KR20130105027A - 세정액 조성물 및 이를 이용한 세정방법 - Google Patents
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Abstract
본 발명은 구리 연마 (화학적 기계적 연마, Chemical Mechanical Polishing, CMP) 공정 후 사용되는 세정액 조성물 및 이를 이용한 세정방법에 관한 것으로서, 본 발명의 세정액 조성물은, 4급 암모늄 화합물, 모노에탄올아민 및 수산화 아민으로 이루어진 군에서 선택되는 적어도 어느 하나를 포함하는 유기 용매; 메르캅탄 화합물을 포함하는 킬레이트 시약; 5-아미노테트라졸, 요산 (Uric acid), 히드라진, 벤조티아졸, 벤조트리아졸 및 1,2,4-트리아졸로 이루어진 군에서 선택되는 적어도 어느 하나를 포함하는 부식방지제; 및 순수 (純水);를 포함한다.
Description
본 발명은 구리 연마 (화학적 기계적 연마, Chemical Mechanical Polishing, CMP) 공정 또는 에칭 공정 후 사용되는 세정액 조성물 및 이를 이용한 세정방법에 관한 것이다.
반도체 공정에서 배선의 선폭이 점차 감소함에 따라, 배선의 단면적 감소로 인해 저항이 증가되고 배선간 간격 감소로 인해 신호의 지연이 발생한다. 이러한 신호 지연을 줄이기 위해서, 배선의 소재는 낮은 비저항 특성을 가지는 구리 (Cu)로, 절연층 (dielectric)은 더 낮은 유전 상수를 갖는 물질로 대체되고 있다.
그런데, 기존의 텅스텐(W)과 알루미늄 (Al) 배선 형성 공정에서 사용되던 건식 식각 (dry etch back) 공정을 구리 배선 형성 과정에 적용하면, 구리와 염소 (Cl)가 반응하여 휘발성이 낮은 구리-염소 착물 (complex)이 형성된다. 상기 구리-염소 착물은 기판 표면에 잔류하여 식각을 방해하는 장애물로 작용함으로써 패턴을 형성하는데 문제를 야기한다.
이를 극복하기 위해, 화학적 기계적 연마 (Chemical Mechanical Polishing: CMP) 공정이 도입되었다. 즉, 상기 화학적 기계적 연마 공정을 이용한 다마신 공정 (damascene process)을 통해 반도체 기판 상에 구리 배선을 형성한다. 상기 화학적 기계적 연마를 이용한 구리 배선 형성 과정 시, 물질간 제거 선택비 차이로 인한 산화막 침하 및 구리 침하 때문에, 구리 제거는 2단계에 걸쳐 이루어진다.
상기 화학적 기계적 연마 공정 후에는 구리 표면은 슬러리 내 포함된 입자와 유기 첨가제가 표면에 존재한다. 구리 화학기계적 연마 (CMP) 공정 시 슬러리 내 입자의 표면 흡착은 염기성 세정액 조성물을 사용함으로써 음의 제타전위 구현을 통하여 제거 및 재흡착 방지를 달성할 수 있다.
그러나 구리 화학기계적 연마 (CMP) 공정 시 사용되는 산화-부식방지 메커니즘에 의해서 형성된 불안정한 구리 산화막과 그 위에 형성되는 유기물 오염은 제거하는 것이 용이하지 않다. 그러므로 구리 화학기계적 연마 (CMP) 후 세정 공정에서는 유기물 오염층을 완전히 제거하고, 후속하는 공정까지 안정한 산화막을 형성을 통하여 구리막을 보호하는 것이 요구된다.
종래의 Lift off 방식 세정은 구리 산화막을 에칭함에 따라서 안정한 구리 산화막 형성을 통한 구리막 보호에 문제점이 있어, 구리 화학기계적 연마 (CMP) 후 유기물 오염을 완전하게 제거하고, 안정한 산화막 형성을 통해 구리막을 변질 없이 후속하는 공정까지 보호하는 세정액 조성물에 대한 요구가 있다.
본 발명은 상기의 문제점을 해결하기 위하여 발명된 것으로서, 화학기계적 연마 (CMP) 공정 또는 에칭 공정 후 세정 과정, 특히 구리 화학기계적 연마 (CMP) 공정 후 표면 세정 과정에서 유기물 오염층을 완전히 제거하고, 후속 공정까지 안정적으로 유지되는 산화막을 형성할 수 있는 세정액 조성물 및 이를 이용한 화학기계적 연마 (CMP) 공정 또는 에칭 공정 후 세정방법을 제공하는 것이다.
본 발명은 희석 시에 조성물의 pH의 변화폭이 크지 않고, 세정 전후 표면의 접촉각 변화가 작고, 장시간 담지의 경우에도 표면의 화학적 결함이 발생하지 않는 안정적인 세정액 조성물 및 이를 이용한 화학기계적 연마 (CMP) 공정 또는 에칭 공정 후 세정방법을 제공하는 것이다.
본 발명의 세정액 조성물은, 4급 암모늄 화합물, 모노에탄올아민 및 수산화 아민으로 이루어진 군에서 선택되는 적어도 어느 하나를 포함하는 유기 용매; 메르캅탄 화합물을 포함하는 킬레이트 시약; 5-아미노테트라졸, 요산 (Uric acid), 히드라진, 벤조티아졸, 벤조트리아졸 및 1,2,4-트리아졸로 이루어진 군에서 선택되는 적어도 어느 하나를 포함하는 부식방지제; 및 순수 (純水);를 포함한다.
상기 유기 용매는 상기 세정액 조성물 중 1 내지 10 중량%일 수 있다.
상기 메르캅탄 화합물은, 2-메르캅토에탄올, 글루타티온, 시스테인 및 메티오나인으로 이루어진 군에서 선택되는 적어도 어느 하나를 포함할 수 있다.
상기 킬레이트 시약은 상기 세정액 조성물 중 0.005 내지 5 중량%일 수 있다.
상기 부식방지제는 상기 세정액 조성물 중 0.001 내지 3 중량%일 수 있다.
본 발명의 세정액 조성물은, 아스코르브산, 갈산 및 카테콜로 이루어진 군에서 선택되는 적어도 어느 하나를 포함하는 산화방지제를, 상기 세정액 조성물 중 0.01 내지 5 중량%로 더 포함할 수 있다.
상기 세정액 조성물은 pH가 8 내지 14일 수 있다.
상기 세정액 조성물은, 구리 화학기계적 연마 (CMP) 공정 또는 금속막의 에칭 공정 후 상기 세정액 조성물로 세정한 구리 표면의 접촉각이 45 이하인 것일 수 있다.
상기 세정액 조성물은, 구리 화학기계적 연마 (CMP) 공정 또는 금속막의 에칭 공정 후 금속 표면 세정 시, 희석비 1:10 ~ 1:100으로 사용하는 것일 수 있다.
본 발명의 구리 화학기계적 연마 (CMP) 공정 세정방법은, 구리 표면을 화학기계적 연마 (CMP)하는 단계; 및 상기의 세정액 조성물을 이용하여 상기 연마된 구리 표면을 세정하는 단계;를 포함하는 것이다.
본 발명의 에칭 표면의 세정방법은, 금속막을 에칭하는 단계; 및 상기의 세정액 조성물을 이용하여 상기 에칭된 금속 표면을 세정하는 단계;를 포함한다.
본 발명의 세정액 조성물은 구리 화학기계적 연마 (CMP) 공정 또는 에칭 공정 후 세정 과정에서 구리 등의 금속 표면 상의 잔여 입자 및 유기물 오염층을 완전히 제거하고, 후속 공정까지 안정적으로 유지되는 산화막을 얻을 수 있다.
또한, 세정 공정에서 희석액으로 사용하는 경우에도 조성물의 pH가 안정적으로 유지되고, 세정 전후 표면의 접촉각 변화를 최소화할 수 있다.
또한, 본 발명의 세정작용은 반도체 소재의 표면으로부터 잔류입자를 효과적으로 제거하고 금속이 반도체 소재 표면상에 재침착하는 것을 방지한다.
또한, 본 발명의 세정액 조성물을 이용하여 세정 공정을 거친 표면의 접촉각은 종래의 세정액을 이용한 경우보다 낮으므로 세정 단계 이후 공정에서의 결합 발생 (defect)를 현저히 감소시킬 수 있다.
도 1은 본 발명의 실시예 및 비교예 1~3의 세정액 조성물로 세정 공정을 수행한 후의 구리 표면의 접촉각을 나타낸 그래프이다.
도 2은 본 발명의 실시예 및 비교예 1~3의 세정액 조성물로 세정 공정을 수행한 후의 잔여 유기물량을 나타낸 그래프이다.
도 3은 무처리 구리 기판 (A), BTA 오염 기판 (B) 및 본 발명의 실시예의 세정액으로 처리한 기판 (C)의 TOF-SIMS 분석 결과이다.
도 4는 순수 (DI water) 및 본 발명의 실시예의 세정액으로 처리한 기판의 화학 부식을 측정한 그래프이다.
도 5는 순수 (DI water) 및 본 발명의 실시예의 세정액으로 처리한 기판의 갈바닉 (galvanic) 부식을 측정한 그래프이다.
도 6은 본 발명의 실시예의 세정액으로 세정한 후 중앙부 및 가장자리부의 표면 거칠기를 나타내는 구리웨이퍼 5 ㎛ × 5 ㎛ 배율에서의 원자력 현미경 (AFM)스캔 사진이다.
도 2은 본 발명의 실시예 및 비교예 1~3의 세정액 조성물로 세정 공정을 수행한 후의 잔여 유기물량을 나타낸 그래프이다.
도 3은 무처리 구리 기판 (A), BTA 오염 기판 (B) 및 본 발명의 실시예의 세정액으로 처리한 기판 (C)의 TOF-SIMS 분석 결과이다.
도 4는 순수 (DI water) 및 본 발명의 실시예의 세정액으로 처리한 기판의 화학 부식을 측정한 그래프이다.
도 5는 순수 (DI water) 및 본 발명의 실시예의 세정액으로 처리한 기판의 갈바닉 (galvanic) 부식을 측정한 그래프이다.
도 6은 본 발명의 실시예의 세정액으로 세정한 후 중앙부 및 가장자리부의 표면 거칠기를 나타내는 구리웨이퍼 5 ㎛ × 5 ㎛ 배율에서의 원자력 현미경 (AFM)스캔 사진이다.
본 발명의 세정액 조성물은, 4급 암모늄 화합물, 모노에탄올아민 및 수산화 아민으로 이루어진 군에서 선택되는 적어도 어느 하나를 포함하는 유기 용매; 메르캅탄 화합물을 포함하는 킬레이트 시약; 5-아미노테트라졸, 요산 (Uric acid), 히드라진, 벤조티아졸, 벤조트리아졸 및 1,2,4-트리아졸로 이루어진 군에서 선택되는 적어도 어느 하나를 포함하는 부식방지제; 및 순수 (純水);를 포함한다.
상기 유기 용매는 상기 세정액 조성물 중 1 ~ 10 중량%, 바람직하게는 3 ~ 8 중량%일 수 있다.
상기 메르캅탄 화합물은, 2-메르캅토에탄올, 글루타티온, 시스테인 및 메티오나인으로 이루어진 군에서 선택되는 적어도 어느 하나를 포함할 수 있고, 상기 킬레이트 시약은 상기 세정액 조성물 중 0.005 ~ 5 중량%, 바람직하게는 0.1 ~ 3 중량%일 수 있다.
상기 부식방지제는 상기 세정액 조성물 중 0.001 ~ 3 중량%일 수 있다.
본 발명의 세정액 조성물은 아스코르브산, 갈산 및 카테콜로 이루어진 군에서 선택되는 적어도 어느 하나를 포함하는 산화방지제를 상기 세정액 조성물 중 0.01 내지 5 중량%로 더 포함할 수 있다. 산화방지제를 포함하는 경우에 구리 금속 표면을 보호하여 과도한 산화를 방지할 수 있다.
상기 유기 용매는 4급 암모늄 화합물, 암모늄 히드록시드 및 테트라알킬암모늄 히드록시드, 예컨대 테트라메틸암모늄 히드록시드 (TMAH), 테트라에틸암모늄 히드록시드, 테트라프로필암모늄 히드록시드, 트리메틸에틸암모늄 히드록시드, (2-히드록시에틸)트리메틸암모늄 히드록시드, (2-히드록시에틸)트리에틸암모늄 히드록시드, (2-히드록시에틸)트리프로필암모늄 히드록시드, (1-히드록시프로필)트리메틸암모늄 히드록시드에서 선택되는 적어도 어느 하나 및 이들의 혼합물일 수 있고, 다만, 이에 제한되지는 않는다.
유기 용매로 사용된 4급 암모늄 화합물 등은 반도체 PR 스트리퍼 등을 제거하는 세정액으로 사용되고 있으며, Cleaning 효과가 탁월하다. 특히 염기성 용매로 용액 내 음의 제타전위를 구현하여 정전기적 반발력을 통해서 세정 후 Particle 재흡착 방지를 할 수 있다.
Cu Slurry 내 연마제 입자는 음의 제타전위를 띄고 있으며, CMP 공정 후 금속이온이 포함되지 않은 염기성 유기 용매를 사용하면 입자를 용이하게 제거할 수 있고, 또한 재흡착 방지가 가능하다. 유기 용매는 최종 pH 조절제로서의 역할을 수행하기 때문에 그 함량은 적절한 성능을 나타내는 pH 수준으로 결정된다.
상기 세정액 조성물은 pH가 8 내지 14일 수 있다.
킬레이트 시약의 경우, 세정 공정이 진행될 때 발생하는 금속 이온의 착화제로 작용을 한다. 또한 약산을 띠게 됨으로써 염기성 유기 용매와 약산-강염기의 버퍼 용액을 형성하여 희석비에 관계없이 적절한 pH 영역이 유지되게 한다. 특히, 메르캅탄 화합물을 포함하는 킬레이트 시약을 포함하는 경우 세정 후 접촉각이 매우 작은 값을 갖는 것으로 보아 친수성이 잘 유지되도록 하는 역할을 하는 것을 알 수 있다.
부식방지제의 경우, 세정 작용시 금속 표면을 보호하는 작용을 하며, 과량 첨가시 웨이퍼 표면에 잔류하여 오히려 유기물 오염을 유발할 수 있다.
본 발명의 세정액 조성물은, 상기 세정액 조성물을 이용하여 구리 화학기계적 연마 (CMP) 공정 또는 금속막의 에칭 공정을 수행한 구리 표면의 접촉각이 45 이하, 바람직하게는 40~42 일 수 있다.
화학기계적 연마 (CMP) 공정 또는 금속막의 에칭 공정, 및 세정 후 접촉각이 증가하는 것은 표면이 소수성으로 변환된 것을 의미한다. 초순수에 담지한 후 세척하고 질소 가스로 완전 세척한 상태의 구리 (fresh Cu)의 표면의 접촉각이 41.6 정도이므로, 화학기계적 연마 (CMP) 공정 또는 금속막의 에칭 공정, 및 세정 후 접촉각이 45 이하 (친수성 (hydropilic))로 유지되어야 한다. 접촉각이 45를 넘게 되면 상기 검토대로 표면이 부식방지제에 의하여 소수성으로 변환된 것임을 나타낸다. 화학기계적 연마 (CMP) 또는 에칭 후 세정 공정은 연마 후 표면에 잔류하는 유기물 오염층을 제거하는 것이 목적이므로, 세정 작용 외에는 표면에 영향을 미치지 않는 것이 바람직하다. 그러므로 세정 후 접촉각에 있어서도 세정 전 접촉각을 기준으로 표면의 특성 변화가 없는 것으로 평가 가능한 수준인 45도 이하를 유지하는 것이 바람직하다.
상기 세정액 조성물은, 구리 화학기계적 연마 (CMP) 공정 또는 금속막의 에칭 공정 후 금속 표면 세정 시, 희석비 1:10 ~ 1:100으로 사용하는 것일 수 있다. 희석비가 1:10보다 작으면, 제조되는 세정액 조성물의 함량이 높아서 조성물의 특성을 평가하기가 어렵고, 생산성이 저조한 문제가 있을 수 있고, 1:100 보다 크면 조성물 함량이 너무 낮아서 저장안정성 및 경시안정성에서 문제가 있을 수 있다.
본 발명의 구리 화학기계적 연마 (CMP) 공정 세정방법은, 구리 표면을 화학기계적 연마 (CMP)하는 단계; 및 상기의 세정액 조성물을 이용하여 상기 연마된 구리 표면을 세정하는 단계;를 포함하는 것이다.
본 발명의 에칭 표면의 세정방법은, 금속막을 에칭하는 단계; 및 상기의 세정액 조성물을 이용하여 상기 에칭된 금속 표면을 세정하는 단계;를 포함한다.
이하 실시예 및 비교예를 통하여 본 발명을 더욱 상세히 설명한다. 다만, 이는 설명을 위한 것일 뿐, 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니다.
실시예
및
비교예
실시예로서, 본 발명의 세정액 조성물로서 4급 암모늄 화합물은 5 중량%, 메르캅탄 화합물을 포함하는 킬레이트 시약 1 중량%, 5-아미노테트라졸 부식방지제 0.5 중량% 및 잔여 순수를 포함하는 실시예의 세정액 조성물을 제조하였다.
비교예로서, 다른 조성은 동일하게 유지하고, 킬레이트 시약이 글리신 (glycine)을 포함하는 경우 (비교예 1), 아르기닌 (arginine)을 포함하는 경우 (비교예 2), EDTA (ethylenediamine tetraacetic acid, 에틸렌디아민테트라아세트산, 화학식: (HOOCCH2)2NCH2CH2N(CH2COOH)2)를 포함하는 경우 (비교예 3)를 준비하였다.
실제 세정액의 사용에 있어서는 상당한 비율로 희석하여 사용함을 고려하여 실시예 및 비교예 1~3의 세정액 조성물 원액 및 1:50 희석액을 이용하여 연마 화학기계적 연마 공정을 거친 구리 웨이퍼 표면을 세정한 후, 접촉각을 측정하고, 입자 제거율 및 잔여 유기물량 (유기물 제거율)을 측정하고, TOF-SIMS 분석을 실시하였다.
한편, 실시예의 세정액 조성물 1:50 희석액으로 세정 과정을 수행하고, 4-point probe로 세정 전후 측정하여 그 차를 기초로 제거된 양을 나타내어 시간당 제거량을 확인함으로써 에칭율을 측정하였다.
접촉각
측정
도 1은 본 발명의 실시예 및 비교예 1~3의 세정액 조성물로 세정 공정을 수행한 후의 구리 표면의 접촉각을 나타낸 그래프이다.
구리 웨이퍼를 1분간 담지한 후 접촉각을 측정한 결과, 본 발명의 실시예는 원액 및 1:50 희석액에서, 특히 1:50 희석액에서 30 이하의 상대적으로 매우 낮은 접촉각을 나타내었다. 이를 통하여 실시예의 세정액을 사용하는 경우 세정에 의한 소수성으로의 변화를 방지하여 친수성이 유지되고 있는 것임을 알 수 있다.
입자 제거율 측정
아래의 표 1는 실시예 및 비교예 1~3의 세정액 조성물의 원액 및 1:50 희석액의 잔여 입자 제거 정도를 측정한 결과이다. 슬러리 내에 포함되어 있는 입자를 효과적으로 제거하였는지를 확인하기 위한 것이다. 실리카 슬러리에 강제 오염된 구리 기판에 세정을 한 후 FE-SEM을 통하여 기판 표면을 스캔하여 입자 제거 정도를 측정하였다.
| 원액 | 1:50 희석액 | 비고 | |
| 실시예 | 1 | 2 | |
| 비교예 1 | 5 | 2 | 과도 에칭 |
| 비교예 2 | 3 | 7 | |
| 비교예 3 | 2 | 4 | 거친 표면 |
유기물 제거율 측정
유기물의 제거 효과를 확인하기 위해서, BTA로 오염된 구리 표면을 본 발명의 실시예의 세정액 조성물로 세정한 후 잔여 유기물 량을 측정하였다.
도 2은 본 발명의 실시예의 세정액 조성물로 세정 공정을 수행한 후의 잔여 유기물량을 나타낸 그래프이다.
도 2와 같이 본 발명의 실시예의 세정액으로 세정한 경우, 오염물질을 대부분이 제거되는 것을 확인할 수 있었다.
TOF
-
SIMS
측정
도 3은 무처리 구리 기판 (A), BTA 오염 기판 (B) 및 본 발명의 실시예의 세정액으로 처리한 기판 (C)의 TOF-SIMS 분석 결과이다. 이온을 구리 기판 표면에 충돌시켜 생성된 이차 이온을 에너지와 질량에 따라 분리하여 검출하는 방법을 통하여 기판 표면의 유기물을 분석하였다.
화학 부식 측정
도 4는 순수 (DI water) 및 본 발명의 실시예의 세정액으로 처리한 기판의 화학 부식을 측정한 그래프이다.
순수로 세정할 경우에는 킨크 (kink)가 발생하는데 반해, 본 발명의 실시예 3의 세정액 조성물로 세정하는 경우에는 킨크가 전혀 발생하지 않는 것을 확인할 수 있다. 이로부터 본 발명의 세정액이 부식 억제 효과가 우수함을 확인할 수 있다. 전압 값을 변화시키면서 전류 값의 변화를 측정하여 Tafel plot으로 나타내면 불규칙한 전류값의 변화구간이 존재함은 표면 부식이 발생한 것으로 유추할 수 있다.
갈바닉
부식 측정
도 5는 순수 (DI water) 및 본 발명의 실시예의 세정액으로 처리한 기판의 갈바닉 (galvanic) 부식을 측정한 그래프이다.
구리 (Cu)와 탄탈륨 (Ta) 사이에는 갈바닉 부식이 발생하는데, 순수로 세정하는 경우에는 구리와 탄탈륨 사이의 포텐셜 차이가 200 mV로 매우 높게 나타나나, 본 발명의 실시예의 세정액으로 세정한 경우에는 구리와 탄탈륨 사이의 포텐셜 차이가 20 mV로 낮아지는 것을 알 수 있다. 따라서, 본 발명의 세정액 조성물은 갈바닉 부식을 방지하는 효과가 우수한 것을 알 수 있다. 전해질 용액에 두 금속이 접촉된 상태로 담겨 있을 때, 두 금속의 전위차가 작으면 전자의 이동이 억제되고 부식을 방지 할 수 있다.
식각율
및 표면 거칠기 측정
도 6은 본 발명의 실시예의 세정액으로 세정한 후 중앙부 및 가장자리부의 표면 거칠기를 나타내는 구리웨이퍼 5 ㎛ × 5 ㎛ 배율에서의 원자력 현미경 (AFM)스캔 사진이다.
실시예의 세정액 조성물의 세정 과정에서 구리의 식각율을 측정한 결과, 0.24 Å/m으로 매우 낮은 값이 확인되었고, 이는 구리의 에칭 없이 세정이 이루어져 이후 단계에 발생 가능한 문제를 방지하는 효과가 있는 것으로 볼 수 있다.
또한, 실시예의 세정액으로 세정한 후에 중앙부 및 가장자리부의 표면 거칠기를 측정한 결과, 매우 우수한 거칠기 특성을 갖는다는 것을 알 수 있다.
상기와 같이 본 발명의 실시예 및 비교예 1~3의 세정액을 비교하여 여러 가지 지표를 통하여 성능을 측정한 결과, 원액 및 1:50 희석액의 세정 후 표면의 접촉각, 입자 및 유기물 세정 완성도, 표면 결함 여부, 에칭율 등에 있어서 본 발명의 세정액 조성물이 우수한 특성을 나타냄을 확인할 수 있었다.
Claims (11)
- 4급 암모늄 화합물, 모노에탄올아민 및 수산화 아민으로 이루어진 군에서 선택되는 적어도 어느 하나를 포함하는 유기 용매;
메르캅탄 화합물을 포함하는 킬레이트 시약;
5-아미노테트라졸, 요산 (Uric acid), 히드라진, 벤조티아졸, 벤조트리아졸 및 1,2,4-트리아졸로 이루어진 군에서 선택되는 적어도 어느 하나를 포함하는 부식방지제; 및
순수 (純水);
를 포함하는 세정액 조성물.
- 제1항에 있어서,
상기 유기 용매는 상기 세정액 조성물 중 1 내지 10 중량%인 것을 특징으로 하는 세정액 조성물.
- 제1항에 있어서, 상기 메르캅탄 화합물은, 2-메르캅토에탄올, 글루타티온, 시스테인 및 메티오나인으로 이루어진 군에서 선택되는 적어도 어느 하나를 포함하는 것인 세정액 조성물.
- 제1항에 있어서,
상기 킬레이트 시약은 상기 세정액 조성물 중 0.005 내지 5 중량%인 것을 특징으로 하는 세정액 조성물.
- 제1항에 있어서,
상기 부식방지제는 상기 세정액 조성물 중 0.001 내지 3 중량%인 것을 특징으로 하는 세정액 조성물.
- 제1항에 있어서,
아스코르브산, 갈산 및 카테콜로 이루어진 군에서 선택되는 적어도 어느 하나를 포함하는 산화방지제를, 상기 세정액 조성물 중 0.01 내지 5 중량%로 더 포함하는 것을 특징으로 하는 세정액 조성물.
- 제1항에 있어서,
상기 세정액 조성물은 pH가 8 내지 14인 것을 특징으로 하는 세정액 조성물.
- 제1항에 있어서,
상기 세정액 조성물은, 구리 화학기계적 연마 (CMP) 공정 또는 금속막의 에칭 공정 후, 상기 세정액 조성물로 세정한 구리 표면의 접촉각이 45 이하인 것을 특징으로 하는 세정액 조성물.
- 제1항에 있어서,
상기 세정액 조성물은, 구리 화학기계적 연마 (CMP) 공정 또는 금속막의 에칭 공정 후, 금속 표면 세정 시, 희석비 1:10 ~ 1:100으로 사용하는 것을 특징으로 하는 세정액 조성물.
- 구리 표면을 화학기계적 연마 (CMP)하는 단계; 및
제1항 내지 제8항 중 한 항의 세정액 조성물을 이용하여 상기 연마된 구리 표면을 세정하는 단계;
를 포함하는 구리 화학기계적 연마 (CMP) 공정 세정방법.
- 금속막을 에칭하는 단계; 및
제1항 내지 제8항 중 한 항의 세정액 조성물을 이용하여 상기 에칭된 금속 표면을 세정하는 단계;
를 포함하는 에칭 표면의 세정방법.
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