KR20130088371A - 발광다이오드 테스트 모듈 - Google Patents

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KR20130088371A
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Abstract

발광다이오드 테스트 모듈이 제공된다. 그의 모듈은 히터와, 상기 히터 상의 플레이트와, 상기 플레이트 상에 내부 공간을 제공하고, 빛을 통과할 수 있는 제 1 윈도우를 갖는 내부 커버와, 상기 내부 커버 상에 배치되어 외부 공간을 제공하고, 상기 제 1 윈도우에 정렬된 제 2 윈도우를 갖는 외부 커버를 포함한다.

Description

발광다이오드 테스트 모듈{module for testing light emitting diode}
본 발명은 발광다이오드 테스트 모듈에 관한 것이다.
일반적으로, 구동소자를 갖는 디바이스들은 출고되기 직전에 신뢰성 테스트를 한다. 즉, 구동소자를 갖는 디바이스들은 전기적인 특성시험인 번-인(Burn-In) 테스트 공정을 통하여 시험판정의 결과, 양품이라고 판정된 것들 만이 출고된다. 이러한, 번-인(Burn-In) 테스트 공정은 구동소자가 받는 스트레스를 가혹한 조건하에서 지속적으로 가속화시키는 공정으로, 스트레스를 받은 구동소자가 열화되었는지를 검사하는 공정을 말한다.
근래에 들어, 조명 관련 산업에 있어서 발광다이오드들을 광원으로 사용됨이 채택되고 있는 바, 발광다이오드들의 사용 시간에 따른 성능 저하 및 발광다이오드들 간의 특성 차이가 큰 이슈로 부각되고 있다. 예를 들어, 종래에는 고출력의 발광다이오드들이 실장된 제품을 검사하는 테스트 공정 시에 열적 안정성이 보장되지 않아 테스트 신뢰성이 떨어질 수 있었다.
본 발명이 해결하고자 하는 과제는, 테스트 신뢰성을 증대 또는 극대화할 수 있는 발광다이오드 테스트 모듈을 제공하는데 있다.
상술한 기술적 과제들을 해결하기 위한 발광다이오드 테스트 모듈이 제공된다. 그의 모듈은, 히터; 상기 히터 상의 플레이트; 상기 플레이트 상에 내부 공간을 제공하고, 빛을 통과할 수 있는 제 1 윈도우를 갖는 내부 커버; 및 상기 내부 커버 상에 배치되어 외부 공간을 제공하고, 상기 제 1 윈도우에 정렬된 제 2 윈도우를 갖는 외부 커버를 포함할 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따르면, 상기 내부 커버는 상기 내부 공간과 상기 외부 공간을 연결하는 에어 홀을 가질 수 있다.
본 발명의 다른 실시예에 따르면, 상기 플레이트 상에 배치되어 상기 에어 홀을 통하여 상기 내부 공간과 상기 외부 공간 사이로 공기를 유동시키는 송풍 팬을 더 포함할 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따르면, 상기 플레이트는 가장자리에 형성된 그루브를 갖고, 상기 내부 커버는 상기 그루브에 삽입될 수 있다.
본 발명의 다른 실시예에 따르면, 상기 플레이트는 상기 그루브에 의해 둘러싸이고 발광다이오드들을 실장한 기판을 안착시키는 히팅 존을 가질 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따르면, 상기 기판을 상기 플레이트에 밀착하는 고정 블록과, 상기 고정 블록 내에 배치된 전원 핀들을 더 포함할 수 있다.
본 발명의 다른 실시예에 따르면, 상기 내부 커버는 상기 제 1 윈도우의 둘레에 상기 플레이트 방향으로 돌출되는 링 형태의 차광 부재를 가질 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따르면, 상기 제 1 윈도우의 내벽에 상기 빛을 산란시키는 요철들이 형성될 수 있다.
본 발명의 다른 실시예에 따르면, 상기 제 1 윈도우 및 제 2 윈도우는 볼록 렌즈를 포함할 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따르면, 상기 내부 커버는 상기 제 1 윈도우에 이격된 핀 홀을 가질 수 있다.
본 발명의 다른 실시예에 따르면, 상기 핀 홀을 밀폐시키는 기판 블록들과, 상기 기판 블록들 내에 제공되어 상기 핀 홀을 통해 상기 플레이트 상의 상기 발광다이오드에 연결되는 전원 핀들을 더 포함할 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따르면, 상기 발광다이오드에 근접하는 상기 기판에 실장되는 제 1 온도 센서 및 상기 내부 공간에 제공된 제 2 온도 센서를 더 포함할 수 있다.
본 발명의 다른 실시예에 따르면, 상기 외부 커버 상에서 상기 제 2 윈도우를 노출시키는 가이드를 더 포함할 수 있다.
본 발명의 실시예들에 따르면, 내부 커버 및 외부 커버는 히터 및 플레이트 상의 DUT 기판을 2중으로 덮는 차폐 구조를 제공할 수 있다. 내부 커버는 에어 홀들을 가질 수 있다. 에어 홀들을 통해 공기가 순환될 수 있다. 2중 차폐 구조 및/또한 공기의 순환에 따라 발광다이오드들 및 그 주변의 온도를 일정하게 유지할 수 있다. 제 1 및 제 2 온도 센서들은 DUT 기판 및 내부 커버 내의 내부 공간에서의 온도를 실시간(real time)으로 측정할 수 있다. 또한, 히터, 플레이트, 내부 커버 및 외부 커버는 DUT 기판의 크기에 대응하여 소형으로 제작될 수 있다.
따라서, 본 발명의 실시예에 따른 발광다이오드 테스트 모듈은 테스트 신뢰성을 증대할 수 있다.
도 1은 본 발명의 실시예에 따른 발광다이오드 테스트 모듈을 나타내는 단면도이다.
도 2는 플레이트 및 DUT 기판을 나타내는 평면도이다.
도 3은 도 2의 I-I' 선상을 절취하여 나타낸 단면도이다.
도 4는 플레이트 및 내부 커버를 나타내는 평면도이다.
도 5는 도 4의 II-II' 선상을 절취하여 나타낸 단면도이다.
도 6은 본 발명의 응용예에 따른 발광다이오드 테스트 모듈을 나타내는 평면도이다.
본 발명의 이점 및 특징, 그리고 그것들을 달성하는 방법은 첨부되는 도면과 함께 상세하게 후술되어 있는 실시예를 참조하면 명확해질 것이다. 그러나 본 발명은 이하에서 개시되는 실시예에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 구현될 수 있으며, 단지 본 실시예는 본 발명의 개시가 완전하도록 하고, 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공되는 것이며, 본 발명은 청구항의 범주에 의해 정의될 뿐이다. 명세서 전문에 걸쳐 동일 참조 부호는 동일 구성 요소를 지칭한다.
본 명세서에서, 도전막, 반도체막, 또는 절연막 등의 어떤 물질막이 다른 물질막 또는 기판"상"에 있다고 언급되는 경우에, 그 어떤 물질막은 다른 물질막 또는 기판상에 직접 형성될 수 있거나 또는 그들 사이에 또 다른 물질막이 개재될 수도 있다는 것을 의미한다. 또 본 명세서의 다양한 실시예들에서 제 1, 제 2, 제 3 등의 용어가 물질막 또는 공정 단계를 기술하기 위해서 사용되었지만, 이는 단지 어느 특정 물질막 또는 공정 단계를 다른 물질막 또는 다른 공정 단계와 구별시키기 위해서 사용되었을 뿐이며, 이 같은 용어들에 의해서 한정되어서는 안된다.
본 명세서에서 사용된 용어는 실시예들을 설명하기 위한 것이며 본 발명을 제한하고자 하는 것은 아니다. 본 명세서에서, 단수형은 문구에서 특별히 언급하지 않는 한 복수형도 포함한다. 명세서에서 사용되는 "포함한다(comprises)" 및/또는 "포함하는(comprising)"은 언급된 구성요소, 단계, 동작 및/또는 소자는 하나 이상의 다른 구성요소, 단계, 동작 및/또는 소자의 존재 또는 추가를 배제하지 않는다.
이하, 도면들을 참조하여 본 발명의 일 실시예에 따른 탐침 발광다이오드 테스트 모듈에 대해 상세히 설명하기로 한다.
도 1은 본 발명의 실시예에 따른 발광다이오드 테스트 모듈을 나타내는 단면도이다.
도 1을 참조하면, 본 발명의 발광다이오드 테스트 모듈은, 히터(20)와, 상기 히터(20) 상의 플레이트(30)와, 상기 플레이트(30) 상에서 발광다이오드들(12)을 2중으로 둘러싸는 내부 커버(40) 및 외부 커버(50)를 포함할 수 있다. 발광다이오드들(12)은 DUT(Device Under Test) 기판(10) 상에 실장되고, 패키지된 것뿐만 아니라, 칩 상태의 것일 수 있다. 히터(20)는 발광다이오드들(12)을 테스트 온도까지 가열할 수 있다. 도시되지 않았지만, 히터(20)는 전원전압에 의해 발열되는 니크롬선과, 상기 니크롬선을 절연하는 세라믹 피복과, 상기 세라믹 피복을 둘러싸는 금속 하우징을 포함할 수 있다.
발광다이오드들(12)은 미국환경보호국(energy star)의 수명에 대한 자격 기준을 획득하기 위해 LM80과 같은 루멘 열화(depreciation) 유지 테스트를 통과해야 한다. LM80은 발광다이오드들(12)을 LM80의 규격 온도(예를 들면, 55℃, 85℃ 등에서 약 1000시간의 간격으로 6,000시간 정도의 장시간 동안 광 출력을 측정하는 테스트이다. 테스트 중 케이스 온도(이하, Ts(case temperature)라 칭함)는 규격 온도의 -2℃ 이상, 주위 온도(이하, Ta(ambient temperature)라 칭함)는 규격 온도의 -5℃이상을 유지해야 한다. Ts는 발광다이오드(12) 표면의 온도이고, Ta는 발광다이오드 주위의 온도이다. 예를 들어, 규격 온도가 55℃이면, Ts는 53℃이상, Ta는 50℃이상이다.
내부 커버(40) 및 외부 커버(50)는 플레이트(30) 상에 2중의 차폐구조를 제공하여 발광다이오드들(12)의 온도 균일도를 ±1%이내로 유지한다. LM80이 요구하는 테스트 설정온도(Ts, Ta)를 정밀하고 일정하게 유지할 수 있다.
따라서, 본 발명의 실시예에 따른 발광다이오드 테스트 모듈은 테스트의 신뢰성을 증대할 수 있다.
도 2는 플레이트(30) 및 DUT 기판(10)을 나타내는 평면도이다. 도 3은 도 2의 I-I' 선상을 절취하여 나타낸 단면도이다.
도 1 내지 도 3을 참조하면, 플레이트(30)는 그의 중심에 DUT 기판(10)을 안착시키는 히팅 존(31)과, 상기 히팅 존(31)의 외곽에 형성된 그루브(32)를 포함할 수 있다. 또한, 플레이트(30)는 상기 그루브(32) 내에 형성된 제 1 너트 홀들(34)과, 상기 그루브(32) 외곽에 형성된 제 1 관통 홀들(36)을 더 포함할 수 있다. 플레이트(30)는 알루미늄과 같은 금속으로 형성될 있다. 히팅 존(31)은 DUT 기판(10)을 수용할 수 있다. DUT 기판(10)은 히팅 존(31) 내에서 플레이트(30)의 상부면과 동일한 레벨에 배치될 수 있다. 그루브(32)는 내부 커버(40)를 수평 방향으로 고정할 수 있다. 그루브(32)는 플레이트(30) 상에서 내부 커버(40)의 체결 부분을 정의할 수 있다. 그루브(32)는 히팅 존(31)보다 아래로 더 함몰(recessed)될 수 있다. 이에 따라, 그루브(32)는 내부 커버(40)와 플레이트(30)사이로 통과되는 공기를 차단하여 DUT 기판(10) 가장자리의 온도 변화를 최소화할 수 있다. 또한, 그루브(32)는 열 차폐효율을 향상시킬 수 있다. 제 1 너트 홀들(34)은 제 1 볼트들(도 4의 49)에 결합될 수 있다. 제 1 너트 홀들(34)은 내벽에 형성된 나사산들을 가질 수 있다. 제 1 관통 홀들(36)은 제 2 너트 홀들(미 도시)에 의해 정렬될 수 있다.
도 4는 플레이트(30) 및 내부 커버(40)를 나타내는 평면도이다. 도 5는 도 4의 II-II' 선상을 절취하여 나타낸 단면도이다.
도 1 내지 도 5를 참조하면, 내부 커버(40)는 플레이트(30) 상의 DUT 기판(10)을 덮을 수 있다. 내부 커버(40)의 가장자리는 플레이트(30)의 그루브(32) 내에 삽입될 수 있다. 내부 커버(40)는 플레이트(30)와 상기 내부 커버(40) 사이의 내부 공간(45)과, 상기 내부 커버(40)와 외부 커버(50) 사이의 외부 공간(45)을 분리시킬 수 있다. 내부 커버(40)는 외부 커버(50)와 플레이트(30) 사이에서 유동되는 공기의 대류에 의한 온도 차이의 발생을 줄일 수 있다.
내부 커버(40)는 그의 측벽으로 공기를 유동시키는 에어 홀들(46)을 가질 수 있다. 에어 홀들(46)은 내부 공간(45)과 외부 공간(45)을 연결하고, 그들 사이에 공기를 유동시킬 수 있다. 내부 커버(40)는 제 1 너트 홀들(34)에 삽입되는 제 1 볼트들(49)에 의해 플레이트(30)에 고정될 수 있다. 제 1 볼트들(49)은 내부 커버(40) 가장자리의 측벽에 형성된 제 2 관통 홀들(미도시) 내에 체결될 수 있다. 내부 커버(40)과 DUT 기판(10) 사이에 기판 블록(16)이 제공될 수 있다. 기판 블록(16)은 DUT 기판(10)을 플레이트(30)에 밀착할 수 있다. 내부 커버(40)는 핀 홀(48)을 통해 기판 블록(16)을 노출시킬 수 있다. 핀 홀(48)은 제 1 윈도우(42)와 이격된다. 기판 블록(16)은 내부 커버(40)의 핀 홀(48)을 밀폐시킬 수 있다. 기판 블록(16) 내에는 전원 핀(18)이 배치될 수 있다. 전원 핀(18)은 DUT 기판(10)에 연결될 수 있다. 전원 핀(18)은 전원전압을 DUT 기판(10)에 인가할 수 있다.
외부 커버(50)는 내부 커버(40)의 전체를 덮을 수 있다. 외부 커버(50)는 플레이트(30) 및 내부 커버(40)를 밀폐시킬 수 있다. 외부 커버(50)는 제 1 관통 홀들(36)로 삽입되는 제 2 볼트들(미 도시)에 의해 플레이트(30)에 고정될 수 있다. 외부 커버(50)는 플라스틱 또는 고분자를 포함할 수 있다.
내부 커버(40)는 제 1 윈도우(42)를 포함할 수 있다. 제 1 윈도우(42)는 볼록 렌즈를 포함할 수 있다. 제 1 윈도우(42)는 제 1 윈도우 홀(44) 내에 배치될 수 있다. 제 1 윈도우 홀(44)은 제 1 윈도우(42)를 둘러싸는 링 형태의 차광 부재(43)까지 연장될 수 있다. 차광 부재(43)는 제 1 윈도우 홀(44)의 둘레에서 상기 내부 커버(40)의 아래로 돌출되는 흑색 필름을 포함할 수 있다. 차광 부재(43)는 제 1 윈도우(42) 아래의 발광다이오드(12)의 빛(14a)만을 선택적으로 통과시킬 수 있다. 즉, 제 1 윈도우(42)에 수직으로 입사된 빛(14a)을 통과시키고, 인접한 다른 발광다이오드(12)로부터의 경사진 방향으로 입사된 빛(14b)을 차단할 수 있다.
제 1 윈도우(42) 및 제 1 윈도우 홀들(44)은 발광다이오들(12)의 빛(14a)을 통과시키는 하부 윈도우일 수 있다. 제 1 윈도우 홀들(44)의 내벽 및 차광 부재(43)에는 인접하는 발광다이오드들(12)의 간섭을 방지하기 위해 빛(14b)을 난반사 또는 흡수하는 요철들(41)이 형성될 수 있다. 또한, 요철들(41)은 내부 커버(40)의 내벽 전체에 형성될 수 있다.
외부 커버(50)는 발광다이오드(12) 및 제 1 윈도우(42)에 정렬되는 제 2 윈도우(52)를 포함할 수 있다. 제 2 윈도우(52)은 볼록 렌즈를 포함할 수 있다. 제 1 윈도우(42)은 빛(14a)을 제 2 윈도우(52)에 집광시킬 수 있다. 빛(14a)은 제 1 윈도우(42)과 제 2 윈도우(52) 사이에서 평행하게 진행될 수 있다. 인접한 다른 발광다이오드(12)로부터의 경사진 방향으로 입사된 빛(14b)는 제 1 윈도우(42)와 제 2 윈도우(52)를 통과할 수 없다. 따라서, 제 1 윈도우(42) 및 제 2 윈도우(52) 바로 아래의 발광다이오드(12)로부터의 수직방향의 빛(14a) 만이 광 검출기(62)로 입사될 수 있다.
발광다이오드들(12)은 DUT 기판(10)에 실장될 있다. DUT 기판(10)은 PCB(Printed Circuit Board) 기판을 포함할 수 있다. 예를 들어, 발광다아오드들(12)은 DUT 기판(10)에 2행 5열로 실장될 수 있다. 또한, DUT 기판(10)은 발광다이오드들(12)의 온도 즉, Ts를 감지하는 제 1 온도 센서(82)를 실장할 수 있다. 제 1 온도 센서(82)는 도 1에서 DUT 기판(10)의 가장자리에 실장되어 있지만, 상기 DUT 기판(10)의 정 중앙에 배치된 발광다이오드(12)에 근접하여 실장될 수 있다. 내부 공간(45)에는 내부 공간(45)의 온도(즉, Ta)를 감지하는 제 2 온도 센서(84)가 제공될 수 있다. 제 1 및 제 2 온도 센서들(82, 84)는 발광다이오드들(12)과 내부 공간(45)의 온도를 실시간으로 계측할 수 있다.
발광다이오드들(12)의 빛(14a)은 제 1 및 제 2 윈도우(42, 52)을 통해 광 검출기들(62)에 입사될 수 있다. 광 검출기들(62)은 발광다이오드들(12)의 빛(14a)을 수광하는 광 센서를 포함할 수 있다. 광 검출기들(62)은 검출기용 기판(60)에 고정될 수 있다. 제 2 윈도우(52)와 검출기용 기판(60) 사이에 가이드(64)가 배치될 수 있다.
히터(20)는 히트 싱크(70)와 플레이트(30) 사이에 배치될 수 있다. 히트 싱크(70)는 플레이트(30)를 지지할 수 있다. 히트 싱크(70)는 열전도 효율이 높은 알루미늄과 같은 금속을 포함할 수 있다. 히트 싱크(70)는 히터(20)의 외곽을 따라 형성된 제 2 너트 홀들(미 도시)을 가질 수 있다. 제 2 너트 홀들의 내벽에는 나사산들을 가질 수 있다. 히트 싱크(70)는 히터(20)를 냉각시키는 방열판(radiator)을 포함할 수 있다. 히트 싱크(70)의 아래에는 냉각 팬들(72)이 배치될 수 있다. 플레이트(30)는 히터(20)를 덮을 수 있다. 도시되지는 않았지만, 제어부는 제 1 온도 센서(82)의 감지 신호에 응답하여 히터(20) 및 냉각 팬들(72)에 공급되는 전원전압을 제어할 수 있다.
상술한 바와 같이, 발광다이오드들(12)의 테스트는 LM80에서와 같이 다양한 열적 환경에서 수행될 수 있다. 생산성을 높이기 위해, 발광다이오드들(12)은 각기 다른 열적 환경을 갖는 여러 개의 핫 플레이트 모듈들에 나뉘어져 테스트가 수행될 수 있다. 본 발명의 실시예를 따른 발광다이오드 테스트 모듈은 소형으로 제작될 수 있다. 예를 들어, 히터(20)는 DUT 기판(10)과 동일 또한 유사한 크기의 면적을 가질 수 있다. 플레이트(30), 내부 커버(40), 및 외부 커버(50)는 DUT 기판(10)의 크기에 따라 소형으로 제작될 수 있다. 발광다이오드들(12)의 번인 테스트는 복수개의 모듈들에서 개별적으로 수행될 수 있다.
따라서, 본 발명의 실시예에 따른 발광다이오드 테스트 모듈은 신뢰성을 증대할 수 있다.
도 6은 본 발명의 응용예에 따른 발광다이오드 테스트 모듈을 나타내는 평면도이다.
도 1 및 도 6을 참조하면, 본 발명의 응용예에 따른 발광다이오드 테스트 모듈은, 내부 커버(40)와 외부 커버(50) 사이에 배치된 송풍 팬(56)을 포함할 수 있다. 송풍 팬(56)은 플레이트(30) 상의 일측에 배치될 수 있다. 송풍 팬(56)은 공기를 내부 공간(45)과 외부 공간(45) 사이로 강제 순환시킬 수 있다. 내부 커버(40) 내에서 가열된 공기는 송풍 팬(56)에 의해 에어 홀들(46)으로 펌핑될 수 있다. 송풍 팬(56)은 내부 공간(45)의 온도를 더욱 균일하게 유지시킬 수 있다.
따라서, 본 발명의 응용예에 따른 발광다이오드 테스트 모듈은 정밀 온도에서 발광다이오드들(12)의 테스트를 수행시킬 수 있다.
이상의 상세한 설명은 본 발명을 예시하고 설명하는 것이다. 또한, 전술한 내용은 본 발명의 바람직한 실시형태를 나타내고 설명하는 것에 불과하며, 전술한 바와 같이 본 발명은 다양한 다른 조합, 변경 및 환경에서 사용할 수 있으며, 본 명세서에 개시된 발명의 개념의 범위, 저술한 개시 내용과 균등한 범위 및/또는 당업계의 기술 또는 지식의 범위 내에서 변경 또는 수정이 가능하다. 따라서, 이상의 발명의 상세한 설명은 개시된 실시 상태로 본 발명을 제한하려는 의도가 아니다. 또한, 첨부된 청구범위는 다른 실시 상태도 포함하는 것으로 해석되어야 한다.
10: DUT 기판 20: 히터
30: 플레이트 40: 내부 커버
50: 외부 커버 60: 검출기용 기판
70: 히트 싱크

Claims (11)

  1. 히터;
    상기 히터 상의 플레이트;
    상기 플레이트 상에 내부 공간을 제공하고, 빛을 통과할 수 있는 제 1 윈도우를 갖는 내부 커버; 및
    상기 내부 커버 상에 배치되어 외부 공간을 제공하고, 상기 제 1 윈도우에 정렬된 제 2 윈도우를 갖는 외부 커버를 포함하는 발광다이오드 테스트 모듈.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 내부 커버는 상기 내부 공간과 상기 외부 공간을 연결하는 에어 홀을 갖는 발광다이오드 테스트 모듈.
  3. 제 2 항에 있어서,
    상기 플레이트 상에 배치되어 상기 에어 홀을 통하여 상기 내부 공간과 상기 외부 공간 사이로 공기를 유동시키는 송풍 팬을 더 포함하는 발광다이오드 테스트 모듈.
  4. 제 1 항에 있어서,
    상기 플레이트는 가장자리에 형성된 그루브를 갖고, 상기 내부 커버는 상기 그루브에 삽입되는 발광다이오드 테스트 모듈.
  5. 제 4 항에 있어서,
    상기 플레이트는 상기 그루브에 의해 둘러싸이고 발광다이오드들을 실장한 기판을 안착시키는 히팅 존을 갖는 발광다이오드 테스트 모듈.
  6. 제 5 항에 있어서,
    상기 내부 커버는 상기 제 1 윈도우에 이격된 핀 홀을 갖는 발광다이오드 테스트 모듈.
  7. 제 6 항에 있어서,
    상기 기판을 상기 플레이트에 밀착하고, 상기 핀 홀을 밀폐시키는 기판 블록과, 상기 기판 블록들 내에 제공되어 상기 핀 홀을 통해 상기 플레이트 상의 상기 발광다이오드에 연결되는 전원 핀들을 더 포함하는 발광다이오드 테스트 모듈.
  8. 제 5 항에 있어서,
    상기 발광다이오드에 근접하는 상기 기판에 실장되는 제 1 온도 센서와, 상기 내부 공간에 제공된 제 2 온도 센서를 더 포함하는 발광다이오드 테스트 모듈.
  9. 제 1 항에 있어서,
    상기 내부 커버는 상기 제 1 윈도우의 둘레에 상기 플레이트 방향으로 돌출되는 링 형태의 차광 부재를 갖는 발광다이오드 테스트 모듈.
  10. 제 1 항에 있어서,
    상기 제 1 윈도우의 내벽에 상기 빛을 산란시키는 요철들이 형성된 발광다이오드 테스트 모듈.
  11. 제 1 항에 있어서,
    상기 제 1 윈도우 및 제 2 윈도우는 볼록 렌즈를 포함하는 발광다이오드 테스트 모듈.
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Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2015163726A1 (ko) * 2014-04-24 2015-10-29 주식회사 세미콘라이트 발광소자 검사장치
WO2018132064A1 (en) * 2017-01-13 2018-07-19 Heptagon Micro Optics Pte. Ltd. Apparatus for testing an optoelectronic device and method of operating the same
US10411176B2 (en) 2014-09-12 2019-09-10 Semicon Light Co., Ltd. Method for manufacturing semiconductor light-emitting device
KR20210150870A (ko) * 2020-06-04 2021-12-13 단국대학교 천안캠퍼스 산학협력단 광번짐 현상을 제거한 마이크로 led 검사장치

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101595840B1 (ko) * 2009-09-03 2016-02-29 (주)제이티 소자검사장치 및 검사방법
KR101609766B1 (ko) * 2014-09-12 2016-04-07 주식회사 세미콘라이트 반도체 발광소자의 검사 방법

Family Cites Families (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5239716B2 (ja) * 2008-10-06 2013-07-17 株式会社日本マイクロニクス Ｌｅｄの試験装置
KR100976690B1 (ko) * 2010-04-27 2010-08-18 서승환 Ｌｅｄ 모듈 검사블록

Cited By (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2015163726A1 (ko) * 2014-04-24 2015-10-29 주식회사 세미콘라이트 발광소자 검사장치
US10411176B2 (en) 2014-09-12 2019-09-10 Semicon Light Co., Ltd. Method for manufacturing semiconductor light-emitting device
US10763415B2 (en) 2014-09-12 2020-09-01 Semicon Light Co., Ltd. Method for manufacturing semiconductor light-emitting device
US10930832B2 (en) 2014-09-12 2021-02-23 Semicon Light Co., Ltd. Method for manufacturing semiconductor light emitting device
WO2018132064A1 (en) * 2017-01-13 2018-07-19 Heptagon Micro Optics Pte. Ltd. Apparatus for testing an optoelectronic device and method of operating the same
US10908208B2 (en) 2017-01-13 2021-02-02 ams Sensors Singapore. Pte. Ltd. Apparatus for testing an optoelectronic device and method of operating the same
KR20210150870A (ko) * 2020-06-04 2021-12-13 단국대학교 천안캠퍼스 산학협력단 광번짐 현상을 제거한 마이크로 led 검사장치

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