KR20130111031A - 반도체 발광 소자 - Google Patents

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KR20130111031A
KR20130111031A KR1020120033491A KR20120033491A KR20130111031A KR 20130111031 A KR20130111031 A KR 20130111031A KR 1020120033491 A KR1020120033491 A KR 1020120033491A KR 20120033491 A KR20120033491 A KR 20120033491A KR 20130111031 A KR20130111031 A KR 20130111031A
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삼성전자주식회사
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Abstract

본 발명의 실시형태에 따른 반도체 발광 소자는, n형 반도체층; 상기 n형 반도체층과 서로 마주보게 형성된 p형 반도체층; 상기 n형 반도체층과 p형 반도체층 사이에 형성된 활성층; 및 상기 n형 반도체층 및 p형 반도체층 중 적어도 하나를 덮도록 형성되며, 그래핀층과 상기 그래핀층을 관통하는 접촉층으로 이루어진 전극;을 구비한다.

Description

반도체 발광 소자{SEMICONDUCTOR LIGHT EMITTING DEVICE}
본 발명은 반도체 발광 소자에 관한 것이다.
발광 소자(Light Emitting Device; LED)는 화합물 반도체의 P-N 접합 구조를 이용하여 소수 캐리어(전자 또는 정공)를 만들고, 이들의 재결합에 의하여 소정의 빛을 발산하는 소자이다. 발광 소자는 GaAs, AlGaAs, GaN, InGaN, AlGaInP 등의 화합물 반도체(compound semiconductor) 재료를 변경하여 발광원을 구성함으로써 다양한 색을 구현할 수 있다. 발광 소자는 기존의 전구 또는 형광등에 비해 소모 전력이 작고 수명이 길기 때문에 최근 일반 조명은 물론 액정 표시 장치의 백라이트, 자동차 헤드라이트까지 응용이 확대되고 있다.
이러한 발광 소자에서 투명 전극으로 투명도전성 박막이 사용되는데, 우수한 광 투과성 및 도전성이 요구된다.
현재 고품위의 투명도전성 박막으로 가장 많이 사용되고 있는 재료는 ITO이다. 그러나, ITO는 최근 가격이 급등하여 매우 고가이고, 전기전도도가 낮은 문제점이 있으며, 특히 단파장 영역에서 광 투과성이 매우 낮아지게 되는 문제점이 있다.
따라서 단파장 영역에서 광 투과성이 높고, 보다 전기적 특성이 향상된 투명 전극을 포함하는 반도체 발광 소자가 요구되고 있다.
본 발명의 일 실시형태에 따른 반도체 발광 소자는, n형 반도체층; 상기 n형 반도체층과 서로 마주보게 형성된 p형 반도체층; 상기 n형 반도체층과 p형 반도체층 사이에 형성된 활성층; 및 상기 n형 반도체층 및 p형 반도체층 중 적어도 하나를 덮도록 형성되며, 그래핀층과 상기 그래핀층을 관통하는 접촉층으로 이루어진 전극;을 구비한다.
상기 접촉층은 금속, 합금 및 산화물로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나의 물질로 이루어진 것을 특징으로 한다.
상기 접촉층은 은(Ag) 또는 니켈-은(Ni-Ag)합금으로 이루어진 것을 특징으로 한다.
상기 접촉층은 상기 그래핀층과 동일한 높이로 형성된 것을 특징으로 한다.
상기 접촉층은 원기둥, 삼각기둥, 사각기둥 및 육각기둥으로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나의 상을 갖는 것을 특징으로 한다.
상기 접촉층은 복수개로 이루어져 라인 패턴으로 배열된 것을 특징으로 한다.
상기 접촉층은 격자 패턴으로 형성되는 것을 특징으로 한다.
본 발명의 일 실시형태에 따른 반도체 발광 소자는, n형 반도체층; 상기 n형 반도체층과 서로 마주보게 형성된 p형 반도체층; 상기 n형 반도체층과 p형 반도체층 사이에 형성된 활성층; 및 상기 n형 반도체층 및 p형 반도체층 중 적어도 하나를 덮도록 형성되며, 그래핀층과 접촉층으로 이루어지고, 상기 그래핀층은 상기 접촉층의 상부를 덮도록 형성된 전극; 을 구비한다.
상기 접촉층은 금속, 합금 및 산화물로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나의 물질로 이루어진 것을 특징으로 한다.
상기 접촉층은 은(Ag) 또는 니켈-은(Ni-Ag)합금으로 이루어진 것을 특징으로 한다.
상기 접촉층은 원기둥, 삼각기둥, 사각기둥 및 육각기둥으로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나의 상을 갖는 것을 특징으로 한다.
상기 접촉층은 복수개로 이루어져 라인 패턴으로 배열된 것을 특징으로 한다.
상기 접촉층은 격자 패턴으로 형성되는 것을 특징으로 한다.
본 발명은 그래핀을 사용하여 투명 전극을 형성하는 것을 그 특징으로 하고 있는데, 이와 같은 그래핀은 지구상에 많이 존재하는 흑연이 원료이므로 채취가 용이하고, ITO보다 더 투명하기 때문에 발광 효율이 향상되는 효과가 있다. 또한 그래핀은 높은 열전도도를 가지고 있기 때문에 발광 소자에서 발생하는 열의 분산에 유리하여 발광 소자의 온도를 낮추는 효과를 볼 수 있다. 이것은 반도체 발광 소자의 발광 효율을 더 좋게 하는 결과를 가져오며 발광 소자의 장수명화를 가능하게 한다. 그리고 그래핀은 전기 전도성이 매우 좋으므로, 전극 내의 우수한 전류 확산을 통하여 발광 효율이 향상되는 효과가 있다.
이와 같은 그래핀을 사용한 투명 전극 내에 접촉층을 형성하여 투명 전극과 하부 반도체층과의 접촉성을 향상시켜 안정적인 투명 전극을 형성할 수 있는 효과가 있다.
따라서 전기적 특성 및 광 투과성이 향상된 투명 전극을 포함하는 반도체 발광 소자를 형성할 수 있다.
도 1은 본 발명의 제1 실시형태에 따른 반도체 발광 소자의 단면도이다.
도 2는 본 발명의 제1 실시형태에 따른 투명 전극을 포함하는 반도체 발광 소자의 사시도이다.
도 3은 본 발명의 제2 실시형태에 따른 투명 전극을 포함하는 반도체 발광 소자의 사시도이다.
도 4는 본 발명의 제3 실시형태에 따른 투명 전극을 나타낸 사시도이다.
도 5는 본 발명의 제4 실시형태에 따른 발광 소자의 단면도이다.
도 6은 도 5에 도시된 투명 전극을 나타낸 사시도이다.
도 7은 본 발명의 제5 실시형태에 따른 투명 전극을 나타낸 사시도이다.
본 발명의 실시형태에 따른 반도체 발광 소자에 관한 사항을 도면을 참조하여 설명한다. 그러나, 본 발명의 실시형태는 여러 가지 다른 형태로 변형될 수 있으며, 본 발명의 범위가 이하 설명되는 실시예로 한정되는 것은 아니다. 본 발명의 실시형태는 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 본 발명을 보다 완전하게 설명하기 위하여 제공되는 것이다.
따라서, 도면에 도시된 구성요소들의 형상 및 크기 등은 보다 명확한 설명을 위하여 과장될 수 있으며, 도면 상에서 실질적으로 동일한 구성과 기능을 가진 구성요소들은 동일한 참조부호를 사용할 것이다.
본 발명에 따른 반도체 발광 소자는 투명 전극이 그래핀(graphene)을 포함하여 이루어진 것이 특징이다.
그래핀은 탄소가 육각형의 형태로 서로 연결된 벌집 모양의 2차원 평면 구조를 이루는 물질이다. 그래핀은 얇고 투명하며, 화학적으로 안정성이 높은 탄소로 구성되어있어 전기 전도성이 뛰어나다. 반도체에 사용하는 실리콘보다 전기 전도성이 100배 이상 빠르고, 열 전도율도 뛰어나다.
도 1을 참조하여 본 발명의 제1 실시형태에 따른 반도체 발광 소자에 대해 설명한다.
도 1을 참조하면, 본 발명의 일 실시형태에 따른 반도체 발광 소자(1)는 단파장 LED로서, 기판(110)과, 상기 기판(110) 상에 순차적으로 형성된 언도프 반도체층(120), n형 질화물 반도체층(130), 활성층(140) 및 p형 질화물 반도체층(150), 제1 투명 전극(160), n형 전극(170) 및 p형 전극(180)을 포함하여 구성된다.
상기 기판(110)은 질화물 반도체 발광소자를 제작하기 위한 웨이퍼를 지칭하는 것으로, 주로 사파이어(Al2O3) 또는 실리콘카바이드(SiC)일 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니며, 질화물 반도체층을 성장시키기에 적합한 이종기판, 예컨대 실리콘(Si), 갈륨비소(GaAs), 스피넬 등의 이종기판 또는 GaN와 같은 동종기판일 수 있다.
상기 기판(110) 상에 언도프 반도체층(u-GaN층으로 형성될 수 있음)(120)이 형성되어 있을 수 있다. 이 경우, 언도프라 함은 반도체층에 의도적인 불순물 도핑 공정을 하지 않은 상태를 의미하며, 반도체층에 불가피하게 존재하는 수준의 불순물 농도, 예컨대, 질화갈륨 반도체를 MOCVD를 이용하여 성장시킬 경우, 도펀트로 사용되는 Si 등이 의도하지 않더라도 약 1014~ 1018/㎤인 수준으로 포함될 수 있다.
상기 언도프 반도체층(120)은 이후 상기 기판(110) 상에 성장되는 발광구조물의 격자 결함 완화를 위한 것이다. 예를 들면, 언도프 반도체층(120)은 사파이어 기판과 그 상면에 적층되는 GaN으로 이루어진 반도체층과의 격자상수 차이를 완화하여, GaN층의 결정성을 증대시킬 수 있다.
상기 n형 및 p형 질화물 반도체층(130, 150)은, AlxInyGa(1-x-y)N 조성식(여기서, 0≤x≤1, 0≤y≤1, 0≤x+y≤1임)을 갖는 반도체 물질로 이루어질 수 있다. 보다 구체적으로, 상기 n형 질화물 반도체층(130)은 n형 도전형 불순물이 도핑된 GaN, AlGaN, InGaN 층으로 이루어질 수 있으며, n형 도전형 불순물로는 예를 들어, Si, Ge 및 Sn 등을 사용하고, 바람직하게는 Si를 주로 사용한다. 또한, 상기 p형 질화물 반도체층(150)은 p형 도전형 불순물이 도핑된 GaN, AlGaN, InGaN 층으로 이루어질 수 있으며, p형 도전형 불순물로는 예를 들어, Mg, Zn 및 Be 등을 사용하고, 바람직하게는 Mg을 주로 사용한다. 그리고, 상기 활성층(140)은 전자와 정공의 재결합에 의해 소정의 에너지를 갖는 광을 방출하며, 양자우물층과 양자장벽층이 서로 교대로 적층된 다중 양자우물(MQW) 구조의 InGaN/GaN층으로 이루어질 수 있다. 한편, n형 및 p형 질화물 반도체층(130, 150)과 활성층(140)은 당 기술 분야에서 공지된 MOCVD, MBE, HVPE 등과 같은 반도체층 성장 공정을 이용하여 형성될 수 있을 것이다.
상기 p형 질화물 반도체층(150) 및 활성층(140)의 일부는 식각(etching)으로 제거되어, 저면에 n형 질화물 반도체층(130)의 일부를 드러내고 있다. 즉, 상기 활성층(140) 및 p형 질화물 반도체층(150)은 상기 n형 질화물 반도체층(130) 상의 일부분에 형성되어 있는 것이다.
상기 식각에 의해 드러난 n형 질화물 반도체층(130) 상에는 n형 전극(170)이 형성되어 있다. 그리고 상기 p형 질화물 반도체층(150) 상에는 제1 투명 전극(160)및 p형 전극(180)이 형성되어 있다.
상기 제1 투명 전극(160)은, 상기 p형 질화물 반도체층(150)을 전체적으로 덮도록 형성된 제1 그래핀층(162)과 상기 p형 질화물 반도체층(150) 상부에서 상기 제1 그래핀층(162)에 부분적으로 형성된 제1 접촉층(164)으로 이루어져 있다.
상기 제1 접촉층(164)은 상기 제1 그래핀층(162)과 상기 제1 그래핀층(162)의 하부에 위치한 p형 질화물 반도체층(150)과의 밀착성 및 접촉성을 높이기 위하여 상기 제1 그래핀층(162)의 일부분에 상기 제1 그래핀층(162)을 관통하여 형성된다.
상기 제1 접촉층(164)은 투명 전극으로 사용되는 제1 그래핀층(162)의 접촉저항을 낮추고 상기 활성층(140)으로부터 출사되는 빛의 반사도를 높여 발광 효율을 높일 수 있는 금속, 합금, 또는 산화물 등으로 형성된다. 바람직하게는 상기 제1 접촉층(164)으로 은(Ag), 니켈-은(Ni-Ag)합금, 니켈-금(Ni-Au)합금, ITO 가 사용될 수 있다. 특히 상기 제1 접촉층(164)은 은(Ag) 또는 니켈-은(Ni-Ag)합금으로 이루어지는 것이 더욱 바람직하다.
도 1에 도시된 바와 같이, 상기 제1 접촉층(164)은 상기 제1 그래핀층(162)을 관통하여 상기 제1 그래핀층(162)과 동일한 높이로 형성될 수 있으며, 복수로 형성될 수 있다.
도 2 는 본 발명의 제1 실시형태에 따른 투명 전극을 포함하는 반도체 발광 소자의 사시도이다.
도 2에서 보는 바와 같이, 상기 제1 그래핀층(162)을 관통하여 형성된 상기 제1 접촉층(164)은 전류 확산 및 광 추출을 고려하여 p형 질화물 반도체층(150)상에서 라인 패턴으로 배열된다. 즉 일방향으로 등간격을 갖는 다수의 제1 접촉층이 적어도 하나의 열을 이루어 배열된다.
상기 제1 투명 전극(160)위에는 p형 전극(180)이 형성된다.
이와 같이 본 발명에서 전극 물질로 제안하는 그래핀은 지구상에 많이 존재하는 흑연이 원료이므로 채취가 용이하고 안정적이다. 또한 투명 전극으로 사용되던 ITO보다 더 투명하기 때문에 발광 효율이 향상된다.
그리고 그래핀은 높은 열전도도를 가지고 있기 때문에 소자에서 발생하는 열의 분산에 유리하여 소자의 온도를 낮추는 효과를 볼 수 있다. 이것은 반도체 발광 소자의 발광 효율을 더 좋게 하며 소자의 수명 단축을 방지하여 장수명화를 가능하게 하는 결과를 가져온다.
그러나, 투명 전극을 그래핀으로만 형성하는 경우에 접촉저항이 높아지는 문제점이 있으므로 본 발명에서는 투명 전극으로 그래핀을 사용하는 경우에 그래핀층 내에 접촉층을 형성하여 하부층과의 접촉저항을 낮춘다. 이때 니켈(Ni)을 포함하는 접촉층(164)을 형성하여 하부층과의 밀착력을 높이거나 은(Ag)을 포함하는 접촉층(164)을 형성하여 반사도를 높일 수 있다.
도 3은 본 발명의 제2 실시형태에 따른 투명 전극을 포함하는 반도체 발광 소자의 사시도이다.
도 3에서 보는 바와 같이, 본 발명의 제2 실시형태에 따른 상기 제2 투명 전극(260)은 제2 그래핀층(262)과, 일방향으로 등간격을 가지며 서로 다른 열과 지즈재그 형태로 배열된 제2 접촉층(264)를 포함한다.
상기 제2 접촉층(264)은 상기 제2 그래핀층(262)과 상기 제2 그래핀층(262)의 하부에 위치한 p형 질화물 반도체층(150)과의 접촉성을 높이기 위하여 상기 제2 그래핀층(262)의 일부분에 상기 제2 그래핀층(262)을 관통하여 형성된다.
도 2 내지 도 3에 도시된 바와 같이, 상기 접촉층들(164, 264)은 원기둥 형태일 수 있으나. 삼각기둥, 사각기둥 육각기둥 등 다양한 형태로 이루어질 수 있음은 물론이다.
이상에서 설명한 바와 같이, 상기 접촉층은 일정한 패턴으로 형성될 수 있으나, 필요에 따라서는 간격이 서로 다른 랜덤 분포를 가질 수도 있다.
도 4는 본 발명의 제3 실시형태에 따른 투명 전극을 나타낸 사시도이다.
도 4에 도시된 바와 같이, 본 발명의 제3 실시형태에 따른 제3 투명 전극(360)은 제3 그래핀층(362)과 상기 제3 그래핀층(362)내에서 격자 패턴으로 형성된 상기 제3 접촉층(364)을 포함한다.
상기 제3 접촉층(364)은 상기 제3 그래핀층(362)과 상기 제3 그래핀층(362)의 하부에 위치한 p형 질화물 반도체층(미도시)과의 접촉성을 높이기 위하여 상기 제3 그래핀층(362)의 일부분에 상기 제3 그래핀층(362)을 관통하여 형성된다.
이와 같이 투명 전극의 그래핀층 내에 형성된 접촉층은 그래핀층의 접촉저항을 낮추기 위하여 다양한 형태로 형성될 수 있다.
도 5을 참조하여 본 발명의 제4 실시형태에 따른 발광 소자에 대해 설명한다.
도 5을 참조하면, 본 발명의 제4 실시형태에 따른 발광 소자(2)는 단파장 LED로서, 기판(110)과, 상기 기판(110) 상에 순차적으로 형성된 언도프 반도체층(120), n형 질화물 반도체층(130), 활성층(140) 및 p형 질화물 반도체층(150), 제4 투명 전극(460), n형 전극(170) 및 p형 전극(180)을 포함하여 구성된다.
이하 본 발명의 제1 실시형태에서와 동일한 구성에 대하여는 설명을 생략한다.
도 5에 도시된 바와 같이, 상기 제4 투명 전극(460)은, 상기 p형 질화물 반도체층(150) 상부의 일부에 형성된 제4 접촉층(464) 및 상기 제4 접촉층(464)과 상기 p형 질화물 반도체층(150)을 모두 덮도록 형성된 제4 그래핀층(462)을 포함하여 이루어져 있다.
본 실시형태에서는 본 발명의 제1 실시형태와 달리 상기 제4 접촉층(464)이 제4 그래핀층(462)과 동일한 높이가 아니며, 상기 제4 그래핀층(462) 보다 낮은 높이로 형성되어 있다.
즉 상기 제4 접촉층(464)은 상기 제4 그래핀층(462)과 상기 제4 그래핀층(462)의 하부에 위치한 p형 질화물 반도체층(150)과의 접촉성을 높이기 위하여 상기 제4 그래핀층(462)의 하부 일부분에 형성된다.
또한 상기 제4 접촉층(464)은 투명 전극으로 사용되는 제4 그래핀층(462)의 접촉저항을 낮추고 상기 활성층(140)으로부터 출사되는 빛의 반사도를 높여 발광 효율을 높일 수 있는 금속, 합금, 또는 산화물 등으로 형성된다. 바람직하게는 상기 제4 접촉층(464)으로 은(Ag), 니켈-은(Ni-Ag)합금, 니켈-금(Ni-Au)합금, ITO 가 사용될 수 있다.특히 상기 제4 접촉층(464)은 은(Ag) 또는 니켈-은(Ni-Ag)합금으로 이루어지는 것이 더욱 바람직하다.
이와 같이 접촉층을 덮도록 그래핀층을 형성하면, 투명 전극 내의 그래핀층의 비율이 본 발명의 제1 실시형태에서 보다 높아지게 되므로 광 투과성이 더 향상되는 효과가 있다.
도 6은 도 5에 도시된 제 4 투명 전극을 나타낸 사시도이다.
도 6에 도시된 바와 같이, 상기 제4 접촉층(464)는 p형 질화물 반도체층(150)상에서 라인 패턴으로 배열된다. 즉 일방향으로 등간격을 갖는 다수의 제4 접촉층이 적어도 하나의 열을 이루어 배열된다.
도 7은 본 발명의 제5 실시형태에 따른 투명 전극을 나타낸 사시도이다.
도 7에 도시된 바와 같이, 제5 투명 전극(560)은 제5 그래핀층(562)과, 일방향으로 등간격을 가지며 서로 다른 열과 지즈재그 형태로 배열된 제5 접촉층(564)를 포함한다.
상기 제5 접촉층(564)은 상기 제5 그래핀층(562)과 상기 제5 그래핀층(562)의 하부에 위치한 p형 질화물 반도체층(미도시)과의 접촉성을 높이기 위하여 상기 제5 그래핀층(562)의 하부 일부분에 형성된다.
그리고 도 6 및 도 7에 도시된 바와 같이, 상기 접촉층은 원기둥 형태일 수 있으나. 삼각기둥, 사각기둥, 육각기둥 등 다양한 형태로 이루어질 수 있음은 물론이다.
이상에서 설명한 바와 같이 상기 접촉층은 일정한 패턴으로 형성될 수 있으나, 필요에 따라서는 간격이 서로 다른 랜덤 분포를 가질 수도 있다. 또는 투명 전극을 그래핀층과 그래핀층 일부 하부에 격자 패턴으로 형성된 접촉층을 포함하여 형성할 수 있다. 이와 같이 투명 전극의 그래핀층 내에 형성된 접촉층은 그래핀층의 접촉저항을 낮추기 위하여 다양한 형태로 형성될 수 있다.
본 발명의 다양한 실시형태는 수평구조의 발광소자에서 그래핀층을 포함하는 투명 전극을 사용하는 것에 대하여 설명하였으나, 수직구조, 플립칩 구조 등 다양한 형태의 반도체 발광 소자에서 투명 전극으로 본 발명의 투명 전극을 사용할 수 있음은 물론이다.
이상, 본 발명을 바람직한 실시형태들을 들어 상세하게 설명하였으나, 본 발명은 상기 실시예들에 한정되지 않으며, 본 발명의 기술적 사상 내에서 당 분야의 통상의 지식을 가진 자에 의하여 여러 가지 많은 변형이 가능함은 명백하다. 본 발명의 실시예들은 예시적이고 비한정적으로 모든 관점에서 고려되었으며, 이는 그 안에 상세한 설명 보다는 첨부된 청구범위와, 그 청구범위의 균등 범위와 수단내의 모든 변형 예에 의해 나타난 본 발명의 범주를 포함시키려는 것이다.
110 ... 기판 120 ...언도프 반도체층
130 ...n형 질화물 반도체층 140 ...활성층
150 ...p형 질화물 반도체층 160 ...제1 투명 전극
162 ...제1 그래핀층 164 ...제1 접촉층
170 ...n형 전극 180 ...p형 전극
260 ...제2 투명 전극 262 ...제2 그래핀층
264 ...제2 접촉층
360 ...제3 투명 전극 362 ...제3 그래핀층
364 ...제3 접촉층
460 ...제4 투명 전극 462 ...제4 그래핀층
464 ...제4 접촉층
560 ...제5 투명 전극 562 ...제5 그래핀층
564 ...제5 접촉층

Claims (13)

  1. n형 반도체층;
    상기 n형 반도체층과 서로 마주보게 형성된 p형 반도체층;
    상기 n형 반도체층과 p형 반도체층 사이에 형성된 활성층; 및
    상기 n형 반도체층 및 p형 반도체층 중 적어도 하나를 덮도록 형성되며, 그래핀층과 상기 그래핀층을 관통하는 접촉층으로 이루어진 전극;을 구비하는 반도체 발광 소자.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 접촉층은 금속, 합금 및 산화물로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나의 물질로 이루어진 것을 특징으로 하는 반도체 발광 소자.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 접촉층은 은(Ag), 니켈-은(Ni-Ag)합금, 니켈-금(Ni-Au)합금, 및 ITO로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나의 물질로 이루어진 것을 특징으로 하는 반도체 발광 소자.
  4. 제1항에 있어서,
    상기 접촉층은 상기 그래핀층과 동일한 높이로 형성된 것을 특징으로 하는 반도체 발광 소자.
  5. 제1항에 있어서,
    상기 접촉층은 원기둥, 삼각기둥, 사각기둥 및 육각기둥으로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나의 상을 갖는 것을 특징으로 하는 반도체 발광 소자.
  6. 제1항에 있어서,
    상기 접촉층은 복수개로 이루어져 라인 패턴으로 배열된 것을 특징으로 하는 반도체 발광 소자.
  7. 제1항에 있어서,
    상기 접촉층은 격자 패턴으로 형성되는 것을 특징으로 하는 반도체 발광 소자.
  8. n형 반도체층;
    상기 n형 반도체층과 서로 마주보게 형성된 p형 반도체층;
    상기 n형 반도체층과 p형 반도체층 사이에 형성된 활성층; 및
    상기 n형 반도체층 및 p형 반도체층 중 적어도 하나를 덮도록 형성되며, 그래핀층과 접촉층으로 이루어지고, 상기 그래핀층은 상기 접촉층의 상부를 덮도록 형성된 전극; 을 구비하는 반도체 발광 소자.
  9. 제8항에 있어서,
    상기 접촉층은 금속, 합금 및 산화물로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나의 물질로 이루어진 것을 특징으로 하는 반도체 발광 소자.
  10. 제8항에 있어서,
    상기 접촉층은 은(Ag), 니켈-은(Ni-Ag)합금, 니켈-금(Ni-Au)합금, 및 ITO로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나의 물질로 이루어진 것을 특징으로 하는 반도체 발광 소자.
  11. 제8항에 있어서,
    상기 접촉층은 원기둥, 삼각기둥, 사각기둥 및 육각기둥으로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나의 상을 갖는 것을 특징으로 하는 반도체 발광 소자.
  12. 제8항에 있어서,
    상기 접촉층은 복수개로 이루어져 라인 패턴으로 배열된 것을 특징으로 하는 반도체 발광 소자.
  13. 제8항에 있어서,
    상기 접촉층은 격자 패턴으로 형성되는 것을 특징으로 하는 반도체 발광 소자.
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