電子デバイス用部材を形成し、電子デバイス用部材付き積層体を得る部材形成工程と、
前記電子デバイス用部材付き積層体から前記支持基板および前記樹脂層を含む樹脂層付き支持基板を除去し、前記ガラス基板と前記電子デバイス用部材とを有する電子デバイスを得る分離工程と、を備える電子デバイスの製造方法。
The member formation process which forms the member for electronic devices on the surface of the glass substrate in the glass laminated body of any one of Claims 1-10, and obtains the laminated body with the member for electronic devices,
A separation step of removing the support substrate and the support substrate with a resin layer including the resin layer from the laminate with the electronic device member to obtain an electronic device having the glass substrate and the electronic device member. Device manufacturing method.
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