KR20130091102A - Led package and manufacturing method for the same - Google Patents

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이경우
박성환
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하나 마이크론(주)
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Abstract

PURPOSE: An LED package and a manufacturing method thereof are provided to increase a heat radiation effect by mounting an LED chip on a heat radiation via. CONSTITUTION: A heat radiation via (203) passes through a substrate. A step part is formed on the upper side of the heat radiation via. A first electrode pad (202a) and a second electrode pad (202b) are formed on the substrate. An LED chip (204) is mounted on the step part. The LED chip is electrically connected to the first electrode pad and the second electrode pad.

Description

ＬＥＤ 패키지 및 그 제조방법{LED Package and manufacturing method for the same}LED package and manufacturing method {LED Package and manufacturing method for the same}

본 발명은 LED 패키지 및 그 제조방법에 관한 것으로, 특히 LED 칩에서 발생하는 열을 방열하는 방열 비어에 단차부를 형성하여 LED 칩을 실장함으로써 LED 칩의 측면에서도 열을 고르게 분산시킴으로써 방열 효과를 높일 수 있는 LED 패키지 및 그 제조방법에 관한 것이다.
The present invention relates to an LED package and a method of manufacturing the same, and in particular, by forming a stepped portion in a heat dissipation via that radiates heat generated from the LED chip, and mounting the LED chip, the heat dissipation effect can be enhanced by evenly dispersing heat from the side of the LED chip. The present invention relates to an LED package and a method of manufacturing the same.

일반적으로 발광다이오드(LED: Light Emitting Diode)는 전류가 흐를 때 빛을 내는 반도체 소자이며, GaAs, GaN 광반도체로 이루어진 PN 접합 다이오드(junction diode)로 전기에너지를 빛에너지로 바꾸어 주는 것이다.In general, a light emitting diode (LED) is a semiconductor device that emits light when a current flows, and converts electrical energy into light energy using a PN junction diode made of GaAs and GaN optical semiconductors.

이러한 LED 특성을 결정하는 요소로는 색, 휘도 및 광변환 효율 등이 있는데, 이러한 제품의 특성은 LED 칩에 사용되고 있는 화합물 반도체 재료와 그 구조에 의해 결정되지만, LED 칩을 실장하기 위한 구조에 의해서도 큰 영향을 받는다.Factors determining such LED characteristics include color, brightness, and light conversion efficiency. The characteristics of these products are determined by the compound semiconductor material and its structure used in the LED chip, but also by the structure for mounting the LED chip. It is greatly affected.

따라서, 사용자 요구에 따른 발광 효과를 얻기 위해서는 LED 칩의 재료 또는 구조 이외에도, LED 패키지의 구조 및 그에 사용되는 재료 등도 개선할 필요가 있다. 특히, 최근에 LED 패키지의 사용 범위가 모바일 단말기와 같은 소형 조명에서 실내외의 일반조명, 자동차 조명, 대형 LCD(Liquid Crystal Display)용 백라이트(Backlight)로 그 적용범위가 점차 확대됨에 따라, 고효율 및 휘도를 향상시키고자 하는 노력이 진행되고 있다.Therefore, in order to obtain a luminous effect according to the user's demand, it is necessary to improve the structure of the LED package and the material used therein, in addition to the material or structure of the LED chip. In particular, as the application range of LED packages is gradually expanded from small lights, such as mobile terminals, to indoor and outdoor general lighting, automotive lighting, and large liquid crystal display (LCD) backlights, high efficiency and brightness Efforts are underway to improve this.

도 1은 종래에 따른 세라믹 LED 패키지의 구조를 개략적으로 도시한 도면이다. 도 1에 도시된 바와 같이, 종래의 세라믹 LED 패키지는 기판(101)의 중앙부에 형성된 방열 비어홀(102)상에 LED 칩(104)이 실장되고, 도전성 와이어(105)를 통하여 기판(101)과 LED 칩(104)이 전기적으로 연결된다.1 is a view schematically showing the structure of a conventional ceramic LED package. As shown in FIG. 1, in the conventional ceramic LED package, the LED chip 104 is mounted on the heat dissipation via hole 102 formed at the center of the substrate 101, and the substrate 101 is connected to the substrate 101 through the conductive wire 105. The LED chip 104 is electrically connected.

다음으로, LED 칩(104)이 형성된 기판상에 형광체를 포함하는 투명수지의 렌즈부(108)에 의해 몰딩층(107)을 형성함으로써, LED 패키지가 완성된다. Next, the LED package is completed by forming the molding layer 107 by the lens portion 108 of the transparent resin including the phosphor on the substrate on which the LED chip 104 is formed.

그러나, 이와 같은 종래의 LED 패키지(100)는 LED 칩(104)에서 발생되는 열을 LED칩과 접촉되어 있는 하부면의 방열 비어를 통해서만 방출하여 방열 효과가 떨어지는 문제점이 있다.
However, such a conventional LED package 100 has a problem that the heat dissipation effect is lowered by dissipating heat generated from the LED chip 104 only through the heat dissipation via of the lower surface in contact with the LED chip.

본 발명이 해결하고자 하는 기술적 과제는 LED 칩에서 발생하는 열을 방열하는 방열 비어에 단차부를 형성하여 LED 칩을 실장함으로써 LED 칩의 측면에서도 열을 고르게 분산시킴으로써 방열 효과를 높일 수 있는 LED 패키지 및 그 제조방법을 제공하는 것이다.The technical problem to be solved by the present invention is to provide a LED package that can increase the heat dissipation effect by evenly dispersing heat even from the side of the LED chip by mounting the LED chip by forming a stepped portion in the heat dissipation via that radiates heat generated from the LED chip It is to provide a manufacturing method.

본 발명에서 이루고자 하는 기술적 과제들은 이상에서 언급한 기술적 과제들로 제한되지 않으며, 언급하지 않은 또 다른 기술적 과제들은 아래의 기재로부터 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.
Technical problems to be achieved in the present invention are not limited to the above-mentioned technical problems, and other technical problems not mentioned above will be clearly understood by those skilled in the art from the following description. Could be.

상기 기술적 과제를 해결하기 위한 본 발명에 따른 LED 패키지는, 기판과, 상기 기판을 관통하여 형성되고, 상부 면에 소정 깊이로 단차부가 형성된 방열 비어와, 상기 방열 비어를 중심으로 상기 기판에 형성된 제 1 , 제 2 전극 패드와, 상기 방열 비어에 형성된 단차부에 실장되며, 상기 제 1 전극 패드 및 상기 제 2 전극 패드와 각각 와이어 본딩되어 전기적으로 연결된 LED 칩을 포함하는 점에 그 특징이 있다. The LED package according to the present invention for solving the above technical problem, a heat dissipation via formed through the substrate, the substrate, a stepped portion formed in a predetermined depth on the upper surface, and formed on the substrate centered on the heat dissipation via It is characterized in that it comprises a first, second electrode pad, and a LED chip mounted on the stepped portion formed in the heat dissipation via, the LED chip is wire-bonded and electrically connected to the first electrode pad and the second electrode pad, respectively.

여기서, 상기 단차부는 상기 LED 칩의 측면 비발광 영역에 대응하는 깊이로 형성되는 점에 그 특징이 있다. Here, the step portion is characterized in that it is formed to a depth corresponding to the side non-emitting region of the LED chip.

여기서, 상기 LED 칩이 실장된 기판상에 형성된 실리콘 형광체와, 상기 실리콘 형광체가 형성된 LED 칩을 봉지하는 렌즈부를 더 포함하는 점에 그 특징이 있다. Here, it is characterized in that it further comprises a silicon phosphor formed on a substrate on which the LED chip is mounted, and a lens portion encapsulating the LED chip on which the silicon phosphor is formed.

여기서, 상기 방열 비어는 도전성 물질로 형성되는 점에 그 특징이 있다. Here, the heat dissipation via is characterized in that it is formed of a conductive material.

또한, 본 발명에 따른 LED 패키지의 제조방법은, 기판의 중앙부에 관통홀을 형성하는 단계와; 상기 형성된 관통홀에 지그를 배치하고, 도전성 금속 물질을 충진하여 방열 비어를 형성하는 단계와; 상기 배치된 지그를 제거하여 상기 방열 비어의 일면에 단차부를 형성하는 단계와; 상기 방열 비어를 중심으로 상기 세라믹 기판의 양단에 제 1 , 제 2 전극 패드를 형성하는 단계와; 상기 방열 비어에 형성된 단차부에 LED 칩을 실장하고, 상기 LED 칩과 상기 제 1, 제 2 전극 패드를 전기적으로 연결되도록 와이어 본딩하는 단계를 포함하는 점에 그 특징이 있다. In addition, the manufacturing method of the LED package according to the present invention comprises the steps of forming a through hole in the central portion of the substrate; Disposing a jig in the formed through hole and filling a conductive metal material to form a heat dissipation via; Removing the jig to form a stepped portion on one surface of the heat dissipation via; Forming first and second electrode pads at both ends of the ceramic substrate around the heat dissipation vias; And mounting an LED chip on a stepped portion formed in the heat dissipation via, and wire bonding the LED chip and the first and second electrode pads to be electrically connected to each other.

여기서, 상기 관통홀의 지그는 상기 LED 칩의 측면 비발광 영역에 대응하는 깊이로 배치하여 단차부를 형성하는 점에 그 특징이 있다.
Here, the jig of the through-hole is characterized in that the step is formed to a depth corresponding to the non-emitting region of the side of the LED chip to form a step.

본 발명에 따르면, LED 칩에서 발생하는 열을 방열하는 방열 비어에 단차부를 형성하여 LED 칩을 실장함으로써 LED 칩의 측면에서도 열을 고르게 분산시킴으로써 방열 효과를 높일 수 있다.
According to the present invention, the heat dissipation effect can be enhanced by distributing heat evenly on the side of the LED chip by mounting the LED chip by forming a stepped portion in the heat dissipation via for dissipating heat generated from the LED chip.

도 1은 종래에 따른 세라믹 LED 패키지의 구조를 개략적으로 도시한 도면.
도 2는 본 발명에 따른 LED 패키지의 구조를 개략적으로 도시한 도면.
도 3a 내지 도 3d는 본 발명에 따른 LED 패키지 제조방법을 도시한 도면.1 is a view schematically showing the structure of a conventional ceramic LED package.
Figure 2 schematically shows the structure of the LED package according to the present invention.
3A to 3D are views illustrating a method of manufacturing an LED package according to the present invention.

이하 첨부된 도면을 참조하여 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자가 본 발명을 용이하게 실시할 수 있는 바람직한 실시 예를 상세히 설명한다. 다만, 본 발명의 바람직한 실시 예에 대한 동작 원리를 상세하게 설명함에 있어 관련된 공지 기능 또는 구성에 대한 구체적인 설명이 본 발명의 요지를 불필요하게 흐릴 수 있다고 판단되는 경우에는 그 상세한 설명을 생략한다. DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Hereinafter, preferred embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings. However, the detailed description of known functions and configurations incorporated herein will be omitted when it may unnecessarily obscure the subject matter of the present invention.

또한, 도면 전체에 걸쳐 유사한 기능 및 작용을 하는 부분에 대해서는 동일한 도면 부호를 사용한다.The same reference numerals are used for portions having similar functions and functions throughout the drawings.

덧붙여, 명세서 전체에서, 어떤 부분이 다른 부분과 '연결'되어 있다고 할 때, 이는 '직접적으로 연결'되어 있는 경우뿐만 아니라, 그 중간에 다른 소자를 사이에 두고 '간접적으로 연결'되어 있는 경우도 포함한다. 또한 어떤 구성 요소를 '포함'한다는 것은, 특별히 반대되는 기재가 없는 한 다른 구성요소를 제외하는 것이 아니라, 다른 구성요소를 더 포함할 수 있는 것을 의미한다.
In addition, in the entire specification, when a part is referred to as being 'connected' to another part, it may be referred to as 'indirectly connected' not only with 'directly connected' . Also, to include an element does not exclude other elements unless specifically stated otherwise, but may also include other elements.

이하 본 발명의 일 실시 예를 첨부된 도면을 참조하여 상세히 설명한다.Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

도 2는 본 발명에 따른 LED 패키지의 구조를 개략적으로 도시한 도면이다. 도 2에 도시된 바와 같이, 본 발명에 따른 LED 패키지는, 기판(201)과, 상기 기판(201)의 중앙부를 관통하여 형성되고, 상부 면에 소정 깊이로 단차부가 형성된 방열 비어(203)와, 상기 방열 비어(203)를 중심으로 상기 기판(201)의 양단에 소정형태로 형성된 제 1, 제 2 전극 패드(202a,202b)와, 상기 방열 비어(203)에 형성된 단차부에 실장되며, 상기 제 1 전극 패드(202a) 및 상기 제 2 전극 패드(202b)와 각각 와이어 본딩되어 전기적으로 연결된 LED 칩(204)과, 상기 LED 칩(204)이 실장된 기판상에 형성된 실리콘 형광체(미도시)와, 상기 실리콘 형광체가 형성된 LED 칩을 봉지하는 렌즈부(미도시)를 포함하여 구성된다. 2 is a view schematically showing the structure of an LED package according to the present invention. As shown in FIG. 2, the LED package according to the present invention includes a heat dissipation via 203 formed through a substrate 201, a central portion of the substrate 201, and having a stepped portion at a predetermined depth on an upper surface thereof. First and second electrode pads 202a and 202b formed in predetermined shapes at both ends of the substrate 201 around the heat dissipation via 203 and mounted on the stepped portions formed in the heat dissipation via 203. LED chip 204 wire-bonded and electrically connected to the first electrode pad 202a and the second electrode pad 202b, respectively, and a silicon phosphor formed on a substrate on which the LED chip 204 is mounted. And a lens unit (not shown) for encapsulating the LED chip on which the silicon phosphor is formed.

상기 기판(201)은 주로 글라스 세라믹(Glass-Ceramic) 재료를 기반으로 이루어진 다수의 그린시트(green sheet) 층이 하나의 기판을 형성한다. 그리고, 이러한 여러장 적층된 기판(201)은 두께방향으로 중앙 부분에 펀칭 등에 의한 방법으로 관통홀을 형성한다. In the substrate 201, a plurality of green sheet layers mainly made of glass-ceramic materials form one substrate. The multiple stacked substrates 201 form through-holes in the central portion in the thickness direction by punching or the like.

상기 방열 비어(203)는 상기 형성된 관통홀에 도전성 물질을 부여하여(충진하여) 방열 비아(203)이 형성된다. 이때, 상기 관통홀에 도전성 물질을 충진할 때 관통홀에 지그(jig)를 배치하여 도전성 물질을 충진하게 된다. The heat dissipation via 203 is provided with a conductive material (filled) in the formed through hole to form a heat dissipation via 203. In this case, when the conductive material is filled in the through hole, a jig is disposed in the through hole to fill the conductive material.

보다 상세하게는, 상기 방열 비어에 LED 칩이 실장되도록 소정 깊이의 단차부를 형성하게 된다. 상기 단차부는 상기 LED 칩의 측면 비발광 영역에 대응하는 깊이로 형성하게 된다. 이때, 상기 LED 칩의 비발광 영역은 LED 칩의 광효율에 영향을 미치지 않는 하측면부를 의미한다. 이러한 상기 방열 비어의 단차부에 실장된 LED 칩에서 발생되는 열은 하부 및 측면부에 분산함으로써 방열 효과를 높이게 된다. More specifically, the stepped portion having a predetermined depth is formed so that the LED chip is mounted on the heat dissipation via. The stepped portion is formed to have a depth corresponding to the side non-emitting region of the LED chip. In this case, the non-light emitting area of the LED chip means a lower side portion that does not affect the light efficiency of the LED chip. Heat generated from the LED chip mounted on the stepped portion of the heat dissipation via is dispersed in the lower and side portions to increase the heat dissipation effect.

한편, 상기 단차부(203b)는 지그(210)를 배치하고 도전성 물질을 충진하여 형성하는 것으로 설명하였으나 이에 한정하지 않고 다양한 방법으로 형성될 수 있다. On the other hand, the stepped portion 203b has been described as being formed by placing the jig 210 and filling a conductive material, but may be formed in various ways without being limited thereto.

상기 제 1 전극 패드(202a) 및 제 2 전극 패드(202b)는 상기 기판(210)의 상기 방열 비아(220)을 중심으로 각 양단부에 각각 형성하게 된다. 즉, 제 1 전극 패드 및 제 2 전극 패드(202a,202b)는 도전성 금속 테이프 또는 증착 등을 이용하여 형성하거나 다양한 방식에 의해 형성될 수 있다. 여기서, 제 1 전극 패드 및 제 2 전극 패드(202a,202b)의 도전성 금속 물질 중에 Ag를 이용하는 것이 바람직하다. The first electrode pad 202a and the second electrode pad 202b are respectively formed at both ends of the heat dissipation via 220 of the substrate 210. That is, the first electrode pad and the second electrode pad 202a and 202b may be formed using a conductive metal tape or deposition, or may be formed by various methods. Here, Ag is preferably used in the conductive metal materials of the first electrode pads and the second electrode pads 202a and 202b.

상기 LED 칩(204)은 접착제에 의해 상기 기판(201)의 방열 비어(203)의 단차부상에 실장되며, 도전성 와이어(205a,205b)에 의해 LED칩(204)의 양 전극과 상기 제 1 전극 패드 및 제 2 전극 패드(202a,202b)가 전기적으로 연결된다. 이러한 LED 칩(204)은 GaAs 계열 또는 GaN 계열의 LED 칩으로 구성될 수 있다.The LED chip 204 is mounted on the stepped portion of the heat dissipation via 203 of the substrate 201 by an adhesive, and both electrodes and the first electrode of the LED chip 204 are formed by conductive wires 205a and 205b. The pad and the second electrode pads 202a and 202b are electrically connected. The LED chip 204 may be configured as a GaAs-based or GaN-based LED chip.

한편, 상기 실리콘 형광체(미도시)는 상기 LED 칩(204)이 실장된 결과물상에 도포되어 몰딩된다. 여기서, 상기 실리콘 형광체는 LED 칩(204)을 덮도록 형성되며, LED 칩(204)에서 발광된 빛이 투과될 수 있도록 투명수지에 형광체가 혼합된 것으로 이루어지는 것이 바람직하며, 이러한 상기 실리콘 형광체는 투명수지의 렌즈부(미도시)와 봉지하도록 압착하여 몰딩하게 된다.
Meanwhile, the silicon phosphor (not shown) is coated and molded on the resultant product on which the LED chip 204 is mounted. Here, the silicon phosphor is formed to cover the LED chip 204, it is preferable that the phosphor is mixed with a transparent resin so that the light emitted from the LED chip 204 can be transmitted, the silicon phosphor is transparent Compression and molding are performed to encapsulate the lens part (not shown) of the resin.

도 3a 내지 도 3d는 본 발명에 따른 LED 패키지 제조방법을 도시한 도면이다. 도 3a에 도시된 바와 같이, 본 발명에 따른 LED 패키지의 제조방법은, 기판(201)의 중앙부에 관통홀을 형성하는 단계가 수행된다. 여기서, 상기 방열 관통홀은 여러장 적층된 기판에 펀칭 등에 의한 방법으로 상기 기판(201)의 중앙부를 수직으로 관통하도록 형성된다. 3A to 3D are views illustrating a method of manufacturing an LED package according to the present invention. As shown in FIG. 3A, in the method of manufacturing an LED package according to the present invention, a step of forming a through hole in a central portion of the substrate 201 is performed. Here, the heat dissipation through-holes are formed to vertically penetrate the central portion of the substrate 201 by punching or the like on a plurality of stacked substrates.

그리고, 도 3b에 도시된 바와 같이, 상기 기판(201)에 형성된 관통홀(203a)에 지그(210)를 배치하고, 도전성 금속 물질을 충진하여 방열 비어(203)를 형성하는 단계가 수행된다. 3B, the jig 210 is disposed in the through hole 203a formed in the substrate 201, and the heat dissipation via 203 is formed by filling a conductive metal material.

보다 상세하게는, 상기 관통홀(203a)에 배치되는 상기 지그(210)는 상기 방열 비어(203)의 단차부(203b)를 형성하기 위해 배치되는 것으로 상기 LED 칩(204)의 측면 비발광 영역에 대응하는 깊이로 배치하게 된다. 이때, 상기 LED 칩(204)의 비발광 영역은 LED 칩의 광효율에 영향을 미치지 않는 하측면부를 의미한다. 이러한 상기 방열 비어(203)의 단차부(203b)에 실장된 LED 칩(204)에서 발생되는 열은 하부 및 측면부에 분산함으로써 방열 효과를 높이게 된다. 이러한 상기 단차부(203b)는 지그(210)를 배치하고 도전성 물질을 충진하여 형성하는 것으로 설명하였으나 이에 한정하지 않고 스템핑 등의 다양한 방법으로 형성될 수 있다. In more detail, the jig 210 disposed in the through hole 203a is disposed to form the stepped portion 203b of the heat dissipation via 203 and the side surface non-emitting region of the LED chip 204. To a depth corresponding to. In this case, the non-light emitting area of the LED chip 204 means a lower side portion that does not affect the light efficiency of the LED chip. The heat generated from the LED chip 204 mounted on the stepped portion 203b of the heat dissipation via 203 is dispersed in the lower and side portions to increase the heat dissipation effect. The stepped portion 203b has been described as being formed by disposing a jig 210 and filling a conductive material, but may be formed by various methods such as stamping.

도 3c에 도시된 바와 같이, 상기 금속 물질을 도포하여 형성된 방열 비어(203)에 배치된 지그(210)를 제거하여 상기 방열 비어(203)의 일면에 단차부(203b)를 형성하고, 상기 방열 비어(203)를 중심으로 상기 기판(201)의 양단에 제 1 , 제 2 전극 패드(202a,202b)를 형성하는 단계가 수행된다. As shown in FIG. 3C, the jig 210 disposed in the heat dissipation via 203 formed by applying the metal material is removed to form a step 203b on one surface of the heat dissipation via 203, and the heat dissipation. The first and second electrode pads 202a and 202b are formed at both ends of the substrate 201 around the via 203.

이때, 상기 제 1 전극 패드 및 제 2 전극 패드(202a,202b)는 도전성 금속 테이프 또는 증착 등을 이용하여 형성하거나 다양한 방식에 의해 형성될 수 있다. 여기서, 상기 방열 비아(203), 제 1 전극 패드 및 제 2 전극 패드(202a,202b)는 도전성 금속 물질 중에 Ag를 이용하는 것이 바람직하다. In this case, the first electrode pad and the second electrode pad 202a and 202b may be formed using a conductive metal tape or deposition, or may be formed by various methods. Here, the heat dissipation via 203, the first electrode pad, and the second electrode pad 202a and 202b may preferably use Ag in a conductive metal material.

도 3d에 도시된 바와 같이, 상기 방열 비어(203)에 형성된 단차부(203b)에 LED 칩(204)을 실장하고, 상기 LED 칩(204)과 상기 제 1, 제 2 전극 패드(202a,202b)를 전기적으로 연결되도록 와이어 본딩하는 단계가 수행된다. As shown in FIG. 3D, the LED chip 204 is mounted on the stepped portion 203b formed in the heat dissipation via 203, and the LED chip 204 and the first and second electrode pads 202a and 202b are provided. Wire bonding is performed so as to be electrically connected.

상기 LED 칩(204)은 접착제에 의해 상기 기판(201)의 방열 비어(203)이 단차부에 실장되며, 도전성 와이어(205a,205b)에 의해 LED 칩(204)의 양 전극과 기판(201)의 양단의 제 1 전극 패드 및 제 2 전극 패드(202a,202b)과 전기적으로 연결되도록 와이어 본딩을 수행하게 된다. 여기서, LED 칩(204)은 GaAs 계열 또는 GaN 계열의 LED 칩으로 구성될 수 있다. The LED chip 204 has a heat dissipation via 203 of the substrate 201 mounted on a stepped portion by an adhesive, and both electrodes and the substrate 201 of the LED chip 204 by conductive wires 205a and 205b. Wire bonding is performed to be electrically connected to the first and second electrode pads 202a and 202b at both ends of the substrate. Here, the LED chip 204 may be composed of a GaAs-based or GaN-based LED chip.

이어서, 상기 결과물이 형성된 기판(201)상에 실리콘 형광체를 도포하여 투명수지의 렌즈부와 봉지하여 경화시키게 된다. 여기서, 상기 실리콘 형광체는 LED 칩(204)을 덮도록 형성되며, LED 칩(204)에서 발광된 빛이 투과될 수 있도록 투명수지에 형광체가 혼합된 것으로 이루어지는 것이 바람직하다. Subsequently, the silicon phosphor is coated on the substrate 201 on which the resultant is formed, and then encapsulated and cured with the lens unit of the transparent resin. Here, the silicon phosphor is formed to cover the LED chip 204, it is preferable that the phosphor is mixed with a transparent resin so that the light emitted from the LED chip 204 can be transmitted.

상기 실리콘 형광체를 도포하는 방법은 롤링, 스프레이 및 스퀴징 방식중 어느 하나 방식으로 이루어질 수 있다. 그리고, 상기 실리콘 형광체에 도포한 후 투명수지의 렌즈부(미도시)와 봉지하도록 압착하게 된다. The method of applying the silicon phosphor may be made by any one of rolling, spraying and squeezing methods. Then, after applying to the silicon phosphor is pressed to seal with a lens portion (not shown) of the transparent resin.

따라서, 상기와 같은 LED 패키지는 LED 칩에서 발생하는 열을 방열 비어의 단차부를 통해 LED 칩의 측면에서도 열을 고르게 분산시킴으로써 방열 효과를 높일 수 있다.
Therefore, the LED package as described above can increase the heat dissipation effect by evenly dissipating heat generated from the LED chip through the step of the heat dissipation via evenly on the side of the LED chip.

이상에서 설명한 바와 같이, 본 발명의 상세한 설명에서는 본 발명의 바람직한 실시 예에 관하여 설명하였으나, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 본 발명의 범주에서 벗어나지 않는 한도 내에서 여러 가지 변형이 가능함은 물론이다. 따라서 본 발명의 권리 범위는 설명된 실시 예에 국한되어 정해져서는 안되며, 후술하는 청구범위뿐만 아니라, 이와 균등한 것들에 의해 정해져야 한다.While the present invention has been particularly shown and described with reference to exemplary embodiments, it is to be understood that the invention is not limited to the disclosed exemplary embodiments, Of course, this is possible. Therefore, the scope of the present invention should not be limited to the described embodiments, but should be defined by the equivalents as well as the claims that follow.

<도면의 주요부분에 대한 부호의 설명>
201 --- 세라믹 기판 203 --- 방열 비어
202a, 202b --- 전극 패드 204 --- LED 칩
205a, 205b --- 도전성 와이어 Description of the Related Art
201 --- ceramic substrate 203 --- heat dissipation via
202a, 202b --- electrode pad 204 --- LED chip
205a, 205b --- conductive wire

Claims (6)

기판과;
상기 기판을 관통하여 형성되고, 상부 면에 소정 깊이로 단차부가 형성된 방열 비어와;
상기 방열 비어를 중심으로 상기 기판상에 형성된 제 1 , 제 2 전극 패드와;
상기 방열 비어에 형성된 단차부에 실장되며, 상기 제 1 전극 패드 및 상기 제 2 전극 패드와 전기적으로 연결된 LED 칩을 포함하는 LED 패키지.
Claims [1]
A heat dissipation via formed through the substrate and having a stepped portion at a predetermined depth on an upper surface thereof;
First and second electrode pads formed on the substrate around the heat dissipation vias;
And an LED chip mounted on a stepped portion formed in the heat dissipation via and electrically connected to the first electrode pad and the second electrode pad.
제 1항에 있어서,
상기 단차부는 상기 LED 칩의 측면 비발광 영역에 대응하는 깊이로 형성되는 것을 특징으로 하는 LED 패키지.
The method of claim 1,
The stepped portion LED package, characterized in that formed in a depth corresponding to the side non-emitting area of the LED chip.
제 1항에 있어서,
상기 LED 칩의 발광 영역에 형성된 실리콘 형광체와;
상기 실리콘 형광체가 형성된 LED 칩을 봉지하는 렌즈부를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 LED 패키지.
The method of claim 1,
A silicon phosphor formed in a light emitting region of the LED chip;
The LED package further comprises a lens unit for encapsulating the LED chip is formed with the silicon phosphor.
제 1항에 있어서,
상기 방열 비어는 도전성 물질로 형성되는 것을 특징으로 하는 LED 패키지.
The method of claim 1,
The heat dissipation via is an LED package, characterized in that formed of a conductive material.
기판의 중앙부에 관통홀을 형성하는 단계와;
상기 형성된 관통홀에 지그를 배치하고, 도전성 금속 물질을 충진하여 방열 비어를 형성하는 단계와;
상기 배치된 지그를 제거하여 상기 방열 비어의 일면에 단차부를 형성하는 단계와;
상기 방열 비어를 중심으로 상기 세라믹 기판의 양단에 제 1 , 제 2 전극 패드를 형성하는 단계와;
상기 방열 비어에 형성된 단차부에 LED 칩을 실장하고, 상기 LED 칩과 상기 제 1, 제 2 전극 패드를 전기적으로 연결되도록 와이어 본딩하는 단계를 포함하는 LED 패키지 제조방법.
Forming a through hole in the center of the substrate;
Disposing a jig in the formed through hole and filling a conductive metal material to form a heat dissipation via;
Removing the jig to form a stepped portion on one surface of the heat dissipation via;
Forming first and second electrode pads at both ends of the ceramic substrate around the heat dissipation vias;
And mounting an LED chip on a stepped portion formed in the heat dissipation via, and wire bonding the LED chip and the first and second electrode pads to be electrically connected to each other.
제 5항에 있어서,
상기 관통홀의 지그는 상기 LED 칩의 측면 비발광 영역에 대응하는 깊이로 배치하여 단차부를 형성하는 것을 특징으로 하는 LED 패키지 제조방법.6. The method of claim 5,
The jig of the through hole is disposed in a depth corresponding to the non-emission area of the side of the LED chip to form a stepped LED package.
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CN103715155A (en) * 2013-12-31 2014-04-09 日月光半导体(上海)有限公司 Integrated circuit including package substrate

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