KR20130133923A - Apparatus and method of processing substrate - Google Patents
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Abstract
Description
본 발명은 기판 처리 장치에 관한 것으로, 보다 구체적으로는, 기판에 증착되는 박막의 증착 균일도를 증가시킬 수 있도록 한 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE
일반적으로, 태양전지(Solar Cell), 반도체 소자, 평판 디스플레이 등을 제조하기 위해서는 기판 표면에 소정의 박막층, 박막 회로 패턴, 또는 광학적 패턴을 형성하여야 하며, 이를 위해서는 기판에 특정 물질의 박막을 증착하는 박막 증착 공정, 감광성 물질을 사용하여 박막을 선택적으로 노출시키는 포토 공정, 선택적으로 노출된 부분의 박막을 제거하여 패턴을 형성하는 식각 공정 등의 반도체 제조 공정을 수행하게 된다.Generally, in order to manufacture a solar cell, a semiconductor device, a flat panel display, etc., a predetermined thin film layer, a thin film circuit pattern, or an optical pattern must be formed on the surface of the substrate. For this purpose, A semiconductor manufacturing process such as a thin film deposition process, a photolithography process for selectively exposing a thin film using a photosensitive material, and an etching process for forming a pattern by selectively removing a thin film of an exposed portion are performed.
이러한 반도체 제조 공정은 해당 공정을 위해 최적의 환경으로 설계된 기판 처리 장치의 내부에서 진행되며, 최근에는 플라즈마를 이용하여 증착 또는 식각 공정을 수행하는 기판 처리 장치가 많이 사용되고 있다.Such a semiconductor manufacturing process is performed inside a substrate processing apparatus designed for an optimum environment for the process, and recently, a substrate processing apparatus for performing a deposition or etching process using plasma is widely used.
플라즈마를 이용한 기판 처리 장치에는 플라즈마를 이용하여 박막을 형성하는 PECVD(Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition) 장치, 박막을 식각하여 패터닝하는 플라즈마 식각장치 등이 있다.The substrate processing apparatus using plasma includes a plasma enhanced chemical vapor deposition (PECVD) apparatus for forming a thin film using plasma, a plasma etching apparatus for etching and patterning a thin film.
도 1은 종래의 기판 처리 장치를 개략적으로 설명하기 위한 도면이다.1 is a schematic view for explaining a conventional substrate processing apparatus.
도 1을 참조하면, 일반적인 기판 처리 장치는 챔버(10), 전원 전극(20), 서셉터(30), 및 가스 분사 수단(40)을 구비한다.Referring to FIG. 1, a general substrate processing apparatus includes a
챔버(10)는 기판 처리 공정을 위한 반응 공간을 제공한다. 이때, 챔버(10)의 일측 바닥면은 반응 공간을 배기시키기 위한 배기구(12)에 연통된다.The
전원 전극(20)은 반응 공간을 밀폐하도록 챔버(10)의 상부에 설치된다.The
전원 전극(20)의 일측은 정합 부재(22)를 통해 RF(Radio Frequency) 전원(24)에 전기적으로 접속된다. 이때, RF 전원(24)은 RF 전력을 생성하여 전원 전극(20)에 공급한다.One side of the
또한, 전원 전극(20)의 중앙 부분은 기판 처리 공정을 위한 소스 가스를 공급하는 가스 공급관(26)에 연통된다.In addition, the central portion of the
정합 부재(22)는 전원 전극(20)과 RF 전원(24) 간에 접속되어 RF 전원(24)으로부터 전원 전극(20)에 공급되는 RF 전력의 부하 임피던스와 소스 임피던스를 정합시킨다.The matching
서셉터(30)는 챔버(10)의 내부에 설치되어 외부로부터 로딩되는 복수의 기판(W)을 지지한다. 이러한 서셉터(30)는 전원 전극(20)에 대향되는 대향 전극으로써, 서셉터(30)를 승강시키는 승강축(32)을 통해 전기적으로 접지된다.The
승강축(32)은 승강 장치(미도시)에 의해 상하 방향으로 승강된다. 이때, 승강축(32)은 승강축(32)과 챔버(10)의 바닥면을 밀봉하는 벨로우즈(34)에 의해 감싸여진다.The
가스 분사 수단(40)은 서셉터(30)에 대향되도록 전원 전극(20)의 하부에 설치된다. 이때, 가스 분사 수단(40)과 전원 전극(20) 사이에는 전원 전극(20)을 관통하는 가스 공급관(26)으로부터 공급되는 소스 가스가 확산되는 가스 확산 공간(42)이 형성된다. 이러한, 가스 분사 수단(40)은 가스 확산 공간(42)에 연통된 복수의 가스 분사구(44)를 통해 소스 가스를 반응 공간의 전 부분에 균일하게 분사한다.The gas injection means 40 is installed under the
이와 같은, 일반적인 기판 처리 장치는 기판(W)을 서셉터(30)에 로딩시킨 다음, 챔버(10)의 반응 공간에 소정의 가스를 분사하면서 전원 전극(20)에 RF 전력을 공급하여 플라즈마를 형성함으로써 기판(W) 상에 소정의 박막을 형성하게 된다.In such a general substrate processing apparatus, the substrate W is loaded into the
그러나, 종래의 기판 처리 장치는 박막층을 구성하는 소스 가스 및 반응 가스의 분사 공정을 개별적으로 제어할 수 없기 때문에, 적층되는 박막층의 막질 또는 적층되는 박막층의 증착속도 등을 용이하게 제어하는데 한계가 있었다. However, since the substrate processing apparatus of the related art cannot control the injection process of the source gas and the reactive gas constituting the thin film layer separately, there is a limit in easily controlling the film quality of the laminated thin film layer or the deposition rate of the laminated thin film layer. .
본 발명은 전술한 종래의 문제점을 해결하기 위한 것으로서, 본 발명은 박막층을 구성하는 소스 가스 및 반응 가스의 분사 공정을 개별적으로 제어함으로써, 적층되는 박막층의 막질 및 적층되는 박막층의 증착속도 등을 용이하게 제어할 수 있는 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다. The present invention is to solve the above-mentioned conventional problems, the present invention by controlling the injection process of the source gas and the reaction gas constituting the thin film layer separately, the film quality of the laminated thin film layer and the deposition rate of the laminated thin film layer and the like easy It is an object of the present invention to provide a substrate processing apparatus and a substrate processing method which can be controlled in a simple manner.
본 발명은 전술한 목적을 달성하기 위해서, 공정 챔버; 적어도 하나의 기판을 지지하도록 상기 공정 챔버 내에 설치되며, 소정 방향으로 회전하며 그 회전속도가 변경될 수 있도록 구성된 기판 지지부; 상기 기판 지지부에 대향하면서 상기 공정 챔버의 상부를 덮는 챔버 리드; 및 상기 챔버 리드에 연결되어 있고, 상기 기판 상에 가스를 분사하는 복수의 가스 분사 모듈을 구비한 가스 분사부를 포함하여 이루어지고, 이때, 복수의 가스 분사 모듈 각각은 서로 공간적으로 분리되어 마련된 제 1 가스를 분사하는 제 1 가스 분사 공간 및 제 2 가스를 분사하는 제 2 가스 분사 공간을 포함하여 이루어지고, 상기 기판 지지부는 소정의 승강기구와 연결되어 승강하도록 구성되어 있어서 상기 가스 분사 모듈과 상기 기판 지지부 사이의 간격이 변경될 수 있는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치를 제공한다. The present invention to achieve the above object, a process chamber; A substrate support installed in the process chamber to support at least one substrate, the substrate support being configured to rotate in a predetermined direction and to change a rotation speed thereof; A chamber lid facing the substrate support and covering the top of the process chamber; And a gas injector connected to the chamber lid and having a plurality of gas injecting modules for injecting gas onto the substrate, wherein each of the plurality of gas injecting modules is spatially separated from each other. And a first gas injection space for injecting a gas and a second gas injection space for injecting a second gas, wherein the substrate support portion is configured to move up and down in connection with a predetermined lifting mechanism, so that the gas injection module and the substrate support portion are elevated. It provides a substrate processing apparatus, characterized in that the gap therebetween can be changed.
상기 기판 지지부가 제1 회전속도로 회전할 경우 상기 제1 가스와 상기 제2 가스가 서로 반응하여 상기 기판 상에 박막층이 증착되고, 상기 기판 지지부가 상기 제1 회전속도보다 작은 제2 회전속도로 회전할 경우 상기 제1 가스와 상기 제2 가스가 상기 기판 상에 순차적으로 적층되면서 박막층이 증착될 수 있다. 이 경우, 상기 기판 지지부가 상기 제1 회전속도보다 작고 상기 제2 회전속도보다 큰 제3 회전속도로 회전할 경우, 상기 제1 가스와 상기 제2 가스의 일부는 서로 반응하여 상기 기판 상에 박막층이 증착되고, 상기 제1 가스와 상기 제2 가스의 나머지는 상기 기판 상에 순차적으로 적층되면서 박막층이 증착될 수 있다. When the substrate support part rotates at the first rotational speed, the first gas and the second gas react with each other to deposit a thin film layer on the substrate, and the substrate support part has a second rotational speed smaller than the first rotational speed. When rotating, the thin film layer may be deposited while the first gas and the second gas are sequentially stacked on the substrate. In this case, when the substrate support portion rotates at a third rotational speed smaller than the first rotational speed and greater than the second rotational speed, a portion of the first gas and the second gas react with each other to form a thin film layer on the substrate. The deposition may be performed, and the thin film layer may be deposited while the rest of the first gas and the second gas are sequentially stacked on the substrate.
상기 기판 지지부가 하강하여 상기 가스 분사 모듈과 상기 기판 지지부 사이의 간격이 제1 간격일 경우 상기 제1 가스와 상기 제2 가스가 서로 반응하여 상기 기판 상에 박막층이 증착되고, 상기 기판 지지부가 상승하여 상기 가스 분사 모듈과 상기 기판 지지부 사이의 간격이 상기 제1 간격보다 작은 제2 간격일 경우 상기 제1 가스와 상기 제2 가스가 상기 기판 상에 순차적으로 적층되면서 박막층이 증착될 수 있다. 이 경우, 상기 가스 분사 모듈과 상기 기판 지지부 사이의 간격이 상기 제1 간격보다는 작고 상기 제2 간격보다는 큰 제3 간격일 경우, 상기 제1 가스와 상기 제2 가스의 일부는 서로 반응하여 상기 기판 상에 박막층이 증착되고, 상기 제1 가스와 상기 제2 가스의 나머지는 상기 기판 상에 순차적으로 적층되면서 박막층이 증착될 수 있다. When the substrate support is lowered and the gap between the gas injection module and the substrate support is a first interval, the first gas and the second gas react with each other to deposit a thin film layer on the substrate, and the substrate support is raised. When the gap between the gas injection module and the substrate support is a second interval smaller than the first interval, the thin film layer may be deposited while the first gas and the second gas are sequentially stacked on the substrate. In this case, when the interval between the gas injection module and the substrate support is a third interval smaller than the first interval and larger than the second interval, a portion of the first gas and the second gas react with each other to form the substrate. A thin film layer may be deposited on the thin film layer, and the thin film layer may be deposited while the rest of the first gas and the second gas are sequentially stacked on the substrate.
상기 제 1 가스 분사 공간에는 서로 마주하는 전원 전극 및 접지 전극이 형성되어 있어서 상기 전원 전극과 접지 전극 사이에서 플라즈마 방전이 이루어질 수 있다. 이 경우, 상기 제 2 가스 분사 공간에는 상기 제 1 가스 분사 공간으로부터 분사되는 상기 제 1 가스가 상기 제 2 가스 분사 공간으로 흐르는 것을 방지하는 가스 홀 패턴 부재가 추가로 형성될 수 있다. 또한, 상기 제 2 가스 분사 공간에 서로 마주하는 별도의 전원 전극과 접지 전극이 추가로 형성될 수 있다. 또한, 상기 전원 전극 및 접지 전극은 상기 기판 면과 수직 방향으로 연장될 수 있다. A power electrode and a ground electrode facing each other are formed in the first gas injection space so that plasma discharge may be performed between the power electrode and the ground electrode. In this case, a gas hole pattern member may be further formed in the second gas injection space to prevent the first gas injected from the first gas injection space from flowing into the second gas injection space. In addition, separate power electrodes and ground electrodes facing each other may be further formed in the second gas injection space. In addition, the power electrode and the ground electrode may extend in a direction perpendicular to the substrate surface.
본 발명은 또한, 공정 챔버 내에 복수의 가스 분사 모듈을 설치하고 기판 지지부 상에 적어도 하나의 기판을 안착시키는 공정; 상기 가스 분사 모듈과 상기 기판 지지부 사이의 간격을 결정하고 상기 기판 지지부를 승강시켜 상기 간격을 맞추는 공정; 상기 기판 지지부의 회전속도를 결정하고 결정한 회전속도에 따라 상기 기판 지지부를 회전시키는 공정; 및 상기 복수의 가스 분사 모듈 중 적어도 하나의 가스 분사 모듈에서 상기 기판 상으로 가스를 분사하여 박막층을 형성하는 박막 형성 공정을 포함하여 이루어지고, 이때, 복수의 가스 분사 모듈 각각은 서로 공간적으로 분리되어 마련된 제 1 가스를 분사하는 제 1 가스 분사 공간 및 제 2 가스를 분사하는 제 2 가스 분사 공간을 포함하여 이루어져, 상기 박막 형성 공정시 상기 제1 가스와 상기 제2 가스에 의해서 상기 박막층이 형성되는 것을 특징으로 하는 기판 처리 방법을 제공한다. The present invention also provides a process for installing a plurality of gas injection modules in a process chamber and mounting at least one substrate on a substrate support; Determining a gap between the gas injection module and the substrate support and lifting the substrate support to match the gap; Determining a rotational speed of the substrate support and rotating the substrate support according to the determined rotational speed; And a thin film forming process of forming a thin film layer by injecting gas onto the substrate from at least one gas injection module of the plurality of gas injection modules, wherein each of the plurality of gas injection modules is spatially separated from each other. And a first gas injection space for injecting the first gas and a second gas injection space for injecting the second gas, wherein the thin film layer is formed by the first gas and the second gas during the thin film formation process. A substrate processing method is provided.
상기 기판 지지부의 회전속도를 결정하는 공정은, 상기 박막 형성 공정이 상기 제1 가스와 상기 제2 가스가 서로 반응하여 상기 기판 상에 박막층을 증착하는 공정으로 이루어진 경우에는 제1 회전속도로 결정하고; 상기 박막 형성 공정이 상기 제1 가스와 상기 제2 가스가 상기 기판 상에 순차적으로 적층되면서 박막층을 증착하는 공정으로 이루어진 경우에는 상기 제1 회전속도 보다 작은 제2 회전속도로 결정하고; 상기 박막 형성 공정이 상기 제1 가스와 상기 제2 가스의 일부는 서로 반응하여 상기 기판 상에 박막층을 증착하고 상기 제1 가스와 상기 제2 가스의 나머지는 상기 기판 상에 순차적으로 적층되면서 박막층을 증착하는 공정으로 이루어진 경우에는 상기 제1 회전속도보다 작고 상기 제2 회전속도보다 큰 제3 회전속도로 결정하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 방법을 제공한다.The process of determining the rotational speed of the substrate support portion may be determined as the first rotational speed when the thin film formation process is performed by reacting the first gas and the second gas to deposit a thin film layer on the substrate. ; When the thin film forming process is a process of depositing a thin film layer while sequentially stacking the first gas and the second gas on the substrate, determining a second rotation speed smaller than the first rotation speed; In the thin film forming process, a portion of the first gas and the second gas react with each other to deposit a thin film layer on the substrate, and the remaining portion of the first gas and the second gas are sequentially stacked on the substrate to form a thin film layer. In the case of the deposition process, the substrate processing method is characterized in that it is determined as a third rotation speed smaller than the first rotation speed and larger than the second rotation speed.
상기 가스 분사 모듈과 상기 기판 지지부 사이의 간격을 결정하는 공정은, 상기 박막 형성 공정이 상기 제1 가스와 상기 제2 가스가 서로 반응하여 상기 기판 상에 박막층을 증착하는 공정으로 이루어진 경우에는 제1 간격으로 결정하고; 상기 박막 형성 공정이 상기 제1 가스와 상기 제2 가스가 상기 기판 상에 순차적으로 적층되면서 박막층을 증착하는 공정으로 이루어진 경우에는 상기 제1 간격보다 작은 제2 간격으로 결정하고; 상기 박막 형성 공정이 상기 제1 가스와 상기 제2 가스의 일부는 서로 반응하여 상기 기판 상에 박막층을 증착하고 상기 제1 가스와 상기 제2 가스의 나머지는 상기 기판 상에 순차적으로 적층되면서 박막층을 증착하는 공정으로 이루어진 경우에는 상기 제1 간격보다 작고 상기 제2 간격보다 큰 제3 간격으로 결정할 수 있다. The determining of the distance between the gas injection module and the substrate support may include: forming the thin film layer on the substrate by reacting the first gas and the second gas with each other; Determined at intervals; When the thin film forming process is a process of depositing a thin film layer while sequentially stacking the first gas and the second gas on the substrate, determining a second interval smaller than the first interval; In the thin film forming process, a portion of the first gas and the second gas react with each other to deposit a thin film layer on the substrate, and the remaining portion of the first gas and the second gas are sequentially stacked on the substrate to form a thin film layer. In the case of a deposition process, it may be determined as a third interval smaller than the first interval and larger than the second interval.
상기 박막 형성 공정은 제1 박막 형성 공정 및 제2 박막 형성 공정으로 이루어지고, 상기 제1 박막 형성 공정시의 상기 기판 지지부의 회전속도와 상기 제2 박막 형성 공정시의 상기 기판 지지부의 회전속도가 서로 상이할 수 있다. The thin film forming process includes a first thin film forming process and a second thin film forming process, wherein a rotation speed of the substrate support part in the first thin film forming process and a rotation speed of the substrate support part in the second thin film forming process May differ from one another.
상기 박막 형성 공정은 제1 박막 형성 공정 및 제2 박막 형성 공정으로 이루어지고, 상기 제1 박막 형성 공정시의 상기 가스 분사 모듈과 상기 기판 지지부 사이의 간격과 상기 제2 박막 형성 공정시의 상기 가스 분사 모듈과 상기 기판 지지부 사이의 간격이 서로 상이할 수 있다. The thin film forming process includes a first thin film forming process and a second thin film forming process, wherein an interval between the gas injection module and the substrate support part during the first thin film forming process and the gas during the second thin film forming process The spacing between the injection module and the substrate support may be different.
상기 제 1 가스 분사 공간에는 서로 마주하는 전원 전극 및 접지 전극이 형성되어 있어서 상기 전원 전극과 접지 전극 사이에서 플라즈마 방전이 이루어질 수 있다. 이 경우, 상기 전원 전극 및 접지 전극은 상기 기판 면과 수직 방향으로 연장될 수 있다. A power electrode and a ground electrode facing each other are formed in the first gas injection space so that plasma discharge may be performed between the power electrode and the ground electrode. In this case, the power electrode and the ground electrode may extend in a direction perpendicular to the surface of the substrate.
상기 구성에 의하면 다음과 같은 효과가 있다. According to the said structure, it has the following effects.
본 발명은 반응 가스 및 소스 가스가 서로 공간적으로 분리되어 마련된 제 1 가스 분사 공간 및 제 2 가스 분사 공간에서 개별적으로 분사되므로 반응 가스 및 소스 가스에 대한 개별적인 제어가 가능하다. In the present invention, since the reaction gas and the source gas are separately injected in the first gas injection space and the second gas injection space provided to be spatially separated from each other, separate control of the reaction gas and the source gas is possible.
특히, 본 발명은 상기 기판 지지부의 회전속도를 제어하거나 또는 상기 가스 분사 모듈과 기판 지지부 사이의 간격을 제어함으로써, 상기 반응 가스와 소스 가스의 거동을 제어하여 적층되는 박막층의 막질 및 적층되는 박막층의 증착속도 등을 용이하게 조절할 수 있다. In particular, the present invention is to control the behavior of the reaction gas and the source gas by controlling the rotational speed of the substrate support or the distance between the gas injection module and the substrate support, the film quality of the laminated film layer and the laminated thin film layer The deposition rate can be easily adjusted.
도 1은 종래의 기판 처리 장치를 개략적으로 설명하기 위한 도면이다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 장치를 개략적으로 나타내는 도면이다.
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 지지부 위에 배치된 복수의 가스 분사 모듈을 개념적으로 나타내는 도면이다.
도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 가스 분사 모듈을 나타내는 단면도이다.
도 5는 본 발명의 다른 실시예에 따른 가스 분사 모듈을 나타내는 단면도이다.
도 6은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 가스 분사 모듈을 나타내는 단면도이다.
도 7은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 가스 분사 모듈을 나타내는 단면도이다.1 is a schematic view for explaining a conventional substrate processing apparatus.
2 is a schematic view of a substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention.
3 is a view conceptually illustrating a plurality of gas injection modules disposed on a substrate support according to an embodiment of the present invention.
4 is a cross-sectional view showing a gas injection module according to an embodiment of the present invention.
5 is a cross-sectional view showing a gas injection module according to another embodiment of the present invention.
6 is a cross-sectional view showing a gas injection module according to another embodiment of the present invention.
7 is a cross-sectional view showing a gas injection module according to another embodiment of the present invention.
이하, 도면을 참조로 본 발명에 따른 바람직한 실시 예에 대해서 상세히 설명하기로 한다.Hereinafter, exemplary embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 장치를 개략적으로 나타내는 도면이고, 도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 지지부 위에 배치된 복수의 가스 분사 모듈을 개념적으로 나타내는 도면이며, 도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 가스 분사 모듈을 나타내는 단면도이다.2 is a view schematically showing a substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention, FIG. 3 is a view conceptually showing a plurality of gas injection modules disposed on a substrate support according to an embodiment of the present invention. 4 is a cross-sectional view showing a gas injection module according to an embodiment of the present invention.
도 2 내지 도 4를 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 장치는 공정 챔버(110), 챔버 리드(Chamber Lid; 115), 기판 지지부(120), 및 가스 분사부(130)를 포함하여 구성된다.2 to 4, a substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention may include a
공정 챔버(110)는 기판 처리 공정(예를 들어, 박막 증착 공정)을 위한 반응 공간을 제공한다. 상기의 공정 챔버(110)의 바닥면 또는 측면은 반응 공간의 가스 등을 배기시키기 위한 배기관(미도시)에 연통될 수 있다.The
챔버 리드(115)는 공정 챔버(110)의 상부를 덮도록 공정 챔버(110)의 상부에 설치되어 전기적으로 접지된다. 이러한 챔버 리드(115)는 가스 분사부(130)를 지지하는 것으로, 기판 지지부(120)의 상부를 복수의 공간으로 분할하도록 형성된 복수의 모듈 설치부(115a, 115b, 115c, 115d)를 포함하여 이루어진다. 이때, 복수의 모듈 설치부(115a, 115b, 115c, 115d)는 챔버 리드(115)의 중심점을 기준으로 90도 각도로 이격되면서 챔버 리드(115)에 방사 형태로 형성될 수 있다.The
공정 챔버(110) 및 챔버 리드(115)는 도시된 것처럼 6각형과 같은 다각형 구조로 형성될 수도 있지만, 원형 또는 타원형 구조로 형성될 수도 있다. The
도 2에서, 챔버 리드(115)는 4개의 모듈 설치부(115a, 115b, 115c, 115d)를 구비하는 것으로 도시되었지만, 이에 한정되지 않고, 챔버 리드(115)는 그 중심점을 기준으로 서로 대칭되는 2N(단, N은 자연수)개의 모듈 설치부를 구비할 수 있다. 다만, 반드시 그에 한정되는 것은 아니고 홀수 개의 모듈 설치부가 구비될 수도 있다. 이하, 챔버 리드(115)는 제 1 내지 제 4 모듈 설치부(115a, 115b, 115c, 115d)를 구비하는 것으로 가정하여 설명하기로 한다.In FIG. 2, the
전술한 상기 챔버 리드(115)에 의해 밀폐되는 공정 챔버(110)의 반응 공간은 챔버 리드(115)에 설치된 펌핑 관(117)을 통해 외부의 펌핑 수단(미도시)에 연결될 수 있다.The reaction space of the
상기 펌핑 관(117)은 챔버 리드(115)의 중심부에 형성된 핌핑 홀(115e)을 통해 공정 챔버(110)의 반응 공간에 연통된다. 이에 따라, 공정 챔버(110)의 내부는 펌핑 관(117)을 통한 펌핑 수단의 펌핑 동작에 따라 진공 상태 또는 대기압 상태가 된다. 이 경우, 반응 공간의 배기 공정은 상기 펌핑 관(117) 및 펌핑 홀(115e)을 이용한 상부 중앙 배기 방식을 이용하게 된다. 다만, 반드시 그에 한정되는 것은 아니고, 상기 펌핑 관(117) 및 펌핑 홀(115e)은 생략이 가능하다. The
기판 지지부(120)는 공정 챔버(110) 내부에 회전 가능하게 설치되며, 전기적으로 플로팅(Floating)될 수도 있고 접지(groud)될 수도 있다. 이러한 기판 지지부(120)는 공정 챔버(110)의 중앙 바닥면을 관통하는 회전축(미도시)에 의해 지지된다. 상기 회전축은 축 구동 부재(미도시)의 구동에 따라 회전됨으로써 기판 지지부(120)를 소정 방향(예를 들어, 반시계 방향)으로 회전시킨다. 또한, 상기 축 구동 부재의 제어를 통해서 상기 기판 지지부(120)의 회전속도를 변경할 수 있다. 그리고, 공정 챔버(110)의 하면 외부로 노출되는 상기의 회전축은 공정 챔버(110)의 하면에 설치되는 벨로우즈(미도시)에 의해 밀폐된다. The
상기 기판 지지부(120)는 소정의 승강기구와 연결되어 승강할 수 있고, 따라서 기판 지지부(120)의 승강에 의해서 제 1 내지 제 4 가스 분사 모듈(130a, 130b, 130c, 130d) 각각과 기판 지지부(120) 사이의 간격을 용이하게 변경할 수 있다. The
상기 기판 지지부(120)는 외부의 기판 로딩 장치(미도시)로부터 로딩되는 적어도 하나의 기판(W)을 지지한다. 이때, 기판 지지부(120)는 원판 형태를 가지도록 형성되어, 복수의 기판(W), 예를 들어 반도체 기판 또는 웨이퍼를 지지한다. 이 경우, 생산성 향상을 위해 기판 지지부(120)에는 복수의 기판(W)이 일정한 간격을 가지면서 원 형태로 배치될 수 있다.The
가스 분사부(130)는 챔버 리드(115)의 제 1 내지 제 4 모듈 설치부(115a, 115b, 115c, 115d) 각각에 삽입 설치되어 기판 지지부(120)의 중심점을 기준으로 이격 배치된 제 1 내지 제 4 가스 분사 모듈(130a, 130b, 130c, 130d)을 포함하여 구성된다. 이러한, 제 1 내지 제 4 가스 분사 모듈(130a, 130b, 130c, 130d) 각각은 기판 지지부(120) 위의 가스 분사 영역에 제 1 가스 및 제 2 가스(G1, G2)를 분사한다. 이에 따라, 제 1 내지 제 4 가스 분사 모듈(130a, 130b, 130c, 130d) 각각에서 분사되는 제 1 및 제 2 가스(G1, G2)는 기판 지지부(120) 상에 로딩된 기판(W) 상에서 반응하여 박막층을 형성한다. The
상기 제 1 가스(G1)는 플라즈마 방전에 의해 활성화되어 기판(W) 위로 분사될 수 있으며, 이와 같은 제 1 가스(G1)는 후술하는 소스 가스(SG)와 반응하여 박막층을 형성하는 반응 가스(Reactant Gas)(RG)로 이루어질 수 있다. 예를 들어, 상기 반응 가스(RG)는 질소(N2), 산소(O2), 이산화질소(N2O), 및 오존(O3) 중 적어도 어느 한 종류의 가스로 이루어질 수 있다.The first gas G1 may be activated by plasma discharge and injected onto the substrate W. The first gas G1 may react with a source gas SG to be described later to form a thin film layer ( Reactant Gas (RG). For example, the reaction gas RG may include at least one kind of gas selected from nitrogen (N 2), oxygen (O 2), nitrogen dioxide (N 2 O), and ozone (O 3).
상기 제 2 가스(G2)는 기판(W) 상에 증착될 박막 물질을 포함하는 소스 가스(Source Gas)(SG)로 이루어질 수 있다. 상기 소스 가스는 실리콘(Si), 티탄족 원소(Ti, Zr, Hf 등), 또는 알루미늄(Al) 등과 같은 박막 물질을 함유하여 이루어질 수 있다. 예를 들어, 실리콘(Si)의 박막 물질을 함유하여 이루어진 소스 가스는 TEOS(Tetraethylorthosilicate), DCS(Dichlorosilane), HCD(Hexachlorosilane), TriDMAS(Tri-dimethylaminosilane), TSA(Trisilylamine), SiH2Cl2, SiH4, Si2H6, Si3H8, Si4H10, 및 Si5H12 중에서 선택된 가스일 수 있다.The second gas G2 may be formed of a source gas SG including a thin film material to be deposited on the substrate W. The source gas may include a thin film material such as silicon (Si), titanium group elements (Ti, Zr, Hf, etc.), or aluminum (Al). For example, the source gas containing a thin film of silicon (Si) may be Tetraethylorthosilicate (TEOS), Dichlorosilane (DCS), Hexachlorosilane (HCD), Tri-dimethylaminosilane (TriDMAS), Trisilylamine (TSA), SiH2Cl2, SiH4, Si2H6. , Si3H8, Si4H10, and Si5H12.
제 1 내지 제 4 가스 분사 모듈(130a, 130b, 130c, 130d) 각각은 접지 전극 프레임(210), 가스 홀 패턴 부재(230), 절연 부재(240), 및 전원 전극(250)을 포함하여 구성된다.Each of the first to fourth
접지 전극 프레임(210)은 제 1 가스(G1)를 분사하는 제 1 가스 분사 공간(S1)과 제 2 가스(G2)를 분사하는 제 2 가스 분사 공간(S2)을 가지도록 형성된다. 이러한 접지 전극 프레임(210)은 챔버 리드(115)의 각 모듈 설치부(115a, 115b, 115c, 115d)에 삽입 설치되어 챔버 리드(115)를 통해 전기적으로 접지된다. 이를 위해, 접지 전극 프레임(210)은 상면 플레이트(210a), 접지 측벽(210b), 및 접지 격벽 부재(210c)로 이루어진다.The
상면 플레이트(210a)는 직사각 형태로 형성되어 챔버 리드(115)의 해당 모듈 설치부(115a, 115b, 115c, 115d)에 결합된다. 이러한 상면 플레이트(210a)에는 절연 부재 지지 홀(212), 제 1 가스 공급 홀(214), 및 제 2 가스 공급 홀(216)이 형성된다.The
절연 부재 지지 홀(212)은 제 1 가스 분사 공간(S1)에 연통되도록 상면 플레이트(210a)를 관통하여 형성된다. 이러한 절연 부재 지지 홀(212)은 직사각 형태의 평면을 가지도록 형성될 수 있다.The insulating
제 1 가스 공급 홀(214)은 제 1 가스 분사 공간(S1)에 연통되도록 상면 플레이트(210a)를 관통하여 형성된다. 이러한 제 1 가스 공급 홀(214)은 가스 공급 관(미도시)을 통해 외부의 제 1 가스 공급 수단(미도시)에 연결됨으로써 제 1 가스 공급 수단(미도시)으로부터 가스 공급 관을 통해 제 1 가스(G1), 즉 상기 반응 가스를 공급받는다. 상기 제 1 가스 공급 홀(214)은 상기 절연 부재 지지 홀(212)의 양측에 일정한 간격을 가지도록 복수로 형성되어 제 1 가스 분사 공간(S1)에 연통될 수 있다. 상기 제 1 가스 공급 홀(214)에 공급되는 제 1 가스(G1)는 제 1 가스 분사 공간(S1)에 공급되어 제 1 가스 분사 공간(S1) 내에서 플라즈마 방전에 의해 활성화되고, 제 1 압력으로 기판 쪽으로 하향 분사된다. 이를 위해, 제 1 가스 분사 공간(S1)의 하면은 상기 제 1 가스(G1)가 기판 쪽으로 하향 분사되도록 별도의 가스 분사 홀 패턴 없이 전체적으로 개구된 형태를 갖는 제 1 가스 분사구(231)의 역할을 한다.The first
제 2 가스 공급 홀(216)은 제 2 가스 분사 공간(S2)에 연통되도록 상면 플레이트(210a)를 관통하여 형성된다. 이러한 제 2 가스 공급 홀(216)은 가스 공급 관(미도시)을 통해 외부의 제 2 가스 공급 수단(미도시)에 연결됨으로써 제 2 가스 공급 수단(미도시)으로부터 가스 공급 관을 통해 제 2 가스(G2), 즉 상기 소스 가스를 공급받는다. 상기 제 2 가스 공급 홀(216)은 상면 플레이트(210a)에 일정한 간격을 가지도록 복수로 형성되어 제 2 가스 분사 공간(S2)에 연통될 수 있다.The second
복수 개의 접지 측벽(210b) 각각은 상면 플레이트(210a)의 장변 및 단변 가장자리 하면으로부터 소정 높이를 가지도록 수직하게 돌출되어 상면 플레이트(210a)의 하부에 사각 형태의 하면 개구부를 마련한다. 이러한 접지 측벽들(210b) 각각은 챔버 리드(115)를 통해 전기적으로 접지되어 접지 전극의 역할을 한다. Each of the plurality of
접지 격벽 부재(210c)는 상면 플레이트(210a)의 중앙 하면으로부터 소정 높이를 가지도록 수직하게 돌출되어 접지 측벽들(210b)의 장변들과 나란하게 배치된다. 이러한 접지 격벽 부재(210c)에 의해서 상기 제 1 및 제 2 가스 분사 공간(S1, S2)이 서로 분리된다. 이와 같은, 상기 접지 격벽 부재(210c)는 접지 전극 프레임(210)에 일체화되거나 전기적으로 결합되어 접지 전극 프레임(210)을 통해 전기적으로 접지됨으로써 접지 전극의 역할을 한다.The ground
전술한 접지 전극 프레임(210)의 설명에서는 접지 전극 프레임(210)이 상면 플레이트(210a)와 접지 측벽들(210b) 및 접지 격벽 부재(210c)로 구성되는 것으로 설명하였지만, 이에 한정되지 않고, 접지 전극 프레임(210)은 상면 플레이트(210a)와 접지 측벽들(210b) 및 접지 격벽 부재(210c)가 서로 일체화된 하나의 몸체가 형성될 수 있다.In the above description of the
한편, 상기 접지 전극 프레임(210)의 제 1 및 제 2 가스 분사 공간(S1, S2)의 위치는 변경이 가능하다. 즉, 상기 제 1 및 제 2 가스 분사 공간(S1, S2)의 위치는 기판 지지부(120)의 회전에 따라 회전하는 기판(W)이 제 2 가스(G2)에 먼저 노출된 후 제 1 가스(G1)에 노출되도록 설정될 수도 있고, 제1 가스(G1)에 먼저 노출된 후 제2 가스(G2)에 노출되도록 설정될 수도 있다. The positions of the first and second gas injection spaces S1 and S2 of the
가스 홀 패턴 부재(230)는 제 2 가스 분사 공간(S2)에 설치되어 상기 접지 격벽 부재(210c)를 사이에 두고 인접한 제 1 가스 분사 공간(S1)으로부터 분사되는 제 1 가스(G1)가 제 2 가스 분사 공간(S2)으로 확산, 역류, 및 침투하는 것을 방지한다. 즉, 상기 제 1 가스(G1)가 제 2 가스 분사 공간(S2)으로 확산, 역류, 및 침투할 경우, 제 2 가스 분사 공간(S2) 내에서 상기 제 1 가스(G1)와 상기 제 2 가스(G2)가 반응할 수 있고, 이로 인해 제 2 가스 분사 공간(S2)의 내벽에 이상 박막이 증착되거나 파우더 성분의 이상 박막이 형성되어 기판에 떨어지는 파티클이 생성될 수도 있다. 따라서, 상기 가스 홀 패턴 부재(230)는 이와 같은 제 2 가스 분사 공간(S2)의 내벽에 이상 박막이 증착되거나 파우더 성분의 이상 박막이 형성되는 것을 방지하는 기능을 하는 것이다. The gas
상기 가스 홀 패턴 부재(230)는 제 2 가스 분사 공간(S2)의 하면을 덮도록 제 2 가스 분사 공간(S2)을 마련하는 접지 측벽들(210b)과 접지 격벽 부재(210c) 각각의 하면에 일체화되거나, 극성을 가지지 않는 절연 재질의 절연판(또는 샤워 헤드) 형태로 형성되어 제 2 가스 분사 공간(S2)의 하면에 결합될 수 있다. 이에 따라, 접지 전극 프레임(210)의 상면 플레이트(210a)와 가스 홀 패턴 부재(230) 사이의 제 2 가스 분사 공간(S2)에는 소정의 가스 확산 공간 또는 가스 버퍼링 공간이 마련된다.The gas
상기 가스 홀 패턴 부재(230)는 제 2 가스 공급 홀(216)을 통해 제 2 가스 분사 공간(S2)에 공급된 제 2 가스(G2)를 기판 쪽으로 하향 분사하는 복수의 제 2 가스 분사구(232)를 포함하여 구성된다.The gas
상기 복수의 제 2 가스 분사구(232)는 상기 제 2 가스(G2)가 확산되는 제 2 가스 분사 공간(S2)에 연통되도록 홀 패턴 형태로 형성되어 상기 제 2 가스(G2)를 상기 제 1 가스(G1)의 분사 압력보다 높은 제 2 압력으로 기판 쪽으로 하향 분사한다. 이와 같이, 상기 가스 홀 패턴 부재(230)는 기판 상에 분사되는 제 2 가스(G2)의 분사 압력을 높여줘 제 1 가스 분사 공간(S1)으로부터 분사되는 제 1 가스(G1)가 제 2 가스 분사 공간(S2)으로 확산, 역류, 및 침투하는 것을 방지한다. The plurality of second gas injection holes 232 are formed in a hole pattern shape so as to communicate with the second gas injection space S2 through which the second gas G2 is diffused, thereby converting the second gas G2 into the first gas. The jet is injected downward toward the substrate at a second pressure higher than the injection pressure of (G1). As such, the gas
또한, 상기 가스 홀 패턴 부재(230)는 제 2 가스 분사구(232)를 통해 상기 제 2 가스(G2)를 하향 분사하고, 홀이 형성된 판형상으로 인해 상기 제 2 가스(G2)를 지연시키거나 정체시켜 제 2 가스(G2)의 사용량을 감소시킬 수 있다. 게다가, 가스 분사구(232)의 홀 패턴 형상을 조절 함으로서 가스의 유량을 조절할 수 있어서 상기 제 제 2 가스(G2)의 사용 효율성을 증대시킨다.In addition, the gas
절연 부재(240)는 절연 물질로 이루어져 접지 전극 프레임(210)에 형성된 절연 부재 지지 홀(212)에 삽입됨과 아울러 체결 부재(미도시)에 의해 접지 전극 프레임(210)의 상면에 결합된다. 이러한 절연 부재(240)는 제 1 가스 분사 공간(S1)에 연통되는 전극 삽입 홀을 포함하여 구성된다.The insulating
전원 전극(250)은 도전성 재질로 이루어져 절연 부재(240)의 전극 삽입 홀에 관통 삽입되어 접지 전극 프레임(210)의 하면으로부터 소정 높이로 돌출됨으로써 제 1 가스 분사 공간(S1)에 배치된다. 이때, 전원 전극(250)은 접지 전극으로 기능하는 접지 격벽 부재(210c) 및 접지 전극 프레임(210)의 측벽(210b)과 동일한 높이로 돌출될 수 있다. The
상기 전원 전극(250)은 급전 케이블을 통해 플라즈마 전원 공급부(140)에 전기적으로 접속됨으로써 플라즈마 전원 공급부(140)로부터 공급되는 플라즈마 전원에 따라 제 1 가스 분사 공간(S1)에 플라즈마 방전을 일으킨다. 즉, 상기 플라즈마 방전은 접지 전극의 역할을 하는 접지 측벽(210b) 및 접지 격벽 부재(210c) 각각과 플라즈마 전원이 공급되는 전원 전극(250) 사이에 발생됨으로써 제 1 가스 분사 공간(S1)에 공급되는 제 1 가스(G1)를 활성화시킨다. The
플라즈마 전원 공급부(140)는 소정의 주파수를 가지는 플라즈마 전원을 발생하고, 급전 케이블을 통해 플라즈마 전원을 제 1 내지 제 4 가스 분사 모듈(130a, 130b, 130c, 130d) 각각에 공통적으로 공급하거나 개별적으로 공급한다. 이때, 플라즈마 전원은 고주파(예를 들어, HF(High Frequency) 전력 또는 VHF(Very High Frequency) 전력이 공급된다. 예를 들어, HF 전력은 3㎒ ~ 30㎒ 범위의 주파수를 가지며, VHF 전력은 30㎒ ~ 300㎒ 범위의 주파수를 가질 수 있다.The plasma
한편, 상기 급전 케이블에는 임피던스 매칭 회로(미도시)가 접속된다. 상기 임피던스 매칭 회로는 플라즈마 전원 공급부(140)로부터 제 1 내지 제 4 가스 분사 모듈(130a, 130b, 130c, 130d) 각각에 공급되는 플라즈마 전원의 부하 임피던스와 소스 임피던스를 정합시킨다. 이러한 임피던스 매칭 회로는 가변 커패시터 및 가변 인덕터 중 적어도 하나로 구성되는 적어도 2개의 임피던스 소자(미도시)로 이루어질 수 있다.On the other hand, an impedance matching circuit (not shown) is connected to the feed cable. The impedance matching circuit matches the load impedance and the source impedance of the plasma power source supplied from the plasma
전술한 제 1 내지 제 4 가스 분사 모듈(130a, 130b, 130c, 130d) 각각은 전원 전극(250)에 공급되는 플라즈마 전원에 따라 제 1 가스 분사 공간(S1)에 플라즈마 방전을 발생시켜 제 1 가스 분사 공간(S1)의 제 1 가스(G1)를 활성화하여 하향 분사함과 동시에 가스 홀 패턴 부재(230)를 통해 제 2 가스 분사 공간(S2)의 제 2 가스(G2)를 소정의 압력으로 하향 분사한다. Each of the first to fourth
이상과 같이, 본 발명은 반응 가스 및 소스 가스가 서로 공간적으로 분리되어 마련된 제 1 가스 분사 공간(S1) 및 제 2 가스 분사 공간(S2)에서 개별적으로 분사되므로 반응 가스 및 소스 가스에 대한 개별적인 제어가 가능하다. As described above, according to the present invention, since the reaction gas and the source gas are separately injected in the first gas injection space S1 and the second gas injection space S2 provided to be spatially separated from each other, separate control of the reaction gas and the source gas is performed. Is possible.
특히, 본 발명은 상기 기판 지지부(120)의 회전속도를 제어하거나 또는 상기 가스 분사 모듈(130a, 130b, 130c, 130d)과 기판 지지부(120) 사이의 간격을 제어함으로써, 상기 반응 가스와 소스 가스의 거동을 제어하여 적층되는 박막층의 막질 및 적층되는 박막층의 증착속도 등을 용이하게 조절할 수 있다. 이에 대해서 구체적으로 설명하면 다음과 같다. In particular, the present invention by controlling the rotational speed of the
우선, 상기 가스 분사 모듈(130a, 130b, 130c, 130d)과 기판 지지부(120) 사이의 간격을 고정한 상태에서 상기 기판 지지부(120)의 회전속도를 제어함으로써, 상기 반응 가스와 소스 가스의 거동을 제어하여 적층되는 박막층의 막질 및 적층되는 박막층의 증착속도 등을 조절하는 방법을 하기 표 1을 참조하여 설명하기로 한다. First, by controlling the rotational speed of the
증착됨Reaction gas and source gas react
Deposited
적층되면서 증착됨Reaction gas and source gas
Deposited as stacked
나머지는 별도의 적층되면서 증착됨Some react and deposit,
The rest is deposited as a separate stack
위의 표 1에서 알 수 있듯이, 상대적으로 빠른 제1 회전속도로 상기 기판 지지부(120)를 회전시키게 되면 제1 가스(반응 가스)와 제2 가스(소스 가스)가 반응하여 기판(W) 상에 박막층이 증착된다. 즉, 상대적으로 빠른 제1 회전속도로 상기 기판 지지부(120)를 회전시키게 되면 증착속도는 빨라지지만 일반적인 CVD 공정과 유사하게 박막층의 막질은 떨어지게 된다. As can be seen in Table 1 above, when the
상대적으로 느린 제2 회전속도로 상기 기판 지지부(120)를 회전시키게 되면 제1 가스(반응 가스)와 제2 가스(소스 가스)가 기판(W) 상에 순차적으로 적층되면서 박막층이 증착된다. 즉, 상대적으로 느린 제2 회전속도로 상기 기판 지지부(120)를 회전시키게 되면 증착속도는 느려지지만 일반적인 ALD 공정과 유사하게 박막층의 막질은 우수하게 된다.When the
상기 제1 회전속도보다는 작고 상기 제2 회전속도보다는 큰 제3 회전속도로 상기 기판 지지부(120)를 회전시키게 되면 제1 가스(반응 가스)와 제2 가스(소스 가스)의 일부는 반응하여 기판(W) 상에 박막층이 증착되고 제1 가스(반응 가스)와 제2 가스(소스 가스)의 나머지는 기판(W) 상에 순차적으로 적층되면서 박막층이 증착될 수 있다. 즉, 상대적으로 중간인 제3 회전속도로 상기 기판 지지부(120)를 회전시키게 되면 증착속도는 중간이면서 일반적인 CVD 공정 및 ALD 공정의 조합과 유사한 박막층의 막질을 얻을 수 있다. When the
따라서, 본 발명의 일 실시예에 따르면, 상기 기판 지지부(120)의 회전속도를 제어함으로써, 적층되는 박막층의 막질 및 적층되는 박막층의 증착속도를 용이하게 조절할 수 있고, 따라서, 증착해야 하는 박막의 특성을 고려하여 상기 기판 지지부(120)의 회전속도를 결정할 수 있다. Therefore, according to an embodiment of the present invention, by controlling the rotational speed of the
다음, 상기 기판 지지부(120)의 회전속도를 고정한 상태에서 상기 가스 분사 모듈(130a, 130b, 130c, 130d)과 기판 지지부(120) 사이의 간격(도 4의 H 참조)을 제어함으로써, 상기 반응 가스와 소스 가스의 거동을 제어하여 적층되는 박막층의 막질 및 적층되는 박막층의 증착속도 등을 조절하는 방법을 하기 표 2를 참조하여 설명하기로 한다. Next, the reaction is controlled by controlling the interval (see H in FIG. 4) between the
증착됨Reaction gas and source gas react
Deposited
적층되면서 증착됨Reaction gas and source gas
Deposited as stacked
나머지는 별도의 적층되면서 증착됨Some react and deposit,
The rest is deposited as a separate stack
위의 표 2에서 알 수 있듯이, 상대적으로 큰 제1 간격으로 상기 가스 분사 모듈(130a, 130b, 130c, 130d)과 기판 지지부(120) 사이의 간격(도 4의 H 참조)을 설정하게 되면 제1 가스(반응 가스)와 제2 가스(소스 가스)가 반응하여 기판(W) 상에 박막층이 증착된다. 즉, 상대적으로 큰 제1 간격으로 설정하면 증착속도는 느려지고 일반적인 CVD 공정과 유사하게 박막층의 막질은 떨어지게 된다. As can be seen in Table 2 above, when the distance between the gas injection module (130a, 130b, 130c, 130d) and the
상대적으로 작은 제2 간격으로 상기 가스 분사 모듈(130a, 130b, 130c, 130d)과 기판 지지부(120) 사이의 간격(도 4의 H 참조)을 설정하게 되면 제1 가스(반응 가스)와 제2 가스(소스 가스)가 기판(W) 상에 순차적으로 적층되면서 박막층이 증착된다. 즉, 상대적으로 작은 제2 간격으로 설명하게 되면 증착속도는 빨라지고 일반적인 ALD 공정과 유사하게 박막층의 막질은 우수하게 된다.The first gas (reactive gas) and the second are set when the distance between the
상기 제1 간격보다는 작고 상기 제2 간격보다는 큰 제3 간격으로 설정하게 되면 제1 가스(반응 가스)와 제2 가스(소스 가스)의 일부는 반응하여 기판(W) 상에 박막층이 증착되고 제1 가스(반응 가스)와 제2 가스(소스 가스)의 나머지는 기판(W) 상에 순차적으로 적층되면서 박막층이 증착될 수 있다. 즉, 상대적으로 중간인 제3 간격으로 설정하게 되면 증착속도는 중간이면서 일반적인 CVD 공정 및 ALD 공정의 조합과 유사한 박막층의 막질을 얻을 수 있다. When set to a third interval smaller than the first interval and larger than the second interval, a portion of the first gas (reactive gas) and the second gas (source gas) react to deposit a thin film layer on the substrate W, and The thin film layer may be deposited while the rest of the first gas (reaction gas) and the second gas (source gas) are sequentially stacked on the substrate (W). In other words, when the film is set at a relatively intermediate third interval, the film quality of the thin film layer, which is similar to the combination of the general CVD process and the ALD process, with a medium deposition rate, can be obtained.
따라서, 본 발명의 일 실시예에 따르면, 상기 가스 분사 모듈(130a, 130b, 130c, 130d)과 기판 지지부(120) 사이의 간격(도 4의 H 참조)을 제어함으로써, 적층되는 박막층의 막질 및 적층되는 박막층의 증착속도를 용이하게 조절할 수 있고, 따라서, 증착해야 하는 박막의 특성을 고려하여 상기 가스 분사 모듈(130a, 130b, 130c, 130d)과 기판 지지부(120) 사이의 간격(도 4의 H 참조)을 결정할 수 있다. Therefore, according to an embodiment of the present invention, by controlling the interval (see H of FIG. 4) between the gas injection module (130a, 130b, 130c, 130d) and the
결국, 본 발명의 일 실시예에 따르면, 기판 지지부(120)의 회전속도와 상기 가스 분사 모듈(130a, 130b, 130c, 130d)과 기판 지지부(120) 사이의 간격(도 4의 H 참조)을 함께 제어함으로써, 박막층의 막질 및 적층되는 박막층의 증착속도를 용이하게 조절할 수 있게 된다. As a result, according to an embodiment of the present invention, the rotational speed of the
또한, 본 발명은 플라즈마 방전 공간이, 종래와 같이 전원 전극과 기판 사이의 영역에 형성되는 것이 아니라, 서로 마주하는 전원 전극과 접지 전극 사이에서 형성되어 있어 플라즈마 방전에 의한 기판(W) 손상이 방지될 수 있다. 또한, 본 발명의 일 실시예에 따르면, 전원 전극(250)과 접지 전극이 기판(W) 면에 대해서 수직 방향으로 연장되어 있기 때문에, 플라즈마 방전에 의해서 생성되는 양이온 또는 전자가 기판(W) 면으로 이동하지 않고, 기판(W) 면에 평행한 방향인 전원 전극(250) 또는 접지 전극 방향으로 이동하고, 따라서 플라즈마 방전에 의한 기판(W) 영향을 최소화할 수 있다. In addition, in the present invention, the plasma discharge space is not formed in the region between the power supply electrode and the substrate as in the prior art, but is formed between the power supply electrode and the ground electrode facing each other, thereby preventing damage to the substrate W due to the plasma discharge. Can be. In addition, according to an embodiment of the present invention, since the
이와 같은, 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 장치(100)를 이용한 기판 처리 방법은 다음과 같다. As described above, the substrate processing method using the
공정 챔버(110) 내에 복수의 가스 분사 모듈(130a, 130b, 130c, 130d)을 설치하고 기판 지지부(120) 상에 적어도 하나의 기판(W)을 안착시킨다. A plurality of
그 후, 상기 가스 분사 모듈(130a, 130b, 130c, 130d)과 상기 기판 지지부(120) 사이의 간격을 결정하고 상기 기판 지지부(120)를 승강시켜 상기 간격을 맞춘다. 상기 가스 분사 모듈(130a, 130b, 130c, 130d)과 상기 기판 지지부(120) 사이의 간격을 결정하는 공정은 상기 기판(W)을 안착시키기 전에 미리 수행할 수도 있다. Thereafter, the gap between the
이때, 상기 가스 분사 모듈(130a, 130b, 130c, 130d)과 상기 기판 지지부(120) 사이의 간격(H)을 결정하는 공정은, 전술한 바와 같이 형성되어야 할 박막층의 특성에 맞춰서 수행한다. 구체적으로, 제1 가스(반응 가스)와 제2 가스(소스 가스)가 서로 반응하여 기판 상에 박막층을 증착함으로써 CVD와 유사한 막질의 박막층을 형성할 경우에는, 상기 간격(H)으로서 상대적으로 간격이 큰 제1 간격으로 결정한다. 또한, 제1 가스(반응 가스)와 제2 가스(소스 가스)가 기판 상에 순차적으로 적층되면서 박막층을 증착함으로써 ALD와 유사한 막질의 박막층을 형성할 경우에는, 상기 간격(H)으로서 상대적으로 간격이 작은 제2 간격으로 결정한다. 또한, 제1 가스(반응 가스)와 제2 가스(소스 가스)의 일부는 서로 반응하여 기판 상에 박막층을 증착하고 제1 가스(반응 가스)와 제2 가스(소스 가스)의 나머지는 기판 상에 순차적으로 적층되면서 박막층을 증착함으로써 CVD 및 ALD의 조합과 유사한 막질의 박막층을 형성할 경우에는, 상기 간격(H)으로서 상기 제1 간격보다 작고 상기 제2 간격보다 큰 제3 간격으로 결정한다. At this time, the process of determining the distance (H) between the gas injection module (130a, 130b, 130c, 130d) and the
다음, 상기 기판 지지부(120)의 회전속도를 결정하고 결정한 회전속도에 따라 상기 기판 지지부(120)를 회전시킨다. Next, the rotational speed of the
이때, 상기 기판 지지부(120)의 회전속도를 결정하는 공정은, 전술한 바와 같이 형성되어야 할 박막층의 특성에 맞춰서 수행한다. 구체적으로, 제1 가스(반응 가스)와 제2 가스(소스 가스)가 서로 반응하여 기판 상에 박막층을 증착함으로써 CVD와 유사한 막질의 박막층을 형성할 경우에는, 상기 회전속도로서 상대적으로 속도가 큰 제1 회전속도로 결정한다. 또한, 제1 가스(반응 가스)와 제2 가스(소스 가스)가 기판 상에 순차적으로 적층되면서 박막층을 증착함으로써 ALD와 유사한 막질의 박막층을 형성할 경우에는, 상기 회전속도로서 상대적으로 속도가 작은 제2 회전속도로 결정한다. 또한, 제1 가스(반응 가스)와 제2 가스(소스 가스)의 일부는 서로 반응하여 기판 상에 박막층을 증착하고 제1 가스(반응 가스)와 제2 가스(소스 가스)의 나머지는 기판 상에 순차적으로 적층되면서 박막층을 증착함으로써 CVD 및 ALD의 조합과 유사한 막질의 박막층을 형성할 경우에는, 상기 속도로서 상기 제1 회전속도보다 작고 상기 제2 회전속도보다 큰 제3 회전속도로 결정한다. At this time, the process of determining the rotational speed of the
다음, 플라즈마 방전을 일으키면서 복수 개의 가스 분사 모듈 중 적어도 하나의 가스 분사 모듈을 통해 제 1 가스(G1) 및 제 2 가스(G2)를 기판(W) 상으로 하향 분사하는 박막 형성 공정을 수행한다. 이에 따라, 전술한 각각의 경우에 따른 박막층이 형성된다. Next, a thin film forming process of spraying the first gas G1 and the second gas G2 down onto the substrate W is performed through at least one gas injection module of the plurality of gas injection modules while generating a plasma discharge. . Accordingly, the thin film layer according to each case described above is formed.
상기 박막 형성 공정은 제1 박막 형성 공정 및 제2 박막 형성 공정으로 이루어질 수 있다. 이때, 상기 제1 박막 형성 공정과 상기 제2 박막 형성 공정은 서로 상이한 공정 조건에서 수행함으로써 막질이 상이한 제1 박막층과 제2 박막층을 얻을 수 있다. The thin film forming process may include a first thin film forming process and a second thin film forming process. In this case, the first thin film forming process and the second thin film forming process may be performed under different process conditions to obtain a first thin film layer and a second thin film layer having different film quality.
구체적으로, 상기 제1 박막 형성 공정시의 상기 기판 지지부(120)의 회전속도와 상기 제2 박막 형성 공정시의 상기 기판 지지부(120)의 회전속도를 상이하게 설정할 수도 있고, 상기 제1 박막 형성 공정시의 상기 가스 분사 모듈(130a, 130b, 130c, 130d)과 상기 기판 지지부(120) 사이의 간격과 상기 제2 박막 형성 공정시의 상기 가스 분사 모듈(130a, 130b, 130c, 130d)과 상기 기판 지지부 사이의 간격을 상이하게 설정할 수도 있다. Specifically, the rotational speed of the
이때, 상기 제1 박막층과 제2 박막층은 서로 동일한 물질로 이루어질 수도 있고, 서로 상이한 물질로 이루어질 수도 있다. In this case, the first thin film layer and the second thin film layer may be made of the same material, or may be made of a different material.
이상과 같이, 본 발명의 일 실시예에 따르면, 반응 공간을 공간적으로 분할하도록 배치된 복수의 가스 분사 모듈(130a, 130b, 130c, 130d)을 통해 제 1 가스(G1)와 제 2 가스(G2)를 분사하여 각 기판(W)에 박막을 증착함으로써 박막의 증착 균일도, 증착 속도 및 증착 효율을 향상시키고, 박막의 막질 제어를 용이하게 할 수 있다. As described above, according to the exemplary embodiment of the present invention, the first gas G1 and the second gas G2 are provided through the plurality of
또한, 종래에는 기판 상의 전영역에 소스 가스가 분사되므로 소스 가스의 사용 효율성이 저하되는 반면, 본 발명에 따르면 복수의 가스 분사 모듈(130a, 130b, 130c, 130d)을 사용함으로써 소스 가스의 사용 효율성이 향상될 수 있다. In addition, while the source gas is conventionally injected into the entire region on the substrate, the use efficiency of the source gas is lowered, whereas according to the present invention, the use efficiency of the source gas is achieved by using the plurality of
도 5는 본 발명의 다른 실시예에 따른 가스 분사 모듈을 나타내는 단면도로서, 이는 도 4에 도시한 가스 분사 모듈의 제 2 가스 분사 공간(S2)에 전원 전극(450)을 추가로 형성한 것이다. 이하에서는, 상이한 구성에 대해서만 설명하기로 한다. 5 is a cross-sectional view illustrating a gas injection module according to another embodiment of the present invention, in which a power electrode 450 is further formed in the second gas injection space S2 of the gas injection module illustrated in FIG. 4. Hereinafter, only different configurations will be described.
도 5에서 알 수 있듯이, 본 발명의 다른 실시예에 따르면, 제 2 가스 분사 공간(S2)에 전원 전극(450)이 추가로 형성된다. 이를 위해서, 제2 가스 분사 공간(S2)에 연통되면서 상면 플레이트(210a)를 관통하는 절연 부재 지지 홀(215)이 형성되고, 절연 부재(240)가 상기 절연 부재 지지 홀(215)에 삽입된다. 이때, 상기 절연 부재(240)는 제 2 가스 분사 공간(S2)에 연통되는 전극 삽입 홀을 포함하여 구성되어 있어, 전원 전극(450)이 전극 삽입 홀을 관통하여 돌출되어 있다. As can be seen in Figure 5, according to another embodiment of the present invention, a power electrode 450 is further formed in the second gas injection space (S2). To this end, an insulating member support hole 215 is formed in communication with the second gas injection space S2 and penetrates the
이와 같이, 제 2 가스 분사 공간(S2)에 형성되는 전원 전극(450)의 구조는 제 1 가스 분사 공간(S1)에 형성되는 전원 전극(450)의 구조와 동일할 수 있다. As such, the structure of the power electrode 450 formed in the second gas injection space S2 may be the same as that of the power electrode 450 formed in the first gas injection space S1.
도 6은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 가스 분사 모듈을 나타내는 단면도로서, 이는 도 4에 도시한 가스 분사 모듈의 제 2 가스 분사 공간(S2)에서 가스 홀 패턴 부재(230)를 생략한 것이다. 즉, 가스 홀 패턴 부재(230)에 의해서 전술한 바와 같은 이점을 얻을 수 있지만, 가스 홀 패턴 부재(230)가 반드시 필요한 것은 아니다. FIG. 6 is a cross-sectional view illustrating a gas injection module according to another exemplary embodiment, in which the gas
도 7은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 가스 분사 모듈을 나타내는 단면도로서, 이는 도 5에 도시한 가스 분사 모듈의 제 2 가스 분사 공간(S2)에서 가스 홀 패턴 부재(230)를 생략한 것이다. FIG. 7 is a cross-sectional view illustrating a gas injection module according to another exemplary embodiment, in which the gas
본 발명이 속하는 기술분야의 당업자는 본 발명이 그 기술적 사상이나 필수적 특징을 변경하지 않고서 다른 구체적인 형태로 실시될 수 있다는 것을 이해할 수 있을 것이다. 그러므로, 이상에서 기술한 실시 예들은 모든 면에서 예시적인 것이며 한정적인 것이 아닌 것으로 이해해야만 한다. 본 발명의 범위는 상기 상세한 설명보다는 후술하는 특허청구범위에 의하여 나타내어지며, 특허청구범위의 의미 및 범위 그리고 그 등가 개념으로부터 도출되는 모든 변경 또는 변형된 형태가 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 한다.It will be understood by those skilled in the art that the present invention may be embodied in other specific forms without departing from the spirit or essential characteristics thereof. It is therefore to be understood that the above-described embodiments are illustrative in all aspects and not restrictive. The scope of the present invention is defined by the appended claims rather than the detailed description and all changes or modifications derived from the meaning and scope of the claims and their equivalents are to be construed as being included within the scope of the present invention do.
110: 공정 챔버 115: 챔버 리드
120: 기판 지지부 130: 가스 분사부
130a: 제 1 가스 분사 모듈 130b: 제 2 가스 분사 모듈
130c: 제 3 가스 분사 모듈 130d: 제 4 가스 분사 모듈
140: 플라즈마 전원 공급부 210: 접지 전극 프레임
230: 가스 홀 패턴 부재 250: 전원 전극110: process chamber 115: chamber lead
120: substrate support 130: gas injection unit
130a: first
130c: third
140: plasma power supply 210: ground electrode frame
230: gas hole pattern member 250: power electrode
Claims (16)
적어도 하나의 기판을 지지하도록 상기 공정 챔버 내에 설치되며, 소정 방향으로 회전하며 그 회전속도가 변경될 수 있도록 구성된 기판 지지부;
상기 기판 지지부에 대향하면서 상기 공정 챔버의 상부를 덮는 챔버 리드; 및
상기 챔버 리드에 연결되어 있고, 상기 기판 상에 가스를 분사하는 복수의 가스 분사 모듈을 구비한 가스 분사부를 포함하여 이루어지고,
이때, 복수의 가스 분사 모듈 각각은 서로 공간적으로 분리되어 마련된 제 1 가스를 분사하는 제 1 가스 분사 공간 및 제 2 가스를 분사하는 제 2 가스 분사 공간을 포함하여 이루어지고,
상기 기판 지지부는 소정의 승강기구와 연결되어 승강하도록 구성되어 있어서 상기 가스 분사 모듈과 상기 기판 지지부 사이의 간격이 변경될 수 있는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치. A process chamber;
A substrate support installed in the process chamber to support at least one substrate, the substrate support being configured to rotate in a predetermined direction and to change a rotation speed thereof;
A chamber lid facing the substrate support and covering the top of the process chamber; And
A gas injector connected to the chamber lid and having a plurality of gas injector modules for injecting gas onto the substrate,
In this case, each of the plurality of gas injection modules comprises a first gas injection space for injecting a first gas provided to be separated from each other and a second gas injection space for injecting a second gas,
And the substrate support part is configured to be connected to and lift up and down by a predetermined lifting mechanism, so that a distance between the gas injection module and the substrate support part can be changed.
상기 기판 지지부가 제1 회전속도로 회전할 경우 상기 제1 가스와 상기 제2 가스가 서로 반응하여 상기 기판 상에 박막층이 증착되고,
상기 기판 지지부가 상기 제1 회전속도보다 작은 제2 회전속도로 회전할 경우 상기 제1 가스와 상기 제2 가스가 상기 기판 상에 순차적으로 적층되면서 박막층이 증착되는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치. The method of claim 1,
When the substrate support rotates at the first rotational speed, the first gas and the second gas react with each other to deposit a thin film layer on the substrate.
And the first gas and the second gas are sequentially stacked on the substrate when the substrate support portion rotates at a second rotation speed smaller than the first rotation speed, and the thin film layer is deposited.
상기 기판 지지부가 상기 제1 회전속도보다 작고 상기 제2 회전속도보다 큰 제3 회전속도로 회전할 경우, 상기 제1 가스와 상기 제2 가스의 일부는 서로 반응하여 상기 기판 상에 박막층이 증착되고, 상기 제1 가스와 상기 제2 가스의 나머지는 상기 기판 상에 순차적으로 적층되면서 박막층이 증착되는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치. 3. The method of claim 2,
When the substrate support is rotated at a third rotational speed smaller than the first rotational speed and greater than the second rotational speed, a portion of the first gas and the second gas react with each other to deposit a thin film layer on the substrate. And a thin film layer is deposited while the rest of the first gas and the second gas are sequentially stacked on the substrate.
상기 기판 지지부가 하강하여 상기 가스 분사 모듈과 상기 기판 지지부 사이의 간격이 제1 간격일 경우 상기 제1 가스와 상기 제2 가스가 서로 반응하여 상기 기판 상에 박막층이 증착되고,
상기 기판 지지부가 상승하여 상기 가스 분사 모듈과 상기 기판 지지부 사이의 간격이 상기 제1 간격보다 작은 제2 간격일 경우 상기 제1 가스와 상기 제2 가스가 상기 기판 상에 순차적으로 적층되면서 박막층이 증착되는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치. The method of claim 1,
When the substrate support is lowered and the gap between the gas injection module and the substrate support is a first interval, the first gas and the second gas react with each other to deposit a thin film layer on the substrate.
When the substrate support is raised and the gap between the gas injection module and the substrate support is a second interval smaller than the first interval, the first gas and the second gas are sequentially stacked on the substrate, and the thin film layer is deposited. The substrate processing apparatus characterized by the above-mentioned.
상기 가스 분사 모듈과 상기 기판 지지부 사이의 간격이 상기 제1 간격보다는 작고 상기 제2 간격보다는 큰 제3 간격일 경우, 상기 제1 가스와 상기 제2 가스의 일부는 서로 반응하여 상기 기판 상에 박막층이 증착되고, 상기 제1 가스와 상기 제2 가스의 나머지는 상기 기판 상에 순차적으로 적층되면서 박막층이 증착되는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치. 5. The method of claim 4,
When the gap between the gas injection module and the substrate support is a third gap smaller than the first gap and larger than the second gap, the first gas and a part of the second gas react with each other to form a thin film layer on the substrate. And the thin film layer is deposited while the rest of the first gas and the second gas are sequentially stacked on the substrate.
상기 제 1 가스 분사 공간에는 서로 마주하는 전원 전극 및 접지 전극이 형성되어 있어서 상기 전원 전극과 접지 전극 사이에서 플라즈마 방전이 이루어진 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.The method of claim 1,
And a power supply electrode and a ground electrode facing each other in the first gas injection space, so that plasma discharge is performed between the power supply electrode and the ground electrode.
상기 제 2 가스 분사 공간에는 상기 제 1 가스 분사 공간으로부터 분사되는 상기 제 1 가스가 상기 제 2 가스 분사 공간으로 흐르는 것을 방지하는 가스 홀 패턴 부재가 추가로 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.The method according to claim 6,
And a gas hole pattern member for preventing the first gas injected from the first gas injection space from flowing into the second gas injection space.
상기 제 2 가스 분사 공간에 서로 마주하는 별도의 전원 전극과 접지 전극이 추가로 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.The method according to claim 6,
And a second power supply electrode and a ground electrode, which face each other in the second gas injection space, are further formed.
상기 전원 전극 및 접지 전극은 상기 기판 면과 수직 방향으로 연장되어 있는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치. The method according to claim 6,
And the power supply electrode and the ground electrode extend in a direction perpendicular to the substrate surface.
상기 가스 분사 모듈과 상기 기판 지지부 사이의 간격을 결정하고 상기 기판 지지부를 승강시켜 상기 간격을 맞추는 공정;
상기 기판 지지부의 회전속도를 결정하고 결정한 회전속도에 따라 상기 기판 지지부를 회전시키는 공정; 및
상기 복수의 가스 분사 모듈 중 적어도 하나의 가스 분사 모듈에서 상기 기판 상으로 가스를 분사하여 박막층을 형성하는 박막 형성 공정을 포함하여 이루어지고,
이때, 복수의 가스 분사 모듈 각각은 서로 공간적으로 분리되어 마련된 제 1 가스를 분사하는 제 1 가스 분사 공간 및 제 2 가스를 분사하는 제 2 가스 분사 공간을 포함하여 이루어져, 상기 박막 형성 공정시 상기 제1 가스와 상기 제2 가스에 의해서 상기 박막층이 형성되는 것을 특징으로 하는 기판 처리 방법. Installing a plurality of gas injection modules in the process chamber and seating at least one substrate on the substrate support;
Determining a gap between the gas injection module and the substrate support and lifting the substrate support to match the gap;
Determining a rotational speed of the substrate support and rotating the substrate support according to the determined rotational speed; And
And a thin film forming process of forming a thin film layer by injecting gas onto the substrate from at least one gas injection module of the plurality of gas injection modules,
In this case, each of the plurality of gas injection modules comprises a first gas injection space for injecting a first gas provided to be separated from each other spatially and a second gas injection space for injecting a second gas, The said thin film layer is formed of 1 gas and said 2nd gas, The substrate processing method characterized by the above-mentioned.
상기 기판 지지부의 회전속도를 결정하는 공정은,
상기 박막 형성 공정이 상기 제1 가스와 상기 제2 가스가 서로 반응하여 상기 기판 상에 박막층을 증착하는 공정으로 이루어진 경우에는 제1 회전속도로 결정하고;
상기 박막 형성 공정이 상기 제1 가스와 상기 제2 가스가 상기 기판 상에 순차적으로 적층되면서 박막층을 증착하는 공정으로 이루어진 경우에는 상기 제1 회전속도 보다 작은 제2 회전속도로 결정하고;
상기 박막 형성 공정이 상기 제1 가스와 상기 제2 가스의 일부는 서로 반응하여 상기 기판 상에 박막층을 증착하고 상기 제1 가스와 상기 제2 가스의 나머지는 상기 기판 상에 순차적으로 적층되면서 박막층을 증착하는 공정으로 이루어진 경우에는 상기 제1 회전속도보다 작고 상기 제2 회전속도보다 큰 제3 회전속도로 결정하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 방법. The method of claim 10,
The process of determining the rotational speed of the substrate support,
When the thin film forming process is a process of depositing a thin film layer on the substrate by reacting the first gas and the second gas with each other, determining at a first rotational speed;
When the thin film forming process is a process of depositing a thin film layer while sequentially stacking the first gas and the second gas on the substrate, determining a second rotation speed smaller than the first rotation speed;
In the thin film forming process, a portion of the first gas and the second gas react with each other to deposit a thin film layer on the substrate, and the remaining portion of the first gas and the second gas are sequentially stacked on the substrate to form a thin film layer. In the case of a deposition step, the substrate processing method characterized in that the third rotation speed smaller than the first rotation speed and larger than the second rotation speed.
상기 가스 분사 모듈과 상기 기판 지지부 사이의 간격을 결정하는 공정은,
상기 박막 형성 공정이 상기 제1 가스와 상기 제2 가스가 서로 반응하여 상기 기판 상에 박막층을 증착하는 공정으로 이루어진 경우에는 제1 간격으로 결정하고;
상기 박막 형성 공정이 상기 제1 가스와 상기 제2 가스가 상기 기판 상에 순차적으로 적층되면서 박막층을 증착하는 공정으로 이루어진 경우에는 상기 제1 간격보다 작은 제2 간격으로 결정하고;
상기 박막 형성 공정이 상기 제1 가스와 상기 제2 가스의 일부는 서로 반응하여 상기 기판 상에 박막층을 증착하고 상기 제1 가스와 상기 제2 가스의 나머지는 상기 기판 상에 순차적으로 적층되면서 박막층을 증착하는 공정으로 이루어진 경우에는 상기 제1 간격보다 작고 상기 제2 간격보다 큰 제3 간격으로 결정하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 방법. The method of claim 10,
Determining a distance between the gas injection module and the substrate support,
When the thin film forming process is a process of depositing a thin film layer on the substrate by reacting the first gas and the second gas with each other, determining at a first interval;
When the thin film forming process is a process of depositing a thin film layer while sequentially stacking the first gas and the second gas on the substrate, determining a second interval smaller than the first interval;
In the thin film forming process, a portion of the first gas and the second gas react with each other to deposit a thin film layer on the substrate, and the remaining portion of the first gas and the second gas are sequentially stacked on the substrate to form a thin film layer. In the case of a deposition step, the substrate processing method characterized in that the third interval smaller than the first interval and larger than the second interval.
상기 박막 형성 공정은 제1 박막 형성 공정 및 제2 박막 형성 공정으로 이루어지고,
상기 제1 박막 형성 공정시의 상기 기판 지지부의 회전속도와 상기 제2 박막 형성 공정시의 상기 기판 지지부의 회전속도가 서로 상이한 것을 특징으로 하는 기판 처리 방법. The method of claim 10,
The thin film forming process is made of a first thin film forming process and a second thin film forming process,
And a rotation speed of the substrate support part in the first thin film forming step and a rotation speed of the substrate support part in the second thin film forming step are different from each other.
상기 박막 형성 공정은 제1 박막 형성 공정 및 제2 박막 형성 공정으로 이루어지고,
상기 제1 박막 형성 공정시의 상기 가스 분사 모듈과 상기 기판 지지부 사이의 간격과 상기 제2 박막 형성 공정시의 상기 가스 분사 모듈과 상기 기판 지지부 사이의 간격이 서로 상이한 것을 특징으로 하는 기판 처리 방법. The method of claim 10,
The thin film forming process is made of a first thin film forming process and a second thin film forming process,
And a gap between the gas injection module and the substrate support part in the first thin film forming step and a gap between the gas injection module and the substrate support part in the second thin film forming step are different from each other.
상기 제 1 가스 분사 공간에는 서로 마주하는 전원 전극 및 접지 전극이 형성되어 있어서 상기 전원 전극과 접지 전극 사이에서 플라즈마 방전이 이루어진 것을 특징으로 하는 기판 처리 방법.The method of claim 10,
And a power supply electrode and a ground electrode facing each other in the first gas injection space, so that plasma discharge is performed between the power supply electrode and the ground electrode.
상기 전원 전극 및 접지 전극은 상기 기판 면과 수직 방향으로 연장되어 있는 것을 특징으로 하는 기판 처리 방법. 16. The method of claim 15,
And the power supply electrode and the ground electrode extend in a direction perpendicular to the substrate surface.
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