KR20130140294A - 튜너 회로 - Google Patents

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박정권
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엘지이노텍 주식회사
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Abstract

발명의 실시예에 따른 튜너 회로는 안테나부; 및, 상기 안테나부와 연결되는 하이패스필터;를 포함하고, 상기 하이패스필터는 상기 안테나부와 직렬 연결된 제1 카패시터 및 제2 카패시터와, 상기 제1 카패시터 및 제2 카패시터의 사이에 일단이 연결되고 타단이 접지된 인덕터를 포함한다.

Description

튜너 회로{TUNER CIRCUIT}
본 발명은 튜너 회로에 관한 것으로, 상세하게는 회로를 간략화하면서 전기적 특성이 향상된 하이패스필터를 구현할 수 있는 튜너 회로에 관한 것이다.
일반적으로 텔레비젼 튜너는 시청자에 의해 선택된 채널을 선국하여 수신하는 장치로서, 상기 튜너는 방송 채널 수가 증가함에 따라 수신 대역이 수 십MMz에서 수 백MMz에 이르는 브이에이치에프(이하 VHF 라 칭함) 대역과, 수 백MMz에서 수 십GMz에 이르는 유에이치에프(이하 UHF 라 칭함) 대역까지 선국하게 된다.
또한 상기 텔레비젼 튜너는 상기 VHF 대역의 채널을 수신하는 VHF 튜너부와, UHF 대역의 채널을 수신하는 UHF튜너부로 분리되고, 상기 VHF 튜너부는 VHF 고역 과 VHF 저역으로 분리된다.
상기 튜너회로에는 도 1에 도시한 바와 같이, 안테나(ANT)로부터 입력되는 고주파신호에서 소정 이상의 고주파신호를 통과하는 고역통과필터(10)와, 상기 고역통과필터(10)에서 통과된 고주파신호에서 외부로 방사되는 중간주파신호를 트랩하는 중간주파트랩(11)과, 시티즌 밴드(CB)를 트랩하는 CB트랩(12)을 통해서 트랩한 후, 470MHz ~ 850MHz의 UHF대역을 입력동조하는 UHF 입력동조회로(13)와; 150MHz ~ 470MHz의 VHF 대역을 입력동조하는 VHF 고역입력동조회로(14)와; 50MHz ~ 150MHz의 VHF대역을 입력동조하는 VHF 저역입력동조회로(15)로 구성된다.
이와 같이 구성된 종래 텔레비젼 튜너에서는 안테나(ANT)를 통해서 수신된 고주파신호가 고역통과필터(10), 중간주파트랩(11) 및 CB트랩(12)을 통해서 트랩 한후 UHF 입력동조회로(13), VHF 고역입력동조회로(14), VHF 저역입력동조회로(15)로 각각 분리되어 동조 되게 된다.
상기 CB트랩(12)은 유럽CE 규격에 필요하지만 다른 지역(예로, 중국, 브라질)의 경우 삭제하여 회로를 간략히 구성할 수 있다. 이 경우, 단순히 CB트랩(12)만 삭제하면 입력 전압 정재파비(VSWR: Voltage Standing Wave Ratio)가 감소하게 되어 45MHz 내지 70MHz에서 감도가 저하되는 문제점이 존재한다.
본 발명은 최소한의 소자를 이용하여 하이패스필터(High Pass Filter)를 구현하고, 저주파수에서 약전계의 전기적 특성이 개선된 안테나 입력회로를 제공하는 것을 목적으로 한다.
발명의 실시예에 따른 튜너 회로는 안테나부; 및, 상기 안테나부와 연결되는 하이패스필터;를 포함하고, 상기 하이패스필터는 상기 안테나부와 직렬 연결된 제1 카패시터 및 제2 카패시터와, 상기 제1 카패시터 및 제2 카패시터의 사이에 일단이 연결되고 타단이 접지된 인덕터를 포함한다.
발명의 실시예에 따른 튜너 입력 회로는 최소한의 소자를 이용하여 하이패스필터(High Pass Filter)를 구현함으로써 소자의 소형화를 도모할 수 있다.
그리고 입력 전압 정재파비(VSWR: Voltage Standing Wave Ratio)가 감소하는 것을 방지할 수 있다.
도 1은 종래 튜너의 회로도이다.
도 2는 발명의 실시예에 따른 튜너의 회로도이다.
도 3은 발명의 실시예에 따른 튜너의 특성 파형도이다.
도 4 및 도 5는 도 2의 회로도에서 소자값을 변경하여 측정한 튜너의 특성 파형도이다.
이하, 본 발명의 바람직한 실시 예에 대하여 첨부도면을 참조하여 상세히 설명하기로 한다. 기타 실시 예들의 구체적인 사항들은 상세한 설명 및 도면들에 포함되어 있다. 본 발명의 이점 및 특징, 그리고 그것들을 달성하는 방법은 첨부되는 도면과 함께 상세하게 후술되어 있는 실시예를 참조하면 명확해질 것이다. 명세서 전체에 걸쳐 동일 참조 부호는 동일 구성 요소를 지칭한다.
도 2는 발명의 실시예에 따른 튜너의 회로도이다. 발명의 실시예에 따른 튜너는 안테나(50)와 일단이 연결된 제1 커패시터(C1), 상기 제1 커패시터(C1)의 타단과 일단이 연결된 제2 커패시터(C2) 및 제1 인덕터(L1)를 포함한다. 상기 제1 커패시터(C1), 제2 커패시터(C2) 및 제1 인덕터(L1)를 포함하여 최소한의 LC를 사용하여 하이패스필터를 구성할 수 있다.
상기 제2 커패시터(C2)는 타단이 제1 다이오드(D1)와 연결될 수 있다. 상기 제1 다이오드(D1)는 ESD(Electrostatic Discharge)를 방지할 수 있다. 그리고 상기 제1 인덕터(L1)는 타단이 접지된다.
상기 제1 커패시터(C1) 및 제2 커패시터(C2)는 직렬로 연결될 수 있다. 상기 상기 제1 커패시터(C1) 및 제2 커패시터(C2)의 용량은 동일하거나 다를 수 있다. 상기 제1 커패시터(C1)는 제2 커패시터(C2)에 비해 같거나 작은 용량으로 형성될 수 있다.
상기 제1 커패시터(C1)는 62pF 내지 92pF의 범위로 형성될 수 있고 바람직하게는 68pF의 값으로 형성될 수 있다.
상기 제2 커패시터(C2)는 68pF 내지 92pF의 범위로 형성될 수 있고 바람직하게는 82pF의 값으로 형성될 수 있다.
상기 제1 인덕터(L1)는 150nH 내지 220nH의 범위로 형성될 수 있고, 바람직하게는 220nH의 값으로 형성될 수 있다.
하이패스필터 및 CB 트랩을 포함하는 종래 범용 안테나 입력회로에서 제1 커패시터(C1) 및 제2 커패시터(C2)는 각각 36pF로 형성되고, 제1 인덕터(L1)는 120nH의 값으로 형성될 수 있다. 또한 CB 트랩에 포함되는 인덕터는 270nH의 값으로 형성되고, 카패시터는 120pF의 값으로 형성될 수 있다.
종래 하이패스필터 및 CB 트랩을 포함하는 경우, 종래 하이패스필터만 포함하는 경우, 본원발명에 따른 하이패스 필터를 적용한 경우, 주파수에서의 dB 값은 다음의 표와 같다.
주파수 52.2MHz 88MHz 171MHz
변경 전 -87.8dB -87.6dB -88dB
CB 트랩 삭제한 경우 -87.1dB -87.2dB -88dB
본원발명 -88.0dB -87.7dB -88dB
상기 표 1에 나타난 바와 같이, 주파수가 높아질수록 회로 구성에 따른 전압 정재파비(VSWR)의 변동폭이 감소함을 알 수 있다.
그러나 52.2MHz 및 88MHz의 주파수에서 하이패스필터 및 CB 트랩을 포함하는 경우, 각각 -87.8dB 및 -87.6dB의 값을 갖게 되나, 필요에 의해 소자값의 제한없이 CB 트랩만을 삭제한 경우에는 -87.1dB 및 -87.2dB의 값을 갖게 되어, CB 트랩 삭제에 의해 정재파비가 감소함을 알 수 있다.
본원발명에서는 상기 범위의 값을 갖도록 각각의 소자를 형성함으로써, 약전계 감도에서도 정재파비가 감소하는 것을 방지할 수 있다.
상기 하이패스 필터의 출력단에는 ESD(130)가 형성될 수 있으며, 상기 ESD(130)는 다이오드를 포함하여 형성될 수 있다.
도 3은 발명의 실시예에 따른 튜너의 특성 파형도이고, 도 4 및 도 5는 도 2의 회로도에서 소자값을 변경하여 측정한 튜너의 특성 파형도이다.
도 3에서 발명의 실시예에 따른 소자값은 각각 제1 커패시터(C1)는 68pF, 제2 커패시터(C2)는 82pF, 제1 인덕터(L1)는 220nH의 값을 갖도록 구성하였다. 청색실선은 신호의 강약을 나타내고, 적색실선은 정재파비를 나타낸다. 그리고 가로축은 주파수를 나타내고, 세로축은 dB를 나타낸다.
도 4a는 제1 커패시터(C1)가 56pF인 경우를 나타내고, 도 4b는 제1 커패시터(C1)가 100pF인 경우를 나타낸다. 도시된 바와 같이 제1 커패시터(C1)가 62pF 내지 92pF의 범위를 벗어나도록 형성되는 경우 정재파비가 감소함을 알 수 있다.
도 5a는 제2 커패시터(C2)가 56pF인 경우를 나타내고, 도 5b는 제2 커패시터(C2)가 100pF인 경우를 나타낸다. 도시된 바와 같이 제2 커패시터(C2)가 68pF 내지 92pF의 범위를 벗어나도록 형성되는 경우에도 정재파비가 감소함을 알 수 있다.
이상에서 실시예들에 설명된 특징, 구조, 효과 등은 본 발명의 적어도 하나의 실시예에 포함되며, 반드시 하나의 실시예에만 한정되는 것은 아니다. 나아가, 각 실시예에서 예시된 특징, 구조, 효과 등은 실시예들이 속하는 분야의 통상의 지식을 가지는 자에 의해 다른 실시예들에 대해서도 조합 또는 변형되어 실시 가능하다. 따라서 이러한 조합과 변형에 관계된 내용들은 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.

Claims (11)

  1. 안테나부; 및,
    상기 안테나부와 연결되는 하이패스필터;를 포함하고,
    상기 하이패스필터는 상기 안테나부와 직렬 연결된 제1 카패시터 및 제2 카패시터와, 상기 제1 카패시터 및 제2 카패시터의 사이에 일단이 연결되고 타단이 접지된 인덕터를 포함하는 튜너 회로.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 제1 카패시터는 62pF 내지 92pF의 범위로 형성되는 튜너 회로.
  3. 제3항에 있어서,
    상기 제1 카패시터는 68pF의 값으로 형성되는 튜너 회로.
  4. 제1항에 있어서,
    상기 제2 커패시터는 68pF 내지 92pF의 범위로 형성되는 튜너 회로.
  5. 제4항에 있어서,
    상기 제2 카패시터는 82pF의 값으로 형성되는 튜너 회로.
  6. 제1항에 있어서,
    상기 제1 인덕터는 150nH 내지 220nH의 범위로 형성되는 튜너 회로.
  7. 제6항에 있어서,
    상기 제1 인덕터는 220nH의 값으로 형성되는 튜너 회로.
  8. 제1항에 있어서,
    상기 하이패스필터와 연결되는 ESD를 포함하는 튜너 회로.
  9. 제1항에 있어서,
    상기 하이패스 필터의 출력단에 연결되는 ESD를 포함하는 튜너 회로.
  10. 제9항에 있어서,
    상기 ESD는 다이오드를 포함하여 형성되는 튜너 회로.
  11. 안테나부; 및,
    상기 안테나부와 연결되는 하이패스필터;를 포함하고,
    상기 하이패스필터는 상기 안테나부와 직렬 연결된 제1 카패시터 및 제2 카패시터와, 상기 제1 카패시터 및 제2 카패시터의 사이에 일단이 연결되고 타단이 접지된 인덕터를 포함하고,
    상기 제1 카패시터는 68pF, 상기 제2 카패시터는 82pF, 상기 제1 인덕터는 220nH의 값으로 형성되는 튜너 회로.
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