JPWO2018043709A1 - 加速器、加速器の運転方法および加速器を用いた半導体の製造方法 - Google Patents
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Abstract
Description
以下、本実施形態を添付図面に基づいて説明する。まず、第1実施形態について図1から図3を用いて説明する。図1の符号1は、荷電粒子ビームBを加速するための加速器である。なお、この加速器1は、荷電粒子ビームBを一直線上で加速する線形加速器を例示している。
次に、第2実施形態の加速器1Aについて図4から図6を用いて説明する。なお、前述した実施形態に示される構成部分と同一構成部分については同一符号を付して重複する説明を省略する。
Claims (14)
- 荷電粒子ビームが通過可能な高周波空洞と、
基本周波数の電磁波を前記高周波空洞に入力する高周波源と、
レーザ光を出力するレーザ出力部と、
前記レーザ光が照射されることで荷電粒子を発生させるターゲット部と、
前記荷電粒子を一方向に加速することで荷電粒子ビームを引き出すビーム引出部と、
前記基本周波数の周期に対応するタイミングのうちの特定の前記タイミングで前記荷電粒子ビームを前記高周波空洞に向けて出力する制御を行う出力制御部と、
を備えることを特徴とする加速器。 - 前記出力制御部は、前記基本周波数の周期に同調する一定間隔の前記タイミングを一定ではない間隔で選抜する請求項1に記載の加速器。
- 前記出力制御部は、1の前記荷電粒子ビームが出力される前記タイミングと次の前記荷電粒子ビームが出力される前記タイミングの間隔を変更する請求項1に記載の加速器。
- 前記基本周波数の周期に対応する乱数を出力する乱数出力部を備え、
前記出力制御部は、前記乱数出力部から出力される前記乱数に基づいて前記タイミングを選抜する請求項1に記載の加速器。 - 所定期間内に前記タイミングが選抜される割合に応じて前記基本周波数を高める周波数設定部を備える請求項1に記載の加速器。
- 前記レーザ出力部が前記レーザ光を出力する契機となるトリガ信号を出力する信号出力部と、
前記トリガ信号の出力タイミングを前記基本周波数の一定間隔の周期に同調させる同調部と、
前記レーザ出力部から出力される前記レーザ光を一定ではない間隔で選抜する選抜部と、
を備える請求項1に記載の加速器。 - 前記レーザ出力部と前記ターゲット部との間に設けられて前記レーザ光を遮断可能な光変調部を備える請求項6に記載の加速器。
- 前記レーザ出力部が前記レーザ光を出力する契機となるトリガ信号を出力する信号出力部と、
前記トリガ信号の出力タイミングを前記基本周波数の一定間隔の周期に同調させる同調部と、
前記トリガ信号の出力タイミングを一定ではない間隔で選抜する選抜部と、
を備える請求項1に記載の加速器。 - 前記ビーム引出部は、前記荷電粒子を一方向に加速する電場を形成する電極である請求項1に記載の加速器。
- 前記ビーム引出部は、前記荷電粒子を一方向に加速する電場を形成する出力用高周波空洞である請求項1に記載の加速器。
- 前記ターゲット部がカソード部であり、このカソード部に前記レーザ光が照射されることで生じる光電効果によって、前記荷電粒子としての電子が発生する請求項1に記載の加速器。
- 前記ターゲット部がイオンターゲット部であり、このイオンターゲット部に前記レーザ光が照射されることで生じるアブレーションプラズマによって、前記荷電粒子としてのイオンが発生する請求項1に記載の加速器。
- 基本周波数の電磁波を高周波源から高周波空洞に入力する高周波入力ステップと、
レーザ出力部からレーザ光を出力するレーザ出力ステップと、
前記レーザ光がターゲット部に照射されることで荷電粒子を発生させる粒子発生ステップと、
前記荷電粒子を一方向に加速することで荷電粒子ビームを引き出すビーム引出ステップと、
前記基本周波数の周期に対応するタイミングのうちの特定の前記タイミングで前記荷電粒子ビームを前記高周波空洞に向けて出力する制御を行う出力制御ステップと、
前記荷電粒子ビームが前記高周波空洞を通過する通過ステップと、
を含むことを特徴とする加速器の運転方法。 - 基本周波数の電磁波を高周波源から高周波空洞に入力する高周波入力ステップと、
レーザ出力部からレーザ光を出力するレーザ出力ステップと、
前記レーザ光がターゲット部に照射されることで荷電粒子を発生させる粒子発生ステップと、
前記荷電粒子を一方向に加速することで荷電粒子ビームを引き出すビーム引出ステップと、
前記基本周波数の周期に対応するタイミングのうちの特定の前記タイミングで前記荷電粒子ビームを前記高周波空洞に向けて出力する制御を行う出力制御ステップと、
前記荷電粒子ビームが前記高周波空洞を通過する通過ステップと、
前記高周波空洞を通過した前記荷電粒子ビームをアンジュレータに入射させて光を発生させる光発生ステップと、
発生した前記光を用いて電子回路のリソグラフィを行うリソグラフィステップと、
を含むことを特徴とする加速器を用いた半導体の製造方法。
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