KR20130090129A - 액정 표시 장치 및 이의 제조 방법 - Google Patents

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KR20130090129A
KR20130090129A KR1020120011230A KR20120011230A KR20130090129A KR 20130090129 A KR20130090129 A KR 20130090129A KR 1020120011230 A KR1020120011230 A KR 1020120011230A KR 20120011230 A KR20120011230 A KR 20120011230A KR 20130090129 A KR20130090129 A KR 20130090129A
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정호영
김민주
이영장
이복영
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엘지디스플레이 주식회사
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Abstract

본 발명은 액정 표시 장치 및 이의 제조 방법에 관한 것으로, 본 발명의 액정 표시 장치는 하부 기판 상에 형성된 블랙 매트릭스와 상기 블랙 매트릭스 상에 형성된 컬러 필터; 상기 블랙 매트릭스와 컬러 필터를 덮도록 형성된 오버 코트층; 상기 오버 코트층 상에 형성되며, 상기 블랙 매트릭스와 중첩되도록 형성된 산화물 반도체층; 상기 산화물 반도체층의 양측 가장자리를 노출시키도록 형성되며, 차례로 적층된 게이트 절연막과 게이트 전극; 상기 산화물 반도체층의 양측 가장자리를 노출시키도록 형성된 층간 절연막 상에 형성되며, 노출된 상기 산화물 반도체층의 일측 가장자리와 접속되는 소스 전극과, 상기 산화물 반도체층의 타측 가장자리와 접속되는 드레인 전극; 및 상기 드레인 전극을 노출시키도록 형성된 보호막 상에 형성되며, 노출된 상기 드레인 전극과 접속되는 화소 전극을 포함한다.

Description

액정 표시 장치 및 이의 제조 방법{LIQUID CRYSTAL DISPLAY DEVICE AND METHOD FOR FABRICATING THE SAME}
본 발명은 액정 표시 장치에 관한 것으로, 특히, 컬러 필터 상에 산화물 박막 트랜지스터를 형성하는 TOC(TFT On Color filter) 구조의 액정 표시 장치 및 이의 제조 방법에 관한 것이다.
정보화 사회가 발전함에 따라 표시 장치에 대한 요구도 다양한 형태로 점증하고 있으며, 이에 부응하여 근래에는 LCD(Liquid Crystal Display Device), PDP(Plasma Display Panel), ELD(Electro Luminescent Display), VFD(Vacuum Fluorescent Display) 등 여러 가지 평판 표시 장치가 연구되어 왔고, 일부는 이미 여러 장비에서 표시 장치로 활용되고 있다.
그 중에, 현재 화질이 우수하고 경량, 박형, 저소비 전력의 특징 및 장점으로 인하여 이동형 화상 표시 장치의 용도로 CRT(Cathode Ray Tube)를 대체하면서 액정 표시 장치가 가장 많이 사용되고 있으며, 노트북 컴퓨터의 모니터와 같은 이동형의 용도 이외에도 방송 신호를 수신하여 디스플레이하는 텔레비젼 및 컴퓨터의 모니터 등으로 다양하게 개발되고 있다.
도 1은 일반적인 액정 표시 장치의 단면도이다.
도 1과 같이, 일반적인 액정 표시 장치는 박막 트랜지스터(TFT)가 형성된 박막 트랜지스터 어레이 기판(10), 컬러 필터(23)가 형성된 컬러 필터 어레이 기판(20) 및 대향 합착된 박막 트랜지스터 어레이 기판(10)과 컬러 필터 어레이 기판(20) 사이에 형성된 액정층(30)을 포함하여 이루어진다.
구체적으로, 박막 트랜지스터 어레이 기판(10)은 하부 기판(11), 하부 기판(11) 상에 수직 교차하여 화소 영역과 비 화소 영역을 정의하는 게이트 배선(미도시)과 데이터 배선(미도시), 게이트 배선(미도시)과 데이터 배선(미도시)의 교차 영역에 형성된 박막 트랜지스터(TFT; 12), 박막 트랜지스터(12) 상에 형성된 보호막(13) 및 보호막(13) 상에 형성되어 박막 트랜지스터(12)와 접속되는 화소 전극(14)을 포함한다.
그리고, 컬러 필터 어레이 기판(20)은 상부 기판(21), 상부 기판(21) 상에 형성되며, 박막 트랜지스터 어레이 기판(10)의 비 화소 영역에 대응되도록 형성된 블랙 매트릭스(22), 박막 트랜지스터 어레이 기판(10)의 화소 영역에 대응되도록 형성된 컬러 필터(23), 블랙 매트릭스(22)와 컬러 필터(23) 상에 형성되어, 블랙 매트릭스(22)와 컬러 필터(23)의 상부면을 평탄화시키는 오버 코트층(24) 및 오버 코트층(24) 상에 형성된 공통 전극(25)을 포함한다.
그리고, 박막 트랜지스터 어레이 기판(10)과 컬러 필터 어레이 기판(20)은 액정층(30)을 사이에 두고 마주보도록 대향 합착되어, 화소 전극(14)과 공통 전극(25) 간의 전압 차를 통해 액정층(30)의 액정 분자가 회전되어 화상을 표시한다.
상기와 같은 일반적인 액정 표시 장치는 박막 트랜지스터 어레이 기판(10)과 컬러 필터 어레이 기판(20)이 충분한 합착 마진을 갖도록 설계하여, 합착 오차가 발생하여도 빛샘이 발생하는 것을 방지한다. 일 예로 일반적인 액정 표시 장치의 블랙 매트릭스(22)는 5㎜ 이상 합착 마진을 갖는다.
그런데, 상기와 같이 액정 표시 장치의 합착 마진이 커질수록 액정 표시 장치의 개구율 및 투과율이 저하되므로, 일반적인 액정 표시 장치는 개구율 및 투과율을 향상시키는데 한계가 있다.
본 발명은 상기와 같은 문제점을 해결하기 위한 것으로, 산화물 박막 트랜지스터를 컬러 필터 상에 형성함으로써, 박막 트랜지스터의 특성, 개구율 및 투과율을 향상시킬 수 있는 액정 표시 장치 및 이의 제조 방법을 제공하는데, 그 목적이 있다.
상기와 같은 목적을 달성하기 위한 본 발명의 액정 표시 장치는 하부 기판 상에 형성된 블랙 매트릭스와 상기 블랙 매트릭스 상에 형성된 컬러 필터; 상기 블랙 매트릭스와 컬러 필터를 덮도록 형성된 오버 코트층; 상기 오버 코트층 상에 형성되며, 상기 블랙 매트릭스와 중첩되도록 형성된 산화물 반도체층; 상기 산화물 반도체층의 양측 가장자리를 노출시키도록 차례로 적층된 게이트 절연막과 게이트 전극; 상기 산화물 반도체층의 양측 가장자리를 노출시키도록 형성된 층간 절연막 상에 형성되며, 노출된 상기 산화물 반도체층의 일측 가장자리와 접속되는 소스 전극과, 상기 산화물 반도체층의 타측 가장자리와 접속되는 드레인 전극; 및 상기 드레인 전극을 노출시키도록 형성된 보호막 상에 형성되며, 노출된 상기 드레인 전극과 접속되는 화소 전극을 포함한다.
상기 블랙 매트릭스의 폭이 상기 산화물 반도체층의 폭보다 크다.
상기 산화물 반도체층은 Zn, Cd, Ga, In, Sn, Hf, Zr 중 선택된 적어도 하나 이상의 금속을 포함하는 산화물이다.
또한, 동일 목적을 달성하기 위한 본 발명의 액정 표시 장치의 제조 방법은 하부 기판 상에 블랙 매트릭스를 형성하고, 상기 블랙 매트릭스 상에 컬러 필터를 형성하는 단계; 상기 블랙 매트릭스와 컬러 필터를 덮도록 오버 코트층을 형성한 후, 상기 오버 코트층 상에 상기 블랙 매트릭스와 중첩되도록 산화물 반도체층을 형성하는 단계; 상기 산화물 반도체층의 양측 가장자리를 노출시키도록 상기 산화물 반도체층 상에 차례로 게이트 절연막과 게이트 전극을 형성하는 단계; 상기 산화물 반도체층의 양측 가장자리를 노출시키도록 층간 절연막을 형성하고, 상기 층간 절연막 상에 상기 산화물 반도체층의 일측 가장자리와 접속하는 소스 전극과, 상기 산화물 반도체층의 타측 가장자리와 접속하는 드레인 전극을 형성하는 단계; 및 상기 드레인 전극을 노출시키도록 보호막을 형성하고, 상기 보호막 상에 노출된 상기 드레인 전극과 접속되는 화소 전극을 형성하는 단계를 포함한다.
상기 게이트 절연막은 100℃ 내지 250℃의 온도에서 형성한다.
상기 블랙 매트릭스의 폭이 상기 산화물 반도체층의 폭보다 크다.
상기 산화물 반도체층은 Zn, Cd, Ga, In, Sn, Hf, Zr 중 선택된 적어도 하나 이상의 금속을 포함하는 산화물이다.
상기와 같은 본 발명의 액정 표시 장치 및 이의 제조 방법은 다음과 같은 효과가 있다.
첫째, 컬러 필터와 박막 트랜지스터를 동일한 기판 상에 형성함으로써, 상, 하부 기판의 합착 마진을 최소화하여 약 10% 정도 개구율과 투과율이 향상되며, 보더리스(Borderless) 패널을 구현하기 용이하다.
둘째, 컬러 필터 상에 저온 공정이 가능한 산화물 박막 트랜지스터를 형성하므로, 산화물 박막 트랜지스터를 형성하는 공정 시, 컬러 필터의 색 좌표가 변하는 것을 방지할 수 있다.
도 1은 일반적인 액정 표시 장치의 단면도.
도 2는 본 발명의 액정 표시 장치의 단면도.
도 3은 본 발명의 액정 표시 장치의 공정 단계를 나타낸 순서도.
도 4a 내지 도 4i는 본 발명의 액정 표시 장치의 공정 단면도.
이하, 본 발명의 액정 표시 장치를 구체적으로 설명하면 다음과 같다.
도 2는 본 발명의 액정 표시 장치의 단면도이다.
도 2와 같이, 본 발명의 액정 표시 장치는 서로 대향된 상, 하부 기판(200, 100)과, 상, 하부 기판(200, 100) 사이의 액정층(130)을 포함하며, 하부 기판(200) 상에 컬러 필터(110)와 박막 트랜지스터가 형성된다.
구체적으로, 하부 기판(100) 상에 블랙 매트릭스(110)가 형성된다. 블랙 매트릭스(110)는 비 발광 영역에서 빛샘이 발생하는 것을 방지하기 위한 것으로, 몰리브덴(Mo) 등과 같은 금속 물질로 형성되거나, 블랙(Black) 계열의 유기 물질로 형성된다.
그리고, 블랙 매트릭스(110) 상에 컬러 필터(111)가 형성된다. 도면에서는 컬러 필터(111)가 블랙 매트릭스(110)의 상부면을 노출시키도록 형성된 것을 도시하였으나, 컬러 필터(111)는 블랙 매트릭스(110)의 전면을 덮도록 형성되어도 무방하다. 그리고, 컬러 필터(111) 상에 오버 코트층(112)이 형성되어 컬러 필터(111)와 블랙 매트릭스(110)의 상부 표면을 평탄화시킨다. 도면에서는 오버코트층(112) 상에 버퍼층(120)이 형성된 것을 도시하였으나, 버퍼층(120)을 제거하여도 무방하다.
버퍼층(120) 상에는 산화물 반도체층(121)이 형성된다. 산화물 반도체층(121)은 Zn, Cd, Ga, In, Sn, Hf, Zr 중 선택된 적어도 하나 이상의 금속을 포함하는 산화물로 형성된다. 이 때, 산화물 반도체층(121)은 블랙 매트릭스(110)와 중첩되도록 형성되어, 산화물 반도체층(121)으로 입사되는 외부 광을 블랙 매트릭스(110)가 차단한다. 특히, 산화물 반도체층(121)으로 외부 광이 입사되는 것을 완벽하게 차단하기 위해 블랙 매트릭스(110)의 폭이 산화물 반도체층(121)의 폭보다 큰 것이 바람직하다.
그리고, 산화물 반도체층(121)의 양측 가장자리를 노출시키도록 산화물 반도체층(121) 상에 차례로 적층된 구조의 게이트 절연막과(123a) 게이트 전극(123)이 형성된다. 특히, 노출된 산화물 반도체층(121)의 양측 가장자리는 플라즈마 처리되어 도체화된다. 따라서, 소스, 드레인 전극(124a, 124b)과 산화물 반도체층(121)의 가장자리가 접속될 때 산화물 반도체층(121)의 저항이 감소되어 접촉 특성이 향상된다.
게이트 전극(123) 상에는 플라즈마 처리된 산화물 반도체층(121)의 양측 가장자리를 노출시키도록 층간 절연막(122)이 형성된다. 그리고, 층간 절연막(122) 상에 소스, 드레인 전극(124a, 124b)이 형성되고, 소스, 드레인 전극(124a, 124b)은 노출된 산화물 반도체층(121)의 양측 가장자리와 각각 접속된다.
상기와 같이 산화물 반도체층(121)을 포함하는 산화물 박막 트랜지스터(Oxide TFT)는 실리콘 반도체층을 포함하는 실리콘 박막 트랜지스터(Silicon TFT)보다 높은 전하 이동도 및 낮은 누설전류 특성의 장점을 갖는다. 더욱이, 실리콘 박막 트랜지스터는 고온 공정을 통해 형성되며, 실리콘 반도체층에 결정화 공정을 실시하므로, 대면적화 할수록 결정화 공정 시 균일도가 떨어져 대면적화에 불리하다. 그러나, 산화물 박막 트랜지스터는 250℃ 이하의 저온 공정이 가능하며, 대면적화에 유리하다.
소스, 드레인 전극(124a, 124b) 상에는 보호막(125)이 형성되며, 보호막(125)은 드레인 전극(124b)을 노출시키도록 선택적으로 제거된다. 노출된 드레인 전극(124b)은 보호막(125) 상에 형성된 화소 전극(126)과 접속된다. 그리고, 하부 기판(100)과 대향된 상부 기판(200) 전면에는 공통 전극(210)이 형성되고, 서로 대향된 상, 하부 기판(200, 100) 사이의 액정층(130)은 백 라이트 유닛(미도시)으로부터 입사된 빛이 액정 분자의 배열에 따라 투과율이 조절되어 화상을 표시한다.
상기와 같은 본 발명의 액정 표시 장치는 컬러 필터(111)와 박막 트랜지스터가 동일 기판에 형성되므로, 일반적인 액정 표시 장치와 같이 컬러 필터 어레이 기판과 박막 트랜지스터 어레이 기판의 합착 마진을 최소화하여 약 10% 정도 개구율과 투과율이 향상된다.
특히, 본 발명의 액정 표시 장치는 250℃ 이하의 저온 공정이 가능하여, 컬러 필터(111) 상에 박막 트랜지스터를 형성하여도 컬러 필터(111)의 특성이 저하되지 않는다. 구체적으로, 일반적인 실리콘 박막 트랜지스터는 게이트 전극과 반도체층을 절연시키기 위한 게이트 절연막을 350℃ 이상의 공정으로 형성한다. 따라서, 게이트 절연막을 형성하는 공정 시 컬러 필터의 색 좌표가 변하여 컬러 시프트(Color Shift) 등과 같은 문제가 발생하며, 광 투과율이 저하되어 소비 전력이 증가한다.
그러나, 본 발명의 액정 표시 장치는 저온 공정이 가능한 산화물 박막 트랜지스터를 컬러 필터(111) 상에 형성한다. 구체적으로, 산화물 박막 트랜지스터는 산화물 반도체층(121)과 게이트 전극(123) 사이의 게이트 절연막(123a)을 100℃ 내지 250℃의 온도에서 형성하여도 산화물 반도체층(121)과 게이트 전극(123)을 절연시킬 수 있다.
따라서, 본 발명의 액정 표시 장치는 컬러 필터(111) 상에 산화물 박막 트랜지스터를 형성할 때, 컬러 필터(111)의 색 좌표가 변하는 것을 방지할 수 있다. 더욱이, 상술한 바와 같이 저온 공정이 가능하므로, 본 발명의 액정 표시 장치를 플렉서블(Flexible) 표시 장치에 적용하기 용이하다.
또한, 산화물 반도체층(121) 하부의 블랙 매트릭스(110)와 산화물 반도체층(121) 상부의 게이트 전극(123)이 산화물 반도체층(121)으로 입사되는 외부 광을 차단하므로, 박막 트랜지스터의 신뢰성이 향상된다.
한편, 도면에서는 탑 게이트(Top Gate) 구조의 산화물 박막 트랜지스터를 도시하였으나, 바텀 게이트(Bottom Gate) 구조의 산화물 박막 트랜지스터를 컬러 필터 상에 형성하여도 무방하며, 이 경우 산화물 박막 트랜지스터는 산화물 반도체층 상에 형성된 식각 차단층(Etch Stop Layer; ESL)을 더 포함하는 것이 바람직하다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여, 본 발명의 유기 발광 표시 장치의 제조 방법을 구체적으로 설명하면 다음과 같다.
도 3은 본 발명의 유기 발광 표시 장치의 공정 단계를 나타낸 순서도이며, 도 4a 내지 도 4i는 본 발명의 유기 발광 표시 장치의 공정 단면도이다.
도 3, 도 4a와 같이, 하부 기판(100) 상에 블랙 매트릭스(110)를 형성(S5)한다. 상술한 바와 같이, 블랙 매트릭스(110)는 비 발광 영역에서의 빛샘을 방지하기 위한 것으로, 본 발명의 블랙 매트릭스(110)는 후술할 산화물 반도체층으로 외부 광이 입사되는 것을 방지하는 기능도 한다.
그리고, 도 4b와 같이, 블랙 매트릭스(110) 상에 컬러 필터(111)를 형성(S10)한 후, 컬러 필터(111) 상에 오버 코트층(112)을 형성한다. 오버 코트층(112)은 블랙 매트릭스(110)와 컬러 필터(111)의 상부 표면을 평탄화시킨다. 특히, 도면에서는 오버 코트층(112) 상에 버퍼층(120)을 형성하는 것을 도시하였으나, 버퍼층(120)을 형성하는 공정을 제거하여도 무방하다.
이어, 도 4c와 같이, 버퍼층(120) 상에 산화물 반도체층(121)을 형성(S15)한다. 산화물 반도체층(121)은 Zn, Cd, Ga, In, Sn, Hf, Zr 중 적어도 하나 이상의 금속을 포함하는 산화물로 형성된다. 그리고, 도 4d와 같이, 산화물 반도체층(121)의 양측 가장자리를 노출시키도록 산화물 반도체층(121) 상에 차례로 게이트 절연막(123a)과 게이트 전극(123)을 형성(S20)한다.
일반적인 실리콘 박막 트랜지스터의 게이트 절연막은 350℃ 이상의 공정으로 형성한다. 따라서, 박막 트랜지스터를 컬러 필터 상에 형성할 때, 게이트 절연막을 형성하는 공정 시, 컬러 필터의 색 좌표가 변하여 컬러 시프트(Color Shift) 등과 같은 문제가 발생한다.
그러나, 본 발명의 액정 표시 장치는 상술한 바와 같이 저온 공정이 가능한 산화물 박막 트랜지스터를 컬러 필터(111) 상에 형성하므로, 산화물 반도체층(121)과 게이트 전극(123) 사이의 게이트 절연막(123a)을 100℃ 내지 250℃의 저온 공정으로 형성하여도 산화물 반도체층(121)과 게이트 전극(123)을 절연시킬 수 있으므로, 컬러 필터(111) 상에 산화물 박막 트랜지스터를 형성할 때, 컬러 필터(111)의 색 좌표가 변하는 것을 방지할 수 있다.
한편, 도시하지는 않았으나, 산화물 반도체층(121)의 양측 가장자리를 노출시키는 게이트 절연막(123a)과 게이트 전극(123)을 형성할 때, He, H2, N2 등의 플라즈마를 이용하여, He, H2, N2 등의 플라즈마가 노출된 산화물 반도체층(121)의 양측 가장자리를 도체화시켜, 후술할 소스, 드레인 전극(124a, 124b)과 산화물 반도체층(121)의 가장자리가 접속될 때 산화물 반도체층(121)의 저항을 낮춰 접촉 특성을 향상시킨다.
이어, 도 4e와 같이, 게이트 전극(123)을 덮도록 버퍼층(120) 전면에 층간 절연막(122)을 형성(S25)하고, 도 4f와 같이, 산화물 반도체층(121)의 양측 가장자리를 노출시키도록 층간 절연막(122)을 패터닝한 후, 노출된 산화물 반도체층(121)의 일측 가장자리와 접속되는 소스 전극(124a)과, 산화물 반도체층(121)의 타측 가장자리와 접속되는 드레인 전극(124b)을 형성(S30)한다.
그리고, 도 4g와 같이, 층간 절연막(122) 상에 보호막(125)을 형성(S35)하고, 도 4h와 같이, 보호막(125)을 선택적으로 제거하여 드레인 전극(124b)을 노출시킨다. 그리고, 보호막(125) 상에 노출된 드레인 전극(124b)과 접속하는 화소 전극(126)을 형성(S40)한다.
이어, 도 4i와 같이, 컬러 필터(111), 산화물 박막 트랜지스터 및 화소 전극(126)이 형성된 하부 기판(100)과 전면에 공통 전극(210)이 형성된 상부 기판(200)을 대향 합착(S45)한 후, 하부 기판(100)과 상부 기판(200) 사이에 액정을 주입하여 액정층(130)을 형성한다.
상기와 같은 본 발명의 액정 표시 장치 및 이의 제조 방법은 컬러 필터(111)가 형성된 하부 기판(100) 상에 산화물 박막 트랜지스터를 형성한다. 따라서, 상, 하부 기판(200, 100)의 합착 마진을 최소화하여 개구율 및 투과율을 향상시킬 수 있다. 또한, 산화물 박막 트랜지스터는 저온 공정이 가능하므로, 컬러 필터(111) 상에 산화물 박막 트랜지스터를 형성하는 공정 시, 컬러 필터(111)의 색 좌표가 변하는 것을 방지할 수 있다.
또한, 일반적으로, 표시 영역과 베젤 영역의 경계를 없앤 보더리스(Borderless) 패널을 구현할 때, 컬러 필터 기판보다 큰 박막 트랜지스터 기판을 상부에 위치시킨다. 그런데, 이 경우, 외부 광이 박막 트랜지스터로 입사되어 박막 트랜지스터의 특성이 저하되며, 외부 광이 기판 표면에서 반사되어 야외 시인성이 저하된다.
그러나, 본 발명의 액정 표시 장치는 박막 트랜지스터 하부에 형성된 블랙 매트릭스(110)가 박막 트랜지스터로 입사되는 외부 광을 흡수한다. 따라서, 박막 트랜지스터의 특성 및 야외 시인성이 저하되는 것을 방지하므로, 보더리스 패널을 구현하기 용이하다.
한편, 도면에서는 탑 게이트 구조의 산화물 박막 트랜지스터를 도시하였으나, 바텀 게이트 구조의 산화물 박막 트랜지스터를 컬러 필터 상에 형성하여도 무방하며, 이 경우 산화물 박막 트랜지스터는 산화물 반도체층 상에 형성된 식각 차단층을 더 포함하는 것이 바람직하다.
한편, 이상에서 설명한 본 발명은 상술한 실시 예 및 첨부된 도면에 한정되는 것이 아니고, 본 발명의 기술적 사상을 벗어나지 않는 범위 내에서 여러 가지 치환, 변형 및 변경이 가능하다는 것이 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 있어 명백할 것이다.
100: 하부 기판 110: 블랙 매트릭스
111: 컬러 필터 112: 오버 코트층
120: 버퍼층 121: 산화물 반도체층
122: 층간 절연막 123: 게이트 전극
123a: 게이트 절연막 124a: 소스 전극
124b: 드레인 전극 125: 보호막
126: 화소 전극 130: 액정층
200: 상부 기판 210: 공통 전극

Claims (7)

  1. 하부 기판 상에 형성된 블랙 매트릭스와 상기 블랙 매트릭스 상에 형성된 컬러 필터;
    상기 블랙 매트릭스와 컬러 필터를 덮도록 형성된 오버 코트층;
    상기 오버 코트층 상에 형성되며, 상기 블랙 매트릭스와 중첩되도록 형성된 산화물 반도체층;
    상기 산화물 반도체층의 양측 가장자리를 노출시키도록 차례로 적층된 게이트 절연막과 게이트 전극;
    상기 산화물 반도체층의 양측 가장자리를 노출시키도록 형성된 층간 절연막 상에 형성되며, 노출된 상기 산화물 반도체층의 일측 가장자리와 접속되는 소스 전극과, 상기 산화물 반도체층의 타측 가장자리와 접속되는 드레인 전극; 및
    상기 드레인 전극을 노출시키도록 형성된 보호막 상에 형성되며, 노출된 상기 드레인 전극과 접속되는 화소 전극을 포함하는 것을 특징으로 하는 액정 표시 장치.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 블랙 매트릭스의 폭이 상기 산화물 반도체층의 폭보다 큰 것을 특징으로 하는 액정 표시 장치.
  3. 제 1 항에 있어서,
    상기 산화물 반도체층은 Zn, Cd, Ga, In, Sn, Hf, Zr 중 선택된 적어도 하나 이상의 금속을 포함하는 산화물인 것을 특징으로 하는 액정 표시 장치.
  4. 하부 기판 상에 블랙 매트릭스를 형성하고, 상기 블랙 매트릭스 상에 컬러 필터를 형성하는 단계;
    상기 블랙 매트릭스와 컬러 필터를 덮도록 오버 코트층을 형성한 후, 상기 오버 코트층 상에 상기 블랙 매트릭스와 중첩되도록 산화물 반도체층을 형성하는 단계;
    상기 산화물 반도체층의 양측 가장자리를 노출시키도록 상기 산화물 반도체층 상에 차례로 게이트 절연막과 게이트 전극을 형성하는 단계;
    상기 산화물 반도체층의 양측 가장자리를 노출시키도록 층간 절연막을 형성하고, 상기 층간 절연막 상에 상기 산화물 반도체층의 일측 가장자리와 접속하는 소스 전극과, 상기 산화물 반도체층의 타측 가장자리와 접속하는 드레인 전극을 형성하는 단계; 및
    상기 드레인 전극을 노출시키도록 보호막을 형성하고, 상기 보호막 상에 노출된 상기 드레인 전극과 접속되는 화소 전극을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 액정 표시 장치의 제조 방법.
  5. 제 4 항에 있어서,
    상기 게이트 절연막은 100℃ 내지 250℃의 온도에서 형성하는 것을 특징으로 하는 액정 표시 장치의 제조 방법.
  6. 제 4 항에 있어서,
    상기 블랙 매트릭스의 폭이 상기 산화물 반도체층의 폭보다 큰 것을 특징으로 하는 액정 표시 장치의 제조 방법.
  7. 제 4 항에 있어서,
    상기 산화물 반도체층은 Zn, Cd, Ga, In, Sn, Hf, Zr 중 선택된 적어도 하나 이상의 금속을 포함하는 산화물인 것을 특징으로 하는 액정 표시 장치의 제조 방법.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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KR20150047033A (ko) * 2013-10-23 2015-05-04 엘지디스플레이 주식회사 액정표시장치 및 그 제조방법
KR20150065526A (ko) * 2013-12-05 2015-06-15 엘지디스플레이 주식회사 평판표시장치
KR20180047615A (ko) * 2016-10-31 2018-05-10 엘지디스플레이 주식회사 칼라 필터 층을 구비한 평판 표시장치용 박막 트랜지스터 기판

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