KR20130134780A - Light emitting diode device - Google Patents

Light emitting diode device Download PDF

Info

Publication number
KR20130134780A
KR20130134780A KR1020120058535A KR20120058535A KR20130134780A KR 20130134780 A KR20130134780 A KR 20130134780A KR 1020120058535 A KR1020120058535 A KR 1020120058535A KR 20120058535 A KR20120058535 A KR 20120058535A KR 20130134780 A KR20130134780 A KR 20130134780A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
lead electrode
zener diode
led chip
light emitting
emitting diode
Prior art date
Application number
KR1020120058535A
Other languages
Korean (ko)
Other versions
KR101974088B1 (en
Inventor
이수헌
Original Assignee
엘지디스플레이 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 엘지디스플레이 주식회사 filed Critical 엘지디스플레이 주식회사
Priority to KR1020120058535A priority Critical patent/KR101974088B1/en
Publication of KR20130134780A publication Critical patent/KR20130134780A/en
Application granted granted Critical
Publication of KR101974088B1 publication Critical patent/KR101974088B1/en

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/62—Arrangements for conducting electric current to or from the semiconductor body, e.g. lead-frames, wire-bonds or solder balls
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805—Shape
    • H01L2224/4809—Loop shape
    • H01L2224/48091—Arched
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481—Disposition
    • H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
    • H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481—Disposition
    • H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
    • H01L2224/48257—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a die pad of the item

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Led Device Packages (AREA)

Abstract

The present invention relates to a light emitting diode capable of improving luminous efficiency by covering a zener diode. The light emitting diode according to an embodiment of the present invention includes: a frame which is formed in a preset inner space; one or more LED chips which are mounted on the frame and generate light; a positive lead electrode and a negative lead electrode which supply a driving current to the LED chip; a zener diode which is mounted between the positive lead electrode and the negative lead electrode; a connection part which is formed between the zener diode and the positive lead electrode and between the zener diode and the negative lead electrode; and a molding unit which seals the LED chip. The zener diode is covered on the horizontal line of the LED chip.

Description

발광 다이오드{LIGHT EMITTING DIODE DEVICE}[0001] LIGHT EMITTING DIODE DEVICE [0002]

본 발명은 제너 다이오드를 은폐시켜 광 효율을 향상시킬 수 있는 발광 다이오드에 관한 것이다.The present invention relates to a light emitting diode capable of enhancing light efficiency by concealing a zener diode.

발광 다이오드(LED: Light Emitting Diode)는 P-N 반도체의 접합구조를 가지는 발광 다이오드 칩(이하, 'LED 칩' 이라 함)을 포함하며, LED 칩에 순방향 전압이 인가될 때 전자와 정공의 재결합에 의해 광을 발생시킨다.2. Description of the Related Art A light emitting diode (LED) includes a light emitting diode chip (hereinafter referred to as LED chip) having a PN semiconductor junction structure. When a forward voltage is applied to the LED chip, Thereby generating light.

이러한, 발광 다이오드는 우수한 단색성 피크 파장을 가지며, 광 효율성이 우수하고 소형화 및 저전력 소모의 장점이 있어 다양한 디스플레이 장치, 차량용 조명 및 경관 조명등의 소자로 사용되고 있으며 적용이 확대되고 있다.Such a light emitting diode has excellent monochromatic peak wavelength, is excellent in light efficiency, has advantages of miniaturization and low power consumption, and is being used as an element of various display devices, automotive lighting, and landscape lighting, and its application is being expanded.

종래에 조명장치 또는 액정 표시장치의 백라이트 광원으로 사용되고 있는 형광램프를 대체할 수 있는 고출력, 고효율 광원으로서 발광 다이오드의 개발이 이루어지고 있다.A light emitting diode has been developed as a high-power, high-efficiency light source that can replace a fluorescent lamp used as a backlight source of a lighting device or a liquid crystal display device in the past.

최근에 들어, 발광 다이오드는 전자기기 및 정보통신기기의 슬림화의 추세에 따라 인쇄회로기판(PCB: Printed Circuit Board)에 직접 실장되는 표면실장소자(SMD: Surface Mount Device)의 형태로 제조되고 있다.In recent years, light emitting diodes have been manufactured in the form of surface mount devices (SMD) that are directly mounted on printed circuit boards (PCBs) in accordance with the trend of slimming of electronic devices and information communication devices.

도 1은 종래 기술에 따른 발광 다이오드를 나타내는 도면이다. 도 1에서는 종래 기술에 따른 발광 다이오드의 평면도와 함께, A1-A2 선에 따른 단면을 도시하고 있다.1 is a view illustrating a light emitting diode according to a related art. FIG. 1 is a plan view of a light emitting diode according to the prior art, and shows a cross section along a line A1-A2.

도 1을 참조하면, 종래 기술에 따른 발광 다이오드는 프레임(10), 리드 전극(20), 제너 다이오드(30, Zener diode), LED 칩(40), 몰딩부(50) 및 전도성 와이어(60)를 포함한다.1, a light emitting diode according to the related art includes a frame 10, a lead electrode 20, a zener diode 30, an LED chip 40, a molding part 50, and a conductive wire 60, .

프레임(10)은 하단부에서 상단부로 갈수록 넓어지는 컵 형상을 가지며 내부에 소정 공간이 마련된다. 프레임(10)의 내부 공간에 리드 전극(20), 제너 다이오드(30), LED 칩(40)이 실장된다.The frame 10 has a cup shape extending from the lower end to the upper end and has a predetermined space therein. The lead electrode 20, the zener diode 30, and the LED chip 40 are mounted in the inner space of the frame 10.

리드 전극(20)은 LED 칩(40)에 전원을 공급하기 위한 것으로, 포지티브(+) 극성의 전류를 공급하는 포지티브 리드 전극(22)과 네거티브(-) 극성의 전류를 공급하는 네거티브 리드 전극(24)으로 구성된다. 이러한, 리드 전극(20) 상에 LED 칩(40)이 배치된다.The lead electrode 20 is for supplying power to the LED chip 40 and includes a positive lead electrode 22 for supplying a positive polarity current and a negative lead electrode 22 for supplying a current of a negative polarity 24). The LED chip 40 is disposed on the lead electrode 20.

몰딩부(50)는 프레임(10) 내부에 몰드 물질이 디스펜싱되어 형성되며, 몰딩부(50)를 통해 LED 칩(40)을 습기 및 외부 요인들로부터 보호한다. 한편, 몰딩부(50)는 LED 칩(40)에서 출사되는 광을 원하는 색으로 형성시키기 위한 형광물질을 포함할 수 있다.The molding part 50 is formed by disposing a mold material inside the frame 10 and protects the LED chip 40 from moisture and external factors through the molding part 50. Meanwhile, the molding unit 50 may include a fluorescent material for forming the light emitted from the LED chip 40 into a desired color.

LED 칩(40)은 프레임(10)의 내부에 실장되어 리드 전극(20)으로부터 공급되는 전류를 이용하여 광을 발생시킨다. LED 칩(40)의 양극은 전도성 와이어(60)를 통해 포지티브 리드 전극(22)과 접속되고, 음극은 전도성 와이어(60)를 통해 네거티브 리드 전극(24)과 접속된다.The LED chip 40 is mounted inside the frame 10 to generate light using a current supplied from the lead electrode 20. The anode of the LED chip 40 is connected to the positive lead electrode 22 through the conductive wire 60 and the cathode is connected to the negative lead electrode 24 through the conductive wire 60.

LED 칩(40)은 P-N 반도체로 구성되어 정전기 또는 역전압과 같은 전기적 충격에 취약하다. 프레임(10) 내에는 LED 칩(40)을 전기적 충격으로부터 보호하기 위한 제너 다이오드(30)가 실장된다. 제너 다이오드(30)의 음극은 네거티브 리드 전극(24)과 접속되고, 양극은 전도성 와이어(60)를 통해 포지티브 리드 전극(22)과 접속된다.The LED chip 40 is made of P-N semiconductor and is vulnerable to an electric shock such as static electricity or reverse voltage. A zener diode (30) for protecting the LED chip (40) from electric shock is mounted in the frame (10). The negative electrode of the Zener diode 30 is connected to the negative lead electrode 24 and the positive electrode is connected to the positive lead electrode 22 through the conductive wire 60.

LED 칩(40)을 전기적 충격으로부터 보호하는 정전압 다이오드인 제너 다이오드(30)는 PN 접합의 항복(Breakdown) 영역에서의 정전압 동작 특성을 통해 LED 칩(40)을 보호한다.A zener diode 30, which is a constant voltage diode that protects the LED chip 40 from an electric shock, protects the LED chip 40 through the constant voltage operation characteristic in the breakdown region of the PN junction.

상술한 구성을 가지는 종래 기술에 따른 발광 다이오드는 상기 제너 다이오드(30)와 LED 칩(40)이 수평 선상에서 나란하게 실장된 구조를 가진다. LED 칩(40)에서 발생된 광은 정면 방향뿐만 아니라 측면 방향으로도 출사되는데, LED 칩(40)에서 발광되는 광 중에서 측면 방향으로 출사되는 광을 제너 다이오드(30)가 흡수하거나 산란시키게 된다.The light emitting diode according to the related art having the above-described structure has a structure in which the zener diode 30 and the LED chip 40 are mounted in parallel on a horizontal line. The light emitted from the LED chip 40 is emitted not only in the front direction but also in the lateral direction. The zener diode 30 absorbs or scatters light emitted in the lateral direction in the light emitted from the LED chip 40.

LED 칩(40)에서 측면 방향으로 출사되는 광은 전체 광량 중에서 10% 정도를 차지하게 되는데, 제너 다이오드(30)로 인해 LED 칩(40)에서 출사되는 측 광이 흡수하거나 산란되면 발광 다이오드에서 출사되는 광 효율이 저하되어 광의 휘도가 낮아지는 문제점이 있다. 또한, 별도의 전도성 와이어(60)로 제너 다이오드(30)와 리드 전극(20)을 연결시켜야 함으로, 제조효율 및 광 효율이 저하되는 문제점도 있다.The light emitted from the LED chip 40 in the lateral direction occupies about 10% of the total light amount. When the side light emitted from the LED chip 40 is absorbed or scattered by the Zener diode 30, There is a problem that the brightness of light is lowered. Further, since the Zener diode 30 and the lead electrode 20 are connected to each other by the conductive wire 60, there is a problem that the manufacturing efficiency and the light efficiency are deteriorated.

본 발명은 상술한 문제점을 해결하기 위한 것으로서, 제너 다이오드를 은폐시켜 광 효율을 향상시킬 수 있는 발광 다이오드를 제공하는 것을 기술적 과제로 한다.SUMMARY OF THE INVENTION The present invention provides a light emitting diode capable of improving light efficiency by concealing a zener diode.

본 발명은 상술한 문제점을 해결하기 위한 것으로서, 제너 다이오드에 의한 광 흡수 및 광 산란 현상을 방지할 수 있는 발광 다이오드를 제공하는 것을 기술적 과제로 한다.SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made to solve the above-mentioned problems, and it is an object of the present invention to provide a light emitting diode capable of preventing light absorption and light scattering by a zener diode.

본 발명은 상술한 문제점을 해결하기 위한 것으로서, 리드 전극과 제너 다이오드의 연결을 위한 전도성 와이어를 삭제시킬 수 있는 발광 다이오드를 제공하는 것을 기술적 과제로 한다.SUMMARY OF THE INVENTION It is an object of the present invention to provide a light emitting diode capable of eliminating a conductive wire for connection between a lead electrode and a zener diode.

위에서 언급된 본 발명의 기술적 과제 외에도, 본 발명의 다른 특징 및 이점들이 이하에서 기술되거나, 그러한 기술 및 설명으로부터 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.Other features and advantages of the invention will be set forth in the description which follows, or may be obvious to those skilled in the art from the description and the claims.

본 발명의 실시 예에 따른 발광 다이오드는 내부에 소정 공간이 마련되는 프레임; 상기 프레임에 실장되어 광을 발생시키는 하나 이상의 LED 칩; 상기 LED 칩에 구동 전류를 공급하는 포지티브 리드 전극과 네거티브 리드 전극; 상기 포지티브 리드 전극과 상기 네거티브 리드 전극 사이에 실장된 제너 다이오드; 상기 제너 다이오드와 포지티브 리드 전극 사이 및 상기 제너 다이오드와 네거티브 리드 전극 사이에 형성된 접속부; 상기 LED 칩을 봉지하는 몰딩부를 포함하고, 상기 제너 다이오드는 상기 LED 칩의 수평 선상에서 은폐된 것을 특징으로 한다.A light emitting diode according to an embodiment of the present invention includes a frame having a predetermined space therein; One or more LED chips mounted on the frame to generate light; A positive lead electrode and a negative lead electrode for supplying driving current to the LED chip; A zener diode mounted between the positive lead electrode and the negative lead electrode; A connection portion formed between the Zener diode and the positive lead electrode and between the Zener diode and the negative lead electrode; And a molding part for sealing the LED chip, wherein the Zener diode is hidden on a horizontal line of the LED chip.

본 발명의 실시 예에 따른 발광 다이오드는 프레임 내에서 제너 다이오드를 은폐시켜 제너 다이오드로 인한 광 흡수 및 광 산란 현상을 방지할 수 있다. 이를 통해, 발광 다이오드의 광 효율을 높여 광의 휘도를 향상시킬 수 있다.The light emitting diode according to the embodiment of the present invention can conceal the zener diode in the frame to prevent light absorption and light scattering due to the zener diode. Thus, the light efficiency of the light emitting diode can be increased to improve the luminance of the light.

본 발명의 실시 예에 따른 발광 다이오드는 리드 전극과 제너 다이오드의 연결을 위한 전도성 와이어를 삭제하여 제조효율 및 광 효율을 향상시킬 수 있다.The light emitting diode according to the embodiment of the present invention can improve the manufacturing efficiency and the light efficiency by eliminating the conductive wire for connecting the lead electrode and the Zener diode.

위에서 언급된 본 발명의 특징 및 효과들 이외에도 본 발명의 실시 예들을 통해 본 발명의 또 다른 특징 및 효과들이 새롭게 파악될 수도 있을 것이다.Other features and effects of the present invention may be newly understood through the embodiments of the present invention in addition to the features and effects of the present invention mentioned above.

도 1은 종래 기술에 따른 발광 다이오드를 나타내는 도면.
도 2는 본 발명의 제1 실시 예에 따른 발광 다이오드의 평면도.
도 3 및 도 4는 본 발명의 제1 실시 예에 따른 발광 다이오드의 단면도.
도 5는 본 발명의 제1 실시 예에 따른 발광 다이오드에서 제너 다이오드를 은폐시키는 구조 및 방법을 나타내는 도면.
도 6은 본 발명의 제1 실시 예에 따른 발광 다이오드에서 제너 다이오드를 은폐시키는 다른 실시 예를 나타내는 도면.
도 7은 본 발명의 제1 실시 예에 따른 발광 다이오드에서 제너 다이오드를 은폐시키는 또 다른 실시 예를 나타내는 도면.
도 8은 본 발명의 제2 실시 예에 따른 발광 다이오드의 평면도.
도 9는 본 발명의 제2 실시 예에 따른 발광 다이오드의 단면도.
도 10은 본 발명의 제2 실시 예에 따른 발광 다이오드에서 제너 다이오드를 은폐시키는 다른 실시 예를 나타내는 도면.BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS Fig. 1 is a view of a light emitting diode according to the prior art; Fig.
2 is a plan view of a light emitting diode according to a first embodiment of the present invention;
3 and 4 are cross-sectional views of a light emitting diode according to a first embodiment of the present invention.
5 illustrates a structure and a method for concealing a zener diode in a light emitting diode according to a first embodiment of the present invention.
6 is a view showing another embodiment of concealing a Zener diode in a light emitting diode according to the first embodiment of the present invention.
7 is a view showing another embodiment for concealing a Zener diode in a light emitting diode according to the first embodiment of the present invention.
8 is a plan view of a light emitting diode according to a second embodiment of the present invention.
9 is a sectional view of a light emitting diode according to a second embodiment of the present invention.
10 is a view showing another embodiment for concealing a Zener diode in a light emitting diode according to a second embodiment of the present invention.

이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시 예들에 따른 발광 다이오드에 대하여 설명하기로 한다.Hereinafter, a light emitting diode according to embodiments of the present invention will be described with reference to the accompanying drawings.

도 2는 본 발명의 제1 실시 예에 따른 발광 다이오드의 평면도이고, 도 3 및 도 4는 본 발명의 제1 실시 예에 따른 발광 다이오드의 단면도이다. 도 3에서는 도 2의 B1-B2 선에 따른 단면을 도시하고 있다.FIG. 2 is a plan view of a light emitting diode according to a first embodiment of the present invention, and FIGS. 3 and 4 are sectional views of a light emitting diode according to a first embodiment of the present invention. Fig. 3 shows a cross section taken along the line B1-B2 in Fig.

도 2 내지 도 4를 참조하면, 본 발명의 제1 실시 예에 따른 발광 다이오드(100)는 프레임(110), 리드 전극(120), 제너 다이오드(130, Zener diode), LED 칩(140), 몰딩부(150), 전도성 와이어(160, conductibility wire) 및 접속부(170)를 포함한다.2 to 4, a light emitting diode 100 according to a first embodiment of the present invention includes a frame 110, a lead electrode 120, a zener diode 130, an LED chip 140, A molding part 150, a conductive wire 160, and a connection part 170. [

프레임(110)은 하단부에서 상단부로 갈수록 넓어지는 컵 형상을 가지며 내부에 소정 공간이 마련된다. 프레임(110)의 내부 공간에 리드 전극(120), 제너 다이오드(130), LED 칩(140)이 실장된다. 프레임(110)의 측벽은 광 반사 물질이 도포되거나, 반사 필름이 부착되어 광 반사면으로 형성될 수 있다.The frame 110 has a cup shape extending from the lower end to the upper end and has a predetermined space therein. A lead electrode 120, a zener diode 130, and an LED chip 140 are mounted in an inner space of the frame 110. [ The sidewall of the frame 110 may be formed of a light reflective surface to which a reflective material is applied or a reflective film attached thereto.

리드 전극(120)은 LED 칩(140)에 전원을 공급하기 위한 것으로, 포지티브(+) 극성의 전류를 공급하는 포지티브 리드 전극(122)과, 네거티브(-) 극성의 전류를 공급하는 네거티브 리드 전극(124)으로 구성된다.The lead electrode 120 is for supplying power to the LED chip 140 and includes a positive lead electrode 122 for supplying a positive polarity current and a negative lead electrode 122 for supplying a current of a negative polarity, (124).

포지티브 리드 전극(122)과 네거티브 리드 전극(124)은 소정 간격을 두고 형성되며, 상기 두 리드 전극(122, 124) 사이에 제너 다이오드(130)가 실장된다. 제너 다이오드(130)의 배치 구조에 대해서는 이후 상세히 설명하기로 한다.The positive lead electrode 122 and the negative lead electrode 124 are formed at predetermined intervals and a Zener diode 130 is mounted between the two lead electrodes 122 and 124. The arrangement of the zener diode 130 will be described later in detail.

LED 칩(140)은 프레임(110)의 하단 중앙부 예로서, 포지티브 리드 전극(122) 상에 배치되며, 전도성 와이어(160)를 통해 리드 전극(120)과 전기적으로 접속된다. 리드 전극(120)을 통해 LED 칩(140)으로 구동 전원이 공급되어 LED 칩(140)에서 광이 생성된다.The LED chip 140 is disposed on the positive lead electrode 122 and is electrically connected to the lead electrode 120 through the conductive wire 160 as an example of the lower end center portion of the frame 110. [ Driving power is supplied to the LED chip 140 through the lead electrode 120 to generate light in the LED chip 140.

이를 위해, LED 칩(140)의 양극은 전도성 와이어(160)를 통해 포지티브 리드 전극(122)과 접속되고, LED 칩(140)의 음극은 전도성 와이어(160)를 통해 네거티브 리드 전극(124)과 접속된다.The anode of the LED chip 140 is connected to the positive lead electrode 122 through the conductive wire 160 and the cathode of the LED chip 140 is connected to the negative lead electrode 124 through the conductive wire 160 Respectively.

여기서, LED 칩(140)은 GaAs, AlGaAs, GaN, InGaInP 등의 화합물 반도체(compound semiconductor)로 형성되며, 전류가 인가되면 반도체를 구성하는 물질의 특성에 따른 파장의 광(색 광)을 발생시킨다.Here, the LED chip 140 is formed of compound semiconductors such as GaAs, AlGaAs, GaN, and InGaInP. When the current is applied, the LED chip 140 generates light (color light) having a wavelength corresponding to a characteristic of a material constituting the semiconductor .

일 예로서, LED 칩(140)이 청색광을 발생시키는 경우, LED 칩(140)은 사파이어 기판 상에 형성되는 N형 GaN 층, N형 GaN 층 표면의 일측 상에 형성되는 N-메탈층, N-메탈이 형성된 영역 이외에 형성되는 활성층, 활성층 상에 형성되는 P형 GaN 층 및 P형 GaN 층 상에 형성되는 P-메탈층을 포함하여 구성될 수 있다. 여기서, 활성층은 P 메탈을 통해 전송되는 정공과 N 메탈을 통해 전송되는 전자가 결합하여 광을 발생시키는 층이다.For example, when the LED chip 140 generates blue light, the LED chip 140 may include an N-type GaN layer formed on the sapphire substrate, an N-metal layer formed on one side of the surface of the N-type GaN layer, A P-type GaN layer formed on the active layer, and a P-metal layer formed on the P-type GaN layer. Here, the active layer is a layer in which holes transmitted through the P metal and electrons transmitted through the N metal are combined to generate light.

몰딩부(150)는 LED 칩(140)을 봉지하여 외부의 요인으로부터 보호하기 위한 것으로, 높은 광 투과성을 가지는 투명한 물질 일 예로서, 에폭시(epoxy) 계열 또는 실리콘(silicone) 계열의 형광 몰딩제가 상기 프레임(110)의 내부의 공간에 디스펜싱된 후, 경화되어 형성된다.The molding part 150 is used to encapsulate the LED chip 140 to protect it from external factors. Examples of the transparent material having high light transmittance include an epoxy-based or silicone-based fluorescent molding material Is dispensed in the space inside the frame 110, and then is hardened and formed.

한편, 몰딩부(150)는 LED 칩(140)에서 출사되는 광을 원하는 색으로 형성시키기 위한 형광물질을 포함할 수 있다. 형광 물질을 포함하는 몰딩부(150)는 LED 칩(140)에서 출사되는 광을 원하는 색으로 형성시킨다.Meanwhile, the molding part 150 may include a fluorescent material for forming the light emitted from the LED chip 140 into a desired color. The molding part 150 including the fluorescent material forms the light emitted from the LED chip 140 into a desired color.

몰딩부(150)는 단층 또는 복수의 층으로 형성될 수 있으며, 형광 물질은 LED 칩(140)에서 발생되는 광의 색광에 따라서 달라질 수 있다. LED 칩(140)이 청색 발광 칩이고, 몰딩부(150)가 황색 형광체를 포함하는 경우, LED 칩(140)에서 발생된 청색 광은 황색의 형광체에 여기되어 최종적으로 발광 다이오드에서는 백색광이 출사되게 된다.The molding part 150 may be formed as a single layer or a plurality of layers, and the fluorescent material may be changed according to the color light of the light generated from the LED chip 140. In the case where the LED chip 140 is a blue light emitting chip and the molding part 150 includes a yellow phosphor, the blue light generated in the LED chip 140 is excited by the yellow phosphor and finally the white light is emitted from the light emitting diode do.

제너 다이오드(130)가 LED 칩(140)과 동일 선상에서 나란하게 배치되는 구조에서는 LED 칩(140)에서 출사되는 측광이 제너 다이오드로(130)로 흡수되거나, 또는 산란되어 결과적으로 발광 다이오드의 광 효율이 낮아질 수 있다.In the structure in which the Zener diodes 130 are arranged in parallel to the LED chip 140 in parallel, the light emitted from the LED chip 140 is absorbed or scattered by the Zener diode 130, The efficiency can be lowered.

본 발명의 제1 실시 예에 따른 발광 다이오드(100)는 이러한 문제점을 해결하기 위해, 제너 다이오드(130)와 LED 칩(140)이 수평 선상에서 나란히 배치되지 않도록 제너 다이오드(130)를 은폐시킨다.In order to solve this problem, the LED 100 according to the first embodiment of the present invention conceals the Zener diode 130 such that the Zener diode 130 and the LED chip 140 are not arranged side by side on a horizontal line.

포지티브 리드 전극(122)과 네거티브 리드 전극(124) 사이에는 소정 간격의 갭이 형성되어 있고, 제너 다이오드(130)는 포지티브 리드 전극(122)과 네거티브 리드 전극(124) 사이에 실장된다.A gap is formed between the positive lead electrode 122 and the negative lead electrode 124 at a predetermined interval and the Zener diode 130 is mounted between the positive lead electrode 122 and the negative lead electrode 124.

제너 다이오드(130)가 LED 칩(140)의 보호 소자로 기능하기 위해서는 리드 전극(120)과 연결되어야 한다. 이를 위해, 제너 다이오드(130)의 P전극(132) 및 N전극(134)과 포지티브 리드 전극(122) 및 네거티브 리드 전극(124) 사이에 접속부(170)가 형성되어 있다.In order for the zener diode 130 to function as a protection element of the LED chip 140, it must be connected to the lead electrode 120. A connecting portion 170 is formed between the P electrode 132 and N electrode 134 of the Zener diode 130 and the positive lead electrode 122 and the negative lead electrode 124. [

이와 같이, 포지티브 리드 전극(122)과 네거티브 리드 전극(124) 사이에 제너 다이오드(130)가 형성되고, 접속부(170)를 통해 제너 다이오드(130)와 리드 전극(120)이 접속된 구조를 가지므로 제너 다이오드(130)와 리드 전극(120)을 연결시키기 위한 별도의 전도성 와이어를 구비할 필요가 없다.As described above, the zener diode 130 is formed between the positive lead electrode 122 and the negative lead electrode 124, and the zener diode 130 and the lead electrode 120 are connected through the connection portion 170 It is not necessary to provide a separate conductive wire for connecting the Zener diode 130 and the lead electrode 120. [

한편, 도 4에 도시된 바와 같이, LED 칩(140)에서 생성되어 외부로 출사되는 광의 효율을 높이기 위해 몰딩부(150) 상에는 렌즈(180)가 형성될 수도 있다.4, a lens 180 may be formed on the molding part 150 to increase efficiency of light generated in the LED chip 140 and emitted to the outside.

리드 전극(120)의 상면에서 제너 다이오드(130)를 완전히 은폐시키기 위해서 프레임(110) 내부의 하부에 홈(112)을 형성하고, 상기 홈(112) 에 제너 다이오드(130)를 실장시킬 수도 있다.A groove 112 may be formed in the lower portion of the frame 110 in order to completely hide the Zener diode 130 on the upper surface of the lead electrode 120 and the Zener diode 130 may be mounted on the groove 112 .

이때, 홈(112)은 제너 다이오드(130)가 실장되는 영역에 형성되며, 프레임(110) 내부의 하부에 형성된 홈(112)은 LED 칩(140)의 수평 선상에서 제너 다이오드(130)가 완전히 은폐되도록 소정 깊이 및 면적을 가지도록 형성된다.The grooves 112 formed in the lower portion of the frame 110 are formed on the horizontal line of the LED chip 140 so that the zener diodes 130 are completely Is formed to have a predetermined depth and area so as to be concealed.

제너 다이오드(130)를 프레임(110)에 형성된 홈(112)에 삽입시키면 제너 다이오드(130)를 LED 칩(140)의 수평 선상에서 은폐시킬 수 있다. 이를 통해, LED 칩(140)에서 발생된 광 중에서 측면으로 출사되는 광이 상기 제너 다이오드(130)로 인해 흡수되거나 산란되는 현상을 방지할 수 있다.The Zener diode 130 can be hidden on the horizontal line of the LED chip 140 by inserting the Zener diode 130 into the groove 112 formed in the frame 110. [ Accordingly, it is possible to prevent the light emitted from the side of the LED chip 140 from being absorbed or scattered by the zener diode 130.

여기서, 접속부(170)는 제너 다이오드(130)의 P전극(132)을 포지티브 리드 전극(122)과 접속시키고, N전극(134)을 네거티브 리드 전극(124)과 접속시키는 컨택으로 기능한다. 이때, 접속부(170)의 물질에는 제한이 없으며, 전도성이 높은 금속 또는 전도성 비금속이 이용될 수 있다.Here, the connection portion 170 functions as a contact connecting the P electrode 132 of the zener diode 130 to the positive lead electrode 122 and connecting the N electrode 134 to the negative lead electrode 124. At this time, the material of the connection part 170 is not limited, and a conductive metal or a conductive base metal may be used.

도 5는 본 발명의 제1 실시 예에 따른 발광 다이오드에서 제너 다이오드를 은폐시키는 구조 및 방법을 나타내는 도면이고, 도 6은 본 발명의 제1 실시 예에 따른 발광 다이오드에서 제너 다이오드를 은폐시키는 다른 실시 예를 나타내는 도면이다.FIG. 5 is a view showing a structure and a method of concealing a zener diode in a light emitting diode according to a first embodiment of the present invention, and FIG. 6 is a view showing a structure and a method of concealing a zener diode in the light emitting diode according to the first embodiment of the present invention. Fig.

도 5를 참조하면, 접속부(170)는 은 페이스트(172, Ag paste)를 경화시켜 형성할 수 있다.Referring to FIG. 5, the connection portion 170 may be formed by curing a silver paste (Ag paste) 172.

구체적으로, 포지티브 리드 전극(122)과 제너 다이오드(130)의 P전극(132) 사이의 제1 공간(126)에 은 페이스트(172)를 주입시킨다. 이와 함께, 네거티브 리드 전극(124)과 제너 다이오드(130)의 N전극(134) 사이의 제2 공간(128)에 은 페이스트(172)를 주입시킨다.Specifically, the silver paste 172 is injected into the first space 126 between the positive lead electrode 122 and the P electrode 132 of the Zener diode 130. At the same time, the silver paste 172 is injected into the second space 128 between the negative lead electrode 124 and the N electrode 134 of the Zener diode 130.

이후, 주입된 은 페이스트(172)를 경화시켜 제너 다이오드(130)와 리드 전극(120) 사이에 접속부(170)를 형성시키다. 접속부(170)를 통해 제너 다이오드(130)와 리드 전극(120)을 전기적으로 접속시킬 수 있다.Thereafter, the injected silver paste 172 is cured to form a connection portion 170 between the Zener diode 130 and the lead electrode 120. The Zener diode 130 and the lead electrode 120 can be electrically connected to each other through the connection part 170. [

이와 같이, 은 페이스트(172)가 경화되어 접속부(170)가 형성되므로, 제너 다이오드(130)와 리드 전극(120)를 본딩시키고 외부에서 충격이 가해지더라도 제너 다이오드(130)가 이탈되지 않는다.Since the silver paste 172 is cured to form the connection portion 170, the Zener diode 130 is bonded to the lead electrode 120 and the Zener diode 130 is not released even if an impact is applied from the outside.

도 6을 참조하면, 접속부(170)는 전도성 연성필름으로 형성될 수 있다.Referring to FIG. 6, the connection portion 170 may be formed of a conductive flexible film.

구체적으로, 포지티브 리드 전극(122)의 측벽(122a) 및 네거티브 리드 전극(124)의 측벽(124a)에 전도성 연성필름을 부착시킨다.Specifically, the conductive flexible film is attached to the side wall 122a of the positive lead electrode 122 and the side wall 124a of the negative lead electrode 124. [

이후, 전도성 연성필름이 부착된 포지티브 리드 전극(122)과 네거티브 리드 전극(124) 사이의 공간에 제너 다이오드(130)를 삽입시켜 제너 다이오드(130)와 리드 전극(120)을 전기적으로 접속시킬 수 있다.Thereafter, the Zener diode 130 is inserted into the space between the positive lead electrode 122 and the negative lead electrode 124 to which the conductive flexible film is attached to electrically connect the Zener diode 130 and the lead electrode 120 have.

제너 다이오드(130)가 소정 압력으로 눌려 전도성 연성필름으로 구성된 접속부(170) 사이에 꽉 끼도록 삽입되므로 높은 고정도를 가지게 된다. 또한, 프레임(110)의 내부 공간에 몰딩부(150)가 형성됨으로 외부로부터 충격이 가해지더라도 제너 다이오드(130)가 이탈되지 되지 않는다.The zener diode 130 is pressed to a predetermined pressure and inserted between the connection portions 170 constituted by the conductive flexible film so as to be tightly tightened. Further, since the molding part 150 is formed in the inner space of the frame 110, the zener diode 130 is not detached even if an impact is applied from the outside.

이와 같이, 전도성 연성필름으로 접속부(170)를 형성하면 제너 다이오드(130)와 접속부(170)를 본딩시키기 위한 별도의 공정이 필요 없고, 제너 다이오드(130)를 일정 압력을 가하는 방식으로 삽입하여 제조공정을 간소화시킬 수 있다.When the connection portion 170 is formed by the conductive flexible film, a separate process for bonding the zener diode 130 and the connection portion 170 is unnecessary. When the zener diode 130 is inserted by a certain pressure, The process can be simplified.

전도성 연성필름으로 구성된 접속부(170)를 통해 제너 다이오드(130)를 리드 전극(120) 사이에 삽입하여 고정함으로써, 종래 기술에서의 전도성 와이어를 삭제시킬 수 있다.The conductive wire in the prior art can be eliminated by inserting and fixing the zener diode 130 between the lead electrodes 120 through the connecting portion 170 composed of the conductive flexible film.

프레임(120) 사이의 홈에 제너 다이오드(130)가 삽입된 구조를 가지므로 발광 다이오드의 패키지 내부에서 제너 다이오드(130)를 은폐시켜 광 효율을 높일 수 있다.Since the Zener diode 130 is inserted in the groove between the frames 120, the efficiency of light can be increased by concealing the Zener diode 130 inside the package of the LED.

도 7은 본 발명의 제1 실시 예에 따른 발광 다이오드에서 제너 다이오드를 은폐시키는 또 다른 실시 예를 나타내는 도면이다.7 is a view showing another embodiment of concealing the zener diode in the light emitting diode according to the first embodiment of the present invention.

도 7을 참조하면, 본 발명의 제1 실시 예에 따른 발광 다이오드(100)는 리드 전극(120) 사이에 실장된 제너 다이오드(130)의 고정도를 높이고 광 효율을 높이기 위해, 제너 다이오드(130)의 상부에 몰딩제를 디스펜싱한 후, 경화시켜 보호층(115)을 형성할 수 있다. 이때, 보호층(115)은 광 반사도가 높은 물질로 형성되어 LED 칩(140)에서 생성된 광의 효율을 높일 수 있다.7, the LED 100 according to the first embodiment of the present invention includes a Zener diode 130 for increasing the accuracy of the Zener diode 130 mounted between the lead electrodes 120, The protective layer 115 may be formed by curing the molding material. At this time, the passivation layer 115 may be formed of a material having a high light reflectivity to increase the efficiency of light generated in the LED chip 140.

이러한, 보호층(115)은 제너 다이오드(130)가 실장되고 남은 여분의 공간에도 형성되어 발광 다이오드 패키지 내부에서 제너 다이오드(130)의 고정도를 높일 수 있다. 보호층(115)은 제너 다이오드(130)의 고정도뿐만 아니라, 습기 및 정전기와 같은 외부 요인으로부터 상기 제너 다이오드를 보호한다.The protection layer 115 may also be formed in the remaining space where the Zener diode 130 is mounted, thereby increasing the accuracy of the Zener diode 130 in the light emitting diode package. The protection layer 115 protects the zener diode 130 from external factors such as moisture and static electricity, as well as the degree of precision of the zener diode 130.

상술한 설명에서는 LED 칩(140)을 전기적 충격으로 보호하기 위한 구성으로 제너 다이오드(130)를 포함하는 것으로 설명하였지만 이는 본 발명의 여러 실시 예들 중에서 하나를 설명한 것이다. 본 발명의 다른 예로서, 제너 다이오드(130)를 대체하여 바리스터(Varistor), 어벨렌시 다이오드, 쇼트키 다이오드, 서지 흡수기(surge absorber), 커패시터가 적용될 수도 있다.In the above description, it is described that the LED chip 140 includes the Zener diode 130 in a configuration for protecting the LED chip 140 by the electric shock. However, this is one of the various embodiments of the present invention. As another example of the present invention, a zener diode 130, a varistor diode, a Schottky diode, a surge absorber, and a capacitor may be applied instead of the zener diode 130.

도 8은 본 발명의 제2 실시 예에 따른 발광 다이오드의 평면도이고, 도 9는 본 발명의 제2 실시 예에 따른 발광 다이오드의 단면도이다. 본 발명의 제2 실시 예에 따른 발광 다이오드를 설명함에 있어서, 상술한 제1 실시 예와 동일한 구성에 대해서는 상세한 설명을 생략한다.FIG. 8 is a plan view of a light emitting diode according to a second embodiment of the present invention, and FIG. 9 is a sectional view of a light emitting diode according to a second embodiment of the present invention. In describing the light emitting diode according to the second embodiment of the present invention, detailed description of the same configuration as the first embodiment will be omitted.

도 8 및 도 9를 참조하면, 본 발명의 제2 실시 예에 따른 발광 다이오드(100)는 프레임(210), 리드 전극(220), 제너 다이오드(230), 복수의 LED 칩(240, 290), 몰딩부(250), 전도성 와이어(260) 및 접속부(270)를 포함한다.8 and 9, a light emitting diode 100 according to a second embodiment of the present invention includes a frame 210, a lead electrode 220, a zener diode 230, a plurality of LED chips 240 and 290, A molding part 250, a conductive wire 260, and a connection part 270.

프레임(210)은 하단부에서 상단부로 갈수록 넓어지는 컵 형상을 가지며, 프레임(210)의 내부 공간에 리드 전극(220), 제너 다이오드(230) 및 복수의 LED 칩(140, 290)이 실장된다.The frame 210 has a cup shape that widens from the lower end to the upper end and a lead electrode 220, a zener diode 230 and a plurality of LED chips 140 and 290 are mounted in an inner space of the frame 210.

리드 전극(220)은 LED 칩(140)에 포지티브(+) 극성의 전류를 공급하는 포지티브 리드 전극(222)과, 네거티브(-) 극성의 전류를 공급하는 네거티브 리드 전극(224)으로 구성된다.The lead electrode 220 is composed of a positive lead electrode 222 for supplying a positive polarity current to the LED chip 140 and a negative lead electrode 224 for supplying a current of negative polarity.

포지티브 리드 전극(222)과 네거티브 리드 전극(224)은 소정 간격을 두고 형성되며, 리드 전극(220) 사이에 제너 다이오드(230)가 실장된다.The positive lead electrode 222 and the negative lead electrode 224 are spaced apart from each other at a predetermined interval and the zener diodes 230 are mounted between the lead electrodes 220.

본 발명의 제2 실시 예에 따른 발광 다이오드(100)는 패키지 내부에 2개의 LED 칩(240, 290)이 배치된 구조를 가진다. 복수의 LED 칩(240, 290) 중에서 제1 LED 칩(240)은 포지티브 리드 전극(222) 상에 배치되고, 제2 LED 칩(290)은 네거티브 리드 전극(224) 상에 배치된다.The light emitting diode 100 according to the second embodiment of the present invention has a structure in which two LED chips 240 and 290 are disposed in a package. The first LED chip 240 is disposed on the positive lead electrode 222 and the second LED chip 290 is disposed on the negative lead electrode 224 among the plurality of LED chips 240 and 290.

전도성 와이어(260)를 통해 리드 전극(220)과 복수의 LED 칩(290)이 전기적으로 접속된다. 리드 전극(220)을 통해 복수의 LED 칩(240)으로 구동 전원이 공급되어 복수의 LED 칩(240, 290)에서 광이 생성된다.The lead electrode 220 and the plurality of LED chips 290 are electrically connected to each other through the conductive wire 260. Driving power is supplied to the plurality of LED chips 240 through the lead electrodes 220 to generate light in the plurality of LED chips 240 and 290.

몰딩부(250)는 높은 광 투과성을 가지는 투명한 물질 일 예로서, 에폭시(epoxy) 계열 또는 실리콘(silicone) 계열의 형광 몰딩제가 상기 프레임(210)의 내부의 공간에 디스펜싱된 후, 경화되어 형성된다.The molding part 250 is a transparent material having high light transmittance, for example, epoxy-based or silicone-based fluorescent molding material is dispensed in the space inside the frame 210, do.

이러한, 몰딩부(250)를 통해 복수의 LED 칩(240, 290)을 봉지하여 외부의 요인으로부터 복수의 LED 칩(240, 290)을 보호한다. 또한, 몰딩부(250)는 복수의 LED 칩(240, 290)에서 출사되는 광을 원하는 색으로 형성시키기 위한 형광물질을 포함할 수 있다. 형광 물질을 포함하는 몰딩부(250)는 복수의 LED 칩(240, 290)에서 출사되는 광을 원하는 색으로 형성시킨다.The plurality of LED chips 240 and 290 are sealed through the molding part 250 to protect the plurality of LED chips 240 and 290 from external factors. In addition, the molding unit 250 may include a fluorescent material for forming a desired color of light emitted from the plurality of LED chips 240 and 290. The molding part 250 including the fluorescent material forms the light emitted from the plurality of LED chips 240 and 290 into a desired color.

본 발명의 제2 실시 예에 따른 발광 다이오드(100)는 제너 다이오드(230)와 복수의 LED 칩(240, 290)이 수평 선상에서 나란히 배치되지 않도록 제너 다이오드(230)를 은폐시킨다.The light emitting diode 100 according to the second embodiment of the present invention conceals the zener diodes 230 such that the zener diodes 230 and the plurality of LED chips 240 and 290 are not arranged side by side on a horizontal line.

포지티브 리드 전극(222)과 네거티브 리드 전극(224) 사이에는 소정 간격의 갭이 형성되어 있고, 제너 다이오드(230)는 포지티브 리드 전극(222)과 네거티브 리드 전극(224) 사이에 실장된다.A gap is formed between the positive lead electrode 222 and the negative lead electrode 224 at a predetermined interval and the Zener diode 230 is mounted between the positive lead electrode 222 and the negative lead electrode 224. [

제너 다이오드(230)의 P전극(232) 및 N전극(234)과 포지티브 리드 전극(222) 및 네거티브 리드 전극(224) 사이에 접속부(270)가 형성되어 있다.A connecting portion 270 is formed between the P electrode 232 and the N electrode 234 of the Zener diode 230 and the positive lead electrode 222 and the negative lead electrode 224.

포지티브 리드 전극(222)과 네거티브 리드 전극(224) 사이에 제너 다이오드(230)가 형성되고, 접속부(270)를 통해 제너 다이오드(230)와 리드 전극(220)이 접속된 구조를 가지므로 제너 다이오드(230)와 리드 전극(120)을 연결시키기 위한 별도의 전도성 와이어를 구비할 필요가 없다.Since the Zener diode 230 is formed between the positive lead electrode 222 and the negative lead electrode 224 and the Zener diode 230 and the lead electrode 220 are connected through the connection part 270, It is not necessary to provide a separate conductive wire for connecting the lead electrode 230 and the lead electrode 120.

여기서, 접속부(270)는 제너 다이오드(230)의 P전극(232)을 포지티브 리드 전극(222)과 접속시키고, N전극(234)을 네거티브 리드 전극(224)과 접속시키는 컨택으로 기능한다. 이때, 접속부(270)는 상술한 제1 실시 예와 동일하게 은 페이스트 또는 전도성 연성필름으로 형성될 수 있다.Here, the connection portion 270 functions as a contact connecting the P electrode 232 of the Zener diode 230 to the positive lead electrode 222 and connecting the N electrode 234 to the negative lead electrode 224. At this time, the connection portion 270 may be formed of a silver paste or a conductive flexible film as in the first embodiment described above.

본 발명의 제2 실시 예에 따른 발광 다이오드(200)는 프레임(220) 사이에 제너 다이오드(230)가 삽입된 구조를 가지므로 발광 다이오드의 패키지 내부에서 제너 다이오드(230)를 은폐시켜 광 효율을 높일 수 있다.The light emitting diode 200 according to the second embodiment of the present invention has a structure in which the zener diodes 230 are inserted between the frames 220 so that the zener diodes 230 are hidden inside the package of the light emitting diodes, .

도 10은 본 발명의 제2 실시 예에 따른 발광 다이오드에서 제너 다이오드를 은폐시키는 다른 실시 예를 나타내는 도면이다.10 is a view showing another embodiment of concealing the zener diode in the light emitting diode according to the second embodiment of the present invention.

도 10을 참조하면, 본 발명의 제2 실시 예에 따른 발광 다이오드(200)는 리드 전극(220) 사이에 실장된 제너 다이오드(230)의 고정도를 높이고 광 효율을 높이기 위해, 제너 다이오드(230)의 상부에 몰딩제를 디스펜싱한 후, 경화시켜 보호층(215)을 형성할 수 있다. 이때, 보호층(215)은 광 반사도가 높은 물질로 형성되어 복수의 LED 칩(240, 290)에서 생성된 광의 효율을 높일 수 있다.10, a light emitting diode 200 according to a second embodiment of the present invention includes a zener diode 230 for increasing the precision of the zener diode 230 mounted between the lead electrodes 220, The protective layer 215 may be formed by curing the molding material. At this time, the protective layer 215 may be formed of a material having a high light reflectivity to increase efficiency of light generated from the plurality of LED chips 240 and 290.

이러한, 보호층(215)은 제너 다이오드(230)가 실장되고 남은 여분의 공간에도 형성되어 발광 다이오드 패키지 내부에서 제너 다이오드(230)의 고정도를 높일 수 있다.The protective layer 215 may be formed in an extra space in which the zener diodes 230 are mounted so as to increase the precision of the zener diodes 230 in the LED package.

상술한 바와 같이, 제너 다이오드(230)를 리드 전극(220) 사이에 삽입시키면 제너 다이오드(230)를 복수의 LED 칩(240, 290)의 수평 선상에서 은폐시킬 수 있다. 이를 통해, 복수의 LED 칩(240, 290)에서 발생된 광 중에서 측면으로 출사되는 광이 상기 제너 다이오드(230)로 인해 흡수되거나 산란되는 현상을 방지할 수 있다.As described above, when the Zener diode 230 is inserted between the lead electrodes 220, the Zener diode 230 can be hidden on the horizontal lines of the LED chips 240 and 290. Accordingly, it is possible to prevent the light emitted from the light emitted from the plurality of LED chips 240 and 290 from being absorbed or scattered due to the zener diodes 230.

상술한 설명에서는 포지티브 리드 전극(122, 222)과 네거티브 리드 전극(124, 224) 사이의 홈에 제너 다이오드(130, 230)가 삽입된 구조로 제너 다이오드(130, 230)를 은폐 시키는 것으로 설명하였다.In the above description, it has been described that the zener diodes 130 and 230 are concealed by the structure in which the zener diodes 130 and 230 are inserted into the grooves between the positive lead electrodes 122 and 222 and the negative lead electrodes 124 and 224 .

그러나, 이에 한정되지 않고 제너 다이오드를 리드 전극의 하부에 형성하거나, 또는 제너 다이오드를 프레임의 측벽 내에 형성하여 제너 다이오드를 은폐시킬 수도 있다.However, the present invention is not limited to this, and a zener diode may be formed under the lead electrode, or a zener diode may be formed in the side wall of the frame to conceal the zener diode.

또한, 본 발명의 실시 예들에 따른 발광 다이오드는 사이드 뷰(Side View) 타입, 탑 뷰(Top View) 타입, IOL 타입 및 플립 칩(Flip Chip) 타입에 제한 없이 모든 타입에 적용될 수 있다.In addition, the light emitting diode according to the embodiments of the present invention can be applied to all types without being limited to a side view type, a top view type, an IOL type, and a flip chip type.

본 발명이 속하는 기술분야의 당 업자는 상술한 본 발명이 그 기술적 사상이나 필수적 특징을 변경하지 않고서 다른 구체적인 형태로 실시될 수 있다는 것을 이해할 수 있을 것이다. 그러므로, 이상에서 기술한 실시 예들은 모든 면에서 예시적인 것이며 한정적인 것이 아닌 것으로 이해해야만 한다.It will be understood by those skilled in the art that the present invention can be embodied in other specific forms without departing from the spirit or essential characteristics thereof. It is therefore to be understood that the above-described embodiments are illustrative in all aspects and not restrictive.

본 발명의 범위는 상기 상세한 설명보다는 후술하는 특허청구범위에 의하여 나타내어지며, 특허청구범위의 의미 및 범위 그리고 그 등가 개념으로부터 도출되는 모든 변경 또는 변형된 형태가 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 한다.The scope of the present invention is defined by the appended claims rather than the detailed description and all changes or modifications derived from the meaning and scope of the claims and their equivalents are to be construed as being included within the scope of the present invention do.

100, 200: 발광 다이오드 110, 210: 프레임
112: 홈 120, 220: 리드 전극
122, 222: 포지티브 리드 전극 124, 224: 네거티브 리드 전극
122a, 124a: 측벽 130, 230: 제너 다이오드
140, 240, 290: LED 칩 150, 250: 몰딩부
160, 260: 전도성 와이어 170, 270: 접속부
172: 은 페이스트 180: 렌즈100, 200: light emitting diodes 110, 210: frame
112: grooves 120, 220: lead electrodes
122, 222: Positive lead electrodes 124, 224: Negative lead electrodes
122a, 124a: side wall 130, 230: zener diode
140, 240, 290: LED chip 150, 250: molding part
160, 260: conductive wire 170, 270: connection
172: silver paste 180: lens

Claims (8)

내부에 소정 공간이 마련되는 프레임;
상기 프레임에 실장되어 광을 발생시키는 하나 이상의 LED 칩;
상기 LED 칩에 구동 전류를 공급하는 포지티브 리드 전극과 네거티브 리드 전극;
상기 포지티브 리드 전극과 상기 네거티브 리드 전극 사이에 실장된 제너 다이오드;
상기 제너 다이오드와 포지티브 리드 전극 사이 및 상기 제너 다이오드와 네거티브 리드 전극 사이에 형성된 접속부;
상기 LED 칩을 봉지하는 몰딩부를 포함하고,
상기 제너 다이오드는 상기 LED 칩의 수평 선상에서 은폐되는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드.A frame having a predetermined space therein;
One or more LED chips mounted on the frame to generate light;
A positive lead electrode and a negative lead electrode for supplying driving current to the LED chip;
A zener diode mounted between the positive lead electrode and the negative lead electrode;
A connection portion formed between the Zener diode and the positive lead electrode and between the Zener diode and the negative lead electrode;
And a molding part for sealing the LED chip,
Wherein the Zener diode is hidden on a horizontal line of the LED chip. 제 1 항에 있어서,
상기 접속부는,
상기 제너 다이오드와 포지티브 리드 전극을 전기적으로 접속시키고,
상기 제너 다이오드와 네거티브 리드 전극을 전기적으로 접속시키는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드.The method according to claim 1,
Wherein the connecting portion comprises:
Electrically connecting the zener diode and the positive lead electrode,
And electrically connecting the Zener diode and the negative lead electrode. 제 1 항에 있어서,
상기 접속부는,
상기 제너 다이오드와 포지티브 리드 전극 사이의 공간에 은 페이스트가 주입된 후 경화되어 형성된 것을 특징으로 하는 발광 다이오드.The method according to claim 1,
Wherein the connecting portion comprises:
Wherein a silver paste is injected into a space between the Zener diode and the positive lead electrode and then cured. 제 1 항에 있어서,
상기 접속부는,
상기 포지티브 리드 전극의 측벽 및 상기 네거티브 리드 전극의 측벽에 전도성 연성필름이 부착되어 형성된 것을 특징으로 하는 발광 다이오드.The method according to claim 1,
Wherein the connecting portion comprises:
And a conductive flexible film is adhered to a side wall of the positive lead electrode and a side wall of the negative lead electrode. 제 1 항에 있어서,
상기 포지티브 리드 전극과 상기 네거티브 리드 전극 사의의 프레임에 홈을 형성하고, 상기 홈에 제너 다이오드가 실장된 것을 특징으로 하는 발광 다이오드.The method according to claim 1,
Wherein grooves are formed in the frame of the positive lead electrode and the negative lead electrode yarn, and a Zener diode is mounted in the groove. 제 1 항에 있어서,
상기 제너 다이오드가 실장되고 남은 여분의 공간에 몰딩제로 형성된 보호층을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드.The method according to claim 1,
And a protective layer formed on the remaining space where the Zener diode is mounted and formed of a molding agent. 제 6 항에 있어서,
상기 보호층은 상기 홈에 실장된 상기 제너 다이오드의 부착력을 높이고, 습기 및 정전기와 같은 외부 요인으로부터 상기 제너 다이오드를 보호하는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드.The method according to claim 6,
Wherein the protection layer enhances the adhesion of the Zener diode mounted in the groove and protects the Zener diode from external factors such as moisture and static electricity. 제 1 항에 있어서,
상기 LED 칩과 상기 포지티브 리드 전극 및 네거티브 리드 전극을 전기적으로 접속시키는 전도성 와이어를 포함하는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드.The method according to claim 1,
And a conductive wire electrically connecting the LED chip to the positive lead electrode and the negative lead electrode.
KR1020120058535A 2012-05-31 2012-05-31 Light emitting diode device KR101974088B1 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020120058535A KR101974088B1 (en) 2012-05-31 2012-05-31 Light emitting diode device

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020120058535A KR101974088B1 (en) 2012-05-31 2012-05-31 Light emitting diode device

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20130134780A true KR20130134780A (en) 2013-12-10
KR101974088B1 KR101974088B1 (en) 2019-04-30

Family

ID=49982355

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020120058535A KR101974088B1 (en) 2012-05-31 2012-05-31 Light emitting diode device

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR101974088B1 (en)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20170004725A (en) * 2015-07-03 2017-01-11 엘지이노텍 주식회사 Light emitting device and lighting module having thereof
CN106876550A (en) * 2016-12-29 2017-06-20 广东长盈精密技术有限公司 LED encapsulation structure and preparation method thereof

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20090044306A (en) * 2007-10-31 2009-05-07 서울반도체 주식회사 Light emitting diode package
JP2010129883A (en) * 2008-11-28 2010-06-10 Sharp Corp Light-emitting device
US20120112237A1 (en) * 2010-11-05 2012-05-10 Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co. Ltd. Led package structure

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20090044306A (en) * 2007-10-31 2009-05-07 서울반도체 주식회사 Light emitting diode package
JP2010129883A (en) * 2008-11-28 2010-06-10 Sharp Corp Light-emitting device
US20120112237A1 (en) * 2010-11-05 2012-05-10 Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co. Ltd. Led package structure

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20170004725A (en) * 2015-07-03 2017-01-11 엘지이노텍 주식회사 Light emitting device and lighting module having thereof
CN106876550A (en) * 2016-12-29 2017-06-20 广东长盈精密技术有限公司 LED encapsulation structure and preparation method thereof

Also Published As

Publication number Publication date
KR101974088B1 (en) 2019-04-30

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US7714349B2 (en) Package structure for ESD protection of light-emitting device
KR100650191B1 (en) High brightness led with protective function of electrostatic discharge damage
JP4988055B2 (en) Manufacturing method of light emitting diode package
US8242531B2 (en) Light emitting diode package
KR101825473B1 (en) Light emitting device package and method of fabricating the same
US20070194422A1 (en) Light emitting diode package and fabricating method thereof
KR100769720B1 (en) High brightness led with protective function of electrostatic discharge damage
CN102214647A (en) Surface mount device thin package
KR100896068B1 (en) Light emitting diode device with electrostatic discharge protection function
KR20080060409A (en) Semiconductor light emitting device package
KR20090044306A (en) Light emitting diode package
KR20070103319A (en) Structure for sealing light-emitting diode chip and method thereof
KR100643919B1 (en) Light emitting diode package with lens
KR20110084057A (en) Light emitting device package and light emitting apparatus
KR101974088B1 (en) Light emitting diode device
KR20120020459A (en) Light emitting diode device
KR100809225B1 (en) Light emitting diode module
KR100748241B1 (en) High brightness led with protective function of electrostatic discharge damage and method of manufacturing the same
KR100954858B1 (en) A high-luminance led package and method for manufacturing thereof
KR20120030475A (en) Light emitting diode package
KR20110067388A (en) Light emitting diodes and method for manufacturing the same
KR101309069B1 (en) Led package including a constant current diode chip
KR20130005824A (en) Led package and manufacturing method thereof
KR100795178B1 (en) Led package for back light unit
KR20090047306A (en) Light emitting diode package

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant