KR101323040B1 - 세정액 조성물 및 이를 이용한 세정방법 - Google Patents
세정액 조성물 및 이를 이용한 세정방법 Download PDFInfo
- Publication number
- KR101323040B1 KR101323040B1 KR1020120027108A KR20120027108A KR101323040B1 KR 101323040 B1 KR101323040 B1 KR 101323040B1 KR 1020120027108 A KR1020120027108 A KR 1020120027108A KR 20120027108 A KR20120027108 A KR 20120027108A KR 101323040 B1 KR101323040 B1 KR 101323040B1
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- cleaning
- cleaning liquid
- liquid composition
- copper
- cmp
- Prior art date
Links
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 title claims abstract description 129
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 73
- 239000000203 mixture Substances 0.000 title claims abstract description 66
- 239000010949 copper Substances 0.000 claims abstract description 59
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims abstract description 58
- 230000008569 process Effects 0.000 claims abstract description 56
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 55
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims abstract description 55
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims abstract description 32
- 238000005498 polishing Methods 0.000 claims abstract description 30
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 claims abstract description 20
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 claims abstract description 20
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 claims abstract description 12
- -1 amine hydroxide Chemical class 0.000 claims abstract description 11
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 11
- 239000003112 inhibitor Substances 0.000 claims abstract description 9
- OAKJQQAXSVQMHS-UHFFFAOYSA-N Hydrazine Chemical compound NN OAKJQQAXSVQMHS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 8
- IOJUPLGTWVMSFF-UHFFFAOYSA-N benzothiazole Chemical compound C1=CC=C2SC=NC2=C1 IOJUPLGTWVMSFF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 8
- 239000003153 chemical reaction reagent Substances 0.000 claims abstract description 8
- QRUDEWIWKLJBPS-UHFFFAOYSA-N benzotriazole Chemical compound C1=CC=C2N[N][N]C2=C1 QRUDEWIWKLJBPS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 7
- 150000003856 quaternary ammonium compounds Chemical class 0.000 claims abstract description 7
- ULRPISSMEBPJLN-UHFFFAOYSA-N 2h-tetrazol-5-amine Chemical compound NC1=NN=NN1 ULRPISSMEBPJLN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 5
- HZAXFHJVJLSVMW-UHFFFAOYSA-N 2-Aminoethan-1-ol Chemical compound NCCO HZAXFHJVJLSVMW-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 4
- NSPMIYGKQJPBQR-UHFFFAOYSA-N 4H-1,2,4-triazole Chemical compound C=1N=CNN=1 NSPMIYGKQJPBQR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 4
- LSDPWZHWYPCBBB-UHFFFAOYSA-N Methanethiol Chemical class SC LSDPWZHWYPCBBB-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 4
- LEHOTFFKMJEONL-UHFFFAOYSA-N Uric Acid Chemical compound N1C(=O)NC(=O)C2=C1NC(=O)N2 LEHOTFFKMJEONL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 4
- TVWHNULVHGKJHS-UHFFFAOYSA-N Uric acid Natural products N1C(=O)NC(=O)C2NC(=O)NC21 TVWHNULVHGKJHS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 4
- 239000012964 benzotriazole Substances 0.000 claims abstract description 4
- 239000013522 chelant Substances 0.000 claims abstract description 4
- 229940116269 uric acid Drugs 0.000 claims abstract description 4
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 26
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 23
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 23
- 238000010790 dilution Methods 0.000 claims description 8
- 239000012895 dilution Substances 0.000 claims description 8
- CIWBSHSKHKDKBQ-JLAZNSOCSA-N Ascorbic acid Chemical compound OC[C@H](O)[C@H]1OC(=O)C(O)=C1O CIWBSHSKHKDKBQ-JLAZNSOCSA-N 0.000 claims description 6
- YCIMNLLNPGFGHC-UHFFFAOYSA-N catechol Chemical compound OC1=CC=CC=C1O YCIMNLLNPGFGHC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- LNTHITQWFMADLM-UHFFFAOYSA-N gallic acid Chemical compound OC(=O)C1=CC(O)=C(O)C(O)=C1 LNTHITQWFMADLM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- RWSXRVCMGQZWBV-WDSKDSINSA-N glutathione Chemical compound OC(=O)[C@@H](N)CCC(=O)N[C@@H](CS)C(=O)NCC(O)=O RWSXRVCMGQZWBV-WDSKDSINSA-N 0.000 claims description 6
- DGVVWUTYPXICAM-UHFFFAOYSA-N β‐Mercaptoethanol Chemical compound OCCS DGVVWUTYPXICAM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 239000003963 antioxidant agent Substances 0.000 claims description 4
- 230000003078 antioxidant effect Effects 0.000 claims description 4
- 235000006708 antioxidants Nutrition 0.000 claims description 4
- 108010024636 Glutathione Proteins 0.000 claims description 3
- XUJNEKJLAYXESH-REOHCLBHSA-N L-Cysteine Chemical compound SC[C@H](N)C(O)=O XUJNEKJLAYXESH-REOHCLBHSA-N 0.000 claims description 3
- FFEARJCKVFRZRR-BYPYZUCNSA-N L-methionine Chemical compound CSCC[C@H](N)C(O)=O FFEARJCKVFRZRR-BYPYZUCNSA-N 0.000 claims description 3
- 229960005070 ascorbic acid Drugs 0.000 claims description 3
- 235000010323 ascorbic acid Nutrition 0.000 claims description 3
- 239000011668 ascorbic acid Substances 0.000 claims description 3
- 239000002738 chelating agent Substances 0.000 claims description 3
- XUJNEKJLAYXESH-UHFFFAOYSA-N cysteine Natural products SCC(N)C(O)=O XUJNEKJLAYXESH-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 235000018417 cysteine Nutrition 0.000 claims description 3
- 229940074391 gallic acid Drugs 0.000 claims description 3
- 235000004515 gallic acid Nutrition 0.000 claims description 3
- 229960003180 glutathione Drugs 0.000 claims description 3
- 229930182817 methionine Natural products 0.000 claims description 3
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 18
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 16
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 15
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 13
- 238000005406 washing Methods 0.000 description 12
- 239000005416 organic matter Substances 0.000 description 9
- 230000008859 change Effects 0.000 description 5
- 239000003085 diluting agent Substances 0.000 description 5
- 239000000463 material Substances 0.000 description 5
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 5
- 239000000356 contaminant Substances 0.000 description 4
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 4
- 239000002002 slurry Substances 0.000 description 4
- 239000011550 stock solution Substances 0.000 description 4
- 230000003746 surface roughness Effects 0.000 description 4
- WGTYBPLFGIVFAS-UHFFFAOYSA-M tetramethylammonium hydroxide Chemical compound [OH-].C[N+](C)(C)C WGTYBPLFGIVFAS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 4
- 238000005011 time of flight secondary ion mass spectroscopy Methods 0.000 description 4
- QPLDLSVMHZLSFG-UHFFFAOYSA-N Copper oxide Chemical compound [Cu]=O QPLDLSVMHZLSFG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000005751 Copper oxide Substances 0.000 description 3
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 3
- 239000000460 chlorine Substances 0.000 description 3
- 229910000431 copper oxide Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 3
- 238000007517 polishing process Methods 0.000 description 3
- 238000001179 sorption measurement Methods 0.000 description 3
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 3
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N Chlorine atom Chemical compound [Cl] ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KCXVZYZYPLLWCC-UHFFFAOYSA-N EDTA Chemical compound OC(=O)CN(CC(O)=O)CCN(CC(O)=O)CC(O)=O KCXVZYZYPLLWCC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- DHMQDGOQFOQNFH-UHFFFAOYSA-N Glycine Chemical compound NCC(O)=O DHMQDGOQFOQNFH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000009471 action Effects 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- 229910052801 chlorine Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 2
- 230000002209 hydrophobic effect Effects 0.000 description 2
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 2
- 229910021645 metal ion Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 2
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 2
- LDXJRKWFNNFDSA-UHFFFAOYSA-N 2-(2,4,6,7-tetrahydrotriazolo[4,5-c]pyridin-5-yl)-1-[4-[2-[[3-(trifluoromethoxy)phenyl]methylamino]pyrimidin-5-yl]piperazin-1-yl]ethanone Chemical compound C1CN(CC2=NNN=C21)CC(=O)N3CCN(CC3)C4=CN=C(N=C4)NCC5=CC(=CC=C5)OC(F)(F)F LDXJRKWFNNFDSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KIZQNNOULOCVDM-UHFFFAOYSA-M 2-hydroxyethyl(trimethyl)azanium;hydroxide Chemical compound [OH-].C[N+](C)(C)CCO KIZQNNOULOCVDM-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- ZFDNAYFXBJPPEB-UHFFFAOYSA-M 2-hydroxyethyl(tripropyl)azanium;hydroxide Chemical compound [OH-].CCC[N+](CCC)(CCC)CCO ZFDNAYFXBJPPEB-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- VHUUQVKOLVNVRT-UHFFFAOYSA-N Ammonium hydroxide Chemical compound [NH4+].[OH-] VHUUQVKOLVNVRT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004475 Arginine Substances 0.000 description 1
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VGGSQFUCUMXWEO-UHFFFAOYSA-N Ethene Chemical compound C=C VGGSQFUCUMXWEO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000005977 Ethylene Substances 0.000 description 1
- 239000004471 Glycine Substances 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LYVWMIHLNQLWAC-UHFFFAOYSA-N [Cl].[Cu] Chemical compound [Cl].[Cu] LYVWMIHLNQLWAC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VYTBPJNGNGMRFH-UHFFFAOYSA-N acetic acid;azane Chemical compound N.N.CC(O)=O.CC(O)=O.CC(O)=O.CC(O)=O VYTBPJNGNGMRFH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 1
- 230000032683 aging Effects 0.000 description 1
- 230000004075 alteration Effects 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000908 ammonium hydroxide Substances 0.000 description 1
- ODKSFYDXXFIFQN-UHFFFAOYSA-N arginine Natural products OC(=O)C(N)CCCNC(N)=N ODKSFYDXXFIFQN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000007853 buffer solution Substances 0.000 description 1
- 239000008139 complexing agent Substances 0.000 description 1
- 238000005536 corrosion prevention Methods 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 230000003111 delayed effect Effects 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 238000007865 diluting Methods 0.000 description 1
- 229910001873 dinitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000008151 electrolyte solution Substances 0.000 description 1
- 238000000445 field-emission scanning electron microscopy Methods 0.000 description 1
- 230000002401 inhibitory effect Effects 0.000 description 1
- 230000001788 irregular Effects 0.000 description 1
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 1
- 125000000896 monocarboxylic acid group Chemical group 0.000 description 1
- 239000006259 organic additive Substances 0.000 description 1
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 239000003002 pH adjusting agent Substances 0.000 description 1
- 239000003755 preservative agent Substances 0.000 description 1
- 230000002335 preservative effect Effects 0.000 description 1
- 230000002265 prevention Effects 0.000 description 1
- 238000004439 roughness measurement Methods 0.000 description 1
- 239000000523 sample Substances 0.000 description 1
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 1
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 1
- 150000005622 tetraalkylammonium hydroxides Chemical class 0.000 description 1
- 229940073455 tetraethylammonium hydroxide Drugs 0.000 description 1
- LRGJRHZIDJQFCL-UHFFFAOYSA-M tetraethylazanium;hydroxide Chemical compound [OH-].CC[N+](CC)(CC)CC LRGJRHZIDJQFCL-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- LPSKDVINWQNWFE-UHFFFAOYSA-M tetrapropylazanium;hydroxide Chemical compound [OH-].CCC[N+](CCC)(CCC)CCC LPSKDVINWQNWFE-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 230000001052 transient effect Effects 0.000 description 1
- GRNRCQKEBXQLAA-UHFFFAOYSA-M triethyl(2-hydroxyethyl)azanium;hydroxide Chemical compound [OH-].CC[N+](CC)(CC)CCO GRNRCQKEBXQLAA-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- BJAARRARQJZURR-UHFFFAOYSA-N trimethylazanium;hydroxide Chemical compound O.CN(C)C BJAARRARQJZURR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C11—ANIMAL OR VEGETABLE OILS, FATS, FATTY SUBSTANCES OR WAXES; FATTY ACIDS THEREFROM; DETERGENTS; CANDLES
- C11D—DETERGENT COMPOSITIONS; USE OF SINGLE SUBSTANCES AS DETERGENTS; SOAP OR SOAP-MAKING; RESIN SOAPS; RECOVERY OF GLYCEROL
- C11D7/00—Compositions of detergents based essentially on non-surface-active compounds
- C11D7/50—Solvents
- C11D7/5004—Organic solvents
- C11D7/5013—Organic solvents containing nitrogen
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C11—ANIMAL OR VEGETABLE OILS, FATS, FATTY SUBSTANCES OR WAXES; FATTY ACIDS THEREFROM; DETERGENTS; CANDLES
- C11D—DETERGENT COMPOSITIONS; USE OF SINGLE SUBSTANCES AS DETERGENTS; SOAP OR SOAP-MAKING; RESIN SOAPS; RECOVERY OF GLYCEROL
- C11D7/00—Compositions of detergents based essentially on non-surface-active compounds
- C11D7/22—Organic compounds
- C11D7/32—Organic compounds containing nitrogen
- C11D7/3281—Heterocyclic compounds
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C11—ANIMAL OR VEGETABLE OILS, FATS, FATTY SUBSTANCES OR WAXES; FATTY ACIDS THEREFROM; DETERGENTS; CANDLES
- C11D—DETERGENT COMPOSITIONS; USE OF SINGLE SUBSTANCES AS DETERGENTS; SOAP OR SOAP-MAKING; RESIN SOAPS; RECOVERY OF GLYCEROL
- C11D7/00—Compositions of detergents based essentially on non-surface-active compounds
- C11D7/22—Organic compounds
- C11D7/34—Organic compounds containing sulfur
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C11—ANIMAL OR VEGETABLE OILS, FATS, FATTY SUBSTANCES OR WAXES; FATTY ACIDS THEREFROM; DETERGENTS; CANDLES
- C11D—DETERGENT COMPOSITIONS; USE OF SINGLE SUBSTANCES AS DETERGENTS; SOAP OR SOAP-MAKING; RESIN SOAPS; RECOVERY OF GLYCEROL
- C11D2111/00—Cleaning compositions characterised by the objects to be cleaned; Cleaning compositions characterised by non-standard cleaning or washing processes
- C11D2111/10—Objects to be cleaned
- C11D2111/14—Hard surfaces
- C11D2111/16—Metals
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Oil, Petroleum & Natural Gas (AREA)
- Wood Science & Technology (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
- Detergent Compositions (AREA)
- Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
Abstract
본 발명은 구리 연마 (화학적 기계적 연마, Chemical Mechanical Polishing, CMP) 공정 후 사용되는 세정액 조성물 및 이를 이용한 세정방법에 관한 것으로서, 본 발명의 세정액 조성물은, 4급 암모늄 화합물, 모노에탄올아민 및 수산화 아민으로 이루어진 군에서 선택되는 적어도 어느 하나를 포함하는 유기 용매; 메르캅탄 화합물을 포함하는 킬레이트 시약; 5-아미노테트라졸, 요산 (Uric acid), 히드라진, 벤조티아졸, 벤조트리아졸 및 1,2,4-트리아졸로 이루어진 군에서 선택되는 적어도 어느 하나를 포함하는 부식방지제; 및 순수 (純水);를 포함한다.
Description
본 발명은 구리 연마 (화학적 기계적 연마, Chemical Mechanical Polishing, CMP) 공정 또는 에칭 공정 후 사용되는 세정액 조성물 및 이를 이용한 세정방법에 관한 것이다.
반도체 공정에서 배선의 선폭이 점차 감소함에 따라, 배선의 단면적 감소로 인해 저항이 증가되고 배선간 간격 감소로 인해 신호의 지연이 발생한다. 이러한 신호 지연을 줄이기 위해서, 배선의 소재는 낮은 비저항 특성을 가지는 구리 (Cu)로, 절연층 (dielectric)은 더 낮은 유전 상수를 갖는 물질로 대체되고 있다.
그런데, 기존의 텅스텐(W)과 알루미늄 (Al) 배선 형성 공정에서 사용되던 건식 식각 (dry etch back) 공정을 구리 배선 형성 과정에 적용하면, 구리와 염소 (Cl)가 반응하여 휘발성이 낮은 구리-염소 착물 (complex)이 형성된다. 상기 구리-염소 착물은 기판 표면에 잔류하여 식각을 방해하는 장애물로 작용함으로써 패턴을 형성하는데 문제를 야기한다.
이를 극복하기 위해, 화학적 기계적 연마 (Chemical Mechanical Polishing: CMP) 공정이 도입되었다. 즉, 상기 화학적 기계적 연마 공정을 이용한 다마신 공정 (damascene process)을 통해 반도체 기판 상에 구리 배선을 형성한다. 상기 화학적 기계적 연마를 이용한 구리 배선 형성 과정 시, 물질간 제거 선택비 차이로 인한 산화막 침하 및 구리 침하 때문에, 구리 제거는 2단계에 걸쳐 이루어진다.
상기 화학적 기계적 연마 공정 후에는 구리 표면은 슬러리 내 포함된 입자와 유기 첨가제가 표면에 존재한다. 구리 화학기계적 연마 (CMP) 공정 시 슬러리 내 입자의 표면 흡착은 염기성 세정액 조성물을 사용함으로써 음의 제타전위 구현을 통하여 제거 및 재흡착 방지를 달성할 수 있다.
그러나 구리 화학기계적 연마 (CMP) 공정 시 사용되는 산화-부식방지 메커니즘에 의해서 형성된 불안정한 구리 산화막과 그 위에 형성되는 유기물 오염은 제거하는 것이 용이하지 않다. 그러므로 구리 화학기계적 연마 (CMP) 후 세정 공정에서는 유기물 오염층을 완전히 제거하고, 후속하는 공정까지 안정한 산화막을 형성을 통하여 구리막을 보호하는 것이 요구된다.
종래의 Lift off 방식 세정은 구리 산화막을 에칭함에 따라서 안정한 구리 산화막 형성을 통한 구리막 보호에 문제점이 있어, 구리 화학기계적 연마 (CMP) 후 유기물 오염을 완전하게 제거하고, 안정한 산화막 형성을 통해 구리막을 변질 없이 후속하는 공정까지 보호하는 세정액 조성물에 대한 요구가 있다.
본 발명은 상기의 문제점을 해결하기 위하여 발명된 것으로서, 화학기계적 연마 (CMP) 공정 또는 에칭 공정 후 세정 과정, 특히 구리 화학기계적 연마 (CMP) 공정 후 표면 세정 과정에서 유기물 오염층을 완전히 제거하고, 후속 공정까지 안정적으로 유지되는 산화막을 형성할 수 있는 세정액 조성물 및 이를 이용한 화학기계적 연마 (CMP) 공정 또는 에칭 공정 후 세정방법을 제공하는 것이다.
본 발명은 희석 시에 조성물의 pH의 변화폭이 크지 않고, 세정 전후 표면의 접촉각 변화가 작고, 장시간 담지의 경우에도 표면의 화학적 결함이 발생하지 않는 안정적인 세정액 조성물 및 이를 이용한 화학기계적 연마 (CMP) 공정 또는 에칭 공정 후 세정방법을 제공하는 것이다.
본 발명의 세정액 조성물은, 4급 암모늄 화합물, 모노에탄올아민 및 수산화 아민으로 이루어진 군에서 선택되는 적어도 어느 하나를 포함하는 유기 용매; 메르캅탄 화합물을 포함하는 킬레이트 시약; 5-아미노테트라졸, 요산 (Uric acid), 히드라진, 벤조티아졸, 벤조트리아졸 및 1,2,4-트리아졸로 이루어진 군에서 선택되는 적어도 어느 하나를 포함하는 부식방지제; 및 순수 (純水);를 포함한다.
상기 유기 용매는 상기 세정액 조성물 중 1 내지 10 중량%일 수 있다.
상기 메르캅탄 화합물은, 2-메르캅토에탄올, 글루타티온, 시스테인 및 메티오나인으로 이루어진 군에서 선택되는 적어도 어느 하나를 포함할 수 있다.
상기 킬레이트 시약은 상기 세정액 조성물 중 0.005 내지 5 중량%일 수 있다.
상기 부식방지제는 상기 세정액 조성물 중 0.001 내지 3 중량%일 수 있다.
본 발명의 세정액 조성물은, 아스코르브산, 갈산 및 카테콜로 이루어진 군에서 선택되는 적어도 어느 하나를 포함하는 산화방지제를, 상기 세정액 조성물 중 0.01 내지 5 중량%로 더 포함할 수 있다.
상기 세정액 조성물은 pH가 8 내지 14일 수 있다.
상기 세정액 조성물은, 구리 화학기계적 연마 (CMP) 공정 또는 금속막의 에칭 공정 후 상기 세정액 조성물로 세정한 구리 표면의 접촉각이 45 이하인 것일 수 있다.
상기 세정액 조성물은, 구리 화학기계적 연마 (CMP) 공정 또는 금속막의 에칭 공정 후 금속 표면 세정 시, 희석비 1:10 ~ 1:100으로 사용하는 것일 수 있다.
본 발명의 구리 화학기계적 연마 (CMP) 공정 세정방법은, 구리 표면을 화학기계적 연마 (CMP)하는 단계; 및 상기의 세정액 조성물을 이용하여 상기 연마된 구리 표면을 세정하는 단계;를 포함하는 것이다.
본 발명의 에칭 표면의 세정방법은, 금속막을 에칭하는 단계; 및 상기의 세정액 조성물을 이용하여 상기 에칭된 금속 표면을 세정하는 단계;를 포함한다.
본 발명의 세정액 조성물은 구리 화학기계적 연마 (CMP) 공정 또는 에칭 공정 후 세정 과정에서 구리 등의 금속 표면 상의 잔여 입자 및 유기물 오염층을 완전히 제거하고, 후속 공정까지 안정적으로 유지되는 산화막을 얻을 수 있다.
또한, 세정 공정에서 희석액으로 사용하는 경우에도 조성물의 pH가 안정적으로 유지되고, 세정 전후 표면의 접촉각 변화를 최소화할 수 있다.
또한, 본 발명의 세정작용은 반도체 소재의 표면으로부터 잔류입자를 효과적으로 제거하고 금속이 반도체 소재 표면상에 재침착하는 것을 방지한다.
또한, 본 발명의 세정액 조성물을 이용하여 세정 공정을 거친 표면의 접촉각은 종래의 세정액을 이용한 경우보다 낮으므로 세정 단계 이후 공정에서의 결합 발생 (defect)를 현저히 감소시킬 수 있다.
도 1은 본 발명의 실시예 및 비교예 1~3의 세정액 조성물로 세정 공정을 수행한 후의 구리 표면의 접촉각을 나타낸 그래프이다.
도 2은 본 발명의 실시예 및 비교예 1~3의 세정액 조성물로 세정 공정을 수행한 후의 잔여 유기물량을 나타낸 그래프이다.
도 3은 무처리 구리 기판 (A), BTA 오염 기판 (B) 및 본 발명의 실시예의 세정액으로 처리한 기판 (C)의 TOF-SIMS 분석 결과이다.
도 4는 순수 (DI water) 및 본 발명의 실시예의 세정액으로 처리한 기판의 화학 부식을 측정한 그래프이다.
도 5는 순수 (DI water) 및 본 발명의 실시예의 세정액으로 처리한 기판의 갈바닉 (galvanic) 부식을 측정한 그래프이다.
도 6은 본 발명의 실시예의 세정액으로 세정한 후 중앙부 및 가장자리부의 표면 거칠기를 나타내는 구리웨이퍼 5 ㎛ × 5 ㎛ 배율에서의 원자력 현미경 (AFM)스캔 사진이다.
도 2은 본 발명의 실시예 및 비교예 1~3의 세정액 조성물로 세정 공정을 수행한 후의 잔여 유기물량을 나타낸 그래프이다.
도 3은 무처리 구리 기판 (A), BTA 오염 기판 (B) 및 본 발명의 실시예의 세정액으로 처리한 기판 (C)의 TOF-SIMS 분석 결과이다.
도 4는 순수 (DI water) 및 본 발명의 실시예의 세정액으로 처리한 기판의 화학 부식을 측정한 그래프이다.
도 5는 순수 (DI water) 및 본 발명의 실시예의 세정액으로 처리한 기판의 갈바닉 (galvanic) 부식을 측정한 그래프이다.
도 6은 본 발명의 실시예의 세정액으로 세정한 후 중앙부 및 가장자리부의 표면 거칠기를 나타내는 구리웨이퍼 5 ㎛ × 5 ㎛ 배율에서의 원자력 현미경 (AFM)스캔 사진이다.
본 발명의 세정액 조성물은, 4급 암모늄 화합물, 모노에탄올아민 및 수산화 아민으로 이루어진 군에서 선택되는 적어도 어느 하나를 포함하는 유기 용매; 메르캅탄 화합물을 포함하는 킬레이트 시약; 5-아미노테트라졸, 요산 (Uric acid), 히드라진, 벤조티아졸, 벤조트리아졸 및 1,2,4-트리아졸로 이루어진 군에서 선택되는 적어도 어느 하나를 포함하는 부식방지제; 및 순수 (純水);를 포함한다.
상기 유기 용매는 상기 세정액 조성물 중 1 ~ 10 중량%, 바람직하게는 3 ~ 8 중량%일 수 있다.
상기 메르캅탄 화합물은, 2-메르캅토에탄올, 글루타티온, 시스테인 및 메티오나인으로 이루어진 군에서 선택되는 적어도 어느 하나를 포함할 수 있고, 상기 킬레이트 시약은 상기 세정액 조성물 중 0.005 ~ 5 중량%, 바람직하게는 0.1 ~ 3 중량%일 수 있다.
상기 부식방지제는 상기 세정액 조성물 중 0.001 ~ 3 중량%일 수 있다.
본 발명의 세정액 조성물은 아스코르브산, 갈산 및 카테콜로 이루어진 군에서 선택되는 적어도 어느 하나를 포함하는 산화방지제를 상기 세정액 조성물 중 0.01 내지 5 중량%로 더 포함할 수 있다. 산화방지제를 포함하는 경우에 구리 금속 표면을 보호하여 과도한 산화를 방지할 수 있다.
상기 유기 용매는 4급 암모늄 화합물, 암모늄 히드록시드 및 테트라알킬암모늄 히드록시드, 예컨대 테트라메틸암모늄 히드록시드 (TMAH), 테트라에틸암모늄 히드록시드, 테트라프로필암모늄 히드록시드, 트리메틸에틸암모늄 히드록시드, (2-히드록시에틸)트리메틸암모늄 히드록시드, (2-히드록시에틸)트리에틸암모늄 히드록시드, (2-히드록시에틸)트리프로필암모늄 히드록시드, (1-히드록시프로필)트리메틸암모늄 히드록시드에서 선택되는 적어도 어느 하나 및 이들의 혼합물일 수 있고, 다만, 이에 제한되지는 않는다.
유기 용매로 사용된 4급 암모늄 화합물 등은 반도체 PR 스트리퍼 등을 제거하는 세정액으로 사용되고 있으며, Cleaning 효과가 탁월하다. 특히 염기성 용매로 용액 내 음의 제타전위를 구현하여 정전기적 반발력을 통해서 세정 후 Particle 재흡착 방지를 할 수 있다.
Cu Slurry 내 연마제 입자는 음의 제타전위를 띄고 있으며, CMP 공정 후 금속이온이 포함되지 않은 염기성 유기 용매를 사용하면 입자를 용이하게 제거할 수 있고, 또한 재흡착 방지가 가능하다. 유기 용매는 최종 pH 조절제로서의 역할을 수행하기 때문에 그 함량은 적절한 성능을 나타내는 pH 수준으로 결정된다.
상기 세정액 조성물은 pH가 8 내지 14일 수 있다.
킬레이트 시약의 경우, 세정 공정이 진행될 때 발생하는 금속 이온의 착화제로 작용을 한다. 또한 약산을 띠게 됨으로써 염기성 유기 용매와 약산-강염기의 버퍼 용액을 형성하여 희석비에 관계없이 적절한 pH 영역이 유지되게 한다. 특히, 메르캅탄 화합물을 포함하는 킬레이트 시약을 포함하는 경우 세정 후 접촉각이 매우 작은 값을 갖는 것으로 보아 친수성이 잘 유지되도록 하는 역할을 하는 것을 알 수 있다.
부식방지제의 경우, 세정 작용시 금속 표면을 보호하는 작용을 하며, 과량 첨가시 웨이퍼 표면에 잔류하여 오히려 유기물 오염을 유발할 수 있다.
본 발명의 세정액 조성물은, 상기 세정액 조성물을 이용하여 구리 화학기계적 연마 (CMP) 공정 또는 금속막의 에칭 공정을 수행한 구리 표면의 접촉각이 45 이하, 바람직하게는 40~42 일 수 있다.
화학기계적 연마 (CMP) 공정 또는 금속막의 에칭 공정, 및 세정 후 접촉각이 증가하는 것은 표면이 소수성으로 변환된 것을 의미한다. 초순수에 담지한 후 세척하고 질소 가스로 완전 세척한 상태의 구리 (fresh Cu)의 표면의 접촉각이 41.6 정도이므로, 화학기계적 연마 (CMP) 공정 또는 금속막의 에칭 공정, 및 세정 후 접촉각이 45 이하 (친수성 (hydropilic))로 유지되어야 한다. 접촉각이 45를 넘게 되면 상기 검토대로 표면이 부식방지제에 의하여 소수성으로 변환된 것임을 나타낸다. 화학기계적 연마 (CMP) 또는 에칭 후 세정 공정은 연마 후 표면에 잔류하는 유기물 오염층을 제거하는 것이 목적이므로, 세정 작용 외에는 표면에 영향을 미치지 않는 것이 바람직하다. 그러므로 세정 후 접촉각에 있어서도 세정 전 접촉각을 기준으로 표면의 특성 변화가 없는 것으로 평가 가능한 수준인 45도 이하를 유지하는 것이 바람직하다.
상기 세정액 조성물은, 구리 화학기계적 연마 (CMP) 공정 또는 금속막의 에칭 공정 후 금속 표면 세정 시, 희석비 1:10 ~ 1:100으로 사용하는 것일 수 있다. 희석비가 1:10보다 작으면, 제조되는 세정액 조성물의 함량이 높아서 조성물의 특성을 평가하기가 어렵고, 생산성이 저조한 문제가 있을 수 있고, 1:100 보다 크면 조성물 함량이 너무 낮아서 저장안정성 및 경시안정성에서 문제가 있을 수 있다.
본 발명의 구리 화학기계적 연마 (CMP) 공정 세정방법은, 구리 표면을 화학기계적 연마 (CMP)하는 단계; 및 상기의 세정액 조성물을 이용하여 상기 연마된 구리 표면을 세정하는 단계;를 포함하는 것이다.
본 발명의 에칭 표면의 세정방법은, 금속막을 에칭하는 단계; 및 상기의 세정액 조성물을 이용하여 상기 에칭된 금속 표면을 세정하는 단계;를 포함한다.
이하 실시예 및 비교예를 통하여 본 발명을 더욱 상세히 설명한다. 다만, 이는 설명을 위한 것일 뿐, 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니다.
실시예
및
비교예
실시예로서, 본 발명의 세정액 조성물로서 4급 암모늄 화합물은 5 중량%, 메르캅탄 화합물을 포함하는 킬레이트 시약 1 중량%, 5-아미노테트라졸 부식방지제 0.5 중량% 및 잔여 순수를 포함하는 실시예의 세정액 조성물을 제조하였다.
비교예로서, 다른 조성은 동일하게 유지하고, 킬레이트 시약이 글리신 (glycine)을 포함하는 경우 (비교예 1), 아르기닌 (arginine)을 포함하는 경우 (비교예 2), EDTA (ethylenediamine tetraacetic acid, 에틸렌디아민테트라아세트산, 화학식: (HOOCCH2)2NCH2CH2N(CH2COOH)2)를 포함하는 경우 (비교예 3)를 준비하였다.
실제 세정액의 사용에 있어서는 상당한 비율로 희석하여 사용함을 고려하여 실시예 및 비교예 1~3의 세정액 조성물 원액 및 1:50 희석액을 이용하여 연마 화학기계적 연마 공정을 거친 구리 웨이퍼 표면을 세정한 후, 접촉각을 측정하고, 입자 제거율 및 잔여 유기물량 (유기물 제거율)을 측정하고, TOF-SIMS 분석을 실시하였다.
한편, 실시예의 세정액 조성물 1:50 희석액으로 세정 과정을 수행하고, 4-point probe로 세정 전후 측정하여 그 차를 기초로 제거된 양을 나타내어 시간당 제거량을 확인함으로써 에칭율을 측정하였다.
접촉각
측정
도 1은 본 발명의 실시예 및 비교예 1~3의 세정액 조성물로 세정 공정을 수행한 후의 구리 표면의 접촉각을 나타낸 그래프이다.
구리 웨이퍼를 1분간 담지한 후 접촉각을 측정한 결과, 본 발명의 실시예는 원액 및 1:50 희석액에서, 특히 1:50 희석액에서 30 이하의 상대적으로 매우 낮은 접촉각을 나타내었다. 이를 통하여 실시예의 세정액을 사용하는 경우 세정에 의한 소수성으로의 변화를 방지하여 친수성이 유지되고 있는 것임을 알 수 있다.
입자 제거율 측정
아래의 표 1는 실시예 및 비교예 1~3의 세정액 조성물의 원액 및 1:50 희석액의 잔여 입자 제거 정도를 측정한 결과이다. 슬러리 내에 포함되어 있는 입자를 효과적으로 제거하였는지를 확인하기 위한 것이다. 실리카 슬러리에 강제 오염된 구리 기판에 세정을 한 후 FE-SEM을 통하여 기판 표면을 스캔하여 입자 제거 정도를 측정하였다.
원액 | 1:50 희석액 | 비고 | |
실시예 | 1 | 2 | |
비교예 1 | 5 | 2 | 과도 에칭 |
비교예 2 | 3 | 7 | |
비교예 3 | 2 | 4 | 거친 표면 |
유기물 제거율 측정
유기물의 제거 효과를 확인하기 위해서, BTA로 오염된 구리 표면을 본 발명의 실시예의 세정액 조성물로 세정한 후 잔여 유기물 량을 측정하였다.
도 2은 본 발명의 실시예의 세정액 조성물로 세정 공정을 수행한 후의 잔여 유기물량을 나타낸 그래프이다.
도 2와 같이 본 발명의 실시예의 세정액으로 세정한 경우, 오염물질을 대부분이 제거되는 것을 확인할 수 있었다.
TOF
-
SIMS
측정
도 3은 무처리 구리 기판 (A), BTA 오염 기판 (B) 및 본 발명의 실시예의 세정액으로 처리한 기판 (C)의 TOF-SIMS 분석 결과이다. 이온을 구리 기판 표면에 충돌시켜 생성된 이차 이온을 에너지와 질량에 따라 분리하여 검출하는 방법을 통하여 기판 표면의 유기물을 분석하였다.
화학 부식 측정
도 4는 순수 (DI water) 및 본 발명의 실시예의 세정액으로 처리한 기판의 화학 부식을 측정한 그래프이다.
순수로 세정할 경우에는 킨크 (kink)가 발생하는데 반해, 본 발명의 실시예 3의 세정액 조성물로 세정하는 경우에는 킨크가 전혀 발생하지 않는 것을 확인할 수 있다. 이로부터 본 발명의 세정액이 부식 억제 효과가 우수함을 확인할 수 있다. 전압 값을 변화시키면서 전류 값의 변화를 측정하여 Tafel plot으로 나타내면 불규칙한 전류값의 변화구간이 존재함은 표면 부식이 발생한 것으로 유추할 수 있다.
갈바닉
부식 측정
도 5는 순수 (DI water) 및 본 발명의 실시예의 세정액으로 처리한 기판의 갈바닉 (galvanic) 부식을 측정한 그래프이다.
구리 (Cu)와 탄탈륨 (Ta) 사이에는 갈바닉 부식이 발생하는데, 순수로 세정하는 경우에는 구리와 탄탈륨 사이의 포텐셜 차이가 200 mV로 매우 높게 나타나나, 본 발명의 실시예의 세정액으로 세정한 경우에는 구리와 탄탈륨 사이의 포텐셜 차이가 20 mV로 낮아지는 것을 알 수 있다. 따라서, 본 발명의 세정액 조성물은 갈바닉 부식을 방지하는 효과가 우수한 것을 알 수 있다. 전해질 용액에 두 금속이 접촉된 상태로 담겨 있을 때, 두 금속의 전위차가 작으면 전자의 이동이 억제되고 부식을 방지 할 수 있다.
식각율
및 표면 거칠기 측정
도 6은 본 발명의 실시예의 세정액으로 세정한 후 중앙부 및 가장자리부의 표면 거칠기를 나타내는 구리웨이퍼 5 ㎛ × 5 ㎛ 배율에서의 원자력 현미경 (AFM)스캔 사진이다.
실시예의 세정액 조성물의 세정 과정에서 구리의 식각율을 측정한 결과, 0.24 Å/m으로 매우 낮은 값이 확인되었고, 이는 구리의 에칭 없이 세정이 이루어져 이후 단계에 발생 가능한 문제를 방지하는 효과가 있는 것으로 볼 수 있다.
또한, 실시예의 세정액으로 세정한 후에 중앙부 및 가장자리부의 표면 거칠기를 측정한 결과, 매우 우수한 거칠기 특성을 갖는다는 것을 알 수 있다.
상기와 같이 본 발명의 실시예 및 비교예 1~3의 세정액을 비교하여 여러 가지 지표를 통하여 성능을 측정한 결과, 원액 및 1:50 희석액의 세정 후 표면의 접촉각, 입자 및 유기물 세정 완성도, 표면 결함 여부, 에칭율 등에 있어서 본 발명의 세정액 조성물이 우수한 특성을 나타냄을 확인할 수 있었다.
Claims (11)
- 4급 암모늄 화합물, 모노에탄올아민 및 수산화 아민으로 이루어진 군에서 선택되는 적어도 어느 하나를 포함하는 유기 용매;
메르캅탄 화합물을 포함하는 킬레이트 시약;
5-아미노테트라졸, 요산 (Uric acid), 히드라진, 벤조티아졸, 벤조트리아졸 및 1,2,4-트리아졸로 이루어진 군에서 선택되는 적어도 어느 하나를 포함하는 부식방지제; 및
순수 (純水);
를 포함하는 세정액 조성물.
- 제1항에 있어서,
상기 유기 용매는 상기 세정액 조성물 중 1 내지 10 중량%인 것을 특징으로 하는 세정액 조성물.
- 제1항에 있어서, 상기 메르캅탄 화합물은, 2-메르캅토에탄올, 글루타티온, 시스테인 및 메티오나인으로 이루어진 군에서 선택되는 적어도 어느 하나를 포함하는 것인 세정액 조성물.
- 제1항에 있어서,
상기 킬레이트 시약은 상기 세정액 조성물 중 0.005 내지 5 중량%인 것을 특징으로 하는 세정액 조성물.
- 제1항에 있어서,
상기 부식방지제는 상기 세정액 조성물 중 0.001 내지 3 중량%인 것을 특징으로 하는 세정액 조성물.
- 제1항에 있어서,
아스코르브산, 갈산 및 카테콜로 이루어진 군에서 선택되는 적어도 어느 하나를 포함하는 산화방지제를, 상기 세정액 조성물 중 0.01 내지 5 중량%로 더 포함하는 것을 특징으로 하는 세정액 조성물.
- 제1항에 있어서,
상기 세정액 조성물은 pH가 8 내지 14인 것을 특징으로 하는 세정액 조성물.
- 제1항에 있어서,
상기 세정액 조성물은, 구리 화학기계적 연마 (CMP) 공정 또는 금속막의 에칭 공정 후, 상기 세정액 조성물로 세정한 구리 표면의 접촉각이 45 이하인 것을 특징으로 하는 세정액 조성물.
- 제1항에 있어서,
상기 세정액 조성물은, 구리 화학기계적 연마 (CMP) 공정 또는 금속막의 에칭 공정 후, 금속 표면 세정 시, 희석비 1:10 ~ 1:100으로 사용하는 것을 특징으로 하는 세정액 조성물.
- 구리 표면을 화학기계적 연마 (CMP)하는 단계; 및
제1항 내지 제8항 중 한 항의 세정액 조성물을 이용하여 상기 연마된 구리 표면을 세정하는 단계;
를 포함하는 구리 화학기계적 연마 (CMP) 공정 세정방법.
- 금속막을 에칭하는 단계; 및
제1항 내지 제8항 중 한 항의 세정액 조성물을 이용하여 상기 에칭된 금속 표면을 세정하는 단계;
를 포함하는 에칭 표면의 세정방법.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020120027108A KR101323040B1 (ko) | 2012-03-16 | 2012-03-16 | 세정액 조성물 및 이를 이용한 세정방법 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020120027108A KR101323040B1 (ko) | 2012-03-16 | 2012-03-16 | 세정액 조성물 및 이를 이용한 세정방법 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR20130105027A KR20130105027A (ko) | 2013-09-25 |
KR101323040B1 true KR101323040B1 (ko) | 2013-10-29 |
Family
ID=49453767
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020120027108A KR101323040B1 (ko) | 2012-03-16 | 2012-03-16 | 세정액 조성물 및 이를 이용한 세정방법 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
KR (1) | KR101323040B1 (ko) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR101988481B1 (ko) * | 2019-03-19 | 2019-06-12 | 제이엘켐 주식회사 | 반도체 기판용 세정액 |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20040063984A (ko) * | 2001-12-07 | 2004-07-15 | 로델 홀딩스 인코포레이티드 | 구리 연마 세정 용액 |
KR100664403B1 (ko) * | 2005-01-31 | 2007-01-03 | 테크노세미켐 주식회사 | 에칭 잔류물 세정용 조성물 및 이를 이용한 세정방법 |
KR20110019052A (ko) * | 2009-08-19 | 2011-02-25 | 동우 화인켐 주식회사 | 포토레지스트 또는 포토레지스트의 에싱 잔류물 박리액 조성물 및 이를 이용한 박리 방법 |
KR20110078443A (ko) * | 2009-12-31 | 2011-07-07 | 주식회사 엘지화학 | Tft-lcd용 세정액 조성물 |
-
2012
- 2012-03-16 KR KR1020120027108A patent/KR101323040B1/ko active IP Right Grant
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20040063984A (ko) * | 2001-12-07 | 2004-07-15 | 로델 홀딩스 인코포레이티드 | 구리 연마 세정 용액 |
KR100664403B1 (ko) * | 2005-01-31 | 2007-01-03 | 테크노세미켐 주식회사 | 에칭 잔류물 세정용 조성물 및 이를 이용한 세정방법 |
KR20110019052A (ko) * | 2009-08-19 | 2011-02-25 | 동우 화인켐 주식회사 | 포토레지스트 또는 포토레지스트의 에싱 잔류물 박리액 조성물 및 이를 이용한 박리 방법 |
KR20110078443A (ko) * | 2009-12-31 | 2011-07-07 | 주식회사 엘지화학 | Tft-lcd용 세정액 조성물 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR20130105027A (ko) | 2013-09-25 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US7435712B2 (en) | Alkaline chemistry for post-CMP cleaning | |
US7498295B2 (en) | Alkaline chemistry for post-CMP cleaning comprising tetra alkyl ammonium hydroxide | |
EP1845555B1 (en) | Post chemical-mechanical planarization (cmp) cleaning composition | |
EP1888735B1 (en) | Copper passivating post-chemical mechanical polishing cleaning composition and method of use | |
EP1725647B1 (en) | Improved acidic chemistry for post-cmp cleaning | |
JP6066552B2 (ja) | 電子デバイス用洗浄液組成物 | |
JP5561914B2 (ja) | 半導体基板洗浄液組成物 | |
US20080076688A1 (en) | Copper passivating post-chemical mechanical polishing cleaning composition and method of use | |
US6492308B1 (en) | Post chemical-mechanical planarization (CMP) cleaning composition | |
JP6711437B2 (ja) | 半導体デバイス用基板洗浄液及び半導体デバイス用基板の洗浄方法 | |
KR20130092096A (ko) | 화학기계적 연마 (cmp) 세정제 조성물 및 이를 이용한 세정방법 | |
US11066627B2 (en) | Cleaning agent composition for semiconductor device substrate, method of cleaning semiconductor device substrate, method of manufacturing semiconductor device substrate, and semiconductor device substrate | |
KR101572639B1 (ko) | Cmp 후 세정액 조성물 | |
KR101323040B1 (ko) | 세정액 조성물 및 이를 이용한 세정방법 | |
EP2687589A2 (en) | Copper passivating post-chemical mechanical polishing cleaning composition and method of use | |
JP2020509597A (ja) | 化学的機械的研磨後の洗浄用組成物 | |
KR101406761B1 (ko) | 세정액 조성물 및 이를 이용한 세정방법 | |
TW201339299A (zh) | 包含特定含硫化合物及包含非有效量之特定含氮化合物之化學機械拋光後之清洗組合物 | |
KR20190080090A (ko) | 세정액 조성물 및 이를 이용한 세정방법 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A201 | Request for examination | ||
E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
GRNT | Written decision to grant | ||
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20161018 Year of fee payment: 4 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20171023 Year of fee payment: 5 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20181004 Year of fee payment: 6 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20191001 Year of fee payment: 7 |