KR20130135530A - 트랜스퍼 챔버 장치 및 기판 처리 장치 및 기판 이송 방법 - Google Patents

트랜스퍼 챔버 장치 및 기판 처리 장치 및 기판 이송 방법 Download PDF

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KR20130135530A
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Abstract

본 발명은 트랜스퍼 챔버 장치 및 기판 처리 장치 및 기판 이송 방법에 관한 것으로서, 공정 처리된 기판이 이송되고 난 후의 서셉터를 세정하는 트랜스퍼 챔버 장치 및 이러한 트랜스퍼 챔버가 구비된 기판 처리 장치 및 기판 이송 방법에 관한 것이다. 본 발명의 실시 형태인 트랜스퍼 챔버 장치는 한 개 또는 복수개의 서셉터가 거치되는 서셉터 거치대와, 기판을 정렬시키는 기판 정렬 유닛과, 상기 서셉터 거치대에 놓인 서셉터와 상기 기판 정렬 유닛에 놓인 기판을 파지하여 각각 별개로 이송하거나 또는 서셉터 위에 기판을 탑재하여 함께 이송하는 이송암과, 상기 서셉터 거치대로부터 이송되어 오는 복수의 서셉터를 이격 적층시켜 각 서셉터의 상부면 또는 하부면 중 적어도 어느 하나의 면에 불활성 세정 가스를 불어넣는 서셉터 세정 유닛을 포함한다.

Description

트랜스퍼 챔버 장치 및 기판 처리 장치 및 기판 이송 방법{Apparatus for transfer chamber and processing substrate and method for transferring substrate }
본 발명은 트랜스퍼 챔버 장치 및 기판 처리 장치 및 기판 이송 방법에 관한 것으로서, 공정 처리된 기판이 이송되고 난 후의 서셉터를 세정하는 트랜스퍼 챔버 장치 및 이러한 트랜스퍼 챔버가 구비된 기판 처리 장치 및 기판 이송 방법에 관한 것이다.
유기금속 화학 기상 증착(MO-CVD; Metal Organic Chemical Vapor Deposition) 공정에 이용되는 기판 처리 장치는, 기판 위에 반도체막의 증착 공정이 이루어지는 프로세스 챔버(process chamber)와, 그 내부에 장착된 서셉터(susceptor) 및 기판(wafer)과, 그리고 프로세스 챔버의 상부 혹은 하부에 구비된 가열램프(heating lamp)를 포함하여 구성된다.
서셉터는 예를 들면, 탄소(graphite) 재질로 된 판에 SiC로 코팅된 것으로서, 노즐 또는 샤워헤드(showerhead)로부터 분무된 반응가스가 서셉터 상부면의 기판에서 원활히 화학반응이 일어난다.
LED(Light Emitting Diode) 소자를 제조하는데 있어서 상기와 같은 공정을 통해 서셉터의 상부면에 놓인 기판에 표면 반응이 일어나게 되며, 그 결과 일정한 두께의 반도체막이 기판에 형성되게 된다. LED 소자를 제조하는 현재의 반도체막 성장 공정은 기판을 이송암에 의해 로딩(loading) 및 언로딩(unloading)하고 있다.
그런데 이송암 이송에 의하여 로딩/언로딩 시의 기판과의 접촉을 통해 서셉터의 표면에 미세 스크래치가 누적되어 서셉터 결함의 원인이 된다. 즉, 기판이 언로딩되고 난 후의 서셉터의 상부면에는 파티클(particle)과 같은 미세 이물질이 남게 되는 문제가 발생한다. 이로 인하여 서셉터 결함으로부터 발생한 파티클에 의하여 다음 공정 시에 기판에 에피층을 성장할 때에 파티클로 인한 결함을 발생시켜, LED 소자의 품질에 영향을 준다.
LED 소자의 전기적, 광학적 특성은 에피층의 품질에 의해 주로 좌우되며, 더욱이 LED 소자의 광량을 높이기 위해 전류(Current)가 높아질수록 낮은 수준의 결정 결함이 요구되고 있다. 따라서 기판의 결함 발생을 줄이기 위하여 기판의 에피층 성장 공정을 마칠 때마다 작업자가 일일이 서셉터의 상부면을 진공 브러쉬(vacuum brush)로 일일이 세정하는 수작업을 하여야만 한다.
그런데, 상기와 같이 수작업에 의한 서셉터의 세정 작업은, 기판 처리 장치의 자동화에 장애가 되어 생산성을 저하시키며, 세정의 효율성을 떨어뜨리는 문제가 있다.
한국공개특허 10-2011-0126857
본 발명의 기술적 과제는 LED 소자와 같은 반도체 소자의 제품 특성을 향상시키는데 있다. 또한 본 발명의 기술적 과제는 기판 처리 공정을 마친 서셉터 및 기판을 트랜스퍼 챔버내에서 이송하는데 있다. 또한 본 발명의 기술적 과제는 기판 처리 공정을 마친 서셉터의 표면을 세정하는 시간을 단축하도록 하는데 있다.
본 발명의 실시 형태인 트랜스퍼 챔버 장치는 한 개 또는 복수개의 서셉터가 거치되는 서셉터 거치대와, 기판을 정렬시키는 기판 정렬 유닛과, 상기 서셉터 거치대에 놓인 서셉터와 상기 기판 정렬 유닛에 놓인 기판을 파지하여 각각 별개로 이송하거나 또는 서셉터 위에 기판을 탑재하여 함께 이송하는 이송암과, 상기 서셉터 거치대로부터 이송되어 오는 복수의 서셉터를 이격 적층시켜 각 서셉터의 상부면 또는 하부면 중 적어도 어느 하나의 면에 불활성 세정 가스를 불어넣는 서셉터 세정 유닛을 포함한다.
또한 기판을 거치하며 거치된 기판을 냉각시키는 냉각 거치대를 포함한다.
또한 기판 정렬 유닛은, 기판을 지지하는 기판 지지 수단과, 상기 기판 지지 수단에 놓인 기판을 미리 설정한 위치로 센터링 정렬시키는 기판 정렬바를 포함한다.
또한 이송암은, 상기 기판을 진공척에 의해 흡착하는 제1암과, 상기 서셉터를 파지하여 이송하는 제2암을 포함한다.
또한 로딩 모드로 동작 시에 상기 이송암은, 기판을 외부의 로드락 챔버로부터 이송하여 상기 기판 정렬 유닛에 위치시키며, 기판 정렬 유닛에서 정렬이 완료된 기판을 흡착한 후 서셉터 거치대로부터 이송해온 서셉터의 상부면에 탑재하며, 기판이 탑재된 서셉터를 프로세스 챔버로 이송한다. 또한 언로딩 모드로 동작 시에 상기 이송암은, 기판이 탑재된 서셉터를 프로세스 챔버로부터 이송하여 기판과 서셉터를 분리하여, 분리된 서셉터를 서셉터 거치대에 거치하고 분리된 기판을 기판 정렬 유닛에 각각 거치하며, 서셉터 거치대에 놓인 서셉터를 파지하여 상기 서셉터 세정 유닛에 이송하고 기판 정렬 유닛에서 정렬된 기판을 외부의 로드락 챔버로 이송한다.
또한 본 발명의 실시 형태인 기판 처리 장치는, 기판 처리가 이루어지는 프로세스 챔버와, 진공 상태에서 대기 상태로, 또는 대기 상태에서 진공 상태로 변화되는 로드락 챔버와, 상기 로드락 챔버 내에서 이송된 기판을 서셉터에 탑재시킨 후 기판 탑재된 서셉터를 상기 프로세스 챔버로 이송하며, 상기 프로세스 챔버로부터 이송된 서셉터에서 기판을 분리하여 상기 로드락 챔버로 이송하는 트랜스퍼 챔버와, 상기 트랜스퍼 챔버에 연결되며, 다수개의 서셉터를 서로 이격시켜 적층시켜 각 서셉터의 상부면에 불활성 세정 가스를 불어넣는 서셉터 세정 유닛을 포함한다.
또한 본 발명의 실시 형태는 외부의 로드락 챔버로부터 기판을 트랜스퍼 챔버 내부로 이송시키는 과정과, 기판을 정렬시킨 후 정렬된 기판을 파지하는 과정과, 서셉터를 파지하여, 파지한 서셉터 상부에 상기 정렬된 기판을 탑재시키는 과정과, 상기 기판이 탑재된 서셉터를 프로세스 챔버 내의 메인 서셉터의 상부면에 이송시켜 기판 처리를 진행하는 과정을 포함한다.
또한 본 발명의 실시 형태는, 기판 처리가 완료된 서셉터를 트랜스퍼 챔버 내부로 이송하여 서셉터와 기판을 분리하는 과정과, 분리된 기판을 트랜스퍼 챔버 내부에 위치한 기판 정렬 유닛에 위치시켜 정렬시키는 과정과, 기판 정렬 유닛에서 정렬된 기판을 외부의 로드락 챔버로 이송하는 과정을 포함한다.
본 발명의 실시 형태에 따르면 기판 처리 공정을 마친 서셉터의 표면에 존재하는 파티클 등 오염 물질을 효율적으로 제거할 수 있다. 공정 챔버 밖에서 진공 분위기에서 복수개 자동으로 서셉터 세정을 수행하여, 빠른 시간내에 서셉터의 표면에 존재하는 파티클을 제거할 수 있기 때문에 세정 공정 시간을 단축할 수 있다. 또한 서셉터의 표면에 존재하는 파티클을 제거하고 기판 처리 공정을 수행함으로써, 반도체 소자의 제품 특성을 향상시킬 수 있다. 또한 서셉터 세정과 동시에 병행하여 기판 처리 즉, 증착 공정을 진행할 수 있어 전체 공정 시간을 단축할 수 있다.
도 1은 본 발명의 실시예에 따른 기판 처리 장치의 구성 블록도이다.
도 2는 본 발명의 실시예에 따른 트랜스퍼 챔버를 상부에서 바라본 상면도이다.
도 3은 본 발명의 실시예에 따른 투암 구조의 이송암 사시도를 도시한 도면이다.
도 4는 본 발명의 실시예에 따른 기판 정렬 유닛의 사시도이다.
도 5는 본 발명의 실시예에 따른 서셉터 세정 유닛의 투과 사시도이다.
도 6은 본 발명의 실시예에 따른 서셉터 세정 유닛의 단면도이다.
도 7은 본 발명의 실시예에 따른 보트의 사시도이다.
도 8은 본 발명의 실시예에 따라 서셉터가 보트에 이격 적층되어 있는 사시도이다.
도 9는 본 발명의 실시예에 따른 세정 가스의 분사 방향을 도시한 도면이다.
도 10은 본 발명의 실시예에 따라 보트의 하부에 마련된 회전 구동체를 도시한 도면이다.
도 11은 본 발명의 실시예에 따라 트랜스퍼 챔버에서 프로세스 챔버로 기판을 로딩하는 과정을 도시한 개념도이다.
도 12는 본 발명의 실시예에 따라 트랜스퍼 챔버에서의 기판 언로딩 과정을 도시한 개념도이다.
도 13은 본 발명의 실시예에 따른 트랜스퍼 챔버에서 서셉터의 이송 과정을 도시한 개념도이다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시 예를 더욱 상세히 설명하기로 한다. 그러나 본 발명은 이하에서 개시되는 실시 예에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 구현될 것이며, 단지 본 실시 예들은 본 발명의 개시가 완전하도록 하며, 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공되는 것이다. 도면상에서 동일 부호는 동일한 요소를 지칭한다.
도 1은 본 발명의 실시예에 따른 기판 처리 장치의 구성 블록도이며, 도 2는 본 발명의 실시예에 따른 트랜스퍼 챔버를 상부에서 바라본 상면도이며, 도 3은 본 발명의 실시예에 따른 투암 구조의 이송암 사시도이며, 도 4는 본 발명의 실시예에 따른 기판 정렬 유닛의 사시도이다.
기판 처리 장치는, LED 소자의 기판을 증착하기 위해서는 기판의 이송을 담당하는 트랜스퍼 챔버(2), 로드락 챔버(3), 프로세스 챔버(1)를 구비한다. 또한 서셉터 세정 유닛(10) 및 기판 정렬 유닛(30)는, 트랜스퍼 챔버(2) 내에 마련된다. 프로세스 챔버(1)에서 공정 처리된 서셉터를 서셉터 세정 유닛 내에 위치시키고 기판을 세정한다. 이하 상술한다.
로드락 챔버(3;load lock chamber)는 기판(W)들을 LED 소자를 제조하기 위한 기판 처리 공정이 진행되는 프로세스 챔버(1)들로 이송하기 전에 프로세스 챔버(1) 내의 환경 조건에 근접한 환경 조건을 접할 수 있도록 하고, 프로세스 챔버(1) 내의 환경 조건이 외부로부터 영향을 받지 않도록 차단하는 역할을 한다.
이러한 로드락 챔버(3)의 일면은 로더부(FOUP)와 연결되어 있으며 다른 일면은 로드락 게이트(2a)를 통하여 트랜스퍼 챔버(2)과 연결된다. 따라서 공정 진행 전, 후의 기판(W)들이 로드락 챔버(3) 내에 위치한다. 로더부(미도시)를 통해 기판이 대기 상태에서 기판 보관용기(FOUP)으로부터 이송되어 온 후에는 로드락 챔버 내부를 프로세스 챔버(1)와 마찬가지의 진공 상태로 변화된다. 또한 프로세스 챔버(1)에서 기판 처리된 후의 기판이 트랜스퍼 챔버(2)를 거쳐 로드락 챔버(3)로 이송되어 오면, 로드락 챔버 내부가 대기 상태로 변환된 후 외부의 기판 보관 용기(FOUP)로 기판이 이송된다.
프로세스 챔버(1)는 LED 소자를 제조하기 위한 유기금속 화학 기상 증착(MO-CVD; Metal Organic Chemical Vapor Deposition) 공정이 수행되는 공간으로써 각 증착 공정들의 공정 조건에 따라 일정한 분위기로 유지된다. 프로세스 챔버(2)에서는 통해 기판(W)이 올려져 있는 서셉터(20)를 한 매씩 이송받아 메인 서셉터에 복수의 서셉터를 위치시키며, 기판(W)에 증착 또는 식각 공정 등의 기판 처리가 진행된다. 기판 처리가 완료된 후에는 기판이 올려진 서셉터(20)를 트랜스퍼 챔버(2)로 이송시킨다. 프로세스 챔버는 MO-CVD 공정 이외에도 Thermal CVD, PE CVD등의 다양한 열원을 사용하는 공정이 적용될 수 있다. 참고로, 메인 서셉터(21) 위에 한 개 또는 복수개의 서셉터(20)가 놓여 공정 처리가 이루어진다. 메인 서셉터(21)는 히터 등이 매립되어 서셉터의 공정 온도를 유지시키며, 메인 서셉터(21)상에 개별로 된 이송 가능한 한 개 또는 복수개의 서셉터(20)를 구비함으로써 메인 서셉터의 손상 및 파티클 발생을 방지할 수 있다. 메인 서셉터(21)의 재질은 서셉터(20)와 마찬가지로 SiC 재질 또는 SiC 코팅으로 구현될 수 있다.
트랜스퍼 챔버(2)는 로드락 챔버(3)와 프로세스 챔버(1)를 연결하는 부재로써 일정한 진공 상태에서 기판(W)을 이송한다. 트랜스퍼 챔버(2)는 기판 처리를 위하여 상기 로드락 챔버(3) 내에서 이송되는 기판(W)을 서셉터(20)에 탑재시킨 후 서셉터를 프로세스 챔버(1)로 이송시킨다. 또한 기판 처리가 완료되어 프로세스 챔버(1)로부터 이송된 서셉터(20)에서 기판(S)을 분리하여 로드락 챔버(3)로 이송한다. 트랜스퍼 챔버를 상부에서 바라본 상면도를 도시한 도 2를 참조하면, 트랜스퍼 챔버(2) 내부에는 서셉터 세정 유닛(10), 복수개의 서셉터 거치대(70), 기판 정렬 유닛(30), 이송암(80를 포함한다. 이밖에 기판을 냉각시키는 냉각 거치대(40)를 포함한다. 냉각 거치대(40)는 기판 처리 공정이 완료된 기판이 놓여 냉각되며, 냉각이 완료된 기판은 로드락 챔버로 이송된다.
서셉터 거치대(70)는 다수개의 서셉터(20)를 지지하는 버퍼 역할을 하며, 예를 들어, 기판을 이격 적층시키는 보트 구조로 서셉터 거치대로서 구현할 수 있다. 프로세스 챔버(1)에서 기판 처리되어 트랜스퍼 챔버(20)로 이송된 서셉터(20)는, 상부에 탑재된 기판은 기판 정렬 유닛으로 놓이고 서셉터 자체만이 서셉터 거치대(70)에 놓이게 된다. 따라서 이러한 기판이 제거된 채 서셉터 거치대(70)에 놓이는 서셉터(20)들은 서셉터 세정 유닛에 차례로 입력되어 세정이 이루어지며, 세정이 이루어진 후 서셉터 세정 유닛에서 배출되는 서셉터(20)들은 서셉터 거치대에 다시 놓이게 된다. 또한 기판 로딩 공정 시에는 기판 정렬 유닛(30)에서 기판이 파지되어 서셉터 거치대(70)에서 파지되는 서셉터(20)의 상부에 탑재된 채로 프로세스 챔버(1)로 이송된다.
기판 정렬 유닛(30)는 기판을 정렬시키는 기판 정렬 수단으로서, 도 4에 도시한 바와 같이 기판을 지지하는 기판 지지 수단(31)과, 상기 기판 지지 수단에 놓인 기판을 미리 설정한 위치로 센터링 정렬시키는 기판 정렬바(32)를 포함한다. 기판 지지 수단(31)은 다수의 리프트 핀으로 구현하여 기판을 지지할 수 있으며 이밖에 기판 지지 플레이트로서 기판을 지지하도록 구현할 수 있다. 기판 정렬바(32)는 기판 지지 수단에 놓인 기판을 기판 지지 수단의 중심으로 센터링하는 기능을 수행하는데, 도시된 바와 같이 원판형의 기판의 측면에 밀착시킬 수 있는 형상을 가진다. 기판 정렬바(32)가 기판 지지 수단(31)의 둘레에 위치하여 기판 지지 수단에 기판이 놓이면, 기판 정렬바(32)를 기판 지지 수단(31)의 측면을 향하도록 하여 기판 정렬바의 측면에 기판의 테두리 측면을 밀착시킨 후, 기판 정렬바(32)를 기판 지지 수단의 중심으로 힘을 가하게 한다. 이러한 기판 정렬바(32)의 가압력에 의하여 기판의 중심점을 원하는 위치에 놓이게 하는 센터링을 완료할 수 있다.
이송암(80)은 서셉터 거치대에 놓인 서셉터와 기판 정렬 유닛에 놓인 기판을 파지하여 각각 별개로 이송하거나 또는 서셉터 위에 기판을 탑재하여 일체로서 함께 이송한다. 이러한 이송을 위하여 트랜스퍼 챔버(2) 내부에는 두 개의 이송암을 구비하거나 또는 별개로 독립하여 구동하는 투 암(two arm) 구조의 이송암(80)이 구비될 수 있다. 예를 들어, 도 3은 투 암 구조의 이송암의 사시도를 도시한 그림으로서 이송암(80)의 일측에는 기판을 진공척에 의해 흡착하는 제1암(80a)이 마련되어 있으며, 타측에는 서셉터를 파지하여 이송하는 제2암(80b)이 마련되어 있다. 제1암과 제2암은 별도의 독립 구동 체계를 가지고 있으며 경우에 따라서 암의 길이 조절 및 회전각 조절도 가능하다. 제1암(80a)은 진공척으로 구현되어 기판(W)의 상부면을 진공 픽업(Vacuum pickup)에 의하여 들어올려 파지하며, 제2암(80b)은 서셉터(20)의 외경 테두리면을 파지하여 들어올릴 수 있다. 이송암의 측벽에는 프로세스 챔버(1)와 서셉터 및 기판을 교환하는 프로세스 챔버 게이트(4a,4b)를 구비한다. 이송암(80)을 조작하여 기판(W)이 탑재된 서셉터(20)에서 기판(W)을 분리할 수 있다.
로딩 모드로 동작할 시에 이송암(80)은 기판을 외부의 로드락 챔버로부터 이송하여 상기 기판 정렬 유닛(30)에 위치시키며, 기판 정렬 유닛(30)에서 정렬이 완료된 기판을 흡착한 후 서셉터 거치대(70)로부터 이송해온 서셉터의 상부면에 탑재하며, 기판이 탑재된 서셉터(20)를 프로세스 챔버(1)로 이송한다. 즉, 이송암의 제1암(80a)은 로드락 챔버로부터 기판(W)을 흡착 이송하여 기판 정렬 유닛(30)에 위치시킨 후, 기판 정렬이 완료되면 기판을 다시 흡착한다. 이송암의 제2암(80b)은 서셉터 거치대(70)에 위치한 하나의 서셉터(20)를 파지하고, 제1암(80a)은 제2암에 파지된 서셉터(20)의 상부에 기판(W)을 탑재한다. 상부에 기판을 탑재한 서셉터는 제2암에 의해 프로세스 챔버(1)로 이송되는 것이다.
반대로, 언로딩 모드로 동작할 시에 이송암(80)은, 처리공정 완료된 기판이 탑재된 서셉터를 프로세스 챔버(1)로부터 프로세스 챔버(2)로 이송하여 기판(W)과 서셉터(20)를 분리하여, 분리된 서셉터(20)를 서셉터 거치대(70)에 거치하며 분리된 기판(W)을 기판 정렬 유닛(70)에 각각 거치하며, 서셉터 거치대(70)에 놓인 서셉터를 파지하여 상기 서셉터 세정 유닛(10)에 이송하고 기판 정렬 유닛(70)에서 정렬된 기판을 외부의 로드락 챔버(3)로 이송한다. 즉, 이송암의 제2암(80b)이 기판이 탑재된 서셉터를 프로세스 챔버로부터 가져오면, 제1암(80a)이 서셉터 위의 기판을 흡착하여 서셉터와 분리시킨다. 그 후 제2암(80b)은 분리된 서셉터를 서셉터 거치대(70)에 위치시킨다. 그 후, 세정이 완료된 서셉터를 서셉터 세정 유닛(10)에서 빼내오고 세정하고자 하는 서셉터를 서셉터 거치대(70)로부터 이송하여 서셉터 세정 유닛(10)에 이송한다. 또한 이송암의 제1암은 기판 정렬 거치대(30)에 기판을 안착시키며, 기판 정렬이 완료되면 외부의 로드락 챔버(3)로 이송한다. 참고로 기판 정렬 후 냉각 거치대(40)에 기판을 임시 거치하여 기판을 냉각시킨 후 외부의 로드락 챔버로 이송할 수 있다.
한편, 트랜스퍼 챔버(2)의 내부에는 다수개의 서셉터를 서로 이격시켜 적층시켜 각 서셉터의 상부면에 불활성 세정 가스를 불어넣는 서셉터 세정 유닛(10)가 구비된다. 이하, 도면과 함께 상술한다.
도 5는 본 발명의 실시예에 따른 서셉터 세정 장치의 투과 사시도이며, 도 6은 본 발명의 실시예에 따른 서셉터 세정 장치의 단면도이며, 도 7은 본 발명의 실시예에 따른 보트의 사시도이며, 도 8은 본 발명의 실시예에 따라 서셉터가 보트에 이격 적층되어 있는 사시도이다.
서셉터 세정 장치(10)는, 기판을 지지하는 서셉터를 세정하는 장치로서 세정 하우징(100), 보트(200), 회전 구동체(300), 배출 포트(400), 슬라이드 도어(500), 가스 분사 수단(600)을 포함한다.
세정 하우징(100)은 세정 공간이 구비되어 세정 공간 내에서 서셉터(20)의 세정이 이루어진다. 세정 공간은 밀폐된 내부 공간으로서, 서셉터(20)의 입출이 이루어질 수 있는 슬라이딩 도어(500)를 구비한다. 트랜스퍼 챔버의 이송암에 의하여 서셉터가 실려 세정 하우징(100)으로 들어올 때는 슬라이딩 도어(500)는 오픈되며, 세정이 이루어지는 동안 슬라이딩 도어(500)는 닫혀서 세정 하우징(100)의 내부의 세정 공간을 원하는 진공압으로 유지시킨다. 세정이 이루어지고 난 후 슬라이딩 도어(500)는 오픈되어 이송암(transfer arm)에 의하여 세정 하우징 외부로 서셉터(20)가 배출된다. 세정 하우징(100)의 세정 공간은 진공 상태를 유지하며, 세정이 이루어질 때 세정 가스가 외부로 흘러나가지 않도록 한다. 세정 하우징(100)의 형상은, 세정 공간을 구비하고 있다면 그 형상에 제한없이 다양한 형상을 가질 수 있다. 세정 하우징의 내부는 진공압 상태를 유지하는데 10-4[Torr] 상태의 진공압을 유지함이 바람직하다. 세정 하우징의 내부 공간(세정 공간)에는 다수개의 서셉터(20)를 이격 적층시킬 수 있는 보트(200)가 구비된다.
보트(200;boat)는 세정 하우징(100)의 세정 공간에 수납되며, 다수개의 서셉터(20;20a,20b)를 서로 이격시켜 적층시킬 수 있다. 보트(200)에 이격 적층되는 서셉터(20)는 프로세스 챔버에서 기판 처리된 후 이송암에 의해 이송된 기판 지지판을 말한다. 서셉터(20)는 탄소(graphite) 재질로 된 판에 SiC 코팅되어 있다. 공정 진행 시에 프로세스 챔버에 기판을 탑재하여 서셉터(20)가 인입되며, 공정을 마친후에는 기판이 탑재된 채로 서셉터(20)가 이송챔버로 옮겨진다.
이송암(transfer arm)의 이송에 의하여 서셉터는 로딩/언로딩 시의 기판과의 접촉을 통해 미세 스크래치가 누적되어, 기판이 이송되고 난 후의 서셉터의 상부면은 파티클(particle)과 같은 미세 이물질이 남게 되는 문제가 발생한다. 본 발명의 실시예는 기판 처리 후 기판 이송되고 난 후의 서셉터(20)를 보트(200)에 각각 이격 적층시켜 질소(N2), 아르곤(Ar), 공기(air)과 같은 비활성 가스인 세정 가스에 의해 세정시킨다.
서셉터(200)를 이격 적층시키기 위하여 보트(200)는, 판 형태의 하부판(210a) 및 상부판(210b), 하부판 및 상부판을 잇는 다수개의 지지바 프레임(220;220a,220b,220c), 각 지지바 프레임의 내측벽에 다수개의 홈으로 파여진 홀더홈(230)을 포함한다. 보트의 재질은 알루미늄, 세라믹 재질 등으로 구현되는데, 하부판 및 상부판, 지지바 프레임이 알루미늄 또는 세라믹 재질로 구현된다.
하부판(210a) 및 상부판(210b)은 기판(wafer)의 형태와 대응되게 원형의 형태를 가지는데, 원판형 또는 링 형태를 가질 수 있다. 링 형태를 가지는 경우 원주 테두리가 일정한 두께를 가져 지지바 프레임을 지탱할 수 있도록 한다. 또한 하부판(210a) 및 상부판(210b)은 완전한 원형이 아닌 반원 형태를 가질 수 있는데, 하부판 및 상부판을 도 7 및 도 8에 도시한 바와 같이 반원판 또는 반원링 형태를 가지도록 구현할 수 있다.
지지바 프레임(220;200a,220b,22c)은 하부판(210a) 및 상부판(210b)을 서로 연결한다. 지지바 프레임(220)은 단면적을 가진 채로 바 형태의 길이를 가지는 막대 프레임 형태를 가진다. 지지바 프레임(220)의 단면적은 사각 형태의 예를 들어 설명하겠으나, 직각 형태 또는 원형 또는 마름모형 등 다양한 형태를 가질 수 있다. 지지바 프레임(220)의 길이 방향의 일끝단에 하부판(210a)이 연결되며, 다른 타끝단에 상부판(210b)이 연결된다. 지지바 프레임(220)에 의하여 하부판(210a)과 상부판(210b) 사이의 공간이 확보되어 서셉터(20)가 하부판(210a)과 상부판(210b) 사이에서 이격 적층될 수 있다. 지지바 프레임(220)은 하부판과 상부판 사이에 복수개 구비되어 서로 연결된다. 2개 이상의 지지바 프레임(220;220a,220b,220c)이 구비되어 하우징(210a)과 상부판(220b)을 서로 연결하여 지탱한다. 서셉터(20)가 하부판과 상부판 사이의 공간에 자유롭게 입출될 수 있도록, 서셉터(20)의 입출입되는 영역을 제외한 부분에 지지바 프레임(220)이 설치된다.
홀더홈(230;231,232)은 각 지지바 프레임(220a,220b,220c)의 내측벽에 각각 파여진 다수개의 홈이다. 홀더홈(230)은 각 지지바 프레임의 길이 방향을 따라서 내측벽 상에 이격된 채로 복수개 형성된다. 예컨대, 제1지지바 프레임(220a)에는 내측벽 상에 제1-1홀더홈(231a) 및 제1-2홀더홈(232a)이 형성되며, 제2지지바 프레임(220b)에는 제2-1홀더홈(231b) 및 제2-2홀더홈(232b)이 형성되며, 제3지지바 프레임(220c)에는 제3-1홀더홈(231c) 및 제3-2홀더홈(232c)이 형성된다. 지지바 프레임의 내측벽이라 함은, 지지바 프레임(220)의 일끝단 및 타끝단이 각각 하부판(210a) 및 상부판(220)에 연결되어 있을 때 하부판 및 상부판의 중심점을 바라보는 측벽을 말한다.
홀더홈(230;231,232)은 서셉터(20)의 가장자리의 하부면을 지지하는 지지면(2311,2321)과, 상기 서셉터(20)의 외경면에 닿는 홈측면(2312,2322)과, 상기 서셉터(20)의 가장자리의 상부면에 대향되는 반대면(2313,2323)을 포함한다. 홈측면(2312,2312)은 지지바 프레임의 내측벽에서 파여진 가장 바닥면으로서, 내측벽의 면과 평행한 면을 이룬다. 지지면(2311,2321)과 반대면(2313,2323)은 홈측면을 사이에 둔 홈의 벽면이다. 보트로 인입된 기판(20)은 각 지지바 프레임에 형성된 홀더홈(231,232)에 의해 지지되어 유지된다. 예컨대, 제1기판(20a)의 원주 가장자리는 제1지지바 프레임(220a)의 제1-1홀더홈(231a), 제2지지바 프레임(220b)의 제2-1홀더홈(231b), 제3지지바 프레임(220c)의 제3-1홀더홈(231c) 사이로 삽입되어 지지된다. 마찬가지로, 제2기판(20b)의 원주 가장자리는 제1지지바 프레임(220a)의 제1-2홀더홈(232a), 제2지지바 프레임(220b)의 제2-2홀더홈(232b), 제3지지바 프레임(220c)의 제3-2홀더홈(232c) 사이로 삽입되어 지지된다.
한편, 서셉터의 가장자리의 상부면에 대향되는 각 지지바 프레임의 반대면(2313,2323)의 경우 기울기를 가지도록 구현된다. 즉, 홈측면(2312,2322)과 반대면(2313,2323)의 사잇각은 직각보다 더 큰 둔각으로 형성되도록 하여, 반대면(2313,2323)이 서셉터(20)의 상부면과 평행되지 않도록 한다. 반대면(2313,2323)에 대해서 기울기를 가지도록 한 이유는, 이러한 반대면(2313,2323)에는 세정 가스 분사홀(610;611,612)이 형성되는데, 이러한 세정 가스 분사홀(610)에서 분사되는 세정 가스의 분사 방향이 서셉터의 안쪽을 향하도록 하기 위함이다. 세정 가스의 분사 방향을 도시한 도 9을 참고하면, 세정 가스 분사홀에서 나오는 세정 가스는 서셉터의 중심점 방향으로 향하게 됨을 알 수 있다.
가스분사수단(600)은 보트에 이격 적층된 서셉터(20)의 상부면 또는 하부면 중 어느 하나의 면에 세정가스를 분사하여, 서셉터(20)의 면에 존재하는 파티클을 제거하는 기능을 수행한다. 이를 위하여 가스 분사 수단(600)은, 세정 가스 탱크에 연결된 세정 가스 공급관(620)과, 세정 가스 분사홀(610)을 포함한다.
세정 가스 탱크(630;cleaning gas tank)는 세정 가스가 저장되어 있는 가스 저장 용기이다. 질소(N2)나 아르곤(Ar)이나 공기(air)과 같은 세정 가스를 저장하는 탱크가 구비되어, 세정 가스 공급관(620)으로 세정 가스를 공급한다. 세정 가스 탱크(630)에는 분사 압력 수단(미도시)이 구비되어 있어 세정 가스 탱크(630) 내의 세정 가스를 세정 가스 공급관으로 밀어낼 수 있도록 한다. 1회 세정 시에 보트(200) 내로 분사되는 세정 가스의 양은 10L~15L의 양을 가짐이 바람직하다. 실험을 통해 10L~15L의 양으로 세정할 때 세정 상태가 양호해짐을 확인할 수 있다.
세정 가스 공급관(620)은 세정 가스 탱크(630)와 세정 가스 분사홀(610)을 연결하는 파이프 통로관으로서, 세정 가스 탱크로부터 세정 가스를 공급받아 세정 가스 분사홀(610)에 전달한다. 세정 가스 공급관(620)은 지지바 프레임 내부에 위치하는데, 도 6에 도시한 바와 같이 보트의 바닥 저면에서 지지바 프레임(220)의 내부에 관통된 통로를 따라 가스 분사홀(610)에 연결된다. 즉, 세정 가스 공급관은 지지바 프레임의 길이 방향을 따라서 내부 관통되어 각각의 홀더홈(230)에 형성된 세정 가스 분사홀(610)에 연결된다. 참고로, 세정 가스 공급관은 보트(200)의 회전에 영향을 받지 않도록 다양한 형태로 형성될 수 있다. 예를 들어, 회전 구동체(300)의 내부에서 회전 구동체의 원주 방향을 따라 링 형태로 구현되어, 회전이 이루어지더라도 하부판(210a)의 내부에 형성된 세정 가스 공급관에 세정 가스를 공급할 수 있다.
한편, 세정 가스 분사 수단(600)은 세정 가스 분사홀 및 세정 가스 공급관의 구조가 아니라, 세정 하우징의 내부벽에서 보트를 향해 분사되도록 구현할 수 있다. 예컨대, 보트의 중심부를 향하는 분사성을 가지는 세정 가스 분사 수단을 세정 하우징(100)의 내부벽에 구비할 수 있다.
배출 포트(400)는 서셉터의 상부면에 분사된 세정 가스를 세정 챔버(100)의 외부로 배출시킨다. 서셉터에 대한 세정 가스 분사를 통한 세정을 진행하면서 동시에 세정 가스를 배출시키는 것이다. 배출 포트(400)는 세정 하우징의 세정 공간에 잔존하는 세정 가스를 외부로 배출한다. 세정 가스 배출에 의하여 파티클(particle)과 같은 미세 이물질이 함께 외부로 배출될 수 있다. 서셉터 세정 장치가 트랜스퍼 챔버 내부에 마련되는 경우, 배출 포트(400)는 트랜스퍼 챔버의 배출 포트와 연결되어 외부로 세정 가스를 배출시킨다. 또는, 배출 포트(400)는 별도의 펌프에 연결되어 세정가스를 배출시킬 수 있다.
한편, 서셉터 세정 장치는, 보트(200)를 회전시키는 회전 구동체(300)를 더 포함한다. 세정 가스 분사와 함께 보트도 함께 회전시킴으로써, 서셉터의 표면에 있는 파티클이 쉽게 떨어져 나갈 수 있도록 한다. 회전 구동체(300)는 다양한 형태로 구현할 수 있는데, 보트의 하부면에 회전 구동체(300)를 두고 회전 구동체를 모터(350)로 회전시켜 보트를 회전시킨다. 도 10은 보트의 하부에 마련된 회전 구동체를 도시한 것으로서, 회전 구동체(300)가 보트의 하부판에 연결되어 있어 회전 구동체의 회전에 의하여 보트 역시 회전하게 된다. 회전 구동체는 모터 등으로 구현될 수 있다.
한편, 본 발명의 실시 예와 같이 서셉터 거치대, 기판 정렬 유닛, 이송암, 서셉터 세정 유닛, 냉각 거치대를 포함하는 트랜스퍼 챔버에서의 기판 로딩 및 기판 언로딩 시의 이송 과정을 설명한다.
도 11은 본 발명의 실시예에 따라 트랜스퍼 챔버에서 프로세스 챔버로 기판을 로딩하는 과정을 도시한 개념도이다.
로딩 모드(loading mode)로 동작할 시에 이송암은 기판을 외부의 로드락 챔버로부터 이송하여 상기 기판 정렬 유닛에 위치시키며, 기판 정렬 유닛에서 정렬이 완료된 기판을 흡착한 후 서셉터 거치대로부터 이송해온 서셉터의 상부면에 탑재하며, 기판이 탑재된 서셉터를 프로세스 챔버로 이송한다. 상술하면, 로딩 모드로 동작하기 위해서는 우선, 이송암의 제1암은 외부의 로드락 챔버에 있는 기판을 진공척 파지하여 트랜스퍼 챔버 내부로 이송한다. 이송된 기판은 도 11(a)에 도시한 바와 같이 기판 정렬 유닛에 놓이며, 도 11(b)와 같이 기판 정렬 유닛에서 기판 정렬바(32)에 의해 센터링 정렬된다. 정렬된 기판은 도 11(c)에 도시한 바와 같이 제1암(80a)에 의해 진공척 파지된다. 한편, 이송암의 제2암은 도 11(d)에 도시한 바와 같이 서셉터 거치대(70)에서 서셉터(W)를 파지하여, 도 11(e)에서 도시한 바와 같이 이송암의 제1암에 의해 흡착된 기판이 서셉터의 상부면에 탑재된다. 이송암의 제2암(80b)은 기판을 탑재한 서셉터를 프로세스 챔버로 로딩하여, 기판 처리가 이루어지도록 한다.
도 12는 본 발명의 실시예에 따라 트랜스퍼 챔버에서의 기판 언로딩 과정을 도시한 개념도이다.
언로딩 모드(unloading mode)로 동작할 시에 이송암은, 기판이 탑재된 서셉터를 프로세스 챔버로부터 이송하여 기판과 서셉터를 분리하여, 분리된 서셉터를 서셉터 거치대에 거치하고 분리된 기판을 기판 정렬 유닛에 각각 거치하며, 서셉터 거치대에 놓인 서셉터를 파지하여 상기 서셉터 세정 유닛에 이송하고 기판 정렬 유닛에서 정렬된 기판을 외부의 로드락 챔버로 이송한다. 상술하면, 우선 언로딩 모드로 동작할 시에 도 12(a)에 도시한 바와 같이 이송암의 제2암(80b)은 프로세스 챔버로부터 공정 처리된 기판이 탑재된 서셉터(20)를 파지한다. 파지한 서셉터를 트랜스퍼 챔버 내부로 이송하여 도 12(b)에 도시한 바와 같이 이송암의 제1암(80a)이 기판을 진공척 파지하여 서셉터와 분리시킨다. 분리된 기판은 기판 정렬 유닛에 놓여 도 12(c)와 같이 기판 정렬이 이루어지고 난 후 제1암에 의해 다시 파지되어 도 12(d) 냉각 거치대를 경유하여 도 12(e)와 같이 외부의 로드락 챔버의 기판 이송 용기(wafer carrier)에 이송된다.
한편, 프로세스 챔버에서 이송해온 서셉터에서 기판을 분리시켜 기판이 제거된 서셉터는 도 13(a)에 도시한 바와 같이 트랜스퍼 챔버 내부에 위치한 서셉터 거치대에 이격 적층된다. 서셉터 거치대에 놓인 서셉터를 트랜스퍼 챔버 내부의 서셉터 세정 유닛으로 도 13(b)와 같이 이송한다. 서셉터 세정 유닛에서 세정 완료된 서셉터는 도 13(a)에 도시한 바와 같이 서셉터 거치대로 다시 이송되어 거치된다. 따라서 기판 로딩 시에 이러한 세정된 서셉터가 다시 사용될 수 있다.
본 발명을 첨부 도면과 전술된 바람직한 실시예를 참조하여 설명하였으나, 본 발명은 그에 한정되지 않으며, 후술되는 특허청구범위에 의해 한정된다. 따라서, 본 기술분야의 통상의 지식을 가진 자라면 후술되는 특허청구범위의 기술적 사상에서 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 변형 및 수정할 수 있다.
1: 프로세스 챔버 2: 트랜스퍼 챔버
3: 로드락 챔버 10: 서셉터 세정 유닛
20: 서셉터 30: 기판 정렬 유닛
31: 기판 지지 수단 32: 정렬바
40: 냉각 거치대 70: 서셉터 거치대
80: 이송암

Claims (22)

  1. 한 개 또는 복수개의 서셉터가 거치되는 서셉터 거치대;
    기판을 정렬시키는 기판 정렬 유닛;
    상기 서셉터 거치대에 놓인 서셉터와 상기 기판 정렬 유닛에 놓인 기판을 파지하여 각각 별개로 이송하거나 또는 서셉터 위에 기판을 탑재하여 함께 이송하는 이송암;
    상기 서셉터 거치대로부터 이송되어 오는 복수의 서셉터를 이격 적층시켜 각 서셉터의 상부면 또는 하부면 중 적어도 어느 하나의 면에 불활성 세정 가스를 불어넣는 서셉터 세정 유닛;
    을 포함하는 트랜스퍼 챔버 장치.
  2. 청구항 1에 있어서, 기판을 거치하며 거치된 기판을 냉각시키는 냉각 거치대를 포함하는 트랜스퍼 챔버 장치.
  3. 청구항 1 또는 청구항 2에 있어서, 상기 기판 정렬 유닛은,
    기판을 지지하는 기판 지지 수단;
    상기 기판 지지 수단에 놓인 기판을 미리 설정한 위치로 센터링 정렬시키는 기판 정렬바;
    를 포함하는 트랜스퍼 챔버 장치.
  4. 청구항 1 또는 청구항 2에 있어서, 상기 이송암은,
    상기 기판을 진공척에 의해 흡착하는 제1암;
    상기 서셉터를 파지하여 이송하는 제2암;
    을 포함하는 트랜스퍼 챔버 장치.
  5. 청구항 1 또는 청구항 2에 있어서, 로딩 모드로 동작 시에 상기 이송암은, 기판을 외부의 로드락 챔버로부터 이송하여 상기 기판 정렬 유닛에 위치시키며, 기판 정렬 유닛에서 정렬이 완료된 기판을 흡착한 후 서셉터 거치대로부터 이송해온 서셉터의 상부면에 탑재하며, 기판이 탑재된 서셉터를 프로세스 챔버로 이송하는 트랜스퍼 챔버 장치.
  6. 청구항 1 또는 청구항 2에 있어서, 언로딩 모드로 동작 시에 상기 이송암은, 기판이 탑재된 서셉터를 프로세스 챔버로부터 이송하여 기판과 서셉터를 분리하여, 분리된 서셉터를 서셉터 거치대에 거치하고 분리된 기판을 기판 정렬 유닛에 각각 거치하며, 서셉터 거치대에 놓인 서셉터를 파지하여 상기 서셉터 세정 유닛에 이송하고 기판 정렬 유닛에서 정렬된 기판을 외부의 로드락 챔버로 이송하는 트랜스퍼 챔버 장치.
  7. 청구항 1 또는 청구항 2에 있어서, 상기 서셉터 세정 유닛은,
    세정 공간을 가지는 세정 하우징;
    상기 세정 하우징의 내부에 수납되며, 한 개 또는 복수개의 서셉터를 서로 이격시켜 적층시킬 수 있는 보트;
    이격 적층된 각 서셉터의 상부면, 하부면 중 어느 하나 이상에 세정 가스를 분사하는 가스 분사 수단;
    분사되는 세정 가스를 세정 챔버의 외부로 배출시키는 배출 포트;
    를 포함하는 트랜스퍼 챔버 장치.
  8. 청구항 7에 있어서, 상기 서셉터 세정 유닛은,
    상기 보트를 회전시키는 회전 구동체를 포함하는 트랜스퍼 챔버 장치.
  9. 청구항 7에 있어서, 상기 보트는,
    판 형태의 하부판 및 상부판;
    상기 하부판 및 상부판을 잇는 다수개의 지지바 프레임;
    각 지지바 프레임의 내측벽에 다수개의 홈으로 파여진 홀더홈;
    를 포함하는 트랜스퍼 챔버 장치.
  10. 청구항 9에 있어서, 상기 홀더홈은,
    서셉터의 가장자리의 하부면을 지지하는 지지면;
    상기 지지면과 이격되고 대향되는 반대면;
    상기 지지면과 반대면이 연결되는 홈측면;
    을 포함하는 서셉터 세정 유닛.
  11. 청구항 10에 있어서, 상기 홈측면과 반대면의 사잇각은 둔각으로 형성되는 서셉터 세정 유닛.
  12. 청구항 1 또는 청구항 2에 있어서, 상기 가스 분사 수단은, 이격 적층된 각 서셉터의 상부면의 중심 내측을 향하는 방향성을 가지도록 세정 가스를 분사하는 서셉터 세정 유닛.
  13. 청구항 12에 있어서, 상기 가스 분사 수단은,
    적어도 하나 이상 형성된 세정 가스 분사홀;
    상기 세정 가스 분사홀에 세정가스를 공급하는 세정 가스 공급관;
    을 포함하는 서셉터 세정 유닛.
  14. 청구항 13에 있어서, 상기 세정 가스 공급관은, 상기 보트의 바닥 저면에서 상기 지지바 프레임의 내부에 관통된 통로를 따라 상기 가스 분사홀에 연결되는 서셉터 세정 유닛.
  15. 청구항 12에 있어서, 상기 가스 분사 수단은, 이격 적층된 각 서셉터의 상부면의 중심 내측을 향하여 세정가스를 분사하는 노즐을 상기 세정 하우징의 내측벽에 형성하는 서셉터 세정 유닛.
  16. 기판 처리가 이루어지는 프로세스 챔버;
    진공 상태에서 대기 상태로, 또는 대기 상태에서 진공 상태로 변화되는 로드락 챔버;
    상기 로드락 챔버 내에서 이송된 기판을 서셉터에 탑재시킨 후 기판 탑재된 서셉터를 상기 프로세스 챔버로 이송하며, 상기 프로세스 챔버로부터 이송된 서셉터에서 기판을 분리하여 상기 로드락 챔버로 이송하는 트랜스퍼 챔버;
    상기 트랜스퍼 챔버에 연결되며, 다수개의 서셉터를 서로 이격시켜 적층시켜 각 서셉터의 상부면에 불활성 세정 가스를 불어넣는 서셉터 세정 유닛;
    를 포함하는 기판 처리 장치.
  17. 청구항 16에 있어서, 상기 트랜스퍼 챔버는,
    한 개 또는 복수개의 서셉터가 거치되는 서셉터 거치대;
    기판을 정렬시키는 기판 정렬 유닛;
    상기 서셉터 거치대에 놓인 서셉터와 상기 기판 정렬 유닛에 놓인 기판을 각각 별개로 이송하거나 또는 서셉터 위에 기판을 탑재하여 함께 이송하는 이송암;
    상기 서셉터 거치대로부터 이송되는 한 개 또는 복수개의 서셉터를 이격 적층시켜 각 서셉터의 상부면 또는 하부면 중 적어도 어느 하나의 면에 불활성 세정 가스를 불어넣는 서셉터 세정 유닛;
    을 포함하는 기판 처리 장치.
  18. 청구항 17에 있어서, 상기 서셉터 세정 유닛은,
    세정 공간을 가지는 세정 하우징;
    상기 세정 하우징의 세정 공간에 위치하며, 한 개 또는 복수개의 서셉터를 서로 이격시켜 적층시킬 수 있는 보트;
    이격 적층된 각 서셉터의 상부면에 불활성 세정 가스를 불어넣는 가스 분사 수단;
    상기 서셉터의 상부면에 분사된 세정 가스를 세정 챔버의 외부로 배출시키는 배출 포트;
    를 포함하는 기판 처리 장치.
  19. 청구항 18에 있어서, 상기 보트는,
    판 형태의 하부판 및 상부판;
    상기 하부판 및 상부판을 잇는 지지바 프레임;
    상기 지지바 프레임의 내측벽에 다수개의 홈으로 파여진 홀더홈;
    를 포함하는 기판 처리 장치.
  20. 외부의 로드락 챔버로부터 기판을 트랜스퍼 챔버 내부로 이송시키는 과정;
    기판을 정렬시킨 후 정렬된 기판을 파지하는 과정;
    서셉터를 파지하여, 파지한 서셉터 상부에 상기 정렬된 기판을 탑재시키는 과정;
    상기 기판이 탑재된 서셉터를 프로세스 챔버 내의 메인 서셉터의 상부면에 이송시켜 기판 처리를 진행하는 과정;
    을 포함하는 기판 이송 방법.
  21. 기판 처리가 완료된 서셉터를 트랜스퍼 챔버 내부로 이송하여 서셉터와 기판을 분리하는 과정;
    분리된 기판을 트랜스퍼 챔버 내부에 위치한 기판 정렬 유닛에 위치시켜 정렬시키는 과정;
    기판 정렬 유닛에서 정렬된 기판을 외부의 로드락 챔버로 이송하는 과정;
    을 포함하는 기판 이송 방법.
  22. 청구항 21에 있어서,
    분리된 서셉터를 트랜스퍼 챔버 내부에 위치한 서셉터 거치대에 이격 적층하는 과정;
    서셉터 거치대에 놓인 서셉터를 트랜스퍼 챔버 내부의 서셉터 세정 유닛으로 이송시키는 과정;
    상기 서셉터 세정 유닛에서 세정 완료된 서셉터를 상기 서셉터 거치대로 이송하는 과정;
    을 포함하는 기판 이송 방법.
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KR101942511B1 (ko) * 2018-04-11 2019-01-29 (주)앤피에스 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법

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