KR20130130612A - 전자빔 발생장치 - Google Patents
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Abstract
하나의 전자빔 발생장치에서 원하는 에너지의 전자빔을 얻을 수 있도록 전자빔의 에너지를 용이하게 조절할 수 있는 전자빔 발생장치를 제공한다. 전자빔 발생장치는, 전자를 생성하는 전자 생성부, 상기 전자 생성부에서 생성된 전자가 진행할 수 있는 공간을 제공하는 챔버 및 고주파를 발생시키고, 상기 전자 생성부와 상기 챔버에 모두 고주파를 제공하는 RF 발생부를 포함하여 구성된다.
Description
본 발명은 전자빔 발생장치에 관한 것이다.
전자빔 발생장치란 전자현미경, 진행파관, 브라운관 등과 같이 전자류를 가늘게 빔 모양으로 죄어서 작동시킬 필요가 있을 경우, 그 전자빔을 발생시키는 장치를 말한다. 또한, 전자빔 발생장치는 입자가속기 등에도 사용되어 물체의 특성을 파악하는데 이용될 수도 있다.
전자빔 발생장치는 전자빔을 방출시키기 위해서 레이저빔을 캐소드에 입사시킬 수 있다. 이 때, 방출된 전자빔을 가속하는 수단으로는 고주파가 입사되는 공진공동을 이용하는 방법이 있다.
종래에는 전자빔 발생장치에서 발생되는 전자의 에너지를 조절하기 위해서 전자빔 발생장치에 인가되는 전압 또는 전류와 같은 스펙 자체를 바꿔줘야 하는 불편함이 있었다.
본 발명의 실시예들에 따르면, 전자빔의 에너지를 용이하게 조절할 수 있는 전자빔 발생장치를 제공하는 것을 목적으로 한다.
상술한 본 발명의 실시예들에 따른 전자빔 발생장치는, 전자를 생성하는 전자 생성부, 상기 전자 생성부에서 생성된 전자가 진행할 수 있는 공간을 제공하는 챔버 및 고주파를 발생시키고, 상기 전자 생성부와 상기 챔버에 모두 고주파를 제공하는 RF 발생부를 포함하여 구성된다.
일 측에 따르면, 상기 RF 발생부는 상기 전자 생성부와 상기 챔버에 동일한 주파수의 고주파를 제공하도록 구성된다. 여기서, 상기 전자 생성부에서 생성된 전자의 진행방향과 상기 RF 발생부에서 발생된 고주파의 진행 방향이 동일한 경우에만 전자가 방출될 수 있다. 또한, 상기 RF 발생부의 주파수 세기를 조절함으로써 상기 챔버 내부를 진행하는 전자의 에너지를 조절할 수 있다.
이상에서 본 바와 같이, 본 발명의 실시예들에 따르면, 하나의 전자빔 발생장치에서 원하는 에너지의 전자빔을 손쉽게 얻을 수 있으며, 전자를 번치(bunch)된 상태로 얻을 수 있다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 전자빔 발생장치의 모식도이다.
이하 첨부된 도면들을 참조하여 본 발명의 실시예들을 상세하게 설명하지만, 본 발명이 실시예에 의해 제한되거나 한정되는 것은 아니다. 본 발명을 설명함에 있어서, 공지된 기능 혹은 구성에 대해 구체적인 설명은 본 발명의 요지를 명료하게 하기 위하여 생략될 수 있다.
이하, 도 1을 참조하여 본 발명의 실시예들에 따른 전자빔 발생장치(10)에 대해 상세하게 설명한다. 전자빔 발생장치(10)는 전자 생성부(11)와 RF 발생부(12) 및 챔버(13)를 포함하여 구성된다.
전자 생성부(11)는 전자(e)를 발생시킨다. 전자 생성부(11)는 전자(e)를 생성시키기 위한 필라멘트(111)를 수용하는 하우징(113)과 상기 필라멘트(111)에 전원을 공급하는 전원공급부(112)가 구비된다.
챔버(13)는 전자 생성부(11)에서 생성된 전자(e)가 진행할 수 있는 공간을 제공한다.
RF 발생부(12)는 고주파를 발생시키고, 전자 생성부(11)와 챔버(13)에 각각 고주파를 제공한다. 이로 인해, RF 발생부(12)에서 전자 생성부(11)와 챔버(13)에 고주파를 제공하므로, 전자 생성부(11)에서 전자(e)의 진행방향과 고주파의 방향이 동일한 경우에만 전자(e)가 방출된다. 그리고, 결과적으로 전자(e)가 일정한 텀으로 번치(bunch)되어 배출된다.
전자(e)는 이와 같이 번치된 상태로 챔버(13)에 진입하게 된다. 챔버(13) 내부에도 RF 발생부(12)에 의해 전자 생성부(11)와 동일한 주파수(frequency)의 고주파가 제공되므로, RF 발생부(12)에서 발생되는 고주파의 세기를 크게 하면, 챔버(13) 내부를 진행하는 전자(e)의 에너지도 커진다. 이는 전자(e)가 챔버(13) 내부에서 고주파의 에너지를 흡수하면서 진행하기 때문이다. 즉, 사용자가 원하는 에너지를 갖는 전자빔을 생성하기 위해서, RF 발생부(12)에 제공되는 고주파의 세기를 조절하면 되므로, 전자빔의 에너지를 용이하게 조절할 수 있다.
본 발명의 실시예들에 따르면, 하나의 전자빔 발생장치(10)에서 원하는 에너지의 전자빔을 손쉽게 얻을 수 있는 장점이 있다. 또한, 본 발명의 실시예들에 의하면, 전자빔 발생장치(10)에서 전자(e)를 번치(bunch)된 상태로 얻을 수 있는 장점이 있다.
이상과 같이 본 발명에서는 구체적인 구성 요소 등과 같은 특정 사항들과 한정된 실시예 및 도면에 의해 설명되었으나 이는 본 발명의 보다 전반적인 이해를 돕기 위해서 제공된 것이다. 또한, 본 발명이 상술한 실시예들에 한정되는 것은 아니며, 본 발명이 속하는 분야에서 통상적인 지식을 가진 자라면 이러한 기재로부터 다양한 수정 및 변형이 가능하다. 그러므로, 본 발명의 사상은 상술한 실시예에 국한되어 정해져서는 아니 되며, 후술하는 특허청구범위뿐 아니라 특허청구범위와 균등하거나 등가적 변형이 있는 모든 것들은 본 발명 사상의 범주에 속한다고 할 것이다.
10: 전자빔 발생장치
11: 전자 생성부
111: 필라멘트
112: 필라멘트 전원부
113: 하우징
12: RF 발생부
121: 감쇠기(variable attenuator)
122: 위상 변화부(variable phase shifter)
13: 챔버
e: 전자
11: 전자 생성부
111: 필라멘트
112: 필라멘트 전원부
113: 하우징
12: RF 발생부
121: 감쇠기(variable attenuator)
122: 위상 변화부(variable phase shifter)
13: 챔버
e: 전자
Claims (4)
- 전자를 생성하는 전자 생성부;
상기 전자 생성부에서 생성된 전자가 진행할 수 있는 공간을 제공하는 챔버; 및
고주파를 발생시키고, 상기 전자 생성부와 상기 챔버에 모두 고주파를 제공하는 RF 발생부;
를 포함하는 전자빔 발생장치.
- 제1항에 있어서,
상기 RF 발생부는 상기 전자 생성부와 상기 챔버에 동일한 주파수의 고주파를 제공하는 전자빔 발생장치.
- 제1항에 있어서,
상기 전자 생성부에서 생성된 전자의 진행방향과 상기 RF 발생부에서 발생된 고주파의 진행 방향이 동일한 경우에만 전자가 방출되는 전자빔 발생장치.
- 제1항에 있어서,
상기 RF 발생부의 주파수 세기를 조절함으로써 상기 챔버 내부를 진행하는 전자의 에너지를 조절하는 전자빔 발생장치.
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR20120054043 | 2012-05-22 | ||
KR1020120054043 | 2012-05-22 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR20130130612A true KR20130130612A (ko) | 2013-12-02 |
Family
ID=49980247
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020120154784A KR20130130612A (ko) | 2012-05-22 | 2012-12-27 | 전자빔 발생장치 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
KR (1) | KR20130130612A (ko) |
-
2012
- 2012-12-27 KR KR1020120154784A patent/KR20130130612A/ko not_active Application Discontinuation
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